X-Git-Url: https://hackdaworld.org/gitweb/?a=blobdiff_plain;f=posic%2Ftalks%2Fseminar_2008.tex;h=d5ea0eef3abc16fb35536817967f84a889f0dccb;hb=c8a3c64bf0fd14249677ee9b266ff6a19dbd6c7c;hp=600080c7c1af27858dd6d64d0182e9d96b37c8e0;hpb=ec33d2be4bcdfec43889d3b9cfa7288ea4ec9af7;p=lectures%2Flatex.git diff --git a/posic/talks/seminar_2008.tex b/posic/talks/seminar_2008.tex index 600080c..d5ea0ee 100644 --- a/posic/talks/seminar_2008.tex +++ b/posic/talks/seminar_2008.tex @@ -271,27 +271,34 @@ Die Alternative: Ionenstrahlsynthese - \small + {\small - \begin{minipage}{6cm} \begin{itemize} - \item Implantation 1:\\ - 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100)\\ + \item Implantation 1: + 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100), $D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$, $T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$\\ - $\rightarrow$ - \item Implantation 2:\\ - 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100)\\ + epitaktisch orientierte 3C-SiC Ausscheidungen + in kastenf"ormigen Bereich,\\ + eingeschlossen in a-Si:C + \item Implantation 2: + 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100), $D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$, $T_{\text{i}}=250 \, ^{\circ} \text{C}$\\ - $\rightarrow$ + Zerst"orung einzelner SiC Ausscheidungen + in gr"o"ser werdenden amorphen Grenzschichten \item Tempern: - $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$ + $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$\\ + Homogene, st"ochiometrische 3C-SiC Schicht mit + scharfen Grenzfl"achen \end{itemize} + + \begin{minipage}{6.3cm} + \includegraphics[width=6.3cm]{ibs_3c-sic.eps} \end{minipage} - \hspace*{0.3cm} - \begin{minipage}{6cm} - \includegraphics[width=7cm]{ibs_3c-sic.eps} + \hspace*{0.2cm} + \begin{minipage}{6.5cm} + \vspace*{2.3cm} {\scriptsize Querschnitts-TEM-Aufnahme einer einkristallinen vergrabenen 3C-SiC-Schicht.\\ @@ -300,6 +307,12 @@ } \end{minipage} + \vspace{0.2cm} + + Entscheidende Parameter: Dosis und Implantationstemperatur + +} + \end{slide} \begin{slide}