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index d16fb32..e41c515 100644
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 \chapter{Modell}
 \label{chapter:modell}
 
-  \section{Implantationsbedingungen f"ur nanometrische Ausscheidungen}
-
-  Gegenstand dieser Arbeit ist die Umsetzung eines Modells, welches den Selbstorganisationsvorgang von lamellaren und sph"arischen $SiC_x$-Ausscheidungen an der vorderen Grenzfl"ache zur durchgehenden amorphen $SiC_x$-Schicht erkl"aren soll.
-  Die Entstehung solcher Ausscheidungen beobachtet man nur unter bestimmten Implantationsbedingungen.
-  Die Implantationstemperatur muss hoch genug sein, um eine komplette Amorphisierung des Targets, und gleichzeitig niedrig genug, um die Kristallisation amorpher Ausscheidungen zu kubischen $3C-SiC$ zu verhindern.
-  F"ur Kohlenstoff in Silizium sind Temperaturen zwischen $150$ und $400 \, ^{\circ} C$ geeignet.
-  Da bei diesen Temperaturen kaum Amorphisierung zu erwarten ist, muss sehr viel Kohlenstoff implantiert werden, was letztendlich zur Nukleation kohlenstoffreicher amorpher $SiC_x$-Ausscheidungen f"uhrt.
-  \begin{figure}[h]
-  \includegraphics[width=12cm]{k393abild1_.eps}
-  \caption{Hellfeld-TEM-Abbildung einer bei $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ mit $180 keV \quad C^+$ implantierten $Si$-Probe mit einer Dosis von $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$. (L: amorphe Lamellen,  S: sph"arische amorphe Ausscheidungen)}
-  \label{img:xtem_img}
-  \end{figure}
-
-  Abbildung \ref{img:xtem_img} zeigt eine TEM-Aufnahme einer mit $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ inplantierten Probe.
-  Die hellen Gebiete sind amorph, dunkle Gebiete kristallin.
-  In einer Tiefe von ungef"ahr $300 nm$ beginnt die amorphe durchgehende Schicht.
-  An der vorderen Grenzfl"ache sind die lamellaren und sph"arischen $SiC_x$-Ausscheidungen zu erkennen.
-  Diese erstrecken sich "uber einen Tiefenbereich von ca. $100 nm$.
-  Im rechten Teil von Abbildung \ref{img:xtem_img} sieht man einen vergr"o"serten Ausschnitt der vorderen Grenzfl"ache.
-  Man erkennt die regelm"a"sige Anordnung der lamellaren Ausscheidungen ($L$) in Abst"anden, die ungef"ahr der H"ohe der Ausscheidungen selbst entspricht.
-  Die Lamellen sind parallel zur Targetoberfl"ache ausgerichtet.
-  
-  Neben Kohlenstoffimplantation in Silizium wurden solche Ausscheidungen auch in Hochdosis-Sauerstoffimplantation in Silizium, $Ar^+$ in Saphir und $Si^+$ in $SiC$ \cite{van_ommen,specht,ishimaru} gefunden.
-  Entscheidend ist eine Dichtereduktion des Materialsystems bei der Amorphisierung, worauf im n"achsten Abschnitt eingegangen wird.
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-  \section{Formulierung des Modells}
+  %\section{Formulierung des Modells}
 
   Im Folgenden soll auf das Modell zur Bildung dieser geordneten amorphen Ausscheidungen eingegangen werden.
-  Es wurde erstmals in \cite{vorstellung_modell} vorgestellt.
+  Es wurde erstmals in \cite{basic_phys_proc} vorgestellt.
   Die Idee des Modells ist schematisch in Abbildung \ref{img:modell} gezeigt.
   \begin{figure}[h]
   \includegraphics[width=12cm]{model1_s_german.eps}