bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philosophical Magazine Part B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies",
  91 }
  92
  93 @Book{laplace,
  94   author =       "P. S. de Laplace",
  95   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  96   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  97   volume =       "VII",
  98   publisher =    "Gauthier-Villars",
  99   year =         "1820",
 100 }
 101
 102 @Article{mattoni2007,
 103   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 104   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 105                  materials}",
 106   journal =      "Phys. Rev. B",
 107   year =         "2007",
 108   month =        dec,
 109   volume =       "76",
 110   number =       "22",
 111   pages =        "224103",
 112   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 113   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 114                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 115                  fracture, more available potentials, universal energy
 116                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 117 }
 118
 119 @Article{balamane92,
 120   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 121                  potentials",
 122   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 123   journal =      "Phys. Rev. B",
 124   volume =       "46",
 125   number =       "4",
 126   pages =        "2250--2279",
 127   numpages =     "29",
 128   year =         "1992",
 129   month =        jul,
 130   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 131   publisher =    "American Physical Society",
 132   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 133 }
 134
 135 @Article{koster2002,
 136   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 137                  bombardment",
 138   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 139   journal =      "Phys. Rev. B",
 140   volume =       "62",
 141   number =       "16",
 142   pages =        "11219--11224",
 143   numpages =     "5",
 144   year =         "2000",
 145   month =        oct,
 146   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 147   publisher =    "American Physical Society",
 148   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 149 }
 150
 151 @Article{breadmore99,
 152   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 153                  amorphization of silicon",
 154   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 155   journal =      "Phys. Rev. B",
 156   volume =       "60",
 157   number =       "18",
 158   pages =        "12610--12616",
 159   numpages =     "6",
 160   year =         "1999",
 161   month =        nov,
 162   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 163   publisher =    "American Physical Society",
 164   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 165 }
 166
 167 @Article{moissan04,
 168   author =       "Henri Moissan",
 169   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 170                  Diablo",
 171   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 172   volume =       "139",
 173   pages =        "773--786",
 174   year =         "1904",
 175 }
 176
 177 @Book{park98,
 178   author =       "Y. S. Park",
 179   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 180   publisher =    "Academic Press",
 181   address =      "San Diego",
 182   year =         "1998",
 183 }
 184
 185 @Article{tsvetkov98,
 186   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 187                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 188   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 189   journal =      "Materials Science Forum",
 190   volume =       "264-268",
 191   pages =        "3--8",
 192   year =         "1998",
 193   notes =        "modified lely process, micropipes",
 194 }
 195
 196 @Article{verlet67,
 197   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 198                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 199   author =       "Loup Verlet",
 200   journal =      "Phys. Rev.",
 201   volume =       "159",
 202   number =       "1",
 203   pages =        "98",
 204   year =         "1967",
 205   month =        jul,
 206   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 207   publisher =    "American Physical Society",
 208   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 209                  motion",
 210 }
 211
 212 @Article{berendsen84,
 213   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 214                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 215   collaboration = "",
 216   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 217   publisher =    "AIP",
 218   year =         "1984",
 219   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 220   volume =       "81",
 221   number =       "8",
 222   pages =        "3684--3690",
 223   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 224                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 225   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 226   doi =          "10.1063/1.448118",
 227   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 228 }
 229
 230 @Article{huang95,
 231   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 232                  Baskes",
 233   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 234                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 235                  potentials",
 236   journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
 237                  Engineering",
 238   volume =       "3",
 239   number =       "5",
 240   pages =        "615--627",
 241   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 242   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 243                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 244   year =         "1995",
 245 }
 246
 247 @Article{brenner89,
 248   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 249                  Tersoff potentials",
 250   author =       "Donald W. Brenner",
 251   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 252   volume =       "63",
 253   number =       "9",
 254   pages =        "1022",
 255   numpages =     "1",
 256   year =         "1989",
 257   month =        aug,
 258   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 259   publisher =    "American Physical Society",
 260   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 261 }
 262
 263 @Article{batra87,
 264   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 265                  silicon",
 266   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 267   journal =      "Phys. Rev. B",
 268   volume =       "35",
 269   number =       "18",
 270   pages =        "9552--9558",
 271   numpages =     "6",
 272   year =         "1987",
 273   month =        jun,
 274   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 275   publisher =    "American Physical Society",
 276   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 277                  calculation of defect formation energy, defect
 278                  interstitial types",
 279 }
 280
 281 @Article{schober89,
 282   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 283   author =       "H. R. Schober",
 284   journal =      "Phys. Rev. B",
 285   volume =       "39",
 286   number =       "17",
 287   pages =        "13013--13015",
 288   numpages =     "2",
 289   year =         "1989",
 290   month =        jun,
 291   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 292   publisher =    "American Physical Society",
 293   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 294                  dumbbell configuration",
 295 }
 296
 297 @Article{gao02,
 298   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 299                  Defect accumulation, topological features, and
 300                  disordering",
 301   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 302   journal =      "Phys. Rev. B",
 303   volume =       "66",
 304   number =       "2",
 305   pages =        "024106",
 306   numpages =     "10",
 307   year =         "2002",
 308   month =        jul,
 309   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 310   publisher =    "American Physical Society",
 311   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 312                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 313                  result analyze",
 314 }
 315
 316 @Article{devanathan98,
 317   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 318                  cascade in Si{C}",
 319   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 320                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 321   volume =       "141",
 322   number =       "1-4",
 323   pages =        "118--122",
 324   year =         "1998",
 325   ISSN =         "0168-583X",
 326   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 327   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 328                  Rubia",
 329   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 330                  3c-sic",
 331 }
 332
 333 @Article{devanathan98_2,
 334   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 335   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
 336   volume =       "253",
 337   number =       "1-3",
 338   pages =        "47--52",
 339   year =         "1998",
 340   ISSN =         "0022-3115",
 341   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 342   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 343                  Weber",
 344   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 345                  tersoff",
 346 }
 347
 348 @Article{kitabatake00,
 349   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 350   author =       "M. Kitabatake",
 351   journal =      "Thin Solid Films",
 352   volume =       "369",
 353   pages =        "257--264",
 354   numpages =     "8",
 355   year =         "2000",
 356   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 357 }
 358
 359 @Article{tang97,
 360   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 361                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 362                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 363                  formation volumes",
 364   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 365                  Rubia",
 366   journal =      "Phys. Rev. B",
 367   volume =       "55",
 368   number =       "21",
 369   pages =        "14279--14289",
 370   numpages =     "10",
 371   year =         "1997",
 372   month =        jun,
 373   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 374   publisher =    "American Physical Society",
 375   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 376 }
 377
 378 @Article{bar-yam84,
 379   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 380                  Self-Interstitial",
 381   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 382   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 383   volume =       "52",
 384   number =       "13",
 385   pages =        "1129--1132",
 386   numpages =     "3",
 387   year =         "1984",
 388   month =        mar,
 389   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 390   publisher =    "American Physical Society",
 391   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 392 }
 393
 394 @Article{colombo02,
 395   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 396                  silicon",
 397   author =       "L. Colombo",
 398   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 399   volume =       "32",
 400   pages =        "271--295",
 401   numpages =     "25",
 402   year =         "2002",
 403   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 404   publisher =    "Annual Reviews",
 405   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 406 }
 407
 408 @Article{al-mushadani03,
 409   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 410                  silicon",
 411   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 412   journal =      "Phys. Rev. B",
 413   volume =       "68",
 414   number =       "23",
 415   pages =        "235205",
 416   numpages =     "8",
 417   year =         "2003",
 418   month =        dec,
 419   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 420   publisher =    "American Physical Society",
 421   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 422                  silicon, si self interstitials, free energy",
 423 }
 424
 425 @Article{ma10,
 426   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 427                  wide temperature range: Point defect states and
 428                  migration mechanisms",
 429   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 430   journal =      "Phys. Rev. B",
 431   volume =       "81",
 432   number =       "19",
 433   pages =        "193203",
 434   numpages =     "4",
 435   year =         "2010",
 436   month =        may,
 437   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 438   publisher =    "American Physical Society",
 439   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 440 }
 441
 442 @Article{posselt08,
 443   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 444                  migration mechanisms of vacancies and
 445                  self-interstitials: An atomistic study",
 446   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 447   journal =      "Phys. Rev. B",
 448   volume =       "78",
 449   number =       "3",
 450   pages =        "035208",
 451   numpages =     "9",
 452   year =         "2008",
 453   month =        jul,
 454   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 455   publisher =    "American Physical Society",
 456   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 457                  weber and tersoff",
 458 }
 459
 460 @Article{gao2001,
 461   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 462                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 463   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 464                  Corrales",
 465   journal =      "Phys. Rev. B",
 466   volume =       "64",
 467   number =       "24",
 468   pages =        "245208",
 469   numpages =     "7",
 470   year =         "2001",
 471   month =        dec,
 472   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 473   publisher =    "American Physical Society",
 474   notes =        "defects in 3c-sic",
 475 }
 476
 477 @Article{mattoni2002,
 478   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 479                  crystalline silicon",
 480   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 481   journal =      "Phys. Rev. B",
 482   volume =       "66",
 483   number =       "19",
 484   pages =        "195214",
 485   numpages =     "6",
 486   year =         "2002",
 487   month =        nov,
 488   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 489   publisher =    "American Physical Society",
 490   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 491                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 492                  tersoff suitability",
 493 }
 494
 495 @Article{leung99,
 496   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 497   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 498                  Itoh and S. Ihara",
 499   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 500   volume =       "83",
 501   number =       "12",
 502   pages =        "2351--2354",
 503   numpages =     "3",
 504   year =         "1999",
 505   month =        sep,
 506   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 507   publisher =    "American Physical Society",
 508   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 509                  refs",
 510 }
 511
 512 @Article{capaz94,
 513   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 514                  carbon in silicon",
 515   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 516   journal =      "Phys. Rev. B",
 517   volume =       "50",
 518   number =       "11",
 519   pages =        "7439--7442",
 520   numpages =     "3",
 521   year =         "1994",
 522   month =        sep,
 523   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 524   publisher =    "American Physical Society",
 525   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 526                  dumbbell",
 527 }
 528
 529 @Article{dal_pino93,
 530   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 531                  silicon",
 532   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 533                  Joannopoulos",
 534   journal =      "Phys. Rev. B",
 535   volume =       "47",
 536   number =       "19",
 537   pages =        "12554--12557",
 538   numpages =     "3",
 539   year =         "1993",
 540   month =        may,
 541   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 542   publisher =    "American Physical Society",
 543   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 544 }
 545
 546 @Article{car84,
 547   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 548                  Silicon",
 549   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 550                  Sokrates T. Pantelides",
 551   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 552   volume =       "52",
 553   number =       "20",
 554   pages =        "1814--1817",
 555   numpages =     "3",
 556   year =         "1984",
 557   month =        may,
 558   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 559   publisher =    "American Physical Society",
 560   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 561                  path formation",
 562 }
 563
 564 @Article{car85,
 565   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 566                  Density-Functional Theory",
 567   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 568   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 569   volume =       "55",
 570   number =       "22",
 571   pages =        "2471--2474",
 572   numpages =     "3",
 573   year =         "1985",
 574   month =        nov,
 575   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 576   publisher =    "American Physical Society",
 577   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 578 }
 579
 580 @Article{kelires97,
 581   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 582                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 583   author =       "P. C. Kelires",
 584   journal =      "Phys. Rev. B",
 585   volume =       "55",
 586   number =       "14",
 587   pages =        "8784--8787",
 588   numpages =     "3",
 589   year =         "1997",
 590   month =        apr,
 591   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 592   publisher =    "American Physical Society",
 593   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 594                  neighbour dist",
 595 }
 596
 597 @Article{kelires95,
 598   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 599                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 600   author =       "P. C. Kelires",
 601   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 602   volume =       "75",
 603   number =       "6",
 604   pages =        "1114--1117",
 605   numpages =     "3",
 606   year =         "1995",
 607   month =        aug,
 608   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 609   publisher =    "American Physical Society",
 610   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 611 }
 612
 613 @Article{bean70,
 614   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 615                  containing carbon",
 616   journal =      "Solid State Communications",
 617   volume =       "8",
 618   number =       "3",
 619   pages =        "175--177",
 620   year =         "1970",
 621   note =         "",
 622   ISSN =         "0038-1098",
 623   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 624   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 625   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 626 }
 627
 628 @Article{watkins76,
 629   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 630                  Atom in Silicon",
 631   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 632   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 633   volume =       "36",
 634   number =       "22",
 635   pages =        "1329--1332",
 636   numpages =     "3",
 637   year =         "1976",
 638   month =        may,
 639   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 640   publisher =    "American Physical Society",
 641   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 642                  silicon",
 643 }
 644
 645 @Article{song90,
 646   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 647                  interstitial carbon in silicon",
 648   author =       "G. D. Watkins L. W. Song",
 649   journal =      "Phys. Rev. B",
 650   volume =       "42",
 651   number =       "9",
 652   pages =        "5759--5764",
 653   numpages =     "5",
 654   year =         "1990",
 655   month =        sep,
 656   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 657   publisher =    "American Physical Society",
 658   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 659 }
 660
 661 @Article{tipping87,
 662   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 663   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 664                  silicon",
 665   journal =      "Semiconductor Science and Technology",
 666   volume =       "2",
 667   number =       "5",
 668   pages =        "315--317",
 669   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 670   year =         "1987",
 671   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 672                  silicon",
 673 }
 674
 675 @Article{strane96,
 676   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 677                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 678   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 679                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 680   journal =      "J. Appl. Phys.",
 681   volume =       "79",
 682   pages =        "637",
 683   year =         "1996",
 684   month =        jan,
 685   doi =          "10.1063/1.360806",
 686   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 687 }
 688
 689 @Article{laveant2002,
 690   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 691   journal =      "Materials Science and Engineering B",
 692   volume =       "89",
 693   number =       "1-3",
 694   pages =        "241--245",
 695   year =         "2002",
 696   ISSN =         "0921-5107",
 697   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 698   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 699   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 700                  G{\"{o}}sele",
 701   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 702                  stress, avoid sic precipitation",
 703 }
 704
 705 @Article{werner97,
 706   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 707                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 708   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 709                  silicon by transmission electron microscopy",
 710   publisher =    "AIP",
 711   year =         "1997",
 712   journal =      "Applied Physics Letters",
 713   volume =       "70",
 714   number =       "2",
 715   pages =        "252--254",
 716   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 717                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 718                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 719                  layers; precipitation",
 720   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 721   doi =          "10.1063/1.118381",
 722   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 723                  precipitate",
 724 }
 725
 726 @InProceedings{werner96,
 727   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
 728                  Eichler",
 729   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
 730                  International Conference on",
 731   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
 732                  implanted silicon",
 733   year =         "1996",
 734   month =        jun,
 735   volume =       "",
 736   number =       "",
 737   pages =        "675--678",
 738   keywords =     "beta;-SiC precipitates;30 s;700 to 1300 C;C
 739                  atom/radiation induced defect interaction;C depth
 740                  distribution;C precipitation;C-Si defects;C-Si
 741                  dimers;CZ Si;HREM;Si:C;TEM;buried layer morphology;high
 742                  energy ion implantation;ion implantation;metastable
 743                  agglomerates;microdefects;positron annihilation
 744                  spectroscopy;rapid thermal annealing;secondary ion mass
 745                  spectrometry;vacancy clusters;buried
 746                  layers;carbon;elemental semiconductors;impurity-defect
 747                  interactions;ion implantation;positron
 748                  annihilation;precipitation;rapid thermal
 749                  annealing;secondary ion mass
 750                  spectra;silicon;transmission electron
 751                  microscopy;vacancies (crystal);",
 752   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
 753   ISSN =         "",
 754   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
 755 }
 756
 757 @Article{strane94,
 758   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 759                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 760   collaboration = "",
 761   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
 762                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
 763   publisher =    "AIP",
 764   year =         "1994",
 765   journal =      "Journal of Applied Physics",
 766   volume =       "76",
 767   number =       "6",
 768   pages =        "3656--3668",
 769   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
 770   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
 771   doi =          "10.1063/1.357429",
 772   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs",
 773 }
 774
 775 @Article{edgar92,
 776   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
 777                  semiconductors",
 778   author =       "J. H. Edgar",
 779   journal =      "J. Mater. Res.",
 780   volume =       "7",
 781   pages =        "235",
 782   year =         "1992",
 783   month =        jan,
 784   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
 785   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
 786                  polytypes",
 787 }
 788
 789 @Article{zirkelbach2007,
 790   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
 791                  process leading to ordered precipitate structures",
 792   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 793                  and B. Stritzker",
 794   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 795   volume =       "257",
 796   number =       "1--2",
 797   pages =        "75--79",
 798   numpages =     "5",
 799   year =         "2007",
 800   month =        apr,
 801   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
 802   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 803                  NETHERLANDS",
 804 }
 805
 806 @Article{zirkelbach2006,
 807   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
 808                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
 809                  during ion irradiation",
 810   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 811                  and B. Stritzker",
 812   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 813   volume =       "242",
 814   number =       "1--2",
 815   pages =        "679--682",
 816   numpages =     "4",
 817   year =         "2006",
 818   month =        jan,
 819   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
 820   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 821                  NETHERLANDS",
 822 }
 823
 824 @Article{zirkelbach2005,
 825   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
 826                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
 827                  ion irradiation",
 828   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 829                  and B. Stritzker",
 830   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
 831   volume =       "33",
 832   number =       "1--3",
 833   pages =        "310--316",
 834   numpages =     "7",
 835   year =         "2005",
 836   month =        apr,
 837   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
 838   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 839                  NETHERLANDS",
 840 }
 841
 842 @Article{lindner99,
 843   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
 844                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
 845                  layers in silicon",
 846   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 847                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 848   volume =       "147",
 849   number =       "1-4",
 850   pages =        "249--255",
 851   year =         "1999",
 852   note =         "",
 853   ISSN =         "0168-583X",
 854   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
 855   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
 856   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 857   notes =        "two-step implantation process",
 858 }
 859
 860 @Article{lindner99_2,
 861   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
 862                  in silicon",
 863   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 864                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 865   volume =       "148",
 866   number =       "1-4",
 867   pages =        "528--533",
 868   year =         "1999",
 869   ISSN =         "0168-583X",
 870   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
 871   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
 872   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
 873   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
 874 }
 875
 876 @Article{lindner01,
 877   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
 878                  Basic physical processes",
 879   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 880                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 881   volume =       "178",
 882   number =       "1-4",
 883   pages =        "44--54",
 884   year =         "2001",
 885   note =         "",
 886   ISSN =         "0168-583X",
 887   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
 888   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
 889   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
 890 }
 891
 892 @Article{lindner02,
 893   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
 894                  fundamental studies for new technological tricks",
 895   author =       "J. K. N. Lindner",
 896   journal =      "Appl. Phys. A",
 897   volume =       "77",
 898   pages =        "27--38",
 899   year =         "2003",
 900   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
 901   notes =        "ibs, burried sic layers",
 902 }
 903
 904 @Article{ito04,
 905   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
 906                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
 907                  growth",
 908   journal =      "Applied Surface Science",
 909   volume =       "238",
 910   number =       "1-4",
 911   pages =        "159--164",
 912   year =         "2004",
 913   note =         "APHYS'03 Special Issue",
 914   ISSN =         "0169-4332",
 915   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
 916   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
 917   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
 918                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
 919   notes =        "gan on 3c-sic",
 920 }
 921
 922 @Article{alder57,
 923   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 924   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
 925   publisher =    "AIP",
 926   year =         "1957",
 927   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 928   volume =       "27",
 929   number =       "5",
 930   pages =        "1208--1209",
 931   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
 932   doi =          "10.1063/1.1743957",
 933 }
 934
 935 @Article{alder59,
 936   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 937   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
 938   publisher =    "AIP",
 939   year =         "1959",
 940   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 941   volume =       "31",
 942   number =       "2",
 943   pages =        "459--466",
 944   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
 945   doi =          "10.1063/1.1730376",
 946 }
 947
 948 @Article{tersoff_si1,
 949   title =        "New empirical model for the structural properties of
 950                  silicon",
 951   author =       "J. Tersoff",
 952   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 953   volume =       "56",
 954   number =       "6",
 955   pages =        "632--635",
 956   numpages =     "3",
 957   year =         "1986",
 958   month =        feb,
 959   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
 960   publisher =    "American Physical Society",
 961 }
 962
 963 @Article{tersoff_si2,
 964   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
 965                  covalent systems",
 966   author =       "J. Tersoff",
 967   journal =      "Phys. Rev. B",
 968   volume =       "37",
 969   number =       "12",
 970   pages =        "6991--7000",
 971   numpages =     "9",
 972   year =         "1988",
 973   month =        apr,
 974   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
 975   publisher =    "American Physical Society",
 976 }
 977
 978 @Article{tersoff_si3,
 979   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
 980                  improved elastic properties",
 981   author =       "J. Tersoff",
 982   journal =      "Phys. Rev. B",
 983   volume =       "38",
 984   number =       "14",
 985   pages =        "9902--9905",
 986   numpages =     "3",
 987   year =         "1988",
 988   month =        nov,
 989   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
 990   publisher =    "American Physical Society",
 991 }
 992
 993 @Article{tersoff_c,
 994   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
 995                  Applications to Amorphous Carbon",
 996   author =       "J. Tersoff",
 997   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 998   volume =       "61",
 999   number =       "25",
1000   pages =        "2879--2882",
1001   numpages =     "3",
1002   year =         "1988",
1003   month =        dec,
1004   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1005   publisher =    "American Physical Society",
1006 }
1007
1008 @Article{tersoff_m,
1009   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1010                  for multicomponent systems",
1011   author =       "J. Tersoff",
1012   journal =      "Phys. Rev. B",
1013   volume =       "39",
1014   number =       "8",
1015   pages =        "5566--5568",
1016   numpages =     "2",
1017   year =         "1989",
1018   month =        mar,
1019   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1020   publisher =    "American Physical Society",
1021 }
1022
1023 @Article{tersoff90,
1024   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1025   author =       "J. Tersoff",
1026   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1027   volume =       "64",
1028   number =       "15",
1029   pages =        "1757--1760",
1030   numpages =     "3",
1031   year =         "1990",
1032   month =        apr,
1033   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1034   publisher =    "American Physical Society",
1035 }
1036
1037 @Article{fahey89,
1038   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1039   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1040   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1041   volume =       "61",
1042   number =       "2",
1043   pages =        "289--384",
1044   numpages =     "95",
1045   year =         "1989",
1046   month =        apr,
1047   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1048   publisher =    "American Physical Society",
1049 }
1050
1051 @Article{wesch96,
1052   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1053   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1054                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1055   volume =       "116",
1056   number =       "1-4",
1057   pages =        "305--321",
1058   year =         "1996",
1059   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1060   ISSN =         "0168-583X",
1061   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1062   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1063   author =       "W. Wesch",
1064 }
1065
1066 @Article{morkoc94,
1067   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1068                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1069   collaboration = "",
1070   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1071                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1072   publisher =    "AIP",
1073   year =         "1994",
1074   journal =      "Journal of Applied Physics",
1075   volume =       "76",
1076   number =       "3",
1077   pages =        "1363--1398",
1078   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1079                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1080                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1081                  FILMS; INDUSTRY",
1082   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1083   doi =          "10.1063/1.358463",
1084 }
1085
1086 @Article{foo,
1087   author =       "Noch Unbekannt",
1088   title =        "How to find references",
1089   journal =      "Journal of Applied References",
1090   year =         "2009",
1091   volume =       "77",
1092   pages =        "1--23",
1093 }
1094
1095 @Article{tang95,
1096   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1097                  \beta{}-Si{C}",
1098   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1099   journal =      "Phys. Rev. B",
1100   volume =       "52",
1101   number =       "21",
1102   pages =        "15150--15159",
1103   numpages =     "9",
1104   year =         "1995",
1105   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1106   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1107                  tersoff reparametrization",
1108   publisher =    "American Physical Society",
1109 }
1110
1111 @Article{sarro00,
1112   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1113   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1114   volume =       "82",
1115   number =       "1-3",
1116   pages =        "210--218",
1117   year =         "2000",
1118   ISSN =         "0924-4247",
1119   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1120   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1121   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1122   keywords =     "MEMS",
1123   keywords =     "Silicon carbide",
1124   keywords =     "Micromachining",
1125   keywords =     "Mechanical stress",
1126 }
1127
1128 @Article{casady96,
1129   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1130                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1131                  review",
1132   journal =      "Solid-State Electronics",
1133   volume =       "39",
1134   number =       "10",
1135   pages =        "1409--1422",
1136   year =         "1996",
1137   ISSN =         "0038-1101",
1138   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1139   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1140   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1141   notes =        "sic intro"
1142 }
1143
1144 @Article{giancarli98,
1145   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1146                  structural material in fusion power reactor blankets",
1147   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1148   volume =       "41",
1149   number =       "1-4",
1150   pages =        "165--171",
1151   year =         "1998",
1152   ISSN =         "0920-3796",
1153   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1154   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1155   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1156                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1157 }
1158
1159 @Article{pensl93,
1160   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1161   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1162   volume =       "185",
1163   number =       "1-4",
1164   pages =        "264--283",
1165   year =         "1993",
1166   ISSN =         "0921-4526",
1167   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1168   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1169   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1170 }
1171
1172 @Article{tairov78,
1173   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1174                  carbide single crystals",
1175   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1176   volume =       "43",
1177   number =       "2",
1178   pages =        "209--212",
1179   year =         "1978",
1180   notes =        "modified lely process",
1181   ISSN =         "0022-0248",
1182   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1183   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1184   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1185 }
1186
1187 @Article{nishino83,
1188   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1189                  Will",
1190   collaboration = "",
1191   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1192                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1193   publisher =    "AIP",
1194   year =         "1983",
1195   journal =      "Applied Physics Letters",
1196   volume =       "42",
1197   number =       "5",
1198   pages =        "460--462",
1199   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1200                  monocrystals",
1201   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1202   doi =          "10.1063/1.93970",
1203   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1204 }
1205
1206 @Article{nishino87,
1207   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1208                  and Hiroyuki Matsunami",
1209   collaboration = "",
1210   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1211                  Si{C} on silicon",
1212   publisher =    "AIP",
1213   year =         "1987",
1214   journal =      "Journal of Applied Physics",
1215   volume =       "61",
1216   number =       "10",
1217   pages =        "4889--4893",
1218   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1219   doi =          "10.1063/1.338355",
1220   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1221                  carbonization",
1222 }
1223
1224 @Article{powell87,
1225   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1226                  Kuczmarski",
1227   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1228                  Single-Crystal Films on Si",
1229   publisher =    "ECS",
1230   year =         "1987",
1231   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1232   volume =       "134",
1233   number =       "6",
1234   pages =        "1558--1565",
1235   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1236                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1237   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1238   doi =          "10.1149/1.2100708",
1239   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1240 }
1241
1242 @Article{kimoto93,
1243   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1244                  and Hiroyuki Matsunami",
1245   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1246                  epitaxy",
1247   publisher =    "AIP",
1248   year =         "1993",
1249   journal =      "Journal of Applied Physics",
1250   volume =       "73",
1251   number =       "2",
1252   pages =        "726--732",
1253   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1254                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1255                  VAPOR DEPOSITION",
1256   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1257   doi =          "10.1063/1.353329",
1258   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1259 }
1260
1261 @Article{powell90,
1262   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1263                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1264                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1265   collaboration = "",
1266   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1267                  6{H}-Si{C} substrates",
1268   publisher =    "AIP",
1269   year =         "1990",
1270   journal =      "Applied Physics Letters",
1271   volume =       "56",
1272   number =       "14",
1273   pages =        "1353--1355",
1274   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1275                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1276                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1277                  PHASE EPITAXY",
1278   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1279   doi =          "10.1063/1.102512",
1280   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1281 }
1282
1283 @Article{yuan95,
1284   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1285                  Thokala and M. J. Loboda",
1286   collaboration = "",
1287   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1288                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1289                  silacyclobutane",
1290   publisher =    "AIP",
1291   year =         "1995",
1292   journal =      "Journal of Applied Physics",
1293   volume =       "78",
1294   number =       "2",
1295   pages =        "1271--1273",
1296   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1297                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1298                  SPECTROPHOTOMETRY",
1299   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1300   doi =          "10.1063/1.360368",
1301   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1302 }
1303
1304 @Article{fissel95,
1305   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1306                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1307                  molecular beam epitaxy",
1308   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1309   volume =       "154",
1310   number =       "1-2",
1311   pages =        "72--80",
1312   year =         "1995",
1313   ISSN =         "0022-0248",
1314   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1315   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1316   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
1317                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1318   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1319 }
1320
1321 @Article{fissel95_apl,
1322   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1323   collaboration = "",
1324   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1325                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1326   publisher =    "AIP",
1327   year =         "1995",
1328   journal =      "Applied Physics Letters",
1329   volume =       "66",
1330   number =       "23",
1331   pages =        "3182--3184",
1332   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1333                  RHEED; NUCLEATION",
1334   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
1335   doi =          "10.1063/1.113716",
1336   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
1337 }
1338
1339 @Article{borders71,
1340   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1341   collaboration = "",
1342   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1343                  {IMPLANTATION}",
1344   publisher =    "AIP",
1345   year =         "1971",
1346   journal =      "Applied Physics Letters",
1347   volume =       "18",
1348   number =       "11",
1349   pages =        "509--511",
1350   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1351   doi =          "10.1063/1.1653516",
1352   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
1353                  ideas",
1354 }
1355
1356 @Article{reeson87,
1357   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1358                  J. Davis and G. E. Celler",
1359   collaboration = "",
1360   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1361                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1362   publisher =    "AIP",
1363   year =         "1987",
1364   journal =      "Applied Physics Letters",
1365   volume =       "51",
1366   number =       "26",
1367   pages =        "2242--2244",
1368   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1369                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1370   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1371   doi =          "10.1063/1.98953",
1372   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1373 }
1374
1375 @Article{scace59,
1376   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1377   collaboration = "",
1378   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1379   publisher =    "AIP",
1380   year =         "1959",
1381   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1382   volume =       "30",
1383   number =       "6",
1384   pages =        "1551--1555",
1385   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1386   doi =          "10.1063/1.1730236",
1387   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
1388 }
1389
1390 @Article{cowern96,
1391   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1392                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1393   collaboration = "",
1394   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1395                  {B} in silicon",
1396   publisher =    "AIP",
1397   year =         "1996",
1398   journal =      "Applied Physics Letters",
1399   volume =       "68",
1400   number =       "8",
1401   pages =        "1150--1152",
1402   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1403                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1404                  SILICON",
1405   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1406   doi =          "10.1063/1.115706",
1407   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1408 }
1409
1410 @Article{stolk95,
1411   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1412                  of the silicon self-interstitial",
1413   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1414                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1415   volume =       "96",
1416   number =       "1-2",
1417   pages =        "187--195",
1418   year =         "1995",
1419   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1420                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1421   ISSN =         "0168-583X",
1422   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1423   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1424   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1425                  and J. M. Poate",
1426 }
1427
1428 @Article{stolk97,
1429   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
1430                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
1431                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
1432                  E. Haynes",
1433   collaboration = "",
1434   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
1435                  diffusion in ion-implanted silicon",
1436   publisher =    "AIP",
1437   year =         "1997",
1438   journal =      "Journal of Applied Physics",
1439   volume =       "81",
1440   number =       "9",
1441   pages =        "6031--6050",
1442   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
1443   doi =          "10.1063/1.364452",
1444   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
1445 }
1446
1447 @Article{powell94,
1448   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1449   collaboration = "",
1450   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1451                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1452   publisher =    "AIP",
1453   year =         "1994",
1454   journal =      "Applied Physics Letters",
1455   volume =       "64",
1456   number =       "3",
1457   pages =        "324--326",
1458   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1459                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1460                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1461                  SYNTHESIS",
1462   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1463   doi =          "10.1063/1.111195",
1464   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1465 }
1466
1467 @Article{soref91,
1468   author =       "Richard A. Soref",
1469   collaboration = "",
1470   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1471                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1472   publisher =    "AIP",
1473   year =         "1991",
1474   journal =      "Journal of Applied Physics",
1475   volume =       "70",
1476   number =       "4",
1477   pages =        "2470--2472",
1478   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1479                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1480                  TERNARY ALLOYS",
1481   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1482   doi =          "10.1063/1.349403",
1483   notes =        "band gap of strained si by c",
1484 }
1485
1486 @Article{kasper91,
1487   author =       "E Kasper",
1488   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1489                  possibility to produce direct band gap material",
1490   journal =      "Physica Scripta",
1491   volume =       "T35",
1492   pages =        "232--236",
1493   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1494   year =         "1991",
1495   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1496                  quasi-direct one",
1497 }
1498
1499 @Article{osten99,
1500   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1501   collaboration = "",
1502   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1503                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1504                  molecular beam epitaxy",
1505   publisher =    "AIP",
1506   year =         "1999",
1507   journal =      "Applied Physics Letters",
1508   volume =       "74",
1509   number =       "6",
1510   pages =        "836--838",
1511   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1512                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1513                  compounds",
1514   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1515   doi =          "10.1063/1.123384",
1516   notes =        "substitutional c in si",
1517 }
1518
1519 @Article{hohenberg64,
1520   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1521   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1522   journal =      "Phys. Rev.",
1523   volume =       "136",
1524   number =       "3B",
1525   pages =        "B864--B871",
1526   numpages =     "7",
1527   year =         "1964",
1528   month =        nov,
1529   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
1530   publisher =    "American Physical Society",
1531   notes =        "density functional theory, dft",
1532 }
1533
1534 @Article{kohn65,
1535   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
1536                  Correlation Effects",
1537   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
1538   journal =      "Phys. Rev.",
1539   volume =       "140",
1540   number =       "4A",
1541   pages =        "A1133--A1138",
1542   numpages =     "5",
1543   year =         "1965",
1544   month =        nov,
1545   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
1546   publisher =    "American Physical Society",
1547   notes =        "dft, exchange and correlation",
1548 }
1549
1550 @Article{ruecker94,
1551   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
1552                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
1553   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
1554                  J. Osten",
1555   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1556   volume =       "72",
1557   number =       "22",
1558   pages =        "3578--3581",
1559   numpages =     "3",
1560   year =         "1994",
1561   month =        may,
1562   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
1563   publisher =    "American Physical Society",
1564   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, starined
1565                  si, dft",
1566 }
1567
1568 @Article{chang05,
1569   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
1570                  Alloy",
1571   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
1572   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
1573   volume =       "44",
1574   number =       "4B",
1575   pages =        "2257--2262",
1576   numpages =     "5",
1577   year =         "2005",
1578   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
1579   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
1580   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
1581   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
1582 }
1583
1584 @Article{osten97,
1585   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
1586   collaboration = "",
1587   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
1588                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
1589                  Si(001)",
1590   publisher =    "AIP",
1591   year =         "1997",
1592   journal =      "Journal of Applied Physics",
1593   volume =       "82",
1594   number =       "10",
1595   pages =        "4977--4981",
1596   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
1597                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
1598                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
1599   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
1600   doi =          "10.1063/1.366364",
1601   notes =        "charge transport in strained si",
1602 }
1603
1604 @Article{kapur04,
1605   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
1606                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
1607   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
1608   journal =      "Phys. Rev. B",
1609   volume =       "69",
1610   number =       "15",
1611   pages =        "155214",
1612   numpages =     "8",
1613   year =         "2004",
1614   month =        apr,
1615   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
1616   publisher =    "American Physical Society",
1617   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
1618 }
1619
1620 @Article{barkema96,
1621   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
1622                  Systems",
1623   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
1624   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1625   volume =       "77",
1626   number =       "21",
1627   pages =        "4358--4361",
1628   numpages =     "3",
1629   year =         "1996",
1630   month =        nov,
1631   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
1632   publisher =    "American Physical Society",
1633   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
1634                  dynamic mds",
1635 }
1636
1637 @Article{cances09,
1638   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
1639                  Minoukadeh and F. Willaime",
1640   collaboration = "",
1641   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
1642                  technique method for finding transition pathways on
1643                  potential energy surfaces",
1644   publisher =    "AIP",
1645   year =         "2009",
1646   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1647   volume =       "130",
1648   number =       "11",
1649   eid =          "114711",
1650   numpages =     "6",
1651   pages =        "114711",
1652   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
1653                  surfaces; vacancies (crystal)",
1654   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
1655   doi =          "10.1063/1.3088532",
1656   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
1657                  transition pathways",
1658 }
1659
1660 @Article{parrinello81,
1661   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
1662   collaboration = "",
1663   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
1664                  molecular dynamics method",
1665   publisher =    "AIP",
1666   year =         "1981",
1667   journal =      "Journal of Applied Physics",
1668   volume =       "52",
1669   number =       "12",
1670   pages =        "7182--7190",
1671   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
1672                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
1673                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
1674                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
1675                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
1676                  IMPACT SHOCK",
1677   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
1678   doi =          "10.1063/1.328693",
1679 }
1680
1681 @Article{stillinger85,
1682   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
1683                  of silicon",
1684   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
1685   journal =      "Phys. Rev. B",
1686   volume =       "31",
1687   number =       "8",
1688   pages =        "5262--5271",
1689   numpages =     "9",
1690   year =         "1985",
1691   month =        apr,
1692   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
1693   publisher =    "American Physical Society",
1694 }
1695
1696 @Article{brenner90,
1697   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
1698                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
1699                  films",
1700   author =       "Donald W. Brenner",
1701   journal =      "Phys. Rev. B",
1702   volume =       "42",
1703   number =       "15",
1704   pages =        "9458--9471",
1705   numpages =     "13",
1706   year =         "1990",
1707   month =        nov,
1708   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
1709   publisher =    "American Physical Society",
1710   notes =        "brenner hydro carbons",
1711 }
1712
1713 @Article{bazant96,
1714   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
1715                  Cohesive Energy Curves",
1716   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
1717   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1718   volume =       "77",
1719   number =       "21",
1720   pages =        "4370--4373",
1721   numpages =     "3",
1722   year =         "1996",
1723   month =        nov,
1724   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
1725   publisher =    "American Physical Society",
1726   notes =        "first si edip",
1727 }
1728
1729 @Article{bazant97,
1730   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
1731                  silicon",
1732   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
1733                  Justo",
1734   journal =      "Phys. Rev. B",
1735   volume =       "56",
1736   number =       "14",
1737   pages =        "8542--8552",
1738   numpages =     "10",
1739   year =         "1997",
1740   month =        oct,
1741   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
1742   publisher =    "American Physical Society",
1743   notes =        "second si edip",
1744 }
1745
1746 @Article{justo98,
1747   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
1748                  disordered phases",
1749   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
1750                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
1751   journal =      "Phys. Rev. B",
1752   volume =       "58",
1753   number =       "5",
1754   pages =        "2539--2550",
1755   numpages =     "11",
1756   year =         "1998",
1757   month =        aug,
1758   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
1759   publisher =    "American Physical Society",
1760   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
1761 }
1762
1763 @Article{parcas_md,
1764   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
1765   author =       "K. Nordlund",
1766   year =         "2008",
1767 }
1768
1769 @Article{voter97,
1770   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
1771                  Infrequent Events",
1772   author =       "Arthur F. Voter",
1773   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1774   volume =       "78",
1775   number =       "20",
1776   pages =        "3908--3911",
1777   numpages =     "3",
1778   year =         "1997",
1779   month =        may,
1780   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
1781   publisher =    "American Physical Society",
1782   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
1783 }
1784
1785 @Article{voter97_2,
1786   author =       "Arthur F. Voter",
1787   collaboration = "",
1788   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
1789                  simulation of infrequent events",
1790   publisher =    "AIP",
1791   year =         "1997",
1792   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1793   volume =       "106",
1794   number =       "11",
1795   pages =        "4665--4677",
1796   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
1797                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
1798                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
1799                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
1800                  theory; potential energy surfaces",
1801   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
1802   doi =          "10.1063/1.473503",
1803   notes =        "improved hyperdynamics md",
1804 }
1805
1806 @Article{sorensen2000,
1807   author =       "Mads R. S\o rensen and Arthur F. Voter",
1808   collaboration = "",
1809   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
1810                  infrequent events",
1811   publisher =    "AIP",
1812   year =         "2000",
1813   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1814   volume =       "112",
1815   number =       "21",
1816   pages =        "9599--9606",
1817   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
1818                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
1819   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
1820   doi =          "10.1063/1.481576",
1821   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
1822 }
1823
1824 @Article{voter98,
1825   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
1826                  events",
1827   author =       "Arthur F. Voter",
1828   journal =      "Phys. Rev. B",
1829   volume =       "57",
1830   number =       "22",
1831   pages =        "R13985--R13988",
1832   numpages =     "3",
1833   year =         "1998",
1834   month =        jun,
1835   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
1836   publisher =    "American Physical Society",
1837   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
1838 }
1839
1840 @Article{wu99,
1841   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
1842   collaboration = "",
1843   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
1844                  simulation",
1845   publisher =    "AIP",
1846   year =         "1999",
1847   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1848   volume =       "110",
1849   number =       "19",
1850   pages =        "9401--9410",
1851   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
1852                  potential; crystallisation; liquid theory",
1853   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
1854   doi =          "10.1063/1.478948",
1855   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
1856                  systematic motion",
1857 }
1858
1859 @Article{choudhary05,
1860   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
1861   collaboration = "",
1862   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
1863                  to the production of amorphous silicon",
1864   publisher =    "AIP",
1865   year =         "2005",
1866   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1867   volume =       "122",
1868   number =       "15",
1869   eid =          "154509",
1870   numpages =     "8",
1871   pages =        "154509",
1872   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
1873                  amorphous semiconductors",
1874   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
1875   doi =          "10.1063/1.1878733",
1876   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
1877                  silicon",
1878 }
1879
1880 @Article{taylor93,
1881   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
1882   collaboration = "",
1883   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
1884                  difficult?",
1885   publisher =    "AIP",
1886   year =         "1993",
1887   journal =      "Applied Physics Letters",
1888   volume =       "62",
1889   number =       "25",
1890   pages =        "3336--3338",
1891   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
1892                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
1893                  ENERGY",
1894   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
1895   doi =          "10.1063/1.109063",
1896   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
1897 }
1898
1899 @Article{chaussende08,
1900   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
1901   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1902   volume =       "310",
1903   number =       "5",
1904   pages =        "976--981",
1905   year =         "2008",
1906   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
1907                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
1908   ISSN =         "0022-0248",
1909   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
1910   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
1911   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
1912                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
1913                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
1914                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
1915   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
1916                  metastable",
1917 }
1918
1919 @Article{feynman39,
1920   title =        "Forces in Molecules",
1921   author =       "R. P. Feynman",
1922   journal =      "Phys. Rev.",
1923   volume =       "56",
1924   number =       "4",
1925   pages =        "340--343",
1926   numpages =     "3",
1927   year =         "1939",
1928   month =        aug,
1929   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
1930   publisher =    "American Physical Society",
1931   notes =        "hellmann feynman forces",
1932 }
1933
1934 @Article{buczko00,
1935   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
1936                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
1937                  their Contrasting Properties",
1938   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
1939                  T. Pantelides",
1940   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1941   volume =       "84",
1942   number =       "5",
1943   pages =        "943--946",
1944   numpages =     "3",
1945   year =         "2000",
1946   month =        jan,
1947   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
1948   publisher =    "American Physical Society",
1949   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
1950 }
1951
1952 @Article{djurabekova08,
1953   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
1954                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
1955   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
1956   journal =      "Phys. Rev. B",
1957   volume =       "77",
1958   number =       "11",
1959   pages =        "115325",
1960   numpages =     "7",
1961   year =         "2008",
1962   month =        mar,
1963   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
1964   publisher =    "American Physical Society",
1965   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
1966                  angular distribution, coordination",
1967 }
1968
1969 @Article{wen09,
1970   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
1971                  W. Liang and J. Zou",
1972   collaboration = "",
1973   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
1974                  strain relaxation at highly lattice mismatched
1975                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
1976   publisher =    "AIP",
1977   year =         "2009",
1978   journal =      "Journal of Applied Physics",
1979   volume =       "106",
1980   number =       "7",
1981   eid =          "073522",
1982   numpages =     "8",
1983   pages =        "073522",
1984   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
1985                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
1986                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
1987                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
1988   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
1989   doi =          "10.1063/1.3234380",
1990   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
1991                  deconvolution, dislocation defects",
1992 }
1993
1994 @Article{kitabatake93,
1995   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
1996                  Hirao",
1997   collaboration = "",
1998   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
1999                  growth on Si(001) surface",
2000   publisher =    "AIP",
2001   year =         "1993",
2002   journal =      "Journal of Applied Physics",
2003   volume =       "74",
2004   number =       "7",
2005   pages =        "4438--4445",
2006   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2007                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2008                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2009   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2010   doi =          "10.1063/1.354385",
2011   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2012                  model, interface",
2013 }
2014
2015 @Article{pizzagalli03,
2016   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2017                  interface: Si{C}/Si(001)",
2018   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2019                  Catellani",
2020   journal =      "Phys. Rev. B",
2021   volume =       "68",
2022   number =       "19",
2023   pages =        "195302",
2024   numpages =     "10",
2025   year =         "2003",
2026   month =        nov,
2027   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2028   publisher =    "American Physical Society",
2029   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2030 }
2031
2032 @Article{tang07,
2033   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2034                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2035                  electron microscopy",
2036   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2037                  H. Zheng and J. W. Liang",
2038   journal =      "Phys. Rev. B",
2039   volume =       "75",
2040   number =       "18",
2041   pages =        "184103",
2042   numpages =     "7",
2043   year =         "2007",
2044   month =        may,
2045   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2046   publisher =    "American Physical Society",
2047   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2048                  si and c",
2049 }
2050
2051 @Article{hornstra58,
2052   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2053   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2054   volume =       "5",
2055   number =       "1-2",
2056   pages =        "129--141",
2057   year =         "1958",
2058   note =         "",
2059   ISSN =         "0022-3697",
2060   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2061   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2062   author =       "J. Hornstra",
2063   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2064 }
2065
2066 @Article{eichhorn99,
2067   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2068                  K{\"{o}}gler",
2069   collaboration = "",
2070   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2071                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2072                  synchrotron x-ray diffraction",
2073   publisher =    "AIP",
2074   year =         "1999",
2075   journal =      "Journal of Applied Physics",
2076   volume =       "86",
2077   number =       "8",
2078   pages =        "4184--4187",
2079   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2080                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2081                  precipitation; semiconductor doping",
2082   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2083   doi =          "10.1063/1.371344",
2084   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional
2085                  carbon",
2086 }
2087
2088 @Article{eichhorn02,
2089   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2090                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2091   collaboration = "",
2092   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2093                  carbon ion implantation",
2094   publisher =    "AIP",
2095   year =         "2002",
2096   journal =      "Journal of Applied Physics",
2097   volume =       "91",
2098   number =       "3",
2099   pages =        "1287--1292",
2100   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2101                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2102                  electron microscopy",
2103   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2104   doi =          "10.1063/1.1428105",
2105   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2106                  temperature, might explain c int to c sub trafo",
2107 }
2108
2109 @Article{lucas10,
2110   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2111   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2112                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2113                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2114                  amorphous structures",
2115   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2116   volume =       "22",
2117   number =       "3",
2118   pages =        "035802",
2119   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2120   year =         "2010",
2121   notes =        "edip sic",
2122 }
2123
2124 @Article{godet03,
2125   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2126                  Beauchamp",
2127   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2128                  methods for silicon under large shear",
2129   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2130   volume =       "15",
2131   number =       "41",
2132   pages =        "6943",
2133   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2134   year =         "2003",
2135   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2136                  edip, tersoff, ab initio",
2137 }
2138
2139 @Article{moriguchi98,
2140   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2141                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2142   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2143   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2144   volume =       "37",
2145   number =       "Part 1, No. 2",
2146   pages =        "414--422",
2147   numpages =     "8",
2148   year =         "1998",
2149   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2150   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2151   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2152   notes =        "tersoff stringent test",
2153 }
2154
2155 @Article{holmstroem08,
2156   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
2157                  density functional theory molecular dynamics
2158                  simulations",
2159   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
2160   journal =      "Phys. Rev. B",
2161   volume =       "78",
2162   number =       "4",
2163   pages =        "045202",
2164   numpages =     "6",
2165   year =         "2008",
2166   month =        jul,
2167   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
2168   publisher =    "American Physical Society",
2169   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
2170                  initio",
2171 }
2172
2173 @Article{nordlund97,
2174   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
2175                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
2176   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
2177                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
2178   volume =       "132",
2179   number =       "1",
2180   pages =        "45--54",
2181   year =         "1997",
2182   note =         "",
2183   ISSN =         "0168-583X",
2184   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
2185   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
2186   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
2187   notes =        "repulsive ab initio potential",
2188 }
2189
2190 @Article{kresse96,
2191   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
2192                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
2193                  set",
2194   journal =      "Computational Materials Science",
2195   volume =       "6",
2196   number =       "1",
2197   pages =        "15--50",
2198   year =         "1996",
2199   note =         "",
2200   ISSN =         "0927-0256",
2201   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
2202   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
2203   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
2204   notes =        "vasp ref",
2205 }
2206
2207 @Article{bloechl94,
2208   title =        "Projector augmented-wave method",
2209   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
2210   journal =      "Phys. Rev. B",
2211   volume =       "50",
2212   number =       "24",
2213   pages =        "17953--17979",
2214   numpages =     "26",
2215   year =         "1994",
2216   month =        dec,
2217   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
2218   publisher =    "American Physical Society",
2219   notes =        "paw method",
2220 }
2221
2222 @Article{hamann79,
2223   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
2224   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
2225   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2226   volume =       "43",
2227   number =       "20",
2228   pages =        "1494--1497",
2229   numpages =     "3",
2230   year =         "1979",
2231   month =        nov,
2232   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
2233   publisher =    "American Physical Society",
2234   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
2235 }
2236
2237 @Article{vanderbilt90,
2238   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
2239                  eigenvalue formalism",
2240   author =       "David Vanderbilt",
2241   journal =      "Phys. Rev. B",
2242   volume =       "41",
2243   number =       "11",
2244   pages =        "7892--7895",
2245   numpages =     "3",
2246   year =         "1990",
2247   month =        apr,
2248   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
2249   publisher =    "American Physical Society",
2250   notes =        "vasp pseudopotentials",
2251 }
2252
2253 @Article{perdew86,
2254   title =        "Accurate and simple density functional for the
2255                  electronic exchange energy: Generalized gradient
2256                  approximation",
2257   author =       "John P. Perdew and Wang Yue",
2258   journal =      "Phys. Rev. B",
2259   volume =       "33",
2260   number =       "12",
2261   pages =        "8800--8802",
2262   numpages =     "2",
2263   year =         "1986",
2264   month =        jun,
2265   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
2266   publisher =    "American Physical Society",
2267   notes =        "rapid communication gga",
2268 }
2269
2270 @Article{perdew02,
2271   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
2272                  correlation: {A} look backward and forward",
2273   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
2274   volume =       "172",
2275   number =       "1-2",
2276   pages =        "1--6",
2277   year =         "1991",
2278   note =         "",
2279   ISSN =         "0921-4526",
2280   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
2281   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
2282   author =       "John P. Perdew",
2283   notes =        "gga overview",
2284 }
2285
2286 @Article{perdew92,
2287   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
2288                  of the generalized gradient approximation for exchange
2289                  and correlation",
2290   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
2291                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
2292                  and Carlos Fiolhais",
2293   journal =      "Phys. Rev. B",
2294   volume =       "46",
2295   number =       "11",
2296   pages =        "6671--6687",
2297   numpages =     "16",
2298   year =         "1992",
2299   month =        sep,
2300   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
2301   publisher =    "American Physical Society",
2302   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
2303 }
2304
2305 @Article{baldereschi73,
2306   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
2307   author =       "A. Baldereschi",
2308   journal =      "Phys. Rev. B",
2309   volume =       "7",
2310   number =       "12",
2311   pages =        "5212--5215",
2312   numpages =     "3",
2313   year =         "1973",
2314   month =        jun,
2315   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
2316   publisher =    "American Physical Society",
2317   notes =        "mean value k point",
2318 }
2319
2320 @Article{zhu98,
2321   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
2322                  diffusion in Si",
2323   journal =      "Computational Materials Science",
2324   volume =       "12",
2325   number =       "4",
2326   pages =        "309--318",
2327   year =         "1998",
2328   note =         "",
2329   ISSN =         "0927-0256",
2330   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
2331   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
2332   author =       "Jing Zhu",
2333   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
2334   keywords =     "Boron dopant",
2335   keywords =     "Carbon dopant",
2336   keywords =     "Defect",
2337   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
2338   keywords =     "Impurity cluster",
2339   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
2340 }
2341
2342 @Article{nejim95,
2343   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
2344   collaboration = "",
2345   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
2346                  950 [degree]{C}",
2347   publisher =    "AIP",
2348   year =         "1995",
2349   journal =      "Applied Physics Letters",
2350   volume =       "66",
2351   number =       "20",
2352   pages =        "2646--2648",
2353   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
2354                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
2355                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
2356                  ELECTRON MICROSCOPY",
2357   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
2358   doi =          "10.1063/1.113112",
2359   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
2360                  self interstitials react with further implanted c",
2361 }
2362
2363 @Article{guedj98,
2364   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
2365                  Kolodzey and A. Hairie",
2366   collaboration = "",
2367   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2368                  alloys",
2369   publisher =    "AIP",
2370   year =         "1998",
2371   journal =      "Journal of Applied Physics",
2372   volume =       "84",
2373   number =       "8",
2374   pages =        "4631--4633",
2375   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
2376                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
2377                  Fourier transform spectra; thermal stability;
2378                  annealing",
2379   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
2380   doi =          "10.1063/1.368703",
2381   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic",
2382 }
2383
2384 @Article{jones04,
2385   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
2386   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
2387                  semiconductors",
2388   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2389   volume =       "16",
2390   number =       "27",
2391   pages =        "S2643",
2392   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
2393   year =         "2004",
2394   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
2395 }
2396
2397 @Article{park02,
2398   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
2399                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
2400                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
2401   collaboration = "",
2402   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
2403                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
2404                  molecular-beam epitaxy",
2405   publisher =    "AIP",
2406   year =         "2002",
2407   journal =      "Journal of Applied Physics",
2408   volume =       "91",
2409   number =       "9",
2410   pages =        "5716--5727",
2411   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
2412   doi =          "10.1063/1.1465122",
2413   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
2414 }
2415
2416 @Article{leary97,
2417   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
2418                  carbon-carbon pair defects in silicon",
2419   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
2420                  Torres",
2421   journal =      "Phys. Rev. B",
2422   volume =       "55",
2423   number =       "4",
2424   pages =        "2188--2194",
2425   numpages =     "6",
2426   year =         "1997",
2427   month =        jan,
2428   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
2429   publisher =    "American Physical Society",
2430   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
2431                  energies",
2432 }
2433
2434 @Article{burnard93,
2435   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
2436                  silicon: Semiempirical electronic-structure
2437                  calculations",
2438   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
2439   journal =      "Phys. Rev. B",
2440   volume =       "47",
2441   number =       "16",
2442   pages =        "10217--10225",
2443   numpages =     "8",
2444   year =         "1993",
2445   month =        apr,
2446   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
2447   publisher =    "American Physical Society",
2448   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
2449                  carbon defect, formation energies",
2450 }
2451
2452 @Article{kaxiras96,
2453   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
2454                  and growth on semiconductors",
2455   journal =      "Computational Materials Science",
2456   volume =       "6",
2457   number =       "2",
2458   pages =        "158--172",
2459   year =         "1996",
2460   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
2461                  Epitaxy",
2462   ISSN =         "0927-0256",
2463   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
2464   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
2465   author =       "Efthimios Kaxiras",
2466   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
2467                  tight binding, first principles",
2468 }
2469
2470 @Article{kaukonen98,
2471   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
2472                  diamond
2473                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
2474                  surfaces",
2475   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
2476                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
2477                  Th. Frauenheim",
2478   journal =      "Phys. Rev. B",
2479   volume =       "57",
2480   number =       "16",
2481   pages =        "9965--9970",
2482   numpages =     "5",
2483   year =         "1998",
2484   month =        apr,
2485   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
2486   publisher =    "American Physical Society",
2487   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
2488                  (crt)",
2489 }