bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{newman65,
  44   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "26",
  47   number =       "2",
  48   pages =        "373--379",
  49   year =         "1965",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
  54   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
  55   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
  56 }
  57
  58 @Article{baker68,
  59   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
  60                  Buschert",
  61   collaboration = "",
  62   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
  63   publisher =    "AIP",
  64   year =         "1968",
  65   journal =      "Journal of Applied Physics",
  66   volume =       "39",
  67   number =       "9",
  68   pages =        "4365--4368",
  69   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
  70   doi =          "10.1063/1.1656977",
  71   notes =        "lattice contraction due to subst c",
  72 }
  73
  74 @Article{bean71,
  75   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  76   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  77   volume =       "32",
  78   number =       "6",
  79   pages =        "1211--1219",
  80   year =         "1971",
  81   note =         "",
  82   ISSN =         "0022-3697",
  83   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  84   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  85   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  86   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  87 }
  88
  89 @Article{capano97,
  90   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  91   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  92   journal =      "MRS Bull.",
  93   volume =       "22",
  94   pages =        "19",
  95   year =         "1997",
  96 }
  97
  98 @Article{fischer90,
  99   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
 100   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
 101                  carbide",
 102   journal =      "Philos. Mag. B",
 103   volume =       "61",
 104   pages =        "217--236",
 105   year =         "1990",
 106   notes =        "sic polytypes",
 107 }
 108
 109 @Article{koegler03,
 110   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
 111                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
 112                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
 113   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
 114                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
 115                  ions",
 116   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
 117   volume =       "76",
 118   pages =        "827--835",
 119   month =        mar,
 120   year =         "2003",
 121   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
 122                  precipitation by interstitial and substitutional
 123                  carbon, both mechanisms explained + refs",
 124 }
 125
 126 @Article{skorupa96,
 127   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
 128                  silicon-related materials",
 129   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
 130   volume =       "44",
 131   number =       "2",
 132   pages =        "101--143",
 133   year =         "1996",
 134   note =         "",
 135   ISSN =         "0254-0584",
 136   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 137   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 138   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 139   notes =        "review of silicon carbon compound",
 140 }
 141
 142 @Book{laplace,
 143   author =       "P. S. de Laplace",
 144   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 145   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 146   volume =       "VII",
 147   publisher =    "Gauthier-Villars",
 148   year =         "1820",
 149 }
 150
 151 @Article{mattoni2007,
 152   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 153   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 154                  materials}",
 155   journal =      "Phys. Rev. B",
 156   year =         "2007",
 157   month =        dec,
 158   volume =       "76",
 159   number =       "22",
 160   pages =        "224103",
 161   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 162   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 163                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 164                  fracture, more available potentials, universal energy
 165                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 166 }
 167
 168 @Article{balamane92,
 169   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 170                  potentials",
 171   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 172   journal =      "Phys. Rev. B",
 173   volume =       "46",
 174   number =       "4",
 175   pages =        "2250--2279",
 176   numpages =     "29",
 177   year =         "1992",
 178   month =        jul,
 179   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 180   publisher =    "American Physical Society",
 181   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 182 }
 183
 184 @Article{koster2002,
 185   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 186                  bombardment",
 187   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 188   journal =      "Phys. Rev. B",
 189   volume =       "62",
 190   number =       "16",
 191   pages =        "11219--11224",
 192   numpages =     "5",
 193   year =         "2000",
 194   month =        oct,
 195   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 196   publisher =    "American Physical Society",
 197   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 198 }
 199
 200 @Article{breadmore99,
 201   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 202                  amorphization of silicon",
 203   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 204   journal =      "Phys. Rev. B",
 205   volume =       "60",
 206   number =       "18",
 207   pages =        "12610--12616",
 208   numpages =     "6",
 209   year =         "1999",
 210   month =        nov,
 211   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 212   publisher =    "American Physical Society",
 213   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 214 }
 215
 216 @Article{nielsen83,
 217   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 218   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 219   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 220   volume =       "50",
 221   number =       "9",
 222   pages =        "697--700",
 223   numpages =     "3",
 224   year =         "1983",
 225   month =        feb,
 226   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 227   publisher =    "American Physical Society",
 228   notes =        "generalization of virial theorem",
 229 }
 230
 231 @Article{nielsen85,
 232   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 233   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 234   journal =      "Phys. Rev. B",
 235   volume =       "32",
 236   number =       "6",
 237   pages =        "3780--3791",
 238   numpages =     "11",
 239   year =         "1985",
 240   month =        sep,
 241   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 242   publisher =    "American Physical Society",
 243   notes =        "dft virial stress and forces",
 244 }
 245
 246 @Article{moissan04,
 247   author =       "Henri Moissan",
 248   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 249                  Diablo",
 250   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 251   volume =       "139",
 252   pages =        "773--786",
 253   year =         "1904",
 254 }
 255
 256 @Book{park98,
 257   author =       "Y. S. Park",
 258   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 259   publisher =    "Academic Press",
 260   address =      "San Diego",
 261   year =         "1998",
 262 }
 263
 264 @Article{tsvetkov98,
 265   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 266                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 267   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 268   journal =      "Materials Science Forum",
 269   volume =       "264-268",
 270   pages =        "3--8",
 271   year =         "1998",
 272   notes =        "modified lely process, micropipes",
 273 }
 274
 275 @Article{verlet67,
 276   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 277                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 278   author =       "Loup Verlet",
 279   journal =      "Phys. Rev.",
 280   volume =       "159",
 281   number =       "1",
 282   pages =        "98",
 283   year =         "1967",
 284   month =        jul,
 285   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 286   publisher =    "American Physical Society",
 287   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 288                  motion",
 289 }
 290
 291 @Article{berendsen84,
 292   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 293                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 294   collaboration = "",
 295   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 296   publisher =    "AIP",
 297   year =         "1984",
 298   journal =      "J. Chem. Phys.",
 299   volume =       "81",
 300   number =       "8",
 301   pages =        "3684--3690",
 302   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 303                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 304   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 305   doi =          "10.1063/1.448118",
 306   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 307 }
 308
 309 @Article{huang95,
 310   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 311                  Baskes",
 312   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 313                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 314                  potentials",
 315   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 316   volume =       "3",
 317   number =       "5",
 318   pages =        "615--627",
 319   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 320   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 321                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 322   year =         "1995",
 323 }
 324
 325 @Article{brenner89,
 326   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 327                  Tersoff potentials",
 328   author =       "Donald W. Brenner",
 329   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 330   volume =       "63",
 331   number =       "9",
 332   pages =        "1022",
 333   numpages =     "1",
 334   year =         "1989",
 335   month =        aug,
 336   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 337   publisher =    "American Physical Society",
 338   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 339 }
 340
 341 @Article{batra87,
 342   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 343                  silicon",
 344   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 345   journal =      "Phys. Rev. B",
 346   volume =       "35",
 347   number =       "18",
 348   pages =        "9552--9558",
 349   numpages =     "6",
 350   year =         "1987",
 351   month =        jun,
 352   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 353   publisher =    "American Physical Society",
 354   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 355                  calculation of defect formation energy, defect
 356                  interstitial types",
 357 }
 358
 359 @Article{schober89,
 360   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 361   author =       "H. R. Schober",
 362   journal =      "Phys. Rev. B",
 363   volume =       "39",
 364   number =       "17",
 365   pages =        "13013--13015",
 366   numpages =     "2",
 367   year =         "1989",
 368   month =        jun,
 369   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 370   publisher =    "American Physical Society",
 371   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 372                  dumbbell configuration",
 373 }
 374
 375 @Article{gao02a,
 376   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 377                  Defect accumulation, topological features, and
 378                  disordering",
 379   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 380   journal =      "Phys. Rev. B",
 381   volume =       "66",
 382   number =       "2",
 383   pages =        "024106",
 384   numpages =     "10",
 385   year =         "2002",
 386   month =        jul,
 387   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 388   publisher =    "American Physical Society",
 389   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 390                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 391                  result analyze",
 392 }
 393
 394 @Article{devanathan98,
 395   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 396                  cascade in Si{C}",
 397   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 398   volume =       "141",
 399   number =       "1-4",
 400   pages =        "118--122",
 401   year =         "1998",
 402   ISSN =         "0168-583X",
 403   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 404   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 405                  Rubia",
 406   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 407                  3c-sic",
 408 }
 409
 410 @Article{devanathan98_2,
 411   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 412   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 413   volume =       "253",
 414   number =       "1-3",
 415   pages =        "47--52",
 416   year =         "1998",
 417   ISSN =         "0022-3115",
 418   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 419   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 420                  Weber",
 421   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 422                  tersoff",
 423 }
 424
 425 @Article{kitabatake00,
 426   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 427   author =       "M. Kitabatake",
 428   journal =      "Thin Solid Films",
 429   volume =       "369",
 430   pages =        "257--264",
 431   numpages =     "8",
 432   year =         "2000",
 433   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 434 }
 435
 436 @Article{tang97,
 437   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 438                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 439                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 440                  formation volumes",
 441   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 442                  Rubia",
 443   journal =      "Phys. Rev. B",
 444   volume =       "55",
 445   number =       "21",
 446   pages =        "14279--14289",
 447   numpages =     "10",
 448   year =         "1997",
 449   month =        jun,
 450   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 451   publisher =    "American Physical Society",
 452   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 453 }
 454
 455 @Article{johnson98,
 456   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 457                  Rubia",
 458   collaboration = "",
 459   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 460                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 461                  presence of carbon and boron",
 462   publisher =    "AIP",
 463   year =         "1998",
 464   journal =      "J. Appl. Phys.",
 465   volume =       "84",
 466   number =       "4",
 467   pages =        "1963--1967",
 468   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 469                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 470                  semiconductors; self-diffusion",
 471   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 472   doi =          "10.1063/1.368328",
 473   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 474                  diffsuion",
 475 }
 476
 477 @Article{bar-yam84,
 478   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 479                  Self-Interstitial",
 480   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 481   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 482   volume =       "52",
 483   number =       "13",
 484   pages =        "1129--1132",
 485   numpages =     "3",
 486   year =         "1984",
 487   month =        mar,
 488   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 489   publisher =    "American Physical Society",
 490   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 491 }
 492
 493 @Article{bar-yam84_2,
 494   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 495                  barriers of silicon self-interstitials",
 496   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 497   journal =      "Phys. Rev. B",
 498   volume =       "30",
 499   number =       "4",
 500   pages =        "1844--1852",
 501   numpages =     "8",
 502   year =         "1984",
 503   month =        aug,
 504   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 505   publisher =    "American Physical Society",
 506 }
 507
 508 @Article{bloechl93,
 509   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 510                  constants in silicon",
 511   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 512                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 513   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 514   volume =       "70",
 515   number =       "16",
 516   pages =        "2435--2438",
 517   numpages =     "3",
 518   year =         "1993",
 519   month =        apr,
 520   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 521   publisher =    "American Physical Society",
 522   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 523                  entropy calculations",
 524 }
 525
 526 @Article{colombo02,
 527   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 528                  silicon",
 529   author =       "L. Colombo",
 530   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 531   volume =       "32",
 532   pages =        "271--295",
 533   numpages =     "25",
 534   year =         "2002",
 535   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 536   publisher =    "Annual Reviews",
 537   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 538 }
 539
 540 @Article{al-mushadani03,
 541   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 542                  silicon",
 543   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 544   journal =      "Phys. Rev. B",
 545   volume =       "68",
 546   number =       "23",
 547   pages =        "235205",
 548   numpages =     "8",
 549   year =         "2003",
 550   month =        dec,
 551   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 552   publisher =    "American Physical Society",
 553   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 554                  silicon, si self interstitials, free energy",
 555 }
 556
 557 @Article{goedecker02,
 558   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 559   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 560   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 561   volume =       "88",
 562   number =       "23",
 563   pages =        "235501",
 564   numpages =     "4",
 565   year =         "2002",
 566   month =        may,
 567   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 568   publisher =    "American Physical Society",
 569   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 570                  silicon",
 571 }
 572
 573 @Article{sahli05,
 574   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 575                  self-interstitial diffusion in silicon",
 576   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 577   journal =      "Phys. Rev. B",
 578   volume =       "72",
 579   number =       "24",
 580   pages =        "245210",
 581   numpages =     "6",
 582   year =         "2005",
 583   month =        dec,
 584   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 585   publisher =    "American Physical Society",
 586   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 587                  mapping applied",
 588 }
 589
 590 @Article{hobler05,
 591   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 592                  native point defects in silicon",
 593   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 594   volume =       "124-125",
 595   number =       "",
 596   pages =        "368--371",
 597   year =         "2005",
 598   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 599                  Issues for Future Technologies",
 600   ISSN =         "0921-5107",
 601   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 602   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 603   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 604   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 605                  radius",
 606 }
 607
 608 @Article{ma10,
 609   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 610                  wide temperature range: Point defect states and
 611                  migration mechanisms",
 612   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 613   journal =      "Phys. Rev. B",
 614   volume =       "81",
 615   number =       "19",
 616   pages =        "193203",
 617   numpages =     "4",
 618   year =         "2010",
 619   month =        may,
 620   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 621   publisher =    "American Physical Society",
 622   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 623 }
 624
 625 @Article{posselt06,
 626   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 627                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 628   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 629   journal =      "Phys. Rev. B",
 630   volume =       "73",
 631   number =       "12",
 632   pages =        "125206",
 633   numpages =     "8",
 634   year =         "2006",
 635   month =        mar,
 636   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 637   publisher =    "American Physical Society",
 638 }
 639
 640 @Article{posselt08,
 641   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 642                  migration mechanisms of vacancies and
 643                  self-interstitials: An atomistic study",
 644   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 645   journal =      "Phys. Rev. B",
 646   volume =       "78",
 647   number =       "3",
 648   pages =        "035208",
 649   numpages =     "9",
 650   year =         "2008",
 651   month =        jul,
 652   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 653   publisher =    "American Physical Society",
 654   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 655                  weber and tersoff",
 656 }
 657
 658 @Article{gao2001,
 659   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 660                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 661   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 662                  Corrales",
 663   journal =      "Phys. Rev. B",
 664   volume =       "64",
 665   number =       "24",
 666   pages =        "245208",
 667   numpages =     "7",
 668   year =         "2001",
 669   month =        dec,
 670   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 671   publisher =    "American Physical Society",
 672   notes =        "defects in 3c-sic",
 673 }
 674
 675 @Article{gao02,
 676   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 677                  3{C}-Si{C}",
 678   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 679   volume =       "191",
 680   number =       "1-4",
 681   pages =        "487--496",
 682   year =         "2002",
 683   note =         "",
 684   ISSN =         "0168-583X",
 685   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 686   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 687   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 688   keywords =     "Empirical potential",
 689   keywords =     "Defect properties",
 690   keywords =     "Silicon carbide",
 691   keywords =     "Computer simulation",
 692   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 693 }
 694
 695 @Article{gao04,
 696   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 697                  3{C}-Si{C}",
 698   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 699                  Belko",
 700   journal =      "Phys. Rev. B",
 701   volume =       "69",
 702   number =       "24",
 703   pages =        "245205",
 704   numpages =     "5",
 705   year =         "2004",
 706   month =        jun,
 707   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 708   publisher =    "American Physical Society",
 709   notes =        "defect migration in sic",
 710 }
 711
 712 @Article{gao07,
 713   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 714                  W. J. Weber",
 715   collaboration = "",
 716   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 717                  in cubic silicon carbide",
 718   publisher =    "AIP",
 719   year =         "2007",
 720   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 721   volume =       "90",
 722   number =       "22",
 723   eid =          "221915",
 724   numpages =     "3",
 725   pages =        "221915",
 726   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 727                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 728                  dynamics method; density functional theory;
 729                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 730                  impurities; diffusion",
 731   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 732   doi =          "10.1063/1.2743751",
 733 }
 734
 735 @Article{mattoni2002,
 736   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 737                  crystalline silicon",
 738   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 739   journal =      "Phys. Rev. B",
 740   volume =       "66",
 741   number =       "19",
 742   pages =        "195214",
 743   numpages =     "6",
 744   year =         "2002",
 745   month =        nov,
 746   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 747   publisher =    "American Physical Society",
 748   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 749                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 750                  tersoff suitability",
 751 }
 752
 753 @Article{leung99,
 754   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 755   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 756                  Itoh and S. Ihara",
 757   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 758   volume =       "83",
 759   number =       "12",
 760   pages =        "2351--2354",
 761   numpages =     "3",
 762   year =         "1999",
 763   month =        sep,
 764   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 765   publisher =    "American Physical Society",
 766   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 767                  refs",
 768 }
 769
 770 @Article{capaz94,
 771   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 772                  carbon in silicon",
 773   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 774   journal =      "Phys. Rev. B",
 775   volume =       "50",
 776   number =       "11",
 777   pages =        "7439--7442",
 778   numpages =     "3",
 779   year =         "1994",
 780   month =        sep,
 781   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 782   publisher =    "American Physical Society",
 783   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 784                  dumbbell",
 785 }
 786
 787 @Article{capaz98,
 788   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 789   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 790   journal =      "Phys. Rev. B",
 791   volume =       "58",
 792   number =       "15",
 793   pages =        "9845--9850",
 794   numpages =     "5",
 795   year =         "1998",
 796   month =        oct,
 797   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 798   publisher =    "American Physical Society",
 799   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 800 }
 801
 802 @Article{song90_2,
 803   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 804                  pair in silicon",
 805   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 806                  Watkins",
 807   journal =      "Phys. Rev. B",
 808   volume =       "42",
 809   number =       "9",
 810   pages =        "5765--5783",
 811   numpages =     "18",
 812   year =         "1990",
 813   month =        sep,
 814   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 815   publisher =    "American Physical Society",
 816   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 817 }
 818
 819 @Article{liu02,
 820   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 821                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 822   collaboration = "",
 823   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 824                  interactions in Si",
 825   publisher =    "AIP",
 826   year =         "2002",
 827   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 828   volume =       "80",
 829   number =       "1",
 830   pages =        "52--54",
 831   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 832                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 833                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 834   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 835   doi =          "10.1063/1.1430505",
 836   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 837 }
 838
 839 @Article{dal_pino93,
 840   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 841                  silicon",
 842   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 843                  Joannopoulos",
 844   journal =      "Phys. Rev. B",
 845   volume =       "47",
 846   number =       "19",
 847   pages =        "12554--12557",
 848   numpages =     "3",
 849   year =         "1993",
 850   month =        may,
 851   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 852   publisher =    "American Physical Society",
 853   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 854 }
 855
 856 @Article{car84,
 857   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 858                  Silicon",
 859   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 860                  Sokrates T. Pantelides",
 861   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 862   volume =       "52",
 863   number =       "20",
 864   pages =        "1814--1817",
 865   numpages =     "3",
 866   year =         "1984",
 867   month =        may,
 868   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 869   publisher =    "American Physical Society",
 870   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 871                  path formation",
 872 }
 873
 874 @Article{car85,
 875   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 876                  Density-Functional Theory",
 877   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 878   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 879   volume =       "55",
 880   number =       "22",
 881   pages =        "2471--2474",
 882   numpages =     "3",
 883   year =         "1985",
 884   month =        nov,
 885   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 886   publisher =    "American Physical Society",
 887   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 888 }
 889
 890 @Article{kelires97,
 891   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 892                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 893   author =       "P. C. Kelires",
 894   journal =      "Phys. Rev. B",
 895   volume =       "55",
 896   number =       "14",
 897   pages =        "8784--8787",
 898   numpages =     "3",
 899   year =         "1997",
 900   month =        apr,
 901   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 902   publisher =    "American Physical Society",
 903   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 904                  neighbour dist",
 905 }
 906
 907 @Article{kelires95,
 908   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 909                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 910   author =       "P. C. Kelires",
 911   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 912   volume =       "75",
 913   number =       "6",
 914   pages =        "1114--1117",
 915   numpages =     "3",
 916   year =         "1995",
 917   month =        aug,
 918   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 919   publisher =    "American Physical Society",
 920   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 921 }
 922
 923 @Article{bean70,
 924   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 925                  containing carbon",
 926   journal =      "Solid State Communications",
 927   volume =       "8",
 928   number =       "3",
 929   pages =        "175--177",
 930   year =         "1970",
 931   note =         "",
 932   ISSN =         "0038-1098",
 933   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 934   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 935   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 936 }
 937
 938 @Article{watkins76,
 939   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 940                  Atom in Silicon",
 941   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 942   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 943   volume =       "36",
 944   number =       "22",
 945   pages =        "1329--1332",
 946   numpages =     "3",
 947   year =         "1976",
 948   month =        may,
 949   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 950   publisher =    "American Physical Society",
 951   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 952                  silicon",
 953 }
 954
 955 @Article{song90,
 956   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 957                  interstitial carbon in silicon",
 958   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 959   journal =      "Phys. Rev. B",
 960   volume =       "42",
 961   number =       "9",
 962   pages =        "5759--5764",
 963   numpages =     "5",
 964   year =         "1990",
 965   month =        sep,
 966   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 967   publisher =    "American Physical Society",
 968   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 969 }
 970
 971 @Article{tipping87,
 972   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 973   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 974                  silicon",
 975   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
 976   volume =       "2",
 977   number =       "5",
 978   pages =        "315--317",
 979   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 980   year =         "1987",
 981   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 982                  silicon",
 983 }
 984
 985 @Article{isomae93,
 986   author =       "Seiichi Isomae and Tsutomu Ishiba and Toshio Ando and
 987                  Masao Tamura",
 988   collaboration = "",
 989   title =        "Annealing behavior of Me{V} implanted carbon in
 990                  silicon",
 991   publisher =    "AIP",
 992   year =         "1993",
 993   journal =      "Journal of Applied Physics",
 994   volume =       "74",
 995   number =       "6",
 996   pages =        "3815--3820",
 997   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; WAFERS; CARBON IONS; MEV
 998                  RANGE 0110; TEM; SIMS; INFRARED SPECTRA; STRAINS; DEPTH
 999                  PROFILES",
1000   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/3815/1",
1001   doi =          "10.1063/1.354474",
1002   notes =        "c at interstitial location for rt implantation in si",
1003 }
1004
1005 @Article{strane96,
1006   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
1007                  ion implantation and solid phase epitaxy",
1008   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
1009                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1010   journal =      "J. Appl. Phys.",
1011   volume =       "79",
1012   pages =        "637",
1013   year =         "1996",
1014   month =        jan,
1015   doi =          "10.1063/1.360806",
1016   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
1017 }
1018
1019 @Article{laveant2002,
1020   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1021   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1022   volume =       "89",
1023   number =       "1-3",
1024   pages =        "241--245",
1025   year =         "2002",
1026   ISSN =         "0921-5107",
1027   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1028   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1029   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1030                  G{\"{o}}sele",
1031   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1032                  stress, avoid sic precipitation",
1033 }
1034
1035 @Article{foell77,
1036   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1037                  agglomeration of self-interstitials",
1038   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1039   volume =       "40",
1040   number =       "1",
1041   pages =        "90--108",
1042   year =         "1977",
1043   note =         "",
1044   ISSN =         "0022-0248",
1045   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1046   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1047   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1048   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1049                  agglomerate",
1050 }
1051
1052 @Article{foell81,
1053   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1054                  defects",
1055   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1056   volume =       "52",
1057   number =       "Part 2",
1058   pages =        "907--916",
1059   year =         "1981",
1060   note =         "",
1061   ISSN =         "0022-0248",
1062   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1063   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1064   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1065   notes =        "swirl review",
1066 }
1067
1068 @Article{werner97,
1069   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1070                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1071   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1072                  silicon by transmission electron microscopy",
1073   publisher =    "AIP",
1074   year =         "1997",
1075   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1076   volume =       "70",
1077   number =       "2",
1078   pages =        "252--254",
1079   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1080                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1081                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1082                  layers; precipitation",
1083   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1084   doi =          "10.1063/1.118381",
1085   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1086                  precipitate",
1087 }
1088
1089 @InProceedings{werner96,
1090   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1091                  Eichler",
1092   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
1093                  International Conference on",
1094   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1095                  implanted silicon",
1096   year =         "1996",
1097   month =        jun,
1098   volume =       "",
1099   number =       "",
1100   pages =        "675--678",
1101   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1102   ISSN =         "",
1103   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1104 }
1105
1106 @Article{werner98,
1107   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1108                  D. C. Jacobson",
1109   collaboration = "",
1110   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1111   publisher =    "AIP",
1112   year =         "1998",
1113   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1114   volume =       "73",
1115   number =       "17",
1116   pages =        "2465--2467",
1117   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1118                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1119                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1120                  impurity distribution",
1121   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1122   doi =          "10.1063/1.122483",
1123   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1124 }
1125
1126 @Article{kalejs84,
1127   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1128   collaboration = "",
1129   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1130                  silicon",
1131   publisher =    "AIP",
1132   year =         "1984",
1133   journal =      "Applied Physics Letters",
1134   volume =       "45",
1135   number =       "3",
1136   pages =        "268--269",
1137   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1138                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1139                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1140   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1141   doi =          "10.1063/1.95167",
1142   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1143 }
1144
1145 @Article{strane93,
1146   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and B. L.
1147                  Doyle and S. T. Picraux and J. W. Mayer",
1148   collaboration = "",
1149   title =        "Metastable SiGe{C} formation by solid phase epitaxy",
1150   publisher =    "AIP",
1151   year =         "1993",
1152   journal =      "Applied Physics Letters",
1153   volume =       "63",
1154   number =       "20",
1155   pages =        "2786--2788",
1156   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; TERNARY ALLOY
1157                  SYSTEMS; EPITAXY; ION IMPLANTATION; METASTABLE STATES;
1158                  ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; RUTHERFORD
1159                  SCATTERING; XRAY DIFFRACTION; STRAINS; SOLIDPHASE
1160                  EPITAXY; AMORPHIZATION",
1161   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/63/2786/1",
1162   doi =          "10.1063/1.110334",
1163 }
1164
1165 @Article{strane94,
1166   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1167                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1168   collaboration = "",
1169   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1170                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1171   publisher =    "AIP",
1172   year =         "1994",
1173   journal =      "J. Appl. Phys.",
1174   volume =       "76",
1175   number =       "6",
1176   pages =        "3656--3668",
1177   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1178   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1179   doi =          "10.1063/1.357429",
1180   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1181                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1182                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1183                  energy",
1184 }
1185
1186 @Article{fischer95,
1187   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1188                  Osten",
1189   collaboration = "",
1190   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1191                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1192   publisher =    "AIP",
1193   year =         "1995",
1194   journal =      "J. Appl. Phys.",
1195   volume =       "77",
1196   number =       "5",
1197   pages =        "1934--1937",
1198   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1199                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1200                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1201                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1202   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1203   doi =          "10.1063/1.358826",
1204 }
1205
1206 @Article{edgar92,
1207   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1208                  semiconductors",
1209   author =       "J. H. Edgar",
1210   journal =      "J. Mater. Res.",
1211   volume =       "7",
1212   pages =        "235",
1213   year =         "1992",
1214   month =        jan,
1215   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1216   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1217                  polytypes",
1218 }
1219
1220 @Article{zirkelbach2007,
1221   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1222                  process leading to ordered precipitate structures",
1223   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1224                  and B. Stritzker",
1225   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1226   volume =       "257",
1227   number =       "1--2",
1228   pages =        "75--79",
1229   numpages =     "5",
1230   year =         "2007",
1231   month =        apr,
1232   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1233   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1234                  NETHERLANDS",
1235 }
1236
1237 @Article{zirkelbach2006,
1238   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1239                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1240                  during ion irradiation",
1241   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1242                  and B. Stritzker",
1243   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1244   volume =       "242",
1245   number =       "1--2",
1246   pages =        "679--682",
1247   numpages =     "4",
1248   year =         "2006",
1249   month =        jan,
1250   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1251   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1252                  NETHERLANDS",
1253 }
1254
1255 @Article{zirkelbach2005,
1256   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1257                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1258                  ion irradiation",
1259   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1260                  and B. Stritzker",
1261   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1262   volume =       "33",
1263   number =       "1--3",
1264   pages =        "310--316",
1265   numpages =     "7",
1266   year =         "2005",
1267   month =        apr,
1268   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1269   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1270                  NETHERLANDS",
1271 }
1272
1273 @Article{zirkelbach09,
1274   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1275                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1276   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1277   volume =       "159-160",
1278   number =       "",
1279   pages =        "149--152",
1280   year =         "2009",
1281   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1282                  Silicon Materials Research for Electronic and
1283                  Photovoltaic Applications",
1284   ISSN =         "0921-5107",
1285   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1286   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1287   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1288                  B. Stritzker",
1289   keywords =     "Silicon",
1290   keywords =     "Carbon",
1291   keywords =     "Silicon carbide",
1292   keywords =     "Nucleation",
1293   keywords =     "Defect formation",
1294   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1295 }
1296
1297 @Article{zirkelbach10,
1298   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1299                  classical potentials and first-principles methods",
1300   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1301                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1302   journal =      "Phys. Rev. B",
1303   volume =       "82",
1304   number =       "9",
1305   pages =        "094110",
1306   numpages =     "6",
1307   year =         "2010",
1308   month =        sep,
1309   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1310   publisher =    "American Physical Society",
1311 }
1312
1313 @Article{zirkelbach11a,
1314   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1315                  silicon",
1316   journal =      "to be published",
1317   volume =       "",
1318   number =       "",
1319   pages =        "",
1320   year =         "2011",
1321   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and J. K. N. Lindner
1322                  and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1323 }
1324
1325 @Article{zirkelbach11b,
1326   title =        "...",
1327   journal =      "to be published",
1328   volume =       "",
1329   number =       "",
1330   pages =        "",
1331   year =         "2011",
1332   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1333                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1334 }
1335
1336 @Article{lindner95,
1337   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1338                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1339   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1340                  Layers in Silicon",
1341   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
1342   volume =       "354",
1343   number =       "",
1344   pages =        "171",
1345   year =         "1994",
1346   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1347   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1348   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400420853",
1349   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1350 }
1351
1352 @Article{lindner96,
1353   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1354                  in silicon by ion beam synthesis",
1355   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
1356   volume =       "46",
1357   number =       "2-3",
1358   pages =        "147--155",
1359   year =         "1996",
1360   note =         "",
1361   ISSN =         "0254-0584",
1362   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1363   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1364   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1365                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1366                  Stritzker",
1367   notes =        "dose window",
1368 }
1369
1370 @Article{calcagno96,
1371   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1372                  ion implantation",
1373   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1374                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1375   volume =       "120",
1376   number =       "1-4",
1377   pages =        "121--124",
1378   year =         "1996",
1379   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1380                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1381   ISSN =         "0168-583X",
1382   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1383   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1384   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1385                  Grimaldi and P. Musumeci",
1386   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1387 }
1388
1389 @Article{lindner98,
1390   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1391                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1392   journal =      "Materials Science Forum",
1393   volume =       "264-268",
1394   pages =        "215--218",
1395   year =         "1998",
1396   note =         "",
1397   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1398   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1399   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1400   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1401                  crystallinity",
1402 }
1403
1404 @Article{lindner99,
1405   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1406                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1407                  layers in silicon",
1408   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1409   volume =       "147",
1410   number =       "1-4",
1411   pages =        "249--255",
1412   year =         "1999",
1413   note =         "",
1414   ISSN =         "0168-583X",
1415   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1416   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1417   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1418   notes =        "two-step implantation process",
1419 }
1420
1421 @Article{lindner99_2,
1422   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1423                  in silicon",
1424   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1425   volume =       "148",
1426   number =       "1-4",
1427   pages =        "528--533",
1428   year =         "1999",
1429   ISSN =         "0168-583X",
1430   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1431   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1432   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1433   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1434 }
1435
1436 @Article{lindner01,
1437   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1438                  Basic physical processes",
1439   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1440   volume =       "178",
1441   number =       "1-4",
1442   pages =        "44--54",
1443   year =         "2001",
1444   note =         "",
1445   ISSN =         "0168-583X",
1446   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1447   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1448   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1449 }
1450
1451 @Article{lindner02,
1452   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1453                  fundamental studies for new technological tricks",
1454   author =       "J. K. N. Lindner",
1455   journal =      "Appl. Phys. A",
1456   volume =       "77",
1457   pages =        "27--38",
1458   year =         "2003",
1459   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1460   notes =        "ibs, burried sic layers",
1461 }
1462
1463 @Article{lindner06,
1464   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1465                  formation and displacive precipitate resolution in the
1466                  {C}-Si system",
1467   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1468   volume =       "26",
1469   number =       "5-7",
1470   pages =        "857--861",
1471   year =         "2006",
1472   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1473                  Applications",
1474   ISSN =         "0928-4931",
1475   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1476   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1477   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1478                  and B. Stritzker",
1479   notes =        "c int diffusion barrier",
1480 }
1481
1482 @Article{ito04,
1483   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1484                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1485                  growth",
1486   journal =      "Applied Surface Science",
1487   volume =       "238",
1488   number =       "1-4",
1489   pages =        "159--164",
1490   year =         "2004",
1491   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1492   ISSN =         "0169-4332",
1493   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1494   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1495   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1496                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1497   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1498 }
1499
1500 @Article{yamamoto04,
1501   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1502                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1503                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1504   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1505   volume =       "261",
1506   number =       "2-3",
1507   pages =        "266--270",
1508   year =         "2004",
1509   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1510                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1511   ISSN =         "0022-0248",
1512   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1513   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1514   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1515                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1516   notes =        "gan on 3c-sic",
1517 }
1518
1519 @Article{liu_l02,
1520   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1521   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1522   volume =       "37",
1523   number =       "3",
1524   pages =        "61--127",
1525   year =         "2002",
1526   note =         "",
1527   ISSN =         "0927-796X",
1528   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1529   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1530   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1531   notes =        "gan substrates",
1532 }
1533
1534 @Article{takeuchi91,
1535   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1536                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1537   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1538   volume =       "115",
1539   number =       "1-4",
1540   pages =        "634--638",
1541   year =         "1991",
1542   note =         "",
1543   ISSN =         "0022-0248",
1544   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1545   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1546   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1547                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1548   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1549 }
1550
1551 @Article{alder57,
1552   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1553   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1554   publisher =    "AIP",
1555   year =         "1957",
1556   journal =      "J. Chem. Phys.",
1557   volume =       "27",
1558   number =       "5",
1559   pages =        "1208--1209",
1560   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1561   doi =          "10.1063/1.1743957",
1562 }
1563
1564 @Article{alder59,
1565   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1566   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1567   publisher =    "AIP",
1568   year =         "1959",
1569   journal =      "J. Chem. Phys.",
1570   volume =       "31",
1571   number =       "2",
1572   pages =        "459--466",
1573   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1574   doi =          "10.1063/1.1730376",
1575 }
1576
1577 @Article{tersoff_si1,
1578   title =        "New empirical model for the structural properties of
1579                  silicon",
1580   author =       "J. Tersoff",
1581   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1582   volume =       "56",
1583   number =       "6",
1584   pages =        "632--635",
1585   numpages =     "3",
1586   year =         "1986",
1587   month =        feb,
1588   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1589   publisher =    "American Physical Society",
1590 }
1591
1592 @Article{tersoff_si2,
1593   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1594                  covalent systems",
1595   author =       "J. Tersoff",
1596   journal =      "Phys. Rev. B",
1597   volume =       "37",
1598   number =       "12",
1599   pages =        "6991--7000",
1600   numpages =     "9",
1601   year =         "1988",
1602   month =        apr,
1603   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1604   publisher =    "American Physical Society",
1605 }
1606
1607 @Article{tersoff_si3,
1608   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1609                  improved elastic properties",
1610   author =       "J. Tersoff",
1611   journal =      "Phys. Rev. B",
1612   volume =       "38",
1613   number =       "14",
1614   pages =        "9902--9905",
1615   numpages =     "3",
1616   year =         "1988",
1617   month =        nov,
1618   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1619   publisher =    "American Physical Society",
1620 }
1621
1622 @Article{tersoff_c,
1623   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1624                  Applications to Amorphous Carbon",
1625   author =       "J. Tersoff",
1626   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1627   volume =       "61",
1628   number =       "25",
1629   pages =        "2879--2882",
1630   numpages =     "3",
1631   year =         "1988",
1632   month =        dec,
1633   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1634   publisher =    "American Physical Society",
1635 }
1636
1637 @Article{tersoff_m,
1638   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1639                  for multicomponent systems",
1640   author =       "J. Tersoff",
1641   journal =      "Phys. Rev. B",
1642   volume =       "39",
1643   number =       "8",
1644   pages =        "5566--5568",
1645   numpages =     "2",
1646   year =         "1989",
1647   month =        mar,
1648   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1649   publisher =    "American Physical Society",
1650 }
1651
1652 @Article{tersoff90,
1653   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1654   author =       "J. Tersoff",
1655   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1656   volume =       "64",
1657   number =       "15",
1658   pages =        "1757--1760",
1659   numpages =     "3",
1660   year =         "1990",
1661   month =        apr,
1662   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1663   publisher =    "American Physical Society",
1664 }
1665
1666 @Article{fahey89,
1667   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1668   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1669   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1670   volume =       "61",
1671   number =       "2",
1672   pages =        "289--384",
1673   numpages =     "95",
1674   year =         "1989",
1675   month =        apr,
1676   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1677   publisher =    "American Physical Society",
1678 }
1679
1680 @Article{wesch96,
1681   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1682   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1683   volume =       "116",
1684   number =       "1-4",
1685   pages =        "305--321",
1686   year =         "1996",
1687   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1688   ISSN =         "0168-583X",
1689   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1690   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1691   author =       "W. Wesch",
1692 }
1693
1694 @Article{davis91,
1695   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
1696                  Palmour and J. A. Edmond",
1697   journal =      "Proceedings of the IEEE",
1698   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
1699                  optoelectronic device fabrication and characterization
1700                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
1701   year =         "1991",
1702   month =        may,
1703   volume =       "79",
1704   number =       "5",
1705   pages =        "677--701",
1706   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
1707                  diode;SiC;dry etching;electrical
1708                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
1709                  device fabrication;solid-state devices;surface
1710                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
1711                  transistors;Schottky-barrier
1712                  diodes;etching;heterojunction bipolar
1713                  transistors;insulated gate field effect
1714                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
1715                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
1716   doi =          "10.1109/5.90132",
1717   ISSN =         "0018-9219",
1718   notes =        "sic growth methods",
1719 }
1720
1721 @Article{morkoc94,
1722   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1723                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1724   collaboration = "",
1725   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1726                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1727   publisher =    "AIP",
1728   year =         "1994",
1729   journal =      "J. Appl. Phys.",
1730   volume =       "76",
1731   number =       "3",
1732   pages =        "1363--1398",
1733   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1734                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1735                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1736                  FILMS; INDUSTRY",
1737   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1738   doi =          "10.1063/1.358463",
1739   notes =        "sic intro, properties",
1740 }
1741
1742 @Article{foo,
1743   author =       "Noch Unbekannt",
1744   title =        "How to find references",
1745   journal =      "Journal of Applied References",
1746   year =         "2009",
1747   volume =       "77",
1748   pages =        "1--23",
1749 }
1750
1751 @Article{tang95,
1752   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1753                  \beta{}-Si{C}",
1754   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1755   journal =      "Phys. Rev. B",
1756   volume =       "52",
1757   number =       "21",
1758   pages =        "15150--15159",
1759   numpages =     "9",
1760   year =         "1995",
1761   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1762   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1763                  tersoff reparametrization",
1764   publisher =    "American Physical Society",
1765 }
1766
1767 @Article{sarro00,
1768   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1769   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1770   volume =       "82",
1771   number =       "1-3",
1772   pages =        "210--218",
1773   year =         "2000",
1774   ISSN =         "0924-4247",
1775   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1776   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1777   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1778   keywords =     "MEMS",
1779   keywords =     "Silicon carbide",
1780   keywords =     "Micromachining",
1781   keywords =     "Mechanical stress",
1782 }
1783
1784 @Article{casady96,
1785   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1786                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1787                  review",
1788   journal =      "Solid-State Electronics",
1789   volume =       "39",
1790   number =       "10",
1791   pages =        "1409--1422",
1792   year =         "1996",
1793   ISSN =         "0038-1101",
1794   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1795   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1796   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1797   notes =        "sic intro",
1798 }
1799
1800 @Article{giancarli98,
1801   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1802                  structural material in fusion power reactor blankets",
1803   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1804   volume =       "41",
1805   number =       "1-4",
1806   pages =        "165--171",
1807   year =         "1998",
1808   ISSN =         "0920-3796",
1809   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1810   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1811   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1812                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1813 }
1814
1815 @Article{pensl93,
1816   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1817   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1818   volume =       "185",
1819   number =       "1-4",
1820   pages =        "264--283",
1821   year =         "1993",
1822   ISSN =         "0921-4526",
1823   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1824   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1825   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1826 }
1827
1828 @Article{tairov78,
1829   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1830                  carbide single crystals",
1831   journal =      "J. Cryst. Growth",
1832   volume =       "43",
1833   number =       "2",
1834   pages =        "209--212",
1835   year =         "1978",
1836   notes =        "modified lely process",
1837   ISSN =         "0022-0248",
1838   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1839   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1840   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1841 }
1842
1843 @Article{tairov81,
1844   title =        "General principles of growing large-size single
1845                  crystals of various silicon carbide polytypes",
1846   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1847   volume =       "52",
1848   number =       "Part 1",
1849   pages =        "146--150",
1850   year =         "1981",
1851   note =         "",
1852   ISSN =         "0022-0248",
1853   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
1854   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
1855   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1856 }
1857
1858 @Article{barrett91,
1859   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
1860   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1861   volume =       "109",
1862   number =       "1-4",
1863   pages =        "17--23",
1864   year =         "1991",
1865   note =         "",
1866   ISSN =         "0022-0248",
1867   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
1868   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
1869   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
1870                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
1871 }
1872
1873 @Article{barrett93,
1874   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
1875   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1876   volume =       "128",
1877   number =       "1-4",
1878   pages =        "358--362",
1879   year =         "1993",
1880   note =         "",
1881   ISSN =         "0022-0248",
1882   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
1883   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
1884   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
1885                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
1886                  W. J. Choyke",
1887 }
1888
1889 @Article{stein93,
1890   title =        "Control of polytype formation by surface energy
1891                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
1892                  sublimation method",
1893   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1894   volume =       "131",
1895   number =       "1-2",
1896   pages =        "71--74",
1897   year =         "1993",
1898   note =         "",
1899   ISSN =         "0022-0248",
1900   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
1901   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
1902   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
1903   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
1904 }
1905
1906 @Article{nishino83,
1907   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1908                  Will",
1909   collaboration = "",
1910   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1911                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1912   publisher =    "AIP",
1913   year =         "1983",
1914   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1915   volume =       "42",
1916   number =       "5",
1917   pages =        "460--462",
1918   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1919                  monocrystals",
1920   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1921   doi =          "10.1063/1.93970",
1922   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1923 }
1924
1925 @Article{nishino87,
1926   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1927                  and Hiroyuki Matsunami",
1928   collaboration = "",
1929   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1930                  Si{C} on silicon",
1931   publisher =    "AIP",
1932   year =         "1987",
1933   journal =      "J. Appl. Phys.",
1934   volume =       "61",
1935   number =       "10",
1936   pages =        "4889--4893",
1937   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1938   doi =          "10.1063/1.338355",
1939   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1940                  carbonization",
1941 }
1942
1943 @Article{powell87,
1944   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1945                  Kuczmarski",
1946   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1947                  Single-Crystal Films on Si",
1948   publisher =    "ECS",
1949   year =         "1987",
1950   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1951   volume =       "134",
1952   number =       "6",
1953   pages =        "1558--1565",
1954   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1955                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1956   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1957   doi =          "10.1149/1.2100708",
1958   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1959 }
1960
1961 @Article{powell87_2,
1962   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
1963                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
1964   collaboration = "",
1965   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
1966                  off-axis Si substrates",
1967   publisher =    "AIP",
1968   year =         "1987",
1969   journal =      "Applied Physics Letters",
1970   volume =       "51",
1971   number =       "11",
1972   pages =        "823--825",
1973   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
1974                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
1975                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
1976                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
1977                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
1978   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
1979   doi =          "10.1063/1.98824",
1980   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
1981 }
1982
1983 @Article{ueda90,
1984   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
1985   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1986   volume =       "104",
1987   number =       "3",
1988   pages =        "695--700",
1989   year =         "1990",
1990   note =         "",
1991   ISSN =         "0022-0248",
1992   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
1993   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
1994   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
1995                  Matsunami",
1996   notes =        "step-controlled epitaxy model",
1997 }
1998
1999 @Article{kimoto93,
2000   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
2001                  and Hiroyuki Matsunami",
2002   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
2003                  epitaxy",
2004   publisher =    "AIP",
2005   year =         "1993",
2006   journal =      "J. Appl. Phys.",
2007   volume =       "73",
2008   number =       "2",
2009   pages =        "726--732",
2010   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
2011                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
2012                  VAPOR DEPOSITION",
2013   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
2014   doi =          "10.1063/1.353329",
2015   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
2016 }
2017
2018 @Article{powell90_2,
2019   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2020                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2021                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2022   collaboration = "",
2023   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
2024                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2025   publisher =    "AIP",
2026   year =         "1990",
2027   journal =      "Applied Physics Letters",
2028   volume =       "56",
2029   number =       "15",
2030   pages =        "1442--1444",
2031   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2032                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
2033                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
2034                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
2035   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
2036   doi =          "10.1063/1.102492",
2037   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
2038 }
2039
2040 @Article{kong88_2,
2041   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2042   collaboration = "",
2043   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2044                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2045                  substrates",
2046   publisher =    "AIP",
2047   year =         "1988",
2048   journal =      "Journal of Applied Physics",
2049   volume =       "64",
2050   number =       "5",
2051   pages =        "2672--2679",
2052   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2053                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2054                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2055                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2056                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2057   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2058   doi =          "10.1063/1.341608",
2059 }
2060
2061 @Article{powell90,
2062   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2063                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2064                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2065   collaboration = "",
2066   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2067                  6{H}-Si{C} substrates",
2068   publisher =    "AIP",
2069   year =         "1990",
2070   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2071   volume =       "56",
2072   number =       "14",
2073   pages =        "1353--1355",
2074   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2075                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2076                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2077                  PHASE EPITAXY",
2078   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2079   doi =          "10.1063/1.102512",
2080   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2081 }
2082
2083 @Article{kong88,
2084   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2085                  Rozgonyi and K. L. More",
2086   collaboration = "",
2087   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2088                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2089                  substrates",
2090   publisher =    "AIP",
2091   year =         "1988",
2092   journal =      "Journal of Applied Physics",
2093   volume =       "63",
2094   number =       "8",
2095   pages =        "2645--2650",
2096   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2097                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2098                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2099                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2100                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2101   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2102   doi =          "10.1063/1.341004",
2103 }
2104
2105 @Article{powell91,
2106   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2107                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2108                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2109   collaboration = "",
2110   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2111                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2112   publisher =    "AIP",
2113   year =         "1991",
2114   journal =      "Applied Physics Letters",
2115   volume =       "59",
2116   number =       "3",
2117   pages =        "333--335",
2118   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2119                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2120                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2121   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2122   doi =          "10.1063/1.105587",
2123 }
2124
2125 @Article{yuan95,
2126   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2127                  Thokala and M. J. Loboda",
2128   collaboration = "",
2129   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2130                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2131                  silacyclobutane",
2132   publisher =    "AIP",
2133   year =         "1995",
2134   journal =      "J. Appl. Phys.",
2135   volume =       "78",
2136   number =       "2",
2137   pages =        "1271--1273",
2138   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2139                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2140                  SPECTROPHOTOMETRY",
2141   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2142   doi =          "10.1063/1.360368",
2143   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2144 }
2145
2146 @Article{kaneda87,
2147   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2148                  properties of its p-n junction",
2149   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2150   volume =       "81",
2151   number =       "1-4",
2152   pages =        "536--542",
2153   year =         "1987",
2154   note =         "",
2155   ISSN =         "0022-0248",
2156   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2157   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2158   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2159                  and Takao Tanaka",
2160   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2161 }
2162
2163 @Article{fissel95,
2164   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2165                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2166                  molecular beam epitaxy",
2167   journal =      "J. Cryst. Growth",
2168   volume =       "154",
2169   number =       "1-2",
2170   pages =        "72--80",
2171   year =         "1995",
2172   ISSN =         "0022-0248",
2173   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2174   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2175   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2176                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2177   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2178 }
2179
2180 @Article{fissel95_apl,
2181   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2182   collaboration = "",
2183   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2184                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2185   publisher =    "AIP",
2186   year =         "1995",
2187   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2188   volume =       "66",
2189   number =       "23",
2190   pages =        "3182--3184",
2191   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2192                  RHEED; NUCLEATION",
2193   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2194   doi =          "10.1063/1.113716",
2195   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2196 }
2197
2198 @Article{fissel96,
2199   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2200                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2201   collaboration = "",
2202   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2203                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2204                  level using surface superstructures",
2205   publisher =    "AIP",
2206   year =         "1996",
2207   journal =      "Applied Physics Letters",
2208   volume =       "68",
2209   number =       "9",
2210   pages =        "1204--1206",
2211   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2212                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2213                  SURFACE STRUCTURE",
2214   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2215   doi =          "10.1063/1.115969",
2216   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2217 }
2218
2219 @Article{righi03,
2220   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2221   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2222                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2223   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2224   volume =       "91",
2225   number =       "13",
2226   pages =        "136101",
2227   numpages =     "4",
2228   year =         "2003",
2229   month =        sep,
2230   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2231   publisher =    "American Physical Society",
2232   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2233 }
2234
2235 @Article{borders71,
2236   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2237   collaboration = "",
2238   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2239                  {IMPLANTATION}",
2240   publisher =    "AIP",
2241   year =         "1971",
2242   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2243   volume =       "18",
2244   number =       "11",
2245   pages =        "509--511",
2246   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2247   doi =          "10.1063/1.1653516",
2248   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2249                  ideas",
2250 }
2251
2252 @Article{edelman76,
2253   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2254                  and E. V. Lubopytova",
2255   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2256                  by ion implantation",
2257   publisher =    "Taylor \& Francis",
2258   year =         "1976",
2259   journal =      "Radiation Effects",
2260   volume =       "29",
2261   number =       "1",
2262   pages =        "13--15",
2263   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2264   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2265                  single crystalline",
2266 }
2267
2268 @Article{akimchenko80,
2269   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2270                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2271   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2272                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2273   publisher =    "Taylor \& Francis",
2274   year =         "1980",
2275   journal =      "Radiation Effects",
2276   volume =       "48",
2277   number =       "1",
2278   pages =        "7",
2279   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2280   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2281 }
2282
2283 @Article{kimura81,
2284   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2285                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2286                  silicon",
2287   journal =      "Thin Solid Films",
2288   volume =       "81",
2289   number =       "4",
2290   pages =        "319--327",
2291   year =         "1981",
2292   note =         "",
2293   ISSN =         "0040-6090",
2294   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2295   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2296   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2297                  Yugo",
2298 }
2299
2300 @Article{kimura82,
2301   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2302                  the implantation of carbon ions into silicon",
2303   journal =      "Thin Solid Films",
2304   volume =       "94",
2305   number =       "3",
2306   pages =        "191--198",
2307   year =         "1982",
2308   note =         "",
2309   ISSN =         "0040-6090",
2310   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2311   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2312   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2313                  Yugo",
2314 }
2315
2316 @Article{reeson86,
2317   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2318                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2319                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2320   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2321                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2322   publisher =    "Taylor \& Francis",
2323   year =         "1986",
2324   journal =      "Radiation Effects",
2325   volume =       "99",
2326   number =       "1",
2327   pages =        "71--81",
2328   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2329   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or
2330                  time",
2331 }
2332
2333 @Article{reeson87,
2334   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2335                  J. Davis and G. E. Celler",
2336   collaboration = "",
2337   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2338                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2339   publisher =    "AIP",
2340   year =         "1987",
2341   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2342   volume =       "51",
2343   number =       "26",
2344   pages =        "2242--2244",
2345   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2346                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2347   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2348   doi =          "10.1063/1.98953",
2349   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2350 }
2351
2352 @Article{martin90,
2353   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2354                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2355   collaboration = "",
2356   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2357   publisher =    "AIP",
2358   year =         "1990",
2359   journal =      "Journal of Applied Physics",
2360   volume =       "67",
2361   number =       "6",
2362   pages =        "2908--2912",
2363   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2364                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2365                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2366                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2367                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2368                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2369   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2370   doi =          "10.1063/1.346092",
2371   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2372                  temepratures",
2373 }
2374
2375 @Article{scace59,
2376   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2377   collaboration = "",
2378   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2379   publisher =    "AIP",
2380   year =         "1959",
2381   journal =      "J. Chem. Phys.",
2382   volume =       "30",
2383   number =       "6",
2384   pages =        "1551--1555",
2385   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2386   doi =          "10.1063/1.1730236",
2387   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2388 }
2389
2390 @Article{hofker74,
2391   author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
2392                  Koeman",
2393   affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
2394                  Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
2395                  Netherlands",
2396   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
2397                  charge carrier and boron concentration profiles",
2398   journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
2399   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
2400   ISSN =         "0947-8396",
2401   keyword =      "Physics and Astronomy",
2402   pages =        "125--133",
2403   volume =       "4",
2404   issue =        "2",
2405   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
2406   note =         "10.1007/BF00884267",
2407   year =         "1974",
2408   notes =        "first time ted (only for boron?)",
2409 }
2410
2411 @Article{michel87,
2412   author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
2413                  H. Kastl",
2414   collaboration = "",
2415   title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
2416                  implanted boron into silicon",
2417   publisher =    "AIP",
2418   year =         "1987",
2419   journal =      "Applied Physics Letters",
2420   volume =       "50",
2421   number =       "7",
2422   pages =        "416--418",
2423   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
2424                  BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
2425                  HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
2426   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
2427   doi =          "10.1063/1.98160",
2428   notes =        "ted of boron in si",
2429 }
2430
2431 @Article{cowern90,
2432   author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
2433                  Jos",
2434   collaboration = "",
2435   title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
2436                  time, and matrix dependence of atomic and electrical
2437                  profiles",
2438   publisher =    "AIP",
2439   year =         "1990",
2440   journal =      "Journal of Applied Physics",
2441   volume =       "68",
2442   number =       "12",
2443   pages =        "6191--6198",
2444   keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
2445                  DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
2446                  CRYSTALS; AMORPHIZATION",
2447   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
2448   doi =          "10.1063/1.346910",
2449   notes =        "ted of boron in si",
2450 }
2451
2452 @Article{cowern96,
2453   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2454                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2455   collaboration = "",
2456   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2457                  {B} in silicon",
2458   publisher =    "AIP",
2459   year =         "1996",
2460   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2461   volume =       "68",
2462   number =       "8",
2463   pages =        "1150--1152",
2464   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2465                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2466                  SILICON",
2467   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2468   doi =          "10.1063/1.115706",
2469   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2470 }
2471
2472 @Article{stolk95,
2473   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2474                  of the silicon self-interstitial",
2475   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2476   volume =       "96",
2477   number =       "1-2",
2478   pages =        "187--195",
2479   year =         "1995",
2480   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2481                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2482   ISSN =         "0168-583X",
2483   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2484   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2485   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2486                  and J. M. Poate",
2487 }
2488
2489 @Article{stolk97,
2490   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2491                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2492                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2493                  E. Haynes",
2494   collaboration = "",
2495   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2496                  diffusion in ion-implanted silicon",
2497   publisher =    "AIP",
2498   year =         "1997",
2499   journal =      "J. Appl. Phys.",
2500   volume =       "81",
2501   number =       "9",
2502   pages =        "6031--6050",
2503   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2504   doi =          "10.1063/1.364452",
2505   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2506 }
2507
2508 @Article{powell94,
2509   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2510   collaboration = "",
2511   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2512                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2513   publisher =    "AIP",
2514   year =         "1994",
2515   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2516   volume =       "64",
2517   number =       "3",
2518   pages =        "324--326",
2519   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2520                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2521                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2522                  SYNTHESIS",
2523   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2524   doi =          "10.1063/1.111195",
2525   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2526 }
2527
2528 @Article{soref91,
2529   author =       "Richard A. Soref",
2530   collaboration = "",
2531   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2532                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2533   publisher =    "AIP",
2534   year =         "1991",
2535   journal =      "J. Appl. Phys.",
2536   volume =       "70",
2537   number =       "4",
2538   pages =        "2470--2472",
2539   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2540                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2541                  TERNARY ALLOYS",
2542   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2543   doi =          "10.1063/1.349403",
2544   notes =        "band gap of strained si by c",
2545 }
2546
2547 @Article{kasper91,
2548   author =       "E Kasper",
2549   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2550                  possibility to produce direct band gap material",
2551   journal =      "Physica Scripta",
2552   volume =       "T35",
2553   pages =        "232--236",
2554   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2555   year =         "1991",
2556   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2557                  quasi-direct one",
2558 }
2559
2560 @Conference{powell93,
2561   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and F. E. LeGoues and B. A.
2562                  Ek and S. S. Iyer",
2563   collaboration = "",
2564   title =        "Stability of strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random
2565                  alloy layers",
2566   publisher =    "AVS",
2567   year =         "1993",
2568   journal =      "J. Vac. Sci. Technol. B",
2569   volume =       "11",
2570   number =       "3",
2571   pages =        "1064--1068",
2572   location =     "Ottawa (Canada)",
2573   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; STRAINS; THICKNESS;
2574                  METASTABLE PHASES; TWINNING; DISLOCATIONS; MOLECULAR
2575                  BEAM EPITAXY; EPITAXIAL LAYERS; CRITICAL PHENOMENA;
2576                  TEMPERATURE RANGE 400--1000 K; BINARY ALLOYS",
2577   URL =          "http://link.aip.org/link/?JVB/11/1064/1",
2578   doi =          "10.1116/1.587008",
2579   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2580 }
2581
2582 @Article{osten99,
2583   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2584   collaboration = "",
2585   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2586                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2587                  molecular beam epitaxy",
2588   publisher =    "AIP",
2589   year =         "1999",
2590   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2591   volume =       "74",
2592   number =       "6",
2593   pages =        "836--838",
2594   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2595                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2596                  compounds",
2597   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2598   doi =          "10.1063/1.123384",
2599   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2600 }
2601
2602 @Article{hohenberg64,
2603   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2604   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2605   journal =      "Phys. Rev.",
2606   volume =       "136",
2607   number =       "3B",
2608   pages =        "B864--B871",
2609   numpages =     "7",
2610   year =         "1964",
2611   month =        nov,
2612   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2613   publisher =    "American Physical Society",
2614   notes =        "density functional theory, dft",
2615 }
2616
2617 @Article{kohn65,
2618   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2619                  Correlation Effects",
2620   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2621   journal =      "Phys. Rev.",
2622   volume =       "140",
2623   number =       "4A",
2624   pages =        "A1133--A1138",
2625   numpages =     "5",
2626   year =         "1965",
2627   month =        nov,
2628   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2629   publisher =    "American Physical Society",
2630   notes =        "dft, exchange and correlation",
2631 }
2632
2633 @Article{ruecker94,
2634   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
2635                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
2636   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
2637                  J. Osten",
2638   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2639   volume =       "72",
2640   number =       "22",
2641   pages =        "3578--3581",
2642   numpages =     "3",
2643   year =         "1994",
2644   month =        may,
2645   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
2646   publisher =    "American Physical Society",
2647   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
2648                  si, dft",
2649 }
2650
2651 @Article{yagi02,
2652   title =        "Phosphorous Doping of Strain-Induced
2653                  Si$_{1-y}${C}$_{y}$ Epitaxial Films Grown\\
2654                  by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition",
2655   author =       "Shuhei Yagi and Katsuya Abe and Takashi Okabayashi and
2656                  Yuichi Yoneyama and Akira Yamada and Makoto Konagai",
2657   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2658   volume =       "41",
2659   number =       "Part 1, No. 4B",
2660   pages =        "2472--2475",
2661   numpages =     "3",
2662   year =         "2002",
2663   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/41/2472/",
2664   doi =          "10.1143/JJAP.41.2472",
2665   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2666   notes =        "experimental charge carrier mobility in strained si",
2667 }
2668
2669 @Article{chang05,
2670   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
2671                  Alloy",
2672   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
2673   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2674   volume =       "44",
2675   number =       "4B",
2676   pages =        "2257--2262",
2677   numpages =     "5",
2678   year =         "2005",
2679   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
2680   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
2681   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2682   notes =        "enhance of electron mobility in strained si",
2683 }
2684
2685 @Article{osten97,
2686   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
2687   collaboration = "",
2688   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2689                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
2690                  Si(001)",
2691   publisher =    "AIP",
2692   year =         "1997",
2693   journal =      "J. Appl. Phys.",
2694   volume =       "82",
2695   number =       "10",
2696   pages =        "4977--4981",
2697   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
2698                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
2699                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
2700   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
2701   doi =          "10.1063/1.366364",
2702   notes =        "charge transport in strained si",
2703 }
2704
2705 @Article{kapur04,
2706   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
2707                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
2708   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
2709   journal =      "Phys. Rev. B",
2710   volume =       "69",
2711   number =       "15",
2712   pages =        "155214",
2713   numpages =     "8",
2714   year =         "2004",
2715   month =        apr,
2716   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
2717   publisher =    "American Physical Society",
2718   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
2719 }
2720
2721 @Article{barkema96,
2722   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
2723                  Systems",
2724   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
2725   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2726   volume =       "77",
2727   number =       "21",
2728   pages =        "4358--4361",
2729   numpages =     "3",
2730   year =         "1996",
2731   month =        nov,
2732   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
2733   publisher =    "American Physical Society",
2734   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
2735                  dynamic mds",
2736 }
2737
2738 @Article{cances09,
2739   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
2740                  Minoukadeh and F. Willaime",
2741   collaboration = "",
2742   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
2743                  technique method for finding transition pathways on
2744                  potential energy surfaces",
2745   publisher =    "AIP",
2746   year =         "2009",
2747   journal =      "J. Chem. Phys.",
2748   volume =       "130",
2749   number =       "11",
2750   eid =          "114711",
2751   numpages =     "6",
2752   pages =        "114711",
2753   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
2754                  surfaces; vacancies (crystal)",
2755   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
2756   doi =          "10.1063/1.3088532",
2757   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
2758                  transition pathways",
2759 }
2760
2761 @Article{parrinello81,
2762   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
2763   collaboration = "",
2764   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
2765                  molecular dynamics method",
2766   publisher =    "AIP",
2767   year =         "1981",
2768   journal =      "J. Appl. Phys.",
2769   volume =       "52",
2770   number =       "12",
2771   pages =        "7182--7190",
2772   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
2773                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
2774                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
2775                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
2776                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
2777                  IMPACT SHOCK",
2778   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2779   doi =          "10.1063/1.328693",
2780 }
2781
2782 @Article{stillinger85,
2783   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
2784                  of silicon",
2785   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
2786   journal =      "Phys. Rev. B",
2787   volume =       "31",
2788   number =       "8",
2789   pages =        "5262--5271",
2790   numpages =     "9",
2791   year =         "1985",
2792   month =        apr,
2793   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
2794   publisher =    "American Physical Society",
2795 }
2796
2797 @Article{brenner90,
2798   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
2799                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
2800                  films",
2801   author =       "Donald W. Brenner",
2802   journal =      "Phys. Rev. B",
2803   volume =       "42",
2804   number =       "15",
2805   pages =        "9458--9471",
2806   numpages =     "13",
2807   year =         "1990",
2808   month =        nov,
2809   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
2810   publisher =    "American Physical Society",
2811   notes =        "brenner hydro carbons",
2812 }
2813
2814 @Article{bazant96,
2815   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
2816                  Cohesive Energy Curves",
2817   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
2818   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2819   volume =       "77",
2820   number =       "21",
2821   pages =        "4370--4373",
2822   numpages =     "3",
2823   year =         "1996",
2824   month =        nov,
2825   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
2826   publisher =    "American Physical Society",
2827   notes =        "first si edip",
2828 }
2829
2830 @Article{bazant97,
2831   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
2832                  silicon",
2833   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
2834                  Justo",
2835   journal =      "Phys. Rev. B",
2836   volume =       "56",
2837   number =       "14",
2838   pages =        "8542--8552",
2839   numpages =     "10",
2840   year =         "1997",
2841   month =        oct,
2842   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
2843   publisher =    "American Physical Society",
2844   notes =        "second si edip",
2845 }
2846
2847 @Article{justo98,
2848   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
2849                  disordered phases",
2850   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
2851                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
2852   journal =      "Phys. Rev. B",
2853   volume =       "58",
2854   number =       "5",
2855   pages =        "2539--2550",
2856   numpages =     "11",
2857   year =         "1998",
2858   month =        aug,
2859   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
2860   publisher =    "American Physical Society",
2861   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
2862 }
2863
2864 @Article{parcas_md,
2865   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
2866   author =       "K. Nordlund",
2867   year =         "2008",
2868 }
2869
2870 @Article{voter97,
2871   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
2872                  Infrequent Events",
2873   author =       "Arthur F. Voter",
2874   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2875   volume =       "78",
2876   number =       "20",
2877   pages =        "3908--3911",
2878   numpages =     "3",
2879   year =         "1997",
2880   month =        may,
2881   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
2882   publisher =    "American Physical Society",
2883   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
2884 }
2885
2886 @Article{voter97_2,
2887   author =       "Arthur F. Voter",
2888   collaboration = "",
2889   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
2890                  simulation of infrequent events",
2891   publisher =    "AIP",
2892   year =         "1997",
2893   journal =      "J. Chem. Phys.",
2894   volume =       "106",
2895   number =       "11",
2896   pages =        "4665--4677",
2897   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
2898                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
2899                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
2900                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2901                  theory; potential energy surfaces",
2902   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2903   doi =          "10.1063/1.473503",
2904   notes =        "improved hyperdynamics md",
2905 }
2906
2907 @Article{sorensen2000,
2908   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
2909   collaboration = "",
2910   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2911                  infrequent events",
2912   publisher =    "AIP",
2913   year =         "2000",
2914   journal =      "J. Chem. Phys.",
2915   volume =       "112",
2916   number =       "21",
2917   pages =        "9599--9606",
2918   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2919                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2920   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2921   doi =          "10.1063/1.481576",
2922   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2923 }
2924
2925 @Article{voter98,
2926   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2927                  events",
2928   author =       "Arthur F. Voter",
2929   journal =      "Phys. Rev. B",
2930   volume =       "57",
2931   number =       "22",
2932   pages =        "R13985--R13988",
2933   numpages =     "3",
2934   year =         "1998",
2935   month =        jun,
2936   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2937   publisher =    "American Physical Society",
2938   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2939 }
2940
2941 @Article{wu99,
2942   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2943   collaboration = "",
2944   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2945                  simulation",
2946   publisher =    "AIP",
2947   year =         "1999",
2948   journal =      "J. Chem. Phys.",
2949   volume =       "110",
2950   number =       "19",
2951   pages =        "9401--9410",
2952   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2953                  potential; crystallisation; liquid theory",
2954   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2955   doi =          "10.1063/1.478948",
2956   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2957                  systematic motion",
2958 }
2959
2960 @Article{choudhary05,
2961   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2962   collaboration = "",
2963   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2964                  to the production of amorphous silicon",
2965   publisher =    "AIP",
2966   year =         "2005",
2967   journal =      "J. Chem. Phys.",
2968   volume =       "122",
2969   number =       "15",
2970   eid =          "154509",
2971   numpages =     "8",
2972   pages =        "154509",
2973   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2974                  amorphous semiconductors",
2975   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2976   doi =          "10.1063/1.1878733",
2977   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2978                  silicon",
2979 }
2980
2981 @Article{taylor93,
2982   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2983   collaboration = "",
2984   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2985                  difficult?",
2986   publisher =    "AIP",
2987   year =         "1993",
2988   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2989   volume =       "62",
2990   number =       "25",
2991   pages =        "3336--3338",
2992   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2993                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2994                  ENERGY",
2995   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2996   doi =          "10.1063/1.109063",
2997   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
2998                  interstitials necessary for precipitation, volume
2999                  decrease, high interface energy",
3000 }
3001
3002 @Article{chaussende08,
3003   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
3004   journal =      "J. Cryst. Growth",
3005   volume =       "310",
3006   number =       "5",
3007   pages =        "976--981",
3008   year =         "2008",
3009   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
3010                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
3011   ISSN =         "0022-0248",
3012   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
3013   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
3014   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
3015                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
3016                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
3017                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
3018   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
3019                  metastable",
3020 }
3021
3022 @Article{chaussende07,
3023   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
3024   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
3025   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
3026   volume =       "40",
3027   number =       "20",
3028   pages =        "6150",
3029   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
3030   year =         "2007",
3031   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
3032                  modelling",
3033 }
3034
3035 @Article{feynman39,
3036   title =        "Forces in Molecules",
3037   author =       "R. P. Feynman",
3038   journal =      "Phys. Rev.",
3039   volume =       "56",
3040   number =       "4",
3041   pages =        "340--343",
3042   numpages =     "3",
3043   year =         "1939",
3044   month =        aug,
3045   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
3046   publisher =    "American Physical Society",
3047   notes =        "hellmann feynman forces",
3048 }
3049
3050 @Article{buczko00,
3051   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
3052                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
3053                  their Contrasting Properties",
3054   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
3055                  T. Pantelides",
3056   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3057   volume =       "84",
3058   number =       "5",
3059   pages =        "943--946",
3060   numpages =     "3",
3061   year =         "2000",
3062   month =        jan,
3063   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
3064   publisher =    "American Physical Society",
3065   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
3066 }
3067
3068 @Article{djurabekova08,
3069   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
3070                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
3071   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
3072   journal =      "Phys. Rev. B",
3073   volume =       "77",
3074   number =       "11",
3075   pages =        "115325",
3076   numpages =     "7",
3077   year =         "2008",
3078   month =        mar,
3079   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
3080   publisher =    "American Physical Society",
3081   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
3082                  angular distribution, coordination",
3083 }
3084
3085 @Article{wen09,
3086   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
3087                  W. Liang and J. Zou",
3088   collaboration = "",
3089   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
3090                  strain relaxation at highly lattice mismatched
3091                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
3092   publisher =    "AIP",
3093   year =         "2009",
3094   journal =      "J. Appl. Phys.",
3095   volume =       "106",
3096   number =       "7",
3097   eid =          "073522",
3098   numpages =     "8",
3099   pages =        "073522",
3100   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
3101                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
3102                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
3103                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
3104   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
3105   doi =          "10.1063/1.3234380",
3106   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
3107                  deconvolution, dislocation defects",
3108 }
3109
3110 @Article{kitabatake93,
3111   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
3112                  Hirao",
3113   collaboration = "",
3114   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
3115                  growth on Si(001) surface",
3116   publisher =    "AIP",
3117   year =         "1993",
3118   journal =      "J. Appl. Phys.",
3119   volume =       "74",
3120   number =       "7",
3121   pages =        "4438--4445",
3122   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
3123                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
3124                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
3125   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
3126   doi =          "10.1063/1.354385",
3127   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
3128                  model, interface",
3129 }
3130
3131 @Article{kitabatake97,
3132   author =       "Makoto Kitabatake",
3133   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
3134                  Heteroepitaxial Growth",
3135   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3136   year =         "1997",
3137   journal =      "physica status solidi (b)",
3138   volume =       "202",
3139   pages =        "405--420",
3140   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3141   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3142   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
3143 }
3144
3145 @Article{chirita97,
3146   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
3147                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
3148                  dynamics study",
3149   journal =      "Thin Solid Films",
3150   volume =       "294",
3151   number =       "1-2",
3152   pages =        "47--49",
3153   year =         "1997",
3154   note =         "",
3155   ISSN =         "0040-6090",
3156   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
3157   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
3158   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
3159   keywords =     "Strain relaxation",
3160   keywords =     "Interfaces",
3161   keywords =     "Thermal stability",
3162   keywords =     "Molecular dynamics",
3163   notes =        "tersoff sic/si interface study",
3164 }
3165
3166 @Article{cicero02,
3167   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
3168                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
3169   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
3170                  Catellani",
3171   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3172   volume =       "89",
3173   number =       "15",
3174   pages =        "156101",
3175   numpages =     "4",
3176   year =         "2002",
3177   month =        sep,
3178   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
3179   publisher =    "American Physical Society",
3180   notes =        "sic/si interface study",
3181 }
3182
3183 @Article{pizzagalli03,
3184   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
3185                  interface: Si{C}/Si(001)",
3186   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
3187                  Catellani",
3188   journal =      "Phys. Rev. B",
3189   volume =       "68",
3190   number =       "19",
3191   pages =        "195302",
3192   numpages =     "10",
3193   year =         "2003",
3194   month =        nov,
3195   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
3196   publisher =    "American Physical Society",
3197   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
3198 }
3199
3200 @Article{tang07,
3201   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
3202                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
3203                  electron microscopy",
3204   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
3205                  H. Zheng and J. W. Liang",
3206   journal =      "Phys. Rev. B",
3207   volume =       "75",
3208   number =       "18",
3209   pages =        "184103",
3210   numpages =     "7",
3211   year =         "2007",
3212   month =        may,
3213   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
3214   publisher =    "American Physical Society",
3215   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
3216                  si and c",
3217 }
3218
3219 @Article{hornstra58,
3220   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
3221   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
3222   volume =       "5",
3223   number =       "1-2",
3224   pages =        "129--141",
3225   year =         "1958",
3226   note =         "",
3227   ISSN =         "0022-3697",
3228   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
3229   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
3230   author =       "J. Hornstra",
3231   notes =        "dislocations in diamond lattice",
3232 }
3233
3234 @Article{deguchi92,
3235   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
3236                  Ion `Hot' Implantation",
3237   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
3238                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
3239   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3240   volume =       "31",
3241   number =       "Part 1, No. 2A",
3242   pages =        "343--347",
3243   numpages =     "4",
3244   year =         "1992",
3245   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
3246   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
3247   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3248   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
3249                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
3250 }
3251
3252 @Article{eichhorn99,
3253   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
3254                  K{\"{o}}gler",
3255   collaboration = "",
3256   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
3257                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
3258                  synchrotron x-ray diffraction",
3259   publisher =    "AIP",
3260   year =         "1999",
3261   journal =      "J. Appl. Phys.",
3262   volume =       "86",
3263   number =       "8",
3264   pages =        "4184--4187",
3265   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
3266                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
3267                  precipitation; semiconductor doping",
3268   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
3269   doi =          "10.1063/1.371344",
3270   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
3271                  expansion of si lattice",
3272 }
3273
3274 @Article{eichhorn02,
3275   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
3276                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
3277   collaboration = "",
3278   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
3279                  carbon ion implantation",
3280   publisher =    "AIP",
3281   year =         "2002",
3282   journal =      "J. Appl. Phys.",
3283   volume =       "91",
3284   number =       "3",
3285   pages =        "1287--1292",
3286   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
3287                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
3288                  electron microscopy",
3289   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
3290   doi =          "10.1063/1.1428105",
3291   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
3292                  temperature, might explain c into c sub trafo",
3293 }
3294
3295 @Article{lucas10,
3296   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
3297   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
3298                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
3299                  high-pressure phases, point and extended defects, and
3300                  amorphous structures",
3301   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3302   volume =       "22",
3303   number =       "3",
3304   pages =        "035802",
3305   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
3306   year =         "2010",
3307   notes =        "edip sic",
3308 }
3309
3310 @Article{godet03,
3311   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
3312                  Beauchamp",
3313   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
3314                  methods for silicon under large shear",
3315   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3316   volume =       "15",
3317   number =       "41",
3318   pages =        "6943",
3319   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
3320   year =         "2003",
3321   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
3322                  edip, tersoff, ab initio",
3323 }
3324
3325 @Article{moriguchi98,
3326   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
3327                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
3328   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
3329   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3330   volume =       "37",
3331   number =       "Part 1, No. 2",
3332   pages =        "414--422",
3333   numpages =     "8",
3334   year =         "1998",
3335   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
3336   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
3337   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3338   notes =        "tersoff stringent test",
3339 }
3340
3341 @Article{mazzarolo01,
3342   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
3343                  simulations",
3344   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
3345                  Lulli and Eros Albertazzi",
3346   journal =      "Phys. Rev. B",
3347   volume =       "63",
3348   number =       "19",
3349   pages =        "195207",
3350   numpages =     "4",
3351   year =         "2001",
3352   month =        apr,
3353   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
3354   publisher =    "American Physical Society",
3355 }
3356
3357 @Article{holmstroem08,
3358   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
3359                  density functional theory molecular dynamics
3360                  simulations",
3361   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
3362   journal =      "Phys. Rev. B",
3363   volume =       "78",
3364   number =       "4",
3365   pages =        "045202",
3366   numpages =     "6",
3367   year =         "2008",
3368   month =        jul,
3369   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
3370   publisher =    "American Physical Society",
3371   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
3372                  initio",
3373 }
3374
3375 @Article{nordlund97,
3376   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
3377                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
3378   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3379   volume =       "132",
3380   number =       "1",
3381   pages =        "45--54",
3382   year =         "1997",
3383   note =         "",
3384   ISSN =         "0168-583X",
3385   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
3386   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
3387   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
3388   notes =        "repulsive ab initio potential",
3389 }
3390
3391 @Article{kresse96,
3392   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
3393                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
3394                  set",
3395   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3396   volume =       "6",
3397   number =       "1",
3398   pages =        "15--50",
3399   year =         "1996",
3400   note =         "",
3401   ISSN =         "0927-0256",
3402   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
3403   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
3404   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
3405   notes =        "vasp ref",
3406 }
3407
3408 @Article{bloechl94,
3409   title =        "Projector augmented-wave method",
3410   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
3411   journal =      "Phys. Rev. B",
3412   volume =       "50",
3413   number =       "24",
3414   pages =        "17953--17979",
3415   numpages =     "26",
3416   year =         "1994",
3417   month =        dec,
3418   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
3419   publisher =    "American Physical Society",
3420   notes =        "paw method",
3421 }
3422
3423 @Article{hamann79,
3424   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
3425   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
3426   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3427   volume =       "43",
3428   number =       "20",
3429   pages =        "1494--1497",
3430   numpages =     "3",
3431   year =         "1979",
3432   month =        nov,
3433   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
3434   publisher =    "American Physical Society",
3435   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
3436 }
3437
3438 @Article{vanderbilt90,
3439   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
3440                  eigenvalue formalism",
3441   author =       "David Vanderbilt",
3442   journal =      "Phys. Rev. B",
3443   volume =       "41",
3444   number =       "11",
3445   pages =        "7892--7895",
3446   numpages =     "3",
3447   year =         "1990",
3448   month =        apr,
3449   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
3450   publisher =    "American Physical Society",
3451   notes =        "vasp pseudopotentials",
3452 }
3453
3454 @Article{perdew86,
3455   title =        "Accurate and simple density functional for the
3456                  electronic exchange energy: Generalized gradient
3457                  approximation",
3458   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
3459   journal =      "Phys. Rev. B",
3460   volume =       "33",
3461   number =       "12",
3462   pages =        "8800--8802",
3463   numpages =     "2",
3464   year =         "1986",
3465   month =        jun,
3466   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
3467   publisher =    "American Physical Society",
3468   notes =        "rapid communication gga",
3469 }
3470
3471 @Article{perdew02,
3472   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
3473                  correlation: {A} look backward and forward",
3474   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
3475   volume =       "172",
3476   number =       "1-2",
3477   pages =        "1--6",
3478   year =         "1991",
3479   note =         "",
3480   ISSN =         "0921-4526",
3481   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
3482   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
3483   author =       "John P. Perdew",
3484   notes =        "gga overview",
3485 }
3486
3487 @Article{perdew92,
3488   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
3489                  of the generalized gradient approximation for exchange
3490                  and correlation",
3491   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
3492                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
3493                  and Carlos Fiolhais",
3494   journal =      "Phys. Rev. B",
3495   volume =       "46",
3496   number =       "11",
3497   pages =        "6671--6687",
3498   numpages =     "16",
3499   year =         "1992",
3500   month =        sep,
3501   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
3502   publisher =    "American Physical Society",
3503   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
3504 }
3505
3506 @Article{baldereschi73,
3507   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
3508   author =       "A. Baldereschi",
3509   journal =      "Phys. Rev. B",
3510   volume =       "7",
3511   number =       "12",
3512   pages =        "5212--5215",
3513   numpages =     "3",
3514   year =         "1973",
3515   month =        jun,
3516   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
3517   publisher =    "American Physical Society",
3518   notes =        "mean value k point",
3519 }
3520
3521 @Article{zhu98,
3522   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
3523                  diffusion in Si",
3524   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3525   volume =       "12",
3526   number =       "4",
3527   pages =        "309--318",
3528   year =         "1998",
3529   note =         "",
3530   ISSN =         "0927-0256",
3531   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
3532   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
3533   author =       "Jing Zhu",
3534   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
3535   keywords =     "Boron dopant",
3536   keywords =     "Carbon dopant",
3537   keywords =     "Defect",
3538   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
3539   keywords =     "Impurity cluster",
3540   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
3541 }
3542
3543 @Article{nejim95,
3544   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
3545   collaboration = "",
3546   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
3547                  950 [degree]{C}",
3548   publisher =    "AIP",
3549   year =         "1995",
3550   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3551   volume =       "66",
3552   number =       "20",
3553   pages =        "2646--2648",
3554   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
3555                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
3556                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
3557                  ELECTRON MICROSCOPY",
3558   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
3559   doi =          "10.1063/1.113112",
3560   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
3561                  self interstitials react with further implanted c",
3562 }
3563
3564 @Article{guedj98,
3565   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
3566                  Kolodzey and A. Hairie",
3567   collaboration = "",
3568   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3569                  alloys",
3570   publisher =    "AIP",
3571   year =         "1998",
3572   journal =      "J. Appl. Phys.",
3573   volume =       "84",
3574   number =       "8",
3575   pages =        "4631--4633",
3576   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
3577                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
3578                  Fourier transform spectra; thermal stability;
3579                  annealing",
3580   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
3581   doi =          "10.1063/1.368703",
3582   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
3583 }
3584
3585 @Article{jones04,
3586   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
3587   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
3588                  semiconductors",
3589   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3590   volume =       "16",
3591   number =       "27",
3592   pages =        "S2643",
3593   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
3594   year =         "2004",
3595   notes =        "ab inito dft intro, vibrational modes, c defect in
3596                  si",
3597 }
3598
3599 @Article{park02,
3600   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
3601                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
3602                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
3603   collaboration = "",
3604   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
3605                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
3606                  molecular-beam epitaxy",
3607   publisher =    "AIP",
3608   year =         "2002",
3609   journal =      "J. Appl. Phys.",
3610   volume =       "91",
3611   number =       "9",
3612   pages =        "5716--5727",
3613   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
3614   doi =          "10.1063/1.1465122",
3615   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
3616 }
3617
3618 @Article{leary97,
3619   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
3620                  carbon-carbon pair defects in silicon",
3621   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
3622                  Torres",
3623   journal =      "Phys. Rev. B",
3624   volume =       "55",
3625   number =       "4",
3626   pages =        "2188--2194",
3627   numpages =     "6",
3628   year =         "1997",
3629   month =        jan,
3630   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
3631   publisher =    "American Physical Society",
3632   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
3633                  energies, different migration barriers and paths",
3634 }
3635
3636 @Article{burnard93,
3637   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
3638                  silicon: Semiempirical electronic-structure
3639                  calculations",
3640   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
3641   journal =      "Phys. Rev. B",
3642   volume =       "47",
3643   number =       "16",
3644   pages =        "10217--10225",
3645   numpages =     "8",
3646   year =         "1993",
3647   month =        apr,
3648   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
3649   publisher =    "American Physical Society",
3650   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
3651                  carbon defect, formation energies",
3652 }
3653
3654 @Article{besson91,
3655   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
3656                  silicon",
3657   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
3658   journal =      "Phys. Rev. B",
3659   volume =       "43",
3660   number =       "5",
3661   pages =        "4028--4033",
3662   numpages =     "5",
3663   year =         "1991",
3664   month =        feb,
3665   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
3666   publisher =    "American Physical Society",
3667 }
3668
3669 @Article{kaxiras96,
3670   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
3671                  and growth on semiconductors",
3672   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3673   volume =       "6",
3674   number =       "2",
3675   pages =        "158--172",
3676   year =         "1996",
3677   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
3678                  Epitaxy",
3679   ISSN =         "0927-0256",
3680   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
3681   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
3682   author =       "Efthimios Kaxiras",
3683   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
3684                  tight binding, first principles",
3685 }
3686
3687 @Article{kaukonen98,
3688   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
3689                  diamond
3690                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
3691                  surfaces",
3692   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
3693                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
3694                  Th. Frauenheim",
3695   journal =      "Phys. Rev. B",
3696   volume =       "57",
3697   number =       "16",
3698   pages =        "9965--9970",
3699   numpages =     "5",
3700   year =         "1998",
3701   month =        apr,
3702   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
3703   publisher =    "American Physical Society",
3704   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
3705                  (crt)",
3706 }
3707
3708 @Article{gali03,
3709   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
3710                  center in Si{C}",
3711   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
3712                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
3713                  W. J. Choyke",
3714   journal =      "Phys. Rev. B",
3715   volume =       "67",
3716   number =       "15",
3717   pages =        "155203",
3718   numpages =     "5",
3719   year =         "2003",
3720   month =        apr,
3721   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
3722   publisher =    "American Physical Society",
3723 }
3724
3725 @Article{chen98,
3726   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
3727                  irradiation and deformation",
3728   journal =      "J. Nucl. Mater.",
3729   volume =       "258-263",
3730   number =       "Part 2",
3731   pages =        "1803--1808",
3732   year =         "1998",
3733   note =         "",
3734   ISSN =         "0022-3115",
3735   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
3736   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
3737   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
3738 }
3739
3740 @Article{weber01,
3741   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
3742                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
3743   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3744   volume =       "175-177",
3745   number =       "",
3746   pages =        "26--30",
3747   year =         "2001",
3748   note =         "",
3749   ISSN =         "0168-583X",
3750   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
3751   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
3752   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
3753 }
3754
3755 @Article{bockstedte03,
3756   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
3757                  in $3{C}-Si{C}$",
3758   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
3759                  Pankratov",
3760   journal =      "Phys. Rev. B",
3761   volume =       "68",
3762   number =       "20",
3763   pages =        "205201",
3764   numpages =     "17",
3765   year =         "2003",
3766   month =        nov,
3767   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
3768   publisher =    "American Physical Society",
3769   notes =        "defect migration in sic",
3770 }
3771
3772 @Article{rauls03a,
3773   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
3774                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
3775   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
3776                  De\'ak",
3777   journal =      "Phys. Rev. B",
3778   volume =       "68",
3779   number =       "15",
3780   pages =        "155208",
3781   numpages =     "9",
3782   year =         "2003",
3783   month =        oct,
3784   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
3785   publisher =    "American Physical Society",
3786 }
3787
3788 @Article{losev27,
3789   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
3790   volume =       "44",
3791   pages =        "485--494",
3792   year =         "1927",
3793   author =       "O. V. Lossev",
3794 }
3795
3796 @Article{losev28,
3797   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
3798                  oscillations with crystals",
3799   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
3800   volume =       "6",
3801   number =       "39",
3802   pages =        "1024--1044",
3803   year =         "1928",
3804   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
3805   author =       "O. V. Lossev",
3806 }
3807
3808 @Article{losev29,
3809   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3810   volume =       "30",
3811   pages =        "920--923",
3812   year =         "1929",
3813   author =       "O. V. Lossev",
3814 }
3815
3816 @Article{losev31,
3817   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3818   volume =       "32",
3819   pages =        "692--696",
3820   year =         "1931",
3821   author =       "O. V. Lossev",
3822 }
3823
3824 @Article{losev33,
3825   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3826   volume =       "34",
3827   pages =        "397--403",
3828   year =         "1933",
3829   author =       "O. V. Lossev",
3830 }
3831
3832 @Article{round07,
3833   title =        "A note on carborundum",
3834   journal =      "Electrical World",
3835   volume =       "49",
3836   pages =        "308",
3837   year =         "1907",
3838   author =       "H. J. Round",
3839 }
3840
3841 @Article{vashishath08,
3842   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
3843   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
3844   volume =       "2",
3845   number =       "03",
3846   pages =        "444--470",
3847   year =         "2008",
3848   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
3849   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
3850   notes =        "sic polytype electronic properties",
3851 }
3852
3853 @Article{nelson69,
3854   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
3855   collaboration = "",
3856   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
3857   publisher =    "AIP",
3858   year =         "1966",
3859   journal =      "Journal of Applied Physics",
3860   volume =       "37",
3861   number =       "1",
3862   pages =        "333--336",
3863   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
3864   doi =          "10.1063/1.1707837",
3865   notes =        "sic melt growth",
3866 }
3867
3868 @Article{arkel25,
3869   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
3870   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
3871                  und Thoriummetall",
3872   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
3873   year =         "1925",
3874   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3875   volume =       "148",
3876   pages =        "345--350",
3877   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
3878   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
3879   notes =        "van arkel apparatus",
3880 }
3881
3882 @Article{moers31,
3883   author =       "K. Moers",
3884   year =         "1931",
3885   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3886   volume =       "198",
3887   pages =        "293",
3888   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3889                  process",
3890 }
3891
3892 @Article{kendall53,
3893   author =       "J. T. Kendall",
3894   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
3895   publisher =    "AIP",
3896   year =         "1953",
3897   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
3898   volume =       "21",
3899   number =       "5",
3900   pages =        "821--827",
3901   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
3902   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3903                  process",
3904 }
3905
3906 @Article{lely55,
3907   author =       "J. A. Lely",
3908   year =         "1955",
3909   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
3910   volume =       "32",
3911   pages =        "229",
3912   notes =        "lely sublimation growth process",
3913 }
3914
3915 @Article{knippenberg63,
3916   author =       "W. F. Knippenberg",
3917   year =         "1963",
3918   journal =      "Philips Res. Repts.",
3919   volume =       "18",
3920   pages =        "161",
3921   notes =        "acheson process",
3922 }
3923
3924 @Article{hoffmann82,
3925   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
3926                  Weyrich",
3927   collaboration = "",
3928   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
3929                  improved external quantum efficiency",
3930   publisher =    "AIP",
3931   year =         "1982",
3932   journal =      "Journal of Applied Physics",
3933   volume =       "53",
3934   number =       "10",
3935   pages =        "6962--6967",
3936   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
3937                  efficiency; visible radiation; experimental data;
3938                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
3939                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
3940                  electroluminescence; spectra; current density;
3941                  optimization",
3942   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
3943   doi =          "10.1063/1.330041",
3944   notes =        "blue led, sublimation process",
3945 }
3946
3947 @Article{neudeck95,
3948   author =       "Philip Neudeck",
3949   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
3950                  Road 44135 Cleveland OH",
3951   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
3952                  technology",
3953   journal =      "Journal of Electronic Materials",
3954   publisher =    "Springer Boston",
3955   ISSN =         "0361-5235",
3956   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
3957   pages =        "283--288",
3958   volume =       "24",
3959   issue =        "4",
3960   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
3961   note =         "10.1007/BF02659688",
3962   year =         "1995",
3963   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
3964 }
3965
3966 @Article{bhatnagar93,
3967   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
3968   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3969   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
3970                  devices",
3971   year =         "1993",
3972   month =        mar,
3973   volume =       "40",
3974   number =       "3",
3975   pages =        "645--655",
3976   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
3977                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
3978                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
3979                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
3980                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
3981                  solids;insulated gate field effect transistors;power
3982                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
3983                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
3984   doi =          "10.1109/16.199372",
3985   ISSN =         "0018-9383",
3986   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
3987 }
3988
3989 @Article{neudeck94,
3990   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
3991                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
3992   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3993   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
3994                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
3995                  6{H}-Si{C} substrates",
3996   year =         "1994",
3997   month =        may,
3998   volume =       "41",
3999   number =       "5",
4000   pages =        "826--835",
4001   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
4002                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
4003                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
4004                  properties;epitaxial layers;light
4005                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
4006                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
4007                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
4008                  currents;power electronics;semiconductor
4009                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
4010                  growth;semiconductor materials;silicon
4011                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
4012                  phase epitaxial growth;",
4013   doi =          "10.1109/16.285038",
4014   ISSN =         "0018-9383",
4015   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
4016                  substrate",
4017 }
4018
4019 @Article{schulze98,
4020   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
4021   collaboration = "",
4022   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
4023                  single crystals by physical vapor transport",
4024   publisher =    "AIP",
4025   year =         "1998",
4026   journal =      "Applied Physics Letters",
4027   volume =       "72",
4028   number =       "13",
4029   pages =        "1632--1634",
4030   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
4031                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
4032                  photoluminescence; Hall mobility",
4033   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
4034   doi =          "10.1063/1.121136",
4035   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
4036 }
4037
4038 @Article{pirouz87,
4039   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
4040   collaboration = "",
4041   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
4042   publisher =    "AIP",
4043   year =         "1987",
4044   journal =      "Applied Physics Letters",
4045   volume =       "50",
4046   number =       "4",
4047   pages =        "221--223",
4048   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
4049                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
4050                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
4051                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
4052                  BOUNDARIES",
4053   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
4054   doi =          "10.1063/1.97667",
4055   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
4056 }
4057
4058 @Article{shibahara86,
4059   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
4060                  Si(100) by chemical vapor deposition",
4061   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4062   volume =       "78",
4063   number =       "3",
4064   pages =        "538--544",
4065   year =         "1986",
4066   note =         "",
4067   ISSN =         "0022-0248",
4068   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
4069   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
4070   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
4071                  Matsunami",
4072   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
4073 }
4074
4075 @Article{desjardins96,
4076   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
4077   collaboration = "",
4078   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
4079   publisher =    "AIP",
4080   year =         "1996",
4081   journal =      "Journal of Applied Physics",
4082   volume =       "79",
4083   number =       "3",
4084   pages =        "1423--1434",
4085   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
4086                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
4087   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
4088   doi =          "10.1063/1.360980",
4089   notes =        "apb model",
4090 }
4091
4092 @Article{henke95,
4093   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
4094   collaboration = "",
4095   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
4096                  carbonization of silicon",
4097   publisher =    "AIP",
4098   year =         "1995",
4099   journal =      "Journal of Applied Physics",
4100   volume =       "78",
4101   number =       "3",
4102   pages =        "2070--2073",
4103   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
4104                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
4105                  STRUCTURE",
4106   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
4107   doi =          "10.1063/1.360184",
4108   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
4109 }
4110
4111 @Article{fuyuki89,
4112   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
4113                  {MBE} using surface superstructure",
4114   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4115   volume =       "95",
4116   number =       "1-4",
4117   pages =        "461--463",
4118   year =         "1989",
4119   note =         "",
4120   ISSN =         "0022-0248",
4121   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
4122   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
4123   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
4124                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
4125   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4126 }
4127
4128 @Article{yoshinobu92,
4129   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
4130                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4131   collaboration = "",
4132   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
4133                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
4134                  molecular beam epitaxy",
4135   publisher =    "AIP",
4136   year =         "1992",
4137   journal =      "Applied Physics Letters",
4138   volume =       "60",
4139   number =       "7",
4140   pages =        "824--826",
4141   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
4142                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
4143                  INTERFACE STRUCTURE",
4144   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
4145   doi =          "10.1063/1.107430",
4146   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4147 }
4148
4149 @Article{yoshinobu90,
4150   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
4151                  cubic Si{C}",
4152   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4153   volume =       "99",
4154   number =       "1-4",
4155   pages =        "520--524",
4156   year =         "1990",
4157   note =         "",
4158   ISSN =         "0022-0248",
4159   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
4160   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
4161   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
4162                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4163   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
4164 }
4165
4166 @Article{fuyuki93,
4167   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
4168                  superstructures in Si{C}",
4169   journal =      "Thin Solid Films",
4170   volume =       "225",
4171   number =       "1-2",
4172   pages =        "225--229",
4173   year =         "1993",
4174   note =         "",
4175   ISSN =         "0040-6090",
4176   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
4177   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
4178   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
4179                  Matsunami",
4180   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4181                  epitaxy, ale",
4182 }
4183
4184 @Article{hara93,
4185   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
4186                  growth of [beta]-Si{C}",
4187   journal =      "Thin Solid Films",
4188   volume =       "225",
4189   number =       "1-2",
4190   pages =        "240--243",
4191   year =         "1993",
4192   note =         "",
4193   ISSN =         "0040-6090",
4194   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
4195   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
4196   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
4197                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
4198   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4199                  epitaxy, ale",
4200 }
4201
4202 @Article{tanaka94,
4203   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
4204   collaboration = "",
4205   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
4206                  growth mode and polytype formation during gas-source
4207                  molecular beam epitaxy",
4208   publisher =    "AIP",
4209   year =         "1994",
4210   journal =      "Applied Physics Letters",
4211   volume =       "65",
4212   number =       "22",
4213   pages =        "2851--2853",
4214   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
4215                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
4216                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
4217                  FLOW; FLOW RATE",
4218   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
4219   doi =          "10.1063/1.112513",
4220   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
4221 }
4222
4223 @Article{fuyuki97,
4224   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
4225   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
4226                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
4227   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
4228   year =         "1997",
4229   journal =      "physica status solidi (b)",
4230   volume =       "202",
4231   pages =        "359--378",
4232   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
4233                  temperatures 750",
4234 }
4235
4236 @Article{takaoka98,
4237   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
4238   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4239   volume =       "183",
4240   number =       "1-2",
4241   pages =        "175--182",
4242   year =         "1998",
4243   note =         "",
4244   ISSN =         "0022-0248",
4245   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
4246   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
4247   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
4248   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
4249   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
4250   keywords =     "Silicon carbide",
4251   keywords =     "Silicon",
4252   keywords =     "Island growth",
4253   notes =        "lower temperature, 550-700",
4254 }
4255
4256 @Article{hatayama95,
4257   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
4258                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
4259                  molecular beam epitaxy",
4260   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4261   volume =       "150",
4262   number =       "Part 2",
4263   pages =        "934--938",
4264   year =         "1995",
4265   note =         "",
4266   ISSN =         "0022-0248",
4267   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
4268   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
4269   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
4270                  and Hiroyuki Matsunami",
4271 }
4272
4273 @Article{heine91,
4274   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
4275   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
4276                  Metastable Cubic Form",
4277   journal =      "Journal of the American Ceramic Society",
4278   volume =       "74",
4279   number =       "10",
4280   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
4281   ISSN =         "1551-2916",
4282   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4283   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4284   pages =        "2630--2633",
4285   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
4286                  calculations, stability",
4287   year =         "1991",
4288   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
4289                  polytype dft calculation refs",
4290 }
4291
4292 @Article{allendorf91,
4293   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
4294                  [beta]-silicon carbide",
4295   journal =      "Surface Science",
4296   volume =       "258",
4297   number =       "1-3",
4298   pages =        "177--189",
4299   year =         "1991",
4300   note =         "",
4301   ISSN =         "0039-6028",
4302   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
4303   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
4304   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
4305   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
4306 }
4307
4308 @Article{eaglesham93,
4309   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
4310                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
4311   collaboration = "",
4312   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
4313   publisher =    "AIP",
4314   year =         "1993",
4315   journal =      "Journal of Applied Physics",
4316   volume =       "74",
4317   number =       "11",
4318   pages =        "6615--6618",
4319   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
4320                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
4321                  DIFFUSION; ADSORPTION",
4322   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
4323   doi =          "10.1063/1.355101",
4324   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
4325                  mobility",
4326 }
4327
4328 @Article{newman85,
4329   author =       "Ronald C. Newman",
4330   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
4331   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4332   volume =       "59",
4333   number =       "",
4334   pages =        "403",
4335   year =         "1985",
4336   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
4337   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
4338   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
4339 }
4340
4341 @Article{newman61,
4342   title =        "The diffusivity of carbon in silicon",
4343   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
4344   volume =       "19",
4345   number =       "3-4",
4346   pages =        "230--234",
4347   year =         "1961",
4348   note =         "",
4349   ISSN =         "0022-3697",
4350   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(61)90032-4",
4351   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46M72R1-4D/2/9235472e4c0a95bf7b995769474f5fbd",
4352   author =       "R. C. Newman and J. Wakefield",
4353   notes =        "diffusivity of substitutional c in si",
4354 }
4355
4356 @Article{goesele85,
4357   author =       "U. Gösele",
4358   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
4359   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4360   volume =       "59",
4361   number =       "",
4362   pages =        "419",
4363   year =         "1985",
4364   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
4365   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
4366   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
4367 }
4368
4369 @Article{puska98,
4370   title =        "Convergence of supercell calculations for point
4371                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
4372   author =       "M. J. Puska and S. P{\"o}ykk{\"o} and M. Pesola and R.
4373                  M. Nieminen",
4374   journal =      "Phys. Rev. B",
4375   volume =       "58",
4376   number =       "3",
4377   pages =        "1318--1325",
4378   numpages =     "7",
4379   year =         "1998",
4380   month =        jul,
4381   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.1318",
4382   publisher =    "American Physical Society",
4383   notes =        "convergence k point supercell size, vacancy in
4384                  silicon",
4385 }
4386
4387 @Article{serre95,
4388   author =       "C. Serre and A. P\'{e}rez-Rodr\'{\i}guez and A.
4389                  Romano-Rodr\'{\i}guez and J. R. Morante and R.
4390                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
4391   collaboration = "",
4392   title =        "Spectroscopic characterization of phases formed by
4393                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
4394   publisher =    "AIP",
4395   year =         "1995",
4396   journal =      "Journal of Applied Physics",
4397   volume =       "77",
4398   number =       "7",
4399   pages =        "2978--2984",
4400   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; PHASE STUDIES; CARBON IONS;
4401                  FOURIER TRANSFORM SPECTROSCOPY; RAMAN SPECTRA;
4402                  PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; TEM; TEMPERATURE
4403                  DEPENDENCE; PRECIPITATES; ANNEALING",
4404   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
4405   doi =          "10.1063/1.358714",
4406 }