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diff --git a/nlsop/diplom/ergebnisse.tex b/nlsop/diplom/ergebnisse.tex
index b2beb50..b5ac3ac 100644
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 \chapter{Ergebnisse}
+\label{chapter:ergebnisse}
+
+Im Folgenden sollen die Ergebnisse der Simulation diskutiert werden.
+Dabei werden Simulationsergebnisse mit experimentell erfassten Ergebnissen aus \cite{maik_da} verglichen.
+
+Weiterhin soll der in Kapitel \ref{chapter:modell} vorgestellte Bildungsmechanismus der amorphen $SiC_x$-Phasen in $Si$ verifiziert werden.
+Hierbei wird vorallem der Einfluss einzelner Simulationsparameter, wie Diffusion und St"arke der Druckspannungen, auf den Selbstorganisationsprozess untersucht.
+
+Unter der Annahme der Richtigkeit des Modells und seiner Umsetzung k"onnen sehr leicht Aussagen "uber die Struktur und Zusammensetzung an jedem beliebigen Ort des Targets w"ahrend des Ordnungsprozesses gemacht werden.
+Diese Information ist experimentell sehr schwer zug"anglich.
+
+Zun"achst werden die Ergebnisse der Simulationen bis $300 nm$ Tiefe vorgestellt.
+Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich diskutiert.
 
   \section{Simulation bis $300 nm$ Tiefe}
 
+  Die erste Version der Simulation behandelt den Tiefenbereich bis $300 nm$.
+  Wie in Abschnitt \ref{section:sim_tiefenbereich} beschrieben, kann das Implantationsprofil und die nukleare Bremskraft in diesem Bereich linear gen"ahert werden.
+  Es besteht kein Zusammenhang zwischen Anzahl der Durchl"aufe und der implantierten Dosis.
+  In jedem Durchlauf wird nur ein Sto"sprozess, der zur Amorphisierung beziehungsweise Rekristallisation eines Targetvolumens f"uhren kann betrachtet.
+  Diffusion des Kohlenstoffs von kristallinen in amorphe Gebiete findet statt.
+  Sputtereffekte k"onnen wegen fehlender Information "uber Kohlenstoffgehalt und die amorph/kristalline Struktur in tieferen Ebenen nicht beachtet werden.
+
+    \subsection{Erste Simulationsdurchl"aufe}
+
+    In den ersten Simulationen wurde zun"achst das Abbruchkriterium f"ur den Einflussbereich der Druckspannungen der amorphen Gebiete auf die kristalline $Si$-Matrix untersucht.
+    Ein Abbruchkriterium ist zum einem wegen der Behandlung eines in $x-y$-Richtung unendlich ausgedehnten Festk"orpers, realisiert durch periodische Randbedingungen, und zum anderen wegen schnellerer Berechnung der Druckspannungen n"otig.
+    Eine Erh"ohung des Einflussbereichs von $4$ auf $6$ Volumen zeigt eine gr"ossere Menge an amorphen Gebieten, die lamellare Ordnung der Ausscheidungen steigt jedoch nicht an.
+    Aus den oben genannten Gr"unden wurde f"ur alle weiteren Simulationen ein Einflussbereich von $5$ Volumen gew"ahlt.
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+    EDIT: Variation von $p_s$ bringt nicht viel, man brauch hohe Schrittzahl.\\
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     \subsection{Vergleich von Simulationsergebnis und TEM-Aufnahme}
 
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     \subsection{Notwendigkeit der Diffusion}
 
     \subsection{Einfluss der Druckspannungen}