bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{newman65,
  44   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "26",
  47   number =       "2",
  48   pages =        "373--379",
  49   year =         "1965",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
  54   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
  55   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
  56 }
  57
  58 @Article{baker68,
  59   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
  60                  Buschert",
  61   collaboration = "",
  62   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
  63   publisher =    "AIP",
  64   year =         "1968",
  65   journal =      "Journal of Applied Physics",
  66   volume =       "39",
  67   number =       "9",
  68   pages =        "4365--4368",
  69   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
  70   doi =          "10.1063/1.1656977",
  71   notes =        "lattice contraction due to subst c",
  72 }
  73
  74 @Article{bean71,
  75   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  76   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  77   volume =       "32",
  78   number =       "6",
  79   pages =        "1211--1219",
  80   year =         "1971",
  81   note =         "",
  82   ISSN =         "0022-3697",
  83   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  84   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  85   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  86   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  87 }
  88
  89 @Article{capano97,
  90   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  91   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  92   journal =      "MRS Bull.",
  93   volume =       "22",
  94   pages =        "19",
  95   year =         "1997",
  96 }
  97
  98 @Article{fischer90,
  99   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
 100   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
 101                  carbide",
 102   journal =      "Philos. Mag. B",
 103   volume =       "61",
 104   pages =        "217--236",
 105   year =         "1990",
 106   notes =        "sic polytypes",
 107 }
 108
 109 @Article{koegler03,
 110   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
 111                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
 112                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
 113   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
 114                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
 115                  ions",
 116   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
 117   volume =       "76",
 118   pages =        "827--835",
 119   month =        mar,
 120   year =         "2003",
 121   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
 122                  precipitation by interstitial and substitutional
 123                  carbon, both mechanisms explained + refs",
 124 }
 125
 126 @Article{skorupa96,
 127   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
 128                  silicon-related materials",
 129   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
 130   volume =       "44",
 131   number =       "2",
 132   pages =        "101--143",
 133   year =         "1996",
 134   note =         "",
 135   ISSN =         "0254-0584",
 136   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 137   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 138   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 139   notes =        "review of silicon carbon compound",
 140 }
 141
 142 @Book{laplace,
 143   author =       "P. S. de Laplace",
 144   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 145   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 146   volume =       "VII",
 147   publisher =    "Gauthier-Villars",
 148   year =         "1820",
 149 }
 150
 151 @Article{mattoni2007,
 152   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 153   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 154                  materials}",
 155   journal =      "Phys. Rev. B",
 156   year =         "2007",
 157   month =        dec,
 158   volume =       "76",
 159   number =       "22",
 160   pages =        "224103",
 161   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 162   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 163                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 164                  fracture, more available potentials, universal energy
 165                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 166 }
 167
 168 @Article{balamane92,
 169   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 170                  potentials",
 171   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 172   journal =      "Phys. Rev. B",
 173   volume =       "46",
 174   number =       "4",
 175   pages =        "2250--2279",
 176   numpages =     "29",
 177   year =         "1992",
 178   month =        jul,
 179   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 180   publisher =    "American Physical Society",
 181   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 182 }
 183
 184 @Article{koster2002,
 185   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 186                  bombardment",
 187   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 188   journal =      "Phys. Rev. B",
 189   volume =       "62",
 190   number =       "16",
 191   pages =        "11219--11224",
 192   numpages =     "5",
 193   year =         "2000",
 194   month =        oct,
 195   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 196   publisher =    "American Physical Society",
 197   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 198 }
 199
 200 @Article{breadmore99,
 201   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 202                  amorphization of silicon",
 203   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 204   journal =      "Phys. Rev. B",
 205   volume =       "60",
 206   number =       "18",
 207   pages =        "12610--12616",
 208   numpages =     "6",
 209   year =         "1999",
 210   month =        nov,
 211   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 212   publisher =    "American Physical Society",
 213   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 214 }
 215
 216 @Article{nielsen83,
 217   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 218   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 219   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 220   volume =       "50",
 221   number =       "9",
 222   pages =        "697--700",
 223   numpages =     "3",
 224   year =         "1983",
 225   month =        feb,
 226   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 227   publisher =    "American Physical Society",
 228   notes =        "generalization of virial theorem",
 229 }
 230
 231 @Article{nielsen85,
 232   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 233   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 234   journal =      "Phys. Rev. B",
 235   volume =       "32",
 236   number =       "6",
 237   pages =        "3780--3791",
 238   numpages =     "11",
 239   year =         "1985",
 240   month =        sep,
 241   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 242   publisher =    "American Physical Society",
 243   notes =        "dft virial stress and forces",
 244 }
 245
 246 @Article{moissan04,
 247   author =       "Henri Moissan",
 248   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 249                  Diablo",
 250   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 251   volume =       "139",
 252   pages =        "773--786",
 253   year =         "1904",
 254 }
 255
 256 @Book{park98,
 257   author =       "Y. S. Park",
 258   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 259   publisher =    "Academic Press",
 260   address =      "San Diego",
 261   year =         "1998",
 262 }
 263
 264 @Article{tsvetkov98,
 265   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 266                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 267   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 268   journal =      "Materials Science Forum",
 269   volume =       "264-268",
 270   pages =        "3--8",
 271   year =         "1998",
 272   notes =        "modified lely process, micropipes",
 273 }
 274
 275 @Article{verlet67,
 276   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 277                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 278   author =       "Loup Verlet",
 279   journal =      "Phys. Rev.",
 280   volume =       "159",
 281   number =       "1",
 282   pages =        "98",
 283   year =         "1967",
 284   month =        jul,
 285   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 286   publisher =    "American Physical Society",
 287   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 288                  motion",
 289 }
 290
 291 @Article{berendsen84,
 292   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 293                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 294   collaboration = "",
 295   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 296   publisher =    "AIP",
 297   year =         "1984",
 298   journal =      "J. Chem. Phys.",
 299   volume =       "81",
 300   number =       "8",
 301   pages =        "3684--3690",
 302   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 303                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 304   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 305   doi =          "10.1063/1.448118",
 306   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 307 }
 308
 309 @Article{huang95,
 310   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 311                  Baskes",
 312   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 313                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 314                  potentials",
 315   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 316   volume =       "3",
 317   number =       "5",
 318   pages =        "615--627",
 319   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 320   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 321                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 322   year =         "1995",
 323 }
 324
 325 @Article{brenner89,
 326   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 327                  Tersoff potentials",
 328   author =       "Donald W. Brenner",
 329   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 330   volume =       "63",
 331   number =       "9",
 332   pages =        "1022",
 333   numpages =     "1",
 334   year =         "1989",
 335   month =        aug,
 336   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 337   publisher =    "American Physical Society",
 338   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 339 }
 340
 341 @Article{batra87,
 342   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 343                  silicon",
 344   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 345   journal =      "Phys. Rev. B",
 346   volume =       "35",
 347   number =       "18",
 348   pages =        "9552--9558",
 349   numpages =     "6",
 350   year =         "1987",
 351   month =        jun,
 352   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 353   publisher =    "American Physical Society",
 354   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 355                  calculation of defect formation energy, defect
 356                  interstitial types",
 357 }
 358
 359 @Article{schober89,
 360   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 361   author =       "H. R. Schober",
 362   journal =      "Phys. Rev. B",
 363   volume =       "39",
 364   number =       "17",
 365   pages =        "13013--13015",
 366   numpages =     "2",
 367   year =         "1989",
 368   month =        jun,
 369   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 370   publisher =    "American Physical Society",
 371   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 372                  dumbbell configuration",
 373 }
 374
 375 @Article{gao02a,
 376   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 377                  Defect accumulation, topological features, and
 378                  disordering",
 379   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 380   journal =      "Phys. Rev. B",
 381   volume =       "66",
 382   number =       "2",
 383   pages =        "024106",
 384   numpages =     "10",
 385   year =         "2002",
 386   month =        jul,
 387   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 388   publisher =    "American Physical Society",
 389   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 390                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 391                  result analyze",
 392 }
 393
 394 @Article{devanathan98,
 395   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 396                  cascade in Si{C}",
 397   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 398   volume =       "141",
 399   number =       "1-4",
 400   pages =        "118--122",
 401   year =         "1998",
 402   ISSN =         "0168-583X",
 403   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 404   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 405                  Rubia",
 406   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 407                  3c-sic",
 408 }
 409
 410 @Article{devanathan98_2,
 411   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 412   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 413   volume =       "253",
 414   number =       "1-3",
 415   pages =        "47--52",
 416   year =         "1998",
 417   ISSN =         "0022-3115",
 418   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 419   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 420                  Weber",
 421   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 422                  tersoff",
 423 }
 424
 425 @Article{kitabatake00,
 426   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 427   author =       "M. Kitabatake",
 428   journal =      "Thin Solid Films",
 429   volume =       "369",
 430   pages =        "257--264",
 431   numpages =     "8",
 432   year =         "2000",
 433   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 434 }
 435
 436 @Article{tang97,
 437   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 438                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 439                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 440                  formation volumes",
 441   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 442                  Rubia",
 443   journal =      "Phys. Rev. B",
 444   volume =       "55",
 445   number =       "21",
 446   pages =        "14279--14289",
 447   numpages =     "10",
 448   year =         "1997",
 449   month =        jun,
 450   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 451   publisher =    "American Physical Society",
 452   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 453 }
 454
 455 @Article{johnson98,
 456   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 457                  Rubia",
 458   collaboration = "",
 459   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 460                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 461                  presence of carbon and boron",
 462   publisher =    "AIP",
 463   year =         "1998",
 464   journal =      "J. Appl. Phys.",
 465   volume =       "84",
 466   number =       "4",
 467   pages =        "1963--1967",
 468   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 469                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 470                  semiconductors; self-diffusion",
 471   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 472   doi =          "10.1063/1.368328",
 473   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 474                  diffsuion",
 475 }
 476
 477 @Article{bar-yam84,
 478   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 479                  Self-Interstitial",
 480   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 481   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 482   volume =       "52",
 483   number =       "13",
 484   pages =        "1129--1132",
 485   numpages =     "3",
 486   year =         "1984",
 487   month =        mar,
 488   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 489   publisher =    "American Physical Society",
 490   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 491 }
 492
 493 @Article{bar-yam84_2,
 494   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 495                  barriers of silicon self-interstitials",
 496   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 497   journal =      "Phys. Rev. B",
 498   volume =       "30",
 499   number =       "4",
 500   pages =        "1844--1852",
 501   numpages =     "8",
 502   year =         "1984",
 503   month =        aug,
 504   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 505   publisher =    "American Physical Society",
 506 }
 507
 508 @Article{bloechl93,
 509   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 510                  constants in silicon",
 511   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 512                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 513   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 514   volume =       "70",
 515   number =       "16",
 516   pages =        "2435--2438",
 517   numpages =     "3",
 518   year =         "1993",
 519   month =        apr,
 520   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 521   publisher =    "American Physical Society",
 522   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 523                  entropy calculations",
 524 }
 525
 526 @Article{colombo02,
 527   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 528                  silicon",
 529   author =       "L. Colombo",
 530   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 531   volume =       "32",
 532   pages =        "271--295",
 533   numpages =     "25",
 534   year =         "2002",
 535   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 536   publisher =    "Annual Reviews",
 537   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 538 }
 539
 540 @Article{al-mushadani03,
 541   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 542                  silicon",
 543   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 544   journal =      "Phys. Rev. B",
 545   volume =       "68",
 546   number =       "23",
 547   pages =        "235205",
 548   numpages =     "8",
 549   year =         "2003",
 550   month =        dec,
 551   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 552   publisher =    "American Physical Society",
 553   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 554                  silicon, si self interstitials, free energy",
 555 }
 556
 557 @Article{goedecker02,
 558   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 559   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 560   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 561   volume =       "88",
 562   number =       "23",
 563   pages =        "235501",
 564   numpages =     "4",
 565   year =         "2002",
 566   month =        may,
 567   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 568   publisher =    "American Physical Society",
 569   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 570                  silicon",
 571 }
 572
 573 @Article{sahli05,
 574   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 575                  self-interstitial diffusion in silicon",
 576   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 577   journal =      "Phys. Rev. B",
 578   volume =       "72",
 579   number =       "24",
 580   pages =        "245210",
 581   numpages =     "6",
 582   year =         "2005",
 583   month =        dec,
 584   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 585   publisher =    "American Physical Society",
 586   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 587                  mapping applied",
 588 }
 589
 590 @Article{hobler05,
 591   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 592                  native point defects in silicon",
 593   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 594   volume =       "124-125",
 595   number =       "",
 596   pages =        "368--371",
 597   year =         "2005",
 598   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 599                  Issues for Future Technologies",
 600   ISSN =         "0921-5107",
 601   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 602   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 603   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 604   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 605                  radius",
 606 }
 607
 608 @Article{ma10,
 609   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 610                  wide temperature range: Point defect states and
 611                  migration mechanisms",
 612   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 613   journal =      "Phys. Rev. B",
 614   volume =       "81",
 615   number =       "19",
 616   pages =        "193203",
 617   numpages =     "4",
 618   year =         "2010",
 619   month =        may,
 620   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 621   publisher =    "American Physical Society",
 622   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 623 }
 624
 625 @Article{posselt06,
 626   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 627                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 628   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 629   journal =      "Phys. Rev. B",
 630   volume =       "73",
 631   number =       "12",
 632   pages =        "125206",
 633   numpages =     "8",
 634   year =         "2006",
 635   month =        mar,
 636   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 637   publisher =    "American Physical Society",
 638 }
 639
 640 @Article{posselt08,
 641   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 642                  migration mechanisms of vacancies and
 643                  self-interstitials: An atomistic study",
 644   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 645   journal =      "Phys. Rev. B",
 646   volume =       "78",
 647   number =       "3",
 648   pages =        "035208",
 649   numpages =     "9",
 650   year =         "2008",
 651   month =        jul,
 652   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 653   publisher =    "American Physical Society",
 654   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 655                  weber and tersoff",
 656 }
 657
 658 @Article{gao2001,
 659   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 660                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 661   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 662                  Corrales",
 663   journal =      "Phys. Rev. B",
 664   volume =       "64",
 665   number =       "24",
 666   pages =        "245208",
 667   numpages =     "7",
 668   year =         "2001",
 669   month =        dec,
 670   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 671   publisher =    "American Physical Society",
 672   notes =        "defects in 3c-sic",
 673 }
 674
 675 @Article{gao02,
 676   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 677                  3{C}-Si{C}",
 678   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 679   volume =       "191",
 680   number =       "1-4",
 681   pages =        "487--496",
 682   year =         "2002",
 683   note =         "",
 684   ISSN =         "0168-583X",
 685   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 686   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 687   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 688   keywords =     "Empirical potential",
 689   keywords =     "Defect properties",
 690   keywords =     "Silicon carbide",
 691   keywords =     "Computer simulation",
 692   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 693 }
 694
 695 @Article{gao04,
 696   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 697                  3{C}-Si{C}",
 698   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 699                  Belko",
 700   journal =      "Phys. Rev. B",
 701   volume =       "69",
 702   number =       "24",
 703   pages =        "245205",
 704   numpages =     "5",
 705   year =         "2004",
 706   month =        jun,
 707   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 708   publisher =    "American Physical Society",
 709   notes =        "defect migration in sic",
 710 }
 711
 712 @Article{gao07,
 713   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 714                  W. J. Weber",
 715   collaboration = "",
 716   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 717                  in cubic silicon carbide",
 718   publisher =    "AIP",
 719   year =         "2007",
 720   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 721   volume =       "90",
 722   number =       "22",
 723   eid =          "221915",
 724   numpages =     "3",
 725   pages =        "221915",
 726   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 727                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 728                  dynamics method; density functional theory;
 729                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 730                  impurities; diffusion",
 731   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 732   doi =          "10.1063/1.2743751",
 733 }
 734
 735 @Article{mattoni2002,
 736   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 737                  crystalline silicon",
 738   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 739   journal =      "Phys. Rev. B",
 740   volume =       "66",
 741   number =       "19",
 742   pages =        "195214",
 743   numpages =     "6",
 744   year =         "2002",
 745   month =        nov,
 746   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 747   publisher =    "American Physical Society",
 748   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 749                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 750                  tersoff suitability",
 751 }
 752
 753 @Article{leung99,
 754   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 755   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 756                  Itoh and S. Ihara",
 757   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 758   volume =       "83",
 759   number =       "12",
 760   pages =        "2351--2354",
 761   numpages =     "3",
 762   year =         "1999",
 763   month =        sep,
 764   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 765   publisher =    "American Physical Society",
 766   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 767                  refs",
 768 }
 769
 770 @Article{capaz94,
 771   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 772                  carbon in silicon",
 773   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 774   journal =      "Phys. Rev. B",
 775   volume =       "50",
 776   number =       "11",
 777   pages =        "7439--7442",
 778   numpages =     "3",
 779   year =         "1994",
 780   month =        sep,
 781   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 782   publisher =    "American Physical Society",
 783   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 784                  dumbbell",
 785 }
 786
 787 @Article{capaz98,
 788   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 789   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 790   journal =      "Phys. Rev. B",
 791   volume =       "58",
 792   number =       "15",
 793   pages =        "9845--9850",
 794   numpages =     "5",
 795   year =         "1998",
 796   month =        oct,
 797   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 798   publisher =    "American Physical Society",
 799   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 800 }
 801
 802 @Article{song90_2,
 803   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 804                  pair in silicon",
 805   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 806                  Watkins",
 807   journal =      "Phys. Rev. B",
 808   volume =       "42",
 809   number =       "9",
 810   pages =        "5765--5783",
 811   numpages =     "18",
 812   year =         "1990",
 813   month =        sep,
 814   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 815   publisher =    "American Physical Society",
 816   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 817 }
 818
 819 @Article{liu02,
 820   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 821                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 822   collaboration = "",
 823   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 824                  interactions in Si",
 825   publisher =    "AIP",
 826   year =         "2002",
 827   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 828   volume =       "80",
 829   number =       "1",
 830   pages =        "52--54",
 831   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 832                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 833                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 834   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 835   doi =          "10.1063/1.1430505",
 836   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 837 }
 838
 839 @Article{dal_pino93,
 840   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 841                  silicon",
 842   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 843                  Joannopoulos",
 844   journal =      "Phys. Rev. B",
 845   volume =       "47",
 846   number =       "19",
 847   pages =        "12554--12557",
 848   numpages =     "3",
 849   year =         "1993",
 850   month =        may,
 851   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 852   publisher =    "American Physical Society",
 853   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 854 }
 855
 856 @Article{car84,
 857   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 858                  Silicon",
 859   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 860                  Sokrates T. Pantelides",
 861   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 862   volume =       "52",
 863   number =       "20",
 864   pages =        "1814--1817",
 865   numpages =     "3",
 866   year =         "1984",
 867   month =        may,
 868   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 869   publisher =    "American Physical Society",
 870   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 871                  path formation",
 872 }
 873
 874 @Article{car85,
 875   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 876                  Density-Functional Theory",
 877   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 878   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 879   volume =       "55",
 880   number =       "22",
 881   pages =        "2471--2474",
 882   numpages =     "3",
 883   year =         "1985",
 884   month =        nov,
 885   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 886   publisher =    "American Physical Society",
 887   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 888 }
 889
 890 @Article{kelires97,
 891   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 892                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 893   author =       "P. C. Kelires",
 894   journal =      "Phys. Rev. B",
 895   volume =       "55",
 896   number =       "14",
 897   pages =        "8784--8787",
 898   numpages =     "3",
 899   year =         "1997",
 900   month =        apr,
 901   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 902   publisher =    "American Physical Society",
 903   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 904                  neighbour dist",
 905 }
 906
 907 @Article{kelires95,
 908   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 909                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 910   author =       "P. C. Kelires",
 911   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 912   volume =       "75",
 913   number =       "6",
 914   pages =        "1114--1117",
 915   numpages =     "3",
 916   year =         "1995",
 917   month =        aug,
 918   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 919   publisher =    "American Physical Society",
 920   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 921 }
 922
 923 @Article{bean70,
 924   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 925                  containing carbon",
 926   journal =      "Solid State Communications",
 927   volume =       "8",
 928   number =       "3",
 929   pages =        "175--177",
 930   year =         "1970",
 931   note =         "",
 932   ISSN =         "0038-1098",
 933   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 934   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 935   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 936 }
 937
 938 @Article{durand99,
 939   author =       "F. Durand and J. Duby",
 940   affiliation =  "EPM-Madylam, CNRS and INP Grenoble, France",
 941   title =        "Carbon solubility in solid and liquid silicon—{A}
 942                  review with reference to eutectic equilibrium",
 943   journal =      "Journal of Phase Equilibria",
 944   publisher =    "Springer New York",
 945   ISSN =         "1054-9714",
 946   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
 947   pages =        "61--63",
 948   volume =       "20",
 949   issue =        "1",
 950   URL =          "http://dx.doi.org/10.1361/105497199770335956",
 951   note =         "10.1361/105497199770335956",
 952   year =         "1999",
 953   notes =        "better c solubility limit in silicon",
 954 }
 955
 956 @Article{watkins76,
 957   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 958                  Atom in Silicon",
 959   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 960   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 961   volume =       "36",
 962   number =       "22",
 963   pages =        "1329--1332",
 964   numpages =     "3",
 965   year =         "1976",
 966   month =        may,
 967   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 968   publisher =    "American Physical Society",
 969   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 970                  silicon",
 971 }
 972
 973 @Article{song90,
 974   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 975                  interstitial carbon in silicon",
 976   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 977   journal =      "Phys. Rev. B",
 978   volume =       "42",
 979   number =       "9",
 980   pages =        "5759--5764",
 981   numpages =     "5",
 982   year =         "1990",
 983   month =        sep,
 984   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 985   publisher =    "American Physical Society",
 986   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 987 }
 988
 989 @Article{tipping87,
 990   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 991   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 992                  silicon",
 993   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
 994   volume =       "2",
 995   number =       "5",
 996   pages =        "315--317",
 997   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 998   year =         "1987",
 999   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
1000                  silicon",
1001 }
1002
1003 @Article{isomae93,
1004   author =       "Seiichi Isomae and Tsutomu Ishiba and Toshio Ando and
1005                  Masao Tamura",
1006   collaboration = "",
1007   title =        "Annealing behavior of Me{V} implanted carbon in
1008                  silicon",
1009   publisher =    "AIP",
1010   year =         "1993",
1011   journal =      "Journal of Applied Physics",
1012   volume =       "74",
1013   number =       "6",
1014   pages =        "3815--3820",
1015   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; WAFERS; CARBON IONS; MEV
1016                  RANGE 0110; TEM; SIMS; INFRARED SPECTRA; STRAINS; DEPTH
1017                  PROFILES",
1018   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/3815/1",
1019   doi =          "10.1063/1.354474",
1020   notes =        "c at interstitial location for rt implantation in si",
1021 }
1022
1023 @Article{strane96,
1024   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
1025                  ion implantation and solid phase epitaxy",
1026   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
1027                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1028   journal =      "J. Appl. Phys.",
1029   volume =       "79",
1030   pages =        "637",
1031   year =         "1996",
1032   month =        jan,
1033   doi =          "10.1063/1.360806",
1034   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
1035 }
1036
1037 @Article{laveant2002,
1038   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1039   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1040   volume =       "89",
1041   number =       "1-3",
1042   pages =        "241--245",
1043   year =         "2002",
1044   ISSN =         "0921-5107",
1045   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1046   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1047   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1048                  G{\"{o}}sele",
1049   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1050                  stress, avoid sic precipitation",
1051 }
1052
1053 @Article{foell77,
1054   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1055                  agglomeration of self-interstitials",
1056   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1057   volume =       "40",
1058   number =       "1",
1059   pages =        "90--108",
1060   year =         "1977",
1061   note =         "",
1062   ISSN =         "0022-0248",
1063   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1064   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1065   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1066   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1067                  agglomerate",
1068 }
1069
1070 @Article{foell81,
1071   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1072                  defects",
1073   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1074   volume =       "52",
1075   number =       "Part 2",
1076   pages =        "907--916",
1077   year =         "1981",
1078   note =         "",
1079   ISSN =         "0022-0248",
1080   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1081   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1082   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1083   notes =        "swirl review",
1084 }
1085
1086 @Article{werner97,
1087   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1088                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1089   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1090                  silicon by transmission electron microscopy",
1091   publisher =    "AIP",
1092   year =         "1997",
1093   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1094   volume =       "70",
1095   number =       "2",
1096   pages =        "252--254",
1097   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1098                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1099                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1100                  layers; precipitation",
1101   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1102   doi =          "10.1063/1.118381",
1103   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1104                  precipitate",
1105 }
1106
1107 @InProceedings{werner96,
1108   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1109                  Eichler",
1110   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
1111                  International Conference on",
1112   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1113                  implanted silicon",
1114   year =         "1996",
1115   month =        jun,
1116   volume =       "",
1117   number =       "",
1118   pages =        "675--678",
1119   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1120   ISSN =         "",
1121   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1122 }
1123
1124 @Article{werner98,
1125   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1126                  D. C. Jacobson",
1127   collaboration = "",
1128   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1129   publisher =    "AIP",
1130   year =         "1998",
1131   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1132   volume =       "73",
1133   number =       "17",
1134   pages =        "2465--2467",
1135   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1136                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1137                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1138                  impurity distribution",
1139   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1140   doi =          "10.1063/1.122483",
1141   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1142 }
1143
1144 @Article{kalejs84,
1145   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1146   collaboration = "",
1147   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1148                  silicon",
1149   publisher =    "AIP",
1150   year =         "1984",
1151   journal =      "Applied Physics Letters",
1152   volume =       "45",
1153   number =       "3",
1154   pages =        "268--269",
1155   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1156                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1157                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1158   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1159   doi =          "10.1063/1.95167",
1160   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1161 }
1162
1163 @Article{fukami90,
1164   author =       "Akira Fukami and Ken-ichi Shoji and Takahiro Nagano
1165                  and Cary Y. Yang",
1166   collaboration = "",
1167   title =        "Characterization of SiGe/Si heterostructures formed by
1168                  Ge[sup + ] and {C}[sup + ] implantation",
1169   publisher =    "AIP",
1170   year =         "1990",
1171   journal =      "Applied Physics Letters",
1172   volume =       "57",
1173   number =       "22",
1174   pages =        "2345--2347",
1175   keywords =     "HETEROJUNCTIONS; ION IMPLANTATION; HETEROSTRUCTURES;
1176                  FABRICATION; PN JUNCTIONS; LEAKAGE CURRENT; GERMANIUM
1177                  SILICIDES; SILICON; ELECTRICAL PROPERTIES; SOLIDPHASE
1178                  EPITAXY; CARBON IONS; GERMANIUM IONS",
1179   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/57/2345/1",
1180   doi =          "10.1063/1.103888",
1181 }
1182
1183 @Article{strane93,
1184   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and B. L.
1185                  Doyle and S. T. Picraux and J. W. Mayer",
1186   collaboration = "",
1187   title =        "Metastable SiGe{C} formation by solid phase epitaxy",
1188   publisher =    "AIP",
1189   year =         "1993",
1190   journal =      "Applied Physics Letters",
1191   volume =       "63",
1192   number =       "20",
1193   pages =        "2786--2788",
1194   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; TERNARY ALLOY
1195                  SYSTEMS; EPITAXY; ION IMPLANTATION; METASTABLE STATES;
1196                  ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; RUTHERFORD
1197                  SCATTERING; XRAY DIFFRACTION; STRAINS; SOLIDPHASE
1198                  EPITAXY; AMORPHIZATION",
1199   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/63/2786/1",
1200   doi =          "10.1063/1.110334",
1201 }
1202
1203 @Article{strane94,
1204   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1205                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1206   collaboration = "",
1207   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1208                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1209   publisher =    "AIP",
1210   year =         "1994",
1211   journal =      "J. Appl. Phys.",
1212   volume =       "76",
1213   number =       "6",
1214   pages =        "3656--3668",
1215   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1216   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1217   doi =          "10.1063/1.357429",
1218   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1219                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1220                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1221                  energy",
1222 }
1223
1224 @Article{fischer95,
1225   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1226                  Osten",
1227   collaboration = "",
1228   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1229                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1230   publisher =    "AIP",
1231   year =         "1995",
1232   journal =      "J. Appl. Phys.",
1233   volume =       "77",
1234   number =       "5",
1235   pages =        "1934--1937",
1236   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1237                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1238                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1239                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1240   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1241   doi =          "10.1063/1.358826",
1242 }
1243
1244 @Article{edgar92,
1245   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1246                  semiconductors",
1247   author =       "J. H. Edgar",
1248   journal =      "J. Mater. Res.",
1249   volume =       "7",
1250   pages =        "235",
1251   year =         "1992",
1252   month =        jan,
1253   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1254   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1255                  polytypes",
1256 }
1257
1258 @Article{zirkelbach2007,
1259   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1260                  process leading to ordered precipitate structures",
1261   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1262                  and B. Stritzker",
1263   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1264   volume =       "257",
1265   number =       "1--2",
1266   pages =        "75--79",
1267   numpages =     "5",
1268   year =         "2007",
1269   month =        apr,
1270   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1271   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1272                  NETHERLANDS",
1273 }
1274
1275 @Article{zirkelbach2006,
1276   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1277                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1278                  during ion irradiation",
1279   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1280                  and B. Stritzker",
1281   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1282   volume =       "242",
1283   number =       "1--2",
1284   pages =        "679--682",
1285   numpages =     "4",
1286   year =         "2006",
1287   month =        jan,
1288   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1289   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1290                  NETHERLANDS",
1291 }
1292
1293 @Article{zirkelbach2005,
1294   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1295                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1296                  ion irradiation",
1297   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1298                  and B. Stritzker",
1299   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1300   volume =       "33",
1301   number =       "1--3",
1302   pages =        "310--316",
1303   numpages =     "7",
1304   year =         "2005",
1305   month =        apr,
1306   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1307   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1308                  NETHERLANDS",
1309 }
1310
1311 @Article{zirkelbach09,
1312   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1313                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1314   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1315   volume =       "159-160",
1316   number =       "",
1317   pages =        "149--152",
1318   year =         "2009",
1319   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1320                  Silicon Materials Research for Electronic and
1321                  Photovoltaic Applications",
1322   ISSN =         "0921-5107",
1323   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1324   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1325   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1326                  B. Stritzker",
1327   keywords =     "Silicon",
1328   keywords =     "Carbon",
1329   keywords =     "Silicon carbide",
1330   keywords =     "Nucleation",
1331   keywords =     "Defect formation",
1332   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1333 }
1334
1335 @Article{zirkelbach10,
1336   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1337                  classical potentials and first-principles methods",
1338   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1339                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1340   journal =      "Phys. Rev. B",
1341   volume =       "82",
1342   number =       "9",
1343   pages =        "094110",
1344   numpages =     "6",
1345   year =         "2010",
1346   month =        sep,
1347   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1348   publisher =    "American Physical Society",
1349 }
1350
1351 @Article{zirkelbach11a,
1352   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1353                  silicon",
1354   journal =      "to be published",
1355   volume =       "",
1356   number =       "",
1357   pages =        "",
1358   year =         "2011",
1359   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and J. K. N. Lindner
1360                  and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1361 }
1362
1363 @Article{zirkelbach11b,
1364   title =        "...",
1365   journal =      "to be published",
1366   volume =       "",
1367   number =       "",
1368   pages =        "",
1369   year =         "2011",
1370   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1371                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1372 }
1373
1374 @Article{lindner95,
1375   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1376                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1377   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1378                  Layers in Silicon",
1379   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
1380   volume =       "354",
1381   number =       "",
1382   pages =        "171",
1383   year =         "1994",
1384   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1385   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1386   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400420853",
1387   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1388 }
1389
1390 @Article{lindner96,
1391   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1392                  in silicon by ion beam synthesis",
1393   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
1394   volume =       "46",
1395   number =       "2-3",
1396   pages =        "147--155",
1397   year =         "1996",
1398   note =         "",
1399   ISSN =         "0254-0584",
1400   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1401   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1402   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1403                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1404                  Stritzker",
1405   notes =        "dose window",
1406 }
1407
1408 @Article{calcagno96,
1409   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1410                  ion implantation",
1411   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1412                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1413   volume =       "120",
1414   number =       "1-4",
1415   pages =        "121--124",
1416   year =         "1996",
1417   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1418                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1419   ISSN =         "0168-583X",
1420   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1421   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1422   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1423                  Grimaldi and P. Musumeci",
1424   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1425 }
1426
1427 @Article{lindner98,
1428   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1429                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1430   journal =      "Materials Science Forum",
1431   volume =       "264-268",
1432   pages =        "215--218",
1433   year =         "1998",
1434   note =         "",
1435   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1436   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1437   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1438   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1439                  crystallinity",
1440 }
1441
1442 @Article{lindner99,
1443   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1444                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1445                  layers in silicon",
1446   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1447   volume =       "147",
1448   number =       "1-4",
1449   pages =        "249--255",
1450   year =         "1999",
1451   note =         "",
1452   ISSN =         "0168-583X",
1453   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1454   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1455   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1456   notes =        "two-step implantation process",
1457 }
1458
1459 @Article{lindner99_2,
1460   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1461                  in silicon",
1462   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1463   volume =       "148",
1464   number =       "1-4",
1465   pages =        "528--533",
1466   year =         "1999",
1467   ISSN =         "0168-583X",
1468   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1469   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1470   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1471   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1472 }
1473
1474 @Article{lindner01,
1475   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1476                  Basic physical processes",
1477   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1478   volume =       "178",
1479   number =       "1-4",
1480   pages =        "44--54",
1481   year =         "2001",
1482   note =         "",
1483   ISSN =         "0168-583X",
1484   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1485   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1486   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1487 }
1488
1489 @Article{lindner02,
1490   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1491                  fundamental studies for new technological tricks",
1492   author =       "J. K. N. Lindner",
1493   journal =      "Appl. Phys. A",
1494   volume =       "77",
1495   pages =        "27--38",
1496   year =         "2003",
1497   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1498   notes =        "ibs, burried sic layers",
1499 }
1500
1501 @Article{lindner06,
1502   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1503                  formation and displacive precipitate resolution in the
1504                  {C}-Si system",
1505   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1506   volume =       "26",
1507   number =       "5-7",
1508   pages =        "857--861",
1509   year =         "2006",
1510   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1511                  Applications",
1512   ISSN =         "0928-4931",
1513   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1514   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1515   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1516                  and B. Stritzker",
1517   notes =        "c int diffusion barrier",
1518 }
1519
1520 @Article{ito04,
1521   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1522                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1523                  growth",
1524   journal =      "Applied Surface Science",
1525   volume =       "238",
1526   number =       "1-4",
1527   pages =        "159--164",
1528   year =         "2004",
1529   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1530   ISSN =         "0169-4332",
1531   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1532   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1533   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1534                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1535   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1536 }
1537
1538 @Article{yamamoto04,
1539   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1540                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1541                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1542   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1543   volume =       "261",
1544   number =       "2-3",
1545   pages =        "266--270",
1546   year =         "2004",
1547   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1548                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1549   ISSN =         "0022-0248",
1550   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1551   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1552   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1553                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1554   notes =        "gan on 3c-sic",
1555 }
1556
1557 @Article{liu_l02,
1558   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1559   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1560   volume =       "37",
1561   number =       "3",
1562   pages =        "61--127",
1563   year =         "2002",
1564   note =         "",
1565   ISSN =         "0927-796X",
1566   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1567   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1568   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1569   notes =        "gan substrates",
1570 }
1571
1572 @Article{takeuchi91,
1573   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1574                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1575   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1576   volume =       "115",
1577   number =       "1-4",
1578   pages =        "634--638",
1579   year =         "1991",
1580   note =         "",
1581   ISSN =         "0022-0248",
1582   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1583   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1584   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1585                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1586   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1587 }
1588
1589 @Article{alder57,
1590   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1591   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1592   publisher =    "AIP",
1593   year =         "1957",
1594   journal =      "J. Chem. Phys.",
1595   volume =       "27",
1596   number =       "5",
1597   pages =        "1208--1209",
1598   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1599   doi =          "10.1063/1.1743957",
1600 }
1601
1602 @Article{alder59,
1603   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1604   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1605   publisher =    "AIP",
1606   year =         "1959",
1607   journal =      "J. Chem. Phys.",
1608   volume =       "31",
1609   number =       "2",
1610   pages =        "459--466",
1611   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1612   doi =          "10.1063/1.1730376",
1613 }
1614
1615 @Article{tersoff_si1,
1616   title =        "New empirical model for the structural properties of
1617                  silicon",
1618   author =       "J. Tersoff",
1619   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1620   volume =       "56",
1621   number =       "6",
1622   pages =        "632--635",
1623   numpages =     "3",
1624   year =         "1986",
1625   month =        feb,
1626   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1627   publisher =    "American Physical Society",
1628 }
1629
1630 @Article{tersoff_si2,
1631   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1632                  covalent systems",
1633   author =       "J. Tersoff",
1634   journal =      "Phys. Rev. B",
1635   volume =       "37",
1636   number =       "12",
1637   pages =        "6991--7000",
1638   numpages =     "9",
1639   year =         "1988",
1640   month =        apr,
1641   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1642   publisher =    "American Physical Society",
1643 }
1644
1645 @Article{tersoff_si3,
1646   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1647                  improved elastic properties",
1648   author =       "J. Tersoff",
1649   journal =      "Phys. Rev. B",
1650   volume =       "38",
1651   number =       "14",
1652   pages =        "9902--9905",
1653   numpages =     "3",
1654   year =         "1988",
1655   month =        nov,
1656   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1657   publisher =    "American Physical Society",
1658 }
1659
1660 @Article{tersoff_c,
1661   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1662                  Applications to Amorphous Carbon",
1663   author =       "J. Tersoff",
1664   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1665   volume =       "61",
1666   number =       "25",
1667   pages =        "2879--2882",
1668   numpages =     "3",
1669   year =         "1988",
1670   month =        dec,
1671   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1672   publisher =    "American Physical Society",
1673 }
1674
1675 @Article{tersoff_m,
1676   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1677                  for multicomponent systems",
1678   author =       "J. Tersoff",
1679   journal =      "Phys. Rev. B",
1680   volume =       "39",
1681   number =       "8",
1682   pages =        "5566--5568",
1683   numpages =     "2",
1684   year =         "1989",
1685   month =        mar,
1686   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1687   publisher =    "American Physical Society",
1688 }
1689
1690 @Article{tersoff90,
1691   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1692   author =       "J. Tersoff",
1693   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1694   volume =       "64",
1695   number =       "15",
1696   pages =        "1757--1760",
1697   numpages =     "3",
1698   year =         "1990",
1699   month =        apr,
1700   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1701   publisher =    "American Physical Society",
1702 }
1703
1704 @Article{fahey89,
1705   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1706   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1707   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1708   volume =       "61",
1709   number =       "2",
1710   pages =        "289--384",
1711   numpages =     "95",
1712   year =         "1989",
1713   month =        apr,
1714   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1715   publisher =    "American Physical Society",
1716 }
1717
1718 @Article{wesch96,
1719   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1720   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1721   volume =       "116",
1722   number =       "1-4",
1723   pages =        "305--321",
1724   year =         "1996",
1725   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1726   ISSN =         "0168-583X",
1727   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1728   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1729   author =       "W. Wesch",
1730 }
1731
1732 @Article{davis91,
1733   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
1734                  Palmour and J. A. Edmond",
1735   journal =      "Proceedings of the IEEE",
1736   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
1737                  optoelectronic device fabrication and characterization
1738                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
1739   year =         "1991",
1740   month =        may,
1741   volume =       "79",
1742   number =       "5",
1743   pages =        "677--701",
1744   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
1745                  diode;SiC;dry etching;electrical
1746                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
1747                  device fabrication;solid-state devices;surface
1748                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
1749                  transistors;Schottky-barrier
1750                  diodes;etching;heterojunction bipolar
1751                  transistors;insulated gate field effect
1752                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
1753                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
1754   doi =          "10.1109/5.90132",
1755   ISSN =         "0018-9219",
1756   notes =        "sic growth methods",
1757 }
1758
1759 @Article{morkoc94,
1760   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1761                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1762   collaboration = "",
1763   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1764                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1765   publisher =    "AIP",
1766   year =         "1994",
1767   journal =      "J. Appl. Phys.",
1768   volume =       "76",
1769   number =       "3",
1770   pages =        "1363--1398",
1771   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1772                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1773                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1774                  FILMS; INDUSTRY",
1775   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1776   doi =          "10.1063/1.358463",
1777   notes =        "sic intro, properties",
1778 }
1779
1780 @Article{foo,
1781   author =       "Noch Unbekannt",
1782   title =        "How to find references",
1783   journal =      "Journal of Applied References",
1784   year =         "2009",
1785   volume =       "77",
1786   pages =        "1--23",
1787 }
1788
1789 @Article{tang95,
1790   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1791                  \beta{}-Si{C}",
1792   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1793   journal =      "Phys. Rev. B",
1794   volume =       "52",
1795   number =       "21",
1796   pages =        "15150--15159",
1797   numpages =     "9",
1798   year =         "1995",
1799   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1800   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1801                  tersoff reparametrization",
1802   publisher =    "American Physical Society",
1803 }
1804
1805 @Article{sarro00,
1806   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1807   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1808   volume =       "82",
1809   number =       "1-3",
1810   pages =        "210--218",
1811   year =         "2000",
1812   ISSN =         "0924-4247",
1813   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1814   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1815   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1816   keywords =     "MEMS",
1817   keywords =     "Silicon carbide",
1818   keywords =     "Micromachining",
1819   keywords =     "Mechanical stress",
1820 }
1821
1822 @Article{casady96,
1823   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1824                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1825                  review",
1826   journal =      "Solid-State Electronics",
1827   volume =       "39",
1828   number =       "10",
1829   pages =        "1409--1422",
1830   year =         "1996",
1831   ISSN =         "0038-1101",
1832   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1833   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1834   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1835   notes =        "sic intro",
1836 }
1837
1838 @Article{giancarli98,
1839   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1840                  structural material in fusion power reactor blankets",
1841   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1842   volume =       "41",
1843   number =       "1-4",
1844   pages =        "165--171",
1845   year =         "1998",
1846   ISSN =         "0920-3796",
1847   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1848   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1849   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1850                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1851 }
1852
1853 @Article{pensl93,
1854   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1855   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1856   volume =       "185",
1857   number =       "1-4",
1858   pages =        "264--283",
1859   year =         "1993",
1860   ISSN =         "0921-4526",
1861   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1862   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1863   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1864 }
1865
1866 @Article{tairov78,
1867   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1868                  carbide single crystals",
1869   journal =      "J. Cryst. Growth",
1870   volume =       "43",
1871   number =       "2",
1872   pages =        "209--212",
1873   year =         "1978",
1874   notes =        "modified lely process",
1875   ISSN =         "0022-0248",
1876   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1877   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1878   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1879 }
1880
1881 @Article{tairov81,
1882   title =        "General principles of growing large-size single
1883                  crystals of various silicon carbide polytypes",
1884   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1885   volume =       "52",
1886   number =       "Part 1",
1887   pages =        "146--150",
1888   year =         "1981",
1889   note =         "",
1890   ISSN =         "0022-0248",
1891   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
1892   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
1893   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1894 }
1895
1896 @Article{barrett91,
1897   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
1898   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1899   volume =       "109",
1900   number =       "1-4",
1901   pages =        "17--23",
1902   year =         "1991",
1903   note =         "",
1904   ISSN =         "0022-0248",
1905   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
1906   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
1907   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
1908                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
1909 }
1910
1911 @Article{barrett93,
1912   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
1913   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1914   volume =       "128",
1915   number =       "1-4",
1916   pages =        "358--362",
1917   year =         "1993",
1918   note =         "",
1919   ISSN =         "0022-0248",
1920   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
1921   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
1922   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
1923                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
1924                  W. J. Choyke",
1925 }
1926
1927 @Article{stein93,
1928   title =        "Control of polytype formation by surface energy
1929                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
1930                  sublimation method",
1931   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1932   volume =       "131",
1933   number =       "1-2",
1934   pages =        "71--74",
1935   year =         "1993",
1936   note =         "",
1937   ISSN =         "0022-0248",
1938   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
1939   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
1940   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
1941   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
1942 }
1943
1944 @Article{nishino83,
1945   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1946                  Will",
1947   collaboration = "",
1948   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1949                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1950   publisher =    "AIP",
1951   year =         "1983",
1952   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1953   volume =       "42",
1954   number =       "5",
1955   pages =        "460--462",
1956   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1957                  monocrystals",
1958   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1959   doi =          "10.1063/1.93970",
1960   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1961 }
1962
1963 @Article{nishino87,
1964   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1965                  and Hiroyuki Matsunami",
1966   collaboration = "",
1967   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1968                  Si{C} on silicon",
1969   publisher =    "AIP",
1970   year =         "1987",
1971   journal =      "J. Appl. Phys.",
1972   volume =       "61",
1973   number =       "10",
1974   pages =        "4889--4893",
1975   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1976   doi =          "10.1063/1.338355",
1977   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1978                  carbonization",
1979 }
1980
1981 @Article{powell87,
1982   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1983                  Kuczmarski",
1984   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1985                  Single-Crystal Films on Si",
1986   publisher =    "ECS",
1987   year =         "1987",
1988   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1989   volume =       "134",
1990   number =       "6",
1991   pages =        "1558--1565",
1992   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1993                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1994   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1995   doi =          "10.1149/1.2100708",
1996   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1997 }
1998
1999 @Article{powell87_2,
2000   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
2001                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
2002   collaboration = "",
2003   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
2004                  off-axis Si substrates",
2005   publisher =    "AIP",
2006   year =         "1987",
2007   journal =      "Applied Physics Letters",
2008   volume =       "51",
2009   number =       "11",
2010   pages =        "823--825",
2011   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
2012                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
2013                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
2014                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
2015                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
2016   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
2017   doi =          "10.1063/1.98824",
2018   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
2019 }
2020
2021 @Article{ueda90,
2022   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
2023   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2024   volume =       "104",
2025   number =       "3",
2026   pages =        "695--700",
2027   year =         "1990",
2028   note =         "",
2029   ISSN =         "0022-0248",
2030   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
2031   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
2032   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
2033                  Matsunami",
2034   notes =        "step-controlled epitaxy model",
2035 }
2036
2037 @Article{kimoto93,
2038   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
2039                  and Hiroyuki Matsunami",
2040   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
2041                  epitaxy",
2042   publisher =    "AIP",
2043   year =         "1993",
2044   journal =      "J. Appl. Phys.",
2045   volume =       "73",
2046   number =       "2",
2047   pages =        "726--732",
2048   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
2049                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
2050                  VAPOR DEPOSITION",
2051   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
2052   doi =          "10.1063/1.353329",
2053   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
2054 }
2055
2056 @Article{powell90_2,
2057   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2058                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2059                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2060   collaboration = "",
2061   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
2062                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2063   publisher =    "AIP",
2064   year =         "1990",
2065   journal =      "Applied Physics Letters",
2066   volume =       "56",
2067   number =       "15",
2068   pages =        "1442--1444",
2069   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2070                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
2071                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
2072                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
2073   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
2074   doi =          "10.1063/1.102492",
2075   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
2076 }
2077
2078 @Article{kong88_2,
2079   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2080   collaboration = "",
2081   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2082                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2083                  substrates",
2084   publisher =    "AIP",
2085   year =         "1988",
2086   journal =      "Journal of Applied Physics",
2087   volume =       "64",
2088   number =       "5",
2089   pages =        "2672--2679",
2090   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2091                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2092                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2093                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2094                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2095   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2096   doi =          "10.1063/1.341608",
2097 }
2098
2099 @Article{powell90,
2100   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2101                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2102                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2103   collaboration = "",
2104   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2105                  6{H}-Si{C} substrates",
2106   publisher =    "AIP",
2107   year =         "1990",
2108   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2109   volume =       "56",
2110   number =       "14",
2111   pages =        "1353--1355",
2112   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2113                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2114                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2115                  PHASE EPITAXY",
2116   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2117   doi =          "10.1063/1.102512",
2118   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2119 }
2120
2121 @Article{kong88,
2122   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2123                  Rozgonyi and K. L. More",
2124   collaboration = "",
2125   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2126                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2127                  substrates",
2128   publisher =    "AIP",
2129   year =         "1988",
2130   journal =      "Journal of Applied Physics",
2131   volume =       "63",
2132   number =       "8",
2133   pages =        "2645--2650",
2134   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2135                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2136                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2137                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2138                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2139   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2140   doi =          "10.1063/1.341004",
2141 }
2142
2143 @Article{powell91,
2144   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2145                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2146                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2147   collaboration = "",
2148   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2149                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2150   publisher =    "AIP",
2151   year =         "1991",
2152   journal =      "Applied Physics Letters",
2153   volume =       "59",
2154   number =       "3",
2155   pages =        "333--335",
2156   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2157                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2158                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2159   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2160   doi =          "10.1063/1.105587",
2161 }
2162
2163 @Article{yuan95,
2164   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2165                  Thokala and M. J. Loboda",
2166   collaboration = "",
2167   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2168                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2169                  silacyclobutane",
2170   publisher =    "AIP",
2171   year =         "1995",
2172   journal =      "J. Appl. Phys.",
2173   volume =       "78",
2174   number =       "2",
2175   pages =        "1271--1273",
2176   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2177                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2178                  SPECTROPHOTOMETRY",
2179   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2180   doi =          "10.1063/1.360368",
2181   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2182 }
2183
2184 @Article{kaneda87,
2185   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2186                  properties of its p-n junction",
2187   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2188   volume =       "81",
2189   number =       "1-4",
2190   pages =        "536--542",
2191   year =         "1987",
2192   note =         "",
2193   ISSN =         "0022-0248",
2194   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2195   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2196   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2197                  and Takao Tanaka",
2198   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2199 }
2200
2201 @Article{fissel95,
2202   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2203                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2204                  molecular beam epitaxy",
2205   journal =      "J. Cryst. Growth",
2206   volume =       "154",
2207   number =       "1-2",
2208   pages =        "72--80",
2209   year =         "1995",
2210   ISSN =         "0022-0248",
2211   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2212   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2213   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2214                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2215   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2216 }
2217
2218 @Article{fissel95_apl,
2219   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2220   collaboration = "",
2221   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2222                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2223   publisher =    "AIP",
2224   year =         "1995",
2225   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2226   volume =       "66",
2227   number =       "23",
2228   pages =        "3182--3184",
2229   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2230                  RHEED; NUCLEATION",
2231   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2232   doi =          "10.1063/1.113716",
2233   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2234 }
2235
2236 @Article{fissel96,
2237   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2238                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2239   collaboration = "",
2240   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2241                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2242                  level using surface superstructures",
2243   publisher =    "AIP",
2244   year =         "1996",
2245   journal =      "Applied Physics Letters",
2246   volume =       "68",
2247   number =       "9",
2248   pages =        "1204--1206",
2249   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2250                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2251                  SURFACE STRUCTURE",
2252   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2253   doi =          "10.1063/1.115969",
2254   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2255 }
2256
2257 @Article{righi03,
2258   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2259   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2260                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2261   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2262   volume =       "91",
2263   number =       "13",
2264   pages =        "136101",
2265   numpages =     "4",
2266   year =         "2003",
2267   month =        sep,
2268   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2269   publisher =    "American Physical Society",
2270   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2271 }
2272
2273 @Article{borders71,
2274   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2275   collaboration = "",
2276   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2277                  {IMPLANTATION}",
2278   publisher =    "AIP",
2279   year =         "1971",
2280   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2281   volume =       "18",
2282   number =       "11",
2283   pages =        "509--511",
2284   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2285   doi =          "10.1063/1.1653516",
2286   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2287                  ideas",
2288 }
2289
2290 @Article{edelman76,
2291   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2292                  and E. V. Lubopytova",
2293   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2294                  by ion implantation",
2295   publisher =    "Taylor \& Francis",
2296   year =         "1976",
2297   journal =      "Radiation Effects",
2298   volume =       "29",
2299   number =       "1",
2300   pages =        "13--15",
2301   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2302   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2303                  single crystalline",
2304 }
2305
2306 @Article{akimchenko80,
2307   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2308                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2309   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2310                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2311   publisher =    "Taylor \& Francis",
2312   year =         "1980",
2313   journal =      "Radiation Effects",
2314   volume =       "48",
2315   number =       "1",
2316   pages =        "7",
2317   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2318   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2319 }
2320
2321 @Article{kimura81,
2322   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2323                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2324                  silicon",
2325   journal =      "Thin Solid Films",
2326   volume =       "81",
2327   number =       "4",
2328   pages =        "319--327",
2329   year =         "1981",
2330   note =         "",
2331   ISSN =         "0040-6090",
2332   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2333   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2334   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2335                  Yugo",
2336 }
2337
2338 @Article{kimura82,
2339   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2340                  the implantation of carbon ions into silicon",
2341   journal =      "Thin Solid Films",
2342   volume =       "94",
2343   number =       "3",
2344   pages =        "191--198",
2345   year =         "1982",
2346   note =         "",
2347   ISSN =         "0040-6090",
2348   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2349   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2350   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2351                  Yugo",
2352 }
2353
2354 @Article{reeson86,
2355   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2356                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2357                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2358   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2359                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2360   publisher =    "Taylor \& Francis",
2361   year =         "1986",
2362   journal =      "Radiation Effects",
2363   volume =       "99",
2364   number =       "1",
2365   pages =        "71--81",
2366   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2367   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or
2368                  time",
2369 }
2370
2371 @Article{reeson87,
2372   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2373                  J. Davis and G. E. Celler",
2374   collaboration = "",
2375   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2376                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2377   publisher =    "AIP",
2378   year =         "1987",
2379   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2380   volume =       "51",
2381   number =       "26",
2382   pages =        "2242--2244",
2383   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2384                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2385   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2386   doi =          "10.1063/1.98953",
2387   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2388 }
2389
2390 @Article{martin90,
2391   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2392                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2393   collaboration = "",
2394   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2395   publisher =    "AIP",
2396   year =         "1990",
2397   journal =      "Journal of Applied Physics",
2398   volume =       "67",
2399   number =       "6",
2400   pages =        "2908--2912",
2401   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2402                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2403                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2404                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2405                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2406                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2407   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2408   doi =          "10.1063/1.346092",
2409   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2410                  temepratures",
2411 }
2412
2413 @Article{scace59,
2414   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2415   collaboration = "",
2416   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2417   publisher =    "AIP",
2418   year =         "1959",
2419   journal =      "J. Chem. Phys.",
2420   volume =       "30",
2421   number =       "6",
2422   pages =        "1551--1555",
2423   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2424   doi =          "10.1063/1.1730236",
2425   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2426 }
2427
2428 @Article{hofker74,
2429   author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
2430                  Koeman",
2431   affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
2432                  Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
2433                  Netherlands",
2434   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
2435                  charge carrier and boron concentration profiles",
2436   journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
2437   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
2438   ISSN =         "0947-8396",
2439   keyword =      "Physics and Astronomy",
2440   pages =        "125--133",
2441   volume =       "4",
2442   issue =        "2",
2443   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
2444   note =         "10.1007/BF00884267",
2445   year =         "1974",
2446   notes =        "first time ted (only for boron?)",
2447 }
2448
2449 @Article{michel87,
2450   author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
2451                  H. Kastl",
2452   collaboration = "",
2453   title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
2454                  implanted boron into silicon",
2455   publisher =    "AIP",
2456   year =         "1987",
2457   journal =      "Applied Physics Letters",
2458   volume =       "50",
2459   number =       "7",
2460   pages =        "416--418",
2461   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
2462                  BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
2463                  HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
2464   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
2465   doi =          "10.1063/1.98160",
2466   notes =        "ted of boron in si",
2467 }
2468
2469 @Article{cowern90,
2470   author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
2471                  Jos",
2472   collaboration = "",
2473   title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
2474                  time, and matrix dependence of atomic and electrical
2475                  profiles",
2476   publisher =    "AIP",
2477   year =         "1990",
2478   journal =      "Journal of Applied Physics",
2479   volume =       "68",
2480   number =       "12",
2481   pages =        "6191--6198",
2482   keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
2483                  DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
2484                  CRYSTALS; AMORPHIZATION",
2485   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
2486   doi =          "10.1063/1.346910",
2487   notes =        "ted of boron in si",
2488 }
2489
2490 @Article{cowern96,
2491   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2492                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2493   collaboration = "",
2494   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2495                  {B} in silicon",
2496   publisher =    "AIP",
2497   year =         "1996",
2498   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2499   volume =       "68",
2500   number =       "8",
2501   pages =        "1150--1152",
2502   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2503                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2504                  SILICON",
2505   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2506   doi =          "10.1063/1.115706",
2507   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2508 }
2509
2510 @Article{stolk95,
2511   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2512                  of the silicon self-interstitial",
2513   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2514   volume =       "96",
2515   number =       "1-2",
2516   pages =        "187--195",
2517   year =         "1995",
2518   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2519                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2520   ISSN =         "0168-583X",
2521   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2522   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2523   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2524                  and J. M. Poate",
2525 }
2526
2527 @Article{stolk97,
2528   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2529                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2530                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2531                  E. Haynes",
2532   collaboration = "",
2533   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2534                  diffusion in ion-implanted silicon",
2535   publisher =    "AIP",
2536   year =         "1997",
2537   journal =      "J. Appl. Phys.",
2538   volume =       "81",
2539   number =       "9",
2540   pages =        "6031--6050",
2541   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2542   doi =          "10.1063/1.364452",
2543   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2544 }
2545
2546 @Article{powell94,
2547   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2548   collaboration = "",
2549   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2550                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2551   publisher =    "AIP",
2552   year =         "1994",
2553   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2554   volume =       "64",
2555   number =       "3",
2556   pages =        "324--326",
2557   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2558                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2559                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2560                  SYNTHESIS",
2561   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2562   doi =          "10.1063/1.111195",
2563   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2564 }
2565
2566 @Article{soref91,
2567   author =       "Richard A. Soref",
2568   collaboration = "",
2569   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2570                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2571   publisher =    "AIP",
2572   year =         "1991",
2573   journal =      "J. Appl. Phys.",
2574   volume =       "70",
2575   number =       "4",
2576   pages =        "2470--2472",
2577   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2578                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2579                  TERNARY ALLOYS",
2580   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2581   doi =          "10.1063/1.349403",
2582   notes =        "band gap of strained si by c",
2583 }
2584
2585 @Article{kasper91,
2586   author =       "E Kasper",
2587   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2588                  possibility to produce direct band gap material",
2589   journal =      "Physica Scripta",
2590   volume =       "T35",
2591   pages =        "232--236",
2592   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2593   year =         "1991",
2594   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2595                  quasi-direct one",
2596 }
2597
2598 @Article{eberl92,
2599   author =       "K. Eberl and S. S. Iyer and S. Zollner and J. C. Tsang
2600                  and F. K. LeGoues",
2601   collaboration = "",
2602   title =        "Growth and strain compensation effects in the ternary
2603                  Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloy system",
2604   publisher =    "AIP",
2605   year =         "1992",
2606   journal =      "Applied Physics Letters",
2607   volume =       "60",
2608   number =       "24",
2609   pages =        "3033--3035",
2610   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; CARBON ALLOYS;
2611                  TERNARY ALLOYS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; MOLECULAR BEAM
2612                  EPITAXY; INTERNAL STRAINS; TEMPERATURE EFFECTS; CRYSTAL
2613                  STRUCTURE; LATTICE PARAMETERS; XRAY DIFFRACTION; PHASE
2614                  STUDIES",
2615   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/3033/1",
2616   doi =          "10.1063/1.106774",
2617 }
2618
2619 @Article{powell93,
2620   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and F. E. LeGoues and B. A.
2621                  Ek and S. S. Iyer",
2622   collaboration = "",
2623   title =        "Stability of strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random
2624                  alloy layers",
2625   publisher =    "AVS",
2626   year =         "1993",
2627   journal =      "J. Vac. Sci. Technol. B",
2628   volume =       "11",
2629   number =       "3",
2630   pages =        "1064--1068",
2631   location =     "Ottawa (Canada)",
2632   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; STRAINS; THICKNESS;
2633                  METASTABLE PHASES; TWINNING; DISLOCATIONS; MOLECULAR
2634                  BEAM EPITAXY; EPITAXIAL LAYERS; CRITICAL PHENOMENA;
2635                  TEMPERATURE RANGE 400--1000 K; BINARY ALLOYS",
2636   URL =          "http://link.aip.org/link/?JVB/11/1064/1",
2637   doi =          "10.1116/1.587008",
2638   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2639 }
2640
2641 @Article{powell93_2,
2642   title =        "Si[sub 1-x-y]Ge[sub x]{C}[sub y] growth and properties
2643                  of the ternary system",
2644   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2645   volume =       "127",
2646   number =       "1-4",
2647   pages =        "425--429",
2648   year =         "1993",
2649   note =         "",
2650   ISSN =         "0022-0248",
2651   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90653-E",
2652   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46J3RF2-8H/2/27fc231f28e4dc0a3b4770e5cf03257e",
2653   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and B. A. Ek and S. S.
2654                  Iyer",
2655 }
2656
2657 @Article{osten94,
2658   author =       "H. J. Osten",
2659   title =        "Modification of Growth Modes in Lattice-Mismatched
2660                  Epitaxial Systems: Si/Ge",
2661   journal =      "physica status solidi (a)",
2662   volume =       "145",
2663   number =       "2",
2664   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2665   ISSN =         "1521-396X",
2666   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211450203",
2667   doi =          "10.1002/pssa.2211450203",
2668   pages =        "235--245",
2669   year =         "1994",
2670 }
2671
2672 @Article{dietrich94,
2673   title =        "Lattice distortion in a strain-compensated
2674                  $Si_{1-x-y}$$Ge_{x}$${C}_{y}$ layer on silicon",
2675   author =       "B. Dietrich and H. J. Osten and H. R{\"u}cker and M.
2676                  Methfessel and P. Zaumseil",
2677   journal =      "Phys. Rev. B",
2678   volume =       "49",
2679   number =       "24",
2680   pages =        "17185--17190",
2681   numpages =     "5",
2682   year =         "1994",
2683   month =        jun,
2684   doi =          "10.1103/PhysRevB.49.17185",
2685   publisher =    "American Physical Society",
2686 }
2687
2688 @Article{osten94_2,
2689   author =       "H. J. Osten and E. Bugiel and P. Zaumseil",
2690   collaboration = "",
2691   title =        "Growth of an inverse tetragonal distorted SiGe layer
2692                  on Si(001) by adding small amounts of carbon",
2693   publisher =    "AIP",
2694   year =         "1994",
2695   journal =      "Applied Physics Letters",
2696   volume =       "64",
2697   number =       "25",
2698   pages =        "3440--3442",
2699   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; FILM GROWTH; CARBON
2700                  ALLOYS; TERNARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TEM;
2701                  XRD; LATTICE PARAMETERS; EPITAXIAL LAYERS; TETRAGONAL
2702                  LATTICES",
2703   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/3440/1",
2704   doi =          "10.1063/1.111235",
2705   notes =        "inversely strained / distorted heterostructure",
2706 }
2707
2708 @Article{iyer92,
2709   author =       "S. S. Iyer and K. Eberl and M. S. Goorsky and F. K.
2710                  LeGoues and J. C. Tsang and F. Cardone",
2711   collaboration = "",
2712   title =        "Synthesis of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys by
2713                  molecular beam epitaxy",
2714   publisher =    "AIP",
2715   year =         "1992",
2716   journal =      "Applied Physics Letters",
2717   volume =       "60",
2718   number =       "3",
2719   pages =        "356--358",
2720   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
2721                  SEMICONDUCTOR ALLOYS; SUPERLATTICES; MOLECULAR BEAM
2722                  EPITAXY; CHEMICAL COMPOSITION; TEMPERATURE EFFECTS;
2723                  FILM GROWTH; MICROSTRUCTURE",
2724   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/356/1",
2725   doi =          "10.1063/1.106655",
2726 }
2727
2728 @Article{osten99,
2729   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2730   collaboration = "",
2731   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2732                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2733                  molecular beam epitaxy",
2734   publisher =    "AIP",
2735   year =         "1999",
2736   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2737   volume =       "74",
2738   number =       "6",
2739   pages =        "836--838",
2740   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2741                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2742                  compounds",
2743   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2744   doi =          "10.1063/1.123384",
2745   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2746 }
2747
2748 @Article{hohenberg64,
2749   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2750   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2751   journal =      "Phys. Rev.",
2752   volume =       "136",
2753   number =       "3B",
2754   pages =        "B864--B871",
2755   numpages =     "7",
2756   year =         "1964",
2757   month =        nov,
2758   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2759   publisher =    "American Physical Society",
2760   notes =        "density functional theory, dft",
2761 }
2762
2763 @Article{kohn65,
2764   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2765                  Correlation Effects",
2766   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2767   journal =      "Phys. Rev.",
2768   volume =       "140",
2769   number =       "4A",
2770   pages =        "A1133--A1138",
2771   numpages =     "5",
2772   year =         "1965",
2773   month =        nov,
2774   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2775   publisher =    "American Physical Society",
2776   notes =        "dft, exchange and correlation",
2777 }
2778
2779 @Article{ruecker94,
2780   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
2781                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
2782   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
2783                  J. Osten",
2784   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2785   volume =       "72",
2786   number =       "22",
2787   pages =        "3578--3581",
2788   numpages =     "3",
2789   year =         "1994",
2790   month =        may,
2791   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
2792   publisher =    "American Physical Society",
2793   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
2794                  si, dft",
2795 }
2796
2797 @Article{yagi02,
2798   title =        "Phosphorous Doping of Strain-Induced
2799                  Si$_{1-y}${C}$_{y}$ Epitaxial Films Grown\\
2800                  by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition",
2801   author =       "Shuhei Yagi and Katsuya Abe and Takashi Okabayashi and
2802                  Yuichi Yoneyama and Akira Yamada and Makoto Konagai",
2803   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2804   volume =       "41",
2805   number =       "Part 1, No. 4B",
2806   pages =        "2472--2475",
2807   numpages =     "3",
2808   year =         "2002",
2809   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/41/2472/",
2810   doi =          "10.1143/JJAP.41.2472",
2811   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2812   notes =        "experimental charge carrier mobility in strained si",
2813 }
2814
2815 @Article{chang05,
2816   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
2817                  Alloy",
2818   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
2819   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2820   volume =       "44",
2821   number =       "4B",
2822   pages =        "2257--2262",
2823   numpages =     "5",
2824   year =         "2005",
2825   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
2826   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
2827   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2828   notes =        "enhance of electron mobility in strained si",
2829 }
2830
2831 @Article{kissinger94,
2832   author =       "W. Kissinger and M. Weidner and H. J. Osten and M.
2833                  Eichler",
2834   collaboration = "",
2835   title =        "Optical transitions in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub
2836                  y] layers on Si(001)",
2837   publisher =    "AIP",
2838   year =         "1994",
2839   journal =      "Applied Physics Letters",
2840   volume =       "65",
2841   number =       "26",
2842   pages =        "3356--3358",
2843   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERNAL STRAINS; EPITAXIAL LAYERS;
2844                  CHEMICAL COMPOSITION; ELLIPSOMETRY; REFLECTION
2845                  SPECTROSCOPY; ELECTROOPTICAL EFFECTS; BAND STRUCTURE;
2846                  ENERGY LEVELS; ENERGYLEVEL TRANSITIONS",
2847   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/3356/1",
2848   doi =          "10.1063/1.112390",
2849   notes =        "strained si influence on optical properties",
2850 }
2851
2852 @Article{osten96,
2853   author =       "H. J. Osten and Myeongcheol Kim and K. Pressel and P.
2854                  Zaumseil",
2855   collaboration = "",
2856   title =        "Substitutional versus interstitial carbon
2857                  incorporation during pseudomorphic growth of Si[sub 1 -
2858                  y]{C}[sub y] on Si(001)",
2859   publisher =    "AIP",
2860   year =         "1996",
2861   journal =      "Journal of Applied Physics",
2862   volume =       "80",
2863   number =       "12",
2864   pages =        "6711--6715",
2865   keywords =     "SILICON CARBIDES; CRYSTAL DEFECTS; FILM GROWTH;
2866                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; INTERSTITIALS; SUBSTITUTION;
2867                  XRD; STRAINS",
2868   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/80/6711/1",
2869   doi =          "10.1063/1.363797",
2870   notes =        "mbe substitutional vs interstitial c incorporation",
2871 }
2872
2873 @Article{osten97,
2874   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
2875   collaboration = "",
2876   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2877                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
2878                  Si(001)",
2879   publisher =    "AIP",
2880   year =         "1997",
2881   journal =      "J. Appl. Phys.",
2882   volume =       "82",
2883   number =       "10",
2884   pages =        "4977--4981",
2885   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
2886                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
2887                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
2888   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
2889   doi =          "10.1063/1.366364",
2890   notes =        "charge transport in strained si",
2891 }
2892
2893 @Article{kapur04,
2894   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
2895                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
2896   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
2897   journal =      "Phys. Rev. B",
2898   volume =       "69",
2899   number =       "15",
2900   pages =        "155214",
2901   numpages =     "8",
2902   year =         "2004",
2903   month =        apr,
2904   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
2905   publisher =    "American Physical Society",
2906   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
2907 }
2908
2909 @Article{barkema96,
2910   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
2911                  Systems",
2912   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
2913   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2914   volume =       "77",
2915   number =       "21",
2916   pages =        "4358--4361",
2917   numpages =     "3",
2918   year =         "1996",
2919   month =        nov,
2920   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
2921   publisher =    "American Physical Society",
2922   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
2923                  dynamic mds",
2924 }
2925
2926 @Article{cances09,
2927   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
2928                  Minoukadeh and F. Willaime",
2929   collaboration = "",
2930   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
2931                  technique method for finding transition pathways on
2932                  potential energy surfaces",
2933   publisher =    "AIP",
2934   year =         "2009",
2935   journal =      "J. Chem. Phys.",
2936   volume =       "130",
2937   number =       "11",
2938   eid =          "114711",
2939   numpages =     "6",
2940   pages =        "114711",
2941   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
2942                  surfaces; vacancies (crystal)",
2943   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
2944   doi =          "10.1063/1.3088532",
2945   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
2946                  transition pathways",
2947 }
2948
2949 @Article{parrinello81,
2950   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
2951   collaboration = "",
2952   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
2953                  molecular dynamics method",
2954   publisher =    "AIP",
2955   year =         "1981",
2956   journal =      "J. Appl. Phys.",
2957   volume =       "52",
2958   number =       "12",
2959   pages =        "7182--7190",
2960   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
2961                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
2962                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
2963                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
2964                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
2965                  IMPACT SHOCK",
2966   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2967   doi =          "10.1063/1.328693",
2968 }
2969
2970 @Article{stillinger85,
2971   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
2972                  of silicon",
2973   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
2974   journal =      "Phys. Rev. B",
2975   volume =       "31",
2976   number =       "8",
2977   pages =        "5262--5271",
2978   numpages =     "9",
2979   year =         "1985",
2980   month =        apr,
2981   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
2982   publisher =    "American Physical Society",
2983 }
2984
2985 @Article{brenner90,
2986   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
2987                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
2988                  films",
2989   author =       "Donald W. Brenner",
2990   journal =      "Phys. Rev. B",
2991   volume =       "42",
2992   number =       "15",
2993   pages =        "9458--9471",
2994   numpages =     "13",
2995   year =         "1990",
2996   month =        nov,
2997   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
2998   publisher =    "American Physical Society",
2999   notes =        "brenner hydro carbons",
3000 }
3001
3002 @Article{bazant96,
3003   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
3004                  Cohesive Energy Curves",
3005   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
3006   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3007   volume =       "77",
3008   number =       "21",
3009   pages =        "4370--4373",
3010   numpages =     "3",
3011   year =         "1996",
3012   month =        nov,
3013   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
3014   publisher =    "American Physical Society",
3015   notes =        "first si edip",
3016 }
3017
3018 @Article{bazant97,
3019   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
3020                  silicon",
3021   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
3022                  Justo",
3023   journal =      "Phys. Rev. B",
3024   volume =       "56",
3025   number =       "14",
3026   pages =        "8542--8552",
3027   numpages =     "10",
3028   year =         "1997",
3029   month =        oct,
3030   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
3031   publisher =    "American Physical Society",
3032   notes =        "second si edip",
3033 }
3034
3035 @Article{justo98,
3036   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
3037                  disordered phases",
3038   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
3039                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
3040   journal =      "Phys. Rev. B",
3041   volume =       "58",
3042   number =       "5",
3043   pages =        "2539--2550",
3044   numpages =     "11",
3045   year =         "1998",
3046   month =        aug,
3047   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
3048   publisher =    "American Physical Society",
3049   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
3050 }
3051
3052 @Article{parcas_md,
3053   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
3054   author =       "K. Nordlund",
3055   year =         "2008",
3056 }
3057
3058 @Article{voter97,
3059   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
3060                  Infrequent Events",
3061   author =       "Arthur F. Voter",
3062   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3063   volume =       "78",
3064   number =       "20",
3065   pages =        "3908--3911",
3066   numpages =     "3",
3067   year =         "1997",
3068   month =        may,
3069   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
3070   publisher =    "American Physical Society",
3071   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
3072 }
3073
3074 @Article{voter97_2,
3075   author =       "Arthur F. Voter",
3076   collaboration = "",
3077   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
3078                  simulation of infrequent events",
3079   publisher =    "AIP",
3080   year =         "1997",
3081   journal =      "J. Chem. Phys.",
3082   volume =       "106",
3083   number =       "11",
3084   pages =        "4665--4677",
3085   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
3086                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
3087                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
3088                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
3089                  theory; potential energy surfaces",
3090   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
3091   doi =          "10.1063/1.473503",
3092   notes =        "improved hyperdynamics md",
3093 }
3094
3095 @Article{sorensen2000,
3096   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
3097   collaboration = "",
3098   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
3099                  infrequent events",
3100   publisher =    "AIP",
3101   year =         "2000",
3102   journal =      "J. Chem. Phys.",
3103   volume =       "112",
3104   number =       "21",
3105   pages =        "9599--9606",
3106   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
3107                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
3108   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
3109   doi =          "10.1063/1.481576",
3110   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
3111 }
3112
3113 @Article{voter98,
3114   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
3115                  events",
3116   author =       "Arthur F. Voter",
3117   journal =      "Phys. Rev. B",
3118   volume =       "57",
3119   number =       "22",
3120   pages =        "R13985--R13988",
3121   numpages =     "3",
3122   year =         "1998",
3123   month =        jun,
3124   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
3125   publisher =    "American Physical Society",
3126   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
3127 }
3128
3129 @Article{wu99,
3130   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
3131   collaboration = "",
3132   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
3133                  simulation",
3134   publisher =    "AIP",
3135   year =         "1999",
3136   journal =      "J. Chem. Phys.",
3137   volume =       "110",
3138   number =       "19",
3139   pages =        "9401--9410",
3140   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
3141                  potential; crystallisation; liquid theory",
3142   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
3143   doi =          "10.1063/1.478948",
3144   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
3145                  systematic motion",
3146 }
3147
3148 @Article{choudhary05,
3149   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
3150   collaboration = "",
3151   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
3152                  to the production of amorphous silicon",
3153   publisher =    "AIP",
3154   year =         "2005",
3155   journal =      "J. Chem. Phys.",
3156   volume =       "122",
3157   number =       "15",
3158   eid =          "154509",
3159   numpages =     "8",
3160   pages =        "154509",
3161   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
3162                  amorphous semiconductors",
3163   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
3164   doi =          "10.1063/1.1878733",
3165   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
3166                  silicon",
3167 }
3168
3169 @Article{taylor93,
3170   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
3171   collaboration = "",
3172   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
3173                  difficult?",
3174   publisher =    "AIP",
3175   year =         "1993",
3176   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3177   volume =       "62",
3178   number =       "25",
3179   pages =        "3336--3338",
3180   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
3181                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
3182                  ENERGY",
3183   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
3184   doi =          "10.1063/1.109063",
3185   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
3186                  interstitials necessary for precipitation, volume
3187                  decrease, high interface energy",
3188 }
3189
3190 @Article{chaussende08,
3191   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
3192   journal =      "J. Cryst. Growth",
3193   volume =       "310",
3194   number =       "5",
3195   pages =        "976--981",
3196   year =         "2008",
3197   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
3198                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
3199   ISSN =         "0022-0248",
3200   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
3201   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
3202   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
3203                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
3204                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
3205                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
3206   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
3207                  metastable",
3208 }
3209
3210 @Article{chaussende07,
3211   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
3212   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
3213   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
3214   volume =       "40",
3215   number =       "20",
3216   pages =        "6150",
3217   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
3218   year =         "2007",
3219   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
3220                  modelling",
3221 }
3222
3223 @Article{feynman39,
3224   title =        "Forces in Molecules",
3225   author =       "R. P. Feynman",
3226   journal =      "Phys. Rev.",
3227   volume =       "56",
3228   number =       "4",
3229   pages =        "340--343",
3230   numpages =     "3",
3231   year =         "1939",
3232   month =        aug,
3233   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
3234   publisher =    "American Physical Society",
3235   notes =        "hellmann feynman forces",
3236 }
3237
3238 @Article{buczko00,
3239   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
3240                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
3241                  their Contrasting Properties",
3242   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
3243                  T. Pantelides",
3244   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3245   volume =       "84",
3246   number =       "5",
3247   pages =        "943--946",
3248   numpages =     "3",
3249   year =         "2000",
3250   month =        jan,
3251   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
3252   publisher =    "American Physical Society",
3253   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
3254 }
3255
3256 @Article{djurabekova08,
3257   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
3258                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
3259   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
3260   journal =      "Phys. Rev. B",
3261   volume =       "77",
3262   number =       "11",
3263   pages =        "115325",
3264   numpages =     "7",
3265   year =         "2008",
3266   month =        mar,
3267   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
3268   publisher =    "American Physical Society",
3269   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
3270                  angular distribution, coordination",
3271 }
3272
3273 @Article{wen09,
3274   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
3275                  W. Liang and J. Zou",
3276   collaboration = "",
3277   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
3278                  strain relaxation at highly lattice mismatched
3279                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
3280   publisher =    "AIP",
3281   year =         "2009",
3282   journal =      "J. Appl. Phys.",
3283   volume =       "106",
3284   number =       "7",
3285   eid =          "073522",
3286   numpages =     "8",
3287   pages =        "073522",
3288   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
3289                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
3290                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
3291                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
3292   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
3293   doi =          "10.1063/1.3234380",
3294   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
3295                  deconvolution, dislocation defects",
3296 }
3297
3298 @Article{kitabatake93,
3299   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
3300                  Hirao",
3301   collaboration = "",
3302   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
3303                  growth on Si(001) surface",
3304   publisher =    "AIP",
3305   year =         "1993",
3306   journal =      "J. Appl. Phys.",
3307   volume =       "74",
3308   number =       "7",
3309   pages =        "4438--4445",
3310   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
3311                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
3312                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
3313   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
3314   doi =          "10.1063/1.354385",
3315   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
3316                  model, interface",
3317 }
3318
3319 @Article{kitabatake97,
3320   author =       "Makoto Kitabatake",
3321   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
3322                  Heteroepitaxial Growth",
3323   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3324   year =         "1997",
3325   journal =      "physica status solidi (b)",
3326   volume =       "202",
3327   pages =        "405--420",
3328   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3329   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3330   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
3331 }
3332
3333 @Article{chirita97,
3334   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
3335                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
3336                  dynamics study",
3337   journal =      "Thin Solid Films",
3338   volume =       "294",
3339   number =       "1-2",
3340   pages =        "47--49",
3341   year =         "1997",
3342   note =         "",
3343   ISSN =         "0040-6090",
3344   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
3345   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
3346   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
3347   keywords =     "Strain relaxation",
3348   keywords =     "Interfaces",
3349   keywords =     "Thermal stability",
3350   keywords =     "Molecular dynamics",
3351   notes =        "tersoff sic/si interface study",
3352 }
3353
3354 @Article{cicero02,
3355   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
3356                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
3357   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
3358                  Catellani",
3359   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3360   volume =       "89",
3361   number =       "15",
3362   pages =        "156101",
3363   numpages =     "4",
3364   year =         "2002",
3365   month =        sep,
3366   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
3367   publisher =    "American Physical Society",
3368   notes =        "sic/si interface study",
3369 }
3370
3371 @Article{pizzagalli03,
3372   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
3373                  interface: Si{C}/Si(001)",
3374   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
3375                  Catellani",
3376   journal =      "Phys. Rev. B",
3377   volume =       "68",
3378   number =       "19",
3379   pages =        "195302",
3380   numpages =     "10",
3381   year =         "2003",
3382   month =        nov,
3383   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
3384   publisher =    "American Physical Society",
3385   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
3386 }
3387
3388 @Article{tang07,
3389   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
3390                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
3391                  electron microscopy",
3392   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
3393                  H. Zheng and J. W. Liang",
3394   journal =      "Phys. Rev. B",
3395   volume =       "75",
3396   number =       "18",
3397   pages =        "184103",
3398   numpages =     "7",
3399   year =         "2007",
3400   month =        may,
3401   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
3402   publisher =    "American Physical Society",
3403   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
3404                  si and c",
3405 }
3406
3407 @Article{hornstra58,
3408   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
3409   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
3410   volume =       "5",
3411   number =       "1-2",
3412   pages =        "129--141",
3413   year =         "1958",
3414   note =         "",
3415   ISSN =         "0022-3697",
3416   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
3417   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
3418   author =       "J. Hornstra",
3419   notes =        "dislocations in diamond lattice",
3420 }
3421
3422 @Article{deguchi92,
3423   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
3424                  Ion `Hot' Implantation",
3425   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
3426                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
3427   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3428   volume =       "31",
3429   number =       "Part 1, No. 2A",
3430   pages =        "343--347",
3431   numpages =     "4",
3432   year =         "1992",
3433   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
3434   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
3435   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3436   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
3437                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
3438 }
3439
3440 @Article{eichhorn99,
3441   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
3442                  K{\"{o}}gler",
3443   collaboration = "",
3444   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
3445                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
3446                  synchrotron x-ray diffraction",
3447   publisher =    "AIP",
3448   year =         "1999",
3449   journal =      "J. Appl. Phys.",
3450   volume =       "86",
3451   number =       "8",
3452   pages =        "4184--4187",
3453   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
3454                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
3455                  precipitation; semiconductor doping",
3456   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
3457   doi =          "10.1063/1.371344",
3458   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
3459                  expansion of si lattice",
3460 }
3461
3462 @Article{eichhorn02,
3463   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
3464                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
3465   collaboration = "",
3466   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
3467                  carbon ion implantation",
3468   publisher =    "AIP",
3469   year =         "2002",
3470   journal =      "J. Appl. Phys.",
3471   volume =       "91",
3472   number =       "3",
3473   pages =        "1287--1292",
3474   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
3475                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
3476                  electron microscopy",
3477   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
3478   doi =          "10.1063/1.1428105",
3479   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
3480                  temperature, might explain c into c sub trafo",
3481 }
3482
3483 @Article{lucas10,
3484   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
3485   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
3486                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
3487                  high-pressure phases, point and extended defects, and
3488                  amorphous structures",
3489   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3490   volume =       "22",
3491   number =       "3",
3492   pages =        "035802",
3493   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
3494   year =         "2010",
3495   notes =        "edip sic",
3496 }
3497
3498 @Article{godet03,
3499   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
3500                  Beauchamp",
3501   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
3502                  methods for silicon under large shear",
3503   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3504   volume =       "15",
3505   number =       "41",
3506   pages =        "6943",
3507   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
3508   year =         "2003",
3509   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
3510                  edip, tersoff, ab initio",
3511 }
3512
3513 @Article{moriguchi98,
3514   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
3515                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
3516   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
3517   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3518   volume =       "37",
3519   number =       "Part 1, No. 2",
3520   pages =        "414--422",
3521   numpages =     "8",
3522   year =         "1998",
3523   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
3524   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
3525   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3526   notes =        "tersoff stringent test",
3527 }
3528
3529 @Article{mazzarolo01,
3530   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
3531                  simulations",
3532   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
3533                  Lulli and Eros Albertazzi",
3534   journal =      "Phys. Rev. B",
3535   volume =       "63",
3536   number =       "19",
3537   pages =        "195207",
3538   numpages =     "4",
3539   year =         "2001",
3540   month =        apr,
3541   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
3542   publisher =    "American Physical Society",
3543 }
3544
3545 @Article{holmstroem08,
3546   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
3547                  density functional theory molecular dynamics
3548                  simulations",
3549   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
3550   journal =      "Phys. Rev. B",
3551   volume =       "78",
3552   number =       "4",
3553   pages =        "045202",
3554   numpages =     "6",
3555   year =         "2008",
3556   month =        jul,
3557   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
3558   publisher =    "American Physical Society",
3559   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
3560                  initio",
3561 }
3562
3563 @Article{nordlund97,
3564   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
3565                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
3566   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3567   volume =       "132",
3568   number =       "1",
3569   pages =        "45--54",
3570   year =         "1997",
3571   note =         "",
3572   ISSN =         "0168-583X",
3573   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
3574   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
3575   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
3576   notes =        "repulsive ab initio potential",
3577 }
3578
3579 @Article{kresse96,
3580   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
3581                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
3582                  set",
3583   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3584   volume =       "6",
3585   number =       "1",
3586   pages =        "15--50",
3587   year =         "1996",
3588   note =         "",
3589   ISSN =         "0927-0256",
3590   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
3591   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
3592   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
3593   notes =        "vasp ref",
3594 }
3595
3596 @Article{bloechl94,
3597   title =        "Projector augmented-wave method",
3598   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
3599   journal =      "Phys. Rev. B",
3600   volume =       "50",
3601   number =       "24",
3602   pages =        "17953--17979",
3603   numpages =     "26",
3604   year =         "1994",
3605   month =        dec,
3606   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
3607   publisher =    "American Physical Society",
3608   notes =        "paw method",
3609 }
3610
3611 @Article{hamann79,
3612   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
3613   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
3614   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3615   volume =       "43",
3616   number =       "20",
3617   pages =        "1494--1497",
3618   numpages =     "3",
3619   year =         "1979",
3620   month =        nov,
3621   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
3622   publisher =    "American Physical Society",
3623   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
3624 }
3625
3626 @Article{vanderbilt90,
3627   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
3628                  eigenvalue formalism",
3629   author =       "David Vanderbilt",
3630   journal =      "Phys. Rev. B",
3631   volume =       "41",
3632   number =       "11",
3633   pages =        "7892--7895",
3634   numpages =     "3",
3635   year =         "1990",
3636   month =        apr,
3637   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
3638   publisher =    "American Physical Society",
3639   notes =        "vasp pseudopotentials",
3640 }
3641
3642 @Article{perdew86,
3643   title =        "Accurate and simple density functional for the
3644                  electronic exchange energy: Generalized gradient
3645                  approximation",
3646   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
3647   journal =      "Phys. Rev. B",
3648   volume =       "33",
3649   number =       "12",
3650   pages =        "8800--8802",
3651   numpages =     "2",
3652   year =         "1986",
3653   month =        jun,
3654   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
3655   publisher =    "American Physical Society",
3656   notes =        "rapid communication gga",
3657 }
3658
3659 @Article{perdew02,
3660   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
3661                  correlation: {A} look backward and forward",
3662   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
3663   volume =       "172",
3664   number =       "1-2",
3665   pages =        "1--6",
3666   year =         "1991",
3667   note =         "",
3668   ISSN =         "0921-4526",
3669   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
3670   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
3671   author =       "John P. Perdew",
3672   notes =        "gga overview",
3673 }
3674
3675 @Article{perdew92,
3676   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
3677                  of the generalized gradient approximation for exchange
3678                  and correlation",
3679   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
3680                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
3681                  and Carlos Fiolhais",
3682   journal =      "Phys. Rev. B",
3683   volume =       "46",
3684   number =       "11",
3685   pages =        "6671--6687",
3686   numpages =     "16",
3687   year =         "1992",
3688   month =        sep,
3689   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
3690   publisher =    "American Physical Society",
3691   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
3692 }
3693
3694 @Article{baldereschi73,
3695   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
3696   author =       "A. Baldereschi",
3697   journal =      "Phys. Rev. B",
3698   volume =       "7",
3699   number =       "12",
3700   pages =        "5212--5215",
3701   numpages =     "3",
3702   year =         "1973",
3703   month =        jun,
3704   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
3705   publisher =    "American Physical Society",
3706   notes =        "mean value k point",
3707 }
3708
3709 @Article{zhu98,
3710   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
3711                  diffusion in Si",
3712   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3713   volume =       "12",
3714   number =       "4",
3715   pages =        "309--318",
3716   year =         "1998",
3717   note =         "",
3718   ISSN =         "0927-0256",
3719   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
3720   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
3721   author =       "Jing Zhu",
3722   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
3723   keywords =     "Boron dopant",
3724   keywords =     "Carbon dopant",
3725   keywords =     "Defect",
3726   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
3727   keywords =     "Impurity cluster",
3728   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
3729 }
3730
3731 @Article{nejim95,
3732   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
3733   collaboration = "",
3734   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
3735                  950 [degree]{C}",
3736   publisher =    "AIP",
3737   year =         "1995",
3738   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3739   volume =       "66",
3740   number =       "20",
3741   pages =        "2646--2648",
3742   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
3743                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
3744                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
3745                  ELECTRON MICROSCOPY",
3746   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
3747   doi =          "10.1063/1.113112",
3748   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
3749                  self interstitials react with further implanted c",
3750 }
3751
3752 @Article{guedj98,
3753   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
3754                  Kolodzey and A. Hairie",
3755   collaboration = "",
3756   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3757                  alloys",
3758   publisher =    "AIP",
3759   year =         "1998",
3760   journal =      "J. Appl. Phys.",
3761   volume =       "84",
3762   number =       "8",
3763   pages =        "4631--4633",
3764   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
3765                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
3766                  Fourier transform spectra; thermal stability;
3767                  annealing",
3768   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
3769   doi =          "10.1063/1.368703",
3770   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
3771 }
3772
3773 @Article{jones04,
3774   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
3775   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
3776                  semiconductors",
3777   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3778   volume =       "16",
3779   number =       "27",
3780   pages =        "S2643",
3781   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
3782   year =         "2004",
3783   notes =        "ab inito dft intro, vibrational modes, c defect in
3784                  si",
3785 }
3786
3787 @Article{park02,
3788   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
3789                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
3790                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
3791   collaboration = "",
3792   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
3793                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
3794                  molecular-beam epitaxy",
3795   publisher =    "AIP",
3796   year =         "2002",
3797   journal =      "J. Appl. Phys.",
3798   volume =       "91",
3799   number =       "9",
3800   pages =        "5716--5727",
3801   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
3802   doi =          "10.1063/1.1465122",
3803   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
3804 }
3805
3806 @Article{leary97,
3807   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
3808                  carbon-carbon pair defects in silicon",
3809   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
3810                  Torres",
3811   journal =      "Phys. Rev. B",
3812   volume =       "55",
3813   number =       "4",
3814   pages =        "2188--2194",
3815   numpages =     "6",
3816   year =         "1997",
3817   month =        jan,
3818   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
3819   publisher =    "American Physical Society",
3820   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
3821                  energies, different migration barriers and paths",
3822 }
3823
3824 @Article{burnard93,
3825   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
3826                  silicon: Semiempirical electronic-structure
3827                  calculations",
3828   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
3829   journal =      "Phys. Rev. B",
3830   volume =       "47",
3831   number =       "16",
3832   pages =        "10217--10225",
3833   numpages =     "8",
3834   year =         "1993",
3835   month =        apr,
3836   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
3837   publisher =    "American Physical Society",
3838   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
3839                  carbon defect, formation energies",
3840 }
3841
3842 @Article{besson91,
3843   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
3844                  silicon",
3845   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
3846   journal =      "Phys. Rev. B",
3847   volume =       "43",
3848   number =       "5",
3849   pages =        "4028--4033",
3850   numpages =     "5",
3851   year =         "1991",
3852   month =        feb,
3853   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
3854   publisher =    "American Physical Society",
3855 }
3856
3857 @Article{kaxiras96,
3858   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
3859                  and growth on semiconductors",
3860   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3861   volume =       "6",
3862   number =       "2",
3863   pages =        "158--172",
3864   year =         "1996",
3865   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
3866                  Epitaxy",
3867   ISSN =         "0927-0256",
3868   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
3869   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
3870   author =       "Efthimios Kaxiras",
3871   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
3872                  tight binding, first principles",
3873 }
3874
3875 @Article{kaukonen98,
3876   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
3877                  diamond
3878                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
3879                  surfaces",
3880   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
3881                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
3882                  Th. Frauenheim",
3883   journal =      "Phys. Rev. B",
3884   volume =       "57",
3885   number =       "16",
3886   pages =        "9965--9970",
3887   numpages =     "5",
3888   year =         "1998",
3889   month =        apr,
3890   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
3891   publisher =    "American Physical Society",
3892   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
3893                  (crt)",
3894 }
3895
3896 @Article{gali03,
3897   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
3898                  center in Si{C}",
3899   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
3900                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
3901                  W. J. Choyke",
3902   journal =      "Phys. Rev. B",
3903   volume =       "67",
3904   number =       "15",
3905   pages =        "155203",
3906   numpages =     "5",
3907   year =         "2003",
3908   month =        apr,
3909   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
3910   publisher =    "American Physical Society",
3911 }
3912
3913 @Article{chen98,
3914   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
3915                  irradiation and deformation",
3916   journal =      "J. Nucl. Mater.",
3917   volume =       "258-263",
3918   number =       "Part 2",
3919   pages =        "1803--1808",
3920   year =         "1998",
3921   note =         "",
3922   ISSN =         "0022-3115",
3923   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
3924   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
3925   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
3926 }
3927
3928 @Article{weber01,
3929   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
3930                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
3931   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3932   volume =       "175-177",
3933   number =       "",
3934   pages =        "26--30",
3935   year =         "2001",
3936   note =         "",
3937   ISSN =         "0168-583X",
3938   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
3939   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
3940   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
3941 }
3942
3943 @Article{bockstedte03,
3944   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
3945                  in $3{C}-Si{C}$",
3946   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
3947                  Pankratov",
3948   journal =      "Phys. Rev. B",
3949   volume =       "68",
3950   number =       "20",
3951   pages =        "205201",
3952   numpages =     "17",
3953   year =         "2003",
3954   month =        nov,
3955   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
3956   publisher =    "American Physical Society",
3957   notes =        "defect migration in sic",
3958 }
3959
3960 @Article{rauls03a,
3961   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
3962                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
3963   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
3964                  De\'ak",
3965   journal =      "Phys. Rev. B",
3966   volume =       "68",
3967   number =       "15",
3968   pages =        "155208",
3969   numpages =     "9",
3970   year =         "2003",
3971   month =        oct,
3972   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
3973   publisher =    "American Physical Society",
3974 }
3975
3976 @Article{losev27,
3977   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
3978   volume =       "44",
3979   pages =        "485--494",
3980   year =         "1927",
3981   author =       "O. V. Lossev",
3982 }
3983
3984 @Article{losev28,
3985   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
3986                  oscillations with crystals",
3987   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
3988   volume =       "6",
3989   number =       "39",
3990   pages =        "1024--1044",
3991   year =         "1928",
3992   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
3993   author =       "O. V. Lossev",
3994 }
3995
3996 @Article{losev29,
3997   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3998   volume =       "30",
3999   pages =        "920--923",
4000   year =         "1929",
4001   author =       "O. V. Lossev",
4002 }
4003
4004 @Article{losev31,
4005   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4006   volume =       "32",
4007   pages =        "692--696",
4008   year =         "1931",
4009   author =       "O. V. Lossev",
4010 }
4011
4012 @Article{losev33,
4013   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4014   volume =       "34",
4015   pages =        "397--403",
4016   year =         "1933",
4017   author =       "O. V. Lossev",
4018 }
4019
4020 @Article{round07,
4021   title =        "A note on carborundum",
4022   journal =      "Electrical World",
4023   volume =       "49",
4024   pages =        "308",
4025   year =         "1907",
4026   author =       "H. J. Round",
4027 }
4028
4029 @Article{vashishath08,
4030   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
4031   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
4032   volume =       "2",
4033   number =       "03",
4034   pages =        "444--470",
4035   year =         "2008",
4036   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
4037   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
4038   notes =        "sic polytype electronic properties",
4039 }
4040
4041 @Article{nelson69,
4042   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
4043   collaboration = "",
4044   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
4045   publisher =    "AIP",
4046   year =         "1966",
4047   journal =      "Journal of Applied Physics",
4048   volume =       "37",
4049   number =       "1",
4050   pages =        "333--336",
4051   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
4052   doi =          "10.1063/1.1707837",
4053   notes =        "sic melt growth",
4054 }
4055
4056 @Article{arkel25,
4057   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
4058   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
4059                  und Thoriummetall",
4060   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
4061   year =         "1925",
4062   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4063   volume =       "148",
4064   pages =        "345--350",
4065   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
4066   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
4067   notes =        "van arkel apparatus",
4068 }
4069
4070 @Article{moers31,
4071   author =       "K. Moers",
4072   year =         "1931",
4073   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4074   volume =       "198",
4075   pages =        "293",
4076   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4077                  process",
4078 }
4079
4080 @Article{kendall53,
4081   author =       "J. T. Kendall",
4082   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
4083   publisher =    "AIP",
4084   year =         "1953",
4085   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
4086   volume =       "21",
4087   number =       "5",
4088   pages =        "821--827",
4089   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
4090   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4091                  process",
4092 }
4093
4094 @Article{lely55,
4095   author =       "J. A. Lely",
4096   year =         "1955",
4097   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
4098   volume =       "32",
4099   pages =        "229",
4100   notes =        "lely sublimation growth process",
4101 }
4102
4103 @Article{knippenberg63,
4104   author =       "W. F. Knippenberg",
4105   year =         "1963",
4106   journal =      "Philips Res. Repts.",
4107   volume =       "18",
4108   pages =        "161",
4109   notes =        "acheson process",
4110 }
4111
4112 @Article{hoffmann82,
4113   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
4114                  Weyrich",
4115   collaboration = "",
4116   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
4117                  improved external quantum efficiency",
4118   publisher =    "AIP",
4119   year =         "1982",
4120   journal =      "Journal of Applied Physics",
4121   volume =       "53",
4122   number =       "10",
4123   pages =        "6962--6967",
4124   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
4125                  efficiency; visible radiation; experimental data;
4126                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
4127                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
4128                  electroluminescence; spectra; current density;
4129                  optimization",
4130   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
4131   doi =          "10.1063/1.330041",
4132   notes =        "blue led, sublimation process",
4133 }
4134
4135 @Article{neudeck95,
4136   author =       "Philip Neudeck",
4137   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
4138                  Road 44135 Cleveland OH",
4139   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
4140                  technology",
4141   journal =      "Journal of Electronic Materials",
4142   publisher =    "Springer Boston",
4143   ISSN =         "0361-5235",
4144   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
4145   pages =        "283--288",
4146   volume =       "24",
4147   issue =        "4",
4148   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
4149   note =         "10.1007/BF02659688",
4150   year =         "1995",
4151   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
4152 }
4153
4154 @Article{bhatnagar93,
4155   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
4156   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4157   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
4158                  devices",
4159   year =         "1993",
4160   month =        mar,
4161   volume =       "40",
4162   number =       "3",
4163   pages =        "645--655",
4164   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
4165                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
4166                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
4167                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
4168                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
4169                  solids;insulated gate field effect transistors;power
4170                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
4171                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
4172   doi =          "10.1109/16.199372",
4173   ISSN =         "0018-9383",
4174   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
4175 }
4176
4177 @Article{neudeck94,
4178   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
4179                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
4180   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4181   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
4182                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
4183                  6{H}-Si{C} substrates",
4184   year =         "1994",
4185   month =        may,
4186   volume =       "41",
4187   number =       "5",
4188   pages =        "826--835",
4189   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
4190                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
4191                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
4192                  properties;epitaxial layers;light
4193                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
4194                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
4195                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
4196                  currents;power electronics;semiconductor
4197                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
4198                  growth;semiconductor materials;silicon
4199                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
4200                  phase epitaxial growth;",
4201   doi =          "10.1109/16.285038",
4202   ISSN =         "0018-9383",
4203   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
4204                  substrate",
4205 }
4206
4207 @Article{schulze98,
4208   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
4209   collaboration = "",
4210   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
4211                  single crystals by physical vapor transport",
4212   publisher =    "AIP",
4213   year =         "1998",
4214   journal =      "Applied Physics Letters",
4215   volume =       "72",
4216   number =       "13",
4217   pages =        "1632--1634",
4218   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
4219                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
4220                  photoluminescence; Hall mobility",
4221   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
4222   doi =          "10.1063/1.121136",
4223   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
4224 }
4225
4226 @Article{pirouz87,
4227   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
4228   collaboration = "",
4229   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
4230   publisher =    "AIP",
4231   year =         "1987",
4232   journal =      "Applied Physics Letters",
4233   volume =       "50",
4234   number =       "4",
4235   pages =        "221--223",
4236   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
4237                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
4238                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
4239                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
4240                  BOUNDARIES",
4241   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
4242   doi =          "10.1063/1.97667",
4243   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
4244 }
4245
4246 @Article{shibahara86,
4247   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
4248                  Si(100) by chemical vapor deposition",
4249   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4250   volume =       "78",
4251   number =       "3",
4252   pages =        "538--544",
4253   year =         "1986",
4254   note =         "",
4255   ISSN =         "0022-0248",
4256   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
4257   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
4258   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
4259                  Matsunami",
4260   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
4261 }
4262
4263 @Article{desjardins96,
4264   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
4265   collaboration = "",
4266   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
4267   publisher =    "AIP",
4268   year =         "1996",
4269   journal =      "Journal of Applied Physics",
4270   volume =       "79",
4271   number =       "3",
4272   pages =        "1423--1434",
4273   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
4274                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
4275   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
4276   doi =          "10.1063/1.360980",
4277   notes =        "apb model",
4278 }
4279
4280 @Article{henke95,
4281   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
4282   collaboration = "",
4283   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
4284                  carbonization of silicon",
4285   publisher =    "AIP",
4286   year =         "1995",
4287   journal =      "Journal of Applied Physics",
4288   volume =       "78",
4289   number =       "3",
4290   pages =        "2070--2073",
4291   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
4292                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
4293                  STRUCTURE",
4294   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
4295   doi =          "10.1063/1.360184",
4296   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
4297 }
4298
4299 @Article{fuyuki89,
4300   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
4301                  {MBE} using surface superstructure",
4302   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4303   volume =       "95",
4304   number =       "1-4",
4305   pages =        "461--463",
4306   year =         "1989",
4307   note =         "",
4308   ISSN =         "0022-0248",
4309   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
4310   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
4311   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
4312                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
4313   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4314 }
4315
4316 @Article{yoshinobu92,
4317   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
4318                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4319   collaboration = "",
4320   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
4321                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
4322                  molecular beam epitaxy",
4323   publisher =    "AIP",
4324   year =         "1992",
4325   journal =      "Applied Physics Letters",
4326   volume =       "60",
4327   number =       "7",
4328   pages =        "824--826",
4329   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
4330                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
4331                  INTERFACE STRUCTURE",
4332   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
4333   doi =          "10.1063/1.107430",
4334   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4335 }
4336
4337 @Article{yoshinobu90,
4338   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
4339                  cubic Si{C}",
4340   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4341   volume =       "99",
4342   number =       "1-4",
4343   pages =        "520--524",
4344   year =         "1990",
4345   note =         "",
4346   ISSN =         "0022-0248",
4347   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
4348   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
4349   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
4350                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4351   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
4352 }
4353
4354 @Article{fuyuki93,
4355   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
4356                  superstructures in Si{C}",
4357   journal =      "Thin Solid Films",
4358   volume =       "225",
4359   number =       "1-2",
4360   pages =        "225--229",
4361   year =         "1993",
4362   note =         "",
4363   ISSN =         "0040-6090",
4364   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
4365   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
4366   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
4367                  Matsunami",
4368   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4369                  epitaxy, ale",
4370 }
4371
4372 @Article{hara93,
4373   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
4374                  growth of [beta]-Si{C}",
4375   journal =      "Thin Solid Films",
4376   volume =       "225",
4377   number =       "1-2",
4378   pages =        "240--243",
4379   year =         "1993",
4380   note =         "",
4381   ISSN =         "0040-6090",
4382   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
4383   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
4384   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
4385                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
4386   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4387                  epitaxy, ale",
4388 }
4389
4390 @Article{tanaka94,
4391   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
4392   collaboration = "",
4393   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
4394                  growth mode and polytype formation during gas-source
4395                  molecular beam epitaxy",
4396   publisher =    "AIP",
4397   year =         "1994",
4398   journal =      "Applied Physics Letters",
4399   volume =       "65",
4400   number =       "22",
4401   pages =        "2851--2853",
4402   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
4403                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
4404                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
4405                  FLOW; FLOW RATE",
4406   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
4407   doi =          "10.1063/1.112513",
4408   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
4409 }
4410
4411 @Article{fuyuki97,
4412   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
4413   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
4414                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
4415   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
4416   year =         "1997",
4417   journal =      "physica status solidi (b)",
4418   volume =       "202",
4419   pages =        "359--378",
4420   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
4421                  temperatures 750",
4422 }
4423
4424 @Article{takaoka98,
4425   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
4426   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4427   volume =       "183",
4428   number =       "1-2",
4429   pages =        "175--182",
4430   year =         "1998",
4431   note =         "",
4432   ISSN =         "0022-0248",
4433   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
4434   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
4435   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
4436   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
4437   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
4438   keywords =     "Silicon carbide",
4439   keywords =     "Silicon",
4440   keywords =     "Island growth",
4441   notes =        "lower temperature, 550-700",
4442 }
4443
4444 @Article{hatayama95,
4445   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
4446                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
4447                  molecular beam epitaxy",
4448   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4449   volume =       "150",
4450   number =       "Part 2",
4451   pages =        "934--938",
4452   year =         "1995",
4453   note =         "",
4454   ISSN =         "0022-0248",
4455   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
4456   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
4457   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
4458                  and Hiroyuki Matsunami",
4459 }
4460
4461 @Article{heine91,
4462   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
4463   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
4464                  Metastable Cubic Form",
4465   journal =      "Journal of the American Ceramic Society",
4466   volume =       "74",
4467   number =       "10",
4468   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
4469   ISSN =         "1551-2916",
4470   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4471   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4472   pages =        "2630--2633",
4473   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
4474                  calculations, stability",
4475   year =         "1991",
4476   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
4477                  polytype dft calculation refs",
4478 }
4479
4480 @Article{allendorf91,
4481   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
4482                  [beta]-silicon carbide",
4483   journal =      "Surface Science",
4484   volume =       "258",
4485   number =       "1-3",
4486   pages =        "177--189",
4487   year =         "1991",
4488   note =         "",
4489   ISSN =         "0039-6028",
4490   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
4491   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
4492   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
4493   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
4494 }
4495
4496 @Article{eaglesham93,
4497   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
4498                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
4499   collaboration = "",
4500   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
4501   publisher =    "AIP",
4502   year =         "1993",
4503   journal =      "Journal of Applied Physics",
4504   volume =       "74",
4505   number =       "11",
4506   pages =        "6615--6618",
4507   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
4508                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
4509                  DIFFUSION; ADSORPTION",
4510   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
4511   doi =          "10.1063/1.355101",
4512   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
4513                  mobility",
4514 }
4515
4516 @Article{newman85,
4517   author =       "Ronald C. Newman",
4518   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
4519   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4520   volume =       "59",
4521   number =       "",
4522   pages =        "403",
4523   year =         "1985",
4524   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
4525   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
4526   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
4527 }
4528
4529 @Article{newman61,
4530   title =        "The diffusivity of carbon in silicon",
4531   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
4532   volume =       "19",
4533   number =       "3-4",
4534   pages =        "230--234",
4535   year =         "1961",
4536   note =         "",
4537   ISSN =         "0022-3697",
4538   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(61)90032-4",
4539   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46M72R1-4D/2/9235472e4c0a95bf7b995769474f5fbd",
4540   author =       "R. C. Newman and J. Wakefield",
4541   notes =        "diffusivity of substitutional c in si",
4542 }
4543
4544 @Article{goesele85,
4545   author =       "U. Gösele",
4546   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
4547   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4548   volume =       "59",
4549   number =       "",
4550   pages =        "419",
4551   year =         "1985",
4552   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
4553   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
4554   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
4555 }
4556
4557 @Article{puska98,
4558   title =        "Convergence of supercell calculations for point
4559                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
4560   author =       "M. J. Puska and S. P{\"o}ykk{\"o} and M. Pesola and R.
4561                  M. Nieminen",
4562   journal =      "Phys. Rev. B",
4563   volume =       "58",
4564   number =       "3",
4565   pages =        "1318--1325",
4566   numpages =     "7",
4567   year =         "1998",
4568   month =        jul,
4569   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.1318",
4570   publisher =    "American Physical Society",
4571   notes =        "convergence k point supercell size, vacancy in
4572                  silicon",
4573 }
4574
4575 @Article{serre95,
4576   author =       "C. Serre and A. P\'{e}rez-Rodr\'{\i}guez and A.
4577                  Romano-Rodr\'{\i}guez and J. R. Morante and R.
4578                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
4579   collaboration = "",
4580   title =        "Spectroscopic characterization of phases formed by
4581                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
4582   publisher =    "AIP",
4583   year =         "1995",
4584   journal =      "Journal of Applied Physics",
4585   volume =       "77",
4586   number =       "7",
4587   pages =        "2978--2984",
4588   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; PHASE STUDIES; CARBON IONS;
4589                  FOURIER TRANSFORM SPECTROSCOPY; RAMAN SPECTRA;
4590                  PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; TEM; TEMPERATURE
4591                  DEPENDENCE; PRECIPITATES; ANNEALING",
4592   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
4593   doi =          "10.1063/1.358714",
4594 }