X-Git-Url: https://hackdaworld.org/gitweb/?a=blobdiff_plain;f=posic%2Ftalks%2Fseminar_2008.tex;h=d370071a807e47f388bbefcb1f596f89f967da45;hb=3e20fd2066f92f6d0cd985111a7eb0e48d87286f;hp=2d2218e87122c23cf1f18f39fa77be45634c9a8f;hpb=a63663eef597c796faf6a3882166a5d66ce4e6f3;p=lectures%2Flatex.git diff --git a/posic/talks/seminar_2008.tex b/posic/talks/seminar_2008.tex index 2d2218e..d370071 100644 --- a/posic/talks/seminar_2008.tex +++ b/posic/talks/seminar_2008.tex @@ -271,14 +271,54 @@ Die Alternative: Ionenstrahlsynthese + {\small + \begin{itemize} - \item Implantation: - 180 keV C$^+\rightarrow$ Si, $D=8.5 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$, - $T_{\text{i}}=450 \, ^{\circ} \text{C}$ - \item Temperschritt: - $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=??\text{ h}$ + \item Implantation 1: + 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100), + $D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$, + $T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$ + \begin{center} + $\Downarrow$\\ + epitaktisch orientierte 3C-SiC Ausscheidungen + in kastenf"ormigen Bereich, + eingeschlossen in a-Si:C + \end{center} + \item Implantation 2: + 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100), + $D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$, + $T_{\text{i}}=250 \, ^{\circ} \text{C}$ + \begin{center} + $\Downarrow$\\ + Zerst"orung einzelner SiC Ausscheidungen + in gr"o"ser werdenden amorphen Grenzschichten + \end{center} + \item Tempen: + $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$ + \begin{center} + $\Downarrow$\\ + Homogene, st"ochiometrische 3C-SiC Schicht mit + scharfen Grenzfl"achen + \end{center} \end{itemize} + + \begin{minipage}{5.9cm} + \includegraphics[width=6cm]{ibs_3c-sic.eps} + \end{minipage} + \hspace*{0.3cm} + \begin{minipage}{6.5cm} + \vspace*{0.5cm} + {\scriptsize + Querschnitts-TEM-Aufnahme einer einkristallinen vergrabenen + 3C-SiC-Schicht.\\ + (a) Hellfeldaufnahme\\ + (b) 3C-SiC(111) Dunkelfeldaufnahme\\ + } + \end{minipage} + +} + \end{slide} \begin{slide}