bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philos. Mag. B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
  91                  precipitation by interstitial and substitutional
  92                  carbon, both mechanisms explained + refs",
  93 }
  94
  95 @Book{laplace,
  96   author =       "P. S. de Laplace",
  97   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  98   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  99   volume =       "VII",
 100   publisher =    "Gauthier-Villars",
 101   year =         "1820",
 102 }
 103
 104 @Article{mattoni2007,
 105   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 106   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 107                  materials}",
 108   journal =      "Phys. Rev. B",
 109   year =         "2007",
 110   month =        dec,
 111   volume =       "76",
 112   number =       "22",
 113   pages =        "224103",
 114   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 115   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 116                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 117                  fracture, more available potentials, universal energy
 118                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 119 }
 120
 121 @Article{balamane92,
 122   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 123                  potentials",
 124   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 125   journal =      "Phys. Rev. B",
 126   volume =       "46",
 127   number =       "4",
 128   pages =        "2250--2279",
 129   numpages =     "29",
 130   year =         "1992",
 131   month =        jul,
 132   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 133   publisher =    "American Physical Society",
 134   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 135 }
 136
 137 @Article{koster2002,
 138   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 139                  bombardment",
 140   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 141   journal =      "Phys. Rev. B",
 142   volume =       "62",
 143   number =       "16",
 144   pages =        "11219--11224",
 145   numpages =     "5",
 146   year =         "2000",
 147   month =        oct,
 148   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 149   publisher =    "American Physical Society",
 150   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 151 }
 152
 153 @Article{breadmore99,
 154   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 155                  amorphization of silicon",
 156   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 157   journal =      "Phys. Rev. B",
 158   volume =       "60",
 159   number =       "18",
 160   pages =        "12610--12616",
 161   numpages =     "6",
 162   year =         "1999",
 163   month =        nov,
 164   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 165   publisher =    "American Physical Society",
 166   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 167 }
 168
 169 @Article{moissan04,
 170   author =       "Henri Moissan",
 171   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 172                  Diablo",
 173   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 174   volume =       "139",
 175   pages =        "773--786",
 176   year =         "1904",
 177 }
 178
 179 @Book{park98,
 180   author =       "Y. S. Park",
 181   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 182   publisher =    "Academic Press",
 183   address =      "San Diego",
 184   year =         "1998",
 185 }
 186
 187 @Article{tsvetkov98,
 188   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 189                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 190   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 191   journal =      "Materials Science Forum",
 192   volume =       "264-268",
 193   pages =        "3--8",
 194   year =         "1998",
 195   notes =        "modified lely process, micropipes",
 196 }
 197
 198 @Article{verlet67,
 199   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 200                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 201   author =       "Loup Verlet",
 202   journal =      "Phys. Rev.",
 203   volume =       "159",
 204   number =       "1",
 205   pages =        "98",
 206   year =         "1967",
 207   month =        jul,
 208   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 209   publisher =    "American Physical Society",
 210   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 211                  motion",
 212 }
 213
 214 @Article{berendsen84,
 215   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 216                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 217   collaboration = "",
 218   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 219   publisher =    "AIP",
 220   year =         "1984",
 221   journal =      "J. Chem. Phys.",
 222   volume =       "81",
 223   number =       "8",
 224   pages =        "3684--3690",
 225   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 226                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 227   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 228   doi =          "10.1063/1.448118",
 229   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 230 }
 231
 232 @Article{huang95,
 233   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 234                  Baskes",
 235   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 236                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 237                  potentials",
 238   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 239   volume =       "3",
 240   number =       "5",
 241   pages =        "615--627",
 242   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 243   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 244                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 245   year =         "1995",
 246 }
 247
 248 @Article{brenner89,
 249   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 250                  Tersoff potentials",
 251   author =       "Donald W. Brenner",
 252   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 253   volume =       "63",
 254   number =       "9",
 255   pages =        "1022",
 256   numpages =     "1",
 257   year =         "1989",
 258   month =        aug,
 259   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 260   publisher =    "American Physical Society",
 261   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 262 }
 263
 264 @Article{batra87,
 265   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 266                  silicon",
 267   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 268   journal =      "Phys. Rev. B",
 269   volume =       "35",
 270   number =       "18",
 271   pages =        "9552--9558",
 272   numpages =     "6",
 273   year =         "1987",
 274   month =        jun,
 275   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 276   publisher =    "American Physical Society",
 277   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 278                  calculation of defect formation energy, defect
 279                  interstitial types",
 280 }
 281
 282 @Article{schober89,
 283   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 284   author =       "H. R. Schober",
 285   journal =      "Phys. Rev. B",
 286   volume =       "39",
 287   number =       "17",
 288   pages =        "13013--13015",
 289   numpages =     "2",
 290   year =         "1989",
 291   month =        jun,
 292   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 293   publisher =    "American Physical Society",
 294   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 295                  dumbbell configuration",
 296 }
 297
 298 @Article{gao02a,
 299   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 300                  Defect accumulation, topological features, and
 301                  disordering",
 302   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 303   journal =      "Phys. Rev. B",
 304   volume =       "66",
 305   number =       "2",
 306   pages =        "024106",
 307   numpages =     "10",
 308   year =         "2002",
 309   month =        jul,
 310   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 311   publisher =    "American Physical Society",
 312   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 313                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 314                  result analyze",
 315 }
 316
 317 @Article{devanathan98,
 318   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 319                  cascade in Si{C}",
 320   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 321   volume =       "141",
 322   number =       "1-4",
 323   pages =        "118--122",
 324   year =         "1998",
 325   ISSN =         "0168-583X",
 326   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 327   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 328                  Rubia",
 329   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 330                  3c-sic",
 331 }
 332
 333 @Article{devanathan98_2,
 334   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 335   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 336   volume =       "253",
 337   number =       "1-3",
 338   pages =        "47--52",
 339   year =         "1998",
 340   ISSN =         "0022-3115",
 341   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 342   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 343                  Weber",
 344   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 345                  tersoff",
 346 }
 347
 348 @Article{kitabatake00,
 349   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 350   author =       "M. Kitabatake",
 351   journal =      "Thin Solid Films",
 352   volume =       "369",
 353   pages =        "257--264",
 354   numpages =     "8",
 355   year =         "2000",
 356   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 357 }
 358
 359 @Article{tang97,
 360   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 361                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 362                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 363                  formation volumes",
 364   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 365                  Rubia",
 366   journal =      "Phys. Rev. B",
 367   volume =       "55",
 368   number =       "21",
 369   pages =        "14279--14289",
 370   numpages =     "10",
 371   year =         "1997",
 372   month =        jun,
 373   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 374   publisher =    "American Physical Society",
 375   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 376 }
 377
 378 @Article{johnson98,
 379   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 380                  Rubia",
 381   collaboration = "",
 382   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 383                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 384                  presence of carbon and boron",
 385   publisher =    "AIP",
 386   year =         "1998",
 387   journal =      "J. Appl. Phys.",
 388   volume =       "84",
 389   number =       "4",
 390   pages =        "1963--1967",
 391   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 392                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 393                  semiconductors; self-diffusion",
 394   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 395   doi =          "10.1063/1.368328",
 396   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 397                  diffsuion",
 398 }
 399
 400 @Article{bar-yam84,
 401   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 402                  Self-Interstitial",
 403   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 404   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 405   volume =       "52",
 406   number =       "13",
 407   pages =        "1129--1132",
 408   numpages =     "3",
 409   year =         "1984",
 410   month =        mar,
 411   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 412   publisher =    "American Physical Society",
 413   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 414 }
 415
 416 @Article{bar-yam84_2,
 417   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 418                  barriers of silicon self-interstitials",
 419   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 420   journal =      "Phys. Rev. B",
 421   volume =       "30",
 422   number =       "4",
 423   pages =        "1844--1852",
 424   numpages =     "8",
 425   year =         "1984",
 426   month =        aug,
 427   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 428   publisher =    "American Physical Society",
 429 }
 430
 431 @Article{bloechl93,
 432   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 433                  constants in silicon",
 434   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 435                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 436   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 437   volume =       "70",
 438   number =       "16",
 439   pages =        "2435--2438",
 440   numpages =     "3",
 441   year =         "1993",
 442   month =        apr,
 443   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 444   publisher =    "American Physical Society",
 445   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 446                  entropy calculations",
 447 }
 448
 449 @Article{colombo02,
 450   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 451                  silicon",
 452   author =       "L. Colombo",
 453   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 454   volume =       "32",
 455   pages =        "271--295",
 456   numpages =     "25",
 457   year =         "2002",
 458   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 459   publisher =    "Annual Reviews",
 460   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 461 }
 462
 463 @Article{al-mushadani03,
 464   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 465                  silicon",
 466   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 467   journal =      "Phys. Rev. B",
 468   volume =       "68",
 469   number =       "23",
 470   pages =        "235205",
 471   numpages =     "8",
 472   year =         "2003",
 473   month =        dec,
 474   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 475   publisher =    "American Physical Society",
 476   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 477                  silicon, si self interstitials, free energy",
 478 }
 479
 480 @Article{goedecker02,
 481   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 482   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 483   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 484   volume =       "88",
 485   number =       "23",
 486   pages =        "235501",
 487   numpages =     "4",
 488   year =         "2002",
 489   month =        may,
 490   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 491   publisher =    "American Physical Society",
 492   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 493                  silicon",
 494 }
 495
 496 @Article{sahli05,
 497   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 498                  self-interstitial diffusion in silicon",
 499   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 500   journal =      "Phys. Rev. B",
 501   volume =       "72",
 502   number =       "24",
 503   pages =        "245210",
 504   numpages =     "6",
 505   year =         "2005",
 506   month =        dec,
 507   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 508   publisher =    "American Physical Society",
 509   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 510                  mapping applied",
 511 }
 512
 513 @Article{hobler05,
 514   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 515                  native point defects in silicon",
 516   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 517   volume =       "124-125",
 518   number =       "",
 519   pages =        "368--371",
 520   year =         "2005",
 521   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 522                  Issues for Future Technologies",
 523   ISSN =         "0921-5107",
 524   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 525   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 526   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 527   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 528                  radius",
 529 }
 530
 531 @Article{ma10,
 532   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 533                  wide temperature range: Point defect states and
 534                  migration mechanisms",
 535   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 536   journal =      "Phys. Rev. B",
 537   volume =       "81",
 538   number =       "19",
 539   pages =        "193203",
 540   numpages =     "4",
 541   year =         "2010",
 542   month =        may,
 543   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 544   publisher =    "American Physical Society",
 545   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 546 }
 547
 548 @Article{posselt06,
 549   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 550                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 551   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 552   journal =      "Phys. Rev. B",
 553   volume =       "73",
 554   number =       "12",
 555   pages =        "125206",
 556   numpages =     "8",
 557   year =         "2006",
 558   month =        mar,
 559   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 560   publisher =    "American Physical Society",
 561 }
 562
 563 @Article{posselt08,
 564   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 565                  migration mechanisms of vacancies and
 566                  self-interstitials: An atomistic study",
 567   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 568   journal =      "Phys. Rev. B",
 569   volume =       "78",
 570   number =       "3",
 571   pages =        "035208",
 572   numpages =     "9",
 573   year =         "2008",
 574   month =        jul,
 575   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 576   publisher =    "American Physical Society",
 577   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 578                  weber and tersoff",
 579 }
 580
 581 @Article{gao2001,
 582   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 583                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 584   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 585                  Corrales",
 586   journal =      "Phys. Rev. B",
 587   volume =       "64",
 588   number =       "24",
 589   pages =        "245208",
 590   numpages =     "7",
 591   year =         "2001",
 592   month =        dec,
 593   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 594   publisher =    "American Physical Society",
 595   notes =        "defects in 3c-sic",
 596 }
 597
 598 @Article{gao02,
 599   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 600                  3{C}-Si{C}",
 601   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 602   volume =       "191",
 603   number =       "1-4",
 604   pages =        "487--496",
 605   year =         "2002",
 606   note =         "",
 607   ISSN =         "0168-583X",
 608   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 609   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 610   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 611   keywords =     "Empirical potential",
 612   keywords =     "Defect properties",
 613   keywords =     "Silicon carbide",
 614   keywords =     "Computer simulation",
 615   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 616 }
 617
 618 @Article{gao04,
 619   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 620                  3{C}-Si{C}",
 621   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 622                  Belko",
 623   journal =      "Phys. Rev. B",
 624   volume =       "69",
 625   number =       "24",
 626   pages =        "245205",
 627   numpages =     "5",
 628   year =         "2004",
 629   month =        jun,
 630   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 631   publisher =    "American Physical Society",
 632   notes =        "defect migration in sic",
 633 }
 634
 635 @Article{gao07,
 636   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 637                  W. J. Weber",
 638   collaboration = "",
 639   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 640                  in cubic silicon carbide",
 641   publisher =    "AIP",
 642   year =         "2007",
 643   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 644   volume =       "90",
 645   number =       "22",
 646   eid =          "221915",
 647   numpages =     "3",
 648   pages =        "221915",
 649   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 650                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 651                  dynamics method; density functional theory;
 652                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 653                  impurities; diffusion",
 654   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 655   doi =          "10.1063/1.2743751",
 656 }
 657
 658 @Article{mattoni2002,
 659   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 660                  crystalline silicon",
 661   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 662   journal =      "Phys. Rev. B",
 663   volume =       "66",
 664   number =       "19",
 665   pages =        "195214",
 666   numpages =     "6",
 667   year =         "2002",
 668   month =        nov,
 669   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 670   publisher =    "American Physical Society",
 671   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 672                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 673                  tersoff suitability",
 674 }
 675
 676 @Article{leung99,
 677   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 678   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 679                  Itoh and S. Ihara",
 680   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 681   volume =       "83",
 682   number =       "12",
 683   pages =        "2351--2354",
 684   numpages =     "3",
 685   year =         "1999",
 686   month =        sep,
 687   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 688   publisher =    "American Physical Society",
 689   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 690                  refs",
 691 }
 692
 693 @Article{capaz94,
 694   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 695                  carbon in silicon",
 696   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 697   journal =      "Phys. Rev. B",
 698   volume =       "50",
 699   number =       "11",
 700   pages =        "7439--7442",
 701   numpages =     "3",
 702   year =         "1994",
 703   month =        sep,
 704   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 705   publisher =    "American Physical Society",
 706   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 707                  dumbbell",
 708 }
 709
 710 @Article{capaz98,
 711   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 712   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 713   journal =      "Phys. Rev. B",
 714   volume =       "58",
 715   number =       "15",
 716   pages =        "9845--9850",
 717   numpages =     "5",
 718   year =         "1998",
 719   month =        oct,
 720   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 721   publisher =    "American Physical Society",
 722   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 723 }
 724
 725 @Article{song90_2,
 726   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 727                  pair in silicon",
 728   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 729                  Watkins",
 730   journal =      "Phys. Rev. B",
 731   volume =       "42",
 732   number =       "9",
 733   pages =        "5765--5783",
 734   numpages =     "18",
 735   year =         "1990",
 736   month =        sep,
 737   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 738   publisher =    "American Physical Society",
 739   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 740 }
 741
 742 @Article{liu02,
 743   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 744                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 745   collaboration = "",
 746   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 747                  interactions in Si",
 748   publisher =    "AIP",
 749   year =         "2002",
 750   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 751   volume =       "80",
 752   number =       "1",
 753   pages =        "52--54",
 754   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 755                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 756                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 757   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 758   doi =          "10.1063/1.1430505",
 759   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 760 }
 761
 762 @Article{dal_pino93,
 763   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 764                  silicon",
 765   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 766                  Joannopoulos",
 767   journal =      "Phys. Rev. B",
 768   volume =       "47",
 769   number =       "19",
 770   pages =        "12554--12557",
 771   numpages =     "3",
 772   year =         "1993",
 773   month =        may,
 774   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 775   publisher =    "American Physical Society",
 776   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 777 }
 778
 779 @Article{car84,
 780   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 781                  Silicon",
 782   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 783                  Sokrates T. Pantelides",
 784   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 785   volume =       "52",
 786   number =       "20",
 787   pages =        "1814--1817",
 788   numpages =     "3",
 789   year =         "1984",
 790   month =        may,
 791   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 792   publisher =    "American Physical Society",
 793   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 794                  path formation",
 795 }
 796
 797 @Article{car85,
 798   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 799                  Density-Functional Theory",
 800   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 801   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 802   volume =       "55",
 803   number =       "22",
 804   pages =        "2471--2474",
 805   numpages =     "3",
 806   year =         "1985",
 807   month =        nov,
 808   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 809   publisher =    "American Physical Society",
 810   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 811 }
 812
 813 @Article{kelires97,
 814   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 815                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 816   author =       "P. C. Kelires",
 817   journal =      "Phys. Rev. B",
 818   volume =       "55",
 819   number =       "14",
 820   pages =        "8784--8787",
 821   numpages =     "3",
 822   year =         "1997",
 823   month =        apr,
 824   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 825   publisher =    "American Physical Society",
 826   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 827                  neighbour dist",
 828 }
 829
 830 @Article{kelires95,
 831   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 832                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 833   author =       "P. C. Kelires",
 834   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 835   volume =       "75",
 836   number =       "6",
 837   pages =        "1114--1117",
 838   numpages =     "3",
 839   year =         "1995",
 840   month =        aug,
 841   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 842   publisher =    "American Physical Society",
 843   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 844 }
 845
 846 @Article{bean70,
 847   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 848                  containing carbon",
 849   journal =      "Solid State Communications",
 850   volume =       "8",
 851   number =       "3",
 852   pages =        "175--177",
 853   year =         "1970",
 854   note =         "",
 855   ISSN =         "0038-1098",
 856   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 857   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 858   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 859 }
 860
 861 @Article{watkins76,
 862   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 863                  Atom in Silicon",
 864   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 865   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 866   volume =       "36",
 867   number =       "22",
 868   pages =        "1329--1332",
 869   numpages =     "3",
 870   year =         "1976",
 871   month =        may,
 872   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 873   publisher =    "American Physical Society",
 874   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 875                  silicon",
 876 }
 877
 878 @Article{song90,
 879   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 880                  interstitial carbon in silicon",
 881   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 882   journal =      "Phys. Rev. B",
 883   volume =       "42",
 884   number =       "9",
 885   pages =        "5759--5764",
 886   numpages =     "5",
 887   year =         "1990",
 888   month =        sep,
 889   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 890   publisher =    "American Physical Society",
 891   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 892 }
 893
 894 @Article{tipping87,
 895   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 896   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 897                  silicon",
 898   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
 899   volume =       "2",
 900   number =       "5",
 901   pages =        "315--317",
 902   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 903   year =         "1987",
 904   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 905                  silicon",
 906 }
 907
 908 @Article{strane96,
 909   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 910                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 911   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 912                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 913   journal =      "J. Appl. Phys.",
 914   volume =       "79",
 915   pages =        "637",
 916   year =         "1996",
 917   month =        jan,
 918   doi =          "10.1063/1.360806",
 919   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 920 }
 921
 922 @Article{laveant2002,
 923   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 924   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 925   volume =       "89",
 926   number =       "1-3",
 927   pages =        "241--245",
 928   year =         "2002",
 929   ISSN =         "0921-5107",
 930   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 931   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 932   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 933                  G{\"{o}}sele",
 934   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 935                  stress, avoid sic precipitation",
 936 }
 937
 938 @Article{werner97,
 939   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 940                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 941   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 942                  silicon by transmission electron microscopy",
 943   publisher =    "AIP",
 944   year =         "1997",
 945   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 946   volume =       "70",
 947   number =       "2",
 948   pages =        "252--254",
 949   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 950                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 951                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 952                  layers; precipitation",
 953   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 954   doi =          "10.1063/1.118381",
 955   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 956                  precipitate",
 957 }
 958
 959 @InProceedings{werner96,
 960   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
 961                  Eichler",
 962   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
 963                  International Conference on",
 964   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
 965                  implanted silicon",
 966   year =         "1996",
 967   month =        jun,
 968   volume =       "",
 969   number =       "",
 970   pages =        "675--678",
 971   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
 972   ISSN =         "",
 973   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
 974 }
 975
 976 @Article{werner98,
 977   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
 978                  D. C. Jacobson",
 979   collaboration = "",
 980   title =        "Carbon diffusion in silicon",
 981   publisher =    "AIP",
 982   year =         "1998",
 983   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 984   volume =       "73",
 985   number =       "17",
 986   pages =        "2465--2467",
 987   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
 988                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
 989                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
 990                  impurity distribution",
 991   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
 992   doi =          "10.1063/1.122483",
 993   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
 994 }
 995
 996 @Article{strane94,
 997   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 998                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 999   collaboration = "",
1000   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1001                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1002   publisher =    "AIP",
1003   year =         "1994",
1004   journal =      "J. Appl. Phys.",
1005   volume =       "76",
1006   number =       "6",
1007   pages =        "3656--3668",
1008   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1009   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1010   doi =          "10.1063/1.357429",
1011   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1012                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1013                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1014                  energy",
1015 }
1016
1017 @Article{fischer95,
1018   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1019                  Osten",
1020   collaboration = "",
1021   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1022                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1023   publisher =    "AIP",
1024   year =         "1995",
1025   journal =      "J. Appl. Phys.",
1026   volume =       "77",
1027   number =       "5",
1028   pages =        "1934--1937",
1029   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1030                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1031                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1032                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1033   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1034   doi =          "10.1063/1.358826",
1035 }
1036
1037 @Article{edgar92,
1038   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1039                  semiconductors",
1040   author =       "J. H. Edgar",
1041   journal =      "J. Mater. Res.",
1042   volume =       "7",
1043   pages =        "235",
1044   year =         "1992",
1045   month =        jan,
1046   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1047   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1048                  polytypes",
1049 }
1050
1051 @Article{zirkelbach2007,
1052   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1053                  process leading to ordered precipitate structures",
1054   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1055                  and B. Stritzker",
1056   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1057   volume =       "257",
1058   number =       "1--2",
1059   pages =        "75--79",
1060   numpages =     "5",
1061   year =         "2007",
1062   month =        apr,
1063   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1064   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1065                  NETHERLANDS",
1066 }
1067
1068 @Article{zirkelbach2006,
1069   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1070                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1071                  during ion irradiation",
1072   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1073                  and B. Stritzker",
1074   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1075   volume =       "242",
1076   number =       "1--2",
1077   pages =        "679--682",
1078   numpages =     "4",
1079   year =         "2006",
1080   month =        jan,
1081   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1082   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1083                  NETHERLANDS",
1084 }
1085
1086 @Article{zirkelbach2005,
1087   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1088                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1089                  ion irradiation",
1090   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1091                  and B. Stritzker",
1092   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1093   volume =       "33",
1094   number =       "1--3",
1095   pages =        "310--316",
1096   numpages =     "7",
1097   year =         "2005",
1098   month =        apr,
1099   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1100   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1101                  NETHERLANDS",
1102 }
1103
1104 @Article{zirkelbach09,
1105   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1106                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1107   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1108   volume =       "159-160",
1109   number =       "",
1110   pages =        "149--152",
1111   year =         "2009",
1112   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1113                  Silicon Materials Research for Electronic and
1114                  Photovoltaic Applications",
1115   ISSN =         "0921-5107",
1116   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1117   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1118   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1119                  B. Stritzker",
1120   keywords =     "Silicon",
1121   keywords =     "Carbon",
1122   keywords =     "Silicon carbide",
1123   keywords =     "Nucleation",
1124   keywords =     "Defect formation",
1125   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1126 }
1127
1128 @Article{zirkelbach10a,
1129   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1130                  classical potentials and first-principles methods",
1131   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1132                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1133   journal =      "Phys. Rev. B",
1134   volume =       "82",
1135   number =       "9",
1136   pages =        "094110",
1137   numpages =     "6",
1138   year =         "2010",
1139   month =        sep,
1140   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1141   publisher =    "American Physical Society",
1142 }
1143
1144 @Article{zirkelbach10b,
1145   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1146                  silicon",
1147   journal =      "to be published",
1148   volume =       "",
1149   number =       "",
1150   pages =        "",
1151   year =         "2010",
1152   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1153                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1154 }
1155
1156 @Article{zirkelbach10c,
1157   title =        "...",
1158   journal =      "to be published",
1159   volume =       "",
1160   number =       "",
1161   pages =        "",
1162   year =         "2010",
1163   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1164                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1165 }
1166
1167 @Article{lindner99,
1168   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1169                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1170                  layers in silicon",
1171   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1172   volume =       "147",
1173   number =       "1-4",
1174   pages =        "249--255",
1175   year =         "1999",
1176   note =         "",
1177   ISSN =         "0168-583X",
1178   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1179   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1180   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1181   notes =        "two-step implantation process",
1182 }
1183
1184 @Article{lindner99_2,
1185   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1186                  in silicon",
1187   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1188   volume =       "148",
1189   number =       "1-4",
1190   pages =        "528--533",
1191   year =         "1999",
1192   ISSN =         "0168-583X",
1193   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1194   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1195   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1196   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1197 }
1198
1199 @Article{lindner01,
1200   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1201                  Basic physical processes",
1202   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1203   volume =       "178",
1204   number =       "1-4",
1205   pages =        "44--54",
1206   year =         "2001",
1207   note =         "",
1208   ISSN =         "0168-583X",
1209   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1210   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1211   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1212 }
1213
1214 @Article{lindner02,
1215   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1216                  fundamental studies for new technological tricks",
1217   author =       "J. K. N. Lindner",
1218   journal =      "Appl. Phys. A",
1219   volume =       "77",
1220   pages =        "27--38",
1221   year =         "2003",
1222   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1223   notes =        "ibs, burried sic layers",
1224 }
1225
1226 @Article{lindner06,
1227   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1228                  formation and displacive precipitate resolution in the
1229                  {C}-Si system",
1230   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1231   volume =       "26",
1232   number =       "5-7",
1233   pages =        "857--861",
1234   year =         "2006",
1235   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1236                  Applications",
1237   ISSN =         "0928-4931",
1238   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1239   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1240   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1241                  and B. Stritzker",
1242   notes =        "c int diffusion barrier",
1243 }
1244
1245 @Article{ito04,
1246   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1247                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1248                  growth",
1249   journal =      "Applied Surface Science",
1250   volume =       "238",
1251   number =       "1-4",
1252   pages =        "159--164",
1253   year =         "2004",
1254   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1255   ISSN =         "0169-4332",
1256   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1257   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1258   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1259                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1260   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1261 }
1262
1263 @Article{yamamoto04,
1264   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1265                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1266                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1267   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1268   volume =       "261",
1269   number =       "2-3",
1270   pages =        "266--270",
1271   year =         "2004",
1272   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1273                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1274   ISSN =         "0022-0248",
1275   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1276   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1277   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1278                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1279   notes =        "gan on 3c-sic",
1280 }
1281
1282 @Article{liu_l02,
1283   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1284   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1285   volume =       "37",
1286   number =       "3",
1287   pages =        "61--127",
1288   year =         "2002",
1289   note =         "",
1290   ISSN =         "0927-796X",
1291   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1292   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1293   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1294   notes =        "gan substrates",
1295 }
1296
1297 @Article{takeuchi91,
1298   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1299                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1300   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1301   volume =       "115",
1302   number =       "1-4",
1303   pages =        "634--638",
1304   year =         "1991",
1305   note =         "",
1306   ISSN =         "0022-0248",
1307   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1308   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1309   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1310                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1311   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1312 }
1313
1314 @Article{alder57,
1315   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1316   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1317   publisher =    "AIP",
1318   year =         "1957",
1319   journal =      "J. Chem. Phys.",
1320   volume =       "27",
1321   number =       "5",
1322   pages =        "1208--1209",
1323   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1324   doi =          "10.1063/1.1743957",
1325 }
1326
1327 @Article{alder59,
1328   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1329   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1330   publisher =    "AIP",
1331   year =         "1959",
1332   journal =      "J. Chem. Phys.",
1333   volume =       "31",
1334   number =       "2",
1335   pages =        "459--466",
1336   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1337   doi =          "10.1063/1.1730376",
1338 }
1339
1340 @Article{tersoff_si1,
1341   title =        "New empirical model for the structural properties of
1342                  silicon",
1343   author =       "J. Tersoff",
1344   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1345   volume =       "56",
1346   number =       "6",
1347   pages =        "632--635",
1348   numpages =     "3",
1349   year =         "1986",
1350   month =        feb,
1351   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1352   publisher =    "American Physical Society",
1353 }
1354
1355 @Article{tersoff_si2,
1356   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1357                  covalent systems",
1358   author =       "J. Tersoff",
1359   journal =      "Phys. Rev. B",
1360   volume =       "37",
1361   number =       "12",
1362   pages =        "6991--7000",
1363   numpages =     "9",
1364   year =         "1988",
1365   month =        apr,
1366   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1367   publisher =    "American Physical Society",
1368 }
1369
1370 @Article{tersoff_si3,
1371   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1372                  improved elastic properties",
1373   author =       "J. Tersoff",
1374   journal =      "Phys. Rev. B",
1375   volume =       "38",
1376   number =       "14",
1377   pages =        "9902--9905",
1378   numpages =     "3",
1379   year =         "1988",
1380   month =        nov,
1381   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1382   publisher =    "American Physical Society",
1383 }
1384
1385 @Article{tersoff_c,
1386   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1387                  Applications to Amorphous Carbon",
1388   author =       "J. Tersoff",
1389   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1390   volume =       "61",
1391   number =       "25",
1392   pages =        "2879--2882",
1393   numpages =     "3",
1394   year =         "1988",
1395   month =        dec,
1396   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1397   publisher =    "American Physical Society",
1398 }
1399
1400 @Article{tersoff_m,
1401   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1402                  for multicomponent systems",
1403   author =       "J. Tersoff",
1404   journal =      "Phys. Rev. B",
1405   volume =       "39",
1406   number =       "8",
1407   pages =        "5566--5568",
1408   numpages =     "2",
1409   year =         "1989",
1410   month =        mar,
1411   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1412   publisher =    "American Physical Society",
1413 }
1414
1415 @Article{tersoff90,
1416   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1417   author =       "J. Tersoff",
1418   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1419   volume =       "64",
1420   number =       "15",
1421   pages =        "1757--1760",
1422   numpages =     "3",
1423   year =         "1990",
1424   month =        apr,
1425   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1426   publisher =    "American Physical Society",
1427 }
1428
1429 @Article{fahey89,
1430   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1431   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1432   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1433   volume =       "61",
1434   number =       "2",
1435   pages =        "289--384",
1436   numpages =     "95",
1437   year =         "1989",
1438   month =        apr,
1439   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1440   publisher =    "American Physical Society",
1441 }
1442
1443 @Article{wesch96,
1444   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1445   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1446   volume =       "116",
1447   number =       "1-4",
1448   pages =        "305--321",
1449   year =         "1996",
1450   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1451   ISSN =         "0168-583X",
1452   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1453   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1454   author =       "W. Wesch",
1455 }
1456
1457 @Article{morkoc94,
1458   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1459                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1460   collaboration = "",
1461   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1462                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1463   publisher =    "AIP",
1464   year =         "1994",
1465   journal =      "J. Appl. Phys.",
1466   volume =       "76",
1467   number =       "3",
1468   pages =        "1363--1398",
1469   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1470                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1471                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1472                  FILMS; INDUSTRY",
1473   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1474   doi =          "10.1063/1.358463",
1475   notes =        "sic intro, properties",
1476 }
1477
1478 @Article{neudeck95,
1479   author =       "P. G. Neudeck",
1480   title =        "{PROGRESS} {IN} {SILICON}-{CARBIDE} {SEMICONDUCTOR}
1481                  {ELECTRONICS} {TECHNOLOGY}",
1482   journal =      "Journal of Electronic Materials",
1483   year =         "1995",
1484   volume =       "24",
1485   number =       "4",
1486   pages =        "283--288",
1487   month =        apr,
1488 }
1489
1490 @Article{foo,
1491   author =       "Noch Unbekannt",
1492   title =        "How to find references",
1493   journal =      "Journal of Applied References",
1494   year =         "2009",
1495   volume =       "77",
1496   pages =        "1--23",
1497 }
1498
1499 @Article{tang95,
1500   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1501                  \beta{}-Si{C}",
1502   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1503   journal =      "Phys. Rev. B",
1504   volume =       "52",
1505   number =       "21",
1506   pages =        "15150--15159",
1507   numpages =     "9",
1508   year =         "1995",
1509   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1510   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1511                  tersoff reparametrization",
1512   publisher =    "American Physical Society",
1513 }
1514
1515 @Article{sarro00,
1516   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1517   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1518   volume =       "82",
1519   number =       "1-3",
1520   pages =        "210--218",
1521   year =         "2000",
1522   ISSN =         "0924-4247",
1523   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1524   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1525   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1526   keywords =     "MEMS",
1527   keywords =     "Silicon carbide",
1528   keywords =     "Micromachining",
1529   keywords =     "Mechanical stress",
1530 }
1531
1532 @Article{casady96,
1533   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1534                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1535                  review",
1536   journal =      "Solid-State Electronics",
1537   volume =       "39",
1538   number =       "10",
1539   pages =        "1409--1422",
1540   year =         "1996",
1541   ISSN =         "0038-1101",
1542   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1543   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1544   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1545   notes =        "sic intro",
1546 }
1547
1548 @Article{giancarli98,
1549   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1550                  structural material in fusion power reactor blankets",
1551   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1552   volume =       "41",
1553   number =       "1-4",
1554   pages =        "165--171",
1555   year =         "1998",
1556   ISSN =         "0920-3796",
1557   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1558   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1559   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1560                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1561 }
1562
1563 @Article{pensl93,
1564   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1565   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1566   volume =       "185",
1567   number =       "1-4",
1568   pages =        "264--283",
1569   year =         "1993",
1570   ISSN =         "0921-4526",
1571   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1572   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1573   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1574 }
1575
1576 @Article{tairov78,
1577   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1578                  carbide single crystals",
1579   journal =      "J. Cryst. Growth",
1580   volume =       "43",
1581   number =       "2",
1582   pages =        "209--212",
1583   year =         "1978",
1584   notes =        "modified lely process",
1585   ISSN =         "0022-0248",
1586   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1587   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1588   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1589 }
1590
1591 @Article{nishino83,
1592   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1593                  Will",
1594   collaboration = "",
1595   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1596                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1597   publisher =    "AIP",
1598   year =         "1983",
1599   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1600   volume =       "42",
1601   number =       "5",
1602   pages =        "460--462",
1603   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1604                  monocrystals",
1605   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1606   doi =          "10.1063/1.93970",
1607   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1608 }
1609
1610 @Article{nishino87,
1611   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1612                  and Hiroyuki Matsunami",
1613   collaboration = "",
1614   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1615                  Si{C} on silicon",
1616   publisher =    "AIP",
1617   year =         "1987",
1618   journal =      "J. Appl. Phys.",
1619   volume =       "61",
1620   number =       "10",
1621   pages =        "4889--4893",
1622   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1623   doi =          "10.1063/1.338355",
1624   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1625                  carbonization",
1626 }
1627
1628 @Article{powell87,
1629   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1630                  Kuczmarski",
1631   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1632                  Single-Crystal Films on Si",
1633   publisher =    "ECS",
1634   year =         "1987",
1635   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1636   volume =       "134",
1637   number =       "6",
1638   pages =        "1558--1565",
1639   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1640                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1641   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1642   doi =          "10.1149/1.2100708",
1643   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1644 }
1645
1646 @Article{kimoto93,
1647   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1648                  and Hiroyuki Matsunami",
1649   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1650                  epitaxy",
1651   publisher =    "AIP",
1652   year =         "1993",
1653   journal =      "J. Appl. Phys.",
1654   volume =       "73",
1655   number =       "2",
1656   pages =        "726--732",
1657   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1658                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1659                  VAPOR DEPOSITION",
1660   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1661   doi =          "10.1063/1.353329",
1662   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1663 }
1664
1665 @Article{powell90,
1666   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1667                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1668                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1669   collaboration = "",
1670   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1671                  6{H}-Si{C} substrates",
1672   publisher =    "AIP",
1673   year =         "1990",
1674   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1675   volume =       "56",
1676   number =       "14",
1677   pages =        "1353--1355",
1678   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1679                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1680                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1681                  PHASE EPITAXY",
1682   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1683   doi =          "10.1063/1.102512",
1684   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1685 }
1686
1687 @Article{yuan95,
1688   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1689                  Thokala and M. J. Loboda",
1690   collaboration = "",
1691   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1692                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1693                  silacyclobutane",
1694   publisher =    "AIP",
1695   year =         "1995",
1696   journal =      "J. Appl. Phys.",
1697   volume =       "78",
1698   number =       "2",
1699   pages =        "1271--1273",
1700   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1701                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1702                  SPECTROPHOTOMETRY",
1703   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1704   doi =          "10.1063/1.360368",
1705   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1706 }
1707
1708 @Article{fissel95,
1709   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1710                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1711                  molecular beam epitaxy",
1712   journal =      "J. Cryst. Growth",
1713   volume =       "154",
1714   number =       "1-2",
1715   pages =        "72--80",
1716   year =         "1995",
1717   ISSN =         "0022-0248",
1718   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1719   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1720   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
1721                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1722   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1723 }
1724
1725 @Article{fissel95_apl,
1726   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1727   collaboration = "",
1728   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1729                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1730   publisher =    "AIP",
1731   year =         "1995",
1732   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1733   volume =       "66",
1734   number =       "23",
1735   pages =        "3182--3184",
1736   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1737                  RHEED; NUCLEATION",
1738   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
1739   doi =          "10.1063/1.113716",
1740   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
1741 }
1742
1743 @Article{borders71,
1744   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1745   collaboration = "",
1746   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1747                  {IMPLANTATION}",
1748   publisher =    "AIP",
1749   year =         "1971",
1750   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1751   volume =       "18",
1752   number =       "11",
1753   pages =        "509--511",
1754   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1755   doi =          "10.1063/1.1653516",
1756   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
1757                  ideas",
1758 }
1759
1760 @Article{reeson87,
1761   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1762                  J. Davis and G. E. Celler",
1763   collaboration = "",
1764   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1765                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1766   publisher =    "AIP",
1767   year =         "1987",
1768   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1769   volume =       "51",
1770   number =       "26",
1771   pages =        "2242--2244",
1772   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1773                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1774   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1775   doi =          "10.1063/1.98953",
1776   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1777 }
1778
1779 @Article{scace59,
1780   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1781   collaboration = "",
1782   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1783   publisher =    "AIP",
1784   year =         "1959",
1785   journal =      "J. Chem. Phys.",
1786   volume =       "30",
1787   number =       "6",
1788   pages =        "1551--1555",
1789   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1790   doi =          "10.1063/1.1730236",
1791   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
1792 }
1793
1794 @Article{cowern96,
1795   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1796                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1797   collaboration = "",
1798   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1799                  {B} in silicon",
1800   publisher =    "AIP",
1801   year =         "1996",
1802   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1803   volume =       "68",
1804   number =       "8",
1805   pages =        "1150--1152",
1806   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1807                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1808                  SILICON",
1809   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1810   doi =          "10.1063/1.115706",
1811   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1812 }
1813
1814 @Article{stolk95,
1815   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1816                  of the silicon self-interstitial",
1817   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1818   volume =       "96",
1819   number =       "1-2",
1820   pages =        "187--195",
1821   year =         "1995",
1822   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1823                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1824   ISSN =         "0168-583X",
1825   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1826   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1827   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1828                  and J. M. Poate",
1829 }
1830
1831 @Article{stolk97,
1832   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
1833                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
1834                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
1835                  E. Haynes",
1836   collaboration = "",
1837   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
1838                  diffusion in ion-implanted silicon",
1839   publisher =    "AIP",
1840   year =         "1997",
1841   journal =      "J. Appl. Phys.",
1842   volume =       "81",
1843   number =       "9",
1844   pages =        "6031--6050",
1845   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
1846   doi =          "10.1063/1.364452",
1847   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
1848 }
1849
1850 @Article{powell94,
1851   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1852   collaboration = "",
1853   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1854                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1855   publisher =    "AIP",
1856   year =         "1994",
1857   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1858   volume =       "64",
1859   number =       "3",
1860   pages =        "324--326",
1861   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1862                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1863                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1864                  SYNTHESIS",
1865   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1866   doi =          "10.1063/1.111195",
1867   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1868 }
1869
1870 @Article{soref91,
1871   author =       "Richard A. Soref",
1872   collaboration = "",
1873   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1874                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1875   publisher =    "AIP",
1876   year =         "1991",
1877   journal =      "J. Appl. Phys.",
1878   volume =       "70",
1879   number =       "4",
1880   pages =        "2470--2472",
1881   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1882                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1883                  TERNARY ALLOYS",
1884   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1885   doi =          "10.1063/1.349403",
1886   notes =        "band gap of strained si by c",
1887 }
1888
1889 @Article{kasper91,
1890   author =       "E Kasper",
1891   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1892                  possibility to produce direct band gap material",
1893   journal =      "Physica Scripta",
1894   volume =       "T35",
1895   pages =        "232--236",
1896   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1897   year =         "1991",
1898   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1899                  quasi-direct one",
1900 }
1901
1902 @Article{osten99,
1903   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1904   collaboration = "",
1905   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1906                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1907                  molecular beam epitaxy",
1908   publisher =    "AIP",
1909   year =         "1999",
1910   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1911   volume =       "74",
1912   number =       "6",
1913   pages =        "836--838",
1914   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1915                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1916                  compounds",
1917   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1918   doi =          "10.1063/1.123384",
1919   notes =        "substitutional c in si",
1920 }
1921
1922 @Article{hohenberg64,
1923   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1924   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1925   journal =      "Phys. Rev.",
1926   volume =       "136",
1927   number =       "3B",
1928   pages =        "B864--B871",
1929   numpages =     "7",
1930   year =         "1964",
1931   month =        nov,
1932   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
1933   publisher =    "American Physical Society",
1934   notes =        "density functional theory, dft",
1935 }
1936
1937 @Article{kohn65,
1938   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
1939                  Correlation Effects",
1940   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
1941   journal =      "Phys. Rev.",
1942   volume =       "140",
1943   number =       "4A",
1944   pages =        "A1133--A1138",
1945   numpages =     "5",
1946   year =         "1965",
1947   month =        nov,
1948   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
1949   publisher =    "American Physical Society",
1950   notes =        "dft, exchange and correlation",
1951 }
1952
1953 @Article{ruecker94,
1954   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
1955                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
1956   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
1957                  J. Osten",
1958   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1959   volume =       "72",
1960   number =       "22",
1961   pages =        "3578--3581",
1962   numpages =     "3",
1963   year =         "1994",
1964   month =        may,
1965   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
1966   publisher =    "American Physical Society",
1967   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
1968                  si, dft",
1969 }
1970
1971 @Article{chang05,
1972   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
1973                  Alloy",
1974   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
1975   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
1976   volume =       "44",
1977   number =       "4B",
1978   pages =        "2257--2262",
1979   numpages =     "5",
1980   year =         "2005",
1981   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
1982   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
1983   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
1984   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
1985 }
1986
1987 @Article{osten97,
1988   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
1989   collaboration = "",
1990   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
1991                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
1992                  Si(001)",
1993   publisher =    "AIP",
1994   year =         "1997",
1995   journal =      "J. Appl. Phys.",
1996   volume =       "82",
1997   number =       "10",
1998   pages =        "4977--4981",
1999   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
2000                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
2001                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
2002   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
2003   doi =          "10.1063/1.366364",
2004   notes =        "charge transport in strained si",
2005 }
2006
2007 @Article{kapur04,
2008   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
2009                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
2010   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
2011   journal =      "Phys. Rev. B",
2012   volume =       "69",
2013   number =       "15",
2014   pages =        "155214",
2015   numpages =     "8",
2016   year =         "2004",
2017   month =        apr,
2018   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
2019   publisher =    "American Physical Society",
2020   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
2021 }
2022
2023 @Article{barkema96,
2024   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
2025                  Systems",
2026   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
2027   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2028   volume =       "77",
2029   number =       "21",
2030   pages =        "4358--4361",
2031   numpages =     "3",
2032   year =         "1996",
2033   month =        nov,
2034   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
2035   publisher =    "American Physical Society",
2036   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
2037                  dynamic mds",
2038 }
2039
2040 @Article{cances09,
2041   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
2042                  Minoukadeh and F. Willaime",
2043   collaboration = "",
2044   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
2045                  technique method for finding transition pathways on
2046                  potential energy surfaces",
2047   publisher =    "AIP",
2048   year =         "2009",
2049   journal =      "J. Chem. Phys.",
2050   volume =       "130",
2051   number =       "11",
2052   eid =          "114711",
2053   numpages =     "6",
2054   pages =        "114711",
2055   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
2056                  surfaces; vacancies (crystal)",
2057   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
2058   doi =          "10.1063/1.3088532",
2059   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
2060                  transition pathways",
2061 }
2062
2063 @Article{parrinello81,
2064   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
2065   collaboration = "",
2066   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
2067                  molecular dynamics method",
2068   publisher =    "AIP",
2069   year =         "1981",
2070   journal =      "J. Appl. Phys.",
2071   volume =       "52",
2072   number =       "12",
2073   pages =        "7182--7190",
2074   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
2075                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
2076                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
2077                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
2078                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
2079                  IMPACT SHOCK",
2080   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2081   doi =          "10.1063/1.328693",
2082 }
2083
2084 @Article{stillinger85,
2085   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
2086                  of silicon",
2087   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
2088   journal =      "Phys. Rev. B",
2089   volume =       "31",
2090   number =       "8",
2091   pages =        "5262--5271",
2092   numpages =     "9",
2093   year =         "1985",
2094   month =        apr,
2095   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
2096   publisher =    "American Physical Society",
2097 }
2098
2099 @Article{brenner90,
2100   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
2101                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
2102                  films",
2103   author =       "Donald W. Brenner",
2104   journal =      "Phys. Rev. B",
2105   volume =       "42",
2106   number =       "15",
2107   pages =        "9458--9471",
2108   numpages =     "13",
2109   year =         "1990",
2110   month =        nov,
2111   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
2112   publisher =    "American Physical Society",
2113   notes =        "brenner hydro carbons",
2114 }
2115
2116 @Article{bazant96,
2117   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
2118                  Cohesive Energy Curves",
2119   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
2120   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2121   volume =       "77",
2122   number =       "21",
2123   pages =        "4370--4373",
2124   numpages =     "3",
2125   year =         "1996",
2126   month =        nov,
2127   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
2128   publisher =    "American Physical Society",
2129   notes =        "first si edip",
2130 }
2131
2132 @Article{bazant97,
2133   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
2134                  silicon",
2135   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
2136                  Justo",
2137   journal =      "Phys. Rev. B",
2138   volume =       "56",
2139   number =       "14",
2140   pages =        "8542--8552",
2141   numpages =     "10",
2142   year =         "1997",
2143   month =        oct,
2144   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
2145   publisher =    "American Physical Society",
2146   notes =        "second si edip",
2147 }
2148
2149 @Article{justo98,
2150   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
2151                  disordered phases",
2152   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
2153                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
2154   journal =      "Phys. Rev. B",
2155   volume =       "58",
2156   number =       "5",
2157   pages =        "2539--2550",
2158   numpages =     "11",
2159   year =         "1998",
2160   month =        aug,
2161   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
2162   publisher =    "American Physical Society",
2163   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
2164 }
2165
2166 @Article{parcas_md,
2167   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
2168   author =       "K. Nordlund",
2169   year =         "2008",
2170 }
2171
2172 @Article{voter97,
2173   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
2174                  Infrequent Events",
2175   author =       "Arthur F. Voter",
2176   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2177   volume =       "78",
2178   number =       "20",
2179   pages =        "3908--3911",
2180   numpages =     "3",
2181   year =         "1997",
2182   month =        may,
2183   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
2184   publisher =    "American Physical Society",
2185   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
2186 }
2187
2188 @Article{voter97_2,
2189   author =       "Arthur F. Voter",
2190   collaboration = "",
2191   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
2192                  simulation of infrequent events",
2193   publisher =    "AIP",
2194   year =         "1997",
2195   journal =      "J. Chem. Phys.",
2196   volume =       "106",
2197   number =       "11",
2198   pages =        "4665--4677",
2199   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
2200                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
2201                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
2202                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2203                  theory; potential energy surfaces",
2204   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2205   doi =          "10.1063/1.473503",
2206   notes =        "improved hyperdynamics md",
2207 }
2208
2209 @Article{sorensen2000,
2210   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
2211   collaboration = "",
2212   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2213                  infrequent events",
2214   publisher =    "AIP",
2215   year =         "2000",
2216   journal =      "J. Chem. Phys.",
2217   volume =       "112",
2218   number =       "21",
2219   pages =        "9599--9606",
2220   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2221                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2222   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2223   doi =          "10.1063/1.481576",
2224   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2225 }
2226
2227 @Article{voter98,
2228   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2229                  events",
2230   author =       "Arthur F. Voter",
2231   journal =      "Phys. Rev. B",
2232   volume =       "57",
2233   number =       "22",
2234   pages =        "R13985--R13988",
2235   numpages =     "3",
2236   year =         "1998",
2237   month =        jun,
2238   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2239   publisher =    "American Physical Society",
2240   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2241 }
2242
2243 @Article{wu99,
2244   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2245   collaboration = "",
2246   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2247                  simulation",
2248   publisher =    "AIP",
2249   year =         "1999",
2250   journal =      "J. Chem. Phys.",
2251   volume =       "110",
2252   number =       "19",
2253   pages =        "9401--9410",
2254   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2255                  potential; crystallisation; liquid theory",
2256   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2257   doi =          "10.1063/1.478948",
2258   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2259                  systematic motion",
2260 }
2261
2262 @Article{choudhary05,
2263   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2264   collaboration = "",
2265   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2266                  to the production of amorphous silicon",
2267   publisher =    "AIP",
2268   year =         "2005",
2269   journal =      "J. Chem. Phys.",
2270   volume =       "122",
2271   number =       "15",
2272   eid =          "154509",
2273   numpages =     "8",
2274   pages =        "154509",
2275   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2276                  amorphous semiconductors",
2277   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2278   doi =          "10.1063/1.1878733",
2279   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2280                  silicon",
2281 }
2282
2283 @Article{taylor93,
2284   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2285   collaboration = "",
2286   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2287                  difficult?",
2288   publisher =    "AIP",
2289   year =         "1993",
2290   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2291   volume =       "62",
2292   number =       "25",
2293   pages =        "3336--3338",
2294   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2295                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2296                  ENERGY",
2297   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2298   doi =          "10.1063/1.109063",
2299   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
2300 }
2301
2302 @Article{chaussende08,
2303   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2304   journal =      "J. Cryst. Growth",
2305   volume =       "310",
2306   number =       "5",
2307   pages =        "976--981",
2308   year =         "2008",
2309   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2310                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2311   ISSN =         "0022-0248",
2312   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2313   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2314   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2315                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2316                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2317                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2318   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2319                  metastable",
2320 }
2321
2322 @Article{feynman39,
2323   title =        "Forces in Molecules",
2324   author =       "R. P. Feynman",
2325   journal =      "Phys. Rev.",
2326   volume =       "56",
2327   number =       "4",
2328   pages =        "340--343",
2329   numpages =     "3",
2330   year =         "1939",
2331   month =        aug,
2332   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2333   publisher =    "American Physical Society",
2334   notes =        "hellmann feynman forces",
2335 }
2336
2337 @Article{buczko00,
2338   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2339                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2340                  their Contrasting Properties",
2341   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2342                  T. Pantelides",
2343   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2344   volume =       "84",
2345   number =       "5",
2346   pages =        "943--946",
2347   numpages =     "3",
2348   year =         "2000",
2349   month =        jan,
2350   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2351   publisher =    "American Physical Society",
2352   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2353 }
2354
2355 @Article{djurabekova08,
2356   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2357                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2358   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2359   journal =      "Phys. Rev. B",
2360   volume =       "77",
2361   number =       "11",
2362   pages =        "115325",
2363   numpages =     "7",
2364   year =         "2008",
2365   month =        mar,
2366   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
2367   publisher =    "American Physical Society",
2368   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
2369                  angular distribution, coordination",
2370 }
2371
2372 @Article{wen09,
2373   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
2374                  W. Liang and J. Zou",
2375   collaboration = "",
2376   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
2377                  strain relaxation at highly lattice mismatched
2378                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
2379   publisher =    "AIP",
2380   year =         "2009",
2381   journal =      "J. Appl. Phys.",
2382   volume =       "106",
2383   number =       "7",
2384   eid =          "073522",
2385   numpages =     "8",
2386   pages =        "073522",
2387   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
2388                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
2389                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
2390                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
2391   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
2392   doi =          "10.1063/1.3234380",
2393   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
2394                  deconvolution, dislocation defects",
2395 }
2396
2397 @Article{kitabatake93,
2398   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
2399                  Hirao",
2400   collaboration = "",
2401   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
2402                  growth on Si(001) surface",
2403   publisher =    "AIP",
2404   year =         "1993",
2405   journal =      "J. Appl. Phys.",
2406   volume =       "74",
2407   number =       "7",
2408   pages =        "4438--4445",
2409   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2410                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2411                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2412   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2413   doi =          "10.1063/1.354385",
2414   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2415                  model, interface",
2416 }
2417
2418 @Article{chirita97,
2419   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
2420                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
2421                  dynamics study",
2422   journal =      "Thin Solid Films",
2423   volume =       "294",
2424   number =       "1-2",
2425   pages =        "47--49",
2426   year =         "1997",
2427   note =         "",
2428   ISSN =         "0040-6090",
2429   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
2430   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
2431   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
2432   keywords =     "Strain relaxation",
2433   keywords =     "Interfaces",
2434   keywords =     "Thermal stability",
2435   keywords =     "Molecular dynamics",
2436   notes =        "tersoff sic/si interface study",
2437 }
2438
2439 @Article{cicero02,
2440   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
2441                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
2442   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
2443                  Catellani",
2444   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2445   volume =       "89",
2446   number =       "15",
2447   pages =        "156101",
2448   numpages =     "4",
2449   year =         "2002",
2450   month =        sep,
2451   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
2452   publisher =    "American Physical Society",
2453   notes =        "sic/si interface study",
2454 }
2455
2456 @Article{pizzagalli03,
2457   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2458                  interface: Si{C}/Si(001)",
2459   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2460                  Catellani",
2461   journal =      "Phys. Rev. B",
2462   volume =       "68",
2463   number =       "19",
2464   pages =        "195302",
2465   numpages =     "10",
2466   year =         "2003",
2467   month =        nov,
2468   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2469   publisher =    "American Physical Society",
2470   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2471 }
2472
2473 @Article{tang07,
2474   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2475                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2476                  electron microscopy",
2477   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2478                  H. Zheng and J. W. Liang",
2479   journal =      "Phys. Rev. B",
2480   volume =       "75",
2481   number =       "18",
2482   pages =        "184103",
2483   numpages =     "7",
2484   year =         "2007",
2485   month =        may,
2486   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2487   publisher =    "American Physical Society",
2488   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2489                  si and c",
2490 }
2491
2492 @Article{hornstra58,
2493   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2494   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2495   volume =       "5",
2496   number =       "1-2",
2497   pages =        "129--141",
2498   year =         "1958",
2499   note =         "",
2500   ISSN =         "0022-3697",
2501   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2502   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2503   author =       "J. Hornstra",
2504   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2505 }
2506
2507 @Article{deguchi92,
2508   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
2509                  Ion `Hot' Implantation",
2510   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
2511                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
2512   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2513   volume =       "31",
2514   number =       "Part 1, No. 2A",
2515   pages =        "343--347",
2516   numpages =     "4",
2517   year =         "1992",
2518   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
2519   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
2520   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2521   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
2522                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
2523 }
2524
2525 @Article{eichhorn99,
2526   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2527                  K{\"{o}}gler",
2528   collaboration = "",
2529   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2530                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2531                  synchrotron x-ray diffraction",
2532   publisher =    "AIP",
2533   year =         "1999",
2534   journal =      "J. Appl. Phys.",
2535   volume =       "86",
2536   number =       "8",
2537   pages =        "4184--4187",
2538   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2539                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2540                  precipitation; semiconductor doping",
2541   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2542   doi =          "10.1063/1.371344",
2543   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
2544                  expansion of si lattice",
2545 }
2546
2547 @Article{eichhorn02,
2548   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2549                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2550   collaboration = "",
2551   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2552                  carbon ion implantation",
2553   publisher =    "AIP",
2554   year =         "2002",
2555   journal =      "J. Appl. Phys.",
2556   volume =       "91",
2557   number =       "3",
2558   pages =        "1287--1292",
2559   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2560                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2561                  electron microscopy",
2562   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2563   doi =          "10.1063/1.1428105",
2564   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2565                  temperature, might explain c into c sub trafo",
2566 }
2567
2568 @Article{lucas10,
2569   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2570   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2571                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2572                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2573                  amorphous structures",
2574   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2575   volume =       "22",
2576   number =       "3",
2577   pages =        "035802",
2578   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2579   year =         "2010",
2580   notes =        "edip sic",
2581 }
2582
2583 @Article{godet03,
2584   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2585                  Beauchamp",
2586   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2587                  methods for silicon under large shear",
2588   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2589   volume =       "15",
2590   number =       "41",
2591   pages =        "6943",
2592   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2593   year =         "2003",
2594   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2595                  edip, tersoff, ab initio",
2596 }
2597
2598 @Article{moriguchi98,
2599   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2600                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2601   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2602   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2603   volume =       "37",
2604   number =       "Part 1, No. 2",
2605   pages =        "414--422",
2606   numpages =     "8",
2607   year =         "1998",
2608   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2609   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2610   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2611   notes =        "tersoff stringent test",
2612 }
2613
2614 @Article{mazzarolo01,
2615   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
2616                  simulations",
2617   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
2618                  Lulli and Eros Albertazzi",
2619   journal =      "Phys. Rev. B",
2620   volume =       "63",
2621   number =       "19",
2622   pages =        "195207",
2623   numpages =     "4",
2624   year =         "2001",
2625   month =        apr,
2626   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
2627   publisher =    "American Physical Society",
2628 }
2629
2630 @Article{holmstroem08,
2631   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
2632                  density functional theory molecular dynamics
2633                  simulations",
2634   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
2635   journal =      "Phys. Rev. B",
2636   volume =       "78",
2637   number =       "4",
2638   pages =        "045202",
2639   numpages =     "6",
2640   year =         "2008",
2641   month =        jul,
2642   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
2643   publisher =    "American Physical Society",
2644   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
2645                  initio",
2646 }
2647
2648 @Article{nordlund97,
2649   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
2650                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
2651   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2652   volume =       "132",
2653   number =       "1",
2654   pages =        "45--54",
2655   year =         "1997",
2656   note =         "",
2657   ISSN =         "0168-583X",
2658   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
2659   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
2660   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
2661   notes =        "repulsive ab initio potential",
2662 }
2663
2664 @Article{kresse96,
2665   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
2666                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
2667                  set",
2668   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
2669   volume =       "6",
2670   number =       "1",
2671   pages =        "15--50",
2672   year =         "1996",
2673   note =         "",
2674   ISSN =         "0927-0256",
2675   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
2676   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
2677   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
2678   notes =        "vasp ref",
2679 }
2680
2681 @Article{bloechl94,
2682   title =        "Projector augmented-wave method",
2683   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
2684   journal =      "Phys. Rev. B",
2685   volume =       "50",
2686   number =       "24",
2687   pages =        "17953--17979",
2688   numpages =     "26",
2689   year =         "1994",
2690   month =        dec,
2691   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
2692   publisher =    "American Physical Society",
2693   notes =        "paw method",
2694 }
2695
2696 @Article{hamann79,
2697   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
2698   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
2699   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2700   volume =       "43",
2701   number =       "20",
2702   pages =        "1494--1497",
2703   numpages =     "3",
2704   year =         "1979",
2705   month =        nov,
2706   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
2707   publisher =    "American Physical Society",
2708   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
2709 }
2710
2711 @Article{vanderbilt90,
2712   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
2713                  eigenvalue formalism",
2714   author =       "David Vanderbilt",
2715   journal =      "Phys. Rev. B",
2716   volume =       "41",
2717   number =       "11",
2718   pages =        "7892--7895",
2719   numpages =     "3",
2720   year =         "1990",
2721   month =        apr,
2722   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
2723   publisher =    "American Physical Society",
2724   notes =        "vasp pseudopotentials",
2725 }
2726
2727 @Article{perdew86,
2728   title =        "Accurate and simple density functional for the
2729                  electronic exchange energy: Generalized gradient
2730                  approximation",
2731   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
2732   journal =      "Phys. Rev. B",
2733   volume =       "33",
2734   number =       "12",
2735   pages =        "8800--8802",
2736   numpages =     "2",
2737   year =         "1986",
2738   month =        jun,
2739   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
2740   publisher =    "American Physical Society",
2741   notes =        "rapid communication gga",
2742 }
2743
2744 @Article{perdew02,
2745   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
2746                  correlation: {A} look backward and forward",
2747   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
2748   volume =       "172",
2749   number =       "1-2",
2750   pages =        "1--6",
2751   year =         "1991",
2752   note =         "",
2753   ISSN =         "0921-4526",
2754   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
2755   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
2756   author =       "John P. Perdew",
2757   notes =        "gga overview",
2758 }
2759
2760 @Article{perdew92,
2761   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
2762                  of the generalized gradient approximation for exchange
2763                  and correlation",
2764   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
2765                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
2766                  and Carlos Fiolhais",
2767   journal =      "Phys. Rev. B",
2768   volume =       "46",
2769   number =       "11",
2770   pages =        "6671--6687",
2771   numpages =     "16",
2772   year =         "1992",
2773   month =        sep,
2774   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
2775   publisher =    "American Physical Society",
2776   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
2777 }
2778
2779 @Article{baldereschi73,
2780   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
2781   author =       "A. Baldereschi",
2782   journal =      "Phys. Rev. B",
2783   volume =       "7",
2784   number =       "12",
2785   pages =        "5212--5215",
2786   numpages =     "3",
2787   year =         "1973",
2788   month =        jun,
2789   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
2790   publisher =    "American Physical Society",
2791   notes =        "mean value k point",
2792 }
2793
2794 @Article{zhu98,
2795   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
2796                  diffusion in Si",
2797   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
2798   volume =       "12",
2799   number =       "4",
2800   pages =        "309--318",
2801   year =         "1998",
2802   note =         "",
2803   ISSN =         "0927-0256",
2804   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
2805   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
2806   author =       "Jing Zhu",
2807   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
2808   keywords =     "Boron dopant",
2809   keywords =     "Carbon dopant",
2810   keywords =     "Defect",
2811   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
2812   keywords =     "Impurity cluster",
2813   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
2814 }
2815
2816 @Article{nejim95,
2817   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
2818   collaboration = "",
2819   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
2820                  950 [degree]{C}",
2821   publisher =    "AIP",
2822   year =         "1995",
2823   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2824   volume =       "66",
2825   number =       "20",
2826   pages =        "2646--2648",
2827   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
2828                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
2829                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
2830                  ELECTRON MICROSCOPY",
2831   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
2832   doi =          "10.1063/1.113112",
2833   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
2834                  self interstitials react with further implanted c",
2835 }
2836
2837 @Article{guedj98,
2838   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
2839                  Kolodzey and A. Hairie",
2840   collaboration = "",
2841   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2842                  alloys",
2843   publisher =    "AIP",
2844   year =         "1998",
2845   journal =      "J. Appl. Phys.",
2846   volume =       "84",
2847   number =       "8",
2848   pages =        "4631--4633",
2849   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
2850                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
2851                  Fourier transform spectra; thermal stability;
2852                  annealing",
2853   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
2854   doi =          "10.1063/1.368703",
2855   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
2856 }
2857
2858 @Article{jones04,
2859   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
2860   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
2861                  semiconductors",
2862   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2863   volume =       "16",
2864   number =       "27",
2865   pages =        "S2643",
2866   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
2867   year =         "2004",
2868   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
2869 }
2870
2871 @Article{park02,
2872   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
2873                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
2874                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
2875   collaboration = "",
2876   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
2877                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
2878                  molecular-beam epitaxy",
2879   publisher =    "AIP",
2880   year =         "2002",
2881   journal =      "J. Appl. Phys.",
2882   volume =       "91",
2883   number =       "9",
2884   pages =        "5716--5727",
2885   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
2886   doi =          "10.1063/1.1465122",
2887   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
2888 }
2889
2890 @Article{leary97,
2891   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
2892                  carbon-carbon pair defects in silicon",
2893   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
2894                  Torres",
2895   journal =      "Phys. Rev. B",
2896   volume =       "55",
2897   number =       "4",
2898   pages =        "2188--2194",
2899   numpages =     "6",
2900   year =         "1997",
2901   month =        jan,
2902   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
2903   publisher =    "American Physical Society",
2904   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
2905                  energies, different migration barriers and paths",
2906 }
2907
2908 @Article{burnard93,
2909   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
2910                  silicon: Semiempirical electronic-structure
2911                  calculations",
2912   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
2913   journal =      "Phys. Rev. B",
2914   volume =       "47",
2915   number =       "16",
2916   pages =        "10217--10225",
2917   numpages =     "8",
2918   year =         "1993",
2919   month =        apr,
2920   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
2921   publisher =    "American Physical Society",
2922   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
2923                  carbon defect, formation energies",
2924 }
2925
2926 @Article{besson91,
2927   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
2928                  silicon",
2929   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
2930   journal =      "Phys. Rev. B",
2931   volume =       "43",
2932   number =       "5",
2933   pages =        "4028--4033",
2934   numpages =     "5",
2935   year =         "1991",
2936   month =        feb,
2937   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
2938   publisher =    "American Physical Society",
2939 }
2940
2941 @Article{kaxiras96,
2942   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
2943                  and growth on semiconductors",
2944   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
2945   volume =       "6",
2946   number =       "2",
2947   pages =        "158--172",
2948   year =         "1996",
2949   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
2950                  Epitaxy",
2951   ISSN =         "0927-0256",
2952   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
2953   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
2954   author =       "Efthimios Kaxiras",
2955   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
2956                  tight binding, first principles",
2957 }
2958
2959 @Article{kaukonen98,
2960   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
2961                  diamond
2962                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
2963                  surfaces",
2964   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
2965                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
2966                  Th. Frauenheim",
2967   journal =      "Phys. Rev. B",
2968   volume =       "57",
2969   number =       "16",
2970   pages =        "9965--9970",
2971   numpages =     "5",
2972   year =         "1998",
2973   month =        apr,
2974   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
2975   publisher =    "American Physical Society",
2976   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
2977                  (crt)",
2978 }
2979
2980 @Article{gali03,
2981   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
2982                  center in Si{C}",
2983   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
2984                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
2985                  W. J. Choyke",
2986   journal =      "Phys. Rev. B",
2987   volume =       "67",
2988   number =       "15",
2989   pages =        "155203",
2990   numpages =     "5",
2991   year =         "2003",
2992   month =        apr,
2993   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
2994   publisher =    "American Physical Society",
2995 }
2996
2997 @Article{chen98,
2998   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
2999                  irradiation and deformation",
3000   journal =      "J. Nucl. Mater.",
3001   volume =       "258-263",
3002   number =       "Part 2",
3003   pages =        "1803--1808",
3004   year =         "1998",
3005   note =         "",
3006   ISSN =         "0022-3115",
3007   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
3008   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
3009   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
3010 }
3011
3012 @Article{weber01,
3013   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
3014                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
3015   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3016   volume =       "175-177",
3017   number =       "",
3018   pages =        "26--30",
3019   year =         "2001",
3020   note =         "",
3021   ISSN =         "0168-583X",
3022   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
3023   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
3024   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
3025 }
3026
3027 @Article{bockstedte03,
3028   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
3029                  in $3{C}-Si{C}$",
3030   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
3031                  Pankratov",
3032   journal =      "Phys. Rev. B",
3033   volume =       "68",
3034   number =       "20",
3035   pages =        "205201",
3036   numpages =     "17",
3037   year =         "2003",
3038   month =        nov,
3039   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
3040   publisher =    "American Physical Society",
3041   notes =        "defect migration in sic",
3042 }
3043
3044 @Article{rauls03a,
3045   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
3046                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
3047   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
3048                  De\'ak",
3049   journal =      "Phys. Rev. B",
3050   volume =       "68",
3051   number =       "15",
3052   pages =        "155208",
3053   numpages =     "9",
3054   year =         "2003",
3055   month =        oct,
3056   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
3057   publisher =    "American Physical Society",
3058 }
3059
3060 @Article{losev27,
3061   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
3062   volume =       "44",
3063   pages =        "485--494",
3064   year =         "1927",
3065   author =       "O. V. Lossev",
3066 }
3067
3068 @Article{losev28,
3069   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
3070                  oscillations with crystals",
3071   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
3072   volume =       "6",
3073   number =       "39",
3074   pages =        "1024--1044",
3075   year =         "1928",
3076   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
3077   author =       "O. V. Lossev",
3078 }
3079
3080 @Article{losev29,
3081   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3082   volume =       "30",
3083   pages =        "920--923",
3084   year =         "1929",
3085   author =       "O. V. Lossev",
3086 }
3087
3088 @Article{losev31,
3089   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3090   volume =       "32",
3091   pages =        "692--696",
3092   year =         "1931",
3093   author =       "O. V. Lossev",
3094 }
3095
3096 @Article{losev33,
3097   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3098   volume =       "34",
3099   pages =        "397--403",
3100   year =         "1933",
3101   author =       "O. V. Lossev",
3102 }
3103
3104 @Article{round07,
3105   title =        "A note on carborundum",
3106   journal =      "Electrical World",
3107   volume =       "49",
3108   pages =        "308",
3109   year =         "1907",
3110   author =       "H. J. Round",
3111 }