From d2fb58f75363e8cffb5d3945d9f6460acfb90175 Mon Sep 17 00:00:00 2001
From: hackbard <hackbard>
Date: Sat, 18 Jun 2005 10:56:41 +0000
Subject: [PATCH] ci often and soon

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index 36edf1e..2ba0177 100644
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@@ -20,4 +20,5 @@
   \bibitem{taylor} W. J. Taylor, T. Y. Tan, U. G"osele. Appl. Phys. Lett. 62 (1993) 3336.
   \bibitem{eftem_tbp} M. H"aberlen, J. K. N. Lindner, B. Stritzker. to be published.
   \bibitem{maik_temper} M. H"aberlen, J. K. N. Lindner. B. Stritzker. Nucl. Instr. Meth. B 206 (2003) 916-921.
+  \bibitem{reiber} J. K. N. Lindner, W. Reiber, B. Stritzker. Mater. Sci. Forum 264-268 (1998) 215-218.
 \end{thebibliography}
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index a0f5541..b212bbe 100644
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@@ -64,6 +64,7 @@
   Zus"atzlich dienen die amorphen Gebiete als Senke f"ur Kohlenstoff, der von der kristallinen Umgebung in die amorphe Ausscheidung diffundieren kann.
   Die kristallinen Gebiete reduzieren damit die "Ubers"attigung mit Kohlenstoff, dessen L"oslichkeit in $c-Si$ bei Raumtemperatur nahezu Null ist.
   Die amorphen Gebiete reichern sich mit Kohlenstoff an und erh"ohen wiederum die lateralen Spannungen auf die Umgebung.
+  Da in experimentellen Ergebnissen von Implantationen bei weitaus h"oheren Temperaturen \cite{reiber}, bei denen sich keine amorphe Phase bildet, keine Verbreiterung des Kohlenstoffprofils durch Diffusion beobachtet wird, wird Diffusion innerhalb kristalliner Gebiete ausgeschlossen. 
   
   Mit zunehmender Dosis bilden sich so durchgehende kohlenstoffreiche amorphe Lamellen.
   Wegen der Diffusion von Kohlenstoff von den oberhalb und unterhalb dieser Lamellen liegenden Gebieten, rekristallisiert dort zuf"allig amorphisiertes (im Folgenden ballistische Amorphisierung genannt) $a-Si$ mit sehr gro"ser Wahrscheinlichkeit.
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index 8486c9d..9d5edb4 100644
--- a/nlsop/diplom/simulation.tex
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@@ -95,9 +95,12 @@
     \subsection{Diffusion}
 
     Weiterhin sieht das Modell die M"oglichkeit der Diffusion von Kohelnstoff aus kristallinen in umliegende amorphe Volumina vor.
-    Es wird angenommen, dass Diffusion von Kohlenstoff nur von kristalline in amorphe Gebiete besteht.
-    Diffusion innerhalb kristalliner Gebiete wird ausgeschlossen.
-
+    Die Diffusion wird durch zwei weitere Parameter beschrieben.
+    In Zeitintervallen $T_{Diff}$ wird ein Anteil $d_r$ des Kohlenstoffs eines kristallinen Volumens in das benachbarte amorphe Volumen transferiert.
+    Da von einem konstanten Strahlstrom ausgegangen wird, kann die Zeit $T_{Diff}$ auf eine Anzahl von implantierten Ionen $d_v$ abgebildet werden.
+    Die Diffusion des Kohlenstoffs von amorphe in kristalline Gebiete wird also durch die zwei Parameter $d_r$ und $d_v$ gesteuert.
+    Die Parameter sind ebenfalls frei w"ahlbar.
+    Diffusion innerhalb kristalliner Gebiete sowie Diffusion innerhalb amorpher Gebiete wird ausgeschlossen.
 
     \subsection{Sputtern}
 
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2.39.2