bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{capano97,
  44   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  45   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  46   journal =      "MRS Bull.",
  47   volume =       "22",
  48   pages =        "19",
  49   year =         "1997",
  50 }
  51
  52 @Book{laplace,
  53   author =       "P. S. de Laplace",
  54   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  55   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  56   volume =       "VII",
  57   publisher =    "Gauthier-Villars",
  58   year =         "1820",
  59 }
  60
  61 @Article{mattoni2007,
  62   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
  63   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
  64                  materials}",
  65   journal =      "Phys. Rev. B",
  66   year =         "2007",
  67   month =        dec,
  68   volume =       "76",
  69   number =       "22",
  70   pages =        "224103",
  71   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
  72   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
  73                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
  74                  fracture, more available potentials, universal energy
  75                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
  76 }
  77
  78 @Article{koster2002,
  79   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
  80                  bombardment",
  81   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
  82   journal =      "Phys. Rev. B",
  83   volume =       "62",
  84   number =       "16",
  85   pages =        "11219--11224",
  86   numpages =     "5",
  87   year =         "2000",
  88   month =        oct,
  89   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
  90   publisher =    "American Physical Society",
  91   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
  92 }
  93
  94 @Article{breadmore99,
  95   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
  96                  amorphization of silicon",
  97   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
  98   journal =      "Phys. Rev. B",
  99   volume =       "60",
 100   number =       "18",
 101   pages =        "12610--12616",
 102   numpages =     "6",
 103   year =         "1999",
 104   month =        nov,
 105   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 106   publisher =    "American Physical Society",
 107   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 108 }
 109
 110 @Book{park98,
 111   author =       "Y. S. Park",
 112   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 113   publisher =    "Academic Press",
 114   address =      "San Diego",
 115   year =         "1998",
 116 }
 117
 118 @Article{tsvetkov98,
 119   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 120                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 121   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 122   journal =      "Materials Science Forum",
 123   volume =       "264-268",
 124   pages =        "3--8",
 125   year =         "1998",
 126   notes =        "modified lely process, micropipes",
 127 }
 128
 129 @Article{verlet67,
 130   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 131                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 132   author =       "Loup Verlet",
 133   journal =      "Phys. Rev.",
 134   volume =       "159",
 135   number =       "1",
 136   pages =        "98",
 137   year =         "1967",
 138   month =        jul,
 139   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 140   publisher =    "American Physical Society",
 141   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 142                  motion",
 143 }
 144
 145 @Article{berendsen84,
 146   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 147                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 148   collaboration = "",
 149   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 150   publisher =    "AIP",
 151   year =         "1984",
 152   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 153   volume =       "81",
 154   number =       "8",
 155   pages =        "3684--3690",
 156   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 157                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 158   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 159   doi =          "10.1063/1.448118",
 160   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 161 }
 162
 163 @Article{huang95,
 164   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 165                  Baskes",
 166   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 167                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 168                  potentials",
 169   journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
 170                  Engineering",
 171   volume =       "3",
 172   number =       "5",
 173   pages =        "615--627",
 174   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 175   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 176                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 177   year =         "1995",
 178 }
 179
 180 @Article{tersoff89,
 181   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 182                  Tersoff potentials",
 183   author =       "Donald W. Brenner",
 184   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 185   volume =       "63",
 186   number =       "9",
 187   pages =        "1022",
 188   numpages =     "1",
 189   year =         "1989",
 190   month =        aug,
 191   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 192   publisher =    "American Physical Society",
 193   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 194 }
 195
 196 @Article{batra87,
 197   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 198                  silicon",
 199   author =       "S. Ciraci {Inder P. Batra, Farid F. Abraham}",
 200   journal =      "Phys. Rev. B",
 201   volume =       "35",
 202   number =       "18",
 203   pages =        "9552--9558",
 204   numpages =     "6",
 205   year =         "1987",
 206   month =        jun,
 207   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 208   publisher =    "American Physical Society",
 209   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 210                  calculation of defect formation energy, defect
 211                  interstitial types",
 212 }
 213
 214 @Article{schober89,
 215   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 216   author =       "H. R. Schober",
 217   journal =      "Phys. Rev. B",
 218   volume =       "39",
 219   number =       "17",
 220   pages =        "13013--13015",
 221   numpages =     "2",
 222   year =         "1989",
 223   month =        jun,
 224   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 225   publisher =    "American Physical Society",
 226   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 227                  dumbbell configuration",
 228 }
 229
 230 @Article{gao02,
 231   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 232                  Defect accumulation, topological features, and
 233                  disordering",
 234   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 235   journal =      "Phys. Rev. B",
 236   volume =       "66",
 237   number =       "2",
 238   pages =        "024106",
 239   numpages =     "10",
 240   year =         "2002",
 241   month =        jul,
 242   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 243   publisher =    "American Physical Society",
 244   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 245                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 246                  result analyze",
 247 }
 248
 249 @Article{devanathan98,
 250   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 251                  cascade in Si{C}",
 252   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 253                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 254   volume =       "141",
 255   number =       "1-4",
 256   pages =        "118--122",
 257   year =         "1998",
 258   ISSN =         "0168-583X",
 259   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 260   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 261                  Rubia",
 262   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 263                  3c-sic",
 264 }
 265
 266 @Article{devanathan98_2,
 267   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 268   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
 269   volume =       "253",
 270   number =       "1-3",
 271   pages =        "47--52",
 272   year =         "1998",
 273   ISSN =         "0022-3115",
 274   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 275   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 276                  Weber",
 277   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 278                  tersoff",
 279 }
 280
 281 @Article{batra87,
 282   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 283   author =       "M. Kitabatake",
 284   journal =      "Thin Solid Films",
 285   volume =       "369",
 286   pages =        "257--264",
 287   numpages =     "8",
 288   year =         "2000",
 289   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 290 }
 291
 292 @Article{tang97,
 293   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 294                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 295                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 296                  formation volumes",
 297   author =       "T. Diaz de la Rubia {M. Tang, L. Colombo, J. Zhu}",
 298   journal =      "Phys. Rev. B",
 299   volume =       "55",
 300   number =       "21",
 301   pages =        "14279--14289",
 302   numpages =     "10",
 303   year =         "1997",
 304   month =        jun,
 305   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 306   publisher =    "American Physical Society",
 307   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 308 }
 309
 310 @Article{tang97,
 311   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 312                  silicon",
 313   author =       "L. Colombo",
 314   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 315   volume =       "32",
 316   pages =        "271--295",
 317   numpages =     "25",
 318   year =         "2002",
 319   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 320   publisher =    "Annual Reviews",
 321   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 322 }
 323
 324 @Article{gao2001,
 325   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 326                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 327   author =       "L. R. Corrales {F. Gao, E. J. Bylaska, W. J. Weber}",
 328   journal =      "Phys. Rev. B",
 329   volume =       "64",
 330   number =       "24",
 331   pages =        "245208",
 332   numpages =     "7",
 333   year =         "2001",
 334   month =        dec,
 335   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 336   publisher =    "American Physical Society",
 337   notes =        "defects in 3c-sic",
 338 }
 339
 340 @Article{mattoni2002,
 341   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 342                  crystalline silicon",
 343   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 344   journal =      "Phys. Rev. B",
 345   volume =       "66",
 346   number =       "19",
 347   pages =        "195214",
 348   numpages =     "6",
 349   year =         "2002",
 350   month =        nov,
 351   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 352   publisher =    "American Physical Society",
 353   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 354                  links",
 355 }
 356
 357 @Article{leung99,
 358   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 359   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 360                  Itoh and S. Ihara",
 361   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 362   volume =       "83",
 363   number =       "12",
 364   pages =        "2351--2354",
 365   numpages =     "3",
 366   year =         "1999",
 367   month =        sep,
 368   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 369   publisher =    "American Physical Society",
 370   notes =        "nice images of the defects",
 371 }
 372
 373 @Article{capazd94,
 374   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 375                  carbon in silicon",
 376   author =       "J. D. Joannopoulos {R. B. Capazd, A Dal Pino}",
 377   journal =      "Phys. Rev. B",
 378   volume =       "50",
 379   number =       "11",
 380   pages =        "7439--7442",
 381   numpages =     "3",
 382   year =         "1994",
 383   month =        sep,
 384   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 385   publisher =    "American Physical Society",
 386   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 387                  dumbbell",
 388 }
 389
 390 @Article{car84,
 391   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 392                  Silicon",
 393   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 394                  Sokrates T. Pantelides",
 395   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 396   volume =       "52",
 397   number =       "20",
 398   pages =        "1814--1817",
 399   numpages =     "3",
 400   year =         "1984",
 401   month =        may,
 402   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 403   publisher =    "American Physical Society",
 404   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 405                  path formation",
 406 }
 407
 408 @Article{kelires97,
 409   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 410                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 411   author =       "P. C. Kelires",
 412   journal =      "Phys. Rev. B",
 413   volume =       "55",
 414   number =       "14",
 415   pages =        "8784--8787",
 416   numpages =     "3",
 417   year =         "1997",
 418   month =        apr,
 419   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 420   publisher =    "American Physical Society",
 421   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 422                  neighbour dist",
 423 }
 424
 425 @Article{kelires95,
 426   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 427                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 428   author =       "P. C. Kelires",
 429   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 430   volume =       "75",
 431   number =       "6",
 432   pages =        "1114--1117",
 433   numpages =     "3",
 434   year =         "1995",
 435   month =        aug,
 436   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 437   publisher =    "American Physical Society",
 438   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 439 }
 440
 441 @Article{watkins76,
 442   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 443                  Atom in Silicon",
 444   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 445   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 446   volume =       "36",
 447   number =       "22",
 448   pages =        "1329--1332",
 449   numpages =     "3",
 450   year =         "1976",
 451   month =        may,
 452   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 453   publisher =    "American Physical Society",
 454   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 455                  silicon",
 456 }
 457
 458 @Article{song90,
 459   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 460                  interstitial carbon in silicon",
 461   author =       "G. D. Watkins L. W. Song",
 462   journal =      "Phys. Rev. B",
 463   volume =       "42",
 464   number =       "9",
 465   pages =        "5759--5764",
 466   numpages =     "5",
 467   year =         "1990",
 468   month =        sep,
 469   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 470   publisher =    "American Physical Society",
 471 }
 472
 473 @Article{strane96,
 474   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 475                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 476   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 477                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 478   journal =      "J. Appl. Phys.",
 479   volume =       "79",
 480   pages =        "637",
 481   year =         "1996",
 482   month =        jan,
 483   doi =          "10.1063/1.360806",
 484   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 485 }
 486
 487 @Article{laveant2002,
 488   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 489   author =       "U. Gosele {P. Laveant, G. Gerth, P. Werner}",
 490   journal =      "Materials Science and Engineering B",
 491   volume =       "89",
 492   number =       "1-3",
 493   pages =        "241--245",
 494   keywords =     "Growth; Epitaxy; MBE; Carbon; Silicon",
 495   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 496                  stress, avoid sic precipitation",
 497 }
 498
 499 @Article{werner97,
 500   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 501                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 502   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 503                  silicon by transmission electron microscopy",
 504   publisher =    "AIP",
 505   year =         "1997",
 506   journal =      "Applied Physics Letters",
 507   volume =       "70",
 508   number =       "2",
 509   pages =        "252--254",
 510   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 511                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 512                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 513                  layers; precipitation",
 514   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 515   doi =          "10.1063/1.118381",
 516   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 517                  precipitate",
 518 }
 519
 520 @Article{strane94,
 521   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 522                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 523   collaboration = "",
 524   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
 525                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
 526   publisher =    "AIP",
 527   year =         "1994",
 528   journal =      "Journal of Applied Physics",
 529   volume =       "76",
 530   number =       "6",
 531   pages =        "3656--3668",
 532   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
 533   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
 534   doi =          "10.1063/1.357429",
 535   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs",
 536 }
 537
 538 @Article{edgar92,
 539   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
 540                  semiconductors",
 541   author =       "J. H. Edgar",
 542   journal =      "J. Mater. Res.",
 543   volume =       "7",
 544   pages =        "235",
 545   year =         "1992",
 546   month =        jan,
 547   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
 548   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
 549                  polytypes",
 550 }
 551
 552 @Article{zirkelbach2007,
 553   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
 554                  process leading to ordered precipitate structures",
 555   author =       "B. Stritzker {F. Zirkelbach, M. H{"}aberlen, J.K.N.
 556                  Lindner}",
 557   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 558   volume =       "257",
 559   number =       "1--2",
 560   pages =        "75--79",
 561   numpages =     "5",
 562   year =         "2007",
 563   month =        apr,
 564   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
 565   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 566                  NETHERLANDS",
 567 }
 568
 569 @Article{zirkelbach2006,
 570   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
 571                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
 572                  during ion irradiation",
 573   author =       "B. Stritzker {F. Zirkelbach, M. H{"}aberlen, J.K.N.
 574                  Lindner}",
 575   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 576   volume =       "242",
 577   number =       "1--2",
 578   pages =        "679--682",
 579   numpages =     "4",
 580   year =         "2006",
 581   month =        jan,
 582   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
 583   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 584                  NETHERLANDS",
 585 }
 586
 587 @Article{zirkelbach2005,
 588   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
 589                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
 590                  ion irradiation",
 591   author =       "B. Stritzker {F. Zirkelbach, M. H{"}aberlen, J.K.N.
 592                  Lindner}",
 593   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
 594   volume =       "33",
 595   number =       "1--3",
 596   pages =        "310--316",
 597   numpages =     "7",
 598   year =         "2005",
 599   month =        apr,
 600   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
 601   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 602                  NETHERLANDS",
 603 }
 604
 605 @Article{lindner02,
 606   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
 607                  fundamental studies for new technological tricks",
 608   author =       "J. K. N. Lindner",
 609   journal =      "Appl. Phys. A",
 610   volume =       "77",
 611   pages =        "27--38",
 612   year =         "2003",
 613   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
 614   notes =        "ibs, burried sic layers",
 615 }
 616
 617 @Article{alder57,
 618   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 619   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
 620   publisher =    "AIP",
 621   year =         "1957",
 622   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 623   volume =       "27",
 624   number =       "5",
 625   pages =        "1208--1209",
 626   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
 627   doi =          "10.1063/1.1743957",
 628 }
 629
 630 @Article{alder59,
 631   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 632   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
 633   publisher =    "AIP",
 634   year =         "1959",
 635   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 636   volume =       "31",
 637   number =       "2",
 638   pages =        "459--466",
 639   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
 640   doi =          "10.1063/1.1730376",
 641 }
 642
 643 @Article{tersoff_si1,
 644   title =        "New empirical model for the structural properties of
 645                  silicon",
 646   author =       "J. Tersoff",
 647   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 648   volume =       "56",
 649   number =       "6",
 650   pages =        "632--635",
 651   numpages =     "3",
 652   year =         "1986",
 653   month =        feb,
 654   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
 655   publisher =    "American Physical Society",
 656 }
 657
 658 @Article{tersoff_si2,
 659   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
 660                  covalent systems",
 661   author =       "J. Tersoff",
 662   journal =      "Phys. Rev. B",
 663   volume =       "37",
 664   number =       "12",
 665   pages =        "6991--7000",
 666   numpages =     "9",
 667   year =         "1988",
 668   month =        apr,
 669   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
 670   publisher =    "American Physical Society",
 671 }
 672
 673 @Article{tersoff_si3,
 674   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
 675                  improved elastic properties",
 676   author =       "J. Tersoff",
 677   journal =      "Phys. Rev. B",
 678   volume =       "38",
 679   number =       "14",
 680   pages =        "9902--9905",
 681   numpages =     "3",
 682   year =         "1988",
 683   month =        nov,
 684   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
 685   publisher =    "American Physical Society",
 686 }
 687
 688 @Article{tersoff_c,
 689   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
 690                  Applications to Amorphous Carbon",
 691   author =       "J. Tersoff",
 692   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 693   volume =       "61",
 694   number =       "25",
 695   pages =        "2879--2882",
 696   numpages =     "3",
 697   year =         "1988",
 698   month =        dec,
 699   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
 700   publisher =    "American Physical Society",
 701 }
 702
 703 @Article{tersoff_m,
 704   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
 705                  for multicomponent systems",
 706   author =       "J. Tersoff",
 707   journal =      "Phys. Rev. B",
 708   volume =       "39",
 709   number =       "8",
 710   pages =        "5566--5568",
 711   numpages =     "2",
 712   year =         "1989",
 713   month =        mar,
 714   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
 715   publisher =    "American Physical Society",
 716 }
 717
 718 @Article{fahey89,
 719   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
 720   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
 721   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
 722   volume =       "61",
 723   number =       "2",
 724   pages =        "289--384",
 725   numpages =     "95",
 726   year =         "1989",
 727   month =        apr,
 728   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
 729   publisher =    "American Physical Society",
 730 }
 731
 732 @Article{wesch96,
 733   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
 734   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 735                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 736   volume =       "116",
 737   number =       "1-4",
 738   pages =        "305--321",
 739   year =         "1996",
 740   note =         "Radiation Effects in Insulators",
 741   ISSN =         "0168-583X",
 742   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
 743   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
 744   author =       "W. Wesch",
 745 }
 746
 747 @Article{morkoc94,
 748   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
 749                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
 750   collaboration = "",
 751   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
 752                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
 753   publisher =    "AIP",
 754   year =         "1994",
 755   journal =      "Journal of Applied Physics",
 756   volume =       "76",
 757   number =       "3",
 758   pages =        "1363--1398",
 759   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
 760                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
 761                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
 762                  FILMS; INDUSTRY",
 763   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
 764   doi =          "10.1063/1.358463",
 765 }
 766
 767 @Article{foo,
 768   author =       "Noch Unbekannt",
 769   title =        "How to find references",
 770   journal =      "Journal of Applied References",
 771   year =         "2009",
 772   volume =       "77",
 773   pages =        "1--23",
 774 }
 775
 776 @Article{tang95,
 777   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
 778                  \beta{}-Si{C}",
 779   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
 780   journal =      "Phys. Rev. B",
 781   volume =       "52",
 782   number =       "21",
 783   pages =        "15150--15159",
 784   numpages =     "9",
 785   year =         "1995",
 786   month =        dec,
 787   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
 788   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume",
 789   publisher =    "American Physical Society",
 790 }
 791
 792 @Article{sarro00,
 793   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
 794   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
 795   volume =       "82",
 796   number =       "1-3",
 797   pages =        "210--218",
 798   year =         "2000",
 799   ISSN =         "0924-4247",
 800   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
 801   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
 802   author =       "Pasqualina M. Sarro",
 803   keywords =     "MEMS",
 804   keywords =     "Silicon carbide",
 805   keywords =     "Micromachining",
 806   keywords =     "Mechanical stress",
 807 }
 808
 809 @Article{casady96,
 810   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
 811                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
 812                  review",
 813   journal =      "Solid-State Electronics",
 814   volume =       "39",
 815   number =       "10",
 816   pages =        "1409--1422",
 817   year =         "1996",
 818   ISSN =         "0038-1101",
 819   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
 820   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
 821   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
 822 }
 823
 824 @Article{giancarli98,
 825   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
 826                  structural material in fusion power reactor blankets",
 827   journal =      "Fusion Engineering and Design",
 828   volume =       "41",
 829   number =       "1-4",
 830   pages =        "165--171",
 831   year =         "1998",
 832   ISSN =         "0920-3796",
 833   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
 834   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
 835   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
 836                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
 837 }
 838
 839 @Article{pensl93,
 840   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
 841   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
 842   volume =       "185",
 843   number =       "1-4",
 844   pages =        "264--283",
 845   year =         "1993",
 846   ISSN =         "0921-4526",
 847   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
 848   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
 849   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
 850 }
 851
 852 @Article{tairov78,
 853   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
 854                  carbide single crystals",
 855   journal =      "Journal of Crystal Growth",
 856   volume =       "43",
 857   number =       "2",
 858   pages =        "209--212",
 859   year =         "1978",
 860   notes =        "modifief lely process",
 861   ISSN =         "0022-0248",
 862   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
 863   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
 864   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
 865 }