bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philosophical Magazine Part B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
  91                  precipitation by interstitial and substitutional
  92                  carbon, both mechanisms explained + refs",
  93 }
  94
  95 @Book{laplace,
  96   author =       "P. S. de Laplace",
  97   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
  98   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
  99   volume =       "VII",
 100   publisher =    "Gauthier-Villars",
 101   year =         "1820",
 102 }
 103
 104 @Article{mattoni2007,
 105   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 106   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 107                  materials}",
 108   journal =      "Phys. Rev. B",
 109   year =         "2007",
 110   month =        dec,
 111   volume =       "76",
 112   number =       "22",
 113   pages =        "224103",
 114   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 115   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 116                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 117                  fracture, more available potentials, universal energy
 118                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 119 }
 120
 121 @Article{balamane92,
 122   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 123                  potentials",
 124   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 125   journal =      "Phys. Rev. B",
 126   volume =       "46",
 127   number =       "4",
 128   pages =        "2250--2279",
 129   numpages =     "29",
 130   year =         "1992",
 131   month =        jul,
 132   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 133   publisher =    "American Physical Society",
 134   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 135 }
 136
 137 @Article{koster2002,
 138   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 139                  bombardment",
 140   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 141   journal =      "Phys. Rev. B",
 142   volume =       "62",
 143   number =       "16",
 144   pages =        "11219--11224",
 145   numpages =     "5",
 146   year =         "2000",
 147   month =        oct,
 148   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 149   publisher =    "American Physical Society",
 150   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 151 }
 152
 153 @Article{breadmore99,
 154   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 155                  amorphization of silicon",
 156   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 157   journal =      "Phys. Rev. B",
 158   volume =       "60",
 159   number =       "18",
 160   pages =        "12610--12616",
 161   numpages =     "6",
 162   year =         "1999",
 163   month =        nov,
 164   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 165   publisher =    "American Physical Society",
 166   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 167 }
 168
 169 @Article{moissan04,
 170   author =       "Henri Moissan",
 171   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 172                  Diablo",
 173   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 174   volume =       "139",
 175   pages =        "773--786",
 176   year =         "1904",
 177 }
 178
 179 @Book{park98,
 180   author =       "Y. S. Park",
 181   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 182   publisher =    "Academic Press",
 183   address =      "San Diego",
 184   year =         "1998",
 185 }
 186
 187 @Article{tsvetkov98,
 188   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 189                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 190   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 191   journal =      "Materials Science Forum",
 192   volume =       "264-268",
 193   pages =        "3--8",
 194   year =         "1998",
 195   notes =        "modified lely process, micropipes",
 196 }
 197
 198 @Article{verlet67,
 199   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 200                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 201   author =       "Loup Verlet",
 202   journal =      "Phys. Rev.",
 203   volume =       "159",
 204   number =       "1",
 205   pages =        "98",
 206   year =         "1967",
 207   month =        jul,
 208   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 209   publisher =    "American Physical Society",
 210   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 211                  motion",
 212 }
 213
 214 @Article{berendsen84,
 215   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 216                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 217   collaboration = "",
 218   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 219   publisher =    "AIP",
 220   year =         "1984",
 221   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
 222   volume =       "81",
 223   number =       "8",
 224   pages =        "3684--3690",
 225   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 226                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 227   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 228   doi =          "10.1063/1.448118",
 229   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 230 }
 231
 232 @Article{huang95,
 233   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 234                  Baskes",
 235   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 236                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 237                  potentials",
 238   journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
 239                  Engineering",
 240   volume =       "3",
 241   number =       "5",
 242   pages =        "615--627",
 243   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 244   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 245                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 246   year =         "1995",
 247 }
 248
 249 @Article{brenner89,
 250   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 251                  Tersoff potentials",
 252   author =       "Donald W. Brenner",
 253   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 254   volume =       "63",
 255   number =       "9",
 256   pages =        "1022",
 257   numpages =     "1",
 258   year =         "1989",
 259   month =        aug,
 260   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 261   publisher =    "American Physical Society",
 262   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 263 }
 264
 265 @Article{batra87,
 266   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 267                  silicon",
 268   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 269   journal =      "Phys. Rev. B",
 270   volume =       "35",
 271   number =       "18",
 272   pages =        "9552--9558",
 273   numpages =     "6",
 274   year =         "1987",
 275   month =        jun,
 276   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 277   publisher =    "American Physical Society",
 278   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 279                  calculation of defect formation energy, defect
 280                  interstitial types",
 281 }
 282
 283 @Article{schober89,
 284   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 285   author =       "H. R. Schober",
 286   journal =      "Phys. Rev. B",
 287   volume =       "39",
 288   number =       "17",
 289   pages =        "13013--13015",
 290   numpages =     "2",
 291   year =         "1989",
 292   month =        jun,
 293   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 294   publisher =    "American Physical Society",
 295   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 296                  dumbbell configuration",
 297 }
 298
 299 @Article{gao02a,
 300   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 301                  Defect accumulation, topological features, and
 302                  disordering",
 303   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 304   journal =      "Phys. Rev. B",
 305   volume =       "66",
 306   number =       "2",
 307   pages =        "024106",
 308   numpages =     "10",
 309   year =         "2002",
 310   month =        jul,
 311   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 312   publisher =    "American Physical Society",
 313   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 314                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 315                  result analyze",
 316 }
 317
 318 @Article{devanathan98,
 319   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 320                  cascade in Si{C}",
 321   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 322                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 323   volume =       "141",
 324   number =       "1-4",
 325   pages =        "118--122",
 326   year =         "1998",
 327   ISSN =         "0168-583X",
 328   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 329   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 330                  Rubia",
 331   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 332                  3c-sic",
 333 }
 334
 335 @Article{devanathan98_2,
 336   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 337   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
 338   volume =       "253",
 339   number =       "1-3",
 340   pages =        "47--52",
 341   year =         "1998",
 342   ISSN =         "0022-3115",
 343   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 344   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 345                  Weber",
 346   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 347                  tersoff",
 348 }
 349
 350 @Article{kitabatake00,
 351   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 352   author =       "M. Kitabatake",
 353   journal =      "Thin Solid Films",
 354   volume =       "369",
 355   pages =        "257--264",
 356   numpages =     "8",
 357   year =         "2000",
 358   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 359 }
 360
 361 @Article{tang97,
 362   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 363                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 364                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 365                  formation volumes",
 366   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 367                  Rubia",
 368   journal =      "Phys. Rev. B",
 369   volume =       "55",
 370   number =       "21",
 371   pages =        "14279--14289",
 372   numpages =     "10",
 373   year =         "1997",
 374   month =        jun,
 375   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 376   publisher =    "American Physical Society",
 377   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 378 }
 379
 380 @Article{johnson98,
 381   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 382                  Rubia",
 383   collaboration = "",
 384   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 385                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 386                  presence of carbon and boron",
 387   publisher =    "AIP",
 388   year =         "1998",
 389   journal =      "Journal of Applied Physics",
 390   volume =       "84",
 391   number =       "4",
 392   pages =        "1963--1967",
 393   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 394                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 395                  semiconductors; self-diffusion",
 396   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 397   doi =          "10.1063/1.368328",
 398   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 399                  diffsuion",
 400 }
 401
 402 @Article{bar-yam84,
 403   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 404                  Self-Interstitial",
 405   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 406   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 407   volume =       "52",
 408   number =       "13",
 409   pages =        "1129--1132",
 410   numpages =     "3",
 411   year =         "1984",
 412   month =        mar,
 413   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 414   publisher =    "American Physical Society",
 415   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 416 }
 417
 418 @Article{bar-yam84_2,
 419   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 420                  barriers of silicon self-interstitials",
 421   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 422   journal =      "Phys. Rev. B",
 423   volume =       "30",
 424   number =       "4",
 425   pages =        "1844--1852",
 426   numpages =     "8",
 427   year =         "1984",
 428   month =        aug,
 429   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 430   publisher =    "American Physical Society",
 431 }
 432
 433 @Article{colombo02,
 434   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 435                  silicon",
 436   author =       "L. Colombo",
 437   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 438   volume =       "32",
 439   pages =        "271--295",
 440   numpages =     "25",
 441   year =         "2002",
 442   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 443   publisher =    "Annual Reviews",
 444   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 445 }
 446
 447 @Article{al-mushadani03,
 448   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 449                  silicon",
 450   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 451   journal =      "Phys. Rev. B",
 452   volume =       "68",
 453   number =       "23",
 454   pages =        "235205",
 455   numpages =     "8",
 456   year =         "2003",
 457   month =        dec,
 458   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 459   publisher =    "American Physical Society",
 460   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 461                  silicon, si self interstitials, free energy",
 462 }
 463
 464 @Article{ma10,
 465   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 466                  wide temperature range: Point defect states and
 467                  migration mechanisms",
 468   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 469   journal =      "Phys. Rev. B",
 470   volume =       "81",
 471   number =       "19",
 472   pages =        "193203",
 473   numpages =     "4",
 474   year =         "2010",
 475   month =        may,
 476   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 477   publisher =    "American Physical Society",
 478   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 479 }
 480
 481 @Article{posselt06,
 482   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 483                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 484   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 485   journal =      "Phys. Rev. B",
 486   volume =       "73",
 487   number =       "12",
 488   pages =        "125206",
 489   numpages =     "8",
 490   year =         "2006",
 491   month =        mar,
 492   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 493   publisher =    "American Physical Society",
 494 }
 495
 496 @Article{posselt08,
 497   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 498                  migration mechanisms of vacancies and
 499                  self-interstitials: An atomistic study",
 500   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 501   journal =      "Phys. Rev. B",
 502   volume =       "78",
 503   number =       "3",
 504   pages =        "035208",
 505   numpages =     "9",
 506   year =         "2008",
 507   month =        jul,
 508   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 509   publisher =    "American Physical Society",
 510   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 511                  weber and tersoff",
 512 }
 513
 514 @Article{gao2001,
 515   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 516                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 517   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 518                  Corrales",
 519   journal =      "Phys. Rev. B",
 520   volume =       "64",
 521   number =       "24",
 522   pages =        "245208",
 523   numpages =     "7",
 524   year =         "2001",
 525   month =        dec,
 526   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 527   publisher =    "American Physical Society",
 528   notes =        "defects in 3c-sic",
 529 }
 530
 531 @Article{gao02,
 532   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 533                  3{C}-Si{C}",
 534   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
 535                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
 536   volume =       "191",
 537   number =       "1-4",
 538   pages =        "504--508",
 539   year =         "2002",
 540   note =         "",
 541   ISSN =         "0168-583X",
 542   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 543   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 544   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 545   keywords =     "Empirical potential",
 546   keywords =     "Defect properties",
 547   keywords =     "Silicon carbide",
 548   keywords =     "Computer simulation",
 549   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 550 }
 551
 552 @Article{gao04,
 553   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 554                  3{C}-Si{C}",
 555   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 556                  Belko",
 557   journal =      "Phys. Rev. B",
 558   volume =       "69",
 559   number =       "24",
 560   pages =        "245205",
 561   numpages =     "5",
 562   year =         "2004",
 563   month =        jun,
 564   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 565   publisher =    "American Physical Society",
 566   notes =        "defect migration in sic",
 567 }
 568
 569 @Article{gao07,
 570   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 571                  W. J. Weber",
 572   collaboration = "",
 573   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 574                  in cubic silicon carbide",
 575   publisher =    "AIP",
 576   year =         "2007",
 577   journal =      "Applied Physics Letters",
 578   volume =       "90",
 579   number =       "22",
 580   eid =          "221915",
 581   numpages =     "3",
 582   pages =        "221915",
 583   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 584                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 585                  dynamics method; density functional theory;
 586                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 587                  impurities; diffusion",
 588   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 589   doi =          "10.1063/1.2743751",
 590 }
 591
 592 @Article{mattoni2002,
 593   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 594                  crystalline silicon",
 595   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 596   journal =      "Phys. Rev. B",
 597   volume =       "66",
 598   number =       "19",
 599   pages =        "195214",
 600   numpages =     "6",
 601   year =         "2002",
 602   month =        nov,
 603   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 604   publisher =    "American Physical Society",
 605   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 606                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 607                  tersoff suitability",
 608 }
 609
 610 @Article{leung99,
 611   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 612   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 613                  Itoh and S. Ihara",
 614   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 615   volume =       "83",
 616   number =       "12",
 617   pages =        "2351--2354",
 618   numpages =     "3",
 619   year =         "1999",
 620   month =        sep,
 621   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 622   publisher =    "American Physical Society",
 623   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 624                  refs",
 625 }
 626
 627 @Article{capaz94,
 628   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 629                  carbon in silicon",
 630   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 631   journal =      "Phys. Rev. B",
 632   volume =       "50",
 633   number =       "11",
 634   pages =        "7439--7442",
 635   numpages =     "3",
 636   year =         "1994",
 637   month =        sep,
 638   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 639   publisher =    "American Physical Society",
 640   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 641                  dumbbell",
 642 }
 643
 644 @Article{capaz98,
 645   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 646   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 647   journal =      "Phys. Rev. B",
 648   volume =       "58",
 649   number =       "15",
 650   pages =        "9845--9850",
 651   numpages =     "5",
 652   year =         "1998",
 653   month =        oct,
 654   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 655   publisher =    "American Physical Society",
 656   notes =        "carbon pairs in si",
 657 }
 658
 659 @Article{dal_pino93,
 660   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 661                  silicon",
 662   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 663                  Joannopoulos",
 664   journal =      "Phys. Rev. B",
 665   volume =       "47",
 666   number =       "19",
 667   pages =        "12554--12557",
 668   numpages =     "3",
 669   year =         "1993",
 670   month =        may,
 671   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 672   publisher =    "American Physical Society",
 673   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 674 }
 675
 676 @Article{car84,
 677   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 678                  Silicon",
 679   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 680                  Sokrates T. Pantelides",
 681   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 682   volume =       "52",
 683   number =       "20",
 684   pages =        "1814--1817",
 685   numpages =     "3",
 686   year =         "1984",
 687   month =        may,
 688   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 689   publisher =    "American Physical Society",
 690   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 691                  path formation",
 692 }
 693
 694 @Article{car85,
 695   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 696                  Density-Functional Theory",
 697   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 698   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 699   volume =       "55",
 700   number =       "22",
 701   pages =        "2471--2474",
 702   numpages =     "3",
 703   year =         "1985",
 704   month =        nov,
 705   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 706   publisher =    "American Physical Society",
 707   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 708 }
 709
 710 @Article{kelires97,
 711   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 712                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 713   author =       "P. C. Kelires",
 714   journal =      "Phys. Rev. B",
 715   volume =       "55",
 716   number =       "14",
 717   pages =        "8784--8787",
 718   numpages =     "3",
 719   year =         "1997",
 720   month =        apr,
 721   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 722   publisher =    "American Physical Society",
 723   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 724                  neighbour dist",
 725 }
 726
 727 @Article{kelires95,
 728   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 729                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 730   author =       "P. C. Kelires",
 731   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 732   volume =       "75",
 733   number =       "6",
 734   pages =        "1114--1117",
 735   numpages =     "3",
 736   year =         "1995",
 737   month =        aug,
 738   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 739   publisher =    "American Physical Society",
 740   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 741 }
 742
 743 @Article{bean70,
 744   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 745                  containing carbon",
 746   journal =      "Solid State Communications",
 747   volume =       "8",
 748   number =       "3",
 749   pages =        "175--177",
 750   year =         "1970",
 751   note =         "",
 752   ISSN =         "0038-1098",
 753   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 754   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 755   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 756 }
 757
 758 @Article{watkins76,
 759   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 760                  Atom in Silicon",
 761   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 762   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 763   volume =       "36",
 764   number =       "22",
 765   pages =        "1329--1332",
 766   numpages =     "3",
 767   year =         "1976",
 768   month =        may,
 769   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 770   publisher =    "American Physical Society",
 771   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 772                  silicon",
 773 }
 774
 775 @Article{song90,
 776   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 777                  interstitial carbon in silicon",
 778   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 779   journal =      "Phys. Rev. B",
 780   volume =       "42",
 781   number =       "9",
 782   pages =        "5759--5764",
 783   numpages =     "5",
 784   year =         "1990",
 785   month =        sep,
 786   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 787   publisher =    "American Physical Society",
 788   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 789 }
 790
 791 @Article{tipping87,
 792   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 793   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 794                  silicon",
 795   journal =      "Semiconductor Science and Technology",
 796   volume =       "2",
 797   number =       "5",
 798   pages =        "315--317",
 799   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 800   year =         "1987",
 801   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 802                  silicon",
 803 }
 804
 805 @Article{strane96,
 806   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 807                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 808   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 809                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 810   journal =      "J. Appl. Phys.",
 811   volume =       "79",
 812   pages =        "637",
 813   year =         "1996",
 814   month =        jan,
 815   doi =          "10.1063/1.360806",
 816   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 817 }
 818
 819 @Article{laveant2002,
 820   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 821   journal =      "Materials Science and Engineering B",
 822   volume =       "89",
 823   number =       "1-3",
 824   pages =        "241--245",
 825   year =         "2002",
 826   ISSN =         "0921-5107",
 827   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 828   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 829   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 830                  G{\"{o}}sele",
 831   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 832                  stress, avoid sic precipitation",
 833 }
 834
 835 @Article{werner97,
 836   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 837                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 838   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 839                  silicon by transmission electron microscopy",
 840   publisher =    "AIP",
 841   year =         "1997",
 842   journal =      "Applied Physics Letters",
 843   volume =       "70",
 844   number =       "2",
 845   pages =        "252--254",
 846   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 847                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 848                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 849                  layers; precipitation",
 850   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
 851   doi =          "10.1063/1.118381",
 852   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
 853                  precipitate",
 854 }
 855
 856 @InProceedings{werner96,
 857   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
 858                  Eichler",
 859   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
 860                  International Conference on",
 861   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
 862                  implanted silicon",
 863   year =         "1996",
 864   month =        jun,
 865   volume =       "",
 866   number =       "",
 867   pages =        "675--678",
 868   keywords =     "beta;-SiC precipitates;30 s;700 to 1300 C;C
 869                  atom/radiation induced defect interaction;C depth
 870                  distribution;C precipitation;C-Si defects;C-Si
 871                  dimers;CZ Si;HREM;Si:C;TEM;buried layer morphology;high
 872                  energy ion implantation;ion implantation;metastable
 873                  agglomerates;microdefects;positron annihilation
 874                  spectroscopy;rapid thermal annealing;secondary ion mass
 875                  spectrometry;vacancy clusters;buried
 876                  layers;carbon;elemental semiconductors;impurity-defect
 877                  interactions;ion implantation;positron
 878                  annihilation;precipitation;rapid thermal
 879                  annealing;secondary ion mass
 880                  spectra;silicon;transmission electron
 881                  microscopy;vacancies (crystal);",
 882   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
 883   ISSN =         "",
 884   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
 885 }
 886
 887 @Article{strane94,
 888   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
 889                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 890   collaboration = "",
 891   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
 892                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
 893   publisher =    "AIP",
 894   year =         "1994",
 895   journal =      "Journal of Applied Physics",
 896   volume =       "76",
 897   number =       "6",
 898   pages =        "3656--3668",
 899   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
 900   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
 901   doi =          "10.1063/1.357429",
 902   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
 903                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
 904                  coherent to incoherent transition strain vs interface
 905                  energy",
 906 }
 907
 908 @Article{fischer95,
 909   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
 910                  Osten",
 911   collaboration = "",
 912   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
 913                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
 914   publisher =    "AIP",
 915   year =         "1995",
 916   journal =      "Journal of Applied Physics",
 917   volume =       "77",
 918   number =       "5",
 919   pages =        "1934--1937",
 920   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
 921                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
 922                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
 923                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
 924   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
 925   doi =          "10.1063/1.358826",
 926 }
 927
 928 @Article{edgar92,
 929   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
 930                  semiconductors",
 931   author =       "J. H. Edgar",
 932   journal =      "J. Mater. Res.",
 933   volume =       "7",
 934   pages =        "235",
 935   year =         "1992",
 936   month =        jan,
 937   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
 938   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
 939                  polytypes",
 940 }
 941
 942 @Article{zirkelbach2007,
 943   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
 944                  process leading to ordered precipitate structures",
 945   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 946                  and B. Stritzker",
 947   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 948   volume =       "257",
 949   number =       "1--2",
 950   pages =        "75--79",
 951   numpages =     "5",
 952   year =         "2007",
 953   month =        apr,
 954   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
 955   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 956                  NETHERLANDS",
 957 }
 958
 959 @Article{zirkelbach2006,
 960   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
 961                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
 962                  during ion irradiation",
 963   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 964                  and B. Stritzker",
 965   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
 966   volume =       "242",
 967   number =       "1--2",
 968   pages =        "679--682",
 969   numpages =     "4",
 970   year =         "2006",
 971   month =        jan,
 972   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
 973   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 974                  NETHERLANDS",
 975 }
 976
 977 @Article{zirkelbach2005,
 978   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
 979                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
 980                  ion irradiation",
 981   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
 982                  and B. Stritzker",
 983   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
 984   volume =       "33",
 985   number =       "1--3",
 986   pages =        "310--316",
 987   numpages =     "7",
 988   year =         "2005",
 989   month =        apr,
 990   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
 991   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
 992                  NETHERLANDS",
 993 }
 994
 995 @Article{lindner99,
 996   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
 997                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
 998                  layers in silicon",
 999   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1000                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1001   volume =       "147",
1002   number =       "1-4",
1003   pages =        "249--255",
1004   year =         "1999",
1005   note =         "",
1006   ISSN =         "0168-583X",
1007   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1008   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1009   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1010   notes =        "two-step implantation process",
1011 }
1012
1013 @Article{lindner99_2,
1014   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1015                  in silicon",
1016   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1017                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1018   volume =       "148",
1019   number =       "1-4",
1020   pages =        "528--533",
1021   year =         "1999",
1022   ISSN =         "0168-583X",
1023   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1024   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1025   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1026   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1027 }
1028
1029 @Article{lindner01,
1030   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1031                  Basic physical processes",
1032   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1033                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1034   volume =       "178",
1035   number =       "1-4",
1036   pages =        "44--54",
1037   year =         "2001",
1038   note =         "",
1039   ISSN =         "0168-583X",
1040   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1041   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1042   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1043 }
1044
1045 @Article{lindner02,
1046   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1047                  fundamental studies for new technological tricks",
1048   author =       "J. K. N. Lindner",
1049   journal =      "Appl. Phys. A",
1050   volume =       "77",
1051   pages =        "27--38",
1052   year =         "2003",
1053   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1054   notes =        "ibs, burried sic layers",
1055 }
1056
1057 @Article{ito04,
1058   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1059                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1060                  growth",
1061   journal =      "Applied Surface Science",
1062   volume =       "238",
1063   number =       "1-4",
1064   pages =        "159--164",
1065   year =         "2004",
1066   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1067   ISSN =         "0169-4332",
1068   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1069   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1070   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1071                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1072   notes =        "gan on 3c-sic",
1073 }
1074
1075 @Article{alder57,
1076   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1077   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1078   publisher =    "AIP",
1079   year =         "1957",
1080   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1081   volume =       "27",
1082   number =       "5",
1083   pages =        "1208--1209",
1084   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1085   doi =          "10.1063/1.1743957",
1086 }
1087
1088 @Article{alder59,
1089   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1090   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1091   publisher =    "AIP",
1092   year =         "1959",
1093   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1094   volume =       "31",
1095   number =       "2",
1096   pages =        "459--466",
1097   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1098   doi =          "10.1063/1.1730376",
1099 }
1100
1101 @Article{tersoff_si1,
1102   title =        "New empirical model for the structural properties of
1103                  silicon",
1104   author =       "J. Tersoff",
1105   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1106   volume =       "56",
1107   number =       "6",
1108   pages =        "632--635",
1109   numpages =     "3",
1110   year =         "1986",
1111   month =        feb,
1112   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1113   publisher =    "American Physical Society",
1114 }
1115
1116 @Article{tersoff_si2,
1117   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1118                  covalent systems",
1119   author =       "J. Tersoff",
1120   journal =      "Phys. Rev. B",
1121   volume =       "37",
1122   number =       "12",
1123   pages =        "6991--7000",
1124   numpages =     "9",
1125   year =         "1988",
1126   month =        apr,
1127   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1128   publisher =    "American Physical Society",
1129 }
1130
1131 @Article{tersoff_si3,
1132   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1133                  improved elastic properties",
1134   author =       "J. Tersoff",
1135   journal =      "Phys. Rev. B",
1136   volume =       "38",
1137   number =       "14",
1138   pages =        "9902--9905",
1139   numpages =     "3",
1140   year =         "1988",
1141   month =        nov,
1142   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1143   publisher =    "American Physical Society",
1144 }
1145
1146 @Article{tersoff_c,
1147   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1148                  Applications to Amorphous Carbon",
1149   author =       "J. Tersoff",
1150   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1151   volume =       "61",
1152   number =       "25",
1153   pages =        "2879--2882",
1154   numpages =     "3",
1155   year =         "1988",
1156   month =        dec,
1157   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1158   publisher =    "American Physical Society",
1159 }
1160
1161 @Article{tersoff_m,
1162   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1163                  for multicomponent systems",
1164   author =       "J. Tersoff",
1165   journal =      "Phys. Rev. B",
1166   volume =       "39",
1167   number =       "8",
1168   pages =        "5566--5568",
1169   numpages =     "2",
1170   year =         "1989",
1171   month =        mar,
1172   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1173   publisher =    "American Physical Society",
1174 }
1175
1176 @Article{tersoff90,
1177   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1178   author =       "J. Tersoff",
1179   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1180   volume =       "64",
1181   number =       "15",
1182   pages =        "1757--1760",
1183   numpages =     "3",
1184   year =         "1990",
1185   month =        apr,
1186   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1187   publisher =    "American Physical Society",
1188 }
1189
1190 @Article{fahey89,
1191   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1192   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1193   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1194   volume =       "61",
1195   number =       "2",
1196   pages =        "289--384",
1197   numpages =     "95",
1198   year =         "1989",
1199   month =        apr,
1200   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1201   publisher =    "American Physical Society",
1202 }
1203
1204 @Article{wesch96,
1205   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1206   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1207                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1208   volume =       "116",
1209   number =       "1-4",
1210   pages =        "305--321",
1211   year =         "1996",
1212   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1213   ISSN =         "0168-583X",
1214   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1215   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1216   author =       "W. Wesch",
1217 }
1218
1219 @Article{morkoc94,
1220   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1221                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1222   collaboration = "",
1223   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1224                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1225   publisher =    "AIP",
1226   year =         "1994",
1227   journal =      "Journal of Applied Physics",
1228   volume =       "76",
1229   number =       "3",
1230   pages =        "1363--1398",
1231   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1232                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1233                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1234                  FILMS; INDUSTRY",
1235   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1236   doi =          "10.1063/1.358463",
1237   notes =        "sic intro, properties",
1238 }
1239
1240 @Article{neudeck95,
1241   author =       "P. G. Neudeck",
1242   title =        "{PROGRESS} {IN} {SILICON}-{CARBIDE} {SEMICONDUCTOR}
1243                  {ELECTRONICS} {TECHNOLOGY}",
1244   journal =      "Journal of Electronic Materials",
1245   year =         "1995",
1246   volume =       "24",
1247   number =       "4",
1248   pages =        "283--288",
1249   month =        apr,
1250 }
1251
1252 @Article{foo,
1253   author =       "Noch Unbekannt",
1254   title =        "How to find references",
1255   journal =      "Journal of Applied References",
1256   year =         "2009",
1257   volume =       "77",
1258   pages =        "1--23",
1259 }
1260
1261 @Article{tang95,
1262   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1263                  \beta{}-Si{C}",
1264   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1265   journal =      "Phys. Rev. B",
1266   volume =       "52",
1267   number =       "21",
1268   pages =        "15150--15159",
1269   numpages =     "9",
1270   year =         "1995",
1271   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1272   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1273                  tersoff reparametrization",
1274   publisher =    "American Physical Society",
1275 }
1276
1277 @Article{sarro00,
1278   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1279   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1280   volume =       "82",
1281   number =       "1-3",
1282   pages =        "210--218",
1283   year =         "2000",
1284   ISSN =         "0924-4247",
1285   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1286   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1287   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1288   keywords =     "MEMS",
1289   keywords =     "Silicon carbide",
1290   keywords =     "Micromachining",
1291   keywords =     "Mechanical stress",
1292 }
1293
1294 @Article{casady96,
1295   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1296                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1297                  review",
1298   journal =      "Solid-State Electronics",
1299   volume =       "39",
1300   number =       "10",
1301   pages =        "1409--1422",
1302   year =         "1996",
1303   ISSN =         "0038-1101",
1304   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1305   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1306   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1307   notes =        "sic intro",
1308 }
1309
1310 @Article{giancarli98,
1311   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1312                  structural material in fusion power reactor blankets",
1313   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1314   volume =       "41",
1315   number =       "1-4",
1316   pages =        "165--171",
1317   year =         "1998",
1318   ISSN =         "0920-3796",
1319   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1320   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1321   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1322                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1323 }
1324
1325 @Article{pensl93,
1326   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1327   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1328   volume =       "185",
1329   number =       "1-4",
1330   pages =        "264--283",
1331   year =         "1993",
1332   ISSN =         "0921-4526",
1333   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1334   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1335   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1336 }
1337
1338 @Article{tairov78,
1339   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1340                  carbide single crystals",
1341   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1342   volume =       "43",
1343   number =       "2",
1344   pages =        "209--212",
1345   year =         "1978",
1346   notes =        "modified lely process",
1347   ISSN =         "0022-0248",
1348   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1349   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1350   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1351 }
1352
1353 @Article{nishino83,
1354   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1355                  Will",
1356   collaboration = "",
1357   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1358                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1359   publisher =    "AIP",
1360   year =         "1983",
1361   journal =      "Applied Physics Letters",
1362   volume =       "42",
1363   number =       "5",
1364   pages =        "460--462",
1365   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1366                  monocrystals",
1367   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1368   doi =          "10.1063/1.93970",
1369   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1370 }
1371
1372 @Article{nishino87,
1373   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1374                  and Hiroyuki Matsunami",
1375   collaboration = "",
1376   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1377                  Si{C} on silicon",
1378   publisher =    "AIP",
1379   year =         "1987",
1380   journal =      "Journal of Applied Physics",
1381   volume =       "61",
1382   number =       "10",
1383   pages =        "4889--4893",
1384   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1385   doi =          "10.1063/1.338355",
1386   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1387                  carbonization",
1388 }
1389
1390 @Article{powell87,
1391   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1392                  Kuczmarski",
1393   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1394                  Single-Crystal Films on Si",
1395   publisher =    "ECS",
1396   year =         "1987",
1397   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1398   volume =       "134",
1399   number =       "6",
1400   pages =        "1558--1565",
1401   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1402                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1403   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1404   doi =          "10.1149/1.2100708",
1405   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1406 }
1407
1408 @Article{kimoto93,
1409   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1410                  and Hiroyuki Matsunami",
1411   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1412                  epitaxy",
1413   publisher =    "AIP",
1414   year =         "1993",
1415   journal =      "Journal of Applied Physics",
1416   volume =       "73",
1417   number =       "2",
1418   pages =        "726--732",
1419   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1420                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1421                  VAPOR DEPOSITION",
1422   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1423   doi =          "10.1063/1.353329",
1424   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1425 }
1426
1427 @Article{powell90,
1428   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1429                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1430                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1431   collaboration = "",
1432   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1433                  6{H}-Si{C} substrates",
1434   publisher =    "AIP",
1435   year =         "1990",
1436   journal =      "Applied Physics Letters",
1437   volume =       "56",
1438   number =       "14",
1439   pages =        "1353--1355",
1440   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1441                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1442                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1443                  PHASE EPITAXY",
1444   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1445   doi =          "10.1063/1.102512",
1446   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1447 }
1448
1449 @Article{yuan95,
1450   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1451                  Thokala and M. J. Loboda",
1452   collaboration = "",
1453   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1454                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1455                  silacyclobutane",
1456   publisher =    "AIP",
1457   year =         "1995",
1458   journal =      "Journal of Applied Physics",
1459   volume =       "78",
1460   number =       "2",
1461   pages =        "1271--1273",
1462   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1463                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1464                  SPECTROPHOTOMETRY",
1465   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1466   doi =          "10.1063/1.360368",
1467   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1468 }
1469
1470 @Article{fissel95,
1471   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1472                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1473                  molecular beam epitaxy",
1474   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1475   volume =       "154",
1476   number =       "1-2",
1477   pages =        "72--80",
1478   year =         "1995",
1479   ISSN =         "0022-0248",
1480   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1481   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1482   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
1483                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1484   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1485 }
1486
1487 @Article{fissel95_apl,
1488   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1489   collaboration = "",
1490   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1491                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1492   publisher =    "AIP",
1493   year =         "1995",
1494   journal =      "Applied Physics Letters",
1495   volume =       "66",
1496   number =       "23",
1497   pages =        "3182--3184",
1498   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1499                  RHEED; NUCLEATION",
1500   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
1501   doi =          "10.1063/1.113716",
1502   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
1503 }
1504
1505 @Article{borders71,
1506   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
1507   collaboration = "",
1508   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
1509                  {IMPLANTATION}",
1510   publisher =    "AIP",
1511   year =         "1971",
1512   journal =      "Applied Physics Letters",
1513   volume =       "18",
1514   number =       "11",
1515   pages =        "509--511",
1516   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
1517   doi =          "10.1063/1.1653516",
1518   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
1519                  ideas",
1520 }
1521
1522 @Article{reeson87,
1523   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
1524                  J. Davis and G. E. Celler",
1525   collaboration = "",
1526   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
1527                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
1528   publisher =    "AIP",
1529   year =         "1987",
1530   journal =      "Applied Physics Letters",
1531   volume =       "51",
1532   number =       "26",
1533   pages =        "2242--2244",
1534   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
1535                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
1536   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
1537   doi =          "10.1063/1.98953",
1538   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
1539 }
1540
1541 @Article{scace59,
1542   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
1543   collaboration = "",
1544   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
1545   publisher =    "AIP",
1546   year =         "1959",
1547   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1548   volume =       "30",
1549   number =       "6",
1550   pages =        "1551--1555",
1551   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
1552   doi =          "10.1063/1.1730236",
1553   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
1554 }
1555
1556 @Article{cowern96,
1557   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
1558                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
1559   collaboration = "",
1560   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
1561                  {B} in silicon",
1562   publisher =    "AIP",
1563   year =         "1996",
1564   journal =      "Applied Physics Letters",
1565   volume =       "68",
1566   number =       "8",
1567   pages =        "1150--1152",
1568   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
1569                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
1570                  SILICON",
1571   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
1572   doi =          "10.1063/1.115706",
1573   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
1574 }
1575
1576 @Article{stolk95,
1577   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
1578                  of the silicon self-interstitial",
1579   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
1580                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
1581   volume =       "96",
1582   number =       "1-2",
1583   pages =        "187--195",
1584   year =         "1995",
1585   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
1586                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
1587   ISSN =         "0168-583X",
1588   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
1589   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
1590   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
1591                  and J. M. Poate",
1592 }
1593
1594 @Article{stolk97,
1595   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
1596                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
1597                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
1598                  E. Haynes",
1599   collaboration = "",
1600   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
1601                  diffusion in ion-implanted silicon",
1602   publisher =    "AIP",
1603   year =         "1997",
1604   journal =      "Journal of Applied Physics",
1605   volume =       "81",
1606   number =       "9",
1607   pages =        "6031--6050",
1608   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
1609   doi =          "10.1063/1.364452",
1610   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
1611 }
1612
1613 @Article{powell94,
1614   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
1615   collaboration = "",
1616   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
1617                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
1618   publisher =    "AIP",
1619   year =         "1994",
1620   journal =      "Applied Physics Letters",
1621   volume =       "64",
1622   number =       "3",
1623   pages =        "324--326",
1624   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
1625                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
1626                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
1627                  SYNTHESIS",
1628   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
1629   doi =          "10.1063/1.111195",
1630   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
1631 }
1632
1633 @Article{soref91,
1634   author =       "Richard A. Soref",
1635   collaboration = "",
1636   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
1637                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
1638   publisher =    "AIP",
1639   year =         "1991",
1640   journal =      "Journal of Applied Physics",
1641   volume =       "70",
1642   number =       "4",
1643   pages =        "2470--2472",
1644   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
1645                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
1646                  TERNARY ALLOYS",
1647   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
1648   doi =          "10.1063/1.349403",
1649   notes =        "band gap of strained si by c",
1650 }
1651
1652 @Article{kasper91,
1653   author =       "E Kasper",
1654   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
1655                  possibility to produce direct band gap material",
1656   journal =      "Physica Scripta",
1657   volume =       "T35",
1658   pages =        "232--236",
1659   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
1660   year =         "1991",
1661   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
1662                  quasi-direct one",
1663 }
1664
1665 @Article{osten99,
1666   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
1667   collaboration = "",
1668   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
1669                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
1670                  molecular beam epitaxy",
1671   publisher =    "AIP",
1672   year =         "1999",
1673   journal =      "Applied Physics Letters",
1674   volume =       "74",
1675   number =       "6",
1676   pages =        "836--838",
1677   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
1678                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
1679                  compounds",
1680   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
1681   doi =          "10.1063/1.123384",
1682   notes =        "substitutional c in si",
1683 }
1684
1685 @Article{hohenberg64,
1686   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
1687   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
1688   journal =      "Phys. Rev.",
1689   volume =       "136",
1690   number =       "3B",
1691   pages =        "B864--B871",
1692   numpages =     "7",
1693   year =         "1964",
1694   month =        nov,
1695   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
1696   publisher =    "American Physical Society",
1697   notes =        "density functional theory, dft",
1698 }
1699
1700 @Article{kohn65,
1701   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
1702                  Correlation Effects",
1703   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
1704   journal =      "Phys. Rev.",
1705   volume =       "140",
1706   number =       "4A",
1707   pages =        "A1133--A1138",
1708   numpages =     "5",
1709   year =         "1965",
1710   month =        nov,
1711   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
1712   publisher =    "American Physical Society",
1713   notes =        "dft, exchange and correlation",
1714 }
1715
1716 @Article{ruecker94,
1717   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
1718                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
1719   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
1720                  J. Osten",
1721   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1722   volume =       "72",
1723   number =       "22",
1724   pages =        "3578--3581",
1725   numpages =     "3",
1726   year =         "1994",
1727   month =        may,
1728   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
1729   publisher =    "American Physical Society",
1730   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, starined
1731                  si, dft",
1732 }
1733
1734 @Article{chang05,
1735   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
1736                  Alloy",
1737   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
1738   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
1739   volume =       "44",
1740   number =       "4B",
1741   pages =        "2257--2262",
1742   numpages =     "5",
1743   year =         "2005",
1744   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
1745   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
1746   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
1747   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
1748 }
1749
1750 @Article{osten97,
1751   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
1752   collaboration = "",
1753   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
1754                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
1755                  Si(001)",
1756   publisher =    "AIP",
1757   year =         "1997",
1758   journal =      "Journal of Applied Physics",
1759   volume =       "82",
1760   number =       "10",
1761   pages =        "4977--4981",
1762   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
1763                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
1764                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
1765   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
1766   doi =          "10.1063/1.366364",
1767   notes =        "charge transport in strained si",
1768 }
1769
1770 @Article{kapur04,
1771   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
1772                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
1773   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
1774   journal =      "Phys. Rev. B",
1775   volume =       "69",
1776   number =       "15",
1777   pages =        "155214",
1778   numpages =     "8",
1779   year =         "2004",
1780   month =        apr,
1781   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
1782   publisher =    "American Physical Society",
1783   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
1784 }
1785
1786 @Article{barkema96,
1787   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
1788                  Systems",
1789   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
1790   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1791   volume =       "77",
1792   number =       "21",
1793   pages =        "4358--4361",
1794   numpages =     "3",
1795   year =         "1996",
1796   month =        nov,
1797   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
1798   publisher =    "American Physical Society",
1799   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
1800                  dynamic mds",
1801 }
1802
1803 @Article{cances09,
1804   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
1805                  Minoukadeh and F. Willaime",
1806   collaboration = "",
1807   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
1808                  technique method for finding transition pathways on
1809                  potential energy surfaces",
1810   publisher =    "AIP",
1811   year =         "2009",
1812   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1813   volume =       "130",
1814   number =       "11",
1815   eid =          "114711",
1816   numpages =     "6",
1817   pages =        "114711",
1818   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
1819                  surfaces; vacancies (crystal)",
1820   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
1821   doi =          "10.1063/1.3088532",
1822   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
1823                  transition pathways",
1824 }
1825
1826 @Article{parrinello81,
1827   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
1828   collaboration = "",
1829   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
1830                  molecular dynamics method",
1831   publisher =    "AIP",
1832   year =         "1981",
1833   journal =      "Journal of Applied Physics",
1834   volume =       "52",
1835   number =       "12",
1836   pages =        "7182--7190",
1837   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
1838                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
1839                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
1840                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
1841                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
1842                  IMPACT SHOCK",
1843   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
1844   doi =          "10.1063/1.328693",
1845 }
1846
1847 @Article{stillinger85,
1848   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
1849                  of silicon",
1850   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
1851   journal =      "Phys. Rev. B",
1852   volume =       "31",
1853   number =       "8",
1854   pages =        "5262--5271",
1855   numpages =     "9",
1856   year =         "1985",
1857   month =        apr,
1858   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
1859   publisher =    "American Physical Society",
1860 }
1861
1862 @Article{brenner90,
1863   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
1864                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
1865                  films",
1866   author =       "Donald W. Brenner",
1867   journal =      "Phys. Rev. B",
1868   volume =       "42",
1869   number =       "15",
1870   pages =        "9458--9471",
1871   numpages =     "13",
1872   year =         "1990",
1873   month =        nov,
1874   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
1875   publisher =    "American Physical Society",
1876   notes =        "brenner hydro carbons",
1877 }
1878
1879 @Article{bazant96,
1880   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
1881                  Cohesive Energy Curves",
1882   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
1883   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1884   volume =       "77",
1885   number =       "21",
1886   pages =        "4370--4373",
1887   numpages =     "3",
1888   year =         "1996",
1889   month =        nov,
1890   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
1891   publisher =    "American Physical Society",
1892   notes =        "first si edip",
1893 }
1894
1895 @Article{bazant97,
1896   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
1897                  silicon",
1898   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
1899                  Justo",
1900   journal =      "Phys. Rev. B",
1901   volume =       "56",
1902   number =       "14",
1903   pages =        "8542--8552",
1904   numpages =     "10",
1905   year =         "1997",
1906   month =        oct,
1907   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
1908   publisher =    "American Physical Society",
1909   notes =        "second si edip",
1910 }
1911
1912 @Article{justo98,
1913   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
1914                  disordered phases",
1915   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
1916                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
1917   journal =      "Phys. Rev. B",
1918   volume =       "58",
1919   number =       "5",
1920   pages =        "2539--2550",
1921   numpages =     "11",
1922   year =         "1998",
1923   month =        aug,
1924   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
1925   publisher =    "American Physical Society",
1926   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
1927 }
1928
1929 @Article{parcas_md,
1930   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
1931   author =       "K. Nordlund",
1932   year =         "2008",
1933 }
1934
1935 @Article{voter97,
1936   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
1937                  Infrequent Events",
1938   author =       "Arthur F. Voter",
1939   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1940   volume =       "78",
1941   number =       "20",
1942   pages =        "3908--3911",
1943   numpages =     "3",
1944   year =         "1997",
1945   month =        may,
1946   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
1947   publisher =    "American Physical Society",
1948   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
1949 }
1950
1951 @Article{voter97_2,
1952   author =       "Arthur F. Voter",
1953   collaboration = "",
1954   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
1955                  simulation of infrequent events",
1956   publisher =    "AIP",
1957   year =         "1997",
1958   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1959   volume =       "106",
1960   number =       "11",
1961   pages =        "4665--4677",
1962   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
1963                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
1964                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
1965                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
1966                  theory; potential energy surfaces",
1967   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
1968   doi =          "10.1063/1.473503",
1969   notes =        "improved hyperdynamics md",
1970 }
1971
1972 @Article{sorensen2000,
1973   author =       "Mads R. S\o rensen and Arthur F. Voter",
1974   collaboration = "",
1975   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
1976                  infrequent events",
1977   publisher =    "AIP",
1978   year =         "2000",
1979   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
1980   volume =       "112",
1981   number =       "21",
1982   pages =        "9599--9606",
1983   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
1984                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
1985   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
1986   doi =          "10.1063/1.481576",
1987   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
1988 }
1989
1990 @Article{voter98,
1991   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
1992                  events",
1993   author =       "Arthur F. Voter",
1994   journal =      "Phys. Rev. B",
1995   volume =       "57",
1996   number =       "22",
1997   pages =        "R13985--R13988",
1998   numpages =     "3",
1999   year =         "1998",
2000   month =        jun,
2001   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2002   publisher =    "American Physical Society",
2003   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2004 }
2005
2006 @Article{wu99,
2007   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2008   collaboration = "",
2009   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2010                  simulation",
2011   publisher =    "AIP",
2012   year =         "1999",
2013   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2014   volume =       "110",
2015   number =       "19",
2016   pages =        "9401--9410",
2017   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2018                  potential; crystallisation; liquid theory",
2019   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2020   doi =          "10.1063/1.478948",
2021   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2022                  systematic motion",
2023 }
2024
2025 @Article{choudhary05,
2026   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2027   collaboration = "",
2028   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2029                  to the production of amorphous silicon",
2030   publisher =    "AIP",
2031   year =         "2005",
2032   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
2033   volume =       "122",
2034   number =       "15",
2035   eid =          "154509",
2036   numpages =     "8",
2037   pages =        "154509",
2038   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2039                  amorphous semiconductors",
2040   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2041   doi =          "10.1063/1.1878733",
2042   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2043                  silicon",
2044 }
2045
2046 @Article{taylor93,
2047   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2048   collaboration = "",
2049   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2050                  difficult?",
2051   publisher =    "AIP",
2052   year =         "1993",
2053   journal =      "Applied Physics Letters",
2054   volume =       "62",
2055   number =       "25",
2056   pages =        "3336--3338",
2057   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2058                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2059                  ENERGY",
2060   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2061   doi =          "10.1063/1.109063",
2062   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
2063 }
2064
2065 @Article{chaussende08,
2066   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2067   journal =      "Journal of Crystal Growth",
2068   volume =       "310",
2069   number =       "5",
2070   pages =        "976--981",
2071   year =         "2008",
2072   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2073                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2074   ISSN =         "0022-0248",
2075   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2076   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2077   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2078                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2079                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2080                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2081   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2082                  metastable",
2083 }
2084
2085 @Article{feynman39,
2086   title =        "Forces in Molecules",
2087   author =       "R. P. Feynman",
2088   journal =      "Phys. Rev.",
2089   volume =       "56",
2090   number =       "4",
2091   pages =        "340--343",
2092   numpages =     "3",
2093   year =         "1939",
2094   month =        aug,
2095   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2096   publisher =    "American Physical Society",
2097   notes =        "hellmann feynman forces",
2098 }
2099
2100 @Article{buczko00,
2101   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2102                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2103                  their Contrasting Properties",
2104   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2105                  T. Pantelides",
2106   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2107   volume =       "84",
2108   number =       "5",
2109   pages =        "943--946",
2110   numpages =     "3",
2111   year =         "2000",
2112   month =        jan,
2113   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2114   publisher =    "American Physical Society",
2115   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2116 }
2117
2118 @Article{djurabekova08,
2119   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2120                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2121   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2122   journal =      "Phys. Rev. B",
2123   volume =       "77",
2124   number =       "11",
2125   pages =        "115325",
2126   numpages =     "7",
2127   year =         "2008",
2128   month =        mar,
2129   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
2130   publisher =    "American Physical Society",
2131   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
2132                  angular distribution, coordination",
2133 }
2134
2135 @Article{wen09,
2136   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
2137                  W. Liang and J. Zou",
2138   collaboration = "",
2139   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
2140                  strain relaxation at highly lattice mismatched
2141                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
2142   publisher =    "AIP",
2143   year =         "2009",
2144   journal =      "Journal of Applied Physics",
2145   volume =       "106",
2146   number =       "7",
2147   eid =          "073522",
2148   numpages =     "8",
2149   pages =        "073522",
2150   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
2151                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
2152                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
2153                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
2154   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
2155   doi =          "10.1063/1.3234380",
2156   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
2157                  deconvolution, dislocation defects",
2158 }
2159
2160 @Article{kitabatake93,
2161   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
2162                  Hirao",
2163   collaboration = "",
2164   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
2165                  growth on Si(001) surface",
2166   publisher =    "AIP",
2167   year =         "1993",
2168   journal =      "Journal of Applied Physics",
2169   volume =       "74",
2170   number =       "7",
2171   pages =        "4438--4445",
2172   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2173                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2174                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2175   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2176   doi =          "10.1063/1.354385",
2177   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2178                  model, interface",
2179 }
2180
2181 @Article{chirita97,
2182   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
2183                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
2184                  dynamics study",
2185   journal =      "Thin Solid Films",
2186   volume =       "294",
2187   number =       "1-2",
2188   pages =        "47--49",
2189   year =         "1997",
2190   note =         "",
2191   ISSN =         "0040-6090",
2192   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
2193   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
2194   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
2195   keywords =     "Strain relaxation",
2196   keywords =     "Interfaces",
2197   keywords =     "Thermal stability",
2198   keywords =     "Molecular dynamics",
2199   notes =        "tersoff sic/si interface study",
2200 }
2201
2202 @Article{cicero02,
2203   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
2204                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
2205   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
2206                  Catellani",
2207   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2208   volume =       "89",
2209   number =       "15",
2210   pages =        "156101",
2211   numpages =     "4",
2212   year =         "2002",
2213   month =        sep,
2214   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
2215   publisher =    "American Physical Society",
2216   notes =        "sic/si interface study",
2217 }
2218
2219 @Article{pizzagalli03,
2220   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2221                  interface: Si{C}/Si(001)",
2222   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2223                  Catellani",
2224   journal =      "Phys. Rev. B",
2225   volume =       "68",
2226   number =       "19",
2227   pages =        "195302",
2228   numpages =     "10",
2229   year =         "2003",
2230   month =        nov,
2231   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2232   publisher =    "American Physical Society",
2233   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2234 }
2235
2236 @Article{tang07,
2237   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2238                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2239                  electron microscopy",
2240   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2241                  H. Zheng and J. W. Liang",
2242   journal =      "Phys. Rev. B",
2243   volume =       "75",
2244   number =       "18",
2245   pages =        "184103",
2246   numpages =     "7",
2247   year =         "2007",
2248   month =        may,
2249   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2250   publisher =    "American Physical Society",
2251   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2252                  si and c",
2253 }
2254
2255 @Article{hornstra58,
2256   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2257   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2258   volume =       "5",
2259   number =       "1-2",
2260   pages =        "129--141",
2261   year =         "1958",
2262   note =         "",
2263   ISSN =         "0022-3697",
2264   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2265   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2266   author =       "J. Hornstra",
2267   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2268 }
2269
2270 @Article{eichhorn99,
2271   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2272                  K{\"{o}}gler",
2273   collaboration = "",
2274   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2275                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2276                  synchrotron x-ray diffraction",
2277   publisher =    "AIP",
2278   year =         "1999",
2279   journal =      "Journal of Applied Physics",
2280   volume =       "86",
2281   number =       "8",
2282   pages =        "4184--4187",
2283   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2284                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2285                  precipitation; semiconductor doping",
2286   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2287   doi =          "10.1063/1.371344",
2288   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
2289                  expansion of si lattice",
2290 }
2291
2292 @Article{eichhorn02,
2293   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2294                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2295   collaboration = "",
2296   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2297                  carbon ion implantation",
2298   publisher =    "AIP",
2299   year =         "2002",
2300   journal =      "Journal of Applied Physics",
2301   volume =       "91",
2302   number =       "3",
2303   pages =        "1287--1292",
2304   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2305                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2306                  electron microscopy",
2307   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2308   doi =          "10.1063/1.1428105",
2309   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2310                  temperature, might explain c int to c sub trafo",
2311 }
2312
2313 @Article{lucas10,
2314   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2315   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2316                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2317                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2318                  amorphous structures",
2319   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2320   volume =       "22",
2321   number =       "3",
2322   pages =        "035802",
2323   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2324   year =         "2010",
2325   notes =        "edip sic",
2326 }
2327
2328 @Article{godet03,
2329   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2330                  Beauchamp",
2331   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2332                  methods for silicon under large shear",
2333   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2334   volume =       "15",
2335   number =       "41",
2336   pages =        "6943",
2337   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2338   year =         "2003",
2339   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2340                  edip, tersoff, ab initio",
2341 }
2342
2343 @Article{moriguchi98,
2344   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2345                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2346   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2347   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2348   volume =       "37",
2349   number =       "Part 1, No. 2",
2350   pages =        "414--422",
2351   numpages =     "8",
2352   year =         "1998",
2353   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2354   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2355   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2356   notes =        "tersoff stringent test",
2357 }
2358
2359 @Article{mazzarolo01,
2360   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
2361                  simulations",
2362   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
2363                  Lulli and Eros Albertazzi",
2364   journal =      "Phys. Rev. B",
2365   volume =       "63",
2366   number =       "19",
2367   pages =        "195207",
2368   numpages =     "4",
2369   year =         "2001",
2370   month =        apr,
2371   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
2372   publisher =    "American Physical Society",
2373 }
2374
2375 @Article{holmstroem08,
2376   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
2377                  density functional theory molecular dynamics
2378                  simulations",
2379   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
2380   journal =      "Phys. Rev. B",
2381   volume =       "78",
2382   number =       "4",
2383   pages =        "045202",
2384   numpages =     "6",
2385   year =         "2008",
2386   month =        jul,
2387   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
2388   publisher =    "American Physical Society",
2389   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
2390                  initio",
2391 }
2392
2393 @Article{nordlund97,
2394   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
2395                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
2396   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
2397                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
2398   volume =       "132",
2399   number =       "1",
2400   pages =        "45--54",
2401   year =         "1997",
2402   note =         "",
2403   ISSN =         "0168-583X",
2404   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
2405   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
2406   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
2407   notes =        "repulsive ab initio potential",
2408 }
2409
2410 @Article{kresse96,
2411   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
2412                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
2413                  set",
2414   journal =      "Computational Materials Science",
2415   volume =       "6",
2416   number =       "1",
2417   pages =        "15--50",
2418   year =         "1996",
2419   note =         "",
2420   ISSN =         "0927-0256",
2421   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
2422   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
2423   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
2424   notes =        "vasp ref",
2425 }
2426
2427 @Article{bloechl94,
2428   title =        "Projector augmented-wave method",
2429   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
2430   journal =      "Phys. Rev. B",
2431   volume =       "50",
2432   number =       "24",
2433   pages =        "17953--17979",
2434   numpages =     "26",
2435   year =         "1994",
2436   month =        dec,
2437   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
2438   publisher =    "American Physical Society",
2439   notes =        "paw method",
2440 }
2441
2442 @Article{hamann79,
2443   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
2444   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
2445   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2446   volume =       "43",
2447   number =       "20",
2448   pages =        "1494--1497",
2449   numpages =     "3",
2450   year =         "1979",
2451   month =        nov,
2452   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
2453   publisher =    "American Physical Society",
2454   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
2455 }
2456
2457 @Article{vanderbilt90,
2458   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
2459                  eigenvalue formalism",
2460   author =       "David Vanderbilt",
2461   journal =      "Phys. Rev. B",
2462   volume =       "41",
2463   number =       "11",
2464   pages =        "7892--7895",
2465   numpages =     "3",
2466   year =         "1990",
2467   month =        apr,
2468   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
2469   publisher =    "American Physical Society",
2470   notes =        "vasp pseudopotentials",
2471 }
2472
2473 @Article{perdew86,
2474   title =        "Accurate and simple density functional for the
2475                  electronic exchange energy: Generalized gradient
2476                  approximation",
2477   author =       "John P. Perdew and Wang Yue",
2478   journal =      "Phys. Rev. B",
2479   volume =       "33",
2480   number =       "12",
2481   pages =        "8800--8802",
2482   numpages =     "2",
2483   year =         "1986",
2484   month =        jun,
2485   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
2486   publisher =    "American Physical Society",
2487   notes =        "rapid communication gga",
2488 }
2489
2490 @Article{perdew02,
2491   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
2492                  correlation: {A} look backward and forward",
2493   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
2494   volume =       "172",
2495   number =       "1-2",
2496   pages =        "1--6",
2497   year =         "1991",
2498   note =         "",
2499   ISSN =         "0921-4526",
2500   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
2501   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
2502   author =       "John P. Perdew",
2503   notes =        "gga overview",
2504 }
2505
2506 @Article{perdew92,
2507   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
2508                  of the generalized gradient approximation for exchange
2509                  and correlation",
2510   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
2511                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
2512                  and Carlos Fiolhais",
2513   journal =      "Phys. Rev. B",
2514   volume =       "46",
2515   number =       "11",
2516   pages =        "6671--6687",
2517   numpages =     "16",
2518   year =         "1992",
2519   month =        sep,
2520   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
2521   publisher =    "American Physical Society",
2522   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
2523 }
2524
2525 @Article{baldereschi73,
2526   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
2527   author =       "A. Baldereschi",
2528   journal =      "Phys. Rev. B",
2529   volume =       "7",
2530   number =       "12",
2531   pages =        "5212--5215",
2532   numpages =     "3",
2533   year =         "1973",
2534   month =        jun,
2535   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
2536   publisher =    "American Physical Society",
2537   notes =        "mean value k point",
2538 }
2539
2540 @Article{zhu98,
2541   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
2542                  diffusion in Si",
2543   journal =      "Computational Materials Science",
2544   volume =       "12",
2545   number =       "4",
2546   pages =        "309--318",
2547   year =         "1998",
2548   note =         "",
2549   ISSN =         "0927-0256",
2550   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
2551   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
2552   author =       "Jing Zhu",
2553   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
2554   keywords =     "Boron dopant",
2555   keywords =     "Carbon dopant",
2556   keywords =     "Defect",
2557   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
2558   keywords =     "Impurity cluster",
2559   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
2560 }
2561
2562 @Article{nejim95,
2563   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
2564   collaboration = "",
2565   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
2566                  950 [degree]{C}",
2567   publisher =    "AIP",
2568   year =         "1995",
2569   journal =      "Applied Physics Letters",
2570   volume =       "66",
2571   number =       "20",
2572   pages =        "2646--2648",
2573   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
2574                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
2575                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
2576                  ELECTRON MICROSCOPY",
2577   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
2578   doi =          "10.1063/1.113112",
2579   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
2580                  self interstitials react with further implanted c",
2581 }
2582
2583 @Article{guedj98,
2584   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
2585                  Kolodzey and A. Hairie",
2586   collaboration = "",
2587   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2588                  alloys",
2589   publisher =    "AIP",
2590   year =         "1998",
2591   journal =      "Journal of Applied Physics",
2592   volume =       "84",
2593   number =       "8",
2594   pages =        "4631--4633",
2595   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
2596                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
2597                  Fourier transform spectra; thermal stability;
2598                  annealing",
2599   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
2600   doi =          "10.1063/1.368703",
2601   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
2602 }
2603
2604 @Article{jones04,
2605   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
2606   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
2607                  semiconductors",
2608   journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
2609   volume =       "16",
2610   number =       "27",
2611   pages =        "S2643",
2612   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
2613   year =         "2004",
2614   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
2615 }
2616
2617 @Article{park02,
2618   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
2619                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
2620                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
2621   collaboration = "",
2622   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
2623                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
2624                  molecular-beam epitaxy",
2625   publisher =    "AIP",
2626   year =         "2002",
2627   journal =      "Journal of Applied Physics",
2628   volume =       "91",
2629   number =       "9",
2630   pages =        "5716--5727",
2631   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
2632   doi =          "10.1063/1.1465122",
2633   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
2634 }
2635
2636 @Article{leary97,
2637   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
2638                  carbon-carbon pair defects in silicon",
2639   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
2640                  Torres",
2641   journal =      "Phys. Rev. B",
2642   volume =       "55",
2643   number =       "4",
2644   pages =        "2188--2194",
2645   numpages =     "6",
2646   year =         "1997",
2647   month =        jan,
2648   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
2649   publisher =    "American Physical Society",
2650   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
2651                  energies, different migration barriers and paths",
2652 }
2653
2654 @Article{burnard93,
2655   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
2656                  silicon: Semiempirical electronic-structure
2657                  calculations",
2658   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
2659   journal =      "Phys. Rev. B",
2660   volume =       "47",
2661   number =       "16",
2662   pages =        "10217--10225",
2663   numpages =     "8",
2664   year =         "1993",
2665   month =        apr,
2666   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
2667   publisher =    "American Physical Society",
2668   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
2669                  carbon defect, formation energies",
2670 }
2671
2672 @Article{kaxiras96,
2673   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
2674                  and growth on semiconductors",
2675   journal =      "Computational Materials Science",
2676   volume =       "6",
2677   number =       "2",
2678   pages =        "158--172",
2679   year =         "1996",
2680   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
2681                  Epitaxy",
2682   ISSN =         "0927-0256",
2683   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
2684   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
2685   author =       "Efthimios Kaxiras",
2686   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
2687                  tight binding, first principles",
2688 }
2689
2690 @Article{kaukonen98,
2691   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
2692                  diamond
2693                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
2694                  surfaces",
2695   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
2696                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
2697                  Th. Frauenheim",
2698   journal =      "Phys. Rev. B",
2699   volume =       "57",
2700   number =       "16",
2701   pages =        "9965--9970",
2702   numpages =     "5",
2703   year =         "1998",
2704   month =        apr,
2705   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
2706   publisher =    "American Physical Society",
2707   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
2708                  (crt)",
2709 }
2710
2711 @Article{gali03,
2712   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
2713                  center in Si{C}",
2714   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
2715                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
2716                  W. J. Choyke",
2717   journal =      "Phys. Rev. B",
2718   volume =       "67",
2719   number =       "15",
2720   pages =        "155203",
2721   numpages =     "5",
2722   year =         "2003",
2723   month =        apr,
2724   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
2725   publisher =    "American Physical Society",
2726 }
2727
2728 @Article{chen98,
2729   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
2730                  irradiation and deformation",
2731   journal =      "Journal of Nuclear Materials",
2732   volume =       "258-263",
2733   number =       "Part 2",
2734   pages =        "1803--1808",
2735   year =         "1998",
2736   note =         "",
2737   ISSN =         "0022-3115",
2738   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
2739   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
2740   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
2741 }
2742
2743 @Article{weber01,
2744   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
2745                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
2746   journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
2747                  Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
2748   volume =       "175-177",
2749   number =       "",
2750   pages =        "26--30",
2751   year =         "2001",
2752   note =         "",
2753   ISSN =         "0168-583X",
2754   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
2755   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
2756   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
2757   keywords =     "Amorphization",
2758   keywords =     "Irradiation effects",
2759   keywords =     "Thermal recovery",
2760   keywords =     "Silicon carbide",
2761 }
2762
2763 @Article{bockstedte03,
2764   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
2765                  in $3{C}-Si{C}$",
2766   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
2767                  Pankratov",
2768   journal =      "Phys. Rev. B",
2769   volume =       "68",
2770   number =       "20",
2771   pages =        "205201",
2772   numpages =     "17",
2773   year =         "2003",
2774   month =        nov,
2775   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
2776   publisher =    "American Physical Society",
2777   notes =        "defect migration in sic",
2778 }
2779
2780 @Article{rauls03a,
2781   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
2782                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
2783   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
2784                  De\'ak",
2785   journal =      "Phys. Rev. B",
2786   volume =       "68",
2787   number =       "15",
2788   pages =        "155208",
2789   numpages =     "9",
2790   year =         "2003",
2791   month =        oct,
2792   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
2793   publisher =    "American Physical Society",
2794 }