X-Git-Url: https://hackdaworld.org/gitweb/?a=blobdiff_plain;f=nlsop%2Fnlsop_dpg_2004.tex;h=922341dda81da6d8ab6390af3d9328def9b550c3;hb=93e5044e60609e3606f41faf40c0ddddba3635b6;hp=0f45ac1259910361f59de853b0df94cf1e0d7d34;hpb=e8beae814919677924e08d4b603fa23536d18fec;p=lectures%2Flatex.git diff --git a/nlsop/nlsop_dpg_2004.tex b/nlsop/nlsop_dpg_2004.tex index 0f45ac1..922341d 100644 --- a/nlsop/nlsop_dpg_2004.tex +++ b/nlsop/nlsop_dpg_2004.tex @@ -25,21 +25,12 @@ \input{seminar.bug} % Official bugs corrections \input{seminar.bg2} % Unofficial bugs corrections -\def\uni-header{% -\ptsize{8}% - \begin{figure}[t]% - \begin{center} - \includegraphics[height=1cm]{ifp.eps}% - \hspace{1in}% - \includegraphics[height=1cm]{Lehrstuhl-Logo.eps}% - %\hspace{3in}% - %\includegraphics[height=1cm]{uni-logo.eps}% - \end{center} - \end{figure}} - \begin{document} \extraslideheight{10in} +\slideframe{none} + +% topic \begin{slide} \begin{figure}[t] @@ -58,67 +49,47 @@ \end{center} \end{slide} +% start of content +\ptsize{8} + \begin{slide} -\uni-header +\section*{Cross-Section TEM-Aufnahme selbstorganisierter amorpher Lamellen} \begin{figure} \begin{center} \includegraphics[width=08cm,clip,draft=no]{k393abild1.eps} - \caption{Hellfeld-TEM-Abbildung einer bei $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ mit $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ implantierten Probe} + Hellfeld-TEM-Abbildung, $180 keV \quad C^+ \rightarrow Si(100)$, $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$, $4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$ \end{center} \end{figure} \end{slide} \begin{slide} -\uni-header -\section*{Modell} -\begin{itemize} - \item geringe L"oslichkeit von Kohlenstoff in Silizium \\ $\rightarrow$ kohlenstoffinduzierte Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen - \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ \\ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph - \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen $SiC$ \\ $\rightarrow$ Druckspannungen auf Umgebung - \item d"unnes Target \\ $\rightarrow$ Relaxation der Druckspannung in $z$-Richtung - \item Kohlenstoff"ubers"attigung \\ $\rightarrow$ Diffusion von Kohlenstoff aus kristallinen in amorphe Gebiete -\end{itemize} -\end{slide} - -\begin{slide} -\uni-header \section*{Modell} \begin{figure}[t] \begin{center} - \includegraphics[width=6cm]{model1_.eps} - \caption{Modell zur Entstehung und Selbstordnung lamellarer Strukturen} + \includegraphics[width=6cm]{model1_german.eps} \end{center} \end{figure} \begin{itemize} - \item kohlenstoffinduzierte Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen - \item spannungsinduzierte Amorphisierung zwischen zwei amorphen Ausscheidungen - \item Bildung kohelnstoffreicher amorpher lamellarer Ausscheidungen + \item L"oslichkeit von Kohlenstoff in $c$-Silizium "uberschritten \\ $\rightarrow$ Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen + \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ \\ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph + \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen zu kristallinen $SiC$ \\ $\rightarrow$ Druckspannungen auf Umgebung + \item nahe der Oberfl"ache \\ $\rightarrow$ Relaxation der Druckspannung in $z$-Richtung + \item Abbau der Kohlenstoff"ubers"attigung \\ $\rightarrow$ Diffusion von Kohlenstoff aus kristallinen in amorphe Gebiete + \item Druckspannungen \\ $\rightarrow$ bevorzugte Amorphisierung zwischen zwei amorphen Ausscheidungen \end{itemize} \end{slide} \begin{slide} -\uni-header -\section*{Annahmen} +\section*{Annahmen/N"aherungen} \begin{figure} \begin{center} - \includegraphics[width=5cm]{implsim_.eps} - \caption{Tiefenabh"angiges Implantationsprofil und Energieversluste (\emph{TRIM})} + \includegraphics[width=5cm]{implsim_new.eps} + \emph{TRIM}-Implantationsprofil und Energieversluste \end{center} \end{figure} \end{slide} \begin{slide} -\uni-header -\section*{Annahmen} -\begin{itemize} - \item Strahlensch"adigung $\simeq$ nukleare Bremskraft (linear gen"ahert) - \item Amorphisierungswahrscheinlichkeit $\simeq$ Druckspannungen - \item lineare N"aherung des Implantationsprofils -\end{itemize} -\end{slide} - -\begin{slide} -\uni-header \section*{Simulation} \begin{itemize} \item Unterteilung des Silizium-Targets in Zellen ($x=50$, $y=50$, $z=100$) @@ -132,7 +103,6 @@ \end{slide} \begin{slide} -\uni-header \section*{Simulation} Dreiteilung des Simulationsalgorithmus: \begin{enumerate} @@ -143,14 +113,13 @@ Dreiteilung des Simulationsalgorithmus: \end{slide} \begin{slide} -\uni-header \section*{Simulation(1/3) - Amorphisierung/Rekristallisation} \begin{itemize} \item zuf"allige Wahl der Koordinaten f"ur Sto"sprozess \item Berechnung der Amorphisierungs- bzw. Rekristallisationswahrscheinlichkeit \[ \begin{array}{ll} - p_{c \rightarrow a} & \displaystyle =a_{cp} \times c^{\textrm{lokal}}_{\textrm{Kohlenstoff}} + b_{ap} + \sum_{amorphe Nachbarn} \frac{a_{ap} \times c_{\textrm{Kohelstoff}}}{\textrm{Abstand}^2}\\ + p_{c \rightarrow a} & \displaystyle =a_{cp} \times c^{\textrm{lokal}}_{\textrm{Kohlenstoff}} + b_{ap} + \sum_{amorphe Nachbarn} \frac{a_{ap} \times c_{\textrm{Kohlenstoff}}}{\textrm{Abstand}^2}\\ p_{a \rightarrow c} & =1-p_{c \rightarrow a} \end{array} \] @@ -162,7 +131,6 @@ Dreiteilung des Simulationsalgorithmus: \end{slide} \begin{slide} -\uni-header \section*{Simulation(2/3) - \\ Einbau des implantierten Kohlenstoffions} \begin{itemize} \item $\textrm{gesamter Kohlenstoff} < \textrm{steps} \times c_{ratio}$ @@ -171,23 +139,21 @@ Dreiteilung des Simulationsalgorithmus: \end{slide} \begin{slide} -\uni-header \section*{Simulation(3/3) - Diffusion} Diffusion findet alle $d_v$ Schritte statt. \begin{itemize} \item rein kristalline Diffusion: \[ - \Delta c = \frac{\textrm{Differenz}}{2} \times dr_{ac} + \Delta c = \frac{\textrm{Differenz}}{2} \times dr_{cc} \] \item Diffusion von kristalline in amorphe Gebiete: \[ - \Delta c = c_C(Nachbar) \times dr_{cc} + \Delta c = c_C(Nachbar) \times dr_{ac} \] \end{itemize} \end{slide} \begin{slide} -\uni-header \section*{Ergebnisse} variierte Parameter: \begin{itemize} @@ -200,7 +166,6 @@ variierte Parameter: \end{slide} \begin{slide} -\uni-header \section*{Ergebnisse} Notwendig f"ur Bildung der lamellaren Ausscheidungen: \begin{itemize} @@ -217,7 +182,6 @@ Notwendig f"ur Bildung der lamellaren Ausscheidungen: \end{slide} \begin{slide} -\uni-header \section*{Ergebnisse} Bildung komplement"ar angeordneter, amorpher kohlenstoffreicher Ausscheidungen in aufeinander folgenden Ebenen \begin{figure}[h] @@ -230,33 +194,30 @@ Bildung komplement"ar angeordneter, amorpher kohlenstoffreicher Ausscheidungen i \end{slide} \begin{slide} -\uni-header \section*{Ergebnisse} -Die amorph/kristalline Diffusionsrate beeinflusst die Tiefe in der erstmals lamellare Ordnung auftrit +Die amorph/kristalline Diffusionsrate beeinflusst die Tiefe in der erstmals lamellare Ordnung auftritt \begin{figure}[h] \begin{center} \includegraphics[height=2cm]{sim2_a004_b0_Z_c-diff_x-z_21.eps} \includegraphics[height=2cm]{sim2_a004_b0_Z_0.2-ac-diff_y-z_28.eps} - \caption{Messunng mit verschiedenen amorph-kristallinen Diffusionsraten} + \caption{Messung mit verschiedenen amorph-kristallinen Diffusionsraten} \end{center} \end{figure} \end{slide} \begin{slide} -\uni-header \section*{Ergebnisse} Beste "Ubereinstimmung mit TEM-Aufnahme: \begin{figure}[t] \begin{center} \includegraphics[height=3.5cm]{sim2_64-64_a003_b0_no-c-diff_x-z_23-cmp-tem.eps} \includegraphics[height=3.5cm]{tem-if.eps} - \caption{Vergleich von Simulationsergebniss und TEM-Aufnahme} + \caption{Vergleich von Simulationsergebnis und TEM-Aufnahme} \end{center} \end{figure} \end{slide} \begin{slide} -\uni-header \section*{Ausblick} \begin{itemize} \item mehrere Sto"sprozesse pro Durchlauf $\rightarrow$ Durchlauf entspricht einem implantierten Ion