bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 % molecular dynamics: basics / potential
   6
   7 @article{albe_sic_pot,
   8   author = {Paul Erhart and Karsten Albe},
   9   title = {Analytical potential for atomistic simulations of silicon, carbon,
  10            and silicon carbide},
  11   publisher = {APS},
  12   year = {2005},
  13   journal = {Phys. Rev. B},
  14   volume = {71},
  15   number = {3},
  16   eid = {035211},
  17   numpages = {14},
  18   pages = {035211},
  19   notes = {alble reparametrization, analytical bond oder potential (ABOP)},
  20   keywords = {silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon compounds;
  21               wide band gap semiconductors; elasticity; enthalpy;
  22               point defects; crystallographic shear; atomic forces},
  23   url = {http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211},
  24   doi = {10.1103/PhysRevB.71.035211}
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title = {Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29            Analytical bond-order potential for platinum-carbon},
  30   author = {Albe, Karsten  and Nordlund, Kai  and Averback, Robert S.},
  31   journal = {Phys. Rev. B},
  32   volume = {65},
  33   number = {19},
  34   pages = {195124},
  35   numpages = {11},
  36   year = {2002},
  37   month = {May},
  38   doi = {10.1103/PhysRevB.65.195124},
  39   publisher = {American Physical Society},
  40   notes = {derivation of albe bond order formalism},
  41 }
  42
  43 @Article{koster2002,
  44   title = {Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion bombardment},
  45   author = {M. Koster, H. M. Urbassek},
  46   journal = {Phys. Rev. B},
  47   volume = {62},
  48   number = {16},
  49   pages = {11219--11224},
  50   numpages = {5},
  51   year = {2000},
  52   month = {Oct},
  53   doi = {10.1103/PhysRevB.62.11219},
  54   publisher = {American Physical Society},
  55   notes = {virial derivation for 3-body tersoff potential}
  56 }
  57
  58 @Article{breadmore99,
  59   title = {Direct simulation of ion-beam-induced stressing
  60            and amorphization of silicon},
  61   author = {K. M. Beardmore, N. Gr\o{}nbech-Jensen},
  62   journal = {Phys. Rev. B},
  63   volume = {60},
  64   number = {18},
  65   pages = {12610--12616},
  66   numpages = {6},
  67   year = {1999},
  68   month = {Nov},
  69   doi = {10.1103/PhysRevB.60.12610},
  70   publisher = {American Physical Society},
  71   notes = {virial derivation for 3-body tersoff potential}
  72 }
  73
  74 @Article{verlet67,
  75   title = {Computer "Experiments" on Classical Fluids. I. Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules},
  76   author = {Verlet, Loup },
  77   journal = {Phys. Rev.},
  78   volume = {159},
  79   number = {1},
  80   pages = {98},
  81   year = {1967},
  82   month = {Jul},
  83   doi = {10.1103/PhysRev.159.98},
  84   publisher = {American Physical Society},
  85   notes = {velocity verlet integration algorithm equation of motion}
  86 }
  87
  88 @Article{berendsen84,
  89   title = {Molecular dynamics with coupling to an external bath},
  90   author = {H. J. C. Berendsen},
  91   year = {1984},
  92   journal = {J. Chem. Phys.},
  93   volume = {81},
  94   pages = {3684},
  95   notes = {berendsen thermostat barostat}
  96 }
  97
  98 % molecular dynamics: applications
  99
 100 @Article{batra87,
 101   title = {Molecular-dynamics study of self-interstitials in silicon},
 102   author = {Inder P. Batra, Farid F. Abraham, S. Ciraci},
 103   journal = {Phys. Rev. B},
 104   volume = {35},
 105   number = {18},
 106   pages = {9552--9558},
 107   numpages = {6},
 108   year = {1987},
 109   month = {Jun},
 110   doi = {10.1103/PhysRevB.35.9552},
 111   publisher = {American Physical Society},
 112   notes = {selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 113            calculation of defect formation energy, defect interstitial types}
 114 }
 115
 116 @Article{schober89,
 117   title = {Extended interstitials in silicon and germanium},
 118   author = {H. R. Schober},
 119   journal = {Phys. Rev. B},
 120   volume = {39},
 121   number = {17},
 122   pages = {13013--13015},
 123   numpages = {2},
 124   year = {1989},
 125   month = {Jun},
 126   doi = {10.1103/PhysRevB.39.13013},
 127   publisher = {American Physical Society},
 128   notes = {stillinger-weber silicon 110 stable and metastable dumbbell
 129            configuration}
 130 }
 131
 132 @Article{gao02,
 133   title = {Cascade overlap and amorphization in $3C-SiC:$
 134            Defect accumulation, topological features, and disordering},
 135   author = {Gao, F.  and Weber, W. J.},
 136   journal = {Phys. Rev. B},
 137   volume = {66},
 138   number = {2},
 139   pages = {024106},
 140   numpages = {10},
 141   year = {2002},
 142   month = {Jul},
 143   doi = {10.1103/PhysRevB.66.024106},
 144   publisher = {American Physical Society},
 145   note = {sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization, tersoff modified,
 146           pair correlation of amorphous sic, md result analyze}
 147 }
 148
 149 % tight binding
 150
 151 @Article{tang97,
 152   title = {Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 153            Tight-binding molecular dynamics studiesof self-diffusion,
 154            interstitial-vacancy recombination, and formation volumes},
 155   author = {M. Tang, L. Colombo, J. Zhu, T. Diaz de la Rubia},
 156   journal = {Phys. Rev. B},
 157   volume = {55},
 158   number = {21},
 159   pages = {14279--14289},
 160   numpages = {10},
 161   year = {1997},
 162   month = {Jun},
 163   doi = {10.1103/PhysRevB.55.14279},
 164   publisher = {American Physical Society},
 165   notes = {si self interstitial, diffusion, tbmd}
 166 }
 167
 168 @Article{tang97,
 169   title = {Tight-binding theory of native point defects in silicon},
 170   author = {L. Colombo},
 171   journal = {Annu. Rev. Mater. Res.},
 172   volume = {32},
 173   pages = {271--295},
 174   numpages = {25},
 175   year = {2002},
 176   doi = {10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036},
 177   publisher = {Annual Reviews},
 178   notes = {si self interstitial, tbmd, virial stress}
 179 }
 180
 181 % mixed
 182
 183 @Article{gao2001,
 184   title = {Ab initio and empirical-potential studies of defect properties
 185            in $3C-SiC$ },
 186   author = {F. Gao, E. J. Bylaska, W. J. Weber, L. R. Corrales},
 187   journal = {Phys. Rev. B},
 188   volume = {64},
 189   number = {24},
 190   pages = {245208},
 191   numpages = {7},
 192   year = {2001},
 193   month = {Dec},
 194   doi = {10.1103/PhysRevB.64.245208},
 195   publisher = {American Physical Society},
 196   notes = {defects in 3c-sic}
 197 }
 198
 199 % ab initio
 200
 201 @Article{leung99,
 202   title = {Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects},
 203   author = {Leung, W.-K.  and Needs, R. J. and Rajagopal, G.  and
 204             Itoh, S.  and Ihara, S. },
 205   journal = {Phys. Rev. Lett.},
 206   volume = {83},
 207   number = {12},
 208   pages = {2351--2354},
 209   numpages = {3},
 210   year = {1999},
 211   month = {Sep},
 212   doi = {10.1103/PhysRevLett.83.2351},
 213   publisher = {American Physical Society},
 214   notes = {nice images of the defects}
 215 }
 216
 217 @Article{PhysRevB.50.7439,
 218   title = {Identification of the migration path of interstitial carbon
 219            in silicon},
 220   author = {R. B. Capazd, A Dal Pino, J. D. Joannopoulos},
 221   journal = {Phys. Rev. B},
 222   volume = {50},
 223   number = {11},
 224   pages = {7439--7442},
 225   numpages = {3},
 226   year = {1994},
 227   month = {Sep},
 228   doi = {10.1103/PhysRevB.50.7439},
 229   publisher = {American Physical Society},
 230   notes = {carbon interstitial migration path shown, 001 c-si dumbbell}
 231 }
 232
 233 % experimental stuff - interstitials
 234
 235 @Article{watkins76,
 236   title = {EPR Observation of the Isolated Interstitial Carbon Atom in Silicon},
 237   author = {G. D. Watkins and K. L. Brower},
 238   journal = {Phys. Rev. Lett.},
 239   volume = {36},
 240   number = {22},
 241   pages = {1329--1332},
 242   numpages = {3},
 243   year = {1976},
 244   month = {May},
 245   doi = {10.1103/PhysRevLett.36.1329},
 246   publisher = {American Physical Society},
 247   notes = {epr observations of 100 interstitial carbon atom in silicon}
 248 }
 249
 250 @Article{song90,
 251   title = {EPR identification of the single-acceptor state of interstitial carbon in silicon},
 252   author = {L. W. Song, G. D. Watkins},
 253   journal = {Phys. Rev. B},
 254   volume = {42},
 255   number = {9},
 256   pages = {5759--5764},
 257   numpages = {5},
 258   year = {1990},
 259   month = {Sep},
 260   doi = {10.1103/PhysRevB.42.5759},
 261   publisher = {American Physical Society}
 262 }
 263
 264 % experimental stuff - strained silicon
 265
 266 @Article{strane96,
 267   title = {Carbon incorporation into Si at high concentrations
 268            by ion implantation and solid phase epitaxy},
 269   author = {J. W. Strane, S. R. Lee, H. J. Stein, S. T. Picraux,
 270             J.K. Watanabe, J. W. Mayer},
 271   journal = {J. Appl. Phys.},
 272   volume = {79},
 273   pages = {637},
 274   year = {1996},
 275   month = {January},
 276   doi = {10.1063/1.360806},
 277   notes = {strained silicon, carbon supersaturation}
 278 }
 279
 280 % properties sic
 281
 282 @Article{edgar92,
 283   title = {Prospects for device implementation of wide band gap semiconductors},
 284   author = {J. H. Edgar},
 285   journal = {J. Mater. Res.},
 286   volume = {7},
 287   pages = {235},
 288   year = {1992},
 289   month = {January},
 290   doi = {10.1557/JMR.1992.0235},
 291   notes = {properties wide band gap semiconductor, sic polytypes}
 292 }
 293
 294 % my own publications
 295
 296 @article{zirkelbach2007,
 297   title = {Monte Carlo simulation study of a selforganisation process
 298            leading to ordered precipitate structures},
 299   author = {F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J.K.N. Lindner, B. Stritzker},
 300   journal = {Nucl. Instr. and Meth. B},
 301   volume = {257},
 302   number = {1--2},
 303   pages = {75--79},
 304   numpages = {5},
 305   year = {2007},
 306   month = {Apr},
 307   doi = {doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118},
 308   publisher = {ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS}
 309 }
 310
 311 @article{zirkelbach2006,
 312   title = {Monte-Carlo simulation study of the self-organization of nanometric
 313            amorphous precipitates in regular arrays during ion irradiation},
 314   author = {F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J.K.N. Lindner, B. Stritzker},
 315   journal = {Nucl. Instr. and Meth. B},
 316   volume = {242},
 317   number = {1--2},
 318   pages = {679--682},
 319   numpages = {4},
 320   year = {2006},
 321   month = {Jan},
 322   doi = {doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162},
 323   publisher = {ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS}
 324 }
 325
 326 @article{zirkelbach2005,
 327   title = {Modelling of a selforganization process leading to periodic arrays
 328            of nanometric amorphous precipitates by ion irradiation},
 329   author = {F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J.K.N. Lindner, B. Stritzker},
 330   journal = {Comp. Mater. Sci.},
 331   volume = {33},
 332   number = {1--3},
 333   pages = {310--316},
 334   numpages = {7},
 335   year = {2005},
 336   month = {Apr},
 337   doi = {doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016},
 338   publisher = {ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS}
 339 }
 340
 341 % the one of my boss
 342
 343 @Article{lindner02,
 344   title = {High-dose carbon implantations into silicon:
 345            fundamental studies for new technological tricks},
 346   author = {J. K. N. Lindner},
 347   journal = {Appl. Phys. A},
 348   volume = {77},
 349   pages = {27--38},
 350   year = {2003},
 351   doi = {10.1007/s00339-002-2062-8},
 352   notes = {ibs, burried sic layers}
 353 }
 354
 355