From: hackbard <hackbard>
Date: Wed, 27 Jul 2005 12:21:45 +0000 (+0000)
Subject: checkin often and soon
X-Git-Url: https://hackdaworld.org/gitweb/?a=commitdiff_plain;h=b666bd660de20a6e0ce2f649251c9ab3de410ffd;p=lectures%2Flatex.git

checkin often and soon
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diff --git a/nlsop/diplom/ergebnisse.tex b/nlsop/diplom/ergebnisse.tex
index 1d039e3..a5daa58 100644
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@@ -479,7 +479,6 @@ Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich dis
     Ein entsprechendes Implantationsprofil stellt sich ein.
     Allerdings soll das Target durchgehend kristallin sein.
     Dies l"asst sich experimentell durch Erh"ohung der Targettemeperatur erreichen.
-    Ideal w"are eine Verbreiterung des Kohlenstoffprofils durch einen Temperschritt.
 	
     Das kristalline Target wird dann mit $2 MeV$ $C^{+}$ bei der gewohnten Implantationstemperatur von $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ implantiert.
     Abbildung \ref{img:nel_2mev} und \ref{img:impl_2mev} zeigen das durch {\em TRIM} ermittelte nukleare Bremskraft- und Implantationsprofil.
@@ -510,5 +509,16 @@ Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich dis
     \end{figure}
     Abbildung \ref{img:2nd_impl_4_3} zeigt die Dosisentwicklung des zweiten Implantationsschrittes mit $2 MeV$ $C^+$.
     Als Ausgangskonfiguration wurde eine Dosis von $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ von $180 keV$ schnellen Kohlenstoff ins Silizium gew"ahlt.
-    Es reicht schon eine Dosis von $5,4 \times 10^{14} cm{-2}$ (Abbildung \ref{img:2nd_impl_4_3} $e)$) f"ur eine komplette Amorphisierung des kohlenstoffhaltigen Bereichs.
+    Es reicht schon eine Dosis von $5,4 \times 10^{14} cm{-2}$ (Abbildung \ref{img:2nd_impl_4_3} $e)$) im zweiten Implantationsschritt f"ur eine komplette Amorphisierung des kohlenstoffhaltigen Bereichs.
+    Diese Ausgangskonzentration ist also nicht geeignet f"ur die Herstellung breiter lamellarer Ausscheidungen.
+    Es ist zu viel Kohlenstoff vorhanden.
+
+    \begin{figure}[h]
+    \includegraphics[width=12cm]{2nd_impl_1_1.eps}
+    \caption{Dosisentwicklung des zweiten Implantationsschrittes mit $2 MeV$ $C^+$ in $180 keV$ $C^{+}$ implantiertes Silizium mit der Dosis $1,1 \times 10^{17} cm^{-2}$. Die maximale Anzahl der Durchl"aufe von $100 \times 10^{6}$ entspricht einer implantierten Dosis von $2,71 \times 10^{17} cm^{-2}$.}
+    \label{img:2nd_impl_1_1}
+    \end{figure}
+    In Abbildung \ref{img:c_distrib_v2} erkennt man, dass die Kohlenstoffkonzentration im Bereich lamellarer Ausscheidungen zwischen $10$ und $20 at. \%$ liegt.
+    Durch Vergleich mit den Kohlenstoffkonzentrationsmaxima f"ur verschiedene Dosen in Abbildung \ref{img:carbon_sim}, bietet sich die Verwendung einer mit $1,1 \times 10^{17} cm^{-2}$ implantierten Probe an, die dem Profil mit $40 \times 10^{6}$ Durchl"aufen entspricht.
+    Das Ergebnis ist in Abbildung \ref{img:2nd_impl_1_1} dargestellt.