bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{newman65,
  44   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "26",
  47   number =       "2",
  48   pages =        "373--379",
  49   year =         "1965",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
  54   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
  55   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
  56 }
  57
  58 @Article{baker68,
  59   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
  60                  Buschert",
  61   collaboration = "",
  62   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
  63   publisher =    "AIP",
  64   year =         "1968",
  65   journal =      "Journal of Applied Physics",
  66   volume =       "39",
  67   number =       "9",
  68   pages =        "4365--4368",
  69   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
  70   doi =          "10.1063/1.1656977",
  71   notes =        "lattice contraction due to subst c",
  72 }
  73
  74 @Article{bean71,
  75   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  76   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  77   volume =       "32",
  78   number =       "6",
  79   pages =        "1211--1219",
  80   year =         "1971",
  81   note =         "",
  82   ISSN =         "0022-3697",
  83   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  84   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  85   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  86   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  87 }
  88
  89 @Article{capano97,
  90   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  91   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  92   journal =      "MRS Bull.",
  93   volume =       "22",
  94   pages =        "19",
  95   year =         "1997",
  96 }
  97
  98 @Article{fischer90,
  99   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
 100   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
 101                  carbide",
 102   journal =      "Philos. Mag. B",
 103   volume =       "61",
 104   pages =        "217--236",
 105   year =         "1990",
 106   notes =        "sic polytypes",
 107 }
 108
 109 @Article{koegler03,
 110   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
 111                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
 112                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
 113   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
 114                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
 115                  ions",
 116   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
 117   volume =       "76",
 118   pages =        "827--835",
 119   month =        mar,
 120   year =         "2003",
 121   URL =          "http://www.springerlink.com/content/jr8xj33mqc5vpwwj/",
 122   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
 123                  precipitation by interstitial and substitutional
 124                  carbon, both mechanisms explained + refs",
 125 }
 126
 127 @Article{skorupa96,
 128   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
 129                  silicon-related materials",
 130   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
 131   volume =       "44",
 132   number =       "2",
 133   pages =        "101--143",
 134   year =         "1996",
 135   note =         "",
 136   ISSN =         "0254-0584",
 137   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 138   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 139   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 140   notes =        "review of silicon carbon compound",
 141 }
 142
 143 @Book{laplace,
 144   author =       "P. S. de Laplace",
 145   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 146   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 147   volume =       "VII",
 148   publisher =    "Gauthier-Villars",
 149   year =         "1820",
 150 }
 151
 152 @Article{mattoni2007,
 153   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 154   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 155                  materials}",
 156   journal =      "Phys. Rev. B",
 157   year =         "2007",
 158   month =        dec,
 159   volume =       "76",
 160   number =       "22",
 161   pages =        "224103",
 162   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 163   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 164                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 165                  fracture, more available potentials, universal energy
 166                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 167 }
 168
 169 @Article{balamane92,
 170   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 171                  potentials",
 172   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 173   journal =      "Phys. Rev. B",
 174   volume =       "46",
 175   number =       "4",
 176   pages =        "2250--2279",
 177   numpages =     "29",
 178   year =         "1992",
 179   month =        jul,
 180   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 181   publisher =    "American Physical Society",
 182   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 183 }
 184
 185 @Article{koster2002,
 186   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 187                  bombardment",
 188   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 189   journal =      "Phys. Rev. B",
 190   volume =       "62",
 191   number =       "16",
 192   pages =        "11219--11224",
 193   numpages =     "5",
 194   year =         "2000",
 195   month =        oct,
 196   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 197   publisher =    "American Physical Society",
 198   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 199 }
 200
 201 @Article{breadmore99,
 202   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 203                  amorphization of silicon",
 204   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 205   journal =      "Phys. Rev. B",
 206   volume =       "60",
 207   number =       "18",
 208   pages =        "12610--12616",
 209   numpages =     "6",
 210   year =         "1999",
 211   month =        nov,
 212   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 213   publisher =    "American Physical Society",
 214   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 215 }
 216
 217 @Article{nielsen83,
 218   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 219   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 220   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 221   volume =       "50",
 222   number =       "9",
 223   pages =        "697--700",
 224   numpages =     "3",
 225   year =         "1983",
 226   month =        feb,
 227   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 228   publisher =    "American Physical Society",
 229   notes =        "generalization of virial theorem",
 230 }
 231
 232 @Article{nielsen85,
 233   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 234   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 235   journal =      "Phys. Rev. B",
 236   volume =       "32",
 237   number =       "6",
 238   pages =        "3780--3791",
 239   numpages =     "11",
 240   year =         "1985",
 241   month =        sep,
 242   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 243   publisher =    "American Physical Society",
 244   notes =        "dft virial stress and forces",
 245 }
 246
 247 @Article{moissan04,
 248   author =       "Henri Moissan",
 249   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 250                  Diablo",
 251   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 252   volume =       "139",
 253   pages =        "773--786",
 254   year =         "1904",
 255 }
 256
 257 @Book{park98,
 258   author =       "Y. S. Park",
 259   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 260   publisher =    "Academic Press",
 261   address =      "San Diego",
 262   year =         "1998",
 263 }
 264
 265 @Article{tsvetkov98,
 266   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 267                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 268   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 269   journal =      "Materials Science Forum",
 270   volume =       "264-268",
 271   pages =        "3--8",
 272   year =         "1998",
 273   notes =        "modified lely process, micropipes",
 274 }
 275
 276 @Article{verlet67,
 277   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 278                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 279   author =       "Loup Verlet",
 280   journal =      "Phys. Rev.",
 281   volume =       "159",
 282   number =       "1",
 283   pages =        "98",
 284   year =         "1967",
 285   month =        jul,
 286   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 287   publisher =    "American Physical Society",
 288   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 289                  motion",
 290 }
 291
 292 @Article{berendsen84,
 293   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 294                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 295   collaboration = "",
 296   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 297   publisher =    "AIP",
 298   year =         "1984",
 299   journal =      "J. Chem. Phys.",
 300   volume =       "81",
 301   number =       "8",
 302   pages =        "3684--3690",
 303   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 304                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 305   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 306   doi =          "10.1063/1.448118",
 307   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 308 }
 309
 310 @Article{huang95,
 311   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 312                  Baskes",
 313   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 314                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 315                  potentials",
 316   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 317   volume =       "3",
 318   number =       "5",
 319   pages =        "615--627",
 320   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 321   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 322                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 323   year =         "1995",
 324 }
 325
 326 @Article{brenner89,
 327   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 328                  Tersoff potentials",
 329   author =       "Donald W. Brenner",
 330   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 331   volume =       "63",
 332   number =       "9",
 333   pages =        "1022",
 334   numpages =     "1",
 335   year =         "1989",
 336   month =        aug,
 337   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 338   publisher =    "American Physical Society",
 339   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 340 }
 341
 342 @Article{batra87,
 343   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 344                  silicon",
 345   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 346   journal =      "Phys. Rev. B",
 347   volume =       "35",
 348   number =       "18",
 349   pages =        "9552--9558",
 350   numpages =     "6",
 351   year =         "1987",
 352   month =        jun,
 353   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 354   publisher =    "American Physical Society",
 355   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 356                  calculation of defect formation energy, defect
 357                  interstitial types",
 358 }
 359
 360 @Article{schober89,
 361   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 362   author =       "H. R. Schober",
 363   journal =      "Phys. Rev. B",
 364   volume =       "39",
 365   number =       "17",
 366   pages =        "13013--13015",
 367   numpages =     "2",
 368   year =         "1989",
 369   month =        jun,
 370   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 371   publisher =    "American Physical Society",
 372   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 373                  dumbbell configuration",
 374 }
 375
 376 @Article{gao02a,
 377   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 378                  Defect accumulation, topological features, and
 379                  disordering",
 380   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 381   journal =      "Phys. Rev. B",
 382   volume =       "66",
 383   number =       "2",
 384   pages =        "024106",
 385   numpages =     "10",
 386   year =         "2002",
 387   month =        jul,
 388   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 389   publisher =    "American Physical Society",
 390   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 391                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 392                  result analyze",
 393 }
 394
 395 @Article{devanathan98,
 396   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 397                  cascade in Si{C}",
 398   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 399   volume =       "141",
 400   number =       "1-4",
 401   pages =        "118--122",
 402   year =         "1998",
 403   ISSN =         "0168-583X",
 404   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 405   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 406                  Rubia",
 407   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 408                  3c-sic",
 409 }
 410
 411 @Article{devanathan98_2,
 412   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 413   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 414   volume =       "253",
 415   number =       "1-3",
 416   pages =        "47--52",
 417   year =         "1998",
 418   ISSN =         "0022-3115",
 419   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 420   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 421                  Weber",
 422   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 423                  tersoff",
 424 }
 425
 426 @Article{kitabatake00,
 427   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 428   author =       "M. Kitabatake",
 429   journal =      "Thin Solid Films",
 430   volume =       "369",
 431   pages =        "257--264",
 432   numpages =     "8",
 433   year =         "2000",
 434   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 435 }
 436
 437 @Article{tang97,
 438   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 439                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 440                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 441                  formation volumes",
 442   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 443                  Rubia",
 444   journal =      "Phys. Rev. B",
 445   volume =       "55",
 446   number =       "21",
 447   pages =        "14279--14289",
 448   numpages =     "10",
 449   year =         "1997",
 450   month =        jun,
 451   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 452   publisher =    "American Physical Society",
 453   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 454 }
 455
 456 @Article{johnson98,
 457   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 458                  Rubia",
 459   collaboration = "",
 460   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 461                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 462                  presence of carbon and boron",
 463   publisher =    "AIP",
 464   year =         "1998",
 465   journal =      "J. Appl. Phys.",
 466   volume =       "84",
 467   number =       "4",
 468   pages =        "1963--1967",
 469   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 470                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 471                  semiconductors; self-diffusion",
 472   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 473   doi =          "10.1063/1.368328",
 474   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 475                  diffsuion",
 476 }
 477
 478 @Article{bar-yam84,
 479   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 480                  Self-Interstitial",
 481   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 482   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 483   volume =       "52",
 484   number =       "13",
 485   pages =        "1129--1132",
 486   numpages =     "3",
 487   year =         "1984",
 488   month =        mar,
 489   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 490   publisher =    "American Physical Society",
 491   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 492 }
 493
 494 @Article{bar-yam84_2,
 495   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 496                  barriers of silicon self-interstitials",
 497   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 498   journal =      "Phys. Rev. B",
 499   volume =       "30",
 500   number =       "4",
 501   pages =        "1844--1852",
 502   numpages =     "8",
 503   year =         "1984",
 504   month =        aug,
 505   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 506   publisher =    "American Physical Society",
 507 }
 508
 509 @Article{bloechl93,
 510   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 511                  constants in silicon",
 512   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 513                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 514   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 515   volume =       "70",
 516   number =       "16",
 517   pages =        "2435--2438",
 518   numpages =     "3",
 519   year =         "1993",
 520   month =        apr,
 521   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 522   publisher =    "American Physical Society",
 523   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 524                  entropy calculations",
 525 }
 526
 527 @Article{colombo02,
 528   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 529                  silicon",
 530   author =       "L. Colombo",
 531   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 532   volume =       "32",
 533   pages =        "271--295",
 534   numpages =     "25",
 535   year =         "2002",
 536   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 537   publisher =    "Annual Reviews",
 538   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 539 }
 540
 541 @Article{al-mushadani03,
 542   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 543                  silicon",
 544   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 545   journal =      "Phys. Rev. B",
 546   volume =       "68",
 547   number =       "23",
 548   pages =        "235205",
 549   numpages =     "8",
 550   year =         "2003",
 551   month =        dec,
 552   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 553   publisher =    "American Physical Society",
 554   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 555                  silicon, si self interstitials, free energy",
 556 }
 557
 558 @Article{goedecker02,
 559   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 560   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 561   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 562   volume =       "88",
 563   number =       "23",
 564   pages =        "235501",
 565   numpages =     "4",
 566   year =         "2002",
 567   month =        may,
 568   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 569   publisher =    "American Physical Society",
 570   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 571                  silicon",
 572 }
 573
 574 @Article{sahli05,
 575   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 576                  self-interstitial diffusion in silicon",
 577   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 578   journal =      "Phys. Rev. B",
 579   volume =       "72",
 580   number =       "24",
 581   pages =        "245210",
 582   numpages =     "6",
 583   year =         "2005",
 584   month =        dec,
 585   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 586   publisher =    "American Physical Society",
 587   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 588                  mapping applied",
 589 }
 590
 591 @Article{hobler05,
 592   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 593                  native point defects in silicon",
 594   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 595   volume =       "124-125",
 596   number =       "",
 597   pages =        "368--371",
 598   year =         "2005",
 599   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 600                  Issues for Future Technologies",
 601   ISSN =         "0921-5107",
 602   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 603   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 604   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 605   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 606                  radius",
 607 }
 608
 609 @Article{ma10,
 610   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 611                  wide temperature range: Point defect states and
 612                  migration mechanisms",
 613   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 614   journal =      "Phys. Rev. B",
 615   volume =       "81",
 616   number =       "19",
 617   pages =        "193203",
 618   numpages =     "4",
 619   year =         "2010",
 620   month =        may,
 621   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 622   publisher =    "American Physical Society",
 623   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 624 }
 625
 626 @Article{posselt06,
 627   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 628                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 629   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 630   journal =      "Phys. Rev. B",
 631   volume =       "73",
 632   number =       "12",
 633   pages =        "125206",
 634   numpages =     "8",
 635   year =         "2006",
 636   month =        mar,
 637   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 638   publisher =    "American Physical Society",
 639 }
 640
 641 @Article{posselt08,
 642   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 643                  migration mechanisms of vacancies and
 644                  self-interstitials: An atomistic study",
 645   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 646   journal =      "Phys. Rev. B",
 647   volume =       "78",
 648   number =       "3",
 649   pages =        "035208",
 650   numpages =     "9",
 651   year =         "2008",
 652   month =        jul,
 653   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 654   publisher =    "American Physical Society",
 655   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 656                  weber and tersoff",
 657 }
 658
 659 @Article{gao2001,
 660   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 661                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 662   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 663                  Corrales",
 664   journal =      "Phys. Rev. B",
 665   volume =       "64",
 666   number =       "24",
 667   pages =        "245208",
 668   numpages =     "7",
 669   year =         "2001",
 670   month =        dec,
 671   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 672   publisher =    "American Physical Society",
 673   notes =        "defects in 3c-sic",
 674 }
 675
 676 @Article{gao02,
 677   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 678                  3{C}-Si{C}",
 679   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 680   volume =       "191",
 681   number =       "1-4",
 682   pages =        "487--496",
 683   year =         "2002",
 684   note =         "",
 685   ISSN =         "0168-583X",
 686   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 687   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 688   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 689   keywords =     "Empirical potential",
 690   keywords =     "Defect properties",
 691   keywords =     "Silicon carbide",
 692   keywords =     "Computer simulation",
 693   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 694 }
 695
 696 @Article{gao04,
 697   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 698                  3{C}-Si{C}",
 699   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 700                  Belko",
 701   journal =      "Phys. Rev. B",
 702   volume =       "69",
 703   number =       "24",
 704   pages =        "245205",
 705   numpages =     "5",
 706   year =         "2004",
 707   month =        jun,
 708   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 709   publisher =    "American Physical Society",
 710   notes =        "defect migration in sic",
 711 }
 712
 713 @Article{gao07,
 714   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 715                  W. J. Weber",
 716   collaboration = "",
 717   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 718                  in cubic silicon carbide",
 719   publisher =    "AIP",
 720   year =         "2007",
 721   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 722   volume =       "90",
 723   number =       "22",
 724   eid =          "221915",
 725   numpages =     "3",
 726   pages =        "221915",
 727   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 728                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 729                  dynamics method; density functional theory;
 730                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 731                  impurities; diffusion",
 732   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 733   doi =          "10.1063/1.2743751",
 734 }
 735
 736 @Article{mattoni2002,
 737   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 738                  crystalline silicon",
 739   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 740   journal =      "Phys. Rev. B",
 741   volume =       "66",
 742   number =       "19",
 743   pages =        "195214",
 744   numpages =     "6",
 745   year =         "2002",
 746   month =        nov,
 747   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 748   publisher =    "American Physical Society",
 749   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 750                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 751                  tersoff suitability",
 752 }
 753
 754 @Article{leung99,
 755   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 756   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 757                  Itoh and S. Ihara",
 758   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 759   volume =       "83",
 760   number =       "12",
 761   pages =        "2351--2354",
 762   numpages =     "3",
 763   year =         "1999",
 764   month =        sep,
 765   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 766   publisher =    "American Physical Society",
 767   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 768                  refs",
 769 }
 770
 771 @Article{capaz94,
 772   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 773                  carbon in silicon",
 774   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 775   journal =      "Phys. Rev. B",
 776   volume =       "50",
 777   number =       "11",
 778   pages =        "7439--7442",
 779   numpages =     "3",
 780   year =         "1994",
 781   month =        sep,
 782   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 783   publisher =    "American Physical Society",
 784   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 785                  dumbbell",
 786 }
 787
 788 @Article{capaz98,
 789   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 790   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 791   journal =      "Phys. Rev. B",
 792   volume =       "58",
 793   number =       "15",
 794   pages =        "9845--9850",
 795   numpages =     "5",
 796   year =         "1998",
 797   month =        oct,
 798   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 799   publisher =    "American Physical Society",
 800   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 801 }
 802
 803 @Article{song90_2,
 804   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 805                  pair in silicon",
 806   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 807                  Watkins",
 808   journal =      "Phys. Rev. B",
 809   volume =       "42",
 810   number =       "9",
 811   pages =        "5765--5783",
 812   numpages =     "18",
 813   year =         "1990",
 814   month =        sep,
 815   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 816   publisher =    "American Physical Society",
 817   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 818 }
 819
 820 @Article{liu02,
 821   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 822                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 823   collaboration = "",
 824   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 825                  interactions in Si",
 826   publisher =    "AIP",
 827   year =         "2002",
 828   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 829   volume =       "80",
 830   number =       "1",
 831   pages =        "52--54",
 832   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 833                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 834                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 835   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 836   doi =          "10.1063/1.1430505",
 837   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 838 }
 839
 840 @Article{dal_pino93,
 841   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 842                  silicon",
 843   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 844                  Joannopoulos",
 845   journal =      "Phys. Rev. B",
 846   volume =       "47",
 847   number =       "19",
 848   pages =        "12554--12557",
 849   numpages =     "3",
 850   year =         "1993",
 851   month =        may,
 852   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 853   publisher =    "American Physical Society",
 854   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 855 }
 856
 857 @Article{car84,
 858   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 859                  Silicon",
 860   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 861                  Sokrates T. Pantelides",
 862   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 863   volume =       "52",
 864   number =       "20",
 865   pages =        "1814--1817",
 866   numpages =     "3",
 867   year =         "1984",
 868   month =        may,
 869   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 870   publisher =    "American Physical Society",
 871   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 872                  path formation",
 873 }
 874
 875 @Article{car85,
 876   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 877                  Density-Functional Theory",
 878   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 879   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 880   volume =       "55",
 881   number =       "22",
 882   pages =        "2471--2474",
 883   numpages =     "3",
 884   year =         "1985",
 885   month =        nov,
 886   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 887   publisher =    "American Physical Society",
 888   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 889 }
 890
 891 @Article{kelires97,
 892   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 893                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 894   author =       "P. C. Kelires",
 895   journal =      "Phys. Rev. B",
 896   volume =       "55",
 897   number =       "14",
 898   pages =        "8784--8787",
 899   numpages =     "3",
 900   year =         "1997",
 901   month =        apr,
 902   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 903   publisher =    "American Physical Society",
 904   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 905                  neighbour dist",
 906 }
 907
 908 @Article{kelires95,
 909   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 910                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 911   author =       "P. C. Kelires",
 912   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 913   volume =       "75",
 914   number =       "6",
 915   pages =        "1114--1117",
 916   numpages =     "3",
 917   year =         "1995",
 918   month =        aug,
 919   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 920   publisher =    "American Physical Society",
 921   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 922 }
 923
 924 @Article{bean70,
 925   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 926                  containing carbon",
 927   journal =      "Solid State Communications",
 928   volume =       "8",
 929   number =       "3",
 930   pages =        "175--177",
 931   year =         "1970",
 932   note =         "",
 933   ISSN =         "0038-1098",
 934   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 935   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 936   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 937 }
 938
 939 @Article{durand99,
 940   author =       "F. Durand and J. Duby",
 941   affiliation =  "EPM-Madylam, CNRS and INP Grenoble, France",
 942   title =        "Carbon solubility in solid and liquid silicon—{A}
 943                  review with reference to eutectic equilibrium",
 944   journal =      "Journal of Phase Equilibria",
 945   publisher =    "Springer New York",
 946   ISSN =         "1054-9714",
 947   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
 948   pages =        "61--63",
 949   volume =       "20",
 950   issue =        "1",
 951   URL =          "http://dx.doi.org/10.1361/105497199770335956",
 952   note =         "10.1361/105497199770335956",
 953   year =         "1999",
 954   notes =        "better c solubility limit in silicon",
 955 }
 956
 957 @Article{watkins76,
 958   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 959                  Atom in Silicon",
 960   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 961   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 962   volume =       "36",
 963   number =       "22",
 964   pages =        "1329--1332",
 965   numpages =     "3",
 966   year =         "1976",
 967   month =        may,
 968   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 969   publisher =    "American Physical Society",
 970   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 971                  silicon",
 972 }
 973
 974 @Article{song90,
 975   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 976                  interstitial carbon in silicon",
 977   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 978   journal =      "Phys. Rev. B",
 979   volume =       "42",
 980   number =       "9",
 981   pages =        "5759--5764",
 982   numpages =     "5",
 983   year =         "1990",
 984   month =        sep,
 985   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 986   publisher =    "American Physical Society",
 987   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 988 }
 989
 990 @Article{tipping87,
 991   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 992   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 993                  silicon",
 994   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
 995   volume =       "2",
 996   number =       "5",
 997   pages =        "315--317",
 998   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 999   year =         "1987",
1000   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
1001                  silicon",
1002 }
1003
1004 @Article{isomae93,
1005   author =       "Seiichi Isomae and Tsutomu Ishiba and Toshio Ando and
1006                  Masao Tamura",
1007   collaboration = "",
1008   title =        "Annealing behavior of Me{V} implanted carbon in
1009                  silicon",
1010   publisher =    "AIP",
1011   year =         "1993",
1012   journal =      "Journal of Applied Physics",
1013   volume =       "74",
1014   number =       "6",
1015   pages =        "3815--3820",
1016   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; WAFERS; CARBON IONS; MEV
1017                  RANGE 0110; TEM; SIMS; INFRARED SPECTRA; STRAINS; DEPTH
1018                  PROFILES",
1019   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/3815/1",
1020   doi =          "10.1063/1.354474",
1021   notes =        "c at interstitial location for rt implantation in si",
1022 }
1023
1024 @Article{strane96,
1025   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
1026                  ion implantation and solid phase epitaxy",
1027   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
1028                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1029   journal =      "J. Appl. Phys.",
1030   volume =       "79",
1031   pages =        "637",
1032   year =         "1996",
1033   month =        jan,
1034   doi =          "10.1063/1.360806",
1035   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
1036 }
1037
1038 @Article{laveant2002,
1039   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1040   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1041   volume =       "89",
1042   number =       "1-3",
1043   pages =        "241--245",
1044   year =         "2002",
1045   ISSN =         "0921-5107",
1046   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1047   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1048   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1049                  G{\"{o}}sele",
1050   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1051                  stress, avoid sic precipitation",
1052 }
1053
1054 @Article{foell77,
1055   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1056                  agglomeration of self-interstitials",
1057   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1058   volume =       "40",
1059   number =       "1",
1060   pages =        "90--108",
1061   year =         "1977",
1062   note =         "",
1063   ISSN =         "0022-0248",
1064   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1065   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1066   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1067   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1068                  agglomerate",
1069 }
1070
1071 @Article{foell81,
1072   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1073                  defects",
1074   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1075   volume =       "52",
1076   number =       "Part 2",
1077   pages =        "907--916",
1078   year =         "1981",
1079   note =         "",
1080   ISSN =         "0022-0248",
1081   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1082   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1083   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1084   notes =        "swirl review",
1085 }
1086
1087 @Article{werner97,
1088   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1089                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1090   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1091                  silicon by transmission electron microscopy",
1092   publisher =    "AIP",
1093   year =         "1997",
1094   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1095   volume =       "70",
1096   number =       "2",
1097   pages =        "252--254",
1098   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1099                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1100                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1101                  layers; precipitation",
1102   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1103   doi =          "10.1063/1.118381",
1104   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1105                  precipitate",
1106 }
1107
1108 @InProceedings{werner96,
1109   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1110                  Eichler",
1111   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
1112                  International Conference on",
1113   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1114                  implanted silicon",
1115   year =         "1996",
1116   month =        jun,
1117   volume =       "",
1118   number =       "",
1119   pages =        "675--678",
1120   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1121   ISSN =         "",
1122   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1123 }
1124
1125 @Article{werner98,
1126   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1127                  D. C. Jacobson",
1128   collaboration = "",
1129   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1130   publisher =    "AIP",
1131   year =         "1998",
1132   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1133   volume =       "73",
1134   number =       "17",
1135   pages =        "2465--2467",
1136   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1137                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1138                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1139                  impurity distribution",
1140   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1141   doi =          "10.1063/1.122483",
1142   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1143 }
1144
1145 @Article{kalejs84,
1146   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1147   collaboration = "",
1148   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1149                  silicon",
1150   publisher =    "AIP",
1151   year =         "1984",
1152   journal =      "Applied Physics Letters",
1153   volume =       "45",
1154   number =       "3",
1155   pages =        "268--269",
1156   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1157                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1158                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1159   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1160   doi =          "10.1063/1.95167",
1161   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1162 }
1163
1164 @Article{fukami90,
1165   author =       "Akira Fukami and Ken-ichi Shoji and Takahiro Nagano
1166                  and Cary Y. Yang",
1167   collaboration = "",
1168   title =        "Characterization of SiGe/Si heterostructures formed by
1169                  Ge[sup + ] and {C}[sup + ] implantation",
1170   publisher =    "AIP",
1171   year =         "1990",
1172   journal =      "Applied Physics Letters",
1173   volume =       "57",
1174   number =       "22",
1175   pages =        "2345--2347",
1176   keywords =     "HETEROJUNCTIONS; ION IMPLANTATION; HETEROSTRUCTURES;
1177                  FABRICATION; PN JUNCTIONS; LEAKAGE CURRENT; GERMANIUM
1178                  SILICIDES; SILICON; ELECTRICAL PROPERTIES; SOLIDPHASE
1179                  EPITAXY; CARBON IONS; GERMANIUM IONS",
1180   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/57/2345/1",
1181   doi =          "10.1063/1.103888",
1182 }
1183
1184 @Article{strane93,
1185   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and B. L.
1186                  Doyle and S. T. Picraux and J. W. Mayer",
1187   collaboration = "",
1188   title =        "Metastable SiGe{C} formation by solid phase epitaxy",
1189   publisher =    "AIP",
1190   year =         "1993",
1191   journal =      "Applied Physics Letters",
1192   volume =       "63",
1193   number =       "20",
1194   pages =        "2786--2788",
1195   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; TERNARY ALLOY
1196                  SYSTEMS; EPITAXY; ION IMPLANTATION; METASTABLE STATES;
1197                  ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; RUTHERFORD
1198                  SCATTERING; XRAY DIFFRACTION; STRAINS; SOLIDPHASE
1199                  EPITAXY; AMORPHIZATION",
1200   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/63/2786/1",
1201   doi =          "10.1063/1.110334",
1202 }
1203
1204 @article{goorsky92,
1205 author = {M. S. Goorsky and S. S. Iyer and K. Eberl and F. Legoues and J. Angilello and F. Cardone},
1206 collaboration = {},
1207 title = {Thermal stability of Si[sub 1 - x]C[sub x]/Si strained layer superlattices},
1208 publisher = {AIP},
1209 year = {1992},
1210 journal = {Applied Physics Letters},
1211 volume = {60},
1212 number = {22},
1213 pages = {2758-2760},
1214 keywords = {SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SUPERLATTICES; ANNEALING; CHEMICAL COMPOSITION; INTERNAL STRAINS; STRESS RELAXATION; THERMAL INSTABILITIES; INTERFACE STRUCTURE; DIFFUSION; PRECIPITATION; TEMPERATURE EFFECTS},
1215 url = {http://link.aip.org/link/?APL/60/2758/1},
1216 doi = {10.1063/1.106868}
1217 }
1218
1219 @Article{strane94,
1220   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1221                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1222   collaboration = "",
1223   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1224                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1225   publisher =    "AIP",
1226   year =         "1994",
1227   journal =      "J. Appl. Phys.",
1228   volume =       "76",
1229   number =       "6",
1230   pages =        "3656--3668",
1231   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1232   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1233   doi =          "10.1063/1.357429",
1234   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1235                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1236                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1237                  energy",
1238 }
1239
1240 @Article{fischer95,
1241   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1242                  Osten",
1243   collaboration = "",
1244   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1245                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1246   publisher =    "AIP",
1247   year =         "1995",
1248   journal =      "J. Appl. Phys.",
1249   volume =       "77",
1250   number =       "5",
1251   pages =        "1934--1937",
1252   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1253                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1254                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1255                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1256   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1257   doi =          "10.1063/1.358826",
1258 }
1259
1260 @Article{edgar92,
1261   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1262                  semiconductors",
1263   author =       "J. H. Edgar",
1264   journal =      "J. Mater. Res.",
1265   volume =       "7",
1266   pages =        "235",
1267   year =         "1992",
1268   month =        jan,
1269   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1270   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1271                  polytypes",
1272 }
1273
1274 @Article{zirkelbach2007,
1275   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1276                  process leading to ordered precipitate structures",
1277   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1278                  and B. Stritzker",
1279   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1280   volume =       "257",
1281   number =       "1--2",
1282   pages =        "75--79",
1283   numpages =     "5",
1284   year =         "2007",
1285   month =        apr,
1286   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1287   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1288                  NETHERLANDS",
1289 }
1290
1291 @Article{zirkelbach2006,
1292   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1293                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1294                  during ion irradiation",
1295   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1296                  and B. Stritzker",
1297   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1298   volume =       "242",
1299   number =       "1--2",
1300   pages =        "679--682",
1301   numpages =     "4",
1302   year =         "2006",
1303   month =        jan,
1304   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1305   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1306                  NETHERLANDS",
1307 }
1308
1309 @Article{zirkelbach2005,
1310   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1311                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1312                  ion irradiation",
1313   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1314                  and B. Stritzker",
1315   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1316   volume =       "33",
1317   number =       "1--3",
1318   pages =        "310--316",
1319   numpages =     "7",
1320   year =         "2005",
1321   month =        apr,
1322   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1323   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1324                  NETHERLANDS",
1325 }
1326
1327 @Article{zirkelbach09,
1328   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1329                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1330   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1331   volume =       "159-160",
1332   number =       "",
1333   pages =        "149--152",
1334   year =         "2009",
1335   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1336                  Silicon Materials Research for Electronic and
1337                  Photovoltaic Applications",
1338   ISSN =         "0921-5107",
1339   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1340   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1341   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1342                  B. Stritzker",
1343   keywords =     "Silicon",
1344   keywords =     "Carbon",
1345   keywords =     "Silicon carbide",
1346   keywords =     "Nucleation",
1347   keywords =     "Defect formation",
1348   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1349 }
1350
1351 @Article{zirkelbach10,
1352   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1353                  classical potentials and first-principles methods",
1354   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1355                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1356   journal =      "Phys. Rev. B",
1357   volume =       "82",
1358   number =       "9",
1359   pages =        "094110",
1360   numpages =     "6",
1361   year =         "2010",
1362   month =        sep,
1363   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1364   publisher =    "American Physical Society",
1365 }
1366
1367 @Article{zirkelbach11a,
1368   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1369                  silicon",
1370   journal =      "to be published",
1371   volume =       "",
1372   number =       "",
1373   pages =        "",
1374   year =         "2011",
1375   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and J. K. N. Lindner
1376                  and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1377 }
1378
1379 @Article{zirkelbach11b,
1380   title =        "...",
1381   journal =      "to be published",
1382   volume =       "",
1383   number =       "",
1384   pages =        "",
1385   year =         "2011",
1386   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1387                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1388 }
1389
1390 @Article{lindner95,
1391   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1392                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1393   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1394                  Layers in Silicon",
1395   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
1396   volume =       "354",
1397   number =       "",
1398   pages =        "171",
1399   year =         "1994",
1400   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1401   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1402   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400420853",
1403   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1404 }
1405
1406 @Article{lindner96,
1407   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1408                  in silicon by ion beam synthesis",
1409   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
1410   volume =       "46",
1411   number =       "2-3",
1412   pages =        "147--155",
1413   year =         "1996",
1414   note =         "",
1415   ISSN =         "0254-0584",
1416   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1417   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1418   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1419                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1420                  Stritzker",
1421   notes =        "dose window",
1422 }
1423
1424 @Article{calcagno96,
1425   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1426                  ion implantation",
1427   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1428                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1429   volume =       "120",
1430   number =       "1-4",
1431   pages =        "121--124",
1432   year =         "1996",
1433   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1434                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1435   ISSN =         "0168-583X",
1436   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1437   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1438   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1439                  Grimaldi and P. Musumeci",
1440   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1441 }
1442
1443 @Article{lindner98,
1444   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1445                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1446   journal =      "Materials Science Forum",
1447   volume =       "264-268",
1448   pages =        "215--218",
1449   year =         "1998",
1450   note =         "",
1451   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1452   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1453   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1454   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1455                  crystallinity",
1456 }
1457
1458 @Article{lindner99,
1459   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1460                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1461                  layers in silicon",
1462   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1463   volume =       "147",
1464   number =       "1-4",
1465   pages =        "249--255",
1466   year =         "1999",
1467   note =         "",
1468   ISSN =         "0168-583X",
1469   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1470   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1471   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1472   notes =        "two-step implantation process",
1473 }
1474
1475 @Article{lindner99_2,
1476   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1477                  in silicon",
1478   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1479   volume =       "148",
1480   number =       "1-4",
1481   pages =        "528--533",
1482   year =         "1999",
1483   ISSN =         "0168-583X",
1484   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1485   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1486   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1487   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1488 }
1489
1490 @Article{lindner01,
1491   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1492                  Basic physical processes",
1493   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1494   volume =       "178",
1495   number =       "1-4",
1496   pages =        "44--54",
1497   year =         "2001",
1498   note =         "",
1499   ISSN =         "0168-583X",
1500   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1501   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1502   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1503 }
1504
1505 @Article{lindner02,
1506   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1507                  fundamental studies for new technological tricks",
1508   author =       "J. K. N. Lindner",
1509   journal =      "Appl. Phys. A",
1510   volume =       "77",
1511   pages =        "27--38",
1512   year =         "2003",
1513   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1514   notes =        "ibs, burried sic layers",
1515 }
1516
1517 @Article{lindner06,
1518   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1519                  formation and displacive precipitate resolution in the
1520                  {C}-Si system",
1521   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1522   volume =       "26",
1523   number =       "5-7",
1524   pages =        "857--861",
1525   year =         "2006",
1526   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1527                  Applications",
1528   ISSN =         "0928-4931",
1529   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1530   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1531   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1532                  and B. Stritzker",
1533   notes =        "c int diffusion barrier",
1534 }
1535
1536 @Article{ito04,
1537   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1538                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1539                  growth",
1540   journal =      "Applied Surface Science",
1541   volume =       "238",
1542   number =       "1-4",
1543   pages =        "159--164",
1544   year =         "2004",
1545   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1546   ISSN =         "0169-4332",
1547   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1548   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1549   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1550                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1551   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1552 }
1553
1554 @Article{yamamoto04,
1555   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1556                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1557                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1558   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1559   volume =       "261",
1560   number =       "2-3",
1561   pages =        "266--270",
1562   year =         "2004",
1563   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1564                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1565   ISSN =         "0022-0248",
1566   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1567   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1568   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1569                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1570   notes =        "gan on 3c-sic",
1571 }
1572
1573 @Article{liu_l02,
1574   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1575   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1576   volume =       "37",
1577   number =       "3",
1578   pages =        "61--127",
1579   year =         "2002",
1580   note =         "",
1581   ISSN =         "0927-796X",
1582   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1583   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1584   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1585   notes =        "gan substrates",
1586 }
1587
1588 @Article{takeuchi91,
1589   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1590                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1591   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1592   volume =       "115",
1593   number =       "1-4",
1594   pages =        "634--638",
1595   year =         "1991",
1596   note =         "",
1597   ISSN =         "0022-0248",
1598   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1599   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1600   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1601                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1602   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1603 }
1604
1605 @Article{alder57,
1606   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1607   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1608   publisher =    "AIP",
1609   year =         "1957",
1610   journal =      "J. Chem. Phys.",
1611   volume =       "27",
1612   number =       "5",
1613   pages =        "1208--1209",
1614   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1615   doi =          "10.1063/1.1743957",
1616 }
1617
1618 @Article{alder59,
1619   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1620   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1621   publisher =    "AIP",
1622   year =         "1959",
1623   journal =      "J. Chem. Phys.",
1624   volume =       "31",
1625   number =       "2",
1626   pages =        "459--466",
1627   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1628   doi =          "10.1063/1.1730376",
1629 }
1630
1631 @Article{abell85,
1632   title = {Empirical chemical pseudopotential theory of molecular and metallic bonding},
1633   author = {Abell, G. C.},
1634   journal = {Phys. Rev. B},
1635   volume = {31},
1636   number = {10},
1637   pages = {6184--6196},
1638   numpages = {12},
1639   year = {1985},
1640   month = {May},
1641   doi = {10.1103/PhysRevB.31.6184},
1642   publisher = {American Physical Society}
1643 }
1644
1645 @Article{tersoff_si1,
1646   title =        "New empirical model for the structural properties of
1647                  silicon",
1648   author =       "J. Tersoff",
1649   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1650   volume =       "56",
1651   number =       "6",
1652   pages =        "632--635",
1653   numpages =     "3",
1654   year =         "1986",
1655   month =        feb,
1656   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1657   publisher =    "American Physical Society",
1658 }
1659
1660 @Article{tersoff_si2,
1661   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1662                  covalent systems",
1663   author =       "J. Tersoff",
1664   journal =      "Phys. Rev. B",
1665   volume =       "37",
1666   number =       "12",
1667   pages =        "6991--7000",
1668   numpages =     "9",
1669   year =         "1988",
1670   month =        apr,
1671   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1672   publisher =    "American Physical Society",
1673 }
1674
1675 @Article{tersoff_si3,
1676   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1677                  improved elastic properties",
1678   author =       "J. Tersoff",
1679   journal =      "Phys. Rev. B",
1680   volume =       "38",
1681   number =       "14",
1682   pages =        "9902--9905",
1683   numpages =     "3",
1684   year =         "1988",
1685   month =        nov,
1686   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1687   publisher =    "American Physical Society",
1688 }
1689
1690 @Article{tersoff_c,
1691   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1692                  Applications to Amorphous Carbon",
1693   author =       "J. Tersoff",
1694   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1695   volume =       "61",
1696   number =       "25",
1697   pages =        "2879--2882",
1698   numpages =     "3",
1699   year =         "1988",
1700   month =        dec,
1701   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1702   publisher =    "American Physical Society",
1703 }
1704
1705 @Article{tersoff_m,
1706   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1707                  for multicomponent systems",
1708   author =       "J. Tersoff",
1709   journal =      "Phys. Rev. B",
1710   volume =       "39",
1711   number =       "8",
1712   pages =        "5566--5568",
1713   numpages =     "2",
1714   year =         "1989",
1715   month =        mar,
1716   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1717   publisher =    "American Physical Society",
1718 }
1719
1720 @Article{tersoff90,
1721   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1722   author =       "J. Tersoff",
1723   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1724   volume =       "64",
1725   number =       "15",
1726   pages =        "1757--1760",
1727   numpages =     "3",
1728   year =         "1990",
1729   month =        apr,
1730   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1731   publisher =    "American Physical Society",
1732 }
1733
1734 @Article{fahey89,
1735   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1736   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1737   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1738   volume =       "61",
1739   number =       "2",
1740   pages =        "289--384",
1741   numpages =     "95",
1742   year =         "1989",
1743   month =        apr,
1744   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1745   publisher =    "American Physical Society",
1746 }
1747
1748 @Article{wesch96,
1749   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1750   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1751   volume =       "116",
1752   number =       "1-4",
1753   pages =        "305--321",
1754   year =         "1996",
1755   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1756   ISSN =         "0168-583X",
1757   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1758   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1759   author =       "W. Wesch",
1760 }
1761
1762 @Article{davis91,
1763   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
1764                  Palmour and J. A. Edmond",
1765   journal =      "Proceedings of the IEEE",
1766   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
1767                  optoelectronic device fabrication and characterization
1768                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
1769   year =         "1991",
1770   month =        may,
1771   volume =       "79",
1772   number =       "5",
1773   pages =        "677--701",
1774   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
1775                  diode;SiC;dry etching;electrical
1776                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
1777                  device fabrication;solid-state devices;surface
1778                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
1779                  transistors;Schottky-barrier
1780                  diodes;etching;heterojunction bipolar
1781                  transistors;insulated gate field effect
1782                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
1783                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
1784   doi =          "10.1109/5.90132",
1785   ISSN =         "0018-9219",
1786   notes =        "sic growth methods",
1787 }
1788
1789 @Article{morkoc94,
1790   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1791                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1792   collaboration = "",
1793   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1794                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1795   publisher =    "AIP",
1796   year =         "1994",
1797   journal =      "J. Appl. Phys.",
1798   volume =       "76",
1799   number =       "3",
1800   pages =        "1363--1398",
1801   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1802                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1803                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1804                  FILMS; INDUSTRY",
1805   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1806   doi =          "10.1063/1.358463",
1807   notes =        "sic intro, properties",
1808 }
1809
1810 @Article{foo,
1811   author =       "Noch Unbekannt",
1812   title =        "How to find references",
1813   journal =      "Journal of Applied References",
1814   year =         "2009",
1815   volume =       "77",
1816   pages =        "1--23",
1817 }
1818
1819 @Article{tang95,
1820   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1821                  \beta{}-Si{C}",
1822   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1823   journal =      "Phys. Rev. B",
1824   volume =       "52",
1825   number =       "21",
1826   pages =        "15150--15159",
1827   numpages =     "9",
1828   year =         "1995",
1829   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1830   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1831                  tersoff reparametrization",
1832   publisher =    "American Physical Society",
1833 }
1834
1835 @Article{sarro00,
1836   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1837   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1838   volume =       "82",
1839   number =       "1-3",
1840   pages =        "210--218",
1841   year =         "2000",
1842   ISSN =         "0924-4247",
1843   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1844   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1845   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1846   keywords =     "MEMS",
1847   keywords =     "Silicon carbide",
1848   keywords =     "Micromachining",
1849   keywords =     "Mechanical stress",
1850 }
1851
1852 @Article{casady96,
1853   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1854                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1855                  review",
1856   journal =      "Solid-State Electronics",
1857   volume =       "39",
1858   number =       "10",
1859   pages =        "1409--1422",
1860   year =         "1996",
1861   ISSN =         "0038-1101",
1862   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1863   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1864   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1865   notes =        "sic intro",
1866 }
1867
1868 @Article{giancarli98,
1869   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1870                  structural material in fusion power reactor blankets",
1871   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1872   volume =       "41",
1873   number =       "1-4",
1874   pages =        "165--171",
1875   year =         "1998",
1876   ISSN =         "0920-3796",
1877   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1878   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1879   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1880                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1881 }
1882
1883 @Article{pensl93,
1884   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1885   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1886   volume =       "185",
1887   number =       "1-4",
1888   pages =        "264--283",
1889   year =         "1993",
1890   ISSN =         "0921-4526",
1891   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1892   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1893   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1894 }
1895
1896 @Article{tairov78,
1897   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1898                  carbide single crystals",
1899   journal =      "J. Cryst. Growth",
1900   volume =       "43",
1901   number =       "2",
1902   pages =        "209--212",
1903   year =         "1978",
1904   notes =        "modified lely process",
1905   ISSN =         "0022-0248",
1906   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1907   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1908   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1909 }
1910
1911 @Article{tairov81,
1912   title =        "General principles of growing large-size single
1913                  crystals of various silicon carbide polytypes",
1914   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1915   volume =       "52",
1916   number =       "Part 1",
1917   pages =        "146--150",
1918   year =         "1981",
1919   note =         "",
1920   ISSN =         "0022-0248",
1921   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
1922   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
1923   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1924 }
1925
1926 @Article{barrett91,
1927   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
1928   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1929   volume =       "109",
1930   number =       "1-4",
1931   pages =        "17--23",
1932   year =         "1991",
1933   note =         "",
1934   ISSN =         "0022-0248",
1935   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
1936   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
1937   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
1938                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
1939 }
1940
1941 @Article{barrett93,
1942   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
1943   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1944   volume =       "128",
1945   number =       "1-4",
1946   pages =        "358--362",
1947   year =         "1993",
1948   note =         "",
1949   ISSN =         "0022-0248",
1950   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
1951   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
1952   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
1953                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
1954                  W. J. Choyke",
1955 }
1956
1957 @Article{stein93,
1958   title =        "Control of polytype formation by surface energy
1959                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
1960                  sublimation method",
1961   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1962   volume =       "131",
1963   number =       "1-2",
1964   pages =        "71--74",
1965   year =         "1993",
1966   note =         "",
1967   ISSN =         "0022-0248",
1968   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
1969   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
1970   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
1971   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
1972 }
1973
1974 @Article{nishino83,
1975   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1976                  Will",
1977   collaboration = "",
1978   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1979                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1980   publisher =    "AIP",
1981   year =         "1983",
1982   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1983   volume =       "42",
1984   number =       "5",
1985   pages =        "460--462",
1986   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1987                  monocrystals",
1988   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1989   doi =          "10.1063/1.93970",
1990   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1991 }
1992
1993 @Article{nishino87,
1994   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1995                  and Hiroyuki Matsunami",
1996   collaboration = "",
1997   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1998                  Si{C} on silicon",
1999   publisher =    "AIP",
2000   year =         "1987",
2001   journal =      "J. Appl. Phys.",
2002   volume =       "61",
2003   number =       "10",
2004   pages =        "4889--4893",
2005   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
2006   doi =          "10.1063/1.338355",
2007   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
2008                  carbonization",
2009 }
2010
2011 @Article{powell87,
2012   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
2013                  Kuczmarski",
2014   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
2015                  Single-Crystal Films on Si",
2016   publisher =    "ECS",
2017   year =         "1987",
2018   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
2019   volume =       "134",
2020   number =       "6",
2021   pages =        "1558--1565",
2022   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
2023                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
2024   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
2025   doi =          "10.1149/1.2100708",
2026   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
2027 }
2028
2029 @Article{powell87_2,
2030   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
2031                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
2032   collaboration = "",
2033   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
2034                  off-axis Si substrates",
2035   publisher =    "AIP",
2036   year =         "1987",
2037   journal =      "Applied Physics Letters",
2038   volume =       "51",
2039   number =       "11",
2040   pages =        "823--825",
2041   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
2042                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
2043                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
2044                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
2045                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
2046   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
2047   doi =          "10.1063/1.98824",
2048   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
2049 }
2050
2051 @Article{ueda90,
2052   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
2053   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2054   volume =       "104",
2055   number =       "3",
2056   pages =        "695--700",
2057   year =         "1990",
2058   note =         "",
2059   ISSN =         "0022-0248",
2060   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
2061   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
2062   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
2063                  Matsunami",
2064   notes =        "step-controlled epitaxy model",
2065 }
2066
2067 @Article{kimoto93,
2068   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
2069                  and Hiroyuki Matsunami",
2070   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
2071                  epitaxy",
2072   publisher =    "AIP",
2073   year =         "1993",
2074   journal =      "J. Appl. Phys.",
2075   volume =       "73",
2076   number =       "2",
2077   pages =        "726--732",
2078   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
2079                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
2080                  VAPOR DEPOSITION",
2081   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
2082   doi =          "10.1063/1.353329",
2083   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
2084 }
2085
2086 @Article{powell90_2,
2087   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2088                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2089                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2090   collaboration = "",
2091   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
2092                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2093   publisher =    "AIP",
2094   year =         "1990",
2095   journal =      "Applied Physics Letters",
2096   volume =       "56",
2097   number =       "15",
2098   pages =        "1442--1444",
2099   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2100                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
2101                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
2102                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
2103   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
2104   doi =          "10.1063/1.102492",
2105   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
2106 }
2107
2108 @Article{kong88_2,
2109   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2110   collaboration = "",
2111   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2112                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2113                  substrates",
2114   publisher =    "AIP",
2115   year =         "1988",
2116   journal =      "Journal of Applied Physics",
2117   volume =       "64",
2118   number =       "5",
2119   pages =        "2672--2679",
2120   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2121                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2122                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2123                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2124                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2125   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2126   doi =          "10.1063/1.341608",
2127 }
2128
2129 @Article{powell90,
2130   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2131                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2132                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2133   collaboration = "",
2134   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2135                  6{H}-Si{C} substrates",
2136   publisher =    "AIP",
2137   year =         "1990",
2138   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2139   volume =       "56",
2140   number =       "14",
2141   pages =        "1353--1355",
2142   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2143                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2144                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2145                  PHASE EPITAXY",
2146   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2147   doi =          "10.1063/1.102512",
2148   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2149 }
2150
2151 @Article{kong88,
2152   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2153                  Rozgonyi and K. L. More",
2154   collaboration = "",
2155   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2156                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2157                  substrates",
2158   publisher =    "AIP",
2159   year =         "1988",
2160   journal =      "Journal of Applied Physics",
2161   volume =       "63",
2162   number =       "8",
2163   pages =        "2645--2650",
2164   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2165                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2166                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2167                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2168                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2169   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2170   doi =          "10.1063/1.341004",
2171 }
2172
2173 @Article{powell91,
2174   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2175                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2176                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2177   collaboration = "",
2178   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2179                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2180   publisher =    "AIP",
2181   year =         "1991",
2182   journal =      "Applied Physics Letters",
2183   volume =       "59",
2184   number =       "3",
2185   pages =        "333--335",
2186   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2187                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2188                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2189   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2190   doi =          "10.1063/1.105587",
2191 }
2192
2193 @Article{yuan95,
2194   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2195                  Thokala and M. J. Loboda",
2196   collaboration = "",
2197   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2198                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2199                  silacyclobutane",
2200   publisher =    "AIP",
2201   year =         "1995",
2202   journal =      "J. Appl. Phys.",
2203   volume =       "78",
2204   number =       "2",
2205   pages =        "1271--1273",
2206   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2207                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2208                  SPECTROPHOTOMETRY",
2209   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2210   doi =          "10.1063/1.360368",
2211   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2212 }
2213
2214 @Article{kaneda87,
2215   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2216                  properties of its p-n junction",
2217   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2218   volume =       "81",
2219   number =       "1-4",
2220   pages =        "536--542",
2221   year =         "1987",
2222   note =         "",
2223   ISSN =         "0022-0248",
2224   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2225   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2226   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2227                  and Takao Tanaka",
2228   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2229 }
2230
2231 @Article{fissel95,
2232   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2233                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2234                  molecular beam epitaxy",
2235   journal =      "J. Cryst. Growth",
2236   volume =       "154",
2237   number =       "1-2",
2238   pages =        "72--80",
2239   year =         "1995",
2240   ISSN =         "0022-0248",
2241   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2242   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2243   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2244                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2245   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2246 }
2247
2248 @Article{fissel95_apl,
2249   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2250   collaboration = "",
2251   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2252                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2253   publisher =    "AIP",
2254   year =         "1995",
2255   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2256   volume =       "66",
2257   number =       "23",
2258   pages =        "3182--3184",
2259   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2260                  RHEED; NUCLEATION",
2261   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2262   doi =          "10.1063/1.113716",
2263   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2264 }
2265
2266 @Article{fissel96,
2267   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2268                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2269   collaboration = "",
2270   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2271                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2272                  level using surface superstructures",
2273   publisher =    "AIP",
2274   year =         "1996",
2275   journal =      "Applied Physics Letters",
2276   volume =       "68",
2277   number =       "9",
2278   pages =        "1204--1206",
2279   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2280                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2281                  SURFACE STRUCTURE",
2282   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2283   doi =          "10.1063/1.115969",
2284   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2285 }
2286
2287 @Article{righi03,
2288   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2289   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2290                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2291   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2292   volume =       "91",
2293   number =       "13",
2294   pages =        "136101",
2295   numpages =     "4",
2296   year =         "2003",
2297   month =        sep,
2298   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2299   publisher =    "American Physical Society",
2300   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2301 }
2302
2303 @Article{borders71,
2304   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2305   collaboration = "",
2306   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2307                  {IMPLANTATION}",
2308   publisher =    "AIP",
2309   year =         "1971",
2310   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2311   volume =       "18",
2312   number =       "11",
2313   pages =        "509--511",
2314   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2315   doi =          "10.1063/1.1653516",
2316   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2317                  ideas",
2318 }
2319
2320 @Article{edelman76,
2321   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2322                  and E. V. Lubopytova",
2323   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2324                  by ion implantation",
2325   publisher =    "Taylor \& Francis",
2326   year =         "1976",
2327   journal =      "Radiation Effects",
2328   volume =       "29",
2329   number =       "1",
2330   pages =        "13--15",
2331   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2332   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2333                  single crystalline",
2334 }
2335
2336 @Article{akimchenko80,
2337   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2338                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2339   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2340                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2341   publisher =    "Taylor \& Francis",
2342   year =         "1980",
2343   journal =      "Radiation Effects",
2344   volume =       "48",
2345   number =       "1",
2346   pages =        "7",
2347   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2348   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2349 }
2350
2351 @Article{kimura81,
2352   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2353                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2354                  silicon",
2355   journal =      "Thin Solid Films",
2356   volume =       "81",
2357   number =       "4",
2358   pages =        "319--327",
2359   year =         "1981",
2360   note =         "",
2361   ISSN =         "0040-6090",
2362   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2363   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2364   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2365                  Yugo",
2366 }
2367
2368 @Article{kimura82,
2369   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2370                  the implantation of carbon ions into silicon",
2371   journal =      "Thin Solid Films",
2372   volume =       "94",
2373   number =       "3",
2374   pages =        "191--198",
2375   year =         "1982",
2376   note =         "",
2377   ISSN =         "0040-6090",
2378   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2379   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2380   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2381                  Yugo",
2382 }
2383
2384 @Article{reeson86,
2385   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2386                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2387                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2388   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2389                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2390   publisher =    "Taylor \& Francis",
2391   year =         "1986",
2392   journal =      "Radiation Effects",
2393   volume =       "99",
2394   number =       "1",
2395   pages =        "71--81",
2396   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2397   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or
2398                  time, no c redistribution",
2399 }
2400
2401 @Article{reeson87,
2402   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2403                  J. Davis and G. E. Celler",
2404   collaboration = "",
2405   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2406                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2407   publisher =    "AIP",
2408   year =         "1987",
2409   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2410   volume =       "51",
2411   number =       "26",
2412   pages =        "2242--2244",
2413   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2414                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2415   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2416   doi =          "10.1063/1.98953",
2417   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2418 }
2419
2420 @Article{martin90,
2421   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2422                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2423   collaboration = "",
2424   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2425   publisher =    "AIP",
2426   year =         "1990",
2427   journal =      "Journal of Applied Physics",
2428   volume =       "67",
2429   number =       "6",
2430   pages =        "2908--2912",
2431   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2432                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2433                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2434                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2435                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2436                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2437   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2438   doi =          "10.1063/1.346092",
2439   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2440                  temepratures",
2441 }
2442
2443 @Article{scace59,
2444   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2445   collaboration = "",
2446   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2447   publisher =    "AIP",
2448   year =         "1959",
2449   journal =      "J. Chem. Phys.",
2450   volume =       "30",
2451   number =       "6",
2452   pages =        "1551--1555",
2453   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2454   doi =          "10.1063/1.1730236",
2455   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2456 }
2457
2458 @Article{hofker74,
2459   author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
2460                  Koeman",
2461   affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
2462                  Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
2463                  Netherlands",
2464   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
2465                  charge carrier and boron concentration profiles",
2466   journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
2467   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
2468   ISSN =         "0947-8396",
2469   keyword =      "Physics and Astronomy",
2470   pages =        "125--133",
2471   volume =       "4",
2472   issue =        "2",
2473   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
2474   note =         "10.1007/BF00884267",
2475   year =         "1974",
2476   notes =        "first time ted (only for boron?)",
2477 }
2478
2479 @Article{michel87,
2480   author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
2481                  H. Kastl",
2482   collaboration = "",
2483   title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
2484                  implanted boron into silicon",
2485   publisher =    "AIP",
2486   year =         "1987",
2487   journal =      "Applied Physics Letters",
2488   volume =       "50",
2489   number =       "7",
2490   pages =        "416--418",
2491   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
2492                  BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
2493                  HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
2494   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
2495   doi =          "10.1063/1.98160",
2496   notes =        "ted of boron in si",
2497 }
2498
2499 @Article{cowern90,
2500   author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
2501                  Jos",
2502   collaboration = "",
2503   title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
2504                  time, and matrix dependence of atomic and electrical
2505                  profiles",
2506   publisher =    "AIP",
2507   year =         "1990",
2508   journal =      "Journal of Applied Physics",
2509   volume =       "68",
2510   number =       "12",
2511   pages =        "6191--6198",
2512   keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
2513                  DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
2514                  CRYSTALS; AMORPHIZATION",
2515   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
2516   doi =          "10.1063/1.346910",
2517   notes =        "ted of boron in si",
2518 }
2519
2520 @Article{cowern96,
2521   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2522                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2523   collaboration = "",
2524   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2525                  {B} in silicon",
2526   publisher =    "AIP",
2527   year =         "1996",
2528   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2529   volume =       "68",
2530   number =       "8",
2531   pages =        "1150--1152",
2532   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2533                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2534                  SILICON",
2535   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2536   doi =          "10.1063/1.115706",
2537   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2538 }
2539
2540 @Article{stolk95,
2541   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2542                  of the silicon self-interstitial",
2543   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2544   volume =       "96",
2545   number =       "1-2",
2546   pages =        "187--195",
2547   year =         "1995",
2548   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2549                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2550   ISSN =         "0168-583X",
2551   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2552   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2553   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2554                  and J. M. Poate",
2555 }
2556
2557 @Article{stolk97,
2558   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2559                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2560                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2561                  E. Haynes",
2562   collaboration = "",
2563   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2564                  diffusion in ion-implanted silicon",
2565   publisher =    "AIP",
2566   year =         "1997",
2567   journal =      "J. Appl. Phys.",
2568   volume =       "81",
2569   number =       "9",
2570   pages =        "6031--6050",
2571   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2572   doi =          "10.1063/1.364452",
2573   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2574 }
2575
2576 @Article{powell94,
2577   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2578   collaboration = "",
2579   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2580                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2581   publisher =    "AIP",
2582   year =         "1994",
2583   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2584   volume =       "64",
2585   number =       "3",
2586   pages =        "324--326",
2587   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2588                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2589                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2590                  SYNTHESIS",
2591   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2592   doi =          "10.1063/1.111195",
2593   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2594 }
2595
2596 @Article{soref91,
2597   author =       "Richard A. Soref",
2598   collaboration = "",
2599   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2600                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2601   publisher =    "AIP",
2602   year =         "1991",
2603   journal =      "J. Appl. Phys.",
2604   volume =       "70",
2605   number =       "4",
2606   pages =        "2470--2472",
2607   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2608                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2609                  TERNARY ALLOYS",
2610   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2611   doi =          "10.1063/1.349403",
2612   notes =        "band gap of strained si by c",
2613 }
2614
2615 @Article{kasper91,
2616   author =       "E Kasper",
2617   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2618                  possibility to produce direct band gap material",
2619   journal =      "Physica Scripta",
2620   volume =       "T35",
2621   pages =        "232--236",
2622   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2623   year =         "1991",
2624   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2625                  quasi-direct one",
2626 }
2627
2628 @Article{eberl92,
2629   author =       "K. Eberl and S. S. Iyer and S. Zollner and J. C. Tsang
2630                  and F. K. LeGoues",
2631   collaboration = "",
2632   title =        "Growth and strain compensation effects in the ternary
2633                  Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloy system",
2634   publisher =    "AIP",
2635   year =         "1992",
2636   journal =      "Applied Physics Letters",
2637   volume =       "60",
2638   number =       "24",
2639   pages =        "3033--3035",
2640   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; CARBON ALLOYS;
2641                  TERNARY ALLOYS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; MOLECULAR BEAM
2642                  EPITAXY; INTERNAL STRAINS; TEMPERATURE EFFECTS; CRYSTAL
2643                  STRUCTURE; LATTICE PARAMETERS; XRAY DIFFRACTION; PHASE
2644                  STUDIES",
2645   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/3033/1",
2646   doi =          "10.1063/1.106774",
2647 }
2648
2649 @Article{powell93,
2650   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and F. E. LeGoues and B. A.
2651                  Ek and S. S. Iyer",
2652   collaboration = "",
2653   title =        "Stability of strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random
2654                  alloy layers",
2655   publisher =    "AVS",
2656   year =         "1993",
2657   journal =      "J. Vac. Sci. Technol. B",
2658   volume =       "11",
2659   number =       "3",
2660   pages =        "1064--1068",
2661   location =     "Ottawa (Canada)",
2662   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; STRAINS; THICKNESS;
2663                  METASTABLE PHASES; TWINNING; DISLOCATIONS; MOLECULAR
2664                  BEAM EPITAXY; EPITAXIAL LAYERS; CRITICAL PHENOMENA;
2665                  TEMPERATURE RANGE 400--1000 K; BINARY ALLOYS",
2666   URL =          "http://link.aip.org/link/?JVB/11/1064/1",
2667   doi =          "10.1116/1.587008",
2668   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2669 }
2670
2671 @Article{powell93_2,
2672   title =        "Si[sub 1-x-y]Ge[sub x]{C}[sub y] growth and properties
2673                  of the ternary system",
2674   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2675   volume =       "127",
2676   number =       "1-4",
2677   pages =        "425--429",
2678   year =         "1993",
2679   note =         "",
2680   ISSN =         "0022-0248",
2681   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90653-E",
2682   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46J3RF2-8H/2/27fc231f28e4dc0a3b4770e5cf03257e",
2683   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and B. A. Ek and S. S.
2684                  Iyer",
2685 }
2686
2687 @Article{osten94,
2688   author =       "H. J. Osten",
2689   title =        "Modification of Growth Modes in Lattice-Mismatched
2690                  Epitaxial Systems: Si/Ge",
2691   journal =      "physica status solidi (a)",
2692   volume =       "145",
2693   number =       "2",
2694   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2695   ISSN =         "1521-396X",
2696   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211450203",
2697   doi =          "10.1002/pssa.2211450203",
2698   pages =        "235--245",
2699   year =         "1994",
2700 }
2701
2702 @Article{dietrich94,
2703   title =        "Lattice distortion in a strain-compensated
2704                  $Si_{1-x-y}$$Ge_{x}$${C}_{y}$ layer on silicon",
2705   author =       "B. Dietrich and H. J. Osten and H. R{\"u}cker and M.
2706                  Methfessel and P. Zaumseil",
2707   journal =      "Phys. Rev. B",
2708   volume =       "49",
2709   number =       "24",
2710   pages =        "17185--17190",
2711   numpages =     "5",
2712   year =         "1994",
2713   month =        jun,
2714   doi =          "10.1103/PhysRevB.49.17185",
2715   publisher =    "American Physical Society",
2716 }
2717
2718 @Article{osten94_2,
2719   author =       "H. J. Osten and E. Bugiel and P. Zaumseil",
2720   collaboration = "",
2721   title =        "Growth of an inverse tetragonal distorted SiGe layer
2722                  on Si(001) by adding small amounts of carbon",
2723   publisher =    "AIP",
2724   year =         "1994",
2725   journal =      "Applied Physics Letters",
2726   volume =       "64",
2727   number =       "25",
2728   pages =        "3440--3442",
2729   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; FILM GROWTH; CARBON
2730                  ALLOYS; TERNARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TEM;
2731                  XRD; LATTICE PARAMETERS; EPITAXIAL LAYERS; TETRAGONAL
2732                  LATTICES",
2733   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/3440/1",
2734   doi =          "10.1063/1.111235",
2735   notes =        "inversely strained / distorted heterostructure",
2736 }
2737
2738 @Article{iyer92,
2739   author =       "S. S. Iyer and K. Eberl and M. S. Goorsky and F. K.
2740                  LeGoues and J. C. Tsang and F. Cardone",
2741   collaboration = "",
2742   title =        "Synthesis of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys by
2743                  molecular beam epitaxy",
2744   publisher =    "AIP",
2745   year =         "1992",
2746   journal =      "Applied Physics Letters",
2747   volume =       "60",
2748   number =       "3",
2749   pages =        "356--358",
2750   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
2751                  SEMICONDUCTOR ALLOYS; SUPERLATTICES; MOLECULAR BEAM
2752                  EPITAXY; CHEMICAL COMPOSITION; TEMPERATURE EFFECTS;
2753                  FILM GROWTH; MICROSTRUCTURE",
2754   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/356/1",
2755   doi =          "10.1063/1.106655",
2756 }
2757
2758 @Article{osten99,
2759   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2760   collaboration = "",
2761   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2762                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2763                  molecular beam epitaxy",
2764   publisher =    "AIP",
2765   year =         "1999",
2766   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2767   volume =       "74",
2768   number =       "6",
2769   pages =        "836--838",
2770   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2771                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2772                  compounds",
2773   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2774   doi =          "10.1063/1.123384",
2775   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2776 }
2777
2778 @Article{hohenberg64,
2779   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2780   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2781   journal =      "Phys. Rev.",
2782   volume =       "136",
2783   number =       "3B",
2784   pages =        "B864--B871",
2785   numpages =     "7",
2786   year =         "1964",
2787   month =        nov,
2788   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2789   publisher =    "American Physical Society",
2790   notes =        "density functional theory, dft",
2791 }
2792
2793 @Article{kohn65,
2794   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2795                  Correlation Effects",
2796   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2797   journal =      "Phys. Rev.",
2798   volume =       "140",
2799   number =       "4A",
2800   pages =        "A1133--A1138",
2801   numpages =     "5",
2802   year =         "1965",
2803   month =        nov,
2804   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2805   publisher =    "American Physical Society",
2806   notes =        "dft, exchange and correlation",
2807 }
2808
2809 @Article{ruecker94,
2810   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
2811                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
2812   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
2813                  J. Osten",
2814   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2815   volume =       "72",
2816   number =       "22",
2817   pages =        "3578--3581",
2818   numpages =     "3",
2819   year =         "1994",
2820   month =        may,
2821   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
2822   publisher =    "American Physical Society",
2823   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
2824                  si, dft",
2825 }
2826
2827 @Article{yagi02,
2828   title =        "Phosphorous Doping of Strain-Induced
2829                  Si$_{1-y}${C}$_{y}$ Epitaxial Films Grown\\
2830                  by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition",
2831   author =       "Shuhei Yagi and Katsuya Abe and Takashi Okabayashi and
2832                  Yuichi Yoneyama and Akira Yamada and Makoto Konagai",
2833   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2834   volume =       "41",
2835   number =       "Part 1, No. 4B",
2836   pages =        "2472--2475",
2837   numpages =     "3",
2838   year =         "2002",
2839   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/41/2472/",
2840   doi =          "10.1143/JJAP.41.2472",
2841   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2842   notes =        "experimental charge carrier mobility in strained si",
2843 }
2844
2845 @Article{chang05,
2846   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
2847                  Alloy",
2848   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
2849   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2850   volume =       "44",
2851   number =       "4B",
2852   pages =        "2257--2262",
2853   numpages =     "5",
2854   year =         "2005",
2855   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
2856   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
2857   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2858   notes =        "enhance of electron mobility in strained si",
2859 }
2860
2861 @Article{kissinger94,
2862   author =       "W. Kissinger and M. Weidner and H. J. Osten and M.
2863                  Eichler",
2864   collaboration = "",
2865   title =        "Optical transitions in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub
2866                  y] layers on Si(001)",
2867   publisher =    "AIP",
2868   year =         "1994",
2869   journal =      "Applied Physics Letters",
2870   volume =       "65",
2871   number =       "26",
2872   pages =        "3356--3358",
2873   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERNAL STRAINS; EPITAXIAL LAYERS;
2874                  CHEMICAL COMPOSITION; ELLIPSOMETRY; REFLECTION
2875                  SPECTROSCOPY; ELECTROOPTICAL EFFECTS; BAND STRUCTURE;
2876                  ENERGY LEVELS; ENERGYLEVEL TRANSITIONS",
2877   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/3356/1",
2878   doi =          "10.1063/1.112390",
2879   notes =        "strained si influence on optical properties",
2880 }
2881
2882 @Article{osten96,
2883   author =       "H. J. Osten and Myeongcheol Kim and K. Pressel and P.
2884                  Zaumseil",
2885   collaboration = "",
2886   title =        "Substitutional versus interstitial carbon
2887                  incorporation during pseudomorphic growth of Si[sub 1 -
2888                  y]{C}[sub y] on Si(001)",
2889   publisher =    "AIP",
2890   year =         "1996",
2891   journal =      "Journal of Applied Physics",
2892   volume =       "80",
2893   number =       "12",
2894   pages =        "6711--6715",
2895   keywords =     "SILICON CARBIDES; CRYSTAL DEFECTS; FILM GROWTH;
2896                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; INTERSTITIALS; SUBSTITUTION;
2897                  XRD; STRAINS",
2898   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/80/6711/1",
2899   doi =          "10.1063/1.363797",
2900   notes =        "mbe substitutional vs interstitial c incorporation",
2901 }
2902
2903 @Article{osten97,
2904   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
2905   collaboration = "",
2906   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2907                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
2908                  Si(001)",
2909   publisher =    "AIP",
2910   year =         "1997",
2911   journal =      "J. Appl. Phys.",
2912   volume =       "82",
2913   number =       "10",
2914   pages =        "4977--4981",
2915   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
2916                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
2917                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
2918   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
2919   doi =          "10.1063/1.366364",
2920   notes =        "charge transport in strained si",
2921 }
2922
2923 @Article{kapur04,
2924   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
2925                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
2926   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
2927   journal =      "Phys. Rev. B",
2928   volume =       "69",
2929   number =       "15",
2930   pages =        "155214",
2931   numpages =     "8",
2932   year =         "2004",
2933   month =        apr,
2934   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
2935   publisher =    "American Physical Society",
2936   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
2937 }
2938
2939 @Article{barkema96,
2940   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
2941                  Systems",
2942   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
2943   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2944   volume =       "77",
2945   number =       "21",
2946   pages =        "4358--4361",
2947   numpages =     "3",
2948   year =         "1996",
2949   month =        nov,
2950   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
2951   publisher =    "American Physical Society",
2952   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
2953                  dynamic mds",
2954 }
2955
2956 @Article{cances09,
2957   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
2958                  Minoukadeh and F. Willaime",
2959   collaboration = "",
2960   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
2961                  technique method for finding transition pathways on
2962                  potential energy surfaces",
2963   publisher =    "AIP",
2964   year =         "2009",
2965   journal =      "J. Chem. Phys.",
2966   volume =       "130",
2967   number =       "11",
2968   eid =          "114711",
2969   numpages =     "6",
2970   pages =        "114711",
2971   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
2972                  surfaces; vacancies (crystal)",
2973   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
2974   doi =          "10.1063/1.3088532",
2975   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
2976                  transition pathways",
2977 }
2978
2979 @Article{parrinello81,
2980   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
2981   collaboration = "",
2982   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
2983                  molecular dynamics method",
2984   publisher =    "AIP",
2985   year =         "1981",
2986   journal =      "J. Appl. Phys.",
2987   volume =       "52",
2988   number =       "12",
2989   pages =        "7182--7190",
2990   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
2991                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
2992                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
2993                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
2994                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
2995                  IMPACT SHOCK",
2996   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2997   doi =          "10.1063/1.328693",
2998 }
2999
3000 @Article{stillinger85,
3001   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
3002                  of silicon",
3003   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
3004   journal =      "Phys. Rev. B",
3005   volume =       "31",
3006   number =       "8",
3007   pages =        "5262--5271",
3008   numpages =     "9",
3009   year =         "1985",
3010   month =        apr,
3011   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
3012   publisher =    "American Physical Society",
3013 }
3014
3015 @Article{brenner90,
3016   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
3017                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
3018                  films",
3019   author =       "Donald W. Brenner",
3020   journal =      "Phys. Rev. B",
3021   volume =       "42",
3022   number =       "15",
3023   pages =        "9458--9471",
3024   numpages =     "13",
3025   year =         "1990",
3026   month =        nov,
3027   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
3028   publisher =    "American Physical Society",
3029   notes =        "brenner hydro carbons",
3030 }
3031
3032 @Article{bazant96,
3033   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
3034                  Cohesive Energy Curves",
3035   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
3036   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3037   volume =       "77",
3038   number =       "21",
3039   pages =        "4370--4373",
3040   numpages =     "3",
3041   year =         "1996",
3042   month =        nov,
3043   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
3044   publisher =    "American Physical Society",
3045   notes =        "first si edip",
3046 }
3047
3048 @Article{bazant97,
3049   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
3050                  silicon",
3051   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
3052                  Justo",
3053   journal =      "Phys. Rev. B",
3054   volume =       "56",
3055   number =       "14",
3056   pages =        "8542--8552",
3057   numpages =     "10",
3058   year =         "1997",
3059   month =        oct,
3060   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
3061   publisher =    "American Physical Society",
3062   notes =        "second si edip",
3063 }
3064
3065 @Article{justo98,
3066   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
3067                  disordered phases",
3068   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
3069                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
3070   journal =      "Phys. Rev. B",
3071   volume =       "58",
3072   number =       "5",
3073   pages =        "2539--2550",
3074   numpages =     "11",
3075   year =         "1998",
3076   month =        aug,
3077   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
3078   publisher =    "American Physical Society",
3079   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
3080 }
3081
3082 @Article{parcas_md,
3083   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
3084   author =       "K. Nordlund",
3085   year =         "2008",
3086 }
3087
3088 @Article{voter97,
3089   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
3090                  Infrequent Events",
3091   author =       "Arthur F. Voter",
3092   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3093   volume =       "78",
3094   number =       "20",
3095   pages =        "3908--3911",
3096   numpages =     "3",
3097   year =         "1997",
3098   month =        may,
3099   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
3100   publisher =    "American Physical Society",
3101   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
3102 }
3103
3104 @Article{voter97_2,
3105   author =       "Arthur F. Voter",
3106   collaboration = "",
3107   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
3108                  simulation of infrequent events",
3109   publisher =    "AIP",
3110   year =         "1997",
3111   journal =      "J. Chem. Phys.",
3112   volume =       "106",
3113   number =       "11",
3114   pages =        "4665--4677",
3115   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
3116                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
3117                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
3118                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
3119                  theory; potential energy surfaces",
3120   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
3121   doi =          "10.1063/1.473503",
3122   notes =        "improved hyperdynamics md",
3123 }
3124
3125 @Article{sorensen2000,
3126   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
3127   collaboration = "",
3128   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
3129                  infrequent events",
3130   publisher =    "AIP",
3131   year =         "2000",
3132   journal =      "J. Chem. Phys.",
3133   volume =       "112",
3134   number =       "21",
3135   pages =        "9599--9606",
3136   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
3137                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
3138   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
3139   doi =          "10.1063/1.481576",
3140   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
3141 }
3142
3143 @Article{voter98,
3144   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
3145                  events",
3146   author =       "Arthur F. Voter",
3147   journal =      "Phys. Rev. B",
3148   volume =       "57",
3149   number =       "22",
3150   pages =        "R13985--R13988",
3151   numpages =     "3",
3152   year =         "1998",
3153   month =        jun,
3154   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
3155   publisher =    "American Physical Society",
3156   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
3157 }
3158
3159 @Article{wu99,
3160   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
3161   collaboration = "",
3162   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
3163                  simulation",
3164   publisher =    "AIP",
3165   year =         "1999",
3166   journal =      "J. Chem. Phys.",
3167   volume =       "110",
3168   number =       "19",
3169   pages =        "9401--9410",
3170   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
3171                  potential; crystallisation; liquid theory",
3172   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
3173   doi =          "10.1063/1.478948",
3174   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
3175                  systematic motion",
3176 }
3177
3178 @Article{choudhary05,
3179   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
3180   collaboration = "",
3181   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
3182                  to the production of amorphous silicon",
3183   publisher =    "AIP",
3184   year =         "2005",
3185   journal =      "J. Chem. Phys.",
3186   volume =       "122",
3187   number =       "15",
3188   eid =          "154509",
3189   numpages =     "8",
3190   pages =        "154509",
3191   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
3192                  amorphous semiconductors",
3193   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
3194   doi =          "10.1063/1.1878733",
3195   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
3196                  silicon",
3197 }
3198
3199 @Article{taylor93,
3200   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
3201   collaboration = "",
3202   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
3203                  difficult?",
3204   publisher =    "AIP",
3205   year =         "1993",
3206   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3207   volume =       "62",
3208   number =       "25",
3209   pages =        "3336--3338",
3210   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
3211                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
3212                  ENERGY",
3213   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
3214   doi =          "10.1063/1.109063",
3215   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
3216                  interstitials necessary for precipitation, volume
3217                  decrease, high interface energy",
3218 }
3219
3220 @Article{chaussende08,
3221   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
3222   journal =      "J. Cryst. Growth",
3223   volume =       "310",
3224   number =       "5",
3225   pages =        "976--981",
3226   year =         "2008",
3227   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
3228                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
3229   ISSN =         "0022-0248",
3230   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
3231   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
3232   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
3233                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
3234                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
3235                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
3236   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
3237                  metastable",
3238 }
3239
3240 @Article{chaussende07,
3241   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
3242   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
3243   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
3244   volume =       "40",
3245   number =       "20",
3246   pages =        "6150",
3247   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
3248   year =         "2007",
3249   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
3250                  modelling",
3251 }
3252
3253 @Article{feynman39,
3254   title =        "Forces in Molecules",
3255   author =       "R. P. Feynman",
3256   journal =      "Phys. Rev.",
3257   volume =       "56",
3258   number =       "4",
3259   pages =        "340--343",
3260   numpages =     "3",
3261   year =         "1939",
3262   month =        aug,
3263   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
3264   publisher =    "American Physical Society",
3265   notes =        "hellmann feynman forces",
3266 }
3267
3268 @Article{buczko00,
3269   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
3270                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
3271                  their Contrasting Properties",
3272   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
3273                  T. Pantelides",
3274   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3275   volume =       "84",
3276   number =       "5",
3277   pages =        "943--946",
3278   numpages =     "3",
3279   year =         "2000",
3280   month =        jan,
3281   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
3282   publisher =    "American Physical Society",
3283   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
3284 }
3285
3286 @Article{djurabekova08,
3287   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
3288                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
3289   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
3290   journal =      "Phys. Rev. B",
3291   volume =       "77",
3292   number =       "11",
3293   pages =        "115325",
3294   numpages =     "7",
3295   year =         "2008",
3296   month =        mar,
3297   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
3298   publisher =    "American Physical Society",
3299   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
3300                  angular distribution, coordination",
3301 }
3302
3303 @Article{wen09,
3304   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
3305                  W. Liang and J. Zou",
3306   collaboration = "",
3307   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
3308                  strain relaxation at highly lattice mismatched
3309                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
3310   publisher =    "AIP",
3311   year =         "2009",
3312   journal =      "J. Appl. Phys.",
3313   volume =       "106",
3314   number =       "7",
3315   eid =          "073522",
3316   numpages =     "8",
3317   pages =        "073522",
3318   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
3319                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
3320                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
3321                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
3322   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
3323   doi =          "10.1063/1.3234380",
3324   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
3325                  deconvolution, dislocation defects",
3326 }
3327
3328 @Article{kitabatake93,
3329   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
3330                  Hirao",
3331   collaboration = "",
3332   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
3333                  growth on Si(001) surface",
3334   publisher =    "AIP",
3335   year =         "1993",
3336   journal =      "J. Appl. Phys.",
3337   volume =       "74",
3338   number =       "7",
3339   pages =        "4438--4445",
3340   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
3341                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
3342                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
3343   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
3344   doi =          "10.1063/1.354385",
3345   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
3346                  model, interface",
3347 }
3348
3349 @Article{kitabatake97,
3350   author =       "Makoto Kitabatake",
3351   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
3352                  Heteroepitaxial Growth",
3353   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3354   year =         "1997",
3355   journal =      "physica status solidi (b)",
3356   volume =       "202",
3357   pages =        "405--420",
3358   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3359   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3360   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
3361 }
3362
3363 @Article{chirita97,
3364   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
3365                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
3366                  dynamics study",
3367   journal =      "Thin Solid Films",
3368   volume =       "294",
3369   number =       "1-2",
3370   pages =        "47--49",
3371   year =         "1997",
3372   note =         "",
3373   ISSN =         "0040-6090",
3374   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
3375   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
3376   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
3377   keywords =     "Strain relaxation",
3378   keywords =     "Interfaces",
3379   keywords =     "Thermal stability",
3380   keywords =     "Molecular dynamics",
3381   notes =        "tersoff sic/si interface study",
3382 }
3383
3384 @Article{cicero02,
3385   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
3386                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
3387   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
3388                  Catellani",
3389   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3390   volume =       "89",
3391   number =       "15",
3392   pages =        "156101",
3393   numpages =     "4",
3394   year =         "2002",
3395   month =        sep,
3396   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
3397   publisher =    "American Physical Society",
3398   notes =        "sic/si interface study",
3399 }
3400
3401 @Article{pizzagalli03,
3402   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
3403                  interface: Si{C}/Si(001)",
3404   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
3405                  Catellani",
3406   journal =      "Phys. Rev. B",
3407   volume =       "68",
3408   number =       "19",
3409   pages =        "195302",
3410   numpages =     "10",
3411   year =         "2003",
3412   month =        nov,
3413   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
3414   publisher =    "American Physical Society",
3415   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
3416 }
3417
3418 @Article{tang07,
3419   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
3420                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
3421                  electron microscopy",
3422   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
3423                  H. Zheng and J. W. Liang",
3424   journal =      "Phys. Rev. B",
3425   volume =       "75",
3426   number =       "18",
3427   pages =        "184103",
3428   numpages =     "7",
3429   year =         "2007",
3430   month =        may,
3431   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
3432   publisher =    "American Physical Society",
3433   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
3434                  si and c",
3435 }
3436
3437 @Article{hornstra58,
3438   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
3439   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
3440   volume =       "5",
3441   number =       "1-2",
3442   pages =        "129--141",
3443   year =         "1958",
3444   note =         "",
3445   ISSN =         "0022-3697",
3446   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
3447   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
3448   author =       "J. Hornstra",
3449   notes =        "dislocations in diamond lattice",
3450 }
3451
3452 @Article{deguchi92,
3453   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
3454                  Ion `Hot' Implantation",
3455   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
3456                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
3457   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3458   volume =       "31",
3459   number =       "Part 1, No. 2A",
3460   pages =        "343--347",
3461   numpages =     "4",
3462   year =         "1992",
3463   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
3464   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
3465   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3466   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
3467                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
3468 }
3469
3470 @Article{eichhorn99,
3471   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
3472                  K{\"{o}}gler",
3473   collaboration = "",
3474   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
3475                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
3476                  synchrotron x-ray diffraction",
3477   publisher =    "AIP",
3478   year =         "1999",
3479   journal =      "J. Appl. Phys.",
3480   volume =       "86",
3481   number =       "8",
3482   pages =        "4184--4187",
3483   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
3484                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
3485                  precipitation; semiconductor doping",
3486   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
3487   doi =          "10.1063/1.371344",
3488   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
3489                  expansion of si lattice",
3490 }
3491
3492 @Article{eichhorn02,
3493   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
3494                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
3495   collaboration = "",
3496   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
3497                  carbon ion implantation",
3498   publisher =    "AIP",
3499   year =         "2002",
3500   journal =      "J. Appl. Phys.",
3501   volume =       "91",
3502   number =       "3",
3503   pages =        "1287--1292",
3504   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
3505                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
3506                  electron microscopy",
3507   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
3508   doi =          "10.1063/1.1428105",
3509   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
3510                  temperature, might explain c into c sub trafo",
3511 }
3512
3513 @Article{lucas10,
3514   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
3515   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
3516                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
3517                  high-pressure phases, point and extended defects, and
3518                  amorphous structures",
3519   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3520   volume =       "22",
3521   number =       "3",
3522   pages =        "035802",
3523   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
3524   year =         "2010",
3525   notes =        "edip sic",
3526 }
3527
3528 @Article{godet03,
3529   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
3530                  Beauchamp",
3531   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
3532                  methods for silicon under large shear",
3533   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3534   volume =       "15",
3535   number =       "41",
3536   pages =        "6943",
3537   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
3538   year =         "2003",
3539   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
3540                  edip, tersoff, ab initio",
3541 }
3542
3543 @Article{moriguchi98,
3544   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
3545                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
3546   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
3547   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3548   volume =       "37",
3549   number =       "Part 1, No. 2",
3550   pages =        "414--422",
3551   numpages =     "8",
3552   year =         "1998",
3553   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
3554   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
3555   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3556   notes =        "tersoff stringent test",
3557 }
3558
3559 @Article{mazzarolo01,
3560   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
3561                  simulations",
3562   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
3563                  Lulli and Eros Albertazzi",
3564   journal =      "Phys. Rev. B",
3565   volume =       "63",
3566   number =       "19",
3567   pages =        "195207",
3568   numpages =     "4",
3569   year =         "2001",
3570   month =        apr,
3571   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
3572   publisher =    "American Physical Society",
3573 }
3574
3575 @Article{holmstroem08,
3576   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
3577                  density functional theory molecular dynamics
3578                  simulations",
3579   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
3580   journal =      "Phys. Rev. B",
3581   volume =       "78",
3582   number =       "4",
3583   pages =        "045202",
3584   numpages =     "6",
3585   year =         "2008",
3586   month =        jul,
3587   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
3588   publisher =    "American Physical Society",
3589   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
3590                  initio",
3591 }
3592
3593 @Article{nordlund97,
3594   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
3595                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
3596   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3597   volume =       "132",
3598   number =       "1",
3599   pages =        "45--54",
3600   year =         "1997",
3601   note =         "",
3602   ISSN =         "0168-583X",
3603   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
3604   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
3605   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
3606   notes =        "repulsive ab initio potential",
3607 }
3608
3609 @Article{kresse96,
3610   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
3611                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
3612                  set",
3613   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3614   volume =       "6",
3615   number =       "1",
3616   pages =        "15--50",
3617   year =         "1996",
3618   note =         "",
3619   ISSN =         "0927-0256",
3620   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
3621   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
3622   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
3623   notes =        "vasp ref",
3624 }
3625
3626 @Article{bloechl94,
3627   title =        "Projector augmented-wave method",
3628   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
3629   journal =      "Phys. Rev. B",
3630   volume =       "50",
3631   number =       "24",
3632   pages =        "17953--17979",
3633   numpages =     "26",
3634   year =         "1994",
3635   month =        dec,
3636   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
3637   publisher =    "American Physical Society",
3638   notes =        "paw method",
3639 }
3640
3641 @Article{hamann79,
3642   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
3643   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
3644   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3645   volume =       "43",
3646   number =       "20",
3647   pages =        "1494--1497",
3648   numpages =     "3",
3649   year =         "1979",
3650   month =        nov,
3651   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
3652   publisher =    "American Physical Society",
3653   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
3654 }
3655
3656 @Article{vanderbilt90,
3657   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
3658                  eigenvalue formalism",
3659   author =       "David Vanderbilt",
3660   journal =      "Phys. Rev. B",
3661   volume =       "41",
3662   number =       "11",
3663   pages =        "7892--7895",
3664   numpages =     "3",
3665   year =         "1990",
3666   month =        apr,
3667   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
3668   publisher =    "American Physical Society",
3669   notes =        "vasp pseudopotentials",
3670 }
3671
3672 @Article{perdew86,
3673   title =        "Accurate and simple density functional for the
3674                  electronic exchange energy: Generalized gradient
3675                  approximation",
3676   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
3677   journal =      "Phys. Rev. B",
3678   volume =       "33",
3679   number =       "12",
3680   pages =        "8800--8802",
3681   numpages =     "2",
3682   year =         "1986",
3683   month =        jun,
3684   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
3685   publisher =    "American Physical Society",
3686   notes =        "rapid communication gga",
3687 }
3688
3689 @Article{perdew02,
3690   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
3691                  correlation: {A} look backward and forward",
3692   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
3693   volume =       "172",
3694   number =       "1-2",
3695   pages =        "1--6",
3696   year =         "1991",
3697   note =         "",
3698   ISSN =         "0921-4526",
3699   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
3700   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
3701   author =       "John P. Perdew",
3702   notes =        "gga overview",
3703 }
3704
3705 @Article{perdew92,
3706   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
3707                  of the generalized gradient approximation for exchange
3708                  and correlation",
3709   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
3710                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
3711                  and Carlos Fiolhais",
3712   journal =      "Phys. Rev. B",
3713   volume =       "46",
3714   number =       "11",
3715   pages =        "6671--6687",
3716   numpages =     "16",
3717   year =         "1992",
3718   month =        sep,
3719   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
3720   publisher =    "American Physical Society",
3721   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
3722 }
3723
3724 @Article{baldereschi73,
3725   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
3726   author =       "A. Baldereschi",
3727   journal =      "Phys. Rev. B",
3728   volume =       "7",
3729   number =       "12",
3730   pages =        "5212--5215",
3731   numpages =     "3",
3732   year =         "1973",
3733   month =        jun,
3734   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
3735   publisher =    "American Physical Society",
3736   notes =        "mean value k point",
3737 }
3738
3739 @Article{zhu98,
3740   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
3741                  diffusion in Si",
3742   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3743   volume =       "12",
3744   number =       "4",
3745   pages =        "309--318",
3746   year =         "1998",
3747   note =         "",
3748   ISSN =         "0927-0256",
3749   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
3750   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
3751   author =       "Jing Zhu",
3752   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
3753   keywords =     "Boron dopant",
3754   keywords =     "Carbon dopant",
3755   keywords =     "Defect",
3756   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
3757   keywords =     "Impurity cluster",
3758   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
3759 }
3760
3761 @Article{nejim95,
3762   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
3763   collaboration = "",
3764   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
3765                  950 [degree]{C}",
3766   publisher =    "AIP",
3767   year =         "1995",
3768   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3769   volume =       "66",
3770   number =       "20",
3771   pages =        "2646--2648",
3772   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
3773                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
3774                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
3775                  ELECTRON MICROSCOPY",
3776   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
3777   doi =          "10.1063/1.113112",
3778   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
3779                  self interstitials react with further implanted c",
3780 }
3781
3782 @Article{guedj98,
3783   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
3784                  Kolodzey and A. Hairie",
3785   collaboration = "",
3786   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3787                  alloys",
3788   publisher =    "AIP",
3789   year =         "1998",
3790   journal =      "J. Appl. Phys.",
3791   volume =       "84",
3792   number =       "8",
3793   pages =        "4631--4633",
3794   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
3795                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
3796                  Fourier transform spectra; thermal stability;
3797                  annealing",
3798   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
3799   doi =          "10.1063/1.368703",
3800   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
3801 }
3802
3803 @Article{jones04,
3804   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
3805   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
3806                  semiconductors",
3807   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3808   volume =       "16",
3809   number =       "27",
3810   pages =        "S2643",
3811   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
3812   year =         "2004",
3813   notes =        "ab inito dft intro, vibrational modes, c defect in
3814                  si",
3815 }
3816
3817 @Article{park02,
3818   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
3819                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
3820                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
3821   collaboration = "",
3822   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
3823                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
3824                  molecular-beam epitaxy",
3825   publisher =    "AIP",
3826   year =         "2002",
3827   journal =      "J. Appl. Phys.",
3828   volume =       "91",
3829   number =       "9",
3830   pages =        "5716--5727",
3831   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
3832   doi =          "10.1063/1.1465122",
3833   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
3834 }
3835
3836 @Article{leary97,
3837   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
3838                  carbon-carbon pair defects in silicon",
3839   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
3840                  Torres",
3841   journal =      "Phys. Rev. B",
3842   volume =       "55",
3843   number =       "4",
3844   pages =        "2188--2194",
3845   numpages =     "6",
3846   year =         "1997",
3847   month =        jan,
3848   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
3849   publisher =    "American Physical Society",
3850   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
3851                  energies, different migration barriers and paths",
3852 }
3853
3854 @Article{burnard93,
3855   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
3856                  silicon: Semiempirical electronic-structure
3857                  calculations",
3858   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
3859   journal =      "Phys. Rev. B",
3860   volume =       "47",
3861   number =       "16",
3862   pages =        "10217--10225",
3863   numpages =     "8",
3864   year =         "1993",
3865   month =        apr,
3866   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
3867   publisher =    "American Physical Society",
3868   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
3869                  carbon defect, formation energies",
3870 }
3871
3872 @Article{besson91,
3873   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
3874                  silicon",
3875   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
3876   journal =      "Phys. Rev. B",
3877   volume =       "43",
3878   number =       "5",
3879   pages =        "4028--4033",
3880   numpages =     "5",
3881   year =         "1991",
3882   month =        feb,
3883   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
3884   publisher =    "American Physical Society",
3885 }
3886
3887 @Article{kaxiras96,
3888   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
3889                  and growth on semiconductors",
3890   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3891   volume =       "6",
3892   number =       "2",
3893   pages =        "158--172",
3894   year =         "1996",
3895   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
3896                  Epitaxy",
3897   ISSN =         "0927-0256",
3898   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
3899   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
3900   author =       "Efthimios Kaxiras",
3901   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
3902                  tight binding, first principles",
3903 }
3904
3905 @Article{kaukonen98,
3906   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
3907                  diamond
3908                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
3909                  surfaces",
3910   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
3911                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
3912                  Th. Frauenheim",
3913   journal =      "Phys. Rev. B",
3914   volume =       "57",
3915   number =       "16",
3916   pages =        "9965--9970",
3917   numpages =     "5",
3918   year =         "1998",
3919   month =        apr,
3920   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
3921   publisher =    "American Physical Society",
3922   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
3923                  (crt)",
3924 }
3925
3926 @Article{gali03,
3927   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
3928                  center in Si{C}",
3929   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
3930                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
3931                  W. J. Choyke",
3932   journal =      "Phys. Rev. B",
3933   volume =       "67",
3934   number =       "15",
3935   pages =        "155203",
3936   numpages =     "5",
3937   year =         "2003",
3938   month =        apr,
3939   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
3940   publisher =    "American Physical Society",
3941 }
3942
3943 @Article{chen98,
3944   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
3945                  irradiation and deformation",
3946   journal =      "J. Nucl. Mater.",
3947   volume =       "258-263",
3948   number =       "Part 2",
3949   pages =        "1803--1808",
3950   year =         "1998",
3951   note =         "",
3952   ISSN =         "0022-3115",
3953   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
3954   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
3955   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
3956 }
3957
3958 @Article{weber01,
3959   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
3960                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
3961   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3962   volume =       "175-177",
3963   number =       "",
3964   pages =        "26--30",
3965   year =         "2001",
3966   note =         "",
3967   ISSN =         "0168-583X",
3968   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
3969   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
3970   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
3971 }
3972
3973 @Article{bockstedte03,
3974   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
3975                  in $3{C}-Si{C}$",
3976   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
3977                  Pankratov",
3978   journal =      "Phys. Rev. B",
3979   volume =       "68",
3980   number =       "20",
3981   pages =        "205201",
3982   numpages =     "17",
3983   year =         "2003",
3984   month =        nov,
3985   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
3986   publisher =    "American Physical Society",
3987   notes =        "defect migration in sic",
3988 }
3989
3990 @Article{rauls03a,
3991   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
3992                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
3993   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
3994                  De\'ak",
3995   journal =      "Phys. Rev. B",
3996   volume =       "68",
3997   number =       "15",
3998   pages =        "155208",
3999   numpages =     "9",
4000   year =         "2003",
4001   month =        oct,
4002   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
4003   publisher =    "American Physical Society",
4004 }
4005
4006 @Article{losev27,
4007   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
4008   volume =       "44",
4009   pages =        "485--494",
4010   year =         "1927",
4011   author =       "O. V. Lossev",
4012 }
4013
4014 @Article{losev28,
4015   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
4016                  oscillations with crystals",
4017   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
4018   volume =       "6",
4019   number =       "39",
4020   pages =        "1024--1044",
4021   year =         "1928",
4022   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
4023   author =       "O. V. Lossev",
4024 }
4025
4026 @Article{losev29,
4027   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4028   volume =       "30",
4029   pages =        "920--923",
4030   year =         "1929",
4031   author =       "O. V. Lossev",
4032 }
4033
4034 @Article{losev31,
4035   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4036   volume =       "32",
4037   pages =        "692--696",
4038   year =         "1931",
4039   author =       "O. V. Lossev",
4040 }
4041
4042 @Article{losev33,
4043   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4044   volume =       "34",
4045   pages =        "397--403",
4046   year =         "1933",
4047   author =       "O. V. Lossev",
4048 }
4049
4050 @Article{round07,
4051   title =        "A note on carborundum",
4052   journal =      "Electrical World",
4053   volume =       "49",
4054   pages =        "308",
4055   year =         "1907",
4056   author =       "H. J. Round",
4057 }
4058
4059 @Article{vashishath08,
4060   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
4061   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
4062   volume =       "2",
4063   number =       "03",
4064   pages =        "444--470",
4065   year =         "2008",
4066   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
4067   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
4068   notes =        "sic polytype electronic properties",
4069 }
4070
4071 @Article{nelson69,
4072   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
4073   collaboration = "",
4074   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
4075   publisher =    "AIP",
4076   year =         "1966",
4077   journal =      "Journal of Applied Physics",
4078   volume =       "37",
4079   number =       "1",
4080   pages =        "333--336",
4081   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
4082   doi =          "10.1063/1.1707837",
4083   notes =        "sic melt growth",
4084 }
4085
4086 @Article{arkel25,
4087   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
4088   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
4089                  und Thoriummetall",
4090   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
4091   year =         "1925",
4092   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4093   volume =       "148",
4094   pages =        "345--350",
4095   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
4096   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
4097   notes =        "van arkel apparatus",
4098 }
4099
4100 @Article{moers31,
4101   author =       "K. Moers",
4102   year =         "1931",
4103   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4104   volume =       "198",
4105   pages =        "293",
4106   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4107                  process",
4108 }
4109
4110 @Article{kendall53,
4111   author =       "J. T. Kendall",
4112   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
4113   publisher =    "AIP",
4114   year =         "1953",
4115   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
4116   volume =       "21",
4117   number =       "5",
4118   pages =        "821--827",
4119   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
4120   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4121                  process",
4122 }
4123
4124 @Article{lely55,
4125   author =       "J. A. Lely",
4126   year =         "1955",
4127   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
4128   volume =       "32",
4129   pages =        "229",
4130   notes =        "lely sublimation growth process",
4131 }
4132
4133 @Article{knippenberg63,
4134   author =       "W. F. Knippenberg",
4135   year =         "1963",
4136   journal =      "Philips Res. Repts.",
4137   volume =       "18",
4138   pages =        "161",
4139   notes =        "acheson process",
4140 }
4141
4142 @Article{hoffmann82,
4143   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
4144                  Weyrich",
4145   collaboration = "",
4146   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
4147                  improved external quantum efficiency",
4148   publisher =    "AIP",
4149   year =         "1982",
4150   journal =      "Journal of Applied Physics",
4151   volume =       "53",
4152   number =       "10",
4153   pages =        "6962--6967",
4154   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
4155                  efficiency; visible radiation; experimental data;
4156                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
4157                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
4158                  electroluminescence; spectra; current density;
4159                  optimization",
4160   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
4161   doi =          "10.1063/1.330041",
4162   notes =        "blue led, sublimation process",
4163 }
4164
4165 @Article{neudeck95,
4166   author =       "Philip Neudeck",
4167   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
4168                  Road 44135 Cleveland OH",
4169   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
4170                  technology",
4171   journal =      "Journal of Electronic Materials",
4172   publisher =    "Springer Boston",
4173   ISSN =         "0361-5235",
4174   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
4175   pages =        "283--288",
4176   volume =       "24",
4177   issue =        "4",
4178   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
4179   note =         "10.1007/BF02659688",
4180   year =         "1995",
4181   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
4182 }
4183
4184 @Article{bhatnagar93,
4185   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
4186   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4187   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
4188                  devices",
4189   year =         "1993",
4190   month =        mar,
4191   volume =       "40",
4192   number =       "3",
4193   pages =        "645--655",
4194   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
4195                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
4196                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
4197                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
4198                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
4199                  solids;insulated gate field effect transistors;power
4200                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
4201                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
4202   doi =          "10.1109/16.199372",
4203   ISSN =         "0018-9383",
4204   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
4205 }
4206
4207 @Article{neudeck94,
4208   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
4209                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
4210   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4211   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
4212                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
4213                  6{H}-Si{C} substrates",
4214   year =         "1994",
4215   month =        may,
4216   volume =       "41",
4217   number =       "5",
4218   pages =        "826--835",
4219   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
4220                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
4221                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
4222                  properties;epitaxial layers;light
4223                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
4224                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
4225                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
4226                  currents;power electronics;semiconductor
4227                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
4228                  growth;semiconductor materials;silicon
4229                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
4230                  phase epitaxial growth;",
4231   doi =          "10.1109/16.285038",
4232   ISSN =         "0018-9383",
4233   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
4234                  substrate",
4235 }
4236
4237 @Article{schulze98,
4238   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
4239   collaboration = "",
4240   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
4241                  single crystals by physical vapor transport",
4242   publisher =    "AIP",
4243   year =         "1998",
4244   journal =      "Applied Physics Letters",
4245   volume =       "72",
4246   number =       "13",
4247   pages =        "1632--1634",
4248   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
4249                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
4250                  photoluminescence; Hall mobility",
4251   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
4252   doi =          "10.1063/1.121136",
4253   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
4254 }
4255
4256 @Article{pirouz87,
4257   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
4258   collaboration = "",
4259   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
4260   publisher =    "AIP",
4261   year =         "1987",
4262   journal =      "Applied Physics Letters",
4263   volume =       "50",
4264   number =       "4",
4265   pages =        "221--223",
4266   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
4267                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
4268                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
4269                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
4270                  BOUNDARIES",
4271   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
4272   doi =          "10.1063/1.97667",
4273   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
4274 }
4275
4276 @Article{shibahara86,
4277   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
4278                  Si(100) by chemical vapor deposition",
4279   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4280   volume =       "78",
4281   number =       "3",
4282   pages =        "538--544",
4283   year =         "1986",
4284   note =         "",
4285   ISSN =         "0022-0248",
4286   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
4287   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
4288   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
4289                  Matsunami",
4290   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
4291 }
4292
4293 @Article{desjardins96,
4294   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
4295   collaboration = "",
4296   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
4297   publisher =    "AIP",
4298   year =         "1996",
4299   journal =      "Journal of Applied Physics",
4300   volume =       "79",
4301   number =       "3",
4302   pages =        "1423--1434",
4303   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
4304                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
4305   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
4306   doi =          "10.1063/1.360980",
4307   notes =        "apb model",
4308 }
4309
4310 @Article{henke95,
4311   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
4312   collaboration = "",
4313   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
4314                  carbonization of silicon",
4315   publisher =    "AIP",
4316   year =         "1995",
4317   journal =      "Journal of Applied Physics",
4318   volume =       "78",
4319   number =       "3",
4320   pages =        "2070--2073",
4321   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
4322                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
4323                  STRUCTURE",
4324   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
4325   doi =          "10.1063/1.360184",
4326   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
4327 }
4328
4329 @Article{fuyuki89,
4330   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
4331                  {MBE} using surface superstructure",
4332   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4333   volume =       "95",
4334   number =       "1-4",
4335   pages =        "461--463",
4336   year =         "1989",
4337   note =         "",
4338   ISSN =         "0022-0248",
4339   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
4340   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
4341   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
4342                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
4343   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4344 }
4345
4346 @Article{yoshinobu92,
4347   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
4348                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4349   collaboration = "",
4350   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
4351                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
4352                  molecular beam epitaxy",
4353   publisher =    "AIP",
4354   year =         "1992",
4355   journal =      "Applied Physics Letters",
4356   volume =       "60",
4357   number =       "7",
4358   pages =        "824--826",
4359   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
4360                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
4361                  INTERFACE STRUCTURE",
4362   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
4363   doi =          "10.1063/1.107430",
4364   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4365 }
4366
4367 @Article{yoshinobu90,
4368   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
4369                  cubic Si{C}",
4370   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4371   volume =       "99",
4372   number =       "1-4",
4373   pages =        "520--524",
4374   year =         "1990",
4375   note =         "",
4376   ISSN =         "0022-0248",
4377   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
4378   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
4379   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
4380                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4381   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
4382 }
4383
4384 @Article{fuyuki93,
4385   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
4386                  superstructures in Si{C}",
4387   journal =      "Thin Solid Films",
4388   volume =       "225",
4389   number =       "1-2",
4390   pages =        "225--229",
4391   year =         "1993",
4392   note =         "",
4393   ISSN =         "0040-6090",
4394   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
4395   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
4396   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
4397                  Matsunami",
4398   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4399                  epitaxy, ale",
4400 }
4401
4402 @Article{hara93,
4403   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
4404                  growth of [beta]-Si{C}",
4405   journal =      "Thin Solid Films",
4406   volume =       "225",
4407   number =       "1-2",
4408   pages =        "240--243",
4409   year =         "1993",
4410   note =         "",
4411   ISSN =         "0040-6090",
4412   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
4413   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
4414   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
4415                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
4416   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4417                  epitaxy, ale",
4418 }
4419
4420 @Article{tanaka94,
4421   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
4422   collaboration = "",
4423   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
4424                  growth mode and polytype formation during gas-source
4425                  molecular beam epitaxy",
4426   publisher =    "AIP",
4427   year =         "1994",
4428   journal =      "Applied Physics Letters",
4429   volume =       "65",
4430   number =       "22",
4431   pages =        "2851--2853",
4432   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
4433                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
4434                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
4435                  FLOW; FLOW RATE",
4436   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
4437   doi =          "10.1063/1.112513",
4438   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
4439 }
4440
4441 @Article{fuyuki97,
4442   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
4443   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
4444                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
4445   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
4446   year =         "1997",
4447   journal =      "physica status solidi (b)",
4448   volume =       "202",
4449   pages =        "359--378",
4450   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
4451                  temperatures 750",
4452 }
4453
4454 @Article{takaoka98,
4455   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
4456   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4457   volume =       "183",
4458   number =       "1-2",
4459   pages =        "175--182",
4460   year =         "1998",
4461   note =         "",
4462   ISSN =         "0022-0248",
4463   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
4464   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
4465   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
4466   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
4467   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
4468   keywords =     "Silicon carbide",
4469   keywords =     "Silicon",
4470   keywords =     "Island growth",
4471   notes =        "lower temperature, 550-700",
4472 }
4473
4474 @Article{hatayama95,
4475   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
4476                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
4477                  molecular beam epitaxy",
4478   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4479   volume =       "150",
4480   number =       "Part 2",
4481   pages =        "934--938",
4482   year =         "1995",
4483   note =         "",
4484   ISSN =         "0022-0248",
4485   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
4486   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
4487   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
4488                  and Hiroyuki Matsunami",
4489 }
4490
4491 @Article{heine91,
4492   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
4493   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
4494                  Metastable Cubic Form",
4495   journal =      "Journal of the American Ceramic Society",
4496   volume =       "74",
4497   number =       "10",
4498   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
4499   ISSN =         "1551-2916",
4500   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4501   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4502   pages =        "2630--2633",
4503   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
4504                  calculations, stability",
4505   year =         "1991",
4506   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
4507                  polytype dft calculation refs",
4508 }
4509
4510 @Article{allendorf91,
4511   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
4512                  [beta]-silicon carbide",
4513   journal =      "Surface Science",
4514   volume =       "258",
4515   number =       "1-3",
4516   pages =        "177--189",
4517   year =         "1991",
4518   note =         "",
4519   ISSN =         "0039-6028",
4520   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
4521   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
4522   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
4523   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
4524 }
4525
4526 @Article{eaglesham93,
4527   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
4528                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
4529   collaboration = "",
4530   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
4531   publisher =    "AIP",
4532   year =         "1993",
4533   journal =      "Journal of Applied Physics",
4534   volume =       "74",
4535   number =       "11",
4536   pages =        "6615--6618",
4537   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
4538                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
4539                  DIFFUSION; ADSORPTION",
4540   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
4541   doi =          "10.1063/1.355101",
4542   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
4543                  mobility",
4544 }
4545
4546 @Article{newman85,
4547   author =       "Ronald C. Newman",
4548   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
4549   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4550   volume =       "59",
4551   number =       "",
4552   pages =        "403",
4553   year =         "1985",
4554   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
4555   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
4556   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
4557 }
4558
4559 @Article{newman61,
4560   title =        "The diffusivity of carbon in silicon",
4561   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
4562   volume =       "19",
4563   number =       "3-4",
4564   pages =        "230--234",
4565   year =         "1961",
4566   note =         "",
4567   ISSN =         "0022-3697",
4568   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(61)90032-4",
4569   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46M72R1-4D/2/9235472e4c0a95bf7b995769474f5fbd",
4570   author =       "R. C. Newman and J. Wakefield",
4571   notes =        "diffusivity of substitutional c in si",
4572 }
4573
4574 @Article{goesele85,
4575   author =       "U. Gösele",
4576   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
4577   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4578   volume =       "59",
4579   number =       "",
4580   pages =        "419",
4581   year =         "1985",
4582   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
4583   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
4584   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
4585 }
4586
4587 @Article{mukashev82,
4588   title =        "Defects in Carbon-Implanted Silicon",
4589   author =       "Bulat N. Mukashev and Alexey V. Spitsyn and Noboru
4590                  Fukuoka and Haruo Saito",
4591   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
4592   volume =       "21",
4593   number =       "Part 1, No. 2",
4594   pages =        "399--400",
4595   numpages =     "1",
4596   year =         "1982",
4597   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/21/399/",
4598   doi =          "10.1143/JJAP.21.399",
4599   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
4600 }
4601
4602 @Article{puska98,
4603   title =        "Convergence of supercell calculations for point
4604                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
4605   author =       "M. J. Puska and S. P{\"o}ykk{\"o} and M. Pesola and R.
4606                  M. Nieminen",
4607   journal =      "Phys. Rev. B",
4608   volume =       "58",
4609   number =       "3",
4610   pages =        "1318--1325",
4611   numpages =     "7",
4612   year =         "1998",
4613   month =        jul,
4614   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.1318",
4615   publisher =    "American Physical Society",
4616   notes =        "convergence k point supercell size, vacancy in
4617                  silicon",
4618 }
4619
4620 @Article{serre95,
4621   author =       "C. Serre and A. P\'{e}rez-Rodr\'{\i}guez and A.
4622                  Romano-Rodr\'{\i}guez and J. R. Morante and R.
4623                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
4624   collaboration = "",
4625   title =        "Spectroscopic characterization of phases formed by
4626                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
4627   publisher =    "AIP",
4628   year =         "1995",
4629   journal =      "Journal of Applied Physics",
4630   volume =       "77",
4631   number =       "7",
4632   pages =        "2978--2984",
4633   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; PHASE STUDIES; CARBON IONS;
4634                  FOURIER TRANSFORM SPECTROSCOPY; RAMAN SPECTRA;
4635                  PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; TEM; TEMPERATURE
4636                  DEPENDENCE; PRECIPITATES; ANNEALING",
4637   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
4638   doi =          "10.1063/1.358714",
4639 }
4640
4641 @Article{romano-rodriguez96,
4642   title =        "Detailed analysis of [beta]-Si{C} formation by high
4643                  dose carbon ion implantation in silicon",
4644   journal =      "Materials Science and Engineering B",
4645   volume =       "36",
4646   number =       "1-3",
4647   pages =        "282--285",
4648   year =         "1996",
4649   note =         "European Materials Research Society 1995 Spring
4650                  Meeting, Symposium N: Carbon, Hydrogen, Nitrogen, and
4651                  Oxygen in Silicon and in Other Elemental
4652                  Semiconductors",
4653   ISSN =         "0921-5107",
4654   doi =          "DOI: 10.1016/0921-5107(95)01283-4",
4655   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-3VR7691-25/2/995fd57b9e5c1100558f80c472620408",
4656   author =       "A. Romano-Rodriguez and C. Serre and L. Calvo-Barrio
4657                  and A. Pérez-Rodríguez and J. R. Morante and R. Kögler
4658                  and W. Skorupa",
4659   keywords =     "Silicon",
4660   keywords =     "Ion implantation",
4661   notes =        "incoherent 3c-sic precipitate",
4662 }