X-Git-Url: https://hackdaworld.org/gitweb/?a=blobdiff_plain;f=nlsop%2Fdiplom%2Fsimulation.tex;h=b3695b80a6a4ddf0edae4670a80074664078e1a2;hb=a90babd516d3dbf9cb8f0814af9ac29728faf064;hp=eb8497b5e17e529b621ade729ab8f00e8f9c5b76;hpb=5f5b6074a6d580c687beb6bd20b96378386def9d;p=lectures%2Flatex.git

diff --git a/nlsop/diplom/simulation.tex b/nlsop/diplom/simulation.tex
index eb8497b..b3695b8 100644
--- a/nlsop/diplom/simulation.tex
+++ b/nlsop/diplom/simulation.tex
@@ -2,21 +2,19 @@
 \label{chapter:simulation}
 
   Im Folgenden soll die Implementation der Monte-Carlo-Simulation nach dem vorangegangen Modell diskutiert werden.
-  Die Simulation tr"agt den Namen {\em NLSOP}, was f"ur die Schlagw"orter {\bf N}ano, {\bf L}amelle und {\bf S}elbst{\bf O}ragnisations{\bf P}rozess steht.
-  Ziel der Simulation ist die Verifizierung des Modells anhand der experimentellen Ergebnisse, die in Abbildung \ref{img:xtem_img} vorliegen.
-  Die genauen Daten sind:
-  \begin{itemize}
-    \item Energie: $E=180 keV$
-    \item Dosis: $D = 4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$
-    \item Temperatur: $T = 150 ^{\circ} \mathrm{C}$
-    \item Implantationswinkel: $\alpha = 7 ^{\circ}$
-    \item Ion/Target Kombination: $C^+ \rightarrow Si (100)$
-  \end{itemize}
-  Anzumerken ist, dass es zwei Versionen der Simulation gibt, die unterschiedliche Tiefenbereiche abdecken.
-  Diese unterscheiden sich in einigen Punkten, was den Simualtionsalgorithmus betrifft.
-  Darauf wird in einem gesonderten Abschnitt genauer eingegangen.
-  Der Simulationsalgorithmus wird erkl"art und die dazu ben"otigten Annahmen und Informationen aus {\em TRIM}-Ergebnissen werden besprochen.
-  Das Kapitel schlie"st mit dem Test der verwendeten Zufallszahlen und dem Ablaufschema der Simulation.
+  Die Simulation tr"agt den Namen \linebreak[4] {\em NLSOP}, was f"ur die Schlagw"orter {\bf N}ano, {\bf L}amellar und {\bf S}elbst{\bf O}ragnisations-{\bf P}rozess steht.
+  Ziel der Simulation ist die Validierung des Modells anhand der experimentellen Ergebnisse, wie sie in Abbildung \ref{img:xtem_img} vorliegen.
+
+  Es wurden zwei Versionen der Simulation erstellt, die unterschiedliche Tiefenbereiche abdecken.
+  Die erste Version beschreibt den Bereich von der Oberfl"ache des Targets bis zum Beginn der durchgehenden amorphen $SiC_x$-Schicht, also den Tiefenbereich von $0$ bis $300 nm$.
+  Nachdem eine Beschreibung der Bildung lamellarer amorpher Ausscheidungen mit dieser Version sehr gut funktioniert hat, wurde eine zweite Version entwickelt, die den gesamten Implantationsbereich betrachtet.
+  Auf weitere Unterschiede in den zwei Versionen wird in einem gesonderten Abschnitt genauer eingegangen.
+
+  Der grobe Ablauf der Simulation ist wie folgt.
+
+  Im Folgenden werden der Simulationsalgorithmus und die dazu ben"otigten Annahmen besprochen.
+  Ein weiterer Abschnitt besch"aftigt sich mit der Extraktion von, f"ur die Simulation notwendigen Informationen aus {\em TRIM}-Ergebnissen.
+  Das Kapitel schlie"st mit dem Test der verwendeten Zufallszahlen.
 
   \section{Annahmen der Simulation}