86e46173f6abf5f1358aa14d3a83c45e49497a38
[lectures/latex.git] / bibdb / bibdb.bib
1 %
2 % bibliography database
3 %
4
5 @Article{schroedinger26,
6   author =       "E. Schrödinger",
7   title =        "Quantisierung als Eigenwertproblem",
8   journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
9   volume =       "384",
10   number =       "4",
11   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
12   ISSN =         "1521-3889",
13   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19263840404",
14   doi =          "10.1002/andp.19263840404",
15   pages =        "361--376",
16   year =         "1926",
17 }
18
19 @Article{bloch29,
20   author =       "Felix Bloch",
21   affiliation =  "Institut d. Universität f. theor. Physik Leipzig",
22   title =        "Über die Quantenmechanik der Elektronen in
23                  Kristallgittern",
24   journal =      "Z. Phys.",
25   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
26   ISSN =         "0939-7922",
27   keyword =      "Physics and Astronomy",
28   pages =        "555--600",
29   volume =       "52",
30   issue =        "7",
31   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF01339455",
32   note =         "10.1007/BF01339455",
33   year =         "1929",
34 }
35
36 @Article{albe_sic_pot,
37   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
38   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
39                  silicon, carbon, and silicon carbide",
40   publisher =    "APS",
41   year =         "2005",
42   journal =      "Phys. Rev. B",
43   volume =       "71",
44   number =       "3",
45   eid =          "035211",
46   numpages =     "14",
47   pages =        "035211",
48   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
49                  potential (ABOP)",
50   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
51                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
52                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
53                  forces",
54   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
55   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
56 }
57
58 @Article{erhart04,
59   title =        "The role of thermostats in modeling vapor phase
60                  condensation of silicon nanoparticles",
61   journal =      "Appl. Surf. Sci.",
62   volume =       "226",
63   number =       "1-3",
64   pages =        "12--18",
65   year =         "2004",
66   note =         "EMRS 2003 Symposium F, Nanostructures from Clusters",
67   ISSN =         "0169-4332",
68   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2003.11.003",
69   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4B957HV-8/2/b35dbe80a70d173f6f7a00dacbcbd738",
70   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
71 }
72
73 @Article{albe2002,
74   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
75                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
76   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
77   journal =      "Phys. Rev. B",
78   volume =       "65",
79   number =       "19",
80   pages =        "195124",
81   numpages =     "11",
82   year =         "2002",
83   month =        may,
84   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
85   publisher =    "American Physical Society",
86   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
87 }
88
89 @Article{newman65,
90   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
91   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
92   volume =       "26",
93   number =       "2",
94   pages =        "373--379",
95   year =         "1965",
96   note =         "",
97   ISSN =         "0022-3697",
98   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
99   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
100   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
101   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
102 }
103
104 @Article{baker68,
105   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
106                  Buschert",
107   collaboration = "",
108   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
109   publisher =    "AIP",
110   year =         "1968",
111   journal =      "J. Appl. Phys.",
112   volume =       "39",
113   number =       "9",
114   pages =        "4365--4368",
115   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
116   doi =          "10.1063/1.1656977",
117   notes =        "lattice contraction due to subst c",
118 }
119
120 @Article{bean71,
121   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
122   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
123   volume =       "32",
124   number =       "6",
125   pages =        "1211--1219",
126   year =         "1971",
127   note =         "",
128   ISSN =         "0022-3697",
129   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
130   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
131   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
132   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
133 }
134
135 @Article{capano97,
136   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
137   title =        "Silicon carbide electronic materials and devices",
138   journal =      "MRS Bull.",
139   year =         "1997",
140   volume =       "22",
141   number =       "3",
142   pages =        "19--22",
143   publisher =    "MATERIALS RESEARCH SOCIETY",
144 }
145
146 @Article{capano97_old,
147   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
148   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
149   journal =      "MRS Bull.",
150   volume =       "22",
151   pages =        "19",
152   year =         "1997",
153 }
154
155 @Article{fischer90,
156   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
157   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
158                  carbide",
159   journal =      "Philos. Mag. B",
160   volume =       "61",
161   pages =        "217--236",
162   year =         "1990",
163   notes =        "sic polytypes",
164 }
165
166 @Article{koegler03,
167   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
168                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
169                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
170   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
171                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
172                  ions",
173   journal =      "Appl. Phys. A",
174   volume =       "76",
175   pages =        "827--835",
176   month =        mar,
177   year =         "2003",
178   URL =          "http://www.springerlink.com/content/jr8xj33mqc5vpwwj/",
179   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
180                  precipitation by interstitial and substitutional
181                  carbon, both mechanisms explained + refs",
182 }
183
184 @Article{skorupa96,
185   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
186                  silicon-related materials",
187   journal =      "Mater. Chem. Phys.",
188   volume =       "44",
189   number =       "2",
190   pages =        "101--143",
191   year =         "1996",
192   note =         "",
193   ISSN =         "0254-0584",
194   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
195   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
196   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
197   notes =        "review of silicon carbon compound",
198 }
199
200 @Book{laplace,
201   author =       "P. S. de Laplace",
202   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
203   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
204   volume =       "VII",
205   publisher =    "Gauthier-Villars",
206   year =         "1820",
207 }
208
209 @Article{mattoni2007,
210   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
211   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
212                  materials}",
213   journal =      "Phys. Rev. B",
214   year =         "2007",
215   month =        dec,
216   volume =       "76",
217   number =       "22",
218   pages =        "224103",
219   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
220   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
221                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
222                  fracture, more available potentials, universal energy
223                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
224 }
225
226 @Article{balamane92,
227   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
228                  potentials",
229   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
230   journal =      "Phys. Rev. B",
231   volume =       "46",
232   number =       "4",
233   pages =        "2250--2279",
234   numpages =     "29",
235   year =         "1992",
236   month =        jul,
237   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
238   publisher =    "American Physical Society",
239   notes =        "comparison of classical potentials for si",
240 }
241
242 @Article{koster2002,
243   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
244                  bombardment",
245   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
246   journal =      "Phys. Rev. B",
247   volume =       "62",
248   number =       "16",
249   pages =        "11219--11224",
250   numpages =     "5",
251   year =         "2000",
252   month =        oct,
253   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
254   publisher =    "American Physical Society",
255   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
256 }
257
258 @Article{breadmore99,
259   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
260                  amorphization of silicon",
261   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
262   journal =      "Phys. Rev. B",
263   volume =       "60",
264   number =       "18",
265   pages =        "12610--12616",
266   numpages =     "6",
267   year =         "1999",
268   month =        nov,
269   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
270   publisher =    "American Physical Society",
271   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
272 }
273
274 @Article{nielsen83,
275   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
276   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
277   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
278   volume =       "50",
279   number =       "9",
280   pages =        "697--700",
281   numpages =     "3",
282   year =         "1983",
283   month =        feb,
284   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
285   publisher =    "American Physical Society",
286   notes =        "generalization of virial theorem",
287 }
288
289 @Article{nielsen85,
290   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
291   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
292   journal =      "Phys. Rev. B",
293   volume =       "32",
294   number =       "6",
295   pages =        "3780--3791",
296   numpages =     "11",
297   year =         "1985",
298   month =        sep,
299   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
300   publisher =    "American Physical Society",
301   notes =        "dft virial stress and forces",
302 }
303
304 @Article{moissan04,
305   author =       "Henri Moissan",
306   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
307                  Diablo",
308   journal =      "C. R. Acad. Sci.",
309   volume =       "139",
310   pages =        "773--786",
311   year =         "1904",
312 }
313
314 @Book{park98,
315   author =       "Y. S. Park",
316   title =        "Si{C} Materials and Devices",
317   publisher =    "Academic Press",
318   address =      "San Diego",
319   year =         "1998",
320 }
321
322 @Article{tsvetkov98,
323   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
324                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
325   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
326   journal =      "Mater. Sci. Forum",
327   volume =       "264-268",
328   pages =        "3--8",
329   year =         "1998",
330   notes =        "modified lely process, micropipes",
331 }
332
333 @Article{verlet67,
334   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
335                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
336   author =       "Loup Verlet",
337   journal =      "Phys. Rev.",
338   volume =       "159",
339   number =       "1",
340   pages =        "98",
341   year =         "1967",
342   month =        jul,
343   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
344   publisher =    "American Physical Society",
345   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
346                  motion",
347 }
348
349 @Article{berendsen84,
350   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
351                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
352   collaboration = "",
353   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
354   publisher =    "AIP",
355   year =         "1984",
356   journal =      "J. Chem. Phys.",
357   volume =       "81",
358   number =       "8",
359   pages =        "3684--3690",
360   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
361                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
362   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
363   doi =          "10.1063/1.448118",
364   notes =        "berendsen thermostat barostat",
365 }
366
367 @Article{huang95,
368   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
369                  Baskes",
370   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
371                  in beta -Si{C} using three representative empirical
372                  potentials",
373   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
374   volume =       "3",
375   number =       "5",
376   pages =        "615--627",
377   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
378   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
379                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
380   year =         "1995",
381 }
382
383 @Article{brenner89,
384   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
385                  Tersoff potentials",
386   author =       "Donald W. Brenner",
387   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
388   volume =       "63",
389   number =       "9",
390   pages =        "1022",
391   numpages =     "1",
392   year =         "1989",
393   month =        aug,
394   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
395   publisher =    "American Physical Society",
396   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
397 }
398
399 @Article{batra87,
400   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
401                  silicon",
402   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
403   journal =      "Phys. Rev. B",
404   volume =       "35",
405   number =       "18",
406   pages =        "9552--9558",
407   numpages =     "6",
408   year =         "1987",
409   month =        jun,
410   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
411   publisher =    "American Physical Society",
412   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
413                  calculation of defect formation energy, defect
414                  interstitial types",
415 }
416
417 @Article{schober89,
418   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
419   author =       "H. R. Schober",
420   journal =      "Phys. Rev. B",
421   volume =       "39",
422   number =       "17",
423   pages =        "13013--13015",
424   numpages =     "2",
425   year =         "1989",
426   month =        jun,
427   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
428   publisher =    "American Physical Society",
429   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
430                  dumbbell configuration",
431 }
432
433 @Article{gao02a,
434   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
435                  Defect accumulation, topological features, and
436                  disordering",
437   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
438   journal =      "Phys. Rev. B",
439   volume =       "66",
440   number =       "2",
441   pages =        "024106",
442   numpages =     "10",
443   year =         "2002",
444   month =        jul,
445   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
446   publisher =    "American Physical Society",
447   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
448                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
449                  result analyze",
450 }
451
452 @Article{devanathan98,
453   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
454                  cascade in Si{C}",
455   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
456   volume =       "141",
457   number =       "1-4",
458   pages =        "118--122",
459   year =         "1998",
460   ISSN =         "0168-583X",
461   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
462   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
463                  Rubia",
464   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
465                  3c-sic",
466 }
467
468 @Article{devanathan98_2,
469   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
470   journal =      "J. Nucl. Mater.",
471   volume =       "253",
472   number =       "1-3",
473   pages =        "47--52",
474   year =         "1998",
475   ISSN =         "0022-3115",
476   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
477   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
478                  Weber",
479   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
480                  tersoff",
481 }
482
483 @Article{kitabatake00,
484   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
485   author =       "M. Kitabatake",
486   journal =      "Thin Solid Films",
487   volume =       "369",
488   pages =        "257--264",
489   numpages =     "8",
490   year =         "2000",
491   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
492 }
493
494 @Article{tang97,
495   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
496                  Tight-binding molecular dynamics studies of
497                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
498                  formation volumes",
499   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
500                  Rubia",
501   journal =      "Phys. Rev. B",
502   volume =       "55",
503   number =       "21",
504   pages =        "14279--14289",
505   numpages =     "10",
506   year =         "1997",
507   month =        jun,
508   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
509   publisher =    "American Physical Society",
510   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
511 }
512
513 @Article{johnson98,
514   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
515                  Rubia",
516   collaboration = "",
517   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
518                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
519                  presence of carbon and boron",
520   publisher =    "AIP",
521   year =         "1998",
522   journal =      "J. Appl. Phys.",
523   volume =       "84",
524   number =       "4",
525   pages =        "1963--1967",
526   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
527                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
528                  semiconductors; self-diffusion",
529   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
530   doi =          "10.1063/1.368328",
531   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
532                  diffsuion",
533 }
534
535 @Article{bar-yam84,
536   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
537                  Self-Interstitial",
538   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
539   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
540   volume =       "52",
541   number =       "13",
542   pages =        "1129--1132",
543   numpages =     "3",
544   year =         "1984",
545   month =        mar,
546   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
547   publisher =    "American Physical Society",
548   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
549 }
550
551 @Article{bar-yam84_2,
552   title =        "Electronic structure and total-energy migration
553                  barriers of silicon self-interstitials",
554   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
555   journal =      "Phys. Rev. B",
556   volume =       "30",
557   number =       "4",
558   pages =        "1844--1852",
559   numpages =     "8",
560   year =         "1984",
561   month =        aug,
562   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
563   publisher =    "American Physical Society",
564 }
565
566 @Article{bloechl93,
567   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
568                  constants in silicon",
569   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
570                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
571   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
572   volume =       "70",
573   number =       "16",
574   pages =        "2435--2438",
575   numpages =     "3",
576   year =         "1993",
577   month =        apr,
578   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
579   publisher =    "American Physical Society",
580   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
581                  entropy calculations",
582 }
583
584 @Article{munro99,
585   title =        "Defect migration in crystalline silicon",
586   author =       "Lindsey J. Munro and David J. Wales",
587   journal =      "Phys. Rev. B",
588   volume =       "59",
589   number =       "6",
590   pages =        "3969--3980",
591   numpages =     "11",
592   year =         "1999",
593   month =        feb,
594   doi =          "10.1103/PhysRevB.59.3969",
595   publisher =    "American Physical Society",
596   notes =        "eigenvector following method, vacancy and interstiial
597                  defect migration mechanisms",
598 }
599
600 @Article{colombo02,
601   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
602                  silicon",
603   author =       "L. Colombo",
604   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
605   volume =       "32",
606   pages =        "271--295",
607   numpages =     "25",
608   year =         "2002",
609   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
610   publisher =    "Annual Reviews",
611   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
612 }
613
614 @Article{al-mushadani03,
615   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
616                  silicon",
617   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
618   journal =      "Phys. Rev. B",
619   volume =       "68",
620   number =       "23",
621   pages =        "235205",
622   numpages =     "8",
623   year =         "2003",
624   month =        dec,
625   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
626   publisher =    "American Physical Society",
627   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
628                  silicon, si self interstitials, free energy",
629 }
630
631 @Article{mattsson08,
632   title =        "Electronic surface error in the Si interstitial
633                  formation energy",
634   author =       "Ann E. Mattsson and Ryan R. Wixom and Rickard
635                  Armiento",
636   journal =      "Phys. Rev. B",
637   volume =       "77",
638   number =       "15",
639   pages =        "155211",
640   numpages =     "7",
641   year =         "2008",
642   month =        apr,
643   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.155211",
644   publisher =    "American Physical Society",
645   notes =        "si self interstitial formation energies by dft",
646 }
647
648 @Article{goedecker02,
649   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
650   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
651   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
652   volume =       "88",
653   number =       "23",
654   pages =        "235501",
655   numpages =     "4",
656   year =         "2002",
657   month =        may,
658   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
659   publisher =    "American Physical Society",
660   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
661                  silicon",
662 }
663
664 @Article{sahli05,
665   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
666                  self-interstitial diffusion in silicon",
667   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
668   journal =      "Phys. Rev. B",
669   volume =       "72",
670   number =       "24",
671   pages =        "245210",
672   numpages =     "6",
673   year =         "2005",
674   month =        dec,
675   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
676   publisher =    "American Physical Society",
677   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
678                  mapping applied",
679 }
680
681 @Article{hobler05,
682   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
683                  native point defects in silicon",
684   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
685   volume =       "124-125",
686   number =       "",
687   pages =        "368--371",
688   year =         "2005",
689   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
690                  Issues for Future Technologies",
691   ISSN =         "0921-5107",
692   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
693   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
694   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
695   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
696                  radius",
697 }
698
699 @Article{ma10,
700   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
701                  wide temperature range: Point defect states and
702                  migration mechanisms",
703   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
704   journal =      "Phys. Rev. B",
705   volume =       "81",
706   number =       "19",
707   pages =        "193203",
708   numpages =     "4",
709   year =         "2010",
710   month =        may,
711   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
712   publisher =    "American Physical Society",
713   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
714 }
715
716 @Article{posselt06,
717   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
718                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
719   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
720   journal =      "Phys. Rev. B",
721   volume =       "73",
722   number =       "12",
723   pages =        "125206",
724   numpages =     "8",
725   year =         "2006",
726   month =        mar,
727   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
728   publisher =    "American Physical Society",
729 }
730
731 @Article{posselt08,
732   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
733                  migration mechanisms of vacancies and
734                  self-interstitials: An atomistic study",
735   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
736   journal =      "Phys. Rev. B",
737   volume =       "78",
738   number =       "3",
739   pages =        "035208",
740   numpages =     "9",
741   year =         "2008",
742   month =        jul,
743   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
744   publisher =    "American Physical Society",
745   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
746                  weber and tersoff",
747 }
748
749 @Article{gao2001,
750   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
751                  properties in $3{C}-Si{C}$",
752   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
753                  Corrales",
754   journal =      "Phys. Rev. B",
755   volume =       "64",
756   number =       "24",
757   pages =        "245208",
758   numpages =     "7",
759   year =         "2001",
760   month =        dec,
761   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
762   publisher =    "American Physical Society",
763   notes =        "defects in 3c-sic",
764 }
765
766 @Article{gao02,
767   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
768                  3{C}-Si{C}",
769   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
770   volume =       "191",
771   number =       "1-4",
772   pages =        "487--496",
773   year =         "2002",
774   note =         "",
775   ISSN =         "0168-583X",
776   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
777   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
778   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
779   keywords =     "Empirical potential",
780   keywords =     "Defect properties",
781   keywords =     "Silicon carbide",
782   keywords =     "Computer simulation",
783   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
784 }
785
786 @Article{gao04,
787   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
788                  3{C}-Si{C}",
789   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
790                  Belko",
791   journal =      "Phys. Rev. B",
792   volume =       "69",
793   number =       "24",
794   pages =        "245205",
795   numpages =     "5",
796   year =         "2004",
797   month =        jun,
798   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
799   publisher =    "American Physical Society",
800   notes =        "defect migration in sic",
801 }
802
803 @Article{gao07,
804   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
805                  W. J. Weber",
806   collaboration = "",
807   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
808                  in cubic silicon carbide",
809   publisher =    "AIP",
810   year =         "2007",
811   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
812   volume =       "90",
813   number =       "22",
814   eid =          "221915",
815   numpages =     "3",
816   pages =        "221915",
817   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
818                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
819                  dynamics method; density functional theory;
820                  electron-hole recombination; photoluminescence;
821                  impurities; diffusion",
822   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
823   doi =          "10.1063/1.2743751",
824 }
825
826 @Article{mattoni2002,
827   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
828                  crystalline silicon",
829   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
830   journal =      "Phys. Rev. B",
831   volume =       "66",
832   number =       "19",
833   pages =        "195214",
834   numpages =     "6",
835   year =         "2002",
836   month =        nov,
837   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
838   publisher =    "American Physical Society",
839   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
840                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
841                  tersoff suitability",
842 }
843
844 @Article{leung99,
845   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
846   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
847                  Itoh and S. Ihara",
848   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
849   volume =       "83",
850   number =       "12",
851   pages =        "2351--2354",
852   numpages =     "3",
853   year =         "1999",
854   month =        sep,
855   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
856   publisher =    "American Physical Society",
857   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
858                  refs",
859 }
860
861 @Article{capaz94,
862   title =        "Identification of the migration path of interstitial
863                  carbon in silicon",
864   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
865   journal =      "Phys. Rev. B",
866   volume =       "50",
867   number =       "11",
868   pages =        "7439--7442",
869   numpages =     "3",
870   year =         "1994",
871   month =        sep,
872   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
873   publisher =    "American Physical Society",
874   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
875                  dumbbell",
876 }
877
878 @Article{capaz98,
879   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
880   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
881   journal =      "Phys. Rev. B",
882   volume =       "58",
883   number =       "15",
884   pages =        "9845--9850",
885   numpages =     "5",
886   year =         "1998",
887   month =        oct,
888   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
889   publisher =    "American Physical Society",
890   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
891 }
892
893 @Article{song90_2,
894   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
895                  pair in silicon",
896   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
897                  Watkins",
898   journal =      "Phys. Rev. B",
899   volume =       "42",
900   number =       "9",
901   pages =        "5765--5783",
902   numpages =     "18",
903   year =         "1990",
904   month =        sep,
905   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
906   publisher =    "American Physical Society",
907   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
908 }
909
910 @Article{liu02,
911   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
912                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
913   collaboration = "",
914   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
915                  interactions in Si",
916   publisher =    "AIP",
917   year =         "2002",
918   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
919   volume =       "80",
920   number =       "1",
921   pages =        "52--54",
922   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
923                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
924                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
925   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
926   doi =          "10.1063/1.1430505",
927   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
928 }
929
930 @Article{dal_pino93,
931   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
932                  silicon",
933   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
934                  Joannopoulos",
935   journal =      "Phys. Rev. B",
936   volume =       "47",
937   number =       "19",
938   pages =        "12554--12557",
939   numpages =     "3",
940   year =         "1993",
941   month =        may,
942   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
943   publisher =    "American Physical Society",
944   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
945 }
946
947 @Article{car84,
948   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
949                  Silicon",
950   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
951                  Sokrates T. Pantelides",
952   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
953   volume =       "52",
954   number =       "20",
955   pages =        "1814--1817",
956   numpages =     "3",
957   year =         "1984",
958   month =        may,
959   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
960   publisher =    "American Physical Society",
961   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
962                  path formation",
963 }
964
965 @Article{car85,
966   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
967                  Density-Functional Theory",
968   author =       "R. Car and M. Parrinello",
969   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
970   volume =       "55",
971   number =       "22",
972   pages =        "2471--2474",
973   numpages =     "3",
974   year =         "1985",
975   month =        nov,
976   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
977   publisher =    "American Physical Society",
978   notes =        "car parrinello method, dft and md",
979 }
980
981 @Article{kelires97,
982   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
983                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
984   author =       "P. C. Kelires",
985   journal =      "Phys. Rev. B",
986   volume =       "55",
987   number =       "14",
988   pages =        "8784--8787",
989   numpages =     "3",
990   year =         "1997",
991   month =        apr,
992   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
993   publisher =    "American Physical Society",
994   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
995                  neighbour dist",
996 }
997
998 @Article{kelires95,
999   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
1000                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
1001   author =       "P. C. Kelires",
1002   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1003   volume =       "75",
1004   number =       "6",
1005   pages =        "1114--1117",
1006   numpages =     "3",
1007   year =         "1995",
1008   month =        aug,
1009   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
1010   publisher =    "American Physical Society",
1011   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
1012 }
1013
1014 @Article{bean70,
1015   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
1016                  containing carbon",
1017   journal =      "Solid State Commun.",
1018   volume =       "8",
1019   number =       "3",
1020   pages =        "175--177",
1021   year =         "1970",
1022   note =         "",
1023   ISSN =         "0038-1098",
1024   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
1025   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
1026   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
1027 }
1028
1029 @Article{durand99,
1030   author =       "F. Durand and J. Duby",
1031   affiliation =  "EPM-Madylam, CNRS and INP Grenoble, France",
1032   title =        "Carbon solubility in solid and liquid silicon—{A}
1033                  review with reference to eutectic equilibrium",
1034   journal =      "Journal of Phase Equilibria",
1035   publisher =    "Springer New York",
1036   ISSN =         "1054-9714",
1037   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
1038   pages =        "61--63",
1039   volume =       "20",
1040   issue =        "1",
1041   URL =          "http://dx.doi.org/10.1361/105497199770335956",
1042   note =         "10.1361/105497199770335956",
1043   year =         "1999",
1044   notes =        "better c solubility limit in silicon",
1045 }
1046
1047 @Article{watkins76,
1048   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
1049                  Atom in Silicon",
1050   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
1051   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1052   volume =       "36",
1053   number =       "22",
1054   pages =        "1329--1332",
1055   numpages =     "3",
1056   year =         "1976",
1057   month =        may,
1058   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
1059   publisher =    "American Physical Society",
1060   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
1061                  silicon",
1062 }
1063
1064 @Article{song90,
1065   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
1066                  interstitial carbon in silicon",
1067   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
1068   journal =      "Phys. Rev. B",
1069   volume =       "42",
1070   number =       "9",
1071   pages =        "5759--5764",
1072   numpages =     "5",
1073   year =         "1990",
1074   month =        sep,
1075   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
1076   publisher =    "American Physical Society",
1077   notes =        "carbon diffusion in silicon",
1078 }
1079
1080 @Article{tipping87,
1081   author =       "A K Tipping and R C Newman",
1082   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
1083                  silicon",
1084   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
1085   volume =       "2",
1086   number =       "5",
1087   pages =        "315--317",
1088   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
1089   year =         "1987",
1090   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
1091                  silicon",
1092 }
1093
1094 @Article{isomae93,
1095   author =       "Seiichi Isomae and Tsutomu Ishiba and Toshio Ando and
1096                  Masao Tamura",
1097   collaboration = "",
1098   title =        "Annealing behavior of Me{V} implanted carbon in
1099                  silicon",
1100   publisher =    "AIP",
1101   year =         "1993",
1102   journal =      "J. Appl. Phys.",
1103   volume =       "74",
1104   number =       "6",
1105   pages =        "3815--3820",
1106   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; WAFERS; CARBON IONS; MEV
1107                  RANGE 0110; TEM; SIMS; INFRARED SPECTRA; STRAINS; DEPTH
1108                  PROFILES",
1109   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/3815/1",
1110   doi =          "10.1063/1.354474",
1111   notes =        "c at interstitial location for rt implantation in si",
1112 }
1113
1114 @Article{strane96,
1115   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
1116                  ion implantation and solid phase epitaxy",
1117   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
1118                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1119   journal =      "J. Appl. Phys.",
1120   volume =       "79",
1121   pages =        "637",
1122   year =         "1996",
1123   month =        jan,
1124   doi =          "10.1063/1.360806",
1125   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
1126 }
1127
1128 @Article{laveant2002,
1129   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1130   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1131   volume =       "89",
1132   number =       "1-3",
1133   pages =        "241--245",
1134   year =         "2002",
1135   ISSN =         "0921-5107",
1136   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1137   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1138   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1139                  G{\"{o}}sele",
1140   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1141                  stress, avoid sic precipitation",
1142 }
1143
1144 @Article{foell77,
1145   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1146                  agglomeration of self-interstitials",
1147   journal =      "J. Cryst. Growth",
1148   volume =       "40",
1149   number =       "1",
1150   pages =        "90--108",
1151   year =         "1977",
1152   note =         "",
1153   ISSN =         "0022-0248",
1154   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1155   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1156   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1157   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1158                  agglomerate",
1159 }
1160
1161 @Article{foell81,
1162   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1163                  defects",
1164   journal =      "J. Cryst. Growth",
1165   volume =       "52",
1166   number =       "Part 2",
1167   pages =        "907--916",
1168   year =         "1981",
1169   note =         "",
1170   ISSN =         "0022-0248",
1171   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1172   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1173   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1174   notes =        "swirl review",
1175 }
1176
1177 @Article{werner97,
1178   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1179                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1180   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1181                  silicon by transmission electron microscopy",
1182   publisher =    "AIP",
1183   year =         "1997",
1184   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1185   volume =       "70",
1186   number =       "2",
1187   pages =        "252--254",
1188   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1189                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1190                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1191                  layers; precipitation",
1192   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1193   doi =          "10.1063/1.118381",
1194   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1195                  precipitate",
1196 }
1197
1198 @InProceedings{werner96,
1199   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1200                  Eichler",
1201   booktitle =    "Proceedings of the 11th International Conference on
1202                  Ion Implantation Technology.",
1203   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1204                  implanted silicon",
1205   year =         "1996",
1206   month =        jun,
1207   volume =       "",
1208   number =       "",
1209   pages =        "675--678",
1210   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1211   ISSN =         "",
1212   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1213 }
1214
1215 @Article{werner98,
1216   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1217                  D. C. Jacobson",
1218   collaboration = "",
1219   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1220   publisher =    "AIP",
1221   year =         "1998",
1222   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1223   volume =       "73",
1224   number =       "17",
1225   pages =        "2465--2467",
1226   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1227                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1228                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1229                  impurity distribution",
1230   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1231   doi =          "10.1063/1.122483",
1232   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1233 }
1234
1235 @Article{kalejs84,
1236   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1237   collaboration = "",
1238   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1239                  silicon",
1240   publisher =    "AIP",
1241   year =         "1984",
1242   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1243   volume =       "45",
1244   number =       "3",
1245   pages =        "268--269",
1246   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1247                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1248                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1249   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1250   doi =          "10.1063/1.95167",
1251   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1252 }
1253
1254 @Article{fukami90,
1255   author =       "Akira Fukami and Ken-ichi Shoji and Takahiro Nagano
1256                  and Cary Y. Yang",
1257   collaboration = "",
1258   title =        "Characterization of SiGe/Si heterostructures formed by
1259                  Ge[sup + ] and {C}[sup + ] implantation",
1260   publisher =    "AIP",
1261   year =         "1990",
1262   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1263   volume =       "57",
1264   number =       "22",
1265   pages =        "2345--2347",
1266   keywords =     "HETEROJUNCTIONS; ION IMPLANTATION; HETEROSTRUCTURES;
1267                  FABRICATION; PN JUNCTIONS; LEAKAGE CURRENT; GERMANIUM
1268                  SILICIDES; SILICON; ELECTRICAL PROPERTIES; SOLIDPHASE
1269                  EPITAXY; CARBON IONS; GERMANIUM IONS",
1270   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/57/2345/1",
1271   doi =          "10.1063/1.103888",
1272 }
1273
1274 @Article{strane93,
1275   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and B. L.
1276                  Doyle and S. T. Picraux and J. W. Mayer",
1277   collaboration = "",
1278   title =        "Metastable SiGe{C} formation by solid phase epitaxy",
1279   publisher =    "AIP",
1280   year =         "1993",
1281   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1282   volume =       "63",
1283   number =       "20",
1284   pages =        "2786--2788",
1285   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; TERNARY ALLOY
1286                  SYSTEMS; EPITAXY; ION IMPLANTATION; METASTABLE STATES;
1287                  ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; RUTHERFORD
1288                  SCATTERING; XRAY DIFFRACTION; STRAINS; SOLIDPHASE
1289                  EPITAXY; AMORPHIZATION",
1290   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/63/2786/1",
1291   doi =          "10.1063/1.110334",
1292 }
1293
1294 @Article{goorsky92,
1295   author =       "M. S. Goorsky and S. S. Iyer and K. Eberl and F.
1296                  Legoues and J. Angilello and F. Cardone",
1297   collaboration = "",
1298   title =        "Thermal stability of Si[sub 1 - x]{C}[sub x]/Si
1299                  strained layer superlattices",
1300   publisher =    "AIP",
1301   year =         "1992",
1302   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1303   volume =       "60",
1304   number =       "22",
1305   pages =        "2758--2760",
1306   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
1307                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; SUPERLATTICES; ANNEALING;
1308                  CHEMICAL COMPOSITION; INTERNAL STRAINS; STRESS
1309                  RELAXATION; THERMAL INSTABILITIES; INTERFACE STRUCTURE;
1310                  DIFFUSION; PRECIPITATION; TEMPERATURE EFFECTS",
1311   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/2758/1",
1312   doi =          "10.1063/1.106868",
1313 }
1314
1315 @Article{strane94,
1316   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1317                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1318   collaboration = "",
1319   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1320                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1321   publisher =    "AIP",
1322   year =         "1994",
1323   journal =      "J. Appl. Phys.",
1324   volume =       "76",
1325   number =       "6",
1326   pages =        "3656--3668",
1327   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1328   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1329   doi =          "10.1063/1.357429",
1330   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1331                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1332                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1333                  energy",
1334 }
1335
1336 @Article{fischer95,
1337   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1338                  Osten",
1339   collaboration = "",
1340   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1341                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1342   publisher =    "AIP",
1343   year =         "1995",
1344   journal =      "J. Appl. Phys.",
1345   volume =       "77",
1346   number =       "5",
1347   pages =        "1934--1937",
1348   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1349                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1350                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1351                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1352   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1353   doi =          "10.1063/1.358826",
1354 }
1355
1356 @Article{edgar92,
1357   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1358                  semiconductors",
1359   author =       "J. H. Edgar",
1360   journal =      "J. Mater. Res.",
1361   volume =       "7",
1362   pages =        "235",
1363   year =         "1992",
1364   month =        jan,
1365   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1366   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1367                  polytypes",
1368 }
1369
1370 @Article{zirkelbach2007,
1371   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1372                  process leading to ordered precipitate structures",
1373   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1374                  and B. Stritzker",
1375   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1376   volume =       "257",
1377   number =       "1--2",
1378   pages =        "75--79",
1379   numpages =     "5",
1380   year =         "2007",
1381   month =        apr,
1382   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1383   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1384                  NETHERLANDS",
1385   abstract =     "Periodically arranged, selforganised, nanometric,
1386                  amorphous precipitates have been observed after
1387                  high-fluence ion implantations into solids for a number
1388                  of ion/target combinations at certain implantation
1389                  conditions. A model describing the ordering process
1390                  based on compressive stress exerted by the amorphous
1391                  inclusions as a result of the density change upon
1392                  amorphisation is introduced. A Monte Carlo simulation
1393                  code, which focuses on high-fluence carbon
1394                  implantations into silicon, is able to reproduce
1395                  experimentally observed nanolamella distributions as
1396                  well as the formation of continuous amorphous layers.
1397                  By means of simulation, the selforganisation process
1398                  becomes traceable and detailed information about the
1399                  compositional and structural state during the ordering
1400                  process is obtained. Based on simulation results, a
1401                  recipe is proposed for producing broad distributions of
1402                  ordered lamellar structures.",
1403 }
1404
1405 @Article{zirkelbach2006,
1406   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1407                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1408                  during ion irradiation",
1409   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1410                  and B. Stritzker",
1411   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1412   volume =       "242",
1413   number =       "1--2",
1414   pages =        "679--682",
1415   numpages =     "4",
1416   year =         "2006",
1417   month =        jan,
1418   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1419   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1420                  NETHERLANDS",
1421   abstract =     "High-dose ion implantation of materials that undergo
1422                  drastic density change upon amorphization at certain
1423                  implantation conditions results in periodically
1424                  arranged, self-organized, nanometric configurations of
1425                  the amorphous phase. A simple model explaining the
1426                  phenomenon is introduced and implemented in a
1427                  Monte-Carlo simulation code. Through simulation
1428                  conditions for observing lamellar precipitates are
1429                  specified and additional information about the
1430                  compositional and structural state during the ordering
1431                  process is gained.",
1432 }
1433
1434 @Article{zirkelbach2005,
1435   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1436                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1437                  ion irradiation",
1438   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1439                  and B. Stritzker",
1440   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1441   volume =       "33",
1442   number =       "1--3",
1443   pages =        "310--316",
1444   numpages =     "7",
1445   year =         "2005",
1446   month =        apr,
1447   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1448   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1449                  NETHERLANDS",
1450   abstract =     "Ion irradiation of materials, which undergo a drastic
1451                  density change upon amorphization have been shown to
1452                  exhibit selforganized, nanometric structures of the
1453                  amorphous phase in the crystalline host lattice. In
1454                  order to better understand the process a
1455                  Monte-Carlo-simulation code based on a simple model is
1456                  developed. In the present work we focus on high-dose
1457                  carbon implantations into silicon. The simulation is
1458                  able to reproduce results gained by cross-sectional TEM
1459                  measurements of high-dose carbon implanted silicon.
1460                  Necessary conditions can be specified for the
1461                  self-organization process and information is gained
1462                  about the compositional and structural state during the
1463                  ordering process which is difficult to be obtained by
1464                  experiment.",
1465 }
1466
1467 @Article{zirkelbach09,
1468   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1469                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1470   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1471   volume =       "159-160",
1472   number =       "",
1473   pages =        "149--152",
1474   year =         "2009",
1475   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1476                  Silicon Materials Research for Electronic and
1477                  Photovoltaic Applications",
1478   ISSN =         "0921-5107",
1479   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1480   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1481   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1482                  B. Stritzker",
1483   keywords =     "Silicon",
1484   keywords =     "Carbon",
1485   keywords =     "Silicon carbide",
1486   keywords =     "Nucleation",
1487   keywords =     "Defect formation",
1488   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1489   abstract =     "The precipitation process of silicon carbide in
1490                  heavily carbon doped silicon is not yet fully
1491                  understood. High resolution transmission electron
1492                  microscopy observations suggest that in a first step
1493                  carbon atoms form C-Si dumbbells on regular Si lattice
1494                  sites which agglomerate into large clusters. In a
1495                  second step, when the cluster size reaches a radius of
1496                  a few nm, the high interfacial energy due to the SiC/Si
1497                  lattice misfit of almost 20\% is overcome and the
1498                  precipitation occurs. By simulation, details of the
1499                  precipitation process can be obtained on the atomic
1500                  level. A recently proposed parametrization of a
1501                  Tersoff-like bond order potential is used to model the
1502                  system appropriately. Preliminary results gained by
1503                  molecular dynamics simulations using this potential are
1504                  presented.",
1505 }
1506
1507 @Article{zirkelbach10,
1508   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1509                  classical potentials and first-principles methods",
1510   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1511                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1512   journal =      "Phys. Rev. B",
1513   volume =       "82",
1514   number =       "9",
1515   pages =        "094110",
1516   numpages =     "6",
1517   year =         "2010",
1518   month =        sep,
1519   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1520   publisher =    "American Physical Society",
1521   abstract =     "A comparative theoretical investigation of carbon
1522                  interstitials in silicon is presented. Calculations
1523                  using classical potentials are compared to
1524                  first-principles density-functional theory calculations
1525                  of the geometries, formation, and activation energies
1526                  of the carbon dumbbell interstitial, showing the
1527                  importance of a quantum-mechanical description of this
1528                  system. In contrast to previous studies, the present
1529                  first-principles calculations of the interstitial
1530                  carbon migration path yield an activation energy that
1531                  excellently matches the experiment. The bond-centered
1532                  interstitial configuration shows a net magnetization of
1533                  two electrons, illustrating the need for spin-polarized
1534                  calculations.",
1535 }
1536
1537 @Article{zirkelbach11,
1538   journal =      "Phys. Rev. B",
1539   month =        aug,
1540   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.84.064126",
1541   publisher =    "American Physical Society",
1542   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1543                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1544   title =        "Combined \textit{ab initio} and classical potential
1545                  simulation study on silicon carbide precipitation in
1546                  silicon",
1547   year =         "2011",
1548   pages =        "064126",
1549   numpages =     "18",
1550   volume =       "84",
1551   doi =          "10.1103/PhysRevB.84.064126",
1552   issue =        "6",
1553   abstract =     "Atomistic simulations on the silicon carbide
1554                  precipitation in bulk silicon employing both, classical
1555                  potential and first-principles methods are presented.
1556                  The calculations aim at a comprehensive, microscopic
1557                  understanding of the precipitation mechanism in the
1558                  context of controversial discussions in the literature.
1559                  For the quantum-mechanical treatment, basic processes
1560                  assumed in the precipitation process are calculated in
1561                  feasible systems of small size. The migration mechanism
1562                  of a carbon \hkl<1 0 0> interstitial and silicon \hkl<1
1563                  1 0> self-interstitial in otherwise defect-free silicon
1564                  are investigated using density functional theory
1565                  calculations. The influence of a nearby vacancy,
1566                  another carbon interstitial and a substitutional defect
1567                  as well as a silicon self-interstitial has been
1568                  investigated systematically. Interactions of various
1569                  combinations of defects have been characterized
1570                  including a couple of selected migration pathways
1571                  within these configurations. Almost all of the
1572                  investigated pairs of defects tend to agglomerate
1573                  allowing for a reduction in strain. The formation of
1574                  structures involving strong carbon-carbon bonds turns
1575                  out to be very unlikely. In contrast, substitutional
1576                  carbon occurs in all probability. A long range capture
1577                  radius has been observed for pairs of interstitial
1578                  carbon as well as interstitial carbon and vacancies. A
1579                  rather small capture radius is predicted for
1580                  substitutional carbon and silicon self-interstitials.
1581                  Initial assumptions regarding the precipitation
1582                  mechanism of silicon carbide in bulk silicon are
1583                  established and conformability to experimental findings
1584                  is discussed. Furthermore, results of the accurate
1585                  first-principles calculations on defects and carbon
1586                  diffusion in silicon are compared to results of
1587                  classical potential simulations revealing significant
1588                  limitations of the latter method. An approach to work
1589                  around this problem is proposed. Finally, results of
1590                  the classical potential molecular dynamics simulations
1591                  of large systems are examined, which reinforce previous
1592                  assumptions and give further insight into basic
1593                  processes involved in the silicon carbide transition.",
1594 }
1595
1596 @Article{zirkelbach12,
1597   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and W.
1598                  G. Schmidt and E. Rauls and J. K. N. Lindner",
1599   title =        "First-principles and empirical potential simulation
1600                  study of intrinsic and carbon-related defects in
1601                  silicon",
1602   journal =      "phys. status solidi (c)",
1603   volume =       "9",
1604   number =       "10-11",
1605   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
1606   ISSN =         "1610-1642",
1607   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201200198",
1608   doi =          "10.1002/pssc.201200198",
1609   pages =        "1968--1973",
1610   keywords =     "silicon, carbon, silicon carbide, defect formation,
1611                  defect migration, density functional theory, empirical
1612                  potential, molecular dynamics",
1613   year =         "2012",
1614   abstract =     "Results of atomistic simulations aimed at
1615                  understanding precipitation of the highly attractive
1616                  wide band gap semiconductor material silicon carbide in
1617                  silicon are presented. The study involves a systematic
1618                  investigation of intrinsic and carbon-related defects
1619                  as well as defect combinations and defect migration by
1620                  both, quantummechanical first-principles as well as
1621                  empirical potential methods. Comparing formation and
1622                  activation energies, ground-state structures of defects
1623                  and defect combinations as well as energetically
1624                  favorable agglomeration of defects are predicted.
1625                  Moreover, accurate ab initio calculations unveil
1626                  limitations of the analytical method based on a
1627                  Tersoff-like bond order potential. A work-around is
1628                  proposed in order to subsequently apply the highly
1629                  efficient technique on large structures not accessible
1630                  by first-principles methods. The outcome of both types
1631                  of simulation provides a basic microscopic
1632                  understanding of defect formation and structural
1633                  evolution particularly at non-equilibrium conditions
1634                  strongly deviated from the ground state as commonly
1635                  found in SiC growth processes. A possible precipitation
1636                  mechanism, which conforms well to experimental findings
1637                  and clarifies contradictory views present in the
1638                  literature is outlined (© 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH \&
1639                  Co. KGaA, Weinheim)",
1640 }
1641
1642 @Article{zirkelbach14,
1643   author =       "F. Zirkelbach and P.-Y. Prodhomme and P. Han and R.
1644                  Cherian and G. Bester",
1645   title =        "Large-scale Atomic Effective Pseudopotential Program
1646                  ({LATEPP}) including an efficient spin-orbit coupling
1647                  treatment in real space",
1648   journal =      "to be published",
1649   year =         "2014",
1650   abstract =     "Within the scheme of the {\em Large-scale Atomic
1651                  Effective Pseudopotential Program}, the Schr{\"o}dinger
1652                  equation of an electronic system is solved within an
1653                  effective single-particle approach. Although not
1654                  limited to, it focuses on the recently introduced
1655                  atomic effective pseudopotentials derived from screened
1656                  local effective crystal potentials as obtained from
1657                  self-consistent density functional theory calculations.
1658                  Plane waves are used to expand the wavefunctions. The
1659                  problem can be solved in both, real and reciprocal
1660                  space. Using atomic effective pseudopotentials, a
1661                  self-consistency cycle is not required, which
1662                  drastically reduces the computational effort.
1663                  Furthermore, without having to find a self-consistent
1664                  solution, which would require the determination of all
1665                  eigenstates, iterative solvers can be used to focus
1666                  only on a few eigenstates in the vicinity of a
1667                  reference energy, e.g.\ around the band gap of a
1668                  semiconductor. Hence, this approach is particularly
1669                  well suited for theoretical investigations of the
1670                  electronic structure of semiconductor nanostructures
1671                  consisting of up to several thousands of atoms.
1672                  Moreover, a novel and efficient real space treatment of
1673                  spin-orbit coupling within the pseudopotential
1674                  framework is proposed in this work allowing for a fully
1675                  relativistic description.",
1676 }
1677
1678 @Article{lindner95,
1679   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1680                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1681   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1682                  Layers in Silicon",
1683   journal =      "MRS Proc.",
1684   volume =       "354",
1685   number =       "",
1686   pages =        "171",
1687   year =         "1994",
1688   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1689   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1690   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1691 }
1692
1693 @Article{lindner96,
1694   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1695                  in silicon by ion beam synthesis",
1696   journal =      "Mater. Chem. Phys.",
1697   volume =       "46",
1698   number =       "2-3",
1699   pages =        "147--155",
1700   year =         "1996",
1701   note =         "",
1702   ISSN =         "0254-0584",
1703   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1704   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1705   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1706                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1707                  Stritzker",
1708   notes =        "dose window",
1709 }
1710
1711 @Article{calcagno96,
1712   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1713                  ion implantation",
1714   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1715   volume =       "120",
1716   number =       "1-4",
1717   pages =        "121--124",
1718   year =         "1996",
1719   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1720                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1721   ISSN =         "0168-583X",
1722   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1723   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1724   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1725                  Grimaldi and P. Musumeci",
1726   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1727 }
1728
1729 @Article{lindner98,
1730   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1731                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1732   journal =      "Mater. Sci. Forum",
1733   volume =       "264-268",
1734   pages =        "215--218",
1735   year =         "1998",
1736   note =         "",
1737   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1738   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1739   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1740   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1741                  crystallinity",
1742 }
1743
1744 @Article{lindner99,
1745   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1746                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1747                  layers in silicon",
1748   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1749   volume =       "147",
1750   number =       "1-4",
1751   pages =        "249--255",
1752   year =         "1999",
1753   note =         "",
1754   ISSN =         "0168-583X",
1755   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1756   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1757   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1758   notes =        "two-step implantation process",
1759 }
1760
1761 @Article{lindner99_2,
1762   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1763                  in silicon",
1764   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1765   volume =       "148",
1766   number =       "1-4",
1767   pages =        "528--533",
1768   year =         "1999",
1769   ISSN =         "0168-583X",
1770   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1771   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1772   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1773   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1774 }
1775
1776 @Article{lindner01,
1777   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1778                  Basic physical processes",
1779   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1780   volume =       "178",
1781   number =       "1-4",
1782   pages =        "44--54",
1783   year =         "2001",
1784   note =         "",
1785   ISSN =         "0168-583X",
1786   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1787   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1788   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1789 }
1790
1791 @Article{lindner02,
1792   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1793                  fundamental studies for new technological tricks",
1794   author =       "J. K. N. Lindner",
1795   journal =      "Appl. Phys. A",
1796   volume =       "77",
1797   pages =        "27--38",
1798   year =         "2003",
1799   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1800   notes =        "ibs, burried sic layers",
1801 }
1802
1803 @Article{lindner06,
1804   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1805                  formation and displacive precipitate resolution in the
1806                  {C}-Si system",
1807   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1808   volume =       "26",
1809   number =       "5-7",
1810   pages =        "857--861",
1811   year =         "2006",
1812   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1813                  Applications",
1814   ISSN =         "0928-4931",
1815   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1816   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1817   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1818                  and B. Stritzker",
1819   notes =        "c int diffusion barrier",
1820 }
1821
1822 @Article{haeberlen10,
1823   title =        "Structural characterization of cubic and hexagonal
1824                  Ga{N} thin films grown by {IBA}-{MBE} on Si{C}/Si",
1825   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1826   volume =       "312",
1827   number =       "6",
1828   pages =        "762--769",
1829   year =         "2010",
1830   note =         "",
1831   ISSN =         "0022-0248",
1832   doi =          "10.1016/j.jcrysgro.2009.12.048",
1833   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024809011452",
1834   author =       "M. H{\"a}berlen and J. W. Gerlach and B. Murphy and J.
1835                  K. N. Lindner and B. Stritzker",
1836 }
1837
1838 @Article{ito04,
1839   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1840                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1841                  growth",
1842   journal =      "Appl. Surf. Sci.",
1843   volume =       "238",
1844   number =       "1-4",
1845   pages =        "159--164",
1846   year =         "2004",
1847   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1848   ISSN =         "0169-4332",
1849   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1850   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1851   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1852                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1853   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1854 }
1855
1856 @Article{yamamoto04,
1857   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1858                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1859                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1860   journal =      "J. Cryst. Growth",
1861   volume =       "261",
1862   number =       "2-3",
1863   pages =        "266--270",
1864   year =         "2004",
1865   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1866                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1867   ISSN =         "0022-0248",
1868   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1869   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1870   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1871                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1872   notes =        "gan on 3c-sic",
1873 }
1874
1875 @Article{liu_l02,
1876   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1877   journal =      "Mater. Sci. Eng., R",
1878   volume =       "37",
1879   number =       "3",
1880   pages =        "61--127",
1881   year =         "2002",
1882   note =         "",
1883   ISSN =         "0927-796X",
1884   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1885   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1886   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1887   notes =        "gan substrates",
1888 }
1889
1890 @Article{takeuchi91,
1891   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1892                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1893   journal =      "J. Cryst. Growth",
1894   volume =       "115",
1895   number =       "1-4",
1896   pages =        "634--638",
1897   year =         "1991",
1898   note =         "",
1899   ISSN =         "0022-0248",
1900   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1901   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1902   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1903                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1904   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1905 }
1906
1907 @Article{alder57,
1908   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1909   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1910   publisher =    "AIP",
1911   year =         "1957",
1912   journal =      "J. Chem. Phys.",
1913   volume =       "27",
1914   number =       "5",
1915   pages =        "1208--1209",
1916   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1917   doi =          "10.1063/1.1743957",
1918 }
1919
1920 @Article{alder59,
1921   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1922   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1923   publisher =    "AIP",
1924   year =         "1959",
1925   journal =      "J. Chem. Phys.",
1926   volume =       "31",
1927   number =       "2",
1928   pages =        "459--466",
1929   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1930   doi =          "10.1063/1.1730376",
1931 }
1932
1933 @Article{horsfield96,
1934   title =        "Bond-order potentials: Theory and implementation",
1935   author =       "A. P. Horsfield and A. M. Bratkovsky and M. Fearn and
1936                  D. G. Pettifor and M. Aoki",
1937   journal =      "Phys. Rev. B",
1938   volume =       "53",
1939   number =       "19",
1940   pages =        "12694--12712",
1941   numpages =     "18",
1942   year =         "1996",
1943   month =        may,
1944   doi =          "10.1103/PhysRevB.53.12694",
1945   publisher =    "American Physical Society",
1946 }
1947
1948 @Article{abell85,
1949   title =        "Empirical chemical pseudopotential theory of molecular
1950                  and metallic bonding",
1951   author =       "G. C. Abell",
1952   journal =      "Phys. Rev. B",
1953   volume =       "31",
1954   number =       "10",
1955   pages =        "6184--6196",
1956   numpages =     "12",
1957   year =         "1985",
1958   month =        may,
1959   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.6184",
1960   publisher =    "American Physical Society",
1961 }
1962
1963 @Article{tersoff_si1,
1964   title =        "New empirical model for the structural properties of
1965                  silicon",
1966   author =       "J. Tersoff",
1967   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1968   volume =       "56",
1969   number =       "6",
1970   pages =        "632--635",
1971   numpages =     "3",
1972   year =         "1986",
1973   month =        feb,
1974   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1975   publisher =    "American Physical Society",
1976 }
1977
1978 @Article{dodson87,
1979   title =        "Development of a many-body Tersoff-type potential for
1980                  silicon",
1981   author =       "Brian W. Dodson",
1982   journal =      "Phys. Rev. B",
1983   volume =       "35",
1984   number =       "6",
1985   pages =        "2795--2798",
1986   numpages =     "3",
1987   year =         "1987",
1988   month =        feb,
1989   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.2795",
1990   publisher =    "American Physical Society",
1991 }
1992
1993 @Article{tersoff_si2,
1994   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1995                  covalent systems",
1996   author =       "J. Tersoff",
1997   journal =      "Phys. Rev. B",
1998   volume =       "37",
1999   number =       "12",
2000   pages =        "6991--7000",
2001   numpages =     "9",
2002   year =         "1988",
2003   month =        apr,
2004   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
2005   publisher =    "American Physical Society",
2006 }
2007
2008 @Article{tersoff_si3,
2009   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
2010                  improved elastic properties",
2011   author =       "J. Tersoff",
2012   journal =      "Phys. Rev. B",
2013   volume =       "38",
2014   number =       "14",
2015   pages =        "9902--9905",
2016   numpages =     "3",
2017   year =         "1988",
2018   month =        nov,
2019   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
2020   publisher =    "American Physical Society",
2021 }
2022
2023 @Article{tersoff_c,
2024   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
2025                  Applications to Amorphous Carbon",
2026   author =       "J. Tersoff",
2027   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2028   volume =       "61",
2029   number =       "25",
2030   pages =        "2879--2882",
2031   numpages =     "3",
2032   year =         "1988",
2033   month =        dec,
2034   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
2035   publisher =    "American Physical Society",
2036 }
2037
2038 @Article{tersoff_m,
2039   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
2040                  for multicomponent systems",
2041   author =       "J. Tersoff",
2042   journal =      "Phys. Rev. B",
2043   volume =       "39",
2044   number =       "8",
2045   pages =        "5566--5568",
2046   numpages =     "2",
2047   year =         "1989",
2048   month =        mar,
2049   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
2050   publisher =    "American Physical Society",
2051 }
2052
2053 @Article{tersoff90,
2054   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
2055   author =       "J. Tersoff",
2056   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2057   volume =       "64",
2058   number =       "15",
2059   pages =        "1757--1760",
2060   numpages =     "3",
2061   year =         "1990",
2062   month =        apr,
2063   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
2064   publisher =    "American Physical Society",
2065 }
2066
2067 @Article{fahey89,
2068   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
2069   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
2070   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
2071   volume =       "61",
2072   number =       "2",
2073   pages =        "289--384",
2074   numpages =     "95",
2075   year =         "1989",
2076   month =        apr,
2077   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
2078   publisher =    "American Physical Society",
2079 }
2080
2081 @Article{wesch96,
2082   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
2083   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2084   volume =       "116",
2085   number =       "1-4",
2086   pages =        "305--321",
2087   year =         "1996",
2088   note =         "Radiation Effects in Insulators",
2089   ISSN =         "0168-583X",
2090   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
2091   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
2092   author =       "W. Wesch",
2093 }
2094
2095 @Article{davis91,
2096   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
2097                  Palmour and J. A. Edmond",
2098   journal =      "Proc. IEEE",
2099   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
2100                  optoelectronic device fabrication and characterization
2101                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
2102   year =         "1991",
2103   month =        may,
2104   volume =       "79",
2105   number =       "5",
2106   pages =        "677--701",
2107   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
2108                  diode;SiC;dry etching;electrical
2109                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
2110                  device fabrication;solid-state devices;surface
2111                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
2112                  transistors;Schottky-barrier
2113                  diodes;etching;heterojunction bipolar
2114                  transistors;insulated gate field effect
2115                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
2116                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
2117   doi =          "10.1109/5.90132",
2118   ISSN =         "0018-9219",
2119   notes =        "sic growth methods",
2120 }
2121
2122 @Article{morkoc94,
2123   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
2124                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
2125   collaboration = "",
2126   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
2127                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
2128   publisher =    "AIP",
2129   year =         "1994",
2130   journal =      "J. Appl. Phys.",
2131   volume =       "76",
2132   number =       "3",
2133   pages =        "1363--1398",
2134   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
2135                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
2136                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
2137                  FILMS; INDUSTRY",
2138   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
2139   doi =          "10.1063/1.358463",
2140   notes =        "sic intro, properties",
2141 }
2142
2143 @Article{foo,
2144   author =       "Noch Unbekannt",
2145   title =        "How to find references",
2146   journal =      "Journal of Applied References",
2147   year =         "2009",
2148   volume =       "77",
2149   pages =        "1--23",
2150 }
2151
2152 @Article{tang95,
2153   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
2154                  \beta{}-Si{C}",
2155   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
2156   journal =      "Phys. Rev. B",
2157   volume =       "52",
2158   number =       "21",
2159   pages =        "15150--15159",
2160   numpages =     "9",
2161   year =         "1995",
2162   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
2163   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
2164                  tersoff reparametrization",
2165   publisher =    "American Physical Society",
2166 }
2167
2168 @Article{sarro00,
2169   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
2170   journal =      "Seonsor. Actuator. A",
2171   volume =       "82",
2172   number =       "1-3",
2173   pages =        "210--218",
2174   year =         "2000",
2175   ISSN =         "0924-4247",
2176   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
2177   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
2178   author =       "Pasqualina M. Sarro",
2179   keywords =     "MEMS",
2180   keywords =     "Silicon carbide",
2181   keywords =     "Micromachining",
2182   keywords =     "Mechanical stress",
2183 }
2184
2185 @Article{casady96,
2186   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
2187                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
2188                  review",
2189   journal =      "Solid-State Electron.",
2190   volume =       "39",
2191   number =       "10",
2192   pages =        "1409--1422",
2193   year =         "1996",
2194   ISSN =         "0038-1101",
2195   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
2196   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
2197   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
2198   notes =        "sic intro",
2199 }
2200
2201 @Article{giancarli98,
2202   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
2203                  structural material in fusion power reactor blankets",
2204   journal =      "Fusion Eng. Des.",
2205   volume =       "41",
2206   number =       "1-4",
2207   pages =        "165--171",
2208   year =         "1998",
2209   ISSN =         "0920-3796",
2210   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
2211   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
2212   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
2213                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
2214 }
2215
2216 @Article{pensl93,
2217   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
2218   journal =      "Physica B",
2219   volume =       "185",
2220   number =       "1-4",
2221   pages =        "264--283",
2222   year =         "1993",
2223   ISSN =         "0921-4526",
2224   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
2225   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
2226   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
2227 }
2228
2229 @Article{tairov78,
2230   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
2231                  carbide single crystals",
2232   journal =      "J. Cryst. Growth",
2233   volume =       "43",
2234   number =       "2",
2235   pages =        "209--212",
2236   year =         "1978",
2237   notes =        "modified lely process",
2238   ISSN =         "0022-0248",
2239   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
2240   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
2241   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2242 }
2243
2244 @Article{tairov81,
2245   title =        "General principles of growing large-size single
2246                  crystals of various silicon carbide polytypes",
2247   journal =      "J. Cryst. Growth",
2248   volume =       "52",
2249   number =       "Part 1",
2250   pages =        "146--150",
2251   year =         "1981",
2252   note =         "",
2253   ISSN =         "0022-0248",
2254   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
2255   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
2256   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2257 }
2258
2259 @Article{barrett91,
2260   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
2261   journal =      "J. Cryst. Growth",
2262   volume =       "109",
2263   number =       "1-4",
2264   pages =        "17--23",
2265   year =         "1991",
2266   note =         "",
2267   ISSN =         "0022-0248",
2268   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
2269   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
2270   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
2271                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
2272 }
2273
2274 @Article{barrett93,
2275   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
2276   journal =      "J. Cryst. Growth",
2277   volume =       "128",
2278   number =       "1-4",
2279   pages =        "358--362",
2280   year =         "1993",
2281   note =         "",
2282   ISSN =         "0022-0248",
2283   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
2284   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
2285   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
2286                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
2287                  W. J. Choyke",
2288 }
2289
2290 @Article{stein93,
2291   title =        "Control of polytype formation by surface energy
2292                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
2293                  sublimation method",
2294   journal =      "J. Cryst. Growth",
2295   volume =       "131",
2296   number =       "1-2",
2297   pages =        "71--74",
2298   year =         "1993",
2299   note =         "",
2300   ISSN =         "0022-0248",
2301   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
2302   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
2303   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
2304   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
2305 }
2306
2307 @Article{nishino83,
2308   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
2309                  Will",
2310   collaboration = "",
2311   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
2312                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
2313   publisher =    "AIP",
2314   year =         "1983",
2315   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2316   volume =       "42",
2317   number =       "5",
2318   pages =        "460--462",
2319   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
2320                  monocrystals",
2321   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
2322   doi =          "10.1063/1.93970",
2323   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
2324 }
2325
2326 @Article{nagasawa06,
2327   author =       "H. Nagasawa and K. Yagi and T. Kawahara and N. Hatta",
2328   title =        "Reducing Planar Defects in 3{C}¿Si{C}",
2329   journal =      "Chemical Vapor Deposition",
2330   volume =       "12",
2331   number =       "8-9",
2332   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2333   ISSN =         "1521-3862",
2334   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/cvde.200506466",
2335   doi =          "10.1002/cvde.200506466",
2336   pages =        "502--508",
2337   keywords =     "Defect structures, Epitaxy, Silicon carbide",
2338   year =         "2006",
2339   notes =        "cvd on si",
2340 }
2341
2342 @Article{nishino87,
2343   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
2344                  and Hiroyuki Matsunami",
2345   collaboration = "",
2346   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
2347                  Si{C} on silicon",
2348   publisher =    "AIP",
2349   year =         "1987",
2350   journal =      "J. Appl. Phys.",
2351   volume =       "61",
2352   number =       "10",
2353   pages =        "4889--4893",
2354   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
2355   doi =          "10.1063/1.338355",
2356   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
2357                  carbonization",
2358 }
2359
2360 @Article{powell87,
2361   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
2362                  Kuczmarski",
2363   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
2364                  Single-Crystal Films on Si",
2365   publisher =    "ECS",
2366   year =         "1987",
2367   journal =      "J. Electrochem. Soc.",
2368   volume =       "134",
2369   number =       "6",
2370   pages =        "1558--1565",
2371   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
2372                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
2373   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
2374   doi =          "10.1149/1.2100708",
2375   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
2376 }
2377
2378 @Article{powell87_2,
2379   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
2380                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
2381   collaboration = "",
2382   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
2383                  off-axis Si substrates",
2384   publisher =    "AIP",
2385   year =         "1987",
2386   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2387   volume =       "51",
2388   number =       "11",
2389   pages =        "823--825",
2390   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
2391                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
2392                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
2393                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
2394                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
2395   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
2396   doi =          "10.1063/1.98824",
2397   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
2398 }
2399
2400 @Article{ueda90,
2401   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
2402   journal =      "J. Cryst. Growth",
2403   volume =       "104",
2404   number =       "3",
2405   pages =        "695--700",
2406   year =         "1990",
2407   note =         "",
2408   ISSN =         "0022-0248",
2409   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
2410   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
2411   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
2412                  Matsunami",
2413   notes =        "step-controlled epitaxy model",
2414 }
2415
2416 @Article{kimoto93,
2417   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
2418                  and Hiroyuki Matsunami",
2419   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
2420                  epitaxy",
2421   publisher =    "AIP",
2422   year =         "1993",
2423   journal =      "J. Appl. Phys.",
2424   volume =       "73",
2425   number =       "2",
2426   pages =        "726--732",
2427   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
2428                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
2429                  VAPOR DEPOSITION",
2430   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
2431   doi =          "10.1063/1.353329",
2432   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
2433 }
2434
2435 @Article{powell90_2,
2436   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2437                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2438                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2439   collaboration = "",
2440   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
2441                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2442   publisher =    "AIP",
2443   year =         "1990",
2444   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2445   volume =       "56",
2446   number =       "15",
2447   pages =        "1442--1444",
2448   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2449                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
2450                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
2451                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
2452   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
2453   doi =          "10.1063/1.102492",
2454   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
2455 }
2456
2457 @Article{kong88_2,
2458   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2459   collaboration = "",
2460   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2461                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2462                  substrates",
2463   publisher =    "AIP",
2464   year =         "1988",
2465   journal =      "J. Appl. Phys.",
2466   volume =       "64",
2467   number =       "5",
2468   pages =        "2672--2679",
2469   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2470                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2471                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2472                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2473                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2474   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2475   doi =          "10.1063/1.341608",
2476 }
2477
2478 @Article{powell90,
2479   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2480                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2481                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2482   collaboration = "",
2483   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2484                  6{H}-Si{C} substrates",
2485   publisher =    "AIP",
2486   year =         "1990",
2487   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2488   volume =       "56",
2489   number =       "14",
2490   pages =        "1353--1355",
2491   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2492                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2493                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2494                  PHASE EPITAXY",
2495   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2496   doi =          "10.1063/1.102512",
2497   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2498 }
2499
2500 @Article{kong88,
2501   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2502                  Rozgonyi and K. L. More",
2503   collaboration = "",
2504   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2505                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2506                  substrates",
2507   publisher =    "AIP",
2508   year =         "1988",
2509   journal =      "J. Appl. Phys.",
2510   volume =       "63",
2511   number =       "8",
2512   pages =        "2645--2650",
2513   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2514                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2515                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2516                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2517                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2518   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2519   doi =          "10.1063/1.341004",
2520 }
2521
2522 @Article{powell91,
2523   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2524                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2525                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2526   collaboration = "",
2527   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2528                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2529   publisher =    "AIP",
2530   year =         "1991",
2531   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2532   volume =       "59",
2533   number =       "3",
2534   pages =        "333--335",
2535   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2536                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2537                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2538   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2539   doi =          "10.1063/1.105587",
2540 }
2541
2542 @Article{yuan95,
2543   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2544                  Thokala and M. J. Loboda",
2545   collaboration = "",
2546   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2547                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2548                  silacyclobutane",
2549   publisher =    "AIP",
2550   year =         "1995",
2551   journal =      "J. Appl. Phys.",
2552   volume =       "78",
2553   number =       "2",
2554   pages =        "1271--1273",
2555   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2556                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2557                  SPECTROPHOTOMETRY",
2558   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2559   doi =          "10.1063/1.360368",
2560   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2561 }
2562
2563 @Article{kaneda87,
2564   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2565                  properties of its p-n junction",
2566   journal =      "J. Cryst. Growth",
2567   volume =       "81",
2568   number =       "1-4",
2569   pages =        "536--542",
2570   year =         "1987",
2571   note =         "",
2572   ISSN =         "0022-0248",
2573   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2574   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2575   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2576                  and Takao Tanaka",
2577   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2578 }
2579
2580 @Article{fissel95,
2581   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2582                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2583                  molecular beam epitaxy",
2584   journal =      "J. Cryst. Growth",
2585   volume =       "154",
2586   number =       "1-2",
2587   pages =        "72--80",
2588   year =         "1995",
2589   ISSN =         "0022-0248",
2590   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2591   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2592   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2593                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2594   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2595 }
2596
2597 @Article{fissel95_apl,
2598   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2599   collaboration = "",
2600   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2601                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2602   publisher =    "AIP",
2603   year =         "1995",
2604   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2605   volume =       "66",
2606   number =       "23",
2607   pages =        "3182--3184",
2608   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2609                  RHEED; NUCLEATION",
2610   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2611   doi =          "10.1063/1.113716",
2612   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2613 }
2614
2615 @Article{fissel96,
2616   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2617                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2618   collaboration = "",
2619   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2620                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2621                  level using surface superstructures",
2622   publisher =    "AIP",
2623   year =         "1996",
2624   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2625   volume =       "68",
2626   number =       "9",
2627   pages =        "1204--1206",
2628   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2629                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2630                  SURFACE STRUCTURE",
2631   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2632   doi =          "10.1063/1.115969",
2633   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2634 }
2635
2636 @Article{righi03,
2637   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2638   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2639                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2640   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2641   volume =       "91",
2642   number =       "13",
2643   pages =        "136101",
2644   numpages =     "4",
2645   year =         "2003",
2646   month =        sep,
2647   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2648   publisher =    "American Physical Society",
2649   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2650 }
2651
2652 @Article{borders71,
2653   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2654   collaboration = "",
2655   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2656                  {IMPLANTATION}",
2657   publisher =    "AIP",
2658   year =         "1971",
2659   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2660   volume =       "18",
2661   number =       "11",
2662   pages =        "509--511",
2663   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2664   doi =          "10.1063/1.1653516",
2665   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2666                  ideas",
2667 }
2668
2669 @Article{edelman76,
2670   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2671                  and E. V. Lubopytova",
2672   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2673                  by ion implantation",
2674   publisher =    "Taylor \& Francis",
2675   year =         "1976",
2676   journal =      "Radiat. Eff.",
2677   volume =       "29",
2678   number =       "1",
2679   pages =        "13--15",
2680   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2681   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2682                  single crystalline",
2683 }
2684
2685 @Article{akimchenko80,
2686   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2687                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2688   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2689                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2690   publisher =    "Taylor \& Francis",
2691   year =         "1980",
2692   journal =      "Radiat. Eff.",
2693   volume =       "48",
2694   number =       "1",
2695   pages =        "7",
2696   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2697   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2698 }
2699
2700 @Article{kimura81,
2701   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2702                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2703                  silicon",
2704   journal =      "Thin Solid Films",
2705   volume =       "81",
2706   number =       "4",
2707   pages =        "319--327",
2708   year =         "1981",
2709   note =         "",
2710   ISSN =         "0040-6090",
2711   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2712   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2713   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2714                  Yugo",
2715 }
2716
2717 @Article{kimura82,
2718   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2719                  the implantation of carbon ions into silicon",
2720   journal =      "Thin Solid Films",
2721   volume =       "94",
2722   number =       "3",
2723   pages =        "191--198",
2724   year =         "1982",
2725   note =         "",
2726   ISSN =         "0040-6090",
2727   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2728   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2729   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2730                  Yugo",
2731 }
2732
2733 @Article{reeson86,
2734   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2735                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2736                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2737   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2738                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2739   publisher =    "Taylor \& Francis",
2740   year =         "1986",
2741   journal =      "Radiat. Eff.",
2742   volume =       "99",
2743   number =       "1",
2744   pages =        "71--81",
2745   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2746   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or time,
2747                  no c redistribution",
2748 }
2749
2750 @Article{reeson87,
2751   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2752                  J. Davis and G. E. Celler",
2753   collaboration = "",
2754   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2755                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2756   publisher =    "AIP",
2757   year =         "1987",
2758   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2759   volume =       "51",
2760   number =       "26",
2761   pages =        "2242--2244",
2762   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2763                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2764   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2765   doi =          "10.1063/1.98953",
2766   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2767 }
2768
2769 @Article{martin90,
2770   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2771                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2772   collaboration = "",
2773   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2774   publisher =    "AIP",
2775   year =         "1990",
2776   journal =      "J. Appl. Phys.",
2777   volume =       "67",
2778   number =       "6",
2779   pages =        "2908--2912",
2780   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2781                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2782                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2783                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2784                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2785                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2786   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2787   doi =          "10.1063/1.346092",
2788   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2789                  temepratures",
2790 }
2791
2792 @Article{scace59,
2793   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2794   collaboration = "",
2795   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2796   publisher =    "AIP",
2797   year =         "1959",
2798   journal =      "J. Chem. Phys.",
2799   volume =       "30",
2800   number =       "6",
2801   pages =        "1551--1555",
2802   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2803   doi =          "10.1063/1.1730236",
2804   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2805 }
2806
2807 @Article{hofker74,
2808   author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
2809                  Koeman",
2810   affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
2811                  Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
2812                  Netherlands",
2813   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
2814                  charge carrier and boron concentration profiles",
2815   journal =      "Appl. Phys. A",
2816   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
2817   ISSN =         "0947-8396",
2818   keyword =      "Physics and Astronomy",
2819   pages =        "125--133",
2820   volume =       "4",
2821   issue =        "2",
2822   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
2823   note =         "10.1007/BF00884267",
2824   year =         "1974",
2825   notes =        "first time ted (only for boron?)",
2826 }
2827
2828 @Article{michel87,
2829   author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
2830                  H. Kastl",
2831   collaboration = "",
2832   title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
2833                  implanted boron into silicon",
2834   publisher =    "AIP",
2835   year =         "1987",
2836   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2837   volume =       "50",
2838   number =       "7",
2839   pages =        "416--418",
2840   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
2841                  BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
2842                  HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
2843   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
2844   doi =          "10.1063/1.98160",
2845   notes =        "ted of boron in si",
2846 }
2847
2848 @Article{cowern90,
2849   author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
2850                  Jos",
2851   collaboration = "",
2852   title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
2853                  time, and matrix dependence of atomic and electrical
2854                  profiles",
2855   publisher =    "AIP",
2856   year =         "1990",
2857   journal =      "J. Appl. Phys.",
2858   volume =       "68",
2859   number =       "12",
2860   pages =        "6191--6198",
2861   keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
2862                  DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
2863                  CRYSTALS; AMORPHIZATION",
2864   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
2865   doi =          "10.1063/1.346910",
2866   notes =        "ted of boron in si",
2867 }
2868
2869 @Article{cowern96,
2870   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2871                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2872   collaboration = "",
2873   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2874                  {B} in silicon",
2875   publisher =    "AIP",
2876   year =         "1996",
2877   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2878   volume =       "68",
2879   number =       "8",
2880   pages =        "1150--1152",
2881   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2882                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2883                  SILICON",
2884   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2885   doi =          "10.1063/1.115706",
2886   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2887 }
2888
2889 @Article{stolk95,
2890   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2891                  of the silicon self-interstitial",
2892   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2893   volume =       "96",
2894   number =       "1-2",
2895   pages =        "187--195",
2896   year =         "1995",
2897   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2898                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2899   ISSN =         "0168-583X",
2900   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2901   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2902   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2903                  and J. M. Poate",
2904 }
2905
2906 @Article{stolk97,
2907   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2908                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2909                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2910                  E. Haynes",
2911   collaboration = "",
2912   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2913                  diffusion in ion-implanted silicon",
2914   publisher =    "AIP",
2915   year =         "1997",
2916   journal =      "J. Appl. Phys.",
2917   volume =       "81",
2918   number =       "9",
2919   pages =        "6031--6050",
2920   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2921   doi =          "10.1063/1.364452",
2922   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2923 }
2924
2925 @Article{powell94,
2926   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2927   collaboration = "",
2928   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2929                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2930   publisher =    "AIP",
2931   year =         "1994",
2932   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2933   volume =       "64",
2934   number =       "3",
2935   pages =        "324--326",
2936   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2937                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2938                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2939                  SYNTHESIS",
2940   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2941   doi =          "10.1063/1.111195",
2942   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2943 }
2944
2945 @Article{soref91,
2946   author =       "Richard A. Soref",
2947   collaboration = "",
2948   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2949                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2950   publisher =    "AIP",
2951   year =         "1991",
2952   journal =      "J. Appl. Phys.",
2953   volume =       "70",
2954   number =       "4",
2955   pages =        "2470--2472",
2956   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2957                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2958                  TERNARY ALLOYS",
2959   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2960   doi =          "10.1063/1.349403",
2961   notes =        "band gap of strained si by c",
2962 }
2963
2964 @Article{kasper91,
2965   author =       "E Kasper",
2966   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2967                  possibility to produce direct band gap material",
2968   journal =      "Phys. Scr.",
2969   volume =       "T35",
2970   pages =        "232--236",
2971   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2972   year =         "1991",
2973   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2974                  quasi-direct one",
2975 }
2976
2977 @Article{eberl92,
2978   author =       "K. Eberl and S. S. Iyer and S. Zollner and J. C. Tsang
2979                  and F. K. LeGoues",
2980   collaboration = "",
2981   title =        "Growth and strain compensation effects in the ternary
2982                  Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloy system",
2983   publisher =    "AIP",
2984   year =         "1992",
2985   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2986   volume =       "60",
2987   number =       "24",
2988   pages =        "3033--3035",
2989   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; CARBON ALLOYS;
2990                  TERNARY ALLOYS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; MOLECULAR BEAM
2991                  EPITAXY; INTERNAL STRAINS; TEMPERATURE EFFECTS; CRYSTAL
2992                  STRUCTURE; LATTICE PARAMETERS; XRAY DIFFRACTION; PHASE
2993                  STUDIES",
2994   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/3033/1",
2995   doi =          "10.1063/1.106774",
2996 }
2997
2998 @Article{powell93,
2999   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and F. E. LeGoues and B. A.
3000                  Ek and S. S. Iyer",
3001   collaboration = "",
3002   title =        "Stability of strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random
3003                  alloy layers",
3004   publisher =    "AVS",
3005   year =         "1993",
3006   journal =      "J. Vac. Sci. Technol. B",
3007   volume =       "11",
3008   number =       "3",
3009   pages =        "1064--1068",
3010   location =     "Ottawa (Canada)",
3011   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; STRAINS; THICKNESS;
3012                  METASTABLE PHASES; TWINNING; DISLOCATIONS; MOLECULAR
3013                  BEAM EPITAXY; EPITAXIAL LAYERS; CRITICAL PHENOMENA;
3014                  TEMPERATURE RANGE 400--1000 K; BINARY ALLOYS",
3015   URL =          "http://link.aip.org/link/?JVB/11/1064/1",
3016   doi =          "10.1116/1.587008",
3017   notes =        "substitutional c in si by mbe",
3018 }
3019
3020 @Article{powell93_2,
3021   title =        "Si[sub 1-x-y]Ge[sub x]{C}[sub y] growth and properties
3022                  of the ternary system",
3023   journal =      "J. Cryst. Growth",
3024   volume =       "127",
3025   number =       "1-4",
3026   pages =        "425--429",
3027   year =         "1993",
3028   note =         "",
3029   ISSN =         "0022-0248",
3030   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90653-E",
3031   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46J3RF2-8H/2/27fc231f28e4dc0a3b4770e5cf03257e",
3032   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and B. A. Ek and S. S.
3033                  Iyer",
3034 }
3035
3036 @Article{osten94,
3037   author =       "H. J. Osten",
3038   title =        "Modification of Growth Modes in Lattice-Mismatched
3039                  Epitaxial Systems: Si/Ge",
3040   journal =      "phys. status solidi (a)",
3041   volume =       "145",
3042   number =       "2",
3043   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3044   ISSN =         "1521-396X",
3045   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211450203",
3046   doi =          "10.1002/pssa.2211450203",
3047   pages =        "235--245",
3048   year =         "1994",
3049 }
3050
3051 @Article{dietrich94,
3052   title =        "Lattice distortion in a strain-compensated
3053                  $Si_{1-x-y}$$Ge_{x}$${C}_{y}$ layer on silicon",
3054   author =       "B. Dietrich and H. J. Osten and H. R{\"u}cker and M.
3055                  Methfessel and P. Zaumseil",
3056   journal =      "Phys. Rev. B",
3057   volume =       "49",
3058   number =       "24",
3059   pages =        "17185--17190",
3060   numpages =     "5",
3061   year =         "1994",
3062   month =        jun,
3063   doi =          "10.1103/PhysRevB.49.17185",
3064   publisher =    "American Physical Society",
3065 }
3066
3067 @Article{osten94_2,
3068   author =       "H. J. Osten and E. Bugiel and P. Zaumseil",
3069   collaboration = "",
3070   title =        "Growth of an inverse tetragonal distorted SiGe layer
3071                  on Si(001) by adding small amounts of carbon",
3072   publisher =    "AIP",
3073   year =         "1994",
3074   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3075   volume =       "64",
3076   number =       "25",
3077   pages =        "3440--3442",
3078   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; FILM GROWTH; CARBON
3079                  ALLOYS; TERNARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TEM;
3080                  XRD; LATTICE PARAMETERS; EPITAXIAL LAYERS; TETRAGONAL
3081                  LATTICES",
3082   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/3440/1",
3083   doi =          "10.1063/1.111235",
3084   notes =        "inversely strained / distorted heterostructure",
3085 }
3086
3087 @Article{iyer92,
3088   author =       "S. S. Iyer and K. Eberl and M. S. Goorsky and F. K.
3089                  LeGoues and J. C. Tsang and F. Cardone",
3090   collaboration = "",
3091   title =        "Synthesis of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys by
3092                  molecular beam epitaxy",
3093   publisher =    "AIP",
3094   year =         "1992",
3095   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3096   volume =       "60",
3097   number =       "3",
3098   pages =        "356--358",
3099   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
3100                  SEMICONDUCTOR ALLOYS; SUPERLATTICES; MOLECULAR BEAM
3101                  EPITAXY; CHEMICAL COMPOSITION; TEMPERATURE EFFECTS;
3102                  FILM GROWTH; MICROSTRUCTURE",
3103   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/356/1",
3104   doi =          "10.1063/1.106655",
3105 }
3106
3107 @Article{osten99,
3108   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
3109   collaboration = "",
3110   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
3111                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
3112                  molecular beam epitaxy",
3113   publisher =    "AIP",
3114   year =         "1999",
3115   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3116   volume =       "74",
3117   number =       "6",
3118   pages =        "836--838",
3119   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
3120                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
3121                  compounds",
3122   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
3123   doi =          "10.1063/1.123384",
3124   notes =        "substitutional c in si by mbe",
3125 }
3126
3127 @Article{born27,
3128   author =       "M. Born and R. Oppenheimer",
3129   title =        "Zur Quantentheorie der Molekeln",
3130   journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
3131   volume =       "389",
3132   number =       "20",
3133   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3134   ISSN =         "1521-3889",
3135   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19273892002",
3136   doi =          "10.1002/andp.19273892002",
3137   pages =        "457--484",
3138   year =         "1927",
3139 }
3140
3141 @Article{hohenberg64,
3142   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
3143   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
3144   journal =      "Phys. Rev.",
3145   volume =       "136",
3146   number =       "3B",
3147   pages =        "B864--B871",
3148   numpages =     "7",
3149   year =         "1964",
3150   month =        nov,
3151   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
3152   publisher =    "American Physical Society",
3153   notes =        "density functional theory, dft",
3154 }
3155
3156 @Article{thomas27,
3157   title =        "The calculation of atomic fields",
3158   author =       "L. H. Thomas",
3159   journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
3160   volume =       "23",
3161   pages =        "542--548",
3162   year =         "1927",
3163   doi =          "10.1017/S0305004100011683",
3164 }
3165
3166 @Article{fermi27,
3167   title =        "",
3168   author =       "E. Fermi",
3169   journal =      "Atti Accad. Naz. Lincei, Cl. Sci. Fis. Mat. Nat.
3170                  Rend.",
3171   volume =       "6",
3172   pages =        "602",
3173   year =         "1927",
3174 }
3175
3176 @Article{hartree28,
3177   title =        "The Wave Mechanics of an Atom with a Non-Coulomb
3178                  Central Field. Part {I}. Theory and Methods",
3179   author =       "D. R. Hartree",
3180   journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
3181   volume =       "24",
3182   pages =        "89--110",
3183   year =         "1928",
3184   doi =          "10.1017/S0305004100011919",
3185 }
3186
3187 @Article{slater29,
3188   title =        "The Theory of Complex Spectra",
3189   author =       "J. C. Slater",
3190   journal =      "Phys. Rev.",
3191   volume =       "34",
3192   number =       "10",
3193   pages =        "1293--1322",
3194   numpages =     "29",
3195   year =         "1929",
3196   month =        nov,
3197   doi =          "10.1103/PhysRev.34.1293",
3198   publisher =    "American Physical Society",
3199 }
3200
3201 @Article{kohn65,
3202   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
3203                  Correlation Effects",
3204   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
3205   journal =      "Phys. Rev.",
3206   volume =       "140",
3207   number =       "4A",
3208   pages =        "A1133--A1138",
3209   numpages =     "5",
3210   year =         "1965",
3211   month =        nov,
3212   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
3213   publisher =    "American Physical Society",
3214   notes =        "dft, exchange and correlation",
3215 }
3216
3217 @Article{kohn96,
3218   title =        "Density Functional and Density Matrix Method Scaling
3219                  Linearly with the Number of Atoms",
3220   author =       "W. Kohn",
3221   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3222   volume =       "76",
3223   number =       "17",
3224   pages =        "3168--3171",
3225   numpages =     "3",
3226   year =         "1996",
3227   month =        apr,
3228   doi =          "10.1103/PhysRevLett.76.3168",
3229   publisher =    "American Physical Society",
3230 }
3231
3232 @Article{kohn98,
3233   title =        "Edge Electron Gas",
3234   author =       "Walter Kohn and Ann E. Mattsson",
3235   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3236   volume =       "81",
3237   number =       "16",
3238   pages =        "3487--3490",
3239   numpages =     "3",
3240   year =         "1998",
3241   month =        oct,
3242   doi =          "10.1103/PhysRevLett.81.3487",
3243   publisher =    "American Physical Society",
3244 }
3245
3246 @Article{kohn99,
3247   title =        "Nobel Lecture: Electronic structure of matter---wave
3248                  functions and density functionals",
3249   author =       "W. Kohn",
3250   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
3251   volume =       "71",
3252   number =       "5",
3253   pages =        "1253--1266",
3254   numpages =     "13",
3255   year =         "1999",
3256   month =        oct,
3257   doi =          "10.1103/RevModPhys.71.1253",
3258   publisher =    "American Physical Society",
3259 }
3260
3261 @Article{payne92,
3262   title =        "Iterative minimization techniques for ab initio
3263                  total-energy calculations: molecular dynamics and
3264                  conjugate gradients",
3265   author =       "M. C. Payne and M. P. Teter and D. C. Allan and T. A.
3266                  Arias and J. D. Joannopoulos",
3267   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
3268   volume =       "64",
3269   number =       "4",
3270   pages =        "1045--1097",
3271   numpages =     "52",
3272   year =         "1992",
3273   month =        oct,
3274   doi =          "10.1103/RevModPhys.64.1045",
3275   publisher =    "American Physical Society",
3276 }
3277
3278 @Article{levy82,
3279   title =        "Electron densities in search of Hamiltonians",
3280   author =       "Mel Levy",
3281   journal =      "Phys. Rev. A",
3282   volume =       "26",
3283   number =       "3",
3284   pages =        "1200--1208",
3285   numpages =     "8",
3286   year =         "1982",
3287   month =        sep,
3288   doi =          "10.1103/PhysRevA.26.1200",
3289   publisher =    "American Physical Society",
3290 }
3291
3292 @Article{ruecker94,
3293   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
3294                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
3295   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
3296                  J. Osten",
3297   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3298   volume =       "72",
3299   number =       "22",
3300   pages =        "3578--3581",
3301   numpages =     "3",
3302   year =         "1994",
3303   month =        may,
3304   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
3305   publisher =    "American Physical Society",
3306   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
3307                  si, dft",
3308 }
3309
3310 @Article{yagi02,
3311   title =        "Phosphorous Doping of Strain-Induced
3312                  Si$_{1-y}${C}$_{y}$ Epitaxial Films Grown\\
3313                  by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition",
3314   author =       "Shuhei Yagi and Katsuya Abe and Takashi Okabayashi and
3315                  Yuichi Yoneyama and Akira Yamada and Makoto Konagai",
3316   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3317   volume =       "41",
3318   number =       "Part 1, No. 4B",
3319   pages =        "2472--2475",
3320   numpages =     "3",
3321   year =         "2002",
3322   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/41/2472/",
3323   doi =          "10.1143/JJAP.41.2472",
3324   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3325   notes =        "experimental charge carrier mobility in strained si",
3326 }
3327
3328 @Article{chang05,
3329   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
3330                  Alloy",
3331   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
3332   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3333   volume =       "44",
3334   number =       "4B",
3335   pages =        "2257--2262",
3336   numpages =     "5",
3337   year =         "2005",
3338   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
3339   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
3340   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3341   notes =        "enhance of electron mobility in strained si",
3342 }
3343
3344 @Article{kissinger94,
3345   author =       "W. Kissinger and M. Weidner and H. J. Osten and M.
3346                  Eichler",
3347   collaboration = "",
3348   title =        "Optical transitions in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub
3349                  y] layers on Si(001)",
3350   publisher =    "AIP",
3351   year =         "1994",
3352   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3353   volume =       "65",
3354   number =       "26",
3355   pages =        "3356--3358",
3356   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERNAL STRAINS; EPITAXIAL LAYERS;
3357                  CHEMICAL COMPOSITION; ELLIPSOMETRY; REFLECTION
3358                  SPECTROSCOPY; ELECTROOPTICAL EFFECTS; BAND STRUCTURE;
3359                  ENERGY LEVELS; ENERGYLEVEL TRANSITIONS",
3360   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/3356/1",
3361   doi =          "10.1063/1.112390",
3362   notes =        "strained si influence on optical properties",
3363 }
3364
3365 @Article{osten96,
3366   author =       "H. J. Osten and Myeongcheol Kim and K. Pressel and P.
3367                  Zaumseil",
3368   collaboration = "",
3369   title =        "Substitutional versus interstitial carbon
3370                  incorporation during pseudomorphic growth of Si[sub 1 -
3371                  y]{C}[sub y] on Si(001)",
3372   publisher =    "AIP",
3373   year =         "1996",
3374   journal =      "J. Appl. Phys.",
3375   volume =       "80",
3376   number =       "12",
3377   pages =        "6711--6715",
3378   keywords =     "SILICON CARBIDES; CRYSTAL DEFECTS; FILM GROWTH;
3379                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; INTERSTITIALS; SUBSTITUTION;
3380                  XRD; STRAINS",
3381   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/80/6711/1",
3382   doi =          "10.1063/1.363797",
3383   notes =        "mbe substitutional vs interstitial c incorporation",
3384 }
3385
3386 @Article{osten97,
3387   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
3388   collaboration = "",
3389   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3390                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
3391                  Si(001)",
3392   publisher =    "AIP",
3393   year =         "1997",
3394   journal =      "J. Appl. Phys.",
3395   volume =       "82",
3396   number =       "10",
3397   pages =        "4977--4981",
3398   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
3399                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
3400                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
3401   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
3402   doi =          "10.1063/1.366364",
3403   notes =        "charge transport in strained si",
3404 }
3405
3406 @Article{kapur04,
3407   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
3408                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
3409   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
3410   journal =      "Phys. Rev. B",
3411   volume =       "69",
3412   number =       "15",
3413   pages =        "155214",
3414   numpages =     "8",
3415   year =         "2004",
3416   month =        apr,
3417   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
3418   publisher =    "American Physical Society",
3419   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
3420 }
3421
3422 @Article{barkema96,
3423   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
3424                  Systems",
3425   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
3426   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3427   volume =       "77",
3428   number =       "21",
3429   pages =        "4358--4361",
3430   numpages =     "3",
3431   year =         "1996",
3432   month =        nov,
3433   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
3434   publisher =    "American Physical Society",
3435   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
3436                  dynamic mds",
3437 }
3438
3439 @Article{cances09,
3440   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
3441                  Minoukadeh and F. Willaime",
3442   collaboration = "",
3443   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
3444                  technique method for finding transition pathways on
3445                  potential energy surfaces",
3446   publisher =    "AIP",
3447   year =         "2009",
3448   journal =      "J. Chem. Phys.",
3449   volume =       "130",
3450   number =       "11",
3451   eid =          "114711",
3452   numpages =     "6",
3453   pages =        "114711",
3454   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
3455                  surfaces; vacancies (crystal)",
3456   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
3457   doi =          "10.1063/1.3088532",
3458   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
3459                  transition pathways",
3460 }
3461
3462 @Article{parrinello81,
3463   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
3464   collaboration = "",
3465   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
3466                  molecular dynamics method",
3467   publisher =    "AIP",
3468   year =         "1981",
3469   journal =      "J. Appl. Phys.",
3470   volume =       "52",
3471   number =       "12",
3472   pages =        "7182--7190",
3473   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
3474                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
3475                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
3476                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
3477                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
3478                  IMPACT SHOCK",
3479   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
3480   doi =          "10.1063/1.328693",
3481 }
3482
3483 @Article{stillinger85,
3484   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
3485                  of silicon",
3486   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
3487   journal =      "Phys. Rev. B",
3488   volume =       "31",
3489   number =       "8",
3490   pages =        "5262--5271",
3491   numpages =     "9",
3492   year =         "1985",
3493   month =        apr,
3494   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
3495   publisher =    "American Physical Society",
3496 }
3497
3498 @Article{brenner90,
3499   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
3500                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
3501                  films",
3502   author =       "Donald W. Brenner",
3503   journal =      "Phys. Rev. B",
3504   volume =       "42",
3505   number =       "15",
3506   pages =        "9458--9471",
3507   numpages =     "13",
3508   year =         "1990",
3509   month =        nov,
3510   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
3511   publisher =    "American Physical Society",
3512   notes =        "brenner hydro carbons",
3513 }
3514
3515 @Article{bazant96,
3516   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
3517                  Cohesive Energy Curves",
3518   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
3519   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3520   volume =       "77",
3521   number =       "21",
3522   pages =        "4370--4373",
3523   numpages =     "3",
3524   year =         "1996",
3525   month =        nov,
3526   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
3527   publisher =    "American Physical Society",
3528   notes =        "first si edip",
3529 }
3530
3531 @Article{bazant97,
3532   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
3533                  silicon",
3534   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
3535                  Justo",
3536   journal =      "Phys. Rev. B",
3537   volume =       "56",
3538   number =       "14",
3539   pages =        "8542--8552",
3540   numpages =     "10",
3541   year =         "1997",
3542   month =        oct,
3543   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
3544   publisher =    "American Physical Society",
3545   notes =        "second si edip",
3546 }
3547
3548 @Article{justo98,
3549   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
3550                  disordered phases",
3551   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
3552                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
3553   journal =      "Phys. Rev. B",
3554   volume =       "58",
3555   number =       "5",
3556   pages =        "2539--2550",
3557   numpages =     "11",
3558   year =         "1998",
3559   month =        aug,
3560   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
3561   publisher =    "American Physical Society",
3562   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
3563 }
3564
3565 @Article{parcas_md,
3566   journal =      "{PARCAS} molecular dynamics code",
3567   author =       "K. Nordlund",
3568   year =         "2008",
3569 }
3570
3571 @Article{voter97,
3572   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
3573                  Infrequent Events",
3574   author =       "Arthur F. Voter",
3575   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3576   volume =       "78",
3577   number =       "20",
3578   pages =        "3908--3911",
3579   numpages =     "3",
3580   year =         "1997",
3581   month =        may,
3582   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
3583   publisher =    "American Physical Society",
3584   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
3585 }
3586
3587 @Article{voter97_2,
3588   author =       "Arthur F. Voter",
3589   collaboration = "",
3590   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
3591                  simulation of infrequent events",
3592   publisher =    "AIP",
3593   year =         "1997",
3594   journal =      "J. Chem. Phys.",
3595   volume =       "106",
3596   number =       "11",
3597   pages =        "4665--4677",
3598   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
3599                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
3600                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
3601                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
3602                  theory; potential energy surfaces",
3603   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
3604   doi =          "10.1063/1.473503",
3605   notes =        "improved hyperdynamics md",
3606 }
3607
3608 @Article{sorensen2000,
3609   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
3610   collaboration = "",
3611   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
3612                  infrequent events",
3613   publisher =    "AIP",
3614   year =         "2000",
3615   journal =      "J. Chem. Phys.",
3616   volume =       "112",
3617   number =       "21",
3618   pages =        "9599--9606",
3619   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
3620                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
3621   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
3622   doi =          "10.1063/1.481576",
3623   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
3624 }
3625
3626 @Article{voter98,
3627   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
3628                  events",
3629   author =       "Arthur F. Voter",
3630   journal =      "Phys. Rev. B",
3631   volume =       "57",
3632   number =       "22",
3633   pages =        "R13985--R13988",
3634   numpages =     "3",
3635   year =         "1998",
3636   month =        jun,
3637   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
3638   publisher =    "American Physical Society",
3639   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
3640 }
3641
3642 @Article{wu99,
3643   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
3644   collaboration = "",
3645   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
3646                  simulation",
3647   publisher =    "AIP",
3648   year =         "1999",
3649   journal =      "J. Chem. Phys.",
3650   volume =       "110",
3651   number =       "19",
3652   pages =        "9401--9410",
3653   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
3654                  potential; crystallisation; liquid theory",
3655   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
3656   doi =          "10.1063/1.478948",
3657   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
3658                  systematic motion",
3659 }
3660
3661 @Article{choudhary05,
3662   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
3663   collaboration = "",
3664   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
3665                  to the production of amorphous silicon",
3666   publisher =    "AIP",
3667   year =         "2005",
3668   journal =      "J. Chem. Phys.",
3669   volume =       "122",
3670   number =       "15",
3671   eid =          "154509",
3672   numpages =     "8",
3673   pages =        "154509",
3674   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
3675                  amorphous semiconductors",
3676   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
3677   doi =          "10.1063/1.1878733",
3678   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
3679                  silicon",
3680 }
3681
3682 @Article{taylor93,
3683   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
3684   collaboration = "",
3685   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
3686                  difficult?",
3687   publisher =    "AIP",
3688   year =         "1993",
3689   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3690   volume =       "62",
3691   number =       "25",
3692   pages =        "3336--3338",
3693   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
3694                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
3695                  ENERGY",
3696   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
3697   doi =          "10.1063/1.109063",
3698   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
3699                  interstitials necessary for precipitation, volume
3700                  decrease, high interface energy",
3701 }
3702
3703 @Article{chaussende08,
3704   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
3705   journal =      "J. Cryst. Growth",
3706   volume =       "310",
3707   number =       "5",
3708   pages =        "976--981",
3709   year =         "2008",
3710   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
3711                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
3712   ISSN =         "0022-0248",
3713   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
3714   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
3715   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
3716                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
3717                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
3718                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
3719   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
3720                  metastable",
3721 }
3722
3723 @Article{chaussende07,
3724   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
3725   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
3726   journal =      "J. Phys. D",
3727   volume =       "40",
3728   number =       "20",
3729   pages =        "6150",
3730   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
3731   year =         "2007",
3732   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
3733                  modelling",
3734 }
3735
3736 @Article{feynman39,
3737   title =        "Forces in Molecules",
3738   author =       "R. P. Feynman",
3739   journal =      "Phys. Rev.",
3740   volume =       "56",
3741   number =       "4",
3742   pages =        "340--343",
3743   numpages =     "3",
3744   year =         "1939",
3745   month =        aug,
3746   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
3747   publisher =    "American Physical Society",
3748   notes =        "hellmann feynman forces",
3749 }
3750
3751 @Article{buczko00,
3752   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
3753                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
3754                  their Contrasting Properties",
3755   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
3756                  T. Pantelides",
3757   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3758   volume =       "84",
3759   number =       "5",
3760   pages =        "943--946",
3761   numpages =     "3",
3762   year =         "2000",
3763   month =        jan,
3764   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
3765   publisher =    "American Physical Society",
3766   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
3767 }
3768
3769 @Article{djurabekova08,
3770   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
3771                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
3772   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
3773   journal =      "Phys. Rev. B",
3774   volume =       "77",
3775   number =       "11",
3776   pages =        "115325",
3777   numpages =     "7",
3778   year =         "2008",
3779   month =        mar,
3780   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
3781   publisher =    "American Physical Society",
3782   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
3783                  angular distribution, coordination",
3784 }
3785
3786 @Article{wen09,
3787   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
3788                  W. Liang and J. Zou",
3789   collaboration = "",
3790   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
3791                  strain relaxation at highly lattice mismatched
3792                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
3793   publisher =    "AIP",
3794   year =         "2009",
3795   journal =      "J. Appl. Phys.",
3796   volume =       "106",
3797   number =       "7",
3798   eid =          "073522",
3799   numpages =     "8",
3800   pages =        "073522",
3801   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
3802                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
3803                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
3804                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
3805   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
3806   doi =          "10.1063/1.3234380",
3807   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
3808                  deconvolution, dislocation defects",
3809 }
3810
3811 @Article{kitabatake93,
3812   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
3813                  Hirao",
3814   collaboration = "",
3815   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
3816                  growth on Si(001) surface",
3817   publisher =    "AIP",
3818   year =         "1993",
3819   journal =      "J. Appl. Phys.",
3820   volume =       "74",
3821   number =       "7",
3822   pages =        "4438--4445",
3823   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
3824 &n