bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{schroedinger26,
   6   author =       "E. Schrödinger",
   7   title =        "Quantisierung als Eigenwertproblem",
   8   journal =      "Annalen der Physik",
   9   volume =       "384",
  10   number =       "4",
  11   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
  12   ISSN =         "1521-3889",
  13   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19263840404",
  14   doi =          "10.1002/andp.19263840404",
  15   pages =        "361--376",
  16   year =         "1926",
  17 }
  18
  19 @Article{albe_sic_pot,
  20   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
  21   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
  22                  silicon, carbon, and silicon carbide",
  23   publisher =    "APS",
  24   year =         "2005",
  25   journal =      "Phys. Rev. B",
  26   volume =       "71",
  27   number =       "3",
  28   eid =          "035211",
  29   numpages =     "14",
  30   pages =        "035211",
  31   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  32                  potential (ABOP)",
  33   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  34                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  35                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  36                  forces",
  37   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  39 }
  40
  41 @Article{erhart04,
  42   title =        "The role of thermostats in modeling vapor phase
  43                  condensation of silicon nanoparticles",
  44   journal =      "Applied Surface Science",
  45   volume =       "226",
  46   number =       "1-3",
  47   pages =        "12--18",
  48   year =         "2004",
  49   note =         "EMRS 2003 Symposium F, Nanostructures from Clusters",
  50   ISSN =         "0169-4332",
  51   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2003.11.003",
  52   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4B957HV-8/2/b35dbe80a70d173f6f7a00dacbcbd738",
  53   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
  54 }
  55
  56 @Article{albe2002,
  57   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  58                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  59   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  60   journal =      "Phys. Rev. B",
  61   volume =       "65",
  62   number =       "19",
  63   pages =        "195124",
  64   numpages =     "11",
  65   year =         "2002",
  66   month =        may,
  67   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  68   publisher =    "American Physical Society",
  69   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  70 }
  71
  72 @Article{newman65,
  73   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
  74   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  75   volume =       "26",
  76   number =       "2",
  77   pages =        "373--379",
  78   year =         "1965",
  79   note =         "",
  80   ISSN =         "0022-3697",
  81   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
  82   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
  83   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
  84   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
  85 }
  86
  87 @Article{baker68,
  88   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
  89                  Buschert",
  90   collaboration = "",
  91   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
  92   publisher =    "AIP",
  93   year =         "1968",
  94   journal =      "Journal of Applied Physics",
  95   volume =       "39",
  96   number =       "9",
  97   pages =        "4365--4368",
  98   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
  99   doi =          "10.1063/1.1656977",
 100   notes =        "lattice contraction due to subst c",
 101 }
 102
 103 @Article{bean71,
 104   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
 105   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
 106   volume =       "32",
 107   number =       "6",
 108   pages =        "1211--1219",
 109   year =         "1971",
 110   note =         "",
 111   ISSN =         "0022-3697",
 112   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
 113   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
 114   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 115   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
 116 }
 117
 118 @Article{capano97,
 119   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
 120   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
 121   journal =      "MRS Bull.",
 122   volume =       "22",
 123   pages =        "19",
 124   year =         "1997",
 125 }
 126
 127 @Article{fischer90,
 128   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
 129   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
 130                  carbide",
 131   journal =      "Philos. Mag. B",
 132   volume =       "61",
 133   pages =        "217--236",
 134   year =         "1990",
 135   notes =        "sic polytypes",
 136 }
 137
 138 @Article{koegler03,
 139   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
 140                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
 141                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
 142   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
 143                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
 144                  ions",
 145   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
 146   volume =       "76",
 147   pages =        "827--835",
 148   month =        mar,
 149   year =         "2003",
 150   URL =          "http://www.springerlink.com/content/jr8xj33mqc5vpwwj/",
 151   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
 152                  precipitation by interstitial and substitutional
 153                  carbon, both mechanisms explained + refs",
 154 }
 155
 156 @Article{skorupa96,
 157   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
 158                  silicon-related materials",
 159   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
 160   volume =       "44",
 161   number =       "2",
 162   pages =        "101--143",
 163   year =         "1996",
 164   note =         "",
 165   ISSN =         "0254-0584",
 166   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 167   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 168   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 169   notes =        "review of silicon carbon compound",
 170 }
 171
 172 @Book{laplace,
 173   author =       "P. S. de Laplace",
 174   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 175   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 176   volume =       "VII",
 177   publisher =    "Gauthier-Villars",
 178   year =         "1820",
 179 }
 180
 181 @Article{mattoni2007,
 182   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 183   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 184                  materials}",
 185   journal =      "Phys. Rev. B",
 186   year =         "2007",
 187   month =        dec,
 188   volume =       "76",
 189   number =       "22",
 190   pages =        "224103",
 191   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 192   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 193                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 194                  fracture, more available potentials, universal energy
 195                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 196 }
 197
 198 @Article{balamane92,
 199   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 200                  potentials",
 201   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 202   journal =      "Phys. Rev. B",
 203   volume =       "46",
 204   number =       "4",
 205   pages =        "2250--2279",
 206   numpages =     "29",
 207   year =         "1992",
 208   month =        jul,
 209   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 210   publisher =    "American Physical Society",
 211   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 212 }
 213
 214 @Article{koster2002,
 215   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 216                  bombardment",
 217   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 218   journal =      "Phys. Rev. B",
 219   volume =       "62",
 220   number =       "16",
 221   pages =        "11219--11224",
 222   numpages =     "5",
 223   year =         "2000",
 224   month =        oct,
 225   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 226   publisher =    "American Physical Society",
 227   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 228 }
 229
 230 @Article{breadmore99,
 231   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 232                  amorphization of silicon",
 233   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 234   journal =      "Phys. Rev. B",
 235   volume =       "60",
 236   number =       "18",
 237   pages =        "12610--12616",
 238   numpages =     "6",
 239   year =         "1999",
 240   month =        nov,
 241   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 242   publisher =    "American Physical Society",
 243   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 244 }
 245
 246 @Article{nielsen83,
 247   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 248   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 249   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 250   volume =       "50",
 251   number =       "9",
 252   pages =        "697--700",
 253   numpages =     "3",
 254   year =         "1983",
 255   month =        feb,
 256   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 257   publisher =    "American Physical Society",
 258   notes =        "generalization of virial theorem",
 259 }
 260
 261 @Article{nielsen85,
 262   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 263   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 264   journal =      "Phys. Rev. B",
 265   volume =       "32",
 266   number =       "6",
 267   pages =        "3780--3791",
 268   numpages =     "11",
 269   year =         "1985",
 270   month =        sep,
 271   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 272   publisher =    "American Physical Society",
 273   notes =        "dft virial stress and forces",
 274 }
 275
 276 @Article{moissan04,
 277   author =       "Henri Moissan",
 278   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 279                  Diablo",
 280   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 281   volume =       "139",
 282   pages =        "773--786",
 283   year =         "1904",
 284 }
 285
 286 @Book{park98,
 287   author =       "Y. S. Park",
 288   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 289   publisher =    "Academic Press",
 290   address =      "San Diego",
 291   year =         "1998",
 292 }
 293
 294 @Article{tsvetkov98,
 295   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 296                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 297   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 298   journal =      "Materials Science Forum",
 299   volume =       "264-268",
 300   pages =        "3--8",
 301   year =         "1998",
 302   notes =        "modified lely process, micropipes",
 303 }
 304
 305 @Article{verlet67,
 306   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 307                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 308   author =       "Loup Verlet",
 309   journal =      "Phys. Rev.",
 310   volume =       "159",
 311   number =       "1",
 312   pages =        "98",
 313   year =         "1967",
 314   month =        jul,
 315   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 316   publisher =    "American Physical Society",
 317   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 318                  motion",
 319 }
 320
 321 @Article{berendsen84,
 322   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 323                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 324   collaboration = "",
 325   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 326   publisher =    "AIP",
 327   year =         "1984",
 328   journal =      "J. Chem. Phys.",
 329   volume =       "81",
 330   number =       "8",
 331   pages =        "3684--3690",
 332   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 333                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 334   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 335   doi =          "10.1063/1.448118",
 336   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 337 }
 338
 339 @Article{huang95,
 340   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 341                  Baskes",
 342   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 343                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 344                  potentials",
 345   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 346   volume =       "3",
 347   number =       "5",
 348   pages =        "615--627",
 349   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 350   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 351                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 352   year =         "1995",
 353 }
 354
 355 @Article{brenner89,
 356   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 357                  Tersoff potentials",
 358   author =       "Donald W. Brenner",
 359   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 360   volume =       "63",
 361   number =       "9",
 362   pages =        "1022",
 363   numpages =     "1",
 364   year =         "1989",
 365   month =        aug,
 366   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 367   publisher =    "American Physical Society",
 368   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 369 }
 370
 371 @Article{batra87,
 372   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 373                  silicon",
 374   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 375   journal =      "Phys. Rev. B",
 376   volume =       "35",
 377   number =       "18",
 378   pages =        "9552--9558",
 379   numpages =     "6",
 380   year =         "1987",
 381   month =        jun,
 382   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 383   publisher =    "American Physical Society",
 384   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 385                  calculation of defect formation energy, defect
 386                  interstitial types",
 387 }
 388
 389 @Article{schober89,
 390   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 391   author =       "H. R. Schober",
 392   journal =      "Phys. Rev. B",
 393   volume =       "39",
 394   number =       "17",
 395   pages =        "13013--13015",
 396   numpages =     "2",
 397   year =         "1989",
 398   month =        jun,
 399   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 400   publisher =    "American Physical Society",
 401   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 402                  dumbbell configuration",
 403 }
 404
 405 @Article{gao02a,
 406   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 407                  Defect accumulation, topological features, and
 408                  disordering",
 409   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 410   journal =      "Phys. Rev. B",
 411   volume =       "66",
 412   number =       "2",
 413   pages =        "024106",
 414   numpages =     "10",
 415   year =         "2002",
 416   month =        jul,
 417   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 418   publisher =    "American Physical Society",
 419   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 420                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 421                  result analyze",
 422 }
 423
 424 @Article{devanathan98,
 425   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 426                  cascade in Si{C}",
 427   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 428   volume =       "141",
 429   number =       "1-4",
 430   pages =        "118--122",
 431   year =         "1998",
 432   ISSN =         "0168-583X",
 433   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 434   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 435                  Rubia",
 436   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 437                  3c-sic",
 438 }
 439
 440 @Article{devanathan98_2,
 441   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 442   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 443   volume =       "253",
 444   number =       "1-3",
 445   pages =        "47--52",
 446   year =         "1998",
 447   ISSN =         "0022-3115",
 448   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 449   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 450                  Weber",
 451   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 452                  tersoff",
 453 }
 454
 455 @Article{kitabatake00,
 456   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 457   author =       "M. Kitabatake",
 458   journal =      "Thin Solid Films",
 459   volume =       "369",
 460   pages =        "257--264",
 461   numpages =     "8",
 462   year =         "2000",
 463   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 464 }
 465
 466 @Article{tang97,
 467   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 468                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 469                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 470                  formation volumes",
 471   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 472                  Rubia",
 473   journal =      "Phys. Rev. B",
 474   volume =       "55",
 475   number =       "21",
 476   pages =        "14279--14289",
 477   numpages =     "10",
 478   year =         "1997",
 479   month =        jun,
 480   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 481   publisher =    "American Physical Society",
 482   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 483 }
 484
 485 @Article{johnson98,
 486   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 487                  Rubia",
 488   collaboration = "",
 489   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 490                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 491                  presence of carbon and boron",
 492   publisher =    "AIP",
 493   year =         "1998",
 494   journal =      "J. Appl. Phys.",
 495   volume =       "84",
 496   number =       "4",
 497   pages =        "1963--1967",
 498   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 499                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 500                  semiconductors; self-diffusion",
 501   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 502   doi =          "10.1063/1.368328",
 503   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 504                  diffsuion",
 505 }
 506
 507 @Article{bar-yam84,
 508   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 509                  Self-Interstitial",
 510   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 511   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 512   volume =       "52",
 513   number =       "13",
 514   pages =        "1129--1132",
 515   numpages =     "3",
 516   year =         "1984",
 517   month =        mar,
 518   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 519   publisher =    "American Physical Society",
 520   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 521 }
 522
 523 @Article{bar-yam84_2,
 524   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 525                  barriers of silicon self-interstitials",
 526   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 527   journal =      "Phys. Rev. B",
 528   volume =       "30",
 529   number =       "4",
 530   pages =        "1844--1852",
 531   numpages =     "8",
 532   year =         "1984",
 533   month =        aug,
 534   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 535   publisher =    "American Physical Society",
 536 }
 537
 538 @Article{bloechl93,
 539   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 540                  constants in silicon",
 541   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 542                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 543   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 544   volume =       "70",
 545   number =       "16",
 546   pages =        "2435--2438",
 547   numpages =     "3",
 548   year =         "1993",
 549   month =        apr,
 550   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 551   publisher =    "American Physical Society",
 552   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 553                  entropy calculations",
 554 }
 555
 556 @Article{munro99,
 557   title =        "Defect migration in crystalline silicon",
 558   author =       "Lindsey J. Munro and David J. Wales",
 559   journal =      "Phys. Rev. B",
 560   volume =       "59",
 561   number =       "6",
 562   pages =        "3969--3980",
 563   numpages =     "11",
 564   year =         "1999",
 565   month =        feb,
 566   doi =          "10.1103/PhysRevB.59.3969",
 567   publisher =    "American Physical Society",
 568   notes =        "eigenvector following method, vacancy and interstiial
 569                  defect migration mechanisms",
 570 }
 571
 572 @Article{colombo02,
 573   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 574                  silicon",
 575   author =       "L. Colombo",
 576   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 577   volume =       "32",
 578   pages =        "271--295",
 579   numpages =     "25",
 580   year =         "2002",
 581   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 582   publisher =    "Annual Reviews",
 583   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 584 }
 585
 586 @Article{al-mushadani03,
 587   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 588                  silicon",
 589   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 590   journal =      "Phys. Rev. B",
 591   volume =       "68",
 592   number =       "23",
 593   pages =        "235205",
 594   numpages =     "8",
 595   year =         "2003",
 596   month =        dec,
 597   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 598   publisher =    "American Physical Society",
 599   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 600                  silicon, si self interstitials, free energy",
 601 }
 602
 603 @Article{goedecker02,
 604   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 605   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 606   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 607   volume =       "88",
 608   number =       "23",
 609   pages =        "235501",
 610   numpages =     "4",
 611   year =         "2002",
 612   month =        may,
 613   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 614   publisher =    "American Physical Society",
 615   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 616                  silicon",
 617 }
 618
 619 @Article{sahli05,
 620   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 621                  self-interstitial diffusion in silicon",
 622   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 623   journal =      "Phys. Rev. B",
 624   volume =       "72",
 625   number =       "24",
 626   pages =        "245210",
 627   numpages =     "6",
 628   year =         "2005",
 629   month =        dec,
 630   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 631   publisher =    "American Physical Society",
 632   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 633                  mapping applied",
 634 }
 635
 636 @Article{hobler05,
 637   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 638                  native point defects in silicon",
 639   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 640   volume =       "124-125",
 641   number =       "",
 642   pages =        "368--371",
 643   year =         "2005",
 644   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 645                  Issues for Future Technologies",
 646   ISSN =         "0921-5107",
 647   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 648   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 649   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 650   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 651                  radius",
 652 }
 653
 654 @Article{ma10,
 655   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 656                  wide temperature range: Point defect states and
 657                  migration mechanisms",
 658   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 659   journal =      "Phys. Rev. B",
 660   volume =       "81",
 661   number =       "19",
 662   pages =        "193203",
 663   numpages =     "4",
 664   year =         "2010",
 665   month =        may,
 666   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 667   publisher =    "American Physical Society",
 668   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 669 }
 670
 671 @Article{posselt06,
 672   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 673                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 674   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 675   journal =      "Phys. Rev. B",
 676   volume =       "73",
 677   number =       "12",
 678   pages =        "125206",
 679   numpages =     "8",
 680   year =         "2006",
 681   month =        mar,
 682   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 683   publisher =    "American Physical Society",
 684 }
 685
 686 @Article{posselt08,
 687   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 688                  migration mechanisms of vacancies and
 689                  self-interstitials: An atomistic study",
 690   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 691   journal =      "Phys. Rev. B",
 692   volume =       "78",
 693   number =       "3",
 694   pages =        "035208",
 695   numpages =     "9",
 696   year =         "2008",
 697   month =        jul,
 698   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 699   publisher =    "American Physical Society",
 700   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 701                  weber and tersoff",
 702 }
 703
 704 @Article{gao2001,
 705   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 706                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 707   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 708                  Corrales",
 709   journal =      "Phys. Rev. B",
 710   volume =       "64",
 711   number =       "24",
 712   pages =        "245208",
 713   numpages =     "7",
 714   year =         "2001",
 715   month =        dec,
 716   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 717   publisher =    "American Physical Society",
 718   notes =        "defects in 3c-sic",
 719 }
 720
 721 @Article{gao02,
 722   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 723                  3{C}-Si{C}",
 724   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 725   volume =       "191",
 726   number =       "1-4",
 727   pages =        "487--496",
 728   year =         "2002",
 729   note =         "",
 730   ISSN =         "0168-583X",
 731   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 732   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 733   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 734   keywords =     "Empirical potential",
 735   keywords =     "Defect properties",
 736   keywords =     "Silicon carbide",
 737   keywords =     "Computer simulation",
 738   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 739 }
 740
 741 @Article{gao04,
 742   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 743                  3{C}-Si{C}",
 744   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 745                  Belko",
 746   journal =      "Phys. Rev. B",
 747   volume =       "69",
 748   number =       "24",
 749   pages =        "245205",
 750   numpages =     "5",
 751   year =         "2004",
 752   month =        jun,
 753   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 754   publisher =    "American Physical Society",
 755   notes =        "defect migration in sic",
 756 }
 757
 758 @Article{gao07,
 759   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 760                  W. J. Weber",
 761   collaboration = "",
 762   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 763                  in cubic silicon carbide",
 764   publisher =    "AIP",
 765   year =         "2007",
 766   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 767   volume =       "90",
 768   number =       "22",
 769   eid =          "221915",
 770   numpages =     "3",
 771   pages =        "221915",
 772   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 773                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 774                  dynamics method; density functional theory;
 775                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 776                  impurities; diffusion",
 777   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 778   doi =          "10.1063/1.2743751",
 779 }
 780
 781 @Article{mattoni2002,
 782   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 783                  crystalline silicon",
 784   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 785   journal =      "Phys. Rev. B",
 786   volume =       "66",
 787   number =       "19",
 788   pages =        "195214",
 789   numpages =     "6",
 790   year =         "2002",
 791   month =        nov,
 792   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 793   publisher =    "American Physical Society",
 794   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 795                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 796                  tersoff suitability",
 797 }
 798
 799 @Article{leung99,
 800   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 801   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 802                  Itoh and S. Ihara",
 803   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 804   volume =       "83",
 805   number =       "12",
 806   pages =        "2351--2354",
 807   numpages =     "3",
 808   year =         "1999",
 809   month =        sep,
 810   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 811   publisher =    "American Physical Society",
 812   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 813                  refs",
 814 }
 815
 816 @Article{capaz94,
 817   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 818                  carbon in silicon",
 819   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 820   journal =      "Phys. Rev. B",
 821   volume =       "50",
 822   number =       "11",
 823   pages =        "7439--7442",
 824   numpages =     "3",
 825   year =         "1994",
 826   month =        sep,
 827   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 828   publisher =    "American Physical Society",
 829   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 830                  dumbbell",
 831 }
 832
 833 @Article{capaz98,
 834   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 835   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 836   journal =      "Phys. Rev. B",
 837   volume =       "58",
 838   number =       "15",
 839   pages =        "9845--9850",
 840   numpages =     "5",
 841   year =         "1998",
 842   month =        oct,
 843   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 844   publisher =    "American Physical Society",
 845   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 846 }
 847
 848 @Article{song90_2,
 849   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 850                  pair in silicon",
 851   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 852                  Watkins",
 853   journal =      "Phys. Rev. B",
 854   volume =       "42",
 855   number =       "9",
 856   pages =        "5765--5783",
 857   numpages =     "18",
 858   year =         "1990",
 859   month =        sep,
 860   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 861   publisher =    "American Physical Society",
 862   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 863 }
 864
 865 @Article{liu02,
 866   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 867                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 868   collaboration = "",
 869   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 870                  interactions in Si",
 871   publisher =    "AIP",
 872   year =         "2002",
 873   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 874   volume =       "80",
 875   number =       "1",
 876   pages =        "52--54",
 877   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 878                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 879                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 880   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 881   doi =          "10.1063/1.1430505",
 882   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 883 }
 884
 885 @Article{dal_pino93,
 886   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 887                  silicon",
 888   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 889                  Joannopoulos",
 890   journal =      "Phys. Rev. B",
 891   volume =       "47",
 892   number =       "19",
 893   pages =        "12554--12557",
 894   numpages =     "3",
 895   year =         "1993",
 896   month =        may,
 897   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 898   publisher =    "American Physical Society",
 899   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 900 }
 901
 902 @Article{car84,
 903   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 904                  Silicon",
 905   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 906                  Sokrates T. Pantelides",
 907   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 908   volume =       "52",
 909   number =       "20",
 910   pages =        "1814--1817",
 911   numpages =     "3",
 912   year =         "1984",
 913   month =        may,
 914   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 915   publisher =    "American Physical Society",
 916   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 917                  path formation",
 918 }
 919
 920 @Article{car85,
 921   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 922                  Density-Functional Theory",
 923   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 924   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 925   volume =       "55",
 926   number =       "22",
 927   pages =        "2471--2474",
 928   numpages =     "3",
 929   year =         "1985",
 930   month =        nov,
 931   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 932   publisher =    "American Physical Society",
 933   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 934 }
 935
 936 @Article{kelires97,
 937   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 938                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 939   author =       "P. C. Kelires",
 940   journal =      "Phys. Rev. B",
 941   volume =       "55",
 942   number =       "14",
 943   pages =        "8784--8787",
 944   numpages =     "3",
 945   year =         "1997",
 946   month =        apr,
 947   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 948   publisher =    "American Physical Society",
 949   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 950                  neighbour dist",
 951 }
 952
 953 @Article{kelires95,
 954   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 955                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 956   author =       "P. C. Kelires",
 957   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 958   volume =       "75",
 959   number =       "6",
 960   pages =        "1114--1117",
 961   numpages =     "3",
 962   year =         "1995",
 963   month =        aug,
 964   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 965   publisher =    "American Physical Society",
 966   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 967 }
 968
 969 @Article{bean70,
 970   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 971                  containing carbon",
 972   journal =      "Solid State Communications",
 973   volume =       "8",
 974   number =       "3",
 975   pages =        "175--177",
 976   year =         "1970",
 977   note =         "",
 978   ISSN =         "0038-1098",
 979   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 980   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 981   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 982 }
 983
 984 @Article{durand99,
 985   author =       "F. Durand and J. Duby",
 986   affiliation =  "EPM-Madylam, CNRS and INP Grenoble, France",
 987   title =        "Carbon solubility in solid and liquid silicon—{A}
 988                  review with reference to eutectic equilibrium",
 989   journal =      "Journal of Phase Equilibria",
 990   publisher =    "Springer New York",
 991   ISSN =         "1054-9714",
 992   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
 993   pages =        "61--63",
 994   volume =       "20",
 995   issue =        "1",
 996   URL =          "http://dx.doi.org/10.1361/105497199770335956",
 997   note =         "10.1361/105497199770335956",
 998   year =         "1999",
 999   notes =        "better c solubility limit in silicon",
1000 }
1001
1002 @Article{watkins76,
1003   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
1004                  Atom in Silicon",
1005   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
1006   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1007   volume =       "36",
1008   number =       "22",
1009   pages =        "1329--1332",
1010   numpages =     "3",
1011   year =         "1976",
1012   month =        may,
1013   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
1014   publisher =    "American Physical Society",
1015   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
1016                  silicon",
1017 }
1018
1019 @Article{song90,
1020   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
1021                  interstitial carbon in silicon",
1022   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
1023   journal =      "Phys. Rev. B",
1024   volume =       "42",
1025   number =       "9",
1026   pages =        "5759--5764",
1027   numpages =     "5",
1028   year =         "1990",
1029   month =        sep,
1030   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
1031   publisher =    "American Physical Society",
1032   notes =        "carbon diffusion in silicon",
1033 }
1034
1035 @Article{tipping87,
1036   author =       "A K Tipping and R C Newman",
1037   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
1038                  silicon",
1039   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
1040   volume =       "2",
1041   number =       "5",
1042   pages =        "315--317",
1043   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
1044   year =         "1987",
1045   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
1046                  silicon",
1047 }
1048
1049 @Article{isomae93,
1050   author =       "Seiichi Isomae and Tsutomu Ishiba and Toshio Ando and
1051                  Masao Tamura",
1052   collaboration = "",
1053   title =        "Annealing behavior of Me{V} implanted carbon in
1054                  silicon",
1055   publisher =    "AIP",
1056   year =         "1993",
1057   journal =      "Journal of Applied Physics",
1058   volume =       "74",
1059   number =       "6",
1060   pages =        "3815--3820",
1061   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; WAFERS; CARBON IONS; MEV
1062                  RANGE 0110; TEM; SIMS; INFRARED SPECTRA; STRAINS; DEPTH
1063                  PROFILES",
1064   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/3815/1",
1065   doi =          "10.1063/1.354474",
1066   notes =        "c at interstitial location for rt implantation in si",
1067 }
1068
1069 @Article{strane96,
1070   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
1071                  ion implantation and solid phase epitaxy",
1072   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
1073                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1074   journal =      "J. Appl. Phys.",
1075   volume =       "79",
1076   pages =        "637",
1077   year =         "1996",
1078   month =        jan,
1079   doi =          "10.1063/1.360806",
1080   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
1081 }
1082
1083 @Article{laveant2002,
1084   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1085   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1086   volume =       "89",
1087   number =       "1-3",
1088   pages =        "241--245",
1089   year =         "2002",
1090   ISSN =         "0921-5107",
1091   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1092   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1093   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1094                  G{\"{o}}sele",
1095   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1096                  stress, avoid sic precipitation",
1097 }
1098
1099 @Article{foell77,
1100   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1101                  agglomeration of self-interstitials",
1102   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1103   volume =       "40",
1104   number =       "1",
1105   pages =        "90--108",
1106   year =         "1977",
1107   note =         "",
1108   ISSN =         "0022-0248",
1109   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1110   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1111   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1112   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1113                  agglomerate",
1114 }
1115
1116 @Article{foell81,
1117   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1118                  defects",
1119   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1120   volume =       "52",
1121   number =       "Part 2",
1122   pages =        "907--916",
1123   year =         "1981",
1124   note =         "",
1125   ISSN =         "0022-0248",
1126   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1127   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1128   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1129   notes =        "swirl review",
1130 }
1131
1132 @Article{werner97,
1133   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1134                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1135   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1136                  silicon by transmission electron microscopy",
1137   publisher =    "AIP",
1138   year =         "1997",
1139   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1140   volume =       "70",
1141   number =       "2",
1142   pages =        "252--254",
1143   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1144                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1145                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1146                  layers; precipitation",
1147   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1148   doi =          "10.1063/1.118381",
1149   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1150                  precipitate",
1151 }
1152
1153 @InProceedings{werner96,
1154   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1155                  Eichler",
1156   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
1157                  International Conference on",
1158   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1159                  implanted silicon",
1160   year =         "1996",
1161   month =        jun,
1162   volume =       "",
1163   number =       "",
1164   pages =        "675--678",
1165   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1166   ISSN =         "",
1167   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1168 }
1169
1170 @Article{werner98,
1171   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1172                  D. C. Jacobson",
1173   collaboration = "",
1174   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1175   publisher =    "AIP",
1176   year =         "1998",
1177   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1178   volume =       "73",
1179   number =       "17",
1180   pages =        "2465--2467",
1181   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1182                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1183                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1184                  impurity distribution",
1185   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1186   doi =          "10.1063/1.122483",
1187   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1188 }
1189
1190 @Article{kalejs84,
1191   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1192   collaboration = "",
1193   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1194                  silicon",
1195   publisher =    "AIP",
1196   year =         "1984",
1197   journal =      "Applied Physics Letters",
1198   volume =       "45",
1199   number =       "3",
1200   pages =        "268--269",
1201   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1202                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1203                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1204   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1205   doi =          "10.1063/1.95167",
1206   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1207 }
1208
1209 @Article{fukami90,
1210   author =       "Akira Fukami and Ken-ichi Shoji and Takahiro Nagano
1211                  and Cary Y. Yang",
1212   collaboration = "",
1213   title =        "Characterization of SiGe/Si heterostructures formed by
1214                  Ge[sup + ] and {C}[sup + ] implantation",
1215   publisher =    "AIP",
1216   year =         "1990",
1217   journal =      "Applied Physics Letters",
1218   volume =       "57",
1219   number =       "22",
1220   pages =        "2345--2347",
1221   keywords =     "HETEROJUNCTIONS; ION IMPLANTATION; HETEROSTRUCTURES;
1222                  FABRICATION; PN JUNCTIONS; LEAKAGE CURRENT; GERMANIUM
1223                  SILICIDES; SILICON; ELECTRICAL PROPERTIES; SOLIDPHASE
1224                  EPITAXY; CARBON IONS; GERMANIUM IONS",
1225   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/57/2345/1",
1226   doi =          "10.1063/1.103888",
1227 }
1228
1229 @Article{strane93,
1230   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and B. L.
1231                  Doyle and S. T. Picraux and J. W. Mayer",
1232   collaboration = "",
1233   title =        "Metastable SiGe{C} formation by solid phase epitaxy",
1234   publisher =    "AIP",
1235   year =         "1993",
1236   journal =      "Applied Physics Letters",
1237   volume =       "63",
1238   number =       "20",
1239   pages =        "2786--2788",
1240   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; TERNARY ALLOY
1241                  SYSTEMS; EPITAXY; ION IMPLANTATION; METASTABLE STATES;
1242                  ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; RUTHERFORD
1243                  SCATTERING; XRAY DIFFRACTION; STRAINS; SOLIDPHASE
1244                  EPITAXY; AMORPHIZATION",
1245   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/63/2786/1",
1246   doi =          "10.1063/1.110334",
1247 }
1248
1249 @Article{goorsky92,
1250   author =       "M. S. Goorsky and S. S. Iyer and K. Eberl and F.
1251                  Legoues and J. Angilello and F. Cardone",
1252   collaboration = "",
1253   title =        "Thermal stability of Si[sub 1 - x]{C}[sub x]/Si
1254                  strained layer superlattices",
1255   publisher =    "AIP",
1256   year =         "1992",
1257   journal =      "Applied Physics Letters",
1258   volume =       "60",
1259   number =       "22",
1260   pages =        "2758--2760",
1261   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
1262                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; SUPERLATTICES; ANNEALING;
1263                  CHEMICAL COMPOSITION; INTERNAL STRAINS; STRESS
1264                  RELAXATION; THERMAL INSTABILITIES; INTERFACE STRUCTURE;
1265                  DIFFUSION; PRECIPITATION; TEMPERATURE EFFECTS",
1266   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/2758/1",
1267   doi =          "10.1063/1.106868",
1268 }
1269
1270 @Article{strane94,
1271   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1272                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1273   collaboration = "",
1274   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1275                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1276   publisher =    "AIP",
1277   year =         "1994",
1278   journal =      "J. Appl. Phys.",
1279   volume =       "76",
1280   number =       "6",
1281   pages =        "3656--3668",
1282   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1283   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1284   doi =          "10.1063/1.357429",
1285   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1286                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1287                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1288                  energy",
1289 }
1290
1291 @Article{fischer95,
1292   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1293                  Osten",
1294   collaboration = "",
1295   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1296                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1297   publisher =    "AIP",
1298   year =         "1995",
1299   journal =      "J. Appl. Phys.",
1300   volume =       "77",
1301   number =       "5",
1302   pages =        "1934--1937",
1303   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1304                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1305                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1306                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1307   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1308   doi =          "10.1063/1.358826",
1309 }
1310
1311 @Article{edgar92,
1312   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1313                  semiconductors",
1314   author =       "J. H. Edgar",
1315   journal =      "J. Mater. Res.",
1316   volume =       "7",
1317   pages =        "235",
1318   year =         "1992",
1319   month =        jan,
1320   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1321   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1322                  polytypes",
1323 }
1324
1325 @Article{zirkelbach2007,
1326   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1327                  process leading to ordered precipitate structures",
1328   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1329                  and B. Stritzker",
1330   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1331   volume =       "257",
1332   number =       "1--2",
1333   pages =        "75--79",
1334   numpages =     "5",
1335   year =         "2007",
1336   month =        apr,
1337   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1338   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1339                  NETHERLANDS",
1340 }
1341
1342 @Article{zirkelbach2006,
1343   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1344                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1345                  during ion irradiation",
1346   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1347                  and B. Stritzker",
1348   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1349   volume =       "242",
1350   number =       "1--2",
1351   pages =        "679--682",
1352   numpages =     "4",
1353   year =         "2006",
1354   month =        jan,
1355   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1356   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1357                  NETHERLANDS",
1358 }
1359
1360 @Article{zirkelbach2005,
1361   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1362                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1363                  ion irradiation",
1364   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1365                  and B. Stritzker",
1366   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1367   volume =       "33",
1368   number =       "1--3",
1369   pages =        "310--316",
1370   numpages =     "7",
1371   year =         "2005",
1372   month =        apr,
1373   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1374   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1375                  NETHERLANDS",
1376 }
1377
1378 @Article{zirkelbach09,
1379   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1380                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1381   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1382   volume =       "159-160",
1383   number =       "",
1384   pages =        "149--152",
1385   year =         "2009",
1386   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1387                  Silicon Materials Research for Electronic and
1388                  Photovoltaic Applications",
1389   ISSN =         "0921-5107",
1390   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1391   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1392   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1393                  B. Stritzker",
1394   keywords =     "Silicon",
1395   keywords =     "Carbon",
1396   keywords =     "Silicon carbide",
1397   keywords =     "Nucleation",
1398   keywords =     "Defect formation",
1399   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1400 }
1401
1402 @Article{zirkelbach10,
1403   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1404                  classical potentials and first-principles methods",
1405   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1406                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1407   journal =      "Phys. Rev. B",
1408   volume =       "82",
1409   number =       "9",
1410   pages =        "094110",
1411   numpages =     "6",
1412   year =         "2010",
1413   month =        sep,
1414   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1415   publisher =    "American Physical Society",
1416 }
1417
1418 @Article{zirkelbach11a,
1419   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1420                  silicon",
1421   journal =      "to be published",
1422   volume =       "",
1423   number =       "",
1424   pages =        "",
1425   year =         "2011",
1426   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and J. K. N. Lindner
1427                  and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1428 }
1429
1430 @Article{zirkelbach11b,
1431   title =        "...",
1432   journal =      "to be published",
1433   volume =       "",
1434   number =       "",
1435   pages =        "",
1436   year =         "2011",
1437   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1438                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1439 }
1440
1441 @Article{lindner95,
1442   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1443                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1444   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1445                  Layers in Silicon",
1446   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
1447   volume =       "354",
1448   number =       "",
1449   pages =        "171",
1450   year =         "1994",
1451   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1452   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1453   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400420853",
1454   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1455 }
1456
1457 @Article{lindner96,
1458   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1459                  in silicon by ion beam synthesis",
1460   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
1461   volume =       "46",
1462   number =       "2-3",
1463   pages =        "147--155",
1464   year =         "1996",
1465   note =         "",
1466   ISSN =         "0254-0584",
1467   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1468   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1469   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1470                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1471                  Stritzker",
1472   notes =        "dose window",
1473 }
1474
1475 @Article{calcagno96,
1476   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1477                  ion implantation",
1478   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1479                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1480   volume =       "120",
1481   number =       "1-4",
1482   pages =        "121--124",
1483   year =         "1996",
1484   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1485                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1486   ISSN =         "0168-583X",
1487   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1488   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1489   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1490                  Grimaldi and P. Musumeci",
1491   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1492 }
1493
1494 @Article{lindner98,
1495   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1496                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1497   journal =      "Materials Science Forum",
1498   volume =       "264-268",
1499   pages =        "215--218",
1500   year =         "1998",
1501   note =         "",
1502   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1503   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1504   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1505   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1506                  crystallinity",
1507 }
1508
1509 @Article{lindner99,
1510   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1511                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1512                  layers in silicon",
1513   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1514   volume =       "147",
1515   number =       "1-4",
1516   pages =        "249--255",
1517   year =         "1999",
1518   note =         "",
1519   ISSN =         "0168-583X",
1520   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1521   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1522   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1523   notes =        "two-step implantation process",
1524 }
1525
1526 @Article{lindner99_2,
1527   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1528                  in silicon",
1529   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1530   volume =       "148",
1531   number =       "1-4",
1532   pages =        "528--533",
1533   year =         "1999",
1534   ISSN =         "0168-583X",
1535   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1536   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1537   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1538   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1539 }
1540
1541 @Article{lindner01,
1542   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1543                  Basic physical processes",
1544   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1545   volume =       "178",
1546   number =       "1-4",
1547   pages =        "44--54",
1548   year =         "2001",
1549   note =         "",
1550   ISSN =         "0168-583X",
1551   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1552   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1553   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1554 }
1555
1556 @Article{lindner02,
1557   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1558                  fundamental studies for new technological tricks",
1559   author =       "J. K. N. Lindner",
1560   journal =      "Appl. Phys. A",
1561   volume =       "77",
1562   pages =        "27--38",
1563   year =         "2003",
1564   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1565   notes =        "ibs, burried sic layers",
1566 }
1567
1568 @Article{lindner06,
1569   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1570                  formation and displacive precipitate resolution in the
1571                  {C}-Si system",
1572   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1573   volume =       "26",
1574   number =       "5-7",
1575   pages =        "857--861",
1576   year =         "2006",
1577   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1578                  Applications",
1579   ISSN =         "0928-4931",
1580   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1581   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1582   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1583                  and B. Stritzker",
1584   notes =        "c int diffusion barrier",
1585 }
1586
1587 @Article{ito04,
1588   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1589                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1590                  growth",
1591   journal =      "Applied Surface Science",
1592   volume =       "238",
1593   number =       "1-4",
1594   pages =        "159--164",
1595   year =         "2004",
1596   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1597   ISSN =         "0169-4332",
1598   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1599   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1600   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1601                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1602   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1603 }
1604
1605 @Article{yamamoto04,
1606   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1607                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1608                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1609   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1610   volume =       "261",
1611   number =       "2-3",
1612   pages =        "266--270",
1613   year =         "2004",
1614   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1615                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1616   ISSN =         "0022-0248",
1617   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1618   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1619   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1620                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1621   notes =        "gan on 3c-sic",
1622 }
1623
1624 @Article{liu_l02,
1625   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1626   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1627   volume =       "37",
1628   number =       "3",
1629   pages =        "61--127",
1630   year =         "2002",
1631   note =         "",
1632   ISSN =         "0927-796X",
1633   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1634   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1635   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1636   notes =        "gan substrates",
1637 }
1638
1639 @Article{takeuchi91,
1640   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1641                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1642   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1643   volume =       "115",
1644   number =       "1-4",
1645   pages =        "634--638",
1646   year =         "1991",
1647   note =         "",
1648   ISSN =         "0022-0248",
1649   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1650   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1651   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1652                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1653   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1654 }
1655
1656 @Article{alder57,
1657   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1658   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1659   publisher =    "AIP",
1660   year =         "1957",
1661   journal =      "J. Chem. Phys.",
1662   volume =       "27",
1663   number =       "5",
1664   pages =        "1208--1209",
1665   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1666   doi =          "10.1063/1.1743957",
1667 }
1668
1669 @Article{alder59,
1670   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1671   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1672   publisher =    "AIP",
1673   year =         "1959",
1674   journal =      "J. Chem. Phys.",
1675   volume =       "31",
1676   number =       "2",
1677   pages =        "459--466",
1678   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1679   doi =          "10.1063/1.1730376",
1680 }
1681
1682 @Article{horsfield96,
1683   title =        "Bond-order potentials: Theory and implementation",
1684   author =       "A. P. Horsfield and A. M. Bratkovsky and M. Fearn and
1685                  D. G. Pettifor and M. Aoki",
1686   journal =      "Phys. Rev. B",
1687   volume =       "53",
1688   number =       "19",
1689   pages =        "12694--12712",
1690   numpages =     "18",
1691   year =         "1996",
1692   month =        may,
1693   doi =          "10.1103/PhysRevB.53.12694",
1694   publisher =    "American Physical Society",
1695 }
1696
1697 @Article{abell85,
1698   title =        "Empirical chemical pseudopotential theory of molecular
1699                  and metallic bonding",
1700   author =       "G. C. Abell",
1701   journal =      "Phys. Rev. B",
1702   volume =       "31",
1703   number =       "10",
1704   pages =        "6184--6196",
1705   numpages =     "12",
1706   year =         "1985",
1707   month =        may,
1708   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.6184",
1709   publisher =    "American Physical Society",
1710 }
1711
1712 @Article{tersoff_si1,
1713   title =        "New empirical model for the structural properties of
1714                  silicon",
1715   author =       "J. Tersoff",
1716   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1717   volume =       "56",
1718   number =       "6",
1719   pages =        "632--635",
1720   numpages =     "3",
1721   year =         "1986",
1722   month =        feb,
1723   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1724   publisher =    "American Physical Society",
1725 }
1726
1727 @Article{dodson87,
1728   title =        "Development of a many-body Tersoff-type potential for
1729                  silicon",
1730   author =       "Brian W. Dodson",
1731   journal =      "Phys. Rev. B",
1732   volume =       "35",
1733   number =       "6",
1734   pages =        "2795--2798",
1735   numpages =     "3",
1736   year =         "1987",
1737   month =        feb,
1738   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.2795",
1739   publisher =    "American Physical Society",
1740 }
1741
1742 @Article{tersoff_si2,
1743   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1744                  covalent systems",
1745   author =       "J. Tersoff",
1746   journal =      "Phys. Rev. B",
1747   volume =       "37",
1748   number =       "12",
1749   pages =        "6991--7000",
1750   numpages =     "9",
1751   year =         "1988",
1752   month =        apr,
1753   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1754   publisher =    "American Physical Society",
1755 }
1756
1757 @Article{tersoff_si3,
1758   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1759                  improved elastic properties",
1760   author =       "J. Tersoff",
1761   journal =      "Phys. Rev. B",
1762   volume =       "38",
1763   number =       "14",
1764   pages =        "9902--9905",
1765   numpages =     "3",
1766   year =         "1988",
1767   month =        nov,
1768   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1769   publisher =    "American Physical Society",
1770 }
1771
1772 @Article{tersoff_c,
1773   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1774                  Applications to Amorphous Carbon",
1775   author =       "J. Tersoff",
1776   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1777   volume =       "61",
1778   number =       "25",
1779   pages =        "2879--2882",
1780   numpages =     "3",
1781   year =         "1988",
1782   month =        dec,
1783   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1784   publisher =    "American Physical Society",
1785 }
1786
1787 @Article{tersoff_m,
1788   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1789                  for multicomponent systems",
1790   author =       "J. Tersoff",
1791   journal =      "Phys. Rev. B",
1792   volume =       "39",
1793   number =       "8",
1794   pages =        "5566--5568",
1795   numpages =     "2",
1796   year =         "1989",
1797   month =        mar,
1798   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1799   publisher =    "American Physical Society",
1800 }
1801
1802 @Article{tersoff90,
1803   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1804   author =       "J. Tersoff",
1805   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1806   volume =       "64",
1807   number =       "15",
1808   pages =        "1757--1760",
1809   numpages =     "3",
1810   year =         "1990",
1811   month =        apr,
1812   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1813   publisher =    "American Physical Society",
1814 }
1815
1816 @Article{fahey89,
1817   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1818   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1819   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1820   volume =       "61",
1821   number =       "2",
1822   pages =        "289--384",
1823   numpages =     "95",
1824   year =         "1989",
1825   month =        apr,
1826   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1827   publisher =    "American Physical Society",
1828 }
1829
1830 @Article{wesch96,
1831   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1832   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1833   volume =       "116",
1834   number =       "1-4",
1835   pages =        "305--321",
1836   year =         "1996",
1837   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1838   ISSN =         "0168-583X",
1839   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1840   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1841   author =       "W. Wesch",
1842 }
1843
1844 @Article{davis91,
1845   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
1846                  Palmour and J. A. Edmond",
1847   journal =      "Proceedings of the IEEE",
1848   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
1849                  optoelectronic device fabrication and characterization
1850                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
1851   year =         "1991",
1852   month =        may,
1853   volume =       "79",
1854   number =       "5",
1855   pages =        "677--701",
1856   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
1857                  diode;SiC;dry etching;electrical
1858                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
1859                  device fabrication;solid-state devices;surface
1860                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
1861                  transistors;Schottky-barrier
1862                  diodes;etching;heterojunction bipolar
1863                  transistors;insulated gate field effect
1864                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
1865                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
1866   doi =          "10.1109/5.90132",
1867   ISSN =         "0018-9219",
1868   notes =        "sic growth methods",
1869 }
1870
1871 @Article{morkoc94,
1872   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1873                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1874   collaboration = "",
1875   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1876                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1877   publisher =    "AIP",
1878   year =         "1994",
1879   journal =      "J. Appl. Phys.",
1880   volume =       "76",
1881   number =       "3",
1882   pages =        "1363--1398",
1883   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1884                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1885                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1886                  FILMS; INDUSTRY",
1887   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1888   doi =          "10.1063/1.358463",
1889   notes =        "sic intro, properties",
1890 }
1891
1892 @Article{foo,
1893   author =       "Noch Unbekannt",
1894   title =        "How to find references",
1895   journal =      "Journal of Applied References",
1896   year =         "2009",
1897   volume =       "77",
1898   pages =        "1--23",
1899 }
1900
1901 @Article{tang95,
1902   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1903                  \beta{}-Si{C}",
1904   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1905   journal =      "Phys. Rev. B",
1906   volume =       "52",
1907   number =       "21",
1908   pages =        "15150--15159",
1909   numpages =     "9",
1910   year =         "1995",
1911   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1912   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1913                  tersoff reparametrization",
1914   publisher =    "American Physical Society",
1915 }
1916
1917 @Article{sarro00,
1918   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1919   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1920   volume =       "82",
1921   number =       "1-3",
1922   pages =        "210--218",
1923   year =         "2000",
1924   ISSN =         "0924-4247",
1925   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1926   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1927   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1928   keywords =     "MEMS",
1929   keywords =     "Silicon carbide",
1930   keywords =     "Micromachining",
1931   keywords =     "Mechanical stress",
1932 }
1933
1934 @Article{casady96,
1935   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1936                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1937                  review",
1938   journal =      "Solid-State Electronics",
1939   volume =       "39",
1940   number =       "10",
1941   pages =        "1409--1422",
1942   year =         "1996",
1943   ISSN =         "0038-1101",
1944   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1945   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1946   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1947   notes =        "sic intro",
1948 }
1949
1950 @Article{giancarli98,
1951   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1952                  structural material in fusion power reactor blankets",
1953   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1954   volume =       "41",
1955   number =       "1-4",
1956   pages =        "165--171",
1957   year =         "1998",
1958   ISSN =         "0920-3796",
1959   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1960   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1961   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1962                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1963 }
1964
1965 @Article{pensl93,
1966   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1967   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1968   volume =       "185",
1969   number =       "1-4",
1970   pages =        "264--283",
1971   year =         "1993",
1972   ISSN =         "0921-4526",
1973   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1974   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1975   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1976 }
1977
1978 @Article{tairov78,
1979   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1980                  carbide single crystals",
1981   journal =      "J. Cryst. Growth",
1982   volume =       "43",
1983   number =       "2",
1984   pages =        "209--212",
1985   year =         "1978",
1986   notes =        "modified lely process",
1987   ISSN =         "0022-0248",
1988   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1989   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1990   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1991 }
1992
1993 @Article{tairov81,
1994   title =        "General principles of growing large-size single
1995                  crystals of various silicon carbide polytypes",
1996   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1997   volume =       "52",
1998   number =       "Part 1",
1999   pages =        "146--150",
2000   year =         "1981",
2001   note =         "",
2002   ISSN =         "0022-0248",
2003   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
2004   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
2005   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2006 }
2007
2008 @Article{barrett91,
2009   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
2010   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2011   volume =       "109",
2012   number =       "1-4",
2013   pages =        "17--23",
2014   year =         "1991",
2015   note =         "",
2016   ISSN =         "0022-0248",
2017   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
2018   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
2019   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
2020                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
2021 }
2022
2023 @Article{barrett93,
2024   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
2025   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2026   volume =       "128",
2027   number =       "1-4",
2028   pages =        "358--362",
2029   year =         "1993",
2030   note =         "",
2031   ISSN =         "0022-0248",
2032   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
2033   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
2034   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
2035                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
2036                  W. J. Choyke",
2037 }
2038
2039 @Article{stein93,
2040   title =        "Control of polytype formation by surface energy
2041                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
2042                  sublimation method",
2043   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2044   volume =       "131",
2045   number =       "1-2",
2046   pages =        "71--74",
2047   year =         "1993",
2048   note =         "",
2049   ISSN =         "0022-0248",
2050   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
2051   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
2052   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
2053   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
2054 }
2055
2056 @Article{nishino83,
2057   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
2058                  Will",
2059   collaboration = "",
2060   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
2061                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
2062   publisher =    "AIP",
2063   year =         "1983",
2064   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2065   volume =       "42",
2066   number =       "5",
2067   pages =        "460--462",
2068   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
2069                  monocrystals",
2070   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
2071   doi =          "10.1063/1.93970",
2072   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
2073 }
2074
2075 @Article{nishino87,
2076   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
2077                  and Hiroyuki Matsunami",
2078   collaboration = "",
2079   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
2080                  Si{C} on silicon",
2081   publisher =    "AIP",
2082   year =         "1987",
2083   journal =      "J. Appl. Phys.",
2084   volume =       "61",
2085   number =       "10",
2086   pages =        "4889--4893",
2087   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
2088   doi =          "10.1063/1.338355",
2089   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
2090                  carbonization",
2091 }
2092
2093 @Article{powell87,
2094   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
2095                  Kuczmarski",
2096   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
2097                  Single-Crystal Films on Si",
2098   publisher =    "ECS",
2099   year =         "1987",
2100   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
2101   volume =       "134",
2102   number =       "6",
2103   pages =        "1558--1565",
2104   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
2105                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
2106   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
2107   doi =          "10.1149/1.2100708",
2108   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
2109 }
2110
2111 @Article{powell87_2,
2112   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
2113                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
2114   collaboration = "",
2115   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
2116                  off-axis Si substrates",
2117   publisher =    "AIP",
2118   year =         "1987",
2119   journal =      "Applied Physics Letters",
2120   volume =       "51",
2121   number =       "11",
2122   pages =        "823--825",
2123   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
2124                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
2125                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
2126                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
2127                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
2128   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
2129   doi =          "10.1063/1.98824",
2130   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
2131 }
2132
2133 @Article{ueda90,
2134   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
2135   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2136   volume =       "104",
2137   number =       "3",
2138   pages =        "695--700",
2139   year =         "1990",
2140   note =         "",
2141   ISSN =         "0022-0248",
2142   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
2143   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
2144   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
2145                  Matsunami",
2146   notes =        "step-controlled epitaxy model",
2147 }
2148
2149 @Article{kimoto93,
2150   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
2151                  and Hiroyuki Matsunami",
2152   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
2153                  epitaxy",
2154   publisher =    "AIP",
2155   year =         "1993",
2156   journal =      "J. Appl. Phys.",
2157   volume =       "73",
2158   number =       "2",
2159   pages =        "726--732",
2160   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
2161                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
2162                  VAPOR DEPOSITION",
2163   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
2164   doi =          "10.1063/1.353329",
2165   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
2166 }
2167
2168 @Article{powell90_2,
2169   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2170                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2171                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2172   collaboration = "",
2173   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
2174                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2175   publisher =    "AIP",
2176   year =         "1990",
2177   journal =      "Applied Physics Letters",
2178   volume =       "56",
2179   number =       "15",
2180   pages =        "1442--1444",
2181   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2182                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
2183                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
2184                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
2185   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
2186   doi =          "10.1063/1.102492",
2187   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
2188 }
2189
2190 @Article{kong88_2,
2191   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2192   collaboration = "",
2193   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2194                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2195                  substrates",
2196   publisher =    "AIP",
2197   year =         "1988",
2198   journal =      "Journal of Applied Physics",
2199   volume =       "64",
2200   number =       "5",
2201   pages =        "2672--2679",
2202   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2203                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2204                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2205                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2206                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2207   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2208   doi =          "10.1063/1.341608",
2209 }
2210
2211 @Article{powell90,
2212   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2213                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2214                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2215   collaboration = "",
2216   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2217                  6{H}-Si{C} substrates",
2218   publisher =    "AIP",
2219   year =         "1990",
2220   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2221   volume =       "56",
2222   number =       "14",
2223   pages =        "1353--1355",
2224   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2225                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2226                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2227                  PHASE EPITAXY",
2228   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2229   doi =          "10.1063/1.102512",
2230   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2231 }
2232
2233 @Article{kong88,
2234   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2235                  Rozgonyi and K. L. More",
2236   collaboration = "",
2237   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2238                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2239                  substrates",
2240   publisher =    "AIP",
2241   year =         "1988",
2242   journal =      "Journal of Applied Physics",
2243   volume =       "63",
2244   number =       "8",
2245   pages =        "2645--2650",
2246   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2247                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2248                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2249                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2250                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2251   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2252   doi =          "10.1063/1.341004",
2253 }
2254
2255 @Article{powell91,
2256   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2257                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2258                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2259   collaboration = "",
2260   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2261                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2262   publisher =    "AIP",
2263   year =         "1991",
2264   journal =      "Applied Physics Letters",
2265   volume =       "59",
2266   number =       "3",
2267   pages =        "333--335",
2268   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2269                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2270                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2271   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2272   doi =          "10.1063/1.105587",
2273 }
2274
2275 @Article{yuan95,
2276   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2277                  Thokala and M. J. Loboda",
2278   collaboration = "",
2279   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2280                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2281                  silacyclobutane",
2282   publisher =    "AIP",
2283   year =         "1995",
2284   journal =      "J. Appl. Phys.",
2285   volume =       "78",
2286   number =       "2",
2287   pages =        "1271--1273",
2288   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2289                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2290                  SPECTROPHOTOMETRY",
2291   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2292   doi =          "10.1063/1.360368",
2293   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2294 }
2295
2296 @Article{kaneda87,
2297   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2298                  properties of its p-n junction",
2299   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2300   volume =       "81",
2301   number =       "1-4",
2302   pages =        "536--542",
2303   year =         "1987",
2304   note =         "",
2305   ISSN =         "0022-0248",
2306   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2307   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2308   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2309                  and Takao Tanaka",
2310   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2311 }
2312
2313 @Article{fissel95,
2314   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2315                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2316                  molecular beam epitaxy",
2317   journal =      "J. Cryst. Growth",
2318   volume =       "154",
2319   number =       "1-2",
2320   pages =        "72--80",
2321   year =         "1995",
2322   ISSN =         "0022-0248",
2323   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2324   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2325   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2326                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2327   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2328 }
2329
2330 @Article{fissel95_apl,
2331   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2332   collaboration = "",
2333   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2334                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2335   publisher =    "AIP",
2336   year =         "1995",
2337   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2338   volume =       "66",
2339   number =       "23",
2340   pages =        "3182--3184",
2341   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2342                  RHEED; NUCLEATION",
2343   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2344   doi =          "10.1063/1.113716",
2345   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2346 }
2347
2348 @Article{fissel96,
2349   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2350                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2351   collaboration = "",
2352   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2353                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2354                  level using surface superstructures",
2355   publisher =    "AIP",
2356   year =         "1996",
2357   journal =      "Applied Physics Letters",
2358   volume =       "68",
2359   number =       "9",
2360   pages =        "1204--1206",
2361   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2362                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2363                  SURFACE STRUCTURE",
2364   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2365   doi =          "10.1063/1.115969",
2366   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2367 }
2368
2369 @Article{righi03,
2370   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2371   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2372                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2373   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2374   volume =       "91",
2375   number =       "13",
2376   pages =        "136101",
2377   numpages =     "4",
2378   year =         "2003",
2379   month =        sep,
2380   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2381   publisher =    "American Physical Society",
2382   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2383 }
2384
2385 @Article{borders71,
2386   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2387   collaboration = "",
2388   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2389                  {IMPLANTATION}",
2390   publisher =    "AIP",
2391   year =         "1971",
2392   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2393   volume =       "18",
2394   number =       "11",
2395   pages =        "509--511",
2396   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2397   doi =          "10.1063/1.1653516",
2398   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2399                  ideas",
2400 }
2401
2402 @Article{edelman76,
2403   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2404                  and E. V. Lubopytova",
2405   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2406                  by ion implantation",
2407   publisher =    "Taylor \& Francis",
2408   year =         "1976",
2409   journal =      "Radiation Effects",
2410   volume =       "29",
2411   number =       "1",
2412   pages =        "13--15",
2413   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2414   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2415                  single crystalline",
2416 }
2417
2418 @Article{akimchenko80,
2419   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2420                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2421   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2422                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2423   publisher =    "Taylor \& Francis",
2424   year =         "1980",
2425   journal =      "Radiation Effects",
2426   volume =       "48",
2427   number =       "1",
2428   pages =        "7",
2429   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2430   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2431 }
2432
2433 @Article{kimura81,
2434   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2435                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2436                  silicon",
2437   journal =      "Thin Solid Films",
2438   volume =       "81",
2439   number =       "4",
2440   pages =        "319--327",
2441   year =         "1981",
2442   note =         "",
2443   ISSN =         "0040-6090",
2444   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2445   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2446   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2447                  Yugo",
2448 }
2449
2450 @Article{kimura82,
2451   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2452                  the implantation of carbon ions into silicon",
2453   journal =      "Thin Solid Films",
2454   volume =       "94",
2455   number =       "3",
2456   pages =        "191--198",
2457   year =         "1982",
2458   note =         "",
2459   ISSN =         "0040-6090",
2460   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2461   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2462   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2463                  Yugo",
2464 }
2465
2466 @Article{reeson86,
2467   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2468                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2469                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2470   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2471                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2472   publisher =    "Taylor \& Francis",
2473   year =         "1986",
2474   journal =      "Radiation Effects",
2475   volume =       "99",
2476   number =       "1",
2477   pages =        "71--81",
2478   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2479   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or time,
2480                  no c redistribution",
2481 }
2482
2483 @Article{reeson87,
2484   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2485                  J. Davis and G. E. Celler",
2486   collaboration = "",
2487   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2488                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2489   publisher =    "AIP",
2490   year =         "1987",
2491   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2492   volume =       "51",
2493   number =       "26",
2494   pages =        "2242--2244",
2495   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2496                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2497   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2498   doi =          "10.1063/1.98953",
2499   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2500 }
2501
2502 @Article{martin90,
2503   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2504                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2505   collaboration = "",
2506   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2507   publisher =    "AIP",
2508   year =         "1990",
2509   journal =      "Journal of Applied Physics",
2510   volume =       "67",
2511   number =       "6",
2512   pages =        "2908--2912",
2513   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2514                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2515                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2516                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2517                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2518                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2519   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2520   doi =          "10.1063/1.346092",
2521   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2522                  temepratures",
2523 }
2524
2525 @Article{scace59,
2526   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2527   collaboration = "",
2528   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2529   publisher =    "AIP",
2530   year =         "1959",
2531   journal =      "J. Chem. Phys.",
2532   volume =       "30",
2533   number =       "6",
2534   pages =        "1551--1555",
2535   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2536   doi =          "10.1063/1.1730236",
2537   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2538 }
2539
2540 @Article{hofker74,
2541   author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
2542                  Koeman",
2543   affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
2544                  Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
2545                  Netherlands",
2546   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
2547                  charge carrier and boron concentration profiles",
2548   journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
2549   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
2550   ISSN =         "0947-8396",
2551   keyword =      "Physics and Astronomy",
2552   pages =        "125--133",
2553   volume =       "4",
2554   issue =        "2",
2555   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
2556   note =         "10.1007/BF00884267",
2557   year =         "1974",
2558   notes =        "first time ted (only for boron?)",
2559 }
2560
2561 @Article{michel87,
2562   author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
2563                  H. Kastl",
2564   collaboration = "",
2565   title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
2566                  implanted boron into silicon",
2567   publisher =    "AIP",
2568   year =         "1987",
2569   journal =      "Applied Physics Letters",
2570   volume =       "50",
2571   number =       "7",
2572   pages =        "416--418",
2573   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
2574                  BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
2575                  HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
2576   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
2577   doi =          "10.1063/1.98160",
2578   notes =        "ted of boron in si",
2579 }
2580
2581 @Article{cowern90,
2582   author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
2583                  Jos",
2584   collaboration = "",
2585   title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
2586                  time, and matrix dependence of atomic and electrical
2587                  profiles",
2588   publisher =    "AIP",
2589   year =         "1990",
2590   journal =      "Journal of Applied Physics",
2591   volume =       "68",
2592   number =       "12",
2593   pages =        "6191--6198",
2594   keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
2595                  DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
2596                  CRYSTALS; AMORPHIZATION",
2597   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
2598   doi =          "10.1063/1.346910",
2599   notes =        "ted of boron in si",
2600 }
2601
2602 @Article{cowern96,
2603   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2604                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2605   collaboration = "",
2606   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2607                  {B} in silicon",
2608   publisher =    "AIP",
2609   year =         "1996",
2610   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2611   volume =       "68",
2612   number =       "8",
2613   pages =        "1150--1152",
2614   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2615                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2616                  SILICON",
2617   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2618   doi =          "10.1063/1.115706",
2619   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2620 }
2621
2622 @Article{stolk95,
2623   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2624                  of the silicon self-interstitial",
2625   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2626   volume =       "96",
2627   number =       "1-2",
2628   pages =        "187--195",
2629   year =         "1995",
2630   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2631                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2632   ISSN =         "0168-583X",
2633   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2634   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2635   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2636                  and J. M. Poate",
2637 }
2638
2639 @Article{stolk97,
2640   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2641                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2642                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2643                  E. Haynes",
2644   collaboration = "",
2645   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2646                  diffusion in ion-implanted silicon",
2647   publisher =    "AIP",
2648   year =         "1997",
2649   journal =      "J. Appl. Phys.",
2650   volume =       "81",
2651   number =       "9",
2652   pages =        "6031--6050",
2653   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2654   doi =          "10.1063/1.364452",
2655   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2656 }
2657
2658 @Article{powell94,
2659   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2660   collaboration = "",
2661   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2662                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2663   publisher =    "AIP",
2664   year =         "1994",
2665   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2666   volume =       "64",
2667   number =       "3",
2668   pages =        "324--326",
2669   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2670                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2671                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2672                  SYNTHESIS",
2673   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2674   doi =          "10.1063/1.111195",
2675   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2676 }
2677
2678 @Article{soref91,
2679   author =       "Richard A. Soref",
2680   collaboration = "",
2681   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2682                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2683   publisher =    "AIP",
2684   year =         "1991",
2685   journal =      "J. Appl. Phys.",
2686   volume =       "70",
2687   number =       "4",
2688   pages =        "2470--2472",
2689   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2690                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2691                  TERNARY ALLOYS",
2692   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2693   doi =          "10.1063/1.349403",
2694   notes =        "band gap of strained si by c",
2695 }
2696
2697 @Article{kasper91,
2698   author =       "E Kasper",
2699   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2700                  possibility to produce direct band gap material",
2701   journal =      "Physica Scripta",
2702   volume =       "T35",
2703   pages =        "232--236",
2704   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2705   year =         "1991",
2706   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2707                  quasi-direct one",
2708 }
2709
2710 @Article{eberl92,
2711   author =       "K. Eberl and S. S. Iyer and S. Zollner and J. C. Tsang
2712                  and F. K. LeGoues",
2713   collaboration = "",
2714   title =        "Growth and strain compensation effects in the ternary
2715                  Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloy system",
2716   publisher =    "AIP",
2717   year =         "1992",
2718   journal =      "Applied Physics Letters",
2719   volume =       "60",
2720   number =       "24",
2721   pages =        "3033--3035",
2722   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; CARBON ALLOYS;
2723                  TERNARY ALLOYS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; MOLECULAR BEAM
2724                  EPITAXY; INTERNAL STRAINS; TEMPERATURE EFFECTS; CRYSTAL
2725                  STRUCTURE; LATTICE PARAMETERS; XRAY DIFFRACTION; PHASE
2726                  STUDIES",
2727   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/3033/1",
2728   doi =          "10.1063/1.106774",
2729 }
2730
2731 @Article{powell93,
2732   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and F. E. LeGoues and B. A.
2733                  Ek and S. S. Iyer",
2734   collaboration = "",
2735   title =        "Stability of strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random
2736                  alloy layers",
2737   publisher =    "AVS",
2738   year =         "1993",
2739   journal =      "J. Vac. Sci. Technol. B",
2740   volume =       "11",
2741   number =       "3",
2742   pages =        "1064--1068",
2743   location =     "Ottawa (Canada)",
2744   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; STRAINS; THICKNESS;
2745                  METASTABLE PHASES; TWINNING; DISLOCATIONS; MOLECULAR
2746                  BEAM EPITAXY; EPITAXIAL LAYERS; CRITICAL PHENOMENA;
2747                  TEMPERATURE RANGE 400--1000 K; BINARY ALLOYS",
2748   URL =          "http://link.aip.org/link/?JVB/11/1064/1",
2749   doi =          "10.1116/1.587008",
2750   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2751 }
2752
2753 @Article{powell93_2,
2754   title =        "Si[sub 1-x-y]Ge[sub x]{C}[sub y] growth and properties
2755                  of the ternary system",
2756   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2757   volume =       "127",
2758   number =       "1-4",
2759   pages =        "425--429",
2760   year =         "1993",
2761   note =         "",
2762   ISSN =         "0022-0248",
2763   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90653-E",
2764   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46J3RF2-8H/2/27fc231f28e4dc0a3b4770e5cf03257e",
2765   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and B. A. Ek and S. S.
2766                  Iyer",
2767 }
2768
2769 @Article{osten94,
2770   author =       "H. J. Osten",
2771   title =        "Modification of Growth Modes in Lattice-Mismatched
2772                  Epitaxial Systems: Si/Ge",
2773   journal =      "physica status solidi (a)",
2774   volume =       "145",
2775   number =       "2",
2776   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2777   ISSN =         "1521-396X",
2778   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211450203",
2779   doi =          "10.1002/pssa.2211450203",
2780   pages =        "235--245",
2781   year =         "1994",
2782 }
2783
2784 @Article{dietrich94,
2785   title =        "Lattice distortion in a strain-compensated
2786                  $Si_{1-x-y}$$Ge_{x}$${C}_{y}$ layer on silicon",
2787   author =       "B. Dietrich and H. J. Osten and H. R{\"u}cker and M.
2788                  Methfessel and P. Zaumseil",
2789   journal =      "Phys. Rev. B",
2790   volume =       "49",
2791   number =       "24",
2792   pages =        "17185--17190",
2793   numpages =     "5",
2794   year =         "1994",
2795   month =        jun,
2796   doi =          "10.1103/PhysRevB.49.17185",
2797   publisher =    "American Physical Society",
2798 }
2799
2800 @Article{osten94_2,
2801   author =       "H. J. Osten and E. Bugiel and P. Zaumseil",
2802   collaboration = "",
2803   title =        "Growth of an inverse tetragonal distorted SiGe layer
2804                  on Si(001) by adding small amounts of carbon",
2805   publisher =    "AIP",
2806   year =         "1994",
2807   journal =      "Applied Physics Letters",
2808   volume =       "64",
2809   number =       "25",
2810   pages =        "3440--3442",
2811   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; FILM GROWTH; CARBON
2812                  ALLOYS; TERNARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TEM;
2813                  XRD; LATTICE PARAMETERS; EPITAXIAL LAYERS; TETRAGONAL
2814                  LATTICES",
2815   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/3440/1",
2816   doi =          "10.1063/1.111235",
2817   notes =        "inversely strained / distorted heterostructure",
2818 }
2819
2820 @Article{iyer92,
2821   author =       "S. S. Iyer and K. Eberl and M. S. Goorsky and F. K.
2822                  LeGoues and J. C. Tsang and F. Cardone",
2823   collaboration = "",
2824   title =        "Synthesis of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys by
2825                  molecular beam epitaxy",
2826   publisher =    "AIP",
2827   year =         "1992",
2828   journal =      "Applied Physics Letters",
2829   volume =       "60",
2830   number =       "3",
2831   pages =        "356--358",
2832   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
2833                  SEMICONDUCTOR ALLOYS; SUPERLATTICES; MOLECULAR BEAM
2834                  EPITAXY; CHEMICAL COMPOSITION; TEMPERATURE EFFECTS;
2835                  FILM GROWTH; MICROSTRUCTURE",
2836   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/356/1",
2837   doi =          "10.1063/1.106655",
2838 }
2839
2840 @Article{osten99,
2841   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2842   collaboration = "",
2843   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2844                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2845                  molecular beam epitaxy",
2846   publisher =    "AIP",
2847   year =         "1999",
2848   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2849   volume =       "74",
2850   number =       "6",
2851   pages =        "836--838",
2852   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2853                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2854                  compounds",
2855   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2856   doi =          "10.1063/1.123384",
2857   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2858 }
2859
2860 @Article{born27,
2861   author =       "M. Born and R. Oppenheimer",
2862   title =        "Zur Quantentheorie der Molekeln",
2863   journal =      "Annalen der Physik",
2864   volume =       "389",
2865   number =       "20",
2866   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2867   ISSN =         "1521-3889",
2868   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19273892002",
2869   doi =          "10.1002/andp.19273892002",
2870   pages =        "457--484",
2871   year =         "1927",
2872 }
2873
2874 @Article{hohenberg64,
2875   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2876   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2877   journal =      "Phys. Rev.",
2878   volume =       "136",
2879   number =       "3B",
2880   pages =        "B864--B871",
2881   numpages =     "7",
2882   year =         "1964",
2883   month =        nov,
2884   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2885   publisher =    "American Physical Society",
2886   notes =        "density functional theory, dft",
2887 }
2888
2889 @Article{thomas27,
2890   title =        "The calculation of atomic fields",
2891   author =       "L. H. Thomas",
2892   journal =      "Mathematical Proceedings of the Cambridge
2893                  Philosophical Society",
2894   volume =       "23",
2895   pages =        "542--548",
2896   year =         "1927",
2897   doi =          "10.1017/S0305004100011683",
2898 }
2899
2900 @Article{fermi27,
2901   title =        "",
2902   author =       "E. Fermi",
2903   journal =      "Atti Accad. Naz. Lincei, Cl. Sci. Fis. Mat. Nat. Rend.",
2904   volume =       "6",
2905   pages =        "602",
2906   year =         "1927",
2907 }
2908
2909 @Article{hartree28,
2910   title =        "The Wave Mechanics of an Atom with a Non-Coulomb
2911                  Central Field. Part {I}. Theory and Methods",
2912   author =       "D. R. Hartree",
2913   journal =      "Mathematical Proceedings of the Cambridge
2914                  Philosophical Society",
2915   volume =       "24",
2916   pages =        "89--110",
2917   year =         "1928",
2918   doi =          "10.1017/S0305004100011919",
2919 }
2920
2921 @Article{kohn65,
2922   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2923                  Correlation Effects",
2924   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2925   journal =      "Phys. Rev.",
2926   volume =       "140",
2927   number =       "4A",
2928   pages =        "A1133--A1138",
2929   numpages =     "5",
2930   year =         "1965",
2931   month =        nov,
2932   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2933   publisher =    "American Physical Society",
2934   notes =        "dft, exchange and correlation",
2935 }
2936
2937 @Article{kohn99,
2938   title =        "Nobel Lecture: Electronic structure of matter---wave
2939                  functions and density functionals",
2940   author =       "W. Kohn",
2941   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
2942   volume =       "71",
2943   number =       "5",
2944   pages =        "1253--1266",
2945   numpages =     "13",
2946   year =         "1999",
2947   month =        oct,
2948   doi =          "10.1103/RevModPhys.71.1253",
2949   publisher =    "American Physical Society",
2950 }
2951
2952 @Article{ruecker94,
2953   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
2954                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
2955   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
2956                  J. Osten",
2957   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2958   volume =       "72",
2959   number =       "22",
2960   pages =        "3578--3581",
2961   numpages =     "3",
2962   year =         "1994",
2963   month =        may,
2964   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
2965   publisher =    "American Physical Society",
2966   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
2967                  si, dft",
2968 }
2969
2970 @Article{yagi02,
2971   title =        "Phosphorous Doping of Strain-Induced
2972                  Si$_{1-y}${C}$_{y}$ Epitaxial Films Grown\\
2973                  by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition",
2974   author =       "Shuhei Yagi and Katsuya Abe and Takashi Okabayashi and
2975                  Yuichi Yoneyama and Akira Yamada and Makoto Konagai",
2976   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2977   volume =       "41",
2978   number =       "Part 1, No. 4B",
2979   pages =        "2472--2475",
2980   numpages =     "3",
2981   year =         "2002",
2982   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/41/2472/",
2983   doi =          "10.1143/JJAP.41.2472",
2984   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2985   notes =        "experimental charge carrier mobility in strained si",
2986 }
2987
2988 @Article{chang05,
2989   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
2990                  Alloy",
2991   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
2992   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2993   volume =       "44",
2994   number =       "4B",
2995   pages =        "2257--2262",
2996   numpages =     "5",
2997   year =         "2005",
2998   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
2999   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
3000   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3001   notes =        "enhance of electron mobility in strained si",
3002 }
3003
3004 @Article{kissinger94,
3005   author =       "W. Kissinger and M. Weidner and H. J. Osten and M.
3006                  Eichler",
3007   collaboration = "",
3008   title =        "Optical transitions in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub
3009                  y] layers on Si(001)",
3010   publisher =    "AIP",
3011   year =         "1994",
3012   journal =      "Applied Physics Letters",
3013   volume =       "65",
3014   number =       "26",
3015   pages =        "3356--3358",
3016   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERNAL STRAINS; EPITAXIAL LAYERS;
3017                  CHEMICAL COMPOSITION; ELLIPSOMETRY; REFLECTION
3018                  SPECTROSCOPY; ELECTROOPTICAL EFFECTS; BAND STRUCTURE;
3019                  ENERGY LEVELS; ENERGYLEVEL TRANSITIONS",
3020   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/3356/1",
3021   doi =          "10.1063/1.112390",
3022   notes =        "strained si influence on optical properties",
3023 }
3024
3025 @Article{osten96,
3026   author =       "H. J. Osten and Myeongcheol Kim and K. Pressel and P.
3027                  Zaumseil",
3028   collaboration = "",
3029   title =        "Substitutional versus interstitial carbon
3030                  incorporation during pseudomorphic growth of Si[sub 1 -
3031                  y]{C}[sub y] on Si(001)",
3032   publisher =    "AIP",
3033   year =         "1996",
3034   journal =      "Journal of Applied Physics",
3035   volume =       "80",
3036   number =       "12",
3037   pages =        "6711--6715",
3038   keywords =     "SILICON CARBIDES; CRYSTAL DEFECTS; FILM GROWTH;
3039                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; INTERSTITIALS; SUBSTITUTION;
3040                  XRD; STRAINS",
3041   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/80/6711/1",
3042   doi =          "10.1063/1.363797",
3043   notes =        "mbe substitutional vs interstitial c incorporation",
3044 }
3045
3046 @Article{osten97,
3047   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
3048   collaboration = "",
3049   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3050                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
3051                  Si(001)",
3052   publisher =    "AIP",
3053   year =         "1997",
3054   journal =      "J. Appl. Phys.",
3055   volume =       "82",
3056   number =       "10",
3057   pages =        "4977--4981",
3058   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
3059                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
3060                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
3061   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
3062   doi =          "10.1063/1.366364",
3063   notes =        "charge transport in strained si",
3064 }
3065
3066 @Article{kapur04,
3067   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
3068                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
3069   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
3070   journal =      "Phys. Rev. B",
3071   volume =       "69",
3072   number =       "15",
3073   pages =        "155214",
3074   numpages =     "8",
3075   year =         "2004",
3076   month =        apr,
3077   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
3078   publisher =    "American Physical Society",
3079   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
3080 }
3081
3082 @Article{barkema96,
3083   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
3084                  Systems",
3085   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
3086   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3087   volume =       "77",
3088   number =       "21",
3089   pages =        "4358--4361",
3090   numpages =     "3",
3091   year =         "1996",
3092   month =        nov,
3093   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
3094   publisher =    "American Physical Society",
3095   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
3096                  dynamic mds",
3097 }
3098
3099 @Article{cances09,
3100   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
3101                  Minoukadeh and F. Willaime",
3102   collaboration = "",
3103   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
3104                  technique method for finding transition pathways on
3105                  potential energy surfaces",
3106   publisher =    "AIP",
3107   year =         "2009",
3108   journal =      "J. Chem. Phys.",
3109   volume =       "130",
3110   number =       "11",
3111   eid =          "114711",
3112   numpages =     "6",
3113   pages =        "114711",
3114   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
3115                  surfaces; vacancies (crystal)",
3116   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
3117   doi =          "10.1063/1.3088532",
3118   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
3119                  transition pathways",
3120 }
3121
3122 @Article{parrinello81,
3123   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
3124   collaboration = "",
3125   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
3126                  molecular dynamics method",
3127   publisher =    "AIP",
3128   year =         "1981",
3129   journal =      "J. Appl. Phys.",
3130   volume =       "52",
3131   number =       "12",
3132   pages =        "7182--7190",
3133   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
3134                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
3135                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
3136                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
3137                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
3138                  IMPACT SHOCK",
3139   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
3140   doi =          "10.1063/1.328693",
3141 }
3142
3143 @Article{stillinger85,
3144   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
3145                  of silicon",
3146   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
3147   journal =      "Phys. Rev. B",
3148   volume =       "31",
3149   number =       "8",
3150   pages =        "5262--5271",
3151   numpages =     "9",
3152   year =         "1985",
3153   month =        apr,
3154   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
3155   publisher =    "American Physical Society",
3156 }
3157
3158 @Article{brenner90,
3159   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
3160                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
3161                  films",
3162   author =       "Donald W. Brenner",
3163   journal =      "Phys. Rev. B",
3164   volume =       "42",
3165   number =       "15",
3166   pages =        "9458--9471",
3167   numpages =     "13",
3168   year =         "1990",
3169   month =        nov,
3170   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
3171   publisher =    "American Physical Society",
3172   notes =        "brenner hydro carbons",
3173 }
3174
3175 @Article{bazant96,
3176   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
3177                  Cohesive Energy Curves",
3178   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
3179   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3180   volume =       "77",
3181   number =       "21",
3182   pages =        "4370--4373",
3183   numpages =     "3",
3184   year =         "1996",
3185   month =        nov,
3186   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
3187   publisher =    "American Physical Society",
3188   notes =        "first si edip",
3189 }
3190
3191 @Article{bazant97,
3192   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
3193                  silicon",
3194   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
3195                  Justo",
3196   journal =      "Phys. Rev. B",
3197   volume =       "56",
3198   number =       "14",
3199   pages =        "8542--8552",
3200   numpages =     "10",
3201   year =         "1997",
3202   month =        oct,
3203   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
3204   publisher =    "American Physical Society",
3205   notes =        "second si edip",
3206 }
3207
3208 @Article{justo98,
3209   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
3210                  disordered phases",
3211   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
3212                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
3213   journal =      "Phys. Rev. B",
3214   volume =       "58",
3215   number =       "5",
3216   pages =        "2539--2550",
3217   numpages =     "11",
3218   year =         "1998",
3219   month =        aug,
3220   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
3221   publisher =    "American Physical Society",
3222   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
3223 }
3224
3225 @Article{parcas_md,
3226   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
3227   author =       "K. Nordlund",
3228   year =         "2008",
3229 }
3230
3231 @Article{voter97,
3232   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
3233                  Infrequent Events",
3234   author =       "Arthur F. Voter",
3235   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3236   volume =       "78",
3237   number =       "20",
3238   pages =        "3908--3911",
3239   numpages =     "3",
3240   year =         "1997",
3241   month =        may,
3242   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
3243   publisher =    "American Physical Society",
3244   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
3245 }
3246
3247 @Article{voter97_2,
3248   author =       "Arthur F. Voter",
3249   collaboration = "",
3250   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
3251                  simulation of infrequent events",
3252   publisher =    "AIP",
3253   year =         "1997",
3254   journal =      "J. Chem. Phys.",
3255   volume =       "106",
3256   number =       "11",
3257   pages =        "4665--4677",
3258   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
3259                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
3260                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
3261                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
3262                  theory; potential energy surfaces",
3263   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
3264   doi =          "10.1063/1.473503",
3265   notes =        "improved hyperdynamics md",
3266 }
3267
3268 @Article{sorensen2000,
3269   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
3270   collaboration = "",
3271   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
3272                  infrequent events",
3273   publisher =    "AIP",
3274   year =         "2000",
3275   journal =      "J. Chem. Phys.",
3276   volume =       "112",
3277   number =       "21",
3278   pages =        "9599--9606",
3279   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
3280                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
3281   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
3282   doi =          "10.1063/1.481576",
3283   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
3284 }
3285
3286 @Article{voter98,
3287   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
3288                  events",
3289   author =       "Arthur F. Voter",
3290   journal =      "Phys. Rev. B",
3291   volume =       "57",
3292   number =       "22",
3293   pages =        "R13985--R13988",
3294   numpages =     "3",
3295   year =         "1998",
3296   month =        jun,
3297   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
3298   publisher =    "American Physical Society",
3299   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
3300 }
3301
3302 @Article{wu99,
3303   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
3304   collaboration = "",
3305   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
3306                  simulation",
3307   publisher =    "AIP",
3308   year =         "1999",
3309   journal =      "J. Chem. Phys.",
3310   volume =       "110",
3311   number =       "19",
3312   pages =        "9401--9410",
3313   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
3314                  potential; crystallisation; liquid theory",
3315   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
3316   doi =          "10.1063/1.478948",
3317   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
3318                  systematic motion",
3319 }
3320
3321 @Article{choudhary05,
3322   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
3323   collaboration = "",
3324   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
3325                  to the production of amorphous silicon",
3326   publisher =    "AIP",
3327   year =         "2005",
3328   journal =      "J. Chem. Phys.",
3329   volume =       "122",
3330   number =       "15",
3331   eid =          "154509",
3332   numpages =     "8",
3333   pages =        "154509",
3334   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
3335                  amorphous semiconductors",
3336   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
3337   doi =          "10.1063/1.1878733",
3338   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
3339                  silicon",
3340 }
3341
3342 @Article{taylor93,
3343   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
3344   collaboration = "",
3345   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
3346                  difficult?",
3347   publisher =    "AIP",
3348   year =         "1993",
3349   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3350   volume =       "62",
3351   number =       "25",
3352   pages =        "3336--3338",
3353   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
3354                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
3355                  ENERGY",
3356   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
3357   doi =          "10.1063/1.109063",
3358   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
3359                  interstitials necessary for precipitation, volume
3360                  decrease, high interface energy",
3361 }
3362
3363 @Article{chaussende08,
3364   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
3365   journal =      "J. Cryst. Growth",
3366   volume =       "310",
3367   number =       "5",
3368   pages =        "976--981",
3369   year =         "2008",
3370   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
3371                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
3372   ISSN =         "0022-0248",
3373   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
3374   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
3375   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
3376                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
3377                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
3378                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
3379   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
3380                  metastable",
3381 }
3382
3383 @Article{chaussende07,
3384   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
3385   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
3386   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
3387   volume =       "40",
3388   number =       "20",
3389   pages =        "6150",
3390   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
3391   year =         "2007",
3392   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
3393                  modelling",
3394 }
3395
3396 @Article{feynman39,
3397   title =        "Forces in Molecules",
3398   author =       "R. P. Feynman",
3399   journal =      "Phys. Rev.",
3400   volume =       "56",
3401   number =       "4",
3402   pages =        "340--343",
3403   numpages =     "3",
3404   year =         "1939",
3405   month =        aug,
3406   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
3407   publisher =    "American Physical Society",
3408   notes =        "hellmann feynman forces",
3409 }
3410
3411 @Article{buczko00,
3412   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
3413                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
3414                  their Contrasting Properties",
3415   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
3416                  T. Pantelides",
3417   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3418   volume =       "84",
3419   number =       "5",
3420   pages =        "943--946",
3421   numpages =     "3",
3422   year =         "2000",
3423   month =        jan,
3424   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
3425   publisher =    "American Physical Society",
3426   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
3427 }
3428
3429 @Article{djurabekova08,
3430   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
3431                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
3432   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
3433   journal =      "Phys. Rev. B",
3434   volume =       "77",
3435   number =       "11",
3436   pages =        "115325",
3437   numpages =     "7",
3438   year =         "2008",
3439   month =        mar,
3440   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
3441   publisher =    "American Physical Society",
3442   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
3443                  angular distribution, coordination",
3444 }
3445
3446 @Article{wen09,
3447   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
3448                  W. Liang and J. Zou",
3449   collaboration = "",
3450   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
3451                  strain relaxation at highly lattice mismatched
3452                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
3453   publisher =    "AIP",
3454   year =         "2009",
3455   journal =      "J. Appl. Phys.",
3456   volume =       "106",
3457   number =       "7",
3458   eid =          "073522",
3459   numpages =     "8",
3460   pages =        "073522",
3461   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
3462                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
3463                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
3464                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
3465   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
3466   doi =          "10.1063/1.3234380",
3467   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
3468                  deconvolution, dislocation defects",
3469 }
3470
3471 @Article{kitabatake93,
3472   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
3473                  Hirao",
3474   collaboration = "",
3475   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
3476                  growth on Si(001) surface",
3477   publisher =    "AIP",
3478   year =         "1993",
3479   journal =      "J. Appl. Phys.",
3480   volume =       "74",
3481   number =       "7",
3482   pages =        "4438--4445",
3483   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
3484                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
3485                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
3486   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
3487   doi =          "10.1063/1.354385",
3488   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
3489                  model, interface",
3490 }
3491
3492 @Article{kitabatake97,
3493   author =       "Makoto Kitabatake",
3494   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
3495                  Heteroepitaxial Growth",
3496   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3497   year =         "1997",
3498   journal =      "physica status solidi (b)",
3499   volume =       "202",
3500   pages =        "405--420",
3501   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3502   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3503   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
3504 }
3505
3506 @Article{chirita97,
3507   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
3508                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
3509                  dynamics study",
3510   journal =      "Thin Solid Films",
3511   volume =       "294",
3512   number =       "1-2",
3513   pages =        "47--49",
3514   year =         "1997",
3515   note =         "",
3516   ISSN =         "0040-6090",
3517   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
3518   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
3519   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
3520   keywords =     "Strain relaxation",
3521   keywords =     "Interfaces",
3522   keywords =     "Thermal stability",
3523   keywords =     "Molecular dynamics",
3524   notes =        "tersoff sic/si interface study",
3525 }
3526
3527 @Article{cicero02,
3528   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
3529                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
3530   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
3531                  Catellani",
3532   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3533   volume =       "89",
3534   number =       "15",
3535   pages =        "156101",
3536   numpages =     "4",
3537   year =         "2002",
3538   month =        sep,
3539   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
3540   publisher =    "American Physical Society",
3541   notes =        "sic/si interface study",
3542 }
3543
3544 @Article{pizzagalli03,
3545   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
3546                  interface: Si{C}/Si(001)",
3547   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
3548                  Catellani",
3549   journal =      "Phys. Rev. B",
3550   volume =       "68",
3551   number =       "19",
3552   pages =        "195302",
3553   numpages =     "10",
3554   year =         "2003",
3555   month =        nov,
3556   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
3557   publisher =    "American Physical Society",
3558   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
3559 }
3560
3561 @Article{tang07,
3562   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
3563                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
3564                  electron microscopy",
3565   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
3566                  H. Zheng and J. W. Liang",
3567   journal =      "Phys. Rev. B",
3568   volume =       "75",
3569   number =       "18",
3570   pages =        "184103",
3571   numpages =     "7",
3572   year =         "2007",
3573   month =        may,
3574   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
3575   publisher =    "American Physical Society",
3576   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
3577                  si and c",
3578 }
3579
3580 @Article{hornstra58,
3581   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
3582   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
3583   volume =       "5",
3584   number =       "1-2",
3585   pages =        "129--141",
3586   year =         "1958",
3587   note =         "",
3588   ISSN =         "0022-3697",
3589   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
3590   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
3591   author =       "J. Hornstra",
3592   notes =        "dislocations in diamond lattice",
3593 }
3594
3595 @Article{deguchi92,
3596   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
3597                  Ion `Hot' Implantation",
3598   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
3599                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
3600   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3601   volume =       "31",
3602   number =       "Part 1, No. 2A",
3603   pages =        "343--347",
3604   numpages =     "4",
3605   year =         "1992",
3606   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
3607   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
3608   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3609   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
3610                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
3611 }
3612
3613 @Article{eichhorn99,
3614   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
3615                  K{\"{o}}gler",
3616   collaboration = "",
3617   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
3618                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
3619                  synchrotron x-ray diffraction",
3620   publisher =    "AIP",
3621   year =         "1999",
3622   journal =      "J. Appl. Phys.",
3623   volume =       "86",
3624   number =       "8",
3625   pages =        "4184--4187",
3626   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
3627                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
3628                  precipitation; semiconductor doping",
3629   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
3630   doi =          "10.1063/1.371344",
3631   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
3632                  expansion of si lattice",
3633 }
3634
3635 @Article{eichhorn02,
3636   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
3637                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
3638   collaboration = "",
3639   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
3640                  carbon ion implantation",
3641   publisher =    "AIP",
3642   year =         "2002",
3643   journal =      "J. Appl. Phys.",
3644   volume =       "91",
3645   number =       "3",
3646   pages =        "1287--1292",
3647   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
3648                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
3649                  electron microscopy",
3650   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
3651   doi =          "10.1063/1.1428105",
3652   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
3653                  temperature, might explain c into c sub trafo",
3654 }
3655
3656 @Article{lucas10,
3657   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
3658   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
3659                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
3660                  high-pressure phases, point and extended defects, and
3661                  amorphous structures",
3662   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3663   volume =       "22",
3664   number =       "3",
3665   pages =        "035802",
3666   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
3667   year =         "2010",
3668   notes =        "edip sic",
3669 }
3670
3671 @Article{godet03,
3672   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
3673                  Beauchamp",
3674   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
3675                  methods for silicon under large shear",
3676   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3677   volume =       "15",
3678   number =       "41",
3679   pages =        "6943",
3680   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
3681   year =         "2003",
3682   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
3683                  edip, tersoff, ab initio",
3684 }
3685
3686 @Article{moriguchi98,
3687   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
3688                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
3689   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
3690   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3691   volume =       "37",
3692   number =       "Part 1, No. 2",
3693   pages =        "414--422",
3694   numpages =     "8",
3695   year =         "1998",
3696   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
3697   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
3698   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3699   notes =        "tersoff stringent test",
3700 }
3701
3702 @Article{mazzarolo01,
3703   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
3704                  simulations",
3705   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
3706                  Lulli and Eros Albertazzi",
3707   journal =      "Phys. Rev. B",
3708   volume =       "63",
3709   number =       "19",
3710   pages =        "195207",
3711   numpages =     "4",
3712   year =         "2001",
3713   month =        apr,
3714   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
3715   publisher =    "American Physical Society",
3716 }
3717
3718 @Article{holmstroem08,
3719   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
3720                  density functional theory molecular dynamics
3721                  simulations",
3722   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
3723   journal =      "Phys. Rev. B",
3724   volume =       "78",
3725   number =       "4",
3726   pages =        "045202",
3727   numpages =     "6",
3728   year =         "2008",
3729   month =        jul,
3730   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
3731   publisher =    "American Physical Society",
3732   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
3733                  initio",
3734 }
3735
3736 @Article{nordlund97,
3737   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
3738                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
3739   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3740   volume =       "132",
3741   number =       "1",
3742   pages =        "45--54",
3743   year =         "1997",
3744   note =         "",
3745   ISSN =         "0168-583X",
3746   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
3747   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
3748   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
3749   notes =        "repulsive ab initio potential",
3750 }
3751
3752 @Article{kresse96,
3753   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
3754                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
3755                  set",
3756   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3757   volume =       "6",
3758   number =       "1",
3759   pages =        "15--50",
3760   year =         "1996",
3761   note =         "",
3762   ISSN =         "0927-0256",
3763   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
3764   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
3765   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
3766   notes =        "vasp ref",
3767 }
3768
3769 @Article{bloechl94,
3770   title =        "Projector augmented-wave method",
3771   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
3772   journal =      "Phys. Rev. B",
3773   volume =       "50",
3774   number =       "24",
3775   pages =        "17953--17979",
3776   numpages =     "26",
3777   year =         "1994",
3778   month =        dec,
3779   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
3780   publisher =    "American Physical Society",
3781   notes =        "paw method",
3782 }
3783
3784 @Article{hamann79,
3785   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
3786   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
3787   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3788   volume =       "43",
3789   number =       "20",
3790   pages =        "1494--1497",
3791   numpages =     "3",
3792   year =         "1979",
3793   month =        nov,
3794   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
3795   publisher =    "American Physical Society",
3796   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
3797 }
3798
3799 @Article{vanderbilt90,
3800   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
3801                  eigenvalue formalism",
3802   author =       "David Vanderbilt",
3803   journal =      "Phys. Rev. B",
3804   volume =       "41",
3805   number =       "11",
3806   pages =        "7892--7895",
3807   numpages =     "3",
3808   year =         "1990",
3809   month =        apr,
3810   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
3811   publisher =    "American Physical Society",
3812   notes =        "vasp pseudopotentials",
3813 }
3814
3815 @Article{perdew86,
3816   title =        "Accurate and simple density functional for the
3817                  electronic exchange energy: Generalized gradient
3818                  approximation",
3819   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
3820   journal =      "Phys. Rev. B",
3821   volume =       "33",
3822   number =       "12",
3823   pages =        "8800--8802",
3824   numpages =     "2",
3825   year =         "1986",
3826   month =        jun,
3827   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
3828   publisher =    "American Physical Society",
3829   notes =        "rapid communication gga",
3830 }
3831
3832 @Article{perdew02,
3833   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
3834                  correlation: {A} look backward and forward",
3835   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
3836   volume =       "172",
3837   number =       "1-2",
3838   pages =        "1--6",
3839   year =         "1991",
3840   note =         "",
3841   ISSN =         "0921-4526",
3842   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
3843   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
3844   author =       "John P. Perdew",
3845   notes =        "gga overview",
3846 }
3847
3848 @Article{perdew92,
3849   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
3850                  of the generalized gradient approximation for exchange
3851                  and correlation",
3852   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
3853                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
3854                  and Carlos Fiolhais",
3855   journal =      "Phys. Rev. B",
3856   volume =       "46",
3857   number =       "11",
3858   pages =        "6671--6687",
3859   numpages =     "16",
3860   year =         "1992",
3861   month =        sep,
3862   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
3863   publisher =    "American Physical Society",
3864   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
3865 }
3866
3867 @Article{baldereschi73,
3868   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
3869   author =       "A. Baldereschi",
3870   journal =      "Phys. Rev. B",
3871   volume =       "7",
3872   number =       "12",
3873   pages =        "5212--5215",
3874   numpages =     "3",
3875   year =         "1973",
3876   month =        jun,
3877   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
3878   publisher =    "American Physical Society",
3879   notes =        "mean value k point",
3880 }
3881
3882 @Article{zhu98,
3883   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
3884                  diffusion in Si",
3885   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3886   volume =       "12",
3887   number =       "4",
3888   pages =        "309--318",
3889   year =         "1998",
3890   note =         "",
3891   ISSN =         "0927-0256",
3892   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
3893   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
3894   author =       "Jing Zhu",
3895   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
3896   keywords =     "Boron dopant",
3897   keywords =     "Carbon dopant",
3898   keywords =     "Defect",
3899   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
3900   keywords =     "Impurity cluster",
3901   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
3902 }
3903
3904 @Article{nejim95,
3905   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
3906   collaboration = "",
3907   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
3908                  950 [degree]{C}",
3909   publisher =    "AIP",
3910   year =         "1995",
3911   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3912   volume =       "66",
3913   number =       "20",
3914   pages =        "2646--2648",
3915   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
3916                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
3917                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
3918                  ELECTRON MICROSCOPY",
3919   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
3920   doi =          "10.1063/1.113112",
3921   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
3922                  self interstitials react with further implanted c",
3923 }
3924
3925 @Article{guedj98,
3926   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
3927                  Kolodzey and A. Hairie",
3928   collaboration = "",
3929   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3930                  alloys",
3931   publisher =    "AIP",
3932   year =         "1998",
3933   journal =      "J. Appl. Phys.",
3934   volume =       "84",
3935   number =       "8",
3936   pages =        "4631--4633",
3937   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
3938                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
3939                  Fourier transform spectra; thermal stability;
3940                  annealing",
3941   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
3942   doi =          "10.1063/1.368703",
3943   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
3944 }
3945
3946 @Article{jones04,
3947   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
3948   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
3949                  semiconductors",
3950   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3951   volume =       "16",
3952   number =       "27",
3953   pages =        "S2643",
3954   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
3955   year =         "2004",
3956   notes =        "ab inito dft intro, vibrational modes, c defect in
3957                  si",
3958 }
3959
3960 @Article{park02,
3961   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
3962                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
3963                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
3964   collaboration = "",
3965   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
3966                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
3967                  molecular-beam epitaxy",
3968   publisher =    "AIP",
3969   year =         "2002",
3970   journal =      "J. Appl. Phys.",
3971   volume =       "91",
3972   number =       "9",
3973   pages =        "5716--5727",
3974   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
3975   doi =          "10.1063/1.1465122",
3976   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
3977 }
3978
3979 @Article{leary97,
3980   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
3981                  carbon-carbon pair defects in silicon",
3982   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
3983                  Torres",
3984   journal =      "Phys. Rev. B",
3985   volume =       "55",
3986   number =       "4",
3987   pages =        "2188--2194",
3988   numpages =     "6",
3989   year =         "1997",
3990   month =        jan,
3991   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
3992   publisher =    "American Physical Society",
3993   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
3994                  energies, different migration barriers and paths",
3995 }
3996
3997 @Article{burnard93,
3998   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
3999                  silicon: Semiempirical electronic-structure
4000                  calculations",
4001   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
4002   journal =      "Phys. Rev. B",
4003   volume =       "47",
4004   number =       "16",
4005   pages =        "10217--10225",
4006   numpages =     "8",
4007   year =         "1993",
4008   month =        apr,
4009   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
4010   publisher =    "American Physical Society",
4011   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
4012                  carbon defect, formation energies",
4013 }
4014
4015 @Article{besson91,
4016   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
4017                  silicon",
4018   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
4019   journal =      "Phys. Rev. B",
4020   volume =       "43",
4021   number =       "5",
4022   pages =        "4028--4033",
4023   numpages =     "5",
4024   year =         "1991",
4025   month =        feb,
4026   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
4027   publisher =    "American Physical Society",
4028 }
4029
4030 @Article{kaxiras96,
4031   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
4032                  and growth on semiconductors",
4033   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
4034   volume =       "6",
4035   number =       "2",
4036   pages =        "158--172",
4037   year =         "1996",
4038   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
4039                  Epitaxy",
4040   ISSN =         "0927-0256",
4041   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
4042   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
4043   author =       "Efthimios Kaxiras",
4044   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
4045                  tight binding, first principles",
4046 }
4047
4048 @Article{kaukonen98,
4049   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
4050                  diamond
4051                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
4052                  surfaces",
4053   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
4054                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
4055                  Th. Frauenheim",
4056   journal =      "Phys. Rev. B",
4057   volume =       "57",
4058   number =       "16",
4059   pages =        "9965--9970",
4060   numpages =     "5",
4061   year =         "1998",
4062   month =        apr,
4063   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
4064   publisher =    "American Physical Society",
4065   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
4066                  (crt)",
4067 }
4068
4069 @Article{gali03,
4070   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
4071                  center in Si{C}",
4072   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
4073                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
4074                  W. J. Choyke",
4075   journal =      "Phys. Rev. B",
4076   volume =       "67",
4077   number =       "15",
4078   pages =        "155203",
4079   numpages =     "5",
4080   year =         "2003",
4081   month =        apr,
4082   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
4083   publisher =    "American Physical Society",
4084 }
4085
4086 @Article{chen98,
4087   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
4088                  irradiation and deformation",
4089   journal =      "J. Nucl. Mater.",
4090   volume =       "258-263",
4091   number =       "Part 2",
4092   pages =        "1803--1808",
4093   year =         "1998",
4094   note =         "",
4095   ISSN =         "0022-3115",
4096   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
4097   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
4098   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
4099 }
4100
4101 @Article{weber01,
4102   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
4103                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
4104   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
4105   volume =       "175-177",
4106   number =       "",
4107   pages =        "26--30",
4108   year =         "2001",
4109   note =         "",
4110   ISSN =         "0168-583X",
4111   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
4112   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
4113   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
4114 }
4115
4116 @Article{bockstedte03,
4117   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
4118                  in $3{C}-Si{C}$",
4119   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
4120                  Pankratov",
4121   journal =      "Phys. Rev. B",
4122   volume =       "68",
4123   number =       "20",
4124   pages =        "205201",
4125   numpages =     "17",
4126   year =         "2003",
4127   month =        nov,
4128   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
4129   publisher =    "American Physical Society",
4130   notes =        "defect migration in sic",
4131 }
4132
4133 @Article{rauls03a,
4134   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
4135                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
4136   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
4137                  De\'ak",
4138   journal =      "Phys. Rev. B",
4139   volume =       "68",
4140   number =       "15",
4141   pages =        "155208",
4142   numpages =     "9",
4143   year =         "2003",
4144   month =        oct,
4145   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
4146   publisher =    "American Physical Society",
4147 }
4148
4149 @Article{losev27,
4150   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
4151   volume =       "44",
4152   pages =        "485--494",
4153   year =         "1927",
4154   author =       "O. V. Lossev",
4155 }
4156
4157 @Article{losev28,
4158   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
4159                  oscillations with crystals",
4160   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
4161   volume =       "6",
4162   number =       "39",
4163   pages =        "1024--1044",
4164   year =         "1928",
4165   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
4166   author =       "O. V. Lossev",
4167 }
4168
4169 @Article{losev29,
4170   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4171   volume =       "30",
4172   pages =        "920--923",
4173   year =         "1929",
4174   author =       "O. V. Lossev",
4175 }
4176
4177 @Article{losev31,
4178   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4179   volume =       "32",
4180   pages =        "692--696",
4181   year =         "1931",
4182   author =       "O. V. Lossev",
4183 }
4184
4185 @Article{losev33,
4186   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4187   volume =       "34",
4188   pages =        "397--403",
4189   year =         "1933",
4190   author =       "O. V. Lossev",
4191 }
4192
4193 @Article{round07,
4194   title =        "A note on carborundum",
4195   journal =      "Electrical World",
4196   volume =       "49",
4197   pages =        "308",
4198   year =         "1907",
4199   author =       "H. J. Round",
4200 }
4201
4202 @Article{vashishath08,
4203   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
4204   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
4205   volume =       "2",
4206   number =       "03",
4207   pages =        "444--470",
4208   year =         "2008",
4209   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
4210   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
4211   notes =        "sic polytype electronic properties",
4212 }
4213
4214 @Article{nelson69,
4215   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
4216   collaboration = "",
4217   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
4218   publisher =    "AIP",
4219   year =         "1966",
4220   journal =      "Journal of Applied Physics",
4221   volume =       "37",
4222   number =       "1",
4223   pages =        "333--336",
4224   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
4225   doi =          "10.1063/1.1707837",
4226   notes =        "sic melt growth",
4227 }
4228
4229 @Article{arkel25,
4230   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
4231   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
4232                  und Thoriummetall",
4233   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
4234   year =         "1925",
4235   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4236   volume =       "148",
4237   pages =        "345--350",
4238   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
4239   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
4240   notes =        "van arkel apparatus",
4241 }
4242
4243 @Article{moers31,
4244   author =       "K. Moers",
4245   year =         "1931",
4246   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4247   volume =       "198",
4248   pages =        "293",
4249   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4250                  process",
4251 }
4252
4253 @Article{kendall53,
4254   author =       "J. T. Kendall",
4255   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
4256   publisher =    "AIP",
4257   year =         "1953",
4258   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
4259   volume =       "21",
4260   number =       "5",
4261   pages =        "821--827",
4262   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
4263   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4264                  process",
4265 }
4266
4267 @Article{lely55,
4268   author =       "J. A. Lely",
4269   year =         "1955",
4270   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
4271   volume =       "32",
4272   pages =        "229",
4273   notes =        "lely sublimation growth process",
4274 }
4275
4276 @Article{knippenberg63,
4277   author =       "W. F. Knippenberg",
4278   year =         "1963",
4279   journal =      "Philips Res. Repts.",
4280   volume =       "18",
4281   pages =        "161",
4282   notes =        "acheson process",
4283 }
4284
4285 @Article{hoffmann82,
4286   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
4287                  Weyrich",
4288   collaboration = "",
4289   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
4290                  improved external quantum efficiency",
4291   publisher =    "AIP",
4292   year =         "1982",
4293   journal =      "Journal of Applied Physics",
4294   volume =       "53",
4295   number =       "10",
4296   pages =        "6962--6967",
4297   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
4298                  efficiency; visible radiation; experimental data;
4299                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
4300                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
4301                  electroluminescence; spectra; current density;
4302                  optimization",
4303   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
4304   doi =          "10.1063/1.330041",
4305   notes =        "blue led, sublimation process",
4306 }
4307
4308 @Article{neudeck95,
4309   author =       "Philip Neudeck",
4310   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
4311                  Road 44135 Cleveland OH",
4312   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
4313                  technology",
4314   journal =      "Journal of Electronic Materials",
4315   publisher =    "Springer Boston",
4316   ISSN =         "0361-5235",
4317   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
4318   pages =        "283--288",
4319   volume =       "24",
4320   issue =        "4",
4321   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
4322   note =         "10.1007/BF02659688",
4323   year =         "1995",
4324   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
4325 }
4326
4327 @Article{bhatnagar93,
4328   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
4329   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4330   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
4331                  devices",
4332   year =         "1993",
4333   month =        mar,
4334   volume =       "40",
4335   number =       "3",
4336   pages =        "645--655",
4337   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
4338                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
4339                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
4340                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
4341                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
4342                  solids;insulated gate field effect transistors;power
4343                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
4344                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
4345   doi =          "10.1109/16.199372",
4346   ISSN =         "0018-9383",
4347   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
4348 }
4349
4350 @Article{neudeck94,
4351   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
4352                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
4353   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4354   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
4355                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
4356                  6{H}-Si{C} substrates",
4357   year =         "1994",
4358   month =        may,
4359   volume =       "41",
4360   number =       "5",
4361   pages =        "826--835",
4362   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
4363                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
4364                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
4365                  properties;epitaxial layers;light
4366                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
4367                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
4368                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
4369                  currents;power electronics;semiconductor
4370                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
4371                  growth;semiconductor materials;silicon
4372                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
4373                  phase epitaxial growth;",
4374   doi =          "10.1109/16.285038",
4375   ISSN =         "0018-9383",
4376   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
4377                  substrate",
4378 }
4379
4380 @Article{schulze98,
4381   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
4382   collaboration = "",
4383   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
4384                  single crystals by physical vapor transport",
4385   publisher =    "AIP",
4386   year =         "1998",
4387   journal =      "Applied Physics Letters",
4388   volume =       "72",
4389   number =       "13",
4390   pages =        "1632--1634",
4391   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
4392                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
4393                  photoluminescence; Hall mobility",
4394   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
4395   doi =          "10.1063/1.121136",
4396   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
4397 }
4398
4399 @Article{pirouz87,
4400   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
4401   collaboration = "",
4402   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
4403   publisher =    "AIP",
4404   year =         "1987",
4405   journal =      "Applied Physics Letters",
4406   volume =       "50",
4407   number =       "4",
4408   pages =        "221--223",
4409   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
4410                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
4411                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
4412                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
4413                  BOUNDARIES",
4414   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
4415   doi =          "10.1063/1.97667",
4416   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
4417 }
4418
4419 @Article{shibahara86,
4420   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
4421                  Si(100) by chemical vapor deposition",
4422   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4423   volume =       "78",
4424   number =       "3",
4425   pages =        "538--544",
4426   year =         "1986",
4427   note =         "",
4428   ISSN =         "0022-0248",
4429   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
4430   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
4431   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
4432                  Matsunami",
4433   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
4434 }
4435
4436 @Article{desjardins96,
4437   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
4438   collaboration = "",
4439   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
4440   publisher =    "AIP",
4441   year =         "1996",
4442   journal =      "Journal of Applied Physics",
4443   volume =       "79",
4444   number =       "3",
4445   pages =        "1423--1434",
4446   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
4447                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
4448   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
4449   doi =          "10.1063/1.360980",
4450   notes =        "apb model",
4451 }
4452
4453 @Article{henke95,
4454   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
4455   collaboration = "",
4456   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
4457                  carbonization of silicon",
4458   publisher =    "AIP",
4459   year =         "1995",
4460   journal =      "Journal of Applied Physics",
4461   volume =       "78",
4462   number =       "3",
4463   pages =        "2070--2073",
4464   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
4465                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
4466                  STRUCTURE",
4467   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
4468   doi =          "10.1063/1.360184",
4469   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
4470 }
4471
4472 @Article{fuyuki89,
4473   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
4474                  {MBE} using surface superstructure",
4475   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4476   volume =       "95",
4477   number =       "1-4",
4478   pages =        "461--463",
4479   year =         "1989",
4480   note =         "",
4481   ISSN =         "0022-0248",
4482   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
4483   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
4484   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
4485                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
4486   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4487 }
4488
4489 @Article{yoshinobu92,
4490   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
4491                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4492   collaboration = "",
4493   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
4494                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
4495                  molecular beam epitaxy",
4496   publisher =    "AIP",
4497   year =         "1992",
4498   journal =      "Applied Physics Letters",
4499   volume =       "60",
4500   number =       "7",
4501   pages =        "824--826",
4502   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
4503                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
4504                  INTERFACE STRUCTURE",
4505   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
4506   doi =          "10.1063/1.107430",
4507   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4508 }
4509
4510 @Article{yoshinobu90,
4511   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
4512                  cubic Si{C}",
4513   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4514   volume =       "99",
4515   number =       "1-4",
4516   pages =        "520--524",
4517   year =         "1990",
4518   note =         "",
4519   ISSN =         "0022-0248",
4520   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
4521   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
4522   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
4523                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4524   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
4525 }
4526
4527 @Article{fuyuki93,
4528   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
4529                  superstructures in Si{C}",
4530   journal =      "Thin Solid Films",
4531   volume =       "225",
4532   number =       "1-2",
4533   pages =        "225--229",
4534   year =         "1993",
4535   note =         "",
4536   ISSN =         "0040-6090",
4537   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
4538   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
4539   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
4540                  Matsunami",
4541   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4542                  epitaxy, ale",
4543 }
4544
4545 @Article{hara93,
4546   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
4547                  growth of [beta]-Si{C}",
4548   journal =      "Thin Solid Films",
4549   volume =       "225",
4550   number =       "1-2",
4551   pages =        "240--243",
4552   year =         "1993",
4553   note =         "",
4554   ISSN =         "0040-6090",
4555   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
4556   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
4557   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
4558                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
4559   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4560                  epitaxy, ale",
4561 }
4562
4563 @Article{tanaka94,
4564   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
4565   collaboration = "",
4566   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
4567                  growth mode and polytype formation during gas-source
4568                  molecular beam epitaxy",
4569   publisher =    "AIP",
4570   year =         "1994",
4571   journal =      "Applied Physics Letters",
4572   volume =       "65",
4573   number =       "22",
4574   pages =        "2851--2853",
4575   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
4576                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
4577                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
4578                  FLOW; FLOW RATE",
4579   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
4580   doi =          "10.1063/1.112513",
4581   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
4582 }
4583
4584 @Article{fuyuki97,
4585   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
4586   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
4587                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
4588   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
4589   year =         "1997",
4590   journal =      "physica status solidi (b)",
4591   volume =       "202",
4592   pages =        "359--378",
4593   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
4594                  temperatures 750",
4595 }
4596
4597 @Article{takaoka98,
4598   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
4599   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4600   volume =       "183",
4601   number =       "1-2",
4602   pages =        "175--182",
4603   year =         "1998",
4604   note =         "",
4605   ISSN =         "0022-0248",
4606   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
4607   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
4608   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
4609   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
4610   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
4611   keywords =     "Silicon carbide",
4612   keywords =     "Silicon",
4613   keywords =     "Island growth",
4614   notes =        "lower temperature, 550-700",
4615 }
4616
4617 @Article{hatayama95,
4618   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
4619                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
4620                  molecular beam epitaxy",
4621   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4622   volume =       "150",
4623   number =       "Part 2",
4624   pages =        "934--938",
4625   year =         "1995",
4626   note =         "",
4627   ISSN =         "0022-0248",
4628   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
4629   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
4630   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
4631                  and Hiroyuki Matsunami",
4632 }
4633
4634 @Article{heine91,
4635   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
4636   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
4637                  Metastable Cubic Form",
4638   journal =      "Journal of the American Ceramic Society",
4639   volume =       "74",
4640   number =       "10",
4641   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
4642   ISSN =         "1551-2916",
4643   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4644   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4645   pages =        "2630--2633",
4646   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
4647                  calculations, stability",
4648   year =         "1991",
4649   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
4650                  polytype dft calculation refs",
4651 }
4652
4653 @Article{allendorf91,
4654   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
4655                  [beta]-silicon carbide",
4656   journal =      "Surface Science",
4657   volume =       "258",
4658   number =       "1-3",
4659   pages =        "177--189",
4660   year =         "1991",
4661   note =         "",
4662   ISSN =         "0039-6028",
4663   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
4664   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
4665   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
4666   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
4667 }
4668
4669 @Article{eaglesham93,
4670   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
4671                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
4672   collaboration = "",
4673   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
4674   publisher =    "AIP",
4675   year =         "1993",
4676   journal =      "Journal of Applied Physics",
4677   volume =       "74",
4678   number =       "11",
4679   pages =        "6615--6618",
4680   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
4681                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
4682                  DIFFUSION; ADSORPTION",
4683   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
4684   doi =          "10.1063/1.355101",
4685   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
4686                  mobility",
4687 }
4688
4689 @Article{newman85,
4690   author =       "Ronald C. Newman",
4691   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
4692   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4693   volume =       "59",
4694   number =       "",
4695   pages =        "403",
4696   year =         "1985",
4697   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
4698   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
4699   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
4700 }
4701
4702 @Article{newman61,
4703   title =        "The diffusivity of carbon in silicon",
4704   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
4705   volume =       "19",
4706   number =       "3-4",
4707   pages =        "230--234",
4708   year =         "1961",
4709   note =         "",
4710   ISSN =         "0022-3697",
4711   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(61)90032-4",
4712   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46M72R1-4D/2/9235472e4c0a95bf7b995769474f5fbd",
4713   author =       "R. C. Newman and J. Wakefield",
4714   notes =        "diffusivity of substitutional c in si",
4715 }
4716
4717 @Article{goesele85,
4718   author =       "U. Gösele",
4719   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
4720   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4721   volume =       "59",
4722   number =       "",
4723   pages =        "419",
4724   year =         "1985",
4725   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
4726   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
4727   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
4728 }
4729
4730 @Article{mukashev82,
4731   title =        "Defects in Carbon-Implanted Silicon",
4732   author =       "Bulat N. Mukashev and Alexey V. Spitsyn and Noboru
4733                  Fukuoka and Haruo Saito",
4734   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
4735   volume =       "21",
4736   number =       "Part 1, No. 2",
4737   pages =        "399--400",
4738   numpages =     "1",
4739   year =         "1982",
4740   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/21/399/",
4741   doi =          "10.1143/JJAP.21.399",
4742   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
4743 }
4744
4745 @Article{puska98,
4746   title =        "Convergence of supercell calculations for point
4747                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
4748   author =       "M. J. Puska and S. P{\"o}ykk{\"o} and M. Pesola and R.
4749                  M. Nieminen",
4750   journal =      "Phys. Rev. B",
4751   volume =       "58",
4752   number =       "3",
4753   pages =        "1318--1325",
4754   numpages =     "7",
4755   year =         "1998",
4756   month =        jul,
4757   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.1318",
4758   publisher =    "American Physical Society",
4759   notes =        "convergence k point supercell size, vacancy in
4760                  silicon",
4761 }
4762
4763 @Article{serre95,
4764   author =       "C. Serre and A. P\'{e}rez-Rodr\'{\i}guez and A.
4765                  Romano-Rodr\'{\i}guez and J. R. Morante and R.
4766                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
4767   collaboration = "",
4768   title =        "Spectroscopic characterization of phases formed by
4769                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
4770   publisher =    "AIP",
4771   year =         "1995",
4772   journal =      "Journal of Applied Physics",
4773   volume =       "77",
4774   number =       "7",
4775   pages =        "2978--2984",
4776   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; PHASE STUDIES; CARBON IONS;
4777                  FOURIER TRANSFORM SPECTROSCOPY; RAMAN SPECTRA;
4778                  PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; TEM; TEMPERATURE
4779                  DEPENDENCE; PRECIPITATES; ANNEALING",
4780   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
4781   doi =          "10.1063/1.358714",
4782 }
4783
4784 @Article{romano-rodriguez96,
4785   title =        "Detailed analysis of [beta]-Si{C} formation by high
4786                  dose carbon ion implantation in silicon",
4787   journal =      "Materials Science and Engineering B",
4788   volume =       "36",
4789   number =       "1-3",
4790   pages =        "282--285",
4791   year =         "1996",
4792   note =         "European Materials Research Society 1995 Spring
4793                  Meeting, Symposium N: Carbon, Hydrogen, Nitrogen, and
4794                  Oxygen in Silicon and in Other Elemental
4795                  Semiconductors",
4796   ISSN =         "0921-5107",
4797   doi =          "DOI: 10.1016/0921-5107(95)01283-4",
4798   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-3VR7691-25/2/995fd57b9e5c1100558f80c472620408",
4799   author =       "A. Romano-Rodriguez and C. Serre and L. Calvo-Barrio
4800                  and A. Pérez-Rodríguez and J. R. Morante and R. Kögler
4801                  and W. Skorupa",
4802   keywords =     "Silicon",
4803   keywords =     "Ion implantation",
4804   notes =        "incoherent 3c-sic precipitate",
4805 }