bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philos. Mag. B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
  91                  precipitation by interstitial and substitutional
  92                  carbon, both mechanisms explained + refs",
  93 }
  94
  95 @Article{skorupa96,
  96   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
  97                  silicon-related materials",
  98   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
  99   volume =       "44",
 100   number =       "2",
 101   pages =        "101--143",
 102   year =         "1996",
 103   note =         "",
 104   ISSN =         "0254-0584",
 105   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 106   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 107   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 108   notes =        "review of silicon carbon compound",
 109 }
 110
 111 @Book{laplace,
 112   author =       "P. S. de Laplace",
 113   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 114   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 115   volume =       "VII",
 116   publisher =    "Gauthier-Villars",
 117   year =         "1820",
 118 }
 119
 120 @Article{mattoni2007,
 121   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 122   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 123                  materials}",
 124   journal =      "Phys. Rev. B",
 125   year =         "2007",
 126   month =        dec,
 127   volume =       "76",
 128   number =       "22",
 129   pages =        "224103",
 130   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 131   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 132                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 133                  fracture, more available potentials, universal energy
 134                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 135 }
 136
 137 @Article{balamane92,
 138   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 139                  potentials",
 140   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 141   journal =      "Phys. Rev. B",
 142   volume =       "46",
 143   number =       "4",
 144   pages =        "2250--2279",
 145   numpages =     "29",
 146   year =         "1992",
 147   month =        jul,
 148   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 149   publisher =    "American Physical Society",
 150   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 151 }
 152
 153 @Article{koster2002,
 154   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 155                  bombardment",
 156   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 157   journal =      "Phys. Rev. B",
 158   volume =       "62",
 159   number =       "16",
 160   pages =        "11219--11224",
 161   numpages =     "5",
 162   year =         "2000",
 163   month =        oct,
 164   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 165   publisher =    "American Physical Society",
 166   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 167 }
 168
 169 @Article{breadmore99,
 170   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 171                  amorphization of silicon",
 172   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 173   journal =      "Phys. Rev. B",
 174   volume =       "60",
 175   number =       "18",
 176   pages =        "12610--12616",
 177   numpages =     "6",
 178   year =         "1999",
 179   month =        nov,
 180   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 181   publisher =    "American Physical Society",
 182   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 183 }
 184
 185 @Article{nielsen83,
 186   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 187   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 188   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 189   volume =       "50",
 190   number =       "9",
 191   pages =        "697--700",
 192   numpages =     "3",
 193   year =         "1983",
 194   month =        feb,
 195   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 196   publisher =    "American Physical Society",
 197   notes =        "generalization of virial theorem",
 198 }
 199
 200 @Article{nielsen85,
 201   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 202   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 203   journal =      "Phys. Rev. B",
 204   volume =       "32",
 205   number =       "6",
 206   pages =        "3780--3791",
 207   numpages =     "11",
 208   year =         "1985",
 209   month =        sep,
 210   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 211   publisher =    "American Physical Society",
 212   notes =        "dft virial stress and forces",
 213 }
 214
 215 @Article{moissan04,
 216   author =       "Henri Moissan",
 217   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 218                  Diablo",
 219   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 220   volume =       "139",
 221   pages =        "773--786",
 222   year =         "1904",
 223 }
 224
 225 @Book{park98,
 226   author =       "Y. S. Park",
 227   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 228   publisher =    "Academic Press",
 229   address =      "San Diego",
 230   year =         "1998",
 231 }
 232
 233 @Article{tsvetkov98,
 234   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 235                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 236   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 237   journal =      "Materials Science Forum",
 238   volume =       "264-268",
 239   pages =        "3--8",
 240   year =         "1998",
 241   notes =        "modified lely process, micropipes",
 242 }
 243
 244 @Article{verlet67,
 245   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 246                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 247   author =       "Loup Verlet",
 248   journal =      "Phys. Rev.",
 249   volume =       "159",
 250   number =       "1",
 251   pages =        "98",
 252   year =         "1967",
 253   month =        jul,
 254   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 255   publisher =    "American Physical Society",
 256   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 257                  motion",
 258 }
 259
 260 @Article{berendsen84,
 261   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 262                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 263   collaboration = "",
 264   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 265   publisher =    "AIP",
 266   year =         "1984",
 267   journal =      "J. Chem. Phys.",
 268   volume =       "81",
 269   number =       "8",
 270   pages =        "3684--3690",
 271   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 272                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 273   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 274   doi =          "10.1063/1.448118",
 275   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 276 }
 277
 278 @Article{huang95,
 279   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 280                  Baskes",
 281   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 282                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 283                  potentials",
 284   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 285   volume =       "3",
 286   number =       "5",
 287   pages =        "615--627",
 288   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 289   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 290                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 291   year =         "1995",
 292 }
 293
 294 @Article{brenner89,
 295   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 296                  Tersoff potentials",
 297   author =       "Donald W. Brenner",
 298   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 299   volume =       "63",
 300   number =       "9",
 301   pages =        "1022",
 302   numpages =     "1",
 303   year =         "1989",
 304   month =        aug,
 305   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 306   publisher =    "American Physical Society",
 307   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 308 }
 309
 310 @Article{batra87,
 311   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 312                  silicon",
 313   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 314   journal =      "Phys. Rev. B",
 315   volume =       "35",
 316   number =       "18",
 317   pages =        "9552--9558",
 318   numpages =     "6",
 319   year =         "1987",
 320   month =        jun,
 321   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 322   publisher =    "American Physical Society",
 323   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 324                  calculation of defect formation energy, defect
 325                  interstitial types",
 326 }
 327
 328 @Article{schober89,
 329   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 330   author =       "H. R. Schober",
 331   journal =      "Phys. Rev. B",
 332   volume =       "39",
 333   number =       "17",
 334   pages =        "13013--13015",
 335   numpages =     "2",
 336   year =         "1989",
 337   month =        jun,
 338   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 339   publisher =    "American Physical Society",
 340   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 341                  dumbbell configuration",
 342 }
 343
 344 @Article{gao02a,
 345   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 346                  Defect accumulation, topological features, and
 347                  disordering",
 348   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 349   journal =      "Phys. Rev. B",
 350   volume =       "66",
 351   number =       "2",
 352   pages =        "024106",
 353   numpages =     "10",
 354   year =         "2002",
 355   month =        jul,
 356   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 357   publisher =    "American Physical Society",
 358   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 359                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 360                  result analyze",
 361 }
 362
 363 @Article{devanathan98,
 364   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 365                  cascade in Si{C}",
 366   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 367   volume =       "141",
 368   number =       "1-4",
 369   pages =        "118--122",
 370   year =         "1998",
 371   ISSN =         "0168-583X",
 372   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 373   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 374                  Rubia",
 375   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 376                  3c-sic",
 377 }
 378
 379 @Article{devanathan98_2,
 380   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 381   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 382   volume =       "253",
 383   number =       "1-3",
 384   pages =        "47--52",
 385   year =         "1998",
 386   ISSN =         "0022-3115",
 387   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 388   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 389                  Weber",
 390   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 391                  tersoff",
 392 }
 393
 394 @Article{kitabatake00,
 395   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 396   author =       "M. Kitabatake",
 397   journal =      "Thin Solid Films",
 398   volume =       "369",
 399   pages =        "257--264",
 400   numpages =     "8",
 401   year =         "2000",
 402   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 403 }
 404
 405 @Article{tang97,
 406   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 407                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 408                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 409                  formation volumes",
 410   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 411                  Rubia",
 412   journal =      "Phys. Rev. B",
 413   volume =       "55",
 414   number =       "21",
 415   pages =        "14279--14289",
 416   numpages =     "10",
 417   year =         "1997",
 418   month =        jun,
 419   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 420   publisher =    "American Physical Society",
 421   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 422 }
 423
 424 @Article{johnson98,
 425   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 426                  Rubia",
 427   collaboration = "",
 428   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 429                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 430                  presence of carbon and boron",
 431   publisher =    "AIP",
 432   year =         "1998",
 433   journal =      "J. Appl. Phys.",
 434   volume =       "84",
 435   number =       "4",
 436   pages =        "1963--1967",
 437   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 438                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 439                  semiconductors; self-diffusion",
 440   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 441   doi =          "10.1063/1.368328",
 442   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 443                  diffsuion",
 444 }
 445
 446 @Article{bar-yam84,
 447   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 448                  Self-Interstitial",
 449   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 450   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 451   volume =       "52",
 452   number =       "13",
 453   pages =        "1129--1132",
 454   numpages =     "3",
 455   year =         "1984",
 456   month =        mar,
 457   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 458   publisher =    "American Physical Society",
 459   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 460 }
 461
 462 @Article{bar-yam84_2,
 463   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 464                  barriers of silicon self-interstitials",
 465   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 466   journal =      "Phys. Rev. B",
 467   volume =       "30",
 468   number =       "4",
 469   pages =        "1844--1852",
 470   numpages =     "8",
 471   year =         "1984",
 472   month =        aug,
 473   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 474   publisher =    "American Physical Society",
 475 }
 476
 477 @Article{bloechl93,
 478   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 479                  constants in silicon",
 480   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 481                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 482   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 483   volume =       "70",
 484   number =       "16",
 485   pages =        "2435--2438",
 486   numpages =     "3",
 487   year =         "1993",
 488   month =        apr,
 489   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 490   publisher =    "American Physical Society",
 491   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 492                  entropy calculations",
 493 }
 494
 495 @Article{colombo02,
 496   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 497                  silicon",
 498   author =       "L. Colombo",
 499   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 500   volume =       "32",
 501   pages =        "271--295",
 502   numpages =     "25",
 503   year =         "2002",
 504   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 505   publisher =    "Annual Reviews",
 506   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 507 }
 508
 509 @Article{al-mushadani03,
 510   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 511                  silicon",
 512   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 513   journal =      "Phys. Rev. B",
 514   volume =       "68",
 515   number =       "23",
 516   pages =        "235205",
 517   numpages =     "8",
 518   year =         "2003",
 519   month =        dec,
 520   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 521   publisher =    "American Physical Society",
 522   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 523                  silicon, si self interstitials, free energy",
 524 }
 525
 526 @Article{goedecker02,
 527   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 528   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 529   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 530   volume =       "88",
 531   number =       "23",
 532   pages =        "235501",
 533   numpages =     "4",
 534   year =         "2002",
 535   month =        may,
 536   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 537   publisher =    "American Physical Society",
 538   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 539                  silicon",
 540 }
 541
 542 @Article{sahli05,
 543   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 544                  self-interstitial diffusion in silicon",
 545   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 546   journal =      "Phys. Rev. B",
 547   volume =       "72",
 548   number =       "24",
 549   pages =        "245210",
 550   numpages =     "6",
 551   year =         "2005",
 552   month =        dec,
 553   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 554   publisher =    "American Physical Society",
 555   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 556                  mapping applied",
 557 }
 558
 559 @Article{hobler05,
 560   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 561                  native point defects in silicon",
 562   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 563   volume =       "124-125",
 564   number =       "",
 565   pages =        "368--371",
 566   year =         "2005",
 567   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 568                  Issues for Future Technologies",
 569   ISSN =         "0921-5107",
 570   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 571   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 572   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 573   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 574                  radius",
 575 }
 576
 577 @Article{ma10,
 578   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 579                  wide temperature range: Point defect states and
 580                  migration mechanisms",
 581   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 582   journal =      "Phys. Rev. B",
 583   volume =       "81",
 584   number =       "19",
 585   pages =        "193203",
 586   numpages =     "4",
 587   year =         "2010",
 588   month =        may,
 589   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 590   publisher =    "American Physical Society",
 591   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 592 }
 593
 594 @Article{posselt06,
 595   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 596                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 597   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 598   journal =      "Phys. Rev. B",
 599   volume =       "73",
 600   number =       "12",
 601   pages =        "125206",
 602   numpages =     "8",
 603   year =         "2006",
 604   month =        mar,
 605   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 606   publisher =    "American Physical Society",
 607 }
 608
 609 @Article{posselt08,
 610   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 611                  migration mechanisms of vacancies and
 612                  self-interstitials: An atomistic study",
 613   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 614   journal =      "Phys. Rev. B",
 615   volume =       "78",
 616   number =       "3",
 617   pages =        "035208",
 618   numpages =     "9",
 619   year =         "2008",
 620   month =        jul,
 621   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 622   publisher =    "American Physical Society",
 623   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 624                  weber and tersoff",
 625 }
 626
 627 @Article{gao2001,
 628   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 629                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 630   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 631                  Corrales",
 632   journal =      "Phys. Rev. B",
 633   volume =       "64",
 634   number =       "24",
 635   pages =        "245208",
 636   numpages =     "7",
 637   year =         "2001",
 638   month =        dec,
 639   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 640   publisher =    "American Physical Society",
 641   notes =        "defects in 3c-sic",
 642 }
 643
 644 @Article{gao02,
 645   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 646                  3{C}-Si{C}",
 647   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 648   volume =       "191",
 649   number =       "1-4",
 650   pages =        "487--496",
 651   year =         "2002",
 652   note =         "",
 653   ISSN =         "0168-583X",
 654   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 655   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 656   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 657   keywords =     "Empirical potential",
 658   keywords =     "Defect properties",
 659   keywords =     "Silicon carbide",
 660   keywords =     "Computer simulation",
 661   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 662 }
 663
 664 @Article{gao04,
 665   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 666                  3{C}-Si{C}",
 667   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 668                  Belko",
 669   journal =      "Phys. Rev. B",
 670   volume =       "69",
 671   number =       "24",
 672   pages =        "245205",
 673   numpages =     "5",
 674   year =         "2004",
 675   month =        jun,
 676   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 677   publisher =    "American Physical Society",
 678   notes =        "defect migration in sic",
 679 }
 680
 681 @Article{gao07,
 682   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 683                  W. J. Weber",
 684   collaboration = "",
 685   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 686                  in cubic silicon carbide",
 687   publisher =    "AIP",
 688   year =         "2007",
 689   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 690   volume =       "90",
 691   number =       "22",
 692   eid =          "221915",
 693   numpages =     "3",
 694   pages =        "221915",
 695   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 696                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 697                  dynamics method; density functional theory;
 698                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 699                  impurities; diffusion",
 700   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 701   doi =          "10.1063/1.2743751",
 702 }
 703
 704 @Article{mattoni2002,
 705   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 706                  crystalline silicon",
 707   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 708   journal =      "Phys. Rev. B",
 709   volume =       "66",
 710   number =       "19",
 711   pages =        "195214",
 712   numpages =     "6",
 713   year =         "2002",
 714   month =        nov,
 715   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 716   publisher =    "American Physical Society",
 717   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 718                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 719                  tersoff suitability",
 720 }
 721
 722 @Article{leung99,
 723   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 724   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 725                  Itoh and S. Ihara",
 726   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 727   volume =       "83",
 728   number =       "12",
 729   pages =        "2351--2354",
 730   numpages =     "3",
 731   year =         "1999",
 732   month =        sep,
 733   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 734   publisher =    "American Physical Society",
 735   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 736                  refs",
 737 }
 738
 739 @Article{capaz94,
 740   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 741                  carbon in silicon",
 742   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 743   journal =      "Phys. Rev. B",
 744   volume =       "50",
 745   number =       "11",
 746   pages =        "7439--7442",
 747   numpages =     "3",
 748   year =         "1994",
 749   month =        sep,
 750   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 751   publisher =    "American Physical Society",
 752   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 753                  dumbbell",
 754 }
 755
 756 @Article{capaz98,
 757   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 758   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 759   journal =      "Phys. Rev. B",
 760   volume =       "58",
 761   number =       "15",
 762   pages =        "9845--9850",
 763   numpages =     "5",
 764   year =         "1998",
 765   month =        oct,
 766   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 767   publisher =    "American Physical Society",
 768   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 769 }
 770
 771 @Article{song90_2,
 772   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 773                  pair in silicon",
 774   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 775                  Watkins",
 776   journal =      "Phys. Rev. B",
 777   volume =       "42",
 778   number =       "9",
 779   pages =        "5765--5783",
 780   numpages =     "18",
 781   year =         "1990",
 782   month =        sep,
 783   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 784   publisher =    "American Physical Society",
 785   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 786 }
 787
 788 @Article{liu02,
 789   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 790                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 791   collaboration = "",
 792   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 793                  interactions in Si",
 794   publisher =    "AIP",
 795   year =         "2002",
 796   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 797   volume =       "80",
 798   number =       "1",
 799   pages =        "52--54",
 800   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 801                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 802                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 803   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 804   doi =          "10.1063/1.1430505",
 805   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 806 }
 807
 808 @Article{dal_pino93,
 809   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 810                  silicon",
 811   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 812                  Joannopoulos",
 813   journal =      "Phys. Rev. B",
 814   volume =       "47",
 815   number =       "19",
 816   pages =        "12554--12557",
 817   numpages =     "3",
 818   year =         "1993",
 819   month =        may,
 820   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 821   publisher =    "American Physical Society",
 822   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 823 }
 824
 825 @Article{car84,
 826   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 827                  Silicon",
 828   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 829                  Sokrates T. Pantelides",
 830   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 831   volume =       "52",
 832   number =       "20",
 833   pages =        "1814--1817",
 834   numpages =     "3",
 835   year =         "1984",
 836   month =        may,
 837   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 838   publisher =    "American Physical Society",
 839   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 840                  path formation",
 841 }
 842
 843 @Article{car85,
 844   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 845                  Density-Functional Theory",
 846   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 847   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 848   volume =       "55",
 849   number =       "22",
 850   pages =        "2471--2474",
 851   numpages =     "3",
 852   year =         "1985",
 853   month =        nov,
 854   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 855   publisher =    "American Physical Society",
 856   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 857 }
 858
 859 @Article{kelires97,
 860   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 861                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 862   author =       "P. C. Kelires",
 863   journal =      "Phys. Rev. B",
 864   volume =       "55",
 865   number =       "14",
 866   pages =        "8784--8787",
 867   numpages =     "3",
 868   year =         "1997",
 869   month =        apr,
 870   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 871   publisher =    "American Physical Society",
 872   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 873                  neighbour dist",
 874 }
 875
 876 @Article{kelires95,
 877   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 878                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 879   author =       "P. C. Kelires",
 880   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 881   volume =       "75",
 882   number =       "6",
 883   pages =        "1114--1117",
 884   numpages =     "3",
 885   year =         "1995",
 886   month =        aug,
 887   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 888   publisher =    "American Physical Society",
 889   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 890 }
 891
 892 @Article{bean70,
 893   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 894                  containing carbon",
 895   journal =      "Solid State Communications",
 896   volume =       "8",
 897   number =       "3",
 898   pages =        "175--177",
 899   year =         "1970",
 900   note =         "",
 901   ISSN =         "0038-1098",
 902   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 903   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 904   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 905 }
 906
 907 @Article{watkins76,
 908   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 909                  Atom in Silicon",
 910   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 911   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 912   volume =       "36",
 913   number =       "22",
 914   pages =        "1329--1332",
 915   numpages =     "3",
 916   year =         "1976",
 917   month =        may,
 918   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 919   publisher =    "American Physical Society",
 920   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 921                  silicon",
 922 }
 923
 924 @Article{song90,
 925   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 926                  interstitial carbon in silicon",
 927   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 928   journal =      "Phys. Rev. B",
 929   volume =       "42",
 930   number =       "9",
 931   pages =        "5759--5764",
 932   numpages =     "5",
 933   year =         "1990",
 934   month =        sep,
 935   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 936   publisher =    "American Physical Society",
 937   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 938 }
 939
 940 @Article{tipping87,
 941   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 942   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 943                  silicon",
 944   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
 945   volume =       "2",
 946   number =       "5",
 947   pages =        "315--317",
 948   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 949   year =         "1987",
 950   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 951                  silicon",
 952 }
 953
 954 @Article{strane96,
 955   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 956                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 957   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 958                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 959   journal =      "J. Appl. Phys.",
 960   volume =       "79",
 961   pages =        "637",
 962   year =         "1996",
 963   month =        jan,
 964   doi =          "10.1063/1.360806",
 965   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 966 }
 967
 968 @Article{laveant2002,
 969   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 970   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 971   volume =       "89",
 972   number =       "1-3",
 973   pages =        "241--245",
 974   year =         "2002",
 975   ISSN =         "0921-5107",
 976   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 977   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 978   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 979                  G{\"{o}}sele",
 980   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 981                  stress, avoid sic precipitation",
 982 }
 983
 984 @Article{werner97,
 985   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 986                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 987   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 988                  silicon by transmission electron microscopy",
 989   publisher =    "AIP",
 990   year =         "1997",
 991   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 992   volume =       "70",
 993   number =       "2",
 994   pages =        "252--254",
 995   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 996                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 997                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 998                  layers; precipitation",
 999   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1000   doi =          "10.1063/1.118381",
1001   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1002                  precipitate",
1003 }
1004
1005 @InProceedings{werner96,
1006   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1007                  Eichler",
1008   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
1009                  International Conference on",
1010   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1011                  implanted silicon",
1012   year =         "1996",
1013   month =        jun,
1014   volume =       "",
1015   number =       "",
1016   pages =        "675--678",
1017   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1018   ISSN =         "",
1019   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1020 }
1021
1022 @Article{werner98,
1023   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1024                  D. C. Jacobson",
1025   collaboration = "",
1026   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1027   publisher =    "AIP",
1028   year =         "1998",
1029   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1030   volume =       "73",
1031   number =       "17",
1032   pages =        "2465--2467",
1033   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1034                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1035                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1036                  impurity distribution",
1037   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1038   doi =          "10.1063/1.122483",
1039   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1040 }
1041
1042 @Article{strane94,
1043   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1044                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1045   collaboration = "",
1046   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1047                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1048   publisher =    "AIP",
1049   year =         "1994",
1050   journal =      "J. Appl. Phys.",
1051   volume =       "76",
1052   number =       "6",
1053   pages =        "3656--3668",
1054   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1055   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1056   doi =          "10.1063/1.357429",
1057   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1058                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1059                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1060                  energy",
1061 }
1062
1063 @Article{fischer95,
1064   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1065                  Osten",
1066   collaboration = "",
1067   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1068                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1069   publisher =    "AIP",
1070   year =         "1995",
1071   journal =      "J. Appl. Phys.",
1072   volume =       "77",
1073   number =       "5",
1074   pages =        "1934--1937",
1075   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1076                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1077                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1078                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1079   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1080   doi =          "10.1063/1.358826",
1081 }
1082
1083 @Article{edgar92,
1084   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1085                  semiconductors",
1086   author =       "J. H. Edgar",
1087   journal =      "J. Mater. Res.",
1088   volume =       "7",
1089   pages =        "235",
1090   year =         "1992",
1091   month =        jan,
1092   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1093   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1094                  polytypes",
1095 }
1096
1097 @Article{zirkelbach2007,
1098   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1099                  process leading to ordered precipitate structures",
1100   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1101                  and B. Stritzker",
1102   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1103   volume =       "257",
1104   number =       "1--2",
1105   pages =        "75--79",
1106   numpages =     "5",
1107   year =         "2007",
1108   month =        apr,
1109   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1110   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1111                  NETHERLANDS",
1112 }
1113
1114 @Article{zirkelbach2006,
1115   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1116                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1117                  during ion irradiation",
1118   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1119                  and B. Stritzker",
1120   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1121   volume =       "242",
1122   number =       "1--2",
1123   pages =        "679--682",
1124   numpages =     "4",
1125   year =         "2006",
1126   month =        jan,
1127   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1128   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1129                  NETHERLANDS",
1130 }
1131
1132 @Article{zirkelbach2005,
1133   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1134                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1135                  ion irradiation",
1136   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1137                  and B. Stritzker",
1138   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1139   volume =       "33",
1140   number =       "1--3",
1141   pages =        "310--316",
1142   numpages =     "7",
1143   year =         "2005",
1144   month =        apr,
1145   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1146   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1147                  NETHERLANDS",
1148 }
1149
1150 @Article{zirkelbach09,
1151   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1152                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1153   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1154   volume =       "159-160",
1155   number =       "",
1156   pages =        "149--152",
1157   year =         "2009",
1158   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1159                  Silicon Materials Research for Electronic and
1160                  Photovoltaic Applications",
1161   ISSN =         "0921-5107",
1162   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1163   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1164   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1165                  B. Stritzker",
1166   keywords =     "Silicon",
1167   keywords =     "Carbon",
1168   keywords =     "Silicon carbide",
1169   keywords =     "Nucleation",
1170   keywords =     "Defect formation",
1171   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1172 }
1173
1174 @Article{zirkelbach10a,
1175   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1176                  classical potentials and first-principles methods",
1177   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1178                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1179   journal =      "Phys. Rev. B",
1180   volume =       "82",
1181   number =       "9",
1182   pages =        "094110",
1183   numpages =     "6",
1184   year =         "2010",
1185   month =        sep,
1186   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1187   publisher =    "American Physical Society",
1188 }
1189
1190 @Article{zirkelbach10b,
1191   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1192                  silicon",
1193   journal =      "to be published",
1194   volume =       "",
1195   number =       "",
1196   pages =        "",
1197   year =         "2010",
1198   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1199                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1200 }
1201
1202 @Article{zirkelbach10c,
1203   title =        "...",
1204   journal =      "to be published",
1205   volume =       "",
1206   number =       "",
1207   pages =        "",
1208   year =         "2010",
1209   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1210                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1211 }
1212
1213 @Article{lindner99,
1214   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1215                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1216                  layers in silicon",
1217   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1218   volume =       "147",
1219   number =       "1-4",
1220   pages =        "249--255",
1221   year =         "1999",
1222   note =         "",
1223   ISSN =         "0168-583X",
1224   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1225   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1226   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1227   notes =        "two-step implantation process",
1228 }
1229
1230 @Article{lindner99_2,
1231   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1232                  in silicon",
1233   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1234   volume =       "148",
1235   number =       "1-4",
1236   pages =        "528--533",
1237   year =         "1999",
1238   ISSN =         "0168-583X",
1239   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1240   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1241   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1242   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1243 }
1244
1245 @Article{lindner01,
1246   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1247                  Basic physical processes",
1248   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1249   volume =       "178",
1250   number =       "1-4",
1251   pages =        "44--54",
1252   year =         "2001",
1253   note =         "",
1254   ISSN =         "0168-583X",
1255   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1256   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1257   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1258 }
1259
1260 @Article{lindner02,
1261   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1262                  fundamental studies for new technological tricks",
1263   author =       "J. K. N. Lindner",
1264   journal =      "Appl. Phys. A",
1265   volume =       "77",
1266   pages =        "27--38",
1267   year =         "2003",
1268   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1269   notes =        "ibs, burried sic layers",
1270 }
1271
1272 @Article{lindner06,
1273   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1274                  formation and displacive precipitate resolution in the
1275                  {C}-Si system",
1276   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1277   volume =       "26",
1278   number =       "5-7",
1279   pages =        "857--861",
1280   year =         "2006",
1281   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1282                  Applications",
1283   ISSN =         "0928-4931",
1284   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1285   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1286   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1287                  and B. Stritzker",
1288   notes =        "c int diffusion barrier",
1289 }
1290
1291 @Article{ito04,
1292   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1293                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1294                  growth",
1295   journal =      "Applied Surface Science",
1296   volume =       "238",
1297   number =       "1-4",
1298   pages =        "159--164",
1299   year =         "2004",
1300   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1301   ISSN =         "0169-4332",
1302   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1303   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1304   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1305                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1306   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1307 }
1308
1309 @Article{yamamoto04,
1310   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1311                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1312                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1313   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1314   volume =       "261",
1315   number =       "2-3",
1316   pages =        "266--270",
1317   year =         "2004",
1318   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1319                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1320   ISSN =         "0022-0248",
1321   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1322   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1323   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1324                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1325   notes =        "gan on 3c-sic",
1326 }
1327
1328 @Article{liu_l02,
1329   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1330   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1331   volume =       "37",
1332   number =       "3",
1333   pages =        "61--127",
1334   year =         "2002",
1335   note =         "",
1336   ISSN =         "0927-796X",
1337   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1338   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1339   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1340   notes =        "gan substrates",
1341 }
1342
1343 @Article{takeuchi91,
1344   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1345                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1346   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1347   volume =       "115",
1348   number =       "1-4",
1349   pages =        "634--638",
1350   year =         "1991",
1351   note =         "",
1352   ISSN =         "0022-0248",
1353   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1354   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1355   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1356                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1357   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1358 }
1359
1360 @Article{alder57,
1361   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1362   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1363   publisher =    "AIP",
1364   year =         "1957",
1365   journal =      "J. Chem. Phys.",
1366   volume =       "27",
1367   number =       "5",
1368   pages =        "1208--1209",
1369   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1370   doi =          "10.1063/1.1743957",
1371 }
1372
1373 @Article{alder59,
1374   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1375   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1376   publisher =    "AIP",
1377   year =         "1959",
1378   journal =      "J. Chem. Phys.",
1379   volume =       "31",
1380   number =       "2",
1381   pages =        "459--466",
1382   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1383   doi =          "10.1063/1.1730376",
1384 }
1385
1386 @Article{tersoff_si1,
1387   title =        "New empirical model for the structural properties of
1388                  silicon",
1389   author =       "J. Tersoff",
1390   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1391   volume =       "56",
1392   number =       "6",
1393   pages =        "632--635",
1394   numpages =     "3",
1395   year =         "1986",
1396   month =        feb,
1397   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1398   publisher =    "American Physical Society",
1399 }
1400
1401 @Article{tersoff_si2,
1402   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1403                  covalent systems",
1404   author =       "J. Tersoff",
1405   journal =      "Phys. Rev. B",
1406   volume =       "37",
1407   number =       "12",
1408   pages =        "6991--7000",
1409   numpages =     "9",
1410   year =         "1988",
1411   month =        apr,
1412   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1413   publisher =    "American Physical Society",
1414 }
1415
1416 @Article{tersoff_si3,
1417   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1418                  improved elastic properties",
1419   author =       "J. Tersoff",
1420   journal =      "Phys. Rev. B",
1421   volume =       "38",
1422   number =       "14",
1423   pages =        "9902--9905",
1424   numpages =     "3",
1425   year =         "1988",
1426   month =        nov,
1427   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1428   publisher =    "American Physical Society",
1429 }
1430
1431 @Article{tersoff_c,
1432   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1433                  Applications to Amorphous Carbon",
1434   author =       "J. Tersoff",
1435   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1436   volume =       "61",
1437   number =       "25",
1438   pages =        "2879--2882",
1439   numpages =     "3",
1440   year =         "1988",
1441   month =        dec,
1442   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1443   publisher =    "American Physical Society",
1444 }
1445
1446 @Article{tersoff_m,
1447   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1448                  for multicomponent systems",
1449   author =       "J. Tersoff",
1450   journal =      "Phys. Rev. B",
1451   volume =       "39",
1452   number =       "8",
1453   pages =        "5566--5568",
1454   numpages =     "2",
1455   year =         "1989",
1456   month =        mar,
1457   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1458   publisher =    "American Physical Society",
1459 }
1460
1461 @Article{tersoff90,
1462   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1463   author =       "J. Tersoff",
1464   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1465   volume =       "64",
1466   number =       "15",
1467   pages =        "1757--1760",
1468   numpages =     "3",
1469   year =         "1990",
1470   month =        apr,
1471   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1472   publisher =    "American Physical Society",
1473 }
1474
1475 @Article{fahey89,
1476   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1477   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1478   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1479   volume =       "61",
1480   number =       "2",
1481   pages =        "289--384",
1482   numpages =     "95",
1483   year =         "1989",
1484   month =        apr,
1485   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1486   publisher =    "American Physical Society",
1487 }
1488
1489 @Article{wesch96,
1490   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1491   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1492   volume =       "116",
1493   number =       "1-4",
1494   pages =        "305--321",
1495   year =         "1996",
1496   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1497   ISSN =         "0168-583X",
1498   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1499   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1500   author =       "W. Wesch",
1501 }
1502
1503 @Article{davis91,
1504   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
1505                  Palmour and J. A. Edmond",
1506   journal =      "Proceedings of the IEEE",
1507   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
1508                  optoelectronic device fabrication and characterization
1509                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
1510   year =         "1991",
1511   month =        may,
1512   volume =       "79",
1513   number =       "5",
1514   pages =        "677--701",
1515   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
1516                  diode;SiC;dry etching;electrical
1517                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
1518                  device fabrication;solid-state devices;surface
1519                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
1520                  transistors;Schottky-barrier
1521                  diodes;etching;heterojunction bipolar
1522                  transistors;insulated gate field effect
1523                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
1524                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
1525   doi =          "10.1109/5.90132",
1526   ISSN =         "0018-9219",
1527   notes =        "sic growth methods",
1528 }
1529
1530 @Article{morkoc94,
1531   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1532                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1533   collaboration = "",
1534   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1535                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1536   publisher =    "AIP",
1537   year =         "1994",
1538   journal =      "J. Appl. Phys.",
1539   volume =       "76",
1540   number =       "3",
1541   pages =        "1363--1398",
1542   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1543                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1544                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1545                  FILMS; INDUSTRY",
1546   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1547   doi =          "10.1063/1.358463",
1548   notes =        "sic intro, properties",
1549 }
1550
1551 @Article{foo,
1552   author =       "Noch Unbekannt",
1553   title =        "How to find references",
1554   journal =      "Journal of Applied References",
1555   year =         "2009",
1556   volume =       "77",
1557   pages =        "1--23",
1558 }
1559
1560 @Article{tang95,
1561   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1562                  \beta{}-Si{C}",
1563   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1564   journal =      "Phys. Rev. B",
1565   volume =       "52",
1566   number =       "21",
1567   pages =        "15150--15159",
1568   numpages =     "9",
1569   year =         "1995",
1570   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1571   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1572                  tersoff reparametrization",
1573   publisher =    "American Physical Society",
1574 }
1575
1576 @Article{sarro00,
1577   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1578   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1579   volume =       "82",
1580   number =       "1-3",
1581   pages =        "210--218",
1582   year =         "2000",
1583   ISSN =         "0924-4247",
1584   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1585   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1586   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1587   keywords =     "MEMS",
1588   keywords =     "Silicon carbide",
1589   keywords =     "Micromachining",
1590   keywords =     "Mechanical stress",
1591 }
1592
1593 @Article{casady96,
1594   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1595                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1596                  review",
1597   journal =      "Solid-State Electronics",
1598   volume =       "39",
1599   number =       "10",
1600   pages =        "1409--1422",
1601   year =         "1996",
1602   ISSN =         "0038-1101",
1603   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1604   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1605   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1606   notes =        "sic intro",
1607 }
1608
1609 @Article{giancarli98,
1610   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1611                  structural material in fusion power reactor blankets",
1612   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1613   volume =       "41",
1614   number =       "1-4",
1615   pages =        "165--171",
1616   year =         "1998",
1617   ISSN =         "0920-3796",
1618   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1619   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1620   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1621                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1622 }
1623
1624 @Article{pensl93,
1625   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1626   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1627   volume =       "185",
1628   number =       "1-4",
1629   pages =        "264--283",
1630   year =         "1993",
1631   ISSN =         "0921-4526",
1632   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1633   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1634   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1635 }
1636
1637 @Article{tairov78,
1638   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1639                  carbide single crystals",
1640   journal =      "J. Cryst. Growth",
1641   volume =       "43",
1642   number =       "2",
1643   pages =        "209--212",
1644   year =         "1978",
1645   notes =        "modified lely process",
1646   ISSN =         "0022-0248",
1647   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1648   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1649   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1650 }
1651
1652 @Article{tairov81,
1653   title =        "General principles of growing large-size single
1654                  crystals of various silicon carbide polytypes",
1655   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1656   volume =       "52",
1657   number =       "Part 1",
1658   pages =        "146--150",
1659   year =         "1981",
1660   note =         "",
1661   ISSN =         "0022-0248",
1662   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
1663   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
1664   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1665 }
1666
1667 @Article{barrett91,
1668   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
1669   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1670   volume =       "109",
1671   number =       "1-4",
1672   pages =        "17--23",
1673   year =         "1991",
1674   note =         "",
1675   ISSN =         "0022-0248",
1676   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
1677   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
1678   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
1679                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
1680 }
1681
1682 @Article{barrett93,
1683   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
1684   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1685   volume =       "128",
1686   number =       "1-4",
1687   pages =        "358--362",
1688   year =         "1993",
1689   note =         "",
1690   ISSN =         "0022-0248",
1691   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
1692   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
1693   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
1694                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
1695                  W. J. Choyke",
1696 }
1697
1698 @Article{stein93,
1699   title =        "Control of polytype formation by surface energy
1700                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
1701                  sublimation method",
1702   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1703   volume =       "131",
1704   number =       "1-2",
1705   pages =        "71--74",
1706   year =         "1993",
1707   note =         "",
1708   ISSN =         "0022-0248",
1709   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
1710   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
1711   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
1712   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
1713 }
1714
1715 @Article{nishino83,
1716   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1717                  Will",
1718   collaboration = "",
1719   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1720                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1721   publisher =    "AIP",
1722   year =         "1983",
1723   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1724   volume =       "42",
1725   number =       "5",
1726   pages =        "460--462",
1727   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1728                  monocrystals",
1729   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1730   doi =          "10.1063/1.93970",
1731   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1732 }
1733
1734 @Article{nishino87,
1735   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1736                  and Hiroyuki Matsunami",
1737   collaboration = "",
1738   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1739                  Si{C} on silicon",
1740   publisher =    "AIP",
1741   year =         "1987",
1742   journal =      "J. Appl. Phys.",
1743   volume =       "61",
1744   number =       "10",
1745   pages =        "4889--4893",
1746   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1747   doi =          "10.1063/1.338355",
1748   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1749                  carbonization",
1750 }
1751
1752 @Article{powell87,
1753   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1754                  Kuczmarski",
1755   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1756                  Single-Crystal Films on Si",
1757   publisher =    "ECS",
1758   year =         "1987",
1759   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1760   volume =       "134",
1761   number =       "6",
1762   pages =        "1558--1565",
1763   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1764                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1765   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1766   doi =          "10.1149/1.2100708",
1767   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1768 }
1769
1770 @Article{powell87_2,
1771   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
1772                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
1773   collaboration = "",
1774   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
1775                  off-axis Si substrates",
1776   publisher =    "AIP",
1777   year =         "1987",
1778   journal =      "Applied Physics Letters",
1779   volume =       "51",
1780   number =       "11",
1781   pages =        "823--825",
1782   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
1783                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
1784                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
1785                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
1786                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
1787   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
1788   doi =          "10.1063/1.98824",
1789   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
1790 }
1791
1792 @Article{ueda90,
1793   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
1794   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1795   volume =       "104",
1796   number =       "3",
1797   pages =        "695--700",
1798   year =         "1990",
1799   note =         "",
1800   ISSN =         "0022-0248",
1801   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
1802   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
1803   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
1804                  Matsunami",
1805   notes =        "step-controlled epitaxy model",
1806 }
1807
1808 @Article{kimoto93,
1809   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1810                  and Hiroyuki Matsunami",
1811   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1812                  epitaxy",
1813   publisher =    "AIP",
1814   year =         "1993",
1815   journal =      "J. Appl. Phys.",
1816   volume =       "73",
1817   number =       "2",
1818   pages =        "726--732",
1819   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1820                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1821                  VAPOR DEPOSITION",
1822   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1823   doi =          "10.1063/1.353329",
1824   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1825 }
1826
1827 @Article{powell90_2,
1828   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1829                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1830                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1831   collaboration = "",
1832   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
1833                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
1834   publisher =    "AIP",
1835   year =         "1990",
1836   journal =      "Applied Physics Letters",
1837   volume =       "56",
1838   number =       "15",
1839   pages =        "1442--1444",
1840   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1841                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
1842                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
1843                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
1844   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
1845   doi =          "10.1063/1.102492",
1846   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
1847 }
1848
1849 @Article{kong88_2,
1850   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
1851   collaboration = "",
1852   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
1853                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
1854                  substrates",
1855   publisher =    "AIP",
1856   year =         "1988",
1857   journal =      "Journal of Applied Physics",
1858   volume =       "64",
1859   number =       "5",
1860   pages =        "2672--2679",
1861   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
1862                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
1863                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
1864                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
1865                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
1866   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
1867   doi =          "10.1063/1.341608",
1868 }
1869
1870 @Article{powell90,
1871   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1872                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1873                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1874   collaboration = "",
1875   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1876                  6{H}-Si{C} substrates",
1877   publisher =    "AIP",
1878   year =         "1990",
1879   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1880   volume =       "56",
1881   number =       "14",
1882   pages =        "1353--1355",
1883   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1884                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1885                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1886                  PHASE EPITAXY",
1887   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1888   doi =          "10.1063/1.102512",
1889   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1890 }
1891
1892 @Article{kong88,
1893   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
1894                  Rozgonyi and K. L. More",
1895   collaboration = "",
1896   title =        "An examination of double positioning boundaries and
1897                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
1898                  substrates",
1899   publisher =    "AIP",
1900   year =         "1988",
1901   journal =      "Journal of Applied Physics",
1902   volume =       "63",
1903   number =       "8",
1904   pages =        "2645--2650",
1905   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
1906                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
1907                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
1908                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
1909                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
1910   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
1911   doi =          "10.1063/1.341004",
1912 }
1913
1914 @Article{powell91,
1915   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
1916                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
1917                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
1918   collaboration = "",
1919   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
1920                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
1921   publisher =    "AIP",
1922   year =         "1991",
1923   journal =      "Applied Physics Letters",
1924   volume =       "59",
1925   number =       "3",
1926   pages =        "333--335",
1927   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
1928                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
1929                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
1930   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
1931   doi =          "10.1063/1.105587",
1932 }
1933
1934 @Article{yuan95,
1935   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1936                  Thokala and M. J. Loboda",
1937   collaboration = "",
1938   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1939                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1940                  silacyclobutane",
1941   publisher =    "AIP",
1942   year =         "1995",
1943   journal =      "J. Appl. Phys.",
1944   volume =       "78",
1945   number =       "2",
1946   pages =        "1271--1273",
1947   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1948                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1949                  SPECTROPHOTOMETRY",
1950   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1951   doi =          "10.1063/1.360368",
1952   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1953 }
1954
1955 @Article{kaneda87,
1956   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
1957                  properties of its p-n junction",
1958   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1959   volume =       "81",
1960   number =       "1-4",
1961   pages =        "536--542",
1962   year =         "1987",
1963   note =         "",
1964   ISSN =         "0022-0248",
1965   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
1966   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
1967   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
1968                  and Takao Tanaka",
1969   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
1970 }
1971
1972 @Article{fissel95,
1973   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1974                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1975                  molecular beam epitaxy",
1976   journal =      "J. Cryst. Growth",
1977   volume =       "154",
1978   number =       "1-2",
1979   pages =        "72--80",
1980   year =         "1995",
1981   ISSN =         "0022-0248",
1982   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1983   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1984   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
1985                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1986   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1987 }
1988
1989 @Article{fissel95_apl,
1990   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1991   collaboration = "",
1992   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1993                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1994   publisher =    "AIP",
1995   year =         "1995",
1996   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1997   volume =       "66",
1998   number =       "23",
1999   pages =        "3182--3184",
2000   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2001                  RHEED; NUCLEATION",
2002   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2003   doi =          "10.1063/1.113716",
2004   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2005 }
2006
2007 @Article{fissel96,
2008   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2009                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2010   collaboration = "",
2011   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2012                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2013                  level using surface superstructures",
2014   publisher =    "AIP",
2015   year =         "1996",
2016   journal =      "Applied Physics Letters",
2017   volume =       "68",
2018   number =       "9",
2019   pages =        "1204--1206",
2020   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2021                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2022                  SURFACE STRUCTURE",
2023   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2024   doi =          "10.1063/1.115969",
2025   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2026 }
2027
2028 @Article{righi03,
2029   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2030   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2031                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2032   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2033   volume =       "91",
2034   number =       "13",
2035   pages =        "136101",
2036   numpages =     "4",
2037   year =         "2003",
2038   month =        sep,
2039   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2040   publisher =    "American Physical Society",
2041   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2042 }
2043
2044 @Article{borders71,
2045   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2046   collaboration = "",
2047   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2048                  {IMPLANTATION}",
2049   publisher =    "AIP",
2050   year =         "1971",
2051   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2052   volume =       "18",
2053   number =       "11",
2054   pages =        "509--511",
2055   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2056   doi =          "10.1063/1.1653516",
2057   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2058                  ideas",
2059 }
2060
2061 @Article{edelman76,
2062   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2063                  and E. V. Lubopytova",
2064   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2065                  by ion implantation",
2066   publisher =    "Taylor \& Francis",
2067   year =         "1976",
2068   journal =      "Radiation Effects",
2069   volume =       "29",
2070   number =       "1",
2071   pages =        "13--15",
2072   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2073   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2074                  single crystalline",
2075 }
2076
2077 @Article{akimchenko80,
2078   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2079                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2080   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2081                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2082   publisher =    "Taylor \& Francis",
2083   year =         "1980",
2084   journal =      "Radiation Effects",
2085   volume =       "48",
2086   number =       "1",
2087   pages =        "7",
2088   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2089   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2090 }
2091
2092 @Article{kimura81,
2093   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2094                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2095                  silicon",
2096   journal =      "Thin Solid Films",
2097   volume =       "81",
2098   number =       "4",
2099   pages =        "319--327",
2100   year =         "1981",
2101   note =         "",
2102   ISSN =         "0040-6090",
2103   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2104   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2105   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2106                  Yugo",
2107 }
2108
2109 @Article{kimura82,
2110   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2111                  the implantation of carbon ions into silicon",
2112   journal =      "Thin Solid Films",
2113   volume =       "94",
2114   number =       "3",
2115   pages =        "191--198",
2116   year =         "1982",
2117   note =         "",
2118   ISSN =         "0040-6090",
2119   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2120   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2121   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2122                  Yugo",
2123 }
2124
2125 @Article{reeson86,
2126   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2127                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2128                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2129   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2130                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2131   publisher =    "Taylor \& Francis",
2132   year =         "1986",
2133   journal =      "Radiation Effects",
2134   volume =       "99",
2135   number =       "1",
2136   pages =        "71--81",
2137   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2138   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or
2139                  time",
2140 }
2141
2142 @Article{reeson87,
2143   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2144                  J. Davis and G. E. Celler",
2145   collaboration = "",
2146   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2147                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2148   publisher =    "AIP",
2149   year =         "1987",
2150   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2151   volume =       "51",
2152   number =       "26",
2153   pages =        "2242--2244",
2154   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2155                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2156   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2157   doi =          "10.1063/1.98953",
2158   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2159 }
2160
2161 @Article{martin90,
2162   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2163                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2164   collaboration = "",
2165   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2166   publisher =    "AIP",
2167   year =         "1990",
2168   journal =      "Journal of Applied Physics",
2169   volume =       "67",
2170   number =       "6",
2171   pages =        "2908--2912",
2172   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2173                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2174                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2175                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2176                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2177                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2178   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2179   doi =          "10.1063/1.346092",
2180   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2181                  temepratures",
2182 }
2183
2184 @Article{scace59,
2185   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2186   collaboration = "",
2187   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2188   publisher =    "AIP",
2189   year =         "1959",
2190   journal =      "J. Chem. Phys.",
2191   volume =       "30",
2192   number =       "6",
2193   pages =        "1551--1555",
2194   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2195   doi =          "10.1063/1.1730236",
2196   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2197 }
2198
2199 @Article{cowern96,
2200   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2201                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2202   collaboration = "",
2203   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2204                  {B} in silicon",
2205   publisher =    "AIP",
2206   year =         "1996",
2207   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2208   volume =       "68",
2209   number =       "8",
2210   pages =        "1150--1152",
2211   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2212                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2213                  SILICON",
2214   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2215   doi =          "10.1063/1.115706",
2216   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2217 }
2218
2219 @Article{stolk95,
2220   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2221                  of the silicon self-interstitial",
2222   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2223   volume =       "96",
2224   number =       "1-2",
2225   pages =        "187--195",
2226   year =         "1995",
2227   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2228                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2229   ISSN =         "0168-583X",
2230   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2231   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2232   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2233                  and J. M. Poate",
2234 }
2235
2236 @Article{stolk97,
2237   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2238                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2239                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2240                  E. Haynes",
2241   collaboration = "",
2242   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2243                  diffusion in ion-implanted silicon",
2244   publisher =    "AIP",
2245   year =         "1997",
2246   journal =      "J. Appl. Phys.",
2247   volume =       "81",
2248   number =       "9",
2249   pages =        "6031--6050",
2250   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2251   doi =          "10.1063/1.364452",
2252   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2253 }
2254
2255 @Article{powell94,
2256   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2257   collaboration = "",
2258   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2259                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2260   publisher =    "AIP",
2261   year =         "1994",
2262   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2263   volume =       "64",
2264   number =       "3",
2265   pages =        "324--326",
2266   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2267                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2268                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2269                  SYNTHESIS",
2270   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2271   doi =          "10.1063/1.111195",
2272   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2273 }
2274
2275 @Article{soref91,
2276   author =       "Richard A. Soref",
2277   collaboration = "",
2278   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2279                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2280   publisher =    "AIP",
2281   year =         "1991",
2282   journal =      "J. Appl. Phys.",
2283   volume =       "70",
2284   number =       "4",
2285   pages =        "2470--2472",
2286   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2287                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2288                  TERNARY ALLOYS",
2289   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2290   doi =          "10.1063/1.349403",
2291   notes =        "band gap of strained si by c",
2292 }
2293
2294 @Article{kasper91,
2295   author =       "E Kasper",
2296   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2297                  possibility to produce direct band gap material",
2298   journal =      "Physica Scripta",
2299   volume =       "T35",
2300   pages =        "232--236",
2301   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2302   year =         "1991",
2303   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2304                  quasi-direct one",
2305 }
2306
2307 @Article{osten99,
2308   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2309   collaboration = "",
2310   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2311                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2312                  molecular beam epitaxy",
2313   publisher =    "AIP",
2314   year =         "1999",
2315   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2316   volume =       "74",
2317   number =       "6",
2318   pages =        "836--838",
2319   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2320                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2321                  compounds",
2322   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2323   doi =          "10.1063/1.123384",
2324   notes =        "substitutional c in si",
2325 }
2326
2327 @Article{hohenberg64,
2328   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2329   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2330   journal =      "Phys. Rev.",
2331   volume =       "136",
2332   number =       "3B",
2333   pages =        "B864--B871",
2334   numpages =     "7",
2335   year =         "1964",
2336   month =        nov,
2337   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2338   publisher =    "American Physical Society",
2339   notes =        "density functional theory, dft",
2340 }
2341
2342 @Article{kohn65,
2343   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2344                  Correlation Effects",
2345   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2346   journal =      "Phys. Rev.",
2347   volume =       "140",
2348   number =       "4A",
2349   pages =        "A1133--A1138",
2350   numpages =     "5",
2351   year =         "1965",
2352   month =        nov,
2353   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2354   publisher =    "American Physical Society",
2355   notes =        "dft, exchange and correlation",
2356 }
2357
2358 @Article{ruecker94,
2359   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
2360                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
2361   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
2362                  J. Osten",
2363   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2364   volume =       "72",
2365   number =       "22",
2366   pages =        "3578--3581",
2367   numpages =     "3",
2368   year =         "1994",
2369   month =        may,
2370   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
2371   publisher =    "American Physical Society",
2372   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
2373                  si, dft",
2374 }
2375
2376 @Article{chang05,
2377   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
2378                  Alloy",
2379   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
2380   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2381   volume =       "44",
2382   number =       "4B",
2383   pages =        "2257--2262",
2384   numpages =     "5",
2385   year =         "2005",
2386   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
2387   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
2388   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2389   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
2390 }
2391
2392 @Article{osten97,
2393   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
2394   collaboration = "",
2395   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2396                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
2397                  Si(001)",
2398   publisher =    "AIP",
2399   year =         "1997",
2400   journal =      "J. Appl. Phys.",
2401   volume =       "82",
2402   number =       "10",
2403   pages =        "4977--4981",
2404   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
2405                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
2406                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
2407   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
2408   doi =          "10.1063/1.366364",
2409   notes =        "charge transport in strained si",
2410 }
2411
2412 @Article{kapur04,
2413   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
2414                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
2415   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
2416   journal =      "Phys. Rev. B",
2417   volume =       "69",
2418   number =       "15",
2419   pages =        "155214",
2420   numpages =     "8",
2421   year =         "2004",
2422   month =        apr,
2423   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
2424   publisher =    "American Physical Society",
2425   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
2426 }
2427
2428 @Article{barkema96,
2429   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
2430                  Systems",
2431   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
2432   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2433   volume =       "77",
2434   number =       "21",
2435   pages =        "4358--4361",
2436   numpages =     "3",
2437   year =         "1996",
2438   month =        nov,
2439   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
2440   publisher =    "American Physical Society",
2441   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
2442                  dynamic mds",
2443 }
2444
2445 @Article{cances09,
2446   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
2447                  Minoukadeh and F. Willaime",
2448   collaboration = "",
2449   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
2450                  technique method for finding transition pathways on
2451                  potential energy surfaces",
2452   publisher =    "AIP",
2453   year =         "2009",
2454   journal =      "J. Chem. Phys.",
2455   volume =       "130",
2456   number =       "11",
2457   eid =          "114711",
2458   numpages =     "6",
2459   pages =        "114711",
2460   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
2461                  surfaces; vacancies (crystal)",
2462   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
2463   doi =          "10.1063/1.3088532",
2464   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
2465                  transition pathways",
2466 }
2467
2468 @Article{parrinello81,
2469   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
2470   collaboration = "",
2471   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
2472                  molecular dynamics method",
2473   publisher =    "AIP",
2474   year =         "1981",
2475   journal =      "J. Appl. Phys.",
2476   volume =       "52",
2477   number =       "12",
2478   pages =        "7182--7190",
2479   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
2480                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
2481                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
2482                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
2483                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
2484                  IMPACT SHOCK",
2485   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2486   doi =          "10.1063/1.328693",
2487 }
2488
2489 @Article{stillinger85,
2490   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
2491                  of silicon",
2492   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
2493   journal =      "Phys. Rev. B",
2494   volume =       "31",
2495   number =       "8",
2496   pages =        "5262--5271",
2497   numpages =     "9",
2498   year =         "1985",
2499   month =        apr,
2500   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
2501   publisher =    "American Physical Society",
2502 }
2503
2504 @Article{brenner90,
2505   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
2506                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
2507                  films",
2508   author =       "Donald W. Brenner",
2509   journal =      "Phys. Rev. B",
2510   volume =       "42",
2511   number =       "15",
2512   pages =        "9458--9471",
2513   numpages =     "13",
2514   year =         "1990",
2515   month =        nov,
2516   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
2517   publisher =    "American Physical Society",
2518   notes =        "brenner hydro carbons",
2519 }
2520
2521 @Article{bazant96,
2522   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
2523                  Cohesive Energy Curves",
2524   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
2525   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2526   volume =       "77",
2527   number =       "21",
2528   pages =        "4370--4373",
2529   numpages =     "3",
2530   year =         "1996",
2531   month =        nov,
2532   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
2533   publisher =    "American Physical Society",
2534   notes =        "first si edip",
2535 }
2536
2537 @Article{bazant97,
2538   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
2539                  silicon",
2540   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
2541                  Justo",
2542   journal =      "Phys. Rev. B",
2543   volume =       "56",
2544   number =       "14",
2545   pages =        "8542--8552",
2546   numpages =     "10",
2547   year =         "1997",
2548   month =        oct,
2549   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
2550   publisher =    "American Physical Society",
2551   notes =        "second si edip",
2552 }
2553
2554 @Article{justo98,
2555   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
2556                  disordered phases",
2557   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
2558                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
2559   journal =      "Phys. Rev. B",
2560   volume =       "58",
2561   number =       "5",
2562   pages =        "2539--2550",
2563   numpages =     "11",
2564   year =         "1998",
2565   month =        aug,
2566   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
2567   publisher =    "American Physical Society",
2568   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
2569 }
2570
2571 @Article{parcas_md,
2572   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
2573   author =       "K. Nordlund",
2574   year =         "2008",
2575 }
2576
2577 @Article{voter97,
2578   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
2579                  Infrequent Events",
2580   author =       "Arthur F. Voter",
2581   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2582   volume =       "78",
2583   number =       "20",
2584   pages =        "3908--3911",
2585   numpages =     "3",
2586   year =         "1997",
2587   month =        may,
2588   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
2589   publisher =    "American Physical Society",
2590   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
2591 }
2592
2593 @Article{voter97_2,
2594   author =       "Arthur F. Voter",
2595   collaboration = "",
2596   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
2597                  simulation of infrequent events",
2598   publisher =    "AIP",
2599   year =         "1997",
2600   journal =      "J. Chem. Phys.",
2601   volume =       "106",
2602   number =       "11",
2603   pages =        "4665--4677",
2604   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
2605                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
2606                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
2607                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2608                  theory; potential energy surfaces",
2609   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2610   doi =          "10.1063/1.473503",
2611   notes =        "improved hyperdynamics md",
2612 }
2613
2614 @Article{sorensen2000,
2615   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
2616   collaboration = "",
2617   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2618                  infrequent events",
2619   publisher =    "AIP",
2620   year =         "2000",
2621   journal =      "J. Chem. Phys.",
2622   volume =       "112",
2623   number =       "21",
2624   pages =        "9599--9606",
2625   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2626                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2627   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2628   doi =          "10.1063/1.481576",
2629   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2630 }
2631
2632 @Article{voter98,
2633   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2634                  events",
2635   author =       "Arthur F. Voter",
2636   journal =      "Phys. Rev. B",
2637   volume =       "57",
2638   number =       "22",
2639   pages =        "R13985--R13988",
2640   numpages =     "3",
2641   year =         "1998",
2642   month =        jun,
2643   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2644   publisher =    "American Physical Society",
2645   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2646 }
2647
2648 @Article{wu99,
2649   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2650   collaboration = "",
2651   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2652                  simulation",
2653   publisher =    "AIP",
2654   year =         "1999",
2655   journal =      "J. Chem. Phys.",
2656   volume =       "110",
2657   number =       "19",
2658   pages =        "9401--9410",
2659   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2660                  potential; crystallisation; liquid theory",
2661   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2662   doi =          "10.1063/1.478948",
2663   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2664                  systematic motion",
2665 }
2666
2667 @Article{choudhary05,
2668   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2669   collaboration = "",
2670   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2671                  to the production of amorphous silicon",
2672   publisher =    "AIP",
2673   year =         "2005",
2674   journal =      "J. Chem. Phys.",
2675   volume =       "122",
2676   number =       "15",
2677   eid =          "154509",
2678   numpages =     "8",
2679   pages =        "154509",
2680   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2681                  amorphous semiconductors",
2682   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2683   doi =          "10.1063/1.1878733",
2684   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2685                  silicon",
2686 }
2687
2688 @Article{taylor93,
2689   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2690   collaboration = "",
2691   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2692                  difficult?",
2693   publisher =    "AIP",
2694   year =         "1993",
2695   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2696   volume =       "62",
2697   number =       "25",
2698   pages =        "3336--3338",
2699   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2700                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2701                  ENERGY",
2702   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2703   doi =          "10.1063/1.109063",
2704   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
2705                  interstitials necessary for precipitation, volume
2706                  decrease, high interface energy",
2707 }
2708
2709 @Article{chaussende08,
2710   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2711   journal =      "J. Cryst. Growth",
2712   volume =       "310",
2713   number =       "5",
2714   pages =        "976--981",
2715   year =         "2008",
2716   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2717                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2718   ISSN =         "0022-0248",
2719   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2720   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2721   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2722                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2723                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2724                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2725   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2726                  metastable",
2727 }
2728
2729 @Article{chaussende07,
2730   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
2731   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
2732   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
2733   volume =       "40",
2734   number =       "20",
2735   pages =        "6150",
2736   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
2737   year =         "2007",
2738   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
2739                  modelling",
2740 }
2741
2742 @Article{feynman39,
2743   title =        "Forces in Molecules",
2744   author =       "R. P. Feynman",
2745   journal =      "Phys. Rev.",
2746   volume =       "56",
2747   number =       "4",
2748   pages =        "340--343",
2749   numpages =     "3",
2750   year =         "1939",
2751   month =        aug,
2752   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2753   publisher =    "American Physical Society",
2754   notes =        "hellmann feynman forces",
2755 }
2756
2757 @Article{buczko00,
2758   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2759                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2760                  their Contrasting Properties",
2761   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2762                  T. Pantelides",
2763   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2764   volume =       "84",
2765   number =       "5",
2766   pages =        "943--946",
2767   numpages =     "3",
2768   year =         "2000",
2769   month =        jan,
2770   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2771   publisher =    "American Physical Society",
2772   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2773 }
2774
2775 @Article{djurabekova08,
2776   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2777                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2778   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2779   journal =      "Phys. Rev. B",
2780   volume =       "77",
2781   number =       "11",
2782   pages =        "115325",
2783   numpages =     "7",
2784   year =         "2008",
2785   month =        mar,
2786   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
2787   publisher =    "American Physical Society",
2788   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
2789                  angular distribution, coordination",
2790 }
2791
2792 @Article{wen09,
2793   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
2794                  W. Liang and J. Zou",
2795   collaboration = "",
2796   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
2797                  strain relaxation at highly lattice mismatched
2798                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
2799   publisher =    "AIP",
2800   year =         "2009",
2801   journal =      "J. Appl. Phys.",
2802   volume =       "106",
2803   number =       "7",
2804   eid =          "073522",
2805   numpages =     "8",
2806   pages =        "073522",
2807   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
2808                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
2809                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
2810                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
2811   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
2812   doi =          "10.1063/1.3234380",
2813   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
2814                  deconvolution, dislocation defects",
2815 }
2816
2817 @Article{kitabatake93,
2818   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
2819                  Hirao",
2820   collaboration = "",
2821   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
2822                  growth on Si(001) surface",
2823   publisher =    "AIP",
2824   year =         "1993",
2825   journal =      "J. Appl. Phys.",
2826   volume =       "74",
2827   number =       "7",
2828   pages =        "4438--4445",
2829   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2830                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2831                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2832   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2833   doi =          "10.1063/1.354385",
2834   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2835                  model, interface",
2836 }
2837
2838 @Article{kitabatake97,
2839   author =       "Makoto Kitabatake",
2840   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
2841                  Heteroepitaxial Growth",
2842   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2843   year =         "1997",
2844   journal =      "physica status solidi (b)",
2845   volume =       "202",
2846   pages =        "405--420",
2847   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
2848   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
2849   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
2850 }
2851
2852 @Article{chirita97,
2853   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
2854                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
2855                  dynamics study",
2856   journal =      "Thin Solid Films",
2857   volume =       "294",
2858   number =       "1-2",
2859   pages =        "47--49",
2860   year =         "1997",
2861   note =         "",
2862   ISSN =         "0040-6090",
2863   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
2864   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
2865   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
2866   keywords =     "Strain relaxation",
2867   keywords =     "Interfaces",
2868   keywords =     "Thermal stability",
2869   keywords =     "Molecular dynamics",
2870   notes =        "tersoff sic/si interface study",
2871 }
2872
2873 @Article{cicero02,
2874   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
2875                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
2876   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
2877                  Catellani",
2878   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2879   volume =       "89",
2880   number =       "15",
2881   pages =        "156101",
2882   numpages =     "4",
2883   year =         "2002",
2884   month =        sep,
2885   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
2886   publisher =    "American Physical Society",
2887   notes =        "sic/si interface study",
2888 }
2889
2890 @Article{pizzagalli03,
2891   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2892                  interface: Si{C}/Si(001)",
2893   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2894                  Catellani",
2895   journal =      "Phys. Rev. B",
2896   volume =       "68",
2897   number =       "19",
2898   pages =        "195302",
2899   numpages =     "10",
2900   year =         "2003",
2901   month =        nov,
2902   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2903   publisher =    "American Physical Society",
2904   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2905 }
2906
2907 @Article{tang07,
2908   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2909                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2910                  electron microscopy",
2911   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2912                  H. Zheng and J. W. Liang",
2913   journal =      "Phys. Rev. B",
2914   volume =       "75",
2915   number =       "18",
2916   pages =        "184103",
2917   numpages =     "7",
2918   year =         "2007",
2919   month =        may,
2920   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2921   publisher =    "American Physical Society",
2922   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2923                  si and c",
2924 }
2925
2926 @Article{hornstra58,
2927   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2928   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2929   volume =       "5",
2930   number =       "1-2",
2931   pages =        "129--141",
2932   year =         "1958",
2933   note =         "",
2934   ISSN =         "0022-3697",
2935   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2936   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2937   author =       "J. Hornstra",
2938   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2939 }
2940
2941 @Article{deguchi92,
2942   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
2943                  Ion `Hot' Implantation",
2944   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
2945                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
2946   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2947   volume =       "31",
2948   number =       "Part 1, No. 2A",
2949   pages =        "343--347",
2950   numpages =     "4",
2951   year =         "1992",
2952   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
2953   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
2954   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2955   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
2956                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
2957 }
2958
2959 @Article{eichhorn99,
2960   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2961                  K{\"{o}}gler",
2962   collaboration = "",
2963   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2964                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2965                  synchrotron x-ray diffraction",
2966   publisher =    "AIP",
2967   year =         "1999",
2968   journal =      "J. Appl. Phys.",
2969   volume =       "86",
2970   number =       "8",
2971   pages =        "4184--4187",
2972   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2973                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2974                  precipitation; semiconductor doping",
2975   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2976   doi =          "10.1063/1.371344",
2977   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
2978                  expansion of si lattice",
2979 }
2980
2981 @Article{eichhorn02,
2982   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2983                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2984   collaboration = "",
2985   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2986                  carbon ion implantation",
2987   publisher =    "AIP",
2988   year =         "2002",
2989   journal =      "J. Appl. Phys.",
2990   volume =       "91",
2991   number =       "3",
2992   pages =        "1287--1292",
2993   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2994                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2995                  electron microscopy",
2996   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2997   doi =          "10.1063/1.1428105",
2998   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2999                  temperature, might explain c into c sub trafo",
3000 }
3001
3002 @Article{lucas10,
3003   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
3004   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
3005                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
3006                  high-pressure phases, point and extended defects, and
3007                  amorphous structures",
3008   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3009   volume =       "22",
3010   number =       "3",
3011   pages =        "035802",
3012   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
3013   year =         "2010",
3014   notes =        "edip sic",
3015 }
3016
3017 @Article{godet03,
3018   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
3019                  Beauchamp",
3020   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
3021                  methods for silicon under large shear",
3022   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3023   volume =       "15",
3024   number =       "41",
3025   pages =        "6943",
3026   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
3027   year =         "2003",
3028   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
3029                  edip, tersoff, ab initio",
3030 }
3031
3032 @Article{moriguchi98,
3033   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
3034                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
3035   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
3036   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3037   volume =       "37",
3038   number =       "Part 1, No. 2",
3039   pages =        "414--422",
3040   numpages =     "8",
3041   year =         "1998",
3042   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
3043   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
3044   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3045   notes =        "tersoff stringent test",
3046 }
3047
3048 @Article{mazzarolo01,
3049   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
3050                  simulations",
3051   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
3052                  Lulli and Eros Albertazzi",
3053   journal =      "Phys. Rev. B",
3054   volume =       "63",
3055   number =       "19",
3056   pages =        "195207",
3057   numpages =     "4",
3058   year =         "2001",
3059   month =        apr,
3060   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
3061   publisher =    "American Physical Society",
3062 }
3063
3064 @Article{holmstroem08,
3065   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
3066                  density functional theory molecular dynamics
3067                  simulations",
3068   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
3069   journal =      "Phys. Rev. B",
3070   volume =       "78",
3071   number =       "4",
3072   pages =        "045202",
3073   numpages =     "6",
3074   year =         "2008",
3075   month =        jul,
3076   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
3077   publisher =    "American Physical Society",
3078   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
3079                  initio",
3080 }
3081
3082 @Article{nordlund97,
3083   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
3084                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
3085   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3086   volume =       "132",
3087   number =       "1",
3088   pages =        "45--54",
3089   year =         "1997",
3090   note =         "",
3091   ISSN =         "0168-583X",
3092   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
3093   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
3094   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
3095   notes =        "repulsive ab initio potential",
3096 }
3097
3098 @Article{kresse96,
3099   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
3100                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
3101                  set",
3102   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3103   volume =       "6",
3104   number =       "1",
3105   pages =        "15--50",
3106   year =         "1996",
3107   note =         "",
3108   ISSN =         "0927-0256",
3109   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
3110   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
3111   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
3112   notes =        "vasp ref",
3113 }
3114
3115 @Article{bloechl94,
3116   title =        "Projector augmented-wave method",
3117   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
3118   journal =      "Phys. Rev. B",
3119   volume =       "50",
3120   number =       "24",
3121   pages =        "17953--17979",
3122   numpages =     "26",
3123   year =         "1994",
3124   month =        dec,
3125   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
3126   publisher =    "American Physical Society",
3127   notes =        "paw method",
3128 }
3129
3130 @Article{hamann79,
3131   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
3132   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
3133   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3134   volume =       "43",
3135   number =       "20",
3136   pages =        "1494--1497",
3137   numpages =     "3",
3138   year =         "1979",
3139   month =        nov,
3140   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
3141   publisher =    "American Physical Society",
3142   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
3143 }
3144
3145 @Article{vanderbilt90,
3146   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
3147                  eigenvalue formalism",
3148   author =       "David Vanderbilt",
3149   journal =      "Phys. Rev. B",
3150   volume =       "41",
3151   number =       "11",
3152   pages =        "7892--7895",
3153   numpages =     "3",
3154   year =         "1990",
3155   month =        apr,
3156   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
3157   publisher =    "American Physical Society",
3158   notes =        "vasp pseudopotentials",
3159 }
3160
3161 @Article{perdew86,
3162   title =        "Accurate and simple density functional for the
3163                  electronic exchange energy: Generalized gradient
3164                  approximation",
3165   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
3166   journal =      "Phys. Rev. B",
3167   volume =       "33",
3168   number =       "12",
3169   pages =        "8800--8802",
3170   numpages =     "2",
3171   year =         "1986",
3172   month =        jun,
3173   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
3174   publisher =    "American Physical Society",
3175   notes =        "rapid communication gga",
3176 }
3177
3178 @Article{perdew02,
3179   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
3180                  correlation: {A} look backward and forward",
3181   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
3182   volume =       "172",
3183   number =       "1-2",
3184   pages =        "1--6",
3185   year =         "1991",
3186   note =         "",
3187   ISSN =         "0921-4526",
3188   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
3189   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
3190   author =       "John P. Perdew",
3191   notes =        "gga overview",
3192 }
3193
3194 @Article{perdew92,
3195   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
3196                  of the generalized gradient approximation for exchange
3197                  and correlation",
3198   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
3199                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
3200                  and Carlos Fiolhais",
3201   journal =      "Phys. Rev. B",
3202   volume =       "46",
3203   number =       "11",
3204   pages =        "6671--6687",
3205   numpages =     "16",
3206   year =         "1992",
3207   month =        sep,
3208   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
3209   publisher =    "American Physical Society",
3210   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
3211 }
3212
3213 @Article{baldereschi73,
3214   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
3215   author =       "A. Baldereschi",
3216   journal =      "Phys. Rev. B",
3217   volume =       "7",
3218   number =       "12",
3219   pages =        "5212--5215",
3220   numpages =     "3",
3221   year =         "1973",
3222   month =        jun,
3223   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
3224   publisher =    "American Physical Society",
3225   notes =        "mean value k point",
3226 }
3227
3228 @Article{zhu98,
3229   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
3230                  diffusion in Si",
3231   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3232   volume =       "12",
3233   number =       "4",
3234   pages =        "309--318",
3235   year =         "1998",
3236   note =         "",
3237   ISSN =         "0927-0256",
3238   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
3239   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
3240   author =       "Jing Zhu",
3241   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
3242   keywords =     "Boron dopant",
3243   keywords =     "Carbon dopant",
3244   keywords =     "Defect",
3245   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
3246   keywords =     "Impurity cluster",
3247   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
3248 }
3249
3250 @Article{nejim95,
3251   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
3252   collaboration = "",
3253   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
3254                  950 [degree]{C}",
3255   publisher =    "AIP",
3256   year =         "1995",
3257   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3258   volume =       "66",
3259   number =       "20",
3260   pages =        "2646--2648",
3261   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
3262                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
3263                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
3264                  ELECTRON MICROSCOPY",
3265   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
3266   doi =          "10.1063/1.113112",
3267   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
3268                  self interstitials react with further implanted c",
3269 }
3270
3271 @Article{guedj98,
3272   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
3273                  Kolodzey and A. Hairie",
3274   collaboration = "",
3275   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3276                  alloys",
3277   publisher =    "AIP",
3278   year =         "1998",
3279   journal =      "J. Appl. Phys.",
3280   volume =       "84",
3281   number =       "8",
3282   pages =        "4631--4633",
3283   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
3284                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
3285                  Fourier transform spectra; thermal stability;
3286                  annealing",
3287   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
3288   doi =          "10.1063/1.368703",
3289   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
3290 }
3291
3292 @Article{jones04,
3293   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
3294   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
3295                  semiconductors",
3296   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3297   volume =       "16",
3298   number =       "27",
3299   pages =        "S2643",
3300   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
3301   year =         "2004",
3302   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
3303 }
3304
3305 @Article{park02,
3306   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
3307                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
3308                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
3309   collaboration = "",
3310   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
3311                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
3312                  molecular-beam epitaxy",
3313   publisher =    "AIP",
3314   year =         "2002",
3315   journal =      "J. Appl. Phys.",
3316   volume =       "91",
3317   number =       "9",
3318   pages =        "5716--5727",
3319   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
3320   doi =          "10.1063/1.1465122",
3321   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
3322 }
3323
3324 @Article{leary97,
3325   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
3326                  carbon-carbon pair defects in silicon",
3327   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
3328                  Torres",
3329   journal =      "Phys. Rev. B",
3330   volume =       "55",
3331   number =       "4",
3332   pages =        "2188--2194",
3333   numpages =     "6",
3334   year =         "1997",
3335   month =        jan,
3336   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
3337   publisher =    "American Physical Society",
3338   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
3339                  energies, different migration barriers and paths",
3340 }
3341
3342 @Article{burnard93,
3343   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
3344                  silicon: Semiempirical electronic-structure
3345                  calculations",
3346   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
3347   journal =      "Phys. Rev. B",
3348   volume =       "47",
3349   number =       "16",
3350   pages =        "10217--10225",
3351   numpages =     "8",
3352   year =         "1993",
3353   month =        apr,
3354   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
3355   publisher =    "American Physical Society",
3356   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
3357                  carbon defect, formation energies",
3358 }
3359
3360 @Article{besson91,
3361   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
3362                  silicon",
3363   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
3364   journal =      "Phys. Rev. B",
3365   volume =       "43",
3366   number =       "5",
3367   pages =        "4028--4033",
3368   numpages =     "5",
3369   year =         "1991",
3370   month =        feb,
3371   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
3372   publisher =    "American Physical Society",
3373 }
3374
3375 @Article{kaxiras96,
3376   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
3377                  and growth on semiconductors",
3378   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3379   volume =       "6",
3380   number =       "2",
3381   pages =        "158--172",
3382   year =         "1996",
3383   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
3384                  Epitaxy",
3385   ISSN =         "0927-0256",
3386   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
3387   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
3388   author =       "Efthimios Kaxiras",
3389   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
3390                  tight binding, first principles",
3391 }
3392
3393 @Article{kaukonen98,
3394   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
3395                  diamond
3396                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
3397                  surfaces",
3398   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
3399                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
3400                  Th. Frauenheim",
3401   journal =      "Phys. Rev. B",
3402   volume =       "57",
3403   number =       "16",
3404   pages =        "9965--9970",
3405   numpages =     "5",
3406   year =         "1998",
3407   month =        apr,
3408   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
3409   publisher =    "American Physical Society",
3410   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
3411                  (crt)",
3412 }
3413
3414 @Article{gali03,
3415   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
3416                  center in Si{C}",
3417   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
3418                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
3419                  W. J. Choyke",
3420   journal =      "Phys. Rev. B",
3421   volume =       "67",
3422   number =       "15",
3423   pages =        "155203",
3424   numpages =     "5",
3425   year =         "2003",
3426   month =        apr,
3427   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
3428   publisher =    "American Physical Society",
3429 }
3430
3431 @Article{chen98,
3432   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
3433                  irradiation and deformation",
3434   journal =      "J. Nucl. Mater.",
3435   volume =       "258-263",
3436   number =       "Part 2",
3437   pages =        "1803--1808",
3438   year =         "1998",
3439   note =         "",
3440   ISSN =         "0022-3115",
3441   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
3442   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
3443   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
3444 }
3445
3446 @Article{weber01,
3447   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
3448                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
3449   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3450   volume =       "175-177",
3451   number =       "",
3452   pages =        "26--30",
3453   year =         "2001",
3454   note =         "",
3455   ISSN =         "0168-583X",
3456   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
3457   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
3458   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
3459 }
3460
3461 @Article{bockstedte03,
3462   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
3463                  in $3{C}-Si{C}$",
3464   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
3465                  Pankratov",
3466   journal =      "Phys. Rev. B",
3467   volume =       "68",
3468   number =       "20",
3469   pages =        "205201",
3470   numpages =     "17",
3471   year =         "2003",
3472   month =        nov,
3473   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
3474   publisher =    "American Physical Society",
3475   notes =        "defect migration in sic",
3476 }
3477
3478 @Article{rauls03a,
3479   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
3480                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
3481   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
3482                  De\'ak",
3483   journal =      "Phys. Rev. B",
3484   volume =       "68",
3485   number =       "15",
3486   pages =        "155208",
3487   numpages =     "9",
3488   year =         "2003",
3489   month =        oct,
3490   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
3491   publisher =    "American Physical Society",
3492 }
3493
3494 @Article{losev27,
3495   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
3496   volume =       "44",
3497   pages =        "485--494",
3498   year =         "1927",
3499   author =       "O. V. Lossev",
3500 }
3501
3502 @Article{losev28,
3503   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
3504                  oscillations with crystals",
3505   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
3506   volume =       "6",
3507   number =       "39",
3508   pages =        "1024--1044",
3509   year =         "1928",
3510   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
3511   author =       "O. V. Lossev",
3512 }
3513
3514 @Article{losev29,
3515   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3516   volume =       "30",
3517   pages =        "920--923",
3518   year =         "1929",
3519   author =       "O. V. Lossev",
3520 }
3521
3522 @Article{losev31,
3523   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3524   volume =       "32",
3525   pages =        "692--696",
3526   year =         "1931",
3527   author =       "O. V. Lossev",
3528 }
3529
3530 @Article{losev33,
3531   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3532   volume =       "34",
3533   pages =        "397--403",
3534   year =         "1933",
3535   author =       "O. V. Lossev",
3536 }
3537
3538 @Article{round07,
3539   title =        "A note on carborundum",
3540   journal =      "Electrical World",
3541   volume =       "49",
3542   pages =        "308",
3543   year =         "1907",
3544   author =       "H. J. Round",
3545 }
3546
3547 @Article{vashishath08,
3548   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
3549   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
3550   volume =       "2",
3551   number =       "03",
3552   pages =        "444--470",
3553   year =         "2008",
3554   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
3555   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
3556   notes =        "sic polytype electronic properties",
3557 }
3558
3559 @Article{nelson69,
3560   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
3561   collaboration = "",
3562   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
3563   publisher =    "AIP",
3564   year =         "1966",
3565   journal =      "Journal of Applied Physics",
3566   volume =       "37",
3567   number =       "1",
3568   pages =        "333--336",
3569   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
3570   doi =          "10.1063/1.1707837",
3571   notes =        "sic melt growth",
3572 }
3573
3574 @Article{arkel25,
3575   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
3576   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
3577                  und Thoriummetall",
3578   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
3579   year =         "1925",
3580   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3581   volume =       "148",
3582   pages =        "345--350",
3583   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
3584   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
3585   notes =        "van arkel apparatus",
3586 }
3587
3588 @Article{moers31,
3589   author =       "K. Moers",
3590   year =         "1931",
3591   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3592   volume =       "198",
3593   pages =        "293",
3594   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3595                  process",
3596 }
3597
3598 @Article{kendall53,
3599   author =       "J. T. Kendall",
3600   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
3601   publisher =    "AIP",
3602   year =         "1953",
3603   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
3604   volume =       "21",
3605   number =       "5",
3606   pages =        "821--827",
3607   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
3608   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3609                  process",
3610 }
3611
3612 @Article{lely55,
3613   author =       "J. A. Lely",
3614   year =         "1955",
3615   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
3616   volume =       "32",
3617   pages =        "229",
3618   notes =        "lely sublimation growth process",
3619 }
3620
3621 @Article{knippenberg63,
3622   author =       "W. F. Knippenberg",
3623   year =         "1963",
3624   journal =      "Philips Res. Repts.",
3625   volume =       "18",
3626   pages =        "161",
3627   notes =        "acheson process",
3628 }
3629
3630 @Article{hoffmann82,
3631   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
3632                  Weyrich",
3633   collaboration = "",
3634   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
3635                  improved external quantum efficiency",
3636   publisher =    "AIP",
3637   year =         "1982",
3638   journal =      "Journal of Applied Physics",
3639   volume =       "53",
3640   number =       "10",
3641   pages =        "6962--6967",
3642   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
3643                  efficiency; visible radiation; experimental data;
3644                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
3645                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
3646                  electroluminescence; spectra; current density;
3647                  optimization",
3648   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
3649   doi =          "10.1063/1.330041",
3650   notes =        "blue led, sublimation process",
3651 }
3652
3653 @Article{neudeck95,
3654   author =       "Philip Neudeck",
3655   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
3656                  Road 44135 Cleveland OH",
3657   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
3658                  technology",
3659   journal =      "Journal of Electronic Materials",
3660   publisher =    "Springer Boston",
3661   ISSN =         "0361-5235",
3662   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
3663   pages =        "283--288",
3664   volume =       "24",
3665   issue =        "4",
3666   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
3667   note =         "10.1007/BF02659688",
3668   year =         "1995",
3669   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
3670 }
3671
3672 @Article{bhatnagar93,
3673   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
3674   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3675   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
3676                  devices",
3677   year =         "1993",
3678   month =        mar,
3679   volume =       "40",
3680   number =       "3",
3681   pages =        "645--655",
3682   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
3683                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
3684                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
3685                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
3686                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
3687                  solids;insulated gate field effect transistors;power
3688                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
3689                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
3690   doi =          "10.1109/16.199372",
3691   ISSN =         "0018-9383",
3692   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
3693 }
3694
3695 @Article{neudeck94,
3696   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
3697                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
3698   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3699   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
3700                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
3701                  6{H}-Si{C} substrates",
3702   year =         "1994",
3703   month =        may,
3704   volume =       "41",
3705   number =       "5",
3706   pages =        "826--835",
3707   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
3708                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
3709                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
3710                  properties;epitaxial layers;light
3711                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
3712                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
3713                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
3714                  currents;power electronics;semiconductor
3715                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
3716                  growth;semiconductor materials;silicon
3717                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
3718                  phase epitaxial growth;",
3719   doi =          "10.1109/16.285038",
3720   ISSN =         "0018-9383",
3721   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
3722                  substrate",
3723 }
3724
3725 @Article{schulze98,
3726   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
3727   collaboration = "",
3728   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
3729                  single crystals by physical vapor transport",
3730   publisher =    "AIP",
3731   year =         "1998",
3732   journal =      "Applied Physics Letters",
3733   volume =       "72",
3734   number =       "13",
3735   pages =        "1632--1634",
3736   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
3737                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
3738                  photoluminescence; Hall mobility",
3739   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
3740   doi =          "10.1063/1.121136",
3741   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
3742 }
3743
3744 @Article{pirouz87,
3745   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
3746   collaboration = "",
3747   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
3748   publisher =    "AIP",
3749   year =         "1987",
3750   journal =      "Applied Physics Letters",
3751   volume =       "50",
3752   number =       "4",
3753   pages =        "221--223",
3754   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
3755                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
3756                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
3757                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
3758                  BOUNDARIES",
3759   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
3760   doi =          "10.1063/1.97667",
3761   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
3762 }
3763
3764 @Article{shibahara86,
3765   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
3766                  Si(100) by chemical vapor deposition",
3767   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3768   volume =       "78",
3769   number =       "3",
3770   pages =        "538--544",
3771   year =         "1986",
3772   note =         "",
3773   ISSN =         "0022-0248",
3774   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
3775   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
3776   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
3777                  Matsunami",
3778   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
3779 }
3780
3781 @Article{desjardins96,
3782   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
3783   collaboration = "",
3784   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
3785   publisher =    "AIP",
3786   year =         "1996",
3787   journal =      "Journal of Applied Physics",
3788   volume =       "79",
3789   number =       "3",
3790   pages =        "1423--1434",
3791   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
3792                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
3793   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
3794   doi =          "10.1063/1.360980",
3795   notes =        "apb model",
3796 }
3797
3798 @Article{henke95,
3799   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
3800   collaboration = "",
3801   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
3802                  carbonization of silicon",
3803   publisher =    "AIP",
3804   year =         "1995",
3805   journal =      "Journal of Applied Physics",
3806   volume =       "78",
3807   number =       "3",
3808   pages =        "2070--2073",
3809   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
3810                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
3811                  STRUCTURE",
3812   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
3813   doi =          "10.1063/1.360184",
3814   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
3815 }
3816
3817 @Article{fuyuki89,
3818   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
3819                  {MBE} using surface superstructure",
3820   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3821   volume =       "95",
3822   number =       "1-4",
3823   pages =        "461--463",
3824   year =         "1989",
3825   note =         "",
3826   ISSN =         "0022-0248",
3827   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
3828   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
3829   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
3830                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
3831   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
3832 }
3833
3834 @Article{yoshinobu92,
3835   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
3836                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
3837   collaboration = "",
3838   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
3839                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
3840                  molecular beam epitaxy",
3841   publisher =    "AIP",
3842   year =         "1992",
3843   journal =      "Applied Physics Letters",
3844   volume =       "60",
3845   number =       "7",
3846   pages =        "824--826",
3847   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
3848                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
3849                  INTERFACE STRUCTURE",
3850   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
3851   doi =          "10.1063/1.107430",
3852   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
3853 }
3854
3855 @Article{yoshinobu90,
3856   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
3857                  cubic Si{C}",
3858   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3859   volume =       "99",
3860   number =       "1-4",
3861   pages =        "520--524",
3862   year =         "1990",
3863   note =         "",
3864   ISSN =         "0022-0248",
3865   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
3866   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
3867   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
3868                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
3869   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
3870 }
3871
3872 @Article{fuyuki93,
3873   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
3874                  superstructures in Si{C}",
3875   journal =      "Thin Solid Films",
3876   volume =       "225",
3877   number =       "1-2",
3878   pages =        "225--229",
3879   year =         "1993",
3880   note =         "",
3881   ISSN =         "0040-6090",
3882   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
3883   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
3884   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
3885                  Matsunami",
3886   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
3887                  epitaxy, ale",
3888 }
3889
3890 @Article{hara93,
3891   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
3892                  growth of [beta]-Si{C}",
3893   journal =      "Thin Solid Films",
3894   volume =       "225",
3895   number =       "1-2",
3896   pages =        "240--243",
3897   year =         "1993",
3898   note =         "",
3899   ISSN =         "0040-6090",
3900   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
3901   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
3902   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
3903                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
3904   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
3905                  epitaxy, ale",
3906 }
3907
3908 @Article{tanaka94,
3909   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
3910   collaboration = "",
3911   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
3912                  growth mode and polytype formation during gas-source
3913                  molecular beam epitaxy",
3914   publisher =    "AIP",
3915   year =         "1994",
3916   journal =      "Applied Physics Letters",
3917   volume =       "65",
3918   number =       "22",
3919   pages =        "2851--2853",
3920   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
3921                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
3922                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
3923                  FLOW; FLOW RATE",
3924   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
3925   doi =          "10.1063/1.112513",
3926   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
3927 }
3928
3929 @Article{fuyuki97,
3930   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
3931   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
3932                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
3933   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3934   year =         "1997",
3935   journal =      "physica status solidi (b)",
3936   volume =       "202",
3937   pages =        "359--378",
3938   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
3939                  temperatures 750",
3940 }
3941
3942 @Article{takaoka98,
3943   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
3944   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3945   volume =       "183",
3946   number =       "1-2",
3947   pages =        "175--182",
3948   year =         "1998",
3949   note =         "",
3950   ISSN =         "0022-0248",
3951   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
3952   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
3953   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
3954   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
3955   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
3956   keywords =     "Silicon carbide",
3957   keywords =     "Silicon",
3958   keywords =     "Island growth",
3959   notes =        "lower temperature, 550-700",
3960 }
3961
3962 @Article{hatayama95,
3963   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
3964                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
3965                  molecular beam epitaxy",
3966   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3967   volume =       "150",
3968   number =       "Part 2",
3969   pages =        "934--938",
3970   year =         "1995",
3971   note =         "",
3972   ISSN =         "0022-0248",
3973   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
3974   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
3975   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
3976                  and Hiroyuki Matsunami",
3977 }
3978
3979 @Article{heine91,
3980   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
3981   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
3982                  Metastable Cubic Form",
3983   journal =      "Journal of the American Ceramic Society",
3984   volume =       "74",
3985   number =       "10",
3986   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
3987   ISSN =         "1551-2916",
3988   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
3989   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
3990   pages =        "2630--2633",
3991   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
3992                  calculations, stability",
3993   year =         "1991",
3994   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
3995                  polytype dft calculation refs",
3996 }
3997
3998 @Article{allendorf91,
3999   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
4000                  [beta]-silicon carbide",
4001   journal =      "Surface Science",
4002   volume =       "258",
4003   number =       "1-3",
4004   pages =        "177--189",
4005   year =         "1991",
4006   note =         "",
4007   ISSN =         "0039-6028",
4008   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
4009   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
4010   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
4011   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
4012 }
4013
4014 @Article{eaglesham93,
4015   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
4016                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
4017   collaboration = "",
4018   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
4019   publisher =    "AIP",
4020   year =         "1993",
4021   journal =      "Journal of Applied Physics",
4022   volume =       "74",
4023   number =       "11",
4024   pages =        "6615--6618",
4025   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
4026                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
4027                  DIFFUSION; ADSORPTION",
4028   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
4029   doi =          "10.1063/1.355101",
4030   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
4031                  mobility",
4032 }
4033
4034 @Article{newman85,
4035   author =       "Ronald C. Newman",
4036   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
4037   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4038   volume =       "59",
4039   number =       "",
4040   pages =        "403",
4041   year =         "1985",
4042   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
4043   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
4044   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
4045 }
4046
4047 @Article{goesele85,
4048   author =       "U. Gösele",
4049   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
4050   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4051   volume =       "59",
4052   number =       "",
4053   pages =        "419",
4054   year =         "1985",
4055   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
4056   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
4057   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
4058 }