bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{schroedinger26,
   6   author =       "E. Schrödinger",
   7   title =        "Quantisierung als Eigenwertproblem",
   8   journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
   9   volume =       "384",
  10   number =       "4",
  11   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
  12   ISSN =         "1521-3889",
  13   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19263840404",
  14   doi =          "10.1002/andp.19263840404",
  15   pages =        "361--376",
  16   year =         "1926",
  17 }
  18
  19 @Article{bloch29,
  20   author =       "Felix Bloch",
  21   affiliation =  "Institut d. Universität f. theor. Physik Leipzig",
  22   title =        "Über die Quantenmechanik der Elektronen in
  23                  Kristallgittern",
  24   journal =      "Z. Phys.",
  25   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
  26   ISSN =         "0939-7922",
  27   keyword =      "Physics and Astronomy",
  28   pages =        "555--600",
  29   volume =       "52",
  30   issue =        "7",
  31   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF01339455",
  32   note =         "10.1007/BF01339455",
  33   year =         "1929",
  34 }
  35
  36 @Article{albe_sic_pot,
  37   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
  38   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
  39                  silicon, carbon, and silicon carbide",
  40   publisher =    "APS",
  41   year =         "2005",
  42   journal =      "Phys. Rev. B",
  43   volume =       "71",
  44   number =       "3",
  45   eid =          "035211",
  46   numpages =     "14",
  47   pages =        "035211",
  48   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  49                  potential (ABOP)",
  50   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  51                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  52                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  53                  forces",
  54   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  55   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  56 }
  57
  58 @Article{erhart04,
  59   title =        "The role of thermostats in modeling vapor phase
  60                  condensation of silicon nanoparticles",
  61   journal =      "Appl. Surf. Sci.",
  62   volume =       "226",
  63   number =       "1-3",
  64   pages =        "12--18",
  65   year =         "2004",
  66   note =         "EMRS 2003 Symposium F, Nanostructures from Clusters",
  67   ISSN =         "0169-4332",
  68   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2003.11.003",
  69   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4B957HV-8/2/b35dbe80a70d173f6f7a00dacbcbd738",
  70   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
  71 }
  72
  73 @Article{albe2002,
  74   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  75                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  76   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  77   journal =      "Phys. Rev. B",
  78   volume =       "65",
  79   number =       "19",
  80   pages =        "195124",
  81   numpages =     "11",
  82   year =         "2002",
  83   month =        may,
  84   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  85   publisher =    "American Physical Society",
  86   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  87 }
  88
  89 @Article{newman65,
  90   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
  91   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
  92   volume =       "26",
  93   number =       "2",
  94   pages =        "373--379",
  95   year =         "1965",
  96   note =         "",
  97   ISSN =         "0022-3697",
  98   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
  99   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
 100   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
 101   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
 102 }
 103
 104 @Article{baker68,
 105   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
 106                  Buschert",
 107   collaboration = "",
 108   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
 109   publisher =    "AIP",
 110   year =         "1968",
 111   journal =      "J. Appl. Phys.",
 112   volume =       "39",
 113   number =       "9",
 114   pages =        "4365--4368",
 115   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
 116   doi =          "10.1063/1.1656977",
 117   notes =        "lattice contraction due to subst c",
 118 }
 119
 120 @Article{bean71,
 121   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
 122   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
 123   volume =       "32",
 124   number =       "6",
 125   pages =        "1211--1219",
 126   year =         "1971",
 127   note =         "",
 128   ISSN =         "0022-3697",
 129   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
 130   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
 131   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 132   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
 133 }
 134
 135 @Article{capano97,
 136   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
 137   title =        "Silicon carbide electronic materials and devices",
 138   journal =      "MRS Bull.",
 139   year =         "1997",
 140   volume =       "22",
 141   number =       "3",
 142   pages =        "19--22",
 143   publisher =    "MATERIALS RESEARCH SOCIETY",
 144 }
 145
 146 @Article{capano97_old,
 147   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
 148   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
 149   journal =      "MRS Bull.",
 150   volume =       "22",
 151   pages =        "19",
 152   year =         "1997",
 153 }
 154
 155 @Article{fischer90,
 156   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
 157   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
 158                  carbide",
 159   journal =      "Philos. Mag. B",
 160   volume =       "61",
 161   pages =        "217--236",
 162   year =         "1990",
 163   notes =        "sic polytypes",
 164 }
 165
 166 @Article{koegler03,
 167   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
 168                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
 169                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
 170   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
 171                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
 172                  ions",
 173   journal =      "Appl. Phys. A",
 174   volume =       "76",
 175   pages =        "827--835",
 176   month =        mar,
 177   year =         "2003",
 178   URL =          "http://www.springerlink.com/content/jr8xj33mqc5vpwwj/",
 179   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
 180                  precipitation by interstitial and substitutional
 181                  carbon, both mechanisms explained + refs",
 182 }
 183
 184 @Article{skorupa96,
 185   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
 186                  silicon-related materials",
 187   journal =      "Mater. Chem. Phys.",
 188   volume =       "44",
 189   number =       "2",
 190   pages =        "101--143",
 191   year =         "1996",
 192   note =         "",
 193   ISSN =         "0254-0584",
 194   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 195   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 196   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 197   notes =        "review of silicon carbon compound",
 198 }
 199
 200 @Book{laplace,
 201   author =       "P. S. de Laplace",
 202   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 203   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 204   volume =       "VII",
 205   publisher =    "Gauthier-Villars",
 206   year =         "1820",
 207 }
 208
 209 @Article{mattoni2007,
 210   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 211   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 212                  materials}",
 213   journal =      "Phys. Rev. B",
 214   year =         "2007",
 215   month =        dec,
 216   volume =       "76",
 217   number =       "22",
 218   pages =        "224103",
 219   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 220   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 221                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 222                  fracture, more available potentials, universal energy
 223                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 224 }
 225
 226 @Article{balamane92,
 227   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 228                  potentials",
 229   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 230   journal =      "Phys. Rev. B",
 231   volume =       "46",
 232   number =       "4",
 233   pages =        "2250--2279",
 234   numpages =     "29",
 235   year =         "1992",
 236   month =        jul,
 237   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 238   publisher =    "American Physical Society",
 239   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 240 }
 241
 242 @Article{koster2002,
 243   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 244                  bombardment",
 245   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 246   journal =      "Phys. Rev. B",
 247   volume =       "62",
 248   number =       "16",
 249   pages =        "11219--11224",
 250   numpages =     "5",
 251   year =         "2000",
 252   month =        oct,
 253   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 254   publisher =    "American Physical Society",
 255   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 256 }
 257
 258 @Article{breadmore99,
 259   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 260                  amorphization of silicon",
 261   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 262   journal =      "Phys. Rev. B",
 263   volume =       "60",
 264   number =       "18",
 265   pages =        "12610--12616",
 266   numpages =     "6",
 267   year =         "1999",
 268   month =        nov,
 269   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 270   publisher =    "American Physical Society",
 271   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 272 }
 273
 274 @Article{nielsen83,
 275   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 276   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 277   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 278   volume =       "50",
 279   number =       "9",
 280   pages =        "697--700",
 281   numpages =     "3",
 282   year =         "1983",
 283   month =        feb,
 284   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 285   publisher =    "American Physical Society",
 286   notes =        "generalization of virial theorem",
 287 }
 288
 289 @Article{nielsen85,
 290   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 291   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 292   journal =      "Phys. Rev. B",
 293   volume =       "32",
 294   number =       "6",
 295   pages =        "3780--3791",
 296   numpages =     "11",
 297   year =         "1985",
 298   month =        sep,
 299   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 300   publisher =    "American Physical Society",
 301   notes =        "dft virial stress and forces",
 302 }
 303
 304 @Article{moissan04,
 305   author =       "Henri Moissan",
 306   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 307                  Diablo",
 308   journal =      "C. R. Acad. Sci.",
 309   volume =       "139",
 310   pages =        "773--786",
 311   year =         "1904",
 312 }
 313
 314 @Book{park98,
 315   author =       "Y. S. Park",
 316   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 317   publisher =    "Academic Press",
 318   address =      "San Diego",
 319   year =         "1998",
 320 }
 321
 322 @Article{tsvetkov98,
 323   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 324                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 325   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 326   journal =      "Mater. Sci. Forum",
 327   volume =       "264-268",
 328   pages =        "3--8",
 329   year =         "1998",
 330   notes =        "modified lely process, micropipes",
 331 }
 332
 333 @Article{verlet67,
 334   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 335                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 336   author =       "Loup Verlet",
 337   journal =      "Phys. Rev.",
 338   volume =       "159",
 339   number =       "1",
 340   pages =        "98",
 341   year =         "1967",
 342   month =        jul,
 343   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 344   publisher =    "American Physical Society",
 345   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 346                  motion",
 347 }
 348
 349 @Article{berendsen84,
 350   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 351                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 352   collaboration = "",
 353   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 354   publisher =    "AIP",
 355   year =         "1984",
 356   journal =      "J. Chem. Phys.",
 357   volume =       "81",
 358   number =       "8",
 359   pages =        "3684--3690",
 360   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 361                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 362   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 363   doi =          "10.1063/1.448118",
 364   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 365 }
 366
 367 @Article{huang95,
 368   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 369                  Baskes",
 370   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 371                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 372                  potentials",
 373   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 374   volume =       "3",
 375   number =       "5",
 376   pages =        "615--627",
 377   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 378   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 379                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 380   year =         "1995",
 381 }
 382
 383 @Article{brenner89,
 384   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 385                  Tersoff potentials",
 386   author =       "Donald W. Brenner",
 387   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 388   volume =       "63",
 389   number =       "9",
 390   pages =        "1022",
 391   numpages =     "1",
 392   year =         "1989",
 393   month =        aug,
 394   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 395   publisher =    "American Physical Society",
 396   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 397 }
 398
 399 @Article{batra87,
 400   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 401                  silicon",
 402   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 403   journal =      "Phys. Rev. B",
 404   volume =       "35",
 405   number =       "18",
 406   pages =        "9552--9558",
 407   numpages =     "6",
 408   year =         "1987",
 409   month =        jun,
 410   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 411   publisher =    "American Physical Society",
 412   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 413                  calculation of defect formation energy, defect
 414                  interstitial types",
 415 }
 416
 417 @Article{schober89,
 418   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 419   author =       "H. R. Schober",
 420   journal =      "Phys. Rev. B",
 421   volume =       "39",
 422   number =       "17",
 423   pages =        "13013--13015",
 424   numpages =     "2",
 425   year =         "1989",
 426   month =        jun,
 427   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 428   publisher =    "American Physical Society",
 429   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 430                  dumbbell configuration",
 431 }
 432
 433 @Article{gao02a,
 434   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 435                  Defect accumulation, topological features, and
 436                  disordering",
 437   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 438   journal =      "Phys. Rev. B",
 439   volume =       "66",
 440   number =       "2",
 441   pages =        "024106",
 442   numpages =     "10",
 443   year =         "2002",
 444   month =        jul,
 445   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 446   publisher =    "American Physical Society",
 447   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 448                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 449                  result analyze",
 450 }
 451
 452 @Article{devanathan98,
 453   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 454                  cascade in Si{C}",
 455   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 456   volume =       "141",
 457   number =       "1-4",
 458   pages =        "118--122",
 459   year =         "1998",
 460   ISSN =         "0168-583X",
 461   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 462   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 463                  Rubia",
 464   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 465                  3c-sic",
 466 }
 467
 468 @Article{devanathan98_2,
 469   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 470   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 471   volume =       "253",
 472   number =       "1-3",
 473   pages =        "47--52",
 474   year =         "1998",
 475   ISSN =         "0022-3115",
 476   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 477   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 478                  Weber",
 479   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 480                  tersoff",
 481 }
 482
 483 @Article{kitabatake00,
 484   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 485   author =       "M. Kitabatake",
 486   journal =      "Thin Solid Films",
 487   volume =       "369",
 488   pages =        "257--264",
 489   numpages =     "8",
 490   year =         "2000",
 491   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 492 }
 493
 494 @Article{tang97,
 495   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 496                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 497                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 498                  formation volumes",
 499   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 500                  Rubia",
 501   journal =      "Phys. Rev. B",
 502   volume =       "55",
 503   number =       "21",
 504   pages =        "14279--14289",
 505   numpages =     "10",
 506   year =         "1997",
 507   month =        jun,
 508   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 509   publisher =    "American Physical Society",
 510   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 511 }
 512
 513 @Article{johnson98,
 514   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 515                  Rubia",
 516   collaboration = "",
 517   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 518                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 519                  presence of carbon and boron",
 520   publisher =    "AIP",
 521   year =         "1998",
 522   journal =      "J. Appl. Phys.",
 523   volume =       "84",
 524   number =       "4",
 525   pages =        "1963--1967",
 526   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 527                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 528                  semiconductors; self-diffusion",
 529   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 530   doi =          "10.1063/1.368328",
 531   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 532                  diffsuion",
 533 }
 534
 535 @Article{bar-yam84,
 536   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 537                  Self-Interstitial",
 538   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 539   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 540   volume =       "52",
 541   number =       "13",
 542   pages =        "1129--1132",
 543   numpages =     "3",
 544   year =         "1984",
 545   month =        mar,
 546   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 547   publisher =    "American Physical Society",
 548   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 549 }
 550
 551 @Article{bar-yam84_2,
 552   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 553                  barriers of silicon self-interstitials",
 554   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 555   journal =      "Phys. Rev. B",
 556   volume =       "30",
 557   number =       "4",
 558   pages =        "1844--1852",
 559   numpages =     "8",
 560   year =         "1984",
 561   month =        aug,
 562   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 563   publisher =    "American Physical Society",
 564 }
 565
 566 @Article{bloechl93,
 567   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 568                  constants in silicon",
 569   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 570                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 571   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 572   volume =       "70",
 573   number =       "16",
 574   pages =        "2435--2438",
 575   numpages =     "3",
 576   year =         "1993",
 577   month =        apr,
 578   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 579   publisher =    "American Physical Society",
 580   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 581                  entropy calculations",
 582 }
 583
 584 @Article{munro99,
 585   title =        "Defect migration in crystalline silicon",
 586   author =       "Lindsey J. Munro and David J. Wales",
 587   journal =      "Phys. Rev. B",
 588   volume =       "59",
 589   number =       "6",
 590   pages =        "3969--3980",
 591   numpages =     "11",
 592   year =         "1999",
 593   month =        feb,
 594   doi =          "10.1103/PhysRevB.59.3969",
 595   publisher =    "American Physical Society",
 596   notes =        "eigenvector following method, vacancy and interstiial
 597                  defect migration mechanisms",
 598 }
 599
 600 @Article{colombo02,
 601   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 602                  silicon",
 603   author =       "L. Colombo",
 604   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 605   volume =       "32",
 606   pages =        "271--295",
 607   numpages =     "25",
 608   year =         "2002",
 609   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 610   publisher =    "Annual Reviews",
 611   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 612 }
 613
 614 @Article{al-mushadani03,
 615   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 616                  silicon",
 617   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 618   journal =      "Phys. Rev. B",
 619   volume =       "68",
 620   number =       "23",
 621   pages =        "235205",
 622   numpages =     "8",
 623   year =         "2003",
 624   month =        dec,
 625   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 626   publisher =    "American Physical Society",
 627   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 628                  silicon, si self interstitials, free energy",
 629 }
 630
 631 @Article{mattsson08,
 632   title =        "Electronic surface error in the Si interstitial
 633                  formation energy",
 634   author =       "Ann E. Mattsson and Ryan R. Wixom and Rickard
 635                  Armiento",
 636   journal =      "Phys. Rev. B",
 637   volume =       "77",
 638   number =       "15",
 639   pages =        "155211",
 640   numpages =     "7",
 641   year =         "2008",
 642   month =        apr,
 643   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.155211",
 644   publisher =    "American Physical Society",
 645   notes =        "si self interstitial formation energies by dft",
 646 }
 647
 648 @Article{goedecker02,
 649   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 650   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 651   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 652   volume =       "88",
 653   number =       "23",
 654   pages =        "235501",
 655   numpages =     "4",
 656   year =         "2002",
 657   month =        may,
 658   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 659   publisher =    "American Physical Society",
 660   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 661                  silicon",
 662 }
 663
 664 @Article{sahli05,
 665   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 666                  self-interstitial diffusion in silicon",
 667   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 668   journal =      "Phys. Rev. B",
 669   volume =       "72",
 670   number =       "24",
 671   pages =        "245210",
 672   numpages =     "6",
 673   year =         "2005",
 674   month =        dec,
 675   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 676   publisher =    "American Physical Society",
 677   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 678                  mapping applied",
 679 }
 680
 681 @Article{hobler05,
 682   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 683                  native point defects in silicon",
 684   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 685   volume =       "124-125",
 686   number =       "",
 687   pages =        "368--371",
 688   year =         "2005",
 689   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 690                  Issues for Future Technologies",
 691   ISSN =         "0921-5107",
 692   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 693   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 694   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 695   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 696                  radius",
 697 }
 698
 699 @Article{ma10,
 700   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 701                  wide temperature range: Point defect states and
 702                  migration mechanisms",
 703   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 704   journal =      "Phys. Rev. B",
 705   volume =       "81",
 706   number =       "19",
 707   pages =        "193203",
 708   numpages =     "4",
 709   year =         "2010",
 710   month =        may,
 711   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 712   publisher =    "American Physical Society",
 713   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 714 }
 715
 716 @Article{posselt06,
 717   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 718                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 719   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 720   journal =      "Phys. Rev. B",
 721   volume =       "73",
 722   number =       "12",
 723   pages =        "125206",
 724   numpages =     "8",
 725   year =         "2006",
 726   month =        mar,
 727   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 728   publisher =    "American Physical Society",
 729 }
 730
 731 @Article{posselt08,
 732   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 733                  migration mechanisms of vacancies and
 734                  self-interstitials: An atomistic study",
 735   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 736   journal =      "Phys. Rev. B",
 737   volume =       "78",
 738   number =       "3",
 739   pages =        "035208",
 740   numpages =     "9",
 741   year =         "2008",
 742   month =        jul,
 743   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 744   publisher =    "American Physical Society",
 745   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 746                  weber and tersoff",
 747 }
 748
 749 @Article{gao2001,
 750   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 751                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 752   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 753                  Corrales",
 754   journal =      "Phys. Rev. B",
 755   volume =       "64",
 756   number =       "24",
 757   pages =        "245208",
 758   numpages =     "7",
 759   year =         "2001",
 760   month =        dec,
 761   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 762   publisher =    "American Physical Society",
 763   notes =        "defects in 3c-sic",
 764 }
 765
 766 @Article{gao02,
 767   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 768                  3{C}-Si{C}",
 769   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 770   volume =       "191",
 771   number =       "1-4",
 772   pages =        "487--496",
 773   year =         "2002",
 774   note =         "",
 775   ISSN =         "0168-583X",
 776   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 777   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 778   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 779   keywords =     "Empirical potential",
 780   keywords =     "Defect properties",
 781   keywords =     "Silicon carbide",
 782   keywords =     "Computer simulation",
 783   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 784 }
 785
 786 @Article{gao04,
 787   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 788                  3{C}-Si{C}",
 789   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 790                  Belko",
 791   journal =      "Phys. Rev. B",
 792   volume =       "69",
 793   number =       "24",
 794   pages =        "245205",
 795   numpages =     "5",
 796   year =         "2004",
 797   month =        jun,
 798   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 799   publisher =    "American Physical Society",
 800   notes =        "defect migration in sic",
 801 }
 802
 803 @Article{gao07,
 804   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 805                  W. J. Weber",
 806   collaboration = "",
 807   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 808                  in cubic silicon carbide",
 809   publisher =    "AIP",
 810   year =         "2007",
 811   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 812   volume =       "90",
 813   number =       "22",
 814   eid =          "221915",
 815   numpages =     "3",
 816   pages =        "221915",
 817   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 818                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 819                  dynamics method; density functional theory;
 820                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 821                  impurities; diffusion",
 822   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 823   doi =          "10.1063/1.2743751",
 824 }
 825
 826 @Article{mattoni2002,
 827   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 828                  crystalline silicon",
 829   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 830   journal =      "Phys. Rev. B",
 831   volume =       "66",
 832   number =       "19",
 833   pages =        "195214",
 834   numpages =     "6",
 835   year =         "2002",
 836   month =        nov,
 837   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 838   publisher =    "American Physical Society",
 839   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 840                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 841                  tersoff suitability",
 842 }
 843
 844 @Article{leung99,
 845   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 846   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 847                  Itoh and S. Ihara",
 848   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 849   volume =       "83",
 850   number =       "12",
 851   pages =        "2351--2354",
 852   numpages =     "3",
 853   year =         "1999",
 854   month =        sep,
 855   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 856   publisher =    "American Physical Society",
 857   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 858                  refs",
 859 }
 860
 861 @Article{capaz94,
 862   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 863                  carbon in silicon",
 864   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 865   journal =      "Phys. Rev. B",
 866   volume =       "50",
 867   number =       "11",
 868   pages =        "7439--7442",
 869   numpages =     "3",
 870   year =         "1994",
 871   month =        sep,
 872   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 873   publisher =    "American Physical Society",
 874   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 875                  dumbbell",
 876 }
 877
 878 @Article{capaz98,
 879   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 880   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 881   journal =      "Phys. Rev. B",
 882   volume =       "58",
 883   number =       "15",
 884   pages =        "9845--9850",
 885   numpages =     "5",
 886   year =         "1998",
 887   month =        oct,
 888   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 889   publisher =    "American Physical Society",
 890   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 891 }
 892
 893 @Article{song90_2,
 894   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 895                  pair in silicon",
 896   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 897                  Watkins",
 898   journal =      "Phys. Rev. B",
 899   volume =       "42",
 900   number =       "9",
 901   pages =        "5765--5783",
 902   numpages =     "18",
 903   year =         "1990",
 904   month =        sep,
 905   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 906   publisher =    "American Physical Society",
 907   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 908 }
 909
 910 @Article{liu02,
 911   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 912                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 913   collaboration = "",
 914   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 915                  interactions in Si",
 916   publisher =    "AIP",
 917   year =         "2002",
 918   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 919   volume =       "80",
 920   number =       "1",
 921   pages =        "52--54",
 922   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 923                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 924                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 925   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 926   doi =          "10.1063/1.1430505",
 927   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 928 }
 929
 930 @Article{dal_pino93,
 931   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 932                  silicon",
 933   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 934                  Joannopoulos",
 935   journal =      "Phys. Rev. B",
 936   volume =       "47",
 937   number =       "19",
 938   pages =        "12554--12557",
 939   numpages =     "3",
 940   year =         "1993",
 941   month =        may,
 942   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 943   publisher =    "American Physical Society",
 944   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 945 }
 946
 947 @Article{car84,
 948   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 949                  Silicon",
 950   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 951                  Sokrates T. Pantelides",
 952   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 953   volume =       "52",
 954   number =       "20",
 955   pages =        "1814--1817",
 956   numpages =     "3",
 957   year =         "1984",
 958   month =        may,
 959   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 960   publisher =    "American Physical Society",
 961   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 962                  path formation",
 963 }
 964
 965 @Article{car85,
 966   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 967                  Density-Functional Theory",
 968   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 969   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 970   volume =       "55",
 971   number =       "22",
 972   pages =        "2471--2474",
 973   numpages =     "3",
 974   year =         "1985",
 975   month =        nov,
 976   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 977   publisher =    "American Physical Society",
 978   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 979 }
 980
 981 @Article{kelires97,
 982   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 983                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 984   author =       "P. C. Kelires",
 985   journal =      "Phys. Rev. B",
 986   volume =       "55",
 987   number =       "14",
 988   pages =        "8784--8787",
 989   numpages =     "3",
 990   year =         "1997",
 991   month =        apr,
 992   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 993   publisher =    "American Physical Society",
 994   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 995                  neighbour dist",
 996 }
 997
 998 @Article{kelires95,
 999   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
1000                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
1001   author =       "P. C. Kelires",
1002   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1003   volume =       "75",
1004   number =       "6",
1005   pages =        "1114--1117",
1006   numpages =     "3",
1007   year =         "1995",
1008   month =        aug,
1009   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
1010   publisher =    "American Physical Society",
1011   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
1012 }
1013
1014 @Article{bean70,
1015   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
1016                  containing carbon",
1017   journal =      "Solid State Commun.",
1018   volume =       "8",
1019   number =       "3",
1020   pages =        "175--177",
1021   year =         "1970",
1022   note =         "",
1023   ISSN =         "0038-1098",
1024   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
1025   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
1026   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
1027 }
1028
1029 @Article{durand99,
1030   author =       "F. Durand and J. Duby",
1031   affiliation =  "EPM-Madylam, CNRS and INP Grenoble, France",
1032   title =        "Carbon solubility in solid and liquid silicon—{A}
1033                  review with reference to eutectic equilibrium",
1034   journal =      "Journal of Phase Equilibria",
1035   publisher =    "Springer New York",
1036   ISSN =         "1054-9714",
1037   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
1038   pages =        "61--63",
1039   volume =       "20",
1040   issue =        "1",
1041   URL =          "http://dx.doi.org/10.1361/105497199770335956",
1042   note =         "10.1361/105497199770335956",
1043   year =         "1999",
1044   notes =        "better c solubility limit in silicon",
1045 }
1046
1047 @Article{watkins76,
1048   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
1049                  Atom in Silicon",
1050   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
1051   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1052   volume =       "36",
1053   number =       "22",
1054   pages =        "1329--1332",
1055   numpages =     "3",
1056   year =         "1976",
1057   month =        may,
1058   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
1059   publisher =    "American Physical Society",
1060   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
1061                  silicon",
1062 }
1063
1064 @Article{song90,
1065   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
1066                  interstitial carbon in silicon",
1067   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
1068   journal =      "Phys. Rev. B",
1069   volume =       "42",
1070   number =       "9",
1071   pages =        "5759--5764",
1072   numpages =     "5",
1073   year =         "1990",
1074   month =        sep,
1075   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
1076   publisher =    "American Physical Society",
1077   notes =        "carbon diffusion in silicon",
1078 }
1079
1080 @Article{tipping87,
1081   author =       "A K Tipping and R C Newman",
1082   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
1083                  silicon",
1084   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
1085   volume =       "2",
1086   number =       "5",
1087   pages =        "315--317",
1088   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
1089   year =         "1987",
1090   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
1091                  silicon",
1092 }
1093
1094 @Article{isomae93,
1095   author =       "Seiichi Isomae and Tsutomu Ishiba and Toshio Ando and
1096                  Masao Tamura",
1097   collaboration = "",
1098   title =        "Annealing behavior of Me{V} implanted carbon in
1099                  silicon",
1100   publisher =    "AIP",
1101   year =         "1993",
1102   journal =      "J. Appl. Phys.",
1103   volume =       "74",
1104   number =       "6",
1105   pages =        "3815--3820",
1106   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; WAFERS; CARBON IONS; MEV
1107                  RANGE 0110; TEM; SIMS; INFRARED SPECTRA; STRAINS; DEPTH
1108                  PROFILES",
1109   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/3815/1",
1110   doi =          "10.1063/1.354474",
1111   notes =        "c at interstitial location for rt implantation in si",
1112 }
1113
1114 @Article{strane96,
1115   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
1116                  ion implantation and solid phase epitaxy",
1117   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
1118                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1119   journal =      "J. Appl. Phys.",
1120   volume =       "79",
1121   pages =        "637",
1122   year =         "1996",
1123   month =        jan,
1124   doi =          "10.1063/1.360806",
1125   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
1126 }
1127
1128 @Article{laveant2002,
1129   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1130   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1131   volume =       "89",
1132   number =       "1-3",
1133   pages =        "241--245",
1134   year =         "2002",
1135   ISSN =         "0921-5107",
1136   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1137   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1138   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1139                  G{\"{o}}sele",
1140   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1141                  stress, avoid sic precipitation",
1142 }
1143
1144 @Article{foell77,
1145   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1146                  agglomeration of self-interstitials",
1147   journal =      "J. Cryst. Growth",
1148   volume =       "40",
1149   number =       "1",
1150   pages =        "90--108",
1151   year =         "1977",
1152   note =         "",
1153   ISSN =         "0022-0248",
1154   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1155   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1156   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1157   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1158                  agglomerate",
1159 }
1160
1161 @Article{foell81,
1162   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1163                  defects",
1164   journal =      "J. Cryst. Growth",
1165   volume =       "52",
1166   number =       "Part 2",
1167   pages =        "907--916",
1168   year =         "1981",
1169   note =         "",
1170   ISSN =         "0022-0248",
1171   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1172   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1173   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1174   notes =        "swirl review",
1175 }
1176
1177 @Article{werner97,
1178   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1179                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1180   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1181                  silicon by transmission electron microscopy",
1182   publisher =    "AIP",
1183   year =         "1997",
1184   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1185   volume =       "70",
1186   number =       "2",
1187   pages =        "252--254",
1188   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1189                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1190                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1191                  layers; precipitation",
1192   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1193   doi =          "10.1063/1.118381",
1194   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1195                  precipitate",
1196 }
1197
1198 @InProceedings{werner96,
1199   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1200                  Eichler",
1201   booktitle =    "Proceedings of the 11th International Conference on
1202                  Ion Implantation Technology.",
1203   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1204                  implanted silicon",
1205   year =         "1996",
1206   month =        jun,
1207   volume =       "",
1208   number =       "",
1209   pages =        "675--678",
1210   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1211   ISSN =         "",
1212   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1213 }
1214
1215 @Article{werner98,
1216   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1217                  D. C. Jacobson",
1218   collaboration = "",
1219   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1220   publisher =    "AIP",
1221   year =         "1998",
1222   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1223   volume =       "73",
1224   number =       "17",
1225   pages =        "2465--2467",
1226   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1227                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1228                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1229                  impurity distribution",
1230   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1231   doi =          "10.1063/1.122483",
1232   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1233 }
1234
1235 @Article{kalejs84,
1236   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1237   collaboration = "",
1238   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1239                  silicon",
1240   publisher =    "AIP",
1241   year =         "1984",
1242   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1243   volume =       "45",
1244   number =       "3",
1245   pages =        "268--269",
1246   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1247                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1248                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1249   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1250   doi =          "10.1063/1.95167",
1251   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1252 }
1253
1254 @Article{fukami90,
1255   author =       "Akira Fukami and Ken-ichi Shoji and Takahiro Nagano
1256                  and Cary Y. Yang",
1257   collaboration = "",
1258   title =        "Characterization of SiGe/Si heterostructures formed by
1259                  Ge[sup + ] and {C}[sup + ] implantation",
1260   publisher =    "AIP",
1261   year =         "1990",
1262   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1263   volume =       "57",
1264   number =       "22",
1265   pages =        "2345--2347",
1266   keywords =     "HETEROJUNCTIONS; ION IMPLANTATION; HETEROSTRUCTURES;
1267                  FABRICATION; PN JUNCTIONS; LEAKAGE CURRENT; GERMANIUM
1268                  SILICIDES; SILICON; ELECTRICAL PROPERTIES; SOLIDPHASE
1269                  EPITAXY; CARBON IONS; GERMANIUM IONS",
1270   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/57/2345/1",
1271   doi =          "10.1063/1.103888",
1272 }
1273
1274 @Article{strane93,
1275   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and B. L.
1276                  Doyle and S. T. Picraux and J. W. Mayer",
1277   collaboration = "",
1278   title =        "Metastable SiGe{C} formation by solid phase epitaxy",
1279   publisher =    "AIP",
1280   year =         "1993",
1281   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1282   volume =       "63",
1283   number =       "20",
1284   pages =        "2786--2788",
1285   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; TERNARY ALLOY
1286                  SYSTEMS; EPITAXY; ION IMPLANTATION; METASTABLE STATES;
1287                  ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; RUTHERFORD
1288                  SCATTERING; XRAY DIFFRACTION; STRAINS; SOLIDPHASE
1289                  EPITAXY; AMORPHIZATION",
1290   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/63/2786/1",
1291   doi =          "10.1063/1.110334",
1292 }
1293
1294 @Article{goorsky92,
1295   author =       "M. S. Goorsky and S. S. Iyer and K. Eberl and F.
1296                  Legoues and J. Angilello and F. Cardone",
1297   collaboration = "",
1298   title =        "Thermal stability of Si[sub 1 - x]{C}[sub x]/Si
1299                  strained layer superlattices",
1300   publisher =    "AIP",
1301   year =         "1992",
1302   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1303   volume =       "60",
1304   number =       "22",
1305   pages =        "2758--2760",
1306   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
1307                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; SUPERLATTICES; ANNEALING;
1308                  CHEMICAL COMPOSITION; INTERNAL STRAINS; STRESS
1309                  RELAXATION; THERMAL INSTABILITIES; INTERFACE STRUCTURE;
1310                  DIFFUSION; PRECIPITATION; TEMPERATURE EFFECTS",
1311   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/2758/1",
1312   doi =          "10.1063/1.106868",
1313 }
1314
1315 @Article{strane94,
1316   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1317                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1318   collaboration = "",
1319   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1320                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1321   publisher =    "AIP",
1322   year =         "1994",
1323   journal =      "J. Appl. Phys.",
1324   volume =       "76",
1325   number =       "6",
1326   pages =        "3656--3668",
1327   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1328   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1329   doi =          "10.1063/1.357429",
1330   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1331                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1332                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1333                  energy",
1334 }
1335
1336 @Article{fischer95,
1337   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1338                  Osten",
1339   collaboration = "",
1340   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1341                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1342   publisher =    "AIP",
1343   year =         "1995",
1344   journal =      "J. Appl. Phys.",
1345   volume =       "77",
1346   number =       "5",
1347   pages =        "1934--1937",
1348   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1349                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1350                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1351                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1352   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1353   doi =          "10.1063/1.358826",
1354 }
1355
1356 @Article{edgar92,
1357   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1358                  semiconductors",
1359   author =       "J. H. Edgar",
1360   journal =      "J. Mater. Res.",
1361   volume =       "7",
1362   pages =        "235",
1363   year =         "1992",
1364   month =        jan,
1365   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1366   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1367                  polytypes",
1368 }
1369
1370 @Misc{talk2004,
1371   title =        "{Monte-Carlo-Simulation der Selbstorganisation
1372                  amorpher nonometrischer SiC$_x$-Ausscheidungen in
1373                  Silizium w{\"a}hrend C$^+$-Ionen-Implantation}",
1374   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1375                  and B. Stritzker",
1376   year =         "2004",
1377   month =        "02",
1378   note =         "AKF-Fr{\"u}hjahrstagung der DPG, Regensburg, 02/2004,
1379                  DS 1.4",
1380 }
1381
1382 @Misc{talk2005,
1383   title =        "{Kinetik des Selbstorganisationsvorganges bei der
1384                  Bildung von SiC$_x$-Ausscheidungs-Arrays in
1385                  C$^+$-Ionen-implantierten Silizium}",
1386   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1387                  and B. Stritzker",
1388   year =         "2005",
1389   month =        "02",
1390   note =         "69. Jahrestagung der DPG, Berlin, 02/2005, DS 8.6",
1391 }
1392
1393 @Misc{talk2008,
1394   title =        "Molecular dynamics simulation study of the silicon
1395                  carbide precipitation process",
1396   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1397                  B. Stritzker",
1398   year =         "2008",
1399   month =        "01",
1400   note =         "72. Annual Meeting and DPG-Spring Meeting 2008,
1401                  Berlin, 01/2008, DS 42.2",
1402 }
1403
1404 @Misc{poster2006,
1405   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganization
1406                  process leading to ordered precipitate structures",
1407   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1408                  and B. Stritzker",
1409   year =         "2006",
1410   month =        "09",
1411   note =         "IBMM 2006, Taormina (Sicily), 09/2006, M243",
1412 }
1413
1414 @Article{zirkelbach2007,
1415   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1416                  process leading to ordered precipitate structures",
1417   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1418                  and B. Stritzker",
1419   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1420   volume =       "257",
1421   number =       "1--2",
1422   pages =        "75--79",
1423   numpages =     "5",
1424   year =         "2007",
1425   month =        apr,
1426   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1427   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1428                  NETHERLANDS",
1429   abstract =     "Periodically arranged, selforganised, nanometric,
1430                  amorphous precipitates have been observed after
1431                  high-fluence ion implantations into solids for a number
1432                  of ion/target combinations at certain implantation
1433                  conditions. A model describing the ordering process
1434                  based on compressive stress exerted by the amorphous
1435                  inclusions as a result of the density change upon
1436                  amorphisation is introduced. A Monte Carlo simulation
1437                  code, which focuses on high-fluence carbon
1438                  implantations into silicon, is able to reproduce
1439                  experimentally observed nanolamella distributions as
1440                  well as the formation of continuous amorphous layers.
1441                  By means of simulation, the selforganisation process
1442                  becomes traceable and detailed information about the
1443                  compositional and structural state during the ordering
1444                  process is obtained. Based on simulation results, a
1445                  recipe is proposed for producing broad distributions of
1446                  ordered lamellar structures.",
1447 }
1448
1449 @Article{zirkelbach2006,
1450   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1451                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1452                  during ion irradiation",
1453   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1454                  and B. Stritzker",
1455   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1456   volume =       "242",
1457   number =       "1--2",
1458   pages =        "679--682",
1459   numpages =     "4",
1460   year =         "2006",
1461   month =        jan,
1462   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1463   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1464                  NETHERLANDS",
1465   abstract =     "High-dose ion implantation of materials that undergo
1466                  drastic density change upon amorphization at certain
1467                  implantation conditions results in periodically
1468                  arranged, self-organized, nanometric configurations of
1469                  the amorphous phase. A simple model explaining the
1470                  phenomenon is introduced and implemented in a
1471                  Monte-Carlo simulation code. Through simulation
1472                  conditions for observing lamellar precipitates are
1473                  specified and additional information about the
1474                  compositional and structural state during the ordering
1475                  process is gained.",
1476 }
1477
1478 @Article{zirkelbach2005,
1479   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1480                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1481                  ion irradiation",
1482   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1483                  and B. Stritzker",
1484   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1485   volume =       "33",
1486   number =       "1--3",
1487   pages =        "310--316",
1488   numpages =     "7",
1489   year =         "2005",
1490   month =        apr,
1491   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1492   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1493                  NETHERLANDS",
1494   abstract =     "Ion irradiation of materials, which undergo a drastic
1495                  density change upon amorphization have been shown to
1496                  exhibit selforganized, nanometric structures of the
1497                  amorphous phase in the crystalline host lattice. In
1498                  order to better understand the process a
1499                  Monte-Carlo-simulation code based on a simple model is
1500                  developed. In the present work we focus on high-dose
1501                  carbon implantations into silicon. The simulation is
1502                  able to reproduce results gained by cross-sectional TEM
1503                  measurements of high-dose carbon implanted silicon.
1504                  Necessary conditions can be specified for the
1505                  self-organization process and information is gained
1506                  about the compositional and structural state during the
1507                  ordering process which is difficult to be obtained by
1508                  experiment.",
1509 }
1510
1511 @Article{zirkelbach09,
1512   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1513                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1514   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1515   volume =       "159-160",
1516   number =       "",
1517   pages =        "149--152",
1518   year =         "2009",
1519   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1520                  Silicon Materials Research for Electronic and
1521                  Photovoltaic Applications",
1522   ISSN =         "0921-5107",
1523   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1524   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1525   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1526                  B. Stritzker",
1527   keywords =     "Silicon",
1528   keywords =     "Carbon",
1529   keywords =     "Silicon carbide",
1530   keywords =     "Nucleation",
1531   keywords =     "Defect formation",
1532   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1533   abstract =     "The precipitation process of silicon carbide in
1534                  heavily carbon doped silicon is not yet fully
1535                  understood. High resolution transmission electron
1536                  microscopy observations suggest that in a first step
1537                  carbon atoms form C-Si dumbbells on regular Si lattice
1538                  sites which agglomerate into large clusters. In a
1539                  second step, when the cluster size reaches a radius of
1540                  a few nm, the high interfacial energy due to the SiC/Si
1541                  lattice misfit of almost 20\% is overcome and the
1542                  precipitation occurs. By simulation, details of the
1543                  precipitation process can be obtained on the atomic
1544                  level. A recently proposed parametrization of a
1545                  Tersoff-like bond order potential is used to model the
1546                  system appropriately. Preliminary results gained by
1547                  molecular dynamics simulations using this potential are
1548                  presented.",
1549 }
1550
1551 @Article{zirkelbach10,
1552   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1553                  classical potentials and first-principles methods",
1554   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1555                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1556   journal =      "Phys. Rev. B",
1557   volume =       "82",
1558   number =       "9",
1559   pages =        "094110",
1560   numpages =     "6",
1561   year =         "2010",
1562   month =        sep,
1563   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1564   publisher =    "American Physical Society",
1565   abstract =     "A comparative theoretical investigation of carbon
1566                  interstitials in silicon is presented. Calculations
1567                  using classical potentials are compared to
1568                  first-principles density-functional theory calculations
1569                  of the geometries, formation, and activation energies
1570                  of the carbon dumbbell interstitial, showing the
1571                  importance of a quantum-mechanical description of this
1572                  system. In contrast to previous studies, the present
1573                  first-principles calculations of the interstitial
1574                  carbon migration path yield an activation energy that
1575                  excellently matches the experiment. The bond-centered
1576                  interstitial configuration shows a net magnetization of
1577                  two electrons, illustrating the need for spin-polarized
1578                  calculations.",
1579 }
1580
1581 @Article{zirkelbach11,
1582   journal =      "Phys. Rev. B",
1583   month =        aug,
1584   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.84.064126",
1585   publisher =    "American Physical Society",
1586   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1587                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1588   title =        "Combined \textit{ab initio} and classical potential
1589                  simulation study on silicon carbide precipitation in
1590                  silicon",
1591   year =         "2011",
1592   pages =        "064126",
1593   numpages =     "18",
1594   volume =       "84",
1595   doi =          "10.1103/PhysRevB.84.064126",
1596   issue =        "6",
1597   abstract =     "Atomistic simulations on the silicon carbide
1598                  precipitation in bulk silicon employing both, classical
1599                  potential and first-principles methods are presented.
1600                  The calculations aim at a comprehensive, microscopic
1601                  understanding of the precipitation mechanism in the
1602                  context of controversial discussions in the literature.
1603                  For the quantum-mechanical treatment, basic processes
1604                  assumed in the precipitation process are calculated in
1605                  feasible systems of small size. The migration mechanism
1606                  of a carbon \hkl<1 0 0> interstitial and silicon \hkl<1
1607                  1 0> self-interstitial in otherwise defect-free silicon
1608                  are investigated using density functional theory
1609                  calculations. The influence of a nearby vacancy,
1610                  another carbon interstitial and a substitutional defect
1611                  as well as a silicon self-interstitial has been
1612                  investigated systematically. Interactions of various
1613                  combinations of defects have been characterized
1614                  including a couple of selected migration pathways
1615                  within these configurations. Almost all of the
1616                  investigated pairs of defects tend to agglomerate
1617                  allowing for a reduction in strain. The formation of
1618                  structures involving strong carbon-carbon bonds turns
1619                  out to be very unlikely. In contrast, substitutional
1620                  carbon occurs in all probability. A long range capture
1621                  radius has been observed for pairs of interstitial
1622                  carbon as well as interstitial carbon and vacancies. A
1623                  rather small capture radius is predicted for
1624                  substitutional carbon and silicon self-interstitials.
1625                  Initial assumptions regarding the precipitation
1626                  mechanism of silicon carbide in bulk silicon are
1627                  established and conformability to experimental findings
1628                  is discussed. Furthermore, results of the accurate
1629                  first-principles calculations on defects and carbon
1630                  diffusion in silicon are compared to results of
1631                  classical potential simulations revealing significant
1632                  limitations of the latter method. An approach to work
1633                  around this problem is proposed. Finally, results of
1634                  the classical potential molecular dynamics simulations
1635                  of large systems are examined, which reinforce previous
1636                  assumptions and give further insight into basic
1637                  processes involved in the silicon carbide transition.",
1638 }
1639
1640 @Article{zirkelbach12,
1641   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and W.
1642                  G. Schmidt and E. Rauls and J. K. N. Lindner",
1643   title =        "First-principles and empirical potential simulation
1644                  study of intrinsic and carbon-related defects in
1645                  silicon",
1646   journal =      "phys. status solidi (c)",
1647   volume =       "9",
1648   number =       "10-11",
1649   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
1650   ISSN =         "1610-1642",
1651   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201200198",
1652   doi =          "10.1002/pssc.201200198",
1653   pages =        "1968--1973",
1654   keywords =     "silicon, carbon, silicon carbide, defect formation,
1655                  defect migration, density functional theory, empirical
1656                  potential, molecular dynamics",
1657   year =         "2012",
1658   abstract =     "Results of atomistic simulations aimed at
1659                  understanding precipitation of the highly attractive
1660                  wide band gap semiconductor material silicon carbide in
1661                  silicon are presented. The study involves a systematic
1662                  investigation of intrinsic and carbon-related defects
1663                  as well as defect combinations and defect migration by
1664                  both, quantummechanical first-principles as well as
1665                  empirical potential methods. Comparing formation and
1666                  activation energies, ground-state structures of defects
1667                  and defect combinations as well as energetically
1668                  favorable agglomeration of defects are predicted.
1669                  Moreover, accurate ab initio calculations unveil
1670                  limitations of the analytical method based on a
1671                  Tersoff-like bond order potential. A work-around is
1672                  proposed in order to subsequently apply the highly
1673                  efficient technique on large structures not accessible
1674                  by first-principles methods. The outcome of both types
1675                  of simulation provides a basic microscopic
1676                  understanding of defect formation and structural
1677                  evolution particularly at non-equilibrium conditions
1678                  strongly deviated from the ground state as commonly
1679                  found in SiC growth processes. A possible precipitation
1680                  mechanism, which conforms well to experimental findings
1681                  and clarifies contradictory views present in the
1682                  literature is outlined (© 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH \&
1683                  Co. KGaA, Weinheim)",
1684 }
1685
1686 @Article{zirkelbach14,
1687   author =       "F. Zirkelbach and P.-Y. Prodhomme and P. Han and R.
1688                  Cherian and G. Bester",
1689   title =        "Large-scale Atomic Effective Pseudopotential Program
1690                  ({LATEPP}) including an efficient spin-orbit coupling
1691                  treatment in real space",
1692   journal =      "to be published",
1693   year =         "2014",
1694   abstract =     "Within the scheme of the {\em Large-scale Atomic
1695                  Effective Pseudopotential Program}, the Schr{\"o}dinger
1696                  equation of an electronic system is solved within an
1697                  effective single-particle approach. Although not
1698                  limited to, it focuses on the recently introduced
1699                  atomic effective pseudopotentials derived from screened
1700                  local effective crystal potentials as obtained from
1701                  self-consistent density functional theory calculations.
1702                  Plane waves are used to expand the wavefunctions. The
1703                  problem can be solved in both, real and reciprocal
1704                  space. Using atomic effective pseudopotentials, a
1705                  self-consistency cycle is not required, which
1706                  drastically reduces the computational effort.
1707                  Furthermore, without having to find a self-consistent
1708                  solution, which would require the determination of all
1709                  eigenstates, iterative solvers can be used to focus
1710                  only on a few eigenstates in the vicinity of a
1711                  reference energy, e.g.\ around the band gap of a
1712                  semiconductor. Hence, this approach is particularly
1713                  well suited for theoretical investigations of the
1714                  electronic structure of semiconductor nanostructures
1715                  consisting of up to several thousands of atoms.
1716                  Moreover, a novel and efficient real space treatment of
1717                  spin-orbit coupling within the pseudopotential
1718                  framework is proposed in this work allowing for a fully
1719                  relativistic description.",
1720 }
1721
1722 @Article{lindner95,
1723   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1724                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1725   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1726                  Layers in Silicon",
1727   journal =      "MRS Proc.",
1728   volume =       "354",
1729   number =       "",
1730   pages =        "171",
1731   year =         "1994",
1732   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1733   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1734   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1735 }
1736
1737 @Article{lindner96,
1738   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1739                  in silicon by ion beam synthesis",
1740   journal =      "Mater. Chem. Phys.",
1741   volume =       "46",
1742   number =       "2-3",
1743   pages =        "147--155",
1744   year =         "1996",
1745   note =         "",
1746   ISSN =         "0254-0584",
1747   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1748   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1749   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1750                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1751                  Stritzker",
1752   notes =        "dose window",
1753 }
1754
1755 @Article{calcagno96,
1756   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1757                  ion implantation",
1758   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1759   volume =       "120",
1760   number =       "1-4",
1761   pages =        "121--124",
1762   year =         "1996",
1763   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1764                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1765   ISSN =         "0168-583X",
1766   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1767   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1768   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1769                  Grimaldi and P. Musumeci",
1770   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1771 }
1772
1773 @Article{lindner98,
1774   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1775                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1776   journal =      "Mater. Sci. Forum",
1777   volume =       "264-268",
1778   pages =        "215--218",
1779   year =         "1998",
1780   note =         "",
1781   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1782   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1783   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1784   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1785                  crystallinity",
1786 }
1787
1788 @Article{lindner99,
1789   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1790                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1791                  layers in silicon",
1792   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1793   volume =       "147",
1794   number =       "1-4",
1795   pages =        "249--255",
1796   year =         "1999",
1797   note =         "",
1798   ISSN =         "0168-583X",
1799   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1800   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1801   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1802   notes =        "two-step implantation process",
1803 }
1804
1805 @Article{lindner99_2,
1806   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1807                  in silicon",
1808   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1809   volume =       "148",
1810   number =       "1-4",
1811   pages =        "528--533",
1812   year =         "1999",
1813   ISSN =         "0168-583X",
1814   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1815   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1816   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1817   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1818 }
1819
1820 @Article{lindner01,
1821   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1822                  Basic physical processes",
1823   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1824   volume =       "178",
1825   number =       "1-4",
1826   pages =        "44--54",
1827   year =         "2001",
1828   note =         "",
1829   ISSN =         "0168-583X",
1830   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1831   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1832   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1833 }
1834
1835 @Article{lindner02,
1836   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1837                  fundamental studies for new technological tricks",
1838   author =       "J. K. N. Lindner",
1839   journal =      "Appl. Phys. A",
1840   volume =       "77",
1841   pages =        "27--38",
1842   year =         "2003",
1843   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1844   notes =        "ibs, burried sic layers",
1845 }
1846
1847 @Article{lindner06,
1848   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1849                  formation and displacive precipitate resolution in the
1850                  {C}-Si system",
1851   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1852   volume =       "26",
1853   number =       "5-7",
1854   pages =        "857--861",
1855   year =         "2006",
1856   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1857                  Applications",
1858   ISSN =         "0928-4931",
1859   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1860   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1861   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1862                  and B. Stritzker",
1863   notes =        "c int diffusion barrier",
1864 }
1865
1866 @Article{haeberlen10,
1867   title =        "Structural characterization of cubic and hexagonal
1868                  Ga{N} thin films grown by {IBA}-{MBE} on Si{C}/Si",
1869   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1870   volume =       "312",
1871   number =       "6",
1872   pages =        "762--769",
1873   year =         "2010",
1874   note =         "",
1875   ISSN =         "0022-0248",
1876   doi =          "10.1016/j.jcrysgro.2009.12.048",
1877   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024809011452",
1878   author =       "M. H{\"a}berlen and J. W. Gerlach and B. Murphy and J.
1879                  K. N. Lindner and B. Stritzker",
1880 }
1881
1882 @Article{ito04,
1883   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1884                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1885                  growth",
1886   journal =      "Appl. Surf. Sci.",
1887   volume =       "238",
1888   number =       "1-4",
1889   pages =        "159--164",
1890   year =         "2004",
1891   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1892   ISSN =         "0169-4332",
1893   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1894   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1895   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1896                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1897   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1898 }
1899
1900 @Article{yamamoto04,
1901   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1902                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1903                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1904   journal =      "J. Cryst. Growth",
1905   volume =       "261",
1906   number =       "2-3",
1907   pages =        "266--270",
1908   year =         "2004",
1909   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1910                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1911   ISSN =         "0022-0248",
1912   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1913   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1914   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1915                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1916   notes =        "gan on 3c-sic",
1917 }
1918
1919 @Article{liu_l02,
1920   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1921   journal =      "Mater. Sci. Eng., R",
1922   volume =       "37",
1923   number =       "3",
1924   pages =        "61--127",
1925   year =         "2002",
1926   note =         "",
1927   ISSN =         "0927-796X",
1928   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1929   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1930   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1931   notes =        "gan substrates",
1932 }
1933
1934 @Article{takeuchi91,
1935   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1936                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1937   journal =      "J. Cryst. Growth",
1938   volume =       "115",
1939   number =       "1-4",
1940   pages =        "634--638",
1941   year =         "1991",
1942   note =         "",
1943   ISSN =         "0022-0248",
1944   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1945   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1946   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1947                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1948   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1949 }
1950
1951 @Article{alder57,
1952   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1953   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1954   publisher =    "AIP",
1955   year =         "1957",
1956   journal =      "J. Chem. Phys.",
1957   volume =       "27",
1958   number =       "5",
1959   pages =        "1208--1209",
1960   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1961   doi =          "10.1063/1.1743957",
1962 }
1963
1964 @Article{alder59,
1965   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1966   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1967   publisher =    "AIP",
1968   year =         "1959",
1969   journal =      "J. Chem. Phys.",
1970   volume =       "31",
1971   number =       "2",
1972   pages =        "459--466",
1973   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1974   doi =          "10.1063/1.1730376",
1975 }
1976
1977 @Article{horsfield96,
1978   title =        "Bond-order potentials: Theory and implementation",
1979   author =       "A. P. Horsfield and A. M. Bratkovsky and M. Fearn and
1980                  D. G. Pettifor and M. Aoki",
1981   journal =      "Phys. Rev. B",
1982   volume =       "53",
1983   number =       "19",
1984   pages =        "12694--12712",
1985   numpages =     "18",
1986   year =         "1996",
1987   month =        may,
1988   doi =          "10.1103/PhysRevB.53.12694",
1989   publisher =    "American Physical Society",
1990 }
1991
1992 @Article{abell85,
1993   title =        "Empirical chemical pseudopotential theory of molecular
1994                  and metallic bonding",
1995   author =       "G. C. Abell",
1996   journal =      "Phys. Rev. B",
1997   volume =       "31",
1998   number =       "10",
1999   pages =        "6184--6196",
2000   numpages =     "12",
2001   year =         "1985",
2002   month =        may,
2003   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.6184",
2004   publisher =    "American Physical Society",
2005 }
2006
2007 @Article{tersoff_si1,
2008   title =        "New empirical model for the structural properties of
2009                  silicon",
2010   author =       "J. Tersoff",
2011   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2012   volume =       "56",
2013   number =       "6",
2014   pages =        "632--635",
2015   numpages =     "3",
2016   year =         "1986",
2017   month =        feb,
2018   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
2019   publisher =    "American Physical Society",
2020 }
2021
2022 @Article{dodson87,
2023   title =        "Development of a many-body Tersoff-type potential for
2024                  silicon",
2025   author =       "Brian W. Dodson",
2026   journal =      "Phys. Rev. B",
2027   volume =       "35",
2028   number =       "6",
2029   pages =        "2795--2798",
2030   numpages =     "3",
2031   year =         "1987",
2032   month =        feb,
2033   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.2795",
2034   publisher =    "American Physical Society",
2035 }
2036
2037 @Article{tersoff_si2,
2038   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
2039                  covalent systems",
2040   author =       "J. Tersoff",
2041   journal =      "Phys. Rev. B",
2042   volume =       "37",
2043   number =       "12",
2044   pages =        "6991--7000",
2045   numpages =     "9",
2046   year =         "1988",
2047   month =        apr,
2048   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
2049   publisher =    "American Physical Society",
2050 }
2051
2052 @Article{tersoff_si3,
2053   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
2054                  improved elastic properties",
2055   author =       "J. Tersoff",
2056   journal =      "Phys. Rev. B",
2057   volume =       "38",
2058   number =       "14",
2059   pages =        "9902--9905",
2060   numpages =     "3",
2061   year =         "1988",
2062   month =        nov,
2063   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
2064   publisher =    "American Physical Society",
2065 }
2066
2067 @Article{tersoff_c,
2068   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
2069                  Applications to Amorphous Carbon",
2070   author =       "J. Tersoff",
2071   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2072   volume =       "61",
2073   number =       "25",
2074   pages =        "2879--2882",
2075   numpages =     "3",
2076   year =         "1988",
2077   month =        dec,
2078   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
2079   publisher =    "American Physical Society",
2080 }
2081
2082 @Article{tersoff_m,
2083   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
2084                  for multicomponent systems",
2085   author =       "J. Tersoff",
2086   journal =      "Phys. Rev. B",
2087   volume =       "39",
2088   number =       "8",
2089   pages =        "5566--5568",
2090   numpages =     "2",
2091   year =         "1989",
2092   month =        mar,
2093   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
2094   publisher =    "American Physical Society",
2095 }
2096
2097 @Article{tersoff90,
2098   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
2099   author =       "J. Tersoff",
2100   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2101   volume =       "64",
2102   number =       "15",
2103   pages =        "1757--1760",
2104   numpages =     "3",
2105   year =         "1990",
2106   month =        apr,
2107   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
2108   publisher =    "American Physical Society",
2109 }
2110
2111 @Article{fahey89,
2112   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
2113   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
2114   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
2115   volume =       "61",
2116   number =       "2",
2117   pages =        "289--384",
2118   numpages =     "95",
2119   year =         "1989",
2120   month =        apr,
2121   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
2122   publisher =    "American Physical Society",
2123 }
2124
2125 @Article{wesch96,
2126   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
2127   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2128   volume =       "116",
2129   number =       "1-4",
2130   pages =        "305--321",
2131   year =         "1996",
2132   note =         "Radiation Effects in Insulators",
2133   ISSN =         "0168-583X",
2134   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
2135   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
2136   author =       "W. Wesch",
2137 }
2138
2139 @Article{davis91,
2140   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
2141                  Palmour and J. A. Edmond",
2142   journal =      "Proc. IEEE",
2143   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
2144                  optoelectronic device fabrication and characterization
2145                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
2146   year =         "1991",
2147   month =        may,
2148   volume =       "79",
2149   number =       "5",
2150   pages =        "677--701",
2151   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
2152                  diode;SiC;dry etching;electrical
2153                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
2154                  device fabrication;solid-state devices;surface
2155                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
2156                  transistors;Schottky-barrier
2157                  diodes;etching;heterojunction bipolar
2158                  transistors;insulated gate field effect
2159                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
2160                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
2161   doi =          "10.1109/5.90132",
2162   ISSN =         "0018-9219",
2163   notes =        "sic growth methods",
2164 }
2165
2166 @Article{morkoc94,
2167   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
2168                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
2169   collaboration = "",
2170   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
2171                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
2172   publisher =    "AIP",
2173   year =         "1994",
2174   journal =      "J. Appl. Phys.",
2175   volume =       "76",
2176   number =       "3",
2177   pages =        "1363--1398",
2178   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
2179                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
2180                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
2181                  FILMS; INDUSTRY",
2182   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
2183   doi =          "10.1063/1.358463",
2184   notes =        "sic intro, properties",
2185 }
2186
2187 @Article{foo,
2188   author =       "Noch Unbekannt",
2189   title =        "How to find references",
2190   journal =      "Journal of Applied References",
2191   year =         "2009",
2192   volume =       "77",
2193   pages =        "1--23",
2194 }
2195
2196 @Article{tang95,
2197   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
2198                  \beta{}-Si{C}",
2199   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
2200   journal =      "Phys. Rev. B",
2201   volume =       "52",
2202   number =       "21",
2203   pages =        "15150--15159",
2204   numpages =     "9",
2205   year =         "1995",
2206   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
2207   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
2208                  tersoff reparametrization",
2209   publisher =    "American Physical Society",
2210 }
2211
2212 @Article{sarro00,
2213   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
2214   journal =      "Seonsor. Actuator. A",
2215   volume =       "82",
2216   number =       "1-3",
2217   pages =        "210--218",
2218   year =         "2000",
2219   ISSN =         "0924-4247",
2220   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
2221   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
2222   author =       "Pasqualina M. Sarro",
2223   keywords =     "MEMS",
2224   keywords =     "Silicon carbide",
2225   keywords =     "Micromachining",
2226   keywords =     "Mechanical stress",
2227 }
2228
2229 @Article{casady96,
2230   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
2231                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
2232                  review",
2233   journal =      "Solid-State Electron.",
2234   volume =       "39",
2235   number =       "10",
2236   pages =        "1409--1422",
2237   year =         "1996",
2238   ISSN =         "0038-1101",
2239   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
2240   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
2241   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
2242   notes =        "sic intro",
2243 }
2244
2245 @Article{giancarli98,
2246   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
2247                  structural material in fusion power reactor blankets",
2248   journal =      "Fusion Eng. Des.",
2249   volume =       "41",
2250   number =       "1-4",
2251   pages =        "165--171",
2252   year =         "1998",
2253   ISSN =         "0920-3796",
2254   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
2255   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
2256   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
2257                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
2258 }
2259
2260 @Article{pensl93,
2261   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
2262   journal =      "Physica B",
2263   volume =       "185",
2264   number =       "1-4",
2265   pages =        "264--283",
2266   year =         "1993",
2267   ISSN =         "0921-4526",
2268   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
2269   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
2270   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
2271 }
2272
2273 @Article{tairov78,
2274   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
2275                  carbide single crystals",
2276   journal =      "J. Cryst. Growth",
2277   volume =       "43",
2278   number =       "2",
2279   pages =        "209--212",
2280   year =         "1978",
2281   notes =        "modified lely process",
2282   ISSN =         "0022-0248",
2283   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
2284   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
2285   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2286 }
2287
2288 @Article{tairov81,
2289   title =        "General principles of growing large-size single
2290                  crystals of various silicon carbide polytypes",
2291   journal =      "J. Cryst. Growth",
2292   volume =       "52",
2293   number =       "Part 1",
2294   pages =        "146--150",
2295   year =         "1981",
2296   note =         "",
2297   ISSN =         "0022-0248",
2298   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
2299   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
2300   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2301 }
2302
2303 @Article{barrett91,
2304   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
2305   journal =      "J. Cryst. Growth",
2306   volume =       "109",
2307   number =       "1-4",
2308   pages =        "17--23",
2309   year =         "1991",
2310   note =         "",
2311   ISSN =         "0022-0248",
2312   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
2313   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
2314   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
2315                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
2316 }
2317
2318 @Article{barrett93,
2319   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
2320   journal =      "J. Cryst. Growth",
2321   volume =       "128",
2322   number =       "1-4",
2323   pages =        "358--362",
2324   year =         "1993",
2325   note =         "",
2326   ISSN =         "0022-0248",
2327   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
2328   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
2329   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
2330                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
2331                  W. J. Choyke",
2332 }
2333
2334 @Article{stein93,
2335   title =        "Control of polytype formation by surface energy
2336                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
2337                  sublimation method",
2338   journal =      "J. Cryst. Growth",
2339   volume =       "131",
2340   number =       "1-2",
2341   pages =        "71--74",
2342   year =         "1993",
2343   note =         "",
2344   ISSN =         "0022-0248",
2345   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
2346   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
2347   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
2348   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
2349 }
2350
2351 @Article{nishino83,
2352   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
2353                  Will",
2354   collaboration = "",
2355   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
2356                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
2357   publisher =    "AIP",
2358   year =         "1983",
2359   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2360   volume =       "42",
2361   number =       "5",
2362   pages =        "460--462",
2363   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
2364                  monocrystals",
2365   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
2366   doi =          "10.1063/1.93970",
2367   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
2368 }
2369
2370 @Article{nagasawa06,
2371   author =       "H. Nagasawa and K. Yagi and T. Kawahara and N. Hatta",
2372   title =        "Reducing Planar Defects in 3{C}¿Si{C}",
2373   journal =      "Chemical Vapor Deposition",
2374   volume =       "12",
2375   number =       "8-9",
2376   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2377   ISSN =         "1521-3862",
2378   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/cvde.200506466",
2379   doi =          "10.1002/cvde.200506466",
2380   pages =        "502--508",
2381   keywords =     "Defect structures, Epitaxy, Silicon carbide",
2382   year =         "2006",
2383   notes =        "cvd on si",
2384 }
2385
2386 @Article{nishino87,
2387   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
2388                  and Hiroyuki Matsunami",
2389   collaboration = "",
2390   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
2391                  Si{C} on silicon",
2392   publisher =    "AIP",
2393   year =         "1987",
2394   journal =      "J. Appl. Phys.",
2395   volume =       "61",
2396   number =       "10",
2397   pages =        "4889--4893",
2398   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
2399   doi =          "10.1063/1.338355",
2400   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
2401                  carbonization",
2402 }
2403
2404 @Article{powell87,
2405   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
2406                  Kuczmarski",
2407   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
2408                  Single-Crystal Films on Si",
2409   publisher =    "ECS",
2410   year =         "1987",
2411   journal =      "J. Electrochem. Soc.",
2412   volume =       "134",
2413   number =       "6",
2414   pages =        "1558--1565",
2415   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
2416                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
2417   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
2418   doi =          "10.1149/1.2100708",
2419   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
2420 }
2421
2422 @Article{powell87_2,
2423   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
2424                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
2425   collaboration = "",
2426   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
2427                  off-axis Si substrates",
2428   publisher =    "AIP",
2429   year =         "1987",
2430   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2431   volume =       "51",
2432   number =       "11",
2433   pages =        "823--825",
2434   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
2435                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
2436                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
2437                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
2438                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
2439   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
2440   doi =          "10.1063/1.98824",
2441   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
2442 }
2443
2444 @Article{ueda90,
2445   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
2446   journal =      "J. Cryst. Growth",
2447   volume =       "104",
2448   number =       "3",
2449   pages =        "695--700",
2450   year =         "1990",
2451   note =         "",
2452   ISSN =         "0022-0248",
2453   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
2454   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
2455   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
2456                  Matsunami",
2457   notes =        "step-controlled epitaxy model",
2458 }
2459
2460 @Article{kimoto93,
2461   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
2462                  and Hiroyuki Matsunami",
2463   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
2464                  epitaxy",
2465   publisher =    "AIP",
2466   year =         "1993",
2467   journal =      "J. Appl. Phys.",
2468   volume =       "73",
2469   number =       "2",
2470   pages =        "726--732",
2471   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
2472                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
2473                  VAPOR DEPOSITION",
2474   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
2475   doi =          "10.1063/1.353329",
2476   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
2477 }
2478
2479 @Article{powell90_2,
2480   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2481                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2482                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2483   collaboration = "",
2484   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
2485                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2486   publisher =    "AIP",
2487   year =         "1990",
2488   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2489   volume =       "56",
2490   number =       "15",
2491   pages =        "1442--1444",
2492   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2493                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
2494                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
2495                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
2496   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
2497   doi =          "10.1063/1.102492",
2498   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
2499 }
2500
2501 @Article{kong88_2,
2502   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2503   collaboration = "",
2504   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2505                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2506                  substrates",
2507   publisher =    "AIP",
2508   year =         "1988",
2509   journal =      "J. Appl. Phys.",
2510   volume =       "64",
2511   number =       "5",
2512   pages =        "2672--2679",
2513   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2514                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2515                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2516                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2517                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2518   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2519   doi =          "10.1063/1.341608",
2520 }
2521
2522 @Article{powell90,
2523   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2524                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2525                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2526   collaboration = "",
2527   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2528                  6{H}-Si{C} substrates",
2529   publisher =    "AIP",
2530   year =         "1990",
2531   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2532   volume =       "56",
2533   number =       "14",
2534   pages =        "1353--1355",
2535   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2536                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2537                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2538                  PHASE EPITAXY",
2539   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2540   doi =          "10.1063/1.102512",
2541   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2542 }
2543
2544 @Article{kong88,
2545   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2546                  Rozgonyi and K. L. More",
2547   collaboration = "",
2548   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2549                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2550                  substrates",
2551   publisher =    "AIP",
2552   year =         "1988",
2553   journal =      "J. Appl. Phys.",
2554   volume =       "63",
2555   number =       "8",
2556   pages =        "2645--2650",
2557   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2558                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2559                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2560                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2561                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2562   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2563   doi =          "10.1063/1.341004",
2564 }
2565
2566 @Article{powell91,
2567   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2568                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2569                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2570   collaboration = "",
2571   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2572                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2573   publisher =    "AIP",
2574   year =         "1991",
2575   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2576   volume =       "59",
2577   number =       "3",
2578   pages =        "333--335",
2579   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2580                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2581                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2582   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2583   doi =          "10.1063/1.105587",
2584 }
2585
2586 @Article{yuan95,
2587   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2588                  Thokala and M. J. Loboda",
2589   collaboration = "",
2590   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2591                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2592                  silacyclobutane",
2593   publisher =    "AIP",
2594   year =         "1995",
2595   journal =      "J. Appl. Phys.",
2596   volume =       "78",
2597   number =       "2",
2598   pages =        "1271--1273",
2599   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2600                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2601                  SPECTROPHOTOMETRY",
2602   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2603   doi =          "10.1063/1.360368",
2604   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2605 }
2606
2607 @Article{kaneda87,
2608   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2609                  properties of its p-n junction",
2610   journal =      "J. Cryst. Growth",
2611   volume =       "81",
2612   number =       "1-4",
2613   pages =        "536--542",
2614   year =         "1987",
2615   note =         "",
2616   ISSN =         "0022-0248",
2617   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2618   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2619   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2620                  and Takao Tanaka",
2621   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2622 }
2623
2624 @Article{fissel95,
2625   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2626                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2627                  molecular beam epitaxy",
2628   journal =      "J. Cryst. Growth",
2629   volume =       "154",
2630   number =       "1-2",
2631   pages =        "72--80",
2632   year =         "1995",
2633   ISSN =         "0022-0248",
2634   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2635   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2636   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2637                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2638   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2639 }
2640
2641 @Article{fissel95_apl,
2642   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2643   collaboration = "",
2644   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2645                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2646   publisher =    "AIP",
2647   year =         "1995",
2648   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2649   volume =       "66",
2650   number =       "23",
2651   pages =        "3182--3184",
2652   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2653                  RHEED; NUCLEATION",
2654   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2655   doi =          "10.1063/1.113716",
2656   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2657 }
2658
2659 @Article{fissel96,
2660   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2661                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2662   collaboration = "",
2663   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2664                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2665                  level using surface superstructures",
2666   publisher =    "AIP",
2667   year =         "1996",
2668   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2669   volume =       "68",
2670   number =       "9",
2671   pages =        "1204--1206",
2672   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2673                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2674                  SURFACE STRUCTURE",
2675   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2676   doi =          "10.1063/1.115969",
2677   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2678 }
2679
2680 @Article{righi03,
2681   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2682   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2683                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2684   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2685   volume =       "91",
2686   number =       "13",
2687   pages =        "136101",
2688   numpages =     "4",
2689   year =         "2003",
2690   month =        sep,
2691   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2692   publisher =    "American Physical Society",
2693   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2694 }
2695
2696 @Article{borders71,
2697   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2698   collaboration = "",
2699   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2700                  {IMPLANTATION}",
2701   publisher =    "AIP",
2702   year =         "1971",
2703   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2704   volume =       "18",
2705   number =       "11",
2706   pages =        "509--511",
2707   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2708   doi =          "10.1063/1.1653516",
2709   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2710                  ideas",
2711 }
2712
2713 @Article{edelman76,
2714   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2715                  and E. V. Lubopytova",
2716   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2717                  by ion implantation",
2718   publisher =    "Taylor \& Francis",
2719   year =         "1976",
2720   journal =      "Radiat. Eff.",
2721   volume =       "29",
2722   number =       "1",
2723   pages =        "13--15",
2724   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2725   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2726                  single crystalline",
2727 }
2728
2729 @Article{akimchenko80,
2730   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2731                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2732   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2733                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2734   publisher =    "Taylor \& Francis",
2735   year =         "1980",
2736   journal =      "Radiat. Eff.",
2737   volume =       "48",
2738   number =       "1",
2739   pages =        "7",
2740   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2741   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2742 }
2743
2744 @Article{kimura81,
2745   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2746                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2747                  silicon",
2748   journal =      "Thin Solid Films",
2749   volume =       "81",
2750   number =       "4",
2751   pages =        "319--327",
2752   year =         "1981",
2753   note =         "",
2754   ISSN =         "0040-6090",
2755   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2756   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2757   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2758                  Yugo",
2759 }
2760
2761 @Article{kimura82,
2762   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2763                  the implantation of carbon ions into silicon",
2764   journal =      "Thin Solid Films",
2765   volume =       "94",
2766   number =       "3",
2767   pages =        "191--198",
2768   year =         "1982",
2769   note =         "",
2770   ISSN =         "0040-6090",
2771   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2772   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2773   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2774                  Yugo",
2775 }
2776
2777 @Article{reeson86,
2778   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2779                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2780                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2781   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2782                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2783   publisher =    "Taylor \& Francis",
2784   year =         "1986",
2785   journal =      "Radiat. Eff.",
2786   volume =       "99",
2787   number =       "1",
2788   pages =        "71--81",
2789   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2790   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or time,
2791                  no c redistribution",
2792 }
2793
2794 @Article{reeson87,
2795   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2796                  J. Davis and G. E. Celler",
2797   collaboration = "",
2798   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2799                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2800   publisher =    "AIP",
2801   year =         "1987",
2802   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2803   volume =       "51",
2804   number =       "26",
2805   pages =        "2242--2244",
2806   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2807                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2808   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2809   doi =          "10.1063/1.98953",
2810   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2811 }
2812
2813 @Article{martin90,
2814   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2815                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2816   collaboration = "",
2817   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2818   publisher =    "AIP",
2819   year =         "1990",
2820   journal =      "J. Appl. Phys.",
2821   volume =       "67",
2822   number =       "6",
2823   pages =        "2908--2912",
2824   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2825                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2826                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2827                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2828                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2829                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2830   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2831   doi =          "10.1063/1.346092",
2832   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2833                  temepratures",
2834 }
2835
2836 @Article{scace59,
2837   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2838   collaboration = "",
2839   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2840   publisher =    "AIP",
2841   year =         "1959",
2842   journal =      "J. Chem. Phys.",
2843   volume =       "30",
2844   number =       "6",
2845   pages =        "1551--1555",
2846   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2847   doi =          "10.1063/1.1730236",
2848   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2849 }
2850
2851 @Article{hofker74,
2852   author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
2853                  Koeman",
2854   affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
2855                  Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
2856                  Netherlands",
2857   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
2858                  charge carrier and boron concentration profiles",
2859   journal =      "Appl. Phys. A",
2860   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
2861   ISSN =         "0947-8396",
2862   keyword =      "Physics and Astronomy",
2863   pages =        "125--133",
2864   volume =       "4",
2865   issue =        "2",
2866   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
2867   note =         "10.1007/BF00884267",
2868   year =         "1974",
2869   notes =        "first time ted (only for boron?)",
2870 }
2871
2872 @Article{michel87,
2873   author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
2874                  H. Kastl",
2875   collaboration = "",
2876   title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
2877                  implanted boron into silicon",
2878   publisher =    "AIP",
2879   year =         "1987",
2880   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2881   volume =       "50",
2882   number =       "7",
2883   pages =        "416--418",
2884   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
2885                  BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
2886                  HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
2887   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
2888   doi =          "10.1063/1.98160",
2889   notes =        "ted of boron in si",
2890 }
2891
2892 @Article{cowern90,
2893   author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
2894                  Jos",
2895   collaboration = "",
2896   title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
2897                  time, and matrix dependence of atomic and electrical
2898                  profiles",
2899   publisher =    "AIP",
2900   year =         "1990",
2901   journal =      "J. Appl. Phys.",
2902   volume =       "68",
2903   number =       "12",
2904   pages =        "6191--6198",
2905   keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
2906                  DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
2907                  CRYSTALS; AMORPHIZATION",
2908   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
2909   doi =          "10.1063/1.346910",
2910   notes =        "ted of boron in si",
2911 }
2912
2913 @Article{cowern96,
2914   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2915                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2916   collaboration = "",
2917   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2918                  {B} in silicon",
2919   publisher =    "AIP",
2920   year =         "1996",
2921   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2922   volume =       "68",
2923   number =       "8",
2924   pages =        "1150--1152",
2925   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2926                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2927                  SILICON",
2928   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2929   doi =          "10.1063/1.115706",
2930   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2931 }
2932
2933 @Article{stolk95,
2934   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2935                  of the silicon self-interstitial",
2936   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2937   volume =       "96",
2938   number =       "1-2",
2939   pages =        "187--195",
2940   year =         "1995",
2941   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2942                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2943   ISSN =         "0168-583X",
2944   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2945   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2946   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2947                  and J. M. Poate",
2948 }
2949
2950 @Article{stolk97,
2951   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2952                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2953                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2954                  E. Haynes",
2955   collaboration = "",
2956   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2957                  diffusion in ion-implanted silicon",
2958   publisher =    "AIP",
2959   year =         "1997",
2960   journal =      "J. Appl. Phys.",
2961   volume =       "81",
2962   number =       "9",
2963   pages =        "6031--6050",
2964   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2965   doi =          "10.1063/1.364452",
2966   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2967 }
2968
2969 @Article{powell94,
2970   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2971   collaboration = "",
2972   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2973                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2974   publisher =    "AIP",
2975   year =         "1994",
2976   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2977   volume =       "64",
2978   number =       "3",
2979   pages =        "324--326",
2980   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2981                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2982                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2983                  SYNTHESIS",
2984   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2985   doi =          "10.1063/1.111195",
2986   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2987 }
2988
2989 @Article{soref91,
2990   author =       "Richard A. Soref",
2991   collaboration = "",
2992   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2993                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2994   publisher =    "AIP",
2995   year =         "1991",
2996   journal =      "J. Appl. Phys.",
2997   volume =       "70",
2998   number =       "4",
2999   pages =        "2470--2472",
3000   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
3001                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
3002                  TERNARY ALLOYS",
3003   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
3004   doi =          "10.1063/1.349403",
3005   notes =        "band gap of strained si by c",
3006 }
3007
3008 @Article{kasper91,
3009   author =       "E Kasper",
3010   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
3011                  possibility to produce direct band gap material",
3012   journal =      "Phys. Scr.",
3013   volume =       "T35",
3014   pages =        "232--236",
3015   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
3016   year =         "1991",
3017   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
3018                  quasi-direct one",
3019 }
3020
3021 @Article{eberl92,
3022   author =       "K. Eberl and S. S. Iyer and S. Zollner and J. C. Tsang
3023                  and F. K. LeGoues",
3024   collaboration = "",
3025   title =        "Growth and strain compensation effects in the ternary
3026                  Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloy system",
3027   publisher =    "AIP",
3028   year =         "1992",
3029   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3030   volume =       "60",
3031   number =       "24",
3032   pages =        "3033--3035",
3033   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; CARBON ALLOYS;
3034                  TERNARY ALLOYS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; MOLECULAR BEAM
3035                  EPITAXY; INTERNAL STRAINS; TEMPERATURE EFFECTS; CRYSTAL
3036                  STRUCTURE; LATTICE PARAMETERS; XRAY DIFFRACTION; PHASE
3037                  STUDIES",
3038   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/3033/1",
3039   doi =          "10.1063/1.106774",
3040 }
3041
3042 @Article{powell93,
3043   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and F. E. LeGoues and B. A.
3044                  Ek and S. S. Iyer",
3045   collaboration = "",
3046   title =        "Stability of strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random
3047                  alloy layers",
3048   publisher =    "AVS",
3049   year =         "1993",
3050   journal =      "J. Vac. Sci. Technol. B",
3051   volume =       "11",
3052   number =       "3",
3053   pages =        "1064--1068",
3054   location =     "Ottawa (Canada)",
3055   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; STRAINS; THICKNESS;
3056                  METASTABLE PHASES; TWINNING; DISLOCATIONS; MOLECULAR
3057                  BEAM EPITAXY; EPITAXIAL LAYERS; CRITICAL PHENOMENA;
3058                  TEMPERATURE RANGE 400--1000 K; BINARY ALLOYS",
3059   URL =          "http://link.aip.org/link/?JVB/11/1064/1",
3060   doi =          "10.1116/1.587008",
3061   notes =        "substitutional c in si by mbe",
3062 }
3063
3064 @Article{powell93_2,
3065   title =        "Si[sub 1-x-y]Ge[sub x]{C}[sub y] growth and properties
3066                  of the ternary system",
3067   journal =      "J. Cryst. Growth",
3068   volume =       "127",
3069   number =       "1-4",
3070   pages =        "425--429",
3071   year =         "1993",
3072   note =         "",
3073   ISSN =         "0022-0248",
3074   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90653-E",
3075   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46J3RF2-8H/2/27fc231f28e4dc0a3b4770e5cf03257e",
3076   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and B. A. Ek and S. S.
3077                  Iyer",
3078 }
3079
3080 @Article{osten94,
3081   author =       "H. J. Osten",
3082   title =        "Modification of Growth Modes in Lattice-Mismatched
3083                  Epitaxial Systems: Si/Ge",
3084   journal =      "phys. status solidi (a)",
3085   volume =       "145",
3086   number =       "2",
3087   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3088   ISSN =         "1521-396X",
3089   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211450203",
3090   doi =          "10.1002/pssa.2211450203",
3091   pages =        "235--245",
3092   year =         "1994",
3093 }
3094
3095 @Article{dietrich94,
3096   title =        "Lattice distortion in a strain-compensated
3097                  $Si_{1-x-y}$$Ge_{x}$${C}_{y}$ layer on silicon",
3098   author =       "B. Dietrich and H. J. Osten and H. R{\"u}cker and M.
3099                  Methfessel and P. Zaumseil",
3100   journal =      "Phys. Rev. B",
3101   volume =       "49",
3102   number =       "24",
3103   pages =        "17185--17190",
3104   numpages =     "5",
3105   year =         "1994",
3106   month =        jun,
3107   doi =          "10.1103/PhysRevB.49.17185",
3108   publisher =    "American Physical Society",
3109 }
3110
3111 @Article{osten94_2,
3112   author =       "H. J. Osten and E. Bugiel and P. Zaumseil",
3113   collaboration = "",
3114   title =        "Growth of an inverse tetragonal distorted SiGe layer
3115                  on Si(001) by adding small amounts of carbon",
3116   publisher =    "AIP",
3117   year =         "1994",
3118   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3119   volume =       "64",
3120   number =       "25",
3121   pages =        "3440--3442",
3122   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; FILM GROWTH; CARBON
3123                  ALLOYS; TERNARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TEM;
3124                  XRD; LATTICE PARAMETERS; EPITAXIAL LAYERS; TETRAGONAL
3125                  LATTICES",
3126   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/3440/1",
3127   doi =          "10.1063/1.111235",
3128   notes =        "inversely strained / distorted heterostructure",
3129 }
3130
3131 @Article{iyer92,
3132   author =       "S. S. Iyer and K. Eberl and M. S. Goorsky and F. K.
3133                  LeGoues and J. C. Tsang and F. Cardone",
3134   collaboration = "",
3135   title =        "Synthesis of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys by
3136                  molecular beam epitaxy",
3137   publisher =    "AIP",
3138   year =         "1992",
3139   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3140   volume =       "60",
3141   number =       "3",
3142   pages =        "356--358",
3143   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
3144                  SEMICONDUCTOR ALLOYS; SUPERLATTICES; MOLECULAR BEAM
3145                  EPITAXY; CHEMICAL COMPOSITION; TEMPERATURE EFFECTS;
3146                  FILM GROWTH; MICROSTRUCTURE",
3147   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/356/1",
3148   doi =          "10.1063/1.106655",
3149 }
3150
3151 @Article{osten99,
3152   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
3153   collaboration = "",
3154   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
3155                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
3156                  molecular beam epitaxy",
3157   publisher =    "AIP",
3158   year =         "1999",
3159   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3160   volume =       "74",
3161   number =       "6",
3162   pages =        "836--838",
3163   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
3164                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
3165                  compounds",
3166   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
3167   doi =          "10.1063/1.123384",
3168   notes =        "substitutional c in si by mbe",
3169 }
3170
3171 @Article{born27,
3172   author =       "M. Born and R. Oppenheimer",
3173   title =        "Zur Quantentheorie der Molekeln",
3174   journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
3175   volume =       "389",
3176   number =       "20",
3177   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3178   ISSN =         "1521-3889",
3179   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19273892002",
3180   doi =          "10.1002/andp.19273892002",
3181   pages =        "457--484",
3182   year =         "1927",
3183 }
3184
3185 @Article{hohenberg64,
3186   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
3187   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
3188   journal =      "Phys. Rev.",
3189   volume =       "136",
3190   number =       "3B",
3191   pages =        "B864--B871",
3192   numpages =     "7",
3193   year =         "1964",
3194   month =        nov,
3195   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
3196   publisher =    "American Physical Society",
3197   notes =        "density functional theory, dft",
3198 }
3199
3200 @Article{thomas27,
3201   title =        "The calculation of atomic fields",
3202   author =       "L. H. Thomas",
3203   journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
3204   volume =       "23",
3205   pages =        "542--548",
3206   year =         "1927",
3207   doi =          "10.1017/S0305004100011683",
3208 }
3209
3210 @Article{fermi27,
3211   title =        "",
3212   author =       "E. Fermi",
3213   journal =      "Atti Accad. Naz. Lincei, Cl. Sci. Fis. Mat. Nat.
3214                  Rend.",
3215   volume =       "6",
3216   pages =        "602",
3217   year =         "1927",
3218 }
3219
3220 @Article{hartree28,
3221   title =        "The Wave Mechanics of an Atom with a Non-Coulomb
3222                  Central Field. Part {I}. Theory and Methods",
3223   author =       "D. R. Hartree",
3224   journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
3225   volume =       "24",
3226   pages =        "89--110",
3227   year =         "1928",
3228   doi =          "10.1017/S0305004100011919",
3229 }
3230
3231 @Article{slater29,
3232   title =        "The Theory of Complex Spectra",
3233   author =       "J. C. Slater",
3234   journal =      "Phys. Rev.",
3235   volume =       "34",
3236   number =       "10",
3237   pages =        "1293--1322",
3238   numpages =     "29",
3239   year =         "1929",
3240   month =        nov,
3241   doi =          "10.1103/PhysRev.34.1293",
3242   publisher =    "American Physical Society",
3243 }
3244
3245 @Article{kohn65,
3246   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
3247                  Correlation Effects",
3248   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
3249   journal =      "Phys. Rev.",
3250   volume =       "140",
3251   number =       "4A",
3252   pages =        "A1133--A1138",
3253   numpages =     "5",
3254   year =         "1965",
3255   month =        nov,
3256   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
3257   publisher =    "American Physical Society",
3258   notes =        "dft, exchange and correlation",
3259 }
3260
3261 @Article{kohn96,
3262   title =        "Density Functional and Density Matrix Method Scaling
3263                  Linearly with the Number of Atoms",
3264   author =       "W. Kohn",
3265   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3266   volume =       "76",
3267   number =       "17",
3268   pages =        "3168--3171",
3269   numpages =     "3",
3270   year =         "1996",
3271   month =        apr,
3272   doi =          "10.1103/PhysRevLett.76.3168",
3273   publisher =    "American Physical Society",
3274 }
3275
3276 @Article{kohn98,
3277   title =        "Edge Electron Gas",
3278   author =       "Walter Kohn and Ann E. Mattsson",
3279   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3280   volume =       "81",
3281   number =       "16",
3282   pages =        "3487--3490",
3283   numpages =     "3",
3284   year =         "1998",
3285   month =        oct,
3286   doi =          "10.1103/PhysRevLett.81.3487",
3287   publisher =    "American Physical Society",
3288 }
3289
3290 @Article{kohn99,
3291   title =        "Nobel Lecture: Electronic structure of matter---wave
3292                  functions and density functionals",
3293   author =       "W. Kohn",
3294   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
3295   volume =       "71",
3296   number =       "5",
3297   pages =        "1253--1266",
3298   numpages =     "13",
3299   year =         "1999",
3300   month =        oct,
3301   doi =          "10.1103/RevModPhys.71.1253",
3302   publisher =    "American Physical Society",
3303 }
3304
3305 @Article{payne92,
3306   title =        "Iterative minimization techniques for ab initio
3307                  total-energy calculations: molecular dynamics and
3308                  conjugate gradients",
3309   author =       "M. C. Payne and M. P. Teter and D. C. Allan and T. A.
3310                  Arias and J. D. Joannopoulos",
3311   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
3312   volume =       "64",
3313   number =       "4",
3314   pages =        "1045--1097",
3315   numpages =     "52",
3316   year =         "1992",
3317   month =        oct,
3318   doi =          "10.1103/RevModPhys.64.1045",
3319   publisher =    "American Physical Society",
3320 }
3321
3322 @Article{levy82,
3323   title =        "Electron densities in search of Hamiltonians",
3324   author =       "Mel Levy",
3325   journal =      "Phys. Rev. A",
3326   volume =       "26",
3327   number =       "3",
3328   pages =        "1200--1208",
3329   numpages =     "8",
3330   year =         "1982",
3331   month =        sep,
3332   doi =          "10.1103/PhysRevA.26.1200",
3333   publisher =    "American Physical Society",
3334 }
3335
3336 @Article{ruecker94,
3337   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
3338                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
3339   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
3340                  J. Osten",
3341   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3342   volume =       "72",
3343   number =       "22",
3344   pages =        "3578--3581",
3345   numpages =     "3",
3346   year =         "1994",
3347   month =        may,
3348   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
3349   publisher =    "American Physical Society",
3350   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
3351                  si, dft",
3352 }
3353
3354 @Article{yagi02,
3355   title =        "Phosphorous Doping of Strain-Induced
3356                  Si$_{1-y}${C}$_{y}$ Epitaxial Films Grown\\
3357                  by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition",
3358   author =       "Shuhei Yagi and Katsuya Abe and Takashi Okabayashi and
3359                  Yuichi Yoneyama and Akira Yamada and Makoto Konagai",
3360   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3361   volume =       "41",
3362   number =       "Part 1, No. 4B",
3363   pages =        "2472--2475",
3364   numpages =     "3",
3365   year =         "2002",
3366   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/41/2472/",
3367   doi =          "10.1143/JJAP.41.2472",
3368   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3369   notes =        "experimental charge carrier mobility in strained si",
3370 }
3371
3372 @Article{chang05,
3373   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
3374                  Alloy",
3375   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
3376   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3377   volume =       "44",
3378   number =       "4B",
3379   pages =        "2257--2262",
3380   numpages =     "5",
3381   year =         "2005",
3382   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
3383   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
3384   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3385   notes =        "enhance of electron mobility in strained si",
3386 }
3387
3388 @Article{kissinger94,
3389   author =       "W. Kissinger and M. Weidner and H. J. Osten and M.
3390                  Eichler",
3391   collaboration = "",
3392   title =        "Optical transitions in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub
3393                  y] layers on Si(001)",
3394   publisher =    "AIP",
3395   year =         "1994",
3396   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3397   volume =       "65",
3398   number =       "26",
3399   pages =        "3356--3358",
3400   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERNAL STRAINS; EPITAXIAL LAYERS;
3401                  CHEMICAL COMPOSITION; ELLIPSOMETRY; REFLECTION
3402                  SPECTROSCOPY; ELECTROOPTICAL EFFECTS; BAND STRUCTURE;
3403                  ENERGY LEVELS; ENERGYLEVEL TRANSITIONS",
3404   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/3356/1",
3405   doi =          "10.1063/1.112390",
3406   notes =        "strained si influence on optical properties",
3407 }
3408
3409 @Article{osten96,
3410   author =       "H. J. Osten and Myeongcheol Kim and K. Pressel and P.
3411                  Zaumseil",
3412   collaboration = "",
3413   title =        "Substitutional versus interstitial carbon
3414                  incorporation during pseudomorphic growth of Si[sub 1 -
3415                  y]{C}[sub y] on Si(001)",
3416   publisher =    "AIP",
3417   year =         "1996",
3418   journal =      "J. Appl. Phys.",
3419   volume =       "80",
3420   number =       "12",
3421   pages =        "6711--6715",
3422   keywords =     "SILICON CARBIDES; CRYSTAL DEFECTS; FILM GROWTH;
3423                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; INTERSTITIALS; SUBSTITUTION;
3424                  XRD; STRAINS",
3425   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/80/6711/1",
3426   doi =          "10.1063/1.363797",
3427   notes =        "mbe substitutional vs interstitial c incorporation",
3428 }
3429
3430 @Article{osten97,
3431   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
3432   collaboration = "",
3433   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3434                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
3435                  Si(001)",
3436   publisher =    "AIP",
3437   year =         "1997",
3438   journal =      "J. Appl. Phys.",
3439   volume =       "82",
3440   number =       "10",
3441   pages =        "4977--4981",
3442   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
3443                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
3444                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
3445   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
3446   doi =          "10.1063/1.366364",
3447   notes =        "charge transport in strained si",
3448 }
3449
3450 @Article{kapur04,
3451   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
3452                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
3453   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
3454   journal =      "Phys. Rev. B",
3455   volume =       "69",
3456   number =       "15",
3457   pages =        "155214",
3458   numpages =     "8",
3459   year =         "2004",
3460   month =        apr,
3461   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
3462   publisher =    "American Physical Society",
3463   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
3464 }
3465
3466 @Article{barkema96,
3467   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
3468                  Systems",
3469   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
3470   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3471   volume =       "77",
3472   number =       "21",
3473   pages =        "4358--4361",
3474   numpages =     "3",
3475   year =         "1996",
3476   month =        nov,
3477   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
3478   publisher =    "American Physical Society",
3479   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
3480                  dynamic mds",
3481 }
3482
3483 @Article{cances09,
3484   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
3485                  Minoukadeh and F. Willaime",
3486   collaboration = "",
3487   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
3488                  technique method for finding transition pathways on
3489                  potential energy surfaces",
3490   publisher =    "AIP",
3491   year =         "2009",
3492   journal =      "J. Chem. Phys.",
3493   volume =       "130",
3494   number =       "11",
3495   eid =          "114711",
3496   numpages =     "6",
3497   pages =        "114711",
3498   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
3499                  surfaces; vacancies (crystal)",
3500   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
3501   doi =          "10.1063/1.3088532",
3502   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
3503                  transition pathways",
3504 }
3505
3506 @Article{parrinello81,
3507   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
3508   collaboration = "",
3509   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
3510                  molecular dynamics method",
3511   publisher =    "AIP",
3512   year =         "1981",
3513   journal =      "J. Appl. Phys.",
3514   volume =       "52",
3515   number =       "12",
3516   pages =        "7182--7190",
3517   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
3518                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
3519                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
3520                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
3521                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
3522                  IMPACT SHOCK",
3523   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
3524   doi =          "10.1063/1.328693",
3525 }
3526
3527 @Article{stillinger85,
3528   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
3529                  of silicon",
3530   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
3531   journal =      "Phys. Rev. B",
3532   volume =       "31",
3533   number =       "8",
3534   pages =        "5262--5271",
3535   numpages =     "9",
3536   year =         "1985",
3537   month =        apr,
3538   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
3539   publisher =    "American Physical Society",
3540 }
3541
3542 @Article{brenner90,
3543   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
3544                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
3545                  films",
3546   author =       "Donald W. Brenner",
3547   journal =      "Phys. Rev. B",
3548   volume =       "42",
3549   number =       "15",
3550   pages =        "9458--9471",
3551   numpages =     "13",
3552   year =         "1990",
3553   month =        nov,
3554   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
3555   publisher =    "American Physical Society",
3556   notes =        "brenner hydro carbons",
3557 }
3558
3559 @Article{bazant96,
3560   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
3561                  Cohesive Energy Curves",
3562   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
3563   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3564   volume =       "77",
3565   number =       "21",
3566   pages =        "4370--4373",
3567   numpages =     "3",
3568   year =         "1996",
3569   month =        nov,
3570   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
3571   publisher =    "American Physical Society",
3572   notes =        "first si edip",
3573 }
3574
3575 @Article{bazant97,
3576   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
3577                  silicon",
3578   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
3579                  Justo",
3580   journal =      "Phys. Rev. B",
3581   volume =       "56",
3582   number =       "14",
3583   pages =        "8542--8552",
3584   numpages =     "10",
3585   year =         "1997",
3586   month =        oct,
3587   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
3588   publisher =    "American Physical Society",
3589   notes =        "second si edip",
3590 }
3591
3592 @Article{justo98,
3593   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
3594                  disordered phases",
3595   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
3596                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
3597   journal =      "Phys. Rev. B",
3598   volume =       "58",
3599   number =       "5",
3600   pages =        "2539--2550",
3601   numpages =     "11",
3602   year =         "1998",
3603   month =        aug,
3604   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
3605   publisher =    "American Physical Society",
3606   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
3607 }
3608
3609 @Article{parcas_md,
3610   journal =      "{PARCAS} molecular dynamics code",
3611   author =       "K. Nordlund",
3612   year =         "2008",
3613 }
3614
3615 @Article{voter97,
3616   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
3617                  Infrequent Events",
3618   author =       "Arthur F. Voter",
3619   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3620   volume =       "78",
3621   number =       "20",
3622   pages =        "3908--3911",
3623   numpages =     "3",
3624   year =         "1997",
3625   month =        may,
3626   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
3627   publisher =    "American Physical Society",
3628   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
3629 }
3630
3631 @Article{voter97_2,
3632   author =       "Arthur F. Voter",
3633   collaboration = "",
3634   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
3635                  simulation of infrequent events",
3636   publisher =    "AIP",
3637   year =         "1997",
3638   journal =      "J. Chem. Phys.",
3639   volume =       "106",
3640   number =       "11",
3641   pages =        "4665--4677",
3642   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
3643                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
3644                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
3645                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
3646                  theory; potential energy surfaces",
3647   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
3648   doi =          "10.1063/1.473503",
3649   notes =        "improved hyperdynamics md",
3650 }
3651
3652 @Article{sorensen2000,
3653   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
3654   collaboration = "",
3655   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
3656                  infrequent events",
3657   publisher =    "AIP",
3658   year =         "2000",
3659   journal =      "J. Chem. Phys.",
3660   volume =       "112",
3661   number =       "21",
3662   pages =        "9599--9606",
3663   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
3664                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
3665   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
3666   doi =          "10.1063/1.481576",
3667   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
3668 }
3669
3670 @Article{voter98,
3671   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
3672                  events",
3673   author =       "Arthur F. Voter",
3674   journal =      "Phys. Rev. B",
3675   volume =       "57",
3676   number =       "22",
3677   pages =        "R13985--R13988",
3678   numpages =     "3",
3679   year =         "1998",
3680   month =        jun,
3681   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
3682   publisher =    "American Physical Society",
3683   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
3684 }
3685
3686 @Article{wu99,
3687   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
3688   collaboration = "",
3689   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
3690                  simulation",
3691   publisher =    "AIP",
3692   year =         "1999",
3693   journal =      "J. Chem. Phys.",
3694   volume =       "110",
3695   number =       "19",
3696   pages =        "9401--9410",
3697   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
3698                  potential; crystallisation; liquid theory",
3699   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
3700   doi =          "10.1063/1.478948",
3701   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
3702                  systematic motion",
3703 }
3704
3705 @Article{choudhary05,
3706   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
3707   collaboration = "",
3708   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
3709                  to the production of amorphous silicon",
3710   publisher =    "AIP",
3711   year =         "2005",
3712   journal =      "J. Chem. Phys.",
3713   volume =       "122",
3714   number =       "15",
3715   eid =          "154509",
3716   numpages =     "8",
3717   pages =        "154509",
3718   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
3719                  amorphous semiconductors",
3720   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
3721   doi =          "10.1063/1.1878733",
3722   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
3723                  silicon",
3724 }
3725
3726 @Article{taylor93,
3727   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
3728   collaboration = "",
3729   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
3730                  difficult?",
3731   publisher =    "AIP",
3732   year =         "1993",
3733   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3734   volume =       "62",
3735   number =       "25",
3736   pages =        "3336--3338",
3737   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
3738                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
3739                  ENERGY",
3740   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
3741   doi =          "10.1063/1.109063",
3742   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
3743                  interstitials necessary for precipitation, volume
3744                  decrease, high interface energy",
3745 }
3746
3747 @Article{chaussende08,
3748   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
3749   journal =      "J. Cryst. Growth",
3750   volume =       "310",
3751   number =       "5",
3752   pages =        "976--981",
3753   year =         "2008",
3754   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
3755                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
3756   ISSN =         "0022-0248",
3757   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
3758   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
3759   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
3760                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
3761                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
3762                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
3763   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
3764                  metastable",
3765 }
3766
3767 @Article{chaussende07,
3768   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
3769   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
3770   journal =      "J. Phys. D",
3771   volume =       "40",
3772   number =       "20",
3773   pages =        "6150",
3774   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
3775   year =         "2007",
3776   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
3777                  modelling",
3778 }
3779
3780 @Article{feynman39,
3781   title =        "Forces in Molecules",
3782   author =       "R. P. Feynman",
3783   journal =      "Phys. Rev.",
3784   volume =       "56",
3785   number =       "4",
3786   pages =        "340--343",
3787   numpages =     "3",
3788   year =         "1939",
3789   month =        aug,
3790   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
3791   publisher =    "American Physical Society",
3792   notes =        "hellmann feynman forces",
3793 }
3794
3795 @Article{buczko00,
3796   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
3797                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
3798                  their Contrasting Properties",
3799   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
3800                  T. Pantelides",
3801   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3802   volume =       "84",
3803   number =       "5",
3804   pages =        "943--946",
3805   numpages =     "3",
3806   year =         "2000",
3807   month =        jan,
3808   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
3809   publisher =    "American Physical Society",
3810   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
3811 }
3812
3813 @Article{djurabekova08,
3814   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
3815                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
3816   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
3817   journal =      "Phys. Rev. B",
3818   volume =       "77",
3819   number =       "11",
3820   pages =        "115325",
3821   numpages =     "7",
3822   year =         "2008",
3823   month =        mar,
3824   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
3825   publisher =    "American Physical Society",
3826   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
3827                  angular distribution, coordination",
3828 }
3829
3830 @Article{wen09,
3831   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
3832                  W. Liang and J. Zou",
3833   collaboration = "",
3834   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
3835                  strain relaxation at highly lattice mismatched
3836                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
3837   publisher =    "AIP",
3838   year =         "2009",
3839   journal =      "J. Appl. Phys.",
3840   volume =       "106",
3841   number =       "7",
3842   eid =          "073522",
3843   numpages =     "8",
3844   pages =        "073522",
3845   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
3846                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
3847                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
3848                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
3849   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
3850   doi =          "10.1063/1.3234380",
3851   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
3852                  deconvolution, dislocation defects",
3853 }
3854
3855 @Article{kitabatake93,
3856   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
3857                  Hirao",
3858   collaboration = "",
3859   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
3860                  growth on Si(001) surface",
3861   publisher =    "AIP",
3862   year =         "1993",
3863   journal =      "J. Appl. Phys.",
3864   volume =       "74",
3865   number =       "7",
3866   pages =        "4438--4445",
3867   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
3868                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
3869                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
3870   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
3871   doi =          "10.1063/1.354385",
3872   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
3873                  model, interface",
3874 }
3875
3876 @Article{kitabatake97,
3877   author =       "Makoto Kitabatake",
3878   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
3879                  Heteroepitaxial Growth",
3880   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3881   year =         "1997",
3882   journal =      "phys. status solidi (b)",
3883   volume =       "202",
3884   pages =        "405--420",
3885   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3886   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3887   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
3888 }
3889
3890 @Article{chirita97,
3891   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
3892                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
3893                  dynamics study",
3894   journal =      "Thin Solid Films",
3895   volume =       "294",
3896   number =       "1-2",
3897   pages =        "47--49",
3898   year =         "1997",
3899   note =         "",
3900   ISSN =         "0040-6090",
3901   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
3902   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
3903   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
3904   keywords =     "Strain relaxation",
3905   keywords =     "Interfaces",
3906   keywords =     "Thermal stability",
3907   keywords =     "Molecular dynamics",
3908   notes =        "tersoff sic/si interface study",
3909 }
3910
3911 @Article{cicero02,
3912   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
3913                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
3914   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
3915                  Catellani",
3916   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3917   volume =       "89",
3918   number =       "15",
3919   pages =        "156101",
3920   numpages =     "4",
3921   year =         "2002",
3922   month =        sep,
3923   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
3924   publisher =    "American Physical Society",
3925   notes =        "sic/si interface study",
3926 }
3927
3928 @Article{pizzagalli03,
3929   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
3930                  interface: Si{C}/Si(001)",
3931   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
3932                  Catellani",
3933   journal =      "Phys. Rev. B",
3934   volume =       "68",
3935   number =       "19",
3936   pages =        "195302",
3937   numpages =     "10",
3938   year =         "2003",
3939   month =        nov,
3940   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
3941   publisher =    "American Physical Society",
3942   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
3943 }
3944
3945 @Article{tang07,
3946   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
3947                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
3948                  electron microscopy",
3949   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
3950                  H. Zheng and J. W. Liang",
3951   journal =      "Phys. Rev. B",
3952   volume =       "75",
3953   number =       "18",
3954   pages =        "184103",
3955   numpages =     "7",
3956   year =         "2007",
3957   month =        may,
3958   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
3959   publisher =    "American Physical Society",
3960   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
3961                  si and c",
3962 }
3963
3964 @Article{hornstra58,
3965   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
3966   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
3967   volume =       "5",
3968   number =       "1-2",
3969   pages =        "129--141",
3970   year =         "1958",
3971   note =         "",
3972   ISSN =         "0022-3697",
3973   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
3974   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
3975   author =       "J. Hornstra",
3976   notes =        "dislocations in diamond lattice",
3977 }
3978
3979 @Article{deguchi92,
3980   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
3981                  Ion `Hot' Implantation",
3982   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
3983                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
3984   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3985   volume =       "31",
3986   number =       "Part 1, No. 2A",
3987   pages =        "343--347",
3988   numpages =     "4",
3989   year =         "1992",
3990   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
3991   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
3992   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3993   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
3994                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
3995 }
3996
3997 @Article{eichhorn99,
3998   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
3999                  K{\"{o}}gler",
4000   collaboration = "",
4001   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
4002                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
4003                  synchrotron x-ray diffraction",
4004   publisher =    "AIP",
4005   year =         "1999",
4006   journal =      "J. Appl. Phys.",
4007   volume =       "86",
4008   number =       "8",
4009   pages =        "4184--4187",
4010   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
4011                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
4012                  precipitation; semiconductor doping",
4013   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
4014   doi =          "10.1063/1.371344",
4015   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
4016                  expansion of si lattice",
4017 }
4018
4019 @Article{eichhorn02,
4020   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
4021                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
4022   collaboration = "",
4023   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
4024                  carbon ion implantation",
4025   publisher =    "AIP",
4026   year =         "2002",
4027   journal =      "J. Appl. Phys.",
4028   volume =       "91",
4029   number =       "3",
4030   pages =        "1287--1292",
4031   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
4032                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
4033                  electron microscopy",
4034   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
4035   doi =          "10.1063/1.1428105",
4036   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
4037                  temperature, might explain c into c sub trafo",
4038 }
4039
4040 @Article{lucas10,
4041   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
4042   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
4043                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
4044                  high-pressure phases, point and extended defects, and
4045                  amorphous structures",
4046   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
4047   volume =       "22",
4048   number =       "3",
4049   pages =        "035802",
4050   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
4051   year =         "2010",
4052   notes =        "edip sic",
4053 }
4054
4055 @Article{godet03,
4056   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
4057                  Beauchamp",
4058   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
4059                  methods for silicon under large shear",
4060   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
4061   volume =       "15",
4062   number =       "41",
4063   pages =        "6943",
4064   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
4065   year =         "2003",
4066   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
4067                  edip, tersoff, ab initio",
4068 }
4069
4070 @Article{moriguchi98,
4071   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
4072                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
4073   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
4074   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
4075   volume =       "37",
4076   number =       "Part 1, No. 2",
4077   pages =        "414--422",
4078   numpages =     "8",
4079   year =         "1998",
4080   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
4081   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
4082   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
4083   notes =        "tersoff stringent test",
4084 }
4085
4086 @Article{mazzarolo01,
4087   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
4088                  simulations",
4089   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
4090                  Lulli and Eros Albertazzi",
4091   journal =      "Phys. Rev. B",
4092   volume =       "63",
4093   number =       "19",
4094   pages =        "195207",
4095   numpages =     "4",
4096   year =         "2001",
4097   month =        apr,
4098   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
4099   publisher =    "American Physical Society",
4100 }
4101
4102 @Article{holmstroem08,
4103   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
4104                  density functional theory molecular dynamics
4105                  simulations",
4106   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
4107   journal =      "Phys. Rev. B",
4108   volume =       "78",
4109   number =       "4",
4110   pages =        "045202",
4111   numpages =     "6",
4112   year =         "2008",
4113   month =        jul,
4114   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
4115   publisher =    "American Physical Society",
4116   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
4117                  initio",
4118 }
4119
4120 @Article{nordlund97,
4121   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
4122                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
4123   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
4124   volume =       "132",
4125   number =       "1",
4126   pages =        "45--54",
4127   year =         "1997",
4128   note =         "",
4129   ISSN =         "0168-583X",
4130   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
4131   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
4132   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
4133   notes =        "repulsive ab initio potential",
4134 }
4135
4136 @Article{kresse96,
4137   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
4138                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
4139                  set",
4140   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
4141   volume =       "6",
4142   number =       "1",
4143   pages =        "15--50",
4144   year =         "1996",
4145   note =         "",
4146   ISSN =         "0927-0256",
4147   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
4148   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
4149   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
4150   notes =        "vasp ref",
4151 }
4152
4153 @Article{bloechl94,
4154   title =        "Projector augmented-wave method",
4155   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
4156   journal =      "Phys. Rev. B",
4157   volume =       "50",
4158   number =       "24",
4159   pages =        "17953--17979",
4160   numpages =     "26",
4161   year =         "1994",
4162   month =        dec,
4163   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
4164   publisher =    "American Physical Society",
4165   notes =        "paw method",
4166 }
4167
4168 @InCollection{cohen70,
4169   title =        "The Fitting of Pseudopotentials to Experimental Data
4170                  and Their Subsequent Application",
4171   editor =       "Frederick Seitz Henry Ehrenreich and David Turnbull",
4172   publisher =    "Academic Press",
4173   year =         "1970",
4174   volume =       "24",
4175   pages =        "37--248",
4176   series =       "Solid State Physics",
4177   ISSN =         "0081-1947",
4178   doi =          "DOI: 10.1016/S0081-1947(08)60070-3",
4179   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B8GXT-4S9NXKG-9/2/ba01db77c8b19c2bab01506d4ea571b3",
4180   author =       "Marvin L. Cohen and Volker Heine",
4181 }
4182
4183 @Book{delerue04,
4184   title =        "Nanostructures: Theory and Modelling",
4185   author =       "Christophe Delerue and Michel Lannoo",
4186   year =         "2004",
4187   publisher =    "Springer",
4188 }
4189
4190 @Article{klimeck02,
4191   title =        "Development of a nanoelectronic 3-{D} ({NEMO} 3-{D})
4192                  simulator for multimillion atom simulations and its
4193                  application to alloyed quantum dots",
4194   author =       "Gerhard Klimeck and Fabiano Oyafuso and Timothy B
4195                  Boykin and R Chris Bowen and Paul von Allmen",
4196   year =         "2002",
4197   journal =      "Comput. Modeling Eng. Sci.",
4198   volume =       "3",
4199   pages =        "601",
4200 }
4201
4202 @Article{klimeck07,
4203   title =        "Atomistic simulation of realistically sized
4204                  nanodevices using {NEMO} 3-{D}¿Part {I}: Models and
4205                  benchmarks",
4206   author =       "Gerhard Klimeck and Shaikh Shahid Ahmed and Hansang
4207                  Bae and Neerav Kharche and Steve Clark and Benjamin
4208                  Haley and Sunhee Lee and Maxim Naumov and Hoon Ryu and
4209                  Faisal Saied and others",
4210   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4211   volume =       "54",
4212   number =       "9",
4213   pages =        "2079--2089",
4214   year =         "2007",
4215   publisher =    "IEEE",
4216 }
4217
4218 @Article{hamann79,
4219   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
4220   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
4221   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
4222   volume =       "43",
4223   number =       "20",
4224   pages =        "1494--1497",
4225   numpages =     "3",
4226   year =         "1979",
4227   month =        nov,
4228   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
4229   publisher =    "American Physical Society",
4230   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
4231 }
4232
4233 @Article{kleinman82,
4234   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
4235   month =        may,
4236   doi =          "10.1103/PhysRevLett.48.1425",
4237   issue =        "20",
4238   author =       "Leonard Kleinman and D. M. Bylander",
4239   title =        "Efficacious Form for Model Pseudopotentials",
4240   year =         "1982",
4241   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.48.1425",
4242   publisher =    "American Physical Society",
4243   pages =        "1425--1428",
4244   volume =       "48",
4245 }
4246
4247 @Article{troullier91,
4248   title =        "Efficient pseudopotentials for plane-wave
4249                  calculations",
4250   author =       "N. Troullier and Jos\'e Luriaas Martins",
4251   journal =      "Phys. Rev. B",
4252   volume =       "43",
4253   number =       "3",
4254   pages =        "1993--2006",
4255   numpages =     "13",
4256   year =         "1991",
4257   month =        jan,
4258   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.1993",
4259   publisher =    "American Physical Society",
4260 }
4261
4262 @Article{vanderbilt90,
4263   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
4264                  eigenvalue formalism",
4265   author =       "David Vanderbilt",
4266   journal =      "Phys. Rev. B",
4267   volume =       "41",
4268   number =       "11",
4269   pages =        "7892--7895",
4270   numpages =     "3",
4271   year =         "1990",
4272   month =        apr,
4273   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
4274   publisher =    "American Physical Society",
4275   notes =        "vasp pseudopotentials",
4276 }
4277
4278 @Article{ceperley80,
4279   title =        "Ground State of the Electron Gas by a Stochastic
4280                  Method",
4281   author =       "D. M. Ceperley and B. J. Alder",
4282   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
4283   volume =       "45",
4284   number =       "7",
4285   pages =        "566--569",
4286   numpages =     "3",
4287   year =         "1980",
4288   month =        aug,
4289   doi =          "10.1103/PhysRevLett.45.566",
4290   publisher =    "American Physical Society",
4291 }
4292
4293 @Article{perdew81,
4294   title =        "Self-interaction correction to density-functional
4295                  approximations for many-electron systems",
4296   author =       "J. P. Perdew and Alex Zunger",
4297   journal =      "Phys. Rev. B",
4298   volume =       "23",
4299   number =       "10",
4300   pages =        "5048--5079",
4301   numpages =     "31",
4302   year =         "1981",
4303   month =        may,
4304   doi =          "10.1103/PhysRevB.23.5048",
4305   publisher =    "American Physical Society",
4306 }
4307
4308 @Article{perdew86,
4309   title =        "Accurate and simple density functional for the
4310                  electronic exchange energy: Generalized gradient
4311                  approximation",
4312   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
4313   journal =      "Phys. Rev. B",
4314   volume =       "33",
4315   number =       "12",
4316   pages =        "8800--8802",
4317   numpages =     "2",
4318   year =         "1986",
4319   month =        jun,
4320   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
4321   publisher =    "American Physical Society",
4322   notes =        "rapid communication gga",
4323 }
4324
4325 @Article{perdew02,
4326   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
4327                  correlation: {A} look backward and forward",
4328   journal =      "Physica B",
4329   volume =       "172",
4330   number =       "1-2",
4331   pages =        "1--6",
4332   year =         "1991",
4333   note =         "",
4334   ISSN =         "0921-4526",
4335   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
4336   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
4337   author =       "John P. Perdew",
4338   notes =        "gga overview",
4339 }
4340
4341 @Article{perdew92,
4342   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
4343                  of the generalized gradient approximation for exchange
4344                  and correlation",
4345   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
4346                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
4347                  and Carlos Fiolhais",
4348   journal =      "Phys. Rev. B",
4349   volume =       "46",
4350   number =       "11",
4351   pages =        "6671--6687",
4352   numpages =     "16",
4353   year =         "1992",
4354   month =        sep,
4355   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
4356   publisher =    "American Physical Society",
4357   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
4358 }
4359
4360 @Article{chadi73,
4361   title =        "Special Points in the Brillouin Zone",
4362   author =       "D. J. Chadi and Marvin L. Cohen",
4363   journal =      "Phys. Rev. B",
4364   volume =       "8",
4365   number =       "12",
4366   pages =        "5747--5753",
4367   numpages =     "6",
4368   year =         "1973",
4369   month =        dec,
4370   doi =          "10.1103/PhysRevB.8.5747",
4371   publisher =    "American Physical Society",
4372 }
4373
4374 @Article{baldereschi73,
4375   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
4376   author =       "A. Baldereschi",
4377   journal =      "Phys. Rev. B",
4378   volume =       "7",
4379   number =       "12",
4380   pages =        "5212--5215",
4381   numpages =     "3",
4382   year =         "1973",
4383   month =        jun,
4384   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
4385   publisher =    "American Physical Society",
4386   notes =        "mean value k point",
4387 }
4388
4389 @Article{monkhorst76,
4390   title =        "Special points for Brillouin-zone integrations",
4391   author =       "Hendrik J. Monkhorst and James D. Pack",
4392   journal =      "Phys. Rev. B",
4393   volume =       "13",
4394   number =       "12",
4395   pages =        "5188--5192",
4396   numpages =     "4",
4397   year =         "1976",
4398   month =        jun,
4399   doi =          "10.1103/PhysRevB.13.5188",
4400   publisher =    "American Physical Society",
4401 }
4402
4403 @Article{zhu98,
4404   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
4405                  diffusion in Si",
4406   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
4407   volume =       "12",
4408   number =       "4",
4409   pages =        "309--318",
4410   year =         "1998",
4411   note =         "",
4412   ISSN =         "0927-0256",
4413   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
4414   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
4415   author =       "Jing Zhu",
4416   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
4417   keywords =     "Boron dopant",
4418   keywords =     "Carbon dopant",
4419   keywords =     "Defect",
4420   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
4421   keywords =     "Impurity cluster",
4422   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
4423 }
4424
4425 @Article{nejim95,
4426   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
4427   collaboration = "",
4428   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
4429                  950 [degree]{C}",
4430   publisher =    "AIP",
4431   year =         "1995",
4432   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4433   volume =       "66",
4434   number =       "20",
4435   pages =        "2646--2648",
4436   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
4437                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
4438                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
4439                  ELECTRON MICROSCOPY",
4440   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
4441   doi =          "10.1063/1.113112",
4442   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
4443                  self interstitials react with further implanted c",
4444 }
4445
4446 @Article{guedj98,
4447   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
4448                  Kolodzey and A. Hairie",
4449   collaboration = "",
4450   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
4451                  alloys",
4452   publisher =    "AIP",
4453   year =         "1998",
4454   journal =      "J. Appl. Phys.",
4455   volume =       "84",
4456   number =       "8",
4457   pages =        "4631--4633",
4458   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
4459                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
4460                  Fourier transform spectra; thermal stability;
4461                  annealing",
4462   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
4463   doi =          "10.1063/1.368703",
4464   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
4465 }
4466
4467 @Article{jones04,
4468   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
4469   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
4470                  semiconductors",
4471   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
4472   volume =       "16",
4473   number =       "27",
4474   pages =        "S2643",
4475   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
4476   year =         "2004",
4477   notes =        "ab inito dft intro, vibrational modes, c defect in
4478                  si",
4479 }
4480
4481 @Article{jones89,
4482   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.689",
4483   month =        jul,
4484   issue =        "3",
4485   author =       "R. O. Jones and O. Gunnarsson",
4486   year =         "1989",
4487   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/RevModPhys.61.689",
4488   publisher =    "American Physical Society",
4489   title =        "The density functional formalism, its applications and
4490                  prospects",
4491   pages =        "689--746",
4492   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
4493   volume =       "61",
4494   notes =        "dft intro",
4495 }
4496
4497 @Article{park02,
4498   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
4499                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
4500                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
4501   collaboration = "",
4502   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
4503                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
4504                  molecular-beam epitaxy",
4505   publisher =    "AIP",
4506   year =         "2002",
4507   journal =      "J. Appl. Phys.",
4508   volume =       "91",
4509   number =       "9",
4510   pages =        "5716--5727",
4511   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
4512   doi =          "10.1063/1.1465122",
4513   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
4514 }
4515
4516 @Article{leary97,
4517   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
4518                  carbon-carbon pair defects in silicon",
4519   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
4520                  Torres",
4521   journal =      "Phys. Rev. B",
4522   volume =       "55",
4523   number =       "4",
4524   pages =        "2188--2194",
4525   numpages =     "6",
4526   year =         "1997",
4527   month =        jan,
4528   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
4529   publisher =    "American Physical Society",
4530   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
4531                  energies, different migration barriers and paths",
4532 }
4533
4534 @Article{burnard93,
4535   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
4536                  silicon: Semiempirical electronic-structure
4537                  calculations",
4538   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
4539   journal =      "Phys. Rev. B",
4540   volume =       "47",
4541   number =       "16",
4542   pages =        "10217--10225",
4543   numpages =     "8",
4544   year =         "1993",
4545   month =        apr,
4546   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
4547   publisher =    "American Physical Society",
4548   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
4549                  carbon defect, formation energies",
4550 }
4551
4552 @Article{besson91,
4553   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
4554                  silicon",
4555   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
4556   journal =      "Phys. Rev. B",
4557   volume =       "43",
4558   number =       "5",
4559   pages =        "4028--4033",
4560   numpages =     "5",
4561   year =         "1991",
4562   month =        feb,
4563   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
4564   publisher =    "American Physical Society",
4565 }
4566
4567 @Article{kaxiras96,
4568   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
4569                  and growth on semiconductors",
4570   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
4571   volume =       "6",
4572   number =       "2",
4573   pages =        "158--172",
4574   year =         "1996",
4575   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
4576                  Epitaxy",
4577   ISSN =         "0927-0256",
4578   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
4579   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
4580   author =       "Efthimios Kaxiras",
4581   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
4582                  tight binding, first principles",
4583 }
4584
4585 @Article{kaukonen98,
4586   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
4587                  diamond
4588                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
4589                  surfaces",
4590   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
4591                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
4592                  Th. Frauenheim",
4593   journal =      "Phys. Rev. B",
4594   volume =       "57",
4595   number =       "16",
4596   pages =        "9965--9970",
4597   numpages =     "5",
4598   year =         "1998",
4599   month =        apr,
4600   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
4601   publisher =    "American Physical Society",
4602   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
4603                  (crt)",
4604 }
4605
4606 @Article{gali03,
4607   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
4608                  center in Si{C}",
4609   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
4610                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
4611                  W. J. Choyke",
4612   journal =      "Phys. Rev. B",
4613   volume =       "67",
4614   number =       "15",
4615   pages =        "155203",
4616   numpages =     "5",
4617   year =         "2003",
4618   month =        apr,
4619   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
4620   publisher =    "American Physical Society",
4621 }
4622
4623 @Article{chen98,
4624   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
4625                  irradiation and deformation",
4626   journal =      "J. Nucl. Mater.",
4627   volume =       "258-263",
4628   number =       "Part 2",
4629   pages =        "1803--1808",
4630   year =         "1998",
4631   note =         "",
4632   ISSN =         "0022-3115",
4633   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
4634   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
4635   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
4636 }
4637
4638 @Article{weber01,
4639   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
4640                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
4641   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
4642   volume =       "175-177",
4643   number =       "",
4644   pages =        "26--30",
4645   year =         "2001",
4646   note =         "",
4647   ISSN =         "0168-583X",
4648   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
4649   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
4650   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
4651 }
4652
4653 @Article{bockstedte03,
4654   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
4655                  in $3{C}-Si{C}$",
4656   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
4657                  Pankratov",
4658   journal =      "Phys. Rev. B",
4659   volume =       "68",
4660   number =       "20",
4661   pages =        "205201",
4662   numpages =     "17",
4663   year =         "2003",
4664   month =        nov,
4665   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
4666   publisher =    "American Physical Society",
4667   notes =        "defect migration in sic",
4668 }
4669
4670 @Article{rauls03a,
4671   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
4672                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
4673   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
4674                  De\'ak",
4675   journal =      "Phys. Rev. B",
4676   volume =       "68",
4677   number =       "15",
4678   pages =        "155208",
4679   numpages =     "9",
4680   year =         "2003",
4681   month =        oct,
4682   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
4683   publisher =    "American Physical Society",
4684 }
4685
4686 @Article{losev27,
4687   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
4688   volume =       "44",
4689   pages =        "485--494",
4690   year =         "1927",
4691   author =       "O. V. Lossev",
4692 }
4693
4694 @Article{losev28,
4695   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
4696                  oscillations with crystals",
4697   journal =      "Philos. Mag. Series 7",
4698   volume =       "6",
4699   number =       "39",
4700   pages =        "1024--1044",
4701   year =         "1928",
4702   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
4703   author =       "O. V. Lossev",
4704 }
4705
4706 @Article{losev29,
4707   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4708   volume =       "30",
4709   pages =        "920--923",
4710   year =         "1929",
4711   author =       "O. V. Lossev",
4712 }
4713
4714 @Article{losev31,
4715   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4716   volume =       "32",
4717   pages =        "692--696",
4718   year =         "1931",
4719   author =       "O. V. Lossev",
4720 }
4721
4722 @Article{losev33,
4723   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4724   volume =       "34",
4725   pages =        "397--403",
4726   year =         "1933",
4727   author =       "O. V. Lossev",
4728 }
4729
4730 @Article{round07,
4731   title =        "A note on carborundum",
4732   journal =      "Electrical World",
4733   volume =       "49",
4734   pages =        "308",
4735   year =         "1907",
4736   author =       "H. J. Round",
4737 }
4738
4739 @Article{vashishath08,
4740   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
4741   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
4742   volume =       "2",
4743   number =       "03",
4744   pages =        "444--470",
4745   year =         "2008",
4746   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
4747   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
4748   notes =        "sic polytype electronic properties",
4749 }
4750
4751 @Article{nelson69,
4752   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
4753   collaboration = "",
4754   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
4755   publisher =    "AIP",
4756   year =         "1966",
4757   journal =      "J. Appl. Phys.",
4758   volume =       "37",
4759   number =       "1",
4760   pages =        "333--336",
4761   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
4762   doi =          "10.1063/1.1707837",
4763   notes =        "sic melt growth",
4764 }
4765
4766 @Article{arkel25,
4767   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
4768   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
4769                  und Thoriummetall",
4770   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
4771   year =         "1925",
4772   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4773   volume =       "148",
4774   pages =        "345--350",
4775   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
4776   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
4777   notes =        "van arkel apparatus",
4778 }
4779
4780 @Article{moers31,
4781   author =       "K. Moers",
4782   year =         "1931",
4783   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4784   volume =       "198",
4785   pages =        "293",
4786   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4787                  process",
4788 }
4789
4790 @Article{kendall53,
4791   author =       "J. T. Kendall",
4792   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
4793   publisher =    "AIP",
4794   year =         "1953",
4795   journal =      "J. Chem. Phys.",
4796   volume =       "21",
4797   number =       "5",
4798   pages =        "821--827",
4799   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
4800   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4801                  process",
4802 }
4803
4804 @Article{lely55,
4805   author =       "J. A. Lely",
4806   year =         "1955",
4807   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
4808   volume =       "32",
4809   pages =        "229",
4810   notes =        "lely sublimation growth process",
4811 }
4812
4813 @Article{knippenberg63,
4814   author =       "W. F. Knippenberg",
4815   year =         "1963",
4816   journal =      "Philips Res. Repts.",
4817   volume =       "18",
4818   pages =        "161",
4819   notes =        "acheson process",
4820 }
4821
4822 @Article{hoffmann82,
4823   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
4824                  Weyrich",
4825   collaboration = "",
4826   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
4827                  improved external quantum efficiency",
4828   publisher =    "AIP",
4829   year =         "1982",
4830   journal =      "J. Appl. Phys.",
4831   volume =       "53",
4832   number =       "10",
4833   pages =        "6962--6967",
4834   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
4835                  efficiency; visible radiation; experimental data;
4836                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
4837                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
4838                  electroluminescence; spectra; current density;
4839                  optimization",
4840   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
4841   doi =          "10.1063/1.330041",
4842   notes =        "blue led, sublimation process",
4843 }
4844
4845 @Article{neudeck95,
4846   author =       "Philip Neudeck",
4847   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
4848                  Road 44135 Cleveland OH",
4849   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
4850                  technology",
4851   journal =      "J. Electron. Mater.",
4852   publisher =    "Springer Boston",
4853   ISSN =         "0361-5235",
4854   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
4855   pages =        "283--288",
4856   volume =       "24",
4857   issue =        "4",
4858   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
4859   note =         "10.1007/BF02659688",
4860   year =         "1995",
4861   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
4862 }
4863
4864 @InProceedings{pribble02,
4865   author =       "W. L. Pribble and J. W. Palmour and S. T. Sheppard and
4866                  R. P. Smith and S. T. Allen and T. J. Smith and Z. Ring
4867                  and J. J. Sumakeris and A. W. Saxler and J. W.
4868                  Milligan",
4869   booktitle =    "2002 IEEE MTT-S International Microwave Symposium
4870                  Digest",
4871   title =        "Applications of Si{C} {MESFET}s and Ga{N} {HEMT}s in
4872                  power amplifier design",
4873   year =         "2002",
4874   month =        "",
4875   volume =       "",
4876   number =       "",
4877   pages =        "1819--1822",
4878   doi =          "10.1109/MWSYM.2002.1012216",
4879   ISSN =         "",
4880   notes =        "hdtv",
4881 }
4882
4883 @InProceedings{temcamani01,
4884   author =       "F. Temcamani and P. Pouvil and O. Noblanc and C.
4885                  Brylinski and P. Bannelier and B. Darges and J. P.
4886                  Prigent",
4887   booktitle =    "2001 IEEE MTT-S International Microwave Symposium
4888                  Digest",
4889   title =        "Silicon carbide {MESFET}s performances and application
4890                  in broadcast power amplifiers",
4891   year =         "2001",
4892   month =        "",
4893   volume =       "",
4894   number =       "",
4895   pages =        "641--644",
4896   doi =          "10.1109/MWSYM.2001.966976",
4897   ISSN =         "",
4898   notes =        "hdtv",
4899 }
4900
4901 @Article{pensl00,
4902   author =       "Gerhard Pensl and Michael Bassler and Florin Ciobanu
4903                  and Valeri Afanas'ev and Hiroshi Yano and Tsunenobu
4904                  Kimoto and Hiroyuki Matsunami",
4905   title =        "Traps at the Si{C}/Si{O2}-Interface",
4906   journal =      "MRS Proc.",
4907   volume =       "640",
4908   number =       "",
4909   pages =        "",
4910   year =         "2000",
4911   doi =          "10.1557/PROC-640-H3.2",
4912   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-640-H3.2",
4913 }
4914
4915 @Article{bhatnagar93,
4916   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
4917   journal =      "IEEE Trans. Electron Devices",
4918   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
4919                  devices",
4920   year =         "1993",
4921   month =        mar,
4922   volume =       "40",
4923   number =       "3",
4924   pages =        "645--655",
4925   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
4926                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
4927                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
4928                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
4929                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
4930                  solids;insulated gate field effect transistors;power
4931                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
4932                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
4933   doi =          "10.1109/16.199372",
4934   ISSN =         "0018-9383",
4935   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
4936 }
4937
4938 @Article{ryu01,
4939   author =       "Sei-Hyung Ryu and A. K. Agarwal and R. Singh and J. W.
4940                  Palmour",
4941   journal =      "IEEE Electron Device Lett.",
4942   title =        "1800 {V} {NPN} bipolar junction transistors in
4943                  4{H}-Si{C}",
4944   year =         "2001",
4945   month =        mar,
4946   volume =       "22",
4947   number =       "3",
4948   pages =        "124--126",
4949   keywords =     "1800 V;4H-SiC high-voltage n-p-n bipolar junction
4950                  transistor;SiC;blocking voltage;current gain;deep level
4951                  acceptor;minority carrier lifetime;on-resistance;power
4952                  switching device;temperature coefficient;carrier
4953                  lifetime;deep levels;minority carriers;power bipolar
4954                  transistors;silicon compounds;wide band gap
4955                  semiconductors;",
4956   doi =          "10.1109/55.910617",
4957   ISSN =         "0741-3106",
4958 }
4959
4960 @Article{baliga96,
4961   author =       "B. J. Baliga",
4962   journal =      "IEEE Trans. Electron Devices",
4963   title =        "Trends in power semiconductor devices",
4964   year =         "1996",
4965   month =        oct,
4966   volume =       "43",
4967   number =       "10",
4968   pages =        "1717--1731",
4969   keywords =     "DMOS technology;GTO;GaAs;IGBT;MOS-gated
4970                  devices;MOS-gated thyristors;MPS rectifier;PIN
4971                  rectifier;Schottky rectifier;Si;SiC;SiC based
4972                  switches;TMBS rectifier;UMOS technology;VMOS
4973                  technology;bipolar power transistor;high voltage power
4974                  rectifiers;low voltage power rectifiers;power
4975                  MOSFET;power losses;power semiconductor devices;power
4976                  switch technology;review;semiconductor device
4977                  technology;MOS-controlled thyristors;bipolar transistor
4978                  switches;field effect transistor switches;gallium
4979                  arsenide;insulated gate bipolar transistors;p-i-n
4980                  diodes;power bipolar transistors;power field effect
4981                  transistors;power semiconductor devices;power
4982                  semiconductor diodes;power semiconductor
4983                  switches;reviews;silicon;silicon compounds;solid-state
4984                  rectifiers;thyristors;",
4985   doi =          "10.1109/16.536818",
4986   ISSN =         "0018-9383",
4987 }
4988
4989 @Article{bhatnagar92,
4990   author =       "M. Bhatnagar and P. K. McLarty and B. J. Baliga",
4991   journal =      "IEEE Electron Device Lett.",
4992   title =        "Silicon-carbide high-voltage (400 {V}) Schottky
4993                  barrier diodes",
4994   year =         "1992",
4995   month =        oct,
4996   volume =       "13",
4997   number =       "10",
4998   pages =        "501--503",
4999   keywords =     "1.1 V;25 to 200 C;400 V;6H-SiC;Pt-SiC;Schottky barrier
5000                  diodes;breakdown
5001                  voltages;characteristics;fabrication;forward I-V
5002                  characteristics;forward voltage drop;on-state current
5003                  density;rectifiers;reverse I-V characteristics;reverse
5004                  recovery characteristics;sharp breakdown;temperature
5005                  range;Schottky-barrier diodes;platinum;power
5006                  electronics;semiconductor materials;silicon
5007                  compounds;solid-state rectifiers;",
5008   doi =          "10.1109/55.192814",
5009   ISSN =         "0741-3106",
5010 }
5011
5012 @Article{neudeck94,
5013   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
5014                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
5015   journal =      "IEEE Trans. Electron Devices",
5016   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
5017                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
5018                  6{H}-Si{C} substrates",
5019   year =         "1994",
5020   month =        may,
5021   volume =       "41",
5022   number =       "5",
5023   pages =        "826--835",
5024   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
5025                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
5026                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
5027                  properties;epitaxial layers;light
5028                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
5029                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
5030                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
5031                  currents;power electronics;semiconductor
5032                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
5033                  growth;semiconductor materials;silicon
5034                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
5035                  phase epitaxial growth;",
5036   doi =          "10.1109/16.285038",
5037   ISSN =         "0018-9383",
5038   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
5039                  substrate",
5040 }
5041
5042 @Article{weitzel96,
5043   author =       "C. E. Weitzel and J. W. Palmour and Jr. {Carter, C.H.}
5044                  and K. Moore and K. K. Nordquist and S. Allen and C.
5045                  Thero and M. Bhatnagar",
5046   journal =      "IEEE Trans. Electron Devices",
5047   title =        "Silicon carbide high-power devices",
5048   year =         "1996",
5049   month =        oct,
5050   volume =       "43",
5051   number =       "10",
5052   pages =        "1732--1741",
5053   keywords =     "1200 V;1400 V;4H-SiC;500 MHz to 32 GHz;57 W;Schottky
5054                  barrier diodes;SiC;SiC devices;UMOSFET;current
5055                  density;high electric breakdown field;high saturated
5056                  electron drift velocity;high thermal
5057                  conductivity;high-power devices;packaged SIT;submicron
5058                  gate length MESFET;Schottky diodes;current
5059                  density;electric breakdown;power MESFET;power
5060                  MOSFET;power semiconductor devices;power semiconductor
5061                  diodes;reviews;silicon compounds;static induction
5062                  transistors;wide band gap semiconductors;",
5063   doi =          "10.1109/16.536819",
5064   ISSN =         "0018-9383",
5065   notes =        "high power devices",
5066 }
5067
5068 @Article{zhu08,
5069   author =       "Lin Zhu and T. P. Chow",
5070   journal =      "IEEE Trans. Electron Devices",
5071   title =        "Advanced High-Voltage 4{H}-Si{C} Schottky Rectifiers",
5072   year =         "2008",
5073   month =        aug,
5074   volume =       "55",
5075   number =       "8",
5076   pages =        "1871--1874",
5077   keywords =     "H-SiC;OFF-state characteristics;ON-state
5078                  characteristics;blocking capability;high-voltage
5079                  Schottky rectifier;junction barrier Schottky
5080                  rectifier;lateral channel JBS rectifier;leakage
5081                  current;pinlike reverse characteristics;Schottky
5082                  barriers;Schottky diodes;leakage currents;rectifying
5083                  circuits;",
5084   doi =          "10.1109/TED.2008.926642",
5085   ISSN =         "0018-9383",
5086 }
5087
5088 @Article{brown93,
5089   author =       "D. M. Brown and E. T. Downey and M. Ghezzo and J. W.
5090                  Kretchmer and R. J. Saia and Y. S. Liu and J. A. Edmond
5091                  and G. Gati and J. M. Pimbley and W. E. Schneider",
5092   journal =      "IEEE Trans. Electron Devices",
5093   title =        "Silicon carbide {UV} photodiodes",
5094   year =         "1993",
5095   month =        feb,
5096   volume =       "40",
5097   number =       "2",
5098   pages =        "325--333",
5099   keywords =     "200 to 400 nm;6H epitaxial layers;SiC photodiodes;UV
5100                  responsivity characteristics;low dark current;low light
5101                  level UV detection;quantum
5102                  efficiency;reproducibility;reverse current
5103                  leakage;short circuit output current;leakage
5104                  currents;photodiodes;semiconductor
5105                  materials;short-circuit currents;silicon
5106                  compounds;ultraviolet detectors;",
5107   doi =          "10.1109/16.182509",
5108   ISSN =         "0018-9383",
5109   notes =        "sic photo diodes, uv detector",
5110 }
5111
5112 @Article{yan04,
5113   author =       "Feng Yan and Xiaobin Xin and S. Aslam and Yuegang Zhao
5114                  and D. Franz and J. H. Zhao and M. Weiner",
5115   journal =      "IEEE J. Quantum Electron.",
5116   title =        "4{H}-Si{C} {UV} photo detectors with large area and
5117                  very high specific detectivity",
5118   year =         "2004",
5119   month =        sep,
5120   volume =       "40",
5121   number =       "9",
5122   pages =        "1315--1320",
5123   keywords =     "-1 V; 1.2E-14 A; 210 to 350 nm; 4H-SiC UV
5124                  photodetectors; 5 mm; Pt/4H-SiC Schottky photodiodes;
5125                  SiC-Pt; leakage current; photoresponse spectra; quantum
5126                  efficiency; specific detectivity; Schottky diodes;
5127                  photodetectors; platinum; silicon compounds; wide band
5128                  gap semiconductors;",
5129   doi =          "10.1109/JQE.2004.833196",
5130   ISSN =         "0018-9197",
5131   notes =        "uv detector",
5132 }
5133
5134 @Article{schulze98,
5135   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
5136   collaboration = "",
5137   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
5138                  single crystals by physical vapor transport",
5139   publisher =    "AIP",
5140   year =         "1998",
5141   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
5142   volume =       "72",
5143   number =       "13",
5144   pages =        "1632--1634",
5145   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
5146                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
5147                  photoluminescence; Hall mobility",
5148   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
5149   doi =          "10.1063/1.121136",
5150   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
5151 }
5152
5153 @Article{frank51,
5154   author =       "F. C. Frank",
5155   title =        "Capillary equilibria of dislocated crystals",
5156   journal =      "Acta Crystallogr.",
5157   year =         "1951",
5158   volume =       "4",
5159   number =       "6",
5160   pages =        "497--501",
5161   month =        nov,
5162   doi =          "10.1107/S0365110X51001690",
5163   URL =          "http://dx.doi.org/10.1107/S0365110X51001690",
5164   notes =        "micropipe",
5165 }
5166
5167 @Article{heindl97,
5168   author =       "J. Heindl and H. P. Strunk and V. D. Heydemann and G.
5169                  Pensl",
5170   title =        "Micropipes: Hollow Tubes in Silicon Carbide",
5171   journal =      "phys. status solidi (a)",
5172   volume =       "162",
5173   number =       "1",
5174   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
5175   ISSN =         "1521-396X",
5176   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-396X(199707)162:1<251::AID-PSSA251>3.0.CO;2-7",
5177   doi =          "10.1002/1521-396X(199707)162:1<251::AID-PSSA251>3.0.CO;2-7",
5178   pages =        "251--262",
5179   year =         "1997",
5180   notes =        "micropipe",
5181 }
5182
5183 @Article{neudeck94_2,
5184   author =       "P. G. Neudeck and J. A. Powell",
5185   journal =      "IEEE Electron Device Lett.",
5186   title =        "Performance limiting micropipe defects in silicon
5187                  carbide wafers",
5188   year =         "1994",
5189   month =        feb,
5190   volume =       "15",
5191   number =       "2",
5192   pages =        "63--65",
5193   keywords =     "SiC;defect density;device ratings;epitaxially-grown pn
5194                  junction devices;micropipe defects;power devices;power
5195                  semiconductors;pre-avalanche reverse-bias point
5196                  failures;p-n homojunctions;power
5197                  electronics;semiconductor materials;silicon
5198                  compounds;",
5199   doi =          "10.1109/55.285372",
5200   ISSN =         "0741-3106",
5201 }
5202
5203 @Article{pirouz87,
5204   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
5205   collaboration = "",
5206   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
5207   publisher =    "AIP",
5208   year =         "1987",
5209   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
5210   volume =       "50",
5211   number =       "4",
5212   pages =        "221--223",
5213   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
5214                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
5215                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
5216                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
5217                  BOUNDARIES",
5218   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
5219   doi =          "10.1063/1.97667",
5220   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
5221 }
5222
5223 @Article{shibahara86,
5224   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
5225                  Si(100) by chemical vapor deposition",
5226   journal =      "J. Cryst. Growth",
5227   volume =       "78",
5228   number =       "3",
5229   pages =        "538--544",
5230   year =         "1986",
5231   note =         "",
5232   ISSN =         "0022-0248",
5233   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
5234   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
5235   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
5236                  Matsunami",
5237   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
5238 }
5239
5240 @Article{desjardins96,
5241   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
5242   collaboration = "",
5243   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
5244   publisher =    "AIP",
5245   year =         "1996",
5246   journal =      "J. Appl. Phys.",
5247   volume =       "79",
5248   number =       "3",
5249   pages =        "1423--1434",
5250   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
5251                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
5252   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
5253   doi =          "10.1063/1.360980",
5254   notes =        "apb model",
5255 }
5256
5257 @Article{henke95,
5258   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
5259   collaboration = "",
5260   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
5261                  carbonization of silicon",
5262   publisher =    "AIP",
5263   year =         "1995",
5264   journal =      "J. Appl. Phys.",
5265   volume =       "78",
5266   number =       "3",
5267   pages =        "2070--2073",
5268   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
5269                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
5270                  STRUCTURE",
5271   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
5272   doi =          "10.1063/1.360184",
5273   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
5274 }
5275
5276 @Article{fuyuki89,
5277   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
5278                  {MBE} using surface superstructure",
5279   journal =      "J. Cryst. Growth",
5280   volume =       "95",
5281   number =       "1-4",
5282   pages =        "461--463",
5283   year =         "1989",
5284   note =         "",
5285   ISSN =         "0022-0248",
5286   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
5287   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
5288   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
5289                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
5290   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
5291 }
5292
5293 @Article{yoshinobu92,
5294   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
5295                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
5296   collaboration = "",
5297   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
5298                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
5299                  molecular beam epitaxy",
5300   publisher =    "AIP",
5301   year =         "1992",
5302   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
5303   volume =       "60",
5304   number =       "7",
5305   pages =        "824--826",
5306   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
5307                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
5308                  INTERFACE STRUCTURE",
5309   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
5310   doi =          "10.1063/1.107430",
5311   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
5312 }
5313
5314 @Article{yoshinobu90,
5315   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
5316                  cubic Si{C}",
5317   journal =      "J. Cryst. Growth",
5318   volume =       "99",
5319   number =       "1-4",
5320   pages =        "520--524",
5321   year =         "1990",
5322   note =         "",
5323   ISSN =         "0022-0248",
5324   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
5325   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
5326   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
5327                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
5328   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
5329 }
5330
5331 @Article{fuyuki93,
5332   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
5333                  superstructures in Si{C}",
5334   journal =      "Thin Solid Films",
5335   volume =       "225",
5336   number =       "1-2",
5337   pages =        "225--229",
5338   year =         "1993",
5339   note =         "",
5340   ISSN =         "0040-6090",
5341   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
5342   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
5343   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
5344                  Matsunami",
5345   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
5346                  epitaxy, ale",
5347 }
5348
5349 @Article{hara93,
5350   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
5351                  growth of [beta]-Si{C}",
5352   journal =      "Thin Solid Films",
5353   volume =       "225",
5354   number =       "1-2",
5355   pages =        "240--243",
5356   year =         "1993",
5357   note =         "",
5358   ISSN =         "0040-6090",
5359   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
5360   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
5361   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
5362                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
5363   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
5364                  epitaxy, ale",
5365 }
5366
5367 @Article{tanaka94,
5368   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
5369   collaboration = "",
5370   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
5371                  growth mode and polytype formation during gas-source
5372                  molecular beam epitaxy",
5373   publisher =    "AIP",
5374   year =         "1994",
5375   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
5376   volume =       "65",
5377   number =       "22",
5378   pages =        "2851--2853",
5379   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
5380                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
5381                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
5382                  FLOW; FLOW RATE",
5383   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
5384   doi =          "10.1063/1.112513",
5385   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
5386 }
5387
5388 @Article{fuyuki97,
5389   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
5390   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
5391                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
5392   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
5393   year =         "1997",
5394   journal =      "phys. status solidi (b)",
5395   volume =       "202",
5396   pages =        "359--378",
5397   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
5398                  temperatures 750",
5399 }
5400
5401 @Article{takaoka98,
5402   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
5403   journal =      "J. Cryst. Growth",
5404   volume =       "183",
5405   number =       "1-2",
5406   pages =        "175--182",
5407   year =         "1998",
5408   note =         "",
5409   ISSN =         "0022-0248",
5410   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
5411   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
5412   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
5413   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
5414   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
5415   keywords =     "Silicon carbide",
5416   keywords =     "Silicon",
5417   keywords =     "Island growth",
5418   notes =        "lower temperature, 550-700",
5419 }
5420
5421 @Article{hatayama95,
5422   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
5423                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
5424                  molecular beam epitaxy",
5425   journal =      "J. Cryst. Growth",
5426   volume =       "150",
5427   number =       "Part 2",
5428   pages =        "934--938",
5429   year =         "1995",
5430   note =         "",
5431   ISSN =         "0022-0248",
5432   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
5433   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
5434   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
5435                  and Hiroyuki Matsunami",
5436 }
5437
5438 @Article{heine91,
5439   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
5440   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
5441                  Metastable Cubic Form",
5442   journal =      "J. Am. Ceram. Soc.",
5443   volume =       "74",
5444   number =       "10",
5445   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
5446   ISSN =         "1551-2916",
5447   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
5448   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
5449   pages =        "2630--2633",
5450   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
5451                  calculations, stability",
5452   year =         "1991",
5453   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
5454                  polytype dft calculation refs",
5455 }
5456
5457 @Article{allendorf91,
5458   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
5459                  [beta]-silicon carbide",
5460   journal =      "Surf. Sci.",
5461   volume =       "258",
5462   number =       "1-3",
5463   pages =        "177--189",
5464   year =         "1991",
5465   note =         "",
5466   ISSN =         "0039-6028",
5467   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
5468   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
5469   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
5470   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
5471 }
5472
5473 @Article{eaglesham93,
5474   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
5475                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
5476   collaboration = "",
5477   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
5478   publisher =    "AIP",
5479   year =         "1993",
5480   journal =      "J. Appl. Phys.",
5481   volume =       "74",
5482   number =       "11",
5483   pages =        "6615--6618",
5484   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
5485                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
5486                  DIFFUSION; ADSORPTION",
5487   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
5488   doi =          "10.1063/1.355101",
5489   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
5490                  mobility",
5491 }
5492
5493 @Article{newman85,
5494   author =       "Ronald C. Newman",
5495   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
5496   journal =      "MRS Proc.",
5497   volume =       "59",
5498   number =       "",
5499   pages =        "403",
5500   year =         "1985",
5501   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
5502   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
5503   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
5504 }
5505
5506 @Article{newman61,
5507   title =        "The diffusivity of carbon in silicon",
5508   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
5509   volume =       "19",
5510   number =       "3-4",
5511   pages =        "230--234",
5512   year =         "1961",
5513   note =         "",
5514   ISSN =         "0022-3697",
5515   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(61)90032-4",
5516   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46M72R1-4D/2/9235472e4c0a95bf7b995769474f5fbd",
5517   author =       "R. C. Newman and J. Wakefield",
5518   notes =        "diffusivity of substitutional c in si",
5519 }
5520
5521 @Article{goesele85,
5522   author =       "U. Gösele",
5523   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
5524   journal =      "MRS Proc.",
5525   volume =       "59",
5526   number =       "",
5527   pages =        "419",
5528   year =         "1985",
5529   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
5530   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
5531   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
5532 }
5533
5534 @Article{mukashev82,
5535   title =        "Defects in Carbon-Implanted Silicon",
5536   author =       "Bulat N. Mukashev and Alexey V. Spitsyn and Noboru
5537                  Fukuoka and Haruo Saito",
5538   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
5539   volume =       "21",
5540   number =       "Part 1, No. 2",
5541   pages =        "399--400",
5542   numpages =     "1",
5543   year =         "1982",
5544   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/21/399/",
5545   doi =          "10.1143/JJAP.21.399",
5546   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
5547 }
5548
5549 @Article{puska98,
5550   title =        "Convergence of supercell calculations for point
5551                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
5552   author =       "M. J. Puska and S. P{\"o}ykk{\"o} and M. Pesola and R.
5553                  M. Nieminen",
5554   journal =      "Phys. Rev. B",
5555   volume =       "58",
5556   number =       "3",
5557   pages =        "1318--1325",
5558   numpages =     "7",
5559   year =         "1998",
5560   month =        jul,
5561   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.1318",
5562   publisher =    "American Physical Society",
5563   notes =        "convergence k point supercell size, vacancy in
5564                  silicon",
5565 }
5566
5567 @Article{serre95,
5568   author =       "C. Serre and A. P\'{e}rez-Rodr\'{\i}guez and A.
5569                  Romano-Rodr\'{\i}guez and J. R. Morante and R.
5570                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
5571   collaboration = "",
5572   title =        "Spectroscopic characterization of phases formed by
5573                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
5574   publisher =    "AIP",
5575   year =         "1995",
5576   journal =      "J. Appl. Phys.",
5577   volume =       "77",
5578   number =       "7",
5579   pages =        "2978--2984",
5580   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; PHASE STUDIES; CARBON IONS;
5581                  FOURIER TRANSFORM SPECTROSCOPY; RAMAN SPECTRA;
5582                  PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; TEM; TEMPERATURE
5583                  DEPENDENCE; PRECIPITATES; ANNEALING",
5584   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
5585   doi =          "10.1063/1.358714",
5586 }
5587
5588 @Article{romano-rodriguez96,
5589   title =        "Detailed analysis of [beta]-Si{C} formation by high
5590                  dose carbon ion implantation in silicon",
5591   journal =      "Materials Science and Engineering B",
5592   volume =       "36",
5593   number =       "1-3",
5594   pages =        "282--285",
5595   year =         "1996",
5596   note =         "European Materials Research Society 1995 Spring
5597                  Meeting, Symposium N: Carbon, Hydrogen, Nitrogen, and
5598                  Oxygen in Silicon and in Other Elemental
5599                  Semiconductors",
5600   ISSN =         "0921-5107",
5601   doi =          "DOI: 10.1016/0921-5107(95)01283-4",
5602   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-3VR7691-25/2/995fd57b9e5c1100558f80c472620408",
5603   author =       "A. Romano-Rodriguez and C. Serre and L. Calvo-Barrio
5604                  and A. Pérez-Rodríguez and J. R. Morante and R. Kögler
5605                  and W. Skorupa",
5606   keywords =     "Silicon",
5607   keywords =     "Ion implantation",
5608   notes =        "incoherent 3c-sic precipitate",
5609 }
5610
5611 @Article{davidson75,
5612   title =        "The iterative calculation of a few of the lowest
5613                  eigenvalues and corresponding eigenvectors of large
5614                  real-symmetric matrices",
5615   journal =      "J. Comput. Phys.",
5616   volume =       "17",
5617   number =       "1",
5618   pages =        "87--94",
5619   year =         "1975",
5620   note =         "",
5621   ISSN =         "0021-9991",
5622   doi =          "DOI: 10.1016/0021-9991(75)90065-0",
5623   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0021999175900650",
5624   author =       "Ernest R. Davidson",
5625 }
5626
5627 @Book{adorno_mm,
5628   title =        "Minima Moralia: Reflexionen aus dem besch{\"a}digten
5629                  Leben",
5630   author =       "T. W. Adorno",
5631   ISBN =         "978-3-518-01236-9",
5632   URL =          "http://books.google.com/books?id=coZqRAAACAAJ",
5633   year =         "1994",
5634   publisher =    "Suhrkamp",
5635 }
5636
5637 @Misc{attenberger03,
5638   author =       "Wilfried Attenberger and Jörg Lindner and Bernd
5639                  Stritzker",
5640   title =        "A {method} {for} {forming} {a} {layered}
5641                  {semiconductor} {structure} {and} {corresponding}
5642                  {structure}",
5643   year =         "2003",
5644   month =        apr,
5645   day =          "24",
5646   note =         "WO 2003/034484 A3R4",
5647   version =      "A3R4",
5648   howpublished = "Patent Application",
5649   nationality =  "WO",
5650   filing_num =   "EP0211423",
5651   yearfiled =    "2002",
5652   monthfiled =   "10",
5653   dayfiled =     "11",
5654   pat_refs =     "",
5655   ipc_class =    "7B 81C 1/00 B; 7H 01L 21/04 B; 7H 01L 21/265 B; 7H 01L
5656                  21/322 B; 7H 01L 21/324 B; 7H 01L 21/74 A; 7H 01L
5657                  21/762 B; 7H 01L 29/165 B; 7H 01L 33/00 B",
5658   us_class =     "",
5659   abstract =     "The following invention provides a method for forming
5660                  a layered semiconductor structure having a layer (5) of
5661                  a first semiconductor material on a substrate (1; 1')
5662                  of at least one second semiconductor material,
5663                  comprising the steps of: providing said substrate (1;
5664                  1'); burying said layer (5) of said first semiconductor
5665                  material in said substrate (1; 1'), said buried layer
5666                  (5) having an upper surface (105) and a lower surface
5667                  (105) and dividing said substrate (1; 1') into an upper
5668                  part (1a) and a lower part (1b; 1b', 1c); creating a
5669                  buried damage layer (10; 10'; 10'', 100'') which at
5670                  least partly adjoins and/or at least partly includes
5671                  said upper surface (105) of said buried layer (5); and
5672                  removing said upper part (1a) of said substrate (1; 1')
5673                  and said buried damage layer (10; 10'; 10'', 100'') for
5674                  exposing said buried layer (5). The invention also
5675                  provides a corresponding layered semiconductor
5676                  structure.",
5677 }
5678
5679 @Article{zunger01,
5680   author =       "Alex Zunger",
5681   title =        "Pseudopotential Theory of Semiconductor Quantum Dots",
5682   journal =      "phys. status solidi (b)",
5683   volume =       "224",
5684   number =       "3",
5685   publisher =    "WILEY-VCH Verlag Berlin GmbH",
5686   ISSN =         "1521-3951",
5687   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/(SICI)1521-3951(200104)224:3<727::AID-PSSB727>3.0.CO;2-9",
5688   doi =          "10.1002/(SICI)1521-3951(200104)224:3<727::AID-PSSB727>3.0.CO;2-9",
5689   pages =        "727--734",
5690   keywords =     "71.15.Dx, 73.21.La, S5.11, S5.12, S7.11, S7.12, S8.11,
5691                  S8.12",
5692   year =         "2001",
5693   notes =        "configuration-interaction method, ci",
5694 }
5695
5696 @Article{zunger02,
5697   author =       "Alex Zunger",
5698   title =        "On the Farsightedness (hyperopia) of the Standard k ·
5699                  p Model",
5700   journal =      "phys. status solidi (a)",
5701   volume =       "190",
5702   number =       "2",
5703   publisher =    "WILEY-VCH Verlag Berlin GmbH",
5704   ISSN =         "1521-396X",
5705   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-396X(200204)190:2<467::AID-PSSA467>3.0.CO;2-4",
5706   doi =          "10.1002/1521-396X(200204)190:2<467::AID-PSSA467>3.0.CO;2-4",
5707   pages =        "467--475",
5708   keywords =     "73.20.At, 73.21.Cd, 73.21.La, 73.22.¿b, 78.20.Bh",
5709   year =         "2002",
5710 }
5711
5712 @Article{robertson90,
5713   author =       "I. J. Robertson and M. C. Payne",
5714   title =        "k-point sampling and the k.p method in pseudopotential
5715                  total energy calculations",
5716   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
5717   volume =       "2",
5718   number =       "49",
5719   pages =        "9837",
5720   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/2/i=49/a=010",
5721   year =         "1990",
5722   notes =        "kp method",
5723 }
5724
5725 @Article{lange11,
5726   volume =       "84",
5727   journal =      "Phys. Rev. B",
5728   author =       "Bj{\"o}rn Lange and Christoph Freysoldt and J{\"o}rg
5729                  Neugebauer",
5730   month =        aug,
5731   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.84.085101",
5732   doi =          "10.1103/PhysRevB.84.085101",
5733   year =         "2011",
5734   title =        "Construction and performance of fully numerical
5735                  optimum atomic basis sets",
5736   issue =        "8",
5737   publisher =    "American Physical Society",
5738   numpages =     "11",
5739   pages =        "085101",
5740   notes =        "quamol, basis set, for planc",
5741 }
5742
5743 @Article{artacho91,
5744   volume =       "43",
5745   journal =      "Phys. Rev. A",
5746   author =       "Emilio Artacho and Lorenzo Mil\'ans del Bosch",
5747   month =        jun,
5748   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevA.43.5770",
5749   doi =          "10.1103/PhysRevA.43.5770",
5750   year =         "1991",
5751   title =        "Nonorthogonal basis sets in quantum mechanics:
5752                  Representations and second quantization",
5753   issue =        "11",
5754   publisher =    "American Physical Society",
5755   pages =        "5770--5777",
5756   notes =        "non-orthogonal basis set",
5757 }
5758
5759 @Article{artacho99,
5760   author =       "E. Artacho and D. Sánchez-Portal and P. Ordejón and
5761                  A. García and J. M. Soler",
5762   title =        "Linear-Scaling ab-initio Calculations for Large and
5763                  Complex Systems",
5764   journal =      "physica status solidi (b)",
5765   volume =       "215",
5766   number =       "1",
5767   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
5768   ISSN =         "1521-3951",
5769   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/(SICI)1521-3951(199909)215:1<809::AID-PSSB809>3.0.CO;2-0",
5770   doi =          "10.1002/(SICI)1521-3951(199909)215:1<809::AID-PSSB809>3.0.CO;2-0",
5771   pages =        "809--817",
5772   year =         "1999",
5773 }
5774
5775 @Article{loewdin50,
5776   author =       "Per-Olov L{\"{o}}wdin",
5777   collaboration = "",
5778   title =        "On the Non-Orthogonality Problem Connected with the
5779                  Use of Atomic Wave Functions in the Theory of Molecules
5780                  and Crystals",
5781   publisher =    "AIP",
5782   year =         "1950",
5783   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
5784   volume =       "18",
5785   number =       "3",
5786   pages =        "365--375",
5787   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/18/365/1",
5788   doi =          "10.1063/1.1747632",
5789   notes =        "non orthogonal basis set",
5790 }
5791
5792 @Article{loewdin68,
5793   author =       "Per-Olov Löwdin",
5794   title =        "Studies in perturbation theory {XIII}. Treatment of
5795                  constants of motion in resolvent method, partitioning
5796                  technique, and perturbation theory",
5797   journal =      "International Journal of Quantum Chemistry",
5798   volume =       "2",
5799   number =       "6",
5800   publisher =    "John Wiley & Sons, Inc.",
5801   ISSN =         "1097-461X",
5802   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/qua.560020612",
5803   doi =          "10.1002/qua.560020612",
5804   pages =        "867--931",
5805   year =         "1968",
5806 }
5807
5808 @Article{chadi77,
5809   volume =       "16",
5810   journal =      "Phys. Rev. B",
5811   author =       "D. J. Chadi",
5812   month =        oct,
5813   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.16.3572",
5814   doi =          "10.1103/PhysRevB.16.3572",
5815   year =         "1977",
5816   title =        "Localized-orbital description of wave functions and
5817                  energy bands in semiconductors",
5818   issue =        "8",
5819   publisher =    "American Physical Society",
5820   pages =        "3572--3578",
5821   notes =        "localized orbitals",
5822 }
5823
5824 @Article{wigner33,
5825   volume =       "43",
5826   journal =      "Phys. Rev.",
5827   author =       "E. Wigner and F. Seitz",
5828   month =        may,
5829   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.43.804",
5830   doi =          "10.1103/PhysRev.43.804",
5831   year =         "1933",
5832   title =        "On the Constitution of Metallic Sodium",
5833   issue =        "10",
5834   publisher =    "American Physical Society",
5835   pages =        "804--810",
5836   notes =        "wigner seitz method",
5837 }
5838
5839 @Article{herring40,
5840   volume =       "57",
5841   journal =      "Phys. Rev.",
5842   author =       "Conyers Herring",
5843   month =        jun,
5844   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.57.1169",
5845   doi =          "10.1103/PhysRev.57.1169",
5846   year =         "1940",
5847   title =        "A New Method for Calculating Wave Functions in
5848                  Crystals",
5849   issue =        "12",
5850   publisher =    "American Physical Society",
5851   pages =        "1169--1177",
5852   notes =        "orthogonalized plane wave method, opw",
5853 }
5854
5855 @Article{slater53,
5856   volume =       "92",
5857   journal =      "Phys. Rev.",
5858   author =       "J. C. Slater",
5859   month =        nov,
5860   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.92.603",
5861   doi =          "10.1103/PhysRev.92.603",
5862   year =         "1953",
5863   title =        "An Augmented Plane Wave Method for the Periodic
5864                  Potential Problem",
5865   issue =        "3",
5866   publisher =    "American Physical Society",
5867   pages =        "603--608",
5868   notes =        "augmented plane wave method",
5869 }
5870
5871 @Article{phillips59,
5872   volume =       "116",
5873   journal =      "Phys. Rev.",
5874   author =       "James C. Phillips and Leonard Kleinman",
5875   month =        oct,
5876   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.116.287",
5877   doi =          "10.1103/PhysRev.116.287",
5878   year =         "1959",
5879   title =        "New Method for Calculating Wave Functions in Crystals
5880                  and Molecules",
5881   issue =        "2",
5882   publisher =    "American Physical Society",
5883   pages =        "287--294",
5884   notes =        "pseudo potential",
5885 }
5886
5887 @Article{austin62,
5888   volume =       "127",
5889   journal =      "Phys. Rev.",
5890   author =       "B. J. Austin and V. Heine and L. J. Sham",
5891   month =        jul,
5892   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.127.276",
5893   doi =          "10.1103/PhysRev.127.276",
5894   year =         "1962",
5895   title =        "General Theory of Pseudopotentials",
5896   issue =        "1",
5897   publisher =    "American Physical Society",
5898   pages =        "276--282",
5899   notes =        "most general form of pseudo potential",
5900 }
5901
5902 @Article{gonze91,
5903   volume =       "44",
5904   journal =      "Phys. Rev. B",
5905   author =       "Xavier Gonze and Roland Stumpf and Matthias
5906                  Scheffler",
5907   month =        oct,
5908   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.44.8503",
5909   doi =          "10.1103/PhysRevB.44.8503",
5910   year =         "1991",
5911   title =        "Analysis of separable potentials",
5912   issue =        "16",
5913   publisher =    "American Physical Society",
5914   pages =        "8503--8513",
5915 }
5916
5917 @Article{gonze09,
5918   title =        "{ABINIT}: First-principles approach to material and
5919                  nanosystem properties",
5920   journal =      "Computer Physics Communications",
5921   volume =       "180",
5922   number =       "12",
5923   pages =        "2582--2615",
5924   year =         "2009",
5925   ISSN =         "0010-4655",
5926   doi =          "http://dx.doi.org/10.1016/j.cpc.2009.07.007",
5927   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0010465509002276",
5928   author =       "X. Gonze and B. Amadon and P.-M. Anglade and J.-M.
5929                  Beuken and F. Bottin and P. Boulanger and F. Bruneval
5930                  and D. Caliste and R. Caracas and M. Côté and T.
5931                  Deutsch and L. Genovese and Ph. Ghosez and M.
5932                  Giantomassi and S. Goedecker and D. R. Hamann and P.
5933                  Hermet and F. Jollet and G. Jomard and S. Leroux and M.
5934                  Mancini and S. Mazevet and M. J. T. Oliveira and G.
5935                  Onida and Y. Pouillon and T. Rangel and G.-M. Rignanese
5936                  and D. Sangalli and R. Shaltaf and M. Torrent and M. J.
5937                  Verstraete and G. Zerah and J. W. Zwanziger",
5938 }
5939
5940 @Article{wannier37,
5941   volume =       "52",
5942   journal =      "Phys. Rev.",
5943   author =       "Gregory H. Wannier",
5944   month =        aug,
5945   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.52.191",
5946   doi =          "10.1103/PhysRev.52.191",
5947   year =         "1937",
5948   title =        "The Structure of Electronic Excitation Levels in
5949                  Insulating Crystals",
5950   issue =        "3",
5951   publisher =    "American Physical Society",
5952   pages =        "191--197",
5953 }
5954
5955 @Article{marzari97,
5956   volume =       "56",
5957   journal =      "Phys. Rev. B",
5958   author =       "Nicola Marzari and David Vanderbilt",
5959   month =        nov,
5960   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.56.12847",
5961   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.12847",
5962   year =         "1997",
5963   title =        "Maximally localized generalized Wannier functions for
5964                  composite energy bands",
5965   issue =        "20",
5966   publisher =    "American Physical Society",
5967   pages =        "12847--12865",
5968   notes =        "maximal general localized wannier orbitals",
5969 }
5970
5971 @Article{dirac28,
5972   author =       "P. A. M. Dirac",
5973   title =        "The Quantum Theory of the Electron",
5974   volume =       "117",
5975   number =       "778",
5976   pages =        "610--624",
5977   year =         "1928",
5978   doi =          "10.1098/rspa.1928.0023",
5979   URL =          "http://rspa.royalsocietypublishing.org/content/117/778/610.short",
5980   eprint =       "http://rspa.royalsocietypublishing.org/content/117/778/610.full.pdf+html",
5981   journal =      "Proceedings of the Royal Society of London. Series A",
5982   notes =        "spin orbit origin, relativistic quantum theory",
5983 }
5984
5985 @Article{kleinman80,
5986   title =        "Relativistic norm-conserving pseudopotential",
5987   author =       "Leonard Kleinman",
5988   journal =      "Phys. Rev. B",
5989   volume =       "21",
5990   issue =        "6",
5991   pages =        "2630--2631",
5992   year =         "1980",
5993   month =        mar,
5994   doi =          "10.1103/PhysRevB.21.2630",
5995   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.21.2630",
5996   publisher =    "American Physical Society",
5997   notes =        "first relativistic pseudopotential",
5998 }
5999
6000 @Article{bachelet82,
6001   title =        "Relativistic norm-conserving pseudopotentials",
6002   author =       "Giovanni B. Bachelet and M. Schl{\"u}ter",
6003   journal =      "Phys. Rev. B",
6004   volume =       "25",
6005   issue =        "4",
6006   pages =        "2103--2108",
6007   year =         "1982",
6008   month =        feb,
6009   doi =          "10.1103/PhysRevB.25.2103",
6010   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.25.2103",
6011   publisher =    "American Physical Society",
6012 }
6013
6014 @Article{hybertsen86,
6015   title =        "Spin-orbit splitting in semiconductors and insulators
6016                  from the \textit{ab initio} pseudopotential",
6017   author =       "Mark S. Hybertsen and Steven G. Louie",
6018   journal =      "Phys. Rev. B",
6019   volume =       "34",
6020   issue =        "4",
6021   pages =        "2920--2922",
6022   year =         "1986",
6023   month =        aug,
6024   doi =          "10.1103/PhysRevB.34.2920",
6025   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.34.2920",
6026   publisher =    "American Physical Society",
6027   notes =        "spin orbit pseudopotential formulation",
6028 }
6029
6030 @Article{cardona88,
6031   title =        "Relativistic band structure and spin-orbit splitting
6032                  of zinc-blende-type semiconductors",
6033   author =       "M. Cardona and N. E. Christensen and G. Fasol",
6034   journal =      "Phys. Rev. B",
6035   volume =       "38",
6036   issue =        "3",
6037   pages =        "1806--1827",
6038   year =         "1988",
6039   month =        jul,
6040   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.1806",
6041   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.38.1806",
6042   publisher =    "American Physical Society",
6043   notes =        "fully relativistic band structures of zinc blende
6044                  semiconductors",
6045 }
6046
6047 @Article{hemstreet93,
6048   title =        "First-principles calculations of spin-orbit splittings
6049                  in solids using nonlocal separable pseudopotentials",
6050   author =       "L. A. Hemstreet and C. Y. Fong and J. S. Nelson",
6051   journal =      "Phys. Rev. B",
6052   volume =       "47",
6053   issue =        "8",
6054   pages =        "4238--4243",
6055   year =         "1993",
6056   month =        feb,
6057   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.4238",
6058   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.47.4238",
6059   publisher =    "American Physical Society",
6060 }
6061
6062 @Article{naveh07,
6063   title =        "Real-space pseudopotential method for spin-orbit
6064                  coupling within density functional theory",
6065   author =       "Doron Naveh and Leeor Kronik and Murilo L. Tiago and
6066                  James R. Chelikowsky",
6067   journal =      "Phys. Rev. B",
6068   volume =       "76",
6069   issue =        "15",
6070   pages =        "153407",
6071   numpages =     "4",
6072   year =         "2007",
6073   month =        oct,
6074   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.153407",
6075   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.76.153407",
6076   publisher =    "American Physical Society",
6077   notes =        "real space spin orbit pseudopotential implementation",
6078 }
6079
6080 @Article{verstraete08,
6081   title =        "Density functional perturbation theory with spin-orbit
6082                  coupling: Phonon band structure of lead",
6083   author =       "Matthieu J. Verstraete and Marc Torrent and
6084                  Fran\mbox{\c{c}}ois Jollet and Gilles Z\'erah and
6085                  Xavier Gonze",
6086   journal =      "Phys. Rev. B",
6087   volume =       "78",
6088   issue =        "4",
6089   pages =        "045119",
6090   numpages =     "9",
6091   year =         "2008",
6092   month =        jul,
6093   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045119",
6094   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.78.045119",
6095   publisher =    "American Physical Society",
6096 }
6097
6098 @Article{cuadrado12,
6099   author =       "R. Cuadrado and J. I. Cerdá",
6100   title =        "Fully relativistic pseudopotential formalism under an
6101                  atomic orbital basis: spin-orbit splittings and
6102                  magnetic anisotropies",
6103   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
6104   volume =       "24",
6105   number =       "8",
6106   pages =        "086005",
6107   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/24/i=8/a=086005",
6108   year =         "2012",
6109 }
6110
6111 @Article{canning00,
6112   title =        "Parallel Empirical Pseudopotential Electronic
6113                  Structure Calculations for Million Atom Systems",
6114   journal =      "Journal of Computational Physics",
6115   volume =       "160",
6116   number =       "1",
6117   pages =        "29--41",
6118   year =         "2000",
6119   note =         "",
6120   ISSN =         "0021-9991",
6121   doi =          "http://dx.doi.org/10.1006/jcph.2000.6440",
6122   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0021999100964404",
6123   author =       "A. Canning and L. W. Wang and A. Williamson and A.
6124                  Zunger",
6125 }
6126
6127 @Article{oliveira08,
6128   title =        "Generating relativistic pseudo-potentials with
6129                  explicit incorporation of semi-core states using {APE},
6130                  the Atomic Pseudo-potentials Engine",
6131   journal =      "Computer Physics Communications",
6132   volume =       "178",
6133   number =       "7",
6134   pages =        "524--534",
6135   year =         "2008",
6136   note =         "",
6137   ISSN =         "0010-4655",
6138   doi =          "http://dx.doi.org/10.1016/j.cpc.2007.11.003",
6139   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0010465507004651",
6140   author =       "Micael J. T. Oliveira and Fernando Nogueira",
6141   keywords =     "Pseudo-potential",
6142   keywords =     "Electronic structure",
6143   keywords =     "Density functional",
6144 }
6145
6146 @Article{fornberg88,
6147   author =       "Bengt Fornberg",
6148   title =        "Generation of finite difference formulas on
6149                  arbitrarily spaced grids",
6150   journal =      "Math. Comp.",
6151   volume =       "51",
6152   number =       "",
6153   pages =        "699--706",
6154   year =         "1988",
6155   doi =          "http://dx.doi.org/10.1090/S0025-5718-1988-0935077-",
6156   URL =          "http://dx.doi.org/10.1090/S0025-5718-1988-0935077-",
6157 }
6158
6159 @Article{fornberg94,
6160   author =       "Bengt Fornberg and David M. Sloan",
6161   title =        "A review of pseudospectral methods for solving partial
6162                  differential equations",
6163   journal =      "Acta Numerica",
6164   volume =       "3",
6165   number =       "",
6166   pages =        "203--267",
6167   year =         "1994",
6168   doi =          "10.1017/S0962492900002440",
6169   URL =          "http://dx.doi.org/10.1017/S0962492900002440",
6170 }
6171
6172 @Article{urbaszek03,
6173   title =        "Fine Structure of Highly Charged Excitons in
6174                  Semiconductor Quantum Dots",
6175   author =       "B. Urbaszek and R. J. Warburton and K. Karrai and B.
6176                  D. Gerardot and P. M. Petroff and J. M. Garcia",
6177   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6178   volume =       "90",
6179   issue =        "24",
6180   pages =        "247403",
6181   numpages =     "4",
6182   year =         "2003",
6183   month =        jun,
6184   doi =          "10.1103/PhysRevLett.90.247403",
6185   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.90.247403",
6186   publisher =    "American Physical Society",
6187 }
6188
6189 @Article{dekel98,
6190   title =        "Multiexciton Spectroscopy of a Single Self-Assembled
6191                  Quantum Dot",
6192   author =       "E. Dekel and D. Gershoni and E. Ehrenfreund and D.
6193                  Spektor and J. M. Garcia and P. M. Petroff",
6194   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6195   volume =       "80",
6196   issue =        "22",
6197   pages =        "4991--4994",
6198   year =         "1998",
6199   month =        jun,
6200   doi =          "10.1103/PhysRevLett.80.4991",
6201   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.80.4991",
6202   publisher =    "American Physical Society",
6203 }
6204
6205 @Article{bayer02,
6206   title =        "Fine structure of neutral and charged excitons in
6207                  self-assembled In(Ga)As/(Al)GaAs quantum dots",
6208   author =       "M. Bayer and G. Ortner and O. Stern and A. Kuther and
6209                  A. A. Gorbunov and A. Forchel and P. Hawrylak and S.
6210                  Fafard and K. Hinzer and T. L. Reinecke and S. N. Walck
6211                  and J. P. Reithmaier and F. Klopf and F. Sch{\"a}fer",
6212   journal =      "Phys. Rev. B",
6213   volume =       "65",
6214   issue =        "19",
6215   pages =        "195315",
6216   numpages =     "23",
6217   year =         "2002",
6218   month =        may,
6219   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195315",
6220   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.65.195315",
6221   publisher =    "American Physical Society",
6222 }
6223
6224 @Article{bayer99,
6225   title =        "Electron and Hole $\mathit{g}$ Factors and Exchange
6226                  Interaction from Studies of the Exciton Fine Structure
6227                  in
6228                  ${\mathrm{In}}_{0.60}{\mathrm{Ga}}_{0.40}\mathrm{As}$
6229                  Quantum Dots",
6230   author =       "M. Bayer and A. Kuther and A. Forchel and A. Gorbunov
6231                  and V. B. Timofeev and F. Sch{\"a}fer and J. P.
6232                  Reithmaier and T. L. Reinecke and S. N. Walck",
6233   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6234   volume =       "82",
6235   issue =        "8",
6236   pages =        "1748--1751",
6237   year =         "1999",
6238   month =        feb,
6239   doi =          "10.1103/PhysRevLett.82.1748",
6240   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.82.1748",
6241   publisher =    "American Physical Society",
6242 }
6243
6244 @Article{loss98,
6245   title =        "Quantum computation with quantum dots",
6246   author =       "Daniel Loss and David P. DiVincenzo",
6247   journal =      "Phys. Rev. A",
6248   volume =       "57",
6249   issue =        "1",
6250   pages =        "120--126",
6251   year =         "1998",
6252   month =        jan,
6253   doi =          "10.1103/PhysRevA.57.120",
6254   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevA.57.120",
6255   publisher =    "American Physical Society",
6256 }
6257
6258 @Article{schaller04,
6259   title =        "High Efficiency Carrier Multiplication in PbSe
6260                  Nanocrystals: Implications for Solar Energy
6261                  Conversion",
6262   author =       "R. D. Schaller and V. I. Klimov",
6263   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6264   volume =       "92",
6265   issue =        "18",
6266   pages =        "186601",
6267   numpages =     "4",
6268   year =         "2004",
6269   month =        may,
6270   doi =          "10.1103/PhysRevLett.92.186601",
6271   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.92.186601",
6272   publisher =    "American Physical Society",
6273 }
6274
6275 @Article{cardenas12,
6276   title =        "Atomic effective pseudopotentials for semiconductors",
6277   author =       "J. R. C\'ardenas and G. Bester",
6278   journal =      "Phys. Rev. B",
6279   volume =       "86",
6280   issue =        "11",
6281   pages =        "115332",
6282   numpages =     "9",
6283   year =         "2012",
6284   month =        sep,
6285   doi =          "10.1103/PhysRevB.86.115332",
6286   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.86.115332",
6287   publisher =    "American Physical Society",
6288 }
6289
6290 @Misc{aep12,
6291   title =        "Atomic effective pseudopotentials for semiconductors",
6292   author =       "J. R. C\'ardenas and G. Bester",
6293   year =         "2012",
6294   month =        sep,
6295   URL =          "http://www.fkf.mpg.de/bester/downloads/downloads.html",
6296   eprint =       "http://www.fkf.mpg.de/bester/downloads/downloads.html",
6297 }
6298
6299 @Article{bester05,
6300   title =        "Cylindrically shaped zinc-blende semiconductor quantum
6301                  dots do not have cylindrical symmetry:\quad{}Atomistic
6302                  symmetry, atomic relaxation, and piezoelectric
6303                  effects",
6304   author =       "Gabriel Bester and Alex Zunger",
6305   journal =      "Phys. Rev. B",
6306   volume =       "71",
6307   issue =        "4",
6308   pages =        "045318",
6309   numpages =     "12",
6310   year =         "2005",
6311   month =        jan,
6312   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.045318",
6313   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.71.045318",
6314   publisher =    "American Physical Society",
6315 }
6316
6317 @Article{bester09,
6318   author =       "Gabriel Bester",
6319   title =        "Electronic excitations in nanostructures: an empirical
6320                  pseudopotential based approach",
6321   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
6322   volume =       "21",
6323   number =       "2",
6324   pages =        "023202",
6325   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/21/i=2/a=023202",
6326   year =         "2009",
6327 }
6328
6329 @Article{cohen66,
6330   title =        "Band Structures and Pseudopotential Form Factors for
6331                  Fourteen Semiconductors of the Diamond and Zinc-blende
6332                  Structures",
6333   author =       "Marvin L. Cohen and T. K. Bergstresser",
6334   journal =      "Phys. Rev.",
6335   volume =       "141",
6336   issue =        "2",
6337   pages =        "789--796",
6338   year =         "1966",
6339   month =        jan,
6340   doi =          "10.1103/PhysRev.141.789",
6341   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.141.789",
6342   publisher =    "American Physical Society",
6343 }
6344
6345 @Article{maeder94,
6346   title =        "Empirical atomic pseudopotentials for AlAs/GaAs
6347                  superlattices, alloys, and nanostructures",
6348   author =       "Kurt A. M{\"a}der and Alex Zunger",
6349   journal =      "Phys. Rev. B",
6350   volume =       "50",
6351   issue =        "23",
6352   pages =        "17393--17405",
6353   year =         "1994",
6354   month =        dec,
6355   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17393",
6356   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.50.17393",
6357   publisher =    "American Physical Society",
6358 }
6359
6360 @Article{wang94_2,
6361   author =       "Lin Wang Wang and Alex Zunger",
6362   title =        "Electronic Structure Pseudopotential Calculations of
6363                  Large (.apprx.1000 Atoms) Si Quantum Dots",
6364   journal =      "The Journal of Physical Chemistry",
6365   volume =       "98",
6366   number =       "8",
6367   pages =        "2158--2165",
6368   year =         "1994",
6369   doi =          "10.1021/j100059a032",
6370   URL =          "http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/j100059a032",
6371   eprint =       "http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/j100059a032",
6372 }
6373
6374 @Article{wang95,
6375   title =        "Local-density-derived semiempirical pseudopotentials",
6376   author =       "Lin-Wang Wang and Alex Zunger",
6377   journal =      "Phys. Rev. B",
6378   volume =       "51",
6379   issue =        "24",
6380   pages =        "17398--17416",
6381   year =         "1995",
6382   month =        jun,
6383   doi =          "10.1103/PhysRevB.51.17398",
6384   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.51.17398",
6385   publisher =    "American Physical Society",
6386 }
6387
6388 @Article{wang99,
6389   title =        "Linear combination of bulk bands method for
6390                  large-scale electronic structure calculations on
6391                  strained nanostructures",
6392   author =       "Lin-Wang Wang and Alex Zunger",
6393   journal =      "Phys. Rev. B",
6394   volume =       "59",
6395   issue =        "24",
6396   pages =        "15806--15818",
6397   year =         "1999",
6398   month =        jun,
6399   doi =          "10.1103/PhysRevB.59.15806",
6400   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.59.15806",
6401   publisher =    "American Physical Society",
6402 }
6403
6404 @Article{franceschetti99,
6405   title =        "Many-body pseudopotential theory of excitons in In{P}
6406                  and CdSe quantum dots",
6407   author =       "A. Franceschetti and H. Fu and L. W. Wang and A.
6408                  Zunger",
6409   journal =      "Phys. Rev. B",
6410   volume =       "60",
6411   issue =        "3",
6412   pages =        "1819--1829",
6413   year =         "1999",
6414   month =        jul,
6415   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.1819",
6416   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.60.1819",
6417   publisher =    "American Physical Society",
6418 }
6419
6420 @Article{wang94,
6421   author =       "Lin-Wang Wang and Alex Zunger",
6422   collaboration = "",
6423   title =        "Solving Schr[o-umlaut]dinger's equation around a
6424                  desired energy: Application to silicon quantum dots",
6425   publisher =    "AIP",
6426   year =         "1994",
6427   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
6428   volume =       "100",
6429   number =       "3",
6430   pages =        "2394--2397",
6431   keywords =     "SCHROEDINGER EQUATION; SILICON; ONEDIMENSIONAL
6432                  CALCULATIONS; USES; ENERGY LEVELS; EIGENVALUES;
6433                  ELECTRONIC STRUCTURE; CALCULATION METHODS; PLANE WAVES;
6434                  PSEUDOPOTENTIAL",
6435   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/100/2394/1",
6436   doi =          "10.1063/1.466486",
6437 }
6438
6439 @Article{jacobi1845,
6440   author =       "C. G. J. Jacobi",
6441   title =        "Ueber eine neue Auflösungsart der bei der Methode der
6442                  kleinsten Quadrate vorkommenden lineären Gleichungen",
6443   journal =      "Astronom. Nachr.",
6444   volume =       "22",
6445   number =       "20",
6446   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
6447   ISSN =         "1521-3994",
6448   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/asna.18450222002",
6449   doi =          "10.1002/asna.18450222002",
6450   pages =        "297--306",
6451   year =         "1845",
6452 }
6453
6454 @Article{jacobi1846,
6455   author =       "C. G. J. Jacobi",
6456   title =        "{\"U}ber ein leichtes Verfahren die in der Theorie der
6457                  {S}{\"a}cularst{\"o}rungen vorkommenden Gleichungen
6458                  numerisch aufzul{\"o}sen",
6459   journal =      "J. Reine und Angew. Math.",
6460   volume =       "1846",
6461   number =       "30",
6462   URL =          "http://www.degruyter.com/view/j/crll.1846.issue-30/crll.1846.30.51/crll.1846.30.51.xml",
6463   doi =          "doi:10.1515/crll.1846.30.51",
6464   pages =        "51--94",
6465   year =         "1846",
6466 }
6467
6468 @Article{sleijpen96,
6469   author =       "G. G. Sleijpen and H. {Van der Vorst}",
6470   title =        "A Jacobi--Davidson Iteration Method for Linear
6471                  Eigenvalue Problems",
6472   journal =      "SIAM Journal on Matrix Analysis and Applications",
6473   volume =       "17",
6474   number =       "2",
6475   pages =        "401--425",
6476   year =         "1996",
6477   doi =          "10.1137/S0895479894270427",
6478   URL =          "http://epubs.siam.org/doi/abs/10.1137/S0895479894270427",
6479   eprint =       "http://epubs.siam.org/doi/pdf/10.1137/S0895479894270427",
6480 }
6481
6482 @Article{sleijpen00,
6483   author =       "G. Sleijpen and H. {Van der Vorst}",
6484   title =        "A Jacobi--Davidson Iteration Method for Linear
6485                  Eigenvalue Problems",
6486   journal =      "SIAM Review",
6487   volume =       "42",
6488   number =       "2",
6489   pages =        "267--293",
6490   year =         "2000",
6491   doi =          "10.1137/S0036144599363084",
6492   URL =          "http://epubs.siam.org/doi/abs/10.1137/S0036144599363084",
6493   eprint =       "http://epubs.siam.org/doi/pdf/10.1137/S0036144599363084",
6494 }
6495
6496 @Article{morgan91,
6497   title =        "Computing interior eigenvalues of large matrices",
6498   journal =      "Linear Algebra and its Applications",
6499   volume =       "154--156",
6500   number =       "0",
6501   pages =        "289--309",
6502   year =         "1991",
6503   note =         "",
6504   ISSN =         "0024-3795",
6505   doi =          "http://dx.doi.org/10.1016/0024-3795(91)90381-6",
6506   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0024379591903816",
6507   author =       "Ronald B. Morgan",
6508 }
6509
6510 @Article{sorensen92,
6511   author =       "D. Sorensen",
6512   title =        "Implicit Application of Polynomial Filters in a k-Step
6513                  Arnoldi Method",
6514   journal =      "SIAM Journal on Matrix Analysis and Applications",
6515   volume =       "13",
6516   number =       "1",
6517   pages =        "357--385",
6518   year =         "1992",
6519   doi =          "10.1137/0613025",
6520   URL =          "http://epubs.siam.org/doi/abs/10.1137/0613025",
6521   eprint =       "http://epubs.siam.org/doi/pdf/10.1137/0613025",
6522 }
6523
6524 @Article{paige95,
6525   author =       "Chris C. Paige and Beresford N. Parlett and Henk A.
6526                  {van der Vorst}",
6527   title =        "Approximate solutions and eigenvalue bounds from
6528                  Krylov subspaces",
6529   journal =      "Numerical Linear Algebra with Applications",
6530   volume =       "2",
6531   number =       "2",
6532   publisher =    "John Wiley & Sons, Ltd",
6533   ISSN =         "1099-1506",
6534   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/nla.1680020205",
6535   doi =          "10.1002/nla.1680020205",
6536   pages =        "115--133",
6537   keywords =     "Krylov subspace, Lanczos process, symmetric matrix,
6538                  conjugate gradients, minimum residual, Lehmann
6539                  intervals",
6540   year =         "1995",
6541 }
6542
6543 @Book{lehoucq98,
6544   title =        "Arpack User's Guide: Solution of Large-Scale
6545                  Eigenvalue Problems With Implicityly Restorted Arnoldi
6546                  Methods",
6547   author =       "R Richard B Lehoucq and D Danny C Sorensen and
6548                  Chao-Chih Yang",
6549   volume =       "6",
6550   year =         "1998",
6551   publisher =    "Siam",
6552 }
6553
6554 @Article{sorensen01,
6555   title =        "{ARPACK} Software Package",
6556   author =       "D. C. Sorensen and R. B. Lehoucq and C. Yang and K.
6557                  Maschhoff",
6558   journal =      "Rice University",
6559   year =         "2001",
6560 }
6561
6562 @Article{luo08,
6563   title =        "Quantum-size-induced electronic transitions in quantum
6564                  dots: Indirect band-gap GaAs",
6565   author =       "Jun-Wei Luo and Alberto Franceschetti and Alex
6566                  Zunger",
6567   journal =      "Phys. Rev. B",
6568   volume =       "78",
6569   issue =        "3",
6570   pages =        "035306",
6571   numpages =     "8",
6572   year =         "2008",
6573   month =        jul,
6574   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035306",
6575   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.78.035306",
6576   publisher =    "American Physical Society",
6577 }
6578
6579 @Misc{openmp08,
6580   author =       "{OpenMP Architecture Review Board}",
6581   title =        "{OpenMP} Application Program Interface Version 3.0",
6582   month =        may,
6583   year =         "2008",
6584   URL =          "\url{http://www.openmp.org/mp-documents/spec30.pdf}",
6585 }
6586
6587 @Book{anderson99,
6588   author =       "E. Anderson and Z. Bai and C. Bischof and L. S.
6589                  Blackford and J. Demmel and J. Dongarra and J. Du Croz
6590                  and A. Greenbaum and S. Hammarling and A. McKenney and
6591                  D. Sorensen",
6592   title =        "{LAPACK} Users' Guide",
6593   publisher =    "Society for Industrial and Applied Mathematics",
6594   year =         "1999",
6595   doi =          "10.1137/1.9780898719604",
6596   address =      "",
6597   edition =      "Third",
6598   URL =          "http://epubs.siam.org/doi/abs/10.1137/1.9780898719604",
6599   eprint =       "http://epubs.siam.org/doi/pdf/10.1137/1.9780898719604",
6600 }
6601
6602 @Article{lawson79,
6603   author =       "C. L. Lawson and R. J. Hanson and D. R. Kincaid and F.
6604                  T. Krogh",
6605   title =        "{Algorithm 539}: {Basic Linear Algebra Subprograms}
6606                  for {Fortran} Usage [{F1}]",
6607   journal =      "{ACM} Transactions on Mathematical Software",
6608   volume =       "5",
6609   number =       "3",
6610   pages =        "324--325",
6611   month =        sep,
6612   year =         "1979",
6613   CODEN =        "ACMSCU",
6614   ISSN =         "0098-3500",
6615   URL =          "http://doi.acm.org/10.1145/355841.355848",
6616 }
6617
6618 @Article{hartwigsen98,
6619   title =        "Relativistic separable dual-space Gaussian
6620                  pseudopotentials from {H} to Rn",
6621   author =       "C. Hartwigsen and S. Goedecker and J. Hutter",
6622   journal =      "Phys. Rev. B",
6623   volume =       "58",
6624   issue =        "7",
6625   pages =        "3641--3662",
6626   year =         "1998",
6627   month =        aug,
6628   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.3641",
6629   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.58.3641",
6630   publisher =    "American Physical Society",
6631 }
6632
6633 @InProceedings{frigo98,
6634   author =       "M. Frigo and S. G. Johnson",
6635   booktitle =    "Acoustics, Speech and Signal Processing, 1998.
6636                  Proceedings of the 1998 IEEE International Conference
6637                  on",
6638   title =        "{FFTW}: an adaptive software architecture for the
6639                  {FFT}",
6640   year =         "1998",
6641   month =        may,
6642   volume =       "3",
6643   number =       "",
6644   pages =        "1381--1384",
6645   keywords =     "DFT;FFT;FFTW;adaptive FFT program;adaptive software
6646                  architecture;computer architecture;fast
6647                  algorithm;floating-point operations;memory
6648                  hierarchy;performance;processor
6649                  pipeline;self-optimizing approach;adaptive
6650                  systems;discrete Fourier transforms;fast Fourier
6651                  transforms;mathematics computing;",
6652   doi =          "10.1109/ICASSP.1998.681704",
6653   ISSN =         "1520-6149",
6654 }
6655
6656 @Article{frigo05,
6657   author =       "M. Frigo and S. G. Johnson",
6658   journal =      "Proceedings of the IEEE",
6659   title =        "The Design and Implementation of {FFTW3}",
6660   year =         "2005",
6661   month =        feb,
6662   volume =       "93",
6663   number =       "2",
6664   pages =        "216--231",
6665   keywords =     "DFT algorithm;FFTW3 design;FFTW3 version;cosine
6666                  transforms;discrete Fourier transform;hand optimized
6667                  libraries;machine specific single instruction;multiple
6668                  data instructions;sine transforms;software
6669                  structure;discrete Fourier transforms;discrete cosine
6670                  transforms;mathematics computing;optimising
6671                  compilers;parallel programming;software libraries;",
6672   doi =          "10.1109/JPROC.2004.840301",
6673   ISSN =         "0018-9219",
6674 }
6675
6676 @InCollection{takahashi10,
6677   author =       "Daisuke Takahashi",
6678   affiliation =  "Graduate School of Systems and Information
6679                  Engineering, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai,
6680                  Tsukuba, Ibaraki, 305-8573 Japan",
6681   title =        "An Implementation of Parallel 3-{D} {FFT} with 2-{D}
6682                  Decomposition on a Massively Parallel Cluster of
6683                  Multi-core Processors",
6684   booktitle =    "Parallel Processing and Applied Mathematics",
6685   series =       "Lecture Notes in Computer Science",
6686   editor =       "Roman Wyrzykowski and Jack Dongarra and Konrad
6687                  Karczewski and Jerzy Wasniewski",
6688   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
6689   ISBN =         "978-3-642-14389-2",
6690   keyword =      "Computer Science",
6691   pages =        "606--614",
6692   volume =       "6067",
6693   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-14390-8_63",
6694   year =         "2010",
6695 }
6696
6697 @Misc{ffte11,
6698   title =        "{FFTE}: {A} Fast Fourier Transform Package",
6699   author =       "D. Takahashi",
6700   year =         "2011",
6701   month =        nov,
6702   URL =          "http://www.ffte.jp/",
6703   eprint =       "http://www.ffte.jp/",
6704 }
6705
6706 @Article{kane05,
6707   title =        "Quantum Spin Hall Effect in Graphene",
6708   author =       "C. L. Kane and E. J. Mele",
6709   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6710   volume =       "95",
6711   issue =        "22",
6712   pages =        "226801",
6713   numpages =     "4",
6714   year =         "2005",
6715   month =        nov,
6716   doi =          "10.1103/PhysRevLett.95.226801",
6717   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.95.226801",
6718   publisher =    "American Physical Society",
6719 }
6720
6721 @Article{kane05_2,
6722   title =        "${Z}_{2}$ Topological Order and the Quantum Spin Hall
6723                  Effect",
6724   author =       "C. L. Kane and E. J. Mele",
6725   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6726   volume =       "95",
6727   issue =        "14",
6728   pages =        "146802",
6729   numpages =     "4",
6730   year =         "2005",
6731   month =        sep,
6732   doi =          "10.1103/PhysRevLett.95.146802",
6733   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.95.146802",
6734   publisher =    "American Physical Society",
6735 }
6736
6737 @Article{moore07,
6738   title =        "Topological invariants of time-reversal-invariant band
6739                  structures",
6740   author =       "J. E. Moore and L. Balents",
6741   journal =      "Phys. Rev. B",
6742   volume =       "75",
6743   issue =        "12",
6744   pages =        "121306",
6745   numpages =     "4",
6746   year =         "2007",
6747   month =        mar,
6748   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.121306",
6749   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.75.121306",
6750   publisher =    "American Physical Society",
6751 }
6752
6753 @Article{koenig07,
6754   author =       "Markus K{\"o}nig and Steffen Wiedmann and Christoph
6755                  Br{\"u}ne and Andreas Roth and Hartmut Buhmann and
6756                  Laurens W. Molenkamp and Xiao-Liang Qi and Shou-Cheng
6757                  Zhang",
6758   title =        "Quantum Spin Hall Insulator State in HgTe Quantum
6759                  Wells",
6760   volume =       "318",
6761   number =       "5851",
6762   pages =        "766--770",
6763   year =         "2007",
6764   doi =          "10.1126/science.1148047",
6765   URL =          "http://www.sciencemag.org/content/318/5851/766.abstract",
6766   eprint =       "http://www.sciencemag.org/content/318/5851/766.full.pdf",
6767   journal =      "Science",
6768 }
6769
6770 @Article{bernevig06,
6771   author =       "B. Andrei Bernevig and Taylor L. Hughes and Shou-Cheng
6772                  Zhang",
6773   title =        "Quantum Spin Hall Effect and Topological Phase
6774                  Transition in HgTe Quantum Wells",
6775   volume =       "314",
6776   number =       "5806",
6777   pages =        "1757--1761",
6778   year =         "2006",
6779   doi =          "10.1126/science.1133734",
6780   URL =          "http://www.sciencemag.org/content/314/5806/1757.abstract",
6781   eprint =       "http://www.sciencemag.org/content/314/5806/1757.full.pdf",
6782   journal =      "Science",
6783 }
6784
6785 @Article{barnevig06_2,
6786   title =        "Quantum Spin Hall Effect",
6787   author =       "B. Andrei Bernevig and Shou-Cheng Zhang",
6788   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6789   volume =       "96",
6790   issue =        "10",
6791   pages =        "106802",
6792   numpages =     "4",
6793   year =         "2006",
6794   month =        mar,
6795   doi =          "10.1103/PhysRevLett.96.106802",
6796   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.96.106802",
6797   publisher =    "American Physical Society",
6798 }
6799
6800 @Article{hasan10,
6801   title =        "\textit{Colloquium} : Topological insulators",
6802   author =       "M. Z. Hasan and C. L. Kane",
6803   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
6804   volume =       "82",
6805   issue =        "4",
6806   pages =        "3045--3067",
6807   year =         "2010",
6808   month =        nov,
6809   doi =          "10.1103/RevModPhys.82.3045",
6810   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/RevModPhys.82.3045",
6811   publisher =    "American Physical Society",
6812 }
6813
6814 @Article{fu07,
6815   title =        "Topological insulators with inversion symmetry",
6816   author =       "Liang Fu and C. L. Kane",
6817   journal =      "Phys. Rev. B",
6818   volume =       "76",
6819   issue =        "4",
6820   pages =        "045302",
6821   numpages =     "17",
6822   year =         "2007",
6823   month =        jul,
6824   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.045302",
6825   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.76.045302",
6826   publisher =    "American Physical Society",
6827 }
6828
6829 @Article{fu11,
6830   title =        "Topological Crystalline Insulators",
6831   author =       "Liang Fu",
6832   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6833   volume =       "106",
6834   issue =        "10",
6835   pages =        "106802",
6836   numpages =     "4",
6837   year =         "2011",
6838   month =        mar,
6839   doi =          "10.1103/PhysRevLett.106.106802",
6840   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.106.106802",
6841   publisher =    "American Physical Society",
6842   notes =        "topological insulator without spin-orbit coupling",
6843 }
6844
6845 @Article{luo10,
6846   title =        "Design Principles and Coupling Mechanisms in the 2{D}
6847                  Quantum Well Topological Insulator
6848                  $\mathrm{HgTe}/\mathrm{CdTe}$",
6849   author =       "Jun-Wei Luo and Alex Zunger",
6850   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6851   volume =       "105",
6852   issue =        "17",
6853   pages =        "176805",
6854   numpages =     "4",
6855   year =         "2010",
6856   month =        oct,
6857   doi =          "10.1103/PhysRevLett.105.176805",
6858   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.105.176805",
6859   publisher =    "American Physical Society",
6860   notes =        "zunger topological insulator",
6861 }
6862
6863 @Article{luo10_2,
6864   title =        "Discovery of a Novel Linear-in-$k$ Spin Splitting for
6865                  Holes in the 2{D} $\mathrm{GaAs}/\mathrm{AlAs}$
6866                  System",
6867   author =       "Jun-Wei Luo and Athanasios N. Chantis and Mark van
6868                  Schilfgaarde and Gabriel Bester and Alex Zunger",
6869   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6870   volume =       "104",
6871   issue =        "6",
6872   pages =        "066405",
6873   numpages =     "4",
6874   year =         "2010",
6875   month =        feb,
6876   doi =          "10.1103/PhysRevLett.104.066405",
6877   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.104.066405",
6878   publisher =    "American Physical Society",
6879 }
6880
6881 @Article{gehring13,
6882   author =       "P. Gehring and H. M. Benia and Y. Weng and R.
6883                  Dinnebier and C. R. Ast and M. Burghard and K. Kern",
6884   title =        "A Natural Topological Insulator",
6885   journal =      "Nano Letters",
6886   volume =       "13",
6887   number =       "3",
6888   pages =        "1179--1184",
6889   year =         "2013",
6890   doi =          "10.1021/nl304583m",
6891   URL =          "http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl304583m",
6892   eprint =       "http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/nl304583m",
6893 }
6894
6895 @Article{bryant03,
6896   title =        "Tight-binding theory of quantum-dot quantum
6897                  wells:\quad{}Single-particle effects and near-band-edge
6898                  structure",
6899   author =       "Garnett W. Bryant and W. Jask\'olski",
6900   journal =      "Phys. Rev. B",
6901   volume =       "67",
6902   issue =        "20",
6903   pages =        "205320",
6904   numpages =     "17",
6905   year =         "2003",
6906   month =        may,
6907   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.205320",
6908   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.67.205320",
6909   publisher =    "American Physical Society",
6910 }
6911
6912 @Article{chelikowsky94,
6913   title =        "Finite-difference-pseudopotential method: Electronic
6914                  structure calculations without a basis",
6915   author =       "James R. Chelikowsky and N. Troullier and Y. Saad",
6916   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6917   volume =       "72",
6918   issue =        "8",
6919   pages =        "1240--1243",
6920   year =         "1994",
6921   month =        feb,
6922   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.1240",
6923   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.72.1240",
6924   publisher =    "American Physical Society",
6925 }
6926
6927 @Article{briggs96,
6928   title =        "Real-space multigrid-based approach to large-scale
6929                  electronic structure calculations",
6930   author =       "E. L. Briggs and D. J. Sullivan and J. Bernholc",
6931   journal =      "Phys. Rev. B",
6932   volume =       "54",
6933   issue =        "20",
6934   pages =        "14362--14375",
6935   numpages =     "0",
6936   year =         "1996",
6937   month =        nov,
6938   publisher =    "American Physical Society",
6939   doi =          "10.1103/PhysRevB.54.14362",
6940   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.54.14362",
6941 }
6942
6943 @Article{beck2000,
6944   title =        "Real-space mesh techniques in density-functional
6945                  theory",
6946   author =       "Thomas L. Beck",
6947   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
6948   volume =       "72",
6949   issue =        "4",
6950   pages =        "1041--1080",
6951   numpages =     "0",
6952   year =         "2000",
6953   month =        oct,
6954   publisher =    "American Physical Society",
6955   doi =          "10.1103/RevModPhys.72.1041",
6956   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/RevModPhys.72.1041",
6957 }
6958
6959 @Article{saad10,
6960   author =       "Y. Saad and J. Chelikowsky and S. Shontz",
6961   title =        "Numerical Methods for Electronic Structure
6962                  Calculations of Materials",
6963   journal =      "SIAM Review",
6964   volume =       "52",
6965   number =       "1",
6966   pages =        "3--54",
6967   year =         "2010",
6968   doi =          "10.1137/060651653",
6969   URL =          "http://epubs.siam.org/doi/abs/10.1137/060651653",
6970   eprint =       "http://epubs.siam.org/doi/pdf/10.1137/060651653",
6971 }
6972
6973 @Article{kronik06,
6974   author =       "Leeor Kronik and Adi Makmal and Murilo L. Tiago and M.
6975                  M. G. Alemany and Manish Jain and Xiangyang Huang and
6976                  Yousef Saad and James R. Chelikowsky",
6977   title =        "{PARSEC} - the pseudopotential algorithm for
6978                  real-space electronic structure calculations: recent
6979                  advances and novel applications to nano-structures",
6980   journal =      "physica status solidi (b)",
6981   volume =       "243",
6982   number =       "5",
6983   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
6984   ISSN =         "1521-3951",
6985   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssb.200541463",
6986   doi =          "10.1002/pssb.200541463",
6987   pages =        "1063--1079",
6988   keywords =     "61.46.+w, 71.15.Mb, 73.22.-f",
6989   year =         "2006",
6990 }
6991
6992 @Article{alemany04,
6993   title =        "Real-space pseudopotential method for computing the
6994                  electronic properties of periodic systems",
6995   author =       "M. M. G. Alemany and Manish Jain and Leeor Kronik and
6996                  James R. Chelikowsky",
6997   journal =      "Phys. Rev. B",
6998   volume =       "69",
6999   issue =        "7",
7000   pages =        "075101",
7001   numpages =     "6",
7002   year =         "2004",
7003   month =        feb,
7004   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.075101",
7005   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.69.075101",
7006   publisher =    "American Physical Society",
7007 }
7008
7009 @Article{li93,
7010   title =        "Density-matrix electronic-structure method with linear
7011                  system-size scaling",
7012   author =       "X.-P. Li and R. W. Nunes and David Vanderbilt",
7013   journal =      "Phys. Rev. B",
7014   volume =       "47",
7015   issue =        "16",
7016   pages =        "10891--10894",
7017   year =         "1993",
7018   month =        apr,
7019   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10891",
7020   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.47.10891",
7021   publisher =    "American Physical Society",
7022 }
7023
7024 @Article{mauri93,
7025   title =        "Self-consistent first-principles technique with linear
7026                  scaling",
7027   author =       "E. Hern\'andez and M. J. Gillan",
7028   journal =      "Phys. Rev. B",
7029   volume =       "51",
7030   issue =        "15",
7031   pages =        "10157--10160",
7032   year =         "1995",
7033   month =        apr,
7034   doi =          "10.1103/PhysRevB.51.10157",
7035   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.51.10157",
7036   publisher =    "American Physical Society",
7037 }
7038
7039 @Article{hernandez95,
7040   title =        "Self-consistent first-principles technique with linear
7041                  scaling",
7042   author =       "E. Hern\'andez and M. J. Gillan",
7043   journal =      "Phys. Rev. B",
7044   volume =       "51",
7045   issue =        "15",
7046   pages =        "10157--10160",
7047   year =         "1995",
7048   month =        apr,
7049   doi =          "10.1103/PhysRevB.51.10157",
7050   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.51.10157",
7051   publisher =    "American Physical Society",
7052 }
7053
7054 @Article{hernandez96,
7055   title =        "Linear-scaling density-functional-theory technique:
7056                  The density-matrix approach",
7057   author =       "E. Hern\'andez and M. J. Gillan and C. M. Goringe",
7058   journal =      "Phys. Rev. B",
7059   volume =       "53",
7060   issue =        "11",
7061   pages =        "7147--7157",
7062   year =         "1996",
7063   month =        mar,
7064   doi =          "10.1103/PhysRevB.53.7147",
7065   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.53.7147",
7066   publisher =    "American Physical Society",
7067 }
7068
7069 @Article{jordan12,
7070   title =        "Fast iterative interior eigensolver for millions of
7071                  atoms",
7072   journal =      "Journal of Computational Physics",
7073   volume =       "231",
7074   number =       "14",
7075   pages =        "4836--4847",
7076   year =         "2012",
7077   note =         "",
7078   ISSN =         "0021-9991",
7079   doi =          "http://dx.doi.org/10.1016/j.jcp.2012.04.010",
7080   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0021999112001829",
7081   author =       "Gerald Jordan and Martijn Marsman and Yoon-Suk Kim and
7082                  Georg Kresse",
7083 }
7084
7085 @Article{goedecker99,
7086   title =        "Linear scaling electronic structure methods",
7087   author =       "Stefan Goedecker",
7088   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
7089   volume =       "71",
7090   issue =        "4",
7091   pages =        "1085--1123",
7092   year =         "1999",
7093   month =        jul,
7094   doi =          "10.1103/RevModPhys.71.1085",
7095   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/RevModPhys.71.1085",
7096   publisher =    "American Physical Society",
7097 }
7098
7099 @Article{murayama94,
7100   title =        "Chemical trend of band offsets at wurtzite/zinc-blende
7101                  heterocrystalline semiconductor interfaces",
7102   author =       "M. Murayama and T. Nakayama",
7103   journal =      "Phys. Rev. B",
7104   volume =       "49",
7105   issue =        "7",
7106   pages =        "4710--4724",
7107   year =         "1994",
7108   month =        feb,
7109   doi =          "10.1103/PhysRevB.49.4710",
7110   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.49.4710",
7111   publisher =    "American Physical Society",
7112 }
7113
7114 @Article{aryasetiawan98,
7115   author =       "F Aryasetiawan and O Gunnarsson",
7116   title =        "The {GW} method",
7117   journal =      "Reports on Progress in Physics",
7118   volume =       "61",
7119   number =       "3",
7120   pages =        "237",
7121   URL =          "http://stacks.iop.org/0034-4885/61/i=3/a=002",
7122   year =         "1998",
7123 }
7124
7125 @Article{onida02,
7126   title =        "Electronic excitations: density-functional versus
7127                  many-body Green¿s-function approaches",
7128   author =       "Giovanni Onida and Lucia Reining and Angel Rubio",
7129   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
7130   volume =       "74",
7131   issue =        "2",
7132   pages =        "601--659",
7133   numpages =     "0",
7134   year =         "2002",
7135   month =        jun,
7136   publisher =    "American Physical Society",
7137   doi =          "10.1103/RevModPhys.74.601",
7138   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/RevModPhys.74.601",
7139 }
7140
7141 @Article{georges96,
7142   title =        "Dynamical mean-field theory of strongly correlated
7143                  fermion systems and the limit of infinite dimensions",
7144   author =       "Antoine Georges and Gabriel Kotliar and Werner Krauth
7145                  and Marcelo J. Rozenberg",
7146   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
7147   volume =       "68",
7148   issue =        "1",
7149   pages =        "13--125",
7150   numpages =     "0",
7151   year =         "1996",
7152   month =        jan,
7153   publisher =    "American Physical Society",
7154   doi =          "10.1103/RevModPhys.68.13",
7155   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/RevModPhys.68.13",
7156 }
7157
7158 @Article{kotilar06,
7159   title =        "Electronic structure calculations with dynamical
7160                  mean-field theory",
7161   author =       "G. Kotliar and S. Y. Savrasov and K. Haule and V. S.
7162                  Oudovenko and O. Parcollet and C. A. Marianetti",
7163   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
7164   volume =       "78",
7165   issue =        "3",
7166   pages =        "865--951",
7167   numpages =     "0",
7168   year =         "2006",
7169   month =        aug,
7170   publisher =    "American Physical Society",
7171   doi =          "10.1103/RevModPhys.78.865",
7172   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/RevModPhys.78.865",
7173 }