bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{newman65,
  44   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "26",
  47   number =       "2",
  48   pages =        "373--379",
  49   year =         "1965",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
  54   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
  55   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
  56 }
  57
  58 @Article{baker68,
  59   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
  60                  Buschert",
  61   collaboration = "",
  62   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
  63   publisher =    "AIP",
  64   year =         "1968",
  65   journal =      "Journal of Applied Physics",
  66   volume =       "39",
  67   number =       "9",
  68   pages =        "4365--4368",
  69   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
  70   doi =          "10.1063/1.1656977",
  71   notes =        "lattice contraction due to subst c",
  72 }
  73
  74 @Article{bean71,
  75   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  76   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  77   volume =       "32",
  78   number =       "6",
  79   pages =        "1211--1219",
  80   year =         "1971",
  81   note =         "",
  82   ISSN =         "0022-3697",
  83   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  84   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  85   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  86   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  87 }
  88
  89 @Article{capano97,
  90   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  91   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  92   journal =      "MRS Bull.",
  93   volume =       "22",
  94   pages =        "19",
  95   year =         "1997",
  96 }
  97
  98 @Article{fischer90,
  99   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
 100   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
 101                  carbide",
 102   journal =      "Philos. Mag. B",
 103   volume =       "61",
 104   pages =        "217--236",
 105   year =         "1990",
 106   notes =        "sic polytypes",
 107 }
 108
 109 @Article{koegler03,
 110   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
 111                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
 112                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
 113   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
 114                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
 115                  ions",
 116   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
 117   volume =       "76",
 118   pages =        "827--835",
 119   month =        mar,
 120   year =         "2003",
 121   URL =          "http://www.springerlink.com/content/jr8xj33mqc5vpwwj/",
 122   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
 123                  precipitation by interstitial and substitutional
 124                  carbon, both mechanisms explained + refs",
 125 }
 126
 127 @Article{skorupa96,
 128   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
 129                  silicon-related materials",
 130   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
 131   volume =       "44",
 132   number =       "2",
 133   pages =        "101--143",
 134   year =         "1996",
 135   note =         "",
 136   ISSN =         "0254-0584",
 137   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 138   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 139   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 140   notes =        "review of silicon carbon compound",
 141 }
 142
 143 @Book{laplace,
 144   author =       "P. S. de Laplace",
 145   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 146   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 147   volume =       "VII",
 148   publisher =    "Gauthier-Villars",
 149   year =         "1820",
 150 }
 151
 152 @Article{mattoni2007,
 153   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 154   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 155                  materials}",
 156   journal =      "Phys. Rev. B",
 157   year =         "2007",
 158   month =        dec,
 159   volume =       "76",
 160   number =       "22",
 161   pages =        "224103",
 162   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 163   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 164                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 165                  fracture, more available potentials, universal energy
 166                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 167 }
 168
 169 @Article{balamane92,
 170   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 171                  potentials",
 172   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 173   journal =      "Phys. Rev. B",
 174   volume =       "46",
 175   number =       "4",
 176   pages =        "2250--2279",
 177   numpages =     "29",
 178   year =         "1992",
 179   month =        jul,
 180   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 181   publisher =    "American Physical Society",
 182   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 183 }
 184
 185 @Article{koster2002,
 186   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 187                  bombardment",
 188   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 189   journal =      "Phys. Rev. B",
 190   volume =       "62",
 191   number =       "16",
 192   pages =        "11219--11224",
 193   numpages =     "5",
 194   year =         "2000",
 195   month =        oct,
 196   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 197   publisher =    "American Physical Society",
 198   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 199 }
 200
 201 @Article{breadmore99,
 202   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 203                  amorphization of silicon",
 204   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 205   journal =      "Phys. Rev. B",
 206   volume =       "60",
 207   number =       "18",
 208   pages =        "12610--12616",
 209   numpages =     "6",
 210   year =         "1999",
 211   month =        nov,
 212   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 213   publisher =    "American Physical Society",
 214   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 215 }
 216
 217 @Article{nielsen83,
 218   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 219   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 220   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 221   volume =       "50",
 222   number =       "9",
 223   pages =        "697--700",
 224   numpages =     "3",
 225   year =         "1983",
 226   month =        feb,
 227   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 228   publisher =    "American Physical Society",
 229   notes =        "generalization of virial theorem",
 230 }
 231
 232 @Article{nielsen85,
 233   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 234   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 235   journal =      "Phys. Rev. B",
 236   volume =       "32",
 237   number =       "6",
 238   pages =        "3780--3791",
 239   numpages =     "11",
 240   year =         "1985",
 241   month =        sep,
 242   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 243   publisher =    "American Physical Society",
 244   notes =        "dft virial stress and forces",
 245 }
 246
 247 @Article{moissan04,
 248   author =       "Henri Moissan",
 249   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 250                  Diablo",
 251   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 252   volume =       "139",
 253   pages =        "773--786",
 254   year =         "1904",
 255 }
 256
 257 @Book{park98,
 258   author =       "Y. S. Park",
 259   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 260   publisher =    "Academic Press",
 261   address =      "San Diego",
 262   year =         "1998",
 263 }
 264
 265 @Article{tsvetkov98,
 266   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 267                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 268   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 269   journal =      "Materials Science Forum",
 270   volume =       "264-268",
 271   pages =        "3--8",
 272   year =         "1998",
 273   notes =        "modified lely process, micropipes",
 274 }
 275
 276 @Article{verlet67,
 277   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 278                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 279   author =       "Loup Verlet",
 280   journal =      "Phys. Rev.",
 281   volume =       "159",
 282   number =       "1",
 283   pages =        "98",
 284   year =         "1967",
 285   month =        jul,
 286   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 287   publisher =    "American Physical Society",
 288   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 289                  motion",
 290 }
 291
 292 @Article{berendsen84,
 293   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 294                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 295   collaboration = "",
 296   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 297   publisher =    "AIP",
 298   year =         "1984",
 299   journal =      "J. Chem. Phys.",
 300   volume =       "81",
 301   number =       "8",
 302   pages =        "3684--3690",
 303   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 304                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 305   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 306   doi =          "10.1063/1.448118",
 307   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 308 }
 309
 310 @Article{huang95,
 311   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 312                  Baskes",
 313   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 314                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 315                  potentials",
 316   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 317   volume =       "3",
 318   number =       "5",
 319   pages =        "615--627",
 320   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 321   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 322                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 323   year =         "1995",
 324 }
 325
 326 @Article{brenner89,
 327   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 328                  Tersoff potentials",
 329   author =       "Donald W. Brenner",
 330   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 331   volume =       "63",
 332   number =       "9",
 333   pages =        "1022",
 334   numpages =     "1",
 335   year =         "1989",
 336   month =        aug,
 337   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 338   publisher =    "American Physical Society",
 339   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 340 }
 341
 342 @Article{batra87,
 343   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 344                  silicon",
 345   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 346   journal =      "Phys. Rev. B",
 347   volume =       "35",
 348   number =       "18",
 349   pages =        "9552--9558",
 350   numpages =     "6",
 351   year =         "1987",
 352   month =        jun,
 353   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 354   publisher =    "American Physical Society",
 355   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 356                  calculation of defect formation energy, defect
 357                  interstitial types",
 358 }
 359
 360 @Article{schober89,
 361   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 362   author =       "H. R. Schober",
 363   journal =      "Phys. Rev. B",
 364   volume =       "39",
 365   number =       "17",
 366   pages =        "13013--13015",
 367   numpages =     "2",
 368   year =         "1989",
 369   month =        jun,
 370   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 371   publisher =    "American Physical Society",
 372   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 373                  dumbbell configuration",
 374 }
 375
 376 @Article{gao02a,
 377   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 378                  Defect accumulation, topological features, and
 379                  disordering",
 380   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 381   journal =      "Phys. Rev. B",
 382   volume =       "66",
 383   number =       "2",
 384   pages =        "024106",
 385   numpages =     "10",
 386   year =         "2002",
 387   month =        jul,
 388   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 389   publisher =    "American Physical Society",
 390   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 391                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 392                  result analyze",
 393 }
 394
 395 @Article{devanathan98,
 396   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 397                  cascade in Si{C}",
 398   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 399   volume =       "141",
 400   number =       "1-4",
 401   pages =        "118--122",
 402   year =         "1998",
 403   ISSN =         "0168-583X",
 404   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 405   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 406                  Rubia",
 407   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 408                  3c-sic",
 409 }
 410
 411 @Article{devanathan98_2,
 412   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 413   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 414   volume =       "253",
 415   number =       "1-3",
 416   pages =        "47--52",
 417   year =         "1998",
 418   ISSN =         "0022-3115",
 419   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 420   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 421                  Weber",
 422   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 423                  tersoff",
 424 }
 425
 426 @Article{kitabatake00,
 427   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 428   author =       "M. Kitabatake",
 429   journal =      "Thin Solid Films",
 430   volume =       "369",
 431   pages =        "257--264",
 432   numpages =     "8",
 433   year =         "2000",
 434   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 435 }
 436
 437 @Article{tang97,
 438   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 439                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 440                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 441                  formation volumes",
 442   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 443                  Rubia",
 444   journal =      "Phys. Rev. B",
 445   volume =       "55",
 446   number =       "21",
 447   pages =        "14279--14289",
 448   numpages =     "10",
 449   year =         "1997",
 450   month =        jun,
 451   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 452   publisher =    "American Physical Society",
 453   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 454 }
 455
 456 @Article{johnson98,
 457   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 458                  Rubia",
 459   collaboration = "",
 460   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 461                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 462                  presence of carbon and boron",
 463   publisher =    "AIP",
 464   year =         "1998",
 465   journal =      "J. Appl. Phys.",
 466   volume =       "84",
 467   number =       "4",
 468   pages =        "1963--1967",
 469   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 470                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 471                  semiconductors; self-diffusion",
 472   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 473   doi =          "10.1063/1.368328",
 474   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 475                  diffsuion",
 476 }
 477
 478 @Article{bar-yam84,
 479   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 480                  Self-Interstitial",
 481   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 482   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 483   volume =       "52",
 484   number =       "13",
 485   pages =        "1129--1132",
 486   numpages =     "3",
 487   year =         "1984",
 488   month =        mar,
 489   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 490   publisher =    "American Physical Society",
 491   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 492 }
 493
 494 @Article{bar-yam84_2,
 495   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 496                  barriers of silicon self-interstitials",
 497   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 498   journal =      "Phys. Rev. B",
 499   volume =       "30",
 500   number =       "4",
 501   pages =        "1844--1852",
 502   numpages =     "8",
 503   year =         "1984",
 504   month =        aug,
 505   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 506   publisher =    "American Physical Society",
 507 }
 508
 509 @Article{bloechl93,
 510   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 511                  constants in silicon",
 512   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 513                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 514   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 515   volume =       "70",
 516   number =       "16",
 517   pages =        "2435--2438",
 518   numpages =     "3",
 519   year =         "1993",
 520   month =        apr,
 521   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 522   publisher =    "American Physical Society",
 523   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 524                  entropy calculations",
 525 }
 526
 527 @Article{colombo02,
 528   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 529                  silicon",
 530   author =       "L. Colombo",
 531   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 532   volume =       "32",
 533   pages =        "271--295",
 534   numpages =     "25",
 535   year =         "2002",
 536   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 537   publisher =    "Annual Reviews",
 538   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 539 }
 540
 541 @Article{al-mushadani03,
 542   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 543                  silicon",
 544   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 545   journal =      "Phys. Rev. B",
 546   volume =       "68",
 547   number =       "23",
 548   pages =        "235205",
 549   numpages =     "8",
 550   year =         "2003",
 551   month =        dec,
 552   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 553   publisher =    "American Physical Society",
 554   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 555                  silicon, si self interstitials, free energy",
 556 }
 557
 558 @Article{goedecker02,
 559   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 560   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 561   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 562   volume =       "88",
 563   number =       "23",
 564   pages =        "235501",
 565   numpages =     "4",
 566   year =         "2002",
 567   month =        may,
 568   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 569   publisher =    "American Physical Society",
 570   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 571                  silicon",
 572 }
 573
 574 @Article{sahli05,
 575   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 576                  self-interstitial diffusion in silicon",
 577   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 578   journal =      "Phys. Rev. B",
 579   volume =       "72",
 580   number =       "24",
 581   pages =        "245210",
 582   numpages =     "6",
 583   year =         "2005",
 584   month =        dec,
 585   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 586   publisher =    "American Physical Society",
 587   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 588                  mapping applied",
 589 }
 590
 591 @Article{hobler05,
 592   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 593                  native point defects in silicon",
 594   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 595   volume =       "124-125",
 596   number =       "",
 597   pages =        "368--371",
 598   year =         "2005",
 599   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 600                  Issues for Future Technologies",
 601   ISSN =         "0921-5107",
 602   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 603   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 604   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 605   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 606                  radius",
 607 }
 608
 609 @Article{ma10,
 610   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 611                  wide temperature range: Point defect states and
 612                  migration mechanisms",
 613   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 614   journal =      "Phys. Rev. B",
 615   volume =       "81",
 616   number =       "19",
 617   pages =        "193203",
 618   numpages =     "4",
 619   year =         "2010",
 620   month =        may,
 621   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 622   publisher =    "American Physical Society",
 623   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 624 }
 625
 626 @Article{posselt06,
 627   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 628                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 629   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 630   journal =      "Phys. Rev. B",
 631   volume =       "73",
 632   number =       "12",
 633   pages =        "125206",
 634   numpages =     "8",
 635   year =         "2006",
 636   month =        mar,
 637   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 638   publisher =    "American Physical Society",
 639 }
 640
 641 @Article{posselt08,
 642   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 643                  migration mechanisms of vacancies and
 644                  self-interstitials: An atomistic study",
 645   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 646   journal =      "Phys. Rev. B",
 647   volume =       "78",
 648   number =       "3",
 649   pages =        "035208",
 650   numpages =     "9",
 651   year =         "2008",
 652   month =        jul,
 653   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 654   publisher =    "American Physical Society",
 655   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 656                  weber and tersoff",
 657 }
 658
 659 @Article{gao2001,
 660   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 661                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 662   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 663                  Corrales",
 664   journal =      "Phys. Rev. B",
 665   volume =       "64",
 666   number =       "24",
 667   pages =        "245208",
 668   numpages =     "7",
 669   year =         "2001",
 670   month =        dec,
 671   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 672   publisher =    "American Physical Society",
 673   notes =        "defects in 3c-sic",
 674 }
 675
 676 @Article{gao02,
 677   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 678                  3{C}-Si{C}",
 679   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 680   volume =       "191",
 681   number =       "1-4",
 682   pages =        "487--496",
 683   year =         "2002",
 684   note =         "",
 685   ISSN =         "0168-583X",
 686   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 687   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 688   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 689   keywords =     "Empirical potential",
 690   keywords =     "Defect properties",
 691   keywords =     "Silicon carbide",
 692   keywords =     "Computer simulation",
 693   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 694 }
 695
 696 @Article{gao04,
 697   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 698                  3{C}-Si{C}",
 699   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 700                  Belko",
 701   journal =      "Phys. Rev. B",
 702   volume =       "69",
 703   number =       "24",
 704   pages =        "245205",
 705   numpages =     "5",
 706   year =         "2004",
 707   month =        jun,
 708   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 709   publisher =    "American Physical Society",
 710   notes =        "defect migration in sic",
 711 }
 712
 713 @Article{gao07,
 714   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 715                  W. J. Weber",
 716   collaboration = "",
 717   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 718                  in cubic silicon carbide",
 719   publisher =    "AIP",
 720   year =         "2007",
 721   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 722   volume =       "90",
 723   number =       "22",
 724   eid =          "221915",
 725   numpages =     "3",
 726   pages =        "221915",
 727   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 728                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 729                  dynamics method; density functional theory;
 730                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 731                  impurities; diffusion",
 732   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 733   doi =          "10.1063/1.2743751",
 734 }
 735
 736 @Article{mattoni2002,
 737   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 738                  crystalline silicon",
 739   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 740   journal =      "Phys. Rev. B",
 741   volume =       "66",
 742   number =       "19",
 743   pages =        "195214",
 744   numpages =     "6",
 745   year =         "2002",
 746   month =        nov,
 747   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 748   publisher =    "American Physical Society",
 749   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 750                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 751                  tersoff suitability",
 752 }
 753
 754 @Article{leung99,
 755   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 756   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 757                  Itoh and S. Ihara",
 758   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 759   volume =       "83",
 760   number =       "12",
 761   pages =        "2351--2354",
 762   numpages =     "3",
 763   year =         "1999",
 764   month =        sep,
 765   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 766   publisher =    "American Physical Society",
 767   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 768                  refs",
 769 }
 770
 771 @Article{capaz94,
 772   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 773                  carbon in silicon",
 774   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 775   journal =      "Phys. Rev. B",
 776   volume =       "50",
 777   number =       "11",
 778   pages =        "7439--7442",
 779   numpages =     "3",
 780   year =         "1994",
 781   month =        sep,
 782   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 783   publisher =    "American Physical Society",
 784   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 785                  dumbbell",
 786 }
 787
 788 @Article{capaz98,
 789   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 790   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 791   journal =      "Phys. Rev. B",
 792   volume =       "58",
 793   number =       "15",
 794   pages =        "9845--9850",
 795   numpages =     "5",
 796   year =         "1998",
 797   month =        oct,
 798   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 799   publisher =    "American Physical Society",
 800   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 801 }
 802
 803 @Article{song90_2,
 804   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 805                  pair in silicon",
 806   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 807                  Watkins",
 808   journal =      "Phys. Rev. B",
 809   volume =       "42",
 810   number =       "9",
 811   pages =        "5765--5783",
 812   numpages =     "18",
 813   year =         "1990",
 814   month =        sep,
 815   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 816   publisher =    "American Physical Society",
 817   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 818 }
 819
 820 @Article{liu02,
 821   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 822                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 823   collaboration = "",
 824   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 825                  interactions in Si",
 826   publisher =    "AIP",
 827   year =         "2002",
 828   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 829   volume =       "80",
 830   number =       "1",
 831   pages =        "52--54",
 832   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 833                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 834                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 835   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 836   doi =          "10.1063/1.1430505",
 837   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 838 }
 839
 840 @Article{dal_pino93,
 841   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 842                  silicon",
 843   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 844                  Joannopoulos",
 845   journal =      "Phys. Rev. B",
 846   volume =       "47",
 847   number =       "19",
 848   pages =        "12554--12557",
 849   numpages =     "3",
 850   year =         "1993",
 851   month =        may,
 852   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 853   publisher =    "American Physical Society",
 854   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 855 }
 856
 857 @Article{car84,
 858   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 859                  Silicon",
 860   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 861                  Sokrates T. Pantelides",
 862   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 863   volume =       "52",
 864   number =       "20",
 865   pages =        "1814--1817",
 866   numpages =     "3",
 867   year =         "1984",
 868   month =        may,
 869   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 870   publisher =    "American Physical Society",
 871   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 872                  path formation",
 873 }
 874
 875 @Article{car85,
 876   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 877                  Density-Functional Theory",
 878   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 879   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 880   volume =       "55",
 881   number =       "22",
 882   pages =        "2471--2474",
 883   numpages =     "3",
 884   year =         "1985",
 885   month =        nov,
 886   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 887   publisher =    "American Physical Society",
 888   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 889 }
 890
 891 @Article{kelires97,
 892   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 893                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 894   author =       "P. C. Kelires",
 895   journal =      "Phys. Rev. B",
 896   volume =       "55",
 897   number =       "14",
 898   pages =        "8784--8787",
 899   numpages =     "3",
 900   year =         "1997",
 901   month =        apr,
 902   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 903   publisher =    "American Physical Society",
 904   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 905                  neighbour dist",
 906 }
 907
 908 @Article{kelires95,
 909   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 910                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 911   author =       "P. C. Kelires",
 912   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 913   volume =       "75",
 914   number =       "6",
 915   pages =        "1114--1117",
 916   numpages =     "3",
 917   year =         "1995",
 918   month =        aug,
 919   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 920   publisher =    "American Physical Society",
 921   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 922 }
 923
 924 @Article{bean70,
 925   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 926                  containing carbon",
 927   journal =      "Solid State Communications",
 928   volume =       "8",
 929   number =       "3",
 930   pages =        "175--177",
 931   year =         "1970",
 932   note =         "",
 933   ISSN =         "0038-1098",
 934   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 935   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 936   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 937 }
 938
 939 @Article{durand99,
 940   author =       "F. Durand and J. Duby",
 941   affiliation =  "EPM-Madylam, CNRS and INP Grenoble, France",
 942   title =        "Carbon solubility in solid and liquid silicon—{A}
 943                  review with reference to eutectic equilibrium",
 944   journal =      "Journal of Phase Equilibria",
 945   publisher =    "Springer New York",
 946   ISSN =         "1054-9714",
 947   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
 948   pages =        "61--63",
 949   volume =       "20",
 950   issue =        "1",
 951   URL =          "http://dx.doi.org/10.1361/105497199770335956",
 952   note =         "10.1361/105497199770335956",
 953   year =         "1999",
 954   notes =        "better c solubility limit in silicon",
 955 }
 956
 957 @Article{watkins76,
 958   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 959                  Atom in Silicon",
 960   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 961   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 962   volume =       "36",
 963   number =       "22",
 964   pages =        "1329--1332",
 965   numpages =     "3",
 966   year =         "1976",
 967   month =        may,
 968   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 969   publisher =    "American Physical Society",
 970   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 971                  silicon",
 972 }
 973
 974 @Article{song90,
 975   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 976                  interstitial carbon in silicon",
 977   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 978   journal =      "Phys. Rev. B",
 979   volume =       "42",
 980   number =       "9",
 981   pages =        "5759--5764",
 982   numpages =     "5",
 983   year =         "1990",
 984   month =        sep,
 985   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 986   publisher =    "American Physical Society",
 987   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 988 }
 989
 990 @Article{tipping87,
 991   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 992   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 993                  silicon",
 994   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
 995   volume =       "2",
 996   number =       "5",
 997   pages =        "315--317",
 998   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 999   year =         "1987",
1000   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
1001                  silicon",
1002 }
1003
1004 @Article{isomae93,
1005   author =       "Seiichi Isomae and Tsutomu Ishiba and Toshio Ando and
1006                  Masao Tamura",
1007   collaboration = "",
1008   title =        "Annealing behavior of Me{V} implanted carbon in
1009                  silicon",
1010   publisher =    "AIP",
1011   year =         "1993",
1012   journal =      "Journal of Applied Physics",
1013   volume =       "74",
1014   number =       "6",
1015   pages =        "3815--3820",
1016   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; WAFERS; CARBON IONS; MEV
1017                  RANGE 0110; TEM; SIMS; INFRARED SPECTRA; STRAINS; DEPTH
1018                  PROFILES",
1019   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/3815/1",
1020   doi =          "10.1063/1.354474",
1021   notes =        "c at interstitial location for rt implantation in si",
1022 }
1023
1024 @Article{strane96,
1025   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
1026                  ion implantation and solid phase epitaxy",
1027   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
1028                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1029   journal =      "J. Appl. Phys.",
1030   volume =       "79",
1031   pages =        "637",
1032   year =         "1996",
1033   month =        jan,
1034   doi =          "10.1063/1.360806",
1035   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
1036 }
1037
1038 @Article{laveant2002,
1039   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1040   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1041   volume =       "89",
1042   number =       "1-3",
1043   pages =        "241--245",
1044   year =         "2002",
1045   ISSN =         "0921-5107",
1046   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1047   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1048   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1049                  G{\"{o}}sele",
1050   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1051                  stress, avoid sic precipitation",
1052 }
1053
1054 @Article{foell77,
1055   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1056                  agglomeration of self-interstitials",
1057   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1058   volume =       "40",
1059   number =       "1",
1060   pages =        "90--108",
1061   year =         "1977",
1062   note =         "",
1063   ISSN =         "0022-0248",
1064   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1065   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1066   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1067   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1068                  agglomerate",
1069 }
1070
1071 @Article{foell81,
1072   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1073                  defects",
1074   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1075   volume =       "52",
1076   number =       "Part 2",
1077   pages =        "907--916",
1078   year =         "1981",
1079   note =         "",
1080   ISSN =         "0022-0248",
1081   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1082   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1083   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1084   notes =        "swirl review",
1085 }
1086
1087 @Article{werner97,
1088   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1089                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1090   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1091                  silicon by transmission electron microscopy",
1092   publisher =    "AIP",
1093   year =         "1997",
1094   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1095   volume =       "70",
1096   number =       "2",
1097   pages =        "252--254",
1098   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1099                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1100                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1101                  layers; precipitation",
1102   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1103   doi =          "10.1063/1.118381",
1104   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1105                  precipitate",
1106 }
1107
1108 @InProceedings{werner96,
1109   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1110                  Eichler",
1111   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
1112                  International Conference on",
1113   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1114                  implanted silicon",
1115   year =         "1996",
1116   month =        jun,
1117   volume =       "",
1118   number =       "",
1119   pages =        "675--678",
1120   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1121   ISSN =         "",
1122   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1123 }
1124
1125 @Article{werner98,
1126   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1127                  D. C. Jacobson",
1128   collaboration = "",
1129   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1130   publisher =    "AIP",
1131   year =         "1998",
1132   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1133   volume =       "73",
1134   number =       "17",
1135   pages =        "2465--2467",
1136   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1137                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1138                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1139                  impurity distribution",
1140   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1141   doi =          "10.1063/1.122483",
1142   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1143 }
1144
1145 @Article{kalejs84,
1146   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1147   collaboration = "",
1148   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1149                  silicon",
1150   publisher =    "AIP",
1151   year =         "1984",
1152   journal =      "Applied Physics Letters",
1153   volume =       "45",
1154   number =       "3",
1155   pages =        "268--269",
1156   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1157                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1158                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1159   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1160   doi =          "10.1063/1.95167",
1161   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1162 }
1163
1164 @Article{fukami90,
1165   author =       "Akira Fukami and Ken-ichi Shoji and Takahiro Nagano
1166                  and Cary Y. Yang",
1167   collaboration = "",
1168   title =        "Characterization of SiGe/Si heterostructures formed by
1169                  Ge[sup + ] and {C}[sup + ] implantation",
1170   publisher =    "AIP",
1171   year =         "1990",
1172   journal =      "Applied Physics Letters",
1173   volume =       "57",
1174   number =       "22",
1175   pages =        "2345--2347",
1176   keywords =     "HETEROJUNCTIONS; ION IMPLANTATION; HETEROSTRUCTURES;
1177                  FABRICATION; PN JUNCTIONS; LEAKAGE CURRENT; GERMANIUM
1178                  SILICIDES; SILICON; ELECTRICAL PROPERTIES; SOLIDPHASE
1179                  EPITAXY; CARBON IONS; GERMANIUM IONS",
1180   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/57/2345/1",
1181   doi =          "10.1063/1.103888",
1182 }
1183
1184 @Article{strane93,
1185   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and B. L.
1186                  Doyle and S. T. Picraux and J. W. Mayer",
1187   collaboration = "",
1188   title =        "Metastable SiGe{C} formation by solid phase epitaxy",
1189   publisher =    "AIP",
1190   year =         "1993",
1191   journal =      "Applied Physics Letters",
1192   volume =       "63",
1193   number =       "20",
1194   pages =        "2786--2788",
1195   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; TERNARY ALLOY
1196                  SYSTEMS; EPITAXY; ION IMPLANTATION; METASTABLE STATES;
1197                  ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; RUTHERFORD
1198                  SCATTERING; XRAY DIFFRACTION; STRAINS; SOLIDPHASE
1199                  EPITAXY; AMORPHIZATION",
1200   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/63/2786/1",
1201   doi =          "10.1063/1.110334",
1202 }
1203
1204 @Article{strane94,
1205   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1206                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1207   collaboration = "",
1208   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1209                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1210   publisher =    "AIP",
1211   year =         "1994",
1212   journal =      "J. Appl. Phys.",
1213   volume =       "76",
1214   number =       "6",
1215   pages =        "3656--3668",
1216   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1217   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1218   doi =          "10.1063/1.357429",
1219   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1220                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1221                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1222                  energy",
1223 }
1224
1225 @Article{fischer95,
1226   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1227                  Osten",
1228   collaboration = "",
1229   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1230                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1231   publisher =    "AIP",
1232   year =         "1995",
1233   journal =      "J. Appl. Phys.",
1234   volume =       "77",
1235   number =       "5",
1236   pages =        "1934--1937",
1237   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1238                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1239                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1240                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1241   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1242   doi =          "10.1063/1.358826",
1243 }
1244
1245 @Article{edgar92,
1246   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1247                  semiconductors",
1248   author =       "J. H. Edgar",
1249   journal =      "J. Mater. Res.",
1250   volume =       "7",
1251   pages =        "235",
1252   year =         "1992",
1253   month =        jan,
1254   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1255   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1256                  polytypes",
1257 }
1258
1259 @Article{zirkelbach2007,
1260   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1261                  process leading to ordered precipitate structures",
1262   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1263                  and B. Stritzker",
1264   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1265   volume =       "257",
1266   number =       "1--2",
1267   pages =        "75--79",
1268   numpages =     "5",
1269   year =         "2007",
1270   month =        apr,
1271   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1272   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1273                  NETHERLANDS",
1274 }
1275
1276 @Article{zirkelbach2006,
1277   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1278                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1279                  during ion irradiation",
1280   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1281                  and B. Stritzker",
1282   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1283   volume =       "242",
1284   number =       "1--2",
1285   pages =        "679--682",
1286   numpages =     "4",
1287   year =         "2006",
1288   month =        jan,
1289   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1290   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1291                  NETHERLANDS",
1292 }
1293
1294 @Article{zirkelbach2005,
1295   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1296                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1297                  ion irradiation",
1298   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1299                  and B. Stritzker",
1300   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1301   volume =       "33",
1302   number =       "1--3",
1303   pages =        "310--316",
1304   numpages =     "7",
1305   year =         "2005",
1306   month =        apr,
1307   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1308   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1309                  NETHERLANDS",
1310 }
1311
1312 @Article{zirkelbach09,
1313   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1314                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1315   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1316   volume =       "159-160",
1317   number =       "",
1318   pages =        "149--152",
1319   year =         "2009",
1320   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1321                  Silicon Materials Research for Electronic and
1322                  Photovoltaic Applications",
1323   ISSN =         "0921-5107",
1324   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1325   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1326   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1327                  B. Stritzker",
1328   keywords =     "Silicon",
1329   keywords =     "Carbon",
1330   keywords =     "Silicon carbide",
1331   keywords =     "Nucleation",
1332   keywords =     "Defect formation",
1333   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1334 }
1335
1336 @Article{zirkelbach10,
1337   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1338                  classical potentials and first-principles methods",
1339   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1340                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1341   journal =      "Phys. Rev. B",
1342   volume =       "82",
1343   number =       "9",
1344   pages =        "094110",
1345   numpages =     "6",
1346   year =         "2010",
1347   month =        sep,
1348   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1349   publisher =    "American Physical Society",
1350 }
1351
1352 @Article{zirkelbach11a,
1353   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1354                  silicon",
1355   journal =      "to be published",
1356   volume =       "",
1357   number =       "",
1358   pages =        "",
1359   year =         "2011",
1360   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and J. K. N. Lindner
1361                  and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1362 }
1363
1364 @Article{zirkelbach11b,
1365   title =        "...",
1366   journal =      "to be published",
1367   volume =       "",
1368   number =       "",
1369   pages =        "",
1370   year =         "2011",
1371   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1372                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1373 }
1374
1375 @Article{lindner95,
1376   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1377                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1378   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1379                  Layers in Silicon",
1380   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
1381   volume =       "354",
1382   number =       "",
1383   pages =        "171",
1384   year =         "1994",
1385   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1386   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1387   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400420853",
1388   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1389 }
1390
1391 @Article{lindner96,
1392   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1393                  in silicon by ion beam synthesis",
1394   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
1395   volume =       "46",
1396   number =       "2-3",
1397   pages =        "147--155",
1398   year =         "1996",
1399   note =         "",
1400   ISSN =         "0254-0584",
1401   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1402   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1403   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1404                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1405                  Stritzker",
1406   notes =        "dose window",
1407 }
1408
1409 @Article{calcagno96,
1410   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1411                  ion implantation",
1412   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1413                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1414   volume =       "120",
1415   number =       "1-4",
1416   pages =        "121--124",
1417   year =         "1996",
1418   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1419                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1420   ISSN =         "0168-583X",
1421   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1422   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1423   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1424                  Grimaldi and P. Musumeci",
1425   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1426 }
1427
1428 @Article{lindner98,
1429   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1430                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1431   journal =      "Materials Science Forum",
1432   volume =       "264-268",
1433   pages =        "215--218",
1434   year =         "1998",
1435   note =         "",
1436   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1437   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1438   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1439   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1440                  crystallinity",
1441 }
1442
1443 @Article{lindner99,
1444   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1445                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1446                  layers in silicon",
1447   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1448   volume =       "147",
1449   number =       "1-4",
1450   pages =        "249--255",
1451   year =         "1999",
1452   note =         "",
1453   ISSN =         "0168-583X",
1454   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1455   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1456   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1457   notes =        "two-step implantation process",
1458 }
1459
1460 @Article{lindner99_2,
1461   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1462                  in silicon",
1463   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1464   volume =       "148",
1465   number =       "1-4",
1466   pages =        "528--533",
1467   year =         "1999",
1468   ISSN =         "0168-583X",
1469   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1470   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1471   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1472   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1473 }
1474
1475 @Article{lindner01,
1476   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1477                  Basic physical processes",
1478   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1479   volume =       "178",
1480   number =       "1-4",
1481   pages =        "44--54",
1482   year =         "2001",
1483   note =         "",
1484   ISSN =         "0168-583X",
1485   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1486   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1487   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1488 }
1489
1490 @Article{lindner02,
1491   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1492                  fundamental studies for new technological tricks",
1493   author =       "J. K. N. Lindner",
1494   journal =      "Appl. Phys. A",
1495   volume =       "77",
1496   pages =        "27--38",
1497   year =         "2003",
1498   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1499   notes =        "ibs, burried sic layers",
1500 }
1501
1502 @Article{lindner06,
1503   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1504                  formation and displacive precipitate resolution in the
1505                  {C}-Si system",
1506   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1507   volume =       "26",
1508   number =       "5-7",
1509   pages =        "857--861",
1510   year =         "2006",
1511   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1512                  Applications",
1513   ISSN =         "0928-4931",
1514   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1515   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1516   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1517                  and B. Stritzker",
1518   notes =        "c int diffusion barrier",
1519 }
1520
1521 @Article{ito04,
1522   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1523                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1524                  growth",
1525   journal =      "Applied Surface Science",
1526   volume =       "238",
1527   number =       "1-4",
1528   pages =        "159--164",
1529   year =         "2004",
1530   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1531   ISSN =         "0169-4332",
1532   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1533   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1534   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1535                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1536   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1537 }
1538
1539 @Article{yamamoto04,
1540   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1541                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1542                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1543   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1544   volume =       "261",
1545   number =       "2-3",
1546   pages =        "266--270",
1547   year =         "2004",
1548   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1549                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1550   ISSN =         "0022-0248",
1551   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1552   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1553   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1554                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1555   notes =        "gan on 3c-sic",
1556 }
1557
1558 @Article{liu_l02,
1559   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1560   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1561   volume =       "37",
1562   number =       "3",
1563   pages =        "61--127",
1564   year =         "2002",
1565   note =         "",
1566   ISSN =         "0927-796X",
1567   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1568   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1569   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1570   notes =        "gan substrates",
1571 }
1572
1573 @Article{takeuchi91,
1574   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1575                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1576   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1577   volume =       "115",
1578   number =       "1-4",
1579   pages =        "634--638",
1580   year =         "1991",
1581   note =         "",
1582   ISSN =         "0022-0248",
1583   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1584   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1585   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1586                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1587   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1588 }
1589
1590 @Article{alder57,
1591   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1592   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1593   publisher =    "AIP",
1594   year =         "1957",
1595   journal =      "J. Chem. Phys.",
1596   volume =       "27",
1597   number =       "5",
1598   pages =        "1208--1209",
1599   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1600   doi =          "10.1063/1.1743957",
1601 }
1602
1603 @Article{alder59,
1604   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1605   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1606   publisher =    "AIP",
1607   year =         "1959",
1608   journal =      "J. Chem. Phys.",
1609   volume =       "31",
1610   number =       "2",
1611   pages =        "459--466",
1612   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1613   doi =          "10.1063/1.1730376",
1614 }
1615
1616 @Article{tersoff_si1,
1617   title =        "New empirical model for the structural properties of
1618                  silicon",
1619   author =       "J. Tersoff",
1620   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1621   volume =       "56",
1622   number =       "6",
1623   pages =        "632--635",
1624   numpages =     "3",
1625   year =         "1986",
1626   month =        feb,
1627   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1628   publisher =    "American Physical Society",
1629 }
1630
1631 @Article{tersoff_si2,
1632   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1633                  covalent systems",
1634   author =       "J. Tersoff",
1635   journal =      "Phys. Rev. B",
1636   volume =       "37",
1637   number =       "12",
1638   pages =        "6991--7000",
1639   numpages =     "9",
1640   year =         "1988",
1641   month =        apr,
1642   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1643   publisher =    "American Physical Society",
1644 }
1645
1646 @Article{tersoff_si3,
1647   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1648                  improved elastic properties",
1649   author =       "J. Tersoff",
1650   journal =      "Phys. Rev. B",
1651   volume =       "38",
1652   number =       "14",
1653   pages =        "9902--9905",
1654   numpages =     "3",
1655   year =         "1988",
1656   month =        nov,
1657   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1658   publisher =    "American Physical Society",
1659 }
1660
1661 @Article{tersoff_c,
1662   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1663                  Applications to Amorphous Carbon",
1664   author =       "J. Tersoff",
1665   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1666   volume =       "61",
1667   number =       "25",
1668   pages =        "2879--2882",
1669   numpages =     "3",
1670   year =         "1988",
1671   month =        dec,
1672   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1673   publisher =    "American Physical Society",
1674 }
1675
1676 @Article{tersoff_m,
1677   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1678                  for multicomponent systems",
1679   author =       "J. Tersoff",
1680   journal =      "Phys. Rev. B",
1681   volume =       "39",
1682   number =       "8",
1683   pages =        "5566--5568",
1684   numpages =     "2",
1685   year =         "1989",
1686   month =        mar,
1687   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1688   publisher =    "American Physical Society",
1689 }
1690
1691 @Article{tersoff90,
1692   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1693   author =       "J. Tersoff",
1694   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1695   volume =       "64",
1696   number =       "15",
1697   pages =        "1757--1760",
1698   numpages =     "3",
1699   year =         "1990",
1700   month =        apr,
1701   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1702   publisher =    "American Physical Society",
1703 }
1704
1705 @Article{fahey89,
1706   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1707   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1708   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1709   volume =       "61",
1710   number =       "2",
1711   pages =        "289--384",
1712   numpages =     "95",
1713   year =         "1989",
1714   month =        apr,
1715   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1716   publisher =    "American Physical Society",
1717 }
1718
1719 @Article{wesch96,
1720   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1721   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1722   volume =       "116",
1723   number =       "1-4",
1724   pages =        "305--321",
1725   year =         "1996",
1726   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1727   ISSN =         "0168-583X",
1728   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1729   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1730   author =       "W. Wesch",
1731 }
1732
1733 @Article{davis91,
1734   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
1735                  Palmour and J. A. Edmond",
1736   journal =      "Proceedings of the IEEE",
1737   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
1738                  optoelectronic device fabrication and characterization
1739                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
1740   year =         "1991",
1741   month =        may,
1742   volume =       "79",
1743   number =       "5",
1744   pages =        "677--701",
1745   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
1746                  diode;SiC;dry etching;electrical
1747                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
1748                  device fabrication;solid-state devices;surface
1749                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
1750                  transistors;Schottky-barrier
1751                  diodes;etching;heterojunction bipolar
1752                  transistors;insulated gate field effect
1753                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
1754                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
1755   doi =          "10.1109/5.90132",
1756   ISSN =         "0018-9219",
1757   notes =        "sic growth methods",
1758 }
1759
1760 @Article{morkoc94,
1761   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1762                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1763   collaboration = "",
1764   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1765                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1766   publisher =    "AIP",
1767   year =         "1994",
1768   journal =      "J. Appl. Phys.",
1769   volume =       "76",
1770   number =       "3",
1771   pages =        "1363--1398",
1772   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1773                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1774                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1775                  FILMS; INDUSTRY",
1776   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1777   doi =          "10.1063/1.358463",
1778   notes =        "sic intro, properties",
1779 }
1780
1781 @Article{foo,
1782   author =       "Noch Unbekannt",
1783   title =        "How to find references",
1784   journal =      "Journal of Applied References",
1785   year =         "2009",
1786   volume =       "77",
1787   pages =        "1--23",
1788 }
1789
1790 @Article{tang95,
1791   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1792                  \beta{}-Si{C}",
1793   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1794   journal =      "Phys. Rev. B",
1795   volume =       "52",
1796   number =       "21",
1797   pages =        "15150--15159",
1798   numpages =     "9",
1799   year =         "1995",
1800   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1801   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1802                  tersoff reparametrization",
1803   publisher =    "American Physical Society",
1804 }
1805
1806 @Article{sarro00,
1807   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1808   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1809   volume =       "82",
1810   number =       "1-3",
1811   pages =        "210--218",
1812   year =         "2000",
1813   ISSN =         "0924-4247",
1814   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1815   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1816   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1817   keywords =     "MEMS",
1818   keywords =     "Silicon carbide",
1819   keywords =     "Micromachining",
1820   keywords =     "Mechanical stress",
1821 }
1822
1823 @Article{casady96,
1824   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1825                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1826                  review",
1827   journal =      "Solid-State Electronics",
1828   volume =       "39",
1829   number =       "10",
1830   pages =        "1409--1422",
1831   year =         "1996",
1832   ISSN =         "0038-1101",
1833   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1834   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1835   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1836   notes =        "sic intro",
1837 }
1838
1839 @Article{giancarli98,
1840   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1841                  structural material in fusion power reactor blankets",
1842   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1843   volume =       "41",
1844   number =       "1-4",
1845   pages =        "165--171",
1846   year =         "1998",
1847   ISSN =         "0920-3796",
1848   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1849   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1850   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1851                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1852 }
1853
1854 @Article{pensl93,
1855   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1856   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1857   volume =       "185",
1858   number =       "1-4",
1859   pages =        "264--283",
1860   year =         "1993",
1861   ISSN =         "0921-4526",
1862   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1863   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1864   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1865 }
1866
1867 @Article{tairov78,
1868   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1869                  carbide single crystals",
1870   journal =      "J. Cryst. Growth",
1871   volume =       "43",
1872   number =       "2",
1873   pages =        "209--212",
1874   year =         "1978",
1875   notes =        "modified lely process",
1876   ISSN =         "0022-0248",
1877   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1878   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1879   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1880 }
1881
1882 @Article{tairov81,
1883   title =        "General principles of growing large-size single
1884                  crystals of various silicon carbide polytypes",
1885   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1886   volume =       "52",
1887   number =       "Part 1",
1888   pages =        "146--150",
1889   year =         "1981",
1890   note =         "",
1891   ISSN =         "0022-0248",
1892   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
1893   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
1894   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1895 }
1896
1897 @Article{barrett91,
1898   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
1899   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1900   volume =       "109",
1901   number =       "1-4",
1902   pages =        "17--23",
1903   year =         "1991",
1904   note =         "",
1905   ISSN =         "0022-0248",
1906   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
1907   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
1908   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
1909                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
1910 }
1911
1912 @Article{barrett93,
1913   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
1914   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1915   volume =       "128",
1916   number =       "1-4",
1917   pages =        "358--362",
1918   year =         "1993",
1919   note =         "",
1920   ISSN =         "0022-0248",
1921   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
1922   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
1923   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
1924                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
1925                  W. J. Choyke",
1926 }
1927
1928 @Article{stein93,
1929   title =        "Control of polytype formation by surface energy
1930                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
1931                  sublimation method",
1932   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1933   volume =       "131",
1934   number =       "1-2",
1935   pages =        "71--74",
1936   year =         "1993",
1937   note =         "",
1938   ISSN =         "0022-0248",
1939   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
1940   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
1941   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
1942   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
1943 }
1944
1945 @Article{nishino83,
1946   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1947                  Will",
1948   collaboration = "",
1949   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1950                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1951   publisher =    "AIP",
1952   year =         "1983",
1953   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1954   volume =       "42",
1955   number =       "5",
1956   pages =        "460--462",
1957   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1958                  monocrystals",
1959   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1960   doi =          "10.1063/1.93970",
1961   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1962 }
1963
1964 @Article{nishino87,
1965   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1966                  and Hiroyuki Matsunami",
1967   collaboration = "",
1968   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1969                  Si{C} on silicon",
1970   publisher =    "AIP",
1971   year =         "1987",
1972   journal =      "J. Appl. Phys.",
1973   volume =       "61",
1974   number =       "10",
1975   pages =        "4889--4893",
1976   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1977   doi =          "10.1063/1.338355",
1978   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1979                  carbonization",
1980 }
1981
1982 @Article{powell87,
1983   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1984                  Kuczmarski",
1985   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1986                  Single-Crystal Films on Si",
1987   publisher =    "ECS",
1988   year =         "1987",
1989   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1990   volume =       "134",
1991   number =       "6",
1992   pages =        "1558--1565",
1993   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1994                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1995   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1996   doi =          "10.1149/1.2100708",
1997   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1998 }
1999
2000 @Article{powell87_2,
2001   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
2002                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
2003   collaboration = "",
2004   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
2005                  off-axis Si substrates",
2006   publisher =    "AIP",
2007   year =         "1987",
2008   journal =      "Applied Physics Letters",
2009   volume =       "51",
2010   number =       "11",
2011   pages =        "823--825",
2012   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
2013                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
2014                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
2015                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
2016                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
2017   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
2018   doi =          "10.1063/1.98824",
2019   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
2020 }
2021
2022 @Article{ueda90,
2023   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
2024   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2025   volume =       "104",
2026   number =       "3",
2027   pages =        "695--700",
2028   year =         "1990",
2029   note =         "",
2030   ISSN =         "0022-0248",
2031   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
2032   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
2033   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
2034                  Matsunami",
2035   notes =        "step-controlled epitaxy model",
2036 }
2037
2038 @Article{kimoto93,
2039   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
2040                  and Hiroyuki Matsunami",
2041   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
2042                  epitaxy",
2043   publisher =    "AIP",
2044   year =         "1993",
2045   journal =      "J. Appl. Phys.",
2046   volume =       "73",
2047   number =       "2",
2048   pages =        "726--732",
2049   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
2050                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
2051                  VAPOR DEPOSITION",
2052   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
2053   doi =          "10.1063/1.353329",
2054   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
2055 }
2056
2057 @Article{powell90_2,
2058   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2059                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2060                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2061   collaboration = "",
2062   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
2063                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2064   publisher =    "AIP",
2065   year =         "1990",
2066   journal =      "Applied Physics Letters",
2067   volume =       "56",
2068   number =       "15",
2069   pages =        "1442--1444",
2070   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2071                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
2072                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
2073                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
2074   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
2075   doi =          "10.1063/1.102492",
2076   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
2077 }
2078
2079 @Article{kong88_2,
2080   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2081   collaboration = "",
2082   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2083                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2084                  substrates",
2085   publisher =    "AIP",
2086   year =         "1988",
2087   journal =      "Journal of Applied Physics",
2088   volume =       "64",
2089   number =       "5",
2090   pages =        "2672--2679",
2091   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2092                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2093                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2094                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2095                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2096   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2097   doi =          "10.1063/1.341608",
2098 }
2099
2100 @Article{powell90,
2101   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2102                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2103                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2104   collaboration = "",
2105   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2106                  6{H}-Si{C} substrates",
2107   publisher =    "AIP",
2108   year =         "1990",
2109   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2110   volume =       "56",
2111   number =       "14",
2112   pages =        "1353--1355",
2113   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2114                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2115                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2116                  PHASE EPITAXY",
2117   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2118   doi =          "10.1063/1.102512",
2119   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2120 }
2121
2122 @Article{kong88,
2123   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2124                  Rozgonyi and K. L. More",
2125   collaboration = "",
2126   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2127                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2128                  substrates",
2129   publisher =    "AIP",
2130   year =         "1988",
2131   journal =      "Journal of Applied Physics",
2132   volume =       "63",
2133   number =       "8",
2134   pages =        "2645--2650",
2135   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2136                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2137                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2138                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2139                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2140   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2141   doi =          "10.1063/1.341004",
2142 }
2143
2144 @Article{powell91,
2145   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2146                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2147                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2148   collaboration = "",
2149   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2150                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2151   publisher =    "AIP",
2152   year =         "1991",
2153   journal =      "Applied Physics Letters",
2154   volume =       "59",
2155   number =       "3",
2156   pages =        "333--335",
2157   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2158                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2159                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2160   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2161   doi =          "10.1063/1.105587",
2162 }
2163
2164 @Article{yuan95,
2165   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2166                  Thokala and M. J. Loboda",
2167   collaboration = "",
2168   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2169                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2170                  silacyclobutane",
2171   publisher =    "AIP",
2172   year =         "1995",
2173   journal =      "J. Appl. Phys.",
2174   volume =       "78",
2175   number =       "2",
2176   pages =        "1271--1273",
2177   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2178                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2179                  SPECTROPHOTOMETRY",
2180   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2181   doi =          "10.1063/1.360368",
2182   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2183 }
2184
2185 @Article{kaneda87,
2186   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2187                  properties of its p-n junction",
2188   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2189   volume =       "81",
2190   number =       "1-4",
2191   pages =        "536--542",
2192   year =         "1987",
2193   note =         "",
2194   ISSN =         "0022-0248",
2195   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2196   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2197   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2198                  and Takao Tanaka",
2199   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2200 }
2201
2202 @Article{fissel95,
2203   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2204                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2205                  molecular beam epitaxy",
2206   journal =      "J. Cryst. Growth",
2207   volume =       "154",
2208   number =       "1-2",
2209   pages =        "72--80",
2210   year =         "1995",
2211   ISSN =         "0022-0248",
2212   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2213   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2214   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2215                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2216   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2217 }
2218
2219 @Article{fissel95_apl,
2220   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2221   collaboration = "",
2222   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2223                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2224   publisher =    "AIP",
2225   year =         "1995",
2226   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2227   volume =       "66",
2228   number =       "23",
2229   pages =        "3182--3184",
2230   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2231                  RHEED; NUCLEATION",
2232   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2233   doi =          "10.1063/1.113716",
2234   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2235 }
2236
2237 @Article{fissel96,
2238   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2239                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2240   collaboration = "",
2241   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2242                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2243                  level using surface superstructures",
2244   publisher =    "AIP",
2245   year =         "1996",
2246   journal =      "Applied Physics Letters",
2247   volume =       "68",
2248   number =       "9",
2249   pages =        "1204--1206",
2250   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2251                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2252                  SURFACE STRUCTURE",
2253   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2254   doi =          "10.1063/1.115969",
2255   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2256 }
2257
2258 @Article{righi03,
2259   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2260   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2261                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2262   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2263   volume =       "91",
2264   number =       "13",
2265   pages =        "136101",
2266   numpages =     "4",
2267   year =         "2003",
2268   month =        sep,
2269   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2270   publisher =    "American Physical Society",
2271   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2272 }
2273
2274 @Article{borders71,
2275   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2276   collaboration = "",
2277   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2278                  {IMPLANTATION}",
2279   publisher =    "AIP",
2280   year =         "1971",
2281   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2282   volume =       "18",
2283   number =       "11",
2284   pages =        "509--511",
2285   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2286   doi =          "10.1063/1.1653516",
2287   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2288                  ideas",
2289 }
2290
2291 @Article{edelman76,
2292   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2293                  and E. V. Lubopytova",
2294   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2295                  by ion implantation",
2296   publisher =    "Taylor \& Francis",
2297   year =         "1976",
2298   journal =      "Radiation Effects",
2299   volume =       "29",
2300   number =       "1",
2301   pages =        "13--15",
2302   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2303   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2304                  single crystalline",
2305 }
2306
2307 @Article{akimchenko80,
2308   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2309                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2310   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2311                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2312   publisher =    "Taylor \& Francis",
2313   year =         "1980",
2314   journal =      "Radiation Effects",
2315   volume =       "48",
2316   number =       "1",
2317   pages =        "7",
2318   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2319   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2320 }
2321
2322 @Article{kimura81,
2323   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2324                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2325                  silicon",
2326   journal =      "Thin Solid Films",
2327   volume =       "81",
2328   number =       "4",
2329   pages =        "319--327",
2330   year =         "1981",
2331   note =         "",
2332   ISSN =         "0040-6090",
2333   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2334   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2335   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2336                  Yugo",
2337 }
2338
2339 @Article{kimura82,
2340   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2341                  the implantation of carbon ions into silicon",
2342   journal =      "Thin Solid Films",
2343   volume =       "94",
2344   number =       "3",
2345   pages =        "191--198",
2346   year =         "1982",
2347   note =         "",
2348   ISSN =         "0040-6090",
2349   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2350   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2351   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2352                  Yugo",
2353 }
2354
2355 @Article{reeson86,
2356   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2357                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2358                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2359   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2360                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2361   publisher =    "Taylor \& Francis",
2362   year =         "1986",
2363   journal =      "Radiation Effects",
2364   volume =       "99",
2365   number =       "1",
2366   pages =        "71--81",
2367   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2368   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or
2369                  time",
2370 }
2371
2372 @Article{reeson87,
2373   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2374                  J. Davis and G. E. Celler",
2375   collaboration = "",
2376   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2377                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2378   publisher =    "AIP",
2379   year =         "1987",
2380   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2381   volume =       "51",
2382   number =       "26",
2383   pages =        "2242--2244",
2384   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2385                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2386   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2387   doi =          "10.1063/1.98953",
2388   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2389 }
2390
2391 @Article{martin90,
2392   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2393                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2394   collaboration = "",
2395   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2396   publisher =    "AIP",
2397   year =         "1990",
2398   journal =      "Journal of Applied Physics",
2399   volume =       "67",
2400   number =       "6",
2401   pages =        "2908--2912",
2402   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2403                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2404                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2405                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2406                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2407                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2408   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2409   doi =          "10.1063/1.346092",
2410   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2411                  temepratures",
2412 }
2413
2414 @Article{scace59,
2415   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2416   collaboration = "",
2417   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2418   publisher =    "AIP",
2419   year =         "1959",
2420   journal =      "J. Chem. Phys.",
2421   volume =       "30",
2422   number =       "6",
2423   pages =        "1551--1555",
2424   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2425   doi =          "10.1063/1.1730236",
2426   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2427 }
2428
2429 @Article{hofker74,
2430   author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
2431                  Koeman",
2432   affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
2433                  Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
2434                  Netherlands",
2435   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
2436                  charge carrier and boron concentration profiles",
2437   journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
2438   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
2439   ISSN =         "0947-8396",
2440   keyword =      "Physics and Astronomy",
2441   pages =        "125--133",
2442   volume =       "4",
2443   issue =        "2",
2444   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
2445   note =         "10.1007/BF00884267",
2446   year =         "1974",
2447   notes =        "first time ted (only for boron?)",
2448 }
2449
2450 @Article{michel87,
2451   author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
2452                  H. Kastl",
2453   collaboration = "",
2454   title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
2455                  implanted boron into silicon",
2456   publisher =    "AIP",
2457   year =         "1987",
2458   journal =      "Applied Physics Letters",
2459   volume =       "50",
2460   number =       "7",
2461   pages =        "416--418",
2462   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
2463                  BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
2464                  HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
2465   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
2466   doi =          "10.1063/1.98160",
2467   notes =        "ted of boron in si",
2468 }
2469
2470 @Article{cowern90,
2471   author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
2472                  Jos",
2473   collaboration = "",
2474   title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
2475                  time, and matrix dependence of atomic and electrical
2476                  profiles",
2477   publisher =    "AIP",
2478   year =         "1990",
2479   journal =      "Journal of Applied Physics",
2480   volume =       "68",
2481   number =       "12",
2482   pages =        "6191--6198",
2483   keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
2484                  DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
2485                  CRYSTALS; AMORPHIZATION",
2486   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
2487   doi =          "10.1063/1.346910",
2488   notes =        "ted of boron in si",
2489 }
2490
2491 @Article{cowern96,
2492   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2493                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2494   collaboration = "",
2495   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2496                  {B} in silicon",
2497   publisher =    "AIP",
2498   year =         "1996",
2499   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2500   volume =       "68",
2501   number =       "8",
2502   pages =        "1150--1152",
2503   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2504                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2505                  SILICON",
2506   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2507   doi =          "10.1063/1.115706",
2508   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2509 }
2510
2511 @Article{stolk95,
2512   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2513                  of the silicon self-interstitial",
2514   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2515   volume =       "96",
2516   number =       "1-2",
2517   pages =        "187--195",
2518   year =         "1995",
2519   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2520                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2521   ISSN =         "0168-583X",
2522   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2523   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2524   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2525                  and J. M. Poate",
2526 }
2527
2528 @Article{stolk97,
2529   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2530                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2531                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2532                  E. Haynes",
2533   collaboration = "",
2534   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2535                  diffusion in ion-implanted silicon",
2536   publisher =    "AIP",
2537   year =         "1997",
2538   journal =      "J. Appl. Phys.",
2539   volume =       "81",
2540   number =       "9",
2541   pages =        "6031--6050",
2542   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2543   doi =          "10.1063/1.364452",
2544   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2545 }
2546
2547 @Article{powell94,
2548   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2549   collaboration = "",
2550   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2551                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2552   publisher =    "AIP",
2553   year =         "1994",
2554   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2555   volume =       "64",
2556   number =       "3",
2557   pages =        "324--326",
2558   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2559                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2560                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2561                  SYNTHESIS",
2562   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2563   doi =          "10.1063/1.111195",
2564   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2565 }
2566
2567 @Article{soref91,
2568   author =       "Richard A. Soref",
2569   collaboration = "",
2570   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2571                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2572   publisher =    "AIP",
2573   year =         "1991",
2574   journal =      "J. Appl. Phys.",
2575   volume =       "70",
2576   number =       "4",
2577   pages =        "2470--2472",
2578   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2579                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2580                  TERNARY ALLOYS",
2581   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2582   doi =          "10.1063/1.349403",
2583   notes =        "band gap of strained si by c",
2584 }
2585
2586 @Article{kasper91,
2587   author =       "E Kasper",
2588   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2589                  possibility to produce direct band gap material",
2590   journal =      "Physica Scripta",
2591   volume =       "T35",
2592   pages =        "232--236",
2593   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2594   year =         "1991",
2595   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2596                  quasi-direct one",
2597 }
2598
2599 @Article{eberl92,
2600   author =       "K. Eberl and S. S. Iyer and S. Zollner and J. C. Tsang
2601                  and F. K. LeGoues",
2602   collaboration = "",
2603   title =        "Growth and strain compensation effects in the ternary
2604                  Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloy system",
2605   publisher =    "AIP",
2606   year =         "1992",
2607   journal =      "Applied Physics Letters",
2608   volume =       "60",
2609   number =       "24",
2610   pages =        "3033--3035",
2611   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; CARBON ALLOYS;
2612                  TERNARY ALLOYS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; MOLECULAR BEAM
2613                  EPITAXY; INTERNAL STRAINS; TEMPERATURE EFFECTS; CRYSTAL
2614                  STRUCTURE; LATTICE PARAMETERS; XRAY DIFFRACTION; PHASE
2615                  STUDIES",
2616   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/3033/1",
2617   doi =          "10.1063/1.106774",
2618 }
2619
2620 @Article{powell93,
2621   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and F. E. LeGoues and B. A.
2622                  Ek and S. S. Iyer",
2623   collaboration = "",
2624   title =        "Stability of strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random
2625                  alloy layers",
2626   publisher =    "AVS",
2627   year =         "1993",
2628   journal =      "J. Vac. Sci. Technol. B",
2629   volume =       "11",
2630   number =       "3",
2631   pages =        "1064--1068",
2632   location =     "Ottawa (Canada)",
2633   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; STRAINS; THICKNESS;
2634                  METASTABLE PHASES; TWINNING; DISLOCATIONS; MOLECULAR
2635                  BEAM EPITAXY; EPITAXIAL LAYERS; CRITICAL PHENOMENA;
2636                  TEMPERATURE RANGE 400--1000 K; BINARY ALLOYS",
2637   URL =          "http://link.aip.org/link/?JVB/11/1064/1",
2638   doi =          "10.1116/1.587008",
2639   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2640 }
2641
2642 @Article{powell93_2,
2643   title =        "Si[sub 1-x-y]Ge[sub x]{C}[sub y] growth and properties
2644                  of the ternary system",
2645   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2646   volume =       "127",
2647   number =       "1-4",
2648   pages =        "425--429",
2649   year =         "1993",
2650   note =         "",
2651   ISSN =         "0022-0248",
2652   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90653-E",
2653   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46J3RF2-8H/2/27fc231f28e4dc0a3b4770e5cf03257e",
2654   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and B. A. Ek and S. S.
2655                  Iyer",
2656 }
2657
2658 @Article{osten94,
2659   author =       "H. J. Osten",
2660   title =        "Modification of Growth Modes in Lattice-Mismatched
2661                  Epitaxial Systems: Si/Ge",
2662   journal =      "physica status solidi (a)",
2663   volume =       "145",
2664   number =       "2",
2665   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2666   ISSN =         "1521-396X",
2667   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211450203",
2668   doi =          "10.1002/pssa.2211450203",
2669   pages =        "235--245",
2670   year =         "1994",
2671 }
2672
2673 @Article{dietrich94,
2674   title =        "Lattice distortion in a strain-compensated
2675                  $Si_{1-x-y}$$Ge_{x}$${C}_{y}$ layer on silicon",
2676   author =       "B. Dietrich and H. J. Osten and H. R{\"u}cker and M.
2677                  Methfessel and P. Zaumseil",
2678   journal =      "Phys. Rev. B",
2679   volume =       "49",
2680   number =       "24",
2681   pages =        "17185--17190",
2682   numpages =     "5",
2683   year =         "1994",
2684   month =        jun,
2685   doi =          "10.1103/PhysRevB.49.17185",
2686   publisher =    "American Physical Society",
2687 }
2688
2689 @Article{osten94_2,
2690   author =       "H. J. Osten and E. Bugiel and P. Zaumseil",
2691   collaboration = "",
2692   title =        "Growth of an inverse tetragonal distorted SiGe layer
2693                  on Si(001) by adding small amounts of carbon",
2694   publisher =    "AIP",
2695   year =         "1994",
2696   journal =      "Applied Physics Letters",
2697   volume =       "64",
2698   number =       "25",
2699   pages =        "3440--3442",
2700   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; FILM GROWTH; CARBON
2701                  ALLOYS; TERNARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TEM;
2702                  XRD; LATTICE PARAMETERS; EPITAXIAL LAYERS; TETRAGONAL
2703                  LATTICES",
2704   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/3440/1",
2705   doi =          "10.1063/1.111235",
2706   notes =        "inversely strained / distorted heterostructure",
2707 }
2708
2709 @Article{iyer92,
2710   author =       "S. S. Iyer and K. Eberl and M. S. Goorsky and F. K.
2711                  LeGoues and J. C. Tsang and F. Cardone",
2712   collaboration = "",
2713   title =        "Synthesis of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys by
2714                  molecular beam epitaxy",
2715   publisher =    "AIP",
2716   year =         "1992",
2717   journal =      "Applied Physics Letters",
2718   volume =       "60",
2719   number =       "3",
2720   pages =        "356--358",
2721   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
2722                  SEMICONDUCTOR ALLOYS; SUPERLATTICES; MOLECULAR BEAM
2723                  EPITAXY; CHEMICAL COMPOSITION; TEMPERATURE EFFECTS;
2724                  FILM GROWTH; MICROSTRUCTURE",
2725   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/356/1",
2726   doi =          "10.1063/1.106655",
2727 }
2728
2729 @Article{osten99,
2730   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2731   collaboration = "",
2732   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2733                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2734                  molecular beam epitaxy",
2735   publisher =    "AIP",
2736   year =         "1999",
2737   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2738   volume =       "74",
2739   number =       "6",
2740   pages =        "836--838",
2741   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2742                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2743                  compounds",
2744   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2745   doi =          "10.1063/1.123384",
2746   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2747 }
2748
2749 @Article{hohenberg64,
2750   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2751   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2752   journal =      "Phys. Rev.",
2753   volume =       "136",
2754   number =       "3B",
2755   pages =        "B864--B871",
2756   numpages =     "7",
2757   year =         "1964",
2758   month =        nov,
2759   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2760   publisher =    "American Physical Society",
2761   notes =        "density functional theory, dft",
2762 }
2763
2764 @Article{kohn65,
2765   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2766                  Correlation Effects",
2767   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2768   journal =      "Phys. Rev.",
2769   volume =       "140",
2770   number =       "4A",
2771   pages =        "A1133--A1138",
2772   numpages =     "5",
2773   year =         "1965",
2774   month =        nov,
2775   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2776   publisher =    "American Physical Society",
2777   notes =        "dft, exchange and correlation",
2778 }
2779
2780 @Article{ruecker94,
2781   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
2782                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
2783   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
2784                  J. Osten",
2785   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2786   volume =       "72",
2787   number =       "22",
2788   pages =        "3578--3581",
2789   numpages =     "3",
2790   year =         "1994",
2791   month =        may,
2792   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
2793   publisher =    "American Physical Society",
2794   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
2795                  si, dft",
2796 }
2797
2798 @Article{yagi02,
2799   title =        "Phosphorous Doping of Strain-Induced
2800                  Si$_{1-y}${C}$_{y}$ Epitaxial Films Grown\\
2801                  by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition",
2802   author =       "Shuhei Yagi and Katsuya Abe and Takashi Okabayashi and
2803                  Yuichi Yoneyama and Akira Yamada and Makoto Konagai",
2804   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2805   volume =       "41",
2806   number =       "Part 1, No. 4B",
2807   pages =        "2472--2475",
2808   numpages =     "3",
2809   year =         "2002",
2810   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/41/2472/",
2811   doi =          "10.1143/JJAP.41.2472",
2812   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2813   notes =        "experimental charge carrier mobility in strained si",
2814 }
2815
2816 @Article{chang05,
2817   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
2818                  Alloy",
2819   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
2820   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2821   volume =       "44",
2822   number =       "4B",
2823   pages =        "2257--2262",
2824   numpages =     "5",
2825   year =         "2005",
2826   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
2827   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
2828   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2829   notes =        "enhance of electron mobility in strained si",
2830 }
2831
2832 @Article{kissinger94,
2833   author =       "W. Kissinger and M. Weidner and H. J. Osten and M.
2834                  Eichler",
2835   collaboration = "",
2836   title =        "Optical transitions in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub
2837                  y] layers on Si(001)",
2838   publisher =    "AIP",
2839   year =         "1994",
2840   journal =      "Applied Physics Letters",
2841   volume =       "65",
2842   number =       "26",
2843   pages =        "3356--3358",
2844   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERNAL STRAINS; EPITAXIAL LAYERS;
2845                  CHEMICAL COMPOSITION; ELLIPSOMETRY; REFLECTION
2846                  SPECTROSCOPY; ELECTROOPTICAL EFFECTS; BAND STRUCTURE;
2847                  ENERGY LEVELS; ENERGYLEVEL TRANSITIONS",
2848   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/3356/1",
2849   doi =          "10.1063/1.112390",
2850   notes =        "strained si influence on optical properties",
2851 }
2852
2853 @Article{osten96,
2854   author =       "H. J. Osten and Myeongcheol Kim and K. Pressel and P.
2855                  Zaumseil",
2856   collaboration = "",
2857   title =        "Substitutional versus interstitial carbon
2858                  incorporation during pseudomorphic growth of Si[sub 1 -
2859                  y]{C}[sub y] on Si(001)",
2860   publisher =    "AIP",
2861   year =         "1996",
2862   journal =      "Journal of Applied Physics",
2863   volume =       "80",
2864   number =       "12",
2865   pages =        "6711--6715",
2866   keywords =     "SILICON CARBIDES; CRYSTAL DEFECTS; FILM GROWTH;
2867                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; INTERSTITIALS; SUBSTITUTION;
2868                  XRD; STRAINS",
2869   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/80/6711/1",
2870   doi =          "10.1063/1.363797",
2871   notes =        "mbe substitutional vs interstitial c incorporation",
2872 }
2873
2874 @Article{osten97,
2875   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
2876   collaboration = "",
2877   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2878                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
2879                  Si(001)",
2880   publisher =    "AIP",
2881   year =         "1997",
2882   journal =      "J. Appl. Phys.",
2883   volume =       "82",
2884   number =       "10",
2885   pages =        "4977--4981",
2886   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
2887                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
2888                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
2889   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
2890   doi =          "10.1063/1.366364",
2891   notes =        "charge transport in strained si",
2892 }
2893
2894 @Article{kapur04,
2895   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
2896                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
2897   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
2898   journal =      "Phys. Rev. B",
2899   volume =       "69",
2900   number =       "15",
2901   pages =        "155214",
2902   numpages =     "8",
2903   year =         "2004",
2904   month =        apr,
2905   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
2906   publisher =    "American Physical Society",
2907   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
2908 }
2909
2910 @Article{barkema96,
2911   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
2912                  Systems",
2913   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
2914   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2915   volume =       "77",
2916   number =       "21",
2917   pages =        "4358--4361",
2918   numpages =     "3",
2919   year =         "1996",
2920   month =        nov,
2921   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
2922   publisher =    "American Physical Society",
2923   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
2924                  dynamic mds",
2925 }
2926
2927 @Article{cances09,
2928   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
2929                  Minoukadeh and F. Willaime",
2930   collaboration = "",
2931   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
2932                  technique method for finding transition pathways on
2933                  potential energy surfaces",
2934   publisher =    "AIP",
2935   year =         "2009",
2936   journal =      "J. Chem. Phys.",
2937   volume =       "130",
2938   number =       "11",
2939   eid =          "114711",
2940   numpages =     "6",
2941   pages =        "114711",
2942   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
2943                  surfaces; vacancies (crystal)",
2944   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
2945   doi =          "10.1063/1.3088532",
2946   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
2947                  transition pathways",
2948 }
2949
2950 @Article{parrinello81,
2951   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
2952   collaboration = "",
2953   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
2954                  molecular dynamics method",
2955   publisher =    "AIP",
2956   year =         "1981",
2957   journal =      "J. Appl. Phys.",
2958   volume =       "52",
2959   number =       "12",
2960   pages =        "7182--7190",
2961   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
2962                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
2963                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
2964                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
2965                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
2966                  IMPACT SHOCK",
2967   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2968   doi =          "10.1063/1.328693",
2969 }
2970
2971 @Article{stillinger85,
2972   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
2973                  of silicon",
2974   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
2975   journal =      "Phys. Rev. B",
2976   volume =       "31",
2977   number =       "8",
2978   pages =        "5262--5271",
2979   numpages =     "9",
2980   year =         "1985",
2981   month =        apr,
2982   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
2983   publisher =    "American Physical Society",
2984 }
2985
2986 @Article{brenner90,
2987   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
2988                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
2989                  films",
2990   author =       "Donald W. Brenner",
2991   journal =      "Phys. Rev. B",
2992   volume =       "42",
2993   number =       "15",
2994   pages =        "9458--9471",
2995   numpages =     "13",
2996   year =         "1990",
2997   month =        nov,
2998   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
2999   publisher =    "American Physical Society",
3000   notes =        "brenner hydro carbons",
3001 }
3002
3003 @Article{bazant96,
3004   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
3005                  Cohesive Energy Curves",
3006   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
3007   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3008   volume =       "77",
3009   number =       "21",
3010   pages =        "4370--4373",
3011   numpages =     "3",
3012   year =         "1996",
3013   month =        nov,
3014   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
3015   publisher =    "American Physical Society",
3016   notes =        "first si edip",
3017 }
3018
3019 @Article{bazant97,
3020   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
3021                  silicon",
3022   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
3023                  Justo",
3024   journal =      "Phys. Rev. B",
3025   volume =       "56",
3026   number =       "14",
3027   pages =        "8542--8552",
3028   numpages =     "10",
3029   year =         "1997",
3030   month =        oct,
3031   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
3032   publisher =    "American Physical Society",
3033   notes =        "second si edip",
3034 }
3035
3036 @Article{justo98,
3037   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
3038                  disordered phases",
3039   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
3040                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
3041   journal =      "Phys. Rev. B",
3042   volume =       "58",
3043   number =       "5",
3044   pages =        "2539--2550",
3045   numpages =     "11",
3046   year =         "1998",
3047   month =        aug,
3048   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
3049   publisher =    "American Physical Society",
3050   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
3051 }
3052
3053 @Article{parcas_md,
3054   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
3055   author =       "K. Nordlund",
3056   year =         "2008",
3057 }
3058
3059 @Article{voter97,
3060   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
3061                  Infrequent Events",
3062   author =       "Arthur F. Voter",
3063   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3064   volume =       "78",
3065   number =       "20",
3066   pages =        "3908--3911",
3067   numpages =     "3",
3068   year =         "1997",
3069   month =        may,
3070   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
3071   publisher =    "American Physical Society",
3072   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
3073 }
3074
3075 @Article{voter97_2,
3076   author =       "Arthur F. Voter",
3077   collaboration = "",
3078   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
3079                  simulation of infrequent events",
3080   publisher =    "AIP",
3081   year =         "1997",
3082   journal =      "J. Chem. Phys.",
3083   volume =       "106",
3084   number =       "11",
3085   pages =        "4665--4677",
3086   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
3087                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
3088                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
3089                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
3090                  theory; potential energy surfaces",
3091   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
3092   doi =          "10.1063/1.473503",
3093   notes =        "improved hyperdynamics md",
3094 }
3095
3096 @Article{sorensen2000,
3097   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
3098   collaboration = "",
3099   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
3100                  infrequent events",
3101   publisher =    "AIP",
3102   year =         "2000",
3103   journal =      "J. Chem. Phys.",
3104   volume =       "112",
3105   number =       "21",
3106   pages =        "9599--9606",
3107   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
3108                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
3109   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
3110   doi =          "10.1063/1.481576",
3111   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
3112 }
3113
3114 @Article{voter98,
3115   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
3116                  events",
3117   author =       "Arthur F. Voter",
3118   journal =      "Phys. Rev. B",
3119   volume =       "57",
3120   number =       "22",
3121   pages =        "R13985--R13988",
3122   numpages =     "3",
3123   year =         "1998",
3124   month =        jun,
3125   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
3126   publisher =    "American Physical Society",
3127   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
3128 }
3129
3130 @Article{wu99,
3131   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
3132   collaboration = "",
3133   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
3134                  simulation",
3135   publisher =    "AIP",
3136   year =         "1999",
3137   journal =      "J. Chem. Phys.",
3138   volume =       "110",
3139   number =       "19",
3140   pages =        "9401--9410",
3141   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
3142                  potential; crystallisation; liquid theory",
3143   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
3144   doi =          "10.1063/1.478948",
3145   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
3146                  systematic motion",
3147 }
3148
3149 @Article{choudhary05,
3150   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
3151   collaboration = "",
3152   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
3153                  to the production of amorphous silicon",
3154   publisher =    "AIP",
3155   year =         "2005",
3156   journal =      "J. Chem. Phys.",
3157   volume =       "122",
3158   number =       "15",
3159   eid =          "154509",
3160   numpages =     "8",
3161   pages =        "154509",
3162   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
3163                  amorphous semiconductors",
3164   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
3165   doi =          "10.1063/1.1878733",
3166   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
3167                  silicon",
3168 }
3169
3170 @Article{taylor93,
3171   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
3172   collaboration = "",
3173   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
3174                  difficult?",
3175   publisher =    "AIP",
3176   year =         "1993",
3177   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3178   volume =       "62",
3179   number =       "25",
3180   pages =        "3336--3338",
3181   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
3182                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
3183                  ENERGY",
3184   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
3185   doi =          "10.1063/1.109063",
3186   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
3187                  interstitials necessary for precipitation, volume
3188                  decrease, high interface energy",
3189 }
3190
3191 @Article{chaussende08,
3192   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
3193   journal =      "J. Cryst. Growth",
3194   volume =       "310",
3195   number =       "5",
3196   pages =        "976--981",
3197   year =         "2008",
3198   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
3199                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
3200   ISSN =         "0022-0248",
3201   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
3202   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
3203   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
3204                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
3205                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
3206                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
3207   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
3208                  metastable",
3209 }
3210
3211 @Article{chaussende07,
3212   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
3213   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
3214   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
3215   volume =       "40",
3216   number =       "20",
3217   pages =        "6150",
3218   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
3219   year =         "2007",
3220   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
3221                  modelling",
3222 }
3223
3224 @Article{feynman39,
3225   title =        "Forces in Molecules",
3226   author =       "R. P. Feynman",
3227   journal =      "Phys. Rev.",
3228   volume =       "56",
3229   number =       "4",
3230   pages =        "340--343",
3231   numpages =     "3",
3232   year =         "1939",
3233   month =        aug,
3234   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
3235   publisher =    "American Physical Society",
3236   notes =        "hellmann feynman forces",
3237 }
3238
3239 @Article{buczko00,
3240   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
3241                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
3242                  their Contrasting Properties",
3243   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
3244                  T. Pantelides",
3245   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3246   volume =       "84",
3247   number =       "5",
3248   pages =        "943--946",
3249   numpages =     "3",
3250   year =         "2000",
3251   month =        jan,
3252   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
3253   publisher =    "American Physical Society",
3254   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
3255 }
3256
3257 @Article{djurabekova08,
3258   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
3259                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
3260   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
3261   journal =      "Phys. Rev. B",
3262   volume =       "77",
3263   number =       "11",
3264   pages =        "115325",
3265   numpages =     "7",
3266   year =         "2008",
3267   month =        mar,
3268   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
3269   publisher =    "American Physical Society",
3270   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
3271                  angular distribution, coordination",
3272 }
3273
3274 @Article{wen09,
3275   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
3276                  W. Liang and J. Zou",
3277   collaboration = "",
3278   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
3279                  strain relaxation at highly lattice mismatched
3280                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
3281   publisher =    "AIP",
3282   year =         "2009",
3283   journal =      "J. Appl. Phys.",
3284   volume =       "106",
3285   number =       "7",
3286   eid =          "073522",
3287   numpages =     "8",
3288   pages =        "073522",
3289   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
3290                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
3291                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
3292                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
3293   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
3294   doi =          "10.1063/1.3234380",
3295   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
3296                  deconvolution, dislocation defects",
3297 }
3298
3299 @Article{kitabatake93,
3300   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
3301                  Hirao",
3302   collaboration = "",
3303   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
3304                  growth on Si(001) surface",
3305   publisher =    "AIP",
3306   year =         "1993",
3307   journal =      "J. Appl. Phys.",
3308   volume =       "74",
3309   number =       "7",
3310   pages =        "4438--4445",
3311   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
3312                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
3313                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
3314   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
3315   doi =          "10.1063/1.354385",
3316   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
3317                  model, interface",
3318 }
3319
3320 @Article{kitabatake97,
3321   author =       "Makoto Kitabatake",
3322   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
3323                  Heteroepitaxial Growth",
3324   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3325   year =         "1997",
3326   journal =      "physica status solidi (b)",
3327   volume =       "202",
3328   pages =        "405--420",
3329   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3330   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3331   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
3332 }
3333
3334 @Article{chirita97,
3335   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
3336                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
3337                  dynamics study",
3338   journal =      "Thin Solid Films",
3339   volume =       "294",
3340   number =       "1-2",
3341   pages =        "47--49",
3342   year =         "1997",
3343   note =         "",
3344   ISSN =         "0040-6090",
3345   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
3346   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
3347   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
3348   keywords =     "Strain relaxation",
3349   keywords =     "Interfaces",
3350   keywords =     "Thermal stability",
3351   keywords =     "Molecular dynamics",
3352   notes =        "tersoff sic/si interface study",
3353 }
3354
3355 @Article{cicero02,
3356   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
3357                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
3358   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
3359                  Catellani",
3360   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3361   volume =       "89",
3362   number =       "15",
3363   pages =        "156101",
3364   numpages =     "4",
3365   year =         "2002",
3366   month =        sep,
3367   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
3368   publisher =    "American Physical Society",
3369   notes =        "sic/si interface study",
3370 }
3371
3372 @Article{pizzagalli03,
3373   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
3374                  interface: Si{C}/Si(001)",
3375   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
3376                  Catellani",
3377   journal =      "Phys. Rev. B",
3378   volume =       "68",
3379   number =       "19",
3380   pages =        "195302",
3381   numpages =     "10",
3382   year =         "2003",
3383   month =        nov,
3384   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
3385   publisher =    "American Physical Society",
3386   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
3387 }
3388
3389 @Article{tang07,
3390   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
3391                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
3392                  electron microscopy",
3393   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
3394                  H. Zheng and J. W. Liang",
3395   journal =      "Phys. Rev. B",
3396   volume =       "75",
3397   number =       "18",
3398   pages =        "184103",
3399   numpages =     "7",
3400   year =         "2007",
3401   month =        may,
3402   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
3403   publisher =    "American Physical Society",
3404   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
3405                  si and c",
3406 }
3407
3408 @Article{hornstra58,
3409   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
3410   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
3411   volume =       "5",
3412   number =       "1-2",
3413   pages =        "129--141",
3414   year =         "1958",
3415   note =         "",
3416   ISSN =         "0022-3697",
3417   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
3418   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
3419   author =       "J. Hornstra",
3420   notes =        "dislocations in diamond lattice",
3421 }
3422
3423 @Article{deguchi92,
3424   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
3425                  Ion `Hot' Implantation",
3426   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
3427                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
3428   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3429   volume =       "31",
3430   number =       "Part 1, No. 2A",
3431   pages =        "343--347",
3432   numpages =     "4",
3433   year =         "1992",
3434   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
3435   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
3436   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3437   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
3438                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
3439 }
3440
3441 @Article{eichhorn99,
3442   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
3443                  K{\"{o}}gler",
3444   collaboration = "",
3445   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
3446                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
3447                  synchrotron x-ray diffraction",
3448   publisher =    "AIP",
3449   year =         "1999",
3450   journal =      "J. Appl. Phys.",
3451   volume =       "86",
3452   number =       "8",
3453   pages =        "4184--4187",
3454   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
3455                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
3456                  precipitation; semiconductor doping",
3457   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
3458   doi =          "10.1063/1.371344",
3459   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
3460                  expansion of si lattice",
3461 }
3462
3463 @Article{eichhorn02,
3464   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
3465                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
3466   collaboration = "",
3467   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
3468                  carbon ion implantation",
3469   publisher =    "AIP",
3470   year =         "2002",
3471   journal =      "J. Appl. Phys.",
3472   volume =       "91",
3473   number =       "3",
3474   pages =        "1287--1292",
3475   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
3476                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
3477                  electron microscopy",
3478   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
3479   doi =          "10.1063/1.1428105",
3480   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
3481                  temperature, might explain c into c sub trafo",
3482 }
3483
3484 @Article{lucas10,
3485   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
3486   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
3487                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
3488                  high-pressure phases, point and extended defects, and
3489                  amorphous structures",
3490   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3491   volume =       "22",
3492   number =       "3",
3493   pages =        "035802",
3494   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
3495   year =         "2010",
3496   notes =        "edip sic",
3497 }
3498
3499 @Article{godet03,
3500   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
3501                  Beauchamp",
3502   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
3503                  methods for silicon under large shear",
3504   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3505   volume =       "15",
3506   number =       "41",
3507   pages =        "6943",
3508   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
3509   year =         "2003",
3510   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
3511                  edip, tersoff, ab initio",
3512 }
3513
3514 @Article{moriguchi98,
3515   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
3516                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
3517   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
3518   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3519   volume =       "37",
3520   number =       "Part 1, No. 2",
3521   pages =        "414--422",
3522   numpages =     "8",
3523   year =         "1998",
3524   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
3525   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
3526   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3527   notes =        "tersoff stringent test",
3528 }
3529
3530 @Article{mazzarolo01,
3531   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
3532                  simulations",
3533   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
3534                  Lulli and Eros Albertazzi",
3535   journal =      "Phys. Rev. B",
3536   volume =       "63",
3537   number =       "19",
3538   pages =        "195207",
3539   numpages =     "4",
3540   year =         "2001",
3541   month =        apr,
3542   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
3543   publisher =    "American Physical Society",
3544 }
3545
3546 @Article{holmstroem08,
3547   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
3548                  density functional theory molecular dynamics
3549                  simulations",
3550   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
3551   journal =      "Phys. Rev. B",
3552   volume =       "78",
3553   number =       "4",
3554   pages =        "045202",
3555   numpages =     "6",
3556   year =         "2008",
3557   month =        jul,
3558   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
3559   publisher =    "American Physical Society",
3560   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
3561                  initio",
3562 }
3563
3564 @Article{nordlund97,
3565   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
3566                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
3567   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3568   volume =       "132",
3569   number =       "1",
3570   pages =        "45--54",
3571   year =         "1997",
3572   note =         "",
3573   ISSN =         "0168-583X",
3574   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
3575   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
3576   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
3577   notes =        "repulsive ab initio potential",
3578 }
3579
3580 @Article{kresse96,
3581   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
3582                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
3583                  set",
3584   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3585   volume =       "6",
3586   number =       "1",
3587   pages =        "15--50",
3588   year =         "1996",
3589   note =         "",
3590   ISSN =         "0927-0256",
3591   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
3592   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
3593   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
3594   notes =        "vasp ref",
3595 }
3596
3597 @Article{bloechl94,
3598   title =        "Projector augmented-wave method",
3599   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
3600   journal =      "Phys. Rev. B",
3601   volume =       "50",
3602   number =       "24",
3603   pages =        "17953--17979",
3604   numpages =     "26",
3605   year =         "1994",
3606   month =        dec,
3607   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
3608   publisher =    "American Physical Society",
3609   notes =        "paw method",
3610 }
3611
3612 @Article{hamann79,
3613   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
3614   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
3615   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3616   volume =       "43",
3617   number =       "20",
3618   pages =        "1494--1497",
3619   numpages =     "3",
3620   year =         "1979",
3621   month =        nov,
3622   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
3623   publisher =    "American Physical Society",
3624   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
3625 }
3626
3627 @Article{vanderbilt90,
3628   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
3629                  eigenvalue formalism",
3630   author =       "David Vanderbilt",
3631   journal =      "Phys. Rev. B",
3632   volume =       "41",
3633   number =       "11",
3634   pages =        "7892--7895",
3635   numpages =     "3",
3636   year =         "1990",
3637   month =        apr,
3638   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
3639   publisher =    "American Physical Society",
3640   notes =        "vasp pseudopotentials",
3641 }
3642
3643 @Article{perdew86,
3644   title =        "Accurate and simple density functional for the
3645                  electronic exchange energy: Generalized gradient
3646                  approximation",
3647   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
3648   journal =      "Phys. Rev. B",
3649   volume =       "33",
3650   number =       "12",
3651   pages =        "8800--8802",
3652   numpages =     "2",
3653   year =         "1986",
3654   month =        jun,
3655   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
3656   publisher =    "American Physical Society",
3657   notes =        "rapid communication gga",
3658 }
3659
3660 @Article{perdew02,
3661   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
3662                  correlation: {A} look backward and forward",
3663   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
3664   volume =       "172",
3665   number =       "1-2",
3666   pages =        "1--6",
3667   year =         "1991",
3668   note =         "",
3669   ISSN =         "0921-4526",
3670   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
3671   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
3672   author =       "John P. Perdew",
3673   notes =        "gga overview",
3674 }
3675
3676 @Article{perdew92,
3677   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
3678                  of the generalized gradient approximation for exchange
3679                  and correlation",
3680   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
3681                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
3682                  and Carlos Fiolhais",
3683   journal =      "Phys. Rev. B",
3684   volume =       "46",
3685   number =       "11",
3686   pages =        "6671--6687",
3687   numpages =     "16",
3688   year =         "1992",
3689   month =        sep,
3690   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
3691   publisher =    "American Physical Society",
3692   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
3693 }
3694
3695 @Article{baldereschi73,
3696   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
3697   author =       "A. Baldereschi",
3698   journal =      "Phys. Rev. B",
3699   volume =       "7",
3700   number =       "12",
3701   pages =        "5212--5215",
3702   numpages =     "3",
3703   year =         "1973",
3704   month =        jun,
3705   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
3706   publisher =    "American Physical Society",
3707   notes =        "mean value k point",
3708 }
3709
3710 @Article{zhu98,
3711   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
3712                  diffusion in Si",
3713   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3714   volume =       "12",
3715   number =       "4",
3716   pages =        "309--318",
3717   year =         "1998",
3718   note =         "",
3719   ISSN =         "0927-0256",
3720   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
3721   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
3722   author =       "Jing Zhu",
3723   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
3724   keywords =     "Boron dopant",
3725   keywords =     "Carbon dopant",
3726   keywords =     "Defect",
3727   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
3728   keywords =     "Impurity cluster",
3729   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
3730 }
3731
3732 @Article{nejim95,
3733   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
3734   collaboration = "",
3735   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
3736                  950 [degree]{C}",
3737   publisher =    "AIP",
3738   year =         "1995",
3739   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3740   volume =       "66",
3741   number =       "20",
3742   pages =        "2646--2648",
3743   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
3744                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
3745                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
3746                  ELECTRON MICROSCOPY",
3747   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
3748   doi =          "10.1063/1.113112",
3749   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
3750                  self interstitials react with further implanted c",
3751 }
3752
3753 @Article{guedj98,
3754   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
3755                  Kolodzey and A. Hairie",
3756   collaboration = "",
3757   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3758                  alloys",
3759   publisher =    "AIP",
3760   year =         "1998",
3761   journal =      "J. Appl. Phys.",
3762   volume =       "84",
3763   number =       "8",
3764   pages =        "4631--4633",
3765   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
3766                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
3767                  Fourier transform spectra; thermal stability;
3768                  annealing",
3769   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
3770   doi =          "10.1063/1.368703",
3771   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
3772 }
3773
3774 @Article{jones04,
3775   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
3776   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
3777                  semiconductors",
3778   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3779   volume =       "16",
3780   number =       "27",
3781   pages =        "S2643",
3782   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
3783   year =         "2004",
3784   notes =        "ab inito dft intro, vibrational modes, c defect in
3785                  si",
3786 }
3787
3788 @Article{park02,
3789   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
3790                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
3791                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
3792   collaboration = "",
3793   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
3794                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
3795                  molecular-beam epitaxy",
3796   publisher =    "AIP",
3797   year =         "2002",
3798   journal =      "J. Appl. Phys.",
3799   volume =       "91",
3800   number =       "9",
3801   pages =        "5716--5727",
3802   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
3803   doi =          "10.1063/1.1465122",
3804   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
3805 }
3806
3807 @Article{leary97,
3808   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
3809                  carbon-carbon pair defects in silicon",
3810   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
3811                  Torres",
3812   journal =      "Phys. Rev. B",
3813   volume =       "55",
3814   number =       "4",
3815   pages =        "2188--2194",
3816   numpages =     "6",
3817   year =         "1997",
3818   month =        jan,
3819   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
3820   publisher =    "American Physical Society",
3821   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
3822                  energies, different migration barriers and paths",
3823 }
3824
3825 @Article{burnard93,
3826   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
3827                  silicon: Semiempirical electronic-structure
3828                  calculations",
3829   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
3830   journal =      "Phys. Rev. B",
3831   volume =       "47",
3832   number =       "16",
3833   pages =        "10217--10225",
3834   numpages =     "8",
3835   year =         "1993",
3836   month =        apr,
3837   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
3838   publisher =    "American Physical Society",
3839   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
3840                  carbon defect, formation energies",
3841 }
3842
3843 @Article{besson91,
3844   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
3845                  silicon",
3846   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
3847   journal =      "Phys. Rev. B",
3848   volume =       "43",
3849   number =       "5",
3850   pages =        "4028--4033",
3851   numpages =     "5",
3852   year =         "1991",
3853   month =        feb,
3854   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
3855   publisher =    "American Physical Society",
3856 }
3857
3858 @Article{kaxiras96,
3859   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
3860                  and growth on semiconductors",
3861   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3862   volume =       "6",
3863   number =       "2",
3864   pages =        "158--172",
3865   year =         "1996",
3866   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
3867                  Epitaxy",
3868   ISSN =         "0927-0256",
3869   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
3870   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
3871   author =       "Efthimios Kaxiras",
3872   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
3873                  tight binding, first principles",
3874 }
3875
3876 @Article{kaukonen98,
3877   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
3878                  diamond
3879                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
3880                  surfaces",
3881   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
3882                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
3883                  Th. Frauenheim",
3884   journal =      "Phys. Rev. B",
3885   volume =       "57",
3886   number =       "16",
3887   pages =        "9965--9970",
3888   numpages =     "5",
3889   year =         "1998",
3890   month =        apr,
3891   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
3892   publisher =    "American Physical Society",
3893   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
3894                  (crt)",
3895 }
3896
3897 @Article{gali03,
3898   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
3899                  center in Si{C}",
3900   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
3901                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
3902                  W. J. Choyke",
3903   journal =      "Phys. Rev. B",
3904   volume =       "67",
3905   number =       "15",
3906   pages =        "155203",
3907   numpages =     "5",
3908   year =         "2003",
3909   month =        apr,
3910   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
3911   publisher =    "American Physical Society",
3912 }
3913
3914 @Article{chen98,
3915   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
3916                  irradiation and deformation",
3917   journal =      "J. Nucl. Mater.",
3918   volume =       "258-263",
3919   number =       "Part 2",
3920   pages =        "1803--1808",
3921   year =         "1998",
3922   note =         "",
3923   ISSN =         "0022-3115",
3924   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
3925   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
3926   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
3927 }
3928
3929 @Article{weber01,
3930   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
3931                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
3932   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3933   volume =       "175-177",
3934   number =       "",
3935   pages =        "26--30",
3936   year =         "2001",
3937   note =         "",
3938   ISSN =         "0168-583X",
3939   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
3940   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
3941   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
3942 }
3943
3944 @Article{bockstedte03,
3945   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
3946                  in $3{C}-Si{C}$",
3947   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
3948                  Pankratov",
3949   journal =      "Phys. Rev. B",
3950   volume =       "68",
3951   number =       "20",
3952   pages =        "205201",
3953   numpages =     "17",
3954   year =         "2003",
3955   month =        nov,
3956   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
3957   publisher =    "American Physical Society",
3958   notes =        "defect migration in sic",
3959 }
3960
3961 @Article{rauls03a,
3962   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
3963                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
3964   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
3965                  De\'ak",
3966   journal =      "Phys. Rev. B",
3967   volume =       "68",
3968   number =       "15",
3969   pages =        "155208",
3970   numpages =     "9",
3971   year =         "2003",
3972   month =        oct,
3973   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
3974   publisher =    "American Physical Society",
3975 }
3976
3977 @Article{losev27,
3978   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
3979   volume =       "44",
3980   pages =        "485--494",
3981   year =         "1927",
3982   author =       "O. V. Lossev",
3983 }
3984
3985 @Article{losev28,
3986   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
3987                  oscillations with crystals",
3988   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
3989   volume =       "6",
3990   number =       "39",
3991   pages =        "1024--1044",
3992   year =         "1928",
3993   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
3994   author =       "O. V. Lossev",
3995 }
3996
3997 @Article{losev29,
3998   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3999   volume =       "30",
4000   pages =        "920--923",
4001   year =         "1929",
4002   author =       "O. V. Lossev",
4003 }
4004
4005 @Article{losev31,
4006   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4007   volume =       "32",
4008   pages =        "692--696",
4009   year =         "1931",
4010   author =       "O. V. Lossev",
4011 }
4012
4013 @Article{losev33,
4014   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4015   volume =       "34",
4016   pages =        "397--403",
4017   year =         "1933",
4018   author =       "O. V. Lossev",
4019 }
4020
4021 @Article{round07,
4022   title =        "A note on carborundum",
4023   journal =      "Electrical World",
4024   volume =       "49",
4025   pages =        "308",
4026   year =         "1907",
4027   author =       "H. J. Round",
4028 }
4029
4030 @Article{vashishath08,
4031   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
4032   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
4033   volume =       "2",
4034   number =       "03",
4035   pages =        "444--470",
4036   year =         "2008",
4037   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
4038   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
4039   notes =        "sic polytype electronic properties",
4040 }
4041
4042 @Article{nelson69,
4043   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
4044   collaboration = "",
4045   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
4046   publisher =    "AIP",
4047   year =         "1966",
4048   journal =      "Journal of Applied Physics",
4049   volume =       "37",
4050   number =       "1",
4051   pages =        "333--336",
4052   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
4053   doi =          "10.1063/1.1707837",
4054   notes =        "sic melt growth",
4055 }
4056
4057 @Article{arkel25,
4058   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
4059   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
4060                  und Thoriummetall",
4061   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
4062   year =         "1925",
4063   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4064   volume =       "148",
4065   pages =        "345--350",
4066   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
4067   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
4068   notes =        "van arkel apparatus",
4069 }
4070
4071 @Article{moers31,
4072   author =       "K. Moers",
4073   year =         "1931",
4074   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4075   volume =       "198",
4076   pages =        "293",
4077   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4078                  process",
4079 }
4080
4081 @Article{kendall53,
4082   author =       "J. T. Kendall",
4083   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
4084   publisher =    "AIP",
4085   year =         "1953",
4086   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
4087   volume =       "21",
4088   number =       "5",
4089   pages =        "821--827",
4090   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
4091   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4092                  process",
4093 }
4094
4095 @Article{lely55,
4096   author =       "J. A. Lely",
4097   year =         "1955",
4098   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
4099   volume =       "32",
4100   pages =        "229",
4101   notes =        "lely sublimation growth process",
4102 }
4103
4104 @Article{knippenberg63,
4105   author =       "W. F. Knippenberg",
4106   year =         "1963",
4107   journal =      "Philips Res. Repts.",
4108   volume =       "18",
4109   pages =        "161",
4110   notes =        "acheson process",
4111 }
4112
4113 @Article{hoffmann82,
4114   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
4115                  Weyrich",
4116   collaboration = "",
4117   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
4118                  improved external quantum efficiency",
4119   publisher =    "AIP",
4120   year =         "1982",
4121   journal =      "Journal of Applied Physics",
4122   volume =       "53",
4123   number =       "10",
4124   pages =        "6962--6967",
4125   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
4126                  efficiency; visible radiation; experimental data;
4127                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
4128                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
4129                  electroluminescence; spectra; current density;
4130                  optimization",
4131   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
4132   doi =          "10.1063/1.330041",
4133   notes =        "blue led, sublimation process",
4134 }
4135
4136 @Article{neudeck95,
4137   author =       "Philip Neudeck",
4138   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
4139                  Road 44135 Cleveland OH",
4140   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
4141                  technology",
4142   journal =      "Journal of Electronic Materials",
4143   publisher =    "Springer Boston",
4144   ISSN =         "0361-5235",
4145   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
4146   pages =        "283--288",
4147   volume =       "24",
4148   issue =        "4",
4149   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
4150   note =         "10.1007/BF02659688",
4151   year =         "1995",
4152   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
4153 }
4154
4155 @Article{bhatnagar93,
4156   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
4157   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4158   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
4159                  devices",
4160   year =         "1993",
4161   month =        mar,
4162   volume =       "40",
4163   number =       "3",
4164   pages =        "645--655",
4165   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
4166                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
4167                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
4168                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
4169                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
4170                  solids;insulated gate field effect transistors;power
4171                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
4172                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
4173   doi =          "10.1109/16.199372",
4174   ISSN =         "0018-9383",
4175   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
4176 }
4177
4178 @Article{neudeck94,
4179   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
4180                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
4181   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4182   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
4183                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
4184                  6{H}-Si{C} substrates",
4185   year =         "1994",
4186   month =        may,
4187   volume =       "41",
4188   number =       "5",
4189   pages =        "826--835",
4190   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
4191                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
4192                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
4193                  properties;epitaxial layers;light
4194                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
4195                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
4196                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
4197                  currents;power electronics;semiconductor
4198                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
4199                  growth;semiconductor materials;silicon
4200                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
4201                  phase epitaxial growth;",
4202   doi =          "10.1109/16.285038",
4203   ISSN =         "0018-9383",
4204   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
4205                  substrate",
4206 }
4207
4208 @Article{schulze98,
4209   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
4210   collaboration = "",
4211   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
4212                  single crystals by physical vapor transport",
4213   publisher =    "AIP",
4214   year =         "1998",
4215   journal =      "Applied Physics Letters",
4216   volume =       "72",
4217   number =       "13",
4218   pages =        "1632--1634",
4219   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
4220                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
4221                  photoluminescence; Hall mobility",
4222   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
4223   doi =          "10.1063/1.121136",
4224   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
4225 }
4226
4227 @Article{pirouz87,
4228   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
4229   collaboration = "",
4230   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
4231   publisher =    "AIP",
4232   year =         "1987",
4233   journal =      "Applied Physics Letters",
4234   volume =       "50",
4235   number =       "4",
4236   pages =        "221--223",
4237   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
4238                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
4239                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
4240                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
4241                  BOUNDARIES",
4242   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
4243   doi =          "10.1063/1.97667",
4244   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
4245 }
4246
4247 @Article{shibahara86,
4248   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
4249                  Si(100) by chemical vapor deposition",
4250   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4251   volume =       "78",
4252   number =       "3",
4253   pages =        "538--544",
4254   year =         "1986",
4255   note =         "",
4256   ISSN =         "0022-0248",
4257   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
4258   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
4259   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
4260                  Matsunami",
4261   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
4262 }
4263
4264 @Article{desjardins96,
4265   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
4266   collaboration = "",
4267   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
4268   publisher =    "AIP",
4269   year =         "1996",
4270   journal =      "Journal of Applied Physics",
4271   volume =       "79",
4272   number =       "3",
4273   pages =        "1423--1434",
4274   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
4275                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
4276   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
4277   doi =          "10.1063/1.360980",
4278   notes =        "apb model",
4279 }
4280
4281 @Article{henke95,
4282   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
4283   collaboration = "",
4284   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
4285                  carbonization of silicon",
4286   publisher =    "AIP",
4287   year =         "1995",
4288   journal =      "Journal of Applied Physics",
4289   volume =       "78",
4290   number =       "3",
4291   pages =        "2070--2073",
4292   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
4293                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
4294                  STRUCTURE",
4295   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
4296   doi =          "10.1063/1.360184",
4297   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
4298 }
4299
4300 @Article{fuyuki89,
4301   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
4302                  {MBE} using surface superstructure",
4303   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4304   volume =       "95",
4305   number =       "1-4",
4306   pages =        "461--463",
4307   year =         "1989",
4308   note =         "",
4309   ISSN =         "0022-0248",
4310   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
4311   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
4312   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
4313                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
4314   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4315 }
4316
4317 @Article{yoshinobu92,
4318   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
4319                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4320   collaboration = "",
4321   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
4322                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
4323                  molecular beam epitaxy",
4324   publisher =    "AIP",
4325   year =         "1992",
4326   journal =      "Applied Physics Letters",
4327   volume =       "60",
4328   number =       "7",
4329   pages =        "824--826",
4330   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
4331                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
4332                  INTERFACE STRUCTURE",
4333   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
4334   doi =          "10.1063/1.107430",
4335   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4336 }
4337
4338 @Article{yoshinobu90,
4339   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
4340                  cubic Si{C}",
4341   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4342   volume =       "99",
4343   number =       "1-4",
4344   pages =        "520--524",
4345   year =         "1990",
4346   note =         "",
4347   ISSN =         "0022-0248",
4348   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
4349   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
4350   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
4351                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4352   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
4353 }
4354
4355 @Article{fuyuki93,
4356   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
4357                  superstructures in Si{C}",
4358   journal =      "Thin Solid Films",
4359   volume =       "225",
4360   number =       "1-2",
4361   pages =        "225--229",
4362   year =         "1993",
4363   note =         "",
4364   ISSN =         "0040-6090",
4365   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
4366   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
4367   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
4368                  Matsunami",
4369   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4370                  epitaxy, ale",
4371 }
4372
4373 @Article{hara93,
4374   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
4375                  growth of [beta]-Si{C}",
4376   journal =      "Thin Solid Films",
4377   volume =       "225",
4378   number =       "1-2",
4379   pages =        "240--243",
4380   year =         "1993",
4381   note =         "",
4382   ISSN =         "0040-6090",
4383   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
4384   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
4385   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
4386                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
4387   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4388                  epitaxy, ale",
4389 }
4390
4391 @Article{tanaka94,
4392   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
4393   collaboration = "",
4394   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
4395                  growth mode and polytype formation during gas-source
4396                  molecular beam epitaxy",
4397   publisher =    "AIP",
4398   year =         "1994",
4399   journal =      "Applied Physics Letters",
4400   volume =       "65",
4401   number =       "22",
4402   pages =        "2851--2853",
4403   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
4404                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
4405                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
4406                  FLOW; FLOW RATE",
4407   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
4408   doi =          "10.1063/1.112513",
4409   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
4410 }
4411
4412 @Article{fuyuki97,
4413   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
4414   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
4415                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
4416   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
4417   year =         "1997",
4418   journal =      "physica status solidi (b)",
4419   volume =       "202",
4420   pages =        "359--378",
4421   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
4422                  temperatures 750",
4423 }
4424
4425 @Article{takaoka98,
4426   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
4427   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4428   volume =       "183",
4429   number =       "1-2",
4430   pages =        "175--182",
4431   year =         "1998",
4432   note =         "",
4433   ISSN =         "0022-0248",
4434   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
4435   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
4436   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
4437   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
4438   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
4439   keywords =     "Silicon carbide",
4440   keywords =     "Silicon",
4441   keywords =     "Island growth",
4442   notes =        "lower temperature, 550-700",
4443 }
4444
4445 @Article{hatayama95,
4446   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
4447                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
4448                  molecular beam epitaxy",
4449   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4450   volume =       "150",
4451   number =       "Part 2",
4452   pages =        "934--938",
4453   year =         "1995",
4454   note =         "",
4455   ISSN =         "0022-0248",
4456   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
4457   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
4458   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
4459                  and Hiroyuki Matsunami",
4460 }
4461
4462 @Article{heine91,
4463   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
4464   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
4465                  Metastable Cubic Form",
4466   journal =      "Journal of the American Ceramic Society",
4467   volume =       "74",
4468   number =       "10",
4469   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
4470   ISSN =         "1551-2916",
4471   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4472   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4473   pages =        "2630--2633",
4474   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
4475                  calculations, stability",
4476   year =         "1991",
4477   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
4478                  polytype dft calculation refs",
4479 }
4480
4481 @Article{allendorf91,
4482   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
4483                  [beta]-silicon carbide",
4484   journal =      "Surface Science",
4485   volume =       "258",
4486   number =       "1-3",
4487   pages =        "177--189",
4488   year =         "1991",
4489   note =         "",
4490   ISSN =         "0039-6028",
4491   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
4492   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
4493   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
4494   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
4495 }
4496
4497 @Article{eaglesham93,
4498   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
4499                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
4500   collaboration = "",
4501   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
4502   publisher =    "AIP",
4503   year =         "1993",
4504   journal =      "Journal of Applied Physics",
4505   volume =       "74",
4506   number =       "11",
4507   pages =        "6615--6618",
4508   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
4509                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
4510                  DIFFUSION; ADSORPTION",
4511   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
4512   doi =          "10.1063/1.355101",
4513   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
4514                  mobility",
4515 }
4516
4517 @Article{newman85,
4518   author =       "Ronald C. Newman",
4519   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
4520   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4521   volume =       "59",
4522   number =       "",
4523   pages =        "403",
4524   year =         "1985",
4525   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
4526   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
4527   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
4528 }
4529
4530 @Article{newman61,
4531   title =        "The diffusivity of carbon in silicon",
4532   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
4533   volume =       "19",
4534   number =       "3-4",
4535   pages =        "230--234",
4536   year =         "1961",
4537   note =         "",
4538   ISSN =         "0022-3697",
4539   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(61)90032-4",
4540   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46M72R1-4D/2/9235472e4c0a95bf7b995769474f5fbd",
4541   author =       "R. C. Newman and J. Wakefield",
4542   notes =        "diffusivity of substitutional c in si",
4543 }
4544
4545 @Article{goesele85,
4546   author =       "U. Gösele",
4547   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
4548   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4549   volume =       "59",
4550   number =       "",
4551   pages =        "419",
4552   year =         "1985",
4553   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
4554   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
4555   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
4556 }
4557
4558 @Article{mukashev82,
4559   title =        "Defects in Carbon-Implanted Silicon",
4560   author =       "Bulat N. Mukashev and Alexey V. Spitsyn and Noboru
4561                  Fukuoka and Haruo Saito",
4562   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
4563   volume =       "21",
4564   number =       "Part 1, No. 2",
4565   pages =        "399--400",
4566   numpages =     "1",
4567   year =         "1982",
4568   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/21/399/",
4569   doi =          "10.1143/JJAP.21.399",
4570   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
4571 }
4572
4573 @Article{puska98,
4574   title =        "Convergence of supercell calculations for point
4575                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
4576   author =       "M. J. Puska and S. P{\"o}ykk{\"o} and M. Pesola and R.
4577                  M. Nieminen",
4578   journal =      "Phys. Rev. B",
4579   volume =       "58",
4580   number =       "3",
4581   pages =        "1318--1325",
4582   numpages =     "7",
4583   year =         "1998",
4584   month =        jul,
4585   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.1318",
4586   publisher =    "American Physical Society",
4587   notes =        "convergence k point supercell size, vacancy in
4588                  silicon",
4589 }
4590
4591 @Article{serre95,
4592   author =       "C. Serre and A. P\'{e}rez-Rodr\'{\i}guez and A.
4593                  Romano-Rodr\'{\i}guez and J. R. Morante and R.
4594                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
4595   collaboration = "",
4596   title =        "Spectroscopic characterization of phases formed by
4597                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
4598   publisher =    "AIP",
4599   year =         "1995",
4600   journal =      "Journal of Applied Physics",
4601   volume =       "77",
4602   number =       "7",
4603   pages =        "2978--2984",
4604   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; PHASE STUDIES; CARBON IONS;
4605                  FOURIER TRANSFORM SPECTROSCOPY; RAMAN SPECTRA;
4606                  PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; TEM; TEMPERATURE
4607                  DEPENDENCE; PRECIPITATES; ANNEALING",
4608   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
4609   doi =          "10.1063/1.358714",
4610 }
4611
4612 @Article{romano-rodriguez96,
4613   title =        "Detailed analysis of [beta]-Si{C} formation by high
4614                  dose carbon ion implantation in silicon",
4615   journal =      "Materials Science and Engineering B",
4616   volume =       "36",
4617   number =       "1-3",
4618   pages =        "282--285",
4619   year =         "1996",
4620   note =         "European Materials Research Society 1995 Spring
4621                  Meeting, Symposium N: Carbon, Hydrogen, Nitrogen, and
4622                  Oxygen in Silicon and in Other Elemental
4623                  Semiconductors",
4624   ISSN =         "0921-5107",
4625   doi =          "DOI: 10.1016/0921-5107(95)01283-4",
4626   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-3VR7691-25/2/995fd57b9e5c1100558f80c472620408",
4627   author =       "A. Romano-Rodriguez and C. Serre and L. Calvo-Barrio
4628                  and A. Pérez-Rodríguez and J. R. Morante and R. Kögler
4629                  and W. Skorupa",
4630   keywords =     "Silicon",
4631   keywords =     "Ion implantation",
4632   notes =        "incoherent 3c-sic precipitate",
4633 }