04b9d01e91e05e0ec2249a6a3d89b0bc316e6817
[lectures/latex.git] / bibdb / bibdb.bib
1 %
2 % bibliography database
3 %
4
5 @Article{schroedinger26,
6   author =       "E. Schrödinger",
7   title =        "Quantisierung als Eigenwertproblem",
8   journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
9   volume =       "384",
10   number =       "4",
11   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
12   ISSN =         "1521-3889",
13   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19263840404",
14   doi =          "10.1002/andp.19263840404",
15   pages =        "361--376",
16   year =         "1926",
17 }
18
19 @Article{bloch29,
20   author =       "Felix Bloch",
21   affiliation =  "Institut d. Universität f. theor. Physik Leipzig",
22   title =        "Über die Quantenmechanik der Elektronen in
23                  Kristallgittern",
24   journal =      "Z. Phys.",
25   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
26   ISSN =         "0939-7922",
27   keyword =      "Physics and Astronomy",
28   pages =        "555--600",
29   volume =       "52",
30   issue =        "7",
31   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF01339455",
32   note =         "10.1007/BF01339455",
33   year =         "1929",
34 }
35
36 @Article{albe_sic_pot,
37   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
38   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
39                  silicon, carbon, and silicon carbide",
40   publisher =    "APS",
41   year =         "2005",
42   journal =      "Phys. Rev. B",
43   volume =       "71",
44   number =       "3",
45   eid =          "035211",
46   numpages =     "14",
47   pages =        "035211",
48   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
49                  potential (ABOP)",
50   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
51                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
52                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
53                  forces",
54   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
55   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
56 }
57
58 @Article{erhart04,
59   title =        "The role of thermostats in modeling vapor phase
60                  condensation of silicon nanoparticles",
61   journal =      "Appl. Surf. Sci.",
62   volume =       "226",
63   number =       "1-3",
64   pages =        "12--18",
65   year =         "2004",
66   note =         "EMRS 2003 Symposium F, Nanostructures from Clusters",
67   ISSN =         "0169-4332",
68   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2003.11.003",
69   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4B957HV-8/2/b35dbe80a70d173f6f7a00dacbcbd738",
70   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
71 }
72
73 @Article{albe2002,
74   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
75                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
76   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
77   journal =      "Phys. Rev. B",
78   volume =       "65",
79   number =       "19",
80   pages =        "195124",
81   numpages =     "11",
82   year =         "2002",
83   month =        may,
84   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
85   publisher =    "American Physical Society",
86   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
87 }
88
89 @Article{newman65,
90   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
91   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
92   volume =       "26",
93   number =       "2",
94   pages =        "373--379",
95   year =         "1965",
96   note =         "",
97   ISSN =         "0022-3697",
98   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
99   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
100   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
101   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
102 }
103
104 @Article{baker68,
105   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
106                  Buschert",
107   collaboration = "",
108   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
109   publisher =    "AIP",
110   year =         "1968",
111   journal =      "J. Appl. Phys.",
112   volume =       "39",
113   number =       "9",
114   pages =        "4365--4368",
115   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
116   doi =          "10.1063/1.1656977",
117   notes =        "lattice contraction due to subst c",
118 }
119
120 @Article{bean71,
121   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
122   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
123   volume =       "32",
124   number =       "6",
125   pages =        "1211--1219",
126   year =         "1971",
127   note =         "",
128   ISSN =         "0022-3697",
129   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
130   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
131   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
132   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
133 }
134
135 @Article{capano97,
136   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
137   title =        "Silicon carbide electronic materials and devices",
138   journal =      "MRS Bull.",
139   year =         "1997",
140   volume =       "22",
141   number =       "3",
142   pages =        "19--22",
143   publisher =    "MATERIALS RESEARCH SOCIETY",
144 }
145
146 @Article{capano97_old,
147   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
148   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
149   journal =      "MRS Bull.",
150   volume =       "22",
151   pages =        "19",
152   year =         "1997",
153 }
154
155 @Article{fischer90,
156   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
157   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
158                  carbide",
159   journal =      "Philos. Mag. B",
160   volume =       "61",
161   pages =        "217--236",
162   year =         "1990",
163   notes =        "sic polytypes",
164 }
165
166 @Article{koegler03,
167   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
168                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
169                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
170   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
171                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
172                  ions",
173   journal =      "Appl. Phys. A",
174   volume =       "76",
175   pages =        "827--835",
176   month =        mar,
177   year =         "2003",
178   URL =          "http://www.springerlink.com/content/jr8xj33mqc5vpwwj/",
179   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
180                  precipitation by interstitial and substitutional
181                  carbon, both mechanisms explained + refs",
182 }
183
184 @Article{skorupa96,
185   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
186                  silicon-related materials",
187   journal =      "Mater. Chem. Phys.",
188   volume =       "44",
189   number =       "2",
190   pages =        "101--143",
191   year =         "1996",
192   note =         "",
193   ISSN =         "0254-0584",
194   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
195   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
196   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
197   notes =        "review of silicon carbon compound",
198 }
199
200 @Book{laplace,
201   author =       "P. S. de Laplace",
202   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
203   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
204   volume =       "VII",
205   publisher =    "Gauthier-Villars",
206   year =         "1820",
207 }
208
209 @Article{mattoni2007,
210   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
211   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
212                  materials}",
213   journal =      "Phys. Rev. B",
214   year =         "2007",
215   month =        dec,
216   volume =       "76",
217   number =       "22",
218   pages =        "224103",
219   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
220   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
221                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
222                  fracture, more available potentials, universal energy
223                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
224 }
225
226 @Article{balamane92,
227   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
228                  potentials",
229   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
230   journal =      "Phys. Rev. B",
231   volume =       "46",
232   number =       "4",
233   pages =        "2250--2279",
234   numpages =     "29",
235   year =         "1992",
236   month =        jul,
237   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
238   publisher =    "American Physical Society",
239   notes =        "comparison of classical potentials for si",
240 }
241
242 @Article{koster2002,
243   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
244                  bombardment",
245   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
246   journal =      "Phys. Rev. B",
247   volume =       "62",
248   number =       "16",
249   pages =        "11219--11224",
250   numpages =     "5",
251   year =         "2000",
252   month =        oct,
253   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
254   publisher =    "American Physical Society",
255   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
256 }
257
258 @Article{breadmore99,
259   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
260                  amorphization of silicon",
261   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
262   journal =      "Phys. Rev. B",
263   volume =       "60",
264   number =       "18",
265   pages =        "12610--12616",
266   numpages =     "6",
267   year =         "1999",
268   month =        nov,
269   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
270   publisher =    "American Physical Society",
271   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
272 }
273
274 @Article{nielsen83,
275   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
276   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
277   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
278   volume =       "50",
279   number =       "9",
280   pages =        "697--700",
281   numpages =     "3",
282   year =         "1983",
283   month =        feb,
284   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
285   publisher =    "American Physical Society",
286   notes =        "generalization of virial theorem",
287 }
288
289 @Article{nielsen85,
290   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
291   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
292   journal =      "Phys. Rev. B",
293   volume =       "32",
294   number =       "6",
295   pages =        "3780--3791",
296   numpages =     "11",
297   year =         "1985",
298   month =        sep,
299   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
300   publisher =    "American Physical Society",
301   notes =        "dft virial stress and forces",
302 }
303
304 @Article{moissan04,
305   author =       "Henri Moissan",
306   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
307                  Diablo",
308   journal =      "C. R. Acad. Sci.",
309   volume =       "139",
310   pages =        "773--786",
311   year =         "1904",
312 }
313
314 @Book{park98,
315   author =       "Y. S. Park",
316   title =        "Si{C} Materials and Devices",
317   publisher =    "Academic Press",
318   address =      "San Diego",
319   year =         "1998",
320 }
321
322 @Article{tsvetkov98,
323   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
324                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
325   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
326   journal =      "Mater. Sci. Forum",
327   volume =       "264-268",
328   pages =        "3--8",
329   year =         "1998",
330   notes =        "modified lely process, micropipes",
331 }
332
333 @Article{verlet67,
334   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
335                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
336   author =       "Loup Verlet",
337   journal =      "Phys. Rev.",
338   volume =       "159",
339   number =       "1",
340   pages =        "98",
341   year =         "1967",
342   month =        jul,
343   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
344   publisher =    "American Physical Society",
345   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
346                  motion",
347 }
348
349 @Article{berendsen84,
350   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
351                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
352   collaboration = "",
353   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
354   publisher =    "AIP",
355   year =         "1984",
356   journal =      "J. Chem. Phys.",
357   volume =       "81",
358   number =       "8",
359   pages =        "3684--3690",
360   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
361                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
362   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
363   doi =          "10.1063/1.448118",
364   notes =        "berendsen thermostat barostat",
365 }
366
367 @Article{huang95,
368   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
369                  Baskes",
370   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
371                  in beta -Si{C} using three representative empirical
372                  potentials",
373   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
374   volume =       "3",
375   number =       "5",
376   pages =        "615--627",
377   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
378   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
379                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
380   year =         "1995",
381 }
382
383 @Article{brenner89,
384   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
385                  Tersoff potentials",
386   author =       "Donald W. Brenner",
387   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
388   volume =       "63",
389   number =       "9",
390   pages =        "1022",
391   numpages =     "1",
392   year =         "1989",
393   month =        aug,
394   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
395   publisher =    "American Physical Society",
396   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
397 }
398
399 @Article{batra87,
400   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
401                  silicon",
402   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
403   journal =      "Phys. Rev. B",
404   volume =       "35",
405   number =       "18",
406   pages =        "9552--9558",
407   numpages =     "6",
408   year =         "1987",
409   month =        jun,
410   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
411   publisher =    "American Physical Society",
412   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
413                  calculation of defect formation energy, defect
414                  interstitial types",
415 }
416
417 @Article{schober89,
418   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
419   author =       "H. R. Schober",
420   journal =      "Phys. Rev. B",
421   volume =       "39",
422   number =       "17",
423   pages =        "13013--13015",
424   numpages =     "2",
425   year =         "1989",
426   month =        jun,
427   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
428   publisher =    "American Physical Society",
429   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
430                  dumbbell configuration",
431 }
432
433 @Article{gao02a,
434   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
435                  Defect accumulation, topological features, and
436                  disordering",
437   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
438   journal =      "Phys. Rev. B",
439   volume =       "66",
440   number =       "2",
441   pages =        "024106",
442   numpages =     "10",
443   year =         "2002",
444   month =        jul,
445   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
446   publisher =    "American Physical Society",
447   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
448                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
449                  result analyze",
450 }
451
452 @Article{devanathan98,
453   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
454                  cascade in Si{C}",
455   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
456   volume =       "141",
457   number =       "1-4",
458   pages =        "118--122",
459   year =         "1998",
460   ISSN =         "0168-583X",
461   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
462   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
463                  Rubia",
464   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
465                  3c-sic",
466 }
467
468 @Article{devanathan98_2,
469   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
470   journal =      "J. Nucl. Mater.",
471   volume =       "253",
472   number =       "1-3",
473   pages =        "47--52",
474   year =         "1998",
475   ISSN =         "0022-3115",
476   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
477   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
478                  Weber",
479   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
480                  tersoff",
481 }
482
483 @Article{kitabatake00,
484   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
485   author =       "M. Kitabatake",
486   journal =      "Thin Solid Films",
487   volume =       "369",
488   pages =        "257--264",
489   numpages =     "8",
490   year =         "2000",
491   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
492 }
493
494 @Article{tang97,
495   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
496                  Tight-binding molecular dynamics studies of
497                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
498                  formation volumes",
499   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
500                  Rubia",
501   journal =      "Phys. Rev. B",
502   volume =       "55",
503   number =       "21",
504   pages =        "14279--14289",
505   numpages =     "10",
506   year =         "1997",
507   month =        jun,
508   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
509   publisher =    "American Physical Society",
510   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
511 }
512
513 @Article{johnson98,
514   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
515                  Rubia",
516   collaboration = "",
517   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
518                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
519                  presence of carbon and boron",
520   publisher =    "AIP",
521   year =         "1998",
522   journal =      "J. Appl. Phys.",
523   volume =       "84",
524   number =       "4",
525   pages =        "1963--1967",
526   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
527                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
528                  semiconductors; self-diffusion",
529   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
530   doi =          "10.1063/1.368328",
531   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
532                  diffsuion",
533 }
534
535 @Article{bar-yam84,
536   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
537                  Self-Interstitial",
538   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
539   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
540   volume =       "52",
541   number =       "13",
542   pages =        "1129--1132",
543   numpages =     "3",
544   year =         "1984",
545   month =        mar,
546   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
547   publisher =    "American Physical Society",
548   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
549 }
550
551 @Article{bar-yam84_2,
552   title =        "Electronic structure and total-energy migration
553                  barriers of silicon self-interstitials",
554   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
555   journal =      "Phys. Rev. B",
556   volume =       "30",
557   number =       "4",
558   pages =        "1844--1852",
559   numpages =     "8",
560   year =         "1984",
561   month =        aug,
562   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
563   publisher =    "American Physical Society",
564 }
565
566 @Article{bloechl93,
567   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
568                  constants in silicon",
569   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
570                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
571   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
572   volume =       "70",
573   number =       "16",
574   pages =        "2435--2438",
575   numpages =     "3",
576   year =         "1993",
577   month =        apr,
578   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
579   publisher =    "American Physical Society",
580   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
581                  entropy calculations",
582 }
583
584 @Article{munro99,
585   title =        "Defect migration in crystalline silicon",
586   author =       "Lindsey J. Munro and David J. Wales",
587   journal =      "Phys. Rev. B",
588   volume =       "59",
589   number =       "6",
590   pages =        "3969--3980",
591   numpages =     "11",
592   year =         "1999",
593   month =        feb,
594   doi =          "10.1103/PhysRevB.59.3969",
595   publisher =    "American Physical Society",
596   notes =        "eigenvector following method, vacancy and interstiial
597                  defect migration mechanisms",
598 }
599
600 @Article{colombo02,
601   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
602                  silicon",
603   author =       "L. Colombo",
604   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
605   volume =       "32",
606   pages =        "271--295",
607   numpages =     "25",
608   year =         "2002",
609   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
610   publisher =    "Annual Reviews",
611   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
612 }
613
614 @Article{al-mushadani03,
615   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
616                  silicon",
617   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
618   journal =      "Phys. Rev. B",
619   volume =       "68",
620   number =       "23",
621   pages =        "235205",
622   numpages =     "8",
623   year =         "2003",
624   month =        dec,
625   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
626   publisher =    "American Physical Society",
627   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
628                  silicon, si self interstitials, free energy",
629 }
630
631 @Article{mattsson08,
632   title =        "Electronic surface error in the Si interstitial
633                  formation energy",
634   author =       "Ann E. Mattsson and Ryan R. Wixom and Rickard
635                  Armiento",
636   journal =      "Phys. Rev. B",
637   volume =       "77",
638   number =       "15",
639   pages =        "155211",
640   numpages =     "7",
641   year =         "2008",
642   month =        apr,
643   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.155211",
644   publisher =    "American Physical Society",
645   notes =        "si self interstitial formation energies by dft",
646 }
647
648 @Article{goedecker02,
649   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
650   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
651   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
652   volume =       "88",
653   number =       "23",
654   pages =        "235501",
655   numpages =     "4",
656   year =         "2002",
657   month =        may,
658   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
659   publisher =    "American Physical Society",
660   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
661                  silicon",
662 }
663
664 @Article{sahli05,
665   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
666                  self-interstitial diffusion in silicon",
667   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
668   journal =      "Phys. Rev. B",
669   volume =       "72",
670   number =       "24",
671   pages =        "245210",
672   numpages =     "6",
673   year =         "2005",
674   month =        dec,
675   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
676   publisher =    "American Physical Society",
677   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
678                  mapping applied",
679 }
680
681 @Article{hobler05,
682   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
683                  native point defects in silicon",
684   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
685   volume =       "124-125",
686   number =       "",
687   pages =        "368--371",
688   year =         "2005",
689   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
690                  Issues for Future Technologies",
691   ISSN =         "0921-5107",
692   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
693   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
694   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
695   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
696                  radius",
697 }
698
699 @Article{ma10,
700   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
701                  wide temperature range: Point defect states and
702                  migration mechanisms",
703   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
704   journal =      "Phys. Rev. B",
705   volume =       "81",
706   number =       "19",
707   pages =        "193203",
708   numpages =     "4",
709   year =         "2010",
710   month =        may,
711   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
712   publisher =    "American Physical Society",
713   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
714 }
715
716 @Article{posselt06,
717   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
718                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
719   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
720   journal =      "Phys. Rev. B",
721   volume =       "73",
722   number =       "12",
723   pages =        "125206",
724   numpages =     "8",
725   year =         "2006",
726   month =        mar,
727   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
728   publisher =    "American Physical Society",
729 }
730
731 @Article{posselt08,
732   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
733                  migration mechanisms of vacancies and
734                  self-interstitials: An atomistic study",
735   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
736   journal =      "Phys. Rev. B",
737   volume =       "78",
738   number =       "3",
739   pages =        "035208",
740   numpages =     "9",
741   year =         "2008",
742   month =        jul,
743   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
744   publisher =    "American Physical Society",
745   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
746                  weber and tersoff",
747 }
748
749 @Article{gao2001,
750   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
751                  properties in $3{C}-Si{C}$",
752   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
753                  Corrales",
754   journal =      "Phys. Rev. B",
755   volume =       "64",
756   number =       "24",
757   pages =        "245208",
758   numpages =     "7",
759   year =         "2001",
760   month =        dec,
761   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
762   publisher =    "American Physical Society",
763   notes =        "defects in 3c-sic",
764 }
765
766 @Article{gao02,
767   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
768                  3{C}-Si{C}",
769   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
770   volume =       "191",
771   number =       "1-4",
772   pages =        "487--496",
773   year =         "2002",
774   note =         "",
775   ISSN =         "0168-583X",
776   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
777   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
778   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
779   keywords =     "Empirical potential",
780   keywords =     "Defect properties",
781   keywords =     "Silicon carbide",
782   keywords =     "Computer simulation",
783   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
784 }
785
786 @Article{gao04,
787   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
788                  3{C}-Si{C}",
789   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
790                  Belko",
791   journal =      "Phys. Rev. B",
792   volume =       "69",
793   number =       "24",
794   pages =        "245205",
795   numpages =     "5",
796   year =         "2004",
797   month =        jun,
798   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
799   publisher =    "American Physical Society",
800   notes =        "defect migration in sic",
801 }
802
803 @Article{gao07,
804   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
805                  W. J. Weber",
806   collaboration = "",
807   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
808                  in cubic silicon carbide",
809   publisher =    "AIP",
810   year =         "2007",
811   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
812   volume =       "90",
813   number =       "22",
814   eid =          "221915",
815   numpages =     "3",
816   pages =        "221915",
817   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
818                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
819                  dynamics method; density functional theory;
820                  electron-hole recombination; photoluminescence;
821                  impurities; diffusion",
822   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
823   doi =          "10.1063/1.2743751",
824 }
825
826 @Article{mattoni2002,
827   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
828                  crystalline silicon",
829   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
830   journal =      "Phys. Rev. B",
831   volume =       "66",
832   number =       "19",
833   pages =        "195214",
834   numpages =     "6",
835   year =         "2002",
836   month =        nov,
837   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
838   publisher =    "American Physical Society",
839   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
840                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
841                  tersoff suitability",
842 }
843
844 @Article{leung99,
845   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
846   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
847                  Itoh and S. Ihara",
848   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
849   volume =       "83",
850   number =       "12",
851   pages =        "2351--2354",
852   numpages =     "3",
853   year =         "1999",
854   month =        sep,
855   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
856   publisher =    "American Physical Society",
857   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
858                  refs",
859 }
860
861 @Article{capaz94,
862   title =        "Identification of the migration path of interstitial
863                  carbon in silicon",
864   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
865   journal =      "Phys. Rev. B",
866   volume =       "50",
867   number =       "11",
868   pages =        "7439--7442",
869   numpages =     "3",
870   year =         "1994",
871   month =        sep,
872   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
873   publisher =    "American Physical Society",
874   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
875                  dumbbell",
876 }
877
878 @Article{capaz98,
879   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
880   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
881   journal =      "Phys. Rev. B",
882   volume =       "58",
883   number =       "15",
884   pages =        "9845--9850",
885   numpages =     "5",
886   year =         "1998",
887   month =        oct,
888   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
889   publisher =    "American Physical Society",
890   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
891 }
892
893 @Article{song90_2,
894   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
895                  pair in silicon",
896   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
897                  Watkins",
898   journal =      "Phys. Rev. B",
899   volume =       "42",
900   number =       "9",
901   pages =        "5765--5783",
902   numpages =     "18",
903   year =         "1990",
904   month =        sep,
905   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
906   publisher =    "American Physical Society",
907   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
908 }
909
910 @Article{liu02,
911   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
912                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
913   collaboration = "",
914   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
915                  interactions in Si",
916   publisher =    "AIP",
917   year =         "2002",
918   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
919   volume =       "80",
920   number =       "1",
921   pages =        "52--54",
922   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
923                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
924                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
925   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
926   doi =          "10.1063/1.1430505",
927   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
928 }
929
930 @Article{dal_pino93,
931   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
932                  silicon",
933   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
934                  Joannopoulos",
935   journal =      "Phys. Rev. B",
936   volume =       "47",
937   number =       "19",
938   pages =        "12554--12557",
939   numpages =     "3",
940   year =         "1993",
941   month =        may,
942   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
943   publisher =    "American Physical Society",
944   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
945 }
946
947 @Article{car84,
948   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
949                  Silicon",
950   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
951                  Sokrates T. Pantelides",
952   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
953   volume =       "52",
954   number =       "20",
955   pages =        "1814--1817",
956   numpages =     "3",
957   year =         "1984",
958   month =        may,
959   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
960   publisher =    "American Physical Society",
961   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
962                  path formation",
963 }
964
965 @Article{car85,
966   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
967                  Density-Functional Theory",
968   author =       "R. Car and M. Parrinello",
969   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
970   volume =       "55",
971   number =       "22",
972   pages =        "2471--2474",
973   numpages =     "3",
974   year =         "1985",
975   month =        nov,
976   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
977   publisher =    "American Physical Society",
978   notes =        "car parrinello method, dft and md",
979 }
980
981 @Article{kelires97,
982   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
983                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
984   author =       "P. C. Kelires",
985   journal =      "Phys. Rev. B",
986   volume =       "55",
987   number =       "14",
988   pages =        "8784--8787",
989   numpages =     "3",
990   year =         "1997",
991   month =        apr,
992   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
993   publisher =    "American Physical Society",
994   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
995                  neighbour dist",
996 }
997
998 @Article{kelires95,
999   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
1000                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
1001   author =       "P. C. Kelires",
1002   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1003   volume =       "75",
1004   number =       "6",
1005   pages =        "1114--1117",
1006   numpages =     "3",
1007   year =         "1995",
1008   month =        aug,
1009   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
1010   publisher =    "American Physical Society",
1011   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
1012 }
1013
1014 @Article{bean70,
1015   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
1016                  containing carbon",
1017   journal =      "Solid State Commun.",
1018   volume =       "8",
1019   number =       "3",
1020   pages =        "175--177",
1021   year =         "1970",
1022   note =         "",
1023   ISSN =         "0038-1098",
1024   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
1025   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
1026   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
1027 }
1028
1029 @Article{durand99,
1030   author =       "F. Durand and J. Duby",
1031   affiliation =  "EPM-Madylam, CNRS and INP Grenoble, France",
1032   title =        "Carbon solubility in solid and liquid silicon—{A}
1033                  review with reference to eutectic equilibrium",
1034   journal =      "Journal of Phase Equilibria",
1035   publisher =    "Springer New York",
1036   ISSN =         "1054-9714",
1037   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
1038   pages =        "61--63",
1039   volume =       "20",
1040   issue =        "1",
1041   URL =          "http://dx.doi.org/10.1361/105497199770335956",
1042   note =         "10.1361/105497199770335956",
1043   year =         "1999",
1044   notes =        "better c solubility limit in silicon",
1045 }
1046
1047 @Article{watkins76,
1048   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
1049                  Atom in Silicon",
1050   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
1051   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1052   volume =       "36",
1053   number =       "22",
1054   pages =        "1329--1332",
1055   numpages =     "3",
1056   year =         "1976",
1057   month =        may,
1058   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
1059   publisher =    "American Physical Society",
1060   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
1061                  silicon",
1062 }
1063
1064 @Article{song90,
1065   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
1066                  interstitial carbon in silicon",
1067   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
1068   journal =      "Phys. Rev. B",
1069   volume =       "42",
1070   number =       "9",
1071   pages =        "5759--5764",
1072   numpages =     "5",
1073   year =         "1990",
1074   month =        sep,
1075   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
1076   publisher =    "American Physical Society",
1077   notes =        "carbon diffusion in silicon",
1078 }
1079
1080 @Article{tipping87,
1081   author =       "A K Tipping and R C Newman",
1082   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
1083                  silicon",
1084   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
1085   volume =       "2",
1086   number =       "5",
1087   pages =        "315--317",
1088   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
1089   year =         "1987",
1090   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
1091                  silicon",
1092 }
1093
1094 @Article{isomae93,
1095   author =       "Seiichi Isomae and Tsutomu Ishiba and Toshio Ando and
1096                  Masao Tamura",
1097   collaboration = "",
1098   title =        "Annealing behavior of Me{V} implanted carbon in
1099                  silicon",
1100   publisher =    "AIP",
1101   year =         "1993",
1102   journal =      "J. Appl. Phys.",
1103   volume =       "74",
1104   number =       "6",
1105   pages =        "3815--3820",
1106   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; WAFERS; CARBON IONS; MEV
1107                  RANGE 0110; TEM; SIMS; INFRARED SPECTRA; STRAINS; DEPTH
1108                  PROFILES",
1109   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/3815/1",
1110   doi =          "10.1063/1.354474",
1111   notes =        "c at interstitial location for rt implantation in si",
1112 }
1113
1114 @Article{strane96,
1115   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
1116                  ion implantation and solid phase epitaxy",
1117   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
1118                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1119   journal =      "J. Appl. Phys.",
1120   volume =       "79",
1121   pages =        "637",
1122   year =         "1996",
1123   month =        jan,
1124   doi =          "10.1063/1.360806",
1125   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
1126 }
1127
1128 @Article{laveant2002,
1129   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1130   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1131   volume =       "89",
1132   number =       "1-3",
1133   pages =        "241--245",
1134   year =         "2002",
1135   ISSN =         "0921-5107",
1136   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1137   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1138   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1139                  G{\"{o}}sele",
1140   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1141                  stress, avoid sic precipitation",
1142 }
1143
1144 @Article{foell77,
1145   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1146                  agglomeration of self-interstitials",
1147   journal =      "J. Cryst. Growth",
1148   volume =       "40",
1149   number =       "1",
1150   pages =        "90--108",
1151   year =         "1977",
1152   note =         "",
1153   ISSN =         "0022-0248",
1154   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1155   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1156   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1157   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1158                  agglomerate",
1159 }
1160
1161 @Article{foell81,
1162   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1163                  defects",
1164   journal =      "J. Cryst. Growth",
1165   volume =       "52",
1166   number =       "Part 2",
1167   pages =        "907--916",
1168   year =         "1981",
1169   note =         "",
1170   ISSN =         "0022-0248",
1171   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1172   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1173   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1174   notes =        "swirl review",
1175 }
1176
1177 @Article{werner97,
1178   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1179                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1180   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1181                  silicon by transmission electron microscopy",
1182   publisher =    "AIP",
1183   year =         "1997",
1184   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1185   volume =       "70",
1186   number =       "2",
1187   pages =        "252--254",
1188   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1189                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1190                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1191                  layers; precipitation",
1192   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1193   doi =          "10.1063/1.118381",
1194   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1195                  precipitate",
1196 }
1197
1198 @InProceedings{werner96,
1199   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1200                  Eichler",
1201   booktitle =    "Proceedings of the 11th International Conference on
1202                  Ion Implantation Technology.",
1203   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1204                  implanted silicon",
1205   year =         "1996",
1206   month =        jun,
1207   volume =       "",
1208   number =       "",
1209   pages =        "675--678",
1210   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1211   ISSN =         "",
1212   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1213 }
1214
1215 @Article{werner98,
1216   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1217                  D. C. Jacobson",
1218   collaboration = "",
1219   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1220   publisher =    "AIP",
1221   year =         "1998",
1222   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1223   volume =       "73",
1224   number =       "17",
1225   pages =        "2465--2467",
1226   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1227                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1228                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1229                  impurity distribution",
1230   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1231   doi =          "10.1063/1.122483",
1232   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1233 }
1234
1235 @Article{kalejs84,
1236   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1237   collaboration = "",
1238   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1239                  silicon",
1240   publisher =    "AIP",
1241   year =         "1984",
1242   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1243   volume =       "45",
1244   number =       "3",
1245   pages =        "268--269",
1246   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1247                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1248                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1249   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1250   doi =          "10.1063/1.95167",
1251   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1252 }
1253
1254 @Article{fukami90,
1255   author =       "Akira Fukami and Ken-ichi Shoji and Takahiro Nagano
1256                  and Cary Y. Yang",
1257   collaboration = "",
1258   title =        "Characterization of SiGe/Si heterostructures formed by
1259                  Ge[sup + ] and {C}[sup + ] implantation",
1260   publisher =    "AIP",
1261   year =         "1990",
1262   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1263   volume =       "57",
1264   number =       "22",
1265   pages =        "2345--2347",
1266   keywords =     "HETEROJUNCTIONS; ION IMPLANTATION; HETEROSTRUCTURES;
1267                  FABRICATION; PN JUNCTIONS; LEAKAGE CURRENT; GERMANIUM
1268                  SILICIDES; SILICON; ELECTRICAL PROPERTIES; SOLIDPHASE
1269                  EPITAXY; CARBON IONS; GERMANIUM IONS",
1270   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/57/2345/1",
1271   doi =          "10.1063/1.103888",
1272 }
1273
1274 @Article{strane93,
1275   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and B. L.
1276                  Doyle and S. T. Picraux and J. W. Mayer",
1277   collaboration = "",
1278   title =        "Metastable SiGe{C} formation by solid phase epitaxy",
1279   publisher =    "AIP",
1280   year =         "1993",
1281   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1282   volume =       "63",
1283   number =       "20",
1284   pages =        "2786--2788",
1285   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; TERNARY ALLOY
1286                  SYSTEMS; EPITAXY; ION IMPLANTATION; METASTABLE STATES;
1287                  ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; RUTHERFORD
1288                  SCATTERING; XRAY DIFFRACTION; STRAINS; SOLIDPHASE
1289                  EPITAXY; AMORPHIZATION",
1290   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/63/2786/1",
1291   doi =          "10.1063/1.110334",
1292 }
1293
1294 @Article{goorsky92,
1295   author =       "M. S. Goorsky and S. S. Iyer and K. Eberl and F.
1296                  Legoues and J. Angilello and F. Cardone",
1297   collaboration = "",
1298   title =        "Thermal stability of Si[sub 1 - x]{C}[sub x]/Si
1299                  strained layer superlattices",
1300   publisher =    "AIP",
1301   year =         "1992",
1302   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1303   volume =       "60",
1304   number =       "22",
1305   pages =        "2758--2760",
1306   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
1307                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; SUPERLATTICES; ANNEALING;
1308                  CHEMICAL COMPOSITION; INTERNAL STRAINS; STRESS
1309                  RELAXATION; THERMAL INSTABILITIES; INTERFACE STRUCTURE;
1310                  DIFFUSION; PRECIPITATION; TEMPERATURE EFFECTS",
1311   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/2758/1",
1312   doi =          "10.1063/1.106868",
1313 }
1314
1315 @Article{strane94,
1316   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1317                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1318   collaboration = "",
1319   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1320                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1321   publisher =    "AIP",
1322   year =         "1994",
1323   journal =      "J. Appl. Phys.",
1324   volume =       "76",
1325   number =       "6",
1326   pages =        "3656--3668",
1327   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1328   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1329   doi =          "10.1063/1.357429",
1330   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1331                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1332                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1333                  energy",
1334 }
1335
1336 @Article{fischer95,
1337   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1338                  Osten",
1339   collaboration = "",
1340   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1341                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1342   publisher =    "AIP",
1343   year =         "1995",
1344   journal =      "J. Appl. Phys.",
1345   volume =       "77",
1346   number =       "5",
1347   pages =        "1934--1937",
1348   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1349                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1350                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1351                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1352   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1353   doi =          "10.1063/1.358826",
1354 }
1355
1356 @Article{edgar92,
1357   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1358                  semiconductors",
1359   author =       "J. H. Edgar",
1360   journal =      "J. Mater. Res.",
1361   volume =       "7",
1362   pages =        "235",
1363   year =         "1992",
1364   month =        jan,
1365   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1366   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1367                  polytypes",
1368 }
1369
1370 @Article{zirkelbach2007,
1371   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1372                  process leading to ordered precipitate structures",
1373   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1374                  and B. Stritzker",
1375   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1376   volume =       "257",
1377   number =       "1--2",
1378   pages =        "75--79",
1379   numpages =     "5",
1380   year =         "2007",
1381   month =        apr,
1382   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1383   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1384                  NETHERLANDS",
1385   abstract =     "Periodically arranged, selforganised, nanometric,
1386                  amorphous precipitates have been observed after
1387                  high-fluence ion implantations into solids for a number
1388                  of ion/target combinations at certain implantation
1389                  conditions. A model describing the ordering process
1390                  based on compressive stress exerted by the amorphous
1391                  inclusions as a result of the density change upon
1392                  amorphisation is introduced. A Monte Carlo simulation
1393                  code, which focuses on high-fluence carbon
1394                  implantations into silicon, is able to reproduce
1395                  experimentally observed nanolamella distributions as
1396                  well as the formation of continuous amorphous layers.
1397                  By means of simulation, the selforganisation process
1398                  becomes traceable and detailed information about the
1399                  compositional and structural state during the ordering
1400                  process is obtained. Based on simulation results, a
1401                  recipe is proposed for producing broad distributions of
1402                  ordered lamellar structures.",
1403 }
1404
1405 @Article{zirkelbach2006,
1406   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1407                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1408                  during ion irradiation",
1409   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1410                  and B. Stritzker",
1411   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1412   volume =       "242",
1413   number =       "1--2",
1414   pages =        "679--682",
1415   numpages =     "4",
1416   year =         "2006",
1417   month =        jan,
1418   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1419   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1420                  NETHERLANDS",
1421   abstract =     "High-dose ion implantation of materials that undergo
1422                  drastic density change upon amorphization at certain
1423                  implantation conditions results in periodically
1424                  arranged, self-organized, nanometric configurations of
1425                  the amorphous phase. A simple model explaining the
1426                  phenomenon is introduced and implemented in a
1427                  Monte-Carlo simulation code. Through simulation
1428                  conditions for observing lamellar precipitates are
1429                  specified and additional information about the
1430                  compositional and structural state during the ordering
1431                  process is gained.",
1432 }
1433
1434 @Article{zirkelbach2005,
1435   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1436                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1437                  ion irradiation",
1438   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1439                  and B. Stritzker",
1440   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1441   volume =       "33",
1442   number =       "1--3",
1443   pages =        "310--316",
1444   numpages =     "7",
1445   year =         "2005",
1446   month =        apr,
1447   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1448   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1449                  NETHERLANDS",
1450   abstract =     "Ion irradiation of materials, which undergo a drastic
1451                  density change upon amorphization have been shown to
1452                  exhibit selforganized, nanometric structures of the
1453                  amorphous phase in the crystalline host lattice. In
1454                  order to better understand the process a
1455                  Monte-Carlo-simulation code based on a simple model is
1456                  developed. In the present work we focus on high-dose
1457                  carbon implantations into silicon. The simulation is
1458                  able to reproduce results gained by cross-sectional TEM
1459                  measurements of high-dose carbon implanted silicon.
1460                  Necessary conditions can be specified for the
1461                  self-organization process and information is gained
1462                  about the compositional and structural state during the
1463                  ordering process which is difficult to be obtained by
1464                  experiment.",
1465 }
1466
1467 @Article{zirkelbach09,
1468   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1469                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1470   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1471   volume =       "159-160",
1472   number =       "",
1473   pages =        "149--152",
1474   year =         "2009",
1475   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1476                  Silicon Materials Research for Electronic and
1477                  Photovoltaic Applications",
1478   ISSN =         "0921-5107",
1479   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1480   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1481   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1482                  B. Stritzker",
1483   keywords =     "Silicon",
1484   keywords =     "Carbon",
1485   keywords =     "Silicon carbide",
1486   keywords =     "Nucleation",
1487   keywords =     "Defect formation",
1488   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1489   abstract =     "The precipitation process of silicon carbide in
1490                  heavily carbon doped silicon is not yet fully
1491                  understood. High resolution transmission electron
1492                  microscopy observations suggest that in a first step
1493                  carbon atoms form C-Si dumbbells on regular Si lattice
1494                  sites which agglomerate into large clusters. In a
1495                  second step, when the cluster size reaches a radius of
1496                  a few nm, the high interfacial energy due to the SiC/Si
1497                  lattice misfit of almost 20\% is overcome and the
1498                  precipitation occurs. By simulation, details of the
1499                  precipitation process can be obtained on the atomic
1500                  level. A recently proposed parametrization of a
1501                  Tersoff-like bond order potential is used to model the
1502                  system appropriately. Preliminary results gained by
1503                  molecular dynamics simulations using this potential are
1504                  presented.",
1505 }
1506
1507 @Article{zirkelbach10,
1508   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1509                  classical potentials and first-principles methods",
1510   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1511                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1512   journal =      "Phys. Rev. B",
1513   volume =       "82",
1514   number =       "9",
1515   pages =        "094110",
1516   numpages =     "6",
1517   year =         "2010",
1518   month =        sep,
1519   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1520   publisher =    "American Physical Society",
1521   abstract =     "A comparative theoretical investigation of carbon
1522                  interstitials in silicon is presented. Calculations
1523                  using classical potentials are compared to
1524                  first-principles density-functional theory calculations
1525                  of the geometries, formation, and activation energies
1526                  of the carbon dumbbell interstitial, showing the
1527                  importance of a quantum-mechanical description of this
1528                  system. In contrast to previous studies, the present
1529                  first-principles calculations of the interstitial
1530                  carbon migration path yield an activation energy that
1531                  excellently matches the experiment. The bond-centered
1532                  interstitial configuration shows a net magnetization of
1533                  two electrons, illustrating the need for spin-polarized
1534                  calculations.",
1535 }
1536
1537 @Article{zirkelbach11,
1538   journal =      "Phys. Rev. B",
1539   month =        aug,
1540   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.84.064126",
1541   publisher =    "American Physical Society",
1542   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1543                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1544   title =        "Combined \textit{ab initio} and classical potential
1545                  simulation study on silicon carbide precipitation in
1546                  silicon",
1547   year =         "2011",
1548   pages =        "064126",
1549   numpages =     "18",
1550   volume =       "84",
1551   doi =          "10.1103/PhysRevB.84.064126",
1552   issue =        "6",
1553   abstract =     "Atomistic simulations on the silicon carbide
1554                  precipitation in bulk silicon employing both, classical
1555                  potential and first-principles methods are presented.
1556                  The calculations aim at a comprehensive, microscopic
1557                  understanding of the precipitation mechanism in the
1558                  context of controversial discussions in the literature.
1559                  For the quantum-mechanical treatment, basic processes
1560                  assumed in the precipitation process are calculated in
1561                  feasible systems of small size. The migration mechanism
1562                  of a carbon \hkl<1 0 0> interstitial and silicon \hkl<1
1563                  1 0> self-interstitial in otherwise defect-free silicon
1564                  are investigated using density functional theory
1565                  calculations. The influence of a nearby vacancy,
1566                  another carbon interstitial and a substitutional defect
1567                  as well as a silicon self-interstitial has been
1568                  investigated systematically. Interactions of various
1569                  combinations of defects have been characterized
1570                  including a couple of selected migration pathways
1571                  within these configurations. Almost all of the
1572                  investigated pairs of defects tend to agglomerate
1573                  allowing for a reduction in strain. The formation of
1574                  structures involving strong carbon-carbon bonds turns
1575                  out to be very unlikely. In contrast, substitutional
1576                  carbon occurs in all probability. A long range capture
1577                  radius has been observed for pairs of interstitial
1578                  carbon as well as interstitial carbon and vacancies. A
1579                  rather small capture radius is predicted for
1580                  substitutional carbon and silicon self-interstitials.
1581                  Initial assumptions regarding the precipitation
1582                  mechanism of silicon carbide in bulk silicon are
1583                  established and conformability to experimental findings
1584                  is discussed. Furthermore, results of the accurate
1585                  first-principles calculations on defects and carbon
1586                  diffusion in silicon are compared to results of
1587                  classical potential simulations revealing significant
1588                  limitations of the latter method. An approach to work
1589                  around this problem is proposed. Finally, results of
1590                  the classical potential molecular dynamics simulations
1591                  of large systems are examined, which reinforce previous
1592                  assumptions and give further insight into basic
1593                  processes involved in the silicon carbide transition.",
1594 }
1595
1596 @Article{zirkelbach12,
1597   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and W.
1598                  G. Schmidt and E. Rauls and J. K. N. Lindner",
1599   title =        "First-principles and empirical potential simulation
1600                  study of intrinsic and carbon-related defects in
1601                  silicon",
1602   journal =      "phys. status solidi (c)",
1603   volume =       "9",
1604   number =       "10-11",
1605   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
1606   ISSN =         "1610-1642",
1607   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201200198",
1608   doi =          "10.1002/pssc.201200198",
1609   pages =        "1968--1973",
1610   keywords =     "silicon, carbon, silicon carbide, defect formation,
1611                  defect migration, density functional theory, empirical
1612                  potential, molecular dynamics",
1613   year =         "2012",
1614   abstract =     "Results of atomistic simulations aimed at
1615                  understanding precipitation of the highly attractive
1616                  wide band gap semiconductor material silicon carbide in
1617                  silicon are presented. The study involves a systematic
1618                  investigation of intrinsic and carbon-related defects
1619                  as well as defect combinations and defect migration by
1620                  both, quantummechanical first-principles as well as
1621                  empirical potential methods. Comparing formation and
1622                  activation energies, ground-state structures of defects
1623                  and defect combinations as well as energetically
1624                  favorable agglomeration of defects are predicted.
1625                  Moreover, accurate ab initio calculations unveil
1626                  limitations of the analytical method based on a
1627                  Tersoff-like bond order potential. A work-around is
1628                  proposed in order to subsequently apply the highly
1629                  efficient technique on large structures not accessible
1630                  by first-principles methods. The outcome of both types
1631                  of simulation provides a basic microscopic
1632                  understanding of defect formation and structural
1633                  evolution particularly at non-equilibrium conditions
1634                  strongly deviated from the ground state as commonly
1635                  found in SiC growth processes. A possible precipitation
1636                  mechanism, which conforms well to experimental findings
1637                  and clarifies contradictory views present in the
1638                  literature is outlined (© 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH \&
1639                  Co. KGaA, Weinheim)",
1640 }
1641
1642 @Article{lindner95,
1643   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1644                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1645   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1646                  Layers in Silicon",
1647   journal =      "MRS Proc.",
1648   volume =       "354",
1649   number =       "",
1650   pages =        "171",
1651   year =         "1994",
1652   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1653   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1654   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1655 }
1656
1657 @Article{lindner96,
1658   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1659                  in silicon by ion beam synthesis",
1660   journal =      "Mater. Chem. Phys.",
1661   volume =       "46",
1662   number =       "2-3",
1663   pages =        "147--155",
1664   year =         "1996",
1665   note =         "",
1666   ISSN =         "0254-0584",
1667   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1668   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1669   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1670                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1671                  Stritzker",
1672   notes =        "dose window",
1673 }
1674
1675 @Article{calcagno96,
1676   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1677                  ion implantation",
1678   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1679   volume =       "120",
1680   number =       "1-4",
1681   pages =        "121--124",
1682   year =         "1996",
1683   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1684                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1685   ISSN =         "0168-583X",
1686   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1687   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1688   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1689                  Grimaldi and P. Musumeci",
1690   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1691 }
1692
1693 @Article{lindner98,
1694   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1695                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1696   journal =      "Mater. Sci. Forum",
1697   volume =       "264-268",
1698   pages =        "215--218",
1699   year =         "1998",
1700   note =         "",
1701   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1702   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1703   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1704   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1705                  crystallinity",
1706 }
1707
1708 @Article{lindner99,
1709   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1710                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1711                  layers in silicon",
1712   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1713   volume =       "147",
1714   number =       "1-4",
1715   pages =        "249--255",
1716   year =         "1999",
1717   note =         "",
1718   ISSN =         "0168-583X",
1719   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1720   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1721   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1722   notes =        "two-step implantation process",
1723 }
1724
1725 @Article{lindner99_2,
1726   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1727                  in silicon",
1728   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1729   volume =       "148",
1730   number =       "1-4",
1731   pages =        "528--533",
1732   year =         "1999",
1733   ISSN =         "0168-583X",
1734   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1735   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1736   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1737   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1738 }
1739
1740 @Article{lindner01,
1741   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1742                  Basic physical processes",
1743   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1744   volume =       "178",
1745   number =       "1-4",
1746   pages =        "44--54",
1747   year =         "2001",
1748   note =         "",
1749   ISSN =         "0168-583X",
1750   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1751   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1752   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1753 }
1754
1755 @Article{lindner02,
1756   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1757                  fundamental studies for new technological tricks",
1758   author =       "J. K. N. Lindner",
1759   journal =      "Appl. Phys. A",
1760   volume =       "77",
1761   pages =        "27--38",
1762   year =         "2003",
1763   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1764   notes =        "ibs, burried sic layers",
1765 }
1766
1767 @Article{lindner06,
1768   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1769                  formation and displacive precipitate resolution in the
1770                  {C}-Si system",
1771   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1772   volume =       "26",
1773   number =       "5-7",
1774   pages =        "857--861",
1775   year =         "2006",
1776   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1777                  Applications",
1778   ISSN =         "0928-4931",
1779   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1780   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1781   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1782                  and B. Stritzker",
1783   notes =        "c int diffusion barrier",
1784 }
1785
1786 @Article{haeberlen10,
1787   title =        "Structural characterization of cubic and hexagonal
1788                  Ga{N} thin films grown by {IBA}-{MBE} on Si{C}/Si",
1789   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1790   volume =       "312",
1791   number =       "6",
1792   pages =        "762--769",
1793   year =         "2010",
1794   note =         "",
1795   ISSN =         "0022-0248",
1796   doi =          "10.1016/j.jcrysgro.2009.12.048",
1797   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024809011452",
1798   author =       "M. H{\"a}berlen and J. W. Gerlach and B. Murphy and J.
1799                  K. N. Lindner and B. Stritzker",
1800 }
1801
1802 @Article{ito04,
1803   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1804                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1805                  growth",
1806   journal =      "Appl. Surf. Sci.",
1807   volume =       "238",
1808   number =       "1-4",
1809   pages =        "159--164",
1810   year =         "2004",
1811   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1812   ISSN =         "0169-4332",
1813   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1814   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1815   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1816                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1817   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1818 }
1819
1820 @Article{yamamoto04,
1821   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1822                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1823                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1824   journal =      "J. Cryst. Growth",
1825   volume =       "261",
1826   number =       "2-3",
1827   pages =        "266--270",
1828   year =         "2004",
1829   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1830                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1831   ISSN =         "0022-0248",
1832   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1833   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1834   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1835                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1836   notes =        "gan on 3c-sic",
1837 }
1838
1839 @Article{liu_l02,
1840   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1841   journal =      "Mater. Sci. Eng., R",
1842   volume =       "37",
1843   number =       "3",
1844   pages =        "61--127",
1845   year =         "2002",
1846   note =         "",
1847   ISSN =         "0927-796X",
1848   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1849   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1850   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1851   notes =        "gan substrates",
1852 }
1853
1854 @Article{takeuchi91,
1855   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1856                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1857   journal =      "J. Cryst. Growth",
1858   volume =       "115",
1859   number =       "1-4",
1860   pages =        "634--638",
1861   year =         "1991",
1862   note =         "",
1863   ISSN =         "0022-0248",
1864   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1865   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1866   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1867                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1868   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1869 }
1870
1871 @Article{alder57,
1872   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1873   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1874   publisher =    "AIP",
1875   year =         "1957",
1876   journal =      "J. Chem. Phys.",
1877   volume =       "27",
1878   number =       "5",
1879   pages =        "1208--1209",
1880   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1881   doi =          "10.1063/1.1743957",
1882 }
1883
1884 @Article{alder59,
1885   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1886   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1887   publisher =    "AIP",
1888   year =         "1959",
1889   journal =      "J. Chem. Phys.",
1890   volume =       "31",
1891   number =       "2",
1892   pages =        "459--466",
1893   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1894   doi =          "10.1063/1.1730376",
1895 }
1896
1897 @Article{horsfield96,
1898   title =        "Bond-order potentials: Theory and implementation",
1899   author =       "A. P. Horsfield and A. M. Bratkovsky and M. Fearn and
1900                  D. G. Pettifor and M. Aoki",
1901   journal =      "Phys. Rev. B",
1902   volume =       "53",
1903   number =       "19",
1904   pages =        "12694--12712",
1905   numpages =     "18",
1906   year =         "1996",
1907   month =        may,
1908   doi =          "10.1103/PhysRevB.53.12694",
1909   publisher =    "American Physical Society",
1910 }
1911
1912 @Article{abell85,
1913   title =        "Empirical chemical pseudopotential theory of molecular
1914                  and metallic bonding",
1915   author =       "G. C. Abell",
1916   journal =      "Phys. Rev. B",
1917   volume =       "31",
1918   number =       "10",
1919   pages =        "6184--6196",
1920   numpages =     "12",
1921   year =         "1985",
1922   month =        may,
1923   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.6184",
1924   publisher =    "American Physical Society",
1925 }
1926
1927 @Article{tersoff_si1,
1928   title =        "New empirical model for the structural properties of
1929                  silicon",
1930   author =       "J. Tersoff",
1931   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1932   volume =       "56",
1933   number =       "6",
1934   pages =        "632--635",
1935   numpages =     "3",
1936   year =         "1986",
1937   month =        feb,
1938   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1939   publisher =    "American Physical Society",
1940 }
1941
1942 @Article{dodson87,
1943   title =        "Development of a many-body Tersoff-type potential for
1944                  silicon",
1945   author =       "Brian W. Dodson",
1946   journal =      "Phys. Rev. B",
1947   volume =       "35",
1948   number =       "6",
1949   pages =        "2795--2798",
1950   numpages =     "3",
1951   year =         "1987",
1952   month =        feb,
1953   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.2795",
1954   publisher =    "American Physical Society",
1955 }
1956
1957 @Article{tersoff_si2,
1958   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1959                  covalent systems",
1960   author =       "J. Tersoff",
1961   journal =      "Phys. Rev. B",
1962   volume =       "37",
1963   number =       "12",
1964   pages =        "6991--7000",
1965   numpages =     "9",
1966   year =         "1988",
1967   month =        apr,
1968   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1969   publisher =    "American Physical Society",
1970 }
1971
1972 @Article{tersoff_si3,
1973   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1974                  improved elastic properties",
1975   author =       "J. Tersoff",
1976   journal =      "Phys. Rev. B",
1977   volume =       "38",
1978   number =       "14",
1979   pages =        "9902--9905",
1980   numpages =     "3",
1981   year =         "1988",
1982   month =        nov,
1983   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1984   publisher =    "American Physical Society",
1985 }
1986
1987 @Article{tersoff_c,
1988   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1989                  Applications to Amorphous Carbon",
1990   author =       "J. Tersoff",
1991   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1992   volume =       "61",
1993   number =       "25",
1994   pages =        "2879--2882",
1995   numpages =     "3",
1996   year =         "1988",
1997   month =        dec,
1998   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1999   publisher =    "American Physical Society",
2000 }
2001
2002 @Article{tersoff_m,
2003   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
2004                  for multicomponent systems",
2005   author =       "J. Tersoff",
2006   journal =      "Phys. Rev. B",
2007   volume =       "39",
2008   number =       "8",
2009   pages =        "5566--5568",
2010   numpages =     "2",
2011   year =         "1989",
2012   month =        mar,
2013   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
2014   publisher =    "American Physical Society",
2015 }
2016
2017 @Article{tersoff90,
2018   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
2019   author =       "J. Tersoff",
2020   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2021   volume =       "64",
2022   number =       "15",
2023   pages =        "1757--1760",
2024   numpages =     "3",
2025   year =         "1990",
2026   month =        apr,
2027   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
2028   publisher =    "American Physical Society",
2029 }
2030
2031 @Article{fahey89,
2032   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
2033   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
2034   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
2035   volume =       "61",
2036   number =       "2",
2037   pages =        "289--384",
2038   numpages =     "95",
2039   year =         "1989",
2040   month =        apr,
2041   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
2042   publisher =    "American Physical Society",
2043 }
2044
2045 @Article{wesch96,
2046   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
2047   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2048   volume =       "116",
2049   number =       "1-4",
2050   pages =        "305--321",
2051   year =         "1996",
2052   note =         "Radiation Effects in Insulators",
2053   ISSN =         "0168-583X",
2054   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
2055   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
2056   author =       "W. Wesch",
2057 }
2058
2059 @Article{davis91,
2060   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
2061                  Palmour and J. A. Edmond",
2062   journal =      "Proc. IEEE",
2063   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
2064                  optoelectronic device fabrication and characterization
2065                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
2066   year =         "1991",
2067   month =        may,
2068   volume =       "79",
2069   number =       "5",
2070   pages =        "677--701",
2071   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
2072                  diode;SiC;dry etching;electrical
2073                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
2074                  device fabrication;solid-state devices;surface
2075                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
2076                  transistors;Schottky-barrier
2077                  diodes;etching;heterojunction bipolar
2078                  transistors;insulated gate field effect
2079                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
2080                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
2081   doi =          "10.1109/5.90132",
2082   ISSN =         "0018-9219",
2083   notes =        "sic growth methods",
2084 }
2085
2086 @Article{morkoc94,
2087   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
2088                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
2089   collaboration = "",
2090   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
2091                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
2092   publisher =    "AIP",
2093   year =         "1994",
2094   journal =      "J. Appl. Phys.",
2095   volume =       "76",
2096   number =       "3",
2097   pages =        "1363--1398",
2098   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
2099                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
2100                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
2101                  FILMS; INDUSTRY",
2102   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
2103   doi =          "10.1063/1.358463",
2104   notes =        "sic intro, properties",
2105 }
2106
2107 @Article{foo,
2108   author =       "Noch Unbekannt",
2109   title =        "How to find references",
2110   journal =      "Journal of Applied References",
2111   year =         "2009",
2112   volume =       "77",
2113   pages =        "1--23",
2114 }
2115
2116 @Article{tang95,
2117   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
2118                  \beta{}-Si{C}",
2119   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
2120   journal =      "Phys. Rev. B",
2121   volume =       "52",
2122   number =       "21",
2123   pages =        "15150--15159",
2124   numpages =     "9",
2125   year =         "1995",
2126   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
2127   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
2128                  tersoff reparametrization",
2129   publisher =    "American Physical Society",
2130 }
2131
2132 @Article{sarro00,
2133   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
2134   journal =      "Seonsor. Actuator. A",
2135   volume =       "82",
2136   number =       "1-3",
2137   pages =        "210--218",
2138   year =         "2000",
2139   ISSN =         "0924-4247",
2140   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
2141   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
2142   author =       "Pasqualina M. Sarro",
2143   keywords =     "MEMS",
2144   keywords =     "Silicon carbide",
2145   keywords =     "Micromachining",
2146   keywords =     "Mechanical stress",
2147 }
2148
2149 @Article{casady96,
2150   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
2151                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
2152                  review",
2153   journal =      "Solid-State Electron.",
2154   volume =       "39",
2155   number =       "10",
2156   pages =        "1409--1422",
2157   year =         "1996",
2158   ISSN =         "0038-1101",
2159   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
2160   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
2161   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
2162   notes =        "sic intro",
2163 }
2164
2165 @Article{giancarli98,
2166   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
2167                  structural material in fusion power reactor blankets",
2168   journal =      "Fusion Eng. Des.",
2169   volume =       "41",
2170   number =       "1-4",
2171   pages =        "165--171",
2172   year =         "1998",
2173   ISSN =         "0920-3796",
2174   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
2175   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
2176   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
2177                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
2178 }
2179
2180 @Article{pensl93,
2181   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
2182   journal =      "Physica B",
2183   volume =       "185",
2184   number =       "1-4",
2185   pages =        "264--283",
2186   year =         "1993",
2187   ISSN =         "0921-4526",
2188   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
2189   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
2190   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
2191 }
2192
2193 @Article{tairov78,
2194   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
2195                  carbide single crystals",
2196   journal =      "J. Cryst. Growth",
2197   volume =       "43",
2198   number =       "2",
2199   pages =        "209--212",
2200   year =         "1978",
2201   notes =        "modified lely process",
2202   ISSN =         "0022-0248",
2203   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
2204   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
2205   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2206 }
2207
2208 @Article{tairov81,
2209   title =        "General principles of growing large-size single
2210                  crystals of various silicon carbide polytypes",
2211   journal =      "J. Cryst. Growth",
2212   volume =       "52",
2213   number =       "Part 1",
2214   pages =        "146--150",
2215   year =         "1981",
2216   note =         "",
2217   ISSN =         "0022-0248",
2218   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
2219   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
2220   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2221 }
2222
2223 @Article{barrett91,
2224   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
2225   journal =      "J. Cryst. Growth",
2226   volume =       "109",
2227   number =       "1-4",
2228   pages =        "17--23",
2229   year =         "1991",
2230   note =         "",
2231   ISSN =         "0022-0248",
2232   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
2233   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
2234   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
2235                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
2236 }
2237
2238 @Article{barrett93,
2239   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
2240   journal =      "J. Cryst. Growth",
2241   volume =       "128",
2242   number =       "1-4",
2243   pages =        "358--362",
2244   year =         "1993",
2245   note =         "",
2246   ISSN =         "0022-0248",
2247   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
2248   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
2249   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
2250                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
2251                  W. J. Choyke",
2252 }
2253
2254 @Article{stein93,
2255   title =        "Control of polytype formation by surface energy
2256                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
2257                  sublimation method",
2258   journal =      "J. Cryst. Growth",
2259   volume =       "131",
2260   number =       "1-2",
2261   pages =        "71--74",
2262   year =         "1993",
2263   note =         "",
2264   ISSN =         "0022-0248",
2265   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
2266   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
2267   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
2268   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
2269 }
2270
2271 @Article{nishino83,
2272   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
2273                  Will",
2274   collaboration = "",
2275   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
2276                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
2277   publisher =    "AIP",
2278   year =         "1983",
2279   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2280   volume =       "42",
2281   number =       "5",
2282   pages =        "460--462",
2283   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
2284                  monocrystals",
2285   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
2286   doi =          "10.1063/1.93970",
2287   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
2288 }
2289
2290 @Article{nagasawa06,
2291   author =       "H. Nagasawa and K. Yagi and T. Kawahara and N. Hatta",
2292   title =        "Reducing Planar Defects in 3{C}¿Si{C}",
2293   journal =      "Chemical Vapor Deposition",
2294   volume =       "12",
2295   number =       "8-9",
2296   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2297   ISSN =         "1521-3862",
2298   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/cvde.200506466",
2299   doi =          "10.1002/cvde.200506466",
2300   pages =        "502--508",
2301   keywords =     "Defect structures, Epitaxy, Silicon carbide",
2302   year =         "2006",
2303   notes =        "cvd on si",
2304 }
2305
2306 @Article{nishino87,
2307   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
2308                  and Hiroyuki Matsunami",
2309   collaboration = "",
2310   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
2311                  Si{C} on silicon",
2312   publisher =    "AIP",
2313   year =         "1987",
2314   journal =      "J. Appl. Phys.",
2315   volume =       "61",
2316   number =       "10",
2317   pages =        "4889--4893",
2318   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
2319   doi =          "10.1063/1.338355",
2320   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
2321                  carbonization",
2322 }
2323
2324 @Article{powell87,
2325   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
2326                  Kuczmarski",
2327   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
2328                  Single-Crystal Films on Si",
2329   publisher =    "ECS",
2330   year =         "1987",
2331   journal =      "J. Electrochem. Soc.",
2332   volume =       "134",
2333   number =       "6",
2334   pages =        "1558--1565",
2335   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
2336                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
2337   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
2338   doi =          "10.1149/1.2100708",
2339   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
2340 }
2341
2342 @Article{powell87_2,
2343   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
2344                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
2345   collaboration = "",
2346   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
2347                  off-axis Si substrates",
2348   publisher =    "AIP",
2349   year =         "1987",
2350   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2351   volume =       "51",
2352   number =       "11",
2353   pages =        "823--825",
2354   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
2355                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
2356                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
2357                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
2358                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
2359   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
2360   doi =          "10.1063/1.98824",
2361   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
2362 }
2363
2364 @Article{ueda90,
2365   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
2366   journal =      "J. Cryst. Growth",
2367   volume =       "104",
2368   number =       "3",
2369   pages =        "695--700",
2370   year =         "1990",
2371   note =         "",
2372   ISSN =         "0022-0248",
2373   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
2374   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
2375   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
2376                  Matsunami",
2377   notes =        "step-controlled epitaxy model",
2378 }
2379
2380 @Article{kimoto93,
2381   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
2382                  and Hiroyuki Matsunami",
2383   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
2384                  epitaxy",
2385   publisher =    "AIP",
2386   year =         "1993",
2387   journal =      "J. Appl. Phys.",
2388   volume =       "73",
2389   number =       "2",
2390   pages =        "726--732",
2391   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
2392                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
2393                  VAPOR DEPOSITION",
2394   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
2395   doi =          "10.1063/1.353329",
2396   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
2397 }
2398
2399 @Article{powell90_2,
2400   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2401                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2402                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2403   collaboration = "",
2404   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
2405                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2406   publisher =    "AIP",
2407   year =         "1990",
2408   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2409   volume =       "56",
2410   number =       "15",
2411   pages =        "1442--1444",
2412   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2413                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
2414                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
2415                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
2416   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
2417   doi =          "10.1063/1.102492",
2418   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
2419 }
2420
2421 @Article{kong88_2,
2422   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2423   collaboration = "",
2424   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2425                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2426                  substrates",
2427   publisher =    "AIP",
2428   year =         "1988",
2429   journal =      "J. Appl. Phys.",
2430   volume =       "64",
2431   number =       "5",
2432   pages =        "2672--2679",
2433   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2434                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2435                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2436                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2437                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2438   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2439   doi =          "10.1063/1.341608",
2440 }
2441
2442 @Article{powell90,
2443   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2444                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2445                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2446   collaboration = "",
2447   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2448                  6{H}-Si{C} substrates",
2449   publisher =    "AIP",
2450   year =         "1990",
2451   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2452   volume =       "56",
2453   number =       "14",
2454   pages =        "1353--1355",
2455   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2456                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2457                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2458                  PHASE EPITAXY",
2459   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2460   doi =          "10.1063/1.102512",
2461   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2462 }
2463
2464 @Article{kong88,
2465   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2466                  Rozgonyi and K. L. More",
2467   collaboration = "",
2468   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2469                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2470                  substrates",
2471   publisher =    "AIP",
2472   year =         "1988",
2473   journal =      "J. Appl. Phys.",
2474   volume =       "63",
2475   number =       "8",
2476   pages =        "2645--2650",
2477   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2478                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2479                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2480                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2481                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2482   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2483   doi =          "10.1063/1.341004",
2484 }
2485
2486 @Article{powell91,
2487   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2488                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2489                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2490   collaboration = "",
2491   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2492                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2493   publisher =    "AIP",
2494   year =         "1991",
2495   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2496   volume =       "59",
2497   number =       "3",
2498   pages =        "333--335",
2499   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2500                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2501                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2502   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2503   doi =          "10.1063/1.105587",
2504 }
2505
2506 @Article{yuan95,
2507   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2508                  Thokala and M. J. Loboda",
2509   collaboration = "",
2510   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2511                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2512                  silacyclobutane",
2513   publisher =    "AIP",
2514   year =         "1995",
2515   journal =      "J. Appl. Phys.",
2516   volume =       "78",
2517   number =       "2",
2518   pages =        "1271--1273",
2519   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2520                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2521                  SPECTROPHOTOMETRY",
2522   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2523   doi =          "10.1063/1.360368",
2524   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2525 }
2526
2527 @Article{kaneda87,
2528   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2529                  properties of its p-n junction",
2530   journal =      "J. Cryst. Growth",
2531   volume =       "81",
2532   number =       "1-4",
2533   pages =        "536--542",
2534   year =         "1987",
2535   note =         "",
2536   ISSN =         "0022-0248",
2537   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2538   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2539   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2540                  and Takao Tanaka",
2541   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2542 }
2543
2544 @Article{fissel95,
2545   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2546                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2547                  molecular beam epitaxy",
2548   journal =      "J. Cryst. Growth",
2549   volume =       "154",
2550   number =       "1-2",
2551   pages =        "72--80",
2552   year =         "1995",
2553   ISSN =         "0022-0248",
2554   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2555   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2556   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2557                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2558   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2559 }
2560
2561 @Article{fissel95_apl,
2562   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2563   collaboration = "",
2564   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2565                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2566   publisher =    "AIP",
2567   year =         "1995",
2568   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2569   volume =       "66",
2570   number =       "23",
2571   pages =        "3182--3184",
2572   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2573                  RHEED; NUCLEATION",
2574   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2575   doi =          "10.1063/1.113716",
2576   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2577 }
2578
2579 @Article{fissel96,
2580   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2581                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2582   collaboration = "",
2583   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2584                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2585                  level using surface superstructures",
2586   publisher =    "AIP",
2587   year =         "1996",
2588   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2589   volume =       "68",
2590   number =       "9",
2591   pages =        "1204--1206",
2592   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2593                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2594                  SURFACE STRUCTURE",
2595   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2596   doi =          "10.1063/1.115969",
2597   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2598 }
2599
2600 @Article{righi03,
2601   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2602   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2603                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2604   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2605   volume =       "91",
2606   number =       "13",
2607   pages =        "136101",
2608   numpages =     "4",
2609   year =         "2003",
2610   month =        sep,
2611   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2612   publisher =    "American Physical Society",
2613   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2614 }
2615
2616 @Article{borders71,
2617   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2618   collaboration = "",
2619   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2620                  {IMPLANTATION}",
2621   publisher =    "AIP",
2622   year =         "1971",
2623   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2624   volume =       "18",
2625   number =       "11",
2626   pages =        "509--511",
2627   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2628   doi =          "10.1063/1.1653516",
2629   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2630                  ideas",
2631 }
2632
2633 @Article{edelman76,
2634   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2635                  and E. V. Lubopytova",
2636   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2637                  by ion implantation",
2638   publisher =    "Taylor \& Francis",
2639   year =         "1976",
2640   journal =      "Radiat. Eff.",
2641   volume =       "29",
2642   number =       "1",
2643   pages =        "13--15",
2644   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2645   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2646                  single crystalline",
2647 }
2648
2649 @Article{akimchenko80,
2650   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2651                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2652   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2653                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2654   publisher =    "Taylor \& Francis",
2655   year =         "1980",
2656   journal =      "Radiat. Eff.",
2657   volume =       "48",
2658   number =       "1",
2659   pages =        "7",
2660   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2661   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2662 }
2663
2664 @Article{kimura81,
2665   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2666                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2667                  silicon",
2668   journal =      "Thin Solid Films",
2669   volume =       "81",
2670   number =       "4",
2671   pages =        "319--327",
2672   year =         "1981",
2673   note =         "",
2674   ISSN =         "0040-6090",
2675   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2676   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2677   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2678                  Yugo",
2679 }
2680
2681 @Article{kimura82,
2682   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2683                  the implantation of carbon ions into silicon",
2684   journal =      "Thin Solid Films",
2685   volume =       "94",
2686   number =       "3",
2687   pages =        "191--198",
2688   year =         "1982",
2689   note =         "",
2690   ISSN =         "0040-6090",
2691   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2692   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2693   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2694                  Yugo",
2695 }
2696
2697 @Article{reeson86,
2698   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2699                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2700                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2701   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2702                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2703   publisher =    "Taylor \& Francis",
2704   year =         "1986",
2705   journal =      "Radiat. Eff.",
2706   volume =       "99",
2707   number =       "1",
2708   pages =        "71--81",
2709   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2710   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or time,
2711                  no c redistribution",
2712 }
2713
2714 @Article{reeson87,
2715   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2716                  J. Davis and G. E. Celler",
2717   collaboration = "",
2718   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2719                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2720   publisher =    "AIP",
2721   year =         "1987",
2722   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2723   volume =       "51",
2724   number =       "26",
2725   pages =        "2242--2244",
2726   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2727                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2728   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2729   doi =          "10.1063/1.98953",
2730   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2731 }
2732
2733 @Article{martin90,
2734   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2735                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2736   collaboration = "",
2737   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2738   publisher =    "AIP",
2739   year =         "1990",
2740   journal =      "J. Appl. Phys.",
2741   volume =       "67",
2742   number =       "6",
2743   pages =        "2908--2912",
2744   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2745                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2746                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2747                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2748                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2749                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2750   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2751   doi =          "10.1063/1.346092",
2752   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2753                  temepratures",
2754 }
2755
2756 @Article{scace59,
2757   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2758   collaboration = "",
2759   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2760   publisher =    "AIP",
2761   year =         "1959",
2762   journal =      "J. Chem. Phys.",
2763   volume =       "30",
2764   number =       "6",
2765   pages =        "1551--1555",
2766   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2767   doi =          "10.1063/1.1730236",
2768   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2769 }
2770
2771 @Article{hofker74,
2772   author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
2773                  Koeman",
2774   affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
2775                  Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
2776                  Netherlands",
2777   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
2778                  charge carrier and boron concentration profiles",
2779   journal =      "Appl. Phys. A",
2780   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
2781   ISSN =         "0947-8396",
2782   keyword =      "Physics and Astronomy",
2783   pages =        "125--133",
2784   volume =       "4",
2785   issue =        "2",
2786   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
2787   note =         "10.1007/BF00884267",
2788   year =         "1974",
2789   notes =        "first time ted (only for boron?)",
2790 }
2791
2792 @Article{michel87,
2793   author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
2794                  H. Kastl",
2795   collaboration = "",
2796   title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
2797                  implanted boron into silicon",
2798   publisher =    "AIP",
2799   year =         "1987",
2800   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2801   volume =       "50",
2802   number =       "7",
2803   pages =        "416--418",
2804   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
2805                  BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
2806                  HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
2807   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
2808   doi =          "10.1063/1.98160",
2809   notes =        "ted of boron in si",
2810 }
2811
2812 @Article{cowern90,
2813   author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
2814                  Jos",
2815   collaboration = "",
2816   title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
2817                  time, and matrix dependence of atomic and electrical
2818                  profiles",
2819   publisher =    "AIP",
2820   year =         "1990",
2821   journal =      "J. Appl. Phys.",
2822   volume =       "68",
2823   number =       "12",
2824   pages =        "6191--6198",
2825   keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
2826                  DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
2827                  CRYSTALS; AMORPHIZATION",
2828   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
2829   doi =          "10.1063/1.346910",
2830   notes =        "ted of boron in si",
2831 }
2832
2833 @Article{cowern96,
2834   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2835                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2836   collaboration = "",
2837   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2838                  {B} in silicon",
2839   publisher =    "AIP",
2840   year =         "1996",
2841   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2842   volume =       "68",
2843   number =       "8",
2844   pages =        "1150--1152",
2845   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2846                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2847                  SILICON",
2848   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2849   doi =          "10.1063/1.115706",
2850   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2851 }
2852
2853 @Article{stolk95,
2854   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2855                  of the silicon self-interstitial",
2856   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2857   volume =       "96",
2858   number =       "1-2",
2859   pages =        "187--195",
2860   year =         "1995",
2861   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2862                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2863   ISSN =         "0168-583X",
2864   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2865   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2866   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2867                  and J. M. Poate",
2868 }
2869
2870 @Article{stolk97,
2871   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2872                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2873                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2874                  E. Haynes",
2875   collaboration = "",
2876   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2877                  diffusion in ion-implanted silicon",
2878   publisher =    "AIP",
2879   year =         "1997",
2880   journal =      "J. Appl. Phys.",
2881   volume =       "81",
2882   number =       "9",
2883   pages =        "6031--6050",
2884   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2885   doi =          "10.1063/1.364452",
2886   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2887 }
2888
2889 @Article{powell94,
2890   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2891   collaboration = "",
2892   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2893                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2894   publisher =    "AIP",
2895   year =         "1994",
2896   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2897   volume =       "64",
2898   number =       "3",
2899   pages =        "324--326",
2900   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2901                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2902                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2903                  SYNTHESIS",
2904   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2905   doi =          "10.1063/1.111195",
2906   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2907 }
2908
2909 @Article{soref91,
2910   author =       "Richard A. Soref",
2911   collaboration = "",
2912   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2913                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2914   publisher =    "AIP",
2915   year =         "1991",
2916   journal =      "J. Appl. Phys.",
2917   volume =       "70",
2918   number =       "4",
2919   pages =        "2470--2472",
2920   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2921                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2922                  TERNARY ALLOYS",
2923   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2924   doi =          "10.1063/1.349403",
2925   notes =        "band gap of strained si by c",
2926 }
2927
2928 @Article{kasper91,
2929   author =       "E Kasper",
2930   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2931                  possibility to produce direct band gap material",
2932   journal =      "Phys. Scr.",
2933   volume =       "T35",
2934   pages =        "232--236",
2935   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2936   year =         "1991",
2937   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2938                  quasi-direct one",
2939 }
2940
2941 @Article{eberl92,
2942   author =       "K. Eberl and S. S. Iyer and S. Zollner and J. C. Tsang
2943                  and F. K. LeGoues",
2944   collaboration = "",
2945   title =        "Growth and strain compensation effects in the ternary
2946                  Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloy system",
2947   publisher =    "AIP",
2948   year =         "1992",
2949   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2950   volume =       "60",
2951   number =       "24",
2952   pages =        "3033--3035",
2953   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; CARBON ALLOYS;
2954                  TERNARY ALLOYS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; MOLECULAR BEAM
2955                  EPITAXY; INTERNAL STRAINS; TEMPERATURE EFFECTS; CRYSTAL
2956                  STRUCTURE; LATTICE PARAMETERS; XRAY DIFFRACTION; PHASE
2957                  STUDIES",
2958   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/3033/1",
2959   doi =          "10.1063/1.106774",
2960 }
2961
2962 @Article{powell93,
2963   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and F. E. LeGoues and B. A.
2964                  Ek and S. S. Iyer",
2965   collaboration = "",
2966   title =        "Stability of strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random
2967                  alloy layers",
2968   publisher =    "AVS",
2969   year =         "1993",
2970   journal =      "J. Vac. Sci. Technol. B",
2971   volume =       "11",
2972   number =       "3",
2973   pages =        "1064--1068",
2974   location =     "Ottawa (Canada)",
2975   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; STRAINS; THICKNESS;
2976                  METASTABLE PHASES; TWINNING; DISLOCATIONS; MOLECULAR
2977                  BEAM EPITAXY; EPITAXIAL LAYERS; CRITICAL PHENOMENA;
2978                  TEMPERATURE RANGE 400--1000 K; BINARY ALLOYS",
2979   URL =          "http://link.aip.org/link/?JVB/11/1064/1",
2980   doi =          "10.1116/1.587008",
2981   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2982 }
2983
2984 @Article{powell93_2,
2985   title =        "Si[sub 1-x-y]Ge[sub x]{C}[sub y] growth and properties
2986                  of the ternary system",
2987   journal =      "J. Cryst. Growth",
2988   volume =       "127",
2989   number =       "1-4",
2990   pages =        "425--429",
2991   year =         "1993",
2992   note =         "",
2993   ISSN =         "0022-0248",
2994   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90653-E",
2995   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46J3RF2-8H/2/27fc231f28e4dc0a3b4770e5cf03257e",
2996   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and B. A. Ek and S. S.
2997                  Iyer",
2998 }
2999
3000 @Article{osten94,
3001   author =       "H. J. Osten",
3002   title =        "Modification of Growth Modes in Lattice-Mismatched
3003                  Epitaxial Systems: Si/Ge",
3004   journal =      "phys. status solidi (a)",
3005   volume =       "145",
3006   number =       "2",
3007   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3008   ISSN =         "1521-396X",
3009   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211450203",
3010   doi =          "10.1002/pssa.2211450203",
3011   pages =        "235--245",
3012   year =         "1994",
3013 }
3014
3015 @Article{dietrich94,
3016   title =        "Lattice distortion in a strain-compensated
3017                  $Si_{1-x-y}$$Ge_{x}$${C}_{y}$ layer on silicon",
3018   author =       "B. Dietrich and H. J. Osten and H. R{\"u}cker and M.
3019                  Methfessel and P. Zaumseil",
3020   journal =      "Phys. Rev. B",
3021   volume =       "49",
3022   number =       "24",
3023   pages =        "17185--17190",
3024   numpages =     "5",
3025   year =         "1994",
3026   month =        jun,
3027   doi =          "10.1103/PhysRevB.49.17185",
3028   publisher =    "American Physical Society",
3029 }
3030
3031 @Article{osten94_2,
3032   author =       "H. J. Osten and E. Bugiel and P. Zaumseil",
3033   collaboration = "",
3034   title =        "Growth of an inverse tetragonal distorted SiGe layer
3035                  on Si(001) by adding small amounts of carbon",
3036   publisher =    "AIP",
3037   year =         "1994",
3038   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3039   volume =       "64",
3040   number =       "25",
3041   pages =        "3440--3442",
3042   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; FILM GROWTH; CARBON
3043                  ALLOYS; TERNARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TEM;
3044                  XRD; LATTICE PARAMETERS; EPITAXIAL LAYERS; TETRAGONAL
3045                  LATTICES",
3046   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/3440/1",
3047   doi =          "10.1063/1.111235",
3048   notes =        "inversely strained / distorted heterostructure",
3049 }
3050
3051 @Article{iyer92,
3052   author =       "S. S. Iyer and K. Eberl and M. S. Goorsky and F. K.
3053                  LeGoues and J. C. Tsang and F. Cardone",
3054   collaboration = "",
3055   title =        "Synthesis of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys by
3056                  molecular beam epitaxy",
3057   publisher =    "AIP",
3058   year =         "1992",
3059   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3060   volume =       "60",
3061   number =       "3",
3062   pages =        "356--358",
3063   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
3064                  SEMICONDUCTOR ALLOYS; SUPERLATTICES; MOLECULAR BEAM
3065                  EPITAXY; CHEMICAL COMPOSITION; TEMPERATURE EFFECTS;
3066                  FILM GROWTH; MICROSTRUCTURE",
3067   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/356/1",
3068   doi =          "10.1063/1.106655",
3069 }
3070
3071 @Article{osten99,
3072   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
3073   collaboration = "",
3074   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
3075                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
3076                  molecular beam epitaxy",
3077   publisher =    "AIP",
3078   year =         "1999",
3079   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3080   volume =       "74",
3081   number =       "6",
3082   pages =        "836--838",
3083   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
3084                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
3085                  compounds",
3086   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
3087   doi =          "10.1063/1.123384",
3088   notes =        "substitutional c in si by mbe",
3089 }
3090
3091 @Article{born27,
3092   author =       "M. Born and R. Oppenheimer",
3093   title =        "Zur Quantentheorie der Molekeln",
3094   journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
3095   volume =       "389",
3096   number =       "20",
3097   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3098   ISSN =         "1521-3889",
3099   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19273892002",
3100   doi =          "10.1002/andp.19273892002",
3101   pages =        "457--484",
3102   year =         "1927",
3103 }
3104
3105 @Article{hohenberg64,
3106   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
3107   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
3108   journal =      "Phys. Rev.",
3109   volume =       "136",
3110   number =       "3B",
3111   pages =        "B864--B871",
3112   numpages =     "7",
3113   year =         "1964",
3114   month =        nov,
3115   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
3116   publisher =    "American Physical Society",
3117   notes =        "density functional theory, dft",
3118 }
3119
3120 @Article{thomas27,
3121   title =        "The calculation of atomic fields",
3122   author =       "L. H. Thomas",
3123   journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
3124   volume =       "23",
3125   pages =        "542--548",
3126   year =         "1927",
3127   doi =          "10.1017/S0305004100011683",
3128 }
3129
3130 @Article{fermi27,
3131   title =        "",
3132   author =       "E. Fermi",
3133   journal =      "Atti Accad. Naz. Lincei, Cl. Sci. Fis. Mat. Nat.
3134                  Rend.",
3135   volume =       "6",
3136   pages =        "602",
3137   year =         "1927",
3138 }
3139
3140 @Article{hartree28,
3141   title =        "The Wave Mechanics of an Atom with a Non-Coulomb
3142                  Central Field. Part {I}. Theory and Methods",
3143   author =       "D. R. Hartree",
3144   journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
3145   volume =       "24",
3146   pages =        "89--110",
3147   year =         "1928",
3148   doi =          "10.1017/S0305004100011919",
3149 }
3150
3151 @Article{slater29,
3152   title =        "The Theory of Complex Spectra",
3153   author =       "J. C. Slater",
3154   journal =      "Phys. Rev.",
3155   volume =       "34",
3156   number =       "10",
3157   pages =        "1293--1322",
3158   numpages =     "29",
3159   year =         "1929",
3160   month =        nov,
3161   doi =          "10.1103/PhysRev.34.1293",
3162   publisher =    "American Physical Society",
3163 }
3164
3165 @Article{kohn65,
3166   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
3167                  Correlation Effects",
3168   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
3169   journal =      "Phys. Rev.",
3170   volume =       "140",
3171   number =       "4A",
3172   pages =        "A1133--A1138",
3173   numpages =     "5",
3174   year =         "1965",
3175   month =        nov,
3176   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
3177   publisher =    "American Physical Society",
3178   notes =        "dft, exchange and correlation",
3179 }
3180
3181 @Article{kohn96,
3182   title =        "Density Functional and Density Matrix Method Scaling
3183                  Linearly with the Number of Atoms",
3184   author =       "W. Kohn",
3185   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3186   volume =       "76",
3187   number =       "17",
3188   pages =        "3168--3171",
3189   numpages =     "3",
3190   year =         "1996",
3191   month =        apr,
3192   doi =          "10.1103/PhysRevLett.76.3168",
3193   publisher =    "American Physical Society",
3194 }
3195
3196 @Article{kohn98,
3197   title =        "Edge Electron Gas",
3198   author =       "Walter Kohn and Ann E. Mattsson",
3199   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3200   volume =       "81",
3201   number =       "16",
3202   pages =        "3487--3490",
3203   numpages =     "3",
3204   year =         "1998",
3205   month =        oct,
3206   doi =          "10.1103/PhysRevLett.81.3487",
3207   publisher =    "American Physical Society",
3208 }
3209
3210 @Article{kohn99,
3211   title =        "Nobel Lecture: Electronic structure of matter---wave
3212                  functions and density functionals",
3213   author =       "W. Kohn",
3214   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
3215   volume =       "71",
3216   number =       "5",
3217   pages =        "1253--1266",
3218   numpages =     "13",
3219   year =         "1999",
3220   month =        oct,
3221   doi =          "10.1103/RevModPhys.71.1253",
3222   publisher =    "American Physical Society",
3223 }
3224
3225 @Article{payne92,
3226   title =        "Iterative minimization techniques for ab initio
3227                  total-energy calculations: molecular dynamics and
3228                  conjugate gradients",
3229   author =       "M. C. Payne and M. P. Teter and D. C. Allan and T. A.
3230                  Arias and J. D. Joannopoulos",
3231   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
3232   volume =       "64",
3233   number =       "4",
3234   pages =        "1045--1097",
3235   numpages =     "52",
3236   year =         "1992",
3237   month =        oct,
3238   doi =          "10.1103/RevModPhys.64.1045",
3239   publisher =    "American Physical Society",
3240 }
3241
3242 @Article{levy82,
3243   title =        "Electron densities in search of Hamiltonians",
3244   author =       "Mel Levy",
3245   journal =      "Phys. Rev. A",
3246   volume =       "26",
3247   number =       "3",
3248   pages =        "1200--1208",
3249   numpages =     "8",
3250   year =         "1982",
3251   month =        sep,
3252   doi =          "10.1103/PhysRevA.26.1200",
3253   publisher =    "American Physical Society",
3254 }
3255
3256 @Article{ruecker94,
3257   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
3258                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
3259   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
3260                  J. Osten",
3261   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3262   volume =       "72",
3263   number =       "22",
3264   pages =        "3578--3581",
3265   numpages =     "3",
3266   year =         "1994",
3267   month =        may,
3268   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
3269   publisher =    "American Physical Society",
3270   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
3271                  si, dft",
3272 }
3273
3274 @Article{yagi02,
3275   title =        "Phosphorous Doping of Strain-Induced
3276                  Si$_{1-y}${C}$_{y}$ Epitaxial Films Grown\\
3277                  by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition",
3278   author =       "Shuhei Yagi and Katsuya Abe and Takashi Okabayashi and
3279                  Yuichi Yoneyama and Akira Yamada and Makoto Konagai",
3280   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3281   volume =       "41",
3282   number =       "Part 1, No. 4B",
3283   pages =        "2472--2475",
3284   numpages =     "3",
3285   year =         "2002",
3286   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/41/2472/",
3287   doi =          "10.1143/JJAP.41.2472",
3288   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3289   notes =        "experimental charge carrier mobility in strained si",
3290 }
3291
3292 @Article{chang05,
3293   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
3294                  Alloy",
3295   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
3296   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3297   volume =       "44",
3298   number =       "4B",
3299   pages =        "2257--2262",
3300   numpages =     "5",
3301   year =         "2005",
3302   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
3303   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
3304   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3305   notes =        "enhance of electron mobility in strained si",
3306 }
3307
3308 @Article{kissinger94,
3309   author =       "W. Kissinger and M. Weidner and H. J. Osten and M.
3310                  Eichler",
3311   collaboration = "",
3312   title =        "Optical transitions in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub
3313                  y] layers on Si(001)",
3314   publisher =    "AIP",
3315   year =         "1994",
3316   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3317   volume =       "65",
3318   number =       "26",
3319   pages =        "3356--3358",
3320   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERNAL STRAINS; EPITAXIAL LAYERS;
3321                  CHEMICAL COMPOSITION; ELLIPSOMETRY; REFLECTION
3322                  SPECTROSCOPY; ELECTROOPTICAL EFFECTS; BAND STRUCTURE;
3323                  ENERGY LEVELS; ENERGYLEVEL TRANSITIONS",
3324   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/3356/1",
3325   doi =          "10.1063/1.112390",
3326   notes =        "strained si influence on optical properties",
3327 }
3328
3329 @Article{osten96,
3330   author =       "H. J. Osten and Myeongcheol Kim and K. Pressel and P.
3331                  Zaumseil",
3332   collaboration = "",
3333   title =        "Substitutional versus interstitial carbon
3334                  incorporation during pseudomorphic growth of Si[sub 1 -
3335                  y]{C}[sub y] on Si(001)",
3336   publisher =    "AIP",
3337   year =         "1996",
3338   journal =      "J. Appl. Phys.",
3339   volume =       "80",
3340   number =       "12",
3341   pages =        "6711--6715",
3342   keywords =     "SILICON CARBIDES; CRYSTAL DEFECTS; FILM GROWTH;
3343                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; INTERSTITIALS; SUBSTITUTION;
3344                  XRD; STRAINS",
3345   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/80/6711/1",
3346   doi =          "10.1063/1.363797",
3347   notes =        "mbe substitutional vs interstitial c incorporation",
3348 }
3349
3350 @Article{osten97,
3351   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
3352   collaboration = "",
3353   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3354                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
3355                  Si(001)",
3356   publisher =    "AIP",
3357   year =         "1997",
3358   journal =      "J. Appl. Phys.",
3359   volume =       "82",
3360   number =       "10",
3361   pages =        "4977--4981",
3362   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
3363                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
3364                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
3365   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
3366   doi =          "10.1063/1.366364",
3367   notes =        "charge transport in strained si",
3368 }
3369
3370 @Article{kapur04,
3371   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
3372                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
3373   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
3374   journal =      "Phys. Rev. B",
3375   volume =       "69",
3376   number =       "15",
3377   pages =        "155214",
3378   numpages =     "8",
3379   year =         "2004",
3380   month =        apr,
3381   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
3382   publisher =    "American Physical Society",
3383   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
3384 }
3385
3386 @Article{barkema96,
3387   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
3388                  Systems",
3389   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
3390   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3391   volume =       "77",
3392   number =       "21",
3393   pages =        "4358--4361",
3394   numpages =     "3",
3395   year =         "1996",
3396   month =        nov,
3397   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
3398   publisher =    "American Physical Society",
3399   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
3400                  dynamic mds",
3401 }
3402
3403 @Article{cances09,
3404   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
3405                  Minoukadeh and F. Willaime",
3406   collaboration = "",
3407   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
3408                  technique method for finding transition pathways on
3409                  potential energy surfaces",
3410   publisher =    "AIP",
3411   year =         "2009",
3412   journal =      "J. Chem. Phys.",
3413   volume =       "130",
3414   number =       "11",
3415   eid =          "114711",
3416   numpages =     "6",
3417   pages =        "114711",
3418   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
3419                  surfaces; vacancies (crystal)",
3420   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
3421   doi =          "10.1063/1.3088532",
3422   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
3423                  transition pathways",
3424 }
3425
3426 @Article{parrinello81,
3427   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
3428   collaboration = "",
3429   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
3430                  molecular dynamics method",
3431   publisher =    "AIP",
3432   year =         "1981",
3433   journal =      "J. Appl. Phys.",
3434   volume =       "52",
3435   number =       "12",
3436   pages =        "7182--7190",
3437   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
3438                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
3439                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
3440                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
3441                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
3442                  IMPACT SHOCK",
3443   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
3444   doi =          "10.1063/1.328693",
3445 }
3446
3447 @Article{stillinger85,
3448   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
3449                  of silicon",
3450   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
3451   journal =      "Phys. Rev. B",
3452   volume =       "31",
3453   number =       "8",
3454   pages =        "5262--5271",
3455   numpages =     "9",
3456   year =         "1985",
3457   month =        apr,
3458   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
3459   publisher =    "American Physical Society",
3460 }
3461
3462 @Article{brenner90,
3463   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
3464                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
3465                  films",
3466   author =       "Donald W. Brenner",
3467   journal =      "Phys. Rev. B",
3468   volume =       "42",
3469   number =       "15",
3470   pages =        "9458--9471",
3471   numpages =     "13",
3472   year =         "1990",
3473   month =        nov,
3474   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
3475   publisher =    "American Physical Society",
3476   notes =        "brenner hydro carbons",
3477 }
3478
3479 @Article{bazant96,
3480   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
3481                  Cohesive Energy Curves",
3482   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
3483   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3484   volume =       "77",
3485   number =       "21",
3486   pages =        "4370--4373",
3487   numpages =     "3",
3488   year =         "1996",
3489   month =        nov,
3490   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
3491   publisher =    "American Physical Society",
3492   notes =        "first si edip",
3493 }
3494
3495 @Article{bazant97,
3496   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
3497                  silicon",
3498   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
3499                  Justo",
3500   journal =      "Phys. Rev. B",
3501   volume =       "56",
3502   number =       "14",
3503   pages =        "8542--8552",
3504   numpages =     "10",
3505   year =         "1997",
3506   month =        oct,
3507   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
3508   publisher =    "American Physical Society",
3509   notes =        "second si edip",
3510 }
3511
3512 @Article{justo98,
3513   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
3514                  disordered phases",
3515   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
3516                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
3517   journal =      "Phys. Rev. B",
3518   volume =       "58",
3519   number =       "5",
3520   pages =        "2539--2550",
3521   numpages =     "11",
3522   year =         "1998",
3523   month =        aug,
3524   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
3525   publisher =    "American Physical Society",
3526   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
3527 }
3528
3529 @Article{parcas_md,
3530   journal =      "{PARCAS} molecular dynamics code",
3531   author =       "K. Nordlund",
3532   year =         "2008",
3533 }
3534
3535 @Article{voter97,
3536   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
3537                  Infrequent Events",
3538   author =       "Arthur F. Voter",
3539   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3540   volume =       "78",
3541   number =       "20",
3542   pages =        "3908--3911",
3543   numpages =     "3",
3544   year =         "1997",
3545   month =        may,
3546   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
3547   publisher =    "American Physical Society",
3548   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
3549 }
3550
3551 @Article{voter97_2,
3552   author =       "Arthur F. Voter",
3553   collaboration = "",
3554   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
3555                  simulation of infrequent events",
3556   publisher =    "AIP",
3557   year =         "1997",
3558   journal =      "J. Chem. Phys.",
3559   volume =       "106",
3560   number =       "11",
3561   pages =        "4665--4677",
3562   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
3563                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
3564                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
3565                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
3566                  theory; potential energy surfaces",
3567   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
3568   doi =          "10.1063/1.473503",
3569   notes =        "improved hyperdynamics md",
3570 }
3571
3572 @Article{sorensen2000,
3573   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
3574   collaboration = "",
3575   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
3576                  infrequent events",
3577   publisher =    "AIP",
3578   year =         "2000",
3579   journal =      "J. Chem. Phys.",
3580   volume =       "112",
3581   number =       "21",
3582   pages =        "9599--9606",
3583   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
3584                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
3585   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
3586   doi =          "10.1063/1.481576",
3587   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
3588 }
3589
3590 @Article{voter98,
3591   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
3592                  events",
3593   author =       "Arthur F. Voter",
3594   journal =      "Phys. Rev. B",
3595   volume =       "57",
3596   number =       "22",
3597   pages =        "R13985--R13988",
3598   numpages =     "3",
3599   year =         "1998",
3600   month =        jun,
3601   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
3602   publisher =    "American Physical Society",
3603   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
3604 }
3605
3606 @Article{wu99,
3607   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
3608   collaboration = "",
3609   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
3610                  simulation",
3611   publisher =    "AIP",
3612   year =         "1999",
3613   journal =      "J. Chem. Phys.",
3614   volume =       "110",
3615   number =       "19",
3616   pages =        "9401--9410",
3617   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
3618                  potential; crystallisation; liquid theory",
3619   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
3620   doi =          "10.1063/1.478948",
3621   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
3622                  systematic motion",
3623 }
3624
3625 @Article{choudhary05,
3626   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
3627   collaboration = "",
3628   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
3629                  to the production of amorphous silicon",
3630   publisher =    "AIP",
3631   year =         "2005",
3632   journal =      "J. Chem. Phys.",
3633   volume =       "122",
3634   number =       "15",
3635   eid =          "154509",
3636   numpages =     "8",
3637   pages =        "154509",
3638   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
3639                  amorphous semiconductors",
3640   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
3641   doi =          "10.1063/1.1878733",
3642   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
3643                  silicon",
3644 }
3645
3646 @Article{taylor93,
3647   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
3648   collaboration = "",
3649   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
3650                  difficult?",
3651   publisher =    "AIP",
3652   year =         "1993",
3653   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3654   volume =       "62",
3655   number =       "25",
3656   pages =        "3336--3338",
3657   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
3658                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
3659                  ENERGY",
3660   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
3661   doi =          "10.1063/1.109063",
3662   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
3663                  interstitials necessary for precipitation, volume
3664                  decrease, high interface energy",
3665 }
3666
3667 @Article{chaussende08,
3668   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
3669   journal =      "J. Cryst. Growth",
3670   volume =       "310",
3671   number =       "5",
3672   pages =        "976--981",
3673   year =         "2008",
3674   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
3675                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
3676   ISSN =         "0022-0248",
3677   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
3678   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
3679   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
3680                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
3681                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
3682                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
3683   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
3684                  metastable",
3685 }
3686
3687 @Article{chaussende07,
3688   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
3689   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
3690   journal =      "J. Phys. D",
3691   volume =       "40",
3692   number =       "20",
3693   pages =        "6150",
3694   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
3695   year =         "2007",
3696   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
3697                  modelling",
3698 }
3699
3700 @Article{feynman39,
3701   title =        "Forces in Molecules",
3702   author =       "R. P. Feynman",
3703   journal =      "Phys. Rev.",
3704   volume =       "56",
3705   number =       "4",
3706   pages =        "340--343",
3707   numpages =     "3",
3708   year =         "1939",
3709   month =        aug,
3710   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
3711   publisher =    "American Physical Society",
3712   notes =        "hellmann feynman forces",
3713 }
3714
3715 @Article{buczko00,
3716   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
3717                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
3718                  their Contrasting Properties",
3719   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
3720                  T. Pantelides",
3721   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3722   volume =       "84",
3723   number =       "5",
3724   pages =        "943--946",
3725   numpages =     "3",
3726   year =         "2000",
3727   month =        jan,
3728   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
3729   publisher =    "American Physical Society",
3730   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
3731 }
3732
3733 @Article{djurabekova08,
3734   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
3735                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
3736   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
3737   journal =      "Phys. Rev. B",
3738   volume =       "77",
3739   number =       "11",
3740   pages =        "115325",
3741   numpages =     "7",
3742   year =         "2008",
3743   month =        mar,
3744   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
3745   publisher =    "American Physical Society",
3746   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
3747                  angular distribution, coordination",
3748 }
3749
3750 @Article{wen09,
3751   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
3752                  W. Liang and J. Zou",
3753   collaboration = "",
3754   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
3755                  strain relaxation at highly lattice mismatched
3756                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
3757   publisher =    "AIP",
3758   year =         "2009",
3759   journal =      "J. Appl. Phys.",
3760   volume =       "106",
3761   number =       "7",
3762   eid =          "073522",
3763   numpages =     "8",
3764   pages =        "073522",
3765   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
3766                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
3767                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
3768                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
3769   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
3770   doi =          "10.1063/1.3234380",
3771   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
3772                  deconvolution, dislocation defects",
3773 }
3774
3775 @Article{kitabatake93,
3776   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
3777                  Hirao",
3778   collaboration = "",
3779   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
3780                  growth on Si(001) surface",
3781   publisher =    "AIP",
3782   year =         "1993",
3783   journal =      "J. Appl. Phys.",
3784   volume =       "74",
3785   number =       "7",
3786   pages =        "4438--4445",
3787   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
3788                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
3789                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
3790   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
3791   doi =          "10.1063/1.354385",
3792   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
3793                  model, interface",
3794 }
3795
3796 @Article{kitabatake97,
3797   author =       "Makoto Kitabatake",
3798   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
3799                  Heteroepitaxial Growth",
3800   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3801   year =         "1997",
3802   journal =      "phys. status solidi (b)",
3803   volume =       "202",
3804   pages =        "405--420",
3805   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3806   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3807   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
3808 }
3809
3810 @Article{chirita97,
3811   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
3812                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
3813                  dynamics study",
3814   journal =      "Thin Solid Films",
3815   volume =       "294",
3816   number =       "1-2",
3817   pages =        "47--49",
3818   year =         "1997",
3819   note =         "",
3820   ISSN =         "0040-6090",
3821   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
3822   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
3823   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
3824   keywords =     "Strain relaxation",
3825   keywords =     "Interfaces",
3826   keywords =     "Thermal stability",
3827   keywords =     "Molecular dynamics",
3828   notes =        "tersoff sic/si interface study",
3829 }
3830
3831 @Article{cicero02,