bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philos. Mag. B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
  91                  precipitation by interstitial and substitutional
  92                  carbon, both mechanisms explained + refs",
  93 }
  94
  95 @Book{laplace,
  96   author =       "P. S. de Laplace",
  97   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  98   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  99   volume =       "VII",
 100   publisher =    "Gauthier-Villars",
 101   year =         "1820",
 102 }
 103
 104 @Article{mattoni2007,
 105   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 106   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 107                  materials}",
 108   journal =      "Phys. Rev. B",
 109   year =         "2007",
 110   month =        dec,
 111   volume =       "76",
 112   number =       "22",
 113   pages =        "224103",
 114   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 115   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 116                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 117                  fracture, more available potentials, universal energy
 118                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 119 }
 120
 121 @Article{balamane92,
 122   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 123                  potentials",
 124   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 125   journal =      "Phys. Rev. B",
 126   volume =       "46",
 127   number =       "4",
 128   pages =        "2250--2279",
 129   numpages =     "29",
 130   year =         "1992",
 131   month =        jul,
 132   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 133   publisher =    "American Physical Society",
 134   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 135 }
 136
 137 @Article{koster2002,
 138   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 139                  bombardment",
 140   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 141   journal =      "Phys. Rev. B",
 142   volume =       "62",
 143   number =       "16",
 144   pages =        "11219--11224",
 145   numpages =     "5",
 146   year =         "2000",
 147   month =        oct,
 148   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 149   publisher =    "American Physical Society",
 150   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 151 }
 152
 153 @Article{breadmore99,
 154   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 155                  amorphization of silicon",
 156   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 157   journal =      "Phys. Rev. B",
 158   volume =       "60",
 159   number =       "18",
 160   pages =        "12610--12616",
 161   numpages =     "6",
 162   year =         "1999",
 163   month =        nov,
 164   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 165   publisher =    "American Physical Society",
 166   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 167 }
 168
 169 @Article{moissan04,
 170   author =       "Henri Moissan",
 171   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 172                  Diablo",
 173   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 174   volume =       "139",
 175   pages =        "773--786",
 176   year =         "1904",
 177 }
 178
 179 @Book{park98,
 180   author =       "Y. S. Park",
 181   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 182   publisher =    "Academic Press",
 183   address =      "San Diego",
 184   year =         "1998",
 185 }
 186
 187 @Article{tsvetkov98,
 188   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 189                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 190   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 191   journal =      "Materials Science Forum",
 192   volume =       "264-268",
 193   pages =        "3--8",
 194   year =         "1998",
 195   notes =        "modified lely process, micropipes",
 196 }
 197
 198 @Article{verlet67,
 199   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 200                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 201   author =       "Loup Verlet",
 202   journal =      "Phys. Rev.",
 203   volume =       "159",
 204   number =       "1",
 205   pages =        "98",
 206   year =         "1967",
 207   month =        jul,
 208   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 209   publisher =    "American Physical Society",
 210   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 211                  motion",
 212 }
 213
 214 @Article{berendsen84,
 215   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 216                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 217   collaboration = "",
 218   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 219   publisher =    "AIP",
 220   year =         "1984",
 221   journal =      "J. Chem. Phys.",
 222   volume =       "81",
 223   number =       "8",
 224   pages =        "3684--3690",
 225   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 226                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 227   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 228   doi =          "10.1063/1.448118",
 229   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 230 }
 231
 232 @Article{huang95,
 233   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 234                  Baskes",
 235   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 236                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 237                  potentials",
 238   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 239   volume =       "3",
 240   number =       "5",
 241   pages =        "615--627",
 242   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 243   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 244                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 245   year =         "1995",
 246 }
 247
 248 @Article{brenner89,
 249   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 250                  Tersoff potentials",
 251   author =       "Donald W. Brenner",
 252   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 253   volume =       "63",
 254   number =       "9",
 255   pages =        "1022",
 256   numpages =     "1",
 257   year =         "1989",
 258   month =        aug,
 259   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 260   publisher =    "American Physical Society",
 261   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 262 }
 263
 264 @Article{batra87,
 265   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 266                  silicon",
 267   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 268   journal =      "Phys. Rev. B",
 269   volume =       "35",
 270   number =       "18",
 271   pages =        "9552--9558",
 272   numpages =     "6",
 273   year =         "1987",
 274   month =        jun,
 275   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 276   publisher =    "American Physical Society",
 277   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 278                  calculation of defect formation energy, defect
 279                  interstitial types",
 280 }
 281
 282 @Article{schober89,
 283   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 284   author =       "H. R. Schober",
 285   journal =      "Phys. Rev. B",
 286   volume =       "39",
 287   number =       "17",
 288   pages =        "13013--13015",
 289   numpages =     "2",
 290   year =         "1989",
 291   month =        jun,
 292   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 293   publisher =    "American Physical Society",
 294   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 295                  dumbbell configuration",
 296 }
 297
 298 @Article{gao02a,
 299   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 300                  Defect accumulation, topological features, and
 301                  disordering",
 302   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 303   journal =      "Phys. Rev. B",
 304   volume =       "66",
 305   number =       "2",
 306   pages =        "024106",
 307   numpages =     "10",
 308   year =         "2002",
 309   month =        jul,
 310   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 311   publisher =    "American Physical Society",
 312   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 313                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 314                  result analyze",
 315 }
 316
 317 @Article{devanathan98,
 318   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 319                  cascade in Si{C}",
 320   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 321   volume =       "141",
 322   number =       "1-4",
 323   pages =        "118--122",
 324   year =         "1998",
 325   ISSN =         "0168-583X",
 326   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 327   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 328                  Rubia",
 329   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 330                  3c-sic",
 331 }
 332
 333 @Article{devanathan98_2,
 334   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 335   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 336   volume =       "253",
 337   number =       "1-3",
 338   pages =        "47--52",
 339   year =         "1998",
 340   ISSN =         "0022-3115",
 341   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 342   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 343                  Weber",
 344   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 345                  tersoff",
 346 }
 347
 348 @Article{kitabatake00,
 349   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 350   author =       "M. Kitabatake",
 351   journal =      "Thin Solid Films",
 352   volume =       "369",
 353   pages =        "257--264",
 354   numpages =     "8",
 355   year =         "2000",
 356   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 357 }
 358
 359 @Article{tang97,
 360   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 361                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 362                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 363                  formation volumes",
 364   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 365                  Rubia",
 366   journal =      "Phys. Rev. B",
 367   volume =       "55",
 368   number =       "21",
 369   pages =        "14279--14289",
 370   numpages =     "10",
 371   year =         "1997",
 372   month =        jun,
 373   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 374   publisher =    "American Physical Society",
 375   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 376 }
 377
 378 @Article{johnson98,
 379   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 380                  Rubia",
 381   collaboration = "",
 382   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 383                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 384                  presence of carbon and boron",
 385   publisher =    "AIP",
 386   year =         "1998",
 387   journal =      "J. Appl. Phys.",
 388   volume =       "84",
 389   number =       "4",
 390   pages =        "1963--1967",
 391   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 392                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 393                  semiconductors; self-diffusion",
 394   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 395   doi =          "10.1063/1.368328",
 396   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 397                  diffsuion",
 398 }
 399
 400 @Article{bar-yam84,
 401   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 402                  Self-Interstitial",
 403   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 404   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 405   volume =       "52",
 406   number =       "13",
 407   pages =        "1129--1132",
 408   numpages =     "3",
 409   year =         "1984",
 410   month =        mar,
 411   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 412   publisher =    "American Physical Society",
 413   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 414 }
 415
 416 @Article{bar-yam84_2,
 417   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 418                  barriers of silicon self-interstitials",
 419   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 420   journal =      "Phys. Rev. B",
 421   volume =       "30",
 422   number =       "4",
 423   pages =        "1844--1852",
 424   numpages =     "8",
 425   year =         "1984",
 426   month =        aug,
 427   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 428   publisher =    "American Physical Society",
 429 }
 430
 431 @Article{bloechl93,
 432   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 433                  constants in silicon",
 434   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 435                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 436   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 437   volume =       "70",
 438   number =       "16",
 439   pages =        "2435--2438",
 440   numpages =     "3",
 441   year =         "1993",
 442   month =        apr,
 443   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 444   publisher =    "American Physical Society",
 445   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 446                  entropy calculations",
 447 }
 448
 449 @Article{colombo02,
 450   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 451                  silicon",
 452   author =       "L. Colombo",
 453   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 454   volume =       "32",
 455   pages =        "271--295",
 456   numpages =     "25",
 457   year =         "2002",
 458   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 459   publisher =    "Annual Reviews",
 460   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 461 }
 462
 463 @Article{al-mushadani03,
 464   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 465                  silicon",
 466   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 467   journal =      "Phys. Rev. B",
 468   volume =       "68",
 469   number =       "23",
 470   pages =        "235205",
 471   numpages =     "8",
 472   year =         "2003",
 473   month =        dec,
 474   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 475   publisher =    "American Physical Society",
 476   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 477                  silicon, si self interstitials, free energy",
 478 }
 479
 480 @Article{goedecker02,
 481   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 482   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 483   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 484   volume =       "88",
 485   number =       "23",
 486   pages =        "235501",
 487   numpages =     "4",
 488   year =         "2002",
 489   month =        may,
 490   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 491   publisher =    "American Physical Society",
 492   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 493                  silicon",
 494 }
 495
 496 @Article{sahli05,
 497   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 498                  self-interstitial diffusion in silicon",
 499   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 500   journal =      "Phys. Rev. B",
 501   volume =       "72",
 502   number =       "24",
 503   pages =        "245210",
 504   numpages =     "6",
 505   year =         "2005",
 506   month =        dec,
 507   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 508   publisher =    "American Physical Society",
 509   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 510                  mapping applied",
 511 }
 512
 513 @Article{hobler05,
 514   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 515                  native point defects in silicon",
 516   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 517   volume =       "124-125",
 518   number =       "",
 519   pages =        "368--371",
 520   year =         "2005",
 521   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 522                  Issues for Future Technologies",
 523   ISSN =         "0921-5107",
 524   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 525   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 526   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 527   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 528                  radius",
 529 }
 530
 531 @Article{ma10,
 532   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 533                  wide temperature range: Point defect states and
 534                  migration mechanisms",
 535   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 536   journal =      "Phys. Rev. B",
 537   volume =       "81",
 538   number =       "19",
 539   pages =        "193203",
 540   numpages =     "4",
 541   year =         "2010",
 542   month =        may,
 543   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 544   publisher =    "American Physical Society",
 545   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 546 }
 547
 548 @Article{posselt06,
 549   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 550                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 551   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 552   journal =      "Phys. Rev. B",
 553   volume =       "73",
 554   number =       "12",
 555   pages =        "125206",
 556   numpages =     "8",
 557   year =         "2006",
 558   month =        mar,
 559   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 560   publisher =    "American Physical Society",
 561 }
 562
 563 @Article{posselt08,
 564   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 565                  migration mechanisms of vacancies and
 566                  self-interstitials: An atomistic study",
 567   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 568   journal =      "Phys. Rev. B",
 569   volume =       "78",
 570   number =       "3",
 571   pages =        "035208",
 572   numpages =     "9",
 573   year =         "2008",
 574   month =        jul,
 575   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 576   publisher =    "American Physical Society",
 577   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 578                  weber and tersoff",
 579 }
 580
 581 @Article{gao2001,
 582   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 583                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 584   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 585                  Corrales",
 586   journal =      "Phys. Rev. B",
 587   volume =       "64",
 588   number =       "24",
 589   pages =        "245208",
 590   numpages =     "7",
 591   year =         "2001",
 592   month =        dec,
 593   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 594   publisher =    "American Physical Society",
 595   notes =        "defects in 3c-sic",
 596 }
 597
 598 @Article{gao02,
 599   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 600                  3{C}-Si{C}",
 601   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 602   volume =       "191",
 603   number =       "1-4",
 604   pages =        "487--496",
 605   year =         "2002",
 606   note =         "",
 607   ISSN =         "0168-583X",
 608   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 609   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 610   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 611   keywords =     "Empirical potential",
 612   keywords =     "Defect properties",
 613   keywords =     "Silicon carbide",
 614   keywords =     "Computer simulation",
 615   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 616 }
 617
 618 @Article{gao04,
 619   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 620                  3{C}-Si{C}",
 621   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 622                  Belko",
 623   journal =      "Phys. Rev. B",
 624   volume =       "69",
 625   number =       "24",
 626   pages =        "245205",
 627   numpages =     "5",
 628   year =         "2004",
 629   month =        jun,
 630   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 631   publisher =    "American Physical Society",
 632   notes =        "defect migration in sic",
 633 }
 634
 635 @Article{gao07,
 636   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 637                  W. J. Weber",
 638   collaboration = "",
 639   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 640                  in cubic silicon carbide",
 641   publisher =    "AIP",
 642   year =         "2007",
 643   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 644   volume =       "90",
 645   number =       "22",
 646   eid =          "221915",
 647   numpages =     "3",
 648   pages =        "221915",
 649   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 650                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 651                  dynamics method; density functional theory;
 652                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 653                  impurities; diffusion",
 654   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 655   doi =          "10.1063/1.2743751",
 656 }
 657
 658 @Article{mattoni2002,
 659   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 660                  crystalline silicon",
 661   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 662   journal =      "Phys. Rev. B",
 663   volume =       "66",
 664   number =       "19",
 665   pages =        "195214",
 666   numpages =     "6",
 667   year =         "2002",
 668   month =        nov,
 669   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 670   publisher =    "American Physical Society",
 671   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 672                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 673                  tersoff suitability",
 674 }
 675
 676 @Article{leung99,
 677   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 678   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 679                  Itoh and S. Ihara",
 680   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 681   volume =       "83",
 682   number =       "12",
 683   pages =        "2351--2354",
 684   numpages =     "3",
 685   year =         "1999",
 686   month =        sep,
 687   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 688   publisher =    "American Physical Society",
 689   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 690                  refs",
 691 }
 692
 693 @Article{capaz94,
 694   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 695                  carbon in silicon",
 696   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 697   journal =      "Phys. Rev. B",
 698   volume =       "50",
 699   number =       "11",
 700   pages =        "7439--7442",
 701   numpages =     "3",
 702   year =         "1994",
 703   month =        sep,
 704   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 705   publisher =    "American Physical Society",
 706   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 707                  dumbbell",
 708 }
 709
 710 @Article{capaz98,
 711   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 712   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 713   journal =      "Phys. Rev. B",
 714   volume =       "58",
 715   number =       "15",
 716   pages =        "9845--9850",
 717   numpages =     "5",
 718   year =         "1998",
 719   month =        oct,
 720   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 721   publisher =    "American Physical Society",
 722   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 723 }
 724
 725 @Article{song90_2,
 726   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 727                  pair in silicon",
 728   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 729                  Watkins",
 730   journal =      "Phys. Rev. B",
 731   volume =       "42",
 732   number =       "9",
 733   pages =        "5765--5783",
 734   numpages =     "18",
 735   year =         "1990",
 736   month =        sep,
 737   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 738   publisher =    "American Physical Society",
 739   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 740 }
 741
 742 @Article{liu02,
 743   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 744                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 745   collaboration = "",
 746   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 747                  interactions in Si",
 748   publisher =    "AIP",
 749   year =         "2002",
 750   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 751   volume =       "80",
 752   number =       "1",
 753   pages =        "52--54",
 754   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 755                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 756                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 757   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 758   doi =          "10.1063/1.1430505",
 759   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 760 }
 761
 762 @Article{dal_pino93,
 763   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 764                  silicon",
 765   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 766                  Joannopoulos",
 767   journal =      "Phys. Rev. B",
 768   volume =       "47",
 769   number =       "19",
 770   pages =        "12554--12557",
 771   numpages =     "3",
 772   year =         "1993",
 773   month =        may,
 774   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 775   publisher =    "American Physical Society",
 776   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 777 }
 778
 779 @Article{car84,
 780   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 781                  Silicon",
 782   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 783                  Sokrates T. Pantelides",
 784   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 785   volume =       "52",
 786   number =       "20",
 787   pages =        "1814--1817",
 788   numpages =     "3",
 789   year =         "1984",
 790   month =        may,
 791   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 792   publisher =    "American Physical Society",
 793   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 794                  path formation",
 795 }
 796
 797 @Article{car85,
 798   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 799                  Density-Functional Theory",
 800   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 801   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 802   volume =       "55",
 803   number =       "22",
 804   pages =        "2471--2474",
 805   numpages =     "3",
 806   year =         "1985",
 807   month =        nov,
 808   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 809   publisher =    "American Physical Society",
 810   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 811 }
 812
 813 @Article{kelires97,
 814   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 815                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 816   author =       "P. C. Kelires",
 817   journal =      "Phys. Rev. B",
 818   volume =       "55",
 819   number =       "14",
 820   pages =        "8784--8787",
 821   numpages =     "3",
 822   year =         "1997",
 823   month =        apr,
 824   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 825   publisher =    "American Physical Society",
 826   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 827                  neighbour dist",
 828 }
 829
 830 @Article{kelires95,
 831   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 832                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 833   author =       "P. C. Kelires",
 834   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 835   volume =       "75",
 836   number =       "6",
 837   pages =        "1114--1117",
 838   numpages =     "3",
 839   year =         "1995",
 840   month =        aug,
 841   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 842   publisher =    "American Physical Society",
 843   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 844 }
 845
 846 @Article{bean70,
 847   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 848                  containing carbon",
 849   journal =      "Solid State Communications",
 850   volume =       "8",
 851   number =       "3",
 852   pages =        "175--177",
 853   year =         "1970",
 854   note =         "",
 855   ISSN =         "0038-1098",
 856   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 857   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 858   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 859 }
 860
 861 @Article{watkins76,
 862   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 863                  Atom in Silicon",
 864   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 865   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 866   volume =       "36",
 867   number =       "22",
 868   pages =        "1329--1332",
 869   numpages =     "3",
 870   year =         "1976",
 871   month =        may,
 872   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 873   publisher =    "American Physical Society",
 874   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 875                  silicon",
 876 }
 877
 878 @Article{song90,
 879   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 880                  interstitial carbon in silicon",
 881   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 882   journal =      "Phys. Rev. B",
 883   volume =       "42",
 884   number =       "9",
 885   pages =        "5759--5764",
 886   numpages =     "5",
 887   year =         "1990",
 888   month =        sep,
 889   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 890   publisher =    "American Physical Society",
 891   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 892 }
 893
 894 @Article{tipping87,
 895   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 896   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 897                  silicon",
 898   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
 899   volume =       "2",
 900   number =       "5",
 901   pages =        "315--317",
 902   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 903   year =         "1987",
 904   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 905                  silicon",
 906 }
 907
 908 @Article{strane96,
 909   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 910                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 911   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 912                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 913   journal =      "J. Appl. Phys.",
 914   volume =       "79",
 915   pages =        "637",
 916   year =         "1996",
 917   month =        jan,
 918   doi =          "10.1063/1.360806",
 919   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 920 }
 921
 922 @Article{laveant2002,
 923   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 924   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 925   volume =       "89",
 926   number =       "1-3",
 927   pages =        "241--245",
 928   year =         "2002",
 929   ISSN =         "0921-5107",
 930   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 931   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 932   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 933                  G{\"{o}}sele",
 934   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 935                  stress, avoid sic precipitation",
 936 }
 937
 938 @Article{werner97,
 939   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 940                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 941   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 942                  silicon by transmission electron microscopy",
 943   publisher =    "AIP",
 944   year =         "1997",
 945   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 946   volume =       "70",
 947   number =       "2",
 948   pages =        "252--254",
 949   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 950                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 951                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 952                  layers; precipitation",
 953   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 954   doi =          "10.1063/1.118381",
 955   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 956                  precipitate",
 957 }
 958
 959 @InProceedings{werner96,
 960   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
 961                  Eichler",
 962   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
 963                  International Conference on",
 964   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
 965                  implanted silicon",
 966   year =         "1996",
 967   month =        jun,
 968   volume =       "",
 969   number =       "",
 970   pages =        "675--678",
 971   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
 972   ISSN =         "",
 973   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
 974 }
 975
 976 @Article{werner98,
 977   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
 978                  D. C. Jacobson",
 979   collaboration = "",
 980   title =        "Carbon diffusion in silicon",
 981   publisher =    "AIP",
 982   year =         "1998",
 983   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 984   volume =       "73",
 985   number =       "17",
 986   pages =        "2465--2467",
 987   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
 988                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
 989                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
 990                  impurity distribution",
 991   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
 992   doi =          "10.1063/1.122483",
 993   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
 994 }
 995
 996 @Article{strane94,
 997   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 998                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 999   collaboration = "",
1000   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1001                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1002   publisher =    "AIP",
1003   year =         "1994",
1004   journal =      "J. Appl. Phys.",
1005   volume =       "76",
1006   number =       "6",
1007   pages =        "3656--3668",
1008   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1009   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1010   doi =          "10.1063/1.357429",
1011   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1012                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1013                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1014                  energy",
1015 }
1016
1017 @Article{fischer95,
1018   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1019                  Osten",
1020   collaboration = "",
1021   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1022                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1023   publisher =    "AIP",
1024   year =         "1995",
1025   journal =      "J. Appl. Phys.",
1026   volume =       "77",
1027   number =       "5",
1028   pages =        "1934--1937",
1029   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1030                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1031                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1032                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1033   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1034   doi =          "10.1063/1.358826",
1035 }
1036
1037 @Article{edgar92,
1038   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1039                  semiconductors",
1040   author =       "J. H. Edgar",
1041   journal =      "J. Mater. Res.",
1042   volume =       "7",
1043   pages =        "235",
1044   year =         "1992",
1045   month =        jan,
1046   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1047   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1048                  polytypes",
1049 }
1050
1051 @Article{zirkelbach2007,
1052   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1053                  process leading to ordered precipitate structures",
1054   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1055                  and B. Stritzker",
1056   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1057   volume =       "257",
1058   number =       "1--2",
1059   pages =        "75--79",
1060   numpages =     "5",
1061   year =         "2007",
1062   month =        apr,
1063   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1064   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1065                  NETHERLANDS",
1066 }
1067
1068 @Article{zirkelbach2006,
1069   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1070                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1071                  during ion irradiation",
1072   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1073                  and B. Stritzker",
1074   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1075   volume =       "242",
1076   number =       "1--2",
1077   pages =        "679--682",
1078   numpages =     "4",
1079   year =         "2006",
1080   month =        jan,
1081   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1082   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1083                  NETHERLANDS",
1084 }
1085
1086 @Article{zirkelbach2005,
1087   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1088                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1089                  ion irradiation",
1090   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1091                  and B. Stritzker",
1092   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1093   volume =       "33",
1094   number =       "1--3",
1095   pages =        "310--316",
1096   numpages =     "7",
1097   year =         "2005",
1098   month =        apr,
1099   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1100   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1101                  NETHERLANDS",
1102 }
1103
1104 @Article{zirkelbach09,
1105   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1106                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1107   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1108   volume =       "159-160",
1109   number =       "",
1110   pages =        "149--152",
1111   year =         "2009",
1112   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1113                  Silicon Materials Research for Electronic and
1114                  Photovoltaic Applications",
1115   ISSN =         "0921-5107",
1116   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1117   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1118   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1119                  B. Stritzker",
1120   keywords =     "Silicon",
1121   keywords =     "Carbon",
1122   keywords =     "Silicon carbide",
1123   keywords =     "Nucleation",
1124   keywords =     "Defect formation",
1125   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1126 }
1127
1128 @Article{zirkelbach10a,
1129   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1130                  classical potentials and first-principles methods",
1131   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1132                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1133   journal =      "Phys. Rev. B",
1134   volume =       "82",
1135   number =       "9",
1136   pages =        "094110",
1137   numpages =     "6",
1138   year =         "2010",
1139   month =        sep,
1140   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1141   publisher =    "American Physical Society",
1142 }
1143
1144 @Article{zirkelbach10b,
1145   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1146                  silicon",
1147   journal =      "to be published",
1148   volume =       "",
1149   number =       "",
1150   pages =        "",
1151   year =         "2010",
1152   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1153                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1154 }
1155
1156 @Article{zirkelbach10c,
1157   title =        "...",
1158   journal =      "to be published",
1159   volume =       "",
1160   number =       "",
1161   pages =        "",
1162   year =         "2010",
1163   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1164                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1165 }
1166
1167 @Article{lindner99,
1168   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1169                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1170                  layers in silicon",
1171   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1172   volume =       "147",
1173   number =       "1-4",
1174   pages =        "249--255",
1175   year =         "1999",
1176   note =         "",
1177   ISSN =         "0168-583X",
1178   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1179   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1180   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1181   notes =        "two-step implantation process",
1182 }
1183
1184 @Article{lindner99_2,
1185   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1186                  in silicon",
1187   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1188   volume =       "148",
1189   number =       "1-4",
1190   pages =        "528--533",
1191   year =         "1999",
1192   ISSN =         "0168-583X",
1193   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1194   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1195   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1196   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1197 }
1198
1199 @Article{lindner01,
1200   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1201                  Basic physical processes",
1202   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1203   volume =       "178",
1204   number =       "1-4",
1205   pages =        "44--54",
1206   year =         "2001",
1207   note =         "",
1208   ISSN =         "0168-583X",
1209   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1210   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1211   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1212 }
1213
1214 @Article{lindner02,
1215   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1216                  fundamental studies for new technological tricks",
1217   author =       "J. K. N. Lindner",
1218   journal =      "Appl. Phys. A",
1219   volume =       "77",
1220   pages =        "27--38",
1221   year =         "2003",
1222   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1223   notes =        "ibs, burried sic layers",
1224 }
1225
1226 @Article{lindner06,
1227   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1228                  formation and displacive precipitate resolution in the
1229                  {C}-Si system",
1230   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1231   volume =       "26",
1232   number =       "5-7",
1233   pages =        "857--861",
1234   year =         "2006",
1235   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1236                  Applications",
1237   ISSN =         "0928-4931",
1238   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1239   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1240   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1241                  and B. Stritzker",
1242   notes =        "c int diffusion barrier",
1243 }
1244
1245 @Article{ito04,
1246   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1247                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1248                  growth",
1249   journal =      "Applied Surface Science",
1250   volume =       "238",
1251   number =       "1-4",
1252   pages =        "159--164",
1253   year =         "2004",
1254   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1255   ISSN =         "0169-4332",
1256   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1257   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1258   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1259                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1260   notes =        "gan on 3c-sic",
1261 }
1262
1263 @Article{alder57,
1264   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1265   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1266   publisher =    "AIP",
1267   year =         "1957",
1268   journal =      "J. Chem. Phys.",
1269   volume =       "27",
1270   number =       "5",
1271   pages =        "1208--1209",
1272   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1273   doi =          "10.1063/1.1743957",
1274 }
1275
1276 @Article{alder59,
1277   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1278   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1279   publisher =    "AIP",
1280   year =         "1959",
1281   journal =      "J. Chem. Phys.",
1282   volume =       "31",
1283   number =       "2",
1284   pages =        "459--466",
1285   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1286   doi =          "10.1063/1.1730376",
1287 }
1288
1289 @Article{tersoff_si1,
1290   title =        "New empirical model for the structural properties of
1291                  silicon",
1292   author =       "J. Tersoff",
1293   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1294   volume =       "56",
1295   number =       "6",
1296   pages =        "632--635",
1297   numpages =     "3",
1298   year =         "1986",
1299   month =        feb,
1300   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1301   publisher =    "American Physical Society",
1302 }
1303
1304 @Article{tersoff_si2,
1305   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1306                  covalent systems",
1307   author =       "J. Tersoff",
1308   journal =      "Phys. Rev. B",
1309   volume =       "37",
1310   number =       "12",
1311   pages =        "6991--7000",
1312   numpages =     "9",
1313   year =         "1988",
1314   month =        apr,
1315   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1316   publisher =    "American Physical Society",
1317 }
1318
1319 @Article{tersoff_si3,
1320   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1321                  improved elastic properties",
1322   author =       "J. Tersoff",
1323   journal =      "Phys. Rev. B",
1324   volume =       "38",
1325   number =       "14",
1326   pages =        "9902--9905",
1327   numpages =     "3",
1328   year =         "1988",
1329   month =        nov,
1330   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1331   publisher =    "American Physical Society",
1332 }
1333
1334 @Article{tersoff_c,
1335   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1336                  Applications to Amorphous Carbon",
1337   author =       "J. Tersoff",
1338   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1339   volume =       "61",
1340   number =       "25",
1341   pages =        "2879--2882",
1342   numpages =     "3",
1343   year =         "1988",
1344   month =        dec,
1345   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1346   publisher =    "American Physical Society",
1347 }
1348
1349 @Article{tersoff_m,
1350   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1351                  for multicomponent systems",
1352   author =       "J. Tersoff",
1353   journal =      "Phys. Rev. B",
1354   volume =       "39",
1355   number =       "8",
1356   pages =        "5566--5568",
1357   numpages =     "2",
1358   year =         "1989",
1359   month =        mar,
1360   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1361   publisher =    "American Physical Society",
1362 }
1363
1364 @Article{tersoff90,
1365   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1366   author =       "J. Tersoff",
1367   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1368   volume =       "64",
1369   number =       "15",
1370   pages =        "1757--1760",
1371   numpages =     "3",
1372   year =         "1990",
1373   month =        apr,
1374   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1375   publisher =    "American Physical Society",
1376 }
1377
1378 @Article{fahey89,
1379   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1380   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1381   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1382   volume =       "61",
1383   number =       "2",
1384   pages =        "289--384",
1385   numpages =     "95",
1386   year =         "1989",
1387   month =        apr,
1388   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1389   publisher =    "American Physical Society",
1390 }
1391
1392 @Article{wesch96,
1393   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1394   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1395   volume =       "116",
1396   number =       "1-4",
1397   pages =        "305--321",
1398   year =         "1996",
1399   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1400   ISSN =         "0168-583X",
1401   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1402   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1403   author =       "W. Wesch",
1404 }
1405
1406 @Article{morkoc94,
1407   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1408                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1409   collaboration = "",
1410   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1411                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1412   publisher =    "AIP",
1413   year =         "1994",
1414   journal =      "J. Appl. Phys.",
1415   volume =       "76",
1416   number =       "3",
1417   pages =        "1363--1398",
1418   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1419                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1420                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1421                  FILMS; INDUSTRY",
1422   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1423   doi =          "10.1063/1.358463",
1424   notes =        "sic intro, properties",
1425 }
1426
1427 @Article{neudeck95,
1428   author =       "P. G. Neudeck",
1429   title =        "{PROGRESS} {IN} {SILICON}-{CARBIDE} {SEMICONDUCTOR}
1430                  {ELECTRONICS} {TECHNOLOGY}",
1431   journal =      "Journal of Electronic Materials",
1432   year =         "1995",
1433   volume =       "24",
1434   number =       "4",
1435   pages =        "283--288",
1436   month =        apr,
1437 }
1438
1439 @Article{foo,
1440   author =       "Noch Unbekannt",
1441   title =        "How to find references",
1442   journal =      "Journal of Applied References",
1443   year =         "2009",
1444   volume =       "77",
1445   pages =        "1--23",
1446 }
1447
1448 @Article{tang95,
1449   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1450                  \beta{}-Si{C}",
1451   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1452   journal =      "Phys. Rev. B",
1453   volume =       "52",
1454   number =       "21",
1455   pages =        "15150--15159",
1456   numpages =     "9",
1457   year =         "1995",
1458   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1459   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1460                  tersoff reparametrization",
1461   publisher =    "American Physical Society",
1462 }
1463
1464 @Article{sarro00,
1465   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1466   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1467   volume =       "82",
1468   number =       "1-3",
1469   pages =        "210--218",
1470   year =         "2000",
1471   ISSN =         "0924-4247",
1472   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1473   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1474   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1475   keywords =     "MEMS",
1476   keywords =     "Silicon carbide",
1477   keywords =     "Micromachining",
1478   keywords =     "Mechanical stress",
1479 }
1480
1481 @Article{casady96,
1482   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1483                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1484                  review",
1485   journal =      "Solid-State Electronics",
1486   volume =       "39",
1487   number =       "10",
1488   pages =        "1409--1422",
1489   year =         "1996",
1490   ISSN =         "0038-1101",
1491   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1492   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1493   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1494   notes =        "sic intro",
1495 }
1496
1497 @Article{giancarli98,
1498   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1499                  structural material in fusion power reactor blankets",
1500   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1501   volume =       "41",
1502   number =       "1-4",
1503   pages =        "165--171",
1504   year =         "1998",
1505   ISSN =         "0920-3796",
1506   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1507   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1508   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1509                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1510 }
1511
1512 @Article{pensl93,
1513   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1514   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1515   volume =       "185",
1516   number =       "1-4",
1517   pages =        "264--283",
1518   year =         "1993",
1519   ISSN =         "0921-4526",
1520   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1521   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1522   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1523 }
1524
1525 @Article{tairov78,
1526   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1527                  carbide single crystals",
1528   journal =      "J. Cryst. Growth",
1529   volume =       "43",
1530   number =       "2",
1531   pages =        "209--212",
1532   year =         "1978",
1533   notes =        "modified lely process",
1534   ISSN =         "0022-0248",
1535   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1536   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1537   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1538 }
1539
1540 @Article{nishino83,
1541   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1542                  Will",
1543   collaboration = "",
1544   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1545                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1546   publisher =    "AIP",
1547   year =         "1983",
1548   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1549   volume =       "42",
1550   number =       "5",
1551   pages =        "460--462",
1552   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1553                  monocrystals",
1554   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1555   doi =          "10.1063/1.93970",
1556   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1557 }
1558
1559 @Article{nishino87,
1560   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1561                  and Hiroyuki Matsunami",
1562   collaboration = "",
1563   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1564                  Si{C} on silicon",
1565   publisher =    "AIP",
1566   year =         "1987",
1567   journal =      "J. Appl. Phys.",
1568   volume =       "61",
1569   number =       "10",
1570   pages =        "4889--4893",
1571   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1572   doi =          "10.1063/1.338355",
1573   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1574                  carbonization",
1575 }
1576
1577 @Article{powell87,
1578   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1579                  Kuczmarski",
1580   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1581                  Single-Crystal Films on Si",
1582   publisher =    "ECS",
1583   year =         "1987",
1584   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1585   volume =       "134",
1586   number =       "6",
1587   pages =        "1558--1565",
1588   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1589                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1590   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1591   doi =          "10.1149/1.2100708",
1592   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1593 }
1594
1595 @Article{kimoto93,
1596   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1597                  and Hiroyuki Matsunami",
1598   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1599                  epitaxy",
1600   publisher =    "AIP",
1601   year =         "1993",
1602   journal =      "J. Appl. Phys.",
1603   volume =       "73",
1604   number =       "2",
1605   pages =        "726--732",
1606   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1607                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1608                  VAPOR DEPOSITION",
1609   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1610   doi =          "10.1063/1.353329",
1611   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1612 }
1613
1614 @Article{powell90,
1615   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1616                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1617                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1618   collaboration = "",
1619   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1620                  6{H}-Si{C} substrates",
1621   publisher =    "AIP",
1622   year =         "1990",
1623   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1624   volume =       "56",
1625   number =       "14",
1626   pages =        "1353--1355",
1627   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1628                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1629                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1630                  PHASE EPITAXY",
1631   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1632   doi =          "10.1063/1.102512",
1633   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1634 }
1635
1636 @Article{yuan95,
1637   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1638                  Thokala and M. J. Loboda",
1639   collaboration = "",
1640   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1641                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1642                  silacyclobutane",
1643   publisher =    "AIP",
1644   year =         "1995",
1645   journal =      "J. Appl. Phys.",
1646   volume =       "78",
1647   number =       "2",
1648   pages =        "1271--1273",
1649   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1650                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1651                  SPECTROPHOTOMETRY",
1652   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1653   doi =          "10.1063/1.360368",
1654   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1655 }
1656
1657 @Article{fissel95,
1658   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1659                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1660                  molecular beam epitaxy",
1661   journal =      "J. Cryst. Growth",
1662   volume =       "154",
1663   number =       "1-2",
1664   pages =        "72--80",
1665   year =         "1995",
1666   ISSN =         "0022-0248",
1667   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1668   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1669   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
1670                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1671   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1672 }
1673
1674 @Article{fissel95_apl,
1675   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1676   collaboration = "",
1677   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1678                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1679   publisher =    "AIP",
1680   year =         "1995",
1681   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1682   volume =       "66",
1683   number =       "23",
1684   pages =        "3182--3184",
1685   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1686                  RHEED; NUCLEATION",
1687   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
1688   doi =          "10.1063/1.113716",
1689   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
1690 }
1691
1692 @Article{borders71,
1693   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1694   collaboration = "",
1695   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1696                  {IMPLANTATION}",
1697   publisher =    "AIP",
1698   year =         "1971",
1699   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1700   volume =       "18",
1701   number =       "11",
1702   pages =        "509--511",
1703   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1704   doi =          "10.1063/1.1653516",
1705   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
1706                  ideas",
1707 }
1708
1709 @Article{reeson87,
1710   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1711                  J. Davis and G. E. Celler",
1712   collaboration = "",
1713   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1714                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1715   publisher =    "AIP",
1716   year =         "1987",
1717   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1718   volume =       "51",
1719   number =       "26",
1720   pages =        "2242--2244",
1721   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1722                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1723   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1724   doi =          "10.1063/1.98953",
1725   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1726 }
1727
1728 @Article{scace59,
1729   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1730   collaboration = "",
1731   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1732   publisher =    "AIP",
1733   year =         "1959",
1734   journal =      "J. Chem. Phys.",
1735   volume =       "30",
1736   number =       "6",
1737   pages =        "1551--1555",
1738   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1739   doi =          "10.1063/1.1730236",
1740   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
1741 }
1742
1743 @Article{cowern96,
1744   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1745                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1746   collaboration = "",
1747   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1748                  {B} in silicon",
1749   publisher =    "AIP",
1750   year =         "1996",
1751   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1752   volume =       "68",
1753   number =       "8",
1754   pages =        "1150--1152",
1755   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1756                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1757                  SILICON",
1758   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1759   doi =          "10.1063/1.115706",
1760   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1761 }
1762
1763 @Article{stolk95,
1764   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1765                  of the silicon self-interstitial",
1766   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1767   volume =       "96",
1768   number =       "1-2",
1769   pages =        "187--195",
1770   year =         "1995",
1771   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1772                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1773   ISSN =         "0168-583X",
1774   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1775   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1776   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1777                  and J. M. Poate",
1778 }
1779
1780 @Article{stolk97,
1781   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
1782                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
1783                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
1784                  E. Haynes",
1785   collaboration = "",
1786   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
1787                  diffusion in ion-implanted silicon",
1788   publisher =    "AIP",
1789   year =         "1997",
1790   journal =      "J. Appl. Phys.",
1791   volume =       "81",
1792   number =       "9",
1793   pages =        "6031--6050",
1794   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
1795   doi =          "10.1063/1.364452",
1796   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
1797 }
1798
1799 @Article{powell94,
1800   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1801   collaboration = "",
1802   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1803                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1804   publisher =    "AIP",
1805   year =         "1994",
1806   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1807   volume =       "64",
1808   number =       "3",
1809   pages =        "324--326",
1810   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1811                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1812                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1813                  SYNTHESIS",
1814   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1815   doi =          "10.1063/1.111195",
1816   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1817 }
1818
1819 @Article{soref91,
1820   author =       "Richard A. Soref",
1821   collaboration = "",
1822   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1823                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1824   publisher =    "AIP",
1825   year =         "1991",
1826   journal =      "J. Appl. Phys.",
1827   volume =       "70",
1828   number =       "4",
1829   pages =        "2470--2472",
1830   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1831                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1832                  TERNARY ALLOYS",
1833   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1834   doi =          "10.1063/1.349403",
1835   notes =        "band gap of strained si by c",
1836 }
1837
1838 @Article{kasper91,
1839   author =       "E Kasper",
1840   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1841                  possibility to produce direct band gap material",
1842   journal =      "Physica Scripta",
1843   volume =       "T35",
1844   pages =        "232--236",
1845   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1846   year =         "1991",
1847   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1848                  quasi-direct one",
1849 }
1850
1851 @Article{osten99,
1852   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1853   collaboration = "",
1854   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1855                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1856                  molecular beam epitaxy",
1857   publisher =    "AIP",
1858   year =         "1999",
1859   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1860   volume =       "74",
1861   number =       "6",
1862   pages =        "836--838",
1863   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1864                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1865                  compounds",
1866   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1867   doi =          "10.1063/1.123384",
1868   notes =        "substitutional c in si",
1869 }
1870
1871 @Article{hohenberg64,
1872   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1873   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1874   journal =      "Phys. Rev.",
1875   volume =       "136",
1876   number =       "3B",
1877   pages =        "B864--B871",
1878   numpages =     "7",
1879   year =         "1964",
1880   month =        nov,
1881   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
1882   publisher =    "American Physical Society",
1883   notes =        "density functional theory, dft",
1884 }
1885
1886 @Article{kohn65,
1887   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
1888                  Correlation Effects",
1889   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
1890   journal =      "Phys. Rev.",
1891   volume =       "140",
1892   number =       "4A",
1893   pages =        "A1133--A1138",
1894   numpages =     "5",
1895   year =         "1965",
1896   month =        nov,
1897   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
1898   publisher =    "American Physical Society",
1899   notes =        "dft, exchange and correlation",
1900 }
1901
1902 @Article{ruecker94,
1903   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
1904                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
1905   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
1906                  J. Osten",
1907   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1908   volume =       "72",
1909   number =       "22",
1910   pages =        "3578--3581",
1911   numpages =     "3",
1912   year =         "1994",
1913   month =        may,
1914   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
1915   publisher =    "American Physical Society",
1916   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
1917                  si, dft",
1918 }
1919
1920 @Article{chang05,
1921   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
1922                  Alloy",
1923   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
1924   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
1925   volume =       "44",
1926   number =       "4B",
1927   pages =        "2257--2262",
1928   numpages =     "5",
1929   year =         "2005",
1930   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
1931   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
1932   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
1933   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
1934 }
1935
1936 @Article{osten97,
1937   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
1938   collaboration = "",
1939   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
1940                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
1941                  Si(001)",
1942   publisher =    "AIP",
1943   year =         "1997",
1944   journal =      "J. Appl. Phys.",
1945   volume =       "82",
1946   number =       "10",
1947   pages =        "4977--4981",
1948   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
1949                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
1950                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
1951   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
1952   doi =          "10.1063/1.366364",
1953   notes =        "charge transport in strained si",
1954 }
1955
1956 @Article{kapur04,
1957   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
1958                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
1959   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
1960   journal =      "Phys. Rev. B",
1961   volume =       "69",
1962   number =       "15",
1963   pages =        "155214",
1964   numpages =     "8",
1965   year =         "2004",
1966   month =        apr,
1967   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
1968   publisher =    "American Physical Society",
1969   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
1970 }
1971
1972 @Article{barkema96,
1973   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
1974                  Systems",
1975   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
1976   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1977   volume =       "77",
1978   number =       "21",
1979   pages =        "4358--4361",
1980   numpages =     "3",
1981   year =         "1996",
1982   month =        nov,
1983   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
1984   publisher =    "American Physical Society",
1985   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
1986                  dynamic mds",
1987 }
1988
1989 @Article{cances09,
1990   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
1991                  Minoukadeh and F. Willaime",
1992   collaboration = "",
1993   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
1994                  technique method for finding transition pathways on
1995                  potential energy surfaces",
1996   publisher =    "AIP",
1997   year =         "2009",
1998   journal =      "J. Chem. Phys.",
1999   volume =       "130",
2000   number =       "11",
2001   eid =          "114711",
2002   numpages =     "6",
2003   pages =        "114711",
2004   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
2005                  surfaces; vacancies (crystal)",
2006   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
2007   doi =          "10.1063/1.3088532",
2008   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
2009                  transition pathways",
2010 }
2011
2012 @Article{parrinello81,
2013   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
2014   collaboration = "",
2015   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
2016                  molecular dynamics method",
2017   publisher =    "AIP",
2018   year =         "1981",
2019   journal =      "J. Appl. Phys.",
2020   volume =       "52",
2021   number =       "12",
2022   pages =        "7182--7190",
2023   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
2024                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
2025                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
2026                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
2027                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
2028                  IMPACT SHOCK",
2029   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2030   doi =          "10.1063/1.328693",
2031 }
2032
2033 @Article{stillinger85,
2034   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
2035                  of silicon",
2036   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
2037   journal =      "Phys. Rev. B",
2038   volume =       "31",
2039   number =       "8",
2040   pages =        "5262--5271",
2041   numpages =     "9",
2042   year =         "1985",
2043   month =        apr,
2044   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
2045   publisher =    "American Physical Society",
2046 }
2047
2048 @Article{brenner90,
2049   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
2050                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
2051                  films",
2052   author =       "Donald W. Brenner",
2053   journal =      "Phys. Rev. B",
2054   volume =       "42",
2055   number =       "15",
2056   pages =        "9458--9471",
2057   numpages =     "13",
2058   year =         "1990",
2059   month =        nov,
2060   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
2061   publisher =    "American Physical Society",
2062   notes =        "brenner hydro carbons",
2063 }
2064
2065 @Article{bazant96,
2066   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
2067                  Cohesive Energy Curves",
2068   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
2069   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2070   volume =       "77",
2071   number =       "21",
2072   pages =        "4370--4373",
2073   numpages =     "3",
2074   year =         "1996",
2075   month =        nov,
2076   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
2077   publisher =    "American Physical Society",
2078   notes =        "first si edip",
2079 }
2080
2081 @Article{bazant97,
2082   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
2083                  silicon",
2084   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
2085                  Justo",
2086   journal =      "Phys. Rev. B",
2087   volume =       "56",
2088   number =       "14",
2089   pages =        "8542--8552",
2090   numpages =     "10",
2091   year =         "1997",
2092   month =        oct,
2093   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
2094   publisher =    "American Physical Society",
2095   notes =        "second si edip",
2096 }
2097
2098 @Article{justo98,
2099   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
2100                  disordered phases",
2101   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
2102                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
2103   journal =      "Phys. Rev. B",
2104   volume =       "58",
2105   number =       "5",
2106   pages =        "2539--2550",
2107   numpages =     "11",
2108   year =         "1998",
2109   month =        aug,
2110   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
2111   publisher =    "American Physical Society",
2112   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
2113 }
2114
2115 @Article{parcas_md,
2116   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
2117   author =       "K. Nordlund",
2118   year =         "2008",
2119 }
2120
2121 @Article{voter97,
2122   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
2123                  Infrequent Events",
2124   author =       "Arthur F. Voter",
2125   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2126   volume =       "78",
2127   number =       "20",
2128   pages =        "3908--3911",
2129   numpages =     "3",
2130   year =         "1997",
2131   month =        may,
2132   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
2133   publisher =    "American Physical Society",
2134   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
2135 }
2136
2137 @Article{voter97_2,
2138   author =       "Arthur F. Voter",
2139   collaboration = "",
2140   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
2141                  simulation of infrequent events",
2142   publisher =    "AIP",
2143   year =         "1997",
2144   journal =      "J. Chem. Phys.",
2145   volume =       "106",
2146   number =       "11",
2147   pages =        "4665--4677",
2148   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
2149                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
2150                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
2151                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2152                  theory; potential energy surfaces",
2153   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2154   doi =          "10.1063/1.473503",
2155   notes =        "improved hyperdynamics md",
2156 }
2157
2158 @Article{sorensen2000,
2159   author =       "Mads R. S\o rensen and Arthur F. Voter",
2160   collaboration = "",
2161   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2162                  infrequent events",
2163   publisher =    "AIP",
2164   year =         "2000",
2165   journal =      "J. Chem. Phys.",
2166   volume =       "112",
2167   number =       "21",
2168   pages =        "9599--9606",
2169   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2170                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2171   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2172   doi =          "10.1063/1.481576",
2173   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2174 }
2175
2176 @Article{voter98,
2177   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2178                  events",
2179   author =       "Arthur F. Voter",
2180   journal =      "Phys. Rev. B",
2181   volume =       "57",
2182   number =       "22",
2183   pages =        "R13985--R13988",
2184   numpages =     "3",
2185   year =         "1998",
2186   month =        jun,
2187   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2188   publisher =    "American Physical Society",
2189   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2190 }
2191
2192 @Article{wu99,
2193   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2194   collaboration = "",
2195   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2196                  simulation",
2197   publisher =    "AIP",
2198   year =         "1999",
2199   journal =      "J. Chem. Phys.",
2200   volume =       "110",
2201   number =       "19",
2202   pages =        "9401--9410",
2203   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2204                  potential; crystallisation; liquid theory",
2205   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2206   doi =          "10.1063/1.478948",
2207   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2208                  systematic motion",
2209 }
2210
2211 @Article{choudhary05,
2212   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2213   collaboration = "",
2214   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2215                  to the production of amorphous silicon",
2216   publisher =    "AIP",
2217   year =         "2005",
2218   journal =      "J. Chem. Phys.",
2219   volume =       "122",
2220   number =       "15",
2221   eid =          "154509",
2222   numpages =     "8",
2223   pages =        "154509",
2224   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2225                  amorphous semiconductors",
2226   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2227   doi =          "10.1063/1.1878733",
2228   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2229                  silicon",
2230 }
2231
2232 @Article{taylor93,
2233   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2234   collaboration = "",
2235   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2236                  difficult?",
2237   publisher =    "AIP",
2238   year =         "1993",
2239   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2240   volume =       "62",
2241   number =       "25",
2242   pages =        "3336--3338",
2243   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2244                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2245                  ENERGY",
2246   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2247   doi =          "10.1063/1.109063",
2248   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
2249 }
2250
2251 @Article{chaussende08,
2252   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2253   journal =      "J. Cryst. Growth",
2254   volume =       "310",
2255   number =       "5",
2256   pages =        "976--981",
2257   year =         "2008",
2258   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2259                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2260   ISSN =         "0022-0248",
2261   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2262   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2263   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2264                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2265                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2266                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2267   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2268                  metastable",
2269 }
2270
2271 @Article{feynman39,
2272   title =        "Forces in Molecules",
2273   author =       "R. P. Feynman",
2274   journal =      "Phys. Rev.",
2275   volume =       "56",
2276   number =       "4",
2277   pages =        "340--343",
2278   numpages =     "3",
2279   year =         "1939",
2280   month =        aug,
2281   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2282   publisher =    "American Physical Society",
2283   notes =        "hellmann feynman forces",
2284 }
2285
2286 @Article{buczko00,
2287   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2288                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2289                  their Contrasting Properties",
2290   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2291                  T. Pantelides",
2292   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2293   volume =       "84",
2294   number =       "5",
2295   pages =        "943--946",
2296   numpages =     "3",
2297   year =         "2000",
2298   month =        jan,
2299   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2300   publisher =    "American Physical Society",
2301   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2302 }
2303
2304 @Article{djurabekova08,
2305   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2306                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2307   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2308   journal =      "Phys. Rev. B",
2309   volume =       "77",
2310   number =       "11",
2311   pages =        "115325",
2312   numpages =     "7",
2313   year =         "2008",
2314   month =        mar,
2315   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
2316   publisher =    "American Physical Society",
2317   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
2318                  angular distribution, coordination",
2319 }
2320
2321 @Article{wen09,
2322   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
2323                  W. Liang and J. Zou",
2324   collaboration = "",
2325   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
2326                  strain relaxation at highly lattice mismatched
2327                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
2328   publisher =    "AIP",
2329   year =         "2009",
2330   journal =      "J. Appl. Phys.",
2331   volume =       "106",
2332   number =       "7",
2333   eid =          "073522",
2334   numpages =     "8",
2335   pages =        "073522",
2336   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
2337                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
2338                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
2339                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
2340   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
2341   doi =          "10.1063/1.3234380",
2342   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
2343                  deconvolution, dislocation defects",
2344 }
2345
2346 @Article{kitabatake93,
2347   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
2348                  Hirao",
2349   collaboration = "",
2350   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
2351                  growth on Si(001) surface",
2352   publisher =    "AIP",
2353   year =         "1993",
2354   journal =      "J. Appl. Phys.",
2355   volume =       "74",
2356   number =       "7",
2357   pages =        "4438--4445",
2358   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2359                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2360                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2361   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2362   doi =          "10.1063/1.354385",
2363   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2364                  model, interface",
2365 }
2366
2367 @Article{chirita97,
2368   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
2369                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
2370                  dynamics study",
2371   journal =      "Thin Solid Films",
2372   volume =       "294",
2373   number =       "1-2",
2374   pages =        "47--49",
2375   year =         "1997",
2376   note =         "",
2377   ISSN =         "0040-6090",
2378   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
2379   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
2380   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
2381   keywords =     "Strain relaxation",
2382   keywords =     "Interfaces",
2383   keywords =     "Thermal stability",
2384   keywords =     "Molecular dynamics",
2385   notes =        "tersoff sic/si interface study",
2386 }
2387
2388 @Article{cicero02,
2389   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
2390                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
2391   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
2392                  Catellani",
2393   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2394   volume =       "89",
2395   number =       "15",
2396   pages =        "156101",
2397   numpages =     "4",
2398   year =         "2002",
2399   month =        sep,
2400   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
2401   publisher =    "American Physical Society",
2402   notes =        "sic/si interface study",
2403 }
2404
2405 @Article{pizzagalli03,
2406   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2407                  interface: Si{C}/Si(001)",
2408   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2409                  Catellani",
2410   journal =      "Phys. Rev. B",
2411   volume =       "68",
2412   number =       "19",
2413   pages =        "195302",
2414   numpages =     "10",
2415   year =         "2003",
2416   month =        nov,
2417   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2418   publisher =    "American Physical Society",
2419   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2420 }
2421
2422 @Article{tang07,
2423   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2424                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2425                  electron microscopy",
2426   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2427                  H. Zheng and J. W. Liang",
2428   journal =      "Phys. Rev. B",
2429   volume =       "75",
2430   number =       "18",
2431   pages =        "184103",
2432   numpages =     "7",
2433   year =         "2007",
2434   month =        may,
2435   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2436   publisher =    "American Physical Society",
2437   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2438                  si and c",
2439 }
2440
2441 @Article{hornstra58,
2442   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2443   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2444   volume =       "5",
2445   number =       "1-2",
2446   pages =        "129--141",
2447   year =         "1958",
2448   note =         "",
2449   ISSN =         "0022-3697",
2450   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2451   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2452   author =       "J. Hornstra",
2453   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2454 }
2455
2456 @Article{deguchi92,
2457   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
2458                  Ion `Hot' Implantation",
2459   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
2460                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
2461   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2462   volume =       "31",
2463   number =       "Part 1, No. 2A",
2464   pages =        "343--347",
2465   numpages =     "4",
2466   year =         "1992",
2467   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
2468   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
2469   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2470   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
2471                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
2472 }
2473
2474 @Article{eichhorn99,
2475   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2476                  K{\"{o}}gler",
2477   collaboration = "",
2478   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2479                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2480                  synchrotron x-ray diffraction",
2481   publisher =    "AIP",
2482   year =         "1999",
2483   journal =      "J. Appl. Phys.",
2484   volume =       "86",
2485   number =       "8",
2486   pages =        "4184--4187",
2487   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2488                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2489                  precipitation; semiconductor doping",
2490   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2491   doi =          "10.1063/1.371344",
2492   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
2493                  expansion of si lattice",
2494 }
2495
2496 @Article{eichhorn02,
2497   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2498                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2499   collaboration = "",
2500   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2501                  carbon ion implantation",
2502   publisher =    "AIP",
2503   year =         "2002",
2504   journal =      "J. Appl. Phys.",
2505   volume =       "91",
2506   number =       "3",
2507   pages =        "1287--1292",
2508   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2509                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2510                  electron microscopy",
2511   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2512   doi =          "10.1063/1.1428105",
2513   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2514                  temperature, might explain c into c sub trafo",
2515 }
2516
2517 @Article{lucas10,
2518   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2519   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2520                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2521                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2522                  amorphous structures",
2523   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2524   volume =       "22",
2525   number =       "3",
2526   pages =        "035802",
2527   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2528   year =         "2010",
2529   notes =        "edip sic",
2530 }
2531
2532 @Article{godet03,
2533   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2534                  Beauchamp",
2535   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2536                  methods for silicon under large shear",
2537   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2538   volume =       "15",
2539   number =       "41",
2540   pages =        "6943",
2541   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2542   year =         "2003",
2543   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2544                  edip, tersoff, ab initio",
2545 }
2546
2547 @Article{moriguchi98,
2548   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2549                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2550   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2551   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2552   volume =       "37",
2553   number =       "Part 1, No. 2",
2554   pages =        "414--422",
2555   numpages =     "8",
2556   year =         "1998",
2557   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2558   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2559   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2560   notes =        "tersoff stringent test",
2561 }
2562
2563 @Article{mazzarolo01,
2564   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
2565                  simulations",
2566   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
2567                  Lulli and Eros Albertazzi",
2568   journal =      "Phys. Rev. B",
2569   volume =       "63",
2570   number =       "19",
2571   pages =        "195207",
2572   numpages =     "4",
2573   year =         "2001",
2574   month =        apr,
2575   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
2576   publisher =    "American Physical Society",
2577 }
2578
2579 @Article{holmstroem08,
2580   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
2581                  density functional theory molecular dynamics
2582                  simulations",
2583   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
2584   journal =      "Phys. Rev. B",
2585   volume =       "78",
2586   number =       "4",
2587   pages =        "045202",
2588   numpages =     "6",
2589   year =         "2008",
2590   month =        jul,
2591   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
2592   publisher =    "American Physical Society",
2593   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
2594                  initio",
2595 }
2596
2597 @Article{nordlund97,
2598   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
2599                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
2600   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2601   volume =       "132",
2602   number =       "1",
2603   pages =        "45--54",
2604   year =         "1997",
2605   note =         "",
2606   ISSN =         "0168-583X",
2607   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
2608   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
2609   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
2610   notes =        "repulsive ab initio potential",
2611 }
2612
2613 @Article{kresse96,
2614   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
2615                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
2616                  set",
2617   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
2618   volume =       "6",
2619   number =       "1",
2620   pages =        "15--50",
2621   year =         "1996",
2622   note =         "",
2623   ISSN =         "0927-0256",
2624   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
2625   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
2626   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
2627   notes =        "vasp ref",
2628 }
2629
2630 @Article{bloechl94,
2631   title =        "Projector augmented-wave method",
2632   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
2633   journal =      "Phys. Rev. B",
2634   volume =       "50",
2635   number =       "24",
2636   pages =        "17953--17979",
2637   numpages =     "26",
2638   year =         "1994",
2639   month =        dec,
2640   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
2641   publisher =    "American Physical Society",
2642   notes =        "paw method",
2643 }
2644
2645 @Article{hamann79,
2646   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
2647   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
2648   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2649   volume =       "43",
2650   number =       "20",
2651   pages =        "1494--1497",
2652   numpages =     "3",
2653   year =         "1979",
2654   month =        nov,
2655   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
2656   publisher =    "American Physical Society",
2657   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
2658 }
2659
2660 @Article{vanderbilt90,
2661   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
2662                  eigenvalue formalism",
2663   author =       "David Vanderbilt",
2664   journal =      "Phys. Rev. B",
2665   volume =       "41",
2666   number =       "11",
2667   pages =        "7892--7895",
2668   numpages =     "3",
2669   year =         "1990",
2670   month =        apr,
2671   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
2672   publisher =    "American Physical Society",
2673   notes =        "vasp pseudopotentials",
2674 }
2675
2676 @Article{perdew86,
2677   title =        "Accurate and simple density functional for the
2678                  electronic exchange energy: Generalized gradient
2679                  approximation",
2680   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
2681   journal =      "Phys. Rev. B",
2682   volume =       "33",
2683   number =       "12",
2684   pages =        "8800--8802",
2685   numpages =     "2",
2686   year =         "1986",
2687   month =        jun,
2688   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
2689   publisher =    "American Physical Society",
2690   notes =        "rapid communication gga",
2691 }
2692
2693 @Article{perdew02,
2694   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
2695                  correlation: {A} look backward and forward",
2696   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
2697   volume =       "172",
2698   number =       "1-2",
2699   pages =        "1--6",
2700   year =         "1991",
2701   note =         "",
2702   ISSN =         "0921-4526",
2703   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
2704   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
2705   author =       "John P. Perdew",
2706   notes =        "gga overview",
2707 }
2708
2709 @Article{perdew92,
2710   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
2711                  of the generalized gradient approximation for exchange
2712                  and correlation",
2713   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
2714                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
2715                  and Carlos Fiolhais",
2716   journal =      "Phys. Rev. B",
2717   volume =       "46",
2718   number =       "11",
2719   pages =        "6671--6687",
2720   numpages =     "16",
2721   year =         "1992",
2722   month =        sep,
2723   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
2724   publisher =    "American Physical Society",
2725   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
2726 }
2727
2728 @Article{baldereschi73,
2729   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
2730   author =       "A. Baldereschi",
2731   journal =      "Phys. Rev. B",
2732   volume =       "7",
2733   number =       "12",
2734   pages =        "5212--5215",
2735   numpages =     "3",
2736   year =         "1973",
2737   month =        jun,
2738   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
2739   publisher =    "American Physical Society",
2740   notes =        "mean value k point",
2741 }
2742
2743 @Article{zhu98,
2744   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
2745                  diffusion in Si",
2746   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
2747   volume =       "12",
2748   number =       "4",
2749   pages =        "309--318",
2750   year =         "1998",
2751   note =         "",
2752   ISSN =         "0927-0256",
2753   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
2754   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
2755   author =       "Jing Zhu",
2756   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
2757   keywords =     "Boron dopant",
2758   keywords =     "Carbon dopant",
2759   keywords =     "Defect",
2760   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
2761   keywords =     "Impurity cluster",
2762   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
2763 }
2764
2765 @Article{nejim95,
2766   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
2767   collaboration = "",
2768   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
2769                  950 [degree]{C}",
2770   publisher =    "AIP",
2771   year =         "1995",
2772   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2773   volume =       "66",
2774   number =       "20",
2775   pages =        "2646--2648",
2776   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
2777                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
2778                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
2779                  ELECTRON MICROSCOPY",
2780   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
2781   doi =          "10.1063/1.113112",
2782   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
2783                  self interstitials react with further implanted c",
2784 }
2785
2786 @Article{guedj98,
2787   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
2788                  Kolodzey and A. Hairie",
2789   collaboration = "",
2790   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2791                  alloys",
2792   publisher =    "AIP",
2793   year =         "1998",
2794   journal =      "J. Appl. Phys.",
2795   volume =       "84",
2796   number =       "8",
2797   pages =        "4631--4633",
2798   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
2799                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
2800                  Fourier transform spectra; thermal stability;
2801                  annealing",
2802   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
2803   doi =          "10.1063/1.368703",
2804   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
2805 }
2806
2807 @Article{jones04,
2808   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
2809   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
2810                  semiconductors",
2811   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2812   volume =       "16",
2813   number =       "27",
2814   pages =        "S2643",
2815   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
2816   year =         "2004",
2817   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
2818 }
2819
2820 @Article{park02,
2821   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
2822                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
2823                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
2824   collaboration = "",
2825   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
2826                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
2827                  molecular-beam epitaxy",
2828   publisher =    "AIP",
2829   year =         "2002",
2830   journal =      "J. Appl. Phys.",
2831   volume =       "91",
2832   number =       "9",
2833   pages =        "5716--5727",
2834   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
2835   doi =          "10.1063/1.1465122",
2836   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
2837 }
2838
2839 @Article{leary97,
2840   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
2841                  carbon-carbon pair defects in silicon",
2842   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
2843                  Torres",
2844   journal =      "Phys. Rev. B",
2845   volume =       "55",
2846   number =       "4",
2847   pages =        "2188--2194",
2848   numpages =     "6",
2849   year =         "1997",
2850   month =        jan,
2851   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
2852   publisher =    "American Physical Society",
2853   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
2854                  energies, different migration barriers and paths",
2855 }
2856
2857 @Article{burnard93,
2858   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
2859                  silicon: Semiempirical electronic-structure
2860                  calculations",
2861   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
2862   journal =      "Phys. Rev. B",
2863   volume =       "47",
2864   number =       "16",
2865   pages =        "10217--10225",
2866   numpages =     "8",
2867   year =         "1993",
2868   month =        apr,
2869   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
2870   publisher =    "American Physical Society",
2871   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
2872                  carbon defect, formation energies",
2873 }
2874
2875 @Article{besson91,
2876   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
2877                  silicon",
2878   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
2879   journal =      "Phys. Rev. B",
2880   volume =       "43",
2881   number =       "5",
2882   pages =        "4028--4033",
2883   numpages =     "5",
2884   year =         "1991",
2885   month =        feb,
2886   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
2887   publisher =    "American Physical Society",
2888 }
2889
2890 @Article{kaxiras96,
2891   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
2892                  and growth on semiconductors",
2893   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
2894   volume =       "6",
2895   number =       "2",
2896   pages =        "158--172",
2897   year =         "1996",
2898   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
2899                  Epitaxy",
2900   ISSN =         "0927-0256",
2901   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
2902   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
2903   author =       "Efthimios Kaxiras",
2904   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
2905                  tight binding, first principles",
2906 }
2907
2908 @Article{kaukonen98,
2909   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
2910                  diamond
2911                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
2912                  surfaces",
2913   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
2914                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
2915                  Th. Frauenheim",
2916   journal =      "Phys. Rev. B",
2917   volume =       "57",
2918   number =       "16",
2919   pages =        "9965--9970",
2920   numpages =     "5",
2921   year =         "1998",
2922   month =        apr,
2923   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
2924   publisher =    "American Physical Society",
2925   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
2926                  (crt)",
2927 }
2928
2929 @Article{gali03,
2930   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
2931                  center in Si{C}",
2932   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
2933                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
2934                  W. J. Choyke",
2935   journal =      "Phys. Rev. B",
2936   volume =       "67",
2937   number =       "15",
2938   pages =        "155203",
2939   numpages =     "5",
2940   year =         "2003",
2941   month =        apr,
2942   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
2943   publisher =    "American Physical Society",
2944 }
2945
2946 @Article{chen98,
2947   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
2948                  irradiation and deformation",
2949   journal =      "J. Nucl. Mater.",
2950   volume =       "258-263",
2951   number =       "Part 2",
2952   pages =        "1803--1808",
2953   year =         "1998",
2954   note =         "",
2955   ISSN =         "0022-3115",
2956   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
2957   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
2958   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
2959 }
2960
2961 @Article{weber01,
2962   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
2963                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
2964   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2965   volume =       "175-177",
2966   number =       "",
2967   pages =        "26--30",
2968   year =         "2001",
2969   note =         "",
2970   ISSN =         "0168-583X",
2971   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
2972   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
2973   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
2974   keywords =     "Amorphization",
2975   keywords =     "Irradiation effects",
2976   keywords =     "Thermal recovery",
2977   keywords =     "Silicon carbide",
2978 }
2979
2980 @Article{bockstedte03,
2981   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
2982                  in $3{C}-Si{C}$",
2983   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
2984                  Pankratov",
2985   journal =      "Phys. Rev. B",
2986   volume =       "68",
2987   number =       "20",
2988   pages =        "205201",
2989   numpages =     "17",
2990   year =         "2003",
2991   month =        nov,
2992   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
2993   publisher =    "American Physical Society",
2994   notes =        "defect migration in sic",
2995 }
2996
2997 @Article{rauls03a,
2998   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
2999                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
3000   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
3001                  De\'ak",
3002   journal =      "Phys. Rev. B",
3003   volume =       "68",
3004   number =       "15",
3005   pages =        "155208",
3006   numpages =     "9",
3007   year =         "2003",
3008   month =        oct,
3009   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
3010   publisher =    "American Physical Society",
3011 }