bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{schroedinger26,
   6   author =       "E. Schrödinger",
   7   title =        "Quantisierung als Eigenwertproblem",
   8   journal =      "Annalen der Physik",
   9   volume =       "384",
  10   number =       "4",
  11   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
  12   ISSN =         "1521-3889",
  13   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19263840404",
  14   doi =          "10.1002/andp.19263840404",
  15   pages =        "361--376",
  16   year =         "1926",
  17 }
  18
  19 @Article{bloch29,
  20   author =       "Felix Bloch",
  21   affiliation =  "Institut d. Universität f. theor. Physik Leipzig",
  22   title =        "Über die Quantenmechanik der Elektronen in
  23                  Kristallgittern",
  24   journal =      "Zeitschrift für Physik A Hadrons and Nuclei",
  25   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
  26   ISSN =         "0939-7922",
  27   keyword =      "Physics and Astronomy",
  28   pages =        "555--600",
  29   volume =       "52",
  30   issue =        "7",
  31   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF01339455",
  32   note =         "10.1007/BF01339455",
  33   year =         "1929",
  34 }
  35
  36 @Article{albe_sic_pot,
  37   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
  38   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
  39                  silicon, carbon, and silicon carbide",
  40   publisher =    "APS",
  41   year =         "2005",
  42   journal =      "Phys. Rev. B",
  43   volume =       "71",
  44   number =       "3",
  45   eid =          "035211",
  46   numpages =     "14",
  47   pages =        "035211",
  48   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  49                  potential (ABOP)",
  50   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  51                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  52                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  53                  forces",
  54   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  55   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  56 }
  57
  58 @Article{erhart04,
  59   title =        "The role of thermostats in modeling vapor phase
  60                  condensation of silicon nanoparticles",
  61   journal =      "Applied Surface Science",
  62   volume =       "226",
  63   number =       "1-3",
  64   pages =        "12--18",
  65   year =         "2004",
  66   note =         "EMRS 2003 Symposium F, Nanostructures from Clusters",
  67   ISSN =         "0169-4332",
  68   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2003.11.003",
  69   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4B957HV-8/2/b35dbe80a70d173f6f7a00dacbcbd738",
  70   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
  71 }
  72
  73 @Article{albe2002,
  74   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  75                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  76   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  77   journal =      "Phys. Rev. B",
  78   volume =       "65",
  79   number =       "19",
  80   pages =        "195124",
  81   numpages =     "11",
  82   year =         "2002",
  83   month =        may,
  84   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  85   publisher =    "American Physical Society",
  86   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  87 }
  88
  89 @Article{newman65,
  90   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
  91   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  92   volume =       "26",
  93   number =       "2",
  94   pages =        "373--379",
  95   year =         "1965",
  96   note =         "",
  97   ISSN =         "0022-3697",
  98   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
  99   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
 100   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
 101   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
 102 }
 103
 104 @Article{baker68,
 105   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
 106                  Buschert",
 107   collaboration = "",
 108   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
 109   publisher =    "AIP",
 110   year =         "1968",
 111   journal =      "Journal of Applied Physics",
 112   volume =       "39",
 113   number =       "9",
 114   pages =        "4365--4368",
 115   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
 116   doi =          "10.1063/1.1656977",
 117   notes =        "lattice contraction due to subst c",
 118 }
 119
 120 @Article{bean71,
 121   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
 122   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
 123   volume =       "32",
 124   number =       "6",
 125   pages =        "1211--1219",
 126   year =         "1971",
 127   note =         "",
 128   ISSN =         "0022-3697",
 129   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
 130   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
 131   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 132   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
 133 }
 134
 135 @Article{capano97,
 136   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
 137   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
 138   journal =      "MRS Bull.",
 139   volume =       "22",
 140   pages =        "19",
 141   year =         "1997",
 142 }
 143
 144 @Article{fischer90,
 145   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
 146   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
 147                  carbide",
 148   journal =      "Philos. Mag. B",
 149   volume =       "61",
 150   pages =        "217--236",
 151   year =         "1990",
 152   notes =        "sic polytypes",
 153 }
 154
 155 @Article{koegler03,
 156   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
 157                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
 158                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
 159   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
 160                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
 161                  ions",
 162   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
 163   volume =       "76",
 164   pages =        "827--835",
 165   month =        mar,
 166   year =         "2003",
 167   URL =          "http://www.springerlink.com/content/jr8xj33mqc5vpwwj/",
 168   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
 169                  precipitation by interstitial and substitutional
 170                  carbon, both mechanisms explained + refs",
 171 }
 172
 173 @Article{skorupa96,
 174   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
 175                  silicon-related materials",
 176   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
 177   volume =       "44",
 178   number =       "2",
 179   pages =        "101--143",
 180   year =         "1996",
 181   note =         "",
 182   ISSN =         "0254-0584",
 183   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 184   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 185   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 186   notes =        "review of silicon carbon compound",
 187 }
 188
 189 @Book{laplace,
 190   author =       "P. S. de Laplace",
 191   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 192   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 193   volume =       "VII",
 194   publisher =    "Gauthier-Villars",
 195   year =         "1820",
 196 }
 197
 198 @Article{mattoni2007,
 199   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 200   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 201                  materials}",
 202   journal =      "Phys. Rev. B",
 203   year =         "2007",
 204   month =        dec,
 205   volume =       "76",
 206   number =       "22",
 207   pages =        "224103",
 208   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 209   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 210                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 211                  fracture, more available potentials, universal energy
 212                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 213 }
 214
 215 @Article{balamane92,
 216   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 217                  potentials",
 218   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 219   journal =      "Phys. Rev. B",
 220   volume =       "46",
 221   number =       "4",
 222   pages =        "2250--2279",
 223   numpages =     "29",
 224   year =         "1992",
 225   month =        jul,
 226   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 227   publisher =    "American Physical Society",
 228   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 229 }
 230
 231 @Article{koster2002,
 232   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 233                  bombardment",
 234   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 235   journal =      "Phys. Rev. B",
 236   volume =       "62",
 237   number =       "16",
 238   pages =        "11219--11224",
 239   numpages =     "5",
 240   year =         "2000",
 241   month =        oct,
 242   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 243   publisher =    "American Physical Society",
 244   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 245 }
 246
 247 @Article{breadmore99,
 248   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 249                  amorphization of silicon",
 250   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 251   journal =      "Phys. Rev. B",
 252   volume =       "60",
 253   number =       "18",
 254   pages =        "12610--12616",
 255   numpages =     "6",
 256   year =         "1999",
 257   month =        nov,
 258   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 259   publisher =    "American Physical Society",
 260   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 261 }
 262
 263 @Article{nielsen83,
 264   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 265   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 266   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 267   volume =       "50",
 268   number =       "9",
 269   pages =        "697--700",
 270   numpages =     "3",
 271   year =         "1983",
 272   month =        feb,
 273   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 274   publisher =    "American Physical Society",
 275   notes =        "generalization of virial theorem",
 276 }
 277
 278 @Article{nielsen85,
 279   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 280   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 281   journal =      "Phys. Rev. B",
 282   volume =       "32",
 283   number =       "6",
 284   pages =        "3780--3791",
 285   numpages =     "11",
 286   year =         "1985",
 287   month =        sep,
 288   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 289   publisher =    "American Physical Society",
 290   notes =        "dft virial stress and forces",
 291 }
 292
 293 @Article{moissan04,
 294   author =       "Henri Moissan",
 295   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 296                  Diablo",
 297   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 298   volume =       "139",
 299   pages =        "773--786",
 300   year =         "1904",
 301 }
 302
 303 @Book{park98,
 304   author =       "Y. S. Park",
 305   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 306   publisher =    "Academic Press",
 307   address =      "San Diego",
 308   year =         "1998",
 309 }
 310
 311 @Article{tsvetkov98,
 312   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 313                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 314   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 315   journal =      "Materials Science Forum",
 316   volume =       "264-268",
 317   pages =        "3--8",
 318   year =         "1998",
 319   notes =        "modified lely process, micropipes",
 320 }
 321
 322 @Article{verlet67,
 323   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 324                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 325   author =       "Loup Verlet",
 326   journal =      "Phys. Rev.",
 327   volume =       "159",
 328   number =       "1",
 329   pages =        "98",
 330   year =         "1967",
 331   month =        jul,
 332   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 333   publisher =    "American Physical Society",
 334   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 335                  motion",
 336 }
 337
 338 @Article{berendsen84,
 339   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 340                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 341   collaboration = "",
 342   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 343   publisher =    "AIP",
 344   year =         "1984",
 345   journal =      "J. Chem. Phys.",
 346   volume =       "81",
 347   number =       "8",
 348   pages =        "3684--3690",
 349   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 350                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 351   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 352   doi =          "10.1063/1.448118",
 353   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 354 }
 355
 356 @Article{huang95,
 357   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 358                  Baskes",
 359   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 360                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 361                  potentials",
 362   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 363   volume =       "3",
 364   number =       "5",
 365   pages =        "615--627",
 366   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 367   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 368                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 369   year =         "1995",
 370 }
 371
 372 @Article{brenner89,
 373   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 374                  Tersoff potentials",
 375   author =       "Donald W. Brenner",
 376   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 377   volume =       "63",
 378   number =       "9",
 379   pages =        "1022",
 380   numpages =     "1",
 381   year =         "1989",
 382   month =        aug,
 383   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 384   publisher =    "American Physical Society",
 385   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 386 }
 387
 388 @Article{batra87,
 389   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 390                  silicon",
 391   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 392   journal =      "Phys. Rev. B",
 393   volume =       "35",
 394   number =       "18",
 395   pages =        "9552--9558",
 396   numpages =     "6",
 397   year =         "1987",
 398   month =        jun,
 399   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 400   publisher =    "American Physical Society",
 401   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 402                  calculation of defect formation energy, defect
 403                  interstitial types",
 404 }
 405
 406 @Article{schober89,
 407   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 408   author =       "H. R. Schober",
 409   journal =      "Phys. Rev. B",
 410   volume =       "39",
 411   number =       "17",
 412   pages =        "13013--13015",
 413   numpages =     "2",
 414   year =         "1989",
 415   month =        jun,
 416   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 417   publisher =    "American Physical Society",
 418   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 419                  dumbbell configuration",
 420 }
 421
 422 @Article{gao02a,
 423   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 424                  Defect accumulation, topological features, and
 425                  disordering",
 426   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 427   journal =      "Phys. Rev. B",
 428   volume =       "66",
 429   number =       "2",
 430   pages =        "024106",
 431   numpages =     "10",
 432   year =         "2002",
 433   month =        jul,
 434   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 435   publisher =    "American Physical Society",
 436   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 437                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 438                  result analyze",
 439 }
 440
 441 @Article{devanathan98,
 442   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 443                  cascade in Si{C}",
 444   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 445   volume =       "141",
 446   number =       "1-4",
 447   pages =        "118--122",
 448   year =         "1998",
 449   ISSN =         "0168-583X",
 450   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 451   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 452                  Rubia",
 453   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 454                  3c-sic",
 455 }
 456
 457 @Article{devanathan98_2,
 458   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 459   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 460   volume =       "253",
 461   number =       "1-3",
 462   pages =        "47--52",
 463   year =         "1998",
 464   ISSN =         "0022-3115",
 465   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 466   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 467                  Weber",
 468   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 469                  tersoff",
 470 }
 471
 472 @Article{kitabatake00,
 473   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 474   author =       "M. Kitabatake",
 475   journal =      "Thin Solid Films",
 476   volume =       "369",
 477   pages =        "257--264",
 478   numpages =     "8",
 479   year =         "2000",
 480   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 481 }
 482
 483 @Article{tang97,
 484   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 485                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 486                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 487                  formation volumes",
 488   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 489                  Rubia",
 490   journal =      "Phys. Rev. B",
 491   volume =       "55",
 492   number =       "21",
 493   pages =        "14279--14289",
 494   numpages =     "10",
 495   year =         "1997",
 496   month =        jun,
 497   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 498   publisher =    "American Physical Society",
 499   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 500 }
 501
 502 @Article{johnson98,
 503   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 504                  Rubia",
 505   collaboration = "",
 506   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 507                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 508                  presence of carbon and boron",
 509   publisher =    "AIP",
 510   year =         "1998",
 511   journal =      "J. Appl. Phys.",
 512   volume =       "84",
 513   number =       "4",
 514   pages =        "1963--1967",
 515   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 516                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 517                  semiconductors; self-diffusion",
 518   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 519   doi =          "10.1063/1.368328",
 520   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 521                  diffsuion",
 522 }
 523
 524 @Article{bar-yam84,
 525   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 526                  Self-Interstitial",
 527   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 528   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 529   volume =       "52",
 530   number =       "13",
 531   pages =        "1129--1132",
 532   numpages =     "3",
 533   year =         "1984",
 534   month =        mar,
 535   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 536   publisher =    "American Physical Society",
 537   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 538 }
 539
 540 @Article{bar-yam84_2,
 541   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 542                  barriers of silicon self-interstitials",
 543   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 544   journal =      "Phys. Rev. B",
 545   volume =       "30",
 546   number =       "4",
 547   pages =        "1844--1852",
 548   numpages =     "8",
 549   year =         "1984",
 550   month =        aug,
 551   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 552   publisher =    "American Physical Society",
 553 }
 554
 555 @Article{bloechl93,
 556   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 557                  constants in silicon",
 558   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 559                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 560   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 561   volume =       "70",
 562   number =       "16",
 563   pages =        "2435--2438",
 564   numpages =     "3",
 565   year =         "1993",
 566   month =        apr,
 567   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 568   publisher =    "American Physical Society",
 569   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 570                  entropy calculations",
 571 }
 572
 573 @Article{munro99,
 574   title =        "Defect migration in crystalline silicon",
 575   author =       "Lindsey J. Munro and David J. Wales",
 576   journal =      "Phys. Rev. B",
 577   volume =       "59",
 578   number =       "6",
 579   pages =        "3969--3980",
 580   numpages =     "11",
 581   year =         "1999",
 582   month =        feb,
 583   doi =          "10.1103/PhysRevB.59.3969",
 584   publisher =    "American Physical Society",
 585   notes =        "eigenvector following method, vacancy and interstiial
 586                  defect migration mechanisms",
 587 }
 588
 589 @Article{colombo02,
 590   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 591                  silicon",
 592   author =       "L. Colombo",
 593   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 594   volume =       "32",
 595   pages =        "271--295",
 596   numpages =     "25",
 597   year =         "2002",
 598   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 599   publisher =    "Annual Reviews",
 600   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 601 }
 602
 603 @Article{al-mushadani03,
 604   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 605                  silicon",
 606   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 607   journal =      "Phys. Rev. B",
 608   volume =       "68",
 609   number =       "23",
 610   pages =        "235205",
 611   numpages =     "8",
 612   year =         "2003",
 613   month =        dec,
 614   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 615   publisher =    "American Physical Society",
 616   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 617                  silicon, si self interstitials, free energy",
 618 }
 619
 620 @Article{mattsson08,
 621   title =        "Electronic surface error in the Si interstitial
 622                  formation energy",
 623   author =       "Ann E. Mattsson and Ryan R. Wixom and Rickard
 624                  Armiento",
 625   journal =      "Phys. Rev. B",
 626   volume =       "77",
 627   number =       "15",
 628   pages =        "155211",
 629   numpages =     "7",
 630   year =         "2008",
 631   month =        apr,
 632   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.155211",
 633   publisher =    "American Physical Society",
 634   notes =        "si self interstitial formation energies by dft",
 635 }
 636
 637 @Article{goedecker02,
 638   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 639   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 640   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 641   volume =       "88",
 642   number =       "23",
 643   pages =        "235501",
 644   numpages =     "4",
 645   year =         "2002",
 646   month =        may,
 647   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 648   publisher =    "American Physical Society",
 649   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 650                  silicon",
 651 }
 652
 653 @Article{sahli05,
 654   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 655                  self-interstitial diffusion in silicon",
 656   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 657   journal =      "Phys. Rev. B",
 658   volume =       "72",
 659   number =       "24",
 660   pages =        "245210",
 661   numpages =     "6",
 662   year =         "2005",
 663   month =        dec,
 664   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 665   publisher =    "American Physical Society",
 666   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 667                  mapping applied",
 668 }
 669
 670 @Article{hobler05,
 671   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 672                  native point defects in silicon",
 673   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 674   volume =       "124-125",
 675   number =       "",
 676   pages =        "368--371",
 677   year =         "2005",
 678   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 679                  Issues for Future Technologies",
 680   ISSN =         "0921-5107",
 681   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 682   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 683   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 684   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 685                  radius",
 686 }
 687
 688 @Article{ma10,
 689   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 690                  wide temperature range: Point defect states and
 691                  migration mechanisms",
 692   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 693   journal =      "Phys. Rev. B",
 694   volume =       "81",
 695   number =       "19",
 696   pages =        "193203",
 697   numpages =     "4",
 698   year =         "2010",
 699   month =        may,
 700   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 701   publisher =    "American Physical Society",
 702   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 703 }
 704
 705 @Article{posselt06,
 706   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 707                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 708   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 709   journal =      "Phys. Rev. B",
 710   volume =       "73",
 711   number =       "12",
 712   pages =        "125206",
 713   numpages =     "8",
 714   year =         "2006",
 715   month =        mar,
 716   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 717   publisher =    "American Physical Society",
 718 }
 719
 720 @Article{posselt08,
 721   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 722                  migration mechanisms of vacancies and
 723                  self-interstitials: An atomistic study",
 724   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 725   journal =      "Phys. Rev. B",
 726   volume =       "78",
 727   number =       "3",
 728   pages =        "035208",
 729   numpages =     "9",
 730   year =         "2008",
 731   month =        jul,
 732   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 733   publisher =    "American Physical Society",
 734   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 735                  weber and tersoff",
 736 }
 737
 738 @Article{gao2001,
 739   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 740                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 741   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 742                  Corrales",
 743   journal =      "Phys. Rev. B",
 744   volume =       "64",
 745   number =       "24",
 746   pages =        "245208",
 747   numpages =     "7",
 748   year =         "2001",
 749   month =        dec,
 750   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 751   publisher =    "American Physical Society",
 752   notes =        "defects in 3c-sic",
 753 }
 754
 755 @Article{gao02,
 756   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 757                  3{C}-Si{C}",
 758   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 759   volume =       "191",
 760   number =       "1-4",
 761   pages =        "487--496",
 762   year =         "2002",
 763   note =         "",
 764   ISSN =         "0168-583X",
 765   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 766   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 767   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 768   keywords =     "Empirical potential",
 769   keywords =     "Defect properties",
 770   keywords =     "Silicon carbide",
 771   keywords =     "Computer simulation",
 772   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 773 }
 774
 775 @Article{gao04,
 776   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 777                  3{C}-Si{C}",
 778   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 779                  Belko",
 780   journal =      "Phys. Rev. B",
 781   volume =       "69",
 782   number =       "24",
 783   pages =        "245205",
 784   numpages =     "5",
 785   year =         "2004",
 786   month =        jun,
 787   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 788   publisher =    "American Physical Society",
 789   notes =        "defect migration in sic",
 790 }
 791
 792 @Article{gao07,
 793   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 794                  W. J. Weber",
 795   collaboration = "",
 796   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 797                  in cubic silicon carbide",
 798   publisher =    "AIP",
 799   year =         "2007",
 800   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 801   volume =       "90",
 802   number =       "22",
 803   eid =          "221915",
 804   numpages =     "3",
 805   pages =        "221915",
 806   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 807                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 808                  dynamics method; density functional theory;
 809                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 810                  impurities; diffusion",
 811   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 812   doi =          "10.1063/1.2743751",
 813 }
 814
 815 @Article{mattoni2002,
 816   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 817                  crystalline silicon",
 818   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 819   journal =      "Phys. Rev. B",
 820   volume =       "66",
 821   number =       "19",
 822   pages =        "195214",
 823   numpages =     "6",
 824   year =         "2002",
 825   month =        nov,
 826   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 827   publisher =    "American Physical Society",
 828   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 829                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 830                  tersoff suitability",
 831 }
 832
 833 @Article{leung99,
 834   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 835   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 836                  Itoh and S. Ihara",
 837   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 838   volume =       "83",
 839   number =       "12",
 840   pages =        "2351--2354",
 841   numpages =     "3",
 842   year =         "1999",
 843   month =        sep,
 844   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 845   publisher =    "American Physical Society",
 846   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 847                  refs",
 848 }
 849
 850 @Article{capaz94,
 851   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 852                  carbon in silicon",
 853   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 854   journal =      "Phys. Rev. B",
 855   volume =       "50",
 856   number =       "11",
 857   pages =        "7439--7442",
 858   numpages =     "3",
 859   year =         "1994",
 860   month =        sep,
 861   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 862   publisher =    "American Physical Society",
 863   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 864                  dumbbell",
 865 }
 866
 867 @Article{capaz98,
 868   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 869   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 870   journal =      "Phys. Rev. B",
 871   volume =       "58",
 872   number =       "15",
 873   pages =        "9845--9850",
 874   numpages =     "5",
 875   year =         "1998",
 876   month =        oct,
 877   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 878   publisher =    "American Physical Society",
 879   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 880 }
 881
 882 @Article{song90_2,
 883   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 884                  pair in silicon",
 885   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 886                  Watkins",
 887   journal =      "Phys. Rev. B",
 888   volume =       "42",
 889   number =       "9",
 890   pages =        "5765--5783",
 891   numpages =     "18",
 892   year =         "1990",
 893   month =        sep,
 894   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 895   publisher =    "American Physical Society",
 896   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 897 }
 898
 899 @Article{liu02,
 900   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 901                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 902   collaboration = "",
 903   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 904                  interactions in Si",
 905   publisher =    "AIP",
 906   year =         "2002",
 907   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 908   volume =       "80",
 909   number =       "1",
 910   pages =        "52--54",
 911   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 912                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 913                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 914   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 915   doi =          "10.1063/1.1430505",
 916   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 917 }
 918
 919 @Article{dal_pino93,
 920   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 921                  silicon",
 922   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 923                  Joannopoulos",
 924   journal =      "Phys. Rev. B",
 925   volume =       "47",
 926   number =       "19",
 927   pages =        "12554--12557",
 928   numpages =     "3",
 929   year =         "1993",
 930   month =        may,
 931   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 932   publisher =    "American Physical Society",
 933   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 934 }
 935
 936 @Article{car84,
 937   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 938                  Silicon",
 939   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 940                  Sokrates T. Pantelides",
 941   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 942   volume =       "52",
 943   number =       "20",
 944   pages =        "1814--1817",
 945   numpages =     "3",
 946   year =         "1984",
 947   month =        may,
 948   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 949   publisher =    "American Physical Society",
 950   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 951                  path formation",
 952 }
 953
 954 @Article{car85,
 955   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 956                  Density-Functional Theory",
 957   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 958   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 959   volume =       "55",
 960   number =       "22",
 961   pages =        "2471--2474",
 962   numpages =     "3",
 963   year =         "1985",
 964   month =        nov,
 965   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 966   publisher =    "American Physical Society",
 967   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 968 }
 969
 970 @Article{kelires97,
 971   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 972                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 973   author =       "P. C. Kelires",
 974   journal =      "Phys. Rev. B",
 975   volume =       "55",
 976   number =       "14",
 977   pages =        "8784--8787",
 978   numpages =     "3",
 979   year =         "1997",
 980   month =        apr,
 981   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 982   publisher =    "American Physical Society",
 983   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 984                  neighbour dist",
 985 }
 986
 987 @Article{kelires95,
 988   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 989                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 990   author =       "P. C. Kelires",
 991   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 992   volume =       "75",
 993   number =       "6",
 994   pages =        "1114--1117",
 995   numpages =     "3",
 996   year =         "1995",
 997   month =        aug,
 998   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 999   publisher =    "American Physical Society",
1000   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
1001 }
1002
1003 @Article{bean70,
1004   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
1005                  containing carbon",
1006   journal =      "Solid State Communications",
1007   volume =       "8",
1008   number =       "3",
1009   pages =        "175--177",
1010   year =         "1970",
1011   note =         "",
1012   ISSN =         "0038-1098",
1013   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
1014   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
1015   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
1016 }
1017
1018 @Article{durand99,
1019   author =       "F. Durand and J. Duby",
1020   affiliation =  "EPM-Madylam, CNRS and INP Grenoble, France",
1021   title =        "Carbon solubility in solid and liquid silicon—{A}
1022                  review with reference to eutectic equilibrium",
1023   journal =      "Journal of Phase Equilibria",
1024   publisher =    "Springer New York",
1025   ISSN =         "1054-9714",
1026   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
1027   pages =        "61--63",
1028   volume =       "20",
1029   issue =        "1",
1030   URL =          "http://dx.doi.org/10.1361/105497199770335956",
1031   note =         "10.1361/105497199770335956",
1032   year =         "1999",
1033   notes =        "better c solubility limit in silicon",
1034 }
1035
1036 @Article{watkins76,
1037   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
1038                  Atom in Silicon",
1039   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
1040   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1041   volume =       "36",
1042   number =       "22",
1043   pages =        "1329--1332",
1044   numpages =     "3",
1045   year =         "1976",
1046   month =        may,
1047   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
1048   publisher =    "American Physical Society",
1049   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
1050                  silicon",
1051 }
1052
1053 @Article{song90,
1054   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
1055                  interstitial carbon in silicon",
1056   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
1057   journal =      "Phys. Rev. B",
1058   volume =       "42",
1059   number =       "9",
1060   pages =        "5759--5764",
1061   numpages =     "5",
1062   year =         "1990",
1063   month =        sep,
1064   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
1065   publisher =    "American Physical Society",
1066   notes =        "carbon diffusion in silicon",
1067 }
1068
1069 @Article{tipping87,
1070   author =       "A K Tipping and R C Newman",
1071   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
1072                  silicon",
1073   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
1074   volume =       "2",
1075   number =       "5",
1076   pages =        "315--317",
1077   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
1078   year =         "1987",
1079   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
1080                  silicon",
1081 }
1082
1083 @Article{isomae93,
1084   author =       "Seiichi Isomae and Tsutomu Ishiba and Toshio Ando and
1085                  Masao Tamura",
1086   collaboration = "",
1087   title =        "Annealing behavior of Me{V} implanted carbon in
1088                  silicon",
1089   publisher =    "AIP",
1090   year =         "1993",
1091   journal =      "Journal of Applied Physics",
1092   volume =       "74",
1093   number =       "6",
1094   pages =        "3815--3820",
1095   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; WAFERS; CARBON IONS; MEV
1096                  RANGE 0110; TEM; SIMS; INFRARED SPECTRA; STRAINS; DEPTH
1097                  PROFILES",
1098   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/3815/1",
1099   doi =          "10.1063/1.354474",
1100   notes =        "c at interstitial location for rt implantation in si",
1101 }
1102
1103 @Article{strane96,
1104   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
1105                  ion implantation and solid phase epitaxy",
1106   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
1107                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1108   journal =      "J. Appl. Phys.",
1109   volume =       "79",
1110   pages =        "637",
1111   year =         "1996",
1112   month =        jan,
1113   doi =          "10.1063/1.360806",
1114   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
1115 }
1116
1117 @Article{laveant2002,
1118   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1119   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1120   volume =       "89",
1121   number =       "1-3",
1122   pages =        "241--245",
1123   year =         "2002",
1124   ISSN =         "0921-5107",
1125   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1126   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1127   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1128                  G{\"{o}}sele",
1129   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1130                  stress, avoid sic precipitation",
1131 }
1132
1133 @Article{foell77,
1134   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1135                  agglomeration of self-interstitials",
1136   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1137   volume =       "40",
1138   number =       "1",
1139   pages =        "90--108",
1140   year =         "1977",
1141   note =         "",
1142   ISSN =         "0022-0248",
1143   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1144   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1145   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1146   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1147                  agglomerate",
1148 }
1149
1150 @Article{foell81,
1151   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1152                  defects",
1153   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1154   volume =       "52",
1155   number =       "Part 2",
1156   pages =        "907--916",
1157   year =         "1981",
1158   note =         "",
1159   ISSN =         "0022-0248",
1160   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1161   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1162   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1163   notes =        "swirl review",
1164 }
1165
1166 @Article{werner97,
1167   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1168                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1169   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1170                  silicon by transmission electron microscopy",
1171   publisher =    "AIP",
1172   year =         "1997",
1173   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1174   volume =       "70",
1175   number =       "2",
1176   pages =        "252--254",
1177   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1178                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1179                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1180                  layers; precipitation",
1181   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1182   doi =          "10.1063/1.118381",
1183   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1184                  precipitate",
1185 }
1186
1187 @InProceedings{werner96,
1188   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1189                  Eichler",
1190   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
1191                  International Conference on",
1192   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1193                  implanted silicon",
1194   year =         "1996",
1195   month =        jun,
1196   volume =       "",
1197   number =       "",
1198   pages =        "675--678",
1199   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1200   ISSN =         "",
1201   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1202 }
1203
1204 @Article{werner98,
1205   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1206                  D. C. Jacobson",
1207   collaboration = "",
1208   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1209   publisher =    "AIP",
1210   year =         "1998",
1211   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1212   volume =       "73",
1213   number =       "17",
1214   pages =        "2465--2467",
1215   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1216                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1217                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1218                  impurity distribution",
1219   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1220   doi =          "10.1063/1.122483",
1221   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1222 }
1223
1224 @Article{kalejs84,
1225   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1226   collaboration = "",
1227   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1228                  silicon",
1229   publisher =    "AIP",
1230   year =         "1984",
1231   journal =      "Applied Physics Letters",
1232   volume =       "45",
1233   number =       "3",
1234   pages =        "268--269",
1235   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1236                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1237                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1238   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1239   doi =          "10.1063/1.95167",
1240   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1241 }
1242
1243 @Article{fukami90,
1244   author =       "Akira Fukami and Ken-ichi Shoji and Takahiro Nagano
1245                  and Cary Y. Yang",
1246   collaboration = "",
1247   title =        "Characterization of SiGe/Si heterostructures formed by
1248                  Ge[sup + ] and {C}[sup + ] implantation",
1249   publisher =    "AIP",
1250   year =         "1990",
1251   journal =      "Applied Physics Letters",
1252   volume =       "57",
1253   number =       "22",
1254   pages =        "2345--2347",
1255   keywords =     "HETEROJUNCTIONS; ION IMPLANTATION; HETEROSTRUCTURES;
1256                  FABRICATION; PN JUNCTIONS; LEAKAGE CURRENT; GERMANIUM
1257                  SILICIDES; SILICON; ELECTRICAL PROPERTIES; SOLIDPHASE
1258                  EPITAXY; CARBON IONS; GERMANIUM IONS",
1259   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/57/2345/1",
1260   doi =          "10.1063/1.103888",
1261 }
1262
1263 @Article{strane93,
1264   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and B. L.
1265                  Doyle and S. T. Picraux and J. W. Mayer",
1266   collaboration = "",
1267   title =        "Metastable SiGe{C} formation by solid phase epitaxy",
1268   publisher =    "AIP",
1269   year =         "1993",
1270   journal =      "Applied Physics Letters",
1271   volume =       "63",
1272   number =       "20",
1273   pages =        "2786--2788",
1274   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; TERNARY ALLOY
1275                  SYSTEMS; EPITAXY; ION IMPLANTATION; METASTABLE STATES;
1276                  ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; RUTHERFORD
1277                  SCATTERING; XRAY DIFFRACTION; STRAINS; SOLIDPHASE
1278                  EPITAXY; AMORPHIZATION",
1279   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/63/2786/1",
1280   doi =          "10.1063/1.110334",
1281 }
1282
1283 @Article{goorsky92,
1284   author =       "M. S. Goorsky and S. S. Iyer and K. Eberl and F.
1285                  Legoues and J. Angilello and F. Cardone",
1286   collaboration = "",
1287   title =        "Thermal stability of Si[sub 1 - x]{C}[sub x]/Si
1288                  strained layer superlattices",
1289   publisher =    "AIP",
1290   year =         "1992",
1291   journal =      "Applied Physics Letters",
1292   volume =       "60",
1293   number =       "22",
1294   pages =        "2758--2760",
1295   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
1296                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; SUPERLATTICES; ANNEALING;
1297                  CHEMICAL COMPOSITION; INTERNAL STRAINS; STRESS
1298                  RELAXATION; THERMAL INSTABILITIES; INTERFACE STRUCTURE;
1299                  DIFFUSION; PRECIPITATION; TEMPERATURE EFFECTS",
1300   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/2758/1",
1301   doi =          "10.1063/1.106868",
1302 }
1303
1304 @Article{strane94,
1305   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1306                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1307   collaboration = "",
1308   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1309                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1310   publisher =    "AIP",
1311   year =         "1994",
1312   journal =      "J. Appl. Phys.",
1313   volume =       "76",
1314   number =       "6",
1315   pages =        "3656--3668",
1316   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1317   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1318   doi =          "10.1063/1.357429",
1319   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1320                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1321                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1322                  energy",
1323 }
1324
1325 @Article{fischer95,
1326   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1327                  Osten",
1328   collaboration = "",
1329   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1330                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1331   publisher =    "AIP",
1332   year =         "1995",
1333   journal =      "J. Appl. Phys.",
1334   volume =       "77",
1335   number =       "5",
1336   pages =        "1934--1937",
1337   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1338                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1339                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1340                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1341   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1342   doi =          "10.1063/1.358826",
1343 }
1344
1345 @Article{edgar92,
1346   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1347                  semiconductors",
1348   author =       "J. H. Edgar",
1349   journal =      "J. Mater. Res.",
1350   volume =       "7",
1351   pages =        "235",
1352   year =         "1992",
1353   month =        jan,
1354   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1355   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1356                  polytypes",
1357 }
1358
1359 @Article{zirkelbach2007,
1360   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1361                  process leading to ordered precipitate structures",
1362   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1363                  and B. Stritzker",
1364   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1365   volume =       "257",
1366   number =       "1--2",
1367   pages =        "75--79",
1368   numpages =     "5",
1369   year =         "2007",
1370   month =        apr,
1371   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1372   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1373                  NETHERLANDS",
1374 }
1375
1376 @Article{zirkelbach2006,
1377   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1378                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1379                  during ion irradiation",
1380   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1381                  and B. Stritzker",
1382   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1383   volume =       "242",
1384   number =       "1--2",
1385   pages =        "679--682",
1386   numpages =     "4",
1387   year =         "2006",
1388   month =        jan,
1389   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1390   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1391                  NETHERLANDS",
1392 }
1393
1394 @Article{zirkelbach2005,
1395   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1396                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1397                  ion irradiation",
1398   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1399                  and B. Stritzker",
1400   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1401   volume =       "33",
1402   number =       "1--3",
1403   pages =        "310--316",
1404   numpages =     "7",
1405   year =         "2005",
1406   month =        apr,
1407   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1408   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1409                  NETHERLANDS",
1410 }
1411
1412 @Article{zirkelbach09,
1413   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1414                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1415   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1416   volume =       "159-160",
1417   number =       "",
1418   pages =        "149--152",
1419   year =         "2009",
1420   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1421                  Silicon Materials Research for Electronic and
1422                  Photovoltaic Applications",
1423   ISSN =         "0921-5107",
1424   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1425   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1426   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1427                  B. Stritzker",
1428   keywords =     "Silicon",
1429   keywords =     "Carbon",
1430   keywords =     "Silicon carbide",
1431   keywords =     "Nucleation",
1432   keywords =     "Defect formation",
1433   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1434 }
1435
1436 @Article{zirkelbach10,
1437   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1438                  classical potentials and first-principles methods",
1439   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1440                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1441   journal =      "Phys. Rev. B",
1442   volume =       "82",
1443   number =       "9",
1444   pages =        "094110",
1445   numpages =     "6",
1446   year =         "2010",
1447   month =        sep,
1448   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1449   publisher =    "American Physical Society",
1450 }
1451
1452 @Article{zirkelbach11a,
1453   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1454                  silicon",
1455   journal =      "to be published",
1456   volume =       "",
1457   number =       "",
1458   pages =        "",
1459   year =         "2011",
1460   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and J. K. N. Lindner
1461                  and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1462 }
1463
1464 @Article{zirkelbach11b,
1465   title =        "...",
1466   journal =      "to be published",
1467   volume =       "",
1468   number =       "",
1469   pages =        "",
1470   year =         "2011",
1471   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1472                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1473 }
1474
1475 @Article{lindner95,
1476   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1477                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1478   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1479                  Layers in Silicon",
1480   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
1481   volume =       "354",
1482   number =       "",
1483   pages =        "171",
1484   year =         "1994",
1485   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1486   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1487   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400420853",
1488   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1489 }
1490
1491 @Article{lindner96,
1492   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1493                  in silicon by ion beam synthesis",
1494   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
1495   volume =       "46",
1496   number =       "2-3",
1497   pages =        "147--155",
1498   year =         "1996",
1499   note =         "",
1500   ISSN =         "0254-0584",
1501   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1502   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1503   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1504                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1505                  Stritzker",
1506   notes =        "dose window",
1507 }
1508
1509 @Article{calcagno96,
1510   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1511                  ion implantation",
1512   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1513                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1514   volume =       "120",
1515   number =       "1-4",
1516   pages =        "121--124",
1517   year =         "1996",
1518   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1519                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1520   ISSN =         "0168-583X",
1521   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1522   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1523   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1524                  Grimaldi and P. Musumeci",
1525   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1526 }
1527
1528 @Article{lindner98,
1529   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1530                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1531   journal =      "Materials Science Forum",
1532   volume =       "264-268",
1533   pages =        "215--218",
1534   year =         "1998",
1535   note =         "",
1536   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1537   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1538   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1539   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1540                  crystallinity",
1541 }
1542
1543 @Article{lindner99,
1544   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1545                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1546                  layers in silicon",
1547   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1548   volume =       "147",
1549   number =       "1-4",
1550   pages =        "249--255",
1551   year =         "1999",
1552   note =         "",
1553   ISSN =         "0168-583X",
1554   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1555   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1556   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1557   notes =        "two-step implantation process",
1558 }
1559
1560 @Article{lindner99_2,
1561   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1562                  in silicon",
1563   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1564   volume =       "148",
1565   number =       "1-4",
1566   pages =        "528--533",
1567   year =         "1999",
1568   ISSN =         "0168-583X",
1569   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1570   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1571   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1572   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1573 }
1574
1575 @Article{lindner01,
1576   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1577                  Basic physical processes",
1578   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1579   volume =       "178",
1580   number =       "1-4",
1581   pages =        "44--54",
1582   year =         "2001",
1583   note =         "",
1584   ISSN =         "0168-583X",
1585   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1586   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1587   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1588 }
1589
1590 @Article{lindner02,
1591   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1592                  fundamental studies for new technological tricks",
1593   author =       "J. K. N. Lindner",
1594   journal =      "Appl. Phys. A",
1595   volume =       "77",
1596   pages =        "27--38",
1597   year =         "2003",
1598   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1599   notes =        "ibs, burried sic layers",
1600 }
1601
1602 @Article{lindner06,
1603   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1604                  formation and displacive precipitate resolution in the
1605                  {C}-Si system",
1606   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1607   volume =       "26",
1608   number =       "5-7",
1609   pages =        "857--861",
1610   year =         "2006",
1611   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1612                  Applications",
1613   ISSN =         "0928-4931",
1614   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1615   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1616   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1617                  and B. Stritzker",
1618   notes =        "c int diffusion barrier",
1619 }
1620
1621 @Article{ito04,
1622   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1623                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1624                  growth",
1625   journal =      "Applied Surface Science",
1626   volume =       "238",
1627   number =       "1-4",
1628   pages =        "159--164",
1629   year =         "2004",
1630   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1631   ISSN =         "0169-4332",
1632   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1633   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1634   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1635                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1636   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1637 }
1638
1639 @Article{yamamoto04,
1640   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1641                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1642                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1643   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1644   volume =       "261",
1645   number =       "2-3",
1646   pages =        "266--270",
1647   year =         "2004",
1648   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1649                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1650   ISSN =         "0022-0248",
1651   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1652   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1653   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1654                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1655   notes =        "gan on 3c-sic",
1656 }
1657
1658 @Article{liu_l02,
1659   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1660   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1661   volume =       "37",
1662   number =       "3",
1663   pages =        "61--127",
1664   year =         "2002",
1665   note =         "",
1666   ISSN =         "0927-796X",
1667   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1668   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1669   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1670   notes =        "gan substrates",
1671 }
1672
1673 @Article{takeuchi91,
1674   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1675                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1676   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1677   volume =       "115",
1678   number =       "1-4",
1679   pages =        "634--638",
1680   year =         "1991",
1681   note =         "",
1682   ISSN =         "0022-0248",
1683   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1684   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1685   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1686                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1687   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1688 }
1689
1690 @Article{alder57,
1691   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1692   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1693   publisher =    "AIP",
1694   year =         "1957",
1695   journal =      "J. Chem. Phys.",
1696   volume =       "27",
1697   number =       "5",
1698   pages =        "1208--1209",
1699   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1700   doi =          "10.1063/1.1743957",
1701 }
1702
1703 @Article{alder59,
1704   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1705   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1706   publisher =    "AIP",
1707   year =         "1959",
1708   journal =      "J. Chem. Phys.",
1709   volume =       "31",
1710   number =       "2",
1711   pages =        "459--466",
1712   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1713   doi =          "10.1063/1.1730376",
1714 }
1715
1716 @Article{horsfield96,
1717   title =        "Bond-order potentials: Theory and implementation",
1718   author =       "A. P. Horsfield and A. M. Bratkovsky and M. Fearn and
1719                  D. G. Pettifor and M. Aoki",
1720   journal =      "Phys. Rev. B",
1721   volume =       "53",
1722   number =       "19",
1723   pages =        "12694--12712",
1724   numpages =     "18",
1725   year =         "1996",
1726   month =        may,
1727   doi =          "10.1103/PhysRevB.53.12694",
1728   publisher =    "American Physical Society",
1729 }
1730
1731 @Article{abell85,
1732   title =        "Empirical chemical pseudopotential theory of molecular
1733                  and metallic bonding",
1734   author =       "G. C. Abell",
1735   journal =      "Phys. Rev. B",
1736   volume =       "31",
1737   number =       "10",
1738   pages =        "6184--6196",
1739   numpages =     "12",
1740   year =         "1985",
1741   month =        may,
1742   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.6184",
1743   publisher =    "American Physical Society",
1744 }
1745
1746 @Article{tersoff_si1,
1747   title =        "New empirical model for the structural properties of
1748                  silicon",
1749   author =       "J. Tersoff",
1750   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1751   volume =       "56",
1752   number =       "6",
1753   pages =        "632--635",
1754   numpages =     "3",
1755   year =         "1986",
1756   month =        feb,
1757   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1758   publisher =    "American Physical Society",
1759 }
1760
1761 @Article{dodson87,
1762   title =        "Development of a many-body Tersoff-type potential for
1763                  silicon",
1764   author =       "Brian W. Dodson",
1765   journal =      "Phys. Rev. B",
1766   volume =       "35",
1767   number =       "6",
1768   pages =        "2795--2798",
1769   numpages =     "3",
1770   year =         "1987",
1771   month =        feb,
1772   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.2795",
1773   publisher =    "American Physical Society",
1774 }
1775
1776 @Article{tersoff_si2,
1777   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1778                  covalent systems",
1779   author =       "J. Tersoff",
1780   journal =      "Phys. Rev. B",
1781   volume =       "37",
1782   number =       "12",
1783   pages =        "6991--7000",
1784   numpages =     "9",
1785   year =         "1988",
1786   month =        apr,
1787   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1788   publisher =    "American Physical Society",
1789 }
1790
1791 @Article{tersoff_si3,
1792   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1793                  improved elastic properties",
1794   author =       "J. Tersoff",
1795   journal =      "Phys. Rev. B",
1796   volume =       "38",
1797   number =       "14",
1798   pages =        "9902--9905",
1799   numpages =     "3",
1800   year =         "1988",
1801   month =        nov,
1802   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1803   publisher =    "American Physical Society",
1804 }
1805
1806 @Article{tersoff_c,
1807   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1808                  Applications to Amorphous Carbon",
1809   author =       "J. Tersoff",
1810   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1811   volume =       "61",
1812   number =       "25",
1813   pages =        "2879--2882",
1814   numpages =     "3",
1815   year =         "1988",
1816   month =        dec,
1817   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1818   publisher =    "American Physical Society",
1819 }
1820
1821 @Article{tersoff_m,
1822   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1823                  for multicomponent systems",
1824   author =       "J. Tersoff",
1825   journal =      "Phys. Rev. B",
1826   volume =       "39",
1827   number =       "8",
1828   pages =        "5566--5568",
1829   numpages =     "2",
1830   year =         "1989",
1831   month =        mar,
1832   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1833   publisher =    "American Physical Society",
1834 }
1835
1836 @Article{tersoff90,
1837   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1838   author =       "J. Tersoff",
1839   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1840   volume =       "64",
1841   number =       "15",
1842   pages =        "1757--1760",
1843   numpages =     "3",
1844   year =         "1990",
1845   month =        apr,
1846   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1847   publisher =    "American Physical Society",
1848 }
1849
1850 @Article{fahey89,
1851   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1852   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1853   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1854   volume =       "61",
1855   number =       "2",
1856   pages =        "289--384",
1857   numpages =     "95",
1858   year =         "1989",
1859   month =        apr,
1860   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1861   publisher =    "American Physical Society",
1862 }
1863
1864 @Article{wesch96,
1865   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1866   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1867   volume =       "116",
1868   number =       "1-4",
1869   pages =        "305--321",
1870   year =         "1996",
1871   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1872   ISSN =         "0168-583X",
1873   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1874   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1875   author =       "W. Wesch",
1876 }
1877
1878 @Article{davis91,
1879   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
1880                  Palmour and J. A. Edmond",
1881   journal =      "Proceedings of the IEEE",
1882   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
1883                  optoelectronic device fabrication and characterization
1884                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
1885   year =         "1991",
1886   month =        may,
1887   volume =       "79",
1888   number =       "5",
1889   pages =        "677--701",
1890   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
1891                  diode;SiC;dry etching;electrical
1892                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
1893                  device fabrication;solid-state devices;surface
1894                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
1895                  transistors;Schottky-barrier
1896                  diodes;etching;heterojunction bipolar
1897                  transistors;insulated gate field effect
1898                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
1899                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
1900   doi =          "10.1109/5.90132",
1901   ISSN =         "0018-9219",
1902   notes =        "sic growth methods",
1903 }
1904
1905 @Article{morkoc94,
1906   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1907                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1908   collaboration = "",
1909   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1910                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1911   publisher =    "AIP",
1912   year =         "1994",
1913   journal =      "J. Appl. Phys.",
1914   volume =       "76",
1915   number =       "3",
1916   pages =        "1363--1398",
1917   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1918                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1919                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1920                  FILMS; INDUSTRY",
1921   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1922   doi =          "10.1063/1.358463",
1923   notes =        "sic intro, properties",
1924 }
1925
1926 @Article{foo,
1927   author =       "Noch Unbekannt",
1928   title =        "How to find references",
1929   journal =      "Journal of Applied References",
1930   year =         "2009",
1931   volume =       "77",
1932   pages =        "1--23",
1933 }
1934
1935 @Article{tang95,
1936   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1937                  \beta{}-Si{C}",
1938   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1939   journal =      "Phys. Rev. B",
1940   volume =       "52",
1941   number =       "21",
1942   pages =        "15150--15159",
1943   numpages =     "9",
1944   year =         "1995",
1945   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1946   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1947                  tersoff reparametrization",
1948   publisher =    "American Physical Society",
1949 }
1950
1951 @Article{sarro00,
1952   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1953   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1954   volume =       "82",
1955   number =       "1-3",
1956   pages =        "210--218",
1957   year =         "2000",
1958   ISSN =         "0924-4247",
1959   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1960   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1961   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1962   keywords =     "MEMS",
1963   keywords =     "Silicon carbide",
1964   keywords =     "Micromachining",
1965   keywords =     "Mechanical stress",
1966 }
1967
1968 @Article{casady96,
1969   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1970                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1971                  review",
1972   journal =      "Solid-State Electronics",
1973   volume =       "39",
1974   number =       "10",
1975   pages =        "1409--1422",
1976   year =         "1996",
1977   ISSN =         "0038-1101",
1978   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1979   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1980   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1981   notes =        "sic intro",
1982 }
1983
1984 @Article{giancarli98,
1985   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1986                  structural material in fusion power reactor blankets",
1987   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1988   volume =       "41",
1989   number =       "1-4",
1990   pages =        "165--171",
1991   year =         "1998",
1992   ISSN =         "0920-3796",
1993   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1994   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1995   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1996                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1997 }
1998
1999 @Article{pensl93,
2000   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
2001   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
2002   volume =       "185",
2003   number =       "1-4",
2004   pages =        "264--283",
2005   year =         "1993",
2006   ISSN =         "0921-4526",
2007   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
2008   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
2009   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
2010 }
2011
2012 @Article{tairov78,
2013   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
2014                  carbide single crystals",
2015   journal =      "J. Cryst. Growth",
2016   volume =       "43",
2017   number =       "2",
2018   pages =        "209--212",
2019   year =         "1978",
2020   notes =        "modified lely process",
2021   ISSN =         "0022-0248",
2022   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
2023   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
2024   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2025 }
2026
2027 @Article{tairov81,
2028   title =        "General principles of growing large-size single
2029                  crystals of various silicon carbide polytypes",
2030   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2031   volume =       "52",
2032   number =       "Part 1",
2033   pages =        "146--150",
2034   year =         "1981",
2035   note =         "",
2036   ISSN =         "0022-0248",
2037   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
2038   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
2039   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2040 }
2041
2042 @Article{barrett91,
2043   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
2044   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2045   volume =       "109",
2046   number =       "1-4",
2047   pages =        "17--23",
2048   year =         "1991",
2049   note =         "",
2050   ISSN =         "0022-0248",
2051   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
2052   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
2053   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
2054                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
2055 }
2056
2057 @Article{barrett93,
2058   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
2059   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2060   volume =       "128",
2061   number =       "1-4",
2062   pages =        "358--362",
2063   year =         "1993",
2064   note =         "",
2065   ISSN =         "0022-0248",
2066   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
2067   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
2068   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
2069                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
2070                  W. J. Choyke",
2071 }
2072
2073 @Article{stein93,
2074   title =        "Control of polytype formation by surface energy
2075                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
2076                  sublimation method",
2077   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2078   volume =       "131",
2079   number =       "1-2",
2080   pages =        "71--74",
2081   year =         "1993",
2082   note =         "",
2083   ISSN =         "0022-0248",
2084   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
2085   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
2086   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
2087   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
2088 }
2089
2090 @Article{nishino83,
2091   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
2092                  Will",
2093   collaboration = "",
2094   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
2095                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
2096   publisher =    "AIP",
2097   year =         "1983",
2098   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2099   volume =       "42",
2100   number =       "5",
2101   pages =        "460--462",
2102   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
2103                  monocrystals",
2104   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
2105   doi =          "10.1063/1.93970",
2106   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
2107 }
2108
2109 @Article{nishino87,
2110   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
2111                  and Hiroyuki Matsunami",
2112   collaboration = "",
2113   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
2114                  Si{C} on silicon",
2115   publisher =    "AIP",
2116   year =         "1987",
2117   journal =      "J. Appl. Phys.",
2118   volume =       "61",
2119   number =       "10",
2120   pages =        "4889--4893",
2121   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
2122   doi =          "10.1063/1.338355",
2123   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
2124                  carbonization",
2125 }
2126
2127 @Article{powell87,
2128   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
2129                  Kuczmarski",
2130   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
2131                  Single-Crystal Films on Si",
2132   publisher =    "ECS",
2133   year =         "1987",
2134   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
2135   volume =       "134",
2136   number =       "6",
2137   pages =        "1558--1565",
2138   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
2139                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
2140   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
2141   doi =          "10.1149/1.2100708",
2142   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
2143 }
2144
2145 @Article{powell87_2,
2146   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
2147                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
2148   collaboration = "",
2149   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
2150                  off-axis Si substrates",
2151   publisher =    "AIP",
2152   year =         "1987",
2153   journal =      "Applied Physics Letters",
2154   volume =       "51",
2155   number =       "11",
2156   pages =        "823--825",
2157   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
2158                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
2159                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
2160                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
2161                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
2162   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
2163   doi =          "10.1063/1.98824",
2164   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
2165 }
2166
2167 @Article{ueda90,
2168   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
2169   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2170   volume =       "104",
2171   number =       "3",
2172   pages =        "695--700",
2173   year =         "1990",
2174   note =         "",
2175   ISSN =         "0022-0248",
2176   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
2177   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
2178   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
2179                  Matsunami",
2180   notes =        "step-controlled epitaxy model",
2181 }
2182
2183 @Article{kimoto93,
2184   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
2185                  and Hiroyuki Matsunami",
2186   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
2187                  epitaxy",
2188   publisher =    "AIP",
2189   year =         "1993",
2190   journal =      "J. Appl. Phys.",
2191   volume =       "73",
2192   number =       "2",
2193   pages =        "726--732",
2194   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
2195                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
2196                  VAPOR DEPOSITION",
2197   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
2198   doi =          "10.1063/1.353329",
2199   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
2200 }
2201
2202 @Article{powell90_2,
2203   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2204                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2205                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2206   collaboration = "",
2207   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
2208                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2209   publisher =    "AIP",
2210   year =         "1990",
2211   journal =      "Applied Physics Letters",
2212   volume =       "56",
2213   number =       "15",
2214   pages =        "1442--1444",
2215   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2216                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
2217                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
2218                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
2219   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
2220   doi =          "10.1063/1.102492",
2221   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
2222 }
2223
2224 @Article{kong88_2,
2225   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2226   collaboration = "",
2227   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2228                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2229                  substrates",
2230   publisher =    "AIP",
2231   year =         "1988",
2232   journal =      "Journal of Applied Physics",
2233   volume =       "64",
2234   number =       "5",
2235   pages =        "2672--2679",
2236   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2237                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2238                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2239                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2240                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2241   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2242   doi =          "10.1063/1.341608",
2243 }
2244
2245 @Article{powell90,
2246   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2247                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2248                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2249   collaboration = "",
2250   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2251                  6{H}-Si{C} substrates",
2252   publisher =    "AIP",
2253   year =         "1990",
2254   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2255   volume =       "56",
2256   number =       "14",
2257   pages =        "1353--1355",
2258   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2259                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2260                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2261                  PHASE EPITAXY",
2262   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2263   doi =          "10.1063/1.102512",
2264   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2265 }
2266
2267 @Article{kong88,
2268   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2269                  Rozgonyi and K. L. More",
2270   collaboration = "",
2271   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2272                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2273                  substrates",
2274   publisher =    "AIP",
2275   year =         "1988",
2276   journal =      "Journal of Applied Physics",
2277   volume =       "63",
2278   number =       "8",
2279   pages =        "2645--2650",
2280   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2281                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2282                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2283                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2284                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2285   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2286   doi =          "10.1063/1.341004",
2287 }
2288
2289 @Article{powell91,
2290   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2291                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2292                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2293   collaboration = "",
2294   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2295                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2296   publisher =    "AIP",
2297   year =         "1991",
2298   journal =      "Applied Physics Letters",
2299   volume =       "59",
2300   number =       "3",
2301   pages =        "333--335",
2302   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2303                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2304                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2305   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2306   doi =          "10.1063/1.105587",
2307 }
2308
2309 @Article{yuan95,
2310   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2311                  Thokala and M. J. Loboda",
2312   collaboration = "",
2313   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2314                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2315                  silacyclobutane",
2316   publisher =    "AIP",
2317   year =         "1995",
2318   journal =      "J. Appl. Phys.",
2319   volume =       "78",
2320   number =       "2",
2321   pages =        "1271--1273",
2322   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2323                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2324                  SPECTROPHOTOMETRY",
2325   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2326   doi =          "10.1063/1.360368",
2327   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2328 }
2329
2330 @Article{kaneda87,
2331   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2332                  properties of its p-n junction",
2333   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2334   volume =       "81",
2335   number =       "1-4",
2336   pages =        "536--542",
2337   year =         "1987",
2338   note =         "",
2339   ISSN =         "0022-0248",
2340   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2341   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2342   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2343                  and Takao Tanaka",
2344   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2345 }
2346
2347 @Article{fissel95,
2348   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2349                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2350                  molecular beam epitaxy",
2351   journal =      "J. Cryst. Growth",
2352   volume =       "154",
2353   number =       "1-2",
2354   pages =        "72--80",
2355   year =         "1995",
2356   ISSN =         "0022-0248",
2357   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2358   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2359   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2360                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2361   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2362 }
2363
2364 @Article{fissel95_apl,
2365   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2366   collaboration = "",
2367   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2368                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2369   publisher =    "AIP",
2370   year =         "1995",
2371   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2372   volume =       "66",
2373   number =       "23",
2374   pages =        "3182--3184",
2375   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2376                  RHEED; NUCLEATION",
2377   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2378   doi =          "10.1063/1.113716",
2379   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2380 }
2381
2382 @Article{fissel96,
2383   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2384                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2385   collaboration = "",
2386   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2387                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2388                  level using surface superstructures",
2389   publisher =    "AIP",
2390   year =         "1996",
2391   journal =      "Applied Physics Letters",
2392   volume =       "68",
2393   number =       "9",
2394   pages =        "1204--1206",
2395   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2396                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2397                  SURFACE STRUCTURE",
2398   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2399   doi =          "10.1063/1.115969",
2400   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2401 }
2402
2403 @Article{righi03,
2404   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2405   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2406                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2407   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2408   volume =       "91",
2409   number =       "13",
2410   pages =        "136101",
2411   numpages =     "4",
2412   year =         "2003",
2413   month =        sep,
2414   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2415   publisher =    "American Physical Society",
2416   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2417 }
2418
2419 @Article{borders71,
2420   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2421   collaboration = "",
2422   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2423                  {IMPLANTATION}",
2424   publisher =    "AIP",
2425   year =         "1971",
2426   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2427   volume =       "18",
2428   number =       "11",
2429   pages =        "509--511",
2430   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2431   doi =          "10.1063/1.1653516",
2432   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2433                  ideas",
2434 }
2435
2436 @Article{edelman76,
2437   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2438                  and E. V. Lubopytova",
2439   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2440                  by ion implantation",
2441   publisher =    "Taylor \& Francis",
2442   year =         "1976",
2443   journal =      "Radiation Effects",
2444   volume =       "29",
2445   number =       "1",
2446   pages =        "13--15",
2447   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2448   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2449                  single crystalline",
2450 }
2451
2452 @Article{akimchenko80,
2453   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2454                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2455   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2456                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2457   publisher =    "Taylor \& Francis",
2458   year =         "1980",
2459   journal =      "Radiation Effects",
2460   volume =       "48",
2461   number =       "1",
2462   pages =        "7",
2463   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2464   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2465 }
2466
2467 @Article{kimura81,
2468   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2469                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2470                  silicon",
2471   journal =      "Thin Solid Films",
2472   volume =       "81",
2473   number =       "4",
2474   pages =        "319--327",
2475   year =         "1981",
2476   note =         "",
2477   ISSN =         "0040-6090",
2478   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2479   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2480   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2481                  Yugo",
2482 }
2483
2484 @Article{kimura82,
2485   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2486                  the implantation of carbon ions into silicon",
2487   journal =      "Thin Solid Films",
2488   volume =       "94",
2489   number =       "3",
2490   pages =        "191--198",
2491   year =         "1982",
2492   note =         "",
2493   ISSN =         "0040-6090",
2494   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2495   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2496   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2497                  Yugo",
2498 }
2499
2500 @Article{reeson86,
2501   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2502                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2503                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2504   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2505                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2506   publisher =    "Taylor \& Francis",
2507   year =         "1986",
2508   journal =      "Radiation Effects",
2509   volume =       "99",
2510   number =       "1",
2511   pages =        "71--81",
2512   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2513   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or time,
2514                  no c redistribution",
2515 }
2516
2517 @Article{reeson87,
2518   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2519                  J. Davis and G. E. Celler",
2520   collaboration = "",
2521   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2522                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2523   publisher =    "AIP",
2524   year =         "1987",
2525   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2526   volume =       "51",
2527   number =       "26",
2528   pages =        "2242--2244",
2529   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2530                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2531   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2532   doi =          "10.1063/1.98953",
2533   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2534 }
2535
2536 @Article{martin90,
2537   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2538                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2539   collaboration = "",
2540   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2541   publisher =    "AIP",
2542   year =         "1990",
2543   journal =      "Journal of Applied Physics",
2544   volume =       "67",
2545   number =       "6",
2546   pages =        "2908--2912",
2547   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2548                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2549                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2550                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2551                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2552                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2553   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2554   doi =          "10.1063/1.346092",
2555   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2556                  temepratures",
2557 }
2558
2559 @Article{scace59,
2560   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2561   collaboration = "",
2562   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2563   publisher =    "AIP",
2564   year =         "1959",
2565   journal =      "J. Chem. Phys.",
2566   volume =       "30",
2567   number =       "6",
2568   pages =        "1551--1555",
2569   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2570   doi =          "10.1063/1.1730236",
2571   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2572 }
2573
2574 @Article{hofker74,
2575   author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
2576                  Koeman",
2577   affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
2578                  Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
2579                  Netherlands",
2580   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
2581                  charge carrier and boron concentration profiles",
2582   journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
2583   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
2584   ISSN =         "0947-8396",
2585   keyword =      "Physics and Astronomy",
2586   pages =        "125--133",
2587   volume =       "4",
2588   issue =        "2",
2589   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
2590   note =         "10.1007/BF00884267",
2591   year =         "1974",
2592   notes =        "first time ted (only for boron?)",
2593 }
2594
2595 @Article{michel87,
2596   author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
2597                  H. Kastl",
2598   collaboration = "",
2599   title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
2600                  implanted boron into silicon",
2601   publisher =    "AIP",
2602   year =         "1987",
2603   journal =      "Applied Physics Letters",
2604   volume =       "50",
2605   number =       "7",
2606   pages =        "416--418",
2607   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
2608                  BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
2609                  HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
2610   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
2611   doi =          "10.1063/1.98160",
2612   notes =        "ted of boron in si",
2613 }
2614
2615 @Article{cowern90,
2616   author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
2617                  Jos",
2618   collaboration = "",
2619   title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
2620                  time, and matrix dependence of atomic and electrical
2621                  profiles",
2622   publisher =    "AIP",
2623   year =         "1990",
2624   journal =      "Journal of Applied Physics",
2625   volume =       "68",
2626   number =       "12",
2627   pages =        "6191--6198",
2628   keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
2629                  DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
2630                  CRYSTALS; AMORPHIZATION",
2631   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
2632   doi =          "10.1063/1.346910",
2633   notes =        "ted of boron in si",
2634 }
2635
2636 @Article{cowern96,
2637   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2638                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2639   collaboration = "",
2640   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2641                  {B} in silicon",
2642   publisher =    "AIP",
2643   year =         "1996",
2644   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2645   volume =       "68",
2646   number =       "8",
2647   pages =        "1150--1152",
2648   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2649                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2650                  SILICON",
2651   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2652   doi =          "10.1063/1.115706",
2653   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2654 }
2655
2656 @Article{stolk95,
2657   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2658                  of the silicon self-interstitial",
2659   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2660   volume =       "96",
2661   number =       "1-2",
2662   pages =        "187--195",
2663   year =         "1995",
2664   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2665                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2666   ISSN =         "0168-583X",
2667   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2668   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2669   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2670                  and J. M. Poate",
2671 }
2672
2673 @Article{stolk97,
2674   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2675                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2676                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2677                  E. Haynes",
2678   collaboration = "",
2679   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2680                  diffusion in ion-implanted silicon",
2681   publisher =    "AIP",
2682   year =         "1997",
2683   journal =      "J. Appl. Phys.",
2684   volume =       "81",
2685   number =       "9",
2686   pages =        "6031--6050",
2687   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2688   doi =          "10.1063/1.364452",
2689   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2690 }
2691
2692 @Article{powell94,
2693   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2694   collaboration = "",
2695   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2696                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2697   publisher =    "AIP",
2698   year =         "1994",
2699   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2700   volume =       "64",
2701   number =       "3",
2702   pages =        "324--326",
2703   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2704                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2705                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2706                  SYNTHESIS",
2707   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2708   doi =          "10.1063/1.111195",
2709   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2710 }
2711
2712 @Article{soref91,
2713   author =       "Richard A. Soref",
2714   collaboration = "",
2715   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2716                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2717   publisher =    "AIP",
2718   year =         "1991",
2719   journal =      "J. Appl. Phys.",
2720   volume =       "70",
2721   number =       "4",
2722   pages =        "2470--2472",
2723   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2724                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2725                  TERNARY ALLOYS",
2726   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2727   doi =          "10.1063/1.349403",
2728   notes =        "band gap of strained si by c",
2729 }
2730
2731 @Article{kasper91,
2732   author =       "E Kasper",
2733   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2734                  possibility to produce direct band gap material",
2735   journal =      "Physica Scripta",
2736   volume =       "T35",
2737   pages =        "232--236",
2738   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2739   year =         "1991",
2740   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2741                  quasi-direct one",
2742 }
2743
2744 @Article{eberl92,
2745   author =       "K. Eberl and S. S. Iyer and S. Zollner and J. C. Tsang
2746                  and F. K. LeGoues",
2747   collaboration = "",
2748   title =        "Growth and strain compensation effects in the ternary
2749                  Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloy system",
2750   publisher =    "AIP",
2751   year =         "1992",
2752   journal =      "Applied Physics Letters",
2753   volume =       "60",
2754   number =       "24",
2755   pages =        "3033--3035",
2756   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; CARBON ALLOYS;
2757                  TERNARY ALLOYS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; MOLECULAR BEAM
2758                  EPITAXY; INTERNAL STRAINS; TEMPERATURE EFFECTS; CRYSTAL
2759                  STRUCTURE; LATTICE PARAMETERS; XRAY DIFFRACTION; PHASE
2760                  STUDIES",
2761   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/3033/1",
2762   doi =          "10.1063/1.106774",
2763 }
2764
2765 @Article{powell93,
2766   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and F. E. LeGoues and B. A.
2767                  Ek and S. S. Iyer",
2768   collaboration = "",
2769   title =        "Stability of strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random
2770                  alloy layers",
2771   publisher =    "AVS",
2772   year =         "1993",
2773   journal =      "J. Vac. Sci. Technol. B",
2774   volume =       "11",
2775   number =       "3",
2776   pages =        "1064--1068",
2777   location =     "Ottawa (Canada)",
2778   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; STRAINS; THICKNESS;
2779                  METASTABLE PHASES; TWINNING; DISLOCATIONS; MOLECULAR
2780                  BEAM EPITAXY; EPITAXIAL LAYERS; CRITICAL PHENOMENA;
2781                  TEMPERATURE RANGE 400--1000 K; BINARY ALLOYS",
2782   URL =          "http://link.aip.org/link/?JVB/11/1064/1",
2783   doi =          "10.1116/1.587008",
2784   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2785 }
2786
2787 @Article{powell93_2,
2788   title =        "Si[sub 1-x-y]Ge[sub x]{C}[sub y] growth and properties
2789                  of the ternary system",
2790   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2791   volume =       "127",
2792   number =       "1-4",
2793   pages =        "425--429",
2794   year =         "1993",
2795   note =         "",
2796   ISSN =         "0022-0248",
2797   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90653-E",
2798   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46J3RF2-8H/2/27fc231f28e4dc0a3b4770e5cf03257e",
2799   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and B. A. Ek and S. S.
2800                  Iyer",
2801 }
2802
2803 @Article{osten94,
2804   author =       "H. J. Osten",
2805   title =        "Modification of Growth Modes in Lattice-Mismatched
2806                  Epitaxial Systems: Si/Ge",
2807   journal =      "physica status solidi (a)",
2808   volume =       "145",
2809   number =       "2",
2810   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2811   ISSN =         "1521-396X",
2812   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211450203",
2813   doi =          "10.1002/pssa.2211450203",
2814   pages =        "235--245",
2815   year =         "1994",
2816 }
2817
2818 @Article{dietrich94,
2819   title =        "Lattice distortion in a strain-compensated
2820                  $Si_{1-x-y}$$Ge_{x}$${C}_{y}$ layer on silicon",
2821   author =       "B. Dietrich and H. J. Osten and H. R{\"u}cker and M.
2822                  Methfessel and P. Zaumseil",
2823   journal =      "Phys. Rev. B",
2824   volume =       "49",
2825   number =       "24",
2826   pages =        "17185--17190",
2827   numpages =     "5",
2828   year =         "1994",
2829   month =        jun,
2830   doi =          "10.1103/PhysRevB.49.17185",
2831   publisher =    "American Physical Society",
2832 }
2833
2834 @Article{osten94_2,
2835   author =       "H. J. Osten and E. Bugiel and P. Zaumseil",
2836   collaboration = "",
2837   title =        "Growth of an inverse tetragonal distorted SiGe layer
2838                  on Si(001) by adding small amounts of carbon",
2839   publisher =    "AIP",
2840   year =         "1994",
2841   journal =      "Applied Physics Letters",
2842   volume =       "64",
2843   number =       "25",
2844   pages =        "3440--3442",
2845   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; FILM GROWTH; CARBON
2846                  ALLOYS; TERNARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TEM;
2847                  XRD; LATTICE PARAMETERS; EPITAXIAL LAYERS; TETRAGONAL
2848                  LATTICES",
2849   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/3440/1",
2850   doi =          "10.1063/1.111235",
2851   notes =        "inversely strained / distorted heterostructure",
2852 }
2853
2854 @Article{iyer92,
2855   author =       "S. S. Iyer and K. Eberl and M. S. Goorsky and F. K.
2856                  LeGoues and J. C. Tsang and F. Cardone",
2857   collaboration = "",
2858   title =        "Synthesis of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys by
2859                  molecular beam epitaxy",
2860   publisher =    "AIP",
2861   year =         "1992",
2862   journal =      "Applied Physics Letters",
2863   volume =       "60",
2864   number =       "3",
2865   pages =        "356--358",
2866   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
2867                  SEMICONDUCTOR ALLOYS; SUPERLATTICES; MOLECULAR BEAM
2868                  EPITAXY; CHEMICAL COMPOSITION; TEMPERATURE EFFECTS;
2869                  FILM GROWTH; MICROSTRUCTURE",
2870   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/356/1",
2871   doi =          "10.1063/1.106655",
2872 }
2873
2874 @Article{osten99,
2875   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2876   collaboration = "",
2877   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2878                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2879                  molecular beam epitaxy",
2880   publisher =    "AIP",
2881   year =         "1999",
2882   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2883   volume =       "74",
2884   number =       "6",
2885   pages =        "836--838",
2886   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2887                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2888                  compounds",
2889   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2890   doi =          "10.1063/1.123384",
2891   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2892 }
2893
2894 @Article{born27,
2895   author =       "M. Born and R. Oppenheimer",
2896   title =        "Zur Quantentheorie der Molekeln",
2897   journal =      "Annalen der Physik",
2898   volume =       "389",
2899   number =       "20",
2900   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2901   ISSN =         "1521-3889",
2902   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19273892002",
2903   doi =          "10.1002/andp.19273892002",
2904   pages =        "457--484",
2905   year =         "1927",
2906 }
2907
2908 @Article{hohenberg64,
2909   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2910   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2911   journal =      "Phys. Rev.",
2912   volume =       "136",
2913   number =       "3B",
2914   pages =        "B864--B871",
2915   numpages =     "7",
2916   year =         "1964",
2917   month =        nov,
2918   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2919   publisher =    "American Physical Society",
2920   notes =        "density functional theory, dft",
2921 }
2922
2923 @Article{thomas27,
2924   title =        "The calculation of atomic fields",
2925   author =       "L. H. Thomas",
2926   journal =      "Mathematical Proceedings of the Cambridge
2927                  Philosophical Society",
2928   volume =       "23",
2929   pages =        "542--548",
2930   year =         "1927",
2931   doi =          "10.1017/S0305004100011683",
2932 }
2933
2934 @Article{fermi27,
2935   title =        "",
2936   author =       "E. Fermi",
2937   journal =      "Atti Accad. Naz. Lincei, Cl. Sci. Fis. Mat. Nat.
2938                  Rend.",
2939   volume =       "6",
2940   pages =        "602",
2941   year =         "1927",
2942 }
2943
2944 @Article{hartree28,
2945   title =        "The Wave Mechanics of an Atom with a Non-Coulomb
2946                  Central Field. Part {I}. Theory and Methods",
2947   author =       "D. R. Hartree",
2948   journal =      "Mathematical Proceedings of the Cambridge
2949                  Philosophical Society",
2950   volume =       "24",
2951   pages =        "89--110",
2952   year =         "1928",
2953   doi =          "10.1017/S0305004100011919",
2954 }
2955
2956 @Article{slater29,
2957   title =        "The Theory of Complex Spectra",
2958   author =       "J. C. Slater",
2959   journal =      "Phys. Rev.",
2960   volume =       "34",
2961   number =       "10",
2962   pages =        "1293--1322",
2963   numpages =     "29",
2964   year =         "1929",
2965   month =        nov,
2966   doi =          "10.1103/PhysRev.34.1293",
2967   publisher =    "American Physical Society",
2968 }
2969
2970 @Article{kohn65,
2971   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2972                  Correlation Effects",
2973   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2974   journal =      "Phys. Rev.",
2975   volume =       "140",
2976   number =       "4A",
2977   pages =        "A1133--A1138",
2978   numpages =     "5",
2979   year =         "1965",
2980   month =        nov,
2981   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2982   publisher =    "American Physical Society",
2983   notes =        "dft, exchange and correlation",
2984 }
2985
2986 @Article{kohn96,
2987   title =        "Density Functional and Density Matrix Method Scaling
2988                  Linearly with the Number of Atoms",
2989   author =       "W. Kohn",
2990   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2991   volume =       "76",
2992   number =       "17",
2993   pages =        "3168--3171",
2994   numpages =     "3",
2995   year =         "1996",
2996   month =        apr,
2997   doi =          "10.1103/PhysRevLett.76.3168",
2998   publisher =    "American Physical Society",
2999 }
3000
3001 @Article{kohn98,
3002   title =        "Edge Electron Gas",
3003   author =       "Walter Kohn and Ann E. Mattsson",
3004   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3005   volume =       "81",
3006   number =       "16",
3007   pages =        "3487--3490",
3008   numpages =     "3",
3009   year =         "1998",
3010   month =        oct,
3011   doi =          "10.1103/PhysRevLett.81.3487",
3012   publisher =    "American Physical Society",
3013 }
3014
3015 @Article{kohn99,
3016   title =        "Nobel Lecture: Electronic structure of matter---wave
3017                  functions and density functionals",
3018   author =       "W. Kohn",
3019   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
3020   volume =       "71",
3021   number =       "5",
3022   pages =        "1253--1266",
3023   numpages =     "13",
3024   year =         "1999",
3025   month =        oct,
3026   doi =          "10.1103/RevModPhys.71.1253",
3027   publisher =    "American Physical Society",
3028 }
3029
3030 @Article{payne92,
3031   title =        "Iterative minimization techniques for ab initio
3032                  total-energy calculations: molecular dynamics and
3033                  conjugate gradients",
3034   author =       "M. C. Payne and M. P. Teter and D. C. Allan and T. A.
3035                  Arias and J. D. Joannopoulos",
3036   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
3037   volume =       "64",
3038   number =       "4",
3039   pages =        "1045--1097",
3040   numpages =     "52",
3041   year =         "1992",
3042   month =        oct,
3043   doi =          "10.1103/RevModPhys.64.1045",
3044   publisher =    "American Physical Society",
3045 }
3046
3047 @Article{levy82,
3048   title =        "Electron densities in search of Hamiltonians",
3049   author =       "Mel Levy",
3050   journal =      "Phys. Rev. A",
3051   volume =       "26",
3052   number =       "3",
3053   pages =        "1200--1208",
3054   numpages =     "8",
3055   year =         "1982",
3056   month =        sep,
3057   doi =          "10.1103/PhysRevA.26.1200",
3058   publisher =    "American Physical Society",
3059 }
3060
3061 @Article{ruecker94,
3062   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
3063                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
3064   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
3065                  J. Osten",
3066   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3067   volume =       "72",
3068   number =       "22",
3069   pages =        "3578--3581",
3070   numpages =     "3",
3071   year =         "1994",
3072   month =        may,
3073   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
3074   publisher =    "American Physical Society",
3075   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
3076                  si, dft",
3077 }
3078
3079 @Article{yagi02,
3080   title =        "Phosphorous Doping of Strain-Induced
3081                  Si$_{1-y}${C}$_{y}$ Epitaxial Films Grown\\
3082                  by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition",
3083   author =       "Shuhei Yagi and Katsuya Abe and Takashi Okabayashi and
3084                  Yuichi Yoneyama and Akira Yamada and Makoto Konagai",
3085   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
3086   volume =       "41",
3087   number =       "Part 1, No. 4B",
3088   pages =        "2472--2475",
3089   numpages =     "3",
3090   year =         "2002",
3091   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/41/2472/",
3092   doi =          "10.1143/JJAP.41.2472",
3093   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3094   notes =        "experimental charge carrier mobility in strained si",
3095 }
3096
3097 @Article{chang05,
3098   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
3099                  Alloy",
3100   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
3101   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3102   volume =       "44",
3103   number =       "4B",
3104   pages =        "2257--2262",
3105   numpages =     "5",
3106   year =         "2005",
3107   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
3108   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
3109   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3110   notes =        "enhance of electron mobility in strained si",
3111 }
3112
3113 @Article{kissinger94,
3114   author =       "W. Kissinger and M. Weidner and H. J. Osten and M.
3115                  Eichler",
3116   collaboration = "",
3117   title =        "Optical transitions in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub
3118                  y] layers on Si(001)",
3119   publisher =    "AIP",
3120   year =         "1994",
3121   journal =      "Applied Physics Letters",
3122   volume =       "65",
3123   number =       "26",
3124   pages =        "3356--3358",
3125   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERNAL STRAINS; EPITAXIAL LAYERS;
3126                  CHEMICAL COMPOSITION; ELLIPSOMETRY; REFLECTION
3127                  SPECTROSCOPY; ELECTROOPTICAL EFFECTS; BAND STRUCTURE;
3128                  ENERGY LEVELS; ENERGYLEVEL TRANSITIONS",
3129   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/3356/1",
3130   doi =          "10.1063/1.112390",
3131   notes =        "strained si influence on optical properties",
3132 }
3133
3134 @Article{osten96,
3135   author =       "H. J. Osten and Myeongcheol Kim and K. Pressel and P.
3136                  Zaumseil",
3137   collaboration = "",
3138   title =        "Substitutional versus interstitial carbon
3139                  incorporation during pseudomorphic growth of Si[sub 1 -
3140                  y]{C}[sub y] on Si(001)",
3141   publisher =    "AIP",
3142   year =         "1996",
3143   journal =      "Journal of Applied Physics",
3144   volume =       "80",
3145   number =       "12",
3146   pages =        "6711--6715",
3147   keywords =     "SILICON CARBIDES; CRYSTAL DEFECTS; FILM GROWTH;
3148                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; INTERSTITIALS; SUBSTITUTION;
3149                  XRD; STRAINS",
3150   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/80/6711/1",
3151   doi =          "10.1063/1.363797",
3152   notes =        "mbe substitutional vs interstitial c incorporation",
3153 }
3154
3155 @Article{osten97,
3156   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
3157   collaboration = "",
3158   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3159                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
3160                  Si(001)",
3161   publisher =    "AIP",
3162   year =         "1997",
3163   journal =      "J. Appl. Phys.",
3164   volume =       "82",
3165   number =       "10",
3166   pages =        "4977--4981",
3167   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
3168                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
3169                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
3170   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
3171   doi =          "10.1063/1.366364",
3172   notes =        "charge transport in strained si",
3173 }
3174
3175 @Article{kapur04,
3176   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
3177                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
3178   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
3179   journal =      "Phys. Rev. B",
3180   volume =       "69",
3181   number =       "15",
3182   pages =        "155214",
3183   numpages =     "8",
3184   year =         "2004",
3185   month =        apr,
3186   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
3187   publisher =    "American Physical Society",
3188   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
3189 }
3190
3191 @Article{barkema96,
3192   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
3193                  Systems",
3194   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
3195   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3196   volume =       "77",
3197   number =       "21",
3198   pages =        "4358--4361",
3199   numpages =     "3",
3200   year =         "1996",
3201   month =        nov,
3202   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
3203   publisher =    "American Physical Society",
3204   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
3205                  dynamic mds",
3206 }
3207
3208 @Article{cances09,
3209   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
3210                  Minoukadeh and F. Willaime",
3211   collaboration = "",
3212   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
3213                  technique method for finding transition pathways on
3214                  potential energy surfaces",
3215   publisher =    "AIP",
3216   year =         "2009",
3217   journal =      "J. Chem. Phys.",
3218   volume =       "130",
3219   number =       "11",
3220   eid =          "114711",
3221   numpages =     "6",
3222   pages =        "114711",
3223   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
3224                  surfaces; vacancies (crystal)",
3225   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
3226   doi =          "10.1063/1.3088532",
3227   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
3228                  transition pathways",
3229 }
3230
3231 @Article{parrinello81,
3232   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
3233   collaboration = "",
3234   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
3235                  molecular dynamics method",
3236   publisher =    "AIP",
3237   year =         "1981",
3238   journal =      "J. Appl. Phys.",
3239   volume =       "52",
3240   number =       "12",
3241   pages =        "7182--7190",
3242   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
3243                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
3244                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
3245                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
3246                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
3247                  IMPACT SHOCK",
3248   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
3249   doi =          "10.1063/1.328693",
3250 }
3251
3252 @Article{stillinger85,
3253   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
3254                  of silicon",
3255   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
3256   journal =      "Phys. Rev. B",
3257   volume =       "31",
3258   number =       "8",
3259   pages =        "5262--5271",
3260   numpages =     "9",
3261   year =         "1985",
3262   month =        apr,
3263   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
3264   publisher =    "American Physical Society",
3265 }
3266
3267 @Article{brenner90,
3268   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
3269                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
3270                  films",
3271   author =       "Donald W. Brenner",
3272   journal =      "Phys. Rev. B",
3273   volume =       "42",
3274   number =       "15",
3275   pages =        "9458--9471",
3276   numpages =     "13",
3277   year =         "1990",
3278   month =        nov,
3279   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
3280   publisher =    "American Physical Society",
3281   notes =        "brenner hydro carbons",
3282 }
3283
3284 @Article{bazant96,
3285   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
3286                  Cohesive Energy Curves",
3287   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
3288   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3289   volume =       "77",
3290   number =       "21",
3291   pages =        "4370--4373",
3292   numpages =     "3",
3293   year =         "1996",
3294   month =        nov,
3295   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
3296   publisher =    "American Physical Society",
3297   notes =        "first si edip",
3298 }
3299
3300 @Article{bazant97,
3301   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
3302                  silicon",
3303   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
3304                  Justo",
3305   journal =      "Phys. Rev. B",
3306   volume =       "56",
3307   number =       "14",
3308   pages =        "8542--8552",
3309   numpages =     "10",
3310   year =         "1997",
3311   month =        oct,
3312   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
3313   publisher =    "American Physical Society",
3314   notes =        "second si edip",
3315 }
3316
3317 @Article{justo98,
3318   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
3319                  disordered phases",
3320   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
3321                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
3322   journal =      "Phys. Rev. B",
3323   volume =       "58",
3324   number =       "5",
3325   pages =        "2539--2550",
3326   numpages =     "11",
3327   year =         "1998",
3328   month =        aug,
3329   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
3330   publisher =    "American Physical Society",
3331   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
3332 }
3333
3334 @Article{parcas_md,
3335   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
3336   author =       "K. Nordlund",
3337   year =         "2008",
3338 }
3339
3340 @Article{voter97,
3341   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
3342                  Infrequent Events",
3343   author =       "Arthur F. Voter",
3344   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3345   volume =       "78",
3346   number =       "20",
3347   pages =        "3908--3911",
3348   numpages =     "3",
3349   year =         "1997",
3350   month =        may,
3351   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
3352   publisher =    "American Physical Society",
3353   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
3354 }
3355
3356 @Article{voter97_2,
3357   author =       "Arthur F. Voter",
3358   collaboration = "",
3359   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
3360                  simulation of infrequent events",
3361   publisher =    "AIP",
3362   year =         "1997",
3363   journal =      "J. Chem. Phys.",
3364   volume =       "106",
3365   number =       "11",
3366   pages =        "4665--4677",
3367   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
3368                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
3369                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
3370                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
3371                  theory; potential energy surfaces",
3372   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
3373   doi =          "10.1063/1.473503",
3374   notes =        "improved hyperdynamics md",
3375 }
3376
3377 @Article{sorensen2000,
3378   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
3379   collaboration = "",
3380   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
3381                  infrequent events",
3382   publisher =    "AIP",
3383   year =         "2000",
3384   journal =      "J. Chem. Phys.",
3385   volume =       "112",
3386   number =       "21",
3387   pages =        "9599--9606",
3388   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
3389                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
3390   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
3391   doi =          "10.1063/1.481576",
3392   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
3393 }
3394
3395 @Article{voter98,
3396   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
3397                  events",
3398   author =       "Arthur F. Voter",
3399   journal =      "Phys. Rev. B",
3400   volume =       "57",
3401   number =       "22",
3402   pages =        "R13985--R13988",
3403   numpages =     "3",
3404   year =         "1998",
3405   month =        jun,
3406   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
3407   publisher =    "American Physical Society",
3408   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
3409 }
3410
3411 @Article{wu99,
3412   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
3413   collaboration = "",
3414   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
3415                  simulation",
3416   publisher =    "AIP",
3417   year =         "1999",
3418   journal =      "J. Chem. Phys.",
3419   volume =       "110",
3420   number =       "19",
3421   pages =        "9401--9410",
3422   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
3423                  potential; crystallisation; liquid theory",
3424   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
3425   doi =          "10.1063/1.478948",
3426   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
3427                  systematic motion",
3428 }
3429
3430 @Article{choudhary05,
3431   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
3432   collaboration = "",
3433   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
3434                  to the production of amorphous silicon",
3435   publisher =    "AIP",
3436   year =         "2005",
3437   journal =      "J. Chem. Phys.",
3438   volume =       "122",
3439   number =       "15",
3440   eid =          "154509",
3441   numpages =     "8",
3442   pages =        "154509",
3443   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
3444                  amorphous semiconductors",
3445   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
3446   doi =          "10.1063/1.1878733",
3447   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
3448                  silicon",
3449 }
3450
3451 @Article{taylor93,
3452   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
3453   collaboration = "",
3454   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
3455                  difficult?",
3456   publisher =    "AIP",
3457   year =         "1993",
3458   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3459   volume =       "62",
3460   number =       "25",
3461   pages =        "3336--3338",
3462   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
3463                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
3464                  ENERGY",
3465   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
3466   doi =          "10.1063/1.109063",
3467   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
3468                  interstitials necessary for precipitation, volume
3469                  decrease, high interface energy",
3470 }
3471
3472 @Article{chaussende08,
3473   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
3474   journal =      "J. Cryst. Growth",
3475   volume =       "310",
3476   number =       "5",
3477   pages =        "976--981",
3478   year =         "2008",
3479   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
3480                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
3481   ISSN =         "0022-0248",
3482   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
3483   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
3484   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
3485                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
3486                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
3487                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
3488   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
3489                  metastable",
3490 }
3491
3492 @Article{chaussende07,
3493   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
3494   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
3495   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
3496   volume =       "40",
3497   number =       "20",
3498   pages =        "6150",
3499   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
3500   year =         "2007",
3501   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
3502                  modelling",
3503 }
3504
3505 @Article{feynman39,
3506   title =        "Forces in Molecules",
3507   author =       "R. P. Feynman",
3508   journal =      "Phys. Rev.",
3509   volume =       "56",
3510   number =       "4",
3511   pages =        "340--343",
3512   numpages =     "3",
3513   year =         "1939",
3514   month =        aug,
3515   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
3516   publisher =    "American Physical Society",
3517   notes =        "hellmann feynman forces",
3518 }
3519
3520 @Article{buczko00,
3521   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
3522                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
3523                  their Contrasting Properties",
3524   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
3525                  T. Pantelides",
3526   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3527   volume =       "84",
3528   number =       "5",
3529   pages =        "943--946",
3530   numpages =     "3",
3531   year =         "2000",
3532   month =        jan,
3533   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
3534   publisher =    "American Physical Society",
3535   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
3536 }
3537
3538 @Article{djurabekova08,
3539   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
3540                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
3541   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
3542   journal =      "Phys. Rev. B",
3543   volume =       "77",
3544   number =       "11",
3545   pages =        "115325",
3546   numpages =     "7",
3547   year =         "2008",
3548   month =        mar,
3549   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
3550   publisher =    "American Physical Society",
3551   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
3552                  angular distribution, coordination",
3553 }
3554
3555 @Article{wen09,
3556   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
3557                  W. Liang and J. Zou",
3558   collaboration = "",
3559   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
3560                  strain relaxation at highly lattice mismatched
3561                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
3562   publisher =    "AIP",
3563   year =         "2009",
3564   journal =      "J. Appl. Phys.",
3565   volume =       "106",
3566   number =       "7",
3567   eid =          "073522",
3568   numpages =     "8",
3569   pages =        "073522",
3570   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
3571                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
3572                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
3573                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
3574   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
3575   doi =          "10.1063/1.3234380",
3576   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
3577                  deconvolution, dislocation defects",
3578 }
3579
3580 @Article{kitabatake93,
3581   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
3582                  Hirao",
3583   collaboration = "",
3584   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
3585                  growth on Si(001) surface",
3586   publisher =    "AIP",
3587   year =         "1993",
3588   journal =      "J. Appl. Phys.",
3589   volume =       "74",
3590   number =       "7",
3591   pages =        "4438--4445",
3592   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
3593                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
3594                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
3595   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
3596   doi =          "10.1063/1.354385",
3597   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
3598                  model, interface",
3599 }
3600
3601 @Article{kitabatake97,
3602   author =       "Makoto Kitabatake",
3603   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
3604                  Heteroepitaxial Growth",
3605   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3606   year =         "1997",
3607   journal =      "physica status solidi (b)",
3608   volume =       "202",
3609   pages =        "405--420",
3610   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3611   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3612   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
3613 }
3614
3615 @Article{chirita97,
3616   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
3617                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
3618                  dynamics study",
3619   journal =      "Thin Solid Films",
3620   volume =       "294",
3621   number =       "1-2",
3622   pages =        "47--49",
3623   year =         "1997",
3624   note =         "",
3625   ISSN =         "0040-6090",
3626   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
3627   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
3628   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
3629   keywords =     "Strain relaxation",
3630   keywords =     "Interfaces",
3631   keywords =     "Thermal stability",
3632   keywords =     "Molecular dynamics",
3633   notes =        "tersoff sic/si interface study",
3634 }
3635
3636 @Article{cicero02,
3637   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
3638                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
3639   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
3640                  Catellani",
3641   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3642   volume =       "89",
3643   number =       "15",
3644   pages =        "156101",
3645   numpages =     "4",
3646   year =         "2002",
3647   month =        sep,
3648   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
3649   publisher =    "American Physical Society",
3650   notes =        "sic/si interface study",
3651 }
3652
3653 @Article{pizzagalli03,
3654   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
3655                  interface: Si{C}/Si(001)",
3656   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
3657                  Catellani",
3658   journal =      "Phys. Rev. B",
3659   volume =       "68",
3660   number =       "19",
3661   pages =        "195302",
3662   numpages =     "10",
3663   year =         "2003",
3664   month =        nov,
3665   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
3666   publisher =    "American Physical Society",
3667   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
3668 }
3669
3670 @Article{tang07,
3671   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
3672                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
3673                  electron microscopy",
3674   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
3675                  H. Zheng and J. W. Liang",
3676   journal =      "Phys. Rev. B",
3677   volume =       "75",
3678   number =       "18",
3679   pages =        "184103",
3680   numpages =     "7",
3681   year =         "2007",
3682   month =        may,
3683   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
3684   publisher =    "American Physical Society",
3685   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
3686                  si and c",
3687 }
3688
3689 @Article{hornstra58,
3690   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
3691   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
3692   volume =       "5",
3693   number =       "1-2",
3694   pages =        "129--141",
3695   year =         "1958",
3696   note =         "",
3697   ISSN =         "0022-3697",
3698   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
3699   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
3700   author =       "J. Hornstra",
3701   notes =        "dislocations in diamond lattice",
3702 }
3703
3704 @Article{deguchi92,
3705   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
3706                  Ion `Hot' Implantation",
3707   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
3708                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
3709   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3710   volume =       "31",
3711   number =       "Part 1, No. 2A",
3712   pages =        "343--347",
3713   numpages =     "4",
3714   year =         "1992",
3715   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
3716   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
3717   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3718   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
3719                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
3720 }
3721
3722 @Article{eichhorn99,
3723   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
3724                  K{\"{o}}gler",
3725   collaboration = "",
3726   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
3727                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
3728                  synchrotron x-ray diffraction",
3729   publisher =    "AIP",
3730   year =         "1999",
3731   journal =      "J. Appl. Phys.",
3732   volume =       "86",
3733   number =       "8",
3734   pages =        "4184--4187",
3735   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
3736                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
3737                  precipitation; semiconductor doping",
3738   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
3739   doi =          "10.1063/1.371344",
3740   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
3741                  expansion of si lattice",
3742 }
3743
3744 @Article{eichhorn02,
3745   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
3746                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
3747   collaboration = "",
3748   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
3749                  carbon ion implantation",
3750   publisher =    "AIP",
3751   year =         "2002",
3752   journal =      "J. Appl. Phys.",
3753   volume =       "91",
3754   number =       "3",
3755   pages =        "1287--1292",
3756   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
3757                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
3758                  electron microscopy",
3759   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
3760   doi =          "10.1063/1.1428105",
3761   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
3762                  temperature, might explain c into c sub trafo",
3763 }
3764
3765 @Article{lucas10,
3766   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
3767   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
3768                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
3769                  high-pressure phases, point and extended defects, and
3770                  amorphous structures",
3771   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3772   volume =       "22",
3773   number =       "3",
3774   pages =        "035802",
3775   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
3776   year =         "2010",
3777   notes =        "edip sic",
3778 }
3779
3780 @Article{godet03,
3781   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
3782                  Beauchamp",
3783   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
3784                  methods for silicon under large shear",
3785   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3786   volume =       "15",
3787   number =       "41",
3788   pages =        "6943",
3789   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
3790   year =         "2003",
3791   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
3792                  edip, tersoff, ab initio",
3793 }
3794
3795 @Article{moriguchi98,
3796   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
3797                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
3798   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
3799   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3800   volume =       "37",
3801   number =       "Part 1, No. 2",
3802   pages =        "414--422",
3803   numpages =     "8",
3804   year =         "1998",
3805   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
3806   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
3807   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3808   notes =        "tersoff stringent test",
3809 }
3810
3811 @Article{mazzarolo01,
3812   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
3813                  simulations",
3814   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
3815                  Lulli and Eros Albertazzi",
3816   journal =      "Phys. Rev. B",
3817   volume =       "63",
3818   number =       "19",
3819   pages =        "195207",
3820   numpages =     "4",
3821   year =         "2001",
3822   month =        apr,
3823   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
3824   publisher =    "American Physical Society",
3825 }
3826
3827 @Article{holmstroem08,
3828   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
3829                  density functional theory molecular dynamics
3830                  simulations",
3831   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
3832   journal =      "Phys. Rev. B",
3833   volume =       "78",
3834   number =       "4",
3835   pages =        "045202",
3836   numpages =     "6",
3837   year =         "2008",
3838   month =        jul,
3839   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
3840   publisher =    "American Physical Society",
3841   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
3842                  initio",
3843 }
3844
3845 @Article{nordlund97,
3846   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
3847                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
3848   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3849   volume =       "132",
3850   number =       "1",
3851   pages =        "45--54",
3852   year =         "1997",
3853   note =         "",
3854   ISSN =         "0168-583X",
3855   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
3856   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
3857   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
3858   notes =        "repulsive ab initio potential",
3859 }
3860
3861 @Article{kresse96,
3862   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
3863                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
3864                  set",
3865   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3866   volume =       "6",
3867   number =       "1",
3868   pages =        "15--50",
3869   year =         "1996",
3870   note =         "",
3871   ISSN =         "0927-0256",
3872   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
3873   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
3874   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
3875   notes =        "vasp ref",
3876 }
3877
3878 @Article{bloechl94,
3879   title =        "Projector augmented-wave method",
3880   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
3881   journal =      "Phys. Rev. B",
3882   volume =       "50",
3883   number =       "24",
3884   pages =        "17953--17979",
3885   numpages =     "26",
3886   year =         "1994",
3887   month =        dec,
3888   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
3889   publisher =    "American Physical Society",
3890   notes =        "paw method",
3891 }
3892
3893 @InCollection{cohen70,
3894   title =        "The Fitting of Pseudopotentials to Experimental Data
3895                  and Their Subsequent Application",
3896   editor =       "Frederick Seitz Henry Ehrenreich and David Turnbull",
3897   booktitle =    "",
3898   publisher =    "Academic Press",
3899   year =         "1970",
3900   volume =       "24",
3901   pages =        "37--248",
3902   series =       "Solid State Physics",
3903   ISSN =         "0081-1947",
3904   doi =          "DOI: 10.1016/S0081-1947(08)60070-3",
3905   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B8GXT-4S9NXKG-9/2/ba01db77c8b19c2bab01506d4ea571b3",
3906   author =       "Marvin L. Cohen and Volker Heine",
3907 }
3908
3909 @Article{hamann79,
3910   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
3911   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
3912   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3913   volume =       "43",
3914   number =       "20",
3915   pages =        "1494--1497",
3916   numpages =     "3",
3917   year =         "1979",
3918   month =        nov,
3919   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
3920   publisher =    "American Physical Society",
3921   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
3922 }
3923
3924 @Article{troullier91,
3925   title =        "Efficient pseudopotentials for plane-wave
3926                  calculations",
3927   author =       "N. Troullier and Jos\'e Luriaas Martins",
3928   journal =      "Phys. Rev. B",
3929   volume =       "43",
3930   number =       "3",
3931   pages =        "1993--2006",
3932   numpages =     "13",
3933   year =         "1991",
3934   month =        jan,
3935   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.1993",
3936   publisher =    "American Physical Society",
3937 }
3938
3939 @Article{vanderbilt90,
3940   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
3941                  eigenvalue formalism",
3942   author =       "David Vanderbilt",
3943   journal =      "Phys. Rev. B",
3944   volume =       "41",
3945   number =       "11",
3946   pages =        "7892--7895",
3947   numpages =     "3",
3948   year =         "1990",
3949   month =        apr,
3950   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
3951   publisher =    "American Physical Society",
3952   notes =        "vasp pseudopotentials",
3953 }
3954
3955 @Article{ceperley80,
3956   title =        "Ground State of the Electron Gas by a Stochastic
3957                  Method",
3958   author =       "D. M. Ceperley and B. J. Alder",
3959   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3960   volume =       "45",
3961   number =       "7",
3962   pages =        "566--569",
3963   numpages =     "3",
3964   year =         "1980",
3965   month =        aug,
3966   doi =          "10.1103/PhysRevLett.45.566",
3967   publisher =    "American Physical Society",
3968 }
3969
3970 @Article{perdew81,
3971   title =        "Self-interaction correction to density-functional
3972                  approximations for many-electron systems",
3973   author =       "J. P. Perdew and Alex Zunger",
3974   journal =      "Phys. Rev. B",
3975   volume =       "23",
3976   number =       "10",
3977   pages =        "5048--5079",
3978   numpages =     "31",
3979   year =         "1981",
3980   month =        may,
3981   doi =          "10.1103/PhysRevB.23.5048",
3982   publisher =    "American Physical Society",
3983 }
3984
3985 @Article{perdew86,
3986   title =        "Accurate and simple density functional for the
3987                  electronic exchange energy: Generalized gradient
3988                  approximation",
3989   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
3990   journal =      "Phys. Rev. B",
3991   volume =       "33",
3992   number =       "12",
3993   pages =        "8800--8802",
3994   numpages =     "2",
3995   year =         "1986",
3996   month =        jun,
3997   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
3998   publisher =    "American Physical Society",
3999   notes =        "rapid communication gga",
4000 }
4001
4002 @Article{perdew02,
4003   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
4004                  correlation: {A} look backward and forward",
4005   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
4006   volume =       "172",
4007   number =       "1-2",
4008   pages =        "1--6",
4009   year =         "1991",
4010   note =         "",
4011   ISSN =         "0921-4526",
4012   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
4013   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
4014   author =       "John P. Perdew",
4015   notes =        "gga overview",
4016 }
4017
4018 @Article{perdew92,
4019   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
4020                  of the generalized gradient approximation for exchange
4021                  and correlation",
4022   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
4023                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
4024                  and Carlos Fiolhais",
4025   journal =      "Phys. Rev. B",
4026   volume =       "46",
4027   number =       "11",
4028   pages =        "6671--6687",
4029   numpages =     "16",
4030   year =         "1992",
4031   month =        sep,
4032   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
4033   publisher =    "American Physical Society",
4034   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
4035 }
4036
4037 @Article{chadi73,
4038   title =        "Special Points in the Brillouin Zone",
4039   author =       "D. J. Chadi and Marvin L. Cohen",
4040   journal =      "Phys. Rev. B",
4041   volume =       "8",
4042   number =       "12",
4043   pages =        "5747--5753",
4044   numpages =     "6",
4045   year =         "1973",
4046   month =        dec,
4047   doi =          "10.1103/PhysRevB.8.5747",
4048   publisher =    "American Physical Society",
4049 }
4050
4051 @Article{baldereschi73,
4052   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
4053   author =       "A. Baldereschi",
4054   journal =      "Phys. Rev. B",
4055   volume =       "7",
4056   number =       "12",
4057   pages =        "5212--5215",
4058   numpages =     "3",
4059   year =         "1973",
4060   month =        jun,
4061   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
4062   publisher =    "American Physical Society",
4063   notes =        "mean value k point",
4064 }
4065
4066 @Article{monkhorst76,
4067   title =        "Special points for Brillouin-zone integrations",
4068   author =       "Hendrik J. Monkhorst and James D. Pack",
4069   journal =      "Phys. Rev. B",
4070   volume =       "13",
4071   number =       "12",
4072   pages =        "5188--5192",
4073   numpages =     "4",
4074   year =         "1976",
4075   month =        jun,
4076   doi =          "10.1103/PhysRevB.13.5188",
4077   publisher =    "American Physical Society",
4078 }
4079
4080 @Article{zhu98,
4081   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
4082                  diffusion in Si",
4083   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
4084   volume =       "12",
4085   number =       "4",
4086   pages =        "309--318",
4087   year =         "1998",
4088   note =         "",
4089   ISSN =         "0927-0256",
4090   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
4091   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
4092   author =       "Jing Zhu",
4093   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
4094   keywords =     "Boron dopant",
4095   keywords =     "Carbon dopant",
4096   keywords =     "Defect",
4097   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
4098   keywords =     "Impurity cluster",
4099   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
4100 }
4101
4102 @Article{nejim95,
4103   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
4104   collaboration = "",
4105   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
4106                  950 [degree]{C}",
4107   publisher =    "AIP",
4108   year =         "1995",
4109   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4110   volume =       "66",
4111   number =       "20",
4112   pages =        "2646--2648",
4113   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
4114                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
4115                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
4116                  ELECTRON MICROSCOPY",
4117   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
4118   doi =          "10.1063/1.113112",
4119   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
4120                  self interstitials react with further implanted c",
4121 }
4122
4123 @Article{guedj98,
4124   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
4125                  Kolodzey and A. Hairie",
4126   collaboration = "",
4127   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
4128                  alloys",
4129   publisher =    "AIP",
4130   year =         "1998",
4131   journal =      "J. Appl. Phys.",
4132   volume =       "84",
4133   number =       "8",
4134   pages =        "4631--4633",
4135   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
4136                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
4137                  Fourier transform spectra; thermal stability;
4138                  annealing",
4139   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
4140   doi =          "10.1063/1.368703",
4141   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
4142 }
4143
4144 @Article{jones04,
4145   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
4146   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
4147                  semiconductors",
4148   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
4149   volume =       "16",
4150   number =       "27",
4151   pages =        "S2643",
4152   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
4153   year =         "2004",
4154   notes =        "ab inito dft intro, vibrational modes, c defect in
4155                  si",
4156 }
4157
4158 @Article{park02,
4159   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
4160                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
4161                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
4162   collaboration = "",
4163   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
4164                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
4165                  molecular-beam epitaxy",
4166   publisher =    "AIP",
4167   year =         "2002",
4168   journal =      "J. Appl. Phys.",
4169   volume =       "91",
4170   number =       "9",
4171   pages =        "5716--5727",
4172   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
4173   doi =          "10.1063/1.1465122",
4174   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
4175 }
4176
4177 @Article{leary97,
4178   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
4179                  carbon-carbon pair defects in silicon",
4180   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
4181                  Torres",
4182   journal =      "Phys. Rev. B",
4183   volume =       "55",
4184   number =       "4",
4185   pages =        "2188--2194",
4186   numpages =     "6",
4187   year =         "1997",
4188   month =        jan,
4189   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
4190   publisher =    "American Physical Society",
4191   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
4192                  energies, different migration barriers and paths",
4193 }
4194
4195 @Article{burnard93,
4196   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
4197                  silicon: Semiempirical electronic-structure
4198                  calculations",
4199   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
4200   journal =      "Phys. Rev. B",
4201   volume =       "47",
4202   number =       "16",
4203   pages =        "10217--10225",
4204   numpages =     "8",
4205   year =         "1993",
4206   month =        apr,
4207   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
4208   publisher =    "American Physical Society",
4209   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
4210                  carbon defect, formation energies",
4211 }
4212
4213 @Article{besson91,
4214   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
4215                  silicon",
4216   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
4217   journal =      "Phys. Rev. B",
4218   volume =       "43",
4219   number =       "5",
4220   pages =        "4028--4033",
4221   numpages =     "5",
4222   year =         "1991",
4223   month =        feb,
4224   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
4225   publisher =    "American Physical Society",
4226 }
4227
4228 @Article{kaxiras96,
4229   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
4230                  and growth on semiconductors",
4231   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
4232   volume =       "6",
4233   number =       "2",
4234   pages =        "158--172",
4235   year =         "1996",
4236   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
4237                  Epitaxy",
4238   ISSN =         "0927-0256",
4239   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
4240   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
4241   author =       "Efthimios Kaxiras",
4242   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
4243                  tight binding, first principles",
4244 }
4245
4246 @Article{kaukonen98,
4247   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
4248                  diamond
4249                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
4250                  surfaces",
4251   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
4252                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
4253                  Th. Frauenheim",
4254   journal =      "Phys. Rev. B",
4255   volume =       "57",
4256   number =       "16",
4257   pages =        "9965--9970",
4258   numpages =     "5",
4259   year =         "1998",
4260   month =        apr,
4261   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
4262   publisher =    "American Physical Society",
4263   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
4264                  (crt)",
4265 }
4266
4267 @Article{gali03,
4268   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
4269                  center in Si{C}",
4270   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
4271                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
4272                  W. J. Choyke",
4273   journal =      "Phys. Rev. B",
4274   volume =       "67",
4275   number =       "15",
4276   pages =        "155203",
4277   numpages =     "5",
4278   year =         "2003",
4279   month =        apr,
4280   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
4281   publisher =    "American Physical Society",
4282 }
4283
4284 @Article{chen98,
4285   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
4286                  irradiation and deformation",
4287   journal =      "J. Nucl. Mater.",
4288   volume =       "258-263",
4289   number =       "Part 2",
4290   pages =        "1803--1808",
4291   year =         "1998",
4292   note =         "",
4293   ISSN =         "0022-3115",
4294   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
4295   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
4296   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
4297 }
4298
4299 @Article{weber01,
4300   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
4301                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
4302   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
4303   volume =       "175-177",
4304   number =       "",
4305   pages =        "26--30",
4306   year =         "2001",
4307   note =         "",
4308   ISSN =         "0168-583X",
4309   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
4310   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
4311   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
4312 }
4313
4314 @Article{bockstedte03,
4315   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
4316                  in $3{C}-Si{C}$",
4317   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
4318                  Pankratov",
4319   journal =      "Phys. Rev. B",
4320   volume =       "68",
4321   number =       "20",
4322   pages =        "205201",
4323   numpages =     "17",
4324   year =         "2003",
4325   month =        nov,
4326   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
4327   publisher =    "American Physical Society",
4328   notes =        "defect migration in sic",
4329 }
4330
4331 @Article{rauls03a,
4332   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
4333                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
4334   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
4335                  De\'ak",
4336   journal =      "Phys. Rev. B",
4337   volume =       "68",
4338   number =       "15",
4339   pages =        "155208",
4340   numpages =     "9",
4341   year =         "2003",
4342   month =        oct,
4343   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
4344   publisher =    "American Physical Society",
4345 }
4346
4347 @Article{losev27,
4348   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
4349   volume =       "44",
4350   pages =        "485--494",
4351   year =         "1927",
4352   author =       "O. V. Lossev",
4353 }
4354
4355 @Article{losev28,
4356   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
4357                  oscillations with crystals",
4358   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
4359   volume =       "6",
4360   number =       "39",
4361   pages =        "1024--1044",
4362   year =         "1928",
4363   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
4364   author =       "O. V. Lossev",
4365 }
4366
4367 @Article{losev29,
4368   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4369   volume =       "30",
4370   pages =        "920--923",
4371   year =         "1929",
4372   author =       "O. V. Lossev",
4373 }
4374
4375 @Article{losev31,
4376   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4377   volume =       "32",
4378   pages =        "692--696",
4379   year =         "1931",
4380   author =       "O. V. Lossev",
4381 }
4382
4383 @Article{losev33,
4384   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4385   volume =       "34",
4386   pages =        "397--403",
4387   year =         "1933",
4388   author =       "O. V. Lossev",
4389 }
4390
4391 @Article{round07,
4392   title =        "A note on carborundum",
4393   journal =      "Electrical World",
4394   volume =       "49",
4395   pages =        "308",
4396   year =         "1907",
4397   author =       "H. J. Round",
4398 }
4399
4400 @Article{vashishath08,
4401   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
4402   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
4403   volume =       "2",
4404   number =       "03",
4405   pages =        "444--470",
4406   year =         "2008",
4407   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
4408   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
4409   notes =        "sic polytype electronic properties",
4410 }
4411
4412 @Article{nelson69,
4413   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
4414   collaboration = "",
4415   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
4416   publisher =    "AIP",
4417   year =         "1966",
4418   journal =      "Journal of Applied Physics",
4419   volume =       "37",
4420   number =       "1",
4421   pages =        "333--336",
4422   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
4423   doi =          "10.1063/1.1707837",
4424   notes =        "sic melt growth",
4425 }
4426
4427 @Article{arkel25,
4428   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
4429   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
4430                  und Thoriummetall",
4431   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
4432   year =         "1925",
4433   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4434   volume =       "148",
4435   pages =        "345--350",
4436   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
4437   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
4438   notes =        "van arkel apparatus",
4439 }
4440
4441 @Article{moers31,
4442   author =       "K. Moers",
4443   year =         "1931",
4444   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4445   volume =       "198",
4446   pages =        "293",
4447   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4448                  process",
4449 }
4450
4451 @Article{kendall53,
4452   author =       "J. T. Kendall",
4453   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
4454   publisher =    "AIP",
4455   year =         "1953",
4456   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
4457   volume =       "21",
4458   number =       "5",
4459   pages =        "821--827",
4460   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
4461   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4462                  process",
4463 }
4464
4465 @Article{lely55,
4466   author =       "J. A. Lely",
4467   year =         "1955",
4468   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
4469   volume =       "32",
4470   pages =        "229",
4471   notes =        "lely sublimation growth process",
4472 }
4473
4474 @Article{knippenberg63,
4475   author =       "W. F. Knippenberg",
4476   year =         "1963",
4477   journal =      "Philips Res. Repts.",
4478   volume =       "18",
4479   pages =        "161",
4480   notes =        "acheson process",
4481 }
4482
4483 @Article{hoffmann82,
4484   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
4485                  Weyrich",
4486   collaboration = "",
4487   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
4488                  improved external quantum efficiency",
4489   publisher =    "AIP",
4490   year =         "1982",
4491   journal =      "Journal of Applied Physics",
4492   volume =       "53",
4493   number =       "10",
4494   pages =        "6962--6967",
4495   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
4496                  efficiency; visible radiation; experimental data;
4497                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
4498                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
4499                  electroluminescence; spectra; current density;
4500                  optimization",
4501   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
4502   doi =          "10.1063/1.330041",
4503   notes =        "blue led, sublimation process",
4504 }
4505
4506 @Article{neudeck95,
4507   author =       "Philip Neudeck",
4508   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
4509                  Road 44135 Cleveland OH",
4510   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
4511                  technology",
4512   journal =      "Journal of Electronic Materials",
4513   publisher =    "Springer Boston",
4514   ISSN =         "0361-5235",
4515   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
4516   pages =        "283--288",
4517   volume =       "24",
4518   issue =        "4",
4519   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
4520   note =         "10.1007/BF02659688",
4521   year =         "1995",
4522   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
4523 }
4524
4525 @Article{bhatnagar93,
4526   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
4527   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4528   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
4529                  devices",
4530   year =         "1993",
4531   month =        mar,
4532   volume =       "40",
4533   number =       "3",
4534   pages =        "645--655",
4535   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
4536                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
4537                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
4538                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
4539                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
4540                  solids;insulated gate field effect transistors;power
4541                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
4542                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
4543   doi =          "10.1109/16.199372",
4544   ISSN =         "0018-9383",
4545   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
4546 }
4547
4548 @Article{neudeck94,
4549   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
4550                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
4551   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4552   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
4553                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
4554                  6{H}-Si{C} substrates",
4555   year =         "1994",
4556   month =        may,
4557   volume =       "41",
4558   number =       "5",
4559   pages =        "826--835",
4560   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
4561                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
4562                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
4563                  properties;epitaxial layers;light
4564                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
4565                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
4566                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
4567                  currents;power electronics;semiconductor
4568                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
4569                  growth;semiconductor materials;silicon
4570                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
4571                  phase epitaxial growth;",
4572   doi =          "10.1109/16.285038",
4573   ISSN =         "0018-9383",
4574   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
4575                  substrate",
4576 }
4577
4578 @Article{schulze98,
4579   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
4580   collaboration = "",
4581   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
4582                  single crystals by physical vapor transport",
4583   publisher =    "AIP",
4584   year =         "1998",
4585   journal =      "Applied Physics Letters",
4586   volume =       "72",
4587   number =       "13",
4588   pages =        "1632--1634",
4589   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
4590                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
4591                  photoluminescence; Hall mobility",
4592   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
4593   doi =          "10.1063/1.121136",
4594   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
4595 }
4596
4597 @Article{pirouz87,
4598   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
4599   collaboration = "",
4600   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
4601   publisher =    "AIP",
4602   year =         "1987",
4603   journal =      "Applied Physics Letters",
4604   volume =       "50",
4605   number =       "4",
4606   pages =        "221--223",
4607   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
4608                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
4609                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
4610                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
4611                  BOUNDARIES",
4612   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
4613   doi =          "10.1063/1.97667",
4614   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
4615 }
4616
4617 @Article{shibahara86,
4618   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
4619                  Si(100) by chemical vapor deposition",
4620   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4621   volume =       "78",
4622   number =       "3",
4623   pages =        "538--544",
4624   year =         "1986",
4625   note =         "",
4626   ISSN =         "0022-0248",
4627   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
4628   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
4629   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
4630                  Matsunami",
4631   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
4632 }
4633
4634 @Article{desjardins96,
4635   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
4636   collaboration = "",
4637   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
4638   publisher =    "AIP",
4639   year =         "1996",
4640   journal =      "Journal of Applied Physics",
4641   volume =       "79",
4642   number =       "3",
4643   pages =        "1423--1434",
4644   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
4645                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
4646   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
4647   doi =          "10.1063/1.360980",
4648   notes =        "apb model",
4649 }
4650
4651 @Article{henke95,
4652   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
4653   collaboration = "",
4654   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
4655                  carbonization of silicon",
4656   publisher =    "AIP",
4657   year =         "1995",
4658   journal =      "Journal of Applied Physics",
4659   volume =       "78",
4660   number =       "3",
4661   pages =        "2070--2073",
4662   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
4663                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
4664                  STRUCTURE",
4665   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
4666   doi =          "10.1063/1.360184",
4667   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
4668 }
4669
4670 @Article{fuyuki89,
4671   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
4672                  {MBE} using surface superstructure",
4673   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4674   volume =       "95",
4675   number =       "1-4",
4676   pages =        "461--463",
4677   year =         "1989",
4678   note =         "",
4679   ISSN =         "0022-0248",
4680   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
4681   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
4682   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
4683                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
4684   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4685 }
4686
4687 @Article{yoshinobu92,
4688   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
4689                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4690   collaboration = "",
4691   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
4692                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
4693                  molecular beam epitaxy",
4694   publisher =    "AIP",
4695   year =         "1992",
4696   journal =      "Applied Physics Letters",
4697   volume =       "60",
4698   number =       "7",
4699   pages =        "824--826",
4700   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
4701                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
4702                  INTERFACE STRUCTURE",
4703   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
4704   doi =          "10.1063/1.107430",
4705   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4706 }
4707
4708 @Article{yoshinobu90,
4709   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
4710                  cubic Si{C}",
4711   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4712   volume =       "99",
4713   number =       "1-4",
4714   pages =        "520--524",
4715   year =         "1990",
4716   note =         "",
4717   ISSN =         "0022-0248",
4718   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
4719   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
4720   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
4721                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4722   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
4723 }
4724
4725 @Article{fuyuki93,
4726   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
4727                  superstructures in Si{C}",
4728   journal =      "Thin Solid Films",
4729   volume =       "225",
4730   number =       "1-2",
4731   pages =        "225--229",
4732   year =         "1993",
4733   note =         "",
4734   ISSN =         "0040-6090",
4735   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
4736   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
4737   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
4738                  Matsunami",
4739   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4740                  epitaxy, ale",
4741 }
4742
4743 @Article{hara93,
4744   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
4745                  growth of [beta]-Si{C}",
4746   journal =      "Thin Solid Films",
4747   volume =       "225",
4748   number =       "1-2",
4749   pages =        "240--243",
4750   year =         "1993",
4751   note =         "",
4752   ISSN =         "0040-6090",
4753   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
4754   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
4755   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
4756                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
4757   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4758                  epitaxy, ale",
4759 }
4760
4761 @Article{tanaka94,
4762   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
4763   collaboration = "",
4764   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
4765                  growth mode and polytype formation during gas-source
4766                  molecular beam epitaxy",
4767   publisher =    "AIP",
4768   year =         "1994",
4769   journal =      "Applied Physics Letters",
4770   volume =       "65",
4771   number =       "22",
4772   pages =        "2851--2853",
4773   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
4774                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
4775                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
4776                  FLOW; FLOW RATE",
4777   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
4778   doi =          "10.1063/1.112513",
4779   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
4780 }
4781
4782 @Article{fuyuki97,
4783   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
4784   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
4785                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
4786   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
4787   year =         "1997",
4788   journal =      "physica status solidi (b)",
4789   volume =       "202",
4790   pages =        "359--378",
4791   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
4792                  temperatures 750",
4793 }
4794
4795 @Article{takaoka98,
4796   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
4797   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4798   volume =       "183",
4799   number =       "1-2",
4800   pages =        "175--182",
4801   year =         "1998",
4802   note =         "",
4803   ISSN =         "0022-0248",
4804   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
4805   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
4806   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
4807   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
4808   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
4809   keywords =     "Silicon carbide",
4810   keywords =     "Silicon",
4811   keywords =     "Island growth",
4812   notes =        "lower temperature, 550-700",
4813 }
4814
4815 @Article{hatayama95,
4816   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
4817                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
4818                  molecular beam epitaxy",
4819   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4820   volume =       "150",
4821   number =       "Part 2",
4822   pages =        "934--938",
4823   year =         "1995",
4824   note =         "",
4825   ISSN =         "0022-0248",
4826   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
4827   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
4828   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
4829                  and Hiroyuki Matsunami",
4830 }
4831
4832 @Article{heine91,
4833   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
4834   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
4835                  Metastable Cubic Form",
4836   journal =      "Journal of the American Ceramic Society",
4837   volume =       "74",
4838   number =       "10",
4839   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
4840   ISSN =         "1551-2916",
4841   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4842   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4843   pages =        "2630--2633",
4844   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
4845                  calculations, stability",
4846   year =         "1991",
4847   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
4848                  polytype dft calculation refs",
4849 }
4850
4851 @Article{allendorf91,
4852   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
4853                  [beta]-silicon carbide",
4854   journal =      "Surface Science",
4855   volume =       "258",
4856   number =       "1-3",
4857   pages =        "177--189",
4858   year =         "1991",
4859   note =         "",
4860   ISSN =         "0039-6028",
4861   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
4862   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
4863   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
4864   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
4865 }
4866
4867 @Article{eaglesham93,
4868   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
4869                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
4870   collaboration = "",
4871   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
4872   publisher =    "AIP",
4873   year =         "1993",
4874   journal =      "Journal of Applied Physics",
4875   volume =       "74",
4876   number =       "11",
4877   pages =        "6615--6618",
4878   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
4879                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
4880                  DIFFUSION; ADSORPTION",
4881   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
4882   doi =          "10.1063/1.355101",
4883   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
4884                  mobility",
4885 }
4886
4887 @Article{newman85,
4888   author =       "Ronald C. Newman",
4889   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
4890   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4891   volume =       "59",
4892   number =       "",
4893   pages =        "403",
4894   year =         "1985",
4895   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
4896   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
4897   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
4898 }
4899
4900 @Article{newman61,
4901   title =        "The diffusivity of carbon in silicon",
4902   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
4903   volume =       "19",
4904   number =       "3-4",
4905   pages =        "230--234",
4906   year =         "1961",
4907   note =         "",
4908   ISSN =         "0022-3697",
4909   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(61)90032-4",
4910   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46M72R1-4D/2/9235472e4c0a95bf7b995769474f5fbd",
4911   author =       "R. C. Newman and J. Wakefield",
4912   notes =        "diffusivity of substitutional c in si",
4913 }
4914
4915 @Article{goesele85,
4916   author =       "U. Gösele",
4917   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
4918   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4919   volume =       "59",
4920   number =       "",
4921   pages =        "419",
4922   year =         "1985",
4923   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
4924   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
4925   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
4926 }
4927
4928 @Article{mukashev82,
4929   title =        "Defects in Carbon-Implanted Silicon",
4930   author =       "Bulat N. Mukashev and Alexey V. Spitsyn and Noboru
4931                  Fukuoka and Haruo Saito",
4932   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
4933   volume =       "21",
4934   number =       "Part 1, No. 2",
4935   pages =        "399--400",
4936   numpages =     "1",
4937   year =         "1982",
4938   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/21/399/",
4939   doi =          "10.1143/JJAP.21.399",
4940   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
4941 }
4942
4943 @Article{puska98,
4944   title =        "Convergence of supercell calculations for point
4945                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
4946   author =       "M. J. Puska and S. P{\"o}ykk{\"o} and M. Pesola and R.
4947                  M. Nieminen",
4948   journal =      "Phys. Rev. B",
4949   volume =       "58",
4950   number =       "3",
4951   pages =        "1318--1325",
4952   numpages =     "7",
4953   year =         "1998",
4954   month =        jul,
4955   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.1318",
4956   publisher =    "American Physical Society",
4957   notes =        "convergence k point supercell size, vacancy in
4958                  silicon",
4959 }
4960
4961 @Article{serre95,
4962   author =       "C. Serre and A. P\'{e}rez-Rodr\'{\i}guez and A.
4963                  Romano-Rodr\'{\i}guez and J. R. Morante and R.
4964                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
4965   collaboration = "",
4966   title =        "Spectroscopic characterization of phases formed by
4967                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
4968   publisher =    "AIP",
4969   year =         "1995",
4970   journal =      "Journal of Applied Physics",
4971   volume =       "77",
4972   number =       "7",
4973   pages =        "2978--2984",
4974   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; PHASE STUDIES; CARBON IONS;
4975                  FOURIER TRANSFORM SPECTROSCOPY; RAMAN SPECTRA;
4976                  PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; TEM; TEMPERATURE
4977                  DEPENDENCE; PRECIPITATES; ANNEALING",
4978   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
4979   doi =          "10.1063/1.358714",
4980 }
4981
4982 @Article{romano-rodriguez96,
4983   title =        "Detailed analysis of [beta]-Si{C} formation by high
4984                  dose carbon ion implantation in silicon",
4985   journal =      "Materials Science and Engineering B",
4986   volume =       "36",
4987   number =       "1-3",
4988   pages =        "282--285",
4989   year =         "1996",
4990   note =         "European Materials Research Society 1995 Spring
4991                  Meeting, Symposium N: Carbon, Hydrogen, Nitrogen, and
4992                  Oxygen in Silicon and in Other Elemental
4993                  Semiconductors",
4994   ISSN =         "0921-5107",
4995   doi =          "DOI: 10.1016/0921-5107(95)01283-4",
4996   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-3VR7691-25/2/995fd57b9e5c1100558f80c472620408",
4997   author =       "A. Romano-Rodriguez and C. Serre and L. Calvo-Barrio
4998                  and A. Pérez-Rodríguez and J. R. Morante and R. Kögler
4999                  and W. Skorupa",
5000   keywords =     "Silicon",
5001   keywords =     "Ion implantation",
5002   notes =        "incoherent 3c-sic precipitate",
5003 }