added talks + literature suggested by ref
[lectures/latex.git] / bibdb / bibdb.bib
1 %
2 % bibliography database
3 %
4
5 @Article{schroedinger26,
6   author =       "E. Schrödinger",
7   title =        "Quantisierung als Eigenwertproblem",
8   journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
9   volume =       "384",
10   number =       "4",
11   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
12   ISSN =         "1521-3889",
13   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19263840404",
14   doi =          "10.1002/andp.19263840404",
15   pages =        "361--376",
16   year =         "1926",
17 }
18
19 @Article{bloch29,
20   author =       "Felix Bloch",
21   affiliation =  "Institut d. Universität f. theor. Physik Leipzig",
22   title =        "Über die Quantenmechanik der Elektronen in
23                  Kristallgittern",
24   journal =      "Z. Phys.",
25   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
26   ISSN =         "0939-7922",
27   keyword =      "Physics and Astronomy",
28   pages =        "555--600",
29   volume =       "52",
30   issue =        "7",
31   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF01339455",
32   note =         "10.1007/BF01339455",
33   year =         "1929",
34 }
35
36 @Article{albe_sic_pot,
37   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
38   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
39                  silicon, carbon, and silicon carbide",
40   publisher =    "APS",
41   year =         "2005",
42   journal =      "Phys. Rev. B",
43   volume =       "71",
44   number =       "3",
45   eid =          "035211",
46   numpages =     "14",
47   pages =        "035211",
48   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
49                  potential (ABOP)",
50   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
51                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
52                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
53                  forces",
54   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
55   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
56 }
57
58 @Article{erhart04,
59   title =        "The role of thermostats in modeling vapor phase
60                  condensation of silicon nanoparticles",
61   journal =      "Appl. Surf. Sci.",
62   volume =       "226",
63   number =       "1-3",
64   pages =        "12--18",
65   year =         "2004",
66   note =         "EMRS 2003 Symposium F, Nanostructures from Clusters",
67   ISSN =         "0169-4332",
68   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2003.11.003",
69   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4B957HV-8/2/b35dbe80a70d173f6f7a00dacbcbd738",
70   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
71 }
72
73 @Article{albe2002,
74   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
75                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
76   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
77   journal =      "Phys. Rev. B",
78   volume =       "65",
79   number =       "19",
80   pages =        "195124",
81   numpages =     "11",
82   year =         "2002",
83   month =        may,
84   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
85   publisher =    "American Physical Society",
86   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
87 }
88
89 @Article{newman65,
90   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
91   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
92   volume =       "26",
93   number =       "2",
94   pages =        "373--379",
95   year =         "1965",
96   note =         "",
97   ISSN =         "0022-3697",
98   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
99   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
100   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
101   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
102 }
103
104 @Article{baker68,
105   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
106                  Buschert",
107   collaboration = "",
108   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
109   publisher =    "AIP",
110   year =         "1968",
111   journal =      "J. Appl. Phys.",
112   volume =       "39",
113   number =       "9",
114   pages =        "4365--4368",
115   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
116   doi =          "10.1063/1.1656977",
117   notes =        "lattice contraction due to subst c",
118 }
119
120 @Article{bean71,
121   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
122   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
123   volume =       "32",
124   number =       "6",
125   pages =        "1211--1219",
126   year =         "1971",
127   note =         "",
128   ISSN =         "0022-3697",
129   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
130   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
131   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
132   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
133 }
134
135 @Article{capano97,
136   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
137   title =        "Silicon carbide electronic materials and devices",
138   journal =      "MRS Bull.",
139   year =         "1997",
140   volume =       "22",
141   number =       "3",
142   pages =        "19--22",
143   publisher =    "MATERIALS RESEARCH SOCIETY",
144 }
145
146 @Article{capano97_old,
147   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
148   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
149   journal =      "MRS Bull.",
150   volume =       "22",
151   pages =        "19",
152   year =         "1997",
153 }
154
155 @Article{fischer90,
156   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
157   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
158                  carbide",
159   journal =      "Philos. Mag. B",
160   volume =       "61",
161   pages =        "217--236",
162   year =         "1990",
163   notes =        "sic polytypes",
164 }
165
166 @Article{koegler03,
167   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
168                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
169                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
170   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
171                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
172                  ions",
173   journal =      "Appl. Phys. A",
174   volume =       "76",
175   pages =        "827--835",
176   month =        mar,
177   year =         "2003",
178   URL =          "http://www.springerlink.com/content/jr8xj33mqc5vpwwj/",
179   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
180                  precipitation by interstitial and substitutional
181                  carbon, both mechanisms explained + refs",
182 }
183
184 @Article{skorupa96,
185   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
186                  silicon-related materials",
187   journal =      "Mater. Chem. Phys.",
188   volume =       "44",
189   number =       "2",
190   pages =        "101--143",
191   year =         "1996",
192   note =         "",
193   ISSN =         "0254-0584",
194   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
195   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
196   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
197   notes =        "review of silicon carbon compound",
198 }
199
200 @Book{laplace,
201   author =       "P. S. de Laplace",
202   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
203   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
204   volume =       "VII",
205   publisher =    "Gauthier-Villars",
206   year =         "1820",
207 }
208
209 @Article{mattoni2007,
210   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
211   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
212                  materials}",
213   journal =      "Phys. Rev. B",
214   year =         "2007",
215   month =        dec,
216   volume =       "76",
217   number =       "22",
218   pages =        "224103",
219   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
220   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
221                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
222                  fracture, more available potentials, universal energy
223                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
224 }
225
226 @Article{balamane92,
227   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
228                  potentials",
229   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
230   journal =      "Phys. Rev. B",
231   volume =       "46",
232   number =       "4",
233   pages =        "2250--2279",
234   numpages =     "29",
235   year =         "1992",
236   month =        jul,
237   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
238   publisher =    "American Physical Society",
239   notes =        "comparison of classical potentials for si",
240 }
241
242 @Article{koster2002,
243   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
244                  bombardment",
245   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
246   journal =      "Phys. Rev. B",
247   volume =       "62",
248   number =       "16",
249   pages =        "11219--11224",
250   numpages =     "5",
251   year =         "2000",
252   month =        oct,
253   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
254   publisher =    "American Physical Society",
255   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
256 }
257
258 @Article{breadmore99,
259   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
260                  amorphization of silicon",
261   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
262   journal =      "Phys. Rev. B",
263   volume =       "60",
264   number =       "18",
265   pages =        "12610--12616",
266   numpages =     "6",
267   year =         "1999",
268   month =        nov,
269   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
270   publisher =    "American Physical Society",
271   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
272 }
273
274 @Article{nielsen83,
275   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
276   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
277   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
278   volume =       "50",
279   number =       "9",
280   pages =        "697--700",
281   numpages =     "3",
282   year =         "1983",
283   month =        feb,
284   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
285   publisher =    "American Physical Society",
286   notes =        "generalization of virial theorem",
287 }
288
289 @Article{nielsen85,
290   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
291   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
292   journal =      "Phys. Rev. B",
293   volume =       "32",
294   number =       "6",
295   pages =        "3780--3791",
296   numpages =     "11",
297   year =         "1985",
298   month =        sep,
299   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
300   publisher =    "American Physical Society",
301   notes =        "dft virial stress and forces",
302 }
303
304 @Article{moissan04,
305   author =       "Henri Moissan",
306   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
307                  Diablo",
308   journal =      "C. R. Acad. Sci.",
309   volume =       "139",
310   pages =        "773--786",
311   year =         "1904",
312 }
313
314 @Book{park98,
315   author =       "Y. S. Park",
316   title =        "Si{C} Materials and Devices",
317   publisher =    "Academic Press",
318   address =      "San Diego",
319   year =         "1998",
320 }
321
322 @Article{tsvetkov98,
323   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
324                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
325   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
326   journal =      "Mater. Sci. Forum",
327   volume =       "264-268",
328   pages =        "3--8",
329   year =         "1998",
330   notes =        "modified lely process, micropipes",
331 }
332
333 @Article{verlet67,
334   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
335                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
336   author =       "Loup Verlet",
337   journal =      "Phys. Rev.",
338   volume =       "159",
339   number =       "1",
340   pages =        "98",
341   year =         "1967",
342   month =        jul,
343   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
344   publisher =    "American Physical Society",
345   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
346                  motion",
347 }
348
349 @Article{berendsen84,
350   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
351                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
352   collaboration = "",
353   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
354   publisher =    "AIP",
355   year =         "1984",
356   journal =      "J. Chem. Phys.",
357   volume =       "81",
358   number =       "8",
359   pages =        "3684--3690",
360   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
361                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
362   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
363   doi =          "10.1063/1.448118",
364   notes =        "berendsen thermostat barostat",
365 }
366
367 @Article{huang95,
368   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
369                  Baskes",
370   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
371                  in beta -Si{C} using three representative empirical
372                  potentials",
373   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
374   volume =       "3",
375   number =       "5",
376   pages =        "615--627",
377   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
378   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
379                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
380   year =         "1995",
381 }
382
383 @Article{brenner89,
384   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
385                  Tersoff potentials",
386   author =       "Donald W. Brenner",
387   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
388   volume =       "63",
389   number =       "9",
390   pages =        "1022",
391   numpages =     "1",
392   year =         "1989",
393   month =        aug,
394   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
395   publisher =    "American Physical Society",
396   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
397 }
398
399 @Article{batra87,
400   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
401                  silicon",
402   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
403   journal =      "Phys. Rev. B",
404   volume =       "35",
405   number =       "18",
406   pages =        "9552--9558",
407   numpages =     "6",
408   year =         "1987",
409   month =        jun,
410   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
411   publisher =    "American Physical Society",
412   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
413                  calculation of defect formation energy, defect
414                  interstitial types",
415 }
416
417 @Article{schober89,
418   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
419   author =       "H. R. Schober",
420   journal =      "Phys. Rev. B",
421   volume =       "39",
422   number =       "17",
423   pages =        "13013--13015",
424   numpages =     "2",
425   year =         "1989",
426   month =        jun,
427   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
428   publisher =    "American Physical Society",
429   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
430                  dumbbell configuration",
431 }
432
433 @Article{gao02a,
434   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
435                  Defect accumulation, topological features, and
436                  disordering",
437   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
438   journal =      "Phys. Rev. B",
439   volume =       "66",
440   number =       "2",
441   pages =        "024106",
442   numpages =     "10",
443   year =         "2002",
444   month =        jul,
445   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
446   publisher =    "American Physical Society",
447   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
448                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
449                  result analyze",
450 }
451
452 @Article{devanathan98,
453   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
454                  cascade in Si{C}",
455   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
456   volume =       "141",
457   number =       "1-4",
458   pages =        "118--122",
459   year =         "1998",
460   ISSN =         "0168-583X",
461   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
462   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
463                  Rubia",
464   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
465                  3c-sic",
466 }
467
468 @Article{devanathan98_2,
469   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
470   journal =      "J. Nucl. Mater.",
471   volume =       "253",
472   number =       "1-3",
473   pages =        "47--52",
474   year =         "1998",
475   ISSN =         "0022-3115",
476   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
477   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
478                  Weber",
479   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
480                  tersoff",
481 }
482
483 @Article{kitabatake00,
484   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
485   author =       "M. Kitabatake",
486   journal =      "Thin Solid Films",
487   volume =       "369",
488   pages =        "257--264",
489   numpages =     "8",
490   year =         "2000",
491   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
492 }
493
494 @Article{tang97,
495   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
496                  Tight-binding molecular dynamics studies of
497                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
498                  formation volumes",
499   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
500                  Rubia",
501   journal =      "Phys. Rev. B",
502   volume =       "55",
503   number =       "21",
504   pages =        "14279--14289",
505   numpages =     "10",
506   year =         "1997",
507   month =        jun,
508   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
509   publisher =    "American Physical Society",
510   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
511 }
512
513 @Article{johnson98,
514   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
515                  Rubia",
516   collaboration = "",
517   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
518                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
519                  presence of carbon and boron",
520   publisher =    "AIP",
521   year =         "1998",
522   journal =      "J. Appl. Phys.",
523   volume =       "84",
524   number =       "4",
525   pages =        "1963--1967",
526   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
527                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
528                  semiconductors; self-diffusion",
529   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
530   doi =          "10.1063/1.368328",
531   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
532                  diffsuion",
533 }
534
535 @Article{bar-yam84,
536   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
537                  Self-Interstitial",
538   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
539   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
540   volume =       "52",
541   number =       "13",
542   pages =        "1129--1132",
543   numpages =     "3",
544   year =         "1984",
545   month =        mar,
546   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
547   publisher =    "American Physical Society",
548   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
549 }
550
551 @Article{bar-yam84_2,
552   title =        "Electronic structure and total-energy migration
553                  barriers of silicon self-interstitials",
554   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
555   journal =      "Phys. Rev. B",
556   volume =       "30",
557   number =       "4",
558   pages =        "1844--1852",
559   numpages =     "8",
560   year =         "1984",
561   month =        aug,
562   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
563   publisher =    "American Physical Society",
564 }
565
566 @Article{bloechl93,
567   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
568                  constants in silicon",
569   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
570                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
571   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
572   volume =       "70",
573   number =       "16",
574   pages =        "2435--2438",
575   numpages =     "3",
576   year =         "1993",
577   month =        apr,
578   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
579   publisher =    "American Physical Society",
580   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
581                  entropy calculations",
582 }
583
584 @Article{munro99,
585   title =        "Defect migration in crystalline silicon",
586   author =       "Lindsey J. Munro and David J. Wales",
587   journal =      "Phys. Rev. B",
588   volume =       "59",
589   number =       "6",
590   pages =        "3969--3980",
591   numpages =     "11",
592   year =         "1999",
593   month =        feb,
594   doi =          "10.1103/PhysRevB.59.3969",
595   publisher =    "American Physical Society",
596   notes =        "eigenvector following method, vacancy and interstiial
597                  defect migration mechanisms",
598 }
599
600 @Article{colombo02,
601   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
602                  silicon",
603   author =       "L. Colombo",
604   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
605   volume =       "32",
606   pages =        "271--295",
607   numpages =     "25",
608   year =         "2002",
609   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
610   publisher =    "Annual Reviews",
611   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
612 }
613
614 @Article{al-mushadani03,
615   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
616                  silicon",
617   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
618   journal =      "Phys. Rev. B",
619   volume =       "68",
620   number =       "23",
621   pages =        "235205",
622   numpages =     "8",
623   year =         "2003",
624   month =        dec,
625   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
626   publisher =    "American Physical Society",
627   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
628                  silicon, si self interstitials, free energy",
629 }
630
631 @Article{mattsson08,
632   title =        "Electronic surface error in the Si interstitial
633                  formation energy",
634   author =       "Ann E. Mattsson and Ryan R. Wixom and Rickard
635                  Armiento",
636   journal =      "Phys. Rev. B",
637   volume =       "77",
638   number =       "15",
639   pages =        "155211",
640   numpages =     "7",
641   year =         "2008",
642   month =        apr,
643   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.155211",
644   publisher =    "American Physical Society",
645   notes =        "si self interstitial formation energies by dft",
646 }
647
648 @Article{goedecker02,
649   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
650   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
651   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
652   volume =       "88",
653   number =       "23",
654   pages =        "235501",
655   numpages =     "4",
656   year =         "2002",
657   month =        may,
658   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
659   publisher =    "American Physical Society",
660   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
661                  silicon",
662 }
663
664 @Article{sahli05,
665   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
666                  self-interstitial diffusion in silicon",
667   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
668   journal =      "Phys. Rev. B",
669   volume =       "72",
670   number =       "24",
671   pages =        "245210",
672   numpages =     "6",
673   year =         "2005",
674   month =        dec,
675   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
676   publisher =    "American Physical Society",
677   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
678                  mapping applied",
679 }
680
681 @Article{hobler05,
682   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
683                  native point defects in silicon",
684   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
685   volume =       "124-125",
686   number =       "",
687   pages =        "368--371",
688   year =         "2005",
689   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
690                  Issues for Future Technologies",
691   ISSN =         "0921-5107",
692   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
693   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
694   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
695   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
696                  radius",
697 }
698
699 @Article{ma10,
700   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
701                  wide temperature range: Point defect states and
702                  migration mechanisms",
703   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
704   journal =      "Phys. Rev. B",
705   volume =       "81",
706   number =       "19",
707   pages =        "193203",
708   numpages =     "4",
709   year =         "2010",
710   month =        may,
711   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
712   publisher =    "American Physical Society",
713   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
714 }
715
716 @Article{posselt06,
717   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
718                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
719   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
720   journal =      "Phys. Rev. B",
721   volume =       "73",
722   number =       "12",
723   pages =        "125206",
724   numpages =     "8",
725   year =         "2006",
726   month =        mar,
727   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
728   publisher =    "American Physical Society",
729 }
730
731 @Article{posselt08,
732   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
733                  migration mechanisms of vacancies and
734                  self-interstitials: An atomistic study",
735   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
736   journal =      "Phys. Rev. B",
737   volume =       "78",
738   number =       "3",
739   pages =        "035208",
740   numpages =     "9",
741   year =         "2008",
742   month =        jul,
743   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
744   publisher =    "American Physical Society",
745   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
746                  weber and tersoff",
747 }
748
749 @Article{gao2001,
750   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
751                  properties in $3{C}-Si{C}$",
752   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
753                  Corrales",
754   journal =      "Phys. Rev. B",
755   volume =       "64",
756   number =       "24",
757   pages =        "245208",
758   numpages =     "7",
759   year =         "2001",
760   month =        dec,
761   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
762   publisher =    "American Physical Society",
763   notes =        "defects in 3c-sic",
764 }
765
766 @Article{gao02,
767   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
768                  3{C}-Si{C}",
769   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
770   volume =       "191",
771   number =       "1-4",
772   pages =        "487--496",
773   year =         "2002",
774   note =         "",
775   ISSN =         "0168-583X",
776   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
777   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
778   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
779   keywords =     "Empirical potential",
780   keywords =     "Defect properties",
781   keywords =     "Silicon carbide",
782   keywords =     "Computer simulation",
783   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
784 }
785
786 @Article{gao04,
787   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
788                  3{C}-Si{C}",
789   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
790                  Belko",
791   journal =      "Phys. Rev. B",
792   volume =       "69",
793   number =       "24",
794   pages =        "245205",
795   numpages =     "5",
796   year =         "2004",
797   month =        jun,
798   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
799   publisher =    "American Physical Society",
800   notes =        "defect migration in sic",
801 }
802
803 @Article{gao07,
804   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
805                  W. J. Weber",
806   collaboration = "",
807   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
808                  in cubic silicon carbide",
809   publisher =    "AIP",
810   year =         "2007",
811   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
812   volume =       "90",
813   number =       "22",
814   eid =          "221915",
815   numpages =     "3",
816   pages =        "221915",
817   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
818                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
819                  dynamics method; density functional theory;
820                  electron-hole recombination; photoluminescence;
821                  impurities; diffusion",
822   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
823   doi =          "10.1063/1.2743751",
824 }
825
826 @Article{mattoni2002,
827   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
828                  crystalline silicon",
829   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
830   journal =      "Phys. Rev. B",
831   volume =       "66",
832   number =       "19",
833   pages =        "195214",
834   numpages =     "6",
835   year =         "2002",
836   month =        nov,
837   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
838   publisher =    "American Physical Society",
839   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
840                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
841                  tersoff suitability",
842 }
843
844 @Article{leung99,
845   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
846   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
847                  Itoh and S. Ihara",
848   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
849   volume =       "83",
850   number =       "12",
851   pages =        "2351--2354",
852   numpages =     "3",
853   year =         "1999",
854   month =        sep,
855   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
856   publisher =    "American Physical Society",
857   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
858                  refs",
859 }
860
861 @Article{capaz94,
862   title =        "Identification of the migration path of interstitial
863                  carbon in silicon",
864   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
865   journal =      "Phys. Rev. B",
866   volume =       "50",
867   number =       "11",
868   pages =        "7439--7442",
869   numpages =     "3",
870   year =         "1994",
871   month =        sep,
872   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
873   publisher =    "American Physical Society",
874   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
875                  dumbbell",
876 }
877
878 @Article{capaz98,
879   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
880   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
881   journal =      "Phys. Rev. B",
882   volume =       "58",
883   number =       "15",
884   pages =        "9845--9850",
885   numpages =     "5",
886   year =         "1998",
887   month =        oct,
888   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
889   publisher =    "American Physical Society",
890   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
891 }
892
893 @Article{song90_2,
894   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
895                  pair in silicon",
896   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
897                  Watkins",
898   journal =      "Phys. Rev. B",
899   volume =       "42",
900   number =       "9",
901   pages =        "5765--5783",
902   numpages =     "18",
903   year =         "1990",
904   month =        sep,
905   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
906   publisher =    "American Physical Society",
907   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
908 }
909
910 @Article{liu02,
911   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
912                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
913   collaboration = "",
914   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
915                  interactions in Si",
916   publisher =    "AIP",
917   year =         "2002",
918   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
919   volume =       "80",
920   number =       "1",
921   pages =        "52--54",
922   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
923                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
924                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
925   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
926   doi =          "10.1063/1.1430505",
927   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
928 }
929
930 @Article{dal_pino93,
931   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
932                  silicon",
933   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
934                  Joannopoulos",
935   journal =      "Phys. Rev. B",
936   volume =       "47",
937   number =       "19",
938   pages =        "12554--12557",
939   numpages =     "3",
940   year =         "1993",
941   month =        may,
942   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
943   publisher =    "American Physical Society",
944   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
945 }
946
947 @Article{car84,
948   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
949                  Silicon",
950   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
951                  Sokrates T. Pantelides",
952   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
953   volume =       "52",
954   number =       "20",
955   pages =        "1814--1817",
956   numpages =     "3",
957   year =         "1984",
958   month =        may,
959   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
960   publisher =    "American Physical Society",
961   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
962                  path formation",
963 }
964
965 @Article{car85,
966   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
967                  Density-Functional Theory",
968   author =       "R. Car and M. Parrinello",
969   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
970   volume =       "55",
971   number =       "22",
972   pages =        "2471--2474",
973   numpages =     "3",
974   year =         "1985",
975   month =        nov,
976   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
977   publisher =    "American Physical Society",
978   notes =        "car parrinello method, dft and md",
979 }
980
981 @Article{kelires97,
982   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
983                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
984   author =       "P. C. Kelires",
985   journal =      "Phys. Rev. B",
986   volume =       "55",
987   number =       "14",
988   pages =        "8784--8787",
989   numpages =     "3",
990   year =         "1997",
991   month =        apr,
992   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
993   publisher =    "American Physical Society",
994   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
995                  neighbour dist",
996 }
997
998 @Article{kelires95,
999   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
1000                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
1001   author =       "P. C. Kelires",
1002   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1003   volume =       "75",
1004   number =       "6",
1005   pages =        "1114--1117",
1006   numpages =     "3",
1007   year =         "1995",
1008   month =        aug,
1009   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
1010   publisher =    "American Physical Society",
1011   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
1012 }
1013
1014 @Article{bean70,
1015   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
1016                  containing carbon",
1017   journal =      "Solid State Commun.",
1018   volume =       "8",
1019   number =       "3",
1020   pages =        "175--177",
1021   year =         "1970",
1022   note =         "",
1023   ISSN =         "0038-1098",
1024   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
1025   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
1026   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
1027 }
1028
1029 @Article{durand99,
1030   author =       "F. Durand and J. Duby",
1031   affiliation =  "EPM-Madylam, CNRS and INP Grenoble, France",
1032   title =        "Carbon solubility in solid and liquid silicon—{A}
1033                  review with reference to eutectic equilibrium",
1034   journal =      "Journal of Phase Equilibria",
1035   publisher =    "Springer New York",
1036   ISSN =         "1054-9714",
1037   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
1038   pages =        "61--63",
1039   volume =       "20",
1040   issue =        "1",
1041   URL =          "http://dx.doi.org/10.1361/105497199770335956",
1042   note =         "10.1361/105497199770335956",
1043   year =         "1999",
1044   notes =        "better c solubility limit in silicon",
1045 }
1046
1047 @Article{watkins76,
1048   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
1049                  Atom in Silicon",
1050   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
1051   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1052   volume =       "36",
1053   number =       "22",
1054   pages =        "1329--1332",
1055   numpages =     "3",
1056   year =         "1976",
1057   month =        may,
1058   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
1059   publisher =    "American Physical Society",
1060   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
1061                  silicon",
1062 }
1063
1064 @Article{song90,
1065   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
1066                  interstitial carbon in silicon",
1067   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
1068   journal =      "Phys. Rev. B",
1069   volume =       "42",
1070   number =       "9",
1071   pages =        "5759--5764",
1072   numpages =     "5",
1073   year =         "1990",
1074   month =        sep,
1075   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
1076   publisher =    "American Physical Society",
1077   notes =        "carbon diffusion in silicon",
1078 }
1079
1080 @Article{tipping87,
1081   author =       "A K Tipping and R C Newman",
1082   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
1083                  silicon",
1084   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
1085   volume =       "2",
1086   number =       "5",
1087   pages =        "315--317",
1088   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
1089   year =         "1987",
1090   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
1091                  silicon",
1092 }
1093
1094 @Article{isomae93,
1095   author =       "Seiichi Isomae and Tsutomu Ishiba and Toshio Ando and
1096                  Masao Tamura",
1097   collaboration = "",
1098   title =        "Annealing behavior of Me{V} implanted carbon in
1099                  silicon",
1100   publisher =    "AIP",
1101   year =         "1993",
1102   journal =      "J. Appl. Phys.",
1103   volume =       "74",
1104   number =       "6",
1105   pages =        "3815--3820",
1106   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; WAFERS; CARBON IONS; MEV
1107                  RANGE 0110; TEM; SIMS; INFRARED SPECTRA; STRAINS; DEPTH
1108                  PROFILES",
1109   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/3815/1",
1110   doi =          "10.1063/1.354474",
1111   notes =        "c at interstitial location for rt implantation in si",
1112 }
1113
1114 @Article{strane96,
1115   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
1116                  ion implantation and solid phase epitaxy",
1117   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
1118                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1119   journal =      "J. Appl. Phys.",
1120   volume =       "79",
1121   pages =        "637",
1122   year =         "1996",
1123   month =        jan,
1124   doi =          "10.1063/1.360806",
1125   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
1126 }
1127
1128 @Article{laveant2002,
1129   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1130   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1131   volume =       "89",
1132   number =       "1-3",
1133   pages =        "241--245",
1134   year =         "2002",
1135   ISSN =         "0921-5107",
1136   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1137   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1138   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1139                  G{\"{o}}sele",
1140   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1141                  stress, avoid sic precipitation",
1142 }
1143
1144 @Article{foell77,
1145   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1146                  agglomeration of self-interstitials",
1147   journal =      "J. Cryst. Growth",
1148   volume =       "40",
1149   number =       "1",
1150   pages =        "90--108",
1151   year =         "1977",
1152   note =         "",
1153   ISSN =         "0022-0248",
1154   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1155   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1156   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1157   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1158                  agglomerate",
1159 }
1160
1161 @Article{foell81,
1162   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1163                  defects",
1164   journal =      "J. Cryst. Growth",
1165   volume =       "52",
1166   number =       "Part 2",
1167   pages =        "907--916",
1168   year =         "1981",
1169   note =         "",
1170   ISSN =         "0022-0248",
1171   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1172   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1173   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1174   notes =        "swirl review",
1175 }
1176
1177 @Article{werner97,
1178   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1179                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1180   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1181                  silicon by transmission electron microscopy",
1182   publisher =    "AIP",
1183   year =         "1997",
1184   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1185   volume =       "70",
1186   number =       "2",
1187   pages =        "252--254",
1188   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1189                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1190                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1191                  layers; precipitation",
1192   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1193   doi =          "10.1063/1.118381",
1194   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1195                  precipitate",
1196 }
1197
1198 @InProceedings{werner96,
1199   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1200                  Eichler",
1201   booktitle =    "Proceedings of the 11th International Conference on
1202                  Ion Implantation Technology.",
1203   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1204                  implanted silicon",
1205   year =         "1996",
1206   month =        jun,
1207   volume =       "",
1208   number =       "",
1209   pages =        "675--678",
1210   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1211   ISSN =         "",
1212   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1213 }
1214
1215 @Article{werner98,
1216   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1217                  D. C. Jacobson",
1218   collaboration = "",
1219   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1220   publisher =    "AIP",
1221   year =         "1998",
1222   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1223   volume =       "73",
1224   number =       "17",
1225   pages =        "2465--2467",
1226   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1227                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1228                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1229                  impurity distribution",
1230   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1231   doi =          "10.1063/1.122483",
1232   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1233 }
1234
1235 @Article{kalejs84,
1236   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1237   collaboration = "",
1238   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1239                  silicon",
1240   publisher =    "AIP",
1241   year =         "1984",
1242   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1243   volume =       "45",
1244   number =       "3",
1245   pages =        "268--269",
1246   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1247                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1248                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1249   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1250   doi =          "10.1063/1.95167",
1251   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1252 }
1253
1254 @Article{fukami90,
1255   author =       "Akira Fukami and Ken-ichi Shoji and Takahiro Nagano
1256                  and Cary Y. Yang",
1257   collaboration = "",
1258   title =        "Characterization of SiGe/Si heterostructures formed by
1259                  Ge[sup + ] and {C}[sup + ] implantation",
1260   publisher =    "AIP",
1261   year =         "1990",
1262   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1263   volume =       "57",
1264   number =       "22",
1265   pages =        "2345--2347",
1266   keywords =     "HETEROJUNCTIONS; ION IMPLANTATION; HETEROSTRUCTURES;
1267                  FABRICATION; PN JUNCTIONS; LEAKAGE CURRENT; GERMANIUM
1268                  SILICIDES; SILICON; ELECTRICAL PROPERTIES; SOLIDPHASE
1269                  EPITAXY; CARBON IONS; GERMANIUM IONS",
1270   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/57/2345/1",
1271   doi =          "10.1063/1.103888",
1272 }
1273
1274 @Article{strane93,
1275   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and B. L.
1276                  Doyle and S. T. Picraux and J. W. Mayer",
1277   collaboration = "",
1278   title =        "Metastable SiGe{C} formation by solid phase epitaxy",
1279   publisher =    "AIP",
1280   year =         "1993",
1281   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1282   volume =       "63",
1283   number =       "20",
1284   pages =        "2786--2788",
1285   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; TERNARY ALLOY
1286                  SYSTEMS; EPITAXY; ION IMPLANTATION; METASTABLE STATES;
1287                  ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; RUTHERFORD
1288                  SCATTERING; XRAY DIFFRACTION; STRAINS; SOLIDPHASE
1289                  EPITAXY; AMORPHIZATION",
1290   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/63/2786/1",
1291   doi =          "10.1063/1.110334",
1292 }
1293
1294 @Article{goorsky92,
1295   author =       "M. S. Goorsky and S. S. Iyer and K. Eberl and F.
1296                  Legoues and J. Angilello and F. Cardone",
1297   collaboration = "",
1298   title =        "Thermal stability of Si[sub 1 - x]{C}[sub x]/Si
1299                  strained layer superlattices",
1300   publisher =    "AIP",
1301   year =         "1992",
1302   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1303   volume =       "60",
1304   number =       "22",
1305   pages =        "2758--2760",
1306   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
1307                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; SUPERLATTICES; ANNEALING;
1308                  CHEMICAL COMPOSITION; INTERNAL STRAINS; STRESS
1309                  RELAXATION; THERMAL INSTABILITIES; INTERFACE STRUCTURE;
1310                  DIFFUSION; PRECIPITATION; TEMPERATURE EFFECTS",
1311   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/2758/1",
1312   doi =          "10.1063/1.106868",
1313 }
1314
1315 @Article{strane94,
1316   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1317                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1318   collaboration = "",
1319   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1320                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1321   publisher =    "AIP",
1322   year =         "1994",
1323   journal =      "J. Appl. Phys.",
1324   volume =       "76",
1325   number =       "6",
1326   pages =        "3656--3668",
1327   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1328   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1329   doi =          "10.1063/1.357429",
1330   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1331                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1332                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1333                  energy",
1334 }
1335
1336 @Article{fischer95,
1337   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1338                  Osten",
1339   collaboration = "",
1340   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1341                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1342   publisher =    "AIP",
1343   year =         "1995",
1344   journal =      "J. Appl. Phys.",
1345   volume =       "77",
1346   number =       "5",
1347   pages =        "1934--1937",
1348   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1349                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1350                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1351                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1352   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1353   doi =          "10.1063/1.358826",
1354 }
1355
1356 @Article{edgar92,
1357   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1358                  semiconductors",
1359   author =       "J. H. Edgar",
1360   journal =      "J. Mater. Res.",
1361   volume =       "7",
1362   pages =        "235",
1363   year =         "1992",
1364   month =        jan,
1365   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1366   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1367                  polytypes",
1368 }
1369
1370 @Misc{talk2004,
1371   title =        "{Monte-Carlo-Simulation der Selbstorganisation
1372                  amorpher nonometrischer SiC$_x$-Ausscheidungen in
1373                  Silizium w{\"a}hrend C$^+$-Ionen-Implantation}",
1374   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1375                  and B. Stritzker",
1376   year =         "2004",
1377   month =        "02",
1378   note =         "AKF-Fr{\"u}hjahrstagung der DPG, Regensburg, 02/2004,
1379                  DS 1.4",
1380 }
1381
1382 @Misc{talk2005,
1383   title =        "{Kinetik des Selbstorganisationsvorganges bei der
1384                  Bildung von SiC$_x$-Ausscheidungs-Arrays in
1385                  C$^+$-Ionen-implantierten Silizium}",
1386   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1387                  and B. Stritzker",
1388   year =         "2005",
1389   month =        "02",
1390   note =         "69. Jahrestagung der DPG, Berlin, 02/2005, DS 8.6",
1391 }
1392
1393 @Misc{talk2008,
1394   title =        "Molecular dynamics simulation study of the silicon
1395                  carbide precipitation process",
1396   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1397                  B. Stritzker",
1398   year =         "2008",
1399   month =        "01",
1400   note =         "72. Annual Meeting and DPG-Spring Meeting 2008,
1401                  Berlin, 01/2008, DS 42.2",
1402 }
1403
1404 @Misc{poster2006,
1405   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganization
1406                  process leading to ordered precipitate structures",
1407   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1408                  and B. Stritzker",
1409   year =         "2006",
1410   month =        "09",
1411   note =         "IBMM 2006, Taormina (Sicily), 09/2006, M243",
1412 }
1413
1414 @Article{zirkelbach2007,
1415   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1416                  process leading to ordered precipitate structures",
1417   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1418                  and B. Stritzker",
1419   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1420   volume =       "257",
1421   number =       "1--2",
1422   pages =        "75--79",
1423   numpages =     "5",
1424   year =         "2007",
1425   month =        apr,
1426   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1427   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1428                  NETHERLANDS",
1429   abstract =     "Periodically arranged, selforganised, nanometric,
1430                  amorphous precipitates have been observed after
1431                  high-fluence ion implantations into solids for a number
1432                  of ion/target combinations at certain implantation
1433                  conditions. A model describing the ordering process
1434                  based on compressive stress exerted by the amorphous
1435                  inclusions as a result of the density change upon
1436                  amorphisation is introduced. A Monte Carlo simulation
1437                  code, which focuses on high-fluence carbon
1438                  implantations into silicon, is able to reproduce
1439                  experimentally observed nanolamella distributions as
1440                  well as the formation of continuous amorphous layers.
1441                  By means of simulation, the selforganisation process
1442                  becomes traceable and detailed information about the
1443                  compositional and structural state during the ordering
1444                  process is obtained. Based on simulation results, a
1445                  recipe is proposed for producing broad distributions of
1446                  ordered lamellar structures.",
1447 }
1448
1449 @Article{zirkelbach2006,
1450   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1451                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1452                  during ion irradiation",
1453   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1454                  and B. Stritzker",
1455   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1456   volume =       "242",
1457   number =       "1--2",
1458   pages =        "679--682",
1459   numpages =     "4",
1460   year =         "2006",
1461   month =        jan,
1462   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1463   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1464                  NETHERLANDS",
1465   abstract =     "High-dose ion implantation of materials that undergo
1466                  drastic density change upon amorphization at certain
1467                  implantation conditions results in periodically
1468                  arranged, self-organized, nanometric configurations of
1469                  the amorphous phase. A simple model explaining the
1470                  phenomenon is introduced and implemented in a
1471                  Monte-Carlo simulation code. Through simulation
1472                  conditions for observing lamellar precipitates are
1473                  specified and additional information about the
1474                  compositional and structural state during the ordering
1475                  process is gained.",
1476 }
1477
1478 @Article{zirkelbach2005,
1479   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1480                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1481                  ion irradiation",
1482   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1483                  and B. Stritzker",
1484   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1485   volume =       "33",
1486   number =       "1--3",
1487   pages =        "310--316",
1488   numpages =     "7",
1489   year =         "2005",
1490   month =        apr,
1491   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1492   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1493                  NETHERLANDS",
1494   abstract =     "Ion irradiation of materials, which undergo a drastic
1495                  density change upon amorphization have been shown to
1496                  exhibit selforganized, nanometric structures of the
1497                  amorphous phase in the crystalline host lattice. In
1498                  order to better understand the process a
1499                  Monte-Carlo-simulation code based on a simple model is
1500                  developed. In the present work we focus on high-dose
1501                  carbon implantations into silicon. The simulation is
1502                  able to reproduce results gained by cross-sectional TEM
1503                  measurements of high-dose carbon implanted silicon.
1504                  Necessary conditions can be specified for the
1505                  self-organization process and information is gained
1506                  about the compositional and structural state during the
1507                  ordering process which is difficult to be obtained by
1508                  experiment.",
1509 }
1510
1511 @Article{zirkelbach09,
1512   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1513                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1514   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1515   volume =       "159-160",
1516   number =       "",
1517   pages =        "149--152",
1518   year =         "2009",
1519   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1520                  Silicon Materials Research for Electronic and
1521                  Photovoltaic Applications",
1522   ISSN =         "0921-5107",
1523   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1524   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1525   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1526                  B. Stritzker",
1527   keywords =     "Silicon",
1528   keywords =     "Carbon",
1529   keywords =     "Silicon carbide",
1530   keywords =     "Nucleation",
1531   keywords =     "Defect formation",
1532   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1533   abstract =     "The precipitation process of silicon carbide in
1534                  heavily carbon doped silicon is not yet fully
1535                  understood. High resolution transmission electron
1536                  microscopy observations suggest that in a first step
1537                  carbon atoms form C-Si dumbbells on regular Si lattice
1538                  sites which agglomerate into large clusters. In a
1539                  second step, when the cluster size reaches a radius of
1540                  a few nm, the high interfacial energy due to the SiC/Si
1541                  lattice misfit of almost 20\% is overcome and the
1542                  precipitation occurs. By simulation, details of the
1543                  precipitation process can be obtained on the atomic
1544                  level. A recently proposed parametrization of a
1545                  Tersoff-like bond order potential is used to model the
1546                  system appropriately. Preliminary results gained by
1547                  molecular dynamics simulations using this potential are
1548                  presented.",
1549 }
1550
1551 @Article{zirkelbach10,
1552   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1553                  classical potentials and first-principles methods",
1554   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1555                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1556   journal =      "Phys. Rev. B",
1557   volume =       "82",
1558   number =       "9",
1559   pages =        "094110",
1560   numpages =     "6",
1561   year =         "2010",
1562   month =        sep,
1563   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1564   publisher =    "American Physical Society",
1565   abstract =     "A comparative theoretical investigation of carbon
1566                  interstitials in silicon is presented. Calculations
1567                  using classical potentials are compared to
1568                  first-principles density-functional theory calculations
1569                  of the geometries, formation, and activation energies
1570                  of the carbon dumbbell interstitial, showing the
1571                  importance of a quantum-mechanical description of this
1572                  system. In contrast to previous studies, the present
1573                  first-principles calculations of the interstitial
1574                  carbon migration path yield an activation energy that
1575                  excellently matches the experiment. The bond-centered
1576                  interstitial configuration shows a net magnetization of
1577                  two electrons, illustrating the need for spin-polarized
1578                  calculations.",
1579 }
1580
1581 @Article{zirkelbach11,
1582   journal =      "Phys. Rev. B",
1583   month =        aug,
1584   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.84.064126",
1585   publisher =    "American Physical Society",
1586   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1587                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1588   title =        "Combined \textit{ab initio} and classical potential
1589                  simulation study on silicon carbide precipitation in
1590                  silicon",
1591   year =         "2011",
1592   pages =        "064126",
1593   numpages =     "18",
1594   volume =       "84",
1595   doi =          "10.1103/PhysRevB.84.064126",
1596   issue =        "6",
1597   abstract =     "Atomistic simulations on the silicon carbide
1598                  precipitation in bulk silicon employing both, classical
1599                  potential and first-principles methods are presented.
1600                  The calculations aim at a comprehensive, microscopic
1601                  understanding of the precipitation mechanism in the
1602                  context of controversial discussions in the literature.
1603                  For the quantum-mechanical treatment, basic processes
1604                  assumed in the precipitation process are calculated in
1605                  feasible systems of small size. The migration mechanism
1606                  of a carbon \hkl<1 0 0> interstitial and silicon \hkl<1
1607                  1 0> self-interstitial in otherwise defect-free silicon
1608                  are investigated using density functional theory
1609                  calculations. The influence of a nearby vacancy,
1610                  another carbon interstitial and a substitutional defect
1611                  as well as a silicon self-interstitial has been
1612                  investigated systematically. Interactions of various
1613                  combinations of defects have been characterized
1614                  including a couple of selected migration pathways
1615                  within these configurations. Almost all of the
1616                  investigated pairs of defects tend to agglomerate
1617                  allowing for a reduction in strain. The formation of
1618                  structures involving strong carbon-carbon bonds turns
1619                  out to be very unlikely. In contrast, substitutional
1620                  carbon occurs in all probability. A long range capture
1621                  radius has been observed for pairs of interstitial
1622                  carbon as well as interstitial carbon and vacancies. A
1623                  rather small capture radius is predicted for
1624                  substitutional carbon and silicon self-interstitials.
1625                  Initial assumptions regarding the precipitation
1626                  mechanism of silicon carbide in bulk silicon are
1627                  established and conformability to experimental findings
1628                  is discussed. Furthermore, results of the accurate
1629                  first-principles calculations on defects and carbon
1630                  diffusion in silicon are compared to results of
1631                  classical potential simulations revealing significant
1632                  limitations of the latter method. An approach to work
1633                  around this problem is proposed. Finally, results of
1634                  the classical potential molecular dynamics simulations
1635                  of large systems are examined, which reinforce previous
1636                  assumptions and give further insight into basic
1637                  processes involved in the silicon carbide transition.",
1638 }
1639
1640 @Article{zirkelbach12,
1641   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and W.
1642                  G. Schmidt and E. Rauls and J. K. N. Lindner",
1643   title =        "First-principles and empirical potential simulation
1644                  study of intrinsic and carbon-related defects in
1645                  silicon",
1646   journal =      "phys. status solidi (c)",
1647   volume =       "9",
1648   number =       "10-11",
1649   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
1650   ISSN =         "1610-1642",
1651   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201200198",
1652   doi =          "10.1002/pssc.201200198",
1653   pages =        "1968--1973",
1654   keywords =     "silicon, carbon, silicon carbide, defect formation,
1655                  defect migration, density functional theory, empirical
1656                  potential, molecular dynamics",
1657   year =         "2012",
1658   abstract =     "Results of atomistic simulations aimed at
1659                  understanding precipitation of the highly attractive
1660                  wide band gap semiconductor material silicon carbide in
1661                  silicon are presented. The study involves a systematic
1662                  investigation of intrinsic and carbon-related defects
1663                  as well as defect combinations and defect migration by
1664                  both, quantummechanical first-principles as well as
1665                  empirical potential methods. Comparing formation and
1666                  activation energies, ground-state structures of defects
1667                  and defect combinations as well as energetically
1668                  favorable agglomeration of defects are predicted.
1669                  Moreover, accurate ab initio calculations unveil
1670                  limitations of the analytical method based on a
1671                  Tersoff-like bond order potential. A work-around is
1672                  proposed in order to subsequently apply the highly
1673                  efficient technique on large structures not accessible
1674                  by first-principles methods. The outcome of both types
1675                  of simulation provides a basic microscopic
1676                  understanding of defect formation and structural
1677                  evolution particularly at non-equilibrium conditions
1678                  strongly deviated from the ground state as commonly
1679                  found in SiC growth processes. A possible precipitation
1680                  mechanism, which conforms well to experimental findings
1681                  and clarifies contradictory views present in the
1682                  literature is outlined (© 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH \&
1683                  Co. KGaA, Weinheim)",
1684 }
1685
1686 @Article{zirkelbach14,
1687   author =       "F. Zirkelbach and P.-Y. Prodhomme and P. Han and R.
1688                  Cherian and G. Bester",
1689   title =        "Large-scale Atomic Effective Pseudopotential Program
1690                  ({LATEPP}) including an efficient spin-orbit coupling
1691                  treatment in real space",
1692   journal =      "to be published",
1693   year =         "2014",
1694   abstract =     "Within the scheme of the {\em Large-scale Atomic
1695                  Effective Pseudopotential Program}, the Schr{\"o}dinger
1696                  equation of an electronic system is solved within an
1697                  effective single-particle approach. Although not
1698                  limited to, it focuses on the recently introduced
1699                  atomic effective pseudopotentials derived from screened
1700                  local effective crystal potentials as obtained from
1701                  self-consistent density functional theory calculations.
1702                  Plane waves are used to expand the wavefunctions. The
1703                  problem can be solved in both, real and reciprocal
1704                  space. Using atomic effective pseudopotentials, a
1705                  self-consistency cycle is not required, which
1706                  drastically reduces the computational effort.
1707                  Furthermore, without having to find a self-consistent
1708                  solution, which would require the determination of all
1709                  eigenstates, iterative solvers can be used to focus
1710                  only on a few eigenstates in the vicinity of a
1711                  reference energy, e.g.\ around the band gap of a
1712                  semiconductor. Hence, this approach is particularly
1713                  well suited for theoretical investigations of the
1714                  electronic structure of semiconductor nanostructures
1715                  consisting of up to several thousands of atoms.
1716                  Moreover, a novel and efficient real space treatment of
1717                  spin-orbit coupling within the pseudopotential
1718                  framework is proposed in this work allowing for a fully
1719                  relativistic description.",
1720 }
1721
1722 @Article{lindner95,
1723   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1724                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1725   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1726                  Layers in Silicon",
1727   journal =      "MRS Proc.",
1728   volume =       "354",
1729   number =       "",
1730   pages =        "171",
1731   year =         "1994",
1732   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1733   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1734   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1735 }
1736
1737 @Article{lindner96,
1738   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1739                  in silicon by ion beam synthesis",
1740   journal =      "Mater. Chem. Phys.",
1741   volume =       "46",
1742   number =       "2-3",
1743   pages =        "147--155",
1744   year =         "1996",
1745   note =         "",
1746   ISSN =         "0254-0584",
1747   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1748   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1749   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1750                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1751                  Stritzker",
1752   notes =        "dose window",
1753 }
1754
1755 @Article{calcagno96,
1756   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1757                  ion implantation",
1758   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1759   volume =       "120",
1760   number =       "1-4",
1761   pages =        "121--124",
1762   year =         "1996",
1763   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1764                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1765   ISSN =         "0168-583X",
1766   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1767   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1768   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1769                  Grimaldi and P. Musumeci",
1770   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1771 }
1772
1773 @Article{lindner98,
1774   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1775                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1776   journal =      "Mater. Sci. Forum",
1777   volume =       "264-268",
1778   pages =        "215--218",
1779   year =         "1998",
1780   note =         "",
1781   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1782   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1783   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1784   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1785                  crystallinity",
1786 }
1787
1788 @Article{lindner99,
1789   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1790                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1791                  layers in silicon",
1792   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1793   volume =       "147",
1794   number =       "1-4",
1795   pages =        "249--255",
1796   year =         "1999",
1797   note =         "",
1798   ISSN =         "0168-583X",
1799   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1800   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1801   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1802   notes =        "two-step implantation process",
1803 }
1804
1805 @Article{lindner99_2,
1806   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1807                  in silicon",
1808   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1809   volume =       "148",
1810   number =       "1-4",
1811   pages =        "528--533",
1812   year =         "1999",
1813   ISSN =         "0168-583X",
1814   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1815   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1816   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1817   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1818 }
1819
1820 @Article{lindner01,
1821   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1822                  Basic physical processes",
1823   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1824   volume =       "178",
1825   number =       "1-4",
1826   pages =        "44--54",
1827   year =         "2001",
1828   note =         "",
1829   ISSN =         "0168-583X",
1830   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1831   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1832   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1833 }
1834
1835 @Article{lindner02,
1836   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1837                  fundamental studies for new technological tricks",
1838   author =       "J. K. N. Lindner",
1839   journal =      "Appl. Phys. A",
1840   volume =       "77",
1841   pages =        "27--38",
1842   year =         "2003",
1843   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1844   notes =        "ibs, burried sic layers",
1845 }
1846
1847 @Article{lindner06,
1848   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1849                  formation and displacive precipitate resolution in the
1850                  {C}-Si system",
1851   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1852   volume =       "26",
1853   number =       "5-7",
1854   pages =        "857--861",
1855   year =         "2006",
1856   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1857                  Applications",
1858   ISSN =         "0928-4931",
1859   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1860   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1861   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1862                  and B. Stritzker",
1863   notes =        "c int diffusion barrier",
1864 }
1865
1866 @Article{haeberlen10,
1867   title =        "Structural characterization of cubic and hexagonal
1868                  Ga{N} thin films grown by {IBA}-{MBE} on Si{C}/Si",
1869   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1870   volume =       "312",
1871   number =       "6",
1872   pages =        "762--769",
1873   year =         "2010",
1874   note =         "",
1875   ISSN =         "0022-0248",
1876   doi =          "10.1016/j.jcrysgro.2009.12.048",
1877   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024809011452",
1878   author =       "M. H{\"a}berlen and J. W. Gerlach and B. Murphy and J.
1879                  K. N. Lindner and B. Stritzker",
1880 }
1881
1882 @Article{ito04,
1883   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1884                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1885                  growth",
1886   journal =      "Appl. Surf. Sci.",
1887   volume =       "238",
1888   number =       "1-4",
1889   pages =        "159--164",
1890   year =         "2004",
1891   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1892   ISSN =         "0169-4332",
1893   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1894   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1895   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1896                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1897   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1898 }
1899
1900 @Article{yamamoto04,
1901   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1902                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1903                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1904   journal =      "J. Cryst. Growth",
1905   volume =       "261",
1906   number =       "2-3",
1907   pages =        "266--270",
1908   year =         "2004",
1909   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1910                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1911   ISSN =         "0022-0248",
1912   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1913   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1914   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1915                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1916   notes =        "gan on 3c-sic",
1917 }
1918
1919 @Article{liu_l02,
1920   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1921   journal =      "Mater. Sci. Eng., R",
1922   volume =       "37",
1923   number =       "3",
1924   pages =        "61--127",
1925   year =         "2002",
1926   note =         "",
1927   ISSN =         "0927-796X",
1928   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1929   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1930   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1931   notes =        "gan substrates",
1932 }
1933
1934 @Article{takeuchi91,
1935   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1936                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1937   journal =      "J. Cryst. Growth",
1938   volume =       "115",
1939   number =       "1-4",
1940   pages =        "634--638",
1941   year =         "1991",
1942   note =         "",
1943   ISSN =         "0022-0248",
1944   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1945   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1946   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1947                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1948   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1949 }
1950
1951 @Article{alder57,
1952   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1953   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1954   publisher =    "AIP",
1955   year =         "1957",
1956   journal =      "J. Chem. Phys.",
1957   volume =       "27",
1958   number =       "5",
1959   pages =        "1208--1209",
1960   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1961   doi =          "10.1063/1.1743957",
1962 }
1963
1964 @Article{alder59,
1965   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1966   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1967   publisher =    "AIP",
1968   year =         "1959",
1969   journal =      "J. Chem. Phys.",
1970   volume =       "31",
1971   number =       "2",
1972   pages =        "459--466",
1973   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1974   doi =          "10.1063/1.1730376",
1975 }
1976
1977 @Article{horsfield96,
1978   title =        "Bond-order potentials: Theory and implementation",
1979   author =       "A. P. Horsfield and A. M. Bratkovsky and M. Fearn and
1980                  D. G. Pettifor and M. Aoki",
1981   journal =      "Phys. Rev. B",
1982   volume =       "53",
1983   number =       "19",
1984   pages =        "12694--12712",
1985   numpages =     "18",
1986   year =         "1996",
1987   month =        may,
1988   doi =          "10.1103/PhysRevB.53.12694",
1989   publisher =    "American Physical Society",
1990 }
1991
1992 @Article{abell85,
1993   title =        "Empirical chemical pseudopotential theory of molecular
1994                  and metallic bonding",
1995   author =       "G. C. Abell",
1996   journal =      "Phys. Rev. B",
1997   volume =       "31",
1998   number =       "10",
1999   pages =        "6184--6196",
2000   numpages =     "12",
2001   year =         "1985",
2002   month =        may,
2003   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.6184",
2004   publisher =    "American Physical Society",
2005 }
2006
2007 @Article{tersoff_si1,
2008   title =        "New empirical model for the structural properties of
2009                  silicon",
2010   author =       "J. Tersoff",
2011   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2012   volume =       "56",
2013   number =       "6",
2014   pages =        "632--635",
2015   numpages =     "3",
2016   year =         "1986",
2017   month =        feb,
2018   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
2019   publisher =    "American Physical Society",
2020 }
2021
2022 @Article{dodson87,
2023   title =        "Development of a many-body Tersoff-type potential for
2024                  silicon",
2025   author =       "Brian W. Dodson",
2026   journal =      "Phys. Rev. B",
2027   volume =       "35",
2028   number =       "6",
2029   pages =        "2795--2798",
2030   numpages =     "3",
2031   year =         "1987",
2032   month =        feb,
2033   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.2795",
2034   publisher =    "American Physical Society",
2035 }
2036
2037 @Article{tersoff_si2,
2038   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
2039                  covalent systems",
2040   author =       "J. Tersoff",
2041   journal =      "Phys. Rev. B",
2042   volume =       "37",
2043   number =       "12",
2044   pages =        "6991--7000",
2045   numpages =     "9",
2046   year =         "1988",
2047   month =        apr,
2048   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
2049   publisher =    "American Physical Society",
2050 }
2051
2052 @Article{tersoff_si3,
2053   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
2054                  improved elastic properties",
2055   author =       "J. Tersoff",
2056   journal =      "Phys. Rev. B",
2057   volume =       "38",
2058   number =       "14",
2059   pages =        "9902--9905",
2060   numpages =     "3",
2061   year =         "1988",
2062   month =        nov,
2063   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
2064   publisher =    "American Physical Society",
2065 }
2066
2067 @Article{tersoff_c,
2068   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
2069                  Applications to Amorphous Carbon",
2070   author =       "J. Tersoff",
2071   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2072   volume =       "61",
2073   number =       "25",
2074   pages =        "2879--2882",
2075   numpages =     "3",
2076   year =         "1988",
2077   month =        dec,
2078   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
2079   publisher =    "American Physical Society",
2080 }
2081
2082 @Article{tersoff_m,
2083   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
2084                  for multicomponent systems",
2085   author =       "J. Tersoff",
2086   journal =      "Phys. Rev. B",
2087   volume =       "39",
2088   number =       "8",
2089   pages =        "5566--5568",
2090   numpages =     "2",
2091   year =         "1989",
2092   month =        mar,
2093   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
2094   publisher =    "American Physical Society",
2095 }
2096
2097 @Article{tersoff90,
2098   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
2099   author =       "J. Tersoff",
2100   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2101   volume =       "64",
2102   number =       "15",
2103   pages =        "1757--1760",
2104   numpages =     "3",
2105   year =         "1990",
2106   month =        apr,
2107   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
2108   publisher =    "American Physical Society",
2109 }
2110
2111 @Article{fahey89,
2112   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
2113   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
2114   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
2115   volume =       "61",
2116   number =       "2",
2117   pages =        "289--384",
2118   numpages =     "95",
2119   year =         "1989",
2120   month =        apr,
2121   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
2122   publisher =    "American Physical Society",
2123 }
2124
2125 @Article{wesch96,
2126   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
2127   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2128   volume =       "116",
2129   number =       "1-4",
2130   pages =        "305--321",
2131   year =         "1996",
2132   note =         "Radiation Effects in Insulators",
2133   ISSN =         "0168-583X",
2134   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
2135   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
2136   author =       "W. Wesch",
2137 }
2138
2139 @Article{davis91,
2140   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
2141                  Palmour and J. A. Edmond",
2142   journal =      "Proc. IEEE",
2143   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
2144                  optoelectronic device fabrication and characterization
2145                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
2146   year =         "1991",
2147   month =        may,
2148   volume =       "79",
2149   number =       "5",
2150   pages =        "677--701",
2151   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
2152                  diode;SiC;dry etching;electrical
2153                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
2154                  device fabrication;solid-state devices;surface
2155                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
2156                  transistors;Schottky-barrier
2157                  diodes;etching;heterojunction bipolar
2158                  transistors;insulated gate field effect
2159                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
2160                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
2161   doi =          "10.1109/5.90132",
2162   ISSN =         "0018-9219",
2163   notes =        "sic growth methods",
2164 }
2165
2166 @Article{morkoc94,
2167   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
2168                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
2169   collaboration = "",
2170   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
2171                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
2172   publisher =    "AIP",
2173   year =         "1994",
2174   journal =      "J. Appl. Phys.",
2175   volume =       "76",
2176   number =       "3",
2177   pages =        "1363--1398",
2178   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
2179                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
2180                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
2181                  FILMS; INDUSTRY",
2182   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
2183   doi =          "10.1063/1.358463",
2184   notes =        "sic intro, properties",
2185 }
2186
2187 @Article{foo,
2188   author =       "Noch Unbekannt",
2189   title =        "How to find references",
2190   journal =      "Journal of Applied References",
2191   year =         "2009",
2192   volume =       "77",
2193   pages =        "1--23",
2194 }
2195
2196 @Article{tang95,
2197   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
2198                  \beta{}-Si{C}",
2199   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
2200   journal =      "Phys. Rev. B",
2201   volume =       "52",
2202   number =       "21",
2203   pages =        "15150--15159",
2204   numpages =     "9",
2205   year =         "1995",
2206   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
2207   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
2208                  tersoff reparametrization",
2209   publisher =    "American Physical Society",
2210 }
2211
2212 @Article{sarro00,
2213   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
2214   journal =      "Seonsor. Actuator. A",
2215   volume =       "82",
2216   number =       "1-3",
2217   pages =        "210--218",
2218   year =         "2000",
2219   ISSN =         "0924-4247",
2220   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
2221   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
2222   author =       "Pasqualina M. Sarro",
2223   keywords =     "MEMS",
2224   keywords =     "Silicon carbide",
2225   keywords =     "Micromachining",
2226   keywords =     "Mechanical stress",
2227 }
2228
2229 @Article{casady96,
2230   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
2231                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
2232                  review",
2233   journal =      "Solid-State Electron.",
2234   volume =       "39",
2235   number =       "10",
2236   pages =        "1409--1422",
2237   year =         "1996",
2238   ISSN =         "0038-1101",
2239   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
2240   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
2241   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
2242   notes =        "sic intro",
2243 }
2244
2245 @Article{giancarli98,
2246   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
2247                  structural material in fusion power reactor blankets",
2248   journal =      "Fusion Eng. Des.",
2249   volume =       "41",
2250   number =       "1-4",
2251   pages =        "165--171",
2252   year =         "1998",
2253   ISSN =         "0920-3796",
2254   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
2255   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
2256   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
2257                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
2258 }
2259
2260 @Article{pensl93,
2261   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
2262   journal =      "Physica B",
2263   volume =       "185",
2264   number =       "1-4",
2265   pages =        "264--283",
2266   year =         "1993",
2267   ISSN =         "0921-4526",
2268   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
2269   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
2270   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
2271 }
2272
2273 @Article{tairov78,
2274   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
2275                  carbide single crystals",
2276   journal =      "J. Cryst. Growth",
2277   volume =       "43",
2278   number =       "2",
2279   pages =        "209--212",
2280   year =         "1978",
2281   notes =        "modified lely process",
2282   ISSN =         "0022-0248",
2283   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
2284   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
2285   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2286 }
2287
2288 @Article{tairov81,
2289   title =        "General principles of growing large-size single
2290                  crystals of various silicon carbide polytypes",
2291   journal =      "J. Cryst. Growth",
2292   volume =       "52",
2293   number =       "Part 1",
2294   pages =        "146--150",
2295   year =         "1981",
2296   note =         "",
2297   ISSN =         "0022-0248",
2298   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
2299   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
2300   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2301 }
2302
2303 @Article{barrett91,
2304   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
2305   journal =      "J. Cryst. Growth",
2306   volume =       "109",
2307   number =       "1-4",
2308   pages =        "17--23",
2309   year =         "1991",
2310   note =         "",
2311   ISSN =         "0022-0248",
2312   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
2313   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
2314   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
2315                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
2316 }
2317
2318 @Article{barrett93,
2319   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
2320   journal =      "J. Cryst. Growth",
2321   volume =       "128",
2322   number =       "1-4",
2323   pages =        "358--362",
2324   year =         "1993",
2325   note =         "",
2326   ISSN =         "0022-0248",
2327   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
2328   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
2329   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
2330                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
2331                  W. J. Choyke",
2332 }
2333
2334 @Article{stein93,
2335   title =        "Control of polytype formation by surface energy
2336                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
2337                  sublimation method",
2338   journal =      "J. Cryst. Growth",
2339   volume =       "131",
2340   number =       "1-2",
2341   pages =        "71--74",
2342   year =         "1993",
2343   note =         "",
2344   ISSN =         "0022-0248",
2345   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
2346   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
2347   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
2348   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
2349 }
2350
2351 @Article{nishino83,
2352   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
2353                  Will",
2354   collaboration = "",
2355   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
2356                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
2357   publisher =    "AIP",
2358   year =         "1983",
2359   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2360   volume =       "42",
2361   number =       "5",
2362   pages =        "460--462",
2363   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
2364                  monocrystals",
2365   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
2366   doi =          "10.1063/1.93970",
2367   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
2368 }
2369
2370 @Article{nagasawa06,
2371   author =       "H. Nagasawa and K. Yagi and T. Kawahara and N. Hatta",
2372   title =        "Reducing Planar Defects in 3{C}¿Si{C}",
2373   journal =      "Chemical Vapor Deposition",
2374   volume =       "12",
2375   number =       "8-9",
2376   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2377   ISSN =         "1521-3862",
2378   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/cvde.200506466",
2379   doi =          "10.1002/cvde.200506466",
2380   pages =        "502--508",
2381   keywords =     "Defect structures, Epitaxy, Silicon carbide",
2382   year =         "2006",
2383   notes =        "cvd on si",
2384 }
2385
2386 @Article{nishino87,
2387   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
2388                  and Hiroyuki Matsunami",
2389   collaboration = "",
2390   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
2391                  Si{C} on silicon",
2392   publisher =    "AIP",
2393   year =         "1987",
2394   journal =      "J. Appl. Phys.",
2395   volume =       "61",
2396   number =       "10",
2397   pages =        "4889--4893",
2398   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
2399   doi =          "10.1063/1.338355",
2400   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
2401                  carbonization",
2402 }
2403
2404 @Article{powell87,
2405   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
2406                  Kuczmarski",
2407   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
2408                  Single-Crystal Films on Si",
2409   publisher =    "ECS",
2410   year =         "1987",
2411   journal =      "J. Electrochem. Soc.",
2412   volume =       "134",
2413   number =       "6",
2414   pages =        "1558--1565",
2415   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
2416                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
2417   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
2418   doi =          "10.1149/1.2100708",
2419   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
2420 }
2421
2422 @Article{powell87_2,
2423   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
2424                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
2425   collaboration = "",
2426   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
2427                  off-axis Si substrates",
2428   publisher =    "AIP",
2429   year =         "1987",
2430   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2431   volume =       "51",
2432   number =       "11",
2433   pages =        "823--825",
2434   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
2435                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
2436                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
2437                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
2438                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
2439   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
2440   doi =          "10.1063/1.98824",
2441   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
2442 }
2443
2444 @Article{ueda90,
2445   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
2446   journal =      "J. Cryst. Growth",
2447   volume =       "104",
2448   number =       "3",
2449   pages =        "695--700",
2450   year =         "1990",
2451   note =         "",
2452   ISSN =         "0022-0248",
2453   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
2454   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
2455   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
2456                  Matsunami",
2457   notes =        "step-controlled epitaxy model",
2458 }
2459
2460 @Article{kimoto93,
2461   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
2462                  and Hiroyuki Matsunami",
2463   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
2464                  epitaxy",
2465   publisher =    "AIP",
2466   year =         "1993",
2467   journal =      "J. Appl. Phys.",
2468   volume =       "73",
2469   number =       "2",
2470   pages =        "726--732",
2471   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
2472                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
2473                  VAPOR DEPOSITION",
2474   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
2475   doi =          "10.1063/1.353329",
2476   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
2477 }
2478
2479 @Article{powell90_2,
2480   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2481                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2482                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2483   collaboration = "",
2484   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
2485                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2486   publisher =    "AIP",
2487   year =         "1990",
2488   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2489   volume =       "56",
2490   number =       "15",
2491   pages =        "1442--1444",
2492   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2493                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
2494                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
2495                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
2496   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
2497   doi =          "10.1063/1.102492",
2498   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
2499 }
2500
2501 @Article{kong88_2,
2502   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2503   collaboration = "",
2504   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2505                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2506                  substrates",
2507   publisher =    "AIP",
2508   year =         "1988",
2509   journal =      "J. Appl. Phys.",
2510   volume =       "64",
2511   number =       "5",
2512   pages =        "2672--2679",
2513   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2514                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2515                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2516                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2517                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2518   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2519   doi =          "10.1063/1.341608",
2520 }
2521
2522 @Article{powell90,
2523   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2524                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2525                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2526   collaboration = "",
2527   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2528                  6{H}-Si{C} substrates",
2529   publisher =    "AIP",
2530   year =         "1990",
2531   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2532   volume =       "56",
2533   number =       "14",
2534   pages =        "1353--1355",
2535   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2536                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2537                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2538                  PHASE EPITAXY",
2539   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2540   doi =          "10.1063/1.102512",
2541   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2542 }
2543
2544 @Article{kong88,
2545   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2546                  Rozgonyi and K. L. More",
2547   collaboration = "",
2548   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2549                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2550                  substrates",
2551   publisher =    "AIP",
2552   year =         "1988",
2553   journal =      "J. Appl. Phys.",
2554   volume =       "63",
2555   number =       "8",
2556   pages =        "2645--2650",
2557   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2558                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2559                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2560                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2561                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2562   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2563   doi =          "10.1063/1.341004",
2564 }
2565
2566 @Article{powell91,
2567   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2568                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2569                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2570   collaboration = "",
2571   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2572                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2573   publisher =    "AIP",
2574   year =         "1991",
2575   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2576   volume =       "59",
2577   number =       "3",
2578   pages =        "333--335",
2579   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2580                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2581                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2582   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2583   doi =          "10.1063/1.105587",
2584 }
2585
2586 @Article{yuan95,
2587   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2588                  Thokala and M. J. Loboda",
2589   collaboration = "",
2590   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2591                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2592                  silacyclobutane",
2593   publisher =    "AIP",
2594   year =         "1995",
2595   journal =      "J. Appl. Phys.",
2596   volume =       "78",
2597   number =       "2",
2598   pages =        "1271--1273",
2599   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2600                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2601                  SPECTROPHOTOMETRY",
2602   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2603   doi =          "10.1063/1.360368",
2604   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2605 }
2606
2607 @Article{kaneda87,
2608   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2609                  properties of its p-n junction",
2610   journal =      "J. Cryst. Growth",
2611   volume =       "81",
2612   number =       "1-4",
2613   pages =        "536--542",
2614   year =         "1987",
2615   note =         "",
2616   ISSN =         "0022-0248",
2617   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2618   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2619   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2620                  and Takao Tanaka",
2621   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2622 }
2623
2624 @Article{fissel95,
2625   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2626                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2627                  molecular beam epitaxy",
2628   journal =      "J. Cryst. Growth",
2629   volume =       "154",
2630   number =       "1-2",
2631   pages =        "72--80",
2632   year =         "1995",
2633   ISSN =         "0022-0248",
2634   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2635   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2636   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2637                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2638   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2639 }
2640
2641 @Article{fissel95_apl,
2642   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2643   collaboration = "",
2644   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2645                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2646   publisher =    "AIP",
2647   year =         "1995",
2648   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2649   volume =       "66",
2650   number =       "23",
2651   pages =        "3182--3184",
2652   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2653                  RHEED; NUCLEATION",
2654   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2655   doi =          "10.1063/1.113716",
2656   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2657 }
2658
2659 @Article{fissel96,
2660   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2661                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2662   collaboration = "",
2663   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2664                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2665                  level using surface superstructures",
2666   publisher =    "AIP",
2667   year =         "1996",
2668   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2669   volume =       "68",
2670   number =       "9",
2671   pages =        "1204--1206",
2672   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2673                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2674                  SURFACE STRUCTURE",
2675   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2676   doi =          "10.1063/1.115969",
2677   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2678 }
2679
2680 @Article{righi03,
2681   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2682   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2683                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2684   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2685   volume =       "91",
2686   number =       "13",
2687   pages =        "136101",
2688   numpages =     "4",
2689   year =         "2003",
2690   month =        sep,
2691   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2692   publisher =    "American Physical Society",
2693   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2694 }
2695
2696 @Article{borders71,
2697   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2698   collaboration = "",
2699   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2700                  {IMPLANTATION}",
2701   publisher =    "AIP",
2702   year =         "1971",
2703   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2704   volume =       "18",
2705   number =       "11",
2706   pages =        "509--511",
2707   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2708   doi =          "10.1063/1.1653516",
2709   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2710                  ideas",
2711 }
2712
2713 @Article{edelman76,
2714   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2715                  and E. V. Lubopytova",
2716   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2717                  by ion implantation",
2718   publisher =    "Taylor \& Francis",
2719   year =         "1976",
2720   journal =      "Radiat. Eff.",
2721   volume =       "29",
2722   number =       "1",
2723   pages =        "13--15",
2724   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2725   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2726                  single crystalline",
2727 }
2728
2729 @Article{akimchenko80,
2730   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2731                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2732   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2733                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2734   publisher =    "Taylor \& Francis",
2735   year =         "1980",
2736   journal =      "Radiat. Eff.",
2737   volume =       "48",
2738   number =       "1",
2739   pages =        "7",
2740   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2741   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2742 }
2743
2744 @Article{kimura81,
2745   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2746                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2747                  silicon",
2748   journal =      "Thin Solid Films",
2749   volume =       "81",
2750   number =       "4",
2751   pages =        "319--327",
2752   year =         "1981",
2753   note =         "",
2754   ISSN =         "0040-6090",
2755   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2756   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2757   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2758                  Yugo",
2759 }
2760
2761 @Article{kimura82,
2762   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2763                  the implantation of carbon ions into silicon",
2764   journal =      "Thin Solid Films",
2765   volume =       "94",
2766   number =       "3",
2767   pages =        "191--198",
2768   year =         "1982",
2769   note =         "",
2770   ISSN =         "0040-6090",
2771   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2772   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2773   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2774                  Yugo",
2775 }
2776
2777 @Article{reeson86,
2778   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2779                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2780                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2781   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2782                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2783   publisher =    "Taylor \& Francis",
2784   year =         "1986",
2785   journal =      "Radiat. Eff.",
2786   volume =       "99",
2787   number =       "1",
2788   pages =        "71--81",
2789   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2790   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or time,
2791                  no c redistribution",
2792 }
2793
2794 @Article{reeson87,
2795   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2796                  J. Davis and G. E. Celler",
2797   collaboration = "",
2798   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2799                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2800   publisher =    "AIP",
2801   year =         "1987",
2802   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2803   volume =       "51",
2804   number =       "26",
2805   pages =        "2242--2244",
2806   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2807                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2808   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2809   doi =          "10.1063/1.98953",
2810   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2811 }
2812
2813 @Article{martin90,
2814   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2815                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2816   collaboration = "",
2817   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2818   publisher =    "AIP",
2819   year =         "1990",
2820   journal =      "J. Appl. Phys.",
2821   volume =       "67",
2822   number =       "6",
2823   pages =        "2908--2912",
2824   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2825                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2826                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2827                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2828                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2829                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2830   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2831   doi =          "10.1063/1.346092",
2832   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2833                  temepratures",
2834 }
2835
2836 @Article{scace59,
2837   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2838   collaboration = "",
2839   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2840   publisher =    "AIP",
2841   year =         "1959",
2842   journal =      "J. Chem. Phys.",
2843   volume =       "30",
2844   number =       "6",
2845   pages =        "1551--1555",
2846   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2847   doi =          "10.1063/1.1730236",
2848   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2849 }
2850
2851 @Article{hofker74,
2852   author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
2853                  Koeman",
2854   affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
2855                  Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
2856                  Netherlands",
2857   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
2858                  charge carrier and boron concentration profiles",
2859   journal =      "Appl. Phys. A",
2860   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
2861   ISSN =         "0947-8396",
2862   keyword =      "Physics and Astronomy",
2863   pages =        "125--133",
2864   volume =       "4",
2865   issue =        "2",
2866   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
2867   note =         "10.1007/BF00884267",
2868   year =         "1974",
2869   notes =        "first time ted (only for boron?)",
2870 }
2871
2872 @Article{michel87,
2873   author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
2874                  H. Kastl",
2875   collaboration = "",
2876   title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
2877                  implanted boron into silicon",
2878   publisher =    "AIP",
2879   year =         "1987",
2880   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2881   volume =       "50",
2882   number =       "7",
2883   pages =        "416--418",
2884   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
2885                  BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
2886                  HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
2887   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
2888   doi =          "10.1063/1.98160",
2889   notes =        "ted of boron in si",
2890 }
2891
2892 @Article{cowern90,
2893   author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
2894                  Jos",
2895   collaboration = "",
2896   title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
2897                  time, and matrix dependence of atomic and electrical
2898                  profiles",
2899   publisher =    "AIP",
2900   year =         "1990",
2901   journal =      "J. Appl. Phys.",
2902   volume =       "68",
2903   number =       "12",
2904   pages =        "6191--6198",
2905   keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
2906                  DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
2907                  CRYSTALS; AMORPHIZATION",
2908   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
2909   doi =          "10.1063/1.346910",
2910   notes =        "ted of boron in si",
2911 }
2912
2913 @Article{cowern96,
2914   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2915                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2916   collaboration = "",
2917   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2918                  {B} in silicon",
2919   publisher =    "AIP",
2920   year =         "1996",
2921   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2922   volume =       "68",
2923   number =       "8",
2924   pages =        "1150--1152",
2925   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2926                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2927                  SILICON",
2928   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2929   doi =          "10.1063/1.115706",
2930   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2931 }
2932
2933 @Article{stolk95,
2934   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2935                  of the silicon self-interstitial",
2936   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2937   volume =       "96",
2938   number =       "1-2",
2939   pages =        "187--195",
2940   year =         "1995",
2941   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2942                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2943   ISSN =         "0168-583X",
2944   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2945   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2946   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2947                  and J. M. Poate",
2948 }
2949
2950 @Article{stolk97,
2951   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2952                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2953                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2954                  E. Haynes",
2955   collaboration = "",
2956   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2957                  diffusion in ion-implanted silicon",
2958   publisher =    "AIP",
2959   year =         "1997",
2960   journal =      "J. Appl. Phys.",
2961   volume =       "81",
2962   number =       "9",
2963   pages =        "6031--6050",
2964   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2965   doi =          "10.1063/1.364452",
2966   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2967 }
2968
2969 @Article{powell94,
2970   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2971   collaboration = "",
2972   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2973                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2974   publisher =    "AIP",
2975   year =         "1994",
2976   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2977   volume =       "64",
2978   number =       "3",
2979   pages =        "324--326",
2980   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2981                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2982                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2983                  SYNTHESIS",
2984   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2985   doi =          "10.1063/1.111195",
2986   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2987 }
2988
2989 @Article{soref91,
2990   author =       "Richard A. Soref",
2991   collaboration = "",
2992   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2993                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2994   publisher =    "AIP",
2995   year =         "1991",
2996   journal =      "J. Appl. Phys.",
2997   volume =       "70",
2998   number =       "4",
2999   pages =        "2470--2472",
3000   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
3001                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
3002                  TERNARY ALLOYS",
3003   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
3004   doi =          "10.1063/1.349403",
3005   notes =        "band gap of strained si by c",
3006 }
3007
3008 @Article{kasper91,
3009   author =       "E Kasper",
3010   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
3011                  possibility to produce direct band gap material",
3012   journal =      "Phys. Scr.",
3013   volume =       "T35",
3014   pages =        "232--236",
3015   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
3016   year =         "1991",
3017   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
3018                  quasi-direct one",
3019 }
3020
3021 @Article{eberl92,
3022   author =       "K. Eberl and S. S. Iyer and S. Zollner and J. C. Tsang
3023                  and F. K. LeGoues",
3024   collaboration = "",
3025   title =        "Growth and strain compensation effects in the ternary
3026                  Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloy system",
3027   publisher =    "AIP",
3028   year =         "1992",
3029   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3030   volume =       "60",
3031   number =       "24",
3032   pages =        "3033--3035",
3033   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; CARBON ALLOYS;
3034                  TERNARY ALLOYS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; MOLECULAR BEAM
3035                  EPITAXY; INTERNAL STRAINS; TEMPERATURE EFFECTS; CRYSTAL
3036                  STRUCTURE; LATTICE PARAMETERS; XRAY DIFFRACTION; PHASE
3037                  STUDIES",
3038   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/3033/1",
3039   doi =          "10.1063/1.106774",
3040 }
3041
3042 @Article{powell93,
3043   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and F. E. LeGoues and B. A.
3044                  Ek and S. S. Iyer",
3045   collaboration = "",
3046   title =        "Stability of strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random
3047                  alloy layers",
3048   publisher =    "AVS",
3049   year =         "1993",
3050   journal =      "J. Vac. Sci. Technol. B",
3051   volume =       "11",
3052   number =       "3",
3053   pages =        "1064--1068",
3054   location =     "Ottawa (Canada)",
3055   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; STRAINS; THICKNESS;
3056                  METASTABLE PHASES; TWINNING; DISLOCATIONS; MOLECULAR
3057                  BEAM EPITAXY; EPITAXIAL LAYERS; CRITICAL PHENOMENA;
3058                  TEMPERATURE RANGE 400--1000 K; BINARY ALLOYS",
3059   URL =          "http://link.aip.org/link/?JVB/11/1064/1",
3060   doi =          "10.1116/1.587008",
3061   notes =        "substitutional c in si by mbe",
3062 }
3063
3064 @Article{powell93_2,
3065   title =        "Si[sub 1-x-y]Ge[sub x]{C}[sub y] growth and properties
3066                  of the ternary system",
3067   journal =      "J. Cryst. Growth",
3068   volume =       "127",
3069   number =       "1-4",
3070   pages =        "425--429",
3071   year =         "1993",
3072   note =         "",
3073   ISSN =         "0022-0248",
3074   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90653-E",
3075   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46J3RF2-8H/2/27fc231f28e4dc0a3b4770e5cf03257e",
3076   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and B. A. Ek and S. S.
3077                  Iyer",
3078 }
3079
3080 @Article{osten94,
3081   author =       "H. J. Osten",
3082   title =        "Modification of Growth Modes in Lattice-Mismatched
3083                  Epitaxial Systems: Si/Ge",
3084   journal =      "phys. status solidi (a)",
3085   volume =       "145",
3086   number =       "2",
3087   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3088   ISSN =         "1521-396X",
3089   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211450203",
3090   doi =          "10.1002/pssa.2211450203",
3091   pages =        "235--245",
3092   year =         "1994",
3093 }
3094
3095 @Article{dietrich94,
3096   title =        "Lattice distortion in a strain-compensated
3097                  $Si_{1-x-y}$$Ge_{x}$${C}_{y}$ layer on silicon",
3098   author =       "B. Dietrich and H. J. Osten and H. R{\"u}cker and M.
3099                  Methfessel and P. Zaumseil",
3100   journal =      "Phys. Rev. B",
3101   volume =       "49",
3102   number =       "24",
3103   pages =        "17185--17190",
3104   numpages =     "5",
3105   year =         "1994",
3106   month =        jun,
3107   doi =          "10.1103/PhysRevB.49.17185",
3108   publisher =    "American Physical Society",
3109 }
3110
3111 @Article{osten94_2,
3112   author =       "H. J. Osten and E. Bugiel and P. Zaumseil",
3113   collaboration = "",
3114   title =        "Growth of an inverse tetragonal distorted SiGe layer
3115                  on Si(001) by adding small amounts of carbon",
3116   publisher =    "AIP",
3117   year =         "1994",
3118   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3119   volume =       "64",
3120   number =       "25",
3121   pages =        "3440--3442",
3122   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; FILM GROWTH; CARBON
3123                  ALLOYS; TERNARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TEM;
3124                  XRD; LATTICE PARAMETERS; EPITAXIAL LAYERS; TETRAGONAL
3125                  LATTICES",
3126   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/3440/1",
3127   doi =          "10.1063/1.111235",
3128   notes =        "inversely strained / distorted heterostructure",
3129 }
3130
3131 @Article{iyer92,
3132   author =       "S. S. Iyer and K. Eberl and M. S. Goorsky and F. K.
3133                  LeGoues and J. C. Tsang and F. Cardone",
3134   collaboration = "",
3135   title =        "Synthesis of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys by
3136                  molecular beam epitaxy",
3137   publisher =    "AIP",
3138   year =         "1992",
3139   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3140   volume =       "60",
3141   number =       "3",
3142   pages =        "356--358",
3143   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
3144                  SEMICONDUCTOR ALLOYS; SUPERLATTICES; MOLECULAR BEAM
3145                  EPITAXY; CHEMICAL COMPOSITION; TEMPERATURE EFFECTS;
3146                  FILM GROWTH; MICROSTRUCTURE",
3147   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/356/1",
3148   doi =          "10.1063/1.106655",
3149 }
3150
3151 @Article{osten99,
3152   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
3153   collaboration = "",
3154   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
3155                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
3156                  molecular beam epitaxy",
3157   publisher =    "AIP",
3158   year =         "1999",
3159   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3160   volume =       "74",
3161   number =       "6",
3162   pages =        "836--838",
3163   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
3164                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
3165                  compounds",
3166   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
3167   doi =          "10.1063/1.123384",
3168   notes =        "substitutional c in si by mbe",
3169 }
3170
3171 @Article{born27,
3172   author =       "M. Born and R. Oppenheimer",
3173   title =        "Zur Quantentheorie der Molekeln",
3174   journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
3175   volume =       "389",
3176   number =       "20",
3177   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3178   ISSN =         "1521-3889",
3179   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19273892002",
3180   doi =          "10.1002/andp.19273892002",
3181   pages =        "457--484",
3182   year =         "1927",
3183 }
3184
3185 @Article{hohenberg64,
3186   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
3187   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
3188   journal =      "Phys. Rev.",
3189   volume =       "136",
3190   number =       "3B",
3191   pages =        "B864--B871",
3192   numpages =     "7",
3193   year =         "1964",
3194   month =        nov,
3195   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
3196   publisher =    "American Physical Society",
3197   notes =        "density functional theory, dft",
3198 }
3199
3200 @Article{thomas27,
3201   title =        "The calculation of atomic fields",
3202   author =       "L. H. Thomas",
3203   journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
3204   volume =       "23",
3205   pages =        "542--548",
3206   year =         "1927",
3207   doi =          "10.1017/S0305004100011683",
3208 }
3209
3210 @Article{fermi27,
3211   title =        "",
3212   author =       "E. Fermi",
3213   journal =      "Atti Accad. Naz. Lincei, Cl. Sci. Fis. Mat. Nat.
3214                  Rend.",
3215   volume =       "6",
3216   pages =        "602",
3217   year =         "1927",
3218 }
3219
3220 @Article{hartree28,
3221   title =        "The Wave Mechanics of an Atom with a Non-Coulomb
3222                  Central Field. Part {I}. Theory and Methods",
3223   author =       "D. R. Hartree",
3224   journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
3225   volume =       "24",
3226   pages =        "89--110",
3227   year =         "1928",
3228   doi =          "10.1017/S0305004100011919",
3229 }
3230
3231 @Article{slater29,
3232   title =        "The Theory of Complex Spectra",
3233   author =       "J. C. Slater",
3234   journal =      "Phys. Rev.",
3235   volume =       "34",
3236   number =       "10",
3237   pages =        "1293--1322",
3238   numpages =     "29",
3239   year =         "1929",
3240   month =        nov,
3241   doi =          "10.1103/PhysRev.34.1293",
3242   publisher =    "American Physical Society",
3243 }
3244
3245 @Article{kohn65,
3246   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
3247                  Correlation Effects",
3248   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
3249   journal =      "Phys. Rev.",
3250   volume =       "140",
3251   number =       "4A",
3252   pages =        "A1133--A1138",
3253   numpages =     "5",
3254   year =         "1965",
3255   month =        nov,
3256   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
3257   publisher =    "American Physical Society",
3258   notes =        "dft, exchange and correlation",
3259 }
3260
3261 @Article{kohn96,
3262   title =        "Density Functional and Density Matrix Method Scaling
3263                  Linearly with the Number of Atoms",
3264   author =       "W. Kohn",
3265   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3266   volume =       "76",
3267   number =       "17",
3268   pages =        "3168--3171",
3269   numpages =     "3",
3270   year =         "1996",
3271   month =        apr,
3272   doi =          "10.1103/PhysRevLett.76.3168",
3273   publisher =    "American Physical Society",
3274 }
3275
3276 @Article{kohn98,
3277   title =        "Edge Electron Gas",
3278   author =       "Walter Kohn and Ann E. Mattsson",
3279   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3280   volume =       "81",
3281   number =       "16",