bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philos. Mag. B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
  91                  precipitation by interstitial and substitutional
  92                  carbon, both mechanisms explained + refs",
  93 }
  94
  95 @Article{skorupa96,
  96   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
  97                  silicon-related materials",
  98   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
  99   volume =       "44",
 100   number =       "2",
 101   pages =        "101--143",
 102   year =         "1996",
 103   note =         "",
 104   ISSN =         "0254-0584",
 105   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 106   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 107   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 108   notes =        "review of silicon carbon compound",
 109 }
 110
 111 @Book{laplace,
 112   author =       "P. S. de Laplace",
 113   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 114   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 115   volume =       "VII",
 116   publisher =    "Gauthier-Villars",
 117   year =         "1820",
 118 }
 119
 120 @Article{mattoni2007,
 121   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 122   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 123                  materials}",
 124   journal =      "Phys. Rev. B",
 125   year =         "2007",
 126   month =        dec,
 127   volume =       "76",
 128   number =       "22",
 129   pages =        "224103",
 130   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 131   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 132                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 133                  fracture, more available potentials, universal energy
 134                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 135 }
 136
 137 @Article{balamane92,
 138   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 139                  potentials",
 140   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 141   journal =      "Phys. Rev. B",
 142   volume =       "46",
 143   number =       "4",
 144   pages =        "2250--2279",
 145   numpages =     "29",
 146   year =         "1992",
 147   month =        jul,
 148   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 149   publisher =    "American Physical Society",
 150   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 151 }
 152
 153 @Article{koster2002,
 154   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 155                  bombardment",
 156   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 157   journal =      "Phys. Rev. B",
 158   volume =       "62",
 159   number =       "16",
 160   pages =        "11219--11224",
 161   numpages =     "5",
 162   year =         "2000",
 163   month =        oct,
 164   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 165   publisher =    "American Physical Society",
 166   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 167 }
 168
 169 @Article{breadmore99,
 170   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 171                  amorphization of silicon",
 172   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 173   journal =      "Phys. Rev. B",
 174   volume =       "60",
 175   number =       "18",
 176   pages =        "12610--12616",
 177   numpages =     "6",
 178   year =         "1999",
 179   month =        nov,
 180   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 181   publisher =    "American Physical Society",
 182   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 183 }
 184
 185 @Article{nielsen83,
 186   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 187   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 188   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 189   volume =       "50",
 190   number =       "9",
 191   pages =        "697--700",
 192   numpages =     "3",
 193   year =         "1983",
 194   month =        feb,
 195   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 196   publisher =    "American Physical Society",
 197   notes =        "generalization of virial theorem",
 198 }
 199
 200 @Article{nielsen85,
 201   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 202   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 203   journal =      "Phys. Rev. B",
 204   volume =       "32",
 205   number =       "6",
 206   pages =        "3780--3791",
 207   numpages =     "11",
 208   year =         "1985",
 209   month =        sep,
 210   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 211   publisher =    "American Physical Society",
 212   notes =        "dft virial stress and forces",
 213 }
 214
 215 @Article{moissan04,
 216   author =       "Henri Moissan",
 217   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 218                  Diablo",
 219   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 220   volume =       "139",
 221   pages =        "773--786",
 222   year =         "1904",
 223 }
 224
 225 @Book{park98,
 226   author =       "Y. S. Park",
 227   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 228   publisher =    "Academic Press",
 229   address =      "San Diego",
 230   year =         "1998",
 231 }
 232
 233 @Article{tsvetkov98,
 234   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 235                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 236   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 237   journal =      "Materials Science Forum",
 238   volume =       "264-268",
 239   pages =        "3--8",
 240   year =         "1998",
 241   notes =        "modified lely process, micropipes",
 242 }
 243
 244 @Article{verlet67,
 245   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 246                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 247   author =       "Loup Verlet",
 248   journal =      "Phys. Rev.",
 249   volume =       "159",
 250   number =       "1",
 251   pages =        "98",
 252   year =         "1967",
 253   month =        jul,
 254   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 255   publisher =    "American Physical Society",
 256   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 257                  motion",
 258 }
 259
 260 @Article{berendsen84,
 261   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 262                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 263   collaboration = "",
 264   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 265   publisher =    "AIP",
 266   year =         "1984",
 267   journal =      "J. Chem. Phys.",
 268   volume =       "81",
 269   number =       "8",
 270   pages =        "3684--3690",
 271   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 272                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 273   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 274   doi =          "10.1063/1.448118",
 275   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 276 }
 277
 278 @Article{huang95,
 279   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 280                  Baskes",
 281   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 282                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 283                  potentials",
 284   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 285   volume =       "3",
 286   number =       "5",
 287   pages =        "615--627",
 288   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 289   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 290                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 291   year =         "1995",
 292 }
 293
 294 @Article{brenner89,
 295   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 296                  Tersoff potentials",
 297   author =       "Donald W. Brenner",
 298   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 299   volume =       "63",
 300   number =       "9",
 301   pages =        "1022",
 302   numpages =     "1",
 303   year =         "1989",
 304   month =        aug,
 305   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 306   publisher =    "American Physical Society",
 307   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 308 }
 309
 310 @Article{batra87,
 311   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 312                  silicon",
 313   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 314   journal =      "Phys. Rev. B",
 315   volume =       "35",
 316   number =       "18",
 317   pages =        "9552--9558",
 318   numpages =     "6",
 319   year =         "1987",
 320   month =        jun,
 321   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 322   publisher =    "American Physical Society",
 323   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 324                  calculation of defect formation energy, defect
 325                  interstitial types",
 326 }
 327
 328 @Article{schober89,
 329   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 330   author =       "H. R. Schober",
 331   journal =      "Phys. Rev. B",
 332   volume =       "39",
 333   number =       "17",
 334   pages =        "13013--13015",
 335   numpages =     "2",
 336   year =         "1989",
 337   month =        jun,
 338   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 339   publisher =    "American Physical Society",
 340   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 341                  dumbbell configuration",
 342 }
 343
 344 @Article{gao02a,
 345   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 346                  Defect accumulation, topological features, and
 347                  disordering",
 348   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 349   journal =      "Phys. Rev. B",
 350   volume =       "66",
 351   number =       "2",
 352   pages =        "024106",
 353   numpages =     "10",
 354   year =         "2002",
 355   month =        jul,
 356   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 357   publisher =    "American Physical Society",
 358   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 359                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 360                  result analyze",
 361 }
 362
 363 @Article{devanathan98,
 364   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 365                  cascade in Si{C}",
 366   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 367   volume =       "141",
 368   number =       "1-4",
 369   pages =        "118--122",
 370   year =         "1998",
 371   ISSN =         "0168-583X",
 372   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 373   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 374                  Rubia",
 375   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 376                  3c-sic",
 377 }
 378
 379 @Article{devanathan98_2,
 380   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 381   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 382   volume =       "253",
 383   number =       "1-3",
 384   pages =        "47--52",
 385   year =         "1998",
 386   ISSN =         "0022-3115",
 387   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 388   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 389                  Weber",
 390   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 391                  tersoff",
 392 }
 393
 394 @Article{kitabatake00,
 395   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 396   author =       "M. Kitabatake",
 397   journal =      "Thin Solid Films",
 398   volume =       "369",
 399   pages =        "257--264",
 400   numpages =     "8",
 401   year =         "2000",
 402   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 403 }
 404
 405 @Article{tang97,
 406   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 407                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 408                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 409                  formation volumes",
 410   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 411                  Rubia",
 412   journal =      "Phys. Rev. B",
 413   volume =       "55",
 414   number =       "21",
 415   pages =        "14279--14289",
 416   numpages =     "10",
 417   year =         "1997",
 418   month =        jun,
 419   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 420   publisher =    "American Physical Society",
 421   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 422 }
 423
 424 @Article{johnson98,
 425   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 426                  Rubia",
 427   collaboration = "",
 428   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 429                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 430                  presence of carbon and boron",
 431   publisher =    "AIP",
 432   year =         "1998",
 433   journal =      "J. Appl. Phys.",
 434   volume =       "84",
 435   number =       "4",
 436   pages =        "1963--1967",
 437   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 438                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 439                  semiconductors; self-diffusion",
 440   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 441   doi =          "10.1063/1.368328",
 442   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 443                  diffsuion",
 444 }
 445
 446 @Article{bar-yam84,
 447   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 448                  Self-Interstitial",
 449   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 450   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 451   volume =       "52",
 452   number =       "13",
 453   pages =        "1129--1132",
 454   numpages =     "3",
 455   year =         "1984",
 456   month =        mar,
 457   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 458   publisher =    "American Physical Society",
 459   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 460 }
 461
 462 @Article{bar-yam84_2,
 463   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 464                  barriers of silicon self-interstitials",
 465   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 466   journal =      "Phys. Rev. B",
 467   volume =       "30",
 468   number =       "4",
 469   pages =        "1844--1852",
 470   numpages =     "8",
 471   year =         "1984",
 472   month =        aug,
 473   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 474   publisher =    "American Physical Society",
 475 }
 476
 477 @Article{bloechl93,
 478   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 479                  constants in silicon",
 480   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 481                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 482   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 483   volume =       "70",
 484   number =       "16",
 485   pages =        "2435--2438",
 486   numpages =     "3",
 487   year =         "1993",
 488   month =        apr,
 489   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 490   publisher =    "American Physical Society",
 491   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 492                  entropy calculations",
 493 }
 494
 495 @Article{colombo02,
 496   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 497                  silicon",
 498   author =       "L. Colombo",
 499   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 500   volume =       "32",
 501   pages =        "271--295",
 502   numpages =     "25",
 503   year =         "2002",
 504   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 505   publisher =    "Annual Reviews",
 506   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 507 }
 508
 509 @Article{al-mushadani03,
 510   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 511                  silicon",
 512   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 513   journal =      "Phys. Rev. B",
 514   volume =       "68",
 515   number =       "23",
 516   pages =        "235205",
 517   numpages =     "8",
 518   year =         "2003",
 519   month =        dec,
 520   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 521   publisher =    "American Physical Society",
 522   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 523                  silicon, si self interstitials, free energy",
 524 }
 525
 526 @Article{goedecker02,
 527   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 528   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 529   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 530   volume =       "88",
 531   number =       "23",
 532   pages =        "235501",
 533   numpages =     "4",
 534   year =         "2002",
 535   month =        may,
 536   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 537   publisher =    "American Physical Society",
 538   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 539                  silicon",
 540 }
 541
 542 @Article{sahli05,
 543   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 544                  self-interstitial diffusion in silicon",
 545   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 546   journal =      "Phys. Rev. B",
 547   volume =       "72",
 548   number =       "24",
 549   pages =        "245210",
 550   numpages =     "6",
 551   year =         "2005",
 552   month =        dec,
 553   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 554   publisher =    "American Physical Society",
 555   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 556                  mapping applied",
 557 }
 558
 559 @Article{hobler05,
 560   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 561                  native point defects in silicon",
 562   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 563   volume =       "124-125",
 564   number =       "",
 565   pages =        "368--371",
 566   year =         "2005",
 567   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 568                  Issues for Future Technologies",
 569   ISSN =         "0921-5107",
 570   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 571   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 572   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 573   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 574                  radius",
 575 }
 576
 577 @Article{ma10,
 578   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 579                  wide temperature range: Point defect states and
 580                  migration mechanisms",
 581   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 582   journal =      "Phys. Rev. B",
 583   volume =       "81",
 584   number =       "19",
 585   pages =        "193203",
 586   numpages =     "4",
 587   year =         "2010",
 588   month =        may,
 589   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 590   publisher =    "American Physical Society",
 591   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 592 }
 593
 594 @Article{posselt06,
 595   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 596                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 597   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 598   journal =      "Phys. Rev. B",
 599   volume =       "73",
 600   number =       "12",
 601   pages =        "125206",
 602   numpages =     "8",
 603   year =         "2006",
 604   month =        mar,
 605   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 606   publisher =    "American Physical Society",
 607 }
 608
 609 @Article{posselt08,
 610   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 611                  migration mechanisms of vacancies and
 612                  self-interstitials: An atomistic study",
 613   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 614   journal =      "Phys. Rev. B",
 615   volume =       "78",
 616   number =       "3",
 617   pages =        "035208",
 618   numpages =     "9",
 619   year =         "2008",
 620   month =        jul,
 621   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 622   publisher =    "American Physical Society",
 623   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 624                  weber and tersoff",
 625 }
 626
 627 @Article{gao2001,
 628   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 629                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 630   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 631                  Corrales",
 632   journal =      "Phys. Rev. B",
 633   volume =       "64",
 634   number =       "24",
 635   pages =        "245208",
 636   numpages =     "7",
 637   year =         "2001",
 638   month =        dec,
 639   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 640   publisher =    "American Physical Society",
 641   notes =        "defects in 3c-sic",
 642 }
 643
 644 @Article{gao02,
 645   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 646                  3{C}-Si{C}",
 647   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 648   volume =       "191",
 649   number =       "1-4",
 650   pages =        "487--496",
 651   year =         "2002",
 652   note =         "",
 653   ISSN =         "0168-583X",
 654   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 655   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 656   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 657   keywords =     "Empirical potential",
 658   keywords =     "Defect properties",
 659   keywords =     "Silicon carbide",
 660   keywords =     "Computer simulation",
 661   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 662 }
 663
 664 @Article{gao04,
 665   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 666                  3{C}-Si{C}",
 667   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 668                  Belko",
 669   journal =      "Phys. Rev. B",
 670   volume =       "69",
 671   number =       "24",
 672   pages =        "245205",
 673   numpages =     "5",
 674   year =         "2004",
 675   month =        jun,
 676   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 677   publisher =    "American Physical Society",
 678   notes =        "defect migration in sic",
 679 }
 680
 681 @Article{gao07,
 682   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 683                  W. J. Weber",
 684   collaboration = "",
 685   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 686                  in cubic silicon carbide",
 687   publisher =    "AIP",
 688   year =         "2007",
 689   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 690   volume =       "90",
 691   number =       "22",
 692   eid =          "221915",
 693   numpages =     "3",
 694   pages =        "221915",
 695   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 696                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 697                  dynamics method; density functional theory;
 698                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 699                  impurities; diffusion",
 700   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 701   doi =          "10.1063/1.2743751",
 702 }
 703
 704 @Article{mattoni2002,
 705   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 706                  crystalline silicon",
 707   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 708   journal =      "Phys. Rev. B",
 709   volume =       "66",
 710   number =       "19",
 711   pages =        "195214",
 712   numpages =     "6",
 713   year =         "2002",
 714   month =        nov,
 715   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 716   publisher =    "American Physical Society",
 717   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 718                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 719                  tersoff suitability",
 720 }
 721
 722 @Article{leung99,
 723   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 724   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 725                  Itoh and S. Ihara",
 726   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 727   volume =       "83",
 728   number =       "12",
 729   pages =        "2351--2354",
 730   numpages =     "3",
 731   year =         "1999",
 732   month =        sep,
 733   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 734   publisher =    "American Physical Society",
 735   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 736                  refs",
 737 }
 738
 739 @Article{capaz94,
 740   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 741                  carbon in silicon",
 742   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 743   journal =      "Phys. Rev. B",
 744   volume =       "50",
 745   number =       "11",
 746   pages =        "7439--7442",
 747   numpages =     "3",
 748   year =         "1994",
 749   month =        sep,
 750   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 751   publisher =    "American Physical Society",
 752   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 753                  dumbbell",
 754 }
 755
 756 @Article{capaz98,
 757   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 758   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 759   journal =      "Phys. Rev. B",
 760   volume =       "58",
 761   number =       "15",
 762   pages =        "9845--9850",
 763   numpages =     "5",
 764   year =         "1998",
 765   month =        oct,
 766   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 767   publisher =    "American Physical Society",
 768   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 769 }
 770
 771 @Article{song90_2,
 772   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 773                  pair in silicon",
 774   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 775                  Watkins",
 776   journal =      "Phys. Rev. B",
 777   volume =       "42",
 778   number =       "9",
 779   pages =        "5765--5783",
 780   numpages =     "18",
 781   year =         "1990",
 782   month =        sep,
 783   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 784   publisher =    "American Physical Society",
 785   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 786 }
 787
 788 @Article{liu02,
 789   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 790                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 791   collaboration = "",
 792   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 793                  interactions in Si",
 794   publisher =    "AIP",
 795   year =         "2002",
 796   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 797   volume =       "80",
 798   number =       "1",
 799   pages =        "52--54",
 800   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 801                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 802                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 803   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 804   doi =          "10.1063/1.1430505",
 805   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 806 }
 807
 808 @Article{dal_pino93,
 809   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 810                  silicon",
 811   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 812                  Joannopoulos",
 813   journal =      "Phys. Rev. B",
 814   volume =       "47",
 815   number =       "19",
 816   pages =        "12554--12557",
 817   numpages =     "3",
 818   year =         "1993",
 819   month =        may,
 820   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 821   publisher =    "American Physical Society",
 822   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 823 }
 824
 825 @Article{car84,
 826   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 827                  Silicon",
 828   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 829                  Sokrates T. Pantelides",
 830   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 831   volume =       "52",
 832   number =       "20",
 833   pages =        "1814--1817",
 834   numpages =     "3",
 835   year =         "1984",
 836   month =        may,
 837   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 838   publisher =    "American Physical Society",
 839   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 840                  path formation",
 841 }
 842
 843 @Article{car85,
 844   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 845                  Density-Functional Theory",
 846   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 847   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 848   volume =       "55",
 849   number =       "22",
 850   pages =        "2471--2474",
 851   numpages =     "3",
 852   year =         "1985",
 853   month =        nov,
 854   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 855   publisher =    "American Physical Society",
 856   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 857 }
 858
 859 @Article{kelires97,
 860   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 861                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 862   author =       "P. C. Kelires",
 863   journal =      "Phys. Rev. B",
 864   volume =       "55",
 865   number =       "14",
 866   pages =        "8784--8787",
 867   numpages =     "3",
 868   year =         "1997",
 869   month =        apr,
 870   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 871   publisher =    "American Physical Society",
 872   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 873                  neighbour dist",
 874 }
 875
 876 @Article{kelires95,
 877   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 878                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 879   author =       "P. C. Kelires",
 880   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 881   volume =       "75",
 882   number =       "6",
 883   pages =        "1114--1117",
 884   numpages =     "3",
 885   year =         "1995",
 886   month =        aug,
 887   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 888   publisher =    "American Physical Society",
 889   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 890 }
 891
 892 @Article{bean70,
 893   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 894                  containing carbon",
 895   journal =      "Solid State Communications",
 896   volume =       "8",
 897   number =       "3",
 898   pages =        "175--177",
 899   year =         "1970",
 900   note =         "",
 901   ISSN =         "0038-1098",
 902   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 903   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 904   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 905 }
 906
 907 @Article{watkins76,
 908   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 909                  Atom in Silicon",
 910   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 911   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 912   volume =       "36",
 913   number =       "22",
 914   pages =        "1329--1332",
 915   numpages =     "3",
 916   year =         "1976",
 917   month =        may,
 918   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 919   publisher =    "American Physical Society",
 920   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 921                  silicon",
 922 }
 923
 924 @Article{song90,
 925   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 926                  interstitial carbon in silicon",
 927   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 928   journal =      "Phys. Rev. B",
 929   volume =       "42",
 930   number =       "9",
 931   pages =        "5759--5764",
 932   numpages =     "5",
 933   year =         "1990",
 934   month =        sep,
 935   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 936   publisher =    "American Physical Society",
 937   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 938 }
 939
 940 @Article{tipping87,
 941   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 942   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 943                  silicon",
 944   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
 945   volume =       "2",
 946   number =       "5",
 947   pages =        "315--317",
 948   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 949   year =         "1987",
 950   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 951                  silicon",
 952 }
 953
 954 @Article{strane96,
 955   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 956                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 957   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 958                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 959   journal =      "J. Appl. Phys.",
 960   volume =       "79",
 961   pages =        "637",
 962   year =         "1996",
 963   month =        jan,
 964   doi =          "10.1063/1.360806",
 965   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 966 }
 967
 968 @Article{laveant2002,
 969   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 970   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 971   volume =       "89",
 972   number =       "1-3",
 973   pages =        "241--245",
 974   year =         "2002",
 975   ISSN =         "0921-5107",
 976   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 977   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 978   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 979                  G{\"{o}}sele",
 980   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 981                  stress, avoid sic precipitation",
 982 }
 983
 984 @Article{werner97,
 985   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 986                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 987   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 988                  silicon by transmission electron microscopy",
 989   publisher =    "AIP",
 990   year =         "1997",
 991   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 992   volume =       "70",
 993   number =       "2",
 994   pages =        "252--254",
 995   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 996                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 997                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 998                  layers; precipitation",
 999   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1000   doi =          "10.1063/1.118381",
1001   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1002                  precipitate",
1003 }
1004
1005 @InProceedings{werner96,
1006   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1007                  Eichler",
1008   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
1009                  International Conference on",
1010   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1011                  implanted silicon",
1012   year =         "1996",
1013   month =        jun,
1014   volume =       "",
1015   number =       "",
1016   pages =        "675--678",
1017   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1018   ISSN =         "",
1019   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1020 }
1021
1022 @Article{werner98,
1023   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1024                  D. C. Jacobson",
1025   collaboration = "",
1026   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1027   publisher =    "AIP",
1028   year =         "1998",
1029   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1030   volume =       "73",
1031   number =       "17",
1032   pages =        "2465--2467",
1033   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1034                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1035                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1036                  impurity distribution",
1037   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1038   doi =          "10.1063/1.122483",
1039   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1040 }
1041
1042 @Article{strane94,
1043   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1044                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1045   collaboration = "",
1046   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1047                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1048   publisher =    "AIP",
1049   year =         "1994",
1050   journal =      "J. Appl. Phys.",
1051   volume =       "76",
1052   number =       "6",
1053   pages =        "3656--3668",
1054   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1055   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1056   doi =          "10.1063/1.357429",
1057   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1058                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1059                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1060                  energy",
1061 }
1062
1063 @Article{fischer95,
1064   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1065                  Osten",
1066   collaboration = "",
1067   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1068                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1069   publisher =    "AIP",
1070   year =         "1995",
1071   journal =      "J. Appl. Phys.",
1072   volume =       "77",
1073   number =       "5",
1074   pages =        "1934--1937",
1075   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1076                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1077                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1078                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1079   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1080   doi =          "10.1063/1.358826",
1081 }
1082
1083 @Article{edgar92,
1084   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1085                  semiconductors",
1086   author =       "J. H. Edgar",
1087   journal =      "J. Mater. Res.",
1088   volume =       "7",
1089   pages =        "235",
1090   year =         "1992",
1091   month =        jan,
1092   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1093   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1094                  polytypes",
1095 }
1096
1097 @Article{zirkelbach2007,
1098   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1099                  process leading to ordered precipitate structures",
1100   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1101                  and B. Stritzker",
1102   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1103   volume =       "257",
1104   number =       "1--2",
1105   pages =        "75--79",
1106   numpages =     "5",
1107   year =         "2007",
1108   month =        apr,
1109   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1110   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1111                  NETHERLANDS",
1112 }
1113
1114 @Article{zirkelbach2006,
1115   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1116                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1117                  during ion irradiation",
1118   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1119                  and B. Stritzker",
1120   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1121   volume =       "242",
1122   number =       "1--2",
1123   pages =        "679--682",
1124   numpages =     "4",
1125   year =         "2006",
1126   month =        jan,
1127   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1128   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1129                  NETHERLANDS",
1130 }
1131
1132 @Article{zirkelbach2005,
1133   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1134                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1135                  ion irradiation",
1136   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1137                  and B. Stritzker",
1138   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1139   volume =       "33",
1140   number =       "1--3",
1141   pages =        "310--316",
1142   numpages =     "7",
1143   year =         "2005",
1144   month =        apr,
1145   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1146   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1147                  NETHERLANDS",
1148 }
1149
1150 @Article{zirkelbach09,
1151   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1152                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1153   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1154   volume =       "159-160",
1155   number =       "",
1156   pages =        "149--152",
1157   year =         "2009",
1158   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1159                  Silicon Materials Research for Electronic and
1160                  Photovoltaic Applications",
1161   ISSN =         "0921-5107",
1162   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1163   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1164   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1165                  B. Stritzker",
1166   keywords =     "Silicon",
1167   keywords =     "Carbon",
1168   keywords =     "Silicon carbide",
1169   keywords =     "Nucleation",
1170   keywords =     "Defect formation",
1171   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1172 }
1173
1174 @Article{zirkelbach10,
1175   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1176                  classical potentials and first-principles methods",
1177   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1178                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1179   journal =      "Phys. Rev. B",
1180   volume =       "82",
1181   number =       "9",
1182   pages =        "094110",
1183   numpages =     "6",
1184   year =         "2010",
1185   month =        sep,
1186   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1187   publisher =    "American Physical Society",
1188 }
1189
1190 @Article{zirkelbach11a,
1191   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1192                  silicon",
1193   journal =      "to be published",
1194   volume =       "",
1195   number =       "",
1196   pages =        "",
1197   year =         "2011",
1198   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and J. K. N. Lindner
1199                  and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1200 }
1201
1202 @Article{zirkelbach11b,
1203   title =        "...",
1204   journal =      "to be published",
1205   volume =       "",
1206   number =       "",
1207   pages =        "",
1208   year =         "2011",
1209   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1210                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1211 }
1212
1213 @Article{lindner95,
1214   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1215                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1216   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1217                  Layers in Silicon",
1218   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
1219   volume =       "354",
1220   number =       "",
1221   pages =        "171",
1222   year =         "1994",
1223   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1224   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1225   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400420853",
1226   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1227 }
1228
1229 @Article{lindner96,
1230   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1231                  in silicon by ion beam synthesis",
1232   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
1233   volume =       "46",
1234   number =       "2-3",
1235   pages =        "147--155",
1236   year =         "1996",
1237   note =         "",
1238   ISSN =         "0254-0584",
1239   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1240   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1241   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1242                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1243                  Stritzker",
1244   notes =        "dose window",
1245 }
1246
1247 @Article{calcagno96,
1248   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1249                  ion implantation",
1250   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1251                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1252   volume =       "120",
1253   number =       "1-4",
1254   pages =        "121--124",
1255   year =         "1996",
1256   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1257                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1258   ISSN =         "0168-583X",
1259   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1260   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1261   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1262                  Grimaldi and P. Musumeci",
1263   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1264 }
1265
1266 @Article{lindner98,
1267   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1268                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1269   journal =      "Materials Science Forum",
1270   volume =       "264-268",
1271   pages =        "215--218",
1272   year =         "1998",
1273   note =         "",
1274   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1275   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1276   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1277   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1278                  crystallinity",
1279 }
1280
1281 @Article{lindner99,
1282   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1283                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1284                  layers in silicon",
1285   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1286   volume =       "147",
1287   number =       "1-4",
1288   pages =        "249--255",
1289   year =         "1999",
1290   note =         "",
1291   ISSN =         "0168-583X",
1292   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1293   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1294   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1295   notes =        "two-step implantation process",
1296 }
1297
1298 @Article{lindner99_2,
1299   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1300                  in silicon",
1301   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1302   volume =       "148",
1303   number =       "1-4",
1304   pages =        "528--533",
1305   year =         "1999",
1306   ISSN =         "0168-583X",
1307   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1308   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1309   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1310   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1311 }
1312
1313 @Article{lindner01,
1314   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1315                  Basic physical processes",
1316   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1317   volume =       "178",
1318   number =       "1-4",
1319   pages =        "44--54",
1320   year =         "2001",
1321   note =         "",
1322   ISSN =         "0168-583X",
1323   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1324   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1325   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1326 }
1327
1328 @Article{lindner02,
1329   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1330                  fundamental studies for new technological tricks",
1331   author =       "J. K. N. Lindner",
1332   journal =      "Appl. Phys. A",
1333   volume =       "77",
1334   pages =        "27--38",
1335   year =         "2003",
1336   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1337   notes =        "ibs, burried sic layers",
1338 }
1339
1340 @Article{lindner06,
1341   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1342                  formation and displacive precipitate resolution in the
1343                  {C}-Si system",
1344   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1345   volume =       "26",
1346   number =       "5-7",
1347   pages =        "857--861",
1348   year =         "2006",
1349   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1350                  Applications",
1351   ISSN =         "0928-4931",
1352   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1353   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1354   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1355                  and B. Stritzker",
1356   notes =        "c int diffusion barrier",
1357 }
1358
1359 @Article{ito04,
1360   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1361                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1362                  growth",
1363   journal =      "Applied Surface Science",
1364   volume =       "238",
1365   number =       "1-4",
1366   pages =        "159--164",
1367   year =         "2004",
1368   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1369   ISSN =         "0169-4332",
1370   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1371   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1372   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1373                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1374   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1375 }
1376
1377 @Article{yamamoto04,
1378   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1379                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1380                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1381   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1382   volume =       "261",
1383   number =       "2-3",
1384   pages =        "266--270",
1385   year =         "2004",
1386   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1387                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1388   ISSN =         "0022-0248",
1389   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1390   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1391   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1392                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1393   notes =        "gan on 3c-sic",
1394 }
1395
1396 @Article{liu_l02,
1397   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1398   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1399   volume =       "37",
1400   number =       "3",
1401   pages =        "61--127",
1402   year =         "2002",
1403   note =         "",
1404   ISSN =         "0927-796X",
1405   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1406   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1407   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1408   notes =        "gan substrates",
1409 }
1410
1411 @Article{takeuchi91,
1412   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1413                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1414   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1415   volume =       "115",
1416   number =       "1-4",
1417   pages =        "634--638",
1418   year =         "1991",
1419   note =         "",
1420   ISSN =         "0022-0248",
1421   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1422   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1423   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1424                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1425   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1426 }
1427
1428 @Article{alder57,
1429   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1430   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1431   publisher =    "AIP",
1432   year =         "1957",
1433   journal =      "J. Chem. Phys.",
1434   volume =       "27",
1435   number =       "5",
1436   pages =        "1208--1209",
1437   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1438   doi =          "10.1063/1.1743957",
1439 }
1440
1441 @Article{alder59,
1442   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1443   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1444   publisher =    "AIP",
1445   year =         "1959",
1446   journal =      "J. Chem. Phys.",
1447   volume =       "31",
1448   number =       "2",
1449   pages =        "459--466",
1450   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1451   doi =          "10.1063/1.1730376",
1452 }
1453
1454 @Article{tersoff_si1,
1455   title =        "New empirical model for the structural properties of
1456                  silicon",
1457   author =       "J. Tersoff",
1458   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1459   volume =       "56",
1460   number =       "6",
1461   pages =        "632--635",
1462   numpages =     "3",
1463   year =         "1986",
1464   month =        feb,
1465   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1466   publisher =    "American Physical Society",
1467 }
1468
1469 @Article{tersoff_si2,
1470   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1471                  covalent systems",
1472   author =       "J. Tersoff",
1473   journal =      "Phys. Rev. B",
1474   volume =       "37",
1475   number =       "12",
1476   pages =        "6991--7000",
1477   numpages =     "9",
1478   year =         "1988",
1479   month =        apr,
1480   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1481   publisher =    "American Physical Society",
1482 }
1483
1484 @Article{tersoff_si3,
1485   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1486                  improved elastic properties",
1487   author =       "J. Tersoff",
1488   journal =      "Phys. Rev. B",
1489   volume =       "38",
1490   number =       "14",
1491   pages =        "9902--9905",
1492   numpages =     "3",
1493   year =         "1988",
1494   month =        nov,
1495   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1496   publisher =    "American Physical Society",
1497 }
1498
1499 @Article{tersoff_c,
1500   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1501                  Applications to Amorphous Carbon",
1502   author =       "J. Tersoff",
1503   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1504   volume =       "61",
1505   number =       "25",
1506   pages =        "2879--2882",
1507   numpages =     "3",
1508   year =         "1988",
1509   month =        dec,
1510   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1511   publisher =    "American Physical Society",
1512 }
1513
1514 @Article{tersoff_m,
1515   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1516                  for multicomponent systems",
1517   author =       "J. Tersoff",
1518   journal =      "Phys. Rev. B",
1519   volume =       "39",
1520   number =       "8",
1521   pages =        "5566--5568",
1522   numpages =     "2",
1523   year =         "1989",
1524   month =        mar,
1525   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1526   publisher =    "American Physical Society",
1527 }
1528
1529 @Article{tersoff90,
1530   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1531   author =       "J. Tersoff",
1532   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1533   volume =       "64",
1534   number =       "15",
1535   pages =        "1757--1760",
1536   numpages =     "3",
1537   year =         "1990",
1538   month =        apr,
1539   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1540   publisher =    "American Physical Society",
1541 }
1542
1543 @Article{fahey89,
1544   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1545   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1546   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1547   volume =       "61",
1548   number =       "2",
1549   pages =        "289--384",
1550   numpages =     "95",
1551   year =         "1989",
1552   month =        apr,
1553   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1554   publisher =    "American Physical Society",
1555 }
1556
1557 @Article{wesch96,
1558   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1559   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1560   volume =       "116",
1561   number =       "1-4",
1562   pages =        "305--321",
1563   year =         "1996",
1564   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1565   ISSN =         "0168-583X",
1566   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1567   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1568   author =       "W. Wesch",
1569 }
1570
1571 @Article{davis91,
1572   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
1573                  Palmour and J. A. Edmond",
1574   journal =      "Proceedings of the IEEE",
1575   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
1576                  optoelectronic device fabrication and characterization
1577                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
1578   year =         "1991",
1579   month =        may,
1580   volume =       "79",
1581   number =       "5",
1582   pages =        "677--701",
1583   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
1584                  diode;SiC;dry etching;electrical
1585                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
1586                  device fabrication;solid-state devices;surface
1587                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
1588                  transistors;Schottky-barrier
1589                  diodes;etching;heterojunction bipolar
1590                  transistors;insulated gate field effect
1591                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
1592                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
1593   doi =          "10.1109/5.90132",
1594   ISSN =         "0018-9219",
1595   notes =        "sic growth methods",
1596 }
1597
1598 @Article{morkoc94,
1599   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1600                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1601   collaboration = "",
1602   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1603                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1604   publisher =    "AIP",
1605   year =         "1994",
1606   journal =      "J. Appl. Phys.",
1607   volume =       "76",
1608   number =       "3",
1609   pages =        "1363--1398",
1610   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1611                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1612                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1613                  FILMS; INDUSTRY",
1614   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1615   doi =          "10.1063/1.358463",
1616   notes =        "sic intro, properties",
1617 }
1618
1619 @Article{foo,
1620   author =       "Noch Unbekannt",
1621   title =        "How to find references",
1622   journal =      "Journal of Applied References",
1623   year =         "2009",
1624   volume =       "77",
1625   pages =        "1--23",
1626 }
1627
1628 @Article{tang95,
1629   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1630                  \beta{}-Si{C}",
1631   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1632   journal =      "Phys. Rev. B",
1633   volume =       "52",
1634   number =       "21",
1635   pages =        "15150--15159",
1636   numpages =     "9",
1637   year =         "1995",
1638   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1639   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1640                  tersoff reparametrization",
1641   publisher =    "American Physical Society",
1642 }
1643
1644 @Article{sarro00,
1645   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1646   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1647   volume =       "82",
1648   number =       "1-3",
1649   pages =        "210--218",
1650   year =         "2000",
1651   ISSN =         "0924-4247",
1652   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1653   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1654   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1655   keywords =     "MEMS",
1656   keywords =     "Silicon carbide",
1657   keywords =     "Micromachining",
1658   keywords =     "Mechanical stress",
1659 }
1660
1661 @Article{casady96,
1662   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1663                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1664                  review",
1665   journal =      "Solid-State Electronics",
1666   volume =       "39",
1667   number =       "10",
1668   pages =        "1409--1422",
1669   year =         "1996",
1670   ISSN =         "0038-1101",
1671   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1672   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1673   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1674   notes =        "sic intro",
1675 }
1676
1677 @Article{giancarli98,
1678   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1679                  structural material in fusion power reactor blankets",
1680   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1681   volume =       "41",
1682   number =       "1-4",
1683   pages =        "165--171",
1684   year =         "1998",
1685   ISSN =         "0920-3796",
1686   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1687   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1688   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1689                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1690 }
1691
1692 @Article{pensl93,
1693   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1694   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1695   volume =       "185",
1696   number =       "1-4",
1697   pages =        "264--283",
1698   year =         "1993",
1699   ISSN =         "0921-4526",
1700   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1701   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1702   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1703 }
1704
1705 @Article{tairov78,
1706   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1707                  carbide single crystals",
1708   journal =      "J. Cryst. Growth",
1709   volume =       "43",
1710   number =       "2",
1711   pages =        "209--212",
1712   year =         "1978",
1713   notes =        "modified lely process",
1714   ISSN =         "0022-0248",
1715   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1716   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1717   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1718 }
1719
1720 @Article{tairov81,
1721   title =        "General principles of growing large-size single
1722                  crystals of various silicon carbide polytypes",
1723   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1724   volume =       "52",
1725   number =       "Part 1",
1726   pages =        "146--150",
1727   year =         "1981",
1728   note =         "",
1729   ISSN =         "0022-0248",
1730   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
1731   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
1732   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1733 }
1734
1735 @Article{barrett91,
1736   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
1737   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1738   volume =       "109",
1739   number =       "1-4",
1740   pages =        "17--23",
1741   year =         "1991",
1742   note =         "",
1743   ISSN =         "0022-0248",
1744   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
1745   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
1746   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
1747                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
1748 }
1749
1750 @Article{barrett93,
1751   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
1752   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1753   volume =       "128",
1754   number =       "1-4",
1755   pages =        "358--362",
1756   year =         "1993",
1757   note =         "",
1758   ISSN =         "0022-0248",
1759   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
1760   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
1761   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
1762                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
1763                  W. J. Choyke",
1764 }
1765
1766 @Article{stein93,
1767   title =        "Control of polytype formation by surface energy
1768                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
1769                  sublimation method",
1770   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1771   volume =       "131",
1772   number =       "1-2",
1773   pages =        "71--74",
1774   year =         "1993",
1775   note =         "",
1776   ISSN =         "0022-0248",
1777   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
1778   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
1779   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
1780   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
1781 }
1782
1783 @Article{nishino83,
1784   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1785                  Will",
1786   collaboration = "",
1787   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1788                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1789   publisher =    "AIP",
1790   year =         "1983",
1791   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1792   volume =       "42",
1793   number =       "5",
1794   pages =        "460--462",
1795   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1796                  monocrystals",
1797   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1798   doi =          "10.1063/1.93970",
1799   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1800 }
1801
1802 @Article{nishino87,
1803   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1804                  and Hiroyuki Matsunami",
1805   collaboration = "",
1806   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1807                  Si{C} on silicon",
1808   publisher =    "AIP",
1809   year =         "1987",
1810   journal =      "J. Appl. Phys.",
1811   volume =       "61",
1812   number =       "10",
1813   pages =        "4889--4893",
1814   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1815   doi =          "10.1063/1.338355",
1816   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1817                  carbonization",
1818 }
1819
1820 @Article{powell87,
1821   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1822                  Kuczmarski",
1823   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1824                  Single-Crystal Films on Si",
1825   publisher =    "ECS",
1826   year =         "1987",
1827   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1828   volume =       "134",
1829   number =       "6",
1830   pages =        "1558--1565",
1831   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1832                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1833   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1834   doi =          "10.1149/1.2100708",
1835   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1836 }
1837
1838 @Article{powell87_2,
1839   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
1840                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
1841   collaboration = "",
1842   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
1843                  off-axis Si substrates",
1844   publisher =    "AIP",
1845   year =         "1987",
1846   journal =      "Applied Physics Letters",
1847   volume =       "51",
1848   number =       "11",
1849   pages =        "823--825",
1850   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
1851                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
1852                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
1853                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
1854                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
1855   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
1856   doi =          "10.1063/1.98824",
1857   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
1858 }
1859
1860 @Article{ueda90,
1861   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
1862   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1863   volume =       "104",
1864   number =       "3",
1865   pages =        "695--700",
1866   year =         "1990",
1867   note =         "",
1868   ISSN =         "0022-0248",
1869   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
1870   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
1871   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
1872                  Matsunami",
1873   notes =        "step-controlled epitaxy model",
1874 }
1875
1876 @Article{kimoto93,
1877   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1878                  and Hiroyuki Matsunami",
1879   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1880                  epitaxy",
1881   publisher =    "AIP",
1882   year =         "1993",
1883   journal =      "J. Appl. Phys.",
1884   volume =       "73",
1885   number =       "2",
1886   pages =        "726--732",
1887   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1888                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1889                  VAPOR DEPOSITION",
1890   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1891   doi =          "10.1063/1.353329",
1892   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1893 }
1894
1895 @Article{powell90_2,
1896   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1897                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1898                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1899   collaboration = "",
1900   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
1901                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
1902   publisher =    "AIP",
1903   year =         "1990",
1904   journal =      "Applied Physics Letters",
1905   volume =       "56",
1906   number =       "15",
1907   pages =        "1442--1444",
1908   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1909                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
1910                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
1911                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
1912   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
1913   doi =          "10.1063/1.102492",
1914   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
1915 }
1916
1917 @Article{kong88_2,
1918   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
1919   collaboration = "",
1920   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
1921                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
1922                  substrates",
1923   publisher =    "AIP",
1924   year =         "1988",
1925   journal =      "Journal of Applied Physics",
1926   volume =       "64",
1927   number =       "5",
1928   pages =        "2672--2679",
1929   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
1930                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
1931                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
1932                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
1933                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
1934   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
1935   doi =          "10.1063/1.341608",
1936 }
1937
1938 @Article{powell90,
1939   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1940                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1941                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1942   collaboration = "",
1943   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1944                  6{H}-Si{C} substrates",
1945   publisher =    "AIP",
1946   year =         "1990",
1947   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1948   volume =       "56",
1949   number =       "14",
1950   pages =        "1353--1355",
1951   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1952                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1953                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1954                  PHASE EPITAXY",
1955   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1956   doi =          "10.1063/1.102512",
1957   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1958 }
1959
1960 @Article{kong88,
1961   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
1962                  Rozgonyi and K. L. More",
1963   collaboration = "",
1964   title =        "An examination of double positioning boundaries and
1965                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
1966                  substrates",
1967   publisher =    "AIP",
1968   year =         "1988",
1969   journal =      "Journal of Applied Physics",
1970   volume =       "63",
1971   number =       "8",
1972   pages =        "2645--2650",
1973   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
1974                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
1975                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
1976                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
1977                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
1978   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
1979   doi =          "10.1063/1.341004",
1980 }
1981
1982 @Article{powell91,
1983   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
1984                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
1985                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
1986   collaboration = "",
1987   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
1988                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
1989   publisher =    "AIP",
1990   year =         "1991",
1991   journal =      "Applied Physics Letters",
1992   volume =       "59",
1993   number =       "3",
1994   pages =        "333--335",
1995   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
1996                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
1997                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
1998   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
1999   doi =          "10.1063/1.105587",
2000 }
2001
2002 @Article{yuan95,
2003   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2004                  Thokala and M. J. Loboda",
2005   collaboration = "",
2006   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2007                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2008                  silacyclobutane",
2009   publisher =    "AIP",
2010   year =         "1995",
2011   journal =      "J. Appl. Phys.",
2012   volume =       "78",
2013   number =       "2",
2014   pages =        "1271--1273",
2015   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2016                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2017                  SPECTROPHOTOMETRY",
2018   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2019   doi =          "10.1063/1.360368",
2020   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2021 }
2022
2023 @Article{kaneda87,
2024   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2025                  properties of its p-n junction",
2026   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2027   volume =       "81",
2028   number =       "1-4",
2029   pages =        "536--542",
2030   year =         "1987",
2031   note =         "",
2032   ISSN =         "0022-0248",
2033   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2034   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2035   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2036                  and Takao Tanaka",
2037   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2038 }
2039
2040 @Article{fissel95,
2041   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2042                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2043                  molecular beam epitaxy",
2044   journal =      "J. Cryst. Growth",
2045   volume =       "154",
2046   number =       "1-2",
2047   pages =        "72--80",
2048   year =         "1995",
2049   ISSN =         "0022-0248",
2050   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2051   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2052   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2053                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2054   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2055 }
2056
2057 @Article{fissel95_apl,
2058   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2059   collaboration = "",
2060   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2061                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2062   publisher =    "AIP",
2063   year =         "1995",
2064   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2065   volume =       "66",
2066   number =       "23",
2067   pages =        "3182--3184",
2068   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2069                  RHEED; NUCLEATION",
2070   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2071   doi =          "10.1063/1.113716",
2072   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2073 }
2074
2075 @Article{fissel96,
2076   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2077                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2078   collaboration = "",
2079   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2080                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2081                  level using surface superstructures",
2082   publisher =    "AIP",
2083   year =         "1996",
2084   journal =      "Applied Physics Letters",
2085   volume =       "68",
2086   number =       "9",
2087   pages =        "1204--1206",
2088   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2089                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2090                  SURFACE STRUCTURE",
2091   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2092   doi =          "10.1063/1.115969",
2093   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2094 }
2095
2096 @Article{righi03,
2097   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2098   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2099                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2100   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2101   volume =       "91",
2102   number =       "13",
2103   pages =        "136101",
2104   numpages =     "4",
2105   year =         "2003",
2106   month =        sep,
2107   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2108   publisher =    "American Physical Society",
2109   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2110 }
2111
2112 @Article{borders71,
2113   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2114   collaboration = "",
2115   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2116                  {IMPLANTATION}",
2117   publisher =    "AIP",
2118   year =         "1971",
2119   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2120   volume =       "18",
2121   number =       "11",
2122   pages =        "509--511",
2123   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2124   doi =          "10.1063/1.1653516",
2125   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2126                  ideas",
2127 }
2128
2129 @Article{edelman76,
2130   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2131                  and E. V. Lubopytova",
2132   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2133                  by ion implantation",
2134   publisher =    "Taylor \& Francis",
2135   year =         "1976",
2136   journal =      "Radiation Effects",
2137   volume =       "29",
2138   number =       "1",
2139   pages =        "13--15",
2140   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2141   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2142                  single crystalline",
2143 }
2144
2145 @Article{akimchenko80,
2146   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2147                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2148   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2149                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2150   publisher =    "Taylor \& Francis",
2151   year =         "1980",
2152   journal =      "Radiation Effects",
2153   volume =       "48",
2154   number =       "1",
2155   pages =        "7",
2156   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2157   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2158 }
2159
2160 @Article{kimura81,
2161   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2162                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2163                  silicon",
2164   journal =      "Thin Solid Films",
2165   volume =       "81",
2166   number =       "4",
2167   pages =        "319--327",
2168   year =         "1981",
2169   note =         "",
2170   ISSN =         "0040-6090",
2171   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2172   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2173   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2174                  Yugo",
2175 }
2176
2177 @Article{kimura82,
2178   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2179                  the implantation of carbon ions into silicon",
2180   journal =      "Thin Solid Films",
2181   volume =       "94",
2182   number =       "3",
2183   pages =        "191--198",
2184   year =         "1982",
2185   note =         "",
2186   ISSN =         "0040-6090",
2187   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2188   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2189   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2190                  Yugo",
2191 }
2192
2193 @Article{reeson86,
2194   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2195                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2196                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2197   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2198                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2199   publisher =    "Taylor \& Francis",
2200   year =         "1986",
2201   journal =      "Radiation Effects",
2202   volume =       "99",
2203   number =       "1",
2204   pages =        "71--81",
2205   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2206   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or
2207                  time",
2208 }
2209
2210 @Article{reeson87,
2211   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2212                  J. Davis and G. E. Celler",
2213   collaboration = "",
2214   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2215                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2216   publisher =    "AIP",
2217   year =         "1987",
2218   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2219   volume =       "51",
2220   number =       "26",
2221   pages =        "2242--2244",
2222   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2223                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2224   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2225   doi =          "10.1063/1.98953",
2226   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2227 }
2228
2229 @Article{martin90,
2230   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2231                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2232   collaboration = "",
2233   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2234   publisher =    "AIP",
2235   year =         "1990",
2236   journal =      "Journal of Applied Physics",
2237   volume =       "67",
2238   number =       "6",
2239   pages =        "2908--2912",
2240   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2241                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2242                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2243                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2244                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2245                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2246   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2247   doi =          "10.1063/1.346092",
2248   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2249                  temepratures",
2250 }
2251
2252 @Article{scace59,
2253   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2254   collaboration = "",
2255   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2256   publisher =    "AIP",
2257   year =         "1959",
2258   journal =      "J. Chem. Phys.",
2259   volume =       "30",
2260   number =       "6",
2261   pages =        "1551--1555",
2262   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2263   doi =          "10.1063/1.1730236",
2264   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2265 }
2266
2267 @Article{cowern96,
2268   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2269                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2270   collaboration = "",
2271   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2272                  {B} in silicon",
2273   publisher =    "AIP",
2274   year =         "1996",
2275   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2276   volume =       "68",
2277   number =       "8",
2278   pages =        "1150--1152",
2279   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2280                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2281                  SILICON",
2282   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2283   doi =          "10.1063/1.115706",
2284   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2285 }
2286
2287 @Article{stolk95,
2288   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2289                  of the silicon self-interstitial",
2290   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2291   volume =       "96",
2292   number =       "1-2",
2293   pages =        "187--195",
2294   year =         "1995",
2295   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2296                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2297   ISSN =         "0168-583X",
2298   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2299   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2300   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2301                  and J. M. Poate",
2302 }
2303
2304 @Article{stolk97,
2305   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2306                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2307                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2308                  E. Haynes",
2309   collaboration = "",
2310   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2311                  diffusion in ion-implanted silicon",
2312   publisher =    "AIP",
2313   year =         "1997",
2314   journal =      "J. Appl. Phys.",
2315   volume =       "81",
2316   number =       "9",
2317   pages =        "6031--6050",
2318   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2319   doi =          "10.1063/1.364452",
2320   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2321 }
2322
2323 @Article{powell94,
2324   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2325   collaboration = "",
2326   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2327                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2328   publisher =    "AIP",
2329   year =         "1994",
2330   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2331   volume =       "64",
2332   number =       "3",
2333   pages =        "324--326",
2334   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2335                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2336                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2337                  SYNTHESIS",
2338   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2339   doi =          "10.1063/1.111195",
2340   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2341 }
2342
2343 @Article{soref91,
2344   author =       "Richard A. Soref",
2345   collaboration = "",
2346   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2347                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2348   publisher =    "AIP",
2349   year =         "1991",
2350   journal =      "J. Appl. Phys.",
2351   volume =       "70",
2352   number =       "4",
2353   pages =        "2470--2472",
2354   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2355                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2356                  TERNARY ALLOYS",
2357   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2358   doi =          "10.1063/1.349403",
2359   notes =        "band gap of strained si by c",
2360 }
2361
2362 @Article{kasper91,
2363   author =       "E Kasper",
2364   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2365                  possibility to produce direct band gap material",
2366   journal =      "Physica Scripta",
2367   volume =       "T35",
2368   pages =        "232--236",
2369   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2370   year =         "1991",
2371   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2372                  quasi-direct one",
2373 }
2374
2375 @Article{osten99,
2376   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2377   collaboration = "",
2378   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2379                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2380                  molecular beam epitaxy",
2381   publisher =    "AIP",
2382   year =         "1999",
2383   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2384   volume =       "74",
2385   number =       "6",
2386   pages =        "836--838",
2387   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2388                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2389                  compounds",
2390   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2391   doi =          "10.1063/1.123384",
2392   notes =        "substitutional c in si",
2393 }
2394
2395 @Article{hohenberg64,
2396   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2397   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2398   journal =      "Phys. Rev.",
2399   volume =       "136",
2400   number =       "3B",
2401   pages =        "B864--B871",
2402   numpages =     "7",
2403   year =         "1964",
2404   month =        nov,
2405   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2406   publisher =    "American Physical Society",
2407   notes =        "density functional theory, dft",
2408 }
2409
2410 @Article{kohn65,
2411   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2412                  Correlation Effects",
2413   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2414   journal =      "Phys. Rev.",
2415   volume =       "140",
2416   number =       "4A",
2417   pages =        "A1133--A1138",
2418   numpages =     "5",
2419   year =         "1965",
2420   month =        nov,
2421   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2422   publisher =    "American Physical Society",
2423   notes =        "dft, exchange and correlation",
2424 }
2425
2426 @Article{ruecker94,
2427   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
2428                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
2429   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
2430                  J. Osten",
2431   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2432   volume =       "72",
2433   number =       "22",
2434   pages =        "3578--3581",
2435   numpages =     "3",
2436   year =         "1994",
2437   month =        may,
2438   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
2439   publisher =    "American Physical Society",
2440   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
2441                  si, dft",
2442 }
2443
2444 @Article{chang05,
2445   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
2446                  Alloy",
2447   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
2448   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2449   volume =       "44",
2450   number =       "4B",
2451   pages =        "2257--2262",
2452   numpages =     "5",
2453   year =         "2005",
2454   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
2455   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
2456   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2457   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
2458 }
2459
2460 @Article{osten97,
2461   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
2462   collaboration = "",
2463   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2464                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
2465                  Si(001)",
2466   publisher =    "AIP",
2467   year =         "1997",
2468   journal =      "J. Appl. Phys.",
2469   volume =       "82",
2470   number =       "10",
2471   pages =        "4977--4981",
2472   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
2473                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
2474                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
2475   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
2476   doi =          "10.1063/1.366364",
2477   notes =        "charge transport in strained si",
2478 }
2479
2480 @Article{kapur04,
2481   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
2482                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
2483   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
2484   journal =      "Phys. Rev. B",
2485   volume =       "69",
2486   number =       "15",
2487   pages =        "155214",
2488   numpages =     "8",
2489   year =         "2004",
2490   month =        apr,
2491   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
2492   publisher =    "American Physical Society",
2493   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
2494 }
2495
2496 @Article{barkema96,
2497   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
2498                  Systems",
2499   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
2500   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2501   volume =       "77",
2502   number =       "21",
2503   pages =        "4358--4361",
2504   numpages =     "3",
2505   year =         "1996",
2506   month =        nov,
2507   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
2508   publisher =    "American Physical Society",
2509   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
2510                  dynamic mds",
2511 }
2512
2513 @Article{cances09,
2514   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
2515                  Minoukadeh and F. Willaime",
2516   collaboration = "",
2517   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
2518                  technique method for finding transition pathways on
2519                  potential energy surfaces",
2520   publisher =    "AIP",
2521   year =         "2009",
2522   journal =      "J. Chem. Phys.",
2523   volume =       "130",
2524   number =       "11",
2525   eid =          "114711",
2526   numpages =     "6",
2527   pages =        "114711",
2528   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
2529                  surfaces; vacancies (crystal)",
2530   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
2531   doi =          "10.1063/1.3088532",
2532   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
2533                  transition pathways",
2534 }
2535
2536 @Article{parrinello81,
2537   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
2538   collaboration = "",
2539   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
2540                  molecular dynamics method",
2541   publisher =    "AIP",
2542   year =         "1981",
2543   journal =      "J. Appl. Phys.",
2544   volume =       "52",
2545   number =       "12",
2546   pages =        "7182--7190",
2547   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
2548                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
2549                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
2550                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
2551                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
2552                  IMPACT SHOCK",
2553   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2554   doi =          "10.1063/1.328693",
2555 }
2556
2557 @Article{stillinger85,
2558   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
2559                  of silicon",
2560   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
2561   journal =      "Phys. Rev. B",
2562   volume =       "31",
2563   number =       "8",
2564   pages =        "5262--5271",
2565   numpages =     "9",
2566   year =         "1985",
2567   month =        apr,
2568   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
2569   publisher =    "American Physical Society",
2570 }
2571
2572 @Article{brenner90,
2573   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
2574                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
2575                  films",
2576   author =       "Donald W. Brenner",
2577   journal =      "Phys. Rev. B",
2578   volume =       "42",
2579   number =       "15",
2580   pages =        "9458--9471",
2581   numpages =     "13",
2582   year =         "1990",
2583   month =        nov,
2584   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
2585   publisher =    "American Physical Society",
2586   notes =        "brenner hydro carbons",
2587 }
2588
2589 @Article{bazant96,
2590   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
2591                  Cohesive Energy Curves",
2592   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
2593   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2594   volume =       "77",
2595   number =       "21",
2596   pages =        "4370--4373",
2597   numpages =     "3",
2598   year =         "1996",
2599   month =        nov,
2600   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
2601   publisher =    "American Physical Society",
2602   notes =        "first si edip",
2603 }
2604
2605 @Article{bazant97,
2606   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
2607                  silicon",
2608   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
2609                  Justo",
2610   journal =      "Phys. Rev. B",
2611   volume =       "56",
2612   number =       "14",
2613   pages =        "8542--8552",
2614   numpages =     "10",
2615   year =         "1997",
2616   month =        oct,
2617   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
2618   publisher =    "American Physical Society",
2619   notes =        "second si edip",
2620 }
2621
2622 @Article{justo98,
2623   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
2624                  disordered phases",
2625   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
2626                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
2627   journal =      "Phys. Rev. B",
2628   volume =       "58",
2629   number =       "5",
2630   pages =        "2539--2550",
2631   numpages =     "11",
2632   year =         "1998",
2633   month =        aug,
2634   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
2635   publisher =    "American Physical Society",
2636   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
2637 }
2638
2639 @Article{parcas_md,
2640   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
2641   author =       "K. Nordlund",
2642   year =         "2008",
2643 }
2644
2645 @Article{voter97,
2646   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
2647                  Infrequent Events",
2648   author =       "Arthur F. Voter",
2649   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2650   volume =       "78",
2651   number =       "20",
2652   pages =        "3908--3911",
2653   numpages =     "3",
2654   year =         "1997",
2655   month =        may,
2656   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
2657   publisher =    "American Physical Society",
2658   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
2659 }
2660
2661 @Article{voter97_2,
2662   author =       "Arthur F. Voter",
2663   collaboration = "",
2664   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
2665                  simulation of infrequent events",
2666   publisher =    "AIP",
2667   year =         "1997",
2668   journal =      "J. Chem. Phys.",
2669   volume =       "106",
2670   number =       "11",
2671   pages =        "4665--4677",
2672   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
2673                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
2674                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
2675                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2676                  theory; potential energy surfaces",
2677   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2678   doi =          "10.1063/1.473503",
2679   notes =        "improved hyperdynamics md",
2680 }
2681
2682 @Article{sorensen2000,
2683   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
2684   collaboration = "",
2685   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2686                  infrequent events",
2687   publisher =    "AIP",
2688   year =         "2000",
2689   journal =      "J. Chem. Phys.",
2690   volume =       "112",
2691   number =       "21",
2692   pages =        "9599--9606",
2693   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2694                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2695   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2696   doi =          "10.1063/1.481576",
2697   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2698 }
2699
2700 @Article{voter98,
2701   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2702                  events",
2703   author =       "Arthur F. Voter",
2704   journal =      "Phys. Rev. B",
2705   volume =       "57",
2706   number =       "22",
2707   pages =        "R13985--R13988",
2708   numpages =     "3",
2709   year =         "1998",
2710   month =        jun,
2711   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2712   publisher =    "American Physical Society",
2713   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2714 }
2715
2716 @Article{wu99,
2717   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2718   collaboration = "",
2719   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2720                  simulation",
2721   publisher =    "AIP",
2722   year =         "1999",
2723   journal =      "J. Chem. Phys.",
2724   volume =       "110",
2725   number =       "19",
2726   pages =        "9401--9410",
2727   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2728                  potential; crystallisation; liquid theory",
2729   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2730   doi =          "10.1063/1.478948",
2731   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2732                  systematic motion",
2733 }
2734
2735 @Article{choudhary05,
2736   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2737   collaboration = "",
2738   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2739                  to the production of amorphous silicon",
2740   publisher =    "AIP",
2741   year =         "2005",
2742   journal =      "J. Chem. Phys.",
2743   volume =       "122",
2744   number =       "15",
2745   eid =          "154509",
2746   numpages =     "8",
2747   pages =        "154509",
2748   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2749                  amorphous semiconductors",
2750   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2751   doi =          "10.1063/1.1878733",
2752   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2753                  silicon",
2754 }
2755
2756 @Article{taylor93,
2757   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2758   collaboration = "",
2759   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2760                  difficult?",
2761   publisher =    "AIP",
2762   year =         "1993",
2763   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2764   volume =       "62",
2765   number =       "25",
2766   pages =        "3336--3338",
2767   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2768                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2769                  ENERGY",
2770   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2771   doi =          "10.1063/1.109063",
2772   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
2773                  interstitials necessary for precipitation, volume
2774                  decrease, high interface energy",
2775 }
2776
2777 @Article{chaussende08,
2778   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2779   journal =      "J. Cryst. Growth",
2780   volume =       "310",
2781   number =       "5",
2782   pages =        "976--981",
2783   year =         "2008",
2784   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2785                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2786   ISSN =         "0022-0248",
2787   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2788   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2789   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2790                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2791                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2792                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2793   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2794                  metastable",
2795 }
2796
2797 @Article{chaussende07,
2798   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
2799   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
2800   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
2801   volume =       "40",
2802   number =       "20",
2803   pages =        "6150",
2804   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
2805   year =         "2007",
2806   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
2807                  modelling",
2808 }
2809
2810 @Article{feynman39,
2811   title =        "Forces in Molecules",
2812   author =       "R. P. Feynman",
2813   journal =      "Phys. Rev.",
2814   volume =       "56",
2815   number =       "4",
2816   pages =        "340--343",
2817   numpages =     "3",
2818   year =         "1939",
2819   month =        aug,
2820   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2821   publisher =    "American Physical Society",
2822   notes =        "hellmann feynman forces",
2823 }
2824
2825 @Article{buczko00,
2826   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2827                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2828                  their Contrasting Properties",
2829   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2830                  T. Pantelides",
2831   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2832   volume =       "84",
2833   number =       "5",
2834   pages =        "943--946",
2835   numpages =     "3",
2836   year =         "2000",
2837   month =        jan,
2838   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2839   publisher =    "American Physical Society",
2840   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2841 }
2842
2843 @Article{djurabekova08,
2844   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2845                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2846   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2847   journal =      "Phys. Rev. B",
2848   volume =       "77",
2849   number =       "11",
2850   pages =        "115325",
2851   numpages =     "7",
2852   year =         "2008",
2853   month =        mar,
2854   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
2855   publisher =    "American Physical Society",
2856   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
2857                  angular distribution, coordination",
2858 }
2859
2860 @Article{wen09,
2861   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
2862                  W. Liang and J. Zou",
2863   collaboration = "",
2864   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
2865                  strain relaxation at highly lattice mismatched
2866                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
2867   publisher =    "AIP",
2868   year =         "2009",
2869   journal =      "J. Appl. Phys.",
2870   volume =       "106",
2871   number =       "7",
2872   eid =          "073522",
2873   numpages =     "8",
2874   pages =        "073522",
2875   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
2876                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
2877                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
2878                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
2879   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
2880   doi =          "10.1063/1.3234380",
2881   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
2882                  deconvolution, dislocation defects",
2883 }
2884
2885 @Article{kitabatake93,
2886   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
2887                  Hirao",
2888   collaboration = "",
2889   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
2890                  growth on Si(001) surface",
2891   publisher =    "AIP",
2892   year =         "1993",
2893   journal =      "J. Appl. Phys.",
2894   volume =       "74",
2895   number =       "7",
2896   pages =        "4438--4445",
2897   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2898                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2899                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2900   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2901   doi =          "10.1063/1.354385",
2902   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2903                  model, interface",
2904 }
2905
2906 @Article{kitabatake97,
2907   author =       "Makoto Kitabatake",
2908   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
2909                  Heteroepitaxial Growth",
2910   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2911   year =         "1997",
2912   journal =      "physica status solidi (b)",
2913   volume =       "202",
2914   pages =        "405--420",
2915   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
2916   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
2917   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
2918 }
2919
2920 @Article{chirita97,
2921   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
2922                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
2923                  dynamics study",
2924   journal =      "Thin Solid Films",
2925   volume =       "294",
2926   number =       "1-2",
2927   pages =        "47--49",
2928   year =         "1997",
2929   note =         "",
2930   ISSN =         "0040-6090",
2931   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
2932   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
2933   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
2934   keywords =     "Strain relaxation",
2935   keywords =     "Interfaces",
2936   keywords =     "Thermal stability",
2937   keywords =     "Molecular dynamics",
2938   notes =        "tersoff sic/si interface study",
2939 }
2940
2941 @Article{cicero02,
2942   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
2943                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
2944   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
2945                  Catellani",
2946   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2947   volume =       "89",
2948   number =       "15",
2949   pages =        "156101",
2950   numpages =     "4",
2951   year =         "2002",
2952   month =        sep,
2953   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
2954   publisher =    "American Physical Society",
2955   notes =        "sic/si interface study",
2956 }
2957
2958 @Article{pizzagalli03,
2959   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2960                  interface: Si{C}/Si(001)",
2961   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2962                  Catellani",
2963   journal =      "Phys. Rev. B",
2964   volume =       "68",
2965   number =       "19",
2966   pages =        "195302",
2967   numpages =     "10",
2968   year =         "2003",
2969   month =        nov,
2970   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2971   publisher =    "American Physical Society",
2972   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2973 }
2974
2975 @Article{tang07,
2976   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2977                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2978                  electron microscopy",
2979   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2980                  H. Zheng and J. W. Liang",
2981   journal =      "Phys. Rev. B",
2982   volume =       "75",
2983   number =       "18",
2984   pages =        "184103",
2985   numpages =     "7",
2986   year =         "2007",
2987   month =        may,
2988   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2989   publisher =    "American Physical Society",
2990   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2991                  si and c",
2992 }
2993
2994 @Article{hornstra58,
2995   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2996   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2997   volume =       "5",
2998   number =       "1-2",
2999   pages =        "129--141",
3000   year =         "1958",
3001   note =         "",
3002   ISSN =         "0022-3697",
3003   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
3004   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
3005   author =       "J. Hornstra",
3006   notes =        "dislocations in diamond lattice",
3007 }
3008
3009 @Article{deguchi92,
3010   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
3011                  Ion `Hot' Implantation",
3012   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
3013                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
3014   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3015   volume =       "31",
3016   number =       "Part 1, No. 2A",
3017   pages =        "343--347",
3018   numpages =     "4",
3019   year =         "1992",
3020   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
3021   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
3022   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3023   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
3024                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
3025 }
3026
3027 @Article{eichhorn99,
3028   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
3029                  K{\"{o}}gler",
3030   collaboration = "",
3031   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
3032                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
3033                  synchrotron x-ray diffraction",
3034   publisher =    "AIP",
3035   year =         "1999",
3036   journal =      "J. Appl. Phys.",
3037   volume =       "86",
3038   number =       "8",
3039   pages =        "4184--4187",
3040   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
3041                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
3042                  precipitation; semiconductor doping",
3043   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
3044   doi =          "10.1063/1.371344",
3045   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
3046                  expansion of si lattice",
3047 }
3048
3049 @Article{eichhorn02,
3050   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
3051                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
3052   collaboration = "",
3053   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
3054                  carbon ion implantation",
3055   publisher =    "AIP",
3056   year =         "2002",
3057   journal =      "J. Appl. Phys.",
3058   volume =       "91",
3059   number =       "3",
3060   pages =        "1287--1292",
3061   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
3062                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
3063                  electron microscopy",
3064   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
3065   doi =          "10.1063/1.1428105",
3066   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
3067                  temperature, might explain c into c sub trafo",
3068 }
3069
3070 @Article{lucas10,
3071   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
3072   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
3073                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
3074                  high-pressure phases, point and extended defects, and
3075                  amorphous structures",
3076   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3077   volume =       "22",
3078   number =       "3",
3079   pages =        "035802",
3080   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
3081   year =         "2010",
3082   notes =        "edip sic",
3083 }
3084
3085 @Article{godet03,
3086   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
3087                  Beauchamp",
3088   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
3089                  methods for silicon under large shear",
3090   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3091   volume =       "15",
3092   number =       "41",
3093   pages =        "6943",
3094   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
3095   year =         "2003",
3096   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
3097                  edip, tersoff, ab initio",
3098 }
3099
3100 @Article{moriguchi98,
3101   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
3102                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
3103   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
3104   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3105   volume =       "37",
3106   number =       "Part 1, No. 2",
3107   pages =        "414--422",
3108   numpages =     "8",
3109   year =         "1998",
3110   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
3111   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
3112   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3113   notes =        "tersoff stringent test",
3114 }
3115
3116 @Article{mazzarolo01,
3117   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
3118                  simulations",
3119   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
3120                  Lulli and Eros Albertazzi",
3121   journal =      "Phys. Rev. B",
3122   volume =       "63",
3123   number =       "19",
3124   pages =        "195207",
3125   numpages =     "4",
3126   year =         "2001",
3127   month =        apr,
3128   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
3129   publisher =    "American Physical Society",
3130 }
3131
3132 @Article{holmstroem08,
3133   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
3134                  density functional theory molecular dynamics
3135                  simulations",
3136   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
3137   journal =      "Phys. Rev. B",
3138   volume =       "78",
3139   number =       "4",
3140   pages =        "045202",
3141   numpages =     "6",
3142   year =         "2008",
3143   month =        jul,
3144   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
3145   publisher =    "American Physical Society",
3146   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
3147                  initio",
3148 }
3149
3150 @Article{nordlund97,
3151   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
3152                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
3153   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3154   volume =       "132",
3155   number =       "1",
3156   pages =        "45--54",
3157   year =         "1997",
3158   note =         "",
3159   ISSN =         "0168-583X",
3160   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
3161   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
3162   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
3163   notes =        "repulsive ab initio potential",
3164 }
3165
3166 @Article{kresse96,
3167   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
3168                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
3169                  set",
3170   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3171   volume =       "6",
3172   number =       "1",
3173   pages =        "15--50",
3174   year =         "1996",
3175   note =         "",
3176   ISSN =         "0927-0256",
3177   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
3178   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
3179   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
3180   notes =        "vasp ref",
3181 }
3182
3183 @Article{bloechl94,
3184   title =        "Projector augmented-wave method",
3185   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
3186   journal =      "Phys. Rev. B",
3187   volume =       "50",
3188   number =       "24",
3189   pages =        "17953--17979",
3190   numpages =     "26",
3191   year =         "1994",
3192   month =        dec,
3193   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
3194   publisher =    "American Physical Society",
3195   notes =        "paw method",
3196 }
3197
3198 @Article{hamann79,
3199   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
3200   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
3201   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3202   volume =       "43",
3203   number =       "20",
3204   pages =        "1494--1497",
3205   numpages =     "3",
3206   year =         "1979",
3207   month =        nov,
3208   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
3209   publisher =    "American Physical Society",
3210   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
3211 }
3212
3213 @Article{vanderbilt90,
3214   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
3215                  eigenvalue formalism",
3216   author =       "David Vanderbilt",
3217   journal =      "Phys. Rev. B",
3218   volume =       "41",
3219   number =       "11",
3220   pages =        "7892--7895",
3221   numpages =     "3",
3222   year =         "1990",
3223   month =        apr,
3224   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
3225   publisher =    "American Physical Society",
3226   notes =        "vasp pseudopotentials",
3227 }
3228
3229 @Article{perdew86,
3230   title =        "Accurate and simple density functional for the
3231                  electronic exchange energy: Generalized gradient
3232                  approximation",
3233   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
3234   journal =      "Phys. Rev. B",
3235   volume =       "33",
3236   number =       "12",
3237   pages =        "8800--8802",
3238   numpages =     "2",
3239   year =         "1986",
3240   month =        jun,
3241   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
3242   publisher =    "American Physical Society",
3243   notes =        "rapid communication gga",
3244 }
3245
3246 @Article{perdew02,
3247   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
3248                  correlation: {A} look backward and forward",
3249   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
3250   volume =       "172",
3251   number =       "1-2",
3252   pages =        "1--6",
3253   year =         "1991",
3254   note =         "",
3255   ISSN =         "0921-4526",
3256   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
3257   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
3258   author =       "John P. Perdew",
3259   notes =        "gga overview",
3260 }
3261
3262 @Article{perdew92,
3263   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
3264                  of the generalized gradient approximation for exchange
3265                  and correlation",
3266   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
3267                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
3268                  and Carlos Fiolhais",
3269   journal =      "Phys. Rev. B",
3270   volume =       "46",
3271   number =       "11",
3272   pages =        "6671--6687",
3273   numpages =     "16",
3274   year =         "1992",
3275   month =        sep,
3276   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
3277   publisher =    "American Physical Society",
3278   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
3279 }
3280
3281 @Article{baldereschi73,
3282   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
3283   author =       "A. Baldereschi",
3284   journal =      "Phys. Rev. B",
3285   volume =       "7",
3286   number =       "12",
3287   pages =        "5212--5215",
3288   numpages =     "3",
3289   year =         "1973",
3290   month =        jun,
3291   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
3292   publisher =    "American Physical Society",
3293   notes =        "mean value k point",
3294 }
3295
3296 @Article{zhu98,
3297   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
3298                  diffusion in Si",
3299   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3300   volume =       "12",
3301   number =       "4",
3302   pages =        "309--318",
3303   year =         "1998",
3304   note =         "",
3305   ISSN =         "0927-0256",
3306   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
3307   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
3308   author =       "Jing Zhu",
3309   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
3310   keywords =     "Boron dopant",
3311   keywords =     "Carbon dopant",
3312   keywords =     "Defect",
3313   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
3314   keywords =     "Impurity cluster",
3315   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
3316 }
3317
3318 @Article{nejim95,
3319   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
3320   collaboration = "",
3321   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
3322                  950 [degree]{C}",
3323   publisher =    "AIP",
3324   year =         "1995",
3325   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3326   volume =       "66",
3327   number =       "20",
3328   pages =        "2646--2648",
3329   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
3330                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
3331                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
3332                  ELECTRON MICROSCOPY",
3333   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
3334   doi =          "10.1063/1.113112",
3335   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
3336                  self interstitials react with further implanted c",
3337 }
3338
3339 @Article{guedj98,
3340   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
3341                  Kolodzey and A. Hairie",
3342   collaboration = "",
3343   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3344                  alloys",
3345   publisher =    "AIP",
3346   year =         "1998",
3347   journal =      "J. Appl. Phys.",
3348   volume =       "84",
3349   number =       "8",
3350   pages =        "4631--4633",
3351   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
3352                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
3353                  Fourier transform spectra; thermal stability;
3354                  annealing",
3355   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
3356   doi =          "10.1063/1.368703",
3357   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
3358 }
3359
3360 @Article{jones04,
3361   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
3362   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
3363                  semiconductors",
3364   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3365   volume =       "16",
3366   number =       "27",
3367   pages =        "S2643",
3368   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
3369   year =         "2004",
3370   notes =        "ab inito dft intro, vibrational modes, c defect in
3371                  si",
3372 }
3373
3374 @Article{park02,
3375   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
3376                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
3377                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
3378   collaboration = "",
3379   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
3380                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
3381                  molecular-beam epitaxy",
3382   publisher =    "AIP",
3383   year =         "2002",
3384   journal =      "J. Appl. Phys.",
3385   volume =       "91",
3386   number =       "9",
3387   pages =        "5716--5727",
3388   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
3389   doi =          "10.1063/1.1465122",
3390   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
3391 }
3392
3393 @Article{leary97,
3394   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
3395                  carbon-carbon pair defects in silicon",
3396   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
3397                  Torres",
3398   journal =      "Phys. Rev. B",
3399   volume =       "55",
3400   number =       "4",
3401   pages =        "2188--2194",
3402   numpages =     "6",
3403   year =         "1997",
3404   month =        jan,
3405   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
3406   publisher =    "American Physical Society",
3407   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
3408                  energies, different migration barriers and paths",
3409 }
3410
3411 @Article{burnard93,
3412   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
3413                  silicon: Semiempirical electronic-structure
3414                  calculations",
3415   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
3416   journal =      "Phys. Rev. B",
3417   volume =       "47",
3418   number =       "16",
3419   pages =        "10217--10225",
3420   numpages =     "8",
3421   year =         "1993",
3422   month =        apr,
3423   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
3424   publisher =    "American Physical Society",
3425   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
3426                  carbon defect, formation energies",
3427 }
3428
3429 @Article{besson91,
3430   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
3431                  silicon",
3432   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
3433   journal =      "Phys. Rev. B",
3434   volume =       "43",
3435   number =       "5",
3436   pages =        "4028--4033",
3437   numpages =     "5",
3438   year =         "1991",
3439   month =        feb,
3440   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
3441   publisher =    "American Physical Society",
3442 }
3443
3444 @Article{kaxiras96,
3445   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
3446                  and growth on semiconductors",
3447   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3448   volume =       "6",
3449   number =       "2",
3450   pages =        "158--172",
3451   year =         "1996",
3452   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
3453                  Epitaxy",
3454   ISSN =         "0927-0256",
3455   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
3456   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
3457   author =       "Efthimios Kaxiras",
3458   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
3459                  tight binding, first principles",
3460 }
3461
3462 @Article{kaukonen98,
3463   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
3464                  diamond
3465                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
3466                  surfaces",
3467   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
3468                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
3469                  Th. Frauenheim",
3470   journal =      "Phys. Rev. B",
3471   volume =       "57",
3472   number =       "16",
3473   pages =        "9965--9970",
3474   numpages =     "5",
3475   year =         "1998",
3476   month =        apr,
3477   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
3478   publisher =    "American Physical Society",
3479   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
3480                  (crt)",
3481 }
3482
3483 @Article{gali03,
3484   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
3485                  center in Si{C}",
3486   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
3487                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
3488                  W. J. Choyke",
3489   journal =      "Phys. Rev. B",
3490   volume =       "67",
3491   number =       "15",
3492   pages =        "155203",
3493   numpages =     "5",
3494   year =         "2003",
3495   month =        apr,
3496   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
3497   publisher =    "American Physical Society",
3498 }
3499
3500 @Article{chen98,
3501   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
3502                  irradiation and deformation",
3503   journal =      "J. Nucl. Mater.",
3504   volume =       "258-263",
3505   number =       "Part 2",
3506   pages =        "1803--1808",
3507   year =         "1998",
3508   note =         "",
3509   ISSN =         "0022-3115",
3510   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
3511   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
3512   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
3513 }
3514
3515 @Article{weber01,
3516   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
3517                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
3518   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3519   volume =       "175-177",
3520   number =       "",
3521   pages =        "26--30",
3522   year =         "2001",
3523   note =         "",
3524   ISSN =         "0168-583X",
3525   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
3526   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
3527   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
3528 }
3529
3530 @Article{bockstedte03,
3531   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
3532                  in $3{C}-Si{C}$",
3533   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
3534                  Pankratov",
3535   journal =      "Phys. Rev. B",
3536   volume =       "68",
3537   number =       "20",
3538   pages =        "205201",
3539   numpages =     "17",
3540   year =         "2003",
3541   month =        nov,
3542   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
3543   publisher =    "American Physical Society",
3544   notes =        "defect migration in sic",
3545 }
3546
3547 @Article{rauls03a,
3548   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
3549                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
3550   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
3551                  De\'ak",
3552   journal =      "Phys. Rev. B",
3553   volume =       "68",
3554   number =       "15",
3555   pages =        "155208",
3556   numpages =     "9",
3557   year =         "2003",
3558   month =        oct,
3559   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
3560   publisher =    "American Physical Society",
3561 }
3562
3563 @Article{losev27,
3564   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
3565   volume =       "44",
3566   pages =        "485--494",
3567   year =         "1927",
3568   author =       "O. V. Lossev",
3569 }
3570
3571 @Article{losev28,
3572   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
3573                  oscillations with crystals",
3574   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
3575   volume =       "6",
3576   number =       "39",
3577   pages =        "1024--1044",
3578   year =         "1928",
3579   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
3580   author =       "O. V. Lossev",
3581 }
3582
3583 @Article{losev29,
3584   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3585   volume =       "30",
3586   pages =        "920--923",
3587   year =         "1929",
3588   author =       "O. V. Lossev",
3589 }
3590
3591 @Article{losev31,
3592   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3593   volume =       "32",
3594   pages =        "692--696",
3595   year =         "1931",
3596   author =       "O. V. Lossev",
3597 }
3598
3599 @Article{losev33,
3600   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3601   volume =       "34",
3602   pages =        "397--403",
3603   year =         "1933",
3604   author =       "O. V. Lossev",
3605 }
3606
3607 @Article{round07,
3608   title =        "A note on carborundum",
3609   journal =      "Electrical World",
3610   volume =       "49",
3611   pages =        "308",
3612   year =         "1907",
3613   author =       "H. J. Round",
3614 }
3615
3616 @Article{vashishath08,
3617   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
3618   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
3619   volume =       "2",
3620   number =       "03",
3621   pages =        "444--470",
3622   year =         "2008",
3623   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
3624   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
3625   notes =        "sic polytype electronic properties",
3626 }
3627
3628 @Article{nelson69,
3629   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
3630   collaboration = "",
3631   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
3632   publisher =    "AIP",
3633   year =         "1966",
3634   journal =      "Journal of Applied Physics",
3635   volume =       "37",
3636   number =       "1",
3637   pages =        "333--336",
3638   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
3639   doi =          "10.1063/1.1707837",
3640   notes =        "sic melt growth",
3641 }
3642
3643 @Article{arkel25,
3644   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
3645   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
3646                  und Thoriummetall",
3647   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
3648   year =         "1925",
3649   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3650   volume =       "148",
3651   pages =        "345--350",
3652   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
3653   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
3654   notes =        "van arkel apparatus",
3655 }
3656
3657 @Article{moers31,
3658   author =       "K. Moers",
3659   year =         "1931",
3660   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3661   volume =       "198",
3662   pages =        "293",
3663   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3664                  process",
3665 }
3666
3667 @Article{kendall53,
3668   author =       "J. T. Kendall",
3669   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
3670   publisher =    "AIP",
3671   year =         "1953",
3672   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
3673   volume =       "21",
3674   number =       "5",
3675   pages =        "821--827",
3676   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
3677   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3678                  process",
3679 }
3680
3681 @Article{lely55,
3682   author =       "J. A. Lely",
3683   year =         "1955",
3684   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
3685   volume =       "32",
3686   pages =        "229",
3687   notes =        "lely sublimation growth process",
3688 }
3689
3690 @Article{knippenberg63,
3691   author =       "W. F. Knippenberg",
3692   year =         "1963",
3693   journal =      "Philips Res. Repts.",
3694   volume =       "18",
3695   pages =        "161",
3696   notes =        "acheson process",
3697 }
3698
3699 @Article{hoffmann82,
3700   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
3701                  Weyrich",
3702   collaboration = "",
3703   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
3704                  improved external quantum efficiency",
3705   publisher =    "AIP",
3706   year =         "1982",
3707   journal =      "Journal of Applied Physics",
3708   volume =       "53",
3709   number =       "10",
3710   pages =        "6962--6967",
3711   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
3712                  efficiency; visible radiation; experimental data;
3713                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
3714                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
3715                  electroluminescence; spectra; current density;
3716                  optimization",
3717   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
3718   doi =          "10.1063/1.330041",
3719   notes =        "blue led, sublimation process",
3720 }
3721
3722 @Article{neudeck95,
3723   author =       "Philip Neudeck",
3724   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
3725                  Road 44135 Cleveland OH",
3726   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
3727                  technology",
3728   journal =      "Journal of Electronic Materials",
3729   publisher =    "Springer Boston",
3730   ISSN =         "0361-5235",
3731   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
3732   pages =        "283--288",
3733   volume =       "24",
3734   issue =        "4",
3735   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
3736   note =         "10.1007/BF02659688",
3737   year =         "1995",
3738   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
3739 }
3740
3741 @Article{bhatnagar93,
3742   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
3743   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3744   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
3745                  devices",
3746   year =         "1993",
3747   month =        mar,
3748   volume =       "40",
3749   number =       "3",
3750   pages =        "645--655",
3751   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
3752                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
3753                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
3754                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
3755                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
3756                  solids;insulated gate field effect transistors;power
3757                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
3758                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
3759   doi =          "10.1109/16.199372",
3760   ISSN =         "0018-9383",
3761   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
3762 }
3763
3764 @Article{neudeck94,
3765   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
3766                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
3767   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3768   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
3769                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
3770                  6{H}-Si{C} substrates",
3771   year =         "1994",
3772   month =        may,
3773   volume =       "41",
3774   number =       "5",
3775   pages =        "826--835",
3776   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
3777                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
3778                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
3779                  properties;epitaxial layers;light
3780                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
3781                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
3782                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
3783                  currents;power electronics;semiconductor
3784                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
3785                  growth;semiconductor materials;silicon
3786                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
3787                  phase epitaxial growth;",
3788   doi =          "10.1109/16.285038",
3789   ISSN =         "0018-9383",
3790   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
3791                  substrate",
3792 }
3793
3794 @Article{schulze98,
3795   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
3796   collaboration = "",
3797   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
3798                  single crystals by physical vapor transport",
3799   publisher =    "AIP",
3800   year =         "1998",
3801   journal =      "Applied Physics Letters",
3802   volume =       "72",
3803   number =       "13",
3804   pages =        "1632--1634",
3805   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
3806                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
3807                  photoluminescence; Hall mobility",
3808   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
3809   doi =          "10.1063/1.121136",
3810   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
3811 }
3812
3813 @Article{pirouz87,
3814   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
3815   collaboration = "",
3816   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
3817   publisher =    "AIP",
3818   year =         "1987",
3819   journal =      "Applied Physics Letters",
3820   volume =       "50",
3821   number =       "4",
3822   pages =        "221--223",
3823   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
3824                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
3825                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
3826                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
3827                  BOUNDARIES",
3828   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
3829   doi =          "10.1063/1.97667",
3830   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
3831 }
3832
3833 @Article{shibahara86,
3834   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
3835                  Si(100) by chemical vapor deposition",
3836   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3837   volume =       "78",
3838   number =       "3",
3839   pages =        "538--544",
3840   year =         "1986",
3841   note =         "",
3842   ISSN =         "0022-0248",
3843   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
3844   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
3845   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
3846                  Matsunami",
3847   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
3848 }
3849
3850 @Article{desjardins96,
3851   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
3852   collaboration = "",
3853   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
3854   publisher =    "AIP",
3855   year =         "1996",
3856   journal =      "Journal of Applied Physics",
3857   volume =       "79",
3858   number =       "3",
3859   pages =        "1423--1434",
3860   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
3861                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
3862   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
3863   doi =          "10.1063/1.360980",
3864   notes =        "apb model",
3865 }
3866
3867 @Article{henke95,
3868   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
3869   collaboration = "",
3870   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
3871                  carbonization of silicon",
3872   publisher =    "AIP",
3873   year =         "1995",
3874   journal =      "Journal of Applied Physics",
3875   volume =       "78",
3876   number =       "3",
3877   pages =        "2070--2073",
3878   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
3879                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
3880                  STRUCTURE",
3881   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
3882   doi =          "10.1063/1.360184",
3883   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
3884 }
3885
3886 @Article{fuyuki89,
3887   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
3888                  {MBE} using surface superstructure",
3889   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3890   volume =       "95",
3891   number =       "1-4",
3892   pages =        "461--463",
3893   year =         "1989",
3894   note =         "",
3895   ISSN =         "0022-0248",
3896   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
3897   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
3898   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
3899                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
3900   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
3901 }
3902
3903 @Article{yoshinobu92,
3904   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
3905                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
3906   collaboration = "",
3907   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
3908                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
3909                  molecular beam epitaxy",
3910   publisher =    "AIP",
3911   year =         "1992",
3912   journal =      "Applied Physics Letters",
3913   volume =       "60",
3914   number =       "7",
3915   pages =        "824--826",
3916   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
3917                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
3918                  INTERFACE STRUCTURE",
3919   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
3920   doi =          "10.1063/1.107430",
3921   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
3922 }
3923
3924 @Article{yoshinobu90,
3925   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
3926                  cubic Si{C}",
3927   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3928   volume =       "99",
3929   number =       "1-4",
3930   pages =        "520--524",
3931   year =         "1990",
3932   note =         "",
3933   ISSN =         "0022-0248",
3934   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
3935   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
3936   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
3937                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
3938   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
3939 }
3940
3941 @Article{fuyuki93,
3942   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
3943                  superstructures in Si{C}",
3944   journal =      "Thin Solid Films",
3945   volume =       "225",
3946   number =       "1-2",
3947   pages =        "225--229",
3948   year =         "1993",
3949   note =         "",
3950   ISSN =         "0040-6090",
3951   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
3952   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
3953   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
3954                  Matsunami",
3955   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
3956                  epitaxy, ale",
3957 }
3958
3959 @Article{hara93,
3960   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
3961                  growth of [beta]-Si{C}",
3962   journal =      "Thin Solid Films",
3963   volume =       "225",
3964   number =       "1-2",
3965   pages =        "240--243",
3966   year =         "1993",
3967   note =         "",
3968   ISSN =         "0040-6090",
3969   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
3970   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
3971   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
3972                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
3973   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
3974                  epitaxy, ale",
3975 }
3976
3977 @Article{tanaka94,
3978   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
3979   collaboration = "",
3980   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
3981                  growth mode and polytype formation during gas-source
3982                  molecular beam epitaxy",
3983   publisher =    "AIP",
3984   year =         "1994",
3985   journal =      "Applied Physics Letters",
3986   volume =       "65",
3987   number =       "22",
3988   pages =        "2851--2853",
3989   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
3990                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
3991                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
3992                  FLOW; FLOW RATE",
3993   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
3994   doi =          "10.1063/1.112513",
3995   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
3996 }
3997
3998 @Article{fuyuki97,
3999   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
4000   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
4001                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
4002   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
4003   year =         "1997",
4004   journal =      "physica status solidi (b)",
4005   volume =       "202",
4006   pages =        "359--378",
4007   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
4008                  temperatures 750",
4009 }
4010
4011 @Article{takaoka98,
4012   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
4013   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4014   volume =       "183",
4015   number =       "1-2",
4016   pages =        "175--182",
4017   year =         "1998",
4018   note =         "",
4019   ISSN =         "0022-0248",
4020   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
4021   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
4022   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
4023   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
4024   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
4025   keywords =     "Silicon carbide",
4026   keywords =     "Silicon",
4027   keywords =     "Island growth",
4028   notes =        "lower temperature, 550-700",
4029 }
4030
4031 @Article{hatayama95,
4032   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
4033                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
4034                  molecular beam epitaxy",
4035   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4036   volume =       "150",
4037   number =       "Part 2",
4038   pages =        "934--938",
4039   year =         "1995",
4040   note =         "",
4041   ISSN =         "0022-0248",
4042   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
4043   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
4044   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
4045                  and Hiroyuki Matsunami",
4046 }
4047
4048 @Article{heine91,
4049   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
4050   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
4051                  Metastable Cubic Form",
4052   journal =      "Journal of the American Ceramic Society",
4053   volume =       "74",
4054   number =       "10",
4055   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
4056   ISSN =         "1551-2916",
4057   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4058   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4059   pages =        "2630--2633",
4060   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
4061                  calculations, stability",
4062   year =         "1991",
4063   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
4064                  polytype dft calculation refs",
4065 }
4066
4067 @Article{allendorf91,
4068   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
4069                  [beta]-silicon carbide",
4070   journal =      "Surface Science",
4071   volume =       "258",
4072   number =       "1-3",
4073   pages =        "177--189",
4074   year =         "1991",
4075   note =         "",
4076   ISSN =         "0039-6028",
4077   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
4078   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
4079   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
4080   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
4081 }
4082
4083 @Article{eaglesham93,
4084   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
4085                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
4086   collaboration = "",
4087   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
4088   publisher =    "AIP",
4089   year =         "1993",
4090   journal =      "Journal of Applied Physics",
4091   volume =       "74",
4092   number =       "11",
4093   pages =        "6615--6618",
4094   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
4095                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
4096                  DIFFUSION; ADSORPTION",
4097   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
4098   doi =          "10.1063/1.355101",
4099   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
4100                  mobility",
4101 }
4102
4103 @Article{newman85,
4104   author =       "Ronald C. Newman",
4105   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
4106   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4107   volume =       "59",
4108   number =       "",
4109   pages =        "403",
4110   year =         "1985",
4111   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
4112   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
4113   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
4114 }
4115
4116 @Article{goesele85,
4117   author =       "U. Gösele",
4118   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
4119   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4120   volume =       "59",
4121   number =       "",
4122   pages =        "419",
4123   year =         "1985",
4124   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
4125   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
4126   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
4127 }
4128
4129 @Article{puska98,
4130   title =        "Convergence of supercell calculations for point
4131                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
4132   author =       "M. J. Puska and S. P{\"o}ykk{\"o} and M. Pesola and R.
4133                  M. Nieminen",
4134   journal =      "Phys. Rev. B",
4135   volume =       "58",
4136   number =       "3",
4137   pages =        "1318--1325",
4138   numpages =     "7",
4139   year =         "1998",
4140   month =        jul,
4141   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.1318",
4142   publisher =    "American Physical Society",
4143   notes =        "convergence k point supercell size, vacancy in
4144                  silicon",
4145 }
4146
4147 @Article{serre95,
4148   author =       "C. Serre and A. P\'{e}rez-Rodr\'{\i}guez and A.
4149                  Romano-Rodr\'{\i}guez and J. R. Morante and R.
4150                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
4151   collaboration = "",
4152   title =        "Spectroscopic characterization of phases formed by
4153                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
4154   publisher =    "AIP",
4155   year =         "1995",
4156   journal =      "Journal of Applied Physics",
4157   volume =       "77",
4158   number =       "7",
4159   pages =        "2978--2984",
4160   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; PHASE STUDIES; CARBON IONS;
4161                  FOURIER TRANSFORM SPECTROSCOPY; RAMAN SPECTRA;
4162                  PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; TEM; TEMPERATURE
4163                  DEPENDENCE; PRECIPITATES; ANNEALING",
4164   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
4165   doi =          "10.1063/1.358714",
4166 }