bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philos. Mag. B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
  91                  precipitation by interstitial and substitutional
  92                  carbon, both mechanisms explained + refs",
  93 }
  94
  95 @Article{skorupa96,
  96   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
  97                  silicon-related materials",
  98   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
  99   volume =       "44",
 100   number =       "2",
 101   pages =        "101--143",
 102   year =         "1996",
 103   note =         "",
 104   ISSN =         "0254-0584",
 105   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 106   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 107   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 108   notes =        "review of silicon carbon compound",
 109 }
 110
 111 @Book{laplace,
 112   author =       "P. S. de Laplace",
 113   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 114   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 115   volume =       "VII",
 116   publisher =    "Gauthier-Villars",
 117   year =         "1820",
 118 }
 119
 120 @Article{mattoni2007,
 121   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 122   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 123                  materials}",
 124   journal =      "Phys. Rev. B",
 125   year =         "2007",
 126   month =        dec,
 127   volume =       "76",
 128   number =       "22",
 129   pages =        "224103",
 130   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 131   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 132                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 133                  fracture, more available potentials, universal energy
 134                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 135 }
 136
 137 @Article{balamane92,
 138   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 139                  potentials",
 140   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 141   journal =      "Phys. Rev. B",
 142   volume =       "46",
 143   number =       "4",
 144   pages =        "2250--2279",
 145   numpages =     "29",
 146   year =         "1992",
 147   month =        jul,
 148   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 149   publisher =    "American Physical Society",
 150   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 151 }
 152
 153 @Article{koster2002,
 154   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 155                  bombardment",
 156   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 157   journal =      "Phys. Rev. B",
 158   volume =       "62",
 159   number =       "16",
 160   pages =        "11219--11224",
 161   numpages =     "5",
 162   year =         "2000",
 163   month =        oct,
 164   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 165   publisher =    "American Physical Society",
 166   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 167 }
 168
 169 @Article{breadmore99,
 170   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 171                  amorphization of silicon",
 172   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 173   journal =      "Phys. Rev. B",
 174   volume =       "60",
 175   number =       "18",
 176   pages =        "12610--12616",
 177   numpages =     "6",
 178   year =         "1999",
 179   month =        nov,
 180   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 181   publisher =    "American Physical Society",
 182   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 183 }
 184
 185 @Article{nielsen83,
 186   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 187   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 188   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 189   volume =       "50",
 190   number =       "9",
 191   pages =        "697--700",
 192   numpages =     "3",
 193   year =         "1983",
 194   month =        feb,
 195   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 196   publisher =    "American Physical Society",
 197   notes =        "generalization of virial theorem",
 198 }
 199
 200 @Article{nielsen85,
 201   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 202   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 203   journal =      "Phys. Rev. B",
 204   volume =       "32",
 205   number =       "6",
 206   pages =        "3780--3791",
 207   numpages =     "11",
 208   year =         "1985",
 209   month =        sep,
 210   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 211   publisher =    "American Physical Society",
 212   notes =        "dft virial stress and forces",
 213 }
 214
 215 @Article{moissan04,
 216   author =       "Henri Moissan",
 217   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 218                  Diablo",
 219   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 220   volume =       "139",
 221   pages =        "773--786",
 222   year =         "1904",
 223 }
 224
 225 @Book{park98,
 226   author =       "Y. S. Park",
 227   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 228   publisher =    "Academic Press",
 229   address =      "San Diego",
 230   year =         "1998",
 231 }
 232
 233 @Article{tsvetkov98,
 234   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 235                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 236   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 237   journal =      "Materials Science Forum",
 238   volume =       "264-268",
 239   pages =        "3--8",
 240   year =         "1998",
 241   notes =        "modified lely process, micropipes",
 242 }
 243
 244 @Article{verlet67,
 245   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 246                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 247   author =       "Loup Verlet",
 248   journal =      "Phys. Rev.",
 249   volume =       "159",
 250   number =       "1",
 251   pages =        "98",
 252   year =         "1967",
 253   month =        jul,
 254   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 255   publisher =    "American Physical Society",
 256   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 257                  motion",
 258 }
 259
 260 @Article{berendsen84,
 261   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 262                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 263   collaboration = "",
 264   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 265   publisher =    "AIP",
 266   year =         "1984",
 267   journal =      "J. Chem. Phys.",
 268   volume =       "81",
 269   number =       "8",
 270   pages =        "3684--3690",
 271   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 272                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 273   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 274   doi =          "10.1063/1.448118",
 275   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 276 }
 277
 278 @Article{huang95,
 279   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 280                  Baskes",
 281   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 282                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 283                  potentials",
 284   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 285   volume =       "3",
 286   number =       "5",
 287   pages =        "615--627",
 288   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 289   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 290                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 291   year =         "1995",
 292 }
 293
 294 @Article{brenner89,
 295   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 296                  Tersoff potentials",
 297   author =       "Donald W. Brenner",
 298   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 299   volume =       "63",
 300   number =       "9",
 301   pages =        "1022",
 302   numpages =     "1",
 303   year =         "1989",
 304   month =        aug,
 305   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 306   publisher =    "American Physical Society",
 307   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 308 }
 309
 310 @Article{batra87,
 311   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 312                  silicon",
 313   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 314   journal =      "Phys. Rev. B",
 315   volume =       "35",
 316   number =       "18",
 317   pages =        "9552--9558",
 318   numpages =     "6",
 319   year =         "1987",
 320   month =        jun,
 321   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 322   publisher =    "American Physical Society",
 323   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 324                  calculation of defect formation energy, defect
 325                  interstitial types",
 326 }
 327
 328 @Article{schober89,
 329   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 330   author =       "H. R. Schober",
 331   journal =      "Phys. Rev. B",
 332   volume =       "39",
 333   number =       "17",
 334   pages =        "13013--13015",
 335   numpages =     "2",
 336   year =         "1989",
 337   month =        jun,
 338   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 339   publisher =    "American Physical Society",
 340   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 341                  dumbbell configuration",
 342 }
 343
 344 @Article{gao02a,
 345   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 346                  Defect accumulation, topological features, and
 347                  disordering",
 348   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 349   journal =      "Phys. Rev. B",
 350   volume =       "66",
 351   number =       "2",
 352   pages =        "024106",
 353   numpages =     "10",
 354   year =         "2002",
 355   month =        jul,
 356   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 357   publisher =    "American Physical Society",
 358   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 359                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 360                  result analyze",
 361 }
 362
 363 @Article{devanathan98,
 364   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 365                  cascade in Si{C}",
 366   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 367   volume =       "141",
 368   number =       "1-4",
 369   pages =        "118--122",
 370   year =         "1998",
 371   ISSN =         "0168-583X",
 372   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 373   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 374                  Rubia",
 375   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 376                  3c-sic",
 377 }
 378
 379 @Article{devanathan98_2,
 380   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 381   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 382   volume =       "253",
 383   number =       "1-3",
 384   pages =        "47--52",
 385   year =         "1998",
 386   ISSN =         "0022-3115",
 387   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 388   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 389                  Weber",
 390   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 391                  tersoff",
 392 }
 393
 394 @Article{kitabatake00,
 395   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 396   author =       "M. Kitabatake",
 397   journal =      "Thin Solid Films",
 398   volume =       "369",
 399   pages =        "257--264",
 400   numpages =     "8",
 401   year =         "2000",
 402   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 403 }
 404
 405 @Article{tang97,
 406   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 407                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 408                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 409                  formation volumes",
 410   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 411                  Rubia",
 412   journal =      "Phys. Rev. B",
 413   volume =       "55",
 414   number =       "21",
 415   pages =        "14279--14289",
 416   numpages =     "10",
 417   year =         "1997",
 418   month =        jun,
 419   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 420   publisher =    "American Physical Society",
 421   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 422 }
 423
 424 @Article{johnson98,
 425   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 426                  Rubia",
 427   collaboration = "",
 428   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 429                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 430                  presence of carbon and boron",
 431   publisher =    "AIP",
 432   year =         "1998",
 433   journal =      "J. Appl. Phys.",
 434   volume =       "84",
 435   number =       "4",
 436   pages =        "1963--1967",
 437   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 438                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 439                  semiconductors; self-diffusion",
 440   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 441   doi =          "10.1063/1.368328",
 442   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 443                  diffsuion",
 444 }
 445
 446 @Article{bar-yam84,
 447   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 448                  Self-Interstitial",
 449   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 450   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 451   volume =       "52",
 452   number =       "13",
 453   pages =        "1129--1132",
 454   numpages =     "3",
 455   year =         "1984",
 456   month =        mar,
 457   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 458   publisher =    "American Physical Society",
 459   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 460 }
 461
 462 @Article{bar-yam84_2,
 463   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 464                  barriers of silicon self-interstitials",
 465   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 466   journal =      "Phys. Rev. B",
 467   volume =       "30",
 468   number =       "4",
 469   pages =        "1844--1852",
 470   numpages =     "8",
 471   year =         "1984",
 472   month =        aug,
 473   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 474   publisher =    "American Physical Society",
 475 }
 476
 477 @Article{bloechl93,
 478   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 479                  constants in silicon",
 480   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 481                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 482   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 483   volume =       "70",
 484   number =       "16",
 485   pages =        "2435--2438",
 486   numpages =     "3",
 487   year =         "1993",
 488   month =        apr,
 489   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 490   publisher =    "American Physical Society",
 491   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 492                  entropy calculations",
 493 }
 494
 495 @Article{colombo02,
 496   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 497                  silicon",
 498   author =       "L. Colombo",
 499   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 500   volume =       "32",
 501   pages =        "271--295",
 502   numpages =     "25",
 503   year =         "2002",
 504   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 505   publisher =    "Annual Reviews",
 506   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 507 }
 508
 509 @Article{al-mushadani03,
 510   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 511                  silicon",
 512   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 513   journal =      "Phys. Rev. B",
 514   volume =       "68",
 515   number =       "23",
 516   pages =        "235205",
 517   numpages =     "8",
 518   year =         "2003",
 519   month =        dec,
 520   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 521   publisher =    "American Physical Society",
 522   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 523                  silicon, si self interstitials, free energy",
 524 }
 525
 526 @Article{goedecker02,
 527   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 528   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 529   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 530   volume =       "88",
 531   number =       "23",
 532   pages =        "235501",
 533   numpages =     "4",
 534   year =         "2002",
 535   month =        may,
 536   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 537   publisher =    "American Physical Society",
 538   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 539                  silicon",
 540 }
 541
 542 @Article{sahli05,
 543   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 544                  self-interstitial diffusion in silicon",
 545   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 546   journal =      "Phys. Rev. B",
 547   volume =       "72",
 548   number =       "24",
 549   pages =        "245210",
 550   numpages =     "6",
 551   year =         "2005",
 552   month =        dec,
 553   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 554   publisher =    "American Physical Society",
 555   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 556                  mapping applied",
 557 }
 558
 559 @Article{hobler05,
 560   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 561                  native point defects in silicon",
 562   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 563   volume =       "124-125",
 564   number =       "",
 565   pages =        "368--371",
 566   year =         "2005",
 567   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 568                  Issues for Future Technologies",
 569   ISSN =         "0921-5107",
 570   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 571   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 572   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 573   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 574                  radius",
 575 }
 576
 577 @Article{ma10,
 578   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 579                  wide temperature range: Point defect states and
 580                  migration mechanisms",
 581   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 582   journal =      "Phys. Rev. B",
 583   volume =       "81",
 584   number =       "19",
 585   pages =        "193203",
 586   numpages =     "4",
 587   year =         "2010",
 588   month =        may,
 589   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 590   publisher =    "American Physical Society",
 591   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 592 }
 593
 594 @Article{posselt06,
 595   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 596                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 597   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 598   journal =      "Phys. Rev. B",
 599   volume =       "73",
 600   number =       "12",
 601   pages =        "125206",
 602   numpages =     "8",
 603   year =         "2006",
 604   month =        mar,
 605   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 606   publisher =    "American Physical Society",
 607 }
 608
 609 @Article{posselt08,
 610   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 611                  migration mechanisms of vacancies and
 612                  self-interstitials: An atomistic study",
 613   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 614   journal =      "Phys. Rev. B",
 615   volume =       "78",
 616   number =       "3",
 617   pages =        "035208",
 618   numpages =     "9",
 619   year =         "2008",
 620   month =        jul,
 621   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 622   publisher =    "American Physical Society",
 623   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 624                  weber and tersoff",
 625 }
 626
 627 @Article{gao2001,
 628   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 629                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 630   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 631                  Corrales",
 632   journal =      "Phys. Rev. B",
 633   volume =       "64",
 634   number =       "24",
 635   pages =        "245208",
 636   numpages =     "7",
 637   year =         "2001",
 638   month =        dec,
 639   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 640   publisher =    "American Physical Society",
 641   notes =        "defects in 3c-sic",
 642 }
 643
 644 @Article{gao02,
 645   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 646                  3{C}-Si{C}",
 647   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 648   volume =       "191",
 649   number =       "1-4",
 650   pages =        "487--496",
 651   year =         "2002",
 652   note =         "",
 653   ISSN =         "0168-583X",
 654   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 655   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 656   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 657   keywords =     "Empirical potential",
 658   keywords =     "Defect properties",
 659   keywords =     "Silicon carbide",
 660   keywords =     "Computer simulation",
 661   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 662 }
 663
 664 @Article{gao04,
 665   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 666                  3{C}-Si{C}",
 667   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 668                  Belko",
 669   journal =      "Phys. Rev. B",
 670   volume =       "69",
 671   number =       "24",
 672   pages =        "245205",
 673   numpages =     "5",
 674   year =         "2004",
 675   month =        jun,
 676   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 677   publisher =    "American Physical Society",
 678   notes =        "defect migration in sic",
 679 }
 680
 681 @Article{gao07,
 682   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 683                  W. J. Weber",
 684   collaboration = "",
 685   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 686                  in cubic silicon carbide",
 687   publisher =    "AIP",
 688   year =         "2007",
 689   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 690   volume =       "90",
 691   number =       "22",
 692   eid =          "221915",
 693   numpages =     "3",
 694   pages =        "221915",
 695   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 696                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 697                  dynamics method; density functional theory;
 698                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 699                  impurities; diffusion",
 700   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 701   doi =          "10.1063/1.2743751",
 702 }
 703
 704 @Article{mattoni2002,
 705   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 706                  crystalline silicon",
 707   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 708   journal =      "Phys. Rev. B",
 709   volume =       "66",
 710   number =       "19",
 711   pages =        "195214",
 712   numpages =     "6",
 713   year =         "2002",
 714   month =        nov,
 715   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 716   publisher =    "American Physical Society",
 717   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 718                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 719                  tersoff suitability",
 720 }
 721
 722 @Article{leung99,
 723   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 724   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 725                  Itoh and S. Ihara",
 726   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 727   volume =       "83",
 728   number =       "12",
 729   pages =        "2351--2354",
 730   numpages =     "3",
 731   year =         "1999",
 732   month =        sep,
 733   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 734   publisher =    "American Physical Society",
 735   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 736                  refs",
 737 }
 738
 739 @Article{capaz94,
 740   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 741                  carbon in silicon",
 742   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 743   journal =      "Phys. Rev. B",
 744   volume =       "50",
 745   number =       "11",
 746   pages =        "7439--7442",
 747   numpages =     "3",
 748   year =         "1994",
 749   month =        sep,
 750   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 751   publisher =    "American Physical Society",
 752   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 753                  dumbbell",
 754 }
 755
 756 @Article{capaz98,
 757   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 758   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 759   journal =      "Phys. Rev. B",
 760   volume =       "58",
 761   number =       "15",
 762   pages =        "9845--9850",
 763   numpages =     "5",
 764   year =         "1998",
 765   month =        oct,
 766   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 767   publisher =    "American Physical Society",
 768   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 769 }
 770
 771 @Article{song90_2,
 772   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 773                  pair in silicon",
 774   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 775                  Watkins",
 776   journal =      "Phys. Rev. B",
 777   volume =       "42",
 778   number =       "9",
 779   pages =        "5765--5783",
 780   numpages =     "18",
 781   year =         "1990",
 782   month =        sep,
 783   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 784   publisher =    "American Physical Society",
 785   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 786 }
 787
 788 @Article{liu02,
 789   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 790                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 791   collaboration = "",
 792   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 793                  interactions in Si",
 794   publisher =    "AIP",
 795   year =         "2002",
 796   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 797   volume =       "80",
 798   number =       "1",
 799   pages =        "52--54",
 800   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 801                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 802                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 803   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 804   doi =          "10.1063/1.1430505",
 805   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 806 }
 807
 808 @Article{dal_pino93,
 809   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 810                  silicon",
 811   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 812                  Joannopoulos",
 813   journal =      "Phys. Rev. B",
 814   volume =       "47",
 815   number =       "19",
 816   pages =        "12554--12557",
 817   numpages =     "3",
 818   year =         "1993",
 819   month =        may,
 820   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 821   publisher =    "American Physical Society",
 822   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 823 }
 824
 825 @Article{car84,
 826   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 827                  Silicon",
 828   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 829                  Sokrates T. Pantelides",
 830   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 831   volume =       "52",
 832   number =       "20",
 833   pages =        "1814--1817",
 834   numpages =     "3",
 835   year =         "1984",
 836   month =        may,
 837   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 838   publisher =    "American Physical Society",
 839   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 840                  path formation",
 841 }
 842
 843 @Article{car85,
 844   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 845                  Density-Functional Theory",
 846   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 847   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 848   volume =       "55",
 849   number =       "22",
 850   pages =        "2471--2474",
 851   numpages =     "3",
 852   year =         "1985",
 853   month =        nov,
 854   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 855   publisher =    "American Physical Society",
 856   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 857 }
 858
 859 @Article{kelires97,
 860   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 861                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 862   author =       "P. C. Kelires",
 863   journal =      "Phys. Rev. B",
 864   volume =       "55",
 865   number =       "14",
 866   pages =        "8784--8787",
 867   numpages =     "3",
 868   year =         "1997",
 869   month =        apr,
 870   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 871   publisher =    "American Physical Society",
 872   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 873                  neighbour dist",
 874 }
 875
 876 @Article{kelires95,
 877   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 878                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 879   author =       "P. C. Kelires",
 880   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 881   volume =       "75",
 882   number =       "6",
 883   pages =        "1114--1117",
 884   numpages =     "3",
 885   year =         "1995",
 886   month =        aug,
 887   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 888   publisher =    "American Physical Society",
 889   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 890 }
 891
 892 @Article{bean70,
 893   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 894                  containing carbon",
 895   journal =      "Solid State Communications",
 896   volume =       "8",
 897   number =       "3",
 898   pages =        "175--177",
 899   year =         "1970",
 900   note =         "",
 901   ISSN =         "0038-1098",
 902   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 903   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 904   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 905 }
 906
 907 @Article{watkins76,
 908   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 909                  Atom in Silicon",
 910   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 911   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 912   volume =       "36",
 913   number =       "22",
 914   pages =        "1329--1332",
 915   numpages =     "3",
 916   year =         "1976",
 917   month =        may,
 918   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 919   publisher =    "American Physical Society",
 920   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 921                  silicon",
 922 }
 923
 924 @Article{song90,
 925   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 926                  interstitial carbon in silicon",
 927   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 928   journal =      "Phys. Rev. B",
 929   volume =       "42",
 930   number =       "9",
 931   pages =        "5759--5764",
 932   numpages =     "5",
 933   year =         "1990",
 934   month =        sep,
 935   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 936   publisher =    "American Physical Society",
 937   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 938 }
 939
 940 @Article{tipping87,
 941   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 942   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 943                  silicon",
 944   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
 945   volume =       "2",
 946   number =       "5",
 947   pages =        "315--317",
 948   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 949   year =         "1987",
 950   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 951                  silicon",
 952 }
 953
 954 @Article{strane96,
 955   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 956                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 957   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 958                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 959   journal =      "J. Appl. Phys.",
 960   volume =       "79",
 961   pages =        "637",
 962   year =         "1996",
 963   month =        jan,
 964   doi =          "10.1063/1.360806",
 965   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 966 }
 967
 968 @Article{laveant2002,
 969   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 970   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 971   volume =       "89",
 972   number =       "1-3",
 973   pages =        "241--245",
 974   year =         "2002",
 975   ISSN =         "0921-5107",
 976   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 977   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 978   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 979                  G{\"{o}}sele",
 980   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 981                  stress, avoid sic precipitation",
 982 }
 983
 984 @Article{werner97,
 985   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 986                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 987   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 988                  silicon by transmission electron microscopy",
 989   publisher =    "AIP",
 990   year =         "1997",
 991   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 992   volume =       "70",
 993   number =       "2",
 994   pages =        "252--254",
 995   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 996                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 997                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 998                  layers; precipitation",
 999   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1000   doi =          "10.1063/1.118381",
1001   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1002                  precipitate",
1003 }
1004
1005 @InProceedings{werner96,
1006   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1007                  Eichler",
1008   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
1009                  International Conference on",
1010   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1011                  implanted silicon",
1012   year =         "1996",
1013   month =        jun,
1014   volume =       "",
1015   number =       "",
1016   pages =        "675--678",
1017   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1018   ISSN =         "",
1019   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1020 }
1021
1022 @Article{werner98,
1023   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1024                  D. C. Jacobson",
1025   collaboration = "",
1026   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1027   publisher =    "AIP",
1028   year =         "1998",
1029   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1030   volume =       "73",
1031   number =       "17",
1032   pages =        "2465--2467",
1033   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1034                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1035                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1036                  impurity distribution",
1037   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1038   doi =          "10.1063/1.122483",
1039   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1040 }
1041
1042 @Article{strane94,
1043   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1044                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1045   collaboration = "",
1046   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1047                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1048   publisher =    "AIP",
1049   year =         "1994",
1050   journal =      "J. Appl. Phys.",
1051   volume =       "76",
1052   number =       "6",
1053   pages =        "3656--3668",
1054   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1055   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1056   doi =          "10.1063/1.357429",
1057   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1058                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1059                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1060                  energy",
1061 }
1062
1063 @Article{fischer95,
1064   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1065                  Osten",
1066   collaboration = "",
1067   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1068                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1069   publisher =    "AIP",
1070   year =         "1995",
1071   journal =      "J. Appl. Phys.",
1072   volume =       "77",
1073   number =       "5",
1074   pages =        "1934--1937",
1075   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1076                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1077                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1078                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1079   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1080   doi =          "10.1063/1.358826",
1081 }
1082
1083 @Article{edgar92,
1084   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1085                  semiconductors",
1086   author =       "J. H. Edgar",
1087   journal =      "J. Mater. Res.",
1088   volume =       "7",
1089   pages =        "235",
1090   year =         "1992",
1091   month =        jan,
1092   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1093   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1094                  polytypes",
1095 }
1096
1097 @Article{zirkelbach2007,
1098   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1099                  process leading to ordered precipitate structures",
1100   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1101                  and B. Stritzker",
1102   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1103   volume =       "257",
1104   number =       "1--2",
1105   pages =        "75--79",
1106   numpages =     "5",
1107   year =         "2007",
1108   month =        apr,
1109   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1110   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1111                  NETHERLANDS",
1112 }
1113
1114 @Article{zirkelbach2006,
1115   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1116                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1117                  during ion irradiation",
1118   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1119                  and B. Stritzker",
1120   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1121   volume =       "242",
1122   number =       "1--2",
1123   pages =        "679--682",
1124   numpages =     "4",
1125   year =         "2006",
1126   month =        jan,
1127   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1128   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1129                  NETHERLANDS",
1130 }
1131
1132 @Article{zirkelbach2005,
1133   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1134                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1135                  ion irradiation",
1136   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1137                  and B. Stritzker",
1138   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1139   volume =       "33",
1140   number =       "1--3",
1141   pages =        "310--316",
1142   numpages =     "7",
1143   year =         "2005",
1144   month =        apr,
1145   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1146   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1147                  NETHERLANDS",
1148 }
1149
1150 @Article{zirkelbach09,
1151   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1152                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1153   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1154   volume =       "159-160",
1155   number =       "",
1156   pages =        "149--152",
1157   year =         "2009",
1158   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1159                  Silicon Materials Research for Electronic and
1160                  Photovoltaic Applications",
1161   ISSN =         "0921-5107",
1162   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1163   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1164   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1165                  B. Stritzker",
1166   keywords =     "Silicon",
1167   keywords =     "Carbon",
1168   keywords =     "Silicon carbide",
1169   keywords =     "Nucleation",
1170   keywords =     "Defect formation",
1171   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1172 }
1173
1174 @Article{zirkelbach10,
1175   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1176                  classical potentials and first-principles methods",
1177   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1178                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1179   journal =      "Phys. Rev. B",
1180   volume =       "82",
1181   number =       "9",
1182   pages =        "094110",
1183   numpages =     "6",
1184   year =         "2010",
1185   month =        sep,
1186   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1187   publisher =    "American Physical Society",
1188 }
1189
1190 @Article{zirkelbach11a,
1191   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1192                  silicon",
1193   journal =      "to be published",
1194   volume =       "",
1195   number =       "",
1196   pages =        "",
1197   year =         "2011",
1198   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and J. K. N. Lindner
1199                  and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1200 }
1201
1202 @Article{zirkelbach11b,
1203   title =        "...",
1204   journal =      "to be published",
1205   volume =       "",
1206   number =       "",
1207   pages =        "",
1208   year =         "2011",
1209   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1210                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1211 }
1212
1213 @Article{lindner95,
1214   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1215                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1216   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1217                  Layers in Silicon",
1218   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
1219   volume =       "354",
1220   number =       "",
1221   pages =        "171",
1222   year =         "1994",
1223   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1224   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1225   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400420853",
1226   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1227 }
1228
1229 @Article{lindner99,
1230   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1231                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1232                  layers in silicon",
1233   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1234   volume =       "147",
1235   number =       "1-4",
1236   pages =        "249--255",
1237   year =         "1999",
1238   note =         "",
1239   ISSN =         "0168-583X",
1240   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1241   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1242   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1243   notes =        "two-step implantation process",
1244 }
1245
1246 @Article{lindner99_2,
1247   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1248                  in silicon",
1249   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1250   volume =       "148",
1251   number =       "1-4",
1252   pages =        "528--533",
1253   year =         "1999",
1254   ISSN =         "0168-583X",
1255   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1256   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1257   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1258   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1259 }
1260
1261 @Article{lindner01,
1262   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1263                  Basic physical processes",
1264   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1265   volume =       "178",
1266   number =       "1-4",
1267   pages =        "44--54",
1268   year =         "2001",
1269   note =         "",
1270   ISSN =         "0168-583X",
1271   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1272   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1273   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1274 }
1275
1276 @Article{lindner02,
1277   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1278                  fundamental studies for new technological tricks",
1279   author =       "J. K. N. Lindner",
1280   journal =      "Appl. Phys. A",
1281   volume =       "77",
1282   pages =        "27--38",
1283   year =         "2003",
1284   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1285   notes =        "ibs, burried sic layers",
1286 }
1287
1288 @Article{lindner06,
1289   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1290                  formation and displacive precipitate resolution in the
1291                  {C}-Si system",
1292   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1293   volume =       "26",
1294   number =       "5-7",
1295   pages =        "857--861",
1296   year =         "2006",
1297   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1298                  Applications",
1299   ISSN =         "0928-4931",
1300   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1301   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1302   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1303                  and B. Stritzker",
1304   notes =        "c int diffusion barrier",
1305 }
1306
1307 @Article{ito04,
1308   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1309                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1310                  growth",
1311   journal =      "Applied Surface Science",
1312   volume =       "238",
1313   number =       "1-4",
1314   pages =        "159--164",
1315   year =         "2004",
1316   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1317   ISSN =         "0169-4332",
1318   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1319   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1320   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1321                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1322   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1323 }
1324
1325 @Article{yamamoto04,
1326   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1327                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1328                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1329   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1330   volume =       "261",
1331   number =       "2-3",
1332   pages =        "266--270",
1333   year =         "2004",
1334   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1335                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1336   ISSN =         "0022-0248",
1337   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1338   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1339   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1340                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1341   notes =        "gan on 3c-sic",
1342 }
1343
1344 @Article{liu_l02,
1345   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1346   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1347   volume =       "37",
1348   number =       "3",
1349   pages =        "61--127",
1350   year =         "2002",
1351   note =         "",
1352   ISSN =         "0927-796X",
1353   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1354   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1355   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1356   notes =        "gan substrates",
1357 }
1358
1359 @Article{takeuchi91,
1360   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1361                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1362   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1363   volume =       "115",
1364   number =       "1-4",
1365   pages =        "634--638",
1366   year =         "1991",
1367   note =         "",
1368   ISSN =         "0022-0248",
1369   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1370   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1371   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1372                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1373   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1374 }
1375
1376 @Article{alder57,
1377   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1378   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1379   publisher =    "AIP",
1380   year =         "1957",
1381   journal =      "J. Chem. Phys.",
1382   volume =       "27",
1383   number =       "5",
1384   pages =        "1208--1209",
1385   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1386   doi =          "10.1063/1.1743957",
1387 }
1388
1389 @Article{alder59,
1390   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1391   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1392   publisher =    "AIP",
1393   year =         "1959",
1394   journal =      "J. Chem. Phys.",
1395   volume =       "31",
1396   number =       "2",
1397   pages =        "459--466",
1398   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1399   doi =          "10.1063/1.1730376",
1400 }
1401
1402 @Article{tersoff_si1,
1403   title =        "New empirical model for the structural properties of
1404                  silicon",
1405   author =       "J. Tersoff",
1406   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1407   volume =       "56",
1408   number =       "6",
1409   pages =        "632--635",
1410   numpages =     "3",
1411   year =         "1986",
1412   month =        feb,
1413   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1414   publisher =    "American Physical Society",
1415 }
1416
1417 @Article{tersoff_si2,
1418   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1419                  covalent systems",
1420   author =       "J. Tersoff",
1421   journal =      "Phys. Rev. B",
1422   volume =       "37",
1423   number =       "12",
1424   pages =        "6991--7000",
1425   numpages =     "9",
1426   year =         "1988",
1427   month =        apr,
1428   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1429   publisher =    "American Physical Society",
1430 }
1431
1432 @Article{tersoff_si3,
1433   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1434                  improved elastic properties",
1435   author =       "J. Tersoff",
1436   journal =      "Phys. Rev. B",
1437   volume =       "38",
1438   number =       "14",
1439   pages =        "9902--9905",
1440   numpages =     "3",
1441   year =         "1988",
1442   month =        nov,
1443   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1444   publisher =    "American Physical Society",
1445 }
1446
1447 @Article{tersoff_c,
1448   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1449                  Applications to Amorphous Carbon",
1450   author =       "J. Tersoff",
1451   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1452   volume =       "61",
1453   number =       "25",
1454   pages =        "2879--2882",
1455   numpages =     "3",
1456   year =         "1988",
1457   month =        dec,
1458   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1459   publisher =    "American Physical Society",
1460 }
1461
1462 @Article{tersoff_m,
1463   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1464                  for multicomponent systems",
1465   author =       "J. Tersoff",
1466   journal =      "Phys. Rev. B",
1467   volume =       "39",
1468   number =       "8",
1469   pages =        "5566--5568",
1470   numpages =     "2",
1471   year =         "1989",
1472   month =        mar,
1473   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1474   publisher =    "American Physical Society",
1475 }
1476
1477 @Article{tersoff90,
1478   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1479   author =       "J. Tersoff",
1480   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1481   volume =       "64",
1482   number =       "15",
1483   pages =        "1757--1760",
1484   numpages =     "3",
1485   year =         "1990",
1486   month =        apr,
1487   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1488   publisher =    "American Physical Society",
1489 }
1490
1491 @Article{fahey89,
1492   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1493   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1494   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1495   volume =       "61",
1496   number =       "2",
1497   pages =        "289--384",
1498   numpages =     "95",
1499   year =         "1989",
1500   month =        apr,
1501   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1502   publisher =    "American Physical Society",
1503 }
1504
1505 @Article{wesch96,
1506   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1507   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1508   volume =       "116",
1509   number =       "1-4",
1510   pages =        "305--321",
1511   year =         "1996",
1512   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1513   ISSN =         "0168-583X",
1514   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1515   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1516   author =       "W. Wesch",
1517 }
1518
1519 @Article{davis91,
1520   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
1521                  Palmour and J. A. Edmond",
1522   journal =      "Proceedings of the IEEE",
1523   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
1524                  optoelectronic device fabrication and characterization
1525                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
1526   year =         "1991",
1527   month =        may,
1528   volume =       "79",
1529   number =       "5",
1530   pages =        "677--701",
1531   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
1532                  diode;SiC;dry etching;electrical
1533                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
1534                  device fabrication;solid-state devices;surface
1535                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
1536                  transistors;Schottky-barrier
1537                  diodes;etching;heterojunction bipolar
1538                  transistors;insulated gate field effect
1539                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
1540                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
1541   doi =          "10.1109/5.90132",
1542   ISSN =         "0018-9219",
1543   notes =        "sic growth methods",
1544 }
1545
1546 @Article{morkoc94,
1547   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1548                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1549   collaboration = "",
1550   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1551                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1552   publisher =    "AIP",
1553   year =         "1994",
1554   journal =      "J. Appl. Phys.",
1555   volume =       "76",
1556   number =       "3",
1557   pages =        "1363--1398",
1558   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1559                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1560                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1561                  FILMS; INDUSTRY",
1562   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1563   doi =          "10.1063/1.358463",
1564   notes =        "sic intro, properties",
1565 }
1566
1567 @Article{foo,
1568   author =       "Noch Unbekannt",
1569   title =        "How to find references",
1570   journal =      "Journal of Applied References",
1571   year =         "2009",
1572   volume =       "77",
1573   pages =        "1--23",
1574 }
1575
1576 @Article{tang95,
1577   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1578                  \beta{}-Si{C}",
1579   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1580   journal =      "Phys. Rev. B",
1581   volume =       "52",
1582   number =       "21",
1583   pages =        "15150--15159",
1584   numpages =     "9",
1585   year =         "1995",
1586   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1587   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1588                  tersoff reparametrization",
1589   publisher =    "American Physical Society",
1590 }
1591
1592 @Article{sarro00,
1593   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1594   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1595   volume =       "82",
1596   number =       "1-3",
1597   pages =        "210--218",
1598   year =         "2000",
1599   ISSN =         "0924-4247",
1600   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1601   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1602   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1603   keywords =     "MEMS",
1604   keywords =     "Silicon carbide",
1605   keywords =     "Micromachining",
1606   keywords =     "Mechanical stress",
1607 }
1608
1609 @Article{casady96,
1610   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1611                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1612                  review",
1613   journal =      "Solid-State Electronics",
1614   volume =       "39",
1615   number =       "10",
1616   pages =        "1409--1422",
1617   year =         "1996",
1618   ISSN =         "0038-1101",
1619   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1620   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1621   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1622   notes =        "sic intro",
1623 }
1624
1625 @Article{giancarli98,
1626   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1627                  structural material in fusion power reactor blankets",
1628   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1629   volume =       "41",
1630   number =       "1-4",
1631   pages =        "165--171",
1632   year =         "1998",
1633   ISSN =         "0920-3796",
1634   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1635   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1636   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1637                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1638 }
1639
1640 @Article{pensl93,
1641   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1642   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1643   volume =       "185",
1644   number =       "1-4",
1645   pages =        "264--283",
1646   year =         "1993",
1647   ISSN =         "0921-4526",
1648   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1649   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1650   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1651 }
1652
1653 @Article{tairov78,
1654   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1655                  carbide single crystals",
1656   journal =      "J. Cryst. Growth",
1657   volume =       "43",
1658   number =       "2",
1659   pages =        "209--212",
1660   year =         "1978",
1661   notes =        "modified lely process",
1662   ISSN =         "0022-0248",
1663   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1664   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1665   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1666 }
1667
1668 @Article{tairov81,
1669   title =        "General principles of growing large-size single
1670                  crystals of various silicon carbide polytypes",
1671   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1672   volume =       "52",
1673   number =       "Part 1",
1674   pages =        "146--150",
1675   year =         "1981",
1676   note =         "",
1677   ISSN =         "0022-0248",
1678   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
1679   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
1680   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1681 }
1682
1683 @Article{barrett91,
1684   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
1685   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1686   volume =       "109",
1687   number =       "1-4",
1688   pages =        "17--23",
1689   year =         "1991",
1690   note =         "",
1691   ISSN =         "0022-0248",
1692   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
1693   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
1694   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
1695                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
1696 }
1697
1698 @Article{barrett93,
1699   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
1700   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1701   volume =       "128",
1702   number =       "1-4",
1703   pages =        "358--362",
1704   year =         "1993",
1705   note =         "",
1706   ISSN =         "0022-0248",
1707   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
1708   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
1709   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
1710                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
1711                  W. J. Choyke",
1712 }
1713
1714 @Article{stein93,
1715   title =        "Control of polytype formation by surface energy
1716                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
1717                  sublimation method",
1718   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1719   volume =       "131",
1720   number =       "1-2",
1721   pages =        "71--74",
1722   year =         "1993",
1723   note =         "",
1724   ISSN =         "0022-0248",
1725   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
1726   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
1727   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
1728   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
1729 }
1730
1731 @Article{nishino83,
1732   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1733                  Will",
1734   collaboration = "",
1735   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1736                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1737   publisher =    "AIP",
1738   year =         "1983",
1739   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1740   volume =       "42",
1741   number =       "5",
1742   pages =        "460--462",
1743   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1744                  monocrystals",
1745   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1746   doi =          "10.1063/1.93970",
1747   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1748 }
1749
1750 @Article{nishino87,
1751   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1752                  and Hiroyuki Matsunami",
1753   collaboration = "",
1754   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1755                  Si{C} on silicon",
1756   publisher =    "AIP",
1757   year =         "1987",
1758   journal =      "J. Appl. Phys.",
1759   volume =       "61",
1760   number =       "10",
1761   pages =        "4889--4893",
1762   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1763   doi =          "10.1063/1.338355",
1764   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1765                  carbonization",
1766 }
1767
1768 @Article{powell87,
1769   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1770                  Kuczmarski",
1771   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1772                  Single-Crystal Films on Si",
1773   publisher =    "ECS",
1774   year =         "1987",
1775   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1776   volume =       "134",
1777   number =       "6",
1778   pages =        "1558--1565",
1779   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1780                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1781   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1782   doi =          "10.1149/1.2100708",
1783   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1784 }
1785
1786 @Article{powell87_2,
1787   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
1788                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
1789   collaboration = "",
1790   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
1791                  off-axis Si substrates",
1792   publisher =    "AIP",
1793   year =         "1987",
1794   journal =      "Applied Physics Letters",
1795   volume =       "51",
1796   number =       "11",
1797   pages =        "823--825",
1798   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
1799                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
1800                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
1801                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
1802                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
1803   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
1804   doi =          "10.1063/1.98824",
1805   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
1806 }
1807
1808 @Article{ueda90,
1809   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
1810   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1811   volume =       "104",
1812   number =       "3",
1813   pages =        "695--700",
1814   year =         "1990",
1815   note =         "",
1816   ISSN =         "0022-0248",
1817   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
1818   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
1819   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
1820                  Matsunami",
1821   notes =        "step-controlled epitaxy model",
1822 }
1823
1824 @Article{kimoto93,
1825   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1826                  and Hiroyuki Matsunami",
1827   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1828                  epitaxy",
1829   publisher =    "AIP",
1830   year =         "1993",
1831   journal =      "J. Appl. Phys.",
1832   volume =       "73",
1833   number =       "2",
1834   pages =        "726--732",
1835   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1836                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1837                  VAPOR DEPOSITION",
1838   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1839   doi =          "10.1063/1.353329",
1840   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1841 }
1842
1843 @Article{powell90_2,
1844   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1845                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1846                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1847   collaboration = "",
1848   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
1849                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
1850   publisher =    "AIP",
1851   year =         "1990",
1852   journal =      "Applied Physics Letters",
1853   volume =       "56",
1854   number =       "15",
1855   pages =        "1442--1444",
1856   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1857                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
1858                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
1859                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
1860   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
1861   doi =          "10.1063/1.102492",
1862   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
1863 }
1864
1865 @Article{kong88_2,
1866   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
1867   collaboration = "",
1868   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
1869                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
1870                  substrates",
1871   publisher =    "AIP",
1872   year =         "1988",
1873   journal =      "Journal of Applied Physics",
1874   volume =       "64",
1875   number =       "5",
1876   pages =        "2672--2679",
1877   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
1878                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
1879                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
1880                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
1881                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
1882   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
1883   doi =          "10.1063/1.341608",
1884 }
1885
1886 @Article{powell90,
1887   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1888                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1889                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1890   collaboration = "",
1891   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1892                  6{H}-Si{C} substrates",
1893   publisher =    "AIP",
1894   year =         "1990",
1895   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1896   volume =       "56",
1897   number =       "14",
1898   pages =        "1353--1355",
1899   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1900                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1901                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1902                  PHASE EPITAXY",
1903   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1904   doi =          "10.1063/1.102512",
1905   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1906 }
1907
1908 @Article{kong88,
1909   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
1910                  Rozgonyi and K. L. More",
1911   collaboration = "",
1912   title =        "An examination of double positioning boundaries and
1913                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
1914                  substrates",
1915   publisher =    "AIP",
1916   year =         "1988",
1917   journal =      "Journal of Applied Physics",
1918   volume =       "63",
1919   number =       "8",
1920   pages =        "2645--2650",
1921   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
1922                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
1923                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
1924                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
1925                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
1926   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
1927   doi =          "10.1063/1.341004",
1928 }
1929
1930 @Article{powell91,
1931   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
1932                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
1933                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
1934   collaboration = "",
1935   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
1936                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
1937   publisher =    "AIP",
1938   year =         "1991",
1939   journal =      "Applied Physics Letters",
1940   volume =       "59",
1941   number =       "3",
1942   pages =        "333--335",
1943   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
1944                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
1945                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
1946   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
1947   doi =          "10.1063/1.105587",
1948 }
1949
1950 @Article{yuan95,
1951   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1952                  Thokala and M. J. Loboda",
1953   collaboration = "",
1954   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1955                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1956                  silacyclobutane",
1957   publisher =    "AIP",
1958   year =         "1995",
1959   journal =      "J. Appl. Phys.",
1960   volume =       "78",
1961   number =       "2",
1962   pages =        "1271--1273",
1963   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1964                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1965                  SPECTROPHOTOMETRY",
1966   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1967   doi =          "10.1063/1.360368",
1968   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1969 }
1970
1971 @Article{kaneda87,
1972   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
1973                  properties of its p-n junction",
1974   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1975   volume =       "81",
1976   number =       "1-4",
1977   pages =        "536--542",
1978   year =         "1987",
1979   note =         "",
1980   ISSN =         "0022-0248",
1981   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
1982   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
1983   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
1984                  and Takao Tanaka",
1985   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
1986 }
1987
1988 @Article{fissel95,
1989   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1990                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1991                  molecular beam epitaxy",
1992   journal =      "J. Cryst. Growth",
1993   volume =       "154",
1994   number =       "1-2",
1995   pages =        "72--80",
1996   year =         "1995",
1997   ISSN =         "0022-0248",
1998   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1999   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2000   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2001                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2002   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2003 }
2004
2005 @Article{fissel95_apl,
2006   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2007   collaboration = "",
2008   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2009                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2010   publisher =    "AIP",
2011   year =         "1995",
2012   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2013   volume =       "66",
2014   number =       "23",
2015   pages =        "3182--3184",
2016   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2017                  RHEED; NUCLEATION",
2018   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2019   doi =          "10.1063/1.113716",
2020   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2021 }
2022
2023 @Article{fissel96,
2024   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2025                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2026   collaboration = "",
2027   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2028                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2029                  level using surface superstructures",
2030   publisher =    "AIP",
2031   year =         "1996",
2032   journal =      "Applied Physics Letters",
2033   volume =       "68",
2034   number =       "9",
2035   pages =        "1204--1206",
2036   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2037                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2038                  SURFACE STRUCTURE",
2039   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2040   doi =          "10.1063/1.115969",
2041   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2042 }
2043
2044 @Article{righi03,
2045   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2046   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2047                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2048   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2049   volume =       "91",
2050   number =       "13",
2051   pages =        "136101",
2052   numpages =     "4",
2053   year =         "2003",
2054   month =        sep,
2055   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2056   publisher =    "American Physical Society",
2057   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2058 }
2059
2060 @Article{borders71,
2061   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2062   collaboration = "",
2063   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2064                  {IMPLANTATION}",
2065   publisher =    "AIP",
2066   year =         "1971",
2067   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2068   volume =       "18",
2069   number =       "11",
2070   pages =        "509--511",
2071   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2072   doi =          "10.1063/1.1653516",
2073   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2074                  ideas",
2075 }
2076
2077 @Article{edelman76,
2078   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2079                  and E. V. Lubopytova",
2080   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2081                  by ion implantation",
2082   publisher =    "Taylor \& Francis",
2083   year =         "1976",
2084   journal =      "Radiation Effects",
2085   volume =       "29",
2086   number =       "1",
2087   pages =        "13--15",
2088   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2089   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2090                  single crystalline",
2091 }
2092
2093 @Article{akimchenko80,
2094   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2095                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2096   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2097                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2098   publisher =    "Taylor \& Francis",
2099   year =         "1980",
2100   journal =      "Radiation Effects",
2101   volume =       "48",
2102   number =       "1",
2103   pages =        "7",
2104   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2105   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2106 }
2107
2108 @Article{kimura81,
2109   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2110                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2111                  silicon",
2112   journal =      "Thin Solid Films",
2113   volume =       "81",
2114   number =       "4",
2115   pages =        "319--327",
2116   year =         "1981",
2117   note =         "",
2118   ISSN =         "0040-6090",
2119   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2120   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2121   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2122                  Yugo",
2123 }
2124
2125 @Article{kimura82,
2126   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2127                  the implantation of carbon ions into silicon",
2128   journal =      "Thin Solid Films",
2129   volume =       "94",
2130   number =       "3",
2131   pages =        "191--198",
2132   year =         "1982",
2133   note =         "",
2134   ISSN =         "0040-6090",
2135   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2136   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2137   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2138                  Yugo",
2139 }
2140
2141 @Article{reeson86,
2142   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2143                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2144                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2145   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2146                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2147   publisher =    "Taylor \& Francis",
2148   year =         "1986",
2149   journal =      "Radiation Effects",
2150   volume =       "99",
2151   number =       "1",
2152   pages =        "71--81",
2153   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2154   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or
2155                  time",
2156 }
2157
2158 @Article{reeson87,
2159   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2160                  J. Davis and G. E. Celler",
2161   collaboration = "",
2162   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2163                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2164   publisher =    "AIP",
2165   year =         "1987",
2166   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2167   volume =       "51",
2168   number =       "26",
2169   pages =        "2242--2244",
2170   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2171                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2172   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2173   doi =          "10.1063/1.98953",
2174   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2175 }
2176
2177 @Article{martin90,
2178   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2179                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2180   collaboration = "",
2181   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2182   publisher =    "AIP",
2183   year =         "1990",
2184   journal =      "Journal of Applied Physics",
2185   volume =       "67",
2186   number =       "6",
2187   pages =        "2908--2912",
2188   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2189                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2190                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2191                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2192                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2193                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2194   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2195   doi =          "10.1063/1.346092",
2196   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2197                  temepratures",
2198 }
2199
2200 @Article{scace59,
2201   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2202   collaboration = "",
2203   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2204   publisher =    "AIP",
2205   year =         "1959",
2206   journal =      "J. Chem. Phys.",
2207   volume =       "30",
2208   number =       "6",
2209   pages =        "1551--1555",
2210   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2211   doi =          "10.1063/1.1730236",
2212   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2213 }
2214
2215 @Article{cowern96,
2216   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2217                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2218   collaboration = "",
2219   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2220                  {B} in silicon",
2221   publisher =    "AIP",
2222   year =         "1996",
2223   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2224   volume =       "68",
2225   number =       "8",
2226   pages =        "1150--1152",
2227   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2228                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2229                  SILICON",
2230   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2231   doi =          "10.1063/1.115706",
2232   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2233 }
2234
2235 @Article{stolk95,
2236   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2237                  of the silicon self-interstitial",
2238   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2239   volume =       "96",
2240   number =       "1-2",
2241   pages =        "187--195",
2242   year =         "1995",
2243   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2244                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2245   ISSN =         "0168-583X",
2246   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2247   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2248   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2249                  and J. M. Poate",
2250 }
2251
2252 @Article{stolk97,
2253   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2254                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2255                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2256                  E. Haynes",
2257   collaboration = "",
2258   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2259                  diffusion in ion-implanted silicon",
2260   publisher =    "AIP",
2261   year =         "1997",
2262   journal =      "J. Appl. Phys.",
2263   volume =       "81",
2264   number =       "9",
2265   pages =        "6031--6050",
2266   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2267   doi =          "10.1063/1.364452",
2268   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2269 }
2270
2271 @Article{powell94,
2272   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2273   collaboration = "",
2274   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2275                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2276   publisher =    "AIP",
2277   year =         "1994",
2278   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2279   volume =       "64",
2280   number =       "3",
2281   pages =        "324--326",
2282   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2283                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2284                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2285                  SYNTHESIS",
2286   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2287   doi =          "10.1063/1.111195",
2288   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2289 }
2290
2291 @Article{soref91,
2292   author =       "Richard A. Soref",
2293   collaboration = "",
2294   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2295                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2296   publisher =    "AIP",
2297   year =         "1991",
2298   journal =      "J. Appl. Phys.",
2299   volume =       "70",
2300   number =       "4",
2301   pages =        "2470--2472",
2302   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2303                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2304                  TERNARY ALLOYS",
2305   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2306   doi =          "10.1063/1.349403",
2307   notes =        "band gap of strained si by c",
2308 }
2309
2310 @Article{kasper91,
2311   author =       "E Kasper",
2312   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2313                  possibility to produce direct band gap material",
2314   journal =      "Physica Scripta",
2315   volume =       "T35",
2316   pages =        "232--236",
2317   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2318   year =         "1991",
2319   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2320                  quasi-direct one",
2321 }
2322
2323 @Article{osten99,
2324   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2325   collaboration = "",
2326   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2327                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2328                  molecular beam epitaxy",
2329   publisher =    "AIP",
2330   year =         "1999",
2331   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2332   volume =       "74",
2333   number =       "6",
2334   pages =        "836--838",
2335   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2336                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2337                  compounds",
2338   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2339   doi =          "10.1063/1.123384",
2340   notes =        "substitutional c in si",
2341 }
2342
2343 @Article{hohenberg64,
2344   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2345   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2346   journal =      "Phys. Rev.",
2347   volume =       "136",
2348   number =       "3B",
2349   pages =        "B864--B871",
2350   numpages =     "7",
2351   year =         "1964",
2352   month =        nov,
2353   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2354   publisher =    "American Physical Society",
2355   notes =        "density functional theory, dft",
2356 }
2357
2358 @Article{kohn65,
2359   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2360                  Correlation Effects",
2361   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2362   journal =      "Phys. Rev.",
2363   volume =       "140",
2364   number =       "4A",
2365   pages =        "A1133--A1138",
2366   numpages =     "5",
2367   year =         "1965",
2368   month =        nov,
2369   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2370   publisher =    "American Physical Society",
2371   notes =        "dft, exchange and correlation",
2372 }
2373
2374 @Article{ruecker94,
2375   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
2376                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
2377   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
2378                  J. Osten",
2379   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2380   volume =       "72",
2381   number =       "22",
2382   pages =        "3578--3581",
2383   numpages =     "3",
2384   year =         "1994",
2385   month =        may,
2386   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
2387   publisher =    "American Physical Society",
2388   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
2389                  si, dft",
2390 }
2391
2392 @Article{chang05,
2393   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
2394                  Alloy",
2395   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
2396   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2397   volume =       "44",
2398   number =       "4B",
2399   pages =        "2257--2262",
2400   numpages =     "5",
2401   year =         "2005",
2402   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
2403   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
2404   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2405   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
2406 }
2407
2408 @Article{osten97,
2409   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
2410   collaboration = "",
2411   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2412                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
2413                  Si(001)",
2414   publisher =    "AIP",
2415   year =         "1997",
2416   journal =      "J. Appl. Phys.",
2417   volume =       "82",
2418   number =       "10",
2419   pages =        "4977--4981",
2420   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
2421                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
2422                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
2423   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
2424   doi =          "10.1063/1.366364",
2425   notes =        "charge transport in strained si",
2426 }
2427
2428 @Article{kapur04,
2429   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
2430                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
2431   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
2432   journal =      "Phys. Rev. B",
2433   volume =       "69",
2434   number =       "15",
2435   pages =        "155214",
2436   numpages =     "8",
2437   year =         "2004",
2438   month =        apr,
2439   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
2440   publisher =    "American Physical Society",
2441   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
2442 }
2443
2444 @Article{barkema96,
2445   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
2446                  Systems",
2447   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
2448   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2449   volume =       "77",
2450   number =       "21",
2451   pages =        "4358--4361",
2452   numpages =     "3",
2453   year =         "1996",
2454   month =        nov,
2455   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
2456   publisher =    "American Physical Society",
2457   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
2458                  dynamic mds",
2459 }
2460
2461 @Article{cances09,
2462   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
2463                  Minoukadeh and F. Willaime",
2464   collaboration = "",
2465   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
2466                  technique method for finding transition pathways on
2467                  potential energy surfaces",
2468   publisher =    "AIP",
2469   year =         "2009",
2470   journal =      "J. Chem. Phys.",
2471   volume =       "130",
2472   number =       "11",
2473   eid =          "114711",
2474   numpages =     "6",
2475   pages =        "114711",
2476   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
2477                  surfaces; vacancies (crystal)",
2478   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
2479   doi =          "10.1063/1.3088532",
2480   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
2481                  transition pathways",
2482 }
2483
2484 @Article{parrinello81,
2485   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
2486   collaboration = "",
2487   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
2488                  molecular dynamics method",
2489   publisher =    "AIP",
2490   year =         "1981",
2491   journal =      "J. Appl. Phys.",
2492   volume =       "52",
2493   number =       "12",
2494   pages =        "7182--7190",
2495   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
2496                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
2497                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
2498                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
2499                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
2500                  IMPACT SHOCK",
2501   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2502   doi =          "10.1063/1.328693",
2503 }
2504
2505 @Article{stillinger85,
2506   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
2507                  of silicon",
2508   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
2509   journal =      "Phys. Rev. B",
2510   volume =       "31",
2511   number =       "8",
2512   pages =        "5262--5271",
2513   numpages =     "9",
2514   year =         "1985",
2515   month =        apr,
2516   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
2517   publisher =    "American Physical Society",
2518 }
2519
2520 @Article{brenner90,
2521   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
2522                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
2523                  films",
2524   author =       "Donald W. Brenner",
2525   journal =      "Phys. Rev. B",
2526   volume =       "42",
2527   number =       "15",
2528   pages =        "9458--9471",
2529   numpages =     "13",
2530   year =         "1990",
2531   month =        nov,
2532   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
2533   publisher =    "American Physical Society",
2534   notes =        "brenner hydro carbons",
2535 }
2536
2537 @Article{bazant96,
2538   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
2539                  Cohesive Energy Curves",
2540   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
2541   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2542   volume =       "77",
2543   number =       "21",
2544   pages =        "4370--4373",
2545   numpages =     "3",
2546   year =         "1996",
2547   month =        nov,
2548   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
2549   publisher =    "American Physical Society",
2550   notes =        "first si edip",
2551 }
2552
2553 @Article{bazant97,
2554   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
2555                  silicon",
2556   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
2557                  Justo",
2558   journal =      "Phys. Rev. B",
2559   volume =       "56",
2560   number =       "14",
2561   pages =        "8542--8552",
2562   numpages =     "10",
2563   year =         "1997",
2564   month =        oct,
2565   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
2566   publisher =    "American Physical Society",
2567   notes =        "second si edip",
2568 }
2569
2570 @Article{justo98,
2571   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
2572                  disordered phases",
2573   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
2574                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
2575   journal =      "Phys. Rev. B",
2576   volume =       "58",
2577   number =       "5",
2578   pages =        "2539--2550",
2579   numpages =     "11",
2580   year =         "1998",
2581   month =        aug,
2582   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
2583   publisher =    "American Physical Society",
2584   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
2585 }
2586
2587 @Article{parcas_md,
2588   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
2589   author =       "K. Nordlund",
2590   year =         "2008",
2591 }
2592
2593 @Article{voter97,
2594   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
2595                  Infrequent Events",
2596   author =       "Arthur F. Voter",
2597   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2598   volume =       "78",
2599   number =       "20",
2600   pages =        "3908--3911",
2601   numpages =     "3",
2602   year =         "1997",
2603   month =        may,
2604   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
2605   publisher =    "American Physical Society",
2606   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
2607 }
2608
2609 @Article{voter97_2,
2610   author =       "Arthur F. Voter",
2611   collaboration = "",
2612   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
2613                  simulation of infrequent events",
2614   publisher =    "AIP",
2615   year =         "1997",
2616   journal =      "J. Chem. Phys.",
2617   volume =       "106",
2618   number =       "11",
2619   pages =        "4665--4677",
2620   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
2621                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
2622                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
2623                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2624                  theory; potential energy surfaces",
2625   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2626   doi =          "10.1063/1.473503",
2627   notes =        "improved hyperdynamics md",
2628 }
2629
2630 @Article{sorensen2000,
2631   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
2632   collaboration = "",
2633   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2634                  infrequent events",
2635   publisher =    "AIP",
2636   year =         "2000",
2637   journal =      "J. Chem. Phys.",
2638   volume =       "112",
2639   number =       "21",
2640   pages =        "9599--9606",
2641   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2642                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2643   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2644   doi =          "10.1063/1.481576",
2645   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2646 }
2647
2648 @Article{voter98,
2649   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2650                  events",
2651   author =       "Arthur F. Voter",
2652   journal =      "Phys. Rev. B",
2653   volume =       "57",
2654   number =       "22",
2655   pages =        "R13985--R13988",
2656   numpages =     "3",
2657   year =         "1998",
2658   month =        jun,
2659   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2660   publisher =    "American Physical Society",
2661   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2662 }
2663
2664 @Article{wu99,
2665   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2666   collaboration = "",
2667   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2668                  simulation",
2669   publisher =    "AIP",
2670   year =         "1999",
2671   journal =      "J. Chem. Phys.",
2672   volume =       "110",
2673   number =       "19",
2674   pages =        "9401--9410",
2675   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2676                  potential; crystallisation; liquid theory",
2677   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2678   doi =          "10.1063/1.478948",
2679   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2680                  systematic motion",
2681 }
2682
2683 @Article{choudhary05,
2684   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2685   collaboration = "",
2686   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2687                  to the production of amorphous silicon",
2688   publisher =    "AIP",
2689   year =         "2005",
2690   journal =      "J. Chem. Phys.",
2691   volume =       "122",
2692   number =       "15",
2693   eid =          "154509",
2694   numpages =     "8",
2695   pages =        "154509",
2696   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2697                  amorphous semiconductors",
2698   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2699   doi =          "10.1063/1.1878733",
2700   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2701                  silicon",
2702 }
2703
2704 @Article{taylor93,
2705   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2706   collaboration = "",
2707   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2708                  difficult?",
2709   publisher =    "AIP",
2710   year =         "1993",
2711   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2712   volume =       "62",
2713   number =       "25",
2714   pages =        "3336--3338",
2715   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2716                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2717                  ENERGY",
2718   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2719   doi =          "10.1063/1.109063",
2720   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
2721                  interstitials necessary for precipitation, volume
2722                  decrease, high interface energy",
2723 }
2724
2725 @Article{chaussende08,
2726   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2727   journal =      "J. Cryst. Growth",
2728   volume =       "310",
2729   number =       "5",
2730   pages =        "976--981",
2731   year =         "2008",
2732   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2733                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2734   ISSN =         "0022-0248",
2735   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2736   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2737   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2738                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2739                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2740                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2741   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2742                  metastable",
2743 }
2744
2745 @Article{chaussende07,
2746   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
2747   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
2748   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
2749   volume =       "40",
2750   number =       "20",
2751   pages =        "6150",
2752   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
2753   year =         "2007",
2754   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
2755                  modelling",
2756 }
2757
2758 @Article{feynman39,
2759   title =        "Forces in Molecules",
2760   author =       "R. P. Feynman",
2761   journal =      "Phys. Rev.",
2762   volume =       "56",
2763   number =       "4",
2764   pages =        "340--343",
2765   numpages =     "3",
2766   year =         "1939",
2767   month =        aug,
2768   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2769   publisher =    "American Physical Society",
2770   notes =        "hellmann feynman forces",
2771 }
2772
2773 @Article{buczko00,
2774   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2775                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2776                  their Contrasting Properties",
2777   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2778                  T. Pantelides",
2779   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2780   volume =       "84",
2781   number =       "5",
2782   pages =        "943--946",
2783   numpages =     "3",
2784   year =         "2000",
2785   month =        jan,
2786   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2787   publisher =    "American Physical Society",
2788   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2789 }
2790
2791 @Article{djurabekova08,
2792   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2793                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2794   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2795   journal =      "Phys. Rev. B",
2796   volume =       "77",
2797   number =       "11",
2798   pages =        "115325",
2799   numpages =     "7",
2800   year =         "2008",
2801   month =        mar,
2802   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
2803   publisher =    "American Physical Society",
2804   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
2805                  angular distribution, coordination",
2806 }
2807
2808 @Article{wen09,
2809   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
2810                  W. Liang and J. Zou",
2811   collaboration = "",
2812   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
2813                  strain relaxation at highly lattice mismatched
2814                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
2815   publisher =    "AIP",
2816   year =         "2009",
2817   journal =      "J. Appl. Phys.",
2818   volume =       "106",
2819   number =       "7",
2820   eid =          "073522",
2821   numpages =     "8",
2822   pages =        "073522",
2823   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
2824                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
2825                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
2826                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
2827   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
2828   doi =          "10.1063/1.3234380",
2829   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
2830                  deconvolution, dislocation defects",
2831 }
2832
2833 @Article{kitabatake93,
2834   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
2835                  Hirao",
2836   collaboration = "",
2837   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
2838                  growth on Si(001) surface",
2839   publisher =    "AIP",
2840   year =         "1993",
2841   journal =      "J. Appl. Phys.",
2842   volume =       "74",
2843   number =       "7",
2844   pages =        "4438--4445",
2845   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2846                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2847                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2848   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2849   doi =          "10.1063/1.354385",
2850   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2851                  model, interface",
2852 }
2853
2854 @Article{kitabatake97,
2855   author =       "Makoto Kitabatake",
2856   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
2857                  Heteroepitaxial Growth",
2858   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2859   year =         "1997",
2860   journal =      "physica status solidi (b)",
2861   volume =       "202",
2862   pages =        "405--420",
2863   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
2864   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
2865   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
2866 }
2867
2868 @Article{chirita97,
2869   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
2870                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
2871                  dynamics study",
2872   journal =      "Thin Solid Films",
2873   volume =       "294",
2874   number =       "1-2",
2875   pages =        "47--49",
2876   year =         "1997",
2877   note =         "",
2878   ISSN =         "0040-6090",
2879   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
2880   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
2881   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
2882   keywords =     "Strain relaxation",
2883   keywords =     "Interfaces",
2884   keywords =     "Thermal stability",
2885   keywords =     "Molecular dynamics",
2886   notes =        "tersoff sic/si interface study",
2887 }
2888
2889 @Article{cicero02,
2890   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
2891                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
2892   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
2893                  Catellani",
2894   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2895   volume =       "89",
2896   number =       "15",
2897   pages =        "156101",
2898   numpages =     "4",
2899   year =         "2002",
2900   month =        sep,
2901   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
2902   publisher =    "American Physical Society",
2903   notes =        "sic/si interface study",
2904 }
2905
2906 @Article{pizzagalli03,
2907   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2908                  interface: Si{C}/Si(001)",
2909   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2910                  Catellani",
2911   journal =      "Phys. Rev. B",
2912   volume =       "68",
2913   number =       "19",
2914   pages =        "195302",
2915   numpages =     "10",
2916   year =         "2003",
2917   month =        nov,
2918   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2919   publisher =    "American Physical Society",
2920   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2921 }
2922
2923 @Article{tang07,
2924   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2925                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2926                  electron microscopy",
2927   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2928                  H. Zheng and J. W. Liang",
2929   journal =      "Phys. Rev. B",
2930   volume =       "75",
2931   number =       "18",
2932   pages =        "184103",
2933   numpages =     "7",
2934   year =         "2007",
2935   month =        may,
2936   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2937   publisher =    "American Physical Society",
2938   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2939                  si and c",
2940 }
2941
2942 @Article{hornstra58,
2943   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2944   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2945   volume =       "5",
2946   number =       "1-2",
2947   pages =        "129--141",
2948   year =         "1958",
2949   note =         "",
2950   ISSN =         "0022-3697",
2951   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2952   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2953   author =       "J. Hornstra",
2954   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2955 }
2956
2957 @Article{deguchi92,
2958   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
2959                  Ion `Hot' Implantation",
2960   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
2961                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
2962   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2963   volume =       "31",
2964   number =       "Part 1, No. 2A",
2965   pages =        "343--347",
2966   numpages =     "4",
2967   year =         "1992",
2968   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
2969   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
2970   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2971   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
2972                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
2973 }
2974
2975 @Article{eichhorn99,
2976   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2977                  K{\"{o}}gler",
2978   collaboration = "",
2979   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2980                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2981                  synchrotron x-ray diffraction",
2982   publisher =    "AIP",
2983   year =         "1999",
2984   journal =      "J. Appl. Phys.",
2985   volume =       "86",
2986   number =       "8",
2987   pages =        "4184--4187",
2988   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2989                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2990                  precipitation; semiconductor doping",
2991   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2992   doi =          "10.1063/1.371344",
2993   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
2994                  expansion of si lattice",
2995 }
2996
2997 @Article{eichhorn02,
2998   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2999                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
3000   collaboration = "",
3001   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
3002                  carbon ion implantation",
3003   publisher =    "AIP",
3004   year =         "2002",
3005   journal =      "J. Appl. Phys.",
3006   volume =       "91",
3007   number =       "3",
3008   pages =        "1287--1292",
3009   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
3010                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
3011                  electron microscopy",
3012   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
3013   doi =          "10.1063/1.1428105",
3014   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
3015                  temperature, might explain c into c sub trafo",
3016 }
3017
3018 @Article{lucas10,
3019   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
3020   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
3021                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
3022                  high-pressure phases, point and extended defects, and
3023                  amorphous structures",
3024   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3025   volume =       "22",
3026   number =       "3",
3027   pages =        "035802",
3028   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
3029   year =         "2010",
3030   notes =        "edip sic",
3031 }
3032
3033 @Article{godet03,
3034   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
3035                  Beauchamp",
3036   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
3037                  methods for silicon under large shear",
3038   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3039   volume =       "15",
3040   number =       "41",
3041   pages =        "6943",
3042   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
3043   year =         "2003",
3044   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
3045                  edip, tersoff, ab initio",
3046 }
3047
3048 @Article{moriguchi98,
3049   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
3050                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
3051   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
3052   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3053   volume =       "37",
3054   number =       "Part 1, No. 2",
3055   pages =        "414--422",
3056   numpages =     "8",
3057   year =         "1998",
3058   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
3059   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
3060   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3061   notes =        "tersoff stringent test",
3062 }
3063
3064 @Article{mazzarolo01,
3065   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
3066                  simulations",
3067   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
3068                  Lulli and Eros Albertazzi",
3069   journal =      "Phys. Rev. B",
3070   volume =       "63",
3071   number =       "19",
3072   pages =        "195207",
3073   numpages =     "4",
3074   year =         "2001",
3075   month =        apr,
3076   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
3077   publisher =    "American Physical Society",
3078 }
3079
3080 @Article{holmstroem08,
3081   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
3082                  density functional theory molecular dynamics
3083                  simulations",
3084   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
3085   journal =      "Phys. Rev. B",
3086   volume =       "78",
3087   number =       "4",
3088   pages =        "045202",
3089   numpages =     "6",
3090   year =         "2008",
3091   month =        jul,
3092   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
3093   publisher =    "American Physical Society",
3094   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
3095                  initio",
3096 }
3097
3098 @Article{nordlund97,
3099   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
3100                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
3101   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3102   volume =       "132",
3103   number =       "1",
3104   pages =        "45--54",
3105   year =         "1997",
3106   note =         "",
3107   ISSN =         "0168-583X",
3108   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
3109   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
3110   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
3111   notes =        "repulsive ab initio potential",
3112 }
3113
3114 @Article{kresse96,
3115   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
3116                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
3117                  set",
3118   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3119   volume =       "6",
3120   number =       "1",
3121   pages =        "15--50",
3122   year =         "1996",
3123   note =         "",
3124   ISSN =         "0927-0256",
3125   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
3126   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
3127   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
3128   notes =        "vasp ref",
3129 }
3130
3131 @Article{bloechl94,
3132   title =        "Projector augmented-wave method",
3133   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
3134   journal =      "Phys. Rev. B",
3135   volume =       "50",
3136   number =       "24",
3137   pages =        "17953--17979",
3138   numpages =     "26",
3139   year =         "1994",
3140   month =        dec,
3141   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
3142   publisher =    "American Physical Society",
3143   notes =        "paw method",
3144 }
3145
3146 @Article{hamann79,
3147   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
3148   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
3149   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3150   volume =       "43",
3151   number =       "20",
3152   pages =        "1494--1497",
3153   numpages =     "3",
3154   year =         "1979",
3155   month =        nov,
3156   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
3157   publisher =    "American Physical Society",
3158   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
3159 }
3160
3161 @Article{vanderbilt90,
3162   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
3163                  eigenvalue formalism",
3164   author =       "David Vanderbilt",
3165   journal =      "Phys. Rev. B",
3166   volume =       "41",
3167   number =       "11",
3168   pages =        "7892--7895",
3169   numpages =     "3",
3170   year =         "1990",
3171   month =        apr,
3172   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
3173   publisher =    "American Physical Society",
3174   notes =        "vasp pseudopotentials",
3175 }
3176
3177 @Article{perdew86,
3178   title =        "Accurate and simple density functional for the
3179                  electronic exchange energy: Generalized gradient
3180                  approximation",
3181   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
3182   journal =      "Phys. Rev. B",
3183   volume =       "33",
3184   number =       "12",
3185   pages =        "8800--8802",
3186   numpages =     "2",
3187   year =         "1986",
3188   month =        jun,
3189   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
3190   publisher =    "American Physical Society",
3191   notes =        "rapid communication gga",
3192 }
3193
3194 @Article{perdew02,
3195   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
3196                  correlation: {A} look backward and forward",
3197   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
3198   volume =       "172",
3199   number =       "1-2",
3200   pages =        "1--6",
3201   year =         "1991",
3202   note =         "",
3203   ISSN =         "0921-4526",
3204   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
3205   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
3206   author =       "John P. Perdew",
3207   notes =        "gga overview",
3208 }
3209
3210 @Article{perdew92,
3211   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
3212                  of the generalized gradient approximation for exchange
3213                  and correlation",
3214   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
3215                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
3216                  and Carlos Fiolhais",
3217   journal =      "Phys. Rev. B",
3218   volume =       "46",
3219   number =       "11",
3220   pages =        "6671--6687",
3221   numpages =     "16",
3222   year =         "1992",
3223   month =        sep,
3224   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
3225   publisher =    "American Physical Society",
3226   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
3227 }
3228
3229 @Article{baldereschi73,
3230   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
3231   author =       "A. Baldereschi",
3232   journal =      "Phys. Rev. B",
3233   volume =       "7",
3234   number =       "12",
3235   pages =        "5212--5215",
3236   numpages =     "3",
3237   year =         "1973",
3238   month =        jun,
3239   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
3240   publisher =    "American Physical Society",
3241   notes =        "mean value k point",
3242 }
3243
3244 @Article{zhu98,
3245   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
3246                  diffusion in Si",
3247   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3248   volume =       "12",
3249   number =       "4",
3250   pages =        "309--318",
3251   year =         "1998",
3252   note =         "",
3253   ISSN =         "0927-0256",
3254   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
3255   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
3256   author =       "Jing Zhu",
3257   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
3258   keywords =     "Boron dopant",
3259   keywords =     "Carbon dopant",
3260   keywords =     "Defect",
3261   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
3262   keywords =     "Impurity cluster",
3263   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
3264 }
3265
3266 @Article{nejim95,
3267   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
3268   collaboration = "",
3269   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
3270                  950 [degree]{C}",
3271   publisher =    "AIP",
3272   year =         "1995",
3273   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3274   volume =       "66",
3275   number =       "20",
3276   pages =        "2646--2648",
3277   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
3278                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
3279                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
3280                  ELECTRON MICROSCOPY",
3281   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
3282   doi =          "10.1063/1.113112",
3283   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
3284                  self interstitials react with further implanted c",
3285 }
3286
3287 @Article{guedj98,
3288   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
3289                  Kolodzey and A. Hairie",
3290   collaboration = "",
3291   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3292                  alloys",
3293   publisher =    "AIP",
3294   year =         "1998",
3295   journal =      "J. Appl. Phys.",
3296   volume =       "84",
3297   number =       "8",
3298   pages =        "4631--4633",
3299   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
3300                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
3301                  Fourier transform spectra; thermal stability;
3302                  annealing",
3303   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
3304   doi =          "10.1063/1.368703",
3305   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
3306 }
3307
3308 @Article{jones04,
3309   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
3310   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
3311                  semiconductors",
3312   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3313   volume =       "16",
3314   number =       "27",
3315   pages =        "S2643",
3316   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
3317   year =         "2004",
3318   notes =        "ab inito dft intro, vibrational modes, c defect in
3319                  si",
3320 }
3321
3322 @Article{park02,
3323   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
3324                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
3325                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
3326   collaboration = "",
3327   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
3328                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
3329                  molecular-beam epitaxy",
3330   publisher =    "AIP",
3331   year =         "2002",
3332   journal =      "J. Appl. Phys.",
3333   volume =       "91",
3334   number =       "9",
3335   pages =        "5716--5727",
3336   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
3337   doi =          "10.1063/1.1465122",
3338   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
3339 }
3340
3341 @Article{leary97,
3342   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
3343                  carbon-carbon pair defects in silicon",
3344   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
3345                  Torres",
3346   journal =      "Phys. Rev. B",
3347   volume =       "55",
3348   number =       "4",
3349   pages =        "2188--2194",
3350   numpages =     "6",
3351   year =         "1997",
3352   month =        jan,
3353   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
3354   publisher =    "American Physical Society",
3355   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
3356                  energies, different migration barriers and paths",
3357 }
3358
3359 @Article{burnard93,
3360   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
3361                  silicon: Semiempirical electronic-structure
3362                  calculations",
3363   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
3364   journal =      "Phys. Rev. B",
3365   volume =       "47",
3366   number =       "16",
3367   pages =        "10217--10225",
3368   numpages =     "8",
3369   year =         "1993",
3370   month =        apr,
3371   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
3372   publisher =    "American Physical Society",
3373   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
3374                  carbon defect, formation energies",
3375 }
3376
3377 @Article{besson91,
3378   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
3379                  silicon",
3380   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
3381   journal =      "Phys. Rev. B",
3382   volume =       "43",
3383   number =       "5",
3384   pages =        "4028--4033",
3385   numpages =     "5",
3386   year =         "1991",
3387   month =        feb,
3388   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
3389   publisher =    "American Physical Society",
3390 }
3391
3392 @Article{kaxiras96,
3393   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
3394                  and growth on semiconductors",
3395   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3396   volume =       "6",
3397   number =       "2",
3398   pages =        "158--172",
3399   year =         "1996",
3400   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
3401                  Epitaxy",
3402   ISSN =         "0927-0256",
3403   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
3404   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
3405   author =       "Efthimios Kaxiras",
3406   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
3407                  tight binding, first principles",
3408 }
3409
3410 @Article{kaukonen98,
3411   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
3412                  diamond
3413                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
3414                  surfaces",
3415   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
3416                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
3417                  Th. Frauenheim",
3418   journal =      "Phys. Rev. B",
3419   volume =       "57",
3420   number =       "16",
3421   pages =        "9965--9970",
3422   numpages =     "5",
3423   year =         "1998",
3424   month =        apr,
3425   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
3426   publisher =    "American Physical Society",
3427   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
3428                  (crt)",
3429 }
3430
3431 @Article{gali03,
3432   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
3433                  center in Si{C}",
3434   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
3435                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
3436                  W. J. Choyke",
3437   journal =      "Phys. Rev. B",
3438   volume =       "67",
3439   number =       "15",
3440   pages =        "155203",
3441   numpages =     "5",
3442   year =         "2003",
3443   month =        apr,
3444   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
3445   publisher =    "American Physical Society",
3446 }
3447
3448 @Article{chen98,
3449   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
3450                  irradiation and deformation",
3451   journal =      "J. Nucl. Mater.",
3452   volume =       "258-263",
3453   number =       "Part 2",
3454   pages =        "1803--1808",
3455   year =         "1998",
3456   note =         "",
3457   ISSN =         "0022-3115",
3458   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
3459   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
3460   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
3461 }
3462
3463 @Article{weber01,
3464   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
3465                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
3466   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3467   volume =       "175-177",
3468   number =       "",
3469   pages =        "26--30",
3470   year =         "2001",
3471   note =         "",
3472   ISSN =         "0168-583X",
3473   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
3474   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
3475   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
3476 }
3477
3478 @Article{bockstedte03,
3479   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
3480                  in $3{C}-Si{C}$",
3481   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
3482                  Pankratov",
3483   journal =      "Phys. Rev. B",
3484   volume =       "68",
3485   number =       "20",
3486   pages =        "205201",
3487   numpages =     "17",
3488   year =         "2003",
3489   month =        nov,
3490   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
3491   publisher =    "American Physical Society",
3492   notes =        "defect migration in sic",
3493 }
3494
3495 @Article{rauls03a,
3496   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
3497                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
3498   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
3499                  De\'ak",
3500   journal =      "Phys. Rev. B",
3501   volume =       "68",
3502   number =       "15",
3503   pages =        "155208",
3504   numpages =     "9",
3505   year =         "2003",
3506   month =        oct,
3507   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
3508   publisher =    "American Physical Society",
3509 }
3510
3511 @Article{losev27,
3512   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
3513   volume =       "44",
3514   pages =        "485--494",
3515   year =         "1927",
3516   author =       "O. V. Lossev",
3517 }
3518
3519 @Article{losev28,
3520   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
3521                  oscillations with crystals",
3522   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
3523   volume =       "6",
3524   number =       "39",
3525   pages =        "1024--1044",
3526   year =         "1928",
3527   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
3528   author =       "O. V. Lossev",
3529 }
3530
3531 @Article{losev29,
3532   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3533   volume =       "30",
3534   pages =        "920--923",
3535   year =         "1929",
3536   author =       "O. V. Lossev",
3537 }
3538
3539 @Article{losev31,
3540   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3541   volume =       "32",
3542   pages =        "692--696",
3543   year =         "1931",
3544   author =       "O. V. Lossev",
3545 }
3546
3547 @Article{losev33,
3548   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3549   volume =       "34",
3550   pages =        "397--403",
3551   year =         "1933",
3552   author =       "O. V. Lossev",
3553 }
3554
3555 @Article{round07,
3556   title =        "A note on carborundum",
3557   journal =      "Electrical World",
3558   volume =       "49",
3559   pages =        "308",
3560   year =         "1907",
3561   author =       "H. J. Round",
3562 }
3563
3564 @Article{vashishath08,
3565   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
3566   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
3567   volume =       "2",
3568   number =       "03",
3569   pages =        "444--470",
3570   year =         "2008",
3571   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
3572   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
3573   notes =        "sic polytype electronic properties",
3574 }
3575
3576 @Article{nelson69,
3577   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
3578   collaboration = "",
3579   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
3580   publisher =    "AIP",
3581   year =         "1966",
3582   journal =      "Journal of Applied Physics",
3583   volume =       "37",
3584   number =       "1",
3585   pages =        "333--336",
3586   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
3587   doi =          "10.1063/1.1707837",
3588   notes =        "sic melt growth",
3589 }
3590
3591 @Article{arkel25,
3592   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
3593   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
3594                  und Thoriummetall",
3595   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
3596   year =         "1925",
3597   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3598   volume =       "148",
3599   pages =        "345--350",
3600   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
3601   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
3602   notes =        "van arkel apparatus",
3603 }
3604
3605 @Article{moers31,
3606   author =       "K. Moers",
3607   year =         "1931",
3608   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3609   volume =       "198",
3610   pages =        "293",
3611   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3612                  process",
3613 }
3614
3615 @Article{kendall53,
3616   author =       "J. T. Kendall",
3617   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
3618   publisher =    "AIP",
3619   year =         "1953",
3620   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
3621   volume =       "21",
3622   number =       "5",
3623   pages =        "821--827",
3624   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
3625   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3626                  process",
3627 }
3628
3629 @Article{lely55,
3630   author =       "J. A. Lely",
3631   year =         "1955",
3632   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
3633   volume =       "32",
3634   pages =        "229",
3635   notes =        "lely sublimation growth process",
3636 }
3637
3638 @Article{knippenberg63,
3639   author =       "W. F. Knippenberg",
3640   year =         "1963",
3641   journal =      "Philips Res. Repts.",
3642   volume =       "18",
3643   pages =        "161",
3644   notes =        "acheson process",
3645 }
3646
3647 @Article{hoffmann82,
3648   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
3649                  Weyrich",
3650   collaboration = "",
3651   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
3652                  improved external quantum efficiency",
3653   publisher =    "AIP",
3654   year =         "1982",
3655   journal =      "Journal of Applied Physics",
3656   volume =       "53",
3657   number =       "10",
3658   pages =        "6962--6967",
3659   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
3660                  efficiency; visible radiation; experimental data;
3661                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
3662                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
3663                  electroluminescence; spectra; current density;
3664                  optimization",
3665   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
3666   doi =          "10.1063/1.330041",
3667   notes =        "blue led, sublimation process",
3668 }
3669
3670 @Article{neudeck95,
3671   author =       "Philip Neudeck",
3672   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
3673                  Road 44135 Cleveland OH",
3674   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
3675                  technology",
3676   journal =      "Journal of Electronic Materials",
3677   publisher =    "Springer Boston",
3678   ISSN =         "0361-5235",
3679   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
3680   pages =        "283--288",
3681   volume =       "24",
3682   issue =        "4",
3683   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
3684   note =         "10.1007/BF02659688",
3685   year =         "1995",
3686   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
3687 }
3688
3689 @Article{bhatnagar93,
3690   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
3691   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3692   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
3693                  devices",
3694   year =         "1993",
3695   month =        mar,
3696   volume =       "40",
3697   number =       "3",
3698   pages =        "645--655",
3699   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
3700                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
3701                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
3702                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
3703                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
3704                  solids;insulated gate field effect transistors;power
3705                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
3706                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
3707   doi =          "10.1109/16.199372",
3708   ISSN =         "0018-9383",
3709   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
3710 }
3711
3712 @Article{neudeck94,
3713   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
3714                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
3715   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3716   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
3717                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
3718                  6{H}-Si{C} substrates",
3719   year =         "1994",
3720   month =        may,
3721   volume =       "41",
3722   number =       "5",
3723   pages =        "826--835",
3724   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
3725                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
3726                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
3727                  properties;epitaxial layers;light
3728                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
3729                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
3730                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
3731                  currents;power electronics;semiconductor
3732                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
3733                  growth;semiconductor materials;silicon
3734                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
3735                  phase epitaxial growth;",
3736   doi =          "10.1109/16.285038",
3737   ISSN =         "0018-9383",
3738   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
3739                  substrate",
3740 }
3741
3742 @Article{schulze98,
3743   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
3744   collaboration = "",
3745   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
3746                  single crystals by physical vapor transport",
3747   publisher =    "AIP",
3748   year =         "1998",
3749   journal =      "Applied Physics Letters",
3750   volume =       "72",
3751   number =       "13",
3752   pages =        "1632--1634",
3753   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
3754                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
3755                  photoluminescence; Hall mobility",
3756   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
3757   doi =          "10.1063/1.121136",
3758   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
3759 }
3760
3761 @Article{pirouz87,
3762   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
3763   collaboration = "",
3764   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
3765   publisher =    "AIP",
3766   year =         "1987",
3767   journal =      "Applied Physics Letters",
3768   volume =       "50",
3769   number =       "4",
3770   pages =        "221--223",
3771   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
3772                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
3773                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
3774                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
3775                  BOUNDARIES",
3776   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
3777   doi =          "10.1063/1.97667",
3778   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
3779 }
3780
3781 @Article{shibahara86,
3782   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
3783                  Si(100) by chemical vapor deposition",
3784   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3785   volume =       "78",
3786   number =       "3",
3787   pages =        "538--544",
3788   year =         "1986",
3789   note =         "",
3790   ISSN =         "0022-0248",
3791   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
3792   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
3793   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
3794                  Matsunami",
3795   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
3796 }
3797
3798 @Article{desjardins96,
3799   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
3800   collaboration = "",
3801   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
3802   publisher =    "AIP",
3803   year =         "1996",
3804   journal =      "Journal of Applied Physics",
3805   volume =       "79",
3806   number =       "3",
3807   pages =        "1423--1434",
3808   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
3809                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
3810   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
3811   doi =          "10.1063/1.360980",
3812   notes =        "apb model",
3813 }
3814
3815 @Article{henke95,
3816   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
3817   collaboration = "",
3818   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
3819                  carbonization of silicon",
3820   publisher =    "AIP",
3821   year =         "1995",
3822   journal =      "Journal of Applied Physics",
3823   volume =       "78",
3824   number =       "3",
3825   pages =        "2070--2073",
3826   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
3827                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
3828                  STRUCTURE",
3829   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
3830   doi =          "10.1063/1.360184",
3831   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
3832 }
3833
3834 @Article{fuyuki89,
3835   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
3836                  {MBE} using surface superstructure",
3837   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3838   volume =       "95",
3839   number =       "1-4",
3840   pages =        "461--463",
3841   year =         "1989",
3842   note =         "",
3843   ISSN =         "0022-0248",
3844   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
3845   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
3846   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
3847                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
3848   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
3849 }
3850
3851 @Article{yoshinobu92,
3852   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
3853                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
3854   collaboration = "",
3855   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
3856                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
3857                  molecular beam epitaxy",
3858   publisher =    "AIP",
3859   year =         "1992",
3860   journal =      "Applied Physics Letters",
3861   volume =       "60",
3862   number =       "7",
3863   pages =        "824--826",
3864   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
3865                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
3866                  INTERFACE STRUCTURE",
3867   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
3868   doi =          "10.1063/1.107430",
3869   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
3870 }
3871
3872 @Article{yoshinobu90,
3873   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
3874                  cubic Si{C}",
3875   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3876   volume =       "99",
3877   number =       "1-4",
3878   pages =        "520--524",
3879   year =         "1990",
3880   note =         "",
3881   ISSN =         "0022-0248",
3882   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
3883   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
3884   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
3885                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
3886   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
3887 }
3888
3889 @Article{fuyuki93,
3890   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
3891                  superstructures in Si{C}",
3892   journal =      "Thin Solid Films",
3893   volume =       "225",
3894   number =       "1-2",
3895   pages =        "225--229",
3896   year =         "1993",
3897   note =         "",
3898   ISSN =         "0040-6090",
3899   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
3900   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
3901   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
3902                  Matsunami",
3903   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
3904                  epitaxy, ale",
3905 }
3906
3907 @Article{hara93,
3908   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
3909                  growth of [beta]-Si{C}",
3910   journal =      "Thin Solid Films",
3911   volume =       "225",
3912   number =       "1-2",
3913   pages =        "240--243",
3914   year =         "1993",
3915   note =         "",
3916   ISSN =         "0040-6090",
3917   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
3918   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
3919   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
3920                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
3921   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
3922                  epitaxy, ale",
3923 }
3924
3925 @Article{tanaka94,
3926   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
3927   collaboration = "",
3928   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
3929                  growth mode and polytype formation during gas-source
3930                  molecular beam epitaxy",
3931   publisher =    "AIP",
3932   year =         "1994",
3933   journal =      "Applied Physics Letters",
3934   volume =       "65",
3935   number =       "22",
3936   pages =        "2851--2853",
3937   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
3938                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
3939                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
3940                  FLOW; FLOW RATE",
3941   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
3942   doi =          "10.1063/1.112513",
3943   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
3944 }
3945
3946 @Article{fuyuki97,
3947   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
3948   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
3949                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
3950   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3951   year =         "1997",
3952   journal =      "physica status solidi (b)",
3953   volume =       "202",
3954   pages =        "359--378",
3955   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
3956                  temperatures 750",
3957 }
3958
3959 @Article{takaoka98,
3960   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
3961   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3962   volume =       "183",
3963   number =       "1-2",
3964   pages =        "175--182",
3965   year =         "1998",
3966   note =         "",
3967   ISSN =         "0022-0248",
3968   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
3969   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
3970   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
3971   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
3972   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
3973   keywords =     "Silicon carbide",
3974   keywords =     "Silicon",
3975   keywords =     "Island growth",
3976   notes =        "lower temperature, 550-700",
3977 }
3978
3979 @Article{hatayama95,
3980   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
3981                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
3982                  molecular beam epitaxy",
3983   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3984   volume =       "150",
3985   number =       "Part 2",
3986   pages =        "934--938",
3987   year =         "1995",
3988   note =         "",
3989   ISSN =         "0022-0248",
3990   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
3991   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
3992   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
3993                  and Hiroyuki Matsunami",
3994 }
3995
3996 @Article{heine91,
3997   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
3998   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
3999                  Metastable Cubic Form",
4000   journal =      "Journal of the American Ceramic Society",
4001   volume =       "74",
4002   number =       "10",
4003   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
4004   ISSN =         "1551-2916",
4005   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4006   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4007   pages =        "2630--2633",
4008   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
4009                  calculations, stability",
4010   year =         "1991",
4011   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
4012                  polytype dft calculation refs",
4013 }
4014
4015 @Article{allendorf91,
4016   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
4017                  [beta]-silicon carbide",
4018   journal =      "Surface Science",
4019   volume =       "258",
4020   number =       "1-3",
4021   pages =        "177--189",
4022   year =         "1991",
4023   note =         "",
4024   ISSN =         "0039-6028",
4025   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
4026   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
4027   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
4028   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
4029 }
4030
4031 @Article{eaglesham93,
4032   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
4033                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
4034   collaboration = "",
4035   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
4036   publisher =    "AIP",
4037   year =         "1993",
4038   journal =      "Journal of Applied Physics",
4039   volume =       "74",
4040   number =       "11",
4041   pages =        "6615--6618",
4042   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
4043                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
4044                  DIFFUSION; ADSORPTION",
4045   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
4046   doi =          "10.1063/1.355101",
4047   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
4048                  mobility",
4049 }
4050
4051 @Article{newman85,
4052   author =       "Ronald C. Newman",
4053   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
4054   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4055   volume =       "59",
4056   number =       "",
4057   pages =        "403",
4058   year =         "1985",
4059   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
4060   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
4061   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
4062 }
4063
4064 @Article{goesele85,
4065   author =       "U. Gösele",
4066   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
4067   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4068   volume =       "59",
4069   number =       "",
4070   pages =        "419",
4071   year =         "1985",
4072   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
4073   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
4074   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
4075 }
4076
4077 @Article{puska98,
4078   title =        "Convergence of supercell calculations for point
4079                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
4080   author =       "M. J. Puska and S. P{\"o}ykk{\"o} and M. Pesola and R.
4081                  M. Nieminen",
4082   journal =      "Phys. Rev. B",
4083   volume =       "58",
4084   number =       "3",
4085   pages =        "1318--1325",
4086   numpages =     "7",
4087   year =         "1998",
4088   month =        jul,
4089   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.1318",
4090   publisher =    "American Physical Society",
4091   notes =        "convergence k point supercell size, vacancy in
4092                  silicon",
4093 }
4094
4095 @Article{serre95,
4096   author =       "C. Serre and A. P\'{e}rez-Rodr\'{\i}guez and A.
4097                  Romano-Rodr\'{\i}guez and J. R. Morante and R.
4098                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
4099   collaboration = "",
4100   title =        "Spectroscopic characterization of phases formed by
4101                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
4102   publisher =    "AIP",
4103   year =         "1995",
4104   journal =      "Journal of Applied Physics",
4105   volume =       "77",
4106   number =       "7",
4107   pages =        "2978--2984",
4108   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; PHASE STUDIES; CARBON IONS;
4109                  FOURIER TRANSFORM SPECTROSCOPY; RAMAN SPECTRA;
4110                  PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; TEM; TEMPERATURE
4111                  DEPENDENCE; PRECIPITATES; ANNEALING",
4112   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
4113   doi =          "10.1063/1.358714",
4114 }