bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philos. Mag. B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
  91                  precipitation by interstitial and substitutional
  92                  carbon, both mechanisms explained + refs",
  93 }
  94
  95 @Article{skorupa96,
  96   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
  97                  silicon-related materials",
  98   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
  99   volume =       "44",
 100   number =       "2",
 101   pages =        "101--143",
 102   year =         "1996",
 103   note =         "",
 104   ISSN =         "0254-0584",
 105   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 106   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 107   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 108   notes =        "review of silicon carbon compound",
 109 }
 110
 111 @Book{laplace,
 112   author =       "P. S. de Laplace",
 113   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 114   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 115   volume =       "VII",
 116   publisher =    "Gauthier-Villars",
 117   year =         "1820",
 118 }
 119
 120 @Article{mattoni2007,
 121   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 122   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 123                  materials}",
 124   journal =      "Phys. Rev. B",
 125   year =         "2007",
 126   month =        dec,
 127   volume =       "76",
 128   number =       "22",
 129   pages =        "224103",
 130   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 131   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 132                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 133                  fracture, more available potentials, universal energy
 134                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 135 }
 136
 137 @Article{balamane92,
 138   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 139                  potentials",
 140   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 141   journal =      "Phys. Rev. B",
 142   volume =       "46",
 143   number =       "4",
 144   pages =        "2250--2279",
 145   numpages =     "29",
 146   year =         "1992",
 147   month =        jul,
 148   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 149   publisher =    "American Physical Society",
 150   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 151 }
 152
 153 @Article{koster2002,
 154   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 155                  bombardment",
 156   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 157   journal =      "Phys. Rev. B",
 158   volume =       "62",
 159   number =       "16",
 160   pages =        "11219--11224",
 161   numpages =     "5",
 162   year =         "2000",
 163   month =        oct,
 164   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 165   publisher =    "American Physical Society",
 166   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 167 }
 168
 169 @Article{breadmore99,
 170   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 171                  amorphization of silicon",
 172   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 173   journal =      "Phys. Rev. B",
 174   volume =       "60",
 175   number =       "18",
 176   pages =        "12610--12616",
 177   numpages =     "6",
 178   year =         "1999",
 179   month =        nov,
 180   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 181   publisher =    "American Physical Society",
 182   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 183 }
 184
 185 @Article{nielsen83,
 186   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 187   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 188   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 189   volume =       "50",
 190   number =       "9",
 191   pages =        "697--700",
 192   numpages =     "3",
 193   year =         "1983",
 194   month =        feb,
 195   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 196   publisher =    "American Physical Society",
 197   notes =        "generalization of virial theorem",
 198 }
 199
 200 @Article{nielsen85,
 201   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 202   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 203   journal =      "Phys. Rev. B",
 204   volume =       "32",
 205   number =       "6",
 206   pages =        "3780--3791",
 207   numpages =     "11",
 208   year =         "1985",
 209   month =        sep,
 210   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 211   publisher =    "American Physical Society",
 212   notes =        "dft virial stress and forces",
 213 }
 214
 215 @Article{moissan04,
 216   author =       "Henri Moissan",
 217   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 218                  Diablo",
 219   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 220   volume =       "139",
 221   pages =        "773--786",
 222   year =         "1904",
 223 }
 224
 225 @Book{park98,
 226   author =       "Y. S. Park",
 227   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 228   publisher =    "Academic Press",
 229   address =      "San Diego",
 230   year =         "1998",
 231 }
 232
 233 @Article{tsvetkov98,
 234   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 235                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 236   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 237   journal =      "Materials Science Forum",
 238   volume =       "264-268",
 239   pages =        "3--8",
 240   year =         "1998",
 241   notes =        "modified lely process, micropipes",
 242 }
 243
 244 @Article{verlet67,
 245   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 246                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 247   author =       "Loup Verlet",
 248   journal =      "Phys. Rev.",
 249   volume =       "159",
 250   number =       "1",
 251   pages =        "98",
 252   year =         "1967",
 253   month =        jul,
 254   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 255   publisher =    "American Physical Society",
 256   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 257                  motion",
 258 }
 259
 260 @Article{berendsen84,
 261   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 262                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 263   collaboration = "",
 264   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 265   publisher =    "AIP",
 266   year =         "1984",
 267   journal =      "J. Chem. Phys.",
 268   volume =       "81",
 269   number =       "8",
 270   pages =        "3684--3690",
 271   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 272                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 273   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 274   doi =          "10.1063/1.448118",
 275   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 276 }
 277
 278 @Article{huang95,
 279   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 280                  Baskes",
 281   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 282                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 283                  potentials",
 284   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 285   volume =       "3",
 286   number =       "5",
 287   pages =        "615--627",
 288   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 289   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 290                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 291   year =         "1995",
 292 }
 293
 294 @Article{brenner89,
 295   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 296                  Tersoff potentials",
 297   author =       "Donald W. Brenner",
 298   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 299   volume =       "63",
 300   number =       "9",
 301   pages =        "1022",
 302   numpages =     "1",
 303   year =         "1989",
 304   month =        aug,
 305   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 306   publisher =    "American Physical Society",
 307   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 308 }
 309
 310 @Article{batra87,
 311   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 312                  silicon",
 313   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 314   journal =      "Phys. Rev. B",
 315   volume =       "35",
 316   number =       "18",
 317   pages =        "9552--9558",
 318   numpages =     "6",
 319   year =         "1987",
 320   month =        jun,
 321   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 322   publisher =    "American Physical Society",
 323   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 324                  calculation of defect formation energy, defect
 325                  interstitial types",
 326 }
 327
 328 @Article{schober89,
 329   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 330   author =       "H. R. Schober",
 331   journal =      "Phys. Rev. B",
 332   volume =       "39",
 333   number =       "17",
 334   pages =        "13013--13015",
 335   numpages =     "2",
 336   year =         "1989",
 337   month =        jun,
 338   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 339   publisher =    "American Physical Society",
 340   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 341                  dumbbell configuration",
 342 }
 343
 344 @Article{gao02a,
 345   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 346                  Defect accumulation, topological features, and
 347                  disordering",
 348   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 349   journal =      "Phys. Rev. B",
 350   volume =       "66",
 351   number =       "2",
 352   pages =        "024106",
 353   numpages =     "10",
 354   year =         "2002",
 355   month =        jul,
 356   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 357   publisher =    "American Physical Society",
 358   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 359                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 360                  result analyze",
 361 }
 362
 363 @Article{devanathan98,
 364   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 365                  cascade in Si{C}",
 366   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 367   volume =       "141",
 368   number =       "1-4",
 369   pages =        "118--122",
 370   year =         "1998",
 371   ISSN =         "0168-583X",
 372   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 373   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 374                  Rubia",
 375   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 376                  3c-sic",
 377 }
 378
 379 @Article{devanathan98_2,
 380   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 381   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 382   volume =       "253",
 383   number =       "1-3",
 384   pages =        "47--52",
 385   year =         "1998",
 386   ISSN =         "0022-3115",
 387   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 388   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 389                  Weber",
 390   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 391                  tersoff",
 392 }
 393
 394 @Article{kitabatake00,
 395   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 396   author =       "M. Kitabatake",
 397   journal =      "Thin Solid Films",
 398   volume =       "369",
 399   pages =        "257--264",
 400   numpages =     "8",
 401   year =         "2000",
 402   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 403 }
 404
 405 @Article{tang97,
 406   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 407                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 408                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 409                  formation volumes",
 410   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 411                  Rubia",
 412   journal =      "Phys. Rev. B",
 413   volume =       "55",
 414   number =       "21",
 415   pages =        "14279--14289",
 416   numpages =     "10",
 417   year =         "1997",
 418   month =        jun,
 419   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 420   publisher =    "American Physical Society",
 421   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 422 }
 423
 424 @Article{johnson98,
 425   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 426                  Rubia",
 427   collaboration = "",
 428   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 429                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 430                  presence of carbon and boron",
 431   publisher =    "AIP",
 432   year =         "1998",
 433   journal =      "J. Appl. Phys.",
 434   volume =       "84",
 435   number =       "4",
 436   pages =        "1963--1967",
 437   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 438                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 439                  semiconductors; self-diffusion",
 440   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 441   doi =          "10.1063/1.368328",
 442   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 443                  diffsuion",
 444 }
 445
 446 @Article{bar-yam84,
 447   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 448                  Self-Interstitial",
 449   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 450   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 451   volume =       "52",
 452   number =       "13",
 453   pages =        "1129--1132",
 454   numpages =     "3",
 455   year =         "1984",
 456   month =        mar,
 457   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 458   publisher =    "American Physical Society",
 459   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 460 }
 461
 462 @Article{bar-yam84_2,
 463   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 464                  barriers of silicon self-interstitials",
 465   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 466   journal =      "Phys. Rev. B",
 467   volume =       "30",
 468   number =       "4",
 469   pages =        "1844--1852",
 470   numpages =     "8",
 471   year =         "1984",
 472   month =        aug,
 473   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 474   publisher =    "American Physical Society",
 475 }
 476
 477 @Article{bloechl93,
 478   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 479                  constants in silicon",
 480   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 481                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 482   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 483   volume =       "70",
 484   number =       "16",
 485   pages =        "2435--2438",
 486   numpages =     "3",
 487   year =         "1993",
 488   month =        apr,
 489   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 490   publisher =    "American Physical Society",
 491   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 492                  entropy calculations",
 493 }
 494
 495 @Article{colombo02,
 496   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 497                  silicon",
 498   author =       "L. Colombo",
 499   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 500   volume =       "32",
 501   pages =        "271--295",
 502   numpages =     "25",
 503   year =         "2002",
 504   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 505   publisher =    "Annual Reviews",
 506   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 507 }
 508
 509 @Article{al-mushadani03,
 510   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 511                  silicon",
 512   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 513   journal =      "Phys. Rev. B",
 514   volume =       "68",
 515   number =       "23",
 516   pages =        "235205",
 517   numpages =     "8",
 518   year =         "2003",
 519   month =        dec,
 520   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 521   publisher =    "American Physical Society",
 522   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 523                  silicon, si self interstitials, free energy",
 524 }
 525
 526 @Article{goedecker02,
 527   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 528   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 529   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 530   volume =       "88",
 531   number =       "23",
 532   pages =        "235501",
 533   numpages =     "4",
 534   year =         "2002",
 535   month =        may,
 536   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 537   publisher =    "American Physical Society",
 538   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 539                  silicon",
 540 }
 541
 542 @Article{sahli05,
 543   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 544                  self-interstitial diffusion in silicon",
 545   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 546   journal =      "Phys. Rev. B",
 547   volume =       "72",
 548   number =       "24",
 549   pages =        "245210",
 550   numpages =     "6",
 551   year =         "2005",
 552   month =        dec,
 553   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 554   publisher =    "American Physical Society",
 555   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 556                  mapping applied",
 557 }
 558
 559 @Article{hobler05,
 560   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 561                  native point defects in silicon",
 562   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 563   volume =       "124-125",
 564   number =       "",
 565   pages =        "368--371",
 566   year =         "2005",
 567   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 568                  Issues for Future Technologies",
 569   ISSN =         "0921-5107",
 570   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 571   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 572   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 573   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 574                  radius",
 575 }
 576
 577 @Article{ma10,
 578   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 579                  wide temperature range: Point defect states and
 580                  migration mechanisms",
 581   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 582   journal =      "Phys. Rev. B",
 583   volume =       "81",
 584   number =       "19",
 585   pages =        "193203",
 586   numpages =     "4",
 587   year =         "2010",
 588   month =        may,
 589   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 590   publisher =    "American Physical Society",
 591   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 592 }
 593
 594 @Article{posselt06,
 595   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 596                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 597   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 598   journal =      "Phys. Rev. B",
 599   volume =       "73",
 600   number =       "12",
 601   pages =        "125206",
 602   numpages =     "8",
 603   year =         "2006",
 604   month =        mar,
 605   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 606   publisher =    "American Physical Society",
 607 }
 608
 609 @Article{posselt08,
 610   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 611                  migration mechanisms of vacancies and
 612                  self-interstitials: An atomistic study",
 613   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 614   journal =      "Phys. Rev. B",
 615   volume =       "78",
 616   number =       "3",
 617   pages =        "035208",
 618   numpages =     "9",
 619   year =         "2008",
 620   month =        jul,
 621   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 622   publisher =    "American Physical Society",
 623   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 624                  weber and tersoff",
 625 }
 626
 627 @Article{gao2001,
 628   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 629                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 630   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 631                  Corrales",
 632   journal =      "Phys. Rev. B",
 633   volume =       "64",
 634   number =       "24",
 635   pages =        "245208",
 636   numpages =     "7",
 637   year =         "2001",
 638   month =        dec,
 639   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 640   publisher =    "American Physical Society",
 641   notes =        "defects in 3c-sic",
 642 }
 643
 644 @Article{gao02,
 645   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 646                  3{C}-Si{C}",
 647   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 648   volume =       "191",
 649   number =       "1-4",
 650   pages =        "487--496",
 651   year =         "2002",
 652   note =         "",
 653   ISSN =         "0168-583X",
 654   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 655   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 656   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 657   keywords =     "Empirical potential",
 658   keywords =     "Defect properties",
 659   keywords =     "Silicon carbide",
 660   keywords =     "Computer simulation",
 661   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 662 }
 663
 664 @Article{gao04,
 665   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 666                  3{C}-Si{C}",
 667   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 668                  Belko",
 669   journal =      "Phys. Rev. B",
 670   volume =       "69",
 671   number =       "24",
 672   pages =        "245205",
 673   numpages =     "5",
 674   year =         "2004",
 675   month =        jun,
 676   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 677   publisher =    "American Physical Society",
 678   notes =        "defect migration in sic",
 679 }
 680
 681 @Article{gao07,
 682   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 683                  W. J. Weber",
 684   collaboration = "",
 685   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 686                  in cubic silicon carbide",
 687   publisher =    "AIP",
 688   year =         "2007",
 689   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 690   volume =       "90",
 691   number =       "22",
 692   eid =          "221915",
 693   numpages =     "3",
 694   pages =        "221915",
 695   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 696                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 697                  dynamics method; density functional theory;
 698                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 699                  impurities; diffusion",
 700   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 701   doi =          "10.1063/1.2743751",
 702 }
 703
 704 @Article{mattoni2002,
 705   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 706                  crystalline silicon",
 707   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 708   journal =      "Phys. Rev. B",
 709   volume =       "66",
 710   number =       "19",
 711   pages =        "195214",
 712   numpages =     "6",
 713   year =         "2002",
 714   month =        nov,
 715   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 716   publisher =    "American Physical Society",
 717   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 718                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 719                  tersoff suitability",
 720 }
 721
 722 @Article{leung99,
 723   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 724   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 725                  Itoh and S. Ihara",
 726   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 727   volume =       "83",
 728   number =       "12",
 729   pages =        "2351--2354",
 730   numpages =     "3",
 731   year =         "1999",
 732   month =        sep,
 733   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 734   publisher =    "American Physical Society",
 735   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 736                  refs",
 737 }
 738
 739 @Article{capaz94,
 740   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 741                  carbon in silicon",
 742   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 743   journal =      "Phys. Rev. B",
 744   volume =       "50",
 745   number =       "11",
 746   pages =        "7439--7442",
 747   numpages =     "3",
 748   year =         "1994",
 749   month =        sep,
 750   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 751   publisher =    "American Physical Society",
 752   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 753                  dumbbell",
 754 }
 755
 756 @Article{capaz98,
 757   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 758   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 759   journal =      "Phys. Rev. B",
 760   volume =       "58",
 761   number =       "15",
 762   pages =        "9845--9850",
 763   numpages =     "5",
 764   year =         "1998",
 765   month =        oct,
 766   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 767   publisher =    "American Physical Society",
 768   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 769 }
 770
 771 @Article{song90_2,
 772   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 773                  pair in silicon",
 774   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 775                  Watkins",
 776   journal =      "Phys. Rev. B",
 777   volume =       "42",
 778   number =       "9",
 779   pages =        "5765--5783",
 780   numpages =     "18",
 781   year =         "1990",
 782   month =        sep,
 783   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 784   publisher =    "American Physical Society",
 785   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 786 }
 787
 788 @Article{liu02,
 789   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 790                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 791   collaboration = "",
 792   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 793                  interactions in Si",
 794   publisher =    "AIP",
 795   year =         "2002",
 796   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 797   volume =       "80",
 798   number =       "1",
 799   pages =        "52--54",
 800   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 801                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 802                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 803   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 804   doi =          "10.1063/1.1430505",
 805   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 806 }
 807
 808 @Article{dal_pino93,
 809   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 810                  silicon",
 811   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 812                  Joannopoulos",
 813   journal =      "Phys. Rev. B",
 814   volume =       "47",
 815   number =       "19",
 816   pages =        "12554--12557",
 817   numpages =     "3",
 818   year =         "1993",
 819   month =        may,
 820   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 821   publisher =    "American Physical Society",
 822   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 823 }
 824
 825 @Article{car84,
 826   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 827                  Silicon",
 828   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 829                  Sokrates T. Pantelides",
 830   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 831   volume =       "52",
 832   number =       "20",
 833   pages =        "1814--1817",
 834   numpages =     "3",
 835   year =         "1984",
 836   month =        may,
 837   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 838   publisher =    "American Physical Society",
 839   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 840                  path formation",
 841 }
 842
 843 @Article{car85,
 844   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 845                  Density-Functional Theory",
 846   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 847   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 848   volume =       "55",
 849   number =       "22",
 850   pages =        "2471--2474",
 851   numpages =     "3",
 852   year =         "1985",
 853   month =        nov,
 854   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 855   publisher =    "American Physical Society",
 856   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 857 }
 858
 859 @Article{kelires97,
 860   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 861                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 862   author =       "P. C. Kelires",
 863   journal =      "Phys. Rev. B",
 864   volume =       "55",
 865   number =       "14",
 866   pages =        "8784--8787",
 867   numpages =     "3",
 868   year =         "1997",
 869   month =        apr,
 870   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 871   publisher =    "American Physical Society",
 872   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 873                  neighbour dist",
 874 }
 875
 876 @Article{kelires95,
 877   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 878                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 879   author =       "P. C. Kelires",
 880   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 881   volume =       "75",
 882   number =       "6",
 883   pages =        "1114--1117",
 884   numpages =     "3",
 885   year =         "1995",
 886   month =        aug,
 887   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 888   publisher =    "American Physical Society",
 889   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 890 }
 891
 892 @Article{bean70,
 893   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 894                  containing carbon",
 895   journal =      "Solid State Communications",
 896   volume =       "8",
 897   number =       "3",
 898   pages =        "175--177",
 899   year =         "1970",
 900   note =         "",
 901   ISSN =         "0038-1098",
 902   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 903   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 904   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 905 }
 906
 907 @Article{watkins76,
 908   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 909                  Atom in Silicon",
 910   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 911   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 912   volume =       "36",
 913   number =       "22",
 914   pages =        "1329--1332",
 915   numpages =     "3",
 916   year =         "1976",
 917   month =        may,
 918   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 919   publisher =    "American Physical Society",
 920   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 921                  silicon",
 922 }
 923
 924 @Article{song90,
 925   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 926                  interstitial carbon in silicon",
 927   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 928   journal =      "Phys. Rev. B",
 929   volume =       "42",
 930   number =       "9",
 931   pages =        "5759--5764",
 932   numpages =     "5",
 933   year =         "1990",
 934   month =        sep,
 935   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 936   publisher =    "American Physical Society",
 937   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 938 }
 939
 940 @Article{tipping87,
 941   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 942   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 943                  silicon",
 944   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
 945   volume =       "2",
 946   number =       "5",
 947   pages =        "315--317",
 948   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 949   year =         "1987",
 950   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 951                  silicon",
 952 }
 953
 954 @Article{strane96,
 955   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 956                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 957   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 958                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 959   journal =      "J. Appl. Phys.",
 960   volume =       "79",
 961   pages =        "637",
 962   year =         "1996",
 963   month =        jan,
 964   doi =          "10.1063/1.360806",
 965   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 966 }
 967
 968 @Article{laveant2002,
 969   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 970   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 971   volume =       "89",
 972   number =       "1-3",
 973   pages =        "241--245",
 974   year =         "2002",
 975   ISSN =         "0921-5107",
 976   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 977   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 978   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 979                  G{\"{o}}sele",
 980   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 981                  stress, avoid sic precipitation",
 982 }
 983
 984 @Article{werner97,
 985   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 986                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 987   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 988                  silicon by transmission electron microscopy",
 989   publisher =    "AIP",
 990   year =         "1997",
 991   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 992   volume =       "70",
 993   number =       "2",
 994   pages =        "252--254",
 995   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 996                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 997                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 998                  layers; precipitation",
 999   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1000   doi =          "10.1063/1.118381",
1001   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1002                  precipitate",
1003 }
1004
1005 @InProceedings{werner96,
1006   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1007                  Eichler",
1008   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
1009                  International Conference on",
1010   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1011                  implanted silicon",
1012   year =         "1996",
1013   month =        jun,
1014   volume =       "",
1015   number =       "",
1016   pages =        "675--678",
1017   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1018   ISSN =         "",
1019   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1020 }
1021
1022 @Article{werner98,
1023   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1024                  D. C. Jacobson",
1025   collaboration = "",
1026   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1027   publisher =    "AIP",
1028   year =         "1998",
1029   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1030   volume =       "73",
1031   number =       "17",
1032   pages =        "2465--2467",
1033   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1034                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1035                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1036                  impurity distribution",
1037   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1038   doi =          "10.1063/1.122483",
1039   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1040 }
1041
1042 @Article{strane94,
1043   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1044                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1045   collaboration = "",
1046   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1047                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1048   publisher =    "AIP",
1049   year =         "1994",
1050   journal =      "J. Appl. Phys.",
1051   volume =       "76",
1052   number =       "6",
1053   pages =        "3656--3668",
1054   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1055   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1056   doi =          "10.1063/1.357429",
1057   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1058                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1059                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1060                  energy",
1061 }
1062
1063 @Article{fischer95,
1064   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1065                  Osten",
1066   collaboration = "",
1067   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1068                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1069   publisher =    "AIP",
1070   year =         "1995",
1071   journal =      "J. Appl. Phys.",
1072   volume =       "77",
1073   number =       "5",
1074   pages =        "1934--1937",
1075   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1076                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1077                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1078                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1079   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1080   doi =          "10.1063/1.358826",
1081 }
1082
1083 @Article{edgar92,
1084   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1085                  semiconductors",
1086   author =       "J. H. Edgar",
1087   journal =      "J. Mater. Res.",
1088   volume =       "7",
1089   pages =        "235",
1090   year =         "1992",
1091   month =        jan,
1092   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1093   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1094                  polytypes",
1095 }
1096
1097 @Article{zirkelbach2007,
1098   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1099                  process leading to ordered precipitate structures",
1100   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1101                  and B. Stritzker",
1102   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1103   volume =       "257",
1104   number =       "1--2",
1105   pages =        "75--79",
1106   numpages =     "5",
1107   year =         "2007",
1108   month =        apr,
1109   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1110   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1111                  NETHERLANDS",
1112 }
1113
1114 @Article{zirkelbach2006,
1115   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1116                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1117                  during ion irradiation",
1118   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1119                  and B. Stritzker",
1120   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1121   volume =       "242",
1122   number =       "1--2",
1123   pages =        "679--682",
1124   numpages =     "4",
1125   year =         "2006",
1126   month =        jan,
1127   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1128   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1129                  NETHERLANDS",
1130 }
1131
1132 @Article{zirkelbach2005,
1133   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1134                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1135                  ion irradiation",
1136   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1137                  and B. Stritzker",
1138   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1139   volume =       "33",
1140   number =       "1--3",
1141   pages =        "310--316",
1142   numpages =     "7",
1143   year =         "2005",
1144   month =        apr,
1145   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1146   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1147                  NETHERLANDS",
1148 }
1149
1150 @Article{zirkelbach09,
1151   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1152                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1153   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1154   volume =       "159-160",
1155   number =       "",
1156   pages =        "149--152",
1157   year =         "2009",
1158   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1159                  Silicon Materials Research for Electronic and
1160                  Photovoltaic Applications",
1161   ISSN =         "0921-5107",
1162   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1163   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1164   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1165                  B. Stritzker",
1166   keywords =     "Silicon",
1167   keywords =     "Carbon",
1168   keywords =     "Silicon carbide",
1169   keywords =     "Nucleation",
1170   keywords =     "Defect formation",
1171   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1172 }
1173
1174 @Article{zirkelbach10a,
1175   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1176                  classical potentials and first-principles methods",
1177   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1178                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1179   journal =      "Phys. Rev. B",
1180   volume =       "82",
1181   number =       "9",
1182   pages =        "094110",
1183   numpages =     "6",
1184   year =         "2010",
1185   month =        sep,
1186   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1187   publisher =    "American Physical Society",
1188 }
1189
1190 @Article{zirkelbach10b,
1191   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1192                  silicon",
1193   journal =      "to be published",
1194   volume =       "",
1195   number =       "",
1196   pages =        "",
1197   year =         "2010",
1198   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1199                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1200 }
1201
1202 @Article{zirkelbach10c,
1203   title =        "...",
1204   journal =      "to be published",
1205   volume =       "",
1206   number =       "",
1207   pages =        "",
1208   year =         "2010",
1209   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1210                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1211 }
1212
1213 @Article{lindner99,
1214   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1215                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1216                  layers in silicon",
1217   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1218   volume =       "147",
1219   number =       "1-4",
1220   pages =        "249--255",
1221   year =         "1999",
1222   note =         "",
1223   ISSN =         "0168-583X",
1224   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1225   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1226   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1227   notes =        "two-step implantation process",
1228 }
1229
1230 @Article{lindner99_2,
1231   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1232                  in silicon",
1233   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1234   volume =       "148",
1235   number =       "1-4",
1236   pages =        "528--533",
1237   year =         "1999",
1238   ISSN =         "0168-583X",
1239   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1240   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1241   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1242   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1243 }
1244
1245 @Article{lindner01,
1246   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1247                  Basic physical processes",
1248   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1249   volume =       "178",
1250   number =       "1-4",
1251   pages =        "44--54",
1252   year =         "2001",
1253   note =         "",
1254   ISSN =         "0168-583X",
1255   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1256   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1257   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1258 }
1259
1260 @Article{lindner02,
1261   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1262                  fundamental studies for new technological tricks",
1263   author =       "J. K. N. Lindner",
1264   journal =      "Appl. Phys. A",
1265   volume =       "77",
1266   pages =        "27--38",
1267   year =         "2003",
1268   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1269   notes =        "ibs, burried sic layers",
1270 }
1271
1272 @Article{lindner06,
1273   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1274                  formation and displacive precipitate resolution in the
1275                  {C}-Si system",
1276   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1277   volume =       "26",
1278   number =       "5-7",
1279   pages =        "857--861",
1280   year =         "2006",
1281   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1282                  Applications",
1283   ISSN =         "0928-4931",
1284   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1285   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1286   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1287                  and B. Stritzker",
1288   notes =        "c int diffusion barrier",
1289 }
1290
1291 @Article{ito04,
1292   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1293                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1294                  growth",
1295   journal =      "Applied Surface Science",
1296   volume =       "238",
1297   number =       "1-4",
1298   pages =        "159--164",
1299   year =         "2004",
1300   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1301   ISSN =         "0169-4332",
1302   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1303   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1304   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1305                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1306   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1307 }
1308
1309 @Article{yamamoto04,
1310   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1311                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1312                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1313   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1314   volume =       "261",
1315   number =       "2-3",
1316   pages =        "266--270",
1317   year =         "2004",
1318   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1319                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1320   ISSN =         "0022-0248",
1321   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1322   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1323   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1324                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1325   notes =        "gan on 3c-sic",
1326 }
1327
1328 @Article{liu_l02,
1329   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1330   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1331   volume =       "37",
1332   number =       "3",
1333   pages =        "61--127",
1334   year =         "2002",
1335   note =         "",
1336   ISSN =         "0927-796X",
1337   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1338   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1339   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1340   notes =        "gan substrates",
1341 }
1342
1343 @Article{takeuchi91,
1344   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1345                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1346   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1347   volume =       "115",
1348   number =       "1-4",
1349   pages =        "634--638",
1350   year =         "1991",
1351   note =         "",
1352   ISSN =         "0022-0248",
1353   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1354   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1355   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1356                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1357   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1358 }
1359
1360 @Article{alder57,
1361   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1362   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1363   publisher =    "AIP",
1364   year =         "1957",
1365   journal =      "J. Chem. Phys.",
1366   volume =       "27",
1367   number =       "5",
1368   pages =        "1208--1209",
1369   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1370   doi =          "10.1063/1.1743957",
1371 }
1372
1373 @Article{alder59,
1374   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1375   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1376   publisher =    "AIP",
1377   year =         "1959",
1378   journal =      "J. Chem. Phys.",
1379   volume =       "31",
1380   number =       "2",
1381   pages =        "459--466",
1382   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1383   doi =          "10.1063/1.1730376",
1384 }
1385
1386 @Article{tersoff_si1,
1387   title =        "New empirical model for the structural properties of
1388                  silicon",
1389   author =       "J. Tersoff",
1390   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1391   volume =       "56",
1392   number =       "6",
1393   pages =        "632--635",
1394   numpages =     "3",
1395   year =         "1986",
1396   month =        feb,
1397   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1398   publisher =    "American Physical Society",
1399 }
1400
1401 @Article{tersoff_si2,
1402   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1403                  covalent systems",
1404   author =       "J. Tersoff",
1405   journal =      "Phys. Rev. B",
1406   volume =       "37",
1407   number =       "12",
1408   pages =        "6991--7000",
1409   numpages =     "9",
1410   year =         "1988",
1411   month =        apr,
1412   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1413   publisher =    "American Physical Society",
1414 }
1415
1416 @Article{tersoff_si3,
1417   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1418                  improved elastic properties",
1419   author =       "J. Tersoff",
1420   journal =      "Phys. Rev. B",
1421   volume =       "38",
1422   number =       "14",
1423   pages =        "9902--9905",
1424   numpages =     "3",
1425   year =         "1988",
1426   month =        nov,
1427   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1428   publisher =    "American Physical Society",
1429 }
1430
1431 @Article{tersoff_c,
1432   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1433                  Applications to Amorphous Carbon",
1434   author =       "J. Tersoff",
1435   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1436   volume =       "61",
1437   number =       "25",
1438   pages =        "2879--2882",
1439   numpages =     "3",
1440   year =         "1988",
1441   month =        dec,
1442   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1443   publisher =    "American Physical Society",
1444 }
1445
1446 @Article{tersoff_m,
1447   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1448                  for multicomponent systems",
1449   author =       "J. Tersoff",
1450   journal =      "Phys. Rev. B",
1451   volume =       "39",
1452   number =       "8",
1453   pages =        "5566--5568",
1454   numpages =     "2",
1455   year =         "1989",
1456   month =        mar,
1457   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1458   publisher =    "American Physical Society",
1459 }
1460
1461 @Article{tersoff90,
1462   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1463   author =       "J. Tersoff",
1464   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1465   volume =       "64",
1466   number =       "15",
1467   pages =        "1757--1760",
1468   numpages =     "3",
1469   year =         "1990",
1470   month =        apr,
1471   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1472   publisher =    "American Physical Society",
1473 }
1474
1475 @Article{fahey89,
1476   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1477   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1478   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1479   volume =       "61",
1480   number =       "2",
1481   pages =        "289--384",
1482   numpages =     "95",
1483   year =         "1989",
1484   month =        apr,
1485   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1486   publisher =    "American Physical Society",
1487 }
1488
1489 @Article{wesch96,
1490   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1491   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1492   volume =       "116",
1493   number =       "1-4",
1494   pages =        "305--321",
1495   year =         "1996",
1496   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1497   ISSN =         "0168-583X",
1498   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1499   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1500   author =       "W. Wesch",
1501 }
1502
1503 @Article{davis91,
1504   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
1505                  Palmour and J. A. Edmond",
1506   journal =      "Proceedings of the IEEE",
1507   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
1508                  optoelectronic device fabrication and characterization
1509                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
1510   year =         "1991",
1511   month =        may,
1512   volume =       "79",
1513   number =       "5",
1514   pages =        "677--701",
1515   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
1516                  diode;SiC;dry etching;electrical
1517                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
1518                  device fabrication;solid-state devices;surface
1519                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
1520                  transistors;Schottky-barrier
1521                  diodes;etching;heterojunction bipolar
1522                  transistors;insulated gate field effect
1523                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
1524                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
1525   doi =          "10.1109/5.90132",
1526   ISSN =         "0018-9219",
1527   notes =        "sic growth methods",
1528 }
1529
1530 @Article{morkoc94,
1531   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1532                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1533   collaboration = "",
1534   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1535                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1536   publisher =    "AIP",
1537   year =         "1994",
1538   journal =      "J. Appl. Phys.",
1539   volume =       "76",
1540   number =       "3",
1541   pages =        "1363--1398",
1542   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1543                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1544                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1545                  FILMS; INDUSTRY",
1546   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1547   doi =          "10.1063/1.358463",
1548   notes =        "sic intro, properties",
1549 }
1550
1551 @Article{foo,
1552   author =       "Noch Unbekannt",
1553   title =        "How to find references",
1554   journal =      "Journal of Applied References",
1555   year =         "2009",
1556   volume =       "77",
1557   pages =        "1--23",
1558 }
1559
1560 @Article{tang95,
1561   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1562                  \beta{}-Si{C}",
1563   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1564   journal =      "Phys. Rev. B",
1565   volume =       "52",
1566   number =       "21",
1567   pages =        "15150--15159",
1568   numpages =     "9",
1569   year =         "1995",
1570   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1571   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1572                  tersoff reparametrization",
1573   publisher =    "American Physical Society",
1574 }
1575
1576 @Article{sarro00,
1577   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1578   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1579   volume =       "82",
1580   number =       "1-3",
1581   pages =        "210--218",
1582   year =         "2000",
1583   ISSN =         "0924-4247",
1584   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1585   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1586   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1587   keywords =     "MEMS",
1588   keywords =     "Silicon carbide",
1589   keywords =     "Micromachining",
1590   keywords =     "Mechanical stress",
1591 }
1592
1593 @Article{casady96,
1594   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1595                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1596                  review",
1597   journal =      "Solid-State Electronics",
1598   volume =       "39",
1599   number =       "10",
1600   pages =        "1409--1422",
1601   year =         "1996",
1602   ISSN =         "0038-1101",
1603   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1604   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1605   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1606   notes =        "sic intro",
1607 }
1608
1609 @Article{giancarli98,
1610   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1611                  structural material in fusion power reactor blankets",
1612   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1613   volume =       "41",
1614   number =       "1-4",
1615   pages =        "165--171",
1616   year =         "1998",
1617   ISSN =         "0920-3796",
1618   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1619   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1620   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1621                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1622 }
1623
1624 @Article{pensl93,
1625   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1626   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1627   volume =       "185",
1628   number =       "1-4",
1629   pages =        "264--283",
1630   year =         "1993",
1631   ISSN =         "0921-4526",
1632   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1633   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1634   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1635 }
1636
1637 @Article{tairov78,
1638   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1639                  carbide single crystals",
1640   journal =      "J. Cryst. Growth",
1641   volume =       "43",
1642   number =       "2",
1643   pages =        "209--212",
1644   year =         "1978",
1645   notes =        "modified lely process",
1646   ISSN =         "0022-0248",
1647   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1648   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1649   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1650 }
1651
1652 @Article{tairov81,
1653   title =        "General principles of growing large-size single
1654                  crystals of various silicon carbide polytypes",
1655   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1656   volume =       "52",
1657   number =       "Part 1",
1658   pages =        "146--150",
1659   year =         "1981",
1660   note =         "",
1661   ISSN =         "0022-0248",
1662   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
1663   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
1664   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1665 }
1666
1667 @Article{barrett91,
1668   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
1669   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1670   volume =       "109",
1671   number =       "1-4",
1672   pages =        "17--23",
1673   year =         "1991",
1674   note =         "",
1675   ISSN =         "0022-0248",
1676   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
1677   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
1678   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
1679                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
1680 }
1681
1682 @Article{barrett93,
1683   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
1684   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1685   volume =       "128",
1686   number =       "1-4",
1687   pages =        "358--362",
1688   year =         "1993",
1689   note =         "",
1690   ISSN =         "0022-0248",
1691   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
1692   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
1693   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
1694                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
1695                  W. J. Choyke",
1696 }
1697
1698 @Article{stein93,
1699   title =        "Control of polytype formation by surface energy
1700                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
1701                  sublimation method",
1702   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1703   volume =       "131",
1704   number =       "1-2",
1705   pages =        "71--74",
1706   year =         "1993",
1707   note =         "",
1708   ISSN =         "0022-0248",
1709   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
1710   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
1711   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
1712   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
1713 }
1714
1715 @Article{nishino83,
1716   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1717                  Will",
1718   collaboration = "",
1719   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1720                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1721   publisher =    "AIP",
1722   year =         "1983",
1723   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1724   volume =       "42",
1725   number =       "5",
1726   pages =        "460--462",
1727   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1728                  monocrystals",
1729   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1730   doi =          "10.1063/1.93970",
1731   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1732 }
1733
1734 @Article{nishino87,
1735   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1736                  and Hiroyuki Matsunami",
1737   collaboration = "",
1738   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1739                  Si{C} on silicon",
1740   publisher =    "AIP",
1741   year =         "1987",
1742   journal =      "J. Appl. Phys.",
1743   volume =       "61",
1744   number =       "10",
1745   pages =        "4889--4893",
1746   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1747   doi =          "10.1063/1.338355",
1748   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1749                  carbonization",
1750 }
1751
1752 @Article{powell87,
1753   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1754                  Kuczmarski",
1755   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1756                  Single-Crystal Films on Si",
1757   publisher =    "ECS",
1758   year =         "1987",
1759   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1760   volume =       "134",
1761   number =       "6",
1762   pages =        "1558--1565",
1763   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1764                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1765   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1766   doi =          "10.1149/1.2100708",
1767   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1768 }
1769
1770 @Article{powell87_2,
1771   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
1772                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
1773   collaboration = "",
1774   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
1775                  off-axis Si substrates",
1776   publisher =    "AIP",
1777   year =         "1987",
1778   journal =      "Applied Physics Letters",
1779   volume =       "51",
1780   number =       "11",
1781   pages =        "823--825",
1782   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
1783                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
1784                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
1785                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
1786                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
1787   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
1788   doi =          "10.1063/1.98824",
1789   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
1790 }
1791
1792 @Article{ueda90,
1793   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
1794   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1795   volume =       "104",
1796   number =       "3",
1797   pages =        "695--700",
1798   year =         "1990",
1799   note =         "",
1800   ISSN =         "0022-0248",
1801   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
1802   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
1803   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
1804                  Matsunami",
1805   notes =        "step-controlled epitaxy model",
1806 }
1807
1808 @Article{kimoto93,
1809   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1810                  and Hiroyuki Matsunami",
1811   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1812                  epitaxy",
1813   publisher =    "AIP",
1814   year =         "1993",
1815   journal =      "J. Appl. Phys.",
1816   volume =       "73",
1817   number =       "2",
1818   pages =        "726--732",
1819   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1820                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1821                  VAPOR DEPOSITION",
1822   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1823   doi =          "10.1063/1.353329",
1824   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1825 }
1826
1827 @Article{powell90_2,
1828   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1829                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1830                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1831   collaboration = "",
1832   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
1833                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
1834   publisher =    "AIP",
1835   year =         "1990",
1836   journal =      "Applied Physics Letters",
1837   volume =       "56",
1838   number =       "15",
1839   pages =        "1442--1444",
1840   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1841                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
1842                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
1843                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
1844   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
1845   doi =          "10.1063/1.102492",
1846   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
1847 }
1848
1849 @Article{kong88_2,
1850   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
1851   collaboration = "",
1852   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
1853                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
1854                  substrates",
1855   publisher =    "AIP",
1856   year =         "1988",
1857   journal =      "Journal of Applied Physics",
1858   volume =       "64",
1859   number =       "5",
1860   pages =        "2672--2679",
1861   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
1862                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
1863                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
1864                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
1865                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
1866   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
1867   doi =          "10.1063/1.341608",
1868 }
1869
1870 @Article{powell90,
1871   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1872                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1873                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1874   collaboration = "",
1875   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1876                  6{H}-Si{C} substrates",
1877   publisher =    "AIP",
1878   year =         "1990",
1879   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1880   volume =       "56",
1881   number =       "14",
1882   pages =        "1353--1355",
1883   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1884                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1885                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1886                  PHASE EPITAXY",
1887   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1888   doi =          "10.1063/1.102512",
1889   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1890 }
1891
1892 @Article{kong88,
1893   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
1894                  Rozgonyi and K. L. More",
1895   collaboration = "",
1896   title =        "An examination of double positioning boundaries and
1897                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
1898                  substrates",
1899   publisher =    "AIP",
1900   year =         "1988",
1901   journal =      "Journal of Applied Physics",
1902   volume =       "63",
1903   number =       "8",
1904   pages =        "2645--2650",
1905   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
1906                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
1907                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
1908                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
1909                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
1910   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
1911   doi =          "10.1063/1.341004",
1912 }
1913
1914 @Article{powell91,
1915   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
1916                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
1917                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
1918   collaboration = "",
1919   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
1920                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
1921   publisher =    "AIP",
1922   year =         "1991",
1923   journal =      "Applied Physics Letters",
1924   volume =       "59",
1925   number =       "3",
1926   pages =        "333--335",
1927   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
1928                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
1929                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
1930   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
1931   doi =          "10.1063/1.105587",
1932 }
1933
1934 @Article{yuan95,
1935   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1936                  Thokala and M. J. Loboda",
1937   collaboration = "",
1938   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1939                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1940                  silacyclobutane",
1941   publisher =    "AIP",
1942   year =         "1995",
1943   journal =      "J. Appl. Phys.",
1944   volume =       "78",
1945   number =       "2",
1946   pages =        "1271--1273",
1947   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1948                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1949                  SPECTROPHOTOMETRY",
1950   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1951   doi =          "10.1063/1.360368",
1952   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1953 }
1954
1955 @Article{fissel95,
1956   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1957                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1958                  molecular beam epitaxy",
1959   journal =      "J. Cryst. Growth",
1960   volume =       "154",
1961   number =       "1-2",
1962   pages =        "72--80",
1963   year =         "1995",
1964   ISSN =         "0022-0248",
1965   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1966   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1967   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
1968                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1969   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1970 }
1971
1972 @Article{fissel95_apl,
1973   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1974   collaboration = "",
1975   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1976                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1977   publisher =    "AIP",
1978   year =         "1995",
1979   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1980   volume =       "66",
1981   number =       "23",
1982   pages =        "3182--3184",
1983   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1984                  RHEED; NUCLEATION",
1985   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
1986   doi =          "10.1063/1.113716",
1987   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
1988 }
1989
1990 @Article{fissel96,
1991   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
1992                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
1993   collaboration = "",
1994   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
1995                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
1996                  level using surface superstructures",
1997   publisher =    "AIP",
1998   year =         "1996",
1999   journal =      "Applied Physics Letters",
2000   volume =       "68",
2001   number =       "9",
2002   pages =        "1204--1206",
2003   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2004                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2005                  SURFACE STRUCTURE",
2006   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2007   doi =          "10.1063/1.115969",
2008   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2009 }
2010
2011 @Article{righi03,
2012   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2013   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2014                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2015   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2016   volume =       "91",
2017   number =       "13",
2018   pages =        "136101",
2019   numpages =     "4",
2020   year =         "2003",
2021   month =        sep,
2022   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2023   publisher =    "American Physical Society",
2024   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2025 }
2026
2027 @Article{borders71,
2028   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2029   collaboration = "",
2030   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2031                  {IMPLANTATION}",
2032   publisher =    "AIP",
2033   year =         "1971",
2034   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2035   volume =       "18",
2036   number =       "11",
2037   pages =        "509--511",
2038   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2039   doi =          "10.1063/1.1653516",
2040   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2041                  ideas",
2042 }
2043
2044 @Article{reeson87,
2045   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2046                  J. Davis and G. E. Celler",
2047   collaboration = "",
2048   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2049                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2050   publisher =    "AIP",
2051   year =         "1987",
2052   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2053   volume =       "51",
2054   number =       "26",
2055   pages =        "2242--2244",
2056   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2057                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2058   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2059   doi =          "10.1063/1.98953",
2060   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2061 }
2062
2063 @Article{scace59,
2064   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2065   collaboration = "",
2066   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2067   publisher =    "AIP",
2068   year =         "1959",
2069   journal =      "J. Chem. Phys.",
2070   volume =       "30",
2071   number =       "6",
2072   pages =        "1551--1555",
2073   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2074   doi =          "10.1063/1.1730236",
2075   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2076 }
2077
2078 @Article{cowern96,
2079   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2080                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2081   collaboration = "",
2082   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2083                  {B} in silicon",
2084   publisher =    "AIP",
2085   year =         "1996",
2086   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2087   volume =       "68",
2088   number =       "8",
2089   pages =        "1150--1152",
2090   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2091                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2092                  SILICON",
2093   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2094   doi =          "10.1063/1.115706",
2095   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2096 }
2097
2098 @Article{stolk95,
2099   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2100                  of the silicon self-interstitial",
2101   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2102   volume =       "96",
2103   number =       "1-2",
2104   pages =        "187--195",
2105   year =         "1995",
2106   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2107                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2108   ISSN =         "0168-583X",
2109   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2110   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2111   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2112                  and J. M. Poate",
2113 }
2114
2115 @Article{stolk97,
2116   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2117                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2118                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2119                  E. Haynes",
2120   collaboration = "",
2121   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2122                  diffusion in ion-implanted silicon",
2123   publisher =    "AIP",
2124   year =         "1997",
2125   journal =      "J. Appl. Phys.",
2126   volume =       "81",
2127   number =       "9",
2128   pages =        "6031--6050",
2129   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2130   doi =          "10.1063/1.364452",
2131   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2132 }
2133
2134 @Article{powell94,
2135   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2136   collaboration = "",
2137   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2138                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2139   publisher =    "AIP",
2140   year =         "1994",
2141   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2142   volume =       "64",
2143   number =       "3",
2144   pages =        "324--326",
2145   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2146                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2147                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2148                  SYNTHESIS",
2149   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2150   doi =          "10.1063/1.111195",
2151   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2152 }
2153
2154 @Article{soref91,
2155   author =       "Richard A. Soref",
2156   collaboration = "",
2157   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2158                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2159   publisher =    "AIP",
2160   year =         "1991",
2161   journal =      "J. Appl. Phys.",
2162   volume =       "70",
2163   number =       "4",
2164   pages =        "2470--2472",
2165   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2166                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2167                  TERNARY ALLOYS",
2168   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2169   doi =          "10.1063/1.349403",
2170   notes =        "band gap of strained si by c",
2171 }
2172
2173 @Article{kasper91,
2174   author =       "E Kasper",
2175   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2176                  possibility to produce direct band gap material",
2177   journal =      "Physica Scripta",
2178   volume =       "T35",
2179   pages =        "232--236",
2180   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2181   year =         "1991",
2182   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2183                  quasi-direct one",
2184 }
2185
2186 @Article{osten99,
2187   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2188   collaboration = "",
2189   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2190                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2191                  molecular beam epitaxy",
2192   publisher =    "AIP",
2193   year =         "1999",
2194   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2195   volume =       "74",
2196   number =       "6",
2197   pages =        "836--838",
2198   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2199                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2200                  compounds",
2201   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2202   doi =          "10.1063/1.123384",
2203   notes =        "substitutional c in si",
2204 }
2205
2206 @Article{hohenberg64,
2207   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2208   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2209   journal =      "Phys. Rev.",
2210   volume =       "136",
2211   number =       "3B",
2212   pages =        "B864--B871",
2213   numpages =     "7",
2214   year =         "1964",
2215   month =        nov,
2216   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2217   publisher =    "American Physical Society",
2218   notes =        "density functional theory, dft",
2219 }
2220
2221 @Article{kohn65,
2222   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2223                  Correlation Effects",
2224   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2225   journal =      "Phys. Rev.",
2226   volume =       "140",
2227   number =       "4A",
2228   pages =        "A1133--A1138",
2229   numpages =     "5",
2230   year =         "1965",
2231   month =        nov,
2232   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2233   publisher =    "American Physical Society",
2234   notes =        "dft, exchange and correlation",
2235 }
2236
2237 @Article{ruecker94,
2238   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
2239                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
2240   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
2241                  J. Osten",
2242   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2243   volume =       "72",
2244   number =       "22",
2245   pages =        "3578--3581",
2246   numpages =     "3",
2247   year =         "1994",
2248   month =        may,
2249   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
2250   publisher =    "American Physical Society",
2251   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
2252                  si, dft",
2253 }
2254
2255 @Article{chang05,
2256   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
2257                  Alloy",
2258   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
2259   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2260   volume =       "44",
2261   number =       "4B",
2262   pages =        "2257--2262",
2263   numpages =     "5",
2264   year =         "2005",
2265   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
2266   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
2267   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2268   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
2269 }
2270
2271 @Article{osten97,
2272   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
2273   collaboration = "",
2274   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2275                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
2276                  Si(001)",
2277   publisher =    "AIP",
2278   year =         "1997",
2279   journal =      "J. Appl. Phys.",
2280   volume =       "82",
2281   number =       "10",
2282   pages =        "4977--4981",
2283   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
2284                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
2285                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
2286   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
2287   doi =          "10.1063/1.366364",
2288   notes =        "charge transport in strained si",
2289 }
2290
2291 @Article{kapur04,
2292   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
2293                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
2294   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
2295   journal =      "Phys. Rev. B",
2296   volume =       "69",
2297   number =       "15",
2298   pages =        "155214",
2299   numpages =     "8",
2300   year =         "2004",
2301   month =        apr,
2302   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
2303   publisher =    "American Physical Society",
2304   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
2305 }
2306
2307 @Article{barkema96,
2308   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
2309                  Systems",
2310   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
2311   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2312   volume =       "77",
2313   number =       "21",
2314   pages =        "4358--4361",
2315   numpages =     "3",
2316   year =         "1996",
2317   month =        nov,
2318   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
2319   publisher =    "American Physical Society",
2320   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
2321                  dynamic mds",
2322 }
2323
2324 @Article{cances09,
2325   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
2326                  Minoukadeh and F. Willaime",
2327   collaboration = "",
2328   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
2329                  technique method for finding transition pathways on
2330                  potential energy surfaces",
2331   publisher =    "AIP",
2332   year =         "2009",
2333   journal =      "J. Chem. Phys.",
2334   volume =       "130",
2335   number =       "11",
2336   eid =          "114711",
2337   numpages =     "6",
2338   pages =        "114711",
2339   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
2340                  surfaces; vacancies (crystal)",
2341   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
2342   doi =          "10.1063/1.3088532",
2343   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
2344                  transition pathways",
2345 }
2346
2347 @Article{parrinello81,
2348   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
2349   collaboration = "",
2350   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
2351                  molecular dynamics method",
2352   publisher =    "AIP",
2353   year =         "1981",
2354   journal =      "J. Appl. Phys.",
2355   volume =       "52",
2356   number =       "12",
2357   pages =        "7182--7190",
2358   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
2359                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
2360                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
2361                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
2362                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
2363                  IMPACT SHOCK",
2364   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2365   doi =          "10.1063/1.328693",
2366 }
2367
2368 @Article{stillinger85,
2369   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
2370                  of silicon",
2371   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
2372   journal =      "Phys. Rev. B",
2373   volume =       "31",
2374   number =       "8",
2375   pages =        "5262--5271",
2376   numpages =     "9",
2377   year =         "1985",
2378   month =        apr,
2379   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
2380   publisher =    "American Physical Society",
2381 }
2382
2383 @Article{brenner90,
2384   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
2385                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
2386                  films",
2387   author =       "Donald W. Brenner",
2388   journal =      "Phys. Rev. B",
2389   volume =       "42",
2390   number =       "15",
2391   pages =        "9458--9471",
2392   numpages =     "13",
2393   year =         "1990",
2394   month =        nov,
2395   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
2396   publisher =    "American Physical Society",
2397   notes =        "brenner hydro carbons",
2398 }
2399
2400 @Article{bazant96,
2401   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
2402                  Cohesive Energy Curves",
2403   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
2404   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2405   volume =       "77",
2406   number =       "21",
2407   pages =        "4370--4373",
2408   numpages =     "3",
2409   year =         "1996",
2410   month =        nov,
2411   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
2412   publisher =    "American Physical Society",
2413   notes =        "first si edip",
2414 }
2415
2416 @Article{bazant97,
2417   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
2418                  silicon",
2419   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
2420                  Justo",
2421   journal =      "Phys. Rev. B",
2422   volume =       "56",
2423   number =       "14",
2424   pages =        "8542--8552",
2425   numpages =     "10",
2426   year =         "1997",
2427   month =        oct,
2428   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
2429   publisher =    "American Physical Society",
2430   notes =        "second si edip",
2431 }
2432
2433 @Article{justo98,
2434   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
2435                  disordered phases",
2436   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
2437                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
2438   journal =      "Phys. Rev. B",
2439   volume =       "58",
2440   number =       "5",
2441   pages =        "2539--2550",
2442   numpages =     "11",
2443   year =         "1998",
2444   month =        aug,
2445   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
2446   publisher =    "American Physical Society",
2447   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
2448 }
2449
2450 @Article{parcas_md,
2451   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
2452   author =       "K. Nordlund",
2453   year =         "2008",
2454 }
2455
2456 @Article{voter97,
2457   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
2458                  Infrequent Events",
2459   author =       "Arthur F. Voter",
2460   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2461   volume =       "78",
2462   number =       "20",
2463   pages =        "3908--3911",
2464   numpages =     "3",
2465   year =         "1997",
2466   month =        may,
2467   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
2468   publisher =    "American Physical Society",
2469   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
2470 }
2471
2472 @Article{voter97_2,
2473   author =       "Arthur F. Voter",
2474   collaboration = "",
2475   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
2476                  simulation of infrequent events",
2477   publisher =    "AIP",
2478   year =         "1997",
2479   journal =      "J. Chem. Phys.",
2480   volume =       "106",
2481   number =       "11",
2482   pages =        "4665--4677",
2483   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
2484                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
2485                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
2486                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2487                  theory; potential energy surfaces",
2488   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2489   doi =          "10.1063/1.473503",
2490   notes =        "improved hyperdynamics md",
2491 }
2492
2493 @Article{sorensen2000,
2494   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
2495   collaboration = "",
2496   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2497                  infrequent events",
2498   publisher =    "AIP",
2499   year =         "2000",
2500   journal =      "J. Chem. Phys.",
2501   volume =       "112",
2502   number =       "21",
2503   pages =        "9599--9606",
2504   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2505                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2506   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2507   doi =          "10.1063/1.481576",
2508   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2509 }
2510
2511 @Article{voter98,
2512   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2513                  events",
2514   author =       "Arthur F. Voter",
2515   journal =      "Phys. Rev. B",
2516   volume =       "57",
2517   number =       "22",
2518   pages =        "R13985--R13988",
2519   numpages =     "3",
2520   year =         "1998",
2521   month =        jun,
2522   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2523   publisher =    "American Physical Society",
2524   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2525 }
2526
2527 @Article{wu99,
2528   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2529   collaboration = "",
2530   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2531                  simulation",
2532   publisher =    "AIP",
2533   year =         "1999",
2534   journal =      "J. Chem. Phys.",
2535   volume =       "110",
2536   number =       "19",
2537   pages =        "9401--9410",
2538   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2539                  potential; crystallisation; liquid theory",
2540   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2541   doi =          "10.1063/1.478948",
2542   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2543                  systematic motion",
2544 }
2545
2546 @Article{choudhary05,
2547   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2548   collaboration = "",
2549   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2550                  to the production of amorphous silicon",
2551   publisher =    "AIP",
2552   year =         "2005",
2553   journal =      "J. Chem. Phys.",
2554   volume =       "122",
2555   number =       "15",
2556   eid =          "154509",
2557   numpages =     "8",
2558   pages =        "154509",
2559   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2560                  amorphous semiconductors",
2561   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2562   doi =          "10.1063/1.1878733",
2563   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2564                  silicon",
2565 }
2566
2567 @Article{taylor93,
2568   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2569   collaboration = "",
2570   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2571                  difficult?",
2572   publisher =    "AIP",
2573   year =         "1993",
2574   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2575   volume =       "62",
2576   number =       "25",
2577   pages =        "3336--3338",
2578   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2579                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2580                  ENERGY",
2581   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2582   doi =          "10.1063/1.109063",
2583   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
2584 }
2585
2586 @Article{chaussende08,
2587   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2588   journal =      "J. Cryst. Growth",
2589   volume =       "310",
2590   number =       "5",
2591   pages =        "976--981",
2592   year =         "2008",
2593   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2594                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2595   ISSN =         "0022-0248",
2596   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2597   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2598   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2599                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2600                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2601                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2602   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2603                  metastable",
2604 }
2605
2606 @Article{chaussende07,
2607   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
2608   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
2609   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
2610   volume =       "40",
2611   number =       "20",
2612   pages =        "6150",
2613   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
2614   year =         "2007",
2615   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
2616                  modelling",
2617 }
2618
2619 @Article{feynman39,
2620   title =        "Forces in Molecules",
2621   author =       "R. P. Feynman",
2622   journal =      "Phys. Rev.",
2623   volume =       "56",
2624   number =       "4",
2625   pages =        "340--343",
2626   numpages =     "3",
2627   year =         "1939",
2628   month =        aug,
2629   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2630   publisher =    "American Physical Society",
2631   notes =        "hellmann feynman forces",
2632 }
2633
2634 @Article{buczko00,
2635   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2636                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2637                  their Contrasting Properties",
2638   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2639                  T. Pantelides",
2640   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2641   volume =       "84",
2642   number =       "5",
2643   pages =        "943--946",
2644   numpages =     "3",
2645   year =         "2000",
2646   month =        jan,
2647   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2648   publisher =    "American Physical Society",
2649   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2650 }
2651
2652 @Article{djurabekova08,
2653   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2654                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2655   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2656   journal =      "Phys. Rev. B",
2657   volume =       "77",
2658   number =       "11",
2659   pages =        "115325",
2660   numpages =     "7",
2661   year =         "2008",
2662   month =        mar,
2663   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
2664   publisher =    "American Physical Society",
2665   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
2666                  angular distribution, coordination",
2667 }
2668
2669 @Article{wen09,
2670   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
2671                  W. Liang and J. Zou",
2672   collaboration = "",
2673   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
2674                  strain relaxation at highly lattice mismatched
2675                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
2676   publisher =    "AIP",
2677   year =         "2009",
2678   journal =      "J. Appl. Phys.",
2679   volume =       "106",
2680   number =       "7",
2681   eid =          "073522",
2682   numpages =     "8",
2683   pages =        "073522",
2684   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
2685                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
2686                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
2687                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
2688   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
2689   doi =          "10.1063/1.3234380",
2690   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
2691                  deconvolution, dislocation defects",
2692 }
2693
2694 @Article{kitabatake93,
2695   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
2696                  Hirao",
2697   collaboration = "",
2698   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
2699                  growth on Si(001) surface",
2700   publisher =    "AIP",
2701   year =         "1993",
2702   journal =      "J. Appl. Phys.",
2703   volume =       "74",
2704   number =       "7",
2705   pages =        "4438--4445",
2706   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2707                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2708                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2709   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2710   doi =          "10.1063/1.354385",
2711   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2712                  model, interface",
2713 }
2714
2715 @Article{kitabatake97,
2716   author =       "Makoto Kitabatake",
2717   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
2718                  Heteroepitaxial Growth",
2719   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2720   year =         "1997",
2721   journal =      "physica status solidi (b)",
2722   volume =       "202",
2723   pages =        "405--420",
2724   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
2725   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
2726   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
2727 }
2728
2729 @Article{chirita97,
2730   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
2731                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
2732                  dynamics study",
2733   journal =      "Thin Solid Films",
2734   volume =       "294",
2735   number =       "1-2",
2736   pages =        "47--49",
2737   year =         "1997",
2738   note =         "",
2739   ISSN =         "0040-6090",
2740   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
2741   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
2742   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
2743   keywords =     "Strain relaxation",
2744   keywords =     "Interfaces",
2745   keywords =     "Thermal stability",
2746   keywords =     "Molecular dynamics",
2747   notes =        "tersoff sic/si interface study",
2748 }
2749
2750 @Article{cicero02,
2751   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
2752                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
2753   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
2754                  Catellani",
2755   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2756   volume =       "89",
2757   number =       "15",
2758   pages =        "156101",
2759   numpages =     "4",
2760   year =         "2002",
2761   month =        sep,
2762   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
2763   publisher =    "American Physical Society",
2764   notes =        "sic/si interface study",
2765 }
2766
2767 @Article{pizzagalli03,
2768   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2769                  interface: Si{C}/Si(001)",
2770   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2771                  Catellani",
2772   journal =      "Phys. Rev. B",
2773   volume =       "68",
2774   number =       "19",
2775   pages =        "195302",
2776   numpages =     "10",
2777   year =         "2003",
2778   month =        nov,
2779   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2780   publisher =    "American Physical Society",
2781   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2782 }
2783
2784 @Article{tang07,
2785   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2786                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2787                  electron microscopy",
2788   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2789                  H. Zheng and J. W. Liang",
2790   journal =      "Phys. Rev. B",
2791   volume =       "75",
2792   number =       "18",
2793   pages =        "184103",
2794   numpages =     "7",
2795   year =         "2007",
2796   month =        may,
2797   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2798   publisher =    "American Physical Society",
2799   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2800                  si and c",
2801 }
2802
2803 @Article{hornstra58,
2804   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2805   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2806   volume =       "5",
2807   number =       "1-2",
2808   pages =        "129--141",
2809   year =         "1958",
2810   note =         "",
2811   ISSN =         "0022-3697",
2812   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2813   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2814   author =       "J. Hornstra",
2815   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2816 }
2817
2818 @Article{deguchi92,
2819   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
2820                  Ion `Hot' Implantation",
2821   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
2822                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
2823   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2824   volume =       "31",
2825   number =       "Part 1, No. 2A",
2826   pages =        "343--347",
2827   numpages =     "4",
2828   year =         "1992",
2829   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
2830   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
2831   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2832   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
2833                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
2834 }
2835
2836 @Article{eichhorn99,
2837   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2838                  K{\"{o}}gler",
2839   collaboration = "",
2840   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2841                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2842                  synchrotron x-ray diffraction",
2843   publisher =    "AIP",
2844   year =         "1999",
2845   journal =      "J. Appl. Phys.",
2846   volume =       "86",
2847   number =       "8",
2848   pages =        "4184--4187",
2849   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2850                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2851                  precipitation; semiconductor doping",
2852   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2853   doi =          "10.1063/1.371344",
2854   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
2855                  expansion of si lattice",
2856 }
2857
2858 @Article{eichhorn02,
2859   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2860                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2861   collaboration = "",
2862   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2863                  carbon ion implantation",
2864   publisher =    "AIP",
2865   year =         "2002",
2866   journal =      "J. Appl. Phys.",
2867   volume =       "91",
2868   number =       "3",
2869   pages =        "1287--1292",
2870   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2871                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2872                  electron microscopy",
2873   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2874   doi =          "10.1063/1.1428105",
2875   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2876                  temperature, might explain c into c sub trafo",
2877 }
2878
2879 @Article{lucas10,
2880   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2881   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2882                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2883                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2884                  amorphous structures",
2885   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2886   volume =       "22",
2887   number =       "3",
2888   pages =        "035802",
2889   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2890   year =         "2010",
2891   notes =        "edip sic",
2892 }
2893
2894 @Article{godet03,
2895   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2896                  Beauchamp",
2897   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2898                  methods for silicon under large shear",
2899   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2900   volume =       "15",
2901   number =       "41",
2902   pages =        "6943",
2903   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2904   year =         "2003",
2905   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2906                  edip, tersoff, ab initio",
2907 }
2908
2909 @Article{moriguchi98,
2910   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2911                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2912   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2913   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2914   volume =       "37",
2915   number =       "Part 1, No. 2",
2916   pages =        "414--422",
2917   numpages =     "8",
2918   year =         "1998",
2919   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2920   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2921   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2922   notes =        "tersoff stringent test",
2923 }
2924
2925 @Article{mazzarolo01,
2926   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
2927                  simulations",
2928   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
2929                  Lulli and Eros Albertazzi",
2930   journal =      "Phys. Rev. B",
2931   volume =       "63",
2932   number =       "19",
2933   pages =        "195207",
2934   numpages =     "4",
2935   year =         "2001",
2936   month =        apr,
2937   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
2938   publisher =    "American Physical Society",
2939 }
2940
2941 @Article{holmstroem08,
2942   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
2943                  density functional theory molecular dynamics
2944                  simulations",
2945   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
2946   journal =      "Phys. Rev. B",
2947   volume =       "78",
2948   number =       "4",
2949   pages =        "045202",
2950   numpages =     "6",
2951   year =         "2008",
2952   month =        jul,
2953   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
2954   publisher =    "American Physical Society",
2955   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
2956                  initio",
2957 }
2958
2959 @Article{nordlund97,
2960   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
2961                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
2962   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2963   volume =       "132",
2964   number =       "1",
2965   pages =        "45--54",
2966   year =         "1997",
2967   note =         "",
2968   ISSN =         "0168-583X",
2969   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
2970   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
2971   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
2972   notes =        "repulsive ab initio potential",
2973 }
2974
2975 @Article{kresse96,
2976   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
2977                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
2978                  set",
2979   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
2980   volume =       "6",
2981   number =       "1",
2982   pages =        "15--50",
2983   year =         "1996",
2984   note =         "",
2985   ISSN =         "0927-0256",
2986   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
2987   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
2988   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
2989   notes =        "vasp ref",
2990 }
2991
2992 @Article{bloechl94,
2993   title =        "Projector augmented-wave method",
2994   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
2995   journal =      "Phys. Rev. B",
2996   volume =       "50",
2997   number =       "24",
2998   pages =        "17953--17979",
2999   numpages =     "26",
3000   year =         "1994",
3001   month =        dec,
3002   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
3003   publisher =    "American Physical Society",
3004   notes =        "paw method",
3005 }
3006
3007 @Article{hamann79,
3008   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
3009   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
3010   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3011   volume =       "43",
3012   number =       "20",
3013   pages =        "1494--1497",
3014   numpages =     "3",
3015   year =         "1979",
3016   month =        nov,
3017   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
3018   publisher =    "American Physical Society",
3019   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
3020 }
3021
3022 @Article{vanderbilt90,
3023   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
3024                  eigenvalue formalism",
3025   author =       "David Vanderbilt",
3026   journal =      "Phys. Rev. B",
3027   volume =       "41",
3028   number =       "11",
3029   pages =        "7892--7895",
3030   numpages =     "3",
3031   year =         "1990",
3032   month =        apr,
3033   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
3034   publisher =    "American Physical Society",
3035   notes =        "vasp pseudopotentials",
3036 }
3037
3038 @Article{perdew86,
3039   title =        "Accurate and simple density functional for the
3040                  electronic exchange energy: Generalized gradient
3041                  approximation",
3042   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
3043   journal =      "Phys. Rev. B",
3044   volume =       "33",
3045   number =       "12",
3046   pages =        "8800--8802",
3047   numpages =     "2",
3048   year =         "1986",
3049   month =        jun,
3050   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
3051   publisher =    "American Physical Society",
3052   notes =        "rapid communication gga",
3053 }
3054
3055 @Article{perdew02,
3056   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
3057                  correlation: {A} look backward and forward",
3058   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
3059   volume =       "172",
3060   number =       "1-2",
3061   pages =        "1--6",
3062   year =         "1991",
3063   note =         "",
3064   ISSN =         "0921-4526",
3065   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
3066   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
3067   author =       "John P. Perdew",
3068   notes =        "gga overview",
3069 }
3070
3071 @Article{perdew92,
3072   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
3073                  of the generalized gradient approximation for exchange
3074                  and correlation",
3075   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
3076                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
3077                  and Carlos Fiolhais",
3078   journal =      "Phys. Rev. B",
3079   volume =       "46",
3080   number =       "11",
3081   pages =        "6671--6687",
3082   numpages =     "16",
3083   year =         "1992",
3084   month =        sep,
3085   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
3086   publisher =    "American Physical Society",
3087   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
3088 }
3089
3090 @Article{baldereschi73,
3091   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
3092   author =       "A. Baldereschi",
3093   journal =      "Phys. Rev. B",
3094   volume =       "7",
3095   number =       "12",
3096   pages =        "5212--5215",
3097   numpages =     "3",
3098   year =         "1973",
3099   month =        jun,
3100   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
3101   publisher =    "American Physical Society",
3102   notes =        "mean value k point",
3103 }
3104
3105 @Article{zhu98,
3106   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
3107                  diffusion in Si",
3108   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3109   volume =       "12",
3110   number =       "4",
3111   pages =        "309--318",
3112   year =         "1998",
3113   note =         "",
3114   ISSN =         "0927-0256",
3115   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
3116   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
3117   author =       "Jing Zhu",
3118   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
3119   keywords =     "Boron dopant",
3120   keywords =     "Carbon dopant",
3121   keywords =     "Defect",
3122   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
3123   keywords =     "Impurity cluster",
3124   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
3125 }
3126
3127 @Article{nejim95,
3128   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
3129   collaboration = "",
3130   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
3131                  950 [degree]{C}",
3132   publisher =    "AIP",
3133   year =         "1995",
3134   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3135   volume =       "66",
3136   number =       "20",
3137   pages =        "2646--2648",
3138   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
3139                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
3140                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
3141                  ELECTRON MICROSCOPY",
3142   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
3143   doi =          "10.1063/1.113112",
3144   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
3145                  self interstitials react with further implanted c",
3146 }
3147
3148 @Article{guedj98,
3149   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
3150                  Kolodzey and A. Hairie",
3151   collaboration = "",
3152   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3153                  alloys",
3154   publisher =    "AIP",
3155   year =         "1998",
3156   journal =      "J. Appl. Phys.",
3157   volume =       "84",
3158   number =       "8",
3159   pages =        "4631--4633",
3160   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
3161                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
3162                  Fourier transform spectra; thermal stability;
3163                  annealing",
3164   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
3165   doi =          "10.1063/1.368703",
3166   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
3167 }
3168
3169 @Article{jones04,
3170   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
3171   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
3172                  semiconductors",
3173   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3174   volume =       "16",
3175   number =       "27",
3176   pages =        "S2643",
3177   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
3178   year =         "2004",
3179   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
3180 }
3181
3182 @Article{park02,
3183   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
3184                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
3185                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
3186   collaboration = "",
3187   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
3188                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
3189                  molecular-beam epitaxy",
3190   publisher =    "AIP",
3191   year =         "2002",
3192   journal =      "J. Appl. Phys.",
3193   volume =       "91",
3194   number =       "9",
3195   pages =        "5716--5727",
3196   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
3197   doi =          "10.1063/1.1465122",
3198   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
3199 }
3200
3201 @Article{leary97,
3202   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
3203                  carbon-carbon pair defects in silicon",
3204   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
3205                  Torres",
3206   journal =      "Phys. Rev. B",
3207   volume =       "55",
3208   number =       "4",
3209   pages =        "2188--2194",
3210   numpages =     "6",
3211   year =         "1997",
3212   month =        jan,
3213   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
3214   publisher =    "American Physical Society",
3215   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
3216                  energies, different migration barriers and paths",
3217 }
3218
3219 @Article{burnard93,
3220   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
3221                  silicon: Semiempirical electronic-structure
3222                  calculations",
3223   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
3224   journal =      "Phys. Rev. B",
3225   volume =       "47",
3226   number =       "16",
3227   pages =        "10217--10225",
3228   numpages =     "8",
3229   year =         "1993",
3230   month =        apr,
3231   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
3232   publisher =    "American Physical Society",
3233   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
3234                  carbon defect, formation energies",
3235 }
3236
3237 @Article{besson91,
3238   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
3239                  silicon",
3240   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
3241   journal =      "Phys. Rev. B",
3242   volume =       "43",
3243   number =       "5",
3244   pages =        "4028--4033",
3245   numpages =     "5",
3246   year =         "1991",
3247   month =        feb,
3248   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
3249   publisher =    "American Physical Society",
3250 }
3251
3252 @Article{kaxiras96,
3253   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
3254                  and growth on semiconductors",
3255   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3256   volume =       "6",
3257   number =       "2",
3258   pages =        "158--172",
3259   year =         "1996",
3260   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
3261                  Epitaxy",
3262   ISSN =         "0927-0256",
3263   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
3264   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
3265   author =       "Efthimios Kaxiras",
3266   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
3267                  tight binding, first principles",
3268 }
3269
3270 @Article{kaukonen98,
3271   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
3272                  diamond
3273                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
3274                  surfaces",
3275   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
3276                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
3277                  Th. Frauenheim",
3278   journal =      "Phys. Rev. B",
3279   volume =       "57",
3280   number =       "16",
3281   pages =        "9965--9970",
3282   numpages =     "5",
3283   year =         "1998",
3284   month =        apr,
3285   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
3286   publisher =    "American Physical Society",
3287   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
3288                  (crt)",
3289 }
3290
3291 @Article{gali03,
3292   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
3293                  center in Si{C}",
3294   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
3295                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
3296                  W. J. Choyke",
3297   journal =      "Phys. Rev. B",
3298   volume =       "67",
3299   number =       "15",
3300   pages =        "155203",
3301   numpages =     "5",
3302   year =         "2003",
3303   month =        apr,
3304   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
3305   publisher =    "American Physical Society",
3306 }
3307
3308 @Article{chen98,
3309   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
3310                  irradiation and deformation",
3311   journal =      "J. Nucl. Mater.",
3312   volume =       "258-263",
3313   number =       "Part 2",
3314   pages =        "1803--1808",
3315   year =         "1998",
3316   note =         "",
3317   ISSN =         "0022-3115",
3318   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
3319   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
3320   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
3321 }
3322
3323 @Article{weber01,
3324   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
3325                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
3326   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3327   volume =       "175-177",
3328   number =       "",
3329   pages =        "26--30",
3330   year =         "2001",
3331   note =         "",
3332   ISSN =         "0168-583X",
3333   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
3334   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
3335   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
3336 }
3337
3338 @Article{bockstedte03,
3339   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
3340                  in $3{C}-Si{C}$",
3341   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
3342                  Pankratov",
3343   journal =      "Phys. Rev. B",
3344   volume =       "68",
3345   number =       "20",
3346   pages =        "205201",
3347   numpages =     "17",
3348   year =         "2003",
3349   month =        nov,
3350   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
3351   publisher =    "American Physical Society",
3352   notes =        "defect migration in sic",
3353 }
3354
3355 @Article{rauls03a,
3356   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
3357                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
3358   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
3359                  De\'ak",
3360   journal =      "Phys. Rev. B",
3361   volume =       "68",
3362   number =       "15",
3363   pages =        "155208",
3364   numpages =     "9",
3365   year =         "2003",
3366   month =        oct,
3367   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
3368   publisher =    "American Physical Society",
3369 }
3370
3371 @Article{losev27,
3372   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
3373   volume =       "44",
3374   pages =        "485--494",
3375   year =         "1927",
3376   author =       "O. V. Lossev",
3377 }
3378
3379 @Article{losev28,
3380   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
3381                  oscillations with crystals",
3382   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
3383   volume =       "6",
3384   number =       "39",
3385   pages =        "1024--1044",
3386   year =         "1928",
3387   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
3388   author =       "O. V. Lossev",
3389 }
3390
3391 @Article{losev29,
3392   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3393   volume =       "30",
3394   pages =        "920--923",
3395   year =         "1929",
3396   author =       "O. V. Lossev",
3397 }
3398
3399 @Article{losev31,
3400   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3401   volume =       "32",
3402   pages =        "692--696",
3403   year =         "1931",
3404   author =       "O. V. Lossev",
3405 }
3406
3407 @Article{losev33,
3408   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3409   volume =       "34",
3410   pages =        "397--403",
3411   year =         "1933",
3412   author =       "O. V. Lossev",
3413 }
3414
3415 @Article{round07,
3416   title =        "A note on carborundum",
3417   journal =      "Electrical World",
3418   volume =       "49",
3419   pages =        "308",
3420   year =         "1907",
3421   author =       "H. J. Round",
3422 }
3423
3424 @Article{vashishath08,
3425   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
3426   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
3427   volume =       "2",
3428   number =       "03",
3429   pages =        "444--470",
3430   year =         "2008",
3431   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
3432   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
3433   notes =        "sic polytype electronic properties",
3434 }
3435
3436 @Article{nelson69,
3437   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
3438   collaboration = "",
3439   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
3440   publisher =    "AIP",
3441   year =         "1966",
3442   journal =      "Journal of Applied Physics",
3443   volume =       "37",
3444   number =       "1",
3445   pages =        "333--336",
3446   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
3447   doi =          "10.1063/1.1707837",
3448   notes =        "sic melt growth",
3449 }
3450
3451 @Article{arkel25,
3452   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
3453   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
3454                  und Thoriummetall",
3455   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
3456   year =         "1925",
3457   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3458   volume =       "148",
3459   pages =        "345--350",
3460   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
3461   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
3462   notes =        "van arkel apparatus",
3463 }
3464
3465 @Article{moers31,
3466   author =       "K. Moers",
3467   year =         "1931",
3468   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3469   volume =       "198",
3470   pages =        "293",
3471   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3472                  process",
3473 }
3474
3475 @Article{kendall53,
3476   author =       "J. T. Kendall",
3477   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
3478   publisher =    "AIP",
3479   year =         "1953",
3480   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
3481   volume =       "21",
3482   number =       "5",
3483   pages =        "821--827",
3484   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
3485   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3486                  process",
3487 }
3488
3489 @Article{lely55,
3490   author =       "J. A. Lely",
3491   year =         "1955",
3492   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
3493   volume =       "32",
3494   pages =        "229",
3495   notes =        "lely sublimation growth process",
3496 }
3497
3498 @Article{knippenberg63,
3499   author =       "W. F. Knippenberg",
3500   year =         "1963",
3501   journal =      "Philips Res. Repts.",
3502   volume =       "18",
3503   pages =        "161",
3504   notes =        "acheson process",
3505 }
3506
3507 @Article{hoffmann82,
3508   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
3509                  Weyrich",
3510   collaboration = "",
3511   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
3512                  improved external quantum efficiency",
3513   publisher =    "AIP",
3514   year =         "1982",
3515   journal =      "Journal of Applied Physics",
3516   volume =       "53",
3517   number =       "10",
3518   pages =        "6962--6967",
3519   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
3520                  efficiency; visible radiation; experimental data;
3521                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
3522                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
3523                  electroluminescence; spectra; current density;
3524                  optimization",
3525   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
3526   doi =          "10.1063/1.330041",
3527   notes =        "blue led, sublimation process",
3528 }
3529
3530 @Article{neudeck95,
3531   author =       "Philip Neudeck",
3532   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
3533                  Road 44135 Cleveland OH",
3534   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
3535                  technology",
3536   journal =      "Journal of Electronic Materials",
3537   publisher =    "Springer Boston",
3538   ISSN =         "0361-5235",
3539   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
3540   pages =        "283--288",
3541   volume =       "24",
3542   issue =        "4",
3543   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
3544   note =         "10.1007/BF02659688",
3545   year =         "1995",
3546   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
3547 }
3548
3549 @Article{bhatnagar93,
3550   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
3551   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3552   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
3553                  devices",
3554   year =         "1993",
3555   month =        mar,
3556   volume =       "40",
3557   number =       "3",
3558   pages =        "645--655",
3559   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
3560                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
3561                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
3562                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
3563                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
3564                  solids;insulated gate field effect transistors;power
3565                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
3566                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
3567   doi =          "10.1109/16.199372",
3568   ISSN =         "0018-9383",
3569   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
3570 }
3571
3572 @Article{neudeck94,
3573   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
3574                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
3575   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3576   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
3577                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
3578                  6{H}-Si{C} substrates",
3579   year =         "1994",
3580   month =        may,
3581   volume =       "41",
3582   number =       "5",
3583   pages =        "826--835",
3584   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
3585                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
3586                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
3587                  properties;epitaxial layers;light
3588                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
3589                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
3590                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
3591                  currents;power electronics;semiconductor
3592                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
3593                  growth;semiconductor materials;silicon
3594                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
3595                  phase epitaxial growth;",
3596   doi =          "10.1109/16.285038",
3597   ISSN =         "0018-9383",
3598   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
3599                  substrate",
3600 }
3601
3602 @Article{schulze98,
3603   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
3604   collaboration = "",
3605   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
3606                  single crystals by physical vapor transport",
3607   publisher =    "AIP",
3608   year =         "1998",
3609   journal =      "Applied Physics Letters",
3610   volume =       "72",
3611   number =       "13",
3612   pages =        "1632--1634",
3613   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
3614                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
3615                  photoluminescence; Hall mobility",
3616   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
3617   doi =          "10.1063/1.121136",
3618   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
3619 }
3620
3621 @Article{pirouz87,
3622   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
3623   collaboration = "",
3624   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
3625   publisher =    "AIP",
3626   year =         "1987",
3627   journal =      "Applied Physics Letters",
3628   volume =       "50",
3629   number =       "4",
3630   pages =        "221--223",
3631   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
3632                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
3633                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
3634                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
3635                  BOUNDARIES",
3636   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
3637   doi =          "10.1063/1.97667",
3638   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
3639 }
3640
3641 @Article{shibahara86,
3642   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
3643                  Si(100) by chemical vapor deposition",
3644   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3645   volume =       "78",
3646   number =       "3",
3647   pages =        "538--544",
3648   year =         "1986",
3649   note =         "",
3650   ISSN =         "0022-0248",
3651   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
3652   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
3653   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
3654                  Matsunami",
3655   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
3656 }
3657
3658 @Article{desjardins96,
3659   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
3660   collaboration = "",
3661   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
3662   publisher =    "AIP",
3663   year =         "1996",
3664   journal =      "Journal of Applied Physics",
3665   volume =       "79",
3666   number =       "3",
3667   pages =        "1423--1434",
3668   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
3669                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
3670   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
3671   doi =          "10.1063/1.360980",
3672   notes =        "apb model",
3673 }
3674
3675 @Article{henke95,
3676   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
3677   collaboration = "",
3678   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
3679                  carbonization of silicon",
3680   publisher =    "AIP",
3681   year =         "1995",
3682   journal =      "Journal of Applied Physics",
3683   volume =       "78",
3684   number =       "3",
3685   pages =        "2070--2073",
3686   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
3687                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
3688                  STRUCTURE",
3689   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
3690   doi =          "10.1063/1.360184",
3691   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
3692 }
3693
3694 @Article{fuyuki89,
3695   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
3696                  {MBE} using surface superstructure",
3697   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3698   volume =       "95",
3699   number =       "1-4",
3700   pages =        "461--463",
3701   year =         "1989",
3702   note =         "",
3703   ISSN =         "0022-0248",
3704   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
3705   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
3706   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
3707                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
3708   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
3709 }
3710
3711 @Article{yoshinobu92,
3712   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
3713                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
3714   collaboration = "",
3715   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
3716                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
3717                  molecular beam epitaxy",
3718   publisher =    "AIP",
3719   year =         "1992",
3720   journal =      "Applied Physics Letters",
3721   volume =       "60",
3722   number =       "7",
3723   pages =        "824--826",
3724   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
3725                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
3726                  INTERFACE STRUCTURE",
3727   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
3728   doi =          "10.1063/1.107430",
3729   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
3730 }
3731
3732 @Article{yoshinobu90,
3733   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
3734                  cubic Si{C}",
3735   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3736   volume =       "99",
3737   number =       "1-4",
3738   pages =        "520--524",
3739   year =         "1990",
3740   note =         "",
3741   ISSN =         "0022-0248",
3742   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
3743   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
3744   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
3745                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
3746   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
3747 }
3748
3749 @Article{fuyuki93,
3750   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
3751                  superstructures in Si{C}",
3752   journal =      "Thin Solid Films",
3753   volume =       "225",
3754   number =       "1-2",
3755   pages =        "225--229",
3756   year =         "1993",
3757   note =         "",
3758   ISSN =         "0040-6090",
3759   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
3760   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
3761   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
3762                  Matsunami",
3763   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
3764                  epitaxy, ale",
3765 }
3766
3767 @Article{hara93,
3768   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
3769                  growth of [beta]-Si{C}",
3770   journal =      "Thin Solid Films",
3771   volume =       "225",
3772   number =       "1-2",
3773   pages =        "240--243",
3774   year =         "1993",
3775   note =         "",
3776   ISSN =         "0040-6090",
3777   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
3778   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
3779   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
3780                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
3781   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
3782                  epitaxy, ale",
3783 }
3784
3785 @Article{tanaka94,
3786   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
3787   collaboration = "",
3788   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
3789                  growth mode and polytype formation during gas-source
3790                  molecular beam epitaxy",
3791   publisher =    "AIP",
3792   year =         "1994",
3793   journal =      "Applied Physics Letters",
3794   volume =       "65",
3795   number =       "22",
3796   pages =        "2851--2853",
3797   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
3798                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
3799                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
3800                  FLOW; FLOW RATE",
3801   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
3802   doi =          "10.1063/1.112513",
3803   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
3804 }
3805
3806 @Article{fuyuki97,
3807   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
3808   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
3809                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
3810   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3811   year =         "1997",
3812   journal =      "physica status solidi (b)",
3813   volume =       "202",
3814   pages =        "359--378",
3815   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
3816                  temperatures 750",
3817 }
3818
3819 @Article{takaoka98,
3820   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
3821   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3822   volume =       "183",
3823   number =       "1-2",
3824   pages =        "175--182",
3825   year =         "1998",
3826   note =         "",
3827   ISSN =         "0022-0248",
3828   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
3829   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
3830   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
3831   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
3832   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
3833   keywords =     "Silicon carbide",
3834   keywords =     "Silicon",
3835   keywords =     "Island growth",
3836   notes =        "lower temperature, 550-700",
3837 }
3838
3839 @Article{hatayama95,
3840   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
3841                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
3842                  molecular beam epitaxy",
3843   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3844   volume =       "150",
3845   number =       "Part 2",
3846   pages =        "934--938",
3847   year =         "1995",
3848   note =         "",
3849   ISSN =         "0022-0248",
3850   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
3851   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
3852   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
3853                  and Hiroyuki Matsunami",
3854 }
3855
3856 @Article{heine91,
3857   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
3858   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
3859                  Metastable Cubic Form",
3860   journal =      "Journal of the American Ceramic Society",
3861   volume =       "74",
3862   number =       "10",
3863   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
3864   ISSN =         "1551-2916",
3865   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
3866   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
3867   pages =        "2630--2633",
3868   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
3869                  calculations, stability",
3870   year =         "1991",
3871   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
3872                  polytype dft calculation refs",
3873 }
3874
3875 @Article{allendorf91,
3876   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
3877                  [beta]-silicon carbide",
3878   journal =      "Surface Science",
3879   volume =       "258",
3880   number =       "1-3",
3881   pages =        "177--189",
3882   year =         "1991",
3883   note =         "",
3884   ISSN =         "0039-6028",
3885   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
3886   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
3887   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
3888   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
3889 }
3890
3891 @Article{eaglesham93,
3892   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
3893                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
3894   collaboration = "",
3895   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
3896   publisher =    "AIP",
3897   year =         "1993",
3898   journal =      "Journal of Applied Physics",
3899   volume =       "74",
3900   number =       "11",
3901   pages =        "6615--6618",
3902   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
3903                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
3904                  DIFFUSION; ADSORPTION",
3905   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
3906   doi =          "10.1063/1.355101",
3907   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
3908                  mobility",
3909 }