bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{newman65,
  44   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "26",
  47   number =       "2",
  48   pages =        "373--379",
  49   year =         "1965",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
  54   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
  55   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
  56 }
  57
  58 @Article{baker68,
  59   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
  60                  Buschert",
  61   collaboration = "",
  62   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
  63   publisher =    "AIP",
  64   year =         "1968",
  65   journal =      "Journal of Applied Physics",
  66   volume =       "39",
  67   number =       "9",
  68   pages =        "4365--4368",
  69   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
  70   doi =          "10.1063/1.1656977",
  71   notes =        "lattice contraction due to subst c",
  72 }
  73
  74 @Article{bean71,
  75   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  76   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  77   volume =       "32",
  78   number =       "6",
  79   pages =        "1211--1219",
  80   year =         "1971",
  81   note =         "",
  82   ISSN =         "0022-3697",
  83   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  84   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  85   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  86   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  87 }
  88
  89 @Article{capano97,
  90   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  91   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  92   journal =      "MRS Bull.",
  93   volume =       "22",
  94   pages =        "19",
  95   year =         "1997",
  96 }
  97
  98 @Article{fischer90,
  99   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
 100   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
 101                  carbide",
 102   journal =      "Philos. Mag. B",
 103   volume =       "61",
 104   pages =        "217--236",
 105   year =         "1990",
 106   notes =        "sic polytypes",
 107 }
 108
 109 @Article{koegler03,
 110   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
 111                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
 112                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
 113   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
 114                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
 115                  ions",
 116   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
 117   volume =       "76",
 118   pages =        "827--835",
 119   month =        mar,
 120   year =         "2003",
 121   URL =          "http://www.springerlink.com/content/jr8xj33mqc5vpwwj/",
 122   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
 123                  precipitation by interstitial and substitutional
 124                  carbon, both mechanisms explained + refs",
 125 }
 126
 127 @Article{skorupa96,
 128   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
 129                  silicon-related materials",
 130   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
 131   volume =       "44",
 132   number =       "2",
 133   pages =        "101--143",
 134   year =         "1996",
 135   note =         "",
 136   ISSN =         "0254-0584",
 137   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 138   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 139   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 140   notes =        "review of silicon carbon compound",
 141 }
 142
 143 @Book{laplace,
 144   author =       "P. S. de Laplace",
 145   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 146   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 147   volume =       "VII",
 148   publisher =    "Gauthier-Villars",
 149   year =         "1820",
 150 }
 151
 152 @Article{mattoni2007,
 153   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 154   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 155                  materials}",
 156   journal =      "Phys. Rev. B",
 157   year =         "2007",
 158   month =        dec,
 159   volume =       "76",
 160   number =       "22",
 161   pages =        "224103",
 162   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 163   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 164                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 165                  fracture, more available potentials, universal energy
 166                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 167 }
 168
 169 @Article{balamane92,
 170   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 171                  potentials",
 172   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 173   journal =      "Phys. Rev. B",
 174   volume =       "46",
 175   number =       "4",
 176   pages =        "2250--2279",
 177   numpages =     "29",
 178   year =         "1992",
 179   month =        jul,
 180   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 181   publisher =    "American Physical Society",
 182   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 183 }
 184
 185 @Article{koster2002,
 186   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 187                  bombardment",
 188   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 189   journal =      "Phys. Rev. B",
 190   volume =       "62",
 191   number =       "16",
 192   pages =        "11219--11224",
 193   numpages =     "5",
 194   year =         "2000",
 195   month =        oct,
 196   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 197   publisher =    "American Physical Society",
 198   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 199 }
 200
 201 @Article{breadmore99,
 202   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 203                  amorphization of silicon",
 204   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 205   journal =      "Phys. Rev. B",
 206   volume =       "60",
 207   number =       "18",
 208   pages =        "12610--12616",
 209   numpages =     "6",
 210   year =         "1999",
 211   month =        nov,
 212   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 213   publisher =    "American Physical Society",
 214   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 215 }
 216
 217 @Article{nielsen83,
 218   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 219   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 220   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 221   volume =       "50",
 222   number =       "9",
 223   pages =        "697--700",
 224   numpages =     "3",
 225   year =         "1983",
 226   month =        feb,
 227   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 228   publisher =    "American Physical Society",
 229   notes =        "generalization of virial theorem",
 230 }
 231
 232 @Article{nielsen85,
 233   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 234   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 235   journal =      "Phys. Rev. B",
 236   volume =       "32",
 237   number =       "6",
 238   pages =        "3780--3791",
 239   numpages =     "11",
 240   year =         "1985",
 241   month =        sep,
 242   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 243   publisher =    "American Physical Society",
 244   notes =        "dft virial stress and forces",
 245 }
 246
 247 @Article{moissan04,
 248   author =       "Henri Moissan",
 249   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 250                  Diablo",
 251   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 252   volume =       "139",
 253   pages =        "773--786",
 254   year =         "1904",
 255 }
 256
 257 @Book{park98,
 258   author =       "Y. S. Park",
 259   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 260   publisher =    "Academic Press",
 261   address =      "San Diego",
 262   year =         "1998",
 263 }
 264
 265 @Article{tsvetkov98,
 266   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 267                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 268   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 269   journal =      "Materials Science Forum",
 270   volume =       "264-268",
 271   pages =        "3--8",
 272   year =         "1998",
 273   notes =        "modified lely process, micropipes",
 274 }
 275
 276 @Article{verlet67,
 277   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 278                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 279   author =       "Loup Verlet",
 280   journal =      "Phys. Rev.",
 281   volume =       "159",
 282   number =       "1",
 283   pages =        "98",
 284   year =         "1967",
 285   month =        jul,
 286   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 287   publisher =    "American Physical Society",
 288   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 289                  motion",
 290 }
 291
 292 @Article{berendsen84,
 293   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 294                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 295   collaboration = "",
 296   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 297   publisher =    "AIP",
 298   year =         "1984",
 299   journal =      "J. Chem. Phys.",
 300   volume =       "81",
 301   number =       "8",
 302   pages =        "3684--3690",
 303   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 304                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 305   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 306   doi =          "10.1063/1.448118",
 307   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 308 }
 309
 310 @Article{huang95,
 311   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 312                  Baskes",
 313   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 314                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 315                  potentials",
 316   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 317   volume =       "3",
 318   number =       "5",
 319   pages =        "615--627",
 320   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 321   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 322                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 323   year =         "1995",
 324 }
 325
 326 @Article{brenner89,
 327   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 328                  Tersoff potentials",
 329   author =       "Donald W. Brenner",
 330   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 331   volume =       "63",
 332   number =       "9",
 333   pages =        "1022",
 334   numpages =     "1",
 335   year =         "1989",
 336   month =        aug,
 337   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 338   publisher =    "American Physical Society",
 339   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 340 }
 341
 342 @Article{batra87,
 343   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 344                  silicon",
 345   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 346   journal =      "Phys. Rev. B",
 347   volume =       "35",
 348   number =       "18",
 349   pages =        "9552--9558",
 350   numpages =     "6",
 351   year =         "1987",
 352   month =        jun,
 353   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 354   publisher =    "American Physical Society",
 355   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 356                  calculation of defect formation energy, defect
 357                  interstitial types",
 358 }
 359
 360 @Article{schober89,
 361   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 362   author =       "H. R. Schober",
 363   journal =      "Phys. Rev. B",
 364   volume =       "39",
 365   number =       "17",
 366   pages =        "13013--13015",
 367   numpages =     "2",
 368   year =         "1989",
 369   month =        jun,
 370   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 371   publisher =    "American Physical Society",
 372   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 373                  dumbbell configuration",
 374 }
 375
 376 @Article{gao02a,
 377   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 378                  Defect accumulation, topological features, and
 379                  disordering",
 380   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 381   journal =      "Phys. Rev. B",
 382   volume =       "66",
 383   number =       "2",
 384   pages =        "024106",
 385   numpages =     "10",
 386   year =         "2002",
 387   month =        jul,
 388   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 389   publisher =    "American Physical Society",
 390   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 391                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 392                  result analyze",
 393 }
 394
 395 @Article{devanathan98,
 396   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 397                  cascade in Si{C}",
 398   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 399   volume =       "141",
 400   number =       "1-4",
 401   pages =        "118--122",
 402   year =         "1998",
 403   ISSN =         "0168-583X",
 404   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 405   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 406                  Rubia",
 407   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 408                  3c-sic",
 409 }
 410
 411 @Article{devanathan98_2,
 412   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 413   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 414   volume =       "253",
 415   number =       "1-3",
 416   pages =        "47--52",
 417   year =         "1998",
 418   ISSN =         "0022-3115",
 419   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 420   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 421                  Weber",
 422   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 423                  tersoff",
 424 }
 425
 426 @Article{kitabatake00,
 427   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 428   author =       "M. Kitabatake",
 429   journal =      "Thin Solid Films",
 430   volume =       "369",
 431   pages =        "257--264",
 432   numpages =     "8",
 433   year =         "2000",
 434   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 435 }
 436
 437 @Article{tang97,
 438   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 439                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 440                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 441                  formation volumes",
 442   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 443                  Rubia",
 444   journal =      "Phys. Rev. B",
 445   volume =       "55",
 446   number =       "21",
 447   pages =        "14279--14289",
 448   numpages =     "10",
 449   year =         "1997",
 450   month =        jun,
 451   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 452   publisher =    "American Physical Society",
 453   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 454 }
 455
 456 @Article{johnson98,
 457   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 458                  Rubia",
 459   collaboration = "",
 460   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 461                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 462                  presence of carbon and boron",
 463   publisher =    "AIP",
 464   year =         "1998",
 465   journal =      "J. Appl. Phys.",
 466   volume =       "84",
 467   number =       "4",
 468   pages =        "1963--1967",
 469   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 470                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 471                  semiconductors; self-diffusion",
 472   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 473   doi =          "10.1063/1.368328",
 474   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 475                  diffsuion",
 476 }
 477
 478 @Article{bar-yam84,
 479   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 480                  Self-Interstitial",
 481   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 482   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 483   volume =       "52",
 484   number =       "13",
 485   pages =        "1129--1132",
 486   numpages =     "3",
 487   year =         "1984",
 488   month =        mar,
 489   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 490   publisher =    "American Physical Society",
 491   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 492 }
 493
 494 @Article{bar-yam84_2,
 495   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 496                  barriers of silicon self-interstitials",
 497   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 498   journal =      "Phys. Rev. B",
 499   volume =       "30",
 500   number =       "4",
 501   pages =        "1844--1852",
 502   numpages =     "8",
 503   year =         "1984",
 504   month =        aug,
 505   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 506   publisher =    "American Physical Society",
 507 }
 508
 509 @Article{bloechl93,
 510   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 511                  constants in silicon",
 512   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 513                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 514   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 515   volume =       "70",
 516   number =       "16",
 517   pages =        "2435--2438",
 518   numpages =     "3",
 519   year =         "1993",
 520   month =        apr,
 521   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 522   publisher =    "American Physical Society",
 523   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 524                  entropy calculations",
 525 }
 526
 527 @Article{colombo02,
 528   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 529                  silicon",
 530   author =       "L. Colombo",
 531   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 532   volume =       "32",
 533   pages =        "271--295",
 534   numpages =     "25",
 535   year =         "2002",
 536   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 537   publisher =    "Annual Reviews",
 538   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 539 }
 540
 541 @Article{al-mushadani03,
 542   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 543                  silicon",
 544   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 545   journal =      "Phys. Rev. B",
 546   volume =       "68",
 547   number =       "23",
 548   pages =        "235205",
 549   numpages =     "8",
 550   year =         "2003",
 551   month =        dec,
 552   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 553   publisher =    "American Physical Society",
 554   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 555                  silicon, si self interstitials, free energy",
 556 }
 557
 558 @Article{goedecker02,
 559   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 560   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 561   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 562   volume =       "88",
 563   number =       "23",
 564   pages =        "235501",
 565   numpages =     "4",
 566   year =         "2002",
 567   month =        may,
 568   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 569   publisher =    "American Physical Society",
 570   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 571                  silicon",
 572 }
 573
 574 @Article{sahli05,
 575   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 576                  self-interstitial diffusion in silicon",
 577   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 578   journal =      "Phys. Rev. B",
 579   volume =       "72",
 580   number =       "24",
 581   pages =        "245210",
 582   numpages =     "6",
 583   year =         "2005",
 584   month =        dec,
 585   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 586   publisher =    "American Physical Society",
 587   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 588                  mapping applied",
 589 }
 590
 591 @Article{hobler05,
 592   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 593                  native point defects in silicon",
 594   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 595   volume =       "124-125",
 596   number =       "",
 597   pages =        "368--371",
 598   year =         "2005",
 599   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 600                  Issues for Future Technologies",
 601   ISSN =         "0921-5107",
 602   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 603   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 604   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 605   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 606                  radius",
 607 }
 608
 609 @Article{ma10,
 610   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 611                  wide temperature range: Point defect states and
 612                  migration mechanisms",
 613   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 614   journal =      "Phys. Rev. B",
 615   volume =       "81",
 616   number =       "19",
 617   pages =        "193203",
 618   numpages =     "4",
 619   year =         "2010",
 620   month =        may,
 621   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 622   publisher =    "American Physical Society",
 623   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 624 }
 625
 626 @Article{posselt06,
 627   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 628                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 629   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 630   journal =      "Phys. Rev. B",
 631   volume =       "73",
 632   number =       "12",
 633   pages =        "125206",
 634   numpages =     "8",
 635   year =         "2006",
 636   month =        mar,
 637   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 638   publisher =    "American Physical Society",
 639 }
 640
 641 @Article{posselt08,
 642   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 643                  migration mechanisms of vacancies and
 644                  self-interstitials: An atomistic study",
 645   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 646   journal =      "Phys. Rev. B",
 647   volume =       "78",
 648   number =       "3",
 649   pages =        "035208",
 650   numpages =     "9",
 651   year =         "2008",
 652   month =        jul,
 653   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 654   publisher =    "American Physical Society",
 655   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 656                  weber and tersoff",
 657 }
 658
 659 @Article{gao2001,
 660   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 661                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 662   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 663                  Corrales",
 664   journal =      "Phys. Rev. B",
 665   volume =       "64",
 666   number =       "24",
 667   pages =        "245208",
 668   numpages =     "7",
 669   year =         "2001",
 670   month =        dec,
 671   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 672   publisher =    "American Physical Society",
 673   notes =        "defects in 3c-sic",
 674 }
 675
 676 @Article{gao02,
 677   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 678                  3{C}-Si{C}",
 679   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 680   volume =       "191",
 681   number =       "1-4",
 682   pages =        "487--496",
 683   year =         "2002",
 684   note =         "",
 685   ISSN =         "0168-583X",
 686   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 687   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 688   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 689   keywords =     "Empirical potential",
 690   keywords =     "Defect properties",
 691   keywords =     "Silicon carbide",
 692   keywords =     "Computer simulation",
 693   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 694 }
 695
 696 @Article{gao04,
 697   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 698                  3{C}-Si{C}",
 699   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 700                  Belko",
 701   journal =      "Phys. Rev. B",
 702   volume =       "69",
 703   number =       "24",
 704   pages =        "245205",
 705   numpages =     "5",
 706   year =         "2004",
 707   month =        jun,
 708   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 709   publisher =    "American Physical Society",
 710   notes =        "defect migration in sic",
 711 }
 712
 713 @Article{gao07,
 714   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 715                  W. J. Weber",
 716   collaboration = "",
 717   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 718                  in cubic silicon carbide",
 719   publisher =    "AIP",
 720   year =         "2007",
 721   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 722   volume =       "90",
 723   number =       "22",
 724   eid =          "221915",
 725   numpages =     "3",
 726   pages =        "221915",
 727   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 728                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 729                  dynamics method; density functional theory;
 730                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 731                  impurities; diffusion",
 732   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 733   doi =          "10.1063/1.2743751",
 734 }
 735
 736 @Article{mattoni2002,
 737   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 738                  crystalline silicon",
 739   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 740   journal =      "Phys. Rev. B",
 741   volume =       "66",
 742   number =       "19",
 743   pages =        "195214",
 744   numpages =     "6",
 745   year =         "2002",
 746   month =        nov,
 747   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 748   publisher =    "American Physical Society",
 749   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 750                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 751                  tersoff suitability",
 752 }
 753
 754 @Article{leung99,
 755   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 756   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 757                  Itoh and S. Ihara",
 758   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 759   volume =       "83",
 760   number =       "12",
 761   pages =        "2351--2354",
 762   numpages =     "3",
 763   year =         "1999",
 764   month =        sep,
 765   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 766   publisher =    "American Physical Society",
 767   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 768                  refs",
 769 }
 770
 771 @Article{capaz94,
 772   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 773                  carbon in silicon",
 774   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 775   journal =      "Phys. Rev. B",
 776   volume =       "50",
 777   number =       "11",
 778   pages =        "7439--7442",
 779   numpages =     "3",
 780   year =         "1994",
 781   month =        sep,
 782   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 783   publisher =    "American Physical Society",
 784   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 785                  dumbbell",
 786 }
 787
 788 @Article{capaz98,
 789   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 790   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 791   journal =      "Phys. Rev. B",
 792   volume =       "58",
 793   number =       "15",
 794   pages =        "9845--9850",
 795   numpages =     "5",
 796   year =         "1998",
 797   month =        oct,
 798   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 799   publisher =    "American Physical Society",
 800   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 801 }
 802
 803 @Article{song90_2,
 804   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 805                  pair in silicon",
 806   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 807                  Watkins",
 808   journal =      "Phys. Rev. B",
 809   volume =       "42",
 810   number =       "9",
 811   pages =        "5765--5783",
 812   numpages =     "18",
 813   year =         "1990",
 814   month =        sep,
 815   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 816   publisher =    "American Physical Society",
 817   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 818 }
 819
 820 @Article{liu02,
 821   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 822                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 823   collaboration = "",
 824   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 825                  interactions in Si",
 826   publisher =    "AIP",
 827   year =         "2002",
 828   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 829   volume =       "80",
 830   number =       "1",
 831   pages =        "52--54",
 832   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 833                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 834                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 835   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 836   doi =          "10.1063/1.1430505",
 837   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 838 }
 839
 840 @Article{dal_pino93,
 841   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 842                  silicon",
 843   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 844                  Joannopoulos",
 845   journal =      "Phys. Rev. B",
 846   volume =       "47",
 847   number =       "19",
 848   pages =        "12554--12557",
 849   numpages =     "3",
 850   year =         "1993",
 851   month =        may,
 852   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 853   publisher =    "American Physical Society",
 854   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 855 }
 856
 857 @Article{car84,
 858   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 859                  Silicon",
 860   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 861                  Sokrates T. Pantelides",
 862   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 863   volume =       "52",
 864   number =       "20",
 865   pages =        "1814--1817",
 866   numpages =     "3",
 867   year =         "1984",
 868   month =        may,
 869   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 870   publisher =    "American Physical Society",
 871   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 872                  path formation",
 873 }
 874
 875 @Article{car85,
 876   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 877                  Density-Functional Theory",
 878   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 879   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 880   volume =       "55",
 881   number =       "22",
 882   pages =        "2471--2474",
 883   numpages =     "3",
 884   year =         "1985",
 885   month =        nov,
 886   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 887   publisher =    "American Physical Society",
 888   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 889 }
 890
 891 @Article{kelires97,
 892   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 893                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 894   author =       "P. C. Kelires",
 895   journal =      "Phys. Rev. B",
 896   volume =       "55",
 897   number =       "14",
 898   pages =        "8784--8787",
 899   numpages =     "3",
 900   year =         "1997",
 901   month =        apr,
 902   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 903   publisher =    "American Physical Society",
 904   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 905                  neighbour dist",
 906 }
 907
 908 @Article{kelires95,
 909   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 910                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 911   author =       "P. C. Kelires",
 912   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 913   volume =       "75",
 914   number =       "6",
 915   pages =        "1114--1117",
 916   numpages =     "3",
 917   year =         "1995",
 918   month =        aug,
 919   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 920   publisher =    "American Physical Society",
 921   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 922 }
 923
 924 @Article{bean70,
 925   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 926                  containing carbon",
 927   journal =      "Solid State Communications",
 928   volume =       "8",
 929   number =       "3",
 930   pages =        "175--177",
 931   year =         "1970",
 932   note =         "",
 933   ISSN =         "0038-1098",
 934   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 935   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 936   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 937 }
 938
 939 @Article{durand99,
 940   author =       "F. Durand and J. Duby",
 941   affiliation =  "EPM-Madylam, CNRS and INP Grenoble, France",
 942   title =        "Carbon solubility in solid and liquid silicon—{A}
 943                  review with reference to eutectic equilibrium",
 944   journal =      "Journal of Phase Equilibria",
 945   publisher =    "Springer New York",
 946   ISSN =         "1054-9714",
 947   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
 948   pages =        "61--63",
 949   volume =       "20",
 950   issue =        "1",
 951   URL =          "http://dx.doi.org/10.1361/105497199770335956",
 952   note =         "10.1361/105497199770335956",
 953   year =         "1999",
 954   notes =        "better c solubility limit in silicon",
 955 }
 956
 957 @Article{watkins76,
 958   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 959                  Atom in Silicon",
 960   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 961   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 962   volume =       "36",
 963   number =       "22",
 964   pages =        "1329--1332",
 965   numpages =     "3",
 966   year =         "1976",
 967   month =        may,
 968   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 969   publisher =    "American Physical Society",
 970   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 971                  silicon",
 972 }
 973
 974 @Article{song90,
 975   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 976                  interstitial carbon in silicon",
 977   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 978   journal =      "Phys. Rev. B",
 979   volume =       "42",
 980   number =       "9",
 981   pages =        "5759--5764",
 982   numpages =     "5",
 983   year =         "1990",
 984   month =        sep,
 985   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 986   publisher =    "American Physical Society",
 987   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 988 }
 989
 990 @Article{tipping87,
 991   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 992   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 993                  silicon",
 994   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
 995   volume =       "2",
 996   number =       "5",
 997   pages =        "315--317",
 998   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 999   year =         "1987",
1000   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
1001                  silicon",
1002 }
1003
1004 @Article{isomae93,
1005   author =       "Seiichi Isomae and Tsutomu Ishiba and Toshio Ando and
1006                  Masao Tamura",
1007   collaboration = "",
1008   title =        "Annealing behavior of Me{V} implanted carbon in
1009                  silicon",
1010   publisher =    "AIP",
1011   year =         "1993",
1012   journal =      "Journal of Applied Physics",
1013   volume =       "74",
1014   number =       "6",
1015   pages =        "3815--3820",
1016   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; WAFERS; CARBON IONS; MEV
1017                  RANGE 0110; TEM; SIMS; INFRARED SPECTRA; STRAINS; DEPTH
1018                  PROFILES",
1019   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/3815/1",
1020   doi =          "10.1063/1.354474",
1021   notes =        "c at interstitial location for rt implantation in si",
1022 }
1023
1024 @Article{strane96,
1025   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
1026                  ion implantation and solid phase epitaxy",
1027   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
1028                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1029   journal =      "J. Appl. Phys.",
1030   volume =       "79",
1031   pages =        "637",
1032   year =         "1996",
1033   month =        jan,
1034   doi =          "10.1063/1.360806",
1035   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
1036 }
1037
1038 @Article{laveant2002,
1039   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1040   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1041   volume =       "89",
1042   number =       "1-3",
1043   pages =        "241--245",
1044   year =         "2002",
1045   ISSN =         "0921-5107",
1046   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1047   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1048   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1049                  G{\"{o}}sele",
1050   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1051                  stress, avoid sic precipitation",
1052 }
1053
1054 @Article{foell77,
1055   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1056                  agglomeration of self-interstitials",
1057   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1058   volume =       "40",
1059   number =       "1",
1060   pages =        "90--108",
1061   year =         "1977",
1062   note =         "",
1063   ISSN =         "0022-0248",
1064   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1065   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1066   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1067   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1068                  agglomerate",
1069 }
1070
1071 @Article{foell81,
1072   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1073                  defects",
1074   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1075   volume =       "52",
1076   number =       "Part 2",
1077   pages =        "907--916",
1078   year =         "1981",
1079   note =         "",
1080   ISSN =         "0022-0248",
1081   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1082   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1083   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1084   notes =        "swirl review",
1085 }
1086
1087 @Article{werner97,
1088   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1089                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1090   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1091                  silicon by transmission electron microscopy",
1092   publisher =    "AIP",
1093   year =         "1997",
1094   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1095   volume =       "70",
1096   number =       "2",
1097   pages =        "252--254",
1098   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1099                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1100                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1101                  layers; precipitation",
1102   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1103   doi =          "10.1063/1.118381",
1104   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1105                  precipitate",
1106 }
1107
1108 @InProceedings{werner96,
1109   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1110                  Eichler",
1111   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
1112                  International Conference on",
1113   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1114                  implanted silicon",
1115   year =         "1996",
1116   month =        jun,
1117   volume =       "",
1118   number =       "",
1119   pages =        "675--678",
1120   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1121   ISSN =         "",
1122   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1123 }
1124
1125 @Article{werner98,
1126   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1127                  D. C. Jacobson",
1128   collaboration = "",
1129   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1130   publisher =    "AIP",
1131   year =         "1998",
1132   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1133   volume =       "73",
1134   number =       "17",
1135   pages =        "2465--2467",
1136   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1137                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1138                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1139                  impurity distribution",
1140   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1141   doi =          "10.1063/1.122483",
1142   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1143 }
1144
1145 @Article{kalejs84,
1146   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1147   collaboration = "",
1148   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1149                  silicon",
1150   publisher =    "AIP",
1151   year =         "1984",
1152   journal =      "Applied Physics Letters",
1153   volume =       "45",
1154   number =       "3",
1155   pages =        "268--269",
1156   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1157                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1158                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1159   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1160   doi =          "10.1063/1.95167",
1161   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1162 }
1163
1164 @Article{fukami90,
1165   author =       "Akira Fukami and Ken-ichi Shoji and Takahiro Nagano
1166                  and Cary Y. Yang",
1167   collaboration = "",
1168   title =        "Characterization of SiGe/Si heterostructures formed by
1169                  Ge[sup + ] and {C}[sup + ] implantation",
1170   publisher =    "AIP",
1171   year =         "1990",
1172   journal =      "Applied Physics Letters",
1173   volume =       "57",
1174   number =       "22",
1175   pages =        "2345--2347",
1176   keywords =     "HETEROJUNCTIONS; ION IMPLANTATION; HETEROSTRUCTURES;
1177                  FABRICATION; PN JUNCTIONS; LEAKAGE CURRENT; GERMANIUM
1178                  SILICIDES; SILICON; ELECTRICAL PROPERTIES; SOLIDPHASE
1179                  EPITAXY; CARBON IONS; GERMANIUM IONS",
1180   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/57/2345/1",
1181   doi =          "10.1063/1.103888",
1182 }
1183
1184 @Article{strane93,
1185   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and B. L.
1186                  Doyle and S. T. Picraux and J. W. Mayer",
1187   collaboration = "",
1188   title =        "Metastable SiGe{C} formation by solid phase epitaxy",
1189   publisher =    "AIP",
1190   year =         "1993",
1191   journal =      "Applied Physics Letters",
1192   volume =       "63",
1193   number =       "20",
1194   pages =        "2786--2788",
1195   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; TERNARY ALLOY
1196                  SYSTEMS; EPITAXY; ION IMPLANTATION; METASTABLE STATES;
1197                  ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; RUTHERFORD
1198                  SCATTERING; XRAY DIFFRACTION; STRAINS; SOLIDPHASE
1199                  EPITAXY; AMORPHIZATION",
1200   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/63/2786/1",
1201   doi =          "10.1063/1.110334",
1202 }
1203
1204 @article{goorsky92,
1205 author = {M. S. Goorsky and S. S. Iyer and K. Eberl and F. Legoues and J. Angilello and F. Cardone},
1206 collaboration = {},
1207 title = {Thermal stability of Si[sub 1 - x]C[sub x]/Si strained layer superlattices},
1208 publisher = {AIP},
1209 year = {1992},
1210 journal = {Applied Physics Letters},
1211 volume = {60},
1212 number = {22},
1213 pages = {2758-2760},
1214 keywords = {SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SUPERLATTICES; ANNEALING; CHEMICAL COMPOSITION; INTERNAL STRAINS; STRESS RELAXATION; THERMAL INSTABILITIES; INTERFACE STRUCTURE; DIFFUSION; PRECIPITATION; TEMPERATURE EFFECTS},
1215 url = {http://link.aip.org/link/?APL/60/2758/1},
1216 doi = {10.1063/1.106868}
1217 }
1218
1219 @Article{strane94,
1220   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1221                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1222   collaboration = "",
1223   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1224                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1225   publisher =    "AIP",
1226   year =         "1994",
1227   journal =      "J. Appl. Phys.",
1228   volume =       "76",
1229   number =       "6",
1230   pages =        "3656--3668",
1231   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1232   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1233   doi =          "10.1063/1.357429",
1234   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1235                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1236                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1237                  energy",
1238 }
1239
1240 @Article{fischer95,
1241   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1242                  Osten",
1243   collaboration = "",
1244   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1245                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1246   publisher =    "AIP",
1247   year =         "1995",
1248   journal =      "J. Appl. Phys.",
1249   volume =       "77",
1250   number =       "5",
1251   pages =        "1934--1937",
1252   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1253                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1254                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1255                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1256   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1257   doi =          "10.1063/1.358826",
1258 }
1259
1260 @Article{edgar92,
1261   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1262                  semiconductors",
1263   author =       "J. H. Edgar",
1264   journal =      "J. Mater. Res.",
1265   volume =       "7",
1266   pages =        "235",
1267   year =         "1992",
1268   month =        jan,
1269   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1270   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1271                  polytypes",
1272 }
1273
1274 @Article{zirkelbach2007,
1275   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1276                  process leading to ordered precipitate structures",
1277   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1278                  and B. Stritzker",
1279   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1280   volume =       "257",
1281   number =       "1--2",
1282   pages =        "75--79",
1283   numpages =     "5",
1284   year =         "2007",
1285   month =        apr,
1286   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1287   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1288                  NETHERLANDS",
1289 }
1290
1291 @Article{zirkelbach2006,
1292   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1293                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1294                  during ion irradiation",
1295   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1296                  and B. Stritzker",
1297   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1298   volume =       "242",
1299   number =       "1--2",
1300   pages =        "679--682",
1301   numpages =     "4",
1302   year =         "2006",
1303   month =        jan,
1304   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1305   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1306                  NETHERLANDS",
1307 }
1308
1309 @Article{zirkelbach2005,
1310   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1311                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1312                  ion irradiation",
1313   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1314                  and B. Stritzker",
1315   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1316   volume =       "33",
1317   number =       "1--3",
1318   pages =        "310--316",
1319   numpages =     "7",
1320   year =         "2005",
1321   month =        apr,
1322   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1323   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1324                  NETHERLANDS",
1325 }
1326
1327 @Article{zirkelbach09,
1328   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1329                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1330   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1331   volume =       "159-160",
1332   number =       "",
1333   pages =        "149--152",
1334   year =         "2009",
1335   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1336                  Silicon Materials Research for Electronic and
1337                  Photovoltaic Applications",
1338   ISSN =         "0921-5107",
1339   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1340   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1341   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1342                  B. Stritzker",
1343   keywords =     "Silicon",
1344   keywords =     "Carbon",
1345   keywords =     "Silicon carbide",
1346   keywords =     "Nucleation",
1347   keywords =     "Defect formation",
1348   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1349 }
1350
1351 @Article{zirkelbach10,
1352   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1353                  classical potentials and first-principles methods",
1354   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1355                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1356   journal =      "Phys. Rev. B",
1357   volume =       "82",
1358   number =       "9",
1359   pages =        "094110",
1360   numpages =     "6",
1361   year =         "2010",
1362   month =        sep,
1363   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1364   publisher =    "American Physical Society",
1365 }
1366
1367 @Article{zirkelbach11a,
1368   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1369                  silicon",
1370   journal =      "to be published",
1371   volume =       "",
1372   number =       "",
1373   pages =        "",
1374   year =         "2011",
1375   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and J. K. N. Lindner
1376                  and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1377 }
1378
1379 @Article{zirkelbach11b,
1380   title =        "...",
1381   journal =      "to be published",
1382   volume =       "",
1383   number =       "",
1384   pages =        "",
1385   year =         "2011",
1386   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1387                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1388 }
1389
1390 @Article{lindner95,
1391   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1392                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1393   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1394                  Layers in Silicon",
1395   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
1396   volume =       "354",
1397   number =       "",
1398   pages =        "171",
1399   year =         "1994",
1400   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1401   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1402   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400420853",
1403   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1404 }
1405
1406 @Article{lindner96,
1407   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1408                  in silicon by ion beam synthesis",
1409   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
1410   volume =       "46",
1411   number =       "2-3",
1412   pages =        "147--155",
1413   year =         "1996",
1414   note =         "",
1415   ISSN =         "0254-0584",
1416   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1417   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1418   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1419                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1420                  Stritzker",
1421   notes =        "dose window",
1422 }
1423
1424 @Article{calcagno96,
1425   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1426                  ion implantation",
1427   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1428                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1429   volume =       "120",
1430   number =       "1-4",
1431   pages =        "121--124",
1432   year =         "1996",
1433   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1434                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1435   ISSN =         "0168-583X",
1436   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1437   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1438   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1439                  Grimaldi and P. Musumeci",
1440   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1441 }
1442
1443 @Article{lindner98,
1444   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1445                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1446   journal =      "Materials Science Forum",
1447   volume =       "264-268",
1448   pages =        "215--218",
1449   year =         "1998",
1450   note =         "",
1451   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1452   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1453   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1454   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1455                  crystallinity",
1456 }
1457
1458 @Article{lindner99,
1459   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1460                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1461                  layers in silicon",
1462   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1463   volume =       "147",
1464   number =       "1-4",
1465   pages =        "249--255",
1466   year =         "1999",
1467   note =         "",
1468   ISSN =         "0168-583X",
1469   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1470   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1471   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1472   notes =        "two-step implantation process",
1473 }
1474
1475 @Article{lindner99_2,
1476   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1477                  in silicon",
1478   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1479   volume =       "148",
1480   number =       "1-4",
1481   pages =        "528--533",
1482   year =         "1999",
1483   ISSN =         "0168-583X",
1484   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1485   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1486   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1487   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1488 }
1489
1490 @Article{lindner01,
1491   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1492                  Basic physical processes",
1493   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1494   volume =       "178",
1495   number =       "1-4",
1496   pages =        "44--54",
1497   year =         "2001",
1498   note =         "",
1499   ISSN =         "0168-583X",
1500   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1501   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1502   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1503 }
1504
1505 @Article{lindner02,
1506   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1507                  fundamental studies for new technological tricks",
1508   author =       "J. K. N. Lindner",
1509   journal =      "Appl. Phys. A",
1510   volume =       "77",
1511   pages =        "27--38",
1512   year =         "2003",
1513   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1514   notes =        "ibs, burried sic layers",
1515 }
1516
1517 @Article{lindner06,
1518   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1519                  formation and displacive precipitate resolution in the
1520                  {C}-Si system",
1521   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1522   volume =       "26",
1523   number =       "5-7",
1524   pages =        "857--861",
1525   year =         "2006",
1526   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1527                  Applications",
1528   ISSN =         "0928-4931",
1529   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1530   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1531   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1532                  and B. Stritzker",
1533   notes =        "c int diffusion barrier",
1534 }
1535
1536 @Article{ito04,
1537   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1538                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1539                  growth",
1540   journal =      "Applied Surface Science",
1541   volume =       "238",
1542   number =       "1-4",
1543   pages =        "159--164",
1544   year =         "2004",
1545   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1546   ISSN =         "0169-4332",
1547   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1548   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1549   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1550                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1551   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1552 }
1553
1554 @Article{yamamoto04,
1555   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1556                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1557                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1558   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1559   volume =       "261",
1560   number =       "2-3",
1561   pages =        "266--270",
1562   year =         "2004",
1563   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1564                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1565   ISSN =         "0022-0248",
1566   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1567   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1568   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1569                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1570   notes =        "gan on 3c-sic",
1571 }
1572
1573 @Article{liu_l02,
1574   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1575   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1576   volume =       "37",
1577   number =       "3",
1578   pages =        "61--127",
1579   year =         "2002",
1580   note =         "",
1581   ISSN =         "0927-796X",
1582   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1583   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1584   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1585   notes =        "gan substrates",
1586 }
1587
1588 @Article{takeuchi91,
1589   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1590                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1591   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1592   volume =       "115",
1593   number =       "1-4",
1594   pages =        "634--638",
1595   year =         "1991",
1596   note =         "",
1597   ISSN =         "0022-0248",
1598   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1599   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1600   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1601                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1602   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1603 }
1604
1605 @Article{alder57,
1606   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1607   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1608   publisher =    "AIP",
1609   year =         "1957",
1610   journal =      "J. Chem. Phys.",
1611   volume =       "27",
1612   number =       "5",
1613   pages =        "1208--1209",
1614   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1615   doi =          "10.1063/1.1743957",
1616 }
1617
1618 @Article{alder59,
1619   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1620   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1621   publisher =    "AIP",
1622   year =         "1959",
1623   journal =      "J. Chem. Phys.",
1624   volume =       "31",
1625   number =       "2",
1626   pages =        "459--466",
1627   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1628   doi =          "10.1063/1.1730376",
1629 }
1630
1631 @Article{tersoff_si1,
1632   title =        "New empirical model for the structural properties of
1633                  silicon",
1634   author =       "J. Tersoff",
1635   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1636   volume =       "56",
1637   number =       "6",
1638   pages =        "632--635",
1639   numpages =     "3",
1640   year =         "1986",
1641   month =        feb,
1642   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1643   publisher =    "American Physical Society",
1644 }
1645
1646 @Article{tersoff_si2,
1647   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1648                  covalent systems",
1649   author =       "J. Tersoff",
1650   journal =      "Phys. Rev. B",
1651   volume =       "37",
1652   number =       "12",
1653   pages =        "6991--7000",
1654   numpages =     "9",
1655   year =         "1988",
1656   month =        apr,
1657   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1658   publisher =    "American Physical Society",
1659 }
1660
1661 @Article{tersoff_si3,
1662   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1663                  improved elastic properties",
1664   author =       "J. Tersoff",
1665   journal =      "Phys. Rev. B",
1666   volume =       "38",
1667   number =       "14",
1668   pages =        "9902--9905",
1669   numpages =     "3",
1670   year =         "1988",
1671   month =        nov,
1672   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1673   publisher =    "American Physical Society",
1674 }
1675
1676 @Article{tersoff_c,
1677   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1678                  Applications to Amorphous Carbon",
1679   author =       "J. Tersoff",
1680   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1681   volume =       "61",
1682   number =       "25",
1683   pages =        "2879--2882",
1684   numpages =     "3",
1685   year =         "1988",
1686   month =        dec,
1687   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1688   publisher =    "American Physical Society",
1689 }
1690
1691 @Article{tersoff_m,
1692   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1693                  for multicomponent systems",
1694   author =       "J. Tersoff",
1695   journal =      "Phys. Rev. B",
1696   volume =       "39",
1697   number =       "8",
1698   pages =        "5566--5568",
1699   numpages =     "2",
1700   year =         "1989",
1701   month =        mar,
1702   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1703   publisher =    "American Physical Society",
1704 }
1705
1706 @Article{tersoff90,
1707   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1708   author =       "J. Tersoff",
1709   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1710   volume =       "64",
1711   number =       "15",
1712   pages =        "1757--1760",
1713   numpages =     "3",
1714   year =         "1990",
1715   month =        apr,
1716   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1717   publisher =    "American Physical Society",
1718 }
1719
1720 @Article{fahey89,
1721   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1722   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1723   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1724   volume =       "61",
1725   number =       "2",
1726   pages =        "289--384",
1727   numpages =     "95",
1728   year =         "1989",
1729   month =        apr,
1730   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1731   publisher =    "American Physical Society",
1732 }
1733
1734 @Article{wesch96,
1735   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1736   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1737   volume =       "116",
1738   number =       "1-4",
1739   pages =        "305--321",
1740   year =         "1996",
1741   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1742   ISSN =         "0168-583X",
1743   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1744   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1745   author =       "W. Wesch",
1746 }
1747
1748 @Article{davis91,
1749   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
1750                  Palmour and J. A. Edmond",
1751   journal =      "Proceedings of the IEEE",
1752   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
1753                  optoelectronic device fabrication and characterization
1754                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
1755   year =         "1991",
1756   month =        may,
1757   volume =       "79",
1758   number =       "5",
1759   pages =        "677--701",
1760   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
1761                  diode;SiC;dry etching;electrical
1762                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
1763                  device fabrication;solid-state devices;surface
1764                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
1765                  transistors;Schottky-barrier
1766                  diodes;etching;heterojunction bipolar
1767                  transistors;insulated gate field effect
1768                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
1769                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
1770   doi =          "10.1109/5.90132",
1771   ISSN =         "0018-9219",
1772   notes =        "sic growth methods",
1773 }
1774
1775 @Article{morkoc94,
1776   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1777                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1778   collaboration = "",
1779   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1780                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1781   publisher =    "AIP",
1782   year =         "1994",
1783   journal =      "J. Appl. Phys.",
1784   volume =       "76",
1785   number =       "3",
1786   pages =        "1363--1398",
1787   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1788                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1789                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1790                  FILMS; INDUSTRY",
1791   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1792   doi =          "10.1063/1.358463",
1793   notes =        "sic intro, properties",
1794 }
1795
1796 @Article{foo,
1797   author =       "Noch Unbekannt",
1798   title =        "How to find references",
1799   journal =      "Journal of Applied References",
1800   year =         "2009",
1801   volume =       "77",
1802   pages =        "1--23",
1803 }
1804
1805 @Article{tang95,
1806   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1807                  \beta{}-Si{C}",
1808   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1809   journal =      "Phys. Rev. B",
1810   volume =       "52",
1811   number =       "21",
1812   pages =        "15150--15159",
1813   numpages =     "9",
1814   year =         "1995",
1815   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1816   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1817                  tersoff reparametrization",
1818   publisher =    "American Physical Society",
1819 }
1820
1821 @Article{sarro00,
1822   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1823   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1824   volume =       "82",
1825   number =       "1-3",
1826   pages =        "210--218",
1827   year =         "2000",
1828   ISSN =         "0924-4247",
1829   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1830   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1831   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1832   keywords =     "MEMS",
1833   keywords =     "Silicon carbide",
1834   keywords =     "Micromachining",
1835   keywords =     "Mechanical stress",
1836 }
1837
1838 @Article{casady96,
1839   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1840                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1841                  review",
1842   journal =      "Solid-State Electronics",
1843   volume =       "39",
1844   number =       "10",
1845   pages =        "1409--1422",
1846   year =         "1996",
1847   ISSN =         "0038-1101",
1848   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1849   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1850   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1851   notes =        "sic intro",
1852 }
1853
1854 @Article{giancarli98,
1855   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1856                  structural material in fusion power reactor blankets",
1857   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1858   volume =       "41",
1859   number =       "1-4",
1860   pages =        "165--171",
1861   year =         "1998",
1862   ISSN =         "0920-3796",
1863   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1864   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1865   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1866                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1867 }
1868
1869 @Article{pensl93,
1870   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1871   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1872   volume =       "185",
1873   number =       "1-4",
1874   pages =        "264--283",
1875   year =         "1993",
1876   ISSN =         "0921-4526",
1877   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1878   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1879   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1880 }
1881
1882 @Article{tairov78,
1883   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1884                  carbide single crystals",
1885   journal =      "J. Cryst. Growth",
1886   volume =       "43",
1887   number =       "2",
1888   pages =        "209--212",
1889   year =         "1978",
1890   notes =        "modified lely process",
1891   ISSN =         "0022-0248",
1892   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1893   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1894   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1895 }
1896
1897 @Article{tairov81,
1898   title =        "General principles of growing large-size single
1899                  crystals of various silicon carbide polytypes",
1900   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1901   volume =       "52",
1902   number =       "Part 1",
1903   pages =        "146--150",
1904   year =         "1981",
1905   note =         "",
1906   ISSN =         "0022-0248",
1907   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
1908   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
1909   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1910 }
1911
1912 @Article{barrett91,
1913   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
1914   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1915   volume =       "109",
1916   number =       "1-4",
1917   pages =        "17--23",
1918   year =         "1991",
1919   note =         "",
1920   ISSN =         "0022-0248",
1921   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
1922   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
1923   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
1924                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
1925 }
1926
1927 @Article{barrett93,
1928   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
1929   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1930   volume =       "128",
1931   number =       "1-4",
1932   pages =        "358--362",
1933   year =         "1993",
1934   note =         "",
1935   ISSN =         "0022-0248",
1936   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
1937   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
1938   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
1939                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
1940                  W. J. Choyke",
1941 }
1942
1943 @Article{stein93,
1944   title =        "Control of polytype formation by surface energy
1945                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
1946                  sublimation method",
1947   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1948   volume =       "131",
1949   number =       "1-2",
1950   pages =        "71--74",
1951   year =         "1993",
1952   note =         "",
1953   ISSN =         "0022-0248",
1954   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
1955   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
1956   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
1957   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
1958 }
1959
1960 @Article{nishino83,
1961   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1962                  Will",
1963   collaboration = "",
1964   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1965                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1966   publisher =    "AIP",
1967   year =         "1983",
1968   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1969   volume =       "42",
1970   number =       "5",
1971   pages =        "460--462",
1972   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1973                  monocrystals",
1974   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1975   doi =          "10.1063/1.93970",
1976   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1977 }
1978
1979 @Article{nishino87,
1980   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1981                  and Hiroyuki Matsunami",
1982   collaboration = "",
1983   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1984                  Si{C} on silicon",
1985   publisher =    "AIP",
1986   year =         "1987",
1987   journal =      "J. Appl. Phys.",
1988   volume =       "61",
1989   number =       "10",
1990   pages =        "4889--4893",
1991   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1992   doi =          "10.1063/1.338355",
1993   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1994                  carbonization",
1995 }
1996
1997 @Article{powell87,
1998   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1999                  Kuczmarski",
2000   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
2001                  Single-Crystal Films on Si",
2002   publisher =    "ECS",
2003   year =         "1987",
2004   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
2005   volume =       "134",
2006   number =       "6",
2007   pages =        "1558--1565",
2008   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
2009                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
2010   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
2011   doi =          "10.1149/1.2100708",
2012   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
2013 }
2014
2015 @Article{powell87_2,
2016   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
2017                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
2018   collaboration = "",
2019   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
2020                  off-axis Si substrates",
2021   publisher =    "AIP",
2022   year =         "1987",
2023   journal =      "Applied Physics Letters",
2024   volume =       "51",
2025   number =       "11",
2026   pages =        "823--825",
2027   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
2028                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
2029                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
2030                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
2031                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
2032   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
2033   doi =          "10.1063/1.98824",
2034   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
2035 }
2036
2037 @Article{ueda90,
2038   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
2039   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2040   volume =       "104",
2041   number =       "3",
2042   pages =        "695--700",
2043   year =         "1990",
2044   note =         "",
2045   ISSN =         "0022-0248",
2046   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
2047   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
2048   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
2049                  Matsunami",
2050   notes =        "step-controlled epitaxy model",
2051 }
2052
2053 @Article{kimoto93,
2054   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
2055                  and Hiroyuki Matsunami",
2056   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
2057                  epitaxy",
2058   publisher =    "AIP",
2059   year =         "1993",
2060   journal =      "J. Appl. Phys.",
2061   volume =       "73",
2062   number =       "2",
2063   pages =        "726--732",
2064   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
2065                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
2066                  VAPOR DEPOSITION",
2067   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
2068   doi =          "10.1063/1.353329",
2069   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
2070 }
2071
2072 @Article{powell90_2,
2073   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2074                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2075                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2076   collaboration = "",
2077   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
2078                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2079   publisher =    "AIP",
2080   year =         "1990",
2081   journal =      "Applied Physics Letters",
2082   volume =       "56",
2083   number =       "15",
2084   pages =        "1442--1444",
2085   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2086                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
2087                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
2088                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
2089   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
2090   doi =          "10.1063/1.102492",
2091   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
2092 }
2093
2094 @Article{kong88_2,
2095   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2096   collaboration = "",
2097   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2098                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2099                  substrates",
2100   publisher =    "AIP",
2101   year =         "1988",
2102   journal =      "Journal of Applied Physics",
2103   volume =       "64",
2104   number =       "5",
2105   pages =        "2672--2679",
2106   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2107                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2108                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2109                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2110                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2111   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2112   doi =          "10.1063/1.341608",
2113 }
2114
2115 @Article{powell90,
2116   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2117                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2118                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2119   collaboration = "",
2120   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2121                  6{H}-Si{C} substrates",
2122   publisher =    "AIP",
2123   year =         "1990",
2124   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2125   volume =       "56",
2126   number =       "14",
2127   pages =        "1353--1355",
2128   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2129                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2130                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2131                  PHASE EPITAXY",
2132   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2133   doi =          "10.1063/1.102512",
2134   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2135 }
2136
2137 @Article{kong88,
2138   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2139                  Rozgonyi and K. L. More",
2140   collaboration = "",
2141   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2142                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2143                  substrates",
2144   publisher =    "AIP",
2145   year =         "1988",
2146   journal =      "Journal of Applied Physics",
2147   volume =       "63",
2148   number =       "8",
2149   pages =        "2645--2650",
2150   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2151                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2152                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2153                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2154                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2155   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2156   doi =          "10.1063/1.341004",
2157 }
2158
2159 @Article{powell91,
2160   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2161                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2162                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2163   collaboration = "",
2164   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2165                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2166   publisher =    "AIP",
2167   year =         "1991",
2168   journal =      "Applied Physics Letters",
2169   volume =       "59",
2170   number =       "3",
2171   pages =        "333--335",
2172   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2173                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2174                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2175   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2176   doi =          "10.1063/1.105587",
2177 }
2178
2179 @Article{yuan95,
2180   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2181                  Thokala and M. J. Loboda",
2182   collaboration = "",
2183   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2184                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2185                  silacyclobutane",
2186   publisher =    "AIP",
2187   year =         "1995",
2188   journal =      "J. Appl. Phys.",
2189   volume =       "78",
2190   number =       "2",
2191   pages =        "1271--1273",
2192   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2193                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2194                  SPECTROPHOTOMETRY",
2195   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2196   doi =          "10.1063/1.360368",
2197   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2198 }
2199
2200 @Article{kaneda87,
2201   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2202                  properties of its p-n junction",
2203   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2204   volume =       "81",
2205   number =       "1-4",
2206   pages =        "536--542",
2207   year =         "1987",
2208   note =         "",
2209   ISSN =         "0022-0248",
2210   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2211   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2212   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2213                  and Takao Tanaka",
2214   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2215 }
2216
2217 @Article{fissel95,
2218   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2219                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2220                  molecular beam epitaxy",
2221   journal =      "J. Cryst. Growth",
2222   volume =       "154",
2223   number =       "1-2",
2224   pages =        "72--80",
2225   year =         "1995",
2226   ISSN =         "0022-0248",
2227   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2228   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2229   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2230                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2231   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2232 }
2233
2234 @Article{fissel95_apl,
2235   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2236   collaboration = "",
2237   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2238                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2239   publisher =    "AIP",
2240   year =         "1995",
2241   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2242   volume =       "66",
2243   number =       "23",
2244   pages =        "3182--3184",
2245   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2246                  RHEED; NUCLEATION",
2247   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2248   doi =          "10.1063/1.113716",
2249   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2250 }
2251
2252 @Article{fissel96,
2253   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2254                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2255   collaboration = "",
2256   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2257                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2258                  level using surface superstructures",
2259   publisher =    "AIP",
2260   year =         "1996",
2261   journal =      "Applied Physics Letters",
2262   volume =       "68",
2263   number =       "9",
2264   pages =        "1204--1206",
2265   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2266                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2267                  SURFACE STRUCTURE",
2268   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2269   doi =          "10.1063/1.115969",
2270   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2271 }
2272
2273 @Article{righi03,
2274   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2275   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2276                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2277   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2278   volume =       "91",
2279   number =       "13",
2280   pages =        "136101",
2281   numpages =     "4",
2282   year =         "2003",
2283   month =        sep,
2284   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2285   publisher =    "American Physical Society",
2286   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2287 }
2288
2289 @Article{borders71,
2290   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2291   collaboration = "",
2292   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2293                  {IMPLANTATION}",
2294   publisher =    "AIP",
2295   year =         "1971",
2296   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2297   volume =       "18",
2298   number =       "11",
2299   pages =        "509--511",
2300   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2301   doi =          "10.1063/1.1653516",
2302   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2303                  ideas",
2304 }
2305
2306 @Article{edelman76,
2307   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2308                  and E. V. Lubopytova",
2309   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2310                  by ion implantation",
2311   publisher =    "Taylor \& Francis",
2312   year =         "1976",
2313   journal =      "Radiation Effects",
2314   volume =       "29",
2315   number =       "1",
2316   pages =        "13--15",
2317   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2318   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2319                  single crystalline",
2320 }
2321
2322 @Article{akimchenko80,
2323   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2324                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2325   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2326                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2327   publisher =    "Taylor \& Francis",
2328   year =         "1980",
2329   journal =      "Radiation Effects",
2330   volume =       "48",
2331   number =       "1",
2332   pages =        "7",
2333   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2334   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2335 }
2336
2337 @Article{kimura81,
2338   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2339                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2340                  silicon",
2341   journal =      "Thin Solid Films",
2342   volume =       "81",
2343   number =       "4",
2344   pages =        "319--327",
2345   year =         "1981",
2346   note =         "",
2347   ISSN =         "0040-6090",
2348   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2349   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2350   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2351                  Yugo",
2352 }
2353
2354 @Article{kimura82,
2355   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2356                  the implantation of carbon ions into silicon",
2357   journal =      "Thin Solid Films",
2358   volume =       "94",
2359   number =       "3",
2360   pages =        "191--198",
2361   year =         "1982",
2362   note =         "",
2363   ISSN =         "0040-6090",
2364   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2365   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2366   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2367                  Yugo",
2368 }
2369
2370 @Article{reeson86,
2371   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2372                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2373                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2374   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2375                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2376   publisher =    "Taylor \& Francis",
2377   year =         "1986",
2378   journal =      "Radiation Effects",
2379   volume =       "99",
2380   number =       "1",
2381   pages =        "71--81",
2382   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2383   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or
2384                  time, no c redistribution",
2385 }
2386
2387 @Article{reeson87,
2388   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2389                  J. Davis and G. E. Celler",
2390   collaboration = "",
2391   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2392                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2393   publisher =    "AIP",
2394   year =         "1987",
2395   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2396   volume =       "51",
2397   number =       "26",
2398   pages =        "2242--2244",
2399   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2400                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2401   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2402   doi =          "10.1063/1.98953",
2403   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2404 }
2405
2406 @Article{martin90,
2407   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2408                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2409   collaboration = "",
2410   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2411   publisher =    "AIP",
2412   year =         "1990",
2413   journal =      "Journal of Applied Physics",
2414   volume =       "67",
2415   number =       "6",
2416   pages =        "2908--2912",
2417   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2418                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2419                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2420                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2421                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2422                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2423   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2424   doi =          "10.1063/1.346092",
2425   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2426                  temepratures",
2427 }
2428
2429 @Article{scace59,
2430   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2431   collaboration = "",
2432   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2433   publisher =    "AIP",
2434   year =         "1959",
2435   journal =      "J. Chem. Phys.",
2436   volume =       "30",
2437   number =       "6",
2438   pages =        "1551--1555",
2439   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2440   doi =          "10.1063/1.1730236",
2441   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2442 }
2443
2444 @Article{hofker74,
2445   author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
2446                  Koeman",
2447   affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
2448                  Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
2449                  Netherlands",
2450   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
2451                  charge carrier and boron concentration profiles",
2452   journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
2453   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
2454   ISSN =         "0947-8396",
2455   keyword =      "Physics and Astronomy",
2456   pages =        "125--133",
2457   volume =       "4",
2458   issue =        "2",
2459   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
2460   note =         "10.1007/BF00884267",
2461   year =         "1974",
2462   notes =        "first time ted (only for boron?)",
2463 }
2464
2465 @Article{michel87,
2466   author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
2467                  H. Kastl",
2468   collaboration = "",
2469   title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
2470                  implanted boron into silicon",
2471   publisher =    "AIP",
2472   year =         "1987",
2473   journal =      "Applied Physics Letters",
2474   volume =       "50",
2475   number =       "7",
2476   pages =        "416--418",
2477   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
2478                  BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
2479                  HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
2480   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
2481   doi =          "10.1063/1.98160",
2482   notes =        "ted of boron in si",
2483 }
2484
2485 @Article{cowern90,
2486   author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
2487                  Jos",
2488   collaboration = "",
2489   title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
2490                  time, and matrix dependence of atomic and electrical
2491                  profiles",
2492   publisher =    "AIP",
2493   year =         "1990",
2494   journal =      "Journal of Applied Physics",
2495   volume =       "68",
2496   number =       "12",
2497   pages =        "6191--6198",
2498   keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
2499                  DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
2500                  CRYSTALS; AMORPHIZATION",
2501   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
2502   doi =          "10.1063/1.346910",
2503   notes =        "ted of boron in si",
2504 }
2505
2506 @Article{cowern96,
2507   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2508                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2509   collaboration = "",
2510   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2511                  {B} in silicon",
2512   publisher =    "AIP",
2513   year =         "1996",
2514   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2515   volume =       "68",
2516   number =       "8",
2517   pages =        "1150--1152",
2518   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2519                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2520                  SILICON",
2521   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2522   doi =          "10.1063/1.115706",
2523   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2524 }
2525
2526 @Article{stolk95,
2527   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2528                  of the silicon self-interstitial",
2529   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2530   volume =       "96",
2531   number =       "1-2",
2532   pages =        "187--195",
2533   year =         "1995",
2534   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2535                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2536   ISSN =         "0168-583X",
2537   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2538   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2539   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2540                  and J. M. Poate",
2541 }
2542
2543 @Article{stolk97,
2544   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2545                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2546                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2547                  E. Haynes",
2548   collaboration = "",
2549   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2550                  diffusion in ion-implanted silicon",
2551   publisher =    "AIP",
2552   year =         "1997",
2553   journal =      "J. Appl. Phys.",
2554   volume =       "81",
2555   number =       "9",
2556   pages =        "6031--6050",
2557   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2558   doi =          "10.1063/1.364452",
2559   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2560 }
2561
2562 @Article{powell94,
2563   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2564   collaboration = "",
2565   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2566                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2567   publisher =    "AIP",
2568   year =         "1994",
2569   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2570   volume =       "64",
2571   number =       "3",
2572   pages =        "324--326",
2573   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2574                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2575                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2576                  SYNTHESIS",
2577   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2578   doi =          "10.1063/1.111195",
2579   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2580 }
2581
2582 @Article{soref91,
2583   author =       "Richard A. Soref",
2584   collaboration = "",
2585   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2586                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2587   publisher =    "AIP",
2588   year =         "1991",
2589   journal =      "J. Appl. Phys.",
2590   volume =       "70",
2591   number =       "4",
2592   pages =        "2470--2472",
2593   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2594                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2595                  TERNARY ALLOYS",
2596   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2597   doi =          "10.1063/1.349403",
2598   notes =        "band gap of strained si by c",
2599 }
2600
2601 @Article{kasper91,
2602   author =       "E Kasper",
2603   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2604                  possibility to produce direct band gap material",
2605   journal =      "Physica Scripta",
2606   volume =       "T35",
2607   pages =        "232--236",
2608   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2609   year =         "1991",
2610   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2611                  quasi-direct one",
2612 }
2613
2614 @Article{eberl92,
2615   author =       "K. Eberl and S. S. Iyer and S. Zollner and J. C. Tsang
2616                  and F. K. LeGoues",
2617   collaboration = "",
2618   title =        "Growth and strain compensation effects in the ternary
2619                  Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloy system",
2620   publisher =    "AIP",
2621   year =         "1992",
2622   journal =      "Applied Physics Letters",
2623   volume =       "60",
2624   number =       "24",
2625   pages =        "3033--3035",
2626   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; CARBON ALLOYS;
2627                  TERNARY ALLOYS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; MOLECULAR BEAM
2628                  EPITAXY; INTERNAL STRAINS; TEMPERATURE EFFECTS; CRYSTAL
2629                  STRUCTURE; LATTICE PARAMETERS; XRAY DIFFRACTION; PHASE
2630                  STUDIES",
2631   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/3033/1",
2632   doi =          "10.1063/1.106774",
2633 }
2634
2635 @Article{powell93,
2636   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and F. E. LeGoues and B. A.
2637                  Ek and S. S. Iyer",
2638   collaboration = "",
2639   title =        "Stability of strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random
2640                  alloy layers",
2641   publisher =    "AVS",
2642   year =         "1993",
2643   journal =      "J. Vac. Sci. Technol. B",
2644   volume =       "11",
2645   number =       "3",
2646   pages =        "1064--1068",
2647   location =     "Ottawa (Canada)",
2648   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; STRAINS; THICKNESS;
2649                  METASTABLE PHASES; TWINNING; DISLOCATIONS; MOLECULAR
2650                  BEAM EPITAXY; EPITAXIAL LAYERS; CRITICAL PHENOMENA;
2651                  TEMPERATURE RANGE 400--1000 K; BINARY ALLOYS",
2652   URL =          "http://link.aip.org/link/?JVB/11/1064/1",
2653   doi =          "10.1116/1.587008",
2654   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2655 }
2656
2657 @Article{powell93_2,
2658   title =        "Si[sub 1-x-y]Ge[sub x]{C}[sub y] growth and properties
2659                  of the ternary system",
2660   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2661   volume =       "127",
2662   number =       "1-4",
2663   pages =        "425--429",
2664   year =         "1993",
2665   note =         "",
2666   ISSN =         "0022-0248",
2667   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90653-E",
2668   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46J3RF2-8H/2/27fc231f28e4dc0a3b4770e5cf03257e",
2669   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and B. A. Ek and S. S.
2670                  Iyer",
2671 }
2672
2673 @Article{osten94,
2674   author =       "H. J. Osten",
2675   title =        "Modification of Growth Modes in Lattice-Mismatched
2676                  Epitaxial Systems: Si/Ge",
2677   journal =      "physica status solidi (a)",
2678   volume =       "145",
2679   number =       "2",
2680   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2681   ISSN =         "1521-396X",
2682   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211450203",
2683   doi =          "10.1002/pssa.2211450203",
2684   pages =        "235--245",
2685   year =         "1994",
2686 }
2687
2688 @Article{dietrich94,
2689   title =        "Lattice distortion in a strain-compensated
2690                  $Si_{1-x-y}$$Ge_{x}$${C}_{y}$ layer on silicon",
2691   author =       "B. Dietrich and H. J. Osten and H. R{\"u}cker and M.
2692                  Methfessel and P. Zaumseil",
2693   journal =      "Phys. Rev. B",
2694   volume =       "49",
2695   number =       "24",
2696   pages =        "17185--17190",
2697   numpages =     "5",
2698   year =         "1994",
2699   month =        jun,
2700   doi =          "10.1103/PhysRevB.49.17185",
2701   publisher =    "American Physical Society",
2702 }
2703
2704 @Article{osten94_2,
2705   author =       "H. J. Osten and E. Bugiel and P. Zaumseil",
2706   collaboration = "",
2707   title =        "Growth of an inverse tetragonal distorted SiGe layer
2708                  on Si(001) by adding small amounts of carbon",
2709   publisher =    "AIP",
2710   year =         "1994",
2711   journal =      "Applied Physics Letters",
2712   volume =       "64",
2713   number =       "25",
2714   pages =        "3440--3442",
2715   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; FILM GROWTH; CARBON
2716                  ALLOYS; TERNARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TEM;
2717                  XRD; LATTICE PARAMETERS; EPITAXIAL LAYERS; TETRAGONAL
2718                  LATTICES",
2719   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/3440/1",
2720   doi =          "10.1063/1.111235",
2721   notes =        "inversely strained / distorted heterostructure",
2722 }
2723
2724 @Article{iyer92,
2725   author =       "S. S. Iyer and K. Eberl and M. S. Goorsky and F. K.
2726                  LeGoues and J. C. Tsang and F. Cardone",
2727   collaboration = "",
2728   title =        "Synthesis of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys by
2729                  molecular beam epitaxy",
2730   publisher =    "AIP",
2731   year =         "1992",
2732   journal =      "Applied Physics Letters",
2733   volume =       "60",
2734   number =       "3",
2735   pages =        "356--358",
2736   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
2737                  SEMICONDUCTOR ALLOYS; SUPERLATTICES; MOLECULAR BEAM
2738                  EPITAXY; CHEMICAL COMPOSITION; TEMPERATURE EFFECTS;
2739                  FILM GROWTH; MICROSTRUCTURE",
2740   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/356/1",
2741   doi =          "10.1063/1.106655",
2742 }
2743
2744 @Article{osten99,
2745   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2746   collaboration = "",
2747   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2748                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2749                  molecular beam epitaxy",
2750   publisher =    "AIP",
2751   year =         "1999",
2752   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2753   volume =       "74",
2754   number =       "6",
2755   pages =        "836--838",
2756   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2757                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2758                  compounds",
2759   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2760   doi =          "10.1063/1.123384",
2761   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2762 }
2763
2764 @Article{hohenberg64,
2765   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2766   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2767   journal =      "Phys. Rev.",
2768   volume =       "136",
2769   number =       "3B",
2770   pages =        "B864--B871",
2771   numpages =     "7",
2772   year =         "1964",
2773   month =        nov,
2774   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2775   publisher =    "American Physical Society",
2776   notes =        "density functional theory, dft",
2777 }
2778
2779 @Article{kohn65,
2780   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2781                  Correlation Effects",
2782   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2783   journal =      "Phys. Rev.",
2784   volume =       "140",
2785   number =       "4A",
2786   pages =        "A1133--A1138",
2787   numpages =     "5",
2788   year =         "1965",
2789   month =        nov,
2790   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2791   publisher =    "American Physical Society",
2792   notes =        "dft, exchange and correlation",
2793 }
2794
2795 @Article{ruecker94,
2796   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
2797                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
2798   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
2799                  J. Osten",
2800   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2801   volume =       "72",
2802   number =       "22",
2803   pages =        "3578--3581",
2804   numpages =     "3",
2805   year =         "1994",
2806   month =        may,
2807   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
2808   publisher =    "American Physical Society",
2809   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
2810                  si, dft",
2811 }
2812
2813 @Article{yagi02,
2814   title =        "Phosphorous Doping of Strain-Induced
2815                  Si$_{1-y}${C}$_{y}$ Epitaxial Films Grown\\
2816                  by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition",
2817   author =       "Shuhei Yagi and Katsuya Abe and Takashi Okabayashi and
2818                  Yuichi Yoneyama and Akira Yamada and Makoto Konagai",
2819   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2820   volume =       "41",
2821   number =       "Part 1, No. 4B",
2822   pages =        "2472--2475",
2823   numpages =     "3",
2824   year =         "2002",
2825   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/41/2472/",
2826   doi =          "10.1143/JJAP.41.2472",
2827   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2828   notes =        "experimental charge carrier mobility in strained si",
2829 }
2830
2831 @Article{chang05,
2832   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
2833                  Alloy",
2834   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
2835   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2836   volume =       "44",
2837   number =       "4B",
2838   pages =        "2257--2262",
2839   numpages =     "5",
2840   year =         "2005",
2841   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
2842   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
2843   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2844   notes =        "enhance of electron mobility in strained si",
2845 }
2846
2847 @Article{kissinger94,
2848   author =       "W. Kissinger and M. Weidner and H. J. Osten and M.
2849                  Eichler",
2850   collaboration = "",
2851   title =        "Optical transitions in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub
2852                  y] layers on Si(001)",
2853   publisher =    "AIP",
2854   year =         "1994",
2855   journal =      "Applied Physics Letters",
2856   volume =       "65",
2857   number =       "26",
2858   pages =        "3356--3358",
2859   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERNAL STRAINS; EPITAXIAL LAYERS;
2860                  CHEMICAL COMPOSITION; ELLIPSOMETRY; REFLECTION
2861                  SPECTROSCOPY; ELECTROOPTICAL EFFECTS; BAND STRUCTURE;
2862                  ENERGY LEVELS; ENERGYLEVEL TRANSITIONS",
2863   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/3356/1",
2864   doi =          "10.1063/1.112390",
2865   notes =        "strained si influence on optical properties",
2866 }
2867
2868 @Article{osten96,
2869   author =       "H. J. Osten and Myeongcheol Kim and K. Pressel and P.
2870                  Zaumseil",
2871   collaboration = "",
2872   title =        "Substitutional versus interstitial carbon
2873                  incorporation during pseudomorphic growth of Si[sub 1 -
2874                  y]{C}[sub y] on Si(001)",
2875   publisher =    "AIP",
2876   year =         "1996",
2877   journal =      "Journal of Applied Physics",
2878   volume =       "80",
2879   number =       "12",
2880   pages =        "6711--6715",
2881   keywords =     "SILICON CARBIDES; CRYSTAL DEFECTS; FILM GROWTH;
2882                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; INTERSTITIALS; SUBSTITUTION;
2883                  XRD; STRAINS",
2884   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/80/6711/1",
2885   doi =          "10.1063/1.363797",
2886   notes =        "mbe substitutional vs interstitial c incorporation",
2887 }
2888
2889 @Article{osten97,
2890   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
2891   collaboration = "",
2892   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2893                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
2894                  Si(001)",
2895   publisher =    "AIP",
2896   year =         "1997",
2897   journal =      "J. Appl. Phys.",
2898   volume =       "82",
2899   number =       "10",
2900   pages =        "4977--4981",
2901   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
2902                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
2903                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
2904   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
2905   doi =          "10.1063/1.366364",
2906   notes =        "charge transport in strained si",
2907 }
2908
2909 @Article{kapur04,
2910   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
2911                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
2912   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
2913   journal =      "Phys. Rev. B",
2914   volume =       "69",
2915   number =       "15",
2916   pages =        "155214",
2917   numpages =     "8",
2918   year =         "2004",
2919   month =        apr,
2920   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
2921   publisher =    "American Physical Society",
2922   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
2923 }
2924
2925 @Article{barkema96,
2926   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
2927                  Systems",
2928   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
2929   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2930   volume =       "77",
2931   number =       "21",
2932   pages =        "4358--4361",
2933   numpages =     "3",
2934   year =         "1996",
2935   month =        nov,
2936   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
2937   publisher =    "American Physical Society",
2938   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
2939                  dynamic mds",
2940 }
2941
2942 @Article{cances09,
2943   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
2944                  Minoukadeh and F. Willaime",
2945   collaboration = "",
2946   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
2947                  technique method for finding transition pathways on
2948                  potential energy surfaces",
2949   publisher =    "AIP",
2950   year =         "2009",
2951   journal =      "J. Chem. Phys.",
2952   volume =       "130",
2953   number =       "11",
2954   eid =          "114711",
2955   numpages =     "6",
2956   pages =        "114711",
2957   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
2958                  surfaces; vacancies (crystal)",
2959   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
2960   doi =          "10.1063/1.3088532",
2961   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
2962                  transition pathways",
2963 }
2964
2965 @Article{parrinello81,
2966   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
2967   collaboration = "",
2968   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
2969                  molecular dynamics method",
2970   publisher =    "AIP",
2971   year =         "1981",
2972   journal =      "J. Appl. Phys.",
2973   volume =       "52",
2974   number =       "12",
2975   pages =        "7182--7190",
2976   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
2977                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
2978                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
2979                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
2980                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
2981                  IMPACT SHOCK",
2982   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2983   doi =          "10.1063/1.328693",
2984 }
2985
2986 @Article{stillinger85,
2987   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
2988                  of silicon",
2989   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
2990   journal =      "Phys. Rev. B",
2991   volume =       "31",
2992   number =       "8",
2993   pages =        "5262--5271",
2994   numpages =     "9",
2995   year =         "1985",
2996   month =        apr,
2997   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
2998   publisher =    "American Physical Society",
2999 }
3000
3001 @Article{brenner90,
3002   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
3003                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
3004                  films",
3005   author =       "Donald W. Brenner",
3006   journal =      "Phys. Rev. B",
3007   volume =       "42",
3008   number =       "15",
3009   pages =        "9458--9471",
3010   numpages =     "13",
3011   year =         "1990",
3012   month =        nov,
3013   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
3014   publisher =    "American Physical Society",
3015   notes =        "brenner hydro carbons",
3016 }
3017
3018 @Article{bazant96,
3019   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
3020                  Cohesive Energy Curves",
3021   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
3022   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3023   volume =       "77",
3024   number =       "21",
3025   pages =        "4370--4373",
3026   numpages =     "3",
3027   year =         "1996",
3028   month =        nov,
3029   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
3030   publisher =    "American Physical Society",
3031   notes =        "first si edip",
3032 }
3033
3034 @Article{bazant97,
3035   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
3036                  silicon",
3037   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
3038                  Justo",
3039   journal =      "Phys. Rev. B",
3040   volume =       "56",
3041   number =       "14",
3042   pages =        "8542--8552",
3043   numpages =     "10",
3044   year =         "1997",
3045   month =        oct,
3046   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
3047   publisher =    "American Physical Society",
3048   notes =        "second si edip",
3049 }
3050
3051 @Article{justo98,
3052   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
3053                  disordered phases",
3054   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
3055                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
3056   journal =      "Phys. Rev. B",
3057   volume =       "58",
3058   number =       "5",
3059   pages =        "2539--2550",
3060   numpages =     "11",
3061   year =         "1998",
3062   month =        aug,
3063   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
3064   publisher =    "American Physical Society",
3065   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
3066 }
3067
3068 @Article{parcas_md,
3069   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
3070   author =       "K. Nordlund",
3071   year =         "2008",
3072 }
3073
3074 @Article{voter97,
3075   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
3076                  Infrequent Events",
3077   author =       "Arthur F. Voter",
3078   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3079   volume =       "78",
3080   number =       "20",
3081   pages =        "3908--3911",
3082   numpages =     "3",
3083   year =         "1997",
3084   month =        may,
3085   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
3086   publisher =    "American Physical Society",
3087   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
3088 }
3089
3090 @Article{voter97_2,
3091   author =       "Arthur F. Voter",
3092   collaboration = "",
3093   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
3094                  simulation of infrequent events",
3095   publisher =    "AIP",
3096   year =         "1997",
3097   journal =      "J. Chem. Phys.",
3098   volume =       "106",
3099   number =       "11",
3100   pages =        "4665--4677",
3101   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
3102                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
3103                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
3104                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
3105                  theory; potential energy surfaces",
3106   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
3107   doi =          "10.1063/1.473503",
3108   notes =        "improved hyperdynamics md",
3109 }
3110
3111 @Article{sorensen2000,
3112   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
3113   collaboration = "",
3114   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
3115                  infrequent events",
3116   publisher =    "AIP",
3117   year =         "2000",
3118   journal =      "J. Chem. Phys.",
3119   volume =       "112",
3120   number =       "21",
3121   pages =        "9599--9606",
3122   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
3123                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
3124   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
3125   doi =          "10.1063/1.481576",
3126   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
3127 }
3128
3129 @Article{voter98,
3130   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
3131                  events",
3132   author =       "Arthur F. Voter",
3133   journal =      "Phys. Rev. B",
3134   volume =       "57",
3135   number =       "22",
3136   pages =        "R13985--R13988",
3137   numpages =     "3",
3138   year =         "1998",
3139   month =        jun,
3140   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
3141   publisher =    "American Physical Society",
3142   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
3143 }
3144
3145 @Article{wu99,
3146   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
3147   collaboration = "",
3148   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
3149                  simulation",
3150   publisher =    "AIP",
3151   year =         "1999",
3152   journal =      "J. Chem. Phys.",
3153   volume =       "110",
3154   number =       "19",
3155   pages =        "9401--9410",
3156   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
3157                  potential; crystallisation; liquid theory",
3158   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
3159   doi =          "10.1063/1.478948",
3160   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
3161                  systematic motion",
3162 }
3163
3164 @Article{choudhary05,
3165   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
3166   collaboration = "",
3167   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
3168                  to the production of amorphous silicon",
3169   publisher =    "AIP",
3170   year =         "2005",
3171   journal =      "J. Chem. Phys.",
3172   volume =       "122",
3173   number =       "15",
3174   eid =          "154509",
3175   numpages =     "8",
3176   pages =        "154509",
3177   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
3178                  amorphous semiconductors",
3179   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
3180   doi =          "10.1063/1.1878733",
3181   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
3182                  silicon",
3183 }
3184
3185 @Article{taylor93,
3186   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
3187   collaboration = "",
3188   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
3189                  difficult?",
3190   publisher =    "AIP",
3191   year =         "1993",
3192   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3193   volume =       "62",
3194   number =       "25",
3195   pages =        "3336--3338",
3196   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
3197                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
3198                  ENERGY",
3199   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
3200   doi =          "10.1063/1.109063",
3201   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
3202                  interstitials necessary for precipitation, volume
3203                  decrease, high interface energy",
3204 }
3205
3206 @Article{chaussende08,
3207   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
3208   journal =      "J. Cryst. Growth",
3209   volume =       "310",
3210   number =       "5",
3211   pages =        "976--981",
3212   year =         "2008",
3213   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
3214                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
3215   ISSN =         "0022-0248",
3216   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
3217   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
3218   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
3219                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
3220                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
3221                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
3222   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
3223                  metastable",
3224 }
3225
3226 @Article{chaussende07,
3227   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
3228   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
3229   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
3230   volume =       "40",
3231   number =       "20",
3232   pages =        "6150",
3233   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
3234   year =         "2007",
3235   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
3236                  modelling",
3237 }
3238
3239 @Article{feynman39,
3240   title =        "Forces in Molecules",
3241   author =       "R. P. Feynman",
3242   journal =      "Phys. Rev.",
3243   volume =       "56",
3244   number =       "4",
3245   pages =        "340--343",
3246   numpages =     "3",
3247   year =         "1939",
3248   month =        aug,
3249   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
3250   publisher =    "American Physical Society",
3251   notes =        "hellmann feynman forces",
3252 }
3253
3254 @Article{buczko00,
3255   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
3256                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
3257                  their Contrasting Properties",
3258   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
3259                  T. Pantelides",
3260   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3261   volume =       "84",
3262   number =       "5",
3263   pages =        "943--946",
3264   numpages =     "3",
3265   year =         "2000",
3266   month =        jan,
3267   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
3268   publisher =    "American Physical Society",
3269   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
3270 }
3271
3272 @Article{djurabekova08,
3273   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
3274                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
3275   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
3276   journal =      "Phys. Rev. B",
3277   volume =       "77",
3278   number =       "11",
3279   pages =        "115325",
3280   numpages =     "7",
3281   year =         "2008",
3282   month =        mar,
3283   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
3284   publisher =    "American Physical Society",
3285   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
3286                  angular distribution, coordination",
3287 }
3288
3289 @Article{wen09,
3290   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
3291                  W. Liang and J. Zou",
3292   collaboration = "",
3293   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
3294                  strain relaxation at highly lattice mismatched
3295                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
3296   publisher =    "AIP",
3297   year =         "2009",
3298   journal =      "J. Appl. Phys.",
3299   volume =       "106",
3300   number =       "7",
3301   eid =          "073522",
3302   numpages =     "8",
3303   pages =        "073522",
3304   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
3305                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
3306                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
3307                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
3308   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
3309   doi =          "10.1063/1.3234380",
3310   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
3311                  deconvolution, dislocation defects",
3312 }
3313
3314 @Article{kitabatake93,
3315   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
3316                  Hirao",
3317   collaboration = "",
3318   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
3319                  growth on Si(001) surface",
3320   publisher =    "AIP",
3321   year =         "1993",
3322   journal =      "J. Appl. Phys.",
3323   volume =       "74",
3324   number =       "7",
3325   pages =        "4438--4445",
3326   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
3327                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
3328                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
3329   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
3330   doi =          "10.1063/1.354385",
3331   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
3332                  model, interface",
3333 }
3334
3335 @Article{kitabatake97,
3336   author =       "Makoto Kitabatake",
3337   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
3338                  Heteroepitaxial Growth",
3339   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3340   year =         "1997",
3341   journal =      "physica status solidi (b)",
3342   volume =       "202",
3343   pages =        "405--420",
3344   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3345   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3346   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
3347 }
3348
3349 @Article{chirita97,
3350   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
3351                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
3352                  dynamics study",
3353   journal =      "Thin Solid Films",
3354   volume =       "294",
3355   number =       "1-2",
3356   pages =        "47--49",
3357   year =         "1997",
3358   note =         "",
3359   ISSN =         "0040-6090",
3360   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
3361   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
3362   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
3363   keywords =     "Strain relaxation",
3364   keywords =     "Interfaces",
3365   keywords =     "Thermal stability",
3366   keywords =     "Molecular dynamics",
3367   notes =        "tersoff sic/si interface study",
3368 }
3369
3370 @Article{cicero02,
3371   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
3372                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
3373   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
3374                  Catellani",
3375   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3376   volume =       "89",
3377   number =       "15",
3378   pages =        "156101",
3379   numpages =     "4",
3380   year =         "2002",
3381   month =        sep,
3382   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
3383   publisher =    "American Physical Society",
3384   notes =        "sic/si interface study",
3385 }
3386
3387 @Article{pizzagalli03,
3388   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
3389                  interface: Si{C}/Si(001)",
3390   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
3391                  Catellani",
3392   journal =      "Phys. Rev. B",
3393   volume =       "68",
3394   number =       "19",
3395   pages =        "195302",
3396   numpages =     "10",
3397   year =         "2003",
3398   month =        nov,
3399   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
3400   publisher =    "American Physical Society",
3401   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
3402 }
3403
3404 @Article{tang07,
3405   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
3406                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
3407                  electron microscopy",
3408   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
3409                  H. Zheng and J. W. Liang",
3410   journal =      "Phys. Rev. B",
3411   volume =       "75",
3412   number =       "18",
3413   pages =        "184103",
3414   numpages =     "7",
3415   year =         "2007",
3416   month =        may,
3417   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
3418   publisher =    "American Physical Society",
3419   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
3420                  si and c",
3421 }
3422
3423 @Article{hornstra58,
3424   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
3425   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
3426   volume =       "5",
3427   number =       "1-2",
3428   pages =        "129--141",
3429   year =         "1958",
3430   note =         "",
3431   ISSN =         "0022-3697",
3432   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
3433   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
3434   author =       "J. Hornstra",
3435   notes =        "dislocations in diamond lattice",
3436 }
3437
3438 @Article{deguchi92,
3439   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
3440                  Ion `Hot' Implantation",
3441   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
3442                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
3443   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3444   volume =       "31",
3445   number =       "Part 1, No. 2A",
3446   pages =        "343--347",
3447   numpages =     "4",
3448   year =         "1992",
3449   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
3450   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
3451   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3452   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
3453                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
3454 }
3455
3456 @Article{eichhorn99,
3457   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
3458                  K{\"{o}}gler",
3459   collaboration = "",
3460   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
3461                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
3462                  synchrotron x-ray diffraction",
3463   publisher =    "AIP",
3464   year =         "1999",
3465   journal =      "J. Appl. Phys.",
3466   volume =       "86",
3467   number =       "8",
3468   pages =        "4184--4187",
3469   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
3470                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
3471                  precipitation; semiconductor doping",
3472   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
3473   doi =          "10.1063/1.371344",
3474   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
3475                  expansion of si lattice",
3476 }
3477
3478 @Article{eichhorn02,
3479   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
3480                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
3481   collaboration = "",
3482   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
3483                  carbon ion implantation",
3484   publisher =    "AIP",
3485   year =         "2002",
3486   journal =      "J. Appl. Phys.",
3487   volume =       "91",
3488   number =       "3",
3489   pages =        "1287--1292",
3490   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
3491                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
3492                  electron microscopy",
3493   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
3494   doi =          "10.1063/1.1428105",
3495   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
3496                  temperature, might explain c into c sub trafo",
3497 }
3498
3499 @Article{lucas10,
3500   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
3501   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
3502                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
3503                  high-pressure phases, point and extended defects, and
3504                  amorphous structures",
3505   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3506   volume =       "22",
3507   number =       "3",
3508   pages =        "035802",
3509   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
3510   year =         "2010",
3511   notes =        "edip sic",
3512 }
3513
3514 @Article{godet03,
3515   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
3516                  Beauchamp",
3517   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
3518                  methods for silicon under large shear",
3519   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3520   volume =       "15",
3521   number =       "41",
3522   pages =        "6943",
3523   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
3524   year =         "2003",
3525   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
3526                  edip, tersoff, ab initio",
3527 }
3528
3529 @Article{moriguchi98,
3530   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
3531                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
3532   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
3533   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3534   volume =       "37",
3535   number =       "Part 1, No. 2",
3536   pages =        "414--422",
3537   numpages =     "8",
3538   year =         "1998",
3539   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
3540   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
3541   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3542   notes =        "tersoff stringent test",
3543 }
3544
3545 @Article{mazzarolo01,
3546   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
3547                  simulations",
3548   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
3549                  Lulli and Eros Albertazzi",
3550   journal =      "Phys. Rev. B",
3551   volume =       "63",
3552   number =       "19",
3553   pages =        "195207",
3554   numpages =     "4",
3555   year =         "2001",
3556   month =        apr,
3557   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
3558   publisher =    "American Physical Society",
3559 }
3560
3561 @Article{holmstroem08,
3562   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
3563                  density functional theory molecular dynamics
3564                  simulations",
3565   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
3566   journal =      "Phys. Rev. B",
3567   volume =       "78",
3568   number =       "4",
3569   pages =        "045202",
3570   numpages =     "6",
3571   year =         "2008",
3572   month =        jul,
3573   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
3574   publisher =    "American Physical Society",
3575   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
3576                  initio",
3577 }
3578
3579 @Article{nordlund97,
3580   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
3581                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
3582   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3583   volume =       "132",
3584   number =       "1",
3585   pages =        "45--54",
3586   year =         "1997",
3587   note =         "",
3588   ISSN =         "0168-583X",
3589   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
3590   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
3591   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
3592   notes =        "repulsive ab initio potential",
3593 }
3594
3595 @Article{kresse96,
3596   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
3597                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
3598                  set",
3599   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3600   volume =       "6",
3601   number =       "1",
3602   pages =        "15--50",
3603   year =         "1996",
3604   note =         "",
3605   ISSN =         "0927-0256",
3606   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
3607   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
3608   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
3609   notes =        "vasp ref",
3610 }
3611
3612 @Article{bloechl94,
3613   title =        "Projector augmented-wave method",
3614   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
3615   journal =      "Phys. Rev. B",
3616   volume =       "50",
3617   number =       "24",
3618   pages =        "17953--17979",
3619   numpages =     "26",
3620   year =         "1994",
3621   month =        dec,
3622   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
3623   publisher =    "American Physical Society",
3624   notes =        "paw method",
3625 }
3626
3627 @Article{hamann79,
3628   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
3629   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
3630   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3631   volume =       "43",
3632   number =       "20",
3633   pages =        "1494--1497",
3634   numpages =     "3",
3635   year =         "1979",
3636   month =        nov,
3637   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
3638   publisher =    "American Physical Society",
3639   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
3640 }
3641
3642 @Article{vanderbilt90,
3643   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
3644                  eigenvalue formalism",
3645   author =       "David Vanderbilt",
3646   journal =      "Phys. Rev. B",
3647   volume =       "41",
3648   number =       "11",
3649   pages =        "7892--7895",
3650   numpages =     "3",
3651   year =         "1990",
3652   month =        apr,
3653   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
3654   publisher =    "American Physical Society",
3655   notes =        "vasp pseudopotentials",
3656 }
3657
3658 @Article{perdew86,
3659   title =        "Accurate and simple density functional for the
3660                  electronic exchange energy: Generalized gradient
3661                  approximation",
3662   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
3663   journal =      "Phys. Rev. B",
3664   volume =       "33",
3665   number =       "12",
3666   pages =        "8800--8802",
3667   numpages =     "2",
3668   year =         "1986",
3669   month =        jun,
3670   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
3671   publisher =    "American Physical Society",
3672   notes =        "rapid communication gga",
3673 }
3674
3675 @Article{perdew02,
3676   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
3677                  correlation: {A} look backward and forward",
3678   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
3679   volume =       "172",
3680   number =       "1-2",
3681   pages =        "1--6",
3682   year =         "1991",
3683   note =         "",
3684   ISSN =         "0921-4526",
3685   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
3686   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
3687   author =       "John P. Perdew",
3688   notes =        "gga overview",
3689 }
3690
3691 @Article{perdew92,
3692   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
3693                  of the generalized gradient approximation for exchange
3694                  and correlation",
3695   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
3696                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
3697                  and Carlos Fiolhais",
3698   journal =      "Phys. Rev. B",
3699   volume =       "46",
3700   number =       "11",
3701   pages =        "6671--6687",
3702   numpages =     "16",
3703   year =         "1992",
3704   month =        sep,
3705   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
3706   publisher =    "American Physical Society",
3707   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
3708 }
3709
3710 @Article{baldereschi73,
3711   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
3712   author =       "A. Baldereschi",
3713   journal =      "Phys. Rev. B",
3714   volume =       "7",
3715   number =       "12",
3716   pages =        "5212--5215",
3717   numpages =     "3",
3718   year =         "1973",
3719   month =        jun,
3720   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
3721   publisher =    "American Physical Society",
3722   notes =        "mean value k point",
3723 }
3724
3725 @Article{zhu98,
3726   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
3727                  diffusion in Si",
3728   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3729   volume =       "12",
3730   number =       "4",
3731   pages =        "309--318",
3732   year =         "1998",
3733   note =         "",
3734   ISSN =         "0927-0256",
3735   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
3736   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
3737   author =       "Jing Zhu",
3738   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
3739   keywords =     "Boron dopant",
3740   keywords =     "Carbon dopant",
3741   keywords =     "Defect",
3742   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
3743   keywords =     "Impurity cluster",
3744   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
3745 }
3746
3747 @Article{nejim95,
3748   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
3749   collaboration = "",
3750   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
3751                  950 [degree]{C}",
3752   publisher =    "AIP",
3753   year =         "1995",
3754   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3755   volume =       "66",
3756   number =       "20",
3757   pages =        "2646--2648",
3758   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
3759                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
3760                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
3761                  ELECTRON MICROSCOPY",
3762   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
3763   doi =          "10.1063/1.113112",
3764   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
3765                  self interstitials react with further implanted c",
3766 }
3767
3768 @Article{guedj98,
3769   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
3770                  Kolodzey and A. Hairie",
3771   collaboration = "",
3772   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3773                  alloys",
3774   publisher =    "AIP",
3775   year =         "1998",
3776   journal =      "J. Appl. Phys.",
3777   volume =       "84",
3778   number =       "8",
3779   pages =        "4631--4633",
3780   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
3781                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
3782                  Fourier transform spectra; thermal stability;
3783                  annealing",
3784   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
3785   doi =          "10.1063/1.368703",
3786   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
3787 }
3788
3789 @Article{jones04,
3790   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
3791   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
3792                  semiconductors",
3793   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3794   volume =       "16",
3795   number =       "27",
3796   pages =        "S2643",
3797   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
3798   year =         "2004",
3799   notes =        "ab inito dft intro, vibrational modes, c defect in
3800                  si",
3801 }
3802
3803 @Article{park02,
3804   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
3805                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
3806                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
3807   collaboration = "",
3808   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
3809                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
3810                  molecular-beam epitaxy",
3811   publisher =    "AIP",
3812   year =         "2002",
3813   journal =      "J. Appl. Phys.",
3814   volume =       "91",
3815   number =       "9",
3816   pages =        "5716--5727",
3817   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
3818   doi =          "10.1063/1.1465122",
3819   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
3820 }
3821
3822 @Article{leary97,
3823   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
3824                  carbon-carbon pair defects in silicon",
3825   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
3826                  Torres",
3827   journal =      "Phys. Rev. B",
3828   volume =       "55",
3829   number =       "4",
3830   pages =        "2188--2194",
3831   numpages =     "6",
3832   year =         "1997",
3833   month =        jan,
3834   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
3835   publisher =    "American Physical Society",
3836   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
3837                  energies, different migration barriers and paths",
3838 }
3839
3840 @Article{burnard93,
3841   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
3842                  silicon: Semiempirical electronic-structure
3843                  calculations",
3844   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
3845   journal =      "Phys. Rev. B",
3846   volume =       "47",
3847   number =       "16",
3848   pages =        "10217--10225",
3849   numpages =     "8",
3850   year =         "1993",
3851   month =        apr,
3852   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
3853   publisher =    "American Physical Society",
3854   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
3855                  carbon defect, formation energies",
3856 }
3857
3858 @Article{besson91,
3859   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
3860                  silicon",
3861   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
3862   journal =      "Phys. Rev. B",
3863   volume =       "43",
3864   number =       "5",
3865   pages =        "4028--4033",
3866   numpages =     "5",
3867   year =         "1991",
3868   month =        feb,
3869   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
3870   publisher =    "American Physical Society",
3871 }
3872
3873 @Article{kaxiras96,
3874   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
3875                  and growth on semiconductors",
3876   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3877   volume =       "6",
3878   number =       "2",
3879   pages =        "158--172",
3880   year =         "1996",
3881   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
3882                  Epitaxy",
3883   ISSN =         "0927-0256",
3884   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
3885   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
3886   author =       "Efthimios Kaxiras",
3887   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
3888                  tight binding, first principles",
3889 }
3890
3891 @Article{kaukonen98,
3892   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
3893                  diamond
3894                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
3895                  surfaces",
3896   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
3897                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
3898                  Th. Frauenheim",
3899   journal =      "Phys. Rev. B",
3900   volume =       "57",
3901   number =       "16",
3902   pages =        "9965--9970",
3903   numpages =     "5",
3904   year =         "1998",
3905   month =        apr,
3906   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
3907   publisher =    "American Physical Society",
3908   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
3909                  (crt)",
3910 }
3911
3912 @Article{gali03,
3913   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
3914                  center in Si{C}",
3915   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
3916                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
3917                  W. J. Choyke",
3918   journal =      "Phys. Rev. B",
3919   volume =       "67",
3920   number =       "15",
3921   pages =        "155203",
3922   numpages =     "5",
3923   year =         "2003",
3924   month =        apr,
3925   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
3926   publisher =    "American Physical Society",
3927 }
3928
3929 @Article{chen98,
3930   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
3931                  irradiation and deformation",
3932   journal =      "J. Nucl. Mater.",
3933   volume =       "258-263",
3934   number =       "Part 2",
3935   pages =        "1803--1808",
3936   year =         "1998",
3937   note =         "",
3938   ISSN =         "0022-3115",
3939   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
3940   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
3941   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
3942 }
3943
3944 @Article{weber01,
3945   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
3946                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
3947   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3948   volume =       "175-177",
3949   number =       "",
3950   pages =        "26--30",
3951   year =         "2001",
3952   note =         "",
3953   ISSN =         "0168-583X",
3954   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
3955   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
3956   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
3957 }
3958
3959 @Article{bockstedte03,
3960   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
3961                  in $3{C}-Si{C}$",
3962   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
3963                  Pankratov",
3964   journal =      "Phys. Rev. B",
3965   volume =       "68",
3966   number =       "20",
3967   pages =        "205201",
3968   numpages =     "17",
3969   year =         "2003",
3970   month =        nov,
3971   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
3972   publisher =    "American Physical Society",
3973   notes =        "defect migration in sic",
3974 }
3975
3976 @Article{rauls03a,
3977   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
3978                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
3979   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
3980                  De\'ak",
3981   journal =      "Phys. Rev. B",
3982   volume =       "68",
3983   number =       "15",
3984   pages =        "155208",
3985   numpages =     "9",
3986   year =         "2003",
3987   month =        oct,
3988   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
3989   publisher =    "American Physical Society",
3990 }
3991
3992 @Article{losev27,
3993   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
3994   volume =       "44",
3995   pages =        "485--494",
3996   year =         "1927",
3997   author =       "O. V. Lossev",
3998 }
3999
4000 @Article{losev28,
4001   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
4002                  oscillations with crystals",
4003   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
4004   volume =       "6",
4005   number =       "39",
4006   pages =        "1024--1044",
4007   year =         "1928",
4008   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
4009   author =       "O. V. Lossev",
4010 }
4011
4012 @Article{losev29,
4013   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4014   volume =       "30",
4015   pages =        "920--923",
4016   year =         "1929",
4017   author =       "O. V. Lossev",
4018 }
4019
4020 @Article{losev31,
4021   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4022   volume =       "32",
4023   pages =        "692--696",
4024   year =         "1931",
4025   author =       "O. V. Lossev",
4026 }
4027
4028 @Article{losev33,
4029   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4030   volume =       "34",
4031   pages =        "397--403",
4032   year =         "1933",
4033   author =       "O. V. Lossev",
4034 }
4035
4036 @Article{round07,
4037   title =        "A note on carborundum",
4038   journal =      "Electrical World",
4039   volume =       "49",
4040   pages =        "308",
4041   year =         "1907",
4042   author =       "H. J. Round",
4043 }
4044
4045 @Article{vashishath08,
4046   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
4047   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
4048   volume =       "2",
4049   number =       "03",
4050   pages =        "444--470",
4051   year =         "2008",
4052   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
4053   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
4054   notes =        "sic polytype electronic properties",
4055 }
4056
4057 @Article{nelson69,
4058   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
4059   collaboration = "",
4060   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
4061   publisher =    "AIP",
4062   year =         "1966",
4063   journal =      "Journal of Applied Physics",
4064   volume =       "37",
4065   number =       "1",
4066   pages =        "333--336",
4067   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
4068   doi =          "10.1063/1.1707837",
4069   notes =        "sic melt growth",
4070 }
4071
4072 @Article{arkel25,
4073   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
4074   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
4075                  und Thoriummetall",
4076   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
4077   year =         "1925",
4078   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4079   volume =       "148",
4080   pages =        "345--350",
4081   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
4082   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
4083   notes =        "van arkel apparatus",
4084 }
4085
4086 @Article{moers31,
4087   author =       "K. Moers",
4088   year =         "1931",
4089   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4090   volume =       "198",
4091   pages =        "293",
4092   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4093                  process",
4094 }
4095
4096 @Article{kendall53,
4097   author =       "J. T. Kendall",
4098   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
4099   publisher =    "AIP",
4100   year =         "1953",
4101   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
4102   volume =       "21",
4103   number =       "5",
4104   pages =        "821--827",
4105   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
4106   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4107                  process",
4108 }
4109
4110 @Article{lely55,
4111   author =       "J. A. Lely",
4112   year =         "1955",
4113   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
4114   volume =       "32",
4115   pages =        "229",
4116   notes =        "lely sublimation growth process",
4117 }
4118
4119 @Article{knippenberg63,
4120   author =       "W. F. Knippenberg",
4121   year =         "1963",
4122   journal =      "Philips Res. Repts.",
4123   volume =       "18",
4124   pages =        "161",
4125   notes =        "acheson process",
4126 }
4127
4128 @Article{hoffmann82,
4129   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
4130                  Weyrich",
4131   collaboration = "",
4132   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
4133                  improved external quantum efficiency",
4134   publisher =    "AIP",
4135   year =         "1982",
4136   journal =      "Journal of Applied Physics",
4137   volume =       "53",
4138   number =       "10",
4139   pages =        "6962--6967",
4140   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
4141                  efficiency; visible radiation; experimental data;
4142                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
4143                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
4144                  electroluminescence; spectra; current density;
4145                  optimization",
4146   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
4147   doi =          "10.1063/1.330041",
4148   notes =        "blue led, sublimation process",
4149 }
4150
4151 @Article{neudeck95,
4152   author =       "Philip Neudeck",
4153   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
4154                  Road 44135 Cleveland OH",
4155   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
4156                  technology",
4157   journal =      "Journal of Electronic Materials",
4158   publisher =    "Springer Boston",
4159   ISSN =         "0361-5235",
4160   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
4161   pages =        "283--288",
4162   volume =       "24",
4163   issue =        "4",
4164   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
4165   note =         "10.1007/BF02659688",
4166   year =         "1995",
4167   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
4168 }
4169
4170 @Article{bhatnagar93,
4171   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
4172   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4173   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
4174                  devices",
4175   year =         "1993",
4176   month =        mar,
4177   volume =       "40",
4178   number =       "3",
4179   pages =        "645--655",
4180   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
4181                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
4182                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
4183                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
4184                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
4185                  solids;insulated gate field effect transistors;power
4186                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
4187                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
4188   doi =          "10.1109/16.199372",
4189   ISSN =         "0018-9383",
4190   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
4191 }
4192
4193 @Article{neudeck94,
4194   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
4195                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
4196   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4197   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
4198                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
4199                  6{H}-Si{C} substrates",
4200   year =         "1994",
4201   month =        may,
4202   volume =       "41",
4203   number =       "5",
4204   pages =        "826--835",
4205   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
4206                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
4207                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
4208                  properties;epitaxial layers;light
4209                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
4210                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
4211                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
4212                  currents;power electronics;semiconductor
4213                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
4214                  growth;semiconductor materials;silicon
4215                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
4216                  phase epitaxial growth;",
4217   doi =          "10.1109/16.285038",
4218   ISSN =         "0018-9383",
4219   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
4220                  substrate",
4221 }
4222
4223 @Article{schulze98,
4224   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
4225   collaboration = "",
4226   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
4227                  single crystals by physical vapor transport",
4228   publisher =    "AIP",
4229   year =         "1998",
4230   journal =      "Applied Physics Letters",
4231   volume =       "72",
4232   number =       "13",
4233   pages =        "1632--1634",
4234   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
4235                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
4236                  photoluminescence; Hall mobility",
4237   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
4238   doi =          "10.1063/1.121136",
4239   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
4240 }
4241
4242 @Article{pirouz87,
4243   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
4244   collaboration = "",
4245   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
4246   publisher =    "AIP",
4247   year =         "1987",
4248   journal =      "Applied Physics Letters",
4249   volume =       "50",
4250   number =       "4",
4251   pages =        "221--223",
4252   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
4253                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
4254                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
4255                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
4256                  BOUNDARIES",
4257   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
4258   doi =          "10.1063/1.97667",
4259   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
4260 }
4261
4262 @Article{shibahara86,
4263   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
4264                  Si(100) by chemical vapor deposition",
4265   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4266   volume =       "78",
4267   number =       "3",
4268   pages =        "538--544",
4269   year =         "1986",
4270   note =         "",
4271   ISSN =         "0022-0248",
4272   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
4273   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
4274   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
4275                  Matsunami",
4276   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
4277 }
4278
4279 @Article{desjardins96,
4280   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
4281   collaboration = "",
4282   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
4283   publisher =    "AIP",
4284   year =         "1996",
4285   journal =      "Journal of Applied Physics",
4286   volume =       "79",
4287   number =       "3",
4288   pages =        "1423--1434",
4289   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
4290                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
4291   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
4292   doi =          "10.1063/1.360980",
4293   notes =        "apb model",
4294 }
4295
4296 @Article{henke95,
4297   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
4298   collaboration = "",
4299   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
4300                  carbonization of silicon",
4301   publisher =    "AIP",
4302   year =         "1995",
4303   journal =      "Journal of Applied Physics",
4304   volume =       "78",
4305   number =       "3",
4306   pages =        "2070--2073",
4307   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
4308                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
4309                  STRUCTURE",
4310   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
4311   doi =          "10.1063/1.360184",
4312   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
4313 }
4314
4315 @Article{fuyuki89,
4316   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
4317                  {MBE} using surface superstructure",
4318   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4319   volume =       "95",
4320   number =       "1-4",
4321   pages =        "461--463",
4322   year =         "1989",
4323   note =         "",
4324   ISSN =         "0022-0248",
4325   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
4326   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
4327   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
4328                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
4329   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4330 }
4331
4332 @Article{yoshinobu92,
4333   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
4334                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4335   collaboration = "",
4336   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
4337                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
4338                  molecular beam epitaxy",
4339   publisher =    "AIP",
4340   year =         "1992",
4341   journal =      "Applied Physics Letters",
4342   volume =       "60",
4343   number =       "7",
4344   pages =        "824--826",
4345   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
4346                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
4347                  INTERFACE STRUCTURE",
4348   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
4349   doi =          "10.1063/1.107430",
4350   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4351 }
4352
4353 @Article{yoshinobu90,
4354   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
4355                  cubic Si{C}",
4356   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4357   volume =       "99",
4358   number =       "1-4",
4359   pages =        "520--524",
4360   year =         "1990",
4361   note =         "",
4362   ISSN =         "0022-0248",
4363   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
4364   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
4365   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
4366                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4367   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
4368 }
4369
4370 @Article{fuyuki93,
4371   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
4372                  superstructures in Si{C}",
4373   journal =      "Thin Solid Films",
4374   volume =       "225",
4375   number =       "1-2",
4376   pages =        "225--229",
4377   year =         "1993",
4378   note =         "",
4379   ISSN =         "0040-6090",
4380   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
4381   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
4382   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
4383                  Matsunami",
4384   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4385                  epitaxy, ale",
4386 }
4387
4388 @Article{hara93,
4389   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
4390                  growth of [beta]-Si{C}",
4391   journal =      "Thin Solid Films",
4392   volume =       "225",
4393   number =       "1-2",
4394   pages =        "240--243",
4395   year =         "1993",
4396   note =         "",
4397   ISSN =         "0040-6090",
4398   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
4399   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
4400   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
4401                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
4402   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4403                  epitaxy, ale",
4404 }
4405
4406 @Article{tanaka94,
4407   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
4408   collaboration = "",
4409   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
4410                  growth mode and polytype formation during gas-source
4411                  molecular beam epitaxy",
4412   publisher =    "AIP",
4413   year =         "1994",
4414   journal =      "Applied Physics Letters",
4415   volume =       "65",
4416   number =       "22",
4417   pages =        "2851--2853",
4418   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
4419                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
4420                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
4421                  FLOW; FLOW RATE",
4422   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
4423   doi =          "10.1063/1.112513",
4424   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
4425 }
4426
4427 @Article{fuyuki97,
4428   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
4429   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
4430                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
4431   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
4432   year =         "1997",
4433   journal =      "physica status solidi (b)",
4434   volume =       "202",
4435   pages =        "359--378",
4436   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
4437                  temperatures 750",
4438 }
4439
4440 @Article{takaoka98,
4441   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
4442   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4443   volume =       "183",
4444   number =       "1-2",
4445   pages =        "175--182",
4446   year =         "1998",
4447   note =         "",
4448   ISSN =         "0022-0248",
4449   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
4450   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
4451   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
4452   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
4453   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
4454   keywords =     "Silicon carbide",
4455   keywords =     "Silicon",
4456   keywords =     "Island growth",
4457   notes =        "lower temperature, 550-700",
4458 }
4459
4460 @Article{hatayama95,
4461   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
4462                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
4463                  molecular beam epitaxy",
4464   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4465   volume =       "150",
4466   number =       "Part 2",
4467   pages =        "934--938",
4468   year =         "1995",
4469   note =         "",
4470   ISSN =         "0022-0248",
4471   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
4472   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
4473   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
4474                  and Hiroyuki Matsunami",
4475 }
4476
4477 @Article{heine91,
4478   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
4479   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
4480                  Metastable Cubic Form",
4481   journal =      "Journal of the American Ceramic Society",
4482   volume =       "74",
4483   number =       "10",
4484   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
4485   ISSN =         "1551-2916",
4486   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4487   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4488   pages =        "2630--2633",
4489   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
4490                  calculations, stability",
4491   year =         "1991",
4492   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
4493                  polytype dft calculation refs",
4494 }
4495
4496 @Article{allendorf91,
4497   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
4498                  [beta]-silicon carbide",
4499   journal =      "Surface Science",
4500   volume =       "258",
4501   number =       "1-3",
4502   pages =        "177--189",
4503   year =         "1991",
4504   note =         "",
4505   ISSN =         "0039-6028",
4506   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
4507   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
4508   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
4509   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
4510 }
4511
4512 @Article{eaglesham93,
4513   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
4514                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
4515   collaboration = "",
4516   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
4517   publisher =    "AIP",
4518   year =         "1993",
4519   journal =      "Journal of Applied Physics",
4520   volume =       "74",
4521   number =       "11",
4522   pages =        "6615--6618",
4523   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
4524                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
4525                  DIFFUSION; ADSORPTION",
4526   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
4527   doi =          "10.1063/1.355101",
4528   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
4529                  mobility",
4530 }
4531
4532 @Article{newman85,
4533   author =       "Ronald C. Newman",
4534   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
4535   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4536   volume =       "59",
4537   number =       "",
4538   pages =        "403",
4539   year =         "1985",
4540   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
4541   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
4542   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
4543 }
4544
4545 @Article{newman61,
4546   title =        "The diffusivity of carbon in silicon",
4547   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
4548   volume =       "19",
4549   number =       "3-4",
4550   pages =        "230--234",
4551   year =         "1961",
4552   note =         "",
4553   ISSN =         "0022-3697",
4554   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(61)90032-4",
4555   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46M72R1-4D/2/9235472e4c0a95bf7b995769474f5fbd",
4556   author =       "R. C. Newman and J. Wakefield",
4557   notes =        "diffusivity of substitutional c in si",
4558 }
4559
4560 @Article{goesele85,
4561   author =       "U. Gösele",
4562   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
4563   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4564   volume =       "59",
4565   number =       "",
4566   pages =        "419",
4567   year =         "1985",
4568   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
4569   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
4570   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
4571 }
4572
4573 @Article{mukashev82,
4574   title =        "Defects in Carbon-Implanted Silicon",
4575   author =       "Bulat N. Mukashev and Alexey V. Spitsyn and Noboru
4576                  Fukuoka and Haruo Saito",
4577   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
4578   volume =       "21",
4579   number =       "Part 1, No. 2",
4580   pages =        "399--400",
4581   numpages =     "1",
4582   year =         "1982",
4583   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/21/399/",
4584   doi =          "10.1143/JJAP.21.399",
4585   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
4586 }
4587
4588 @Article{puska98,
4589   title =        "Convergence of supercell calculations for point
4590                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
4591   author =       "M. J. Puska and S. P{\"o}ykk{\"o} and M. Pesola and R.
4592                  M. Nieminen",
4593   journal =      "Phys. Rev. B",
4594   volume =       "58",
4595   number =       "3",
4596   pages =        "1318--1325",
4597   numpages =     "7",
4598   year =         "1998",
4599   month =        jul,
4600   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.1318",
4601   publisher =    "American Physical Society",
4602   notes =        "convergence k point supercell size, vacancy in
4603                  silicon",
4604 }
4605
4606 @Article{serre95,
4607   author =       "C. Serre and A. P\'{e}rez-Rodr\'{\i}guez and A.
4608                  Romano-Rodr\'{\i}guez and J. R. Morante and R.
4609                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
4610   collaboration = "",
4611   title =        "Spectroscopic characterization of phases formed by
4612                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
4613   publisher =    "AIP",
4614   year =         "1995",
4615   journal =      "Journal of Applied Physics",
4616   volume =       "77",
4617   number =       "7",
4618   pages =        "2978--2984",
4619   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; PHASE STUDIES; CARBON IONS;
4620                  FOURIER TRANSFORM SPECTROSCOPY; RAMAN SPECTRA;
4621                  PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; TEM; TEMPERATURE
4622                  DEPENDENCE; PRECIPITATES; ANNEALING",
4623   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
4624   doi =          "10.1063/1.358714",
4625 }
4626
4627 @Article{romano-rodriguez96,
4628   title =        "Detailed analysis of [beta]-Si{C} formation by high
4629                  dose carbon ion implantation in silicon",
4630   journal =      "Materials Science and Engineering B",
4631   volume =       "36",
4632   number =       "1-3",
4633   pages =        "282--285",
4634   year =         "1996",
4635   note =         "European Materials Research Society 1995 Spring
4636                  Meeting, Symposium N: Carbon, Hydrogen, Nitrogen, and
4637                  Oxygen in Silicon and in Other Elemental
4638                  Semiconductors",
4639   ISSN =         "0921-5107",
4640   doi =          "DOI: 10.1016/0921-5107(95)01283-4",
4641   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-3VR7691-25/2/995fd57b9e5c1100558f80c472620408",
4642   author =       "A. Romano-Rodriguez and C. Serre and L. Calvo-Barrio
4643                  and A. Pérez-Rodríguez and J. R. Morante and R. Kögler
4644                  and W. Skorupa",
4645   keywords =     "Silicon",
4646   keywords =     "Ion implantation",
4647   notes =        "incoherent 3c-sic precipitate",
4648 }