bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{schroedinger26,
   6   author =       "E. Schrödinger",
   7   title =        "Quantisierung als Eigenwertproblem",
   8   journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
   9   volume =       "384",
  10   number =       "4",
  11   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
  12   ISSN =         "1521-3889",
  13   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19263840404",
  14   doi =          "10.1002/andp.19263840404",
  15   pages =        "361--376",
  16   year =         "1926",
  17 }
  18
  19 @Article{bloch29,
  20   author =       "Felix Bloch",
  21   affiliation =  "Institut d. Universität f. theor. Physik Leipzig",
  22   title =        "Über die Quantenmechanik der Elektronen in
  23                  Kristallgittern",
  24   journal =      "Z. Phys.",
  25   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
  26   ISSN =         "0939-7922",
  27   keyword =      "Physics and Astronomy",
  28   pages =        "555--600",
  29   volume =       "52",
  30   issue =        "7",
  31   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF01339455",
  32   note =         "10.1007/BF01339455",
  33   year =         "1929",
  34 }
  35
  36 @Article{albe_sic_pot,
  37   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
  38   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
  39                  silicon, carbon, and silicon carbide",
  40   publisher =    "APS",
  41   year =         "2005",
  42   journal =      "Phys. Rev. B",
  43   volume =       "71",
  44   number =       "3",
  45   eid =          "035211",
  46   numpages =     "14",
  47   pages =        "035211",
  48   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  49                  potential (ABOP)",
  50   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  51                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  52                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  53                  forces",
  54   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  55   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  56 }
  57
  58 @Article{erhart04,
  59   title =        "The role of thermostats in modeling vapor phase
  60                  condensation of silicon nanoparticles",
  61   journal =      "Appl. Surf. Sci.",
  62   volume =       "226",
  63   number =       "1-3",
  64   pages =        "12--18",
  65   year =         "2004",
  66   note =         "EMRS 2003 Symposium F, Nanostructures from Clusters",
  67   ISSN =         "0169-4332",
  68   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2003.11.003",
  69   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4B957HV-8/2/b35dbe80a70d173f6f7a00dacbcbd738",
  70   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
  71 }
  72
  73 @Article{albe2002,
  74   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  75                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  76   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  77   journal =      "Phys. Rev. B",
  78   volume =       "65",
  79   number =       "19",
  80   pages =        "195124",
  81   numpages =     "11",
  82   year =         "2002",
  83   month =        may,
  84   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  85   publisher =    "American Physical Society",
  86   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  87 }
  88
  89 @Article{newman65,
  90   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
  91   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
  92   volume =       "26",
  93   number =       "2",
  94   pages =        "373--379",
  95   year =         "1965",
  96   note =         "",
  97   ISSN =         "0022-3697",
  98   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
  99   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
 100   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
 101   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
 102 }
 103
 104 @Article{baker68,
 105   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
 106                  Buschert",
 107   collaboration = "",
 108   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
 109   publisher =    "AIP",
 110   year =         "1968",
 111   journal =      "J. Appl. Phys.",
 112   volume =       "39",
 113   number =       "9",
 114   pages =        "4365--4368",
 115   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
 116   doi =          "10.1063/1.1656977",
 117   notes =        "lattice contraction due to subst c",
 118 }
 119
 120 @Article{bean71,
 121   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
 122   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
 123   volume =       "32",
 124   number =       "6",
 125   pages =        "1211--1219",
 126   year =         "1971",
 127   note =         "",
 128   ISSN =         "0022-3697",
 129   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
 130   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
 131   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 132   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
 133 }
 134
 135 @Article{capano97,
 136   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
 137   title =        "Silicon carbide electronic materials and devices",
 138   journal =      "MRS Bull.",
 139   year =         "1997",
 140   volume =       "22",
 141   number =       "3",
 142   pages =        "19--22",
 143   publisher =    "MATERIALS RESEARCH SOCIETY",
 144 }
 145
 146 @Article{capano97_old,
 147   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
 148   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
 149   journal =      "MRS Bull.",
 150   volume =       "22",
 151   pages =        "19",
 152   year =         "1997",
 153 }
 154
 155 @Article{fischer90,
 156   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
 157   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
 158                  carbide",
 159   journal =      "Philos. Mag. B",
 160   volume =       "61",
 161   pages =        "217--236",
 162   year =         "1990",
 163   notes =        "sic polytypes",
 164 }
 165
 166 @Article{koegler03,
 167   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
 168                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
 169                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
 170   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
 171                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
 172                  ions",
 173   journal =      "Appl. Phys. A",
 174   volume =       "76",
 175   pages =        "827--835",
 176   month =        mar,
 177   year =         "2003",
 178   URL =          "http://www.springerlink.com/content/jr8xj33mqc5vpwwj/",
 179   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
 180                  precipitation by interstitial and substitutional
 181                  carbon, both mechanisms explained + refs",
 182 }
 183
 184 @Article{skorupa96,
 185   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
 186                  silicon-related materials",
 187   journal =      "Mater. Chem. Phys.",
 188   volume =       "44",
 189   number =       "2",
 190   pages =        "101--143",
 191   year =         "1996",
 192   note =         "",
 193   ISSN =         "0254-0584",
 194   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 195   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 196   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 197   notes =        "review of silicon carbon compound",
 198 }
 199
 200 @Book{laplace,
 201   author =       "P. S. de Laplace",
 202   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 203   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 204   volume =       "VII",
 205   publisher =    "Gauthier-Villars",
 206   year =         "1820",
 207 }
 208
 209 @Article{mattoni2007,
 210   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 211   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 212                  materials}",
 213   journal =      "Phys. Rev. B",
 214   year =         "2007",
 215   month =        dec,
 216   volume =       "76",
 217   number =       "22",
 218   pages =        "224103",
 219   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 220   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 221                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 222                  fracture, more available potentials, universal energy
 223                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 224 }
 225
 226 @Article{balamane92,
 227   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 228                  potentials",
 229   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 230   journal =      "Phys. Rev. B",
 231   volume =       "46",
 232   number =       "4",
 233   pages =        "2250--2279",
 234   numpages =     "29",
 235   year =         "1992",
 236   month =        jul,
 237   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 238   publisher =    "American Physical Society",
 239   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 240 }
 241
 242 @Article{koster2002,
 243   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 244                  bombardment",
 245   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 246   journal =      "Phys. Rev. B",
 247   volume =       "62",
 248   number =       "16",
 249   pages =        "11219--11224",
 250   numpages =     "5",
 251   year =         "2000",
 252   month =        oct,
 253   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 254   publisher =    "American Physical Society",
 255   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 256 }
 257
 258 @Article{breadmore99,
 259   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 260                  amorphization of silicon",
 261   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 262   journal =      "Phys. Rev. B",
 263   volume =       "60",
 264   number =       "18",
 265   pages =        "12610--12616",
 266   numpages =     "6",
 267   year =         "1999",
 268   month =        nov,
 269   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 270   publisher =    "American Physical Society",
 271   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 272 }
 273
 274 @Article{nielsen83,
 275   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 276   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 277   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 278   volume =       "50",
 279   number =       "9",
 280   pages =        "697--700",
 281   numpages =     "3",
 282   year =         "1983",
 283   month =        feb,
 284   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 285   publisher =    "American Physical Society",
 286   notes =        "generalization of virial theorem",
 287 }
 288
 289 @Article{nielsen85,
 290   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 291   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 292   journal =      "Phys. Rev. B",
 293   volume =       "32",
 294   number =       "6",
 295   pages =        "3780--3791",
 296   numpages =     "11",
 297   year =         "1985",
 298   month =        sep,
 299   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 300   publisher =    "American Physical Society",
 301   notes =        "dft virial stress and forces",
 302 }
 303
 304 @Article{moissan04,
 305   author =       "Henri Moissan",
 306   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 307                  Diablo",
 308   journal =      "C. R. Acad. Sci.",
 309   volume =       "139",
 310   pages =        "773--786",
 311   year =         "1904",
 312 }
 313
 314 @Book{park98,
 315   author =       "Y. S. Park",
 316   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 317   publisher =    "Academic Press",
 318   address =      "San Diego",
 319   year =         "1998",
 320 }
 321
 322 @Article{tsvetkov98,
 323   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 324                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 325   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 326   journal =      "Mater. Sci. Forum",
 327   volume =       "264-268",
 328   pages =        "3--8",
 329   year =         "1998",
 330   notes =        "modified lely process, micropipes",
 331 }
 332
 333 @Article{verlet67,
 334   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 335                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 336   author =       "Loup Verlet",
 337   journal =      "Phys. Rev.",
 338   volume =       "159",
 339   number =       "1",
 340   pages =        "98",
 341   year =         "1967",
 342   month =        jul,
 343   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 344   publisher =    "American Physical Society",
 345   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 346                  motion",
 347 }
 348
 349 @Article{berendsen84,
 350   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 351                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 352   collaboration = "",
 353   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 354   publisher =    "AIP",
 355   year =         "1984",
 356   journal =      "J. Chem. Phys.",
 357   volume =       "81",
 358   number =       "8",
 359   pages =        "3684--3690",
 360   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 361                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 362   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 363   doi =          "10.1063/1.448118",
 364   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 365 }
 366
 367 @Article{huang95,
 368   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 369                  Baskes",
 370   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 371                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 372                  potentials",
 373   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 374   volume =       "3",
 375   number =       "5",
 376   pages =        "615--627",
 377   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 378   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 379                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 380   year =         "1995",
 381 }
 382
 383 @Article{brenner89,
 384   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 385                  Tersoff potentials",
 386   author =       "Donald W. Brenner",
 387   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 388   volume =       "63",
 389   number =       "9",
 390   pages =        "1022",
 391   numpages =     "1",
 392   year =         "1989",
 393   month =        aug,
 394   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 395   publisher =    "American Physical Society",
 396   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 397 }
 398
 399 @Article{batra87,
 400   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 401                  silicon",
 402   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 403   journal =      "Phys. Rev. B",
 404   volume =       "35",
 405   number =       "18",
 406   pages =        "9552--9558",
 407   numpages =     "6",
 408   year =         "1987",
 409   month =        jun,
 410   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 411   publisher =    "American Physical Society",
 412   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 413                  calculation of defect formation energy, defect
 414                  interstitial types",
 415 }
 416
 417 @Article{schober89,
 418   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 419   author =       "H. R. Schober",
 420   journal =      "Phys. Rev. B",
 421   volume =       "39",
 422   number =       "17",
 423   pages =        "13013--13015",
 424   numpages =     "2",
 425   year =         "1989",
 426   month =        jun,
 427   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 428   publisher =    "American Physical Society",
 429   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 430                  dumbbell configuration",
 431 }
 432
 433 @Article{gao02a,
 434   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 435                  Defect accumulation, topological features, and
 436                  disordering",
 437   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 438   journal =      "Phys. Rev. B",
 439   volume =       "66",
 440   number =       "2",
 441   pages =        "024106",
 442   numpages =     "10",
 443   year =         "2002",
 444   month =        jul,
 445   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 446   publisher =    "American Physical Society",
 447   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 448                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 449                  result analyze",
 450 }
 451
 452 @Article{devanathan98,
 453   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 454                  cascade in Si{C}",
 455   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 456   volume =       "141",
 457   number =       "1-4",
 458   pages =        "118--122",
 459   year =         "1998",
 460   ISSN =         "0168-583X",
 461   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 462   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 463                  Rubia",
 464   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 465                  3c-sic",
 466 }
 467
 468 @Article{devanathan98_2,
 469   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 470   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 471   volume =       "253",
 472   number =       "1-3",
 473   pages =        "47--52",
 474   year =         "1998",
 475   ISSN =         "0022-3115",
 476   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 477   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 478                  Weber",
 479   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 480                  tersoff",
 481 }
 482
 483 @Article{kitabatake00,
 484   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 485   author =       "M. Kitabatake",
 486   journal =      "Thin Solid Films",
 487   volume =       "369",
 488   pages =        "257--264",
 489   numpages =     "8",
 490   year =         "2000",
 491   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 492 }
 493
 494 @Article{tang97,
 495   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 496                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 497                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 498                  formation volumes",
 499   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 500                  Rubia",
 501   journal =      "Phys. Rev. B",
 502   volume =       "55",
 503   number =       "21",
 504   pages =        "14279--14289",
 505   numpages =     "10",
 506   year =         "1997",
 507   month =        jun,
 508   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 509   publisher =    "American Physical Society",
 510   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 511 }
 512
 513 @Article{johnson98,
 514   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 515                  Rubia",
 516   collaboration = "",
 517   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 518                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 519                  presence of carbon and boron",
 520   publisher =    "AIP",
 521   year =         "1998",
 522   journal =      "J. Appl. Phys.",
 523   volume =       "84",
 524   number =       "4",
 525   pages =        "1963--1967",
 526   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 527                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 528                  semiconductors; self-diffusion",
 529   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 530   doi =          "10.1063/1.368328",
 531   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 532                  diffsuion",
 533 }
 534
 535 @Article{bar-yam84,
 536   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 537                  Self-Interstitial",
 538   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 539   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 540   volume =       "52",
 541   number =       "13",
 542   pages =        "1129--1132",
 543   numpages =     "3",
 544   year =         "1984",
 545   month =        mar,
 546   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 547   publisher =    "American Physical Society",
 548   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 549 }
 550
 551 @Article{bar-yam84_2,
 552   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 553                  barriers of silicon self-interstitials",
 554   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 555   journal =      "Phys. Rev. B",
 556   volume =       "30",
 557   number =       "4",
 558   pages =        "1844--1852",
 559   numpages =     "8",
 560   year =         "1984",
 561   month =        aug,
 562   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 563   publisher =    "American Physical Society",
 564 }
 565
 566 @Article{bloechl93,
 567   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 568                  constants in silicon",
 569   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 570                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 571   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 572   volume =       "70",
 573   number =       "16",
 574   pages =        "2435--2438",
 575   numpages =     "3",
 576   year =         "1993",
 577   month =        apr,
 578   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 579   publisher =    "American Physical Society",
 580   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 581                  entropy calculations",
 582 }
 583
 584 @Article{munro99,
 585   title =        "Defect migration in crystalline silicon",
 586   author =       "Lindsey J. Munro and David J. Wales",
 587   journal =      "Phys. Rev. B",
 588   volume =       "59",
 589   number =       "6",
 590   pages =        "3969--3980",
 591   numpages =     "11",
 592   year =         "1999",
 593   month =        feb,
 594   doi =          "10.1103/PhysRevB.59.3969",
 595   publisher =    "American Physical Society",
 596   notes =        "eigenvector following method, vacancy and interstiial
 597                  defect migration mechanisms",
 598 }
 599
 600 @Article{colombo02,
 601   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 602                  silicon",
 603   author =       "L. Colombo",
 604   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 605   volume =       "32",
 606   pages =        "271--295",
 607   numpages =     "25",
 608   year =         "2002",
 609   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 610   publisher =    "Annual Reviews",
 611   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 612 }
 613
 614 @Article{al-mushadani03,
 615   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 616                  silicon",
 617   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 618   journal =      "Phys. Rev. B",
 619   volume =       "68",
 620   number =       "23",
 621   pages =        "235205",
 622   numpages =     "8",
 623   year =         "2003",
 624   month =        dec,
 625   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 626   publisher =    "American Physical Society",
 627   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 628                  silicon, si self interstitials, free energy",
 629 }
 630
 631 @Article{mattsson08,
 632   title =        "Electronic surface error in the Si interstitial
 633                  formation energy",
 634   author =       "Ann E. Mattsson and Ryan R. Wixom and Rickard
 635                  Armiento",
 636   journal =      "Phys. Rev. B",
 637   volume =       "77",
 638   number =       "15",
 639   pages =        "155211",
 640   numpages =     "7",
 641   year =         "2008",
 642   month =        apr,
 643   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.155211",
 644   publisher =    "American Physical Society",
 645   notes =        "si self interstitial formation energies by dft",
 646 }
 647
 648 @Article{goedecker02,
 649   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 650   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 651   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 652   volume =       "88",
 653   number =       "23",
 654   pages =        "235501",
 655   numpages =     "4",
 656   year =         "2002",
 657   month =        may,
 658   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 659   publisher =    "American Physical Society",
 660   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 661                  silicon",
 662 }
 663
 664 @Article{sahli05,
 665   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 666                  self-interstitial diffusion in silicon",
 667   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 668   journal =      "Phys. Rev. B",
 669   volume =       "72",
 670   number =       "24",
 671   pages =        "245210",
 672   numpages =     "6",
 673   year =         "2005",
 674   month =        dec,
 675   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 676   publisher =    "American Physical Society",
 677   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 678                  mapping applied",
 679 }
 680
 681 @Article{hobler05,
 682   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 683                  native point defects in silicon",
 684   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 685   volume =       "124-125",
 686   number =       "",
 687   pages =        "368--371",
 688   year =         "2005",
 689   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 690                  Issues for Future Technologies",
 691   ISSN =         "0921-5107",
 692   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 693   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 694   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 695   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 696                  radius",
 697 }
 698
 699 @Article{ma10,
 700   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 701                  wide temperature range: Point defect states and
 702                  migration mechanisms",
 703   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 704   journal =      "Phys. Rev. B",
 705   volume =       "81",
 706   number =       "19",
 707   pages =        "193203",
 708   numpages =     "4",
 709   year =         "2010",
 710   month =        may,
 711   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 712   publisher =    "American Physical Society",
 713   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 714 }
 715
 716 @Article{posselt06,
 717   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 718                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 719   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 720   journal =      "Phys. Rev. B",
 721   volume =       "73",
 722   number =       "12",
 723   pages =        "125206",
 724   numpages =     "8",
 725   year =         "2006",
 726   month =        mar,
 727   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 728   publisher =    "American Physical Society",
 729 }
 730
 731 @Article{posselt08,
 732   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 733                  migration mechanisms of vacancies and
 734                  self-interstitials: An atomistic study",
 735   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 736   journal =      "Phys. Rev. B",
 737   volume =       "78",
 738   number =       "3",
 739   pages =        "035208",
 740   numpages =     "9",
 741   year =         "2008",
 742   month =        jul,
 743   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 744   publisher =    "American Physical Society",
 745   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 746                  weber and tersoff",
 747 }
 748
 749 @Article{gao2001,
 750   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 751                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 752   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 753                  Corrales",
 754   journal =      "Phys. Rev. B",
 755   volume =       "64",
 756   number =       "24",
 757   pages =        "245208",
 758   numpages =     "7",
 759   year =         "2001",
 760   month =        dec,
 761   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 762   publisher =    "American Physical Society",
 763   notes =        "defects in 3c-sic",
 764 }
 765
 766 @Article{gao02,
 767   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 768                  3{C}-Si{C}",
 769   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 770   volume =       "191",
 771   number =       "1-4",
 772   pages =        "487--496",
 773   year =         "2002",
 774   note =         "",
 775   ISSN =         "0168-583X",
 776   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 777   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 778   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 779   keywords =     "Empirical potential",
 780   keywords =     "Defect properties",
 781   keywords =     "Silicon carbide",
 782   keywords =     "Computer simulation",
 783   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 784 }
 785
 786 @Article{gao04,
 787   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 788                  3{C}-Si{C}",
 789   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 790                  Belko",
 791   journal =      "Phys. Rev. B",
 792   volume =       "69",
 793   number =       "24",
 794   pages =        "245205",
 795   numpages =     "5",
 796   year =         "2004",
 797   month =        jun,
 798   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 799   publisher =    "American Physical Society",
 800   notes =        "defect migration in sic",
 801 }
 802
 803 @Article{gao07,
 804   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 805                  W. J. Weber",
 806   collaboration = "",
 807   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 808                  in cubic silicon carbide",
 809   publisher =    "AIP",
 810   year =         "2007",
 811   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 812   volume =       "90",
 813   number =       "22",
 814   eid =          "221915",
 815   numpages =     "3",
 816   pages =        "221915",
 817   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 818                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 819                  dynamics method; density functional theory;
 820                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 821                  impurities; diffusion",
 822   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 823   doi =          "10.1063/1.2743751",
 824 }
 825
 826 @Article{mattoni2002,
 827   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 828                  crystalline silicon",
 829   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 830   journal =      "Phys. Rev. B",
 831   volume =       "66",
 832   number =       "19",
 833   pages =        "195214",
 834   numpages =     "6",
 835   year =         "2002",
 836   month =        nov,
 837   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 838   publisher =    "American Physical Society",
 839   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 840                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 841                  tersoff suitability",
 842 }
 843
 844 @Article{leung99,
 845   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 846   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 847                  Itoh and S. Ihara",
 848   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 849   volume =       "83",
 850   number =       "12",
 851   pages =        "2351--2354",
 852   numpages =     "3",
 853   year =         "1999",
 854   month =        sep,
 855   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 856   publisher =    "American Physical Society",
 857   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 858                  refs",
 859 }
 860
 861 @Article{capaz94,
 862   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 863                  carbon in silicon",
 864   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 865   journal =      "Phys. Rev. B",
 866   volume =       "50",
 867   number =       "11",
 868   pages =        "7439--7442",
 869   numpages =     "3",
 870   year =         "1994",
 871   month =        sep,
 872   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 873   publisher =    "American Physical Society",
 874   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 875                  dumbbell",
 876 }
 877
 878 @Article{capaz98,
 879   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 880   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 881   journal =      "Phys. Rev. B",
 882   volume =       "58",
 883   number =       "15",
 884   pages =        "9845--9850",
 885   numpages =     "5",
 886   year =         "1998",
 887   month =        oct,
 888   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 889   publisher =    "American Physical Society",
 890   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 891 }
 892
 893 @Article{song90_2,
 894   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 895                  pair in silicon",
 896   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 897                  Watkins",
 898   journal =      "Phys. Rev. B",
 899   volume =       "42",
 900   number =       "9",
 901   pages =        "5765--5783",
 902   numpages =     "18",
 903   year =         "1990",
 904   month =        sep,
 905   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 906   publisher =    "American Physical Society",
 907   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 908 }
 909
 910 @Article{liu02,
 911   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 912                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 913   collaboration = "",
 914   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 915                  interactions in Si",
 916   publisher =    "AIP",
 917   year =         "2002",
 918   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 919   volume =       "80",
 920   number =       "1",
 921   pages =        "52--54",
 922   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 923                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 924                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 925   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 926   doi =          "10.1063/1.1430505",
 927   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 928 }
 929
 930 @Article{dal_pino93,
 931   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 932                  silicon",
 933   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 934                  Joannopoulos",
 935   journal =      "Phys. Rev. B",
 936   volume =       "47",
 937   number =       "19",
 938   pages =        "12554--12557",
 939   numpages =     "3",
 940   year =         "1993",
 941   month =        may,
 942   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 943   publisher =    "American Physical Society",
 944   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 945 }
 946
 947 @Article{car84,
 948   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 949                  Silicon",
 950   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 951                  Sokrates T. Pantelides",
 952   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 953   volume =       "52",
 954   number =       "20",
 955   pages =        "1814--1817",
 956   numpages =     "3",
 957   year =         "1984",
 958   month =        may,
 959   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 960   publisher =    "American Physical Society",
 961   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 962                  path formation",
 963 }
 964
 965 @Article{car85,
 966   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 967                  Density-Functional Theory",
 968   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 969   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 970   volume =       "55",
 971   number =       "22",
 972   pages =        "2471--2474",
 973   numpages =     "3",
 974   year =         "1985",
 975   month =        nov,
 976   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 977   publisher =    "American Physical Society",
 978   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 979 }
 980
 981 @Article{kelires97,
 982   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 983                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 984   author =       "P. C. Kelires",
 985   journal =      "Phys. Rev. B",
 986   volume =       "55",
 987   number =       "14",
 988   pages =        "8784--8787",
 989   numpages =     "3",
 990   year =         "1997",
 991   month =        apr,
 992   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 993   publisher =    "American Physical Society",
 994   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 995                  neighbour dist",
 996 }
 997
 998 @Article{kelires95,
 999   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
1000                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
1001   author =       "P. C. Kelires",
1002   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1003   volume =       "75",
1004   number =       "6",
1005   pages =        "1114--1117",
1006   numpages =     "3",
1007   year =         "1995",
1008   month =        aug,
1009   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
1010   publisher =    "American Physical Society",
1011   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
1012 }
1013
1014 @Article{bean70,
1015   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
1016                  containing carbon",
1017   journal =      "Solid State Commun.",
1018   volume =       "8",
1019   number =       "3",
1020   pages =        "175--177",
1021   year =         "1970",
1022   note =         "",
1023   ISSN =         "0038-1098",
1024   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
1025   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
1026   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
1027 }
1028
1029 @Article{durand99,
1030   author =       "F. Durand and J. Duby",
1031   affiliation =  "EPM-Madylam, CNRS and INP Grenoble, France",
1032   title =        "Carbon solubility in solid and liquid silicon—{A}
1033                  review with reference to eutectic equilibrium",
1034   journal =      "Journal of Phase Equilibria",
1035   publisher =    "Springer New York",
1036   ISSN =         "1054-9714",
1037   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
1038   pages =        "61--63",
1039   volume =       "20",
1040   issue =        "1",
1041   URL =          "http://dx.doi.org/10.1361/105497199770335956",
1042   note =         "10.1361/105497199770335956",
1043   year =         "1999",
1044   notes =        "better c solubility limit in silicon",
1045 }
1046
1047 @Article{watkins76,
1048   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
1049                  Atom in Silicon",
1050   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
1051   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1052   volume =       "36",
1053   number =       "22",
1054   pages =        "1329--1332",
1055   numpages =     "3",
1056   year =         "1976",
1057   month =        may,
1058   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
1059   publisher =    "American Physical Society",
1060   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
1061                  silicon",
1062 }
1063
1064 @Article{song90,
1065   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
1066                  interstitial carbon in silicon",
1067   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
1068   journal =      "Phys. Rev. B",
1069   volume =       "42",
1070   number =       "9",
1071   pages =        "5759--5764",
1072   numpages =     "5",
1073   year =         "1990",
1074   month =        sep,
1075   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
1076   publisher =    "American Physical Society",
1077   notes =        "carbon diffusion in silicon",
1078 }
1079
1080 @Article{tipping87,
1081   author =       "A K Tipping and R C Newman",
1082   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
1083                  silicon",
1084   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
1085   volume =       "2",
1086   number =       "5",
1087   pages =        "315--317",
1088   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
1089   year =         "1987",
1090   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
1091                  silicon",
1092 }
1093
1094 @Article{isomae93,
1095   author =       "Seiichi Isomae and Tsutomu Ishiba and Toshio Ando and
1096                  Masao Tamura",
1097   collaboration = "",
1098   title =        "Annealing behavior of Me{V} implanted carbon in
1099                  silicon",
1100   publisher =    "AIP",
1101   year =         "1993",
1102   journal =      "J. Appl. Phys.",
1103   volume =       "74",
1104   number =       "6",
1105   pages =        "3815--3820",
1106   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; WAFERS; CARBON IONS; MEV
1107                  RANGE 0110; TEM; SIMS; INFRARED SPECTRA; STRAINS; DEPTH
1108                  PROFILES",
1109   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/3815/1",
1110   doi =          "10.1063/1.354474",
1111   notes =        "c at interstitial location for rt implantation in si",
1112 }
1113
1114 @Article{strane96,
1115   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
1116                  ion implantation and solid phase epitaxy",
1117   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
1118                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1119   journal =      "J. Appl. Phys.",
1120   volume =       "79",
1121   pages =        "637",
1122   year =         "1996",
1123   month =        jan,
1124   doi =          "10.1063/1.360806",
1125   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
1126 }
1127
1128 @Article{laveant2002,
1129   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1130   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1131   volume =       "89",
1132   number =       "1-3",
1133   pages =        "241--245",
1134   year =         "2002",
1135   ISSN =         "0921-5107",
1136   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1137   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1138   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1139                  G{\"{o}}sele",
1140   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1141                  stress, avoid sic precipitation",
1142 }
1143
1144 @Article{foell77,
1145   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1146                  agglomeration of self-interstitials",
1147   journal =      "J. Cryst. Growth",
1148   volume =       "40",
1149   number =       "1",
1150   pages =        "90--108",
1151   year =         "1977",
1152   note =         "",
1153   ISSN =         "0022-0248",
1154   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1155   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1156   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1157   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1158                  agglomerate",
1159 }
1160
1161 @Article{foell81,
1162   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1163                  defects",
1164   journal =      "J. Cryst. Growth",
1165   volume =       "52",
1166   number =       "Part 2",
1167   pages =        "907--916",
1168   year =         "1981",
1169   note =         "",
1170   ISSN =         "0022-0248",
1171   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1172   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1173   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1174   notes =        "swirl review",
1175 }
1176
1177 @Article{werner97,
1178   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1179                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1180   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1181                  silicon by transmission electron microscopy",
1182   publisher =    "AIP",
1183   year =         "1997",
1184   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1185   volume =       "70",
1186   number =       "2",
1187   pages =        "252--254",
1188   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1189                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1190                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1191                  layers; precipitation",
1192   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1193   doi =          "10.1063/1.118381",
1194   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1195                  precipitate",
1196 }
1197
1198 @InProceedings{werner96,
1199   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1200                  Eichler",
1201   booktitle =    "Proceedings of the 11th International Conference on
1202                  Ion Implantation Technology.",
1203   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1204                  implanted silicon",
1205   year =         "1996",
1206   month =        jun,
1207   volume =       "",
1208   number =       "",
1209   pages =        "675--678",
1210   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1211   ISSN =         "",
1212   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1213 }
1214
1215 @Article{werner98,
1216   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1217                  D. C. Jacobson",
1218   collaboration = "",
1219   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1220   publisher =    "AIP",
1221   year =         "1998",
1222   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1223   volume =       "73",
1224   number =       "17",
1225   pages =        "2465--2467",
1226   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1227                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1228                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1229                  impurity distribution",
1230   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1231   doi =          "10.1063/1.122483",
1232   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1233 }
1234
1235 @Article{kalejs84,
1236   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1237   collaboration = "",
1238   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1239                  silicon",
1240   publisher =    "AIP",
1241   year =         "1984",
1242   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1243   volume =       "45",
1244   number =       "3",
1245   pages =        "268--269",
1246   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1247                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1248                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1249   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1250   doi =          "10.1063/1.95167",
1251   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1252 }
1253
1254 @Article{fukami90,
1255   author =       "Akira Fukami and Ken-ichi Shoji and Takahiro Nagano
1256                  and Cary Y. Yang",
1257   collaboration = "",
1258   title =        "Characterization of SiGe/Si heterostructures formed by
1259                  Ge[sup + ] and {C}[sup + ] implantation",
1260   publisher =    "AIP",
1261   year =         "1990",
1262   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1263   volume =       "57",
1264   number =       "22",
1265   pages =        "2345--2347",
1266   keywords =     "HETEROJUNCTIONS; ION IMPLANTATION; HETEROSTRUCTURES;
1267                  FABRICATION; PN JUNCTIONS; LEAKAGE CURRENT; GERMANIUM
1268                  SILICIDES; SILICON; ELECTRICAL PROPERTIES; SOLIDPHASE
1269                  EPITAXY; CARBON IONS; GERMANIUM IONS",
1270   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/57/2345/1",
1271   doi =          "10.1063/1.103888",
1272 }
1273
1274 @Article{strane93,
1275   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and B. L.
1276                  Doyle and S. T. Picraux and J. W. Mayer",
1277   collaboration = "",
1278   title =        "Metastable SiGe{C} formation by solid phase epitaxy",
1279   publisher =    "AIP",
1280   year =         "1993",
1281   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1282   volume =       "63",
1283   number =       "20",
1284   pages =        "2786--2788",
1285   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; TERNARY ALLOY
1286                  SYSTEMS; EPITAXY; ION IMPLANTATION; METASTABLE STATES;
1287                  ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; RUTHERFORD
1288                  SCATTERING; XRAY DIFFRACTION; STRAINS; SOLIDPHASE
1289                  EPITAXY; AMORPHIZATION",
1290   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/63/2786/1",
1291   doi =          "10.1063/1.110334",
1292 }
1293
1294 @Article{goorsky92,
1295   author =       "M. S. Goorsky and S. S. Iyer and K. Eberl and F.
1296                  Legoues and J. Angilello and F. Cardone",
1297   collaboration = "",
1298   title =        "Thermal stability of Si[sub 1 - x]{C}[sub x]/Si
1299                  strained layer superlattices",
1300   publisher =    "AIP",
1301   year =         "1992",
1302   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1303   volume =       "60",
1304   number =       "22",
1305   pages =        "2758--2760",
1306   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
1307                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; SUPERLATTICES; ANNEALING;
1308                  CHEMICAL COMPOSITION; INTERNAL STRAINS; STRESS
1309                  RELAXATION; THERMAL INSTABILITIES; INTERFACE STRUCTURE;
1310                  DIFFUSION; PRECIPITATION; TEMPERATURE EFFECTS",
1311   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/2758/1",
1312   doi =          "10.1063/1.106868",
1313 }
1314
1315 @Article{strane94,
1316   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1317                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1318   collaboration = "",
1319   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1320                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1321   publisher =    "AIP",
1322   year =         "1994",
1323   journal =      "J. Appl. Phys.",
1324   volume =       "76",
1325   number =       "6",
1326   pages =        "3656--3668",
1327   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1328   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1329   doi =          "10.1063/1.357429",
1330   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1331                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1332                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1333                  energy",
1334 }
1335
1336 @Article{fischer95,
1337   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1338                  Osten",
1339   collaboration = "",
1340   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1341                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1342   publisher =    "AIP",
1343   year =         "1995",
1344   journal =      "J. Appl. Phys.",
1345   volume =       "77",
1346   number =       "5",
1347   pages =        "1934--1937",
1348   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1349                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1350                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1351                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1352   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1353   doi =          "10.1063/1.358826",
1354 }
1355
1356 @Article{edgar92,
1357   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1358                  semiconductors",
1359   author =       "J. H. Edgar",
1360   journal =      "J. Mater. Res.",
1361   volume =       "7",
1362   pages =        "235",
1363   year =         "1992",
1364   month =        jan,
1365   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1366   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1367                  polytypes",
1368 }
1369
1370 @Article{zirkelbach2007,
1371   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1372                  process leading to ordered precipitate structures",
1373   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1374                  and B. Stritzker",
1375   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1376   volume =       "257",
1377   number =       "1--2",
1378   pages =        "75--79",
1379   numpages =     "5",
1380   year =         "2007",
1381   month =        apr,
1382   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1383   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1384                  NETHERLANDS",
1385   abstract =     "Periodically arranged, selforganised, nanometric,
1386                  amorphous precipitates have been observed after
1387                  high-fluence ion implantations into solids for a number
1388                  of ion/target combinations at certain implantation
1389                  conditions. A model describing the ordering process
1390                  based on compressive stress exerted by the amorphous
1391                  inclusions as a result of the density change upon
1392                  amorphisation is introduced. A Monte Carlo simulation
1393                  code, which focuses on high-fluence carbon
1394                  implantations into silicon, is able to reproduce
1395                  experimentally observed nanolamella distributions as
1396                  well as the formation of continuous amorphous layers.
1397                  By means of simulation, the selforganisation process
1398                  becomes traceable and detailed information about the
1399                  compositional and structural state during the ordering
1400                  process is obtained. Based on simulation results, a
1401                  recipe is proposed for producing broad distributions of
1402                  ordered lamellar structures.",
1403 }
1404
1405 @Article{zirkelbach2006,
1406   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1407                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1408                  during ion irradiation",
1409   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1410                  and B. Stritzker",
1411   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1412   volume =       "242",
1413   number =       "1--2",
1414   pages =        "679--682",
1415   numpages =     "4",
1416   year =         "2006",
1417   month =        jan,
1418   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1419   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1420                  NETHERLANDS",
1421   abstract =     "High-dose ion implantation of materials that undergo
1422                  drastic density change upon amorphization at certain
1423                  implantation conditions results in periodically
1424                  arranged, self-organized, nanometric configurations of
1425                  the amorphous phase. A simple model explaining the
1426                  phenomenon is introduced and implemented in a
1427                  Monte-Carlo simulation code. Through simulation
1428                  conditions for observing lamellar precipitates are
1429                  specified and additional information about the
1430                  compositional and structural state during the ordering
1431                  process is gained.",
1432 }
1433
1434 @Article{zirkelbach2005,
1435   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1436                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1437                  ion irradiation",
1438   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1439                  and B. Stritzker",
1440   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1441   volume =       "33",
1442   number =       "1--3",
1443   pages =        "310--316",
1444   numpages =     "7",
1445   year =         "2005",
1446   month =        apr,
1447   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1448   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1449                  NETHERLANDS",
1450   abstract =     "Ion irradiation of materials, which undergo a drastic
1451                  density change upon amorphization have been shown to
1452                  exhibit selforganized, nanometric structures of the
1453                  amorphous phase in the crystalline host lattice. In
1454                  order to better understand the process a
1455                  Monte-Carlo-simulation code based on a simple model is
1456                  developed. In the present work we focus on high-dose
1457                  carbon implantations into silicon. The simulation is
1458                  able to reproduce results gained by cross-sectional TEM
1459                  measurements of high-dose carbon implanted silicon.
1460                  Necessary conditions can be specified for the
1461                  self-organization process and information is gained
1462                  about the compositional and structural state during the
1463                  ordering process which is difficult to be obtained by
1464                  experiment.",
1465 }
1466
1467 @Article{zirkelbach09,
1468   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1469                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1470   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1471   volume =       "159-160",
1472   number =       "",
1473   pages =        "149--152",
1474   year =         "2009",
1475   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1476                  Silicon Materials Research for Electronic and
1477                  Photovoltaic Applications",
1478   ISSN =         "0921-5107",
1479   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1480   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1481   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1482                  B. Stritzker",
1483   keywords =     "Silicon",
1484   keywords =     "Carbon",
1485   keywords =     "Silicon carbide",
1486   keywords =     "Nucleation",
1487   keywords =     "Defect formation",
1488   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1489   abstract =     "The precipitation process of silicon carbide in
1490                  heavily carbon doped silicon is not yet fully
1491                  understood. High resolution transmission electron
1492                  microscopy observations suggest that in a first step
1493                  carbon atoms form C-Si dumbbells on regular Si lattice
1494                  sites which agglomerate into large clusters. In a
1495                  second step, when the cluster size reaches a radius of
1496                  a few nm, the high interfacial energy due to the SiC/Si
1497                  lattice misfit of almost 20\% is overcome and the
1498                  precipitation occurs. By simulation, details of the
1499                  precipitation process can be obtained on the atomic
1500                  level. A recently proposed parametrization of a
1501                  Tersoff-like bond order potential is used to model the
1502                  system appropriately. Preliminary results gained by
1503                  molecular dynamics simulations using this potential are
1504                  presented.",
1505 }
1506
1507 @Article{zirkelbach10,
1508   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1509                  classical potentials and first-principles methods",
1510   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1511                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1512   journal =      "Phys. Rev. B",
1513   volume =       "82",
1514   number =       "9",
1515   pages =        "094110",
1516   numpages =     "6",
1517   year =         "2010",
1518   month =        sep,
1519   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1520   publisher =    "American Physical Society",
1521   abstract =     "A comparative theoretical investigation of carbon
1522                  interstitials in silicon is presented. Calculations
1523                  using classical potentials are compared to
1524                  first-principles density-functional theory calculations
1525                  of the geometries, formation, and activation energies
1526                  of the carbon dumbbell interstitial, showing the
1527                  importance of a quantum-mechanical description of this
1528                  system. In contrast to previous studies, the present
1529                  first-principles calculations of the interstitial
1530                  carbon migration path yield an activation energy that
1531                  excellently matches the experiment. The bond-centered
1532                  interstitial configuration shows a net magnetization of
1533                  two electrons, illustrating the need for spin-polarized
1534                  calculations.",
1535 }
1536
1537 @Article{zirkelbach11,
1538   journal =      "Phys. Rev. B",
1539   month =        aug,
1540   URL =          "http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.84.064126",
1541   publisher =    "American Physical Society",
1542   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1543                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1544   title =        "Combined \textit{ab initio} and classical potential
1545                  simulation study on silicon carbide precipitation in
1546                  silicon",
1547   year =         "2011",
1548   pages =        "064126",
1549   numpages =     "18",
1550   volume =       "84",
1551   doi =          "10.1103/PhysRevB.84.064126",
1552   issue =        "6",
1553   abstract =     "Atomistic simulations on the silicon carbide
1554                  precipitation in bulk silicon employing both, classical
1555                  potential and first-principles methods are presented.
1556                  The calculations aim at a comprehensive, microscopic
1557                  understanding of the precipitation mechanism in the
1558                  context of controversial discussions in the literature.
1559                  For the quantum-mechanical treatment, basic processes
1560                  assumed in the precipitation process are calculated in
1561                  feasible systems of small size. The migration mechanism
1562                  of a carbon \hkl<1 0 0> interstitial and silicon \hkl<1
1563                  1 0> self-interstitial in otherwise defect-free silicon
1564                  are investigated using density functional theory
1565                  calculations. The influence of a nearby vacancy,
1566                  another carbon interstitial and a substitutional defect
1567                  as well as a silicon self-interstitial has been
1568                  investigated systematically. Interactions of various
1569                  combinations of defects have been characterized
1570                  including a couple of selected migration pathways
1571                  within these configurations. Almost all of the
1572                  investigated pairs of defects tend to agglomerate
1573                  allowing for a reduction in strain. The formation of
1574                  structures involving strong carbon-carbon bonds turns
1575                  out to be very unlikely. In contrast, substitutional
1576                  carbon occurs in all probability. A long range capture
1577                  radius has been observed for pairs of interstitial
1578                  carbon as well as interstitial carbon and vacancies. A
1579                  rather small capture radius is predicted for
1580                  substitutional carbon and silicon self-interstitials.
1581                  Initial assumptions regarding the precipitation
1582                  mechanism of silicon carbide in bulk silicon are
1583                  established and conformability to experimental findings
1584                  is discussed. Furthermore, results of the accurate
1585                  first-principles calculations on defects and carbon
1586                  diffusion in silicon are compared to results of
1587                  classical potential simulations revealing significant
1588                  limitations of the latter method. An approach to work
1589                  around this problem is proposed. Finally, results of
1590                  the classical potential molecular dynamics simulations
1591                  of large systems are examined, which reinforce previous
1592                  assumptions and give further insight into basic
1593                  processes involved in the silicon carbide transition.",
1594 }
1595
1596 @Article{lindner95,
1597   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1598                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1599   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1600                  Layers in Silicon",
1601   journal =      "MRS Proc.",
1602   volume =       "354",
1603   number =       "",
1604   pages =        "171",
1605   year =         "1994",
1606   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1607   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1608   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400420853",
1609   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1610 }
1611
1612 @Article{lindner96,
1613   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1614                  in silicon by ion beam synthesis",
1615   journal =      "Mater. Chem. Phys.",
1616   volume =       "46",
1617   number =       "2-3",
1618   pages =        "147--155",
1619   year =         "1996",
1620   note =         "",
1621   ISSN =         "0254-0584",
1622   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1623   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1624   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1625                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1626                  Stritzker",
1627   notes =        "dose window",
1628 }
1629
1630 @Article{calcagno96,
1631   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1632                  ion implantation",
1633   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1634   volume =       "120",
1635   number =       "1-4",
1636   pages =        "121--124",
1637   year =         "1996",
1638   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1639                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1640   ISSN =         "0168-583X",
1641   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1642   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1643   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1644                  Grimaldi and P. Musumeci",
1645   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1646 }
1647
1648 @Article{lindner98,
1649   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1650                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1651   journal =      "Mater. Sci. Forum",
1652   volume =       "264-268",
1653   pages =        "215--218",
1654   year =         "1998",
1655   note =         "",
1656   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1657   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1658   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1659   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1660                  crystallinity",
1661 }
1662
1663 @Article{lindner99,
1664   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1665                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1666                  layers in silicon",
1667   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1668   volume =       "147",
1669   number =       "1-4",
1670   pages =        "249--255",
1671   year =         "1999",
1672   note =         "",
1673   ISSN =         "0168-583X",
1674   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1675   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1676   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1677   notes =        "two-step implantation process",
1678 }
1679
1680 @Article{lindner99_2,
1681   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1682                  in silicon",
1683   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1684   volume =       "148",
1685   number =       "1-4",
1686   pages =        "528--533",
1687   year =         "1999",
1688   ISSN =         "0168-583X",
1689   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1690   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1691   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1692   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1693 }
1694
1695 @Article{lindner01,
1696   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1697                  Basic physical processes",
1698   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1699   volume =       "178",
1700   number =       "1-4",
1701   pages =        "44--54",
1702   year =         "2001",
1703   note =         "",
1704   ISSN =         "0168-583X",
1705   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1706   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1707   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1708 }
1709
1710 @Article{lindner02,
1711   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1712                  fundamental studies for new technological tricks",
1713   author =       "J. K. N. Lindner",
1714   journal =      "Appl. Phys. A",
1715   volume =       "77",
1716   pages =        "27--38",
1717   year =         "2003",
1718   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1719   notes =        "ibs, burried sic layers",
1720 }
1721
1722 @Article{lindner06,
1723   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1724                  formation and displacive precipitate resolution in the
1725                  {C}-Si system",
1726   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1727   volume =       "26",
1728   number =       "5-7",
1729   pages =        "857--861",
1730   year =         "2006",
1731   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1732                  Applications",
1733   ISSN =         "0928-4931",
1734   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1735   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1736   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1737                  and B. Stritzker",
1738   notes =        "c int diffusion barrier",
1739 }
1740
1741 @Article{haeberlen10,
1742   title =        "Structural characterization of cubic and hexagonal
1743                  Ga{N} thin films grown by {IBA}-{MBE} on Si{C}/Si",
1744   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1745   volume =       "312",
1746   number =       "6",
1747   pages =        "762--769",
1748   year =         "2010",
1749   note =         "",
1750   ISSN =         "0022-0248",
1751   doi =          "10.1016/j.jcrysgro.2009.12.048",
1752   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024809011452",
1753   author =       "M. H{\"a}berlen and J. W. Gerlach and B. Murphy and J.
1754                  K. N. Lindner and B. Stritzker",
1755 }
1756
1757 @Article{ito04,
1758   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1759                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1760                  growth",
1761   journal =      "Appl. Surf. Sci.",
1762   volume =       "238",
1763   number =       "1-4",
1764   pages =        "159--164",
1765   year =         "2004",
1766   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1767   ISSN =         "0169-4332",
1768   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1769   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1770   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1771                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1772   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1773 }
1774
1775 @Article{yamamoto04,
1776   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1777                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1778                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1779   journal =      "J. Cryst. Growth",
1780   volume =       "261",
1781   number =       "2-3",
1782   pages =        "266--270",
1783   year =         "2004",
1784   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1785                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1786   ISSN =         "0022-0248",
1787   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1788   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1789   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1790                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1791   notes =        "gan on 3c-sic",
1792 }
1793
1794 @Article{liu_l02,
1795   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1796   journal =      "Mater. Sci. Eng., R",
1797   volume =       "37",
1798   number =       "3",
1799   pages =        "61--127",
1800   year =         "2002",
1801   note =         "",
1802   ISSN =         "0927-796X",
1803   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1804   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1805   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1806   notes =        "gan substrates",
1807 }
1808
1809 @Article{takeuchi91,
1810   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1811                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1812   journal =      "J. Cryst. Growth",
1813   volume =       "115",
1814   number =       "1-4",
1815   pages =        "634--638",
1816   year =         "1991",
1817   note =         "",
1818   ISSN =         "0022-0248",
1819   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1820   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1821   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1822                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1823   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1824 }
1825
1826 @Article{alder57,
1827   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1828   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1829   publisher =    "AIP",
1830   year =         "1957",
1831   journal =      "J. Chem. Phys.",
1832   volume =       "27",
1833   number =       "5",
1834   pages =        "1208--1209",
1835   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1836   doi =          "10.1063/1.1743957",
1837 }
1838
1839 @Article{alder59,
1840   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1841   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1842   publisher =    "AIP",
1843   year =         "1959",
1844   journal =      "J. Chem. Phys.",
1845   volume =       "31",
1846   number =       "2",
1847   pages =        "459--466",
1848   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1849   doi =          "10.1063/1.1730376",
1850 }
1851
1852 @Article{horsfield96,
1853   title =        "Bond-order potentials: Theory and implementation",
1854   author =       "A. P. Horsfield and A. M. Bratkovsky and M. Fearn and
1855                  D. G. Pettifor and M. Aoki",
1856   journal =      "Phys. Rev. B",
1857   volume =       "53",
1858   number =       "19",
1859   pages =        "12694--12712",
1860   numpages =     "18",
1861   year =         "1996",
1862   month =        may,
1863   doi =          "10.1103/PhysRevB.53.12694",
1864   publisher =    "American Physical Society",
1865 }
1866
1867 @Article{abell85,
1868   title =        "Empirical chemical pseudopotential theory of molecular
1869                  and metallic bonding",
1870   author =       "G. C. Abell",
1871   journal =      "Phys. Rev. B",
1872   volume =       "31",
1873   number =       "10",
1874   pages =        "6184--6196",
1875   numpages =     "12",
1876   year =         "1985",
1877   month =        may,
1878   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.6184",
1879   publisher =    "American Physical Society",
1880 }
1881
1882 @Article{tersoff_si1,
1883   title =        "New empirical model for the structural properties of
1884                  silicon",
1885   author =       "J. Tersoff",
1886   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1887   volume =       "56",
1888   number =       "6",
1889   pages =        "632--635",
1890   numpages =     "3",
1891   year =         "1986",
1892   month =        feb,
1893   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1894   publisher =    "American Physical Society",
1895 }
1896
1897 @Article{dodson87,
1898   title =        "Development of a many-body Tersoff-type potential for
1899                  silicon",
1900   author =       "Brian W. Dodson",
1901   journal =      "Phys. Rev. B",
1902   volume =       "35",
1903   number =       "6",
1904   pages =        "2795--2798",
1905   numpages =     "3",
1906   year =         "1987",
1907   month =        feb,
1908   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.2795",
1909   publisher =    "American Physical Society",
1910 }
1911
1912 @Article{tersoff_si2,
1913   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1914                  covalent systems",
1915   author =       "J. Tersoff",
1916   journal =      "Phys. Rev. B",
1917   volume =       "37",
1918   number =       "12",
1919   pages =        "6991--7000",
1920   numpages =     "9",
1921   year =         "1988",
1922   month =        apr,
1923   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1924   publisher =    "American Physical Society",
1925 }
1926
1927 @Article{tersoff_si3,
1928   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1929                  improved elastic properties",
1930   author =       "J. Tersoff",
1931   journal =      "Phys. Rev. B",
1932   volume =       "38",
1933   number =       "14",
1934   pages =        "9902--9905",
1935   numpages =     "3",
1936   year =         "1988",
1937   month =        nov,
1938   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1939   publisher =    "American Physical Society",
1940 }
1941
1942 @Article{tersoff_c,
1943   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1944                  Applications to Amorphous Carbon",
1945   author =       "J. Tersoff",
1946   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1947   volume =       "61",
1948   number =       "25",
1949   pages =        "2879--2882",
1950   numpages =     "3",
1951   year =         "1988",
1952   month =        dec,
1953   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1954   publisher =    "American Physical Society",
1955 }
1956
1957 @Article{tersoff_m,
1958   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1959                  for multicomponent systems",
1960   author =       "J. Tersoff",
1961   journal =      "Phys. Rev. B",
1962   volume =       "39",
1963   number =       "8",
1964   pages =        "5566--5568",
1965   numpages =     "2",
1966   year =         "1989",
1967   month =        mar,
1968   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1969   publisher =    "American Physical Society",
1970 }
1971
1972 @Article{tersoff90,
1973   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1974   author =       "J. Tersoff",
1975   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1976   volume =       "64",
1977   number =       "15",
1978   pages =        "1757--1760",
1979   numpages =     "3",
1980   year =         "1990",
1981   month =        apr,
1982   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1983   publisher =    "American Physical Society",
1984 }
1985
1986 @Article{fahey89,
1987   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1988   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1989   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1990   volume =       "61",
1991   number =       "2",
1992   pages =        "289--384",
1993   numpages =     "95",
1994   year =         "1989",
1995   month =        apr,
1996   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1997   publisher =    "American Physical Society",
1998 }
1999
2000 @Article{wesch96,
2001   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
2002   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2003   volume =       "116",
2004   number =       "1-4",
2005   pages =        "305--321",
2006   year =         "1996",
2007   note =         "Radiation Effects in Insulators",
2008   ISSN =         "0168-583X",
2009   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
2010   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
2011   author =       "W. Wesch",
2012 }
2013
2014 @Article{davis91,
2015   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
2016                  Palmour and J. A. Edmond",
2017   journal =      "Proc. IEEE",
2018   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
2019                  optoelectronic device fabrication and characterization
2020                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
2021   year =         "1991",
2022   month =        may,
2023   volume =       "79",
2024   number =       "5",
2025   pages =        "677--701",
2026   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
2027                  diode;SiC;dry etching;electrical
2028                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
2029                  device fabrication;solid-state devices;surface
2030                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
2031                  transistors;Schottky-barrier
2032                  diodes;etching;heterojunction bipolar
2033                  transistors;insulated gate field effect
2034                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
2035                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
2036   doi =          "10.1109/5.90132",
2037   ISSN =         "0018-9219",
2038   notes =        "sic growth methods",
2039 }
2040
2041 @Article{morkoc94,
2042   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
2043                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
2044   collaboration = "",
2045   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
2046                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
2047   publisher =    "AIP",
2048   year =         "1994",
2049   journal =      "J. Appl. Phys.",
2050   volume =       "76",
2051   number =       "3",
2052   pages =        "1363--1398",
2053   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
2054                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
2055                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
2056                  FILMS; INDUSTRY",
2057   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
2058   doi =          "10.1063/1.358463",
2059   notes =        "sic intro, properties",
2060 }
2061
2062 @Article{foo,
2063   author =       "Noch Unbekannt",
2064   title =        "How to find references",
2065   journal =      "Journal of Applied References",
2066   year =         "2009",
2067   volume =       "77",
2068   pages =        "1--23",
2069 }
2070
2071 @Article{tang95,
2072   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
2073                  \beta{}-Si{C}",
2074   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
2075   journal =      "Phys. Rev. B",
2076   volume =       "52",
2077   number =       "21",
2078   pages =        "15150--15159",
2079   numpages =     "9",
2080   year =         "1995",
2081   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
2082   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
2083                  tersoff reparametrization",
2084   publisher =    "American Physical Society",
2085 }
2086
2087 @Article{sarro00,
2088   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
2089   journal =      "Seonsor. Actuator. A",
2090   volume =       "82",
2091   number =       "1-3",
2092   pages =        "210--218",
2093   year =         "2000",
2094   ISSN =         "0924-4247",
2095   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
2096   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
2097   author =       "Pasqualina M. Sarro",
2098   keywords =     "MEMS",
2099   keywords =     "Silicon carbide",
2100   keywords =     "Micromachining",
2101   keywords =     "Mechanical stress",
2102 }
2103
2104 @Article{casady96,
2105   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
2106                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
2107                  review",
2108   journal =      "Solid-State Electron.",
2109   volume =       "39",
2110   number =       "10",
2111   pages =        "1409--1422",
2112   year =         "1996",
2113   ISSN =         "0038-1101",
2114   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
2115   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
2116   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
2117   notes =        "sic intro",
2118 }
2119
2120 @Article{giancarli98,
2121   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
2122                  structural material in fusion power reactor blankets",
2123   journal =      "Fusion Eng. Des.",
2124   volume =       "41",
2125   number =       "1-4",
2126   pages =        "165--171",
2127   year =         "1998",
2128   ISSN =         "0920-3796",
2129   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
2130   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
2131   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
2132                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
2133 }
2134
2135 @Article{pensl93,
2136   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
2137   journal =      "Physica B",
2138   volume =       "185",
2139   number =       "1-4",
2140   pages =        "264--283",
2141   year =         "1993",
2142   ISSN =         "0921-4526",
2143   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
2144   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
2145   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
2146 }
2147
2148 @Article{tairov78,
2149   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
2150                  carbide single crystals",
2151   journal =      "J. Cryst. Growth",
2152   volume =       "43",
2153   number =       "2",
2154   pages =        "209--212",
2155   year =         "1978",
2156   notes =        "modified lely process",
2157   ISSN =         "0022-0248",
2158   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
2159   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
2160   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2161 }
2162
2163 @Article{tairov81,
2164   title =        "General principles of growing large-size single
2165                  crystals of various silicon carbide polytypes",
2166   journal =      "J. Cryst. Growth",
2167   volume =       "52",
2168   number =       "Part 1",
2169   pages =        "146--150",
2170   year =         "1981",
2171   note =         "",
2172   ISSN =         "0022-0248",
2173   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
2174   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
2175   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2176 }
2177
2178 @Article{barrett91,
2179   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
2180   journal =      "J. Cryst. Growth",
2181   volume =       "109",
2182   number =       "1-4",
2183   pages =        "17--23",
2184   year =         "1991",
2185   note =         "",
2186   ISSN =         "0022-0248",
2187   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
2188   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
2189   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
2190                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
2191 }
2192
2193 @Article{barrett93,
2194   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
2195   journal =      "J. Cryst. Growth",
2196   volume =       "128",
2197   number =       "1-4",
2198   pages =        "358--362",
2199   year =         "1993",
2200   note =         "",
2201   ISSN =         "0022-0248",
2202   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
2203   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
2204   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
2205                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
2206                  W. J. Choyke",
2207 }
2208
2209 @Article{stein93,
2210   title =        "Control of polytype formation by surface energy
2211                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
2212                  sublimation method",
2213   journal =      "J. Cryst. Growth",
2214   volume =       "131",
2215   number =       "1-2",
2216   pages =        "71--74",
2217   year =         "1993",
2218   note =         "",
2219   ISSN =         "0022-0248",
2220   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
2221   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
2222   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
2223   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
2224 }
2225
2226 @Article{nishino83,
2227   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
2228                  Will",
2229   collaboration = "",
2230   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
2231                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
2232   publisher =    "AIP",
2233   year =         "1983",
2234   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2235   volume =       "42",
2236   number =       "5",
2237   pages =        "460--462",
2238   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
2239                  monocrystals",
2240   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
2241   doi =          "10.1063/1.93970",
2242   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
2243 }
2244
2245 @Article{nagasawa06,
2246   author =       "H. Nagasawa and K. Yagi and T. Kawahara and N. Hatta",
2247   title =        "Reducing Planar Defects in 3{C}¿Si{C}",
2248   journal =      "Chemical Vapor Deposition",
2249   volume =       "12",
2250   number =       "8-9",
2251   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2252   ISSN =         "1521-3862",
2253   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/cvde.200506466",
2254   doi =          "10.1002/cvde.200506466",
2255   pages =        "502--508",
2256   keywords =     "Defect structures, Epitaxy, Silicon carbide",
2257   year =         "2006",
2258   notes =        "cvd on si",
2259 }
2260
2261 @Article{nishino87,
2262   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
2263                  and Hiroyuki Matsunami",
2264   collaboration = "",
2265   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
2266                  Si{C} on silicon",
2267   publisher =    "AIP",
2268   year =         "1987",
2269   journal =      "J. Appl. Phys.",
2270   volume =       "61",
2271   number =       "10",
2272   pages =        "4889--4893",
2273   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
2274   doi =          "10.1063/1.338355",
2275   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
2276                  carbonization",
2277 }
2278
2279 @Article{powell87,
2280   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
2281                  Kuczmarski",
2282   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
2283                  Single-Crystal Films on Si",
2284   publisher =    "ECS",
2285   year =         "1987",
2286   journal =      "J. Electrochem. Soc.",
2287   volume =       "134",
2288   number =       "6",
2289   pages =        "1558--1565",
2290   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
2291                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
2292   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
2293   doi =          "10.1149/1.2100708",
2294   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
2295 }
2296
2297 @Article{powell87_2,
2298   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
2299                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
2300   collaboration = "",
2301   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
2302                  off-axis Si substrates",
2303   publisher =    "AIP",
2304   year =         "1987",
2305   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2306   volume =       "51",
2307   number =       "11",
2308   pages =        "823--825",
2309   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
2310                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
2311                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
2312                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
2313                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
2314   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
2315   doi =          "10.1063/1.98824",
2316   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
2317 }
2318
2319 @Article{ueda90,
2320   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
2321   journal =      "J. Cryst. Growth",
2322   volume =       "104",
2323   number =       "3",
2324   pages =        "695--700",
2325   year =         "1990",
2326   note =         "",
2327   ISSN =         "0022-0248",
2328   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
2329   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
2330   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
2331                  Matsunami",
2332   notes =        "step-controlled epitaxy model",
2333 }
2334
2335 @Article{kimoto93,
2336   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
2337                  and Hiroyuki Matsunami",
2338   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
2339                  epitaxy",
2340   publisher =    "AIP",
2341   year =         "1993",
2342   journal =      "J. Appl. Phys.",
2343   volume =       "73",
2344   number =       "2",
2345   pages =        "726--732",
2346   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
2347                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
2348                  VAPOR DEPOSITION",
2349   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
2350   doi =          "10.1063/1.353329",
2351   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
2352 }
2353
2354 @Article{powell90_2,
2355   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2356                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2357                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2358   collaboration = "",
2359   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
2360                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2361   publisher =    "AIP",
2362   year =         "1990",
2363   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2364   volume =       "56",
2365   number =       "15",
2366   pages =        "1442--1444",
2367   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2368                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
2369                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
2370                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
2371   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
2372   doi =          "10.1063/1.102492",
2373   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
2374 }
2375
2376 @Article{kong88_2,
2377   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2378   collaboration = "",
2379   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2380                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2381                  substrates",
2382   publisher =    "AIP",
2383   year =         "1988",
2384   journal =      "J. Appl. Phys.",
2385   volume =       "64",
2386   number =       "5",
2387   pages =        "2672--2679",
2388   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2389                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2390                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2391                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2392                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2393   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2394   doi =          "10.1063/1.341608",
2395 }
2396
2397 @Article{powell90,
2398   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2399                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2400                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2401   collaboration = "",
2402   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2403                  6{H}-Si{C} substrates",
2404   publisher =    "AIP",
2405   year =         "1990",
2406   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2407   volume =       "56",
2408   number =       "14",
2409   pages =        "1353--1355",
2410   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2411                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2412                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2413                  PHASE EPITAXY",
2414   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2415   doi =          "10.1063/1.102512",
2416   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2417 }
2418
2419 @Article{kong88,
2420   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2421                  Rozgonyi and K. L. More",
2422   collaboration = "",
2423   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2424                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2425                  substrates",
2426   publisher =    "AIP",
2427   year =         "1988",
2428   journal =      "J. Appl. Phys.",
2429   volume =       "63",
2430   number =       "8",
2431   pages =        "2645--2650",
2432   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2433                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2434                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2435                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2436                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2437   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2438   doi =          "10.1063/1.341004",
2439 }
2440
2441 @Article{powell91,
2442   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2443                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2444                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2445   collaboration = "",
2446   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2447                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2448   publisher =    "AIP",
2449   year =         "1991",
2450   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2451   volume =       "59",
2452   number =       "3",
2453   pages =        "333--335",
2454   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2455                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2456                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2457   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2458   doi =          "10.1063/1.105587",
2459 }
2460
2461 @Article{yuan95,
2462   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2463                  Thokala and M. J. Loboda",
2464   collaboration = "",
2465   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2466                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2467                  silacyclobutane",
2468   publisher =    "AIP",
2469   year =         "1995",
2470   journal =      "J. Appl. Phys.",
2471   volume =       "78",
2472   number =       "2",
2473   pages =        "1271--1273",
2474   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2475                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2476                  SPECTROPHOTOMETRY",
2477   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2478   doi =          "10.1063/1.360368",
2479   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2480 }
2481
2482 @Article{kaneda87,
2483   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2484                  properties of its p-n junction",
2485   journal =      "J. Cryst. Growth",
2486   volume =       "81",
2487   number =       "1-4",
2488   pages =        "536--542",
2489   year =         "1987",
2490   note =         "",
2491   ISSN =         "0022-0248",
2492   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2493   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2494   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2495                  and Takao Tanaka",
2496   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2497 }
2498
2499 @Article{fissel95,
2500   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2501                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2502                  molecular beam epitaxy",
2503   journal =      "J. Cryst. Growth",
2504   volume =       "154",
2505   number =       "1-2",
2506   pages =        "72--80",
2507   year =         "1995",
2508   ISSN =         "0022-0248",
2509   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2510   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2511   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2512                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2513   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2514 }
2515
2516 @Article{fissel95_apl,
2517   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2518   collaboration = "",
2519   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2520                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2521   publisher =    "AIP",
2522   year =         "1995",
2523   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2524   volume =       "66",
2525   number =       "23",
2526   pages =        "3182--3184",
2527   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2528                  RHEED; NUCLEATION",
2529   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2530   doi =          "10.1063/1.113716",
2531   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2532 }
2533
2534 @Article{fissel96,
2535   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2536                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2537   collaboration = "",
2538   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2539                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2540                  level using surface superstructures",
2541   publisher =    "AIP",
2542   year =         "1996",
2543   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2544   volume =       "68",
2545   number =       "9",
2546   pages =        "1204--1206",
2547   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2548                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2549                  SURFACE STRUCTURE",
2550   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2551   doi =          "10.1063/1.115969",
2552   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2553 }
2554
2555 @Article{righi03,
2556   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2557   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2558                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2559   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2560   volume =       "91",
2561   number =       "13",
2562   pages =        "136101",
2563   numpages =     "4",
2564   year =         "2003",
2565   month =        sep,
2566   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2567   publisher =    "American Physical Society",
2568   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2569 }
2570
2571 @Article{borders71,
2572   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2573   collaboration = "",
2574   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2575                  {IMPLANTATION}",
2576   publisher =    "AIP",
2577   year =         "1971",
2578   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2579   volume =       "18",
2580   number =       "11",
2581   pages =        "509--511",
2582   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2583   doi =          "10.1063/1.1653516",
2584   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2585                  ideas",
2586 }
2587
2588 @Article{edelman76,
2589   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2590                  and E. V. Lubopytova",
2591   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2592                  by ion implantation",
2593   publisher =    "Taylor \& Francis",
2594   year =         "1976",
2595   journal =      "Radiat. Eff.",
2596   volume =       "29",
2597   number =       "1",
2598   pages =        "13--15",
2599   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2600   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2601                  single crystalline",
2602 }
2603
2604 @Article{akimchenko80,
2605   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2606                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2607   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2608                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2609   publisher =    "Taylor \& Francis",
2610   year =         "1980",
2611   journal =      "Radiat. Eff.",
2612   volume =       "48",
2613   number =       "1",
2614   pages =        "7",
2615   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2616   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2617 }
2618
2619 @Article{kimura81,
2620   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2621                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2622                  silicon",
2623   journal =      "Thin Solid Films",
2624   volume =       "81",
2625   number =       "4",
2626   pages =        "319--327",
2627   year =         "1981",
2628   note =         "",
2629   ISSN =         "0040-6090",
2630   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2631   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2632   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2633                  Yugo",
2634 }
2635
2636 @Article{kimura82,
2637   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2638                  the implantation of carbon ions into silicon",
2639   journal =      "Thin Solid Films",
2640   volume =       "94",
2641   number =       "3",
2642   pages =        "191--198",
2643   year =         "1982",
2644   note =         "",
2645   ISSN =         "0040-6090",
2646   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2647   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2648   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2649                  Yugo",
2650 }
2651
2652 @Article{reeson86,
2653   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2654                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2655                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2656   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2657                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2658   publisher =    "Taylor \& Francis",
2659   year =         "1986",
2660   journal =      "Radiat. Eff.",
2661   volume =       "99",
2662   number =       "1",
2663   pages =        "71--81",
2664   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2665   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or time,
2666                  no c redistribution",
2667 }
2668
2669 @Article{reeson87,
2670   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2671                  J. Davis and G. E. Celler",
2672   collaboration = "",
2673   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2674                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2675   publisher =    "AIP",
2676   year =         "1987",
2677   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2678   volume =       "51",
2679   number =       "26",
2680   pages =        "2242--2244",
2681   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2682                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2683   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2684   doi =          "10.1063/1.98953",
2685   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2686 }
2687
2688 @Article{martin90,
2689   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2690                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2691   collaboration = "",
2692   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2693   publisher =    "AIP",
2694   year =         "1990",
2695   journal =      "J. Appl. Phys.",
2696   volume =       "67",
2697   number =       "6",
2698   pages =        "2908--2912",
2699   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2700                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2701                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2702                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2703                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2704                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2705   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2706   doi =          "10.1063/1.346092",
2707   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2708                  temepratures",
2709 }
2710
2711 @Article{scace59,
2712   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2713   collaboration = "",
2714   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2715   publisher =    "AIP",
2716   year =         "1959",
2717   journal =      "J. Chem. Phys.",
2718   volume =       "30",
2719   number =       "6",
2720   pages =        "1551--1555",
2721   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2722   doi =          "10.1063/1.1730236",
2723   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2724 }
2725
2726 @Article{hofker74,
2727   author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
2728                  Koeman",
2729   affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
2730                  Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
2731                  Netherlands",
2732   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
2733                  charge carrier and boron concentration profiles",
2734   journal =      "Appl. Phys. A",
2735   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
2736   ISSN =         "0947-8396",
2737   keyword =      "Physics and Astronomy",
2738   pages =        "125--133",
2739   volume =       "4",
2740   issue =        "2",
2741   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
2742   note =         "10.1007/BF00884267",
2743   year =         "1974",
2744   notes =        "first time ted (only for boron?)",
2745 }
2746
2747 @Article{michel87,
2748   author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
2749                  H. Kastl",
2750   collaboration = "",
2751   title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
2752                  implanted boron into silicon",
2753   publisher =    "AIP",
2754   year =         "1987",
2755   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2756   volume =       "50",
2757   number =       "7",
2758   pages =        "416--418",
2759   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
2760                  BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
2761                  HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
2762   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
2763   doi =          "10.1063/1.98160",
2764   notes =        "ted of boron in si",
2765 }
2766
2767 @Article{cowern90,
2768   author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
2769                  Jos",
2770   collaboration = "",
2771   title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
2772                  time, and matrix dependence of atomic and electrical
2773                  profiles",
2774   publisher =    "AIP",
2775   year =         "1990",
2776   journal =      "J. Appl. Phys.",
2777   volume =       "68",
2778   number =       "12",
2779   pages =        "6191--6198",
2780   keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
2781                  DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
2782                  CRYSTALS; AMORPHIZATION",
2783   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
2784   doi =          "10.1063/1.346910",
2785   notes =        "ted of boron in si",
2786 }
2787
2788 @Article{cowern96,
2789   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2790                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2791   collaboration = "",
2792   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2793                  {B} in silicon",
2794   publisher =    "AIP",
2795   year =         "1996",
2796   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2797   volume =       "68",
2798   number =       "8",
2799   pages =        "1150--1152",
2800   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2801                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2802                  SILICON",
2803   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2804   doi =          "10.1063/1.115706",
2805   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2806 }
2807
2808 @Article{stolk95,
2809   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2810                  of the silicon self-interstitial",
2811   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2812   volume =       "96",
2813   number =       "1-2",
2814   pages =        "187--195",
2815   year =         "1995",
2816   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2817                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2818   ISSN =         "0168-583X",
2819   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2820   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2821   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2822                  and J. M. Poate",
2823 }
2824
2825 @Article{stolk97,
2826   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2827                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2828                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2829                  E. Haynes",
2830   collaboration = "",
2831   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2832                  diffusion in ion-implanted silicon",
2833   publisher =    "AIP",
2834   year =         "1997",
2835   journal =      "J. Appl. Phys.",
2836   volume =       "81",
2837   number =       "9",
2838   pages =        "6031--6050",
2839   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2840   doi =          "10.1063/1.364452",
2841   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2842 }
2843
2844 @Article{powell94,
2845   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2846   collaboration = "",
2847   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2848                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2849   publisher =    "AIP",
2850   year =         "1994",
2851   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2852   volume =       "64",
2853   number =       "3",
2854   pages =        "324--326",
2855   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2856                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2857                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2858                  SYNTHESIS",
2859   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2860   doi =          "10.1063/1.111195",
2861   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2862 }
2863
2864 @Article{soref91,
2865   author =       "Richard A. Soref",
2866   collaboration = "",
2867   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2868                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2869   publisher =    "AIP",
2870   year =         "1991",
2871   journal =      "J. Appl. Phys.",
2872   volume =       "70",
2873   number =       "4",
2874   pages =        "2470--2472",
2875   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2876                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2877                  TERNARY ALLOYS",
2878   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2879   doi =          "10.1063/1.349403",
2880   notes =        "band gap of strained si by c",
2881 }
2882
2883 @Article{kasper91,
2884   author =       "E Kasper",
2885   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2886                  possibility to produce direct band gap material",
2887   journal =      "Phys. Scr.",
2888   volume =       "T35",
2889   pages =        "232--236",
2890   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2891   year =         "1991",
2892   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2893                  quasi-direct one",
2894 }
2895
2896 @Article{eberl92,
2897   author =       "K. Eberl and S. S. Iyer and S. Zollner and J. C. Tsang
2898                  and F. K. LeGoues",
2899   collaboration = "",
2900   title =        "Growth and strain compensation effects in the ternary
2901                  Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloy system",
2902   publisher =    "AIP",
2903   year =         "1992",
2904   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2905   volume =       "60",
2906   number =       "24",
2907   pages =        "3033--3035",
2908   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; CARBON ALLOYS;
2909                  TERNARY ALLOYS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; MOLECULAR BEAM
2910                  EPITAXY; INTERNAL STRAINS; TEMPERATURE EFFECTS; CRYSTAL
2911                  STRUCTURE; LATTICE PARAMETERS; XRAY DIFFRACTION; PHASE
2912                  STUDIES",
2913   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/3033/1",
2914   doi =          "10.1063/1.106774",
2915 }
2916
2917 @Article{powell93,
2918   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and F. E. LeGoues and B. A.
2919                  Ek and S. S. Iyer",
2920   collaboration = "",
2921   title =        "Stability of strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random
2922                  alloy layers",
2923   publisher =    "AVS",
2924   year =         "1993",
2925   journal =      "J. Vac. Sci. Technol. B",
2926   volume =       "11",
2927   number =       "3",
2928   pages =        "1064--1068",
2929   location =     "Ottawa (Canada)",
2930   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; STRAINS; THICKNESS;
2931                  METASTABLE PHASES; TWINNING; DISLOCATIONS; MOLECULAR
2932                  BEAM EPITAXY; EPITAXIAL LAYERS; CRITICAL PHENOMENA;
2933                  TEMPERATURE RANGE 400--1000 K; BINARY ALLOYS",
2934   URL =          "http://link.aip.org/link/?JVB/11/1064/1",
2935   doi =          "10.1116/1.587008",
2936   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2937 }
2938
2939 @Article{powell93_2,
2940   title =        "Si[sub 1-x-y]Ge[sub x]{C}[sub y] growth and properties
2941                  of the ternary system",
2942   journal =      "J. Cryst. Growth",
2943   volume =       "127",
2944   number =       "1-4",
2945   pages =        "425--429",
2946   year =         "1993",
2947   note =         "",
2948   ISSN =         "0022-0248",
2949   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90653-E",
2950   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46J3RF2-8H/2/27fc231f28e4dc0a3b4770e5cf03257e",
2951   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and B. A. Ek and S. S.
2952                  Iyer",
2953 }
2954
2955 @Article{osten94,
2956   author =       "H. J. Osten",
2957   title =        "Modification of Growth Modes in Lattice-Mismatched
2958                  Epitaxial Systems: Si/Ge",
2959   journal =      "phys. status solidi (a)",
2960   volume =       "145",
2961   number =       "2",
2962   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2963   ISSN =         "1521-396X",
2964   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211450203",
2965   doi =          "10.1002/pssa.2211450203",
2966   pages =        "235--245",
2967   year =         "1994",
2968 }
2969
2970 @Article{dietrich94,
2971   title =        "Lattice distortion in a strain-compensated
2972                  $Si_{1-x-y}$$Ge_{x}$${C}_{y}$ layer on silicon",
2973   author =       "B. Dietrich and H. J. Osten and H. R{\"u}cker and M.
2974                  Methfessel and P. Zaumseil",
2975   journal =      "Phys. Rev. B",
2976   volume =       "49",
2977   number =       "24",
2978   pages =        "17185--17190",
2979   numpages =     "5",
2980   year =         "1994",
2981   month =        jun,
2982   doi =          "10.1103/PhysRevB.49.17185",
2983   publisher =    "American Physical Society",
2984 }
2985
2986 @Article{osten94_2,
2987   author =       "H. J. Osten and E. Bugiel and P. Zaumseil",
2988   collaboration = "",
2989   title =        "Growth of an inverse tetragonal distorted SiGe layer
2990                  on Si(001) by adding small amounts of carbon",
2991   publisher =    "AIP",
2992   year =         "1994",
2993   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2994   volume =       "64",
2995   number =       "25",
2996   pages =        "3440--3442",
2997   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; FILM GROWTH; CARBON
2998                  ALLOYS; TERNARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TEM;
2999                  XRD; LATTICE PARAMETERS; EPITAXIAL LAYERS; TETRAGONAL
3000                  LATTICES",
3001   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/3440/1",
3002   doi =          "10.1063/1.111235",
3003   notes =        "inversely strained / distorted heterostructure",
3004 }
3005
3006 @Article{iyer92,
3007   author =       "S. S. Iyer and K. Eberl and M. S. Goorsky and F. K.
3008                  LeGoues and J. C. Tsang and F. Cardone",
3009   collaboration = "",
3010   title =        "Synthesis of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys by
3011                  molecular beam epitaxy",
3012   publisher =    "AIP",
3013   year =         "1992",
3014   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3015   volume =       "60",
3016   number =       "3",
3017   pages =        "356--358",
3018   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
3019                  SEMICONDUCTOR ALLOYS; SUPERLATTICES; MOLECULAR BEAM
3020                  EPITAXY; CHEMICAL COMPOSITION; TEMPERATURE EFFECTS;
3021                  FILM GROWTH; MICROSTRUCTURE",
3022   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/356/1",
3023   doi =          "10.1063/1.106655",
3024 }
3025
3026 @Article{osten99,
3027   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
3028   collaboration = "",
3029   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
3030                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
3031                  molecular beam epitaxy",
3032   publisher =    "AIP",
3033   year =         "1999",
3034   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3035   volume =       "74",
3036   number =       "6",
3037   pages =        "836--838",
3038   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
3039                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
3040                  compounds",
3041   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
3042   doi =          "10.1063/1.123384",
3043   notes =        "substitutional c in si by mbe",
3044 }
3045
3046 @Article{born27,
3047   author =       "M. Born and R. Oppenheimer",
3048   title =        "Zur Quantentheorie der Molekeln",
3049   journal =      "Ann. Phys. (Leipzig)",
3050   volume =       "389",
3051   number =       "20",
3052   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3053   ISSN =         "1521-3889",
3054   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19273892002",
3055   doi =          "10.1002/andp.19273892002",
3056   pages =        "457--484",
3057   year =         "1927",
3058 }
3059
3060 @Article{hohenberg64,
3061   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
3062   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
3063   journal =      "Phys. Rev.",
3064   volume =       "136",
3065   number =       "3B",
3066   pages =        "B864--B871",
3067   numpages =     "7",
3068   year =         "1964",
3069   month =        nov,
3070   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
3071   publisher =    "American Physical Society",
3072   notes =        "density functional theory, dft",
3073 }
3074
3075 @Article{thomas27,
3076   title =        "The calculation of atomic fields",
3077   author =       "L. H. Thomas",
3078   journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
3079   volume =       "23",
3080   pages =        "542--548",
3081   year =         "1927",
3082   doi =          "10.1017/S0305004100011683",
3083 }
3084
3085 @Article{fermi27,
3086   title =        "",
3087   author =       "E. Fermi",
3088   journal =      "Atti Accad. Naz. Lincei, Cl. Sci. Fis. Mat. Nat.
3089                  Rend.",
3090   volume =       "6",
3091   pages =        "602",
3092   year =         "1927",
3093 }
3094
3095 @Article{hartree28,
3096   title =        "The Wave Mechanics of an Atom with a Non-Coulomb
3097                  Central Field. Part {I}. Theory and Methods",
3098   author =       "D. R. Hartree",
3099   journal =      "Proc. Cambridge Philos. Soc.",
3100   volume =       "24",
3101   pages =        "89--110",
3102   year =         "1928",
3103   doi =          "10.1017/S0305004100011919",
3104 }
3105
3106 @Article{slater29,
3107   title =        "The Theory of Complex Spectra",
3108   author =       "J. C. Slater",
3109   journal =      "Phys. Rev.",
3110   volume =       "34",
3111   number =       "10",
3112   pages =        "1293--1322",
3113   numpages =     "29",
3114   year =         "1929",
3115   month =        nov,
3116   doi =          "10.1103/PhysRev.34.1293",
3117   publisher =    "American Physical Society",
3118 }
3119
3120 @Article{kohn65,
3121   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
3122                  Correlation Effects",
3123   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
3124   journal =      "Phys. Rev.",
3125   volume =       "140",
3126   number =       "4A",
3127   pages =        "A1133--A1138",
3128   numpages =     "5",
3129   year =         "1965",
3130   month =        nov,
3131   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
3132   publisher =    "American Physical Society",
3133   notes =        "dft, exchange and correlation",
3134 }
3135
3136 @Article{kohn96,
3137   title =        "Density Functional and Density Matrix Method Scaling
3138                  Linearly with the Number of Atoms",
3139   author =       "W. Kohn",
3140   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3141   volume =       "76",
3142   number =       "17",
3143   pages =        "3168--3171",
3144   numpages =     "3",
3145   year =         "1996",
3146   month =        apr,
3147   doi =          "10.1103/PhysRevLett.76.3168",
3148   publisher =    "American Physical Society",
3149 }
3150
3151 @Article{kohn98,
3152   title =        "Edge Electron Gas",
3153   author =       "Walter Kohn and Ann E. Mattsson",
3154   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3155   volume =       "81",
3156   number =       "16",
3157   pages =        "3487--3490",
3158   numpages =     "3",
3159   year =         "1998",
3160   month =        oct,
3161   doi =          "10.1103/PhysRevLett.81.3487",
3162   publisher =    "American Physical Society",
3163 }
3164
3165 @Article{kohn99,
3166   title =        "Nobel Lecture: Electronic structure of matter---wave
3167                  functions and density functionals",
3168   author =       "W. Kohn",
3169   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
3170   volume =       "71",
3171   number =       "5",
3172   pages =        "1253--1266",
3173   numpages =     "13",
3174   year =         "1999",
3175   month =        oct,
3176   doi =          "10.1103/RevModPhys.71.1253",
3177   publisher =    "American Physical Society",
3178 }
3179
3180 @Article{payne92,
3181   title =        "Iterative minimization techniques for ab initio
3182                  total-energy calculations: molecular dynamics and
3183                  conjugate gradients",
3184   author =       "M. C. Payne and M. P. Teter and D. C. Allan and T. A.
3185                  Arias and J. D. Joannopoulos",
3186   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
3187   volume =       "64",
3188   number =       "4",
3189   pages =        "1045--1097",
3190   numpages =     "52",
3191   year =         "1992",
3192   month =        oct,
3193   doi =          "10.1103/RevModPhys.64.1045",
3194   publisher =    "American Physical Society",
3195 }
3196
3197 @Article{levy82,
3198   title =        "Electron densities in search of Hamiltonians",
3199   author =       "Mel Levy",
3200   journal =      "Phys. Rev. A",
3201   volume =       "26",
3202   number =       "3",
3203   pages =        "1200--1208",
3204   numpages =     "8",
3205   year =         "1982",
3206   month =        sep,
3207   doi =          "10.1103/PhysRevA.26.1200",
3208   publisher =    "American Physical Society",
3209 }
3210
3211 @Article{ruecker94,
3212   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
3213                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
3214   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
3215                  J. Osten",
3216   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3217   volume =       "72",
3218   number =       "22",
3219   pages =        "3578--3581",
3220   numpages =     "3",
3221   year =         "1994",
3222   month =        may,
3223   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
3224   publisher =    "American Physical Society",
3225   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
3226                  si, dft",
3227 }
3228
3229 @Article{yagi02,
3230   title =        "Phosphorous Doping of Strain-Induced
3231                  Si$_{1-y}${C}$_{y}$ Epitaxial Films Grown\\
3232                  by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition",
3233   author =       "Shuhei Yagi and Katsuya Abe and Takashi Okabayashi and
3234                  Yuichi Yoneyama and Akira Yamada and Makoto Konagai",
3235   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3236   volume =       "41",
3237   number =       "Part 1, No. 4B",
3238   pages =        "2472--2475",
3239   numpages =     "3",
3240   year =         "2002",
3241   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/41/2472/",
3242   doi =          "10.1143/JJAP.41.2472",
3243   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3244   notes =        "experimental charge carrier mobility in strained si",
3245 }
3246
3247 @Article{chang05,
3248   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
3249                  Alloy",
3250   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
3251   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3252   volume =       "44",
3253   number =       "4B",
3254   pages =        "2257--2262",
3255   numpages =     "5",
3256   year =         "2005",
3257   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
3258   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
3259   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3260   notes =        "enhance of electron mobility in strained si",
3261 }
3262
3263 @Article{kissinger94,
3264   author =       "W. Kissinger and M. Weidner and H. J. Osten and M.
3265                  Eichler",
3266   collaboration = "",
3267   title =        "Optical transitions in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub
3268                  y] layers on Si(001)",
3269   publisher =    "AIP",
3270   year =         "1994",
3271   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3272   volume =       "65",
3273   number =       "26",
3274   pages =        "3356--3358",
3275   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERNAL STRAINS; EPITAXIAL LAYERS;
3276                  CHEMICAL COMPOSITION; ELLIPSOMETRY; REFLECTION
3277                  SPECTROSCOPY; ELECTROOPTICAL EFFECTS; BAND STRUCTURE;
3278                  ENERGY LEVELS; ENERGYLEVEL TRANSITIONS",
3279   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/3356/1",
3280   doi =          "10.1063/1.112390",
3281   notes =        "strained si influence on optical properties",
3282 }
3283
3284 @Article{osten96,
3285   author =       "H. J. Osten and Myeongcheol Kim and K. Pressel and P.
3286                  Zaumseil",
3287   collaboration = "",
3288   title =        "Substitutional versus interstitial carbon
3289                  incorporation during pseudomorphic growth of Si[sub 1 -
3290                  y]{C}[sub y] on Si(001)",
3291   publisher =    "AIP",
3292   year =         "1996",
3293   journal =      "J. Appl. Phys.",
3294   volume =       "80",
3295   number =       "12",
3296   pages =        "6711--6715",
3297   keywords =     "SILICON CARBIDES; CRYSTAL DEFECTS; FILM GROWTH;
3298                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; INTERSTITIALS; SUBSTITUTION;
3299                  XRD; STRAINS",
3300   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/80/6711/1",
3301   doi =          "10.1063/1.363797",
3302   notes =        "mbe substitutional vs interstitial c incorporation",
3303 }
3304
3305 @Article{osten97,
3306   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
3307   collaboration = "",
3308   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3309                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
3310                  Si(001)",
3311   publisher =    "AIP",
3312   year =         "1997",
3313   journal =      "J. Appl. Phys.",
3314   volume =       "82",
3315   number =       "10",
3316   pages =        "4977--4981",
3317   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
3318                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
3319                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
3320   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
3321   doi =          "10.1063/1.366364",
3322   notes =        "charge transport in strained si",
3323 }
3324
3325 @Article{kapur04,
3326   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
3327                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
3328   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
3329   journal =      "Phys. Rev. B",
3330   volume =       "69",
3331   number =       "15",
3332   pages =        "155214",
3333   numpages =     "8",
3334   year =         "2004",
3335   month =        apr,
3336   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
3337   publisher =    "American Physical Society",
3338   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
3339 }
3340
3341 @Article{barkema96,
3342   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
3343                  Systems",
3344   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
3345   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3346   volume =       "77",
3347   number =       "21",
3348   pages =        "4358--4361",
3349   numpages =     "3",
3350   year =         "1996",
3351   month =        nov,
3352   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
3353   publisher =    "American Physical Society",
3354   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
3355                  dynamic mds",
3356 }
3357
3358 @Article{cances09,
3359   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
3360                  Minoukadeh and F. Willaime",
3361   collaboration = "",
3362   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
3363                  technique method for finding transition pathways on
3364                  potential energy surfaces",
3365   publisher =    "AIP",
3366   year =         "2009",
3367   journal =      "J. Chem. Phys.",
3368   volume =       "130",
3369   number =       "11",
3370   eid =          "114711",
3371   numpages =     "6",
3372   pages =        "114711",
3373   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
3374                  surfaces; vacancies (crystal)",
3375   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
3376   doi =          "10.1063/1.3088532",
3377   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
3378                  transition pathways",
3379 }
3380
3381 @Article{parrinello81,
3382   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
3383   collaboration = "",
3384   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
3385                  molecular dynamics method",
3386   publisher =    "AIP",
3387   year =         "1981",
3388   journal =      "J. Appl. Phys.",
3389   volume =       "52",
3390   number =       "12",
3391   pages =        "7182--7190",
3392   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
3393                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
3394                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
3395                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
3396                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
3397                  IMPACT SHOCK",
3398   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
3399   doi =          "10.1063/1.328693",
3400 }
3401
3402 @Article{stillinger85,
3403   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
3404                  of silicon",
3405   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
3406   journal =      "Phys. Rev. B",
3407   volume =       "31",
3408   number =       "8",
3409   pages =        "5262--5271",
3410   numpages =     "9",
3411   year =         "1985",
3412   month =        apr,
3413   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
3414   publisher =    "American Physical Society",
3415 }
3416
3417 @Article{brenner90,
3418   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
3419                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
3420                  films",
3421   author =       "Donald W. Brenner",
3422   journal =      "Phys. Rev. B",
3423   volume =       "42",
3424   number =       "15",
3425   pages =        "9458--9471",
3426   numpages =     "13",
3427   year =         "1990",
3428   month =        nov,
3429   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
3430   publisher =    "American Physical Society",
3431   notes =        "brenner hydro carbons",
3432 }
3433
3434 @Article{bazant96,
3435   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
3436                  Cohesive Energy Curves",
3437   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
3438   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3439   volume =       "77",
3440   number =       "21",
3441   pages =        "4370--4373",
3442   numpages =     "3",
3443   year =         "1996",
3444   month =        nov,
3445   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
3446   publisher =    "American Physical Society",
3447   notes =        "first si edip",
3448 }
3449
3450 @Article{bazant97,
3451   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
3452                  silicon",
3453   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
3454                  Justo",
3455   journal =      "Phys. Rev. B",
3456   volume =       "56",
3457   number =       "14",
3458   pages =        "8542--8552",
3459   numpages =     "10",
3460   year =         "1997",
3461   month =        oct,
3462   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
3463   publisher =    "American Physical Society",
3464   notes =        "second si edip",
3465 }
3466
3467 @Article{justo98,
3468   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
3469                  disordered phases",
3470   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
3471                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
3472   journal =      "Phys. Rev. B",
3473   volume =       "58",
3474   number =       "5",
3475   pages =        "2539--2550",
3476   numpages =     "11",
3477   year =         "1998",
3478   month =        aug,
3479   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
3480   publisher =    "American Physical Society",
3481   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
3482 }
3483
3484 @Article{parcas_md,
3485   journal =      "{PARCAS} molecular dynamics code",
3486   author =       "K. Nordlund",
3487   year =         "2008",
3488 }
3489
3490 @Article{voter97,
3491   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
3492                  Infrequent Events",
3493   author =       "Arthur F. Voter",
3494   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3495   volume =       "78",
3496   number =       "20",
3497   pages =        "3908--3911",
3498   numpages =     "3",
3499   year =         "1997",
3500   month =        may,
3501   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
3502   publisher =    "American Physical Society",
3503   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
3504 }
3505
3506 @Article{voter97_2,
3507   author =       "Arthur F. Voter",
3508   collaboration = "",
3509   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
3510                  simulation of infrequent events",
3511   publisher =    "AIP",
3512   year =         "1997",
3513   journal =      "J. Chem. Phys.",
3514   volume =       "106",
3515   number =       "11",
3516   pages =        "4665--4677",
3517   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
3518                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
3519                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
3520                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
3521                  theory; potential energy surfaces",
3522   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
3523   doi =          "10.1063/1.473503",
3524   notes =        "improved hyperdynamics md",
3525 }
3526
3527 @Article{sorensen2000,
3528   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
3529   collaboration = "",
3530   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
3531                  infrequent events",
3532   publisher =    "AIP",
3533   year =         "2000",
3534   journal =      "J. Chem. Phys.",
3535   volume =       "112",
3536   number =       "21",
3537   pages =        "9599--9606",
3538   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
3539                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
3540   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
3541   doi =          "10.1063/1.481576",
3542   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
3543 }
3544
3545 @Article{voter98,
3546   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
3547                  events",
3548   author =       "Arthur F. Voter",
3549   journal =      "Phys. Rev. B",
3550   volume =       "57",
3551   number =       "22",
3552   pages =        "R13985--R13988",
3553   numpages =     "3",
3554   year =         "1998",
3555   month =        jun,
3556   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
3557   publisher =    "American Physical Society",
3558   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
3559 }
3560
3561 @Article{wu99,
3562   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
3563   collaboration = "",
3564   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
3565                  simulation",
3566   publisher =    "AIP",
3567   year =         "1999",
3568   journal =      "J. Chem. Phys.",
3569   volume =       "110",
3570   number =       "19",
3571   pages =        "9401--9410",
3572   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
3573                  potential; crystallisation; liquid theory",
3574   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
3575   doi =          "10.1063/1.478948",
3576   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
3577                  systematic motion",
3578 }
3579
3580 @Article{choudhary05,
3581   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
3582   collaboration = "",
3583   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
3584                  to the production of amorphous silicon",
3585   publisher =    "AIP",
3586   year =         "2005",
3587   journal =      "J. Chem. Phys.",
3588   volume =       "122",
3589   number =       "15",
3590   eid =          "154509",
3591   numpages =     "8",
3592   pages =        "154509",
3593   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
3594                  amorphous semiconductors",
3595   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
3596   doi =          "10.1063/1.1878733",
3597   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
3598                  silicon",
3599 }
3600
3601 @Article{taylor93,
3602   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
3603   collaboration = "",
3604   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
3605                  difficult?",
3606   publisher =    "AIP",
3607   year =         "1993",
3608   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3609   volume =       "62",
3610   number =       "25",
3611   pages =        "3336--3338",
3612   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
3613                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
3614                  ENERGY",
3615   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
3616   doi =          "10.1063/1.109063",
3617   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
3618                  interstitials necessary for precipitation, volume
3619                  decrease, high interface energy",
3620 }
3621
3622 @Article{chaussende08,
3623   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
3624   journal =      "J. Cryst. Growth",
3625   volume =       "310",
3626   number =       "5",
3627   pages =        "976--981",
3628   year =         "2008",
3629   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
3630                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
3631   ISSN =         "0022-0248",
3632   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
3633   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
3634   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
3635                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
3636                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
3637                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
3638   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
3639                  metastable",
3640 }
3641
3642 @Article{chaussende07,
3643   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
3644   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
3645   journal =      "J. Phys. D",
3646   volume =       "40",
3647   number =       "20",
3648   pages =        "6150",
3649   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
3650   year =         "2007",
3651   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
3652                  modelling",
3653 }
3654
3655 @Article{feynman39,
3656   title =        "Forces in Molecules",
3657   author =       "R. P. Feynman",
3658   journal =      "Phys. Rev.",
3659   volume =       "56",
3660   number =       "4",
3661   pages =        "340--343",
3662   numpages =     "3",
3663   year =         "1939",
3664   month =        aug,
3665   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
3666   publisher =    "American Physical Society",
3667   notes =        "hellmann feynman forces",
3668 }
3669
3670 @Article{buczko00,
3671   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
3672                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
3673                  their Contrasting Properties",
3674   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
3675                  T. Pantelides",
3676   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3677   volume =       "84",
3678   number =       "5",
3679   pages =        "943--946",
3680   numpages =     "3",
3681   year =         "2000",
3682   month =        jan,
3683   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
3684   publisher =    "American Physical Society",
3685   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
3686 }
3687
3688 @Article{djurabekova08,
3689   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
3690                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
3691   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
3692   journal =      "Phys. Rev. B",
3693   volume =       "77",
3694   number =       "11",
3695   pages =        "115325",
3696   numpages =     "7",
3697   year =         "2008",
3698   month =        mar,
3699   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
3700   publisher =    "American Physical Society",
3701   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
3702                  angular distribution, coordination",
3703 }
3704
3705 @Article{wen09,
3706   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
3707                  W. Liang and J. Zou",
3708   collaboration = "",
3709   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
3710                  strain relaxation at highly lattice mismatched
3711                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
3712   publisher =    "AIP",
3713   year =         "2009",
3714   journal =      "J. Appl. Phys.",
3715   volume =       "106",
3716   number =       "7",
3717   eid =          "073522",
3718   numpages =     "8",
3719   pages =        "073522",
3720   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
3721                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
3722                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
3723                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
3724   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
3725   doi =          "10.1063/1.3234380",
3726   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
3727                  deconvolution, dislocation defects",
3728 }
3729
3730 @Article{kitabatake93,
3731   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
3732                  Hirao",
3733   collaboration = "",
3734   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
3735                  growth on Si(001) surface",
3736   publisher =    "AIP",
3737   year =         "1993",
3738   journal =      "J. Appl. Phys.",
3739   volume =       "74",
3740   number =       "7",
3741   pages =        "4438--4445",
3742   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
3743                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
3744                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
3745   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
3746   doi =          "10.1063/1.354385",
3747   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
3748                  model, interface",
3749 }
3750
3751 @Article{kitabatake97,
3752   author =       "Makoto Kitabatake",
3753   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
3754                  Heteroepitaxial Growth",
3755   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3756   year =         "1997",
3757   journal =      "phys. status solidi (b)",
3758   volume =       "202",
3759   pages =        "405--420",
3760   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3761   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3762   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
3763 }
3764
3765 @Article{chirita97,
3766   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
3767                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
3768                  dynamics study",
3769   journal =      "Thin Solid Films",
3770   volume =       "294",
3771   number =       "1-2",
3772   pages =        "47--49",
3773   year =         "1997",
3774   note =         "",
3775   ISSN =         "0040-6090",
3776   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
3777   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
3778   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
3779   keywords =     "Strain relaxation",
3780   keywords =     "Interfaces",
3781   keywords =     "Thermal stability",
3782   keywords =     "Molecular dynamics",
3783   notes =        "tersoff sic/si interface study",
3784 }
3785
3786 @Article{cicero02,
3787   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
3788                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
3789   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
3790                  Catellani",
3791   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3792   volume =       "89",
3793   number =       "15",
3794   pages =        "156101",
3795   numpages =     "4",
3796   year =         "2002",
3797   month =        sep,
3798   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
3799   publisher =    "American Physical Society",
3800   notes =        "sic/si interface study",
3801 }
3802
3803 @Article{pizzagalli03,
3804   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
3805                  interface: Si{C}/Si(001)",
3806   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
3807                  Catellani",
3808   journal =      "Phys. Rev. B",
3809   volume =       "68",
3810   number =       "19",
3811   pages =        "195302",
3812   numpages =     "10",
3813   year =         "2003",
3814   month =        nov,
3815   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
3816   publisher =    "American Physical Society",
3817   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
3818 }
3819
3820 @Article{tang07,
3821   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
3822                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
3823                  electron microscopy",
3824   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
3825                  H. Zheng and J. W. Liang",
3826   journal =      "Phys. Rev. B",
3827   volume =       "75",
3828   number =       "18",
3829   pages =        "184103",
3830   numpages =     "7",
3831   year =         "2007",
3832   month =        may,
3833   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
3834   publisher =    "American Physical Society",
3835   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
3836                  si and c",
3837 }
3838
3839 @Article{hornstra58,
3840   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
3841   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
3842   volume =       "5",
3843   number =       "1-2",
3844   pages =        "129--141",
3845   year =         "1958",
3846   note =         "",
3847   ISSN =         "0022-3697",
3848   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
3849   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
3850   author =       "J. Hornstra",
3851   notes =        "dislocations in diamond lattice",
3852 }
3853
3854 @Article{deguchi92,
3855   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
3856                  Ion `Hot' Implantation",
3857   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
3858                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
3859   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3860   volume =       "31",
3861   number =       "Part 1, No. 2A",
3862   pages =        "343--347",
3863   numpages =     "4",
3864   year =         "1992",
3865   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
3866   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
3867   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3868   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
3869                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
3870 }
3871
3872 @Article{eichhorn99,
3873   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
3874                  K{\"{o}}gler",
3875   collaboration = "",
3876   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
3877                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
3878                  synchrotron x-ray diffraction",
3879   publisher =    "AIP",
3880   year =         "1999",
3881   journal =      "J. Appl. Phys.",
3882   volume =       "86",
3883   number =       "8",
3884   pages =        "4184--4187",
3885   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
3886                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
3887                  precipitation; semiconductor doping",
3888   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
3889   doi =          "10.1063/1.371344",
3890   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
3891                  expansion of si lattice",
3892 }
3893
3894 @Article{eichhorn02,
3895   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
3896                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
3897   collaboration = "",
3898   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
3899                  carbon ion implantation",
3900   publisher =    "AIP",
3901   year =         "2002",
3902   journal =      "J. Appl. Phys.",
3903   volume =       "91",
3904   number =       "3",
3905   pages =        "1287--1292",
3906   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
3907                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
3908                  electron microscopy",
3909   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
3910   doi =          "10.1063/1.1428105",
3911   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
3912                  temperature, might explain c into c sub trafo",
3913 }
3914
3915 @Article{lucas10,
3916   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
3917   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
3918                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
3919                  high-pressure phases, point and extended defects, and
3920                  amorphous structures",
3921   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3922   volume =       "22",
3923   number =       "3",
3924   pages =        "035802",
3925   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
3926   year =         "2010",
3927   notes =        "edip sic",
3928 }
3929
3930 @Article{godet03,
3931   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
3932                  Beauchamp",
3933   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
3934                  methods for silicon under large shear",
3935   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3936   volume =       "15",
3937   number =       "41",
3938   pages =        "6943",
3939   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
3940   year =         "2003",
3941   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
3942                  edip, tersoff, ab initio",
3943 }
3944
3945 @Article{moriguchi98,
3946   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
3947                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
3948   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
3949   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3950   volume =       "37",
3951   number =       "Part 1, No. 2",
3952   pages =        "414--422",
3953   numpages =     "8",
3954   year =         "1998",
3955   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
3956   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
3957   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3958   notes =        "tersoff stringent test",
3959 }
3960
3961 @Article{mazzarolo01,
3962   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
3963                  simulations",
3964   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
3965                  Lulli and Eros Albertazzi",
3966   journal =      "Phys. Rev. B",
3967   volume =       "63",
3968   number =       "19",
3969   pages =        "195207",
3970   numpages =     "4",
3971   year =         "2001",
3972   month =        apr,
3973   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
3974   publisher =    "American Physical Society",
3975 }
3976
3977 @Article{holmstroem08,
3978   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
3979                  density functional theory molecular dynamics
3980                  simulations",
3981   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
3982   journal =      "Phys. Rev. B",
3983   volume =       "78",
3984   number =       "4",
3985   pages =        "045202",
3986   numpages =     "6",
3987   year =         "2008",
3988   month =        jul,
3989   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
3990   publisher =    "American Physical Society",
3991   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
3992                  initio",
3993 }
3994
3995 @Article{nordlund97,
3996   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
3997                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
3998   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3999   volume =       "132",
4000   number =       "1",
4001   pages =        "45--54",
4002   year =         "1997",
4003   note =         "",
4004   ISSN =         "0168-583X",
4005   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
4006   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
4007   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
4008   notes =        "repulsive ab initio potential",
4009 }
4010
4011 @Article{kresse96,
4012   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
4013                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
4014                  set",
4015   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
4016   volume =       "6",
4017   number =       "1",
4018   pages =        "15--50",
4019   year =         "1996",
4020   note =         "",
4021   ISSN =         "0927-0256",
4022   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
4023   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
4024   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
4025   notes =        "vasp ref",
4026 }
4027
4028 @Article{bloechl94,
4029   title =        "Projector augmented-wave method",
4030   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
4031   journal =      "Phys. Rev. B",
4032   volume =       "50",
4033   number =       "24",
4034   pages =        "17953--17979",
4035   numpages =     "26",
4036   year =         "1994",
4037   month =        dec,
4038   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
4039   publisher =    "American Physical Society",
4040   notes =        "paw method",
4041 }
4042
4043 @InCollection{cohen70,
4044   title =        "The Fitting of Pseudopotentials to Experimental Data
4045                  and Their Subsequent Application",
4046   editor =       "Frederick Seitz Henry Ehrenreich and David Turnbull",
4047   publisher =    "Academic Press",
4048   year =         "1970",
4049   volume =       "24",
4050   pages =        "37--248",
4051   series =       "Solid State Physics",
4052   ISSN =         "0081-1947",
4053   doi =          "DOI: 10.1016/S0081-1947(08)60070-3",
4054   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B8GXT-4S9NXKG-9/2/ba01db77c8b19c2bab01506d4ea571b3",
4055   author =       "Marvin L. Cohen and Volker Heine",
4056 }
4057
4058 @Article{hamann79,
4059   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
4060   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
4061   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
4062   volume =       "43",
4063   number =       "20",
4064   pages =        "1494--1497",
4065   numpages =     "3",
4066   year =         "1979",
4067   month =        nov,
4068   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
4069   publisher =    "American Physical Society",
4070   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
4071 }
4072
4073 @Article{troullier91,
4074   title =        "Efficient pseudopotentials for plane-wave
4075                  calculations",
4076   author =       "N. Troullier and Jos\'e Luriaas Martins",
4077   journal =      "Phys. Rev. B",
4078   volume =       "43",
4079   number =       "3",
4080   pages =        "1993--2006",
4081   numpages =     "13",
4082   year =         "1991",
4083   month =        jan,
4084   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.1993",
4085   publisher =    "American Physical Society",
4086 }
4087
4088 @Article{vanderbilt90,
4089   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
4090                  eigenvalue formalism",
4091   author =       "David Vanderbilt",
4092   journal =      "Phys. Rev. B",
4093   volume =       "41",
4094   number =       "11",
4095   pages =        "7892--7895",
4096   numpages =     "3",
4097   year =         "1990",
4098   month =        apr,
4099   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
4100   publisher =    "American Physical Society",
4101   notes =        "vasp pseudopotentials",
4102 }
4103
4104 @Article{ceperley80,
4105   title =        "Ground State of the Electron Gas by a Stochastic
4106                  Method",
4107   author =       "D. M. Ceperley and B. J. Alder",
4108   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
4109   volume =       "45",
4110   number =       "7",
4111   pages =        "566--569",
4112   numpages =     "3",
4113   year =         "1980",
4114   month =        aug,
4115   doi =          "10.1103/PhysRevLett.45.566",
4116   publisher =    "American Physical Society",
4117 }
4118
4119 @Article{perdew81,
4120   title =        "Self-interaction correction to density-functional
4121                  approximations for many-electron systems",
4122   author =       "J. P. Perdew and Alex Zunger",
4123   journal =      "Phys. Rev. B",
4124   volume =       "23",
4125   number =       "10",
4126   pages =        "5048--5079",
4127   numpages =     "31",
4128   year =         "1981",
4129   month =        may,
4130   doi =          "10.1103/PhysRevB.23.5048",
4131   publisher =    "American Physical Society",
4132 }
4133
4134 @Article{perdew86,
4135   title =        "Accurate and simple density functional for the
4136                  electronic exchange energy: Generalized gradient
4137                  approximation",
4138   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
4139   journal =      "Phys. Rev. B",
4140   volume =       "33",
4141   number =       "12",
4142   pages =        "8800--8802",
4143   numpages =     "2",
4144   year =         "1986",
4145   month =        jun,
4146   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
4147   publisher =    "American Physical Society",
4148   notes =        "rapid communication gga",
4149 }
4150
4151 @Article{perdew02,
4152   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
4153                  correlation: {A} look backward and forward",
4154   journal =      "Physica B",
4155   volume =       "172",
4156   number =       "1-2",
4157   pages =        "1--6",
4158   year =         "1991",
4159   note =         "",
4160   ISSN =         "0921-4526",
4161   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
4162   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
4163   author =       "John P. Perdew",
4164   notes =        "gga overview",
4165 }
4166
4167 @Article{perdew92,
4168   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
4169                  of the generalized gradient approximation for exchange
4170                  and correlation",
4171   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
4172                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
4173                  and Carlos Fiolhais",
4174   journal =      "Phys. Rev. B",
4175   volume =       "46",
4176   number =       "11",
4177   pages =        "6671--6687",
4178   numpages =     "16",
4179   year =         "1992",
4180   month =        sep,
4181   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
4182   publisher =    "American Physical Society",
4183   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
4184 }
4185
4186 @Article{chadi73,
4187   title =        "Special Points in the Brillouin Zone",
4188   author =       "D. J. Chadi and Marvin L. Cohen",
4189   journal =      "Phys. Rev. B",
4190   volume =       "8",
4191   number =       "12",
4192   pages =        "5747--5753",
4193   numpages =     "6",
4194   year =         "1973",
4195   month =        dec,
4196   doi =          "10.1103/PhysRevB.8.5747",
4197   publisher =    "American Physical Society",
4198 }
4199
4200 @Article{baldereschi73,
4201   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
4202   author =       "A. Baldereschi",
4203   journal =      "Phys. Rev. B",
4204   volume =       "7",
4205   number =       "12",
4206   pages =        "5212--5215",
4207   numpages =     "3",
4208   year =         "1973",
4209   month =        jun,
4210   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
4211   publisher =    "American Physical Society",
4212   notes =        "mean value k point",
4213 }
4214
4215 @Article{monkhorst76,
4216   title =        "Special points for Brillouin-zone integrations",
4217   author =       "Hendrik J. Monkhorst and James D. Pack",
4218   journal =      "Phys. Rev. B",
4219   volume =       "13",
4220   number =       "12",
4221   pages =        "5188--5192",
4222   numpages =     "4",
4223   year =         "1976",
4224   month =        jun,
4225   doi =          "10.1103/PhysRevB.13.5188",
4226   publisher =    "American Physical Society",
4227 }
4228
4229 @Article{zhu98,
4230   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
4231                  diffusion in Si",
4232   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
4233   volume =       "12",
4234   number =       "4",
4235   pages =        "309--318",
4236   year =         "1998",
4237   note =         "",
4238   ISSN =         "0927-0256",
4239   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
4240   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
4241   author =       "Jing Zhu",
4242   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
4243   keywords =     "Boron dopant",
4244   keywords =     "Carbon dopant",
4245   keywords =     "Defect",
4246   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
4247   keywords =     "Impurity cluster",
4248   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
4249 }
4250
4251 @Article{nejim95,
4252   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
4253   collaboration = "",
4254   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
4255                  950 [degree]{C}",
4256   publisher =    "AIP",
4257   year =         "1995",
4258   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4259   volume =       "66",
4260   number =       "20",
4261   pages =        "2646--2648",
4262   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
4263                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
4264                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
4265                  ELECTRON MICROSCOPY",
4266   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
4267   doi =          "10.1063/1.113112",
4268   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
4269                  self interstitials react with further implanted c",
4270 }
4271
4272 @Article{guedj98,
4273   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
4274                  Kolodzey and A. Hairie",
4275   collaboration = "",
4276   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
4277                  alloys",
4278   publisher =    "AIP",
4279   year =         "1998",
4280   journal =      "J. Appl. Phys.",
4281   volume =       "84",
4282   number =       "8",
4283   pages =        "4631--4633",
4284   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
4285                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
4286                  Fourier transform spectra; thermal stability;
4287                  annealing",
4288   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
4289   doi =          "10.1063/1.368703",
4290   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
4291 }
4292
4293 @Article{jones04,
4294   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
4295   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
4296                  semiconductors",
4297   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
4298   volume =       "16",
4299   number =       "27",
4300   pages =        "S2643",
4301   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
4302   year =         "2004",
4303   notes =        "ab inito dft intro, vibrational modes, c defect in
4304                  si",
4305 }
4306
4307 @Article{park02,
4308   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
4309                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
4310                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
4311   collaboration = "",
4312   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
4313                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
4314                  molecular-beam epitaxy",
4315   publisher =    "AIP",
4316   year =         "2002",
4317   journal =      "J. Appl. Phys.",
4318   volume =       "91",
4319   number =       "9",
4320   pages =        "5716--5727",
4321   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
4322   doi =          "10.1063/1.1465122",
4323   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
4324 }
4325
4326 @Article{leary97,
4327   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
4328                  carbon-carbon pair defects in silicon",
4329   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
4330                  Torres",
4331   journal =      "Phys. Rev. B",
4332   volume =       "55",
4333   number =       "4",
4334   pages =        "2188--2194",
4335   numpages =     "6",
4336   year =         "1997",
4337   month =        jan,
4338   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
4339   publisher =    "American Physical Society",
4340   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
4341                  energies, different migration barriers and paths",
4342 }
4343
4344 @Article{burnard93,
4345   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
4346                  silicon: Semiempirical electronic-structure
4347                  calculations",
4348   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
4349   journal =      "Phys. Rev. B",
4350   volume =       "47",
4351   number =       "16",
4352   pages =        "10217--10225",
4353   numpages =     "8",
4354   year =         "1993",
4355   month =        apr,
4356   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
4357   publisher =    "American Physical Society",
4358   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
4359                  carbon defect, formation energies",
4360 }
4361
4362 @Article{besson91,
4363   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
4364                  silicon",
4365   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
4366   journal =      "Phys. Rev. B",
4367   volume =       "43",
4368   number =       "5",
4369   pages =        "4028--4033",
4370   numpages =     "5",
4371   year =         "1991",
4372   month =        feb,
4373   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
4374   publisher =    "American Physical Society",
4375 }
4376
4377 @Article{kaxiras96,
4378   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
4379                  and growth on semiconductors",
4380   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
4381   volume =       "6",
4382   number =       "2",
4383   pages =        "158--172",
4384   year =         "1996",
4385   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
4386                  Epitaxy",
4387   ISSN =         "0927-0256",
4388   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
4389   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
4390   author =       "Efthimios Kaxiras",
4391   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
4392                  tight binding, first principles",
4393 }
4394
4395 @Article{kaukonen98,
4396   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
4397                  diamond
4398                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
4399                  surfaces",
4400   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
4401                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
4402                  Th. Frauenheim",
4403   journal =      "Phys. Rev. B",
4404   volume =       "57",
4405   number =       "16",
4406   pages =        "9965--9970",
4407   numpages =     "5",
4408   year =         "1998",
4409   month =        apr,
4410   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
4411   publisher =    "American Physical Society",
4412   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
4413                  (crt)",
4414 }
4415
4416 @Article{gali03,
4417   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
4418                  center in Si{C}",
4419   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
4420                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
4421                  W. J. Choyke",
4422   journal =      "Phys. Rev. B",
4423   volume =       "67",
4424   number =       "15",
4425   pages =        "155203",
4426   numpages =     "5",
4427   year =         "2003",
4428   month =        apr,
4429   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
4430   publisher =    "American Physical Society",
4431 }
4432
4433 @Article{chen98,
4434   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
4435                  irradiation and deformation",
4436   journal =      "J. Nucl. Mater.",
4437   volume =       "258-263",
4438   number =       "Part 2",
4439   pages =        "1803--1808",
4440   year =         "1998",
4441   note =         "",
4442   ISSN =         "0022-3115",
4443   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
4444   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
4445   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
4446 }
4447
4448 @Article{weber01,
4449   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
4450                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
4451   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
4452   volume =       "175-177",
4453   number =       "",
4454   pages =        "26--30",
4455   year =         "2001",
4456   note =         "",
4457   ISSN =         "0168-583X",
4458   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
4459   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
4460   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
4461 }
4462
4463 @Article{bockstedte03,
4464   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
4465                  in $3{C}-Si{C}$",
4466   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
4467                  Pankratov",
4468   journal =      "Phys. Rev. B",
4469   volume =       "68",
4470   number =       "20",
4471   pages =        "205201",
4472   numpages =     "17",
4473   year =         "2003",
4474   month =        nov,
4475   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
4476   publisher =    "American Physical Society",
4477   notes =        "defect migration in sic",
4478 }
4479
4480 @Article{rauls03a,
4481   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
4482                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
4483   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
4484                  De\'ak",
4485   journal =      "Phys. Rev. B",
4486   volume =       "68",
4487   number =       "15",
4488   pages =        "155208",
4489   numpages =     "9",
4490   year =         "2003",
4491   month =        oct,
4492   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
4493   publisher =    "American Physical Society",
4494 }
4495
4496 @Article{losev27,
4497   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
4498   volume =       "44",
4499   pages =        "485--494",
4500   year =         "1927",
4501   author =       "O. V. Lossev",
4502 }
4503
4504 @Article{losev28,
4505   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
4506                  oscillations with crystals",
4507   journal =      "Philos. Mag. Series 7",
4508   volume =       "6",
4509   number =       "39",
4510   pages =        "1024--1044",
4511   year =         "1928",
4512   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
4513   author =       "O. V. Lossev",
4514 }
4515
4516 @Article{losev29,
4517   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4518   volume =       "30",
4519   pages =        "920--923",
4520   year =         "1929",
4521   author =       "O. V. Lossev",
4522 }
4523
4524 @Article{losev31,
4525   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4526   volume =       "32",
4527   pages =        "692--696",
4528   year =         "1931",
4529   author =       "O. V. Lossev",
4530 }
4531
4532 @Article{losev33,
4533   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4534   volume =       "34",
4535   pages =        "397--403",
4536   year =         "1933",
4537   author =       "O. V. Lossev",
4538 }
4539
4540 @Article{round07,
4541   title =        "A note on carborundum",
4542   journal =      "Electrical World",
4543   volume =       "49",
4544   pages =        "308",
4545   year =         "1907",
4546   author =       "H. J. Round",
4547 }
4548
4549 @Article{vashishath08,
4550   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
4551   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
4552   volume =       "2",
4553   number =       "03",
4554   pages =        "444--470",
4555   year =         "2008",
4556   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
4557   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
4558   notes =        "sic polytype electronic properties",
4559 }
4560
4561 @Article{nelson69,
4562   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
4563   collaboration = "",
4564   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
4565   publisher =    "AIP",
4566   year =         "1966",
4567   journal =      "J. Appl. Phys.",
4568   volume =       "37",
4569   number =       "1",
4570   pages =        "333--336",
4571   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
4572   doi =          "10.1063/1.1707837",
4573   notes =        "sic melt growth",
4574 }
4575
4576 @Article{arkel25,
4577   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
4578   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
4579                  und Thoriummetall",
4580   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
4581   year =         "1925",
4582   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4583   volume =       "148",
4584   pages =        "345--350",
4585   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
4586   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
4587   notes =        "van arkel apparatus",
4588 }
4589
4590 @Article{moers31,
4591   author =       "K. Moers",
4592   year =         "1931",
4593   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4594   volume =       "198",
4595   pages =        "293",
4596   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4597                  process",
4598 }
4599
4600 @Article{kendall53,
4601   author =       "J. T. Kendall",
4602   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
4603   publisher =    "AIP",
4604   year =         "1953",
4605   journal =      "J. Chem. Phys.",
4606   volume =       "21",
4607   number =       "5",
4608   pages =        "821--827",
4609   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
4610   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4611                  process",
4612 }
4613
4614 @Article{lely55,
4615   author =       "J. A. Lely",
4616   year =         "1955",
4617   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
4618   volume =       "32",
4619   pages =        "229",
4620   notes =        "lely sublimation growth process",
4621 }
4622
4623 @Article{knippenberg63,
4624   author =       "W. F. Knippenberg",
4625   year =         "1963",
4626   journal =      "Philips Res. Repts.",
4627   volume =       "18",
4628   pages =        "161",
4629   notes =        "acheson process",
4630 }
4631
4632 @Article{hoffmann82,
4633   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
4634                  Weyrich",
4635   collaboration = "",
4636   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
4637                  improved external quantum efficiency",
4638   publisher =    "AIP",
4639   year =         "1982",
4640   journal =      "J. Appl. Phys.",
4641   volume =       "53",
4642   number =       "10",
4643   pages =        "6962--6967",
4644   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
4645                  efficiency; visible radiation; experimental data;
4646                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
4647                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
4648                  electroluminescence; spectra; current density;
4649                  optimization",
4650   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
4651   doi =          "10.1063/1.330041",
4652   notes =        "blue led, sublimation process",
4653 }
4654
4655 @Article{neudeck95,
4656   author =       "Philip Neudeck",
4657   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
4658                  Road 44135 Cleveland OH",
4659   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
4660                  technology",
4661   journal =      "Journal of Electronic Materials",
4662   publisher =    "Springer Boston",
4663   ISSN =         "0361-5235",
4664   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
4665   pages =        "283--288",
4666   volume =       "24",
4667   issue =        "4",
4668   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
4669   note =         "10.1007/BF02659688",
4670   year =         "1995",
4671   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
4672 }
4673
4674 @InProceedings{pribble02,
4675   author =       "W. L. Pribble and J. W. Palmour and S. T. Sheppard and
4676                  R. P. Smith and S. T. Allen and T. J. Smith and Z. Ring
4677                  and J. J. Sumakeris and A. W. Saxler and J. W.
4678                  Milligan",
4679   booktitle =    "Microwave Symposium Digest, 2002 IEEE MTT-S
4680                  International",
4681   title =        "Applications of Si{C} {MESFET}s and Ga{N} {HEMT}s in
4682                  power amplifier design",
4683   year =         "2002",
4684   month =        "",
4685   volume =       "3",
4686   number =       "",
4687   pages =        "1819--1822",
4688   doi =          "10.1109/MWSYM.2002.1012216",
4689   ISSN =         "",
4690   notes =        "hdtv",
4691 }
4692
4693 @InProceedings{temcamani01,
4694   author =       "F. Temcamani and P. Pouvil and O. Noblanc and C.
4695                  Brylinski and P. Bannelier and B. Darges and J. P.
4696                  Prigent",
4697   booktitle =    "Microwave Symposium Digest, 2001 IEEE MTT-S
4698                  International",
4699   title =        "Silicon carbide {MESFET}s performances and application
4700                  in broadcast power amplifiers",
4701   year =         "2001",
4702   month =        "",
4703   volume =       "2",
4704   number =       "",
4705   pages =        "641--644",
4706   doi =          "10.1109/MWSYM.2001.966976",
4707   ISSN =         "",
4708   notes =        "hdtv",
4709 }
4710
4711 @Article{pensl00,
4712   author =       "Gerhard Pensl and Michael Bassler and Florin Ciobanu
4713                  and Valeri Afanas'ev and Hiroshi Yano and Tsunenobu
4714                  Kimoto and Hiroyuki Matsunami",
4715   title =        "Traps at the Si{C}/Si{O2}-Interface",
4716   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4717   volume =       "640",
4718   number =       "",
4719   pages =        "",
4720   year =         "2000",
4721   doi =          "10.1557/PROC-640-H3.2",
4722   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-640-H3.2",
4723   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400647061",
4724 }
4725
4726 @Article{bhatnagar93,
4727   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
4728   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4729   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
4730                  devices",
4731   year =         "1993",
4732   month =        mar,
4733   volume =       "40",
4734   number =       "3",
4735   pages =        "645--655",
4736   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
4737                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
4738                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
4739                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
4740                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
4741                  solids;insulated gate field effect transistors;power
4742                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
4743                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
4744   doi =          "10.1109/16.199372",
4745   ISSN =         "0018-9383",
4746   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
4747 }
4748
4749 @Article{neudeck94,
4750   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
4751                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
4752   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4753   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
4754                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
4755                  6{H}-Si{C} substrates",
4756   year =         "1994",
4757   month =        may,
4758   volume =       "41",
4759   number =       "5",
4760   pages =        "826--835",
4761   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
4762                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
4763                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
4764                  properties;epitaxial layers;light
4765                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
4766                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
4767                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
4768                  currents;power electronics;semiconductor
4769                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
4770                  growth;semiconductor materials;silicon
4771                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
4772                  phase epitaxial growth;",
4773   doi =          "10.1109/16.285038",
4774   ISSN =         "0018-9383",
4775   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
4776                  substrate",
4777 }
4778
4779 @Article{schulze98,
4780   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
4781   collaboration = "",
4782   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
4783                  single crystals by physical vapor transport",
4784   publisher =    "AIP",
4785   year =         "1998",
4786   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4787   volume =       "72",
4788   number =       "13",
4789   pages =        "1632--1634",
4790   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
4791                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
4792                  photoluminescence; Hall mobility",
4793   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
4794   doi =          "10.1063/1.121136",
4795   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
4796 }
4797
4798 @Article{pirouz87,
4799   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
4800   collaboration = "",
4801   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
4802   publisher =    "AIP",
4803   year =         "1987",
4804   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4805   volume =       "50",
4806   number =       "4",
4807   pages =        "221--223",
4808   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
4809                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
4810                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
4811                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
4812                  BOUNDARIES",
4813   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
4814   doi =          "10.1063/1.97667",
4815   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
4816 }
4817
4818 @Article{shibahara86,
4819   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
4820                  Si(100) by chemical vapor deposition",
4821   journal =      "J. Cryst. Growth",
4822   volume =       "78",
4823   number =       "3",
4824   pages =        "538--544",
4825   year =         "1986",
4826   note =         "",
4827   ISSN =         "0022-0248",
4828   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
4829   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
4830   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
4831                  Matsunami",
4832   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
4833 }
4834
4835 @Article{desjardins96,
4836   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
4837   collaboration = "",
4838   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
4839   publisher =    "AIP",
4840   year =         "1996",
4841   journal =      "J. Appl. Phys.",
4842   volume =       "79",
4843   number =       "3",
4844   pages =        "1423--1434",
4845   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
4846                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
4847   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
4848   doi =          "10.1063/1.360980",
4849   notes =        "apb model",
4850 }
4851
4852 @Article{henke95,
4853   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
4854   collaboration = "",
4855   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
4856                  carbonization of silicon",
4857   publisher =    "AIP",
4858   year =         "1995",
4859   journal =      "J. Appl. Phys.",
4860   volume =       "78",
4861   number =       "3",
4862   pages =        "2070--2073",
4863   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
4864                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
4865                  STRUCTURE",
4866   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
4867   doi =          "10.1063/1.360184",
4868   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
4869 }
4870
4871 @Article{fuyuki89,
4872   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
4873                  {MBE} using surface superstructure",
4874   journal =      "J. Cryst. Growth",
4875   volume =       "95",
4876   number =       "1-4",
4877   pages =        "461--463",
4878   year =         "1989",
4879   note =         "",
4880   ISSN =         "0022-0248",
4881   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
4882   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
4883   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
4884                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
4885   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4886 }
4887
4888 @Article{yoshinobu92,
4889   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
4890                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4891   collaboration = "",
4892   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
4893                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
4894                  molecular beam epitaxy",
4895   publisher =    "AIP",
4896   year =         "1992",
4897   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4898   volume =       "60",
4899   number =       "7",
4900   pages =        "824--826",
4901   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
4902                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
4903                  INTERFACE STRUCTURE",
4904   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
4905   doi =          "10.1063/1.107430",
4906   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4907 }
4908
4909 @Article{yoshinobu90,
4910   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
4911                  cubic Si{C}",
4912   journal =      "J. Cryst. Growth",
4913   volume =       "99",
4914   number =       "1-4",
4915   pages =        "520--524",
4916   year =         "1990",
4917   note =         "",
4918   ISSN =         "0022-0248",
4919   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
4920   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
4921   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
4922                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4923   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
4924 }
4925
4926 @Article{fuyuki93,
4927   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
4928                  superstructures in Si{C}",
4929   journal =      "Thin Solid Films",
4930   volume =       "225",
4931   number =       "1-2",
4932   pages =        "225--229",
4933   year =         "1993",
4934   note =         "",
4935   ISSN =         "0040-6090",
4936   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
4937   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
4938   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
4939                  Matsunami",
4940   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4941                  epitaxy, ale",
4942 }
4943
4944 @Article{hara93,
4945   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
4946                  growth of [beta]-Si{C}",
4947   journal =      "Thin Solid Films",
4948   volume =       "225",
4949   number =       "1-2",
4950   pages =        "240--243",
4951   year =         "1993",
4952   note =         "",
4953   ISSN =         "0040-6090",
4954   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
4955   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
4956   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
4957                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
4958   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4959                  epitaxy, ale",
4960 }
4961
4962 @Article{tanaka94,
4963   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
4964   collaboration = "",
4965   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
4966                  growth mode and polytype formation during gas-source
4967                  molecular beam epitaxy",
4968   publisher =    "AIP",
4969   year =         "1994",
4970   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
4971   volume =       "65",
4972   number =       "22",
4973   pages =        "2851--2853",
4974   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
4975                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
4976                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
4977                  FLOW; FLOW RATE",
4978   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
4979   doi =          "10.1063/1.112513",
4980   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
4981 }
4982
4983 @Article{fuyuki97,
4984   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
4985   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
4986                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
4987   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
4988   year =         "1997",
4989   journal =      "phys. status solidi (b)",
4990   volume =       "202",
4991   pages =        "359--378",
4992   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
4993                  temperatures 750",
4994 }
4995
4996 @Article{takaoka98,
4997   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
4998   journal =      "J. Cryst. Growth",
4999   volume =       "183",
5000   number =       "1-2",
5001   pages =        "175--182",
5002   year =         "1998",
5003   note =         "",
5004   ISSN =         "0022-0248",
5005   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
5006   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
5007   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
5008   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
5009   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
5010   keywords =     "Silicon carbide",
5011   keywords =     "Silicon",
5012   keywords =     "Island growth",
5013   notes =        "lower temperature, 550-700",
5014 }
5015
5016 @Article{hatayama95,
5017   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
5018                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
5019                  molecular beam epitaxy",
5020   journal =      "J. Cryst. Growth",
5021   volume =       "150",
5022   number =       "Part 2",
5023   pages =        "934--938",
5024   year =         "1995",
5025   note =         "",
5026   ISSN =         "0022-0248",
5027   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
5028   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
5029   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
5030                  and Hiroyuki Matsunami",
5031 }
5032
5033 @Article{heine91,
5034   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
5035   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
5036                  Metastable Cubic Form",
5037   journal =      "J. Am. Ceram. Soc.",
5038   volume =       "74",
5039   number =       "10",
5040   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
5041   ISSN =         "1551-2916",
5042   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
5043   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
5044   pages =        "2630--2633",
5045   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
5046                  calculations, stability",
5047   year =         "1991",
5048   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
5049                  polytype dft calculation refs",
5050 }
5051
5052 @Article{allendorf91,
5053   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
5054                  [beta]-silicon carbide",
5055   journal =      "Surf. Sci.",
5056   volume =       "258",
5057   number =       "1-3",
5058   pages =        "177--189",
5059   year =         "1991",
5060   note =         "",
5061   ISSN =         "0039-6028",
5062   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
5063   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
5064   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
5065   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
5066 }
5067
5068 @Article{eaglesham93,
5069   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
5070                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
5071   collaboration = "",
5072   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
5073   publisher =    "AIP",
5074   year =         "1993",
5075   journal =      "J. Appl. Phys.",
5076   volume =       "74",
5077   number =       "11",
5078   pages =        "6615--6618",
5079   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
5080                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
5081                  DIFFUSION; ADSORPTION",
5082   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
5083   doi =          "10.1063/1.355101",
5084   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
5085                  mobility",
5086 }
5087
5088 @Article{newman85,
5089   author =       "Ronald C. Newman",
5090   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
5091   journal =      "MRS Proc.",
5092   volume =       "59",
5093   number =       "",
5094   pages =        "403",
5095   year =         "1985",
5096   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
5097   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
5098   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
5099 }
5100
5101 @Article{newman61,
5102   title =        "The diffusivity of carbon in silicon",
5103   journal =      "J. Phys. Chem. Solids",
5104   volume =       "19",
5105   number =       "3-4",
5106   pages =        "230--234",
5107   year =         "1961",
5108   note =         "",
5109   ISSN =         "0022-3697",
5110   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(61)90032-4",
5111   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46M72R1-4D/2/9235472e4c0a95bf7b995769474f5fbd",
5112   author =       "R. C. Newman and J. Wakefield",
5113   notes =        "diffusivity of substitutional c in si",
5114 }
5115
5116 @Article{goesele85,
5117   author =       "U. Gösele",
5118   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
5119   journal =      "MRS Proc.",
5120   volume =       "59",
5121   number =       "",
5122   pages =        "419",
5123   year =         "1985",
5124   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
5125   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
5126   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
5127 }
5128
5129 @Article{mukashev82,
5130   title =        "Defects in Carbon-Implanted Silicon",
5131   author =       "Bulat N. Mukashev and Alexey V. Spitsyn and Noboru
5132                  Fukuoka and Haruo Saito",
5133   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
5134   volume =       "21",
5135   number =       "Part 1, No. 2",
5136   pages =        "399--400",
5137   numpages =     "1",
5138   year =         "1982",
5139   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/21/399/",
5140   doi =          "10.1143/JJAP.21.399",
5141   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
5142 }
5143
5144 @Article{puska98,
5145   title =        "Convergence of supercell calculations for point
5146                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
5147   author =       "M. J. Puska and S. P{\"o}ykk{\"o} and M. Pesola and R.
5148                  M. Nieminen",
5149   journal =      "Phys. Rev. B",
5150   volume =       "58",
5151   number =       "3",
5152   pages =        "1318--1325",
5153   numpages =     "7",
5154   year =         "1998",
5155   month =        jul,
5156   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.1318",
5157   publisher =    "American Physical Society",
5158   notes =        "convergence k point supercell size, vacancy in
5159                  silicon",
5160 }
5161
5162 @Article{serre95,
5163   author =       "C. Serre and A. P\'{e}rez-Rodr\'{\i}guez and A.
5164                  Romano-Rodr\'{\i}guez and J. R. Morante and R.
5165                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
5166   collaboration = "",
5167   title =        "Spectroscopic characterization of phases formed by
5168                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
5169   publisher =    "AIP",
5170   year =         "1995",
5171   journal =      "J. Appl. Phys.",
5172   volume =       "77",
5173   number =       "7",
5174   pages =        "2978--2984",
5175   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; PHASE STUDIES; CARBON IONS;
5176                  FOURIER TRANSFORM SPECTROSCOPY; RAMAN SPECTRA;
5177                  PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; TEM; TEMPERATURE
5178                  DEPENDENCE; PRECIPITATES; ANNEALING",
5179   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
5180   doi =          "10.1063/1.358714",
5181 }
5182
5183 @Article{romano-rodriguez96,
5184   title =        "Detailed analysis of [beta]-Si{C} formation by high
5185                  dose carbon ion implantation in silicon",
5186   journal =      "Materials Science and Engineering B",
5187   volume =       "36",
5188   number =       "1-3",
5189   pages =        "282--285",
5190   year =         "1996",
5191   note =         "European Materials Research Society 1995 Spring
5192                  Meeting, Symposium N: Carbon, Hydrogen, Nitrogen, and
5193                  Oxygen in Silicon and in Other Elemental
5194                  Semiconductors",
5195   ISSN =         "0921-5107",
5196   doi =          "DOI: 10.1016/0921-5107(95)01283-4",
5197   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-3VR7691-25/2/995fd57b9e5c1100558f80c472620408",
5198   author =       "A. Romano-Rodriguez and C. Serre and L. Calvo-Barrio
5199                  and A. Pérez-Rodríguez and J. R. Morante and R. Kögler
5200                  and W. Skorupa",
5201   keywords =     "Silicon",
5202   keywords =     "Ion implantation",
5203   notes =        "incoherent 3c-sic precipitate",
5204 }
5205
5206 @Article{davidson75,
5207   title =        "The iterative calculation of a few of the lowest
5208                  eigenvalues and corresponding eigenvectors of large
5209                  real-symmetric matrices",
5210   journal =      "J. Comput. Phys.",
5211   volume =       "17",
5212   number =       "1",
5213   pages =        "87--94",
5214   year =         "1975",
5215   note =         "",
5216   ISSN =         "0021-9991",
5217   doi =          "DOI: 10.1016/0021-9991(75)90065-0",
5218   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0021999175900650",
5219   author =       "Ernest R. Davidson",
5220 }
5221
5222 @Book{adorno_mm,
5223   title =        "Minima Moralia: Reflexionen aus dem besch{\"a}digten
5224                  Leben",
5225   author =       "T. W. Adorno",
5226   ISBN =         "978-3-518-01236-9",
5227   URL =          "http://books.google.com/books?id=coZqRAAACAAJ",
5228   year =         "1994",
5229   publisher =    "Suhrkamp",
5230 }
5231
5232 @Misc{attenberger03,
5233   author =       "Wilfried Attenberger and Jörg Lindner and Bernd
5234                  Stritzker",
5235   title =        "A {method} {for} {forming} {a} {layered}
5236                  {semiconductor} {structure} {and} {corresponding}
5237                  {structure}",
5238   year =         "2003",
5239   month =        apr,
5240   day =          "24",
5241   note =         "WO 2003/034484 A3R4",
5242   version =      "A3R4",
5243   howpublished = "Patent Application",
5244   nationality =  "WO",
5245   URL =          "http://www.patentlens.net/patentlens/patent/WO_2003_034484_A3R4/en/",
5246   filing_num =   "EP0211423",
5247   yearfiled =    "2002",
5248   monthfiled =   "10",
5249   dayfiled =     "11",
5250   pat_refs =     "",
5251   ipc_class =    "7B 81C 1/00 B; 7H 01L 21/04 B; 7H 01L 21/265 B; 7H 01L
5252                  21/322 B; 7H 01L 21/324 B; 7H 01L 21/74 A; 7H 01L
5253                  21/762 B; 7H 01L 29/165 B; 7H 01L 33/00 B",
5254   us_class =     "",
5255   abstract =     "The following invention provides a method for forming
5256                  a layered semiconductor structure having a layer (5) of
5257                  a first semiconductor material on a substrate (1; 1')
5258                  of at least one second semiconductor material,
5259                  comprising the steps of: providing said substrate (1;
5260                  1'); burying said layer (5) of said first semiconductor
5261                  material in said substrate (1; 1'), said buried layer
5262                  (5) having an upper surface (105) and a lower surface
5263                  (105) and dividing said substrate (1; 1') into an upper
5264                  part (1a) and a lower part (1b; 1b', 1c); creating a
5265                  buried damage layer (10; 10'; 10'', 100'') which at
5266                  least partly adjoins and/or at least partly includes
5267                  said upper surface (105) of said buried layer (5); and
5268                  removing said upper part (1a) of said substrate (1; 1')
5269                  and said buried damage layer (10; 10'; 10'', 100'') for
5270                  exposing said buried layer (5). The invention also
5271                  provides a corresponding layered semiconductor
5272                  structure.",
5273 }