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From: hackbard <hackbard>
Date: Mon, 12 Sep 2005 13:46:39 +0000
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index 9117c9b..644b09b 100644
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@@ -461,4 +461,13 @@
     \end{equation}
     wobei $D_0 = \frac{E_d n}{S_n}$ die Amorphisierungsdosis f"ur $T \rightarrow 0 K$, $C = const. \, S_n^{-\frac{1}{2}}$, $E_{diff}$ die Aktivierungsenergie f"ur Leerstellendiffusion, $E_d$ die Atomverlagerungsenergie und $n$ die atomare Dichte ist.
     
-    Nach dem "Uberlappungsmodell nach Gibbons \cite{gibbons} 
+    Nach dem "Uberlappungsmodell nach Gibbons \cite{gibbons} hinterl"asst jedes Ion ein zylinderf"ormiges, defektreiches Volumen mit der Grundfl"ache $A_i$.
+    Amorphisierung tritt ein, wenn $m$ Ionen den selben Bereich gesch"adigt haben, also nach $m-1$-facher "Uberlappung. 
+    Der "Uberlappungsparameter $m$ ist im wesentlichen abh"angig von der Ionenmasse.
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+    Dennis und Hale erreichten nach diesem Modell f"ur Argon- und Krypton-Ionen in Silizium die beste "Ubereinstimmung mit experimentell bestimmten Sch"adigungsdaten f"ur $m=2$ und $m=3$.
+    Dies deutet darauf hin, dass selbst bei schweren Ionen ausschliesslich direkte Amorphisierung ($m=1$) uunwahrscheinlich ist.
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index e9f6a63..9b0d5e6 100644
--- a/nlsop/diplom/literatur.tex
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@@ -25,6 +25,7 @@
   \bibitem{spinella} C. Spinella, F. Priolo, R. A. Puglisi, S. Lombardo, S. U. Campisano. Nucl. Instr. and Meth. B 120 (1996) 198.
   \bibitem{vook} F. L. Vook in: Radiation Damage and Defects in Semiconductors, ed. by J. E. Whitehouse. Inst. of Phys., London 1972, pp 60.
   \bibitem{morehead_crowder} F. F. Morehead, B. L. Crowder. Rad. Eff. 6 (1970) 27.
+  \bibitem{gibbons} J. F. Gibbons. Proc. IEEE, Vol. 60, No. 9 (1972) 1062.
   \bibitem{biersack_haggmark} J. P. Biersack, L. Haggmark. Nucl. Instr. and Meth. B 174 (1980) 257
   \bibitem{lindner_appl_phys} J. K. N. Lindner. Appl. Phys. A 77 (2003) 27.
   \bibitem{linnross} J. Linnross, R. G. Elliman, W. L. Brown. J. Matter. Res. 3 (1988) 1208.
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2.39.2