bibdb/bibdb.bib

   1 %
   2 % bibliography database
   3 %
   4
   5 @Article{albe_sic_pot,
   6   author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
   7   title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
   8                  silicon, carbon, and silicon carbide",
   9   publisher =    "APS",
  10   year =         "2005",
  11   journal =      "Phys. Rev. B",
  12   volume =       "71",
  13   number =       "3",
  14   eid =          "035211",
  15   numpages =     "14",
  16   pages =        "035211",
  17   notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
  18                  potential (ABOP)",
  19   keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
  20                  compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
  21                  enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
  22                  forces",
  23   URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
  24   doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
  25 }
  26
  27 @Article{albe2002,
  28   title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
  29                  Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
  30   author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
  31   journal =      "Phys. Rev. B",
  32   volume =       "65",
  33   number =       "19",
  34   pages =        "195124",
  35   numpages =     "11",
  36   year =         "2002",
  37   month =        may,
  38   doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
  39   publisher =    "American Physical Society",
  40   notes =        "derivation of albe bond order formalism",
  41 }
  42
  43 @Article{bean71,
  44   title =        "The solubility of carbon in pulled silicon crystals",
  45   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
  46   volume =       "32",
  47   number =       "6",
  48   pages =        "1211--1219",
  49   year =         "1971",
  50   note =         "",
  51   ISSN =         "0022-3697",
  52   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3697(71)80179-8",
  53   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-4PR80SS-D/2/ce21d10d2bb885b5641905883a618ff5",
  54   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
  55   notes =        "experimental solubility data of carbon in silicon",
  56 }
  57
  58 @Article{capano97,
  59   author =       "M. A. Capano and R. J. Trew",
  60   title =        "Silicon Carbide Electronic Materials and Devices",
  61   journal =      "MRS Bull.",
  62   volume =       "22",
  63   pages =        "19",
  64   year =         "1997",
  65 }
  66
  67 @Article{fischer90,
  68   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
  69   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
  70                  carbide",
  71   journal =      "Philos. Mag. B",
  72   volume =       "61",
  73   pages =        "217--236",
  74   year =         "1990",
  75   notes =        "sic polytypes",
  76 }
  77
  78 @Article{koegler03,
  79   author =       "R. K{\"{o}}gler and F. Eichhorn and J. R. Kaschny and
  80                  A. M{\"{u}}cklich and H. Reuther and W. Skorupa and C.
  81                  Serre and A. Perez-Rodriguez",
  82   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
  83                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
  84                  ions",
  85   journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
  86   volume =       "76",
  87   pages =        "827--835",
  88   month =        mar,
  89   year =         "2003",
  90   notes =        "dual implantation, sic prec enhanced by vacancies,
  91                  precipitation by interstitial and substitutional
  92                  carbon, both mechanisms explained + refs",
  93 }
  94
  95 @Article{skorupa96,
  96   title =        "Carbon-mediated effects in silicon and in
  97                  silicon-related materials",
  98   journal =      "Materials Chemistry and Physics",
  99   volume =       "44",
 100   number =       "2",
 101   pages =        "101--143",
 102   year =         "1996",
 103   note =         "",
 104   ISSN =         "0254-0584",
 105   doi =          "DOI: 10.1016/0254-0584(95)01673-I",
 106   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TX4-3VR9V74-2/2/4ab972315eb79eaa76b55ffab5aed982",
 107   author =       "W. Skorupa and R. A. Yankov",
 108   notes =        "review of silicon carbon compound",
 109 }
 110
 111 @Book{laplace,
 112   author =       "P. S. de Laplace",
 113   title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
 114   series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
 115   volume =       "VII",
 116   publisher =    "Gauthier-Villars",
 117   year =         "1820",
 118 }
 119
 120 @Article{mattoni2007,
 121   author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
 122   title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
 123                  materials}",
 124   journal =      "Phys. Rev. B",
 125   year =         "2007",
 126   month =        dec,
 127   volume =       "76",
 128   number =       "22",
 129   pages =        "224103",
 130   doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
 131   notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
 132                  longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
 133                  fracture, more available potentials, universal energy
 134                  relation (uer), minimum range model (mrm)",
 135 }
 136
 137 @Article{balamane92,
 138   title =        "Comparative study of silicon empirical interatomic
 139                  potentials",
 140   author =       "H. Balamane and T. Halicioglu and W. A. Tiller",
 141   journal =      "Phys. Rev. B",
 142   volume =       "46",
 143   number =       "4",
 144   pages =        "2250--2279",
 145   numpages =     "29",
 146   year =         "1992",
 147   month =        jul,
 148   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.2250",
 149   publisher =    "American Physical Society",
 150   notes =        "comparison of classical potentials for si",
 151 }
 152
 153 @Article{koster2002,
 154   title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
 155                  bombardment",
 156   author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
 157   journal =      "Phys. Rev. B",
 158   volume =       "62",
 159   number =       "16",
 160   pages =        "11219--11224",
 161   numpages =     "5",
 162   year =         "2000",
 163   month =        oct,
 164   doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
 165   publisher =    "American Physical Society",
 166   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 167 }
 168
 169 @Article{breadmore99,
 170   title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
 171                  amorphization of silicon",
 172   author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
 173   journal =      "Phys. Rev. B",
 174   volume =       "60",
 175   number =       "18",
 176   pages =        "12610--12616",
 177   numpages =     "6",
 178   year =         "1999",
 179   month =        nov,
 180   doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
 181   publisher =    "American Physical Society",
 182   notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 183 }
 184
 185 @Article{nielsen83,
 186   title =        "First-Principles Calculation of Stress",
 187   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 188   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 189   volume =       "50",
 190   number =       "9",
 191   pages =        "697--700",
 192   numpages =     "3",
 193   year =         "1983",
 194   month =        feb,
 195   doi =          "10.1103/PhysRevLett.50.697",
 196   publisher =    "American Physical Society",
 197   notes =        "generalization of virial theorem",
 198 }
 199
 200 @Article{nielsen85,
 201   title =        "Quantum-mechanical theory of stress and force",
 202   author =       "O. H. Nielsen and Richard M. Martin",
 203   journal =      "Phys. Rev. B",
 204   volume =       "32",
 205   number =       "6",
 206   pages =        "3780--3791",
 207   numpages =     "11",
 208   year =         "1985",
 209   month =        sep,
 210   doi =          "10.1103/PhysRevB.32.3780",
 211   publisher =    "American Physical Society",
 212   notes =        "dft virial stress and forces",
 213 }
 214
 215 @Article{moissan04,
 216   author =       "Henri Moissan",
 217   title =        "Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon
 218                  Diablo",
 219   journal =      "Comptes rendus de l'Académie des Sciences",
 220   volume =       "139",
 221   pages =        "773--786",
 222   year =         "1904",
 223 }
 224
 225 @Book{park98,
 226   author =       "Y. S. Park",
 227   title =        "Si{C} Materials and Devices",
 228   publisher =    "Academic Press",
 229   address =      "San Diego",
 230   year =         "1998",
 231 }
 232
 233 @Article{tsvetkov98,
 234   author =       "Valeri F. Tsvetkov and R. C. Glass and D. Henshall and
 235                  Calvin H. Carter Jr. and D. Asbury",
 236   title =        "Si{C} Seeded Boule Growth",
 237   journal =      "Materials Science Forum",
 238   volume =       "264-268",
 239   pages =        "3--8",
 240   year =         "1998",
 241   notes =        "modified lely process, micropipes",
 242 }
 243
 244 @Article{verlet67,
 245   title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
 246                  Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
 247   author =       "Loup Verlet",
 248   journal =      "Phys. Rev.",
 249   volume =       "159",
 250   number =       "1",
 251   pages =        "98",
 252   year =         "1967",
 253   month =        jul,
 254   doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
 255   publisher =    "American Physical Society",
 256   notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
 257                  motion",
 258 }
 259
 260 @Article{berendsen84,
 261   author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
 262                  Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
 263   collaboration = "",
 264   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
 265   publisher =    "AIP",
 266   year =         "1984",
 267   journal =      "J. Chem. Phys.",
 268   volume =       "81",
 269   number =       "8",
 270   pages =        "3684--3690",
 271   keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
 272                  COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
 273   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
 274   doi =          "10.1063/1.448118",
 275   notes =        "berendsen thermostat barostat",
 276 }
 277
 278 @Article{huang95,
 279   author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
 280                  Baskes",
 281   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
 282                  in beta -Si{C} using three representative empirical
 283                  potentials",
 284   journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
 285   volume =       "3",
 286   number =       "5",
 287   pages =        "615--627",
 288   URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
 289   notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
 290                  energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
 291   year =         "1995",
 292 }
 293
 294 @Article{brenner89,
 295   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
 296                  Tersoff potentials",
 297   author =       "Donald W. Brenner",
 298   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 299   volume =       "63",
 300   number =       "9",
 301   pages =        "1022",
 302   numpages =     "1",
 303   year =         "1989",
 304   month =        aug,
 305   doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
 306   publisher =    "American Physical Society",
 307   notes =        "relation of tersoff and eam potential",
 308 }
 309
 310 @Article{batra87,
 311   title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
 312                  silicon",
 313   author =       "Inder P. Batra and Farid F. Abraham and S. Ciraci",
 314   journal =      "Phys. Rev. B",
 315   volume =       "35",
 316   number =       "18",
 317   pages =        "9552--9558",
 318   numpages =     "6",
 319   year =         "1987",
 320   month =        jun,
 321   doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
 322   publisher =    "American Physical Society",
 323   notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
 324                  calculation of defect formation energy, defect
 325                  interstitial types",
 326 }
 327
 328 @Article{schober89,
 329   title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
 330   author =       "H. R. Schober",
 331   journal =      "Phys. Rev. B",
 332   volume =       "39",
 333   number =       "17",
 334   pages =        "13013--13015",
 335   numpages =     "2",
 336   year =         "1989",
 337   month =        jun,
 338   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
 339   publisher =    "American Physical Society",
 340   notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
 341                  dumbbell configuration",
 342 }
 343
 344 @Article{gao02a,
 345   title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
 346                  Defect accumulation, topological features, and
 347                  disordering",
 348   author =       "F. Gao and W. J. Weber",
 349   journal =      "Phys. Rev. B",
 350   volume =       "66",
 351   number =       "2",
 352   pages =        "024106",
 353   numpages =     "10",
 354   year =         "2002",
 355   month =        jul,
 356   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
 357   publisher =    "American Physical Society",
 358   notes =        "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
 359                  tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
 360                  result analyze",
 361 }
 362
 363 @Article{devanathan98,
 364   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
 365                  cascade in Si{C}",
 366   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 367   volume =       "141",
 368   number =       "1-4",
 369   pages =        "118--122",
 370   year =         "1998",
 371   ISSN =         "0168-583X",
 372   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
 373   author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
 374                  Rubia",
 375   notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
 376                  3c-sic",
 377 }
 378
 379 @Article{devanathan98_2,
 380   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
 381   journal =      "J. Nucl. Mater.",
 382   volume =       "253",
 383   number =       "1-3",
 384   pages =        "47--52",
 385   year =         "1998",
 386   ISSN =         "0022-3115",
 387   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
 388   author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
 389                  Weber",
 390   notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
 391                  tersoff",
 392 }
 393
 394 @Article{kitabatake00,
 395   title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
 396   author =       "M. Kitabatake",
 397   journal =      "Thin Solid Films",
 398   volume =       "369",
 399   pages =        "257--264",
 400   numpages =     "8",
 401   year =         "2000",
 402   notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 403 }
 404
 405 @Article{tang97,
 406   title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
 407                  Tight-binding molecular dynamics studies of
 408                  self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
 409                  formation volumes",
 410   author =       "M. Tang and L. Colombo and J. Zhu and T. Diaz de la
 411                  Rubia",
 412   journal =      "Phys. Rev. B",
 413   volume =       "55",
 414   number =       "21",
 415   pages =        "14279--14289",
 416   numpages =     "10",
 417   year =         "1997",
 418   month =        jun,
 419   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
 420   publisher =    "American Physical Society",
 421   notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 422 }
 423
 424 @Article{johnson98,
 425   author =       "M. D. Johnson and M.-J. Caturla and T. D\'{\i}az de la
 426                  Rubia",
 427   collaboration = "",
 428   title =        "A kinetic Monte--Carlo study of the effective
 429                  diffusivity of the silicon self-interstitial in the
 430                  presence of carbon and boron",
 431   publisher =    "AIP",
 432   year =         "1998",
 433   journal =      "J. Appl. Phys.",
 434   volume =       "84",
 435   number =       "4",
 436   pages =        "1963--1967",
 437   keywords =     "MONTE CARLO METHOD; DIFFUSION; SILICON; INTERSTITIALS;
 438                  CARBON ADDITIONS; BORON ADDITIONS; elemental
 439                  semiconductors; self-diffusion",
 440   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/1963/1",
 441   doi =          "10.1063/1.368328",
 442   notes =        "kinetic monte carlo of si self interstitial
 443                  diffsuion",
 444 }
 445
 446 @Article{bar-yam84,
 447   title =        "Barrier to Migration of the Silicon
 448                  Self-Interstitial",
 449   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 450   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 451   volume =       "52",
 452   number =       "13",
 453   pages =        "1129--1132",
 454   numpages =     "3",
 455   year =         "1984",
 456   month =        mar,
 457   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1129",
 458   publisher =    "American Physical Society",
 459   notes =        "si self-interstitial migration barrier",
 460 }
 461
 462 @Article{bar-yam84_2,
 463   title =        "Electronic structure and total-energy migration
 464                  barriers of silicon self-interstitials",
 465   author =       "Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos",
 466   journal =      "Phys. Rev. B",
 467   volume =       "30",
 468   number =       "4",
 469   pages =        "1844--1852",
 470   numpages =     "8",
 471   year =         "1984",
 472   month =        aug,
 473   doi =          "10.1103/PhysRevB.30.1844",
 474   publisher =    "American Physical Society",
 475 }
 476
 477 @Article{bloechl93,
 478   title =        "First-principles calculations of self-diffusion
 479                  constants in silicon",
 480   author =       "Peter E. Bl{\"o}chl and Enrico Smargiassi and R. Car
 481                  and D. B. Laks and W. Andreoni and S. T. Pantelides",
 482   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 483   volume =       "70",
 484   number =       "16",
 485   pages =        "2435--2438",
 486   numpages =     "3",
 487   year =         "1993",
 488   month =        apr,
 489   doi =          "10.1103/PhysRevLett.70.2435",
 490   publisher =    "American Physical Society",
 491   notes =        "si self int diffusion by ab initio md, formation
 492                  entropy calculations",
 493 }
 494
 495 @Article{colombo02,
 496   title =        "Tight-binding theory of native point defects in
 497                  silicon",
 498   author =       "L. Colombo",
 499   journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
 500   volume =       "32",
 501   pages =        "271--295",
 502   numpages =     "25",
 503   year =         "2002",
 504   doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
 505   publisher =    "Annual Reviews",
 506   notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 507 }
 508
 509 @Article{al-mushadani03,
 510   title =        "Free-energy calculations of intrinsic point defects in
 511                  silicon",
 512   author =       "O. K. Al-Mushadani and R. J. Needs",
 513   journal =      "Phys. Rev. B",
 514   volume =       "68",
 515   number =       "23",
 516   pages =        "235205",
 517   numpages =     "8",
 518   year =         "2003",
 519   month =        dec,
 520   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.235205",
 521   publisher =    "American Physical Society",
 522   notes =        "formation energies of intrinisc point defects in
 523                  silicon, si self interstitials, free energy",
 524 }
 525
 526 @Article{goedecker02,
 527   title =        "A Fourfold Coordinated Point Defect in Silicon",
 528   author =       "Stefan Goedecker and Thierry Deutsch and Luc Billard",
 529   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 530   volume =       "88",
 531   number =       "23",
 532   pages =        "235501",
 533   numpages =     "4",
 534   year =         "2002",
 535   month =        may,
 536   doi =          "10.1103/PhysRevLett.88.235501",
 537   publisher =    "American Physical Society",
 538   notes =        "first time ffcd, fourfold coordinated point defect in
 539                  silicon",
 540 }
 541
 542 @Article{sahli05,
 543   title =        "Ab initio molecular dynamics simulation of
 544                  self-interstitial diffusion in silicon",
 545   author =       "Beat Sahli and Wolfgang Fichtner",
 546   journal =      "Phys. Rev. B",
 547   volume =       "72",
 548   number =       "24",
 549   pages =        "245210",
 550   numpages =     "6",
 551   year =         "2005",
 552   month =        dec,
 553   doi =          "10.1103/PhysRevB.72.245210",
 554   publisher =    "American Physical Society",
 555   notes =        "si self int, diffusion, barrier height, voronoi
 556                  mapping applied",
 557 }
 558
 559 @Article{hobler05,
 560   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
 561                  native point defects in silicon",
 562   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 563   volume =       "124-125",
 564   number =       "",
 565   pages =        "368--371",
 566   year =         "2005",
 567   note =         "EMRS 2005, Symposium D - Materials Science and Device
 568                  Issues for Future Technologies",
 569   ISSN =         "0921-5107",
 570   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2005.08.072",
 571   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4H6PKRB-3/2/e217bd3d7ee1fffee899eeb4a2f133a4",
 572   author =       "G. Hobler and G. Kresse",
 573   notes =        "vasp intrinsic si defect interaction study, capture
 574                  radius",
 575 }
 576
 577 @Article{ma10,
 578   title =        "Ab initio study of self-diffusion in silicon over a
 579                  wide temperature range: Point defect states and
 580                  migration mechanisms",
 581   author =       "Shangyi Ma and Shaoqing Wang",
 582   journal =      "Phys. Rev. B",
 583   volume =       "81",
 584   number =       "19",
 585   pages =        "193203",
 586   numpages =     "4",
 587   year =         "2010",
 588   month =        may,
 589   doi =          "10.1103/PhysRevB.81.193203",
 590   publisher =    "American Physical Society",
 591   notes =        "si self interstitial diffusion + refs",
 592 }
 593
 594 @Article{posselt06,
 595   title =        "Atomistic simulations on the thermal stability of the
 596                  antisite pair in 3{C}- and 4{H}-Si{C}",
 597   author =       "M. Posselt and F. Gao and W. J. Weber",
 598   journal =      "Phys. Rev. B",
 599   volume =       "73",
 600   number =       "12",
 601   pages =        "125206",
 602   numpages =     "8",
 603   year =         "2006",
 604   month =        mar,
 605   doi =          "10.1103/PhysRevB.73.125206",
 606   publisher =    "American Physical Society",
 607 }
 608
 609 @Article{posselt08,
 610   title =        "Correlation between self-diffusion in Si and the
 611                  migration mechanisms of vacancies and
 612                  self-interstitials: An atomistic study",
 613   author =       "M. Posselt and F. Gao and H. Bracht",
 614   journal =      "Phys. Rev. B",
 615   volume =       "78",
 616   number =       "3",
 617   pages =        "035208",
 618   numpages =     "9",
 619   year =         "2008",
 620   month =        jul,
 621   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.035208",
 622   publisher =    "American Physical Society",
 623   notes =        "si self-interstitial and vacancy diffusion, stillinger
 624                  weber and tersoff",
 625 }
 626
 627 @Article{gao2001,
 628   title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
 629                  properties in $3{C}-Si{C}$",
 630   author =       "F. Gao and E. J. Bylaska and W. J. Weber and L. R.
 631                  Corrales",
 632   journal =      "Phys. Rev. B",
 633   volume =       "64",
 634   number =       "24",
 635   pages =        "245208",
 636   numpages =     "7",
 637   year =         "2001",
 638   month =        dec,
 639   doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
 640   publisher =    "American Physical Society",
 641   notes =        "defects in 3c-sic",
 642 }
 643
 644 @Article{gao02,
 645   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
 646                  3{C}-Si{C}",
 647   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
 648   volume =       "191",
 649   number =       "1-4",
 650   pages =        "487--496",
 651   year =         "2002",
 652   note =         "",
 653   ISSN =         "0168-583X",
 654   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(02)00600-6",
 655   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-453NR6B-G/2/e65b0730e94e13d66f72a2147b449ea7",
 656   author =       "Fei Gao and William J. Weber",
 657   keywords =     "Empirical potential",
 658   keywords =     "Defect properties",
 659   keywords =     "Silicon carbide",
 660   keywords =     "Computer simulation",
 661   notes =        "sic potential, brenner type, like erhart/albe",
 662 }
 663
 664 @Article{gao04,
 665   title =        "Atomistic study of intrinsic defect migration in
 666                  3{C}-Si{C}",
 667   author =       "Fei Gao and William J. Weber and M. Posselt and V.
 668                  Belko",
 669   journal =      "Phys. Rev. B",
 670   volume =       "69",
 671   number =       "24",
 672   pages =        "245205",
 673   numpages =     "5",
 674   year =         "2004",
 675   month =        jun,
 676   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.245205",
 677   publisher =    "American Physical Society",
 678   notes =        "defect migration in sic",
 679 }
 680
 681 @Article{gao07,
 682   author =       "F. Gao and J. Du and E. J. Bylaska and M. Posselt and
 683                  W. J. Weber",
 684   collaboration = "",
 685   title =        "Ab Initio atomic simulations of antisite pair recovery
 686                  in cubic silicon carbide",
 687   publisher =    "AIP",
 688   year =         "2007",
 689   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 690   volume =       "90",
 691   number =       "22",
 692   eid =          "221915",
 693   numpages =     "3",
 694   pages =        "221915",
 695   keywords =     "ab initio calculations; silicon compounds; antisite
 696                  defects; wide band gap semiconductors; molecular
 697                  dynamics method; density functional theory;
 698                  electron-hole recombination; photoluminescence;
 699                  impurities; diffusion",
 700   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/90/221915/1",
 701   doi =          "10.1063/1.2743751",
 702 }
 703
 704 @Article{mattoni2002,
 705   title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
 706                  crystalline silicon",
 707   author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
 708   journal =      "Phys. Rev. B",
 709   volume =       "66",
 710   number =       "19",
 711   pages =        "195214",
 712   numpages =     "6",
 713   year =         "2002",
 714   month =        nov,
 715   doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
 716   publisher =    "American Physical Society",
 717   notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
 718                  links, interaction of carbon and silicon interstitials,
 719                  tersoff suitability",
 720 }
 721
 722 @Article{leung99,
 723   title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
 724   author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
 725                  Itoh and S. Ihara",
 726   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 727   volume =       "83",
 728   number =       "12",
 729   pages =        "2351--2354",
 730   numpages =     "3",
 731   year =         "1999",
 732   month =        sep,
 733   doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
 734   publisher =    "American Physical Society",
 735   notes =        "nice images of the defects, si defect overview +
 736                  refs",
 737 }
 738
 739 @Article{capaz94,
 740   title =        "Identification of the migration path of interstitial
 741                  carbon in silicon",
 742   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 743   journal =      "Phys. Rev. B",
 744   volume =       "50",
 745   number =       "11",
 746   pages =        "7439--7442",
 747   numpages =     "3",
 748   year =         "1994",
 749   month =        sep,
 750   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
 751   publisher =    "American Physical Society",
 752   notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
 753                  dumbbell",
 754 }
 755
 756 @Article{capaz98,
 757   title =        "Theory of carbon-carbon pairs in silicon",
 758   author =       "R. B. Capaz and A. {Dal Pino} and J. D. Joannopoulos",
 759   journal =      "Phys. Rev. B",
 760   volume =       "58",
 761   number =       "15",
 762   pages =        "9845--9850",
 763   numpages =     "5",
 764   year =         "1998",
 765   month =        oct,
 766   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.9845",
 767   publisher =    "American Physical Society",
 768   notes =        "c_i c_s pair configuration, theoretical results",
 769 }
 770
 771 @Article{song90_2,
 772   title =        "Bistable interstitial-carbon--substitutional-carbon
 773                  pair in silicon",
 774   author =       "L. W. Song and X. D. Zhan and B. W. Benson and G. D.
 775                  Watkins",
 776   journal =      "Phys. Rev. B",
 777   volume =       "42",
 778   number =       "9",
 779   pages =        "5765--5783",
 780   numpages =     "18",
 781   year =         "1990",
 782   month =        sep,
 783   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5765",
 784   publisher =    "American Physical Society",
 785   notes =        "c_i c_s pair configuration, experimental results",
 786 }
 787
 788 @Article{liu02,
 789   author =       "Chun-Li Liu and Wolfgang Windl and Len Borucki and
 790                  Shifeng Lu and Xiang-Yang Liu",
 791   collaboration = "",
 792   title =        "Ab initio modeling and experimental study of {C}--{B}
 793                  interactions in Si",
 794   publisher =    "AIP",
 795   year =         "2002",
 796   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 797   volume =       "80",
 798   number =       "1",
 799   pages =        "52--54",
 800   keywords =     "silicon; boron; carbon; elemental semiconductors;
 801                  impurity-defect interactions; ab initio calculations;
 802                  secondary ion mass spectra; diffusion; interstitials",
 803   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/80/52/1",
 804   doi =          "10.1063/1.1430505",
 805   notes =        "c-c 100 split, lower as a and b states of capaz",
 806 }
 807
 808 @Article{dal_pino93,
 809   title =        "Ab initio investigation of carbon-related defects in
 810                  silicon",
 811   author =       "A. {Dal Pino} and Andrew M. Rappe and J. D.
 812                  Joannopoulos",
 813   journal =      "Phys. Rev. B",
 814   volume =       "47",
 815   number =       "19",
 816   pages =        "12554--12557",
 817   numpages =     "3",
 818   year =         "1993",
 819   month =        may,
 820   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.12554",
 821   publisher =    "American Physical Society",
 822   notes =        "c interstitials in crystalline silicon",
 823 }
 824
 825 @Article{car84,
 826   title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
 827                  Silicon",
 828   author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
 829                  Sokrates T. Pantelides",
 830   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 831   volume =       "52",
 832   number =       "20",
 833   pages =        "1814--1817",
 834   numpages =     "3",
 835   year =         "1984",
 836   month =        may,
 837   doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
 838   publisher =    "American Physical Society",
 839   notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
 840                  path formation",
 841 }
 842
 843 @Article{car85,
 844   title =        "Unified Approach for Molecular Dynamics and
 845                  Density-Functional Theory",
 846   author =       "R. Car and M. Parrinello",
 847   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 848   volume =       "55",
 849   number =       "22",
 850   pages =        "2471--2474",
 851   numpages =     "3",
 852   year =         "1985",
 853   month =        nov,
 854   doi =          "10.1103/PhysRevLett.55.2471",
 855   publisher =    "American Physical Society",
 856   notes =        "car parrinello method, dft and md",
 857 }
 858
 859 @Article{kelires97,
 860   title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
 861                  c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
 862   author =       "P. C. Kelires",
 863   journal =      "Phys. Rev. B",
 864   volume =       "55",
 865   number =       "14",
 866   pages =        "8784--8787",
 867   numpages =     "3",
 868   year =         "1997",
 869   month =        apr,
 870   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
 871   publisher =    "American Physical Society",
 872   notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
 873                  neighbour dist",
 874 }
 875
 876 @Article{kelires95,
 877   title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
 878                  Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
 879   author =       "P. C. Kelires",
 880   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 881   volume =       "75",
 882   number =       "6",
 883   pages =        "1114--1117",
 884   numpages =     "3",
 885   year =         "1995",
 886   month =        aug,
 887   doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
 888   publisher =    "American Physical Society",
 889   notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
 890 }
 891
 892 @Article{bean70,
 893   title =        "Low temperature electron irradiation of silicon
 894                  containing carbon",
 895   journal =      "Solid State Communications",
 896   volume =       "8",
 897   number =       "3",
 898   pages =        "175--177",
 899   year =         "1970",
 900   note =         "",
 901   ISSN =         "0038-1098",
 902   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1098(70)90074-8",
 903   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVW-46MF8S4-156/2/5f4d9c189a3d97227fde9214195aa081",
 904   author =       "A. R. Bean and R. C. Newman",
 905 }
 906
 907 @Article{watkins76,
 908   title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
 909                  Atom in Silicon",
 910   author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
 911   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
 912   volume =       "36",
 913   number =       "22",
 914   pages =        "1329--1332",
 915   numpages =     "3",
 916   year =         "1976",
 917   month =        may,
 918   doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
 919   publisher =    "American Physical Society",
 920   notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
 921                  silicon",
 922 }
 923
 924 @Article{song90,
 925   title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
 926                  interstitial carbon in silicon",
 927   author =       "L. W. Song and G. D. Watkins",
 928   journal =      "Phys. Rev. B",
 929   volume =       "42",
 930   number =       "9",
 931   pages =        "5759--5764",
 932   numpages =     "5",
 933   year =         "1990",
 934   month =        sep,
 935   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
 936   publisher =    "American Physical Society",
 937   notes =        "carbon diffusion in silicon",
 938 }
 939
 940 @Article{tipping87,
 941   author =       "A K Tipping and R C Newman",
 942   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
 943                  silicon",
 944   journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
 945   volume =       "2",
 946   number =       "5",
 947   pages =        "315--317",
 948   URL =          "http://stacks.iop.org/0268-1242/2/315",
 949   year =         "1987",
 950   notes =        "diffusion coefficient of carbon interstitials in
 951                  silicon",
 952 }
 953
 954 @Article{strane96,
 955   title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
 956                  ion implantation and solid phase epitaxy",
 957   author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
 958                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
 959   journal =      "J. Appl. Phys.",
 960   volume =       "79",
 961   pages =        "637",
 962   year =         "1996",
 963   month =        jan,
 964   doi =          "10.1063/1.360806",
 965   notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
 966 }
 967
 968 @Article{laveant2002,
 969   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
 970   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
 971   volume =       "89",
 972   number =       "1-3",
 973   pages =        "241--245",
 974   year =         "2002",
 975   ISSN =         "0921-5107",
 976   doi =          "DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00794-2",
 977   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-44YVPGS-1V/2/024ece074ad18ebbec62a39a2510a268",
 978   author =       "P. Lav\'eant and G. Gerth and P. Werner and U.
 979                  G{\"{o}}sele",
 980   notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
 981                  stress, avoid sic precipitation",
 982 }
 983
 984 @Article{werner97,
 985   author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
 986                  K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
 987   title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
 988                  silicon by transmission electron microscopy",
 989   publisher =    "AIP",
 990   year =         "1997",
 991   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
 992   volume =       "70",
 993   number =       "2",
 994   pages =        "252--254",
 995   keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
 996                  transmission electron microscopy; annealing; positron
 997                  annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
 998                  layers; precipitation",
 999   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
1000   doi =          "10.1063/1.118381",
1001   notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
1002                  precipitate",
1003 }
1004
1005 @InProceedings{werner96,
1006   author =       "P. Werner and R. K{\"{o}}gler and W. Skorupa and D.
1007                  Eichler",
1008   booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
1009                  International Conference on",
1010   title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
1011                  implanted silicon",
1012   year =         "1996",
1013   month =        jun,
1014   volume =       "",
1015   number =       "",
1016   pages =        "675--678",
1017   doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
1018   ISSN =         "",
1019   notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
1020 }
1021
1022 @Article{werner98,
1023   author =       "P. Werner and U. G{\"{o}}sele and H.-J. Gossmann and
1024                  D. C. Jacobson",
1025   collaboration = "",
1026   title =        "Carbon diffusion in silicon",
1027   publisher =    "AIP",
1028   year =         "1998",
1029   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1030   volume =       "73",
1031   number =       "17",
1032   pages =        "2465--2467",
1033   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; diffusion;
1034                  secondary ion mass spectra; semiconductor epitaxial
1035                  layers; annealing; impurity-defect interactions;
1036                  impurity distribution",
1037   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/73/2465/1",
1038   doi =          "10.1063/1.122483",
1039   notes =        "c diffusion in si, kick out mechnism",
1040 }
1041
1042 @Article{strane94,
1043   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
1044                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
1045   collaboration = "",
1046   title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
1047                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
1048   publisher =    "AIP",
1049   year =         "1994",
1050   journal =      "J. Appl. Phys.",
1051   volume =       "76",
1052   number =       "6",
1053   pages =        "3656--3668",
1054   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
1055   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
1056   doi =          "10.1063/1.357429",
1057   notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs,
1058                  precipitation by substitutional carbon, coherent prec,
1059                  coherent to incoherent transition strain vs interface
1060                  energy",
1061 }
1062
1063 @Article{fischer95,
1064   author =       "G. G. Fischer and P. Zaumseil and E. Bugiel and H. J.
1065                  Osten",
1066   collaboration = "",
1067   title =        "Investigation of the high temperature behavior of
1068                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
1069   publisher =    "AIP",
1070   year =         "1995",
1071   journal =      "J. Appl. Phys.",
1072   volume =       "77",
1073   number =       "5",
1074   pages =        "1934--1937",
1075   keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; HETEROSTRUCTURES; STRAINS;
1076                  XRD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; STABILITY; TENSILE
1077                  PROPERTIES; EPITAXIAL LAYERS; ANNEALING; PRECIPITATION;
1078                  TEMPERATURE RANGE 04001000 K",
1079   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/77/1934/1",
1080   doi =          "10.1063/1.358826",
1081 }
1082
1083 @Article{edgar92,
1084   title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
1085                  semiconductors",
1086   author =       "J. H. Edgar",
1087   journal =      "J. Mater. Res.",
1088   volume =       "7",
1089   pages =        "235",
1090   year =         "1992",
1091   month =        jan,
1092   doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
1093   notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
1094                  polytypes",
1095 }
1096
1097 @Article{zirkelbach2007,
1098   title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
1099                  process leading to ordered precipitate structures",
1100   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1101                  and B. Stritzker",
1102   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1103   volume =       "257",
1104   number =       "1--2",
1105   pages =        "75--79",
1106   numpages =     "5",
1107   year =         "2007",
1108   month =        apr,
1109   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
1110   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1111                  NETHERLANDS",
1112 }
1113
1114 @Article{zirkelbach2006,
1115   title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
1116                  of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
1117                  during ion irradiation",
1118   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1119                  and B. Stritzker",
1120   journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
1121   volume =       "242",
1122   number =       "1--2",
1123   pages =        "679--682",
1124   numpages =     "4",
1125   year =         "2006",
1126   month =        jan,
1127   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
1128   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1129                  NETHERLANDS",
1130 }
1131
1132 @Article{zirkelbach2005,
1133   title =        "Modelling of a selforganization process leading to
1134                  periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
1135                  ion irradiation",
1136   author =       "F. Zirkelbach and M. H{\"a}berlen and J. K. N. Lindner
1137                  and B. Stritzker",
1138   journal =      "Comp. Mater. Sci.",
1139   volume =       "33",
1140   number =       "1--3",
1141   pages =        "310--316",
1142   numpages =     "7",
1143   year =         "2005",
1144   month =        apr,
1145   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
1146   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
1147                  NETHERLANDS",
1148 }
1149
1150 @Article{zirkelbach09,
1151   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
1152                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
1153   journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
1154   volume =       "159-160",
1155   number =       "",
1156   pages =        "149--152",
1157   year =         "2009",
1158   note =         "EMRS 2008 Spring Conference Symposium K: Advanced
1159                  Silicon Materials Research for Electronic and
1160                  Photovoltaic Applications",
1161   ISSN =         "0921-5107",
1162   doi =          "DOI: 10.1016/j.mseb.2008.10.010",
1163   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXF-4TX1547-2/2/cb9f4921f324735087020ccce7843e39",
1164   author =       "F. Zirkelbach and J. K. N. Lindner and K. Nordlund and
1165                  B. Stritzker",
1166   keywords =     "Silicon",
1167   keywords =     "Carbon",
1168   keywords =     "Silicon carbide",
1169   keywords =     "Nucleation",
1170   keywords =     "Defect formation",
1171   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
1172 }
1173
1174 @Article{zirkelbach10a,
1175   title =        "Defects in carbon implanted silicon calculated by
1176                  classical potentials and first-principles methods",
1177   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1178                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1179   journal =      "Phys. Rev. B",
1180   volume =       "82",
1181   number =       "9",
1182   pages =        "094110",
1183   numpages =     "6",
1184   year =         "2010",
1185   month =        sep,
1186   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
1187   publisher =    "American Physical Society",
1188 }
1189
1190 @Article{zirkelbach10b,
1191   title =        "First principles study of defects in carbon implanted
1192                  silicon",
1193   journal =      "to be published",
1194   volume =       "",
1195   number =       "",
1196   pages =        "",
1197   year =         "2010",
1198   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1199                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1200 }
1201
1202 @Article{zirkelbach10c,
1203   title =        "...",
1204   journal =      "to be published",
1205   volume =       "",
1206   number =       "",
1207   pages =        "",
1208   year =         "2010",
1209   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
1210                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
1211 }
1212
1213 @Article{lindner99,
1214   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
1215                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
1216                  layers in silicon",
1217   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1218   volume =       "147",
1219   number =       "1-4",
1220   pages =        "249--255",
1221   year =         "1999",
1222   note =         "",
1223   ISSN =         "0168-583X",
1224   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00598-9",
1225   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3YMWWDY-1H/2/ad53e614f783b2a7474aecb936dd0169",
1226   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1227   notes =        "two-step implantation process",
1228 }
1229
1230 @Article{lindner99_2,
1231   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
1232                  in silicon",
1233   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1234   volume =       "148",
1235   number =       "1-4",
1236   pages =        "528--533",
1237   year =         "1999",
1238   ISSN =         "0168-583X",
1239   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
1240   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
1241   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
1242   notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
1243 }
1244
1245 @Article{lindner01,
1246   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
1247                  Basic physical processes",
1248   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1249   volume =       "178",
1250   number =       "1-4",
1251   pages =        "44--54",
1252   year =         "2001",
1253   note =         "",
1254   ISSN =         "0168-583X",
1255   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00504-3",
1256   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KG96-8/2/f222574d8945c3fd7aaf9ae1efdd37b3",
1257   author =       "J{\"{o}}rg K. N. Lindner",
1258 }
1259
1260 @Article{lindner02,
1261   title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
1262                  fundamental studies for new technological tricks",
1263   author =       "J. K. N. Lindner",
1264   journal =      "Appl. Phys. A",
1265   volume =       "77",
1266   pages =        "27--38",
1267   year =         "2003",
1268   doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
1269   notes =        "ibs, burried sic layers",
1270 }
1271
1272 @Article{lindner06,
1273   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
1274                  formation and displacive precipitate resolution in the
1275                  {C}-Si system",
1276   journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
1277   volume =       "26",
1278   number =       "5-7",
1279   pages =        "857--861",
1280   year =         "2006",
1281   note =         "Current Trends in Nanoscience - from Materials to
1282                  Applications",
1283   ISSN =         "0928-4931",
1284   doi =          "DOI: 10.1016/j.msec.2005.09.099",
1285   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXG-4HSXVVM-1/2/5b0e351198cc2e8f5f4446a80a73d04a",
1286   author =       "J. K. N. Lindner and M. H{\"a}berlen and G. Thorwarth
1287                  and B. Stritzker",
1288   notes =        "c int diffusion barrier",
1289 }
1290
1291 @Article{ito04,
1292   title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
1293                  application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
1294                  growth",
1295   journal =      "Applied Surface Science",
1296   volume =       "238",
1297   number =       "1-4",
1298   pages =        "159--164",
1299   year =         "2004",
1300   note =         "APHYS'03 Special Issue",
1301   ISSN =         "0169-4332",
1302   doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
1303   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
1304   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
1305                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
1306   notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
1307 }
1308
1309 @Article{yamamoto04,
1310   title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
1311                  on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
1312                  implantation into Si(1 1 1) substrate",
1313   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1314   volume =       "261",
1315   number =       "2-3",
1316   pages =        "266--270",
1317   year =         "2004",
1318   note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
1319                  Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
1320   ISSN =         "0022-0248",
1321   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
1322   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
1323   author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
1324                  Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
1325   notes =        "gan on 3c-sic",
1326 }
1327
1328 @Article{liu_l02,
1329   title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
1330   journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
1331   volume =       "37",
1332   number =       "3",
1333   pages =        "61--127",
1334   year =         "2002",
1335   note =         "",
1336   ISSN =         "0927-796X",
1337   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
1338   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
1339   author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
1340   notes =        "gan substrates",
1341 }
1342
1343 @Article{takeuchi91,
1344   title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
1345                  substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
1346   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1347   volume =       "115",
1348   number =       "1-4",
1349   pages =        "634--638",
1350   year =         "1991",
1351   note =         "",
1352   ISSN =         "0022-0248",
1353   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
1354   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
1355   author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
1356                  Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
1357   notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
1358 }
1359
1360 @Article{alder57,
1361   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1362   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
1363   publisher =    "AIP",
1364   year =         "1957",
1365   journal =      "J. Chem. Phys.",
1366   volume =       "27",
1367   number =       "5",
1368   pages =        "1208--1209",
1369   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
1370   doi =          "10.1063/1.1743957",
1371 }
1372
1373 @Article{alder59,
1374   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
1375   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
1376   publisher =    "AIP",
1377   year =         "1959",
1378   journal =      "J. Chem. Phys.",
1379   volume =       "31",
1380   number =       "2",
1381   pages =        "459--466",
1382   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
1383   doi =          "10.1063/1.1730376",
1384 }
1385
1386 @Article{tersoff_si1,
1387   title =        "New empirical model for the structural properties of
1388                  silicon",
1389   author =       "J. Tersoff",
1390   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1391   volume =       "56",
1392   number =       "6",
1393   pages =        "632--635",
1394   numpages =     "3",
1395   year =         "1986",
1396   month =        feb,
1397   doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
1398   publisher =    "American Physical Society",
1399 }
1400
1401 @Article{tersoff_si2,
1402   title =        "New empirical approach for the structure and energy of
1403                  covalent systems",
1404   author =       "J. Tersoff",
1405   journal =      "Phys. Rev. B",
1406   volume =       "37",
1407   number =       "12",
1408   pages =        "6991--7000",
1409   numpages =     "9",
1410   year =         "1988",
1411   month =        apr,
1412   doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
1413   publisher =    "American Physical Society",
1414 }
1415
1416 @Article{tersoff_si3,
1417   title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
1418                  improved elastic properties",
1419   author =       "J. Tersoff",
1420   journal =      "Phys. Rev. B",
1421   volume =       "38",
1422   number =       "14",
1423   pages =        "9902--9905",
1424   numpages =     "3",
1425   year =         "1988",
1426   month =        nov,
1427   doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
1428   publisher =    "American Physical Society",
1429 }
1430
1431 @Article{tersoff_c,
1432   title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
1433                  Applications to Amorphous Carbon",
1434   author =       "J. Tersoff",
1435   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1436   volume =       "61",
1437   number =       "25",
1438   pages =        "2879--2882",
1439   numpages =     "3",
1440   year =         "1988",
1441   month =        dec,
1442   doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
1443   publisher =    "American Physical Society",
1444 }
1445
1446 @Article{tersoff_m,
1447   title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
1448                  for multicomponent systems",
1449   author =       "J. Tersoff",
1450   journal =      "Phys. Rev. B",
1451   volume =       "39",
1452   number =       "8",
1453   pages =        "5566--5568",
1454   numpages =     "2",
1455   year =         "1989",
1456   month =        mar,
1457   doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
1458   publisher =    "American Physical Society",
1459 }
1460
1461 @Article{tersoff90,
1462   title =        "Carbon defects and defect reactions in silicon",
1463   author =       "J. Tersoff",
1464   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1465   volume =       "64",
1466   number =       "15",
1467   pages =        "1757--1760",
1468   numpages =     "3",
1469   year =         "1990",
1470   month =        apr,
1471   doi =          "10.1103/PhysRevLett.64.1757",
1472   publisher =    "American Physical Society",
1473 }
1474
1475 @Article{fahey89,
1476   title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
1477   author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
1478   journal =      "Rev. Mod. Phys.",
1479   volume =       "61",
1480   number =       "2",
1481   pages =        "289--384",
1482   numpages =     "95",
1483   year =         "1989",
1484   month =        apr,
1485   doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
1486   publisher =    "American Physical Society",
1487 }
1488
1489 @Article{wesch96,
1490   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
1491   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
1492   volume =       "116",
1493   number =       "1-4",
1494   pages =        "305--321",
1495   year =         "1996",
1496   note =         "Radiation Effects in Insulators",
1497   ISSN =         "0168-583X",
1498   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
1499   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
1500   author =       "W. Wesch",
1501 }
1502
1503 @Article{morkoc94,
1504   author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
1505                  Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
1506   collaboration = "",
1507   title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
1508                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
1509   publisher =    "AIP",
1510   year =         "1994",
1511   journal =      "J. Appl. Phys.",
1512   volume =       "76",
1513   number =       "3",
1514   pages =        "1363--1398",
1515   keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
1516                  NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
1517                  LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
1518                  FILMS; INDUSTRY",
1519   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
1520   doi =          "10.1063/1.358463",
1521   notes =        "sic intro, properties",
1522 }
1523
1524 @Article{foo,
1525   author =       "Noch Unbekannt",
1526   title =        "How to find references",
1527   journal =      "Journal of Applied References",
1528   year =         "2009",
1529   volume =       "77",
1530   pages =        "1--23",
1531 }
1532
1533 @Article{tang95,
1534   title =        "Atomistic simulation of thermomechanical properties of
1535                  \beta{}-Si{C}",
1536   author =       "Meijie Tang and Sidney Yip",
1537   journal =      "Phys. Rev. B",
1538   volume =       "52",
1539   number =       "21",
1540   pages =        "15150--15159",
1541   numpages =     "9",
1542   year =         "1995",
1543   doi =          "10.1103/PhysRevB.52.15150",
1544   notes =        "modified tersoff, scale cutoff with volume, promising
1545                  tersoff reparametrization",
1546   publisher =    "American Physical Society",
1547 }
1548
1549 @Article{sarro00,
1550   title =        "Silicon carbide as a new {MEMS} technology",
1551   journal =      "Sensors and Actuators A: Physical",
1552   volume =       "82",
1553   number =       "1-3",
1554   pages =        "210--218",
1555   year =         "2000",
1556   ISSN =         "0924-4247",
1557   doi =          "DOI: 10.1016/S0924-4247(99)00335-0",
1558   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THG-406VM55-13/2/75385a587669b215d9ef88029a93fd59",
1559   author =       "Pasqualina M. Sarro",
1560   keywords =     "MEMS",
1561   keywords =     "Silicon carbide",
1562   keywords =     "Micromachining",
1563   keywords =     "Mechanical stress",
1564 }
1565
1566 @Article{casady96,
1567   title =        "Status of silicon carbide (Si{C}) as a wide-bandgap
1568                  semiconductor for high-temperature applications: {A}
1569                  review",
1570   journal =      "Solid-State Electronics",
1571   volume =       "39",
1572   number =       "10",
1573   pages =        "1409--1422",
1574   year =         "1996",
1575   ISSN =         "0038-1101",
1576   doi =          "DOI: 10.1016/0038-1101(96)00045-7",
1577   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TY5-3VSR9J0-1/2/a871c11636e937dc45bfdf48e29f725b",
1578   author =       "J. B. Casady and R. W. Johnson",
1579   notes =        "sic intro",
1580 }
1581
1582 @Article{giancarli98,
1583   title =        "Design requirements for Si{C}/Si{C} composites
1584                  structural material in fusion power reactor blankets",
1585   journal =      "Fusion Engineering and Design",
1586   volume =       "41",
1587   number =       "1-4",
1588   pages =        "165--171",
1589   year =         "1998",
1590   ISSN =         "0920-3796",
1591   doi =          "DOI: 10.1016/S0920-3796(97)00200-7",
1592   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6V3C-3V8RYK8-T/2/16949194114900fd1330f79892d7a7be",
1593   author =       "L. Giancarli and J. P. Bonal and A. Caso and G. Le
1594                  Marois and N. B. Morley and J. F. Salavy",
1595 }
1596
1597 @Article{pensl93,
1598   title =        "Electrical and optical characterization of Si{C}",
1599   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
1600   volume =       "185",
1601   number =       "1-4",
1602   pages =        "264--283",
1603   year =         "1993",
1604   ISSN =         "0921-4526",
1605   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(93)90249-6",
1606   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8HRX-99/2/eab9398bf2bbf10df3ae42c2ab28a776",
1607   author =       "G. Pensl and W. J. Choyke",
1608 }
1609
1610 @Article{tairov78,
1611   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
1612                  carbide single crystals",
1613   journal =      "J. Cryst. Growth",
1614   volume =       "43",
1615   number =       "2",
1616   pages =        "209--212",
1617   year =         "1978",
1618   notes =        "modified lely process",
1619   ISSN =         "0022-0248",
1620   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(78)90169-0",
1621   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46BY2NR-7S/2/fa6fee78ebd8322491f6366e72d5b6dc",
1622   author =       "Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1623 }
1624
1625 @Article{tairov81,
1626   title =        "General principles of growing large-size single
1627                  crystals of various silicon carbide polytypes",
1628   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1629   volume =       "52",
1630   number =       "Part 1",
1631   pages =        "146--150",
1632   year =         "1981",
1633   note =         "",
1634   ISSN =         "0022-0248",
1635   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(81)90184-6",
1636   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FVMF6-2Y/2/b7c4025f0ef07ceec37fbd596819d529",
1637   author =       "Yu.M. Tairov and V. F. Tsvetkov",
1638 }
1639
1640 @Article{barrett91,
1641   title =        "Si{C} boule growth by sublimation vapor transport",
1642   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1643   volume =       "109",
1644   number =       "1-4",
1645   pages =        "17--23",
1646   year =         "1991",
1647   note =         "",
1648   ISSN =         "0022-0248",
1649   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90152-U",
1650   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ4VX-KF/2/fb802a6d67a8074a672007e972b264e1",
1651   author =       "D. L. Barrett and R. G. Seidensticker and W. Gaida and
1652                  R. H. Hopkins and W. J. Choyke",
1653 }
1654
1655 @Article{barrett93,
1656   title =        "Growth of large Si{C} single crystals",
1657   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1658   volume =       "128",
1659   number =       "1-4",
1660   pages =        "358--362",
1661   year =         "1993",
1662   note =         "",
1663   ISSN =         "0022-0248",
1664   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90348-Z",
1665   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKSGB-4D/2/bc26617f48735a9ffbf5c61a5e164d9c",
1666   author =       "D. L. Barrett and J. P. McHugh and H. M. Hobgood and
1667                  R. H. Hopkins and P. G. McMullin and R. C. Clarke and
1668                  W. J. Choyke",
1669 }
1670
1671 @Article{stein93,
1672   title =        "Control of polytype formation by surface energy
1673                  effects during the growth of Si{C} monocrystals by the
1674                  sublimation method",
1675   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1676   volume =       "131",
1677   number =       "1-2",
1678   pages =        "71--74",
1679   year =         "1993",
1680   note =         "",
1681   ISSN =         "0022-0248",
1682   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(93)90397-F",
1683   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FX1XJ-1X/2/493b180c29103dba5dba351e0fae5b9d",
1684   author =       "R. A. Stein and P. Lanig",
1685   notes =        "6h and 4h, sublimation technique",
1686 }
1687
1688 @Article{nishino83,
1689   author =       "Shigehiro Nishino and J. Anthony Powell and Herbert A.
1690                  Will",
1691   collaboration = "",
1692   title =        "Production of large-area single-crystal wafers of
1693                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
1694   publisher =    "AIP",
1695   year =         "1983",
1696   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1697   volume =       "42",
1698   number =       "5",
1699   pages =        "460--462",
1700   keywords =     "silicon carbides; layers; chemical vapor deposition;
1701                  monocrystals",
1702   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/42/460/1",
1703   doi =          "10.1063/1.93970",
1704   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
1705 }
1706
1707 @Article{nishino87,
1708   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
1709                  and Hiroyuki Matsunami",
1710   collaboration = "",
1711   title =        "Epitaxial growth and electric characteristics of cubic
1712                  Si{C} on silicon",
1713   publisher =    "AIP",
1714   year =         "1987",
1715   journal =      "J. Appl. Phys.",
1716   volume =       "61",
1717   number =       "10",
1718   pages =        "4889--4893",
1719   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/61/4889/1",
1720   doi =          "10.1063/1.338355",
1721   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer, first time
1722                  carbonization",
1723 }
1724
1725 @Article{powell87,
1726   author =       "J. Anthony Powell and Lawrence G. Matus and Maria A.
1727                  Kuczmarski",
1728   title =        "Growth and Characterization of Cubic Si{C}
1729                  Single-Crystal Films on Si",
1730   publisher =    "ECS",
1731   year =         "1987",
1732   journal =      "Journal of The Electrochemical Society",
1733   volume =       "134",
1734   number =       "6",
1735   pages =        "1558--1565",
1736   keywords =     "semiconductor materials; silicon compounds; carbon
1737                  compounds; crystal morphology; electron mobility",
1738   URL =          "http://link.aip.org/link/?JES/134/1558/1",
1739   doi =          "10.1149/1.2100708",
1740   notes =        "blue light emitting diodes (led)",
1741 }
1742
1743 @Article{powell87_2,
1744   author =       "J. A. Powell and L. G. Matus and M. A. Kuczmarski and
1745                  C. M. Chorey and T. T. Cheng and P. Pirouz",
1746   collaboration = "",
1747   title =        "Improved beta-Si{C} heteroepitaxial films using
1748                  off-axis Si substrates",
1749   publisher =    "AIP",
1750   year =         "1987",
1751   journal =      "Applied Physics Letters",
1752   volume =       "51",
1753   number =       "11",
1754   pages =        "823--825",
1755   keywords =     "VAPOR PHASE EPITAXY; SILICON CARBIDES; VAPOR DEPOSITED
1756                  COATINGS; SILICON; EPITAXIAL LAYERS; INTERFACE
1757                  STRUCTURE; SURFACE STRUCTURE; FILM GROWTH; STACKING
1758                  FAULTS; CRYSTAL DEFECTS; ANTIPHASE BOUNDARIES;
1759                  OXIDATION; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; ROUGHNESS",
1760   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/823/1",
1761   doi =          "10.1063/1.98824",
1762   notes =        "improved sic on off-axis si substrates, reduced apbs",
1763 }
1764
1765 @Article{ueda90,
1766   title =        "Crystal growth of Si{C} by step-controlled epitaxy",
1767   journal =      "Journal of Crystal Growth",
1768   volume =       "104",
1769   number =       "3",
1770   pages =        "695--700",
1771   year =         "1990",
1772   note =         "",
1773   ISSN =         "0022-0248",
1774   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90013-B",
1775   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46CC6CX-KN/2/d5184c7bd29063985f7d1dd4112b12c9",
1776   author =       "Tetsuzo Ueda and Hironori Nishino and Hiroyuki
1777                  Matsunami",
1778   notes =        "step-controlled epitaxy model",
1779 }
1780
1781 @Article{kimoto93,
1782   author =       "Tsunenobu Kimoto and Hironori Nishino and Woo Sik Yoo
1783                  and Hiroyuki Matsunami",
1784   title =        "Growth mechanism of 6{H}-Si{C} in step-controlled
1785                  epitaxy",
1786   publisher =    "AIP",
1787   year =         "1993",
1788   journal =      "J. Appl. Phys.",
1789   volume =       "73",
1790   number =       "2",
1791   pages =        "726--732",
1792   keywords =     "SILICON CARBIDES; EPITAXY; GROWTH RATE; TEMPERATURE
1793                  RANGE 10004000 K; TWINNING; ACTIVATION ENERGY; CHEMICAL
1794                  VAPOR DEPOSITION",
1795   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/73/726/1",
1796   doi =          "10.1063/1.353329",
1797   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic, twinned 3c-sic",
1798 }
1799
1800 @Article{powell90_2,
1801   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1802                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1803                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1804   collaboration = "",
1805   title =        "Growth of high quality 6{H}-Si{C} epitaxial films on
1806                  vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
1807   publisher =    "AIP",
1808   year =         "1990",
1809   journal =      "Applied Physics Letters",
1810   volume =       "56",
1811   number =       "15",
1812   pages =        "1442--1444",
1813   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1814                  PROPERTIES; WAFERS; CARRIER DENSITY; CARRIER MOBILITY;
1815                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; CRYSTAL DEFECTS;
1816                  DISLOCATIONS; PHOTOLUMINESCENCE; VAPOR PHASE EPITAXY",
1817   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1442/1",
1818   doi =          "10.1063/1.102492",
1819   notes =        "cvd of 6h-sic on 6h-sic",
1820 }
1821
1822 @Article{kong88_2,
1823   author =       "H. S. Kong and J. T. Glass and R. F. Davis",
1824   collaboration = "",
1825   title =        "Chemical vapor deposition and characterization of
1826                  6{H}-Si{C} thin films on off-axis 6{H}-Si{C}
1827                  substrates",
1828   publisher =    "AIP",
1829   year =         "1988",
1830   journal =      "Journal of Applied Physics",
1831   volume =       "64",
1832   number =       "5",
1833   pages =        "2672--2679",
1834   keywords =     "THIN FILMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; VAPOR DEPOSITED
1835                  COATINGS; SILICON CARBIDES; TRANSMISSION ELECTRON
1836                  MICROSCOPY; MONOCRYSTALS; MORPHOLOGY; CRYSTAL
1837                  STRUCTURE; CRYSTAL DEFECTS; CARRIER DENSITY; VAPOR
1838                  PHASE EPITAXY; CRYSTAL ORIENTATION",
1839   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/64/2672/1",
1840   doi =          "10.1063/1.341608",
1841 }
1842
1843 @Article{powell90,
1844   author =       "J. A. Powell and D. J. Larkin and L. G. Matus and W.
1845                  J. Choyke and J. L. Bradshaw and L. Henderson and M.
1846                  Yoganathan and J. Yang and P. Pirouz",
1847   collaboration = "",
1848   title =        "Growth of improved quality 3{C}-Si{C} films on
1849                  6{H}-Si{C} substrates",
1850   publisher =    "AIP",
1851   year =         "1990",
1852   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1853   volume =       "56",
1854   number =       "14",
1855   pages =        "1353--1355",
1856   keywords =     "SILICON CARBIDES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SORPTIVE
1857                  PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; TRANSMISSION ELECTRON
1858                  MICROSCOPY; DEFECT STRUCTURE; STACKING FAULTS; VAPOR
1859                  PHASE EPITAXY",
1860   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/56/1353/1",
1861   doi =          "10.1063/1.102512",
1862   notes =        "cvd of 3c-sic on 6h-sic",
1863 }
1864
1865 @Article{kong88,
1866   author =       "H. S. Kong and B. L. Jiang and J. T. Glass and G. A.
1867                  Rozgonyi and K. L. More",
1868   collaboration = "",
1869   title =        "An examination of double positioning boundaries and
1870                  interface misfit in beta-Si{C} films on alpha-Si{C}
1871                  substrates",
1872   publisher =    "AIP",
1873   year =         "1988",
1874   journal =      "Journal of Applied Physics",
1875   volume =       "63",
1876   number =       "8",
1877   pages =        "2645--2650",
1878   keywords =     "SILICON CARBIDES; INTERFACES; SILICON; STACKING
1879                  FAULTS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; EPITAXY; THIN
1880                  FILMS; OPTICAL MICROSCOPY; TOPOGRAPHY; NUCLEATION;
1881                  MORPHOLOGY; ROTATION; SURFACE STRUCTURE; INTERFACE
1882                  STRUCTURE; XRAY TOPOGRAPHY; EPITAXIAL LAYERS",
1883   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/63/2645/1",
1884   doi =          "10.1063/1.341004",
1885 }
1886
1887 @Article{powell91,
1888   author =       "J. A. Powell and J. B. Petit and J. H. Edgar and I. G.
1889                  Jenkins and L. G. Matus and J. W. Yang and P. Pirouz
1890                  and W. J. Choyke and L. Clemen and M. Yoganathan",
1891   collaboration = "",
1892   title =        "Controlled growth of 3{C}-Si{C} and 6{H}-Si{C} films
1893                  on low-tilt-angle vicinal (0001) 6{H}-Si{C} wafers",
1894   publisher =    "AIP",
1895   year =         "1991",
1896   journal =      "Applied Physics Letters",
1897   volume =       "59",
1898   number =       "3",
1899   pages =        "333--335",
1900   keywords =     "SILICON CARBIDES; SURFACE TREATMENTS; SORPTIVE
1901                  PROPERTIES; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; MATHEMATICAL
1902                  MODELS; CRYSTAL STRUCTURE; VERY HIGH TEMPERATURE",
1903   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/59/333/1",
1904   doi =          "10.1063/1.105587",
1905 }
1906
1907 @Article{yuan95,
1908   author =       "C. Yuan and A. J. Steckl and J. Chaudhuri and R.
1909                  Thokala and M. J. Loboda",
1910   collaboration = "",
1911   title =        "Reduced temperature growth of crystalline 3{C}-Si{C}
1912                  films on 6{H}-Si{C} by chemical vapor deposition from
1913                  silacyclobutane",
1914   publisher =    "AIP",
1915   year =         "1995",
1916   journal =      "J. Appl. Phys.",
1917   volume =       "78",
1918   number =       "2",
1919   pages =        "1271--1273",
1920   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; CVD; EPITAXY; ABSORPTION
1921                  EDGE; CRYSTAL STRUCTURE; STRAINS; DISLOCATIONS; XRD;
1922                  SPECTROPHOTOMETRY",
1923   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/1271/1",
1924   doi =          "10.1063/1.360368",
1925   notes =        "3c-sic on 6h-sic, cvd, reduced temperature",
1926 }
1927
1928 @Article{fissel95,
1929   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
1930                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
1931                  molecular beam epitaxy",
1932   journal =      "J. Cryst. Growth",
1933   volume =       "154",
1934   number =       "1-2",
1935   pages =        "72--80",
1936   year =         "1995",
1937   ISSN =         "0022-0248",
1938   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
1939   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
1940   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B.
1941                  Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1942   notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
1943 }
1944
1945 @Article{fissel95_apl,
1946   author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
1947   collaboration = "",
1948   title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
1949                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
1950   publisher =    "AIP",
1951   year =         "1995",
1952   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
1953   volume =       "66",
1954   number =       "23",
1955   pages =        "3182--3184",
1956   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1957                  RHEED; NUCLEATION",
1958   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
1959   doi =          "10.1063/1.113716",
1960   notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
1961 }
1962
1963 @Article{fissel96,
1964   author =       "Andreas Fissel and Ute Kaiser and Kay Pfennighaus and
1965                  Bernd Schr{\"{o}}ter and Wolfgang Richter",
1966   collaboration = "",
1967   title =        "Growth of 6{H}--Si{C} on 6{H}--Si{C}(0001) by
1968                  migration enhanced epitaxy controlled to an atomic
1969                  level using surface superstructures",
1970   publisher =    "AIP",
1971   year =         "1996",
1972   journal =      "Applied Physics Letters",
1973   volume =       "68",
1974   number =       "9",
1975   pages =        "1204--1206",
1976   keywords =     "MICROSTRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
1977                  NUCLEATION; SILICON CARBIDES; SURFACE RECONSTRUCTION;
1978                  SURFACE STRUCTURE",
1979   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1204/1",
1980   doi =          "10.1063/1.115969",
1981   notes =        "ss mbe sic, superstructure, reconstruction",
1982 }
1983
1984 @Article{righi03,
1985   title =        "Ab initio Simulations of Homoepitaxial Si{C} Growth",
1986   author =       "M. C. Righi and C. A. Pignedoli and R. Di Felice and
1987                  C. M. Bertoni and A. Catellani",
1988   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
1989   volume =       "91",
1990   number =       "13",
1991   pages =        "136101",
1992   numpages =     "4",
1993   year =         "2003",
1994   month =        sep,
1995   doi =          "10.1103/PhysRevLett.91.136101",
1996   publisher =    "American Physical Society",
1997   notes =        "dft calculations mbe sic growth",
1998 }
1999
2000 @Article{borders71,
2001   author =       "J. A. Borders and S. T. Picraux and W. Beezhold",
2002   collaboration = "",
2003   title =        "{FORMATION} {OF} Si{C} {IN} {SILICON} {BY} {ION}
2004                  {IMPLANTATION}",
2005   publisher =    "AIP",
2006   year =         "1971",
2007   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2008   volume =       "18",
2009   number =       "11",
2010   pages =        "509--511",
2011   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
2012   doi =          "10.1063/1.1653516",
2013   notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
2014                  ideas",
2015 }
2016
2017 @Article{reeson87,
2018   author =       "K. J. Reeson and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos and
2019                  J. Davis and G. E. Celler",
2020   collaboration = "",
2021   title =        "Formation of buried layers of beta-Si{C} using ion
2022                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
2023   publisher =    "AIP",
2024   year =         "1987",
2025   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2026   volume =       "51",
2027   number =       "26",
2028   pages =        "2242--2244",
2029   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SOLIDPHASE EPITAXY; ION
2030                  IMPLANTATION; CARBON IONS; DOPING PROFILES; SYNTHESIS",
2031   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/51/2242/1",
2032   doi =          "10.1063/1.98953",
2033   notes =        "nice tem images, sic by ibs",
2034 }
2035
2036 @Article{scace59,
2037   author =       "R. I. Scace and G. A. Slack",
2038   collaboration = "",
2039   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
2040   publisher =    "AIP",
2041   year =         "1959",
2042   journal =      "J. Chem. Phys.",
2043   volume =       "30",
2044   number =       "6",
2045   pages =        "1551--1555",
2046   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/30/1551/1",
2047   doi =          "10.1063/1.1730236",
2048   notes =        "solubility of c in c-si, si-c phase diagram",
2049 }
2050
2051 @Article{cowern96,
2052   author =       "N. E. B. Cowern and A. Cacciato and J. S. Custer and
2053                  F. W. Saris and W. Vandervorst",
2054   collaboration = "",
2055   title =        "Role of {C} and {B} clusters in transient diffusion of
2056                  {B} in silicon",
2057   publisher =    "AIP",
2058   year =         "1996",
2059   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2060   volume =       "68",
2061   number =       "8",
2062   pages =        "1150--1152",
2063   keywords =     "ATOMIC CLUSTERS; BORON ADDITIONS; CRYSTAL DOPING;
2064                  DIFFUSION; DOPED MATERIALS; IMPURITIES; INTERSTITIALS;
2065                  SILICON",
2066   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/68/1150/1",
2067   doi =          "10.1063/1.115706",
2068   notes =        "suppression of transient enhanced diffusion (ted)",
2069 }
2070
2071 @Article{stolk95,
2072   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
2073                  of the silicon self-interstitial",
2074   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2075   volume =       "96",
2076   number =       "1-2",
2077   pages =        "187--195",
2078   year =         "1995",
2079   note =         "Selected Papers of the Tenth International Conference
2080                  on Ion Implantation Technology (IIT '94)",
2081   ISSN =         "0168-583X",
2082   doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(94)00481-1",
2083   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-40WKY1P-29/2/602c6e5b809221323d2d2968edd0a71c",
2084   author =       "P. A. Stolk and H. -J. Gossmann and D. J. Eaglesham
2085                  and J. M. Poate",
2086 }
2087
2088 @Article{stolk97,
2089   author =       "P. A. Stolk and H.-J. Gossmann and D. J. Eaglesham and
2090                  D. C. Jacobson and C. S. Rafferty and G. H. Gilmer and
2091                  M. Jara\'{\i}z and J. M. Poate and H. S. Luftman and T.
2092                  E. Haynes",
2093   collaboration = "",
2094   title =        "Physical mechanisms of transient enhanced dopant
2095                  diffusion in ion-implanted silicon",
2096   publisher =    "AIP",
2097   year =         "1997",
2098   journal =      "J. Appl. Phys.",
2099   volume =       "81",
2100   number =       "9",
2101   pages =        "6031--6050",
2102   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/81/6031/1",
2103   doi =          "10.1063/1.364452",
2104   notes =        "ted, transient enhanced diffusion, c silicon trap",
2105 }
2106
2107 @Article{powell94,
2108   author =       "A. R. Powell and F. K. LeGoues and S. S. Iyer",
2109   collaboration = "",
2110   title =        "Formation of beta-Si{C} nanocrystals by the relaxation
2111                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
2112   publisher =    "AIP",
2113   year =         "1994",
2114   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2115   volume =       "64",
2116   number =       "3",
2117   pages =        "324--326",
2118   keywords =     "SILICON CARBIDES; NANOSTRUCTURES; DISPERSIONS;
2119                  EPITAXIAL LAYERS; STRESS RELAXATION; ANNEALING;
2120                  TEMPERATURE EFFECTS; PRECIPITATION; DISLOCATIONS;
2121                  SYNTHESIS",
2122   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/64/324/1",
2123   doi =          "10.1063/1.111195",
2124   notes =        "beta sic nano crystals in si, mbe, annealing",
2125 }
2126
2127 @Article{soref91,
2128   author =       "Richard A. Soref",
2129   collaboration = "",
2130   title =        "Optical band gap of the ternary semiconductor Si[sub 1
2131                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
2132   publisher =    "AIP",
2133   year =         "1991",
2134   journal =      "J. Appl. Phys.",
2135   volume =       "70",
2136   number =       "4",
2137   pages =        "2470--2472",
2138   keywords =     "SILICON CARBIDES; GERMANIUM CARBIDES; ENERGY GAP;
2139                  OPTICAL PROPERTIES; DIAMONDS; SEMICONDUCTOR ALLOYS;
2140                  TERNARY ALLOYS",
2141   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/70/2470/1",
2142   doi =          "10.1063/1.349403",
2143   notes =        "band gap of strained si by c",
2144 }
2145
2146 @Article{kasper91,
2147   author =       "E Kasper",
2148   title =        "Superlattices of group {IV} elements, a new
2149                  possibility to produce direct band gap material",
2150   journal =      "Physica Scripta",
2151   volume =       "T35",
2152   pages =        "232--236",
2153   URL =          "http://stacks.iop.org/1402-4896/T35/232",
2154   year =         "1991",
2155   notes =        "superlattices, convert indirect band gap into a
2156                  quasi-direct one",
2157 }
2158
2159 @Article{osten99,
2160   author =       "H. J. Osten and J. Griesche and S. Scalese",
2161   collaboration = "",
2162   title =        "Substitutional carbon incorporation in epitaxial
2163                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys on Si(001) grown by
2164                  molecular beam epitaxy",
2165   publisher =    "AIP",
2166   year =         "1999",
2167   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2168   volume =       "74",
2169   number =       "6",
2170   pages =        "836--838",
2171   keywords =     "molecular beam epitaxial growth; semiconductor growth;
2172                  wide band gap semiconductors; interstitials; silicon
2173                  compounds",
2174   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/74/836/1",
2175   doi =          "10.1063/1.123384",
2176   notes =        "substitutional c in si",
2177 }
2178
2179 @Article{hohenberg64,
2180   title =        "Inhomogeneous Electron Gas",
2181   author =       "P. Hohenberg and W. Kohn",
2182   journal =      "Phys. Rev.",
2183   volume =       "136",
2184   number =       "3B",
2185   pages =        "B864--B871",
2186   numpages =     "7",
2187   year =         "1964",
2188   month =        nov,
2189   doi =          "10.1103/PhysRev.136.B864",
2190   publisher =    "American Physical Society",
2191   notes =        "density functional theory, dft",
2192 }
2193
2194 @Article{kohn65,
2195   title =        "Self-Consistent Equations Including Exchange and
2196                  Correlation Effects",
2197   author =       "W. Kohn and L. J. Sham",
2198   journal =      "Phys. Rev.",
2199   volume =       "140",
2200   number =       "4A",
2201   pages =        "A1133--A1138",
2202   numpages =     "5",
2203   year =         "1965",
2204   month =        nov,
2205   doi =          "10.1103/PhysRev.140.A1133",
2206   publisher =    "American Physical Society",
2207   notes =        "dft, exchange and correlation",
2208 }
2209
2210 @Article{ruecker94,
2211   title =        "Strain-stabilized highly concentrated pseudomorphic
2212                  $Si1-x$$Cx$ layers in Si",
2213   author =       "H. R{\"u}cker and M. Methfessel and E. Bugiel and H.
2214                  J. Osten",
2215   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2216   volume =       "72",
2217   number =       "22",
2218   pages =        "3578--3581",
2219   numpages =     "3",
2220   year =         "1994",
2221   month =        may,
2222   doi =          "10.1103/PhysRevLett.72.3578",
2223   publisher =    "American Physical Society",
2224   notes =        "high c concentration in si, heterostructure, strained
2225                  si, dft",
2226 }
2227
2228 @Article{chang05,
2229   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
2230                  Alloy",
2231   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
2232   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2233   volume =       "44",
2234   number =       "4B",
2235   pages =        "2257--2262",
2236   numpages =     "5",
2237   year =         "2005",
2238   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/44/2257/",
2239   doi =          "10.1143/JJAP.44.2257",
2240   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2241   notes =        "enhance of electron mobility in starined si",
2242 }
2243
2244 @Article{osten97,
2245   author =       "H. J. Osten and P. Gaworzewski",
2246   collaboration = "",
2247   title =        "Charge transport in strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
2248                  and Si[sub 1 - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y] alloys on
2249                  Si(001)",
2250   publisher =    "AIP",
2251   year =         "1997",
2252   journal =      "J. Appl. Phys.",
2253   volume =       "82",
2254   number =       "10",
2255   pages =        "4977--4981",
2256   keywords =     "silicon compounds; Ge-Si alloys; wide band gap
2257                  semiconductors; semiconductor epitaxial layers; carrier
2258                  density; Hall mobility; interstitials; defect states",
2259   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/82/4977/1",
2260   doi =          "10.1063/1.366364",
2261   notes =        "charge transport in strained si",
2262 }
2263
2264 @Article{kapur04,
2265   title =        "Carbon-mediated aggregation of self-interstitials in
2266                  silicon: {A} large-scale molecular dynamics study",
2267   author =       "Sumeet S. Kapur and Manish Prasad and Talid Sinno",
2268   journal =      "Phys. Rev. B",
2269   volume =       "69",
2270   number =       "15",
2271   pages =        "155214",
2272   numpages =     "8",
2273   year =         "2004",
2274   month =        apr,
2275   doi =          "10.1103/PhysRevB.69.155214",
2276   publisher =    "American Physical Society",
2277   notes =        "simulation using promising tersoff reparametrization",
2278 }
2279
2280 @Article{barkema96,
2281   title =        "Event-Based Relaxation of Continuous Disordered
2282                  Systems",
2283   author =       "G. T. Barkema and Normand Mousseau",
2284   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2285   volume =       "77",
2286   number =       "21",
2287   pages =        "4358--4361",
2288   numpages =     "3",
2289   year =         "1996",
2290   month =        nov,
2291   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4358",
2292   publisher =    "American Physical Society",
2293   notes =        "activation relaxation technique, art, speed up slow
2294                  dynamic mds",
2295 }
2296
2297 @Article{cances09,
2298   author =       "E. Canc\`{e}s and F. Legoll and M.-C. Marinica and K.
2299                  Minoukadeh and F. Willaime",
2300   collaboration = "",
2301   title =        "Some improvements of the activation-relaxation
2302                  technique method for finding transition pathways on
2303                  potential energy surfaces",
2304   publisher =    "AIP",
2305   year =         "2009",
2306   journal =      "J. Chem. Phys.",
2307   volume =       "130",
2308   number =       "11",
2309   eid =          "114711",
2310   numpages =     "6",
2311   pages =        "114711",
2312   keywords =     "eigenvalues and eigenfunctions; iron; potential energy
2313                  surfaces; vacancies (crystal)",
2314   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/130/114711/1",
2315   doi =          "10.1063/1.3088532",
2316   notes =        "improvements to art, refs for methods to find
2317                  transition pathways",
2318 }
2319
2320 @Article{parrinello81,
2321   author =       "M. Parrinello and A. Rahman",
2322   collaboration = "",
2323   title =        "Polymorphic transitions in single crystals: {A} new
2324                  molecular dynamics method",
2325   publisher =    "AIP",
2326   year =         "1981",
2327   journal =      "J. Appl. Phys.",
2328   volume =       "52",
2329   number =       "12",
2330   pages =        "7182--7190",
2331   keywords =     "MONOCRYSTALS; PHASE TRANSFORMATIONS; STRUCTURAL
2332                  MODELS; DYNAMICS; THEORETICAL DATA; STRESSES;
2333                  CONFIGURATION; LAGRANGE EQUATIONS; SIZE; NICKEL;
2334                  COMPRESSION; TENSILE PROPERTIES; COMPARATIVE
2335                  EVALUATIONS; STRAINS; CUBIC LATTICES; HCP LATTICES;
2336                  IMPACT SHOCK",
2337   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/52/7182/1",
2338   doi =          "10.1063/1.328693",
2339 }
2340
2341 @Article{stillinger85,
2342   title =        "Computer simulation of local order in condensed phases
2343                  of silicon",
2344   author =       "Frank H. Stillinger and Thomas A. Weber",
2345   journal =      "Phys. Rev. B",
2346   volume =       "31",
2347   number =       "8",
2348   pages =        "5262--5271",
2349   numpages =     "9",
2350   year =         "1985",
2351   month =        apr,
2352   doi =          "10.1103/PhysRevB.31.5262",
2353   publisher =    "American Physical Society",
2354 }
2355
2356 @Article{brenner90,
2357   title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
2358                  simulating the chemical vapor deposition of diamond
2359                  films",
2360   author =       "Donald W. Brenner",
2361   journal =      "Phys. Rev. B",
2362   volume =       "42",
2363   number =       "15",
2364   pages =        "9458--9471",
2365   numpages =     "13",
2366   year =         "1990",
2367   month =        nov,
2368   doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
2369   publisher =    "American Physical Society",
2370   notes =        "brenner hydro carbons",
2371 }
2372
2373 @Article{bazant96,
2374   title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
2375                  Cohesive Energy Curves",
2376   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
2377   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2378   volume =       "77",
2379   number =       "21",
2380   pages =        "4370--4373",
2381   numpages =     "3",
2382   year =         "1996",
2383   month =        nov,
2384   doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
2385   publisher =    "American Physical Society",
2386   notes =        "first si edip",
2387 }
2388
2389 @Article{bazant97,
2390   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
2391                  silicon",
2392   author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras and J. F.
2393                  Justo",
2394   journal =      "Phys. Rev. B",
2395   volume =       "56",
2396   number =       "14",
2397   pages =        "8542--8552",
2398   numpages =     "10",
2399   year =         "1997",
2400   month =        oct,
2401   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
2402   publisher =    "American Physical Society",
2403   notes =        "second si edip",
2404 }
2405
2406 @Article{justo98,
2407   title =        "Interatomic potential for silicon defects and
2408                  disordered phases",
2409   author =       "Jo\tilde{a}o F. Justo and Martin Z. Bazant and
2410                  Efthimios Kaxiras and V. V. Bulatov and Sidney Yip",
2411   journal =      "Phys. Rev. B",
2412   volume =       "58",
2413   number =       "5",
2414   pages =        "2539--2550",
2415   numpages =     "11",
2416   year =         "1998",
2417   month =        aug,
2418   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
2419   publisher =    "American Physical Society",
2420   notes =        "latest si edip, good dislocation explanation",
2421 }
2422
2423 @Article{parcas_md,
2424   title =        "{PARCAS} molecular dynamics code",
2425   author =       "K. Nordlund",
2426   year =         "2008",
2427 }
2428
2429 @Article{voter97,
2430   title =        "Hyperdynamics: Accelerated Molecular Dynamics of
2431                  Infrequent Events",
2432   author =       "Arthur F. Voter",
2433   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2434   volume =       "78",
2435   number =       "20",
2436   pages =        "3908--3911",
2437   numpages =     "3",
2438   year =         "1997",
2439   month =        may,
2440   doi =          "10.1103/PhysRevLett.78.3908",
2441   publisher =    "American Physical Society",
2442   notes =        "hyperdynamics, accelerated md",
2443 }
2444
2445 @Article{voter97_2,
2446   author =       "Arthur F. Voter",
2447   collaboration = "",
2448   title =        "A method for accelerating the molecular dynamics
2449                  simulation of infrequent events",
2450   publisher =    "AIP",
2451   year =         "1997",
2452   journal =      "J. Chem. Phys.",
2453   volume =       "106",
2454   number =       "11",
2455   pages =        "4665--4677",
2456   keywords =     "COMPUTERIZED SIMULATION; NICKEL; DIFFUSION; ATOM
2457                  TRANSPORT; MOLECULAR ORBITAL METHOD; POTENTIAL ENERGY;
2458                  SURFACE POTENTIAL; MOLECULAR DYNAMICS METHOD; potential
2459                  energy functions; surface diffusion; reaction kinetics
2460                  theory; potential energy surfaces",
2461   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/106/4665/1",
2462   doi =          "10.1063/1.473503",
2463   notes =        "improved hyperdynamics md",
2464 }
2465
2466 @Article{sorensen2000,
2467   author =       "Mads R. S{\o }rensen and Arthur F. Voter",
2468   collaboration = "",
2469   title =        "Temperature-accelerated dynamics for simulation of
2470                  infrequent events",
2471   publisher =    "AIP",
2472   year =         "2000",
2473   journal =      "J. Chem. Phys.",
2474   volume =       "112",
2475   number =       "21",
2476   pages =        "9599--9606",
2477   keywords =     "SOLID STATE PHYSICS; SIMULATION; DIFFUSION; SURFACES;
2478                  MOLECULAR DYNAMICS METHOD; surface diffusion",
2479   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/112/9599/1",
2480   doi =          "10.1063/1.481576",
2481   notes =        "temperature accelerated dynamics, tad",
2482 }
2483
2484 @Article{voter98,
2485   title =        "Parallel replica method for dynamics of infrequent
2486                  events",
2487   author =       "Arthur F. Voter",
2488   journal =      "Phys. Rev. B",
2489   volume =       "57",
2490   number =       "22",
2491   pages =        "R13985--R13988",
2492   numpages =     "3",
2493   year =         "1998",
2494   month =        jun,
2495   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.R13985",
2496   publisher =    "American Physical Society",
2497   notes =        "parallel replica method, accelerated md",
2498 }
2499
2500 @Article{wu99,
2501   author =       "Xiongwu Wu and Shaomeng Wang",
2502   collaboration = "",
2503   title =        "Enhancing systematic motion in molecular dynamics
2504                  simulation",
2505   publisher =    "AIP",
2506   year =         "1999",
2507   journal =      "J. Chem. Phys.",
2508   volume =       "110",
2509   number =       "19",
2510   pages =        "9401--9410",
2511   keywords =     "molecular dynamics method; argon; Lennard-Jones
2512                  potential; crystallisation; liquid theory",
2513   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/110/9401/1",
2514   doi =          "10.1063/1.478948",
2515   notes =        "self guided md, sgmd, accelerated md, enhancing
2516                  systematic motion",
2517 }
2518
2519 @Article{choudhary05,
2520   author =       "Devashish Choudhary and Paulette Clancy",
2521   collaboration = "",
2522   title =        "Application of accelerated molecular dynamics schemes
2523                  to the production of amorphous silicon",
2524   publisher =    "AIP",
2525   year =         "2005",
2526   journal =      "J. Chem. Phys.",
2527   volume =       "122",
2528   number =       "15",
2529   eid =          "154509",
2530   numpages =     "8",
2531   pages =        "154509",
2532   keywords =     "molecular dynamics method; silicon; glass structure;
2533                  amorphous semiconductors",
2534   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/122/154509/1",
2535   doi =          "10.1063/1.1878733",
2536   notes =        "explanation of sgmd and hyper md, applied to amorphous
2537                  silicon",
2538 }
2539
2540 @Article{taylor93,
2541   author =       "W. J. Taylor and T. Y. Tan and U. G{\"{o}}sele",
2542   collaboration = "",
2543   title =        "Carbon precipitation in silicon: Why is it so
2544                  difficult?",
2545   publisher =    "AIP",
2546   year =         "1993",
2547   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
2548   volume =       "62",
2549   number =       "25",
2550   pages =        "3336--3338",
2551   keywords =     "SILICON; CARBON ADDITIONS; OXYGEN ADDITIONS; DOPED
2552                  MATERIALS; PRECIPITATION; THERMODYNAMICS; SURFACE
2553                  ENERGY",
2554   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/62/3336/1",
2555   doi =          "10.1063/1.109063",
2556   notes =        "interfacial energy of cubic sic and si",
2557 }
2558
2559 @Article{chaussende08,
2560   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
2561   journal =      "J. Cryst. Growth",
2562   volume =       "310",
2563   number =       "5",
2564   pages =        "976--981",
2565   year =         "2008",
2566   note =         "Proceedings of the E-MRS Conference, Symposium G -
2567                  Substrates of Wide Bandgap Materials",
2568   ISSN =         "0022-0248",
2569   doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.140",
2570   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4R7J67S-F/2/e92fc194b652409f5b119393d608b082",
2571   author =       "D. Chaussende and F. Mercier and A. Boulle and F.
2572                  Conchon and M. Soueidan and G. Ferro and A. Mantzari
2573                  and A. Andreadou and E. K. Polychroniadis and C.
2574                  Balloud and S. Juillaguet and J. Camassel and M. Pons",
2575   notes =        "3c-sic crystal growth, sic fabrication + links,
2576                  metastable",
2577 }
2578
2579 @Article{chaussende07,
2580   author =       "D. Chaussende and P. J. Wellmann and M. Pons",
2581   title =        "Status of Si{C} bulk growth processes",
2582   journal =      "Journal of Physics D: Applied Physics",
2583   volume =       "40",
2584   number =       "20",
2585   pages =        "6150",
2586   URL =          "http://stacks.iop.org/0022-3727/40/i=20/a=S02",
2587   year =         "2007",
2588   notes =        "review of sic single crystal growth methods, process
2589                  modelling",
2590 }
2591
2592 @Article{feynman39,
2593   title =        "Forces in Molecules",
2594   author =       "R. P. Feynman",
2595   journal =      "Phys. Rev.",
2596   volume =       "56",
2597   number =       "4",
2598   pages =        "340--343",
2599   numpages =     "3",
2600   year =         "1939",
2601   month =        aug,
2602   doi =          "10.1103/PhysRev.56.340",
2603   publisher =    "American Physical Society",
2604   notes =        "hellmann feynman forces",
2605 }
2606
2607 @Article{buczko00,
2608   title =        "Bonding Arrangements at the $Si-Si{O}_{2}$ and
2609                  $Si{C}-Si{O}_{2}$ Interfaces and a Possible Origin of
2610                  their Contrasting Properties",
2611   author =       "Ryszard Buczko and Stephen J. Pennycook and Sokrates
2612                  T. Pantelides",
2613   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2614   volume =       "84",
2615   number =       "5",
2616   pages =        "943--946",
2617   numpages =     "3",
2618   year =         "2000",
2619   month =        jan,
2620   doi =          "10.1103/PhysRevLett.84.943",
2621   publisher =    "American Physical Society",
2622   notes =        "si sio2 and sic sio2 interface",
2623 }
2624
2625 @Article{djurabekova08,
2626   title =        "Atomistic simulation of the interface structure of Si
2627                  nanocrystals embedded in amorphous silica",
2628   author =       "Flyura Djurabekova and Kai Nordlund",
2629   journal =      "Phys. Rev. B",
2630   volume =       "77",
2631   number =       "11",
2632   pages =        "115325",
2633   numpages =     "7",
2634   year =         "2008",
2635   month =        mar,
2636   doi =          "10.1103/PhysRevB.77.115325",
2637   publisher =    "American Physical Society",
2638   notes =        "nc-si in sio2, interface energy, nc construction,
2639                  angular distribution, coordination",
2640 }
2641
2642 @Article{wen09,
2643   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
2644                  W. Liang and J. Zou",
2645   collaboration = "",
2646   title =        "Nature of interfacial defects and their roles in
2647                  strain relaxation at highly lattice mismatched
2648                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
2649   publisher =    "AIP",
2650   year =         "2009",
2651   journal =      "J. Appl. Phys.",
2652   volume =       "106",
2653   number =       "7",
2654   eid =          "073522",
2655   numpages =     "8",
2656   pages =        "073522",
2657   keywords =     "anelastic relaxation; crystal structure; dislocations;
2658                  elemental semiconductors; semiconductor growth;
2659                  semiconductor thin films; silicon; silicon compounds;
2660                  stacking faults; wide band gap semiconductors",
2661   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/106/073522/1",
2662   doi =          "10.1063/1.3234380",
2663   notes =        "sic/si interface, follow refs, tem image
2664                  deconvolution, dislocation defects",
2665 }
2666
2667 @Article{kitabatake93,
2668   author =       "Makoto Kitabatake and Masahiro Deguchi and Takashi
2669                  Hirao",
2670   collaboration = "",
2671   title =        "Simulations and experiments of Si{C} heteroepitaxial
2672                  growth on Si(001) surface",
2673   publisher =    "AIP",
2674   year =         "1993",
2675   journal =      "J. Appl. Phys.",
2676   volume =       "74",
2677   number =       "7",
2678   pages =        "4438--4445",
2679   keywords =     "SILICON CARBIDES; FILM GROWTH; SIMULATION; MOLECULAR
2680                  BEAM EPITAXY; MOLECULAR DYNAMICS CALCULATIONS; SILICON;
2681                  MICROSTRUCTURE; ULTRAVIOLET RADIATION; IRRADIATION",
2682   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/74/4438/1",
2683   doi =          "10.1063/1.354385",
2684   notes =        "mbe and md of sic growth on si, 4 to 5 shrinkage
2685                  model, interface",
2686 }
2687
2688 @Article{kitabatake97,
2689   author =       "Makoto Kitabatake",
2690   title =        "Simulations and Experiments of 3{C}-Si{C}/Si
2691                  Heteroepitaxial Growth",
2692   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
2693   year =         "1997",
2694   journal =      "physica status solidi (b)",
2695   volume =       "202",
2696   pages =        "405--420",
2697   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
2698   doi =          "10.1002/1521-3951(199707)202:1<405::AID-PSSB405>3.0.CO;2-5",
2699   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si off-axis model",
2700 }
2701
2702 @Article{chirita97,
2703   title =        "Strain relaxation and thermal stability of the
2704                  3{C}-Si{C}(001)/Si(001) interface: {A} molecular
2705                  dynamics study",
2706   journal =      "Thin Solid Films",
2707   volume =       "294",
2708   number =       "1-2",
2709   pages =        "47--49",
2710   year =         "1997",
2711   note =         "",
2712   ISSN =         "0040-6090",
2713   doi =          "DOI: 10.1016/S0040-6090(96)09257-7",
2714   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-41WBB52-C/2/6ef684a04d02dd3b108f972377cde8f4",
2715   author =       "V. Chirita and L. Hultman and L. R. Wallenberg",
2716   keywords =     "Strain relaxation",
2717   keywords =     "Interfaces",
2718   keywords =     "Thermal stability",
2719   keywords =     "Molecular dynamics",
2720   notes =        "tersoff sic/si interface study",
2721 }
2722
2723 @Article{cicero02,
2724   title =        "Ab initio Study of Misfit Dislocations at the
2725                  $Si{C}/Si(001)$ Interface",
2726   author =       "Giancarlo Cicero and Laurent Pizzagalli and Alessandra
2727                  Catellani",
2728   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2729   volume =       "89",
2730   number =       "15",
2731   pages =        "156101",
2732   numpages =     "4",
2733   year =         "2002",
2734   month =        sep,
2735   doi =          "10.1103/PhysRevLett.89.156101",
2736   publisher =    "American Physical Society",
2737   notes =        "sic/si interface study",
2738 }
2739
2740 @Article{pizzagalli03,
2741   title =        "Theoretical investigations of a highly mismatched
2742                  interface: Si{C}/Si(001)",
2743   author =       "Laurent Pizzagalli and Giancarlo Cicero and Alessandra
2744                  Catellani",
2745   journal =      "Phys. Rev. B",
2746   volume =       "68",
2747   number =       "19",
2748   pages =        "195302",
2749   numpages =     "10",
2750   year =         "2003",
2751   month =        nov,
2752   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.195302",
2753   publisher =    "American Physical Society",
2754   notes =        "tersoff md and ab initio sic/si interface study",
2755 }
2756
2757 @Article{tang07,
2758   title =        "Atomic configurations of dislocation core and twin
2759                  boundaries in $ 3{C}-Si{C} $ studied by high-resolution
2760                  electron microscopy",
2761   author =       "C. Y. Tang and F. H. Li and R. Wang and J. Zou and X.
2762                  H. Zheng and J. W. Liang",
2763   journal =      "Phys. Rev. B",
2764   volume =       "75",
2765   number =       "18",
2766   pages =        "184103",
2767   numpages =     "7",
2768   year =         "2007",
2769   month =        may,
2770   doi =          "10.1103/PhysRevB.75.184103",
2771   publisher =    "American Physical Society",
2772   notes =        "hrem image deconvolution on 3c-sic on si, distinguish
2773                  si and c",
2774 }
2775
2776 @Article{hornstra58,
2777   title =        "Dislocations in the diamond lattice",
2778   journal =      "Journal of Physics and Chemistry of Solids",
2779   volume =       "5",
2780   number =       "1-2",
2781   pages =        "129--141",
2782   year =         "1958",
2783   note =         "",
2784   ISSN =         "0022-3697",
2785   doi =          "DOI: 10.1016/0022-3697(58)90138-0",
2786   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXR-46MMPHJ-10D/2/7176c01c29cd4e73faa26ab2aacdcea5",
2787   author =       "J. Hornstra",
2788   notes =        "dislocations in diamond lattice",
2789 }
2790
2791 @Article{deguchi92,
2792   title =        "Synthesis of $\beta$-Si{C} Layer in Silicon by Carbon
2793                  Ion `Hot' Implantation",
2794   author =       "Masahiro Deguchi and Makoto Kitabatake and Takashi
2795                  Hirao and Naoki Arai and Tomio Izumi",
2796   journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
2797   volume =       "31",
2798   number =       "Part 1, No. 2A",
2799   pages =        "343--347",
2800   numpages =     "4",
2801   year =         "1992",
2802   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/31/343/",
2803   doi =          "10.1143/JJAP.31.343",
2804   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2805   notes =        "c-c bonds in c implanted si, hot implantation
2806                  efficiency, c-c hard to break by thermal annealing",
2807 }
2808
2809 @Article{eichhorn99,
2810   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
2811                  K{\"{o}}gler",
2812   collaboration = "",
2813   title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
2814                  implanted with carbon ions of medium fluence studied by
2815                  synchrotron x-ray diffraction",
2816   publisher =    "AIP",
2817   year =         "1999",
2818   journal =      "J. Appl. Phys.",
2819   volume =       "86",
2820   number =       "8",
2821   pages =        "4184--4187",
2822   keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
2823                  interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
2824                  precipitation; semiconductor doping",
2825   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
2826   doi =          "10.1063/1.371344",
2827   notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional carbon,
2828                  expansion of si lattice",
2829 }
2830
2831 @Article{eichhorn02,
2832   author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
2833                  Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
2834   collaboration = "",
2835   title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
2836                  carbon ion implantation",
2837   publisher =    "AIP",
2838   year =         "2002",
2839   journal =      "J. Appl. Phys.",
2840   volume =       "91",
2841   number =       "3",
2842   pages =        "1287--1292",
2843   keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
2844                  implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
2845                  electron microscopy",
2846   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
2847   doi =          "10.1063/1.1428105",
2848   notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
2849                  temperature, might explain c into c sub trafo",
2850 }
2851
2852 @Article{lucas10,
2853   author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
2854   title =        "An environment-dependent interatomic potential for
2855                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
2856                  high-pressure phases, point and extended defects, and
2857                  amorphous structures",
2858   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2859   volume =       "22",
2860   number =       "3",
2861   pages =        "035802",
2862   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
2863   year =         "2010",
2864   notes =        "edip sic",
2865 }
2866
2867 @Article{godet03,
2868   author =       "J Godet and L Pizzagalli and S Brochard and P
2869                  Beauchamp",
2870   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
2871                  methods for silicon under large shear",
2872   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
2873   volume =       "15",
2874   number =       "41",
2875   pages =        "6943",
2876   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/15/i=41/a=004",
2877   year =         "2003",
2878   notes =        "comparison of empirical potentials, stillinger weber,
2879                  edip, tersoff, ab initio",
2880 }
2881
2882 @Article{moriguchi98,
2883   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
2884                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
2885   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
2886   journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
2887   volume =       "37",
2888   number =       "Part 1, No. 2",
2889   pages =        "414--422",
2890   numpages =     "8",
2891   year =         "1998",
2892   URL =          "http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/37/414/",
2893   doi =          "10.1143/JJAP.37.414",
2894   publisher =    "The Japan Society of Applied Physics",
2895   notes =        "tersoff stringent test",
2896 }
2897
2898 @Article{mazzarolo01,
2899   title =        "Low-energy recoils in crystalline silicon: Quantum
2900                  simulations",
2901   author =       "Massimiliano Mazzarolo and Luciano Colombo and Giorgio
2902                  Lulli and Eros Albertazzi",
2903   journal =      "Phys. Rev. B",
2904   volume =       "63",
2905   number =       "19",
2906   pages =        "195207",
2907   numpages =     "4",
2908   year =         "2001",
2909   month =        apr,
2910   doi =          "10.1103/PhysRevB.63.195207",
2911   publisher =    "American Physical Society",
2912 }
2913
2914 @Article{holmstroem08,
2915   title =        "Threshold defect production in silicon determined by
2916                  density functional theory molecular dynamics
2917                  simulations",
2918   author =       "E. Holmstr{\"o}m and A. Kuronen and K. Nordlund",
2919   journal =      "Phys. Rev. B",
2920   volume =       "78",
2921   number =       "4",
2922   pages =        "045202",
2923   numpages =     "6",
2924   year =         "2008",
2925   month =        jul,
2926   doi =          "10.1103/PhysRevB.78.045202",
2927   publisher =    "American Physical Society",
2928   notes =        "threshold displacement comparison empirical and ab
2929                  initio",
2930 }
2931
2932 @Article{nordlund97,
2933   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
2934                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
2935   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
2936   volume =       "132",
2937   number =       "1",
2938   pages =        "45--54",
2939   year =         "1997",
2940   note =         "",
2941   ISSN =         "0168-583X",
2942   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(97)00447-3",
2943   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-4CP0TGF-91/2/1a9100c0aae82d2d258fc83dfdba23c1",
2944   author =       "K. Nordlund and N. Runeberg and D. Sundholm",
2945   notes =        "repulsive ab initio potential",
2946 }
2947
2948 @Article{kresse96,
2949   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
2950                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
2951                  set",
2952   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
2953   volume =       "6",
2954   number =       "1",
2955   pages =        "15--50",
2956   year =         "1996",
2957   note =         "",
2958   ISSN =         "0927-0256",
2959   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00008-0",
2960   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VRVTBF-3/2/88689b1eacfe2b5fe57f09d37eff3b74",
2961   author =       "G. Kresse and J. Furthm{\"{u}}ller",
2962   notes =        "vasp ref",
2963 }
2964
2965 @Article{bloechl94,
2966   title =        "Projector augmented-wave method",
2967   author =       "P. E. Bl{\"o}chl",
2968   journal =      "Phys. Rev. B",
2969   volume =       "50",
2970   number =       "24",
2971   pages =        "17953--17979",
2972   numpages =     "26",
2973   year =         "1994",
2974   month =        dec,
2975   doi =          "10.1103/PhysRevB.50.17953",
2976   publisher =    "American Physical Society",
2977   notes =        "paw method",
2978 }
2979
2980 @Article{hamann79,
2981   title =        "Norm-Conserving Pseudopotentials",
2982   author =       "D. R. Hamann and M. Schl{\"u}ter and C. Chiang",
2983   journal =      "Phys. Rev. Lett.",
2984   volume =       "43",
2985   number =       "20",
2986   pages =        "1494--1497",
2987   numpages =     "3",
2988   year =         "1979",
2989   month =        nov,
2990   doi =          "10.1103/PhysRevLett.43.1494",
2991   publisher =    "American Physical Society",
2992   notes =        "norm-conserving pseudopotentials",
2993 }
2994
2995 @Article{vanderbilt90,
2996   title =        "Soft self-consistent pseudopotentials in a generalized
2997                  eigenvalue formalism",
2998   author =       "David Vanderbilt",
2999   journal =      "Phys. Rev. B",
3000   volume =       "41",
3001   number =       "11",
3002   pages =        "7892--7895",
3003   numpages =     "3",
3004   year =         "1990",
3005   month =        apr,
3006   doi =          "10.1103/PhysRevB.41.7892",
3007   publisher =    "American Physical Society",
3008   notes =        "vasp pseudopotentials",
3009 }
3010
3011 @Article{perdew86,
3012   title =        "Accurate and simple density functional for the
3013                  electronic exchange energy: Generalized gradient
3014                  approximation",
3015   author =       "John P. Perdew and Yue Wang",
3016   journal =      "Phys. Rev. B",
3017   volume =       "33",
3018   number =       "12",
3019   pages =        "8800--8802",
3020   numpages =     "2",
3021   year =         "1986",
3022   month =        jun,
3023   doi =          "10.1103/PhysRevB.33.8800",
3024   publisher =    "American Physical Society",
3025   notes =        "rapid communication gga",
3026 }
3027
3028 @Article{perdew02,
3029   title =        "Generalized gradient approximations for exchange and
3030                  correlation: {A} look backward and forward",
3031   journal =      "Physica B: Condensed Matter",
3032   volume =       "172",
3033   number =       "1-2",
3034   pages =        "1--6",
3035   year =         "1991",
3036   note =         "",
3037   ISSN =         "0921-4526",
3038   doi =          "DOI: 10.1016/0921-4526(91)90409-8",
3039   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TVH-46G8GR9-3D/2/18e610a616e4d80b934079c89063ece7",
3040   author =       "John P. Perdew",
3041   notes =        "gga overview",
3042 }
3043
3044 @Article{perdew92,
3045   title =        "Atoms, molecules, solids, and surfaces: Applications
3046                  of the generalized gradient approximation for exchange
3047                  and correlation",
3048   author =       "John P. Perdew and J. A. Chevary and S. H. Vosko and
3049                  Koblar A. Jackson and Mark R. Pederson and D. J. Singh
3050                  and Carlos Fiolhais",
3051   journal =      "Phys. Rev. B",
3052   volume =       "46",
3053   number =       "11",
3054   pages =        "6671--6687",
3055   numpages =     "16",
3056   year =         "1992",
3057   month =        sep,
3058   doi =          "10.1103/PhysRevB.46.6671",
3059   publisher =    "American Physical Society",
3060   notes =        "gga pw91 (as in vasp)",
3061 }
3062
3063 @Article{baldereschi73,
3064   title =        "Mean-Value Point in the Brillouin Zone",
3065   author =       "A. Baldereschi",
3066   journal =      "Phys. Rev. B",
3067   volume =       "7",
3068   number =       "12",
3069   pages =        "5212--5215",
3070   numpages =     "3",
3071   year =         "1973",
3072   month =        jun,
3073   doi =          "10.1103/PhysRevB.7.5212",
3074   publisher =    "American Physical Society",
3075   notes =        "mean value k point",
3076 }
3077
3078 @Article{zhu98,
3079   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
3080                  diffusion in Si",
3081   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3082   volume =       "12",
3083   number =       "4",
3084   pages =        "309--318",
3085   year =         "1998",
3086   note =         "",
3087   ISSN =         "0927-0256",
3088   doi =          "DOI: 10.1016/S0927-0256(98)00023-8",
3089   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VB7F2K-7/2/aa864582273be8e054300efb7bd16a1b",
3090   author =       "Jing Zhu",
3091   keywords =     "TED (transient enhanced diffusion)",
3092   keywords =     "Boron dopant",
3093   keywords =     "Carbon dopant",
3094   keywords =     "Defect",
3095   keywords =     "ab initio pseudopotential method",
3096   keywords =     "Impurity cluster",
3097   notes =        "binding of c to si interstitial, c in si defects",
3098 }
3099
3100 @Article{nejim95,
3101   author =       "A. Nejim and P. L. F. Hemment and J. Stoemenos",
3102   collaboration = "",
3103   title =        "Si{C} buried layer formation by ion beam synthesis at
3104                  950 [degree]{C}",
3105   publisher =    "AIP",
3106   year =         "1995",
3107   journal =      "Appl. Phys. Lett.",
3108   volume =       "66",
3109   number =       "20",
3110   pages =        "2646--2648",
3111   keywords =     "SILICON; ION IMPLANTATION; CARBON IONS; SILICON
3112                  CARBIDES; BURIED LAYERS; SYNTHESIS; KEV RANGE 100 --
3113                  1000; CRYSTAL DEFECTS; MORPHOLOGY; RBS; TRANSMISSION
3114                  ELECTRON MICROSCOPY",
3115   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/2646/1",
3116   doi =          "10.1063/1.113112",
3117   notes =        "precipitation mechanism by substitutional carbon, si
3118                  self interstitials react with further implanted c",
3119 }
3120
3121 @Article{guedj98,
3122   author =       "C. Guedj and M. W. Dashiell and L. Kulik and J.
3123                  Kolodzey and A. Hairie",
3124   collaboration = "",
3125   title =        "Precipitation of beta-Si{C} in Si[sub 1 - y]{C}[sub y]
3126                  alloys",
3127   publisher =    "AIP",
3128   year =         "1998",
3129   journal =      "J. Appl. Phys.",
3130   volume =       "84",
3131   number =       "8",
3132   pages =        "4631--4633",
3133   keywords =     "silicon compounds; precipitation; localised modes;
3134                  semiconductor epitaxial layers; infrared spectra;
3135                  Fourier transform spectra; thermal stability;
3136                  annealing",
3137   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/84/4631/1",
3138   doi =          "10.1063/1.368703",
3139   notes =        "coherent 3C-SiC, topotactic, critical coherence size",
3140 }
3141
3142 @Article{jones04,
3143   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
3144   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
3145                  semiconductors",
3146   journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
3147   volume =       "16",
3148   number =       "27",
3149   pages =        "S2643",
3150   URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/16/i=27/a=004",
3151   year =         "2004",
3152   notes =        "ab inito init, vibrational modes, c defect in si",
3153 }
3154
3155 @Article{park02,
3156   author =       "S. Y. Park and J. D'Arcy-Gall and D. Gall and J. A. N.
3157                  T Soares and Y.-W. Kim and H. Kim and P. Desjardins and
3158                  J. E. Greene and S. G. Bishop",
3159   collaboration = "",
3160   title =        "Carbon incorporation pathways and lattice sites in
3161                  Si[sub 1 - y]{C}[sub y] alloys grown on Si(001) by
3162                  molecular-beam epitaxy",
3163   publisher =    "AIP",
3164   year =         "2002",
3165   journal =      "J. Appl. Phys.",
3166   volume =       "91",
3167   number =       "9",
3168   pages =        "5716--5727",
3169   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/5716/1",
3170   doi =          "10.1063/1.1465122",
3171   notes =        "c substitutional incorporation pathway, dft and expt",
3172 }
3173
3174 @Article{leary97,
3175   title =        "Dynamic properties of interstitial carbon and
3176                  carbon-carbon pair defects in silicon",
3177   author =       "P. Leary and R. Jones and S. {\"O}berg and V. J. B.
3178                  Torres",
3179   journal =      "Phys. Rev. B",
3180   volume =       "55",
3181   number =       "4",
3182   pages =        "2188--2194",
3183   numpages =     "6",
3184   year =         "1997",
3185   month =        jan,
3186   doi =          "10.1103/PhysRevB.55.2188",
3187   publisher =    "American Physical Society",
3188   notes =        "ab initio c in si and di-carbon defect, no formation
3189                  energies, different migration barriers and paths",
3190 }
3191
3192 @Article{burnard93,
3193   title =        "Interstitial carbon and the carbon-carbon pair in
3194                  silicon: Semiempirical electronic-structure
3195                  calculations",
3196   author =       "Matthew J. Burnard and Gary G. DeLeo",
3197   journal =      "Phys. Rev. B",
3198   volume =       "47",
3199   number =       "16",
3200   pages =        "10217--10225",
3201   numpages =     "8",
3202   year =         "1993",
3203   month =        apr,
3204   doi =          "10.1103/PhysRevB.47.10217",
3205   publisher =    "American Physical Society",
3206   notes =        "semi empirical mndo, pm3 and mindo3 c in si and di
3207                  carbon defect, formation energies",
3208 }
3209
3210 @Article{besson91,
3211   title =        "Electronic structure of interstitial carbon in
3212                  silicon",
3213   author =       "Morgan Besson and Gary G. DeLeo",
3214   journal =      "Phys. Rev. B",
3215   volume =       "43",
3216   number =       "5",
3217   pages =        "4028--4033",
3218   numpages =     "5",
3219   year =         "1991",
3220   month =        feb,
3221   doi =          "10.1103/PhysRevB.43.4028",
3222   publisher =    "American Physical Society",
3223 }
3224
3225 @Article{kaxiras96,
3226   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
3227                  and growth on semiconductors",
3228   journal =      "Comput. Mater. Sci.",
3229   volume =       "6",
3230   number =       "2",
3231   pages =        "158--172",
3232   year =         "1996",
3233   note =         "Proceedings of the Workshop on Virtual Molecular Beam
3234                  Epitaxy",
3235   ISSN =         "0927-0256",
3236   doi =          "DOI: 10.1016/0927-0256(96)00030-4",
3237   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TWM-3VSFF1G-7/2/afc8408b00ded1ca2dc3ad1686c2dae6",
3238   author =       "Efthimios Kaxiras",
3239   notes =        "might contain c 100 db formation energy, overview md,
3240                  tight binding, first principles",
3241 }
3242
3243 @Article{kaukonen98,
3244   title =        "Effect of {N} and {B} doping on the growth of {CVD}
3245                  diamond
3246                  $(100):{H}(2\ifmmode\times\else\texttimes\fi{}1)$
3247                  surfaces",
3248   author =       "M. Kaukonen and P. K. Sitch and G. Jungnickel and R.
3249                  M. Nieminen and Sami P{\"o}ykk{\"o} and D. Porezag and
3250                  Th. Frauenheim",
3251   journal =      "Phys. Rev. B",
3252   volume =       "57",
3253   number =       "16",
3254   pages =        "9965--9970",
3255   numpages =     "5",
3256   year =         "1998",
3257   month =        apr,
3258   doi =          "10.1103/PhysRevB.57.9965",
3259   publisher =    "American Physical Society",
3260   notes =        "constrained conjugate gradient relaxation technique
3261                  (crt)",
3262 }
3263
3264 @Article{gali03,
3265   title =        "Correlation between the antisite pair and the ${DI}$
3266                  center in Si{C}",
3267   author =       "A. Gali and P. De\'ak and E. Rauls and N. T. Son and
3268                  I. G. Ivanov and F. H. C. Carlsson and E. Janz\'en and
3269                  W. J. Choyke",
3270   journal =      "Phys. Rev. B",
3271   volume =       "67",
3272   number =       "15",
3273   pages =        "155203",
3274   numpages =     "5",
3275   year =         "2003",
3276   month =        apr,
3277   doi =          "10.1103/PhysRevB.67.155203",
3278   publisher =    "American Physical Society",
3279 }
3280
3281 @Article{chen98,
3282   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
3283                  irradiation and deformation",
3284   journal =      "J. Nucl. Mater.",
3285   volume =       "258-263",
3286   number =       "Part 2",
3287   pages =        "1803--1808",
3288   year =         "1998",
3289   note =         "",
3290   ISSN =         "0022-3115",
3291   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(98)00139-1",
3292   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXN-43G486N-47/2/56905f48f025ab98e5de4d6cde09c62b",
3293   author =       "J. Chen and P. Jung and H. Klein",
3294 }
3295
3296 @Article{weber01,
3297   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
3298                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
3299   journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
3300   volume =       "175-177",
3301   number =       "",
3302   pages =        "26--30",
3303   year =         "2001",
3304   note =         "",
3305   ISSN =         "0168-583X",
3306   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00542-5",
3307   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-435KH7Y-2R/2/8acc176700c95bb8614d96c40cfc5577",
3308   author =       "W. J. Weber and W. Jiang and S. Thevuthasan",
3309 }
3310
3311 @Article{bockstedte03,
3312   title =        "Ab initio study of the migration of intrinsic defects
3313                  in $3{C}-Si{C}$",
3314   author =       "Michel Bockstedte and Alexander Mattausch and Oleg
3315                  Pankratov",
3316   journal =      "Phys. Rev. B",
3317   volume =       "68",
3318   number =       "20",
3319   pages =        "205201",
3320   numpages =     "17",
3321   year =         "2003",
3322   month =        nov,
3323   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.205201",
3324   publisher =    "American Physical Society",
3325   notes =        "defect migration in sic",
3326 }
3327
3328 @Article{rauls03a,
3329   title =        "Theoretical study of vacancy diffusion and
3330                  vacancy-assisted clustering of antisites in Si{C}",
3331   author =       "E. Rauls and Th. Frauenheim and A. Gali and P.
3332                  De\'ak",
3333   journal =      "Phys. Rev. B",
3334   volume =       "68",
3335   number =       "15",
3336   pages =        "155208",
3337   numpages =     "9",
3338   year =         "2003",
3339   month =        oct,
3340   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
3341   publisher =    "American Physical Society",
3342 }
3343
3344 @Article{losev27,
3345   journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
3346   volume =       "44",
3347   pages =        "485--494",
3348   year =         "1927",
3349   author =       "O. V. Lossev",
3350 }
3351
3352 @Article{losev28,
3353   title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
3354                  oscillations with crystals",
3355   journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
3356   volume =       "6",
3357   number =       "39",
3358   pages =        "1024--1044",
3359   year =         "1928",
3360   URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
3361   author =       "O. V. Lossev",
3362 }
3363
3364 @Article{losev29,
3365   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3366   volume =       "30",
3367   pages =        "920--923",
3368   year =         "1929",
3369   author =       "O. V. Lossev",
3370 }
3371
3372 @Article{losev31,
3373   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3374   volume =       "32",
3375   pages =        "692--696",
3376   year =         "1931",
3377   author =       "O. V. Lossev",
3378 }
3379
3380 @Article{losev33,
3381   journal =      "Physik. Zeitschr.",
3382   volume =       "34",
3383   pages =        "397--403",
3384   year =         "1933",
3385   author =       "O. V. Lossev",
3386 }
3387
3388 @Article{round07,
3389   title =        "A note on carborundum",
3390   journal =      "Electrical World",
3391   volume =       "49",
3392   pages =        "308",
3393   year =         "1907",
3394   author =       "H. J. Round",
3395 }
3396
3397 @Article{vashishath08,
3398   title =        "Recent trends in silicon carbide device research",
3399   journal =      "Mj. Int. J. Sci. Tech.",
3400   volume =       "2",
3401   number =       "03",
3402   pages =        "444--470",
3403   year =         "2008",
3404   author =       "Munish Vashishath and Ashoke K. Chatterjee",
3405   URL =          "http://www.doaj.org/doaj?func=abstract&id=286746",
3406   notes =        "sic polytype electronic properties",
3407 }
3408
3409 @Article{nelson69,
3410   author =       "W. E. Nelson and F. A. Halden and A. Rosengreen",
3411   collaboration = "",
3412   title =        "Growth and Properties of beta-Si{C} Single Crystals",
3413   publisher =    "AIP",
3414   year =         "1966",
3415   journal =      "Journal of Applied Physics",
3416   volume =       "37",
3417   number =       "1",
3418   pages =        "333--336",
3419   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/37/333/1",
3420   doi =          "10.1063/1.1707837",
3421   notes =        "sic melt growth",
3422 }
3423
3424 @Article{arkel25,
3425   author =       "A. E. van Arkel and J. H. de Boer",
3426   title =        "Darstellung von reinem Titanium-, Zirkonium-, Hafnium-
3427                  und Thoriummetall",
3428   publisher =    "WILEY-VCH Verlag GmbH",
3429   year =         "1925",
3430   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3431   volume =       "148",
3432   pages =        "345--350",
3433   URL =          "http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19251480133",
3434   doi =          "10.1002/zaac.19251480133",
3435   notes =        "van arkel apparatus",
3436 }
3437
3438 @Article{moers31,
3439   author =       "K. Moers",
3440   year =         "1931",
3441   journal =      "Z. Anorg. Chem.",
3442   volume =       "198",
3443   pages =        "293",
3444   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3445                  process",
3446 }
3447
3448 @Article{kendall53,
3449   author =       "J. T. Kendall",
3450   title =        "Electronic Conduction in Silicon Carbide",
3451   publisher =    "AIP",
3452   year =         "1953",
3453   journal =      "The Journal of Chemical Physics",
3454   volume =       "21",
3455   number =       "5",
3456   pages =        "821--827",
3457   URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/21/821/1",
3458   notes =        "sic by van arkel apparatus, pyrolitical vapor growth
3459                  process",
3460 }
3461
3462 @Article{lely55,
3463   author =       "J. A. Lely",
3464   year =         "1955",
3465   journal =      "Ber. Deut. Keram. Ges.",
3466   volume =       "32",
3467   pages =        "229",
3468   notes =        "lely sublimation growth process",
3469 }
3470
3471 @Article{knippenberg63,
3472   author =       "W. F. Knippenberg",
3473   year =         "1963",
3474   journal =      "Philips Res. Repts.",
3475   volume =       "18",
3476   pages =        "161",
3477   notes =        "acheson process",
3478 }
3479
3480 @Article{hoffmann82,
3481   author =       "L. Hoffmann and G. Ziegler and D. Theis and C.
3482                  Weyrich",
3483   collaboration = "",
3484   title =        "Silicon carbide blue light emitting diodes with
3485                  improved external quantum efficiency",
3486   publisher =    "AIP",
3487   year =         "1982",
3488   journal =      "Journal of Applied Physics",
3489   volume =       "53",
3490   number =       "10",
3491   pages =        "6962--6967",
3492   keywords =     "light emitting diodes; silicon carbides; quantum
3493                  efficiency; visible radiation; experimental data;
3494                  epitaxy; fabrication; medium temperature; layers;
3495                  aluminium; nitrogen; substrates; pn junctions;
3496                  electroluminescence; spectra; current density;
3497                  optimization",
3498   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/53/6962/1",
3499   doi =          "10.1063/1.330041",
3500   notes =        "blue led, sublimation process",
3501 }
3502
3503 @Article{neudeck95,
3504   author =       "Philip Neudeck",
3505   affiliation =  "NASA Lewis Research Center M.S. 77-1, 21000 Brookpark
3506                  Road 44135 Cleveland OH",
3507   title =        "Progress in silicon carbide semiconductor electronics
3508                  technology",
3509   journal =      "Journal of Electronic Materials",
3510   publisher =    "Springer Boston",
3511   ISSN =         "0361-5235",
3512   keyword =      "Chemistry and Materials Science",
3513   pages =        "283--288",
3514   volume =       "24",
3515   issue =        "4",
3516   URL =          "http://dx.doi.org/10.1007/BF02659688",
3517   note =         "10.1007/BF02659688",
3518   year =         "1995",
3519   notes =        "sic data, advantages of 3c sic",
3520 }
3521
3522 @Article{bhatnagar93,
3523   author =       "M. Bhatnagar and B. J. Baliga",
3524   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3525   title =        "Comparison of 6{H}-Si{C}, 3{C}-Si{C}, and Si for power
3526                  devices",
3527   year =         "1993",
3528   month =        mar,
3529   volume =       "40",
3530   number =       "3",
3531   pages =        "645--655",
3532   keywords =     "3C-SiC;50 to 5000 V;6H-SiC;Schottky
3533                  rectifiers;Si;SiC;breakdown voltages;drift region
3534                  properties;output characteristics;power MOSFETs;power
3535                  semiconductor devices;switching characteristics;thermal
3536                  analysis;Schottky-barrier diodes;electric breakdown of
3537                  solids;insulated gate field effect transistors;power
3538                  transistors;semiconductor materials;silicon;silicon
3539                  compounds;solid-state rectifiers;thermal analysis;",
3540   doi =          "10.1109/16.199372",
3541   ISSN =         "0018-9383",
3542   notes =        "comparison 3c 6h sic and si devices",
3543 }
3544
3545 @Article{neudeck94,
3546   author =       "P. G. Neudeck and D. J. Larkin and J. E. Starr and J.
3547                  A. Powell and C. S. Salupo and L. G. Matus",
3548   journal =      "Electron Devices, IEEE Transactions on",
3549   title =        "Electrical properties of epitaxial 3{C}- and
3550                  6{H}-Si{C} p-n junction diodes produced side-by-side on
3551                  6{H}-Si{C} substrates",
3552   year =         "1994",
3553   month =        may,
3554   volume =       "41",
3555   number =       "5",
3556   pages =        "826--835",
3557   keywords =     "20 nA;200 micron;300 to 1100 V;3C-SiC layers;400
3558                  C;6H-SiC layers;6H-SiC substrates;CVD
3559                  process;SiC;chemical vapor deposition;doping;electrical
3560                  properties;epitaxial layers;light
3561                  emission;low-tilt-angle 6H-SiC substrates;p-n junction
3562                  diodes;polytype;rectification characteristics;reverse
3563                  leakage current;reverse voltages;temperature;leakage
3564                  currents;power electronics;semiconductor
3565                  diodes;semiconductor epitaxial layers;semiconductor
3566                  growth;semiconductor materials;silicon
3567                  compounds;solid-state rectifiers;substrates;vapour
3568                  phase epitaxial growth;",
3569   doi =          "10.1109/16.285038",
3570   ISSN =         "0018-9383",
3571   notes =        "comparison 6h 3c sic, cvd of 3c and 6h on single 6h
3572                  substrate",
3573 }
3574
3575 @Article{schulze98,
3576   author =       "N. Schulze and D. L. Barrett and G. Pensl",
3577   collaboration = "",
3578   title =        "Near-equilibrium growth of micropipe-free 6{H}-Si{C}
3579                  single crystals by physical vapor transport",
3580   publisher =    "AIP",
3581   year =         "1998",
3582   journal =      "Applied Physics Letters",
3583   volume =       "72",
3584   number =       "13",
3585   pages =        "1632--1634",
3586   keywords =     "silicon compounds; semiconductor materials;
3587                  semiconductor growth; crystal growth from vapour;
3588                  photoluminescence; Hall mobility",
3589   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/72/1632/1",
3590   doi =          "10.1063/1.121136",
3591   notes =        "micropipe free 6h-sic pvt growth",
3592 }
3593
3594 @Article{pirouz87,
3595   author =       "P. Pirouz and C. M. Chorey and J. A. Powell",
3596   collaboration = "",
3597   title =        "Antiphase boundaries in epitaxially grown beta-Si{C}",
3598   publisher =    "AIP",
3599   year =         "1987",
3600   journal =      "Applied Physics Letters",
3601   volume =       "50",
3602   number =       "4",
3603   pages =        "221--223",
3604   keywords =     "SILICON CARBIDES; DOMAIN STRUCTURE; SCANNING ELECTRON
3605                  MICROSCOPY; NUCLEATION; EPITAXIAL LAYERS; CHEMICAL
3606                  VAPOR DEPOSITION; ETCHING; ETCH PITS; TRANSMISSION
3607                  ELECTRON MICROSCOPY; ELECTRON MICROSCOPY; ANTIPHASE
3608                  BOUNDARIES",
3609   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/50/221/1",
3610   doi =          "10.1063/1.97667",
3611   notes =        "apb 3c-sic heteroepitaxy on si",
3612 }
3613
3614 @Article{shibahara86,
3615   title =        "Surface morphology of cubic Si{C}(100) grown on
3616                  Si(100) by chemical vapor deposition",
3617   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3618   volume =       "78",
3619   number =       "3",
3620   pages =        "538--544",
3621   year =         "1986",
3622   note =         "",
3623   ISSN =         "0022-0248",
3624   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(86)90158-2",
3625   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46D26F7-1R/2/cfdbc7607352f3bc99d321303e3934e9",
3626   author =       "Kentaro Shibahara and Shigehiro Nishino and Hiroyuki
3627                  Matsunami",
3628   notes =        "defects in 3c-sis cvd on si, anti phase boundaries",
3629 }
3630
3631 @Article{desjardins96,
3632   author =       "P. Desjardins and J. E. Greene",
3633   collaboration = "",
3634   title =        "Step-flow epitaxial growth on two-domain surfaces",
3635   publisher =    "AIP",
3636   year =         "1996",
3637   journal =      "Journal of Applied Physics",
3638   volume =       "79",
3639   number =       "3",
3640   pages =        "1423--1434",
3641   keywords =     "ADATOMS; COMPUTERIZED SIMULATION; DIFFUSION; EPITAXY;
3642                  FILM GROWTH; SURFACE STRUCTURE",
3643   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/79/1423/1",
3644   doi =          "10.1063/1.360980",
3645   notes =        "apb model",
3646 }
3647
3648 @Article{henke95,
3649   author =       "S. Henke and B. Stritzker and B. Rauschenbach",
3650   collaboration = "",
3651   title =        "Synthesis of epitaxial beta-Si{C} by {C}[sub 60]
3652                  carbonization of silicon",
3653   publisher =    "AIP",
3654   year =         "1995",
3655   journal =      "Journal of Applied Physics",
3656   volume =       "78",
3657   number =       "3",
3658   pages =        "2070--2073",
3659   keywords =     "SILICON CARBIDES; THIN FILMS; EPITAXY; CARBONIZATION;
3660                  FULLERENES; ANNEALING; XRD; RBS; TWINNING; CRYSTAL
3661                  STRUCTURE",
3662   URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/78/2070/1",
3663   doi =          "10.1063/1.360184",
3664   notes =        "ssmbe of sic on si, lower temperatures",
3665 }
3666
3667 @Article{fuyuki89,
3668   title =        "Atomic layer epitaxy of cubic Si{C} by gas source
3669                  {MBE} using surface superstructure",
3670   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3671   volume =       "95",
3672   number =       "1-4",
3673   pages =        "461--463",
3674   year =         "1989",
3675   note =         "",
3676   ISSN =         "0022-0248",
3677   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(89)90442-9",
3678   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46DFS6F-GF/2/a8e0abaef892c6d96992ff4751fdeda2",
3679   author =       "Takashi Fuyuki and Michiaki Nakayama and Tatsuo
3680                  Yoshinobu and Hiromu Shiomi and Hiroyuki Matsunami",
3681   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
3682 }
3683
3684 @Article{yoshinobu92,
3685   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Hideaki Mitsui and Iwao Izumikawa
3686                  and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
3687   collaboration = "",
3688   title =        "Lattice-matched epitaxial growth of single crystalline
3689                  3{C}-Si{C} on 6{H}-Si{C} substrates by gas source
3690                  molecular beam epitaxy",
3691   publisher =    "AIP",
3692   year =         "1992",
3693   journal =      "Applied Physics Letters",
3694   volume =       "60",
3695   number =       "7",
3696   pages =        "824--826",
3697   keywords =     "SILICON CARBIDES; HOMOJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM
3698                  EPITAXY; TWINNING; RHEED; TEMPERATURE EFFECTS;
3699                  INTERFACE STRUCTURE",
3700   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/60/824/1",
3701   doi =          "10.1063/1.107430",
3702   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 6h-sic",
3703 }
3704
3705 @Article{yoshinobu90,
3706   title =        "Atomic level control in gas source {MBE} growth of
3707                  cubic Si{C}",
3708   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3709   volume =       "99",
3710   number =       "1-4",
3711   pages =        "520--524",
3712   year =         "1990",
3713   note =         "",
3714   ISSN =         "0022-0248",
3715   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(90)90575-6",
3716   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46YKT9W-HY/2/04dd57af2f42ee620895844e480a2736",
3717   author =       "Tatsuo Yoshinobu and Michiaki Nakayama and Hiromu
3718                  Shiomi and Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami",
3719   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic",
3720 }
3721
3722 @Article{fuyuki93,
3723   title =        "Atomic layer epitaxy controlled by surface
3724                  superstructures in Si{C}",
3725   journal =      "Thin Solid Films",
3726   volume =       "225",
3727   number =       "1-2",
3728   pages =        "225--229",
3729   year =         "1993",
3730   note =         "",
3731   ISSN =         "0040-6090",
3732   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90159-M",
3733   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-40/2/c9675e1d8c4bcebc7ce7d06e44e14f1f",
3734   author =       "Takashi Fuyuki and Tatsuo Yoshinobu and Hiroyuki
3735                  Matsunami",
3736   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
3737                  epitaxy, ale",
3738 }
3739
3740 @Article{hara93,
3741   title =        "Microscopic mechanisms of accurate layer-by-layer
3742                  growth of [beta]-Si{C}",
3743   journal =      "Thin Solid Films",
3744   volume =       "225",
3745   number =       "1-2",
3746   pages =        "240--243",
3747   year =         "1993",
3748   note =         "",
3749   ISSN =         "0040-6090",
3750   doi =          "DOI: 10.1016/0040-6090(93)90162-I",
3751   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TW0-46NY79X-43/2/18694bfe0e75b1f29a3cf5f90d19987c",
3752   author =       "Shiro Hara and T. Meguro and Y. Aoyagi and M. Kawai
3753                  and S. Misawa and E. Sakuma and S. Yoshida",
3754   notes =        "gas source mbe of 3c-sic on 3c-sic, atomic layer
3755                  epitaxy, ale",
3756 }
3757
3758 @Article{tanaka94,
3759   author =       "Satoru Tanaka and R. Scott Kern and Robert F. Davis",
3760   collaboration = "",
3761   title =        "Effects of gas flow ratio on silicon carbide thin film
3762                  growth mode and polytype formation during gas-source
3763                  molecular beam epitaxy",
3764   publisher =    "AIP",
3765   year =         "1994",
3766   journal =      "Applied Physics Letters",
3767   volume =       "65",
3768   number =       "22",
3769   pages =        "2851--2853",
3770   keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RHEED;
3771                  TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; MORPHOLOGY;
3772                  NUCLEATION; COALESCENCE; SURFACE RECONSTRUCTION; GAS
3773                  FLOW; FLOW RATE",
3774   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/65/2851/1",
3775   doi =          "10.1063/1.112513",
3776   notes =        "gas source mbe of 6h-sic on 6h-sic",
3777 }
3778
3779 @Article{fuyuki97,
3780   author =       "T. Fuyuki and T. Hatayama and H. Matsunami",
3781   title =        "Heterointerface Control and Epitaxial Growth of
3782                  3{C}-Si{C} on Si by Gas Source Molecular Beam Epitaxy",
3783   publisher =    "WILEY-VCH Verlag",
3784   year =         "1997",
3785   journal =      "physica status solidi (b)",
3786   volume =       "202",
3787   pages =        "359--378",
3788   notes =        "3c-sic heteroepitaxial growth on si by gsmbe, lower
3789                  temperatures 750",
3790 }
3791
3792 @Article{takaoka98,
3793   title =        "Initial stage of Si{C} growth on Si(1 0 0) surface",
3794   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3795   volume =       "183",
3796   number =       "1-2",
3797   pages =        "175--182",
3798   year =         "1998",
3799   note =         "",
3800   ISSN =         "0022-0248",
3801   doi =          "DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00391-6",
3802   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3W8STD4-V/2/8de695de037d5e20b8326c4107547918",
3803   author =       "T. Takaoka and H. Saito and Y. Igari and I. Kusunoki",
3804   keywords =     "Reflection high-energy electron diffraction (RHEED)",
3805   keywords =     "Scanning electron microscopy (SEM)",
3806   keywords =     "Silicon carbide",
3807   keywords =     "Silicon",
3808   keywords =     "Island growth",
3809   notes =        "lower temperature, 550-700",
3810 }
3811
3812 @Article{hatayama95,
3813   title =        "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic Si{C}
3814                  on Si using hydrocarbon radicals by gas source
3815                  molecular beam epitaxy",
3816   journal =      "Journal of Crystal Growth",
3817   volume =       "150",
3818   number =       "Part 2",
3819   pages =        "934--938",
3820   year =         "1995",
3821   note =         "",
3822   ISSN =         "0022-0248",
3823   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)80077-P",
3824   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-47RY2F6-1P/2/49acd5c4545dd9fd3486f70a6c25586e",
3825   author =       "Tomoaki Hatayama and Yoichiro Tarui and Takashi Fuyuki
3826                  and Hiroyuki Matsunami",
3827 }
3828
3829 @Article{heine91,
3830   author =       "Volker Heine and Ching Cheng and Richard J. Needs",
3831   title =        "The Preference of Silicon Carbide for Growth in the
3832                  Metastable Cubic Form",
3833   journal =      "Journal of the American Ceramic Society",
3834   volume =       "74",
3835   number =       "10",
3836   publisher =    "Blackwell Publishing Ltd",
3837   ISSN =         "1551-2916",
3838   URL =          "http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
3839   doi =          "10.1111/j.1151-2916.1991.tb06811.x",
3840   pages =        "2630--2633",
3841   keywords =     "silicon carbide, crystal growth, crystal structure,
3842                  calculations, stability",
3843   year =         "1991",
3844   notes =        "3c-sic metastable, 3c-sic preferred growth, sic
3845                  polytype dft calculation refs",
3846 }