From: hackbard <hackbard>
Date: Wed, 23 Mar 2005 16:56:35 +0000 (+0000)
Subject: und nochmal ein tropfen auf den heissen stein ...
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und nochmal ein tropfen auf den heissen stein ...
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index 86c610d..a920d88 100644
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+++ b/nlsop/diplom/einleitung.tex
@@ -1,5 +1,7 @@
 \chapter{Einleitung}
 
+Die Ionenimplantation ...\\
+
 Die Bestrahlung von Materialien mit energetischen Teilchen hat eine sehr hohe Energie-Dissipation im Material zur Folge, welche die zu Grunde liegende Nano- und Mikrostruktur weit aus dem Gleichgewichtszustand bringen kann.
 Eine der un"ublichsten Antworten des Systems auf die "au"sere Stimulation ist die Selbstorganisation der Nano- und Mikrostruktur zu periodisch angeordneten zwei- oder drei-dimensionalen Gebilden.
 
@@ -8,5 +10,12 @@ Diese Ausscheidungen sind regelm"a"sig angeordnet.
 Es handelt sich um einen Selbstorganisationsprozess.
 Ein Modell zur Beschreibung des Selbstorganisationsvorgangs ist in \cite{chef_habil} vorgestellt.
 
-Die folgende Arbeit beschreibt die Umsetzung des Modells in einen Monte Carlo Simulationscode, mit dessen Hilfe der Selbstorganisationsvorgang genauer untersucht und verstanden werden soll.
+Die folgende Arbeit beschreibt die Umsetzung des Modells in einen Monte-Carlo-Simulationscode, mit dessen Hilfe der Selbstorganisationsvorgang genauer untersucht und verstanden werden soll.
+Monte-Carlo-Rechnungen bieten hierbei den Vorteil, dass sie im Gegensatz zu sogenannten molekulardynamischen Berechnungen sehr viel weniger zeitintensiv sind, da im letztgenannten die Bewegung des Ions in dem Festk"orper durch L"osen der klassischen Bewegungsgleichungen errechnet wird.
+Weiterhin bieten sie den Vorteil, dass die physikalischen Vorg"ange weitgehend ohne einschr"ankende Annahmen behandelt werden k"onnen.
 
+Die Arbeit ist wie folgt aufgebaut. In Kapitel 2 werden die n"otigen Grundlagen der Ionen-Festk"orper Wechselwirkung wiederholt und eine kurze Einf"uhrung in das Konzept der Monte-Carlo-Simulation gegeben.
+Danach wird das Modell konkret formuliert.
+In Kapitel 4 wird die Implementierung des vorher vorgestellten Modells behandelt.
+Nach der Diskussion der Ergebnisse in Kapitel 5 schliesst die Arbeit mit einer Zusammenfassung und einem Ausblick in Kapitel 6.
+ 
diff --git a/nlsop/diplom/grundlagen.tex b/nlsop/diplom/grundlagen.tex
index c79e3b0..63b28af 100644
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+++ b/nlsop/diplom/grundlagen.tex
@@ -1,8 +1,15 @@
 \chapter{Grundlagen}
 
-  \section{Monte Carlo Simulation}
+  \section{Monte-Carlo-Simulation}
 
-  \section{Ionenimplantation}
+  
+
+  \section{Ion-Festk"orper Wechselwirkung}
+
+  Zur theoretischen Beschreibung der Ionenimplantation mu"s die Wechselwirkung der Ionen mit dem Target betrachtet werden.
+  Durch St"o"se mit den Kernen und Elektronen des Targets werden die Ionen im Festk"orper abgebremst, ein entsprechendesImplantationsprofil stellt sich ein.
+  Weitere Folgen sind die durch Bestrahlung im Kristallgitter entstehenden Sch"aden.
+  Im Folgenden wird darauf genauer eingegangen.
 
     \subsection{Abbremsung von Ionen}
 
diff --git a/nlsop/diplom/titel.tex b/nlsop/diplom/titel.tex
index e21e6b7..c5306d8 100644
--- a/nlsop/diplom/titel.tex
+++ b/nlsop/diplom/titel.tex
@@ -3,7 +3,7 @@
 \begin{center}
 
   {\LARGE\bf
-  Monte Carlo Simulation des Selbstorganisationsprozesses bei der Bildung nanometrischer $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-Ionen-implantierten Silizium \\
+  Monte-Carlo-Simulation des Selbstorganisationsprozesses bei der Bildung nanometrischer $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-Ionen-implantierten Silizium \\
   }
 
   \vspace{40pt}