\begin{center}
{\LARGE\bf
- Monte Carlo Simulation des Selbstorganisationsprozesses bei der Bildung nanometrischer $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-Ionen-implantierten Silizium \\
+ Monte-Carlo-Simulation von selbstorganisierten nanometrischen $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-implantierten Silizium \\
}
\vspace{40pt}
\includegraphics[height=3.3cm]{uni-logo.eps} \\
- \vspace{20pt}
+ \vspace{30pt}
\includegraphics[height=3cm]{Lehrstuhl-Logo.eps}
- \vspace{20pt}
+ \vspace{30pt}
{\large
Lehrstuhl für Experimentalphysik IV\\
Universität Augsburg\\
}
- \vspace{20pt}
+ \vspace{30pt}
+
+ {\large
+ Oktober 2005\\
+ }
+
+ \vspace{30pt}
{\large
- April 2005\\
+ Erstkorrektor: Prof. Dr. Bernd Stritzker\\
+ Zweitkorrektor: Priv.-Doz. Dr. habil. Volker Eyert
}
\end{center}