bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{capano97,
  44   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  45   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  46   journal =      "MRS Bull.",
  47   volume =       "22",
  48   pages =        "19",
  49   year =         "1997",
  50 }
  51
  52 @Book{laplace,
  53   author =       "P. S. de Laplace",
  54   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  55   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  56   volume =       "VII",
  57   publisher =    "Gauthier-Villars",
  58   year =         "1820",
  59 }
  60
  61 @Article{mattoni2007,
  62   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
  63   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
  64                  materials}",
  65   journal =      "Phys. Rev. B",
  66   year =         "2007",
  67   month =        dec,
  68   volume =       "76",
  69   number =       "22",
  70   pages =        "224103",
  71   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
  72   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
  73                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
  74                  fracture, more available potentials, universal energy
  75                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
  76 }
  77
  78 @Article{koster2002,
  79   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
  80                  bombardment",
  81   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
  82   journal =      "Phys. Rev. B",
  83   volume =       "62",
  84   number =       "16",
  85   pages =        "11219--11224",
  86   numpages =     "5",
  87   year =         "2000",
  88   month =        oct,
  89   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
  90   publisher =    "American Physical Society",
  91   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
  92 }
  93
  94 @Article{breadmore99,
  95   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
  96                  amorphization of silicon",
  97   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
  98   journal =      "Phys. Rev. B",
  99   volume =       "60",
 100   number =       "18",
 101   pages =        "12610--12616",
 102   numpages =     "6",
 103   year =         "1999",
 104   month =        nov,
 105   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 106   publisher =    "American Physical Society",
 107   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 108 }
 109
 110 @Book{park98,
 111   author =       "Y. S. Park",
 112   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 113   publisher =    "Academic Press",
 114   address =      "San Diego",
 115   year =         "1998",
 116 }
 117
 118 @Article{tsvetkov98,
 119   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 120                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 121   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 122   journal =      "Materials Science Forum",
 123   volume =       "264-268",
 124   pages =        "3--8",
 125   year =         "1998",
 126   notes =        "modified lely process, micropipes",
 127 }
 128
 129 @Article{verlet67,
 130   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 131                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 132   author =       "Loup Verlet",
 133   journal =      "Phys. Rev.",
 134   volume =       "159",
 135   number =       "1",
 136   pages =        "98",
 137   year =         "1967",
 138   month =        jul,
 139   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 140   publisher =    "American Physical Society",
 141   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 142                  motion",
 143 }
 144
 145 @Article{berendsen84,
 146   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 147                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 148   collaboration = "",
 149   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 150   publisher =    "AIP",
 151   year =         "1984",
 152   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 153   volume =       "81",
 154   number =       "8",
 155   pages =        "3684--3690",
 156   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 157                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 158   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 159   doi =          "10.1063/1.448118",
 160   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 161 }
 162
 163 @Article{huang95,
 164   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 165                  Baskes",
 166   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 167                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 168                  potentials",
 169   journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
 170                  Engineering",
 171   volume =       "3",
 172   number =       "5",
 173   pages =        "615--627",
 174   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 175   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 176                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 177   year =         "1995",
 178 }
 179
 180 @Article{tersoff89,
 181   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 182                  Tersoff potentials",
 183   author =       "Donald W. Brenner",
 184   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 185   volume =       "63",
 186   number =       "9",
 187   pages =        "1022",
 188   numpages =     "1",
 189   year =         "1989",
 190   month =        aug,
 191   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 192   publisher =    "American Physical Society",
 193   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 194 }
 195
 196 @Article{batra87,
 197   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 198                  silicon",
 199   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 200   journal =      "Phys. Rev. B",
 201   volume =       "35",
 202   number =       "18",
 203   pages =        "9552--9558",
 204   numpages =     "6",
 205   year =         "1987",
 206   month =        jun,
 207   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 208   publisher =    "American Physical Society",
 209   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 210                  calculation of defect formation energy, defect
 211                  interstitial types",
 212 }
 213
 214 @Article{schober89,
 215   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 216   author =       "H. R. Schober",
 217   journal =      "Phys. Rev. B",
 218   volume =       "39",
 219   number =       "17",
 220   pages =        "13013--13015",
 221   numpages =     "2",
 222   year =         "1989",
 223   month =        jun,
 224   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 225   publisher =    "American Physical Society",
 226   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 227                  dumbbell configuration",
 228 }
 229
 230 @Article{gao02,
 231   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 232                  Defect accumulation, topological features, and
 233                  disordering",
 234   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 235   journal =      "Phys. Rev. B",
 236   volume =       "66",
 237   number =       "2",
 238   pages =        "024106",
 239   numpages =     "10",
 240   year =         "2002",
 241   month =        jul,
 242   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 243   publisher =    "American Physical Society",
 244   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 245                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 246                  result analyze",
 247 }
 248
 249 @Article{devanathan98,
 250   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 251                  cascade in Si{C}",
 252   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 253                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 254   volume =       "141",
 255   number =       "1-4",
 256   pages =        "118--122",
 257   year =         "1998",
 258   ISSN =         "0168-583X",
 259   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 260   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 261                  Rubia",
 262   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 263                  3c-sic",
 264 }
 265
 266 @Article{devanathan98_2,
 267   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 268   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
 269   volume =       "253",
 270   number =       "1-3",
 271   pages =        "47--52",
 272   year =         "1998",
 273   ISSN =         "0022-3115",
 274   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 275   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 276                  Weber",
 277   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 278                  tersoff",
 279 }
 280
 281 @Article{batra87,
 282   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 283   author =       "M. Kitabatake",
 284   journal =      "Thin Solid Films",
 285   volume =       "369",
 286   pages =        "257--264",
 287   numpages =     "8",
 288   year =         "2000",
 289   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 290 }
 291
 292 @Article{tang97,
 293   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 294                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 295                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 296                  formation volumes",
 297   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 298                  Rubia",
 299   journal =      "Phys. Rev. B",
 300   volume =       "55",
 301   number =       "21",
 302   pages =        "14279--14289",
 303   numpages =     "10",
 304   year =         "1997",
 305   month =        jun,
 306   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 307   publisher =    "American Physical Society",
 308   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 309 }
 310
 311 @Article{tang97,
 312   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 313                  silicon",
 314   author =       "L. Colombo",
 315   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 316   volume =       "32",
 317   pages =        "271--295",
 318   numpages =     "25",
 319   year =         "2002",
 320   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 321   publisher =    "Annual Reviews",
 322   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 323 }
 324
 325 @Article{gao2001,
 326   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 327                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 328   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 329                  Corrales",
 330   journal =      "Phys. Rev. B",
 331   volume =       "64",
 332   number =       "24",
 333   pages =        "245208",
 334   numpages =     "7",
 335   year =         "2001",
 336   month =        dec,
 337   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 338   publisher =    "American Physical Society",
 339   notes =        "defects in 3c-sic",
 340 }
 341
 342 @Article{mattoni2002,
 343   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 344                  crystalline silicon",
 345   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 346   journal =      "Phys. Rev. B",
 347   volume =       "66",
 348   number =       "19",
 349   pages =        "195214",
 350   numpages =     "6",
 351   year =         "2002",
 352   month =        nov,
 353   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 354   publisher =    "American Physical Society",
 355   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 356                  links",
 357 }
 358
 359 @Article{leung99,
 360   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 361   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 362                  Itoh and S. Ihara",
 363   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 364   volume =       "83",
 365   number =       "12",
 366   pages =        "2351--2354",
 367   numpages =     "3",
 368   year =         "1999",
 369   month =        sep,
 370   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 371   publisher =    "American Physical Society",
 372   notes =        "nice images of the defects",
 373 }
 374
 375 @Article{capazd94,
 376   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 377                  carbon in silicon",
 378   author =       "R. B. Capazd and A. Dal Pino and J. D. Joannopoulos",
 379   journal =      "Phys. Rev. B",
 380   volume =       "50",
 381   number =       "11",
 382   pages =        "7439--7442",
 383   numpages =     "3",
 384   year =         "1994",
 385   month =        sep,
 386   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 387   publisher =    "American Physical Society",
 388   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 389                  dumbbell",
 390 }
 391
 392 @Article{car84,
 393   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 394                  Silicon",
 395   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 396                  Sokrates T. Pantelides",
 397   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 398   volume =       "52",
 399   number =       "20",
 400   pages =        "1814--1817",
 401   numpages =     "3",
 402   year =         "1984",
 403   month =        may,
 404   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 405   publisher =    "American Physical Society",
 406   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 407                  path formation",
 408 }
 409
 410 @Article{kelires97,
 411   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 412                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 413   author =       "P. C. Kelires",
 414   journal =      "Phys. Rev. B",
 415   volume =       "55",
 416   number =       "14",
 417   pages =        "8784--8787",
 418   numpages =     "3",
 419   year =         "1997",
 420   month =        apr,
 421   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 422   publisher =    "American Physical Society",
 423   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 424                  neighbour dist",
 425 }
 426
 427 @Article{kelires95,
 428   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 429                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 430   author =       "P. C. Kelires",
 431   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 432   volume =       "75",
 433   number =       "6",
 434   pages =        "1114--1117",
 435   numpages =     "3",
 436   year =         "1995",
 437   month =        aug,
 438   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 439   publisher =    "American Physical Society",
 440   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 441 }
 442
 443 @Article{watkins76,
 444   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 445                  Atom in Silicon",
 446   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 447   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 448   volume =       "36",
 449   number =       "22",
 450   pages =        "1329--1332",
 451   numpages =     "3",
 452   year =         "1976",
 453   month =        may,
 454   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 455   publisher =    "American Physical Society",
 456   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 457                  silicon",
 458 }
 459
 460 @Article{song90,
 461   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 462                  interstitial carbon in silicon",
 463   author =       "G. D. Watkins L. W. Song",
 464   journal =      "Phys. Rev. B",
 465   volume =       "42",
 466   number =       "9",
 467   pages =        "5759--5764",
 468   numpages =     "5",
 469   year =         "1990",
 470   month =        sep,
 471   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 472   publisher =    "American Physical Society",
 473 }
 474
 475 @Article{strane96,
 476   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 477                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 478   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 479                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 480   journal =      "J. Appl. Phys.",
 481   volume =       "79",
 482   pages =        "637",
 483   year =         "1996",
 484   month =        jan,
 485   doi =          "10.1063/1.360806",
 486   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 487 }
 488
 489 @Article{laveant2002,
 490   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 491   author =       "P. Laveant and G. Gerth and P. Werner and U.
 492                  G{\"o}sele",
 493   journal =      "Materials Science and Engineering B",
 494   volume =       "89",
 495   number =       "1-3",
 496   pages =        "241--245",
 497   keywords =     "Growth; Epitaxy; MBE; Carbon; Silicon",
 498   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 499                  stress, avoid sic precipitation",
 500 }
 501
 502 @Article{werner97,
 503   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 504                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 505   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 506                  silicon by transmission electron microscopy",
 507   publisher =    "AIP",
 508   year =         "1997",
 509   journal =      "Applied Physics Letters",
 510   volume =       "70",
 511   number =       "2",
 512   pages =        "252--254",
 513   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 514                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 515                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 516                  layers; precipitation",
 517   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 518   doi =          "10.1063/1.118381",
 519   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 520                  precipitate",
 521 }
 522
 523 @Article{strane94,
 524   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 525                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 526   collaboration = "",
 527   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
 528                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
 529   publisher =    "AIP",
 530   year =         "1994",
 531   journal =      "Journal of Applied Physics",
 532   volume =       "76",
 533   number =       "6",
 534   pages =        "3656--3668",
 535   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
 536   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
 537   doi =          "10.1063/1.357429",
 538   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs",
 539 }
 540
 541 @Article{edgar92,
 542   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
 543                  semiconductors",
 544   author =       "J. H. Edgar",
 545   journal =      "J. Mater. Res.",
 546   volume =       "7",
 547   pages =        "235",
 548   year =         "1992",
 549   month =        jan,
 550   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
 551   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
 552                  polytypes",
 553 }
 554
 555 @Article{zirkelbach2007,
 556   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
 557                  process leading to ordered precipitate structures",
 558   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 559                  and B. Stritzker",
 560   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 561   volume =       "257",
 562   number =       "1--2",
 563   pages =        "75--79",
 564   numpages =     "5",
 565   year =         "2007",
 566   month =        apr,
 567   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
 568   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 569                  NETHERLANDS",
 570 }
 571
 572 @Article{zirkelbach2006,
 573   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
 574                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
 575                  during ion irradiation",
 576   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 577                  and B. Stritzker",
 578   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 579   volume =       "242",
 580   number =       "1--2",
 581   pages =        "679--682",
 582   numpages =     "4",
 583   year =         "2006",
 584   month =        jan,
 585   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
 586   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 587                  NETHERLANDS",
 588 }
 589
 590 @Article{zirkelbach2005,
 591   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
 592                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
 593                  ion irradiation",
 594   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 595                  and B. Stritzker",
 596   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
 597   volume =       "33",
 598   number =       "1--3",
 599   pages =        "310--316",
 600   numpages =     "7",
 601   year =         "2005",
 602   month =        apr,
 603   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
 604   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 605                  NETHERLANDS",
 606 }
 607
 608 @Article{lindner02,
 609   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
 610                  fundamental studies for new technological tricks",
 611   author =       "J. K. N. Lindner",
 612   journal =      "Appl. Phys. A",
 613   volume =       "77",
 614   pages =        "27--38",
 615   year =         "2003",
 616   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
 617   notes =        "ibs, burried sic layers",
 618 }
 619
 620 @Article{alder57,
 621   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 622   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
 623   publisher =    "AIP",
 624   year =         "1957",
 625   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 626   volume =       "27",
 627   number =       "5",
 628   pages =        "1208--1209",
 629   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
 630   doi =          "10.1063/1.1743957",
 631 }
 632
 633 @Article{alder59,
 634   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 635   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
 636   publisher =    "AIP",
 637   year =         "1959",
 638   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 639   volume =       "31",
 640   number =       "2",
 641   pages =        "459--466",
 642   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
 643   doi =          "10.1063/1.1730376",
 644 }
 645
 646 @Article{tersoff_si1,
 647   title =        "New empirical model for the structural properties of
 648                  silicon",
 649   author =       "J. Tersoff",
 650   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 651   volume =       "56",
 652   number =       "6",
 653   pages =        "632--635",
 654   numpages =     "3",
 655   year =         "1986",
 656   month =        feb,
 657   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
 658   publisher =    "American Physical Society",
 659 }
 660
 661 @Article{tersoff_si2,
 662   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
 663                  covalent systems",
 664   author =       "J. Tersoff",
 665   journal =      "Phys. Rev. B",
 666   volume =       "37",
 667   number =       "12",
 668   pages =        "6991--7000",
 669   numpages =     "9",
 670   year =         "1988",
 671   month =        apr,
 672   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
 673   publisher =    "American Physical Society",
 674 }
 675
 676 @Article{tersoff_si3,
 677   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
 678                  improved elastic properties",
 679   author =       "J. Tersoff",
 680   journal =      "Phys. Rev. B",
 681   volume =       "38",
 682   number =       "14",
 683   pages =        "9902--9905",
 684   numpages =     "3",
 685   year =         "1988",
 686   month =        nov,
 687   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
 688   publisher =    "American Physical Society",
 689 }
 690
 691 @Article{tersoff_c,
 692   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
 693                  Applications to Amorphous Carbon",
 694   author =       "J. Tersoff",
 695   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 696   volume =       "61",
 697   number =       "25",
 698   pages =        "2879--2882",
 699   numpages =     "3",
 700   year =         "1988",
 701   month =        dec,
 702   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
 703   publisher =    "American Physical Society",
 704 }
 705
 706 @Article{tersoff_m,
 707   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
 708                  for multicomponent systems",
 709   author =       "J. Tersoff",
 710   journal =      "Phys. Rev. B",
 711   volume =       "39",
 712   number =       "8",
 713   pages =        "5566--5568",
 714   numpages =     "2",
 715   year =         "1989",
 716   month =        mar,
 717   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
 718   publisher =    "American Physical Society",
 719 }
 720
 721 @Article{fahey89,
 722   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
 723   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
 724   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
 725   volume =       "61",
 726   number =       "2",
 727   pages =        "289--384",
 728   numpages =     "95",
 729   year =         "1989",
 730   month =        apr,
 731   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
 732   publisher =    "American Physical Society",
 733 }
 734
 735 @Article{wesch96,
 736   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
 737   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 738                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 739   volume =       "116",
 740   number =       "1-4",
 741   pages =        "305--321",
 742   year =         "1996",
 743   note =         "Radiation Effects in Insulators",
 744   ISSN =         "0168-583X",
 745   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
 746   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
 747   author =       "W. Wesch",
 748 }
 749
 750 @Article{morkoc94,
 751   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
 752                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
 753   collaboration = "",
 754   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
 755                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
 756   publisher =    "AIP",
 757   year =         "1994",
 758   journal =      "Journal of Applied Physics",
 759   volume =       "76",
 760   number =       "3",
 761   pages =        "1363--1398",
 762   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
 763                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
 764                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
 765                  FILMS; INDUSTRY",
 766   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
 767   doi =          "10.1063/1.358463",
 768 }
 769
 770 @Article{foo,
 771   author =       "Noch Unbekannt",
 772   title =        "How to find references",
 773   journal =      "Journal of Applied References",
 774   year =         "2009",
 775   volume =       "77",
 776   pages =        "1--23",
 777 }
 778
 779 @Article{tang95,
 780   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
 781                  \beta{}-Si{C}",
 782   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
 783   journal =      "Phys. Rev. B",
 784   volume =       "52",
 785   number =       "21",
 786   pages =        "15150--15159",
 787   numpages =     "9",
 788   year =         "1995",
 789   month =        dec,
 790   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
 791   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume",
 792   publisher =    "American Physical Society",
 793 }
 794
 795 @Article{sarro00,
 796   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
 797   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
 798   volume =       "82",
 799   number =       "1-3",
 800   pages =        "210--218",
 801   year =         "2000",
 802   ISSN =         "0924-4247",
 803   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
 804   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
 805   author =       "Pasqualina M. Sarro",
 806   keywords =     "MEMS",
 807   keywords =     "Silicon carbide",
 808   keywords =     "Micromachining",
 809   keywords =     "Mechanical stress",
 810 }
 811
 812 @Article{casady96,
 813   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
 814                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
 815                  review",
 816   journal =      "Solid-State Electronics",
 817   volume =       "39",
 818   number =       "10",
 819   pages =        "1409--1422",
 820   year =         "1996",
 821   ISSN =         "0038-1101",
 822   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
 823   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
 824   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
 825 }
 826
 827 @Article{giancarli98,
 828   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
 829                  structural material in fusion power reactor blankets",
 830   journal =      "Fusion Engineering and Design",
 831   volume =       "41",
 832   number =       "1-4",
 833   pages =        "165--171",
 834   year =         "1998",
 835   ISSN =         "0920-3796",
 836   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
 837   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
 838   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
 839                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
 840 }
 841
 842 @Article{pensl93,
 843   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
 844   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
 845   volume =       "185",
 846   number =       "1-4",
 847   pages =        "264--283",
 848   year =         "1993",
 849   ISSN =         "0921-4526",
 850   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
 851   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
 852   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
 853 }
 854
 855 @Article{tairov78,
 856   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
 857                  carbide single crystals",
 858   journal =      "Journal of Crystal Growth",
 859   volume =       "43",
 860   number =       "2",
 861   pages =        "209--212",
 862   year =         "1978",
 863   notes =        "modifief lely process",
 864   ISSN =         "0022-0248",
 865   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
 866   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
 867   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
 868 }
 869
 870 @Article{powell87,
 871   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
 872                  Kuczmarski",
 873   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
 874                  Single-Crystal Films on Si",
 875   publisher =    "ECS",
 876   year =         "1987",
 877   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
 878   volume =       "134",
 879   number =       "6",
 880   pages =        "1558--1565",
 881   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
 882                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
 883   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
 884   doi =          "10.1149/1.2100708",
 885   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
 886 }
 887
 888 @Article{kimoto93,
 889   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
 890                  and Hiroyuki Matsunami",
 891   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
 892                  epitaxy",
 893   publisher =    "AIP",
 894   year =         "1993",
 895   journal =      "Journal of Applied Physics",
 896   volume =       "73",
 897   number =       "2",
 898   pages =        "726--732",
 899   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
 900                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
 901                  VAPOR DEPOSITION",
 902   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
 903   doi =          "10.1063/1.353329",
 904 }
 905
 906 @Article{powell90,
 907   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
 908                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
 909                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
 910   collaboration = "",
 911   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
 912                  6{H}-Si{C} substrates",
 913   publisher =    "AIP",
 914   year =         "1990",
 915   journal =      "Applied Physics Letters",
 916   volume =       "56",
 917   number =       "14",
 918   pages =        "1353--1355",
 919   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
 920                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
 921                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
 922                  PHASE EPITAXY",
 923   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
 924   doi =          "10.1063/1.102512",
 925 }