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diff --git a/nlsop/nlsop.tex b/nlsop/nlsop.tex
index 16fd3b2..1d1bc26 100644
--- a/nlsop/nlsop.tex
+++ b/nlsop/nlsop.tex
@@ -56,7 +56,7 @@ Diese sind unabh"angig voneinander.
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
-\subsubsection{Bremsquerschnitt}
+\slideheading{Bremsquerschnitt}
 Definition: Bremsquerschnitt $S_{e,n}$
 \[
  S_{e,n} = \frac{1}{N} \Big( \frac{\partial E}{\partial x} \Big)_{e,n}
@@ -80,7 +80,7 @@ Mittlere Reichweite $R$:
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
-\subsubsection{elektronischer Energieverlust}
+\slideheading{elektronischer Energieverlust}
 Elektronischer Energieverlust haupts"achlich durch inelastische St"o"se.
 \begin{itemize}
  \item Anregung / Ionisation des Targets
@@ -106,7 +106,7 @@ wobei
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
-\subsubsection{nuklearer Energieverlust}
+\slideheading{nuklearer Energieverlust}
 Beschreibung durch elastischen Sto"s:
 \[
  T_n(E,p) = E \frac{2 M_1 M_2}{(M_1 + M_2)^2} (1 - \sin \theta)
@@ -122,7 +122,7 @@ wobei:
 \]
 Integration "uber alle alle m"oglichen Energien $T_n$, gewichtet mit deren Wahrscheinlichkeit liefert Bremsquerschnitt $S_n$:
 \[
- S_n(E) = \int_0^\infty T_n(E,p) 2 \pi \partial p = \int_0^{T_{max}} T \partial \sigma(E,T_n)
+ S_n(E) = \int_0^\infty T_n(E,p) 2 \pi \partial p = \int_0^{T_{max}} T \sigma(E,T_n) \partial \sigma
 \]
 \end{slide}
 
@@ -135,10 +135,10 @@ wobei $\phi$ Abschirmfunktion darstellt.
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
-\subsubsection{Implanationsprofil}
+\slideheading{Implantationsprofil}
 Wegen Richtungs"anderungen der Ionen:
 \[
- R \neq \textrm{mittlere Implanationstiefe}
+ R \neq \textrm{mittlere Implantationstiefe}
 \]
 N"aherung des Konzentartionsprofils durch Gau"sverteilung:
 \[
@@ -155,7 +155,7 @@ mit:
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
-Ionisationsprofil aus Monte-Carlo-Simulation (TRIM):
+Implantationsprofil aus Monte-Carlo-Simulation (TRIM):
 \\
 bild von maik requesten...
 \end{slide}
@@ -178,7 +178,7 @@ Intensit"at der Strahlensch"adigung verh"alt sich wie nukleare Bremskraft (ledig
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
-\section{Nannolamelare Selbstordnungsprozesse}
+\section{Nanolamelare Selbstordnungsprozesse}
 \end{slide}
 
 \begin{slide}
@@ -186,7 +186,7 @@ Intensit"at der Strahlensch"adigung verh"alt sich wie nukleare Bremskraft (ledig
 Parameter:
 \begin{itemize}
  \item niedrige Targettemperaturen, $T < 400$ Grad Celsius
- \item Implanation in $(100)$-orientiertes Silizium
+ \item Implantation in $(100)$-orientiertes Silizium
 \end{itemize}
 Beobachtungen an oberer Grenzfl"ache zur amorphen Schicht:\\
 $\rightarrow$ Bildung amorpher lamellarer Strukturen
@@ -297,4 +297,8 @@ Beobachtungen in Abh"angigkeit der Parameter:
 parameter und bilder einfuegen...
 \end{slide}
 
+\begin{slide}
+\section{Ausblick}
+\end{slide}
+
 \end{document}