bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{schroedinger26,
   6   author =       "E. Schrödinger",
   7   title =        "Quantisierung als Eigenwertproblem",
   8   journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
   9   volume =       "384",
  10   number =       "4",
  11   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
  12   ISSN =         "1521-3889",
  13   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19263840404",
  14   doi =          "10.1002/andp.19263840404",
  15   pages =        "361--376",
  16   year =         "1926",
  17 }
  18
  19 @Article{bloch29,
  20   author =       "Felix Bloch",
  21   affiliation =  "Institut d. Universität f. theor. Physik Leipzig",
  22   title =        "Über die Quantenmechanik der Elektronen in
  23                  Kristallgittern",
  24   journal =      "Z. Phys.",
  25   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
  26   ISSN =         "0939-7922",
  27   keyword =      "Physics and Astronomy",
  28   pages =        "555--600",
  29   volume =       "52",
  30   issue =        "7",
  31   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF01339455",
  32   note =         "10.1007/BF01339455",
  33   year =         "1929",
  34 }
  35
  36 @Article{albe_sic_pot,
  37   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
  38   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
  39                  silicon, carbon, and silicon carbide",
  40   publisher =    "APS",
  41   year =         "2005",
  42   journal =      "Phys. Rev. B",
  43   volume =       "71",
  44   number =       "3",
  45   eid =          "035211",
  46   numpages =     "14",
  47   pages =        "035211",
  48   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  49                  potential (ABOP)",
  50   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  51                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  52                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  53                  forces",
  54   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  55   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  56 }
  57
  58 @Article{erhart04,
  59   title =        "The role of thermostats in modeling vapor phase
  60                  condensation of silicon nanoparticles",
  61   journal =      "Appl. Surf. Sci.",
  62   volume =       "226",
  63   number =       "1-3",
  64   pages =        "12--18",
  65   year =         "2004",
  66   note =         "EMRS 2003 Symposium F, Nanostructures from Clusters",
  67   ISSN =         "0169-4332",
  68   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2003.11.003",
  69   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4B957HV-8/2/b35dbe80a70d173f6f7a00dacbcbd738",
  70   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
  71 }
  72
  73 @Article{albe2002,
  74   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  75                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  76   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  77   journal =      "Phys. Rev. B",
  78   volume =       "65",
  79   number =       "19",
  80   pages =        "195124",
  81   numpages =     "11",
  82   year =         "2002",
  83   month =        may,
  84   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  85   publisher =    "American Physical Society",
  86   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  87 }
  88
  89 @Article{newman65,
  90   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
  91   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
  92   volume =       "26",
  93   number =       "2",
  94   pages =        "373--379",
  95   year =         "1965",
  96   note =         "",
  97   ISSN =         "0022-3697",
  98   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
  99   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
 100   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
 101   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
 102 }
 103
 104 @Article{baker68,
 105   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
 106                  Buschert",
 107   collaboration = "",
 108   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
 109   publisher =    "AIP",
 110   year =         "1968",
 111   journal =      "J. Appl. Phys.",
 112   volume =       "39",
 113   number =       "9",
 114   pages =        "4365--4368",
 115   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
 116   doi =          "10.1063/1.1656977",
 117   notes =        "lattice contraction due to subst c",
 118 }
 119
 120 @Article{bean71,
 121   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
 122   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
 123   volume =       "32",
 124   number =       "6",
 125   pages =        "1211--1219",
 126   year =         "1971",
 127   note =         "",
 128   ISSN =         "0022-3697",
 129   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
 130   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
 131   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 132   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
 133 }
 134
 135 @Article{capano97,
 136   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
 137   title =        "Silicon carbide electronic materials and devices",
 138   journal =      "MRS Bull.",
 139   year =         "1997",
 140   volume =       "22",
 141   number =       "3",
 142   pages =        "19--22",
 143   publisher =    "MATERIALS RESEARCH SOCIETY",
 144 }
 145
 146 @Article{capano97_old,
 147   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
 148   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
 149   journal =      "MRS Bull.",
 150   volume =       "22",
 151   pages =        "19",
 152   year =         "1997",
 153 }
 154
 155 @Article{fischer90,
 156   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
 157   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
 158                  carbide",
 159   journal =      "Philos. Mag. B",
 160   volume =       "61",
 161   pages =        "217--236",
 162   year =         "1990",
 163   notes =        "sic polytypes",
 164 }
 165
 166 @Article{koegler03,
 167   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
 168                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
 169                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
 170   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
 171                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
 172                  ions",
 173   journal =      "Appl. Phys. A",
 174   volume =       "76",
 175   pages =        "827--835",
 176   month =        mar,
 177   year =         "2003",
 178   URL =          "http://www.springerlink.com/content/jr8xj33mqc5vpwwj/",
 179   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
 180                  precipitation by interstitial and substitutional
 181                  carbon, both mechanisms explained + refs",
 182 }
 183
 184 @Article{skorupa96,
 185   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
 186                  silicon-related materials",
 187   journal =      "Mater. Chem. Phys.",
 188   volume =       "44",
 189   number =       "2",
 190   pages =        "101--143",
 191   year =         "1996",
 192   note =         "",
 193   ISSN =         "0254-0584",
 194   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 195   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 196   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 197   notes =        "review of silicon carbon compound",
 198 }
 199
 200 @Book{laplace,
 201   author =       "P. S. de Laplace",
 202   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 203   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 204   volume =       "VII",
 205   publisher =    "Gauthier-Villars",
 206   year =         "1820",
 207 }
 208
 209 @Article{mattoni2007,
 210   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 211   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 212                  materials}",
 213   journal =      "Phys. Rev. B",
 214   year =         "2007",
 215   month =        dec,
 216   volume =       "76",
 217   number =       "22",
 218   pages =        "224103",
 219   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 220   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 221                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 222                  fracture, more available potentials, universal energy
 223                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 224 }
 225
 226 @Article{balamane92,
 227   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 228                  potentials",
 229   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 230   journal =      "Phys. Rev. B",
 231   volume =       "46",
 232   number =       "4",
 233   pages =        "2250--2279",
 234   numpages =     "29",
 235   year =         "1992",
 236   month =        jul,
 237   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 238   publisher =    "American Physical Society",
 239   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 240 }
 241
 242 @Article{koster2002,
 243   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 244                  bombardment",
 245   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 246   journal =      "Phys. Rev. B",
 247   volume =       "62",
 248   number =       "16",
 249   pages =        "11219--11224",
 250   numpages =     "5",
 251   year =         "2000",
 252   month =        oct,
 253   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 254   publisher =    "American Physical Society",
 255   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 256 }
 257
 258 @Article{breadmore99,
 259   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 260                  amorphization of silicon",
 261   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 262   journal =      "Phys. Rev. B",
 263   volume =       "60",
 264   number =       "18",
 265   pages =        "12610--12616",
 266   numpages =     "6",
 267   year =         "1999",
 268   month =        nov,
 269   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 270   publisher =    "American Physical Society",
 271   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 272 }
 273
 274 @Article{nielsen83,
 275   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 276   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 277   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 278   volume =       "50",
 279   number =       "9",
 280   pages =        "697--700",
 281   numpages =     "3",
 282   year =         "1983",
 283   month =        feb,
 284   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 285   publisher =    "American Physical Society",
 286   notes =        "generalization of virial theorem",
 287 }
 288
 289 @Article{nielsen85,
 290   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 291   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 292   journal =      "Phys. Rev. B",
 293   volume =       "32",
 294   number =       "6",
 295   pages =        "3780--3791",
 296   numpages =     "11",
 297   year =         "1985",
 298   month =        sep,
 299   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 300   publisher =    "American Physical Society",
 301   notes =        "dft virial stress and forces",
 302 }
 303
 304 @Article{moissan04,
 305   author =       "Henri Moissan",
 306   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 307                  Diablo",
 308   journal =      "C. R. Acad. Sci.",
 309   volume =       "139",
 310   pages =        "773--786",
 311   year =         "1904",
 312 }
 313
 314 @Book{park98,
 315   author =       "Y. S. Park",
 316   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 317   publisher =    "Academic Press",
 318   address =      "San Diego",
 319   year =         "1998",
 320 }
 321
 322 @Article{tsvetkov98,
 323   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 324                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 325   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 326   journal =      "Mater. Sci. Forum",
 327   volume =       "264-268",
 328   pages =        "3--8",
 329   year =         "1998",
 330   notes =        "modified lely process, micropipes",
 331 }
 332
 333 @Article{verlet67,
 334   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 335                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 336   author =       "Loup Verlet",
 337   journal =      "Phys. Rev.",
 338   volume =       "159",
 339   number =       "1",
 340   pages =        "98",
 341   year =         "1967",
 342   month =        jul,
 343   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 344   publisher =    "American Physical Society",
 345   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 346                  motion",
 347 }
 348
 349 @Article{berendsen84,
 350   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 351                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 352   collaboration = "",
 353   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 354   publisher =    "AIP",
 355   year =         "1984",
 356   journal =      "J. Chem. Phys.",
 357   volume =       "81",
 358   number =       "8",
 359   pages =        "3684--3690",
 360   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 361                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 362   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 363   doi =          "10.1063/1.448118",
 364   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 365 }
 366
 367 @Article{huang95,
 368   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 369                  Baskes",
 370   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 371                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 372                  potentials",
 373   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 374   volume =       "3",
 375   number =       "5",
 376   pages =        "615--627",
 377   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 378   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 379                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 380   year =         "1995",
 381 }
 382
 383 @Article{brenner89,
 384   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 385                  Tersoff potentials",
 386   author =       "Donald W. Brenner",
 387   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 388   volume =       "63",
 389   number =       "9",
 390   pages =        "1022",
 391   numpages =     "1",
 392   year =         "1989",
 393   month =        aug,
 394   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 395   publisher =    "American Physical Society",
 396   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 397 }
 398
 399 @Article{batra87,
 400   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 401                  silicon",
 402   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 403   journal =      "Phys. Rev. B",
 404   volume =       "35",
 405   number =       "18",
 406   pages =        "9552--9558",
 407   numpages =     "6",
 408   year =         "1987",
 409   month =        jun,
 410   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 411   publisher =    "American Physical Society",
 412   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 413                  calculation of defect formation energy, defect
 414                  interstitial types",
 415 }
 416
 417 @Article{schober89,
 418   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 419   author =       "H. R. Schober",
 420   journal =      "Phys. Rev. B",
 421   volume =       "39",
 422   number =       "17",
 423   pages =        "13013--13015",
 424   numpages =     "2",
 425   year =         "1989",
 426   month =        jun,
 427   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 428   publisher =    "American Physical Society",
 429   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 430                  dumbbell configuration",
 431 }
 432
 433 @Article{gao02a,
 434   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 435                  Defect accumulation, topological features, and
 436                  disordering",
 437   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 438   journal =      "Phys. Rev. B",
 439   volume =       "66",
 440   number =       "2",
 441   pages =        "024106",
 442   numpages =     "10",
 443   year =         "2002",
 444   month =        jul,
 445   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 446   publisher =    "American Physical Society",
 447   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 448                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 449                  result analyze",
 450 }
 451
 452 @Article{devanathan98,
 453   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 454                  cascade in Si{C}",
 455   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 456   volume =       "141",
 457   number =       "1-4",
 458   pages =        "118--122",
 459   year =         "1998",
 460   ISSN =         "0168-583X",
 461   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 462   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 463                  Rubia",
 464   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 465                  3c-sic",
 466 }
 467
 468 @Article{devanathan98_2,
 469   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 470   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 471   volume =       "253",
 472   number =       "1-3",
 473   pages =        "47--52",
 474   year =         "1998",
 475   ISSN =         "0022-3115",
 476   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 477   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 478                  Weber",
 479   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 480                  tersoff",
 481 }
 482
 483 @Article{kitabatake00,
 484   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 485   author =       "M. Kitabatake",
 486   journal =      "Thin Solid Films",
 487   volume =       "369",
 488   pages =        "257--264",
 489   numpages =     "8",
 490   year =         "2000",
 491   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 492 }
 493
 494 @Article{tang97,
 495   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 496                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 497                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 498                  formation volumes",
 499   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 500                  Rubia",
 501   journal =      "Phys. Rev. B",
 502   volume =       "55",
 503   number =       "21",
 504   pages =        "14279--14289",
 505   numpages =     "10",
 506   year =         "1997",
 507   month =        jun,
 508   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 509   publisher =    "American Physical Society",
 510   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 511 }
 512
 513 @Article{johnson98,
 514   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 515                  Rubia",
 516   collaboration = "",
 517   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 518                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 519                  presence of carbon and boron",
 520   publisher =    "AIP",
 521   year =         "1998",
 522   journal =      "J. Appl. Phys.",
 523   volume =       "84",
 524   number =       "4",
 525   pages =        "1963--1967",
 526   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 527                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 528                  semiconductors; self-diffusion",
 529   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 530   doi =          "10.1063/1.368328",
 531   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 532                  diffsuion",
 533 }
 534
 535 @Article{bar-yam84,
 536   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 537                  Self-Interstitial",
 538   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 539   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 540   volume =       "52",
 541   number =       "13",
 542   pages =        "1129--1132",
 543   numpages =     "3",
 544   year =         "1984",
 545   month =        mar,
 546   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 547   publisher =    "American Physical Society",
 548   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 549 }
 550
 551 @Article{bar-yam84_2,
 552   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 553                  barriers of silicon self-interstitials",
 554   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 555   journal =      "Phys. Rev. B",
 556   volume =       "30",
 557   number =       "4",
 558   pages =        "1844--1852",
 559   numpages =     "8",
 560   year =         "1984",
 561   month =        aug,
 562   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 563   publisher =    "American Physical Society",
 564 }
 565
 566 @Article{bloechl93,
 567   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 568                  constants in silicon",
 569   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 570                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 571   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 572   volume =       "70",
 573   number =       "16",
 574   pages =        "2435--2438",
 575   numpages =     "3",
 576   year =         "1993",
 577   month =        apr,
 578   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 579   publisher =    "American Physical Society",
 580   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 581                  entropy calculations",
 582 }
 583
 584 @Article{munro99,
 585   title =        "Defect migration in crystalline silicon",
 586   author =       "Lindsey J. Munro and David J. Wales",
 587   journal =      "Phys. Rev. B",
 588   volume =       "59",
 589   number =       "6",
 590   pages =        "3969--3980",
 591   numpages =     "11",
 592   year =         "1999",
 593   month =        feb,
 594   doi =          "10.1103/PhysRevB.59.3969",
 595   publisher =    "American Physical Society",
 596   notes =        "eigenvector following method, vacancy and interstiial
 597                  defect migration mechanisms",
 598 }
 599
 600 @Article{colombo02,
 601   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 602                  silicon",
 603   author =       "L. Colombo",
 604   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 605   volume =       "32",
 606   pages =        "271--295",
 607   numpages =     "25",
 608   year =         "2002",
 609   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 610   publisher =    "Annual Reviews",
 611   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 612 }
 613
 614 @Article{al-mushadani03,
 615   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 616                  silicon",
 617   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 618   journal =      "Phys. Rev. B",
 619   volume =       "68",
 620   number =       "23",
 621   pages =        "235205",
 622   numpages =     "8",
 623   year =         "2003",
 624   month =        dec,
 625   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 626   publisher =    "American Physical Society",
 627   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 628                  silicon, si self interstitials, free energy",
 629 }
 630
 631 @Article{mattsson08,
 632   title =        "Electronic surface error in the Si interstitial
 633                  formation energy",
 634   author =       "Ann E. Mattsson and Ryan R. Wixom and Rickard
 635                  Armiento",
 636   journal =      "Phys. Rev. B",
 637   volume =       "77",
 638   number =       "15",
 639   pages =        "155211",
 640   numpages =     "7",
 641   year =         "2008",
 642   month =        apr,
 643   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.155211",
 644   publisher =    "American Physical Society",
 645   notes =        "si self interstitial formation energies by dft",
 646 }
 647
 648 @Article{goedecker02,
 649   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 650   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 651   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 652   volume =       "88",
 653   number =       "23",
 654   pages =        "235501",
 655   numpages =     "4",
 656   year =         "2002",
 657   month =        may,
 658   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 659   publisher =    "American Physical Society",
 660   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 661                  silicon",
 662 }
 663
 664 @Article{sahli05,
 665   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 666                  self-interstitial diffusion in silicon",
 667   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 668   journal =      "Phys. Rev. B",
 669   volume =       "72",
 670   number =       "24",
 671   pages =        "245210",
 672   numpages =     "6",
 673   year =         "2005",
 674   month =        dec,
 675   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 676   publisher =    "American Physical Society",
 677   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 678                  mapping applied",
 679 }
 680
 681 @Article{hobler05,
 682   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 683                  native point defects in silicon",
 684   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 685   volume =       "124-125",
 686   number =       "",
 687   pages =        "368--371",
 688   year =         "2005",
 689   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 690                  Issues for Future Technologies",
 691   ISSN =         "0921-5107",
 692   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 693   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 694   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 695   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 696                  radius",
 697 }
 698
 699 @Article{ma10,
 700   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 701                  wide temperature range: Point defect states and
 702                  migration mechanisms",
 703   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 704   journal =      "Phys. Rev. B",
 705   volume =       "81",
 706   number =       "19",
 707   pages =        "193203",
 708   numpages =     "4",
 709   year =         "2010",
 710   month =        may,
 711   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 712   publisher =    "American Physical Society",
 713   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 714 }
 715
 716 @Article{posselt06,
 717   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 718                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 719   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 720   journal =      "Phys. Rev. B",
 721   volume =       "73",
 722   number =       "12",
 723   pages =        "125206",
 724   numpages =     "8",
 725   year =         "2006",
 726   month =        mar,
 727   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 728   publisher =    "American Physical Society",
 729 }
 730
 731 @Article{posselt08,
 732   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 733                  migration mechanisms of vacancies and
 734                  self-interstitials: An atomistic study",
 735   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 736   journal =      "Phys. Rev. B",
 737   volume =       "78",
 738   number =       "3",
 739   pages =        "035208",
 740   numpages =     "9",
 741   year =         "2008",
 742   month =        jul,
 743   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 744   publisher =    "American Physical Society",
 745   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 746                  weber and tersoff",
 747 }
 748
 749 @Article{gao2001,
 750   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 751                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 752   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 753                  Corrales",
 754   journal =      "Phys. Rev. B",
 755   volume =       "64",
 756   number =       "24",
 757   pages =        "245208",
 758   numpages =     "7",
 759   year =         "2001",
 760   month =        dec,
 761   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 762   publisher =    "American Physical Society",
 763   notes =        "defects in 3c-sic",
 764 }
 765
 766 @Article{gao02,
 767   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 768                  3{C}-Si{C}",
 769   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 770   volume =       "191",
 771   number =       "1-4",
 772   pages =        "487--496",
 773   year =         "2002",
 774   note =         "",
 775   ISSN =         "0168-583X",
 776   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 777   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 778   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 779   keywords =     "Empirical potential",
 780   keywords =     "Defect properties",
 781   keywords =     "Silicon carbide",
 782   keywords =     "Computer simulation",
 783   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 784 }
 785
 786 @Article{gao04,
 787   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 788                  3{C}-Si{C}",
 789   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 790                  Belko",
 791   journal =      "Phys. Rev. B",
 792   volume =       "69",
 793   number =       "24",
 794   pages =        "245205",
 795   numpages =     "5",
 796   year =         "2004",
 797   month =        jun,
 798   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 799   publisher =    "American Physical Society",
 800   notes =        "defect migration in sic",
 801 }
 802
 803 @Article{gao07,
 804   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 805                  W. J. Weber",
 806   collaboration = "",
 807   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 808                  in cubic silicon carbide",
 809   publisher =    "AIP",
 810   year =         "2007",
 811   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 812   volume =       "90",
 813   number =       "22",
 814   eid =          "221915",
 815   numpages =     "3",
 816   pages =        "221915",
 817   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 818                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 819                  dynamics method; density functional theory;
 820                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 821                  impurities; diffusion",
 822   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 823   doi =          "10.1063/1.2743751",
 824 }
 825
 826 @Article{mattoni2002,
 827   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 828                  crystalline silicon",
 829   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 830   journal =      "Phys. Rev. B",
 831   volume =       "66",
 832   number =       "19",
 833   pages =        "195214",
 834   numpages =     "6",
 835   year =         "2002",
 836   month =        nov,
 837   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 838   publisher =    "American Physical Society",
 839   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 840                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 841                  tersoff suitability",
 842 }
 843
 844 @Article{leung99,
 845   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 846   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 847                  Itoh and S. Ihara",
 848   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 849   volume =       "83",
 850   number =       "12",
 851   pages =        "2351--2354",
 852   numpages =     "3",
 853   year =         "1999",
 854   month =        sep,
 855   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 856   publisher =    "American Physical Society",
 857   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 858                  refs",
 859 }
 860
 861 @Article{capaz94,
 862   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 863                  carbon in silicon",
 864   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 865   journal =      "Phys. Rev. B",
 866   volume =       "50",
 867   number =       "11",
 868   pages =        "7439--7442",
 869   numpages =     "3",
 870   year =         "1994",
 871   month =        sep,
 872   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 873   publisher =    "American Physical Society",
 874   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 875                  dumbbell",
 876 }
 877
 878 @Article{capaz98,
 879   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 880   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 881   journal =      "Phys. Rev. B",
 882   volume =       "58",
 883   number =       "15",
 884   pages =        "9845--9850",
 885   numpages =     "5",
 886   year =         "1998",
 887   month =        oct,
 888   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 889   publisher =    "American Physical Society",
 890   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 891 }
 892
 893 @Article{song90_2,
 894   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 895                  pair in silicon",
 896   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 897                  Watkins",
 898   journal =      "Phys. Rev. B",
 899   volume =       "42",
 900   number =       "9",
 901   pages =        "5765--5783",
 902   numpages =     "18",
 903   year =         "1990",
 904   month =        sep,
 905   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 906   publisher =    "American Physical Society",
 907   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 908 }
 909
 910 @Article{liu02,
 911   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 912                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 913   collaboration = "",
 914   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 915                  interactions in Si",
 916   publisher =    "AIP",
 917   year =         "2002",
 918   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 919   volume =       "80",
 920   number =       "1",
 921   pages =        "52--54",
 922   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 923                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 924                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 925   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 926   doi =          "10.1063/1.1430505",
 927   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 928 }
 929
 930 @Article{dal_pino93,
 931   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 932                  silicon",
 933   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 934                  Joannopoulos",
 935   journal =      "Phys. Rev. B",
 936   volume =       "47",
 937   number =       "19",
 938   pages =        "12554--12557",
 939   numpages =     "3",
 940   year =         "1993",
 941   month =        may,
 942   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 943   publisher =    "American Physical Society",
 944   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 945 }
 946
 947 @Article{car84,
 948   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 949                  Silicon",
 950   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 951                  Sokrates T. Pantelides",
 952   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 953   volume =       "52",
 954   number =       "20",
 955   pages =        "1814--1817",
 956   numpages =     "3",
 957   year =         "1984",
 958   month =        may,
 959   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 960   publisher =    "American Physical Society",
 961   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 962                  path formation",
 963 }
 964
 965 @Article{car85,
 966   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 967                  Density-Functional Theory",
 968   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 969   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 970   volume =       "55",
 971   number =       "22",
 972   pages =        "2471--2474",
 973   numpages =     "3",
 974   year =         "1985",
 975   month =        nov,
 976   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 977   publisher =    "American Physical Society",
 978   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 979 }
 980
 981 @Article{kelires97,
 982   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 983                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 984   author =       "P. C. Kelires",
 985   journal =      "Phys. Rev. B",
 986   volume =       "55",
 987   number =       "14",
 988   pages =        "8784--8787",
 989   numpages =     "3",
 990   year =         "1997",
 991   month =        apr,
 992   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 993   publisher =    "American Physical Society",
 994   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 995                  neighbour dist",
 996 }
 997
 998 @Article{kelires95,
 999   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
1000                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
1001   author =       "P. C. Kelires",
1002   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1003   volume =       "75",
1004   number =       "6",
1005   pages =        "1114--1117",
1006   numpages =     "3",
1007   year =         "1995",
1008   month =        aug,
1009   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
1010   publisher =    "American Physical Society",
1011   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
1012 }
1013
1014 @Article{bean70,
1015   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
1016                  containing carbon",
1017   journal =      "Solid State Commun.",
1018   volume =       "8",
1019   number =       "3",
1020   pages =        "175--177",
1021   year =         "1970",
1022   note =         "",
1023   ISSN =         "0038-1098",
1024   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
1025   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
1026   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
1027 }
1028
1029 @Article{durand99,
1030   author =       "F. Durand and J. Duby",
1031   affiliation =  "EPM-Madylam, CNRS and INP Grenoble, France",
1032   title =        "Carbon solubility in solid and liquid silicon—{A}
1033                  review with reference to eutectic equilibrium",
1034   journal =      "Journal of Phase Equilibria",
1035   publisher =    "Springer New York",
1036   ISSN =         "1054-9714",
1037   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
1038   pages =        "61--63",
1039   volume =       "20",
1040   issue =        "1",
1041   URL =          "http://dx.doi.org/10.1361/105497199770335956",
1042   note =         "10.1361/105497199770335956",
1043   year =         "1999",
1044   notes =        "better c solubility limit in silicon",
1045 }
1046
1047 @Article{watkins76,
1048   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
1049                  Atom in Silicon",
1050   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
1051   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1052   volume =       "36",
1053   number =       "22",
1054   pages =        "1329--1332",
1055   numpages =     "3",
1056   year =         "1976",
1057   month =        may,
1058   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
1059   publisher =    "American Physical Society",
1060   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
1061                  silicon",
1062 }
1063
1064 @Article{song90,
1065   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
1066                  interstitial carbon in silicon",
1067   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
1068   journal =      "Phys. Rev. B",
1069   volume =       "42",
1070   number =       "9",
1071   pages =        "5759--5764",
1072   numpages =     "5",
1073   year =         "1990",
1074   month =        sep,
1075   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
1076   publisher =    "American Physical Society",
1077   notes =        "carbon diffusion in silicon",
1078 }
1079
1080 @Article{tipping87,
1081   author =       "A K Tipping and R C Newman",
1082   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
1083                  silicon",
1084   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
1085   volume =       "2",
1086   number =       "5",
1087   pages =        "315--317",
1088   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
1089   year =         "1987",
1090   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
1091                  silicon",
1092 }
1093
1094 @Article{isomae93,
1095   author =       "Seiichi Isomae and Tsutomu Ishiba and Toshio Ando and
1096                  Masao Tamura",
1097   collaboration = "",
1098   title =        "Annealing behavior of Me{V} implanted carbon in
1099                  silicon",
1100   publisher =    "AIP",
1101   year =         "1993",
1102   journal =      "J. Appl. Phys.",
1103   volume =       "74",
1104   number =       "6",
1105   pages =        "3815--3820",
1106   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; WAFERS; CARBON IONS; MEV
1107                  RANGE 0110; TEM; SIMS; INFRARED SPECTRA; STRAINS; DEPTH
1108                  PROFILES",
1109   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/3815/1",
1110   doi =          "10.1063/1.354474",
1111   notes =        "c at interstitial location for rt implantation in si",
1112 }
1113
1114 @Article{strane96,
1115   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
1116                  ion implantation and solid phase epitaxy",
1117   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
1118                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1119   journal =      "J. Appl. Phys.",
1120   volume =       "79",
1121   pages =        "637",
1122   year =         "1996",
1123   month =        jan,
1124   doi =          "10.1063/1.360806",
1125   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
1126 }
1127
1128 @Article{laveant2002,
1129   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1130   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1131   volume =       "89",
1132   number =       "1-3",
1133   pages =        "241--245",
1134   year =         "2002",
1135   ISSN =         "0921-5107",
1136   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1137   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1138   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1139                  G{\"{o}}sele",
1140   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1141                  stress, avoid sic precipitation",
1142 }
1143
1144 @Article{foell77,
1145   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1146                  agglomeration of self-interstitials",
1147   journal =      "J. Cryst. Growth",
1148   volume =       "40",
1149   number =       "1",
1150   pages =        "90--108",
1151   year =         "1977",
1152   note =         "",
1153   ISSN =         "0022-0248",
1154   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1155   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1156   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1157   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1158                  agglomerate",
1159 }
1160
1161 @Article{foell81,
1162   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1163                  defects",
1164   journal =      "J. Cryst. Growth",
1165   volume =       "52",
1166   number =       "Part 2",
1167   pages =        "907--916",
1168   year =         "1981",
1169   note =         "",
1170   ISSN =         "0022-0248",
1171   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1172   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1173   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1174   notes =        "swirl review",
1175 }
1176
1177 @Article{werner97,
1178   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1179                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1180   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1181                  silicon by transmission electron microscopy",
1182   publisher =    "AIP",
1183   year =         "1997",
1184   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1185   volume =       "70",
1186   number =       "2",
1187   pages =        "252--254",
1188   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1189                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1190                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1191                  layers; precipitation",
1192   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1193   doi =          "10.1063/1.118381",
1194   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1195                  precipitate",
1196 }
1197
1198 @InProceedings{werner96,
1199   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1200                  Eichler",
1201   booktitle =    "Proceedings of the 11th International Conference on
1202                  Ion Implantation Technology.",
1203   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1204                  implanted silicon",
1205   year =         "1996",
1206   month =        jun,
1207   volume =       "",
1208   number =       "",
1209   pages =        "675--678",
1210   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1211   ISSN =         "",
1212   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1213 }
1214
1215 @Article{werner98,
1216   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1217                  D. C. Jacobson",
1218   collaboration = "",
1219   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1220   publisher =    "AIP",
1221   year =         "1998",
1222   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1223   volume =       "73",
1224   number =       "17",
1225   pages =        "2465--2467",
1226   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1227                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1228                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1229                  impurity distribution",
1230   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1231   doi =          "10.1063/1.122483",
1232   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1233 }
1234
1235 @Article{kalejs84,
1236   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1237   collaboration = "",
1238   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1239                  silicon",
1240   publisher =    "AIP",
1241   year =         "1984",
1242   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1243   volume =       "45",
1244   number =       "3",
1245   pages =        "268--269",
1246   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1247                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1248                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1249   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1250   doi =          "10.1063/1.95167",
1251   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1252 }
1253
1254 @Article{fukami90,
1255   author =       "Akira Fukami and Ken-ichi Shoji and Takahiro Nagano
1256                  and Cary Y. Yang",
1257   collaboration = "",
1258   title =        "Characterization of SiGe/Si heterostructures formed by
1259                  Ge[sup + ] and {C}[sup + ] implantation",
1260   publisher =    "AIP",
1261   year =         "1990",
1262   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1263   volume =       "57",
1264   number =       "22",
1265   pages =        "2345--2347",
1266   keywords =     "HETEROJUNCTIONS; ION IMPLANTATION; HETEROSTRUCTURES;
1267                  FABRICATION; PN JUNCTIONS; LEAKAGE CURRENT; GERMANIUM
1268                  SILICIDES; SILICON; ELECTRICAL PROPERTIES; SOLIDPHASE
1269                  EPITAXY; CARBON IONS; GERMANIUM IONS",
1270   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/57/2345/1",
1271   doi =          "10.1063/1.103888",
1272 }
1273
1274 @Article{strane93,
1275   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and B. L.
1276                  Doyle and S. T. Picraux and J. W. Mayer",
1277   collaboration = "",
1278   title =        "Metastable SiGe{C} formation by solid phase epitaxy",
1279   publisher =    "AIP",
1280   year =         "1993",
1281   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1282   volume =       "63",
1283   number =       "20",
1284   pages =        "2786--2788",
1285   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; TERNARY ALLOY
1286                  SYSTEMS; EPITAXY; ION IMPLANTATION; METASTABLE STATES;
1287                  ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; RUTHERFORD
1288                  SCATTERING; XRAY DIFFRACTION; STRAINS; SOLIDPHASE
1289                  EPITAXY; AMORPHIZATION",
1290   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/63/2786/1",
1291   doi =          "10.1063/1.110334",
1292 }
1293
1294 @Article{goorsky92,
1295   author =       "M. S. Goorsky and S. S. Iyer and K. Eberl and F.
1296                  Legoues and J. Angilello and F. Cardone",
1297   collaboration = "",
1298   title =        "Thermal stability of Si[sub 1 - x]{C}[sub x]/Si
1299                  strained layer superlattices",
1300   publisher =    "AIP",
1301   year =         "1992",
1302   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1303   volume =       "60",
1304   number =       "22",
1305   pages =        "2758--2760",
1306   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
1307                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; SUPERLATTICES; ANNEALING;
1308                  CHEMICAL COMPOSITION; INTERNAL STRAINS; STRESS
1309                  RELAXATION; THERMAL INSTABILITIES; INTERFACE STRUCTURE;
1310                  DIFFUSION; PRECIPITATION; TEMPERATURE EFFECTS",
1311   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/2758/1",
1312   doi =          "10.1063/1.106868",
1313 }
1314
1315 @Article{strane94,
1316   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1317                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1318   collaboration = "",
1319   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1320                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1321   publisher =    "AIP",
1322   year =         "1994",
1323   journal =      "J. Appl. Phys.",
1324   volume =       "76",
1325   number =       "6",
1326   pages =        "3656--3668",
1327   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1328   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1329   doi =          "10.1063/1.357429",
1330   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1331                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1332                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1333                  energy",
1334 }
1335
1336 @Article{fischer95,
1337   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1338                  Osten",
1339   collaboration = "",
1340   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1341                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1342   publisher =    "AIP",
1343   year =         "1995",
1344   journal =      "J. Appl. Phys.",
1345   volume =       "77",
1346   number =       "5",
1347   pages =        "1934--1937",
1348   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1349                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1350                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1351                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1352   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1353   doi =          "10.1063/1.358826",
1354 }
1355
1356 @Article{edgar92,
1357   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1358                  semiconductors",
1359   author =       "J. H. Edgar",
1360   journal =      "J. Mater. Res.",
1361   volume =       "7",
1362   pages =        "235",
1363   year =         "1992",
1364   month =        jan,
1365   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1366   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1367                  polytypes",
1368 }
1369
1370 @Article{zirkelbach2007,
1371   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1372                  process leading to ordered precipitate structures",
1373   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1374                  and B. Stritzker",
1375   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1376   volume =       "257",
1377   number =       "1--2",
1378   pages =        "75--79",
1379   numpages =     "5",
1380   year =         "2007",
1381   month =        apr,
1382   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1383   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1384                  NETHERLANDS",
1385   abstract =     "Periodically arranged, selforganised, nanometric,
1386                  amorphous precipitates have been observed after
1387                  high-fluence ion implantations into solids for a number
1388                  of ion/target combinations at certain implantation
1389                  conditions. A model describing the ordering process
1390                  based on compressive stress exerted by the amorphous
1391                  inclusions as a result of the density change upon
1392                  amorphisation is introduced. A Monte Carlo simulation
1393                  code, which focuses on high-fluence carbon
1394                  implantations into silicon, is able to reproduce
1395                  experimentally observed nanolamella distributions as
1396                  well as the formation of continuous amorphous layers.
1397                  By means of simulation, the selforganisation process
1398                  becomes traceable and detailed information about the
1399                  compositional and structural state during the ordering
1400                  process is obtained. Based on simulation results, a
1401                  recipe is proposed for producing broad distributions of
1402                  ordered lamellar structures.",
1403 }
1404
1405 @Article{zirkelbach2006,
1406   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1407                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1408                  during ion irradiation",
1409   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1410                  and B. Stritzker",
1411   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1412   volume =       "242",
1413   number =       "1--2",
1414   pages =        "679--682",
1415   numpages =     "4",
1416   year =         "2006",
1417   month =        jan,
1418   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1419   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1420                  NETHERLANDS",
1421   abstract =     "High-dose ion implantation of materials that undergo
1422                  drastic density change upon amorphization at certain
1423                  implantation conditions results in periodically
1424                  arranged, self-organized, nanometric configurations of
1425                  the amorphous phase. A simple model explaining the
1426                  phenomenon is introduced and implemented in a
1427                  Monte-Carlo simulation code. Through simulation
1428                  conditions for observing lamellar precipitates are
1429                  specified and additional information about the
1430                  compositional and structural state during the ordering
1431                  process is gained.",
1432 }
1433
1434 @Article{zirkelbach2005,
1435   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1436                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1437                  ion irradiation",
1438   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1439                  and B. Stritzker",
1440   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1441   volume =       "33",
1442   number =       "1--3",
1443   pages =        "310--316",
1444   numpages =     "7",
1445   year =         "2005",
1446   month =        apr,
1447   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1448   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1449                  NETHERLANDS",
1450   abstract =     "Ion irradiation of materials, which undergo a drastic
1451                  density change upon amorphization have been shown to
1452                  exhibit selforganized, nanometric structures of the
1453                  amorphous phase in the crystalline host lattice. In
1454                  order to better understand the process a
1455                  Monte-Carlo-simulation code based on a simple model is
1456                  developed. In the present work we focus on high-dose
1457                  carbon implantations into silicon. The simulation is
1458                  able to reproduce results gained by cross-sectional TEM
1459                  measurements of high-dose carbon implanted silicon.
1460                  Necessary conditions can be specified for the
1461                  self-organization process and information is gained
1462                  about the compositional and structural state during the
1463                  ordering process which is difficult to be obtained by
1464                  experiment.",
1465 }
1466
1467 @Article{zirkelbach09,
1468   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1469                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1470   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1471   volume =       "159-160",
1472   number =       "",
1473   pages =        "149--152",
1474   year =         "2009",
1475   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1476                  Silicon Materials Research for Electronic and
1477                  Photovoltaic Applications",
1478   ISSN =         "0921-5107",
1479   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1480   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1481   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1482                  B. Stritzker",
1483   keywords =     "Silicon",
1484   keywords =     "Carbon",
1485   keywords =     "Silicon carbide",
1486   keywords =     "Nucleation",
1487   keywords =     "Defect formation",
1488   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1489   abstract =     "The precipitation process of silicon carbide in
1490                  heavily carbon doped silicon is not yet fully
1491                  understood. High resolution transmission electron
1492                  microscopy observations suggest that in a first step
1493                  carbon atoms form C-Si dumbbells on regular Si lattice
1494                  sites which agglomerate into large clusters. In a
1495                  second step, when the cluster size reaches a radius of
1496                  a few nm, the high interfacial energy due to the SiC/Si
1497                  lattice misfit of almost 20\% is overcome and the
1498                  precipitation occurs. By simulation, details of the
1499                  precipitation process can be obtained on the atomic
1500                  level. A recently proposed parametrization of a
1501                  Tersoff-like bond order potential is used to model the
1502                  system appropriately. Preliminary results gained by
1503                  molecular dynamics simulations using this potential are
1504                  presented.",
1505 }
1506
1507 @Article{zirkelbach10,
1508   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1509                  classical potentials and first-principles methods",
1510   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1511                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1512   journal =      "Phys. Rev. B",
1513   volume =       "82",
1514   number =       "9",
1515   pages =        "094110",
1516   numpages =     "6",
1517   year =         "2010",
1518   month =        sep,
1519   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1520   publisher =    "American Physical Society",
1521   abstract =     "A comparative theoretical investigation of carbon
1522                  interstitials in silicon is presented. Calculations
1523                  using classical potentials are compared to
1524                  first-principles density-functional theory calculations
1525                  of the geometries, formation, and activation energies
1526                  of the carbon dumbbell interstitial, showing the
1527                  importance of a quantum-mechanical description of this
1528                  system. In contrast to previous studies, the present
1529                  first-principles calculations of the interstitial
1530                  carbon migration path yield an activation energy that
1531                  excellently matches the experiment. The bond-centered
1532                  interstitial configuration shows a net magnetization of
1533                  two electrons, illustrating the need for spin-polarized
1534                  calculations.",
1535 }
1536
1537 @Article{zirkelbach11,
1538   journal =      "Phys. Rev. B",
1539   month =        aug,
1540   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.84.064126",
1541   publisher =    "American Physical Society",
1542   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1543                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1544   title =        "Combined \textit{ab initio} and classical potential
1545                  simulation study on silicon carbide precipitation in
1546                  silicon",
1547   year =         "2011",
1548   pages =        "064126",
1549   numpages =     "18",
1550   volume =       "84",
1551   doi =          "10.1103/PhysRevB.84.064126",
1552   issue =        "6",
1553   abstract =     "Atomistic simulations on the silicon carbide
1554                  precipitation in bulk silicon employing both, classical
1555                  potential and first-principles methods are presented.
1556                  The calculations aim at a comprehensive, microscopic
1557                  understanding of the precipitation mechanism in the
1558                  context of controversial discussions in the literature.
1559                  For the quantum-mechanical treatment, basic processes
1560                  assumed in the precipitation process are calculated in
1561                  feasible systems of small size. The migration mechanism
1562                  of a carbon \hkl<1 0 0> interstitial and silicon \hkl<1
1563                  1 0> self-interstitial in otherwise defect-free silicon
1564                  are investigated using density functional theory
1565                  calculations. The influence of a nearby vacancy,
1566                  another carbon interstitial and a substitutional defect
1567                  as well as a silicon self-interstitial has been
1568                  investigated systematically. Interactions of various
1569                  combinations of defects have been characterized
1570                  including a couple of selected migration pathways
1571                  within these configurations. Almost all of the
1572                  investigated pairs of defects tend to agglomerate
1573                  allowing for a reduction in strain. The formation of
1574                  structures involving strong carbon-carbon bonds turns
1575                  out to be very unlikely. In contrast, substitutional
1576                  carbon occurs in all probability. A long range capture
1577                  radius has been observed for pairs of interstitial
1578                  carbon as well as interstitial carbon and vacancies. A
1579                  rather small capture radius is predicted for
1580                  substitutional carbon and silicon self-interstitials.
1581                  Initial assumptions regarding the precipitation
1582                  mechanism of silicon carbide in bulk silicon are
1583                  established and conformability to experimental findings
1584                  is discussed. Furthermore, results of the accurate
1585                  first-principles calculations on defects and carbon
1586                  diffusion in silicon are compared to results of
1587                  classical potential simulations revealing significant
1588                  limitations of the latter method. An approach to work
1589                  around this problem is proposed. Finally, results of
1590                  the classical potential molecular dynamics simulations
1591                  of large systems are examined, which reinforce previous
1592                  assumptions and give further insight into basic
1593                  processes involved in the silicon carbide transition.",
1594 }
1595
1596 @Article{zirkelbach12,
1597   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and W.
1598                  G. Schmidt and E. Rauls and J. K. N. Lindner",
1599   title =        "First-principles and empirical potential simulation
1600                  study of intrinsic and carbon-related defects in
1601                  silicon",
1602   journal =      "physica status solidi (c)",
1603   volume =       "9",
1604   number =       "10-11",
1605   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
1606   ISSN =         "1610-1642",
1607   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201200198",
1608   doi =          "10.1002/pssc.201200198",
1609   pages =        "1968--1973",
1610   keywords =     "silicon, carbon, silicon carbide, defect formation,
1611                  defect migration, density functional theory, empirical
1612                  potential, molecular dynamics",
1613   year =         "2012",
1614   abstract =     "Results of atomistic simulations aimed at
1615                  understanding precipitation of the highly attractive
1616                  wide band gap semiconductor material silicon carbide in
1617                  silicon are presented. The study involves a systematic
1618                  investigation of intrinsic and carbon-related defects
1619                  as well as defect combinations and defect migration by
1620                  both, quantummechanical first-principles as well as
1621                  empirical potential methods. Comparing formation and
1622                  activation energies, ground-state structures of defects
1623                  and defect combinations as well as energetically
1624                  favorable agglomeration of defects are predicted.
1625                  Moreover, accurate ab initio calculations unveil
1626                  limitations of the analytical method based on a
1627                  Tersoff-like bond order potential. A work-around is
1628                  proposed in order to subsequently apply the highly
1629                  efficient technique on large structures not accessible
1630                  by first-principles methods. The outcome of both types
1631                  of simulation provides a basic microscopic
1632                  understanding of defect formation and structural
1633                  evolution particularly at non-equilibrium conditions
1634                  strongly deviated from the ground state as commonly
1635                  found in SiC growth processes. A possible precipitation
1636                  mechanism, which conforms well to experimental findings
1637                  and clarifies contradictory views present in the
1638                  literature is outlined (© 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH &
1639                  Co. KGaA, Weinheim)",
1640 }
1641
1642 @Article{lindner95,
1643   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1644                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1645   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1646                  Layers in Silicon",
1647   journal =      "MRS Proc.",
1648   volume =       "354",
1649   number =       "",
1650   pages =        "171",
1651   year =         "1994",
1652   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1653   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1654   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1655 }
1656
1657 @Article{lindner96,
1658   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1659                  in silicon by ion beam synthesis",
1660   journal =      "Mater. Chem. Phys.",
1661   volume =       "46",
1662   number =       "2-3",
1663   pages =        "147--155",
1664   year =         "1996",
1665   note =         "",
1666   ISSN =         "0254-0584",
1667   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1668   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1669   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1670                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1671                  Stritzker",
1672   notes =        "dose window",
1673 }
1674
1675 @Article{calcagno96,
1676   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1677                  ion implantation",
1678   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1679   volume =       "120",
1680   number =       "1-4",
1681   pages =        "121--124",
1682   year =         "1996",
1683   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1684                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1685   ISSN =         "0168-583X",
1686   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1687   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1688   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1689                  Grimaldi and P. Musumeci",
1690   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1691 }
1692
1693 @Article{lindner98,
1694   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1695                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1696   journal =      "Mater. Sci. Forum",
1697   volume =       "264-268",
1698   pages =        "215--218",
1699   year =         "1998",
1700   note =         "",
1701   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1702   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1703   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1704   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1705                  crystallinity",
1706 }
1707
1708 @Article{lindner99,
1709   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1710                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1711                  layers in silicon",
1712   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1713   volume =       "147",
1714   number =       "1-4",
1715   pages =        "249--255",
1716   year =         "1999",
1717   note =         "",
1718   ISSN =         "0168-583X",
1719   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1720   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1721   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1722   notes =        "two-step implantation process",
1723 }
1724
1725 @Article{lindner99_2,
1726   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1727                  in silicon",
1728   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1729   volume =       "148",
1730   number =       "1-4",
1731   pages =        "528--533",
1732   year =         "1999",
1733   ISSN =         "0168-583X",
1734   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1735   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1736   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1737   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1738 }
1739
1740 @Article{lindner01,
1741   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1742                  Basic physical processes",
1743   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1744   volume =       "178",
1745   number =       "1-4",
1746   pages =        "44--54",
1747   year =         "2001",
1748   note =         "",
1749   ISSN =         "0168-583X",
1750   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1751   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1752   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1753 }
1754
1755 @Article{lindner02,
1756   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1757                  fundamental studies for new technological tricks",
1758   author =       "J. K. N. Lindner",
1759   journal =      "Appl. Phys. A",
1760   volume =       "77",
1761   pages =        "27--38",
1762   year =         "2003",
1763   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1764   notes =        "ibs, burried sic layers",
1765 }
1766
1767 @Article{lindner06,
1768   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1769                  formation and displacive precipitate resolution in the
1770                  {C}-Si system",
1771   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1772   volume =       "26",
1773   number =       "5-7",
1774   pages =        "857--861",
1775   year =         "2006",
1776   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1777                  Applications",
1778   ISSN =         "0928-4931",
1779   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1780   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1781   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1782                  and B. Stritzker",
1783   notes =        "c int diffusion barrier",
1784 }
1785
1786 @Article{haeberlen10,
1787   title =        "Structural characterization of cubic and hexagonal
1788                  Ga{N} thin films grown by {IBA}-{MBE} on Si{C}/Si",
1789   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1790   volume =       "312",
1791   number =       "6",
1792   pages =        "762--769",
1793   year =         "2010",
1794   note =         "",
1795   ISSN =         "0022-0248",
1796   doi =          "10.1016/j.jcrysgro.2009.12.048",
1797   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024809011452",
1798   author =       "M. H{\"a}berlen and J. W. Gerlach and B. Murphy and J.
1799                  K. N. Lindner and B. Stritzker",
1800 }
1801
1802 @Article{ito04,
1803   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1804                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1805                  growth",
1806   journal =      "Appl. Surf. Sci.",
1807   volume =       "238",
1808   number =       "1-4",
1809   pages =        "159--164",
1810   year =         "2004",
1811   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1812   ISSN =         "0169-4332",
1813   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1814   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1815   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1816                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1817   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1818 }
1819
1820 @Article{yamamoto04,
1821   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1822                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1823                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1824   journal =      "J. Cryst. Growth",
1825   volume =       "261",
1826   number =       "2-3",
1827   pages =        "266--270",
1828   year =         "2004",
1829   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1830                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1831   ISSN =         "0022-0248",
1832   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1833   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1834   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1835                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1836   notes =        "gan on 3c-sic",
1837 }
1838
1839 @Article{liu_l02,
1840   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1841   journal =      "Mater. Sci. Eng., R",
1842   volume =       "37",
1843   number =       "3",
1844   pages =        "61--127",
1845   year =         "2002",
1846   note =         "",
1847   ISSN =         "0927-796X",
1848   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1849   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1850   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1851   notes =        "gan substrates",
1852 }
1853
1854 @Article{takeuchi91,
1855   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1856                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1857   journal =      "J. Cryst. Growth",
1858   volume =       "115",
1859   number =       "1-4",
1860   pages =        "634--638",
1861   year =         "1991",
1862   note =         "",
1863   ISSN =         "0022-0248",
1864   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1865   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1866   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1867                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1868   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1869 }
1870
1871 @Article{alder57,
1872   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1873   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1874   publisher =    "AIP",
1875   year =         "1957",
1876   journal =      "J. Chem. Phys.",
1877   volume =       "27",
1878   number =       "5",
1879   pages =        "1208--1209",
1880   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1881   doi =          "10.1063/1.1743957",
1882 }
1883
1884 @Article{alder59,
1885   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1886   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1887   publisher =    "AIP",
1888   year =         "1959",
1889   journal =      "J. Chem. Phys.",
1890   volume =       "31",
1891   number =       "2",
1892   pages =        "459--466",
1893   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1894   doi =          "10.1063/1.1730376",
1895 }
1896
1897 @Article{horsfield96,
1898   title =        "Bond-order potentials: Theory and implementation",
1899   author =       "A. P. Horsfield and A. M. Bratkovsky and M. Fearn and
1900                  D. G. Pettifor and M. Aoki",
1901   journal =      "Phys. Rev. B",
1902   volume =       "53",
1903   number =       "19",
1904   pages =        "12694--12712",
1905   numpages =     "18",
1906   year =         "1996",
1907   month =        may,
1908   doi =          "10.1103/PhysRevB.53.12694",
1909   publisher =    "American Physical Society",
1910 }
1911
1912 @Article{abell85,
1913   title =        "Empirical chemical pseudopotential theory of molecular
1914                  and metallic bonding",
1915   author =       "G. C. Abell",
1916   journal =      "Phys. Rev. B",
1917   volume =       "31",
1918   number =       "10",
1919   pages =        "6184--6196",
1920   numpages =     "12",
1921   year =         "1985",
1922   month =        may,
1923   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.6184",
1924   publisher =    "American Physical Society",
1925 }
1926
1927 @Article{tersoff_si1,
1928   title =        "New empirical model for the structural properties of
1929                  silicon",
1930   author =       "J. Tersoff",
1931   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1932   volume =       "56",
1933   number =       "6",
1934   pages =        "632--635",
1935   numpages =     "3",
1936   year =         "1986",
1937   month =        feb,
1938   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1939   publisher =    "American Physical Society",
1940 }
1941
1942 @Article{dodson87,
1943   title =        "Development of a many-body Tersoff-type potential for
1944                  silicon",
1945   author =       "Brian W. Dodson",
1946   journal =      "Phys. Rev. B",
1947   volume =       "35",
1948   number =       "6",
1949   pages =        "2795--2798",
1950   numpages =     "3",
1951   year =         "1987",
1952   month =        feb,
1953   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.2795",
1954   publisher =    "American Physical Society",
1955 }
1956
1957 @Article{tersoff_si2,
1958   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1959                  covalent systems",
1960   author =       "J. Tersoff",
1961   journal =      "Phys. Rev. B",
1962   volume =       "37",
1963   number =       "12",
1964   pages =        "6991--7000",
1965   numpages =     "9",
1966   year =         "1988",
1967   month =        apr,
1968   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1969   publisher =    "American Physical Society",
1970 }
1971
1972 @Article{tersoff_si3,
1973   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1974                  improved elastic properties",
1975   author =       "J. Tersoff",
1976   journal =      "Phys. Rev. B",
1977   volume =       "38",
1978   number =       "14",
1979   pages =        "9902--9905",
1980   numpages =     "3",
1981   year =         "1988",
1982   month =        nov,
1983   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1984   publisher =    "American Physical Society",
1985 }
1986
1987 @Article{tersoff_c,
1988   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1989                  Applications to Amorphous Carbon",
1990   author =       "J. Tersoff",
1991   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1992   volume =       "61",
1993   number =       "25",
1994   pages =        "2879--2882",
1995   numpages =     "3",
1996   year =         "1988",
1997   month =        dec,
1998   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1999   publisher =    "American Physical Society",
2000 }
2001
2002 @Article{tersoff_m,
2003   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
2004                  for multicomponent systems",
2005   author =       "J. Tersoff",
2006   journal =      "Phys. Rev. B",
2007   volume =       "39",
2008   number =       "8",
2009   pages =        "5566--5568",
2010   numpages =     "2",
2011   year =         "1989",
2012   month =        mar,
2013   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
2014   publisher =    "American Physical Society",
2015 }
2016
2017 @Article{tersoff90,
2018   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
2019   author =       "J. Tersoff",
2020   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2021   volume =       "64",
2022   number =       "15",
2023   pages =        "1757--1760",
2024   numpages =     "3",
2025   year =         "1990",
2026   month =        apr,
2027   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
2028   publisher =    "American Physical Society",
2029 }
2030
2031 @Article{fahey89,
2032   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
2033   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
2034   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
2035   volume =       "61",
2036   number =       "2",
2037   pages =        "289--384",
2038   numpages =     "95",
2039   year =         "1989",
2040   month =        apr,
2041   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
2042   publisher =    "American Physical Society",
2043 }
2044
2045 @Article{wesch96,
2046   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
2047   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2048   volume =       "116",
2049   number =       "1-4",
2050   pages =        "305--321",
2051   year =         "1996",
2052   note =         "Radiation Effects in Insulators",
2053   ISSN =         "0168-583X",
2054   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
2055   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
2056   author =       "W. Wesch",
2057 }
2058
2059 @Article{davis91,
2060   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
2061                  Palmour and J. A. Edmond",
2062   journal =      "Proc. IEEE",
2063   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
2064                  optoelectronic device fabrication and characterization
2065                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
2066   year =         "1991",
2067   month =        may,
2068   volume =       "79",
2069   number =       "5",
2070   pages =        "677--701",
2071   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
2072                  diode;SiC;dry etching;electrical
2073                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
2074                  device fabrication;solid-state devices;surface
2075                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
2076                  transistors;Schottky-barrier
2077                  diodes;etching;heterojunction bipolar
2078                  transistors;insulated gate field effect
2079                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
2080                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
2081   doi =          "10.1109/5.90132",
2082   ISSN =         "0018-9219",
2083   notes =        "sic growth methods",
2084 }
2085
2086 @Article{morkoc94,
2087   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
2088                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
2089   collaboration = "",
2090   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
2091                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
2092   publisher =    "AIP",
2093   year =         "1994",
2094   journal =      "J. Appl. Phys.",
2095   volume =       "76",
2096   number =       "3",
2097   pages =        "1363--1398",
2098   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
2099                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
2100                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
2101                  FILMS; INDUSTRY",
2102   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
2103   doi =          "10.1063/1.358463",
2104   notes =        "sic intro, properties",
2105 }
2106
2107 @Article{foo,
2108   author =       "Noch Unbekannt",
2109   title =        "How to find references",
2110   journal =      "Journal of Applied References",
2111   year =         "2009",
2112   volume =       "77",
2113   pages =        "1--23",
2114 }
2115
2116 @Article{tang95,
2117   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
2118                  \beta{}-Si{C}",
2119   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
2120   journal =      "Phys. Rev. B",
2121   volume =       "52",
2122   number =       "21",
2123   pages =        "15150--15159",
2124   numpages =     "9",
2125   year =         "1995",
2126   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
2127   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
2128                  tersoff reparametrization",
2129   publisher =    "American Physical Society",
2130 }
2131
2132 @Article{sarro00,
2133   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
2134   journal =      "Seonsor. Actuator. A",
2135   volume =       "82",
2136   number =       "1-3",
2137   pages =        "210--218",
2138   year =         "2000",
2139   ISSN =         "0924-4247",
2140   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
2141   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
2142   author =       "Pasqualina M. Sarro",
2143   keywords =     "MEMS",
2144   keywords =     "Silicon carbide",
2145   keywords =     "Micromachining",
2146   keywords =     "Mechanical stress",
2147 }
2148
2149 @Article{casady96,
2150   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
2151                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
2152                  review",
2153   journal =      "Solid-State Electron.",
2154   volume =       "39",
2155   number =       "10",
2156   pages =        "1409--1422",
2157   year =         "1996",
2158   ISSN =         "0038-1101",
2159   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
2160   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
2161   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
2162   notes =        "sic intro",
2163 }
2164
2165 @Article{giancarli98,
2166   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
2167                  structural material in fusion power reactor blankets",
2168   journal =      "Fusion Eng. Des.",
2169   volume =       "41",
2170   number =       "1-4",
2171   pages =        "165--171",
2172   year =         "1998",
2173   ISSN =         "0920-3796",
2174   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
2175   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
2176   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
2177                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
2178 }
2179
2180 @Article{pensl93,
2181   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
2182   journal =      "Physica B",
2183   volume =       "185",
2184   number =       "1-4",
2185   pages =        "264--283",
2186   year =         "1993",
2187   ISSN =         "0921-4526",
2188   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
2189   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
2190   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
2191 }
2192
2193 @Article{tairov78,
2194   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
2195                  carbide single crystals",
2196   journal =      "J. Cryst. Growth",
2197   volume =       "43",
2198   number =       "2",
2199   pages =        "209--212",
2200   year =         "1978",
2201   notes =        "modified lely process",
2202   ISSN =         "0022-0248",
2203   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
2204   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
2205   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2206 }
2207
2208 @Article{tairov81,
2209   title =        "General principles of growing large-size single
2210                  crystals of various silicon carbide polytypes",
2211   journal =      "J. Cryst. Growth",
2212   volume =       "52",
2213   number =       "Part 1",
2214   pages =        "146--150",
2215   year =         "1981",
2216   note =         "",
2217   ISSN =         "0022-0248",
2218   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
2219   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
2220   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2221 }
2222
2223 @Article{barrett91,
2224   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
2225   journal =      "J. Cryst. Growth",
2226   volume =       "109",
2227   number =       "1-4",
2228   pages =        "17--23",
2229   year =         "1991",
2230   note =         "",
2231   ISSN =         "0022-0248",
2232   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
2233   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
2234   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
2235                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
2236 }
2237
2238 @Article{barrett93,
2239   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
2240   journal =      "J. Cryst. Growth",
2241   volume =       "128",
2242   number =       "1-4",
2243   pages =        "358--362",
2244   year =         "1993",
2245   note =         "",
2246   ISSN =         "0022-0248",
2247   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
2248   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
2249   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
2250                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
2251                  W. J. Choyke",
2252 }
2253
2254 @Article{stein93,
2255   title =        "Control of polytype formation by surface energy
2256                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
2257                  sublimation method",
2258   journal =      "J. Cryst. Growth",
2259   volume =       "131",
2260   number =       "1-2",
2261   pages =        "71--74",
2262   year =         "1993",
2263   note =         "",
2264   ISSN =         "0022-0248",
2265   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
2266   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
2267   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
2268   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
2269 }
2270
2271 @Article{nishino83,
2272   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
2273                  Will",
2274   collaboration = "",
2275   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
2276                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
2277   publisher =    "AIP",
2278   year =         "1983",
2279   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2280   volume =       "42",
2281   number =       "5",
2282   pages =        "460--462",
2283   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
2284                  monocrystals",
2285   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
2286   doi =          "10.1063/1.93970",
2287   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
2288 }
2289
2290 @Article{nagasawa06,
2291   author =       "H. Nagasawa and K. Yagi and T. Kawahara and N. Hatta",
2292   title =        "Reducing Planar Defects in 3{C}¿Si{C}",
2293   journal =      "Chemical Vapor Deposition",
2294   volume =       "12",
2295   number =       "8-9",
2296   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2297   ISSN =         "1521-3862",
2298   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/cvde.200506466",
2299   doi =          "10.1002/cvde.200506466",
2300   pages =        "502--508",
2301   keywords =     "Defect structures, Epitaxy, Silicon carbide",
2302   year =         "2006",
2303   notes =        "cvd on si",
2304 }
2305
2306 @Article{nishino87,
2307   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
2308                  and Hiroyuki Matsunami",
2309   collaboration = "",
2310   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
2311                  Si{C} on silicon",
2312   publisher =    "AIP",
2313   year =         "1987",
2314   journal =      "J. Appl. Phys.",
2315   volume =       "61",
2316   number =       "10",
2317   pages =        "4889--4893",
2318   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
2319   doi =          "10.1063/1.338355",
2320   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
2321                  carbonization",
2322 }
2323
2324 @Article{powell87,
2325   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
2326                  Kuczmarski",
2327   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
2328                  Single-Crystal Films on Si",
2329   publisher =    "ECS",
2330   year =         "1987",
2331   journal =      "J. Electrochem. Soc.",
2332   volume =       "134",
2333   number =       "6",
2334   pages =        "1558--1565",
2335   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
2336                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
2337   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
2338   doi =          "10.1149/1.2100708",
2339   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
2340 }
2341
2342 @Article{powell87_2,
2343   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
2344                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
2345   collaboration = "",
2346   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
2347                  off-axis Si substrates",
2348   publisher =    "AIP",
2349   year =         "1987",
2350   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2351   volume =       "51",
2352   number =       "11",
2353   pages =        "823--825",
2354   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
2355                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
2356                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
2357                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
2358                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
2359   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
2360   doi =          "10.1063/1.98824",
2361   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
2362 }
2363
2364 @Article{ueda90,
2365   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
2366   journal =      "J. Cryst. Growth",
2367   volume =       "104",
2368   number =       "3",
2369   pages =        "695--700",
2370   year =         "1990",
2371   note =         "",
2372   ISSN =         "0022-0248",
2373   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
2374   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
2375   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
2376                  Matsunami",
2377   notes =        "step-controlled epitaxy model",
2378 }
2379
2380 @Article{kimoto93,
2381   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
2382                  and Hiroyuki Matsunami",
2383   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
2384                  epitaxy",
2385   publisher =    "AIP",
2386   year =         "1993",
2387   journal =      "J. Appl. Phys.",
2388   volume =       "73",
2389   number =       "2",
2390   pages =        "726--732",
2391   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
2392                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
2393                  VAPOR DEPOSITION",
2394   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
2395   doi =          "10.1063/1.353329",
2396   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
2397 }
2398
2399 @Article{powell90_2,
2400   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2401                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2402                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2403   collaboration = "",
2404   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
2405                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2406   publisher =    "AIP",
2407   year =         "1990",
2408   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2409   volume =       "56",
2410   number =       "15",
2411   pages =        "1442--1444",
2412   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2413                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
2414                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
2415                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
2416   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
2417   doi =          "10.1063/1.102492",
2418   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
2419 }
2420
2421 @Article{kong88_2,
2422   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2423   collaboration = "",
2424   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2425                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2426                  substrates",
2427   publisher =    "AIP",
2428   year =         "1988",
2429   journal =      "J. Appl. Phys.",
2430   volume =       "64",
2431   number =       "5",
2432   pages =        "2672--2679",
2433   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2434                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2435                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2436                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2437                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2438   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2439   doi =          "10.1063/1.341608",
2440 }
2441
2442 @Article{powell90,
2443   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2444                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2445                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2446   collaboration = "",
2447   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2448                  6{H}-Si{C} substrates",
2449   publisher =    "AIP",
2450   year =         "1990",
2451   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2452   volume =       "56",
2453   number =       "14",
2454   pages =        "1353--1355",
2455   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2456                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2457                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2458                  PHASE EPITAXY",
2459   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2460   doi =          "10.1063/1.102512",
2461   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2462 }
2463
2464 @Article{kong88,
2465   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2466                  Rozgonyi and K. L. More",
2467   collaboration = "",
2468   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2469                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2470                  substrates",
2471   publisher =    "AIP",
2472   year =         "1988",
2473   journal =      "J. Appl. Phys.",
2474   volume =       "63",
2475   number =       "8",
2476   pages =        "2645--2650",
2477   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2478                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2479                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2480                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2481                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2482   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2483   doi =          "10.1063/1.341004",
2484 }
2485
2486 @Article{powell91,
2487   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2488                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2489                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2490   collaboration = "",
2491   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2492                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2493   publisher =    "AIP",
2494   year =         "1991",
2495   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2496   volume =       "59",
2497   number =       "3",
2498   pages =        "333--335",
2499   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2500                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2501                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2502   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2503   doi =          "10.1063/1.105587",
2504 }
2505
2506 @Article{yuan95,
2507   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2508                  Thokala and M. J. Loboda",
2509   collaboration = "",
2510   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2511                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2512                  silacyclobutane",
2513   publisher =    "AIP",
2514   year =         "1995",
2515   journal =      "J. Appl. Phys.",
2516   volume =       "78",
2517   number =       "2",
2518   pages =        "1271--1273",
2519   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2520                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2521                  SPECTROPHOTOMETRY",
2522   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2523   doi =          "10.1063/1.360368",
2524   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2525 }
2526
2527 @Article{kaneda87,
2528   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2529                  properties of its p-n junction",
2530   journal =      "J. Cryst. Growth",
2531   volume =       "81",
2532   number =       "1-4",
2533   pages =        "536--542",
2534   year =         "1987",
2535   note =         "",
2536   ISSN =         "0022-0248",
2537   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2538   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2539   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2540                  and Takao Tanaka",
2541   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2542 }
2543
2544 @Article{fissel95,
2545   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2546                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2547                  molecular beam epitaxy",
2548   journal =      "J. Cryst. Growth",
2549   volume =       "154",
2550   number =       "1-2",
2551   pages =        "72--80",
2552   year =         "1995",
2553   ISSN =         "0022-0248",
2554   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2555   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2556   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2557                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2558   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2559 }
2560
2561 @Article{fissel95_apl,
2562   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2563   collaboration = "",
2564   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2565                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2566   publisher =    "AIP",
2567   year =         "1995",
2568   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2569   volume =       "66",
2570   number =       "23",
2571   pages =        "3182--3184",
2572   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2573                  RHEED; NUCLEATION",
2574   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2575   doi =          "10.1063/1.113716",
2576   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2577 }
2578
2579 @Article{fissel96,
2580   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2581                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2582   collaboration = "",
2583   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2584                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2585                  level using surface superstructures",
2586   publisher =    "AIP",
2587   year =         "1996",
2588   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2589   volume =       "68",
2590   number =       "9",
2591   pages =        "1204--1206",
2592   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2593                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2594                  SURFACE STRUCTURE",
2595   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2596   doi =          "10.1063/1.115969",
2597   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2598 }
2599
2600 @Article{righi03,
2601   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2602   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2603                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2604   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2605   volume =       "91",
2606   number =       "13",
2607   pages =        "136101",
2608   numpages =     "4",
2609   year =         "2003",
2610   month =        sep,
2611   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2612   publisher =    "American Physical Society",
2613   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2614 }
2615
2616 @Article{borders71,
2617   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2618   collaboration = "",
2619   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2620                  {IMPLANTATION}",
2621   publisher =    "AIP",
2622   year =         "1971",
2623   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2624   volume =       "18",
2625   number =       "11",
2626   pages =        "509--511",
2627   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2628   doi =          "10.1063/1.1653516",
2629   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2630                  ideas",
2631 }
2632
2633 @Article{edelman76,
2634   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2635                  and E. V. Lubopytova",
2636   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2637                  by ion implantation",
2638   publisher =    "Taylor \& Francis",
2639   year =         "1976",
2640   journal =      "Radiat. Eff.",
2641   volume =       "29",
2642   number =       "1",
2643   pages =        "13--15",
2644   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2645   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2646                  single crystalline",
2647 }
2648
2649 @Article{akimchenko80,
2650   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2651                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2652   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2653                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2654   publisher =    "Taylor \& Francis",
2655   year =         "1980",
2656   journal =      "Radiat. Eff.",
2657   volume =       "48",
2658   number =       "1",
2659   pages =        "7",
2660   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2661   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2662 }
2663
2664 @Article{kimura81,
2665   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2666                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2667                  silicon",
2668   journal =      "Thin Solid Films",
2669   volume =       "81",
2670   number =       "4",
2671   pages =        "319--327",
2672   year =         "1981",
2673   note =         "",
2674   ISSN =         "0040-6090",
2675   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2676   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2677   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2678                  Yugo",
2679 }
2680
2681 @Article{kimura82,
2682   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2683                  the implantation of carbon ions into silicon",
2684   journal =      "Thin Solid Films",
2685   volume =       "94",
2686   number =       "3",
2687   pages =        "191--198",
2688   year =         "1982",
2689   note =         "",
2690   ISSN =         "0040-6090",
2691   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2692   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2693   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2694                  Yugo",
2695 }
2696
2697 @Article{reeson86,
2698   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2699                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2700                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2701   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2702                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2703   publisher =    "Taylor \& Francis",
2704   year =         "1986",
2705   journal =      "Radiat. Eff.",
2706   volume =       "99",
2707   number =       "1",
2708   pages =        "71--81",
2709   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2710   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or time,
2711                  no c redistribution",
2712 }
2713
2714 @Article{reeson87,
2715   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2716                  J. Davis and G. E. Celler",
2717   collaboration = "",
2718   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2719                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2720   publisher =    "AIP",
2721   year =         "1987",
2722   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2723   volume =       "51",
2724   number =       "26",
2725   pages =        "2242--2244",
2726   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2727                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2728   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2729   doi =          "10.1063/1.98953",
2730   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2731 }
2732
2733 @Article{martin90,
2734   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2735                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2736   collaboration = "",
2737   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2738   publisher =    "AIP",
2739   year =         "1990",
2740   journal =      "J. Appl. Phys.",
2741   volume =       "67",
2742   number =       "6",
2743   pages =        "2908--2912",
2744   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2745                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2746                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2747                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2748                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2749                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2750   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2751   doi =          "10.1063/1.346092",
2752   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2753                  temepratures",
2754 }
2755
2756 @Article{scace59,
2757   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2758   collaboration = "",
2759   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2760   publisher =    "AIP",
2761   year =         "1959",
2762   journal =      "J. Chem. Phys.",
2763   volume =       "30",
2764   number =       "6",
2765   pages =        "1551--1555",
2766   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2767   doi =          "10.1063/1.1730236",
2768   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2769 }
2770
2771 @Article{hofker74,
2772   author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
2773                  Koeman",
2774   affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
2775                  Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
2776                  Netherlands",
2777   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
2778                  charge carrier and boron concentration profiles",
2779   journal =      "Appl. Phys. A",
2780   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
2781   ISSN =         "0947-8396",
2782   keyword =      "Physics and Astronomy",
2783   pages =        "125--133",
2784   volume =       "4",
2785   issue =        "2",
2786   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
2787   note =         "10.1007/BF00884267",
2788   year =         "1974",
2789   notes =        "first time ted (only for boron?)",
2790 }
2791
2792 @Article{michel87,
2793   author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
2794                  H. Kastl",
2795   collaboration = "",
2796   title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
2797                  implanted boron into silicon",
2798   publisher =    "AIP",
2799   year =         "1987",
2800   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2801   volume =       "50",
2802   number =       "7",
2803   pages =        "416--418",
2804   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
2805                  BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
2806                  HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
2807   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
2808   doi =          "10.1063/1.98160",
2809   notes =        "ted of boron in si",
2810 }
2811
2812 @Article{cowern90,
2813   author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
2814                  Jos",
2815   collaboration = "",
2816   title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
2817                  time, and matrix dependence of atomic and electrical
2818                  profiles",
2819   publisher =    "AIP",
2820   year =         "1990",
2821   journal =      "J. Appl. Phys.",
2822   volume =       "68",
2823   number =       "12",
2824   pages =        "6191--6198",
2825   keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
2826                  DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
2827                  CRYSTALS; AMORPHIZATION",
2828   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
2829   doi =          "10.1063/1.346910",
2830   notes =        "ted of boron in si",
2831 }
2832
2833 @Article{cowern96,
2834   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2835                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2836   collaboration = "",
2837   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2838                  {B} in silicon",
2839   publisher =    "AIP",
2840   year =         "1996",
2841   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2842   volume =       "68",
2843   number =       "8",
2844   pages =        "1150--1152",
2845   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2846                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2847                  SILICON",
2848   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2849   doi =          "10.1063/1.115706",
2850   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2851 }
2852
2853 @Article{stolk95,
2854   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2855                  of the silicon self-interstitial",
2856   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2857   volume =       "96",
2858   number =       "1-2",
2859   pages =        "187--195",
2860   year =         "1995",
2861   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2862                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2863   ISSN =         "0168-583X",
2864   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2865   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2866   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2867                  and J. M. Poate",
2868 }
2869
2870 @Article{stolk97,
2871   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2872                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2873                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2874                  E. Haynes",
2875   collaboration = "",
2876   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2877                  diffusion in ion-implanted silicon",
2878   publisher =    "AIP",
2879   year =         "1997",
2880   journal =      "J. Appl. Phys.",
2881   volume =       "81",
2882   number =       "9",
2883   pages =        "6031--6050",
2884   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2885   doi =          "10.1063/1.364452",
2886   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2887 }
2888
2889 @Article{powell94,
2890   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2891   collaboration = "",
2892   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2893                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2894   publisher =    "AIP",
2895   year =         "1994",
2896   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2897   volume =       "64",
2898   number =       "3",
2899   pages =        "324--326",
2900   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2901                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2902                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2903                  SYNTHESIS",
2904   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2905   doi =          "10.1063/1.111195",
2906   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2907 }
2908
2909 @Article{soref91,
2910   author =       "Richard A. Soref",
2911   collaboration = "",
2912   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2913                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2914   publisher =    "AIP",
2915   year =         "1991",
2916   journal =      "J. Appl. Phys.",
2917   volume =       "70",
2918   number =       "4",
2919   pages =        "2470--2472",
2920   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2921                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2922                  TERNARY ALLOYS",
2923   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2924   doi =          "10.1063/1.349403",
2925   notes =        "band gap of strained si by c",
2926 }
2927
2928 @Article{kasper91,
2929   author =       "E Kasper",
2930   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2931                  possibility to produce direct band gap material",
2932   journal =      "Phys. Scr.",
2933   volume =       "T35",
2934   pages =        "232--236",
2935   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2936   year =         "1991",
2937   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2938                  quasi-direct one",
2939 }
2940
2941 @Article{eberl92,
2942   author =       "K. Eberl and S. S. Iyer and S. Zollner and J. C. Tsang
2943                  and F. K. LeGoues",
2944   collaboration = "",
2945   title =        "Growth and strain compensation effects in the ternary
2946                  Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloy system",
2947   publisher =    "AIP",
2948   year =         "1992",
2949   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2950   volume =       "60",
2951   number =       "24",
2952   pages =        "3033--3035",
2953   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; CARBON ALLOYS;
2954                  TERNARY ALLOYS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; MOLECULAR BEAM
2955                  EPITAXY; INTERNAL STRAINS; TEMPERATURE EFFECTS; CRYSTAL
2956                  STRUCTURE; LATTICE PARAMETERS; XRAY DIFFRACTION; PHASE
2957                  STUDIES",
2958   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/3033/1",
2959   doi =          "10.1063/1.106774",
2960 }
2961
2962 @Article{powell93,
2963   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and F. E. LeGoues and B. A.
2964                  Ek and S. S. Iyer",
2965   collaboration = "",
2966   title =        "Stability of strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random
2967                  alloy layers",
2968   publisher =    "AVS",
2969   year =         "1993",
2970   journal =      "J. Vac. Sci. Technol. B",
2971   volume =       "11",
2972   number =       "3",
2973   pages =        "1064--1068",
2974   location =     "Ottawa (Canada)",
2975   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; STRAINS; THICKNESS;
2976                  METASTABLE PHASES; TWINNING; DISLOCATIONS; MOLECULAR
2977                  BEAM EPITAXY; EPITAXIAL LAYERS; CRITICAL PHENOMENA;
2978                  TEMPERATURE RANGE 400--1000 K; BINARY ALLOYS",
2979   URL =          "http://link.aip.org/link/?JVB/11/1064/1",
2980   doi =          "10.1116/1.587008",
2981   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2982 }
2983
2984 @Article{powell93_2,
2985   title =        "Si[sub 1-x-y]Ge[sub x]{C}[sub y] growth and properties
2986                  of the ternary system",
2987   journal =      "J. Cryst. Growth",
2988   volume =       "127",
2989   number =       "1-4",
2990   pages =        "425--429",
2991   year =         "1993",
2992   note =         "",
2993   ISSN =         "0022-0248",
2994   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90653-E",
2995   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46J3RF2-8H/2/27fc231f28e4dc0a3b4770e5cf03257e",
2996   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and B. A. Ek and S. S.
2997                  Iyer",
2998 }
2999
3000 @Article{osten94,
3001   author =       "H. J. Osten",
3002   title =        "Modification of Growth Modes in Lattice-Mismatched
3003                  Epitaxial Systems: Si/Ge",
3004   journal =      "phys. status solidi (a)",
3005   volume =       "145",
3006   number =       "2",
3007   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3008   ISSN =         "1521-396X",
3009   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211450203",
3010   doi =          "10.1002/pssa.2211450203",
3011   pages =        "235--245",
3012   year =         "1994",
3013 }
3014
3015 @Article{dietrich94,
3016   title =        "Lattice distortion in a strain-compensated
3017                  $Si_{1-x-y}$$Ge_{x}$${C}_{y}$ layer on silicon",
3018   author =       "B. Dietrich and H. J. Osten and H. R{\"u}cker and M.
3019                  Methfessel and P. Zaumseil",
3020   journal =      "Phys. Rev. B",
3021   volume =       "49",
3022   number =       "24",
3023   pages =        "17185--17190",
3024   numpages =     "5",
3025   year =         "1994",
3026   month =        jun,
3027   doi =          "10.1103/PhysRevB.49.17185",
3028   publisher =    "American Physical Society",
3029 }
3030
3031 @Article{osten94_2,
3032   author =       "H. J. Osten and E. Bugiel and P. Zaumseil",
3033   collaboration = "",
3034   title =        "Growth of an inverse tetragonal distorted SiGe layer
3035                  on Si(001) by adding small amounts of carbon",
3036   publisher =    "AIP",
3037   year =         "1994",
3038   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3039   volume =       "64",
3040   number =       "25",
3041   pages =        "3440--3442",
3042   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; FILM GROWTH; CARBON
3043                  ALLOYS; TERNARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TEM;
3044                  XRD; LATTICE PARAMETERS; EPITAXIAL LAYERS; TETRAGONAL
3045                  LATTICES",
3046   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/3440/1",
3047   doi =          "10.1063/1.111235",
3048   notes =        "inversely strained / distorted heterostructure",
3049 }
3050
3051 @Article{iyer92,
3052   author =       "S. S. Iyer and K. Eberl and M. S. Goorsky and F. K.
3053                  LeGoues and J. C. Tsang and F. Cardone",
3054   collaboration = "",
3055   title =        "Synthesis of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys by
3056                  molecular beam epitaxy",
3057   publisher =    "AIP",
3058   year =         "1992",
3059   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3060   volume =       "60",
3061   number =       "3",
3062   pages =        "356--358",
3063   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
3064                  SEMICONDUCTOR ALLOYS; SUPERLATTICES; MOLECULAR BEAM
3065                  EPITAXY; CHEMICAL COMPOSITION; TEMPERATURE EFFECTS;
3066                  FILM GROWTH; MICROSTRUCTURE",
3067   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/356/1",
3068   doi =          "10.1063/1.106655",
3069 }
3070
3071 @Article{osten99,
3072   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
3073   collaboration = "",
3074   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
3075                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
3076                  molecular beam epitaxy",
3077   publisher =    "AIP",
3078   year =         "1999",
3079   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3080   volume =       "74",
3081   number =       "6",
3082   pages =        "836--838",
3083   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
3084                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
3085                  compounds",
3086   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
3087   doi =          "10.1063/1.123384",
3088   notes =        "substitutional c in si by mbe",
3089 }
3090
3091 @Article{born27,
3092   author =       "M. Born and R. Oppenheimer",
3093   title =        "Zur Quantentheorie der Molekeln",
3094   journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
3095   volume =       "389",
3096   number =       "20",
3097   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3098   ISSN =         "1521-3889",
3099   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19273892002",
3100   doi =          "10.1002/andp.19273892002",
3101   pages =        "457--484",
3102   year =         "1927",
3103 }
3104
3105 @Article{hohenberg64,
3106   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
3107   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
3108   journal =      "Phys. Rev.",
3109   volume =       "136",
3110   number =       "3B",
3111   pages =        "B864--B871",
3112   numpages =     "7",
3113   year =         "1964",
3114   month =        nov,
3115   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
3116   publisher =    "American Physical Society",
3117   notes =        "density functional theory, dft",
3118 }
3119
3120 @Article{thomas27,
3121   title =        "The calculation of atomic fields",
3122   author =       "L. H. Thomas",
3123   journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
3124   volume =       "23",
3125   pages =        "542--548",
3126   year =         "1927",
3127   doi =          "10.1017/S0305004100011683",
3128 }
3129
3130 @Article{fermi27,
3131   title =        "",
3132   author =       "E. Fermi",
3133   journal =      "Atti Accad. Naz. Lincei, Cl. Sci. Fis. Mat. Nat.
3134                  Rend.",
3135   volume =       "6",
3136   pages =        "602",
3137   year =         "1927",
3138 }
3139
3140 @Article{hartree28,
3141   title =        "The Wave Mechanics of an Atom with a Non-Coulomb
3142                  Central Field. Part {I}. Theory and Methods",
3143   author =       "D. R. Hartree",
3144   journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
3145   volume =       "24",
3146   pages =        "89--110",
3147   year =         "1928",
3148   doi =          "10.1017/S0305004100011919",
3149 }
3150
3151 @Article{slater29,
3152   title =        "The Theory of Complex Spectra",
3153   author =       "J. C. Slater",
3154   journal =      "Phys. Rev.",
3155   volume =       "34",
3156   number =       "10",
3157   pages =        "1293--1322",
3158   numpages =     "29",
3159   year =         "1929",
3160   month =        nov,
3161   doi =          "10.1103/PhysRev.34.1293",
3162   publisher =    "American Physical Society",
3163 }
3164
3165 @Article{kohn65,
3166   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
3167                  Correlation Effects",
3168   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
3169   journal =      "Phys. Rev.",
3170   volume =       "140",
3171   number =       "4A",
3172   pages =        "A1133--A1138",
3173   numpages =     "5",
3174   year =         "1965",
3175   month =        nov,
3176   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
3177   publisher =    "American Physical Society",
3178   notes =        "dft, exchange and correlation",
3179 }
3180
3181 @Article{kohn96,
3182   title =        "Density Functional and Density Matrix Method Scaling
3183                  Linearly with the Number of Atoms",
3184   author =       "W. Kohn",
3185   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3186   volume =       "76",
3187   number =       "17",
3188   pages =        "3168--3171",
3189   numpages =     "3",
3190   year =         "1996",
3191   month =        apr,
3192   doi =          "10.1103/PhysRevLett.76.3168",
3193   publisher =    "American Physical Society",
3194 }
3195
3196 @Article{kohn98,
3197   title =        "Edge Electron Gas",
3198   author =       "Walter Kohn and Ann E. Mattsson",
3199   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3200   volume =       "81",
3201   number =       "16",
3202   pages =        "3487--3490",
3203   numpages =     "3",
3204   year =         "1998",
3205   month =        oct,
3206   doi =          "10.1103/PhysRevLett.81.3487",
3207   publisher =    "American Physical Society",
3208 }
3209
3210 @Article{kohn99,
3211   title =        "Nobel Lecture: Electronic structure of matter---wave
3212                  functions and density functionals",
3213   author =       "W. Kohn",
3214   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
3215   volume =       "71",
3216   number =       "5",
3217   pages =        "1253--1266",
3218   numpages =     "13",
3219   year =         "1999",
3220   month =        oct,
3221   doi =          "10.1103/RevModPhys.71.1253",
3222   publisher =    "American Physical Society",
3223 }
3224
3225 @Article{payne92,
3226   title =        "Iterative minimization techniques for ab initio
3227                  total-energy calculations: molecular dynamics and
3228                  conjugate gradients",
3229   author =       "M. C. Payne and M. P. Teter and D. C. Allan and T. A.
3230                  Arias and J. D. Joannopoulos",
3231   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
3232   volume =       "64",
3233   number =       "4",
3234   pages =        "1045--1097",
3235   numpages =     "52",
3236   year =         "1992",
3237   month =        oct,
3238   doi =          "10.1103/RevModPhys.64.1045",
3239   publisher =    "American Physical Society",
3240 }
3241
3242 @Article{levy82,
3243   title =        "Electron densities in search of Hamiltonians",
3244   author =       "Mel Levy",
3245   journal =      "Phys. Rev. A",
3246   volume =       "26",
3247   number =       "3",
3248   pages =        "1200--1208",
3249   numpages =     "8",
3250   year =         "1982",
3251   month =        sep,
3252   doi =          "10.1103/PhysRevA.26.1200",
3253   publisher =    "American Physical Society",
3254 }
3255
3256 @Article{ruecker94,
3257   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
3258                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
3259   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
3260                  J. Osten",
3261   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3262   volume =       "72",
3263   number =       "22",
3264   pages =        "3578--3581",
3265   numpages =     "3",
3266   year =         "1994",
3267   month =        may,
3268   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
3269   publisher =    "American Physical Society",
3270   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
3271                  si, dft",
3272 }
3273
3274 @Article{yagi02,
3275   title =        "Phosphorous Doping of Strain-Induced
3276                  Si$_{1-y}${C}$_{y}$ Epitaxial Films Grown\\
3277                  by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition",
3278   author =       "Shuhei Yagi and Katsuya Abe and Takashi Okabayashi and
3279                  Yuichi Yoneyama and Akira Yamada and Makoto Konagai",
3280   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3281   volume =       "41",
3282   number =       "Part 1, No. 4B",
3283   pages =        "2472--2475",
3284   numpages =     "3",
3285   year =         "2002",
3286   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/41/2472/",
3287   doi =          "10.1143/JJAP.41.2472",
3288   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3289   notes =        "experimental charge carrier mobility in strained si",
3290 }
3291
3292 @Article{chang05,
3293   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
3294                  Alloy",
3295   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
3296   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3297   volume =       "44",
3298   number =       "4B",
3299   pages =        "2257--2262",
3300   numpages =     "5",
3301   year =         "2005",
3302   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
3303   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
3304   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3305   notes =        "enhance of electron mobility in strained si",
3306 }
3307
3308 @Article{kissinger94,
3309   author =       "W. Kissinger and M. Weidner and H. J. Osten and M.
3310                  Eichler",
3311   collaboration = "",
3312   title =        "Optical transitions in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub
3313                  y] layers on Si(001)",
3314   publisher =    "AIP",
3315   year =         "1994",
3316   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3317   volume =       "65",
3318   number =       "26",
3319   pages =        "3356--3358",
3320   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERNAL STRAINS; EPITAXIAL LAYERS;
3321                  CHEMICAL COMPOSITION; ELLIPSOMETRY; REFLECTION
3322                  SPECTROSCOPY; ELECTROOPTICAL EFFECTS; BAND STRUCTURE;
3323                  ENERGY LEVELS; ENERGYLEVEL TRANSITIONS",
3324   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/3356/1",
3325   doi =          "10.1063/1.112390",
3326   notes =        "strained si influence on optical properties",
3327 }
3328
3329 @Article{osten96,
3330   author =       "H. J. Osten and Myeongcheol Kim and K. Pressel and P.
3331                  Zaumseil",
3332   collaboration = "",
3333   title =        "Substitutional versus interstitial carbon
3334                  incorporation during pseudomorphic growth of Si[sub 1 -
3335                  y]{C}[sub y] on Si(001)",
3336   publisher =    "AIP",
3337   year =         "1996",
3338   journal =      "J. Appl. Phys.",
3339   volume =       "80",
3340   number =       "12",
3341   pages =        "6711--6715",
3342   keywords =     "SILICON CARBIDES; CRYSTAL DEFECTS; FILM GROWTH;
3343                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; INTERSTITIALS; SUBSTITUTION;
3344                  XRD; STRAINS",
3345   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/80/6711/1",
3346   doi =          "10.1063/1.363797",
3347   notes =        "mbe substitutional vs interstitial c incorporation",
3348 }
3349
3350 @Article{osten97,
3351   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
3352   collaboration = "",
3353   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3354                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
3355                  Si(001)",
3356   publisher =    "AIP",
3357   year =         "1997",
3358   journal =      "J. Appl. Phys.",
3359   volume =       "82",
3360   number =       "10",
3361   pages =        "4977--4981",
3362   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
3363                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
3364                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
3365   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
3366   doi =          "10.1063/1.366364",
3367   notes =        "charge transport in strained si",
3368 }
3369
3370 @Article{kapur04,
3371   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
3372                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
3373   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
3374   journal =      "Phys. Rev. B",
3375   volume =       "69",
3376   number =       "15",
3377   pages =        "155214",
3378   numpages =     "8",
3379   year =         "2004",
3380   month =        apr,
3381   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
3382   publisher =    "American Physical Society",
3383   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
3384 }
3385
3386 @Article{barkema96,
3387   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
3388                  Systems",
3389   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
3390   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3391   volume =       "77",
3392   number =       "21",
3393   pages =        "4358--4361",
3394   numpages =     "3",
3395   year =         "1996",
3396   month =        nov,
3397   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
3398   publisher =    "American Physical Society",
3399   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
3400                  dynamic mds",
3401 }
3402
3403 @Article{cances09,
3404   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
3405                  Minoukadeh and F. Willaime",
3406   collaboration = "",
3407   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
3408                  technique method for finding transition pathways on
3409                  potential energy surfaces",
3410   publisher =    "AIP",
3411   year =         "2009",
3412   journal =      "J. Chem. Phys.",
3413   volume =       "130",
3414   number =       "11",
3415   eid =          "114711",
3416   numpages =     "6",
3417   pages =        "114711",
3418   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
3419                  surfaces; vacancies (crystal)",
3420   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
3421   doi =          "10.1063/1.3088532",
3422   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
3423                  transition pathways",
3424 }
3425
3426 @Article{parrinello81,
3427   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
3428   collaboration = "",
3429   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
3430                  molecular dynamics method",
3431   publisher =    "AIP",
3432   year =         "1981",
3433   journal =      "J. Appl. Phys.",
3434   volume =       "52",
3435   number =       "12",
3436   pages =        "7182--7190",
3437   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
3438                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
3439                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
3440                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
3441                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
3442                  IMPACT SHOCK",
3443   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
3444   doi =          "10.1063/1.328693",
3445 }
3446
3447 @Article{stillinger85,
3448   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
3449                  of silicon",
3450   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
3451   journal =      "Phys. Rev. B",
3452   volume =       "31",
3453   number =       "8",
3454   pages =        "5262--5271",
3455   numpages =     "9",
3456   year =         "1985",
3457   month =        apr,
3458   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
3459   publisher =    "American Physical Society",
3460 }
3461
3462 @Article{brenner90,
3463   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
3464                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
3465                  films",
3466   author =       "Donald W. Brenner",
3467   journal =      "Phys. Rev. B",
3468   volume =       "42",
3469   number =       "15",
3470   pages =        "9458--9471",
3471   numpages =     "13",
3472   year =         "1990",
3473   month =        nov,
3474   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
3475   publisher =    "American Physical Society",
3476   notes =        "brenner hydro carbons",
3477 }
3478
3479 @Article{bazant96,
3480   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
3481                  Cohesive Energy Curves",
3482   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
3483   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3484   volume =       "77",
3485   number =       "21",
3486   pages =        "4370--4373",
3487   numpages =     "3",
3488   year =         "1996",
3489   month =        nov,
3490   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
3491   publisher =    "American Physical Society",
3492   notes =        "first si edip",
3493 }
3494
3495 @Article{bazant97,
3496   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
3497                  silicon",
3498   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
3499                  Justo",
3500   journal =      "Phys. Rev. B",
3501   volume =       "56",
3502   number =       "14",
3503   pages =        "8542--8552",
3504   numpages =     "10",
3505   year =         "1997",
3506   month =        oct,
3507   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
3508   publisher =    "American Physical Society",
3509   notes =        "second si edip",
3510 }
3511
3512 @Article{justo98,
3513   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
3514                  disordered phases",
3515   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
3516                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
3517   journal =      "Phys. Rev. B",
3518   volume =       "58",
3519   number =       "5",
3520   pages =        "2539--2550",
3521   numpages =     "11",
3522   year =         "1998",
3523   month =        aug,
3524   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
3525   publisher =    "American Physical Society",
3526   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
3527 }
3528
3529 @Article{parcas_md,
3530   journal =      "{PARCAS} molecular dynamics code",
3531   author =       "K. Nordlund",
3532   year =         "2008",
3533 }
3534
3535 @Article{voter97,
3536   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
3537                  Infrequent Events",
3538   author =       "Arthur F. Voter",
3539   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3540   volume =       "78",
3541   number =       "20",
3542   pages =        "3908--3911",
3543   numpages =     "3",
3544   year =         "1997",
3545   month =        may,
3546   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
3547   publisher =    "American Physical Society",
3548   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
3549 }
3550
3551 @Article{voter97_2,
3552   author =       "Arthur F. Voter",
3553   collaboration = "",
3554   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
3555                  simulation of infrequent events",
3556   publisher =    "AIP",
3557   year =         "1997",
3558   journal =      "J. Chem. Phys.",
3559   volume =       "106",
3560   number =       "11",
3561   pages =        "4665--4677",
3562   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
3563                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
3564                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
3565                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
3566                  theory; potential energy surfaces",
3567   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
3568   doi =          "10.1063/1.473503",
3569   notes =        "improved hyperdynamics md",
3570 }
3571
3572 @Article{sorensen2000,
3573   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
3574   collaboration = "",
3575   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
3576                  infrequent events",
3577   publisher =    "AIP",
3578   year =         "2000",
3579   journal =      "J. Chem. Phys.",
3580   volume =       "112",
3581   number =       "21",
3582   pages =        "9599--9606",
3583   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
3584                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
3585   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
3586   doi =          "10.1063/1.481576",
3587   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
3588 }
3589
3590 @Article{voter98,
3591   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
3592                  events",
3593   author =       "Arthur F. Voter",
3594   journal =      "Phys. Rev. B",
3595   volume =       "57",
3596   number =       "22",
3597   pages =        "R13985--R13988",
3598   numpages =     "3",
3599   year =         "1998",
3600   month =        jun,
3601   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
3602   publisher =    "American Physical Society",
3603   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
3604 }
3605
3606 @Article{wu99,
3607   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
3608   collaboration = "",
3609   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
3610                  simulation",
3611   publisher =    "AIP",
3612   year =         "1999",
3613   journal =      "J. Chem. Phys.",
3614   volume =       "110",
3615   number =       "19",
3616   pages =        "9401--9410",
3617   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
3618                  potential; crystallisation; liquid theory",
3619   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
3620   doi =          "10.1063/1.478948",
3621   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
3622                  systematic motion",
3623 }
3624
3625 @Article{choudhary05,
3626   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
3627   collaboration = "",
3628   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
3629                  to the production of amorphous silicon",
3630   publisher =    "AIP",
3631   year =         "2005",
3632   journal =      "J. Chem. Phys.",
3633   volume =       "122",
3634   number =       "15",
3635   eid =          "154509",
3636   numpages =     "8",
3637   pages =        "154509",
3638   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
3639                  amorphous semiconductors",
3640   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
3641   doi =          "10.1063/1.1878733",
3642   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
3643                  silicon",
3644 }
3645
3646 @Article{taylor93,
3647   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
3648   collaboration = "",
3649   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
3650                  difficult?",
3651   publisher =    "AIP",
3652   year =         "1993",
3653   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3654   volume =       "62",
3655   number =       "25",
3656   pages =        "3336--3338",
3657   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
3658                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
3659                  ENERGY",
3660   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
3661   doi =          "10.1063/1.109063",
3662   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
3663                  interstitials necessary for precipitation, volume
3664                  decrease, high interface energy",
3665 }
3666
3667 @Article{chaussende08,
3668   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
3669   journal =      "J. Cryst. Growth",
3670   volume =       "310",
3671   number =       "5",
3672   pages =        "976--981",
3673   year =         "2008",
3674   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
3675                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
3676   ISSN =         "0022-0248",
3677   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
3678   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
3679   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
3680                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
3681                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
3682                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
3683   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
3684                  metastable",
3685 }
3686
3687 @Article{chaussende07,
3688   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
3689   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
3690   journal =      "J. Phys. D",
3691   volume =       "40",
3692   number =       "20",
3693   pages =        "6150",
3694   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
3695   year =         "2007",
3696   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
3697                  modelling",
3698 }
3699
3700 @Article{feynman39,
3701   title =        "Forces in Molecules",
3702   author =       "R. P. Feynman",
3703   journal =      "Phys. Rev.",
3704   volume =       "56",
3705   number =       "4",
3706   pages =        "340--343",
3707   numpages =     "3",
3708   year =         "1939",
3709   month =        aug,
3710   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
3711   publisher =    "American Physical Society",
3712   notes =        "hellmann feynman forces",
3713 }
3714
3715 @Article{buczko00,
3716   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
3717                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
3718                  their Contrasting Properties",
3719   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
3720                  T. Pantelides",
3721   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3722   volume =       "84",
3723   number =       "5",
3724   pages =        "943--946",
3725   numpages =     "3",
3726   year =         "2000",
3727   month =        jan,
3728   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
3729   publisher =    "American Physical Society",
3730   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
3731 }
3732
3733 @Article{djurabekova08,
3734   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
3735                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
3736   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
3737   journal =      "Phys. Rev. B",
3738   volume =       "77",
3739   number =       "11",
3740   pages =        "115325",
3741   numpages =     "7",
3742   year =         "2008",
3743   month =        mar,
3744   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
3745   publisher =    "American Physical Society",
3746   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
3747                  angular distribution, coordination",
3748 }
3749
3750 @Article{wen09,
3751   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
3752                  W. Liang and J. Zou",
3753   collaboration = "",
3754   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
3755                  strain relaxation at highly lattice mismatched
3756                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
3757   publisher =    "AIP",
3758   year =         "2009",
3759   journal =      "J. Appl. Phys.",
3760   volume =       "106",
3761   number =       "7",
3762   eid =          "073522",
3763   numpages =     "8",
3764   pages =        "073522",
3765   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
3766                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
3767                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
3768                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
3769   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
3770   doi =          "10.1063/1.3234380",
3771   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
3772                  deconvolution, dislocation defects",
3773 }
3774
3775 @Article{kitabatake93,
3776   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
3777                  Hirao",
3778   collaboration = "",
3779   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
3780                  growth on Si(001) surface",
3781   publisher =    "AIP",
3782   year =         "1993",
3783   journal =      "J. Appl. Phys.",
3784   volume =       "74",
3785   number =       "7",
3786   pages =        "4438--4445",
3787   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
3788                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
3789                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
3790   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
3791   doi =          "10.1063/1.354385",
3792   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
3793                  model, interface",
3794 }
3795
3796 @Article{kitabatake97,
3797   author =       "Makoto Kitabatake",
3798   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
3799                  Heteroepitaxial Growth",
3800   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3801   year =         "1997",
3802   journal =      "phys. status solidi (b)",
3803   volume =       "202",
3804   pages =        "405--420",
3805   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3806   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3807   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
3808 }
3809
3810 @Article{chirita97,
3811   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
3812                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
3813                  dynamics study",
3814   journal =      "Thin Solid Films",
3815   volume =       "294",
3816   number =       "1-2",
3817   pages =        "47--49",
3818   year =         "1997",
3819   note =         "",
3820   ISSN =         "0040-6090",
3821   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
3822   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
3823   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
3824   keywords =     "Strain relaxation",
3825   keywords =     "Interfaces",
3826   keywords =     "Thermal stability",
3827   keywords =     "Molecular dynamics",
3828   notes =        "tersoff sic/si interface study",
3829 }
3830
3831 @Article{cicero02,
3832   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
3833                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
3834   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
3835                  Catellani",
3836   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3837   volume =       "89",
3838   number =       "15",
3839   pages =        "156101",
3840   numpages =     "4",
3841   year =         "2002",
3842   month =        sep,
3843   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
3844   publisher =    "American Physical Society",
3845   notes =        "sic/si interface study",
3846 }
3847
3848 @Article{pizzagalli03,
3849   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
3850                  interface: Si{C}/Si(001)",
3851   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
3852                  Catellani",
3853   journal =      "Phys. Rev. B",
3854   volume =       "68",
3855   number =       "19",
3856   pages =        "195302",
3857   numpages =     "10",
3858   year =         "2003",
3859   month =        nov,
3860   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
3861   publisher =    "American Physical Society",
3862   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
3863 }
3864
3865 @Article{tang07,
3866   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
3867                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
3868                  electron microscopy",
3869   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
3870                  H. Zheng and J. W. Liang",
3871   journal =      "Phys. Rev. B",
3872   volume =       "75",
3873   number =       "18",
3874   pages =        "184103",
3875   numpages =     "7",
3876   year =         "2007",
3877   month =        may,
3878   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
3879   publisher =    "American Physical Society",
3880   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
3881                  si and c",
3882 }
3883
3884 @Article{hornstra58,
3885   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
3886   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
3887   volume =       "5",
3888   number =       "1-2",
3889   pages =        "129--141",
3890   year =         "1958",
3891   note =         "",
3892   ISSN =         "0022-3697",
3893   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
3894   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
3895   author =       "J. Hornstra",
3896   notes =        "dislocations in diamond lattice",
3897 }
3898
3899 @Article{deguchi92,
3900   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
3901                  Ion `Hot' Implantation",
3902   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
3903                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
3904   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3905   volume =       "31",
3906   number =       "Part 1, No. 2A",
3907   pages =        "343--347",
3908   numpages =     "4",
3909   year =         "1992",
3910   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
3911   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
3912   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3913   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
3914                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
3915 }
3916
3917 @Article{eichhorn99,
3918   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
3919                  K{\"{o}}gler",
3920   collaboration = "",
3921   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
3922                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
3923                  synchrotron x-ray diffraction",
3924   publisher =    "AIP",
3925   year =         "1999",
3926   journal =      "J. Appl. Phys.",
3927   volume =       "86",
3928   number =       "8",
3929   pages =        "4184--4187",
3930   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
3931                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
3932                  precipitation; semiconductor doping",
3933   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
3934   doi =          "10.1063/1.371344",
3935   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
3936                  expansion of si lattice",
3937 }
3938
3939 @Article{eichhorn02,
3940   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
3941                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
3942   collaboration = "",
3943   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
3944                  carbon ion implantation",
3945   publisher =    "AIP",
3946   year =         "2002",
3947   journal =      "J. Appl. Phys.",
3948   volume =       "91",
3949   number =       "3",
3950   pages =        "1287--1292",
3951   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
3952                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
3953                  electron microscopy",
3954   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
3955   doi =          "10.1063/1.1428105",
3956   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
3957                  temperature, might explain c into c sub trafo",
3958 }
3959
3960 @Article{lucas10,
3961   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
3962   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
3963                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
3964                  high-pressure phases, point and extended defects, and
3965                  amorphous structures",
3966   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3967   volume =       "22",
3968   number =       "3",
3969   pages =        "035802",
3970   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
3971   year =         "2010",
3972   notes =        "edip sic",
3973 }
3974
3975 @Article{godet03,
3976   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
3977                  Beauchamp",
3978   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
3979                  methods for silicon under large shear",
3980   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3981   volume =       "15",
3982   number =       "41",
3983   pages =        "6943",
3984   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
3985   year =         "2003",
3986   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
3987                  edip, tersoff, ab initio",
3988 }
3989
3990 @Article{moriguchi98,
3991   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
3992                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
3993   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
3994   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3995   volume =       "37",
3996   number =       "Part 1, No. 2",
3997   pages =        "414--422",
3998   numpages =     "8",
3999   year =         "1998",
4000   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
4001   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
4002   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
4003   notes =        "tersoff stringent test",
4004 }
4005
4006 @Article{mazzarolo01,
4007   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
4008                  simulations",
4009   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
4010                  Lulli and Eros Albertazzi",
4011   journal =      "Phys. Rev. B",
4012   volume =       "63",
4013   number =       "19",
4014   pages =        "195207",
4015   numpages =     "4",
4016   year =         "2001",
4017   month =        apr,
4018   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
4019   publisher =    "American Physical Society",
4020 }
4021
4022 @Article{holmstroem08,
4023   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
4024                  density functional theory molecular dynamics
4025                  simulations",
4026   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
4027   journal =      "Phys. Rev. B",
4028   volume =       "78",
4029   number =       "4",
4030   pages =        "045202",
4031   numpages =     "6",
4032   year =         "2008",
4033   month =        jul,
4034   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
4035   publisher =    "American Physical Society",
4036   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
4037                  initio",
4038 }
4039
4040 @Article{nordlund97,
4041   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
4042                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
4043   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
4044   volume =       "132",
4045   number =       "1",
4046   pages =        "45--54",
4047   year =         "1997",
4048   note =         "",
4049   ISSN =         "0168-583X",
4050   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
4051   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
4052   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
4053   notes =        "repulsive ab initio potential",
4054 }
4055
4056 @Article{kresse96,
4057   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
4058                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
4059                  set",
4060   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
4061   volume =       "6",
4062   number =       "1",
4063   pages =        "15--50",
4064   year =         "1996",
4065   note =         "",
4066   ISSN =         "0927-0256",
4067   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
4068   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
4069   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
4070   notes =        "vasp ref",
4071 }
4072
4073 @Article{bloechl94,
4074   title =        "Projector augmented-wave method",
4075   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
4076   journal =      "Phys. Rev. B",
4077   volume =       "50",
4078   number =       "24",
4079   pages =        "17953--17979",
4080   numpages =     "26",
4081   year =         "1994",
4082   month =        dec,
4083   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
4084   publisher =    "American Physical Society",
4085   notes =        "paw method",
4086 }
4087
4088 @InCollection{cohen70,
4089   title =        "The Fitting of Pseudopotentials to Experimental Data
4090                  and Their Subsequent Application",
4091   editor =       "Frederick Seitz Henry Ehrenreich and David Turnbull",
4092   publisher =    "Academic Press",
4093   year =         "1970",
4094   volume =       "24",
4095   pages =        "37--248",
4096   series =       "Solid State Physics",
4097   ISSN =         "0081-1947",
4098   doi =          "DOI: 10.1016/S0081-1947(08)60070-3",
4099   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B8GXT-4S9NXKG-9/2/ba01db77c8b19c2bab01506d4ea571b3",
4100   author =       "Marvin L. Cohen and Volker Heine",
4101 }
4102
4103 @Book{delerue04,
4104   title =        "Nanostructures: Theory and Modelling",
4105   author =       "Christophe Delerue and Michel Lannoo",
4106   year =         "2004",
4107   publisher =    "Springer",
4108 }
4109
4110 @Article{klimeck02,
4111   title =        "Development of a nanoelectronic 3-{D} ({NEMO} 3-{D})
4112                  simulator for multimillion atom simulations and its
4113                  application to alloyed quantum dots",
4114   author =       "Gerhard Klimeck and Fabiano Oyafuso and Timothy B
4115                  Boykin and R Chris Bowen and Paul von Allmen",
4116   year =         "2002",
4117   journal =      "Comput. Modeling Eng. Sci.",
4118   volume =       "3",
4119   pages =        "601",
4120 }
4121
4122 @Article{klimeck07,
4123   title =        "Atomistic simulation of realistically sized
4124                  nanodevices using {NEMO} 3-{D}¿Part {I}: Models and
4125                  benchmarks",
4126   author =       "Gerhard Klimeck and Shaikh Shahid Ahmed and Hansang
4127                  Bae and Neerav Kharche and Steve Clark and Benjamin
4128                  Haley and Sunhee Lee and Maxim Naumov and Hoon Ryu and
4129                  Faisal Saied and others",
4130   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4131   volume =       "54",
4132   number =       "9",
4133   pages =        "2079--2089",
4134   year =         "2007",
4135   publisher =    "IEEE",
4136 }
4137
4138 @Article{hamann79,
4139   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
4140   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
4141   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
4142   volume =       "43",
4143   number =       "20",
4144   pages =        "1494--1497",
4145   numpages =     "3",
4146   year =         "1979",
4147   month =        nov,
4148   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
4149   publisher =    "American Physical Society",
4150   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
4151 }
4152
4153 @Article{kleinman82,
4154   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
4155   month =        may,
4156   doi =          "10.1103/PhysRevLett.48.1425",
4157   issue =        "20",
4158   author =       "Leonard Kleinman and D. M. Bylander",
4159   title =        "Efficacious Form for Model Pseudopotentials",
4160   year =         "1982",
4161   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.48.1425",
4162   publisher =    "American Physical Society",
4163   pages =        "1425--1428",
4164   volume =       "48",
4165 }
4166
4167 @Article{troullier91,
4168   title =        "Efficient pseudopotentials for plane-wave
4169                  calculations",
4170   author =       "N. Troullier and Jos\'e Luriaas Martins",
4171   journal =      "Phys. Rev. B",
4172   volume =       "43",
4173   number =       "3",
4174   pages =        "1993--2006",
4175   numpages =     "13",
4176   year =         "1991",
4177   month =        jan,
4178   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.1993",
4179   publisher =    "American Physical Society",
4180 }
4181
4182 @Article{vanderbilt90,
4183   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
4184                  eigenvalue formalism",
4185   author =       "David Vanderbilt",
4186   journal =      "Phys. Rev. B",
4187   volume =       "41",
4188   number =       "11",
4189   pages =        "7892--7895",
4190   numpages =     "3",
4191   year =         "1990",
4192   month =        apr,
4193   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
4194   publisher =    "American Physical Society",
4195   notes =        "vasp pseudopotentials",
4196 }
4197
4198 @Article{ceperley80,
4199   title =        "Ground State of the Electron Gas by a Stochastic
4200                  Method",
4201   author =       "D. M. Ceperley and B. J. Alder",
4202   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
4203   volume =       "45",
4204   number =       "7",
4205   pages =        "566--569",
4206   numpages =     "3",
4207   year =         "1980",
4208   month =        aug,
4209   doi =          "10.1103/PhysRevLett.45.566",
4210   publisher =    "American Physical Society",
4211 }
4212
4213 @Article{perdew81,
4214   title =        "Self-interaction correction to density-functional
4215                  approximations for many-electron systems",
4216   author =       "J. P. Perdew and Alex Zunger",
4217   journal =      "Phys. Rev. B",
4218   volume =       "23",
4219   number =       "10",
4220   pages =        "5048--5079",
4221   numpages =     "31",
4222   year =         "1981",
4223   month =        may,
4224   doi =          "10.1103/PhysRevB.23.5048",
4225   publisher =    "American Physical Society",
4226 }
4227
4228 @Article{perdew86,
4229   title =        "Accurate and simple density functional for the
4230                  electronic exchange energy: Generalized gradient
4231                  approximation",
4232   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
4233   journal =      "Phys. Rev. B",
4234   volume =       "33",
4235   number =       "12",
4236   pages =        "8800--8802",
4237   numpages =     "2",
4238   year =         "1986",
4239   month =        jun,
4240   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
4241   publisher =    "American Physical Society",
4242   notes =        "rapid communication gga",
4243 }
4244
4245 @Article{perdew02,
4246   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
4247                  correlation: {A} look backward and forward",
4248   journal =      "Physica B",
4249   volume =       "172",
4250   number =       "1-2",
4251   pages =        "1--6",
4252   year =         "1991",
4253   note =         "",
4254   ISSN =         "0921-4526",
4255   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
4256   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
4257   author =       "John P. Perdew",
4258   notes =        "gga overview",
4259 }
4260
4261 @Article{perdew92,
4262   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
4263                  of the generalized gradient approximation for exchange
4264                  and correlation",
4265   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
4266                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
4267                  and Carlos Fiolhais",
4268   journal =      "Phys. Rev. B",
4269   volume =       "46",
4270   number =       "11",
4271   pages =        "6671--6687",
4272   numpages =     "16",
4273   year =         "1992",
4274   month =        sep,
4275   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
4276   publisher =    "American Physical Society",
4277   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
4278 }
4279
4280 @Article{chadi73,
4281   title =        "Special Points in the Brillouin Zone",
4282   author =       "D. J. Chadi and Marvin L. Cohen",
4283   journal =      "Phys. Rev. B",
4284   volume =       "8",
4285   number =       "12",
4286   pages =        "5747--5753",
4287   numpages =     "6",
4288   year =         "1973",
4289   month =        dec,
4290   doi =          "10.1103/PhysRevB.8.5747",
4291   publisher =    "American Physical Society",
4292 }
4293
4294 @Article{baldereschi73,
4295   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
4296   author =       "A. Baldereschi",
4297   journal =      "Phys. Rev. B",
4298   volume =       "7",
4299   number =       "12",
4300   pages =        "5212--5215",
4301   numpages =     "3",
4302   year =         "1973",
4303   month =        jun,
4304   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
4305   publisher =    "American Physical Society",
4306   notes =        "mean value k point",
4307 }
4308
4309 @Article{monkhorst76,
4310   title =        "Special points for Brillouin-zone integrations",
4311   author =       "Hendrik J. Monkhorst and James D. Pack",
4312   journal =      "Phys. Rev. B",
4313   volume =       "13",
4314   number =       "12",
4315   pages =        "5188--5192",
4316   numpages =     "4",
4317   year =         "1976",
4318   month =        jun,
4319   doi =          "10.1103/PhysRevB.13.5188",
4320   publisher =    "American Physical Society",
4321 }
4322
4323 @Article{zhu98,
4324   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
4325                  diffusion in Si",
4326   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
4327   volume =       "12",
4328   number =       "4",
4329   pages =        "309--318",
4330   year =         "1998",
4331   note =         "",
4332   ISSN =         "0927-0256",
4333   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
4334   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
4335   author =       "Jing Zhu",
4336   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
4337   keywords =     "Boron dopant",
4338   keywords =     "Carbon dopant",
4339   keywords =     "Defect",
4340   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
4341   keywords =     "Impurity cluster",
4342   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
4343 }
4344
4345 @Article{nejim95,
4346   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
4347   collaboration = "",
4348   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
4349                  950 [degree]{C}",
4350   publisher =    "AIP",
4351   year =         "1995",
4352   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4353   volume =       "66",
4354   number =       "20",
4355   pages =        "2646--2648",
4356   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
4357                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
4358                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
4359                  ELECTRON MICROSCOPY",
4360   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
4361   doi =          "10.1063/1.113112",
4362   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
4363                  self interstitials react with further implanted c",
4364 }
4365
4366 @Article{guedj98,
4367   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
4368                  Kolodzey and A. Hairie",
4369   collaboration = "",
4370   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
4371                  alloys",
4372   publisher =    "AIP",
4373   year =         "1998",
4374   journal =      "J. Appl. Phys.",
4375   volume =       "84",
4376   number =       "8",
4377   pages =        "4631--4633",
4378   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
4379                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
4380                  Fourier transform spectra; thermal stability;
4381                  annealing",
4382   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
4383   doi =          "10.1063/1.368703",
4384   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
4385 }
4386
4387 @Article{jones04,
4388   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
4389   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
4390                  semiconductors",
4391   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
4392   volume =       "16",
4393   number =       "27",
4394   pages =        "S2643",
4395   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
4396   year =         "2004",
4397   notes =        "ab inito dft intro, vibrational modes, c defect in
4398                  si",
4399 }
4400
4401 @Article{jones89,
4402   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.689",
4403   month =        jul,
4404   issue =        "3",
4405   author =       "R. O. Jones and O. Gunnarsson",
4406   year =         "1989",
4407   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/RevModPhys.61.689",
4408   publisher =    "American Physical Society",
4409   title =        "The density functional formalism, its applications and
4410                  prospects",
4411   pages =        "689--746",
4412   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
4413   volume =       "61",
4414   notes =        "dft intro",
4415 }
4416
4417 @Article{park02,
4418   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
4419                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
4420                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
4421   collaboration = "",
4422   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
4423                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
4424                  molecular-beam epitaxy",
4425   publisher =    "AIP",
4426   year =         "2002",
4427   journal =      "J. Appl. Phys.",
4428   volume =       "91",
4429   number =       "9",
4430   pages =        "5716--5727",
4431   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
4432   doi =          "10.1063/1.1465122",
4433   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
4434 }
4435
4436 @Article{leary97,
4437   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
4438                  carbon-carbon pair defects in silicon",
4439   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
4440                  Torres",
4441   journal =      "Phys. Rev. B",
4442   volume =       "55",
4443   number =       "4",
4444   pages =        "2188--2194",
4445   numpages =     "6",
4446   year =         "1997",
4447   month =        jan,
4448   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
4449   publisher =    "American Physical Society",
4450   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
4451                  energies, different migration barriers and paths",
4452 }
4453
4454 @Article{burnard93,
4455   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
4456                  silicon: Semiempirical electronic-structure
4457                  calculations",
4458   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
4459   journal =      "Phys. Rev. B",
4460   volume =       "47",
4461   number =       "16",
4462   pages =        "10217--10225",
4463   numpages =     "8",
4464   year =         "1993",
4465   month =        apr,
4466   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
4467   publisher =    "American Physical Society",
4468   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
4469                  carbon defect, formation energies",
4470 }
4471
4472 @Article{besson91,
4473   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
4474                  silicon",
4475   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
4476   journal =      "Phys. Rev. B",
4477   volume =       "43",
4478   number =       "5",
4479   pages =        "4028--4033",
4480   numpages =     "5",
4481   year =         "1991",
4482   month =        feb,
4483   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
4484   publisher =    "American Physical Society",
4485 }
4486
4487 @Article{kaxiras96,
4488   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
4489                  and growth on semiconductors",
4490   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
4491   volume =       "6",
4492   number =       "2",
4493   pages =        "158--172",
4494   year =         "1996",
4495   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
4496                  Epitaxy",
4497   ISSN =         "0927-0256",
4498   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
4499   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
4500   author =       "Efthimios Kaxiras",
4501   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
4502                  tight binding, first principles",
4503 }
4504
4505 @Article{kaukonen98,
4506   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
4507                  diamond
4508                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
4509                  surfaces",
4510   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
4511                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
4512                  Th. Frauenheim",
4513   journal =      "Phys. Rev. B",
4514   volume =       "57",
4515   number =       "16",
4516   pages =        "9965--9970",
4517   numpages =     "5",
4518   year =         "1998",
4519   month =        apr,
4520   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
4521   publisher =    "American Physical Society",
4522   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
4523                  (crt)",
4524 }
4525
4526 @Article{gali03,
4527   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
4528                  center in Si{C}",
4529   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
4530                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
4531                  W. J. Choyke",
4532   journal =      "Phys. Rev. B",
4533   volume =       "67",
4534   number =       "15",
4535   pages =        "155203",
4536   numpages =     "5",
4537   year =         "2003",
4538   month =        apr,
4539   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
4540   publisher =    "American Physical Society",
4541 }
4542
4543 @Article{chen98,
4544   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
4545                  irradiation and deformation",
4546   journal =      "J. Nucl. Mater.",
4547   volume =       "258-263",
4548   number =       "Part 2",
4549   pages =        "1803--1808",
4550   year =         "1998",
4551   note =         "",
4552   ISSN =         "0022-3115",
4553   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
4554   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
4555   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
4556 }
4557
4558 @Article{weber01,
4559   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
4560                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
4561   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
4562   volume =       "175-177",
4563   number =       "",
4564   pages =        "26--30",
4565   year =         "2001",
4566   note =         "",
4567   ISSN =         "0168-583X",
4568   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
4569   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
4570   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
4571 }
4572
4573 @Article{bockstedte03,
4574   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
4575                  in $3{C}-Si{C}$",
4576   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
4577                  Pankratov",
4578   journal =      "Phys. Rev. B",
4579   volume =       "68",
4580   number =       "20",
4581   pages =        "205201",
4582   numpages =     "17",
4583   year =         "2003",
4584   month =        nov,
4585   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
4586   publisher =    "American Physical Society",
4587   notes =        "defect migration in sic",
4588 }
4589
4590 @Article{rauls03a,
4591   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
4592                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
4593   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
4594                  De\'ak",
4595   journal =      "Phys. Rev. B",
4596   volume =       "68",
4597   number =       "15",
4598   pages =        "155208",
4599   numpages =     "9",
4600   year =         "2003",
4601   month =        oct,
4602   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
4603   publisher =    "American Physical Society",
4604 }
4605
4606 @Article{losev27,
4607   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
4608   volume =       "44",
4609   pages =        "485--494",
4610   year =         "1927",
4611   author =       "O. V. Lossev",
4612 }
4613
4614 @Article{losev28,
4615   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
4616                  oscillations with crystals",
4617   journal =      "Philos. Mag. Series 7",
4618   volume =       "6",
4619   number =       "39",
4620   pages =        "1024--1044",
4621   year =         "1928",
4622   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
4623   author =       "O. V. Lossev",
4624 }
4625
4626 @Article{losev29,
4627   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4628   volume =       "30",
4629   pages =        "920--923",
4630   year =         "1929",
4631   author =       "O. V. Lossev",
4632 }
4633
4634 @Article{losev31,
4635   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4636   volume =       "32",
4637   pages =        "692--696",
4638   year =         "1931",
4639   author =       "O. V. Lossev",
4640 }
4641
4642 @Article{losev33,
4643   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4644   volume =       "34",
4645   pages =        "397--403",
4646   year =         "1933",
4647   author =       "O. V. Lossev",
4648 }
4649
4650 @Article{round07,
4651   title =        "A note on carborundum",
4652   journal =      "Electrical World",
4653   volume =       "49",
4654   pages =        "308",
4655   year =         "1907",
4656   author =       "H. J. Round",
4657 }
4658
4659 @Article{vashishath08,
4660   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
4661   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
4662   volume =       "2",
4663   number =       "03",
4664   pages =        "444--470",
4665   year =         "2008",
4666   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
4667   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
4668   notes =        "sic polytype electronic properties",
4669 }
4670
4671 @Article{nelson69,
4672   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
4673   collaboration = "",
4674   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
4675   publisher =    "AIP",
4676   year =         "1966",
4677   journal =      "J. Appl. Phys.",
4678   volume =       "37",
4679   number =       "1",
4680   pages =        "333--336",
4681   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
4682   doi =          "10.1063/1.1707837",
4683   notes =        "sic melt growth",
4684 }
4685
4686 @Article{arkel25,
4687   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
4688   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
4689                  und Thoriummetall",
4690   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
4691   year =         "1925",
4692   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4693   volume =       "148",
4694   pages =        "345--350",
4695   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
4696   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
4697   notes =        "van arkel apparatus",
4698 }
4699
4700 @Article{moers31,
4701   author =       "K. Moers",
4702   year =         "1931",
4703   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4704   volume =       "198",
4705   pages =        "293",
4706   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4707                  process",
4708 }
4709
4710 @Article{kendall53,
4711   author =       "J. T. Kendall",
4712   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
4713   publisher =    "AIP",
4714   year =         "1953",
4715   journal =      "J. Chem. Phys.",
4716   volume =       "21",
4717   number =       "5",
4718   pages =        "821--827",
4719   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
4720   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4721                  process",
4722 }
4723
4724 @Article{lely55,
4725   author =       "J. A. Lely",
4726   year =         "1955",
4727   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
4728   volume =       "32",
4729   pages =        "229",
4730   notes =        "lely sublimation growth process",
4731 }
4732
4733 @Article{knippenberg63,
4734   author =       "W. F. Knippenberg",
4735   year =         "1963",
4736   journal =      "Philips Res. Repts.",
4737   volume =       "18",
4738   pages =        "161",
4739   notes =        "acheson process",
4740 }
4741
4742 @Article{hoffmann82,
4743   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
4744                  Weyrich",
4745   collaboration = "",
4746   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
4747                  improved external quantum efficiency",
4748   publisher =    "AIP",
4749   year =         "1982",
4750   journal =      "J. Appl. Phys.",
4751   volume =       "53",
4752   number =       "10",
4753   pages =        "6962--6967",
4754   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
4755                  efficiency; visible radiation; experimental data;
4756                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
4757                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
4758                  electroluminescence; spectra; current density;
4759                  optimization",
4760   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
4761   doi =          "10.1063/1.330041",
4762   notes =        "blue led, sublimation process",
4763 }
4764
4765 @Article{neudeck95,
4766   author =       "Philip Neudeck",
4767   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
4768                  Road 44135 Cleveland OH",
4769   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
4770                  technology",
4771   journal =      "J. Electron. Mater.",
4772   publisher =    "Springer Boston",
4773   ISSN =         "0361-5235",
4774   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
4775   pages =        "283--288",
4776   volume =       "24",
4777   issue =        "4",
4778   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
4779   note =         "10.1007/BF02659688",
4780   year =         "1995",
4781   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
4782 }
4783
4784 @InProceedings{pribble02,
4785   author =       "W. L. Pribble and J. W. Palmour and S. T. Sheppard and
4786                  R. P. Smith and S. T. Allen and T. J. Smith and Z. Ring
4787                  and J. J. Sumakeris and A. W. Saxler and J. W.
4788                  Milligan",
4789   booktitle =    "2002 IEEE MTT-S International Microwave Symposium
4790                  Digest",
4791   title =        "Applications of Si{C} {MESFET}s and Ga{N} {HEMT}s in
4792                  power amplifier design",
4793   year =         "2002",
4794   month =        "",
4795   volume =       "",
4796   number =       "",
4797   pages =        "1819--1822",
4798   doi =          "10.1109/MWSYM.2002.1012216",
4799   ISSN =         "",
4800   notes =        "hdtv",
4801 }
4802
4803 @InProceedings{temcamani01,
4804   author =       "F. Temcamani and P. Pouvil and O. Noblanc and C.
4805                  Brylinski and P. Bannelier and B. Darges and J. P.
4806                  Prigent",
4807   booktitle =    "2001 IEEE MTT-S International Microwave Symposium
4808                  Digest",
4809   title =        "Silicon carbide {MESFET}s performances and application
4810                  in broadcast power amplifiers",
4811   year =         "2001",
4812   month =        "",
4813   volume =       "",
4814   number =       "",
4815   pages =        "641--644",
4816   doi =          "10.1109/MWSYM.2001.966976",
4817   ISSN =         "",
4818   notes =        "hdtv",
4819 }
4820
4821 @Article{pensl00,
4822   author =       "Gerhard Pensl and Michael Bassler and Florin Ciobanu
4823                  and Valeri Afanas'ev and Hiroshi Yano and Tsunenobu
4824                  Kimoto and Hiroyuki Matsunami",
4825   title =        "Traps at the Si{C}/Si{O2}-Interface",
4826   journal =      "MRS Proc.",
4827   volume =       "640",
4828   number =       "",
4829   pages =        "",
4830   year =         "2000",
4831   doi =          "10.1557/PROC-640-H3.2",
4832   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-640-H3.2",
4833 }
4834
4835 @Article{bhatnagar93,
4836   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
4837   journal =      "IEEE Trans. Electron Devices",
4838   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
4839                  devices",
4840   year =         "1993",
4841   month =        mar,
4842   volume =       "40",
4843   number =       "3",
4844   pages =        "645--655",
4845   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
4846                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
4847                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
4848                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
4849                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
4850                  solids;insulated gate field effect transistors;power
4851                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
4852                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
4853   doi =          "10.1109/16.199372",
4854   ISSN =         "0018-9383",
4855   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
4856 }
4857
4858 @Article{ryu01,
4859   author =       "Sei-Hyung Ryu and A. K. Agarwal and R. Singh and J. W.
4860                  Palmour",
4861   journal =      "IEEE Electron Device Lett.",
4862   title =        "1800 {V} {NPN} bipolar junction transistors in
4863                  4{H}-Si{C}",
4864   year =         "2001",
4865   month =        mar,
4866   volume =       "22",
4867   number =       "3",
4868   pages =        "124--126",
4869   keywords =     "1800 V;4H-SiC high-voltage n-p-n bipolar junction
4870                  transistor;SiC;blocking voltage;current gain;deep level
4871                  acceptor;minority carrier lifetime;on-resistance;power
4872                  switching device;temperature coefficient;carrier
4873                  lifetime;deep levels;minority carriers;power bipolar
4874                  transistors;silicon compounds;wide band gap
4875                  semiconductors;",
4876   doi =          "10.1109/55.910617",
4877   ISSN =         "0741-3106",
4878 }
4879
4880 @Article{baliga96,
4881   author =       "B. J. Baliga",
4882   journal =      "IEEE Trans. Electron Devices",
4883   title =        "Trends in power semiconductor devices",
4884   year =         "1996",
4885   month =        oct,
4886   volume =       "43",
4887   number =       "10",
4888   pages =        "1717--1731",
4889   keywords =     "DMOS technology;GTO;GaAs;IGBT;MOS-gated
4890                  devices;MOS-gated thyristors;MPS rectifier;PIN
4891                  rectifier;Schottky rectifier;Si;SiC;SiC based
4892                  switches;TMBS rectifier;UMOS technology;VMOS
4893                  technology;bipolar power transistor;high voltage power
4894                  rectifiers;low voltage power rectifiers;power
4895                  MOSFET;power losses;power semiconductor devices;power
4896                  switch technology;review;semiconductor device
4897                  technology;MOS-controlled thyristors;bipolar transistor
4898                  switches;field effect transistor switches;gallium
4899                  arsenide;insulated gate bipolar transistors;p-i-n
4900                  diodes;power bipolar transistors;power field effect
4901                  transistors;power semiconductor devices;power
4902                  semiconductor diodes;power semiconductor
4903                  switches;reviews;silicon;silicon compounds;solid-state
4904                  rectifiers;thyristors;",
4905   doi =          "10.1109/16.536818",
4906   ISSN =         "0018-9383",
4907 }
4908
4909 @Article{bhatnagar92,
4910   author =       "M. Bhatnagar and P. K. McLarty and B. J. Baliga",
4911   journal =      "IEEE Electron Device Lett.",
4912   title =        "Silicon-carbide high-voltage (400 {V}) Schottky
4913                  barrier diodes",
4914   year =         "1992",
4915   month =        oct,
4916   volume =       "13",
4917   number =       "10",
4918   pages =        "501--503",
4919   keywords =     "1.1 V;25 to 200 C;400 V;6H-SiC;Pt-SiC;Schottky barrier
4920                  diodes;breakdown
4921                  voltages;characteristics;fabrication;forward I-V
4922                  characteristics;forward voltage drop;on-state current
4923                  density;rectifiers;reverse I-V characteristics;reverse
4924                  recovery characteristics;sharp breakdown;temperature
4925                  range;Schottky-barrier diodes;platinum;power
4926                  electronics;semiconductor materials;silicon
4927                  compounds;solid-state rectifiers;",
4928   doi =          "10.1109/55.192814",
4929   ISSN =         "0741-3106",
4930 }
4931
4932 @Article{neudeck94,
4933   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
4934                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
4935   journal =      "IEEE Trans. Electron Devices",
4936   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
4937                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
4938                  6{H}-Si{C} substrates",
4939   year =         "1994",
4940   month =        may,
4941   volume =       "41",
4942   number =       "5",
4943   pages =        "826--835",
4944   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
4945                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
4946                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
4947                  properties;epitaxial layers;light
4948                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
4949                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
4950                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
4951                  currents;power electronics;semiconductor
4952                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
4953                  growth;semiconductor materials;silicon
4954                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
4955                  phase epitaxial growth;",
4956   doi =          "10.1109/16.285038",
4957   ISSN =         "0018-9383",
4958   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
4959                  substrate",
4960 }
4961
4962 @Article{weitzel96,
4963   author =       "C. E. Weitzel and J. W. Palmour and Jr. {Carter, C.H.}
4964                  and K. Moore and K. K. Nordquist and S. Allen and C.
4965                  Thero and M. Bhatnagar",
4966   journal =      "IEEE Trans. Electron Devices",
4967   title =        "Silicon carbide high-power devices",
4968   year =         "1996",
4969   month =        oct,
4970   volume =       "43",
4971   number =       "10",
4972   pages =        "1732--1741",
4973   keywords =     "1200 V;1400 V;4H-SiC;500 MHz to 32 GHz;57 W;Schottky
4974                  barrier diodes;SiC;SiC devices;UMOSFET;current
4975                  density;high electric breakdown field;high saturated
4976                  electron drift velocity;high thermal
4977                  conductivity;high-power devices;packaged SIT;submicron
4978                  gate length MESFET;Schottky diodes;current
4979                  density;electric breakdown;power MESFET;power
4980                  MOSFET;power semiconductor devices;power semiconductor
4981                  diodes;reviews;silicon compounds;static induction
4982                  transistors;wide band gap semiconductors;",
4983   doi =          "10.1109/16.536819",
4984   ISSN =         "0018-9383",
4985   notes =        "high power devices",
4986 }
4987
4988 @Article{zhu08,
4989   author =       "Lin Zhu and T. P. Chow",
4990   journal =      "IEEE Trans. Electron Devices",
4991   title =        "Advanced High-Voltage 4{H}-Si{C} Schottky Rectifiers",
4992   year =         "2008",
4993   month =        aug,
4994   volume =       "55",
4995   number =       "8",
4996   pages =        "1871--1874",
4997   keywords =     "H-SiC;OFF-state characteristics;ON-state
4998                  characteristics;blocking capability;high-voltage
4999                  Schottky rectifier;junction barrier Schottky
5000                  rectifier;lateral channel JBS rectifier;leakage
5001                  current;pinlike reverse characteristics;Schottky
5002                  barriers;Schottky diodes;leakage currents;rectifying
5003                  circuits;",
5004   doi =          "10.1109/TED.2008.926642",
5005   ISSN =         "0018-9383",
5006 }
5007
5008 @Article{brown93,
5009   author =       "D. M. Brown and E. T. Downey and M. Ghezzo and J. W.
5010                  Kretchmer and R. J. Saia and Y. S. Liu and J. A. Edmond
5011                  and G. Gati and J. M. Pimbley and W. E. Schneider",
5012   journal =      "IEEE Trans. Electron Devices",
5013   title =        "Silicon carbide {UV} photodiodes",
5014   year =         "1993",
5015   month =        feb,
5016   volume =       "40",
5017   number =       "2",
5018   pages =        "325--333",
5019   keywords =     "200 to 400 nm;6H epitaxial layers;SiC photodiodes;UV
5020                  responsivity characteristics;low dark current;low light
5021                  level UV detection;quantum
5022                  efficiency;reproducibility;reverse current
5023                  leakage;short circuit output current;leakage
5024                  currents;photodiodes;semiconductor
5025                  materials;short-circuit currents;silicon
5026                  compounds;ultraviolet detectors;",
5027   doi =          "10.1109/16.182509",
5028   ISSN =         "0018-9383",
5029   notes =        "sic photo diodes, uv detector",
5030 }
5031
5032 @Article{yan04,
5033   author =       "Feng Yan and Xiaobin Xin and S. Aslam and Yuegang Zhao
5034                  and D. Franz and J. H. Zhao and M. Weiner",
5035   journal =      "IEEE J. Quantum Electron.",
5036   title =        "4{H}-Si{C} {UV} photo detectors with large area and
5037                  very high specific detectivity",
5038   year =         "2004",
5039   month =        sep,
5040   volume =       "40",
5041   number =       "9",
5042   pages =        "1315--1320",
5043   keywords =     "-1 V; 1.2E-14 A; 210 to 350 nm; 4H-SiC UV
5044                  photodetectors; 5 mm; Pt/4H-SiC Schottky photodiodes;
5045                  SiC-Pt; leakage current; photoresponse spectra; quantum
5046                  efficiency; specific detectivity; Schottky diodes;
5047                  photodetectors; platinum; silicon compounds; wide band
5048                  gap semiconductors;",
5049   doi =          "10.1109/JQE.2004.833196",
5050   ISSN =         "0018-9197",
5051   notes =        "uv detector",
5052 }
5053
5054 @Article{schulze98,
5055   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
5056   collaboration = "",
5057   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
5058                  single crystals by physical vapor transport",
5059   publisher =    "AIP",
5060   year =         "1998",
5061   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
5062   volume =       "72",
5063   number =       "13",
5064   pages =        "1632--1634",
5065   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
5066                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
5067                  photoluminescence; Hall mobility",
5068   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
5069   doi =          "10.1063/1.121136",
5070   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
5071 }
5072
5073 @Article{frank51,
5074   author =       "F. C. Frank",
5075   title =        "Capillary equilibria of dislocated crystals",
5076   journal =      "Acta Crystallogr.",
5077   year =         "1951",
5078   volume =       "4",
5079   number =       "6",
5080   pages =        "497--501",
5081   month =        nov,
5082   doi =          "10.1107/S0365110X51001690",
5083   URL =          "http://dx.doi.org/10.1107/S0365110X51001690",
5084   notes =        "micropipe",
5085 }
5086
5087 @Article{heindl97,
5088   author =       "J. Heindl and H. P. Strunk and V. D. Heydemann and G.
5089                  Pensl",
5090   title =        "Micropipes: Hollow Tubes in Silicon Carbide",
5091   journal =      "phys. status solidi (a)",
5092   volume =       "162",
5093   number =       "1",
5094   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
5095   ISSN =         "1521-396X",
5096   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-396X(199707)162:1<251::AID-PSSA251>3.0.CO;2-7",
5097   doi =          "10.1002/1521-396X(199707)162:1<251::AID-PSSA251>3.0.CO;2-7",
5098   pages =        "251--262",
5099   year =         "1997",
5100   notes =        "micropipe",
5101 }
5102
5103 @Article{neudeck94_2,
5104   author =       "P. G. Neudeck and J. A. Powell",
5105   journal =      "IEEE Electron Device Lett.",
5106   title =        "Performance limiting micropipe defects in silicon
5107                  carbide wafers",
5108   year =         "1994",
5109   month =        feb,
5110   volume =       "15",
5111   number =       "2",
5112   pages =        "63--65",
5113   keywords =     "SiC;defect density;device ratings;epitaxially-grown pn
5114                  junction devices;micropipe defects;power devices;power
5115                  semiconductors;pre-avalanche reverse-bias point
5116                  failures;p-n homojunctions;power
5117                  electronics;semiconductor materials;silicon
5118                  compounds;",
5119   doi =          "10.1109/55.285372",
5120   ISSN =         "0741-3106",
5121 }
5122
5123 @Article{pirouz87,
5124   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
5125   collaboration = "",
5126   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
5127   publisher =    "AIP",
5128   year =         "1987",
5129   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
5130   volume =       "50",
5131   number =       "4",
5132   pages =        "221--223",
5133   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
5134                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
5135                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
5136                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
5137                  BOUNDARIES",
5138   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
5139   doi =          "10.1063/1.97667",
5140   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
5141 }
5142
5143 @Article{shibahara86,
5144   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
5145                  Si(100) by chemical vapor deposition",
5146   journal =      "J. Cryst. Growth",
5147   volume =       "78",
5148   number =       "3",
5149   pages =        "538--544",
5150   year =         "1986",
5151   note =         "",
5152   ISSN =         "0022-0248",
5153   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
5154   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
5155   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
5156                  Matsunami",
5157   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
5158 }
5159
5160 @Article{desjardins96,
5161   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
5162   collaboration = "",
5163   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
5164   publisher =    "AIP",
5165   year =         "1996",
5166   journal =      "J. Appl. Phys.",
5167   volume =       "79",
5168   number =       "3",
5169   pages =        "1423--1434",
5170   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
5171                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
5172   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
5173   doi =          "10.1063/1.360980",
5174   notes =        "apb model",
5175 }
5176
5177 @Article{henke95,
5178   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
5179   collaboration = "",
5180   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
5181                  carbonization of silicon",
5182   publisher =    "AIP",
5183   year =         "1995",
5184   journal =      "J. Appl. Phys.",
5185   volume =       "78",
5186   number =       "3",
5187   pages =        "2070--2073",
5188   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
5189                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
5190                  STRUCTURE",
5191   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
5192   doi =          "10.1063/1.360184",
5193   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
5194 }
5195
5196 @Article{fuyuki89,
5197   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
5198                  {MBE} using surface superstructure",
5199   journal =      "J. Cryst. Growth",
5200   volume =       "95",
5201   number =       "1-4",
5202   pages =        "461--463",
5203   year =         "1989",
5204   note =         "",
5205   ISSN =         "0022-0248",
5206   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
5207   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
5208   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
5209                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
5210   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
5211 }
5212
5213 @Article{yoshinobu92,
5214   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
5215                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
5216   collaboration = "",
5217   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
5218                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
5219                  molecular beam epitaxy",
5220   publisher =    "AIP",
5221   year =         "1992",
5222   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
5223   volume =       "60",
5224   number =       "7",
5225   pages =        "824--826",
5226   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
5227                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
5228                  INTERFACE STRUCTURE",
5229   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
5230   doi =          "10.1063/1.107430",
5231   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
5232 }
5233
5234 @Article{yoshinobu90,
5235   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
5236                  cubic Si{C}",
5237   journal =      "J. Cryst. Growth",
5238   volume =       "99",
5239   number =       "1-4",
5240   pages =        "520--524",
5241   year =         "1990",
5242   note =         "",
5243   ISSN =         "0022-0248",
5244   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
5245   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
5246   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
5247                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
5248   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
5249 }
5250
5251 @Article{fuyuki93,
5252   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
5253                  superstructures in Si{C}",
5254   journal =      "Thin Solid Films",
5255   volume =       "225",
5256   number =       "1-2",
5257   pages =        "225--229",
5258   year =         "1993",
5259   note =         "",
5260   ISSN =         "0040-6090",
5261   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
5262   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
5263   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
5264                  Matsunami",
5265   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
5266                  epitaxy, ale",
5267 }
5268
5269 @Article{hara93,
5270   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
5271                  growth of [beta]-Si{C}",
5272   journal =      "Thin Solid Films",
5273   volume =       "225",
5274   number =       "1-2",
5275   pages =        "240--243",
5276   year =         "1993",
5277   note =         "",
5278   ISSN =         "0040-6090",
5279   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
5280   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
5281   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
5282                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
5283   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
5284                  epitaxy, ale",
5285 }
5286
5287 @Article{tanaka94,
5288   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
5289   collaboration = "",
5290   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
5291                  growth mode and polytype formation during gas-source
5292                  molecular beam epitaxy",
5293   publisher =    "AIP",
5294   year =         "1994",
5295   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
5296   volume =       "65",
5297   number =       "22",
5298   pages =        "2851--2853",
5299   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
5300                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
5301                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
5302                  FLOW; FLOW RATE",
5303   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
5304   doi =          "10.1063/1.112513",
5305   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
5306 }
5307
5308 @Article{fuyuki97,
5309   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
5310   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
5311                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
5312   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
5313   year =         "1997",
5314   journal =      "phys. status solidi (b)",
5315   volume =       "202",
5316   pages =        "359--378",
5317   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
5318                  temperatures 750",
5319 }
5320
5321 @Article{takaoka98,
5322   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
5323   journal =      "J. Cryst. Growth",
5324   volume =       "183",
5325   number =       "1-2",
5326   pages =        "175--182",
5327   year =         "1998",
5328   note =         "",
5329   ISSN =         "0022-0248",
5330   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
5331   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
5332   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
5333   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
5334   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
5335   keywords =     "Silicon carbide",
5336   keywords =     "Silicon",
5337   keywords =     "Island growth",
5338   notes =        "lower temperature, 550-700",
5339 }
5340
5341 @Article{hatayama95,
5342   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
5343                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
5344                  molecular beam epitaxy",
5345   journal =      "J. Cryst. Growth",
5346   volume =       "150",
5347   number =       "Part 2",
5348   pages =        "934--938",
5349   year =         "1995",
5350   note =         "",
5351   ISSN =         "0022-0248",
5352   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
5353   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
5354   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
5355                  and Hiroyuki Matsunami",
5356 }
5357
5358 @Article{heine91,
5359   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
5360   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
5361                  Metastable Cubic Form",
5362   journal =      "J. Am. Ceram. Soc.",
5363   volume =       "74",
5364   number =       "10",
5365   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
5366   ISSN =         "1551-2916",
5367   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
5368   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
5369   pages =        "2630--2633",
5370   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
5371                  calculations, stability",
5372   year =         "1991",
5373   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
5374                  polytype dft calculation refs",
5375 }
5376
5377 @Article{allendorf91,
5378   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
5379                  [beta]-silicon carbide",
5380   journal =      "Surf. Sci.",
5381   volume =       "258",
5382   number =       "1-3",
5383   pages =        "177--189",
5384   year =         "1991",
5385   note =         "",
5386   ISSN =         "0039-6028",
5387   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
5388   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
5389   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
5390   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
5391 }
5392
5393 @Article{eaglesham93,
5394   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
5395                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
5396   collaboration = "",
5397   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
5398   publisher =    "AIP",
5399   year =         "1993",
5400   journal =      "J. Appl. Phys.",
5401   volume =       "74",
5402   number =       "11",
5403   pages =        "6615--6618",
5404   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
5405                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
5406                  DIFFUSION; ADSORPTION",
5407   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
5408   doi =          "10.1063/1.355101",
5409   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
5410                  mobility",
5411 }
5412
5413 @Article{newman85,
5414   author =       "Ronald C. Newman",
5415   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
5416   journal =      "MRS Proc.",
5417   volume =       "59",
5418   number =       "",
5419   pages =        "403",
5420   year =         "1985",
5421   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
5422   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
5423   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
5424 }
5425
5426 @Article{newman61,
5427   title =        "The diffusivity of carbon in silicon",
5428   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
5429   volume =       "19",
5430   number =       "3-4",
5431   pages =        "230--234",
5432   year =         "1961",
5433   note =         "",
5434   ISSN =         "0022-3697",
5435   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(61)90032-4",
5436   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46M72R1-4D/2/9235472e4c0a95bf7b995769474f5fbd",
5437   author =       "R. C. Newman and J. Wakefield",
5438   notes =        "diffusivity of substitutional c in si",
5439 }
5440
5441 @Article{goesele85,
5442   author =       "U. Gösele",
5443   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
5444   journal =      "MRS Proc.",
5445   volume =       "59",
5446   number =       "",
5447   pages =        "419",
5448   year =         "1985",
5449   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
5450   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
5451   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
5452 }
5453
5454 @Article{mukashev82,
5455   title =        "Defects in Carbon-Implanted Silicon",
5456   author =       "Bulat N. Mukashev and Alexey V. Spitsyn and Noboru
5457                  Fukuoka and Haruo Saito",
5458   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
5459   volume =       "21",
5460   number =       "Part 1, No. 2",
5461   pages =        "399--400",
5462   numpages =     "1",
5463   year =         "1982",
5464   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/21/399/",
5465   doi =          "10.1143/JJAP.21.399",
5466   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
5467 }
5468
5469 @Article{puska98,
5470   title =        "Convergence of supercell calculations for point
5471                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
5472   author =       "M. J. Puska and S. P{\"o}ykk{\"o} and M. Pesola and R.
5473                  M. Nieminen",
5474   journal =      "Phys. Rev. B",
5475   volume =       "58",
5476   number =       "3",
5477   pages =        "1318--1325",
5478   numpages =     "7",
5479   year =         "1998",
5480   month =        jul,
5481   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.1318",
5482   publisher =    "American Physical Society",
5483   notes =        "convergence k point supercell size, vacancy in
5484                  silicon",
5485 }
5486
5487 @Article{serre95,
5488   author =       "C. Serre and A. P\'{e}rez-Rodr\'{\i}guez and A.
5489                  Romano-Rodr\'{\i}guez and J. R. Morante and R.
5490                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
5491   collaboration = "",
5492   title =        "Spectroscopic characterization of phases formed by
5493                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
5494   publisher =    "AIP",
5495   year =         "1995",
5496   journal =      "J. Appl. Phys.",
5497   volume =       "77",
5498   number =       "7",
5499   pages =        "2978--2984",
5500   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; PHASE STUDIES; CARBON IONS;
5501                  FOURIER TRANSFORM SPECTROSCOPY; RAMAN SPECTRA;
5502                  PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; TEM; TEMPERATURE
5503                  DEPENDENCE; PRECIPITATES; ANNEALING",
5504   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
5505   doi =          "10.1063/1.358714",
5506 }
5507
5508 @Article{romano-rodriguez96,
5509   title =        "Detailed analysis of [beta]-Si{C} formation by high
5510                  dose carbon ion implantation in silicon",
5511   journal =      "Materials Science and Engineering B",
5512   volume =       "36",
5513   number =       "1-3",
5514   pages =        "282--285",
5515   year =         "1996",
5516   note =         "European Materials Research Society 1995 Spring
5517                  Meeting, Symposium N: Carbon, Hydrogen, Nitrogen, and
5518                  Oxygen in Silicon and in Other Elemental
5519                  Semiconductors",
5520   ISSN =         "0921-5107",
5521   doi =          "DOI: 10.1016/0921-5107(95)01283-4",
5522   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-3VR7691-25/2/995fd57b9e5c1100558f80c472620408",
5523   author =       "A. Romano-Rodriguez and C. Serre and L. Calvo-Barrio
5524                  and A. Pérez-Rodríguez and J. R. Morante and R. Kögler
5525                  and W. Skorupa",
5526   keywords =     "Silicon",
5527   keywords =     "Ion implantation",
5528   notes =        "incoherent 3c-sic precipitate",
5529 }
5530
5531 @Article{davidson75,
5532   title =        "The iterative calculation of a few of the lowest
5533                  eigenvalues and corresponding eigenvectors of large
5534                  real-symmetric matrices",
5535   journal =      "J. Comput. Phys.",
5536   volume =       "17",
5537   number =       "1",
5538   pages =        "87--94",
5539   year =         "1975",
5540   note =         "",
5541   ISSN =         "0021-9991",
5542   doi =          "DOI: 10.1016/0021-9991(75)90065-0",
5543   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0021999175900650",
5544   author =       "Ernest R. Davidson",
5545 }
5546
5547 @Book{adorno_mm,
5548   title =        "Minima Moralia: Reflexionen aus dem besch{\"a}digten
5549                  Leben",
5550   author =       "T. W. Adorno",
5551   ISBN =         "978-3-518-01236-9",
5552   URL =          "http://books.google.com/books?id=coZqRAAACAAJ",
5553   year =         "1994",
5554   publisher =    "Suhrkamp",
5555 }
5556
5557 @Misc{attenberger03,
5558   author =       "Wilfried Attenberger and Jörg Lindner and Bernd
5559                  Stritzker",
5560   title =        "A {method} {for} {forming} {a} {layered}
5561                  {semiconductor} {structure} {and} {corresponding}
5562                  {structure}",
5563   year =         "2003",
5564   month =        apr,
5565   day =          "24",
5566   note =         "WO 2003/034484 A3R4",
5567   version =      "A3R4",
5568   howpublished = "Patent Application",
5569   nationality =  "WO",
5570   filing_num =   "EP0211423",
5571   yearfiled =    "2002",
5572   monthfiled =   "10",
5573   dayfiled =     "11",
5574   pat_refs =     "",
5575   ipc_class =    "7B 81C 1/00 B; 7H 01L 21/04 B; 7H 01L 21/265 B; 7H 01L
5576                  21/322 B; 7H 01L 21/324 B; 7H 01L 21/74 A; 7H 01L
5577                  21/762 B; 7H 01L 29/165 B; 7H 01L 33/00 B",
5578   us_class =     "",
5579   abstract =     "The following invention provides a method for forming
5580                  a layered semiconductor structure having a layer (5) of
5581                  a first semiconductor material on a substrate (1; 1')
5582                  of at least one second semiconductor material,
5583                  comprising the steps of: providing said substrate (1;
5584                  1'); burying said layer (5) of said first semiconductor
5585                  material in said substrate (1; 1'), said buried layer
5586                  (5) having an upper surface (105) and a lower surface
5587                  (105) and dividing said substrate (1; 1') into an upper
5588                  part (1a) and a lower part (1b; 1b', 1c); creating a
5589                  buried damage layer (10; 10'; 10'', 100'') which at
5590                  least partly adjoins and/or at least partly includes
5591                  said upper surface (105) of said buried layer (5); and
5592                  removing said upper part (1a) of said substrate (1; 1')
5593                  and said buried damage layer (10; 10'; 10'', 100'') for
5594                  exposing said buried layer (5). The invention also
5595                  provides a corresponding layered semiconductor
5596                  structure.",
5597 }
5598
5599 @Article{zunger01,
5600   author =       "Alex Zunger",
5601   title =        "Pseudopotential Theory of Semiconductor Quantum Dots",
5602   journal =      "physica status solidi (b)",
5603   volume =       "224",
5604   number =       "3",
5605   publisher =    "WILEY-VCH Verlag Berlin GmbH",
5606   ISSN =         "1521-3951",
5607   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/(SICI)1521-3951(200104)224:3<727::AID-PSSB727>3.0.CO;2-9",
5608   doi =          "10.1002/(SICI)1521-3951(200104)224:3<727::AID-PSSB727>3.0.CO;2-9",
5609   pages =        "727--734",
5610   keywords =     "71.15.Dx, 73.21.La, S5.11, S5.12, S7.11, S7.12, S8.11,
5611                  S8.12",
5612   year =         "2001",
5613   notes =        "configuration-interaction method, ci",
5614 }
5615
5616 @Article{zunger02,
5617   author =       "Alex Zunger",
5618   title =        "On the Farsightedness (hyperopia) of the Standard k ·
5619                  p Model",
5620   journal =      "physica status solidi (a)",
5621   volume =       "190",
5622   number =       "2",
5623   publisher =    "WILEY-VCH Verlag Berlin GmbH",
5624   ISSN =         "1521-396X",
5625   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-396X(200204)190:2<467::AID-PSSA467>3.0.CO;2-4",
5626   doi =          "10.1002/1521-396X(200204)190:2<467::AID-PSSA467>3.0.CO;2-4",
5627   pages =        "467--475",
5628   keywords =     "73.20.At, 73.21.Cd, 73.21.La, 73.22.¿b, 78.20.Bh",
5629   year =         "2002",
5630 }
5631
5632 @Article{robertson90,
5633   author =       "I. J. Robertson and M. C. Payne",
5634   title =        "k-point sampling and the k.p method in pseudopotential
5635                  total energy calculations",
5636   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
5637   volume =       "2",
5638   number =       "49",
5639   pages =        "9837",
5640   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/2/i=49/a=010",
5641   year =         "1990",
5642   notes =        "kp method",
5643 }
5644
5645 @Article{lange11,
5646   volume =       "84",
5647   journal =      "Phys. Rev. B",
5648   author =       "Bj{\"o}rn Lange and Christoph Freysoldt and J{\"o}rg
5649                  Neugebauer",
5650   month =        aug,
5651   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.84.085101",
5652   doi =          "10.1103/PhysRevB.84.085101",
5653   year =         "2011",
5654   title =        "Construction and performance of fully numerical
5655                  optimum atomic basis sets",
5656   issue =        "8",
5657   publisher =    "American Physical Society",
5658   numpages =     "11",
5659   pages =        "085101",
5660   notes =        "quamol, basis set, for planc",
5661 }
5662
5663 @Article{artacho91,
5664   volume =       "43",
5665   journal =      "Phys. Rev. A",
5666   author =       "Emilio Artacho and Lorenzo Mil\'ans del Bosch",
5667   month =        jun,
5668   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevA.43.5770",
5669   doi =          "10.1103/PhysRevA.43.5770",
5670   year =         "1991",
5671   title =        "Nonorthogonal basis sets in quantum mechanics:
5672                  Representations and second quantization",
5673   issue =        "11",
5674   publisher =    "American Physical Society",
5675   pages =        "5770--5777",
5676   notes =        "non-orthogonal basis set",
5677 }
5678
5679 @Article{loewdin50,
5680   author =       "Per-Olov L{\"{o}}wdin",
5681   collaboration = "",
5682   title =        "On the Non-Orthogonality Problem Connected with the
5683                  Use of Atomic Wave Functions in the Theory of Molecules
5684                  and Crystals",
5685   publisher =    "AIP",
5686   year =         "1950",
5687   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
5688   volume =       "18",
5689   number =       "3",
5690   pages =        "365--375",
5691   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/18/365/1",
5692   doi =          "10.1063/1.1747632",
5693   notes =        "non orthogonal basis set",
5694 }
5695
5696 @Article{loewdin68,
5697   author =       "Per-Olov Löwdin",
5698   title =        "Studies in perturbation theory {XIII}. Treatment of
5699                  constants of motion in resolvent method, partitioning
5700                  technique, and perturbation theory",
5701   journal =      "International Journal of Quantum Chemistry",
5702   volume =       "2",
5703   number =       "6",
5704   publisher =    "John Wiley & Sons, Inc.",
5705   ISSN =         "1097-461X",
5706   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/qua.560020612",
5707   doi =          "10.1002/qua.560020612",
5708   pages =        "867--931",
5709   year =         "1968",
5710 }
5711
5712 @Article{chadi77,
5713   volume =       "16",
5714   journal =      "Phys. Rev. B",
5715   author =       "D. J. Chadi",
5716   month =        oct,
5717   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.16.3572",
5718   doi =          "10.1103/PhysRevB.16.3572",
5719   year =         "1977",
5720   title =        "Localized-orbital description of wave functions and
5721                  energy bands in semiconductors",
5722   issue =        "8",
5723   publisher =    "American Physical Society",
5724   pages =        "3572--3578",
5725   notes =        "localized orbitals",
5726 }
5727
5728 @Article{wigner33,
5729   volume =       "43",
5730   journal =      "Phys. Rev.",
5731   author =       "E. Wigner and F. Seitz",
5732   month =        may,
5733   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.43.804",
5734   doi =          "10.1103/PhysRev.43.804",
5735   year =         "1933",
5736   title =        "On the Constitution of Metallic Sodium",
5737   issue =        "10",
5738   publisher =    "American Physical Society",
5739   pages =        "804--810",
5740   notes =        "wigner seitz method",
5741 }
5742
5743 @Article{herring40,
5744   volume =       "57",
5745   journal =      "Phys. Rev.",
5746   author =       "Conyers Herring",
5747   month =        jun,
5748   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.57.1169",
5749   doi =          "10.1103/PhysRev.57.1169",
5750   year =         "1940",
5751   title =        "A New Method for Calculating Wave Functions in
5752                  Crystals",
5753   issue =        "12",
5754   publisher =    "American Physical Society",
5755   pages =        "1169--1177",
5756   notes =        "orthogonalized plane wave method, opw",
5757 }
5758
5759 @Article{slater53,
5760   volume =       "92",
5761   journal =      "Phys. Rev.",
5762   author =       "J. C. Slater",
5763   month =        nov,
5764   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.92.603",
5765   doi =          "10.1103/PhysRev.92.603",
5766   year =         "1953",
5767   title =        "An Augmented Plane Wave Method for the Periodic
5768                  Potential Problem",
5769   issue =        "3",
5770   publisher =    "American Physical Society",
5771   pages =        "603--608",
5772   notes =        "augmented plane wave method",
5773 }
5774
5775 @Article{phillips59,
5776   volume =       "116",
5777   journal =      "Phys. Rev.",
5778   author =       "James C. Phillips and Leonard Kleinman",
5779   month =        oct,
5780   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.116.287",
5781   doi =          "10.1103/PhysRev.116.287",
5782   year =         "1959",
5783   title =        "New Method for Calculating Wave Functions in Crystals
5784                  and Molecules",
5785   issue =        "2",
5786   publisher =    "American Physical Society",
5787   pages =        "287--294",
5788   notes =        "pseudo potential",
5789 }
5790
5791 @Article{austin62,
5792   volume =       "127",
5793   journal =      "Phys. Rev.",
5794   author =       "B. J. Austin and V. Heine and L. J. Sham",
5795   month =        jul,
5796   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.127.276",
5797   doi =          "10.1103/PhysRev.127.276",
5798   year =         "1962",
5799   title =        "General Theory of Pseudopotentials",
5800   issue =        "1",
5801   publisher =    "American Physical Society",
5802   pages =        "276--282",
5803   notes =        "most general form of pseudo potential",
5804 }
5805
5806 @Article{gonze91,
5807   volume =       "44",
5808   journal =      "Phys. Rev. B",
5809   author =       "Xavier Gonze and Roland Stumpf and Matthias
5810                  Scheffler",
5811   month =        oct,
5812   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.44.8503",
5813   doi =          "10.1103/PhysRevB.44.8503",
5814   year =         "1991",
5815   title =        "Analysis of separable potentials",
5816   issue =        "16",
5817   publisher =    "American Physical Society",
5818   pages =        "8503--8513",
5819 }
5820
5821 @Article{gonze09,
5822   title =        "{ABINIT}: First-principles approach to material and
5823                  nanosystem properties",
5824   journal =      "Computer Physics Communications",
5825   volume =       "180",
5826   number =       "12",
5827   pages =        "2582--2615",
5828   year =         "2009",
5829   ISSN =         "0010-4655",
5830   doi =          "http://dx.doi.org/10.1016/j.cpc.2009.07.007",
5831   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0010465509002276",
5832   author =       "X. Gonze and B. Amadon and P.-M. Anglade and J.-M.
5833                  Beuken and F. Bottin and P. Boulanger and F. Bruneval
5834                  and D. Caliste and R. Caracas and M. Côté and T.
5835                  Deutsch and L. Genovese and Ph. Ghosez and M.
5836                  Giantomassi and S. Goedecker and D. R. Hamann and P.
5837                  Hermet and F. Jollet and G. Jomard and S. Leroux and M.
5838                  Mancini and S. Mazevet and M. J. T. Oliveira and G.
5839                  Onida and Y. Pouillon and T. Rangel and G.-M. Rignanese
5840                  and D. Sangalli and R. Shaltaf and M. Torrent and M. J.
5841                  Verstraete and G. Zerah and J. W. Zwanziger",
5842 }
5843
5844 @Article{wannier37,
5845   volume =       "52",
5846   journal =      "Phys. Rev.",
5847   author =       "Gregory H. Wannier",
5848   month =        aug,
5849   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.52.191",
5850   doi =          "10.1103/PhysRev.52.191",
5851   year =         "1937",
5852   title =        "The Structure of Electronic Excitation Levels in
5853                  Insulating Crystals",
5854   issue =        "3",
5855   publisher =    "American Physical Society",
5856   pages =        "191--197",
5857 }
5858
5859 @Article{marzari97,
5860   volume =       "56",
5861   journal =      "Phys. Rev. B",
5862   author =       "Nicola Marzari and David Vanderbilt",
5863   month =        nov,
5864   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.56.12847",
5865   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.12847",
5866   year =         "1997",
5867   title =        "Maximally localized generalized Wannier functions for
5868                  composite energy bands",
5869   issue =        "20",
5870   publisher =    "American Physical Society",
5871   pages =        "12847--12865",
5872   notes =        "maximal general localized wannier orbitals",
5873 }
5874
5875 @Article{dirac28,
5876   author =       "P. A. M. Dirac",
5877   title =        "The Quantum Theory of the Electron",
5878   volume =       "117",
5879   number =       "778",
5880   pages =        "610--624",
5881   year =         "1928",
5882   doi =          "10.1098/rspa.1928.0023",
5883   URL =          "http://rspa.royalsocietypublishing.org/content/117/778/610.short",
5884   eprint =       "http://rspa.royalsocietypublishing.org/content/117/778/610.full.pdf+html",
5885   journal =      "Proceedings of the Royal Society of London. Series A",
5886   notes =        "spin orbit origin, relativistic quantum theory",
5887 }
5888
5889 @Article{kleinman80,
5890   title =        "Relativistic norm-conserving pseudopotential",
5891   author =       "Leonard Kleinman",
5892   journal =      "Phys. Rev. B",
5893   volume =       "21",
5894   issue =        "6",
5895   pages =        "2630--2631",
5896   year =         "1980",
5897   month =        mar,
5898   doi =          "10.1103/PhysRevB.21.2630",
5899   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.21.2630",
5900   publisher =    "American Physical Society",
5901   notes =        "first relativistic pseudopotential",
5902 }
5903
5904 @Article{bachelet82,
5905   title =        "Relativistic norm-conserving pseudopotentials",
5906   author =       "Giovanni B. Bachelet and M. Schl{\"u}ter",
5907   journal =      "Phys. Rev. B",
5908   volume =       "25",
5909   issue =        "4",
5910   pages =        "2103--2108",
5911   year =         "1982",
5912   month =        feb,
5913   doi =          "10.1103/PhysRevB.25.2103",
5914   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.25.2103",
5915   publisher =    "American Physical Society",
5916 }
5917
5918 @Article{hybertsen86,
5919   title =        "Spin-orbit splitting in semiconductors and insulators
5920                  from the \textit{ab initio} pseudopotential",
5921   author =       "Mark S. Hybertsen and Steven G. Louie",
5922   journal =      "Phys. Rev. B",
5923   volume =       "34",
5924   issue =        "4",
5925   pages =        "2920--2922",
5926   year =         "1986",
5927   month =        aug,
5928   doi =          "10.1103/PhysRevB.34.2920",
5929   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.34.2920",
5930   publisher =    "American Physical Society",
5931   notes =        "spin orbit pseudopotential formulation",
5932 }
5933
5934 @Article{cardona88,
5935   title =        "Relativistic band structure and spin-orbit splitting
5936                  of zinc-blende-type semiconductors",
5937   author =       "M. Cardona and N. E. Christensen and G. Fasol",
5938   journal =      "Phys. Rev. B",
5939   volume =       "38",
5940   issue =        "3",
5941   pages =        "1806--1827",
5942   year =         "1988",
5943   month =        jul,
5944   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.1806",
5945   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.38.1806",
5946   publisher =    "American Physical Society",
5947   notes =        "fully relativistic band structures of zinc blende
5948                  semiconductors",
5949 }
5950
5951 @Article{hemstreet93,
5952   title =        "First-principles calculations of spin-orbit splittings
5953                  in solids using nonlocal separable pseudopotentials",
5954   author =       "L. A. Hemstreet and C. Y. Fong and J. S. Nelson",
5955   journal =      "Phys. Rev. B",
5956   volume =       "47",
5957   issue =        "8",
5958   pages =        "4238--4243",
5959   year =         "1993",
5960   month =        feb,
5961   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.4238",
5962   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.47.4238",
5963   publisher =    "American Physical Society",
5964 }
5965
5966 @Article{naveh07,
5967   title =        "Real-space pseudopotential method for spin-orbit
5968                  coupling within density functional theory",
5969   author =       "Doron Naveh and Leeor Kronik and Murilo L. Tiago and
5970                  James R. Chelikowsky",
5971   journal =      "Phys. Rev. B",
5972   volume =       "76",
5973   issue =        "15",
5974   pages =        "153407",
5975   numpages =     "4",
5976   year =         "2007",
5977   month =        oct,
5978   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.153407",
5979   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.76.153407",
5980   publisher =    "American Physical Society",
5981   notes =        "real space spin orbit pseudopotential implementation",
5982 }
5983
5984 @Article{verstraete08,
5985   title =        "Density functional perturbation theory with spin-orbit
5986                  coupling: Phonon band structure of lead",
5987   author =       "Matthieu J. Verstraete and Marc Torrent and
5988                  Fran\mbox{\c{c}}ois Jollet and Gilles Z\'erah and
5989                  Xavier Gonze",
5990   journal =      "Phys. Rev. B",
5991   volume =       "78",
5992   issue =        "4",
5993   pages =        "045119",
5994   numpages =     "9",
5995   year =         "2008",
5996   month =        jul,
5997   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045119",
5998   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.78.045119",
5999   publisher =    "American Physical Society",
6000 }
6001
6002 @Article{cuadrado12,
6003   author =       "R. Cuadrado and J. I. Cerdá",
6004   title =        "Fully relativistic pseudopotential formalism under an
6005                  atomic orbital basis: spin-orbit splittings and
6006                  magnetic anisotropies",
6007   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
6008   volume =       "24",
6009   number =       "8",
6010   pages =        "086005",
6011   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/24/i=8/a=086005",
6012   year =         "2012",
6013 }
6014
6015 @Article{canning00,
6016   title =        "Parallel Empirical Pseudopotential Electronic
6017                  Structure Calculations for Million Atom Systems",
6018   journal =      "Journal of Computational Physics",
6019   volume =       "160",
6020   number =       "1",
6021   pages =        "29--41",
6022   year =         "2000",
6023   note =         "",
6024   ISSN =         "0021-9991",
6025   doi =          "http://dx.doi.org/10.1006/jcph.2000.6440",
6026   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0021999100964404",
6027   author =       "A. Canning and L. W. Wang and A. Williamson and A.
6028                  Zunger",
6029 }
6030
6031 @Article{oliveira08,
6032   title =        "Generating relativistic pseudo-potentials with
6033                  explicit incorporation of semi-core states using {APE},
6034                  the Atomic Pseudo-potentials Engine",
6035   journal =      "Computer Physics Communications",
6036   volume =       "178",
6037   number =       "7",
6038   pages =        "524--534",
6039   year =         "2008",
6040   note =         "",
6041   ISSN =         "0010-4655",
6042   doi =          "http://dx.doi.org/10.1016/j.cpc.2007.11.003",
6043   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0010465507004651",
6044   author =       "Micael J. T. Oliveira and Fernando Nogueira",
6045   keywords =     "Pseudo-potential",
6046   keywords =     "Electronic structure",
6047   keywords =     "Density functional",
6048 }
6049
6050 @Article{fornberg88,
6051   author =       "Bengt Fornberg",
6052   title =        "Generation of finite difference formulas on
6053                  arbitrarily spaced grids",
6054   journal =      "Math. Comp.",
6055   volume =       "51",
6056   number =       "",
6057   pages =        "699--706",
6058   year =         "1988",
6059   doi =          "http://dx.doi.org/10.1090/S0025-5718-1988-0935077-",
6060   URL =          "http://dx.doi.org/10.1090/S0025-5718-1988-0935077-",
6061 }
6062
6063 @Article{fornberg94,
6064   author =       "Bengt Fornberg and David M. Sloan",
6065   title =        "A review of pseudospectral methods for solving partial
6066                  differential equations",
6067   journal =      "Acta Numerica",
6068   volume =       "3",
6069   number =       "",
6070   pages =        "203--267",
6071   year =         "1994",
6072   doi =          "10.1017/S0962492900002440",
6073   URL =          "http://dx.doi.org/10.1017/S0962492900002440",
6074 }
6075
6076 @Article{urbaszek03,
6077   title =        "Fine Structure of Highly Charged Excitons in
6078                  Semiconductor Quantum Dots",
6079   author =       "B. Urbaszek and R. J. Warburton and K. Karrai and B.
6080                  D. Gerardot and P. M. Petroff and J. M. Garcia",
6081   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6082   volume =       "90",
6083   issue =        "24",
6084   pages =        "247403",
6085   numpages =     "4",
6086   year =         "2003",
6087   month =        jun,
6088   doi =          "10.1103/PhysRevLett.90.247403",
6089   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.90.247403",
6090   publisher =    "American Physical Society",
6091 }
6092
6093 @Article{dekel98,
6094   title =        "Multiexciton Spectroscopy of a Single Self-Assembled
6095                  Quantum Dot",
6096   author =       "E. Dekel and D. Gershoni and E. Ehrenfreund and D.
6097                  Spektor and J. M. Garcia and P. M. Petroff",
6098   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6099   volume =       "80",
6100   issue =        "22",
6101   pages =        "4991--4994",
6102   year =         "1998",
6103   month =        jun,
6104   doi =          "10.1103/PhysRevLett.80.4991",
6105   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.80.4991",
6106   publisher =    "American Physical Society",
6107 }
6108
6109 @Article{bayer02,
6110   title =        "Fine structure of neutral and charged excitons in
6111                  self-assembled In(Ga)As/(Al)GaAs quantum dots",
6112   author =       "M. Bayer and G. Ortner and O. Stern and A. Kuther and
6113                  A. A. Gorbunov and A. Forchel and P. Hawrylak and S.
6114                  Fafard and K. Hinzer and T. L. Reinecke and S. N. Walck
6115                  and J. P. Reithmaier and F. Klopf and F. Sch{\"a}fer",
6116   journal =      "Phys. Rev. B",
6117   volume =       "65",
6118   issue =        "19",
6119   pages =        "195315",
6120   numpages =     "23",
6121   year =         "2002",
6122   month =        may,
6123   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195315",
6124   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.65.195315",
6125   publisher =    "American Physical Society",
6126 }
6127
6128 @Article{bayer99,
6129   title =        "Electron and Hole $\mathit{g}$ Factors and Exchange
6130                  Interaction from Studies of the Exciton Fine Structure
6131                  in
6132                  ${\mathrm{In}}_{0.60}{\mathrm{Ga}}_{0.40}\mathrm{As}$
6133                  Quantum Dots",
6134   author =       "M. Bayer and A. Kuther and A. Forchel and A. Gorbunov
6135                  and V. B. Timofeev and F. Sch{\"a}fer and J. P.
6136                  Reithmaier and T. L. Reinecke and S. N. Walck",
6137   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6138   volume =       "82",
6139   issue =        "8",
6140   pages =        "1748--1751",
6141   year =         "1999",
6142   month =        feb,
6143   doi =          "10.1103/PhysRevLett.82.1748",
6144   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.82.1748",
6145   publisher =    "American Physical Society",
6146 }
6147
6148 @Article{loss98,
6149   title =        "Quantum computation with quantum dots",
6150   author =       "Daniel Loss and David P. DiVincenzo",
6151   journal =      "Phys. Rev. A",
6152   volume =       "57",
6153   issue =        "1",
6154   pages =        "120--126",
6155   year =         "1998",
6156   month =        jan,
6157   doi =          "10.1103/PhysRevA.57.120",
6158   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevA.57.120",
6159   publisher =    "American Physical Society",
6160 }
6161
6162 @Article{schaller04,
6163   title =        "High Efficiency Carrier Multiplication in PbSe
6164                  Nanocrystals: Implications for Solar Energy
6165                  Conversion",
6166   author =       "R. D. Schaller and V. I. Klimov",
6167   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6168   volume =       "92",
6169   issue =        "18",
6170   pages =        "186601",
6171   numpages =     "4",
6172   year =         "2004",
6173   month =        may,
6174   doi =          "10.1103/PhysRevLett.92.186601",
6175   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.92.186601",
6176   publisher =    "American Physical Society",
6177 }
6178
6179 @Article{cardenas12,
6180   title =        "Atomic effective pseudopotentials for semiconductors",
6181   author =       "J. R. C\'ardenas and G. Bester",
6182   journal =      "Phys. Rev. B",
6183   volume =       "86",
6184   issue =        "11",
6185   pages =        "115332",
6186   numpages =     "9",
6187   year =         "2012",
6188   month =        sep,
6189   doi =          "10.1103/PhysRevB.86.115332",
6190   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.86.115332",
6191   publisher =    "American Physical Society",
6192 }
6193
6194 @Misc{aep12,
6195   title =        "Atomic effective pseudopotentials for semiconductors",
6196   author =       "J. R. C\'ardenas and G. Bester",
6197   year =         "2012",
6198   month =        sep,
6199   URL =          "http://www.fkf.mpg.de/bester/downloads/downloads.html",
6200   eprint =       "http://www.fkf.mpg.de/bester/downloads/downloads.html",
6201 }
6202
6203 @Article{bester05,
6204   title =        "Cylindrically shaped zinc-blende semiconductor quantum
6205                  dots do not have cylindrical symmetry:\quad{}Atomistic
6206                  symmetry, atomic relaxation, and piezoelectric
6207                  effects",
6208   author =       "Gabriel Bester and Alex Zunger",
6209   journal =      "Phys. Rev. B",
6210   volume =       "71",
6211   issue =        "4",
6212   pages =        "045318",
6213   numpages =     "12",
6214   year =         "2005",
6215   month =        jan,
6216   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.045318",
6217   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.71.045318",
6218   publisher =    "American Physical Society",
6219 }
6220
6221 @Article{bester09,
6222   author =       "Gabriel Bester",
6223   title =        "Electronic excitations in nanostructures: an empirical
6224                  pseudopotential based approach",
6225   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
6226   volume =       "21",
6227   number =       "2",
6228   pages =        "023202",
6229   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/21/i=2/a=023202",
6230   year =         "2009",
6231 }
6232
6233 @Article{cohen66,
6234   title =        "Band Structures and Pseudopotential Form Factors for
6235                  Fourteen Semiconductors of the Diamond and Zinc-blende
6236                  Structures",
6237   author =       "Marvin L. Cohen and T. K. Bergstresser",
6238   journal =      "Phys. Rev.",
6239   volume =       "141",
6240   issue =        "2",
6241   pages =        "789--796",
6242   year =         "1966",
6243   month =        jan,
6244   doi =          "10.1103/PhysRev.141.789",
6245   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.141.789",
6246   publisher =    "American Physical Society",
6247 }
6248
6249 @Article{maeder94,
6250   title =        "Empirical atomic pseudopotentials for AlAs/GaAs
6251                  superlattices, alloys, and nanostructures",
6252   author =       "Kurt A. M{\"a}der and Alex Zunger",
6253   journal =      "Phys. Rev. B",
6254   volume =       "50",
6255   issue =        "23",
6256   pages =        "17393--17405",
6257   year =         "1994",
6258   month =        dec,
6259   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17393",
6260   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.50.17393",
6261   publisher =    "American Physical Society",
6262 }
6263
6264 @Article{wang94_2,
6265   author =       "Lin Wang Wang and Alex Zunger",
6266   title =        "Electronic Structure Pseudopotential Calculations of
6267                  Large (.apprx.1000 Atoms) Si Quantum Dots",
6268   journal =      "The Journal of Physical Chemistry",
6269   volume =       "98",
6270   number =       "8",
6271   pages =        "2158--2165",
6272   year =         "1994",
6273   doi =          "10.1021/j100059a032",
6274   URL =          "http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/j100059a032",
6275   eprint =       "http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/j100059a032",
6276 }
6277
6278 @Article{wang95,
6279   title =        "Local-density-derived semiempirical pseudopotentials",
6280   author =       "Lin-Wang Wang and Alex Zunger",
6281   journal =      "Phys. Rev. B",
6282   volume =       "51",
6283   issue =        "24",
6284   pages =        "17398--17416",
6285   year =         "1995",
6286   month =        jun,
6287   doi =          "10.1103/PhysRevB.51.17398",
6288   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.51.17398",
6289   publisher =    "American Physical Society",
6290 }
6291
6292 @Article{wang99,
6293   title =        "Linear combination of bulk bands method for
6294                  large-scale electronic structure calculations on
6295                  strained nanostructures",
6296   author =       "Lin-Wang Wang and Alex Zunger",
6297   journal =      "Phys. Rev. B",
6298   volume =       "59",
6299   issue =        "24",
6300   pages =        "15806--15818",
6301   year =         "1999",
6302   month =        jun,
6303   doi =          "10.1103/PhysRevB.59.15806",
6304   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.59.15806",
6305   publisher =    "American Physical Society",
6306 }
6307
6308 @Article{franceschetti99,
6309   title =        "Many-body pseudopotential theory of excitons in In{P}
6310                  and CdSe quantum dots",
6311   author =       "A. Franceschetti and H. Fu and L. W. Wang and A.
6312                  Zunger",
6313   journal =      "Phys. Rev. B",
6314   volume =       "60",
6315   issue =        "3",
6316   pages =        "1819--1829",
6317   year =         "1999",
6318   month =        jul,
6319   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.1819",
6320   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.60.1819",
6321   publisher =    "American Physical Society",
6322 }
6323
6324 @Article{wang94,
6325   author =       "Lin-Wang Wang and Alex Zunger",
6326   collaboration = "",
6327   title =        "Solving Schr[o-umlaut]dinger's equation around a
6328                  desired energy: Application to silicon quantum dots",
6329   publisher =    "AIP",
6330   year =         "1994",
6331   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
6332   volume =       "100",
6333   number =       "3",
6334   pages =        "2394--2397",
6335   keywords =     "SCHROEDINGER EQUATION; SILICON; ONEDIMENSIONAL
6336                  CALCULATIONS; USES; ENERGY LEVELS; EIGENVALUES;
6337                  ELECTRONIC STRUCTURE; CALCULATION METHODS; PLANE WAVES;
6338                  PSEUDOPOTENTIAL",
6339   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/100/2394/1",
6340   doi =          "10.1063/1.466486",
6341 }
6342
6343 @Article{jacobi1845,
6344   author =       "C. G. J. Jacobi",
6345   title =        "Ueber eine neue Auflösungsart der bei der Methode der
6346                  kleinsten Quadrate vorkommenden lineären Gleichungen",
6347   journal =      "Astronom. Nachr.",
6348   volume =       "22",
6349   number =       "20",
6350   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
6351   ISSN =         "1521-3994",
6352   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/asna.18450222002",
6353   doi =          "10.1002/asna.18450222002",
6354   pages =        "297--306",
6355   year =         "1845",
6356 }
6357
6358 @Article{jacobi1846,
6359   author =       "C. G. J. Jacobi",
6360   title =        "{\"U}ber ein leichtes Verfahren die in der Theorie der
6361                  {S}{\"a}cularst{\"o}rungen vorkommenden Gleichungen
6362                  numerisch aufzul{\"o}sen",
6363   journal =      "J. Reine und Angew. Math.",
6364   volume =       "1846",
6365   number =       "30",
6366   URL =          "http://www.degruyter.com/view/j/crll.1846.issue-30/crll.1846.30.51/crll.1846.30.51.xml",
6367   doi =          "doi:10.1515/crll.1846.30.51",
6368   pages =        "51--94",
6369   year =         "1846",
6370 }
6371
6372 @Article{sleijpen96,
6373   author =       "G. G. Sleijpen and H. {Van der Vorst}",
6374   title =        "A Jacobi¿Davidson Iteration Method for Linear
6375                  Eigenvalue Problems",
6376   journal =      "SIAM Journal on Matrix Analysis and Applications",
6377   volume =       "17",
6378   number =       "2",
6379   pages =        "401--425",
6380   year =         "1996",
6381   doi =          "10.1137/S0895479894270427",
6382   URL =          "http://epubs.siam.org/doi/abs/10.1137/S0895479894270427",
6383   eprint =       "http://epubs.siam.org/doi/pdf/10.1137/S0895479894270427",
6384 }
6385
6386 @Article{sleijpen00,
6387   author =       "G. Sleijpen and H. {Van der Vorst}",
6388   title =        "A Jacobi--Davidson Iteration Method for Linear
6389                  Eigenvalue Problems",
6390   journal =      "SIAM Review",
6391   volume =       "42",
6392   number =       "2",
6393   pages =        "267--293",
6394   year =         "2000",
6395   doi =          "10.1137/S0036144599363084",
6396   URL =          "http://epubs.siam.org/doi/abs/10.1137/S0036144599363084",
6397   eprint =       "http://epubs.siam.org/doi/pdf/10.1137/S0036144599363084",
6398 }
6399
6400 @Article{sorensen92,
6401   author =       "D. Sorensen",
6402   title =        "Implicit Application of Polynomial Filters in a k-Step
6403                  Arnoldi Method",
6404   journal =      "SIAM Journal on Matrix Analysis and Applications",
6405   volume =       "13",
6406   number =       "1",
6407   pages =        "357--385",
6408   year =         "1992",
6409   doi =          "10.1137/0613025",
6410   URL =          "http://epubs.siam.org/doi/abs/10.1137/0613025",
6411   eprint =       "http://epubs.siam.org/doi/pdf/10.1137/0613025",
6412 }
6413
6414 @Article{sorensen01,
6415   title =        "{ARPACK} Software Package",
6416   author =       "D. C. Sorensen and R. B. Lehoucq and C. Yang and K.
6417                  Maschhoff",
6418   journal =      "Rice University",
6419   year =         "2001",
6420 }
6421
6422 @Article{luo08,
6423   title =        "Quantum-size-induced electronic transitions in quantum
6424                  dots: Indirect band-gap GaAs",
6425   author =       "Jun-Wei Luo and Alberto Franceschetti and Alex
6426                  Zunger",
6427   journal =      "Phys. Rev. B",
6428   volume =       "78",
6429   issue =        "3",
6430   pages =        "035306",
6431   numpages =     "8",
6432   year =         "2008",
6433   month =        jul,
6434   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035306",
6435   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.78.035306",
6436   publisher =    "American Physical Society",
6437 }
6438
6439 @Misc{openmp08,
6440   author =       "{OpenMP Architecture Review Board}",
6441   title =        "{OpenMP} Application Program Interface Version 3.0",
6442   month =        may,
6443   year =         "2008",
6444   URL =          "\url{http://www.openmp.org/mp-documents/spec30.pdf}",
6445 }
6446
6447 @Book{anderson99,
6448   author =       "E. Anderson and Z. Bai and C. Bischof and L. S.
6449                  Blackford and J. Demmel and J. Dongarra and J. Du Croz
6450                  and A. Greenbaum and S. Hammarling and A. McKenney and
6451                  D. Sorensen",
6452   title =        "{LAPACK} Users' Guide",
6453   publisher =    "Society for Industrial and Applied Mathematics",
6454   year =         "1999",
6455   doi =          "10.1137/1.9780898719604",
6456   address =      "",
6457   edition =      "Third",
6458   URL =          "http://epubs.siam.org/doi/abs/10.1137/1.9780898719604",
6459   eprint =       "http://epubs.siam.org/doi/pdf/10.1137/1.9780898719604",
6460 }
6461
6462 @Article{lawson79,
6463   author =       "C. L. Lawson and R. J. Hanson and D. R. Kincaid and F.
6464                  T. Krogh",
6465   title =        "{Algorithm 539}: {Basic Linear Algebra Subprograms}
6466                  for {Fortran} Usage [{F1}]",
6467   journal =      "{ACM} Transactions on Mathematical Software",
6468   volume =       "5",
6469   number =       "3",
6470   pages =        "324--325",
6471   month =        sep,
6472   year =         "1979",
6473   CODEN =        "ACMSCU",
6474   ISSN =         "0098-3500",
6475   URL =          "http://doi.acm.org/10.1145/355841.355848",
6476 }
6477
6478 @Article{hartwigsen98,
6479   title =        "Relativistic separable dual-space Gaussian
6480                  pseudopotentials from {H} to Rn",
6481   author =       "C. Hartwigsen and S. Goedecker and J. Hutter",
6482   journal =      "Phys. Rev. B",
6483   volume =       "58",
6484   issue =        "7",
6485   pages =        "3641--3662",
6486   year =         "1998",
6487   month =        aug,
6488   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.3641",
6489   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.58.3641",
6490   publisher =    "American Physical Society",
6491 }
6492
6493 @InProceedings{frigo98,
6494   author =       "M. Frigo and S. G. Johnson",
6495   booktitle =    "Acoustics, Speech and Signal Processing, 1998.
6496                  Proceedings of the 1998 IEEE International Conference
6497                  on",
6498   title =        "{FFTW}: an adaptive software architecture for the
6499                  {FFT}",
6500   year =         "1998",
6501   month =        may,
6502   volume =       "3",
6503   number =       "",
6504   pages =        "1381--1384",
6505   keywords =     "DFT;FFT;FFTW;adaptive FFT program;adaptive software
6506                  architecture;computer architecture;fast
6507                  algorithm;floating-point operations;memory
6508                  hierarchy;performance;processor
6509                  pipeline;self-optimizing approach;adaptive
6510                  systems;discrete Fourier transforms;fast Fourier
6511                  transforms;mathematics computing;",
6512   doi =          "10.1109/ICASSP.1998.681704",
6513   ISSN =         "1520-6149",
6514 }
6515
6516 @Article{frigo05,
6517   author =       "M. Frigo and S. G. Johnson",
6518   journal =      "Proceedings of the IEEE",
6519   title =        "The Design and Implementation of {FFTW3}",
6520   year =         "2005",
6521   month =        feb,
6522   volume =       "93",
6523   number =       "2",
6524   pages =        "216--231",
6525   keywords =     "DFT algorithm;FFTW3 design;FFTW3 version;cosine
6526                  transforms;discrete Fourier transform;hand optimized
6527                  libraries;machine specific single instruction;multiple
6528                  data instructions;sine transforms;software
6529                  structure;discrete Fourier transforms;discrete cosine
6530                  transforms;mathematics computing;optimising
6531                  compilers;parallel programming;software libraries;",
6532   doi =          "10.1109/JPROC.2004.840301",
6533   ISSN =         "0018-9219",
6534 }
6535
6536 @InCollection{takahashi10,
6537   author =       "Daisuke Takahashi",
6538   affiliation =  "Graduate School of Systems and Information
6539                  Engineering, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai,
6540                  Tsukuba, Ibaraki, 305-8573 Japan",
6541   title =        "An Implementation of Parallel 3-{D} {FFT} with 2-{D}
6542                  Decomposition on a Massively Parallel Cluster of
6543                  Multi-core Processors",
6544   booktitle =    "Parallel Processing and Applied Mathematics",
6545   series =       "Lecture Notes in Computer Science",
6546   editor =       "Roman Wyrzykowski and Jack Dongarra and Konrad
6547                  Karczewski and Jerzy Wasniewski",
6548   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
6549   ISBN =         "978-3-642-14389-2",
6550   keyword =      "Computer Science",
6551   pages =        "606--614",
6552   volume =       "6067",
6553   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-14390-8_63",
6554   year =         "2010",
6555 }
6556
6557 @Misc{ffte11,
6558   title =        "{FFTE}: {A} Fast Fourier Transform Package",
6559   author =       "D. Takahashi",
6560   year =         "2011",
6561   month =        nov,
6562   URL =          "http://www.ffte.jp/",
6563   eprint =       "http://www.ffte.jp/",
6564 }
6565
6566 @Article{kane05,
6567   title =        "Quantum Spin Hall Effect in Graphene",
6568   author =       "C. L. Kane and E. J. Mele",
6569   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6570   volume =       "95",
6571   issue =        "22",
6572   pages =        "226801",
6573   numpages =     "4",
6574   year =         "2005",
6575   month =        nov,
6576   doi =          "10.1103/PhysRevLett.95.226801",
6577   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.95.226801",
6578   publisher =    "American Physical Society",
6579 }
6580
6581 @Article{kane05_2,
6582   title =        "${Z}_{2}$ Topological Order and the Quantum Spin Hall
6583                  Effect",
6584   author =       "C. L. Kane and E. J. Mele",
6585   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6586   volume =       "95",
6587   issue =        "14",
6588   pages =        "146802",
6589   numpages =     "4",
6590   year =         "2005",
6591   month =        sep,
6592   doi =          "10.1103/PhysRevLett.95.146802",
6593   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.95.146802",
6594   publisher =    "American Physical Society",
6595 }
6596
6597 @Article{moore07,
6598   title =        "Topological invariants of time-reversal-invariant band
6599                  structures",
6600   author =       "J. E. Moore and L. Balents",
6601   journal =      "Phys. Rev. B",
6602   volume =       "75",
6603   issue =        "12",
6604   pages =        "121306",
6605   numpages =     "4",
6606   year =         "2007",
6607   month =        mar,
6608   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.121306",
6609   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.75.121306",
6610   publisher =    "American Physical Society",
6611 }
6612
6613 @Article{koenig07,
6614   author =       "Markus K{\"o}nig and Steffen Wiedmann and Christoph
6615                  Br{\"u}ne and Andreas Roth and Hartmut Buhmann and
6616                  Laurens W. Molenkamp and Xiao-Liang Qi and Shou-Cheng
6617                  Zhang",
6618   title =        "Quantum Spin Hall Insulator State in HgTe Quantum
6619                  Wells",
6620   volume =       "318",
6621   number =       "5851",
6622   pages =        "766--770",
6623   year =         "2007",
6624   doi =          "10.1126/science.1148047",
6625   URL =          "http://www.sciencemag.org/content/318/5851/766.abstract",
6626   eprint =       "http://www.sciencemag.org/content/318/5851/766.full.pdf",
6627   journal =      "Science",
6628 }
6629
6630 @Article{bernevig06,
6631   author =       "B. Andrei Bernevig and Taylor L. Hughes and Shou-Cheng
6632                  Zhang",
6633   title =        "Quantum Spin Hall Effect and Topological Phase
6634                  Transition in HgTe Quantum Wells",
6635   volume =       "314",
6636   number =       "5806",
6637   pages =        "1757--1761",
6638   year =         "2006",
6639   doi =          "10.1126/science.1133734",
6640   URL =          "http://www.sciencemag.org/content/314/5806/1757.abstract",
6641   eprint =       "http://www.sciencemag.org/content/314/5806/1757.full.pdf",
6642   journal =      "Science",
6643 }
6644
6645 @Article{barnevig06_2,
6646   title =        "Quantum Spin Hall Effect",
6647   author =       "B. Andrei Bernevig and Shou-Cheng Zhang",
6648   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6649   volume =       "96",
6650   issue =        "10",
6651   pages =        "106802",
6652   numpages =     "4",
6653   year =         "2006",
6654   month =        mar,
6655   doi =          "10.1103/PhysRevLett.96.106802",
6656   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.96.106802",
6657   publisher =    "American Physical Society",
6658 }
6659
6660 @Article{hasan10,
6661   title =        "\textit{Colloquium} : Topological insulators",
6662   author =       "M. Z. Hasan and C. L. Kane",
6663   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
6664   volume =       "82",
6665   issue =        "4",
6666   pages =        "3045--3067",
6667   year =         "2010",
6668   month =        nov,
6669   doi =          "10.1103/RevModPhys.82.3045",
6670   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/RevModPhys.82.3045",
6671   publisher =    "American Physical Society",
6672 }
6673
6674 @Article{fu07,
6675   title =        "Topological insulators with inversion symmetry",
6676   author =       "Liang Fu and C. L. Kane",
6677   journal =      "Phys. Rev. B",
6678   volume =       "76",
6679   issue =        "4",
6680   pages =        "045302",
6681   numpages =     "17",
6682   year =         "2007",
6683   month =        jul,
6684   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.045302",
6685   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.76.045302",
6686   publisher =    "American Physical Society",
6687 }
6688
6689 @Article{fu11,
6690   title =        "Topological Crystalline Insulators",
6691   author =       "Liang Fu",
6692   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
6693   volume =       "106",
6694   issue =        "10",
6695   pages =        "106802",
6696   numpages =     "4",
6697   year =         "2011",
6698   month =        mar,
6699   doi =          "10.1103/PhysRevLett.106.106802",
6700   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.106.106802",
6701   publisher =    "American Physical Society",
6702   notes =        "topological insulator without spin-orbit coupling",
6703 }