From: hackbard <hackbard>
Date: Wed, 15 Jun 2005 11:24:06 +0000 (+0000)
Subject: ci often and soon .. ;)
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ci often and soon .. ;)
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 \addcontentsline{toc}{chapter}{Literaturverzeichnis}
 \begin{thebibliography}{99}
   \bibitem{herstellung_sic_schicht} J. K. N. Lindner, K. Volz, U. Preckwinkel, B. G"otz, A. Frohnwieser, B. Rauschenbach, B. Stritzker. Mat. Chem. and Phys. 46 (1996) 147.
-  \bibitem{vorstellung_modell} J. K. N. Lindner, M. H"aberlen, M. Schmidt, W. Attenberger, B. Stritzker. Nucl. Instr. and Meth. B 186 (2000) 206-211.
+  \bibitem{vorstellung_modell} J. K. N. Lindner, M. H"aberlen, M. Schmidt, W. Attenberger, B. Stritzker. Nucl. Instr. and Meth. B 186 (2002) 206-211.
   \bibitem{park_miller_zufall} S. K. Park, K. W. Miller. Communications of the ACM 31 (1988) 1192-1201
   \bibitem{ziegler_biersack_littmark} J. F. Ziegler, J. B. Biersack, U. Littmark. The Stopping and Range of Ions in Matter, Vol. 1. Pergamon Press, New York, 1985.
   \bibitem{lss} J. Lindhard, M. Scharff. Phys. Rev. 124 (1961) 128.
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@@ -7,7 +7,7 @@
   Die Implantationstemperatur muss hoch genug sein um eine komplette Amorphisierung des Targets, und gleichzeitig niedrig genug um die Kristallisation amorpher Ausscheidungen zu kubischen $3C-SiC$ zu verhindern.
   F"ur Kohlenstoff in Silizium sind Temperaturen zwischen $150$ und $400 \, ^{\circ} C$ geeignet.
   Da bei diesen Temperaturen kaum Amorphisierung zu erwarten ist, muss sehr viel Kohlenstoff implantiert werden, was letztendlich zur Nukleation kohlenstoffreicher amorpher $SiC_x$-Ausscheidungen f"uhrt.
-  \begin{figure}[!h]
+  \begin{figure}[h]
   \includegraphics[width=12cm]{k393abild1_.eps}
   \caption{Hellfeld-TEM-Abbildung einer bei $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ mit $180 keV \quad C^+$ implantierten $Si$-Probe mit einer Dosis von $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$. (L: amorphe Lamellen,  S: sph"arische amorphe Ausscheidungen)}
   \label{img:xtem_img}
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   Abbildung \ref{img:xtem_img} zeigt eine TEM-Aufnahme einer mit $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ inplantierten Probe.
   In einer Tiefe von ungef"ahr $300 nm$ beginnt die amorphe durchgehende Schicht.
   An der vorderen Grenzfl"ache sind die lamellaren und sph"arischen $SiC_x$-Ausscheidungen zu erkennen.
-
+  Diese erstrecken sich "uber einen Tiefenbereich von ca. $100 nm$.
+  Im rechten Teil von Abbildung \ref{img:xtem_img} sieht man einen vergr"osserten Ausschnitt der vorderen Grenzfl"ache.
+  Man erkennt die regelm"assige Anordnung der lamellaren Ausscheidungen in Abst"anden die ungef"ahr der H"ohe der Ausscheidungen selbst entspricht.
+  Die Lamellen sind parallel zur Targetoberfl"ache ausgerichtet.
+  
 
   Neben Kohlenstoffimplantation in Silizium wurden solche Ausscheidungen auch in Hochdosis-Sauerstoffimplantation in Silizium, $Ar^+$ in $Al_2O_3$ und $Si^+$ in $SiC$ \cite{snead,van_ommen,ishimaru} gefunden.
 
   \section{Formulierung des Modells}
 
+  Im Folgenden soll auf das Modell zur Bildung dieser geordneten amorphen Ausscheidungen eingegangen werden.
+  Es wurde erstmals in \cite{vorstellung_modell} vorgestellt.
+  Die Idee des Modells ist schematisch in Abbildung \ref{img:modell} gezeigt.
+  \begin{figure}[h]
+  \includegraphics[width=12cm]{model1_s_german.eps}
+  \caption{Schematische Abbildung des Modells zur Erkl"arung der Selbstorganisation amorpher $SiC_x$-Ausscheidungen und ihre Entwicklung zu gerodneten Lamellen auf Grund vorhandener Druckspannungen mit zunehmender Dosis in $C^+$-implantierten Silizium}
+  \label{img:modell}
+  \end{figure}
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