bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 % molecular dynamics: basics / potential
   6
   7 @article{albe_sic_pot,
   8   author = {Paul Erhart and Karsten Albe},
   9   title = {Analytical potential for atomistic simulations of silicon, carbon,
  10            and silicon carbide},
  11   publisher = {APS},
  12   year = {2005},
  13   journal = {Phys. Rev. B},
  14   volume = {71},
  15   number = {3},
  16   eid = {035211},
  17   numpages = {14},
  18   pages = {035211},
  19   notes = {alble reparametrization, analytical bond oder potential (ABOP)},
  20   keywords = {silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon compounds;
  21               wide band gap semiconductors; elasticity; enthalpy;
  22               point defects; crystallographic shear; atomic forces},
  23   url = {http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211},
  24   doi = {10.1103/PhysRevB.71.035211}
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title = {Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29            Analytical bond-order potential for platinum-carbon},
  30   author = {Albe, Karsten  and Nordlund, Kai  and Averback, Robert S.},
  31   journal = {Phys. Rev. B},
  32   volume = {65},
  33   number = {19},
  34   pages = {195124},
  35   numpages = {11},
  36   year = {2002},
  37   month = {May},
  38   doi = {10.1103/PhysRevB.65.195124},
  39   publisher = {American Physical Society},
  40   notes = {derivation of albe bond order formalism},
  41 }
  42
  43 @ARTICLE{mattoni2007,
  44   author = {{Mattoni}, A. and {Ippolito}, M. and {Colombo}, L.},
  45   title = "{Atomistic modeling of brittleness in covalent materials}",
  46   journal = {Phys. Rev. B},
  47   year = 2007,
  48   month = dec,
  49   volume = 76,
  50   number = 22,
  51   pages = {224103-+},
  52   doi = {10.1103/PhysRevB.76.224103},
  53   notes = {adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
  54            longe(r)-range-interactions, brittle propagation of fracture,
  55            more available potentials, universal energy relation (uer),
  56            minimum range model (mrm)}
  57 }
  58
  59 @Article{koster2002,
  60   title = {Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion bombardment},
  61   author = {M. Koster, H. M. Urbassek},
  62   journal = {Phys. Rev. B},
  63   volume = {62},
  64   number = {16},
  65   pages = {11219--11224},
  66   numpages = {5},
  67   year = {2000},
  68   month = {Oct},
  69   doi = {10.1103/PhysRevB.62.11219},
  70   publisher = {American Physical Society},
  71   notes = {virial derivation for 3-body tersoff potential}
  72 }
  73
  74 @Article{breadmore99,
  75   title = {Direct simulation of ion-beam-induced stressing
  76            and amorphization of silicon},
  77   author = {K. M. Beardmore, N. Gr\o{}nbech-Jensen},
  78   journal = {Phys. Rev. B},
  79   volume = {60},
  80   number = {18},
  81   pages = {12610--12616},
  82   numpages = {6},
  83   year = {1999},
  84   month = {Nov},
  85   doi = {10.1103/PhysRevB.60.12610},
  86   publisher = {American Physical Society},
  87   notes = {virial derivation for 3-body tersoff potential}
  88 }
  89
  90 @Article{verlet67,
  91   title = {Computer "Experiments" on Classical Fluids. I. Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules},
  92   author = {Verlet, Loup },
  93   journal = {Phys. Rev.},
  94   volume = {159},
  95   number = {1},
  96   pages = {98},
  97   year = {1967},
  98   month = {Jul},
  99   doi = {10.1103/PhysRev.159.98},
 100   publisher = {American Physical Society},
 101   notes = {velocity verlet integration algorithm equation of motion}
 102 }
 103
 104 @article{berendsen84,
 105   author = {H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van Gunsteren
 106             and A. DiNola and J. R. Haak},
 107   collaboration = {},
 108   title = {Molecular dynamics with coupling to an external bath},
 109   publisher = {AIP},
 110   year = {1984},
 111   journal = {The Journal of Chemical Physics},
 112   volume = {81},
 113   number = {8},
 114   pages = {3684-3690},
 115   keywords = {MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 116               COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS},
 117   url = {http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1},
 118   doi = {10.1063/1.448118},
 119   notes = {berendsen thermostat barostat}
 120 }
 121
 122 @article{huang95,
 123   author={Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M Baskes},
 124   title={Molecular dynamics determination of defect energetics in beta -SiC
 125          using three representative empirical potentials},
 126   journal={Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering},
 127   volume={3},
 128   number={5},
 129   pages={615-627},
 130   url={http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615},
 131   notes = {comparison of tersoff, pearson and eam for defect energetics in sic;
 132            (m)eam parameters for sic},
 133   year={1995}
 134 }
 135
 136 @Article{tersoff89,
 137   title = {Relationship between the embedded-atom method and
 138            Tersoff potentials},
 139   author = {Brenner, Donald W.},
 140   journal = {Phys. Rev. Lett.},
 141   volume = {63},
 142   number = {9},
 143   pages = {1022},
 144   numpages = {1},
 145   year = {1989},
 146   month = {Aug},
 147   doi = {10.1103/PhysRevLett.63.1022},
 148   publisher = {American Physical Society},
 149   notes = {relation of tersoff and eam potential}
 150 }
 151
 152 % molecular dynamics: applications
 153
 154 @Article{batra87,
 155   title = {Molecular-dynamics study of self-interstitials in silicon},
 156   author = {Inder P. Batra, Farid F. Abraham, S. Ciraci},
 157   journal = {Phys. Rev. B},
 158   volume = {35},
 159   number = {18},
 160   pages = {9552--9558},
 161   numpages = {6},
 162   year = {1987},
 163   month = {Jun},
 164   doi = {10.1103/PhysRevB.35.9552},
 165   publisher = {American Physical Society},
 166   notes = {selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 167            calculation of defect formation energy, defect interstitial types}
 168 }
 169
 170 @Article{schober89,
 171   title = {Extended interstitials in silicon and germanium},
 172   author = {H. R. Schober},
 173   journal = {Phys. Rev. B},
 174   volume = {39},
 175   number = {17},
 176   pages = {13013--13015},
 177   numpages = {2},
 178   year = {1989},
 179   month = {Jun},
 180   doi = {10.1103/PhysRevB.39.13013},
 181   publisher = {American Physical Society},
 182   notes = {stillinger-weber silicon 110 stable and metastable dumbbell
 183            configuration}
 184 }
 185
 186 @Article{gao02,
 187   title = {Cascade overlap and amorphization in $3C-SiC:$
 188            Defect accumulation, topological features, and disordering},
 189   author = {Gao, F.  and Weber, W. J.},
 190   journal = {Phys. Rev. B},
 191   volume = {66},
 192   number = {2},
 193   pages = {024106},
 194   numpages = {10},
 195   year = {2002},
 196   month = {Jul},
 197   doi = {10.1103/PhysRevB.66.024106},
 198   publisher = {American Physical Society},
 199   note = {sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization, tersoff modified,
 200           pair correlation of amorphous sic, md result analyze}
 201 }
 202
 203 @Article{devanathan98,
 204   title = "Computer simulation of a 10 keV Si displacement cascade in SiC",
 205   journal = "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B:
 206              Beam Interactions with Materials and Atoms",
 207   volume = "141",
 208   number = "1-4",
 209   pages = "118 - 122",
 210   year = "1998",
 211   note = "",
 212   issn = "0168-583X",
 213   doi = "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 214   author = "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la Rubia",
 215   notes = {modified tersoff short range potential, ab initio 3c-sic}
 216 }
 217
 218 @Article{devanathan98_2,
 219   title = "Displacement threshold energies in [beta]-SiC",
 220   journal = "Journal of Nuclear Materials",
 221   volume = "253",
 222   number = "1-3",
 223   pages = "47 - 52",
 224   year = "1998",
 225   issn = "0022-3115",
 226   doi = "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 227   author = "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J. Weber",
 228   notes = "modified tersoff, ab initio, combined ab initio tersoff"
 229 }
 230
 231 @Article{batra87,
 232   title = {SiC/Si heteroepitaxial growth},
 233   author = {M. Kitabatake},
 234   journal = {Thin Solid Films},
 235   volume = {369},
 236   pages = {257--264},
 237   numpages = {8},
 238   year = {2000},
 239   notes = {md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe}
 240 }
 241
 242 % tight binding
 243
 244 @Article{tang97,
 245   title = {Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 246            Tight-binding molecular dynamics studies of self-diffusion,
 247            interstitial-vacancy recombination, and formation volumes},
 248   author = {M. Tang, L. Colombo, J. Zhu, T. Diaz de la Rubia},
 249   journal = {Phys. Rev. B},
 250   volume = {55},
 251   number = {21},
 252   pages = {14279--14289},
 253   numpages = {10},
 254   year = {1997},
 255   month = {Jun},
 256   doi = {10.1103/PhysRevB.55.14279},
 257   publisher = {American Physical Society},
 258   notes = {si self interstitial, diffusion, tbmd}
 259 }
 260
 261 @Article{tang97,
 262   title = {Tight-binding theory of native point defects in silicon},
 263   author = {L. Colombo},
 264   journal = {Annu. Rev. Mater. Res.},
 265   volume = {32},
 266   pages = {271--295},
 267   numpages = {25},
 268   year = {2002},
 269   doi = {10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036},
 270   publisher = {Annual Reviews},
 271   notes = {si self interstitial, tbmd, virial stress}
 272 }
 273
 274 % mixed
 275
 276 @Article{gao2001,
 277   title = {Ab initio and empirical-potential studies of defect properties
 278            in $3C-SiC$ },
 279   author = {F. Gao, E. J. Bylaska, W. J. Weber, L. R. Corrales},
 280   journal = {Phys. Rev. B},
 281   volume = {64},
 282   number = {24},
 283   pages = {245208},
 284   numpages = {7},
 285   year = {2001},
 286   month = {Dec},
 287   doi = {10.1103/PhysRevB.64.245208},
 288   publisher = {American Physical Society},
 289   notes = {defects in 3c-sic}
 290 }
 291
 292 @Article{mattoni2002,
 293   title = {Self-interstitial trapping by carbon complexes in crystalline silicon},
 294   author = {Mattoni, A.  and Bernardini, F.  and Colombo, L. },
 295   journal = {Phys. Rev. B},
 296   volume = {66},
 297   number = {19},
 298   pages = {195214},
 299   numpages = {6},
 300   year = {2002},
 301   month = {Nov},
 302   doi = {10.1103/PhysRevB.66.195214},
 303   publisher = {American Physical Society},
 304   notes = {c in c-si, diffusion, interstitial configuration + links}
 305 }
 306
 307 % ab initio
 308
 309 @Article{leung99,
 310   title = {Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects},
 311   author = {Leung, W.-K.  and Needs, R. J. and Rajagopal, G.  and
 312             Itoh, S.  and Ihara, S. },
 313   journal = {Phys. Rev. Lett.},
 314   volume = {83},
 315   number = {12},
 316   pages = {2351--2354},
 317   numpages = {3},
 318   year = {1999},
 319   month = {Sep},
 320   doi = {10.1103/PhysRevLett.83.2351},
 321   publisher = {American Physical Society},
 322   notes = {nice images of the defects}
 323 }
 324
 325 @Article{capazd94,
 326   title = {Identification of the migration path of interstitial carbon
 327            in silicon},
 328   author = {R. B. Capazd, A Dal Pino, J. D. Joannopoulos},
 329   journal = {Phys. Rev. B},
 330   volume = {50},
 331   number = {11},
 332   pages = {7439--7442},
 333   numpages = {3},
 334   year = {1994},
 335   month = {Sep},
 336   doi = {10.1103/PhysRevB.50.7439},
 337   publisher = {American Physical Society},
 338   notes = {carbon interstitial migration path shown, 001 c-si dumbbell}
 339 }
 340
 341 @Article{car84,
 342   title = {Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in Silicon},
 343   author = {Car, Roberto  and Kelly, Paul J. and Oshiyama, Atsushi
 344             and Pantelides, Sokrates T.},
 345   journal = {Phys. Rev. Lett.},
 346   volume = {52},
 347   number = {20},
 348   pages = {1814--1817},
 349   numpages = {3},
 350   year = {1984},
 351   month = {May},
 352   doi = {10.1103/PhysRevLett.52.1814},
 353   publisher = {American Physical Society},
 354   notes = {microscopic theory diffusion silicon dft migration path formation}
 355 }
 356
 357 % monte carlo md
 358
 359 @Article{kelires97,
 360   title = {Short-range order, bulk moduli,
 361            and physical trends in c-$Si1-x$$Cx$ alloys },
 362   author = {Kelires, P. C. },
 363   journal = {Phys. Rev. B},
 364   volume = {55},
 365   number = {14},
 366   pages = {8784--8787},
 367   numpages = {3},
 368   year = {1997},
 369   month = {Apr},
 370   doi = {10.1103/PhysRevB.55.8784},
 371   publisher = {American Physical Society},
 372   notes = {c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next neighbour dist}
 373 }
 374
 375 @Article{kelires95,
 376   title = {Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 377            Application to the $Si1-x-yGexCy$ System},
 378   author = {Kelires, P. C.},
 379   journal = {Phys. Rev. Lett.},
 380   volume = {75},
 381   number = {6},
 382   pages = {1114--1117},
 383   numpages = {3},
 384   year = {1995},
 385   month = {Aug},
 386   doi = {10.1103/PhysRevLett.75.1114},
 387   publisher = {American Physical Society},
 388   notes = {mc md, strain compensation in si ge by c insertion}
 389 }
 390
 391 % experimental stuff - interstitials
 392
 393 @Article{watkins76,
 394   title = {EPR Observation of the Isolated Interstitial Carbon Atom in Silicon},
 395   author = {G. D. Watkins and K. L. Brower},
 396   journal = {Phys. Rev. Lett.},
 397   volume = {36},
 398   number = {22},
 399   pages = {1329--1332},
 400   numpages = {3},
 401   year = {1976},
 402   month = {May},
 403   doi = {10.1103/PhysRevLett.36.1329},
 404   publisher = {American Physical Society},
 405   notes = {epr observations of 100 interstitial carbon atom in silicon}
 406 }
 407
 408 @Article{song90,
 409   title = {EPR identification of the single-acceptor state of interstitial carbon in silicon},
 410   author = {L. W. Song, G. D. Watkins},
 411   journal = {Phys. Rev. B},
 412   volume = {42},
 413   number = {9},
 414   pages = {5759--5764},
 415   numpages = {5},
 416   year = {1990},
 417   month = {Sep},
 418   doi = {10.1103/PhysRevB.42.5759},
 419   publisher = {American Physical Society}
 420 }
 421
 422 % experimental stuff - strained silicon
 423
 424 @Article{strane96,
 425   title = {Carbon incorporation into Si at high concentrations
 426            by ion implantation and solid phase epitaxy},
 427   author = {J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T. Picraux and
 428             J. K. Watanabe and J. W. Mayer},
 429   journal = {J. Appl. Phys.},
 430   volume = {79},
 431   pages = {637},
 432   year = {1996},
 433   month = {January},
 434   doi = {10.1063/1.360806},
 435   notes = {strained silicon, carbon supersaturation}
 436 }
 437
 438 @article{laveant2002,
 439   title = {Epitaxy of carbon-rich silicon with MBE},
 440   author = {P. Laveant, G. Gerth, P. Werner, U. Gosele},
 441   journal = {Materials Science and Engineering B},
 442   volume = {89},
 443   number = {1-3},
 444   pages = {241-245},
 445   keywords = {Growth; Epitaxy; MBE; Carbon; Silicon},
 446   notes = {low c in si, tensile stress to compensate compressive stress,
 447            avoid sic precipitation}}
 448 }
 449
 450 % sic formation mechanism
 451
 452 @article{werner97,
 453   author = {P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R. K\"{o}gler and W. Skorupa},
 454   title = {Investigation of C[sub x]Si defects in C implanted silicon by transmission electron microscopy},
 455   publisher = {AIP},
 456   year = {1997},
 457   journal = {Applied Physics Letters},
 458   volume = {70},
 459   number = {2},
 460   pages = {252-254},
 461   keywords = {silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 462               transmission electron microscopy; annealing;
 463               positron annihilation; secondary ion mass spectroscopy;
 464               buried layers; precipitation},
 465   url = {http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1},
 466   doi = {10.1063/1.118381},
 467   notes = {si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic precipitate}
 468 }
 469
 470 @article{strane94,
 471   author = {J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T. Picraux and
 472             J. K. Watanabe and J. W. Mayer},
 473   collaboration = {},
 474   title = {Precipitation and relaxation in strained
 475            Si[sub 1 - y]C[sub y]/Si heterostructures},
 476   publisher = {AIP},
 477   year = {1994},
 478   journal = {Journal of Applied Physics},
 479   volume = {76},
 480   number = {6},
 481   pages = {3656-3668},
 482   keywords = {SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS},
 483   url = {http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1},
 484   doi = {10.1063/1.357429},
 485   notes = {strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs}
 486 }
 487
 488 % properties sic
 489
 490 @Article{edgar92,
 491   title = {Prospects for device implementation of wide band gap semiconductors},
 492   author = {J. H. Edgar},
 493   journal = {J. Mater. Res.},
 494   volume = {7},
 495   pages = {235},
 496   year = {1992},
 497   month = {January},
 498   doi = {10.1557/JMR.1992.0235},
 499   notes = {properties wide band gap semiconductor, sic polytypes}
 500 }
 501
 502 % my own publications
 503
 504 @article{zirkelbach2007,
 505   title = {Monte Carlo simulation study of a selforganisation process
 506            leading to ordered precipitate structures},
 507   author = {F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J.K.N. Lindner, B. Stritzker},
 508   journal = {Nucl. Instr. and Meth. B},
 509   volume = {257},
 510   number = {1--2},
 511   pages = {75--79},
 512   numpages = {5},
 513   year = {2007},
 514   month = {Apr},
 515   doi = {doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118},
 516   publisher = {ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS}
 517 }
 518
 519 @article{zirkelbach2006,
 520   title = {Monte-Carlo simulation study of the self-organization of nanometric
 521            amorphous precipitates in regular arrays during ion irradiation},
 522   author = {F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J.K.N. Lindner, B. Stritzker},
 523   journal = {Nucl. Instr. and Meth. B},
 524   volume = {242},
 525   number = {1--2},
 526   pages = {679--682},
 527   numpages = {4},
 528   year = {2006},
 529   month = {Jan},
 530   doi = {doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162},
 531   publisher = {ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS}
 532 }
 533
 534 @article{zirkelbach2005,
 535   title = {Modelling of a selforganization process leading to periodic arrays
 536            of nanometric amorphous precipitates by ion irradiation},
 537   author = {F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J.K.N. Lindner, B. Stritzker},
 538   journal = {Comp. Mater. Sci.},
 539   volume = {33},
 540   number = {1--3},
 541   pages = {310--316},
 542   numpages = {7},
 543   year = {2005},
 544   month = {Apr},
 545   doi = {doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016},
 546   publisher = {ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS}
 547 }
 548
 549 % the one of my boss
 550
 551 @Article{lindner02,
 552   title = {High-dose carbon implantations into silicon:
 553            fundamental studies for new technological tricks},
 554   author = {J. K. N. Lindner},
 555   journal = {Appl. Phys. A},
 556   volume = {77},
 557   pages = {27--38},
 558   year = {2003},
 559   doi = {10.1007/s00339-002-2062-8},
 560   notes = {ibs, burried sic layers}
 561 }
 562
 563