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index bbf1554..f1e29a0 100644
--- a/nlsop/diplom/ergebnisse.tex
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 \chapter{Ergebnisse}
+\label{chapter:ergebnisse}
+
+Im Folgenden sollen die Ergebnisse der Simulation diskutiert werden.
+Dabei werden Simulationsergebnisse mit experimentell erfassten Ergebnissen aus \cite{maik_da} verglichen.
+
+Weiterhin soll der in Kapitel \ref{chapter:modell} vorgestellte Bildungsmechanismus der amorphen $SiC_x$-Phasen in $Si$ verifiziert werden.
+Hierbei wird vorallem der Einfluss einzelner Simulationsparameter, wie Diffusion und St"arke der Druckspannungen, auf den Selbstorganisationsprozess untersucht.
+
+Unter der Annahme der Richtigkeit des Modells und seiner Umsetzung k"onnen sehr leicht Aussagen "uber die Struktur und Zusammensetzung an jedem beliebigen Ort des Targets w"ahrend des Ordnungsprozesses gemacht werden.
+Diese Information ist experimentell sehr schwer zug"anglich.
+
+Zun"achst werden die Ergebnisse der Simulationen bis $300 nm$ Tiefe vorgestellt.
+Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich diskutiert.
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+  \section{Simulation bis $300 nm$ Tiefe}
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+ 
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+    \subsection{Erste Simulationsdurchl"aufe}
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+    \subsection{Vergleich von Simulationsergebnis und TEM-Aufnahme}
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+    \subsection{Notwendigkeit der Diffusion}
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+    \subsection{Einfluss der Druckspannungen}
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+    \subsection{Verteilung des Kohlenstoffs im Target}
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+  \section{Simulation "uber den gesamten Implantationsbereich}
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+    \subsection{Reproduzierbarkeit der Dosisentwicklung}
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+    \subsection{Variation der Simulationsparameter}
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+    \subsection{Kohlenstoffverteilung}
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+    \subsection{Variation der Ion-Target-Kombination}
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