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 \chapter{Grundlagen}
+
+  \section{Monte-Carlo-Simulation}
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+  
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+  \section{Ion-Festk"orper Wechselwirkung}
+
+  Zur theoretischen Beschreibung der Ionenimplantation mu"s die Wechselwirkung der Ionen mit dem Target betrachtet werden.
+  Durch St"o"se mit den Kernen und Elektronen des Targets werden die Ionen im Festk"orper abgebremst, ein entsprechendes Implantationsprofil stellt sich ein.
+  Weitere Folgen sind die durch Bestrahlung im Kristallgitter entstehenden Sch"aden.
+  Im Folgenden wird darauf genauer eingegangen.
+
+    \subsection{Abbremsung von Ionen}
+
+    Die Abbremsung der Ionen im Festk"orper kommt haupts"achlich durch inelastische Wechselwirkung mit den Targetelektronen und elastischer Wechselwirkung mit den Atomkernen des Targets zustande.
+    Diese sind unabh"angig voneinander.
+    Die elastische Streuung an freien Elektronen sowie die inelastische Streuung an den Atomkernen k"onnen vernachl"assigt werden.
+    Ebenfalls vernachl"assigt werden Brems- und Cerenkovstrahlung.
+
+      \subsubsection{Bremsquerschnitt}
+
+      Um die Abbremsung der Ionen durch elektronische und nukleare Streuung zu beschreiben, definiert man den sogenannten Bremsquerschnitt.
+      \[
+      S_{e,n} = - \frac{1}{N} \Big( \frac{\partial E}{\partial x} \Big)_{e,n}
+      \]
+      Dieser ist proportional zuzr Bremskraft $\frac{\partial E}{\partial x}$, welche angibt, wieviel Energie $E$ des Ions pro zur"uckgelegter Wegl"ange $x$ abgegeben wird.
+      $N$ ist die atomare Dichte des Festk"orpers.
+      Zerlegt man nun die Energieverlustrate in einen nuklearen und einen elektronischen Anteil so erh"alt man f"r den Energieverlust pro Wegl"ange:
+      \[
+      - \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( S_e(E) + S_n(E) \Big)
+      \]
+
+      \subsubsection{Nukleare Bremskraft}
+
+      \subsubsection{Elektronische Bremskraft}
+
+    \subsection{Implantationsprofil}
+
+    \subsection{Strahlensch"aden und Amorphisierung}