bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{erhart04,
  28   title =        "The role of thermostats in modeling vapor phase
  29                  condensation of silicon nanoparticles",
  30   journal =      "Applied Surface Science",
  31   volume =       "226",
  32   number =       "1-3",
  33   pages =        "12--18",
  34   year =         "2004",
  35   note =         "EMRS 2003 Symposium F, Nanostructures from Clusters",
  36   ISSN =         "0169-4332",
  37   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2003.11.003",
  38   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4B957HV-8/2/b35dbe80a70d173f6f7a00dacbcbd738",
  39   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
  40 }
  41
  42 @Article{albe2002,
  43   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  44                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  45   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  46   journal =      "Phys. Rev. B",
  47   volume =       "65",
  48   number =       "19",
  49   pages =        "195124",
  50   numpages =     "11",
  51   year =         "2002",
  52   month =        may,
  53   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  54   publisher =    "American Physical Society",
  55   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  56 }
  57
  58 @Article{newman65,
  59   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
  60   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  61   volume =       "26",
  62   number =       "2",
  63   pages =        "373--379",
  64   year =         "1965",
  65   note =         "",
  66   ISSN =         "0022-3697",
  67   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
  68   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
  69   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
  70   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
  71 }
  72
  73 @Article{baker68,
  74   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
  75                  Buschert",
  76   collaboration = "",
  77   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
  78   publisher =    "AIP",
  79   year =         "1968",
  80   journal =      "Journal of Applied Physics",
  81   volume =       "39",
  82   number =       "9",
  83   pages =        "4365--4368",
  84   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
  85   doi =          "10.1063/1.1656977",
  86   notes =        "lattice contraction due to subst c",
  87 }
  88
  89 @Article{bean71,
  90   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  91   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  92   volume =       "32",
  93   number =       "6",
  94   pages =        "1211--1219",
  95   year =         "1971",
  96   note =         "",
  97   ISSN =         "0022-3697",
  98   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  99   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
 100   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 101   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
 102 }
 103
 104 @Article{capano97,
 105   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
 106   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
 107   journal =      "MRS Bull.",
 108   volume =       "22",
 109   pages =        "19",
 110   year =         "1997",
 111 }
 112
 113 @Article{fischer90,
 114   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
 115   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
 116                  carbide",
 117   journal =      "Philos. Mag. B",
 118   volume =       "61",
 119   pages =        "217--236",
 120   year =         "1990",
 121   notes =        "sic polytypes",
 122 }
 123
 124 @Article{koegler03,
 125   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
 126                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
 127                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
 128   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
 129                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
 130                  ions",
 131   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
 132   volume =       "76",
 133   pages =        "827--835",
 134   month =        mar,
 135   year =         "2003",
 136   URL =          "http://www.springerlink.com/content/jr8xj33mqc5vpwwj/",
 137   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
 138                  precipitation by interstitial and substitutional
 139                  carbon, both mechanisms explained + refs",
 140 }
 141
 142 @Article{skorupa96,
 143   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
 144                  silicon-related materials",
 145   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
 146   volume =       "44",
 147   number =       "2",
 148   pages =        "101--143",
 149   year =         "1996",
 150   note =         "",
 151   ISSN =         "0254-0584",
 152   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 153   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 154   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 155   notes =        "review of silicon carbon compound",
 156 }
 157
 158 @Book{laplace,
 159   author =       "P. S. de Laplace",
 160   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 161   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 162   volume =       "VII",
 163   publisher =    "Gauthier-Villars",
 164   year =         "1820",
 165 }
 166
 167 @Article{mattoni2007,
 168   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 169   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 170                  materials}",
 171   journal =      "Phys. Rev. B",
 172   year =         "2007",
 173   month =        dec,
 174   volume =       "76",
 175   number =       "22",
 176   pages =        "224103",
 177   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 178   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 179                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 180                  fracture, more available potentials, universal energy
 181                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 182 }
 183
 184 @Article{balamane92,
 185   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 186                  potentials",
 187   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 188   journal =      "Phys. Rev. B",
 189   volume =       "46",
 190   number =       "4",
 191   pages =        "2250--2279",
 192   numpages =     "29",
 193   year =         "1992",
 194   month =        jul,
 195   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 196   publisher =    "American Physical Society",
 197   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 198 }
 199
 200 @Article{koster2002,
 201   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 202                  bombardment",
 203   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 204   journal =      "Phys. Rev. B",
 205   volume =       "62",
 206   number =       "16",
 207   pages =        "11219--11224",
 208   numpages =     "5",
 209   year =         "2000",
 210   month =        oct,
 211   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 212   publisher =    "American Physical Society",
 213   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 214 }
 215
 216 @Article{breadmore99,
 217   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 218                  amorphization of silicon",
 219   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 220   journal =      "Phys. Rev. B",
 221   volume =       "60",
 222   number =       "18",
 223   pages =        "12610--12616",
 224   numpages =     "6",
 225   year =         "1999",
 226   month =        nov,
 227   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 228   publisher =    "American Physical Society",
 229   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 230 }
 231
 232 @Article{nielsen83,
 233   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 234   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 235   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 236   volume =       "50",
 237   number =       "9",
 238   pages =        "697--700",
 239   numpages =     "3",
 240   year =         "1983",
 241   month =        feb,
 242   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 243   publisher =    "American Physical Society",
 244   notes =        "generalization of virial theorem",
 245 }
 246
 247 @Article{nielsen85,
 248   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 249   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 250   journal =      "Phys. Rev. B",
 251   volume =       "32",
 252   number =       "6",
 253   pages =        "3780--3791",
 254   numpages =     "11",
 255   year =         "1985",
 256   month =        sep,
 257   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 258   publisher =    "American Physical Society",
 259   notes =        "dft virial stress and forces",
 260 }
 261
 262 @Article{moissan04,
 263   author =       "Henri Moissan",
 264   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 265                  Diablo",
 266   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 267   volume =       "139",
 268   pages =        "773--786",
 269   year =         "1904",
 270 }
 271
 272 @Book{park98,
 273   author =       "Y. S. Park",
 274   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 275   publisher =    "Academic Press",
 276   address =      "San Diego",
 277   year =         "1998",
 278 }
 279
 280 @Article{tsvetkov98,
 281   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 282                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 283   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 284   journal =      "Materials Science Forum",
 285   volume =       "264-268",
 286   pages =        "3--8",
 287   year =         "1998",
 288   notes =        "modified lely process, micropipes",
 289 }
 290
 291 @Article{verlet67,
 292   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 293                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 294   author =       "Loup Verlet",
 295   journal =      "Phys. Rev.",
 296   volume =       "159",
 297   number =       "1",
 298   pages =        "98",
 299   year =         "1967",
 300   month =        jul,
 301   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 302   publisher =    "American Physical Society",
 303   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 304                  motion",
 305 }
 306
 307 @Article{berendsen84,
 308   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 309                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 310   collaboration = "",
 311   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 312   publisher =    "AIP",
 313   year =         "1984",
 314   journal =      "J. Chem. Phys.",
 315   volume =       "81",
 316   number =       "8",
 317   pages =        "3684--3690",
 318   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 319                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 320   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 321   doi =          "10.1063/1.448118",
 322   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 323 }
 324
 325 @Article{huang95,
 326   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 327                  Baskes",
 328   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 329                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 330                  potentials",
 331   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 332   volume =       "3",
 333   number =       "5",
 334   pages =        "615--627",
 335   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 336   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 337                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 338   year =         "1995",
 339 }
 340
 341 @Article{brenner89,
 342   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 343                  Tersoff potentials",
 344   author =       "Donald W. Brenner",
 345   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 346   volume =       "63",
 347   number =       "9",
 348   pages =        "1022",
 349   numpages =     "1",
 350   year =         "1989",
 351   month =        aug,
 352   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 353   publisher =    "American Physical Society",
 354   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 355 }
 356
 357 @Article{batra87,
 358   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 359                  silicon",
 360   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 361   journal =      "Phys. Rev. B",
 362   volume =       "35",
 363   number =       "18",
 364   pages =        "9552--9558",
 365   numpages =     "6",
 366   year =         "1987",
 367   month =        jun,
 368   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 369   publisher =    "American Physical Society",
 370   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 371                  calculation of defect formation energy, defect
 372                  interstitial types",
 373 }
 374
 375 @Article{schober89,
 376   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 377   author =       "H. R. Schober",
 378   journal =      "Phys. Rev. B",
 379   volume =       "39",
 380   number =       "17",
 381   pages =        "13013--13015",
 382   numpages =     "2",
 383   year =         "1989",
 384   month =        jun,
 385   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 386   publisher =    "American Physical Society",
 387   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 388                  dumbbell configuration",
 389 }
 390
 391 @Article{gao02a,
 392   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 393                  Defect accumulation, topological features, and
 394                  disordering",
 395   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 396   journal =      "Phys. Rev. B",
 397   volume =       "66",
 398   number =       "2",
 399   pages =        "024106",
 400   numpages =     "10",
 401   year =         "2002",
 402   month =        jul,
 403   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 404   publisher =    "American Physical Society",
 405   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 406                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 407                  result analyze",
 408 }
 409
 410 @Article{devanathan98,
 411   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 412                  cascade in Si{C}",
 413   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 414   volume =       "141",
 415   number =       "1-4",
 416   pages =        "118--122",
 417   year =         "1998",
 418   ISSN =         "0168-583X",
 419   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 420   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 421                  Rubia",
 422   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 423                  3c-sic",
 424 }
 425
 426 @Article{devanathan98_2,
 427   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 428   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 429   volume =       "253",
 430   number =       "1-3",
 431   pages =        "47--52",
 432   year =         "1998",
 433   ISSN =         "0022-3115",
 434   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 435   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 436                  Weber",
 437   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 438                  tersoff",
 439 }
 440
 441 @Article{kitabatake00,
 442   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 443   author =       "M. Kitabatake",
 444   journal =      "Thin Solid Films",
 445   volume =       "369",
 446   pages =        "257--264",
 447   numpages =     "8",
 448   year =         "2000",
 449   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 450 }
 451
 452 @Article{tang97,
 453   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 454                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 455                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 456                  formation volumes",
 457   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 458                  Rubia",
 459   journal =      "Phys. Rev. B",
 460   volume =       "55",
 461   number =       "21",
 462   pages =        "14279--14289",
 463   numpages =     "10",
 464   year =         "1997",
 465   month =        jun,
 466   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 467   publisher =    "American Physical Society",
 468   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 469 }
 470
 471 @Article{johnson98,
 472   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 473                  Rubia",
 474   collaboration = "",
 475   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 476                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 477                  presence of carbon and boron",
 478   publisher =    "AIP",
 479   year =         "1998",
 480   journal =      "J. Appl. Phys.",
 481   volume =       "84",
 482   number =       "4",
 483   pages =        "1963--1967",
 484   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 485                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 486                  semiconductors; self-diffusion",
 487   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 488   doi =          "10.1063/1.368328",
 489   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 490                  diffsuion",
 491 }
 492
 493 @Article{bar-yam84,
 494   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 495                  Self-Interstitial",
 496   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 497   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 498   volume =       "52",
 499   number =       "13",
 500   pages =        "1129--1132",
 501   numpages =     "3",
 502   year =         "1984",
 503   month =        mar,
 504   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 505   publisher =    "American Physical Society",
 506   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 507 }
 508
 509 @Article{bar-yam84_2,
 510   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 511                  barriers of silicon self-interstitials",
 512   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 513   journal =      "Phys. Rev. B",
 514   volume =       "30",
 515   number =       "4",
 516   pages =        "1844--1852",
 517   numpages =     "8",
 518   year =         "1984",
 519   month =        aug,
 520   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 521   publisher =    "American Physical Society",
 522 }
 523
 524 @Article{bloechl93,
 525   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 526                  constants in silicon",
 527   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 528                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 529   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 530   volume =       "70",
 531   number =       "16",
 532   pages =        "2435--2438",
 533   numpages =     "3",
 534   year =         "1993",
 535   month =        apr,
 536   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 537   publisher =    "American Physical Society",
 538   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 539                  entropy calculations",
 540 }
 541
 542 @Article{colombo02,
 543   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 544                  silicon",
 545   author =       "L. Colombo",
 546   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 547   volume =       "32",
 548   pages =        "271--295",
 549   numpages =     "25",
 550   year =         "2002",
 551   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 552   publisher =    "Annual Reviews",
 553   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 554 }
 555
 556 @Article{al-mushadani03,
 557   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 558                  silicon",
 559   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 560   journal =      "Phys. Rev. B",
 561   volume =       "68",
 562   number =       "23",
 563   pages =        "235205",
 564   numpages =     "8",
 565   year =         "2003",
 566   month =        dec,
 567   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 568   publisher =    "American Physical Society",
 569   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 570                  silicon, si self interstitials, free energy",
 571 }
 572
 573 @Article{goedecker02,
 574   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 575   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 576   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 577   volume =       "88",
 578   number =       "23",
 579   pages =        "235501",
 580   numpages =     "4",
 581   year =         "2002",
 582   month =        may,
 583   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 584   publisher =    "American Physical Society",
 585   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 586                  silicon",
 587 }
 588
 589 @Article{sahli05,
 590   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 591                  self-interstitial diffusion in silicon",
 592   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 593   journal =      "Phys. Rev. B",
 594   volume =       "72",
 595   number =       "24",
 596   pages =        "245210",
 597   numpages =     "6",
 598   year =         "2005",
 599   month =        dec,
 600   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 601   publisher =    "American Physical Society",
 602   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 603                  mapping applied",
 604 }
 605
 606 @Article{hobler05,
 607   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 608                  native point defects in silicon",
 609   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 610   volume =       "124-125",
 611   number =       "",
 612   pages =        "368--371",
 613   year =         "2005",
 614   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 615                  Issues for Future Technologies",
 616   ISSN =         "0921-5107",
 617   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 618   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 619   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 620   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 621                  radius",
 622 }
 623
 624 @Article{ma10,
 625   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 626                  wide temperature range: Point defect states and
 627                  migration mechanisms",
 628   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 629   journal =      "Phys. Rev. B",
 630   volume =       "81",
 631   number =       "19",
 632   pages =        "193203",
 633   numpages =     "4",
 634   year =         "2010",
 635   month =        may,
 636   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 637   publisher =    "American Physical Society",
 638   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 639 }
 640
 641 @Article{posselt06,
 642   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 643                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 644   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 645   journal =      "Phys. Rev. B",
 646   volume =       "73",
 647   number =       "12",
 648   pages =        "125206",
 649   numpages =     "8",
 650   year =         "2006",
 651   month =        mar,
 652   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 653   publisher =    "American Physical Society",
 654 }
 655
 656 @Article{posselt08,
 657   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 658                  migration mechanisms of vacancies and
 659                  self-interstitials: An atomistic study",
 660   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 661   journal =      "Phys. Rev. B",
 662   volume =       "78",
 663   number =       "3",
 664   pages =        "035208",
 665   numpages =     "9",
 666   year =         "2008",
 667   month =        jul,
 668   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 669   publisher =    "American Physical Society",
 670   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 671                  weber and tersoff",
 672 }
 673
 674 @Article{gao2001,
 675   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 676                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 677   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 678                  Corrales",
 679   journal =      "Phys. Rev. B",
 680   volume =       "64",
 681   number =       "24",
 682   pages =        "245208",
 683   numpages =     "7",
 684   year =         "2001",
 685   month =        dec,
 686   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 687   publisher =    "American Physical Society",
 688   notes =        "defects in 3c-sic",
 689 }
 690
 691 @Article{gao02,
 692   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 693                  3{C}-Si{C}",
 694   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 695   volume =       "191",
 696   number =       "1-4",
 697   pages =        "487--496",
 698   year =         "2002",
 699   note =         "",
 700   ISSN =         "0168-583X",
 701   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 702   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 703   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 704   keywords =     "Empirical potential",
 705   keywords =     "Defect properties",
 706   keywords =     "Silicon carbide",
 707   keywords =     "Computer simulation",
 708   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 709 }
 710
 711 @Article{gao04,
 712   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 713                  3{C}-Si{C}",
 714   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 715                  Belko",
 716   journal =      "Phys. Rev. B",
 717   volume =       "69",
 718   number =       "24",
 719   pages =        "245205",
 720   numpages =     "5",
 721   year =         "2004",
 722   month =        jun,
 723   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 724   publisher =    "American Physical Society",
 725   notes =        "defect migration in sic",
 726 }
 727
 728 @Article{gao07,
 729   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 730                  W. J. Weber",
 731   collaboration = "",
 732   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 733                  in cubic silicon carbide",
 734   publisher =    "AIP",
 735   year =         "2007",
 736   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 737   volume =       "90",
 738   number =       "22",
 739   eid =          "221915",
 740   numpages =     "3",
 741   pages =        "221915",
 742   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 743                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 744                  dynamics method; density functional theory;
 745                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 746                  impurities; diffusion",
 747   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 748   doi =          "10.1063/1.2743751",
 749 }
 750
 751 @Article{mattoni2002,
 752   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 753                  crystalline silicon",
 754   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 755   journal =      "Phys. Rev. B",
 756   volume =       "66",
 757   number =       "19",
 758   pages =        "195214",
 759   numpages =     "6",
 760   year =         "2002",
 761   month =        nov,
 762   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 763   publisher =    "American Physical Society",
 764   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 765                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 766                  tersoff suitability",
 767 }
 768
 769 @Article{leung99,
 770   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 771   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 772                  Itoh and S. Ihara",
 773   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 774   volume =       "83",
 775   number =       "12",
 776   pages =        "2351--2354",
 777   numpages =     "3",
 778   year =         "1999",
 779   month =        sep,
 780   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 781   publisher =    "American Physical Society",
 782   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 783                  refs",
 784 }
 785
 786 @Article{capaz94,
 787   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 788                  carbon in silicon",
 789   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 790   journal =      "Phys. Rev. B",
 791   volume =       "50",
 792   number =       "11",
 793   pages =        "7439--7442",
 794   numpages =     "3",
 795   year =         "1994",
 796   month =        sep,
 797   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 798   publisher =    "American Physical Society",
 799   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 800                  dumbbell",
 801 }
 802
 803 @Article{capaz98,
 804   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 805   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 806   journal =      "Phys. Rev. B",
 807   volume =       "58",
 808   number =       "15",
 809   pages =        "9845--9850",
 810   numpages =     "5",
 811   year =         "1998",
 812   month =        oct,
 813   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 814   publisher =    "American Physical Society",
 815   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 816 }
 817
 818 @Article{song90_2,
 819   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 820                  pair in silicon",
 821   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 822                  Watkins",
 823   journal =      "Phys. Rev. B",
 824   volume =       "42",
 825   number =       "9",
 826   pages =        "5765--5783",
 827   numpages =     "18",
 828   year =         "1990",
 829   month =        sep,
 830   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 831   publisher =    "American Physical Society",
 832   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 833 }
 834
 835 @Article{liu02,
 836   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 837                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 838   collaboration = "",
 839   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 840                  interactions in Si",
 841   publisher =    "AIP",
 842   year =         "2002",
 843   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 844   volume =       "80",
 845   number =       "1",
 846   pages =        "52--54",
 847   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 848                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 849                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 850   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 851   doi =          "10.1063/1.1430505",
 852   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 853 }
 854
 855 @Article{dal_pino93,
 856   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 857                  silicon",
 858   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 859                  Joannopoulos",
 860   journal =      "Phys. Rev. B",
 861   volume =       "47",
 862   number =       "19",
 863   pages =        "12554--12557",
 864   numpages =     "3",
 865   year =         "1993",
 866   month =        may,
 867   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 868   publisher =    "American Physical Society",
 869   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 870 }
 871
 872 @Article{car84,
 873   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 874                  Silicon",
 875   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 876                  Sokrates T. Pantelides",
 877   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 878   volume =       "52",
 879   number =       "20",
 880   pages =        "1814--1817",
 881   numpages =     "3",
 882   year =         "1984",
 883   month =        may,
 884   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 885   publisher =    "American Physical Society",
 886   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 887                  path formation",
 888 }
 889
 890 @Article{car85,
 891   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 892                  Density-Functional Theory",
 893   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 894   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 895   volume =       "55",
 896   number =       "22",
 897   pages =        "2471--2474",
 898   numpages =     "3",
 899   year =         "1985",
 900   month =        nov,
 901   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 902   publisher =    "American Physical Society",
 903   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 904 }
 905
 906 @Article{kelires97,
 907   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 908                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 909   author =       "P. C. Kelires",
 910   journal =      "Phys. Rev. B",
 911   volume =       "55",
 912   number =       "14",
 913   pages =        "8784--8787",
 914   numpages =     "3",
 915   year =         "1997",
 916   month =        apr,
 917   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 918   publisher =    "American Physical Society",
 919   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 920                  neighbour dist",
 921 }
 922
 923 @Article{kelires95,
 924   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 925                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 926   author =       "P. C. Kelires",
 927   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 928   volume =       "75",
 929   number =       "6",
 930   pages =        "1114--1117",
 931   numpages =     "3",
 932   year =         "1995",
 933   month =        aug,
 934   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 935   publisher =    "American Physical Society",
 936   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 937 }
 938
 939 @Article{bean70,
 940   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 941                  containing carbon",
 942   journal =      "Solid State Communications",
 943   volume =       "8",
 944   number =       "3",
 945   pages =        "175--177",
 946   year =         "1970",
 947   note =         "",
 948   ISSN =         "0038-1098",
 949   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 950   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 951   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 952 }
 953
 954 @Article{durand99,
 955   author =       "F. Durand and J. Duby",
 956   affiliation =  "EPM-Madylam, CNRS and INP Grenoble, France",
 957   title =        "Carbon solubility in solid and liquid silicon—{A}
 958                  review with reference to eutectic equilibrium",
 959   journal =      "Journal of Phase Equilibria",
 960   publisher =    "Springer New York",
 961   ISSN =         "1054-9714",
 962   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
 963   pages =        "61--63",
 964   volume =       "20",
 965   issue =        "1",
 966   URL =          "http://dx.doi.org/10.1361/105497199770335956",
 967   note =         "10.1361/105497199770335956",
 968   year =         "1999",
 969   notes =        "better c solubility limit in silicon",
 970 }
 971
 972 @Article{watkins76,
 973   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 974                  Atom in Silicon",
 975   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 976   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 977   volume =       "36",
 978   number =       "22",
 979   pages =        "1329--1332",
 980   numpages =     "3",
 981   year =         "1976",
 982   month =        may,
 983   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 984   publisher =    "American Physical Society",
 985   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 986                  silicon",
 987 }
 988
 989 @Article{song90,
 990   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 991                  interstitial carbon in silicon",
 992   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 993   journal =      "Phys. Rev. B",
 994   volume =       "42",
 995   number =       "9",
 996   pages =        "5759--5764",
 997   numpages =     "5",
 998   year =         "1990",
 999   month =        sep,
1000   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
1001   publisher =    "American Physical Society",
1002   notes =        "carbon diffusion in silicon",
1003 }
1004
1005 @Article{tipping87,
1006   author =       "A K Tipping and R C Newman",
1007   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
1008                  silicon",
1009   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
1010   volume =       "2",
1011   number =       "5",
1012   pages =        "315--317",
1013   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
1014   year =         "1987",
1015   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
1016                  silicon",
1017 }
1018
1019 @Article{isomae93,
1020   author =       "Seiichi Isomae and Tsutomu Ishiba and Toshio Ando and
1021                  Masao Tamura",
1022   collaboration = "",
1023   title =        "Annealing behavior of Me{V} implanted carbon in
1024                  silicon",
1025   publisher =    "AIP",
1026   year =         "1993",
1027   journal =      "Journal of Applied Physics",
1028   volume =       "74",
1029   number =       "6",
1030   pages =        "3815--3820",
1031   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; WAFERS; CARBON IONS; MEV
1032                  RANGE 0110; TEM; SIMS; INFRARED SPECTRA; STRAINS; DEPTH
1033                  PROFILES",
1034   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/3815/1",
1035   doi =          "10.1063/1.354474",
1036   notes =        "c at interstitial location for rt implantation in si",
1037 }
1038
1039 @Article{strane96,
1040   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
1041                  ion implantation and solid phase epitaxy",
1042   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
1043                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1044   journal =      "J. Appl. Phys.",
1045   volume =       "79",
1046   pages =        "637",
1047   year =         "1996",
1048   month =        jan,
1049   doi =          "10.1063/1.360806",
1050   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
1051 }
1052
1053 @Article{laveant2002,
1054   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1055   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1056   volume =       "89",
1057   number =       "1-3",
1058   pages =        "241--245",
1059   year =         "2002",
1060   ISSN =         "0921-5107",
1061   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1062   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1063   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1064                  G{\"{o}}sele",
1065   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1066                  stress, avoid sic precipitation",
1067 }
1068
1069 @Article{foell77,
1070   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1071                  agglomeration of self-interstitials",
1072   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1073   volume =       "40",
1074   number =       "1",
1075   pages =        "90--108",
1076   year =         "1977",
1077   note =         "",
1078   ISSN =         "0022-0248",
1079   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1080   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1081   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1082   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1083                  agglomerate",
1084 }
1085
1086 @Article{foell81,
1087   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1088                  defects",
1089   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1090   volume =       "52",
1091   number =       "Part 2",
1092   pages =        "907--916",
1093   year =         "1981",
1094   note =         "",
1095   ISSN =         "0022-0248",
1096   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1097   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1098   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1099   notes =        "swirl review",
1100 }
1101
1102 @Article{werner97,
1103   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1104                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1105   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1106                  silicon by transmission electron microscopy",
1107   publisher =    "AIP",
1108   year =         "1997",
1109   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1110   volume =       "70",
1111   number =       "2",
1112   pages =        "252--254",
1113   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1114                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1115                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1116                  layers; precipitation",
1117   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1118   doi =          "10.1063/1.118381",
1119   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1120                  precipitate",
1121 }
1122
1123 @InProceedings{werner96,
1124   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1125                  Eichler",
1126   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
1127                  International Conference on",
1128   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1129                  implanted silicon",
1130   year =         "1996",
1131   month =        jun,
1132   volume =       "",
1133   number =       "",
1134   pages =        "675--678",
1135   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1136   ISSN =         "",
1137   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1138 }
1139
1140 @Article{werner98,
1141   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1142                  D. C. Jacobson",
1143   collaboration = "",
1144   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1145   publisher =    "AIP",
1146   year =         "1998",
1147   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1148   volume =       "73",
1149   number =       "17",
1150   pages =        "2465--2467",
1151   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1152                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1153                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1154                  impurity distribution",
1155   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1156   doi =          "10.1063/1.122483",
1157   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1158 }
1159
1160 @Article{kalejs84,
1161   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1162   collaboration = "",
1163   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1164                  silicon",
1165   publisher =    "AIP",
1166   year =         "1984",
1167   journal =      "Applied Physics Letters",
1168   volume =       "45",
1169   number =       "3",
1170   pages =        "268--269",
1171   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1172                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1173                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1174   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1175   doi =          "10.1063/1.95167",
1176   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1177 }
1178
1179 @Article{fukami90,
1180   author =       "Akira Fukami and Ken-ichi Shoji and Takahiro Nagano
1181                  and Cary Y. Yang",
1182   collaboration = "",
1183   title =        "Characterization of SiGe/Si heterostructures formed by
1184                  Ge[sup + ] and {C}[sup + ] implantation",
1185   publisher =    "AIP",
1186   year =         "1990",
1187   journal =      "Applied Physics Letters",
1188   volume =       "57",
1189   number =       "22",
1190   pages =        "2345--2347",
1191   keywords =     "HETEROJUNCTIONS; ION IMPLANTATION; HETEROSTRUCTURES;
1192                  FABRICATION; PN JUNCTIONS; LEAKAGE CURRENT; GERMANIUM
1193                  SILICIDES; SILICON; ELECTRICAL PROPERTIES; SOLIDPHASE
1194                  EPITAXY; CARBON IONS; GERMANIUM IONS",
1195   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/57/2345/1",
1196   doi =          "10.1063/1.103888",
1197 }
1198
1199 @Article{strane93,
1200   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and B. L.
1201                  Doyle and S. T. Picraux and J. W. Mayer",
1202   collaboration = "",
1203   title =        "Metastable SiGe{C} formation by solid phase epitaxy",
1204   publisher =    "AIP",
1205   year =         "1993",
1206   journal =      "Applied Physics Letters",
1207   volume =       "63",
1208   number =       "20",
1209   pages =        "2786--2788",
1210   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; TERNARY ALLOY
1211                  SYSTEMS; EPITAXY; ION IMPLANTATION; METASTABLE STATES;
1212                  ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; RUTHERFORD
1213                  SCATTERING; XRAY DIFFRACTION; STRAINS; SOLIDPHASE
1214                  EPITAXY; AMORPHIZATION",
1215   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/63/2786/1",
1216   doi =          "10.1063/1.110334",
1217 }
1218
1219 @Article{goorsky92,
1220   author =       "M. S. Goorsky and S. S. Iyer and K. Eberl and F.
1221                  Legoues and J. Angilello and F. Cardone",
1222   collaboration = "",
1223   title =        "Thermal stability of Si[sub 1 - x]{C}[sub x]/Si
1224                  strained layer superlattices",
1225   publisher =    "AIP",
1226   year =         "1992",
1227   journal =      "Applied Physics Letters",
1228   volume =       "60",
1229   number =       "22",
1230   pages =        "2758--2760",
1231   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
1232                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; SUPERLATTICES; ANNEALING;
1233                  CHEMICAL COMPOSITION; INTERNAL STRAINS; STRESS
1234                  RELAXATION; THERMAL INSTABILITIES; INTERFACE STRUCTURE;
1235                  DIFFUSION; PRECIPITATION; TEMPERATURE EFFECTS",
1236   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/2758/1",
1237   doi =          "10.1063/1.106868",
1238 }
1239
1240 @Article{strane94,
1241   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1242                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1243   collaboration = "",
1244   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1245                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1246   publisher =    "AIP",
1247   year =         "1994",
1248   journal =      "J. Appl. Phys.",
1249   volume =       "76",
1250   number =       "6",
1251   pages =        "3656--3668",
1252   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1253   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1254   doi =          "10.1063/1.357429",
1255   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1256                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1257                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1258                  energy",
1259 }
1260
1261 @Article{fischer95,
1262   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1263                  Osten",
1264   collaboration = "",
1265   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1266                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1267   publisher =    "AIP",
1268   year =         "1995",
1269   journal =      "J. Appl. Phys.",
1270   volume =       "77",
1271   number =       "5",
1272   pages =        "1934--1937",
1273   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1274                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1275                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1276                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1277   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1278   doi =          "10.1063/1.358826",
1279 }
1280
1281 @Article{edgar92,
1282   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1283                  semiconductors",
1284   author =       "J. H. Edgar",
1285   journal =      "J. Mater. Res.",
1286   volume =       "7",
1287   pages =        "235",
1288   year =         "1992",
1289   month =        jan,
1290   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1291   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1292                  polytypes",
1293 }
1294
1295 @Article{zirkelbach2007,
1296   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1297                  process leading to ordered precipitate structures",
1298   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1299                  and B. Stritzker",
1300   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1301   volume =       "257",
1302   number =       "1--2",
1303   pages =        "75--79",
1304   numpages =     "5",
1305   year =         "2007",
1306   month =        apr,
1307   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1308   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1309                  NETHERLANDS",
1310 }
1311
1312 @Article{zirkelbach2006,
1313   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1314                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1315                  during ion irradiation",
1316   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1317                  and B. Stritzker",
1318   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1319   volume =       "242",
1320   number =       "1--2",
1321   pages =        "679--682",
1322   numpages =     "4",
1323   year =         "2006",
1324   month =        jan,
1325   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1326   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1327                  NETHERLANDS",
1328 }
1329
1330 @Article{zirkelbach2005,
1331   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1332                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1333                  ion irradiation",
1334   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1335                  and B. Stritzker",
1336   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1337   volume =       "33",
1338   number =       "1--3",
1339   pages =        "310--316",
1340   numpages =     "7",
1341   year =         "2005",
1342   month =        apr,
1343   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1344   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1345                  NETHERLANDS",
1346 }
1347
1348 @Article{zirkelbach09,
1349   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1350                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1351   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1352   volume =       "159-160",
1353   number =       "",
1354   pages =        "149--152",
1355   year =         "2009",
1356   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1357                  Silicon Materials Research for Electronic and
1358                  Photovoltaic Applications",
1359   ISSN =         "0921-5107",
1360   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1361   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1362   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1363                  B. Stritzker",
1364   keywords =     "Silicon",
1365   keywords =     "Carbon",
1366   keywords =     "Silicon carbide",
1367   keywords =     "Nucleation",
1368   keywords =     "Defect formation",
1369   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1370 }
1371
1372 @Article{zirkelbach10,
1373   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1374                  classical potentials and first-principles methods",
1375   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1376                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1377   journal =      "Phys. Rev. B",
1378   volume =       "82",
1379   number =       "9",
1380   pages =        "094110",
1381   numpages =     "6",
1382   year =         "2010",
1383   month =        sep,
1384   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1385   publisher =    "American Physical Society",
1386 }
1387
1388 @Article{zirkelbach11a,
1389   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1390                  silicon",
1391   journal =      "to be published",
1392   volume =       "",
1393   number =       "",
1394   pages =        "",
1395   year =         "2011",
1396   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and J. K. N. Lindner
1397                  and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1398 }
1399
1400 @Article{zirkelbach11b,
1401   title =        "...",
1402   journal =      "to be published",
1403   volume =       "",
1404   number =       "",
1405   pages =        "",
1406   year =         "2011",
1407   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1408                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1409 }
1410
1411 @Article{lindner95,
1412   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1413                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1414   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1415                  Layers in Silicon",
1416   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
1417   volume =       "354",
1418   number =       "",
1419   pages =        "171",
1420   year =         "1994",
1421   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1422   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1423   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400420853",
1424   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1425 }
1426
1427 @Article{lindner96,
1428   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1429                  in silicon by ion beam synthesis",
1430   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
1431   volume =       "46",
1432   number =       "2-3",
1433   pages =        "147--155",
1434   year =         "1996",
1435   note =         "",
1436   ISSN =         "0254-0584",
1437   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1438   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1439   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1440                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1441                  Stritzker",
1442   notes =        "dose window",
1443 }
1444
1445 @Article{calcagno96,
1446   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1447                  ion implantation",
1448   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1449                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1450   volume =       "120",
1451   number =       "1-4",
1452   pages =        "121--124",
1453   year =         "1996",
1454   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1455                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1456   ISSN =         "0168-583X",
1457   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1458   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1459   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1460                  Grimaldi and P. Musumeci",
1461   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1462 }
1463
1464 @Article{lindner98,
1465   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1466                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1467   journal =      "Materials Science Forum",
1468   volume =       "264-268",
1469   pages =        "215--218",
1470   year =         "1998",
1471   note =         "",
1472   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1473   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1474   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1475   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1476                  crystallinity",
1477 }
1478
1479 @Article{lindner99,
1480   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1481                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1482                  layers in silicon",
1483   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1484   volume =       "147",
1485   number =       "1-4",
1486   pages =        "249--255",
1487   year =         "1999",
1488   note =         "",
1489   ISSN =         "0168-583X",
1490   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1491   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1492   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1493   notes =        "two-step implantation process",
1494 }
1495
1496 @Article{lindner99_2,
1497   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1498                  in silicon",
1499   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1500   volume =       "148",
1501   number =       "1-4",
1502   pages =        "528--533",
1503   year =         "1999",
1504   ISSN =         "0168-583X",
1505   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1506   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1507   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1508   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1509 }
1510
1511 @Article{lindner01,
1512   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1513                  Basic physical processes",
1514   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1515   volume =       "178",
1516   number =       "1-4",
1517   pages =        "44--54",
1518   year =         "2001",
1519   note =         "",
1520   ISSN =         "0168-583X",
1521   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1522   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1523   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1524 }
1525
1526 @Article{lindner02,
1527   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1528                  fundamental studies for new technological tricks",
1529   author =       "J. K. N. Lindner",
1530   journal =      "Appl. Phys. A",
1531   volume =       "77",
1532   pages =        "27--38",
1533   year =         "2003",
1534   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1535   notes =        "ibs, burried sic layers",
1536 }
1537
1538 @Article{lindner06,
1539   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1540                  formation and displacive precipitate resolution in the
1541                  {C}-Si system",
1542   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1543   volume =       "26",
1544   number =       "5-7",
1545   pages =        "857--861",
1546   year =         "2006",
1547   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1548                  Applications",
1549   ISSN =         "0928-4931",
1550   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1551   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1552   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1553                  and B. Stritzker",
1554   notes =        "c int diffusion barrier",
1555 }
1556
1557 @Article{ito04,
1558   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1559                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1560                  growth",
1561   journal =      "Applied Surface Science",
1562   volume =       "238",
1563   number =       "1-4",
1564   pages =        "159--164",
1565   year =         "2004",
1566   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1567   ISSN =         "0169-4332",
1568   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1569   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1570   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1571                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1572   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1573 }
1574
1575 @Article{yamamoto04,
1576   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1577                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1578                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1579   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1580   volume =       "261",
1581   number =       "2-3",
1582   pages =        "266--270",
1583   year =         "2004",
1584   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1585                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1586   ISSN =         "0022-0248",
1587   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1588   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1589   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1590                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1591   notes =        "gan on 3c-sic",
1592 }
1593
1594 @Article{liu_l02,
1595   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1596   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1597   volume =       "37",
1598   number =       "3",
1599   pages =        "61--127",
1600   year =         "2002",
1601   note =         "",
1602   ISSN =         "0927-796X",
1603   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1604   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1605   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1606   notes =        "gan substrates",
1607 }
1608
1609 @Article{takeuchi91,
1610   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1611                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1612   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1613   volume =       "115",
1614   number =       "1-4",
1615   pages =        "634--638",
1616   year =         "1991",
1617   note =         "",
1618   ISSN =         "0022-0248",
1619   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1620   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1621   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1622                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1623   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1624 }
1625
1626 @Article{alder57,
1627   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1628   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1629   publisher =    "AIP",
1630   year =         "1957",
1631   journal =      "J. Chem. Phys.",
1632   volume =       "27",
1633   number =       "5",
1634   pages =        "1208--1209",
1635   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1636   doi =          "10.1063/1.1743957",
1637 }
1638
1639 @Article{alder59,
1640   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1641   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1642   publisher =    "AIP",
1643   year =         "1959",
1644   journal =      "J. Chem. Phys.",
1645   volume =       "31",
1646   number =       "2",
1647   pages =        "459--466",
1648   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1649   doi =          "10.1063/1.1730376",
1650 }
1651
1652 @Article{horsfield96,
1653   title =        "Bond-order potentials: Theory and implementation",
1654   author =       "A. P. Horsfield and A. M. Bratkovsky and M. Fearn and
1655                  D. G. Pettifor and M. Aoki",
1656   journal =      "Phys. Rev. B",
1657   volume =       "53",
1658   number =       "19",
1659   pages =        "12694--12712",
1660   numpages =     "18",
1661   year =         "1996",
1662   month =        may,
1663   doi =          "10.1103/PhysRevB.53.12694",
1664   publisher =    "American Physical Society",
1665 }
1666
1667 @Article{abell85,
1668   title =        "Empirical chemical pseudopotential theory of molecular
1669                  and metallic bonding",
1670   author =       "G. C. Abell",
1671   journal =      "Phys. Rev. B",
1672   volume =       "31",
1673   number =       "10",
1674   pages =        "6184--6196",
1675   numpages =     "12",
1676   year =         "1985",
1677   month =        may,
1678   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.6184",
1679   publisher =    "American Physical Society",
1680 }
1681
1682 @Article{tersoff_si1,
1683   title =        "New empirical model for the structural properties of
1684                  silicon",
1685   author =       "J. Tersoff",
1686   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1687   volume =       "56",
1688   number =       "6",
1689   pages =        "632--635",
1690   numpages =     "3",
1691   year =         "1986",
1692   month =        feb,
1693   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1694   publisher =    "American Physical Society",
1695 }
1696
1697 @Article{dodson87,
1698   title =        "Development of a many-body Tersoff-type potential for
1699                  silicon",
1700   author =       "Brian W. Dodson",
1701   journal =      "Phys. Rev. B",
1702   volume =       "35",
1703   number =       "6",
1704   pages =        "2795--2798",
1705   numpages =     "3",
1706   year =         "1987",
1707   month =        feb,
1708   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.2795",
1709   publisher =    "American Physical Society",
1710 }
1711
1712 @Article{tersoff_si2,
1713   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1714                  covalent systems",
1715   author =       "J. Tersoff",
1716   journal =      "Phys. Rev. B",
1717   volume =       "37",
1718   number =       "12",
1719   pages =        "6991--7000",
1720   numpages =     "9",
1721   year =         "1988",
1722   month =        apr,
1723   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1724   publisher =    "American Physical Society",
1725 }
1726
1727 @Article{tersoff_si3,
1728   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1729                  improved elastic properties",
1730   author =       "J. Tersoff",
1731   journal =      "Phys. Rev. B",
1732   volume =       "38",
1733   number =       "14",
1734   pages =        "9902--9905",
1735   numpages =     "3",
1736   year =         "1988",
1737   month =        nov,
1738   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1739   publisher =    "American Physical Society",
1740 }
1741
1742 @Article{tersoff_c,
1743   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1744                  Applications to Amorphous Carbon",
1745   author =       "J. Tersoff",
1746   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1747   volume =       "61",
1748   number =       "25",
1749   pages =        "2879--2882",
1750   numpages =     "3",
1751   year =         "1988",
1752   month =        dec,
1753   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1754   publisher =    "American Physical Society",
1755 }
1756
1757 @Article{tersoff_m,
1758   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1759                  for multicomponent systems",
1760   author =       "J. Tersoff",
1761   journal =      "Phys. Rev. B",
1762   volume =       "39",
1763   number =       "8",
1764   pages =        "5566--5568",
1765   numpages =     "2",
1766   year =         "1989",
1767   month =        mar,
1768   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1769   publisher =    "American Physical Society",
1770 }
1771
1772 @Article{tersoff90,
1773   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1774   author =       "J. Tersoff",
1775   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1776   volume =       "64",
1777   number =       "15",
1778   pages =        "1757--1760",
1779   numpages =     "3",
1780   year =         "1990",
1781   month =        apr,
1782   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1783   publisher =    "American Physical Society",
1784 }
1785
1786 @Article{fahey89,
1787   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1788   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1789   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1790   volume =       "61",
1791   number =       "2",
1792   pages =        "289--384",
1793   numpages =     "95",
1794   year =         "1989",
1795   month =        apr,
1796   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1797   publisher =    "American Physical Society",
1798 }
1799
1800 @Article{wesch96,
1801   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1802   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1803   volume =       "116",
1804   number =       "1-4",
1805   pages =        "305--321",
1806   year =         "1996",
1807   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1808   ISSN =         "0168-583X",
1809   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1810   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1811   author =       "W. Wesch",
1812 }
1813
1814 @Article{davis91,
1815   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
1816                  Palmour and J. A. Edmond",
1817   journal =      "Proceedings of the IEEE",
1818   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
1819                  optoelectronic device fabrication and characterization
1820                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
1821   year =         "1991",
1822   month =        may,
1823   volume =       "79",
1824   number =       "5",
1825   pages =        "677--701",
1826   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
1827                  diode;SiC;dry etching;electrical
1828                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
1829                  device fabrication;solid-state devices;surface
1830                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
1831                  transistors;Schottky-barrier
1832                  diodes;etching;heterojunction bipolar
1833                  transistors;insulated gate field effect
1834                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
1835                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
1836   doi =          "10.1109/5.90132",
1837   ISSN =         "0018-9219",
1838   notes =        "sic growth methods",
1839 }
1840
1841 @Article{morkoc94,
1842   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1843                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1844   collaboration = "",
1845   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1846                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1847   publisher =    "AIP",
1848   year =         "1994",
1849   journal =      "J. Appl. Phys.",
1850   volume =       "76",
1851   number =       "3",
1852   pages =        "1363--1398",
1853   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1854                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1855                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1856                  FILMS; INDUSTRY",
1857   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1858   doi =          "10.1063/1.358463",
1859   notes =        "sic intro, properties",
1860 }
1861
1862 @Article{foo,
1863   author =       "Noch Unbekannt",
1864   title =        "How to find references",
1865   journal =      "Journal of Applied References",
1866   year =         "2009",
1867   volume =       "77",
1868   pages =        "1--23",
1869 }
1870
1871 @Article{tang95,
1872   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1873                  \beta{}-Si{C}",
1874   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1875   journal =      "Phys. Rev. B",
1876   volume =       "52",
1877   number =       "21",
1878   pages =        "15150--15159",
1879   numpages =     "9",
1880   year =         "1995",
1881   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1882   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1883                  tersoff reparametrization",
1884   publisher =    "American Physical Society",
1885 }
1886
1887 @Article{sarro00,
1888   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1889   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1890   volume =       "82",
1891   number =       "1-3",
1892   pages =        "210--218",
1893   year =         "2000",
1894   ISSN =         "0924-4247",
1895   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1896   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1897   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1898   keywords =     "MEMS",
1899   keywords =     "Silicon carbide",
1900   keywords =     "Micromachining",
1901   keywords =     "Mechanical stress",
1902 }
1903
1904 @Article{casady96,
1905   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1906                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1907                  review",
1908   journal =      "Solid-State Electronics",
1909   volume =       "39",
1910   number =       "10",
1911   pages =        "1409--1422",
1912   year =         "1996",
1913   ISSN =         "0038-1101",
1914   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1915   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1916   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1917   notes =        "sic intro",
1918 }
1919
1920 @Article{giancarli98,
1921   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1922                  structural material in fusion power reactor blankets",
1923   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1924   volume =       "41",
1925   number =       "1-4",
1926   pages =        "165--171",
1927   year =         "1998",
1928   ISSN =         "0920-3796",
1929   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1930   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1931   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1932                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1933 }
1934
1935 @Article{pensl93,
1936   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1937   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1938   volume =       "185",
1939   number =       "1-4",
1940   pages =        "264--283",
1941   year =         "1993",
1942   ISSN =         "0921-4526",
1943   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1944   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1945   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1946 }
1947
1948 @Article{tairov78,
1949   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1950                  carbide single crystals",
1951   journal =      "J. Cryst. Growth",
1952   volume =       "43",
1953   number =       "2",
1954   pages =        "209--212",
1955   year =         "1978",
1956   notes =        "modified lely process",
1957   ISSN =         "0022-0248",
1958   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1959   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1960   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1961 }
1962
1963 @Article{tairov81,
1964   title =        "General principles of growing large-size single
1965                  crystals of various silicon carbide polytypes",
1966   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1967   volume =       "52",
1968   number =       "Part 1",
1969   pages =        "146--150",
1970   year =         "1981",
1971   note =         "",
1972   ISSN =         "0022-0248",
1973   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
1974   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
1975   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1976 }
1977
1978 @Article{barrett91,
1979   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
1980   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1981   volume =       "109",
1982   number =       "1-4",
1983   pages =        "17--23",
1984   year =         "1991",
1985   note =         "",
1986   ISSN =         "0022-0248",
1987   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
1988   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
1989   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
1990                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
1991 }
1992
1993 @Article{barrett93,
1994   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
1995   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1996   volume =       "128",
1997   number =       "1-4",
1998   pages =        "358--362",
1999   year =         "1993",
2000   note =         "",
2001   ISSN =         "0022-0248",
2002   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
2003   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
2004   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
2005                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
2006                  W. J. Choyke",
2007 }
2008
2009 @Article{stein93,
2010   title =        "Control of polytype formation by surface energy
2011                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
2012                  sublimation method",
2013   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2014   volume =       "131",
2015   number =       "1-2",
2016   pages =        "71--74",
2017   year =         "1993",
2018   note =         "",
2019   ISSN =         "0022-0248",
2020   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
2021   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
2022   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
2023   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
2024 }
2025
2026 @Article{nishino83,
2027   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
2028                  Will",
2029   collaboration = "",
2030   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
2031                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
2032   publisher =    "AIP",
2033   year =         "1983",
2034   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2035   volume =       "42",
2036   number =       "5",
2037   pages =        "460--462",
2038   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
2039                  monocrystals",
2040   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
2041   doi =          "10.1063/1.93970",
2042   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
2043 }
2044
2045 @Article{nishino87,
2046   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
2047                  and Hiroyuki Matsunami",
2048   collaboration = "",
2049   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
2050                  Si{C} on silicon",
2051   publisher =    "AIP",
2052   year =         "1987",
2053   journal =      "J. Appl. Phys.",
2054   volume =       "61",
2055   number =       "10",
2056   pages =        "4889--4893",
2057   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
2058   doi =          "10.1063/1.338355",
2059   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
2060                  carbonization",
2061 }
2062
2063 @Article{powell87,
2064   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
2065                  Kuczmarski",
2066   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
2067                  Single-Crystal Films on Si",
2068   publisher =    "ECS",
2069   year =         "1987",
2070   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
2071   volume =       "134",
2072   number =       "6",
2073   pages =        "1558--1565",
2074   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
2075                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
2076   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
2077   doi =          "10.1149/1.2100708",
2078   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
2079 }
2080
2081 @Article{powell87_2,
2082   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
2083                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
2084   collaboration = "",
2085   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
2086                  off-axis Si substrates",
2087   publisher =    "AIP",
2088   year =         "1987",
2089   journal =      "Applied Physics Letters",
2090   volume =       "51",
2091   number =       "11",
2092   pages =        "823--825",
2093   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
2094                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
2095                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
2096                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
2097                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
2098   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
2099   doi =          "10.1063/1.98824",
2100   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
2101 }
2102
2103 @Article{ueda90,
2104   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
2105   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2106   volume =       "104",
2107   number =       "3",
2108   pages =        "695--700",
2109   year =         "1990",
2110   note =         "",
2111   ISSN =         "0022-0248",
2112   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
2113   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
2114   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
2115                  Matsunami",
2116   notes =        "step-controlled epitaxy model",
2117 }
2118
2119 @Article{kimoto93,
2120   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
2121                  and Hiroyuki Matsunami",
2122   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
2123                  epitaxy",
2124   publisher =    "AIP",
2125   year =         "1993",
2126   journal =      "J. Appl. Phys.",
2127   volume =       "73",
2128   number =       "2",
2129   pages =        "726--732",
2130   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
2131                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
2132                  VAPOR DEPOSITION",
2133   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
2134   doi =          "10.1063/1.353329",
2135   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
2136 }
2137
2138 @Article{powell90_2,
2139   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2140                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2141                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2142   collaboration = "",
2143   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
2144                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2145   publisher =    "AIP",
2146   year =         "1990",
2147   journal =      "Applied Physics Letters",
2148   volume =       "56",
2149   number =       "15",
2150   pages =        "1442--1444",
2151   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2152                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
2153                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
2154                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
2155   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
2156   doi =          "10.1063/1.102492",
2157   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
2158 }
2159
2160 @Article{kong88_2,
2161   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2162   collaboration = "",
2163   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2164                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2165                  substrates",
2166   publisher =    "AIP",
2167   year =         "1988",
2168   journal =      "Journal of Applied Physics",
2169   volume =       "64",
2170   number =       "5",
2171   pages =        "2672--2679",
2172   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2173                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2174                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2175                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2176                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2177   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2178   doi =          "10.1063/1.341608",
2179 }
2180
2181 @Article{powell90,
2182   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2183                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2184                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2185   collaboration = "",
2186   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2187                  6{H}-Si{C} substrates",
2188   publisher =    "AIP",
2189   year =         "1990",
2190   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2191   volume =       "56",
2192   number =       "14",
2193   pages =        "1353--1355",
2194   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2195                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2196                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2197                  PHASE EPITAXY",
2198   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2199   doi =          "10.1063/1.102512",
2200   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2201 }
2202
2203 @Article{kong88,
2204   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2205                  Rozgonyi and K. L. More",
2206   collaboration = "",
2207   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2208                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2209                  substrates",
2210   publisher =    "AIP",
2211   year =         "1988",
2212   journal =      "Journal of Applied Physics",
2213   volume =       "63",
2214   number =       "8",
2215   pages =        "2645--2650",
2216   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2217                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2218                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2219                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2220                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2221   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2222   doi =          "10.1063/1.341004",
2223 }
2224
2225 @Article{powell91,
2226   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2227                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2228                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2229   collaboration = "",
2230   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2231                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2232   publisher =    "AIP",
2233   year =         "1991",
2234   journal =      "Applied Physics Letters",
2235   volume =       "59",
2236   number =       "3",
2237   pages =        "333--335",
2238   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2239                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2240                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2241   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2242   doi =          "10.1063/1.105587",
2243 }
2244
2245 @Article{yuan95,
2246   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2247                  Thokala and M. J. Loboda",
2248   collaboration = "",
2249   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2250                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2251                  silacyclobutane",
2252   publisher =    "AIP",
2253   year =         "1995",
2254   journal =      "J. Appl. Phys.",
2255   volume =       "78",
2256   number =       "2",
2257   pages =        "1271--1273",
2258   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2259                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2260                  SPECTROPHOTOMETRY",
2261   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2262   doi =          "10.1063/1.360368",
2263   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2264 }
2265
2266 @Article{kaneda87,
2267   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2268                  properties of its p-n junction",
2269   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2270   volume =       "81",
2271   number =       "1-4",
2272   pages =        "536--542",
2273   year =         "1987",
2274   note =         "",
2275   ISSN =         "0022-0248",
2276   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2277   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2278   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2279                  and Takao Tanaka",
2280   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2281 }
2282
2283 @Article{fissel95,
2284   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2285                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2286                  molecular beam epitaxy",
2287   journal =      "J. Cryst. Growth",
2288   volume =       "154",
2289   number =       "1-2",
2290   pages =        "72--80",
2291   year =         "1995",
2292   ISSN =         "0022-0248",
2293   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2294   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2295   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2296                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2297   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2298 }
2299
2300 @Article{fissel95_apl,
2301   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2302   collaboration = "",
2303   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2304                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2305   publisher =    "AIP",
2306   year =         "1995",
2307   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2308   volume =       "66",
2309   number =       "23",
2310   pages =        "3182--3184",
2311   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2312                  RHEED; NUCLEATION",
2313   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2314   doi =          "10.1063/1.113716",
2315   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2316 }
2317
2318 @Article{fissel96,
2319   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2320                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2321   collaboration = "",
2322   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2323                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2324                  level using surface superstructures",
2325   publisher =    "AIP",
2326   year =         "1996",
2327   journal =      "Applied Physics Letters",
2328   volume =       "68",
2329   number =       "9",
2330   pages =        "1204--1206",
2331   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2332                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2333                  SURFACE STRUCTURE",
2334   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2335   doi =          "10.1063/1.115969",
2336   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2337 }
2338
2339 @Article{righi03,
2340   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2341   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2342                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2343   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2344   volume =       "91",
2345   number =       "13",
2346   pages =        "136101",
2347   numpages =     "4",
2348   year =         "2003",
2349   month =        sep,
2350   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2351   publisher =    "American Physical Society",
2352   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2353 }
2354
2355 @Article{borders71,
2356   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2357   collaboration = "",
2358   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2359                  {IMPLANTATION}",
2360   publisher =    "AIP",
2361   year =         "1971",
2362   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2363   volume =       "18",
2364   number =       "11",
2365   pages =        "509--511",
2366   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2367   doi =          "10.1063/1.1653516",
2368   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2369                  ideas",
2370 }
2371
2372 @Article{edelman76,
2373   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2374                  and E. V. Lubopytova",
2375   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2376                  by ion implantation",
2377   publisher =    "Taylor \& Francis",
2378   year =         "1976",
2379   journal =      "Radiation Effects",
2380   volume =       "29",
2381   number =       "1",
2382   pages =        "13--15",
2383   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2384   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2385                  single crystalline",
2386 }
2387
2388 @Article{akimchenko80,
2389   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2390                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2391   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2392                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2393   publisher =    "Taylor \& Francis",
2394   year =         "1980",
2395   journal =      "Radiation Effects",
2396   volume =       "48",
2397   number =       "1",
2398   pages =        "7",
2399   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2400   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2401 }
2402
2403 @Article{kimura81,
2404   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2405                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2406                  silicon",
2407   journal =      "Thin Solid Films",
2408   volume =       "81",
2409   number =       "4",
2410   pages =        "319--327",
2411   year =         "1981",
2412   note =         "",
2413   ISSN =         "0040-6090",
2414   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2415   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2416   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2417                  Yugo",
2418 }
2419
2420 @Article{kimura82,
2421   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2422                  the implantation of carbon ions into silicon",
2423   journal =      "Thin Solid Films",
2424   volume =       "94",
2425   number =       "3",
2426   pages =        "191--198",
2427   year =         "1982",
2428   note =         "",
2429   ISSN =         "0040-6090",
2430   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2431   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2432   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2433                  Yugo",
2434 }
2435
2436 @Article{reeson86,
2437   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2438                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2439                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2440   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2441                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2442   publisher =    "Taylor \& Francis",
2443   year =         "1986",
2444   journal =      "Radiation Effects",
2445   volume =       "99",
2446   number =       "1",
2447   pages =        "71--81",
2448   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2449   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or time,
2450                  no c redistribution",
2451 }
2452
2453 @Article{reeson87,
2454   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2455                  J. Davis and G. E. Celler",
2456   collaboration = "",
2457   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2458                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2459   publisher =    "AIP",
2460   year =         "1987",
2461   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2462   volume =       "51",
2463   number =       "26",
2464   pages =        "2242--2244",
2465   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2466                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2467   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2468   doi =          "10.1063/1.98953",
2469   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2470 }
2471
2472 @Article{martin90,
2473   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2474                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2475   collaboration = "",
2476   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2477   publisher =    "AIP",
2478   year =         "1990",
2479   journal =      "Journal of Applied Physics",
2480   volume =       "67",
2481   number =       "6",
2482   pages =        "2908--2912",
2483   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2484                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2485                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2486                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2487                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2488                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2489   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2490   doi =          "10.1063/1.346092",
2491   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2492                  temepratures",
2493 }
2494
2495 @Article{scace59,
2496   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2497   collaboration = "",
2498   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2499   publisher =    "AIP",
2500   year =         "1959",
2501   journal =      "J. Chem. Phys.",
2502   volume =       "30",
2503   number =       "6",
2504   pages =        "1551--1555",
2505   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2506   doi =          "10.1063/1.1730236",
2507   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2508 }
2509
2510 @Article{hofker74,
2511   author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
2512                  Koeman",
2513   affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
2514                  Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
2515                  Netherlands",
2516   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
2517                  charge carrier and boron concentration profiles",
2518   journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
2519   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
2520   ISSN =         "0947-8396",
2521   keyword =      "Physics and Astronomy",
2522   pages =        "125--133",
2523   volume =       "4",
2524   issue =        "2",
2525   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
2526   note =         "10.1007/BF00884267",
2527   year =         "1974",
2528   notes =        "first time ted (only for boron?)",
2529 }
2530
2531 @Article{michel87,
2532   author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
2533                  H. Kastl",
2534   collaboration = "",
2535   title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
2536                  implanted boron into silicon",
2537   publisher =    "AIP",
2538   year =         "1987",
2539   journal =      "Applied Physics Letters",
2540   volume =       "50",
2541   number =       "7",
2542   pages =        "416--418",
2543   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
2544                  BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
2545                  HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
2546   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
2547   doi =          "10.1063/1.98160",
2548   notes =        "ted of boron in si",
2549 }
2550
2551 @Article{cowern90,
2552   author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
2553                  Jos",
2554   collaboration = "",
2555   title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
2556                  time, and matrix dependence of atomic and electrical
2557                  profiles",
2558   publisher =    "AIP",
2559   year =         "1990",
2560   journal =      "Journal of Applied Physics",
2561   volume =       "68",
2562   number =       "12",
2563   pages =        "6191--6198",
2564   keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
2565                  DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
2566                  CRYSTALS; AMORPHIZATION",
2567   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
2568   doi =          "10.1063/1.346910",
2569   notes =        "ted of boron in si",
2570 }
2571
2572 @Article{cowern96,
2573   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2574                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2575   collaboration = "",
2576   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2577                  {B} in silicon",
2578   publisher =    "AIP",
2579   year =         "1996",
2580   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2581   volume =       "68",
2582   number =       "8",
2583   pages =        "1150--1152",
2584   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2585                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2586                  SILICON",
2587   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2588   doi =          "10.1063/1.115706",
2589   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2590 }
2591
2592 @Article{stolk95,
2593   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2594                  of the silicon self-interstitial",
2595   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2596   volume =       "96",
2597   number =       "1-2",
2598   pages =        "187--195",
2599   year =         "1995",
2600   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2601                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2602   ISSN =         "0168-583X",
2603   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2604   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2605   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2606                  and J. M. Poate",
2607 }
2608
2609 @Article{stolk97,
2610   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2611                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2612                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2613                  E. Haynes",
2614   collaboration = "",
2615   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2616                  diffusion in ion-implanted silicon",
2617   publisher =    "AIP",
2618   year =         "1997",
2619   journal =      "J. Appl. Phys.",
2620   volume =       "81",
2621   number =       "9",
2622   pages =        "6031--6050",
2623   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2624   doi =          "10.1063/1.364452",
2625   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2626 }
2627
2628 @Article{powell94,
2629   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2630   collaboration = "",
2631   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2632                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2633   publisher =    "AIP",
2634   year =         "1994",
2635   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2636   volume =       "64",
2637   number =       "3",
2638   pages =        "324--326",
2639   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2640                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2641                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2642                  SYNTHESIS",
2643   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2644   doi =          "10.1063/1.111195",
2645   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2646 }
2647
2648 @Article{soref91,
2649   author =       "Richard A. Soref",
2650   collaboration = "",
2651   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2652                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2653   publisher =    "AIP",
2654   year =         "1991",
2655   journal =      "J. Appl. Phys.",
2656   volume =       "70",
2657   number =       "4",
2658   pages =        "2470--2472",
2659   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2660                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2661                  TERNARY ALLOYS",
2662   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2663   doi =          "10.1063/1.349403",
2664   notes =        "band gap of strained si by c",
2665 }
2666
2667 @Article{kasper91,
2668   author =       "E Kasper",
2669   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2670                  possibility to produce direct band gap material",
2671   journal =      "Physica Scripta",
2672   volume =       "T35",
2673   pages =        "232--236",
2674   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2675   year =         "1991",
2676   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2677                  quasi-direct one",
2678 }
2679
2680 @Article{eberl92,
2681   author =       "K. Eberl and S. S. Iyer and S. Zollner and J. C. Tsang
2682                  and F. K. LeGoues",
2683   collaboration = "",
2684   title =        "Growth and strain compensation effects in the ternary
2685                  Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloy system",
2686   publisher =    "AIP",
2687   year =         "1992",
2688   journal =      "Applied Physics Letters",
2689   volume =       "60",
2690   number =       "24",
2691   pages =        "3033--3035",
2692   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; CARBON ALLOYS;
2693                  TERNARY ALLOYS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; MOLECULAR BEAM
2694                  EPITAXY; INTERNAL STRAINS; TEMPERATURE EFFECTS; CRYSTAL
2695                  STRUCTURE; LATTICE PARAMETERS; XRAY DIFFRACTION; PHASE
2696                  STUDIES",
2697   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/3033/1",
2698   doi =          "10.1063/1.106774",
2699 }
2700
2701 @Article{powell93,
2702   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and F. E. LeGoues and B. A.
2703                  Ek and S. S. Iyer",
2704   collaboration = "",
2705   title =        "Stability of strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random
2706                  alloy layers",
2707   publisher =    "AVS",
2708   year =         "1993",
2709   journal =      "J. Vac. Sci. Technol. B",
2710   volume =       "11",
2711   number =       "3",
2712   pages =        "1064--1068",
2713   location =     "Ottawa (Canada)",
2714   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; STRAINS; THICKNESS;
2715                  METASTABLE PHASES; TWINNING; DISLOCATIONS; MOLECULAR
2716                  BEAM EPITAXY; EPITAXIAL LAYERS; CRITICAL PHENOMENA;
2717                  TEMPERATURE RANGE 400--1000 K; BINARY ALLOYS",
2718   URL =          "http://link.aip.org/link/?JVB/11/1064/1",
2719   doi =          "10.1116/1.587008",
2720   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2721 }
2722
2723 @Article{powell93_2,
2724   title =        "Si[sub 1-x-y]Ge[sub x]{C}[sub y] growth and properties
2725                  of the ternary system",
2726   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2727   volume =       "127",
2728   number =       "1-4",
2729   pages =        "425--429",
2730   year =         "1993",
2731   note =         "",
2732   ISSN =         "0022-0248",
2733   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90653-E",
2734   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46J3RF2-8H/2/27fc231f28e4dc0a3b4770e5cf03257e",
2735   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and B. A. Ek and S. S.
2736                  Iyer",
2737 }
2738
2739 @Article{osten94,
2740   author =       "H. J. Osten",
2741   title =        "Modification of Growth Modes in Lattice-Mismatched
2742                  Epitaxial Systems: Si/Ge",
2743   journal =      "physica status solidi (a)",
2744   volume =       "145",
2745   number =       "2",
2746   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2747   ISSN =         "1521-396X",
2748   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211450203",
2749   doi =          "10.1002/pssa.2211450203",
2750   pages =        "235--245",
2751   year =         "1994",
2752 }
2753
2754 @Article{dietrich94,
2755   title =        "Lattice distortion in a strain-compensated
2756                  $Si_{1-x-y}$$Ge_{x}$${C}_{y}$ layer on silicon",
2757   author =       "B. Dietrich and H. J. Osten and H. R{\"u}cker and M.
2758                  Methfessel and P. Zaumseil",
2759   journal =      "Phys. Rev. B",
2760   volume =       "49",
2761   number =       "24",
2762   pages =        "17185--17190",
2763   numpages =     "5",
2764   year =         "1994",
2765   month =        jun,
2766   doi =          "10.1103/PhysRevB.49.17185",
2767   publisher =    "American Physical Society",
2768 }
2769
2770 @Article{osten94_2,
2771   author =       "H. J. Osten and E. Bugiel and P. Zaumseil",
2772   collaboration = "",
2773   title =        "Growth of an inverse tetragonal distorted SiGe layer
2774                  on Si(001) by adding small amounts of carbon",
2775   publisher =    "AIP",
2776   year =         "1994",
2777   journal =      "Applied Physics Letters",
2778   volume =       "64",
2779   number =       "25",
2780   pages =        "3440--3442",
2781   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; FILM GROWTH; CARBON
2782                  ALLOYS; TERNARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TEM;
2783                  XRD; LATTICE PARAMETERS; EPITAXIAL LAYERS; TETRAGONAL
2784                  LATTICES",
2785   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/3440/1",
2786   doi =          "10.1063/1.111235",
2787   notes =        "inversely strained / distorted heterostructure",
2788 }
2789
2790 @Article{iyer92,
2791   author =       "S. S. Iyer and K. Eberl and M. S. Goorsky and F. K.
2792                  LeGoues and J. C. Tsang and F. Cardone",
2793   collaboration = "",
2794   title =        "Synthesis of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys by
2795                  molecular beam epitaxy",
2796   publisher =    "AIP",
2797   year =         "1992",
2798   journal =      "Applied Physics Letters",
2799   volume =       "60",
2800   number =       "3",
2801   pages =        "356--358",
2802   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
2803                  SEMICONDUCTOR ALLOYS; SUPERLATTICES; MOLECULAR BEAM
2804                  EPITAXY; CHEMICAL COMPOSITION; TEMPERATURE EFFECTS;
2805                  FILM GROWTH; MICROSTRUCTURE",
2806   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/356/1",
2807   doi =          "10.1063/1.106655",
2808 }
2809
2810 @Article{osten99,
2811   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2812   collaboration = "",
2813   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2814                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2815                  molecular beam epitaxy",
2816   publisher =    "AIP",
2817   year =         "1999",
2818   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2819   volume =       "74",
2820   number =       "6",
2821   pages =        "836--838",
2822   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2823                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2824                  compounds",
2825   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2826   doi =          "10.1063/1.123384",
2827   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2828 }
2829
2830 @Article{hohenberg64,
2831   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2832   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2833   journal =      "Phys. Rev.",
2834   volume =       "136",
2835   number =       "3B",
2836   pages =        "B864--B871",
2837   numpages =     "7",
2838   year =         "1964",
2839   month =        nov,
2840   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2841   publisher =    "American Physical Society",
2842   notes =        "density functional theory, dft",
2843 }
2844
2845 @Article{kohn65,
2846   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2847                  Correlation Effects",
2848   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2849   journal =      "Phys. Rev.",
2850   volume =       "140",
2851   number =       "4A",
2852   pages =        "A1133--A1138",
2853   numpages =     "5",
2854   year =         "1965",
2855   month =        nov,
2856   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2857   publisher =    "American Physical Society",
2858   notes =        "dft, exchange and correlation",
2859 }
2860
2861 @Article{ruecker94,
2862   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
2863                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
2864   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
2865                  J. Osten",
2866   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2867   volume =       "72",
2868   number =       "22",
2869   pages =        "3578--3581",
2870   numpages =     "3",
2871   year =         "1994",
2872   month =        may,
2873   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
2874   publisher =    "American Physical Society",
2875   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
2876                  si, dft",
2877 }
2878
2879 @Article{yagi02,
2880   title =        "Phosphorous Doping of Strain-Induced
2881                  Si$_{1-y}${C}$_{y}$ Epitaxial Films Grown\\
2882                  by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition",
2883   author =       "Shuhei Yagi and Katsuya Abe and Takashi Okabayashi and
2884                  Yuichi Yoneyama and Akira Yamada and Makoto Konagai",
2885   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2886   volume =       "41",
2887   number =       "Part 1, No. 4B",
2888   pages =        "2472--2475",
2889   numpages =     "3",
2890   year =         "2002",
2891   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/41/2472/",
2892   doi =          "10.1143/JJAP.41.2472",
2893   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2894   notes =        "experimental charge carrier mobility in strained si",
2895 }
2896
2897 @Article{chang05,
2898   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
2899                  Alloy",
2900   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
2901   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2902   volume =       "44",
2903   number =       "4B",
2904   pages =        "2257--2262",
2905   numpages =     "5",
2906   year =         "2005",
2907   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
2908   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
2909   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2910   notes =        "enhance of electron mobility in strained si",
2911 }
2912
2913 @Article{kissinger94,
2914   author =       "W. Kissinger and M. Weidner and H. J. Osten and M.
2915                  Eichler",
2916   collaboration = "",
2917   title =        "Optical transitions in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub
2918                  y] layers on Si(001)",
2919   publisher =    "AIP",
2920   year =         "1994",
2921   journal =      "Applied Physics Letters",
2922   volume =       "65",
2923   number =       "26",
2924   pages =        "3356--3358",
2925   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERNAL STRAINS; EPITAXIAL LAYERS;
2926                  CHEMICAL COMPOSITION; ELLIPSOMETRY; REFLECTION
2927                  SPECTROSCOPY; ELECTROOPTICAL EFFECTS; BAND STRUCTURE;
2928                  ENERGY LEVELS; ENERGYLEVEL TRANSITIONS",
2929   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/3356/1",
2930   doi =          "10.1063/1.112390",
2931   notes =        "strained si influence on optical properties",
2932 }
2933
2934 @Article{osten96,
2935   author =       "H. J. Osten and Myeongcheol Kim and K. Pressel and P.
2936                  Zaumseil",
2937   collaboration = "",
2938   title =        "Substitutional versus interstitial carbon
2939                  incorporation during pseudomorphic growth of Si[sub 1 -
2940                  y]{C}[sub y] on Si(001)",
2941   publisher =    "AIP",
2942   year =         "1996",
2943   journal =      "Journal of Applied Physics",
2944   volume =       "80",
2945   number =       "12",
2946   pages =        "6711--6715",
2947   keywords =     "SILICON CARBIDES; CRYSTAL DEFECTS; FILM GROWTH;
2948                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; INTERSTITIALS; SUBSTITUTION;
2949                  XRD; STRAINS",
2950   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/80/6711/1",
2951   doi =          "10.1063/1.363797",
2952   notes =        "mbe substitutional vs interstitial c incorporation",
2953 }
2954
2955 @Article{osten97,
2956   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
2957   collaboration = "",
2958   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2959                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
2960                  Si(001)",
2961   publisher =    "AIP",
2962   year =         "1997",
2963   journal =      "J. Appl. Phys.",
2964   volume =       "82",
2965   number =       "10",
2966   pages =        "4977--4981",
2967   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
2968                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
2969                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
2970   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
2971   doi =          "10.1063/1.366364",
2972   notes =        "charge transport in strained si",
2973 }
2974
2975 @Article{kapur04,
2976   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
2977                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
2978   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
2979   journal =      "Phys. Rev. B",
2980   volume =       "69",
2981   number =       "15",
2982   pages =        "155214",
2983   numpages =     "8",
2984   year =         "2004",
2985   month =        apr,
2986   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
2987   publisher =    "American Physical Society",
2988   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
2989 }
2990
2991 @Article{barkema96,
2992   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
2993                  Systems",
2994   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
2995   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2996   volume =       "77",
2997   number =       "21",
2998   pages =        "4358--4361",
2999   numpages =     "3",
3000   year =         "1996",
3001   month =        nov,
3002   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
3003   publisher =    "American Physical Society",
3004   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
3005                  dynamic mds",
3006 }
3007
3008 @Article{cances09,
3009   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
3010                  Minoukadeh and F. Willaime",
3011   collaboration = "",
3012   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
3013                  technique method for finding transition pathways on
3014                  potential energy surfaces",
3015   publisher =    "AIP",
3016   year =         "2009",
3017   journal =      "J. Chem. Phys.",
3018   volume =       "130",
3019   number =       "11",
3020   eid =          "114711",
3021   numpages =     "6",
3022   pages =        "114711",
3023   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
3024                  surfaces; vacancies (crystal)",
3025   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
3026   doi =          "10.1063/1.3088532",
3027   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
3028                  transition pathways",
3029 }
3030
3031 @Article{parrinello81,
3032   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
3033   collaboration = "",
3034   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
3035                  molecular dynamics method",
3036   publisher =    "AIP",
3037   year =         "1981",
3038   journal =      "J. Appl. Phys.",
3039   volume =       "52",
3040   number =       "12",
3041   pages =        "7182--7190",
3042   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
3043                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
3044                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
3045                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
3046                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
3047                  IMPACT SHOCK",
3048   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
3049   doi =          "10.1063/1.328693",
3050 }
3051
3052 @Article{stillinger85,
3053   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
3054                  of silicon",
3055   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
3056   journal =      "Phys. Rev. B",
3057   volume =       "31",
3058   number =       "8",
3059   pages =        "5262--5271",
3060   numpages =     "9",
3061   year =         "1985",
3062   month =        apr,
3063   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
3064   publisher =    "American Physical Society",
3065 }
3066
3067 @Article{brenner90,
3068   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
3069                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
3070                  films",
3071   author =       "Donald W. Brenner",
3072   journal =      "Phys. Rev. B",
3073   volume =       "42",
3074   number =       "15",
3075   pages =        "9458--9471",
3076   numpages =     "13",
3077   year =         "1990",
3078   month =        nov,
3079   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
3080   publisher =    "American Physical Society",
3081   notes =        "brenner hydro carbons",
3082 }
3083
3084 @Article{bazant96,
3085   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
3086                  Cohesive Energy Curves",
3087   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
3088   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3089   volume =       "77",
3090   number =       "21",
3091   pages =        "4370--4373",
3092   numpages =     "3",
3093   year =         "1996",
3094   month =        nov,
3095   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
3096   publisher =    "American Physical Society",
3097   notes =        "first si edip",
3098 }
3099
3100 @Article{bazant97,
3101   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
3102                  silicon",
3103   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
3104                  Justo",
3105   journal =      "Phys. Rev. B",
3106   volume =       "56",
3107   number =       "14",
3108   pages =        "8542--8552",
3109   numpages =     "10",
3110   year =         "1997",
3111   month =        oct,
3112   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
3113   publisher =    "American Physical Society",
3114   notes =        "second si edip",
3115 }
3116
3117 @Article{justo98,
3118   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
3119                  disordered phases",
3120   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
3121                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
3122   journal =      "Phys. Rev. B",
3123   volume =       "58",
3124   number =       "5",
3125   pages =        "2539--2550",
3126   numpages =     "11",
3127   year =         "1998",
3128   month =        aug,
3129   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
3130   publisher =    "American Physical Society",
3131   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
3132 }
3133
3134 @Article{parcas_md,
3135   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
3136   author =       "K. Nordlund",
3137   year =         "2008",
3138 }
3139
3140 @Article{voter97,
3141   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
3142                  Infrequent Events",
3143   author =       "Arthur F. Voter",
3144   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3145   volume =       "78",
3146   number =       "20",
3147   pages =        "3908--3911",
3148   numpages =     "3",
3149   year =         "1997",
3150   month =        may,
3151   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
3152   publisher =    "American Physical Society",
3153   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
3154 }
3155
3156 @Article{voter97_2,
3157   author =       "Arthur F. Voter",
3158   collaboration = "",
3159   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
3160                  simulation of infrequent events",
3161   publisher =    "AIP",
3162   year =         "1997",
3163   journal =      "J. Chem. Phys.",
3164   volume =       "106",
3165   number =       "11",
3166   pages =        "4665--4677",
3167   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
3168                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
3169                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
3170                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
3171                  theory; potential energy surfaces",
3172   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
3173   doi =          "10.1063/1.473503",
3174   notes =        "improved hyperdynamics md",
3175 }
3176
3177 @Article{sorensen2000,
3178   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
3179   collaboration = "",
3180   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
3181                  infrequent events",
3182   publisher =    "AIP",
3183   year =         "2000",
3184   journal =      "J. Chem. Phys.",
3185   volume =       "112",
3186   number =       "21",
3187   pages =        "9599--9606",
3188   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
3189                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
3190   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
3191   doi =          "10.1063/1.481576",
3192   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
3193 }
3194
3195 @Article{voter98,
3196   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
3197                  events",
3198   author =       "Arthur F. Voter",
3199   journal =      "Phys. Rev. B",
3200   volume =       "57",
3201   number =       "22",
3202   pages =        "R13985--R13988",
3203   numpages =     "3",
3204   year =         "1998",
3205   month =        jun,
3206   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
3207   publisher =    "American Physical Society",
3208   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
3209 }
3210
3211 @Article{wu99,
3212   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
3213   collaboration = "",
3214   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
3215                  simulation",
3216   publisher =    "AIP",
3217   year =         "1999",
3218   journal =      "J. Chem. Phys.",
3219   volume =       "110",
3220   number =       "19",
3221   pages =        "9401--9410",
3222   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
3223                  potential; crystallisation; liquid theory",
3224   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
3225   doi =          "10.1063/1.478948",
3226   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
3227                  systematic motion",
3228 }
3229
3230 @Article{choudhary05,
3231   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
3232   collaboration = "",
3233   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
3234                  to the production of amorphous silicon",
3235   publisher =    "AIP",
3236   year =         "2005",
3237   journal =      "J. Chem. Phys.",
3238   volume =       "122",
3239   number =       "15",
3240   eid =          "154509",
3241   numpages =     "8",
3242   pages =        "154509",
3243   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
3244                  amorphous semiconductors",
3245   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
3246   doi =          "10.1063/1.1878733",
3247   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
3248                  silicon",
3249 }
3250
3251 @Article{taylor93,
3252   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
3253   collaboration = "",
3254   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
3255                  difficult?",
3256   publisher =    "AIP",
3257   year =         "1993",
3258   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3259   volume =       "62",
3260   number =       "25",
3261   pages =        "3336--3338",
3262   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
3263                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
3264                  ENERGY",
3265   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
3266   doi =          "10.1063/1.109063",
3267   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
3268                  interstitials necessary for precipitation, volume
3269                  decrease, high interface energy",
3270 }
3271
3272 @Article{chaussende08,
3273   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
3274   journal =      "J. Cryst. Growth",
3275   volume =       "310",
3276   number =       "5",
3277   pages =        "976--981",
3278   year =         "2008",
3279   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
3280                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
3281   ISSN =         "0022-0248",
3282   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
3283   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
3284   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
3285                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
3286                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
3287                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
3288   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
3289                  metastable",
3290 }
3291
3292 @Article{chaussende07,
3293   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
3294   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
3295   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
3296   volume =       "40",
3297   number =       "20",
3298   pages =        "6150",
3299   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
3300   year =         "2007",
3301   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
3302                  modelling",
3303 }
3304
3305 @Article{feynman39,
3306   title =        "Forces in Molecules",
3307   author =       "R. P. Feynman",
3308   journal =      "Phys. Rev.",
3309   volume =       "56",
3310   number =       "4",
3311   pages =        "340--343",
3312   numpages =     "3",
3313   year =         "1939",
3314   month =        aug,
3315   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
3316   publisher =    "American Physical Society",
3317   notes =        "hellmann feynman forces",
3318 }
3319
3320 @Article{buczko00,
3321   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
3322                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
3323                  their Contrasting Properties",
3324   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
3325                  T. Pantelides",
3326   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3327   volume =       "84",
3328   number =       "5",
3329   pages =        "943--946",
3330   numpages =     "3",
3331   year =         "2000",
3332   month =        jan,
3333   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
3334   publisher =    "American Physical Society",
3335   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
3336 }
3337
3338 @Article{djurabekova08,
3339   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
3340                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
3341   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
3342   journal =      "Phys. Rev. B",
3343   volume =       "77",
3344   number =       "11",
3345   pages =        "115325",
3346   numpages =     "7",
3347   year =         "2008",
3348   month =        mar,
3349   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
3350   publisher =    "American Physical Society",
3351   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
3352                  angular distribution, coordination",
3353 }
3354
3355 @Article{wen09,
3356   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
3357                  W. Liang and J. Zou",
3358   collaboration = "",
3359   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
3360                  strain relaxation at highly lattice mismatched
3361                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
3362   publisher =    "AIP",
3363   year =         "2009",
3364   journal =      "J. Appl. Phys.",
3365   volume =       "106",
3366   number =       "7",
3367   eid =          "073522",
3368   numpages =     "8",
3369   pages =        "073522",
3370   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
3371                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
3372                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
3373                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
3374   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
3375   doi =          "10.1063/1.3234380",
3376   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
3377                  deconvolution, dislocation defects",
3378 }
3379
3380 @Article{kitabatake93,
3381   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
3382                  Hirao",
3383   collaboration = "",
3384   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
3385                  growth on Si(001) surface",
3386   publisher =    "AIP",
3387   year =         "1993",
3388   journal =      "J. Appl. Phys.",
3389   volume =       "74",
3390   number =       "7",
3391   pages =        "4438--4445",
3392   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
3393                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
3394                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
3395   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
3396   doi =          "10.1063/1.354385",
3397   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
3398                  model, interface",
3399 }
3400
3401 @Article{kitabatake97,
3402   author =       "Makoto Kitabatake",
3403   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
3404                  Heteroepitaxial Growth",
3405   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3406   year =         "1997",
3407   journal =      "physica status solidi (b)",
3408   volume =       "202",
3409   pages =        "405--420",
3410   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3411   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3412   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
3413 }
3414
3415 @Article{chirita97,
3416   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
3417                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
3418                  dynamics study",
3419   journal =      "Thin Solid Films",
3420   volume =       "294",
3421   number =       "1-2",
3422   pages =        "47--49",
3423   year =         "1997",
3424   note =         "",
3425   ISSN =         "0040-6090",
3426   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
3427   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
3428   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
3429   keywords =     "Strain relaxation",
3430   keywords =     "Interfaces",
3431   keywords =     "Thermal stability",
3432   keywords =     "Molecular dynamics",
3433   notes =        "tersoff sic/si interface study",
3434 }
3435
3436 @Article{cicero02,
3437   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
3438                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
3439   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
3440                  Catellani",
3441   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3442   volume =       "89",
3443   number =       "15",
3444   pages =        "156101",
3445   numpages =     "4",
3446   year =         "2002",
3447   month =        sep,
3448   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
3449   publisher =    "American Physical Society",
3450   notes =        "sic/si interface study",
3451 }
3452
3453 @Article{pizzagalli03,
3454   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
3455                  interface: Si{C}/Si(001)",
3456   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
3457                  Catellani",
3458   journal =      "Phys. Rev. B",
3459   volume =       "68",
3460   number =       "19",
3461   pages =        "195302",
3462   numpages =     "10",
3463   year =         "2003",
3464   month =        nov,
3465   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
3466   publisher =    "American Physical Society",
3467   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
3468 }
3469
3470 @Article{tang07,
3471   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
3472                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
3473                  electron microscopy",
3474   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
3475                  H. Zheng and J. W. Liang",
3476   journal =      "Phys. Rev. B",
3477   volume =       "75",
3478   number =       "18",
3479   pages =        "184103",
3480   numpages =     "7",
3481   year =         "2007",
3482   month =        may,
3483   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
3484   publisher =    "American Physical Society",
3485   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
3486                  si and c",
3487 }
3488
3489 @Article{hornstra58,
3490   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
3491   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
3492   volume =       "5",
3493   number =       "1-2",
3494   pages =        "129--141",
3495   year =         "1958",
3496   note =         "",
3497   ISSN =         "0022-3697",
3498   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
3499   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
3500   author =       "J. Hornstra",
3501   notes =        "dislocations in diamond lattice",
3502 }
3503
3504 @Article{deguchi92,
3505   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
3506                  Ion `Hot' Implantation",
3507   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
3508                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
3509   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3510   volume =       "31",
3511   number =       "Part 1, No. 2A",
3512   pages =        "343--347",
3513   numpages =     "4",
3514   year =         "1992",
3515   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
3516   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
3517   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3518   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
3519                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
3520 }
3521
3522 @Article{eichhorn99,
3523   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
3524                  K{\"{o}}gler",
3525   collaboration = "",
3526   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
3527                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
3528                  synchrotron x-ray diffraction",
3529   publisher =    "AIP",
3530   year =         "1999",
3531   journal =      "J. Appl. Phys.",
3532   volume =       "86",
3533   number =       "8",
3534   pages =        "4184--4187",
3535   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
3536                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
3537                  precipitation; semiconductor doping",
3538   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
3539   doi =          "10.1063/1.371344",
3540   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
3541                  expansion of si lattice",
3542 }
3543
3544 @Article{eichhorn02,
3545   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
3546                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
3547   collaboration = "",
3548   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
3549                  carbon ion implantation",
3550   publisher =    "AIP",
3551   year =         "2002",
3552   journal =      "J. Appl. Phys.",
3553   volume =       "91",
3554   number =       "3",
3555   pages =        "1287--1292",
3556   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
3557                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
3558                  electron microscopy",
3559   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
3560   doi =          "10.1063/1.1428105",
3561   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
3562                  temperature, might explain c into c sub trafo",
3563 }
3564
3565 @Article{lucas10,
3566   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
3567   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
3568                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
3569                  high-pressure phases, point and extended defects, and
3570                  amorphous structures",
3571   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3572   volume =       "22",
3573   number =       "3",
3574   pages =        "035802",
3575   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
3576   year =         "2010",
3577   notes =        "edip sic",
3578 }
3579
3580 @Article{godet03,
3581   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
3582                  Beauchamp",
3583   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
3584                  methods for silicon under large shear",
3585   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3586   volume =       "15",
3587   number =       "41",
3588   pages =        "6943",
3589   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
3590   year =         "2003",
3591   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
3592                  edip, tersoff, ab initio",
3593 }
3594
3595 @Article{moriguchi98,
3596   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
3597                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
3598   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
3599   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3600   volume =       "37",
3601   number =       "Part 1, No. 2",
3602   pages =        "414--422",
3603   numpages =     "8",
3604   year =         "1998",
3605   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
3606   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
3607   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3608   notes =        "tersoff stringent test",
3609 }
3610
3611 @Article{mazzarolo01,
3612   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
3613                  simulations",
3614   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
3615                  Lulli and Eros Albertazzi",
3616   journal =      "Phys. Rev. B",
3617   volume =       "63",
3618   number =       "19",
3619   pages =        "195207",
3620   numpages =     "4",
3621   year =         "2001",
3622   month =        apr,
3623   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
3624   publisher =    "American Physical Society",
3625 }
3626
3627 @Article{holmstroem08,
3628   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
3629                  density functional theory molecular dynamics
3630                  simulations",
3631   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
3632   journal =      "Phys. Rev. B",
3633   volume =       "78",
3634   number =       "4",
3635   pages =        "045202",
3636   numpages =     "6",
3637   year =         "2008",
3638   month =        jul,
3639   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
3640   publisher =    "American Physical Society",
3641   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
3642                  initio",
3643 }
3644
3645 @Article{nordlund97,
3646   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
3647                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
3648   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3649   volume =       "132",
3650   number =       "1",
3651   pages =        "45--54",
3652   year =         "1997",
3653   note =         "",
3654   ISSN =         "0168-583X",
3655   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
3656   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
3657   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
3658   notes =        "repulsive ab initio potential",
3659 }
3660
3661 @Article{kresse96,
3662   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
3663                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
3664                  set",
3665   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3666   volume =       "6",
3667   number =       "1",
3668   pages =        "15--50",
3669   year =         "1996",
3670   note =         "",
3671   ISSN =         "0927-0256",
3672   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
3673   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
3674   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
3675   notes =        "vasp ref",
3676 }
3677
3678 @Article{bloechl94,
3679   title =        "Projector augmented-wave method",
3680   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
3681   journal =      "Phys. Rev. B",
3682   volume =       "50",
3683   number =       "24",
3684   pages =        "17953--17979",
3685   numpages =     "26",
3686   year =         "1994",
3687   month =        dec,
3688   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
3689   publisher =    "American Physical Society",
3690   notes =        "paw method",
3691 }
3692
3693 @Article{hamann79,
3694   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
3695   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
3696   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3697   volume =       "43",
3698   number =       "20",
3699   pages =        "1494--1497",
3700   numpages =     "3",
3701   year =         "1979",
3702   month =        nov,
3703   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
3704   publisher =    "American Physical Society",
3705   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
3706 }
3707
3708 @Article{vanderbilt90,
3709   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
3710                  eigenvalue formalism",
3711   author =       "David Vanderbilt",
3712   journal =      "Phys. Rev. B",
3713   volume =       "41",
3714   number =       "11",
3715   pages =        "7892--7895",
3716   numpages =     "3",
3717   year =         "1990",
3718   month =        apr,
3719   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
3720   publisher =    "American Physical Society",
3721   notes =        "vasp pseudopotentials",
3722 }
3723
3724 @Article{perdew86,
3725   title =        "Accurate and simple density functional for the
3726                  electronic exchange energy: Generalized gradient
3727                  approximation",
3728   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
3729   journal =      "Phys. Rev. B",
3730   volume =       "33",
3731   number =       "12",
3732   pages =        "8800--8802",
3733   numpages =     "2",
3734   year =         "1986",
3735   month =        jun,
3736   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
3737   publisher =    "American Physical Society",
3738   notes =        "rapid communication gga",
3739 }
3740
3741 @Article{perdew02,
3742   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
3743                  correlation: {A} look backward and forward",
3744   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
3745   volume =       "172",
3746   number =       "1-2",
3747   pages =        "1--6",
3748   year =         "1991",
3749   note =         "",
3750   ISSN =         "0921-4526",
3751   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
3752   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
3753   author =       "John P. Perdew",
3754   notes =        "gga overview",
3755 }
3756
3757 @Article{perdew92,
3758   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
3759                  of the generalized gradient approximation for exchange
3760                  and correlation",
3761   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
3762                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
3763                  and Carlos Fiolhais",
3764   journal =      "Phys. Rev. B",
3765   volume =       "46",
3766   number =       "11",
3767   pages =        "6671--6687",
3768   numpages =     "16",
3769   year =         "1992",
3770   month =        sep,
3771   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
3772   publisher =    "American Physical Society",
3773   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
3774 }
3775
3776 @Article{baldereschi73,
3777   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
3778   author =       "A. Baldereschi",
3779   journal =      "Phys. Rev. B",
3780   volume =       "7",
3781   number =       "12",
3782   pages =        "5212--5215",
3783   numpages =     "3",
3784   year =         "1973",
3785   month =        jun,
3786   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
3787   publisher =    "American Physical Society",
3788   notes =        "mean value k point",
3789 }
3790
3791 @Article{zhu98,
3792   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
3793                  diffusion in Si",
3794   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3795   volume =       "12",
3796   number =       "4",
3797   pages =        "309--318",
3798   year =         "1998",
3799   note =         "",
3800   ISSN =         "0927-0256",
3801   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
3802   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
3803   author =       "Jing Zhu",
3804   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
3805   keywords =     "Boron dopant",
3806   keywords =     "Carbon dopant",
3807   keywords =     "Defect",
3808   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
3809   keywords =     "Impurity cluster",
3810   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
3811 }
3812
3813 @Article{nejim95,
3814   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
3815   collaboration = "",
3816   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
3817                  950 [degree]{C}",
3818   publisher =    "AIP",
3819   year =         "1995",
3820   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3821   volume =       "66",
3822   number =       "20",
3823   pages =        "2646--2648",
3824   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
3825                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
3826                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
3827                  ELECTRON MICROSCOPY",
3828   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
3829   doi =          "10.1063/1.113112",
3830   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
3831                  self interstitials react with further implanted c",
3832 }
3833
3834 @Article{guedj98,
3835   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
3836                  Kolodzey and A. Hairie",
3837   collaboration = "",
3838   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3839                  alloys",
3840   publisher =    "AIP",
3841   year =         "1998",
3842   journal =      "J. Appl. Phys.",
3843   volume =       "84",
3844   number =       "8",
3845   pages =        "4631--4633",
3846   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
3847                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
3848                  Fourier transform spectra; thermal stability;
3849                  annealing",
3850   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
3851   doi =          "10.1063/1.368703",
3852   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
3853 }
3854
3855 @Article{jones04,
3856   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
3857   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
3858                  semiconductors",
3859   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3860   volume =       "16",
3861   number =       "27",
3862   pages =        "S2643",
3863   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
3864   year =         "2004",
3865   notes =        "ab inito dft intro, vibrational modes, c defect in
3866                  si",
3867 }
3868
3869 @Article{park02,
3870   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
3871                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
3872                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
3873   collaboration = "",
3874   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
3875                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
3876                  molecular-beam epitaxy",
3877   publisher =    "AIP",
3878   year =         "2002",
3879   journal =      "J. Appl. Phys.",
3880   volume =       "91",
3881   number =       "9",
3882   pages =        "5716--5727",
3883   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
3884   doi =          "10.1063/1.1465122",
3885   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
3886 }
3887
3888 @Article{leary97,
3889   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
3890                  carbon-carbon pair defects in silicon",
3891   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
3892                  Torres",
3893   journal =      "Phys. Rev. B",
3894   volume =       "55",
3895   number =       "4",
3896   pages =        "2188--2194",
3897   numpages =     "6",
3898   year =         "1997",
3899   month =        jan,
3900   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
3901   publisher =    "American Physical Society",
3902   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
3903                  energies, different migration barriers and paths",
3904 }
3905
3906 @Article{burnard93,
3907   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
3908                  silicon: Semiempirical electronic-structure
3909                  calculations",
3910   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
3911   journal =      "Phys. Rev. B",
3912   volume =       "47",
3913   number =       "16",
3914   pages =        "10217--10225",
3915   numpages =     "8",
3916   year =         "1993",
3917   month =        apr,
3918   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
3919   publisher =    "American Physical Society",
3920   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
3921                  carbon defect, formation energies",
3922 }
3923
3924 @Article{besson91,
3925   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
3926                  silicon",
3927   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
3928   journal =      "Phys. Rev. B",
3929   volume =       "43",
3930   number =       "5",
3931   pages =        "4028--4033",
3932   numpages =     "5",
3933   year =         "1991",
3934   month =        feb,
3935   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
3936   publisher =    "American Physical Society",
3937 }
3938
3939 @Article{kaxiras96,
3940   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
3941                  and growth on semiconductors",
3942   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3943   volume =       "6",
3944   number =       "2",
3945   pages =        "158--172",
3946   year =         "1996",
3947   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
3948                  Epitaxy",
3949   ISSN =         "0927-0256",
3950   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
3951   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
3952   author =       "Efthimios Kaxiras",
3953   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
3954                  tight binding, first principles",
3955 }
3956
3957 @Article{kaukonen98,
3958   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
3959                  diamond
3960                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
3961                  surfaces",
3962   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
3963                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
3964                  Th. Frauenheim",
3965   journal =      "Phys. Rev. B",
3966   volume =       "57",
3967   number =       "16",
3968   pages =        "9965--9970",
3969   numpages =     "5",
3970   year =         "1998",
3971   month =        apr,
3972   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
3973   publisher =    "American Physical Society",
3974   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
3975                  (crt)",
3976 }
3977
3978 @Article{gali03,
3979   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
3980                  center in Si{C}",
3981   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
3982                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
3983                  W. J. Choyke",
3984   journal =      "Phys. Rev. B",
3985   volume =       "67",
3986   number =       "15",
3987   pages =        "155203",
3988   numpages =     "5",
3989   year =         "2003",
3990   month =        apr,
3991   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
3992   publisher =    "American Physical Society",
3993 }
3994
3995 @Article{chen98,
3996   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
3997                  irradiation and deformation",
3998   journal =      "J. Nucl. Mater.",
3999   volume =       "258-263",
4000   number =       "Part 2",
4001   pages =        "1803--1808",
4002   year =         "1998",
4003   note =         "",
4004   ISSN =         "0022-3115",
4005   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
4006   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
4007   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
4008 }
4009
4010 @Article{weber01,
4011   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
4012                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
4013   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
4014   volume =       "175-177",
4015   number =       "",
4016   pages =        "26--30",
4017   year =         "2001",
4018   note =         "",
4019   ISSN =         "0168-583X",
4020   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
4021   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
4022   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
4023 }
4024
4025 @Article{bockstedte03,
4026   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
4027                  in $3{C}-Si{C}$",
4028   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
4029                  Pankratov",
4030   journal =      "Phys. Rev. B",
4031   volume =       "68",
4032   number =       "20",
4033   pages =        "205201",
4034   numpages =     "17",
4035   year =         "2003",
4036   month =        nov,
4037   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
4038   publisher =    "American Physical Society",
4039   notes =        "defect migration in sic",
4040 }
4041
4042 @Article{rauls03a,
4043   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
4044                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
4045   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
4046                  De\'ak",
4047   journal =      "Phys. Rev. B",
4048   volume =       "68",
4049   number =       "15",
4050   pages =        "155208",
4051   numpages =     "9",
4052   year =         "2003",
4053   month =        oct,
4054   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
4055   publisher =    "American Physical Society",
4056 }
4057
4058 @Article{losev27,
4059   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
4060   volume =       "44",
4061   pages =        "485--494",
4062   year =         "1927",
4063   author =       "O. V. Lossev",
4064 }
4065
4066 @Article{losev28,
4067   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
4068                  oscillations with crystals",
4069   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
4070   volume =       "6",
4071   number =       "39",
4072   pages =        "1024--1044",
4073   year =         "1928",
4074   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
4075   author =       "O. V. Lossev",
4076 }
4077
4078 @Article{losev29,
4079   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4080   volume =       "30",
4081   pages =        "920--923",
4082   year =         "1929",
4083   author =       "O. V. Lossev",
4084 }
4085
4086 @Article{losev31,
4087   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4088   volume =       "32",
4089   pages =        "692--696",
4090   year =         "1931",
4091   author =       "O. V. Lossev",
4092 }
4093
4094 @Article{losev33,
4095   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4096   volume =       "34",
4097   pages =        "397--403",
4098   year =         "1933",
4099   author =       "O. V. Lossev",
4100 }
4101
4102 @Article{round07,
4103   title =        "A note on carborundum",
4104   journal =      "Electrical World",
4105   volume =       "49",
4106   pages =        "308",
4107   year =         "1907",
4108   author =       "H. J. Round",
4109 }
4110
4111 @Article{vashishath08,
4112   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
4113   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
4114   volume =       "2",
4115   number =       "03",
4116   pages =        "444--470",
4117   year =         "2008",
4118   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
4119   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
4120   notes =        "sic polytype electronic properties",
4121 }
4122
4123 @Article{nelson69,
4124   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
4125   collaboration = "",
4126   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
4127   publisher =    "AIP",
4128   year =         "1966",
4129   journal =      "Journal of Applied Physics",
4130   volume =       "37",
4131   number =       "1",
4132   pages =        "333--336",
4133   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
4134   doi =          "10.1063/1.1707837",
4135   notes =        "sic melt growth",
4136 }
4137
4138 @Article{arkel25,
4139   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
4140   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
4141                  und Thoriummetall",
4142   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
4143   year =         "1925",
4144   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4145   volume =       "148",
4146   pages =        "345--350",
4147   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
4148   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
4149   notes =        "van arkel apparatus",
4150 }
4151
4152 @Article{moers31,
4153   author =       "K. Moers",
4154   year =         "1931",
4155   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4156   volume =       "198",
4157   pages =        "293",
4158   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4159                  process",
4160 }
4161
4162 @Article{kendall53,
4163   author =       "J. T. Kendall",
4164   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
4165   publisher =    "AIP",
4166   year =         "1953",
4167   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
4168   volume =       "21",
4169   number =       "5",
4170   pages =        "821--827",
4171   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
4172   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4173                  process",
4174 }
4175
4176 @Article{lely55,
4177   author =       "J. A. Lely",
4178   year =         "1955",
4179   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
4180   volume =       "32",
4181   pages =        "229",
4182   notes =        "lely sublimation growth process",
4183 }
4184
4185 @Article{knippenberg63,
4186   author =       "W. F. Knippenberg",
4187   year =         "1963",
4188   journal =      "Philips Res. Repts.",
4189   volume =       "18",
4190   pages =        "161",
4191   notes =        "acheson process",
4192 }
4193
4194 @Article{hoffmann82,
4195   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
4196                  Weyrich",
4197   collaboration = "",
4198   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
4199                  improved external quantum efficiency",
4200   publisher =    "AIP",
4201   year =         "1982",
4202   journal =      "Journal of Applied Physics",
4203   volume =       "53",
4204   number =       "10",
4205   pages =        "6962--6967",
4206   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
4207                  efficiency; visible radiation; experimental data;
4208                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
4209                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
4210                  electroluminescence; spectra; current density;
4211                  optimization",
4212   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
4213   doi =          "10.1063/1.330041",
4214   notes =        "blue led, sublimation process",
4215 }
4216
4217 @Article{neudeck95,
4218   author =       "Philip Neudeck",
4219   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
4220                  Road 44135 Cleveland OH",
4221   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
4222                  technology",
4223   journal =      "Journal of Electronic Materials",
4224   publisher =    "Springer Boston",
4225   ISSN =         "0361-5235",
4226   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
4227   pages =        "283--288",
4228   volume =       "24",
4229   issue =        "4",
4230   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
4231   note =         "10.1007/BF02659688",
4232   year =         "1995",
4233   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
4234 }
4235
4236 @Article{bhatnagar93,
4237   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
4238   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4239   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
4240                  devices",
4241   year =         "1993",
4242   month =        mar,
4243   volume =       "40",
4244   number =       "3",
4245   pages =        "645--655",
4246   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
4247                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
4248                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
4249                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
4250                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
4251                  solids;insulated gate field effect transistors;power
4252                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
4253                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
4254   doi =          "10.1109/16.199372",
4255   ISSN =         "0018-9383",
4256   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
4257 }
4258
4259 @Article{neudeck94,
4260   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
4261                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
4262   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4263   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
4264                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
4265                  6{H}-Si{C} substrates",
4266   year =         "1994",
4267   month =        may,
4268   volume =       "41",
4269   number =       "5",
4270   pages =        "826--835",
4271   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
4272                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
4273                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
4274                  properties;epitaxial layers;light
4275                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
4276                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
4277                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
4278                  currents;power electronics;semiconductor
4279                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
4280                  growth;semiconductor materials;silicon
4281                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
4282                  phase epitaxial growth;",
4283   doi =          "10.1109/16.285038",
4284   ISSN =         "0018-9383",
4285   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
4286                  substrate",
4287 }
4288
4289 @Article{schulze98,
4290   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
4291   collaboration = "",
4292   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
4293                  single crystals by physical vapor transport",
4294   publisher =    "AIP",
4295   year =         "1998",
4296   journal =      "Applied Physics Letters",
4297   volume =       "72",
4298   number =       "13",
4299   pages =        "1632--1634",
4300   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
4301                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
4302                  photoluminescence; Hall mobility",
4303   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
4304   doi =          "10.1063/1.121136",
4305   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
4306 }
4307
4308 @Article{pirouz87,
4309   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
4310   collaboration = "",
4311   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
4312   publisher =    "AIP",
4313   year =         "1987",
4314   journal =      "Applied Physics Letters",
4315   volume =       "50",
4316   number =       "4",
4317   pages =        "221--223",
4318   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
4319                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
4320                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
4321                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
4322                  BOUNDARIES",
4323   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
4324   doi =          "10.1063/1.97667",
4325   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
4326 }
4327
4328 @Article{shibahara86,
4329   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
4330                  Si(100) by chemical vapor deposition",
4331   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4332   volume =       "78",
4333   number =       "3",
4334   pages =        "538--544",
4335   year =         "1986",
4336   note =         "",
4337   ISSN =         "0022-0248",
4338   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
4339   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
4340   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
4341                  Matsunami",
4342   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
4343 }
4344
4345 @Article{desjardins96,
4346   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
4347   collaboration = "",
4348   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
4349   publisher =    "AIP",
4350   year =         "1996",
4351   journal =      "Journal of Applied Physics",
4352   volume =       "79",
4353   number =       "3",
4354   pages =        "1423--1434",
4355   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
4356                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
4357   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
4358   doi =          "10.1063/1.360980",
4359   notes =        "apb model",
4360 }
4361
4362 @Article{henke95,
4363   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
4364   collaboration = "",
4365   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
4366                  carbonization of silicon",
4367   publisher =    "AIP",
4368   year =         "1995",
4369   journal =      "Journal of Applied Physics",
4370   volume =       "78",
4371   number =       "3",
4372   pages =        "2070--2073",
4373   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
4374                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
4375                  STRUCTURE",
4376   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
4377   doi =          "10.1063/1.360184",
4378   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
4379 }
4380
4381 @Article{fuyuki89,
4382   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
4383                  {MBE} using surface superstructure",
4384   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4385   volume =       "95",
4386   number =       "1-4",
4387   pages =        "461--463",
4388   year =         "1989",
4389   note =         "",
4390   ISSN =         "0022-0248",
4391   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
4392   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
4393   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
4394                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
4395   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4396 }
4397
4398 @Article{yoshinobu92,
4399   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
4400                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4401   collaboration = "",
4402   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
4403                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
4404                  molecular beam epitaxy",
4405   publisher =    "AIP",
4406   year =         "1992",
4407   journal =      "Applied Physics Letters",
4408   volume =       "60",
4409   number =       "7",
4410   pages =        "824--826",
4411   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
4412                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
4413                  INTERFACE STRUCTURE",
4414   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
4415   doi =          "10.1063/1.107430",
4416   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4417 }
4418
4419 @Article{yoshinobu90,
4420   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
4421                  cubic Si{C}",
4422   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4423   volume =       "99",
4424   number =       "1-4",
4425   pages =        "520--524",
4426   year =         "1990",
4427   note =         "",
4428   ISSN =         "0022-0248",
4429   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
4430   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
4431   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
4432                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4433   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
4434 }
4435
4436 @Article{fuyuki93,
4437   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
4438                  superstructures in Si{C}",
4439   journal =      "Thin Solid Films",
4440   volume =       "225",
4441   number =       "1-2",
4442   pages =        "225--229",
4443   year =         "1993",
4444   note =         "",
4445   ISSN =         "0040-6090",
4446   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
4447   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
4448   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
4449                  Matsunami",
4450   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4451                  epitaxy, ale",
4452 }
4453
4454 @Article{hara93,
4455   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
4456                  growth of [beta]-Si{C}",
4457   journal =      "Thin Solid Films",
4458   volume =       "225",
4459   number =       "1-2",
4460   pages =        "240--243",
4461   year =         "1993",
4462   note =         "",
4463   ISSN =         "0040-6090",
4464   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
4465   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
4466   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
4467                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
4468   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4469                  epitaxy, ale",
4470 }
4471
4472 @Article{tanaka94,
4473   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
4474   collaboration = "",
4475   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
4476                  growth mode and polytype formation during gas-source
4477                  molecular beam epitaxy",
4478   publisher =    "AIP",
4479   year =         "1994",
4480   journal =      "Applied Physics Letters",
4481   volume =       "65",
4482   number =       "22",
4483   pages =        "2851--2853",
4484   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
4485                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
4486                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
4487                  FLOW; FLOW RATE",
4488   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
4489   doi =          "10.1063/1.112513",
4490   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
4491 }
4492
4493 @Article{fuyuki97,
4494   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
4495   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
4496                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
4497   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
4498   year =         "1997",
4499   journal =      "physica status solidi (b)",
4500   volume =       "202",
4501   pages =        "359--378",
4502   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
4503                  temperatures 750",
4504 }
4505
4506 @Article{takaoka98,
4507   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
4508   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4509   volume =       "183",
4510   number =       "1-2",
4511   pages =        "175--182",
4512   year =         "1998",
4513   note =         "",
4514   ISSN =         "0022-0248",
4515   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
4516   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
4517   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
4518   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
4519   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
4520   keywords =     "Silicon carbide",
4521   keywords =     "Silicon",
4522   keywords =     "Island growth",
4523   notes =        "lower temperature, 550-700",
4524 }
4525
4526 @Article{hatayama95,
4527   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
4528                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
4529                  molecular beam epitaxy",
4530   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4531   volume =       "150",
4532   number =       "Part 2",
4533   pages =        "934--938",
4534   year =         "1995",
4535   note =         "",
4536   ISSN =         "0022-0248",
4537   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
4538   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
4539   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
4540                  and Hiroyuki Matsunami",
4541 }
4542
4543 @Article{heine91,
4544   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
4545   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
4546                  Metastable Cubic Form",
4547   journal =      "Journal of the American Ceramic Society",
4548   volume =       "74",
4549   number =       "10",
4550   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
4551   ISSN =         "1551-2916",
4552   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4553   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4554   pages =        "2630--2633",
4555   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
4556                  calculations, stability",
4557   year =         "1991",
4558   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
4559                  polytype dft calculation refs",
4560 }
4561
4562 @Article{allendorf91,
4563   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
4564                  [beta]-silicon carbide",
4565   journal =      "Surface Science",
4566   volume =       "258",
4567   number =       "1-3",
4568   pages =        "177--189",
4569   year =         "1991",
4570   note =         "",
4571   ISSN =         "0039-6028",
4572   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
4573   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
4574   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
4575   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
4576 }
4577
4578 @Article{eaglesham93,
4579   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
4580                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
4581   collaboration = "",
4582   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
4583   publisher =    "AIP",
4584   year =         "1993",
4585   journal =      "Journal of Applied Physics",
4586   volume =       "74",
4587   number =       "11",
4588   pages =        "6615--6618",
4589   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
4590                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
4591                  DIFFUSION; ADSORPTION",
4592   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
4593   doi =          "10.1063/1.355101",
4594   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
4595                  mobility",
4596 }
4597
4598 @Article{newman85,
4599   author =       "Ronald C. Newman",
4600   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
4601   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4602   volume =       "59",
4603   number =       "",
4604   pages =        "403",
4605   year =         "1985",
4606   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
4607   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
4608   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
4609 }
4610
4611 @Article{newman61,
4612   title =        "The diffusivity of carbon in silicon",
4613   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
4614   volume =       "19",
4615   number =       "3-4",
4616   pages =        "230--234",
4617   year =         "1961",
4618   note =         "",
4619   ISSN =         "0022-3697",
4620   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(61)90032-4",
4621   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46M72R1-4D/2/9235472e4c0a95bf7b995769474f5fbd",
4622   author =       "R. C. Newman and J. Wakefield",
4623   notes =        "diffusivity of substitutional c in si",
4624 }
4625
4626 @Article{goesele85,
4627   author =       "U. Gösele",
4628   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
4629   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4630   volume =       "59",
4631   number =       "",
4632   pages =        "419",
4633   year =         "1985",
4634   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
4635   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
4636   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
4637 }
4638
4639 @Article{mukashev82,
4640   title =        "Defects in Carbon-Implanted Silicon",
4641   author =       "Bulat N. Mukashev and Alexey V. Spitsyn and Noboru
4642                  Fukuoka and Haruo Saito",
4643   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
4644   volume =       "21",
4645   number =       "Part 1, No. 2",
4646   pages =        "399--400",
4647   numpages =     "1",
4648   year =         "1982",
4649   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/21/399/",
4650   doi =          "10.1143/JJAP.21.399",
4651   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
4652 }
4653
4654 @Article{puska98,
4655   title =        "Convergence of supercell calculations for point
4656                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
4657   author =       "M. J. Puska and S. P{\"o}ykk{\"o} and M. Pesola and R.
4658                  M. Nieminen",
4659   journal =      "Phys. Rev. B",
4660   volume =       "58",
4661   number =       "3",
4662   pages =        "1318--1325",
4663   numpages =     "7",
4664   year =         "1998",
4665   month =        jul,
4666   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.1318",
4667   publisher =    "American Physical Society",
4668   notes =        "convergence k point supercell size, vacancy in
4669                  silicon",
4670 }
4671
4672 @Article{serre95,
4673   author =       "C. Serre and A. P\'{e}rez-Rodr\'{\i}guez and A.
4674                  Romano-Rodr\'{\i}guez and J. R. Morante and R.
4675                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
4676   collaboration = "",
4677   title =        "Spectroscopic characterization of phases formed by
4678                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
4679   publisher =    "AIP",
4680   year =         "1995",
4681   journal =      "Journal of Applied Physics",
4682   volume =       "77",
4683   number =       "7",
4684   pages =        "2978--2984",
4685   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; PHASE STUDIES; CARBON IONS;
4686                  FOURIER TRANSFORM SPECTROSCOPY; RAMAN SPECTRA;
4687                  PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; TEM; TEMPERATURE
4688                  DEPENDENCE; PRECIPITATES; ANNEALING",
4689   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
4690   doi =          "10.1063/1.358714",
4691 }
4692
4693 @Article{romano-rodriguez96,
4694   title =        "Detailed analysis of [beta]-Si{C} formation by high
4695                  dose carbon ion implantation in silicon",
4696   journal =      "Materials Science and Engineering B",
4697   volume =       "36",
4698   number =       "1-3",
4699   pages =        "282--285",
4700   year =         "1996",
4701   note =         "European Materials Research Society 1995 Spring
4702                  Meeting, Symposium N: Carbon, Hydrogen, Nitrogen, and
4703                  Oxygen in Silicon and in Other Elemental
4704                  Semiconductors",
4705   ISSN =         "0921-5107",
4706   doi =          "DOI: 10.1016/0921-5107(95)01283-4",
4707   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-3VR7691-25/2/995fd57b9e5c1100558f80c472620408",
4708   author =       "A. Romano-Rodriguez and C. Serre and L. Calvo-Barrio
4709                  and A. Pérez-Rodríguez and J. R. Morante and R. Kögler
4710                  and W. Skorupa",
4711   keywords =     "Silicon",
4712   keywords =     "Ion implantation",
4713   notes =        "incoherent 3c-sic precipitate",
4714 }