bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Book{laplace,
  44   author =       "P. S. de Laplace",
  45   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  46   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  47   volume =       "VII",
  48   publisher =    "Gauthier-Villars",
  49   year =         "1820",
  50 }
  51
  52 @Article{mattoni2007,
  53   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
  54   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
  55                  materials}",
  56   journal =      "Phys. Rev. B",
  57   year =         "2007",
  58   month =        dec,
  59   volume =       "76",
  60   number =       "22",
  61   pages =        "224103",
  62   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
  63   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
  64                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
  65                  fracture, more available potentials, universal energy
  66                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
  67 }
  68
  69 @Article{koster2002,
  70   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
  71                  bombardment",
  72   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
  73   journal =      "Phys. Rev. B",
  74   volume =       "62",
  75   number =       "16",
  76   pages =        "11219--11224",
  77   numpages =     "5",
  78   year =         "2000",
  79   month =        oct,
  80   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
  81   publisher =    "American Physical Society",
  82   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
  83 }
  84
  85 @Article{breadmore99,
  86   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
  87                  amorphization of silicon",
  88   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
  89   journal =      "Phys. Rev. B",
  90   volume =       "60",
  91   number =       "18",
  92   pages =        "12610--12616",
  93   numpages =     "6",
  94   year =         "1999",
  95   month =        nov,
  96   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
  97   publisher =    "American Physical Society",
  98   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
  99 }
 100
 101 @Article{verlet67,
 102   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 103                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 104   author =       "Loup Verlet",
 105   journal =      "Phys. Rev.",
 106   volume =       "159",
 107   number =       "1",
 108   pages =        "98",
 109   year =         "1967",
 110   month =        jul,
 111   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 112   publisher =    "American Physical Society",
 113   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 114                  motion",
 115 }
 116
 117 @Article{berendsen84,
 118   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 119                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 120   collaboration = "",
 121   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 122   publisher =    "AIP",
 123   year =         "1984",
 124   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 125   volume =       "81",
 126   number =       "8",
 127   pages =        "3684--3690",
 128   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 129                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 130   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 131   doi =          "10.1063/1.448118",
 132   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 133 }
 134
 135 @Article{huang95,
 136   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 137                  Baskes",
 138   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 139                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 140                  potentials",
 141   journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
 142                  Engineering",
 143   volume =       "3",
 144   number =       "5",
 145   pages =        "615--627",
 146   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 147   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 148                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 149   year =         "1995",
 150 }
 151
 152 @Article{tersoff89,
 153   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 154                  Tersoff potentials",
 155   author =       "Donald W. Brenner",
 156   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 157   volume =       "63",
 158   number =       "9",
 159   pages =        "1022",
 160   numpages =     "1",
 161   year =         "1989",
 162   month =        aug,
 163   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 164   publisher =    "American Physical Society",
 165   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 166 }
 167
 168 @Article{batra87,
 169   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 170                  silicon",
 171   author =       "S. Ciraci {Inder P. Batra, Farid F. Abraham}",
 172   journal =      "Phys. Rev. B",
 173   volume =       "35",
 174   number =       "18",
 175   pages =        "9552--9558",
 176   numpages =     "6",
 177   year =         "1987",
 178   month =        jun,
 179   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 180   publisher =    "American Physical Society",
 181   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 182                  calculation of defect formation energy, defect
 183                  interstitial types",
 184 }
 185
 186 @Article{schober89,
 187   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 188   author =       "H. R. Schober",
 189   journal =      "Phys. Rev. B",
 190   volume =       "39",
 191   number =       "17",
 192   pages =        "13013--13015",
 193   numpages =     "2",
 194   year =         "1989",
 195   month =        jun,
 196   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 197   publisher =    "American Physical Society",
 198   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 199                  dumbbell configuration",
 200 }
 201
 202 @Article{gao02,
 203   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 204                  Defect accumulation, topological features, and
 205                  disordering",
 206   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 207   journal =      "Phys. Rev. B",
 208   volume =       "66",
 209   number =       "2",
 210   pages =        "024106",
 211   numpages =     "10",
 212   year =         "2002",
 213   month =        jul,
 214   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 215   publisher =    "American Physical Society",
 216   note =         "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 217                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 218                  result analyze",
 219 }
 220
 221 @Article{devanathan98,
 222   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 223                  cascade in Si{C}",
 224   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 225                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 226   volume =       "141",
 227   number =       "1-4",
 228   pages =        "118--122",
 229   year =         "1998",
 230   note =         "",
 231   ISSN =         "0168-583X",
 232   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 233   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 234                  Rubia",
 235   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 236                  3c-sic",
 237 }
 238
 239 @Article{devanathan98_2,
 240   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 241   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
 242   volume =       "253",
 243   number =       "1-3",
 244   pages =        "47--52",
 245   year =         "1998",
 246   ISSN =         "0022-3115",
 247   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 248   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 249                  Weber",
 250   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 251                  tersoff",
 252 }
 253
 254 @Article{batra87,
 255   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 256   author =       "M. Kitabatake",
 257   journal =      "Thin Solid Films",
 258   volume =       "369",
 259   pages =        "257--264",
 260   numpages =     "8",
 261   year =         "2000",
 262   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 263 }
 264
 265 @Article{tang97,
 266   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 267                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 268                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 269                  formation volumes",
 270   author =       "T. Diaz de la Rubia {M. Tang, L. Colombo, J. Zhu}",
 271   journal =      "Phys. Rev. B",
 272   volume =       "55",
 273   number =       "21",
 274   pages =        "14279--14289",
 275   numpages =     "10",
 276   year =         "1997",
 277   month =        jun,
 278   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 279   publisher =    "American Physical Society",
 280   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 281 }
 282
 283 @Article{tang97,
 284   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 285                  silicon",
 286   author =       "L. Colombo",
 287   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 288   volume =       "32",
 289   pages =        "271--295",
 290   numpages =     "25",
 291   year =         "2002",
 292   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 293   publisher =    "Annual Reviews",
 294   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 295 }
 296
 297 @Article{gao2001,
 298   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 299                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 300   author =       "L. R. Corrales {F. Gao, E. J. Bylaska, W. J. Weber}",
 301   journal =      "Phys. Rev. B",
 302   volume =       "64",
 303   number =       "24",
 304   pages =        "245208",
 305   numpages =     "7",
 306   year =         "2001",
 307   month =        dec,
 308   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 309   publisher =    "American Physical Society",
 310   notes =        "defects in 3c-sic",
 311 }
 312
 313 @Article{mattoni2002,
 314   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 315                  crystalline silicon",
 316   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 317   journal =      "Phys. Rev. B",
 318   volume =       "66",
 319   number =       "19",
 320   pages =        "195214",
 321   numpages =     "6",
 322   year =         "2002",
 323   month =        nov,
 324   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 325   publisher =    "American Physical Society",
 326   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 327                  links",
 328 }
 329
 330 @Article{leung99,
 331   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 332   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 333                  Itoh and S. Ihara",
 334   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 335   volume =       "83",
 336   number =       "12",
 337   pages =        "2351--2354",
 338   numpages =     "3",
 339   year =         "1999",
 340   month =        sep,
 341   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 342   publisher =    "American Physical Society",
 343   notes =        "nice images of the defects",
 344 }
 345
 346 @Article{capazd94,
 347   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 348                  carbon in silicon",
 349   author =       "J. D. Joannopoulos {R. B. Capazd, A Dal Pino}",
 350   journal =      "Phys. Rev. B",
 351   volume =       "50",
 352   number =       "11",
 353   pages =        "7439--7442",
 354   numpages =     "3",
 355   year =         "1994",
 356   month =        sep,
 357   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 358   publisher =    "American Physical Society",
 359   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 360                  dumbbell",
 361 }
 362
 363 @Article{car84,
 364   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 365                  Silicon",
 366   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 367                  Sokrates T. Pantelides",
 368   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 369   volume =       "52",
 370   number =       "20",
 371   pages =        "1814--1817",
 372   numpages =     "3",
 373   year =         "1984",
 374   month =        may,
 375   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 376   publisher =    "American Physical Society",
 377   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 378                  path formation",
 379 }
 380
 381 @Article{kelires97,
 382   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 383                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 384   author =       "P. C. Kelires",
 385   journal =      "Phys. Rev. B",
 386   volume =       "55",
 387   number =       "14",
 388   pages =        "8784--8787",
 389   numpages =     "3",
 390   year =         "1997",
 391   month =        apr,
 392   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 393   publisher =    "American Physical Society",
 394   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 395                  neighbour dist",
 396 }
 397
 398 @Article{kelires95,
 399   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 400                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 401   author =       "P. C. Kelires",
 402   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 403   volume =       "75",
 404   number =       "6",
 405   pages =        "1114--1117",
 406   numpages =     "3",
 407   year =         "1995",
 408   month =        aug,
 409   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 410   publisher =    "American Physical Society",
 411   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 412 }
 413
 414 @Article{watkins76,
 415   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 416                  Atom in Silicon",
 417   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 418   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 419   volume =       "36",
 420   number =       "22",
 421   pages =        "1329--1332",
 422   numpages =     "3",
 423   year =         "1976",
 424   month =        may,
 425   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 426   publisher =    "American Physical Society",
 427   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 428                  silicon",
 429 }
 430
 431 @Article{song90,
 432   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 433                  interstitial carbon in silicon",
 434   author =       "G. D. Watkins L. W. Song",
 435   journal =      "Phys. Rev. B",
 436   volume =       "42",
 437   number =       "9",
 438   pages =        "5759--5764",
 439   numpages =     "5",
 440   year =         "1990",
 441   month =        sep,
 442   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 443   publisher =    "American Physical Society",
 444 }
 445
 446 @Article{strane96,
 447   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 448                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 449   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 450                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 451   journal =      "J. Appl. Phys.",
 452   volume =       "79",
 453   pages =        "637",
 454   year =         "1996",
 455   month =        jan,
 456   doi =          "10.1063/1.360806",
 457   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 458 }
 459
 460 @Article{laveant2002,
 461   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 462   author =       "U. Gosele {P. Laveant, G. Gerth, P. Werner}",
 463   journal =      "Materials Science and Engineering B",
 464   volume =       "89",
 465   number =       "1-3",
 466   pages =        "241--245",
 467   keywords =     "Growth; Epitaxy; MBE; Carbon; Silicon",
 468   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 469                  stress, avoid sic precipitation",
 470 }
 471
 472 }
 473
 474 @Article{werner97,
 475   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 476                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 477   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 478                  silicon by transmission electron microscopy",
 479   publisher =    "AIP",
 480   year =         "1997",
 481   journal =      "Applied Physics Letters",
 482   volume =       "70",
 483   number =       "2",
 484   pages =        "252--254",
 485   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 486                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 487                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 488                  layers; precipitation",
 489   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 490   doi =          "10.1063/1.118381",
 491   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 492                  precipitate",
 493 }
 494
 495 @Article{strane94,
 496   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 497                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 498   collaboration = "",
 499   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
 500                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
 501   publisher =    "AIP",
 502   year =         "1994",
 503   journal =      "Journal of Applied Physics",
 504   volume =       "76",
 505   number =       "6",
 506   pages =        "3656--3668",
 507   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
 508   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
 509   doi =          "10.1063/1.357429",
 510   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs",
 511 }
 512
 513 @Article{edgar92,
 514   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
 515                  semiconductors",
 516   author =       "J. H. Edgar",
 517   journal =      "J. Mater. Res.",
 518   volume =       "7",
 519   pages =        "235",
 520   year =         "1992",
 521   month =        jan,
 522   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
 523   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
 524                  polytypes",
 525 }
 526
 527 @Article{zirkelbach2007,
 528   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
 529                  process leading to ordered precipitate structures",
 530   author =       "B. Stritzker {F. Zirkelbach, M. H{"}aberlen, J.K.N.
 531                  Lindner}",
 532   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 533   volume =       "257",
 534   number =       "1--2",
 535   pages =        "75--79",
 536   numpages =     "5",
 537   year =         "2007",
 538   month =        apr,
 539   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
 540   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 541                  NETHERLANDS",
 542 }
 543
 544 @Article{zirkelbach2006,
 545   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
 546                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
 547                  during ion irradiation",
 548   author =       "B. Stritzker {F. Zirkelbach, M. H{"}aberlen, J.K.N.
 549                  Lindner}",
 550   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 551   volume =       "242",
 552   number =       "1--2",
 553   pages =        "679--682",
 554   numpages =     "4",
 555   year =         "2006",
 556   month =        jan,
 557   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
 558   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 559                  NETHERLANDS",
 560 }
 561
 562 @Article{zirkelbach2005,
 563   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
 564                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
 565                  ion irradiation",
 566   author =       "B. Stritzker {F. Zirkelbach, M. H{"}aberlen, J.K.N.
 567                  Lindner}",
 568   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
 569   volume =       "33",
 570   number =       "1--3",
 571   pages =        "310--316",
 572   numpages =     "7",
 573   year =         "2005",
 574   month =        apr,
 575   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
 576   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 577                  NETHERLANDS",
 578 }
 579
 580 @Article{lindner02,
 581   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
 582                  fundamental studies for new technological tricks",
 583   author =       "J. K. N. Lindner",
 584   journal =      "Appl. Phys. A",
 585   volume =       "77",
 586   pages =        "27--38",
 587   year =         "2003",
 588   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
 589   notes =        "ibs, burried sic layers",
 590 }
 591
 592 @Article{alder57,
 593   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 594   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
 595   publisher =    "AIP",
 596   year =         "1957",
 597   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 598   volume =       "27",
 599   number =       "5",
 600   pages =        "1208--1209",
 601   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
 602   doi =          "10.1063/1.1743957",
 603 }
 604
 605 @Article{alder59,
 606   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
 607   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
 608   publisher =    "AIP",
 609   year =         "1959",
 610   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 611   volume =       "31",
 612   number =       "2",
 613   pages =        "459--466",
 614   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
 615   doi =          "10.1063/1.1730376",
 616 }
 617
 618 @Article{tersoff_si1,
 619   title =        "New empirical model for the structural properties of
 620                  silicon",
 621   author =       "J. Tersoff",
 622   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 623   volume =       "56",
 624   number =       "6",
 625   pages =        "632--635",
 626   numpages =     "3",
 627   year =         "1986",
 628   month =        feb,
 629   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
 630   publisher =    "American Physical Society",
 631 }
 632
 633 @Article{tersoff_si2,
 634   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
 635                  covalent systems",
 636   author =       "J. Tersoff",
 637   journal =      "Phys. Rev. B",
 638   volume =       "37",
 639   number =       "12",
 640   pages =        "6991--7000",
 641   numpages =     "9",
 642   year =         "1988",
 643   month =        apr,
 644   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
 645   publisher =    "American Physical Society",
 646 }
 647
 648 @Article{tersoff_si3,
 649   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
 650                  improved elastic properties",
 651   author =       "J. Tersoff",
 652   journal =      "Phys. Rev. B",
 653   volume =       "38",
 654   number =       "14",
 655   pages =        "9902--9905",
 656   numpages =     "3",
 657   year =         "1988",
 658   month =        nov,
 659   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
 660   publisher =    "American Physical Society",
 661 }
 662
 663 @Article{tersoff_c,
 664   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
 665                  Applications to Amorphous Carbon",
 666   author =       "J. Tersoff",
 667   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 668   volume =       "61",
 669   number =       "25",
 670   pages =        "2879--2882",
 671   numpages =     "3",
 672   year =         "1988",
 673   month =        dec,
 674   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
 675   publisher =    "American Physical Society",
 676 }
 677
 678 @Article{tersoff_m,
 679   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
 680                  for multicomponent systems",
 681   author =       "J. Tersoff",
 682   journal =      "Phys. Rev. B",
 683   volume =       "39",
 684   number =       "8",
 685   pages =        "5566--5568",
 686   numpages =     "2",
 687   year =         "1989",
 688   month =        mar,
 689   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
 690   publisher =    "American Physical Society",
 691 }
 692
 693 @Article{fahey89,
 694   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
 695   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
 696   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
 697   volume =       "61",
 698   number =       "2",
 699   pages =        "289--384",
 700   numpages =     "95",
 701   year =         "1989",
 702   month =        apr,
 703   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
 704   publisher =    "American Physical Society",
 705 }
 706
 707 @Article{wesch96,
 708   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
 709   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 710                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 711   volume =       "116",
 712   number =       "1-4",
 713   pages =        "305--321",
 714   year =         "1996",
 715   note =         "Radiation Effects in Insulators",
 716   ISSN =         "0168-583X",
 717   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
 718   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
 719   author =       "W. Wesch",
 720 }
 721
 722 @Article{morkoc94,
 723   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
 724                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
 725   collaboration = "",
 726   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
 727                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
 728   publisher =    "AIP",
 729   year =         "1994",
 730   journal =      "Journal of Applied Physics",
 731   volume =       "76",
 732   number =       "3",
 733   pages =        "1363--1398",
 734   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
 735                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
 736                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
 737                  FILMS; INDUSTRY",
 738   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
 739   doi =          "10.1063/1.358463",
 740 }