From: hackbard Date: Thu, 7 Jul 2005 15:25:27 +0000 (+0000) Subject: a bit more ... X-Git-Url: https://hackdaworld.org/gitweb/?a=commitdiff_plain;h=6962dba946f5efc53cc3c57fc39487c9d3a67440;p=lectures%2Flatex.git a bit more ... --- diff --git a/nlsop/diplom/ergebnisse.tex b/nlsop/diplom/ergebnisse.tex index f1e29a0..b5ac3ac 100644 --- a/nlsop/diplom/ergebnisse.tex +++ b/nlsop/diplom/ergebnisse.tex @@ -15,12 +15,26 @@ Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich dis \section{Simulation bis $300 nm$ Tiefe} - + Die erste Version der Simulation behandelt den Tiefenbereich bis $300 nm$. + Wie in Abschnitt \ref{section:sim_tiefenbereich} beschrieben, kann das Implantationsprofil und die nukleare Bremskraft in diesem Bereich linear gen"ahert werden. + Es besteht kein Zusammenhang zwischen Anzahl der Durchl"aufe und der implantierten Dosis. + In jedem Durchlauf wird nur ein Sto"sprozess, der zur Amorphisierung beziehungsweise Rekristallisation eines Targetvolumens f"uhren kann betrachtet. + Diffusion des Kohlenstoffs von kristallinen in amorphe Gebiete findet statt. + Sputtereffekte k"onnen wegen fehlender Information "uber Kohlenstoffgehalt und die amorph/kristalline Struktur in tieferen Ebenen nicht beachtet werden. \subsection{Erste Simulationsdurchl"aufe} + In den ersten Simulationen wurde zun"achst das Abbruchkriterium f"ur den Einflussbereich der Druckspannungen der amorphen Gebiete auf die kristalline $Si$-Matrix untersucht. + Ein Abbruchkriterium ist zum einem wegen der Behandlung eines in $x-y$-Richtung unendlich ausgedehnten Festk"orpers, realisiert durch periodische Randbedingungen, und zum anderen wegen schnellerer Berechnung der Druckspannungen n"otig. + Eine Erh"ohung des Einflussbereichs von $4$ auf $6$ Volumen zeigt eine gr"ossere Menge an amorphen Gebieten, die lamellare Ordnung der Ausscheidungen steigt jedoch nicht an. + Aus den oben genannten Gr"unden wurde f"ur alle weiteren Simulationen ein Einflussbereich von $5$ Volumen gew"ahlt. + + EDIT: Variation von $p_s$ bringt nicht viel, man brauch hohe Schrittzahl.\\ + \subsection{Vergleich von Simulationsergebnis und TEM-Aufnahme} + + \subsection{Notwendigkeit der Diffusion} \subsection{Einfluss der Druckspannungen} diff --git a/nlsop/diplom/simulation.tex b/nlsop/diplom/simulation.tex index 56f0e98..c1ced37 100644 --- a/nlsop/diplom/simulation.tex +++ b/nlsop/diplom/simulation.tex @@ -255,6 +255,7 @@ Bei den gegebenen Bedingungen werden ungef"ahr $50 nm$ des Targets bei einer Dosis von $4,3 \times 10^{-17} cm^{-2}$ abgetragen. \section{Simulierte Tiefenbereiche} + \label{section:sim_tiefenbereich} Wie bereits erw"ahnt gibt es zwei verschiedene Versionen des Programms, die verschiedene Tiefenbereiche, im Folgenden Simulationsfenster genannt, simulieren.