corrected text of accepted pub
[lectures/latex.git] / bibdb / bibdb.bib
1 %
2 % bibliography database
3 %
4
5 @Article{schroedinger26,
6   author =       "E. Schrödinger",
7   title =        "Quantisierung als Eigenwertproblem",
8   journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
9   volume =       "384",
10   number =       "4",
11   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
12   ISSN =         "1521-3889",
13   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19263840404",
14   doi =          "10.1002/andp.19263840404",
15   pages =        "361--376",
16   year =         "1926",
17 }
18
19 @Article{bloch29,
20   author =       "Felix Bloch",
21   affiliation =  "Institut d. Universität f. theor. Physik Leipzig",
22   title =        "Über die Quantenmechanik der Elektronen in
23                  Kristallgittern",
24   journal =      "Z. Phys.",
25   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
26   ISSN =         "0939-7922",
27   keyword =      "Physics and Astronomy",
28   pages =        "555--600",
29   volume =       "52",
30   issue =        "7",
31   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF01339455",
32   note =         "10.1007/BF01339455",
33   year =         "1929",
34 }
35
36 @Article{albe_sic_pot,
37   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
38   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
39                  silicon, carbon, and silicon carbide",
40   publisher =    "APS",
41   year =         "2005",
42   journal =      "Phys. Rev. B",
43   volume =       "71",
44   number =       "3",
45   eid =          "035211",
46   numpages =     "14",
47   pages =        "035211",
48   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
49                  potential (ABOP)",
50   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
51                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
52                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
53                  forces",
54   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
55   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
56 }
57
58 @Article{erhart04,
59   title =        "The role of thermostats in modeling vapor phase
60                  condensation of silicon nanoparticles",
61   journal =      "Appl. Surf. Sci.",
62   volume =       "226",
63   number =       "1-3",
64   pages =        "12--18",
65   year =         "2004",
66   note =         "EMRS 2003 Symposium F, Nanostructures from Clusters",
67   ISSN =         "0169-4332",
68   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2003.11.003",
69   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4B957HV-8/2/b35dbe80a70d173f6f7a00dacbcbd738",
70   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
71 }
72
73 @Article{albe2002,
74   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
75                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
76   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
77   journal =      "Phys. Rev. B",
78   volume =       "65",
79   number =       "19",
80   pages =        "195124",
81   numpages =     "11",
82   year =         "2002",
83   month =        may,
84   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
85   publisher =    "American Physical Society",
86   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
87 }
88
89 @Article{newman65,
90   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
91   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
92   volume =       "26",
93   number =       "2",
94   pages =        "373--379",
95   year =         "1965",
96   note =         "",
97   ISSN =         "0022-3697",
98   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
99   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
100   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
101   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
102 }
103
104 @Article{baker68,
105   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
106                  Buschert",
107   collaboration = "",
108   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
109   publisher =    "AIP",
110   year =         "1968",
111   journal =      "J. Appl. Phys.",
112   volume =       "39",
113   number =       "9",
114   pages =        "4365--4368",
115   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
116   doi =          "10.1063/1.1656977",
117   notes =        "lattice contraction due to subst c",
118 }
119
120 @Article{bean71,
121   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
122   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
123   volume =       "32",
124   number =       "6",
125   pages =        "1211--1219",
126   year =         "1971",
127   note =         "",
128   ISSN =         "0022-3697",
129   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
130   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
131   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
132   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
133 }
134
135 @Article{capano97,
136   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
137   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
138   journal =      "MRS Bull.",
139   volume =       "22",
140   pages =        "19",
141   year =         "1997",
142 }
143
144 @Article{fischer90,
145   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
146   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
147                  carbide",
148   journal =      "Philos. Mag. B",
149   volume =       "61",
150   pages =        "217--236",
151   year =         "1990",
152   notes =        "sic polytypes",
153 }
154
155 @Article{koegler03,
156   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
157                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
158                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
159   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
160                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
161                  ions",
162   journal =      "Appl. Phys. A",
163   volume =       "76",
164   pages =        "827--835",
165   month =        mar,
166   year =         "2003",
167   URL =          "http://www.springerlink.com/content/jr8xj33mqc5vpwwj/",
168   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
169                  precipitation by interstitial and substitutional
170                  carbon, both mechanisms explained + refs",
171 }
172
173 @Article{skorupa96,
174   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
175                  silicon-related materials",
176   journal =      "Mater. Chem. Phys.",
177   volume =       "44",
178   number =       "2",
179   pages =        "101--143",
180   year =         "1996",
181   note =         "",
182   ISSN =         "0254-0584",
183   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
184   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
185   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
186   notes =        "review of silicon carbon compound",
187 }
188
189 @Book{laplace,
190   author =       "P. S. de Laplace",
191   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
192   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
193   volume =       "VII",
194   publisher =    "Gauthier-Villars",
195   year =         "1820",
196 }
197
198 @Article{mattoni2007,
199   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
200   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
201                  materials}",
202   journal =      "Phys. Rev. B",
203   year =         "2007",
204   month =        dec,
205   volume =       "76",
206   number =       "22",
207   pages =        "224103",
208   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
209   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
210                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
211                  fracture, more available potentials, universal energy
212                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
213 }
214
215 @Article{balamane92,
216   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
217                  potentials",
218   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
219   journal =      "Phys. Rev. B",
220   volume =       "46",
221   number =       "4",
222   pages =        "2250--2279",
223   numpages =     "29",
224   year =         "1992",
225   month =        jul,
226   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
227   publisher =    "American Physical Society",
228   notes =        "comparison of classical potentials for si",
229 }
230
231 @Article{koster2002,
232   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
233                  bombardment",
234   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
235   journal =      "Phys. Rev. B",
236   volume =       "62",
237   number =       "16",
238   pages =        "11219--11224",
239   numpages =     "5",
240   year =         "2000",
241   month =        oct,
242   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
243   publisher =    "American Physical Society",
244   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
245 }
246
247 @Article{breadmore99,
248   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
249                  amorphization of silicon",
250   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
251   journal =      "Phys. Rev. B",
252   volume =       "60",
253   number =       "18",
254   pages =        "12610--12616",
255   numpages =     "6",
256   year =         "1999",
257   month =        nov,
258   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
259   publisher =    "American Physical Society",
260   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
261 }
262
263 @Article{nielsen83,
264   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
265   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
266   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
267   volume =       "50",
268   number =       "9",
269   pages =        "697--700",
270   numpages =     "3",
271   year =         "1983",
272   month =        feb,
273   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
274   publisher =    "American Physical Society",
275   notes =        "generalization of virial theorem",
276 }
277
278 @Article{nielsen85,
279   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
280   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
281   journal =      "Phys. Rev. B",
282   volume =       "32",
283   number =       "6",
284   pages =        "3780--3791",
285   numpages =     "11",
286   year =         "1985",
287   month =        sep,
288   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
289   publisher =    "American Physical Society",
290   notes =        "dft virial stress and forces",
291 }
292
293 @Article{moissan04,
294   author =       "Henri Moissan",
295   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
296                  Diablo",
297   journal =      "C. R. Acad. Sci.",
298   volume =       "139",
299   pages =        "773--786",
300   year =         "1904",
301 }
302
303 @Book{park98,
304   author =       "Y. S. Park",
305   title =        "Si{C} Materials and Devices",
306   publisher =    "Academic Press",
307   address =      "San Diego",
308   year =         "1998",
309 }
310
311 @Article{tsvetkov98,
312   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
313                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
314   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
315   journal =      "Mater. Sci. Forum",
316   volume =       "264-268",
317   pages =        "3--8",
318   year =         "1998",
319   notes =        "modified lely process, micropipes",
320 }
321
322 @Article{verlet67,
323   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
324                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
325   author =       "Loup Verlet",
326   journal =      "Phys. Rev.",
327   volume =       "159",
328   number =       "1",
329   pages =        "98",
330   year =         "1967",
331   month =        jul,
332   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
333   publisher =    "American Physical Society",
334   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
335                  motion",
336 }
337
338 @Article{berendsen84,
339   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
340                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
341   collaboration = "",
342   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
343   publisher =    "AIP",
344   year =         "1984",
345   journal =      "J. Chem. Phys.",
346   volume =       "81",
347   number =       "8",
348   pages =        "3684--3690",
349   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
350                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
351   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
352   doi =          "10.1063/1.448118",
353   notes =        "berendsen thermostat barostat",
354 }
355
356 @Article{huang95,
357   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
358                  Baskes",
359   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
360                  in beta -Si{C} using three representative empirical
361                  potentials",
362   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
363   volume =       "3",
364   number =       "5",
365   pages =        "615--627",
366   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
367   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
368                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
369   year =         "1995",
370 }
371
372 @Article{brenner89,
373   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
374                  Tersoff potentials",
375   author =       "Donald W. Brenner",
376   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
377   volume =       "63",
378   number =       "9",
379   pages =        "1022",
380   numpages =     "1",
381   year =         "1989",
382   month =        aug,
383   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
384   publisher =    "American Physical Society",
385   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
386 }
387
388 @Article{batra87,
389   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
390                  silicon",
391   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
392   journal =      "Phys. Rev. B",
393   volume =       "35",
394   number =       "18",
395   pages =        "9552--9558",
396   numpages =     "6",
397   year =         "1987",
398   month =        jun,
399   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
400   publisher =    "American Physical Society",
401   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
402                  calculation of defect formation energy, defect
403                  interstitial types",
404 }
405
406 @Article{schober89,
407   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
408   author =       "H. R. Schober",
409   journal =      "Phys. Rev. B",
410   volume =       "39",
411   number =       "17",
412   pages =        "13013--13015",
413   numpages =     "2",
414   year =         "1989",
415   month =        jun,
416   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
417   publisher =    "American Physical Society",
418   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
419                  dumbbell configuration",
420 }
421
422 @Article{gao02a,
423   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
424                  Defect accumulation, topological features, and
425                  disordering",
426   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
427   journal =      "Phys. Rev. B",
428   volume =       "66",
429   number =       "2",
430   pages =        "024106",
431   numpages =     "10",
432   year =         "2002",
433   month =        jul,
434   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
435   publisher =    "American Physical Society",
436   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
437                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
438                  result analyze",
439 }
440
441 @Article{devanathan98,
442   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
443                  cascade in Si{C}",
444   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
445   volume =       "141",
446   number =       "1-4",
447   pages =        "118--122",
448   year =         "1998",
449   ISSN =         "0168-583X",
450   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
451   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
452                  Rubia",
453   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
454                  3c-sic",
455 }
456
457 @Article{devanathan98_2,
458   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
459   journal =      "J. Nucl. Mater.",
460   volume =       "253",
461   number =       "1-3",
462   pages =        "47--52",
463   year =         "1998",
464   ISSN =         "0022-3115",
465   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
466   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
467                  Weber",
468   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
469                  tersoff",
470 }
471
472 @Article{kitabatake00,
473   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
474   author =       "M. Kitabatake",
475   journal =      "Thin Solid Films",
476   volume =       "369",
477   pages =        "257--264",
478   numpages =     "8",
479   year =         "2000",
480   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
481 }
482
483 @Article{tang97,
484   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
485                  Tight-binding molecular dynamics studies of
486                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
487                  formation volumes",
488   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
489                  Rubia",
490   journal =      "Phys. Rev. B",
491   volume =       "55",
492   number =       "21",
493   pages =        "14279--14289",
494   numpages =     "10",
495   year =         "1997",
496   month =        jun,
497   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
498   publisher =    "American Physical Society",
499   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
500 }
501
502 @Article{johnson98,
503   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
504                  Rubia",
505   collaboration = "",
506   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
507                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
508                  presence of carbon and boron",
509   publisher =    "AIP",
510   year =         "1998",
511   journal =      "J. Appl. Phys.",
512   volume =       "84",
513   number =       "4",
514   pages =        "1963--1967",
515   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
516                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
517                  semiconductors; self-diffusion",
518   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
519   doi =          "10.1063/1.368328",
520   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
521                  diffsuion",
522 }
523
524 @Article{bar-yam84,
525   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
526                  Self-Interstitial",
527   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
528   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
529   volume =       "52",
530   number =       "13",
531   pages =        "1129--1132",
532   numpages =     "3",
533   year =         "1984",
534   month =        mar,
535   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
536   publisher =    "American Physical Society",
537   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
538 }
539
540 @Article{bar-yam84_2,
541   title =        "Electronic structure and total-energy migration
542                  barriers of silicon self-interstitials",
543   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
544   journal =      "Phys. Rev. B",
545   volume =       "30",
546   number =       "4",
547   pages =        "1844--1852",
548   numpages =     "8",
549   year =         "1984",
550   month =        aug,
551   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
552   publisher =    "American Physical Society",
553 }
554
555 @Article{bloechl93,
556   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
557                  constants in silicon",
558   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
559                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
560   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
561   volume =       "70",
562   number =       "16",
563   pages =        "2435--2438",
564   numpages =     "3",
565   year =         "1993",
566   month =        apr,
567   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
568   publisher =    "American Physical Society",
569   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
570                  entropy calculations",
571 }
572
573 @Article{munro99,
574   title =        "Defect migration in crystalline silicon",
575   author =       "Lindsey J. Munro and David J. Wales",
576   journal =      "Phys. Rev. B",
577   volume =       "59",
578   number =       "6",
579   pages =        "3969--3980",
580   numpages =     "11",
581   year =         "1999",
582   month =        feb,
583   doi =          "10.1103/PhysRevB.59.3969",
584   publisher =    "American Physical Society",
585   notes =        "eigenvector following method, vacancy and interstiial
586                  defect migration mechanisms",
587 }
588
589 @Article{colombo02,
590   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
591                  silicon",
592   author =       "L. Colombo",
593   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
594   volume =       "32",
595   pages =        "271--295",
596   numpages =     "25",
597   year =         "2002",
598   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
599   publisher =    "Annual Reviews",
600   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
601 }
602
603 @Article{al-mushadani03,
604   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
605                  silicon",
606   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
607   journal =      "Phys. Rev. B",
608   volume =       "68",
609   number =       "23",
610   pages =        "235205",
611   numpages =     "8",
612   year =         "2003",
613   month =        dec,
614   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
615   publisher =    "American Physical Society",
616   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
617                  silicon, si self interstitials, free energy",
618 }
619
620 @Article{mattsson08,
621   title =        "Electronic surface error in the Si interstitial
622                  formation energy",
623   author =       "Ann E. Mattsson and Ryan R. Wixom and Rickard
624                  Armiento",
625   journal =      "Phys. Rev. B",
626   volume =       "77",
627   number =       "15",
628   pages =        "155211",
629   numpages =     "7",
630   year =         "2008",
631   month =        apr,
632   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.155211",
633   publisher =    "American Physical Society",
634   notes =        "si self interstitial formation energies by dft",
635 }
636
637 @Article{goedecker02,
638   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
639   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
640   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
641   volume =       "88",
642   number =       "23",
643   pages =        "235501",
644   numpages =     "4",
645   year =         "2002",
646   month =        may,
647   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
648   publisher =    "American Physical Society",
649   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
650                  silicon",
651 }
652
653 @Article{sahli05,
654   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
655                  self-interstitial diffusion in silicon",
656   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
657   journal =      "Phys. Rev. B",
658   volume =       "72",
659   number =       "24",
660   pages =        "245210",
661   numpages =     "6",
662   year =         "2005",
663   month =        dec,
664   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
665   publisher =    "American Physical Society",
666   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
667                  mapping applied",
668 }
669
670 @Article{hobler05,
671   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
672                  native point defects in silicon",
673   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
674   volume =       "124-125",
675   number =       "",
676   pages =        "368--371",
677   year =         "2005",
678   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
679                  Issues for Future Technologies",
680   ISSN =         "0921-5107",
681   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
682   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
683   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
684   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
685                  radius",
686 }
687
688 @Article{ma10,
689   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
690                  wide temperature range: Point defect states and
691                  migration mechanisms",
692   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
693   journal =      "Phys. Rev. B",
694   volume =       "81",
695   number =       "19",
696   pages =        "193203",
697   numpages =     "4",
698   year =         "2010",
699   month =        may,
700   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
701   publisher =    "American Physical Society",
702   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
703 }
704
705 @Article{posselt06,
706   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
707                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
708   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
709   journal =      "Phys. Rev. B",
710   volume =       "73",
711   number =       "12",
712   pages =        "125206",
713   numpages =     "8",
714   year =         "2006",
715   month =        mar,
716   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
717   publisher =    "American Physical Society",
718 }
719
720 @Article{posselt08,
721   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
722                  migration mechanisms of vacancies and
723                  self-interstitials: An atomistic study",
724   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
725   journal =      "Phys. Rev. B",
726   volume =       "78",
727   number =       "3",
728   pages =        "035208",
729   numpages =     "9",
730   year =         "2008",
731   month =        jul,
732   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
733   publisher =    "American Physical Society",
734   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
735                  weber and tersoff",
736 }
737
738 @Article{gao2001,
739   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
740                  properties in $3{C}-Si{C}$",
741   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
742                  Corrales",
743   journal =      "Phys. Rev. B",
744   volume =       "64",
745   number =       "24",
746   pages =        "245208",
747   numpages =     "7",
748   year =         "2001",
749   month =        dec,
750   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
751   publisher =    "American Physical Society",
752   notes =        "defects in 3c-sic",
753 }
754
755 @Article{gao02,
756   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
757                  3{C}-Si{C}",
758   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
759   volume =       "191",
760   number =       "1-4",
761   pages =        "487--496",
762   year =         "2002",
763   note =         "",
764   ISSN =         "0168-583X",
765   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
766   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
767   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
768   keywords =     "Empirical potential",
769   keywords =     "Defect properties",
770   keywords =     "Silicon carbide",
771   keywords =     "Computer simulation",
772   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
773 }
774
775 @Article{gao04,
776   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
777                  3{C}-Si{C}",
778   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
779                  Belko",
780   journal =      "Phys. Rev. B",
781   volume =       "69",
782   number =       "24",
783   pages =        "245205",
784   numpages =     "5",
785   year =         "2004",
786   month =        jun,
787   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
788   publisher =    "American Physical Society",
789   notes =        "defect migration in sic",
790 }
791
792 @Article{gao07,
793   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
794                  W. J. Weber",
795   collaboration = "",
796   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
797                  in cubic silicon carbide",
798   publisher =    "AIP",
799   year =         "2007",
800   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
801   volume =       "90",
802   number =       "22",
803   eid =          "221915",
804   numpages =     "3",
805   pages =        "221915",
806   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
807                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
808                  dynamics method; density functional theory;
809                  electron-hole recombination; photoluminescence;
810                  impurities; diffusion",
811   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
812   doi =          "10.1063/1.2743751",
813 }
814
815 @Article{mattoni2002,
816   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
817                  crystalline silicon",
818   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
819   journal =      "Phys. Rev. B",
820   volume =       "66",
821   number =       "19",
822   pages =        "195214",
823   numpages =     "6",
824   year =         "2002",
825   month =        nov,
826   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
827   publisher =    "American Physical Society",
828   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
829                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
830                  tersoff suitability",
831 }
832
833 @Article{leung99,
834   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
835   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
836                  Itoh and S. Ihara",
837   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
838   volume =       "83",
839   number =       "12",
840   pages =        "2351--2354",
841   numpages =     "3",
842   year =         "1999",
843   month =        sep,
844   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
845   publisher =    "American Physical Society",
846   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
847                  refs",
848 }
849
850 @Article{capaz94,
851   title =        "Identification of the migration path of interstitial
852                  carbon in silicon",
853   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
854   journal =      "Phys. Rev. B",
855   volume =       "50",
856   number =       "11",
857   pages =        "7439--7442",
858   numpages =     "3",
859   year =         "1994",
860   month =        sep,
861   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
862   publisher =    "American Physical Society",
863   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
864                  dumbbell",
865 }
866
867 @Article{capaz98,
868   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
869   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
870   journal =      "Phys. Rev. B",
871   volume =       "58",
872   number =       "15",
873   pages =        "9845--9850",
874   numpages =     "5",
875   year =         "1998",
876   month =        oct,
877   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
878   publisher =    "American Physical Society",
879   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
880 }
881
882 @Article{song90_2,
883   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
884                  pair in silicon",
885   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
886                  Watkins",
887   journal =      "Phys. Rev. B",
888   volume =       "42",
889   number =       "9",
890   pages =        "5765--5783",
891   numpages =     "18",
892   year =         "1990",
893   month =        sep,
894   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
895   publisher =    "American Physical Society",
896   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
897 }
898
899 @Article{liu02,
900   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
901                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
902   collaboration = "",
903   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
904                  interactions in Si",
905   publisher =    "AIP",
906   year =         "2002",
907   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
908   volume =       "80",
909   number =       "1",
910   pages =        "52--54",
911   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
912                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
913                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
914   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
915   doi =          "10.1063/1.1430505",
916   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
917 }
918
919 @Article{dal_pino93,
920   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
921                  silicon",
922   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
923                  Joannopoulos",
924   journal =      "Phys. Rev. B",
925   volume =       "47",
926   number =       "19",
927   pages =        "12554--12557",
928   numpages =     "3",
929   year =         "1993",
930   month =        may,
931   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
932   publisher =    "American Physical Society",
933   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
934 }
935
936 @Article{car84,
937   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
938                  Silicon",
939   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
940                  Sokrates T. Pantelides",
941   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
942   volume =       "52",
943   number =       "20",
944   pages =        "1814--1817",
945   numpages =     "3",
946   year =         "1984",
947   month =        may,
948   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
949   publisher =    "American Physical Society",
950   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
951                  path formation",
952 }
953
954 @Article{car85,
955   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
956                  Density-Functional Theory",
957   author =       "R. Car and M. Parrinello",
958   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
959   volume =       "55",
960   number =       "22",
961   pages =        "2471--2474",
962   numpages =     "3",
963   year =         "1985",
964   month =        nov,
965   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
966   publisher =    "American Physical Society",
967   notes =        "car parrinello method, dft and md",
968 }
969
970 @Article{kelires97,
971   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
972                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
973   author =       "P. C. Kelires",
974   journal =      "Phys. Rev. B",
975   volume =       "55",
976   number =       "14",
977   pages =        "8784--8787",
978   numpages =     "3",
979   year =         "1997",
980   month =        apr,
981   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
982   publisher =    "American Physical Society",
983   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
984                  neighbour dist",
985 }
986
987 @Article{kelires95,
988   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
989                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
990   author =       "P. C. Kelires",
991   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
992   volume =       "75",
993   number =       "6",
994   pages =        "1114--1117",
995   numpages =     "3",
996   year =         "1995",
997   month =        aug,
998   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
999   publisher =    "American Physical Society",
1000   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
1001 }
1002
1003 @Article{bean70,
1004   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
1005                  containing carbon",
1006   journal =      "Solid State Commun.",
1007   volume =       "8",
1008   number =       "3",
1009   pages =        "175--177",
1010   year =         "1970",
1011   note =         "",
1012   ISSN =         "0038-1098",
1013   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
1014   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
1015   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
1016 }
1017
1018 @Article{durand99,
1019   author =       "F. Durand and J. Duby",
1020   affiliation =  "EPM-Madylam, CNRS and INP Grenoble, France",
1021   title =        "Carbon solubility in solid and liquid silicon—{A}
1022                  review with reference to eutectic equilibrium",
1023   journal =      "Journal of Phase Equilibria",
1024   publisher =    "Springer New York",
1025   ISSN =         "1054-9714",
1026   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
1027   pages =        "61--63",
1028   volume =       "20",
1029   issue =        "1",
1030   URL =          "http://dx.doi.org/10.1361/105497199770335956",
1031   note =         "10.1361/105497199770335956",
1032   year =         "1999",
1033   notes =        "better c solubility limit in silicon",
1034 }
1035
1036 @Article{watkins76,
1037   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
1038                  Atom in Silicon",
1039   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
1040   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1041   volume =       "36",
1042   number =       "22",
1043   pages =        "1329--1332",
1044   numpages =     "3",
1045   year =         "1976",
1046   month =        may,
1047   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
1048   publisher =    "American Physical Society",
1049   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
1050                  silicon",
1051 }
1052
1053 @Article{song90,
1054   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
1055                  interstitial carbon in silicon",
1056   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
1057   journal =      "Phys. Rev. B",
1058   volume =       "42",
1059   number =       "9",
1060   pages =        "5759--5764",
1061   numpages =     "5",
1062   year =         "1990",
1063   month =        sep,
1064   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
1065   publisher =    "American Physical Society",
1066   notes =        "carbon diffusion in silicon",
1067 }
1068
1069 @Article{tipping87,
1070   author =       "A K Tipping and R C Newman",
1071   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
1072                  silicon",
1073   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
1074   volume =       "2",
1075   number =       "5",
1076   pages =        "315--317",
1077   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
1078   year =         "1987",
1079   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
1080                  silicon",
1081 }
1082
1083 @Article{isomae93,
1084   author =       "Seiichi Isomae and Tsutomu Ishiba and Toshio Ando and
1085                  Masao Tamura",
1086   collaboration = "",
1087   title =        "Annealing behavior of Me{V} implanted carbon in
1088                  silicon",
1089   publisher =    "AIP",
1090   year =         "1993",
1091   journal =      "J. Appl. Phys.",
1092   volume =       "74",
1093   number =       "6",
1094   pages =        "3815--3820",
1095   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; WAFERS; CARBON IONS; MEV
1096                  RANGE 0110; TEM; SIMS; INFRARED SPECTRA; STRAINS; DEPTH
1097                  PROFILES",
1098   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/3815/1",
1099   doi =          "10.1063/1.354474",
1100   notes =        "c at interstitial location for rt implantation in si",
1101 }
1102
1103 @Article{strane96,
1104   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
1105                  ion implantation and solid phase epitaxy",
1106   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
1107                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1108   journal =      "J. Appl. Phys.",
1109   volume =       "79",
1110   pages =        "637",
1111   year =         "1996",
1112   month =        jan,
1113   doi =          "10.1063/1.360806",
1114   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
1115 }
1116
1117 @Article{laveant2002,
1118   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1119   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1120   volume =       "89",
1121   number =       "1-3",
1122   pages =        "241--245",
1123   year =         "2002",
1124   ISSN =         "0921-5107",
1125   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1126   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1127   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1128                  G{\"{o}}sele",
1129   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1130                  stress, avoid sic precipitation",
1131 }
1132
1133 @Article{foell77,
1134   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1135                  agglomeration of self-interstitials",
1136   journal =      "J. Cryst. Growth",
1137   volume =       "40",
1138   number =       "1",
1139   pages =        "90--108",
1140   year =         "1977",
1141   note =         "",
1142   ISSN =         "0022-0248",
1143   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1144   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1145   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1146   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1147                  agglomerate",
1148 }
1149
1150 @Article{foell81,
1151   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1152                  defects",
1153   journal =      "J. Cryst. Growth",
1154   volume =       "52",
1155   number =       "Part 2",
1156   pages =        "907--916",
1157   year =         "1981",
1158   note =         "",
1159   ISSN =         "0022-0248",
1160   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1161   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1162   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1163   notes =        "swirl review",
1164 }
1165
1166 @Article{werner97,
1167   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1168                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1169   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1170                  silicon by transmission electron microscopy",
1171   publisher =    "AIP",
1172   year =         "1997",
1173   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1174   volume =       "70",
1175   number =       "2",
1176   pages =        "252--254",
1177   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1178                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1179                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1180                  layers; precipitation",
1181   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1182   doi =          "10.1063/1.118381",
1183   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1184                  precipitate",
1185 }
1186
1187 @InProceedings{werner96,
1188   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1189                  Eichler",
1190   booktitle =    "Proceedings of the 11th International Conference on
1191                  Ion Implantation Technology.",
1192   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1193                  implanted silicon",
1194   year =         "1996",
1195   month =        jun,
1196   volume =       "",
1197   number =       "",
1198   pages =        "675--678",
1199   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1200   ISSN =         "",
1201   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1202 }
1203
1204 @Article{werner98,
1205   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1206                  D. C. Jacobson",
1207   collaboration = "",
1208   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1209   publisher =    "AIP",
1210   year =         "1998",
1211   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1212   volume =       "73",
1213   number =       "17",
1214   pages =        "2465--2467",
1215   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1216                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1217                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1218                  impurity distribution",
1219   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1220   doi =          "10.1063/1.122483",
1221   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1222 }
1223
1224 @Article{kalejs84,
1225   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1226   collaboration = "",
1227   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1228                  silicon",
1229   publisher =    "AIP",
1230   year =         "1984",
1231   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1232   volume =       "45",
1233   number =       "3",
1234   pages =        "268--269",
1235   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1236                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1237                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1238   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1239   doi =          "10.1063/1.95167",
1240   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1241 }
1242
1243 @Article{fukami90,
1244   author =       "Akira Fukami and Ken-ichi Shoji and Takahiro Nagano
1245                  and Cary Y. Yang",
1246   collaboration = "",
1247   title =        "Characterization of SiGe/Si heterostructures formed by
1248                  Ge[sup + ] and {C}[sup + ] implantation",
1249   publisher =    "AIP",
1250   year =         "1990",
1251   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1252   volume =       "57",
1253   number =       "22",
1254   pages =        "2345--2347",
1255   keywords =     "HETEROJUNCTIONS; ION IMPLANTATION; HETEROSTRUCTURES;
1256                  FABRICATION; PN JUNCTIONS; LEAKAGE CURRENT; GERMANIUM
1257                  SILICIDES; SILICON; ELECTRICAL PROPERTIES; SOLIDPHASE
1258                  EPITAXY; CARBON IONS; GERMANIUM IONS",
1259   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/57/2345/1",
1260   doi =          "10.1063/1.103888",
1261 }
1262
1263 @Article{strane93,
1264   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and B. L.
1265                  Doyle and S. T. Picraux and J. W. Mayer",
1266   collaboration = "",
1267   title =        "Metastable SiGe{C} formation by solid phase epitaxy",
1268   publisher =    "AIP",
1269   year =         "1993",
1270   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1271   volume =       "63",
1272   number =       "20",
1273   pages =        "2786--2788",
1274   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; TERNARY ALLOY
1275                  SYSTEMS; EPITAXY; ION IMPLANTATION; METASTABLE STATES;
1276                  ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; RUTHERFORD
1277                  SCATTERING; XRAY DIFFRACTION; STRAINS; SOLIDPHASE
1278                  EPITAXY; AMORPHIZATION",
1279   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/63/2786/1",
1280   doi =          "10.1063/1.110334",
1281 }
1282
1283 @Article{goorsky92,
1284   author =       "M. S. Goorsky and S. S. Iyer and K. Eberl and F.
1285                  Legoues and J. Angilello and F. Cardone",
1286   collaboration = "",
1287   title =        "Thermal stability of Si[sub 1 - x]{C}[sub x]/Si
1288                  strained layer superlattices",
1289   publisher =    "AIP",
1290   year =         "1992",
1291   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1292   volume =       "60",
1293   number =       "22",
1294   pages =        "2758--2760",
1295   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
1296                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; SUPERLATTICES; ANNEALING;
1297                  CHEMICAL COMPOSITION; INTERNAL STRAINS; STRESS
1298                  RELAXATION; THERMAL INSTABILITIES; INTERFACE STRUCTURE;
1299                  DIFFUSION; PRECIPITATION; TEMPERATURE EFFECTS",
1300   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/2758/1",
1301   doi =          "10.1063/1.106868",
1302 }
1303
1304 @Article{strane94,
1305   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1306                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1307   collaboration = "",
1308   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1309                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1310   publisher =    "AIP",
1311   year =         "1994",
1312   journal =      "J. Appl. Phys.",
1313   volume =       "76",
1314   number =       "6",
1315   pages =        "3656--3668",
1316   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1317   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1318   doi =          "10.1063/1.357429",
1319   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1320                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1321                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1322                  energy",
1323 }
1324
1325 @Article{fischer95,
1326   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1327                  Osten",
1328   collaboration = "",
1329   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1330                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1331   publisher =    "AIP",
1332   year =         "1995",
1333   journal =      "J. Appl. Phys.",
1334   volume =       "77",
1335   number =       "5",
1336   pages =        "1934--1937",
1337   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1338                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1339                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1340                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1341   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1342   doi =          "10.1063/1.358826",
1343 }
1344
1345 @Article{edgar92,
1346   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1347                  semiconductors",
1348   author =       "J. H. Edgar",
1349   journal =      "J. Mater. Res.",
1350   volume =       "7",
1351   pages =        "235",
1352   year =         "1992",
1353   month =        jan,
1354   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1355   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1356                  polytypes",
1357 }
1358
1359 @Article{zirkelbach2007,
1360   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1361                  process leading to ordered precipitate structures",
1362   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1363                  and B. Stritzker",
1364   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1365   volume =       "257",
1366   number =       "1--2",
1367   pages =        "75--79",
1368   numpages =     "5",
1369   year =         "2007",
1370   month =        apr,
1371   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1372   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1373                  NETHERLANDS",
1374   abstract =     "Periodically arranged, selforganised, nanometric,
1375                  amorphous precipitates have been observed after
1376                  high-fluence ion implantations into solids for a number
1377                  of ion/target combinations at certain implantation
1378                  conditions. A model describing the ordering process
1379                  based on compressive stress exerted by the amorphous
1380                  inclusions as a result of the density change upon
1381                  amorphisation is introduced. A Monte Carlo simulation
1382                  code, which focuses on high-fluence carbon
1383                  implantations into silicon, is able to reproduce
1384                  experimentally observed nanolamella distributions as
1385                  well as the formation of continuous amorphous layers.
1386                  By means of simulation, the selforganisation process
1387                  becomes traceable and detailed information about the
1388                  compositional and structural state during the ordering
1389                  process is obtained. Based on simulation results, a
1390                  recipe is proposed for producing broad distributions of
1391                  ordered lamellar structures.",
1392 }
1393
1394 @Article{zirkelbach2006,
1395   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1396                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1397                  during ion irradiation",
1398   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1399                  and B. Stritzker",
1400   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1401   volume =       "242",
1402   number =       "1--2",
1403   pages =        "679--682",
1404   numpages =     "4",
1405   year =         "2006",
1406   month =        jan,
1407   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1408   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1409                  NETHERLANDS",
1410   abstract =     "High-dose ion implantation of materials that undergo
1411                  drastic density change upon amorphization at certain
1412                  implantation conditions results in periodically
1413                  arranged, self-organized, nanometric configurations of
1414                  the amorphous phase. A simple model explaining the
1415                  phenomenon is introduced and implemented in a
1416                  Monte-Carlo simulation code. Through simulation
1417                  conditions for observing lamellar precipitates are
1418                  specified and additional information about the
1419                  compositional and structural state during the ordering
1420                  process is gained.",
1421 }
1422
1423 @Article{zirkelbach2005,
1424   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1425                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1426                  ion irradiation",
1427   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1428                  and B. Stritzker",
1429   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1430   volume =       "33",
1431   number =       "1--3",
1432   pages =        "310--316",
1433   numpages =     "7",
1434   year =         "2005",
1435   month =        apr,
1436   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1437   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1438                  NETHERLANDS",
1439   abstract =     "Ion irradiation of materials, which undergo a drastic
1440                  density change upon amorphization have been shown to
1441                  exhibit selforganized, nanometric structures of the
1442                  amorphous phase in the crystalline host lattice. In
1443                  order to better understand the process a
1444                  Monte-Carlo-simulation code based on a simple model is
1445                  developed. In the present work we focus on high-dose
1446                  carbon implantations into silicon. The simulation is
1447                  able to reproduce results gained by cross-sectional TEM
1448                  measurements of high-dose carbon implanted silicon.
1449                  Necessary conditions can be specified for the
1450                  self-organization process and information is gained
1451                  about the compositional and structural state during the
1452                  ordering process which is difficult to be obtained by
1453                  experiment.",
1454 }
1455
1456 @Article{zirkelbach09,
1457   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1458                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1459   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1460   volume =       "159-160",
1461   number =       "",
1462   pages =        "149--152",
1463   year =         "2009",
1464   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1465                  Silicon Materials Research for Electronic and
1466                  Photovoltaic Applications",
1467   ISSN =         "0921-5107",
1468   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1469   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1470   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1471                  B. Stritzker",
1472   keywords =     "Silicon",
1473   keywords =     "Carbon",
1474   keywords =     "Silicon carbide",
1475   keywords =     "Nucleation",
1476   keywords =     "Defect formation",
1477   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1478   abstract =     "The precipitation process of silicon carbide in
1479                  heavily carbon doped silicon is not yet fully
1480                  understood. High resolution transmission electron
1481                  microscopy observations suggest that in a first step
1482                  carbon atoms form C-Si dumbbells on regular Si lattice
1483                  sites which agglomerate into large clusters. In a
1484                  second step, when the cluster size reaches a radius of
1485                  a few nm, the high interfacial energy due to the SiC/Si
1486                  lattice misfit of almost 20\% is overcome and the
1487                  precipitation occurs. By simulation, details of the
1488                  precipitation process can be obtained on the atomic
1489                  level. A recently proposed parametrization of a
1490                  Tersoff-like bond order potential is used to model the
1491                  system appropriately. Preliminary results gained by
1492                  molecular dynamics simulations using this potential are
1493                  presented.",
1494 }
1495
1496 @Article{zirkelbach10,
1497   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1498                  classical potentials and first-principles methods",
1499   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1500                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1501   journal =      "Phys. Rev. B",
1502   volume =       "82",
1503   number =       "9",
1504   pages =        "094110",
1505   numpages =     "6",
1506   year =         "2010",
1507   month =        sep,
1508   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1509   publisher =    "American Physical Society",
1510   abstract =     "A comparative theoretical investigation of carbon
1511                  interstitials in silicon is presented. Calculations
1512                  using classical potentials are compared to
1513                  first-principles density-functional theory calculations
1514                  of the geometries, formation, and activation energies
1515                  of the carbon dumbbell interstitial, showing the
1516                  importance of a quantum-mechanical description of this
1517                  system. In contrast to previous studies, the present
1518                  first-principles calculations of the interstitial
1519                  carbon migration path yield an activation energy that
1520                  excellently matches the experiment. The bond-centered
1521                  interstitial configuration shows a net magnetization of
1522                  two electrons, illustrating the need for spin-polarized
1523                  calculations.",
1524 }
1525
1526 @Article{zirkelbach11,
1527   title =        "Combined ab initio and classical potential simulation
1528                  study on the silicon carbide precipitation in silicon",
1529   journal =      "accepted for publication in Phys. Rev. B",
1530   volume =       "",
1531   number =       "",
1532   pages =        "",
1533   year =         "2011",
1534   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1535                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1536   abstract =     "Atomistic simulations on the silicon carbide
1537                  precipitation in bulk silicon employing both, classical
1538                  potential and first-principles methods are presented.
1539                  The calculations aim at a comprehensive, microscopic
1540                  understanding of the precipitation mechanism in the
1541                  context of controversial discussions in the literature.
1542                  For the quantum-mechanical treatment, basic processes
1543                  assumed in the precipitation process are calculated in
1544                  feasible systems of small size. The migration mechanism
1545                  of a carbon \hkl<1 0 0> interstitial and silicon \hkl<1
1546                  1 0> self-interstitial in otherwise defect-free silicon
1547                  are investigated using density functional theory
1548                  calculations. The influence of a nearby vacancy,
1549                  another carbon interstitial and a substitutional defect
1550                  as well as a silicon self-interstitial has been
1551                  investigated systematically. Interactions of various
1552                  combinations of defects have been characterized
1553                  including a couple of selected migration pathways
1554                  within these configurations. Almost all of the
1555                  investigated pairs of defects tend to agglomerate
1556                  allowing for a reduction in strain. The formation of
1557                  structures involving strong carbon-carbon bonds turns
1558                  out to be very unlikely. In contrast, substitutional
1559                  carbon occurs in all probability. A long range capture
1560                  radius has been observed for pairs of interstitial
1561                  carbon as well as interstitial carbon and vacancies. A
1562                  rather small capture radius is predicted for
1563                  substitutional carbon and silicon self-interstitials.
1564                  Initial assumptions regarding the precipitation
1565                  mechanism of silicon carbide in bulk silicon are
1566                  established and conformability to experimental findings
1567                  is discussed. Furthermore, results of the accurate
1568                  first-principles calculations on defects and carbon
1569                  diffusion in silicon are compared to results of
1570                  classical potential simulations revealing significant
1571                  limitations of the latter method. An approach to work
1572                  around this problem is proposed. Finally, results of
1573                  the classical potential molecular dynamics simulations
1574                  of large systems are examined, which reinforce previous
1575                  assumptions and give further insight into basic
1576                  processes involved in the silicon carbide transition.",
1577 }
1578
1579 @Article{lindner95,
1580   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1581                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1582   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1583                  Layers in Silicon",
1584   journal =      "MRS Proc.",
1585   volume =       "354",
1586   number =       "",
1587   pages =        "171",
1588   year =         "1994",
1589   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1590   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1591   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400420853",
1592   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1593 }
1594
1595 @Article{lindner96,
1596   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1597                  in silicon by ion beam synthesis",
1598   journal =      "Mater. Chem. Phys.",
1599   volume =       "46",
1600   number =       "2-3",
1601   pages =        "147--155",
1602   year =         "1996",
1603   note =         "",
1604   ISSN =         "0254-0584",
1605   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1606   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1607   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1608                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1609                  Stritzker",
1610   notes =        "dose window",
1611 }
1612
1613 @Article{calcagno96,
1614   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1615                  ion implantation",
1616   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1617   volume =       "120",
1618   number =       "1-4",
1619   pages =        "121--124",
1620   year =         "1996",
1621   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1622                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1623   ISSN =         "0168-583X",
1624   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1625   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1626   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1627                  Grimaldi and P. Musumeci",
1628   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1629 }
1630
1631 @Article{lindner98,
1632   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1633                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1634   journal =      "Mater. Sci. Forum",
1635   volume =       "264-268",
1636   pages =        "215--218",
1637   year =         "1998",
1638   note =         "",
1639   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1640   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1641   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1642   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1643                  crystallinity",
1644 }
1645
1646 @Article{lindner99,
1647   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1648                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1649                  layers in silicon",
1650   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1651   volume =       "147",
1652   number =       "1-4",
1653   pages =        "249--255",
1654   year =         "1999",
1655   note =         "",
1656   ISSN =         "0168-583X",
1657   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1658   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1659   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1660   notes =        "two-step implantation process",
1661 }
1662
1663 @Article{lindner99_2,
1664   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1665                  in silicon",
1666   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1667   volume =       "148",
1668   number =       "1-4",
1669   pages =        "528--533",
1670   year =         "1999",
1671   ISSN =         "0168-583X",
1672   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1673   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1674   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1675   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1676 }
1677
1678 @Article{lindner01,
1679   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1680                  Basic physical processes",
1681   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1682   volume =       "178",
1683   number =       "1-4",
1684   pages =        "44--54",
1685   year =         "2001",
1686   note =         "",
1687   ISSN =         "0168-583X",
1688   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1689   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1690   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1691 }
1692
1693 @Article{lindner02,
1694   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1695                  fundamental studies for new technological tricks",
1696   author =       "J. K. N. Lindner",
1697   journal =      "Appl. Phys. A",
1698   volume =       "77",
1699   pages =        "27--38",
1700   year =         "2003",
1701   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1702   notes =        "ibs, burried sic layers",
1703 }
1704
1705 @Article{lindner06,
1706   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1707                  formation and displacive precipitate resolution in the
1708                  {C}-Si system",
1709   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1710   volume =       "26",
1711   number =       "5-7",
1712   pages =        "857--861",
1713   year =         "2006",
1714   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1715                  Applications",
1716   ISSN =         "0928-4931",
1717   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1718   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1719   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1720                  and B. Stritzker",
1721   notes =        "c int diffusion barrier",
1722 }
1723
1724 @Article{ito04,
1725   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1726                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1727                  growth",
1728   journal =      "Appl. Surf. Sci.",
1729   volume =       "238",
1730   number =       "1-4",
1731   pages =        "159--164",
1732   year =         "2004",
1733   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1734   ISSN =         "0169-4332",
1735   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1736   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1737   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1738                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1739   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1740 }
1741
1742 @Article{yamamoto04,
1743   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1744                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1745                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1746   journal =      "J. Cryst. Growth",
1747   volume =       "261",
1748   number =       "2-3",
1749   pages =        "266--270",
1750   year =         "2004",
1751   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1752                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1753   ISSN =         "0022-0248",
1754   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1755   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1756   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1757                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1758   notes =        "gan on 3c-sic",
1759 }
1760
1761 @Article{liu_l02,
1762   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1763   journal =      "Mater. Sci. Eng., R",
1764   volume =       "37",
1765   number =       "3",
1766   pages =        "61--127",
1767   year =         "2002",
1768   note =         "",
1769   ISSN =         "0927-796X",
1770   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1771   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1772   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1773   notes =        "gan substrates",
1774 }
1775
1776 @Article{takeuchi91,
1777   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1778                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1779   journal =      "J. Cryst. Growth",
1780   volume =       "115",
1781   number =       "1-4",
1782   pages =        "634--638",
1783   year =         "1991",
1784   note =         "",
1785   ISSN =         "0022-0248",
1786   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1787   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1788   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1789                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1790   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1791 }
1792
1793 @Article{alder57,
1794   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1795   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1796   publisher =    "AIP",
1797   year =         "1957",
1798   journal =      "J. Chem. Phys.",
1799   volume =       "27",
1800   number =       "5",
1801   pages =        "1208--1209",
1802   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1803   doi =          "10.1063/1.1743957",
1804 }
1805
1806 @Article{alder59,
1807   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1808   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1809   publisher =    "AIP",
1810   year =         "1959",
1811   journal =      "J. Chem. Phys.",
1812   volume =       "31",
1813   number =       "2",
1814   pages =        "459--466",
1815   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1816   doi =          "10.1063/1.1730376",
1817 }
1818
1819 @Article{horsfield96,
1820   title =        "Bond-order potentials: Theory and implementation",
1821   author =       "A. P. Horsfield and A. M. Bratkovsky and M. Fearn and
1822                  D. G. Pettifor and M. Aoki",
1823   journal =      "Phys. Rev. B",
1824   volume =       "53",
1825   number =       "19",
1826   pages =        "12694--12712",
1827   numpages =     "18",
1828   year =         "1996",
1829   month =        may,
1830   doi =          "10.1103/PhysRevB.53.12694",
1831   publisher =    "American Physical Society",
1832 }
1833
1834 @Article{abell85,
1835   title =        "Empirical chemical pseudopotential theory of molecular
1836                  and metallic bonding",
1837   author =       "G. C. Abell",
1838   journal =      "Phys. Rev. B",
1839   volume =       "31",
1840   number =       "10",
1841   pages =        "6184--6196",
1842   numpages =     "12",
1843   year =         "1985",
1844   month =        may,
1845   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.6184",
1846   publisher =    "American Physical Society",
1847 }
1848
1849 @Article{tersoff_si1,
1850   title =        "New empirical model for the structural properties of
1851                  silicon",
1852   author =       "J. Tersoff",
1853   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1854   volume =       "56",
1855   number =       "6",
1856   pages =        "632--635",
1857   numpages =     "3",
1858   year =         "1986",
1859   month =        feb,
1860   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1861   publisher =    "American Physical Society",
1862 }
1863
1864 @Article{dodson87,
1865   title =        "Development of a many-body Tersoff-type potential for
1866                  silicon",
1867   author =       "Brian W. Dodson",
1868   journal =      "Phys. Rev. B",
1869   volume =       "35",
1870   number =       "6",
1871   pages =        "2795--2798",
1872   numpages =     "3",
1873   year =         "1987",
1874   month =        feb,
1875   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.2795",
1876   publisher =    "American Physical Society",
1877 }
1878
1879 @Article{tersoff_si2,
1880   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1881                  covalent systems",
1882   author =       "J. Tersoff",
1883   journal =      "Phys. Rev. B",
1884   volume =       "37",
1885   number =       "12",
1886   pages =        "6991--7000",
1887   numpages =     "9",
1888   year =         "1988",
1889   month =        apr,
1890   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1891   publisher =    "American Physical Society",
1892 }
1893
1894 @Article{tersoff_si3,
1895   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1896                  improved elastic properties",
1897   author =       "J. Tersoff",
1898   journal =      "Phys. Rev. B",
1899   volume =       "38",
1900   number =       "14",
1901   pages =        "9902--9905",
1902   numpages =     "3",
1903   year =         "1988",
1904   month =        nov,
1905   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1906   publisher =    "American Physical Society",
1907 }
1908
1909 @Article{tersoff_c,
1910   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1911                  Applications to Amorphous Carbon",
1912   author =       "J. Tersoff",
1913   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1914   volume =       "61",
1915   number =       "25",
1916   pages =        "2879--2882",
1917   numpages =     "3",
1918   year =         "1988",
1919   month =        dec,
1920   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1921   publisher =    "American Physical Society",
1922 }
1923
1924 @Article{tersoff_m,
1925   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1926                  for multicomponent systems",
1927   author =       "J. Tersoff",
1928   journal =      "Phys. Rev. B",
1929   volume =       "39",
1930   number =       "8",
1931   pages =        "5566--5568",
1932   numpages =     "2",
1933   year =         "1989",
1934   month =        mar,
1935   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1936   publisher =    "American Physical Society",
1937 }
1938
1939 @Article{tersoff90,
1940   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1941   author =       "J. Tersoff",
1942   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1943   volume =       "64",
1944   number =       "15",
1945   pages =        "1757--1760",
1946   numpages =     "3",
1947   year =         "1990",
1948   month =        apr,
1949   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1950   publisher =    "American Physical Society",
1951 }
1952
1953 @Article{fahey89,
1954   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1955   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1956   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1957   volume =       "61",
1958   number =       "2",
1959   pages =        "289--384",
1960   numpages =     "95",
1961   year =         "1989",
1962   month =        apr,
1963   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1964   publisher =    "American Physical Society",
1965 }
1966
1967 @Article{wesch96,
1968   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1969   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1970   volume =       "116",
1971   number =       "1-4",
1972   pages =        "305--321",
1973   year =         "1996",
1974   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1975   ISSN =         "0168-583X",
1976   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1977   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1978   author =       "W. Wesch",
1979 }
1980
1981 @Article{davis91,
1982   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
1983                  Palmour and J. A. Edmond",
1984   journal =      "Proc. IEEE",
1985   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
1986                  optoelectronic device fabrication and characterization
1987                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
1988   year =         "1991",
1989   month =        may,
1990   volume =       "79",
1991   number =       "5",
1992   pages =        "677--701",
1993   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
1994                  diode;SiC;dry etching;electrical
1995                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
1996                  device fabrication;solid-state devices;surface
1997                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
1998                  transistors;Schottky-barrier
1999                  diodes;etching;heterojunction bipolar
2000                  transistors;insulated gate field effect
2001                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
2002                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
2003   doi =          "10.1109/5.90132",
2004   ISSN =         "0018-9219",
2005   notes =        "sic growth methods",
2006 }
2007
2008 @Article{morkoc94,
2009   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
2010                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
2011   collaboration = "",
2012   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
2013                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
2014   publisher =    "AIP",
2015   year =         "1994",
2016   journal =      "J. Appl. Phys.",
2017   volume =       "76",
2018   number =       "3",
2019   pages =        "1363--1398",
2020   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
2021                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
2022                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
2023                  FILMS; INDUSTRY",
2024   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
2025   doi =          "10.1063/1.358463",
2026   notes =        "sic intro, properties",
2027 }
2028
2029 @Article{foo,
2030   author =       "Noch Unbekannt",
2031   title =        "How to find references",
2032   journal =      "Journal of Applied References",
2033   year =         "2009",
2034   volume =       "77",
2035   pages =        "1--23",
2036 }
2037
2038 @Article{tang95,
2039   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
2040                  \beta{}-Si{C}",
2041   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
2042   journal =      "Phys. Rev. B",
2043   volume =       "52",
2044   number =       "21",
2045   pages =        "15150--15159",
2046   numpages =     "9",
2047   year =         "1995",
2048   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
2049   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
2050                  tersoff reparametrization",
2051   publisher =    "American Physical Society",
2052 }
2053
2054 @Article{sarro00,
2055   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
2056   journal =      "Seonsor. Actuator. A",
2057   volume =       "82",
2058   number =       "1-3",
2059   pages =        "210--218",
2060   year =         "2000",
2061   ISSN =         "0924-4247",
2062   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
2063   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
2064   author =       "Pasqualina M. Sarro",
2065   keywords =     "MEMS",
2066   keywords =     "Silicon carbide",
2067   keywords =     "Micromachining",
2068   keywords =     "Mechanical stress",
2069 }
2070
2071 @Article{casady96,
2072   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
2073                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
2074                  review",
2075   journal =      "Solid-State Electron.",
2076   volume =       "39",
2077   number =       "10",
2078   pages =        "1409--1422",
2079   year =         "1996",
2080   ISSN =         "0038-1101",
2081   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
2082   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
2083   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
2084   notes =        "sic intro",
2085 }
2086
2087 @Article{giancarli98,
2088   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
2089                  structural material in fusion power reactor blankets",
2090   journal =      "Fusion Eng. Des.",
2091   volume =       "41",
2092   number =       "1-4",
2093   pages =        "165--171",
2094   year =         "1998",
2095   ISSN =         "0920-3796",
2096   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
2097   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
2098   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
2099                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
2100 }
2101
2102 @Article{pensl93,
2103   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
2104   journal =      "Physica B",
2105   volume =       "185",
2106   number =       "1-4",
2107   pages =        "264--283",
2108   year =         "1993",
2109   ISSN =         "0921-4526",
2110   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
2111   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
2112   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
2113 }
2114
2115 @Article{tairov78,
2116   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
2117                  carbide single crystals",
2118   journal =      "J. Cryst. Growth",
2119   volume =       "43",
2120   number =       "2",
2121   pages =        "209--212",
2122   year =         "1978",
2123   notes =        "modified lely process",
2124   ISSN =         "0022-0248",
2125   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
2126   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
2127   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2128 }
2129
2130 @Article{tairov81,
2131   title =        "General principles of growing large-size single
2132                  crystals of various silicon carbide polytypes",
2133   journal =      "J. Cryst. Growth",
2134   volume =       "52",
2135   number =       "Part 1",
2136   pages =        "146--150",
2137   year =         "1981",
2138   note =         "",
2139   ISSN =         "0022-0248",
2140   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
2141   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
2142   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2143 }
2144
2145 @Article{barrett91,
2146   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
2147   journal =      "J. Cryst. Growth",
2148   volume =       "109",
2149   number =       "1-4",
2150   pages =        "17--23",
2151   year =         "1991",
2152   note =         "",
2153   ISSN =         "0022-0248",
2154   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
2155   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
2156   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
2157                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
2158 }
2159
2160 @Article{barrett93,
2161   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
2162   journal =      "J. Cryst. Growth",
2163   volume =       "128",
2164   number =       "1-4",
2165   pages =        "358--362",
2166   year =         "1993",
2167   note =         "",
2168   ISSN =         "0022-0248",
2169   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
2170   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
2171   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
2172                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
2173                  W. J. Choyke",
2174 }
2175
2176 @Article{stein93,
2177   title =        "Control of polytype formation by surface energy
2178                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
2179                  sublimation method",
2180   journal =      "J. Cryst. Growth",
2181   volume =       "131",
2182   number =       "1-2",
2183   pages =        "71--74",
2184   year =         "1993",
2185   note =         "",
2186   ISSN =         "0022-0248",
2187   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
2188   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
2189   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
2190   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
2191 }
2192
2193 @Article{nishino83,
2194   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
2195                  Will",
2196   collaboration = "",
2197   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
2198                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
2199   publisher =    "AIP",
2200   year =         "1983",
2201   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2202   volume =       "42",
2203   number =       "5",
2204   pages =        "460--462",
2205   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
2206                  monocrystals",
2207   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
2208   doi =          "10.1063/1.93970",
2209   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
2210 }
2211
2212 @Article{nishino87,
2213   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
2214                  and Hiroyuki Matsunami",
2215   collaboration = "",
2216   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
2217                  Si{C} on silicon",
2218   publisher =    "AIP",
2219   year =         "1987",
2220   journal =      "J. Appl. Phys.",
2221   volume =       "61",
2222   number =       "10",
2223   pages =        "4889--4893",
2224   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
2225   doi =          "10.1063/1.338355",
2226   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
2227                  carbonization",
2228 }
2229
2230 @Article{powell87,
2231   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
2232                  Kuczmarski",
2233   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
2234                  Single-Crystal Films on Si",
2235   publisher =    "ECS",
2236   year =         "1987",
2237   journal =      "J. Electrochem. Soc.",
2238   volume =       "134",
2239   number =       "6",
2240   pages =        "1558--1565",
2241   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
2242                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
2243   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
2244   doi =          "10.1149/1.2100708",
2245   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
2246 }
2247
2248 @Article{powell87_2,
2249   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
2250                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
2251   collaboration = "",
2252   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
2253                  off-axis Si substrates",
2254   publisher =    "AIP",
2255   year =         "1987",
2256   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2257   volume =       "51",
2258   number =       "11",
2259   pages =        "823--825",
2260   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
2261                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
2262                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
2263                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
2264                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
2265   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
2266   doi =          "10.1063/1.98824",
2267   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
2268 }
2269
2270 @Article{ueda90,
2271   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
2272   journal =      "J. Cryst. Growth",
2273   volume =       "104",
2274   number =       "3",
2275   pages =        "695--700",
2276   year =         "1990",
2277   note =         "",
2278   ISSN =         "0022-0248",
2279   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
2280   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
2281   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
2282                  Matsunami",
2283   notes =        "step-controlled epitaxy model",
2284 }
2285
2286 @Article{kimoto93,
2287   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
2288                  and Hiroyuki Matsunami",
2289   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
2290                  epitaxy",
2291   publisher =    "AIP",
2292   year =         "1993",
2293   journal =      "J. Appl. Phys.",
2294   volume =       "73",
2295   number =       "2",
2296   pages =        "726--732",
2297   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
2298                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
2299                  VAPOR DEPOSITION",
2300   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
2301   doi =          "10.1063/1.353329",
2302   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
2303 }
2304
2305 @Article{powell90_2,
2306   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2307                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2308                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2309   collaboration = "",
2310   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
2311                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2312   publisher =    "AIP",
2313   year =         "1990",
2314   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2315   volume =       "56",
2316   number =       "15",
2317   pages =        "1442--1444",
2318   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2319                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
2320                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
2321                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
2322   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
2323   doi =          "10.1063/1.102492",
2324   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
2325 }
2326
2327 @Article{kong88_2,
2328   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2329   collaboration = "",
2330   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2331                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2332                  substrates",
2333   publisher =    "AIP",
2334   year =         "1988",
2335   journal =      "J. Appl. Phys.",
2336   volume =       "64",
2337   number =       "5",
2338   pages =        "2672--2679",
2339   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2340                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2341                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2342                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2343                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2344   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2345   doi =          "10.1063/1.341608",
2346 }
2347
2348 @Article{powell90,
2349   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2350                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2351                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2352   collaboration = "",
2353   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2354                  6{H}-Si{C} substrates",
2355   publisher =    "AIP",
2356   year =         "1990",
2357   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2358   volume =       "56",
2359   number =       "14",
2360   pages =        "1353--1355",
2361   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2362                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2363                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2364                  PHASE EPITAXY",
2365   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2366   doi =          "10.1063/1.102512",
2367   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2368 }
2369
2370 @Article{kong88,
2371   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2372                  Rozgonyi and K. L. More",
2373   collaboration = "",
2374   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2375                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2376                  substrates",
2377   publisher =    "AIP",
2378   year =         "1988",
2379   journal =      "J. Appl. Phys.",
2380   volume =       "63",
2381   number =       "8",
2382   pages =        "2645--2650",
2383   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2384                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2385                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2386                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2387                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2388   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2389   doi =          "10.1063/1.341004",
2390 }
2391
2392 @Article{powell91,
2393   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2394                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2395                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2396   collaboration = "",
2397   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2398                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2399   publisher =    "AIP",
2400   year =         "1991",
2401   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2402   volume =       "59",
2403   number =       "3",
2404   pages =        "333--335",
2405   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2406                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2407                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2408   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2409   doi =          "10.1063/1.105587",
2410 }
2411
2412 @Article{yuan95,
2413   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2414                  Thokala and M. J. Loboda",
2415   collaboration = "",
2416   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2417                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2418                  silacyclobutane",
2419   publisher =    "AIP",
2420   year =         "1995",
2421   journal =      "J. Appl. Phys.",
2422   volume =       "78",
2423   number =       "2",
2424   pages =        "1271--1273",
2425   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2426                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2427                  SPECTROPHOTOMETRY",
2428   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2429   doi =          "10.1063/1.360368",
2430   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2431 }
2432
2433 @Article{kaneda87,
2434   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2435                  properties of its p-n junction",
2436   journal =      "J. Cryst. Growth",
2437   volume =       "81",
2438   number =       "1-4",
2439   pages =        "536--542",
2440   year =         "1987",
2441   note =         "",
2442   ISSN =         "0022-0248",
2443   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2444   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2445   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2446                  and Takao Tanaka",
2447   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2448 }
2449
2450 @Article{fissel95,
2451   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2452                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2453                  molecular beam epitaxy",
2454   journal =      "J. Cryst. Growth",
2455   volume =       "154",
2456   number =       "1-2",
2457   pages =        "72--80",
2458   year =         "1995",
2459   ISSN =         "0022-0248",
2460   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2461   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2462   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2463                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2464   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2465 }
2466
2467 @Article{fissel95_apl,
2468   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2469   collaboration = "",
2470   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2471                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2472   publisher =    "AIP",
2473   year =         "1995",
2474   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2475   volume =       "66",
2476   number =       "23",
2477   pages =        "3182--3184",
2478   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2479                  RHEED; NUCLEATION",
2480   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2481   doi =          "10.1063/1.113716",
2482   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2483 }
2484
2485 @Article{fissel96,
2486   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2487                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2488   collaboration = "",
2489   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2490                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2491                  level using surface superstructures",
2492   publisher =    "AIP",
2493   year =         "1996",
2494   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2495   volume =       "68",
2496   number =       "9",
2497   pages =        "1204--1206",
2498   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2499                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2500                  SURFACE STRUCTURE",
2501   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2502   doi =          "10.1063/1.115969",
2503   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2504 }
2505
2506 @Article{righi03,
2507   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2508   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2509                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2510   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2511   volume =       "91",
2512   number =       "13",
2513   pages =        "136101",
2514   numpages =     "4",
2515   year =         "2003",
2516   month =        sep,
2517   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2518   publisher =    "American Physical Society",
2519   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2520 }
2521
2522 @Article{borders71,
2523   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2524   collaboration = "",
2525   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2526                  {IMPLANTATION}",
2527   publisher =    "AIP",
2528   year =         "1971",
2529   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2530   volume =       "18",
2531   number =       "11",
2532   pages =        "509--511",
2533   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2534   doi =          "10.1063/1.1653516",
2535   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2536                  ideas",
2537 }
2538
2539 @Article{edelman76,
2540   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2541                  and E. V. Lubopytova",
2542   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2543                  by ion implantation",
2544   publisher =    "Taylor \& Francis",
2545   year =         "1976",
2546   journal =      "Radiat. Eff.",
2547   volume =       "29",
2548   number =       "1",
2549   pages =        "13--15",
2550   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2551   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2552                  single crystalline",
2553 }
2554
2555 @Article{akimchenko80,
2556   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2557                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2558   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2559                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2560   publisher =    "Taylor \& Francis",
2561   year =         "1980",
2562   journal =      "Radiat. Eff.",
2563   volume =       "48",
2564   number =       "1",
2565   pages =        "7",
2566   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2567   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2568 }
2569
2570 @Article{kimura81,
2571   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2572                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2573                  silicon",
2574   journal =      "Thin Solid Films",
2575   volume =       "81",
2576   number =       "4",
2577   pages =        "319--327",
2578   year =         "1981",
2579   note =         "",
2580   ISSN =         "0040-6090",
2581   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2582   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2583   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2584                  Yugo",
2585 }
2586
2587 @Article{kimura82,
2588   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2589                  the implantation of carbon ions into silicon",
2590   journal =      "Thin Solid Films",
2591   volume =       "94",
2592   number =       "3",
2593   pages =        "191--198",
2594   year =         "1982",
2595   note =         "",
2596   ISSN =         "0040-6090",
2597   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2598   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2599   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2600                  Yugo",
2601 }
2602
2603 @Article{reeson86,
2604   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2605                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2606                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2607   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2608                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2609   publisher =    "Taylor \& Francis",
2610   year =         "1986",
2611   journal =      "Radiat. Eff.",
2612   volume =       "99",
2613   number =       "1",
2614   pages =        "71--81",
2615   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2616   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or time,
2617                  no c redistribution",
2618 }
2619
2620 @Article{reeson87,
2621   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2622                  J. Davis and G. E. Celler",
2623   collaboration = "",
2624   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2625                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2626   publisher =    "AIP",
2627   year =         "1987",
2628   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2629   volume =       "51",
2630   number =       "26",
2631   pages =        "2242--2244",
2632   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2633                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2634   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2635   doi =          "10.1063/1.98953",
2636   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2637 }
2638
2639 @Article{martin90,
2640   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2641                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2642   collaboration = "",
2643   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2644   publisher =    "AIP",
2645   year =         "1990",
2646   journal =      "J. Appl. Phys.",
2647   volume =       "67",
2648   number =       "6",
2649   pages =        "2908--2912",
2650   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2651                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2652                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2653                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2654                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2655                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2656   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2657   doi =          "10.1063/1.346092",
2658   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2659                  temepratures",
2660 }
2661
2662 @Article{scace59,
2663   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2664   collaboration = "",
2665   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2666   publisher =    "AIP",
2667   year =         "1959",
2668   journal =      "J. Chem. Phys.",
2669   volume =       "30",
2670   number =       "6",
2671   pages =        "1551--1555",
2672   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2673   doi =          "10.1063/1.1730236",
2674   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2675 }
2676
2677 @Article{hofker74,
2678   author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
2679                  Koeman",
2680   affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
2681                  Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
2682                  Netherlands",
2683   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
2684                  charge carrier and boron concentration profiles",
2685   journal =      "Appl. Phys. A",
2686   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
2687   ISSN =         "0947-8396",
2688   keyword =      "Physics and Astronomy",
2689   pages =        "125--133",
2690   volume =       "4",
2691   issue =        "2",
2692   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
2693   note =         "10.1007/BF00884267",
2694   year =         "1974",
2695   notes =        "first time ted (only for boron?)",
2696 }
2697
2698 @Article{michel87,
2699   author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
2700                  H. Kastl",
2701   collaboration = "",
2702   title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
2703                  implanted boron into silicon",
2704   publisher =    "AIP",
2705   year =         "1987",
2706   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2707   volume =       "50",
2708   number =       "7",
2709   pages =        "416--418",
2710   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
2711                  BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
2712                  HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
2713   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
2714   doi =          "10.1063/1.98160",
2715   notes =        "ted of boron in si",
2716 }
2717
2718 @Article{cowern90,
2719   author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
2720                  Jos",
2721   collaboration = "",
2722   title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
2723                  time, and matrix dependence of atomic and electrical
2724                  profiles",
2725   publisher =    "AIP",
2726   year =         "1990",
2727   journal =      "J. Appl. Phys.",
2728   volume =       "68",
2729   number =       "12",
2730   pages =        "6191--6198",
2731   keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
2732                  DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
2733                  CRYSTALS; AMORPHIZATION",
2734   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
2735   doi =          "10.1063/1.346910",
2736   notes =        "ted of boron in si",
2737 }
2738
2739 @Article{cowern96,
2740   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2741                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2742   collaboration = "",
2743   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2744                  {B} in silicon",
2745   publisher =    "AIP",
2746   year =         "1996",
2747   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2748   volume =       "68",
2749   number =       "8",
2750   pages =        "1150--1152",
2751   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2752                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2753                  SILICON",
2754   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2755   doi =          "10.1063/1.115706",
2756   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2757 }
2758
2759 @Article{stolk95,
2760   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2761                  of the silicon self-interstitial",
2762   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2763   volume =       "96",
2764   number =       "1-2",
2765   pages =        "187--195",
2766   year =         "1995",
2767   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2768                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2769   ISSN =         "0168-583X",
2770   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2771   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2772   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2773                  and J. M. Poate",
2774 }
2775
2776 @Article{stolk97,
2777   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2778                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2779                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2780                  E. Haynes",
2781   collaboration = "",
2782   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2783                  diffusion in ion-implanted silicon",
2784   publisher =    "AIP",
2785   year =         "1997",
2786   journal =      "J. Appl. Phys.",
2787   volume =       "81",
2788   number =       "9",
2789   pages =        "6031--6050",
2790   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2791   doi =          "10.1063/1.364452",
2792   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2793 }
2794
2795 @Article{powell94,
2796   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2797   collaboration = "",
2798   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2799                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2800   publisher =    "AIP",
2801   year =         "1994",
2802   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2803   volume =       "64",
2804   number =       "3",
2805   pages =        "324--326",
2806   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2807                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2808                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2809                  SYNTHESIS",
2810   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2811   doi =          "10.1063/1.111195",
2812   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2813 }
2814
2815 @Article{soref91,
2816   author =       "Richard A. Soref",
2817   collaboration = "",
2818   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2819                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2820   publisher =    "AIP",
2821   year =         "1991",
2822   journal =      "J. Appl. Phys.",
2823   volume =       "70",
2824   number =       "4",
2825   pages =        "2470--2472",
2826   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2827                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2828                  TERNARY ALLOYS",
2829   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2830   doi =          "10.1063/1.349403",
2831   notes =        "band gap of strained si by c",
2832 }
2833
2834 @Article{kasper91,
2835   author =       "E Kasper",
2836   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2837                  possibility to produce direct band gap material",
2838   journal =      "Phys. Scr.",
2839   volume =       "T35",
2840   pages =        "232--236",
2841   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2842   year =         "1991",
2843   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2844                  quasi-direct one",
2845 }
2846
2847 @Article{eberl92,
2848   author =       "K. Eberl and S. S. Iyer and S. Zollner and J. C. Tsang
2849                  and F. K. LeGoues",
2850   collaboration = "",
2851   title =        "Growth and strain compensation effects in the ternary
2852                  Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloy system",
2853   publisher =    "AIP",
2854   year =         "1992",
2855   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2856   volume =       "60",
2857   number =       "24",
2858   pages =        "3033--3035",
2859   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; CARBON ALLOYS;
2860                  TERNARY ALLOYS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; MOLECULAR BEAM
2861                  EPITAXY; INTERNAL STRAINS; TEMPERATURE EFFECTS; CRYSTAL
2862                  STRUCTURE; LATTICE PARAMETERS; XRAY DIFFRACTION; PHASE
2863                  STUDIES",
2864   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/3033/1",
2865   doi =          "10.1063/1.106774",
2866 }
2867
2868 @Article{powell93,
2869   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and F. E. LeGoues and B. A.
2870                  Ek and S. S. Iyer",
2871   collaboration = "",
2872   title =        "Stability of strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random
2873                  alloy layers",
2874   publisher =    "AVS",
2875   year =         "1993",
2876   journal =      "J. Vac. Sci. Technol. B",
2877   volume =       "11",
2878   number =       "3",
2879   pages =        "1064--1068",
2880   location =     "Ottawa (Canada)",
2881   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; STRAINS; THICKNESS;
2882                  METASTABLE PHASES; TWINNING; DISLOCATIONS; MOLECULAR
2883                  BEAM EPITAXY; EPITAXIAL LAYERS; CRITICAL PHENOMENA;
2884                  TEMPERATURE RANGE 400--1000 K; BINARY ALLOYS",
2885   URL =          "http://link.aip.org/link/?JVB/11/1064/1",
2886   doi =          "10.1116/1.587008",
2887   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2888 }
2889
2890 @Article{powell93_2,
2891   title =        "Si[sub 1-x-y]Ge[sub x]{C}[sub y] growth and properties
2892                  of the ternary system",
2893   journal =      "J. Cryst. Growth",
2894   volume =       "127",
2895   number =       "1-4",
2896   pages =        "425--429",
2897   year =         "1993",
2898   note =         "",
2899   ISSN =         "0022-0248",
2900   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90653-E",
2901   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46J3RF2-8H/2/27fc231f28e4dc0a3b4770e5cf03257e",
2902   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and B. A. Ek and S. S.
2903                  Iyer",
2904 }
2905
2906 @Article{osten94,
2907   author =       "H. J. Osten",
2908   title =        "Modification of Growth Modes in Lattice-Mismatched
2909                  Epitaxial Systems: Si/Ge",
2910   journal =      "phys. status solidi (a)",
2911   volume =       "145",
2912   number =       "2",
2913   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2914   ISSN =         "1521-396X",
2915   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211450203",
2916   doi =          "10.1002/pssa.2211450203",
2917   pages =        "235--245",
2918   year =         "1994",
2919 }
2920
2921 @Article{dietrich94,
2922   title =        "Lattice distortion in a strain-compensated
2923                  $Si_{1-x-y}$$Ge_{x}$${C}_{y}$ layer on silicon",
2924   author =       "B. Dietrich and H. J. Osten and H. R{\"u}cker and M.
2925                  Methfessel and P. Zaumseil",
2926   journal =      "Phys. Rev. B",
2927   volume =       "49",
2928   number =       "24",
2929   pages =        "17185--17190",
2930   numpages =     "5",
2931   year =         "1994",
2932   month =        jun,
2933   doi =          "10.1103/PhysRevB.49.17185",
2934   publisher =    "American Physical Society",
2935 }
2936
2937 @Article{osten94_2,
2938   author =       "H. J. Osten and E. Bugiel and P. Zaumseil",
2939   collaboration = "",
2940   title =        "Growth of an inverse tetragonal distorted SiGe layer
2941                  on Si(001) by adding small amounts of carbon",
2942   publisher =    "AIP",
2943   year =         "1994",
2944   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2945   volume =       "64",
2946   number =       "25",
2947   pages =        "3440--3442",
2948   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; FILM GROWTH; CARBON
2949                  ALLOYS; TERNARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TEM;
2950                  XRD; LATTICE PARAMETERS; EPITAXIAL LAYERS; TETRAGONAL
2951                  LATTICES",
2952   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/3440/1",
2953   doi =          "10.1063/1.111235",
2954   notes =        "inversely strained / distorted heterostructure",
2955 }
2956
2957 @Article{iyer92,
2958   author =       "S. S. Iyer and K. Eberl and M. S. Goorsky and F. K.
2959                  LeGoues and J. C. Tsang and F. Cardone",
2960   collaboration = "",
2961   title =        "Synthesis of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys by
2962                  molecular beam epitaxy",
2963   publisher =    "AIP",
2964   year =         "1992",
2965   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2966   volume =       "60",
2967   number =       "3",
2968   pages =        "356--358",
2969   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
2970                  SEMICONDUCTOR ALLOYS; SUPERLATTICES; MOLECULAR BEAM
2971                  EPITAXY; CHEMICAL COMPOSITION; TEMPERATURE EFFECTS;
2972                  FILM GROWTH; MICROSTRUCTURE",
2973   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/356/1",
2974   doi =          "10.1063/1.106655",
2975 }
2976
2977 @Article{osten99,
2978   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2979   collaboration = "",
2980   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2981                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2982                  molecular beam epitaxy",
2983   publisher =    "AIP",
2984   year =         "1999",
2985   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2986   volume =       "74",
2987   number =       "6",
2988   pages =        "836--838",
2989   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2990                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2991                  compounds",
2992   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2993   doi =          "10.1063/1.123384",
2994   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2995 }
2996
2997 @Article{born27,
2998   author =       "M. Born and R. Oppenheimer",
2999   title =        "Zur Quantentheorie der Molekeln",
3000   journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
3001   volume =       "389",
3002   number =       "20",
3003   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3004   ISSN =         "1521-3889",
3005   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19273892002",
3006   doi =          "10.1002/andp.19273892002",
3007   pages =        "457--484",
3008   year =         "1927",
3009 }
3010
3011 @Article{hohenberg64,
3012   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
3013   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
3014   journal =      "Phys. Rev.",
3015   volume =       "136",
3016   number =       "3B",
3017   pages =        "B864--B871",
3018   numpages =     "7",
3019   year =         "1964",
3020   month =        nov,
3021   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
3022   publisher =    "American Physical Society",
3023   notes =        "density functional theory, dft",
3024 }
3025
3026 @Article{thomas27,
3027   title =        "The calculation of atomic fields",
3028   author =       "L. H. Thomas",
3029   journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
3030   volume =       "23",
3031   pages =        "542--548",
3032   year =         "1927",
3033   doi =          "10.1017/S0305004100011683",
3034 }
3035
3036 @Article{fermi27,
3037   title =        "",
3038   author =       "E. Fermi",
3039   journal =      "Atti Accad. Naz. Lincei, Cl. Sci. Fis. Mat. Nat.
3040                  Rend.",
3041   volume =       "6",
3042   pages =        "602",
3043   year =         "1927",
3044 }
3045
3046 @Article{hartree28,
3047   title =        "The Wave Mechanics of an Atom with a Non-Coulomb
3048                  Central Field. Part {I}. Theory and Methods",
3049   author =       "D. R. Hartree",
3050   journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
3051   volume =       "24",
3052   pages =        "89--110",
3053   year =         "1928",
3054   doi =          "10.1017/S0305004100011919",
3055 }
3056
3057 @Article{slater29,
3058   title =        "The Theory of Complex Spectra",
3059   author =       "J. C. Slater",
3060   journal =      "Phys. Rev.",
3061   volume =       "34",
3062   number =       "10",
3063   pages =        "1293--1322",
3064   numpages =     "29",
3065   year =         "1929",
3066   month =        nov,
3067   doi =          "10.1103/PhysRev.34.1293",
3068   publisher =    "American Physical Society",
3069 }
3070
3071 @Article{kohn65,
3072   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
3073                  Correlation Effects",
3074   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
3075   journal =      "Phys. Rev.",
3076   volume =       "140",
3077   number =       "4A",
3078   pages =        "A1133--A1138",
3079   numpages =     "5",
3080   year =         "1965",
3081   month =        nov,
3082   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
3083   publisher =    "American Physical Society",
3084   notes =        "dft, exchange and correlation",
3085 }
3086
3087 @Article{kohn96,
3088   title =        "Density Functional and Density Matrix Method Scaling
3089                  Linearly with the Number of Atoms",
3090   author =       "W. Kohn",
3091   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3092   volume =       "76",
3093   number =       "17",
3094   pages =        "3168--3171",
3095   numpages =     "3",
3096   year =         "1996",
3097   month =        apr,
3098   doi =          "10.1103/PhysRevLett.76.3168",
3099   publisher =    "American Physical Society",
3100 }
3101
3102 @Article{kohn98,
3103   title =        "Edge Electron Gas",
3104   author =       "Walter Kohn and Ann E. Mattsson",
3105   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3106   volume =       "81",
3107   number =       "16",
3108   pages =        "3487--3490",
3109   numpages =     "3",
3110   year =         "1998",
3111   month =        oct,
3112   doi =          "10.1103/PhysRevLett.81.3487",
3113   publisher =    "American Physical Society",
3114 }
3115
3116 @Article{kohn99,
3117   title =        "Nobel Lecture: Electronic structure of matter---wave
3118                  functions and density functionals",
3119   author =       "W. Kohn",
3120   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
3121   volume =       "71",
3122   number =       "5",
3123   pages =        "1253--1266",
3124   numpages =     "13",
3125   year =         "1999",
3126   month =        oct,
3127   doi =          "10.1103/RevModPhys.71.1253",
3128   publisher =    "American Physical Society",
3129 }
3130
3131 @Article{payne92,
3132   title =        "Iterative minimization techniques for ab initio
3133                  total-energy calculations: molecular dynamics and
3134                  conjugate gradients",
3135   author =       "M. C. Payne and M. P. Teter and D. C. Allan and T. A.
3136                  Arias and J. D. Joannopoulos",
3137   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
3138   volume =       "64",
3139   number =       "4",
3140   pages =        "1045--1097",
3141   numpages =     "52",
3142   year =         "1992",
3143   month =        oct,
3144   doi =          "10.1103/RevModPhys.64.1045",
3145   publisher =    "American Physical Society",
3146 }
3147
3148 @Article{levy82,
3149   title =        "Electron densities in search of Hamiltonians",
3150   author =       "Mel Levy",
3151   journal =      "Phys. Rev. A",
3152   volume =       "26",
3153   number =       "3",
3154   pages =        "1200--1208",
3155   numpages =     "8",
3156   year =         "1982",
3157   month =        sep,
3158   doi =          "10.1103/PhysRevA.26.1200",
3159   publisher =    "American Physical Society",
3160 }
3161
3162 @Article{ruecker94,
3163   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
3164                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
3165   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
3166                  J. Osten",
3167   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3168   volume =       "72",
3169   number =       "22",
3170   pages =        "3578--3581",
3171   numpages =     "3",
3172   year =         "1994",
3173   month =        may,
3174   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
3175   publisher =    "American Physical Society",
3176   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
3177                  si, dft",
3178 }
3179
3180 @Article{yagi02,
3181   title =        "Phosphorous Doping of Strain-Induced
3182                  Si$_{1-y}${C}$_{y}$ Epitaxial Films Grown\\
3183                  by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition",
3184   author =       "Shuhei Yagi and Katsuya Abe and Takashi Okabayashi and
3185                  Yuichi Yoneyama and Akira Yamada and Makoto Konagai",
3186   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3187   volume =       "41",
3188   number =       "Part 1, No. 4B",
3189   pages =        "2472--2475",
3190   numpages =     "3",
3191   year =         "2002",
3192   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/41/2472/",
3193   doi =          "10.1143/JJAP.41.2472",
3194   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3195   notes =        "experimental charge carrier mobility in strained si",
3196 }
3197
3198 @Article{chang05,
3199   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
3200                  Alloy",
3201   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
3202   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3203   volume =       "44",
3204   number =       "4B",
3205   pages =        "2257--2262",
3206   numpages =     "5",
3207   year =         "2005",
3208   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
3209   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
3210   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3211   notes =        "enhance of electron mobility in strained si",
3212 }
3213
3214 @Article{kissinger94,
3215   author =       "W. Kissinger and M. Weidner and H. J. Osten and M.
3216                  Eichler",
3217   collaboration = "",
3218   title =        "Optical transitions in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub
3219                  y] layers on Si(001)",
3220   publisher =    "AIP",
3221   year =         "1994",
3222   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3223   volume =       "65",
3224   number =       "26",
3225   pages =        "3356--3358",
3226   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERNAL STRAINS; EPITAXIAL LAYERS;
3227                  CHEMICAL COMPOSITION; ELLIPSOMETRY; REFLECTION
3228                  SPECTROSCOPY; ELECTROOPTICAL EFFECTS; BAND STRUCTURE;
3229                  ENERGY LEVELS; ENERGYLEVEL TRANSITIONS",
3230   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/3356/1",
3231   doi =          "10.1063/1.112390",
3232   notes =        "strained si influence on optical properties",
3233 }
3234
3235 @Article{osten96,
3236   author =       "H. J. Osten and Myeongcheol Kim and K. Pressel and P.
3237                  Zaumseil",
3238   collaboration = "",
3239   title =        "Substitutional versus interstitial carbon
3240                  incorporation during pseudomorphic growth of Si[sub 1 -
3241                  y]{C}[sub y] on Si(001)",
3242   publisher =    "AIP",
3243   year =         "1996",
3244   journal =      "J. Appl. Phys.",
3245   volume =       "80",
3246   number =       "12",
3247   pages =        "6711--6715",
3248   keywords =     "SILICON CARBIDES; CRYSTAL DEFECTS; FILM GROWTH;
3249                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; INTERSTITIALS; SUBSTITUTION;
3250                  XRD; STRAINS",
3251   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/80/6711/1",
3252   doi =          "10.1063/1.363797",
3253   notes =        "mbe substitutional vs interstitial c incorporation",
3254 }
3255
3256 @Article{osten97,
3257   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
3258   collaboration = "",
3259   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3260                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
3261                  Si(001)",
3262   publisher =    "AIP",
3263   year =         "1997",
3264   journal =      "J. Appl. Phys.",
3265   volume =       "82",
3266   number =       "10",
3267   pages =        "4977--4981",
3268   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
3269                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
3270                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
3271   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
3272   doi =          "10.1063/1.366364",
3273   notes =        "charge transport in strained si",
3274 }
3275
3276 @Article{kapur04,
3277   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
3278                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
3279   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
3280   journal =      "Phys. Rev. B",
3281   volume =       "69",
3282   number =       "15",
3283   pages =        "155214",
3284   numpages =     "8",
3285   year =         "2004",
3286   month =        apr,
3287   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
3288   publisher =    "American Physical Society",
3289   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
3290 }
3291
3292 @Article{barkema96,
3293   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
3294                  Systems",
3295   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
3296   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3297   volume =       "