bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{schroedinger26,
   6   author =       "E. Schrödinger",
   7   title =        "Quantisierung als Eigenwertproblem",
   8   journal =      "Annalen der Physik",
   9   volume =       "384",
  10   number =       "4",
  11   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
  12   ISSN =         "1521-3889",
  13   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19263840404",
  14   doi =          "10.1002/andp.19263840404",
  15   pages =        "361--376",
  16   year =         "1926",
  17 }
  18
  19 @Article{albe_sic_pot,
  20   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
  21   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
  22                  silicon, carbon, and silicon carbide",
  23   publisher =    "APS",
  24   year =         "2005",
  25   journal =      "Phys. Rev. B",
  26   volume =       "71",
  27   number =       "3",
  28   eid =          "035211",
  29   numpages =     "14",
  30   pages =        "035211",
  31   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  32                  potential (ABOP)",
  33   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  34                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  35                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  36                  forces",
  37   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  39 }
  40
  41 @Article{erhart04,
  42   title =        "The role of thermostats in modeling vapor phase
  43                  condensation of silicon nanoparticles",
  44   journal =      "Applied Surface Science",
  45   volume =       "226",
  46   number =       "1-3",
  47   pages =        "12--18",
  48   year =         "2004",
  49   note =         "EMRS 2003 Symposium F, Nanostructures from Clusters",
  50   ISSN =         "0169-4332",
  51   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2003.11.003",
  52   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4B957HV-8/2/b35dbe80a70d173f6f7a00dacbcbd738",
  53   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
  54 }
  55
  56 @Article{albe2002,
  57   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  58                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  59   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  60   journal =      "Phys. Rev. B",
  61   volume =       "65",
  62   number =       "19",
  63   pages =        "195124",
  64   numpages =     "11",
  65   year =         "2002",
  66   month =        may,
  67   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  68   publisher =    "American Physical Society",
  69   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  70 }
  71
  72 @Article{newman65,
  73   title =        "Vibrational absorption of carbon in silicon",
  74   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  75   volume =       "26",
  76   number =       "2",
  77   pages =        "373--379",
  78   year =         "1965",
  79   note =         "",
  80   ISSN =         "0022-3697",
  81   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(65)90166-6",
  82   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46RVGM8-1C/2/d50c4df37065a75517d63a04af18d667",
  83   author =       "R. C. Newman and J. B. Willis",
  84   notes =        "c impurity dissolved as substitutional c in si",
  85 }
  86
  87 @Article{baker68,
  88   author =       "J. A. Baker and T. N. Tucker and N. E. Moyer and R. C.
  89                  Buschert",
  90   collaboration = "",
  91   title =        "Effect of Carbon on the Lattice Parameter of Silicon",
  92   publisher =    "AIP",
  93   year =         "1968",
  94   journal =      "Journal of Applied Physics",
  95   volume =       "39",
  96   number =       "9",
  97   pages =        "4365--4368",
  98   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/39/4365/1",
  99   doi =          "10.1063/1.1656977",
 100   notes =        "lattice contraction due to subst c",
 101 }
 102
 103 @Article{bean71,
 104   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
 105   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
 106   volume =       "32",
 107   number =       "6",
 108   pages =        "1211--1219",
 109   year =         "1971",
 110   note =         "",
 111   ISSN =         "0022-3697",
 112   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
 113   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
 114   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 115   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
 116 }
 117
 118 @Article{capano97,
 119   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
 120   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
 121   journal =      "MRS Bull.",
 122   volume =       "22",
 123   pages =        "19",
 124   year =         "1997",
 125 }
 126
 127 @Article{fischer90,
 128   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
 129   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
 130                  carbide",
 131   journal =      "Philos. Mag. B",
 132   volume =       "61",
 133   pages =        "217--236",
 134   year =         "1990",
 135   notes =        "sic polytypes",
 136 }
 137
 138 @Article{koegler03,
 139   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
 140                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
 141                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
 142   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
 143                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
 144                  ions",
 145   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
 146   volume =       "76",
 147   pages =        "827--835",
 148   month =        mar,
 149   year =         "2003",
 150   URL =          "http://www.springerlink.com/content/jr8xj33mqc5vpwwj/",
 151   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
 152                  precipitation by interstitial and substitutional
 153                  carbon, both mechanisms explained + refs",
 154 }
 155
 156 @Article{skorupa96,
 157   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
 158                  silicon-related materials",
 159   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
 160   volume =       "44",
 161   number =       "2",
 162   pages =        "101--143",
 163   year =         "1996",
 164   note =         "",
 165   ISSN =         "0254-0584",
 166   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 167   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 168   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 169   notes =        "review of silicon carbon compound",
 170 }
 171
 172 @Book{laplace,
 173   author =       "P. S. de Laplace",
 174   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 175   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 176   volume =       "VII",
 177   publisher =    "Gauthier-Villars",
 178   year =         "1820",
 179 }
 180
 181 @Article{mattoni2007,
 182   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 183   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 184                  materials}",
 185   journal =      "Phys. Rev. B",
 186   year =         "2007",
 187   month =        dec,
 188   volume =       "76",
 189   number =       "22",
 190   pages =        "224103",
 191   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 192   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 193                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 194                  fracture, more available potentials, universal energy
 195                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 196 }
 197
 198 @Article{balamane92,
 199   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 200                  potentials",
 201   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 202   journal =      "Phys. Rev. B",
 203   volume =       "46",
 204   number =       "4",
 205   pages =        "2250--2279",
 206   numpages =     "29",
 207   year =         "1992",
 208   month =        jul,
 209   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 210   publisher =    "American Physical Society",
 211   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 212 }
 213
 214 @Article{koster2002,
 215   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 216                  bombardment",
 217   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 218   journal =      "Phys. Rev. B",
 219   volume =       "62",
 220   number =       "16",
 221   pages =        "11219--11224",
 222   numpages =     "5",
 223   year =         "2000",
 224   month =        oct,
 225   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 226   publisher =    "American Physical Society",
 227   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 228 }
 229
 230 @Article{breadmore99,
 231   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 232                  amorphization of silicon",
 233   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 234   journal =      "Phys. Rev. B",
 235   volume =       "60",
 236   number =       "18",
 237   pages =        "12610--12616",
 238   numpages =     "6",
 239   year =         "1999",
 240   month =        nov,
 241   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 242   publisher =    "American Physical Society",
 243   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 244 }
 245
 246 @Article{nielsen83,
 247   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 248   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 249   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 250   volume =       "50",
 251   number =       "9",
 252   pages =        "697--700",
 253   numpages =     "3",
 254   year =         "1983",
 255   month =        feb,
 256   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 257   publisher =    "American Physical Society",
 258   notes =        "generalization of virial theorem",
 259 }
 260
 261 @Article{nielsen85,
 262   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 263   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 264   journal =      "Phys. Rev. B",
 265   volume =       "32",
 266   number =       "6",
 267   pages =        "3780--3791",
 268   numpages =     "11",
 269   year =         "1985",
 270   month =        sep,
 271   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 272   publisher =    "American Physical Society",
 273   notes =        "dft virial stress and forces",
 274 }
 275
 276 @Article{moissan04,
 277   author =       "Henri Moissan",
 278   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 279                  Diablo",
 280   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 281   volume =       "139",
 282   pages =        "773--786",
 283   year =         "1904",
 284 }
 285
 286 @Book{park98,
 287   author =       "Y. S. Park",
 288   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 289   publisher =    "Academic Press",
 290   address =      "San Diego",
 291   year =         "1998",
 292 }
 293
 294 @Article{tsvetkov98,
 295   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 296                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 297   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 298   journal =      "Materials Science Forum",
 299   volume =       "264-268",
 300   pages =        "3--8",
 301   year =         "1998",
 302   notes =        "modified lely process, micropipes",
 303 }
 304
 305 @Article{verlet67,
 306   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 307                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 308   author =       "Loup Verlet",
 309   journal =      "Phys. Rev.",
 310   volume =       "159",
 311   number =       "1",
 312   pages =        "98",
 313   year =         "1967",
 314   month =        jul,
 315   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 316   publisher =    "American Physical Society",
 317   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 318                  motion",
 319 }
 320
 321 @Article{berendsen84,
 322   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 323                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 324   collaboration = "",
 325   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 326   publisher =    "AIP",
 327   year =         "1984",
 328   journal =      "J. Chem. Phys.",
 329   volume =       "81",
 330   number =       "8",
 331   pages =        "3684--3690",
 332   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 333                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 334   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 335   doi =          "10.1063/1.448118",
 336   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 337 }
 338
 339 @Article{huang95,
 340   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 341                  Baskes",
 342   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 343                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 344                  potentials",
 345   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 346   volume =       "3",
 347   number =       "5",
 348   pages =        "615--627",
 349   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 350   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 351                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 352   year =         "1995",
 353 }
 354
 355 @Article{brenner89,
 356   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 357                  Tersoff potentials",
 358   author =       "Donald W. Brenner",
 359   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 360   volume =       "63",
 361   number =       "9",
 362   pages =        "1022",
 363   numpages =     "1",
 364   year =         "1989",
 365   month =        aug,
 366   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 367   publisher =    "American Physical Society",
 368   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 369 }
 370
 371 @Article{batra87,
 372   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 373                  silicon",
 374   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 375   journal =      "Phys. Rev. B",
 376   volume =       "35",
 377   number =       "18",
 378   pages =        "9552--9558",
 379   numpages =     "6",
 380   year =         "1987",
 381   month =        jun,
 382   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 383   publisher =    "American Physical Society",
 384   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 385                  calculation of defect formation energy, defect
 386                  interstitial types",
 387 }
 388
 389 @Article{schober89,
 390   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 391   author =       "H. R. Schober",
 392   journal =      "Phys. Rev. B",
 393   volume =       "39",
 394   number =       "17",
 395   pages =        "13013--13015",
 396   numpages =     "2",
 397   year =         "1989",
 398   month =        jun,
 399   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 400   publisher =    "American Physical Society",
 401   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 402                  dumbbell configuration",
 403 }
 404
 405 @Article{gao02a,
 406   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 407                  Defect accumulation, topological features, and
 408                  disordering",
 409   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 410   journal =      "Phys. Rev. B",
 411   volume =       "66",
 412   number =       "2",
 413   pages =        "024106",
 414   numpages =     "10",
 415   year =         "2002",
 416   month =        jul,
 417   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 418   publisher =    "American Physical Society",
 419   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 420                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 421                  result analyze",
 422 }
 423
 424 @Article{devanathan98,
 425   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 426                  cascade in Si{C}",
 427   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 428   volume =       "141",
 429   number =       "1-4",
 430   pages =        "118--122",
 431   year =         "1998",
 432   ISSN =         "0168-583X",
 433   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 434   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 435                  Rubia",
 436   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 437                  3c-sic",
 438 }
 439
 440 @Article{devanathan98_2,
 441   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 442   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 443   volume =       "253",
 444   number =       "1-3",
 445   pages =        "47--52",
 446   year =         "1998",
 447   ISSN =         "0022-3115",
 448   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 449   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 450                  Weber",
 451   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 452                  tersoff",
 453 }
 454
 455 @Article{kitabatake00,
 456   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 457   author =       "M. Kitabatake",
 458   journal =      "Thin Solid Films",
 459   volume =       "369",
 460   pages =        "257--264",
 461   numpages =     "8",
 462   year =         "2000",
 463   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 464 }
 465
 466 @Article{tang97,
 467   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 468                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 469                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 470                  formation volumes",
 471   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 472                  Rubia",
 473   journal =      "Phys. Rev. B",
 474   volume =       "55",
 475   number =       "21",
 476   pages =        "14279--14289",
 477   numpages =     "10",
 478   year =         "1997",
 479   month =        jun,
 480   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 481   publisher =    "American Physical Society",
 482   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 483 }
 484
 485 @Article{johnson98,
 486   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 487                  Rubia",
 488   collaboration = "",
 489   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 490                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 491                  presence of carbon and boron",
 492   publisher =    "AIP",
 493   year =         "1998",
 494   journal =      "J. Appl. Phys.",
 495   volume =       "84",
 496   number =       "4",
 497   pages =        "1963--1967",
 498   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 499                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 500                  semiconductors; self-diffusion",
 501   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 502   doi =          "10.1063/1.368328",
 503   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 504                  diffsuion",
 505 }
 506
 507 @Article{bar-yam84,
 508   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 509                  Self-Interstitial",
 510   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 511   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 512   volume =       "52",
 513   number =       "13",
 514   pages =        "1129--1132",
 515   numpages =     "3",
 516   year =         "1984",
 517   month =        mar,
 518   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 519   publisher =    "American Physical Society",
 520   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 521 }
 522
 523 @Article{bar-yam84_2,
 524   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 525                  barriers of silicon self-interstitials",
 526   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 527   journal =      "Phys. Rev. B",
 528   volume =       "30",
 529   number =       "4",
 530   pages =        "1844--1852",
 531   numpages =     "8",
 532   year =         "1984",
 533   month =        aug,
 534   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 535   publisher =    "American Physical Society",
 536 }
 537
 538 @Article{bloechl93,
 539   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 540                  constants in silicon",
 541   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 542                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 543   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 544   volume =       "70",
 545   number =       "16",
 546   pages =        "2435--2438",
 547   numpages =     "3",
 548   year =         "1993",
 549   month =        apr,
 550   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 551   publisher =    "American Physical Society",
 552   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 553                  entropy calculations",
 554 }
 555
 556 @Article{munro99,
 557   title =        "Defect migration in crystalline silicon",
 558   author =       "Lindsey J. Munro and David J. Wales",
 559   journal =      "Phys. Rev. B",
 560   volume =       "59",
 561   number =       "6",
 562   pages =        "3969--3980",
 563   numpages =     "11",
 564   year =         "1999",
 565   month =        feb,
 566   doi =          "10.1103/PhysRevB.59.3969",
 567   publisher =    "American Physical Society",
 568   notes =        "eigenvector following method, vacancy and interstiial
 569                  defect migration mechanisms",
 570 }
 571
 572 @Article{colombo02,
 573   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 574                  silicon",
 575   author =       "L. Colombo",
 576   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 577   volume =       "32",
 578   pages =        "271--295",
 579   numpages =     "25",
 580   year =         "2002",
 581   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 582   publisher =    "Annual Reviews",
 583   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 584 }
 585
 586 @Article{al-mushadani03,
 587   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 588                  silicon",
 589   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 590   journal =      "Phys. Rev. B",
 591   volume =       "68",
 592   number =       "23",
 593   pages =        "235205",
 594   numpages =     "8",
 595   year =         "2003",
 596   month =        dec,
 597   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 598   publisher =    "American Physical Society",
 599   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 600                  silicon, si self interstitials, free energy",
 601 }
 602
 603 @Article{goedecker02,
 604   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 605   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 606   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 607   volume =       "88",
 608   number =       "23",
 609   pages =        "235501",
 610   numpages =     "4",
 611   year =         "2002",
 612   month =        may,
 613   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 614   publisher =    "American Physical Society",
 615   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 616                  silicon",
 617 }
 618
 619 @Article{sahli05,
 620   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 621                  self-interstitial diffusion in silicon",
 622   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 623   journal =      "Phys. Rev. B",
 624   volume =       "72",
 625   number =       "24",
 626   pages =        "245210",
 627   numpages =     "6",
 628   year =         "2005",
 629   month =        dec,
 630   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 631   publisher =    "American Physical Society",
 632   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 633                  mapping applied",
 634 }
 635
 636 @Article{hobler05,
 637   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 638                  native point defects in silicon",
 639   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 640   volume =       "124-125",
 641   number =       "",
 642   pages =        "368--371",
 643   year =         "2005",
 644   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 645                  Issues for Future Technologies",
 646   ISSN =         "0921-5107",
 647   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 648   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 649   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 650   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 651                  radius",
 652 }
 653
 654 @Article{ma10,
 655   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 656                  wide temperature range: Point defect states and
 657                  migration mechanisms",
 658   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 659   journal =      "Phys. Rev. B",
 660   volume =       "81",
 661   number =       "19",
 662   pages =        "193203",
 663   numpages =     "4",
 664   year =         "2010",
 665   month =        may,
 666   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 667   publisher =    "American Physical Society",
 668   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 669 }
 670
 671 @Article{posselt06,
 672   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 673                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 674   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 675   journal =      "Phys. Rev. B",
 676   volume =       "73",
 677   number =       "12",
 678   pages =        "125206",
 679   numpages =     "8",
 680   year =         "2006",
 681   month =        mar,
 682   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 683   publisher =    "American Physical Society",
 684 }
 685
 686 @Article{posselt08,
 687   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 688                  migration mechanisms of vacancies and
 689                  self-interstitials: An atomistic study",
 690   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 691   journal =      "Phys. Rev. B",
 692   volume =       "78",
 693   number =       "3",
 694   pages =        "035208",
 695   numpages =     "9",
 696   year =         "2008",
 697   month =        jul,
 698   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 699   publisher =    "American Physical Society",
 700   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 701                  weber and tersoff",
 702 }
 703
 704 @Article{gao2001,
 705   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 706                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 707   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 708                  Corrales",
 709   journal =      "Phys. Rev. B",
 710   volume =       "64",
 711   number =       "24",
 712   pages =        "245208",
 713   numpages =     "7",
 714   year =         "2001",
 715   month =        dec,
 716   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 717   publisher =    "American Physical Society",
 718   notes =        "defects in 3c-sic",
 719 }
 720
 721 @Article{gao02,
 722   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 723                  3{C}-Si{C}",
 724   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 725   volume =       "191",
 726   number =       "1-4",
 727   pages =        "487--496",
 728   year =         "2002",
 729   note =         "",
 730   ISSN =         "0168-583X",
 731   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 732   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 733   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 734   keywords =     "Empirical potential",
 735   keywords =     "Defect properties",
 736   keywords =     "Silicon carbide",
 737   keywords =     "Computer simulation",
 738   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 739 }
 740
 741 @Article{gao04,
 742   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 743                  3{C}-Si{C}",
 744   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 745                  Belko",
 746   journal =      "Phys. Rev. B",
 747   volume =       "69",
 748   number =       "24",
 749   pages =        "245205",
 750   numpages =     "5",
 751   year =         "2004",
 752   month =        jun,
 753   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 754   publisher =    "American Physical Society",
 755   notes =        "defect migration in sic",
 756 }
 757
 758 @Article{gao07,
 759   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 760                  W. J. Weber",
 761   collaboration = "",
 762   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 763                  in cubic silicon carbide",
 764   publisher =    "AIP",
 765   year =         "2007",
 766   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 767   volume =       "90",
 768   number =       "22",
 769   eid =          "221915",
 770   numpages =     "3",
 771   pages =        "221915",
 772   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 773                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 774                  dynamics method; density functional theory;
 775                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 776                  impurities; diffusion",
 777   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 778   doi =          "10.1063/1.2743751",
 779 }
 780
 781 @Article{mattoni2002,
 782   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 783                  crystalline silicon",
 784   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 785   journal =      "Phys. Rev. B",
 786   volume =       "66",
 787   number =       "19",
 788   pages =        "195214",
 789   numpages =     "6",
 790   year =         "2002",
 791   month =        nov,
 792   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 793   publisher =    "American Physical Society",
 794   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 795                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 796                  tersoff suitability",
 797 }
 798
 799 @Article{leung99,
 800   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 801   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 802                  Itoh and S. Ihara",
 803   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 804   volume =       "83",
 805   number =       "12",
 806   pages =        "2351--2354",
 807   numpages =     "3",
 808   year =         "1999",
 809   month =        sep,
 810   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 811   publisher =    "American Physical Society",
 812   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 813                  refs",
 814 }
 815
 816 @Article{capaz94,
 817   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 818                  carbon in silicon",
 819   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 820   journal =      "Phys. Rev. B",
 821   volume =       "50",
 822   number =       "11",
 823   pages =        "7439--7442",
 824   numpages =     "3",
 825   year =         "1994",
 826   month =        sep,
 827   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 828   publisher =    "American Physical Society",
 829   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 830                  dumbbell",
 831 }
 832
 833 @Article{capaz98,
 834   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 835   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 836   journal =      "Phys. Rev. B",
 837   volume =       "58",
 838   number =       "15",
 839   pages =        "9845--9850",
 840   numpages =     "5",
 841   year =         "1998",
 842   month =        oct,
 843   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 844   publisher =    "American Physical Society",
 845   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 846 }
 847
 848 @Article{song90_2,
 849   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 850                  pair in silicon",
 851   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 852                  Watkins",
 853   journal =      "Phys. Rev. B",
 854   volume =       "42",
 855   number =       "9",
 856   pages =        "5765--5783",
 857   numpages =     "18",
 858   year =         "1990",
 859   month =        sep,
 860   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 861   publisher =    "American Physical Society",
 862   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 863 }
 864
 865 @Article{liu02,
 866   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 867                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 868   collaboration = "",
 869   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 870                  interactions in Si",
 871   publisher =    "AIP",
 872   year =         "2002",
 873   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 874   volume =       "80",
 875   number =       "1",
 876   pages =        "52--54",
 877   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 878                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 879                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 880   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 881   doi =          "10.1063/1.1430505",
 882   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 883 }
 884
 885 @Article{dal_pino93,
 886   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 887                  silicon",
 888   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 889                  Joannopoulos",
 890   journal =      "Phys. Rev. B",
 891   volume =       "47",
 892   number =       "19",
 893   pages =        "12554--12557",
 894   numpages =     "3",
 895   year =         "1993",
 896   month =        may,
 897   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 898   publisher =    "American Physical Society",
 899   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 900 }
 901
 902 @Article{car84,
 903   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 904                  Silicon",
 905   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 906                  Sokrates T. Pantelides",
 907   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 908   volume =       "52",
 909   number =       "20",
 910   pages =        "1814--1817",
 911   numpages =     "3",
 912   year =         "1984",
 913   month =        may,
 914   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 915   publisher =    "American Physical Society",
 916   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 917                  path formation",
 918 }
 919
 920 @Article{car85,
 921   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 922                  Density-Functional Theory",
 923   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 924   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 925   volume =       "55",
 926   number =       "22",
 927   pages =        "2471--2474",
 928   numpages =     "3",
 929   year =         "1985",
 930   month =        nov,
 931   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 932   publisher =    "American Physical Society",
 933   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 934 }
 935
 936 @Article{kelires97,
 937   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 938                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 939   author =       "P. C. Kelires",
 940   journal =      "Phys. Rev. B",
 941   volume =       "55",
 942   number =       "14",
 943   pages =        "8784--8787",
 944   numpages =     "3",
 945   year =         "1997",
 946   month =        apr,
 947   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 948   publisher =    "American Physical Society",
 949   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 950                  neighbour dist",
 951 }
 952
 953 @Article{kelires95,
 954   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 955                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 956   author =       "P. C. Kelires",
 957   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 958   volume =       "75",
 959   number =       "6",
 960   pages =        "1114--1117",
 961   numpages =     "3",
 962   year =         "1995",
 963   month =        aug,
 964   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 965   publisher =    "American Physical Society",
 966   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 967 }
 968
 969 @Article{bean70,
 970   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 971                  containing carbon",
 972   journal =      "Solid State Communications",
 973   volume =       "8",
 974   number =       "3",
 975   pages =        "175--177",
 976   year =         "1970",
 977   note =         "",
 978   ISSN =         "0038-1098",
 979   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 980   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 981   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 982 }
 983
 984 @Article{durand99,
 985   author =       "F. Durand and J. Duby",
 986   affiliation =  "EPM-Madylam, CNRS and INP Grenoble, France",
 987   title =        "Carbon solubility in solid and liquid silicon—{A}
 988                  review with reference to eutectic equilibrium",
 989   journal =      "Journal of Phase Equilibria",
 990   publisher =    "Springer New York",
 991   ISSN =         "1054-9714",
 992   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
 993   pages =        "61--63",
 994   volume =       "20",
 995   issue =        "1",
 996   URL =          "http://dx.doi.org/10.1361/105497199770335956",
 997   note =         "10.1361/105497199770335956",
 998   year =         "1999",
 999   notes =        "better c solubility limit in silicon",
1000 }
1001
1002 @Article{watkins76,
1003   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
1004                  Atom in Silicon",
1005   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
1006   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1007   volume =       "36",
1008   number =       "22",
1009   pages =        "1329--1332",
1010   numpages =     "3",
1011   year =         "1976",
1012   month =        may,
1013   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
1014   publisher =    "American Physical Society",
1015   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
1016                  silicon",
1017 }
1018
1019 @Article{song90,
1020   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
1021                  interstitial carbon in silicon",
1022   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
1023   journal =      "Phys. Rev. B",
1024   volume =       "42",
1025   number =       "9",
1026   pages =        "5759--5764",
1027   numpages =     "5",
1028   year =         "1990",
1029   month =        sep,
1030   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
1031   publisher =    "American Physical Society",
1032   notes =        "carbon diffusion in silicon",
1033 }
1034
1035 @Article{tipping87,
1036   author =       "A K Tipping and R C Newman",
1037   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
1038                  silicon",
1039   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
1040   volume =       "2",
1041   number =       "5",
1042   pages =        "315--317",
1043   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
1044   year =         "1987",
1045   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
1046                  silicon",
1047 }
1048
1049 @Article{isomae93,
1050   author =       "Seiichi Isomae and Tsutomu Ishiba and Toshio Ando and
1051                  Masao Tamura",
1052   collaboration = "",
1053   title =        "Annealing behavior of Me{V} implanted carbon in
1054                  silicon",
1055   publisher =    "AIP",
1056   year =         "1993",
1057   journal =      "Journal of Applied Physics",
1058   volume =       "74",
1059   number =       "6",
1060   pages =        "3815--3820",
1061   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; WAFERS; CARBON IONS; MEV
1062                  RANGE 0110; TEM; SIMS; INFRARED SPECTRA; STRAINS; DEPTH
1063                  PROFILES",
1064   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/3815/1",
1065   doi =          "10.1063/1.354474",
1066   notes =        "c at interstitial location for rt implantation in si",
1067 }
1068
1069 @Article{strane96,
1070   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
1071                  ion implantation and solid phase epitaxy",
1072   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
1073                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1074   journal =      "J. Appl. Phys.",
1075   volume =       "79",
1076   pages =        "637",
1077   year =         "1996",
1078   month =        jan,
1079   doi =          "10.1063/1.360806",
1080   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
1081 }
1082
1083 @Article{laveant2002,
1084   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
1085   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1086   volume =       "89",
1087   number =       "1-3",
1088   pages =        "241--245",
1089   year =         "2002",
1090   ISSN =         "0921-5107",
1091   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
1092   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
1093   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
1094                  G{\"{o}}sele",
1095   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
1096                  stress, avoid sic precipitation",
1097 }
1098
1099 @Article{foell77,
1100   title =        "The formation of swirl defects in silicon by
1101                  agglomeration of self-interstitials",
1102   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1103   volume =       "40",
1104   number =       "1",
1105   pages =        "90--108",
1106   year =         "1977",
1107   note =         "",
1108   ISSN =         "0022-0248",
1109   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(77)90034-3",
1110   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BWB4Y-44/2/bddfd69e99369473feebcdc41692dddb",
1111   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1112   notes =        "b-swirl: si + c interstitial agglomerates, c-si
1113                  agglomerate",
1114 }
1115
1116 @Article{foell81,
1117   title =        "Microdefects in silicon and their relation to point
1118                  defects",
1119   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1120   volume =       "52",
1121   number =       "Part 2",
1122   pages =        "907--916",
1123   year =         "1981",
1124   note =         "",
1125   ISSN =         "0022-0248",
1126   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90397-3",
1127   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46MD42X-90/2/a482c31bf9e2faeed71b7109be601078",
1128   author =       "H. Föll and U. Gösele and B. O. Kolbesen",
1129   notes =        "swirl review",
1130 }
1131
1132 @Article{werner97,
1133   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
1134                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
1135   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
1136                  silicon by transmission electron microscopy",
1137   publisher =    "AIP",
1138   year =         "1997",
1139   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1140   volume =       "70",
1141   number =       "2",
1142   pages =        "252--254",
1143   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
1144                  transmission electron microscopy; annealing; positron
1145                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
1146                  layers; precipitation",
1147   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1148   doi =          "10.1063/1.118381",
1149   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1150                  precipitate",
1151 }
1152
1153 @InProceedings{werner96,
1154   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1155                  Eichler",
1156   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
1157                  International Conference on",
1158   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1159                  implanted silicon",
1160   year =         "1996",
1161   month =        jun,
1162   volume =       "",
1163   number =       "",
1164   pages =        "675--678",
1165   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1166   ISSN =         "",
1167   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1168 }
1169
1170 @Article{werner98,
1171   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1172                  D. C. Jacobson",
1173   collaboration = "",
1174   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1175   publisher =    "AIP",
1176   year =         "1998",
1177   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1178   volume =       "73",
1179   number =       "17",
1180   pages =        "2465--2467",
1181   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1182                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1183                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1184                  impurity distribution",
1185   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1186   doi =          "10.1063/1.122483",
1187   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1188 }
1189
1190 @Article{kalejs84,
1191   author =       "J. P. Kalejs and L. A. Ladd and U. G{\"{o}}sele",
1192   collaboration = "",
1193   title =        "Self-interstitial enhanced carbon diffusion in
1194                  silicon",
1195   publisher =    "AIP",
1196   year =         "1984",
1197   journal =      "Applied Physics Letters",
1198   volume =       "45",
1199   number =       "3",
1200   pages =        "268--269",
1201   keywords =     "PHOSPHORUS; INTERSTITIALS; SILICON; PHOSPHORUS;
1202                  CARBON; DIFFUSION; ANNEALING; ATOM TRANSPORT; VERY HIGH
1203                  TEMPERATURE; IMPURITIES",
1204   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/45/268/1",
1205   doi =          "10.1063/1.95167",
1206   notes =        "c diffusion due to si self-interstitials",
1207 }
1208
1209 @Article{fukami90,
1210   author =       "Akira Fukami and Ken-ichi Shoji and Takahiro Nagano
1211                  and Cary Y. Yang",
1212   collaboration = "",
1213   title =        "Characterization of SiGe/Si heterostructures formed by
1214                  Ge[sup + ] and {C}[sup + ] implantation",
1215   publisher =    "AIP",
1216   year =         "1990",
1217   journal =      "Applied Physics Letters",
1218   volume =       "57",
1219   number =       "22",
1220   pages =        "2345--2347",
1221   keywords =     "HETEROJUNCTIONS; ION IMPLANTATION; HETEROSTRUCTURES;
1222                  FABRICATION; PN JUNCTIONS; LEAKAGE CURRENT; GERMANIUM
1223                  SILICIDES; SILICON; ELECTRICAL PROPERTIES; SOLIDPHASE
1224                  EPITAXY; CARBON IONS; GERMANIUM IONS",
1225   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/57/2345/1",
1226   doi =          "10.1063/1.103888",
1227 }
1228
1229 @Article{strane93,
1230   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and B. L.
1231                  Doyle and S. T. Picraux and J. W. Mayer",
1232   collaboration = "",
1233   title =        "Metastable SiGe{C} formation by solid phase epitaxy",
1234   publisher =    "AIP",
1235   year =         "1993",
1236   journal =      "Applied Physics Letters",
1237   volume =       "63",
1238   number =       "20",
1239   pages =        "2786--2788",
1240   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; TERNARY ALLOY
1241                  SYSTEMS; EPITAXY; ION IMPLANTATION; METASTABLE STATES;
1242                  ANNEALING; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; RUTHERFORD
1243                  SCATTERING; XRAY DIFFRACTION; STRAINS; SOLIDPHASE
1244                  EPITAXY; AMORPHIZATION",
1245   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/63/2786/1",
1246   doi =          "10.1063/1.110334",
1247 }
1248
1249 @Article{goorsky92,
1250   author =       "M. S. Goorsky and S. S. Iyer and K. Eberl and F.
1251                  Legoues and J. Angilello and F. Cardone",
1252   collaboration = "",
1253   title =        "Thermal stability of Si[sub 1 - x]{C}[sub x]/Si
1254                  strained layer superlattices",
1255   publisher =    "AIP",
1256   year =         "1992",
1257   journal =      "Applied Physics Letters",
1258   volume =       "60",
1259   number =       "22",
1260   pages =        "2758--2760",
1261   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
1262                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; SUPERLATTICES; ANNEALING;
1263                  CHEMICAL COMPOSITION; INTERNAL STRAINS; STRESS
1264                  RELAXATION; THERMAL INSTABILITIES; INTERFACE STRUCTURE;
1265                  DIFFUSION; PRECIPITATION; TEMPERATURE EFFECTS",
1266   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/2758/1",
1267   doi =          "10.1063/1.106868",
1268 }
1269
1270 @Article{strane94,
1271   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1272                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1273   collaboration = "",
1274   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1275                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1276   publisher =    "AIP",
1277   year =         "1994",
1278   journal =      "J. Appl. Phys.",
1279   volume =       "76",
1280   number =       "6",
1281   pages =        "3656--3668",
1282   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1283   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1284   doi =          "10.1063/1.357429",
1285   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1286                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1287                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1288                  energy",
1289 }
1290
1291 @Article{fischer95,
1292   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1293                  Osten",
1294   collaboration = "",
1295   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1296                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1297   publisher =    "AIP",
1298   year =         "1995",
1299   journal =      "J. Appl. Phys.",
1300   volume =       "77",
1301   number =       "5",
1302   pages =        "1934--1937",
1303   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1304                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1305                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1306                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1307   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1308   doi =          "10.1063/1.358826",
1309 }
1310
1311 @Article{edgar92,
1312   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1313                  semiconductors",
1314   author =       "J. H. Edgar",
1315   journal =      "J. Mater. Res.",
1316   volume =       "7",
1317   pages =        "235",
1318   year =         "1992",
1319   month =        jan,
1320   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1321   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1322                  polytypes",
1323 }
1324
1325 @Article{zirkelbach2007,
1326   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1327                  process leading to ordered precipitate structures",
1328   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1329                  and B. Stritzker",
1330   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1331   volume =       "257",
1332   number =       "1--2",
1333   pages =        "75--79",
1334   numpages =     "5",
1335   year =         "2007",
1336   month =        apr,
1337   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1338   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1339                  NETHERLANDS",
1340 }
1341
1342 @Article{zirkelbach2006,
1343   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1344                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1345                  during ion irradiation",
1346   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1347                  and B. Stritzker",
1348   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1349   volume =       "242",
1350   number =       "1--2",
1351   pages =        "679--682",
1352   numpages =     "4",
1353   year =         "2006",
1354   month =        jan,
1355   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1356   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1357                  NETHERLANDS",
1358 }
1359
1360 @Article{zirkelbach2005,
1361   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1362                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1363                  ion irradiation",
1364   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1365                  and B. Stritzker",
1366   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1367   volume =       "33",
1368   number =       "1--3",
1369   pages =        "310--316",
1370   numpages =     "7",
1371   year =         "2005",
1372   month =        apr,
1373   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1374   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1375                  NETHERLANDS",
1376 }
1377
1378 @Article{zirkelbach09,
1379   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1380                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1381   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1382   volume =       "159-160",
1383   number =       "",
1384   pages =        "149--152",
1385   year =         "2009",
1386   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1387                  Silicon Materials Research for Electronic and
1388                  Photovoltaic Applications",
1389   ISSN =         "0921-5107",
1390   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1391   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1392   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1393                  B. Stritzker",
1394   keywords =     "Silicon",
1395   keywords =     "Carbon",
1396   keywords =     "Silicon carbide",
1397   keywords =     "Nucleation",
1398   keywords =     "Defect formation",
1399   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1400 }
1401
1402 @Article{zirkelbach10,
1403   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1404                  classical potentials and first-principles methods",
1405   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1406                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1407   journal =      "Phys. Rev. B",
1408   volume =       "82",
1409   number =       "9",
1410   pages =        "094110",
1411   numpages =     "6",
1412   year =         "2010",
1413   month =        sep,
1414   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1415   publisher =    "American Physical Society",
1416 }
1417
1418 @Article{zirkelbach11a,
1419   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1420                  silicon",
1421   journal =      "to be published",
1422   volume =       "",
1423   number =       "",
1424   pages =        "",
1425   year =         "2011",
1426   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and J. K. N. Lindner
1427                  and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1428 }
1429
1430 @Article{zirkelbach11b,
1431   title =        "...",
1432   journal =      "to be published",
1433   volume =       "",
1434   number =       "",
1435   pages =        "",
1436   year =         "2011",
1437   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1438                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1439 }
1440
1441 @Article{lindner95,
1442   author =       "J. K. N. Lindner and A. Frohnwieser and B.
1443                  Rauschenbach and B. Stritzker",
1444   title =        "ke{V}- and Me{V}- Ion Beam Synthesis of Buried Si{C}
1445                  Layers in Silicon",
1446   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
1447   volume =       "354",
1448   number =       "",
1449   pages =        "171",
1450   year =         "1994",
1451   doi =          "10.1557/PROC-354-171",
1452   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-354-171",
1453   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400420853",
1454   notes =        "first time ibs at moderate temperatures",
1455 }
1456
1457 @Article{lindner96,
1458   title =        "Formation of buried epitaxial silicon carbide layers
1459                  in silicon by ion beam synthesis",
1460   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
1461   volume =       "46",
1462   number =       "2-3",
1463   pages =        "147--155",
1464   year =         "1996",
1465   note =         "",
1466   ISSN =         "0254-0584",
1467   doi =          "DOI: 10.1016/S0254-0584(97)80008-9",
1468   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VSGY9S-8/2/f001f23c0b3bc0fc3fc683616588fbc7",
1469   author =       "J. K. N. Lindner and K. Volz and U. Preckwinkel and B.
1470                  Götz and A. Frohnwieser and B. Rauschenbach and B.
1471                  Stritzker",
1472   notes =        "dose window",
1473 }
1474
1475 @Article{calcagno96,
1476   title =        "Carbon clustering in Si[sub 1-x]{C}[sub x] formed by
1477                  ion implantation",
1478   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1479                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1480   volume =       "120",
1481   number =       "1-4",
1482   pages =        "121--124",
1483   year =         "1996",
1484   note =         "Proceedings of the E-MRS '96 Spring Meeting Symp. I on
1485                  New Trends in Ion Beam Processing of Materials",
1486   ISSN =         "0168-583X",
1487   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(96)00492-2",
1488   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VSHB0W-1S/2/164b9f4f972a02f44b341b0de28bba1d",
1489   author =       "L. Calcagno and G. Compagnini and G. Foti and M. G.
1490                  Grimaldi and P. Musumeci",
1491   notes =        "dose window, graphitic bonds",
1492 }
1493
1494 @Article{lindner98,
1495   title =        "Mechanisms of Si{C} Formation in the Ion Beam
1496                  Synthesis of 3{C}-Si{C} Layers in Silicon",
1497   journal =      "Materials Science Forum",
1498   volume =       "264-268",
1499   pages =        "215--218",
1500   year =         "1998",
1501   note =         "",
1502   doi =          "10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1503   URL =          "http://www.scientific.net/MSF.264-268.215",
1504   author =       "J. K. N. Lindner and W. Reiber and B. Stritzker",
1505   notes =        "intermediate temperature for sharp interface + good
1506                  crystallinity",
1507 }
1508
1509 @Article{lindner99,
1510   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1511                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1512                  layers in silicon",
1513   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1514   volume =       "147",
1515   number =       "1-4",
1516   pages =        "249--255",
1517   year =         "1999",
1518   note =         "",
1519   ISSN =         "0168-583X",
1520   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1521   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1522   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1523   notes =        "two-step implantation process",
1524 }
1525
1526 @Article{lindner99_2,
1527   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1528                  in silicon",
1529   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1530   volume =       "148",
1531   number =       "1-4",
1532   pages =        "528--533",
1533   year =         "1999",
1534   ISSN =         "0168-583X",
1535   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1536   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1537   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1538   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1539 }
1540
1541 @Article{lindner01,
1542   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1543                  Basic physical processes",
1544   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1545   volume =       "178",
1546   number =       "1-4",
1547   pages =        "44--54",
1548   year =         "2001",
1549   note =         "",
1550   ISSN =         "0168-583X",
1551   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1552   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1553   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1554 }
1555
1556 @Article{lindner02,
1557   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1558                  fundamental studies for new technological tricks",
1559   author =       "J. K. N. Lindner",
1560   journal =      "Appl. Phys. A",
1561   volume =       "77",
1562   pages =        "27--38",
1563   year =         "2003",
1564   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1565   notes =        "ibs, burried sic layers",
1566 }
1567
1568 @Article{lindner06,
1569   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1570                  formation and displacive precipitate resolution in the
1571                  {C}-Si system",
1572   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1573   volume =       "26",
1574   number =       "5-7",
1575   pages =        "857--861",
1576   year =         "2006",
1577   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1578                  Applications",
1579   ISSN =         "0928-4931",
1580   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1581   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1582   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1583                  and B. Stritzker",
1584   notes =        "c int diffusion barrier",
1585 }
1586
1587 @Article{ito04,
1588   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1589                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1590                  growth",
1591   journal =      "Applied Surface Science",
1592   volume =       "238",
1593   number =       "1-4",
1594   pages =        "159--164",
1595   year =         "2004",
1596   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1597   ISSN =         "0169-4332",
1598   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1599   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1600   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1601                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1602   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1603 }
1604
1605 @Article{yamamoto04,
1606   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1607                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1608                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1609   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1610   volume =       "261",
1611   number =       "2-3",
1612   pages =        "266--270",
1613   year =         "2004",
1614   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1615                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1616   ISSN =         "0022-0248",
1617   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1618   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1619   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1620                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1621   notes =        "gan on 3c-sic",
1622 }
1623
1624 @Article{liu_l02,
1625   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1626   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1627   volume =       "37",
1628   number =       "3",
1629   pages =        "61--127",
1630   year =         "2002",
1631   note =         "",
1632   ISSN =         "0927-796X",
1633   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1634   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1635   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1636   notes =        "gan substrates",
1637 }
1638
1639 @Article{takeuchi91,
1640   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1641                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1642   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1643   volume =       "115",
1644   number =       "1-4",
1645   pages =        "634--638",
1646   year =         "1991",
1647   note =         "",
1648   ISSN =         "0022-0248",
1649   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1650   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1651   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1652                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1653   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1654 }
1655
1656 @Article{alder57,
1657   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1658   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1659   publisher =    "AIP",
1660   year =         "1957",
1661   journal =      "J. Chem. Phys.",
1662   volume =       "27",
1663   number =       "5",
1664   pages =        "1208--1209",
1665   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1666   doi =          "10.1063/1.1743957",
1667 }
1668
1669 @Article{alder59,
1670   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1671   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1672   publisher =    "AIP",
1673   year =         "1959",
1674   journal =      "J. Chem. Phys.",
1675   volume =       "31",
1676   number =       "2",
1677   pages =        "459--466",
1678   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1679   doi =          "10.1063/1.1730376",
1680 }
1681
1682 @Article{horsfield96,
1683   title =        "Bond-order potentials: Theory and implementation",
1684   author =       "A. P. Horsfield and A. M. Bratkovsky and M. Fearn and
1685                  D. G. Pettifor and M. Aoki",
1686   journal =      "Phys. Rev. B",
1687   volume =       "53",
1688   number =       "19",
1689   pages =        "12694--12712",
1690   numpages =     "18",
1691   year =         "1996",
1692   month =        may,
1693   doi =          "10.1103/PhysRevB.53.12694",
1694   publisher =    "American Physical Society",
1695 }
1696
1697 @Article{abell85,
1698   title =        "Empirical chemical pseudopotential theory of molecular
1699                  and metallic bonding",
1700   author =       "G. C. Abell",
1701   journal =      "Phys. Rev. B",
1702   volume =       "31",
1703   number =       "10",
1704   pages =        "6184--6196",
1705   numpages =     "12",
1706   year =         "1985",
1707   month =        may,
1708   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.6184",
1709   publisher =    "American Physical Society",
1710 }
1711
1712 @Article{tersoff_si1,
1713   title =        "New empirical model for the structural properties of
1714                  silicon",
1715   author =       "J. Tersoff",
1716   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1717   volume =       "56",
1718   number =       "6",
1719   pages =        "632--635",
1720   numpages =     "3",
1721   year =         "1986",
1722   month =        feb,
1723   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1724   publisher =    "American Physical Society",
1725 }
1726
1727 @Article{dodson87,
1728   title =        "Development of a many-body Tersoff-type potential for
1729                  silicon",
1730   author =       "Brian W. Dodson",
1731   journal =      "Phys. Rev. B",
1732   volume =       "35",
1733   number =       "6",
1734   pages =        "2795--2798",
1735   numpages =     "3",
1736   year =         "1987",
1737   month =        feb,
1738   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.2795",
1739   publisher =    "American Physical Society",
1740 }
1741
1742 @Article{tersoff_si2,
1743   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1744                  covalent systems",
1745   author =       "J. Tersoff",
1746   journal =      "Phys. Rev. B",
1747   volume =       "37",
1748   number =       "12",
1749   pages =        "6991--7000",
1750   numpages =     "9",
1751   year =         "1988",
1752   month =        apr,
1753   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1754   publisher =    "American Physical Society",
1755 }
1756
1757 @Article{tersoff_si3,
1758   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1759                  improved elastic properties",
1760   author =       "J. Tersoff",
1761   journal =      "Phys. Rev. B",
1762   volume =       "38",
1763   number =       "14",
1764   pages =        "9902--9905",
1765   numpages =     "3",
1766   year =         "1988",
1767   month =        nov,
1768   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1769   publisher =    "American Physical Society",
1770 }
1771
1772 @Article{tersoff_c,
1773   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1774                  Applications to Amorphous Carbon",
1775   author =       "J. Tersoff",
1776   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1777   volume =       "61",
1778   number =       "25",
1779   pages =        "2879--2882",
1780   numpages =     "3",
1781   year =         "1988",
1782   month =        dec,
1783   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1784   publisher =    "American Physical Society",
1785 }
1786
1787 @Article{tersoff_m,
1788   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1789                  for multicomponent systems",
1790   author =       "J. Tersoff",
1791   journal =      "Phys. Rev. B",
1792   volume =       "39",
1793   number =       "8",
1794   pages =        "5566--5568",
1795   numpages =     "2",
1796   year =         "1989",
1797   month =        mar,
1798   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1799   publisher =    "American Physical Society",
1800 }
1801
1802 @Article{tersoff90,
1803   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1804   author =       "J. Tersoff",
1805   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1806   volume =       "64",
1807   number =       "15",
1808   pages =        "1757--1760",
1809   numpages =     "3",
1810   year =         "1990",
1811   month =        apr,
1812   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1813   publisher =    "American Physical Society",
1814 }
1815
1816 @Article{fahey89,
1817   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1818   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1819   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1820   volume =       "61",
1821   number =       "2",
1822   pages =        "289--384",
1823   numpages =     "95",
1824   year =         "1989",
1825   month =        apr,
1826   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1827   publisher =    "American Physical Society",
1828 }
1829
1830 @Article{wesch96,
1831   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1832   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1833   volume =       "116",
1834   number =       "1-4",
1835   pages =        "305--321",
1836   year =         "1996",
1837   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1838   ISSN =         "0168-583X",
1839   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1840   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1841   author =       "W. Wesch",
1842 }
1843
1844 @Article{davis91,
1845   author =       "R. F. Davis and G. Kelner and M. Shur and J. W.
1846                  Palmour and J. A. Edmond",
1847   journal =      "Proceedings of the IEEE",
1848   title =        "Thin film deposition and microelectronic and
1849                  optoelectronic device fabrication and characterization
1850                  in monocrystalline alpha and beta silicon carbide",
1851   year =         "1991",
1852   month =        may,
1853   volume =       "79",
1854   number =       "5",
1855   pages =        "677--701",
1856   keywords =     "HBT;LED;MESFET;MOSFET;Schottky contacts;Schottky
1857                  diode;SiC;dry etching;electrical
1858                  contacts;etching;impurity incorporation;optoelectronic
1859                  device fabrication;solid-state devices;surface
1860                  chemistry;Schottky effect;Schottky gate field effect
1861                  transistors;Schottky-barrier
1862                  diodes;etching;heterojunction bipolar
1863                  transistors;insulated gate field effect
1864                  transistors;light emitting diodes;semiconductor
1865                  materials;semiconductor thin films;silicon compounds;",
1866   doi =          "10.1109/5.90132",
1867   ISSN =         "0018-9219",
1868   notes =        "sic growth methods",
1869 }
1870
1871 @Article{morkoc94,
1872   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1873                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1874   collaboration = "",
1875   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1876                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1877   publisher =    "AIP",
1878   year =         "1994",
1879   journal =      "J. Appl. Phys.",
1880   volume =       "76",
1881   number =       "3",
1882   pages =        "1363--1398",
1883   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1884                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1885                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1886                  FILMS; INDUSTRY",
1887   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1888   doi =          "10.1063/1.358463",
1889   notes =        "sic intro, properties",
1890 }
1891
1892 @Article{foo,
1893   author =       "Noch Unbekannt",
1894   title =        "How to find references",
1895   journal =      "Journal of Applied References",
1896   year =         "2009",
1897   volume =       "77",
1898   pages =        "1--23",
1899 }
1900
1901 @Article{tang95,
1902   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1903                  \beta{}-Si{C}",
1904   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1905   journal =      "Phys. Rev. B",
1906   volume =       "52",
1907   number =       "21",
1908   pages =        "15150--15159",
1909   numpages =     "9",
1910   year =         "1995",
1911   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1912   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1913                  tersoff reparametrization",
1914   publisher =    "American Physical Society",
1915 }
1916
1917 @Article{sarro00,
1918   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1919   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1920   volume =       "82",
1921   number =       "1-3",
1922   pages =        "210--218",
1923   year =         "2000",
1924   ISSN =         "0924-4247",
1925   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1926   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1927   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1928   keywords =     "MEMS",
1929   keywords =     "Silicon carbide",
1930   keywords =     "Micromachining",
1931   keywords =     "Mechanical stress",
1932 }
1933
1934 @Article{casady96,
1935   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1936                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1937                  review",
1938   journal =      "Solid-State Electronics",
1939   volume =       "39",
1940   number =       "10",
1941   pages =        "1409--1422",
1942   year =         "1996",
1943   ISSN =         "0038-1101",
1944   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1945   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1946   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1947   notes =        "sic intro",
1948 }
1949
1950 @Article{giancarli98,
1951   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1952                  structural material in fusion power reactor blankets",
1953   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1954   volume =       "41",
1955   number =       "1-4",
1956   pages =        "165--171",
1957   year =         "1998",
1958   ISSN =         "0920-3796",
1959   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1960   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1961   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1962                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1963 }
1964
1965 @Article{pensl93,
1966   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1967   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1968   volume =       "185",
1969   number =       "1-4",
1970   pages =        "264--283",
1971   year =         "1993",
1972   ISSN =         "0921-4526",
1973   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1974   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1975   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1976 }
1977
1978 @Article{tairov78,
1979   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1980                  carbide single crystals",
1981   journal =      "J. Cryst. Growth",
1982   volume =       "43",
1983   number =       "2",
1984   pages =        "209--212",
1985   year =         "1978",
1986   notes =        "modified lely process",
1987   ISSN =         "0022-0248",
1988   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1989   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1990   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1991 }
1992
1993 @Article{tairov81,
1994   title =        "General principles of growing large-size single
1995                  crystals of various silicon carbide polytypes",
1996   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1997   volume =       "52",
1998   number =       "Part 1",
1999   pages =        "146--150",
2000   year =         "1981",
2001   note =         "",
2002   ISSN =         "0022-0248",
2003   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
2004   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
2005   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
2006 }
2007
2008 @Article{barrett91,
2009   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
2010   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2011   volume =       "109",
2012   number =       "1-4",
2013   pages =        "17--23",
2014   year =         "1991",
2015   note =         "",
2016   ISSN =         "0022-0248",
2017   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
2018   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
2019   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
2020                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
2021 }
2022
2023 @Article{barrett93,
2024   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
2025   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2026   volume =       "128",
2027   number =       "1-4",
2028   pages =        "358--362",
2029   year =         "1993",
2030   note =         "",
2031   ISSN =         "0022-0248",
2032   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
2033   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
2034   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
2035                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
2036                  W. J. Choyke",
2037 }
2038
2039 @Article{stein93,
2040   title =        "Control of polytype formation by surface energy
2041                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
2042                  sublimation method",
2043   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2044   volume =       "131",
2045   number =       "1-2",
2046   pages =        "71--74",
2047   year =         "1993",
2048   note =         "",
2049   ISSN =         "0022-0248",
2050   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
2051   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
2052   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
2053   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
2054 }
2055
2056 @Article{nishino83,
2057   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
2058                  Will",
2059   collaboration = "",
2060   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
2061                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
2062   publisher =    "AIP",
2063   year =         "1983",
2064   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2065   volume =       "42",
2066   number =       "5",
2067   pages =        "460--462",
2068   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
2069                  monocrystals",
2070   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
2071   doi =          "10.1063/1.93970",
2072   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
2073 }
2074
2075 @Article{nishino87,
2076   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
2077                  and Hiroyuki Matsunami",
2078   collaboration = "",
2079   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
2080                  Si{C} on silicon",
2081   publisher =    "AIP",
2082   year =         "1987",
2083   journal =      "J. Appl. Phys.",
2084   volume =       "61",
2085   number =       "10",
2086   pages =        "4889--4893",
2087   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
2088   doi =          "10.1063/1.338355",
2089   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
2090                  carbonization",
2091 }
2092
2093 @Article{powell87,
2094   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
2095                  Kuczmarski",
2096   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
2097                  Single-Crystal Films on Si",
2098   publisher =    "ECS",
2099   year =         "1987",
2100   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
2101   volume =       "134",
2102   number =       "6",
2103   pages =        "1558--1565",
2104   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
2105                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
2106   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
2107   doi =          "10.1149/1.2100708",
2108   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
2109 }
2110
2111 @Article{powell87_2,
2112   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
2113                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
2114   collaboration = "",
2115   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
2116                  off-axis Si substrates",
2117   publisher =    "AIP",
2118   year =         "1987",
2119   journal =      "Applied Physics Letters",
2120   volume =       "51",
2121   number =       "11",
2122   pages =        "823--825",
2123   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
2124                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
2125                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
2126                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
2127                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
2128   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
2129   doi =          "10.1063/1.98824",
2130   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
2131 }
2132
2133 @Article{ueda90,
2134   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
2135   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2136   volume =       "104",
2137   number =       "3",
2138   pages =        "695--700",
2139   year =         "1990",
2140   note =         "",
2141   ISSN =         "0022-0248",
2142   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
2143   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
2144   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
2145                  Matsunami",
2146   notes =        "step-controlled epitaxy model",
2147 }
2148
2149 @Article{kimoto93,
2150   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
2151                  and Hiroyuki Matsunami",
2152   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
2153                  epitaxy",
2154   publisher =    "AIP",
2155   year =         "1993",
2156   journal =      "J. Appl. Phys.",
2157   volume =       "73",
2158   number =       "2",
2159   pages =        "726--732",
2160   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
2161                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
2162                  VAPOR DEPOSITION",
2163   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
2164   doi =          "10.1063/1.353329",
2165   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
2166 }
2167
2168 @Article{powell90_2,
2169   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2170                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2171                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2172   collaboration = "",
2173   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
2174                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2175   publisher =    "AIP",
2176   year =         "1990",
2177   journal =      "Applied Physics Letters",
2178   volume =       "56",
2179   number =       "15",
2180   pages =        "1442--1444",
2181   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2182                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
2183                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
2184                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
2185   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
2186   doi =          "10.1063/1.102492",
2187   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
2188 }
2189
2190 @Article{kong88_2,
2191   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
2192   collaboration = "",
2193   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
2194                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
2195                  substrates",
2196   publisher =    "AIP",
2197   year =         "1988",
2198   journal =      "Journal of Applied Physics",
2199   volume =       "64",
2200   number =       "5",
2201   pages =        "2672--2679",
2202   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
2203                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
2204                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
2205                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
2206                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
2207   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
2208   doi =          "10.1063/1.341608",
2209 }
2210
2211 @Article{powell90,
2212   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
2213                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
2214                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
2215   collaboration = "",
2216   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
2217                  6{H}-Si{C} substrates",
2218   publisher =    "AIP",
2219   year =         "1990",
2220   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2221   volume =       "56",
2222   number =       "14",
2223   pages =        "1353--1355",
2224   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
2225                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
2226                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
2227                  PHASE EPITAXY",
2228   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
2229   doi =          "10.1063/1.102512",
2230   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
2231 }
2232
2233 @Article{kong88,
2234   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
2235                  Rozgonyi and K. L. More",
2236   collaboration = "",
2237   title =        "An examination of double positioning boundaries and
2238                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
2239                  substrates",
2240   publisher =    "AIP",
2241   year =         "1988",
2242   journal =      "Journal of Applied Physics",
2243   volume =       "63",
2244   number =       "8",
2245   pages =        "2645--2650",
2246   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
2247                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
2248                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
2249                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
2250                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
2251   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
2252   doi =          "10.1063/1.341004",
2253 }
2254
2255 @Article{powell91,
2256   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
2257                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
2258                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
2259   collaboration = "",
2260   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
2261                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
2262   publisher =    "AIP",
2263   year =         "1991",
2264   journal =      "Applied Physics Letters",
2265   volume =       "59",
2266   number =       "3",
2267   pages =        "333--335",
2268   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
2269                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
2270                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
2271   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
2272   doi =          "10.1063/1.105587",
2273 }
2274
2275 @Article{yuan95,
2276   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
2277                  Thokala and M. J. Loboda",
2278   collaboration = "",
2279   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
2280                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
2281                  silacyclobutane",
2282   publisher =    "AIP",
2283   year =         "1995",
2284   journal =      "J. Appl. Phys.",
2285   volume =       "78",
2286   number =       "2",
2287   pages =        "1271--1273",
2288   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
2289                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
2290                  SPECTROPHOTOMETRY",
2291   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
2292   doi =          "10.1063/1.360368",
2293   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
2294 }
2295
2296 @Article{kaneda87,
2297   title =        "{MBE} growth of 3{C}·Si{C}/6·Si{C} and the electric
2298                  properties of its p-n junction",
2299   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2300   volume =       "81",
2301   number =       "1-4",
2302   pages =        "536--542",
2303   year =         "1987",
2304   note =         "",
2305   ISSN =         "0022-0248",
2306   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(87)90449-0",
2307   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46X9W77-3F/2/864b2d86faa794252e1d1f16c99a9cf1",
2308   author =       "Shigeo Kaneda and Yoshiki Sakamoto and Tadashi Mihara
2309                  and Takao Tanaka",
2310   notes =        "first time ssmbe of 3c-sic on 6h-sic",
2311 }
2312
2313 @Article{fissel95,
2314   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
2315                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
2316                  molecular beam epitaxy",
2317   journal =      "J. Cryst. Growth",
2318   volume =       "154",
2319   number =       "1-2",
2320   pages =        "72--80",
2321   year =         "1995",
2322   ISSN =         "0022-0248",
2323   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
2324   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
2325   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
2326                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2327   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
2328 }
2329
2330 @Article{fissel95_apl,
2331   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
2332   collaboration = "",
2333   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
2334                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
2335   publisher =    "AIP",
2336   year =         "1995",
2337   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2338   volume =       "66",
2339   number =       "23",
2340   pages =        "3182--3184",
2341   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2342                  RHEED; NUCLEATION",
2343   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
2344   doi =          "10.1063/1.113716",
2345   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
2346 }
2347
2348 @Article{fissel96,
2349   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
2350                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
2351   collaboration = "",
2352   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
2353                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
2354                  level using surface superstructures",
2355   publisher =    "AIP",
2356   year =         "1996",
2357   journal =      "Applied Physics Letters",
2358   volume =       "68",
2359   number =       "9",
2360   pages =        "1204--1206",
2361   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
2362                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
2363                  SURFACE STRUCTURE",
2364   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
2365   doi =          "10.1063/1.115969",
2366   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
2367 }
2368
2369 @Article{righi03,
2370   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
2371   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
2372                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
2373   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2374   volume =       "91",
2375   number =       "13",
2376   pages =        "136101",
2377   numpages =     "4",
2378   year =         "2003",
2379   month =        sep,
2380   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
2381   publisher =    "American Physical Society",
2382   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
2383 }
2384
2385 @Article{borders71,
2386   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2387   collaboration = "",
2388   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2389                  {IMPLANTATION}",
2390   publisher =    "AIP",
2391   year =         "1971",
2392   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2393   volume =       "18",
2394   number =       "11",
2395   pages =        "509--511",
2396   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2397   doi =          "10.1063/1.1653516",
2398   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2399                  ideas",
2400 }
2401
2402 @Article{edelman76,
2403   author =       "F. L. Edelman and O. N. Kuznetsov and L. V. Lezheiko
2404                  and E. V. Lubopytova",
2405   title =        "Formation of Si{C} and Si[sub 3]{N}[sub 4] in silicon
2406                  by ion implantation",
2407   publisher =    "Taylor \& Francis",
2408   year =         "1976",
2409   journal =      "Radiation Effects",
2410   volume =       "29",
2411   number =       "1",
2412   pages =        "13--15",
2413   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337577608233477",
2414   notes =        "3c-sic for different temperatures, amorphous, poly,
2415                  single crystalline",
2416 }
2417
2418 @Article{akimchenko80,
2419   author =       "I. P. Akimchenko and K. V. Kisseleva and V. V.
2420                  Krasnopevtsev and A. G. Touryanski and V. S. Vavilov",
2421   title =        "Structure and optical properties of silicon implanted
2422                  by high doses of 70 and 310 ke{V} carbon ions",
2423   publisher =    "Taylor \& Francis",
2424   year =         "1980",
2425   journal =      "Radiation Effects",
2426   volume =       "48",
2427   number =       "1",
2428   pages =        "7",
2429   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578008209220",
2430   notes =        "3c-sic nucleation by thermal spikes",
2431 }
2432
2433 @Article{kimura81,
2434   title =        "Structure and annealing properties of silicon carbide
2435                  thin layers formed by implantation of carbon ions in
2436                  silicon",
2437   journal =      "Thin Solid Films",
2438   volume =       "81",
2439   number =       "4",
2440   pages =        "319--327",
2441   year =         "1981",
2442   note =         "",
2443   ISSN =         "0040-6090",
2444   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(81)90516-2",
2445   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46T3DRB-NS/2/831f8ddd769a5d64cd493b89a9b0cf80",
2446   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2447                  Yugo",
2448 }
2449
2450 @Article{kimura82,
2451   title =        "Characteristics of the synthesis of [beta]-Si{C} by
2452                  the implantation of carbon ions into silicon",
2453   journal =      "Thin Solid Films",
2454   volume =       "94",
2455   number =       "3",
2456   pages =        "191--198",
2457   year =         "1982",
2458   note =         "",
2459   ISSN =         "0040-6090",
2460   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(82)90295-4",
2461   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46PB24G-11C/2/6bc025812640087a987ae09c38faaecd",
2462   author =       "Tadamasa Kimura and Shigeru Kagiyama and Shigemi
2463                  Yugo",
2464 }
2465
2466 @Article{reeson86,
2467   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and R. F. Peart and
2468                  C. D. Meekison and C. Marsh and G. R. Booker and R. J.
2469                  Chater and J. A. Iulner and J. Davis",
2470   title =        "Formation mechanisms and structures of insulating
2471                  compounds formed in silicon by ion beam synthesis",
2472   publisher =    "Taylor \& Francis",
2473   year =         "1986",
2474   journal =      "Radiation Effects",
2475   volume =       "99",
2476   number =       "1",
2477   pages =        "71--81",
2478   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/00337578608209614",
2479   notes =        "ibs, comparison with sio and sin, higher temp or time,
2480                  no c redistribution",
2481 }
2482
2483 @Article{reeson87,
2484   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2485                  J. Davis and G. E. Celler",
2486   collaboration = "",
2487   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2488                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2489   publisher =    "AIP",
2490   year =         "1987",
2491   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2492   volume =       "51",
2493   number =       "26",
2494   pages =        "2242--2244",
2495   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2496                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2497   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2498   doi =          "10.1063/1.98953",
2499   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2500 }
2501
2502 @Article{martin90,
2503   author =       "P. Martin and B. Daudin and M. Dupuy and A. Ermolieff
2504                  and M. Olivier and A. M. Papon and G. Rolland",
2505   collaboration = "",
2506   title =        "High-temperature ion beam synthesis of cubic Si{C}",
2507   publisher =    "AIP",
2508   year =         "1990",
2509   journal =      "Journal of Applied Physics",
2510   volume =       "67",
2511   number =       "6",
2512   pages =        "2908--2912",
2513   keywords =     "SILICON CARBIDES; SYNTHESIS; CUBIC LATTICES; ION
2514                  IMPLANTATION; SILICON; SUBSTRATES; CARBON IONS;
2515                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; XRAY DIFFRACTION;
2516                  INFRARED SPECTRA; ABSORPTION SPECTROSCOPY; AUGER
2517                  ELECTRON SPECTROSCOPY; RBS; CHANNELING; NUCLEAR
2518                  REACTIONS; MONOCRYSTALS",
2519   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/67/2908/1",
2520   doi =          "10.1063/1.346092",
2521   notes =        "triple energy implantation to overcome high annealing
2522                  temepratures",
2523 }
2524
2525 @Article{scace59,
2526   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2527   collaboration = "",
2528   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2529   publisher =    "AIP",
2530   year =         "1959",
2531   journal =      "J. Chem. Phys.",
2532   volume =       "30",
2533   number =       "6",
2534   pages =        "1551--1555",
2535   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2536   doi =          "10.1063/1.1730236",
2537   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2538 }
2539
2540 @Article{hofker74,
2541   author =       "W. Hofker and H. Werner and D. Oosthoek and N.
2542                  Koeman",
2543   affiliation =  "N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken Philips Research
2544                  Laboratories Eindhoven Netherlands Eindhoven
2545                  Netherlands",
2546   title =        "Boron implantations in silicon: {A} comparison of
2547                  charge carrier and boron concentration profiles",
2548   journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
2549   publisher =    "Springer Berlin / Heidelberg",
2550   ISSN =         "0947-8396",
2551   keyword =      "Physics and Astronomy",
2552   pages =        "125--133",
2553   volume =       "4",
2554   issue =        "2",
2555   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF00884267",
2556   note =         "10.1007/BF00884267",
2557   year =         "1974",
2558   notes =        "first time ted (only for boron?)",
2559 }
2560
2561 @Article{michel87,
2562   author =       "A. E. Michel and W. Rausch and P. A. Ronsheim and R.
2563                  H. Kastl",
2564   collaboration = "",
2565   title =        "Rapid annealing and the anomalous diffusion of ion
2566                  implanted boron into silicon",
2567   publisher =    "AIP",
2568   year =         "1987",
2569   journal =      "Applied Physics Letters",
2570   volume =       "50",
2571   number =       "7",
2572   pages =        "416--418",
2573   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; ANNEALING; DIFFUSION;
2574                  BORON; ATOM TRANSPORT; CHARGEDPARTICLE TRANSPORT; VERY
2575                  HIGH TEMPERATURE; PN JUNCTIONS; SURFACE CONDUCTIVITY",
2576   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/416/1",
2577   doi =          "10.1063/1.98160",
2578   notes =        "ted of boron in si",
2579 }
2580
2581 @Article{cowern90,
2582   author =       "N. E. B. Cowern and K. T. F. Janssen and H. F. F.
2583                  Jos",
2584   collaboration = "",
2585   title =        "Transient diffusion of ion-implanted {B} in Si: Dose,
2586                  time, and matrix dependence of atomic and electrical
2587                  profiles",
2588   publisher =    "AIP",
2589   year =         "1990",
2590   journal =      "Journal of Applied Physics",
2591   volume =       "68",
2592   number =       "12",
2593   pages =        "6191--6198",
2594   keywords =     "BORON IONS; ION IMPLANTATION; SILICON; DIFFUSION; TIME
2595                  DEPENDENCE; ANNEALING; VERY HIGH TEMPERATURE; SIMS;
2596                  CRYSTALS; AMORPHIZATION",
2597   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/68/6191/1",
2598   doi =          "10.1063/1.346910",
2599   notes =        "ted of boron in si",
2600 }
2601
2602 @Article{cowern96,
2603   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2604                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2605   collaboration = "",
2606   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2607                  {B} in silicon",
2608   publisher =    "AIP",
2609   year =         "1996",
2610   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2611   volume =       "68",
2612   number =       "8",
2613   pages =        "1150--1152",
2614   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2615                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2616                  SILICON",
2617   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2618   doi =          "10.1063/1.115706",
2619   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2620 }
2621
2622 @Article{stolk95,
2623   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2624                  of the silicon self-interstitial",
2625   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2626   volume =       "96",
2627   number =       "1-2",
2628   pages =        "187--195",
2629   year =         "1995",
2630   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2631                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2632   ISSN =         "0168-583X",
2633   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2634   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2635   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2636                  and J. M. Poate",
2637 }
2638
2639 @Article{stolk97,
2640   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2641                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2642                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2643                  E. Haynes",
2644   collaboration = "",
2645   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2646                  diffusion in ion-implanted silicon",
2647   publisher =    "AIP",
2648   year =         "1997",
2649   journal =      "J. Appl. Phys.",
2650   volume =       "81",
2651   number =       "9",
2652   pages =        "6031--6050",
2653   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2654   doi =          "10.1063/1.364452",
2655   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2656 }
2657
2658 @Article{powell94,
2659   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2660   collaboration = "",
2661   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2662                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2663   publisher =    "AIP",
2664   year =         "1994",
2665   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2666   volume =       "64",
2667   number =       "3",
2668   pages =        "324--326",
2669   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2670                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2671                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2672                  SYNTHESIS",
2673   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2674   doi =          "10.1063/1.111195",
2675   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2676 }
2677
2678 @Article{soref91,
2679   author =       "Richard A. Soref",
2680   collaboration = "",
2681   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2682                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2683   publisher =    "AIP",
2684   year =         "1991",
2685   journal =      "J. Appl. Phys.",
2686   volume =       "70",
2687   number =       "4",
2688   pages =        "2470--2472",
2689   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2690                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2691                  TERNARY ALLOYS",
2692   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2693   doi =          "10.1063/1.349403",
2694   notes =        "band gap of strained si by c",
2695 }
2696
2697 @Article{kasper91,
2698   author =       "E Kasper",
2699   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2700                  possibility to produce direct band gap material",
2701   journal =      "Physica Scripta",
2702   volume =       "T35",
2703   pages =        "232--236",
2704   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2705   year =         "1991",
2706   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2707                  quasi-direct one",
2708 }
2709
2710 @Article{eberl92,
2711   author =       "K. Eberl and S. S. Iyer and S. Zollner and J. C. Tsang
2712                  and F. K. LeGoues",
2713   collaboration = "",
2714   title =        "Growth and strain compensation effects in the ternary
2715                  Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloy system",
2716   publisher =    "AIP",
2717   year =         "1992",
2718   journal =      "Applied Physics Letters",
2719   volume =       "60",
2720   number =       "24",
2721   pages =        "3033--3035",
2722   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; CARBON ALLOYS;
2723                  TERNARY ALLOYS; SEMICONDUCTOR ALLOYS; MOLECULAR BEAM
2724                  EPITAXY; INTERNAL STRAINS; TEMPERATURE EFFECTS; CRYSTAL
2725                  STRUCTURE; LATTICE PARAMETERS; XRAY DIFFRACTION; PHASE
2726                  STUDIES",
2727   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/3033/1",
2728   doi =          "10.1063/1.106774",
2729 }
2730
2731 @Article{powell93,
2732   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and F. E. LeGoues and B. A.
2733                  Ek and S. S. Iyer",
2734   collaboration = "",
2735   title =        "Stability of strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random
2736                  alloy layers",
2737   publisher =    "AVS",
2738   year =         "1993",
2739   journal =      "J. Vac. Sci. Technol. B",
2740   volume =       "11",
2741   number =       "3",
2742   pages =        "1064--1068",
2743   location =     "Ottawa (Canada)",
2744   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; STRAINS; THICKNESS;
2745                  METASTABLE PHASES; TWINNING; DISLOCATIONS; MOLECULAR
2746                  BEAM EPITAXY; EPITAXIAL LAYERS; CRITICAL PHENOMENA;
2747                  TEMPERATURE RANGE 400--1000 K; BINARY ALLOYS",
2748   URL =          "http://link.aip.org/link/?JVB/11/1064/1",
2749   doi =          "10.1116/1.587008",
2750   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2751 }
2752
2753 @Article{powell93_2,
2754   title =        "Si[sub 1-x-y]Ge[sub x]{C}[sub y] growth and properties
2755                  of the ternary system",
2756   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2757   volume =       "127",
2758   number =       "1-4",
2759   pages =        "425--429",
2760   year =         "1993",
2761   note =         "",
2762   ISSN =         "0022-0248",
2763   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90653-E",
2764   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46J3RF2-8H/2/27fc231f28e4dc0a3b4770e5cf03257e",
2765   author =       "A. R. Powell and K. Eberl and B. A. Ek and S. S.
2766                  Iyer",
2767 }
2768
2769 @Article{osten94,
2770   author =       "H. J. Osten",
2771   title =        "Modification of Growth Modes in Lattice-Mismatched
2772                  Epitaxial Systems: Si/Ge",
2773   journal =      "physica status solidi (a)",
2774   volume =       "145",
2775   number =       "2",
2776   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2777   ISSN =         "1521-396X",
2778   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/pssa.2211450203",
2779   doi =          "10.1002/pssa.2211450203",
2780   pages =        "235--245",
2781   year =         "1994",
2782 }
2783
2784 @Article{dietrich94,
2785   title =        "Lattice distortion in a strain-compensated
2786                  $Si_{1-x-y}$$Ge_{x}$${C}_{y}$ layer on silicon",
2787   author =       "B. Dietrich and H. J. Osten and H. R{\"u}cker and M.
2788                  Methfessel and P. Zaumseil",
2789   journal =      "Phys. Rev. B",
2790   volume =       "49",
2791   number =       "24",
2792   pages =        "17185--17190",
2793   numpages =     "5",
2794   year =         "1994",
2795   month =        jun,
2796   doi =          "10.1103/PhysRevB.49.17185",
2797   publisher =    "American Physical Society",
2798 }
2799
2800 @Article{osten94_2,
2801   author =       "H. J. Osten and E. Bugiel and P. Zaumseil",
2802   collaboration = "",
2803   title =        "Growth of an inverse tetragonal distorted SiGe layer
2804                  on Si(001) by adding small amounts of carbon",
2805   publisher =    "AIP",
2806   year =         "1994",
2807   journal =      "Applied Physics Letters",
2808   volume =       "64",
2809   number =       "25",
2810   pages =        "3440--3442",
2811   keywords =     "SILICON ALLOYS; GERMANIUM ALLOYS; FILM GROWTH; CARBON
2812                  ALLOYS; TERNARY ALLOYS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TEM;
2813                  XRD; LATTICE PARAMETERS; EPITAXIAL LAYERS; TETRAGONAL
2814                  LATTICES",
2815   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/3440/1",
2816   doi =          "10.1063/1.111235",
2817   notes =        "inversely strained / distorted heterostructure",
2818 }
2819
2820 @Article{iyer92,
2821   author =       "S. S. Iyer and K. Eberl and M. S. Goorsky and F. K.
2822                  LeGoues and J. C. Tsang and F. Cardone",
2823   collaboration = "",
2824   title =        "Synthesis of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys by
2825                  molecular beam epitaxy",
2826   publisher =    "AIP",
2827   year =         "1992",
2828   journal =      "Applied Physics Letters",
2829   volume =       "60",
2830   number =       "3",
2831   pages =        "356--358",
2832   keywords =     "SILICON ALLOYS; CARBON ALLOYS; BINARY ALLOYS;
2833                  SEMICONDUCTOR ALLOYS; SUPERLATTICES; MOLECULAR BEAM
2834                  EPITAXY; CHEMICAL COMPOSITION; TEMPERATURE EFFECTS;
2835                  FILM GROWTH; MICROSTRUCTURE",
2836   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/356/1",
2837   doi =          "10.1063/1.106655",
2838 }
2839
2840 @Article{osten99,
2841   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2842   collaboration = "",
2843   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2844                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2845                  molecular beam epitaxy",
2846   publisher =    "AIP",
2847   year =         "1999",
2848   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2849   volume =       "74",
2850   number =       "6",
2851   pages =        "836--838",
2852   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2853                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2854                  compounds",
2855   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2856   doi =          "10.1063/1.123384",
2857   notes =        "substitutional c in si by mbe",
2858 }
2859
2860 @Article{born27,
2861   author =       "M. Born and R. Oppenheimer",
2862   title =        "Zur Quantentheorie der Molekeln",
2863   journal =      "Annalen der Physik",
2864   volume =       "389",
2865   number =       "20",
2866   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2867   ISSN =         "1521-3889",
2868   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/andp.19273892002",
2869   doi =          "10.1002/andp.19273892002",
2870   pages =        "457--484",
2871   year =         "1927",
2872 }
2873
2874 @Article{hohenberg64,
2875   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2876   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2877   journal =      "Phys. Rev.",
2878   volume =       "136",
2879   number =       "3B",
2880   pages =        "B864--B871",
2881   numpages =     "7",
2882   year =         "1964",
2883   month =        nov,
2884   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2885   publisher =    "American Physical Society",
2886   notes =        "density functional theory, dft",
2887 }
2888
2889 @Article{thomas27,
2890   title =        "The calculation of atomic fields",
2891   author =       "L. H. Thomas",
2892   journal =      "Mathematical Proceedings of the Cambridge
2893                  Philosophical Society",
2894   volume =       "23",
2895   pages =        "542--548",
2896   year =         "1927",
2897   doi =          "10.1017/S0305004100011683",
2898 }
2899
2900 @Article{fermi27,
2901   title =        "",
2902   author =       "E. Fermi",
2903   journal =      "Atti Accad. Naz. Lincei, Cl. Sci. Fis. Mat. Nat.
2904                  Rend.",
2905   volume =       "6",
2906   pages =        "602",
2907   year =         "1927",
2908 }
2909
2910 @Article{hartree28,
2911   title =        "The Wave Mechanics of an Atom with a Non-Coulomb
2912                  Central Field. Part {I}. Theory and Methods",
2913   author =       "D. R. Hartree",
2914   journal =      "Mathematical Proceedings of the Cambridge
2915                  Philosophical Society",
2916   volume =       "24",
2917   pages =        "89--110",
2918   year =         "1928",
2919   doi =          "10.1017/S0305004100011919",
2920 }
2921
2922 @Article{slater29,
2923   title = {The Theory of Complex Spectra},
2924   author = {Slater, J. C.},
2925   journal = {Phys. Rev.},
2926   volume = {34},
2927   number = {10},
2928   pages = {1293--1322},
2929   numpages = {29},
2930   year = {1929},
2931   month = {Nov},
2932   doi = {10.1103/PhysRev.34.1293},
2933   publisher = {American Physical Society}
2934 }
2935
2936 @Article{kohn65,
2937   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2938                  Correlation Effects",
2939   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2940   journal =      "Phys. Rev.",
2941   volume =       "140",
2942   number =       "4A",
2943   pages =        "A1133--A1138",
2944   numpages =     "5",
2945   year =         "1965",
2946   month =        nov,
2947   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2948   publisher =    "American Physical Society",
2949   notes =        "dft, exchange and correlation",
2950 }
2951
2952 @Article{kohn99,
2953   title =        "Nobel Lecture: Electronic structure of matter---wave
2954                  functions and density functionals",
2955   author =       "W. Kohn",
2956   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
2957   volume =       "71",
2958   number =       "5",
2959   pages =        "1253--1266",
2960   numpages =     "13",
2961   year =         "1999",
2962   month =        oct,
2963   doi =          "10.1103/RevModPhys.71.1253",
2964   publisher =    "American Physical Society",
2965 }
2966
2967 @Article{levy82,
2968   title =        "Electron densities in search of Hamiltonians",
2969   author =       "Mel Levy",
2970   journal =      "Phys. Rev. A",
2971   volume =       "26",
2972   number =       "3",
2973   pages =        "1200--1208",
2974   numpages =     "8",
2975   year =         "1982",
2976   month =        sep,
2977   doi =          "10.1103/PhysRevA.26.1200",
2978   publisher =    "American Physical Society",
2979 }
2980
2981 @Article{ruecker94,
2982   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
2983                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
2984   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
2985                  J. Osten",
2986   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2987   volume =       "72",
2988   number =       "22",
2989   pages =        "3578--3581",
2990   numpages =     "3",
2991   year =         "1994",
2992   month =        may,
2993   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
2994   publisher =    "American Physical Society",
2995   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
2996                  si, dft",
2997 }
2998
2999 @Article{yagi02,
3000   title =        "Phosphorous Doping of Strain-Induced
3001                  Si$_{1-y}${C}$_{y}$ Epitaxial Films Grown\\
3002                  by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition",
3003   author =       "Shuhei Yagi and Katsuya Abe and Takashi Okabayashi and
3004                  Yuichi Yoneyama and Akira Yamada and Makoto Konagai",
3005   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
3006   volume =       "41",
3007   number =       "Part 1, No. 4B",
3008   pages =        "2472--2475",
3009   numpages =     "3",
3010   year =         "2002",
3011   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/41/2472/",
3012   doi =          "10.1143/JJAP.41.2472",
3013   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3014   notes =        "experimental charge carrier mobility in strained si",
3015 }
3016
3017 @Article{chang05,
3018   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
3019                  Alloy",
3020   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
3021   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3022   volume =       "44",
3023   number =       "4B",
3024   pages =        "2257--2262",
3025   numpages =     "5",
3026   year =         "2005",
3027   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
3028   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
3029   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3030   notes =        "enhance of electron mobility in strained si",
3031 }
3032
3033 @Article{kissinger94,
3034   author =       "W. Kissinger and M. Weidner and H. J. Osten and M.
3035                  Eichler",
3036   collaboration = "",
3037   title =        "Optical transitions in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub
3038                  y] layers on Si(001)",
3039   publisher =    "AIP",
3040   year =         "1994",
3041   journal =      "Applied Physics Letters",
3042   volume =       "65",
3043   number =       "26",
3044   pages =        "3356--3358",
3045   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERNAL STRAINS; EPITAXIAL LAYERS;
3046                  CHEMICAL COMPOSITION; ELLIPSOMETRY; REFLECTION
3047                  SPECTROSCOPY; ELECTROOPTICAL EFFECTS; BAND STRUCTURE;
3048                  ENERGY LEVELS; ENERGYLEVEL TRANSITIONS",
3049   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/3356/1",
3050   doi =          "10.1063/1.112390",
3051   notes =        "strained si influence on optical properties",
3052 }
3053
3054 @Article{osten96,
3055   author =       "H. J. Osten and Myeongcheol Kim and K. Pressel and P.
3056                  Zaumseil",
3057   collaboration = "",
3058   title =        "Substitutional versus interstitial carbon
3059                  incorporation during pseudomorphic growth of Si[sub 1 -
3060                  y]{C}[sub y] on Si(001)",
3061   publisher =    "AIP",
3062   year =         "1996",
3063   journal =      "Journal of Applied Physics",
3064   volume =       "80",
3065   number =       "12",
3066   pages =        "6711--6715",
3067   keywords =     "SILICON CARBIDES; CRYSTAL DEFECTS; FILM GROWTH;
3068                  MOLECULAR BEAM EPITAXY; INTERSTITIALS; SUBSTITUTION;
3069                  XRD; STRAINS",
3070   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/80/6711/1",
3071   doi =          "10.1063/1.363797",
3072   notes =        "mbe substitutional vs interstitial c incorporation",
3073 }
3074
3075 @Article{osten97,
3076   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
3077   collaboration = "",
3078   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3079                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
3080                  Si(001)",
3081   publisher =    "AIP",
3082   year =         "1997",
3083   journal =      "J. Appl. Phys.",
3084   volume =       "82",
3085   number =       "10",
3086   pages =        "4977--4981",
3087   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
3088                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
3089                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
3090   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
3091   doi =          "10.1063/1.366364",
3092   notes =        "charge transport in strained si",
3093 }
3094
3095 @Article{kapur04,
3096   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
3097                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
3098   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
3099   journal =      "Phys. Rev. B",
3100   volume =       "69",
3101   number =       "15",
3102   pages =        "155214",
3103   numpages =     "8",
3104   year =         "2004",
3105   month =        apr,
3106   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
3107   publisher =    "American Physical Society",
3108   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
3109 }
3110
3111 @Article{barkema96,
3112   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
3113                  Systems",
3114   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
3115   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3116   volume =       "77",
3117   number =       "21",
3118   pages =        "4358--4361",
3119   numpages =     "3",
3120   year =         "1996",
3121   month =        nov,
3122   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
3123   publisher =    "American Physical Society",
3124   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
3125                  dynamic mds",
3126 }
3127
3128 @Article{cances09,
3129   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
3130                  Minoukadeh and F. Willaime",
3131   collaboration = "",
3132   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
3133                  technique method for finding transition pathways on
3134                  potential energy surfaces",
3135   publisher =    "AIP",
3136   year =         "2009",
3137   journal =      "J. Chem. Phys.",
3138   volume =       "130",
3139   number =       "11",
3140   eid =          "114711",
3141   numpages =     "6",
3142   pages =        "114711",
3143   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
3144                  surfaces; vacancies (crystal)",
3145   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
3146   doi =          "10.1063/1.3088532",
3147   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
3148                  transition pathways",
3149 }
3150
3151 @Article{parrinello81,
3152   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
3153   collaboration = "",
3154   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
3155                  molecular dynamics method",
3156   publisher =    "AIP",
3157   year =         "1981",
3158   journal =      "J. Appl. Phys.",
3159   volume =       "52",
3160   number =       "12",
3161   pages =        "7182--7190",
3162   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
3163                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
3164                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
3165                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
3166                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
3167                  IMPACT SHOCK",
3168   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
3169   doi =          "10.1063/1.328693",
3170 }
3171
3172 @Article{stillinger85,
3173   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
3174                  of silicon",
3175   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
3176   journal =      "Phys. Rev. B",
3177   volume =       "31",
3178   number =       "8",
3179   pages =        "5262--5271",
3180   numpages =     "9",
3181   year =         "1985",
3182   month =        apr,
3183   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
3184   publisher =    "American Physical Society",
3185 }
3186
3187 @Article{brenner90,
3188   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
3189                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
3190                  films",
3191   author =       "Donald W. Brenner",
3192   journal =      "Phys. Rev. B",
3193   volume =       "42",
3194   number =       "15",
3195   pages =        "9458--9471",
3196   numpages =     "13",
3197   year =         "1990",
3198   month =        nov,
3199   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
3200   publisher =    "American Physical Society",
3201   notes =        "brenner hydro carbons",
3202 }
3203
3204 @Article{bazant96,
3205   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
3206                  Cohesive Energy Curves",
3207   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
3208   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3209   volume =       "77",
3210   number =       "21",
3211   pages =        "4370--4373",
3212   numpages =     "3",
3213   year =         "1996",
3214   month =        nov,
3215   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
3216   publisher =    "American Physical Society",
3217   notes =        "first si edip",
3218 }
3219
3220 @Article{bazant97,
3221   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
3222                  silicon",
3223   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
3224                  Justo",
3225   journal =      "Phys. Rev. B",
3226   volume =       "56",
3227   number =       "14",
3228   pages =        "8542--8552",
3229   numpages =     "10",
3230   year =         "1997",
3231   month =        oct,
3232   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
3233   publisher =    "American Physical Society",
3234   notes =        "second si edip",
3235 }
3236
3237 @Article{justo98,
3238   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
3239                  disordered phases",
3240   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
3241                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
3242   journal =      "Phys. Rev. B",
3243   volume =       "58",
3244   number =       "5",
3245   pages =        "2539--2550",
3246   numpages =     "11",
3247   year =         "1998",
3248   month =        aug,
3249   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
3250   publisher =    "American Physical Society",
3251   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
3252 }
3253
3254 @Article{parcas_md,
3255   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
3256   author =       "K. Nordlund",
3257   year =         "2008",
3258 }
3259
3260 @Article{voter97,
3261   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
3262                  Infrequent Events",
3263   author =       "Arthur F. Voter",
3264   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3265   volume =       "78",
3266   number =       "20",
3267   pages =        "3908--3911",
3268   numpages =     "3",
3269   year =         "1997",
3270   month =        may,
3271   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
3272   publisher =    "American Physical Society",
3273   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
3274 }
3275
3276 @Article{voter97_2,
3277   author =       "Arthur F. Voter",
3278   collaboration = "",
3279   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
3280                  simulation of infrequent events",
3281   publisher =    "AIP",
3282   year =         "1997",
3283   journal =      "J. Chem. Phys.",
3284   volume =       "106",
3285   number =       "11",
3286   pages =        "4665--4677",
3287   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
3288                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
3289                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
3290                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
3291                  theory; potential energy surfaces",
3292   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
3293   doi =          "10.1063/1.473503",
3294   notes =        "improved hyperdynamics md",
3295 }
3296
3297 @Article{sorensen2000,
3298   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
3299   collaboration = "",
3300   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
3301                  infrequent events",
3302   publisher =    "AIP",
3303   year =         "2000",
3304   journal =      "J. Chem. Phys.",
3305   volume =       "112",
3306   number =       "21",
3307   pages =        "9599--9606",
3308   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
3309                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
3310   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
3311   doi =          "10.1063/1.481576",
3312   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
3313 }
3314
3315 @Article{voter98,
3316   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
3317                  events",
3318   author =       "Arthur F. Voter",
3319   journal =      "Phys. Rev. B",
3320   volume =       "57",
3321   number =       "22",
3322   pages =        "R13985--R13988",
3323   numpages =     "3",
3324   year =         "1998",
3325   month =        jun,
3326   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
3327   publisher =    "American Physical Society",
3328   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
3329 }
3330
3331 @Article{wu99,
3332   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
3333   collaboration = "",
3334   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
3335                  simulation",
3336   publisher =    "AIP",
3337   year =         "1999",
3338   journal =      "J. Chem. Phys.",
3339   volume =       "110",
3340   number =       "19",
3341   pages =        "9401--9410",
3342   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
3343                  potential; crystallisation; liquid theory",
3344   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
3345   doi =          "10.1063/1.478948",
3346   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
3347                  systematic motion",
3348 }
3349
3350 @Article{choudhary05,
3351   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
3352   collaboration = "",
3353   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
3354                  to the production of amorphous silicon",
3355   publisher =    "AIP",
3356   year =         "2005",
3357   journal =      "J. Chem. Phys.",
3358   volume =       "122",
3359   number =       "15",
3360   eid =          "154509",
3361   numpages =     "8",
3362   pages =        "154509",
3363   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
3364                  amorphous semiconductors",
3365   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
3366   doi =          "10.1063/1.1878733",
3367   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
3368                  silicon",
3369 }
3370
3371 @Article{taylor93,
3372   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
3373   collaboration = "",
3374   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
3375                  difficult?",
3376   publisher =    "AIP",
3377   year =         "1993",
3378   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3379   volume =       "62",
3380   number =       "25",
3381   pages =        "3336--3338",
3382   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
3383                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
3384                  ENERGY",
3385   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
3386   doi =          "10.1063/1.109063",
3387   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si, si self
3388                  interstitials necessary for precipitation, volume
3389                  decrease, high interface energy",
3390 }
3391
3392 @Article{chaussende08,
3393   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
3394   journal =      "J. Cryst. Growth",
3395   volume =       "310",
3396   number =       "5",
3397   pages =        "976--981",
3398   year =         "2008",
3399   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
3400                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
3401   ISSN =         "0022-0248",
3402   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
3403   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
3404   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
3405                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
3406                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
3407                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
3408   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
3409                  metastable",
3410 }
3411
3412 @Article{chaussende07,
3413   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
3414   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
3415   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
3416   volume =       "40",
3417   number =       "20",
3418   pages =        "6150",
3419   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
3420   year =         "2007",
3421   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
3422                  modelling",
3423 }
3424
3425 @Article{feynman39,
3426   title =        "Forces in Molecules",
3427   author =       "R. P. Feynman",
3428   journal =      "Phys. Rev.",
3429   volume =       "56",
3430   number =       "4",
3431   pages =        "340--343",
3432   numpages =     "3",
3433   year =         "1939",
3434   month =        aug,
3435   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
3436   publisher =    "American Physical Society",
3437   notes =        "hellmann feynman forces",
3438 }
3439
3440 @Article{buczko00,
3441   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
3442                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
3443                  their Contrasting Properties",
3444   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
3445                  T. Pantelides",
3446   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3447   volume =       "84",
3448   number =       "5",
3449   pages =        "943--946",
3450   numpages =     "3",
3451   year =         "2000",
3452   month =        jan,
3453   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
3454   publisher =    "American Physical Society",
3455   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
3456 }
3457
3458 @Article{djurabekova08,
3459   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
3460                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
3461   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
3462   journal =      "Phys. Rev. B",
3463   volume =       "77",
3464   number =       "11",
3465   pages =        "115325",
3466   numpages =     "7",
3467   year =         "2008",
3468   month =        mar,
3469   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
3470   publisher =    "American Physical Society",
3471   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
3472                  angular distribution, coordination",
3473 }
3474
3475 @Article{wen09,
3476   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
3477                  W. Liang and J. Zou",
3478   collaboration = "",
3479   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
3480                  strain relaxation at highly lattice mismatched
3481                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
3482   publisher =    "AIP",
3483   year =         "2009",
3484   journal =      "J. Appl. Phys.",
3485   volume =       "106",
3486   number =       "7",
3487   eid =          "073522",
3488   numpages =     "8",
3489   pages =        "073522",
3490   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
3491                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
3492                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
3493                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
3494   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
3495   doi =          "10.1063/1.3234380",
3496   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
3497                  deconvolution, dislocation defects",
3498 }
3499
3500 @Article{kitabatake93,
3501   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
3502                  Hirao",
3503   collaboration = "",
3504   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
3505                  growth on Si(001) surface",
3506   publisher =    "AIP",
3507   year =         "1993",
3508   journal =      "J. Appl. Phys.",
3509   volume =       "74",
3510   number =       "7",
3511   pages =        "4438--4445",
3512   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
3513                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
3514                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
3515   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
3516   doi =          "10.1063/1.354385",
3517   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
3518                  model, interface",
3519 }
3520
3521 @Article{kitabatake97,
3522   author =       "Makoto Kitabatake",
3523   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
3524                  Heteroepitaxial Growth",
3525   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3526   year =         "1997",
3527   journal =      "physica status solidi (b)",
3528   volume =       "202",
3529   pages =        "405--420",
3530   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3531   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
3532   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
3533 }
3534
3535 @Article{chirita97,
3536   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
3537                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
3538                  dynamics study",
3539   journal =      "Thin Solid Films",
3540   volume =       "294",
3541   number =       "1-2",
3542   pages =        "47--49",
3543   year =         "1997",
3544   note =         "",
3545   ISSN =         "0040-6090",
3546   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
3547   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
3548   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
3549   keywords =     "Strain relaxation",
3550   keywords =     "Interfaces",
3551   keywords =     "Thermal stability",
3552   keywords =     "Molecular dynamics",
3553   notes =        "tersoff sic/si interface study",
3554 }
3555
3556 @Article{cicero02,
3557   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
3558                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
3559   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
3560                  Catellani",
3561   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3562   volume =       "89",
3563   number =       "15",
3564   pages =        "156101",
3565   numpages =     "4",
3566   year =         "2002",
3567   month =        sep,
3568   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
3569   publisher =    "American Physical Society",
3570   notes =        "sic/si interface study",
3571 }
3572
3573 @Article{pizzagalli03,
3574   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
3575                  interface: Si{C}/Si(001)",
3576   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
3577                  Catellani",
3578   journal =      "Phys. Rev. B",
3579   volume =       "68",
3580   number =       "19",
3581   pages =        "195302",
3582   numpages =     "10",
3583   year =         "2003",
3584   month =        nov,
3585   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
3586   publisher =    "American Physical Society",
3587   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
3588 }
3589
3590 @Article{tang07,
3591   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
3592                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
3593                  electron microscopy",
3594   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
3595                  H. Zheng and J. W. Liang",
3596   journal =      "Phys. Rev. B",
3597   volume =       "75",
3598   number =       "18",
3599   pages =        "184103",
3600   numpages =     "7",
3601   year =         "2007",
3602   month =        may,
3603   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
3604   publisher =    "American Physical Society",
3605   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
3606                  si and c",
3607 }
3608
3609 @Article{hornstra58,
3610   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
3611   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
3612   volume =       "5",
3613   number =       "1-2",
3614   pages =        "129--141",
3615   year =         "1958",
3616   note =         "",
3617   ISSN =         "0022-3697",
3618   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
3619   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
3620   author =       "J. Hornstra",
3621   notes =        "dislocations in diamond lattice",
3622 }
3623
3624 @Article{deguchi92,
3625   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
3626                  Ion `Hot' Implantation",
3627   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
3628                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
3629   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3630   volume =       "31",
3631   number =       "Part 1, No. 2A",
3632   pages =        "343--347",
3633   numpages =     "4",
3634   year =         "1992",
3635   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
3636   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
3637   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3638   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
3639                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
3640 }
3641
3642 @Article{eichhorn99,
3643   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
3644                  K{\"{o}}gler",
3645   collaboration = "",
3646   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
3647                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
3648                  synchrotron x-ray diffraction",
3649   publisher =    "AIP",
3650   year =         "1999",
3651   journal =      "J. Appl. Phys.",
3652   volume =       "86",
3653   number =       "8",
3654   pages =        "4184--4187",
3655   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
3656                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
3657                  precipitation; semiconductor doping",
3658   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
3659   doi =          "10.1063/1.371344",
3660   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
3661                  expansion of si lattice",
3662 }
3663
3664 @Article{eichhorn02,
3665   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
3666                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
3667   collaboration = "",
3668   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
3669                  carbon ion implantation",
3670   publisher =    "AIP",
3671   year =         "2002",
3672   journal =      "J. Appl. Phys.",
3673   volume =       "91",
3674   number =       "3",
3675   pages =        "1287--1292",
3676   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
3677                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
3678                  electron microscopy",
3679   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
3680   doi =          "10.1063/1.1428105",
3681   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
3682                  temperature, might explain c into c sub trafo",
3683 }
3684
3685 @Article{lucas10,
3686   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
3687   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
3688                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
3689                  high-pressure phases, point and extended defects, and
3690                  amorphous structures",
3691   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3692   volume =       "22",
3693   number =       "3",
3694   pages =        "035802",
3695   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
3696   year =         "2010",
3697   notes =        "edip sic",
3698 }
3699
3700 @Article{godet03,
3701   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
3702                  Beauchamp",
3703   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
3704                  methods for silicon under large shear",
3705   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3706   volume =       "15",
3707   number =       "41",
3708   pages =        "6943",
3709   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
3710   year =         "2003",
3711   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
3712                  edip, tersoff, ab initio",
3713 }
3714
3715 @Article{moriguchi98,
3716   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
3717                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
3718   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
3719   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
3720   volume =       "37",
3721   number =       "Part 1, No. 2",
3722   pages =        "414--422",
3723   numpages =     "8",
3724   year =         "1998",
3725   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
3726   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
3727   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
3728   notes =        "tersoff stringent test",
3729 }
3730
3731 @Article{mazzarolo01,
3732   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
3733                  simulations",
3734   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
3735                  Lulli and Eros Albertazzi",
3736   journal =      "Phys. Rev. B",
3737   volume =       "63",
3738   number =       "19",
3739   pages =        "195207",
3740   numpages =     "4",
3741   year =         "2001",
3742   month =        apr,
3743   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
3744   publisher =    "American Physical Society",
3745 }
3746
3747 @Article{holmstroem08,
3748   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
3749                  density functional theory molecular dynamics
3750                  simulations",
3751   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
3752   journal =      "Phys. Rev. B",
3753   volume =       "78",
3754   number =       "4",
3755   pages =        "045202",
3756   numpages =     "6",
3757   year =         "2008",
3758   month =        jul,
3759   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
3760   publisher =    "American Physical Society",
3761   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
3762                  initio",
3763 }
3764
3765 @Article{nordlund97,
3766   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
3767                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
3768   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3769   volume =       "132",
3770   number =       "1",
3771   pages =        "45--54",
3772   year =         "1997",
3773   note =         "",
3774   ISSN =         "0168-583X",
3775   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
3776   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
3777   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
3778   notes =        "repulsive ab initio potential",
3779 }
3780
3781 @Article{kresse96,
3782   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
3783                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
3784                  set",
3785   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3786   volume =       "6",
3787   number =       "1",
3788   pages =        "15--50",
3789   year =         "1996",
3790   note =         "",
3791   ISSN =         "0927-0256",
3792   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
3793   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
3794   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
3795   notes =        "vasp ref",
3796 }
3797
3798 @Article{bloechl94,
3799   title =        "Projector augmented-wave method",
3800   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
3801   journal =      "Phys. Rev. B",
3802   volume =       "50",
3803   number =       "24",
3804   pages =        "17953--17979",
3805   numpages =     "26",
3806   year =         "1994",
3807   month =        dec,
3808   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
3809   publisher =    "American Physical Society",
3810   notes =        "paw method",
3811 }
3812
3813 @Article{hamann79,
3814   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
3815   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
3816   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
3817   volume =       "43",
3818   number =       "20",
3819   pages =        "1494--1497",
3820   numpages =     "3",
3821   year =         "1979",
3822   month =        nov,
3823   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
3824   publisher =    "American Physical Society",
3825   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
3826 }
3827
3828 @Article{vanderbilt90,
3829   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
3830                  eigenvalue formalism",
3831   author =       "David Vanderbilt",
3832   journal =      "Phys. Rev. B",
3833   volume =       "41",
3834   number =       "11",
3835   pages =        "7892--7895",
3836   numpages =     "3",
3837   year =         "1990",
3838   month =        apr,
3839   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
3840   publisher =    "American Physical Society",
3841   notes =        "vasp pseudopotentials",
3842 }
3843
3844 @Article{perdew86,
3845   title =        "Accurate and simple density functional for the
3846                  electronic exchange energy: Generalized gradient
3847                  approximation",
3848   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
3849   journal =      "Phys. Rev. B",
3850   volume =       "33",
3851   number =       "12",
3852   pages =        "8800--8802",
3853   numpages =     "2",
3854   year =         "1986",
3855   month =        jun,
3856   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
3857   publisher =    "American Physical Society",
3858   notes =        "rapid communication gga",
3859 }
3860
3861 @Article{perdew02,
3862   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
3863                  correlation: {A} look backward and forward",
3864   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
3865   volume =       "172",
3866   number =       "1-2",
3867   pages =        "1--6",
3868   year =         "1991",
3869   note =         "",
3870   ISSN =         "0921-4526",
3871   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
3872   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
3873   author =       "John P. Perdew",
3874   notes =        "gga overview",
3875 }
3876
3877 @Article{perdew92,
3878   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
3879                  of the generalized gradient approximation for exchange
3880                  and correlation",
3881   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
3882                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
3883                  and Carlos Fiolhais",
3884   journal =      "Phys. Rev. B",
3885   volume =       "46",
3886   number =       "11",
3887   pages =        "6671--6687",
3888   numpages =     "16",
3889   year =         "1992",
3890   month =        sep,
3891   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
3892   publisher =    "American Physical Society",
3893   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
3894 }
3895
3896 @Article{baldereschi73,
3897   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
3898   author =       "A. Baldereschi",
3899   journal =      "Phys. Rev. B",
3900   volume =       "7",
3901   number =       "12",
3902   pages =        "5212--5215",
3903   numpages =     "3",
3904   year =         "1973",
3905   month =        jun,
3906   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
3907   publisher =    "American Physical Society",
3908   notes =        "mean value k point",
3909 }
3910
3911 @Article{zhu98,
3912   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
3913                  diffusion in Si",
3914   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3915   volume =       "12",
3916   number =       "4",
3917   pages =        "309--318",
3918   year =         "1998",
3919   note =         "",
3920   ISSN =         "0927-0256",
3921   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
3922   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
3923   author =       "Jing Zhu",
3924   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
3925   keywords =     "Boron dopant",
3926   keywords =     "Carbon dopant",
3927   keywords =     "Defect",
3928   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
3929   keywords =     "Impurity cluster",
3930   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
3931 }
3932
3933 @Article{nejim95,
3934   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
3935   collaboration = "",
3936   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
3937                  950 [degree]{C}",
3938   publisher =    "AIP",
3939   year =         "1995",
3940   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3941   volume =       "66",
3942   number =       "20",
3943   pages =        "2646--2648",
3944   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
3945                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
3946                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
3947                  ELECTRON MICROSCOPY",
3948   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
3949   doi =          "10.1063/1.113112",
3950   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
3951                  self interstitials react with further implanted c",
3952 }
3953
3954 @Article{guedj98,
3955   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
3956                  Kolodzey and A. Hairie",
3957   collaboration = "",
3958   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3959                  alloys",
3960   publisher =    "AIP",
3961   year =         "1998",
3962   journal =      "J. Appl. Phys.",
3963   volume =       "84",
3964   number =       "8",
3965   pages =        "4631--4633",
3966   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
3967                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
3968                  Fourier transform spectra; thermal stability;
3969                  annealing",
3970   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
3971   doi =          "10.1063/1.368703",
3972   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
3973 }
3974
3975 @Article{jones04,
3976   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
3977   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
3978                  semiconductors",
3979   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3980   volume =       "16",
3981   number =       "27",
3982   pages =        "S2643",
3983   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
3984   year =         "2004",
3985   notes =        "ab inito dft intro, vibrational modes, c defect in
3986                  si",
3987 }
3988
3989 @Article{park02,
3990   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
3991                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
3992                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
3993   collaboration = "",
3994   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
3995                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
3996                  molecular-beam epitaxy",
3997   publisher =    "AIP",
3998   year =         "2002",
3999   journal =      "J. Appl. Phys.",
4000   volume =       "91",
4001   number =       "9",
4002   pages =        "5716--5727",
4003   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
4004   doi =          "10.1063/1.1465122",
4005   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
4006 }
4007
4008 @Article{leary97,
4009   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
4010                  carbon-carbon pair defects in silicon",
4011   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
4012                  Torres",
4013   journal =      "Phys. Rev. B",
4014   volume =       "55",
4015   number =       "4",
4016   pages =        "2188--2194",
4017   numpages =     "6",
4018   year =         "1997",
4019   month =        jan,
4020   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
4021   publisher =    "American Physical Society",
4022   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
4023                  energies, different migration barriers and paths",
4024 }
4025
4026 @Article{burnard93,
4027   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
4028                  silicon: Semiempirical electronic-structure
4029                  calculations",
4030   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
4031   journal =      "Phys. Rev. B",
4032   volume =       "47",
4033   number =       "16",
4034   pages =        "10217--10225",
4035   numpages =     "8",
4036   year =         "1993",
4037   month =        apr,
4038   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
4039   publisher =    "American Physical Society",
4040   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
4041                  carbon defect, formation energies",
4042 }
4043
4044 @Article{besson91,
4045   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
4046                  silicon",
4047   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
4048   journal =      "Phys. Rev. B",
4049   volume =       "43",
4050   number =       "5",
4051   pages =        "4028--4033",
4052   numpages =     "5",
4053   year =         "1991",
4054   month =        feb,
4055   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
4056   publisher =    "American Physical Society",
4057 }
4058
4059 @Article{kaxiras96,
4060   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
4061                  and growth on semiconductors",
4062   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
4063   volume =       "6",
4064   number =       "2",
4065   pages =        "158--172",
4066   year =         "1996",
4067   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
4068                  Epitaxy",
4069   ISSN =         "0927-0256",
4070   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
4071   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
4072   author =       "Efthimios Kaxiras",
4073   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
4074                  tight binding, first principles",
4075 }
4076
4077 @Article{kaukonen98,
4078   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
4079                  diamond
4080                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
4081                  surfaces",
4082   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
4083                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
4084                  Th. Frauenheim",
4085   journal =      "Phys. Rev. B",
4086   volume =       "57",
4087   number =       "16",
4088   pages =        "9965--9970",
4089   numpages =     "5",
4090   year =         "1998",
4091   month =        apr,
4092   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
4093   publisher =    "American Physical Society",
4094   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
4095                  (crt)",
4096 }
4097
4098 @Article{gali03,
4099   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
4100                  center in Si{C}",
4101   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
4102                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
4103                  W. J. Choyke",
4104   journal =      "Phys. Rev. B",
4105   volume =       "67",
4106   number =       "15",
4107   pages =        "155203",
4108   numpages =     "5",
4109   year =         "2003",
4110   month =        apr,
4111   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
4112   publisher =    "American Physical Society",
4113 }
4114
4115 @Article{chen98,
4116   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
4117                  irradiation and deformation",
4118   journal =      "J. Nucl. Mater.",
4119   volume =       "258-263",
4120   number =       "Part 2",
4121   pages =        "1803--1808",
4122   year =         "1998",
4123   note =         "",
4124   ISSN =         "0022-3115",
4125   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
4126   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
4127   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
4128 }
4129
4130 @Article{weber01,
4131   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
4132                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
4133   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
4134   volume =       "175-177",
4135   number =       "",
4136   pages =        "26--30",
4137   year =         "2001",
4138   note =         "",
4139   ISSN =         "0168-583X",
4140   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
4141   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
4142   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
4143 }
4144
4145 @Article{bockstedte03,
4146   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
4147                  in $3{C}-Si{C}$",
4148   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
4149                  Pankratov",
4150   journal =      "Phys. Rev. B",
4151   volume =       "68",
4152   number =       "20",
4153   pages =        "205201",
4154   numpages =     "17",
4155   year =         "2003",
4156   month =        nov,
4157   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
4158   publisher =    "American Physical Society",
4159   notes =        "defect migration in sic",
4160 }
4161
4162 @Article{rauls03a,
4163   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
4164                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
4165   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
4166                  De\'ak",
4167   journal =      "Phys. Rev. B",
4168   volume =       "68",
4169   number =       "15",
4170   pages =        "155208",
4171   numpages =     "9",
4172   year =         "2003",
4173   month =        oct,
4174   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
4175   publisher =    "American Physical Society",
4176 }
4177
4178 @Article{losev27,
4179   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
4180   volume =       "44",
4181   pages =        "485--494",
4182   year =         "1927",
4183   author =       "O. V. Lossev",
4184 }
4185
4186 @Article{losev28,
4187   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
4188                  oscillations with crystals",
4189   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
4190   volume =       "6",
4191   number =       "39",
4192   pages =        "1024--1044",
4193   year =         "1928",
4194   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
4195   author =       "O. V. Lossev",
4196 }
4197
4198 @Article{losev29,
4199   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4200   volume =       "30",
4201   pages =        "920--923",
4202   year =         "1929",
4203   author =       "O. V. Lossev",
4204 }
4205
4206 @Article{losev31,
4207   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4208   volume =       "32",
4209   pages =        "692--696",
4210   year =         "1931",
4211   author =       "O. V. Lossev",
4212 }
4213
4214 @Article{losev33,
4215   journal =      "Physik. Zeitschr.",
4216   volume =       "34",
4217   pages =        "397--403",
4218   year =         "1933",
4219   author =       "O. V. Lossev",
4220 }
4221
4222 @Article{round07,
4223   title =        "A note on carborundum",
4224   journal =      "Electrical World",
4225   volume =       "49",
4226   pages =        "308",
4227   year =         "1907",
4228   author =       "H. J. Round",
4229 }
4230
4231 @Article{vashishath08,
4232   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
4233   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
4234   volume =       "2",
4235   number =       "03",
4236   pages =        "444--470",
4237   year =         "2008",
4238   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
4239   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
4240   notes =        "sic polytype electronic properties",
4241 }
4242
4243 @Article{nelson69,
4244   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
4245   collaboration = "",
4246   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
4247   publisher =    "AIP",
4248   year =         "1966",
4249   journal =      "Journal of Applied Physics",
4250   volume =       "37",
4251   number =       "1",
4252   pages =        "333--336",
4253   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
4254   doi =          "10.1063/1.1707837",
4255   notes =        "sic melt growth",
4256 }
4257
4258 @Article{arkel25,
4259   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
4260   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
4261                  und Thoriummetall",
4262   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
4263   year =         "1925",
4264   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4265   volume =       "148",
4266   pages =        "345--350",
4267   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
4268   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
4269   notes =        "van arkel apparatus",
4270 }
4271
4272 @Article{moers31,
4273   author =       "K. Moers",
4274   year =         "1931",
4275   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
4276   volume =       "198",
4277   pages =        "293",
4278   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4279                  process",
4280 }
4281
4282 @Article{kendall53,
4283   author =       "J. T. Kendall",
4284   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
4285   publisher =    "AIP",
4286   year =         "1953",
4287   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
4288   volume =       "21",
4289   number =       "5",
4290   pages =        "821--827",
4291   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
4292   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
4293                  process",
4294 }
4295
4296 @Article{lely55,
4297   author =       "J. A. Lely",
4298   year =         "1955",
4299   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
4300   volume =       "32",
4301   pages =        "229",
4302   notes =        "lely sublimation growth process",
4303 }
4304
4305 @Article{knippenberg63,
4306   author =       "W. F. Knippenberg",
4307   year =         "1963",
4308   journal =      "Philips Res. Repts.",
4309   volume =       "18",
4310   pages =        "161",
4311   notes =        "acheson process",
4312 }
4313
4314 @Article{hoffmann82,
4315   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
4316                  Weyrich",
4317   collaboration = "",
4318   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
4319                  improved external quantum efficiency",
4320   publisher =    "AIP",
4321   year =         "1982",
4322   journal =      "Journal of Applied Physics",
4323   volume =       "53",
4324   number =       "10",
4325   pages =        "6962--6967",
4326   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
4327                  efficiency; visible radiation; experimental data;
4328                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
4329                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
4330                  electroluminescence; spectra; current density;
4331                  optimization",
4332   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
4333   doi =          "10.1063/1.330041",
4334   notes =        "blue led, sublimation process",
4335 }
4336
4337 @Article{neudeck95,
4338   author =       "Philip Neudeck",
4339   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
4340                  Road 44135 Cleveland OH",
4341   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
4342                  technology",
4343   journal =      "Journal of Electronic Materials",
4344   publisher =    "Springer Boston",
4345   ISSN =         "0361-5235",
4346   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
4347   pages =        "283--288",
4348   volume =       "24",
4349   issue =        "4",
4350   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
4351   note =         "10.1007/BF02659688",
4352   year =         "1995",
4353   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
4354 }
4355
4356 @Article{bhatnagar93,
4357   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
4358   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4359   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
4360                  devices",
4361   year =         "1993",
4362   month =        mar,
4363   volume =       "40",
4364   number =       "3",
4365   pages =        "645--655",
4366   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
4367                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
4368                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
4369                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
4370                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
4371                  solids;insulated gate field effect transistors;power
4372                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
4373                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
4374   doi =          "10.1109/16.199372",
4375   ISSN =         "0018-9383",
4376   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
4377 }
4378
4379 @Article{neudeck94,
4380   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
4381                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
4382   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
4383   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
4384                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
4385                  6{H}-Si{C} substrates",
4386   year =         "1994",
4387   month =        may,
4388   volume =       "41",
4389   number =       "5",
4390   pages =        "826--835",
4391   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
4392                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
4393                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
4394                  properties;epitaxial layers;light
4395                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
4396                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
4397                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
4398                  currents;power electronics;semiconductor
4399                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
4400                  growth;semiconductor materials;silicon
4401                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
4402                  phase epitaxial growth;",
4403   doi =          "10.1109/16.285038",
4404   ISSN =         "0018-9383",
4405   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
4406                  substrate",
4407 }
4408
4409 @Article{schulze98,
4410   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
4411   collaboration = "",
4412   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
4413                  single crystals by physical vapor transport",
4414   publisher =    "AIP",
4415   year =         "1998",
4416   journal =      "Applied Physics Letters",
4417   volume =       "72",
4418   number =       "13",
4419   pages =        "1632--1634",
4420   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
4421                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
4422                  photoluminescence; Hall mobility",
4423   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
4424   doi =          "10.1063/1.121136",
4425   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
4426 }
4427
4428 @Article{pirouz87,
4429   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
4430   collaboration = "",
4431   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
4432   publisher =    "AIP",
4433   year =         "1987",
4434   journal =      "Applied Physics Letters",
4435   volume =       "50",
4436   number =       "4",
4437   pages =        "221--223",
4438   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
4439                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
4440                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
4441                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
4442                  BOUNDARIES",
4443   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
4444   doi =          "10.1063/1.97667",
4445   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
4446 }
4447
4448 @Article{shibahara86,
4449   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
4450                  Si(100) by chemical vapor deposition",
4451   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4452   volume =       "78",
4453   number =       "3",
4454   pages =        "538--544",
4455   year =         "1986",
4456   note =         "",
4457   ISSN =         "0022-0248",
4458   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
4459   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
4460   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
4461                  Matsunami",
4462   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
4463 }
4464
4465 @Article{desjardins96,
4466   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
4467   collaboration = "",
4468   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
4469   publisher =    "AIP",
4470   year =         "1996",
4471   journal =      "Journal of Applied Physics",
4472   volume =       "79",
4473   number =       "3",
4474   pages =        "1423--1434",
4475   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
4476                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
4477   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
4478   doi =          "10.1063/1.360980",
4479   notes =        "apb model",
4480 }
4481
4482 @Article{henke95,
4483   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
4484   collaboration = "",
4485   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
4486                  carbonization of silicon",
4487   publisher =    "AIP",
4488   year =         "1995",
4489   journal =      "Journal of Applied Physics",
4490   volume =       "78",
4491   number =       "3",
4492   pages =        "2070--2073",
4493   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
4494                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
4495                  STRUCTURE",
4496   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
4497   doi =          "10.1063/1.360184",
4498   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
4499 }
4500
4501 @Article{fuyuki89,
4502   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
4503                  {MBE} using surface superstructure",
4504   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4505   volume =       "95",
4506   number =       "1-4",
4507   pages =        "461--463",
4508   year =         "1989",
4509   note =         "",
4510   ISSN =         "0022-0248",
4511   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
4512   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
4513   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
4514                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
4515   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4516 }
4517
4518 @Article{yoshinobu92,
4519   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
4520                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4521   collaboration = "",
4522   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
4523                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
4524                  molecular beam epitaxy",
4525   publisher =    "AIP",
4526   year =         "1992",
4527   journal =      "Applied Physics Letters",
4528   volume =       "60",
4529   number =       "7",
4530   pages =        "824--826",
4531   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
4532                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
4533                  INTERFACE STRUCTURE",
4534   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
4535   doi =          "10.1063/1.107430",
4536   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
4537 }
4538
4539 @Article{yoshinobu90,
4540   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
4541                  cubic Si{C}",
4542   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4543   volume =       "99",
4544   number =       "1-4",
4545   pages =        "520--524",
4546   year =         "1990",
4547   note =         "",
4548   ISSN =         "0022-0248",
4549   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
4550   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
4551   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
4552                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
4553   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
4554 }
4555
4556 @Article{fuyuki93,
4557   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
4558                  superstructures in Si{C}",
4559   journal =      "Thin Solid Films",
4560   volume =       "225",
4561   number =       "1-2",
4562   pages =        "225--229",
4563   year =         "1993",
4564   note =         "",
4565   ISSN =         "0040-6090",
4566   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
4567   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
4568   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
4569                  Matsunami",
4570   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4571                  epitaxy, ale",
4572 }
4573
4574 @Article{hara93,
4575   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
4576                  growth of [beta]-Si{C}",
4577   journal =      "Thin Solid Films",
4578   volume =       "225",
4579   number =       "1-2",
4580   pages =        "240--243",
4581   year =         "1993",
4582   note =         "",
4583   ISSN =         "0040-6090",
4584   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
4585   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
4586   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
4587                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
4588   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
4589                  epitaxy, ale",
4590 }
4591
4592 @Article{tanaka94,
4593   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
4594   collaboration = "",
4595   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
4596                  growth mode and polytype formation during gas-source
4597                  molecular beam epitaxy",
4598   publisher =    "AIP",
4599   year =         "1994",
4600   journal =      "Applied Physics Letters",
4601   volume =       "65",
4602   number =       "22",
4603   pages =        "2851--2853",
4604   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
4605                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
4606                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
4607                  FLOW; FLOW RATE",
4608   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
4609   doi =          "10.1063/1.112513",
4610   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
4611 }
4612
4613 @Article{fuyuki97,
4614   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
4615   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
4616                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
4617   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
4618   year =         "1997",
4619   journal =      "physica status solidi (b)",
4620   volume =       "202",
4621   pages =        "359--378",
4622   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
4623                  temperatures 750",
4624 }
4625
4626 @Article{takaoka98,
4627   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
4628   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4629   volume =       "183",
4630   number =       "1-2",
4631   pages =        "175--182",
4632   year =         "1998",
4633   note =         "",
4634   ISSN =         "0022-0248",
4635   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
4636   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
4637   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
4638   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
4639   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
4640   keywords =     "Silicon carbide",
4641   keywords =     "Silicon",
4642   keywords =     "Island growth",
4643   notes =        "lower temperature, 550-700",
4644 }
4645
4646 @Article{hatayama95,
4647   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
4648                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
4649                  molecular beam epitaxy",
4650   journal =      "Journal of Crystal Growth",
4651   volume =       "150",
4652   number =       "Part 2",
4653   pages =        "934--938",
4654   year =         "1995",
4655   note =         "",
4656   ISSN =         "0022-0248",
4657   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
4658   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
4659   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
4660                  and Hiroyuki Matsunami",
4661 }
4662
4663 @Article{heine91,
4664   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
4665   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
4666                  Metastable Cubic Form",
4667   journal =      "Journal of the American Ceramic Society",
4668   volume =       "74",
4669   number =       "10",
4670   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
4671   ISSN =         "1551-2916",
4672   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4673   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
4674   pages =        "2630--2633",
4675   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
4676                  calculations, stability",
4677   year =         "1991",
4678   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
4679                  polytype dft calculation refs",
4680 }
4681
4682 @Article{allendorf91,
4683   title =        "The adsorption of {H}-atoms on polycrystalline
4684                  [beta]-silicon carbide",
4685   journal =      "Surface Science",
4686   volume =       "258",
4687   number =       "1-3",
4688   pages =        "177--189",
4689   year =         "1991",
4690   note =         "",
4691   ISSN =         "0039-6028",
4692   doi =          "DOI: 10.1016/0039-6028(91)90912-C",
4693   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVX-46T3BSB-24V/2/534f1f4786088ceb88b6d31eccb096b3",
4694   author =       "Mark D. Allendorf and Duane A. Outka",
4695   notes =        "h adsorption on 3c-sic",
4696 }
4697
4698 @Article{eaglesham93,
4699   author =       "D. J. Eaglesham and F. C. Unterwald and H. Luftman and
4700                  D. P. Adams and S. M. Yalisove",
4701   collaboration = "",
4702   title =        "Effect of {H} on Si molecular-beam epitaxy",
4703   publisher =    "AIP",
4704   year =         "1993",
4705   journal =      "Journal of Applied Physics",
4706   volume =       "74",
4707   number =       "11",
4708   pages =        "6615--6618",
4709   keywords =     "SILICON; MOLECULAR BEAM EPITAXY; HYDROGEN; SURFACE
4710                  CONTAMINATION; SIMS; SEGREGATION; IMPURITIES;
4711                  DIFFUSION; ADSORPTION",
4712   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/6615/1",
4713   doi =          "10.1063/1.355101",
4714   notes =        "h incorporation on si surface, lower surface
4715                  mobility",
4716 }
4717
4718 @Article{newman85,
4719   author =       "Ronald C. Newman",
4720   title =        "Carbon in Crystalline Silicon",
4721   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4722   volume =       "59",
4723   number =       "",
4724   pages =        "403",
4725   year =         "1985",
4726   doi =          "10.1557/PROC-59-403",
4727   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-403",
4728   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S194642740054367X",
4729 }
4730
4731 @Article{newman61,
4732   title =        "The diffusivity of carbon in silicon",
4733   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
4734   volume =       "19",
4735   number =       "3-4",
4736   pages =        "230--234",
4737   year =         "1961",
4738   note =         "",
4739   ISSN =         "0022-3697",
4740   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(61)90032-4",
4741   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46M72R1-4D/2/9235472e4c0a95bf7b995769474f5fbd",
4742   author =       "R. C. Newman and J. Wakefield",
4743   notes =        "diffusivity of substitutional c in si",
4744 }
4745
4746 @Article{goesele85,
4747   author =       "U. Gösele",
4748   title =        "The Role of Carbon and Point Defects in Silicon",
4749   journal =      "MRS Online Proceedings Library",
4750   volume =       "59",
4751   number =       "",
4752   pages =        "419",
4753   year =         "1985",
4754   doi =          "10.1557/PROC-59-419",
4755   URL =          "http://dx.doi.org/10.1557/PROC-59-419",
4756   eprint =       "http://journals.cambridge.org/article_S1946427400543681",
4757 }
4758
4759 @Article{mukashev82,
4760   title =        "Defects in Carbon-Implanted Silicon",
4761   author =       "Bulat N. Mukashev and Alexey V. Spitsyn and Noboru
4762                  Fukuoka and Haruo Saito",
4763   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
4764   volume =       "21",
4765   number =       "Part 1, No. 2",
4766   pages =        "399--400",
4767   numpages =     "1",
4768   year =         "1982",
4769   URL =          "http://jjap.jsap.jp/link?JJAP/21/399/",
4770   doi =          "10.1143/JJAP.21.399",
4771   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
4772 }
4773
4774 @Article{puska98,
4775   title =        "Convergence of supercell calculations for point
4776                  defects in semiconductors: Vacancy in silicon",
4777   author =       "M. J. Puska and S. P{\"o}ykk{\"o} and M. Pesola and R.
4778                  M. Nieminen",
4779   journal =      "Phys. Rev. B",
4780   volume =       "58",
4781   number =       "3",
4782   pages =        "1318--1325",
4783   numpages =     "7",
4784   year =         "1998",
4785   month =        jul,
4786   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.1318",
4787   publisher =    "American Physical Society",
4788   notes =        "convergence k point supercell size, vacancy in
4789                  silicon",
4790 }
4791
4792 @Article{serre95,
4793   author =       "C. Serre and A. P\'{e}rez-Rodr\'{\i}guez and A.
4794                  Romano-Rodr\'{\i}guez and J. R. Morante and R.
4795                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
4796   collaboration = "",
4797   title =        "Spectroscopic characterization of phases formed by
4798                  high-dose carbon ion implantation in silicon",
4799   publisher =    "AIP",
4800   year =         "1995",
4801   journal =      "Journal of Applied Physics",
4802   volume =       "77",
4803   number =       "7",
4804   pages =        "2978--2984",
4805   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; PHASE STUDIES; CARBON IONS;
4806                  FOURIER TRANSFORM SPECTROSCOPY; RAMAN SPECTRA;
4807                  PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; TEM; TEMPERATURE
4808                  DEPENDENCE; PRECIPITATES; ANNEALING",
4809   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/2978/1",
4810   doi =          "10.1063/1.358714",
4811 }
4812
4813 @Article{romano-rodriguez96,
4814   title =        "Detailed analysis of [beta]-Si{C} formation by high
4815                  dose carbon ion implantation in silicon",
4816   journal =      "Materials Science and Engineering B",
4817   volume =       "36",
4818   number =       "1-3",
4819   pages =        "282--285",
4820   year =         "1996",
4821   note =         "European Materials Research Society 1995 Spring
4822                  Meeting, Symposium N: Carbon, Hydrogen, Nitrogen, and
4823                  Oxygen in Silicon and in Other Elemental
4824                  Semiconductors",
4825   ISSN =         "0921-5107",
4826   doi =          "DOI: 10.1016/0921-5107(95)01283-4",
4827   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-3VR7691-25/2/995fd57b9e5c1100558f80c472620408",
4828   author =       "A. Romano-Rodriguez and C. Serre and L. Calvo-Barrio
4829                  and A. Pérez-Rodríguez and J. R. Morante and R. Kögler
4830                  and W. Skorupa",
4831   keywords =     "Silicon",
4832   keywords =     "Ion implantation",
4833   notes =        "incoherent 3c-sic precipitate",
4834 }