From: hackbard Date: Fri, 4 Nov 2005 00:10:36 +0000 (+0000) Subject: finished trim intro X-Git-Url: https://hackdaworld.org/gitweb/?a=commitdiff_plain;h=9ba13611976b2509471b4c2bd1c78371ec0635b2;p=lectures%2Flatex.git finished trim intro --- diff --git a/nlsop/talk/talk_german.tex b/nlsop/talk/talk_german.tex index e479151..c3ff683 100644 --- a/nlsop/talk/talk_german.tex +++ b/nlsop/talk/talk_german.tex @@ -2,6 +2,7 @@ \mode { +%\usetheme{Berkeley} \usetheme{Warsaw} \setbeamercovered{transparent} } @@ -12,11 +13,14 @@ \usepackage{amsmath} \usepackage{ae} \usepackage{aecompl} -%\usepackage{color} +\usepackage{colortbl} +\usepackage{pgf,pgfarrows,pgfnodes,pgfautomata,pgfheaps,pgfshade} \usepackage{graphicx} \graphicspath{{../img}} \usepackage{hyperref} +\begin{document} + \title{Vorstellung der Diplomarbeit} \subtitle{Monte-Carlo-Simulation von selbstorganisierten nanometrischen $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-implantierten Silizium} \author[F. Zirkelbach]{Frank Zirkelbach \\ \texttt{frank.zirkelbach@physik.uni-augsburg.de}} @@ -25,101 +29,132 @@ Institut f"ur Physik\\ Lehrstuhl f"ur Experimentalphysik IV\\ Universit"at Augsburg } -\pgfdeclareimage[height=1cm]{lst-logo}{Lehrstuhl-Logo.eps} -\logo{\pgfuseimage{lst-logo}} +\date{10. November 2005} +%\pgfdeclareimage[width=1.5cm]{lst-logo}{Lehrstuhl-Logo} +%\logo{\pgfuseimage{lst-logo}} -\begin{document} +%\beamerdefaultoverlayspecification{<+->} + +\AtBeginSubsection[] +{ + \begin{frame} + \frametitle{"Uberblick} + \tableofcontents[currentsubsection] + \end{frame} +} \begin{frame} \titlepage -} +\end{frame} \begin{frame} \frametitle{"Uberblick} + \tableofcontents%[pausesections] +\end{frame} + +\section{Einf"uhrung} + + \subsection{Ionenimplantation} + +\begin{frame} + \frametitle{Einf"uhrung} + \framesubtitle{Ionenimplantation} + \begin{block}{Funktionsweise} + \begin{itemize} + \item Ionisation des Atoms/Molek"uls + \item Beschleunigung im elektrischen Feld ($500 \, eV - 1 \, GeV$) + \item Bestrahlung eines Festk"orpers + \end{itemize} + \end{block} + \onslide<2-> + $\Rightarrow$ Modifikation oberfl"achennaher Schichten + \begin{block}{Anwendung} + Dotierung von Halbleiterkristallen + \end{block} +\end{frame} +\begin{frame} + \frametitle{Einf"uhrung} + \framesubtitle{Ionenimplantation} + \begin{block}{Vorteile} + \begin{itemize} + \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge + \item Reproduzierbarkeit + \item Homogenit"at + \item Schnelligkeit + \item frei w"ahlbare Implantationstemperatur + \item unabh"angig von der chemischen L"oslichkeitsgrenze + \end{itemize} + \end{block} \end{frame} -\begin{slide}{"Uberblick} -\begin{itemize} - \item Motivation - \item Grundlagen - \item Experimentelle Befunde - \item Das Modell - \item Die Simulation - \item Ergebnisse - \item Anwendung - \item Zusammenfassung -\end{itemize} -\end{slide} - -\overlays{5}{ -\begin{slide}{Ionenimplantation} -Funktionsweise: -\begin{itemstep} - \item Ionisation des Atoms/Molek"uls - \item Beschleunigung im elektrischen Feld ($500 \, eV - 1 \, GeV$) - \item Bestrahlung eines Festk"orpers -\end{itemstep} -\FromSlide{4}{$\Rightarrow$ Modifikation oberfl"achennaher Schichten} \\ -\vspace{15pt} -\FromSlide{5}{ -Industrielle Anwendung:\\ -Dotierung von Halbleiterkristallen} -\end{slide}} - -\begin{slide}{Ionenimplantation} -Vorteile: -\begin{itemize} - \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge - \item Reproduzierbarkeit - \item Homogenit"at - \item Schnelligkeit - \item frei w"ahlbare Implantationstemperatur - \item unabh"angig von der chemischen L"oslichkeitsgrenze -\end{itemize} -\end{slide} - -\overlays{3}{ -\begin{slide}{Selbstorganisation} -\begin{tabular}{c} - \begin{tabular}{ll} - \begin{minipage}{3.5cm} - \onlySlide*{1}{\includegraphics[width=3cm]{ripple_bh.eps}} - \onlySlide*{2}{\includegraphics[width=3cm]{bin_leg.eps}} - \onlySlide*{3}{\includegraphics[width=3cm]{bolse2.eps}} - \end{minipage} & - \begin{minipage}{7.5cm} - \begin{itemstep} - \item Entstehung von Riffeln auf der Targetoberfl"ache - \item separierte Phasen bei der Bestrahlung bin"arer Legierungen - \item periodische Rissbildung bei der Bestrahlung mit schnellen und schweren Ionen - \end{itemstep} - \end{minipage} - \end{tabular} \\ -%\FromSlide{1}{{\footnotesize 1) R. M. Bradley, J. M. E. Harper. J. Vac. Sci. Technol. A6 (1988) 2390\\}} -%\FromSlide{2}{{\footnotesize 2) R. A. Enrique, P. Bellon. Phys. Rev. Lett. 60 (1999) 14649\\}} -%\FromSlide{3}{{\footnotesize 3) W. Bolse, B. Schattat, A. Feyh. Appl. Phys. A 77 (2003) 11\\}} -\end{tabular} -\end{slide}} - -\overlays{2}{ -\begin{slide}{Grundlagen} -Abbremsung der Ionen - \begin{tabular}{ll} - \begin{minipage}[l]{5cm} - \onlySlide{1}{$- \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( {\red S_n(E)} +$ \ldots} - \onlySlide{2}{$- \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( {\red S_n(E)} + {\blue S_e(E)} \Big)$} - \end{minipage} & - \begin{minipage}[l]{6cm} - \begin{itemstep} - \item {\red nukleare Bremskraft}\\ - elastischer Sto"s mit Atomkernen des Targets - \item {\blue elektronische Bremskraft}\\ - inelastischer Sto"s mit Elektronen des Targets - \end{itemstep} - \end{minipage} - \end{tabular} -\end{slide}} + \subsection{Selbstorganisation} + +\begin{frame} + \frametitle{Einf"uhrung} + \framesubtitle{Selbstorganisation} + \begin{columns} + \column{4.5cm} + \only<1>{\includegraphics[height=6.5cm]{ripple_bh}} + \only<2>{\includegraphics[height=6.5cm]{bin_leg}} + \only<3>{\includegraphics[height=6.5cm]{bolse2}} + \column{6.5cm} + \begin{enumerate} + \item<1-> Riffelformation auf der Targetoberfl"ache + \item<2-> separierte Phasen bei der Bestrahlung bin"arer Legierungen + \item<3-> periodische Rissbildung bei der Bestrahlung mit schnellen und schweren Ionen + \end{enumerate} + \end{columns} +\end{frame} + +\section{Grundlagen} + + \subsection{Abbremsung der Ionen} +\begin{frame} + \frametitle{Grundlagen} + \framesubtitle{Abbremsung der Ionen} + \onslide<2-> + \begin{block}{nuklearer Bremsquerschnitt} + elastischer Sto"s mit Atomkernen des Targets\\ + $S_n(E) = \int_0^{T_{max}} T d \sigma$ + \end{block} + \onslide<3-> + \begin{block}{elektronischer Bremsquerschnitt} + inelastischer Sto"s mit Elektronen des Targets\\ + $S_e(E) = k_L \sqrt{E}$ + \end{block} + \onslide<4-> + \begin{block}{Bremskraft} + $- \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( S_n(E) + S_e(E) \Big)$ + \end{block} +\end{frame} + + \subsection[TRIM]{Die Monte-Carlo-Simulation TRIM} + +\begin{frame} + \frametitle{Grundlagen} + \framesubtitle{Die Monte-Carlo-Simulation TRIM} + \begin{block}{Prinzip} + \begin{itemize} + \item Verfolgung einer Vielzahl von Teilchenbahnen + \pause + \item Start mit gegebener Energie, Position und Richtung + \pause + \item Geradlinige Bewegung innerhalb freier Wegl"ange + \pause + \item Energieverlust durch St"o"se + \pause + \item Terminiert wenn $E_{Ion} < E_d$ + \pause + \item Abbildung von Zufallszahlen auf: + \begin{itemize} + \item freie Wegl"ange $l$ + \item Sto"sparameter $p \quad \Rightarrow$ Ablenkwinkel $\Theta \Rightarrow \Delta E$ + \item Azimutwinkel $\Phi$ + \end{itemize} + \end{itemize} + \end{block} +\end{frame} \end{document}