bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{newman65,
  44   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "26",
  47   number =       "2",
  48   pages =        "373--379",
  49   year =         "1965",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
  54   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
  55   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
  56 }
  57
  58 @Article{baker68,
  59   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
  60                  Buschert",
  61   collaboration = "",
  62   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
  63   publisher =    "AIP",
  64   year =         "1968",
  65   journal =      "Journal of Applied Physics",
  66   volume =       "39",
  67   number =       "9",
  68   pages =        "4365--4368",
  69   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
  70   doi =          "10.1063/1.1656977",
  71   notes =        "lattice contraction due to subst c",
  72 }
  73
  74 @Article{bean71,
  75   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  76   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  77   volume =       "32",
  78   number =       "6",
  79   pages =        "1211--1219",
  80   year =         "1971",
  81   note =         "",
  82   ISSN =         "0022-3697",
  83   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  84   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  85   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  86   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  87 }
  88
  89 @Article{capano97,
  90   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  91   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  92   journal =      "MRS Bull.",
  93   volume =       "22",
  94   pages =        "19",
  95   year =         "1997",
  96 }
  97
  98 @Article{fischer90,
  99   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
 100   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
 101                  carbide",
 102   journal =      "Philos. Mag. B",
 103   volume =       "61",
 104   pages =        "217--236",
 105   year =         "1990",
 106   notes =        "sic polytypes",
 107 }
 108
 109 @Article{koegler03,
 110   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
 111                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
 112                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
 113   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
 114                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
 115                  ions",
 116   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
 117   volume =       "76",
 118   pages =        "827--835",
 119   month =        mar,
 120   year =         "2003",
 121   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
 122                  precipitation by interstitial and substitutional
 123                  carbon, both mechanisms explained + refs",
 124 }
 125
 126 @Article{skorupa96,
 127   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
 128                  silicon-related materials",
 129   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
 130   volume =       "44",
 131   number =       "2",
 132   pages =        "101--143",
 133   year =         "1996",
 134   note =         "",
 135   ISSN =         "0254-0584",
 136   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 137   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 138   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 139   notes =        "review of silicon carbon compound",
 140 }
 141
 142 @Book{laplace,
 143   author =       "P. S. de Laplace",
 144   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 145   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 146   volume =       "VII",
 147   publisher =    "Gauthier-Villars",
 148   year =         "1820",
 149 }
 150
 151 @Article{mattoni2007,
 152   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 153   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 154                  materials}",
 155   journal =      "Phys. Rev. B",
 156   year =         "2007",
 157   month =        dec,
 158   volume =       "76",
 159   number =       "22",
 160   pages =        "224103",
 161   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 162   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 163                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 164                  fracture, more available potentials, universal energy
 165                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 166 }
 167
 168 @Article{balamane92,
 169   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 170                  potentials",
 171   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 172   journal =      "Phys. Rev. B",
 173   volume =       "46",
 174   number =       "4",
 175   pages =        "2250--2279",
 176   numpages =     "29",
 177   year =         "1992",
 178   month =        jul,
 179   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 180   publisher =    "American Physical Society",
 181   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 182 }
 183
 184 @Article{koster2002,
 185   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 186                  bombardment",
 187   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 188   journal =      "Phys. Rev. B",
 189   volume =       "62",
 190   number =       "16",
 191   pages =        "11219--11224",
 192   numpages =     "5",
 193   year =         "2000",
 194   month =        oct,
 195   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 196   publisher =    "American Physical Society",
 197   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 198 }
 199
 200 @Article{breadmore99,
 201   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 202                  amorphization of silicon",
 203   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 204   journal =      "Phys. Rev. B",
 205   volume =       "60",
 206   number =       "18",
 207   pages =        "12610--12616",
 208   numpages =     "6",
 209   year =         "1999",
 210   month =        nov,
 211   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 212   publisher =    "American Physical Society",
 213   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 214 }
 215
 216 @Article{nielsen83,
 217   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 218   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 219   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 220   volume =       "50",
 221   number =       "9",
 222   pages =        "697--700",
 223   numpages =     "3",
 224   year =         "1983",
 225   month =        feb,
 226   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 227   publisher =    "American Physical Society",
 228   notes =        "generalization of virial theorem",
 229 }
 230
 231 @Article{nielsen85,
 232   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 233   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 234   journal =      "Phys. Rev. B",
 235   volume =       "32",
 236   number =       "6",
 237   pages =        "3780--3791",
 238   numpages =     "11",
 239   year =         "1985",
 240   month =        sep,
 241   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 242   publisher =    "American Physical Society",
 243   notes =        "dft virial stress and forces",
 244 }
 245
 246 @Article{moissan04,
 247   author =       "Henri Moissan",
 248   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 249                  Diablo",
 250   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 251   volume =       "139",
 252   pages =        "773--786",
 253   year =         "1904",
 254 }
 255
 256 @Book{park98,
 257   author =       "Y. S. Park",
 258   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 259   publisher =    "Academic Press",
 260   address =      "San Diego",
 261   year =         "1998",
 262 }
 263
 264 @Article{tsvetkov98,
 265   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 266                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 267   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 268   journal =      "Materials Science Forum",
 269   volume =       "264-268",
 270   pages =        "3--8",
 271   year =         "1998",
 272   notes =        "modified lely process, micropipes",
 273 }
 274
 275 @Article{verlet67,
 276   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 277                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 278   author =       "Loup Verlet",
 279   journal =      "Phys. Rev.",
 280   volume =       "159",
 281   number =       "1",
 282   pages =        "98",
 283   year =         "1967",
 284   month =        jul,
 285   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 286   publisher =    "American Physical Society",
 287   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 288                  motion",
 289 }
 290
 291 @Article{berendsen84,
 292   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 293                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 294   collaboration = "",
 295   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 296   publisher =    "AIP",
 297   year =         "1984",
 298   journal =      "J. Chem. Phys.",
 299   volume =       "81",
 300   number =       "8",
 301   pages =        "3684--3690",
 302   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 303                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 304   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 305   doi =          "10.1063/1.448118",
 306   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 307 }
 308
 309 @Article{huang95,
 310   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 311                  Baskes",
 312   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 313                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 314                  potentials",
 315   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 316   volume =       "3",
 317   number =       "5",
 318   pages =        "615--627",
 319   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 320   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 321                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 322   year =         "1995",
 323 }
 324
 325 @Article{brenner89,
 326   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 327                  Tersoff potentials",
 328   author =       "Donald W. Brenner",
 329   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 330   volume =       "63",
 331   number =       "9",
 332   pages =        "1022",
 333   numpages =     "1",
 334   year =         "1989",
 335   month =        aug,
 336   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 337   publisher =    "American Physical Society",
 338   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 339 }
 340
 341 @Article{batra87,
 342   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 343                  silicon",
 344   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 345   journal =      "Phys. Rev. B",
 346   volume =       "35",
 347   number =       "18",
 348   pages =        "9552--9558",
 349   numpages =     "6",
 350   year =         "1987",
 351   month =        jun,
 352   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 353   publisher =    "American Physical Society",
 354   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 355                  calculation of defect formation energy, defect
 356                  interstitial types",
 357 }
 358
 359 @Article{schober89,
 360   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 361   author =       "H. R. Schober",
 362   journal =      "Phys. Rev. B",
 363   volume =       "39",
 364   number =       "17",
 365   pages =        "13013--13015",
 366   numpages =     "2",
 367   year =         "1989",
 368   month =        jun,
 369   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 370   publisher =    "American Physical Society",
 371   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 372                  dumbbell configuration",
 373 }
 374
 375 @Article{gao02a,
 376   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 377                  Defect accumulation, topological features, and
 378                  disordering",
 379   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 380   journal =      "Phys. Rev. B",
 381   volume =       "66",
 382   number =       "2",
 383   pages =        "024106",
 384   numpages =     "10",
 385   year =         "2002",
 386   month =        jul,
 387   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 388   publisher =    "American Physical Society",
 389   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 390                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 391                  result analyze",
 392 }
 393
 394 @Article{devanathan98,
 395   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 396                  cascade in Si{C}",
 397   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 398   volume =       "141",
 399   number =       "1-4",
 400   pages =        "118--122",
 401   year =         "1998",
 402   ISSN =         "0168-583X",
 403   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 404   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 405                  Rubia",
 406   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 407                  3c-sic",
 408 }
 409
 410 @Article{devanathan98_2,
 411   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 412   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 413   volume =       "253",
 414   number =       "1-3",
 415   pages =        "47--52",
 416   year =         "1998",
 417   ISSN =         "0022-3115",
 418   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 419   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 420                  Weber",
 421   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 422                  tersoff",
 423 }
 424
 425 @Article{kitabatake00,
 426   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 427   author =       "M. Kitabatake",
 428   journal =      "Thin Solid Films",
 429   volume =       "369",
 430   pages =        "257--264",
 431   numpages =     "8",
 432   year =         "2000",
 433   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 434 }
 435
 436 @Article{tang97,
 437   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 438                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 439                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 440                  formation volumes",
 441   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 442                  Rubia",
 443   journal =      "Phys. Rev. B",
 444   volume =       "55",
 445   number =       "21",
 446   pages =        "14279--14289",
 447   numpages =     "10",
 448   year =         "1997",
 449   month =        jun,
 450   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 451   publisher =    "American Physical Society",
 452   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 453 }
 454
 455 @Article{johnson98,
 456   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 457                  Rubia",
 458   collaboration = "",
 459   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 460                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 461                  presence of carbon and boron",
 462   publisher =    "AIP",
 463   year =         "1998",
 464   journal =      "J. Appl. Phys.",
 465   volume =       "84",
 466   number =       "4",
 467   pages =        "1963--1967",
 468   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 469                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 470                  semiconductors; self-diffusion",
 471   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 472   doi =          "10.1063/1.368328",
 473   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 474                  diffsuion",
 475 }
 476
 477 @Article{bar-yam84,
 478   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 479                  Self-Interstitial",
 480   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 481   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 482   volume =       "52",
 483   number =       "13",
 484   pages =        "1129--1132",
 485   numpages =     "3",
 486   year =         "1984",
 487   month =        mar,
 488   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 489   publisher =    "American Physical Society",
 490   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 491 }
 492
 493 @Article{bar-yam84_2,
 494   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 495                  barriers of silicon self-interstitials",
 496   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 497   journal =      "Phys. Rev. B",
 498   volume =       "30",
 499   number =       "4",
 500   pages =        "1844--1852",
 501   numpages =     "8",
 502   year =         "1984",
 503   month =        aug,
 504   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 505   publisher =    "American Physical Society",
 506 }
 507
 508 @Article{bloechl93,
 509   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 510                  constants in silicon",
 511   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 512                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 513   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 514   volume =       "70",
 515   number =       "16",
 516   pages =        "2435--2438",
 517   numpages =     "3",
 518   year =         "1993",
 519   month =        apr,
 520   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 521   publisher =    "American Physical Society",
 522   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 523                  entropy calculations",
 524 }
 525
 526 @Article{colombo02,
 527   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 528                  silicon",
 529   author =       "L. Colombo",
 530   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 531   volume =       "32",
 532   pages =        "271--295",
 533   numpages =     "25",
 534   year =         "2002",
 535   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 536   publisher =    "Annual Reviews",
 537   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 538 }
 539
 540 @Article{al-mushadani03,
 541   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 542                  silicon",
 543   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 544   journal =      "Phys. Rev. B",
 545   volume =       "68",
 546   number =       "23",
 547   pages =        "235205",
 548   numpages =     "8",
 549   year =         "2003",
 550   month =        dec,
 551   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 552   publisher =    "American Physical Society",
 553   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 554                  silicon, si self interstitials, free energy",
 555 }
 556
 557 @Article{goedecker02,
 558   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 559   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 560   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 561   volume =       "88",
 562   number =       "23",
 563   pages =        "235501",
 564   numpages =     "4",
 565   year =         "2002",
 566   month =        may,
 567   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 568   publisher =    "American Physical Society",
 569   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 570                  silicon",
 571 }
 572
 573 @Article{sahli05,
 574   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 575                  self-interstitial diffusion in silicon",
 576   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 577   journal =      "Phys. Rev. B",
 578   volume =       "72",
 579   number =       "24",
 580   pages =        "245210",
 581   numpages =     "6",
 582   year =         "2005",
 583   month =        dec,
 584   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 585   publisher =    "American Physical Society",
 586   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 587                  mapping applied",
 588 }
 589
 590 @Article{hobler05,
 591   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 592                  native point defects in silicon",
 593   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 594   volume =       "124-125",
 595   number =       "",
 596   pages =        "368--371",
 597   year =         "2005",
 598   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 599                  Issues for Future Technologies",
 600   ISSN =         "0921-5107",
 601   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 602   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 603   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 604   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 605                  radius",
 606 }
 607
 608 @Article{ma10,
 609   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 610                  wide temperature range: Point defect states and
 611                  migration mechanisms",
 612   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 613   journal =      "Phys. Rev. B",
 614   volume =       "81",
 615   number =       "19",
 616   pages =        "193203",
 617   numpages =     "4",
 618   year =         "2010",
 619   month =        may,
 620   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 621   publisher =    "American Physical Society",
 622   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 623 }
 624
 625 @Article{posselt06,
 626   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 627                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 628   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 629   journal =      "Phys. Rev. B",
 630   volume =       "73",
 631   number =       "12",
 632   pages =        "125206",
 633   numpages =     "8",
 634   year =         "2006",
 635   month =        mar,
 636   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 637   publisher =    "American Physical Society",
 638 }
 639
 640 @Article{posselt08,
 641   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 642                  migration mechanisms of vacancies and
 643                  self-interstitials: An atomistic study",
 644   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 645   journal =      "Phys. Rev. B",
 646   volume =       "78",
 647   number =       "3",
 648   pages =        "035208",
 649   numpages =     "9",
 650   year =         "2008",
 651   month =        jul,
 652   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 653   publisher =    "American Physical Society",
 654   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 655                  weber and tersoff",
 656 }
 657
 658 @Article{gao2001,
 659   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 660                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 661   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 662                  Corrales",
 663   journal =      "Phys. Rev. B",
 664   volume =       "64",
 665   number =       "24",
 666   pages =        "245208",
 667   numpages =     "7",
 668   year =         "2001",
 669   month =        dec,
 670   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 671   publisher =    "American Physical Society",
 672   notes =        "defects in 3c-sic",
 673 }
 674
 675 @Article{gao02,
 676   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 677                  3{C}-Si{C}",
 678   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 679   volume =       "191",
 680   number =       "1-4",
 681   pages =        "487--496",
 682   year =         "2002",
 683   note =         "",
 684   ISSN =         "0168-583X",
 685   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 686   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 687   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 688   keywords =     "Empirical potential",
 689   keywords =     "Defect properties",
 690   keywords =     "Silicon carbide",
 691   keywords =     "Computer simulation",
 692   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 693 }
 694
 695 @Article{gao04,
 696   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 697                  3{C}-Si{C}",
 698   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 699                  Belko",
 700   journal =      "Phys. Rev. B",
 701   volume =       "69",
 702   number =       "24",
 703   pages =        "245205",
 704   numpages =     "5",
 705   year =         "2004",
 706   month =        jun,
 707   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 708   publisher =    "American Physical Society",
 709   notes =        "defect migration in sic",
 710 }
 711
 712 @Article{gao07,
 713   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 714                  W. J. Weber",
 715   collaboration = "",
 716   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 717                  in cubic silicon carbide",
 718   publisher =    "AIP",
 719   year =         "2007",
 720   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 721   volume =       "90",
 722   number =       "22",
 723   eid =          "221915",
 724   numpages =     "3",
 725   pages =        "221915",
 726   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 727                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 728                  dynamics method; density functional theory;
 729                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 730                  impurities; diffusion",
 731   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 732   doi =          "10.1063/1.2743751",
 733 }
 734
 735 @Article{mattoni2002,
 736   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 737                  crystalline silicon",
 738   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 739   journal =      "Phys. Rev. B",
 740   volume =       "66",
 741   number =       "19",
 742   pages =        "195214",
 743   numpages =     "6",
 744   year =         "2002",
 745   month =        nov,
 746   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 747   publisher =    "American Physical Society",
 748   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 749                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 750                  tersoff suitability",
 751 }
 752
 753 @Article{leung99,
 754   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 755   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 756                  Itoh and S. Ihara",
 757   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 758   volume =       "83",
 759   number =       "12",
 760   pages =        "2351--2354",
 761   numpages =     "3",
 762   year =         "1999",
 763   month =        sep,
 764   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 765   publisher =    "American Physical Society",
 766   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 767                  refs",
 768 }
 769
 770 @Article{capaz94,
 771   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 772                  carbon in silicon",
 773   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 774   journal =      "Phys. Rev. B",
 775   volume =       "50",
 776   number =       "11",
 777   pages =        "7439--7442",
 778   numpages =     "3",
 779   year =         "1994",
 780   month =        sep,
 781   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 782   publisher =    "American Physical Society",
 783   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 784                  dumbbell",
 785 }
 786
 787 @Article{capaz98,
 788   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 789   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 790   journal =      "Phys. Rev. B",
 791   volume =       "58",
 792   number =       "15",
 793   pages =        "9845--9850",
 794   numpages =     "5",
 795   year =         "1998",
 796   month =        oct,
 797   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 798   publisher =    "American Physical Society",
 799   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 800 }
 801
 802 @Article{song90_2,
 803   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 804                  pair in silicon",
 805   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 806                  Watkins",
 807   journal =      "Phys. Rev. B",
 808   volume =       "42",
 809   number =       "9",
 810   pages =        "5765--5783",
 811   numpages =     "18",
 812   year =         "1990",
 813   month =        sep,
 814   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 815   publisher =    "American Physical Society",
 816   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 817 }
 818
 819 @Article{liu02,
 820   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 821                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 822   collaboration = "",
 823   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 824                  interactions in Si",
 825   publisher =    "AIP",
 826   year =         "2002",
 827   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 828   volume =       "80",
 829   number =       "1",
 830   pages =        "52--54",
 831   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 832                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 833                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 834   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 835   doi =          "10.1063/1.1430505",
 836   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 837 }
 838
 839 @Article{dal_pino93,
 840   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 841                  silicon",
 842   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 843                  Joannopoulos",
 844   journal =      "Phys. Rev. B",
 845   volume =       "47",
 846   number =       "19",
 847   pages =        "12554--12557",
 848   numpages =     "3",
 849   year =         "1993",
 850   month =        may,
 851   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 852   publisher =    "American Physical Society",
 853   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 854 }
 855
 856 @Article{car84,
 857   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 858                  Silicon",
 859   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 860                  Sokrates T. Pantelides",
 861   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 862   volume =       "52",
 863   number =       "20",
 864   pages =        "1814--1817",
 865   numpages =     "3",
 866   year =         "1984",
 867   month =        may,
 868   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 869   publisher =    "American Physical Society",
 870   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 871                  path formation",
 872 }
 873
 874 @Article{car85,
 875   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 876                  Density-Functional Theory",
 877   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 878   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 879   volume =       "55",
 880   number =       "22",
 881   pages =        "2471--2474",
 882   numpages =     "3",
 883   year =         "1985",
 884   month =        nov,
 885   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 886   publisher =    "American Physical Society",
 887   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 888 }
 889
 890 @Article{kelires97,
 891   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 892                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 893   author =       "P. C. Kelires",
 894   journal =      "Phys. Rev. B",
 895   volume =       "55",
 896   number =       "14",
 897   pages =        "8784--8787",
 898   numpages =     "3",
 899   year =         "1997",
 900   month =        apr,
 901   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 902   publisher =    "American Physical Society",
 903   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 904                  neighbour dist",
 905 }
 906
 907 @Article{kelires95,
 908   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 909                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 910   author =       "P. C. Kelires",
 911   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 912   volume =       "75",
 913   number =       "6",
 914   pages =        "1114--1117",
 915   numpages =     "3",
 916   year =         "1995",
 917   month =        aug,
 918   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 919   publisher =    "American Physical Society",
 920   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 921 }
 922
 923 @Article{bean70,
 924   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 925                  containing carbon",
 926   journal =      "Solid State Communications",
 927   volume =       "8",
 928   number =       "3",
 929   pages =        "175--177",
 930   year =         "1970",
 931   note =         "",
 932   ISSN =         "0038-1098",
 933   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 934   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 935   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 936 }
 937
 938 @Article{watkins76,
 939   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 940                  Atom in Silicon",
 941   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 942   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 943   volume =       "36",
 944   number =       "22",
 945   pages =        "1329--1332",
 946   numpages =     "3",
 947   year =         "1976",
 948   month =        may,
 949   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 950   publisher =    "American Physical Society",
 951   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 952                  silicon",
 953 }
 954
 955 @Article{song90,
 956   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 957                  interstitial carbon in silicon",
 958   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 959   journal =      "Phys. Rev. B",
 960   volume =       "42",
 961   number =       "9",
 962   pages =        "5759--5764",
 963   numpages =     "5",
 964   year =         "1990",
 965   month =        sep,
 966   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 967   publisher =    "American Physical Society",
 968   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 969 }
 970
 971 @Article{tipping87,
 972   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 973   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 974                  silicon",
 975   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
 976   volume =       "2",
 977   number =       "5",
 978   pages =        "315--317",
 979   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 980   year =         "1987",
 981   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 982                  silicon",
 983 }
 984
 985 @Article{strane96,
 986   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 987                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 988   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 989                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 990   journal =      "J. Appl. Phys.",
 991   volume =       "79",
 992   pages =        "637",
 993   year =         "1996",
 994   month =        jan,
 995   doi =          "10.1063/1.360806",
 996   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 997 }
 998
 999 @Article{laveant2002,
1000   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1001   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1002   volume =       "89",
1003   number =       "1-3",
1004   pages =        "241--245",
1005   year =         "2002",
1006   ISSN =         "0921-5107",
1007   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1008   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1009   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1010                  G{\"{o}}sele",
1011   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1012                  stress, avoid sic precipitation",
1013 }
1014
1015 @Article{foell77,
1016   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1017                  agglomeration of self-interstitials",
1018   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1019   volume =       "40",
1020   number =       "1",
1021   pages =        "90--108",
1022   year =         "1977",
1023   note =         "",
1024   ISSN =         "0022-0248",
1025   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1026   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1027   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1028   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1029                  agglomerate",
1030 }
1031
1032 @Article{foell81,
1033   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1034                  defects",
1035   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1036   volume =       "52",
1037   number =       "Part 2",
1038   pages =        "907--916",
1039   year =         "1981",
1040   note =         "",
1041   ISSN =         "0022-0248",
1042   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1043   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1044   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1045   notes =        "swirl review",
1046 }
1047
1048 @Article{werner97,
1049   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1050                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1051   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1052                  silicon by transmission electron microscopy",
1053   publisher =    "AIP",
1054   year =         "1997",
1055   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1056   volume =       "70",
1057   number =       "2",
1058   pages =        "252--254",
1059   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1060                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1061                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1062                  layers; precipitation",
1063   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1064   doi =          "10.1063/1.118381",
1065   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1066                  precipitate",
1067 }
1068
1069 @InProceedings{werner96,
1070   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1071                  Eichler",
1072   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
1073                  International Conference on",
1074   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1075                  implanted silicon",
1076   year =         "1996",
1077   month =        jun,
1078   volume =       "",
1079   number =       "",
1080   pages =        "675--678",
1081   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1082   ISSN =         "",
1083   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1084 }
1085
1086 @Article{werner98,
1087   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1088                  D. C. Jacobson",
1089   collaboration = "",
1090   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1091   publisher =    "AIP",
1092   year =         "1998",
1093   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1094   volume =       "73",
1095   number =       "17",
1096   pages =        "2465--2467",
1097   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1098                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1099                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1100                  impurity distribution",
1101   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1102   doi =          "10.1063/1.122483",
1103   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1104 }
1105
1106 @Article{kalejs84,
1107   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1108   collaboration = "",
1109   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1110                  silicon",
1111   publisher =    "AIP",
1112   year =         "1984",
1113   journal =      "Applied Physics Letters",
1114   volume =       "45",
1115   number =       "3",
1116   pages =        "268--269",
1117   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1118                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1119                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1120   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1121   doi =          "10.1063/1.95167",
1122   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1123 }
1124
1125 @Article{strane94,
1126   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1127                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1128   collaboration = "",
1129   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1130                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1131   publisher =    "AIP",
1132   year =         "1994",
1133   journal =      "J. Appl. Phys.",
1134   volume =       "76",
1135   number =       "6",
1136   pages =        "3656--3668",
1137   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1138   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1139   doi =          "10.1063/1.357429",
1140   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1141                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1142                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1143                  energy",
1144 }
1145
1146 @Article{fischer95,
1147   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1148                  Osten",
1149   collaboration = "",
1150   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1151                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1152   publisher =    "AIP",
1153   year =         "1995",
1154   journal =      "J. Appl. Phys.",
1155   volume =       "77",
1156   number =       "5",
1157   pages =        "1934--1937",
1158   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1159                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1160                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1161                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1162   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1163   doi =          "10.1063/1.358826",
1164 }
1165
1166 @Article{edgar92,
1167   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1168                  semiconductors",
1169   author =       "J. H. Edgar",
1170   journal =      "J. Mater. Res.",
1171   volume =       "7",
1172   pages =        "235",
1173   year =         "1992",
1174   month =        jan,
1175   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1176   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1177                  polytypes",
1178 }
1179
1180 @Article{zirkelbach2007,
1181   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1182                  process leading to ordered precipitate structures",
1183   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1184                  and B. Stritzker",
1185   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1186   volume =       "257",
1187   number =       "1--2",
1188   pages =        "75--79",
1189   numpages =     "5",
1190   year =         "2007",
1191   month =        apr,
1192   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1193   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1194                  NETHERLANDS",
1195 }
1196
1197 @Article{zirkelbach2006,
1198   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1199                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1200                  during ion irradiation",
1201   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1202                  and B. Stritzker",
1203   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1204   volume =       "242",
1205   number =       "1--2",
1206   pages =        "679--682",
1207   numpages =     "4",
1208   year =         "2006",
1209   month =        jan,
1210   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1211   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1212                  NETHERLANDS",
1213 }
1214
1215 @Article{zirkelbach2005,
1216   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1217                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1218                  ion irradiation",
1219   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1220                  and B. Stritzker",
1221   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1222   volume =       "33",
1223   number =       "1--3",
1224   pages =        "310--316",
1225   numpages =     "7",
1226   year =         "2005",
1227   month =        apr,
1228   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1229   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1230                  NETHERLANDS",
1231 }
1232
1233 @Article{zirkelbach09,
1234   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1235                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1236   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1237   volume =       "159-160",
1238   number =       "",
1239   pages =        "149--152",
1240   year =         "2009",
1241   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1242                  Silicon Materials Research for Electronic and
1243                  Photovoltaic Applications",
1244   ISSN =         "0921-5107",
1245   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1246   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1247   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1248                  B. Stritzker",
1249   keywords =     "Silicon",
1250   keywords =     "Carbon",
1251   keywords =     "Silicon carbide",
1252   keywords =     "Nucleation",
1253   keywords =     "Defect formation",
1254   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1255 }
1256
1257 @Article{zirkelbach10,
1258   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1259                  classical potentials and first-principles methods",
1260   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1261                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1262   journal =      "Phys. Rev. B",
1263   volume =       "82",
1264   number =       "9",
1265   pages =        "094110",
1266   numpages =     "6",
1267   year =         "2010",
1268   month =        sep,
1269   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1270   publisher =    "American Physical Society",
1271 }
1272
1273 @Article{zirkelbach11a,
1274   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1275                  silicon",
1276   journal =      "to be published",
1277   volume =       "",
1278   number =       "",
1279   pages =        "",
1280   year =         "2011",
1281   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and J. K. N. Lindner
1282                  and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1283 }
1284
1285 @Article{zirkelbach11b,
1286   title =        "...",
1287   journal =      "to be published",
1288   volume =       "",
1289   number =       "",
1290   pages =        "",
1291   year =         "2011",
1292   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1293                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1294 }
1295
1296 @Article{lindner95,
1297   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1298                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1299   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1300                  Layers in Silicon",
1301   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
1302   volume =       "354",
1303   number =       "",
1304   pages =        "171",
1305   year =         "1994",
1306   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1307   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1308   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400420853",
1309   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1310 }
1311
1312 @Article{lindner96,
1313   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1314                  in silicon by ion beam synthesis",
1315   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
1316   volume =       "46",
1317   number =       "2-3",
1318   pages =        "147--155",
1319   year =         "1996",
1320   note =         "",
1321   ISSN =         "0254-0584",
1322   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1323   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1324   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1325                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1326                  Stritzker",
1327   notes =        "dose window",
1328 }
1329
1330 @Article{calcagno96,
1331   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1332                  ion implantation",
1333   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1334                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1335   volume =       "120",
1336   number =       "1-4",
1337   pages =        "121--124",
1338   year =         "1996",
1339   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1340                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1341   ISSN =         "0168-583X",
1342   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1343   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1344   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1345                  Grimaldi and P. Musumeci",
1346   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1347 }
1348
1349 @Article{lindner98,
1350   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1351                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1352   journal =      "Materials Science Forum",
1353   volume =       "264-268",
1354   pages =        "215--218",
1355   year =         "1998",
1356   note =         "",
1357   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1358   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1359   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1360   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1361                  crystallinity",
1362 }
1363
1364 @Article{lindner99,
1365   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1366                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1367                  layers in silicon",
1368   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1369   volume =       "147",
1370   number =       "1-4",
1371   pages =        "249--255",
1372   year =         "1999",
1373   note =         "",
1374   ISSN =         "0168-583X",
1375   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1376   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1377   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1378   notes =        "two-step implantation process",
1379 }
1380
1381 @Article{lindner99_2,
1382   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1383                  in silicon",
1384   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1385   volume =       "148",
1386   number =       "1-4",
1387   pages =        "528--533",
1388   year =         "1999",
1389   ISSN =         "0168-583X",
1390   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1391   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1392   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1393   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1394 }
1395
1396 @Article{lindner01,
1397   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1398                  Basic physical processes",
1399   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1400   volume =       "178",
1401   number =       "1-4",
1402   pages =        "44--54",
1403   year =         "2001",
1404   note =         "",
1405   ISSN =         "0168-583X",
1406   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1407   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1408   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1409 }
1410
1411 @Article{lindner02,
1412   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1413                  fundamental studies for new technological tricks",
1414   author =       "J. K. N. Lindner",
1415   journal =      "Appl. Phys. A",
1416   volume =       "77",
1417   pages =        "27--38",
1418   year =         "2003",
1419   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1420   notes =        "ibs, burried sic layers",
1421 }
1422
1423 @Article{lindner06,
1424   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1425                  formation and displacive precipitate resolution in the
1426                  {C}-Si system",
1427   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1428   volume =       "26",
1429   number =       "5-7",
1430   pages =        "857--861",
1431   year =         "2006",
1432   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1433                  Applications",
1434   ISSN =         "0928-4931",
1435   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1436   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1437   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1438                  and B. Stritzker",
1439   notes =        "c int diffusion barrier",
1440 }
1441
1442 @Article{ito04,
1443   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1444                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1445                  growth",
1446   journal =      "Applied Surface Science",
1447   volume =       "238",
1448   number =       "1-4",
1449   pages =        "159--164",
1450   year =         "2004",
1451   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1452   ISSN =         "0169-4332",
1453   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1454   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1455   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1456                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1457   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1458 }
1459
1460 @Article{yamamoto04,
1461   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1462                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1463                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1464   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1465   volume =       "261",
1466   number =       "2-3",
1467   pages =        "266--270",
1468   year =         "2004",
1469   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1470                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1471   ISSN =         "0022-0248",
1472   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1473   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1474   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1475                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1476   notes =        "gan on 3c-sic",
1477 }
1478
1479 @Article{liu_l02,
1480   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1481   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1482   volume =       "37",
1483   number =       "3",
1484   pages =        "61--127",
1485   year =         "2002",
1486   note =         "",
1487   ISSN =         "0927-796X",
1488   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1489   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1490   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1491   notes =        "gan substrates",
1492 }
1493
1494 @Article{takeuchi91,
1495   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1496                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1497   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1498   volume =       "115",
1499   number =       "1-4",
1500   pages =        "634--638",
1501   year =         "1991",
1502   note =         "",
1503   ISSN =         "0022-0248",
1504   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1505   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1506   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1507                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1508   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1509 }
1510
1511 @Article{alder57,
1512   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1513   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1514   publisher =    "AIP",
1515   year =         "1957",
1516   journal =      "J. Chem. Phys.",
1517   volume =       "27",
1518   number =       "5",
1519   pages =        "1208--1209",
1520   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1521   doi =          "10.1063/1.1743957",
1522 }
1523
1524 @Article{alder59,
1525   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1526   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1527   publisher =    "AIP",
1528   year =         "1959",
1529   journal =      "J. Chem. Phys.",
1530   volume =       "31",
1531   number =       "2",
1532   pages =        "459--466",
1533   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1534   doi =          "10.1063/1.1730376",
1535 }
1536
1537 @Article{tersoff_si1,
1538   title =        "New empirical model for the structural properties of
1539                  silicon",
1540   author =       "J. Tersoff",
1541   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1542   volume =       "56",
1543   number =       "6",
1544   pages =        "632--635",
1545   numpages =     "3",
1546   year =         "1986",
1547   month =        feb,
1548   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1549   publisher =    "American Physical Society",
1550 }
1551
1552 @Article{tersoff_si2,
1553   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1554                  covalent systems",
1555   author =       "J. Tersoff",
1556   journal =      "Phys. Rev. B",
1557   volume =       "37",
1558   number =       "12",
1559   pages =        "6991--7000",
1560   numpages =     "9",
1561   year =         "1988",
1562   month =        apr,
1563   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1564   publisher =    "American Physical Society",
1565 }
1566
1567 @Article{tersoff_si3,
1568   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1569                  improved elastic properties",
1570   author =       "J. Tersoff",
1571   journal =      "Phys. Rev. B",
1572   volume =       "38",
1573   number =       "14",
1574   pages =        "9902--9905",
1575   numpages =     "3",
1576   year =         "1988",
1577   month =        nov,
1578   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1579   publisher =    "American Physical Society",
1580 }
1581
1582 @Article{tersoff_c,
1583   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1584                  Applications to Amorphous Carbon",
1585   author =       "J. Tersoff",
1586   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1587   volume =       "61",
1588   number =       "25",
1589   pages =        "2879--2882",
1590   numpages =     "3",
1591   year =         "1988",
1592   month =        dec,
1593   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1594   publisher =    "American Physical Society",
1595 }
1596
1597 @Article{tersoff_m,
1598   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1599                  for multicomponent systems",
1600   author =       "J. Tersoff",
1601   journal =      "Phys. Rev. B",
1602   volume =       "39",
1603   number =       "8",
1604   pages =        "5566--5568",
1605   numpages =     "2",
1606   year =         "1989",
1607   month =        mar,
1608   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1609   publisher =    "American Physical Society",
1610 }
1611
1612 @Article{tersoff90,
1613   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1614   author =       "J. Tersoff",
1615   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1616   volume =       "64",
1617   number =       "15",
1618   pages =        "1757--1760",
1619   numpages =     "3",
1620   year =         "1990",
1621   month =        apr,
1622   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1623   publisher =    "American Physical Society",
1624 }
1625
1626 @Article{fahey89,
1627   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1628   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1629   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1630   volume =       "61",
1631   number =       "2",
1632   pages =        "289--384",
1633   numpages =     "95",
1634   year =         "1989",
1635   month =        apr,
1636   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1637   publisher =    "American Physical Society",
1638 }
1639
1640 @Article{wesch96,
1641   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1642   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1643   volume =       "116",
1644   number =       "1-4",
1645   pages =        "305--321",
1646   year =         "1996",
1647   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1648   ISSN =         "0168-583X",
1649   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1650   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1651   author =       "W. Wesch",
1652 }
1653
1654 @Article{davis91,
1655   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
1656                  Palmour and J. A. Edmond",
1657   journal =      "Proceedings of the IEEE",
1658   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
1659                  optoelectronic device fabrication and characterization
1660                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
1661   year =         "1991",
1662   month =        may,
1663   volume =       "79",
1664   number =       "5",
1665   pages =        "677--701",
1666   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
1667                  diode;SiC;dry etching;electrical
1668                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
1669                  device fabrication;solid-state devices;surface
1670                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
1671                  transistors;Schottky-barrier
1672                  diodes;etching;heterojunction bipolar
1673                  transistors;insulated gate field effect
1674                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
1675                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
1676   doi =          "10.1109/5.90132",
1677   ISSN =         "0018-9219",
1678   notes =        "sic growth methods",
1679 }
1680
1681 @Article{morkoc94,
1682   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1683                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1684   collaboration = "",
1685   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1686                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1687   publisher =    "AIP",
1688   year =         "1994",
1689   journal =      "J. Appl. Phys.",
1690   volume =       "76",
1691   number =       "3",
1692   pages =        "1363--1398",
1693   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1694                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1695                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1696                  FILMS; INDUSTRY",
1697   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1698   doi =          "10.1063/1.358463",
1699   notes =        "sic intro, properties",
1700 }
1701
1702 @Article{foo,
1703   author =       "Noch Unbekannt",
1704   title =        "How to find references",
1705   journal =      "Journal of Applied References",
1706   year =         "2009",
1707   volume =       "77",
1708   pages =        "1--23",
1709 }
1710
1711 @Article{tang95,
1712   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1713                  \beta{}-Si{C}",
1714   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1715   journal =      "Phys. Rev. B",
1716   volume =       "52",
1717   number =       "21",
1718   pages =        "15150--15159",
1719   numpages =     "9",
1720   year =         "1995",
1721   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1722   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1723                  tersoff reparametrization",
1724   publisher =    "American Physical Society",
1725 }
1726
1727 @Article{sarro00,
1728   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1729   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1730   volume =       "82",
1731   number =       "1-3",
1732   pages =        "210--218",
1733   year =         "2000",
1734   ISSN =         "0924-4247",
1735   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1736   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1737   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1738   keywords =     "MEMS",
1739   keywords =     "Silicon carbide",
1740   keywords =     "Micromachining",
1741   keywords =     "Mechanical stress",
1742 }
1743
1744 @Article{casady96,
1745   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1746                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1747                  review",
1748   journal =      "Solid-State Electronics",
1749   volume =       "39",
1750   number =       "10",
1751   pages =        "1409--1422",
1752   year =         "1996",
1753   ISSN =         "0038-1101",
1754   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1755   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1756   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1757   notes =        "sic intro",
1758 }
1759
1760 @Article{giancarli98,
1761   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1762                  structural material in fusion power reactor blankets",
1763   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1764   volume =       "41",
1765   number =       "1-4",
1766   pages =        "165--171",
1767   year =         "1998",
1768   ISSN =         "0920-3796",
1769   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1770   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1771   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1772                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1773 }
1774
1775 @Article{pensl93,
1776   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1777   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1778   volume =       "185",
1779   number =       "1-4",
1780   pages =        "264--283",
1781   year =         "1993",
1782   ISSN =         "0921-4526",
1783   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1784   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1785   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1786 }
1787
1788 @Article{tairov78,
1789   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1790                  carbide single crystals",
1791   journal =      "J. Cryst. Growth",
1792   volume =       "43",
1793   number =       "2",
1794   pages =        "209--212",
1795   year =         "1978",
1796   notes =        "modified lely process",
1797   ISSN =         "0022-0248",
1798   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1799   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1800   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1801 }
1802
1803 @Article{tairov81,
1804   title =        "General principles of growing large-size single
1805                  crystals of various silicon carbide polytypes",
1806   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1807   volume =       "52",
1808   number =       "Part 1",
1809   pages =        "146--150",
1810   year =         "1981",
1811   note =         "",
1812   ISSN =         "0022-0248",
1813   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
1814   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
1815   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1816 }
1817
1818 @Article{barrett91,
1819   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
1820   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1821   volume =       "109",
1822   number =       "1-4",
1823   pages =        "17--23",
1824   year =         "1991",
1825   note =         "",
1826   ISSN =         "0022-0248",
1827   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
1828   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
1829   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
1830                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
1831 }
1832
1833 @Article{barrett93,
1834   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
1835   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1836   volume =       "128",
1837   number =       "1-4",
1838   pages =        "358--362",
1839   year =         "1993",
1840   note =         "",
1841   ISSN =         "0022-0248",
1842   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
1843   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
1844   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
1845                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
1846                  W. J. Choyke",
1847 }
1848
1849 @Article{stein93,
1850   title =        "Control of polytype formation by surface energy
1851                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
1852                  sublimation method",
1853   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1854   volume =       "131",
1855   number =       "1-2",
1856   pages =        "71--74",
1857   year =         "1993",
1858   note =         "",
1859   ISSN =         "0022-0248",
1860   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
1861   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
1862   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
1863   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
1864 }
1865
1866 @Article{nishino83,
1867   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1868                  Will",
1869   collaboration = "",
1870   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1871                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1872   publisher =    "AIP",
1873   year =         "1983",
1874   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1875   volume =       "42",
1876   number =       "5",
1877   pages =        "460--462",
1878   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1879                  monocrystals",
1880   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1881   doi =          "10.1063/1.93970",
1882   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1883 }
1884
1885 @Article{nishino87,
1886   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1887                  and Hiroyuki Matsunami",
1888   collaboration = "",
1889   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1890                  Si{C} on silicon",
1891   publisher =    "AIP",
1892   year =         "1987",
1893   journal =      "J. Appl. Phys.",
1894   volume =       "61",
1895   number =       "10",
1896   pages =        "4889--4893",
1897   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1898   doi =          "10.1063/1.338355",
1899   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1900                  carbonization",
1901 }
1902
1903 @Article{powell87,
1904   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1905                  Kuczmarski",
1906   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1907                  Single-Crystal Films on Si",
1908   publisher =    "ECS",
1909   year =         "1987",
1910   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1911   volume =       "134",
1912   number =       "6",
1913   pages =        "1558--1565",
1914   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1915                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1916   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1917   doi =          "10.1149/1.2100708",
1918   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1919 }
1920
1921 @Article{powell87_2,
1922   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
1923                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
1924   collaboration = "",
1925   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
1926                  off-axis Si substrates",
1927   publisher =    "AIP",
1928   year =         "1987",
1929   journal =      "Applied Physics Letters",
1930   volume =       "51",
1931   number =       "11",
1932   pages =        "823--825",
1933   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
1934                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
1935                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
1936                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
1937                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
1938   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
1939   doi =          "10.1063/1.98824",
1940   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
1941 }
1942
1943 @Article{ueda90,
1944   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
1945   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1946   volume =       "104",
1947   number =       "3",
1948   pages =        "695--700",
1949   year =         "1990",
1950   note =         "",
1951   ISSN =         "0022-0248",
1952   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
1953   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
1954   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
1955                  Matsunami",
1956   notes =        "step-controlled epitaxy model",
1957 }
1958
1959 @Article{kimoto93,
1960   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1961                  and Hiroyuki Matsunami",
1962   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1963                  epitaxy",
1964   publisher =    "AIP",
1965   year =         "1993",
1966   journal =      "J. Appl. Phys.",
1967   volume =       "73",
1968   number =       "2",
1969   pages =        "726--732",
1970   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1971                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1972                  VAPOR DEPOSITION",
1973   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1974   doi =          "10.1063/1.353329",
1975   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1976 }
1977
1978 @Article{powell90_2,
1979   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1980                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1981                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1982   collaboration = "",
1983   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
1984                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
1985   publisher =    "AIP",
1986   year =         "1990",
1987   journal =      "Applied Physics Letters",
1988   volume =       "56",
1989   number =       "15",
1990   pages =        "1442--1444",
1991   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1992                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
1993                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
1994                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
1995   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
1996   doi =          "10.1063/1.102492",
1997   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
1998 }
1999
2000 @Article{kong88_2,
2001   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2002   collaboration = "",
2003   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2004                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2005                  substrates",
2006   publisher =    "AIP",
2007   year =         "1988",
2008   journal =      "Journal of Applied Physics",
2009   volume =       "64",
2010   number =       "5",
2011   pages =        "2672--2679",
2012   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2013                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2014                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2015                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2016                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2017   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2018   doi =          "10.1063/1.341608",
2019 }
2020
2021 @Article{powell90,
2022   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2023                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2024                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2025   collaboration = "",
2026   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2027                  6{H}-Si{C} substrates",
2028   publisher =    "AIP",
2029   year =         "1990",
2030   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2031   volume =       "56",
2032   number =       "14",
2033   pages =        "1353--1355",
2034   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2035                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2036                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2037                  PHASE EPITAXY",
2038   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2039   doi =          "10.1063/1.102512",
2040   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2041 }
2042
2043 @Article{kong88,
2044   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2045                  Rozgonyi and K. L. More",
2046   collaboration = "",
2047   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2048                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2049                  substrates",
2050   publisher =    "AIP",
2051   year =         "1988",
2052   journal =      "Journal of Applied Physics",
2053   volume =       "63",
2054   number =       "8",
2055   pages =        "2645--2650",
2056   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2057                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2058                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2059                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2060                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2061   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2062   doi =          "10.1063/1.341004",
2063 }
2064
2065 @Article{powell91,
2066   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2067                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2068                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2069   collaboration = "",
2070   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2071                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2072   publisher =    "AIP",
2073   year =         "1991",
2074   journal =      "Applied Physics Letters",
2075   volume =       "59",
2076   number =       "3",
2077   pages =        "333--335",
2078   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2079                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2080                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2081   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2082   doi =          "10.1063/1.105587",
2083 }
2084
2085 @Article{yuan95,
2086   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2087                  Thokala and M. J. Loboda",
2088   collaboration = "",
2089   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2090                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2091                  silacyclobutane",
2092   publisher =    "AIP",
2093   year =         "1995",
2094   journal =      "J. Appl. Phys.",
2095   volume =       "78",
2096   number =       "2",
2097   pages =        "1271--1273",
2098   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2099                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2100                  SPECTROPHOTOMETRY",
2101   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2102   doi =          "10.1063/1.360368",
2103   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2104 }
2105
2106 @Article{kaneda87,
2107   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2108                  properties of its p-n junction",
2109   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2110   volume =       "81",
2111   number =       "1-4",
2112   pages =        "536--542",
2113   year =         "1987",
2114   note =         "",
2115   ISSN =         "0022-0248",
2116   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2117   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2118   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2119                  and Takao Tanaka",
2120   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2121 }
2122
2123 @Article{fissel95,
2124   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2125                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2126                  molecular beam epitaxy",
2127   journal =      "J. Cryst. Growth",
2128   volume =       "154",
2129   number =       "1-2",
2130   pages =        "72--80",
2131   year =         "1995",
2132   ISSN =         "0022-0248",
2133   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2134   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2135   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2136                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2137   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2138 }
2139
2140 @Article{fissel95_apl,
2141   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2142   collaboration = "",
2143   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2144                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2145   publisher =    "AIP",
2146   year =         "1995",
2147   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2148   volume =       "66",
2149   number =       "23",
2150   pages =        "3182--3184",
2151   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2152                  RHEED; NUCLEATION",
2153   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2154   doi =          "10.1063/1.113716",
2155   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2156 }
2157
2158 @Article{fissel96,
2159   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2160                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2161   collaboration = "",
2162   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2163                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2164                  level using surface superstructures",
2165   publisher =    "AIP",
2166   year =         "1996",
2167   journal =      "Applied Physics Letters",
2168   volume =       "68",
2169   number =       "9",
2170   pages =        "1204--1206",
2171   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2172                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2173                  SURFACE STRUCTURE",
2174   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2175   doi =          "10.1063/1.115969",
2176   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2177 }
2178
2179 @Article{righi03,
2180   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2181   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2182                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2183   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2184   volume =       "91",
2185   number =       "13",
2186   pages =        "136101",
2187   numpages =     "4",
2188   year =         "2003",
2189   month =        sep,
2190   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2191   publisher =    "American Physical Society",
2192   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2193 }
2194
2195 @Article{borders71,
2196   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2197   collaboration = "",
2198   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2199                  {IMPLANTATION}",
2200   publisher =    "AIP",
2201   year =         "1971",
2202   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2203   volume =       "18",
2204   number =       "11",
2205   pages =        "509--511",
2206   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2207   doi =          "10.1063/1.1653516",
2208   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2209                  ideas",
2210 }
2211
2212 @Article{edelman76,
2213   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2214                  and E. V. Lubopytova",
2215   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2216                  by ion implantation",
2217   publisher =    "Taylor \& Francis",
2218   year =         "1976",
2219   journal =      "Radiation Effects",
2220   volume =       "29",
2221   number =       "1",
2222   pages =        "13--15",
2223   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2224   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2225                  single crystalline",
2226 }
2227
2228 @Article{akimchenko80,
2229   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2230                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2231   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2232                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2233   publisher =    "Taylor \& Francis",
2234   year =         "1980",
2235   journal =      "Radiation Effects",
2236   volume =       "48",
2237   number =       "1",
2238   pages =        "7",
2239   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2240   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2241 }
2242
2243 @Article{kimura81,
2244   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2245                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2246                  silicon",
2247   journal =      "Thin Solid Films",
2248   volume =       "81",
2249   number =       "4",
2250   pages =        "319--327",
2251   year =         "1981",
2252   note =         "",
2253   ISSN =         "0040-6090",
2254   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2255   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2256   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2257                  Yugo",
2258 }
2259
2260 @Article{kimura82,
2261   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2262                  the implantation of carbon ions into silicon",
2263   journal =      "Thin Solid Films",
2264   volume =       "94",
2265   number =       "3",
2266   pages =        "191--198",
2267   year =         "1982",
2268   note =         "",
2269   ISSN =         "0040-6090",
2270   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2271   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2272   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2273                  Yugo",
2274 }
2275
2276 @Article{reeson86,
2277   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2278                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2279                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2280   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2281                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2282   publisher =    "Taylor \& Francis",
2283   year =         "1986",
2284   journal =      "Radiation Effects",
2285   volume =       "99",
2286   number =       "1",
2287   pages =        "71--81",
2288   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2289   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or
2290                  time",
2291 }
2292
2293 @Article{reeson87,
2294   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2295                  J. Davis and G. E. Celler",
2296   collaboration = "",
2297   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2298                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2299   publisher =    "AIP",
2300   year =         "1987",
2301   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2302   volume =       "51",
2303   number =       "26",
2304   pages =        "2242--2244",
2305   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2306                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2307   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2308   doi =          "10.1063/1.98953",
2309   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2310 }
2311
2312 @Article{martin90,
2313   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2314                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2315   collaboration = "",
2316   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2317   publisher =    "AIP",
2318   year =         "1990",
2319   journal =      "Journal of Applied Physics",
2320   volume =       "67",
2321   number =       "6",
2322   pages =        "2908--2912",
2323   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2324                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2325                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2326                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2327                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2328                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2329   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2330   doi =          "10.1063/1.346092",
2331   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2332                  temepratures",
2333 }
2334
2335 @Article{scace59,
2336   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2337   collaboration = "",
2338   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2339   publisher =    "AIP",
2340   year =         "1959",
2341   journal =      "J. Chem. Phys.",
2342   volume =       "30",
2343   number =       "6",
2344   pages =        "1551--1555",
2345   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2346   doi =          "10.1063/1.1730236",
2347   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2348 }
2349
2350 @Article{cowern96,
2351   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2352                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2353   collaboration = "",
2354   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2355                  {B} in silicon",
2356   publisher =    "AIP",
2357   year =         "1996",
2358   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2359   volume =       "68",
2360   number =       "8",
2361   pages =        "1150--1152",
2362   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2363                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2364                  SILICON",
2365   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2366   doi =          "10.1063/1.115706",
2367   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2368 }
2369
2370 @Article{stolk95,
2371   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2372                  of the silicon self-interstitial",
2373   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2374   volume =       "96",
2375   number =       "1-2",
2376   pages =        "187--195",
2377   year =         "1995",
2378   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2379                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2380   ISSN =         "0168-583X",
2381   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2382   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2383   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2384                  and J. M. Poate",
2385 }
2386
2387 @Article{stolk97,
2388   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2389                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2390                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2391                  E. Haynes",
2392   collaboration = "",
2393   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2394                  diffusion in ion-implanted silicon",
2395   publisher =    "AIP",
2396   year =         "1997",
2397   journal =      "J. Appl. Phys.",
2398   volume =       "81",
2399   number =       "9",
2400   pages =        "6031--6050",
2401   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2402   doi =          "10.1063/1.364452",
2403   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2404 }
2405
2406 @Article{powell94,
2407   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2408   collaboration = "",
2409   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2410                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2411   publisher =    "AIP",
2412   year =         "1994",
2413   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2414   volume =       "64",
2415   number =       "3",
2416   pages =        "324--326",
2417   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2418                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2419                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2420                  SYNTHESIS",
2421   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2422   doi =          "10.1063/1.111195",
2423   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2424 }
2425
2426 @Article{soref91,
2427   author =       "Richard A. Soref",
2428   collaboration = "",
2429   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2430                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2431   publisher =    "AIP",
2432   year =         "1991",
2433   journal =      "J. Appl. Phys.",
2434   volume =       "70",
2435   number =       "4",
2436   pages =        "2470--2472",
2437   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2438                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2439                  TERNARY ALLOYS",
2440   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2441   doi =          "10.1063/1.349403",
2442   notes =        "band gap of strained si by c",
2443 }
2444
2445 @Article{kasper91,
2446   author =       "E Kasper",
2447   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2448                  possibility to produce direct band gap material",
2449   journal =      "Physica Scripta",
2450   volume =       "T35",
2451   pages =        "232--236",
2452   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2453   year =         "1991",
2454   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2455                  quasi-direct one",
2456 }
2457
2458 @Article{osten99,
2459   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2460   collaboration = "",
2461   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2462                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2463                  molecular beam epitaxy",
2464   publisher =    "AIP",
2465   year =         "1999",
2466   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2467   volume =       "74",
2468   number =       "6",
2469   pages =        "836--838",
2470   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2471                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2472                  compounds",
2473   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2474   doi =          "10.1063/1.123384",
2475   notes =        "substitutional c in si",
2476 }
2477
2478 @Article{hohenberg64,
2479   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2480   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2481   journal =      "Phys. Rev.",
2482   volume =       "136",
2483   number =       "3B",
2484   pages =        "B864--B871",
2485   numpages =     "7",
2486   year =         "1964",
2487   month =        nov,
2488   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2489   publisher =    "American Physical Society",
2490   notes =        "density functional theory, dft",
2491 }
2492
2493 @Article{kohn65,
2494   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2495                  Correlation Effects",
2496   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2497   journal =      "Phys. Rev.",
2498   volume =       "140",
2499   number =       "4A",
2500   pages =        "A1133--A1138",
2501   numpages =     "5",
2502   year =         "1965",
2503   month =        nov,
2504   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2505   publisher =    "American Physical Society",
2506   notes =        "dft, exchange and correlation",
2507 }
2508
2509 @Article{ruecker94,
2510   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
2511                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
2512   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
2513                  J. Osten",
2514   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2515   volume =       "72",
2516   number =       "22",
2517   pages =        "3578--3581",
2518   numpages =     "3",
2519   year =         "1994",
2520   month =        may,
2521   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
2522   publisher =    "American Physical Society",
2523   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
2524                  si, dft",
2525 }
2526
2527 @Article{chang05,
2528   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
2529                  Alloy",
2530   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
2531   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2532   volume =       "44",
2533   number =       "4B",
2534   pages =        "2257--2262",
2535   numpages =     "5",
2536   year =         "2005",
2537   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
2538   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
2539   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2540   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
2541 }
2542
2543 @Article{osten97,
2544   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
2545   collaboration = "",
2546   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2547                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
2548                  Si(001)",
2549   publisher =    "AIP",
2550   year =         "1997",
2551   journal =      "J. Appl. Phys.",
2552   volume =       "82",
2553   number =       "10",
2554   pages =        "4977--4981",
2555   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
2556                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
2557                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
2558   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
2559   doi =          "10.1063/1.366364",
2560   notes =        "charge transport in strained si",
2561 }
2562
2563 @Article{kapur04,
2564   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
2565                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
2566   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
2567   journal =      "Phys. Rev. B",
2568   volume =       "69",
2569   number =       "15",
2570   pages =        "155214",
2571   numpages =     "8",
2572   year =         "2004",
2573   month =        apr,
2574   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
2575   publisher =    "American Physical Society",
2576   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
2577 }
2578
2579 @Article{barkema96,
2580   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
2581                  Systems",
2582   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
2583   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2584   volume =       "77",
2585   number =       "21",
2586   pages =        "4358--4361",
2587   numpages =     "3",
2588   year =         "1996",
2589   month =        nov,
2590   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
2591   publisher =    "American Physical Society",
2592   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
2593                  dynamic mds",
2594 }
2595
2596 @Article{cances09,
2597   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
2598                  Minoukadeh and F. Willaime",
2599   collaboration = "",
2600   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
2601                  technique method for finding transition pathways on
2602                  potential energy surfaces",
2603   publisher =    "AIP",
2604   year =         "2009",
2605   journal =      "J. Chem. Phys.",
2606   volume =       "130",
2607   number =       "11",
2608   eid =          "114711",
2609   numpages =     "6",
2610   pages =        "114711",
2611   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
2612                  surfaces; vacancies (crystal)",
2613   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
2614   doi =          "10.1063/1.3088532",
2615   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
2616                  transition pathways",
2617 }
2618
2619 @Article{parrinello81,
2620   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
2621   collaboration = "",
2622   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
2623                  molecular dynamics method",
2624   publisher =    "AIP",
2625   year =         "1981",
2626   journal =      "J. Appl. Phys.",
2627   volume =       "52",
2628   number =       "12",
2629   pages =        "7182--7190",
2630   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
2631                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
2632                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
2633                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
2634                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
2635                  IMPACT SHOCK",
2636   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2637   doi =          "10.1063/1.328693",
2638 }
2639
2640 @Article{stillinger85,
2641   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
2642                  of silicon",
2643   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
2644   journal =      "Phys. Rev. B",
2645   volume =       "31",
2646   number =       "8",
2647   pages =        "5262--5271",
2648   numpages =     "9",
2649   year =         "1985",
2650   month =        apr,
2651   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
2652   publisher =    "American Physical Society",
2653 }
2654
2655 @Article{brenner90,
2656   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
2657                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
2658                  films",
2659   author =       "Donald W. Brenner",
2660   journal =      "Phys. Rev. B",
2661   volume =       "42",
2662   number =       "15",
2663   pages =        "9458--9471",
2664   numpages =     "13",
2665   year =         "1990",
2666   month =        nov,
2667   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
2668   publisher =    "American Physical Society",
2669   notes =        "brenner hydro carbons",
2670 }
2671
2672 @Article{bazant96,
2673   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
2674                  Cohesive Energy Curves",
2675   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
2676   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2677   volume =       "77",
2678   number =       "21",
2679   pages =        "4370--4373",
2680   numpages =     "3",
2681   year =         "1996",
2682   month =        nov,
2683   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
2684   publisher =    "American Physical Society",
2685   notes =        "first si edip",
2686 }
2687
2688 @Article{bazant97,
2689   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
2690                  silicon",
2691   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
2692                  Justo",
2693   journal =      "Phys. Rev. B",
2694   volume =       "56",
2695   number =       "14",
2696   pages =        "8542--8552",
2697   numpages =     "10",
2698   year =         "1997",
2699   month =        oct,
2700   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
2701   publisher =    "American Physical Society",
2702   notes =        "second si edip",
2703 }
2704
2705 @Article{justo98,
2706   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
2707                  disordered phases",
2708   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
2709                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
2710   journal =      "Phys. Rev. B",
2711   volume =       "58",
2712   number =       "5",
2713   pages =        "2539--2550",
2714   numpages =     "11",
2715   year =         "1998",
2716   month =        aug,
2717   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
2718   publisher =    "American Physical Society",
2719   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
2720 }
2721
2722 @Article{parcas_md,
2723   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
2724   author =       "K. Nordlund",
2725   year =         "2008",
2726 }
2727
2728 @Article{voter97,
2729   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
2730                  Infrequent Events",
2731   author =       "Arthur F. Voter",
2732   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2733   volume =       "78",
2734   number =       "20",
2735   pages =        "3908--3911",
2736   numpages =     "3",
2737   year =         "1997",
2738   month =        may,
2739   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
2740   publisher =    "American Physical Society",
2741   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
2742 }
2743
2744 @Article{voter97_2,
2745   author =       "Arthur F. Voter",
2746   collaboration = "",
2747   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
2748                  simulation of infrequent events",
2749   publisher =    "AIP",
2750   year =         "1997",
2751   journal =      "J. Chem. Phys.",
2752   volume =       "106",
2753   number =       "11",
2754   pages =        "4665--4677",
2755   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
2756                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
2757                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
2758                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2759                  theory; potential energy surfaces",
2760   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2761   doi =          "10.1063/1.473503",
2762   notes =        "improved hyperdynamics md",
2763 }
2764
2765 @Article{sorensen2000,
2766   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
2767   collaboration = "",
2768   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2769                  infrequent events",
2770   publisher =    "AIP",
2771   year =         "2000",
2772   journal =      "J. Chem. Phys.",
2773   volume =       "112",
2774   number =       "21",
2775   pages =        "9599--9606",
2776   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2777                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2778   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2779   doi =          "10.1063/1.481576",
2780   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2781 }
2782
2783 @Article{voter98,
2784   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2785                  events",
2786   author =       "Arthur F. Voter",
2787   journal =      "Phys. Rev. B",
2788   volume =       "57",
2789   number =       "22",
2790   pages =        "R13985--R13988",
2791   numpages =     "3",
2792   year =         "1998",
2793   month =        jun,
2794   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2795   publisher =    "American Physical Society",
2796   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2797 }
2798
2799 @Article{wu99,
2800   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2801   collaboration = "",
2802   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2803                  simulation",
2804   publisher =    "AIP",
2805   year =         "1999",
2806   journal =      "J. Chem. Phys.",
2807   volume =       "110",
2808   number =       "19",
2809   pages =        "9401--9410",
2810   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2811                  potential; crystallisation; liquid theory",
2812   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2813   doi =          "10.1063/1.478948",
2814   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2815                  systematic motion",
2816 }
2817
2818 @Article{choudhary05,
2819   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2820   collaboration = "",
2821   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2822                  to the production of amorphous silicon",
2823   publisher =    "AIP",
2824   year =         "2005",
2825   journal =      "J. Chem. Phys.",
2826   volume =       "122",
2827   number =       "15",
2828   eid =          "154509",
2829   numpages =     "8",
2830   pages =        "154509",
2831   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2832                  amorphous semiconductors",
2833   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2834   doi =          "10.1063/1.1878733",
2835   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2836                  silicon",
2837 }
2838
2839 @Article{taylor93,
2840   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2841   collaboration = "",
2842   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2843                  difficult?",
2844   publisher =    "AIP",
2845   year =         "1993",
2846   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2847   volume =       "62",
2848   number =       "25",
2849   pages =        "3336--3338",
2850   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2851                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2852                  ENERGY",
2853   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2854   doi =          "10.1063/1.109063",
2855   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
2856                  interstitials necessary for precipitation, volume
2857                  decrease, high interface energy",
2858 }
2859
2860 @Article{chaussende08,
2861   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2862   journal =      "J. Cryst. Growth",
2863   volume =       "310",
2864   number =       "5",
2865   pages =        "976--981",
2866   year =         "2008",
2867   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2868                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2869   ISSN =         "0022-0248",
2870   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2871   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2872   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2873                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2874                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2875                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2876   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2877                  metastable",
2878 }
2879
2880 @Article{chaussende07,
2881   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
2882   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
2883   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
2884   volume =       "40",
2885   number =       "20",
2886   pages =        "6150",
2887   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
2888   year =         "2007",
2889   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
2890                  modelling",
2891 }
2892
2893 @Article{feynman39,
2894   title =        "Forces in Molecules",
2895   author =       "R. P. Feynman",
2896   journal =      "Phys. Rev.",
2897   volume =       "56",
2898   number =       "4",
2899   pages =        "340--343",
2900   numpages =     "3",
2901   year =         "1939",
2902   month =        aug,
2903   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2904   publisher =    "American Physical Society",
2905   notes =        "hellmann feynman forces",
2906 }
2907
2908 @Article{buczko00,
2909   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2910                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2911                  their Contrasting Properties",
2912   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2913                  T. Pantelides",
2914   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2915   volume =       "84",
2916   number =       "5",
2917   pages =        "943--946",
2918   numpages =     "3",
2919   year =         "2000",
2920   month =        jan,
2921   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2922   publisher =    "American Physical Society",
2923   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2924 }
2925
2926 @Article{djurabekova08,
2927   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2928                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2929   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2930   journal =      "Phys. Rev. B",
2931   volume =       "77",
2932   number =       "11",
2933   pages =        "115325",
2934   numpages =     "7",
2935   year =         "2008",
2936   month =        mar,
2937   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
2938   publisher =    "American Physical Society",
2939   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
2940                  angular distribution, coordination",
2941 }
2942
2943 @Article{wen09,
2944   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
2945                  W. Liang and J. Zou",
2946   collaboration = "",
2947   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
2948                  strain relaxation at highly lattice mismatched
2949                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
2950   publisher =    "AIP",
2951   year =         "2009",
2952   journal =      "J. Appl. Phys.",
2953   volume =       "106",
2954   number =       "7",
2955   eid =          "073522",
2956   numpages =     "8",
2957   pages =        "073522",
2958   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
2959                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
2960                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
2961                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
2962   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
2963   doi =          "10.1063/1.3234380",
2964   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
2965                  deconvolution, dislocation defects",
2966 }
2967
2968 @Article{kitabatake93,
2969   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
2970                  Hirao",
2971   collaboration = "",
2972   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
2973                  growth on Si(001) surface",
2974   publisher =    "AIP",
2975   year =         "1993",
2976   journal =      "J. Appl. Phys.",
2977   volume =       "74",
2978   number =       "7",
2979   pages =        "4438--4445",
2980   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2981                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2982                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2983   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2984   doi =          "10.1063/1.354385",
2985   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2986                  model, interface",
2987 }
2988
2989 @Article{kitabatake97,
2990   author =       "Makoto Kitabatake",
2991   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
2992                  Heteroepitaxial Growth",
2993   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2994   year =         "1997",
2995   journal =      "physica status solidi (b)",
2996   volume =       "202",
2997   pages =        "405--420",
2998   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
2999   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3000   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
3001 }
3002
3003 @Article{chirita97,
3004   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
3005                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
3006                  dynamics study",
3007   journal =      "Thin Solid Films",
3008   volume =       "294",
3009   number =       "1-2",
3010   pages =        "47--49",
3011   year =         "1997",
3012   note =         "",
3013   ISSN =         "0040-6090",
3014   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
3015   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
3016   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
3017   keywords =     "Strain relaxation",
3018   keywords =     "Interfaces",
3019   keywords =     "Thermal stability",
3020   keywords =     "Molecular dynamics",
3021   notes =        "tersoff sic/si interface study",
3022 }
3023
3024 @Article{cicero02,
3025   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
3026                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
3027   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
3028                  Catellani",
3029   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3030   volume =       "89",
3031   number =       "15",
3032   pages =        "156101",
3033   numpages =     "4",
3034   year =         "2002",
3035   month =        sep,
3036   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
3037   publisher =    "American Physical Society",
3038   notes =        "sic/si interface study",
3039 }
3040
3041 @Article{pizzagalli03,
3042   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
3043                  interface: Si{C}/Si(001)",
3044   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
3045                  Catellani",
3046   journal =      "Phys. Rev. B",
3047   volume =       "68",
3048   number =       "19",
3049   pages =        "195302",
3050   numpages =     "10",
3051   year =         "2003",
3052   month =        nov,
3053   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
3054   publisher =    "American Physical Society",
3055   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
3056 }
3057
3058 @Article{tang07,
3059   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
3060                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
3061                  electron microscopy",
3062   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
3063                  H. Zheng and J. W. Liang",
3064   journal =      "Phys. Rev. B",
3065   volume =       "75",
3066   number =       "18",
3067   pages =        "184103",
3068   numpages =     "7",
3069   year =         "2007",
3070   month =        may,
3071   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
3072   publisher =    "American Physical Society",
3073   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
3074                  si and c",
3075 }
3076
3077 @Article{hornstra58,
3078   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
3079   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
3080   volume =       "5",
3081   number =       "1-2",
3082   pages =        "129--141",
3083   year =         "1958",
3084   note =         "",
3085   ISSN =         "0022-3697",
3086   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
3087   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
3088   author =       "J. Hornstra",
3089   notes =        "dislocations in diamond lattice",
3090 }
3091
3092 @Article{deguchi92,
3093   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
3094                  Ion `Hot' Implantation",
3095   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
3096                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
3097   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3098   volume =       "31",
3099   number =       "Part 1, No. 2A",
3100   pages =        "343--347",
3101   numpages =     "4",
3102   year =         "1992",
3103   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
3104   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
3105   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3106   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
3107                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
3108 }
3109
3110 @Article{eichhorn99,
3111   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
3112                  K{\"{o}}gler",
3113   collaboration = "",
3114   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
3115                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
3116                  synchrotron x-ray diffraction",
3117   publisher =    "AIP",
3118   year =         "1999",
3119   journal =      "J. Appl. Phys.",
3120   volume =       "86",
3121   number =       "8",
3122   pages =        "4184--4187",
3123   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
3124                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
3125                  precipitation; semiconductor doping",
3126   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
3127   doi =          "10.1063/1.371344",
3128   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
3129                  expansion of si lattice",
3130 }
3131
3132 @Article{eichhorn02,
3133   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
3134                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
3135   collaboration = "",
3136   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
3137                  carbon ion implantation",
3138   publisher =    "AIP",
3139   year =         "2002",
3140   journal =      "J. Appl. Phys.",
3141   volume =       "91",
3142   number =       "3",
3143   pages =        "1287--1292",
3144   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
3145                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
3146                  electron microscopy",
3147   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
3148   doi =          "10.1063/1.1428105",
3149   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
3150                  temperature, might explain c into c sub trafo",
3151 }
3152
3153 @Article{lucas10,
3154   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
3155   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
3156                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
3157                  high-pressure phases, point and extended defects, and
3158                  amorphous structures",
3159   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3160   volume =       "22",
3161   number =       "3",
3162   pages =        "035802",
3163   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
3164   year =         "2010",
3165   notes =        "edip sic",
3166 }
3167
3168 @Article{godet03,
3169   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
3170                  Beauchamp",
3171   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
3172                  methods for silicon under large shear",
3173   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3174   volume =       "15",
3175   number =       "41",
3176   pages =        "6943",
3177   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
3178   year =         "2003",
3179   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
3180                  edip, tersoff, ab initio",
3181 }
3182
3183 @Article{moriguchi98,
3184   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
3185                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
3186   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
3187   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3188   volume =       "37",
3189   number =       "Part 1, No. 2",
3190   pages =        "414--422",
3191   numpages =     "8",
3192   year =         "1998",
3193   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
3194   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
3195   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3196   notes =        "tersoff stringent test",
3197 }
3198
3199 @Article{mazzarolo01,
3200   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
3201                  simulations",
3202   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
3203                  Lulli and Eros Albertazzi",
3204   journal =      "Phys. Rev. B",
3205   volume =       "63",
3206   number =       "19",
3207   pages =        "195207",
3208   numpages =     "4",
3209   year =         "2001",
3210   month =        apr,
3211   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
3212   publisher =    "American Physical Society",
3213 }
3214
3215 @Article{holmstroem08,
3216   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
3217                  density functional theory molecular dynamics
3218                  simulations",
3219   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
3220   journal =      "Phys. Rev. B",
3221   volume =       "78",
3222   number =       "4",
3223   pages =        "045202",
3224   numpages =     "6",
3225   year =         "2008",
3226   month =        jul,
3227   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
3228   publisher =    "American Physical Society",
3229   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
3230                  initio",
3231 }
3232
3233 @Article{nordlund97,
3234   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
3235                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
3236   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3237   volume =       "132",
3238   number =       "1",
3239   pages =        "45--54",
3240   year =         "1997",
3241   note =         "",
3242   ISSN =         "0168-583X",
3243   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
3244   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
3245   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
3246   notes =        "repulsive ab initio potential",
3247 }
3248
3249 @Article{kresse96,
3250   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
3251                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
3252                  set",
3253   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3254   volume =       "6",
3255   number =       "1",
3256   pages =        "15--50",
3257   year =         "1996",
3258   note =         "",
3259   ISSN =         "0927-0256",
3260   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
3261   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
3262   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
3263   notes =        "vasp ref",
3264 }
3265
3266 @Article{bloechl94,
3267   title =        "Projector augmented-wave method",
3268   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
3269   journal =      "Phys. Rev. B",
3270   volume =       "50",
3271   number =       "24",
3272   pages =        "17953--17979",
3273   numpages =     "26",
3274   year =         "1994",
3275   month =        dec,
3276   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
3277   publisher =    "American Physical Society",
3278   notes =        "paw method",
3279 }
3280
3281 @Article{hamann79,
3282   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
3283   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
3284   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3285   volume =       "43",
3286   number =       "20",
3287   pages =        "1494--1497",
3288   numpages =     "3",
3289   year =         "1979",
3290   month =        nov,
3291   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
3292   publisher =    "American Physical Society",
3293   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
3294 }
3295
3296 @Article{vanderbilt90,
3297   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
3298                  eigenvalue formalism",
3299   author =       "David Vanderbilt",
3300   journal =      "Phys. Rev. B",
3301   volume =       "41",
3302   number =       "11",
3303   pages =        "7892--7895",
3304   numpages =     "3",
3305   year =         "1990",
3306   month =        apr,
3307   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
3308   publisher =    "American Physical Society",
3309   notes =        "vasp pseudopotentials",
3310 }
3311
3312 @Article{perdew86,
3313   title =        "Accurate and simple density functional for the
3314                  electronic exchange energy: Generalized gradient
3315                  approximation",
3316   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
3317   journal =      "Phys. Rev. B",
3318   volume =       "33",
3319   number =       "12",
3320   pages =        "8800--8802",
3321   numpages =     "2",
3322   year =         "1986",
3323   month =        jun,
3324   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
3325   publisher =    "American Physical Society",
3326   notes =        "rapid communication gga",
3327 }
3328
3329 @Article{perdew02,
3330   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
3331                  correlation: {A} look backward and forward",
3332   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
3333   volume =       "172",
3334   number =       "1-2",
3335   pages =        "1--6",
3336   year =         "1991",
3337   note =         "",
3338   ISSN =         "0921-4526",
3339   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
3340   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
3341   author =       "John P. Perdew",
3342   notes =        "gga overview",
3343 }
3344
3345 @Article{perdew92,
3346   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
3347                  of the generalized gradient approximation for exchange
3348                  and correlation",
3349   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
3350                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
3351                  and Carlos Fiolhais",
3352   journal =      "Phys. Rev. B",
3353   volume =       "46",
3354   number =       "11",
3355   pages =        "6671--6687",
3356   numpages =     "16",
3357   year =         "1992",
3358   month =        sep,
3359   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
3360   publisher =    "American Physical Society",
3361   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
3362 }
3363
3364 @Article{baldereschi73,
3365   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
3366   author =       "A. Baldereschi",
3367   journal =      "Phys. Rev. B",
3368   volume =       "7",
3369   number =       "12",
3370   pages =        "5212--5215",
3371   numpages =     "3",
3372   year =         "1973",
3373   month =        jun,
3374   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
3375   publisher =    "American Physical Society",
3376   notes =        "mean value k point",
3377 }
3378
3379 @Article{zhu98,
3380   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
3381                  diffusion in Si",
3382   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3383   volume =       "12",
3384   number =       "4",
3385   pages =        "309--318",
3386   year =         "1998",
3387   note =         "",
3388   ISSN =         "0927-0256",
3389   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
3390   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
3391   author =       "Jing Zhu",
3392   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
3393   keywords =     "Boron dopant",
3394   keywords =     "Carbon dopant",
3395   keywords =     "Defect",
3396   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
3397   keywords =     "Impurity cluster",
3398   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
3399 }
3400
3401 @Article{nejim95,
3402   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
3403   collaboration = "",
3404   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
3405                  950 [degree]{C}",
3406   publisher =    "AIP",
3407   year =         "1995",
3408   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3409   volume =       "66",
3410   number =       "20",
3411   pages =        "2646--2648",
3412   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
3413                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
3414                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
3415                  ELECTRON MICROSCOPY",
3416   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
3417   doi =          "10.1063/1.113112",
3418   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
3419                  self interstitials react with further implanted c",
3420 }
3421
3422 @Article{guedj98,
3423   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
3424                  Kolodzey and A. Hairie",
3425   collaboration = "",
3426   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3427                  alloys",
3428   publisher =    "AIP",
3429   year =         "1998",
3430   journal =      "J. Appl. Phys.",
3431   volume =       "84",
3432   number =       "8",
3433   pages =        "4631--4633",
3434   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
3435                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
3436                  Fourier transform spectra; thermal stability;
3437                  annealing",
3438   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
3439   doi =          "10.1063/1.368703",
3440   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
3441 }
3442
3443 @Article{jones04,
3444   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
3445   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
3446                  semiconductors",
3447   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3448   volume =       "16",
3449   number =       "27",
3450   pages =        "S2643",
3451   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
3452   year =         "2004",
3453   notes =        "ab inito dft intro, vibrational modes, c defect in
3454                  si",
3455 }
3456
3457 @Article{park02,
3458   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
3459                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
3460                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
3461   collaboration = "",
3462   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
3463                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
3464                  molecular-beam epitaxy",
3465   publisher =    "AIP",
3466   year =         "2002",
3467   journal =      "J. Appl. Phys.",
3468   volume =       "91",
3469   number =       "9",
3470   pages =        "5716--5727",
3471   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
3472   doi =          "10.1063/1.1465122",
3473   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
3474 }
3475
3476 @Article{leary97,
3477   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
3478                  carbon-carbon pair defects in silicon",
3479   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
3480                  Torres",
3481   journal =      "Phys. Rev. B",
3482   volume =       "55",
3483   number =       "4",
3484   pages =        "2188--2194",
3485   numpages =     "6",
3486   year =         "1997",
3487   month =        jan,
3488   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
3489   publisher =    "American Physical Society",
3490   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
3491                  energies, different migration barriers and paths",
3492 }
3493
3494 @Article{burnard93,
3495   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
3496                  silicon: Semiempirical electronic-structure
3497                  calculations",
3498   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
3499   journal =      "Phys. Rev. B",
3500   volume =       "47",
3501   number =       "16",
3502   pages =        "10217--10225",
3503   numpages =     "8",
3504   year =         "1993",
3505   month =        apr,
3506   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
3507   publisher =    "American Physical Society",
3508   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
3509                  carbon defect, formation energies",
3510 }
3511
3512 @Article{besson91,
3513   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
3514                  silicon",
3515   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
3516   journal =      "Phys. Rev. B",
3517   volume =       "43",
3518   number =       "5",
3519   pages =        "4028--4033",
3520   numpages =     "5",
3521   year =         "1991",
3522   month =        feb,
3523   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
3524   publisher =    "American Physical Society",
3525 }
3526
3527 @Article{kaxiras96,
3528   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
3529                  and growth on semiconductors",
3530   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3531   volume =       "6",
3532   number =       "2",
3533   pages =        "158--172",
3534   year =         "1996",
3535   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
3536                  Epitaxy",
3537   ISSN =         "0927-0256",
3538   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
3539   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
3540   author =       "Efthimios Kaxiras",
3541   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
3542                  tight binding, first principles",
3543 }
3544
3545 @Article{kaukonen98,
3546   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
3547                  diamond
3548                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
3549                  surfaces",
3550   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
3551                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
3552                  Th. Frauenheim",
3553   journal =      "Phys. Rev. B",
3554   volume =       "57",
3555   number =       "16",
3556   pages =        "9965--9970",
3557   numpages =     "5",
3558   year =         "1998",
3559   month =        apr,
3560   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
3561   publisher =    "American Physical Society",
3562   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
3563                  (crt)",
3564 }
3565
3566 @Article{gali03,
3567   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
3568                  center in Si{C}",
3569   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
3570                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
3571                  W. J. Choyke",
3572   journal =      "Phys. Rev. B",
3573   volume =       "67",
3574   number =       "15",
3575   pages =        "155203",
3576   numpages =     "5",
3577   year =         "2003",
3578   month =        apr,
3579   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
3580   publisher =    "American Physical Society",
3581 }
3582
3583 @Article{chen98,
3584   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
3585                  irradiation and deformation",
3586   journal =      "J. Nucl. Mater.",
3587   volume =       "258-263",
3588   number =       "Part 2",
3589   pages =        "1803--1808",
3590   year =         "1998",
3591   note =         "",
3592   ISSN =         "0022-3115",
3593   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
3594   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
3595   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
3596 }
3597
3598 @Article{weber01,
3599   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
3600                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
3601   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3602   volume =       "175-177",
3603   number =       "",
3604   pages =        "26--30",
3605   year =         "2001",
3606   note =         "",
3607   ISSN =         "0168-583X",
3608   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
3609   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
3610   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
3611 }
3612
3613 @Article{bockstedte03,
3614   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
3615                  in $3{C}-Si{C}$",
3616   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
3617                  Pankratov",
3618   journal =      "Phys. Rev. B",
3619   volume =       "68",
3620   number =       "20",
3621   pages =        "205201",
3622   numpages =     "17",
3623   year =         "2003",
3624   month =        nov,
3625   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
3626   publisher =    "American Physical Society",
3627   notes =        "defect migration in sic",
3628 }
3629
3630 @Article{rauls03a,
3631   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
3632                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
3633   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
3634                  De\'ak",
3635   journal =      "Phys. Rev. B",
3636   volume =       "68",
3637   number =       "15",
3638   pages =        "155208",
3639   numpages =     "9",
3640   year =         "2003",
3641   month =        oct,
3642   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
3643   publisher =    "American Physical Society",
3644 }
3645
3646 @Article{losev27,
3647   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
3648   volume =       "44",
3649   pages =        "485--494",
3650   year =         "1927",
3651   author =       "O. V. Lossev",
3652 }
3653
3654 @Article{losev28,
3655   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
3656                  oscillations with crystals",
3657   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
3658   volume =       "6",
3659   number =       "39",
3660   pages =        "1024--1044",
3661   year =         "1928",
3662   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
3663   author =       "O. V. Lossev",
3664 }
3665
3666 @Article{losev29,
3667   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3668   volume =       "30",
3669   pages =        "920--923",
3670   year =         "1929",
3671   author =       "O. V. Lossev",
3672 }
3673
3674 @Article{losev31,
3675   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3676   volume =       "32",
3677   pages =        "692--696",
3678   year =         "1931",
3679   author =       "O. V. Lossev",
3680 }
3681
3682 @Article{losev33,
3683   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3684   volume =       "34",
3685   pages =        "397--403",
3686   year =         "1933",
3687   author =       "O. V. Lossev",
3688 }
3689
3690 @Article{round07,
3691   title =        "A note on carborundum",
3692   journal =      "Electrical World",
3693   volume =       "49",
3694   pages =        "308",
3695   year =         "1907",
3696   author =       "H. J. Round",
3697 }
3698
3699 @Article{vashishath08,
3700   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
3701   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
3702   volume =       "2",
3703   number =       "03",
3704   pages =        "444--470",
3705   year =         "2008",
3706   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
3707   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
3708   notes =        "sic polytype electronic properties",
3709 }
3710
3711 @Article{nelson69,
3712   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
3713   collaboration = "",
3714   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
3715   publisher =    "AIP",
3716   year =         "1966",
3717   journal =      "Journal of Applied Physics",
3718   volume =       "37",
3719   number =       "1",
3720   pages =        "333--336",
3721   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
3722   doi =          "10.1063/1.1707837",
3723   notes =        "sic melt growth",
3724 }
3725
3726 @Article{arkel25,
3727   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
3728   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
3729                  und Thoriummetall",
3730   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
3731   year =         "1925",
3732   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3733   volume =       "148",
3734   pages =        "345--350",
3735   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
3736   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
3737   notes =        "van arkel apparatus",
3738 }
3739
3740 @Article{moers31,
3741   author =       "K. Moers",
3742   year =         "1931",
3743   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3744   volume =       "198",
3745   pages =        "293",
3746   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3747                  process",
3748 }
3749
3750 @Article{kendall53,
3751   author =       "J. T. Kendall",
3752   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
3753   publisher =    "AIP",
3754   year =         "1953",
3755   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
3756   volume =       "21",
3757   number =       "5",
3758   pages =        "821--827",
3759   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
3760   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3761                  process",
3762 }
3763
3764 @Article{lely55,
3765   author =       "J. A. Lely",
3766   year =         "1955",
3767   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
3768   volume =       "32",
3769   pages =        "229",
3770   notes =        "lely sublimation growth process",
3771 }
3772
3773 @Article{knippenberg63,
3774   author =       "W. F. Knippenberg",
3775   year =         "1963",
3776   journal =      "Philips Res. Repts.",
3777   volume =       "18",
3778   pages =        "161",
3779   notes =        "acheson process",
3780 }
3781
3782 @Article{hoffmann82,
3783   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
3784                  Weyrich",
3785   collaboration = "",
3786   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
3787                  improved external quantum efficiency",
3788   publisher =    "AIP",
3789   year =         "1982",
3790   journal =      "Journal of Applied Physics",
3791   volume =       "53",
3792   number =       "10",
3793   pages =        "6962--6967",
3794   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
3795                  efficiency; visible radiation; experimental data;
3796                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
3797                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
3798                  electroluminescence; spectra; current density;
3799                  optimization",
3800   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
3801   doi =          "10.1063/1.330041",
3802   notes =        "blue led, sublimation process",
3803 }
3804
3805 @Article{neudeck95,
3806   author =       "Philip Neudeck",
3807   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
3808                  Road 44135 Cleveland OH",
3809   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
3810                  technology",
3811   journal =      "Journal of Electronic Materials",
3812   publisher =    "Springer Boston",
3813   ISSN =         "0361-5235",
3814   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
3815   pages =        "283--288",
3816   volume =       "24",
3817   issue =        "4",
3818   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
3819   note =         "10.1007/BF02659688",
3820   year =         "1995",
3821   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
3822 }
3823
3824 @Article{bhatnagar93,
3825   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
3826   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3827   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
3828                  devices",
3829   year =         "1993",
3830   month =        mar,
3831   volume =       "40",
3832   number =       "3",
3833   pages =        "645--655",
3834   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
3835                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
3836                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
3837                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
3838                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
3839                  solids;insulated gate field effect transistors;power
3840                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
3841                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
3842   doi =          "10.1109/16.199372",
3843   ISSN =         "0018-9383",
3844   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
3845 }
3846
3847 @Article{neudeck94,
3848   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
3849                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
3850   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3851   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
3852                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
3853                  6{H}-Si{C} substrates",
3854   year =         "1994",
3855   month =        may,
3856   volume =       "41",
3857   number =       "5",
3858   pages =        "826--835",
3859   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
3860                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
3861                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
3862                  properties;epitaxial layers;light
3863                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
3864                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
3865                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
3866                  currents;power electronics;semiconductor
3867                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
3868                  growth;semiconductor materials;silicon
3869                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
3870                  phase epitaxial growth;",
3871   doi =          "10.1109/16.285038",
3872   ISSN =         "0018-9383",
3873   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
3874                  substrate",
3875 }
3876
3877 @Article{schulze98,
3878   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
3879   collaboration = "",
3880   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
3881                  single crystals by physical vapor transport",
3882   publisher =    "AIP",
3883   year =         "1998",
3884   journal =      "Applied Physics Letters",
3885   volume =       "72",
3886   number =       "13",
3887   pages =        "1632--1634",
3888   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
3889                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
3890                  photoluminescence; Hall mobility",
3891   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
3892   doi =          "10.1063/1.121136",
3893   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
3894 }
3895
3896 @Article{pirouz87,
3897   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
3898   collaboration = "",
3899   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
3900   publisher =    "AIP",
3901   year =         "1987",
3902   journal =      "Applied Physics Letters",
3903   volume =       "50",
3904   number =       "4",
3905   pages =        "221--223",
3906   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
3907                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
3908                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
3909                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
3910                  BOUNDARIES",
3911   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
3912   doi =          "10.1063/1.97667",
3913   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
3914 }
3915
3916 @Article{shibahara86,
3917   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
3918                  Si(100) by chemical vapor deposition",
3919   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3920   volume =       "78",
3921   number =       "3",
3922   pages =        "538--544",
3923   year =         "1986",
3924   note =         "",
3925   ISSN =         "0022-0248",
3926   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
3927   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
3928   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
3929                  Matsunami",
3930   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
3931 }
3932
3933 @Article{desjardins96,
3934   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
3935   collaboration = "",
3936   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
3937   publisher =    "AIP",
3938   year =         "1996",
3939   journal =      "Journal of Applied Physics",
3940   volume =       "79",
3941   number =       "3",
3942   pages =        "1423--1434",
3943   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
3944                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
3945   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
3946   doi =          "10.1063/1.360980",
3947   notes =        "apb model",
3948 }
3949
3950 @Article{henke95,
3951   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
3952   collaboration = "",
3953   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
3954                  carbonization of silicon",
3955   publisher =    "AIP",
3956   year =         "1995",
3957   journal =      "Journal of Applied Physics",
3958   volume =       "78",
3959   number =       "3",
3960   pages =        "2070--2073",
3961   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
3962                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
3963                  STRUCTURE",
3964   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
3965   doi =          "10.1063/1.360184",
3966   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
3967 }
3968
3969 @Article{fuyuki89,
3970   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
3971                  {MBE} using surface superstructure",
3972   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3973   volume =       "95",
3974   number =       "1-4",
3975   pages =        "461--463",
3976   year =         "1989",
3977   note =         "",
3978   ISSN =         "0022-0248",
3979   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
3980   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
3981   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
3982                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
3983   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
3984 }
3985
3986 @Article{yoshinobu92,
3987   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
3988                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
3989   collaboration = "",
3990   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
3991                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
3992                  molecular beam epitaxy",
3993   publisher =    "AIP",
3994   year =         "1992",
3995   journal =      "Applied Physics Letters",
3996   volume =       "60",
3997   number =       "7",
3998   pages =        "824--826",
3999   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
4000                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
4001                  INTERFACE STRUCTURE",
4002   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
4003   doi =          "10.1063/1.107430",
4004   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4005 }
4006
4007 @Article{yoshinobu90,
4008   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
4009                  cubic Si{C}",
4010   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4011   volume =       "99",
4012   number =       "1-4",
4013   pages =        "520--524",
4014   year =         "1990",
4015   note =         "",
4016   ISSN =         "0022-0248",
4017   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
4018   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
4019   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
4020                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4021   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
4022 }
4023
4024 @Article{fuyuki93,
4025   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
4026                  superstructures in Si{C}",
4027   journal =      "Thin Solid Films",
4028   volume =       "225",
4029   number =       "1-2",
4030   pages =        "225--229",
4031   year =         "1993",
4032   note =         "",
4033   ISSN =         "0040-6090",
4034   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
4035   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
4036   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
4037                  Matsunami",
4038   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4039                  epitaxy, ale",
4040 }
4041
4042 @Article{hara93,
4043   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
4044                  growth of [beta]-Si{C}",
4045   journal =      "Thin Solid Films",
4046   volume =       "225",
4047   number =       "1-2",
4048   pages =        "240--243",
4049   year =         "1993",
4050   note =         "",
4051   ISSN =         "0040-6090",
4052   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
4053   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
4054   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
4055                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
4056   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4057                  epitaxy, ale",
4058 }
4059
4060 @Article{tanaka94,
4061   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
4062   collaboration = "",
4063   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
4064                  growth mode and polytype formation during gas-source
4065                  molecular beam epitaxy",
4066   publisher =    "AIP",
4067   year =         "1994",
4068   journal =      "Applied Physics Letters",
4069   volume =       "65",
4070   number =       "22",
4071   pages =        "2851--2853",
4072   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
4073                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
4074                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
4075                  FLOW; FLOW RATE",
4076   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
4077   doi =          "10.1063/1.112513",
4078   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
4079 }
4080
4081 @Article{fuyuki97,
4082   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
4083   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
4084                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
4085   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
4086   year =         "1997",
4087   journal =      "physica status solidi (b)",
4088   volume =       "202",
4089   pages =        "359--378",
4090   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
4091                  temperatures 750",
4092 }
4093
4094 @Article{takaoka98,
4095   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
4096   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4097   volume =       "183",
4098   number =       "1-2",
4099   pages =        "175--182",
4100   year =         "1998",
4101   note =         "",
4102   ISSN =         "0022-0248",
4103   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
4104   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
4105   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
4106   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
4107   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
4108   keywords =     "Silicon carbide",
4109   keywords =     "Silicon",
4110   keywords =     "Island growth",
4111   notes =        "lower temperature, 550-700",
4112 }
4113
4114 @Article{hatayama95,
4115   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
4116                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
4117                  molecular beam epitaxy",
4118   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4119   volume =       "150",
4120   number =       "Part 2",
4121   pages =        "934--938",
4122   year =         "1995",
4123   note =         "",
4124   ISSN =         "0022-0248",
4125   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
4126   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
4127   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
4128                  and Hiroyuki Matsunami",
4129 }
4130
4131 @Article{heine91,
4132   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
4133   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
4134                  Metastable Cubic Form",
4135   journal =      "Journal of the American Ceramic Society",
4136   volume =       "74",
4137   number =       "10",
4138   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
4139   ISSN =         "1551-2916",
4140   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4141   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4142   pages =        "2630--2633",
4143   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
4144                  calculations, stability",
4145   year =         "1991",
4146   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
4147                  polytype dft calculation refs",
4148 }
4149
4150 @Article{allendorf91,
4151   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
4152                  [beta]-silicon carbide",
4153   journal =      "Surface Science",
4154   volume =       "258",
4155   number =       "1-3",
4156   pages =        "177--189",
4157   year =         "1991",
4158   note =         "",
4159   ISSN =         "0039-6028",
4160   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
4161   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
4162   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
4163   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
4164 }
4165
4166 @Article{eaglesham93,
4167   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
4168                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
4169   collaboration = "",
4170   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
4171   publisher =    "AIP",
4172   year =         "1993",
4173   journal =      "Journal of Applied Physics",
4174   volume =       "74",
4175   number =       "11",
4176   pages =        "6615--6618",
4177   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
4178                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
4179                  DIFFUSION; ADSORPTION",
4180   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
4181   doi =          "10.1063/1.355101",
4182   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
4183                  mobility",
4184 }
4185
4186 @Article{newman85,
4187   author =       "Ronald C. Newman",
4188   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
4189   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4190   volume =       "59",
4191   number =       "",
4192   pages =        "403",
4193   year =         "1985",
4194   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
4195   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
4196   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
4197 }
4198
4199 @Article{newman61,
4200   title =        "The diffusivity of carbon in silicon",
4201   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
4202   volume =       "19",
4203   number =       "3-4",
4204   pages =        "230--234",
4205   year =         "1961",
4206   note =         "",
4207   ISSN =         "0022-3697",
4208   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(61)90032-4",
4209   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46M72R1-4D/2/9235472e4c0a95bf7b995769474f5fbd",
4210   author =       "R. C. Newman and J. Wakefield",
4211   notes =        "diffusivity of substitutional c in si",
4212 }
4213
4214 @Article{goesele85,
4215   author =       "U. Gösele",
4216   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
4217   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4218   volume =       "59",
4219   number =       "",
4220   pages =        "419",
4221   year =         "1985",
4222   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
4223   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
4224   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
4225 }
4226
4227 @Article{puska98,
4228   title =        "Convergence of supercell calculations for point
4229                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
4230   author =       "M. J. Puska and S. P{\"o}ykk{\"o} and M. Pesola and R.
4231                  M. Nieminen",
4232   journal =      "Phys. Rev. B",
4233   volume =       "58",
4234   number =       "3",
4235   pages =        "1318--1325",
4236   numpages =     "7",
4237   year =         "1998",
4238   month =        jul,
4239   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.1318",
4240   publisher =    "American Physical Society",
4241   notes =        "convergence k point supercell size, vacancy in
4242                  silicon",
4243 }
4244
4245 @Article{serre95,
4246   author =       "C. Serre and A. P\'{e}rez-Rodr\'{\i}guez and A.
4247                  Romano-Rodr\'{\i}guez and J. R. Morante and R.
4248                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
4249   collaboration = "",
4250   title =        "Spectroscopic characterization of phases formed by
4251                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
4252   publisher =    "AIP",
4253   year =         "1995",
4254   journal =      "Journal of Applied Physics",
4255   volume =       "77",
4256   number =       "7",
4257   pages =        "2978--2984",
4258   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; PHASE STUDIES; CARBON IONS;
4259                  FOURIER TRANSFORM SPECTROSCOPY; RAMAN SPECTRA;
4260                  PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; TEM; TEMPERATURE
4261                  DEPENDENCE; PRECIPITATES; ANNEALING",
4262   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
4263   doi =          "10.1063/1.358714",
4264 }