9b738dd3e1ad0152338bc5d7437648fd1197ecc2
[lectures/latex.git] / bibdb / bibdb.bib
1 %
2 % bibliography database
3 %
4
5 @Article{schroedinger26,
6   author =       "E. Schrödinger",
7   title =        "Quantisierung als Eigenwertproblem",
8   journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
9   volume =       "384",
10   number =       "4",
11   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
12   ISSN =         "1521-3889",
13   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19263840404",
14   doi =          "10.1002/andp.19263840404",
15   pages =        "361--376",
16   year =         "1926",
17 }
18
19 @Article{bloch29,
20   author =       "Felix Bloch",
21   affiliation =  "Institut d. Universität f. theor. Physik Leipzig",
22   title =        "Über die Quantenmechanik der Elektronen in
23                  Kristallgittern",
24   journal =      "Z. Phys.",
25   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
26   ISSN =         "0939-7922",
27   keyword =      "Physics and Astronomy",
28   pages =        "555--600",
29   volume =       "52",
30   issue =        "7",
31   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF01339455",
32   note =         "10.1007/BF01339455",
33   year =         "1929",
34 }
35
36 @Article{albe_sic_pot,
37   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
38   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
39                  silicon, carbon, and silicon carbide",
40   publisher =    "APS",
41   year =         "2005",
42   journal =      "Phys. Rev. B",
43   volume =       "71",
44   number =       "3",
45   eid =          "035211",
46   numpages =     "14",
47   pages =        "035211",
48   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
49                  potential (ABOP)",
50   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
51                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
52                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
53                  forces",
54   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
55   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
56 }
57
58 @Article{erhart04,
59   title =        "The role of thermostats in modeling vapor phase
60                  condensation of silicon nanoparticles",
61   journal =      "Appl. Surf. Sci.",
62   volume =       "226",
63   number =       "1-3",
64   pages =        "12--18",
65   year =         "2004",
66   note =         "EMRS 2003 Symposium F, Nanostructures from Clusters",
67   ISSN =         "0169-4332",
68   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2003.11.003",
69   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4B957HV-8/2/b35dbe80a70d173f6f7a00dacbcbd738",
70   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
71 }
72
73 @Article{albe2002,
74   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
75                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
76   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
77   journal =      "Phys. Rev. B",
78   volume =       "65",
79   number =       "19",
80   pages =        "195124",
81   numpages =     "11",
82   year =         "2002",
83   month =        may,
84   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
85   publisher =    "American Physical Society",
86   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
87 }
88
89 @Article{newman65,
90   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
91   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
92   volume =       "26",
93   number =       "2",
94   pages =        "373--379",
95   year =         "1965",
96   note =         "",
97   ISSN =         "0022-3697",
98   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
99   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
100   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
101   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
102 }
103
104 @Article{baker68,
105   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
106                  Buschert",
107   collaboration = "",
108   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
109   publisher =    "AIP",
110   year =         "1968",
111   journal =      "J. Appl. Phys.",
112   volume =       "39",
113   number =       "9",
114   pages =        "4365--4368",
115   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
116   doi =          "10.1063/1.1656977",
117   notes =        "lattice contraction due to subst c",
118 }
119
120 @Article{bean71,
121   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
122   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
123   volume =       "32",
124   number =       "6",
125   pages =        "1211--1219",
126   year =         "1971",
127   note =         "",
128   ISSN =         "0022-3697",
129   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
130   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
131   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
132   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
133 }
134
135 @Article{capano97,
136   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
137   title =        "Silicon carbide electronic materials and devices",
138   journal =      "MRS Bull.",
139   year =         "1997",
140   volume =       "22",
141   number =       "3",
142   pages =        "19--22",
143   publisher =    "MATERIALS RESEARCH SOCIETY",
144 }
145
146 @Article{capano97_old,
147   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
148   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
149   journal =      "MRS Bull.",
150   volume =       "22",
151   pages =        "19",
152   year =         "1997",
153 }
154
155 @Article{fischer90,
156   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
157   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
158                  carbide",
159   journal =      "Philos. Mag. B",
160   volume =       "61",
161   pages =        "217--236",
162   year =         "1990",
163   notes =        "sic polytypes",
164 }
165
166 @Article{koegler03,
167   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
168                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
169                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
170   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
171                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
172                  ions",
173   journal =      "Appl. Phys. A",
174   volume =       "76",
175   pages =        "827--835",
176   month =        mar,
177   year =         "2003",
178   URL =          "http://www.springerlink.com/content/jr8xj33mqc5vpwwj/",
179   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
180                  precipitation by interstitial and substitutional
181                  carbon, both mechanisms explained + refs",
182 }
183
184 @Article{skorupa96,
185   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
186                  silicon-related materials",
187   journal =      "Mater. Chem. Phys.",
188   volume =       "44",
189   number =       "2",
190   pages =        "101--143",
191   year =         "1996",
192   note =         "",
193   ISSN =         "0254-0584",
194   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
195   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
196   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
197   notes =        "review of silicon carbon compound",
198 }
199
200 @Book{laplace,
201   author =       "P. S. de Laplace",
202   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
203   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
204   volume =       "VII",
205   publisher =    "Gauthier-Villars",
206   year =         "1820",
207 }
208
209 @Article{mattoni2007,
210   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
211   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
212                  materials}",
213   journal =      "Phys. Rev. B",
214   year =         "2007",
215   month =        dec,
216   volume =       "76",
217   number =       "22",
218   pages =        "224103",
219   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
220   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
221                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
222                  fracture, more available potentials, universal energy
223                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
224 }
225
226 @Article{balamane92,
227   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
228                  potentials",
229   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
230   journal =      "Phys. Rev. B",
231   volume =       "46",
232   number =       "4",
233   pages =        "2250--2279",
234   numpages =     "29",
235   year =         "1992",
236   month =        jul,
237   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
238   publisher =    "American Physical Society",
239   notes =        "comparison of classical potentials for si",
240 }
241
242 @Article{koster2002,
243   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
244                  bombardment",
245   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
246   journal =      "Phys. Rev. B",
247   volume =       "62",
248   number =       "16",
249   pages =        "11219--11224",
250   numpages =     "5",
251   year =         "2000",
252   month =        oct,
253   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
254   publisher =    "American Physical Society",
255   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
256 }
257
258 @Article{breadmore99,
259   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
260                  amorphization of silicon",
261   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
262   journal =      "Phys. Rev. B",
263   volume =       "60",
264   number =       "18",
265   pages =        "12610--12616",
266   numpages =     "6",
267   year =         "1999",
268   month =        nov,
269   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
270   publisher =    "American Physical Society",
271   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
272 }
273
274 @Article{nielsen83,
275   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
276   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
277   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
278   volume =       "50",
279   number =       "9",
280   pages =        "697--700",
281   numpages =     "3",
282   year =         "1983",
283   month =        feb,
284   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
285   publisher =    "American Physical Society",
286   notes =        "generalization of virial theorem",
287 }
288
289 @Article{nielsen85,
290   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
291   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
292   journal =      "Phys. Rev. B",
293   volume =       "32",
294   number =       "6",
295   pages =        "3780--3791",
296   numpages =     "11",
297   year =         "1985",
298   month =        sep,
299   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
300   publisher =    "American Physical Society",
301   notes =        "dft virial stress and forces",
302 }
303
304 @Article{moissan04,
305   author =       "Henri Moissan",
306   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
307                  Diablo",
308   journal =      "C. R. Acad. Sci.",
309   volume =       "139",
310   pages =        "773--786",
311   year =         "1904",
312 }
313
314 @Book{park98,
315   author =       "Y. S. Park",
316   title =        "Si{C} Materials and Devices",
317   publisher =    "Academic Press",
318   address =      "San Diego",
319   year =         "1998",
320 }
321
322 @Article{tsvetkov98,
323   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
324                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
325   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
326   journal =      "Mater. Sci. Forum",
327   volume =       "264-268",
328   pages =        "3--8",
329   year =         "1998",
330   notes =        "modified lely process, micropipes",
331 }
332
333 @Article{verlet67,
334   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
335                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
336   author =       "Loup Verlet",
337   journal =      "Phys. Rev.",
338   volume =       "159",
339   number =       "1",
340   pages =        "98",
341   year =         "1967",
342   month =        jul,
343   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
344   publisher =    "American Physical Society",
345   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
346                  motion",
347 }
348
349 @Article{berendsen84,
350   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
351                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
352   collaboration = "",
353   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
354   publisher =    "AIP",
355   year =         "1984",
356   journal =      "J. Chem. Phys.",
357   volume =       "81",
358   number =       "8",
359   pages =        "3684--3690",
360   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
361                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
362   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
363   doi =          "10.1063/1.448118",
364   notes =        "berendsen thermostat barostat",
365 }
366
367 @Article{huang95,
368   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
369                  Baskes",
370   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
371                  in beta -Si{C} using three representative empirical
372                  potentials",
373   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
374   volume =       "3",
375   number =       "5",
376   pages =        "615--627",
377   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
378   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
379                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
380   year =         "1995",
381 }
382
383 @Article{brenner89,
384   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
385                  Tersoff potentials",
386   author =       "Donald W. Brenner",
387   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
388   volume =       "63",
389   number =       "9",
390   pages =        "1022",
391   numpages =     "1",
392   year =         "1989",
393   month =        aug,
394   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
395   publisher =    "American Physical Society",
396   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
397 }
398
399 @Article{batra87,
400   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
401                  silicon",
402   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
403   journal =      "Phys. Rev. B",
404   volume =       "35",
405   number =       "18",
406   pages =        "9552--9558",
407   numpages =     "6",
408   year =         "1987",
409   month =        jun,
410   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
411   publisher =    "American Physical Society",
412   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
413                  calculation of defect formation energy, defect
414                  interstitial types",
415 }
416
417 @Article{schober89,
418   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
419   author =       "H. R. Schober",
420   journal =      "Phys. Rev. B",
421   volume =       "39",
422   number =       "17",
423   pages =        "13013--13015",
424   numpages =     "2",
425   year =         "1989",
426   month =        jun,
427   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
428   publisher =    "American Physical Society",
429   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
430                  dumbbell configuration",
431 }
432
433 @Article{gao02a,
434   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
435                  Defect accumulation, topological features, and
436                  disordering",
437   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
438   journal =      "Phys. Rev. B",
439   volume =       "66",
440   number =       "2",
441   pages =        "024106",
442   numpages =     "10",
443   year =         "2002",
444   month =        jul,
445   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
446   publisher =    "American Physical Society",
447   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
448                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
449                  result analyze",
450 }
451
452 @Article{devanathan98,
453   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
454                  cascade in Si{C}",
455   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
456   volume =       "141",
457   number =       "1-4",
458   pages =        "118--122",
459   year =         "1998",
460   ISSN =         "0168-583X",
461   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
462   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
463                  Rubia",
464   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
465                  3c-sic",
466 }
467
468 @Article{devanathan98_2,
469   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
470   journal =      "J. Nucl. Mater.",
471   volume =       "253",
472   number =       "1-3",
473   pages =        "47--52",
474   year =         "1998",
475   ISSN =         "0022-3115",
476   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
477   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
478                  Weber",
479   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
480                  tersoff",
481 }
482
483 @Article{kitabatake00,
484   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
485   author =       "M. Kitabatake",
486   journal =      "Thin Solid Films",
487   volume =       "369",
488   pages =        "257--264",
489   numpages =     "8",
490   year =         "2000",
491   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
492 }
493
494 @Article{tang97,
495   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
496                  Tight-binding molecular dynamics studies of
497                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
498                  formation volumes",
499   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
500                  Rubia",
501   journal =      "Phys. Rev. B",
502   volume =       "55",
503   number =       "21",
504   pages =        "14279--14289",
505   numpages =     "10",
506   year =         "1997",
507   month =        jun,
508   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
509   publisher =    "American Physical Society",
510   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
511 }
512
513 @Article{johnson98,
514   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
515                  Rubia",
516   collaboration = "",
517   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
518                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
519                  presence of carbon and boron",
520   publisher =    "AIP",
521   year =         "1998",
522   journal =      "J. Appl. Phys.",
523   volume =       "84",
524   number =       "4",
525   pages =        "1963--1967",
526   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
527                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
528                  semiconductors; self-diffusion",
529   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
530   doi =          "10.1063/1.368328",
531   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
532                  diffsuion",
533 }
534
535 @Article{bar-yam84,
536   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
537                  Self-Interstitial",
538   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
539   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
540   volume =       "52",
541   number =       "13",
542   pages =        "1129--1132",
543   numpages =     "3",
544   year =         "1984",
545   month =        mar,
546   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
547   publisher =    "American Physical Society",
548   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
549 }
550
551 @Article{bar-yam84_2,
552   title =        "Electronic structure and total-energy migration
553                  barriers of silicon self-interstitials",
554   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
555   journal =      "Phys. Rev. B",
556   volume =       "30",
557   number =       "4",
558   pages =        "1844--1852",
559   numpages =     "8",
560   year =         "1984",
561   month =        aug,
562   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
563   publisher =    "American Physical Society",
564 }
565
566 @Article{bloechl93,
567   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
568                  constants in silicon",
569   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
570                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
571   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
572   volume =       "70",
573   number =       "16",
574   pages =        "2435--2438",
575   numpages =     "3",
576   year =         "1993",
577   month =        apr,
578   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
579   publisher =    "American Physical Society",
580   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
581                  entropy calculations",
582 }
583
584 @Article{munro99,
585   title =        "Defect migration in crystalline silicon",
586   author =       "Lindsey J. Munro and David J. Wales",
587   journal =      "Phys. Rev. B",
588   volume =       "59",
589   number =       "6",
590   pages =        "3969--3980",
591   numpages =     "11",
592   year =         "1999",
593   month =        feb,
594   doi =          "10.1103/PhysRevB.59.3969",
595   publisher =    "American Physical Society",
596   notes =        "eigenvector following method, vacancy and interstiial
597                  defect migration mechanisms",
598 }
599
600 @Article{colombo02,
601   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
602                  silicon",
603   author =       "L. Colombo",
604   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
605   volume =       "32",
606   pages =        "271--295",
607   numpages =     "25",
608   year =         "2002",
609   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
610   publisher =    "Annual Reviews",
611   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
612 }
613
614 @Article{al-mushadani03,
615   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
616                  silicon",
617   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
618   journal =      "Phys. Rev. B",
619   volume =       "68",
620   number =       "23",
621   pages =        "235205",
622   numpages =     "8",
623   year =         "2003",
624   month =        dec,
625   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
626   publisher =    "American Physical Society",
627   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
628                  silicon, si self interstitials, free energy",
629 }
630
631 @Article{mattsson08,
632   title =        "Electronic surface error in the Si interstitial
633                  formation energy",
634   author =       "Ann E. Mattsson and Ryan R. Wixom and Rickard
635                  Armiento",
636   journal =      "Phys. Rev. B",
637   volume =       "77",
638   number =       "15",
639   pages =        "155211",
640   numpages =     "7",
641   year =         "2008",
642   month =        apr,
643   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.155211",
644   publisher =    "American Physical Society",
645   notes =        "si self interstitial formation energies by dft",
646 }
647
648 @Article{goedecker02,
649   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
650   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
651   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
652   volume =       "88",
653   number =       "23",
654   pages =        "235501",
655   numpages =     "4",
656   year =         "2002",
657   month =        may,
658   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
659   publisher =    "American Physical Society",
660   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
661                  silicon",
662 }
663
664 @Article{sahli05,
665   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
666                  self-interstitial diffusion in silicon",
667   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
668   journal =      "Phys. Rev. B",
669   volume =       "72",
670   number =       "24",
671   pages =        "245210",
672   numpages =     "6",
673   year =         "2005",
674   month =        dec,
675   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
676   publisher =    "American Physical Society",
677   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
678                  mapping applied",
679 }
680
681 @Article{hobler05,
682   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
683                  native point defects in silicon",
684   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
685   volume =       "124-125",
686   number =       "",
687   pages =        "368--371",
688   year =         "2005",
689   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
690                  Issues for Future Technologies",
691   ISSN =         "0921-5107",
692   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
693   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
694   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
695   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
696                  radius",
697 }
698
699 @Article{ma10,
700   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
701                  wide temperature range: Point defect states and
702                  migration mechanisms",
703   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
704   journal =      "Phys. Rev. B",
705   volume =       "81",
706   number =       "19",
707   pages =        "193203",
708   numpages =     "4",
709   year =         "2010",
710   month =        may,
711   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
712   publisher =    "American Physical Society",
713   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
714 }
715
716 @Article{posselt06,
717   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
718                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
719   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
720   journal =      "Phys. Rev. B",
721   volume =       "73",
722   number =       "12",
723   pages =        "125206",
724   numpages =     "8",
725   year =         "2006",
726   month =        mar,
727   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
728   publisher =    "American Physical Society",
729 }
730
731 @Article{posselt08,
732   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
733                  migration mechanisms of vacancies and
734                  self-interstitials: An atomistic study",
735   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
736   journal =      "Phys. Rev. B",
737   volume =       "78",
738   number =       "3",
739   pages =        "035208",
740   numpages =     "9",
741   year =         "2008",
742   month =        jul,
743   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
744   publisher =    "American Physical Society",
745   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
746                  weber and tersoff",
747 }
748
749 @Article{gao2001,
750   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
751                  properties in $3{C}-Si{C}$",
752   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
753                  Corrales",
754   journal =      "Phys. Rev. B",
755   volume =       "64",
756   number =       "24",
757   pages =        "245208",
758   numpages =     "7",
759   year =         "2001",
760   month =        dec,
761   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
762   publisher =    "American Physical Society",
763   notes =        "defects in 3c-sic",
764 }
765
766 @Article{gao02,
767   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
768                  3{C}-Si{C}",
769   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
770   volume =       "191",
771   number =       "1-4",
772   pages =        "487--496",
773   year =         "2002",
774   note =         "",
775   ISSN =         "0168-583X",
776   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
777   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
778   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
779   keywords =     "Empirical potential",
780   keywords =     "Defect properties",
781   keywords =     "Silicon carbide",
782   keywords =     "Computer simulation",
783   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
784 }
785
786 @Article{gao04,
787   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
788                  3{C}-Si{C}",
789   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
790                  Belko",
791   journal =      "Phys. Rev. B",
792   volume =       "69",
793   number =       "24",
794   pages =        "245205",
795   numpages =     "5",
796   year =         "2004",
797   month =        jun,
798   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
799   publisher =    "American Physical Society",
800   notes =        "defect migration in sic",
801 }
802
803 @Article{gao07,
804   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
805                  W. J. Weber",
806   collaboration = "",
807   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
808                  in cubic silicon carbide",
809   publisher =    "AIP",
810   year =         "2007",
811   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
812   volume =       "90",
813   number =       "22",
814   eid =          "221915",
815   numpages =     "3",
816   pages =        "221915",
817   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
818                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
819                  dynamics method; density functional theory;
820                  electron-hole recombination; photoluminescence;
821                  impurities; diffusion",
822   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
823   doi =          "10.1063/1.2743751",
824 }
825
826 @Article{mattoni2002,
827   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
828                  crystalline silicon",
829   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
830   journal =      "Phys. Rev. B",
831   volume =       "66",
832   number =       "19",
833   pages =        "195214",
834   numpages =     "6",
835   year =         "2002",
836   month =        nov,
837   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
838   publisher =    "American Physical Society",
839   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
840                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
841                  tersoff suitability",
842 }
843
844 @Article{leung99,
845   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
846   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
847                  Itoh and S. Ihara",
848   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
849   volume =       "83",
850   number =       "12",
851   pages =        "2351--2354",
852   numpages =     "3",
853   year =         "1999",
854   month =        sep,
855   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
856   publisher =    "American Physical Society",
857   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
858                  refs",
859 }
860
861 @Article{capaz94,
862   title =        "Identification of the migration path of interstitial
863                  carbon in silicon",
864   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
865   journal =      "Phys. Rev. B",
866   volume =       "50",
867   number =       "11",
868   pages =        "7439--7442",
869   numpages =     "3",
870   year =         "1994",
871   month =        sep,
872   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
873   publisher =    "American Physical Society",
874   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
875                  dumbbell",
876 }
877
878 @Article{capaz98,
879   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
880   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
881   journal =      "Phys. Rev. B",
882   volume =       "58",
883   number =       "15",
884   pages =        "9845--9850",
885   numpages =     "5",
886   year =         "1998",
887   month =        oct,
888   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
889   publisher =    "American Physical Society",
890   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
891 }
892
893 @Article{song90_2,
894   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
895                  pair in silicon",
896   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
897                  Watkins",
898   journal =      "Phys. Rev. B",
899   volume =       "42",
900   number =       "9",
901   pages =        "5765--5783",
902   numpages =     "18",
903   year =         "1990",
904   month =        sep,
905   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
906   publisher =    "American Physical Society",
907   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
908 }
909
910 @Article{liu02,
911   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
912                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
913   collaboration = "",
914   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
915                  interactions in Si",
916   publisher =    "AIP",
917   year =         "2002",
918   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
919   volume =       "80",
920   number =       "1",
921   pages =        "52--54",
922   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
923                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
924                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
925   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
926   doi =          "10.1063/1.1430505",
927   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
928 }
929
930 @Article{dal_pino93,
931   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
932                  silicon",
933   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
934                  Joannopoulos",
935   journal =      "Phys. Rev. B",
936   volume =       "47",
937   number =       "19",
938   pages =        "12554--12557",
939   numpages =     "3",
940   year =         "1993",
941   month =        may,
942   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
943   publisher =    "American Physical Society",
944   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
945 }
946
947 @Article{car84,
948   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
949                  Silicon",
950   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
951                  Sokrates T. Pantelides",
952   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
953   volume =       "52",
954   number =       "20",
955   pages =        "1814--1817",
956   numpages =     "3",
957   year =         "1984",
958   month =        may,
959   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
960   publisher =    "American Physical Society",
961   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
962                  path formation",
963 }
964
965 @Article{car85,
966   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
967                  Density-Functional Theory",
968   author =       "R. Car and M. Parrinello",
969   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
970   volume =       "55",
971   number =       "22",
972   pages =        "2471--2474",
973   numpages =     "3",
974   year =         "1985",
975   month =        nov,
976   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
977   publisher =    "American Physical Society",
978   notes =        "car parrinello method, dft and md",
979 }
980
981 @Article{kelires97,
982   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
983                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
984   author =       "P. C. Kelires",
985   journal =      "Phys. Rev. B",
986   volume =       "55",
987   number =       "14",
988   pages =        "8784--8787",
989   numpages =     "3",
990   year =         "1997",
991   month =        apr,
992   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
993   publisher =    "American Physical Society",
994   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
995                  neighbour dist",
996 }
997
998 @Article{kelires95,
999   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
1000                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
1001   author =       "P. C. Kelires",
1002   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1003   volume =       "75",
1004   number =       "6",
1005   pages =        "1114--1117",
1006   numpages =     "3",
1007   year =         "1995",
1008   month =        aug,
1009   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
1010   publisher =    "American Physical Society",
1011   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
1012 }
1013
1014 @Article{bean70,
1015   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
1016                  containing carbon",
1017   journal =      "Solid State Commun.",
1018   volume =       "8",
1019   number =       "3",
1020   pages =        "175--177",
1021   year =         "1970",
1022   note =         "",
1023   ISSN =         "0038-1098",
1024   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
1025   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
1026   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
1027 }
1028
1029 @Article{durand99,
1030   author =       "F. Durand and J. Duby",
1031   affiliation =  "EPM-Madylam, CNRS and INP Grenoble, France",
1032   title =        "Carbon solubility in solid and liquid silicon—{A}
1033                  review with reference to eutectic equilibrium",
1034   journal =      "Journal of Phase Equilibria",
1035   publisher =    "Springer New York",
1036   ISSN =         "1054-9714",
1037   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
1038   pages =        "61--63",
1039   volume =       "20",
1040   issue =        "1",
1041   URL =          "http://dx.doi.org/10.1361/105497199770335956",
1042   note =         "10.1361/105497199770335956",
1043   year =         "1999",
1044   notes =        "better c solubility limit in silicon",
1045 }
1046
1047 @Article{watkins76,
1048   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
1049                  Atom in Silicon",
1050   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
1051   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1052   volume =       "36",
1053   number =       "22",
1054   pages =        "1329--1332",
1055   numpages =     "3",
1056   year =         "1976",
1057   month =        may,
1058   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
1059   publisher =    "American Physical Society",
1060   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
1061                  silicon",
1062 }
1063
1064 @Article{song90,
1065   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
1066                  interstitial carbon in silicon",
1067   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
1068   journal =      "Phys. Rev. B",
1069   volume =       "42",
1070   number =       "9",
1071   pages =        "5759--5764",
1072   numpages =     "5",
1073   year =         "1990",
1074   month =        sep,
1075   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
1076   publisher =    "American Physical Society",
1077   notes =        "carbon diffusion in silicon",
1078 }
1079
1080 @Article{tipping87,
1081   author =       "A K Tipping and R C Newman",
1082   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
1083                  silicon",
1084   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
1085   volume =       "2",
1086   number =       "5",
1087   pages =        "315--317",
1088   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
1089   year =         "1987",
1090   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
1091                  silicon",
1092 }
1093
1094 @Article{isomae93,
1095   author =       "Seiichi Isomae and Tsutomu Ishiba and Toshio Ando and
1096                  Masao Tamura",
1097   collaboration = "",
1098   title =        "Annealing behavior of Me{V} implanted carbon in
1099                  silicon",
1100   publisher =    "AIP",
1101   year =         "1993",
1102   journal =      "J. Appl. Phys.",
1103   volume =       "74",
1104   number =       "6",
1105   pages =        "3815--3820",
1106   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; WAFERS; CARBON IONS; MEV
1107                  RANGE 0110; TEM; SIMS; INFRARED SPECTRA; STRAINS; DEPTH
1108                  PROFILES",
1109   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/3815/1",
1110   doi =          "10.1063/1.354474",
1111   notes =        "c at interstitial location for rt implantation in si",
1112 }
1113
1114 @Article{strane96,
1115   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
1116                  ion implantation and solid phase epitaxy",
1117   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
1118                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1119   journal =      "J. Appl. Phys.",
1120   volume =       "79",
1121   pages =        "637",
1122   year =         "1996",
1123   month =        jan,
1124   doi =          "10.1063/1.360806",
1125   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
1126 }
1127
1128 @Article{laveant2002,
1129   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1130   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1131   volume =       "89",
1132   number =       "1-3",
1133   pages =        "241--245",
1134   year =         "2002",
1135   ISSN =         "0921-5107",
1136   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1137   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1138   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1139                  G{\"{o}}sele",
1140   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1141                  stress, avoid sic precipitation",
1142 }
1143
1144 @Article{foell77,
1145   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1146                  agglomeration of self-interstitials",
1147   journal =      "J. Cryst. Growth",
1148   volume =       "40",
1149   number =       "1",
1150   pages =        "90--108",
1151   year =         "1977",
1152   note =         "",
1153   ISSN =         "0022-0248",
1154   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1155   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1156   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1157   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1158                  agglomerate",
1159 }
1160
1161 @Article{foell81,
1162   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1163                  defects",
1164   journal =      "J. Cryst. Growth",
1165   volume =       "52",
1166   number =       "Part 2",
1167   pages =        "907--916",
1168   year =         "1981",
1169   note =         "",
1170   ISSN =         "0022-0248",
1171   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1172   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1173   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1174   notes =        "swirl review",
1175 }
1176
1177 @Article{werner97,
1178   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1179                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1180   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1181                  silicon by transmission electron microscopy",
1182   publisher =    "AIP",
1183   year =         "1997",
1184   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1185   volume =       "70",
1186   number =       "2",
1187   pages =        "252--254",
1188   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1189                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1190                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1191                  layers; precipitation",
1192   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1193   doi =          "10.1063/1.118381",
1194   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1195                  precipitate",
1196 }
1197
1198 @InProceedings{werner96,
1199   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1200                  Eichler",
1201   booktitle =    "Proceedings of the 11th International Conference on
1202                  Ion Implantation Technology.",
1203   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1204                  implanted silicon",
1205   year =         "1996",
1206   month =        jun,
1207   volume =       "",
1208   number =       "",
1209   pages =        "675--678",
1210   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1211   ISSN =         "",
1212   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1213 }
1214
1215 @Article{werner98,
1216   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1217                  D. C. Jacobson",
1218   collaboration = "",
1219   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1220   publisher =    "AIP",
1221   year =         "1998",
1222   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1223   volume =       "73",
1224   number =       "17",
1225   pages =        "2465--2467",
1226   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1227                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1228                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1229                  impurity distribution",
1230   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1231   doi =          "10.1063/1.122483",
1232   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1233 }
1234
1235 @Article{kalejs84,
1236   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1237   collaboration = "",
1238   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1239                  silicon",
1240   publisher =    "AIP",
1241   year =         "1984",
1242   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1243   volume =       "45",
1244   number =       "3",
1245   pages =        "268--269",
1246   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1247                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1248                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1249   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1250   doi =          "10.1063/1.95167",
1251   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1252 }
1253
1254 @Article{fukami90,
1255   author =       "Akira Fukami and Ken-ichi Shoji and Takahiro Nagano
1256                  and Cary Y. Yang",
1257   collaboration = "",
1258   title =        "Characterization of SiGe/Si heterostructures formed by
1259                  Ge[sup + ] and {C}[sup + ] implantation",
1260   publisher =    "AIP",
1261   year =         "1990",
1262   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1263   volume =       "57",
1264   number =       "22",
1265   pages =        "2345--2347",
1266   keywords =     "HETEROJUNCTIONS; ION IMPLANTATION; HETEROSTRUCTURES;
1267                  FABRICATION; PN JUNCTIONS; LEAKAGE CURRENT; GERMANIUM
1268                  SILICIDES; SILICON; ELECTRICAL PROPERTIES; SOLIDPHASE
1269                  EPITAXY; CARBON IONS; GERMANIUM IONS",
1270   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/57/2345/1",
1271   doi =          "10.1063/1.103888",
1272 }
1273
1274 @Article{strane93,
1275   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and B. L.
1276                  Doyle and S. T. Picraux and J. W. Mayer",
1277   collaboration = "",
1278   title =        "Metastable SiGe{C} formation by solid phase epitaxy",
1279   publisher =    "AIP",
1280   year =         "1993",
1281   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1282   volume =       "63",
1283   number =       "20",
1284   pages =        "2786--2788",
1285   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; TERNARY ALLOY
1286                  SYSTEMS; EPITAXY; ION IMPLANTATION; METASTABLE STATES;
1287                  ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; RUTHERFORD
1288                  SCATTERING; XRAY DIFFRACTION; STRAINS; SOLIDPHASE
1289                  EPITAXY; AMORPHIZATION",
1290   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/63/2786/1",
1291   doi =          "10.1063/1.110334",
1292 }
1293
1294 @Article{goorsky92,
1295   author =       "M. S. Goorsky and S. S. Iyer and K. Eberl and F.
1296                  Legoues and J. Angilello and F. Cardone",
1297   collaboration = "",
1298   title =        "Thermal stability of Si[sub 1 - x]{C}[sub x]/Si
1299                  strained layer superlattices",
1300   publisher =    "AIP",
1301   year =         "1992",
1302   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1303   volume =       "60",
1304   number =       "22",
1305   pages =        "2758--2760",
1306   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
1307                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; SUPERLATTICES; ANNEALING;
1308                  CHEMICAL COMPOSITION; INTERNAL STRAINS; STRESS
1309                  RELAXATION; THERMAL INSTABILITIES; INTERFACE STRUCTURE;
1310                  DIFFUSION; PRECIPITATION; TEMPERATURE EFFECTS",
1311   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/2758/1",
1312   doi =          "10.1063/1.106868",
1313 }
1314
1315 @Article{strane94,
1316   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1317                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1318   collaboration = "",
1319   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1320                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1321   publisher =    "AIP",
1322   year =         "1994",
1323   journal =      "J. Appl. Phys.",
1324   volume =       "76",
1325   number =       "6",
1326   pages =        "3656--3668",
1327   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1328   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1329   doi =          "10.1063/1.357429",
1330   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1331                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1332                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1333                  energy",
1334 }
1335
1336 @Article{fischer95,
1337   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1338                  Osten",
1339   collaboration = "",
1340   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1341                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1342   publisher =    "AIP",
1343   year =         "1995",
1344   journal =      "J. Appl. Phys.",
1345   volume =       "77",
1346   number =       "5",
1347   pages =        "1934--1937",
1348   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1349                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1350                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1351                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1352   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1353   doi =          "10.1063/1.358826",
1354 }
1355
1356 @Article{edgar92,
1357   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1358                  semiconductors",
1359   author =       "J. H. Edgar",
1360   journal =      "J. Mater. Res.",
1361   volume =       "7",
1362   pages =        "235",
1363   year =         "1992",
1364   month =        jan,
1365   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1366   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1367                  polytypes",
1368 }
1369
1370 @Article{zirkelbach2007,
1371   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1372                  process leading to ordered precipitate structures",
1373   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1374                  and B. Stritzker",
1375   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1376   volume =       "257",
1377   number =       "1--2",
1378   pages =        "75--79",
1379   numpages =     "5",
1380   year =         "2007",
1381   month =        apr,
1382   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1383   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1384                  NETHERLANDS",
1385   abstract =     "Periodically arranged, selforganised, nanometric,
1386                  amorphous precipitates have been observed after
1387                  high-fluence ion implantations into solids for a number
1388                  of ion/target combinations at certain implantation
1389                  conditions. A model describing the ordering process
1390                  based on compressive stress exerted by the amorphous
1391                  inclusions as a result of the density change upon
1392                  amorphisation is introduced. A Monte Carlo simulation
1393                  code, which focuses on high-fluence carbon
1394                  implantations into silicon, is able to reproduce
1395                  experimentally observed nanolamella distributions as
1396                  well as the formation of continuous amorphous layers.
1397                  By means of simulation, the selforganisation process
1398                  becomes traceable and detailed information about the
1399                  compositional and structural state during the ordering
1400                  process is obtained. Based on simulation results, a
1401                  recipe is proposed for producing broad distributions of
1402                  ordered lamellar structures.",
1403 }
1404
1405 @Article{zirkelbach2006,
1406   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1407                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1408                  during ion irradiation",
1409   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1410                  and B. Stritzker",
1411   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1412   volume =       "242",
1413   number =       "1--2",
1414   pages =        "679--682",
1415   numpages =     "4",
1416   year =         "2006",
1417   month =        jan,
1418   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1419   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1420                  NETHERLANDS",
1421   abstract =     "High-dose ion implantation of materials that undergo
1422                  drastic density change upon amorphization at certain
1423                  implantation conditions results in periodically
1424                  arranged, self-organized, nanometric configurations of
1425                  the amorphous phase. A simple model explaining the
1426                  phenomenon is introduced and implemented in a
1427                  Monte-Carlo simulation code. Through simulation
1428                  conditions for observing lamellar precipitates are
1429                  specified and additional information about the
1430                  compositional and structural state during the ordering
1431                  process is gained.",
1432 }
1433
1434 @Article{zirkelbach2005,
1435   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1436                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1437                  ion irradiation",
1438   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1439                  and B. Stritzker",
1440   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1441   volume =       "33",
1442   number =       "1--3",
1443   pages =        "310--316",
1444   numpages =     "7",
1445   year =         "2005",
1446   month =        apr,
1447   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1448   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1449                  NETHERLANDS",
1450   abstract =     "Ion irradiation of materials, which undergo a drastic
1451                  density change upon amorphization have been shown to
1452                  exhibit selforganized, nanometric structures of the
1453                  amorphous phase in the crystalline host lattice. In
1454                  order to better understand the process a
1455                  Monte-Carlo-simulation code based on a simple model is
1456                  developed. In the present work we focus on high-dose
1457                  carbon implantations into silicon. The simulation is
1458                  able to reproduce results gained by cross-sectional TEM
1459                  measurements of high-dose carbon implanted silicon.
1460                  Necessary conditions can be specified for the
1461                  self-organization process and information is gained
1462                  about the compositional and structural state during the
1463                  ordering process which is difficult to be obtained by
1464                  experiment.",
1465 }
1466
1467 @Article{zirkelbach09,
1468   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1469                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1470   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1471   volume =       "159-160",
1472   number =       "",
1473   pages =        "149--152",
1474   year =         "2009",
1475   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1476                  Silicon Materials Research for Electronic and
1477                  Photovoltaic Applications",
1478   ISSN =         "0921-5107",
1479   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1480   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1481   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1482                  B. Stritzker",
1483   keywords =     "Silicon",
1484   keywords =     "Carbon",
1485   keywords =     "Silicon carbide",
1486   keywords =     "Nucleation",
1487   keywords =     "Defect formation",
1488   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1489   abstract =     "The precipitation process of silicon carbide in
1490                  heavily carbon doped silicon is not yet fully
1491                  understood. High resolution transmission electron
1492                  microscopy observations suggest that in a first step
1493                  carbon atoms form C-Si dumbbells on regular Si lattice
1494                  sites which agglomerate into large clusters. In a
1495                  second step, when the cluster size reaches a radius of
1496                  a few nm, the high interfacial energy due to the SiC/Si
1497                  lattice misfit of almost 20\% is overcome and the
1498                  precipitation occurs. By simulation, details of the
1499                  precipitation process can be obtained on the atomic
1500                  level. A recently proposed parametrization of a
1501                  Tersoff-like bond order potential is used to model the
1502                  system appropriately. Preliminary results gained by
1503                  molecular dynamics simulations using this potential are
1504                  presented.",
1505 }
1506
1507 @Article{zirkelbach10,
1508   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1509                  classical potentials and first-principles methods",
1510   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1511                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1512   journal =      "Phys. Rev. B",
1513   volume =       "82",
1514   number =       "9",
1515   pages =        "094110",
1516   numpages =     "6",
1517   year =         "2010",
1518   month =        sep,
1519   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1520   publisher =    "American Physical Society",
1521   abstract =     "A comparative theoretical investigation of carbon
1522                  interstitials in silicon is presented. Calculations
1523                  using classical potentials are compared to
1524                  first-principles density-functional theory calculations
1525                  of the geometries, formation, and activation energies
1526                  of the carbon dumbbell interstitial, showing the
1527                  importance of a quantum-mechanical description of this
1528                  system. In contrast to previous studies, the present
1529                  first-principles calculations of the interstitial
1530                  carbon migration path yield an activation energy that
1531                  excellently matches the experiment. The bond-centered
1532                  interstitial configuration shows a net magnetization of
1533                  two electrons, illustrating the need for spin-polarized
1534                  calculations.",
1535 }
1536
1537 @Article{zirkelbach11,
1538   journal =      "Phys. Rev. B",
1539   month =        aug,
1540   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.84.064126",
1541   publisher =    "American Physical Society",
1542   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1543                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1544   title =        "Combined \textit{ab initio} and classical potential
1545                  simulation study on silicon carbide precipitation in
1546                  silicon",
1547   year =         "2011",
1548   pages =        "064126",
1549   numpages =     "18",
1550   volume =       "84",
1551   doi =          "10.1103/PhysRevB.84.064126",
1552   issue =        "6",
1553   abstract =     "Atomistic simulations on the silicon carbide
1554                  precipitation in bulk silicon employing both, classical
1555                  potential and first-principles methods are presented.
1556                  The calculations aim at a comprehensive, microscopic
1557                  understanding of the precipitation mechanism in the
1558                  context of controversial discussions in the literature.
1559                  For the quantum-mechanical treatment, basic processes
1560                  assumed in the precipitation process are calculated in
1561                  feasible systems of small size. The migration mechanism
1562                  of a carbon \hkl<1 0 0> interstitial and silicon \hkl<1
1563                  1 0> self-interstitial in otherwise defect-free silicon
1564                  are investigated using density functional theory
1565                  calculations. The influence of a nearby vacancy,
1566                  another carbon interstitial and a substitutional defect
1567                  as well as a silicon self-interstitial has been
1568                  investigated systematically. Interactions of various
1569                  combinations of defects have been characterized
1570                  including a couple of selected migration pathways
1571                  within these configurations. Almost all of the
1572                  investigated pairs of defects tend to agglomerate
1573                  allowing for a reduction in strain. The formation of
1574                  structures involving strong carbon-carbon bonds turns
1575                  out to be very unlikely. In contrast, substitutional
1576                  carbon occurs in all probability. A long range capture
1577                  radius has been observed for pairs of interstitial
1578                  carbon as well as interstitial carbon and vacancies. A
1579                  rather small capture radius is predicted for
1580                  substitutional carbon and silicon self-interstitials.
1581                  Initial assumptions regarding the precipitation
1582                  mechanism of silicon carbide in bulk silicon are
1583                  established and conformability to experimental findings
1584                  is discussed. Furthermore, results of the accurate
1585                  first-principles calculations on defects and carbon
1586                  diffusion in silicon are compared to results of
1587                  classical potential simulations revealing significant
1588                  limitations of the latter method. An approach to work
1589                  around this problem is proposed. Finally, results of
1590                  the classical potential molecular dynamics simulations
1591                  of large systems are examined, which reinforce previous
1592                  assumptions and give further insight into basic
1593                  processes involved in the silicon carbide transition.",
1594 }
1595
1596 @Article{lindner95,
1597   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1598                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1599   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1600                  Layers in Silicon",
1601   journal =      "MRS Proc.",
1602   volume =       "354",
1603   number =       "",
1604   pages =        "171",
1605   year =         "1994",
1606   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1607   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1608   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1609 }
1610
1611 @Article{lindner96,
1612   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1613                  in silicon by ion beam synthesis",
1614   journal =      "Mater. Chem. Phys.",
1615   volume =       "46",
1616   number =       "2-3",
1617   pages =        "147--155",
1618   year =         "1996",
1619   note =         "",
1620   ISSN =         "0254-0584",
1621   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1622   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1623   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1624                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1625                  Stritzker",
1626   notes =        "dose window",
1627 }
1628
1629 @Article{calcagno96,
1630   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1631                  ion implantation",
1632   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1633   volume =       "120",
1634   number =       "1-4",
1635   pages =        "121--124",
1636   year =         "1996",
1637   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1638                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1639   ISSN =         "0168-583X",
1640   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1641   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1642   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1643                  Grimaldi and P. Musumeci",
1644   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1645 }
1646
1647 @Article{lindner98,
1648   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1649                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1650   journal =      "Mater. Sci. Forum",
1651   volume =       "264-268",
1652   pages =        "215--218",
1653   year =         "1998",
1654   note =         "",
1655   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1656   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1657   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1658   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1659                  crystallinity",
1660 }
1661
1662 @Article{lindner99,
1663   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1664                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1665                  layers in silicon",
1666   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1667   volume =       "147",
1668   number =       "1-4",
1669   pages =        "249--255",
1670   year =         "1999",
1671   note =         "",
1672   ISSN =         "0168-583X",
1673   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1674   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1675   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1676   notes =        "two-step implantation process",
1677 }
1678
1679 @Article{lindner99_2,
1680   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1681                  in silicon",
1682   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1683   volume =       "148",
1684   number =       "1-4",
1685   pages =        "528--533",
1686   year =         "1999",
1687   ISSN =         "0168-583X",
1688   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1689   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1690   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1691   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1692 }
1693
1694 @Article{lindner01,
1695   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1696                  Basic physical processes",
1697   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1698   volume =       "178",
1699   number =       "1-4",
1700   pages =        "44--54",
1701   year =         "2001",
1702   note =         "",
1703   ISSN =         "0168-583X",
1704   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1705   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1706   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1707 }
1708
1709 @Article{lindner02,
1710   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1711                  fundamental studies for new technological tricks",
1712   author =       "J. K. N. Lindner",
1713   journal =      "Appl. Phys. A",
1714   volume =       "77",
1715   pages =        "27--38",
1716   year =         "2003",
1717   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1718   notes =        "ibs, burried sic layers",
1719 }
1720
1721 @Article{lindner06,
1722   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1723                  formation and displacive precipitate resolution in the
1724                  {C}-Si system",
1725   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1726   volume =       "26",
1727   number =       "5-7",
1728   pages =        "857--861",
1729   year =         "2006",
1730   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1731                  Applications",
1732   ISSN =         "0928-4931",
1733   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1734   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1735   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1736                  and B. Stritzker",
1737   notes =        "c int diffusion barrier",
1738 }
1739
1740 @Article{haeberlen10,
1741   title =        "Structural characterization of cubic and hexagonal
1742                  Ga{N} thin films grown by {IBA}-{MBE} on Si{C}/Si",
1743   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1744   volume =       "312",
1745   number =       "6",
1746   pages =        "762--769",
1747   year =         "2010",
1748   note =         "",
1749   ISSN =         "0022-0248",
1750   doi =          "10.1016/j.jcrysgro.2009.12.048",
1751   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024809011452",
1752   author =       "M. H{\"a}berlen and J. W. Gerlach and B. Murphy and J.
1753                  K. N. Lindner and B. Stritzker",
1754 }
1755
1756 @Article{ito04,
1757   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1758                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1759                  growth",
1760   journal =      "Appl. Surf. Sci.",
1761   volume =       "238",
1762   number =       "1-4",
1763   pages =        "159--164",
1764   year =         "2004",
1765   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1766   ISSN =         "0169-4332",
1767   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1768   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1769   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1770                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1771   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1772 }
1773
1774 @Article{yamamoto04,
1775   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1776                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1777                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1778   journal =      "J. Cryst. Growth",
1779   volume =       "261",
1780   number =       "2-3",
1781   pages =        "266--270",
1782   year =         "2004",
1783   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1784                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1785   ISSN =         "0022-0248",
1786   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1787   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1788   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1789                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1790   notes =        "gan on 3c-sic",
1791 }
1792
1793 @Article{liu_l02,
1794   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1795   journal =      "Mater. Sci. Eng., R",
1796   volume =       "37",
1797   number =       "3",
1798   pages =        "61--127",
1799   year =         "2002",
1800   note =         "",
1801   ISSN =         "0927-796X",
1802   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1803   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1804   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1805   notes =        "gan substrates",
1806 }
1807
1808 @Article{takeuchi91,
1809   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1810                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1811   journal =      "J. Cryst. Growth",
1812   volume =       "115",
1813   number =       "1-4",
1814   pages =        "634--638",
1815   year =         "1991",
1816   note =         "",
1817   ISSN =         "0022-0248",
1818   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1819   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1820   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1821                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1822   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1823 }
1824
1825 @Article{alder57,
1826   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1827   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1828   publisher =    "AIP",
1829   year =         "1957",
1830   journal =      "J. Chem. Phys.",
1831   volume =       "27",
1832   number =       "5",
1833   pages =        "1208--1209",
1834   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1835   doi =          "10.1063/1.1743957",
1836 }
1837
1838 @Article{alder59,
1839   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1840   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1841   publisher =    "AIP",
1842   year =         "1959",
1843   journal =      "J. Chem. Phys.",
1844   volume =       "31",
1845   number =       "2",
1846   pages =        "459--466",
1847   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1848   doi =          "10.1063/1.1730376",
1849 }
1850
1851 @Article{horsfield96,
1852   title =        "Bond-order potentials: Theory and implementation",
1853   author =       "A. P. Horsfield and A. M. Bratkovsky and M. Fearn and
1854                  D. G. Pettifor and M. Aoki",
1855   journal =      "Phys. Rev. B",
1856   volume =       "53",
1857   number =       "19",
1858   pages =        "12694--12712",
1859   numpages =     "18",
1860   year =         "1996",
1861   month =        may,
1862   doi =          "10.1103/PhysRevB.53.12694",
1863   publisher =    "American Physical Society",
1864 }
1865
1866 @Article{abell85,
1867   title =        "Empirical chemical pseudopotential theory of molecular
1868                  and metallic bonding",
1869   author =       "G. C. Abell",
1870   journal =      "Phys. Rev. B",
1871   volume =       "31",
1872   number =       "10",
1873   pages =        "6184--6196",
1874   numpages =     "12",
1875   year =         "1985",
1876   month =        may,
1877   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.6184",
1878   publisher =    "American Physical Society",
1879 }
1880
1881 @Article{tersoff_si1,
1882   title =        "New empirical model for the structural properties of
1883                  silicon",
1884   author =       "J. Tersoff",
1885   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1886   volume =       "56",
1887   number =       "6",
1888   pages =        "632--635",
1889   numpages =     "3",
1890   year =         "1986",
1891   month =        feb,
1892   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1893   publisher =    "American Physical Society",
1894 }
1895
1896 @Article{dodson87,
1897   title =        "Development of a many-body Tersoff-type potential for
1898                  silicon",
1899   author =       "Brian W. Dodson",
1900   journal =      "Phys. Rev. B",
1901   volume =       "35",
1902   number =       "6",
1903   pages =        "2795--2798",
1904   numpages =     "3",
1905   year =         "1987",
1906   month =        feb,
1907   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.2795",
1908   publisher =    "American Physical Society",
1909 }
1910
1911 @Article{tersoff_si2,
1912   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1913                  covalent systems",
1914   author =       "J. Tersoff",
1915   journal =      "Phys. Rev. B",
1916   volume =       "37",
1917   number =       "12",
1918   pages =        "6991--7000",
1919   numpages =     "9",
1920   year =         "1988",
1921   month =        apr,
1922   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1923   publisher =    "American Physical Society",
1924 }
1925
1926 @Article{tersoff_si3,
1927   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1928                  improved elastic properties",
1929   author =       "J. Tersoff",
1930   journal =      "Phys. Rev. B",
1931   volume =       "38",
1932   number =       "14",
1933   pages =        "9902--9905",
1934   numpages =     "3",
1935   year =         "1988",
1936   month =        nov,
1937   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1938   publisher =    "American Physical Society",
1939 }
1940
1941 @Article{tersoff_c,
1942   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1943                  Applications to Amorphous Carbon",
1944   author =       "J. Tersoff",
1945   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1946   volume =       "61",
1947   number =       "25",
1948   pages =        "2879--2882",
1949   numpages =     "3",
1950   year =         "1988",
1951   month =        dec,
1952   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1953   publisher =    "American Physical Society",
1954 }
1955
1956 @Article{tersoff_m,
1957   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1958                  for multicomponent systems",
1959   author =       "J. Tersoff",
1960   journal =      "Phys. Rev. B",
1961   volume =       "39",
1962   number =       "8",
1963   pages =        "5566--5568",
1964   numpages =     "2",
1965   year =         "1989",
1966   month =        mar,
1967   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1968   publisher =    "American Physical Society",
1969 }
1970
1971 @Article{tersoff90,
1972   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1973   author =       "J. Tersoff",
1974   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1975   volume =       "64",
1976   number =       "15",
1977   pages =        "1757--1760",
1978   numpages =     "3",
1979   year =         "1990",
1980   month =        apr,
1981   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1982   publisher =    "American Physical Society",
1983 }
1984
1985 @Article{fahey89,
1986   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1987   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1988   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1989   volume =       "61",
1990   number =       "2",
1991   pages =        "289--384",
1992   numpages =     "95",
1993   year =         "1989",
1994   month =        apr,
1995   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1996   publisher =    "American Physical Society",
1997 }
1998
1999 @Article{wesch96,
2000   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
2001   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2002   volume =       "116",
2003   number =       "1-4",
2004   pages =        "305--321",
2005   year =         "1996",
2006   note =         "Radiation Effects in Insulators",
2007   ISSN =         "0168-583X",
2008   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
2009   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
2010   author =       "W. Wesch",
2011 }
2012
2013 @Article{davis91,
2014   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
2015                  Palmour and J. A. Edmond",
2016   journal =      "Proc. IEEE",
2017   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
2018                  optoelectronic device fabrication and characterization
2019                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
2020   year =         "1991",
2021   month =        may,
2022   volume =       "79",
2023   number =       "5",
2024   pages =        "677--701",
2025   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
2026                  diode;SiC;dry etching;electrical
2027                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
2028                  device fabrication;solid-state devices;surface
2029                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
2030                  transistors;Schottky-barrier
2031                  diodes;etching;heterojunction bipolar
2032                  transistors;insulated gate field effect
2033                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
2034                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
2035   doi =          "10.1109/5.90132",
2036   ISSN =         "0018-9219",
2037   notes =        "sic growth methods",
2038 }
2039
2040 @Article{morkoc94,
2041   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
2042                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
2043   collaboration = "",
2044   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
2045                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
2046   publisher =    "AIP",
2047   year =         "1994",
2048   journal =      "J. Appl. Phys.",
2049   volume =       "76",
2050   number =       "3",
2051   pages =        "1363--1398",
2052   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
2053                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
2054                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
2055                  FILMS; INDUSTRY",
2056   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
2057   doi =          "10.1063/1.358463",
2058   notes =        "sic intro, properties",
2059 }
2060
2061 @Article{foo,
2062   author =       "Noch Unbekannt",
2063   title =        "How to find references",
2064   journal =      "Journal of Applied References",
2065   year =         "2009",
2066   volume =       "77",
2067   pages =        "1--23",
2068 }
2069
2070 @Article{tang95,
2071   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
2072                  \beta{}-Si{C}",
2073   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
2074   journal =      "Phys. Rev. B",
2075   volume =       "52",
2076   number =       "21",
2077   pages =        "15150--15159",
2078   numpages =     "9",
2079   year =         "1995",
2080   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
2081   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
2082                  tersoff reparametrization",
2083   publisher =    "American Physical Society",
2084 }
2085
2086 @Article{sarro00,
2087   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
2088   journal =      "Seonsor. Actuator. A",
2089   volume =       "82",
2090   number =       "1-3",
2091   pages =        "210--218",
2092   year =         "2000",
2093   ISSN =         "0924-4247",
2094   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
2095   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
2096   author =       "Pasqualina M. Sarro",
2097   keywords =     "MEMS",
2098   keywords =     "Silicon carbide",
2099   keywords =     "Micromachining",
2100   keywords =     "Mechanical stress",
2101 }
2102
2103 @Article{casady96,
2104   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
2105                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
2106                  review",
2107   journal =      "Solid-State Electron.",
2108   volume =       "39",
2109   number =       "10",
2110   pages =        "1409--1422",
2111   year =         "1996",
2112   ISSN =         "0038-1101",
2113   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
2114   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
2115   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
2116   notes =        "sic intro",
2117 }
2118
2119 @Article{giancarli98,
2120   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
2121                  structural material in fusion power reactor blankets",
2122   journal =      "Fusion Eng. Des.",
2123   volume =       "41",
2124   number =       "1-4",
2125   pages =        "165--171",
2126   year =         "1998",
2127   ISSN =         "0920-3796",
2128   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
2129   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
2130   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
2131                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
2132 }
2133
2134 @Article{pensl93,
2135   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
2136   journal =      "Physica B",
2137   volume =       "185",
2138   number =       "1-4",
2139   pages =        "264--283",
2140   year =         "1993",
2141   ISSN =         "0921-4526",
2142   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
2143   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
2144   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
2145 }
2146
2147 @Article{tairov78,
2148   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
2149                  carbide single crystals",
2150   journal =      "J. Cryst. Growth",
2151   volume =       "43",
2152   number =       "2",
2153   pages =        "209--212",
2154   year =         "1978",
2155   notes =        "modified lely process",
2156   ISSN =         "0022-0248",
2157   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
2158   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
2159   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2160 }
2161
2162 @Article{tairov81,
2163   title =        "General principles of growing large-size single
2164                  crystals of various silicon carbide polytypes",
2165   journal =      "J. Cryst. Growth",
2166   volume =       "52",
2167   number =       "Part 1",
2168   pages =        "146--150",
2169   year =         "1981",
2170   note =         "",
2171   ISSN =         "0022-0248",
2172   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
2173   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
2174   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2175 }
2176
2177 @Article{barrett91,
2178   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
2179   journal =      "J. Cryst. Growth",
2180   volume =       "109",
2181   number =       "1-4",
2182   pages =        "17--23",
2183   year =         "1991",
2184   note =         "",
2185   ISSN =         "0022-0248",
2186   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
2187   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
2188   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
2189                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
2190 }
2191
2192 @Article{barrett93,
2193   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
2194   journal =      "J. Cryst. Growth",
2195   volume =       "128",
2196   number =       "1-4",
2197   pages =        "358--362",
2198   year =         "1993",
2199   note =         "",
2200   ISSN =         "0022-0248",
2201   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
2202   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
2203   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
2204                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
2205                  W. J. Choyke",
2206 }
2207
2208 @Article{stein93,
2209   title =        "Control of polytype formation by surface energy
2210                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
2211                  sublimation method",
2212   journal =      "J. Cryst. Growth",
2213   volume =       "131",
2214   number =       "1-2",
2215   pages =        "71--74",
2216   year =         "1993",
2217   note =         "",
2218   ISSN =         "0022-0248",
2219   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
2220   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
2221   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
2222   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
2223 }
2224
2225 @Article{nishino83,
2226   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
2227                  Will",
2228   collaboration = "",
2229   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
2230                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
2231   publisher =    "AIP",
2232   year =         "1983",
2233   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2234   volume =       "42",
2235   number =       "5",
2236   pages =        "460--462",
2237   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
2238                  monocrystals",
2239   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
2240   doi =          "10.1063/1.93970",
2241   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
2242 }
2243
2244 @Article{nagasawa06,
2245   author =       "H. Nagasawa and K. Yagi and T. Kawahara and N. Hatta",
2246   title =        "Reducing Planar Defects in 3{C}¿Si{C}",
2247   journal =      "Chemical Vapor Deposition",
2248   volume =       "12",
2249   number =       "8-9",
2250   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2251   ISSN =         "1521-3862",
2252   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/cvde.200506466",
2253   doi =          "10.1002/cvde.200506466",
2254   pages =        "502--508",
2255   keywords =     "Defect structures, Epitaxy, Silicon carbide",
2256   year =         "2006",
2257   notes =        "cvd on si",
2258 }
2259
2260 @Article{nishino87,
2261   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
2262                  and Hiroyuki Matsunami",
2263   collaboration = "",
2264   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
2265                  Si{C} on silicon",
2266   publisher =    "AIP",
2267   year =         "1987",
2268   journal =      "J. Appl. Phys.",
2269   volume =       "61",
2270   number =       "10",
2271   pages =        "4889--4893",
2272   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
2273   doi =          "10.1063/1.338355",
2274   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
2275                  carbonization",
2276 }
2277
2278 @Article{powell87,
2279   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
2280                  Kuczmarski",
2281   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
2282                  Single-Crystal Films on Si",
2283   publisher =    "ECS",
2284   year =         "1987",
2285   journal =      "J. Electrochem. Soc.",
2286   volume =       "134",
2287   number =       "6",
2288   pages =        "1558--1565",
2289   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
2290                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
2291   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
2292   doi =          "10.1149/1.2100708",
2293   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
2294 }
2295
2296 @Article{powell87_2,
2297   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
2298                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
2299   collaboration = "",
2300   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
2301                  off-axis Si substrates",
2302   publisher =    "AIP",
2303   year =         "1987",
2304   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2305   volume =       "51",
2306   number =       "11",
2307   pages =        "823--825",
2308   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
2309                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
2310                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
2311                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
2312                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
2313   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
2314   doi =          "10.1063/1.98824",
2315   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
2316 }
2317
2318 @Article{ueda90,
2319   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
2320   journal =      "J. Cryst. Growth",
2321   volume =       "104",
2322   number =       "3",
2323   pages =        "695--700",
2324   year =         "1990",
2325   note =         "",
2326   ISSN =         "0022-0248",
2327   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
2328   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
2329   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
2330                  Matsunami",
2331   notes =        "step-controlled epitaxy model",
2332 }
2333
2334 @Article{kimoto93,
2335   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
2336                  and Hiroyuki Matsunami",
2337   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
2338                  epitaxy",
2339   publisher =    "AIP",
2340   year =         "1993",
2341   journal =      "J. Appl. Phys.",
2342   volume =       "73",
2343   number =       "2",
2344   pages =        "726--732",
2345   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
2346                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
2347                  VAPOR DEPOSITION",
2348   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
2349   doi =          "10.1063/1.353329",
2350   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
2351 }
2352
2353 @Article{powell90_2,
2354   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2355                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2356                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2357   collaboration = "",
2358   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
2359                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2360   publisher =    "AIP",
2361   year =         "1990",
2362   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2363   volume =       "56",
2364   number =       "15",
2365   pages =        "1442--1444",
2366   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2367                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
2368                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
2369                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
2370   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
2371   doi =          "10.1063/1.102492",
2372   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
2373 }
2374
2375 @Article{kong88_2,
2376   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2377   collaboration = "",
2378   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2379                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2380                  substrates",
2381   publisher =    "AIP",
2382   year =         "1988",
2383   journal =      "J. Appl. Phys.",
2384   volume =       "64",
2385   number =       "5",
2386   pages =        "2672--2679",
2387   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2388                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2389                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2390                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2391                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2392   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2393   doi =          "10.1063/1.341608",
2394 }
2395
2396 @Article{powell90,
2397   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2398                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2399                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2400   collaboration = "",
2401   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2402                  6{H}-Si{C} substrates",
2403   publisher =    "AIP",
2404   year =         "1990",
2405   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2406   volume =       "56",
2407   number =       "14",
2408   pages =        "1353--1355",
2409   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2410                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2411                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2412                  PHASE EPITAXY",
2413   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2414   doi =          "10.1063/1.102512",
2415   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2416 }
2417
2418 @Article{kong88,
2419   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2420                  Rozgonyi and K. L. More",
2421   collaboration = "",
2422   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2423                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2424                  substrates",
2425   publisher =    "AIP",
2426   year =         "1988",
2427   journal =      "J. Appl. Phys.",
2428   volume =       "63",
2429   number =       "8",
2430   pages =        "2645--2650",
2431   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2432                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2433                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2434                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2435                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2436   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2437   doi =          "10.1063/1.341004",
2438 }
2439
2440 @Article{powell91,
2441   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2442                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2443                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2444   collaboration = "",
2445   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2446                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2447   publisher =    "AIP",
2448   year =         "1991",
2449   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2450   volume =       "59",
2451   number =       "3",
2452   pages =        "333--335",
2453   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2454                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2455                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2456   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2457   doi =          "10.1063/1.105587",
2458 }
2459
2460 @Article{yuan95,
2461   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2462                  Thokala and M. J. Loboda",
2463   collaboration = "",
2464   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2465                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2466                  silacyclobutane",
2467   publisher =    "AIP",
2468   year =         "1995",
2469   journal =      "J. Appl. Phys.",
2470   volume =       "78",
2471   number =       "2",
2472   pages =        "1271--1273",
2473   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2474                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2475                  SPECTROPHOTOMETRY",
2476   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2477   doi =          "10.1063/1.360368",
2478   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2479 }
2480
2481 @Article{kaneda87,
2482   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2483                  properties of its p-n junction",
2484   journal =      "J. Cryst. Growth",
2485   volume =       "81",
2486   number =       "1-4",
2487   pages =        "536--542",
2488   year =         "1987",
2489   note =         "",
2490   ISSN =         "0022-0248",
2491   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2492   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2493   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2494                  and Takao Tanaka",
2495   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2496 }
2497
2498 @Article{fissel95,
2499   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2500                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2501                  molecular beam epitaxy",
2502   journal =      "J. Cryst. Growth",
2503   volume =       "154",
2504   number =       "1-2",
2505   pages =        "72--80",
2506   year =         "1995",
2507   ISSN =         "0022-0248",
2508   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2509   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2510   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2511                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2512   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2513 }
2514
2515 @Article{fissel95_apl,
2516   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2517   collaboration = "",
2518   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2519                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2520   publisher =    "AIP",
2521   year =         "1995",
2522   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2523   volume =       "66",
2524   number =       "23",
2525   pages =        "3182--3184",
2526   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2527                  RHEED; NUCLEATION",
2528   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2529   doi =          "10.1063/1.113716",
2530   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2531 }
2532
2533 @Article{fissel96,
2534   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2535                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2536   collaboration = "",
2537   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2538                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2539                  level using surface superstructures",
2540   publisher =    "AIP",
2541   year =         "1996",
2542   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2543   volume =       "68",
2544   number =       "9",
2545   pages =        "1204--1206",
2546   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2547                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2548                  SURFACE STRUCTURE",
2549   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2550   doi =          "10.1063/1.115969",
2551   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2552 }
2553
2554 @Article{righi03,
2555   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2556   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2557                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2558   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2559   volume =       "91",
2560   number =       "13",
2561   pages =        "136101",
2562   numpages =     "4",
2563   year =         "2003",
2564   month =        sep,
2565   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2566   publisher =    "American Physical Society",
2567   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2568 }
2569
2570 @Article{borders71,
2571   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2572   collaboration = "",
2573   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2574                  {IMPLANTATION}",
2575   publisher =    "AIP",
2576   year =         "1971",
2577   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2578   volume =       "18",
2579   number =       "11",
2580   pages =        "509--511",
2581   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2582   doi =          "10.1063/1.1653516",
2583   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2584                  ideas",
2585 }
2586
2587 @Article{edelman76,
2588   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2589                  and E. V. Lubopytova",
2590   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2591                  by ion implantation",
2592   publisher =    "Taylor \& Francis",
2593   year =         "1976",
2594   journal =      "Radiat. Eff.",
2595   volume =       "29",
2596   number =       "1",
2597   pages =        "13--15",
2598   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2599   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2600                  single crystalline",
2601 }
2602
2603 @Article{akimchenko80,
2604   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2605                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2606   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2607                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2608   publisher =    "Taylor \& Francis",
2609   year =         "1980",
2610   journal =      "Radiat. Eff.",
2611   volume =       "48",
2612   number =       "1",
2613   pages =        "7",
2614   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2615   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2616 }
2617
2618 @Article{kimura81,
2619   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2620                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2621                  silicon",
2622   journal =      "Thin Solid Films",
2623   volume =       "81",
2624   number =       "4",
2625   pages =        "319--327",
2626   year =         "1981",
2627   note =         "",
2628   ISSN =         "0040-6090",
2629   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2630   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2631   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2632                  Yugo",
2633 }
2634
2635 @Article{kimura82,
2636   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2637                  the implantation of carbon ions into silicon",
2638   journal =      "Thin Solid Films",
2639   volume =       "94",
2640   number =       "3",
2641   pages =        "191--198",
2642   year =         "1982",
2643   note =         "",
2644   ISSN =         "0040-6090",
2645   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2646   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2647   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2648                  Yugo",
2649 }
2650
2651 @Article{reeson86,
2652   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2653                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2654                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2655   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2656                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2657   publisher =    "Taylor \& Francis",
2658   year =         "1986",
2659   journal =      "Radiat. Eff.",
2660   volume =       "99",
2661   number =       "1",
2662   pages =        "71--81",
2663   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2664   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or time,
2665                  no c redistribution",
2666 }
2667
2668 @Article{reeson87,
2669   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2670                  J. Davis and G. E. Celler",
2671   collaboration = "",
2672   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2673                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2674   publisher =    "AIP",
2675   year =         "1987",
2676   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2677   volume =       "51",
2678   number =       "26",
2679   pages =        "2242--2244",
2680   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2681                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2682   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2683   doi =          "10.1063/1.98953",
2684   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2685 }
2686
2687 @Article{martin90,
2688   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2689                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2690   collaboration = "",
2691   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2692   publisher =    "AIP",
2693   year =         "1990",
2694   journal =      "J. Appl. Phys.",
2695   volume =       "67",
2696   number =       "6",
2697   pages =        "2908--2912",
2698   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2699                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2700                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2701                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2702                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2703                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2704   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2705   doi =          "10.1063/1.346092",
2706   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2707                  temepratures",
2708 }
2709
2710 @Article{scace59,
2711   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2712   collaboration = "",
2713   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2714   publisher =    "AIP",
2715   year =         "1959",
2716   journal =      "J. Chem. Phys.",
2717   volume =       "30",
2718   number =       "6",
2719   pages =        "1551--1555",
2720   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2721   doi =          "10.1063/1.1730236",
2722   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2723 }
2724
2725 @Article{hofker74,
2726   author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
2727                  Koeman",
2728   affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
2729                  Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
2730                  Netherlands",
2731   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
2732                  charge carrier and boron concentration profiles",
2733   journal =      "Appl. Phys. A",
2734   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
2735   ISSN =         "0947-8396",
2736   keyword =      "Physics and Astronomy",
2737   pages =        "125--133",
2738   volume =       "4",
2739   issue =        "2",
2740   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
2741   note =         "10.1007/BF00884267",
2742   year =         "1974",
2743   notes =        "first time ted (only for boron?)",
2744 }
2745
2746 @Article{michel87,
2747   author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
2748                  H. Kastl",
2749   collaboration = "",
2750   title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
2751                  implanted boron into silicon",
2752   publisher =    "AIP",
2753   year =         "1987",
2754   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2755   volume =       "50",
2756   number =       "7",
2757   pages =        "416--418",
2758   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
2759                  BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
2760                  HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
2761   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
2762   doi =          "10.1063/1.98160",
2763   notes =        "ted of boron in si",
2764 }
2765
2766 @Article{cowern90,
2767   author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
2768                  Jos",
2769   collaboration = "",
2770   title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
2771                  time, and matrix dependence of atomic and electrical
2772                  profiles",
2773   publisher =    "AIP",
2774   year =         "1990",
2775   journal =      "J. Appl. Phys.",
2776   volume =       "68",
2777   number =       "12",
2778   pages =        "6191--6198",
2779   keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
2780                  DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
2781                  CRYSTALS; AMORPHIZATION",
2782   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
2783   doi =          "10.1063/1.346910",
2784   notes =        "ted of boron in si",
2785 }
2786
2787 @Article{cowern96,
2788   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2789                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2790   collaboration = "",
2791   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2792                  {B} in silicon",
2793   publisher =    "AIP",
2794   year =         "1996",
2795   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2796   volume =       "68",
2797   number =       "8",
2798   pages =        "1150--1152",
2799   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2800                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2801                  SILICON",
2802   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2803   doi =          "10.1063/1.115706",
2804   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2805 }
2806
2807 @Article{stolk95,
2808   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2809                  of the silicon self-interstitial",
2810   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2811   volume =       "96",
2812   number =       "1-2",
2813   pages =        "187--195",
2814   year =         "1995",
2815   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2816                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2817   ISSN =         "0168-583X",
2818   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2819   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2820   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2821                  and J. M. Poate",
2822 }
2823
2824 @Article{stolk97,
2825   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2826                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2827                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2828                  E. Haynes",
2829   collaboration = "",
2830   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2831                  diffusion in ion-implanted silicon",
2832   publisher =    "AIP",
2833   year =         "1997",
2834   journal =      "J. Appl. Phys.",
2835   volume =       "81",
2836   number =       "9",
2837   pages =        "6031--6050",
2838   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2839   doi =          "10.1063/1.364452",
2840   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2841 }
2842
2843 @Article{powell94,
2844   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2845   collaboration = "",
2846   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2847                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2848   publisher =    "AIP",
2849   year =         "1994",
2850   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2851   volume =       "64",
2852   number =       "3",
2853   pages =        "324--326",
2854   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2855                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2856                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2857                  SYNTHESIS",
2858   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2859   doi =          "10.1063/1.111195",
2860   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2861 }
2862
2863 @Article{soref91,
2864   author =       "Richard A. Soref",
2865   collaboration = "",
2866   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2867                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2868   publisher =    "AIP",
2869   year =         "1991",
2870   journal =      "J. Appl. Phys.",
2871   volume =       "70",
2872   number =       "4",
2873   pages =        "2470--2472",
2874   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2875                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2876                  TERNARY ALLOYS",
2877   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2878   doi =          "10.1063/1.349403",
2879   notes =        "band gap of strained si by c",
2880 }
2881
2882 @Article{kasper91,
2883   author =       "E Kasper",
2884   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2885                  possibility to produce direct band gap material",
2886   journal =      "Phys. Scr.",
2887   volume =       "T35",
2888   pages =        "232--236",
2889   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2890   year =         "1991",
2891   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2892                  quasi-direct one",
2893 }
2894
2895 @Article{eberl92,
2896   author =       "K. Eberl and S. S. Iyer and S. Zollner and J. C. Tsang
2897                  and F. K. LeGoues",
2898   collaboration = "",
2899   title =        "Growth and strain compensation effects in the ternary
2900                  Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloy system",
2901   publisher =    "AIP",
2902   year =         "1992",
2903   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2904   volume =       "60",
2905   number =       "24",
2906   pages =        "3033--3035",
2907   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; CARBON ALLOYS;
2908                  TERNARY ALLOYS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; MOLECULAR BEAM
2909                  EPITAXY; INTERNAL STRAINS; TEMPERATURE EFFECTS; CRYSTAL
2910                  STRUCTURE; LATTICE PARAMETERS; XRAY DIFFRACTION; PHASE
2911                  STUDIES",
2912   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/3033/1",
2913   doi =          "10.1063/1.106774",
2914 }
2915
2916 @Article{powell93,
2917   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and F. E. LeGoues and B. A.
2918                  Ek and S. S. Iyer",
2919   collaboration = "",
2920   title =        "Stability of strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random
2921                  alloy layers",
2922   publisher =    "AVS",
2923   year =         "1993",
2924   journal =      "J. Vac. Sci. Technol. B",
2925   volume =       "11",
2926   number =       "3",
2927   pages =        "1064--1068",
2928   location =     "Ottawa (Canada)",
2929   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; STRAINS; THICKNESS;
2930                  METASTABLE PHASES; TWINNING; DISLOCATIONS; MOLECULAR
2931                  BEAM EPITAXY; EPITAXIAL LAYERS; CRITICAL PHENOMENA;
2932                  TEMPERATURE RANGE 400--1000 K; BINARY ALLOYS",
2933   URL =          "http://link.aip.org/link/?JVB/11/1064/1",
2934   doi =          "10.1116/1.587008",
2935   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2936 }
2937
2938 @Article{powell93_2,
2939   title =        "Si[sub 1-x-y]Ge[sub x]{C}[sub y] growth and properties
2940                  of the ternary system",
2941   journal =      "J. Cryst. Growth",
2942   volume =       "127",
2943   number =       "1-4",
2944   pages =        "425--429",
2945   year =         "1993",
2946   note =         "",
2947   ISSN =         "0022-0248",
2948   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90653-E",
2949   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46J3RF2-8H/2/27fc231f28e4dc0a3b4770e5cf03257e",
2950   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and B. A. Ek and S. S.
2951                  Iyer",
2952 }
2953
2954 @Article{osten94,
2955   author =       "H. J. Osten",
2956   title =        "Modification of Growth Modes in Lattice-Mismatched
2957                  Epitaxial Systems: Si/Ge",
2958   journal =      "phys. status solidi (a)",
2959   volume =       "145",
2960   number =       "2",
2961   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2962   ISSN =         "1521-396X",
2963   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211450203",
2964   doi =          "10.1002/pssa.2211450203",
2965   pages =        "235--245",
2966   year =         "1994",
2967 }
2968
2969 @Article{dietrich94,
2970   title =        "Lattice distortion in a strain-compensated
2971                  $Si_{1-x-y}$$Ge_{x}$${C}_{y}$ layer on silicon",
2972   author =       "B. Dietrich and H. J. Osten and H. R{\"u}cker and M.
2973                  Methfessel and P. Zaumseil",
2974   journal =      "Phys. Rev. B",
2975   volume =       "49",
2976   number =       "24",
2977   pages =        "17185--17190",
2978   numpages =     "5",
2979   year =         "1994",
2980   month =        jun,
2981   doi =          "10.1103/PhysRevB.49.17185",
2982   publisher =    "American Physical Society",
2983 }
2984
2985 @Article{osten94_2,
2986   author =       "H. J. Osten and E. Bugiel and P. Zaumseil",
2987   collaboration = "",
2988   title =        "Growth of an inverse tetragonal distorted SiGe layer
2989                  on Si(001) by adding small amounts of carbon",
2990   publisher =    "AIP",
2991   year =         "1994",
2992   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2993   volume =       "64",
2994   number =       "25",
2995   pages =        "3440--3442",
2996   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; FILM GROWTH; CARBON
2997                  ALLOYS; TERNARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TEM;
2998                  XRD; LATTICE PARAMETERS; EPITAXIAL LAYERS; TETRAGONAL
2999                  LATTICES",
3000   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/3440/1",
3001   doi =          "10.1063/1.111235",
3002   notes =        "inversely strained / distorted heterostructure",
3003 }
3004
3005 @Article{iyer92,
3006   author =       "S. S. Iyer and K. Eberl and M. S. Goorsky and F. K.
3007                  LeGoues and J. C. Tsang and F. Cardone",
3008   collaboration = "",
3009   title =        "Synthesis of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys by
3010                  molecular beam epitaxy",
3011   publisher =    "AIP",
3012   year =         "1992",
3013   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3014   volume =       "60",
3015   number =       "3",
3016   pages =        "356--358",
3017   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
3018                  SEMICONDUCTOR ALLOYS; SUPERLATTICES; MOLECULAR BEAM
3019                  EPITAXY; CHEMICAL COMPOSITION; TEMPERATURE EFFECTS;
3020                  FILM GROWTH; MICROSTRUCTURE",
3021   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/356/1",
3022   doi =          "10.1063/1.106655",
3023 }
3024
3025 @Article{osten99,
3026   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
3027   collaboration = "",
3028   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
3029                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
3030                  molecular beam epitaxy",
3031   publisher =    "AIP",
3032   year =         "1999",
3033   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3034   volume =       "74",
3035   number =       "6",
3036   pages =        "836--838",
3037   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
3038                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
3039                  compounds",
3040   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
3041   doi =          "10.1063/1.123384",
3042   notes =        "substitutional c in si by mbe",
3043 }
3044
3045 @Article{born27,
3046   author =       "M. Born and R. Oppenheimer",
3047   title =        "Zur Quantentheorie der Molekeln",
3048   journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
3049   volume =       "389",
3050   number =       "20",
3051   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3052   ISSN =         "1521-3889",
3053   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19273892002",
3054   doi =          "10.1002/andp.19273892002",
3055   pages =        "457--484",
3056   year =         "1927",
3057 }
3058
3059 @Article{hohenberg64,
3060   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
3061   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
3062   journal =      "Phys. Rev.",
3063   volume =       "136",
3064   number =       "3B",
3065   pages =        "B864--B871",
3066   numpages =     "7",
3067   year =         "1964",
3068   month =        nov,
3069   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
3070   publisher =    "American Physical Society",
3071   notes =        "density functional theory, dft",
3072 }
3073
3074 @Article{thomas27,
3075   title =        "The calculation of atomic fields",
3076   author =       "L. H. Thomas",
3077   journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
3078   volume =       "23",
3079   pages =        "542--548",
3080   year =         "1927",
3081   doi =          "10.1017/S0305004100011683",
3082 }
3083
3084 @Article{fermi27,
3085   title =        "",
3086   author =       "E. Fermi",
3087   journal =      "Atti Accad. Naz. Lincei, Cl. Sci. Fis. Mat. Nat.
3088                  Rend.",
3089   volume =       "6",
3090   pages =        "602",
3091   year =         "1927",
3092 }
3093
3094 @Article{hartree28,
3095   title =        "The Wave Mechanics of an Atom with a Non-Coulomb
3096                  Central Field. Part {I}. Theory and Methods",
3097   author =       "D. R. Hartree",
3098   journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
3099   volume =       "24",
3100   pages =        "89--110",
3101   year =         "1928",
3102   doi =          "10.1017/S0305004100011919",
3103 }
3104
3105 @Article{slater29,
3106   title =        "The Theory of Complex Spectra",
3107   author =       "J. C. Slater",
3108   journal =      "Phys. Rev.",
3109   volume =       "34",
3110   number =       "10",
3111   pages =        "1293--1322",
3112   numpages =     "29",
3113   year =         "1929",
3114   month =        nov,
3115   doi =          "10.1103/PhysRev.34.1293",
3116   publisher =    "American Physical Society",
3117 }
3118
3119 @Article{kohn65,
3120   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
3121                  Correlation Effects",
3122   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
3123   journal =      "Phys. Rev.",
3124   volume =       "140",
3125   number =       "4A",
3126   pages =        "A1133--A1138",
3127   numpages =     "5",
3128   year =         "1965",
3129   month =        nov,
3130   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
3131   publisher =    "American Physical Society",
3132   notes =        "dft, exchange and correlation",
3133 }
3134
3135 @Article{kohn96,
3136   title =        "Density Functional and Density Matrix Method Scaling
3137                  Linearly with the Number of Atoms",
3138   author =       "W. Kohn",
3139   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3140   volume =       "76",
3141   number =       "17",
3142   pages =        "3168--3171",
3143   numpages =     "3",
3144   year =         "1996",
3145   month =        apr,
3146   doi =          "10.1103/PhysRevLett.76.3168",
3147   publisher =    "American Physical Society",
3148 }
3149
3150 @Article{kohn98,
3151   title =        "Edge Electron Gas",
3152   author =       "Walter Kohn and Ann E. Mattsson",
3153   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3154   volume =       "81",
3155   number =       "16",
3156   pages =        "3487--3490",
3157   numpages =     "3",
3158   year =         "1998",
3159   month =        oct,
3160   doi =          "10.1103/PhysRevLett.81.3487",
3161   publisher =    "American Physical Society",
3162 }
3163
3164 @Article{kohn99,
3165   title =        "Nobel Lecture: Electronic structure of matter---wave
3166                  functions and density functionals",
3167   author =       "W. Kohn",
3168   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
3169   volume =       "71",
3170   number =       "5",
3171   pages =        "1253--1266",
3172   numpages =     "13",
3173   year =         "1999",
3174   month =        oct,
3175   doi =          "10.1103/RevModPhys.71.1253",
3176   publisher =    "American Physical Society",
3177 }
3178
3179 @Article{payne92,
3180   title =        "Iterative minimization techniques for ab initio
3181                  total-energy calculations: molecular dynamics and
3182                  conjugate gradients",
3183   author =       "M. C. Payne and M. P. Teter and D. C. Allan and T. A.
3184                  Arias and J. D. Joannopoulos",
3185   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
3186   volume =       "64",
3187   number =       "4",
3188   pages =        "1045--1097",
3189   numpages =     "52",
3190   year =         "1992",
3191   month =        oct,
3192   doi =          "10.1103/RevModPhys.64.1045",
3193   publisher =    "American Physical Society",
3194 }
3195
3196 @Article{levy82,
3197   title =        "Electron densities in search of Hamiltonians",
3198   author =       "Mel Levy",
3199   journal =      "Phys. Rev. A",
3200   volume =       "26",
3201   number =       "3",
3202   pages =        "1200--1208",
3203   numpages =     "8",
3204   year =         "1982",
3205   month =        sep,
3206   doi =          "10.1103/PhysRevA.26.1200",
3207   publisher =    "American Physical Society",
3208 }
3209
3210 @Article{ruecker94,
3211   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
3212                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
3213   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
3214                  J. Osten",
3215   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3216   volume =       "72",
3217   number =       "22",
3218   pages =        "3578--3581",
3219   numpages =     "3",
3220   year =         "1994",
3221   month =        may,
3222   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
3223   publisher =    "American Physical Society",
3224   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
3225                  si, dft",
3226 }
3227
3228 @Article{yagi02,
3229   title =        "Phosphorous Doping of Strain-Induced
3230                  Si$_{1-y}${C}$_{y}$ Epitaxial Films Grown\\
3231                  by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition",
3232   author =       "Shuhei Yagi and Katsuya Abe and Takashi Okabayashi and
3233                  Yuichi Yoneyama and Akira Yamada and Makoto Konagai",
3234   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3235   volume =       "41",
3236   number =       "Part 1, No. 4B",
3237   pages =        "2472--2475",
3238   numpages =     "3",
3239   year =         "2002",
3240   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/41/2472/",
3241   doi =          "10.1143/JJAP.41.2472",
3242   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3243   notes =        "experimental charge carrier mobility in strained si",
3244 }
3245
3246 @Article{chang05,
3247   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
3248                  Alloy",
3249   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
3250   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3251   volume =       "44",
3252   number =       "4B",
3253   pages =        "2257--2262",
3254   numpages =     "5",
3255   year =         "2005",
3256   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
3257   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
3258   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3259   notes =        "enhance of electron mobility in strained si",
3260 }
3261
3262 @Article{kissinger94,
3263   author =       "W. Kissinger and M. Weidner and H. J. Osten and M.
3264                  Eichler",
3265   collaboration = "",
3266   title =        "Optical transitions in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub
3267                  y] layers on Si(001)",
3268   publisher =    "AIP",
3269   year =         "1994",
3270   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3271   volume =       "65",
3272   number =       "26",
3273   pages =        "3356--3358",
3274   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERNAL STRAINS; EPITAXIAL LAYERS;
3275                  CHEMICAL COMPOSITION; ELLIPSOMETRY; REFLECTION
3276                  SPECTROSCOPY; ELECTROOPTICAL EFFECTS; BAND STRUCTURE;
3277                  ENERGY LEVELS; ENERGYLEVEL TRANSITIONS",
3278   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/3356/1",
3279   doi =          "10.1063/1.112390",
3280   notes =        "strained si influence on optical properties",
3281 }
3282
3283 @Article{osten96,
3284   author =       "H. J. Osten and Myeongcheol Kim and K. Pressel and P.
3285                  Zaumseil",
3286   collaboration = "",
3287   title =        "Substitutional versus interstitial carbon
3288                  incorporation during pseudomorphic growth of Si[sub 1 -
3289                  y]{C}[sub y] on Si(001)",
3290   publisher =    "AIP",
3291   year =         "1996",
3292   journal =      "J. Appl. Phys.",
3293   volume =       "80",
3294   number =       "12",
3295   pages =        "6711--6715",
3296   keywords =     "SILICON CARBIDES; CRYSTAL DEFECTS; FILM GROWTH;
3297                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; INTERSTITIALS; SUBSTITUTION;
3298                  XRD; STRAINS",
3299   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/80/6711/1",
3300   doi =          "10.1063/1.363797",
3301   notes =        "mbe substitutional vs interstitial c incorporation",
3302 }
3303
3304 @Article{osten97,
3305   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
3306   collaboration = "",
3307   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3308                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
3309                  Si(001)",
3310   publisher =    "AIP",
3311   year =         "1997",
3312   journal =      "J. Appl. Phys.",
3313   volume =       "82",
3314   number =       "10",
3315   pages =        "4977--4981",
3316   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
3317                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
3318                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
3319   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
3320   doi =          "10.1063/1.366364",
3321   notes =        "charge transport in strained si",
3322 }
3323
3324 @Article{kapur04,
3325   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
3326                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
3327   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
3328   journal =      "Phys. Rev. B",
3329   volume =       "69",
3330   number =       "15",
3331   pages =        "155214",
3332   numpages =     "8",
3333   year =         "2004",
3334   month =        apr,
3335   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
3336   publisher =    "American Physical Society",
3337   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
3338 }
3339
3340 @Article{barkema96,
3341   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
3342                  Systems",
3343   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
3344   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3345   volume =       "77",
3346   number =       "21",
3347   pages =        "4358--4361",
3348   numpages =     "3",
3349   year =         "1996",
3350   month =        nov,
3351   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
3352   publisher =    "American Physical Society",
3353   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
3354                  dynamic mds",
3355 }
3356
3357 @Article{cances09,
3358   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
3359                  Minoukadeh and F. Willaime",
3360   collaboration = "",
3361   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
3362                  technique method for finding transition pathways on
3363                  potential energy surfaces",
3364   publisher =    "AIP",
3365   year =         "2009",
3366   journal =      "J. Chem. Phys.",
3367   volume =       "130",
3368   number =       "11",
3369   eid =          "114711",
3370   numpages =     "6",
3371   pages =        "114711",
3372   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
3373                  surfaces; vacancies (crystal)",
3374   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
3375   doi =          "10.1063/1.3088532",
3376   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
3377                  transition pathways",
3378 }
3379
3380 @Article{parrinello81,
3381   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
3382   collaboration = "",
3383   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
3384                  molecular dynamics method",
3385   publisher =    "AIP",
3386   year =         "1981",
3387   journal =      "J. Appl. Phys.",
3388   volume =       "52",
3389   number =       "12",
3390   pages =        "7182--7190",
3391   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
3392                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
3393                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
3394                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
3395                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
3396                  IMPACT SHOCK",
3397   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
3398   doi =          "10.1063/1.328693",
3399 }
3400
3401 @Article{stillinger85,
3402   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
3403                  of silicon",
3404   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
3405   journal =      "Phys. Rev. B",
3406   volume =       "31",
3407   number =       "8",
3408   pages =        "5262--5271",
3409   numpages =     "9",
3410   year =         "1985",
3411   month =        apr,
3412   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
3413   publisher =    "American Physical Society",
3414 }
3415
3416 @Article{brenner90,
3417   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
3418                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
3419                  films",
3420   author =       "Donald W. Brenner",
3421   journal =      "Phys. Rev. B",
3422   volume =       "42",
3423   number =       "15",
3424   pages =        "9458--9471",
3425   numpages =     "13",
3426   year =         "1990",
3427   month =        nov,
3428   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
3429   publisher =    "American Physical Society",
3430   notes =        "brenner hydro carbons",
3431 }
3432
3433 @Article{bazant96,
3434   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
3435                  Cohesive Energy Curves",
3436   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
3437   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3438   volume =       "77",
3439   number =       "21",
3440   pages =        "4370--4373",
3441   numpages =     "3",
3442   year =         "1996",
3443   month =        nov,
3444   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
3445   publisher =    "American Physical Society",
3446   notes =        "first si edip",
3447 }
3448
3449 @Article{bazant97,
3450   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
3451                  silicon",
3452   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
3453                  Justo",
3454   journal =      "Phys. Rev. B",
3455   volume =       "56",
3456   number =       "14",
3457   pages =        "8542--8552",
3458   numpages =     "10",
3459   year =         "1997",
3460   month =        oct,
3461   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
3462   publisher =    "American Physical Society",
3463   notes =        "second si edip",
3464 }
3465
3466 @Article{justo98,
3467   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
3468                  disordered phases",
3469   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
3470                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
3471   journal =      "Phys. Rev. B",
3472   volume =       "58",
3473   number =       "5",
3474   pages =        "2539--2550",
3475   numpages =     "11",
3476   year =         "1998",
3477   month =        aug,
3478   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
3479   publisher =    "American Physical Society",
3480   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
3481 }
3482
3483 @Article{parcas_md,
3484   journal =      "{PARCAS} molecular dynamics code",
3485   author =       "K. Nordlund",
3486   year =         "2008",
3487 }
3488
3489 @Article{voter97,
3490   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
3491                  Infrequent Events",
3492   author =       "Arthur F. Voter",
3493   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3494   volume =       "78",
3495   number =       "20",
3496   pages =        "3908--3911",
3497   numpages =     "3",
3498   year =         "1997",
3499   month =        may,
3500   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
3501   publisher =    "American Physical Society",
3502   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
3503 }
3504
3505 @Article{voter97_2,
3506   author =       "Arthur F. Voter",
3507   collaboration = "",
3508   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
3509                  simulation of infrequent events",
3510   publisher =    "AIP",
3511   year =         "1997",
3512   journal =      "J. Chem. Phys.",
3513   volume =       "106",
3514   number =       "11",
3515   pages =        "4665--4677",
3516   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
3517                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
3518                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
3519                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
3520                  theory; potential energy surfaces",
3521   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
3522   doi =          "10.1063/1.473503",
3523   notes =        "improved hyperdynamics md",
3524 }
3525
3526 @Article{sorensen2000,
3527   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
3528   collaboration = "",
3529   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
3530                  infrequent events",
3531   publisher =    "AIP",
3532   year =         "2000",
3533   journal =      "J. Chem. Phys.",
3534   volume =       "112",
3535   number =       "21",
3536   pages =        "9599--9606",
3537   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
3538                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
3539   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
3540   doi =          "10.1063/1.481576",
3541   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
3542 }
3543
3544 @Article{voter98,
3545   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
3546                  events",
3547   author =       "Arthur F. Voter",
3548   journal =      "Phys. Rev. B",
3549   volume =       "57",
3550   number =       "22",
3551   pages =        "R13985--R13988",
3552   numpages =     "3",
3553   year =         "1998",
3554   month =        jun,
3555   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
3556   publisher =    "American Physical Society",
3557   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
3558 }
3559
3560 @Article{wu99,
3561   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
3562   collaboration = "",
3563   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
3564                  simulation",
3565   publisher =    "AIP",
3566   year =         "1999",
3567   journal =      "J. Chem. Phys.",
3568   volume =       "110",
3569   number =       "19",
3570   pages =        "9401--9410",
3571   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
3572                  potential; crystallisation; liquid theory",
3573   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
3574   doi =          "10.1063/1.478948",
3575   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
3576                  systematic motion",
3577 }
3578
3579 @Article{choudhary05,
3580   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
3581   collaboration = "",
3582   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
3583                  to the production of amorphous silicon",
3584   publisher =    "AIP",
3585   year =         "2005",
3586   journal =      "J. Chem. Phys.",
3587   volume =       "122",
3588   number =       "15",
3589   eid =          "154509",
3590   numpages =     "8",
3591   pages =        "154509",
3592   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
3593                  amorphous semiconductors",
3594   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
3595   doi =          "10.1063/1.1878733",
3596   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
3597                  silicon",
3598 }
3599
3600 @Article{taylor93,
3601   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
3602   collaboration = "",
3603   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
3604                  difficult?",
3605   publisher =    "AIP",
3606   year =         "1993",
3607   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3608   volume =       "62",
3609   number =       "25",
3610   pages =        "3336--3338",
3611   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
3612                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
3613                  ENERGY",
3614   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
3615   doi =          "10.1063/1.109063",
3616   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
3617                  interstitials necessary for precipitation, volume
3618                  decrease, high interface energy",
3619 }
3620
3621 @Article{chaussende08,
3622   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
3623   journal =      "J. Cryst. Growth",
3624   volume =       "310",
3625   number =       "5",
3626   pages =        "976--981",
3627   year =         "2008",
3628   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
3629                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
3630   ISSN =         "0022-0248",
3631   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
3632   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
3633   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
3634                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
3635                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
3636                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
3637   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
3638                  metastable",
3639 }
3640
3641 @Article{chaussende07,
3642   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
3643   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
3644   journal =      "J. Phys. D",
3645   volume =       "40",
3646   number =       "20",
3647   pages =        "6150",
3648   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
3649   year =         "2007",
3650   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
3651                  modelling",
3652 }
3653
3654 @Article{feynman39,
3655   title =        "Forces in Molecules",
3656   author =       "R. P. Feynman",
3657   journal =      "Phys. Rev.",
3658   volume =       "56",
3659   number =       "4",
3660   pages =        "340--343",
3661   numpages =     "3",
3662   year =         "1939",
3663   month =        aug,
3664   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
3665   publisher =    "American Physical Society",
3666   notes =        "hellmann feynman forces",
3667 }
3668
3669 @Article{buczko00,
3670   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
3671                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
3672                  their Contrasting Properties",
3673   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
3674                  T. Pantelides",
3675   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3676   volume =       "84",
3677   number =       "5",
3678   pages =        "943--946",
3679   numpages =     "3",
3680   year =         "2000",
3681   month =        jan,
3682   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
3683   publisher =    "American Physical Society",
3684   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
3685 }
3686
3687 @Article{djurabekova08,
3688   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
3689                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
3690   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
3691   journal =      "Phys. Rev. B",
3692   volume =       "77",
3693   number =       "11",
3694   pages =        "115325",
3695   numpages =     "7",
3696   year =         "2008",
3697   month =        mar,
3698   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
3699   publisher =    "American Physical Society",
3700   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
3701                  angular distribution, coordination",
3702 }
3703
3704 @Article{wen09,
3705   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
3706                  W. Liang and J. Zou",
3707   collaboration = "",
3708   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
3709                  strain relaxation at highly lattice mismatched
3710                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
3711   publisher =    "AIP",
3712   year =         "2009",
3713   journal =      "J. Appl. Phys.",
3714   volume =       "106",
3715   number =       "7",
3716   eid =          "073522",
3717   numpages =     "8",
3718   pages =        "073522",
3719   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
3720                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
3721                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
3722                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
3723   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
3724   doi =          "10.1063/1.3234380",
3725   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
3726                  deconvolution, dislocation defects",
3727 }
3728
3729 @Article{kitabatake93,
3730   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
3731                  Hirao",
3732   collaboration = "",
3733   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
3734                  growth on Si(001) surface",
3735   publisher =    "AIP",
3736   year =         "1993",
3737   journal =      "J. Appl. Phys.",
3738   volume =       "74",
3739   number =       "7",
3740   pages =        "4438--4445",
3741   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
3742                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
3743                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
3744   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
3745   doi =          "10.1063/1.354385",
3746   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
3747                  model, interface",
3748 }
3749
3750 @Article{kitabatake97,
3751   author =       "Makoto Kitabatake",
3752   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
3753                  Heteroepitaxial Growth",
3754   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3755   year =         "1997",
3756   journal =      "phys. status solidi (b)",
3757   volume =       "202",
3758   pages =        "405--420",
3759   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3760   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3761   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
3762 }
3763
3764 @Article{chirita97,
3765   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
3766                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
3767                  dynamics study",
3768   journal =      "Thin Solid Films",
3769   volume =       "294",
3770   number =       "1-2",
3771   pages =        "47--49",
3772   year =         "1997",
3773   note =         "",
3774   ISSN =         "0040-6090",
3775   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
3776   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
3777   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
3778   keywords =     "Strain relaxation",
3779   keywords =     "Interfaces",
3780   keywords =     "Thermal stability",
3781   keywords =     "Molecular dynamics",
3782   notes =        "tersoff sic/si interface study",
3783 }
3784
3785 @Article{cicero02,
3786   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
3787                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
3788   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
3789                  Catellani",
3790   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3791   volume =       "89",
3792   number =       "15",
3793   pages =        "156101",
3794   numpages =     "4",
3795   year =         "2002",
3796   month =        sep,
3797   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
3798   publisher =    "American Physical Society",
3799   notes =        "sic/si interface study",
3800 }
3801
3802 @Article{pizzagalli03,
3803   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
3804                  interface: Si{C}/Si(001)",
3805   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
3806                  Catellani",
3807   journal =      "Phys. Rev. B",
3808   volume =       "68",
3809   number =       "19",
3810   pages =        "195302",
3811   numpages =     "10",
3812   year =         "2003",
3813   month =        nov,
3814   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
3815   publisher =    "American Physical Society",
3816   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
3817 }
3818
3819 @Article{tang07,
3820   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
3821                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
3822                  electron microscopy",
3823   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
3824                  H. Zheng and J. W. Liang",
3825   journal =      "Phys. Rev. B",
3826   volume =       "75",
3827   number =       "18",
3828   pages =        "184103",
3829   numpages =     "7",
3830   year =         "2007",
3831   month =        may,
3832   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
3833   publisher =    "American Physical Society",
3834   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
3835                  si and c",
3836 }
3837
3838 @Article{hornstra58,
3839   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
3840   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",