bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{schroedinger26,
   6   author =       "E. Schrödinger",
   7   title =        "Quantisierung als Eigenwertproblem",
   8   journal =      "Annalen der Physik",
   9   volume =       "384",
  10   number =       "4",
  11   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
  12   ISSN =         "1521-3889",
  13   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19263840404",
  14   doi =          "10.1002/andp.19263840404",
  15   pages =        "361--376",
  16   year =         "1926",
  17 }
  18
  19 @Article{albe_sic_pot,
  20   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
  21   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
  22                  silicon, carbon, and silicon carbide",
  23   publisher =    "APS",
  24   year =         "2005",
  25   journal =      "Phys. Rev. B",
  26   volume =       "71",
  27   number =       "3",
  28   eid =          "035211",
  29   numpages =     "14",
  30   pages =        "035211",
  31   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  32                  potential (ABOP)",
  33   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  34                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  35                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  36                  forces",
  37   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  39 }
  40
  41 @Article{erhart04,
  42   title =        "The role of thermostats in modeling vapor phase
  43                  condensation of silicon nanoparticles",
  44   journal =      "Applied Surface Science",
  45   volume =       "226",
  46   number =       "1-3",
  47   pages =        "12--18",
  48   year =         "2004",
  49   note =         "EMRS 2003 Symposium F, Nanostructures from Clusters",
  50   ISSN =         "0169-4332",
  51   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2003.11.003",
  52   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4B957HV-8/2/b35dbe80a70d173f6f7a00dacbcbd738",
  53   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
  54 }
  55
  56 @Article{albe2002,
  57   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  58                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  59   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  60   journal =      "Phys. Rev. B",
  61   volume =       "65",
  62   number =       "19",
  63   pages =        "195124",
  64   numpages =     "11",
  65   year =         "2002",
  66   month =        may,
  67   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  68   publisher =    "American Physical Society",
  69   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  70 }
  71
  72 @Article{newman65,
  73   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
  74   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  75   volume =       "26",
  76   number =       "2",
  77   pages =        "373--379",
  78   year =         "1965",
  79   note =         "",
  80   ISSN =         "0022-3697",
  81   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
  82   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
  83   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
  84   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
  85 }
  86
  87 @Article{baker68,
  88   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
  89                  Buschert",
  90   collaboration = "",
  91   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
  92   publisher =    "AIP",
  93   year =         "1968",
  94   journal =      "Journal of Applied Physics",
  95   volume =       "39",
  96   number =       "9",
  97   pages =        "4365--4368",
  98   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
  99   doi =          "10.1063/1.1656977",
 100   notes =        "lattice contraction due to subst c",
 101 }
 102
 103 @Article{bean71,
 104   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
 105   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
 106   volume =       "32",
 107   number =       "6",
 108   pages =        "1211--1219",
 109   year =         "1971",
 110   note =         "",
 111   ISSN =         "0022-3697",
 112   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
 113   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
 114   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 115   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
 116 }
 117
 118 @Article{capano97,
 119   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
 120   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
 121   journal =      "MRS Bull.",
 122   volume =       "22",
 123   pages =        "19",
 124   year =         "1997",
 125 }
 126
 127 @Article{fischer90,
 128   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
 129   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
 130                  carbide",
 131   journal =      "Philos. Mag. B",
 132   volume =       "61",
 133   pages =        "217--236",
 134   year =         "1990",
 135   notes =        "sic polytypes",
 136 }
 137
 138 @Article{koegler03,
 139   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
 140                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
 141                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
 142   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
 143                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
 144                  ions",
 145   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
 146   volume =       "76",
 147   pages =        "827--835",
 148   month =        mar,
 149   year =         "2003",
 150   URL =          "http://www.springerlink.com/content/jr8xj33mqc5vpwwj/",
 151   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
 152                  precipitation by interstitial and substitutional
 153                  carbon, both mechanisms explained + refs",
 154 }
 155
 156 @Article{skorupa96,
 157   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
 158                  silicon-related materials",
 159   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
 160   volume =       "44",
 161   number =       "2",
 162   pages =        "101--143",
 163   year =         "1996",
 164   note =         "",
 165   ISSN =         "0254-0584",
 166   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 167   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 168   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 169   notes =        "review of silicon carbon compound",
 170 }
 171
 172 @Book{laplace,
 173   author =       "P. S. de Laplace",
 174   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 175   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 176   volume =       "VII",
 177   publisher =    "Gauthier-Villars",
 178   year =         "1820",
 179 }
 180
 181 @Article{mattoni2007,
 182   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 183   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 184                  materials}",
 185   journal =      "Phys. Rev. B",
 186   year =         "2007",
 187   month =        dec,
 188   volume =       "76",
 189   number =       "22",
 190   pages =        "224103",
 191   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 192   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 193                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 194                  fracture, more available potentials, universal energy
 195                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 196 }
 197
 198 @Article{balamane92,
 199   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 200                  potentials",
 201   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 202   journal =      "Phys. Rev. B",
 203   volume =       "46",
 204   number =       "4",
 205   pages =        "2250--2279",
 206   numpages =     "29",
 207   year =         "1992",
 208   month =        jul,
 209   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 210   publisher =    "American Physical Society",
 211   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 212 }
 213
 214 @Article{koster2002,
 215   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 216                  bombardment",
 217   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 218   journal =      "Phys. Rev. B",
 219   volume =       "62",
 220   number =       "16",
 221   pages =        "11219--11224",
 222   numpages =     "5",
 223   year =         "2000",
 224   month =        oct,
 225   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 226   publisher =    "American Physical Society",
 227   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 228 }
 229
 230 @Article{breadmore99,
 231   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 232                  amorphization of silicon",
 233   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 234   journal =      "Phys. Rev. B",
 235   volume =       "60",
 236   number =       "18",
 237   pages =        "12610--12616",
 238   numpages =     "6",
 239   year =         "1999",
 240   month =        nov,
 241   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 242   publisher =    "American Physical Society",
 243   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 244 }
 245
 246 @Article{nielsen83,
 247   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 248   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 249   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 250   volume =       "50",
 251   number =       "9",
 252   pages =        "697--700",
 253   numpages =     "3",
 254   year =         "1983",
 255   month =        feb,
 256   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 257   publisher =    "American Physical Society",
 258   notes =        "generalization of virial theorem",
 259 }
 260
 261 @Article{nielsen85,
 262   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 263   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 264   journal =      "Phys. Rev. B",
 265   volume =       "32",
 266   number =       "6",
 267   pages =        "3780--3791",
 268   numpages =     "11",
 269   year =         "1985",
 270   month =        sep,
 271   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 272   publisher =    "American Physical Society",
 273   notes =        "dft virial stress and forces",
 274 }
 275
 276 @Article{moissan04,
 277   author =       "Henri Moissan",
 278   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 279                  Diablo",
 280   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 281   volume =       "139",
 282   pages =        "773--786",
 283   year =         "1904",
 284 }
 285
 286 @Book{park98,
 287   author =       "Y. S. Park",
 288   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 289   publisher =    "Academic Press",
 290   address =      "San Diego",
 291   year =         "1998",
 292 }
 293
 294 @Article{tsvetkov98,
 295   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 296                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 297   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 298   journal =      "Materials Science Forum",
 299   volume =       "264-268",
 300   pages =        "3--8",
 301   year =         "1998",
 302   notes =        "modified lely process, micropipes",
 303 }
 304
 305 @Article{verlet67,
 306   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 307                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 308   author =       "Loup Verlet",
 309   journal =      "Phys. Rev.",
 310   volume =       "159",
 311   number =       "1",
 312   pages =        "98",
 313   year =         "1967",
 314   month =        jul,
 315   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 316   publisher =    "American Physical Society",
 317   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 318                  motion",
 319 }
 320
 321 @Article{berendsen84,
 322   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 323                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 324   collaboration = "",
 325   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 326   publisher =    "AIP",
 327   year =         "1984",
 328   journal =      "J. Chem. Phys.",
 329   volume =       "81",
 330   number =       "8",
 331   pages =        "3684--3690",
 332   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 333                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 334   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 335   doi =          "10.1063/1.448118",
 336   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 337 }
 338
 339 @Article{huang95,
 340   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 341                  Baskes",
 342   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 343                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 344                  potentials",
 345   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 346   volume =       "3",
 347   number =       "5",
 348   pages =        "615--627",
 349   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 350   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 351                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 352   year =         "1995",
 353 }
 354
 355 @Article{brenner89,
 356   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 357                  Tersoff potentials",
 358   author =       "Donald W. Brenner",
 359   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 360   volume =       "63",
 361   number =       "9",
 362   pages =        "1022",
 363   numpages =     "1",
 364   year =         "1989",
 365   month =        aug,
 366   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 367   publisher =    "American Physical Society",
 368   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 369 }
 370
 371 @Article{batra87,
 372   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 373                  silicon",
 374   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 375   journal =      "Phys. Rev. B",
 376   volume =       "35",
 377   number =       "18",
 378   pages =        "9552--9558",
 379   numpages =     "6",
 380   year =         "1987",
 381   month =        jun,
 382   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 383   publisher =    "American Physical Society",
 384   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 385                  calculation of defect formation energy, defect
 386                  interstitial types",
 387 }
 388
 389 @Article{schober89,
 390   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 391   author =       "H. R. Schober",
 392   journal =      "Phys. Rev. B",
 393   volume =       "39",
 394   number =       "17",
 395   pages =        "13013--13015",
 396   numpages =     "2",
 397   year =         "1989",
 398   month =        jun,
 399   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 400   publisher =    "American Physical Society",
 401   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 402                  dumbbell configuration",
 403 }
 404
 405 @Article{gao02a,
 406   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 407                  Defect accumulation, topological features, and
 408                  disordering",
 409   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 410   journal =      "Phys. Rev. B",
 411   volume =       "66",
 412   number =       "2",
 413   pages =        "024106",
 414   numpages =     "10",
 415   year =         "2002",
 416   month =        jul,
 417   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 418   publisher =    "American Physical Society",
 419   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 420                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 421                  result analyze",
 422 }
 423
 424 @Article{devanathan98,
 425   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 426                  cascade in Si{C}",
 427   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 428   volume =       "141",
 429   number =       "1-4",
 430   pages =        "118--122",
 431   year =         "1998",
 432   ISSN =         "0168-583X",
 433   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 434   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 435                  Rubia",
 436   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 437                  3c-sic",
 438 }
 439
 440 @Article{devanathan98_2,
 441   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 442   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 443   volume =       "253",
 444   number =       "1-3",
 445   pages =        "47--52",
 446   year =         "1998",
 447   ISSN =         "0022-3115",
 448   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 449   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 450                  Weber",
 451   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 452                  tersoff",
 453 }
 454
 455 @Article{kitabatake00,
 456   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 457   author =       "M. Kitabatake",
 458   journal =      "Thin Solid Films",
 459   volume =       "369",
 460   pages =        "257--264",
 461   numpages =     "8",
 462   year =         "2000",
 463   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 464 }
 465
 466 @Article{tang97,
 467   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 468                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 469                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 470                  formation volumes",
 471   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 472                  Rubia",
 473   journal =      "Phys. Rev. B",
 474   volume =       "55",
 475   number =       "21",
 476   pages =        "14279--14289",
 477   numpages =     "10",
 478   year =         "1997",
 479   month =        jun,
 480   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 481   publisher =    "American Physical Society",
 482   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 483 }
 484
 485 @Article{johnson98,
 486   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 487                  Rubia",
 488   collaboration = "",
 489   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 490                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 491                  presence of carbon and boron",
 492   publisher =    "AIP",
 493   year =         "1998",
 494   journal =      "J. Appl. Phys.",
 495   volume =       "84",
 496   number =       "4",
 497   pages =        "1963--1967",
 498   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 499                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 500                  semiconductors; self-diffusion",
 501   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 502   doi =          "10.1063/1.368328",
 503   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 504                  diffsuion",
 505 }
 506
 507 @Article{bar-yam84,
 508   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 509                  Self-Interstitial",
 510   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 511   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 512   volume =       "52",
 513   number =       "13",
 514   pages =        "1129--1132",
 515   numpages =     "3",
 516   year =         "1984",
 517   month =        mar,
 518   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 519   publisher =    "American Physical Society",
 520   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 521 }
 522
 523 @Article{bar-yam84_2,
 524   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 525                  barriers of silicon self-interstitials",
 526   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 527   journal =      "Phys. Rev. B",
 528   volume =       "30",
 529   number =       "4",
 530   pages =        "1844--1852",
 531   numpages =     "8",
 532   year =         "1984",
 533   month =        aug,
 534   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 535   publisher =    "American Physical Society",
 536 }
 537
 538 @Article{bloechl93,
 539   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 540                  constants in silicon",
 541   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 542                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 543   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 544   volume =       "70",
 545   number =       "16",
 546   pages =        "2435--2438",
 547   numpages =     "3",
 548   year =         "1993",
 549   month =        apr,
 550   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 551   publisher =    "American Physical Society",
 552   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 553                  entropy calculations",
 554 }
 555
 556 @Article{munro99,
 557   title =        "Defect migration in crystalline silicon",
 558   author =       "Lindsey J. Munro and David J. Wales",
 559   journal =      "Phys. Rev. B",
 560   volume =       "59",
 561   number =       "6",
 562   pages =        "3969--3980",
 563   numpages =     "11",
 564   year =         "1999",
 565   month =        feb,
 566   doi =          "10.1103/PhysRevB.59.3969",
 567   publisher =    "American Physical Society",
 568   notes =        "eigenvector following method, vacancy and interstiial
 569                  defect migration mechanisms",
 570 }
 571
 572 @Article{colombo02,
 573   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 574                  silicon",
 575   author =       "L. Colombo",
 576   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 577   volume =       "32",
 578   pages =        "271--295",
 579   numpages =     "25",
 580   year =         "2002",
 581   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 582   publisher =    "Annual Reviews",
 583   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 584 }
 585
 586 @Article{al-mushadani03,
 587   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 588                  silicon",
 589   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 590   journal =      "Phys. Rev. B",
 591   volume =       "68",
 592   number =       "23",
 593   pages =        "235205",
 594   numpages =     "8",
 595   year =         "2003",
 596   month =        dec,
 597   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 598   publisher =    "American Physical Society",
 599   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 600                  silicon, si self interstitials, free energy",
 601 }
 602
 603 @Article{mattsson08,
 604   title =        "Electronic surface error in the Si interstitial
 605                  formation energy",
 606   author =       "Ann E. Mattsson and Ryan R. Wixom and Rickard
 607                  Armiento",
 608   journal =      "Phys. Rev. B",
 609   volume =       "77",
 610   number =       "15",
 611   pages =        "155211",
 612   numpages =     "7",
 613   year =         "2008",
 614   month =        apr,
 615   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.155211",
 616   publisher =    "American Physical Society",
 617   notes =        "si self interstitial formation energies by dft",
 618 }
 619
 620 @Article{goedecker02,
 621   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 622   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 623   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 624   volume =       "88",
 625   number =       "23",
 626   pages =        "235501",
 627   numpages =     "4",
 628   year =         "2002",
 629   month =        may,
 630   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 631   publisher =    "American Physical Society",
 632   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 633                  silicon",
 634 }
 635
 636 @Article{sahli05,
 637   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 638                  self-interstitial diffusion in silicon",
 639   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 640   journal =      "Phys. Rev. B",
 641   volume =       "72",
 642   number =       "24",
 643   pages =        "245210",
 644   numpages =     "6",
 645   year =         "2005",
 646   month =        dec,
 647   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 648   publisher =    "American Physical Society",
 649   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 650                  mapping applied",
 651 }
 652
 653 @Article{hobler05,
 654   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 655                  native point defects in silicon",
 656   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 657   volume =       "124-125",
 658   number =       "",
 659   pages =        "368--371",
 660   year =         "2005",
 661   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 662                  Issues for Future Technologies",
 663   ISSN =         "0921-5107",
 664   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 665   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 666   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 667   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 668                  radius",
 669 }
 670
 671 @Article{ma10,
 672   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 673                  wide temperature range: Point defect states and
 674                  migration mechanisms",
 675   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 676   journal =      "Phys. Rev. B",
 677   volume =       "81",
 678   number =       "19",
 679   pages =        "193203",
 680   numpages =     "4",
 681   year =         "2010",
 682   month =        may,
 683   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 684   publisher =    "American Physical Society",
 685   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 686 }
 687
 688 @Article{posselt06,
 689   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 690                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 691   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 692   journal =      "Phys. Rev. B",
 693   volume =       "73",
 694   number =       "12",
 695   pages =        "125206",
 696   numpages =     "8",
 697   year =         "2006",
 698   month =        mar,
 699   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 700   publisher =    "American Physical Society",
 701 }
 702
 703 @Article{posselt08,
 704   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 705                  migration mechanisms of vacancies and
 706                  self-interstitials: An atomistic study",
 707   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 708   journal =      "Phys. Rev. B",
 709   volume =       "78",
 710   number =       "3",
 711   pages =        "035208",
 712   numpages =     "9",
 713   year =         "2008",
 714   month =        jul,
 715   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 716   publisher =    "American Physical Society",
 717   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 718                  weber and tersoff",
 719 }
 720
 721 @Article{gao2001,
 722   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 723                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 724   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 725                  Corrales",
 726   journal =      "Phys. Rev. B",
 727   volume =       "64",
 728   number =       "24",
 729   pages =        "245208",
 730   numpages =     "7",
 731   year =         "2001",
 732   month =        dec,
 733   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 734   publisher =    "American Physical Society",
 735   notes =        "defects in 3c-sic",
 736 }
 737
 738 @Article{gao02,
 739   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 740                  3{C}-Si{C}",
 741   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 742   volume =       "191",
 743   number =       "1-4",
 744   pages =        "487--496",
 745   year =         "2002",
 746   note =         "",
 747   ISSN =         "0168-583X",
 748   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 749   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 750   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 751   keywords =     "Empirical potential",
 752   keywords =     "Defect properties",
 753   keywords =     "Silicon carbide",
 754   keywords =     "Computer simulation",
 755   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 756 }
 757
 758 @Article{gao04,
 759   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 760                  3{C}-Si{C}",
 761   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 762                  Belko",
 763   journal =      "Phys. Rev. B",
 764   volume =       "69",
 765   number =       "24",
 766   pages =        "245205",
 767   numpages =     "5",
 768   year =         "2004",
 769   month =        jun,
 770   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 771   publisher =    "American Physical Society",
 772   notes =        "defect migration in sic",
 773 }
 774
 775 @Article{gao07,
 776   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 777                  W. J. Weber",
 778   collaboration = "",
 779   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 780                  in cubic silicon carbide",
 781   publisher =    "AIP",
 782   year =         "2007",
 783   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 784   volume =       "90",
 785   number =       "22",
 786   eid =          "221915",
 787   numpages =     "3",
 788   pages =        "221915",
 789   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 790                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 791                  dynamics method; density functional theory;
 792                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 793                  impurities; diffusion",
 794   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 795   doi =          "10.1063/1.2743751",
 796 }
 797
 798 @Article{mattoni2002,
 799   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 800                  crystalline silicon",
 801   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 802   journal =      "Phys. Rev. B",
 803   volume =       "66",
 804   number =       "19",
 805   pages =        "195214",
 806   numpages =     "6",
 807   year =         "2002",
 808   month =        nov,
 809   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 810   publisher =    "American Physical Society",
 811   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 812                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 813                  tersoff suitability",
 814 }
 815
 816 @Article{leung99,
 817   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 818   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 819                  Itoh and S. Ihara",
 820   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 821   volume =       "83",
 822   number =       "12",
 823   pages =        "2351--2354",
 824   numpages =     "3",
 825   year =         "1999",
 826   month =        sep,
 827   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 828   publisher =    "American Physical Society",
 829   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 830                  refs",
 831 }
 832
 833 @Article{capaz94,
 834   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 835                  carbon in silicon",
 836   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 837   journal =      "Phys. Rev. B",
 838   volume =       "50",
 839   number =       "11",
 840   pages =        "7439--7442",
 841   numpages =     "3",
 842   year =         "1994",
 843   month =        sep,
 844   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 845   publisher =    "American Physical Society",
 846   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 847                  dumbbell",
 848 }
 849
 850 @Article{capaz98,
 851   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 852   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 853   journal =      "Phys. Rev. B",
 854   volume =       "58",
 855   number =       "15",
 856   pages =        "9845--9850",
 857   numpages =     "5",
 858   year =         "1998",
 859   month =        oct,
 860   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 861   publisher =    "American Physical Society",
 862   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 863 }
 864
 865 @Article{song90_2,
 866   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 867                  pair in silicon",
 868   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 869                  Watkins",
 870   journal =      "Phys. Rev. B",
 871   volume =       "42",
 872   number =       "9",
 873   pages =        "5765--5783",
 874   numpages =     "18",
 875   year =         "1990",
 876   month =        sep,
 877   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 878   publisher =    "American Physical Society",
 879   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 880 }
 881
 882 @Article{liu02,
 883   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 884                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 885   collaboration = "",
 886   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 887                  interactions in Si",
 888   publisher =    "AIP",
 889   year =         "2002",
 890   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 891   volume =       "80",
 892   number =       "1",
 893   pages =        "52--54",
 894   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 895                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 896                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 897   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 898   doi =          "10.1063/1.1430505",
 899   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 900 }
 901
 902 @Article{dal_pino93,
 903   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 904                  silicon",
 905   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 906                  Joannopoulos",
 907   journal =      "Phys. Rev. B",
 908   volume =       "47",
 909   number =       "19",
 910   pages =        "12554--12557",
 911   numpages =     "3",
 912   year =         "1993",
 913   month =        may,
 914   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 915   publisher =    "American Physical Society",
 916   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 917 }
 918
 919 @Article{car84,
 920   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 921                  Silicon",
 922   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 923                  Sokrates T. Pantelides",
 924   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 925   volume =       "52",
 926   number =       "20",
 927   pages =        "1814--1817",
 928   numpages =     "3",
 929   year =         "1984",
 930   month =        may,
 931   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 932   publisher =    "American Physical Society",
 933   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 934                  path formation",
 935 }
 936
 937 @Article{car85,
 938   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 939                  Density-Functional Theory",
 940   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 941   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 942   volume =       "55",
 943   number =       "22",
 944   pages =        "2471--2474",
 945   numpages =     "3",
 946   year =         "1985",
 947   month =        nov,
 948   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 949   publisher =    "American Physical Society",
 950   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 951 }
 952
 953 @Article{kelires97,
 954   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 955                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 956   author =       "P. C. Kelires",
 957   journal =      "Phys. Rev. B",
 958   volume =       "55",
 959   number =       "14",
 960   pages =        "8784--8787",
 961   numpages =     "3",
 962   year =         "1997",
 963   month =        apr,
 964   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 965   publisher =    "American Physical Society",
 966   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 967                  neighbour dist",
 968 }
 969
 970 @Article{kelires95,
 971   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 972                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 973   author =       "P. C. Kelires",
 974   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 975   volume =       "75",
 976   number =       "6",
 977   pages =        "1114--1117",
 978   numpages =     "3",
 979   year =         "1995",
 980   month =        aug,
 981   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 982   publisher =    "American Physical Society",
 983   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 984 }
 985
 986 @Article{bean70,
 987   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 988                  containing carbon",
 989   journal =      "Solid State Communications",
 990   volume =       "8",
 991   number =       "3",
 992   pages =        "175--177",
 993   year =         "1970",
 994   note =         "",
 995   ISSN =         "0038-1098",
 996   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 997   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 998   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 999 }
1000
1001 @Article{durand99,
1002   author =       "F. Durand and J. Duby",
1003   affiliation =  "EPM-Madylam, CNRS and INP Grenoble, France",
1004   title =        "Carbon solubility in solid and liquid silicon—{A}
1005                  review with reference to eutectic equilibrium",
1006   journal =      "Journal of Phase Equilibria",
1007   publisher =    "Springer New York",
1008   ISSN =         "1054-9714",
1009   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
1010   pages =        "61--63",
1011   volume =       "20",
1012   issue =        "1",
1013   URL =          "http://dx.doi.org/10.1361/105497199770335956",
1014   note =         "10.1361/105497199770335956",
1015   year =         "1999",
1016   notes =        "better c solubility limit in silicon",
1017 }
1018
1019 @Article{watkins76,
1020   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
1021                  Atom in Silicon",
1022   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
1023   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1024   volume =       "36",
1025   number =       "22",
1026   pages =        "1329--1332",
1027   numpages =     "3",
1028   year =         "1976",
1029   month =        may,
1030   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
1031   publisher =    "American Physical Society",
1032   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
1033                  silicon",
1034 }
1035
1036 @Article{song90,
1037   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
1038                  interstitial carbon in silicon",
1039   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
1040   journal =      "Phys. Rev. B",
1041   volume =       "42",
1042   number =       "9",
1043   pages =        "5759--5764",
1044   numpages =     "5",
1045   year =         "1990",
1046   month =        sep,
1047   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
1048   publisher =    "American Physical Society",
1049   notes =        "carbon diffusion in silicon",
1050 }
1051
1052 @Article{tipping87,
1053   author =       "A K Tipping and R C Newman",
1054   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
1055                  silicon",
1056   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
1057   volume =       "2",
1058   number =       "5",
1059   pages =        "315--317",
1060   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
1061   year =         "1987",
1062   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
1063                  silicon",
1064 }
1065
1066 @Article{isomae93,
1067   author =       "Seiichi Isomae and Tsutomu Ishiba and Toshio Ando and
1068                  Masao Tamura",
1069   collaboration = "",
1070   title =        "Annealing behavior of Me{V} implanted carbon in
1071                  silicon",
1072   publisher =    "AIP",
1073   year =         "1993",
1074   journal =      "Journal of Applied Physics",
1075   volume =       "74",
1076   number =       "6",
1077   pages =        "3815--3820",
1078   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; WAFERS; CARBON IONS; MEV
1079                  RANGE 0110; TEM; SIMS; INFRARED SPECTRA; STRAINS; DEPTH
1080                  PROFILES",
1081   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/3815/1",
1082   doi =          "10.1063/1.354474",
1083   notes =        "c at interstitial location for rt implantation in si",
1084 }
1085
1086 @Article{strane96,
1087   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
1088                  ion implantation and solid phase epitaxy",
1089   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
1090                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1091   journal =      "J. Appl. Phys.",
1092   volume =       "79",
1093   pages =        "637",
1094   year =         "1996",
1095   month =        jan,
1096   doi =          "10.1063/1.360806",
1097   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
1098 }
1099
1100 @Article{laveant2002,
1101   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1102   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1103   volume =       "89",
1104   number =       "1-3",
1105   pages =        "241--245",
1106   year =         "2002",
1107   ISSN =         "0921-5107",
1108   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1109   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1110   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1111                  G{\"{o}}sele",
1112   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1113                  stress, avoid sic precipitation",
1114 }
1115
1116 @Article{foell77,
1117   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1118                  agglomeration of self-interstitials",
1119   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1120   volume =       "40",
1121   number =       "1",
1122   pages =        "90--108",
1123   year =         "1977",
1124   note =         "",
1125   ISSN =         "0022-0248",
1126   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1127   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1128   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1129   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1130                  agglomerate",
1131 }
1132
1133 @Article{foell81,
1134   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1135                  defects",
1136   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1137   volume =       "52",
1138   number =       "Part 2",
1139   pages =        "907--916",
1140   year =         "1981",
1141   note =         "",
1142   ISSN =         "0022-0248",
1143   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1144   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1145   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1146   notes =        "swirl review",
1147 }
1148
1149 @Article{werner97,
1150   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1151                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1152   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1153                  silicon by transmission electron microscopy",
1154   publisher =    "AIP",
1155   year =         "1997",
1156   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1157   volume =       "70",
1158   number =       "2",
1159   pages =        "252--254",
1160   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1161                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1162                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1163                  layers; precipitation",
1164   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1165   doi =          "10.1063/1.118381",
1166   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1167                  precipitate",
1168 }
1169
1170 @InProceedings{werner96,
1171   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1172                  Eichler",
1173   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
1174                  International Conference on",
1175   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1176                  implanted silicon",
1177   year =         "1996",
1178   month =        jun,
1179   volume =       "",
1180   number =       "",
1181   pages =        "675--678",
1182   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1183   ISSN =         "",
1184   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1185 }
1186
1187 @Article{werner98,
1188   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1189                  D. C. Jacobson",
1190   collaboration = "",
1191   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1192   publisher =    "AIP",
1193   year =         "1998",
1194   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1195   volume =       "73",
1196   number =       "17",
1197   pages =        "2465--2467",
1198   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1199                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1200                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1201                  impurity distribution",
1202   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1203   doi =          "10.1063/1.122483",
1204   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1205 }
1206
1207 @Article{kalejs84,
1208   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1209   collaboration = "",
1210   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1211                  silicon",
1212   publisher =    "AIP",
1213   year =         "1984",
1214   journal =      "Applied Physics Letters",
1215   volume =       "45",
1216   number =       "3",
1217   pages =        "268--269",
1218   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1219                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1220                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1221   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1222   doi =          "10.1063/1.95167",
1223   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1224 }
1225
1226 @Article{fukami90,
1227   author =       "Akira Fukami and Ken-ichi Shoji and Takahiro Nagano
1228                  and Cary Y. Yang",
1229   collaboration = "",
1230   title =        "Characterization of SiGe/Si heterostructures formed by
1231                  Ge[sup + ] and {C}[sup + ] implantation",
1232   publisher =    "AIP",
1233   year =         "1990",
1234   journal =      "Applied Physics Letters",
1235   volume =       "57",
1236   number =       "22",
1237   pages =        "2345--2347",
1238   keywords =     "HETEROJUNCTIONS; ION IMPLANTATION; HETEROSTRUCTURES;
1239                  FABRICATION; PN JUNCTIONS; LEAKAGE CURRENT; GERMANIUM
1240                  SILICIDES; SILICON; ELECTRICAL PROPERTIES; SOLIDPHASE
1241                  EPITAXY; CARBON IONS; GERMANIUM IONS",
1242   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/57/2345/1",
1243   doi =          "10.1063/1.103888",
1244 }
1245
1246 @Article{strane93,
1247   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and B. L.
1248                  Doyle and S. T. Picraux and J. W. Mayer",
1249   collaboration = "",
1250   title =        "Metastable SiGe{C} formation by solid phase epitaxy",
1251   publisher =    "AIP",
1252   year =         "1993",
1253   journal =      "Applied Physics Letters",
1254   volume =       "63",
1255   number =       "20",
1256   pages =        "2786--2788",
1257   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; TERNARY ALLOY
1258                  SYSTEMS; EPITAXY; ION IMPLANTATION; METASTABLE STATES;
1259                  ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; RUTHERFORD
1260                  SCATTERING; XRAY DIFFRACTION; STRAINS; SOLIDPHASE
1261                  EPITAXY; AMORPHIZATION",
1262   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/63/2786/1",
1263   doi =          "10.1063/1.110334",
1264 }
1265
1266 @Article{goorsky92,
1267   author =       "M. S. Goorsky and S. S. Iyer and K. Eberl and F.
1268                  Legoues and J. Angilello and F. Cardone",
1269   collaboration = "",
1270   title =        "Thermal stability of Si[sub 1 - x]{C}[sub x]/Si
1271                  strained layer superlattices",
1272   publisher =    "AIP",
1273   year =         "1992",
1274   journal =      "Applied Physics Letters",
1275   volume =       "60",
1276   number =       "22",
1277   pages =        "2758--2760",
1278   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
1279                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; SUPERLATTICES; ANNEALING;
1280                  CHEMICAL COMPOSITION; INTERNAL STRAINS; STRESS
1281                  RELAXATION; THERMAL INSTABILITIES; INTERFACE STRUCTURE;
1282                  DIFFUSION; PRECIPITATION; TEMPERATURE EFFECTS",
1283   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/2758/1",
1284   doi =          "10.1063/1.106868",
1285 }
1286
1287 @Article{strane94,
1288   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1289                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1290   collaboration = "",
1291   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1292                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1293   publisher =    "AIP",
1294   year =         "1994",
1295   journal =      "J. Appl. Phys.",
1296   volume =       "76",
1297   number =       "6",
1298   pages =        "3656--3668",
1299   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1300   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1301   doi =          "10.1063/1.357429",
1302   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1303                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1304                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1305                  energy",
1306 }
1307
1308 @Article{fischer95,
1309   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1310                  Osten",
1311   collaboration = "",
1312   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1313                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1314   publisher =    "AIP",
1315   year =         "1995",
1316   journal =      "J. Appl. Phys.",
1317   volume =       "77",
1318   number =       "5",
1319   pages =        "1934--1937",
1320   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1321                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1322                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1323                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1324   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1325   doi =          "10.1063/1.358826",
1326 }
1327
1328 @Article{edgar92,
1329   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1330                  semiconductors",
1331   author =       "J. H. Edgar",
1332   journal =      "J. Mater. Res.",
1333   volume =       "7",
1334   pages =        "235",
1335   year =         "1992",
1336   month =        jan,
1337   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1338   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1339                  polytypes",
1340 }
1341
1342 @Article{zirkelbach2007,
1343   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1344                  process leading to ordered precipitate structures",
1345   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1346                  and B. Stritzker",
1347   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1348   volume =       "257",
1349   number =       "1--2",
1350   pages =        "75--79",
1351   numpages =     "5",
1352   year =         "2007",
1353   month =        apr,
1354   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1355   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1356                  NETHERLANDS",
1357 }
1358
1359 @Article{zirkelbach2006,
1360   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1361                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1362                  during ion irradiation",
1363   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1364                  and B. Stritzker",
1365   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1366   volume =       "242",
1367   number =       "1--2",
1368   pages =        "679--682",
1369   numpages =     "4",
1370   year =         "2006",
1371   month =        jan,
1372   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1373   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1374                  NETHERLANDS",
1375 }
1376
1377 @Article{zirkelbach2005,
1378   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1379                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1380                  ion irradiation",
1381   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1382                  and B. Stritzker",
1383   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1384   volume =       "33",
1385   number =       "1--3",
1386   pages =        "310--316",
1387   numpages =     "7",
1388   year =         "2005",
1389   month =        apr,
1390   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1391   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1392                  NETHERLANDS",
1393 }
1394
1395 @Article{zirkelbach09,
1396   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1397                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1398   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1399   volume =       "159-160",
1400   number =       "",
1401   pages =        "149--152",
1402   year =         "2009",
1403   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1404                  Silicon Materials Research for Electronic and
1405                  Photovoltaic Applications",
1406   ISSN =         "0921-5107",
1407   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1408   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1409   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1410                  B. Stritzker",
1411   keywords =     "Silicon",
1412   keywords =     "Carbon",
1413   keywords =     "Silicon carbide",
1414   keywords =     "Nucleation",
1415   keywords =     "Defect formation",
1416   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1417 }
1418
1419 @Article{zirkelbach10,
1420   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1421                  classical potentials and first-principles methods",
1422   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1423                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1424   journal =      "Phys. Rev. B",
1425   volume =       "82",
1426   number =       "9",
1427   pages =        "094110",
1428   numpages =     "6",
1429   year =         "2010",
1430   month =        sep,
1431   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1432   publisher =    "American Physical Society",
1433 }
1434
1435 @Article{zirkelbach11a,
1436   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1437                  silicon",
1438   journal =      "to be published",
1439   volume =       "",
1440   number =       "",
1441   pages =        "",
1442   year =         "2011",
1443   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and J. K. N. Lindner
1444                  and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1445 }
1446
1447 @Article{zirkelbach11b,
1448   title =        "...",
1449   journal =      "to be published",
1450   volume =       "",
1451   number =       "",
1452   pages =        "",
1453   year =         "2011",
1454   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1455                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1456 }
1457
1458 @Article{lindner95,
1459   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1460                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1461   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1462                  Layers in Silicon",
1463   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
1464   volume =       "354",
1465   number =       "",
1466   pages =        "171",
1467   year =         "1994",
1468   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1469   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1470   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400420853",
1471   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1472 }
1473
1474 @Article{lindner96,
1475   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1476                  in silicon by ion beam synthesis",
1477   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
1478   volume =       "46",
1479   number =       "2-3",
1480   pages =        "147--155",
1481   year =         "1996",
1482   note =         "",
1483   ISSN =         "0254-0584",
1484   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1485   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1486   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1487                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1488                  Stritzker",
1489   notes =        "dose window",
1490 }
1491
1492 @Article{calcagno96,
1493   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1494                  ion implantation",
1495   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1496                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1497   volume =       "120",
1498   number =       "1-4",
1499   pages =        "121--124",
1500   year =         "1996",
1501   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1502                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1503   ISSN =         "0168-583X",
1504   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1505   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1506   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1507                  Grimaldi and P. Musumeci",
1508   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1509 }
1510
1511 @Article{lindner98,
1512   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1513                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1514   journal =      "Materials Science Forum",
1515   volume =       "264-268",
1516   pages =        "215--218",
1517   year =         "1998",
1518   note =         "",
1519   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1520   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1521   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1522   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1523                  crystallinity",
1524 }
1525
1526 @Article{lindner99,
1527   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1528                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1529                  layers in silicon",
1530   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1531   volume =       "147",
1532   number =       "1-4",
1533   pages =        "249--255",
1534   year =         "1999",
1535   note =         "",
1536   ISSN =         "0168-583X",
1537   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1538   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1539   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1540   notes =        "two-step implantation process",
1541 }
1542
1543 @Article{lindner99_2,
1544   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1545                  in silicon",
1546   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1547   volume =       "148",
1548   number =       "1-4",
1549   pages =        "528--533",
1550   year =         "1999",
1551   ISSN =         "0168-583X",
1552   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1553   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1554   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1555   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1556 }
1557
1558 @Article{lindner01,
1559   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1560                  Basic physical processes",
1561   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1562   volume =       "178",
1563   number =       "1-4",
1564   pages =        "44--54",
1565   year =         "2001",
1566   note =         "",
1567   ISSN =         "0168-583X",
1568   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1569   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1570   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1571 }
1572
1573 @Article{lindner02,
1574   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1575                  fundamental studies for new technological tricks",
1576   author =       "J. K. N. Lindner",
1577   journal =      "Appl. Phys. A",
1578   volume =       "77",
1579   pages =        "27--38",
1580   year =         "2003",
1581   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1582   notes =        "ibs, burried sic layers",
1583 }
1584
1585 @Article{lindner06,
1586   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1587                  formation and displacive precipitate resolution in the
1588                  {C}-Si system",
1589   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1590   volume =       "26",
1591   number =       "5-7",
1592   pages =        "857--861",
1593   year =         "2006",
1594   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1595                  Applications",
1596   ISSN =         "0928-4931",
1597   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1598   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1599   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1600                  and B. Stritzker",
1601   notes =        "c int diffusion barrier",
1602 }
1603
1604 @Article{ito04,
1605   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1606                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1607                  growth",
1608   journal =      "Applied Surface Science",
1609   volume =       "238",
1610   number =       "1-4",
1611   pages =        "159--164",
1612   year =         "2004",
1613   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1614   ISSN =         "0169-4332",
1615   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1616   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1617   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1618                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1619   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1620 }
1621
1622 @Article{yamamoto04,
1623   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1624                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1625                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1626   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1627   volume =       "261",
1628   number =       "2-3",
1629   pages =        "266--270",
1630   year =         "2004",
1631   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1632                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1633   ISSN =         "0022-0248",
1634   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1635   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1636   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1637                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1638   notes =        "gan on 3c-sic",
1639 }
1640
1641 @Article{liu_l02,
1642   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1643   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1644   volume =       "37",
1645   number =       "3",
1646   pages =        "61--127",
1647   year =         "2002",
1648   note =         "",
1649   ISSN =         "0927-796X",
1650   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1651   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1652   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1653   notes =        "gan substrates",
1654 }
1655
1656 @Article{takeuchi91,
1657   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1658                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1659   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1660   volume =       "115",
1661   number =       "1-4",
1662   pages =        "634--638",
1663   year =         "1991",
1664   note =         "",
1665   ISSN =         "0022-0248",
1666   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1667   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1668   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1669                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1670   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1671 }
1672
1673 @Article{alder57,
1674   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1675   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1676   publisher =    "AIP",
1677   year =         "1957",
1678   journal =      "J. Chem. Phys.",
1679   volume =       "27",
1680   number =       "5",
1681   pages =        "1208--1209",
1682   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1683   doi =          "10.1063/1.1743957",
1684 }
1685
1686 @Article{alder59,
1687   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1688   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1689   publisher =    "AIP",
1690   year =         "1959",
1691   journal =      "J. Chem. Phys.",
1692   volume =       "31",
1693   number =       "2",
1694   pages =        "459--466",
1695   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1696   doi =          "10.1063/1.1730376",
1697 }
1698
1699 @Article{horsfield96,
1700   title =        "Bond-order potentials: Theory and implementation",
1701   author =       "A. P. Horsfield and A. M. Bratkovsky and M. Fearn and
1702                  D. G. Pettifor and M. Aoki",
1703   journal =      "Phys. Rev. B",
1704   volume =       "53",
1705   number =       "19",
1706   pages =        "12694--12712",
1707   numpages =     "18",
1708   year =         "1996",
1709   month =        may,
1710   doi =          "10.1103/PhysRevB.53.12694",
1711   publisher =    "American Physical Society",
1712 }
1713
1714 @Article{abell85,
1715   title =        "Empirical chemical pseudopotential theory of molecular
1716                  and metallic bonding",
1717   author =       "G. C. Abell",
1718   journal =      "Phys. Rev. B",
1719   volume =       "31",
1720   number =       "10",
1721   pages =        "6184--6196",
1722   numpages =     "12",
1723   year =         "1985",
1724   month =        may,
1725   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.6184",
1726   publisher =    "American Physical Society",
1727 }
1728
1729 @Article{tersoff_si1,
1730   title =        "New empirical model for the structural properties of
1731                  silicon",
1732   author =       "J. Tersoff",
1733   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1734   volume =       "56",
1735   number =       "6",
1736   pages =        "632--635",
1737   numpages =     "3",
1738   year =         "1986",
1739   month =        feb,
1740   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1741   publisher =    "American Physical Society",
1742 }
1743
1744 @Article{dodson87,
1745   title =        "Development of a many-body Tersoff-type potential for
1746                  silicon",
1747   author =       "Brian W. Dodson",
1748   journal =      "Phys. Rev. B",
1749   volume =       "35",
1750   number =       "6",
1751   pages =        "2795--2798",
1752   numpages =     "3",
1753   year =         "1987",
1754   month =        feb,
1755   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.2795",
1756   publisher =    "American Physical Society",
1757 }
1758
1759 @Article{tersoff_si2,
1760   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1761                  covalent systems",
1762   author =       "J. Tersoff",
1763   journal =      "Phys. Rev. B",
1764   volume =       "37",
1765   number =       "12",
1766   pages =        "6991--7000",
1767   numpages =     "9",
1768   year =         "1988",
1769   month =        apr,
1770   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1771   publisher =    "American Physical Society",
1772 }
1773
1774 @Article{tersoff_si3,
1775   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1776                  improved elastic properties",
1777   author =       "J. Tersoff",
1778   journal =      "Phys. Rev. B",
1779   volume =       "38",
1780   number =       "14",
1781   pages =        "9902--9905",
1782   numpages =     "3",
1783   year =         "1988",
1784   month =        nov,
1785   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1786   publisher =    "American Physical Society",
1787 }
1788
1789 @Article{tersoff_c,
1790   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1791                  Applications to Amorphous Carbon",
1792   author =       "J. Tersoff",
1793   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1794   volume =       "61",
1795   number =       "25",
1796   pages =        "2879--2882",
1797   numpages =     "3",
1798   year =         "1988",
1799   month =        dec,
1800   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1801   publisher =    "American Physical Society",
1802 }
1803
1804 @Article{tersoff_m,
1805   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1806                  for multicomponent systems",
1807   author =       "J. Tersoff",
1808   journal =      "Phys. Rev. B",
1809   volume =       "39",
1810   number =       "8",
1811   pages =        "5566--5568",
1812   numpages =     "2",
1813   year =         "1989",
1814   month =        mar,
1815   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1816   publisher =    "American Physical Society",
1817 }
1818
1819 @Article{tersoff90,
1820   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1821   author =       "J. Tersoff",
1822   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1823   volume =       "64",
1824   number =       "15",
1825   pages =        "1757--1760",
1826   numpages =     "3",
1827   year =         "1990",
1828   month =        apr,
1829   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1830   publisher =    "American Physical Society",
1831 }
1832
1833 @Article{fahey89,
1834   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1835   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1836   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1837   volume =       "61",
1838   number =       "2",
1839   pages =        "289--384",
1840   numpages =     "95",
1841   year =         "1989",
1842   month =        apr,
1843   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1844   publisher =    "American Physical Society",
1845 }
1846
1847 @Article{wesch96,
1848   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1849   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1850   volume =       "116",
1851   number =       "1-4",
1852   pages =        "305--321",
1853   year =         "1996",
1854   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1855   ISSN =         "0168-583X",
1856   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1857   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1858   author =       "W. Wesch",
1859 }
1860
1861 @Article{davis91,
1862   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
1863                  Palmour and J. A. Edmond",
1864   journal =      "Proceedings of the IEEE",
1865   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
1866                  optoelectronic device fabrication and characterization
1867                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
1868   year =         "1991",
1869   month =        may,
1870   volume =       "79",
1871   number =       "5",
1872   pages =        "677--701",
1873   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
1874                  diode;SiC;dry etching;electrical
1875                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
1876                  device fabrication;solid-state devices;surface
1877                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
1878                  transistors;Schottky-barrier
1879                  diodes;etching;heterojunction bipolar
1880                  transistors;insulated gate field effect
1881                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
1882                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
1883   doi =          "10.1109/5.90132",
1884   ISSN =         "0018-9219",
1885   notes =        "sic growth methods",
1886 }
1887
1888 @Article{morkoc94,
1889   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1890                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1891   collaboration = "",
1892   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1893                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1894   publisher =    "AIP",
1895   year =         "1994",
1896   journal =      "J. Appl. Phys.",
1897   volume =       "76",
1898   number =       "3",
1899   pages =        "1363--1398",
1900   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1901                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1902                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1903                  FILMS; INDUSTRY",
1904   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1905   doi =          "10.1063/1.358463",
1906   notes =        "sic intro, properties",
1907 }
1908
1909 @Article{foo,
1910   author =       "Noch Unbekannt",
1911   title =        "How to find references",
1912   journal =      "Journal of Applied References",
1913   year =         "2009",
1914   volume =       "77",
1915   pages =        "1--23",
1916 }
1917
1918 @Article{tang95,
1919   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1920                  \beta{}-Si{C}",
1921   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1922   journal =      "Phys. Rev. B",
1923   volume =       "52",
1924   number =       "21",
1925   pages =        "15150--15159",
1926   numpages =     "9",
1927   year =         "1995",
1928   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1929   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1930                  tersoff reparametrization",
1931   publisher =    "American Physical Society",
1932 }
1933
1934 @Article{sarro00,
1935   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1936   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1937   volume =       "82",
1938   number =       "1-3",
1939   pages =        "210--218",
1940   year =         "2000",
1941   ISSN =         "0924-4247",
1942   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1943   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1944   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1945   keywords =     "MEMS",
1946   keywords =     "Silicon carbide",
1947   keywords =     "Micromachining",
1948   keywords =     "Mechanical stress",
1949 }
1950
1951 @Article{casady96,
1952   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1953                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1954                  review",
1955   journal =      "Solid-State Electronics",
1956   volume =       "39",
1957   number =       "10",
1958   pages =        "1409--1422",
1959   year =         "1996",
1960   ISSN =         "0038-1101",
1961   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1962   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1963   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1964   notes =        "sic intro",
1965 }
1966
1967 @Article{giancarli98,
1968   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1969                  structural material in fusion power reactor blankets",
1970   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1971   volume =       "41",
1972   number =       "1-4",
1973   pages =        "165--171",
1974   year =         "1998",
1975   ISSN =         "0920-3796",
1976   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1977   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1978   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1979                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1980 }
1981
1982 @Article{pensl93,
1983   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1984   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1985   volume =       "185",
1986   number =       "1-4",
1987   pages =        "264--283",
1988   year =         "1993",
1989   ISSN =         "0921-4526",
1990   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1991   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1992   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1993 }
1994
1995 @Article{tairov78,
1996   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1997                  carbide single crystals",
1998   journal =      "J. Cryst. Growth",
1999   volume =       "43",
2000   number =       "2",
2001   pages =        "209--212",
2002   year =         "1978",
2003   notes =        "modified lely process",
2004   ISSN =         "0022-0248",
2005   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
2006   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
2007   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2008 }
2009
2010 @Article{tairov81,
2011   title =        "General principles of growing large-size single
2012                  crystals of various silicon carbide polytypes",
2013   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2014   volume =       "52",
2015   number =       "Part 1",
2016   pages =        "146--150",
2017   year =         "1981",
2018   note =         "",
2019   ISSN =         "0022-0248",
2020   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
2021   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
2022   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2023 }
2024
2025 @Article{barrett91,
2026   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
2027   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2028   volume =       "109",
2029   number =       "1-4",
2030   pages =        "17--23",
2031   year =         "1991",
2032   note =         "",
2033   ISSN =         "0022-0248",
2034   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
2035   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
2036   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
2037                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
2038 }
2039
2040 @Article{barrett93,
2041   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
2042   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2043   volume =       "128",
2044   number =       "1-4",
2045   pages =        "358--362",
2046   year =         "1993",
2047   note =         "",
2048   ISSN =         "0022-0248",
2049   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
2050   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
2051   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
2052                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
2053                  W. J. Choyke",
2054 }
2055
2056 @Article{stein93,
2057   title =        "Control of polytype formation by surface energy
2058                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
2059                  sublimation method",
2060   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2061   volume =       "131",
2062   number =       "1-2",
2063   pages =        "71--74",
2064   year =         "1993",
2065   note =         "",
2066   ISSN =         "0022-0248",
2067   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
2068   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
2069   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
2070   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
2071 }
2072
2073 @Article{nishino83,
2074   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
2075                  Will",
2076   collaboration = "",
2077   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
2078                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
2079   publisher =    "AIP",
2080   year =         "1983",
2081   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2082   volume =       "42",
2083   number =       "5",
2084   pages =        "460--462",
2085   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
2086                  monocrystals",
2087   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
2088   doi =          "10.1063/1.93970",
2089   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
2090 }
2091
2092 @Article{nishino87,
2093   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
2094                  and Hiroyuki Matsunami",
2095   collaboration = "",
2096   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
2097                  Si{C} on silicon",
2098   publisher =    "AIP",
2099   year =         "1987",
2100   journal =      "J. Appl. Phys.",
2101   volume =       "61",
2102   number =       "10",
2103   pages =        "4889--4893",
2104   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
2105   doi =          "10.1063/1.338355",
2106   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
2107                  carbonization",
2108 }
2109
2110 @Article{powell87,
2111   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
2112                  Kuczmarski",
2113   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
2114                  Single-Crystal Films on Si",
2115   publisher =    "ECS",
2116   year =         "1987",
2117   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
2118   volume =       "134",
2119   number =       "6",
2120   pages =        "1558--1565",
2121   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
2122                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
2123   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
2124   doi =          "10.1149/1.2100708",
2125   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
2126 }
2127
2128 @Article{powell87_2,
2129   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
2130                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
2131   collaboration = "",
2132   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
2133                  off-axis Si substrates",
2134   publisher =    "AIP",
2135   year =         "1987",
2136   journal =      "Applied Physics Letters",
2137   volume =       "51",
2138   number =       "11",
2139   pages =        "823--825",
2140   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
2141                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
2142                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
2143                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
2144                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
2145   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
2146   doi =          "10.1063/1.98824",
2147   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
2148 }
2149
2150 @Article{ueda90,
2151   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
2152   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2153   volume =       "104",
2154   number =       "3",
2155   pages =        "695--700",
2156   year =         "1990",
2157   note =         "",
2158   ISSN =         "0022-0248",
2159   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
2160   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
2161   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
2162                  Matsunami",
2163   notes =        "step-controlled epitaxy model",
2164 }
2165
2166 @Article{kimoto93,
2167   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
2168                  and Hiroyuki Matsunami",
2169   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
2170                  epitaxy",
2171   publisher =    "AIP",
2172   year =         "1993",
2173   journal =      "J. Appl. Phys.",
2174   volume =       "73",
2175   number =       "2",
2176   pages =        "726--732",
2177   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
2178                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
2179                  VAPOR DEPOSITION",
2180   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
2181   doi =          "10.1063/1.353329",
2182   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
2183 }
2184
2185 @Article{powell90_2,
2186   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2187                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2188                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2189   collaboration = "",
2190   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
2191                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2192   publisher =    "AIP",
2193   year =         "1990",
2194   journal =      "Applied Physics Letters",
2195   volume =       "56",
2196   number =       "15",
2197   pages =        "1442--1444",
2198   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2199                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
2200                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
2201                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
2202   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
2203   doi =          "10.1063/1.102492",
2204   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
2205 }
2206
2207 @Article{kong88_2,
2208   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2209   collaboration = "",
2210   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2211                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2212                  substrates",
2213   publisher =    "AIP",
2214   year =         "1988",
2215   journal =      "Journal of Applied Physics",
2216   volume =       "64",
2217   number =       "5",
2218   pages =        "2672--2679",
2219   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2220                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2221                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2222                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2223                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2224   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2225   doi =          "10.1063/1.341608",
2226 }
2227
2228 @Article{powell90,
2229   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2230                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2231                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2232   collaboration = "",
2233   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2234                  6{H}-Si{C} substrates",
2235   publisher =    "AIP",
2236   year =         "1990",
2237   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2238   volume =       "56",
2239   number =       "14",
2240   pages =        "1353--1355",
2241   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2242                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2243                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2244                  PHASE EPITAXY",
2245   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2246   doi =          "10.1063/1.102512",
2247   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2248 }
2249
2250 @Article{kong88,
2251   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2252                  Rozgonyi and K. L. More",
2253   collaboration = "",
2254   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2255                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2256                  substrates",
2257   publisher =    "AIP",
2258   year =         "1988",
2259   journal =      "Journal of Applied Physics",
2260   volume =       "63",
2261   number =       "8",
2262   pages =        "2645--2650",
2263   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2264                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2265                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2266                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2267                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2268   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2269   doi =          "10.1063/1.341004",
2270 }
2271
2272 @Article{powell91,
2273   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2274                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2275                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2276   collaboration = "",
2277   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2278                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2279   publisher =    "AIP",
2280   year =         "1991",
2281   journal =      "Applied Physics Letters",
2282   volume =       "59",
2283   number =       "3",
2284   pages =        "333--335",
2285   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2286                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2287                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2288   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2289   doi =          "10.1063/1.105587",
2290 }
2291
2292 @Article{yuan95,
2293   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2294                  Thokala and M. J. Loboda",
2295   collaboration = "",
2296   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2297                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2298                  silacyclobutane",
2299   publisher =    "AIP",
2300   year =         "1995",
2301   journal =      "J. Appl. Phys.",
2302   volume =       "78",
2303   number =       "2",
2304   pages =        "1271--1273",
2305   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2306                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2307                  SPECTROPHOTOMETRY",
2308   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2309   doi =          "10.1063/1.360368",
2310   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2311 }
2312
2313 @Article{kaneda87,
2314   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2315                  properties of its p-n junction",
2316   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2317   volume =       "81",
2318   number =       "1-4",
2319   pages =        "536--542",
2320   year =         "1987",
2321   note =         "",
2322   ISSN =         "0022-0248",
2323   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2324   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2325   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2326                  and Takao Tanaka",
2327   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2328 }
2329
2330 @Article{fissel95,
2331   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2332                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2333                  molecular beam epitaxy",
2334   journal =      "J. Cryst. Growth",
2335   volume =       "154",
2336   number =       "1-2",
2337   pages =        "72--80",
2338   year =         "1995",
2339   ISSN =         "0022-0248",
2340   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2341   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2342   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2343                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2344   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2345 }
2346
2347 @Article{fissel95_apl,
2348   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2349   collaboration = "",
2350   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2351                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2352   publisher =    "AIP",
2353   year =         "1995",
2354   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2355   volume =       "66",
2356   number =       "23",
2357   pages =        "3182--3184",
2358   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2359                  RHEED; NUCLEATION",
2360   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2361   doi =          "10.1063/1.113716",
2362   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2363 }
2364
2365 @Article{fissel96,
2366   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2367                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2368   collaboration = "",
2369   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2370                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2371                  level using surface superstructures",
2372   publisher =    "AIP",
2373   year =         "1996",
2374   journal =      "Applied Physics Letters",
2375   volume =       "68",
2376   number =       "9",
2377   pages =        "1204--1206",
2378   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2379                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2380                  SURFACE STRUCTURE",
2381   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2382   doi =          "10.1063/1.115969",
2383   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2384 }
2385
2386 @Article{righi03,
2387   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2388   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2389                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2390   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2391   volume =       "91",
2392   number =       "13",
2393   pages =        "136101",
2394   numpages =     "4",
2395   year =         "2003",
2396   month =        sep,
2397   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2398   publisher =    "American Physical Society",
2399   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2400 }
2401
2402 @Article{borders71,
2403   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2404   collaboration = "",
2405   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2406                  {IMPLANTATION}",
2407   publisher =    "AIP",
2408   year =         "1971",
2409   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2410   volume =       "18",
2411   number =       "11",
2412   pages =        "509--511",
2413   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2414   doi =          "10.1063/1.1653516",
2415   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2416                  ideas",
2417 }
2418
2419 @Article{edelman76,
2420   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2421                  and E. V. Lubopytova",
2422   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2423                  by ion implantation",
2424   publisher =    "Taylor \& Francis",
2425   year =         "1976",
2426   journal =      "Radiation Effects",
2427   volume =       "29",
2428   number =       "1",
2429   pages =        "13--15",
2430   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2431   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2432                  single crystalline",
2433 }
2434
2435 @Article{akimchenko80,
2436   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2437                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2438   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2439                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2440   publisher =    "Taylor \& Francis",
2441   year =         "1980",
2442   journal =      "Radiation Effects",
2443   volume =       "48",
2444   number =       "1",
2445   pages =        "7",
2446   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2447   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2448 }
2449
2450 @Article{kimura81,
2451   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2452                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2453                  silicon",
2454   journal =      "Thin Solid Films",
2455   volume =       "81",
2456   number =       "4",
2457   pages =        "319--327",
2458   year =         "1981",
2459   note =         "",
2460   ISSN =         "0040-6090",
2461   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2462   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2463   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2464                  Yugo",
2465 }
2466
2467 @Article{kimura82,
2468   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2469                  the implantation of carbon ions into silicon",
2470   journal =      "Thin Solid Films",
2471   volume =       "94",
2472   number =       "3",
2473   pages =        "191--198",
2474   year =         "1982",
2475   note =         "",
2476   ISSN =         "0040-6090",
2477   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2478   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2479   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2480                  Yugo",
2481 }
2482
2483 @Article{reeson86,
2484   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2485                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2486                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2487   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2488                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2489   publisher =    "Taylor \& Francis",
2490   year =         "1986",
2491   journal =      "Radiation Effects",
2492   volume =       "99",
2493   number =       "1",
2494   pages =        "71--81",
2495   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2496   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or time,
2497                  no c redistribution",
2498 }
2499
2500 @Article{reeson87,
2501   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2502                  J. Davis and G. E. Celler",
2503   collaboration = "",
2504   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2505                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2506   publisher =    "AIP",
2507   year =         "1987",
2508   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2509   volume =       "51",
2510   number =       "26",
2511   pages =        "2242--2244",
2512   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2513                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2514   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2515   doi =          "10.1063/1.98953",
2516   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2517 }
2518
2519 @Article{martin90,
2520   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2521                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2522   collaboration = "",
2523   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2524   publisher =    "AIP",
2525   year =         "1990",
2526   journal =      "Journal of Applied Physics",
2527   volume =       "67",
2528   number =       "6",
2529   pages =        "2908--2912",
2530   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2531                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2532                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2533                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2534                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2535                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2536   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2537   doi =          "10.1063/1.346092",
2538   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2539                  temepratures",
2540 }
2541
2542 @Article{scace59,
2543   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2544   collaboration = "",
2545   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2546   publisher =    "AIP",
2547   year =         "1959",
2548   journal =      "J. Chem. Phys.",
2549   volume =       "30",
2550   number =       "6",
2551   pages =        "1551--1555",
2552   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2553   doi =          "10.1063/1.1730236",
2554   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2555 }
2556
2557 @Article{hofker74,
2558   author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
2559                  Koeman",
2560   affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
2561                  Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
2562                  Netherlands",
2563   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
2564                  charge carrier and boron concentration profiles",
2565   journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
2566   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
2567   ISSN =         "0947-8396",
2568   keyword =      "Physics and Astronomy",
2569   pages =        "125--133",
2570   volume =       "4",
2571   issue =        "2",
2572   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
2573   note =         "10.1007/BF00884267",
2574   year =         "1974",
2575   notes =        "first time ted (only for boron?)",
2576 }
2577
2578 @Article{michel87,
2579   author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
2580                  H. Kastl",
2581   collaboration = "",
2582   title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
2583                  implanted boron into silicon",
2584   publisher =    "AIP",
2585   year =         "1987",
2586   journal =      "Applied Physics Letters",
2587   volume =       "50",
2588   number =       "7",
2589   pages =        "416--418",
2590   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
2591                  BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
2592                  HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
2593   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
2594   doi =          "10.1063/1.98160",
2595   notes =        "ted of boron in si",
2596 }
2597
2598 @Article{cowern90,
2599   author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
2600                  Jos",
2601   collaboration = "",
2602   title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
2603                  time, and matrix dependence of atomic and electrical
2604                  profiles",
2605   publisher =    "AIP",
2606   year =         "1990",
2607   journal =      "Journal of Applied Physics",
2608   volume =       "68",
2609   number =       "12",
2610   pages =        "6191--6198",
2611   keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
2612                  DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
2613                  CRYSTALS; AMORPHIZATION",
2614   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
2615   doi =          "10.1063/1.346910",
2616   notes =        "ted of boron in si",
2617 }
2618
2619 @Article{cowern96,
2620   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2621                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2622   collaboration = "",
2623   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2624                  {B} in silicon",
2625   publisher =    "AIP",
2626   year =         "1996",
2627   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2628   volume =       "68",
2629   number =       "8",
2630   pages =        "1150--1152",
2631   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2632                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2633                  SILICON",
2634   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2635   doi =          "10.1063/1.115706",
2636   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2637 }
2638
2639 @Article{stolk95,
2640   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2641                  of the silicon self-interstitial",
2642   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2643   volume =       "96",
2644   number =       "1-2",
2645   pages =        "187--195",
2646   year =         "1995",
2647   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2648                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2649   ISSN =         "0168-583X",
2650   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2651   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2652   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2653                  and J. M. Poate",
2654 }
2655
2656 @Article{stolk97,
2657   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2658                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2659                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2660                  E. Haynes",
2661   collaboration = "",
2662   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2663                  diffusion in ion-implanted silicon",
2664   publisher =    "AIP",
2665   year =         "1997",
2666   journal =      "J. Appl. Phys.",
2667   volume =       "81",
2668   number =       "9",
2669   pages =        "6031--6050",
2670   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2671   doi =          "10.1063/1.364452",
2672   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2673 }
2674
2675 @Article{powell94,
2676   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2677   collaboration = "",
2678   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2679                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2680   publisher =    "AIP",
2681   year =         "1994",
2682   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2683   volume =       "64",
2684   number =       "3",
2685   pages =        "324--326",
2686   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2687                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2688                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2689                  SYNTHESIS",
2690   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2691   doi =          "10.1063/1.111195",
2692   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2693 }
2694
2695 @Article{soref91,
2696   author =       "Richard A. Soref",
2697   collaboration = "",
2698   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2699                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2700   publisher =    "AIP",
2701   year =         "1991",
2702   journal =      "J. Appl. Phys.",
2703   volume =       "70",
2704   number =       "4",
2705   pages =        "2470--2472",
2706   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2707                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2708                  TERNARY ALLOYS",
2709   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2710   doi =          "10.1063/1.349403",
2711   notes =        "band gap of strained si by c",
2712 }
2713
2714 @Article{kasper91,
2715   author =       "E Kasper",
2716   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2717                  possibility to produce direct band gap material",
2718   journal =      "Physica Scripta",
2719   volume =       "T35",
2720   pages =        "232--236",
2721   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2722   year =         "1991",
2723   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2724                  quasi-direct one",
2725 }
2726
2727 @Article{eberl92,
2728   author =       "K. Eberl and S. S. Iyer and S. Zollner and J. C. Tsang
2729                  and F. K. LeGoues",
2730   collaboration = "",
2731   title =        "Growth and strain compensation effects in the ternary
2732                  Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloy system",
2733   publisher =    "AIP",
2734   year =         "1992",
2735   journal =      "Applied Physics Letters",
2736   volume =       "60",
2737   number =       "24",
2738   pages =        "3033--3035",
2739   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; CARBON ALLOYS;
2740                  TERNARY ALLOYS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; MOLECULAR BEAM
2741                  EPITAXY; INTERNAL STRAINS; TEMPERATURE EFFECTS; CRYSTAL
2742                  STRUCTURE; LATTICE PARAMETERS; XRAY DIFFRACTION; PHASE
2743                  STUDIES",
2744   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/3033/1",
2745   doi =          "10.1063/1.106774",
2746 }
2747
2748 @Article{powell93,
2749   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and F. E. LeGoues and B. A.
2750                  Ek and S. S. Iyer",
2751   collaboration = "",
2752   title =        "Stability of strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random
2753                  alloy layers",
2754   publisher =    "AVS",
2755   year =         "1993",
2756   journal =      "J. Vac. Sci. Technol. B",
2757   volume =       "11",
2758   number =       "3",
2759   pages =        "1064--1068",
2760   location =     "Ottawa (Canada)",
2761   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; STRAINS; THICKNESS;
2762                  METASTABLE PHASES; TWINNING; DISLOCATIONS; MOLECULAR
2763                  BEAM EPITAXY; EPITAXIAL LAYERS; CRITICAL PHENOMENA;
2764                  TEMPERATURE RANGE 400--1000 K; BINARY ALLOYS",
2765   URL =          "http://link.aip.org/link/?JVB/11/1064/1",
2766   doi =          "10.1116/1.587008",
2767   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2768 }
2769
2770 @Article{powell93_2,
2771   title =        "Si[sub 1-x-y]Ge[sub x]{C}[sub y] growth and properties
2772                  of the ternary system",
2773   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2774   volume =       "127",
2775   number =       "1-4",
2776   pages =        "425--429",
2777   year =         "1993",
2778   note =         "",
2779   ISSN =         "0022-0248",
2780   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90653-E",
2781   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46J3RF2-8H/2/27fc231f28e4dc0a3b4770e5cf03257e",
2782   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and B. A. Ek and S. S.
2783                  Iyer",
2784 }
2785
2786 @Article{osten94,
2787   author =       "H. J. Osten",
2788   title =        "Modification of Growth Modes in Lattice-Mismatched
2789                  Epitaxial Systems: Si/Ge",
2790   journal =      "physica status solidi (a)",
2791   volume =       "145",
2792   number =       "2",
2793   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2794   ISSN =         "1521-396X",
2795   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211450203",
2796   doi =          "10.1002/pssa.2211450203",
2797   pages =        "235--245",
2798   year =         "1994",
2799 }
2800
2801 @Article{dietrich94,
2802   title =        "Lattice distortion in a strain-compensated
2803                  $Si_{1-x-y}$$Ge_{x}$${C}_{y}$ layer on silicon",
2804   author =       "B. Dietrich and H. J. Osten and H. R{\"u}cker and M.
2805                  Methfessel and P. Zaumseil",
2806   journal =      "Phys. Rev. B",
2807   volume =       "49",
2808   number =       "24",
2809   pages =        "17185--17190",
2810   numpages =     "5",
2811   year =         "1994",
2812   month =        jun,
2813   doi =          "10.1103/PhysRevB.49.17185",
2814   publisher =    "American Physical Society",
2815 }
2816
2817 @Article{osten94_2,
2818   author =       "H. J. Osten and E. Bugiel and P. Zaumseil",
2819   collaboration = "",
2820   title =        "Growth of an inverse tetragonal distorted SiGe layer
2821                  on Si(001) by adding small amounts of carbon",
2822   publisher =    "AIP",
2823   year =         "1994",
2824   journal =      "Applied Physics Letters",
2825   volume =       "64",
2826   number =       "25",
2827   pages =        "3440--3442",
2828   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; FILM GROWTH; CARBON
2829                  ALLOYS; TERNARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TEM;
2830                  XRD; LATTICE PARAMETERS; EPITAXIAL LAYERS; TETRAGONAL
2831                  LATTICES",
2832   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/3440/1",
2833   doi =          "10.1063/1.111235",
2834   notes =        "inversely strained / distorted heterostructure",
2835 }
2836
2837 @Article{iyer92,
2838   author =       "S. S. Iyer and K. Eberl and M. S. Goorsky and F. K.
2839                  LeGoues and J. C. Tsang and F. Cardone",
2840   collaboration = "",
2841   title =        "Synthesis of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys by
2842                  molecular beam epitaxy",
2843   publisher =    "AIP",
2844   year =         "1992",
2845   journal =      "Applied Physics Letters",
2846   volume =       "60",
2847   number =       "3",
2848   pages =        "356--358",
2849   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
2850                  SEMICONDUCTOR ALLOYS; SUPERLATTICES; MOLECULAR BEAM
2851                  EPITAXY; CHEMICAL COMPOSITION; TEMPERATURE EFFECTS;
2852                  FILM GROWTH; MICROSTRUCTURE",
2853   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/356/1",
2854   doi =          "10.1063/1.106655",
2855 }
2856
2857 @Article{osten99,
2858   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2859   collaboration = "",
2860   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2861                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2862                  molecular beam epitaxy",
2863   publisher =    "AIP",
2864   year =         "1999",
2865   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2866   volume =       "74",
2867   number =       "6",
2868   pages =        "836--838",
2869   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2870                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2871                  compounds",
2872   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2873   doi =          "10.1063/1.123384",
2874   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2875 }
2876
2877 @Article{born27,
2878   author =       "M. Born and R. Oppenheimer",
2879   title =        "Zur Quantentheorie der Molekeln",
2880   journal =      "Annalen der Physik",
2881   volume =       "389",
2882   number =       "20",
2883   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2884   ISSN =         "1521-3889",
2885   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19273892002",
2886   doi =          "10.1002/andp.19273892002",
2887   pages =        "457--484",
2888   year =         "1927",
2889 }
2890
2891 @Article{hohenberg64,
2892   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2893   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2894   journal =      "Phys. Rev.",
2895   volume =       "136",
2896   number =       "3B",
2897   pages =        "B864--B871",
2898   numpages =     "7",
2899   year =         "1964",
2900   month =        nov,
2901   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2902   publisher =    "American Physical Society",
2903   notes =        "density functional theory, dft",
2904 }
2905
2906 @Article{thomas27,
2907   title =        "The calculation of atomic fields",
2908   author =       "L. H. Thomas",
2909   journal =      "Mathematical Proceedings of the Cambridge
2910                  Philosophical Society",
2911   volume =       "23",
2912   pages =        "542--548",
2913   year =         "1927",
2914   doi =          "10.1017/S0305004100011683",
2915 }
2916
2917 @Article{fermi27,
2918   title =        "",
2919   author =       "E. Fermi",
2920   journal =      "Atti Accad. Naz. Lincei, Cl. Sci. Fis. Mat. Nat.
2921                  Rend.",
2922   volume =       "6",
2923   pages =        "602",
2924   year =         "1927",
2925 }
2926
2927 @Article{hartree28,
2928   title =        "The Wave Mechanics of an Atom with a Non-Coulomb
2929                  Central Field. Part {I}. Theory and Methods",
2930   author =       "D. R. Hartree",
2931   journal =      "Mathematical Proceedings of the Cambridge
2932                  Philosophical Society",
2933   volume =       "24",
2934   pages =        "89--110",
2935   year =         "1928",
2936   doi =          "10.1017/S0305004100011919",
2937 }
2938
2939 @Article{slater29,
2940   title =        "The Theory of Complex Spectra",
2941   author =       "J. C. Slater",
2942   journal =      "Phys. Rev.",
2943   volume =       "34",
2944   number =       "10",
2945   pages =        "1293--1322",
2946   numpages =     "29",
2947   year =         "1929",
2948   month =        nov,
2949   doi =          "10.1103/PhysRev.34.1293",
2950   publisher =    "American Physical Society",
2951 }
2952
2953 @Article{kohn65,
2954   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2955                  Correlation Effects",
2956   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2957   journal =      "Phys. Rev.",
2958   volume =       "140",
2959   number =       "4A",
2960   pages =        "A1133--A1138",
2961   numpages =     "5",
2962   year =         "1965",
2963   month =        nov,
2964   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2965   publisher =    "American Physical Society",
2966   notes =        "dft, exchange and correlation",
2967 }
2968
2969 @Article{kohn96,
2970   title =        "Density Functional and Density Matrix Method Scaling
2971                  Linearly with the Number of Atoms",
2972   author =       "W. Kohn",
2973   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2974   volume =       "76",
2975   number =       "17",
2976   pages =        "3168--3171",
2977   numpages =     "3",
2978   year =         "1996",
2979   month =        apr,
2980   doi =          "10.1103/PhysRevLett.76.3168",
2981   publisher =    "American Physical Society",
2982 }
2983
2984 @Article{kohn98,
2985   title =        "Edge Electron Gas",
2986   author =       "Walter Kohn and Ann E. Mattsson",
2987   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2988   volume =       "81",
2989   number =       "16",
2990   pages =        "3487--3490",
2991   numpages =     "3",
2992   year =         "1998",
2993   month =        oct,
2994   doi =          "10.1103/PhysRevLett.81.3487",
2995   publisher =    "American Physical Society",
2996 }
2997
2998 @Article{kohn99,
2999   title =        "Nobel Lecture: Electronic structure of matter---wave
3000                  functions and density functionals",
3001   author =       "W. Kohn",
3002   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
3003   volume =       "71",
3004   number =       "5",
3005   pages =        "1253--1266",
3006   numpages =     "13",
3007   year =         "1999",
3008   month =        oct,
3009   doi =          "10.1103/RevModPhys.71.1253",
3010   publisher =    "American Physical Society",
3011 }
3012
3013 @Article{levy82,
3014   title =        "Electron densities in search of Hamiltonians",
3015   author =       "Mel Levy",
3016   journal =      "Phys. Rev. A",
3017   volume =       "26",
3018   number =       "3",
3019   pages =        "1200--1208",
3020   numpages =     "8",
3021   year =         "1982",
3022   month =        sep,
3023   doi =          "10.1103/PhysRevA.26.1200",
3024   publisher =    "American Physical Society",
3025 }
3026
3027 @Article{ruecker94,
3028   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
3029                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
3030   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
3031                  J. Osten",
3032   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3033   volume =       "72",
3034   number =       "22",
3035   pages =        "3578--3581",
3036   numpages =     "3",
3037   year =         "1994",
3038   month =        may,
3039   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
3040   publisher =    "American Physical Society",
3041   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
3042                  si, dft",
3043 }
3044
3045 @Article{yagi02,
3046   title =        "Phosphorous Doping of Strain-Induced
3047                  Si$_{1-y}${C}$_{y}$ Epitaxial Films Grown\\
3048                  by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition",
3049   author =       "Shuhei Yagi and Katsuya Abe and Takashi Okabayashi and
3050                  Yuichi Yoneyama and Akira Yamada and Makoto Konagai",
3051   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
3052   volume =       "41",
3053   number =       "Part 1, No. 4B",
3054   pages =        "2472--2475",
3055   numpages =     "3",
3056   year =         "2002",
3057   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/41/2472/",
3058   doi =          "10.1143/JJAP.41.2472",
3059   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3060   notes =        "experimental charge carrier mobility in strained si",
3061 }
3062
3063 @Article{chang05,
3064   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
3065                  Alloy",
3066   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
3067   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3068   volume =       "44",
3069   number =       "4B",
3070   pages =        "2257--2262",
3071   numpages =     "5",
3072   year =         "2005",
3073   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
3074   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
3075   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3076   notes =        "enhance of electron mobility in strained si",
3077 }
3078
3079 @Article{kissinger94,
3080   author =       "W. Kissinger and M. Weidner and H. J. Osten and M.
3081                  Eichler",
3082   collaboration = "",
3083   title =        "Optical transitions in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub
3084                  y] layers on Si(001)",
3085   publisher =    "AIP",
3086   year =         "1994",
3087   journal =      "Applied Physics Letters",
3088   volume =       "65",
3089   number =       "26",
3090   pages =        "3356--3358",
3091   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERNAL STRAINS; EPITAXIAL LAYERS;
3092                  CHEMICAL COMPOSITION; ELLIPSOMETRY; REFLECTION
3093                  SPECTROSCOPY; ELECTROOPTICAL EFFECTS; BAND STRUCTURE;
3094                  ENERGY LEVELS; ENERGYLEVEL TRANSITIONS",
3095   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/3356/1",
3096   doi =          "10.1063/1.112390",
3097   notes =        "strained si influence on optical properties",
3098 }
3099
3100 @Article{osten96,
3101   author =       "H. J. Osten and Myeongcheol Kim and K. Pressel and P.
3102                  Zaumseil",
3103   collaboration = "",
3104   title =        "Substitutional versus interstitial carbon
3105                  incorporation during pseudomorphic growth of Si[sub 1 -
3106                  y]{C}[sub y] on Si(001)",
3107   publisher =    "AIP",
3108   year =         "1996",
3109   journal =      "Journal of Applied Physics",
3110   volume =       "80",
3111   number =       "12",
3112   pages =        "6711--6715",
3113   keywords =     "SILICON CARBIDES; CRYSTAL DEFECTS; FILM GROWTH;
3114                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; INTERSTITIALS; SUBSTITUTION;
3115                  XRD; STRAINS",
3116   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/80/6711/1",
3117   doi =          "10.1063/1.363797",
3118   notes =        "mbe substitutional vs interstitial c incorporation",
3119 }
3120
3121 @Article{osten97,
3122   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
3123   collaboration = "",
3124   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3125                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
3126                  Si(001)",
3127   publisher =    "AIP",
3128   year =         "1997",
3129   journal =      "J. Appl. Phys.",
3130   volume =       "82",
3131   number =       "10",
3132   pages =        "4977--4981",
3133   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
3134                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
3135                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
3136   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
3137   doi =          "10.1063/1.366364",
3138   notes =        "charge transport in strained si",
3139 }
3140
3141 @Article{kapur04,
3142   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
3143                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
3144   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
3145   journal =      "Phys. Rev. B",
3146   volume =       "69",
3147   number =       "15",
3148   pages =        "155214",
3149   numpages =     "8",
3150   year =         "2004",
3151   month =        apr,
3152   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
3153   publisher =    "American Physical Society",
3154   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
3155 }
3156
3157 @Article{barkema96,
3158   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
3159                  Systems",
3160   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
3161   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3162   volume =       "77",
3163   number =       "21",
3164   pages =        "4358--4361",
3165   numpages =     "3",
3166   year =         "1996",
3167   month =        nov,
3168   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
3169   publisher =    "American Physical Society",
3170   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
3171                  dynamic mds",
3172 }
3173
3174 @Article{cances09,
3175   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
3176                  Minoukadeh and F. Willaime",
3177   collaboration = "",
3178   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
3179                  technique method for finding transition pathways on
3180                  potential energy surfaces",
3181   publisher =    "AIP",
3182   year =         "2009",
3183   journal =      "J. Chem. Phys.",
3184   volume =       "130",
3185   number =       "11",
3186   eid =          "114711",
3187   numpages =     "6",
3188   pages =        "114711",
3189   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
3190                  surfaces; vacancies (crystal)",
3191   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
3192   doi =          "10.1063/1.3088532",
3193   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
3194                  transition pathways",
3195 }
3196
3197 @Article{parrinello81,
3198   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
3199   collaboration = "",
3200   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
3201                  molecular dynamics method",
3202   publisher =    "AIP",
3203   year =         "1981",
3204   journal =      "J. Appl. Phys.",
3205   volume =       "52",
3206   number =       "12",
3207   pages =        "7182--7190",
3208   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
3209                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
3210                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
3211                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
3212                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
3213                  IMPACT SHOCK",
3214   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
3215   doi =          "10.1063/1.328693",
3216 }
3217
3218 @Article{stillinger85,
3219   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
3220                  of silicon",
3221   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
3222   journal =      "Phys. Rev. B",
3223   volume =       "31",
3224   number =       "8",
3225   pages =        "5262--5271",
3226   numpages =     "9",
3227   year =         "1985",
3228   month =        apr,
3229   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
3230   publisher =    "American Physical Society",
3231 }
3232
3233 @Article{brenner90,
3234   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
3235                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
3236                  films",
3237   author =       "Donald W. Brenner",
3238   journal =      "Phys. Rev. B",
3239   volume =       "42",
3240   number =       "15",
3241   pages =        "9458--9471",
3242   numpages =     "13",
3243   year =         "1990",
3244   month =        nov,
3245   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
3246   publisher =    "American Physical Society",
3247   notes =        "brenner hydro carbons",
3248 }
3249
3250 @Article{bazant96,
3251   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
3252                  Cohesive Energy Curves",
3253   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
3254   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3255   volume =       "77",
3256   number =       "21",
3257   pages =        "4370--4373",
3258   numpages =     "3",
3259   year =         "1996",
3260   month =        nov,
3261   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
3262   publisher =    "American Physical Society",
3263   notes =        "first si edip",
3264 }
3265
3266 @Article{bazant97,
3267   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
3268                  silicon",
3269   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
3270                  Justo",
3271   journal =      "Phys. Rev. B",
3272   volume =       "56",
3273   number =       "14",
3274   pages =        "8542--8552",
3275   numpages =     "10",
3276   year =         "1997",
3277   month =        oct,
3278   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
3279   publisher =    "American Physical Society",
3280   notes =        "second si edip",
3281 }
3282
3283 @Article{justo98,
3284   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
3285                  disordered phases",
3286   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
3287                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
3288   journal =      "Phys. Rev. B",
3289   volume =       "58",
3290   number =       "5",
3291   pages =        "2539--2550",
3292   numpages =     "11",
3293   year =         "1998",
3294   month =        aug,
3295   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
3296   publisher =    "American Physical Society",
3297   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
3298 }
3299
3300 @Article{parcas_md,
3301   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
3302   author =       "K. Nordlund",
3303   year =         "2008",
3304 }
3305
3306 @Article{voter97,
3307   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
3308                  Infrequent Events",
3309   author =       "Arthur F. Voter",
3310   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3311   volume =       "78",
3312   number =       "20",
3313   pages =        "3908--3911",
3314   numpages =     "3",
3315   year =         "1997",
3316   month =        may,
3317   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
3318   publisher =    "American Physical Society",
3319   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
3320 }
3321
3322 @Article{voter97_2,
3323   author =       "Arthur F. Voter",
3324   collaboration = "",
3325   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
3326                  simulation of infrequent events",
3327   publisher =    "AIP",
3328   year =         "1997",
3329   journal =      "J. Chem. Phys.",
3330   volume =       "106",
3331   number =       "11",
3332   pages =        "4665--4677",
3333   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
3334                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
3335                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
3336                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
3337                  theory; potential energy surfaces",
3338   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
3339   doi =          "10.1063/1.473503",
3340   notes =        "improved hyperdynamics md",
3341 }
3342
3343 @Article{sorensen2000,
3344   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
3345   collaboration = "",
3346   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
3347                  infrequent events",
3348   publisher =    "AIP",
3349   year =         "2000",
3350   journal =      "J. Chem. Phys.",
3351   volume =       "112",
3352   number =       "21",
3353   pages =        "9599--9606",
3354   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
3355                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
3356   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
3357   doi =          "10.1063/1.481576",
3358   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
3359 }
3360
3361 @Article{voter98,
3362   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
3363                  events",
3364   author =       "Arthur F. Voter",
3365   journal =      "Phys. Rev. B",
3366   volume =       "57",
3367   number =       "22",
3368   pages =        "R13985--R13988",
3369   numpages =     "3",
3370   year =         "1998",
3371   month =        jun,
3372   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
3373   publisher =    "American Physical Society",
3374   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
3375 }
3376
3377 @Article{wu99,
3378   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
3379   collaboration = "",
3380   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
3381                  simulation",
3382   publisher =    "AIP",
3383   year =         "1999",
3384   journal =      "J. Chem. Phys.",
3385   volume =       "110",
3386   number =       "19",
3387   pages =        "9401--9410",
3388   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
3389                  potential; crystallisation; liquid theory",
3390   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
3391   doi =          "10.1063/1.478948",
3392   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
3393                  systematic motion",
3394 }
3395
3396 @Article{choudhary05,
3397   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
3398   collaboration = "",
3399   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
3400                  to the production of amorphous silicon",
3401   publisher =    "AIP",
3402   year =         "2005",
3403   journal =      "J. Chem. Phys.",
3404   volume =       "122",
3405   number =       "15",
3406   eid =          "154509",
3407   numpages =     "8",
3408   pages =        "154509",
3409   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
3410                  amorphous semiconductors",
3411   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
3412   doi =          "10.1063/1.1878733",
3413   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
3414                  silicon",
3415 }
3416
3417 @Article{taylor93,
3418   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
3419   collaboration = "",
3420   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
3421                  difficult?",
3422   publisher =    "AIP",
3423   year =         "1993",
3424   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3425   volume =       "62",
3426   number =       "25",
3427   pages =        "3336--3338",
3428   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
3429                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
3430                  ENERGY",
3431   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
3432   doi =          "10.1063/1.109063",
3433   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
3434                  interstitials necessary for precipitation, volume
3435                  decrease, high interface energy",
3436 }
3437
3438 @Article{chaussende08,
3439   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
3440   journal =      "J. Cryst. Growth",
3441   volume =       "310",
3442   number =       "5",
3443   pages =        "976--981",
3444   year =         "2008",
3445   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
3446                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
3447   ISSN =         "0022-0248",
3448   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
3449   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
3450   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
3451                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
3452                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
3453                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
3454   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
3455                  metastable",
3456 }
3457
3458 @Article{chaussende07,
3459   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
3460   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
3461   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
3462   volume =       "40",
3463   number =       "20",
3464   pages =        "6150",
3465   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
3466   year =         "2007",
3467   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
3468                  modelling",
3469 }
3470
3471 @Article{feynman39,
3472   title =        "Forces in Molecules",
3473   author =       "R. P. Feynman",
3474   journal =      "Phys. Rev.",
3475   volume =       "56",
3476   number =       "4",
3477   pages =        "340--343",
3478   numpages =     "3",
3479   year =         "1939",
3480   month =        aug,
3481   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
3482   publisher =    "American Physical Society",
3483   notes =        "hellmann feynman forces",
3484 }
3485
3486 @Article{buczko00,
3487   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
3488                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
3489                  their Contrasting Properties",
3490   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
3491                  T. Pantelides",
3492   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3493   volume =       "84",
3494   number =       "5",
3495   pages =        "943--946",
3496   numpages =     "3",
3497   year =         "2000",
3498   month =        jan,
3499   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
3500   publisher =    "American Physical Society",
3501   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
3502 }
3503
3504 @Article{djurabekova08,
3505   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
3506                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
3507   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
3508   journal =      "Phys. Rev. B",
3509   volume =       "77",
3510   number =       "11",
3511   pages =        "115325",
3512   numpages =     "7",
3513   year =         "2008",
3514   month =        mar,
3515   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
3516   publisher =    "American Physical Society",
3517   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
3518                  angular distribution, coordination",
3519 }
3520
3521 @Article{wen09,
3522   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
3523                  W. Liang and J. Zou",
3524   collaboration = "",
3525   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
3526                  strain relaxation at highly lattice mismatched
3527                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
3528   publisher =    "AIP",
3529   year =         "2009",
3530   journal =      "J. Appl. Phys.",
3531   volume =       "106",
3532   number =       "7",
3533   eid =          "073522",
3534   numpages =     "8",
3535   pages =        "073522",
3536   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
3537                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
3538                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
3539                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
3540   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
3541   doi =          "10.1063/1.3234380",
3542   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
3543                  deconvolution, dislocation defects",
3544 }
3545
3546 @Article{kitabatake93,
3547   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
3548                  Hirao",
3549   collaboration = "",
3550   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
3551                  growth on Si(001) surface",
3552   publisher =    "AIP",
3553   year =         "1993",
3554   journal =      "J. Appl. Phys.",
3555   volume =       "74",
3556   number =       "7",
3557   pages =        "4438--4445",
3558   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
3559                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
3560                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
3561   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
3562   doi =          "10.1063/1.354385",
3563   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
3564                  model, interface",
3565 }
3566
3567 @Article{kitabatake97,
3568   author =       "Makoto Kitabatake",
3569   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
3570                  Heteroepitaxial Growth",
3571   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3572   year =         "1997",
3573   journal =      "physica status solidi (b)",
3574   volume =       "202",
3575   pages =        "405--420",
3576   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3577   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3578   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
3579 }
3580
3581 @Article{chirita97,
3582   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
3583                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
3584                  dynamics study",
3585   journal =      "Thin Solid Films",
3586   volume =       "294",
3587   number =       "1-2",
3588   pages =        "47--49",
3589   year =         "1997",
3590   note =         "",
3591   ISSN =         "0040-6090",
3592   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
3593   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
3594   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
3595   keywords =     "Strain relaxation",
3596   keywords =     "Interfaces",
3597   keywords =     "Thermal stability",
3598   keywords =     "Molecular dynamics",
3599   notes =        "tersoff sic/si interface study",
3600 }
3601
3602 @Article{cicero02,
3603   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
3604                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
3605   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
3606                  Catellani",
3607   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3608   volume =       "89",
3609   number =       "15",
3610   pages =        "156101",
3611   numpages =     "4",
3612   year =         "2002",
3613   month =        sep,
3614   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
3615   publisher =    "American Physical Society",
3616   notes =        "sic/si interface study",
3617 }
3618
3619 @Article{pizzagalli03,
3620   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
3621                  interface: Si{C}/Si(001)",
3622   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
3623                  Catellani",
3624   journal =      "Phys. Rev. B",
3625   volume =       "68",
3626   number =       "19",
3627   pages =        "195302",
3628   numpages =     "10",
3629   year =         "2003",
3630   month =        nov,
3631   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
3632   publisher =    "American Physical Society",
3633   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
3634 }
3635
3636 @Article{tang07,
3637   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
3638                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
3639                  electron microscopy",
3640   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
3641                  H. Zheng and J. W. Liang",
3642   journal =      "Phys. Rev. B",
3643   volume =       "75",
3644   number =       "18",
3645   pages =        "184103",
3646   numpages =     "7",
3647   year =         "2007",
3648   month =        may,
3649   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
3650   publisher =    "American Physical Society",
3651   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
3652                  si and c",
3653 }
3654
3655 @Article{hornstra58,
3656   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
3657   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
3658   volume =       "5",
3659   number =       "1-2",
3660   pages =        "129--141",
3661   year =         "1958",
3662   note =         "",
3663   ISSN =         "0022-3697",
3664   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
3665   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
3666   author =       "J. Hornstra",
3667   notes =        "dislocations in diamond lattice",
3668 }
3669
3670 @Article{deguchi92,
3671   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
3672                  Ion `Hot' Implantation",
3673   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
3674                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
3675   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3676   volume =       "31",
3677   number =       "Part 1, No. 2A",
3678   pages =        "343--347",
3679   numpages =     "4",
3680   year =         "1992",
3681   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
3682   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
3683   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3684   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
3685                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
3686 }
3687
3688 @Article{eichhorn99,
3689   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
3690                  K{\"{o}}gler",
3691   collaboration = "",
3692   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
3693                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
3694                  synchrotron x-ray diffraction",
3695   publisher =    "AIP",
3696   year =         "1999",
3697   journal =      "J. Appl. Phys.",
3698   volume =       "86",
3699   number =       "8",
3700   pages =        "4184--4187",
3701   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
3702                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
3703                  precipitation; semiconductor doping",
3704   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
3705   doi =          "10.1063/1.371344",
3706   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
3707                  expansion of si lattice",
3708 }
3709
3710 @Article{eichhorn02,
3711   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
3712                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
3713   collaboration = "",
3714   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
3715                  carbon ion implantation",
3716   publisher =    "AIP",
3717   year =         "2002",
3718   journal =      "J. Appl. Phys.",
3719   volume =       "91",
3720   number =       "3",
3721   pages =        "1287--1292",
3722   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
3723                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
3724                  electron microscopy",
3725   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
3726   doi =          "10.1063/1.1428105",
3727   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
3728                  temperature, might explain c into c sub trafo",
3729 }
3730
3731 @Article{lucas10,
3732   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
3733   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
3734                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
3735                  high-pressure phases, point and extended defects, and
3736                  amorphous structures",
3737   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3738   volume =       "22",
3739   number =       "3",
3740   pages =        "035802",
3741   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
3742   year =         "2010",
3743   notes =        "edip sic",
3744 }
3745
3746 @Article{godet03,
3747   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
3748                  Beauchamp",
3749   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
3750                  methods for silicon under large shear",
3751   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3752   volume =       "15",
3753   number =       "41",
3754   pages =        "6943",
3755   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
3756   year =         "2003",
3757   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
3758                  edip, tersoff, ab initio",
3759 }
3760
3761 @Article{moriguchi98,
3762   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
3763                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
3764   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
3765   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3766   volume =       "37",
3767   number =       "Part 1, No. 2",
3768   pages =        "414--422",
3769   numpages =     "8",
3770   year =         "1998",
3771   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
3772   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
3773   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3774   notes =        "tersoff stringent test",
3775 }
3776
3777 @Article{mazzarolo01,
3778   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
3779                  simulations",
3780   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
3781                  Lulli and Eros Albertazzi",
3782   journal =      "Phys. Rev. B",
3783   volume =       "63",
3784   number =       "19",
3785   pages =        "195207",
3786   numpages =     "4",
3787   year =         "2001",
3788   month =        apr,
3789   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
3790   publisher =    "American Physical Society",
3791 }
3792
3793 @Article{holmstroem08,
3794   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
3795                  density functional theory molecular dynamics
3796                  simulations",
3797   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
3798   journal =      "Phys. Rev. B",
3799   volume =       "78",
3800   number =       "4",
3801   pages =        "045202",
3802   numpages =     "6",
3803   year =         "2008",
3804   month =        jul,
3805   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
3806   publisher =    "American Physical Society",
3807   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
3808                  initio",
3809 }
3810
3811 @Article{nordlund97,
3812   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
3813                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
3814   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3815   volume =       "132",
3816   number =       "1",
3817   pages =        "45--54",
3818   year =         "1997",
3819   note =         "",
3820   ISSN =         "0168-583X",
3821   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
3822   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
3823   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
3824   notes =        "repulsive ab initio potential",
3825 }
3826
3827 @Article{kresse96,
3828   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
3829                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
3830                  set",
3831   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3832   volume =       "6",
3833   number =       "1",
3834   pages =        "15--50",
3835   year =         "1996",
3836   note =         "",
3837   ISSN =         "0927-0256",
3838   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
3839   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
3840   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
3841   notes =        "vasp ref",
3842 }
3843
3844 @Article{bloechl94,
3845   title =        "Projector augmented-wave method",
3846   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
3847   journal =      "Phys. Rev. B",
3848   volume =       "50",
3849   number =       "24",
3850   pages =        "17953--17979",
3851   numpages =     "26",
3852   year =         "1994",
3853   month =        dec,
3854   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
3855   publisher =    "American Physical Society",
3856   notes =        "paw method",
3857 }
3858
3859 @Article{hamann79,
3860   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
3861   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
3862   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3863   volume =       "43",
3864   number =       "20",
3865   pages =        "1494--1497",
3866   numpages =     "3",
3867   year =         "1979",
3868   month =        nov,
3869   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
3870   publisher =    "American Physical Society",
3871   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
3872 }
3873
3874 @Article{vanderbilt90,
3875   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
3876                  eigenvalue formalism",
3877   author =       "David Vanderbilt",
3878   journal =      "Phys. Rev. B",
3879   volume =       "41",
3880   number =       "11",
3881   pages =        "7892--7895",
3882   numpages =     "3",
3883   year =         "1990",
3884   month =        apr,
3885   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
3886   publisher =    "American Physical Society",
3887   notes =        "vasp pseudopotentials",
3888 }
3889
3890 @Article{ceperley80,
3891   title =        "Ground State of the Electron Gas by a Stochastic
3892                  Method",
3893   author =       "D. M. Ceperley and B. J. Alder",
3894   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3895   volume =       "45",
3896   number =       "7",
3897   pages =        "566--569",
3898   numpages =     "3",
3899   year =         "1980",
3900   month =        aug,
3901   doi =          "10.1103/PhysRevLett.45.566",
3902   publisher =    "American Physical Society",
3903 }
3904
3905 @Article{perdew81,
3906   title =        "Self-interaction correction to density-functional
3907                  approximations for many-electron systems",
3908   author =       "J. P. Perdew and Alex Zunger",
3909   journal =      "Phys. Rev. B",
3910   volume =       "23",
3911   number =       "10",
3912   pages =        "5048--5079",
3913   numpages =     "31",
3914   year =         "1981",
3915   month =        may,
3916   doi =          "10.1103/PhysRevB.23.5048",
3917   publisher =    "American Physical Society",
3918 }
3919
3920 @Article{perdew86,
3921   title =        "Accurate and simple density functional for the
3922                  electronic exchange energy: Generalized gradient
3923                  approximation",
3924   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
3925   journal =      "Phys. Rev. B",
3926   volume =       "33",
3927   number =       "12",
3928   pages =        "8800--8802",
3929   numpages =     "2",
3930   year =         "1986",
3931   month =        jun,
3932   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
3933   publisher =    "American Physical Society",
3934   notes =        "rapid communication gga",
3935 }
3936
3937 @Article{perdew02,
3938   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
3939                  correlation: {A} look backward and forward",
3940   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
3941   volume =       "172",
3942   number =       "1-2",
3943   pages =        "1--6",
3944   year =         "1991",
3945   note =         "",
3946   ISSN =         "0921-4526",
3947   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
3948   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
3949   author =       "John P. Perdew",
3950   notes =        "gga overview",
3951 }
3952
3953 @Article{perdew92,
3954   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
3955                  of the generalized gradient approximation for exchange
3956                  and correlation",
3957   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
3958                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
3959                  and Carlos Fiolhais",
3960   journal =      "Phys. Rev. B",
3961   volume =       "46",
3962   number =       "11",
3963   pages =        "6671--6687",
3964   numpages =     "16",
3965   year =         "1992",
3966   month =        sep,
3967   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
3968   publisher =    "American Physical Society",
3969   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
3970 }
3971
3972 @Article{baldereschi73,
3973   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
3974   author =       "A. Baldereschi",
3975   journal =      "Phys. Rev. B",
3976   volume =       "7",
3977   number =       "12",
3978   pages =        "5212--5215",
3979   numpages =     "3",
3980   year =         "1973",
3981   month =        jun,
3982   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
3983   publisher =    "American Physical Society",
3984   notes =        "mean value k point",
3985 }
3986
3987 @Article{zhu98,
3988   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
3989                  diffusion in Si",
3990   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3991   volume =       "12",
3992   number =       "4",
3993   pages =        "309--318",
3994   year =         "1998",
3995   note =         "",
3996   ISSN =         "0927-0256",
3997   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
3998   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
3999   author =       "Jing Zhu",
4000   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
4001   keywords =     "Boron dopant",
4002   keywords =     "Carbon dopant",
4003   keywords =     "Defect",
4004   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
4005   keywords =     "Impurity cluster",
4006   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
4007 }
4008
4009 @Article{nejim95,
4010   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
4011   collaboration = "",
4012   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
4013                  950 [degree]{C}",
4014   publisher =    "AIP",
4015   year =         "1995",
4016   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4017   volume =       "66",
4018   number =       "20",
4019   pages =        "2646--2648",
4020   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
4021                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
4022                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
4023                  ELECTRON MICROSCOPY",
4024   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
4025   doi =          "10.1063/1.113112",
4026   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
4027                  self interstitials react with further implanted c",
4028 }
4029
4030 @Article{guedj98,
4031   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
4032                  Kolodzey and A. Hairie",
4033   collaboration = "",
4034   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
4035                  alloys",
4036   publisher =    "AIP",
4037   year =         "1998",
4038   journal =      "J. Appl. Phys.",
4039   volume =       "84",
4040   number =       "8",
4041   pages =        "4631--4633",
4042   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
4043                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
4044                  Fourier transform spectra; thermal stability;
4045                  annealing",
4046   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
4047   doi =          "10.1063/1.368703",
4048   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
4049 }
4050
4051 @Article{jones04,
4052   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
4053   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
4054                  semiconductors",
4055   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
4056   volume =       "16",
4057   number =       "27",
4058   pages =        "S2643",
4059   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
4060   year =         "2004",
4061   notes =        "ab inito dft intro, vibrational modes, c defect in
4062                  si",
4063 }
4064
4065 @Article{park02,
4066   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
4067                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
4068                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
4069   collaboration = "",
4070   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
4071                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
4072                  molecular-beam epitaxy",
4073   publisher =    "AIP",
4074   year =         "2002",
4075   journal =      "J. Appl. Phys.",
4076   volume =       "91",
4077   number =       "9",
4078   pages =        "5716--5727",
4079   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
4080   doi =          "10.1063/1.1465122",
4081   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
4082 }
4083
4084 @Article{leary97,
4085   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
4086                  carbon-carbon pair defects in silicon",
4087   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
4088                  Torres",
4089   journal =      "Phys. Rev. B",
4090   volume =       "55",
4091   number =       "4",
4092   pages =        "2188--2194",
4093   numpages =     "6",
4094   year =         "1997",
4095   month =        jan,
4096   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
4097   publisher =    "American Physical Society",
4098   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
4099                  energies, different migration barriers and paths",
4100 }
4101
4102 @Article{burnard93,
4103   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
4104                  silicon: Semiempirical electronic-structure
4105                  calculations",
4106   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
4107   journal =      "Phys. Rev. B",
4108   volume =       "47",
4109   number =       "16",
4110   pages =        "10217--10225",
4111   numpages =     "8",
4112   year =         "1993",
4113   month =        apr,
4114   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
4115   publisher =    "American Physical Society",
4116   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
4117                  carbon defect, formation energies",
4118 }
4119
4120 @Article{besson91,
4121   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
4122                  silicon",
4123   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
4124   journal =      "Phys. Rev. B",
4125   volume =       "43",
4126   number =       "5",
4127   pages =        "4028--4033",
4128   numpages =     "5",
4129   year =         "1991",
4130   month =        feb,
4131   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
4132   publisher =    "American Physical Society",
4133 }
4134
4135 @Article{kaxiras96,
4136   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
4137                  and growth on semiconductors",
4138   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
4139   volume =       "6",
4140   number =       "2",
4141   pages =        "158--172",
4142   year =         "1996",
4143   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
4144                  Epitaxy",
4145   ISSN =         "0927-0256",
4146   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
4147   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
4148   author =       "Efthimios Kaxiras",
4149   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
4150                  tight binding, first principles",
4151 }
4152
4153 @Article{kaukonen98,
4154   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
4155                  diamond
4156                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
4157                  surfaces",
4158   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
4159                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
4160                  Th. Frauenheim",
4161   journal =      "Phys. Rev. B",
4162   volume =       "57",
4163   number =       "16",
4164   pages =        "9965--9970",
4165   numpages =     "5",
4166   year =         "1998",
4167   month =        apr,
4168   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
4169   publisher =    "American Physical Society",
4170   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
4171                  (crt)",
4172 }
4173
4174 @Article{gali03,
4175   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
4176                  center in Si{C}",
4177   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
4178                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
4179                  W. J. Choyke",
4180   journal =      "Phys. Rev. B",
4181   volume =       "67",
4182   number =       "15",
4183   pages =        "155203",
4184   numpages =     "5",
4185   year =         "2003",
4186   month =        apr,
4187   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
4188   publisher =    "American Physical Society",
4189 }
4190
4191 @Article{chen98,
4192   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
4193                  irradiation and deformation",
4194   journal =      "J. Nucl. Mater.",
4195   volume =       "258-263",
4196   number =       "Part 2",
4197   pages =        "1803--1808",
4198   year =         "1998",
4199   note =         "",
4200   ISSN =         "0022-3115",
4201   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
4202   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
4203   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
4204 }
4205
4206 @Article{weber01,
4207   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
4208                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
4209   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
4210   volume =       "175-177",
4211   number =       "",
4212   pages =        "26--30",
4213   year =         "2001",
4214   note =         "",
4215   ISSN =         "0168-583X",
4216   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
4217   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
4218   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
4219 }
4220
4221 @Article{bockstedte03,
4222   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
4223                  in $3{C}-Si{C}$",
4224   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
4225                  Pankratov",
4226   journal =      "Phys. Rev. B",
4227   volume =       "68",
4228   number =       "20",
4229   pages =        "205201",
4230   numpages =     "17",
4231   year =         "2003",
4232   month =        nov,
4233   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
4234   publisher =    "American Physical Society",
4235   notes =        "defect migration in sic",
4236 }
4237
4238 @Article{rauls03a,
4239   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
4240                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
4241   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
4242                  De\'ak",
4243   journal =      "Phys. Rev. B",
4244   volume =       "68",
4245   number =       "15",
4246   pages =        "155208",
4247   numpages =     "9",
4248   year =         "2003",
4249   month =        oct,
4250   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
4251   publisher =    "American Physical Society",
4252 }
4253
4254 @Article{losev27,
4255   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
4256   volume =       "44",
4257   pages =        "485--494",
4258   year =         "1927",
4259   author =       "O. V. Lossev",
4260 }
4261
4262 @Article{losev28,
4263   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
4264                  oscillations with crystals",
4265   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
4266   volume =       "6",
4267   number =       "39",
4268   pages =        "1024--1044",
4269   year =         "1928",
4270   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
4271   author =       "O. V. Lossev",
4272 }
4273
4274 @Article{losev29,
4275   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4276   volume =       "30",
4277   pages =        "920--923",
4278   year =         "1929",
4279   author =       "O. V. Lossev",
4280 }
4281
4282 @Article{losev31,
4283   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4284   volume =       "32",
4285   pages =        "692--696",
4286   year =         "1931",
4287   author =       "O. V. Lossev",
4288 }
4289
4290 @Article{losev33,
4291   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4292   volume =       "34",
4293   pages =        "397--403",
4294   year =         "1933",
4295   author =       "O. V. Lossev",
4296 }
4297
4298 @Article{round07,
4299   title =        "A note on carborundum",
4300   journal =      "Electrical World",
4301   volume =       "49",
4302   pages =        "308",
4303   year =         "1907",
4304   author =       "H. J. Round",
4305 }
4306
4307 @Article{vashishath08,
4308   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
4309   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
4310   volume =       "2",
4311   number =       "03",
4312   pages =        "444--470",
4313   year =         "2008",
4314   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
4315   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
4316   notes =        "sic polytype electronic properties",
4317 }
4318
4319 @Article{nelson69,
4320   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
4321   collaboration = "",
4322   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
4323   publisher =    "AIP",
4324   year =         "1966",
4325   journal =      "Journal of Applied Physics",
4326   volume =       "37",
4327   number =       "1",
4328   pages =        "333--336",
4329   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
4330   doi =          "10.1063/1.1707837",
4331   notes =        "sic melt growth",
4332 }
4333
4334 @Article{arkel25,
4335   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
4336   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
4337                  und Thoriummetall",
4338   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
4339   year =         "1925",
4340   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4341   volume =       "148",
4342   pages =        "345--350",
4343   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
4344   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
4345   notes =        "van arkel apparatus",
4346 }
4347
4348 @Article{moers31,
4349   author =       "K. Moers",
4350   year =         "1931",
4351   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4352   volume =       "198",
4353   pages =        "293",
4354   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4355                  process",
4356 }
4357
4358 @Article{kendall53,
4359   author =       "J. T. Kendall",
4360   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
4361   publisher =    "AIP",
4362   year =         "1953",
4363   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
4364   volume =       "21",
4365   number =       "5",
4366   pages =        "821--827",
4367   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
4368   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4369                  process",
4370 }
4371
4372 @Article{lely55,
4373   author =       "J. A. Lely",
4374   year =         "1955",
4375   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
4376   volume =       "32",
4377   pages =        "229",
4378   notes =        "lely sublimation growth process",
4379 }
4380
4381 @Article{knippenberg63,
4382   author =       "W. F. Knippenberg",
4383   year =         "1963",
4384   journal =      "Philips Res. Repts.",
4385   volume =       "18",
4386   pages =        "161",
4387   notes =        "acheson process",
4388 }
4389
4390 @Article{hoffmann82,
4391   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
4392                  Weyrich",
4393   collaboration = "",
4394   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
4395                  improved external quantum efficiency",
4396   publisher =    "AIP",
4397   year =         "1982",
4398   journal =      "Journal of Applied Physics",
4399   volume =       "53",
4400   number =       "10",
4401   pages =        "6962--6967",
4402   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
4403                  efficiency; visible radiation; experimental data;
4404                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
4405                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
4406                  electroluminescence; spectra; current density;
4407                  optimization",
4408   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
4409   doi =          "10.1063/1.330041",
4410   notes =        "blue led, sublimation process",
4411 }
4412
4413 @Article{neudeck95,
4414   author =       "Philip Neudeck",
4415   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
4416                  Road 44135 Cleveland OH",
4417   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
4418                  technology",
4419   journal =      "Journal of Electronic Materials",
4420   publisher =    "Springer Boston",
4421   ISSN =         "0361-5235",
4422   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
4423   pages =        "283--288",
4424   volume =       "24",
4425   issue =        "4",
4426   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
4427   note =         "10.1007/BF02659688",
4428   year =         "1995",
4429   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
4430 }
4431
4432 @Article{bhatnagar93,
4433   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
4434   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4435   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
4436                  devices",
4437   year =         "1993",
4438   month =        mar,
4439   volume =       "40",
4440   number =       "3",
4441   pages =        "645--655",
4442   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
4443                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
4444                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
4445                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
4446                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
4447                  solids;insulated gate field effect transistors;power
4448                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
4449                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
4450   doi =          "10.1109/16.199372",
4451   ISSN =         "0018-9383",
4452   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
4453 }
4454
4455 @Article{neudeck94,
4456   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
4457                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
4458   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4459   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
4460                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
4461                  6{H}-Si{C} substrates",
4462   year =         "1994",
4463   month =        may,
4464   volume =       "41",
4465   number =       "5",
4466   pages =        "826--835",
4467   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
4468                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
4469                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
4470                  properties;epitaxial layers;light
4471                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
4472                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
4473                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
4474                  currents;power electronics;semiconductor
4475                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
4476                  growth;semiconductor materials;silicon
4477                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
4478                  phase epitaxial growth;",
4479   doi =          "10.1109/16.285038",
4480   ISSN =         "0018-9383",
4481   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
4482                  substrate",
4483 }
4484
4485 @Article{schulze98,
4486   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
4487   collaboration = "",
4488   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
4489                  single crystals by physical vapor transport",
4490   publisher =    "AIP",
4491   year =         "1998",
4492   journal =      "Applied Physics Letters",
4493   volume =       "72",
4494   number =       "13",
4495   pages =        "1632--1634",
4496   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
4497                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
4498                  photoluminescence; Hall mobility",
4499   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
4500   doi =          "10.1063/1.121136",
4501   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
4502 }
4503
4504 @Article{pirouz87,
4505   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
4506   collaboration = "",
4507   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
4508   publisher =    "AIP",
4509   year =         "1987",
4510   journal =      "Applied Physics Letters",
4511   volume =       "50",
4512   number =       "4",
4513   pages =        "221--223",
4514   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
4515                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
4516                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
4517                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
4518                  BOUNDARIES",
4519   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
4520   doi =          "10.1063/1.97667",
4521   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
4522 }
4523
4524 @Article{shibahara86,
4525   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
4526                  Si(100) by chemical vapor deposition",
4527   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4528   volume =       "78",
4529   number =       "3",
4530   pages =        "538--544",
4531   year =         "1986",
4532   note =         "",
4533   ISSN =         "0022-0248",
4534   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
4535   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
4536   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
4537                  Matsunami",
4538   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
4539 }
4540
4541 @Article{desjardins96,
4542   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
4543   collaboration = "",
4544   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
4545   publisher =    "AIP",
4546   year =         "1996",
4547   journal =      "Journal of Applied Physics",
4548   volume =       "79",
4549   number =       "3",
4550   pages =        "1423--1434",
4551   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
4552                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
4553   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
4554   doi =          "10.1063/1.360980",
4555   notes =        "apb model",
4556 }
4557
4558 @Article{henke95,
4559   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
4560   collaboration = "",
4561   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
4562                  carbonization of silicon",
4563   publisher =    "AIP",
4564   year =         "1995",
4565   journal =      "Journal of Applied Physics",
4566   volume =       "78",
4567   number =       "3",
4568   pages =        "2070--2073",
4569   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
4570                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
4571                  STRUCTURE",
4572   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
4573   doi =          "10.1063/1.360184",
4574   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
4575 }
4576
4577 @Article{fuyuki89,
4578   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
4579                  {MBE} using surface superstructure",
4580   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4581   volume =       "95",
4582   number =       "1-4",
4583   pages =        "461--463",
4584   year =         "1989",
4585   note =         "",
4586   ISSN =         "0022-0248",
4587   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
4588   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
4589   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
4590                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
4591   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4592 }
4593
4594 @Article{yoshinobu92,
4595   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
4596                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4597   collaboration = "",
4598   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
4599                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
4600                  molecular beam epitaxy",
4601   publisher =    "AIP",
4602   year =         "1992",
4603   journal =      "Applied Physics Letters",
4604   volume =       "60",
4605   number =       "7",
4606   pages =        "824--826",
4607   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
4608                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
4609                  INTERFACE STRUCTURE",
4610   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
4611   doi =          "10.1063/1.107430",
4612   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4613 }
4614
4615 @Article{yoshinobu90,
4616   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
4617                  cubic Si{C}",
4618   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4619   volume =       "99",
4620   number =       "1-4",
4621   pages =        "520--524",
4622   year =         "1990",
4623   note =         "",
4624   ISSN =         "0022-0248",
4625   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
4626   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
4627   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
4628                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4629   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
4630 }
4631
4632 @Article{fuyuki93,
4633   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
4634                  superstructures in Si{C}",
4635   journal =      "Thin Solid Films",
4636   volume =       "225",
4637   number =       "1-2",
4638   pages =        "225--229",
4639   year =         "1993",
4640   note =         "",
4641   ISSN =         "0040-6090",
4642   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
4643   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
4644   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
4645                  Matsunami",
4646   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4647                  epitaxy, ale",
4648 }
4649
4650 @Article{hara93,
4651   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
4652                  growth of [beta]-Si{C}",
4653   journal =      "Thin Solid Films",
4654   volume =       "225",
4655   number =       "1-2",
4656   pages =        "240--243",
4657   year =         "1993",
4658   note =         "",
4659   ISSN =         "0040-6090",
4660   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
4661   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
4662   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
4663                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
4664   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4665                  epitaxy, ale",
4666 }
4667
4668 @Article{tanaka94,
4669   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
4670   collaboration = "",
4671   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
4672                  growth mode and polytype formation during gas-source
4673                  molecular beam epitaxy",
4674   publisher =    "AIP",
4675   year =         "1994",
4676   journal =      "Applied Physics Letters",
4677   volume =       "65",
4678   number =       "22",
4679   pages =        "2851--2853",
4680   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
4681                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
4682                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
4683                  FLOW; FLOW RATE",
4684   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
4685   doi =          "10.1063/1.112513",
4686   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
4687 }
4688
4689 @Article{fuyuki97,
4690   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
4691   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
4692                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
4693   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
4694   year =         "1997",
4695   journal =      "physica status solidi (b)",
4696   volume =       "202",
4697   pages =        "359--378",
4698   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
4699                  temperatures 750",
4700 }
4701
4702 @Article{takaoka98,
4703   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
4704   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4705   volume =       "183",
4706   number =       "1-2",
4707   pages =        "175--182",
4708   year =         "1998",
4709   note =         "",
4710   ISSN =         "0022-0248",
4711   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
4712   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
4713   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
4714   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
4715   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
4716   keywords =     "Silicon carbide",
4717   keywords =     "Silicon",
4718   keywords =     "Island growth",
4719   notes =        "lower temperature, 550-700",
4720 }
4721
4722 @Article{hatayama95,
4723   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
4724                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
4725                  molecular beam epitaxy",
4726   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4727   volume =       "150",
4728   number =       "Part 2",
4729   pages =        "934--938",
4730   year =         "1995",
4731   note =         "",
4732   ISSN =         "0022-0248",
4733   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
4734   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
4735   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
4736                  and Hiroyuki Matsunami",
4737 }
4738
4739 @Article{heine91,
4740   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
4741   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
4742                  Metastable Cubic Form",
4743   journal =      "Journal of the American Ceramic Society",
4744   volume =       "74",
4745   number =       "10",
4746   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
4747   ISSN =         "1551-2916",
4748   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4749   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4750   pages =        "2630--2633",
4751   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
4752                  calculations, stability",
4753   year =         "1991",
4754   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
4755                  polytype dft calculation refs",
4756 }
4757
4758 @Article{allendorf91,
4759   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
4760                  [beta]-silicon carbide",
4761   journal =      "Surface Science",
4762   volume =       "258",
4763   number =       "1-3",
4764   pages =        "177--189",
4765   year =         "1991",
4766   note =         "",
4767   ISSN =         "0039-6028",
4768   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
4769   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
4770   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
4771   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
4772 }
4773
4774 @Article{eaglesham93,
4775   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
4776                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
4777   collaboration = "",
4778   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
4779   publisher =    "AIP",
4780   year =         "1993",
4781   journal =      "Journal of Applied Physics",
4782   volume =       "74",
4783   number =       "11",
4784   pages =        "6615--6618",
4785   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
4786                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
4787                  DIFFUSION; ADSORPTION",
4788   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
4789   doi =          "10.1063/1.355101",
4790   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
4791                  mobility",
4792 }
4793
4794 @Article{newman85,
4795   author =       "Ronald C. Newman",
4796   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
4797   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4798   volume =       "59",
4799   number =       "",
4800   pages =        "403",
4801   year =         "1985",
4802   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
4803   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
4804   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
4805 }
4806
4807 @Article{newman61,
4808   title =        "The diffusivity of carbon in silicon",
4809   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
4810   volume =       "19",
4811   number =       "3-4",
4812   pages =        "230--234",
4813   year =         "1961",
4814   note =         "",
4815   ISSN =         "0022-3697",
4816   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(61)90032-4",
4817   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46M72R1-4D/2/9235472e4c0a95bf7b995769474f5fbd",
4818   author =       "R. C. Newman and J. Wakefield",
4819   notes =        "diffusivity of substitutional c in si",
4820 }
4821
4822 @Article{goesele85,
4823   author =       "U. Gösele",
4824   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
4825   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4826   volume =       "59",
4827   number =       "",
4828   pages =        "419",
4829   year =         "1985",
4830   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
4831   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
4832   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
4833 }
4834
4835 @Article{mukashev82,
4836   title =        "Defects in Carbon-Implanted Silicon",
4837   author =       "Bulat N. Mukashev and Alexey V. Spitsyn and Noboru
4838                  Fukuoka and Haruo Saito",
4839   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
4840   volume =       "21",
4841   number =       "Part 1, No. 2",
4842   pages =        "399--400",
4843   numpages =     "1",
4844   year =         "1982",
4845   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/21/399/",
4846   doi =          "10.1143/JJAP.21.399",
4847   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
4848 }
4849
4850 @Article{puska98,
4851   title =        "Convergence of supercell calculations for point
4852                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
4853   author =       "M. J. Puska and S. P{\"o}ykk{\"o} and M. Pesola and R.
4854                  M. Nieminen",
4855   journal =      "Phys. Rev. B",
4856   volume =       "58",
4857   number =       "3",
4858   pages =        "1318--1325",
4859   numpages =     "7",
4860   year =         "1998",
4861   month =        jul,
4862   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.1318",
4863   publisher =    "American Physical Society",
4864   notes =        "convergence k point supercell size, vacancy in
4865                  silicon",
4866 }
4867
4868 @Article{serre95,
4869   author =       "C. Serre and A. P\'{e}rez-Rodr\'{\i}guez and A.
4870                  Romano-Rodr\'{\i}guez and J. R. Morante and R.
4871                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
4872   collaboration = "",
4873   title =        "Spectroscopic characterization of phases formed by
4874                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
4875   publisher =    "AIP",
4876   year =         "1995",
4877   journal =      "Journal of Applied Physics",
4878   volume =       "77",
4879   number =       "7",
4880   pages =        "2978--2984",
4881   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; PHASE STUDIES; CARBON IONS;
4882                  FOURIER TRANSFORM SPECTROSCOPY; RAMAN SPECTRA;
4883                  PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; TEM; TEMPERATURE
4884                  DEPENDENCE; PRECIPITATES; ANNEALING",
4885   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
4886   doi =          "10.1063/1.358714",
4887 }
4888
4889 @Article{romano-rodriguez96,
4890   title =        "Detailed analysis of [beta]-Si{C} formation by high
4891                  dose carbon ion implantation in silicon",
4892   journal =      "Materials Science and Engineering B",
4893   volume =       "36",
4894   number =       "1-3",
4895   pages =        "282--285",
4896   year =         "1996",
4897   note =         "European Materials Research Society 1995 Spring
4898                  Meeting, Symposium N: Carbon, Hydrogen, Nitrogen, and
4899                  Oxygen in Silicon and in Other Elemental
4900                  Semiconductors",
4901   ISSN =         "0921-5107",
4902   doi =          "DOI: 10.1016/0921-5107(95)01283-4",
4903   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-3VR7691-25/2/995fd57b9e5c1100558f80c472620408",
4904   author =       "A. Romano-Rodriguez and C. Serre and L. Calvo-Barrio
4905                  and A. Pérez-Rodríguez and J. R. Morante and R. Kögler
4906                  and W. Skorupa",
4907   keywords =     "Silicon",
4908   keywords =     "Ion implantation",
4909   notes =        "incoherent 3c-sic precipitate",
4910 }