bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{newman65,
  44   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "26",
  47   number =       "2",
  48   pages =        "373--379",
  49   year =         "1965",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
  54   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
  55   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
  56 }
  57
  58 @Article{baker68,
  59   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
  60                  Buschert",
  61   collaboration = "",
  62   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
  63   publisher =    "AIP",
  64   year =         "1968",
  65   journal =      "Journal of Applied Physics",
  66   volume =       "39",
  67   number =       "9",
  68   pages =        "4365--4368",
  69   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
  70   doi =          "10.1063/1.1656977",
  71   notes =        "lattice contraction due to subst c",
  72 }
  73
  74 @Article{bean71,
  75   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  76   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  77   volume =       "32",
  78   number =       "6",
  79   pages =        "1211--1219",
  80   year =         "1971",
  81   note =         "",
  82   ISSN =         "0022-3697",
  83   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  84   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  85   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  86   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  87 }
  88
  89 @Article{capano97,
  90   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  91   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  92   journal =      "MRS Bull.",
  93   volume =       "22",
  94   pages =        "19",
  95   year =         "1997",
  96 }
  97
  98 @Article{fischer90,
  99   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
 100   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
 101                  carbide",
 102   journal =      "Philos. Mag. B",
 103   volume =       "61",
 104   pages =        "217--236",
 105   year =         "1990",
 106   notes =        "sic polytypes",
 107 }
 108
 109 @Article{koegler03,
 110   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
 111                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
 112                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
 113   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
 114                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
 115                  ions",
 116   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
 117   volume =       "76",
 118   pages =        "827--835",
 119   month =        mar,
 120   year =         "2003",
 121   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
 122                  precipitation by interstitial and substitutional
 123                  carbon, both mechanisms explained + refs",
 124 }
 125
 126 @Article{skorupa96,
 127   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
 128                  silicon-related materials",
 129   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
 130   volume =       "44",
 131   number =       "2",
 132   pages =        "101--143",
 133   year =         "1996",
 134   note =         "",
 135   ISSN =         "0254-0584",
 136   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 137   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 138   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 139   notes =        "review of silicon carbon compound",
 140 }
 141
 142 @Book{laplace,
 143   author =       "P. S. de Laplace",
 144   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 145   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 146   volume =       "VII",
 147   publisher =    "Gauthier-Villars",
 148   year =         "1820",
 149 }
 150
 151 @Article{mattoni2007,
 152   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 153   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 154                  materials}",
 155   journal =      "Phys. Rev. B",
 156   year =         "2007",
 157   month =        dec,
 158   volume =       "76",
 159   number =       "22",
 160   pages =        "224103",
 161   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 162   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 163                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 164                  fracture, more available potentials, universal energy
 165                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 166 }
 167
 168 @Article{balamane92,
 169   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 170                  potentials",
 171   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 172   journal =      "Phys. Rev. B",
 173   volume =       "46",
 174   number =       "4",
 175   pages =        "2250--2279",
 176   numpages =     "29",
 177   year =         "1992",
 178   month =        jul,
 179   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 180   publisher =    "American Physical Society",
 181   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 182 }
 183
 184 @Article{koster2002,
 185   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 186                  bombardment",
 187   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 188   journal =      "Phys. Rev. B",
 189   volume =       "62",
 190   number =       "16",
 191   pages =        "11219--11224",
 192   numpages =     "5",
 193   year =         "2000",
 194   month =        oct,
 195   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 196   publisher =    "American Physical Society",
 197   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 198 }
 199
 200 @Article{breadmore99,
 201   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 202                  amorphization of silicon",
 203   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 204   journal =      "Phys. Rev. B",
 205   volume =       "60",
 206   number =       "18",
 207   pages =        "12610--12616",
 208   numpages =     "6",
 209   year =         "1999",
 210   month =        nov,
 211   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 212   publisher =    "American Physical Society",
 213   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 214 }
 215
 216 @Article{nielsen83,
 217   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 218   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 219   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 220   volume =       "50",
 221   number =       "9",
 222   pages =        "697--700",
 223   numpages =     "3",
 224   year =         "1983",
 225   month =        feb,
 226   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 227   publisher =    "American Physical Society",
 228   notes =        "generalization of virial theorem",
 229 }
 230
 231 @Article{nielsen85,
 232   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 233   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 234   journal =      "Phys. Rev. B",
 235   volume =       "32",
 236   number =       "6",
 237   pages =        "3780--3791",
 238   numpages =     "11",
 239   year =         "1985",
 240   month =        sep,
 241   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 242   publisher =    "American Physical Society",
 243   notes =        "dft virial stress and forces",
 244 }
 245
 246 @Article{moissan04,
 247   author =       "Henri Moissan",
 248   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 249                  Diablo",
 250   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 251   volume =       "139",
 252   pages =        "773--786",
 253   year =         "1904",
 254 }
 255
 256 @Book{park98,
 257   author =       "Y. S. Park",
 258   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 259   publisher =    "Academic Press",
 260   address =      "San Diego",
 261   year =         "1998",
 262 }
 263
 264 @Article{tsvetkov98,
 265   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 266                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 267   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 268   journal =      "Materials Science Forum",
 269   volume =       "264-268",
 270   pages =        "3--8",
 271   year =         "1998",
 272   notes =        "modified lely process, micropipes",
 273 }
 274
 275 @Article{verlet67,
 276   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 277                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 278   author =       "Loup Verlet",
 279   journal =      "Phys. Rev.",
 280   volume =       "159",
 281   number =       "1",
 282   pages =        "98",
 283   year =         "1967",
 284   month =        jul,
 285   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 286   publisher =    "American Physical Society",
 287   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 288                  motion",
 289 }
 290
 291 @Article{berendsen84,
 292   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 293                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 294   collaboration = "",
 295   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 296   publisher =    "AIP",
 297   year =         "1984",
 298   journal =      "J. Chem. Phys.",
 299   volume =       "81",
 300   number =       "8",
 301   pages =        "3684--3690",
 302   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 303                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 304   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 305   doi =          "10.1063/1.448118",
 306   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 307 }
 308
 309 @Article{huang95,
 310   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 311                  Baskes",
 312   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 313                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 314                  potentials",
 315   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 316   volume =       "3",
 317   number =       "5",
 318   pages =        "615--627",
 319   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 320   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 321                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 322   year =         "1995",
 323 }
 324
 325 @Article{brenner89,
 326   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 327                  Tersoff potentials",
 328   author =       "Donald W. Brenner",
 329   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 330   volume =       "63",
 331   number =       "9",
 332   pages =        "1022",
 333   numpages =     "1",
 334   year =         "1989",
 335   month =        aug,
 336   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 337   publisher =    "American Physical Society",
 338   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 339 }
 340
 341 @Article{batra87,
 342   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 343                  silicon",
 344   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 345   journal =      "Phys. Rev. B",
 346   volume =       "35",
 347   number =       "18",
 348   pages =        "9552--9558",
 349   numpages =     "6",
 350   year =         "1987",
 351   month =        jun,
 352   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 353   publisher =    "American Physical Society",
 354   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 355                  calculation of defect formation energy, defect
 356                  interstitial types",
 357 }
 358
 359 @Article{schober89,
 360   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 361   author =       "H. R. Schober",
 362   journal =      "Phys. Rev. B",
 363   volume =       "39",
 364   number =       "17",
 365   pages =        "13013--13015",
 366   numpages =     "2",
 367   year =         "1989",
 368   month =        jun,
 369   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 370   publisher =    "American Physical Society",
 371   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 372                  dumbbell configuration",
 373 }
 374
 375 @Article{gao02a,
 376   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 377                  Defect accumulation, topological features, and
 378                  disordering",
 379   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 380   journal =      "Phys. Rev. B",
 381   volume =       "66",
 382   number =       "2",
 383   pages =        "024106",
 384   numpages =     "10",
 385   year =         "2002",
 386   month =        jul,
 387   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 388   publisher =    "American Physical Society",
 389   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 390                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 391                  result analyze",
 392 }
 393
 394 @Article{devanathan98,
 395   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 396                  cascade in Si{C}",
 397   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 398   volume =       "141",
 399   number =       "1-4",
 400   pages =        "118--122",
 401   year =         "1998",
 402   ISSN =         "0168-583X",
 403   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 404   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 405                  Rubia",
 406   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 407                  3c-sic",
 408 }
 409
 410 @Article{devanathan98_2,
 411   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 412   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 413   volume =       "253",
 414   number =       "1-3",
 415   pages =        "47--52",
 416   year =         "1998",
 417   ISSN =         "0022-3115",
 418   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 419   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 420                  Weber",
 421   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 422                  tersoff",
 423 }
 424
 425 @Article{kitabatake00,
 426   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 427   author =       "M. Kitabatake",
 428   journal =      "Thin Solid Films",
 429   volume =       "369",
 430   pages =        "257--264",
 431   numpages =     "8",
 432   year =         "2000",
 433   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 434 }
 435
 436 @Article{tang97,
 437   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 438                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 439                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 440                  formation volumes",
 441   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 442                  Rubia",
 443   journal =      "Phys. Rev. B",
 444   volume =       "55",
 445   number =       "21",
 446   pages =        "14279--14289",
 447   numpages =     "10",
 448   year =         "1997",
 449   month =        jun,
 450   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 451   publisher =    "American Physical Society",
 452   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 453 }
 454
 455 @Article{johnson98,
 456   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 457                  Rubia",
 458   collaboration = "",
 459   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 460                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 461                  presence of carbon and boron",
 462   publisher =    "AIP",
 463   year =         "1998",
 464   journal =      "J. Appl. Phys.",
 465   volume =       "84",
 466   number =       "4",
 467   pages =        "1963--1967",
 468   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 469                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 470                  semiconductors; self-diffusion",
 471   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 472   doi =          "10.1063/1.368328",
 473   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 474                  diffsuion",
 475 }
 476
 477 @Article{bar-yam84,
 478   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 479                  Self-Interstitial",
 480   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 481   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 482   volume =       "52",
 483   number =       "13",
 484   pages =        "1129--1132",
 485   numpages =     "3",
 486   year =         "1984",
 487   month =        mar,
 488   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 489   publisher =    "American Physical Society",
 490   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 491 }
 492
 493 @Article{bar-yam84_2,
 494   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 495                  barriers of silicon self-interstitials",
 496   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 497   journal =      "Phys. Rev. B",
 498   volume =       "30",
 499   number =       "4",
 500   pages =        "1844--1852",
 501   numpages =     "8",
 502   year =         "1984",
 503   month =        aug,
 504   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 505   publisher =    "American Physical Society",
 506 }
 507
 508 @Article{bloechl93,
 509   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 510                  constants in silicon",
 511   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 512                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 513   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 514   volume =       "70",
 515   number =       "16",
 516   pages =        "2435--2438",
 517   numpages =     "3",
 518   year =         "1993",
 519   month =        apr,
 520   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 521   publisher =    "American Physical Society",
 522   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 523                  entropy calculations",
 524 }
 525
 526 @Article{colombo02,
 527   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 528                  silicon",
 529   author =       "L. Colombo",
 530   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 531   volume =       "32",
 532   pages =        "271--295",
 533   numpages =     "25",
 534   year =         "2002",
 535   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 536   publisher =    "Annual Reviews",
 537   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 538 }
 539
 540 @Article{al-mushadani03,
 541   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 542                  silicon",
 543   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 544   journal =      "Phys. Rev. B",
 545   volume =       "68",
 546   number =       "23",
 547   pages =        "235205",
 548   numpages =     "8",
 549   year =         "2003",
 550   month =        dec,
 551   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 552   publisher =    "American Physical Society",
 553   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 554                  silicon, si self interstitials, free energy",
 555 }
 556
 557 @Article{goedecker02,
 558   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 559   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 560   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 561   volume =       "88",
 562   number =       "23",
 563   pages =        "235501",
 564   numpages =     "4",
 565   year =         "2002",
 566   month =        may,
 567   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 568   publisher =    "American Physical Society",
 569   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 570                  silicon",
 571 }
 572
 573 @Article{sahli05,
 574   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 575                  self-interstitial diffusion in silicon",
 576   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 577   journal =      "Phys. Rev. B",
 578   volume =       "72",
 579   number =       "24",
 580   pages =        "245210",
 581   numpages =     "6",
 582   year =         "2005",
 583   month =        dec,
 584   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 585   publisher =    "American Physical Society",
 586   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 587                  mapping applied",
 588 }
 589
 590 @Article{hobler05,
 591   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 592                  native point defects in silicon",
 593   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 594   volume =       "124-125",
 595   number =       "",
 596   pages =        "368--371",
 597   year =         "2005",
 598   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 599                  Issues for Future Technologies",
 600   ISSN =         "0921-5107",
 601   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 602   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 603   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 604   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 605                  radius",
 606 }
 607
 608 @Article{ma10,
 609   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 610                  wide temperature range: Point defect states and
 611                  migration mechanisms",
 612   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 613   journal =      "Phys. Rev. B",
 614   volume =       "81",
 615   number =       "19",
 616   pages =        "193203",
 617   numpages =     "4",
 618   year =         "2010",
 619   month =        may,
 620   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 621   publisher =    "American Physical Society",
 622   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 623 }
 624
 625 @Article{posselt06,
 626   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 627                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 628   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 629   journal =      "Phys. Rev. B",
 630   volume =       "73",
 631   number =       "12",
 632   pages =        "125206",
 633   numpages =     "8",
 634   year =         "2006",
 635   month =        mar,
 636   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 637   publisher =    "American Physical Society",
 638 }
 639
 640 @Article{posselt08,
 641   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 642                  migration mechanisms of vacancies and
 643                  self-interstitials: An atomistic study",
 644   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 645   journal =      "Phys. Rev. B",
 646   volume =       "78",
 647   number =       "3",
 648   pages =        "035208",
 649   numpages =     "9",
 650   year =         "2008",
 651   month =        jul,
 652   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 653   publisher =    "American Physical Society",
 654   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 655                  weber and tersoff",
 656 }
 657
 658 @Article{gao2001,
 659   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 660                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 661   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 662                  Corrales",
 663   journal =      "Phys. Rev. B",
 664   volume =       "64",
 665   number =       "24",
 666   pages =        "245208",
 667   numpages =     "7",
 668   year =         "2001",
 669   month =        dec,
 670   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 671   publisher =    "American Physical Society",
 672   notes =        "defects in 3c-sic",
 673 }
 674
 675 @Article{gao02,
 676   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 677                  3{C}-Si{C}",
 678   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 679   volume =       "191",
 680   number =       "1-4",
 681   pages =        "487--496",
 682   year =         "2002",
 683   note =         "",
 684   ISSN =         "0168-583X",
 685   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 686   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 687   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 688   keywords =     "Empirical potential",
 689   keywords =     "Defect properties",
 690   keywords =     "Silicon carbide",
 691   keywords =     "Computer simulation",
 692   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 693 }
 694
 695 @Article{gao04,
 696   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 697                  3{C}-Si{C}",
 698   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 699                  Belko",
 700   journal =      "Phys. Rev. B",
 701   volume =       "69",
 702   number =       "24",
 703   pages =        "245205",
 704   numpages =     "5",
 705   year =         "2004",
 706   month =        jun,
 707   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 708   publisher =    "American Physical Society",
 709   notes =        "defect migration in sic",
 710 }
 711
 712 @Article{gao07,
 713   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 714                  W. J. Weber",
 715   collaboration = "",
 716   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 717                  in cubic silicon carbide",
 718   publisher =    "AIP",
 719   year =         "2007",
 720   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 721   volume =       "90",
 722   number =       "22",
 723   eid =          "221915",
 724   numpages =     "3",
 725   pages =        "221915",
 726   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 727                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 728                  dynamics method; density functional theory;
 729                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 730                  impurities; diffusion",
 731   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 732   doi =          "10.1063/1.2743751",
 733 }
 734
 735 @Article{mattoni2002,
 736   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 737                  crystalline silicon",
 738   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 739   journal =      "Phys. Rev. B",
 740   volume =       "66",
 741   number =       "19",
 742   pages =        "195214",
 743   numpages =     "6",
 744   year =         "2002",
 745   month =        nov,
 746   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 747   publisher =    "American Physical Society",
 748   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 749                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 750                  tersoff suitability",
 751 }
 752
 753 @Article{leung99,
 754   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 755   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 756                  Itoh and S. Ihara",
 757   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 758   volume =       "83",
 759   number =       "12",
 760   pages =        "2351--2354",
 761   numpages =     "3",
 762   year =         "1999",
 763   month =        sep,
 764   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 765   publisher =    "American Physical Society",
 766   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 767                  refs",
 768 }
 769
 770 @Article{capaz94,
 771   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 772                  carbon in silicon",
 773   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 774   journal =      "Phys. Rev. B",
 775   volume =       "50",
 776   number =       "11",
 777   pages =        "7439--7442",
 778   numpages =     "3",
 779   year =         "1994",
 780   month =        sep,
 781   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 782   publisher =    "American Physical Society",
 783   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 784                  dumbbell",
 785 }
 786
 787 @Article{capaz98,
 788   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 789   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 790   journal =      "Phys. Rev. B",
 791   volume =       "58",
 792   number =       "15",
 793   pages =        "9845--9850",
 794   numpages =     "5",
 795   year =         "1998",
 796   month =        oct,
 797   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 798   publisher =    "American Physical Society",
 799   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 800 }
 801
 802 @Article{song90_2,
 803   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 804                  pair in silicon",
 805   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 806                  Watkins",
 807   journal =      "Phys. Rev. B",
 808   volume =       "42",
 809   number =       "9",
 810   pages =        "5765--5783",
 811   numpages =     "18",
 812   year =         "1990",
 813   month =        sep,
 814   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 815   publisher =    "American Physical Society",
 816   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 817 }
 818
 819 @Article{liu02,
 820   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 821                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 822   collaboration = "",
 823   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 824                  interactions in Si",
 825   publisher =    "AIP",
 826   year =         "2002",
 827   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 828   volume =       "80",
 829   number =       "1",
 830   pages =        "52--54",
 831   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 832                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 833                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 834   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 835   doi =          "10.1063/1.1430505",
 836   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 837 }
 838
 839 @Article{dal_pino93,
 840   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 841                  silicon",
 842   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 843                  Joannopoulos",
 844   journal =      "Phys. Rev. B",
 845   volume =       "47",
 846   number =       "19",
 847   pages =        "12554--12557",
 848   numpages =     "3",
 849   year =         "1993",
 850   month =        may,
 851   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 852   publisher =    "American Physical Society",
 853   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 854 }
 855
 856 @Article{car84,
 857   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 858                  Silicon",
 859   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 860                  Sokrates T. Pantelides",
 861   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 862   volume =       "52",
 863   number =       "20",
 864   pages =        "1814--1817",
 865   numpages =     "3",
 866   year =         "1984",
 867   month =        may,
 868   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 869   publisher =    "American Physical Society",
 870   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 871                  path formation",
 872 }
 873
 874 @Article{car85,
 875   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 876                  Density-Functional Theory",
 877   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 878   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 879   volume =       "55",
 880   number =       "22",
 881   pages =        "2471--2474",
 882   numpages =     "3",
 883   year =         "1985",
 884   month =        nov,
 885   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 886   publisher =    "American Physical Society",
 887   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 888 }
 889
 890 @Article{kelires97,
 891   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 892                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 893   author =       "P. C. Kelires",
 894   journal =      "Phys. Rev. B",
 895   volume =       "55",
 896   number =       "14",
 897   pages =        "8784--8787",
 898   numpages =     "3",
 899   year =         "1997",
 900   month =        apr,
 901   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 902   publisher =    "American Physical Society",
 903   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 904                  neighbour dist",
 905 }
 906
 907 @Article{kelires95,
 908   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 909                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 910   author =       "P. C. Kelires",
 911   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 912   volume =       "75",
 913   number =       "6",
 914   pages =        "1114--1117",
 915   numpages =     "3",
 916   year =         "1995",
 917   month =        aug,
 918   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 919   publisher =    "American Physical Society",
 920   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 921 }
 922
 923 @Article{bean70,
 924   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 925                  containing carbon",
 926   journal =      "Solid State Communications",
 927   volume =       "8",
 928   number =       "3",
 929   pages =        "175--177",
 930   year =         "1970",
 931   note =         "",
 932   ISSN =         "0038-1098",
 933   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 934   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 935   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 936 }
 937
 938 @Article{watkins76,
 939   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 940                  Atom in Silicon",
 941   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 942   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 943   volume =       "36",
 944   number =       "22",
 945   pages =        "1329--1332",
 946   numpages =     "3",
 947   year =         "1976",
 948   month =        may,
 949   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 950   publisher =    "American Physical Society",
 951   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 952                  silicon",
 953 }
 954
 955 @Article{song90,
 956   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 957                  interstitial carbon in silicon",
 958   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 959   journal =      "Phys. Rev. B",
 960   volume =       "42",
 961   number =       "9",
 962   pages =        "5759--5764",
 963   numpages =     "5",
 964   year =         "1990",
 965   month =        sep,
 966   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 967   publisher =    "American Physical Society",
 968   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 969 }
 970
 971 @Article{tipping87,
 972   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 973   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 974                  silicon",
 975   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
 976   volume =       "2",
 977   number =       "5",
 978   pages =        "315--317",
 979   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 980   year =         "1987",
 981   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 982                  silicon",
 983 }
 984
 985 @Article{strane96,
 986   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 987                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 988   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 989                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 990   journal =      "J. Appl. Phys.",
 991   volume =       "79",
 992   pages =        "637",
 993   year =         "1996",
 994   month =        jan,
 995   doi =          "10.1063/1.360806",
 996   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 997 }
 998
 999 @Article{laveant2002,
1000   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1001   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1002   volume =       "89",
1003   number =       "1-3",
1004   pages =        "241--245",
1005   year =         "2002",
1006   ISSN =         "0921-5107",
1007   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1008   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1009   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1010                  G{\"{o}}sele",
1011   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1012                  stress, avoid sic precipitation",
1013 }
1014
1015 @Article{foell77,
1016   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1017                  agglomeration of self-interstitials",
1018   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1019   volume =       "40",
1020   number =       "1",
1021   pages =        "90--108",
1022   year =         "1977",
1023   note =         "",
1024   ISSN =         "0022-0248",
1025   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1026   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1027   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1028   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1029                  agglomerate",
1030 }
1031
1032 @Article{foell81,
1033   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1034                  defects",
1035   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1036   volume =       "52",
1037   number =       "Part 2",
1038   pages =        "907--916",
1039   year =         "1981",
1040   note =         "",
1041   ISSN =         "0022-0248",
1042   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1043   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1044   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1045   notes =        "swirl review",
1046 }
1047
1048 @Article{werner97,
1049   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1050                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1051   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1052                  silicon by transmission electron microscopy",
1053   publisher =    "AIP",
1054   year =         "1997",
1055   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1056   volume =       "70",
1057   number =       "2",
1058   pages =        "252--254",
1059   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1060                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1061                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1062                  layers; precipitation",
1063   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1064   doi =          "10.1063/1.118381",
1065   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1066                  precipitate",
1067 }
1068
1069 @InProceedings{werner96,
1070   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1071                  Eichler",
1072   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
1073                  International Conference on",
1074   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1075                  implanted silicon",
1076   year =         "1996",
1077   month =        jun,
1078   volume =       "",
1079   number =       "",
1080   pages =        "675--678",
1081   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1082   ISSN =         "",
1083   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1084 }
1085
1086 @Article{werner98,
1087   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1088                  D. C. Jacobson",
1089   collaboration = "",
1090   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1091   publisher =    "AIP",
1092   year =         "1998",
1093   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1094   volume =       "73",
1095   number =       "17",
1096   pages =        "2465--2467",
1097   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1098                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1099                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1100                  impurity distribution",
1101   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1102   doi =          "10.1063/1.122483",
1103   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1104 }
1105
1106 @Article{kalejs84,
1107   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1108   collaboration = "",
1109   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1110                  silicon",
1111   publisher =    "AIP",
1112   year =         "1984",
1113   journal =      "Applied Physics Letters",
1114   volume =       "45",
1115   number =       "3",
1116   pages =        "268--269",
1117   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1118                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1119                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1120   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1121   doi =          "10.1063/1.95167",
1122   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1123 }
1124
1125 @Article{strane94,
1126   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1127                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1128   collaboration = "",
1129   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1130                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1131   publisher =    "AIP",
1132   year =         "1994",
1133   journal =      "J. Appl. Phys.",
1134   volume =       "76",
1135   number =       "6",
1136   pages =        "3656--3668",
1137   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1138   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1139   doi =          "10.1063/1.357429",
1140   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1141                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1142                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1143                  energy",
1144 }
1145
1146 @Article{fischer95,
1147   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1148                  Osten",
1149   collaboration = "",
1150   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1151                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1152   publisher =    "AIP",
1153   year =         "1995",
1154   journal =      "J. Appl. Phys.",
1155   volume =       "77",
1156   number =       "5",
1157   pages =        "1934--1937",
1158   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1159                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1160                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1161                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1162   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1163   doi =          "10.1063/1.358826",
1164 }
1165
1166 @Article{edgar92,
1167   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1168                  semiconductors",
1169   author =       "J. H. Edgar",
1170   journal =      "J. Mater. Res.",
1171   volume =       "7",
1172   pages =        "235",
1173   year =         "1992",
1174   month =        jan,
1175   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1176   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1177                  polytypes",
1178 }
1179
1180 @Article{zirkelbach2007,
1181   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1182                  process leading to ordered precipitate structures",
1183   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1184                  and B. Stritzker",
1185   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1186   volume =       "257",
1187   number =       "1--2",
1188   pages =        "75--79",
1189   numpages =     "5",
1190   year =         "2007",
1191   month =        apr,
1192   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1193   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1194                  NETHERLANDS",
1195 }
1196
1197 @Article{zirkelbach2006,
1198   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1199                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1200                  during ion irradiation",
1201   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1202                  and B. Stritzker",
1203   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1204   volume =       "242",
1205   number =       "1--2",
1206   pages =        "679--682",
1207   numpages =     "4",
1208   year =         "2006",
1209   month =        jan,
1210   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1211   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1212                  NETHERLANDS",
1213 }
1214
1215 @Article{zirkelbach2005,
1216   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1217                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1218                  ion irradiation",
1219   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1220                  and B. Stritzker",
1221   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1222   volume =       "33",
1223   number =       "1--3",
1224   pages =        "310--316",
1225   numpages =     "7",
1226   year =         "2005",
1227   month =        apr,
1228   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1229   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1230                  NETHERLANDS",
1231 }
1232
1233 @Article{zirkelbach09,
1234   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1235                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1236   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1237   volume =       "159-160",
1238   number =       "",
1239   pages =        "149--152",
1240   year =         "2009",
1241   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1242                  Silicon Materials Research for Electronic and
1243                  Photovoltaic Applications",
1244   ISSN =         "0921-5107",
1245   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1246   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1247   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1248                  B. Stritzker",
1249   keywords =     "Silicon",
1250   keywords =     "Carbon",
1251   keywords =     "Silicon carbide",
1252   keywords =     "Nucleation",
1253   keywords =     "Defect formation",
1254   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1255 }
1256
1257 @Article{zirkelbach10,
1258   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1259                  classical potentials and first-principles methods",
1260   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1261                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1262   journal =      "Phys. Rev. B",
1263   volume =       "82",
1264   number =       "9",
1265   pages =        "094110",
1266   numpages =     "6",
1267   year =         "2010",
1268   month =        sep,
1269   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1270   publisher =    "American Physical Society",
1271 }
1272
1273 @Article{zirkelbach11a,
1274   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1275                  silicon",
1276   journal =      "to be published",
1277   volume =       "",
1278   number =       "",
1279   pages =        "",
1280   year =         "2011",
1281   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and J. K. N. Lindner
1282                  and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1283 }
1284
1285 @Article{zirkelbach11b,
1286   title =        "...",
1287   journal =      "to be published",
1288   volume =       "",
1289   number =       "",
1290   pages =        "",
1291   year =         "2011",
1292   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1293                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1294 }
1295
1296 @Article{lindner95,
1297   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1298                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1299   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1300                  Layers in Silicon",
1301   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
1302   volume =       "354",
1303   number =       "",
1304   pages =        "171",
1305   year =         "1994",
1306   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1307   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1308   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400420853",
1309   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1310 }
1311
1312 @Article{lindner96,
1313   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1314                  in silicon by ion beam synthesis",
1315   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
1316   volume =       "46",
1317   number =       "2-3",
1318   pages =        "147--155",
1319   year =         "1996",
1320   note =         "",
1321   ISSN =         "0254-0584",
1322   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1323   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1324   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1325                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1326                  Stritzker",
1327   notes =        "dose window",
1328 }
1329
1330 @Article{calcagno96,
1331   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1332                  ion implantation",
1333   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1334                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1335   volume =       "120",
1336   number =       "1-4",
1337   pages =        "121--124",
1338   year =         "1996",
1339   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1340                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1341   ISSN =         "0168-583X",
1342   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1343   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1344   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1345                  Grimaldi and P. Musumeci",
1346   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1347 }
1348
1349 @Article{lindner98,
1350   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1351                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1352   journal =      "Materials Science Forum",
1353   volume =       "264-268",
1354   pages =        "215--218",
1355   year =         "1998",
1356   note =         "",
1357   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1358   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1359   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1360   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1361                  crystallinity",
1362 }
1363
1364 @Article{lindner99,
1365   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1366                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1367                  layers in silicon",
1368   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1369   volume =       "147",
1370   number =       "1-4",
1371   pages =        "249--255",
1372   year =         "1999",
1373   note =         "",
1374   ISSN =         "0168-583X",
1375   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1376   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1377   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1378   notes =        "two-step implantation process",
1379 }
1380
1381 @Article{lindner99_2,
1382   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1383                  in silicon",
1384   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1385   volume =       "148",
1386   number =       "1-4",
1387   pages =        "528--533",
1388   year =         "1999",
1389   ISSN =         "0168-583X",
1390   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1391   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1392   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1393   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1394 }
1395
1396 @Article{lindner01,
1397   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1398                  Basic physical processes",
1399   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1400   volume =       "178",
1401   number =       "1-4",
1402   pages =        "44--54",
1403   year =         "2001",
1404   note =         "",
1405   ISSN =         "0168-583X",
1406   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1407   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1408   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1409 }
1410
1411 @Article{lindner02,
1412   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1413                  fundamental studies for new technological tricks",
1414   author =       "J. K. N. Lindner",
1415   journal =      "Appl. Phys. A",
1416   volume =       "77",
1417   pages =        "27--38",
1418   year =         "2003",
1419   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1420   notes =        "ibs, burried sic layers",
1421 }
1422
1423 @Article{lindner06,
1424   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1425                  formation and displacive precipitate resolution in the
1426                  {C}-Si system",
1427   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1428   volume =       "26",
1429   number =       "5-7",
1430   pages =        "857--861",
1431   year =         "2006",
1432   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1433                  Applications",
1434   ISSN =         "0928-4931",
1435   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1436   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1437   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1438                  and B. Stritzker",
1439   notes =        "c int diffusion barrier",
1440 }
1441
1442 @Article{ito04,
1443   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1444                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1445                  growth",
1446   journal =      "Applied Surface Science",
1447   volume =       "238",
1448   number =       "1-4",
1449   pages =        "159--164",
1450   year =         "2004",
1451   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1452   ISSN =         "0169-4332",
1453   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1454   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1455   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1456                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1457   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1458 }
1459
1460 @Article{yamamoto04,
1461   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1462                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1463                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1464   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1465   volume =       "261",
1466   number =       "2-3",
1467   pages =        "266--270",
1468   year =         "2004",
1469   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1470                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1471   ISSN =         "0022-0248",
1472   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1473   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1474   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1475                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1476   notes =        "gan on 3c-sic",
1477 }
1478
1479 @Article{liu_l02,
1480   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1481   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1482   volume =       "37",
1483   number =       "3",
1484   pages =        "61--127",
1485   year =         "2002",
1486   note =         "",
1487   ISSN =         "0927-796X",
1488   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1489   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1490   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1491   notes =        "gan substrates",
1492 }
1493
1494 @Article{takeuchi91,
1495   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1496                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1497   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1498   volume =       "115",
1499   number =       "1-4",
1500   pages =        "634--638",
1501   year =         "1991",
1502   note =         "",
1503   ISSN =         "0022-0248",
1504   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1505   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1506   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1507                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1508   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1509 }
1510
1511 @Article{alder57,
1512   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1513   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1514   publisher =    "AIP",
1515   year =         "1957",
1516   journal =      "J. Chem. Phys.",
1517   volume =       "27",
1518   number =       "5",
1519   pages =        "1208--1209",
1520   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1521   doi =          "10.1063/1.1743957",
1522 }
1523
1524 @Article{alder59,
1525   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1526   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1527   publisher =    "AIP",
1528   year =         "1959",
1529   journal =      "J. Chem. Phys.",
1530   volume =       "31",
1531   number =       "2",
1532   pages =        "459--466",
1533   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1534   doi =          "10.1063/1.1730376",
1535 }
1536
1537 @Article{tersoff_si1,
1538   title =        "New empirical model for the structural properties of
1539                  silicon",
1540   author =       "J. Tersoff",
1541   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1542   volume =       "56",
1543   number =       "6",
1544   pages =        "632--635",
1545   numpages =     "3",
1546   year =         "1986",
1547   month =        feb,
1548   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1549   publisher =    "American Physical Society",
1550 }
1551
1552 @Article{tersoff_si2,
1553   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1554                  covalent systems",
1555   author =       "J. Tersoff",
1556   journal =      "Phys. Rev. B",
1557   volume =       "37",
1558   number =       "12",
1559   pages =        "6991--7000",
1560   numpages =     "9",
1561   year =         "1988",
1562   month =        apr,
1563   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1564   publisher =    "American Physical Society",
1565 }
1566
1567 @Article{tersoff_si3,
1568   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1569                  improved elastic properties",
1570   author =       "J. Tersoff",
1571   journal =      "Phys. Rev. B",
1572   volume =       "38",
1573   number =       "14",
1574   pages =        "9902--9905",
1575   numpages =     "3",
1576   year =         "1988",
1577   month =        nov,
1578   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1579   publisher =    "American Physical Society",
1580 }
1581
1582 @Article{tersoff_c,
1583   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1584                  Applications to Amorphous Carbon",
1585   author =       "J. Tersoff",
1586   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1587   volume =       "61",
1588   number =       "25",
1589   pages =        "2879--2882",
1590   numpages =     "3",
1591   year =         "1988",
1592   month =        dec,
1593   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1594   publisher =    "American Physical Society",
1595 }
1596
1597 @Article{tersoff_m,
1598   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1599                  for multicomponent systems",
1600   author =       "J. Tersoff",
1601   journal =      "Phys. Rev. B",
1602   volume =       "39",
1603   number =       "8",
1604   pages =        "5566--5568",
1605   numpages =     "2",
1606   year =         "1989",
1607   month =        mar,
1608   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1609   publisher =    "American Physical Society",
1610 }
1611
1612 @Article{tersoff90,
1613   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1614   author =       "J. Tersoff",
1615   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1616   volume =       "64",
1617   number =       "15",
1618   pages =        "1757--1760",
1619   numpages =     "3",
1620   year =         "1990",
1621   month =        apr,
1622   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1623   publisher =    "American Physical Society",
1624 }
1625
1626 @Article{fahey89,
1627   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1628   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1629   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1630   volume =       "61",
1631   number =       "2",
1632   pages =        "289--384",
1633   numpages =     "95",
1634   year =         "1989",
1635   month =        apr,
1636   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1637   publisher =    "American Physical Society",
1638 }
1639
1640 @Article{wesch96,
1641   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1642   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1643   volume =       "116",
1644   number =       "1-4",
1645   pages =        "305--321",
1646   year =         "1996",
1647   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1648   ISSN =         "0168-583X",
1649   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1650   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1651   author =       "W. Wesch",
1652 }
1653
1654 @Article{davis91,
1655   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
1656                  Palmour and J. A. Edmond",
1657   journal =      "Proceedings of the IEEE",
1658   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
1659                  optoelectronic device fabrication and characterization
1660                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
1661   year =         "1991",
1662   month =        may,
1663   volume =       "79",
1664   number =       "5",
1665   pages =        "677--701",
1666   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
1667                  diode;SiC;dry etching;electrical
1668                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
1669                  device fabrication;solid-state devices;surface
1670                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
1671                  transistors;Schottky-barrier
1672                  diodes;etching;heterojunction bipolar
1673                  transistors;insulated gate field effect
1674                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
1675                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
1676   doi =          "10.1109/5.90132",
1677   ISSN =         "0018-9219",
1678   notes =        "sic growth methods",
1679 }
1680
1681 @Article{morkoc94,
1682   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1683                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1684   collaboration = "",
1685   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1686                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1687   publisher =    "AIP",
1688   year =         "1994",
1689   journal =      "J. Appl. Phys.",
1690   volume =       "76",
1691   number =       "3",
1692   pages =        "1363--1398",
1693   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1694                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1695                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1696                  FILMS; INDUSTRY",
1697   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1698   doi =          "10.1063/1.358463",
1699   notes =        "sic intro, properties",
1700 }
1701
1702 @Article{foo,
1703   author =       "Noch Unbekannt",
1704   title =        "How to find references",
1705   journal =      "Journal of Applied References",
1706   year =         "2009",
1707   volume =       "77",
1708   pages =        "1--23",
1709 }
1710
1711 @Article{tang95,
1712   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1713                  \beta{}-Si{C}",
1714   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1715   journal =      "Phys. Rev. B",
1716   volume =       "52",
1717   number =       "21",
1718   pages =        "15150--15159",
1719   numpages =     "9",
1720   year =         "1995",
1721   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1722   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1723                  tersoff reparametrization",
1724   publisher =    "American Physical Society",
1725 }
1726
1727 @Article{sarro00,
1728   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1729   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1730   volume =       "82",
1731   number =       "1-3",
1732   pages =        "210--218",
1733   year =         "2000",
1734   ISSN =         "0924-4247",
1735   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1736   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1737   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1738   keywords =     "MEMS",
1739   keywords =     "Silicon carbide",
1740   keywords =     "Micromachining",
1741   keywords =     "Mechanical stress",
1742 }
1743
1744 @Article{casady96,
1745   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1746                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1747                  review",
1748   journal =      "Solid-State Electronics",
1749   volume =       "39",
1750   number =       "10",
1751   pages =        "1409--1422",
1752   year =         "1996",
1753   ISSN =         "0038-1101",
1754   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1755   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1756   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1757   notes =        "sic intro",
1758 }
1759
1760 @Article{giancarli98,
1761   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1762                  structural material in fusion power reactor blankets",
1763   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1764   volume =       "41",
1765   number =       "1-4",
1766   pages =        "165--171",
1767   year =         "1998",
1768   ISSN =         "0920-3796",
1769   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1770   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1771   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1772                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1773 }
1774
1775 @Article{pensl93,
1776   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1777   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1778   volume =       "185",
1779   number =       "1-4",
1780   pages =        "264--283",
1781   year =         "1993",
1782   ISSN =         "0921-4526",
1783   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1784   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1785   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1786 }
1787
1788 @Article{tairov78,
1789   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1790                  carbide single crystals",
1791   journal =      "J. Cryst. Growth",
1792   volume =       "43",
1793   number =       "2",
1794   pages =        "209--212",
1795   year =         "1978",
1796   notes =        "modified lely process",
1797   ISSN =         "0022-0248",
1798   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1799   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1800   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1801 }
1802
1803 @Article{tairov81,
1804   title =        "General principles of growing large-size single
1805                  crystals of various silicon carbide polytypes",
1806   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1807   volume =       "52",
1808   number =       "Part 1",
1809   pages =        "146--150",
1810   year =         "1981",
1811   note =         "",
1812   ISSN =         "0022-0248",
1813   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
1814   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
1815   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1816 }
1817
1818 @Article{barrett91,
1819   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
1820   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1821   volume =       "109",
1822   number =       "1-4",
1823   pages =        "17--23",
1824   year =         "1991",
1825   note =         "",
1826   ISSN =         "0022-0248",
1827   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
1828   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
1829   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
1830                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
1831 }
1832
1833 @Article{barrett93,
1834   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
1835   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1836   volume =       "128",
1837   number =       "1-4",
1838   pages =        "358--362",
1839   year =         "1993",
1840   note =         "",
1841   ISSN =         "0022-0248",
1842   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
1843   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
1844   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
1845                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
1846                  W. J. Choyke",
1847 }
1848
1849 @Article{stein93,
1850   title =        "Control of polytype formation by surface energy
1851                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
1852                  sublimation method",
1853   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1854   volume =       "131",
1855   number =       "1-2",
1856   pages =        "71--74",
1857   year =         "1993",
1858   note =         "",
1859   ISSN =         "0022-0248",
1860   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
1861   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
1862   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
1863   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
1864 }
1865
1866 @Article{nishino83,
1867   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1868                  Will",
1869   collaboration = "",
1870   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1871                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1872   publisher =    "AIP",
1873   year =         "1983",
1874   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1875   volume =       "42",
1876   number =       "5",
1877   pages =        "460--462",
1878   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1879                  monocrystals",
1880   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1881   doi =          "10.1063/1.93970",
1882   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1883 }
1884
1885 @Article{nishino87,
1886   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1887                  and Hiroyuki Matsunami",
1888   collaboration = "",
1889   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1890                  Si{C} on silicon",
1891   publisher =    "AIP",
1892   year =         "1987",
1893   journal =      "J. Appl. Phys.",
1894   volume =       "61",
1895   number =       "10",
1896   pages =        "4889--4893",
1897   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1898   doi =          "10.1063/1.338355",
1899   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1900                  carbonization",
1901 }
1902
1903 @Article{powell87,
1904   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1905                  Kuczmarski",
1906   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1907                  Single-Crystal Films on Si",
1908   publisher =    "ECS",
1909   year =         "1987",
1910   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1911   volume =       "134",
1912   number =       "6",
1913   pages =        "1558--1565",
1914   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1915                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1916   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1917   doi =          "10.1149/1.2100708",
1918   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1919 }
1920
1921 @Article{powell87_2,
1922   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
1923                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
1924   collaboration = "",
1925   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
1926                  off-axis Si substrates",
1927   publisher =    "AIP",
1928   year =         "1987",
1929   journal =      "Applied Physics Letters",
1930   volume =       "51",
1931   number =       "11",
1932   pages =        "823--825",
1933   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
1934                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
1935                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
1936                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
1937                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
1938   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
1939   doi =          "10.1063/1.98824",
1940   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
1941 }
1942
1943 @Article{ueda90,
1944   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
1945   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1946   volume =       "104",
1947   number =       "3",
1948   pages =        "695--700",
1949   year =         "1990",
1950   note =         "",
1951   ISSN =         "0022-0248",
1952   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
1953   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
1954   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
1955                  Matsunami",
1956   notes =        "step-controlled epitaxy model",
1957 }
1958
1959 @Article{kimoto93,
1960   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1961                  and Hiroyuki Matsunami",
1962   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1963                  epitaxy",
1964   publisher =    "AIP",
1965   year =         "1993",
1966   journal =      "J. Appl. Phys.",
1967   volume =       "73",
1968   number =       "2",
1969   pages =        "726--732",
1970   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1971                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1972                  VAPOR DEPOSITION",
1973   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1974   doi =          "10.1063/1.353329",
1975   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1976 }
1977
1978 @Article{powell90_2,
1979   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1980                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1981                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1982   collaboration = "",
1983   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
1984                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
1985   publisher =    "AIP",
1986   year =         "1990",
1987   journal =      "Applied Physics Letters",
1988   volume =       "56",
1989   number =       "15",
1990   pages =        "1442--1444",
1991   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1992                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
1993                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
1994                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
1995   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
1996   doi =          "10.1063/1.102492",
1997   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
1998 }
1999
2000 @Article{kong88_2,
2001   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2002   collaboration = "",
2003   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2004                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2005                  substrates",
2006   publisher =    "AIP",
2007   year =         "1988",
2008   journal =      "Journal of Applied Physics",
2009   volume =       "64",
2010   number =       "5",
2011   pages =        "2672--2679",
2012   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2013                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2014                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2015                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2016                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2017   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2018   doi =          "10.1063/1.341608",
2019 }
2020
2021 @Article{powell90,
2022   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2023                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2024                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2025   collaboration = "",
2026   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2027                  6{H}-Si{C} substrates",
2028   publisher =    "AIP",
2029   year =         "1990",
2030   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2031   volume =       "56",
2032   number =       "14",
2033   pages =        "1353--1355",
2034   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2035                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2036                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2037                  PHASE EPITAXY",
2038   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2039   doi =          "10.1063/1.102512",
2040   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2041 }
2042
2043 @Article{kong88,
2044   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2045                  Rozgonyi and K. L. More",
2046   collaboration = "",
2047   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2048                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2049                  substrates",
2050   publisher =    "AIP",
2051   year =         "1988",
2052   journal =      "Journal of Applied Physics",
2053   volume =       "63",
2054   number =       "8",
2055   pages =        "2645--2650",
2056   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2057                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2058                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2059                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2060                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2061   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2062   doi =          "10.1063/1.341004",
2063 }
2064
2065 @Article{powell91,
2066   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2067                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2068                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2069   collaboration = "",
2070   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2071                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2072   publisher =    "AIP",
2073   year =         "1991",
2074   journal =      "Applied Physics Letters",
2075   volume =       "59",
2076   number =       "3",
2077   pages =        "333--335",
2078   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2079                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2080                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2081   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2082   doi =          "10.1063/1.105587",
2083 }
2084
2085 @Article{yuan95,
2086   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2087                  Thokala and M. J. Loboda",
2088   collaboration = "",
2089   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2090                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2091                  silacyclobutane",
2092   publisher =    "AIP",
2093   year =         "1995",
2094   journal =      "J. Appl. Phys.",
2095   volume =       "78",
2096   number =       "2",
2097   pages =        "1271--1273",
2098   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2099                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2100                  SPECTROPHOTOMETRY",
2101   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2102   doi =          "10.1063/1.360368",
2103   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2104 }
2105
2106 @Article{kaneda87,
2107   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2108                  properties of its p-n junction",
2109   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2110   volume =       "81",
2111   number =       "1-4",
2112   pages =        "536--542",
2113   year =         "1987",
2114   note =         "",
2115   ISSN =         "0022-0248",
2116   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2117   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2118   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2119                  and Takao Tanaka",
2120   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2121 }
2122
2123 @Article{fissel95,
2124   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2125                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2126                  molecular beam epitaxy",
2127   journal =      "J. Cryst. Growth",
2128   volume =       "154",
2129   number =       "1-2",
2130   pages =        "72--80",
2131   year =         "1995",
2132   ISSN =         "0022-0248",
2133   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2134   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2135   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2136                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2137   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2138 }
2139
2140 @Article{fissel95_apl,
2141   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2142   collaboration = "",
2143   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2144                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2145   publisher =    "AIP",
2146   year =         "1995",
2147   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2148   volume =       "66",
2149   number =       "23",
2150   pages =        "3182--3184",
2151   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2152                  RHEED; NUCLEATION",
2153   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2154   doi =          "10.1063/1.113716",
2155   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2156 }
2157
2158 @Article{fissel96,
2159   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2160                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2161   collaboration = "",
2162   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2163                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2164                  level using surface superstructures",
2165   publisher =    "AIP",
2166   year =         "1996",
2167   journal =      "Applied Physics Letters",
2168   volume =       "68",
2169   number =       "9",
2170   pages =        "1204--1206",
2171   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2172                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2173                  SURFACE STRUCTURE",
2174   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2175   doi =          "10.1063/1.115969",
2176   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2177 }
2178
2179 @Article{righi03,
2180   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2181   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2182                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2183   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2184   volume =       "91",
2185   number =       "13",
2186   pages =        "136101",
2187   numpages =     "4",
2188   year =         "2003",
2189   month =        sep,
2190   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2191   publisher =    "American Physical Society",
2192   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2193 }
2194
2195 @Article{borders71,
2196   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2197   collaboration = "",
2198   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2199                  {IMPLANTATION}",
2200   publisher =    "AIP",
2201   year =         "1971",
2202   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2203   volume =       "18",
2204   number =       "11",
2205   pages =        "509--511",
2206   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2207   doi =          "10.1063/1.1653516",
2208   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2209                  ideas",
2210 }
2211
2212 @Article{edelman76,
2213   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2214                  and E. V. Lubopytova",
2215   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2216                  by ion implantation",
2217   publisher =    "Taylor \& Francis",
2218   year =         "1976",
2219   journal =      "Radiation Effects",
2220   volume =       "29",
2221   number =       "1",
2222   pages =        "13--15",
2223   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2224   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2225                  single crystalline",
2226 }
2227
2228 @Article{akimchenko80,
2229   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2230                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2231   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2232                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2233   publisher =    "Taylor \& Francis",
2234   year =         "1980",
2235   journal =      "Radiation Effects",
2236   volume =       "48",
2237   number =       "1",
2238   pages =        "7",
2239   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2240   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2241 }
2242
2243 @Article{kimura81,
2244   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2245                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2246                  silicon",
2247   journal =      "Thin Solid Films",
2248   volume =       "81",
2249   number =       "4",
2250   pages =        "319--327",
2251   year =         "1981",
2252   note =         "",
2253   ISSN =         "0040-6090",
2254   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2255   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2256   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2257                  Yugo",
2258 }
2259
2260 @Article{kimura82,
2261   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2262                  the implantation of carbon ions into silicon",
2263   journal =      "Thin Solid Films",
2264   volume =       "94",
2265   number =       "3",
2266   pages =        "191--198",
2267   year =         "1982",
2268   note =         "",
2269   ISSN =         "0040-6090",
2270   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2271   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2272   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2273                  Yugo",
2274 }
2275
2276 @Article{reeson86,
2277   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2278                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2279                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2280   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2281                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2282   publisher =    "Taylor \& Francis",
2283   year =         "1986",
2284   journal =      "Radiation Effects",
2285   volume =       "99",
2286   number =       "1",
2287   pages =        "71--81",
2288   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2289   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or
2290                  time",
2291 }
2292
2293 @Article{reeson87,
2294   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2295                  J. Davis and G. E. Celler",
2296   collaboration = "",
2297   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2298                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2299   publisher =    "AIP",
2300   year =         "1987",
2301   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2302   volume =       "51",
2303   number =       "26",
2304   pages =        "2242--2244",
2305   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2306                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2307   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2308   doi =          "10.1063/1.98953",
2309   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2310 }
2311
2312 @Article{martin90,
2313   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2314                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2315   collaboration = "",
2316   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2317   publisher =    "AIP",
2318   year =         "1990",
2319   journal =      "Journal of Applied Physics",
2320   volume =       "67",
2321   number =       "6",
2322   pages =        "2908--2912",
2323   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2324                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2325                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2326                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2327                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2328                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2329   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2330   doi =          "10.1063/1.346092",
2331   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2332                  temepratures",
2333 }
2334
2335 @Article{scace59,
2336   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2337   collaboration = "",
2338   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2339   publisher =    "AIP",
2340   year =         "1959",
2341   journal =      "J. Chem. Phys.",
2342   volume =       "30",
2343   number =       "6",
2344   pages =        "1551--1555",
2345   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2346   doi =          "10.1063/1.1730236",
2347   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2348 }
2349
2350 @Article{hofker74,
2351   author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
2352                  Koeman",
2353   affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
2354                  Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
2355                  Netherlands",
2356   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
2357                  charge carrier and boron concentration profiles",
2358   journal =      "Applied Physics A: Materials Science \&
2359                  Processing",
2360   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
2361   ISSN =         "0947-8396",
2362   keyword =      "Physics and Astronomy",
2363   pages =        "125--133",
2364   volume =       "4",
2365   issue =        "2",
2366   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
2367   note =         "10.1007/BF00884267",
2368   year =         "1974",
2369   notes =        "first time ted (only for boron?)",
2370 }
2371
2372 @Article{michel87,
2373   author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
2374                  H. Kastl",
2375   collaboration = "",
2376   title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
2377                  implanted boron into silicon",
2378   publisher =    "AIP",
2379   year =         "1987",
2380   journal =      "Applied Physics Letters",
2381   volume =       "50",
2382   number =       "7",
2383   pages =        "416--418",
2384   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
2385                  BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
2386                  HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
2387   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
2388   doi =          "10.1063/1.98160",
2389   notes =        "ted of boron in si",
2390 }
2391
2392 @Article{cowern90,
2393   author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
2394                  Jos",
2395   collaboration = "",
2396   title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
2397                  time, and matrix dependence of atomic and electrical
2398                  profiles",
2399   publisher =    "AIP",
2400   year =         "1990",
2401   journal =      "Journal of Applied Physics",
2402   volume =       "68",
2403   number =       "12",
2404   pages =        "6191--6198",
2405   keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
2406                  DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
2407                  CRYSTALS; AMORPHIZATION",
2408   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
2409   doi =          "10.1063/1.346910",
2410   notes =        "ted of boron in si",
2411 }
2412
2413 @Article{cowern96,
2414   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2415                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2416   collaboration = "",
2417   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2418                  {B} in silicon",
2419   publisher =    "AIP",
2420   year =         "1996",
2421   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2422   volume =       "68",
2423   number =       "8",
2424   pages =        "1150--1152",
2425   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2426                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2427                  SILICON",
2428   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2429   doi =          "10.1063/1.115706",
2430   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2431 }
2432
2433 @Article{stolk95,
2434   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2435                  of the silicon self-interstitial",
2436   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2437   volume =       "96",
2438   number =       "1-2",
2439   pages =        "187--195",
2440   year =         "1995",
2441   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2442                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2443   ISSN =         "0168-583X",
2444   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2445   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2446   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2447                  and J. M. Poate",
2448 }
2449
2450 @Article{stolk97,
2451   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2452                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2453                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2454                  E. Haynes",
2455   collaboration = "",
2456   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2457                  diffusion in ion-implanted silicon",
2458   publisher =    "AIP",
2459   year =         "1997",
2460   journal =      "J. Appl. Phys.",
2461   volume =       "81",
2462   number =       "9",
2463   pages =        "6031--6050",
2464   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2465   doi =          "10.1063/1.364452",
2466   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2467 }
2468
2469 @Article{powell94,
2470   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2471   collaboration = "",
2472   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2473                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2474   publisher =    "AIP",
2475   year =         "1994",
2476   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2477   volume =       "64",
2478   number =       "3",
2479   pages =        "324--326",
2480   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2481                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2482                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2483                  SYNTHESIS",
2484   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2485   doi =          "10.1063/1.111195",
2486   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2487 }
2488
2489 @Article{soref91,
2490   author =       "Richard A. Soref",
2491   collaboration = "",
2492   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2493                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2494   publisher =    "AIP",
2495   year =         "1991",
2496   journal =      "J. Appl. Phys.",
2497   volume =       "70",
2498   number =       "4",
2499   pages =        "2470--2472",
2500   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2501                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2502                  TERNARY ALLOYS",
2503   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2504   doi =          "10.1063/1.349403",
2505   notes =        "band gap of strained si by c",
2506 }
2507
2508 @Article{kasper91,
2509   author =       "E Kasper",
2510   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2511                  possibility to produce direct band gap material",
2512   journal =      "Physica Scripta",
2513   volume =       "T35",
2514   pages =        "232--236",
2515   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2516   year =         "1991",
2517   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2518                  quasi-direct one",
2519 }
2520
2521 @Article{osten99,
2522   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2523   collaboration = "",
2524   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2525                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2526                  molecular beam epitaxy",
2527   publisher =    "AIP",
2528   year =         "1999",
2529   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2530   volume =       "74",
2531   number =       "6",
2532   pages =        "836--838",
2533   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2534                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2535                  compounds",
2536   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2537   doi =          "10.1063/1.123384",
2538   notes =        "substitutional c in si",
2539 }
2540
2541 @Article{hohenberg64,
2542   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2543   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2544   journal =      "Phys. Rev.",
2545   volume =       "136",
2546   number =       "3B",
2547   pages =        "B864--B871",
2548   numpages =     "7",
2549   year =         "1964",
2550   month =        nov,
2551   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2552   publisher =    "American Physical Society",
2553   notes =        "density functional theory, dft",
2554 }
2555
2556 @Article{kohn65,
2557   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2558                  Correlation Effects",
2559   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2560   journal =      "Phys. Rev.",
2561   volume =       "140",
2562   number =       "4A",
2563   pages =        "A1133--A1138",
2564   numpages =     "5",
2565   year =         "1965",
2566   month =        nov,
2567   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2568   publisher =    "American Physical Society",
2569   notes =        "dft, exchange and correlation",
2570 }
2571
2572 @Article{ruecker94,
2573   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
2574                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
2575   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
2576                  J. Osten",
2577   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2578   volume =       "72",
2579   number =       "22",
2580   pages =        "3578--3581",
2581   numpages =     "3",
2582   year =         "1994",
2583   month =        may,
2584   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
2585   publisher =    "American Physical Society",
2586   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
2587                  si, dft",
2588 }
2589
2590 @Article{chang05,
2591   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
2592                  Alloy",
2593   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
2594   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2595   volume =       "44",
2596   number =       "4B",
2597   pages =        "2257--2262",
2598   numpages =     "5",
2599   year =         "2005",
2600   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
2601   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
2602   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2603   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
2604 }
2605
2606 @Article{osten97,
2607   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
2608   collaboration = "",
2609   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2610                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
2611                  Si(001)",
2612   publisher =    "AIP",
2613   year =         "1997",
2614   journal =      "J. Appl. Phys.",
2615   volume =       "82",
2616   number =       "10",
2617   pages =        "4977--4981",
2618   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
2619                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
2620                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
2621   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
2622   doi =          "10.1063/1.366364",
2623   notes =        "charge transport in strained si",
2624 }
2625
2626 @Article{kapur04,
2627   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
2628                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
2629   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
2630   journal =      "Phys. Rev. B",
2631   volume =       "69",
2632   number =       "15",
2633   pages =        "155214",
2634   numpages =     "8",
2635   year =         "2004",
2636   month =        apr,
2637   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
2638   publisher =    "American Physical Society",
2639   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
2640 }
2641
2642 @Article{barkema96,
2643   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
2644                  Systems",
2645   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
2646   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2647   volume =       "77",
2648   number =       "21",
2649   pages =        "4358--4361",
2650   numpages =     "3",
2651   year =         "1996",
2652   month =        nov,
2653   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
2654   publisher =    "American Physical Society",
2655   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
2656                  dynamic mds",
2657 }
2658
2659 @Article{cances09,
2660   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
2661                  Minoukadeh and F. Willaime",
2662   collaboration = "",
2663   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
2664                  technique method for finding transition pathways on
2665                  potential energy surfaces",
2666   publisher =    "AIP",
2667   year =         "2009",
2668   journal =      "J. Chem. Phys.",
2669   volume =       "130",
2670   number =       "11",
2671   eid =          "114711",
2672   numpages =     "6",
2673   pages =        "114711",
2674   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
2675                  surfaces; vacancies (crystal)",
2676   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
2677   doi =          "10.1063/1.3088532",
2678   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
2679                  transition pathways",
2680 }
2681
2682 @Article{parrinello81,
2683   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
2684   collaboration = "",
2685   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
2686                  molecular dynamics method",
2687   publisher =    "AIP",
2688   year =         "1981",
2689   journal =      "J. Appl. Phys.",
2690   volume =       "52",
2691   number =       "12",
2692   pages =        "7182--7190",
2693   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
2694                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
2695                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
2696                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
2697                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
2698                  IMPACT SHOCK",
2699   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2700   doi =          "10.1063/1.328693",
2701 }
2702
2703 @Article{stillinger85,
2704   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
2705                  of silicon",
2706   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
2707   journal =      "Phys. Rev. B",
2708   volume =       "31",
2709   number =       "8",
2710   pages =        "5262--5271",
2711   numpages =     "9",
2712   year =         "1985",
2713   month =        apr,
2714   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
2715   publisher =    "American Physical Society",
2716 }
2717
2718 @Article{brenner90,
2719   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
2720                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
2721                  films",
2722   author =       "Donald W. Brenner",
2723   journal =      "Phys. Rev. B",
2724   volume =       "42",
2725   number =       "15",
2726   pages =        "9458--9471",
2727   numpages =     "13",
2728   year =         "1990",
2729   month =        nov,
2730   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
2731   publisher =    "American Physical Society",
2732   notes =        "brenner hydro carbons",
2733 }
2734
2735 @Article{bazant96,
2736   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
2737                  Cohesive Energy Curves",
2738   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
2739   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2740   volume =       "77",
2741   number =       "21",
2742   pages =        "4370--4373",
2743   numpages =     "3",
2744   year =         "1996",
2745   month =        nov,
2746   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
2747   publisher =    "American Physical Society",
2748   notes =        "first si edip",
2749 }
2750
2751 @Article{bazant97,
2752   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
2753                  silicon",
2754   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
2755                  Justo",
2756   journal =      "Phys. Rev. B",
2757   volume =       "56",
2758   number =       "14",
2759   pages =        "8542--8552",
2760   numpages =     "10",
2761   year =         "1997",
2762   month =        oct,
2763   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
2764   publisher =    "American Physical Society",
2765   notes =        "second si edip",
2766 }
2767
2768 @Article{justo98,
2769   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
2770                  disordered phases",
2771   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
2772                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
2773   journal =      "Phys. Rev. B",
2774   volume =       "58",
2775   number =       "5",
2776   pages =        "2539--2550",
2777   numpages =     "11",
2778   year =         "1998",
2779   month =        aug,
2780   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
2781   publisher =    "American Physical Society",
2782   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
2783 }
2784
2785 @Article{parcas_md,
2786   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
2787   author =       "K. Nordlund",
2788   year =         "2008",
2789 }
2790
2791 @Article{voter97,
2792   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
2793                  Infrequent Events",
2794   author =       "Arthur F. Voter",
2795   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2796   volume =       "78",
2797   number =       "20",
2798   pages =        "3908--3911",
2799   numpages =     "3",
2800   year =         "1997",
2801   month =        may,
2802   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
2803   publisher =    "American Physical Society",
2804   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
2805 }
2806
2807 @Article{voter97_2,
2808   author =       "Arthur F. Voter",
2809   collaboration = "",
2810   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
2811                  simulation of infrequent events",
2812   publisher =    "AIP",
2813   year =         "1997",
2814   journal =      "J. Chem. Phys.",
2815   volume =       "106",
2816   number =       "11",
2817   pages =        "4665--4677",
2818   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
2819                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
2820                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
2821                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2822                  theory; potential energy surfaces",
2823   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2824   doi =          "10.1063/1.473503",
2825   notes =        "improved hyperdynamics md",
2826 }
2827
2828 @Article{sorensen2000,
2829   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
2830   collaboration = "",
2831   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2832                  infrequent events",
2833   publisher =    "AIP",
2834   year =         "2000",
2835   journal =      "J. Chem. Phys.",
2836   volume =       "112",
2837   number =       "21",
2838   pages =        "9599--9606",
2839   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2840                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2841   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2842   doi =          "10.1063/1.481576",
2843   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2844 }
2845
2846 @Article{voter98,
2847   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2848                  events",
2849   author =       "Arthur F. Voter",
2850   journal =      "Phys. Rev. B",
2851   volume =       "57",
2852   number =       "22",
2853   pages =        "R13985--R13988",
2854   numpages =     "3",
2855   year =         "1998",
2856   month =        jun,
2857   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2858   publisher =    "American Physical Society",
2859   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2860 }
2861
2862 @Article{wu99,
2863   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2864   collaboration = "",
2865   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2866                  simulation",
2867   publisher =    "AIP",
2868   year =         "1999",
2869   journal =      "J. Chem. Phys.",
2870   volume =       "110",
2871   number =       "19",
2872   pages =        "9401--9410",
2873   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2874                  potential; crystallisation; liquid theory",
2875   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2876   doi =          "10.1063/1.478948",
2877   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2878                  systematic motion",
2879 }
2880
2881 @Article{choudhary05,
2882   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2883   collaboration = "",
2884   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2885                  to the production of amorphous silicon",
2886   publisher =    "AIP",
2887   year =         "2005",
2888   journal =      "J. Chem. Phys.",
2889   volume =       "122",
2890   number =       "15",
2891   eid =          "154509",
2892   numpages =     "8",
2893   pages =        "154509",
2894   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2895                  amorphous semiconductors",
2896   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2897   doi =          "10.1063/1.1878733",
2898   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2899                  silicon",
2900 }
2901
2902 @Article{taylor93,
2903   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2904   collaboration = "",
2905   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2906                  difficult?",
2907   publisher =    "AIP",
2908   year =         "1993",
2909   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2910   volume =       "62",
2911   number =       "25",
2912   pages =        "3336--3338",
2913   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2914                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2915                  ENERGY",
2916   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2917   doi =          "10.1063/1.109063",
2918   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
2919                  interstitials necessary for precipitation, volume
2920                  decrease, high interface energy",
2921 }
2922
2923 @Article{chaussende08,
2924   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2925   journal =      "J. Cryst. Growth",
2926   volume =       "310",
2927   number =       "5",
2928   pages =        "976--981",
2929   year =         "2008",
2930   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2931                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2932   ISSN =         "0022-0248",
2933   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2934   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2935   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2936                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2937                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2938                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2939   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2940                  metastable",
2941 }
2942
2943 @Article{chaussende07,
2944   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
2945   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
2946   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
2947   volume =       "40",
2948   number =       "20",
2949   pages =        "6150",
2950   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
2951   year =         "2007",
2952   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
2953                  modelling",
2954 }
2955
2956 @Article{feynman39,
2957   title =        "Forces in Molecules",
2958   author =       "R. P. Feynman",
2959   journal =      "Phys. Rev.",
2960   volume =       "56",
2961   number =       "4",
2962   pages =        "340--343",
2963   numpages =     "3",
2964   year =         "1939",
2965   month =        aug,
2966   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2967   publisher =    "American Physical Society",
2968   notes =        "hellmann feynman forces",
2969 }
2970
2971 @Article{buczko00,
2972   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2973                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2974                  their Contrasting Properties",
2975   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2976                  T. Pantelides",
2977   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2978   volume =       "84",
2979   number =       "5",
2980   pages =        "943--946",
2981   numpages =     "3",
2982   year =         "2000",
2983   month =        jan,
2984   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2985   publisher =    "American Physical Society",
2986   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2987 }
2988
2989 @Article{djurabekova08,
2990   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2991                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2992   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2993   journal =      "Phys. Rev. B",
2994   volume =       "77",
2995   number =       "11",
2996   pages =        "115325",
2997   numpages =     "7",
2998   year =         "2008",
2999   month =        mar,
3000   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
3001   publisher =    "American Physical Society",
3002   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
3003                  angular distribution, coordination",
3004 }
3005
3006 @Article{wen09,
3007   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
3008                  W. Liang and J. Zou",
3009   collaboration = "",
3010   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
3011                  strain relaxation at highly lattice mismatched
3012                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
3013   publisher =    "AIP",
3014   year =         "2009",
3015   journal =      "J. Appl. Phys.",
3016   volume =       "106",
3017   number =       "7",
3018   eid =          "073522",
3019   numpages =     "8",
3020   pages =        "073522",
3021   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
3022                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
3023                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
3024                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
3025   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
3026   doi =          "10.1063/1.3234380",
3027   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
3028                  deconvolution, dislocation defects",
3029 }
3030
3031 @Article{kitabatake93,
3032   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
3033                  Hirao",
3034   collaboration = "",
3035   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
3036                  growth on Si(001) surface",
3037   publisher =    "AIP",
3038   year =         "1993",
3039   journal =      "J. Appl. Phys.",
3040   volume =       "74",
3041   number =       "7",
3042   pages =        "4438--4445",
3043   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
3044                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
3045                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
3046   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
3047   doi =          "10.1063/1.354385",
3048   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
3049                  model, interface",
3050 }
3051
3052 @Article{kitabatake97,
3053   author =       "Makoto Kitabatake",
3054   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
3055                  Heteroepitaxial Growth",
3056   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3057   year =         "1997",
3058   journal =      "physica status solidi (b)",
3059   volume =       "202",
3060   pages =        "405--420",
3061   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3062   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3063   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
3064 }
3065
3066 @Article{chirita97,
3067   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
3068                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
3069                  dynamics study",
3070   journal =      "Thin Solid Films",
3071   volume =       "294",
3072   number =       "1-2",
3073   pages =        "47--49",
3074   year =         "1997",
3075   note =         "",
3076   ISSN =         "0040-6090",
3077   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
3078   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
3079   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
3080   keywords =     "Strain relaxation",
3081   keywords =     "Interfaces",
3082   keywords =     "Thermal stability",
3083   keywords =     "Molecular dynamics",
3084   notes =        "tersoff sic/si interface study",
3085 }
3086
3087 @Article{cicero02,
3088   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
3089                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
3090   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
3091                  Catellani",
3092   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3093   volume =       "89",
3094   number =       "15",
3095   pages =        "156101",
3096   numpages =     "4",
3097   year =         "2002",
3098   month =        sep,
3099   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
3100   publisher =    "American Physical Society",
3101   notes =        "sic/si interface study",
3102 }
3103
3104 @Article{pizzagalli03,
3105   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
3106                  interface: Si{C}/Si(001)",
3107   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
3108                  Catellani",
3109   journal =      "Phys. Rev. B",
3110   volume =       "68",
3111   number =       "19",
3112   pages =        "195302",
3113   numpages =     "10",
3114   year =         "2003",
3115   month =        nov,
3116   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
3117   publisher =    "American Physical Society",
3118   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
3119 }
3120
3121 @Article{tang07,
3122   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
3123                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
3124                  electron microscopy",
3125   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
3126                  H. Zheng and J. W. Liang",
3127   journal =      "Phys. Rev. B",
3128   volume =       "75",
3129   number =       "18",
3130   pages =        "184103",
3131   numpages =     "7",
3132   year =         "2007",
3133   month =        may,
3134   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
3135   publisher =    "American Physical Society",
3136   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
3137                  si and c",
3138 }
3139
3140 @Article{hornstra58,
3141   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
3142   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
3143   volume =       "5",
3144   number =       "1-2",
3145   pages =        "129--141",
3146   year =         "1958",
3147   note =         "",
3148   ISSN =         "0022-3697",
3149   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
3150   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
3151   author =       "J. Hornstra",
3152   notes =        "dislocations in diamond lattice",
3153 }
3154
3155 @Article{deguchi92,
3156   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
3157                  Ion `Hot' Implantation",
3158   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
3159                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
3160   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3161   volume =       "31",
3162   number =       "Part 1, No. 2A",
3163   pages =        "343--347",
3164   numpages =     "4",
3165   year =         "1992",
3166   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
3167   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
3168   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3169   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
3170                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
3171 }
3172
3173 @Article{eichhorn99,
3174   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
3175                  K{\"{o}}gler",
3176   collaboration = "",
3177   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
3178                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
3179                  synchrotron x-ray diffraction",
3180   publisher =    "AIP",
3181   year =         "1999",
3182   journal =      "J. Appl. Phys.",
3183   volume =       "86",
3184   number =       "8",
3185   pages =        "4184--4187",
3186   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
3187                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
3188                  precipitation; semiconductor doping",
3189   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
3190   doi =          "10.1063/1.371344",
3191   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
3192                  expansion of si lattice",
3193 }
3194
3195 @Article{eichhorn02,
3196   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
3197                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
3198   collaboration = "",
3199   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
3200                  carbon ion implantation",
3201   publisher =    "AIP",
3202   year =         "2002",
3203   journal =      "J. Appl. Phys.",
3204   volume =       "91",
3205   number =       "3",
3206   pages =        "1287--1292",
3207   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
3208                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
3209                  electron microscopy",
3210   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
3211   doi =          "10.1063/1.1428105",
3212   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
3213                  temperature, might explain c into c sub trafo",
3214 }
3215
3216 @Article{lucas10,
3217   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
3218   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
3219                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
3220                  high-pressure phases, point and extended defects, and
3221                  amorphous structures",
3222   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3223   volume =       "22",
3224   number =       "3",
3225   pages =        "035802",
3226   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
3227   year =         "2010",
3228   notes =        "edip sic",
3229 }
3230
3231 @Article{godet03,
3232   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
3233                  Beauchamp",
3234   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
3235                  methods for silicon under large shear",
3236   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3237   volume =       "15",
3238   number =       "41",
3239   pages =        "6943",
3240   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
3241   year =         "2003",
3242   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
3243                  edip, tersoff, ab initio",
3244 }
3245
3246 @Article{moriguchi98,
3247   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
3248                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
3249   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
3250   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3251   volume =       "37",
3252   number =       "Part 1, No. 2",
3253   pages =        "414--422",
3254   numpages =     "8",
3255   year =         "1998",
3256   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
3257   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
3258   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3259   notes =        "tersoff stringent test",
3260 }
3261
3262 @Article{mazzarolo01,
3263   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
3264                  simulations",
3265   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
3266                  Lulli and Eros Albertazzi",
3267   journal =      "Phys. Rev. B",
3268   volume =       "63",
3269   number =       "19",
3270   pages =        "195207",
3271   numpages =     "4",
3272   year =         "2001",
3273   month =        apr,
3274   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
3275   publisher =    "American Physical Society",
3276 }
3277
3278 @Article{holmstroem08,
3279   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
3280                  density functional theory molecular dynamics
3281                  simulations",
3282   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
3283   journal =      "Phys. Rev. B",
3284   volume =       "78",
3285   number =       "4",
3286   pages =        "045202",
3287   numpages =     "6",
3288   year =         "2008",
3289   month =        jul,
3290   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
3291   publisher =    "American Physical Society",
3292   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
3293                  initio",
3294 }
3295
3296 @Article{nordlund97,
3297   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
3298                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
3299   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3300   volume =       "132",
3301   number =       "1",
3302   pages =        "45--54",
3303   year =         "1997",
3304   note =         "",
3305   ISSN =         "0168-583X",
3306   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
3307   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
3308   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
3309   notes =        "repulsive ab initio potential",
3310 }
3311
3312 @Article{kresse96,
3313   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
3314                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
3315                  set",
3316   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3317   volume =       "6",
3318   number =       "1",
3319   pages =        "15--50",
3320   year =         "1996",
3321   note =         "",
3322   ISSN =         "0927-0256",
3323   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
3324   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
3325   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
3326   notes =        "vasp ref",
3327 }
3328
3329 @Article{bloechl94,
3330   title =        "Projector augmented-wave method",
3331   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
3332   journal =      "Phys. Rev. B",
3333   volume =       "50",
3334   number =       "24",
3335   pages =        "17953--17979",
3336   numpages =     "26",
3337   year =         "1994",
3338   month =        dec,
3339   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
3340   publisher =    "American Physical Society",
3341   notes =        "paw method",
3342 }
3343
3344 @Article{hamann79,
3345   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
3346   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
3347   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3348   volume =       "43",
3349   number =       "20",
3350   pages =        "1494--1497",
3351   numpages =     "3",
3352   year =         "1979",
3353   month =        nov,
3354   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
3355   publisher =    "American Physical Society",
3356   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
3357 }
3358
3359 @Article{vanderbilt90,
3360   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
3361                  eigenvalue formalism",
3362   author =       "David Vanderbilt",
3363   journal =      "Phys. Rev. B",
3364   volume =       "41",
3365   number =       "11",
3366   pages =        "7892--7895",
3367   numpages =     "3",
3368   year =         "1990",
3369   month =        apr,
3370   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
3371   publisher =    "American Physical Society",
3372   notes =        "vasp pseudopotentials",
3373 }
3374
3375 @Article{perdew86,
3376   title =        "Accurate and simple density functional for the
3377                  electronic exchange energy: Generalized gradient
3378                  approximation",
3379   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
3380   journal =      "Phys. Rev. B",
3381   volume =       "33",
3382   number =       "12",
3383   pages =        "8800--8802",
3384   numpages =     "2",
3385   year =         "1986",
3386   month =        jun,
3387   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
3388   publisher =    "American Physical Society",
3389   notes =        "rapid communication gga",
3390 }
3391
3392 @Article{perdew02,
3393   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
3394                  correlation: {A} look backward and forward",
3395   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
3396   volume =       "172",
3397   number =       "1-2",
3398   pages =        "1--6",
3399   year =         "1991",
3400   note =         "",
3401   ISSN =         "0921-4526",
3402   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
3403   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
3404   author =       "John P. Perdew",
3405   notes =        "gga overview",
3406 }
3407
3408 @Article{perdew92,
3409   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
3410                  of the generalized gradient approximation for exchange
3411                  and correlation",
3412   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
3413                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
3414                  and Carlos Fiolhais",
3415   journal =      "Phys. Rev. B",
3416   volume =       "46",
3417   number =       "11",
3418   pages =        "6671--6687",
3419   numpages =     "16",
3420   year =         "1992",
3421   month =        sep,
3422   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
3423   publisher =    "American Physical Society",
3424   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
3425 }
3426
3427 @Article{baldereschi73,
3428   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
3429   author =       "A. Baldereschi",
3430   journal =      "Phys. Rev. B",
3431   volume =       "7",
3432   number =       "12",
3433   pages =        "5212--5215",
3434   numpages =     "3",
3435   year =         "1973",
3436   month =        jun,
3437   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
3438   publisher =    "American Physical Society",
3439   notes =        "mean value k point",
3440 }
3441
3442 @Article{zhu98,
3443   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
3444                  diffusion in Si",
3445   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3446   volume =       "12",
3447   number =       "4",
3448   pages =        "309--318",
3449   year =         "1998",
3450   note =         "",
3451   ISSN =         "0927-0256",
3452   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
3453   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
3454   author =       "Jing Zhu",
3455   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
3456   keywords =     "Boron dopant",
3457   keywords =     "Carbon dopant",
3458   keywords =     "Defect",
3459   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
3460   keywords =     "Impurity cluster",
3461   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
3462 }
3463
3464 @Article{nejim95,
3465   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
3466   collaboration = "",
3467   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
3468                  950 [degree]{C}",
3469   publisher =    "AIP",
3470   year =         "1995",
3471   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3472   volume =       "66",
3473   number =       "20",
3474   pages =        "2646--2648",
3475   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
3476                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
3477                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
3478                  ELECTRON MICROSCOPY",
3479   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
3480   doi =          "10.1063/1.113112",
3481   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
3482                  self interstitials react with further implanted c",
3483 }
3484
3485 @Article{guedj98,
3486   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
3487                  Kolodzey and A. Hairie",
3488   collaboration = "",
3489   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3490                  alloys",
3491   publisher =    "AIP",
3492   year =         "1998",
3493   journal =      "J. Appl. Phys.",
3494   volume =       "84",
3495   number =       "8",
3496   pages =        "4631--4633",
3497   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
3498                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
3499                  Fourier transform spectra; thermal stability;
3500                  annealing",
3501   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
3502   doi =          "10.1063/1.368703",
3503   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
3504 }
3505
3506 @Article{jones04,
3507   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
3508   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
3509                  semiconductors",
3510   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3511   volume =       "16",
3512   number =       "27",
3513   pages =        "S2643",
3514   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
3515   year =         "2004",
3516   notes =        "ab inito dft intro, vibrational modes, c defect in
3517                  si",
3518 }
3519
3520 @Article{park02,
3521   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
3522                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
3523                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
3524   collaboration = "",
3525   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
3526                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
3527                  molecular-beam epitaxy",
3528   publisher =    "AIP",
3529   year =         "2002",
3530   journal =      "J. Appl. Phys.",
3531   volume =       "91",
3532   number =       "9",
3533   pages =        "5716--5727",
3534   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
3535   doi =          "10.1063/1.1465122",
3536   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
3537 }
3538
3539 @Article{leary97,
3540   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
3541                  carbon-carbon pair defects in silicon",
3542   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
3543                  Torres",
3544   journal =      "Phys. Rev. B",
3545   volume =       "55",
3546   number =       "4",
3547   pages =        "2188--2194",
3548   numpages =     "6",
3549   year =         "1997",
3550   month =        jan,
3551   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
3552   publisher =    "American Physical Society",
3553   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
3554                  energies, different migration barriers and paths",
3555 }
3556
3557 @Article{burnard93,
3558   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
3559                  silicon: Semiempirical electronic-structure
3560                  calculations",
3561   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
3562   journal =      "Phys. Rev. B",
3563   volume =       "47",
3564   number =       "16",
3565   pages =        "10217--10225",
3566   numpages =     "8",
3567   year =         "1993",
3568   month =        apr,
3569   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
3570   publisher =    "American Physical Society",
3571   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
3572                  carbon defect, formation energies",
3573 }
3574
3575 @Article{besson91,
3576   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
3577                  silicon",
3578   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
3579   journal =      "Phys. Rev. B",
3580   volume =       "43",
3581   number =       "5",
3582   pages =        "4028--4033",
3583   numpages =     "5",
3584   year =         "1991",
3585   month =        feb,
3586   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
3587   publisher =    "American Physical Society",
3588 }
3589
3590 @Article{kaxiras96,
3591   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
3592                  and growth on semiconductors",
3593   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3594   volume =       "6",
3595   number =       "2",
3596   pages =        "158--172",
3597   year =         "1996",
3598   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
3599                  Epitaxy",
3600   ISSN =         "0927-0256",
3601   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
3602   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
3603   author =       "Efthimios Kaxiras",
3604   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
3605                  tight binding, first principles",
3606 }
3607
3608 @Article{kaukonen98,
3609   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
3610                  diamond
3611                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
3612                  surfaces",
3613   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
3614                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
3615                  Th. Frauenheim",
3616   journal =      "Phys. Rev. B",
3617   volume =       "57",
3618   number =       "16",
3619   pages =        "9965--9970",
3620   numpages =     "5",
3621   year =         "1998",
3622   month =        apr,
3623   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
3624   publisher =    "American Physical Society",
3625   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
3626                  (crt)",
3627 }
3628
3629 @Article{gali03,
3630   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
3631                  center in Si{C}",
3632   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
3633                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
3634                  W. J. Choyke",
3635   journal =      "Phys. Rev. B",
3636   volume =       "67",
3637   number =       "15",
3638   pages =        "155203",
3639   numpages =     "5",
3640   year =         "2003",
3641   month =        apr,
3642   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
3643   publisher =    "American Physical Society",
3644 }
3645
3646 @Article{chen98,
3647   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
3648                  irradiation and deformation",
3649   journal =      "J. Nucl. Mater.",
3650   volume =       "258-263",
3651   number =       "Part 2",
3652   pages =        "1803--1808",
3653   year =         "1998",
3654   note =         "",
3655   ISSN =         "0022-3115",
3656   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
3657   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
3658   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
3659 }
3660
3661 @Article{weber01,
3662   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
3663                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
3664   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3665   volume =       "175-177",
3666   number =       "",
3667   pages =        "26--30",
3668   year =         "2001",
3669   note =         "",
3670   ISSN =         "0168-583X",
3671   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
3672   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
3673   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
3674 }
3675
3676 @Article{bockstedte03,
3677   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
3678                  in $3{C}-Si{C}$",
3679   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
3680                  Pankratov",
3681   journal =      "Phys. Rev. B",
3682   volume =       "68",
3683   number =       "20",
3684   pages =        "205201",
3685   numpages =     "17",
3686   year =         "2003",
3687   month =        nov,
3688   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
3689   publisher =    "American Physical Society",
3690   notes =        "defect migration in sic",
3691 }
3692
3693 @Article{rauls03a,
3694   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
3695                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
3696   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
3697                  De\'ak",
3698   journal =      "Phys. Rev. B",
3699   volume =       "68",
3700   number =       "15",
3701   pages =        "155208",
3702   numpages =     "9",
3703   year =         "2003",
3704   month =        oct,
3705   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
3706   publisher =    "American Physical Society",
3707 }
3708
3709 @Article{losev27,
3710   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
3711   volume =       "44",
3712   pages =        "485--494",
3713   year =         "1927",
3714   author =       "O. V. Lossev",
3715 }
3716
3717 @Article{losev28,
3718   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
3719                  oscillations with crystals",
3720   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
3721   volume =       "6",
3722   number =       "39",
3723   pages =        "1024--1044",
3724   year =         "1928",
3725   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
3726   author =       "O. V. Lossev",
3727 }
3728
3729 @Article{losev29,
3730   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3731   volume =       "30",
3732   pages =        "920--923",
3733   year =         "1929",
3734   author =       "O. V. Lossev",
3735 }
3736
3737 @Article{losev31,
3738   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3739   volume =       "32",
3740   pages =        "692--696",
3741   year =         "1931",
3742   author =       "O. V. Lossev",
3743 }
3744
3745 @Article{losev33,
3746   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3747   volume =       "34",
3748   pages =        "397--403",
3749   year =         "1933",
3750   author =       "O. V. Lossev",
3751 }
3752
3753 @Article{round07,
3754   title =        "A note on carborundum",
3755   journal =      "Electrical World",
3756   volume =       "49",
3757   pages =        "308",
3758   year =         "1907",
3759   author =       "H. J. Round",
3760 }
3761
3762 @Article{vashishath08,
3763   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
3764   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
3765   volume =       "2",
3766   number =       "03",
3767   pages =        "444--470",
3768   year =         "2008",
3769   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
3770   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
3771   notes =        "sic polytype electronic properties",
3772 }
3773
3774 @Article{nelson69,
3775   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
3776   collaboration = "",
3777   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
3778   publisher =    "AIP",
3779   year =         "1966",
3780   journal =      "Journal of Applied Physics",
3781   volume =       "37",
3782   number =       "1",
3783   pages =        "333--336",
3784   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
3785   doi =          "10.1063/1.1707837",
3786   notes =        "sic melt growth",
3787 }
3788
3789 @Article{arkel25,
3790   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
3791   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
3792                  und Thoriummetall",
3793   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
3794   year =         "1925",
3795   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3796   volume =       "148",
3797   pages =        "345--350",
3798   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
3799   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
3800   notes =        "van arkel apparatus",
3801 }
3802
3803 @Article{moers31,
3804   author =       "K. Moers",
3805   year =         "1931",
3806   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3807   volume =       "198",
3808   pages =        "293",
3809   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3810                  process",
3811 }
3812
3813 @Article{kendall53,
3814   author =       "J. T. Kendall",
3815   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
3816   publisher =    "AIP",
3817   year =         "1953",
3818   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
3819   volume =       "21",
3820   number =       "5",
3821   pages =        "821--827",
3822   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
3823   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3824                  process",
3825 }
3826
3827 @Article{lely55,
3828   author =       "J. A. Lely",
3829   year =         "1955",
3830   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
3831   volume =       "32",
3832   pages =        "229",
3833   notes =        "lely sublimation growth process",
3834 }
3835
3836 @Article{knippenberg63,
3837   author =       "W. F. Knippenberg",
3838   year =         "1963",
3839   journal =      "Philips Res. Repts.",
3840   volume =       "18",
3841   pages =        "161",
3842   notes =        "acheson process",
3843 }
3844
3845 @Article{hoffmann82,
3846   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
3847                  Weyrich",
3848   collaboration = "",
3849   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
3850                  improved external quantum efficiency",
3851   publisher =    "AIP",
3852   year =         "1982",
3853   journal =      "Journal of Applied Physics",
3854   volume =       "53",
3855   number =       "10",
3856   pages =        "6962--6967",
3857   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
3858                  efficiency; visible radiation; experimental data;
3859                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
3860                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
3861                  electroluminescence; spectra; current density;
3862                  optimization",
3863   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
3864   doi =          "10.1063/1.330041",
3865   notes =        "blue led, sublimation process",
3866 }
3867
3868 @Article{neudeck95,
3869   author =       "Philip Neudeck",
3870   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
3871                  Road 44135 Cleveland OH",
3872   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
3873                  technology",
3874   journal =      "Journal of Electronic Materials",
3875   publisher =    "Springer Boston",
3876   ISSN =         "0361-5235",
3877   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
3878   pages =        "283--288",
3879   volume =       "24",
3880   issue =        "4",
3881   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
3882   note =         "10.1007/BF02659688",
3883   year =         "1995",
3884   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
3885 }
3886
3887 @Article{bhatnagar93,
3888   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
3889   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3890   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
3891                  devices",
3892   year =         "1993",
3893   month =        mar,
3894   volume =       "40",
3895   number =       "3",
3896   pages =        "645--655",
3897   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
3898                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
3899                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
3900                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
3901                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
3902                  solids;insulated gate field effect transistors;power
3903                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
3904                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
3905   doi =          "10.1109/16.199372",
3906   ISSN =         "0018-9383",
3907   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
3908 }
3909
3910 @Article{neudeck94,
3911   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
3912                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
3913   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3914   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
3915                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
3916                  6{H}-Si{C} substrates",
3917   year =         "1994",
3918   month =        may,
3919   volume =       "41",
3920   number =       "5",
3921   pages =        "826--835",
3922   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
3923                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
3924                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
3925                  properties;epitaxial layers;light
3926                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
3927                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
3928                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
3929                  currents;power electronics;semiconductor
3930                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
3931                  growth;semiconductor materials;silicon
3932                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
3933                  phase epitaxial growth;",
3934   doi =          "10.1109/16.285038",
3935   ISSN =         "0018-9383",
3936   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
3937                  substrate",
3938 }
3939
3940 @Article{schulze98,
3941   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
3942   collaboration = "",
3943   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
3944                  single crystals by physical vapor transport",
3945   publisher =    "AIP",
3946   year =         "1998",
3947   journal =      "Applied Physics Letters",
3948   volume =       "72",
3949   number =       "13",
3950   pages =        "1632--1634",
3951   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
3952                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
3953                  photoluminescence; Hall mobility",
3954   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
3955   doi =          "10.1063/1.121136",
3956   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
3957 }
3958
3959 @Article{pirouz87,
3960   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
3961   collaboration = "",
3962   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
3963   publisher =    "AIP",
3964   year =         "1987",
3965   journal =      "Applied Physics Letters",
3966   volume =       "50",
3967   number =       "4",
3968   pages =        "221--223",
3969   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
3970                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
3971                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
3972                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
3973                  BOUNDARIES",
3974   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
3975   doi =          "10.1063/1.97667",
3976   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
3977 }
3978
3979 @Article{shibahara86,
3980   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
3981                  Si(100) by chemical vapor deposition",
3982   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3983   volume =       "78",
3984   number =       "3",
3985   pages =        "538--544",
3986   year =         "1986",
3987   note =         "",
3988   ISSN =         "0022-0248",
3989   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
3990   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
3991   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
3992                  Matsunami",
3993   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
3994 }
3995
3996 @Article{desjardins96,
3997   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
3998   collaboration = "",
3999   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
4000   publisher =    "AIP",
4001   year =         "1996",
4002   journal =      "Journal of Applied Physics",
4003   volume =       "79",
4004   number =       "3",
4005   pages =        "1423--1434",
4006   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
4007                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
4008   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
4009   doi =          "10.1063/1.360980",
4010   notes =        "apb model",
4011 }
4012
4013 @Article{henke95,
4014   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
4015   collaboration = "",
4016   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
4017                  carbonization of silicon",
4018   publisher =    "AIP",
4019   year =         "1995",
4020   journal =      "Journal of Applied Physics",
4021   volume =       "78",
4022   number =       "3",
4023   pages =        "2070--2073",
4024   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
4025                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
4026                  STRUCTURE",
4027   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
4028   doi =          "10.1063/1.360184",
4029   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
4030 }
4031
4032 @Article{fuyuki89,
4033   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
4034                  {MBE} using surface superstructure",
4035   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4036   volume =       "95",
4037   number =       "1-4",
4038   pages =        "461--463",
4039   year =         "1989",
4040   note =         "",
4041   ISSN =         "0022-0248",
4042   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
4043   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
4044   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
4045                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
4046   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4047 }
4048
4049 @Article{yoshinobu92,
4050   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
4051                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4052   collaboration = "",
4053   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
4054                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
4055                  molecular beam epitaxy",
4056   publisher =    "AIP",
4057   year =         "1992",
4058   journal =      "Applied Physics Letters",
4059   volume =       "60",
4060   number =       "7",
4061   pages =        "824--826",
4062   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
4063                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
4064                  INTERFACE STRUCTURE",
4065   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
4066   doi =          "10.1063/1.107430",
4067   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4068 }
4069
4070 @Article{yoshinobu90,
4071   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
4072                  cubic Si{C}",
4073   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4074   volume =       "99",
4075   number =       "1-4",
4076   pages =        "520--524",
4077   year =         "1990",
4078   note =         "",
4079   ISSN =         "0022-0248",
4080   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
4081   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
4082   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
4083                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4084   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
4085 }
4086
4087 @Article{fuyuki93,
4088   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
4089                  superstructures in Si{C}",
4090   journal =      "Thin Solid Films",
4091   volume =       "225",
4092   number =       "1-2",
4093   pages =        "225--229",
4094   year =         "1993",
4095   note =         "",
4096   ISSN =         "0040-6090",
4097   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
4098   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
4099   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
4100                  Matsunami",
4101   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4102                  epitaxy, ale",
4103 }
4104
4105 @Article{hara93,
4106   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
4107                  growth of [beta]-Si{C}",
4108   journal =      "Thin Solid Films",
4109   volume =       "225",
4110   number =       "1-2",
4111   pages =        "240--243",
4112   year =         "1993",
4113   note =         "",
4114   ISSN =         "0040-6090",
4115   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
4116   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
4117   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
4118                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
4119   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4120                  epitaxy, ale",
4121 }
4122
4123 @Article{tanaka94,
4124   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
4125   collaboration = "",
4126   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
4127                  growth mode and polytype formation during gas-source
4128                  molecular beam epitaxy",
4129   publisher =    "AIP",
4130   year =         "1994",
4131   journal =      "Applied Physics Letters",
4132   volume =       "65",
4133   number =       "22",
4134   pages =        "2851--2853",
4135   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
4136                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
4137                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
4138                  FLOW; FLOW RATE",
4139   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
4140   doi =          "10.1063/1.112513",
4141   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
4142 }
4143
4144 @Article{fuyuki97,
4145   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
4146   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
4147                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
4148   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
4149   year =         "1997",
4150   journal =      "physica status solidi (b)",
4151   volume =       "202",
4152   pages =        "359--378",
4153   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
4154                  temperatures 750",
4155 }
4156
4157 @Article{takaoka98,
4158   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
4159   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4160   volume =       "183",
4161   number =       "1-2",
4162   pages =        "175--182",
4163   year =         "1998",
4164   note =         "",
4165   ISSN =         "0022-0248",
4166   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
4167   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
4168   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
4169   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
4170   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
4171   keywords =     "Silicon carbide",
4172   keywords =     "Silicon",
4173   keywords =     "Island growth",
4174   notes =        "lower temperature, 550-700",
4175 }
4176
4177 @Article{hatayama95,
4178   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
4179                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
4180                  molecular beam epitaxy",
4181   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4182   volume =       "150",
4183   number =       "Part 2",
4184   pages =        "934--938",
4185   year =         "1995",
4186   note =         "",
4187   ISSN =         "0022-0248",
4188   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
4189   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
4190   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
4191                  and Hiroyuki Matsunami",
4192 }
4193
4194 @Article{heine91,
4195   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
4196   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
4197                  Metastable Cubic Form",
4198   journal =      "Journal of the American Ceramic Society",
4199   volume =       "74",
4200   number =       "10",
4201   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
4202   ISSN =         "1551-2916",
4203   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4204   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4205   pages =        "2630--2633",
4206   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
4207                  calculations, stability",
4208   year =         "1991",
4209   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
4210                  polytype dft calculation refs",
4211 }
4212
4213 @Article{allendorf91,
4214   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
4215                  [beta]-silicon carbide",
4216   journal =      "Surface Science",
4217   volume =       "258",
4218   number =       "1-3",
4219   pages =        "177--189",
4220   year =         "1991",
4221   note =         "",
4222   ISSN =         "0039-6028",
4223   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
4224   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
4225   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
4226   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
4227 }
4228
4229 @Article{eaglesham93,
4230   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
4231                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
4232   collaboration = "",
4233   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
4234   publisher =    "AIP",
4235   year =         "1993",
4236   journal =      "Journal of Applied Physics",
4237   volume =       "74",
4238   number =       "11",
4239   pages =        "6615--6618",
4240   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
4241                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
4242                  DIFFUSION; ADSORPTION",
4243   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
4244   doi =          "10.1063/1.355101",
4245   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
4246                  mobility",
4247 }
4248
4249 @Article{newman85,
4250   author =       "Ronald C. Newman",
4251   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
4252   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4253   volume =       "59",
4254   number =       "",
4255   pages =        "403",
4256   year =         "1985",
4257   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
4258   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
4259   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
4260 }
4261
4262 @Article{newman61,
4263   title =        "The diffusivity of carbon in silicon",
4264   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
4265   volume =       "19",
4266   number =       "3-4",
4267   pages =        "230--234",
4268   year =         "1961",
4269   note =         "",
4270   ISSN =         "0022-3697",
4271   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(61)90032-4",
4272   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46M72R1-4D/2/9235472e4c0a95bf7b995769474f5fbd",
4273   author =       "R. C. Newman and J. Wakefield",
4274   notes =        "diffusivity of substitutional c in si",
4275 }
4276
4277 @Article{goesele85,
4278   author =       "U. Gösele",
4279   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
4280   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4281   volume =       "59",
4282   number =       "",
4283   pages =        "419",
4284   year =         "1985",
4285   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
4286   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
4287   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
4288 }
4289
4290 @Article{puska98,
4291   title =        "Convergence of supercell calculations for point
4292                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
4293   author =       "M. J. Puska and S. P{\"o}ykk{\"o} and M. Pesola and R.
4294                  M. Nieminen",
4295   journal =      "Phys. Rev. B",
4296   volume =       "58",
4297   number =       "3",
4298   pages =        "1318--1325",
4299   numpages =     "7",
4300   year =         "1998",
4301   month =        jul,
4302   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.1318",
4303   publisher =    "American Physical Society",
4304   notes =        "convergence k point supercell size, vacancy in
4305                  silicon",
4306 }
4307
4308 @Article{serre95,
4309   author =       "C. Serre and A. P\'{e}rez-Rodr\'{\i}guez and A.
4310                  Romano-Rodr\'{\i}guez and J. R. Morante and R.
4311                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
4312   collaboration = "",
4313   title =        "Spectroscopic characterization of phases formed by
4314                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
4315   publisher =    "AIP",
4316   year =         "1995",
4317   journal =      "Journal of Applied Physics",
4318   volume =       "77",
4319   number =       "7",
4320   pages =        "2978--2984",
4321   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; PHASE STUDIES; CARBON IONS;
4322                  FOURIER TRANSFORM SPECTROSCOPY; RAMAN SPECTRA;
4323                  PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; TEM; TEMPERATURE
4324                  DEPENDENCE; PRECIPITATES; ANNEALING",
4325   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
4326   doi =          "10.1063/1.358714",
4327 }